Elektronik Ders Notlar 2

YARILETKENLERN TANITILMASI

Derleyen: Dr. Tayfun Demirtrk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr

Konular:
Atomik Yap Yariletken, letken ve Yaltkan Yariletkenlerde letkenlik N Tipi ve P tipi Yariletkenler PN Bitiimi (eklemi) ve Diyot PN Bitiiminin nbeslemesi

Amalar:
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz. Maddenin temel atomik yaps Atom numaras ve arl, elektron kabuklar ve yrngeler, Valans elektronlar, iyonizasyon Yariletken, iletken ve yaltkanlar. Enerji bantlar, Silisyum ve Germanyum. Yariletkenlerde iletkenlik, elektronlar ve boluklarda iletkenlik, N tipi ve P tipi maddenin oluturulmas; Katk ilemi PN eklemi ve temel ilevleri PN ekleminin n-beslenmesi Diyot karakteristikleri

ekil-A: eitli elektronik devre elemanlarnn genel grnm

Kullandmz pek ok cihazn retiminde bir veya birka elektronik devre eleman kullanlmaktadr. Elektronik devre elemanlar ise yariletken materyaller kullanlarak retilir. Diyot, transistor, tristr, FET, tm-devre (entegre) v.b adlarla tanmlanan elektronik devre elemanlarnn bir ou ekil-A da resimlenmitir.

Elektronik devre elemanlarnn dolaysyla elektronik cihazlarn nasl altn anlamak iin yariletken materyallerinin yaps hakknda bilgiye gereksinim duyarz. Bu bilgiyi ulamann en 3

etkin yolu maddenin temel atomik yapsn incelemekle balar. Bu kitap boyunca elektronik devre elemanlarn belirli bir sra ierisinde tanyacaz. Bu elemanlarn tm zelliklerini inceleyerek cihaz tasarmlarn gerekletireceiz.

Atomik Yap
Tm maddeler atomlardan oluur. Atomlar ise; elektronlar, protonlar ve ntronlardan meydana gelir. Elektrik enerjisinin oluturulmasn ve kontrol edilmesini maddenin atomik yaps belirler. Atomik yapya bal olarak tm elementler; iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlrlar. Elektronik endstrisinde temel devre elemanlarnn retiminde yariletken materyaller kullanlr. Gnmzde elektronik devre eleman retiminde kullanlan iki temel materyal vardr. Bu materyaller; silisyum ve germanyumdur. letken, yaltkan ve yariletken maddelerin ilevlerini ve zelliklerini incelemek iin temel atomik yapnn bilinmesi gerekir. Bu blmde temel atomik yapy inceleyeceiz. Blm sonunda aada belirtilen konular hakknda bilgi edineceksiniz. ekirdek, proton, ntron ve elektron Atom arl ve atom numaras Yrnge Valans elektronlar yonisazyon

Yeryznde bilinen 109 element vardr. Bir elementin zelliklerini belirleyen en kk yapta ise atomlardr. Bilinen btn elementlerin atomik yaplar birbirinden farkldr. Atomlarn birlemesi elementleri meydana getirir. Klasik Bohr modeline gre atom, ekil1 de gsterildii gibi 3 temel paracktan oluur. Bunlar; elektron, proton ve ntrondur. Atomik yapda; ntron ve protonlar merkezdeki ekirdei oluturur. ekirdek art ykldr. Elektronlar ise ekirdek etrafnda sabit bir yrngede dolarlar ve negatif ykldrler.

ekil1: Bohr modeline gre atom.

Elektronlar, negatif ykn temel nesneleridirler. Bilinen btn elementleri bir birinden ayran temel zellik, atomlarnda bulunan proton ve ntron saylardr. Her bir atomun, proton ve ntron saylar fakldr. rnein, en basit yapya sahip atom, hidrojen atomudur. Hidrojen atomu; ekil2.a da gsterildii gibi bir proton ve bir elektrona sahiptir. ekil2.b de gsterilen helyum atomunun yrngesinde iki elektron, ekirdeinde ise; iki proton ve iki ntron bulunmaktadr.

a) Hidrojen Atomu ekil2: Hidrojen ve Helyum atomlar

b) Helyum Atomu

Atom Numaras ve Arl

Btn elementler atom numaralarna uygun olarak periyodik tabloda belirli bir dzen iinde dizilmilerdir. Proton saylar ile elektron saylar eit olan atomlar, elektriksel adan kararl (ntral) atomlardr. Elementler, atom arlna gre de belirli bir dzen iindedirler. Atom arl yaklak olarak ekirdekteki proton saylar ile ntron saylarnn toplam kadardr. rnein hidrojenin atom numaras 1 dir ve atom arl da 1 dir. Helyumun atom numaras 2 dir ve atom arl ise 4 tr. Normal veya tarafsz durumda verilen her hangi bir elementin btn atomlarndaki; elektron ve proton saylar eittir.

Elektron Kabuklar ve Yrngeler

Bir atomun, elektron ieren yrngeleri ekirdekten belirli uzaklktadr. ekirdee yakn olan yrngedeki elektronlar, ekirdee uzak olan yrngedeki elektronlardan daha az enerjiye sahiptir. ekirdee farkl uzaklklarda bulunan yrngelerdeki elektronlar belirli enerji seviyelerine uyar. Atomda, enerji bantlar eklinde gruplam yrngeler kabuk (shell) olarak bilinirler. Verilen her bir atom, sabit kabuk saysna sahiptir. Kabuklarda barnan elektronlar ise belirli bir sistem dhilinde dizilirler.

Her bir kabuk, izin verilen sayda maksimum elektron barndrr. Bu elektronlarn enerji 6

seviyeleri deimez. Kabuk iindeki elektronlarn enerji seviyeleri bir birinden azda olsa kk farkllklar gsterir. Fakat kabuklar arasndaki enerji seviyelerinin fark ok daha byktr. ekirdek etrafnda belirli bir yrngeyi oluturan kabuklar, k-l-m-n olarak gsterilirler. ekirdee en yakn olan kabuk k dr. k ve l kabuklar ekil3 de gsterilmitir.

ekil3: ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri.

Valans Elektronlar
Elektronlar ekirdekten uzaktadr ve ekirdekten ayrlma eilimindedir. ekirdek elektronun bu ayrlma eilimini dengeleyecek gtedir. nk elektron negatif ykl, ekirdek pozitif ykldr. ekirdekten uzakta olan elektronun negatif yk daha fazladr. Bu durum merkezden kama kuvvetini dengelemektedir.

Bir atomun en dtaki kabuu, en yksek enerji seviyeli elektronlara sahiptir. Bu durum onu atomdan ayrlmaya daha eilimli hale getirir. Valans (atomun deerini ayarlayan elektronlar) elektronlar kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapsna katk salar. 7

Bir atomun en d kabuundaki elektronlar, ekirdek etrafnda simetrik olarak hareket ederler ve kendi aralarnda bir ba olutururlar. Bu baa kovalent ba denir.

Atomun en d kabuundaki elektronlara ise valans elektron ad verilir. Komu atomlarn en d kabuklarndaki elektronlar (valans elektronlar) kendi aralarnda valans iftleri olutururlar.

yonizasyon
Bir atom, s kaynandan veya ktan enerjilendii zaman elektronlarnn enerji seviyeleri ykselir. Elektronlar enerji kazandnda ekirdekten daha uzak bir yrngeye yerleir. Bylece Valans elektronlar daha fazla enerji kazanr ve atomdan uzaklama eilimleri artar. Bir valans elektronu yeterli miktarda bir enerji kazandnda ancak bir st kabua kabilir ve atomun etkisinden kurtulabilir. Bir atom, pozitif arjn ar artmas (protonlarn elektronlardan daha

fazla olmas) durumunda ntr deere ulamaya alr. Bu amala atom, valans elektronlarn harekete geirir. Valans elektronunu kaybetme ilemi YONZASYON olarak bilinir ve atom pozitif arj ile yklenmi olur ve pozitif iyon olarak adlandrlr. rnein; hidrojenin kimyasal sembol H dir. Hidrojenin valans elektronlar kaybedildiinde pozitif iyon adn alr ve H+ olarak gsterilir. Atomdan kaan valans elektronlar serbest elektron olarak adlandrlr. Serbest elektronlar, ntr hidrojen atomunun en d kabuuna doru akar. Atom negatif yk ile yklendiinde (elektronlarn protonlardan fazla olmas) negatif iyon diye adlandrlrlar ve Holarak gsterilirler.

Yariletken, letken ve Yaltkan

Btn materyaller; elektrik enerjisine gsterdikleri tepkiye bal olarak balca 3 gruba ayrlrlar. Bu guruplar; iletken, yaltkan ve yariletken olarak tanmlanr. Bu blmde; zellikle yariletken maddelerin temel yapsn inceleyerek, iletken ve yaltkan maddelerle aralarndaki farklar ortaya koymaya alacaz. Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konularda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz. Atomik yapnn z 8

 Bakr, silisyum, germanyum ve karbon v.b maddelerin atomik yaplar letkenler Yariletkenler letken ve yariletken arasndaki farklar Silisyum ve germanyum yariletken malzemelerin farkllklar

Tm materyaller atomlardan oluur. Materyallerin atomik yaps, materyalin elektrik enerjisine kar gsterecekleri tepkiyi belirler. Genel bir atomik yap; merkezde bir ekirdek ve ekirdei evreleyen yrngelerden olumaktadr. Materyalin iletken veya yaltkan olmasnda atomik yrngede bulunan elektron says ok nemlidir.

letken
Elektrik akmnn iletilmesine kolaylk gsteren materyallere iletken denir. yi bir iletken zellii gsteren materyallere rnek olarak, bakr, gm, altn ve alminyumu sayabiliriz. Bu materyallerin ortak zellii metal olmalar ile birlikte son yrngelerinde [deerlik (valans) band] sadece birka (1, 2 veya en fazla 3) valans elektronuna sahip olmalardr. Ayrca band teorisine gre de iletkenlik band ile deerlik band arasndaki mesafe ya ok az ya da hemen hemen i ie gemi durumdadr. Dolays ile bu elektronlarn kolaylkla kaybedebilirler.

Yaltkan
Normal koullar altnda elektrik akmna zorluk gsterip, elektrii iletmeyen materyallere yaltkan denir. Yaltkan maddeler son yrngelerinde 6 ile 8 arasnda valans elektron barndrrlar. letim band ile deerlik band arasndaki mesafe ok fazladr. Dolaysyla deerlik bandnda bulunan bir elektronun iletim bandna gemesi veya iyonlaarak serbest elektron haline gemesi hi de kolay deildir, ancak yksek enerji gereklidir. Yaltkan maddelere rnek olarak bakalit, ebonit v.b ametalleri sayabiliriz.

Yariletken
Yariletken maddeler; elektrik akmna kar, ne iyi bir iletken nede iyi bir yaltkan zellii gsterirler. Elektronik endstrisinin temelini oluturan yariletken maddelere rnek olarak; silisyum (Si), germanyum (Ge) ve karbon (C) elementlerini verebiliriz. Bu elementler son yrngelerinde 4 adet valans elektron bulundururlar.

Enerji Band
Maddelerin iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlmasnda enerji bandlar olduka etkindir. Yaltkan, yariletken ve iletken maddelerin enerji bantlar ekil-4de verilmitir. Enerji band bir yaltkanda ok genitir ve ok az sayda serbest elektron ierir. Dolaysyla serbest elektronlar, iletkenlik bandna atlayamazlar. Bir iletkende ise; valans band ile iletkenlik band adeta birbirine girmitir. Dolaysyla harici bir enerji uygulanmakszn valans elektronlarn ou iletkenlik bandna atlayabilir. ekil4 dikkatlice incelendiinde yariletken bir maddenin enerji aral; yaltkana gre daha dar, iletkene gre daha genitir.

ekil4: farkl Materyal iin enerji diyagram

Silisyum (Si) ve Germanyum (Ge)

Diyot, transistr, tmdevre v.b elektronik devre elemanlarnn retiminde ounlukla iki tip yar iletken malzeme kullanr. Bunlar; SLSYUM ve GERMANYUM elementleridir. Bu 10

elementlerin atomlarnn her ikisi de 4 Valans elektronuna sahiptir. Bunlarn birbirinden fark; Silisyumun ekirdeinde 14 proton, Germanyumun ekirdeinde 32 proton vardr. ekil5 de her iki malzemenin atomik yaps grlmektedir. Silisyum bu iki malzemenin en ok kullanlandr.

ekil5: Silisyum ve germanyum atomlar

Kovalent Ba
Kat materyaller, kristal bir yap olutururlar. Silikon, kristallerden olumu bir materyaldir. Kristal yap ierisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent ba denilen balarla balanrlar. Kovalent ba, bir atomun valans elektronlarnn birbirleri ile etkileim oluturmas sonucu meydana gelir. ekil-5 de saf silisyum kristalin kovalent balar grlmektedir.

Her silisyum atomu, kendisine komu dier 4 atomun valans elektronlarn kullanarak bir yap oluturur. Bu yapda her atom, 8 valans elektronunun oluturduu etki sayesinde kimyasal kararll salar. Her bir silisyum atomunun valans elektronu, komu silisyum atomunun valans elektronu ile paylam sonucunda kovalent ba oluur. Bu durum; bir atomun dier atom tarafndan tutulmasn salar. Bylece paylalan her elektron birbirine ok yakn elektronlarn bir arada bulunmasn ve birbirlerini eit miktarda ekmesini salar. ekil5, saf 11

silisyum kristallerinin kovalent balarn gstermektedir. Germanyumun kovalent bada benzerdir. Onunda sadece drt valans elektronu vardr.

ekil5: Saf silisyum kristalin kovalent balar.

Yariletkenlerde letkenlik
Malzemenin elektrik akmn nasl ilettii, elektrik devrelerinin nasl altnn anlalmas bakmndan ok nemlidir. Gerekte temel akm mantn bilmeden diyot veya transistr gibi yariletken devre elemanlarnn almasn anlayamazsnz. Bu blmde iletkenliin nasl meydana geldiini ve baz malzemelerin dierlerinden niye daha iletken olduunu, yariletken malzemelerde iletkenliin nasl salandn reneceksiniz.

Bu blmde enerji bantlar ierisinde elektronlarn nasl ynlendiini greceksiniz. ekirdein etrafndaki kabuklar enerji bantlar ile uyumludur. Enerji bantlar birbirlerine ok yakn kabuklarla ayrlmtr. Aralarnda ise elektron bulunmaz. Bu durum ekil6 da silisyum kristalinde (dardan s enerjisi uygulanmakszn) gsterilmitir.

12

ekil6: Durgun silisyum kristalinin enerji band diyagram.

Elektronlar ve Boluklarda letkenlik

Saf bir silisyum kristali oda scaklnda baz tepkimelere maruz kalr. rnein; baz valans elektronlar enerji aralklarndan geerek, valans bandndan iletkenlik bandna atlarlar. Bunlara serbest elektron veya iletkenlik elektronlar denir. Bu durum ekil7.a da enerji diyagramnda, ekil7.b de ise ba diyagramnda gsterilmitir. Bir elektron; valans bandndan iletkenlik bandna atladnda, valans bandnda boluklar kalacaktr. Bu boluklara delik = boluk veya hole denir. Is veya k enerjisi yardmyla iletkenlik bandna kan her elektron, valans bandnda bir delik oluturur. Bu durum, elektron boluk ifti diye adlandrlr. letkenlik 13

bandndaki elektronlar enerjilerini kaybedip, valans bandndaki bolua geri dtklerinde her ey eski haline dner.

zetle; saf silisyumunun iletkenlik bandndaki elektronlarn bir ksm oda scaklnda hareketli hale geer. Bu hareket, malzemenin herhangi bir yerine doru rasgeledir. Bylece valans bandndaki boluk saysna eit miktarda elektron, iletkenlik bandna atlar.

ekil7.a ve b: Hareketli bir silisyum atomunda bir elektron boluunun oluturulmas.

Elektron ve Delik (hole) Akm

Saf silisyumun bir ksmna gerilim uygulandnda neler olduu ekil8 zerinde gsterilmitir. ekilde iletkenlik bandndaki serbest elektronlarn negatif utan pozitif uca doru gittikleri grlmektedir. Bu; serbest elektronlarn hareketinin olutuu akmn bir trdr. Buna elektron akm denir.

14

ekil8: Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket, silisyum iinde bir elektron akna neden olur.

Akm oluturan bir dier tip ise valans devresindeki deiimlerdir. Bu ise; serbest elektronlar neticesinde boluklarn olumas ile meydana gelir. Valans bandnda kalan dier elektronlar ise hala dier atomlara bal olup serbest deillerdir. Kristal yap ierisinde rasgele hareket etmezler. Bununla birlikte bir valans elektronu komu bolua tanabilir. (enerji seviyesindeki ok kk bir deiimle). Bylece bir boluktan dierine hareket edebilir. Sonu olarak kristal yap ierisindeki boluklarda bir yerden dier yere hareket edecektir. Boluklarn bu hareketi de akm diye adlandrlr.

N-Tipi ve P-Tipi Yar letkenler

Yariletken malzemeler, akm iyi iletmezler. Aslnda ne iyi bir iletken, nede iyi bir yaltkandrlar. nk valans bandndaki boluklarn ve ilettim bandndaki serbest elektronlarn says snrldr. Saf silisyum veya germanyumun mutlaka serbest elektron veya boluk says artrlarak iletkenlii ayarlanmaldr. letkenlii ayarlanabilen silisyum veya germanyum, elektronik devre elemanlarnn yapmnda kullanlr. Germanyum veya silisyumun iletkenlii ise ancak saf malzemeye katk maddesi eklenmesi ile salanr. Katk maddesi eklenerek 15

oluturulan iki temel yariletken materyal vardr. Bunlara; N-tipi madde ve P-tipi madde denir. Elektronik devre elemanlarnn retiminde bu iki madde kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; Katk (doping) ilemini N-tipi yariletken maddenin yapsn P-tipi yariletken maddenin yapsn ounluk ve aznlk akm tayclarn

ayrntl olarak reneceksiniz.

Katk lemi (Doping)

Silisyum ve germanyumun iletkenlii kontroll olarak artrlabilir. letkenlii kontroll olarak artrmak iin saf yariletken malzemeye katk maddesi eklenir. Bu ileme doping yani uyarc denir. Akm tayclarnn (elektron veya boluk) saysnn artrlmas malzemenin iletkenliini, azaltlmas ise malzemenin direnci artrr. Her iki doping olaynn sonucunda N-tipi veya P-tipi madde oluur.

N-Tipi Yariletken
Saf silisyumun iletkenlik bandndaki deliklerinin artrlmas atomlara katk maddesi ekleyerek yaplr. Bu atomlar, 5-deerli valans elektronlar olan Arsenik (As), Fosfor (P), Bizmut (Bi) veya Antimondur. Silisyuma katk maddesi olarak 5 valans elektrona sahip Fosfor belli bir oranda eklendiinde, dier Silisyum atomlar ile nasl bir kovalent ba oluturulduu ekil10 da gsterilmitir. Fosfor atomunun 4 valans elektronu, silisyumun 4 valans elektronu ile kovalent ba oluturur. Fosforun 1 valans elektronu akta kalr ve ayrlr. Bu akta kalan elektron iletkenlii artrr. nk herhangi bir atoma bal deildir. letkenlik, elektron saylar ile kontrol edilebilir. Bu ise silisyuma eklenen atomlarn says ile olur. Katk sonucu oluturulan bu iletkenlik elektronu, valans bandnda bir boluk oluturmaz.

16

ekil10: N tipi yariletken maddenin oluturulmas.

Akm tayclarnn ounluu elektron olan, silisyum veya germanyum maddesine N-tipi yariletken malzeme denir. N-tipi malzemede elektronlar, ounluk akm tayclar diye adlandrlr. Bylece N-tipi malzemede akm tayclar elektronlardr. Buna ramen s ile oluturulan birka tane elektron boluk iftleri de vardr. Bu boluklar 5-deerli katk maddesi ile oluturulmamlardr. N-tipi malzemede boluklar aznlk tayclar olarak adlandrlr.

P-Tipi Yariletken
Saf silisyum atomu ierisine, 3 valans elektrona sahip (3-deerli) atomlarn belli bir oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yap oluur. Bu yeni kristal yapda delik (boluk) says artrlm olur. 3 valans elektrona sahip atomlara rnek olarak; Alminyum (Al), Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. rnein; saf silisyum ierisine belli bir oranda bor katlrsa; bor elementinin 3 valans elektronu, silisyumun 3 valans elektronu ile ortak kovalent ba oluturur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak valans ba oluturamaz. Bu durumda 1 elektron noksanl meydana gelir. Buna boluk veya delik = hole denir.

Silisyuma eklenen katk miktar ile boluklarn says kontrol edilebilir. Bu yntemle elde 17

edilen yeni malzemeye P tipi yariletken malzeme denir. nk boluklar pozitif ykldr. Dolays ile P-tipi malzemede ounluk akm taclar boluklardr. Elektronlar ise P tipi malzemede aznlk akm tayclardr. P-tipi malzemede bir ka adet serbest elektronda olumutur. Bunlar s ile oluan boluk ifti esnasnda meydana gelmitir. Bu serbest elektronlar, silisyuma yaplan katk esnasnda oluturulamazlar. Elektronlar P-tipi malzemede aznlk akm tayclardr.

ekil11: Silisyum kristaline 3 bal katk atomu. Bor katk atomu merkezde gsterilmitir.

PN Birleimi
Silisyum veya Germanyum kristaline yeterli oranda katk maddeleri eklenerek, P-tipi ve N-tipi maddeler oluturulmutu. Bu maddeler yaln halde elektriksel ilevleri yerine getiremezler. P ve N tipi malzeme bir arada kullanlrsa, bu birleime PN birleimi (junction) veya PN eklemi denir. PN birleimi; elektronik endstrisinde kullanlan diyot, transistr v.b devre elemanlarnn yapmnda kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; PN bitiiminin zelliklerini 18

 Deplasyon katman ve ilevini

ayrntl olarak reneceksiniz. ekil12.(a) da yars P-tipi, dier yars N tipi malzemeden oluan iki blml bir silisyum parasn gstermektedir. Bu temel yap biimine yar iletken diyot denir. N blgesinde daha ok serbest elektron bulunur. Bunlar akm tayccs olarak grev yaparlar ve ounluk akm taycs olarak adlandrlrlar. Bu blgede ayrca s etkisi ile oluturulan birka boluk (delik=hole) bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar ad verilir.

ekil12.a ve b: Basit bir PN yapsnn oluumu. ounluk ve aznlk tayclarnn ikisi de gsterilmitir.

P blgesi ise ok sayda boluklar (delik = hole) ierir. Bunlara ounluk akm tayclar denir. Bu blgede s etkisi ile oluan birka serbest elektronda bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar denir. Bu durum ekil12.(b) de gsterilmitir. PN birleimi elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn, transistorlarn ve dier katk hal devrelerinin temelini oluturur.

Deplasyon Katman ve levi

P maddesinde elektron noksanl (boluk), N maddesinde ise elektron fazlal meydana gelmiti. Elektron ve oyuklarn hareket ynleri birbirine zttr. Aslnda bu iki madde balangta elektriksel olarak ntr haldedir. P ve N maddesi ekil13.a da grld gibi birletirildiini 19

kabul edelim. Birleim olduu anda N maddesindeki serbest elektronlar, P maddesinde fazla olan oyuklarla (boluk=delik) birleirler. P maddesindeki fazla oyuklarn bir ksm ise, N maddesine gelip elektronlarla birleirler. Bu durumda P maddesi net bir (-) yk, N maddesi ise (+) yk kazanm olur. Bu olay olurken P maddesi (-) yke sahip olduundan N maddesindeki elektronlar iter. Ayn ekilde, N maddesi de (+) yke sahip olduundan P maddesindeki oyuklar iter. Bylece P ve N maddesi arasnda daha fazla elektron ve oyuk akmasn engellerler. Yk dalmn belirtildii ekilde olumas sonucunda PN birleiminin arasnda gerilim seddi denilen bir blge (katman) oluur. Bu durum ekil13.b de resmedilmitir. letim dengesi salandnda deplesyon kat, P-N birleiminde iletim elektronu bulunmad noktaya kadar geniler.

ekil13.a ve b: PN birleiminin denge iletimi. Elektron boluk iftinin oluturduu scaklkla, N blgesindeki birka boluun aznlk tayclarnn meydana getirilmesi. ekil13.b de PN birleim blgesinde pozitif ve negatif iyonlarla oluturulan gerilim seddi grlmektedir. Oluan bu gerilim seddi; 25 oC de silisyum iin engel 0,7 Volt, germanyum iin 0,3 Volt civarndadr. Bu gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi sdan etkilenir. rnein scaklk miktarndaki her 1oC lik art, diyot ngeriliminin yaklak 2.3 mV azalmasna neden olur. Diyot ngerilimi ok nemlidir. nk PN birleimine dardan uygulanan gerilimin oluturaca akm miktarnn kararl olmasn salar. lerideki blmlerde PN birleimini ayrntl olarak inceleyeceiz.

20

PN Birleiminin Polarmalanmas (Beslenmesi)

PN bitiiminin nasl oluturulduunu grdk. PN bitiimi elektronik devre elemanlarnn retiminde kullanlan en temel yapdr. PN birleimine elektronik biliminde diyot ad verilmektedir. Diyot veya dier bir elektronik devre elamannn DC gerilimler altnda altrlmasna veya almaya hazr hale getirilmesine elektronikte Polarma, bias veya besleme ad verilmektedir. PN birleimi veya diyot; DC gerilim altnda iki trde polarmalandrlr. Bunlardan birisi ileri ynde polarma dieri ise ters ynde polarma dr. leri veya ters ynde polarma, tamamen diyot ularna uygulanan gerilimin yn ile ilgilidir. Bu blm bitirdiinizde; leri ynde polarma (forward bias) Ters ynde polarma (reverse bias)

Kavramlarn reneceksiniz.

leri Ynde Polarma (Forward Bias)

leri ynde polarma; yariletken bir devre elemannn ularna uygulanan DC gerilimin yn ile ilgilidir. PN birleiminden akm akmasn salayacak ekilde yaplan polarmadr. ekil-14 de bir diyota ileri ynde polarma salayacak balant grlmektedir.

ekil14: leri ynde polarma balants. R, direnci akm snrlamak amacyla kullanlmtr. 21

leri ynde polarma yle alr. Bataryann negatif ucu N blgesine (Katot olarak adlandrlr), pozitif ucu ise P blgesine (Anot olarak adlandrlr) balanmtr. Bataryann negatif terminali, N blgesindeki iletkenlik elektronlarn birleim blgesine doru iter. Ayn anda pozitif terminal, P blgesindeki oyuklar birleim blgesine iter. Uygulanan polarma gerilimi yeterli seviyeye ulanca; N blgesindeki elektronlarn ve P blgesindeki oyuklarn engel blgesini amasn salar. N blgesinden ayrlan elektronlara karlk, bataryann negatif ucundan ok sayda elektron girmesini salar. Bylece N blgesinde iletkenlik elektronlarnn hareketi (ounluk akm tayclar) eklem blgesine dorudur.

Karya geen iletkenlik elektronlar, P blgesinde boluklar ile birleirler. Valans elektronlar boluklara tanr ve boluklar ise pozitif anot blgesine tanr. Valans elektronlarnn boluklarla birleme ilemi PN ularna voltaj uyguland srece devam eder ve devaml bir akm meydana gelir. Bu durum ekil-15de resmedilmitir. ekilde ileri ynde beslenen diyottaki elektron ak grlmektedir.

ekil15: PN birleimli diyot da elektron ak.

22

leri Polarmada Gerilim Seddinin Etkisi

PN birleiminde meydana gelen gerilim seddi, Silisyumda 0,7 V, germanyumda ise 0,3 V civarndadr. Polarma geriliminin potansiyeli bu deere ulatnda, PN birleiminde iletim balar. PN ularna uygulanan gerilim, diyotu bir kez iletime geirdikten sonra gerilim seddi klr. Akm ak devam eder. Bu akma ileri yn akm If denir. If akm P ve N blgesinin direncine bal olarak ok az deiir. Bu blgenin direnci (ileri yndeki diren) genellikle kktr ve kk bir gerilim kaybna sebep olur.

Ters Polarma (Reverse Bias)

Ters kutuplamada bataryann negatif ucu P blgesine, pozitif ucu ise N blgesine balanmtr. Bu durum ekil16 da gsterilmitir. Ters polarmada PN birleiminden akm akmaz. Bataryann negatif ucu, PN blgesindeki boluklar kendine doru eker. Pozitif ucu ise PN blgesindeki elektronlar kendine doru eker ve bu arada (deplesyon blgesi) yaltkan katman geniler. N blgesinde daha ok pozitif iyonlar, P blgesinde ise daha ok negatif iyonlar oluturulur.

ekil16: Ters Polarma balants.

Yaltkan (deplesyon) katmandaki potansiyel fark harici bayas gerilimine eit oluncaya kadar 23

geniler. Bu noktada boluklarn ve elektronlarn hareketi durur. Birleimden ounluk akm tayclarnn harekete balamas (transient ) akm diye adlandrlr. Bu ise ters kutuplama yapldnda ok ksa bir anda akan bir akmdr.

ekil17: Ters polarmada oluan engel katman Diyot ters kutuplandnda engel katmannn yaltkanl artacak ve her iki taraftaki iyonlar arj olacaktr. Bu durum kapasitif bir etki yaratr. Ters kutuplama gerilimi arttka engel katman geniler. Bu arada kapasitansda artacaktr. Bu durum, deplesyon katmannn kapasitans diye bilinir ve bu durum pratik kolaylklar salar.

Aznlk Akm
imdiye kadar rendiimize gre; diyoda ters gerilim uygulandnda ounluk akm abucak sfr olur. Ancak ters kutuplama da bile ok az bir aznlk akm mevcut olacaktr. Bu ters akm germanyumda, silisyuma gre daha fazladr. Bu akm silisyum iin mikro-amper veya nanoamper ler mertebesindedir. Dolays ile s ile oluan elektron boluk ifti ise minimum seviyesindedir. Harici ters gerilim; uygulanrken baz elektronlar PN birleimini geecektir. Ters akm ayn zamanda birleimin ssna ve ters kutlama geriliminin miktarna baldr dolays ile snn artmas ters akm da artracaktr.

24

Ters Ynde Krlma

Eer dardan uygulanan ters polarma gerilimi ar derecede artrlrsa krlmas meydana gelir. imdi bu ne demektir? Aznlk akm tayclar olan iletkenlik band elektronlar dardan uygulanan ters gerilim kaynann etkisi ile P blgesine itilirler. Bu esnada valans elektronlar iletkenlik bandna doru hareket ederler. Bu anda iki tane iletkenlik band elektronu mevcuttur. Her biri bir atomda bulunan bu elektronlar; valans bandndan, iletkenlik bandna hareket eder. letkenlik band elektronlarnn hzla oalmas olay, etkisi olarak bilinir. Sonu olarak byk bir ters akm akar. ou diyotlar genelde ters krlma blgesinde almazlar. nk hasar grebilirler. Bununla birlikte baz diyotlar srf ters ynde alacak ynde yaplmlardr. Bunlara Zener Diyot ad verilir.

Diyot
nceki blmlerde oluturulan PN birleimine elektronik endstrisinde diyot ad verilmektedir. Diyot, elektronik endstrisinin temelini oluturan en basit aktif devre elemandr. retici firmalar kullancnn gereksinimine bal olarak farkl akm ve gerilim deerlerinde alabilecek ekilde binlerce tip diyot retimi yapmlardr. Bu blmde diyotun nasl altn, akm-gerilim karakteristiklerini ayrntl olarak inceleyeceiz. Bu blmde sras ile; Diyot semboln deal diyot modelini Pratik diyot modelini Diyotun polarmalandrlmasn, Diyotun V-I karakteristiini Diyot direncini Diyotlarda yk dorusu ve alma karakteristiini Diyodun scaklkla ilikisini

reneceksiniz. Bu blmde reneceiniz temel alma prensipleri, ileriki blmlerde diyotlarla yapacanz uygulama ve tasarmlara sizleri hazrlayacaktr.

25

PN Bitiimi ve Diyot
Bir nceki blmde oluturulan P ve N maddesinin birletirilmesi, Diyot ad verilen yariletken devre elemann meydana getirir. P ve N maddesinin birletirilmesi ilemi, diyot reticileri tarafndan bir yzey boyunca veya belirli bir noktada yaplabilir. Bu nedenle diyotlara nokta temasl diyot veya yzey bitiimli diyot ad da verilebilir. Her iki tip diyotun zellikleri ve alma karakteristikleri ayndr. Dolays ile bu olay reticileri ilgilendirir. Bizim bu konuyla ilgilenmemize gerek yoktur. ekil19 da elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn klf tipleri ve terminal isimleri verilmitir.

ekil19: Diyotlarda klf tipleri ve terminal isimleri

Elektronik biliminde her devre eleman sembollerle ifade edilir. Sembol tespiti bir takm uluslararas kurallara gre yaplmaktadr. ekil20 de diyot un temel yaps ve ematik diyot sembolleri verilmitir.

26

ekil20: Diyotun yaps ve ematik diyot sembolleri ekil20 de grld gibi diyot 2 terminalli aktif bir devre elemandr. Terminallerine ilevlerinden dolay anot ve katot ismi verilmitir. Anot terminalini P tipi madde, katot terminalini ise N tipi madde oluturur. Bu blmde genel amal dorultma diyotlarn ayrntlar ile inceleyeceiz. Elektronik endstrisinde farkl amalar iin tasarlanm, ilevleri ve zellikleri farkllklar gsteren diyotlarda vardr. Bu diyotlar, zel tip diyotlardr. leriki blmlerde incelenecektir.

deal Diyot Modeli

deal diyodu tek ynl bir anahtar gibi dnebiliriz. Anot terminaline gre; katot terminaline negatif bir gerilim uygulanan diyot, doru (ileri) ynde polarmalandrlm olur. Diyot, doru ynde polarmalandnda kapal bir anahtar gibi davranr. zerinden akm akmasna izin verir. Direnci minimumdur. Bu durum ekil21.a da grlmektedir.

Anot terminaline gre; katot terminaline pozitif bir gerilim uygulanan diyot ters ynde polarmalandrlm olur. deal diyot ters ynde polarmalandrldnda, ak bir anahtar gibi davranr. zerinden akm akmasna izin vermez ve direnci sonsuzdur. Bu durum ekil21.b de gsterilmitir. deal bir diyotun Akm-gerilim karakteristii ise ekil21.c de verilmitir.

27

ekil21: deal diyotun ileri ve ters polarmada davranlar

Pratik Diyot Modeli

Pratik kullanmda diyot, ideal modelden farkl davranlar sergiler. rnein; doru polarma altnda kapal bir anahtar gibi ksa devre deildir. Bir miktar direnci vardr. Bu nedenle zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu gerilime diyot ngerilimi denir ve Vf veya Vd sembolize edilir. Bu gerilim deeri; silisyumda 0,7 V, germanyumda ise 0,3 V civarndadr. Gerek bir diyotun doru polarma altnda modellemesi ekil22.a da verilmitir.

Ters ynde polarmada ise, ak bir anahtar gibi direnci sonsuz deildir. Bu nedenle zerinden ok kk bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm denir ve Ir ile sembolize edilir. Sznt akm ok kk olduundan pek ok uygulamada ihmal edilebilir. Gerek bir silisyum diyodun V-I karakteristii ise ekil22.c de verilmitir. rnein; ekil22.a da grlen doru polarma devresinde diyot zerinden geen ileri yn akm deeri If;

ekil22: Pratik bir diyotun ileri ve ters polarmada davranlar 28

Diyot Karakteristikleri
Diyot karakteristii; diyota uygulanan polarma gerilimi ve akmlarna bal olarak diyotun davrann verir. retici firmalar; rettikleri her bir farkl diyot iin, gerekli karakteristikleri kullancya sunarlar. Bu blmde; Diyotun V-I karakteristiini Diyot direncini Yk dorusu ve alma noktasn Diyot karakteristiinin scaklkla ilikisini

ayrntl olarak inceleyeceiz.

Diyotun V-I karakteristii

Diyotun V-I karakteristii; diyot ularna uygulanan gerilimle, diyot zerinden geen akm arasndaki ilikiyi gsterir. Diyot; doru ve ters polarma altnda farkl davranlar sergiler. Genel kullanm amal silisyum diyodun doru ve ters polarmalar altndaki V-I karakteristii ekil23 de verilmitir. ekil23 zerinde diyodun V-I karakteristiini karmak iin gerekli devre balantlar grlmektedir.

Diyot, doru polarmada iletimdedir. Ancak iletime balama noktas Vd olarak iaretlenmitir. Bu deerden sonra diyot zerinden akan ileri yn If akm artarken, diyot zerine den gerilim yaklak olarak sabit kalmaktadr. Bu gerilim diyot ngerilimi olarak adlandrlr. Diyot ngerilimi silisyum bir diyotda yaklak olarak 0,7 V civarndadr.

Ters polarma altnda ise; diyot zerinden geen akm miktar ok kktr. Bu akma sznt akm denir. Sznt akm, silisyum bir diyotda birka nA seviyesinde, germanyum bir diyotda ise birka A seviyesindedir. Ters polarma altnda diyot, belirli bir gerilim deerinden sonra iletime geer. zerinden akan akm miktar ykselir. Ters polarma altnda diyotun krlp iletime gemesine neden olan bu gerilime krlma gerilimi denir. Bu durum ekil23 zerinde gsterilmitir. 29

ekil23: Silisyum diyotun V-I karakteristii

Diyot; krlma geriliminde iletime gemekte ve zerinden akm akmasna izin vermektedir. ekil23 deki grafik dikkatlice incelenirse, diyot zerinden akan akm artt halde, gerilim sabit kald gzlenmektedir. Bu durum nemlidir. retici firmalar, bu durumu dikkate alarak farkl deerlerde krlma gerilimine sahip diyotlar gelitirip, tketime sunmulardr. Bu tr diyotlara zener diyot ad verilir. Zener diyotlar, ileri blmlerde ayrntl olarak incelenecektir. ekil23 de verilen diyot karakteristiinde; diyotun krlp akm aktmaya balamas, aada verilen eitlik ile aklanabilir.

I = I 0 (e
Bu formlde;

qV kT

1)

30

I, Diyot akmn I0, Ters polarmada sznt akmn V, Diyot ularna uygulanan polarma gerilimini q, Elektron arj miktarn (Coulomb olarak) T, pn birleim scakln (K cinsinden) k, Boltzmann sabitini , Metale baml bir sabite (Ge:1, Si=2) Silisyum ve germanyum diyotlarn akm-gerilim karakteristik erileri ekil-24de birlikte verilmitir. Grld gibi germanyum diyotlarn sznt akm ok daha byktr. Bu nedenle gnmzde silisyum diyotlar zellikle tercih edilir. Germanyum diyotlar, ise ngerilimlerinin kk olmalar nedeniyle (0,20,3 V) zellikle alak gl yksek frekans devrelerinde krpc olarak kullanlmaktadrlar.

ekil24: Silisyum ve Germanyum diyot karakteristiklerinin karlatrlmas

31

Diyot Direnci
Diyotun elektriksel olarak direnci; diyot ularndaki gerilimle diyot zerinden geen akmn oranna gre tayin edilir. Diyot direnci, karakteristiinde grld gibi dorusal deildir. Doru polarma altnda ve iletim halindeyken, direnci minimum 10 civarndadr. Ters polarma altnda ve kesimdeyken ise 10M-100M arasndadr. Diyotun doru akm altnda gsterdii diren deerine statik diren denir. Statik diren (rS) aadaki gibi formle edilir.

rs ( statik ) =

VD ID

Alternatif akm altnda gsterdii diren deerine dinamik diren denir. Dinamik diren (rD) aadaki gibi formle edilir.

rD ( dinamik ) =

V I

Diyotlarda; dinamik veya statik diren deerlerinin hesaplanmasnda diyot karakteristii kullanlr. ekil25 de silisyum bir diyotun ileri yn karakteristii verilmitir.

ekil25: Statik ve Dinamik diyot direnlerinin belirlenmesi

32

Statik ve dinamik diyot direnlerinin belirlenip formle edilmesinde ekil-25 de grlen diyot karakteristiinden yararlanlr. ekilde grlen karakteristikte deiim noktalar Q1, Q2 ve Q3 olarak iaretlenmitir. rnein Q1 ve Q2 noktalarnda diyotun statik direnci;

rs (Q1 ) = rs (Q2 ) =

V1 I1 V2 I2

olarak bulunur. Diyotun dinamik direnci ise, akm ve gerilimin deimesi ile oluan diren deeridir. rnein Q2 noktasndaki dinamik diren deerini bulmak istersek, Q2 noktasndaki deiimin (Q1 - Q3 deiimi gibi) kk bir deiimini almamz gerekir.

rD =

V V3 V1 = I I 3 I1

Elde edilen bu eitlik ters polarmada da kullanlabilir.

Yk Dorusu ve alma Noktas

Diyot, diren ve DC kaynaktan oluan basit bir devre ekil26.da verilmitir. Devrede diyot doru ynde polarmalandrlmtr.

Diyot ideal kabul edilirse devreden akacak akm miktar; 33

IF =

VDD R

olaca aktr. Gerek bir diyot kullanldnda ise; devreden akacak I akm miktarna bal olarak diyot ularnda Vd ile belirlenen bir diyot ngerilimi oluacaktr. Bu gerilim deeri lineer deildir. Bu gerilim deerinin;

VF = VDD - IF . R
olaca aktr. Ayrca devreden akan akacak olan Id akm deerinin VDD gerilimine bal olarak da eitli deerler alaca aktr. eitli VDD deerleri veya If deerleri iin, diyot n gerilimi VD nin alabilecei deerler diyot karakteristii kullanlarak bulunabilir. VDD geriliminin eitli deerleri iin devreden akacak olan If akm deerleri bulunup karakteristik zerinde iaretlenir ve kesiim noktalar birletirilirse ekil26 da grlen eri elde edilir. Bu eriye yk dorusu denilir. Yk dorusu izimi iin;

If = 0 iin Vf = VDD Vf = 0 iin If = VDD/R

(Diyot yaltkan) (Diyot iletken)

Bulunan bu deerler karakteristik zerindeki koordinatlara iaretlenir. aretlenen noktalar karakteristik zerinde birletirilirse yk dorusu izilmi olur. Bu durum ekil26 zerinde gsterilmitir. Diyot karakteristik erisinin yk izgisini kestii nokta Q alma noktas olarak bilinir. Yk izgisinin eimi ise -1/R dir. ekil-26da verilen devreye bal olarak yk dorusu bir defa karldktan sonra VDD nin herhangi bir deeri iin akacak akm miktar ve buna bal olarak R direnci ularnda oluabilecek gerilim deeri kolaylkla bulunabilir. Yk dorusu ve alma noktasnn tayini; diyotu zellikle hassas kullanmlarda duyarl ve pratik alma salar.

Scaklk Etkisi

Diyot karakteristii ile ilgili bir dier faktr ise scaklktr. retici firmalar diyotun karakteristik 34

deerlerini genellikle 25oC oda scakl iin verirler. Diyotun alma ortam ss, oda scaklndan farkl deerlerde ise diyot ngeriliminde ve sznt akmnda bir miktar deiime neden olur.
Diyot ngerilimi Vf; her 1oClik s artnda yaklak 2,3 mV civarnda azalr. Diyot sznt akm I0; her 10oClik s artnda yaklak iki kat olur.

Diyotun s deiimine kar gsterdii duyarllk olduka nemlidir. rnein bu duyarllktan yararlanlarak pek ok endstriyel s lmnde ve kontrolnde sensor olarak diyot kullanlr.

rnek: a)

ekil27.a da verilen devre iin diyot zerinden akan ileri yn akmn ideal ve pratik bir ekil27.b de verilen devre iin ters yn gerilim ve akm deerlerini ideal ve pratik bir

silisyum diyot iin bulunuz.

b)

silisyum diyot iin bulunuz. Diyot ters yn akm IR=1A

ekil27.a ve b: Diyot devreleri

zm: (a)

deal Diyot Modeli;

VF = 0V IF = VDD 10V = = 10mA R A 1 K

V A = I F RA = (10mA ) (1 K ) = 10V
35

Pratik Diyot Modeli;

VF = 0.7V IF = VDD VF 10V 0.7V = = 9.3mA RA 1 K

V A = I F RA = ( 9.3mA ) (1 K ) = 9.3V
zm: (b)

deal Diyot Modeli;

IR = 0A VR = VDD = 10V VR A = 0V
Pratik Diyot Modeli;

I R = 1A VR A = I R RA = (1A) (1 K ) = 1mV VR = VDD VRA = 10V 1mV = 9.999V

rnek: a) ekil28 de verilen devrede germanyum diyot kullanlmtr. Diyotun dayanabilecei

maksimum akm deeri 100mA olduuna gre R direncinin minimum deeri ne olmaldr? Diyot ve diren zerinde harcanan gleri bulunuz?
b) Ayn devrede verilen diyot karakteristiini kullanarak diyotun AC dinamik direncini

bulunuz?

ekil28: Diyot devresi ve V-I karakteristii

36

zm: (a)

VDD = I D R + VD R= VDD VD 10V 0.3V = = 97 ID 100mA

Diren ve diyot zerinde harcanan gleri hesaplayalm.

PR = ( I F )2 R = (100mA )2 (97 ) = 0.97W PD = ( I F ) (VD ) = (100mA )2 (0.3V ) = 0.03W = 30mW

zm: (b)

leri yn karakteristii verilen diyotun AC dinamik diren deeri;

rD =

V 0.9V 0.72V 0.18V = = rD = 4.5 I 50mA 10mA 40mA

Diyot Testi
Diyot, saysal veya analog bir multimetre yardmyla basite test edilebilir. Analog bir multimetre ile lme ilemi -metre konumunda yaplr. Salam bir diyotun ileri yn direnci minimum, ters yn direnci ise sonsuz bir deerdir. Test ilemi sonucunda diyotun anot-katot terminalleri de belirlenebilir. ekil29 da diyotun saysal bir multimetre yardmyla nasl test edilecei gsterilmitir. Test ilemi saysal multimetrenin Diyot konumunda yaplr. Multimetrenin gsterdii deer diyot zerindeki ngerilimidir. Bu gerilim; doru polarmada silisyum diyotlarda 0,7 V civarndadr. Germanyum diyotlarda ise 0,3 V civarndadr. Ters polarmada her iki diyot tipinde multimetrenin pil gerilimi (1,2 V) grlr.

37

ekil29: Saysal multimetre ile diyot testi

Blm zeti
Doadaki tm maddeler atomlardan oluur. Klasik Bohr modeline gre atom 3 temel

paracktan oluur. Proton, ntron ve elektron.

Atomik yapda ntron ve protonlar merkezdeki ekirdei oluturur. Elektronlar ise ekirdek

etrafnda sabit bir yrngede dolarlar. Protonlar pozitif ykldr. Ntronlar ise ykszdr.
Elektronlar, ekirdekten uzakta belirli yrngelerde bulunurlar ve negatif ykldrler.

Yrngedeki elektronlar atom arl ve numarasna bal olarak belirli saylardadrlar.

Atomun yrngeleri K-L-M-N olarak adlandrlrlar. Bir atomun son yrngesindeki

elektron miktar 8den fazla olamaz.

Atomun son yrngesindeki elektronlar valans elektron olarak adlandrlrlar. Valans

elektronlar maddenin iletken, yaltkan veya yariletken olarak tanmlanmasnda etkindirler.

Yariletken materyaller 4 adet valans elektrona sahiptir. Elektronik endstrisinde yariletken

devre elemanlarnn retiminde silisyum ve germanyum elementleri kullanlr.

Silisyum veya germanyum elementlerine katk maddeleri eklenerek P ve N tipi maddeler

oluturulur. P ve N tipi maddeler ise elektronik devre elemanlarnn retiminde kullanlrlar.

P ve N tipi maddelerin birleimi diyotu oluturur. Birleim ilemi bir noktada yaplabildii

gibi yzey boyunca da yaplabilir. Bu nedenle diyotlar genellikle yzey birleimli veya nokta temasl olarak imal edilirler. Her iki tip diyotunda temel zellikleri ayndr. 38

 Diyot elektronik endstrisinin en temel devre elemanlarndan biridir. ki adet terminale

sahiptir. N tipi maddeden oluan terminale Katot, P tipi maddeden oluan terminale Anot ismi verilir.
Diyot iki temel alma biimine sahiptir. Bunlar letim ve kesim modunda almadr. Diyotun anoduna; katoduna nazaran daha pozitif bir gerilim uygulanrsa diyot iletim

blgesinde alr ve iletkendir. Diyotun anoduna; katoduna nazaran daha negatif bir gerilim uygulanrsa diyot kesim blgesinde alr yaltkandr.
letim blgesinde alan bir diyot zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu gerilime

diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi silisyum bir diyot zerinde yaklak 0.7V, Germanyum bir diyot zerinde ise yaklak 0.3V civarndadr.
Diyot ngerilimi bir miktar diyotun alma ortam ssna bamldr. Diyot ngerilimi 1oC

scaklk artmasna karn yaklak 2.3mV azalr.

Kesim blgesinde alan bir diyot, pratik olarak ak devre (direnci sonsuz) deildir.

zerinden ok kk bir bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm denir. Bu deer nA ile A ler mertebesindedir.
Sznt akm deeri germanyum diyotlarda silisyum diyotlardan bir miktar daha fazladr.

Sznt akm diyotun alma ssndan etkilenir. rnein her 10oC scaklk artnda sznt akm yaklak iki kat olur.
Analog veya saysal bir ohm-metre kullanlarak diyotlarn salamlk testi yaplabilir. Test

ilemi sonucunda ayrca diyotun anot ve katot terminalleri belirlenebilir.

39

40