BLM I REZONANS DEVRELER 1.1 GR Rezonans, bobin ve kondansatr kullanlan AC elektrik ve elektronik devrelerinde oluan zel bir durumdur.

Herhangi bir AC devrede bobinin Endktif Reaktans ile kondansatrn Kapasitif Reaktans nn eit olmas halinde, devre rezonansa gelir. Bilindii gibi, bobin ve kondansatrn alternatif akma gsterdii zorlua reaktans denir. Rezonans, ilerideki blmlerde geniletilerek incelenecektir. Rezonans devreleri, seri ve paralel olmak zere iki blmden oluur. Rezonans devreleri, radarlarn verici (Transmitter) ve alclarnn (Receiver) alma frekanslarn kontrol etmede ve radyo alclarnda istenilen istasyon frekanslarnn ayarlanmasnda (Tuning) kullanlr.

1.1.1

PASF DEVRE ELEMANLARI

Rezonans devrelerini incelemeden nce pasif devre elemanlarnn alternatif akma kar gsterdik-leri tepkilerin tek tek incelenmesi, konunun daha iyi anlalabilmesi iin faydal olacaktr. Bilindii gibi pasif devre elemanlar diren ( R ), bobin ( L ) ve kondansatrdr ( C ). 1.1.2 DRENL AC DEVRE ekil 1.1de direnli AC devre grlmektedir. Devrede AC kaynaa sadece diren balanmtr. Bilindii gibi direncin akm veya gerilim depolama zellii yoktur. Diren, devreden geen akma sadece omik bir zorluk gsterir. Bu nedenle diren zerinde den gerilimle, kaynak gerilimi arasnda herhangi bir faz, frekans ve gerilim fark olumaz. Ayn zamanda gerilimle akm arasnda da faz fark meydana gelmez. Buna gre devreden geen akm u ekilde hesaplanr:

I= ekil 1.1 Direnli AC Devresi

EmSint R

veya I =

E R

E,UR

t IR IR t E,UR

ekil 1.3 Direnli AC devresi fazr (vektr)diyagram

ekil 1.2de devreye ait sinyal grafii verilmitir. Bu grafik

ekil 1.2 Direnli AC devresi sinyal grafii.

incelendiinde; kaynak gerilimi ( E ) ile diren zerinde den gerilim ( UR ) ve direnten geen akmn ( IR ) ayn fazda olduu grlr. ekil 1.3teki fazr diyagramndan da bu durum gzlenebilir. Sonu olarak diren, alternatif akma kar deeri orannda omik bir zorluk gsterir. Gerilim veya akm depolama zellii olmadndan, devrede herhangi bir faz fark olumaz.

1.1.3 BOBNL AC DEVRE ekil 1.4te bobinli AC devre grlmektedir. Devrede saf endktansl bir bobin AC kaynaa balanmtr. Saf bobin, omik direnci 0 olan endktans anlamna gelir. Gerekte her bobin, bir iletkenden yapld iin iletkenin uzunluuyla deien bir dirence sahiptir. Devredeki bobin ideal kabul edilmitir. Bobin, zerinden geen alternatif akma kar zorluk gsterme zelliine sahiptir. Hatrlanaca gibi bobinin alternatif akma kar gsterdii zorlua endktif reaktans ( XL ) demitik. Bobinden geen alternatif akm, bobinde bir manyetik alan oluturur. Bu alan kendini oluturan akma gre 180 zt ynde bir EMK indkler( Lens Kanunu ). Bu nedenle bobin zerinde den gerilimle devreden

ekil 1.4 Bobinli AC Devresi

geen akm arasnda belirli bir faz fark meydana gelir. Bobin zerinden geen akm gerilimden 90 geri kalr. Baka bir deyile endktif devrede gerilim, akmdan 90 ileridedir.

Bu durum ekil 1.5 teki sinyal grafiinde ve ekil 1.6daki fazr diyagramnda gsterilmitir. ekiller dikkatle incelendiinde bobine uygulanan gerilimle ( E ) bobin zerinde den gerilimin (UL) ayn ekil 1.5 Bobinli AC devresi sinyal grafikleri

E,Ul t

E,UL

90 180 270 360

IL

IL

90 180 270 360

ekil 1.6 Bobinli AC devresi vektrel diyagram

fazda olduu, bobinden geen akmn ( IL ) gerilimden 90 geri olduu grlr. Buna gre devreden geen akm; I= ( Em Sin t ) / XL ya da I=UL / XL formlleriyle hesaplanr. Burada dikkat edilmesi gereken husus; bobinin alternatif akma kar gsterdii endktif reaktansn, bobin deeri ve uygulanan AC gerilimin frekans ile doru orantl olarak deieceidir. XL = L ya da XL= 2. .f.L

formlleri analiz edildiinde endktif reaktans ( XL ) etkileyen faktrlerin endktans deeri ( L ) ile AC kaynak geriliminin frekans olduu grlecektir. Bobinin endktans deeri ve / veya frekans arttka XL artacak, aksi durumda ise XL azalacaktr. 1.1.4 KONDANSATRL AC DEVRE ekil 1.7de kondansatrl AC devre grlmektedir. Bilindii gibi kondansatr ierisinden doru akm gemez. Doru akmn zamana gre yn deimediinden, kondansatr tek ynl olarak DC gerilime arj olup DC gerilimi depolar. Bu nedenle belirli bir sre ierisinde arj olan kondansatrden DC akm geii engellenir.

ekil 1.7 Kondansatrl AC Devre

Buna karn, alternatif akm zamana gre yn deitirdiinden, kondansatr belirli bir ynde arj olmaya alr. Ancak alternans deitiinde depolad gerilimi kaynak zerinden dearj etmek zorunda kalr. Bu nedenle belirli bir ynde gerilim depolamas kaynak tarafndan nlenir, kondansatr zerinde den gerilimle, geen

E,UC

IC t

90 180 270 360

IC

E,UC

90 180 270 360

ekil 1.9 Kondansatrl AC devresi vektrel diyagram

ekil 1.8 Kondansatrl AC devresi vektrel sinyal grafikleri

akm arasnda faz fark oluur. Kapasitif bir devrede akm, gerilimden 90o ileridedir. Kondansatr, alternatif akma kar kapasitif reaktans orannda zorluk gsterir. Kapasitif reaktans etkileyen faktrler; kondansatre uygulanan AC gerilimin frekans deeri ve kondansatrn deeridir. Bu da doal olarak devreden geen akm etkileyecektir. Buna gre devreden geen akm; I = (Em Sin t ) / XC ya da I=UC / XC formlleriyle hesaplanr. Burada dikkat edilmesi gereken husus; kondansatrn alternatif akma kar gsterdii kapasitif reaktansn, kondansatr deeri ve uygulanan AC gerilimin frekans ile ters orantl olarak deieceidir. XC=1 / ( C ) ya da XC=1 / ( 2. .f.C )

formlleri analiz edildiinde, kapasitif reaktans ( XC ) etkileyen faktrlerin kondansatr deeri ( C ) ile AC kaynak geriliminin frekans olduu grlecektir. Kondansatrn deeri ve/veya frekans arttka XC azalacak, aksi durumda ise XC artacaktr. Yani kapasitif reaktans kondansatr deerine ve frekansa gre deimektedir. Buraya kadar incelenen blmde elektrik ve elektronikte pasif devre elemanlar olarak tanmlanan diren, bobin ( endktans ) ve kondansatrn alternatif akmda ayr ayr nasl altklar aklanmtr. Bundan sonraki blmlerde bahsi geen bu elemann bir arada bulunduu eitli devre ekilleri incelenecektir. lk olarak seri ( RLC ) rezonans devresi ele alnacaktr. 1.2 SER ( RLC ) REZONANS DEVRES

UR UC ekil 1.10 Seri RLC rezonans devresi

4

UL

ekil 1.10da Seri RLC devresi grlmektedir. ekil 1.10daki devreye eer DC gerilim verilseydi; belli bir zaman sabitesi sresinden sonra, kondansatr DC ye ak devre zellii gstereceinden devreden akm gemeyecekti. UC=Kaynak Gerilimi olacakt. Ancak devreye AC gerilim uygulandndan devreden geen akm; dirence, bobinin endktif reaktansna ve kondansatrn kapasitif reaktansna gre deiecektir. Buradaki diren ve reaktanslarn vektrel toplam devrenin empedans n verir. Hatrlanaca gibi empedans; bir AC devrede saf diren ve reaktanslarn gsterdii toplam zorlua denir. Devrenin AC analizi yaplrken devrede kullanlan elemanlarn bir nceki konuda anlatlan zellikleri unutulmamaldr. Bilindii gibi kondansatr ve bobin kullanlan AC devrelerde, bu elemanlarn gerilim / akm depolama zelliklerinden dolay akmla gerilim arasnda faz fark olumaktadr. Bu husus dikkate alnarak, seri devredeki gerilim dmleri aadaki gibi yazlr:

E = U L +UC +U R
Gerilim dmlerinin vektrel olarak toplanmasnn nedeni, bobin ve kondansatrde oluan akm ve gerilim arasndaki faz farkdr. Yani UC ile UL ayn fazda deildir. Dolaysyla aritmetiksel toplama yaplamaz. Aralarnda faz fark olduundan toplam devre, gerilimi vektrel olarak bulunur. Buna gre gerilimler aadaki ekilde yazlr: UR = I

UL = I

XL

UC = I

XC

Seri RLC devresinin eit alma ekli vardr: 1. Rezonans durumu ( XL=XC ) 2. Rezonans st alma durumu ( XL > XC ) 3. Rezonans alt alma durumu ( XC > XL ) 1.2.1 REZONANS DURUMU ( XL=XC ) imdi, yukardaki aklamalarn altnda devrenin rezonans durumunu inceleyelim. Bilindii gibi rezonans annda, endktif reaktans ile kapasitif reaktans birbirine eit oluyordu. Yani baka bir deyile devrenin rezonansa gelebilmesi iin XL
=

XC olmaldr. Bu art salandnda devre rezonansa gelir. XL = XC olduunda bobin zerinde den gerilim ile kondansatr

zerinde den gerilim birbirine eit olur. Ancak UL ve UC arasnda 180o faz fark olduundan, bu iki gerilim birbirini yok eder. Bu durumda devre direnci Rye, devre gerilimi URye eit olur. Yani devre rezistif alr. Ayn zamanda devre empedans, minimum; devreden geen akm, maksimum olur. Seri devreden geen akmn en yksek seviyeye ulamas, seri rezonans devresinin nemli zelliklerindendir. zetlenecek olursa; seri rezonans devresinde empedans ve gerilim minimum, buna karn akm maksimumdur. Devre rezistiftir. Buraya kadar anlatlan blmde rezonans anndaki gerilim, akm ve empedans ilikisi incelenmitir. Rezonans frekansnn bulunmas ise aadaki gibi yaplr: Rezonans annda;

XL=XC

L=

1 C

olur.

2..F.L

1 2..F.L 2..F.C =1 2..F.C

F 2 .4 2 .L.C = 1 olur. F ekilirse; F 2= 1 4. 2 .L.C 1 4. .L.C

2

Her iki tarafn karekk alndnda

F2 =

F=

1 2 L.C

sonucu elde edilir.

Bu forml, sadece rezonans annda geerlidir. Rezonans frekans FO eklinde gsterilir.

1
F0 =

2 L.C

ekil 1.11 deki fazr diyagram dikkatle incelendiinde seri devrede tek akmn dolamas ve XL nin XC ye eit olmas nedeniyle UL ve UC nin birbirine 180o zt ynl ve eit genlikte olduu grlr. Dolaysyla UL ile UC birbirini yok edecektir. Bu nedenle devre gerilimi UR ye eit olacaktr. Ayn zamanda devrenin toplam empedans, devredeki dirence eit olur. ( Z = R ) Devreden geen akm ise en yksek deere ular.

zet olarak;seri RLC devresinin rezonansa gelme durumunda aadaki sonulara varlr: 1. 2. Devre rezistiftir, XL = XC ve UL = UC dir,

UL XL

UR

R=Z

UC ekil 1.11 Seri rezonans devresi

3. 4. Devrenin empedans Z = R dir, Devreden geen akm maksimumdur. (I = U / R)

XC ekil 1.12 Seri rezonans devresi fazr

Buraya kadar ilenen blmde seri RLC devresinin rezonanstaki alma ekli incelenmitir. Ancak bu durumun dnda devrenin iki alma ekli daha vardr. Rezonans frekans zerine kldnda ve rezonans frekans altna inildiinde devrenin alma ekli deiir. lk olarak rezonans st alma ekli incelenecektir.

1.2.2 REZONANS ST ALIMA ( XL > XC DURUMU ) Seri RLC devresine rezonans frekans zerinde bir frekans uygulandnda endktif reaktans ( XL ) frekansla doru orantl olarak artacak; frekansla ters orantl olarak kapasitif reaktans ( XC ) alacaktr.

UL XL U Z UL-UC XL-XC

UR
XL =

2.F.L

XC =

1 2..F.C

Yukardaki formller incelendiinde F arttka XL nin artaca,. XC nin ise azalaca grlecektir. Rezonans st almada XL nin artmasndan dolay devre endktif etki kazanm olacaktr. Baka bir deyile XL > XC durumunda devre endktif olur. Bu duruma ilikin vektrel diyagramlar aada verilmitir. ekil 1.13te seri RLC devresi gerilim-akm ilikileri, ekil 1.14te ise seri RLC devresi diren-reaktans-empedans ilikileri verilmitir. Burada U, devrenin toplam vektrel gerilimini; Z ise devrenin toplam empedansn gstermektedir. Fazr diyagramlar incelendiinde gerilim ve empedans denklemleri aadaki gibi yazlr: ekil 1.13teki gerilim genine Pisagor teoremi uygulandnda ; U2 = UR2 + ( UL UC )2 olur. Buradan U =

U R + (U L U C ) 2

olur.

ekil 1.13 teki fazr diyagram incelendiinde U geriliminin yatay eksenle bir a yapt grlr. Bu aya devrenin faz as denir ve

ile gsterilir. Faz as aadaki ekilde ifade edilir. Bilindii gibi Pisagor teoremine gre; bir dik gende

kar dik kenarn komu dik kenara oran ann tangant deerini verir. Buna gre faz as ; Tg =

U L UC UR

formlyle bulunur.

Ayn teoremi ekil 1.14teki empedans genine uygularsak; seri devrede U = I.Z I sadeletirilirse; Z2 = R2 + ( XL - XC )2 ifadesi elde edilir. Buradan; Z= UL = I.XL ve UC = I.XC olduuna gre U2 = UR2 + ( UL2 UC2 ) formlnde bu ifadeler yerine konup

R + (X L X C )2 XL XC R
olur.

olur. Buna gre devrenin faz as;

Tg =

zet olarak, seri RLC devresinin rezonans st almasnda aadaki sonulara varlr. 1. Devre endktiftir, XL, XCden byktr, UL, UCden byktr.

2. 3.

4. Devre akm Z ye bamldr. I = U / Z 1.2.3 REZONANS ALTI ALIMA ( XC > XL DURUMU ) Seri RLC devresine rezonans frekans altnda bir frekans uygulandnda frekansla doru orantl olarak endktif reaktans ( XL ) azalacak; frekansla ters orantl olarak kapasitif reaktans ( XC ) artacaktr. Kapasitif ve endktif reaktans formlleri incelendiinde; F azaldka XL nin azalaca, XCnin ise artaca grlecektir. Rezonans alt almada XC nin artmasndan dolay devre kapasitif etki kazanm olacaktr.

UC U UC-UL

XC XC - XL

UR

UL ekil 1.15 Rezonans alt alma ( gerilim-akm ) fazr diyagram

XL ekil 1.16 Rezonans alt alma ( empedans ) fazr diyagram

Baka bir deyile XC > XL durumunda devre kapasitif olur. Rezonans alt alma gerilim-akm fazr diyagram ekil 1.15te, empedans fazr diyagram ekil 1.16da verilmitir.

Buna gre rezonans alt almada gerilim denklemi ve faz as aadaki gibi bulunur. ekil 1.15teki gerilim genine Pisagor teoremi uygulandnda ; U2 = UR2 + ( UC2 UL2 ) olur. Buradan U =

U R + (U C UL) 2

olur.

Tg =

UC U L UR

eklinde olur.

Ayn ekilde ekil 1.16 daki empedans genine Pisagor teoremi uygulandnda ;

Z2 = R2 + ( XC XL )2 ifadesi elde edilir. Buradan Z = Buna gre devrenin faz as; Tg =

R + ( X C X L )2

olur.

XC XL R

olur.

zet olarak, seri RLC devresinin rezonans alt almasnda aadaki sonulara varlr. 1. Devre kapasitiftir,

2. XC XLden byktr, 3. UC ULden byktr, 4. Devre akm Z ye bamldr. ( I = U / Z ) imdiye kadar grdmz rezonans, rezonans st ve rezonans alt alma ekillerini bir arada inceleyelim: ekil 1.17 deki grafikte seri RLC devresinin frekans deiimine gre verdii reaktif ve rezistif cevaplar grlmektedir. ekil 1.17 incelendiinde, frekans arttka XCnin ssel olarak azald, XLnin ise dorusal olarak art grlmektedir.

Reaktans XL,XC XL

XC

Z=R

F0

10

Rezonans frekans altna inildike XCnin byyp XLnin azald, yani devrenin kapasitif olduu; rezonans frekans stne kldka XLnin byyp XCnin kld, yani devrenin endktif olduu grlmektedir. Rezonans frekansnda ( F0 ) ise XL = XC olduu ve devre empedansnn Rye eit olduu grlmektedir. Bu durumda devre rezistiftir. Devreden geen akm en yksek seviyeye ular. 1.2.4 SER RLC DEVRES BANT GENL

Imax 0.707 BW

F1 Frekans

F0

F2

ekil 1.18 Seri rezonans devresi band genilii

Buraya kadar anlatlan blmde seri RLC devresinden, rezonans annda geen akmn maksimum, gerilim ile empedansn minimum olduunu renmitik. ekil 1.18de seri RLC devresinin akm- gerilim-empedans ilikisini veren grafik grlmektedir. Bu grafikte akmn maksimum olduu nokta esas alnarak akm erisinin 0.707sine karlk gelen noktalar bulunur. Bu noktalara yarm g noktalar denir. Bu noktalardan frekans eksenine dikey olarak inildiinde F1 ve F2 gibi iki frekans bulunur. Rezonans frekans F0 bu noktalarn tam ortasnda kalr. F1 ile F2 arasnda kalan blge devrenin bant geniliini ( BW ) verir. Yani seri RLC devresinden etkin olarak geen akmn geerli olduu frekans band bulunur. BW ngilizcede Band Widthn ksaltmas olup bant genilii anlamna gelmektedir. Bant genilii, bir seri veya paralel rezonans devresinin etkin olarak kullanlabilecei frekans snrn belirlemekte kullanlr. Bant genilii matematiksel olarak BW = F2 F1 eklinde ifade edilir. Bu eitliin yars alndnda rezonans frekans bulunur. F0 =

BW F2 F1 = 2 2

ya da BW =

F0 Q

olur.

11

Bant genilii snr devrede kullanlan bobin ve kondansatrn deeri ile orantl olarak deimek-tedir. Erinin sivri ya da daha yayvan olmas, bobinin i direncine baldr. Bilindii gibi her bobin bir iletkenden sarlmak suretiyle retilir. Bir iletkenin i direnci ne kadar dk olursa, bobinin kalitesi o kadar yksek olur. Bir bobinin kalite katsays Q ile gsterilir. Buna seicilik katsays da denir. Q katsays bobinin sarld iletken cinsine , kalitesine ve sarm ekline gre deimektedir. Q katsaysnn hesaplanmas sadece rezonans annda geerli olmaktadr. Bu nedenle BW ve Q hesaplamalarnda yalnzca rezonans frekans kullanlmaldr. Matematiksel olarak Q katsays, bobinin endktif reaktansnn ( ayn zamanda rezonans annda XL = XC olduundan kapasitif reaktans da yazlabilir ), omik direncine oran eklinde ifade edilir. Q=

XL R

Buradan u sonucu karabiliriz: Herhangi bir rezonans devresinde kullanlan bobinin Q katsays ne kadar yksek olursa rezonans erisi o oranda sivrilir. Buna bal olarak bant genilii azalr. Buna karn seicilik ve kazan o oranda artar. Seicilik, allan frekans bandnn, en yksek deerde ve etkin olarak kullanlabilmesi anlamna gelir. Yani seiciliin arttrlmas bant geniliinin dar olmasna baldr. Bu da kullanlan bobinin Q katsaysnn yksek olmasn gerektirir. Dier bir deyile bobinin endktif reaktansnn yksek; i direncinin dk olmas anlamna gelir. Eer kullanlan rezonans devresinde bant geniliinin yksek olmas isteniyorsa, o zaman dk Q katsayl bobin kullanlmaldr. Bu durumda seicilik ve kazan azalacak; ancak allan frekans snr genileyecektir. Bobinin Q katsaysnn; sarm ekline, iletken cinsi ve kalitesine bal olduunu sylemitik. Bu durum bobinin sarm aamasnda sk kuplaj, gevek kuplaj, normal kuplaj ekilleriyle belirlenir. Sk kuplajda yksek Q, dk diren; gevek kuplajda alak Q, yksek diren; normal kuplajda orta Q, orta diren oluur.

I ( Akm )

R1 Alak Diren ( Yksek Q ) R2 Orta Diren ( Orta Q )

BW1

BW2 R3 Yksek Diren E / R1 ( Alak Q ) E / R2 BW3

Geni band veya dar band seimi, rezonans devrelerinin kullanm yerlerine gre yaplr. rnein; bir radyo alcsnda kullanlan rezonans devresi geni bant , bir radyo vericisinde kullanlan frekans belirleyici rezonans devresinde ise dar bant kullanlr. Bant geniliinin kullanlan bobinin Q katsaysna gre deiim grafii ekil 1.19 da verilmitir.

e = Em Sin 314 t olan kaynaa, i direnci 5 olan 10 mH deerindeki bobinle 0.5 mF lk bir kondansatr seri balanmtr. Devreden 3A akm gemektedir. Buna gre XL, XC, Z, UL, UR, UC, E, ve Tg y bularak devrenin fazr diyagramn iziniz. Devrenin rezonans durumunu inceleyiniz.

12

ZM:

zme balamadan nce devre eklinin izilmesi problemin zmnde kolaylk salayacaktr.

Devre elemanlarnn deerleri ve bilindiine gre ilk olarak reaktanslar bulunmaldr.

UR

UL

R=5 C=0.5mF
I=3A

L=10 mH

e = Em Sin314 t

= 2..F = 314 buradan F = 50 Hz tir. XC = XL = .L = 314 10.10-3 = 3.14 bulunur.

1 .C

1 314 10 0.5 3

= 6,36 bulunur.

Bu aamada dikkat edilirse, XC > XL durumu olumutur. Yani devre kapasitiftir ve rezonans frekans altnda almaktadr. Reaktans ve diren deerleri bilindiine gre empedans bulunabilir. Z=

R 2 + ( XC XL) 2

5 2 + (6.36 3.14) 2
=

= 5,94

Devrenin faz as Tg =

XC XL R

6,36 3,14 = 5

0.644

Tg = 0.644 olduuna gre = 32,7o ( Bu a deeri trigonometrik cetvelden ya da trigonometrik fonksiyonlu bir hesap makinesi yardmyla bulunabilir.)

13

Gerilim dmleri aadaki gibi bulunur. UR = I R = 3 5 = 15 V. UL = I XL = 3 3,14 = 9,42 V.

Devreye uygulanan gerilim U = I Z = 3 5,94 = 17,82 V. ya da

UC = I XC = 3 6,36 = 19,08 V.

XL =3.14 R = 5 =32.7o XC-XL= 3.22 Z = 6,25 XC= 6.36 I

UL= 9.42 V UR = 15V =32.7o UC - UL =9.66 U=17.82 V. UC= 19.09 V I

UR =

U R + (U C U L ) 2

= UR =

15 2 + (19.08 9.42) 2

= 17,82 V.

Devrenin rezonans altnda alt rnek ierisinde belirtilmiti. Devrenin rezonansa gelebilmesi iin XL = XC olmas gerekmektedir. Bu artn salanabilmesi iin devrenin rezonans frekans bulunmas gerekmektedir. Rezonans frekans aadaki gibi bulunur. F0 =

1 2 L.C

1 6.28 0.5 10 3.10 10 3

= 225.19 Hz.

Demek ki bu devrenin rezonansa gelebilmesi iin devreye 50 Hz yerine 225.19 Hz uygulamak gerekmektedir. Yorumlanmas gereken dier bir konu da gerilim dmleridir. Gerilim dmlerine dikkatle baklacak olursa aritmetik olarak toplandklar zaman kan deer 44,4 V. olacaktr. Ancak gerek kaynak deeri 17,82 V olarak bulunmutu. Aradaki bu eliki gerilimler arasnda faz fark olmasndan kaynaklanmaktadr. Toplam gerilimin vektrel olarak bulunmas gerekmektedir. ZM:

UR

UL

UC

Yanda emas verilen devrenin bant geniliini bulunuz.

R=1K I L=5 mH C=10nF

e = 14.1 Sin t
Devre elemanlarnn deerleri bilindiine gre ilk olarak rezonans frekans bulunmaldr.

F0 =

1 2 L.C

1 6.28 5 10 3.10 10 9

= 22522,5 Hz.

14

Daha sonraki admda reaktanslar bulunur. XC =

1 .C

1 6.28 22522,5 10!0 9

= 707 bulunur.

XL = .L = 314 5.10-3 = 707 bulunur.

Bu aamada dikkat edilirse, XC = XL ; Z = R durumu olumutur. Yani devre rezonanstadr. Devre gerilimi URye, maksimum devre akm da; I= U / Z veya UR / Rden I = 10 /10K = 1 mAe eit olur.

Devrenin faz as Tg =

XC XL R

707 707 = 0 dr 5

Tg = 0 olduuna gre = 0o dir.

Devrenin bant geniliini bulabilmek iin nce Q katsaysnn bulunmas gerekir. Q=

XL 707 = = 0.707 R 1000 F0 22522.5 = Q 0.707

31856 Hz bulunur.

BW =

Buna gre; F1 = F0 ( BW / 2 ) = 22522.5 ( 31856 / 2 ) = 6594.5 Hz. F2 = F0 + ( BW / 2 ) = 22522.5 + ( 31856 / 2 ) = 38450.5 Hz.

15

rnekteki devrenin bant genilii erisi aadaki gibi olur.

I(mA ) Imax=1

0.707xImax

BW=31856 Hz

F1 F2 Frekans ( Hz ) 6594.5 22522.5

F0 38450.5

Bant genilii erisi incelendiinde; devrenin 6594,5 Hz ile 38450,5 Hz arasndaki frekanslar geirip, bu bandn dnda kalan frekanslar filtre ettii grlr.

1.2.5

SER ( RLC ) REZONANS DEVRES ZELLKLER

Bir RLC devresinde endktans ve kapasitans, devrenin rezonans frekansn belirler. Bunlardan birinin deerinin deimesi rezonans frekansnn deimesine neden olur. Seri RLC devresinde frekans deitiinde, devrenin endktif ve kapasitif reaktanslar dolayl olarak deiecektir. Bu durumda doal olarak empedans da deiecektir. Bu deiimler devre akmn da etkileyecektir. Tablo 1 ve Tablo 2de seri RLC deresindeki deikenlerin fonksiyonlar incelenmitir.

16

ARTTIRILAN DEERLER FREKANS REZSTANS ( DREN) KAPASTANS ENDKTANS

REZONANS ALTI ALIMA ETKLENEN DEKENLER AKIM EMPEDANS FAZ AISI ARTAR AZALIR ARTAR ARTAR AZALIR ARTAR AZALIR AZALIR AZALIR AZALIR AZALIR AZALIR

Tablo 1.1 Seri RLC devresi deikenlerine ilikin rezonans alt alma izelgesi

REZONANS ST ALIMA ARTTIRILAN DEERLER FREKANS REZSTANS ( DREN) KAPASTANS ENDKTANS AKIM AZALIR AZALIR AZALIR AZALIR ETKLENEN DEKENLER EMPEDANS FAZ AISI ARTAR ARTAR ARTAR ARTAR ARTAR AZALIR ARTAR ARTAR

Tablo 1.2 Seri RLC devresi deikenlerine ilikin rezonans st alma izelgesi

1.3 PARALEL REZONANS DEVRES Buraya kadar ilenen blmde RLC devrelerinin seri balanmas ve seri rezonans ile ilgili zellikler anlatlmtr. Bu blmde RLC devrelerinin paralel balants ve paralel rezonans devre zellikleri incelenecektir. ekil 1.20 de paralel RLC devresi grlmektedir. Seri devrelerde anlatld bir RLC devresinde rezonans art, endktif reaktans ile kapasitif reaktansn birbiriyle eit olmasdr. Bu art salandnda herhangi bir RLC devresi rezonansa gelmektedir. Bilindii gibi seri devrede akmn dolaabilecei tek bir kol bulunmaktadr. Bu nedenle akm sabit alnmaktadr. Buna karn devre zerindeki gerilim dmleri farkl olup eleman saysna bal olarak deimektedir. Paralel devrede ise elemanlar zerindeki gerilim dmleri ve kaynak gerilimi birbirine eit olmak zorundadr. Devre akm( Ih )ise kol akmlarnn toplamna eittir. Kollardan geen akmlar elemanlarn diren / reaktanslarna bal olarak

Ih
IR IL IC

deiecektir. Paralel RLC devresinde toplam devre akm faz farkndan dolay vektrel olarak bulunur. Ih2= IR2 + ( IL-IC )2. ( Endktif devre )

17 ekil 1.20 Paralel RLC devresi

Ih2= IR2 + ( IC-IL )2. ( Kapasitif devre ) Empedans ise paralel direnlerin balant prensibine gre aadaki gibi yazlabilir. Endktif ya da kapasitif reaktanslarn matematiksel iareti rezonans alt ve st frekanslarda devrenin endktif veya kapasitif olmasna gre deiir.

1 1 1 1 2 = 2 +( ) 2 Z R XL XC

veya

Z=

1 1 1 1 2 +( ) 2 X L XC R 1 1 1 1 2 +( ) 2 XC XL R
( Endktif devre) ( Kapasitif devre)

1 1 1 1 2 = 2 +( ) 2 Z R XC XL

veya

Z=

Rezonans annda bobinin endktif reaktans ile kondansatrn kapasitif reaktans birbirine eit olacandan bu kollardan geen akmlar da birbirine eit olacaktr. Rezonans alt ve rezonans st alma ekline gre geen akmlar da deiecektir. Paralel devrede rezonans frekansnn bulunmas seri rezonans devresiyle ayndr. Yani, F0 =

1 2 LC

forml ile rezonans frekans bulunur.

Seri rezonans devresinde olduu gibi paralel rezonans devresinde de alma ekli vardr. lk olarak rezonans frekansndaki alma durumu incelenecektir. 1.3.1 REZONANS DURUMU ( XL = XC ) Paralel RLC devresinin rezonansa gelebilmesi iin XL = XC artnn olumas gerekir. Bu durumda bobin ve kondansatrden geen IL ve IC akmlar eit olacaktr. Bu akmlar arasnda 180 faz fark bulunur. Bu yzden bu akmlar birbirini yok eder. Reaktif akmlarn birbirlerini ntrlemeleri sonucu devreden geen akm rezistif ( IR ) olur. Bu durumda devre rezistif olurken, empedans devredeki dirence eit olur. ( Z = R ) Devre akm ise aadaki gibi hesaplanr: Ihat = Ih = E / R Devre empedans ise; Z = E / I olur. Paralel RLC devresinin rezonans anndaki akm ve reaktans deikenleri ekil 1.21 ve 1.22deki vektrel diyagramlarda verilmitir.

IC

XC

IR

E XL

R=Z

IL

ekil 1.21 Paralel rezonans devresi akm fazr diyagram

ekil 1.22 Paralel rezonans devresi empedans fazr diyagram

18

Fazr diyagramlarndan da grlecei zere, paralel RLC devresinin rezonansa gelmesi durumunda XL = XC durumu olumaktadr. Bu aamada aralarnda 180 faz fark olutuundan vektrel toplamlar 0 olacaktr. Devre empedans ise Z = R olacaktr. Devredeki kol akmlarndan IL ve IC birbirine eit byklkte ve 180 zt ynl olup vektrel toplamlar yine 0 olacaktr. Ayn ekilde devreden geen akm Ih = IR olacaktr. Paralel RLC devresinde, rezonans annda devre akmnn minimum deere ulamas devre empedansnn maksimum olmasna neden olmaktadr. Empedansn en yksek deere ulamas paralel rezonans devresinin en nemli ve en kullanlr zelliidir. Bu zellik radyo alclarnn giri devrelerinde kullanlmaktadr. Seri rezonans devrelerinden de hatrlanaca zere, rezonans frekans deitiinde devre elemanlar-nn tepkisi ve devre akmnda deiiklikler meydana gelecektir. Frekanstaki deimenin rezistif koldan geen akma etkisi yoktur. Bu nedenle rezonans st ve rezonans alt frekanslardaki almalar anlatlrken paralel RLC devresi yerine paralel LC devresi incelenecektir. Paralel LC devresi tank devresi diye adlandrlr. Bu tanm ilerideki almalarda sk sk kullanlacaktr. 1.3.2 REZONANS ST ALIMA DURUMU ( XL > XC ) ekil 1.23 Paralel LC devresi rezonans st alma devre emas ve vektrel gsterimi

IC-IL

Ihat

ALAK I
YKSEK FREKANS

YKSEK I

tg IR

ekil 1.23 te grld gibi paralel LC devresine uygulanan AC gerilimin frekans arttrldnda bobinin endktif reaktans frekansla doru orantl olarak artar, kondansatrn kapasitif reaktans ise azalr.( XL =

2..F.L

; XC =

Ih

IC

I IL
F0 F ( FREKANS )

ekil 1.24 Paralel LC Rezonans st alma grafii 1 2..F.C

) Bundan dolay bobinden geen akm azalrken, kondansatrden geen akm ise ykselecektir. Bu durumda IC

> IL olacaktr. Bu nedenle devre kapasitif olur. Dolaysyla hat akm ( Ih ) da rezonans anndaki deere oranla ykselir. Devrenin sahip olduu faz as, tg olup; tg =( IC IL )/ IR formlyle hesaplanr. Rezonans st almada meydana gelen akm deiimleri, grafiksel olarak, ekil 1.24te verilmitir.

19

1.3.3 REZONANS ALTI ALIMA DURUMU (XC > XL ) ekil 1.25 Paralel LC devresi rezonans alt alma devre emas ve vektrel gsterimi.

YKSEK I
ALAK FREKANS

ALAK I

tg IR

IL-IC

Ihat

ekil 1.25 te grld gibi paralel LC devresine uygulanan AC gerilimin frekans azaltldnda bobinin endktif reaktans frekansla doru orantl olarak azalrken, kondansatrn kapasitif reaktans artar.( XL =

2..F.L

; XC =

1 2..F.C

) Bundan dolay bobinden geen akm artarken, kondansatrden geen akm decektir. Bu durumda IL > IC

olacaktr. Bu nedenle devre endktif olur. Dolaysyla hat akm ( Ih ), rezonans anndaki deerinden daha yksek bir deer alr. Devrenin sahip olduu faz as tg olup; tg =( IL IC )/ IR formlyle hesaplanr. Paralel LC devresi rezonans alt almada devre akmlarnn grafiksel gsterimi ekil 1.26da verilmitir. ekil 1.26 dikkatle incelendiinde paralel LC devresine uygulanan AC enerjinin frekans azaltldnda ILnin ICden hat akmnn da rezonans anndaki akm deerinden daha yksek fazla olduu grlecektir.

Ih

IC

I IL
F0 ( FREKANS ) F

ekil 1.26. Paralel LC Rezonans alt alma grafii

20

Buraya kadar anlatlan paralel RLC devre zelliklerini, iyice kavrayabilmek iin aadaki rnek dikkatle incelenmelidir.

Ih
E

IL

IR

IC

ekildeki devrede E = 10 V, L = 765 mH, R = 1 K, C = 26.5 F olarak bilindiine gre; a ) Devrenin rezonans frekansn, b ) Rezonans frekansnn 4.64 Hz st ve 5.36 Hz altndaki tm akmlar ve empedanslar ayr ayr bularak sonular yorumlaynz. c ) Yukardaki klarda belirtilen almalara ait akmlar grafiini iziniz. ZM :

a ) Devrenin rezonans frekans; F0 =

1 2 L.C

1 6,28 26,5.10 6.765.10 3

= 35.36 Hz.

Rezonans annda XL = XC olmaldr. Bu artn oluup olumadn kontrol edelim. XL =

2..F.L

6,28.35,36.765.10-3= 169.87

XC =

1 = 2..F.C

1 6,28.35,36.26,5.10 6

= 169.87

Grld gibi XL = XC durumu gereklemitir. Bu durumda XL ve XC birbirini ntrleyeceinden devre empedans devredeki R direncine eit olacaktr. Yani Z = R = 1000 olur. Toplam devre akm ise IL = IC olmasndan ve vektrel toplamlarnn 0 olmasndan dolay; Ih= E / R veya = E / Z ye eit olacaktr. Bu durumda akmlar aadaki gibi hesaplanr: IL = E / XL = 10 / 169.87 = 58.86 mA IC = E / XC = 10 / 169.87 = 58.86 mA IL - IC = 58.86 58.86 = 0. Buradan; Ih= E / R = 10 / 1000 = 1 mA olur. b ) imdi devrenin rezonans frekans stndeki almasn analiz edelim. F0 = 35.36 +4.64 = 40 Hz iken devre rezonans st frekansta alr. Yani devre kapasitiftir. Bu frekanstaki empedans ve akmlar aadaki ekilde bulunur: Empedans bulunmadan nce endktif ve kapasitif reaktanslarn hesaplanmas gerekmektedir.

21

XL =

2..F.L

6,28.40.765.10-3= 192.16

XC =

1 = 2..F.C 1

1 6,28.40.26,5.10 6

= 150.22

Z=

1
=

1 1 1 2 +( ) 2 XL XC R

1 1 1 +( )2 2 192.16 150.22 1000

= 567 olur.

Devreden geen toplam akm; Ih = E / Z = 10 / 0.57 = 17.63 mA olarak bulunur. imdi dier bir yoldan toplam akm bulalm. IR = E / R = 10 / 1000 = 10 mA. IL = E / XL = 10 / 192.16 = 52.03 mA. IC = E / XC = 10 / 150.22 = 66.56 mA. Rezonans frekans stne kldnda kondansatrden geen akmn, bobinden geen akmdan daha byk olduu grlmektedir. ( IC > IL ) Rezistif akm ise her durumda sabit kalacaktr. Toplam akm; Ih 2 =

I R + (I C I L ) 2

Ih =

I R + (I C I L ) 2

10 2 + (66.56 52.03) 2

= 17.63 mA

Dikkat edilirse her iki zm yolundan da bulunan sonular eit kmtr.

imdi de devrenin, rezonans frekans altndaki alma eklinin analizini yapalm. F0 = 35.36 5.36 = 30 Hz iken devre rezonans alt frekansta alr. Yani devre endktiftir. Bu frekanstaki empedans ve akmlar aadaki ekilde bulunur: Empedans bulmadan nce yine endktif ve kapasitif reaktanslar bulmamz gerekir.

XL =

2..F.L

6,28.30.765.10-3= 144,12

XC =

1 = 2..F.C 1

1 6,28.30.26,5.10 6
=

= 200,29

Z=

1 1 1 2 +( ) 2 XC X L R

1 1 1 1 2 +( ) 2 1000 200,29 144,12

= 464 olur.

Devreden geen toplam akm;

22

Ih = E / Z = 10 / 464 = 21,54 mA olarak bulunur. imdi dier bir yoldan toplam akm bulalm. IR = E / R = 10 / 1000 = 10 mA. IL = E / XL = 10 / 144,12 = 69 mA. IC = E / XC = 10 / 200,29 = 49,92 mA. Rezonans frekans altna inildiinde bobinden geen akmn, kondansatrden geen akmdan daha byk olduu grlmektedir.( IL > IC ) Rezistif akm ise yine ayn kalacaktr.

Toplam akm; Ih2 = Ih =

2

I R + (I L I C ) 2
=

I R + (I L I C ) 2

10 2 + (69 49.92) 2

= 21,54 mA

Dikkat edilirse kapasitif devreye oranla toplam akmda bir artma olmutur.

c ) Buraya kadar yaplan ilemlerin grafiksel gsterimi aadaki gibidir:

23

I(mA)

Ih IC

IL=IC=58,86 Ih=1 F0= 35.36 Hz

IL
F ( FREKANS )

Rezonans anndaki alma grafii

I(mA)

Ih

IC

IC=66,56 IL=52,03 Ih=17,63 F2= 35 Hz ( FREKANS )

IL
F

Rezonans stndeki alma grafii

I(mA)

Ih IC

IL=69 IC=49,92 Ih=21,54 F1= 30 Hz

IL
F ( FREKANS )

Rezonans altndaki alma grafii

24

SER REZONANS DEVRES ALIMA SORULARI 1- Seri RLC devresinde R=0,753 , L= 0,4 m H , U= 5,32 V , Q= 7,5 V olduuna gre; a) F0 , BW , C = ? b ) I - F seicilik erisini iziniz. SONU: ( Fo= 2250 Hz , BW= 300 Hz; C= 12,5 F) 2 R= 5 , C= 20 f ve deiken L endktansndan meydana gelen seri devreye 10 volt, = 1000 Rad/Sn. li A.A. kayna uygulanyor.L endktansn ayarlayarak direncin ularndaki gerilim maksimum yaplyor. Endktansn deerini, kaynaktan ekilen akm, devre elemanlarnn ularndaki gerilimleri hesaplaynz? SONU: ( L= 50 m H, I= 2 A. , UR = 10 volt , UL = 100 volt , Uc= 100 volt ) 3- Kalite katsays (Q su) 100 olan 50 mHlik bir bobine 100 pF lk bir kondansatr seri baldr. Bu devre hangi frekansta rezonansa gelir? Bant genilii ne kadardr? SONU: ( Fo= 71,176 k Hz , f2-f1=711,76 Hz) 4- Endktans 20 m H, direnci 5 olan bobine bir kondansatr seri balanyor. Devrenin 1000 Hz .de rezonansa gelebilmesi iin kondansatrn kapasitesi ka F olmaldr? SONU: ( C=1,266 F ) PARALEL REZONANS DEVRES ALIMA SORULARI 1- Rezonans frekansnn altnda alan paralel RLC devrede U L = 100 V, XC = 1200 , Z = 50 ve kaynak frekans 50 Hz.dir. Rezonans annda ise hat akm 0,5 A olmaktadr. a ) R, L, C, Fr = ? b ) L deerini sabit tutarak devreyi kaynak frekansnda rezonansa getiriniz. c ) Bu durumda BW = ? SONU : (a- R=200 , L=0,1577H.,C=2,65 f, Fr = 246 Hz. b- C = 64,3 f c- BW = 12,37 Hz. ) 2. Paralel RLC devresinde U= 100 V. 50 Hz., Ihat=0,05 A., R=2500 , XC = 357 , XL= 400 , olduuna gre; a ) C=?, L=? b ) Fr = ? c ) Q = ?, BW = ? d ) IR=?, IL=?, IC=?, IH =? SONU : ( a C = 8900nF, L = 1,27 H. b- Fr = 47,39 Hz., c- BW = 7,16 Hz. d- I R=0,04 A., IL=0,25 A, IC=0.28 A, IH = 0,05 devre kapasitif ) 3. Paralel RLC devresinde U = 50 V., C = 25 f, L = 10 mH, R = 10 dur. Devre rezonans frekansnda altrldna gre; a ) Fr = ? b ) BW = ? c ) X L = ? XC = ? d ) IH = ?, IL = ?, IC = ?, IR = ? e ) f1 = ?, f2 = ? SONU : ( a Fr =318,4 Hz., b- BW = 636,8 Hz., c - XL = XC = 20 , d - IH = IR = 5 A IC = IL = 2,5 A, e f1 = 0 , f2 = 636,8 Hz. )

BLM II

DALGA EKLLENDRCLER 2.1 GR

25

Elektronik cihazlarda kullanlan devrelerden birounun ilevi, kontrol ve zamanlamadr. Bu ilevin yaplabilmesi iin dalga ekillendirici devrelere ihtiya duyulmaktadr. Dalga ekillendirici devreler kare, testere dii, trapezoidal, dikdrtgen, ve sivriltilmi dalga gibi sinzoidal olmayan ( Non Sinsoidal ) dalgalarn retilmesinde kullanlr. Bahsi geen bu dalga ekillerinin genlik ve devam sreleri, zamana baldr. ekil 2.1 Sinsoidal olmayan dalga ekilleri

2.1.1 RC ZAMAN SABTES

Bilindii gibi kondansatr, enerji depolamada kullanlan; iki iletken levha arasna bir yaltkan konularak yaplm bir pasif devre elemandr. Kondansatrde arj ilemi; elektriksel potansiyel

E/I

ekil 2.1de sins fonksiyonu ierme-yen dalga ekilleri grlmektedir. Bu dalga ekilleri eitli elektronik devrelerinde za-manlama ve kontrol amal olarak kullan-lr.
Bir devredeki voltaj veya akmn, karar-l bir durumdan dier bir duruma veya kararsz bir durumdan

E/I

Kare dalga

Frekans Zaman

kararl duruma ani olarak geiine ani deiim veya ani gei ( Transiyet ) denir. Bu ilem srasnda geen zamana ise ani deiim sresi (Transient nterval ) denir.

E/I E/I

Dikdrtgen dalga

Frekans Zaman

Bahsi geen bu sinyallerin retil-mesinde RC ve RL devreleri kullanlmak-tadr. Bu blmde, srasyla dalga ekillendirici devrelerin temelini oluturan RC zaman sabitesi, RL zaman sabitesi konular analiz

Testere dalga( Sivriltilmi dii Trigger )

Frekans Zaman
E/I

edilecektir. Yine RC ve RL devreleriyle oluturulan trev ve integral alc devreler de yine bu blmde incele-necektir.

Trapezoidal dalga

Frekans Zaman

altnda bulunan negatif ykl elektronlarn, plakalar zerinde farkl miktarlarda elektrik ykleri oluturacak ekilde hareketleriyle oluur. Elektronlarn bu hareketleri ayn anda tamamlanamaz. Bu ilemlerin oluabilmesi iin belirli bir srenin gemesi gerekmektedir. Bu yzden kondansatrlerin arj iin gerekli olan zaman, devrede arj akm yolu zerinde bulunan diren deerine ve kondansatrn kapasitif deerine bal olarak deiir. Kondansatrn zerindeki enerjinin arj sresi olduu gibi, bir de dearj sresi vardr. Bu sre de dearj yolu zerindeki direncin deerine baldr. Sonu olarak; kondansatrn arj veya dearj olabilmesi iin, bir arj akm yolu ve bir dearj akm yolu bulunmas ve bu yollar zerindeki diren deerlerinin arj / dearj srelerini etkiledii ortaya kmaktadr. Bu srelere Zaman Sabitesi ( Time Constant ) ad verilir. Matematiksel olarak TC = R.C eklinde gsterilir. Bu forml, yukarda da anlatld gibi hem arj sresi, hem de dearj sresinin hesaplanmasnda kullanlr. ekil 2.2de RC devresi grlmektedir. Anahtar ak olduu durumda devreden akm gemeyeceinden kondansatr zerinde herhangi bir voltaj grlmeyecektir. Anahtar kapatld an ( t0 an ) kondansatr zerinde herhangi bir arj olmadndan devreden geen akm maksimum olur. Bu deer Imax= E/Rdir. Bunun nedeni, t0 an diye tanmlanan anahtarn kapand anda, kondansatrn ksa devre zellii gstermesidir. Bu yzden t0 annda devreden maksimum akm geer. Anahtarn kapanmasn takip eden srede kondansatrn levhalar elektrik alan ile yklenmeye balar. Devredeki direncin deerine gre devreden geen arj ekil 2.2 Seri RC Devresi

akm, kondansatr arj etmeye balar. Bu akm, t0 annda maksimum olduu iin kondansatr gerilim depoladka giderek azalmaya balar. Belli bir sre sonunda kondansatr kaynak gerilimine arj olunca devreden hi akm gemez. Kondansatrn arj iin gereken srenin deeri, kondansatrn kapasitif deerine bal olduu unutulmamaldr. Bir RC devresinde kondansatrn kaynak geriliminin tmne

S E

R C

26

 TC dir. Bilindii gibi TC = R.C idi. Anahtarn kapal olma sresi teorik olarak sonsuz deere ulatnda kondansatr, = 5 R.C sresinde kaynak gerilimine arj olacaktr. Kondansatrn bo iken, 5 TC lik zaman sresince kaynak geriliminin hangi deerine arj olduu aadaki tabloda gsterilmitir. Kondansatr dolu iken ( kaynak gerilimine arjl iken
arj olabilmesi iin geen sre = 5 ) ise; dearjna kadar geen srede elde edilecek deerlerin bulunmas iin tablo okuma yn, tersten uygulanmaldr. FAKTR GENLK

Tablo 2.1de kondansatrn arj esnasnda geen srenin kaynak voltajna paylamnn % oranlar veril-mitir. Bu tablo kullanlarak kondansatrn hangi za-man diliminde, kaynak geriliminin hangi % genlik de-erine ulaaca bulunabilir. Ayn zamanda, bu tablo deerlerinden; arjl bir kondansatrn tamamen dearj olmasna kadar geen srede hangi zaman sabitesinde kondansatr zerindeki kaynak geriliminin % kann kald hesaplanabilir. Bu hesaplama yaplrken tablo tersten okunmaldr.

0.2 Time Constant ( TC )

% 20

0.5 Time Constant ( TC )

% 40

0.7 Time Constant ( TC )

% 50

1 Time Constant ( TC )

% 63

2 Time Constant ( TC )

% 86

3 Time Constant ( TC )

% 96

4 Time Constant ( TC )

% 98

5 Time Constant ( TC )

% 99.3

Tablo 2.1. Zaman sabitesi faktr tablosu

Yani 5 TC zaman arjl bir kondansatrn ilk TC zaman sabitesi olarak alnmaldr. Kondansatrn arj ve dearj oranlarnn verildii tablo deerlerinin hesaplanmas aadaki gibi yaplr. Laboratuvar almalar sonucu bir kondansatrn; 1 TC zamannda kaynak geriliminin % 63 ne arj olduu belirlenmitir. Buna gre uygulama voltaj ile 1 TC zaman sonunda kondansatr zerindeki gerilim fark % olarak 100 - 63 = % 37 olarak bulunur. Bu fark voltajna, geerli olan voltaj ad verilir. 2 TC zamannda kondansatr bu fark voltajnn % 63 ne arj olacandan % ( 37 arj oran deerine eklendiinde 63 + 23.3 = % 86.3 oran bulunur. 3 TC zamannda % ( 100 86.3 ) = % 13.7 ( kalan oran ). Bu oran % 63 le arpldnda; % ( 13.7

63 ) = % 23.3 bulunur. Bu deer ilk

63 ) = % 8.6 bulunur. Bu deeri toplama eklediimizde 86.3 + 8.6 = % 94.9 bulunur.

4 TC zamannda % ( 100 94.9 ) = % 5.1 ( kalan oran ). Bu oran % 63 le arpldnda; % ( 5.1

63 ) = % 3.2 bulunur. Bu deeri toplama eklediimizde 94.9 + 3.2 = % 98.1 bulunur 63 ) = % 1.2 bulunur. Bu deeri toplama eklediimizde 98.1 + 1.2 = % 99.3 bulunur.

5.TC zamannda % ( 100 98.1 ) = % 1.9 ( kalan oran ). Bu oran yine % 63 le arpldnda; % ( 1.9

Teorik olarak bir kondansatr 5 TC sonunda hibir zaman kaynak geriliminin % 100 ne arj olmaz. Bu oran Tablo 2.1 den ve yaplan hesaplamalardan da grld gibi % 99.3 tr. Ancak aradaki dikkate alnmayacak kadar kk bir orandr.

27

Buraya kadar anlatlan blmde kondansatrn arj veya dearj konusu ele alnmtr. RC devrelerde dier bir belirleyici zaman etkeni ise, kondansatrn arj ve dearj esnasnda geen sredir. Bu sre, 1 periyoda karlk gelir. Dolaysyla periyodun belirlenmesi frekansn bulunmasna yardmc olacaktr. Yukardaki hesaplamalardan yola karak; arj sresi ve dearj sresi 5TC + 5TC olarak alndnda toplam periyodun oluma sresi T = 10 TC olarak bulunur. Bu durum ekil 2.3 te gsterilmitir. ekil 2.3. Kondansatrn arj ve dearj sre grafii

Uygulanan sinyal

1.TC

2.TC 3.TC 4.TC 5.TC

1.TC 2.TC 3.TC

4.TC

5.TC

= 5.TC arj Sresi

= 5.TC Dearj Sresi

T = 1 Periyod

ekil 2.3 te grld gibi bir periyodun sresi T = 10. TC dir. Buna gre frekans aadaki gibi hesaplanr. F=

1 T 1 10.TC 1 10.RC
olur.

T = 10 TC F=

F=

2.1.2 KONDANSATRN ARJ OLMA HIZI

Bir kondansatrn levhalarnda toplanan Q yk ile levha arasnda uygulanan kaynak gerilimi arasndaki

C=

Q E

orannn kondansatrn kapasitesini belirlediini ve bir kondansatrden birim zamanda geen akmn elektrik dersinde renmitik. Buna gre her iki formldeki Q yklerini birbirine eitlediimizde; C.E = I.t olur. Buradan, C=

I=

Q t

olduunu

I.t E

( Amper saniye / volt = Farat ) sonucuna varlr.

te yandan

E t

oran kondansatrn birim zamanda olaca arj miktarn verir. Voltaja bal olarak arj olma hz ( Rate

of Chargevoltage roce );

28

roce =

E t

I C

formlyle bulunur.

# TC = t / TC oran ise zaman sabite miktarn verir. Bir kondansatrn veya bobinin arj ve dearj erileri ekil 2.2 de grafiksel olarak verilmitir. RC zaman sabitesi ve bir sonraki konuda incelenecek olan LR zaman sabitesi ile ilgili problemler bu grafik yardmyla zlecektir.
0,5 1 2 3 4 5

100

A
90

80

ZAMAN SABTES
70

TC =R.C

TC =L / R

ZAMAN SABTE MKTARI: # = t / TC TC RC DEVRE N ARJ DURUMU A ERS : %VC B ERS : %VR ; % I RC DEVREDE DEARJ DURUMU A ERS : KULLANILMAZ B ERS : %VC ; %VR ; % I RL DEVRE N ME DURUMU A ERS : %VR ; % I B ERS : %VL RL DEVREDE KME DURUMU A ERS : KULLANILMAZ B ERS : %VL ; %VR ; % I

60

50

40

30

20

10

0 0,5 1 2 3 4 5

ekil 2.4 Kondansatr ve bobinin universal arj / dearj ve zaman sabite erileri ekil 2.4 teki grafik incelendiinde, kondansatrn arj ve dearj esnasnda eitli srelerdeki voltaj seviyesinin net biimde belirlenebilecei grlmektedir. Konu ile ilgili aadaki rnek dikkatle incelenmelidir.

5 K luk bir diren ile 0.1 F lk bir kondansatr seri olarak 40 VDC deerindeki kaynaa seri baldr. Devredeki anahtar kapatldktan 1200 sn sonra kondansatr zerindeki % gerilimi, diren zerindeki gerilimi ve devreden geen akm bulunuz.

ZM :

29

zme balamadan nce devre eklinin izilmesi zm basitletirecektir.

Buna gre; ilk olarak TC yi bulmamz gerekir.

Devredeki anahtarn kapatld t=0 annda; devreden geen akm bilindii gibi maksimumdur. Daha sonraki zamanlarda kondansatrn arj hzna bal olarak bu akmda azalma; kondansatr zerindeki gerilimde ise artma grlecektir. 5 TC sonunda kondansatr kaynak geriliminin tamamna arj olmas gerekir.

TC = R

C = 5000 0,1.10-6

TC = 0.5 msn = 500 sn.

Toplam sre 1200 sn olduuna gre;

# TC = t / TC = 1200 / 500 = 2.4 olur.

Bu oran, kondansatrn hangi TC de kaynak voltajnn % olarak hangi seviyesine arj olduunu, arj erisinden bulunmasn salar. Yani grafikteki arj erisinin ( A Erisi ) 2,4. TC sine

baklmaldr. ekil 2.4 te bu noktaya bakldnda kondansatrn, kaynak geriliminin % 91 ne arj olduu grlr. Kaynak gerilimi 40 V olduuna gre,anahtar kapatldktan 1200 sn sonra kondansatr

zerindeki gerilim aadaki gibi bulunur.

% UC = ( 40

91 ) % = 36.4 V.

Buna gre 1200. sn de diren zerindeki gerilim kaynak gerilimi ile kondansatr zerindeki gerilimin fark kalacaktr. Bu da;

UR = E - UC = 40 36.4 = 3.6 V. olur.

Bu anda devreden geen akm UR / R den bulunabilir.

I = UR / R = 3.6 / 5 = 0.72 mA.

ZM :

ekildeki devrede kondansatr bo durumdadr. Anahtar kapand andan itibaren, kondansatrn 30 Volt a arj olabilmesi iin gerekli olan zaman sabite miktarn hesaplaynz.

Bu rnekte sorulan zaman sabite miktarn bulabilmek iini rnek:1 deki zm yolunun tersi uygulanmaldr. Yani nce kondansatrn 30 Volt a arj olduu anda, kondansatr zerindeki gerilimin kaynak voltajna % orannn bulunmas ve bu orann grafikte deerlendirilmesi gerekir. UC / E = ( 30 / 50 )

100 = % 60

Bulunan bu oran zaman sabite erisinde kondansatrn arj erisinin, dikey eksenin % 60 noktasyla kesitirildiinde; Zaman Sabite Miktar = 0.9 olarak bulunur.

30

ekildeki devrede; S1 anahtar, kondansatr kaynak voltajna arj oluncaya kadar kapal tutulup sonra al-maktadr. S2 anahtar ise S1 ald anda kapatlyor. Anahtar pozisyonlar bu konumda iken; 130 sn sonra kondansatrn dearj % sini, UC, UR gerilimlerini ve devre akmn bulunuz.

ZM : Devredeki S1 anahtar, kondansatr kaynak gerilimine arj oluncaya kadar kapal tutulup arj bittikten sonra ald iin bu anda UC = E = 50 V., UR ise 0 Volt tur. Yine bu anda devreden geen akm 0 Amperdir. Ancak ayn anda S2 anahtar kapatld iin kondansatr belli bir zaman sabitesine gre dearj olmaya balayacaktr. Bu andan 130 sn sonraki zaman sabitesi aadaki gibi bulunur.

TC =

t 130.10 6 = = 1.3 R.C 40.10 3 2.5.10 9

Bu zaman sabite miktarn zaman sabite erisindeki yatay ekseninde bulup kondansatrn dearj erisiyle ( B Erisi ) aktrdmzda, kondansatr zerindeki gerilimin % 27.5 olduu dikey eksenden

bulunur. Bu deer gerilime evrildiinde kondansatr zerindeki gerilim bulunur.

UC = 50

0.275 = 13.75 Volt

Bu anda diren zerindeki gerilim kondansatr zerindeki gerilime eittir.

UR = 13.75 Volt ***( Bunun nedenini tartnz. )

Bu anda devreden geen akm ise direnten geen akma eittir.

I = UR / R = 13.75 / 40 = 344 A.

Kondansatrn dearj % si ise 1.3 zaman sabite miktar ile arj erisinin ( A Erisi ) kesitii nokta olup %72.5 tir.

2.1.3 RL DEVRES ZAMAN SABTES zamanlarda bobin zerine uygulanan gerilimden dolay bobin zerinde bir zt emk indklenir. Bu emk devreden geen akm nedeniyle kmeye balar. Devreden geen akm ykselmeye baladka

ekil 2.5 te seri RL devresi grlmektedir. Devredeki S anahtar kapatld t0 annda bobinin DC ye kar reaksiyonu dolaysyla devreden hi akm gemeyecektir. Yani t0 annda bobin DC ye ak devre zellii gsterir. Bu anda bobin zerin-deki gerilim kaynak voltajna eittir. Ancak t0 anndan sonraki
ekil 2.5 RL Devresi

bobin zerindeki gerilim azalr. Bobin ideal olarak dnlrse, sonsuz zamanda UL = 0 Volt, devreden geen akm ise maksimum olur. Ancak pratikte her bobinin bir omik dirence sahip olduu dnlrse; bu deerler teorik olarak yaklak alnmaldr.

31

Bobin, yukarda anlatlan bu zelliinden dolay zerinden geen akm depolar. ekil 2.6da anahtarn kapand t0 anndandan, sonsuz t zamanna kadar geen srede devre akmyla, bobin zerinde indklenen gerilim erileri verilmitir. ekil 2.6 Bobinin DC ye gsterdii akm ve gerilim tepki erileri ekil2.6da grld gibi t = 0 annda bobin zerindeki gerilim maksimum deerde iken, ( en fazla kaynak gerilimi kadar olabilir ) akm sfrdr. Zaman belli bir seviyeye geldiinde gerilim ssel

GE NL K

AKIM

NDKLENEN EMK

t=0
zamanda bu deiim oransal ve rakamsal olarak ekil 2.4 teki grafikteki A ve B erisi zerinden okunabilir. Bobin zerinden belirli bir zamanda geen akmn getii zaman dilimine oranna deiim hz ( rate of change ) denir. Aadaki gibi ifade edilir.

ZAMAN

olarak azalrken, akm ise yine ssel bir art gsterir. Akm ve gerilimin ssel fonksiyon gstermesi bobinin saf endktif olmay, mutlaka bir omik i direnci olmasndan kaynaklanmaktadr. Ayn

Roc =

I t

Doru akmn bobine uygulandktan sonra, bobinde oluan akm ve gerilim deiimleri matematiksel olarak aadaki gibidir.

L=

e I t L. I t

e=

RocI =

I e = t L

RocI = Birim zamana gre bobin akmndaki deiim hz.

= Bobin zerinde indklenen voltaj ( zt emk ).

= Endktans deeri

Buraya kadar anlatlan blmde bobinin DC devrede gsterdii zelliklerden bahsedilmitir. imdi DC devrede bobinin zaman sabitesine ilikin matematiksel ifadeler incelenecektir. Hatrlanaca gibi RC devresinde zaman sabitesini TC = R.C olarak renmitik. RL devresinde ise zaman sabitesi aadaki gibi ifade edilir.

TC =

L R

Burada dikkat edilecek nokta, zaman sabitesinin devre direncine baml olmasdr. Devre direnci ne kadar byk olursa zaman sabitesi miktar o oranda der. Dier bir deyimle zaman sabitesinin uzun olabilmesi iin devre veya bobin direncinin dk olmas gerekmektedir. Bobin deeri ise kullanlan devreye gre seilecei iin sabit tutulacaktr. Bobinin sarld iletkenin cinsinin ve izolasyonunun bobinin omik direncine etki eden faktrler olduu daha evvelki konularda anlatlmt. RC devrelerde olduu gibi, LR devrelerde de bobinin zerindeki manyetik alan olutuktan sonra indklenen zt emkin k veya bobin zerinden geen akmn maksimum deere ulaabilmesi iin 5TC sresi gemesi gerekir. Bahsi geen TC zamanlar yine Tablo 2.1 kullanlarak bulunur. Bu zamann bulunabilmesi iin aadaki forml kullanlr.

TC =

t L R

R.t L
32

TC = Zaman sabite miktar

= Ykselme ve d iin izin verilen zaman

= Endktans deeri

= Devre direnci

Buraya kadar anlatlan blmn pekitirilebilmesi iin aadaki rnekler dikkatle incelenmelidir.

ZM :

ekildeki devrede anahtar kapatldktan 2800 sn sonraki

zaman sabite miktarn, devre akmn ve maksimum akm, diren ve bobin zerinde den gerilim dmlerini hesapla-ynz.

lk olarak izin verilen zaman ( 2800 sn ) iindeki zaman sabite miktarn bulalm:

TC =

R.t L

(10.10 ) ( 2800.10 )
3 6

10

= 2.8

2.8 olarak bulunan zaman sabite miktarnn ekil 2.4teki A erisini kestii noktadan sola gidilerek dikey ekseni kestii deer bulunur. Bu deer % 94tr. Yani o andaki akm deerinin maksimum akma orandr. Buradan elde edilen veriye dayanarak maksimum akm bulunabilir.

Imax = E / R = 50 / 10 = 5 mA.

Bu deer yardmyla devreden geen akm aadaki gibi bulunur:

I=5

%94 = 4.7 mA. 10 = 47 Volt

Devreden geen akm bilindiine gre; anahtar kapatldktan 2800 sn sonra devre elemanlar zerindeki gerilim dmleri aadaki gibi hesaplanr.

UR = I.R = 4.7

UL = E - UR = 50 47 = 3 Volt

Grld gibi LR devresine DC enerji uygulandktan belli bir sre sonucunda bobin zerindeki gerilim miktar azalrken; diren zerindeki gerilim, kaynak gerilimine yakn bir deer almaktadr.

ekildeki devrede S anahtar A konumundan, B konumuna alnd andan 1200 sn sonra, akmdaki azalma % sini hesaplaynz.

ZM :

zme balanmadan nce, devre dikkatle incelenip devre takibi yaplmaldr. S anahtar A konumunda iken R-L seri devresi zerinden akm maksimum seviyeye ulam durumdadr. Bobin zerinde indklenen zt emk minimum seviyededir. nk devre kararl durumdadr. Ancak S anahtar, A konumundan B konumuna alnd anda bobin zerinde depolanan akm seviyesi dmeye balayacaktr. 1200sn sonraki akmdaki bu deiim % si sorulduuna gre, ilk olarak izin verilen zaman sabite miktarnn hesaplanmas gerekir.

33

TC =

R.t 10.10 3 1200.10 6 = L 34

= 0.35

Bulunan bu oran ekil 2.4 teki grafikteki B erisinde yerine konulduunda dikey eksenden % 70 olarak okunur. Buradan u sonu kar: Bobin zerindeki depolanan akmn ( % 100 - % 70 ) i diren zerinden aktlarak harcanmtr. Yani akmdaki azalma miktar ise % 30 olarak belirlenir.

2.1.4 ZAMAN SABTELERNN SINIFLANDIRILMASI

Zaman sabitesi, RC devrelerde R ve C deerlerine veya LR devrelerde R ve L deerlerine baldr. Fakat devredeki elemanlarn deerleri, hibir zaman, zaman sabitesinin uzun veya ksa olduunu belirleyemez. Zaman sabitesinin uzunluu veya ksal, karlatrld referans zamana baldr. rnein kare dalgalarda kyaslama olarak kullanlan referans zaman, bir alternansa ait 5TC sreli deeridir. Bir alternansa ait zaman ile TC arasndaki iliki; ksa, orta ve uzun zaman sabitesini belirleyin tek faktrdr. Eer zaman sabitesi ( TC ), bir alternansa ait zaman sresinden uzun ise; zaman sabitesi uzundur denir. Eer bu sre, alternansn devam sresinden ksa ise zaman sabitesi ksadr denir. Bu konuya ilikin matematiksel ifadeler aada gsterilmitir. / TC

1 / 10 Uzun Zaman Sabitesi

/ 10

1 / 10

10. TC

/ TC

1 / 10 Ksa Zaman Sabitesi 1 / 10 10. TC

/ 10

Eer herhangi bir devreye ait zaman sabitesi yukardaki deerlerin arasnda ise buna orta zaman sabitesi denir. 1 / 10

/ TC

10

2.1.5 DALGA EKLLENDRME LEM ekil 2.7 RC Dalga ekillendirici Devresi. ekil 2.8 RL Dalga ekillendirici Devresi.

GR DALGASI A A IKII RC devrede ER k RL devrede EL k RNEK:1 UZUN ZAMAN SABTEL / RC veya R. / L B B IKII RC devrede EC k RL devrede ER k

0.1

RNEK:2 ORTA ZAMAN SABTEL 0.1 RNEK:3 KISA ZAMAN SABTEL / RC veya ( R. ) / L

(R.) / L veya / RC 10

10
34

ekil 2.9 RC ve RL Dalga ekillendirici Devreleri k Dalga ekilleri ekli 2.7deki RC ve 2.8deki RL devresi girilerine kare dalga uygulanarak, devre klarnda eitli zaman sabitelerine gre elde edilen k sinyalleri ekil 2.9da tablo biiminde gsterilmitir. ekildeki 1 nolu rnekte Uzun Zaman Sabiteli A-A k, RC devresinde; diren zerinden veya RL devresinde; self ( bobin ) zerinden alnan klardr. Bu ktaki sinyal, giri sinyali ile genlik ve ekil olarak benzemekte olup; nemli bir deime gzlenmemektedir. Ayn rnekte B-B k ise, RC devresinde diren zerinden veya RL devresinde diren zerinden alnan klardr. Burada ise k sinyali, girile genlik ve biim olarak hibir benzerlik gstermemektedir. Giriten kare dalga sinyali uygulanmasna ramen ktan gen dalga formlu bir sinyal alnmtr. 2 nolu rnekte Orta Zaman Sabiteli A-A kndaki sinyal, giri sinyaline oranla genlik olarak daha yksektir. ekil olarak da distorsiyona ( bozulma ) uramtr. Ayn rnekte B-B kndan alnan sinyalle, giri sinyali arasnda genlik ve biim olarak hibir benzerlik gstermemektedir. Giriten kare dalga sinyali uygulanmasna ramen ktan testere dii formuna yakn bir sinyal alnmtr. 3 nolu rnekte ise Ksa Zaman Sabiteli A-A kndaki sinyal, giri sinyalinin genlik olarak iki kat byklndedir. ekil olarak yine distorsiyona uramtr. Ayn rnekte B-B kndan alnan sinyalle, giri sinyali arasnda genlik ve biim olarak bir benzerlik gzlenmektedir. Giriten uygulanan kare dalga sinyali, kta yine kare formuna yakn bir zellik gstermekte olup; fazla bir distorsiyona uramamtr. Sonu olarak RC ve RL devrelerine uygulanan kare dalgann, eitli zaman sabitelerinde farkl sinyallere dnebilecei grlmektedir. Ancak bu devrelerin alma mantn anlayabilmek iin dalga ekillendirici devrelerin temelini oluturan trev ( differention ) ve integral ( integration ) alc devrelerin incelenmesi gerekmektedir. lk olarak trev alc devreler incelenecektir.

2.1.6 TREV ALICI DEVRELER Trev alc devreler, giri sinyalinin deiim sratine ( roc ) bal olarak, kta farkl bir sinyal ekli oluturan devrelerdir. Trev alc devrelerinde ksa zaman sabitesi kullanlr. RC devrelerde k diren zerinden; RL devrelerde ise k bobin zerinden alnr. ekil 2.10 Trev Alc Devre emas ( Ksa Zaman Sabiteli Devre ) ekil 2.10da grld gibi trev alc devre giriine kare dalga uygulanmtr. Devre kndan alnan sinyal ise genlik ve form olarak deiiklie uramtr.

Bu deiimin nedeni yle aklanabilir: ekil 2.11de giri ve k sinyalleri grlen trev alc devre giriinde bulunan kondansatre kare dalga uygulandnda;kondansatr bu gerilimin tepe deerine arj olur. t0 t1 annda giri sinyalinde herhangi bir deiiklik meydana gelmediinden dolay k voltaj sfra dmektedir. k voltajnn sfra d hz, devrenin zaman sabitesine baldr.

ekil 2.11 Trev alc devre giri k sinyalleri t1 annda giri tekrar aniden, ters ynde deiiklie uramaktadr. Dolaysyla k voltaj da buna paralel olarak maksimum deere ters ynde arj olur. Bu deiimler daha sonraki alternanslarda aynen birbirini takip eder. Sinyaldeki form deiiklii ise kondansatrn arj ve dearj ile ilgilidir. Daha nce de anlatld gibi ayn ilemler, RL devresi kullanlarak ta gerekletirilebilir. Ancak k sinyalinin bobin zerinden alnmas gerekmektedir.

GR SNYAL

IKI SNYAL

t0

t1

t2

t3

t4

t5

t6

t7

t8 35

2.1.7 NTEGRAL ALICI DEVRELER ekil 2.12 ntegral alc devre emas

ekil 2.12de ntegral alc devre emas grlmektedir. alma mant olarak trev alc devresiyle ztlk gsterir. ntegral alc devrede uzun zaman sabitesi kullanlmaktadr. Hatrlanaca gibi, trev alc devre giriine kare dalga uygulandnda. ktan sivriltilmi dalga elde ediliyordu. ntegral alc devre giriine de kare dalga uygulanp, ktan gen dalga formunda bir sinyal elde edilmektedir. Bu farkn nedenlerinden birincisi kondansatr ile direncin yerlerinin deimi olmas; ikincisi de bu devrede uzun zaman sabiteli devre kullanlmasdr. Devrenin giri k sinyal bantlar ekil 2.13te gsterilmitir.

GR SNYAL

IKI SNYAL

t0

t1

t2

t3

t4

t5

t6

t7

t8

ekil 2.13 ntegral alc devre giri k sinyalleri

Devre giriine uygulanan kare dalga sinyali, t0 annda sfr seviyesindedir. Bu anda kondansatr zerindeki arj seviyesi de ayndr. t0 - t1 arasnda; kondansatr, uygulanan gerilime arj olurken; k gerilimi de genlik olarak dorusal bir biimde art gsterir. t1 annda giri gerilimi ( + ) maksimum deerden, ( - ) maksimum deere gelir. Bu andaki giri geriliminin azalmas kondansatrn dearj olmasna neden olacaktr. Kondansatrn dearj erisi yine dorusal eimli olacaktr. t1 t2 zaman aralnda ise giri gerilimi srekli ( - ) maksimum deerde olacandan, bu anda kondansatr tamamen dearj olacaktr. t2 annda ise giri gerilimi periyodunu tamamlad iin tekrar balang noktasna dneceinden ayn olaylar tekrar edecektir. Dikkat edilecek olursa ntegral Alc Devresi, Trev Alc Devresiyle zt mantk olarak almaktadr. Buraya kadar incelenen Trev ve ntegral Alc devreleri, daha nce de belirtildii gibi sadece RC devreleriyle gerekletirilmez. Ayn ilevleri RL devreleriyle yapmak da mmkndr. Devre alma mantklar RC devreleri ile ayn olacandan; RL devreleri tekrar anlatlmayacak olup zet bilgi verilmesi yeterli olacaktr. RL devresinin zaman sabitesi ksa ve k bobin zerinden alnyor ise buna Trev Alc Devre; zaman sabitesi uzun ve k diren zerinden alnyorsa buna da ntegral Alc Devre ad verilir.

BLM III

YARILETKEN ESASLARI 3.1 GR

XIX. YYn sonlarnda balayp XX.YYn balarna kadar srdrlen bilimsel almalar sonucu bulunan yar iletkenler;elektronik sanayisinin oluup hzla gelimesini salamtr. 1880li yllarda Curie kardelerin kristaller zerinde yaptklar almalar sonucu; belli bir basn altnda kristaller zerinde bir gerilim olutuu saptanmtr. Bu almalarn altnda enerji dnmleri konusunda nemli admlar atlmtr.

36

1900l yllarda bir selenyumun iletkenle birletii noktadan tek ynl akmn getii anlalmtr. Daha sonraki yllarda bu bulular gelitirilerek; 1930 ylnda germanyum diyot, 1948 ylnda ise ilk transistr retilmitir. Transistr deyimi, transfer ve rezistr kelimelerinin birletirilmesinden meydana gelmitir. Transistr, akm kontrol edebilen elektronik devre eleman olmas nedeniyle ok nemli bir malzemedir. Bu blmde kristal diyotun ve transistrn oluumu konular incelenecektir. Bu konularn daha iyi anlalabilmesi maksadyla Elektrik Dersinde grlen iletken, yaltkan ve yariletken konularnn tekrarlanmas yararl olacaktr.

3.1.1 LETKEN, YALITKAN VE YARILETKENLER

Atomun d yrngesinde deiik sayda elektron bulunabilir. Bilindii gibi bu say sekizden fazla olamaz. D yrngelerinde sekiz elektron bulunan yrngelere "doymu yrnge" ad verilir. Doymu yrngeye sahip olan atomlar, elektronlarn kolay kolay brakmaz. Asal gaz olarak bilinen Helyum (He), Neon (Ne), Argon (Ar) ve Kripton (Kr) gazlarn atomlar byledir. D yrngelerindeki elektron saysna bal, olarak baz atomlar elektron vermeye, bazlar da elektron almaya alrlar. Genel olarak d yrngelerinde drtten az elektronu bulunan ve serbest elektron saylar ok fazla olan atomlar elektron vermeye, drtten fazla elektronu bulunan ve serbest elektron saylar ok az olan atomlar ise elektron almaya yatkndr. L d yrngesinde 3 elektron bulunan bor (B) atomu ekil 3.1' de verilmitir. Bu yrngenin doymas iin 5 elektrona ihtiya duyaca dnldnde; 5 elektron almak yerine, kendi 3 elektronunu vermesinin daha kolay olaca grlr. Benzer ekilde ekil 3.1' de verilen oksijen (O) atomu, d yrngesini doymu hale getirmek iin L d yrngesinde bulunan 6 elektronu vermek yerine dardan 2 elektron alacaktr.

ekil 3.1 Bor atomu

ekil 3.2 Oksijen atomu

Yukarda ksaca zetlenen bilgilerden de anlalaca zere; atomlarn son yrngesindeki elektron says o elementin zelliklerini belirler. Konumuzu ilgilendiren atomlarn snflandrlmas aadaki tanmlarda ak olarak verilmitir. letken : D yrngelerinde 4' ten az elektron bulunan ve serbest elektron saylar ok fazla olan maddelere denir (bakr, alminyum, demir vb.). Yaltkan : D yrngelerinde 4' ten fazla elektron bulunan ve serbest elektron saylar yok denecek kadar az olan maddelere denir (cam, kauuk, hava vb.). Yariletken : Ne iyi bir iletken, ne de iyi bir yaltkan olan ve d yrngelerindeki elektron says 4 olan maddelere denir (karbon, germanyum, silisyum vb).

37

Uygulamada iletkenler, elektrik akmn bir yerden baka bir yere iletmekte; yaltkanlar, elektrik akmndan korunmakta ve elektrik akmnn bulunmamas gereken yerleri yaltmakta; yariletkenler ise, diyot, transistr gibi akmn kontroll iletimini salayan elemanlarn imalatnda kullanlmaktadr.
Bu blmde elektroniin balca konusu olan yar iletkenler incelenecektir. Tablo 3.1 de eitli elementlerin cm verilmitir. 3 bana, elektrik akmna kar gstermi olduklar direnler tablo halinde

Bu elementlerden direnleri ok dk olanlara iletken, ok yksek olanlara yaltkan; direnleri iletken grubuna sokulamayacak kadar yksek, yaltkan grubuna sokulamayacak kadar dk olanlara ise yariletken denir. Bu kapsamda elektronik endstrisinin balca malzemeleri olan, germanyum, silisyum, bakr oksit, arsenik, indium, galyum gibi elementler, yariletken zellikleri gsterir.

ELEMENT ADI

3 CM BAINA DEN ELEKTRK DREN 3 ( / cm ) -7 10 -6 10 -4 10 1 1.5 1.6 50 4

GM BAKIR ALMNYUM KARIIMLI GERMANYUM TRANSSTR GERMANYUMU TRANSSTR SLKONU SAF GERMANYUM SAF SLKON TAHTA CAM MKA Tablo 3.1 Elementlerin elektriki diren tablosu

10

10 10

8 10 10 12

Yariletken atomlarnn son d yrngelerindeki elektron says 3 ile 6 arasnda deimektedir. Kristal diyot ve transistr yapmnda en ok germanyum ve silisyumdan yararlanlr. Germanyum ve silisyum atomlarnn en son yrngesindeki serbest ( valans ) elektron saylar ( 4 elektron ) ayndr. ndium, galyum, arsenik, antimuan gibi yariletkenler ise transistr ve diyot yapmnda katk malzemesi olarak kullanlrlar. Yar iletken yapmnda ilk zamanlarda, germanyum elementinin daha sk kullanlmas; eski temel elektronik kitaplarnda germanyumun incelenmesini gerektiriyor idi. Ancak; germanyum hemen hemen hi kullanlmamaktadr. Gnmzde yariletken yapmnda daha ok silisyum elementi kullanldndan bu maddenin incelenmesi daha doru olacaktr.

3.1.2 SLSYUMUN KRSTAL YAPISI 3

Germanyum ve silisyum karakteristik yap olarak birbirlerine benzemektedirler. Dolaysyla Silisyumun incelenmesi srasnda germanyum da analiz edilmi olacaktr. Silisyum elementinin cm

3 bana direnci Tablo 3.1 de de belirtildii gibi 1.6 / cm dir. Ayrca her iki madde ( Ge, Si ) s ve kla etkilenebilmektedir. Bu maddelere elektrik akm uygulandnda bir takm deiimlerin olumas yariletken kavramnn yerlemesine ve gelimesine neden olmutur. Silisyumun, atomik yaps incelendiinde kristalize bir yapda olduu grlr. ncelemeler sonucu; silisyumun atomik yapsnn, periyodik olduu ( srekli kendini tekrarlayan ) saptanmtr. Atomlarn bu yapsnn tmne Kristal , periyodik dzenine de rg denir. ekil 3.3te silisyuma ilikin kristal yap grlmektedir.

ekil 3.3.Silisyum ve germanyumun kristal yaps

Germanyum ve silisyum kristali, (Ge ve Si olarak da yazlabilir. ) ekil 3.3.te grld gibi boyutlu elmas yapya sahiptir. Srekli tekrarlanan, ayn tipte kristal yaplardan oluan bu tip maddelere tek kristalli yap denir. Si ve Ge elementleri, bu zellikleri nedeniyle elektronik alannda kullanlmaya son derece uygundur.

38

Bu blmde Si ve Ge elementlerinin atom yaps incelenecektir. Ayn zamanda bu maddelerin elektriksel karakteristiklerinin nasl etkilenebilecei de gzden geirilecektir. Elektrik dersinin Elektron Teorisi konusundan da hatrlanaca gibi; bir atom temel olarak 3 elemana sahiptir. Bunlar elektron, proton ve ntrondur. Atomik yapda proton ve ntron ekirdei, elektronlar ise ekirdek etrafnda sabit bir yrngede dolar. ekil 3.4.-a ve 3.4.-bde Ge ve Si nin atomik yaps grlmek-tedir. Ge nin toplam 32, Sinin ise 14 elektronu vardr. Son d yrngelerindeki ( valans ) elektron says ise her ikisinde de 4tr.

ekil 3.4 a. Germanyumun atomik yaps

ekil 3.4 b. Silisyumun atomik yaps

ekil 3.5 Silisyum atomunun kovalent ba yaps

Elektron

Si

Si

Si Si
ekirdek

Si

Si

Si

Kovalent ba

Si

Si

Si

ekil 1.3 a ve bde grld gibi Ge atomunun toplam 32, Si atomunun ise 14 elektronu bulunmaktadr. Her iki atomun da en d yrngesinde 4er elektronu vardr. Bu drt valans elektron-dan herhangi birini uzaklatrmak iin gerekli olan potansiyel, yapdaki herhangi baka bir elektronu uzaklatrmak iin gereken potansiyelden daha azdr. ekil 3.5te Si atomunun kovalent ba yaps grlmektedir. Her Si atomunun son d yrngesindeki 4 elektron dier atomun son d yrngesindeki elektronlarla ba oluturur. Bu elektron paylam olayna, kimya dersinden de hatrlanaca gibi kovalent ba denir. Dikkat edilirse her silisyum atomu dier bir silisyum atomu ile kovalent ba kurarak kristalize yapy oluturur. D yrngedeki bu ba daha nce de anlatld gibi kendini srekli tekrar eder. Her ne kadar bir atom d ortama kar ntr durumda olsa bile; son yrngesindeki elektron dengelerini, yeterli miktarda kinetik enerji uygulamak koulu ile deitirmek mmkndr. Kovalent badaki elektronlarn, badan koparak serbest duruma gemesi iin bir takm etkilerin olmas gerekir. Bunlar;doal nedenler, foton eklindeki k enerjisi, ortamn s enerjisi gibi etkilerdir. 3 10 Oda scakl artlarnda yar iletkenlerin belirli saylarda serbest elektronlar bulunmaktadr. rnein 1 cm z silisyum maddesinde 1,5 x 10 adet serbest tayc elektron bulunur. z maddeler, katklar minimum dzeye indirgemek iin retilen saf ( rafine ) maddelerdir. Ortam scakl arttka kovalent balar oluturan serbest elektronlar,sl enerji toplayarak serbest duruma geer. Bundan dolay elektron saysnda bir art gzlenir. Serbest elektron saysndaki bu art maddenin iletkenliinin artmasna da neden olacaktr. Buna karn maddenin elektriki direncinde azalma grlr. Bu

39

durum iletkenler ile kyaslandnda ztlk gsterir. Bilindii gibi s art olduunda iletkenlerin direnci de artmaktadr. Bunu u ekilde zetleyebiliriz: Yar iletkenler negatif scaklk katsaysna; iletkenler ise pozitif scaklk katsaysna sahiptir. Bu da yar iletkenleri iletkenlerden ayran en nemli zelliklerden birisidir.

3.1.3 SAF SLSYUMUN LETKENLNN ARTTIRILMASI

Buraya kadar incelen blmde elektronik alannda kullanlan iletken, yaltkan ve yariletkenlerin snflandrlmas ve atomik yaplar incelenmitir. Konunun esasn oluturan yar iletkenlerin incelemesi ise daha detayl verilmitir. Ancak elektronik alannda, uygulamaya ynelik olarak kullanlabilecek yar iletkenlerin oluturulmas iin bir takm karmak ve kimyasal yntemler gerekmektedir. Bu balamda saf bir silisyum elektronik alannda direkt olarak kullanlamaz. Konu balnda da belirtildii gibi saf bir silisyumdan elektrik akm geirebilmek iin, ncelikle iletkenliinin arttrlmas gerekmektedir. Bunun gerekletirilebilmesi iin silisyum maddesine katk yaplmas gerekir. Bu katk malzemeleri, daha nce bahsedildii gibi antimon, galyum, arsenik, fosfor gibi valans elektron says 5 olan elementlerdir. Bu katklar atom says baznda 10 milyonda 1 gibi ok dk miktarlarda yaplmaktadr. Yar iletken maddelere katk yaplarak 2 tip malzeme elde edilir. Bunlar: 1 N tipi yar iletken, 2 P tipi yar iletkenlerdir. Daha nce de bahsedildii gibi elektronik uygulama alannda kullanlabilecek yar iletken materyalin oluturulabilmesi iin, bu iki tip maddenin katk malzemelerinin de eklenerek hazrlanmas gerekmektedir. Bu blmde ncelikle N tipi yar iletkenin oluumu incelenecektir.

3.1.4 N TP YARILETKENN OLUUMU

N tipi yar iletkenin oluumu, silisyum tabanna belirli ldeki katk malzemesinin eklenmesiyle gerekletirilir. ekil 3.6da grld gibi silisyum tabanna valans elektron says 5 olan Antimon eklenmitir. Eklenen Antimonun 4 elektronu dier silisyum atomlar ile kovalent ba oluturur. Ancak 5.elektron serbest kalarak kristal yapda asl kalr. Bundan dolay silisyumun iletkenlii artm olur. Silisyum bu durumda fazla elektronu olduu iin ntr halden ykl duruma geer. Fazla elektronu bulunduu iin d ortama kar negatif ykldr. Bu yzden bu oluuma N tipi madde ad verilir.

ekil 3.6 N tipi yariletkenin meydana gelii

Si

Si

Si

Antimon katks

Antimonun 5.valans elektronu

Si

Sb

Si

Si

Si

Si

ekil 3.6da metin olarak anlatlan blm ekilsel olarak ifade edilmitir. Burada silisyuma eklenen antimon atomuna donr ( verici ) ad verilir. Bunun nedeni antimonun fazla elektronunu silisyuma vermesidir.

3.1.5 P TP YARILETKENN OLUUMU

P tipi yar iletken, saf silisyum kristaline 3 valans elektrona sahip katk atomlar eklenerek oluturulur. Bu amala en sk kullanlan elementler boron, galyum ve indiyumdur. Bu elementlerden boronun silisyum taban zerindeki etkisi ekil 3.7de grlmektedir. N tipi yariletkenin oluumu konusunda anlatld gibi silisyum tabanna bir baka madde belirli oranda eklenmektedir.

40

ekil 3.7 P tipi yar iletkenin meydana gelii

Si

Si

Si

Boron katks

luk Bo

Si

Si

Si

Si

Si

ekil 3.7ye dikkat edildiinde, yeni oluturulan yapda kovalent ban tamamlanmas iin yeterli sayda elektronun bulunmad grlecektir. Bunun nedeni boron atomunun varolan 3 valans elektronu ile silisyum atomunun 4 valans elektronu arasnda kurulan kovalent ba yapsnda bir elektronun eksik kalmasdr. Bu noktann elektron almaya ihtiyac bulunduundan bo kalmakta olup + imgesi ile ifade edilir. P tipi maddede oluan bu boluklara oyuk ad verilir. Burada oluan yap elektron eksiklii nedeniyle pozitif ykle yklenir. Meydana gelen yeni silisyum yaps elektron eksiklii nedeniyle d ortamdan elektron almaya meyillidir. Bu tr yapya akseptr ( alc ) denir. Oluan bu yeni yapya bu rgye P tipi yariletken ad verilir. Buraya kadar anlatlan N ve P tipi yariletken oluturulmas konularnda ortaya kan iki nemli sonu vardr. N tipi maddede, kristal yap ierisinde serbest kalan fazla elektronlar; P tipi maddede, kristal yap ierisinde serbest kalan oyuklar oluur. Yani N tipi yariletkende ounluk akm tayclar elektronlar; P tipi yariletkende ise ounluk akm tayclar oyuklardr. te bu ounluk akm tayclar yar iletkenin ierisinden kontroll akm gemesine olanak salayan materyallerdir. Dier yandan hem N tipi, hem de P tipi yar iletkenin iletkenlii arttrlrken yaplan katklama ileminde valans seviyelerindeki enerji dalmnn dengesizlii nedeniyle N tipi yar iletkende ok az miktarda oyuklar, P tipi yariletkende ise yine ok az miktarda elektronlar meydana gelir. Bunlara ise aznlk akm tayclar denir. Ancak unutulmamas gereken nokta aznlk akm tayclarnn, ounluk akm tayclarna oran ihmal edilebilecek seviyededir. ekil 3.8 a ve bde bu durum ekilsel olarak ifade edilmitir.

Pozitif ykl iyonlar ( Donr yonlar )

Negatif ykl iyonlar ( Akseptr yonlar )

ounluk akm tayclar

ounluk akm tayclar

41

Aznlk akm tayclar

Aznlk akm tayclar

ekil 3.8-a N Tipi yar iletkende akm tayclar ekil 3.8-b P Tipi yar iletkende akm tayclar

Buraya kadar anlatlan blmde N tipi ve P tipi maddelerin oluturulmas incelenmitir. Bundan sonraki aamada bu iki madde kullanlarak akmn kontroll geiini salayacak elektronik devre elemanlarnn yapsal oluumu incelenecektir. Ancak bu aamaya gemeden nce P ve N tipi yar iletken ierisindeki elektron ve oyuk hareketlerini iyi bilmek gerekir. Bu kapsamda ilk olarak katk ile elde edilen,N tipi ve P tipi yar iletkene bir DC kaynak balanp; oluan deiimler incelenecektir.

3.1.6 N TP YARI LETKENDE AKIM YN VE ELEKTRON HAREKET

ekil 3.9. N tipi yariletkende akm geii

N tipi yariletken ( silisyum )

Aznlk akm tayc yn

E
I

Serbest elektronlarn hareket yn ( ounluk akm tayc yn )

N tipi yar iletkene bir gerilim uygulandnda, akm yn gerilim kaynann kutuplarna gre yn deitirir. Bunun nedeni N tipi yariletkende mevcut olan ykl ounluk akm tayclarnn gerilim kaynann kutbuna gre hareket etmesidir. ekil 3.9 dikkatle incelendiinde; S anahtar kapandnda,gerilim kaynann kutbu yar iletken ierisindeki serbest elektronlar + kutba doru itecei grlecektir. Bu akm hareketi daha nce de akland gibi ounluk akm taycs elektronlarn hareketidir. Ancak N tipi madde ierisinde ok az oranda + ykl oyuklarn olutuunu hatrlanrsa; bu oyuklarn akm yn de gerilim kaynann balan ekline gre elektron ak ynnn tam tersi olacaktr. Yani - ykl elektronlar kaynan kutbu tarafndan itilerek +kutbu tarafndan ekilecek; + ykl oyuklar ise + kutbu tarafndan itilerek - kutbu tarafndan ekilecektir. Gerilim kaynann yn deitirildiinde akm ynleri ne olur? ***Bu konuyu snfta tartarak cevaplaynz.

42

3.1.7 P TP YARI LETKENDE AKIM YN VE OYUK HAREKET

P tipi yar iletkene bir gerilim uygulandnda, akm yn N tipi yar iletkende olduu gibi gerilim kaynann kutuplarna gre yn deitirir. Bunun nedeni P tipi yar iletkende mevcut olan + ykl ounluk akm tayclarnn gerilim kaynann kutbuna gre hareket etmesidir. ekil 3.10. dikkatle incelendiinde; S anahtar kapandnda,gerilim kaynann kutbu yar iletken ierisindeki serbest oyuklar kendine ekecei grlecektir. Bu akm hareketi ounluk akm taycs oyuklarn hareketidir. Ancak N Tipi madde ierisinde ok az oranda + ykl oyuklarn olutuu gibi; P tipi madde ierisinde de yine ok az oranda ykl elektron bulunabilir.

P Tipi Yariletken ( Silisyum )

Aznlk akm tayc yn

E
I
ekil 3.10 N tipi yar iletkende akm geii

Serbest oyuklarn hareket yn ( ounluk akm tayc yn )

Dolaysyla bu elektronlarn akm yn de gerilim kaynann balan ekline gre oyuk ak ynnn tam tersi olacaktr. Yani + ykl oyuklar kaynan kutbu tarafndan ekilerek +kutbu tarafndan itilecek; - ykl elektronlar ise; kaynan - kutbu tarafndan itilerek +kutbu tarafndan ekilecektir. Gerek N tipi madde iindeki + ykl oyuklarn, P tipi madde iindeki - ykl elektronlarn ( aznlk akm tayclarnn ) oluturduu akma sznt akm ad verilir. Bu akm asl devre akmna ters ynde olup deeri ihmal edilebilecek kadar kktr. Buraya kadar anlatlan blmde N tipi yar iletken ierisindeki ounluk akm tayc elektronlarn hareketinin DC kaynan kutbundan + kutbuna; P tipi yar iletken ierisindeki ounluk akm tayc oyuklarn hareketinin ise; DC kaynan + kutbundan - kutbuna hareket edecei unutulmamaldr. Ayn zamanda ounluk akm tayclar asl devre akmn oluturmaktadr. imdi ise iki farkl tip yar iletkenlerin birletirilerek kristal diyot oluumu incelenecektir. 3.1.8 P N YZEY BRLEMES VE KRSTAL DYOTUN OLUUMU

Daha nce de ksaca deinildii gibi diyot; elektrik akmn tek ynl olarak ileten elektronik devre elemandr. Bu blmde diyotun nasl olutuu anlatlacaktr. ekil 3.11de katkl N ve P tipi iki ayr maddenin yzey temas sonucunda elde edilen oluum grlmektedir. Bu oluuma Kristal Diyot ad verilir. ekil 3.11.a dikkatle incelenirse; P ve N tipi maddelerin birleim yzeyinde, hemen oluan bir elektron oyuk alverii ve bundan kaynaklanan bir hareket balayacaktr. Bu hareket sonucunda, P maddesindeki oyuklar N maddesine; N maddesindeki elektronlar da P maddesine geer. lk anda iki maddedeki tm oyuk ve elektronlarn birleebilecei akla gelebilir. Ancak bu mmkn deildir. Bu birleme ekil 3.11.bde grld gibi belli bir blgede oluur. Bu blgeye gerilim setti veya bariyer ad verilir.

ekil 3.11.a P ve N tipi maddenin birletirilmesi ve elektron oyuk hareketi

N tipi silisyum madde

P tipi silisyum madde

N tipi silisyum madde P tipi silisyum madde Gerilim setti

( bariyer )
43

ekil 3.11.b P ve N tipi maddenin birletirilmesi sonucu kristal diyodun oluumu

Bu birleme sonucunda oluan gerilim settinde herhangi bir akm taycs kalmaz. Bunun nedeni elektron ve oyuklarn bu bariyerin dna itilmeleridir. Oluan gerilim settinin kalnl 1 / 1000 mm. ( 1 mikron ) kadardr. Elektron ve oyuk hareketleri sonucunda, gerilim settinde bir potansiyel fark oluur. Bu gerilim germanyum diyotta 0.2 0.3 Volt; silisyum diyotta ise 0.6 0.7 Volt civarndadr. Bu oluum sonucunda P maddesinin birleim yzey taraf oyuk kaybedip, elektron kazanr. Dolaysyla bu blgenin kutbu negatif olur. Diyotun bu tarafna Anot ad verilir. Ayn ekilde N maddesinin birleim yzey taraf da elektron kaybedip, oyuk kazanr. Bu blgenin kutbu da pozitif olur. Diyotun bu tarafna da Katot ad verilir. ki yzey arasndaki potansiyel fark, oyuklarn P maddesini, elektronlarn da N maddesini terk etmelerine engel olur. Byle bir yapdaki malzemeden akm geirebilmek iin dardan bir kaynakla gerilim uygulanmas gerekir. nk gerilim settinin almas gerekmektedir. Bu koulun oluabilmesi iin kristal diyotun doru polarize (doru kutuplama) edilmesi gerekir. nk elde edilen malzeme, akmn tek ynl gemesine olanak verir. Ters ynde uygulanacak enerji diyotun ierisinden akm geirmeyecektir. Eer ters yndeki enerji uygulamas belirli bir seviyenin zerine karsa diyot bozulur ( delinir ).

3.1.9 KRSTAL DYOTUN DZ KUTUPLANMASI ( DZ POLARMA )

ekil 3.12de P N eklemli kristal diyotun bir batarya yardmyla dz kutuplanmas gsterilmitir.

ekil 3.12 Kristal diyotun dz kutuplanmas

N tipi silisyum madde I ( Devre akm )

Gerilim setti
( Bariyer ) E
+

P tipi silisyum madde

ekil 3.12 dikkatle incelendiinde; diyotun P eklemi tarafna bataryann + kutbunun, N eklemi tarafna da bataryann kutbunun baland grlecektir. P - N eklemine gerilimin verilmesinden hemen sonra; P maddesindeki oyuklar bataryann + kutbu tarafndan, N maddesindeki elektronlar da bataryann kutbu tarafndan birleme yzeyine doru itilirler. Bu olayn sonucunda bariyer ( gerilim setti ) ortadan kalkar. Gerilim settinin ortadan kalkabilmesi iin diyotun yapld maddenin zelliklerine dikkat etmek gerekir. Bu gerilim deerinin silisyumda 0.6 0.7 V. germanyumda ise 0.2 0.3 V. olduunu biliyoruz. Yani bu voltaj deerleri gerilim settinin ortadan kalkmas iin gerekli voltajlardr. Gerilim settinin ortadan kalkmasyla birlikte elektronlar ve oyuklar birleme yzeyinde birleirler. N blgesinden gelerek P blgesindeki oyuklar dolduran her elektrona karlk, P maddesinde ortak valans ban koparan bir elektron bataryann + kutbu tarafndan ekilir. Bu elektron bataryadan geerek N blgesine girer. Bylece N blgesinin kaybettii elektronu karlam olur. Bu aklama tek bir elektron ve oyuk iin geerlidir. Ancak P ve N blgesinde milyonlarca oyuk ve elektron bulunduunun bilinmesi gerekir. Bu ortamda oyuklar ntr hale geleceinden, bataryann + kutbu P maddesindeki ntr olan oyuk kadar, ortak valans ban koparan elektronlar eker. Bu elektronlar bataryann ierisinden geerek N maddesine girerler. Bu elektronlarn says N maddesinin P maddesi iine gnderdii elektronlar kadardr. Bu durumda d devreden ok ynnde byk bir akm geer. Devre akmnn gemesine kolaylk gsteren bu balant biimine Doru Ynl Polarma denir.

3.1.10 KRSTAL DYOTUN TERS KUTUPLANMASI ( TERS POLARMA ) ekil 3.13 Kristal diyotun ters kutuplanmas

Aznlk akm tayclar

Sznt akm yn

N tipi silisyum

Gerilim44 setti
E + -

P tipi silisyum

ekil 3.13de P N eklemli kristal diyotun bir batarya yardmyla ters kutuplanmas gsterilmitir. ekildeki yapya dikkatle bakldnda bataryann kutbuna P tipi maddenin, + kutbuna da N tipi maddenin baland grlecektir. Bu durumda gerilim verilir verilmez N tipi madde ierisindeki serbest elektronlar bataryann + kutbu tarafndan, P tipi madde ierisindeki serbest oyuklar ise bataryann kutbu tarafndan ekilir. Bu durum birleim yzeyinin genilemesine ve gerilim settinin bymesine neden olacaktr. Dolaysyla d devreden herhangi bir akm geii olmayacaktr. Bu durumda diyottan akm gemeyecei iin, diyot yaltkan olacaktr. Ancak burada unutulmamas gereken bir nokta; daha nceki konularda bahsi geen aznlk akm tayclarnn ters polarma durumunda ortaya kan etkisidir. P maddesindeki ok az saydaki elektronlar ve N maddesindeki yine ok az saydaki oyuklar; diyot ierisinden asl devre akmna ters ynde ve ok kk bir deerde akm geiine neden olur. Bu akma sznt akm denir. ou kez bu akm ihmal edildiinden dikkate alnmaz. Bu durum ekilde gsterilmitir.

3.2.1 KRSTAL DYOT KARAKTERSTKLER

Buraya kadar anlatlan blmde kristal diyotun elde edilmesi, kimyasal yaps ve elektrik akmna kar tepkisi incelenmitir. Bu blmde diyotun almas ve elektriksel karakteristik zellikleri incelenecektir.

ekil 3.14 Diyot sembol ve silisyum diyot karakteristik erisi

+ Id

Anot

Katot
letime geme gerilimi Silisyum diyot = 0.7 V. Germanyum diyot = 0.2 V.

Diyot Sembol

- Vd ( Volt ) 4 Delinme ( krlma ) gerilimi 3 2 1 0.7 1 2 3 4

+ Vd ( Volt )

- Id
ekil 3.14te diyota ait sembol ve karakteristik erisi verilmitir. Diyot sembolnde, bir uca anot ( P tipi madde ); dier uca ise katot ( N tipi madde ) ad verilmitir. Bundan sonraki blmlerde diyot yukardaki sembol ile ifade edilecektir. Diyot karakteristik erisine dikkat edildiinde 2 adet eksenin olduu grlecektir. Yatay eksen voltaj eksenidir. Sa taraf + Vd ile adlandrlm olup; diyotun dz polarlandn ifade eder. Voltaj ekseninin sol taraf ise Vd olup diyotun ters polarlandn ifade eder. Diyot dz kutuplandnda belli bir noktaya kadar diyotun ierisinden akm gemedii veya ihmal edilebilecek kadar kk deerde bir akm getii grlr. Ancak 0.7 Volt baraj geildiinde ( Bu gerilim silisyum diyot iindir ) diyot iletken olarak devreden yksek bir akm geecektir. Bu akm + Id ekseninden grlebilir. Bu yksek deerdeki akmn gemesi, diyotun iletken hale gelmesi demektir. Dier bir deyimle doru polarmada diyot iletken olur. Ancak tamamen ksa devre olmaz. Bunun nedeni birleim yzeyinde oluan bariyerdir. Bu nedenle diyotun dz polarmadaki i direnci birka ( ohm ) dur. Diyot ideal dnldnde bu diren yok saylabilir. Ancak uygulamada bahsedilen diren her zaman geerlidir. Diyot ters polarize edildiinde; ierisinden ok kk deerdeki sznt akm hari herhangi bir akm geii olmayacaktr. Bu durum karakteristik erisinin sol tarafnda grlmektedir. Vd diyotun ters polarma altnda olduu gerilimi gsterir. Eriye dikkat edilecek olursa; belli bir gerilim deerine kadar akm geii gzlenmemektedir. Bu durum diyotun daha nce de bahsedildii gibi en nemli zelliklerinden birisidir. Yani diyot; dz kutuplandnda akm iletir, ters kutuplandnda ise akm geirmez. Tek ynl akm iletimine izin veren bu yapdaki elemanlara yar iletken denmesinin nedeni budur. Ters kutuplamada dikkati eken bir nokta da delinme gerilimi ad verilen blgedir. Bu blge tahmin edilecei gibi diyotun ters polarma altnda dayanabilecei snr gerilim deeridir. Eer bu gerilim deeri alrsa diyot bozulur ( delinir ) ve bir daha almaz. Bu durum, karakteristik eride akmn ters ynde sonsuza ulamas eklinde gsterilmitir. Her diyotun delinme gerilimi farkldr. Bu deer eitli diyotlarda farkllklar gsterir. Bu yzden her diyota ait krlma gerilimi retici firmalarca rn katalogunda belirtilmitir. Buradan da anlalaca zere diyotlarn kullanlabilmesi iin bir isminin veya tantc numarasnn olmas gerekir. Her diyotun farkl zellikleri bulunmaktadr. Yani voltaj ve ierisinden geen akm miktarlar, diyotlarn kullanm yerlerine gre seilmelerini gerektirmektedir. Aada diyotlara ilikin tantm bilgileri tablo halinde verilmitir.

YAPILDII MADDE GERMANYUM

TCAR SM AX xxx veya OX xxx

45

SLSYUM Tablo 3.2 Diyot tantm bilgileri- 1

BX xxx veya 1N xxxx

Tablo 3.2 incelendiinde iki maddeden yaplan diyotlarn alabilecei ticari tantm isimler grlmektedir. Buradan anlalaca zere germanyum diyotlar A veya O ile, silisyum diyotlar ise B veya 1N ile balamaktadr. kinci hane ise A, B gibi harflerdir ve diyotun alma zelliklerini gsterir. xxx ile gsterilen haneler diyotun retim nolar olup her diyota ait bir seri nosu bulunmaktadr. Bu nolar tm dnyada ayndr. Ancak gnmz teknolojisinde daha ok silisyum diyot kullanlmakla beraber 1N xxxx serisi yaygndr. Burada bilinmesi gereken bir nokta vardr. Gelien teknoloji ile zaman ierisinde germanyumun kullanmn azalrken, silisyumun kullanm artmtr. Hatta gnmzde germanyumdan yaplan yar iletkenlerin kullanm, yok denecek kadar aza indirgenmitir. Bunun nedeni silisyumun daha hzl ve kullanlan akm gerilim snrnn daha yksek olmasdr. Aada eitli diyotlara ait veriler grlmektedir.

AA 119 OA 70 OA 79 OA 85 BA 100 BAY 32 BY 100 1N 4001 1N 4002 1N 4007

Ge Ge Ge Ge Si Si Si Si Si Si

45 22,5 45 100 60 150 1250 50 100 1000

( VOLT )

30 15 30 90 60 150 800 30 50 800

( Id ) ( mA )

100 150 100 150 100 250 7500 1000 1000 1000

TERS YNL DYOT AKIMI ( -Id ) (A ) 150 150 90 75 200 200 250 150 150 150

MAX. TERS GERLM (-Vdm) ( VOLT)

ZARARSIZ TERS GERLM (-Vd)

DYOT ADI

YAPILDII MADDE

Tablo 3.3 Diyot tantm bilgileri 2 Tablo 3.3de baz diyotlarn tantm bilgileri verilmitir. Grld gibi her diyotun kendine zg alma gerilim ve akm deerleri bulunmaktadr. Kullanlacak devrenin tip ve amacna gre diyot seimi yaplmaldr. Diyota uygulanacak gerilim ve diyot ierisinden geirilebilecek akmn dikkate alnmas gerekmektedir. Bilindii gibi germanyum diyot, doru polarmada 0,2 Volttan, silisyum diyot ise 0,7 Volttan hemen sonra iletime gemektedir. Doru polarmada dikkat edilecek nokta diyota uygulanacak gerilim deil, zerinden geecek akm deeridir. Dolaysyla diyotun balanaca yk deeri, diyot zerinden izin verilen snrdan fazla akm gemesine neden olmamaldr. Aksi takdirde devre almayaca gibi ar akm ekilmesine ve bu da diyotun bozulmasna neden olacaktr. Buraya kadar anlatlan blmdeki teorik bilgileri rnek diyot devreleri ile pekitirmek, konunun anlalmas bakmndan yararl olacaktr. lk olarak diyot karakteristik erisinin karlabilmesi iin gerekli devre incelenecektir.

3.2.2 DYOT KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI N GEREKL DEVRE

Diyot karakteristik erisinden de hatrlanaca zere diyotun doru ynl ve ters ynl akm grafiini karabilmek iin 1. aamada diyot dz kutuplanmal; daha sonra da ters kutuplanmaldr.

1. DORU KUTUPLAMA ekil 3.15 Silisyum diyot karakteristik erisi karma devresi ( Doru polarma )

46

DYOT AKIMI

DORU YNL

ekil 3.16 Silisyum diyot karakteristik erisi ( Doru polarma )

Id (mA) 10 5 1.5 1 0.5 0 0,2 0,3 0,4 0.7

Doru ynde diyot ierisinden geen akm

Doru ynde diyotun iletime geme gerilimi ( Silisyum ) Vd ( Volt )

Devrenin almas : ekil 3.15teki devre; bir adet DC gerilim kayna, bir adet ayarl diren, bir adet diyot,bir adet diren, iki adet voltmetre ve bir adet ampermetre ile kurulmutur. Diyota uygulanan gerilim ayarl diren yardmyla 0 V tan balanp belirli aralklarla artrlr. Bu aralk ok hassas olduundan gerilim artlar 0,1 V gibi kk gerilim aralklar kullanlr. Gerilim, yava yava bu yntemle arttrlrken; kaynak gerilimini veya toplam devre gerilimini gsteren 1. Voltmetre ve diyot zerindeki voltaj ( Vd ) gsteren 2. Voltmetredeki deerler okunup kaydedilir. Yine diyota seri bal ampermetre dikkatle takip edilerek her gerilim artnda diyottan geen akm llerek kaydedilir. Akm lmleri karakteristik erinin dikey ekseni olan akm ( Id ) blmne; ikinci voltmetreden okunan gerilim deerleri de ( Vd ) yatay eksene kaydedilir. Belirli bir noktaya kadar voltaj yavaa artrlrken diyotun ierisinden geen akmn olduka dk seyrettii gzlenir. Ancak silisyum diyotun eik gerilimi ( 0,7 Volt ) aldnda, diyottan geen akmn birdenbire artt grlr. te bu nokta diyotun i direncinin azalarak iletime getii noktadr. Bu noktadan sonra diyot, bir anahtar gibi kapanarak devreden maksimum akm gemesine izin verir. Bu noktaya kadar yaplan ilemlerin rakamsal deerleri kaydedilerek ekil 3.16daki grafik izilir. Bu noktadan sonra devreden geen akm devreye bal olan yk direncinin deerine baldr. nk kaynak geriliminin sadece 0,7 Voltluk ksm diyot zerinde; dier ksm ise yk direnci zerinde dmektedir. rnein kaynak gerilimi arttrlmaya devam edilip 20 Volta karlsn. Bu anda yk direnci zerinde; UR = 20 0,7 = 19,3 Volt der. Devreden geen akm da UR / R kadar olur. Buraya kadar anlatlan blmden anlalaca zere; diyot doru ynde polarlandnda ( eik gerilimi aldktan sonra ) iletken gibi davranr. Daha nce de anlatld gibi diyot ters polarmada ise ( belli bir gerilim deerine kadar ) yaltkan gibi davranr. imdi ters kutuplamadaki diyot karakteristik devre ve grafik erisi konusu grlecektir. Pratikte bir diyot hibir zaman ideal deildir ve aadaki gibi bir edeer devre ile gsterilir.

Id (mA)

10

0 0.7 + Vd ekil 3.17 Diyot edeer devresi ve rnek diyot karakteristii

Vd ( Volt )

Buradaki Vt gerilimi daha nce de anlatld gibi; diyotun iletime gemesi iin gerekli olan eik ( threshold ) gerilimidir. Bu gerilim silisyum diyot iin 0,6 0,7 V, germanyum diyot iin ise 0,20,3Vtur. r ortalama direnci genelde bilgi olarak verilen birka saysal deer ile hesaplanabilir. Bu sebeple, hesaplamalar iin tm karakteristie ihtiya yoktur.

47

Aadaki rnek, konunun anlalmas iin faydal olacaktr. ekil 3.17 de grld gibi yariletken silisyum diyot iin Vd=1V, Id=10 mA dir. Karakteristik eri ykselmeden nce diyotun iletime geebilmesi iin 0,7 Voltluk bir kayma sz konusudur. Buna gre;

r ort =

Vd

/ Id =

1 0,7 10 0

= 30 . bulunur.

Dier yandan bir diyot devresinde; devreye uygulanan gerilime ve devrenin total direncine gre, diyotun Vt ve r ort deerleri ok kk kalyor ise; Bu deerlerden biri veya her ikisi birden ihmal edilebilir. Ancak gerekte bir diyotun gsterim ve ifadesi aadaki gibidir. Normal diyot Gerek edeer devre ekil 3.18 Diyot edeer devresi ve rnek diyot karakteristii

2. TERS KUTUPLAMA ekil 3.19 Silisyum diyot karakteristik erisi karma devresi ( Ters polarma )

48

-Vd( Volt )

-Vz

-10

-8 0

ekil 3.20 Silisyum diyot karakteristik erisi (Ters polarma )

ekil 3.19daki devre incelendiinde doru polarma devresi ile ayn balant olduu grlr. olduundan, daha nce de ayrntl olarak anlatld gibi diyot ters kutuplanmtr.

Buradaki tek deiiklik diyotun yndr. Diyotun katodu anoda nazaran daha fazla pozitif

Dolaysyla kaynak gerilimi delinme gerilimine kadar arttrldnda diyot yaltkan olacandan devreden herhangi bir akm geii olmayacaktr. Ancak P tipi ve N tipi maddelerin ierisinde ok az denebilecek seviyedeki aznlk akm tayclar, sznt akmna neden olacaktr. Bu nedenle ihmal edilebilecek bir akm geii delinme ( zener ) gerilimi noktasna kadar grlr. Bu durum ekil 3.20deki karakteristik eride grlmektedir. ekildeki grafiin elde edilebilmesi iin doru polarma devresindeki ilemlerin benzeri uygulanr. Burada dikkat edilecek nokta Vz zener gerilimi geildiinde diyotun zelliini yitirip bozulmasdr. Devre kurulup altrldnda bu ayrntya dikkat edilmelidir. Diyotun tek ynl akm iletme zellii, elektronik devrelerde byk bir geliime neden olmutur. Diyot; zellikle dorultucu devrelerde, anahtarlama devrelerinde kullanlmaktadr. Bu devreler daha sonraki blmlerde ayrntl olarak grlecektir. Ancak voltaj dorultucu devrelerin yan sra, elektronik devrelerin dzgn ve istikrarl almalarn salayan voltaj reglatrnn anlalmas iin zener diyot ad verilen elemann renilmesi gerekmektedir. imdi voltaj reglatr ( dzenleyici ) zellii bulunan zener diyot incelenecektir.

3.2.3 ZENER DYOT

Hatrlanaca gibi, diyotun ters polarmas anlatlrken ters polarma voltajnn belirli bir deerinin olduu anlatlmt. Ters polarmada alan diyot, ( Vz ) zener gerilim deerine kadar ierisinden bir akm geirmez. Bu noktaya kadar diyot zerine uygulanan gerilim deeri ne olursa olsun ierisinden geen akm ( ok dk olmak kaydyla ) miktar deimez. te diyotlarn bu zelliklerinden faydalanlarak gelitirilen zener diyot; belirli bir gerilim deerine kadar voltaj reglasyonu yapma zelliini tar. ekil 3.21 a ve b de zener diyotun en sk kullanlan sembolleri ekil 3.21.cde ise edeer devresi gsterilmitir.

(a)

(b)

(c)

Vz

rd

Anot

Katot
ekil 3.21 En sk kullanlan zener diyot sembolleri

Anot

Katot

-Vd( Volt ) -VR

ekil 3.22 Zener diyot karakteristik erisi

-VZ

Zener diyot akm minimum snr

Zener diyot akm maksimum snr

49
Reglasyon blgesi

Akm -Id

ekil 3.22deki zener diyota ilikin karakteristik eri dikkatle incelenirse; normal diyotun ters polarmadaki karakteristiine ok benzedii grlecektir. Zener diyot devreye ters balanr ve A B blgeleri arasnda kalan reglasyon blgesinde kullanlr. A blgesindeki voltaj deeri; o diyota ait normal alma gerilimidir. Bu anda zenere uygulanan gerilimde; VR deerine kadar olan deiim, zenerden geen akmda byk bir deiim meydana getirir. Bu akmn deiim miktarna oranla voltajda ok byk deiim meydana gelmez. Aradaki gerilim farknn akmda yapt bu etki, zenerin i direncinin bu blgede byk deiim gstermesi anlamna gelir. Zenerin i direncini ayarlaya-bilmesi zellii zerindeki voltaj sabit tutmasna neden olur. bu da; belli snrlarda voltaj reglasyonu ( dzenleyici sabitleyici ) yapma olana salar. Bu snr, her zener diyot iin farkl voltaj ve farkl % gerilim reglasyonu anlamna gelir. % gerilim reglasyonu, o zenerin % ka gerilim reglasyonu yapabileceini gsterir. rnein VZ = 10 V., % 5 etiketli bir zener diyotun VR yani maksimum reglasyon voltaj deeri 10 x 0.05 + VZ = 10,5 Volt eklinde hesaplanr. Bu da zener diyotun zerine uygulanan gerilim 10,5 Volta kadar karlsa dahi; zenerin zerindeki voltajn Vz =10 V. olarak sabit kalaca anlamna gelir. Bu gerilim tolerans, daha nce de anlatld gibi zener diyotun i direncinin deimesiyle ierisinden geen akmn o oranda artmas veya azalmasyla salanr. Zener diyota ilikin daha detayl bilgiler, reglatrler konusunda zml rnek devreler zerinden anlatlacaktr.

BLM IV

YARILETKEN G KAYNAKLARI 4.1 GR

Btn elektronik devrelerin alabilmesi iin bir g kaynana ihtiyac vardr. Elektronik devrelerde besleme gerilimi olarak DC gerilim kullanlmaktadr. Ancak, ehir elektrik ebekesinden gelen ve prizlerden elde edilen genellikle 220 VAC, 50 Hz deerinde bir gerilimdir. Bu gerilim deeri, elektronik devreler iin hem yksek hem de sinyal ekli deiken olup kullanlma bir gerilim deeridir. Bu gerilimi elektronik devrelere uygulayabilmek iin, ncelikle gerilimi bir gerilim drc transformotor yardmyla kullanlacak seviyeye drmek, daha sonra da AC sinyali DC gerilime evirmek gerekmektedir. Bu ilemleri gerekletiren devrelere DC g kayna ad verilir. Herhangi bir g kaynann salad g, kullanld devrenin yk ihtiyacn karlamaldr. Eer yk kaynaktan daha gl ise; kaynan o yk altrmas mmkn deildir. 4.1.1 YARI LETKEN G KAYNAI PRENSPLER

AC NPUT

Transformotor

Dor ultma e

Filtr

Voltaj Reglat

Volt aj

DC OUTPUT

ekil 4.1 DC G kayna blok diyagram ekil 4.1de bir DC g kaynann blok diyagram verilmitir. G kaynann alma prensibini renebilmek iin blok diyagram yapsn iyice kavramak gerekir. AC Input ( AC giri ) gerilimi ehir ebekesi voltaj 220 V AC 50 Hz.dir. Bu gerilim drc transformotorun giriine uygulanr. Transformotorun primer ile sekonder sargs arasndaki orana gre, sekonder sargdan bir gerilim alnr. rnein bu oran 18 : 1 ise 220 : 18 Dorult-maca uygulanan AC gerilim burada tek ynl gerilime evrilir. Dorultmata kullanlan diyotlarn zelliinden dolay, giriteki iki alternansa karlk tek alternansn kna izin verilir. Dorultmacn amac adndan da anlalaca zere AC sinyali DC sinyale evirmektir. Dorultma katnda kullanlan eitli dorultma tipleri vardr. Bunlar; yarm dalga, tam dalga, kpr tipi dorultma olmak zere e ayrlr. Bu dorultma tipi konu bitiminde ayrntl olarak incelenecektir. 12 V AC olur. Bu gerilim dorultmaca uygulanr.

50

Dorultma kndaki sinyal, DC genlii devaml deien palsler halindedir. Bu sinyale palsli veya dalgal ( ripple ) DC sinyal denir. Byle bir DC sinyal, hibir elektronik cihaza uygulanamaz. nk dalga ieren DC gerilim bu cihazlara zarar verebilir. Bu yzden DC gerilim zerendeki bu dalgalanmalarn ( ripple ) en aza indirgenmesi veya sfrlanmas gerekmektedir. Bu ilem filtre devrelerinde gerekletirilir. yi bir filtre devresi kndaki gerilim tam DC grnmndedir. Yani dalgalanma sfra indirgenir. G kaynana balanacak eitli yklerde, ekilecek akma karlk g kayna kndaki voltajn sabit kalabilmesi iin filtre devresinin k voltaj reglatrne balanmaldr. Voltaj reglatr, bu kat kndaki DC sinyal seviyesini, yk veya yklerden ekilecek akm deiim-lerinden veya giri gerilimindeki voltaj deiimlerinden dolay oluacak seviye farklarn tolere ederek k geriliminin sabit kalmasn salar. Son kat olan voltaj blc kademesi ise; voltaj reglatr knda elde edilen sabit DC gerilimin ihtiya duyulan gerilim seviyelerine blnmesi iin kullanlr. Yaygn olarak voltaj blc; ykseltelerin veya sinyal reticilerin almas iin gerekli olan eitli deerlerdeki kaynak gerilimlerinin salanmas iin kullanlr. Bu aamadan sonra dorultma tipleri tek tek incelenecektir. Ancak dorultmalar konusu ilenmeden nce AC sinyal bilgilerinin tekrarlanmasnda fayda grlmektedir. Hatrlanaca gibi AC sinyal; pozitif ve negatif olmak zere iki alternanstan oluan ve bir periyot sren srekli bir dalga eklidir. ekil 4.2 AC sinyalin gsterimi ekil 4.2de grld gibi alternatif akm, genlikleri eit ancak ynleri farkl iki

+V +V peak

+ _ _
t (sn )

-V peak -V

alternanstan olumutur. 0 izgisinin stnde kalan blgeye + alternans; altnda kalan blgeye de alternans denir. ki alternansn toplamna ise periyot denir. Bu gerilimin zamana gre deiim hzna hatrlanaca zere frekans ( 1 sn.deki periyot says ) denir. Herhangi bir AC gerilim tm olarak aadaki matematiksel denklemle ifade edilir. V ( t ) = V peak . Sin t veya V ( t ) = V peak . Sin 2ft Bu denklem akm iin yazldnda aadaki gibi ifade edilir. I ( t ) = I peak . Sin t veya I ( t ) = I peak . Sin 2ft Bu denklemler AC gerilim veya akmn ani deer ifadesidir. Ancak voltmetrede okunan deer, AC genliin DC edeeri olan efektif veya rms deeridir. Bu eitlik matematiksel olarak aadaki gibi ifade edilir. Veff = Vetkin = Vrms = Vpeak . 0,707

51

Bir

voltmetreyi,

uygun

lme

kademesine

alp,

ehir

ebekesinin

deerini

ltmzde 220 Volt deerini grrz. Bu gerilimin tepe ( peak ) deeri ise aadaki gibi hesaplanr. V peak = 220 . 0,707 = 311,18 Volt. Eer tepeden tepeye ( peak to peak ) gerilim deeri istenmi olsayd zm aadaki gibi hesaplanrd. V peak to peak = 220 . 0,707 .2 = 622,36 Volt. Bu hatrlatma bilgilerinden sonra yarm dalga dorultmacn incelenmesine geilecektir. 4.1.2 YARIM DALGA DORULTMA ( HALF WAVE RECTIFIER ) ekil 4.3te yarm dalga dorultma emas grlmektedir. Bu blmden itibaren elektronik elemanlarnn kullanld devrelerin analizleri konusu arlk kazanacaktr. Bu nedenle, devrenin alma prensibini ok iyi kavramak gerekir. Transformotorun primerine uygulanan ehir ebekesi gerilimi, sekonder sargsnda istenilen voltaj deerine indirgenir. Bu AC gerilim deeri ayn zamanda yaklak olarak DC k gerilimine eittir.

+
DC IKI

_
Primer sarg Sekonder ekil 4.3 Yarm dalga dorultma devre emas sarg

Transformotorun primerine uygulanan AC gerilim, bu sarg zerinde bir manyetik alan oluturur. Bu manyetik alan; sekonder sargnn sarm saysna gre bir gerilim indklenmesine neden olur. Sekonderden elde edilecek AC gerilim deeri sekonder sarm says ile doru orantldr. Ykn kullanaca DC gerilim deeri belirli olduundan, sekonderden elde edilecek AC gerilim bu deere gre seilir. ekildeki transformotor zel bir tasarm rn olduundan primer ile sekonder arasnda faz deiimi yoktur. Normal artlarda bir transformotorun primer ile sekonderi arasnda 180 faz fark vardr. ekildeki devrede kullanlan transformotorun primer ve sekonderinin st noktalar + ile belirtilmitir. Bunun anlam; primerin st ucundaki alternans ile sekonderin st ucundaki alternansn ynleri ayn olmasdr. Buna gre; ilk anda sekonderin st ucunda ( + ) alternans olduunu kabul edelim. Bu durumda sekonderin alt ucunda otomatikman ( - ) alternans bulunacaktr. Buna gre diyotun anodu, katoduna nazaran daha fazla pozitif olacandan; diyot iletken durumuna geecektir. Yani RL zerinde giriin (+) alternans olduu gibi grlr. RL nin st ucu ( + ), alt ucu ise sfr pozisyonundadr. Alternans deiiminde ise sekonderin st uc ( - ), alt ucu ise ( + ) olacaktr. Bu durumda diyotun anodu, katoduna nazaran daha fazla negatif olacandan; diyot yaltma geecektir. Yani bu pozisyon-da diyotun

52

ierisinden hibir akm geii olmaz. Dolaysyla RL zerindeki gerilim dm sfr seviyededir. Bu olaylar alternans deiimlerinde periyodik olarak devam eder. Bir periyotluk blm incelenmesinin sonucu; devreye uygulanan alternatif akmn bir periyodundan sadece tek alternansn ka yansd grlr. Dier alternansn geii diyot tarafndan engellenecek-tir. kta ise tek ynl bir gerilim elde edilir. Bu gerilime dalgal DC gerilim ad verilir. Dorultma ilemi tek alternansta gerekletirildii iin devreye de Yarm Dalga Dorultma ad verilir. Buraya kadar anlatlan ilemlerin ekillerle ifadesi konuyu pekitirecektir.

+V

Transformotor Giri gerilimi ( Primer )

-V

+V Transformotor k gerilimi ( Sekonder )

t -V

+V

ekil 4.4 Yarm dalga dorultucu Giri k ( nput Output ) sinyal ekilleri

Dorultma t
L

ekil 4.4. teki sinyal ekilleri dikkatlice incelendiinde transformotorun primerine k gerilimi ( R ) uygulanan AC gerilimin, sekonder knda genlik olarak azald grlecektir. Bu noktada; transformotorun gerilim drc -V olduu anlalmaldr. Sekonderden elde edilen dk genlikli AC gerilim yarm dalga do-rultmaca uygulanp ktan sadece pozitif alternanslar alnmaktadr. Burada dikkat edilmesi gereken dier bir nokta, diyotun balanma yndr. Referans olarak alnan sekonderin st noktasna diyotun katodu balanm olsayd; ktan alnacak gerilimin yn tam ters olacakt. Yani DC k ( yk direncinin ) st noktas ( - ) alternans olacakt. Burada, diyotun balant ekli kadar; k geriliminin referans alnma noktas da nemlidir. Konunun daha iyi anlalmas amacyla diyotun, pozitif ve negatif alternanslardaki davrann ayr ayr incelemek faydal olacaktr.

D I

ekil 4.5.a Giriin ( + ) alternansnda Diyotun durumu

ekil 4.5.b Giriin ( - ) alternansnda Diyotun durumu

53

ekil 4.5. a ve b de girie uygulanan alternatif akmn deien alternanslarna gre diyotun yar iletken zellii devreye girmektedir. Yani diyotun anodu, katoduna gre ( eik geriliminden daha fazla bir gerilim kadar ) pozitif olduunda diyot iletime geer. Dier bir deyimle iletken olur. ( ekil 4.5.a ). Aksi takdirde diyottan herhangi bir akm geii olmaz. Bu durumda diyot yaltkan olur. ( ekil 4.5.b ). Bilindii gibi yarm dalga dorultmacn kndan alnan gerilim dalgal DC dir. Bu tip gerilim veya sinyal ekli, elektronik devrelerin salkl olarak almas iin uygun deildir. Yarm dalga dorultmacn k gerilimi ortalama bir gerilimdir ve aadaki gibi ifade edilir. VDC = VORT = 0,318 . VPeak DC ye daha yakn bir gerilim istendii takdirde RL ularna filtre edici zellii bulunan bir devre eleman ( kondansatr ) taklmas gerekir.

+ C VDC OUT +V Filtresiz DC k +V +

t=RL.C

ekil 4.6 Yarm Dalga Dorultma kna kondansatrn balanmas ve sinyal deiimi. Filtreli DC k ekil 4.6da grld gibi yarm dalga dorultmacn kna bir elektrolitik kondansatr balandnda; k geriliminin sinyal ekli ve genlii deimektedir. Bu deiimin nedenini anlayabilmek iin kondansatrn alma prensibini bilmek gerekir. Elektrik Bilgisi dersinden veya daha nce ile-nen konulardan da hatrlanaca zere; kondansatr tek ynl gerilime kar depolama zellii gsterir. Devredeki kondansatre dikkat edilecek olursa; devre kndaki RL yk direncine paralel baland grlecektir. ktaki Pozitif alternans balangc annda ( kondansatr bo iken ) sinyalin ykselmesiyle, kondansatr de arj olmaya balar. Bu arj, sinyalin max. (V
peak

) noktasna kadar devam eder. Daha

sonra giri gerilimi doal periyodundan dolay kondansatr arj geriliminden daha dk seviyeye der. Bu istenmeyen durum, kondansatr zerindeki arjl gerilim yardmyla geici bir sre iin ortadan kalkar. Kondansatr bu noktada zerindeki gerilimi dearj etmeye balar. Bu anda devrede sadece paralel R C devresi kalr. Kondansatr yk direnci zerinden dearj olur. Bu sre ekil 4.6 da da grld gibi t = RL .C kadardr. Kondansatrn deeri ne kadar yksek olursa dearj sresi o oranda artar. Bu da devre k geriliminin daha fazla DC ye yakn olmasn salar. k geriliminin olabildiince ripplesz ( dalgasz ) olmas dorultmalarda en ok aranan zelliktir. Yarm dalga dorultmacn kna her ne kadar byk deerli filtre konulsa dahi gerek DC gerilim elde edilemez. nk sadece tek alternansta dorultma ilemi yaplr. Dier alternansn seviyesi kondansatrle ykseltilmeye allmas yeterli deildir. Bu ilem Tam Dalga Dorultma ile yapldnda k gerilimi, DC ye daha yakn olur. imdi bu devre incelenecektir.

I1

4.1.3 TAM DALGA DORULTMA ( FULL WAVE RECTIFIER )

DC

OUT

I2

54

ekil 4.7 Tam Dalga Dorultma devre emas ekil 4.7 de tam dalga dorultma devresi grlmektedir. ncelikle bu devrenin, yarm dalga dorultma ile farklarn gzden geirmek gerekir. lk olarak bu devrede; orta ulu transformotorun kullanld ve tek diyot yerine iki diyotun kullanld dikkati ekmektedir. Orta ulu transformotorun k ucu vardr. st ula orta u aras, birinci AC kayna; alt ula yine orta u aras da ikinci AC kayna ifade etmektedir. Yani orta u, ortak ( common ) olarak kullanlmaktadr. Bilindii gibi transformotorun sekonder sargsnn st ve alt ular arasnda 180 faz fark bulunmaktadr. st uta pozitif alternans olduu anda, alt uta negatif alternans bulunmaktadr. Orta u potansiyel olarak 0 Volttur. lk anda sekonderin st ucunun pozitif olduunu var sayalm. Bu durumda alt u negatif olacaktr. Dolaysyla D2 diyodu tkama ynnde polarize olur. Yani D2 diyodu yaltmda olup, zerinden akm gemez. Ancak bu alternans sresince D1 diyodunun anodu, katoduna nazaran daha pozitiftir. Dolaysyla D1 diyodu bu anda iletken olur. Devreden geen I1 akm RL ve D1 zerinden geerek tekrar transformotorun 1. sargsna ular. Bu anda RL zerinde, st u ( + ) olacak ekilde bir gerilim dm olur. Bu gerilim dm kta tek ynl bir gerilimin elde edilmesini salar. Alternans deitiinde sekonder sargsnn st ucu ( - ), alt ucu ise ( + ) olur. Bu anda bir nceki durumun tam tersi gerekleir. Yani D2 iletime geerken, D1 yaltkan olur. Bu anda devreden I2 akm akar. I2 akmnn yn de I1 akm ynnde olur. RL zerindeki gerilim dm yn; bir nceki alternanstaki gibi st u ( + ) olacak ekildedir. Dolaysyla giri geriliminin her alternansnda devreden k almak mmkn olmaktadr. Alternans deiimi her ne olursa olsun, devredeki diyotlardan birisi iletime geeceinden k gerilim seviyesi, yarm dalga dorultma kna oranla 2 kat genlikte olmakla birlikte; k gerilimi DC ye daha yatkn olacaktr. Bu teorik bilgiler aadaki sinyal ekilleriyle desteklendiinde konunun anlalmas daha kolay olacaktr.

+V

t -V

Transformotor Giri gerilimi ( Primer )

+V t -V +V + -V D1 + D2
ekil

Transformotor k gerilimi ( Sekonder )

st u Alt u

+ + 4.8deki sinyal D2

ekil 4.8 Tam Dalga Dorultma devresine ait giri k sinyalleri. ekiller incelendiinde Dorultma tam dalga dorultma devresi knda,

giri sinyali-nin her alternans iin k geriliminin alnd grlecektir. Tam k dorultmacnRL ) sinyali ile yarm dalga gerilimi ( k t

D1

55

dalga dorultmacn k sinyali kyaslandnda; yarm dalgadaki tek alternanslk kn yaratt dezavantajn, tam dalga dorultmata giderildii sonucuna varlmaktadr. Hatrlanaca gibi, yarm dalga dorultma devresinin k sinyal seviyesini DC ye daha yaklatrmak amacyla, devre kna bir kondansatr balanmt. Ayn filtre sistemini tam dalga dorultma kna da uygulamak mmkndr. Elde edilecek yeni devre ekli ve sinyal ekilleri ekil 4.9 da gsterilmitir.

I1 C
DC

OUT

I2

+V Filtresiz DC k
ekil 4.9 Tam Dalga Dorultma kna kondansatrn balanmas ve sinyal deiimi.

+V

Devre kna filtre eleman ( kondansatr ) balandktan sonra k sinyalinde

meydana gelen deiim ekil 4.9 da grlmektedir. Tam dalga dorultmacnDC k DC ye daha yakn olduundan Filtreli k sinyali; elektronik devrelerde kullanmak iin yarm dalga dorultmaca oranla daha kullanldr. verilen bir dorultma eidi daha vardr. Kpr tip dorultmacn k sinyali ile tam dalga dorultmacn k sinyali biim olarak ayn olmasna karn, akm kapasiteleri farkldr. Kpr tip dorultmacn dier bir fark ise; orta ulu transformotor kullanlmasna gerek olmaydr. 4.1.4 KPR TP DORULTMA ( FULL WAVE BRIDGE RECTIFIER ) Buraya kadar incelenen dorultma devrelerinin dnda, Kpr Tip Dorultma ad

t=RL.C

+
D4 D3 D1 D2 + DC OUT

ekil 4.10 Kpr tipi dorultma devre emas.

56

eki1 4.10 da kpr tipi dorultma devresi grlmektedir. Bu dorultma, tam dalgada olduu gibi giriin hem pozitif hem de negatif alternanslarnda k verir. Dolaysyla sinyal k ekli tam dalga dorultma ile ayndr. Bu yzden sinyal ekilleri tekrar verilmeyecektir. Daha nce de belirtildii gibi kpr tip dorultmacn,tam dalga dorultmaca gre avantajlar: 1Akm kapasitesinin daha yksek olmas, Orta ulu transformotor yerine tek sargl sekonder kullanmasdr. Devrenin alma prensibi ise, tam dalga dorultmaca benzerdir. lk anda sekonderin st ucuna ( + ) alternansn geldiini kabul edelim. Bu durumda D1 ve D3 iletken, D2 ve D4 ise yaltkan olacaktr. Bu alternansta akm ( I1 ), D3 - RL D1 elemanlarndan geerek devresini tamamlar. Bu akm RL zerinde st u ( + ) olacak biimde DC gerilim dmne neden olur. Alternans deiiminde faz 180 dneceinden sekonderin st ucu ( - ), alt ucu ise ( + ) olacaktr. Bu durumda D4-D2 diyotlar iletimde, D3D1 diyotlar ise yaltmda olacaktr. Bu anda akm ( I2 ), D4 RL - D2 zerinden devresini tamamlar. Bu akm RL zerinde bir nceki akm ynnde gerilim dmne neden olur. Dolaysyla giriteki her alternansa karlk ktan tam dalga DC k salanr. ka konulan kondansatr daha nce de anlatld gibi filtre ilemi yapar. k geriliminin DC ye daha yakn olmasn salar. Buraya kadar ilenen konularda dorultma prensipleri verilmitir. AC gerilimi DC gerilime eviren bu devreler, btn elektronik devrelerinin beslemesinde kullanld iin ok nemlidir. Hatrlanaca zere dorultucu kndaki ripplelar filtre etmek amacyla kondansatr kullanl-maktadr. Ancak tek bana bir kondansatr iyi bir filtre ilemi gerekletiremez. Filtre ilemi iin eitli devreler tasarlanmtr. Bu blmde filtre devreleri ayrntl olarak incelenecektir. 4.2 FLTRE DEVRELER Dorultmalar konusu verilirken filtre eleman olarak kullanlan kondansatrn, devre k zerindeki etkisi ve nemi ekillerle ifade edilmiti. Bu filtre tr pratikte ok sk uygulanmasna ramen gerekte yeterli kalmamaktadr. Ancak byk sistem, cihaz ve elektronik devrelerin besleme katlarnda iyi bir filtre sisteminin kullanlmas gerekmektedir. Bu balamda incelenmesi gereken balca iki tip filtre vardr. Dier filtreler bu iki filtrenin trevidir. 4.2.1 L TP FLTRE DEVRES

2-

ekil 4.11 L tipi filtre devresi ekil 4.11de dorultma kna uygulanabilecek bir filtre devresi grlmektedir. Devre adn, bobin ve kondansatr elemanlarnn birbiriyle balant ekillerinin L harfine benzemesinden dolay almtr. Devrenin alma prensibinin z, bobin ve kondansatrn AC ve DC ye verdikleri tepkidir. Bu prensipten ve eski bilgilerden faydalanarak devrenin alma prensibini anlamak ok daha kolay olacaktr. Devrenin yapsna dikkat edilecek olursa, dorultma k filtrenin giriine balanacak ekilde tasarlm yaplmtr. Bilindii gibi dorultma knda elde edilen DC gerilim tam dz olmayp dalgalanmalar gstermektedir. Bu dalgalanmalar devre kna balanacak ykn iyi ve verimli almasn engeller. Hatta ykn zarar grmesine de neden olabilir. Devrenin giriinde bulunan L bobini DC seviyenin zerendeki dalgalanmay AC olarak

57

alglar. Bilindii gibi bobin AC ye zorluk gstermektedir. Bu nedenle bobin DC zerindeki ripple seviyesine arj olur ve bu enerjiyi depolar. Ayn zamanda dalgalanmann ka aktarlmasn engeller. Dolaysyla bobinin knda sadece DC seviye grlr. Bobin prensip olarak DC yi geirip AC ye zorluk gsterdiinden bobin knda dz DC ye yakn bir enerji grlr. ktaki kondansatr ise AC yi geirip DC ye zorluk gsteren bir devre elemandr. Yke paralel baland iin DC seviye zerinde kalan ok kk bir AC enerjinin aseye akmasn salar. Kendi zerindeki DC nin maksimum seviyesine arj olur. ktaki RL bilindii gibi yk temsil eder. Ykten ekilen akm miktarna gre devre yk beslemi olur.

+V Filtresiz DC k

+V Basit Filtreli DC k ( Tek kondansatrl )

t=RL.C

+V
ekil 4.12 L tipi filtre giri k sinyalleri 4.2.2 TP FLTRE DEVRES

Tam Filtreli DC k ( L Tipi )

ekil 4.13 tipi filtre devresi ekil 4.13te tipi filtre devresi grlmektedir. Devrenin alma prensibi L tipi filtreyle ayndr. Fark olarak bu devrenin giriinde bir kondansatr daha konulmutur. Dolaysyla daha iyi bir filtreleme ilemi gerekletirilir. Prensip olarak L tipi filtreden farkl olmad iin almas ksaca anlatlacaktr. Giriteki C1 kondansatr ile ktaki C2 kondansatr daha nce de anlatld gibi DC seviyenin zerindeki AC salnmlar aseye aktarr. L1 bobini ise bu salnmlarn gemesine izin vermeyerek bu enerjiyi depolar. Dolaysyla kta L tipi filtrede olduu gibi DC ye yakn bir gerilim alnr. k sinyal ekli, L tipi filtre devresiyle ayn olduundan bu izim tekrarlanmamtr.

58

4.3 DYOT DEVRELER Bu blmde diyotlarn dorultmalar dnda, hangi devrelerde etkin olarak kullanld anlatla-caktr. Bu devrelerin genel ad gerilim deitirici veya gerilim ekillendiricidir. Elektronik devre tasarm ve uygulamalarnda gerilim limitleyici ( krpc ), gerilim oaltc gibi devreler, genellikle diyotlarla gerekletirilir. Bu devrelerin incelenmesi, diyotlarn alma prensibini kavramak asndan ok yararl olacaktr. Bu balamda ilk olarak gerilim limitleyici (krpc) konusu, rnekli olarak verilecektir. 4.3.1 GERLM LMTLEYC DEVRELER Gerilim limitleyici devre denince, akla girie uygulanan AC veya DC gerilimin krplmas veya gerilim seviyesinin azaltlmas gelmelidir. rnek olarak aadaki devrenin almas incelendiinde konunun anlalmas daha verimli olacaktr.

D1 Si 10Vpeak
AC Sinyal Girii

D2 Si 2V +
ekil 4.14 Gerilim limitleyici devresi.

+ 5V

ekildeki devrenin k sinyalinin nasl bulunaca rneklenerek anlatlacaktr. ncelikle devrede kullanlan elemanlarn zelliklerini bilmek gerekir. Bilindii gibi Si. Diyot 0.7 Volttan sonra iletime geer.

59

D1 diyodunun katoduna + 5 VDC gerilim, D2 diyodunun anoduna ise 2 VDC gerilim uygulan-mtr. Yani her iki diyot ta tkama ynnde polarize olmutur. Bu diyotlarn iletime gemeleri devrenin k gerilimini deitirecektir. ( Eer diyotlardan her ikisi de, hibir zaman iletime gemezse k gerilimi 30 V pp AC olacaktr. Ancak devrenin almas incelendiinde byle olmad grlecektir. AC kaynan st ucunun ( + ), alt ucunun ise ( - ) olduunu varsayalm. Bu durumda D2 diyodunun anodu sabit -2 Volt, katodu ise ( deiken ) tepe gerilimi + 10 Vp. olan gerilimle polarize olduundan iletime geme olasl yoktur. Dolaysyla bu alternansta, bu koldan hi akm gemeyecektir. D 1 diyodunun olduu dier koldaki durum ise biraz daha farkldr. D1 diyodunun katodunda sabit + 5 VDC gerilim, anodunda ise ( deiken ) tepe gerilimi + 10 Vp. olan bir gerilim mevcuttur. Diyodun iletime gemesi iin anodun, katoda gre daha fazla pozitif olmas gerektiini biliyoruz. Giriin + alternans 0 dan balayp zaman iinde sinssel deitiine gre 5 Voltluk sabit kaynan deerine ulancaya kadar diyot yaltmda kalacaktr. 0.7 Voltluk eik gerilimi de bu deere eklenirse D1 diyodu 5.7 Volta kadar iletime gemez. Bu ana kadar k girii geriliminin aynsdr. nk her iki kol da ak devre gibidir. Ancak deiken giri gerilimi 5.7 Voltu getii anda D1 diyodu iletime geer. Bu andan sonra kta +5 Voltluk DC gerilim gzlenir. nk giri gerilimi D1 zerinden ksa devre olur ve ka yansmaz. Deiken giri gerilimi doal periyodu nedeniyle + 5.7 Volttan aa tekrar dtnde; D1 diyodu tekrar yaltkan olur. k yine deiken giri gerilimini takp eder. Alternans deiiminde st u ( - ), alt u ise ( + ) olacaktr. Bu durumda D 1in bulunduu kol tamamen yaltkan olacaktr. Anoduna deiken kaynan ( ) alternans, katoduna ise sabit + 5VDC gerilim geldiinden tkama ynnde kutuplanr. Dolaysyla D1in iletime geme olasl ortadan kalkmtr. Dier kolda ise alternans deiikliinden dolay durum da deimitir. D2 diyodunun anodunda sabit 2 Volt, katodunda ise ( deiken ) tepe gerilim 10 Vp. olan bir gerilim vardr. Biraz nce yaplan basit matematiksel hesab bu kola da uygularsak; D2 diyodunun giriin 2 + 0,7 = 2,7 Volttan sonra iletime geeceini bulabiliriz. nk bu gerilim deerinden sonra D 2nin katodu anoduna gre daha fazla negatif olacandan iletime geecektir. Bu andan sonra kta sabit 2 Volt DC grlecektir. Ancak giri geriliminin deiiminden dolay gerilim deeri 2.7 Volttan daha az negatif deere ulatnda D 2 tekrar yaltkan olacandan, k yine girii takip edecektir. Bu anlatmlarn ekilsel gsterimi ekil .4.15te verilmitir. ekil dikkatle incelendiinde girie uygulanan AC gerilimin, diyotlar yardmyla limitlendii grlr. Zaten devre adn bu limitleme ( krpma ) dolaysyla almtr. Eer devredeki diyotlar ideal olarak kabul edilseydi; eik gerilimi 0 Volt olarak alnacakt. O zaman diyodun iletime gemesi iin sadece doru polarma verilmesi yetecekti. 0.7 Voltluk eik gerilimi dikkate alnmam olacakt. Pratikte ou kez eer devre gerilimi yksek ise eik gerilim ihmal edilebilir.

iri
+ 10V

t - 10V

IKI
ekil 4.15 ekil 4.14teki gerilim limitleyici devresinin k sinyali.

+5.7 V
4.4 GERLM OALTICI DEVRELER

-2.7 V

60

Elektronik devrelerin her blmnde, ayn besleme gerilimleri kullanlmaz. Baz noktalarda daha yksek veya daha dk gerilimler gerekebilir. Bu amala DC gerilim seviyesi deitirilebilir. DC gerilimin drlmesi gerilim blme yntemi ve diren eleman kullanmak suretiyle ok basite yaplabilir. Ancak DC gerilimin ykseltilmesi zel diyot devreleri ile mmkndr. Bu nedenle diyot kondansatr kombinasyonu ieren devreler tasarlanmtr. Bu devrelerden gerilim ikileyici ve leyici konular srasyla aktarlacaktr. 4.4.1. GERLM KLEYC DEVRES

ekil 4.16 Gerilim ikileyici devre Gerilim ikileyici devresi; ekil 4.16da grld gibi, iki diyot ile k gerilimine seri bal iki kondansatrden olumaktadr. Devre aslnda kondansatr filtreli iki adet yarm dalga dorultmacdr. AC giriin pozitif alternansnda; D1 diyodu iletime geerek, C1 kondansatrn arj eder. Bu esnada D2 diyodu yaltm durumundadr. Giri sayklnn negatif alternansnda ise; bu kez D2 diyodu C2 kondansatrn arj eder. Bu esnada da D1 diyodu yaltm durumundadr. Sonuta C1 ile C2 kondansatrlerinin ular arasndaki toplam arj gerilimi, giri gerilimi tepe deerinin iki katna eit olur. Voltaj ikileyici devresinin kndan bu ekilde yksek k voltajnn alnabilmesi kondansatrlerin seri olarak ve birbirlerinin yklerine eklenecek ynde arj olmalar ile mmkn olmaktadr. Bu tip gerilim ikileyicilerde ekilen yk akm kondansatrlerin dearj akmna baldr. Devreden ekilen akm miktar k geriliminin deerini belirler. k geriliminin uzun sre korunabilmesi amacyla, uzun bir dearj zaman elde etmek iin devredeki kondansatr ve diren deerleri yksek seilmelidir. Gerilim katlayclarda kullanlan temel prensip;alternatif giri geriliminin her bir alternansnda devredeki her bir kondansatrn arj olmasdr. Bu seri bal arj gerilimleri, yk tarafndan akm ekilmesiyle seri bal kondansatrlerden dearj olur. 4.4.2 GERLM LEYC DEVRES

ekil 4.17 Gerilim leyici Devre emas.

61

Alternatif giri geriliminin negatif alternansnda yani; st u negatif, alt u pozitif olduunda, D2 diyodu C1 kondansatrn, D3 diyodu da C3 arj eder. Pozitif alternansta ise yani; st ucun pozitif, alt ucun negatif olduu durumda, D1 diyodu iletime geer. C1 kondansatrndeki arj geriliminin dearj olmak suretiyle pozitif alternansa eklenmesi C2 yi giri geriliminin iki kat byklkte bir gerilime arj eder. C2 ve C3 deki gerilimler birbirine eklenir. Sonu olarak kta giriteki alternatif gerilimin maksimum deerinin kat byklkte bir DC gerilim elde edilir. 4.4.3 KIRPICI VE KENETLEYC DEVRELER 4.4.3.1 BAST KIRPICI DEVRELER Aadaki ekillerde verilen devrelerin alma prensiplerini anlatnz. k sinyal ekillerini defterlerinize iziniz. ekil 4. 18 Basit Krpc Devreler

vi

v0

vi vi

v0 v0

V vi v0

vi

v0

4.4.3.2 BAST KENETLEYC DEVRELER

62

V vi v0

V vi v0

V vi v0

ekil 4. 19 Basit Kenetleyici Devreler

4.5.1 ZENER DIYOTLA YAPILAN REGLATRLER Zener diyodun en sk grlen kullanm n gerilimle ve karlatrmaya ynelik sabit bir referans gerilimi salamaktr. Bilindii gibi zener diyotlarn kullanm amac; zerlerinde sabit bir gerilim tuttuklar iin; sabit bir k gerilimi elde etmektir. Yani zener diyotla yaplan reglatrlerin k dalga ekilleri; Tam Dalga Dorultmalara gre; daha sabit ve daha dzgn bir yapya sahiptir. Bu da bize daha gvenli bir alma(referans) gerilimi salar. rnein Vi veya RLdeki deiimlere kar yk zerinde sabit bir VZ gerilimi salamak iin tasarlanm olan ekildeki devreyi ele alalm. Burada gz nnde bulundurulmas gereken iki durum sz konusudur: Birincisi giri geriliminin sabit olup RLnin deiecei ve dierinin ise RLnin sabit olup Vinin deiecei durum. Bu iki durum da ayr ayr ele alnacaktr. Sabit Vi, Deiken RL, VZ kayma gerilimi dolaysyla Zener diyodunun ak durumda olmasn salayacak belirli bir diren deeri (ve bu nedenle yk akm) aral olacaktr. RL dk deerde olursa, VZden daha dk VL gerilimine yol aacak ve Zener diyodu kapal durumda bulunacaktr.

+ + Vi 63 -

ekil 4.20 Zener Diyot Uygulamalar Zener diyodu altracak minimum yk direncini (ve dolaysyla maksimum yk akmn) belirlemek iin basite alttaki ekilde gsterildii gibi Zener diyodu kartn ve VL=VZlik bir yk gerilimine yol aacak RL deerini hesaplayn. Yani;

V L = VZ =

R LVi R L + RS

Gerilim blc kuralndan; ve RL iin zersek:

R Lmin =
elde ederiz.

RS VZ Vi VZ

Yukarda elde edilen RLden byk her diren deeri, Zener diyodunun almasn salayacaktr ve artk diyot VZ kaynak edeeriyle ekilde gsterildii gibi deitirilebilir.

IL + RL VL IRS IZ VZ + RL + VL -

Vi

Vi

ekil 4.21 Zener Diyot Uygulamalar

64

Yukarda birinci denklemde tanmlanan koul minimum RL yaratr; ancak maksimum IL

I Lmax =

VL V = Z R L I Z min

diyot bir kere ak (alr) duruma getikten sonra RS zerindeki gerilim;

V RS = V V Z
ile sabit kalr ve IR

I RS =

V RS RS

ile sabit kalr.

Zener akm,

IZ = IR IL
Bu da IR sabit olduu iin IL maksimumken minimum bir IZye ve IL minimumken maksimum bir IZye yol aar. Daha nceden de renildii zere IZ; IZM ile snrl olduundan RLnin ve dolaysyla ILnin deer araln etkilemektedir. IZ yerine IRM konulursa minimum IL,

I Lmin = I RS I ZM
olarak bulunur. Ve maksimum yk direnci de

R Lmax =

VZ I Lmin

eklinde bulunur. Sabit RL, Deiken V; birinci ekildeki devrede RLnin sabit deerleri iin V gerilimi zener diyodunu altracak byklkte olmaldr. altrma gerilimi,

V L = VZ =

R LVi R L + RS

ve

V min =

( R L + RS )VZ RL
65

ile bulunmaktadr. Maksimum V deeri, maksimum zener akm IZM ile snrldr. IZM=IR-IL olduundan

I Rmax = I ZM I L
IL, VZ/RLde sabit ve IZM maksimum IZ deeri olduu iin, maksimum V;

Vimax = I Rmax RS + VZ
ile tanmlanr.

ekilde grlen devre iin a) VRLyi 10V tutacak RL ve IL araln bulun ? b) Diyodun bir reglatr olarak maksimum g anma deerini bulun?

IR IZ Vi=50V VZ=10V IZM=32mAV

IL

RL

ZM : a) Zener diyodu alr duruma getirecek RL deerini hesaplamak iin yaplacak ilem:

R Lmin =

RS VZ ( 1k )( 10 ) = 10 x10 3 = 250 = Vi VZ 50 10 40

Daha sonra RS direnci zerindeki gerilim ise: VRS = Vi - VZ = 50 10 = 40 V ve IRSde:

I RS =

V RS RS

40 = 40 mA 1k

Ardndan minimum IL deeri de:

66

ILmin = IRS IZM = 40 32 = 8 mA Maksimum RL deeri:

R Lmax =

VZ 10 = = 1.25 k R Lmin 8 mA

VLye karlk RLnin grafii aadaki gibidir:

VL 10V RL 250
(a)

1.25k

b)

Pmax = VZ IZM =(10) (32mA) = 320 mW

VL 10V IL 8 mA 40 mA

(b)

BLM V

TRANSSTRLER 5.1 GR

Transistrler, yariletkenler bahsinde deinildii gibi elektroniin gelimesinde nemli bir rol oynamaktadr. Transistrn bulunmas ile zellikle elektronik haberleme alannda ok byk gelimeler salanmtr. Gnmz bilgisayar teknolojisinin temelinde de transistr yer almaktadr. Bu nedenle bran ne olursa olsun iyi bir teknisyen veya operatr dzeyindeki teknik personel, salam bir transistr bilgisi almak zorundadr. nk elektroniin temel mant transistrdr. Elektroniin elektrikten ayrlan en nemli yan transistr mantdr. Temel olmas itibariyle bu konuya gereken nemin verilmesi gerekmektedir. Transistrler yapsal bakmdan eitlilik gstermesine karn alma prensipleri ayndr. Yapsal olarak temelde 4e ayrlrlar. 1. Nokta temasl transistrler, 2. 3. 4. Yzey temasl transistrler, Alam yntemiyle yaplan transistrler, Alaml yaylma yntemiyle yaplan transistrler.

Bu yntemlerden daha temel ve gncel olan yzey temasl transistrlerdir. Bu nedenle dier yaplar zerinde durulmayacaktr. Transistr, yapsal anlamda temel olarak iki tiptir. P.N.P. ve N.P.N. diye ayrlan transistrlerden ncelikle

67

P.N.P. tipi transistr incelenecektir. Diyotlarn oluumu konusu anlatlrken P ve N tipi maddelerin oluumu ve yzey temas bilgileri detayl olarak verildiinden, transistrlerin yaps ve alma prensibi daha iyi anlalacaktr. 5.1.1 P.N.P. TP YZEY BRLEMEL TRANSSTRLER Yaklak olarak 0,025 mm. kalnlnda ok ince N tipi bir silisyum paras, iki P tipi silisyum paras arasna, sandvi gibi sktrlrsa P.N.P. tipi transistr meydana gelmi olur. Diyot oluumu konusunda ilendii gibi, P tipi madde iinde serbest oyuklar bulunmaktadr. Oyuklarn hareketi, elektron hareket ynnn tersine dorudur. ( +dan ye ) N tipi silisyum ise,pozitif olarak iyonize olmu katk atomlar ile, hareketli serbest elektronlardan meydana gelmitir. Serbest elektronlarn hareket yn ise, oyuk hareketinin tam tersidir. (den +ya ) ekil 5.1.de A, B, C paracklar olarak gsterilen paracklarn tm silisyumdur. Her para birbirinden farkl ve yzey temasl olarak birletirilmitir. B

ekil 5.1 PNP tipi transistrn oluumu. P.N.P. tipi bir transistrde P maddelerindeki oyuk says, N tipi silisyumda bulunan elektron saysndan yaklak yz kat fazladr. nk base ( beyz okunur ) kalnl ok kktr. Bundan dolay DC gerilim altnda E ve C blgelerindeki oyuklarn yaratt akm iddeti, B blgesindeki elektronlarn yarataca akm iddetinden daha byk olur. nk P.N.P. tipi transistrlerde ounluk akm tayclar ( + ) ykl oyuklar, N.P.N. tipi transistrlerde ise ( - ) ykl elektronlardr. ekil 5.1deki E blgesine Emitter ( Yayc ), B blgesine Base ( Taban ), C blgesine de Collector ( Toplayc ) ad Collector (Toplayc) verilmitir. ekil 5.1deki Emitter ( Yayc ) blge ele Base ( Taban ) anlalmasn kolaylatracaktr. ncelikle E B yap incelenirken blge alnmas konunun P N P blgelerini inceleyelim. E-B arasndaki P N blgesine gerilim uygulanmamtr. Bu halde iken E blgesi oyuk bak-mndan, B blgesi de elektron bakmndan zengindir. P N birleim yzeyinde, birleme anndan hemen sonra elektron oyuk al verii balar. B blgesindeki yzeye yakn elektronlar hzla E blgesindeki oyuklar doldururlar. Bundan dolay burada bir ntr blge oluur. Bu blgede diyotlar konusunda bahsedildii gibi gerilim setti meydana gelir. E B blgesinde oluan olaylar aynen B C blgesinde de tekrarlanr. Dolaysyla her iki birleim yzeyinde gerilim setleri meydana gelir. Bu gerilim setlerinden E B birleim yzeyinde olana e1, B C blgesinde olanna da e2 ad verilir. e1 ve e2 gerilim setleri potansiyel fark gerilimi asndan birbiriyle eittir. Ancak ynleri birbirine zttr. Transistrn bu yaps, herhangi bir gerilim uygulanmaz ise deiiklie uramaz. Ancak transistrn altrlmas iin polarma gerilimi uygulanmas gerekmektedir. Transistre gerilim uygulanmadan nce dikkat edilmesi gereken noktalar vardr. Transistre uygulanacak ters gerilim, transistrn bozulmasna neden olur. ekil 5.2de P.N.P. tipi transistrde oluan gerilim setleri ve polarma uygulama ekli gsterilmitir.

+Vbb -

ekil 5.2 P.N.P. tipi transistrde gerilim setti oluumu ve dz kutuplama . ekil 5.2de bir P.N.P. tipi transistre doru polarma uygulan grlmektedir. P.N.P. tipi transistrn doru polarize edilebilmesi iin emiter beyz blgesini ayr, beyz kollektr blgesini de ayr polarlamak gerekir. Vcc gerilim kayna e1 transistrn emiter kollektr beslemesini salar. Vbb gerilim kayna ise emiter beyz birleim yzeyinin polarmasn Emitter ( Yayc ) Collector (Toplayc) salar. Beyz blgesi emiter ve kollektrden daha ince bir yapya sahip olduundan Vcc > Vbb seilmelidir. nk silisyumda e2 P kaldrmak iin 0,7 Volt seviyesi yeterlidir. Vbb kayna emiter beyz blgesindeki gerilim settinin P gerilim settini ortadan Base ( Taban ) ortadan kalkmasn salar. Bu gerilim setti ortadan kalktnda Vbbye oranla daha byk olan gerilim kayna Vccnin N etkisiyle ( + ) ykl oyuklar birleim yzeyine doru itilirler. Vccnin ( - ) ucu da kollektre baldr. Dolaysyla ( + ) ykl oyuklar iletken duruma geen her iki birleim yzeyini aarak kollektre bal Vccnin ( - ) ucu tarafndan ekilir. Ancak emiterden yaylan oyuklarn kollektre ulaabilmesi iin, her iki gerilim settinin de ortadan kalkmas gerektii unutulmamaldr.

Vcc - 68

Emiterden yaylan oyuklarn yaklak olarak % 5i beyze bal Vbbnin ( - ) tarafndan, %95i de kollektre bal Vccnin ( ) ucu tarafndan ekilir. Bu oyuk hareketi transistr ierisindeki ounluk akm tayclarnn yaratt etkidir. Beyzden geen oyuklar beyz akmn ( Ib ), kollektrden geen oyuklar ise, kollektr akmn ( Ic ) meydana getirir. Bu nedenle transistr ierisindeki akm dalm

I E = I c + I b eklinde ifade edilir.

Bunun anlam, kollektr akm ile beyz akmnn toplam her zaman emiter akmna eit olur demektir. Bu anlatm ekil 5.3te detayl olarak gsterilmitir.

ekil 5.3 Transistrde akm dalm. P.N.P. tipi transistre dz polarma uygulandnda ekil 5.3teki akm dalm gzlenir. Ancak transistre ters polarma uygulandnda, transistrden herhangi bir akm geii olmaz. Bunu transistre ters polarizasyon uygulayarak grmek mmkndr.

ekil 5.4 P.N.P. tipi transistrn ters polarizasyonu. ekil 5.4te P.N.P. tipi transistrn ters polarma altnda altrlma ekli grlmektedir. ekil dikkatle incelendiinde transistre uygulanan besleme gerilimi ynnn ters olduu grlecektir. e e1 2 Vccnin ( - ) kutbu emitere, ( + ) kutbu ise kollektre balanmtr. Emitere verilen ( - ) gerilim, emiter blgesindeki ( + ) ykl oyuklar kendisine eker. Oyuklarn ak yn birleim yzeyinin ters ynne doru olur. Dolaysyla gerilim setti normal halinden daha fazla byr. Vccnin kollektre bal ( + ) ucu ise ( + ) ykl oyuklar birleim yzeyine doru iter. Dier yandan Vbbnin Beyze bal ( + ) ucu da bu oyuklar tekrar birleim yzeyi dna itmeye alr. Ancak birinci birleim yzeyinde meydana gelen gerilim setti ok bydnden ters ynde oyuk ak gerekleemez. Eer Vccnin deeri ok fazla arttrlrsa, transistr zerinde oluan elektriki alan etkisinden dolay Beyz ( Taban ) bir akm oluur ki, bu da ters ynde byk Emiter ( Yayc ) Vbb transistrn bozulmas anlamna gelir. Kollektr ( Toplayc ) Ters polarizasyonda P ve N madde ierisindeki aznlk akm tayclar nedeniyle ok kk miktarda sznt akm N denilen akmn akmas mmkndr. Bu akm deeri ihmal edilebilecek seviyededir. 5.1.2 N.P.N. TP YZEY BRLEMEL TRANSSTRLER P.N.P. transistrde olduu gibi, yaklak olarak 0,025 mm. kalnlnda ok ince P tipi bir silisyum paras, iki adet N tipi silisyum paras arasna, sandvi gibi sktrlrsa N.P.N. tipi transistr meydana gelmi olur. Bilindii gibi N tipi madde ierisinde, ounluk akm taycs olarak serbest elektronlar bulunmaktadr. Elektronlarn hareketi, oyuk hareket ynnn tersine dorudur. (den +ya) Bilindii gibi P tipi silisyumda ise, ounluk akm taycs olarak ( + ) ykl oyuklar bulunmaktadr. ekil 5.5.te N.P.N. tipi transistrn oluumu grlmektedir.

Vcc

69

e1

e2

ekil 5.5 N.P.N. tipi transistrn oluumu. P.N.P. tipi transistrde olduu gibi, N.P.N. transistrde de birleim yzeylerinde gerilim setleri oluur. Bilindii gibi bu gerilim setlerinin yok edilebilmesi iin gereken gerilim potansiyeli, silisyum maddelerde 0,7 Volttur. Transistrn iletime geebilmesi iin ekil 5.5te grlen doru polarizasyonun yaplmas gerekir. Emiterdeki ve kollektrdeki ounluk akm tayclar ( - ) ykl elektronlar olduu iin, doru polarma eklinde emitere ( - ), kollektre ise ( + ) gerilim uygulanmaldr. Beyze ise emitere gre ( + ) polarma verilmelidir. Bu polarma ekline gre transistrn almasn inceleyelim. Emiterdeki negatif ykl serbest elektronlar, Vccnin ( - ) kutbu tarafndan birleim yzeyine doru itilir. Vbbnin etkisiyle gerilim setti ortadan kalkarak, emiterden itilen elektronlarn geiine olanak salanr. Kollektr beyz arasndaki gerilim setti de Vccnin etkisiyle ortadan kalkar. Emiterden yaylp birleim yzeylerinden geerek kollektre ulaan elektronlar kollektre bal Vccnin ( + ) kutbu tarafndan ekilir. Bylece transistr ierisinden akm geii salanm olur. N.P.N. tipi transistrn ters polarma altnda almas, P.N.P. tipi transistrde olduu gibidir. Bu nedenle tekrar ekille gsterim yaplmayacaktr. N.P.N. transistrn ters bayaslanabilmesi iin; emiter kollektre gre ( + ), beyz ise emitere gre ( - ) kutuplanmaldr. Bu durumda gerilim setleri normalden daha fazla byyecektir. Bu nedenle transistr ierisinden herhangi bir akm geii olmayacaktr. P.N.P. transistrde olduu gibi, emiterden yaylan ounluk akm tayclarnn meydana getirdii akm miktar, kollektr ile beyz akm miktarnn toplamna eittir. Hem P.N.P. tipi, hem de N.P.N. tipi transistrde beyz akm ile kollektr akm arasnda belirli bir oran bulunmaktadr. Ayn zamanda beyz akm, kollektr akmn kontrol eder. Bu yzden transistr, kk akm ile byk akmlar kontrol etme olana salayan vazgeilmez bir elektronik devre elemandr. 5.1.3 N.P.N. TP TRANSSTRDE BEYZ AKIMIYLA KOLLEKTR AKIMININ KONTROL EDLMES

Vbb IE IB IC

B E C

N
emiter beyz

P
kollektr

ekil 5.6 N.P.N. tipi transistrde akm dalm ekil 5.6da N.P.N. tipi transistrn akm dalm ve potansiyel seviye grafii grlmektedir. Bilindii gibi transistr dz kutuplandnda, emiterden kollektre doru bir akm meydana gelmektedir. Bu akm seviyesi, birleim yzeylerindeki gerilim + setlerine uygulanan Vbb polarmasna baldr. Vbbnin gerilim seviyesi beyz akmn etkilemektedir. Beyz akmnn bymesi ise hem gerilim settinin daha fazla klmesine, dolaysyla kollektr akmnn artmasna neden olur. Dier bir deyile, birleim yzeyinin akm gemesine izin verme oran ne kadar arttrlrsa ( bu Vbbye arttrmakla mmkndr ), kollektr akm o oranda artar. Bu iliki ekil 5.6daki grafikte grlmektedir. Buradan karlacak en nemli ve en kullanlr sonu; beyz emiter arasna uygulanan polarmann potansiyel Vcc byklnn beyz akmn, beyz akmnn da kollektr akmn etkilediidir. Transistrlerde bu zelliin kefedilmesi, elektronikte akm kontrol olanan salamtr. Bu gelime, birok alanda transistrlerin kullanlmasna neden olmutur. 5.2 TRANSSTR SEMBOLLER

C B

E
ekil 5.7 P.N.P. Transistr sembol N.P.N. Transistr sembol

ekil 5.7de her iki tip transistrn sembolleri verilmitir. P.N.P. transistrde, emiterdeki okun ieri doru; N.P.N. transistrde ise emiterdeki okun dar doru olduuna dikkat edilmelidir. Transistr ierisinden geen akmn yn, emiterdeki ok ynnn tersidir. 5.3 TRANSSTR BAYASLAMALARI

70

Buraya kadar ilenen konularda transistrn yaps ve oluumu incelenmitir. Ancak transistrn hangi amala ve nasl kullanlaca bundan sonraki aamalarda incelenecektir. Genel olarak transistr, zayf akm ykseltmesi ve sinyal ekillendirilmesi ilemlerinde kullanlr. Bunun ilemlerin gerekletirilebilmesi iin transistrn uygun ekilde bayaslanmas ( kutuplanmas ) gerekir. Bu nedenle ncelikle P.N.P. ve N.P.N. tipi transistrlerin dz ve ters kutuplama biimleri gsterilecektir.

71

5.3.1 P.N.P. TP TRANSSTRN DZ BAYASLANMASI

RC RB IB VN VBB IE IC VCC

ekil 5.8 P.N.P. Transistrn dz kutuplanmas. ekil 5.8de P.N.P. tipi transistrn dz kutuplanmas grlmektedir. Devre dikkatle incelendi-inde transistrn emiterine Vccnin (+), kollektre de (-) kutbunun baland, ayrca beyz-emiter arasndaki Vbbnin (-) kutbunun beyze, (+) kutbunun da emitere baland grlecektir. Bu balantlar gerekletirildiinde transistr dz kutuplanm olacaktr. Bu durumda transistr ierisinde ve d devredeki akm dalm ekilde gsterildii gibi olur. Emiterbeyz arasna uygulanan dz polarma bu blgedeki oyuklar birleim yzeyine doru iter. Ayn zamanda bu polarma emiter-beyz blgesindeki gerilim settini ortadan kaldrr. Bu blgenin ortadan kalkmas sonucunda emiterden yaylan oyuklar beyz blgesine, oradan da kollektr blgesine geerler. Beyz-kollektr jonksiyonu bilindii zere ters polarlanmtr. Vccnin (-) kutbu kollektre bal olduundan; emiter blgesinden itilen oyuklar bu kutup tarafndan ekilir. Bu olay transistrn kollektrnden bir akm gemesine neden olur. Ayn zamanda Vbb kaynann (-) kutbu beyze bal olduundan bu kaynak, beyz zerinden bir akmn gemesine neden olur. Bu akma da beyz akm denir. Transistr ierisinden geen akmlarn dalm daha nce de bahsedildii gibi; IE = I B + I C eklinde olur. Formlden de anlalaca zere transistrde en byk akm emiterden geer. Kollektr akm beyz akmnn yaklak olarak 95 99 katdr. Bunun nedeni transistre sinyal giriinin genellikle beyzden yaplmasdr. ekil 5.8.de girie uygulanan AC sinyal kayna, bu balant biimini gstermek iin konulmutur. 5.3.2 P.N.P. TP TRANSSTRN TERS BAYASLANMASI

RC RB VCC
ekil 5.9 P.N.P. Transistrn ters kutuplanmas. V
N

ekil 5.9 da PNP tipi transistrn tersV kutuplanmas grlmektedir. Transistrn kollektrne V CC bataryasnn, beyze ise BB VBB bataryasnn (+) kutbu balanmtr. Emitere ise VCC ve VBB kaynann (-) kutuplar baldr. Bu durumda emiterdeki ounluk akm tayclar olan oyuklar, birleim yzeyi yerine V BBye gre daha byk potansiyeli bulunan VCC tarafndan ekilir. Bu nedenle emiter bir emisyon (yaym) retemez. Birleim yzeyi geniler ve gerilim setti byr. Bu nedenle emiterden beyz veya kollektr blgesine doru herhangi bir akm geii olmaz. Transistrn kollektr blgesinde bulunan oyuklar ise birleim yzeyine doru itilirler. Ancak kutuplama yn ters olduundan ihmal edilebilecek seviyede deeri olan sznt akmndan baka bir akm geii olmaz. Sznt akm daha nceki konularda bahsedildii gibi asl devre akmnn ters ynne doru akar. Ancak bu akmn deeri ok kk deerlerde olduundan yok kabul edilir. Bu gelimeler sonucu gerilim setti iyice genileyeceinden beyzden de herhangi bir akm geii olmayacaktr. Eer kutuplama gerilim ters gerilim seviyesinden daha st bir seviyeye karlrsa; transistr delinir. Bu da transistrn bir daha kullanlamayaca anlamna gelir. Burada akla u soru taklabilir : Ters polarmada transistrden akm gemiyor ise neden byle bir balant ekli yaplyor?

72

Bunun yant transistrn sadece doru bayasta deil, alma esnasnda ters bayasta da bulunabileceidir. Bu tip alma ilerideki konularda anlatlacak olup; transistrn tkama ynnde altrlmas terminolojisiyle bahsedilecektir. Ancak ters gerilim snrnn almamasna dikkat etmek gerekmektedir.

73

5.3.3 N.P.N. TP TRANSSTRN DZ BAYASLANMASI

RC RB IB VN
ekil 5.10 N.P.N. Transistrn dz kutuplanmas.

IC VCC IE

ekil 5.10da N.P.N. tipi transistrn dz kutuplanmas grlmektedir. Devre dikkatle incelendiinde transistrn VBB emiterine Vccnin (-), kollektre de (+) kutbunun baland, ayrca beyz-emiter arasndaki Vbbnin (+) kutbunun beyze, (-) kutbunun da emitere baland grlecektir. Bu balantlar gerekletirildiinde transistr dz kutuplanm olacaktr. Bu durumda transistr ierisinde ve d devredeki akm dalm ekilde gsterildii gibi olur. Emiter beyz arasna uygulanan dz polarma bu blgedeki elektronlar birleim yzeyine doru iter. Ayn zamanda bu polarma emiter-beyz blgesindeki gerilim settini ortadan kaldrr. Bu blgenin ortadan kalkmas sonucunda emiterden yaylan elektronlar beyz blgesine, oradan da kollektr blgesine geerler. Beyz-kollektr jonksiyonu bilindii zere ters polarlanmtr. Vccnin (+) kutbu kollektre bal olduundan; emiter blgesinden itilen elektronlar bu kutup tarafndan ekilir. Bu olay transistrn kollektrnden bir akm gemesine neden olur. Ayn zamanda Vbb kaynann (+) kutbu beyze bal olduundan bu kaynak, beyz zerinden bir akmn gemesine neden olur. Sonu olarak N.P.N. tipi transistrn doru ynde kutuplanmas, transistr ierisinden geen akmlarn ayn zamanda d devreden gemesine de neden olur. Dz polarma kurulumunda, P.N.P. transistrde olduu gibi N.P.N. transistrde de akm dalmlar ayn olup, akm ynleri birbirinin 180 zt ynndedir. Her iki transistr balantsnda d devreye balanan direnler transistrn uygun seviyede kutuplanmas amacyla balanmtr. rnein RC direncinin RB direncinden daha kk olaca ilk etapta hemen akla gelmelidir. Bunun nedeni kollektr akmnn, beyz akmndan daha byk olmasdr. Dier bir neden de VCCnin VBBden byk seilmesidir. Bunlar bir transistrn doru ynde kutuplanmasnn en genel koullarndandr. 5.3.4 N.P.N TP TRANSSTRN TERS BAYASLANMASI

RC RB VCC

ekil 5.11 NPN tipi transistrn ters kutuplanmas

ekil 5.11 de NPN tipi transistrn ters kutuplanmas grlmektedir. V CC bataryasnn (-) kutbu kollektre, VBB bataryasnn (-) kutbu ise beyze balanmtr. Emitere ise VCC ve VBB kaynann (+) kutuplar baldr. Bu noktadan sonra VBB VBB alma prensibi P.N.P. transistrn ters kutuplanmas konusunda anlatld gibidir. N.P.N. transistrn ters kutuplanmas sonucu, emiterdeki ounluk akm tayclar olan elektronlar, birleim yzeyi yerine VBBye gre daha byk potansiyeli bulunan VCC tarafndan ekilir. Bu nedenle emiter bir emisyon ( yaym ) retemez. Birleim yzeyi geniler ve gerilim setti byr. Bu nedenle emiterden beyz veya kollektr blgesine doru herhangi bir akm geii olmaz. Transistrn kollektr blgesinde bulunan oyuklar ise birleim yzeyine doru itilirler. Ancak kutuplama yn ters olduundan ihmal edilebilecek seviyede deeri olan sznt akmndan baka bir akm geii olmaz. Yine P.N.P. transistrn ters kutuplanmasnda anlatld gibi; eer kutuplama gerilimi ters gerilim seviyesinden daha st bir seviyeye karlrsa; transistr delinir. Ters kutuplama esnasnda devreden herhangi bir akm geii olmadndan devre emasnda akm dalmlarna ilikin herhangi bir izim yaplmamtr.
BLM VI

VN

TRANSSTRL YKSELTELER 6.1 GR Buraya kadar ilenen konularda elektronikte kullanlan pasif ve aktif devre elemanlar tantlmtr. Bilindii gibi pasif devre elemanlar diren,bobin ve kondansatr, aktif devre eleman olarak yar iletkenler anlatlmtr. Temel yar iletken olarak ta diyot ve transistrler renilmitir. Elektronikte dk akml bir sinyali ilemek, sinyali ykseltmek, ekillendirmek

74

iin ncelikle temel yar iletkenler kullanlr. Elektronik devrelerin temelini ise ykselteler oluturmaktadr. Dolaysyla ncelikle bu konu ayrntl olarak incelenecektir.

Giri Sinyali

ekil 6.1 Temel ykselte blok diyagram

Amplifier ( Ykselte )

k Sinyali

ekil 6.1de temel ykselte blok diyagram grlmektedir. Prensip olarak bir ykselte, giriine uygulanan sinyalin frekansnda bir deiiklik yapmadan, genliini veya akmn deitirir. Genel olarak ykseltelerde sinyalin genlii veya akm ykseltilir. Genlik ykseltme olay genellikle amplifierlerin giri blmnde, akm ykseltme olay ise amplifierlerin k blmlerinde yaplr. nk amplifierlerde genel prensip nce dk genlikli sinyalin amplitdn ykseltip, daha sonra akmn kuvvetlendirerek gerekli gce erimektir. Bu balamda ncelikle genlik ykselteleri incelenecektir.

75

6.1.1 TRANSSTRL YKSELTELER Transistrl ykselteler bal altnda incelenecek konuda ilk olarak transistr zellikleri incelenecektir. nk ok kk genlikteki ( Vlar seviyesi ) sinyallerin deiik seviyelere ykseltilebilmeleri iin byle bir elemann zelliklerinin iyice kavranmas gerekmektedir. 6.1.2 TRANSSTRN I. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI Ykseltelerde kullanlacak transistrlerin grafik analizlerini ve devrenin hesaplamalarn yapmak amacyla karakteristik erilerin karlmas gerekir. Bu analizin yaplabilmesi iin aadaki devrenin iyice zmsenmesi, konunun anlalmasn kolaylatracaktr. Bir transistre ait 4. Blge karakteristik erisi mevcuttur. ncelikle I. blgeye ait eriler karlmas konusu verilecektir.

T1

VCE

ekil.6.2 Temel transistrl ykselte DC analiz emas ekilde temel transistrl ykselte devresi analizinin yaplabilmesi iin gerekli devre emas grlmektedir. T 1 transistrnn N.P.N. seilmesinin nedeni akm yolunun kolay takip edilebilmesi ve sk kullanm zelliidir. Devreye dikkat edildiinde VCC ve VBB kaynaklarnn ayarl olduu grlecektir. Bunun nedeni transistre ait karakteristik erilerin deiik voltaj ve akmlarda karlabilmesi iindir. Devrenin alma prensibini anlayabilmek iin ncelikle transistrn kutuplanmasna bakmak gerekir. Bilindii zere N.P.N. tipi transistrn doru ynde polarlanmas iin kollektr, emitere gre ( + ) olmaldr. Ayn zamanda beyz de emitere gre ( + ) olmaldr. Bu durumda emiter elektron yaymaya balayabilir. Bu elektronlarn az bir blm beyz akmn, ounluu ise kollektr akmn oluturur Beyz akm ile kollektr akm arasnda her transistrn yapsna gre deien bir katsay vardr. Buna akm kazanc ad verilir. Akm kazanc deiik kaynaklarda veya hFE ad ile verilebilir. Konularn ilerleyen blmlerinde akm kazanc daha ok olarak kullanlacaktr. Matematiksel IB DEERLER IC olarak transistr ierisindeki kollektr akm ile beyz akmnn ilikisi aadaki gibidir. = Bu oran konunun ilerleyen

VBE

IC ( mA )

IB

12 blmlerinde daha fazla alacaktr.

120 A

Matematiksel ilikiden yorumlanaca zere transistrn beyzindeki akm deiiklii otomatik olarak kollektr akmn da 100 A 10 dorusal olarak etkileyecektir. Ancak bu etkileme belirli alma sahasnda gerekleebilir. Bu sahann belirlenebilmesi iin 80 A 8 transistrn akm erilerini karmak gerekir. Bu ilemin gerekleebilmesi iin ncelikle V CC sabit tutulur. VBB adm adm 60 A deitirilerek bu deiim hem M1, hem de M2 ampermetrelerinden dikkatlice takip edilir.Sonu olarak I. Blge Karakteristii 6 ad verilen eriler elde edilir. 40 A 4

2 0 76 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20 A 10 A

VCE ( Volt )

0 A

ekil.6.3 Transistre ilikin I. blge karakteristik erileri ekil 6.3te transistre ait I. blge karakteristikleri ad verilen eriler grlmektedir. Erilerin kartlmas iin ekil 6.2deki devre kullanlmtr. IB akm deerleri M1 ampermetresinden, IC akm deerleri de M2 ampermetresinden okunur. Karakteristik erinin karlabilmesi iin VBBnin adm adm arttrlarak her akm lmnden nce sabit braklmas gerekmektedir. Bu srada VCC yava yava arttrlr ve ampermetre ve Voltmetrelerden gerekli deerler alnr. Erilerin karlmas ilemine VBB = 0 V. yaplarak balanr. Bu anda VBB gerilimi eik geriliminin ( Si iin 0.6 Volt ) altnda tutulduu iin transistr iletime gemez. Bu esnada VCC ne kadar arttrlrsa arttrlsn, IB ve IC akm deerleri sfr olacaktr. Daha sonraki admda VBB kayna bir miktar arttrlarak sabit braklr ve V CC kayna yava yava ykseltilir. Her ykseltilen voltaj deerinde VCE, IB ve IC deerleri ilgili metrelerden okunur. VCE deerleri Voltmetreden, IB akm deerleri M1, IC deerleri ise M2den okunarak not edilir. Her okunan deer dikkatlice not edilerek, bu deerlerin koordinat eksenine ilenmesi salanr. Sonsuz sayda yaplabilecek bu lmler belirli ve sk aralklarla yapldnda kan erinin ekli daha salkl olur. ekil 6.3.te rnek olarak IB deerinin 40 A olarak alnd erideki VCE deerini len voltmetre 5 Voltu gstermektedir. Bu anda kollektr akm deeri ise yaklak 6 mA llmtr. Bu rnekleri oaltmak mmkndr. Her farkl IB deeri iin farkl IC ve VCE deerleri alnarak, transistrn I. Blge karakteristii tamamlanr. Bu karakteristik eri transistre ait tm verileri kapsamamasna ramen en ok kullanlan eridir. Bu erilere baklarak transistrn, hangi gerilim ve akm deerlerinde alaca, max. ve min. alma snrlar, akm kazanc, yk dorusu ve k empedans hesaplanabilir. Bu konu transistrn ykselte olarak kullanlmas ve analizinde ayrntl olarak ilenecektir. 6.1.3 TRANSSTRN II. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI

VCE = 5V

IC (mA) 12 10 8 6 4 2

IB ( A )

100

77 50

ekil.6.4 Transistre ilikin II. blge karakteristik erisi Bu erinin karlmas iin yine ekil 6.2deki devre kullanlr. VCC voltaj sabit tutularak VCE belirli bir deere set edilir. ( Genellikle VCE = VCC / 2 alnr ) VBB deitirilerek IB nin yava yava arttrlmas salanr. Bu deiimin IC deki etkisi ilgili ampermetreden okunarak not edilir. Kollektr akmnn max. snrna kadar bu deney tekrarlanarak alnan deerlerle karakteristik eri karlr. Eriye dikkat edildiinde beyz akm ile kollektr akmnn arasndaki dorusal oran rahatlkla grlecektir ( = IC / IB ). Ancak bu orann belirli snrlar ierisinde geerli olaca unutulmamaldr. nk her transistrn ulaabilecei max. akm snr vardr. Bu noktaya doyum noktas denir. Yani belirli bir noktadan sonra devreye uygulanan gerilim ne kadar artrlrsa artrlsn; beyz akmnda dolaysyla kollektr akmnda herhangi bir art kaydedilemez. nk transistr doyuma ulamtr. Transistrl ykselte devresi hesaplamalarnda kayda alnacak deerler belirtilen snrlar ierisindeki deerlerdir. 6.1.4 TRANSSTRN III. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI

IB ( A )

100

50

150 300 450 VCE = 5 V 600

ekil.6.5 Transistre ilikin III. blge karakteristik erisi

VCE = 10 V

ekil 6.5te transistre ilikin III. Blge karakteristik erileri grlmektedir. Bu erilerinBE elde edilebilmesi iin yine ekil 6.2deki devre kullanlr. Karakteristik eriye dikkat edildiinde iki adet V CE deeri iin deney yaplm olup bu say oaltlabilir. Bu deneyde VCE deeri nce 5 V. gibi bir deere sabitlendikten sonra VBE deerini arttrmak iin VBB kayna yava yava arttrlr. Bu esnadaki beyz akmnda oluan deiiklikler okunarak not edilir. Ayn ilem ikinci V CE deeri iin tekrarlanr. Bu eriler incelendiinde eitli sabit VCE deerlerinde VBE geriliminin beyz akm zerindeki deiim etkisi grlecektir. Dikkati eken dier0bir1 husus erilerin dorusal deimediidir. 6 Bunun nedeni ise transistrn beyz emiter 2 3 4 5 7

V ( mV )

8 9 10 V voltaj arasndaki gerilim setti blgesinin belirli bir noktaya kadar yaltkan, gerilim settiCE ( V )aldnda ise iletken olmasdr. V CE
gerilimi arttrldnda beyz akmnn da artt gz ard edilmemelidir. 6.1.5 TRANSSTRN IV. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI

IB

0 A 10 A

100

20 A 40 A

200
78

60 A 80 A 100 A

VBE( mV )

ekil.6.6 Transistre ilikin IV. blge karakteristik erisi ekil 6.6da transistre ilikin IV. Blge karakteristik erileri verilmitir. Bu erilerin karlabilmesi iin beyz akm eitli deerlere VBB yardmyla sabitlenerek; VCE gerilimi VCC yardmyla eitli aralklarla deitirilir. Bunun sonucunda deien her VCE gerilimine karlk, etkilenen VBE gerilim deeri not edilir. Bu ilem her IB deeri iin tekrarlanarak karakteristik tamamlanr. Bu karakteristik eriler incelendiinde I. Blge karakteristik erilerinin benzerleri elde edildii grlecektir. Buradaki farkllk, VCE gerilim deerlerinin deitirilen VBE her nokta iin deerlerine gre llen IB akmnn sabit kalacadr. Bu grafikteki eriler kullanlarak transistrn kollektr beyz arasndaki, gerilim geri beslemesini bulmak mmkndr. Bu oran matematiksel olarak; N = VBE / VCE eklinde ifade edilir. 6.2 I. BLGE KARAKTERSTK ERLER ZERNDEN TRANSSTRN IKI EMPEDANSI, AKIM KAZANCININ BULUNMASI VE YK DORUSUNUN ZLMES Transistrn almasn iyice kavrayabilmek iin konu balnda geen k empedans, akm kazanc gibi parametrelerin bulunarak yk dorusu izimini renmek gerekmektedir. Bu ilemler iin ilk parametre olarak transistrn k empedansnn bulunmas gerekmektedir. 6.2.1 I. TRANSSTRN IKI EMPEDANSININ BULUNMASI Herhangi bir elektronik sisteminde kaynak ile ykn ayn empedansta bulunmas sistemin verimini % 100e yaklatrr. Aksi takdirde sistemin verimi der. Sistemde sinyal veya g kayb oluur. Bunun nne geebilmek amacyla transistrn de k empedansnn hesaplanmas gerekmektedir. Bunun nedeni de transistrn ykselte olarak kullanlmas ve bu ykseltecin kna yk olarak balanacak elemann deerinin hesaplanmas, dolaysyla sistemin max. verimle almasdr. Bu ilemin gerekletirilmesi iin transistre ait I. Blge karakteristik erileri kullanlacaktr.

IC ( mA ) 12 10 8 6 4 2 0 79 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A B C

IB deerleri 120 A

80 A 40 A

0 A VCE ( Volt )

ekilde verilen grafik erileri zerinden rnekte verilen transistrn k empedansnn hesaplanmas olduka koleydirr. Bu ilem iin herhangi bir IB erisi seilir. Bu eriden VCE ve IC eksenlerine dikler izilir. Ancak aktif alma alannn belirlenebilmesi iin, tek IB erisi zerinden iki farkl voltaj ve akm deerinin alnmas gerekir. Bu noktalar dikkate alndnda karakteristik zerinde bir ( ABC ile gsterilmitir ) dik gen oluur. Bu gen zerinde yaplacak VCE / IC oranndan transistrn k empedans aadaki gibi bulunabilir. rnek olarak alnan IB erisi zerinden VCE1 = 5.8 V, VCE2 = 6.2 V, IC1 = 5mA, IC2 = 7 mA deerleri alnsn. Bu nokta aralklarndan yararlanarak yaplacak empedans hesaplamas aadaki forml yardmyla bulunacaktr. ZO =

VCE VCE 2 VCE 1 = I C IC 2 IC1 6,2 5,8 0,4 = = 0,2 75 2

ZO =

K = 200 .

Bu deer farkl bir IB erisi zerinden farkl bir gerilim / akm aral iin hesaplandnda daha farkl bir empedans elde edilir. Yani bu ayn eriler kullanlarak rneklerin oaltlabilecei anlamna gelir. Bir transistrn k empedans hesaplanrken hesap yaplan akm ve gerilim seviyesi ok nemlidir. Bu da transistrn nerelerde kullanlabileceinin seimi iin tasarmcnn dikkat etmesi gereken bir konudur. Buradan karlacak en nemli sonu karakteristik eriler zerinden transistrn hangi gerilim ve akmda, hangi yk hangi empedansta besleyeceinin kolayca belirlenebilmesidir. Bu nedenle zellikle I. Blge karakteristik erilerinin ok byk titizlikle renilmesi gerekir. k empedansnn bulunmasndan sonra akm kazancnn nasl bulunduu anlatlacaktr. 6.2.2 TRANSSTRN ( ) AKIM KAZANCININ BULUNMASI Bu blmde yine transistre ait I. Blge karakteristik erilerinden faydalanlacaktr.

IC ( mA ) 12 10 8 6 4 2 0

IB deerleri 120 A 100 A 80 A 60 A 40 A 20 A 10 A

Transistrn akm kazancnn hesaplanabilmesi iin aadaki ilem basamaklar izlenmelidir. ekilde grld gibi sabit bir VCE gerilimi seilerek iki farkl IB erisi iaretlenir. Seilen VCE gerilim deerinin0genellikle lineer ortamda olmas A 2 4 5 6 7 9 istendii iin yaklak olarak VCC1 nin yars 3 seilir. nekte verilen IB8 deerleri10 ve VCE ( Volt ) Bunlara karlk gelen IC 20 40 A dir. deerleri ise dikey eksenden 4 ve 6 mA olarak bulunur. Akm kazanc ise aadaki formlle bulunur.

80

I C I B

IC 2 I IB 2 I =

1 1 B

64 2mA = = 100 40 20 20 A

Sonuca bakldnda beyz akm ile kollektr akm arasndaki oran grlmektedir. Bunun anlam transistrn aktif alma blgesinde verilen her beyz akmna karlk kollektrden kat kadar akm geeceidir. Ancak bu ykseltme limiti sonsuz olmayp transistrn alma snr ierisindedir. Daha nce de anlatld gibi her transistrn akm ve gerilim olarak min. ve max. alma deerleri vardr. Dikkat edilmesi gereken dier bir husus, hesaplama yaplrken farkl IB deerleri alndnda kan akm ykseltme katsaysnn ayn olmas gerektiidir. Eer bu durum gereklemiyor ise transistrn aktif alma blgesi dna klm demektir. Bu kavram sadece aktif alma blgesi iin geerlidir. 6.2.3 YK DORUSUNUN ZLMES

IC ( mA ) 12 10 8 6 4 2 0 RL

IB deerleri 120 A 100 A 80 A 60 A 40 A 20 A 10 A

Bir ykseltete kullanlacak transistre ait yk dorusunun izimi olduka basittir. Bilindii gibi bir dorunun izilebilmesi 0 A iin iki nokta yeterlidir. Noktalarn birincisi VCE nin max. I6 nin 7ise min. olduu durumdur. Volt ) anlam transistrn ak 1 2 3 4 5 C 8 9 10 V ( Bunun devre gibi dnlmesidir. Bilindii zere ak devre teorisinde gerilim max. akm ise min. yani 0 olmasdr. Bu durumda 1. nokta VCE = VCC, IC = 0 olur. Dier noktann belirlenmesi iin de transistrn ak devre gibi dnlmesi gerekir. Bu anda da VCE gerilimi min., IC akm deeri de max. olacaktr. Bu nokta da koordinat ekseninde belirlendikten sonra bir doru izilir. Bu doruya yk dorusu denilir. Devreye uygun ykn omik deeri aadaki gibi hesaplanr.
CE

RL =

VCE max IC max

10 = 12

0.83 K

Bunun anlam rnek olarak verilen grafikteki transistrn kna balanabilecek uygun empedanstaki yk deeri olmasdr. Yk dorusu izildikten sonraki aama alma noktasnn seilmesidir. alma noktasnn belirlenmesi ise transistrl ykseltecin alma snfn belirler. alma snfnn belirlenmesi, transistrl ykseltecin hangi alanda, hangi

81

frekansta, hangi gte ve gerilimde alaca sorularn yantlar. Bu nedenle alma snflarnn ok iyi bir ekilde renilmesi gerekmektedir. 6.3 TRANSSTRL YKSELTELERN ALIMA SINIFLARI Bir nceki konuda belirtildii gibi ykseltelerin alma alann ve alma eklini belirleyebilmek iin, ncelikle alma snfnn seilmesi gerekir. Genel olarak 4 eit alma snf mevcuttur. Bunlar A Snf, B Snf, C Snf ve AB Snfdr. Amplifierler alma snf bakmndan ayrlsa dahi genel olarak bir btn halinde incelenmelidir. Dolaysyla alma snflarndan nce bir amplifier sisteminin tamamnn incelenmesi gerekmektedir. Bir amplifierin tamam aada gsterilen bloklardan meydana gelir. Giri Sinyali k

Pre Amplifier (n Ykselte)

Driver Amp. (Src Yk.)

Power Amp. ( G Yk. )

Sinyali

ekil6.7 Komple ykselte blok diyagram

82

ekil 6.7de grld gibi bir ykselte sistemi temel olarak blmden olumaktadr. Ykseltilecek dk genlikteki sinyal ncelikle n ykseltete genlik bakmndan ykseltilir. Daha sonra gelen src kat ise n ykselteten gelen sinyali uygun empedansta k katna aktarr. k katnda ise istenen g elde edilir. Her bir katta kullanlan alma snf farkl olacandan, bu katlarda hangi alma snfnn kullanlaca ve nedenleri bundan sonraki blmlerde ayrntl olarak incelenecektir. 6.3.1 A SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES A snf ykseltecin genel alma prensibi, sinyalin tmnn ( 360 ) ykseltilmesi esasna dayanr. Bunun iin transistrn alma noktasnn, yk dorusunun tam ortasnda seilmesine zen gsterilir.

IC ( mA ) 12 10 8 6

DOYUM ( SATURATION )

IB deerleri 120 A 100 A 80 A

60 A ekil.6.8 I. blge karakteristik eri zerinden A snf almann belirlenmesi Q 40 A 4 Transistrn alma noktas ykselte giriinde herhangi bir sinyal yok iken ( bo alma ) llen IB, IC ve VCE 20 A deerleri ile2 tespit edilir. Bu deerler transistrn bota ektii akmlar ve zerindeki gerilim deerleridir. Bu parametreler skunet deerleri olarak ta anlr. Eer bu parametreler llemiyorsa karakteristik eriden faydalanlarak bulunur. Bu aamadan sonra giri sinyalinin snrlar belirlenerektransistrn kollektrnden 10 A 0 geecek akm hesaplanr. Bu deer rnekte olduu gibi beyz akm snrlar: KESM IB Min = 0 A, IB Max = 120 A; ( CUT - OFF ) buna karlk elde edilecek kollektr akm snrlar ise: IC Min = 0 mA, IC Max = 10 mA; dir. 0 A Yine bu snrlar ierisinde VCE nin alaca deerler7ise; 8 1 2 3 4 5 6 9 10 VCE ( Volt ) VCE MN = 1.8 Volt; VCE MAX = 9.2 Volttur. Bu deerlerin anlam transistrl ykseltece uygulanmas gereken en dk ve en yksek sinyal deerlerinin belirlenmesidir. Bu noktalar dikkate alndnda, transistrn aktif alma blgesi iinde yer aldklar grlecektir. Giri sinyali, beyz akmn belirtilen snrlarn dna karr ise; doal olarak kollektr akmnn alt ve st deerleri de aktif alma blgesinin dna itilir. Byle bir durumda transistrn alma snf deiir. Sinyalin tm ykseltilemez ve sinyal kesintiye urar. Bu da A snf alma iin istenmeyen bir durumdur. ekil 6.9da transistrl ykseltece, ykseltilecek deiken sinyalin nasl uygulanaca gsterilmitir. ekil.6.9 A snf alan tek transistrl ykselte ekil 6.9 dikkatle incelendiinde giri sinyalinin transistrn beyzine uyguland, k sinyalinin ise

AKTF BLGE

Vout k

kollektrden alnd grlecektir. Eer girie herhangi bir sinyal uygulanmasa idi transistr, karakteristik eride Q alma noktasnda sabit akmla alacak ve sinyal deiimi olmayacak idi. Ancak devre giriinden uygulanan sins formlu sinyal VBByi arttracak veya azaltacak ekilde giriim yapacaktr. Bu nedenle transistrn polarmas giri sinyaline gre sinyal geldii srece deiecektir. Giriten uygulanan sinyal DC seviyenin zerine ktnda beyz akm artacak, buna bal olarak ta kollektr akm artacaktr. Dolaysyla giriten uygulanan dk genlikli sinyal izin verilen VCE snrlar ierisinde ykseltilmi olarak nce akma ( IC ), daha sonrada RL zerinden gerilime

83

evrilecektir. Yaplan ilemin esas VBBnin zerine giri sinyalini ykleyip, nce beyz akmnda, daha sonra da kollektr akmnda bir deiiklik yapmaktr. Yaplan bu deiiklik ekil olarak giri sinyali formunda olacandan, ktan alnan sinyalin ekli de giri sinyali ekliyle ayn olacaktr. Sonu olarak giri sinyalinde yaplan dk genlikteki deiim, beyz akm ile kollektr akmnn farkl olmas nedeniyle, ykselte kndan daha yksek genlikli olarak alnabilecektir. Ancak, giri sinyali karakteristik erilerde belirtilen snrlar dna tatnda transistr bu sinyali kesintiye uratacaktr. Eer sinyal seviyesi izin verilen seviyenin stne karsa; transistr doyuma ( Satration ) geer. Sinyal seviyesi bu snrn altna derse o zaman transistr kesime (Cut Off ) geer. Dier bir deyimle bu blgelere kldnda ktan sinyal alnamaz. A snf alma genellikle amplifierlerin giri katlarnda bulunan gerilim ykseltelerinde kullanlan bir alma eklidir. Bunun nedeni sinyalin tamamnn src katna aktarlmas gerekliidir. 6.3.2 AB SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES AB snf almada transistr giri sinyalinin 1800 -3600 boyunca iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bylelikle Ic kollektr akm giri sinyalinin %51-%99u boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternanstan daha ksa sre ile kesimde tutulmas gerekir. Hatrlanaca zere A snf almada transistr VBEQ statik giri gerilim deeri her zaman ykseltece uygulanan giri sinyalinin maksimum deerinden daha byk olacak ekilde bayaslanmaktayd. Bunun sonucu olarak ta giri sinyali hibir zaman transistr ters bayasa gtrememekte ve de giriin 3600si boyunca kollektr akm akmaktadr. AB snf almada VBEQ statik giri sinyali ykseltece uygulanan giri sinyalinin maksimum deerinden daha kk olacak ekilde bayaslanmak suretiyle, transistrn bir alternanstan daha ksa sre ile kesimde tutulmas salanr. Buna gre giriin %51-%99u Ic akm akmaktadr.

IC

Operating Point

ekil.6.10 AB snf alan transistrn dinamik transfer erisi

Output IC

IB

ekil 6.10da grlen AB snf almaya ait dinamik transfer erisi incelendiinde alma noktasnn erinin lineer ksmnn orta noktas ile 0 noktas arasnda seildii grlmektedir. Yukardaki eride transistrn kesime gtrld alanda kollektr akmnn akmamasndan dolay RL kollektr yk zerine den gerilim 0 Volt olacandan (V RL=Ic*RL) k sinyali Vcc olarak grlecektir.

Input Signal

0,5Vp-p k Sinyali +25V Giri Sinyali VBE =0,2V 84 0

ekil.6.11 AB snf alan transistrl ykselte devresi AB snf ykselteler, A snf ykseltelere gre daha iyi verim ve daha kt sadakat ( fidelity ) zellii tamaktadrlar. Bu zellikten dolay AB snf ykselteler k sinyalinin giriin tam benzeri olmas durumunun gerekli olmad durumlarda kullanlrlar. ekil 6.11de AB snf alan transistrl ykselte devresi ve bu devreye ait giri / k dalga ekilleri grlmektedir.

0,45V

Yanda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmektedir. Bu eride bir alternanstan daha ksa sre ile transistrn ters bayasland grlmektedir.

0,2V

-0,05V

85

6.3.3

B SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES

ekil 6.12de grld gibi B snf almada transistr, giri sinyalinin 1800lik blmnde iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bylelikle kollektr akm ( IC ), giri sinyalinin %50si boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternans sre ile kesimde tutulmas gerekir. B snf almada VBEQ statik giri sinyali 0 Volt olacak ekilde bayaslanmak suretiyle, transistrn bir alternans sre ile iletimde tutulmas salanr. Buna gre giriin %50lik blmnde Ic akm akmaktadr. Transistre statik durumda 0 V bayas uygulanmas A ve AB snf almada kullanlan RD direncinin kullanlmamas anlamna gelir. Buna gre Transistrn dinamik durumu tamamen giri sinyali tarafnda belirlenmektedir. Devreye uygulanan giri sinyalinin pozitif alternansnda (NPN Tr.) iletim gerekleirken negatif alternansta ters bayas durumundan dolay Cut-Off durumu oluacaktr. Bylelikle de giri sinyalinin 1800 lik blmnde iletim, 1800 lik blmnde de kesim durumu oluacaktr.

IC

Operating Point 0

Output IC

IB

ekil.6.12 B snf alan transistrn dinamik transfer erisi

Input Signal
ekil 6.13de B snf alan transistrl ykselte devresi grlmekte olup transistre balangta dc kaynaktan doru bayas uygulanmamaktadr. Bylece giri sinyalinin + alternans iletim, - alternans da kesim durumunu oluturmak suretiyle 1800lik iletim ve de 1800lik kesim durumu oluturulur.

0,5Vp-p k Sinyali Giri Sinyali +25V

1ms

1ms

2 msn.

86

ekil.6.13 B snf alan transistrl ykselte devresi

Yanda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmek-

0,25V 0V -0,25V

tedir. Bu eride bir alternans sre ile transistrn doru dier alternans sresince de ters bayasland grl-mektedir.

6.3.4 C SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES C snf almada transistr giri sinyalinin 0 - 1800 lik blmnde iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bu durum ekil 6.14da grlmektedir. Bylelikle Ic kollektr akm giri sinyalinin %1 - %50si boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternanstan daha az sre ile iletimde tutulmas gerekir.

ekil 6.15de grlen C snf almada VBEQ

statik giri sinyali

negatif olacak ekilde bayaslanmak suretiyle,

transistrn bir alternanstan daha az sre ile iletimde tutulmas salanr. Negatif bayas miktar ykselte giriine uygulanan sinyalin maksimum genliinden daha az olmaldr. Giriin negatif alternansnda tamamen kesimde tutulan transistr, pozitif alternansn bir blmnde de (negatif bayas alncaya kadar) kesime gtrlmekte, bylelikle de toplam kesim zaman %51-%99 olacandan iletim zaman da %1-%49 olmaktadr.

IC

0,6ms

1,4ms

0
ekil.6.14. C snf alan C transistrn dinamik transfer erisi.

Output I

Operating Point Input Signal k Sinyali 0,6ms

IB

0,5Vp-p

1,4ms

Giri Sinyali 87 2 msn.

+25V

ekil.6.15 C snf alan transistrl ykselte devresi.

88

+0,15V 0V -0,1 V -0,35V

Yukarda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmektedir Bu eride. bir alternanstan daha az sre ile transistrn bayasland grlmektedir Bylelikle de iletim zaman giri sinyalinin %1-%49u boyunca kollektr akm akacaktr. 6.4 TRANSSTRL YKSELTELERN BALANTI EKLLERNE GRE ANALZ Buraya kadar ilenen blmde ykseltelere ilikin temel esaslar verilmitir. Bu bilgilerin altnda bir transistrl ykseltecin analizini yapmak mmkndr. Bu analiz, balant ekillerine gre amplifierlerin snflandrlmas konusu ile ayn anda ilenecektir. Balant ekillerine gre ykselte tipleri 3e ayrlr: 123Emiteri ortak ( mterek ) ykselte ( common emitter ), Beyzi ortak ykselte ( common base ), Kollektr ortak ykselte ( common collector ).

0,5 Vp-p

Yukarda sralanan ykseltelerden en sk ve yaygn kullanm alan olan, emiteri ortak ykseltetir. Bu nedenle bu balant eklinin analizi dikkatlice renilmelidir. Emiteri ortak balant tipinde, giri sinyali beyz - emiter arasndan uygulanr; k sinyali ise kollektr emiter arasndan alnr. Burada dikkat edilirse emiter hem girite, hem de kta kullanlmtr. Bu nedenle devrenin asesini ( toprak ) oluturmaktadr. Giriten uygulanan sinyal, amplifierin kazan katsaysna bal olarak ykseltilir. ktan alnan sinyal ile giri arasnda 180 faz fark oluur. Bunun nedeni kollektr beyz blgesinin, emiter beyz blgesine gre ters polarlanm olmasdr. Dier balant tiplerine oranla en yksek kazan bu tip balant eklinde elde edilir. Bu nedenle genellikle amplifierlerin giri katlarnda gerilim ykselteci olarak ( Pre Amplifier ) kullanlr. Beyzi ortak tip ykselte ise genellikle yksek frekans uygulamalarnda kullanlan bir balant eklidir. Beyzi ortak tip ykseltecin akm kazanc 1den kktr. Kollektr ortak tip ykselte ( emitter follower ) ise, empedans uygunlatrc olarak kullanlr. Bu tip ykseltelerde k emiterden alnr. Bu ykselte tipinin gerilim kazanc 1den kktr. Yukarda anlatlan ykselte tiplerinin analizi sra ile verilecektir. 6.4.1 EMTER MTEREK DEVRE ANALZ

+VCC=25V

RD=247K Input CC RBE=3K 89

RL=5K Output

ekil 6.16 Transistrl Ykselte Devresi.

7 6 5 4 3 2 1
17

IC ( mA ) B

IB DEERLER 200 A 175 A 150 A 125 A 100 A 75 A 50 A

0 A

ekil6.

10

20

30 A VCE VCE ( Volt )

2N118 Transistrne ait emiteri mterek k karakteristik erisi. Emiteri mterek ykselte analizi grafik metot kullanlarak basamak basamak incelene-cektir. Bu tip analizin dier bir ad da YK HATTI ANALZDR. Analize geilmeden nce ykseltete kullanlan transistrne ait emiteri mterek k karakteristik erisi elde edilmelidir. Bu maksatla yukarda karakteristik eri verilmi olup her trl veriler bu eri zerinde iaretlenip, yine eri zerinden okunmaktadr.

Analiz Verileri: Vcc=25V, RL=4.16 K, RBE=3 K, , RD=247 K, Giri Sinyali 50A p-p, 2N118 Transistrnn kullanld Emiteri Mterek Ykselte devresi verilmektedir.
AAMA 1 : Yk hattnn izilmesi. Yk hatt bir ykselte devresinde tm akm-gerilim ilikileri ile ilgili deerler sunan, herhangi bir andaki giri deerlerine karlk gelen statik ve dinamik k deerlerini bulmamza yardmc olan bir eri olup A ve B olarak isimlendirilen iki noktann birletirilmesi ile elde edilmektedir. A Noktas :Transistrn kesim durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn Ic kollektr akmnn 0 A olmas gerekir. Buna gre RL yk zerinde gerilim dm olmayacandan tm kaynak gerilimi transistrn VCE knda grlecektir. Bu gerilim VCC gerilimine eit olacaktr. Sonu olarak; A noktas maksimum kollektr voltaj olup deeri VCC ile belirlenir. Bu durumda yatay eksende Vcc = 25 V deeri A Noktas olarak iaretlenir. (25V - 0A koordinatlar A noktasn vermektedir)

90

B Noktas :Transistrn doyum durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn kollektr-emiter i direncinin 0 olduu kabul edilerek kollektr akm hesabnda sadece R L direnci dikkate alnarak hesaplanmaktadr. ICmax=Vcc/RL =25 V / 4.16 K ICmax = 6 mA olur. Bulunan deer B noktas olarak karakteristik eri IC ekseninde iaretlenir. (0V - 6mA koordinatlar B noktasn vermektedir). imdi yaplmas gereken A ve B noktalarnn birletirilmesidir. Elde edilen doru YK HATTI olarak adlandrlr. Bu doru ykseltete mmkn olan btn giri deerlerine karlk k deerlerinin bulunmasnda kullanlacaktr. maksimum kollektr akm

AAMA 2 : Q alma noktasnn bulunmas : Quiescent Point ve de ksaca Q alma noktas olarak adlandrlan bu nokta ile bir ykseltecin giri sinyali

uygulanmad (STATK) durumda transistrn Vcc zerinden ald bayas neticesinde VCEQ ve ICQ skunet durumu deerlerinin elde edilmesi ile bulunmaktadr. Buna gre bir ykseltece giri sinyali uygulanmad halde V CEQ ve ICQ olarak bilinen k akm ve gerilim deerlerine sahip olduu sylenebilir. Q alma noktas yk hatt ile skunet durumu beyz akm (IBQ) erisinin birletirilmesi ile elde edilmektedir. Bu maksatle Sukunet durumu IBQ deerinin bulunmas gerekmektedir. RT = RBE + RD RT = 3 K + 247 K RT = 250 K IBQ = VCC / RT IBQ =25 V/ 250 K IBQ = 100 A

100A beyz erisi ile yk hattnn kesitii nokta Q alma noktas olarak iaretlenir.

7 6 5 4

IC ( mA ) B

IB DEERLER 200 A 175 A 150 A 125 A

Q 3 2 1
AAMA 3 : Giri sinyalinin uygulanarak b - vbe deiimlerinin bulunmas:

100 A 75 A 50 A

0 A

0 10 20 91

A 30 VCE ( Volt )

IB

Igiri

IB

100 A

+25A

+125A +100A Time

-25A 0
IBQ Beyz Akm (Dinamik durum)

+75A 0 Time
A)

Time
B) Giri Sinyali C) IB

Yukarda grld zere 100A skunet durumu (IBQ) deeri giri sinyaline bal olarak 25A peak yukarya ve de 25 A aaya olmak zere IB akmnn 75 A ile 125 A arasnda dalgalanmasna sebep olmaktadr. Bu dalgalanmann VBE beyz geriliminde yol at deiim :

VBEQ = IBQ * RBE

VBE(MN) = IB(MN) * RBE

VBE(MAX) = IB(MAX) * RBE VBE(MAX) =125 A * 3K

VBEQ = 100 A * 3K VBEQ = 0.3 V

VBE(MN) = 75 A * 3K

VBE(MN) = 0.225 V

VBE(MAX) =0.375 V

VBE 0.375 V
v

0.3 V 0.225 V

0.15 V

VBE=vIB * RBE vVBE=50A * 3 K vVBE= 0.15 V

Emiter

Akm

eittir. IE = IB + IC

Time

Beyz akm ile Kollektr akmlarnn

toplamna

IE =0.1mA+ 3mA = 3.1mA olarak bulunur. AAMA 4 : k akm deiikliinin bulunmas:

IB DEERLE R 200 A 175 A

7 IB 3.5 mA IC 6 5 4 3 20 1 B

IC ( mA )

150 A 125 A 100 A

C Q 92

75 A 50 A

D 2.5 mA

10

20

30 VCE (Volt) VCE 10 V 12.5V 15 V

k akm deiikliinin bulunmas iin ncelikle C ve D noktalarnn iaretlenmesi gerekmektedir. 3. aamada Beyz akm deiiklii hesaplanmt. Elde edilen deerler Beyz akmnn 75 A - 125 A arasnda deitiini gstermekte idi. Buna gre 75 A Beyz akm erisi ile 125 A Beyz akm erilerinin Yk hattn kestii noktalar C ve D noktalar olarak iaretlenir. Bu noktalardan Ic eksenine dik izilmek suretiyle 2.5 mA - 3.5 mA kollektr akm deerleri bulunmaktadr. IC1 =3.5 mA IC2 =2.5 mA vIc= IC1 - IC2 = 3.5mA-2.5mA =1mA

AAMA 5 : k gerilim deiikliinin bulunmas: C ve D noktalarndan VCE eksenine dik inilmek suretiyle giri sinyalindeki deiime bal olarak kollektr k gerilim deiiklikleri elde edilebilir. VCE1 =15 V VCE2=10 V vVCE = VCE1 - VCE2= 15 V -10 V=5 V

AAMA 6 : Akm kazancnn bulunmas:

k Kazan = Giri Ai = Akm Kazanc =

k Akm Deiiklii Giri Akm Deiiklii

Yukardaki formllerde grld gibi kazanc temsil eden A harfi i ilavesiyle akm kazancn temsil etmekte olup k akm deiikliinin giri akm deiikliine oran olarak tarif edilmektedir.

Ai =

vIC vIB

3.5 mA -2.5 mA = 125 A - 75 A =

1 mA 50 A =

1000 A 50 A

= 20

Bulunan deer ile; k akm deiikliinin giri akm deiikliinin 20 kat olduu anlalmaktadr. AAMA 7 : Voltaj kazancnn bulunmas:

93

k Kazan = Giri 5V Av = = 0.375 V - 0.225 V0.15 V 15 vVCE vVBE 33.33 15 V -10 V Av = Akm Kazanc =

k Voltaj Deiiklii Giri Voltaj Deiiklii

AAMA 8 : G kazancnn bulunmas: Ap = Av * Ai = 33.3 * 20 = 666.6 olarak bulunur.

94

6.4.2 BEYZ MTEREK DEVRE ANALZ

Input 2 mA p-p RE=325

RBE 175

Output RL 4,16 K

VEE= -1,5 V

VCC= + 25 V

ekil6.18 Transistrl Ykselte Devresi.

7 6 5 4 3 2 1

IC ( mA ) B

IE DEERLER

-7 mA -6 mA -5 mA -4 mA -3 mA -2 mA -1 mA 0 mA

0 10 20

A 30

VCB

ekil 6.19 2N118 Transistrne ait beyzi mterek k karakteristik erisi.

95

Beyzi mterek ykselte analizi grafik metot kullanlarak basamak basamak incelenecektir. Bu tip analizin dier bir ad da YK HATTI ANALZDR. Analize geilmeden nce ykseltete kullanlan transistrne ait beyzi mterek k karakteristik erisi elde edilmelidir. Bu maksatla yukarda karakteristik eri verilmi olup her trl veriler bu eri zerinde iaretlenip, yine eri zerinden okunmaktadr.

Analiz Verileri: Vcc=25V, VEE= -1,5 V, RL=4,16 K, RBE=175 , RE=325 , 2N118 Transistrnn kullanld beyzi mterek ykselte devresi verilmektedir.

Giri Sinyali 2 mA p-p,

AAMA 1 : Yk hattnn izilmesi. Yk hatt bir ykselte devresinde tm akm-gerilim ilikileri ile ilgili deerler sunan, herhangi bir andaki giri deerlerine karlk gelen statik ve dinamik k deerlerini bulmamza yardmc olan bir eri olup A ve B olarak isimlendirilen iki noktann birletirilmesi ile elde edilmektedir. A Noktas :Transistrn kesim durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn Ic kollektr akmnn 0 A olmas gerekir. Buna gre RL yk zerinde gerilim dm olmayacandan tm kaynak gerilimi transistrn VCB knda grlecektir. Bu gerilim VCC gerilimine eit olacaktr. Sonu olarak; A noktas maksimum kollektr voltaj olup deeri VCC ile belirlenir. Bu durumda yatay eksende Vcc = 25 V deeri A Noktas olarak iaretlenir. (25V - 0A koordinatlar A noktasn vermektedir) B Noktas :Transistrn doyum durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn kollektr-emiter i direncinin 0 olduu kabul edilerek kollektr akm hesabnda sadece R L direnci dikkate alnarak hesaplanmaktadr. Icmax=Vcc/RL =25 V / 4.16 K Icmax = 6 mA bulunan deer B noktas olarak karakteristik eri Ic ekseninde maksimum kollektr akm

iaretlenir. . (0V - 6mA koordinatlar B noktasn vermektedir)

96

C RL=325

E RL=4,16 K

VEE= -1,5 V

Vcc=25V

ICmax=Vcc/RL formlnde RE diren deerinin RL diren deerinin 1/10 deerinden daha kk olmas sebebiyle hesaplamalarda RE deeri dikkate alnmaz. Yanda transistrn doyum durumu edeer devresi grlmekte olup Vcc ve VEE kaynaklar seri ve toplanr (25+1,5) toplam gerilimin R L+RE (4.16K + 0,325K) toplam diren deerine oran ICmax deerini oluturmaktadr. Ancak hesaplamalarda RL diren deeri 10*RE deerinden daha byk olduundan hesaplamalarda RL ihmal edilmektedir. ICmax =Vcc/RL forml ile maksimum kollektr akm hesaplanmaktadr. imdi yaplmas gereken A ve B noktalarnn birletirilmesidir. Elde edilen doru YK HATTI olarak adlandrlr. Bu doru ykseltete mmkn olan btn giri deerlerine karlk k deerlerinin bulunmasnda kullanlacaktr. AAMA 2 : Q alma noktasnn bulunmas : Quiescent Point ve de ksaca Q alma noktas olarak adlandrlan bu nokta ile bir ykseltecin giri sinyali V CBQ ve ICQ skunet durumu

uygulanmad (STATK) durumda transistrn Vcc zerinden ald bayas neticesinde bilinen k akm ve gerilim deerlerine sahip olduu sylenebilir.

deerlerinin elde edilmesi ile bulunmaktadr. Buna gre bir ykseltece giri sinyali uygulanmad halde V CBQ ve ICQ olarak Q alma noktas yk hatt ile skunet durumu emiter akm (I EQ) erisinin birletirilmesi ile elde edilmektedir. Bu maksatla skunet durumu IEQ deerinin bulunmas gerekmektedir. RT = RE + RBE RT =325 + 175 RT = 500 IEQ = VEE / RT IEQ =1,5V/ 500 IEQ = 3 mA

3 mA emiter erisi ile yk hattnn kesitii nokta Q alma noktas olarak iaretlenir.

IE DEERLER

-7 mA -6 mA -5 mA -4 mA -3 mA -2 mA -1 mA 97 0 mA VCB

7 6 5 4 3 2 1

IC ( mA ) B

II DEERLER E ERLER E

-7 mA -6 mA -5 mA -4 mA Q -3 mA -2 mA -1 mA 0 mA

ekil 6.20 Karakteristik eride Q alma noktasnn elde edilmesi.

10

20

30 A

VCE ( Volt )

VCB (V)

CQ CBQ ekil 6.20de grlen karakteristik eride Q noktasndan VCB ve IC eksenlerine dik inilerek statik alma durumu

I =3 mA

=12,5V

deerlerini gsteren ICQ ve VCBQ deerleri okunur. VCBQ =12,5V ICQ = 3 mA AAMA 3 : Giri sinyalinin uygulanarak IE deiiminin bulunmas:

Time 0 +1mA -3mA IE -1mA

A) IEQ Akm (Dinamik durum)

Igiri

IE

Time

-1mA -2 mA -3mA Time -4mA

B) Giri Sinyali C) IE Emiter

Yukarda grld zere 3mA skunet durumu (IEQ) deeri giri sinyaline bal olarak 1mA peak yukarya ve de 1mA aaya olmak zere IE akmnn 2mA ile 4mA arasnda dalgalanmasna sebep olmaktadr. AAMA 4 : k akm deiikliinin bulunmas: k akm deiikliinin bulunmas iin ncelikle C ve D noktalarnn iaretlenmesi gerekmektedir. 3. aamada emiter akm deiiklii hesaplanmt. Elde edilen deerler emiter akmnn 2mA ile 4mA arasnda deitiini gstermekte idi. Buna gre 2mA emiter akm erisi ile 4mA emiter akm erilerinin yk hattn kestii noktalar C ve D noktalar olarak iaretlenir. Bu noktalardan Ic eksenine dik izilmek suretiyle 2.5 mA - 3.5 mA kollektr akm deerleri bulunmaktadr. IC1 =3.5 mA IC2 =2.5 mA

98

vIc= IC1 - IC2 = 3.5mA-2.5mA =1mA

7 6 5 3.5 mA 4 IC 2.5 mA 3 B

IC ( mA )

IE ERLER

-7 mA -6 mA IE C Q D -5 mA -4 mA -3 mA -2 mA 20 30 -1 mA 0 mA

2 1 0

10

VCB (V)

AAMA 5 : k gerilim deiikliinin bulunmas:

VCB
C ve D noktalarndan VCB eksenine dik inilmek suretiyle giri sinyalindeki deiime bal olarak kollektr k gerilim deiiklikleri elde edilebilir.

10 V
VCB1 =15 V VCB2=10 V vVCB = VCB1 - VCB2= 15 V -10 V=5 V AAMA 6 : Akm kazancnn bulunmas:

12.5V 15 V

k Kazan = Giri
Yukardaki formllerde grld gibi kazanc temsil eden A harfi

k Akm Deiiklii Ai = Akm Kazanc = Giri Akm Deiiklii

i ilavesiyle akm kazancn temsil etmekte olup k

akm deiikliinin giri akm deiikline oran olarak tarif edilmektedir.

Ai =

vIC vIE

3.5 mA -2.5 mA 4mA 2mA

1 mA = 2 mA =

0,5

Bulunan deer ile; akm kazancnn 1den kk olduu grlr. AAMA 7 : Voltaj kazancnn bulunmas:

k Kazan = Giri 99 Av = Akm Kazanc =

k Voltaj Deiiklii Giri Voltaj Deiiklii

Av =

vVCB vVBE

15 V -10 V = vIE * RBE =

5V = (2mA * 325)

5V = (0,35V)

14,28

AAMA 8 : G kazancnn bulunmas: Ap = Av * Ai = 0,5 * 14,28 = 7,14 olarak bulunur.

100

6.5 G YKSELTELERNE GR Bir ykselte sistemi, bir kk sinyal ykseltecinden (preamplifier), bir byk sinyal ykseltecinden ve bir k transducerinden (hoparlr) oluur. Giri sinyali genellikle kktr ve bir k cihazn altrmak iin kullanlabilecek dzeyde ykseltilmelidir. Bu nedenle ykseltelerde dikkate alnmas gereken temel faktr, genellikle dorusallk ve kazantr. Giri transducerinden gelen sinyal gerilimi ve akm genellikle kk olduundan, g kapasitesi ve verimlilii pek nemli deildir. Genel olarak birbirine seri bal ykseltelerden sonuncusu g ykselteci adn alr. G ykselte kademesinin, kendinden nceki ykseltelerden farkll, yksek voltaj kazancndan ziyade, yksek voltaj kazanc verecek ekilde tertiplenmi olmasdr. G ykselteci, yksek g seviyesinde altrldndan transistr dahilinde oluan s en nemli mahsur haline gelir. Eklem ss artan bir transistrn salaml azalr. Is drc olarak bilinen eleman, snn transistr ekleminden uzaklatrlmas iin kullanlr. Transistrn metal muhafazasna direkt olarak temas ettirilen ok geni sathl bir metal parasndan oluur. Baz s drclerin; snn, etrafndaki havaya daha abuk geirilmesini temin maksadyla kanatklar bulunur. Transistrn ekleminde meydana gelen s, transistrn metal muhafazasna geirilir. Is drc, transistrn metal muhafazas ile dorudan irtibatl olduundan s, nce s drcye ve sonra havaya geer. Bylece transistr eklemindeki alma ss drlr. 6.6 DENGEL G YKSELTEC

Q1 T1 giri + VCC T2 Hoparlr

Q2

R1

ekil 6.21 A Snf alan Push-Pull G Ykselteci G ykselteci olarak tertip edilen devreler genellikle balansl veya push-pull olarak tannan ykseltelerdir. Bu tip devreler, 180 lik faz mnasebetiyle alan iki ykselteci ierirler. Byle devreler, daha gl ve dzgn bir k verirler. Push-pull ykselte devresinden anlalaca gibi iki transistrden oluur. T1 ve T2 transformatrleri orta uludur. R1 direnci Q1 ve Q2 transistrlerine alma noktalarn tayin eden doru bayas voltaj salar. Giri sinyali yok iken dahi transistrlerin beyzlerine R1 direnci vastasyla (+) gerilim gelir. R1 direncinin deerinin deitirilmesi halinde devre, AB snf altrlabilir. T2 transformatr primerinin yars Q1, dier yars da Q2 nin kollektr yk empedansn temsil eder. T2 transformatr ayn zamanda, transistrlerin yksek k empedanslar ile hoparlrn dk empedans arasnda empedans uygunluunu salar. Bilindii gibi maximun enerji transferinin gerekleebilmesi ( ykseltecin kndan alnan sinyalin tamamnn hoparlre uygulanmas ) iin birinci kat k empedansnn, ikinci kat giri empedansna eit olmas gerekir. Giri sinyali yok iken Q1 ve Q2 transistrleri, T2 transformatr orta ucu vastasyla eit olarak iletkendirler. Her iki transistrn kollektrndeki sinyaller eit deerde olduu iin hoparlrden herhangi bir sinyal alnmaz. Giriin (+) alternansnda Q1 in beyzindeki potansiyel pozitife, Q2 nin ise negatife gider. Transistrler, NPN tipi olduundan beyzlerine

101

uygulanan potansiyeller, Q1iletkenliinin artmasna, Q2 nin ise azalmasna neden olur. Q1 in kollektr akmndaki art Q1 kollektrnn daha az pozitif olmasna neden olur. Q2 iletkenliinin azalmas, Q2 kollektrndeki potansiyelin artmasna neden olur. Bu durumda T2 transformatr primerinin tamam zerinde bir potansiyel fark oluur ve kn negatif alternans olarak belirir. Giri sinyalinin (-) alternansnda yukardaki olaylarn tam tersi olur. ekil6.22 B Snf alan Push-Pull G Ykselteci

Q1

giri

+ VCC

Hoparlr

Q2

102

B snf push-pull g ykseltecinde giri sinyali olmad srece transistrler iletken olmadndan ve bir g harcamas yaplmadndan verim daha byktr. Transistrlerin beyzine (+) bir sinyal gelmedii iin devre statik halde iken iki transistr de kesimdedir. 6.7 FAZ BLCLER Push-pull g ykselteleri, eit genlik ve zt fazda iki sinyale ihtiya duyarlar. Tek bir girite eit genlikte ve zt fazda iki k veren src kademesine faz blc veya faz evirici denir. Src kademesi ise g ykseltelerine giri sinyali salayan ykseltetir. Push-pull g ykseltelerinde transistrlere giri olarak eit genlik ve zt fazda iki sinyal temin eden eleman transformatrdr. Transformatr kullanlmas, basit bir yol olmasna ramen byk ve ar olmas kullanln snrlayan unsurlardr. ekil 6.23 Tek Kademeli Faz Blc Paraphase ykselte veya faz blc olarak bilinen bu devre transformatr kullanlmakszn birbirinden 180 faz farkl ve eit genlikli iki sinyal meydana getirir. R2 ve R3 direnleri birbirine eit ise farkl fazdaki bu iki sinyal genlik bakmndan eit olur. Fakat, R2 direncinin R3 direncine eit olmas dengesiz bir k empedansna neden olur. Q1 transistrnn kollektr k empedans, emiter k empedansndan daha yksektir. Bu saknca, R2 direncinin st ucu ile C2 arasna RS

+VCC

R2 R2

C1 Q1 +VCC hoparlr

giri C2 R3 Q2

direncinin seri olarak sokulmas suretiyle giderilir. R2 direncinin deeri o ekilde seilir ki kollektr ve emiter k empedanslar birbirini dengeler. Bu, kuvvetli sinyalin sebep olduu bozulmay (distorsiyonu) ortadan kaldrr. Sinyalin, seri diren zerinde kaybolan ksm, R2 nin R3 deerinden daha fazla yaplmas yoluyla telafi edilir. 6.8 TMLER SMETR G YKSELTEC ekil 6.24 Tmler Simetri G Ykselteci

R2 1 2 Q1 1 RL

VCC1

C1 Giri R3

3 Q2 4 R1 103

VCC2

ekil 6.25 Basitletirilmi Tmler Simetri G Ykselteci ekil 6.25deki devre tmler g ykseltecinin basitletirilmi eklidir. Q1 ve Q2 transistrlerinin C-E arasndaki dahili devreleri srasyla R1 ve R2 deiken direnleriyle temsil edilmitir. Giri sinyali yokken ve B snf almada IB=0 olduu iin deiken direnlerin orta ular max diren pozisyonunu alr. R1 direnci 1, R2 ise 4 nolu konumu alr. Dolaysyla RL zerinden bir akm akmaz. Giri sinyali pozitife doru giderken Q1 iletime, Q2 ise kesime gider. Q1 min diren gsterirken (2), Q2 ise max diren (4) gsterir. Akm, VCC1 , RL ve Q1 den geer. Bu akm yn dz ok ile gsterilmitir. Giri sinyali negatife doru gittiinde, Q1 yaltkan olurken, Q2 iletken olur. Bylece devreden kesikli okla gsterildii gibi bir akm geer. Bir nceki durumda geen akma gre ters ynde bir akm geer. 6. 9 BEYZ ORTAK KARIIK BALI YKSELTELER Emiteri ortak ykseltete transistrn akm kazanc ( IC / IB), beyzi ortak ykseltete transistrn akm kazanc ( IC / IE), kollektr ortakta (emitter follower) ise ( IE / IB ) ile gsterilir. Bu akm kazan parametrelerinin birbirleriyle ilikileri ise aada olduu gibidir: = /1- = /1+ =1+

Kark bal ykselteler, CB tertipte akm kazancn ykseltmek iin tertip edilmi devrelerdir.

ekil 6.26 Kark bal beyzi ortak ykselte

IE=%100 Input IB=%5 RE

Q1

Ic1=%95

IE=%99.75 Output

IC2=%4.75 Q2 RC

-VCC

+VCC

ekil 6.26 da kark bal transistrl ykselte devresi grlmektedir. Bu devrede Q1 transistrnn beyzi, Q2 transistrnn emiterine balanmtr. Yani CB tertibi ierisinde irtibatlandrlmtr. ki transistr tek bir transistr gibi dnrsek bu transistre Darlington Transistr ad verilir. Her bir transistrn akm kazancnn 0,95 olduunu kabul edelim. Analizin daha kolay olmas iin emiter akmn 100 mA olarak dnelim ve bunu ekil zerinde %100 olarak gsterelim. Q1 transistrnn akm kazanc 0,95 olduuna gre ; =IC / IE

IC=%95. IE dir. Baka bir ifadeyle; kollektr akm, emiter akmnn %95ine eittir. Q1 transistrnn

emiter akm 100 mA olduuna gre kollektr akm 95 mA olur. Bir transistrde IE=IC+IB olduuna gre geriye kalan 5 mA de

104

beyz akm olacaktr. Q1 in beyz akm, Q2nin emiter akmn tekil ettii iin IC2=5.%95=4.75 mA dir. Bylece toplam kollektr akm, ICT=4,75+95=99,75 mA olur. Devrenin toplam akm kazanc ise, 99,75/100=0,9975 olarak bulunur. 0,95 olan akm kazanc bylece 0,9975 e ykseltilmitir. Bu nedenle, kark bal transistr, herhangi bir devrede yksek akm kazanl tek bir transistrm gibi dnlebilir.

Emiteri ortak tertipte her birinin akm kazanc 11,5 olan iki transistr, beyzi ortak kark bal ykselte olarak kullanlacak olursa, devrenin akm kazancnn ne olacan bulunuz. =11,5 ise =11,5/12,5=0,92dir. IC1=0,92.IE ve IB= 0,08.IE olur. IC2=0,08.0,92.IE ICT=0,0736 IE+0,92 IE=0,9936.IE den =0,9936 olarak bulunur.

transistrle gerekletirilen kark bal ortak ykseltete her bir transistrn, emiter akm deiiminin, beyz akm deiimine oran 20 olduuna gre devrenin toplam akm kazancn bulunuz. =IE / IB = 20 ve =1+ dan =19 dur. =19/20=0,95 olur. =99,9875/100=0,999875 olarak bulunur. 6.10 AMPLFKATRLERDE KUPLAJ METODLARI Kuplaj, sinyalin bir kattan dier bir kata aktarlmas ilemidir. Amplifikatrlerde kuplaj ise birinci ykselte katnda ykseltilen sinyalin, ikinci ykselte katnn giriine aktarlmasdr. Bu ilemin en az kaypla gerekletirilmesi gerekir. 6.10.1 TRANSFORMATR KUPLAJI

C1 Q1 Input RE1 CE1

TRF

Q2

Output

105

RE2

CE2

ekil6.27 Basitletirilmi Transformatr Kuplajl Ykselte Transistrl amplifikatrlerin kaskat olarak balanmasnda empedans uygunlatrma ii byk bir nem kazanr. Bir kattan dierine max g transferi salayabilmek iin, ilk amplifikatrn yksek k empedansnn , bundan sonra gelen amplifikatrn dk giri empedansna uygunlatrlmas gerekir. Bu empedans uygunlatrma ii ara transformatr kullanmak suretiyle salanabilir. Bu devrede Q1 transistr vastasyla ykseltilen giri sinyali transformatr ile Q2 transistrnn beyzine kuple edilmitir. Bilindii zere, bir sistemde max enerji transferinin gerekleebilmesi iin birinci kat k empedansnn, ikinci kat giri empedansna eit olmas gerekir. Bu empedanslar eit olmazsa amplifikatr sisteminde, birinci katta ykseltilen sinyalin tamam, ikinci kata gnderilemez. Devrede kayplar meydana gelir. Empedans uygunsuzluunun neden olduu bu kayplar engellemek iin en iyi kuplaj eleman transformatrdr. Transformatrlerde, empedans uygunlatrma ilemi transformatrn primeri (LP) ile sekonderi (LS) arasnda uygun sarm oran vastasyla salanabilir.

Np Ns

Zp Zs

forml, transformatrn dntrme oran ile primer ve sekonder empedanslar arasndaki ilikiyi

aklar. Push-pull g ykseltelerinde kullanlan transformatr, transistrlerin yksek k empedanslarnn, hoparlrn dk empedansna uygunlatrlmasn salar. Transformatrn primeri (Zp) transistrlerin kollektrlerine, sekonderi (Zs) ise dorudan hoparlre baldr.

A snf alan bir push-pull g ykseltecinin k empedans 50 K, kendinden sonraki kademede yer alan hoparlr ses bobini giri empedans 2000 ise max enerji transferinin salanmas iin kullanlacak transformatrn sarm oran ne olmaldr ? Zp=50 K

Zs=2 K

Np = Ns

50 2

=5 5:1 olarak bulunur.

A snf alan bir push-pull g ykseltete max enerji transferinin gereklemesi iin kullanlan transformatrn sarm oran 10:1 dir. Ykseltecin k empedans 50 K ise ykselte kna balanmas gereken hoparlrn empedansn bulunuz.

Np Ns

Zp 10 = Zs

50 K 50 K 100 = Zs = 500 Zs Zs

106

6.10.2 RC KUPLAJI ekil 6.28 RC kuplajl transistrl ykselte sistemi

ekilde kapasitif kuplajl kaskat bir amplifikatr devresi grlmektedir. Devredeki transistrlere, sinyal srasyla C1 ve

C3 kondansatrleri ile kapasitif olarak kuple edilmitir. C5 ise ykseltilmi olarak alnan sinyali ka balanacak olan hoparlre kuple etmek iin kullanlr. Transistr empedanslarndaki hatal uygunlatrmadan dolay kapasitif kuplajl transistrl bir kaskat amplifikatrde oluan kayplar zerinde durulmas gereken bir husustur. Transformatr kuplajl iki katl bir transistrl amplifikatrden elde edilen ayn kazanc, RC kuplajl bir amplifikatrden elde etmek iin iki kattan daha fazla bir amplifikasyona ihtiya vardr. Daha tesirli sonu iin, RC ve transformatr kuplajlarn kark olarak kullanlabilir. Byle devrelerde empedans uygunlatrc transformatr, ykselte katnn k ile hoparlr arasna konulur. 6.10.3 DREKT KUPLAJ ekil 6.29 Direkt kuplajl transistrl amplifikatr

107

Transistrl kaskat amplifikatrlerde direkt kuplaj da kullanlr. Direkt kuplajn stnlkleri, devre eleman saysnda tasarruf salamak ve frekans responsunu dzeltmektir. ekildeki devrede direkt kuplajl iki katl bir amplifikatrn devre emas grlmektedir. Birinci transistrn kollektrnden ykseltilmi olarak alnan sinyal dorudan bir iletken tel ile ikinci ykselte katnn giriine (transistrn beyzine) uygulanmtr. Bu devrede giri ile k arasnda faz fark yoktur.

108

6.10.4 EMPEDANS KUPLAJI ekil 6.30 Empedans kuplajl, transistrl amplifikatr

Empedans kuplajl amplifikatrlerde, RC kuplajl amplifikatrlerde kullanlan direnlerden biri veya ikisi yerine indkleme bobini kullanlmtr. En ok kullanlan ekildeki devredir. Bu devrede kollektr yk direnci yerine bir indkleme bobini konmutur. Bu devreden yksek g verimi elde edilebilir. nk, DC g kayb yok edilmitir. ndkleme bobininin nt reaktans, frekans karakteristiinin alak frekans ksmnn dmesine neden olur. Yksek frekans ksmn ise kollektr kondansatr drr. Transformatr kuplajllarn tersine olarak empedans kuplajl amplifikatrlerin frekans karakteristii, transformatr kuplajllardan daha iyidir. Fakat RC kuplajllar kadar iyi deildir.

BLM VI

TRANSSTRL YKSELTELER 6.1 GR Buraya kadar ilenen konularda elektronikte kullanlan pasif ve aktif devre elemanlar tantlmtr. Bilindii gibi pasif devre elemanlar diren,bobin ve kondansatr, aktif devre eleman olarak yar iletkenler anlatlmtr. Temel yar iletken olarak ta diyot ve transistrler renilmitir. Elektronikte dk akml bir sinyali ilemek, sinyali ykseltmek, ekillendirmek iin ncelikle temel yar iletkenler kullanlr. Elektronik devrelerin temelini ise ykselteler oluturmaktadr. Dolaysyla ncelikle bu konu ayrntl olarak incelenecektir.

Giri Sinyali

ekil 6.1 Temel ykselte blok diyagram

Amplifier ( Ykselte )

k Sinyali

109

ekil 6.1de temel ykselte blok diyagram grlmektedir. Prensip olarak bir ykselte, giriine uygulanan sinyalin frekansnda bir deiiklik yapmadan, genliini veya akmn deitirir. Genel olarak ykseltelerde sinyalin genlii veya akm ykseltilir. Genlik ykseltme olay genellikle amplifierlerin giri blmnde, akm ykseltme olay ise amplifierlerin k blmlerinde yaplr. nk amplifierlerde genel prensip nce dk genlikli sinyalin amplitdn ykseltip, daha sonra akmn kuvvetlendirerek gerekli gce erimektir. Bu balamda ncelikle genlik ykselteleri incelenecektir.

110

6.1.1 TRANSSTRL YKSELTELER Transistrl ykselteler bal altnda incelenecek konuda ilk olarak transistr zellikleri incelenecektir. nk ok kk genlikteki ( Vlar seviyesi ) sinyallerin deiik seviyelere ykseltilebilmeleri iin byle bir elemann zelliklerinin iyice kavranmas gerekmektedir. 6.1.2 TRANSSTRN I. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI Ykseltelerde kullanlacak transistrlerin grafik analizlerini ve devrenin hesaplamalarn yapmak amacyla karakteristik erilerin karlmas gerekir. Bu analizin yaplabilmesi iin aadaki devrenin iyice zmsenmesi, konunun anlalmasn kolaylatracaktr. Bir transistre ait 4. Blge karakteristik erisi mevcuttur. ncelikle I. blgeye ait eriler karlmas konusu verilecektir.

T1

VCE

ekil.6.2 Temel transistrl ykselte DC analiz emas ekilde temel transistrl ykselte devresi analizinin yaplabilmesi iin gerekli devre emas grlmektedir. T 1 transistrnn N.P.N. seilmesinin nedeni akm yolunun kolay takip edilebilmesi ve sk kullanm zelliidir. Devreye dikkat edildiinde VCC ve VBB kaynaklarnn ayarl olduu grlecektir. Bunun nedeni transistre ait karakteristik erilerin deiik voltaj ve akmlarda karlabilmesi iindir. Devrenin alma prensibini anlayabilmek iin ncelikle transistrn kutuplanmasna bakmak gerekir. Bilindii zere N.P.N. tipi transistrn doru ynde polarlanmas iin kollektr, emitere gre ( + ) olmaldr. Ayn zamanda beyz de emitere gre ( + ) olmaldr. Bu durumda emiter elektron yaymaya balayabilir. Bu elektronlarn az bir blm beyz akmn, ounluu ise kollektr akmn oluturur Beyz akm ile kollektr akm arasnda her transistrn yapsna gre deien bir katsay vardr. Buna akm kazanc ad verilir. Akm kazanc deiik kaynaklarda veya hFE ad ile verilebilir. Konularn ilerleyen blmlerinde akm kazanc daha ok olarak kullanlacaktr. Matematiksel IB DEERLER IC olarak transistr ierisindeki kollektr akm ile beyz akmnn ilikisi aadaki gibidir. = Bu oran konunun ilerleyen

VBE

IC ( mA )

IB

12 blmlerinde daha fazla alacaktr.

120 A

Matematiksel ilikiden yorumlanaca zere transistrn beyzindeki akm deiiklii otomatik olarak kollektr akmn da 100 A 10 dorusal olarak etkileyecektir. Ancak bu etkileme belirli alma sahasnda gerekleebilir. Bu sahann belirlenebilmesi iin 80 A 8 transistrn akm erilerini karmak gerekir. Bu ilemin gerekleebilmesi iin ncelikle V CC sabit tutulur. VBB adm adm 60 A deitirilerek bu deiim hem M1, hem de M2 ampermetrelerinden dikkatlice takip edilir.Sonu olarak I. Blge Karakteristii 6 ad verilen eriler elde edilir. 40 A 4

2 0 111 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20 A 10 A

VCE ( Volt )

0 A

ekil.6.3 Transistre ilikin I. blge karakteristik erileri ekil 6.3te transistre ait I. blge karakteristikleri ad verilen eriler grlmektedir. Erilerin kartlmas iin ekil 6.2deki devre kullanlmtr. IB akm deerleri M1 ampermetresinden, IC akm deerleri de M2 ampermetresinden okunur. Karakteristik erinin karlabilmesi iin VBBnin adm adm arttrlarak her akm lmnden nce sabit braklmas gerekmektedir. Bu srada VCC yava yava arttrlr ve ampermetre ve Voltmetrelerden gerekli deerler alnr. Erilerin karlmas ilemine VBB = 0 V. yaplarak balanr. Bu anda VBB gerilimi eik geriliminin ( Si iin 0.6 Volt ) altnda tutulduu iin transistr iletime gemez. Bu esnada VCC ne kadar arttrlrsa arttrlsn, IB ve IC akm deerleri sfr olacaktr. Daha sonraki admda VBB kayna bir miktar arttrlarak sabit braklr ve V CC kayna yava yava ykseltilir. Her ykseltilen voltaj deerinde VCE, IB ve IC deerleri ilgili metrelerden okunur. VCE deerleri Voltmetreden, IB akm deerleri M1, IC deerleri ise M2den okunarak not edilir. Her okunan deer dikkatlice not edilerek, bu deerlerin koordinat eksenine ilenmesi salanr. Sonsuz sayda yaplabilecek bu lmler belirli ve sk aralklarla yapldnda kan erinin ekli daha salkl olur. ekil 6.3.te rnek olarak IB deerinin 40 A olarak alnd erideki VCE deerini len voltmetre 5 Voltu gstermektedir. Bu anda kollektr akm deeri ise yaklak 6 mA llmtr. Bu rnekleri oaltmak mmkndr. Her farkl IB deeri iin farkl IC ve VCE deerleri alnarak, transistrn I. Blge karakteristii tamamlanr. Bu karakteristik eri transistre ait tm verileri kapsamamasna ramen en ok kullanlan eridir. Bu erilere baklarak transistrn, hangi gerilim ve akm deerlerinde alaca, max. ve min. alma snrlar, akm kazanc, yk dorusu ve k empedans hesaplanabilir. Bu konu transistrn ykselte olarak kullanlmas ve analizinde ayrntl olarak ilenecektir. 6.1.3 TRANSSTRN II. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI

VCE = 5V

IC (mA) 12 10 8 6 4 2

IB ( A )

100

112 50

ekil.6.4 Transistre ilikin II. blge karakteristik erisi Bu erinin karlmas iin yine ekil 6.2deki devre kullanlr. VCC voltaj sabit tutularak VCE belirli bir deere set edilir. ( Genellikle VCE = VCC / 2 alnr ) VBB deitirilerek IB nin yava yava arttrlmas salanr. Bu deiimin IC deki etkisi ilgili ampermetreden okunarak not edilir. Kollektr akmnn max. snrna kadar bu deney tekrarlanarak alnan deerlerle karakteristik eri karlr. Eriye dikkat edildiinde beyz akm ile kollektr akmnn arasndaki dorusal oran rahatlkla grlecektir ( = IC / IB ). Ancak bu orann belirli snrlar ierisinde geerli olaca unutulmamaldr. nk her transistrn ulaabilecei max. akm snr vardr. Bu noktaya doyum noktas denir. Yani belirli bir noktadan sonra devreye uygulanan gerilim ne kadar artrlrsa artrlsn; beyz akmnda dolaysyla kollektr akmnda herhangi bir art kaydedilemez. nk transistr doyuma ulamtr. Transistrl ykselte devresi hesaplamalarnda kayda alnacak deerler belirtilen snrlar ierisindeki deerlerdir. 6.1.4 TRANSSTRN III. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI

IB ( A )

100

50

150 300 450 VCE = 5 V 600

ekil.6.5 Transistre ilikin III. blge karakteristik erisi

VCE = 10 V

ekil 6.5te transistre ilikin III. Blge karakteristik erileri grlmektedir. Bu erilerinBE elde edilebilmesi iin yine ekil 6.2deki devre kullanlr. Karakteristik eriye dikkat edildiinde iki adet V CE deeri iin deney yaplm olup bu say oaltlabilir. Bu deneyde VCE deeri nce 5 V. gibi bir deere sabitlendikten sonra VBE deerini arttrmak iin VBB kayna yava yava arttrlr. Bu esnadaki beyz akmnda oluan deiiklikler okunarak not edilir. Ayn ilem ikinci V CE deeri iin tekrarlanr. Bu eriler incelendiinde eitli sabit VCE deerlerinde VBE geriliminin beyz akm zerindeki deiim etkisi grlecektir. Dikkati eken dier0bir1 husus erilerin dorusal deimediidir. 6 Bunun nedeni ise transistrn beyz emiter 2 3 4 5 7

V ( mV )

8 9 10 V voltaj arasndaki gerilim setti blgesinin belirli bir noktaya kadar yaltkan, gerilim settiCE ( V )aldnda ise iletken olmasdr. V CE
gerilimi arttrldnda beyz akmnn da artt gz ard edilmemelidir. 6.1.5 TRANSSTRN IV. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI

IB

0 A 10 A

100

20 A 40 A

200
113

60 A 80 A 100 A

VBE( mV )

ekil.6.6 Transistre ilikin IV. blge karakteristik erisi ekil 6.6da transistre ilikin IV. Blge karakteristik erileri verilmitir. Bu erilerin karlabilmesi iin beyz akm eitli deerlere VBB yardmyla sabitlenerek; VCE gerilimi VCC yardmyla eitli aralklarla deitirilir. Bunun sonucunda deien her VCE gerilimine karlk, etkilenen VBE gerilim deeri not edilir. Bu ilem her IB deeri iin tekrarlanarak karakteristik tamamlanr. Bu karakteristik eriler incelendiinde I. Blge karakteristik erilerinin benzerleri elde edildii grlecektir. Buradaki farkllk, VCE gerilim deerlerinin deitirilen VBE her nokta iin deerlerine gre llen IB akmnn sabit kalacadr. Bu grafikteki eriler kullanlarak transistrn kollektr beyz arasndaki, gerilim geri beslemesini bulmak mmkndr. Bu oran matematiksel olarak; N = VBE / VCE eklinde ifade edilir. 6.2 I. BLGE KARAKTERSTK ERLER ZERNDEN TRANSSTRN IKI EMPEDANSI, AKIM KAZANCININ BULUNMASI VE YK DORUSUNUN ZLMES Transistrn almasn iyice kavrayabilmek iin konu balnda geen k empedans, akm kazanc gibi parametrelerin bulunarak yk dorusu izimini renmek gerekmektedir. Bu ilemler iin ilk parametre olarak transistrn k empedansnn bulunmas gerekmektedir. 6.2.1 I. TRANSSTRN IKI EMPEDANSININ BULUNMASI Herhangi bir elektronik sisteminde kaynak ile ykn ayn empedansta bulunmas sistemin verimini % 100e yaklatrr. Aksi takdirde sistemin verimi der. Sistemde sinyal veya g kayb oluur. Bunun nne geebilmek amacyla transistrn de k empedansnn hesaplanmas gerekmektedir. Bunun nedeni de transistrn ykselte olarak kullanlmas ve bu ykseltecin kna yk olarak balanacak elemann deerinin hesaplanmas, dolaysyla sistemin max. verimle almasdr. Bu ilemin gerekletirilmesi iin transistre ait I. Blge karakteristik erileri kullanlacaktr.

IC ( mA ) 12 10 8 6 4 2 0 114 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A B C

IB deerleri 120 A

80 A 40 A

0 A VCE ( Volt )

ekilde verilen grafik erileri zerinden rnekte verilen transistrn k empedansnn hesaplanmas olduka koleydirr. Bu ilem iin herhangi bir IB erisi seilir. Bu eriden VCE ve IC eksenlerine dikler izilir. Ancak aktif alma alannn belirlenebilmesi iin, tek IB erisi zerinden iki farkl voltaj ve akm deerinin alnmas gerekir. Bu noktalar dikkate alndnda karakteristik zerinde bir ( ABC ile gsterilmitir ) dik gen oluur. Bu gen zerinde yaplacak VCE / IC oranndan transistrn k empedans aadaki gibi bulunabilir. rnek olarak alnan IB erisi zerinden VCE1 = 5.8 V, VCE2 = 6.2 V, IC1 = 5mA, IC2 = 7 mA deerleri alnsn. Bu nokta aralklarndan yararlanarak yaplacak empedans hesaplamas aadaki forml yardmyla bulunacaktr. ZO =

VCE VCE 2 VCE 1 = I C IC 2 IC1 6,2 5,8 0,4 = = 0,2 75 2

ZO =

K = 200 .

Bu deer farkl bir IB erisi zerinden farkl bir gerilim / akm aral iin hesaplandnda daha farkl bir empedans elde edilir. Yani bu ayn eriler kullanlarak rneklerin oaltlabilecei anlamna gelir. Bir transistrn k empedans hesaplanrken hesap yaplan akm ve gerilim seviyesi ok nemlidir. Bu da transistrn nerelerde kullanlabileceinin seimi iin tasarmcnn dikkat etmesi gereken bir konudur. Buradan karlacak en nemli sonu karakteristik eriler zerinden transistrn hangi gerilim ve akmda, hangi yk hangi empedansta besleyeceinin kolayca belirlenebilmesidir. Bu nedenle zellikle I. Blge karakteristik erilerinin ok byk titizlikle renilmesi gerekir. k empedansnn bulunmasndan sonra akm kazancnn nasl bulunduu anlatlacaktr. 6.2.2 TRANSSTRN ( ) AKIM KAZANCININ BULUNMASI Bu blmde yine transistre ait I. Blge karakteristik erilerinden faydalanlacaktr.

IC ( mA ) 12 10 8 6 4 2 0

IB deerleri 120 A 100 A 80 A 60 A 40 A 20 A 10 A

Transistrn akm kazancnn hesaplanabilmesi iin aadaki ilem basamaklar izlenmelidir. ekilde grld gibi sabit bir VCE gerilimi seilerek iki farkl IB erisi iaretlenir. Seilen VCE gerilim deerinin0genellikle lineer ortamda olmas A 2 4 5 6 7 9 istendii iin yaklak olarak VCC1 nin yars 3 seilir. nekte verilen IB8 deerleri10 ve VCE ( Volt ) Bunlara karlk gelen IC 20 40 A dir. deerleri ise dikey eksenden 4 ve 6 mA olarak bulunur. Akm kazanc ise aadaki formlle bulunur.

115

I C I B

IC 2 I IB 2 I =

1 1 B

64 2mA = = 100 40 20 20 A

Sonuca bakldnda beyz akm ile kollektr akm arasndaki oran grlmektedir. Bunun anlam transistrn aktif alma blgesinde verilen her beyz akmna karlk kollektrden kat kadar akm geeceidir. Ancak bu ykseltme limiti sonsuz olmayp transistrn alma snr ierisindedir. Daha nce de anlatld gibi her transistrn akm ve gerilim olarak min. ve max. alma deerleri vardr. Dikkat edilmesi gereken dier bir husus, hesaplama yaplrken farkl IB deerleri alndnda kan akm ykseltme katsaysnn ayn olmas gerektiidir. Eer bu durum gereklemiyor ise transistrn aktif alma blgesi dna klm demektir. Bu kavram sadece aktif alma blgesi iin geerlidir. 6.2.3 YK DORUSUNUN ZLMES

IC ( mA ) 12 10 8 6 4 2 0 RL

IB deerleri 120 A 100 A 80 A 60 A 40 A 20 A 10 A

Bir ykseltete kullanlacak transistre ait yk dorusunun izimi olduka basittir. Bilindii gibi bir dorunun izilebilmesi 0 A iin iki nokta yeterlidir. Noktalarn birincisi VCE nin max. I6 nin 7ise min. olduu durumdur. Volt ) anlam transistrn ak 1 2 3 4 5 C 8 9 10 V ( Bunun devre gibi dnlmesidir. Bilindii zere ak devre teorisinde gerilim max. akm ise min. yani 0 olmasdr. Bu durumda 1. nokta VCE = VCC, IC = 0 olur. Dier noktann belirlenmesi iin de transistrn ak devre gibi dnlmesi gerekir. Bu anda da VCE gerilimi min., IC akm deeri de max. olacaktr. Bu nokta da koordinat ekseninde belirlendikten sonra bir doru izilir. Bu doruya yk dorusu denilir. Devreye uygun ykn omik deeri aadaki gibi hesaplanr.
CE

RL =

VCE max IC max

10 = 12

0.83 K

Bunun anlam rnek olarak verilen grafikteki transistrn kna balanabilecek uygun empedanstaki yk deeri olmasdr. Yk dorusu izildikten sonraki aama alma noktasnn seilmesidir. alma noktasnn belirlenmesi ise transistrl ykseltecin alma snfn belirler. alma snfnn belirlenmesi, transistrl ykseltecin hangi alanda, hangi

116

frekansta, hangi gte ve gerilimde alaca sorularn yantlar. Bu nedenle alma snflarnn ok iyi bir ekilde renilmesi gerekmektedir. 6.3 TRANSSTRL YKSELTELERN ALIMA SINIFLARI Bir nceki konuda belirtildii gibi ykseltelerin alma alann ve alma eklini belirleyebilmek iin, ncelikle alma snfnn seilmesi gerekir. Genel olarak 4 eit alma snf mevcuttur. Bunlar A Snf, B Snf, C Snf ve AB Snfdr. Amplifierler alma snf bakmndan ayrlsa dahi genel olarak bir btn halinde incelenmelidir. Dolaysyla alma snflarndan nce bir amplifier sisteminin tamamnn incelenmesi gerekmektedir. Bir amplifierin tamam aada gsterilen bloklardan meydana gelir. Giri Sinyali k

Pre Amplifier (n Ykselte)

Driver Amp. (Src Yk.)

Power Amp. ( G Yk. )

Sinyali

ekil6.7 Komple ykselte blok diyagram

117

ekil 6.7de grld gibi bir ykselte sistemi temel olarak blmden olumaktadr. Ykseltilecek dk genlikteki sinyal ncelikle n ykseltete genlik bakmndan ykseltilir. Daha sonra gelen src kat ise n ykselteten gelen sinyali uygun empedansta k katna aktarr. k katnda ise istenen g elde edilir. Her bir katta kullanlan alma snf farkl olacandan, bu katlarda hangi alma snfnn kullanlaca ve nedenleri bundan sonraki blmlerde ayrntl olarak incelenecektir. 6.3.1 A SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES A snf ykseltecin genel alma prensibi, sinyalin tmnn ( 360 ) ykseltilmesi esasna dayanr. Bunun iin transistrn alma noktasnn, yk dorusunun tam ortasnda seilmesine zen gsterilir.

IC ( mA ) 12 10 8 6

DOYUM ( SATURATION )

IB deerleri 120 A 100 A 80 A

60 A ekil.6.8 I. blge karakteristik eri zerinden A snf almann belirlenmesi Q 40 A 4 Transistrn alma noktas ykselte giriinde herhangi bir sinyal yok iken ( bo alma ) llen IB, IC ve VCE 20 A deerleri ile2 tespit edilir. Bu deerler transistrn bota ektii akmlar ve zerindeki gerilim deerleridir. Bu parametreler skunet deerleri olarak ta anlr. Eer bu parametreler llemiyorsa karakteristik eriden faydalanlarak bulunur. Bu aamadan sonra giri sinyalinin snrlar belirlenerektransistrn kollektrnden 10 A 0 geecek akm hesaplanr. Bu deer rnekte olduu gibi beyz akm snrlar: KESM IB Min = 0 A, IB Max = 120 A; ( CUT - OFF ) buna karlk elde edilecek kollektr akm snrlar ise: IC Min = 0 mA, IC Max = 10 mA; dir. 0 A Yine bu snrlar ierisinde VCE nin alaca deerler7ise; 8 1 2 3 4 5 6 9 10 VCE ( Volt ) VCE MN = 1.8 Volt; VCE MAX = 9.2 Volttur. Bu deerlerin anlam transistrl ykseltece uygulanmas gereken en dk ve en yksek sinyal deerlerinin belirlenmesidir. Bu noktalar dikkate alndnda, transistrn aktif alma blgesi iinde yer aldklar grlecektir. Giri sinyali, beyz akmn belirtilen snrlarn dna karr ise; doal olarak kollektr akmnn alt ve st deerleri de aktif alma blgesinin dna itilir. Byle bir durumda transistrn alma snf deiir. Sinyalin tm ykseltilemez ve sinyal kesintiye urar. Bu da A snf alma iin istenmeyen bir durumdur. ekil 6.9da transistrl ykseltece, ykseltilecek deiken sinyalin nasl uygulanaca gsterilmitir. ekil.6.9 A snf alan tek transistrl ykselte ekil 6.9 dikkatle incelendiinde giri sinyalinin transistrn beyzine uyguland, k sinyalinin ise

AKTF BLGE

Vout k

kollektrden alnd grlecektir. Eer girie herhangi bir sinyal uygulanmasa idi transistr, karakteristik eride Q alma noktasnda sabit akmla alacak ve sinyal deiimi olmayacak idi. Ancak devre giriinden uygulanan sins formlu sinyal VBByi arttracak veya azaltacak ekilde giriim yapacaktr. Bu nedenle transistrn polarmas giri sinyaline gre sinyal geldii srece deiecektir. Giriten uygulanan sinyal DC seviyenin zerine ktnda beyz akm artacak, buna bal olarak ta kollektr akm artacaktr. Dolaysyla giriten uygulanan dk genlikli sinyal izin verilen VCE snrlar ierisinde ykseltilmi olarak nce akma ( IC ), daha sonrada RL zerinden gerilime

118

evrilecektir. Yaplan ilemin esas VBBnin zerine giri sinyalini ykleyip, nce beyz akmnda, daha sonra da kollektr akmnda bir deiiklik yapmaktr. Yaplan bu deiiklik ekil olarak giri sinyali formunda olacandan, ktan alnan sinyalin ekli de giri sinyali ekliyle ayn olacaktr. Sonu olarak giri sinyalinde yaplan dk genlikteki deiim, beyz akm ile kollektr akmnn farkl olmas nedeniyle, ykselte kndan daha yksek genlikli olarak alnabilecektir. Ancak, giri sinyali karakteristik erilerde belirtilen snrlar dna tatnda transistr bu sinyali kesintiye uratacaktr. Eer sinyal seviyesi izin verilen seviyenin stne karsa; transistr doyuma ( Satration ) geer. Sinyal seviyesi bu snrn altna derse o zaman transistr kesime (Cut Off ) geer. Dier bir deyimle bu blgelere kldnda ktan sinyal alnamaz. A snf alma genellikle amplifierlerin giri katlarnda bulunan gerilim ykseltelerinde kullanlan bir alma eklidir. Bunun nedeni sinyalin tamamnn src katna aktarlmas gerekliidir. 6.3.2 AB SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES AB snf almada transistr giri sinyalinin 1800 -3600 boyunca iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bylelikle Ic kollektr akm giri sinyalinin %51-%99u boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternanstan daha ksa sre ile kesimde tutulmas gerekir. Hatrlanaca zere A snf almada transistr VBEQ statik giri gerilim deeri her zaman ykseltece uygulanan giri sinyalinin maksimum deerinden daha byk olacak ekilde bayaslanmaktayd. Bunun sonucu olarak ta giri sinyali hibir zaman transistr ters bayasa gtrememekte ve de giriin 3600si boyunca kollektr akm akmaktadr. AB snf almada VBEQ statik giri sinyali ykseltece uygulanan giri sinyalinin maksimum deerinden daha kk olacak ekilde bayaslanmak suretiyle, transistrn bir alternanstan daha ksa sre ile kesimde tutulmas salanr. Buna gre giriin %51-%99u Ic akm akmaktadr.

IC

Operating Point

ekil.6.10 AB snf alan transistrn dinamik transfer erisi

Output IC

IB

ekil 6.10da grlen AB snf almaya ait dinamik transfer erisi incelendiinde alma noktasnn erinin lineer ksmnn orta noktas ile 0 noktas arasnda seildii grlmektedir. Yukardaki eride transistrn kesime gtrld alanda kollektr akmnn akmamasndan dolay RL kollektr yk zerine den gerilim 0 Volt olacandan (V RL=Ic*RL) k sinyali Vcc olarak grlecektir.

Input Signal

0,5Vp-p k Sinyali +25V Giri Sinyali VBE =0,2V 119 0

ekil.6.11 AB snf alan transistrl ykselte devresi AB snf ykselteler, A snf ykseltelere gre daha iyi verim ve daha kt sadakat ( fidelity ) zellii tamaktadrlar. Bu zellikten dolay AB snf ykselteler k sinyalinin giriin tam benzeri olmas durumunun gerekli olmad durumlarda kullanlrlar. ekil 6.11de AB snf alan transistrl ykselte devresi ve bu devreye ait giri / k dalga ekilleri grlmektedir.

0,45V

Yanda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmektedir. Bu eride bir alternanstan daha ksa sre ile transistrn ters bayasland grlmektedir.

0,2V

-0,05V

120

6.3.4

B SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES

ekil 6.12de grld gibi B snf almada transistr, giri sinyalinin 1800lik blmnde iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bylelikle kollektr akm ( IC ), giri sinyalinin %50si boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternans sre ile kesimde tutulmas gerekir. B snf almada VBEQ statik giri sinyali 0 Volt olacak ekilde bayaslanmak suretiyle, transistrn bir alternans sre ile iletimde tutulmas salanr. Buna gre giriin %50lik blmnde Ic akm akmaktadr. Transistre statik durumda 0 V bayas uygulanmas A ve AB snf almada kullanlan RD direncinin kullanlmamas anlamna gelir. Buna gre Transistrn dinamik durumu tamamen giri sinyali tarafnda belirlenmektedir. Devreye uygulanan giri sinyalinin pozitif alternansnda (NPN Tr.) iletim gerekleirken negatif alternansta ters bayas durumundan dolay Cut-Off durumu oluacaktr. Bylelikle de giri sinyalinin 1800 lik blmnde iletim, 1800 lik blmnde de kesim durumu oluacaktr.

IC

Operating Point 0

Output IC

IB

ekil.6.12 B snf alan transistrn dinamik transfer erisi

Input Signal
ekil 6.13de B snf alan transistrl ykselte devresi grlmekte olup transistre balangta dc kaynaktan doru bayas uygulanmamaktadr. Bylece giri sinyalinin + alternans iletim, - alternans da kesim durumunu oluturmak suretiyle 1800lik iletim ve de 1800lik kesim durumu oluturulur.

0,5Vp-p k Sinyali Giri Sinyali +25V

1ms

1ms

2 msn.

121

ekil.6.13 B snf alan transistrl ykselte devresi

Yanda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmek-

0,25V 0V -0,25V

tedir. Bu eride bir alternans sre ile transistrn doru dier alternans sresince de ters bayasland grl-mektedir.

6.3.4 C SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES C snf almada transistr giri sinyalinin 0 - 1800 lik blmnde iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bu durum ekil 6.14da grlmektedir. Bylelikle Ic kollektr akm giri sinyalinin %1 - %50si boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternanstan daha az sre ile iletimde tutulmas gerekir.

ekil 6.15de grlen C snf almada VBEQ

statik giri sinyali

negatif olacak ekilde bayaslanmak suretiyle,

transistrn bir alternanstan daha az sre ile iletimde tutulmas salanr. Negatif bayas miktar ykselte giriine uygulanan sinyalin maksimum genliinden daha az olmaldr. Giriin negatif alternansnda tamamen kesimde tutulan transistr, pozitif alternansn bir blmnde de (negatif bayas alncaya kadar) kesime gtrlmekte, bylelikle de toplam kesim zaman %51-%99 olacandan iletim zaman da %1-%49 olmaktadr.

IC

0,6ms

1,4ms

0
ekil.6.14. C snf alan C transistrn dinamik transfer erisi.

Output I

Operating Point Input Signal k Sinyali 0,6ms

IB

0,5Vp-p

1,4ms

Giri Sinyali 122 2 msn.

+25V

ekil.6.15 C snf alan transistrl ykselte devresi.

123

+0,15V 0V -0,1 V -0,35V

Yukarda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmektedir Bu eride. bir alternanstan daha az sre ile transistrn bayasland grlmektedir Bylelikle de iletim zaman giri sinyalinin %1-%49u boyunca kollektr akm akacaktr. 6.4 TRANSSTRL YKSELTELERN BALANTI EKLLERNE GRE ANALZ Buraya kadar ilenen blmde ykseltelere ilikin temel esaslar verilmitir. Bu bilgilerin altnda bir transistrl ykseltecin analizini yapmak mmkndr. Bu analiz, balant ekillerine gre amplifierlerin snflandrlmas konusu ile ayn anda ilenecektir. Balant ekillerine gre ykselte tipleri 3e ayrlr: 456Emiteri ortak ( mterek ) ykselte ( common emitter ), Beyzi ortak ykselte ( common base ), Kollektr ortak ykselte ( common collector ).

0,5 Vp-p

Yukarda sralanan ykseltelerden en sk ve yaygn kullanm alan olan, emiteri ortak ykseltetir. Bu nedenle bu balant eklinin analizi dikkatlice renilmelidir. Emiteri ortak balant tipinde, giri sinyali beyz - emiter arasndan uygulanr; k sinyali ise kollektr emiter arasndan alnr. Burada dikkat edilirse emiter hem girite, hem de kta kullanlmtr. Bu nedenle devrenin asesini ( toprak ) oluturmaktadr. Giriten uygulanan sinyal, amplifierin kazan katsaysna bal olarak ykseltilir. ktan alnan sinyal ile giri arasnda 180 faz fark oluur. Bunun nedeni kollektr beyz blgesinin, emiter beyz blgesine gre ters polarlanm olmasdr. Dier balant tiplerine oranla en yksek kazan bu tip balant eklinde elde edilir. Bu nedenle genellikle amplifierlerin giri katlarnda gerilim ykselteci olarak ( Pre Amplifier ) kullanlr. Beyzi ortak tip ykselte ise genellikle yksek frekans uygulamalarnda kullanlan bir balant eklidir. Beyzi ortak tip ykseltecin akm kazanc 1den kktr. Kollektr ortak tip ykselte ( emitter follower ) ise, empedans uygunlatrc olarak kullanlr. Bu tip ykseltelerde k emiterden alnr. Bu ykselte tipinin gerilim kazanc 1den kktr. Yukarda anlatlan ykselte tiplerinin analizi sra ile verilecektir. 6.4.1 EMTER MTEREK DEVRE ANALZ

+VCC=25V

RD=247K Input CC RBE=3K 124

RL=5K Output

ekil 6.16 Transistrl Ykselte Devresi.

7 6 5 4 3 2 1
17

IC ( mA ) B

IB DEERLER 200 A 175 A 150 A 125 A 100 A 75 A 50 A

0 A

ekil6.

10

20

30 A VCE VCE ( Volt )

2N118 Transistrne ait emiteri mterek k karakteristik erisi. Emiteri mterek ykselte analizi grafik metot kullanlarak basamak basamak incelene-cektir. Bu tip analizin dier bir ad da YK HATTI ANALZDR. Analize geilmeden nce ykseltete kullanlan transistrne ait emiteri mterek k karakteristik erisi elde edilmelidir. Bu maksatla yukarda karakteristik eri verilmi olup her trl veriler bu eri zerinde iaretlenip, yine eri zerinden okunmaktadr.

Analiz Verileri: Vcc=25V, RL=4.16 K, RBE=3 K, , RD=247 K, Giri Sinyali 50A p-p, 2N118 Transistrnn kullanld Emiteri Mterek Ykselte devresi verilmektedir.
AAMA 1 : Yk hattnn izilmesi. Yk hatt bir ykselte devresinde tm akm-gerilim ilikileri ile ilgili deerler sunan, herhangi bir andaki giri deerlerine karlk gelen statik ve dinamik k deerlerini bulmamza yardmc olan bir eri olup A ve B olarak isimlendirilen iki noktann birletirilmesi ile elde edilmektedir. A Noktas :Transistrn kesim durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn Ic kollektr akmnn 0 A olmas gerekir. Buna gre RL yk zerinde gerilim dm olmayacandan tm kaynak gerilimi transistrn VCE knda grlecektir. Bu gerilim VCC gerilimine eit olacaktr. Sonu olarak; A noktas maksimum kollektr voltaj olup deeri VCC ile belirlenir. Bu durumda yatay eksende Vcc = 25 V deeri A Noktas olarak iaretlenir. (25V - 0A koordinatlar A noktasn vermektedir)

125

B Noktas :Transistrn doyum durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn kollektr-emiter i direncinin 0 olduu kabul edilerek kollektr akm hesabnda sadece R L direnci dikkate alnarak hesaplanmaktadr. ICmax=Vcc/RL =25 V / 4.16 K ICmax = 6 mA olur. Bulunan deer B noktas olarak karakteristik eri IC ekseninde iaretlenir. (0V - 6mA koordinatlar B noktasn vermektedir). imdi yaplmas gereken A ve B noktalarnn birletirilmesidir. Elde edilen doru YK HATTI olarak adlandrlr. Bu doru ykseltete mmkn olan btn giri deerlerine karlk k deerlerinin bulunmasnda kullanlacaktr. maksimum kollektr akm

AAMA 2 : Q alma noktasnn bulunmas : Quiescent Point ve de ksaca Q alma noktas olarak adlandrlan bu nokta ile bir ykseltecin giri sinyali

uygulanmad (STATK) durumda transistrn Vcc zerinden ald bayas neticesinde VCEQ ve ICQ skunet durumu deerlerinin elde edilmesi ile bulunmaktadr. Buna gre bir ykseltece giri sinyali uygulanmad halde V CEQ ve ICQ olarak bilinen k akm ve gerilim deerlerine sahip olduu sylenebilir. Q alma noktas yk hatt ile skunet durumu beyz akm (IBQ) erisinin birletirilmesi ile elde edilmektedir. Bu maksatle Sukunet durumu IBQ deerinin bulunmas gerekmektedir. RT = RBE + RD RT = 3 K + 247 K RT = 250 K IBQ = VCC / RT IBQ =25 V/ 250 K IBQ = 100 A

100A beyz erisi ile yk hattnn kesitii nokta Q alma noktas olarak iaretlenir.

7 6 5 4

IC ( mA ) B

IB DEERLER 200 A 175 A 150 A 125 A

Q 3 2 1
AAMA 3 : Giri sinyalinin uygulanarak b - vbe deiimlerinin bulunmas:

100 A 75 A 50 A

0 A

0 10 20 126

A 30 VCE ( Volt )

IB

Igiri

IB

100 A

+25A

+125A +100A Time

-25A 0
IBQ Beyz Akm (Dinamik durum)

+75A 0 Time
A)

Time
B) Giri Sinyali C) IB

Yukarda grld zere 100A skunet durumu (IBQ) deeri giri sinyaline bal olarak 25A peak yukarya ve de 25 A aaya olmak zere IB akmnn 75 A ile 125 A arasnda dalgalanmasna sebep olmaktadr. Bu dalgalanmann VBE beyz geriliminde yol at deiim :

VBEQ = IBQ * RBE

VBE(MN) = IB(MN) * RBE

VBE(MAX) = IB(MAX) * RBE VBE(MAX) =125 A * 3K

VBEQ = 100 A * 3K VBEQ = 0.3 V

VBE(MN) = 75 A * 3K

VBE(MN) = 0.225 V

VBE(MAX) =0.375 V

VBE 0.375 V
v

0.3 V 0.225 V

0.15 V

VBE=vIB * RBE vVBE=50A * 3 K vVBE= 0.15 V

Emiter

Akm

eittir. IE = IB + IC

Time

Beyz akm ile Kollektr akmlarnn

toplamna

IE =0.1mA+ 3mA = 3.1mA olarak bulunur. AAMA 4 : k akm deiikliinin bulunmas:

IB DEERLE R 200 A 175 A

7 IB 3.5 mA IC 6 5 4 3 20 1 B

IC ( mA )

150 A 125 A 100 A

C Q 127

75 A 50 A

D 2.5 mA

10

20

30 VCE (Volt) VCE

10 V

12.5V 15 V

k akm deiikliinin bulunmas iin ncelikle C ve D noktalarnn iaretlenmesi gerekmektedir. 3. aamada Beyz akm deiiklii hesaplanmt. Elde edilen deerler Beyz akmnn 75 A - 125 A arasnda deitiini gstermekte idi. Buna gre 75 A Beyz akm erisi ile 125 A Beyz akm erilerinin Yk hattn kestii noktalar C ve D noktalar olarak iaretlenir. Bu noktalardan Ic eksenine dik izilmek suretiyle 2.5 mA - 3.5 mA kollektr akm deerleri bulunmaktadr. IC1 =3.5 mA IC2 =2.5 mA vIc= IC1 - IC2 = 3.5mA-2.5mA =1mA

AAMA 5 : k gerilim deiikliinin bulunmas: C ve D noktalarndan VCE eksenine dik inilmek suretiyle giri sinyalindeki deiime bal olarak kollektr k gerilim deiiklikleri elde edilebilir. VCE1 =15 V VCE2=10 V vVCE = VCE1 - VCE2= 15 V -10 V=5 V

AAMA 6 : Akm kazancnn bulunmas:

k Kazan = Giri Ai = Akm Kazanc =

k Akm Deiiklii Giri Akm Deiiklii

Yukardaki formllerde grld gibi kazanc temsil eden A harfi i ilavesiyle akm kazancn temsil etmekte olup k akm deiikliinin giri akm deiikliine oran olarak tarif edilmektedir.

Ai =

vIC vIB

3.5 mA -2.5 mA = 125 A - 75 A =

1 mA 50 A =

1000 A 50 A

= 20

Bulunan deer ile; k akm deiikliinin giri akm deiikliinin 20 kat olduu anlalmaktadr. AAMA 7 : Voltaj kazancnn bulunmas:

128

k Kazan = Giri 5V 33.33 = 0.15 V 0.375 V - 0.225 V 15 vVCE vVBE 15 V -10 V Av = Akm Kazanc =

k Voltaj Deiiklii Giri Voltaj Deiiklii

Av =

AAMA 8 : G kazancnn bulunmas: Ap = Av * Ai = 33.3 * 20 = 666.6 olarak bulunur.

129

6.4.2 BEYZ MTEREK DEVRE ANALZ

Input 2 mA p-p RE=325

RBE 175

Output RL 4,16 K

VEE= -1,5 V

VCC= + 25 V

ekil6.18 Transistrl Ykselte Devresi.

7 6 5 4 3 2 1

IC ( mA ) B

IE DEERLER

-7 mA -6 mA -5 mA -4 mA -3 mA -2 mA -1 mA 0 mA

0 10 20

A 30

VCB

ekil 6.19 2N118 Transistrne ait beyzi mterek k karakteristik erisi.

130

Beyzi mterek ykselte analizi grafik metot kullanlarak basamak basamak incelenecektir. Bu tip analizin dier bir ad da YK HATTI ANALZDR. Analize geilmeden nce ykseltete kullanlan transistrne ait beyzi mterek k karakteristik erisi elde edilmelidir. Bu maksatla yukarda karakteristik eri verilmi olup her trl veriler bu eri zerinde iaretlenip, yine eri zerinden okunmaktadr.

Analiz Verileri: Vcc=25V, VEE= -1,5 V, RL=4,16 K, RBE=175 , RE=325 , 2N118 Transistrnn kullanld beyzi mterek ykselte devresi verilmektedir.

Giri Sinyali 2 mA p-p,

AAMA 1 : Yk hattnn izilmesi. Yk hatt bir ykselte devresinde tm akm-gerilim ilikileri ile ilgili deerler sunan, herhangi bir andaki giri deerlerine karlk gelen statik ve dinamik k deerlerini bulmamza yardmc olan bir eri olup A ve B olarak isimlendirilen iki noktann birletirilmesi ile elde edilmektedir. A Noktas :Transistrn kesim durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn Ic kollektr akmnn 0 A olmas gerekir. Buna gre RL yk zerinde gerilim dm olmayacandan tm kaynak gerilimi transistrn VCB knda grlecektir. Bu gerilim VCC gerilimine eit olacaktr. Sonu olarak; A noktas maksimum kollektr voltaj olup deeri VCC ile belirlenir. Bu durumda yatay eksende Vcc = 25 V deeri A Noktas olarak iaretlenir. (25V - 0A koordinatlar A noktasn vermektedir) B Noktas :Transistrn doyum durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn kollektr-emiter i direncinin 0 olduu kabul edilerek kollektr akm hesabnda sadece R L direnci dikkate alnarak hesaplanmaktadr. Icmax=Vcc/RL =25 V / 4.16 K Icmax = 6 mA bulunan deer B noktas olarak karakteristik eri Ic ekseninde maksimum kollektr akm

iaretlenir. . (0V - 6mA koordinatlar B noktasn vermektedir)

131

C RL=325

E RL=4,16 K

VEE= -1,5 V

Vcc=25V

ICmax=Vcc/RL formlnde RE diren deerinin RL diren deerinin 1/10 deerinden daha kk olmas sebebiyle hesaplamalarda RE deeri dikkate alnmaz. Yanda transistrn doyum durumu edeer devresi grlmekte olup Vcc ve VEE kaynaklar seri ve toplanr (25+1,5) toplam gerilimin R L+RE (4.16K + 0,325K) toplam diren deerine oran ICmax deerini oluturmaktadr. Ancak hesaplamalarda RL diren deeri 10*RE deerinden daha byk olduundan hesaplamalarda RL ihmal edilmektedir. ICmax =Vcc/RL forml ile maksimum kollektr akm hesaplanmaktadr. imdi yaplmas gereken A ve B noktalarnn birletirilmesidir. Elde edilen doru YK HATTI olarak adlandrlr. Bu doru ykseltete mmkn olan btn giri deerlerine karlk k deerlerinin bulunmasnda kullanlacaktr. AAMA 2 : Q alma noktasnn bulunmas : Quiescent Point ve de ksaca Q alma noktas olarak adlandrlan bu nokta ile bir ykseltecin giri sinyali V CBQ ve ICQ skunet durumu

uygulanmad (STATK) durumda transistrn Vcc zerinden ald bayas neticesinde bilinen k akm ve gerilim deerlerine sahip olduu sylenebilir.

deerlerinin elde edilmesi ile bulunmaktadr. Buna gre bir ykseltece giri sinyali uygulanmad halde V CBQ ve ICQ olarak Q alma noktas yk hatt ile skunet durumu emiter akm (I EQ) erisinin birletirilmesi ile elde edilmektedir. Bu maksatla skunet durumu IEQ deerinin bulunmas gerekmektedir. RT = RE + RBE RT =325 + 175 RT = 500 IEQ = VEE / RT IEQ =1,5V/ 500 IEQ = 3 mA

3 mA emiter erisi ile yk hattnn kesitii nokta Q alma noktas olarak iaretlenir.

IE DEERLER

-7 mA -6 mA -5 mA -4 mA -3 mA -2 mA -1 mA 132 0 mA VCB

7 6 5 4 3 2 1

IC ( mA ) B

II DEERLER E ERLER E

-7 mA -6 mA -5 mA -4 mA Q -3 mA -2 mA -1 mA 0 mA

ekil 6.20 Karakteristik eride Q alma noktasnn elde edilmesi.

10

20

30 A

VCE ( Volt )

VCB (V)

CQ CBQ ekil 6.20de grlen karakteristik eride Q noktasndan VCB ve IC eksenlerine dik inilerek statik alma durumu

I =3 mA

=12,5V

deerlerini gsteren ICQ ve VCBQ deerleri okunur. VCBQ =12,5V ICQ = 3 mA AAMA 3 : Giri sinyalinin uygulanarak IE deiiminin bulunmas:

Time 0 +1mA -3mA IE -1mA

A) IEQ Akm (Dinamik durum)

Igiri

IE

Time

-1mA -2 mA -3mA Time -4mA

B) Giri Sinyali C) IE Emiter

Yukarda grld zere 3mA skunet durumu (IEQ) deeri giri sinyaline bal olarak 1mA peak yukarya ve de 1mA aaya olmak zere IE akmnn 2mA ile 4mA arasnda dalgalanmasna sebep olmaktadr. AAMA 4 : k akm deiikliinin bulunmas: k akm deiikliinin bulunmas iin ncelikle C ve D noktalarnn iaretlenmesi gerekmektedir. 3. aamada emiter akm deiiklii hesaplanmt. Elde edilen deerler emiter akmnn 2mA ile 4mA arasnda deitiini gstermekte idi. Buna gre 2mA emiter akm erisi ile 4mA emiter akm erilerinin yk hattn kestii noktalar C ve D noktalar olarak iaretlenir. Bu noktalardan Ic eksenine dik izilmek suretiyle 2.5 mA - 3.5 mA kollektr akm deerleri bulunmaktadr. IC1 =3.5 mA IC2 =2.5 mA

133

vIc= IC1 - IC2 = 3.5mA-2.5mA =1mA

7 6 5 3.5 mA 4 IC 2.5 mA 3 B

IC ( mA )

IE ERLER

-7 mA -6 mA IE C Q D -5 mA -4 mA -3 mA -2 mA 20 30 -1 mA 0 mA

2 1 0

10

VCB (V)

AAMA 5 : k gerilim deiikliinin bulunmas:

VCB
C ve D noktalarndan VCB eksenine dik inilmek suretiyle giri sinyalindeki deiime bal olarak kollektr k gerilim deiiklikleri elde edilebilir.

10 V
VCB1 =15 V VCB2=10 V vVCB = VCB1 - VCB2= 15 V -10 V=5 V AAMA 6 : Akm kazancnn bulunmas:

12.5V 15 V

k Kazan = Giri
Yukardaki formllerde grld gibi kazanc temsil eden A harfi

k Akm Deiiklii Ai = Akm Kazanc = Giri Akm Deiiklii

i ilavesiyle akm kazancn temsil etmekte olup k

akm deiikliinin giri akm deiikline oran olarak tarif edilmektedir.

Ai =

vIC vIE

3.5 mA -2.5 mA 4mA 2mA

1 mA = 2 mA =

0,5

Bulunan deer ile; akm kazancnn 1den kk olduu grlr. AAMA 7 : Voltaj kazancnn bulunmas:

k Kazan = Giri 134 Av = Akm Kazanc =

k Voltaj Deiiklii Giri Voltaj Deiiklii

Av =

vVCB vVBE

15 V -10 V = vIE * RBE =

5V = (2mA * 325)

5V = (0,35V)

14,28

AAMA 8 : G kazancnn bulunmas: Ap = Av * Ai = 0,5 * 14,28 = 7,14 olarak bulunur.

135

6.5 G YKSELTELERNE GR Bir ykselte sistemi, bir kk sinyal ykseltecinden (preamplifier), bir byk sinyal ykseltecinden ve bir k transducerinden (hoparlr) oluur. Giri sinyali genellikle kktr ve bir k cihazn altrmak iin kullanlabilecek dzeyde ykseltilmelidir. Bu nedenle ykseltelerde dikkate alnmas gereken temel faktr, genellikle dorusallk ve kazantr. Giri transducerinden gelen sinyal gerilimi ve akm genellikle kk olduundan, g kapasitesi ve verimlilii pek nemli deildir. Genel olarak birbirine seri bal ykseltelerden sonuncusu g ykselteci adn alr. G ykselte kademesinin, kendinden nceki ykseltelerden farkll, yksek voltaj kazancndan ziyade, yksek voltaj kazanc verecek ekilde tertiplenmi olmasdr. G ykselteci, yksek g seviyesinde altrldndan transistr dahilinde oluan s en nemli mahsur haline gelir. Eklem ss artan bir transistrn salaml azalr. Is drc olarak bilinen eleman, snn transistr ekleminden uzaklatrlmas iin kullanlr. Transistrn metal muhafazasna direkt olarak temas ettirilen ok geni sathl bir metal parasndan oluur. Baz s drclerin; snn, etrafndaki havaya daha abuk geirilmesini temin maksadyla kanatklar bulunur. Transistrn ekleminde meydana gelen s, transistrn metal muhafazasna geirilir. Is drc, transistrn metal muhafazas ile dorudan irtibatl olduundan s, nce s drcye ve sonra havaya geer. Bylece transistr eklemindeki alma ss drlr. 6.6 DENGEL G YKSELTEC

Q1 T1 giri + VCC T2 Hoparlr

Q2

R1

ekil 6.21 A Snf alan Push-Pull G Ykselteci G ykselteci olarak tertip edilen devreler genellikle balansl veya push-pull olarak tannan ykseltelerdir. Bu tip devreler, 180 lik faz mnasebetiyle alan iki ykselteci ierirler. Byle devreler, daha gl ve dzgn bir k verirler. Push-pull ykselte devresinden anlalaca gibi iki transistrden oluur. T1 ve T2 transformatrleri orta uludur. R1 direnci Q1 ve Q2 transistrlerine alma noktalarn tayin eden doru bayas voltaj salar. Giri sinyali yok iken dahi transistrlerin beyzlerine R1 direnci vastasyla (+) gerilim gelir. R1 direncinin deerinin deitirilmesi halinde devre, AB snf altrlabilir. T2 transformatr primerinin yars Q1, dier yars da Q2 nin kollektr yk empedansn temsil eder. T2 transformatr ayn zamanda, transistrlerin yksek k empedanslar ile hoparlrn dk empedans arasnda empedans uygunluunu salar. Bilindii gibi maximun enerji transferinin gerekleebilmesi ( ykseltecin kndan alnan sinyalin tamamnn hoparlre uygulanmas ) iin birinci kat k empedansnn, ikinci kat giri empedansna eit olmas gerekir. Giri sinyali yok iken Q1 ve Q2 transistrleri, T2 transformatr orta ucu vastasyla eit olarak iletkendirler. Her iki transistrn kollektrndeki sinyaller eit deerde olduu iin hoparlrden herhangi bir sinyal alnmaz. Giriin (+) alternansnda Q1 in beyzindeki potansiyel pozitife, Q2 nin ise negatife gider. Transistrler, NPN tipi olduundan beyzlerine

136

uygulanan potansiyeller, Q1iletkenliinin artmasna, Q2 nin ise azalmasna neden olur. Q1 in kollektr akmndaki art Q1 kollektrnn daha az pozitif olmasna neden olur. Q2 iletkenliinin azalmas, Q2 kollektrndeki potansiyelin artmasna neden olur. Bu durumda T2 transformatr primerinin tamam zerinde bir potansiyel fark oluur ve kn negatif alternans olarak belirir. Giri sinyalinin (-) alternansnda yukardaki olaylarn tam tersi olur. ekil6.22 B Snf alan Push-Pull G Ykselteci

Q1

giri

+ VCC

Hoparlr

Q2

137

B snf push-pull g ykseltecinde giri sinyali olmad srece transistrler iletken olmadndan ve bir g harcamas yaplmadndan verim daha byktr. Transistrlerin beyzine (+) bir sinyal gelmedii iin devre statik halde iken iki transistr de kesimdedir. 6.7 FAZ BLCLER Push-pull g ykselteleri, eit genlik ve zt fazda iki sinyale ihtiya duyarlar. Tek bir girite eit genlikte ve zt fazda iki k veren src kademesine faz blc veya faz evirici denir. Src kademesi ise g ykseltelerine giri sinyali salayan ykseltetir. Push-pull g ykseltelerinde transistrlere giri olarak eit genlik ve zt fazda iki sinyal temin eden eleman transformatrdr. Transformatr kullanlmas, basit bir yol olmasna ramen byk ve ar olmas kullanln snrlayan unsurlardr. ekil 6.23 Tek Kademeli Faz Blc Paraphase ykselte veya faz blc olarak bilinen bu devre transformatr kullanlmakszn birbirinden 180 faz farkl ve eit genlikli iki sinyal meydana getirir. R2 ve R3 direnleri birbirine eit ise farkl fazdaki bu iki sinyal genlik bakmndan eit olur. Fakat, R2 direncinin R3 direncine eit olmas dengesiz bir k empedansna neden olur. Q1 transistrnn kollektr k empedans, emiter k empedansndan daha yksektir. Bu saknca, R2 direncinin st ucu ile C2 arasna RS

+VCC

R2 R2

C1 Q1 +VCC hoparlr

giri C2 R3 Q2

direncinin seri olarak sokulmas suretiyle giderilir. R2 direncinin deeri o ekilde seilir ki kollektr ve emiter k empedanslar birbirini dengeler. Bu, kuvvetli sinyalin sebep olduu bozulmay (distorsiyonu) ortadan kaldrr. Sinyalin, seri diren zerinde kaybolan ksm, R2 nin R3 deerinden daha fazla yaplmas yoluyla telafi edilir. 6.8 TMLER SMETR G YKSELTEC ekil 6.24 Tmler Simetri G Ykselteci

R2 1 2 Q1 1 RL

VCC1

C1 Giri R3

3 Q2 4 R1 138

VCC2

ekil 6.25 Basitletirilmi Tmler Simetri G Ykselteci ekil 6.25deki devre tmler g ykseltecinin basitletirilmi eklidir. Q1 ve Q2 transistrlerinin C-E arasndaki dahili devreleri srasyla R1 ve R2 deiken direnleriyle temsil edilmitir. Giri sinyali yokken ve B snf almada IB=0 olduu iin deiken direnlerin orta ular max diren pozisyonunu alr. R1 direnci 1, R2 ise 4 nolu konumu alr. Dolaysyla RL zerinden bir akm akmaz. Giri sinyali pozitife doru giderken Q1 iletime, Q2 ise kesime gider. Q1 min diren gsterirken (2), Q2 ise max diren (4) gsterir. Akm, VCC1 , RL ve Q1 den geer. Bu akm yn dz ok ile gsterilmitir. Giri sinyali negatife doru gittiinde, Q1 yaltkan olurken, Q2 iletken olur. Bylece devreden kesikli okla gsterildii gibi bir akm geer. Bir nceki durumda geen akma gre ters ynde bir akm geer. 6. 9 BEYZ ORTAK KARIIK BALI YKSELTELER Emiteri ortak ykseltete transistrn akm kazanc ( IC / IB), beyzi ortak ykseltete transistrn akm kazanc ( IC / IE), kollektr ortakta (emitter follower) ise ( IE / IB ) ile gsterilir. Bu akm kazan parametrelerinin birbirleriyle ilikileri ise aada olduu gibidir: = /1- = /1+ =1+

Kark bal ykselteler, CB tertipte akm kazancn ykseltmek iin tertip edilmi devrelerdir.

ekil 6.26 Kark bal beyzi ortak ykselte

IE=%100 Input IB=%5 RE

Q1

Ic1=%95

IE=%99.75 Output

IC2=%4.75 Q2 RC

-VCC

+VCC

ekil 6.26 da kark bal transistrl ykselte devresi grlmektedir. Bu devrede Q1 transistrnn beyzi, Q2 transistrnn emiterine balanmtr. Yani CB tertibi ierisinde irtibatlandrlmtr. ki transistr tek bir transistr gibi dnrsek bu transistre Darlington Transistr ad verilir. Her bir transistrn akm kazancnn 0,95 olduunu kabul edelim. Analizin daha kolay olmas iin emiter akmn 100 mA olarak dnelim ve bunu ekil zerinde %100 olarak gsterelim. Q1 transistrnn akm kazanc 0,95 olduuna gre ; =IC / IE

IC=%95. IE dir. Baka bir ifadeyle; kollektr akm, emiter akmnn %95ine eittir. Q1 transistrnn

emiter akm 100 mA olduuna gre kollektr akm 95 mA olur. Bir transistrde IE=IC+IB olduuna gre geriye kalan 5 mA de

139

beyz akm olacaktr. Q1 in beyz akm, Q2nin emiter akmn tekil ettii iin IC2=5.%95=4.75 mA dir. Bylece toplam kollektr akm, ICT=4,75+95=99,75 mA olur. Devrenin toplam akm kazanc ise, 99,75/100=0,9975 olarak bulunur. 0,95 olan akm kazanc bylece 0,9975 e ykseltilmitir. Bu nedenle, kark bal transistr, herhangi bir devrede yksek akm kazanl tek bir transistrm gibi dnlebilir.

Emiteri ortak tertipte her birinin akm kazanc 11,5 olan iki transistr, beyzi ortak kark bal ykselte olarak kullanlacak olursa, devrenin akm kazancnn ne olacan bulunuz. =11,5 ise =11,5/12,5=0,92dir. IC1=0,92.IE ve IB= 0,08.IE olur. IC2=0,08.0,92.IE ICT=0,0736 IE+0,92 IE=0,9936.IE den =0,9936 olarak bulunur.

transistrle gerekletirilen kark bal ortak ykseltete her bir transistrn, emiter akm deiiminin, beyz akm deiimine oran 20 olduuna gre devrenin toplam akm kazancn bulunuz. =IE / IB = 20 ve =1+ dan =19 dur. =19/20=0,95 olur. =99,9875/100=0,999875 olarak bulunur. 6.10 AMPLFKATRLERDE KUPLAJ METODLARI Kuplaj, sinyalin bir kattan dier bir kata aktarlmas ilemidir. Amplifikatrlerde kuplaj ise birinci ykselte katnda ykseltilen sinyalin, ikinci ykselte katnn giriine aktarlmasdr. Bu ilemin en az kaypla gerekletirilmesi gerekir. 6.10.1 TRANSFORMATR KUPLAJI

C1 Q1 Input RE1 CE1

TRF

Q2

Output

140

RE2

CE2

ekil6.27 Basitletirilmi Transformatr Kuplajl Ykselte Transistrl amplifikatrlerin kaskat olarak balanmasnda empedans uygunlatrma ii byk bir nem kazanr. Bir kattan dierine max g transferi salayabilmek iin, ilk amplifikatrn yksek k empedansnn , bundan sonra gelen amplifikatrn dk giri empedansna uygunlatrlmas gerekir. Bu empedans uygunlatrma ii ara transformatr kullanmak suretiyle salanabilir. Bu devrede Q1 transistr vastasyla ykseltilen giri sinyali transformatr ile Q2 transistrnn beyzine kuple edilmitir. Bilindii zere, bir sistemde max enerji transferinin gerekleebilmesi iin birinci kat k empedansnn, ikinci kat giri empedansna eit olmas gerekir. Bu empedanslar eit olmazsa amplifikatr sisteminde, birinci katta ykseltilen sinyalin tamam, ikinci kata gnderilemez. Devrede kayplar meydana gelir. Empedans uygunsuzluunun neden olduu bu kayplar engellemek iin en iyi kuplaj eleman transformatrdr. Transformatrlerde, empedans uygunlatrma ilemi transformatrn primeri (LP) ile sekonderi (LS) arasnda uygun sarm oran vastasyla salanabilir.

Np Ns

Zp Zs

forml, transformatrn dntrme oran ile primer ve sekonder empedanslar arasndaki ilikiyi

aklar. Push-pull g ykseltelerinde kullanlan transformatr, transistrlerin yksek k empedanslarnn, hoparlrn dk empedansna uygunlatrlmasn salar. Transformatrn primeri (Zp) transistrlerin kollektrlerine, sekonderi (Zs) ise dorudan hoparlre baldr.

A snf alan bir push-pull g ykseltecinin k empedans 50 K, kendinden sonraki kademede yer alan hoparlr ses bobini giri empedans 2000 ise max enerji transferinin salanmas iin kullanlacak transformatrn sarm oran ne olmaldr ? Zp=50 K

Zs=2 K

Np = Ns

50 2

=5 5:1 olarak bulunur.

A snf alan bir push-pull g ykseltete max enerji transferinin gereklemesi iin kullanlan transformatrn sarm oran 10:1 dir. Ykseltecin k empedans 50 K ise ykselte kna balanmas gereken hoparlrn empedansn bulunuz.

Np Ns

Zp 10 = Zs

50 K 50 K 100 = Zs = 500 Zs Zs

141

6.10.2 RC KUPLAJI ekil 6.28 RC kuplajl transistrl ykselte sistemi

ekilde kapasitif kuplajl kaskat bir amplifikatr devresi grlmektedir. Devredeki transistrlere, sinyal srasyla C1 ve

C3 kondansatrleri ile kapasitif olarak kuple edilmitir. C5 ise ykseltilmi olarak alnan sinyali ka balanacak olan hoparlre kuple etmek iin kullanlr. Transistr empedanslarndaki hatal uygunlatrmadan dolay kapasitif kuplajl transistrl bir kaskat amplifikatrde oluan kayplar zerinde durulmas gereken bir husustur. Transformatr kuplajl iki katl bir transistrl amplifikatrden elde edilen ayn kazanc, RC kuplajl bir amplifikatrden elde etmek iin iki kattan daha fazla bir amplifikasyona ihtiya vardr. Daha tesirli sonu iin, RC ve transformatr kuplajlarn kark olarak kullanlabilir. Byle devrelerde empedans uygunlatrc transformatr, ykselte katnn k ile hoparlr arasna konulur. 6.10.3 DREKT KUPLAJ ekil 6.29 Direkt kuplajl transistrl amplifikatr

142

Transistrl kaskat amplifikatrlerde direkt kuplaj da kullanlr. Direkt kuplajn stnlkleri, devre eleman saysnda tasarruf salamak ve frekans responsunu dzeltmektir. ekildeki devrede direkt kuplajl iki katl bir amplifikatrn devre emas grlmektedir. Birinci transistrn kollektrnden ykseltilmi olarak alnan sinyal dorudan bir iletken tel ile ikinci ykselte katnn giriine (transistrn beyzine) uygulanmtr. Bu devrede giri ile k arasnda faz fark yoktur.

143

6.10.4 EMPEDANS KUPLAJI ekil 6.30 Empedans kuplajl, transistrl amplifikatr

Empedans kuplajl amplifikatrlerde, RC kuplajl amplifikatrlerde kullanlan direnlerden biri veya ikisi yerine indkleme bobini kullanlmtr. En ok kullanlan ekildeki devredir. Bu devrede kollektr yk direnci yerine bir indkleme bobini konmutur. Bu devreden yksek g verimi elde edilebilir. nk, DC g kayb yok edilmitir. ndkleme bobininin nt reaktans, frekans karakteristiinin alak frekans ksmnn dmesine neden olur. Yksek frekans ksmn ise kollektr kondansatr drr. Transformatr kuplajllarn tersine olarak empedans kuplajl amplifikatrlerin frekans karakteristii, transformatr kuplajllardan daha iyidir. Fakat RC kuplajllar kadar iyi deildir.

BLM VII ZEL YARILETKENLER 7.1 GR Diyot ve transistrler gibi yariletken elemanlara ek olarak, zel uygulamalar iin birok deiik tipte yariletken elemanlar gelitirilmitir. Bunlar arasnda; FET, UJT, SCR ( Tristr ), varaktr ve tnel diyot, foto diyot ve foto transistrler gibi elemanlar saymak mmkndr. Gnmzde vakum lambalar yerini transistr, entegre, chip ve microchiplere brakt gibi anahtar ve rle gibi kontrol elemanlar da yerlerini zel yar iletken elemanlara brakmtr. Bu durum elektronik cihazlarn gelimesine ve boyutlarnn klmesine imkan vermitir. 7.1.1 ALAN ETKL TRANSSTRLER NPN ve PNP tipi olarak adlandrlan klasik tip transistrler ( BJT, Bipolar Junction Transistor) alak giri empedansna sahip olup hem elektron akm hem de boluk akmnn kullanld akm kontroll elemanlardr. Alan etkili transistrler ( Field Effect Transistor ) iki ana gruba ayrlr; 1. JFET ( Junction Field Effect Transistor Eklem Alan Etkili Transistr ) 2. MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Metaloksit Yar letken Alan Etkili Transistor ). Alan etkili transistrler BJTlere gre yksek giri empedansna sahip, tek kutuplu, gerilim kontroll elemandr. Elektrik alan prensibine gre altndan alan etkili transistrler olarak bilinir. Alan etkili transistr ( FET )ler , transistr ( BJT )lerin kullanld yerlerde rahatlkla kullanlrlar. FETlerin, klasik transistrlere ( BJT ) gre stnlkleri yle sralanabilir: -Giri empedanslar daha yksektir. -Radyasyon ( yaynm ) etkisi yoktur. -BJTlere gre daha az grltldrler. -Issal deiimlerden etkilenmezler. abuk hasar grmeleri ve band geniliklerinin dar olmas dezavantajlardr.

144

7.1.2 JFETN ALIMASI

Drain (D)

Gate (G)

n maddesi P P ekil 7.1 n kanall JFETin Fiziksel YapsG Sembol ve

Drain (D)

Gate (G)

p maddesi

Source (S) D

ekil 7.2 p kanall JFETin Fiziksel Yaps ve Sembol n n

G

JFETlerin fiziksel yapsndan grlecei gibi; Drain ( oluk ), Gate ( kap ) ve Source ( kaynak ) anlamna gelmektedir. n kanall bir JFET, bir materyalin her iki yanna p tipi madde enjekte edilerek elde edilir. n kanall JFETde p tipi iki materyalin arasnda kalan blgeye KANAL denir. Kanaln yapld maddenin adna gre JFET adn alr. Ayn ekilde p tipi bir S materyalin her iki yanna n tipi madde enjekte edilerek p kanall JFET elde edilir. Burada daha ok n kanall JFET zerinde durulacaktr.

Source (S)

145

gei blgesi

Vds

ekil 7.3te grld gibi; n-kanall bir JFETte drain ile source arasna bir gerilim uyguland zaman, drain sourcea V drainden sourcea bir akm akar. Normalde gate ile source arasna bir gerilim uygulanr. Bu gre daha pozitif olur ve gs uygulama ekli ters polarmadr. Bylece gate, sourcea gre daha negatif olur. Ters polarma altnda kanal blgesinde depletion denen bir gei blgesi meydana gelir. Bu gei blgesinin genilii V gs ters polarma geriliminin byklne baldr. Vgs geriliminin negatiflii arttka kanal daralmaya devam eder. Kanal daralmas demek, kanal direncinin artmas ve kanaldan geen ID akmnn azalmas demektir.

Id

ekil 7.3 n-Kanall JFETin Polarmalandrlmas

Vgs=0 Volt Vds
ekil 7.4 N kanall JFETin akm-voltaj karakteristii. ekil 7.4te grld gibi Vds deeri arttka Id akm da artmaktadr. Vds gerilimi artmaya devam ederse, kanal iindeki gei blgesi fark edilir ekilde artar, ve belli bir deerden sonra akm art durur, sabit kalr. Vds gerilimi yeterli byklkteki bir deere ayarlandnda, gei alanndaki art ve bir sre sonra bu iki gei alannn bir noktada akmas grlecektir. ki gei alannn bir noktada akmasna pinch-off denir. akma anndaki gerilime ise pinch-off gerilimi ( Vp ) denir. Kritik gerilim olarak bilinir ve JFETin nemli bir parametresidir. V p deeri genellikle n-kanall JFETte negatif, p-kanall da ise pozitiftir. ekil 7.5 N kanall JFETin I d-Vdsj karakteristii

Id

Idss

Vgs=0 Volt Vds

Vp

ekil 7.5te Id akmnn max kritik (pinch-off) Vp deerine kt grlmektedir. Vp deerinden sonra , Vds nin artmas Id akmn deitirmez. Bu akma SATURASYON (doyum) akm Idss denir. JFET lerde drain akm deeri; Id = Idss ( 1-Vgs/Vp)2 forml ile bulunur.

n kanall JFET in kritik gerilimi Vp= - 4.5 V. ve doyum akm Idss=9 mA dir. Buna gre, Vgs nin hangi deeri iin Id=3 mA olur ? 3 mA=9 mA(1-Vgs/-4.5)2 0.57=1-Vgs/-4.5

146

Vgs=-1.94 V. 7.1.3 JFET PARAMETRELER JFET e uygulanan voltajlarn deitirilmesiyle, JFET in gsterdii davrana PARAMETRE denir. Baka bir ifadeyle JFET karakteristii veya sabiteleridir. retici firmalar, eleman tanmlamak ve farkl elemanlar arasndan seim yapabilmek iin gerekli olan bilgileri kataloglarda belirtirler. JFET parametreleri unlardr: a) Drain-Source Doyma Akm (Idss): G-S eklemi ksa devre yapldnda D-S arasndan akan akmdr. Baka bir ifadeyle saturasyon anndaki akmdr. b) Gate-Source Pinh-Off Gerilimi (Kritik Gerilim, Vp): D-S kanalnn kapand (hi akm geirmedii) gerilim deeridir. c) Gate-Source Krlma Gerilimi (BVGss ) : Bu parametre belirli bir akmda D-S ksa devre iken llr. Uygulamada bu deerin zerine klmas halinde elemen hasar grebilir. d) Gei letkenlii (gm): JFET ler sabit akm eleman olduundan drain voltajndaki deimeler drain akmnda ok fazla bir deiiklik yapmaz. Genelde drain akm gate voltaj ile kontrol edilir. Gei iletkenlii drain akm deiimine gre gate voltaj deiimidir. Bu parametre geirgenlik (Transconductance- gm) olarak bilinir. Geirgenlik, Vds sabit iken drain akm deiiminin, gate-source aras voltaj deiimine orandr. gm =d / Vgs ve gm=2 Idss/Vp Id/Idss formlleri ile bulunur. e) Drain-Source letim Direnci (rds): Bu parametre, belirli bir G-S gerilimi ve drain akmnda llen gerilim, D-S iletim direnci JFET in anahtar olarak kullanlmasnda nem tar.

Vgs voltajnda 0 V tan 0.8V a olan deiiklik, drain akmnda 1.05 mA den 0.4 mA e olan bir deiim meydana getiriyorsa JFET in geirgenliini bulunuz. gm= Id / Vgs = (1,05-0,4) mA / (0,8-0) V = 812,5 S

gm=4,38 m S, Vp=-2,5 V, Id=5 mA olan bir JFET te D-S doyum akmn bulunuz.

gm =

2 Idss Vp

Id = 6mS Idss

147

7.1.4 MOSFET LER JFET ler, klasik transistrlere gre byk bir gelime olmasna ramen baz limitlemeleri mevcuttur. JFET lerin giri empedanslar klasik transistrlerden daha fazla olduu iin, JFET in giriine balanan sinyal kaynandan ekilen kk miktardaki ters bayas gate akm, sinyal kaynan ykler. Bu ykleme etkisini azaltmak ve frekans responsunu (cevabn) gelitirmek iin JFETlere gre daha fazla gelimi baka bir alan etkili transistr yaplmtr. Alan etkili transistrn (FET) gelitirilmi tipi genellikle MOSFET olarak bilinen metal oksit yar iletkendir. MOSFET kelimesinin ak hali metal oxide semiconductor field effect transistordr. MOSFET, ngilizce kelimelerinin ba harflerinden olumutur. zole edilmi gate zelliinden dolay MOSFET lerin giri empedans son derece yksek olup (1014 ) elektrodlar aras i kapasitans ok kktr. Bundan dolay MOSFET ler normal transistrlerin, frekans sahasnn ok daha stndeki frekanslarda ve yksek giri empedansl ykseltelere ihtiya duyulan devrelerde daha fazla kullanlr. Bunun iin MOSFET ler voltmetre, ohm metre ve dier test aletlerinde kullanlrlar. MOSFET lerde, JFET lere ve klasik transistrlere nazaran grlt daha az olup, band genilii daha fazladr. MOSFET lerin bu stnlklerine nazaran baz sakncalar vardr. yle ki; MOSFET yapsndaki ince silikon oksit tabakas, kolaylkla tahrip olabilir. MOSFET e elle dokunulmas halinde insan vcudu zerindeki elektrostatik yk nedeniyle oksit tabakas delinerek, kullanlmayacak ekilde harap olabilir. Bundan dolay MOSFET ler zel ambalajlarnda korumaya alnmal, MOSFET e dokunmadan nce kullanc, zerindeki elektrostatik yk topraklayarak boaltmaldr. MOSFET i devre zerine montaj yaparken dk gl havya kullanmal ve havya mutlaka topraklanmaldr. MOSFET ler u ekilde snflandrlr: a)Azalan ( Boluk arjl, depletion tipi ) MOSFET b)oalan ( Enhancement ) tip MOSFET JFET lerde olduu gibi yine kendi aralarnda, n ve p kanall azalan ve oalan tip olarak ayrlrlar.

Drain
a) n kanall azalan tip MOSFET Substrate

Drain
(c) n kanall oalan tip MOSFET

Gate Drain Source Gate Substrate

Gate Drain Source Gate

Substrate

Substrate

(b) p kanall azalan tip MOSFET

(d) p kanall oalan tip MOSFET

ekil 7.6. MOSFET Sembolleri MOSFET sembollerinden grlecei gibi JFETlerden ayran, MOSFET lerde SUBSTRATE (SS,Bulk,Altkatman) terminalinin bulunmasdr. 7.1.5. MOSFETN ALIMASI

Source

Source

Azalan (Boluk arjl, DepletIon) Tip MOSFET

D Metal

Silikon Nitrat Silikon Oksit

ekil 7.7 Azalan Tip MOSFETin Yaps

148

SS

ekil 7.7de taban malzeme (gvde) P-tipi madde alnmtr. Bu P-tipi maddenin uygun yerlerinde N tipi blgeler oluturulmu ve aralarna ince bir kanal yerletirilmitir. Bu yapnn st silikon oksit tabakas ile tamamen kaplanmtr. Ancak bu tabakann havadaki sodyumdan etkilenebileceinden bunun zeri ikinci tabaka olan silikon nitrat ile kapatlmtr. N maddelerinden kartlan ularn ad Drain ve Sourcedur. Drain ve Source ular, silikon tabakalarndan delik alarak metalik irtibat salanmtr. Drain ve Source ular, N-tipi blge ile dorudan irtibatl olduu halde Gate ucu yariletkenden yaltlm, izole edilmi haldedir. Burada Gate ucuna uygulanan gerilim sfr volt olduunda Drain ve Source ular arasnda belirli bir akm akar. nk, D ve S birbiriyle irtibatldr. G terminaline (+) gerilim uygulandnda, N-tipi maddeler arasnda mevcut olan kanal genileyeceinden D-S arasndan geen akm artar. G terminaline (-) gerilim uygulandnda kanal daralarak akm azalr. ekil 7.7de kanal N-tipi maddeden yapld iin N-kanall azalan tip MOSFETtir. Kanal P-tipi maddeden de yaplabilir. D-S arasndan geen akm kanaldan geer. Gatee uygulanan gerilim ile kanaldan geen akm kontrol edilir. N-kanall azalan tip MOSFETte Gate ile Source (-), Drain(+ ) polaritedir. Azalan tip MOSFETte Gate voltaj sfr iken Drain akm vardr. Gatee uygulanan (-) voltajla kanal iletkenlii dolaysyla akm azald iin azalan tip MOSFET olarak adlandrlr. oalan (Enhancement) Tip MOSFET

D Metal

Silikon Nitrat Silikon Oksit

SS

ekil 7.8 oalan Tip MOSFETin Yaps

oalan tip MOSFETin azalan tipten fark iki N-tipi blgenin arasnda kanal olmamasdr. Burada da Source(S) ve Drain (D) ular, N-tipi blgelerle dorudan temas halinde olduklar halde Gate (G) ucu yariletken malzemeden izole edilmi durumdadr. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmad srece S ve D ular arasndan bir akm akmaz. G ucunun bulunduu metal para ile P-tipi gvde bir kondansatr zellii gsterir. nk, iki iletken bir yaltkan kondansatr meydana getirir. G ucuna (+) gerilim uygulandnda, kapasite zelliinden dolay P-tipi gvdede iki N-maddenin yannda (-) ykler toplanr. (ekil7.9)

149

ekil 7.9 P tipi gvdede ( - ) yklerin toplanmas Bylece iki N-tipi madde arasnda doal olarak bir kanal oluur. Bu durumda akm ak balar. Gatee uygulanan (+) gerilimin arttrlmas halinde, iki N-tipi madde arasnda oluan (-) ykler oalarak P-tipi gvde ierisinde oluan bu kanaln genilemesine sebebiyet verir. Bylece S ve D ular arasnda akan akm artar. Dolaysyla, S ve D ular arasnda akan akm, Gatee uygulanan gerilim ile kontrol edilebilir. Gate ucuna gerilim uygulanmad srece S ve D arasndan akm akmaz. 7.1.6. MOSFETN KARAKTERSTKLER A) AZALAN (BOLUK ARJLI, DEPLETION) TP MOSFET :

R1 RD V1 VGG VGS VDS V1 VDD VGG

R1

RD VDS

VGS

ekil 7.10 n-kanall azalan tip MOSFET devre balants

ekil 7.11 p-kanall azalan tip MOSFET devre balants

150

Id(mA)

k 1V 0V -1 V Id=Idss(1-Vgs/Vp)2 Vds(V)

Id

Idss Vgs

ekil 7.12

ekil 7.13

Vp

ekil 7.12de grld gibi Vgsnin negatif deeri arttrld takdirde, belli bir gerilimde artk Id akmaz. Bu gerilime kritik gerilim (Vp) denir. k erisine kadar her bir eri Vp (pinch-off) gerilimine ulancaya kadar Drain akm da artar. Bu deerden sonra gerilim artna ramen akm sabittir. Transfer karakteristiinde gsterilen Id=Idss(1-Vgs/Vp)2 forml, MOSFETlerde geerlidir. B) OALAN (ENHANCEMENT) TP MOSFET :

R1

RD VDS VDD VGG V1

R1 RD

V1 VGG

VGS

VGS

VDS VDD

ekil 7.14 oalan tip MOSFETlerde devre balantlar Gate uygulanan negatif gerilimin azaltlmas halinde Id akmayacaktr. Yine dier elemanlarda olduu gibi, belli bir voltaj deerinden sonra, voltajn artmasna ramen akm artmayacaktr (Saturasyon). oalan tip MOSFETler daha kk boyutlarda olduu iin entegre devreler iin uygundur.

Azalan tip MOSFETte drain-source doyma akm 10mA, Vp = - 4 V tur. Drain akmn; a) b) Vgs = 0 V Vgs = -3 V gate-source gerilimleri iin hesaplaynz.

a)

Id = Idss (1-Vgs/Vp)2 = 10 (1- 0 / (-4) ) 2 = 10 mA

b) Id = Idss (1-Vgs/Vp) 2 = 10 (1- (-3) / (-4) ) 2 = 0,625 mA 151

Azalan tip MOSFETin parametreleri Idss= 12 mA, Vp= -3 V, Vgs= 0 V tur. Elemann gei iletkenliini bulunuz.

gm = gm =
7.1.7

2 Idss Vgs (1 ) Vp Vp 12 0 (1 ) =8 milisiemens 3 3

JFETLE YAPILAN YKSELTE DEVRES

Transistrlerde olduu gibi, JFETli ykselteler; Sourceu ortak, Draini ortak, Gatei ortak olarak tertiplenir.

ekil 7.15 Sourceu ortak ykselte devresi ekil 7.15de sourceu ortak ykselte devresi grlmektedir. Bu devrede Rs direnci, uygun deerlikte bir kondansatr ile AC adan ksa devre edilirse o zaman gerilim kazanc Av = gm. Rd olur. Emiteri ortak ykseltete olduu gibi giri ile k arasnda 1800 derece faz fark vardr. Sourceu ortak ykseltete, kaynak direncini AC adan ksa devre edecek kondansatrn deeri devrenin alaca en dk frekansta, Xcs = (Rs / 10) olacak ekilde seilmelidir. Bilindii gibi ; Xcs = (1 / 2fCs)dir. Cs kondansatrnn varl, devrenin AC gerilim kazancnn artmasna yol aar. Ancak, AC bakmdan negatif geri besleme ortadan kalkt iin, devre dorusallk ve bozulma (distorsiyon) bakmndan ktleir. 7.1.8 MOSFETLE YAPILAN YKSELTE DEVRES

152

ekil 7.16 MOSFETle Yaplan Ykselte Devresi ekil 7.16da Sourceu ortak ykselte devresi grlmektedir. MOSFETin giri empedans JFETe oranla ok daha fazladr. Devrenin gerilim kazancn fazlalatrmak iin Rs direnci bir kondansatr ile AC ksa devre edilebilir. Ancak bu durumda, gerilim kazanc artmakla birlikte, devrenin dorusallnn bozulaca hatrdan karlmamaldr. Devrenin AC gerilim kazanc, Rd ile doru, Rs ile ters orantldr. 7.1.9 UNI JUNCTION TRANSSTRN ALIMA PRENSB Tek eklemli (uni junction, UJT) elemanlar zel yar iletkenlerden ilkidir. Esas olarak voltaj kontroll elektronik bir anahtardr. Yksek bir direnten (anahtar ak) alak bir dirence (anahtar kapal) geebilir.

153

Base 2

Base2

Emiter

Emiter

p n
Base1 Base 1 (a) (b)

Base 2 Emiter Emiter

Base 2

Base 1 (c)

ekil 7.17 Tek Eklemli Transistr (UJT)

Base 1 (d)

ekil 7.17 (a) da UJTnin yaps gsterilmitir. n tipi madde ierisine eritilerek birletirilen p tipi maddeden bir para transistrn emiteridir. Ana parann zt ularna irtibatlanan omik kontaklar BASE-1 ve BASE-2 olarak adlandrlr. BASE-2 terminaline emiter daha yakndr. Dier tip UJT de p-tipi maddeden yaplm bir ana para ve n-tipi emiter kullanlr. Ana para veya ubuk yariletken olduundan belli bir dirence sahiptir. ekil 7.17 (b) de terminalin edeer devresini gstermektedir. n-tipi ubuk BASE-1 ve BASE-2 arasnda bir diren olarak grnr. Bu diren Baseler aras (INTERBASE) diren diye adlandrlr. Deerleri 5 K ile 20K arasnda olur. p-tipi emiterin n-tipi ubukla birlemesi bir P-N eklemini oluturur. ekil 7.17 (c) de n-tipi UJT, (d) de ise p-tipi UJT nin sembol grlmektedir.

154

+20V

+20V

R2 +10V R1 E
High Impedance

B2 C B1
ekil 7.18 UJTnin Edeer Devresi

R2 12,8V +3,1V R1 E
Low Impedance

B2 C B1 3V

ekil 7.18 (a) da katottaki bir UJTnin edeer devresini gstermektedir. R1 ve R2 emitere pozitif 10V temin ettiinden OFF OFF emiter eklemi ters bayasldr.A ve B2ye akm ak mevcuttur. Emiterdeki voltaj C noktasndaki voltaj at zaman eklem B1 B doru bayaslanm ve buna bal olarak UJT atelenmi veya ON yaplm olur. Burada R1 ve R2 emiter voltajn deitirebilen herhangi bir eleman temsil eder. R1in deerini attralm. Bunun neticesinde R1 zerindeki voltaj artarak tek eklemli transistr doru ynde bayaslanacak ve transistr atelenecektir. ekil 7.18 (b) ye gre doru bayaslandnda emiterle B1 arasndaki diren alak bir deere decektir. Direnteki azalma C noktasndaki voltajn alak bir deere dmesine neden olur. (3 Volt) Alak deerdeki emiter B1 aras direnci ise kapal bir anahtar gibi etki yaparak eklem zerinden byk deerde bir akm akna neden olur. Akm, B1den emitere ve R2 zerinden VBB ye doru akacaktr. R2 zerindeki bu byk akm E noktasndaki voltajn +3,1 V a dmesine neden olacaktr. Diyod doru bayaslanarak, UJT ON konumunda kalacaktr. ON durumunda (doru bayasl) UJT saturasyonda alr. R1 direnci azaltlrsa doru bayas ortadan kalkarak UJT OFF konumuna geer. ON durumundan OFF durumuna veya tersi durumu iin gerekli olan zamana Anahtarlama Zaman denir. UJT, yalnzca voltaj kontroll bir anahtardr. Bir anahtar veya kontrol eleman gereken herhangi bir uygulamada kullanlabilir.

REVERSE BIAS

FORWARD BIAS

155

7.1.10 UJT LE YAPILAN RELAKSASYON (RELAXTON) OSLATR Bir kondansatr veya bobinin bir diren zerinden yava yava arj ve sratle dearj olmasyla sinsoidal olamayan bir dalgay reten osilatrlere relaksasyon osilatrler denir.

VBB

VE Vp

R VE

R2 t V V

R1
ekil 7.19 UJTli relaksasyon osilatr

UJT nin oluturduu en nemli devre relaksasyon osilatrdr. Balangta C kondansatr bo varsaylsn. UJT almaz durumdadr. C kondansatr R direnci zerinden dolmaya balasn. Kondansatr zerindeki gerilim Vp deerine ulatnda UJT tetiklenerek alr ve RB1 direnci aniden azalr. IE akm artar. IE akmn R1 direnci snrlar. C zerindeki gerilim belli bir deere dtnde UJT almaz durumuna girer ve IE = 0 olur. Bu andan itibaren C kondansatr yeniden R zerinden VBB gerilimine doru dolmaya balar. Vp deerine ulatnda anlatlan olaylar yinelenir. Bu durumda B1 zerinden k iareti darbeler eklinde olacaktr. Relaksasyon osilatrnn frekans RC zaman sabitine baldr ve yaklak deeri; f = 1 / RC olarak ifade edilebilir. 1 MHze kadar olan sinyaller bu osilatrlerden elde edilir. 7.1.11 SLKON KONTROLL DORULTMA Silikon kontroll dorultma (silicon controlled rectifier SCR), drt yar iletken tabakasndan olumu olup, Anot, Katot ve Gate adlarnda terminale sahiptir. SCRnin dier ad tyristordur. Tyratron ve transistre benzer bir ekilde alt iin iki kelimenin karm olan Thyristor olarak bilinir. Bir SCRnin klasik diyoddan fark udur : Klasik bir diyodun A-K ular arasna uygulanan gerilim 0,6V a ulatnda diyod iletkenleir. SCR de ise bu deer sabit deildir.

156

Anod p n p n Gate G

Katod

ekil 7.20 SCRnin yaps ve sembol. Gate ucundan akan akmn deerine bal olarak A-K arasndaki eik geriliminin deeri deitirilebilir. Gate ucu ak olduunda SCRnin iletkenleebilmesi iin gerekli gerilim deeri, max eik deerini verir ve V EM ile gsterilir. IG akm, deitirilerek VE1 ve VE2 ... gibi deiik eik gerilimleri salanabilir. Gate akm dk deerli olduundan bir SCR devresinde dk g ile ok byk gleri kumanda etmek mmkndr. Anot akm birka amper olan SCRlerin yan sra birka yz amper olan deiik tipte SCRler vardr.

I
alma Akm Tutma Akm

VEM
Dz Sznt Akm Ters Krlma Gerilimi ( Dz Krlma Gerilimi )

ekil 7.21 SCRnin I-V karakteristii ekil 7.21de IG = 0 iken akm akm-gerilim grafii grlmektedir. SCR yaltkan durumda iken, ister dz ister ters polarmalandrlm olsun, iinden ok az bir sznt akm akar. Ters polarlama gerilimi SCRnin ters krlma gerilimine ulatnda sznt akm aniden artar. Bu istenmeyen bir durumdur. Dz polarmada, polarma gerilimi dz krlma gerilimine ulatnda ise SCR iletkenleerek iinden byk bir akm geirebilir. Bu srada SCRnin A-K ular arasndaki diren ok klmtr. u halde, A-K ular arasna uygulanan gerilim deeri V EMden kk ise SCR yaltkan, byk ise iletken olacaktr. Bir baka ifadeyle, SCR anahtar gibi almaktadr. SCR iletkenletikten sonra, bu durumunu, iinden geen akm tutma akm na eit veya byk olduu srece korur. Aksi halde yaltkan durumuna dner. Gate akm vastasyla SCRnin zerindeki gerilim deeri dz krlma gerilimine varmadan iletkenlemesi mmkndr. Gate-Katod birleim yzeyi dz polarlandrlmak suretiyle dz krlma gerilimi drlm olur. SCR iletken olduktan sonra art kap akmnn herhangi bir etkisi kalmaz. SCR iinden geen akm tutma akm ndan byk olduu srece iletkenliini korur. A-K arasndaki gerilim, tutma akm ndan daha kk bir akm aktacak seviyeye indiinde SCR yaltma geer. SCRler, k akm kontrol edilebilir dorultma olarak AC devrelerde uygulanrlar.

157

7.1.12 TRSTRLE YAPILAN GERLM KONTROL DEVRES ekil 7.22 deki devrede yke yollanan gerilim kontrol altna alnabilir. Burada Gate akm DCdir. DC gate akm vastasyla SCRnin dz krlma gerilimi drlr. SCRnin ular arasna uygulanan AC gerilim deeri, pozitif ynde deeri drlm dz krlma gerilimine ulatnda SCR iletkenleir. Bu gerilim deeri ve dolaysyla da ykten geen akmn ortalama deeri, kap akm vastasyla kontrol altna alnabilir. ekil 7.23 SCRli uygulama ekil 7.22 SCRli uygulama

158

Bir SCRnin A-K ular arasna AC gerilim uygulanabilir. Bu durumda gate akm AC veya DC olabilir. Bu durumda SCRyi gerektiinde yaltkan yapabilmek iin A-K devresine eitli ilavelerin yaplmas gerekir. Gate akm yine AC ve DC olabilir. ekil 7.23teki devrede SCRnin gate kumandas, UJT ile yaplan relaksasyon osilatr yardmyla gerekletirilmitir. Kpr diyotlar giriteki AC sinyali tam dalga haline getirir. C noktasnda sfrdan balayp zener gerilimine kadar ykselip bir sre bu seviyede kalan ve sonra tekrar sfra inen bir gerilim ekli vardr. C noktasndaki gerilim zener gerilimine ykselirken ve zener gerilimine ulatnda R direnci zerinden C kondansatrn arj eder. C zerindeki gerilim belirli bir deere ulatnda UJT tetiklenir ve R1 zerinde bir darbe oluur. Bu darbe SCRyi iletken yapar. Bu srada C noktasndaki gerilim, zener geriliminin altna inip sfra doru gitmeye balar. C zerindeki gerilim de sfra iner. Olaylar byle devam eder. R ve C deerleri, SCRnin daha erken ya da daha ge iletkenlemesine kumanda ederler. Relaksasyon osilatrnn, SCRnin ularna uygulanan ayn AC kaynaktan beslenmesi senkronizasyonu temin iindir. 7.1.13 TRYAK VE UYGULAMALARI Triyak, alma prensibi bakmndan SCRye benzer. Fakat, ift ynde iletim salamas ynnden SCRden ayrlr.

A1
Triyak ift ynde akm geirdiinden alar A1, A2 ve Gate olarak isimlendirilir. Triyak tetiklemesinde hem pozitif hem de

negatif gerilimler kullanlr. Triyak tetiklemelerinden en uygun olan seenekler; -A2 ucu (+) iken G ucundan (+) tetikleme verilerek -A2 ucu (-) iken G ucundan (-) tetikleme verilerektir.

A1

G
EKL 7.24 TRYAK SEMBOL

A2

SCRde olduu gibi, triyakta da G ucundan tetikleme DC ve AC gerilim ile yaplabildii gibi, faz kontrolne olanak veren, darbelerle de yaplabilir.

15 V(rms) 50 Hz.

P1 1M Diyak C 0.1 R2 100 Triyak

ekil 7.25 Triyakl g kontrol devresi

ekil 7.25teki devrede R1, P ve Cden oluan devre zamanlamay salar. Giri sinyali artt zaman kondansatr zerindeki gerilim de artmaya balar. Kondansatr zerindeki gerilim diyan krlma gerilimine ulatnda diyak iletken olur. Kondansatr, diyak ve triyakn gate ucu zerinden boalr. Bu srada oluan darbe, triyak iletkenletirir. A-B aras, triyak zerinden ksa devre olur. bu yzden triyak iletken olduu srece kondansatr zerindeki gerilim sfra yakndr. Giriteki AC gerilimin (+) alternans bittiinde triyak yaltkanlar. (-) alternans srasnda kondansatr bu defa ters ynde dolmaya balar. Belirli bir gerilim deerinde diyak iletkenletirerek triyak tetikler. Triyakn iletkenlii (-) alternans sonunda son bulur. Eer
B

159

lamba zerinden geen akm azaltmak istersek, Pnin deeri bytlerek kondansatrn daha yava dolmas ve diyakn daha ge iletkenleerek triyak daha ge tetiklemesi salanr. Bylece iletken kalma as azald iin, devrede dolaan akmn ortalama deeri azalr.

BLM VIII

ZEL TP YKSELTELER zel tip ykseltelerde dar bant ve geni bantl ykselteler ilenecektir. Dar band ykselteler genelde alc-verici devrelerinde kullanlp, frekans band dar olan sinyallerin ykseltilmesinde kullanlr. Geni bantl ykselteler ise birka Hzden balayp birka MHze kadar olan sinyallerin ykseltilmesinde kullanlr. 8.1 DAR BANT YKSELTEC Dar bant ykseltecine en iyi rnek alc devrelerinde kullanlan transistrl RF ykseltecidir.

Anten T2 T1 Frekans Seici Q1 C4 C1 R3 C4 R4 R2 C5

R1

C2

+Vcc

ekil 8.1 Transistrl RF ykselteci ekil 8.1deki ykselte, emiteri ortak olarak tertiplenmitir. T1 transformatrnn primeri, C1 kondansatryle paralel tank devresini oluturur. C1 kondansatryle seilen sinyal T1 transformatrnn sekonderi vastasyla Q1in beyzine uygulanr. Ykseltilmi sinyal C4 ve T2 nin primerinden oluan tank devresi zerinde grlr. Anten ve kollektr devreleri seicilii arttrmak iin ayn frekansta rezonansa gelecek ekilde ayarlanr. Seicilik herhangi bir devrenin, bir frekans veya frekans bandn seme, dier frekanslar atma kabiliyetidir. Genellikle iki veya daha fazla R-F ykselte kademesi birinin k dierinin girii olacak ekilde arka arkaya irtibatlandrlr (Kaskad). Dar bant ykselteleri, sistemin seicilik ve hassasiyetini meydana getiren rezonans devreleri kullanrlar. Kuplaj devreleri, yksek Q ve empedans uygunluu gibi karakteristikleri salayan rezonans tank devrelerini ierirler.

160

8.2 GEN BANT YKSELTELER Ykseltme sistemlerindeki baz uygulamalar, sinsoidal olmayan sinyallerin ykseltilmesidir. Sinsoidal olmayan sinyaller, testere dii sinyal gibi ana frekans ile onun ok saydaki harmoniklerini ierirler. Ykseltme sistemi, ana frekans ve harmoniklerinin tamamn eit olarak ykseltmelidir. Bu tip ykseltme yapan sistemlere geni band (video) ykselteci denir.

8.2.1 KARE DALGA KARAKTERST

161

3F

D F+3F

5F

F+3F+5F

ekil 8.2 Kare dalgay meydana getiren harmonik frekanslar

162

Geni bant ykseltelerinin kullanm amacn anlamak iin kare dalgann oluumunu aklamak gerekir. Kare dalga, pozitif ve negatif olmak zere eit ve sabit genlikteki alternansn periyodik olarak tekrarlanmasyla oluan bir dalga eididir. Mkemmel bir kare dalgann yan kenarlar dik, st ve alt ksmlar da dzgn yatay hatlar eklindedir. Kare dalgann yan kenarlar bir deerden dier bir deere hzl bir ekilde deiir. Bundan dolay yan kenarlar kare dalgann yksek frekansn temsil eder. Kare dalgann dzgn alt ve st ksmlar deiiklik gstermedikleri (veya yava bir deime) iin alak frekans temsil ederler. Bir kare dalga belirli faz ve genlik mnasebetindeki ana frekans ve sonsuz saydaki tek sayl harmoniklerden oluur. Sins ana frekansnn bir saykl, kare dalgann bir saykl ile ayn zaman aralnda tamamlanr. Bu durumda frekanslar ayndr. Sinsn ana frekans (B) de olduu gibi temsil edilir. 3. harmonik ana frekansn mislidir. (C) ana frekansn 3. harmonikle birlemesi sonucunda (D) de grlen ekil retilir. Ana frekansn 5. harmonii (E) de gsterilmitir. 5. harmoniin (D) deki ekil zerine ilave edilmesiyle elde edilen dalga (F) de olduu gibidir. Bu sinyal kare dalgaya ok benzemektedir. Bu olaylar byle devam ettirilirse, (G) deki dalga ekline ulalr ki bu dalga ok geni frekans bandndan olumutur. ayet, kare dalga ykseltilmek istenirse, ykseltecin btn frekanslar eit olarak ykseltmesi gerekir. Kare dalgada dikkate alnmas gereken dier bir husus, harmoniklerin faz ve genlik mnasebetleridir. rnein, 3. harmonik ana frekans genliinin 1/3i, 5. harmonik ana frekans genliinin 1/5i, 7. harmonik ana frekans genliinin 1/7i genliinde olmaldr. Ana frekans ile btn harmonikler ayn fazda olmaldr. 8.3 GEN BANT YKSELTECNN ALIMA PRENSB

ekil 8.3 Basitletirilmi geni band ykselteci Bir video (geni bant) ykseltecinin frekans sahas birka Hzden birka MHze kadardr. Geni band sahas elde etmenin bir yolu kk yk direnci kullanmaktr.

Kazan Byk RL BW Kk RL Frekans BW 163 0.707

ekil 8.4 Yk direncine bal olarak deien frekans-response erisi ekil 8.3 de basitletirilmi ematik diyagram ile ekil 8.4 de RL nin byk veya kk olmas halinde frekans-response erilerini gstermektedir. RLnin kltlmesiyle, yarm takat noktalar birbirinden uzaklar ve BW byr. 8.4 DFERANSYEL YKSELTELER

Vi1 Vi2

1 2

Vo1 Vo2

ekil 8.5 Temel diferansiyel ykseltelerin blok ve devre emas Diferansiyel (fark) ykselteci ok eitli uygulamalarda kullanlan zel bir devre trdr. Fark ykseltecinde iki ayr giri (1 ve 2) ve iki ayr k (3 ve 4) ucu vardr. Sinyaller, giri ularndan birine veya her ikisine birden uygulanlabilir ve k gerilimleri, her iki k ucunda da grlecektir. Giriler, iki ayr transistrn beyzine uygulanr. V 01 ve V02 k ularnn tek ya da iki giri sinyalinden etkilenmesini salamak iin transistrlerin emiterleri, ortak bir emiter direncine balanmtr. klar, transistrlerin kollektr ularndan alnmaktadr. Ykselte tek bir gerilim kaynayla da alabilir. 8.5 LEMSEL YKSELTELERE GR lemsel ykselteler (operational amplifier, OP-AMP) 1960l yllarn sonlarna doru kullanlmaya balanmtr. 741 veya 747 gibi entegre eklinde retilirler. OP-AMP, ok yksek kazanl bir DC ykseltetir. ok geni bir kullanm alan vardr. 8.6 LEMSEL YKSELTELER

Tersleyen Giri Terslemeyen Giri

_ k +

ekil 8.6 Temel OP-AMP sembol

164

ekil 8.6da temel OP-AMP sembol gsterilmitir. Bu sembolde gsterilmeyen bir de besleme voltaj ular bulunur. Genel olarak bir OP-AMPn iki giri, bir k, iki de besleme kayna ucu bulunur. Sembolde, (-) iaretli giri ucu tersleyen (eviren, inverting), (+) iaretli giri ucu ise terslemeyen (evirmeyen, non-inverting) giri ucudur. (-) iaretli giri ucuna sinyal uygulandnda ktan 180 faz farkl bir k sinyali alnr. Giri sinyali (+) iaretli giri ucuna uyguland zaman kla giri arasnda faz fark olmaz. OP-AMP, 5 nemli zellie sahiptir. Bunlar; Kazanc ok fazladr (rnein 200.000) Giri empedans ok yksektir (5 M) k empedans sfra yakndr Band genilii fazladr (1 MHz) Girie 0 V uygulandnda, ktan yaklak 0 V elde edilir.

OP-AMPn iki kazanc vardr. Bunlar ak evrim ve kapal evrim kazancdr. Kapal evrim kazanc, devreye harici olarak balanan geri besleme direnci ile belirlenir. Ak evrim kazanc ise OP-AMPn kendi kazancdr. Yani diren ile belirlenemeyen kazancdr. Her ne kadar OP-AMPn kazanc yaklak 200.000 gibi bir deerde olmasn ramen bu kazan OP-AMPa uygulanan besleme voltajna baldr. rnein, bir OP-AMPn besleme voltaj 12 V ve girie 1 V ykseltilmek zere bir giri sinyali uygulansa, OP-AMPn zelliine gre ktan bu kazanca orantl olarak 200.000 V alnmaz. nk, besleme voltaj 12 V kullanlmsa ktan en fazla 12 V alnr. Burada, ak evrim kazancn etkileyen en nemli faktr besleme voltajnn deeridir. OP-AMPn dier zellii 5 Ma ulaan giri empedansdr. Giri empedansnn bu kadar byk olmas bal olduu sinyal kaynan ve bir nceki devreyi yklememesi, kk bir giri akm ile kumanda edilmesi gibi stnlkleri vardr. OP-AMPn k empedans idealde 0 iken pratikte bu deer 100-150 arasndadr. OP-AMPn k empedansnn kk olmas, k akmn arttrarak ksa devrelerden zarar grmesini salar. OP-AMPn band genilii 1MHz civarndadr. OP-AMPa uygulanan sinyalin frekans ykseldike kazan der. DC ve DCye yakn sinyallerde OP-AMPn kazanc yaklak 200.000dir. OP-AMPn statik almasnda yani girite sinyal yokken kn 0 V olmas gerekir. Ancak pratikte giri ular arasnda, ok kk de olsa offset gerilimi oluur. Bu kk gerilim, OP-AMPn kazanc ile arplarak ka aktarlr. Bu nedenle, OPAMP entegrelerinde offset sfrlama ular kullanlr.

ekil 8.7 Offset gerilimin sfrlanmas

165

Yksek performans gereken yerlerde ekil 8.7de grld gibi harici balantlarla OP-AMP k bata iken sfr yaplr.741 entegresinin 1 ve 5 nolu ularna bir potansiyometre balanarak, orta ucu (-) voltaj kaynana balanr.

741
_ + 3 4
ekil 8.8 741 entegresi ekil 8.8de 741 entegresinin i balant emas gsterilmitir. Burada; nolu u, offset sfrlama OP-AMPn tersleyen giri ucu OP-AMPn terslemeyen giri ucu (-) V, negatif besleme voltaj Offset sfrlama OP-AMP k (+) V, pozitif besleme voltaj NC (not connected), bo utur. IC 747de ise 2 adet OP-AMP devresi bulunur.

ekil 8.9 OP-AMP larn beslenmesi Bir OP-AMPa 5 V, 12, 15, 18 V gibi besleme voltaj verilebilir. OP-AMPn AC sinyal ykseltmesinde tek g kayna kullanmak yeterlidir. Genellikle OP-AMPlar simetrik kaynaktan beslenirler.

8.7. OP-AMPIN KULLANILDII YERLER 8.7.1 OP-AMPn Faz eviren Ykselte (Inverting Amp.) Olarak KULLANILMASI

166

Rf If Vi R1 Ii x

Rf

Vo

ekil 8.10. Faz eviren ykselte OP-AMPn giri empedans ok yksek olduundan (+) ve (-) giri ularndan nA seviyesinde akm geer. Giri empedans sonsuz olarak kabul edilirse, (+) ve (-) giri ularndaki voltaj fark da sfr olacaktr. Bundan dolay OP-AMPlarda devreye giren akm, elemana girmez kabul edilir. ekil 8.10da akm ynleri bu kurala gre izilmitir. ekil 8.10daki devrede giri sinyali OP-AMPn (-) ucu olan faz eviren giriine uyguland iin devrenin ad faz eviren ykseltetir. Bu devrede, R1 giri direnci, Rf ise geri besleme direncidir. OP-AMPa harici direnler baland iin kapal evrim kazanc sz konusudur. Diren deerleri ise bu direnlerin deerine baldr. Kirchhoff un akmlar kanununa gre, Ii = If dir.

Ii = Ii =

Vi VX R1 Vi olur. R1

(Vx = 0 olduundan)

If = If =

V X V0 (Vx = 0 olduundan) Rf V0 Rf
olur.

Ii = If olduundan

Vi V = 0 olur. R1 Rf V0 R1 = Vi R f den Rf V0 = Vi R1 Rf R1 R R1
bulunur.

k voltajnn giri voltajna oran, ykseltecin gerilim kazancn vereceinden;

Av =

elde edilir.

Formldeki (-) iareti girile k arasnda 180 faz fark olduunu gsterir.

Av =

formlne gre Rf = R1 olarak seilirse ykseltecin kazanc 1e eit olur. Girie uygulanan sinyalin sadece

polaritesini deitirir.

167

Faz eviren ykselte devresinde Rf = 100 K, R1 = 25 K ise gerilim kazancn bulunuz.

Av =

Rf R1

100 K =-4 25K

Faz eviren ykselte devresinde Rf = 500 K, R1 = 100 K dr. Vi = -2 Vluk giri iin k gerilimi ne olur ?

V0 =

Rf R1

Vi =

500 K (2) = +10V 100 K

8.7.2 OP-AMPIN FAZ EVRMEYEN YKSELTE OLARAK KULLANILMASI (NON-INVERTING AMP.)

Vi=0 Vi R1

Rf

Vo

ekil 8.11 Faz evirmeyen ykselte ve edeer devresi Faz evirmeyen ykselte devresinde, giri sinyali OP-AMPn (+) giri ucuna uygulanr. Dolaysyla k ile giri arasnda faz fark bulunmaz. deal bir OP-AMPn giri empedans sonsuz olduundan, (+) ve (-) giri ularndaki potansiyel fark 0dr. Edeer devreye gre Vi gerilimi, R1 zerinde den gerilime eittir.

Vi =

R1 V0 R1 + R f

Bu formlde Vo / (R1 + Rf) eitlii R1 ve Rfden geen akm temsil eder. Bu deer R1 ile arplrsa giri gerilim deeri bulunur.

Vi =

R1 V0 R1 + R f

eitliinde her iki taraf Vo a blersek;

Vi R1 = V0 R1 + R f

olur.

Rf V0 R1 + R f V = 0 =1+ Vi R1 V1 R1
168

Av = 1 +

Rf R1

olarak bulunur.

. ekil. 8.12 Faz evirmeyen ykselteler ekil 8.12de gsterilen devreler de ayn zamanda faz evirmeyen ykseltelerdir.

169

ekildeki faz evirmeyen ykseltecin kazancn bulunuz.

Av = 1 +

Rf R1

=1+

200 K =5 50 K

Faz evirmeyen yk. devresinde Rf = 200 K, R1 = 50 K, ve Vi = 3 V ise V0 = ?

Rf V0 V 200 =1+ 0 =1+ Vo = 15Volt Vi R1 3 50

8.7.3 OP-AMPIN GERLM ZLEYC OLARAK KULLANILMASI (VOLTAGE FOLLOWER)

Vi = 0 Vi
ekil 8.13 Gerilim izleyici ve edeer devresi

Vo

170

Bu devre, gerilim kazancnn 1 ve giri k iaretinin ayn fazda olduu bir ykseltetir. Edeer devrede grlecei gibi Vo = Vi dir. Emiter izleyici devreye ok benzer. Bu devrenin giri empedans yksek, k empedans dk olduundan empedans uygunlatrmada kullanlr. Gerilim izleyici devrede Av = 1 dir. 8.7.4 OP-AMPIN TOPLAR YKSELTE OLARAK KULLANILMASI (SUMMING AMP.)

ekil 8.14 Toplar ykselte

Toplar ykselte, inverting ykselte gibi almaktadr. Rfden geen akma If, R1den geen akma I1, R2den geen akma ise I2 dersek; I f = I 1 + I2

I1 =

V 1 Vx R1

, I2 =

V 2 Vx R2

, If =

Vx Vo Rf

( Vx = 0 olduu iin )

I1 =

V1 R1

, I2 =

V2 R2

, If =

Vo Rf

I1 + I 2 = I f

V1 V 2 + R1 R 2
Vo =

V0 Rf
olarak bulunur.

Rf Rf V 1 + V 2 R2 R1
olur.

Eer, Rf = R1 = R2 olarak seilirse, Vo =

(V 1 + V 2 )

Giri adedi 3 olursa k voltaj deerini veren forml,

V0 =

Rf Rf Rf V 1 + V 2 + V 3 R2 R3 R1

olur.

171

Formldeki (-) iareti, OP-AMPn faz eviren ykselte olarak almasndan kaynaklanmaktadr.

Toplar ykselte devresinde; Rf = 600 K, R1 = 200 K, R2 = 100 K, V1 = 1 V, V2 = -3 V ise k voltaj deerini bulunuz. Vo =

600 600 .1 + .( 3) 100 200

= 15 Volt

V0 =

( 2V 1 + 3V 2 + 0,5V 3)

kn veren bir OP-AMP devresi tasarlaynz. ( Rf = 60 K)

Tasarlanacak olan devre, 2 girili bir toplar ykseltetir.

V0 =

Rf Rf Rf V 1 + V 2 + V 3 R2 R3 R1 60 K R1 60 K R2
60 K R3

Rf R1 Rf R2
Rf R3

=2

= 2 R1 = 30 K

=3

= 3 R2 = 20 K

= 0,5

= 0,5 R3 = 120 K

8.7.5 OP-AMPIN FARK YKSELTEC OLARAK KULLANILMASI (DIFFERENCE AMP.)

ekil 8.15 Fark ykselteci

172

Devre, girilerine uygulanan sinyallerin farkn alr. Devre analizinde, girilerden birisi yok saylp, dieri var saylarak Sperpozisyon Teoremi uygulanacaktr. nce OP-AMPn inverting ykselte olarak alt dnlrse; nverting ykselte k; V0 =

Rf Vi1 R1

olur.

imdi, inverting girii yok, non-inverting girii var iken k voltajn yazarsak;

ekil 8.16 Fark ykseltecinin non-inverting ykselte olarak almas

173

Faz evirmeyen ykseltecin k voltaj

V0 =

Rf 1 + Vi 2 R1

dir.

Fakat ekil 8.16dan grlecei gibi OP-AMPn faz evirmeyen ( + ) giriine uygulanan sinyal, R 3 direncinin zerine den voltaj Vx kadardr. Vx voltaj;

Vx = I R3 I =

Vi 2 R2 + R3

Vx =

Vi 2 R3 R2 + R3 Rf 1 + Vx R1

olacaktr. u anda k voltaj;

V0 =

V0 =

Rf R 3 1 + Vi 2 R1 R 2 + R 3

olur.

Yaplan analiz sonucunda, devrenin k voltaj;

V0 =

Rf Rf R 3 Vi1 + 1 + Vi 2 R1 R1 R 2 + R 3

bulunur.

Eer, fark ykseltecinin R1 = R2 = R3 = Rf olarak seilirse;

V 0 = Vi 2 Vi1

olur.

Eer, R1 = R2 ve R3 = Rf olarak seilirse

V0 =

Rf (Vi 2 Vi1) R1

olur.

R1 = 200 K, R2 = 50 K, R3 = 100 K, Rf = 100 K, Vi1 = -3 V, Vi2 = +2 V ise V0 = ?

100 ( 3) + 1 + 100 100 2 V0 = 200 200 150 V 0 = 3,5 Volt

174

ekildeki devrenin inverting kazanc -1,5, R2 = 12 K, R1 = 15 K, R4 = 25 K, Vi2 = 8 V, V0 = 5 V ise devredeki geri besleme direnci deeri ile Vi1 deerini bulunuz. Devrenin inverting kazanc 1,5 olduuna gre; Av =

R3 R2

-1.5 =

R3 12 K

R3 = 18K olur.

Devredeki R1, R2, R3 ve R4 gibi diren etiketlerine gre fark ykseltecinin k ifadesinin forml;

V0 =

R3 R 3 R 4 Vi1 + 1 + Vi 2 R2 R 2 R1 + R 4

olur.

5=

18 18 25 Vi1 + 1 + 8 12 12 15 + 25

Vi1 = 5Volt

175

2.5 K

0.8 V.

500

1.OP-AMP

0.4 K

800

3.OP-AMP V1 2.OP-AMP

4.OP-AMP

Vo=9 Volt

1.5 K

100

ekilde verilen devrede;

a)
b) a)

V1 ile gsterilen giri voltaj deerini, I ile gsterilen akmn deerini hesaplaynz

1.OP-AMP k,

V 01 =
2.OP-AMP k

2500 0,8 = 4V 500

1500 V 02 = 1 + V 1 = 4V 1 500
3.OP-AMP k yine 4V1dir. 4.OP-AMP k

V0 =

800 800 100 ( 4 ) + 1 + 4V 1 400 400 200 + 100

formlnden,

V1 = 0,25Volt olarak bulunur.

b)

1500 0,251 + V 0( 2.OP AMP ) 500 I= = Rf + R1 2000 I = 500

176

8.7.6 OP-AMPIN KARILATIRICI OLARAK KULLANILMASI (COMPARATOR)

ekil 8.17 Karlatrc devre

ekil 8.17deki devre (-) giriine uygulanan referans sinyaliyle ( Vref ), ( + ) uca uygulanan Vi sinyalini karlatrr. ki sinyal arasndaki fark ok kk olsa dahi 200.000 ile arplarak ka aktarlr. Pratikte, ak evrim kazancn snrlayan faktr +V, -V besleme voltaj deerleri olduu iin ktan yaklak +V, -V gerilim deeri kadar sinyal alnr. Bu devrede; Vi > Vref olursa, ktan +V, Vi < Vref olursa, ktan -V deeri alnr. Eer, referans girii OP-AMPn ( + ) giri ucuna, Vi iareti de ( - ) giri ucuna uygulanrsa OP-AMP inverting ykselte almas yapar.

ekil 8.18 TTL Devreyi sren karlatrc devre

Karlatrc devre, bir TTL devreyi srecek ise devreye bir diyod eklenir. ekil 8.18deki devreye gre; Vi > Vref olduunda, V0 = +5Volt ( diyod yaltmda ), Vi < Vref olduunda, V0 = -0,6Volt ( diyod iletimde ) olur.

177

ekil 8.19: Zener Diyodlu Karlatrc Devresi

ekil 8.19 Zener diyotlu karlatrc devresi. ekil 8.19daki devrede, OP-AMP k ( + ) iken zener diyod doru bayaslanaca iin V0 = +3Volt olur. OP-AMPn k ( - ) olduunda, zener diyod ters bayaslanarak, normal bir diyod gibi alr. ktan 0,6Volt alnr.

ekil 8.17deki devrede Vi = 4Volt, Vref = 2V, besleme voltaj deeri voltaj deerini bulunuz. Vi > Vref ( 4V > 2V ) olduundan V0 = +5V olur.

5Volt

olduuna gre k

ekil 8.18deki devrede Vi = +4V, Vref = +3V, besleme kayna voltaj deeri bulunuz. ( diyod silisyumdur) Vi > Vref ( 4V > 3V ) olduundan V0 = +5Vtur.

5V

olduuna gre k voltaj deerini

8.7.7 OP-AMPIN NTEGRAL ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI ( INTEGRATOR )

Cf

Vi

R1 x

Vo

ekil 8.20 ntegral alc devre

Bu devre giriine uygulanan sinyalin integralini alr. Matematiksel anlamda integral, bir erinin altnda kalan alana denk gelir. ntegrator devrenin giriine kare dalga uygulandnda, devrenin kndan gen dalga elde edilir. nk kare dalgann integrali gen dalgadr. Bu devrenin k voltaj;

178

V0 =

1 Vidt R1Cf 0

dir.

ekil 8.21 ntegrator devre

ekil 8.21de grld gibi giri offset geriliminin OP-AMP doyuma gtrmesini engellemek iin C fe paralel bal Rf direnci balanr. Giri polarma akmlarnn eit olmayndan dolay meydana gelebilecek offset gerilimini ve bu gerilimin etkilerini gidermek amacyla OP-AMPn ( + ) giri ucuyla ase arasna R2 direnci balanr. R2 = R1//Rfdir. ntegral alc devrenin, giriine uygulanan sinyalin integralini alabilmesi iin;

1)

fgiri fc =

1 2RfCf

olmaldr.

( Girie uygulanan sinyalin frekans fc, kritik frekanstan byk veya eit olmaldr. ) 2)Devrenin zaman sabitesi ( = R1Cf ) ile girie uygulanan sinyalin periyodu yaklak eit olmaldr. Eer, devrede bu artlardan bir veya ikisi salanmyorsa devre girie uygulanan sinyalin integralini almaz, inverting ykselte olarak alr. Bu haliyle devrenin kazanc Rf/R1 olur.

ekil 8.21deki devrede Rf = 100K, Cf = 10nf, R1 = R2 = 10Kdr. Devrenin giriine 10KHzlik bir sinyal uygulanrsa, devre integrator olarak alr m?

fc =

1 = 159 Hz 2 100.10 3.10.10 9

fgr > fc olduundan 1.art salanmtr. Devrenin giriine uygulanan sinyalin periyodu T = 1/f = 1/10.000 = 0,1msdir. Devrenin giriine uygulanan sinyalin periyodu ile devrenin zaman sabitesi birbirine eittir. ki art salandna gre devre integrator olarak alr.

179

Rf = 5K, Cf = 0,1nf, R1 = 10K, olan bir devrenin giriine 100KHzlik bir sinyal uygulanmaktadr. Devrenin integrator olarak alp almadn tespit ediniz.

180

fc =

1 1 = = 318,47 KHz 3 2RfCf 2 .5.10 .0,1.10 9

fgr > fc olmad iin devre integrator olarak almaz. ( 2.arta bakmaya gerek yoktur ) 8.7.8 OP-AMPIN TREV ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI (DIFFERENTIATOR)

Rf C1 I1
EKL 8.22 TREV ALICI Giriine uygulanan sinyalin trevini alr. Girie gen dalga uygulandnda ktan kare dalga, kare dalga uygulandnda ise kndan sivriltilmi dalga elde edilir. k voltaj;

Vi

Vo

V0 =

Rf .C 1.

dVi dt

dir.

ekil 8.23 Pratikte kullanlan trev alc

ekil 8.22deki devre pratik uygulamalarda kullanmaya elverili deildir. nk, C1 kondansatr yksek frekansl giri sinyallerinde ksa devre zellii gstererek, zerindeki gerilim dm en az seviyede olur ve ykseltecin kazanc artar. Yksek frekansl giri sinyallerinde k maksimum seviyeye ular. Vi giriinde grlt mevcut ise devre grltnn yksek frekans blmn olduu gibi ykseltir. Bu istenmeyen durumu engellemek iin ekil 8.23te grld gibi girie R 1 direnci eklenir. Bylece, devre kazancna yksek frekanslarda Rf / R1 oran gibi bir snrlama getirilir. Trev alcnn, giriine uygulanan sinyalin trevini alabilmesi iin;

1) fgiri fc =

1 2 .R1.C 1

olmaldr.

181

( Girie uygulanan sinyalin frekans, fc kritik frekanstan kk veya eit olmaldr. ) 2) Devrenin zaman sabitesi ( = Rf.C1 ) ile girie uygulanan sinyalin periyodu birbirine yaklak eit olmaldr.

Bir trev alc devrede, Rf = 10K, C1 = 10nf, R1 = 1Kdr. Devre, giriine uygulanan 1KHzlik sinyalin trevini alabilir mi?

fc =

1 1 = = 1592 Hz 2 .R1.C 1 2 .1000.100.10 9

fgiri fc olduundan 1.art salanmtr. Devrenin zaman sabitesi = Rf. C1 = 1ms, devrenin giriine uygulanan

sinyalin periyodu, Tgr = eittir.

1 fgr

= 1msdir. Devrenin giriine uygulanan sinyalin periyodu ile devrenin zaman sabitesi birbirine

ki art salandna gre, devre trevleyici olarak alr.

Bir trevleyici devrede Rf = 50K, R1 = 5Kdr. Devrenin giriine 50KHZlik gen dalga uygulandnda, devrenin trevleyici olarak alabilmesi iin gerekli kapasite deerini bulunuz.

giri = Rf C1

1 = 50.10 3.C1 C1 = 400 pf 3 50.10

fc =

1 1 = = 80 KHz 2 .R1.C1 2 .5000.400.10 12

fgiri fc olduundan devre trevleyici olarak alr. 8.7.9 OP-AMPIN LOGARTMK YKSELTE OLARAK KULLANILMASI

Ic

Vi

R1 I1

R2

Vo

ekil 8.24 Logaritmik ykselte

182

Bu tip zel ykselteler, analog bilgisayarlarda matematiksel ilemleri gerekletirmede kullanlr. Bu ykselte, ayn zamanda inverting zelliktedir. Geri besleme eleman olarak transistr kullanlr. Transistrn B-E ekleminden faydalanlarak logaritma ilemi yaplmaktadr. k voltaj;

V0 = VBE =

60mV .log

Ic I0

olmaktadr.

I0 deeri sabit olup, oda scaklnda 10-13A deerindedir.

Logaritmik ykselte devresinde R1 = R2 = 1,2Kdr. a) b) Vi = 120mV olduunda k voltaj deerini, Vi = 1,2mV olduunda k voltaj deerini bulunuz.

a) V0 =

60mV .log

Ic I0

, Ic =

Vi 0,12V = = 0,1mA R1 1,2 K

V0 =

0,1.10 -3 60mV .log = 60mV . log10 9 -13 10

9

log 10

= 9. log10 = 9

olduundan;

V0 = 60mV.9 = 540mV

a)

Ic =

Vi 1,2V = = 1mA R1 1,2 K 10 -3 10 -13

V0 =

60mV .log

= 60mV.log1010

V0 = 60mV.10.log10 = 600mV Giri gerilimi 10ar kat arttrld halde kta 60mVluk artlar olmutur.

Logaritmik ykselte devresinde, diren deerleri 100K, k gerilimi 0,3Volt ise giri voltajnn deerini hesaplaynz.

V0 =

60mV .log

Ic I0

300mV =

60mV .log

Ic 10 -13
183

5=

log

Ic 10 -13

Ic = 10 5 -13 10

Ic = 10-8A

Vi = Ic.R1 = 10-8.100.103 = 1mV

184

8.7.10 OP-AMPIN YARIM DALGA DORULTMA OLARAK KULLANILMASI Bilindii gibi dorultma ilemini yapan eleman diyottur. Germanyum diyodun eik gerilimi 0,2V, silisyumun ise 0,6Vtur. Dolaysyla, genlii 0,6V civarnda veya daha kk iaretler diyod ile dorultulamazlar. Dorultulacak sinyalin genlii 0,6Vtan fazla olsa bile yaplan dorultma hassas olmaz.

ekil 8.25 Hassas yarm dalga dorultma

Hassas bir ekilde yarm dalga dorultma ilemini gerekletirmek iin ekil 8.25deki gibi bir OP-AMPl devre kullanlr. Devre, faz eviren karlatrc yapsnda olduu iin; Vi > Vref Vx = -V Vi < Vref Vx = +V dir.

Giri sinyalinin ( + ) alternansnda k ( - ) olur. x noktasndaki potansiyel 0dan kk ( V x<0 ) olur. Bylece D1in anoduna ( - ) geldii iin yaltmda, D2nin katoduna ( - ) geldii iin iletimdedir. D2 iletime geince ktan girie negatif geri besleme olur. OP-AMPn faz eviren girii yaklak 0Volt olduundan ( (+) u aseye bal ) x noktasnda 0,6Volt grlr. Giriin ( - ) alternansnda k 0dan byk olur ( V x = +V ). Bylece D1 iletken, D2 yaltkandr. D1in iletime gemesiyle R2 zerinden devrenin giriine geri besleme yaplr. Kazan R2 / R1 kadardr. OP-AMP, inverting modda altndan, ktan giri ile ters fazda, ayn genlikte bir sinyal alnr. Devre, giriine uygulanan sinyalin sadece (-) alternansn geirmekte ve fazn ters evirerek kta pozitif alternanslar meydana getirmektedir.

185

ekil 8.26 Yarm dalga dorultma uygulamas

OP-AMP ile girie uygulanan V seviyesindeki sinyalleri dorultmak mmkndr. Normal diyotlarla yaplan dorultmalarda diyodun eik gerilimi (0,2 V 0,6 V) zerindeki sinyaller dorultulur. ekil 8.26daki devrenin giriine iaret jeneratr vastasyla 500 mV tepe deerli ve 500 Hz frekansl bir sinyal uygulanmtr. Osilaskobun A kanalna giri sinyali, B kanalna k sinyali uygulanmtr. Bu haliyle devre, pozitif kl yarm dalga dorultma devresidir.

186

8.7.11 OP-AMPIN TAM DALGA DORULTMA OLARAK KULLANILMASI

ekil 8.27 OP-AMPl hassas tam dalga dorultma ekil 8.27deki devrede 1. OP-AMP yarm dalga dorultma, 2. OP-AMP ise toplayc olarak grev yapar. Vi sinyalinin negatif alternanslar dorulmakta ve pozitif olarak V 1 sinyali 1. OP-AMP kna aktarlmaktadr. Bu srada Av = 1dir. 2. OP-AMPn (-) ucuna hem V i ve hem de V1 sinyalleri gelmektedir. Uygulamalarda R4 = 2 R5 olarak seilir. Vinin (+) alternanslarnda V1 = 0dr. V0 = - Vi olur (R4 = R6). R6 = 2 R5 olduundan; V0 = - (2 V1 + Vi) olur. V1 = Vi olduundan; V0 = - (-2Vi + Vi) = Vi olur.

V1 t

ekil 8.28 Tam dalga dorulmaca ait dalga ekilleri

(-) Alternans giriinde, (-) iaret 2. OP-AMPn (-) giriine direkt olarak uygulanr. 1. OP-AMP kndan ise pozitif ve iki defa ykseltilmi alternans ayn anda uygulanr. OP-AMP, (-) giriine uygulanan iki voltajn farkn ykseltir. k negatif bir alternanstr. ekil 8.28de ise bu devreye ait Vi, V1 ve V0 dalga ekilleri grlmektedir. 8.7.12 OP-AMPIN GERLM KONTROLL OSLATR OLARAK KULLANILMASI

187

ekil 8.29 OP-AMPl gerilim kontroll osilatr

DC k voltaj ile kontrol edilebilen osilatrlere, gerilim kontroll ( VCO-Voltage Controlled Oscillator ) ad verilir. ekil 8.29daki devre, Vi giri voltaj ile frekans kontrol edebilen bir testere dii jeneratrdr. Temel olarak bu devre integral alc bir devredir. Negatif geri besleme hattnda bir kondansatr ve ona paralel bal bir SCR kullanlmtr. SCR, onoff anahtarlamay gerekletirir. Gate voltaj belli bir eik voltajn atktan sonra iletime geer. Altnda ise SCR yaltmdadr.

kta meydana gelen testere dii dalgann periyodu;

T=

Vg .R.C Vi

dir.

Vg = +4V, C = 10nf, R1 = 10K, Vi = -4V olan gerilim kontroll osilatr devresinin kndan alnan sinyalin frekansn bulunuz.

f =

1 Vi 4 = = = 3,33KHz T Vg.R.C 12.10.10 3.10.10 9

188

8.7.13 OP-AMP IN ALAK GEREN FLTRE OLARAK KULLANILMASI Sadece R, C ve OP-AMP kullanarak filtre devreleri yapmak mmkndr. Bu tip fitrelere Aktif Filtre denir. Sadece kondansatr ve self kullanarak yaplan filtrelere Pasif Filtre denir. Aktif filtrelerin, pasif filtrelere gre stnlkleri unlardr: 1. Aktif filtrelerde, filtrenin geirgen olduu frekanslarda herhangi bir zayflama olmaz. nk,aktif filtre yapsndaki OPAMP, bu iaretleri ykselterek ka aktarr. Pasif fitrelerde, devrenin geirgen olduu frekanslarda azda olsa bir zayflama olmaktadr. 2. Aktif filtre devrelerinde bobin kullanlmadndan hem ucuz hem de kolay bir ekilde oluturulabilir. 3. Aktif filtrelerin giri empedans yksek, k empedans dk olduundan, giri ve kna balanan devreleri etkilemez. Aktif filtrelerin, pasif filtrelere gre sakncalar unlardr: 1. Pasif filtre devreleri besleme kaynana ihtiya duymadklar halde aktif filtrelerde, OPAMPtan dolay kaynak gerilimi gerekir. 2. Aktif filtre yapsndaki OP-AMP n band genilii snrl olduundan her frekansta filtre yapmak gtr.

ekil 8.30 Alak geiren filtre ekil 8.30daki OP-AMP non-inverting yapsndadr. Devrenin kesim frekans;

fc =

1 2 R1.R2 .C1.C2 1 olur. 2 .R1.C1

dir. R1= R2 ve C1 = C2 alnrsa;

fc =

189

Aktif filtrenin geirgen olduu blgede frekans karakteristiinin dzgn olabilmesi iin OP-AMP kazancnn 1,58 olmas gerekir. Buna gre;

Av = 1 +

Rb Rb = 1,58 dir. Buradan, = 0,58 olarak bulunur. Ra Ra

Alak geiren fitre devresinde, R1 = R2 = 1 K, C1 = C2 = 0,1 F, Ra = 10 K, Rb = 5,6 K olduuna gre, a) b) c) Devrenin kesim frekans ne olur? Bu devre hangi frekans deerleri arasn geirir? Geirgen olduu blgede frekans karakteristii dzgn mdr

a)

fc =

1 1 = = 1,6 KHz. 3 2 .R1.C1 2 .10 .0,1.10 6

b)

0-1,6 KHz. aras frekanslar geirir.

c)

Rb 5,6 = = 0,56 0,58 olduuna gre filtrenin frekans karakteristii dzgndr. Ra 10

190

ekil 8.31 Alak geiren filtrenin EWB programnda uygulanmas 8.7.14 OP-AMP IN YKSEK GEREN FLTRE OLARAK KULLANILMASI EKL 8.32 YKSEK GEREN FLTRE

Yksek geiren filtre, alak geiren filtre devresindeki R ve C lerin yer deitirilmesiyle elde edilir. stenen frekans deerinin stndeki frekans deerlerini geirir, altndakileri ise bastrr. Formller, alak geiren filtre devresi ile ayndr.

191

R1=R2=1 K, C1=C2=0,1 F olan yksek geiren filtre devresi hangi frekanslar geirir?

fc =

1 1 = =1,6 KHz. 3 2 .R1.C1 2 .10 .0,1.10 6

Bu devre 1,6 KHz.in zerindeki sinyalleri geirir.

ekil 8.33 Yksek geiren filtrenin EWB programnda uygulanmas

192

Bir OP-AMP ile yaplan devrenin 10 KHzin zerindeki sinyalleri geirmesi ve altndakileri bastrmas istenmektedir. Devrede kullanlan filtre diren deerleri birbirine eit olup 5 K dr. Devrede kullanlan ve eit deerde bulunan filtre kondansatrlerinin deerini bulunuz. ( = 3 )

fc =

1 = 10.103 2.3.5.103 C

C=

1 1 = = 3,3 nF 3 30.10 10.10 3.108

3

8.7.15 OP-AMP IN BAND GEREN FLTRE OLARAK KULLANILMASI

ekil 8.34 Band geiren filtre ekil 8.34 te iki katl bir band geiren filtre gsterilmitir. lk kat yksek geiren bir filtre olup, ikinci kat alak geiren bir filtredir ve ikisinin birlikte almas, istenen band geiren filtre tepkisini verir. Devrenin kesim frekanslar;

fc, L =

1 , 2 .R1.C1

fc, H =

1 2 .R2 .C2

formlleri ile bulunur.

193

R1= R2 = 10 K, C1 = 0,1 F, C2 = 2 nF olan band geiren filtre hangi frekans deerleri arasndaki sinyalleri geirir ?

fc, L =

1 1 = = 159,15 KHz. 2 .R1.C1 2 .10.103.0,1.10 6 1 = 7,96 KHz. 2 .10.103.2.10 9

fc, H =

Bu filtre devresi; 159,15 KHz. ile 7,96 KHz. arasndaki sinyalleri geirir.

Sekil 8.35 Band geiren filtrenin EWB programnda uygulanmas

194

8.8 OP-AMP PARAMETRELER Giri Offset Gerilimi (Vio): OP-AMP n (+) ve (-) girileri arasnda ideal olarak 0 volt olmas gerekir. Ancak, pratikte giri ularnn bal olduklar transistrlerin tam uyum iinde olmamalar nedeni ile giri ular arasnda, ok kkte olsa bir offset gerilimi oluur. Giri Polarma Akm (Ib): Her iki giriten OP-AMP devresine akan akmlarn ortalama deeridir. Giri Offset Akm (Iio): Vo=0 olduunda her iki giri polarma akm arasndaki farktr. Giri Empedans (Zi): Girilerden birinden bakldnda, dieri topraklanm durumda iken grlen empedanstr ve deeri ok yksektir. k Empedans (Zo): ktan bakldnda grlen dk deerdeki empedanstr. k Ksa Devre Akm (Iosc): OP-AMP devresinden ekilebilecek max akmdr. Ak evrim Kazanc (Avo): OP-AMP devresine dardan herhangi bir geri besleme salanmad zamandaki, k geriliminin giri gerilimine oranna denir. Ortak Mod Tepki Oran (Common Mode Rejection Ratio-CMRR): OP-AMP devresinin, her iki giriine de ortak olan iareti kabul etmeme zelliidir. Her iki girie ayn anda uygulanan iaretin, k iaretine oranna (dB cinsinden) eittir.

BLM IX

DALGA MEYDANA GETRME USULLER 9.1 DALGA MEYDANA GETRME USLLERNE GR Dalga reteleri birka hertzden, birka gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. klarnda sinsoidal, kare, dikdrtgen, testere dii gibi dalga ekillerini oluturan dalga reteleri birok devrelerde kullanlrlar. Dalga retelerine osilatr denir. Aslnda bir osilatr, kendi giri sinyalini kendi temin eden bir ykseltetir. 9.2 DALGA RETELERNN SINIFLANDIRILMASI Dalga reteleri, k dalga ekillerine gre sinsoidal ve sinsoidal olmayan osilatrler olarak iki geni kategori iinde snflandrlr. Sinsoidal bir osilatr, knda sins dalga ekli oluturur. Burada, k genliinin sabit olmas arzu edilir. Alak frekans osilatr tiplerinde frekans tespit edici devre iin diren ve kondansatr kullanlyorsa R-C osilatr olarak adlandrlr. Bu tip osilatrler, alak frekansl sinsoidal sinyal rettii iin ses frekans sahasnda kullanlrlar. L-C osilatrlerde, frekans tespit edici olarak bobin ve kondansatr kullanlr. L-C osilatrlerde yksek frekansl sinyaller elde edilir ve alc-verici gibi devrelerde kullanlrlar. Dier tip osilatrler ise kristal kontroll osilatr olup bunlar frekans kararlnn en iyi olduu osilatrdr. Ses frekansn ortasndan, radyo frekans sahasnn tamamnda kullanlrlar. Sinsoidal olmayan osilatrler; kare, dikdrtgen veya testere dii gibi kompleks dalga ekillerini meydana getirirler. Sinsoidal olmayan osilatrlerin klar genellikle ani bir deime belirledii iin bu tip osilatrlere relaksasyon osilatr

195

denir. Relaksasyon (Relaxtion) osilatr, bir bobin veya kondansatrn bir diren zerinden yava yava arj ve hzla dearj olmasyla sinsoidal olmayan bir sinyali reten osilatrdr. Kare dalga reten multivibratrler ve testere dii reten osilatrler, sinsoidal olmayan osilatrler snfna girer.

196

9.3 OSLASYON N GEREKL ARTLAR Paralel bobin ve kondansatrlerden oluan devreye tank devresi ad verilir. Bir tank devresinden osilasyon (salnm) elde edilebilir. Bir kondansatr, DC bir bataryaya tam olarak arj ettikten sonra bir bobine paralel balayalm. u anda kondansatr kaynak grevini grr. Kondansatr, bobin zerinden dearj olduka, bobinden akan akm, bobin etrafnda manyetik alan oluturur. Kondansatr, zerindeki potansiyeli, bobine manyetik alan oluturarak aktarmtr. Kondansatr, tam olarak dearj olduktan sonra bobin zerindeki manyetik alan kmeye balar. Manyetik alan tamamen knceye kadar akm devaml akacak ve kondansatr bir nceki durumuna gre ters ynde arj olacaktr. Devrede, elemanlar birbirine irtibatlandrmada kullanlan iletken tellerin az da olsa bir direnci olduundan, u andaki kondansatrn zerindeki arj miktar, bir ncekine gre daha az miktarda olacaktr. Olaylar byle devam ederse tank devresi ularndan gittike sfra ulaan bir salnm elde edilir. Sfra ulamasnn nedeni, devredeki diren deeridir. Snmsz bir sinsoidal dalga, devrede direncin bulunmadn, iletken tellerin direncinin sfr olduu ideal bir ortamda elde edilir. Gerekte varolan byle bir dahili direncin, tank devresinden elde edilen sinsoidal sinyalin snmesine ve giderek sfra gitmesine snm (damping) denir. Osilasyonlarn devamlln salamak iin gerekli artlar; Ykseltme, Geri Besleme ve Frekans Tespit Edici Devredir. Bir osilatr, kendisine giri sinyali temin eden bir ykseltetir. Bir osilatrden istenen, sabit genlikte ve belli bir frekansta dalga ekli meydana getirmektir.

Geri Besleme

Ykselte ekil 9.1 Temel osilatr blok diyagram

Bir ykseltete olduu gibi bir osilatrn de ykseltme yapabilmesi iin g kaynana ihtiya vardr. Ykseltilen sinyalin gc, giriten ka doru meydana geldiinden kn bir ksm ekil 9.1de grld gibi giri olarak kullanlmak zere geriye beslenmelidir. Devre kayplarnn nne geebilmek ve osilasyonlarn devamll iin kullanlmas gereken geri besleme pozitif geri besleme olmaldr. Bir osilatrn nceden belirlenecek bir frekansta osilasyon yapabilmesi iin bir frekans tespit ediciye ihtiya vardr. Bu frekans tespit edici, aslnda filtre devresi olup istenen sinyalleri geirip istenmeyenleri bastrr. Osilatr kndaki sinyalin, genlik ve frekansnn sabit tutulabilmesi iin, osilatr devresindeki ykseltecin, k yk ve pozitif geri besleme iin yeterli kazanc salamas gerekir. Genellikle g kazancnn byk olmas, giri ve k empedansnn birbirine kolayca uydurulabildii tertip olarak emiteri ortak balant olarak kullanlr. 9.4 SNSODAL DALGA RETELER Sinsoidal sinyal reten osilatr devrelerinde, frekans tespit edici olarak R-C devresi ve kristal kullanlr. Eer, frekans tespit edici olarak R-C devresi kullanlrsa, osilatrden alak frekansl sins sinyali elde edilir. Frekans kararllnn en iyi olduu osilatrler ise kristal kontroll osilatrlerdir. Alc ve verici devrelerde kullanlan osilatrlerin frekans kararllnn ok iyi olmas istenir. R-C osilatrler 20 Hz - 20 KHz arasndaki ses frekans sahasnda kullanlmak zere sins sinyali retirler. Frekans tespit edici olarak diren ve kondansatrler kullanlr.

197

Giri Sinyali

ekil 9.2 R-C osilatrn blok diyagram

Emiteri Ortak Ykselte

ekil 9.2deki blok diyagramda R-C osilatrn blok diyagram gsterilmitir. Blok diyagramdaki R-C devresi, hem pozitif geri beslemeyi, hem de frekans tespit edici devreyi salar. Blok diyagramdaki ykselte devresi, emiteri ortak ykselte olduu iin A noktasndaki kollektr sinyali ile base zerindeki sinyal 180 faz farkldr. Sinyal, C1den R1e uygulandnda yaklak 60 lik faz kaydrma meydana gelir. Faz kaydrma olutuu iin genlikte bir miktar azalma olur. B noktasndaki sinyal C2 zerinden R2ye uygulandnda yaklak 120 lik bir faz kaymas meydana gelir ve genlikte yine azalma olur. C noktasndaki sinyal C3 zerinden R3e uygulanrken 180 faz kaydrmaya maruz kalr. 3 adet R-C devresinin her biri 60 faz kaydrp toplam 180lik kaymaya neden olmutur. D noktasndaki sinyal, transistrn beyzine uygulanan pozitif geri besleme sinyalidir. 9.5 KRSTALLER 9.5.1 KRSTALN YAPISI VE ALIMASI

Osilatrlerde frekans kararll ok nemlidir. Bir osilatrn sabit frekansta kalabilme zelliine Frekans Kararll denir. RC ve LC osilatrlerde frekans kararll iyi deildir. Verici devrelerinde, tahsis edilen frekansta yayn yapabilmesi iin frekans kararl en iyi olan kristal kontroll osilatrler kullanlr. RC veya LC osilatrlerde, L, C ve R deerlerindeki deiiklikler, transistrl ykseltecin statik alma noktasndaki deiiklikler, scaklk ve nem gibi evresel deiimlere bal olarak frekans kararll deiir. Kristal, piezoelektrik etkiyle alan bir elemandr. Piezoelektrik zellik sergileyen doal kristal elemanlar; quartz ( kuvars ), Rochelle tuzu ve turmalindir. Genellikle kristal mikrofonlarda Rochelle tuzu kullanlrken osilatrlerde frekans kararll nedeniyle quartz kullanlr. Quartz kristalinin bir yzne mekanik bask uyguland zaman kart yzler arasnda bir gerilim oluur. Kristallerde etki iki trldr. Mekanik titreimlerin elektriki salnmlar; elektriki salnmlarn mekanik titreimler retmesine Piezoelektrik Etki ad verilir. Bir kristalde, rezonans frekansnda veya buna yakn bir frekansta AC bir sinyal uygulandnda, kristal mekanik salnmlar yapmaya balar. Mekanik titreimlerin bykl, uygulanan gerilim bykl ile doru orantldr.

ekil 9.3 Kristalin Sembol ve Edeer Devresi 198

Kristalin ( xtall ) sembol ve edeer devresi ekil 9.3te gsterilmitir. Edeer devredeki her bir eleman, kristalin mekanik bir zelliinin karldr. Cm, kristalin mekanik montajndan kaynaklanan kristalin elektrotlar arasnda var olan kapasitans gsterir. Edeer devredeki C, kristalin mekanik yumuaklna ( esneklik-elastisite ) edeeridir. Edeer devredeki L, titreim yapan kristalin ktlesini, R ise kristal yapsnn i srtnmesinin elektriksel edeerini gsterir. R ile gsterilen kristal kayplar ok kk olduundan, kristallerin Q kalite faktr 20.000 gibi ok byk bir deerdedir. L-C tank devrelerinde elde edilemeyen yksek kalite faktr kristal kontroll osilatrlerde elde edilir. Bu da kristalli osilatrlerin yksek kararlln ve kesinliini gsterir. Bir kristalin, seri ve paralel edeer devresi olduu iin seri ve paralel olmak zere iki rezonans frekans vardr. Seri rezonans devresi R, L ve Cden paralel rezonans ise L ve Cmden oluur. 9.6 KARE DALGA RETELER VE DEVRE ETLER

Kare dalga reten devrelere MULTIVIBRATOR denir. Bir multivibratr, temel olarak pozitif geri beslemeli iki ykselte devresinden oluur. Genellikle bir ykselte iletimde iken dieri yaltmdadr. 3 tip multivibratr vardr: -Kararsz ( astable ) multivibratr -Tek kararl ( monostable ) multivibrator -ift kararl ( bistable ) multivibrator 9.6.1 KARARSIZ ( ASTABLE ) MULTVBRATOR

ekil 9.4 Astable Multivibratr

199

Bu multivibratr devresi sabit bir konumda deildir. Dardan bir tetikleme palsi uygulanmadndan, transistrler sra ile yaltmdan iletime geer. ekil 9.4teki astable multivibratr devresinde R 1 = R2, R3 = R4, C1 = C2, Q1 = Q2 olduundan iki transistrn ayn anda iletimde yada kesimde olduu dnlebilir. Fakat devredeki elemanlarn az da olsa birbirinden ayran toleranslar vardr. rnein, 100Kluk direncin tolerans %5 ise bu direncin deeri 95K ile 105K arasndadr. O halde devredeki elemanlarn toleranslar olduu iin balangta bir transistr iletimde, dieri ise kesimdedir. Balangta; Q1 yaltmda, Q2 iletimde olsun. Bu durumda C2 kondansatr Q2 ve R4 zerinden V0 gibi bir voltaja arj olur. Bu esnada C1 kondansatr de Q2, R1 ve +Vcc zerinden dolmaya balar. C1in sol ucu ( + ), sa ucu ( - ); C 2nin sol ucu ( + ), sa ucu ise ( - ) olarak kutuplanr. C2 kapasitesi zerindeki gerilim Q1 transistrn iletime geirebilecek seviyeye ulatnda Q1 iletime geer. Bu anda, C1in ( + ) ucu aseye, ( - ) ucu ise Q2nin beyzine balanm olacandan Q2 kesime girer. C1 kapasitesi R3 ve Q1 zerinden dearj olmaya balar. C1in zerindeki gerilim miktar 0Volta iner ve ilk durumuna gre ters ynde ykselmeye balar. Bu esnada C2 kapasitesi, Q1 ve R2 zerinden kaynak voltaj olan Vccye arj olmaktadr. C1 zerindeki gerilim V0 gibi yeterli seviyeye ulatnda Q2 iletime girer. Bu anda C2 kondansatrnn ( + ) ucu aseye, ( - ) ucu ise Q1 transistrnn beyzine irtibatl olduundan Q1 yaltma girer. Bu olay byle devam eder.

Q1in kollektr voltaj

Q2in kollektr voltaj ekil 9.5 Astable Multivibratrn Dalga ekilleri

ekil 9.5te transistrlerin klarndan alnan sinyaller gsterilmitir. Q1 veya Q2 transistrlerinin kollektrnden kare dalga elde edilir. Bu kare dalgann frekans R3, R4, C1 ve C2 deerlerine baldr. Elde edilen kare dalgann periyodu: T = 0,7.( R3.C1 + R4.C2 ) formlyle bulunur. Dzgn bir kare dalga iin R3 = R4, C1 = C2, olacak ekilde seilmelidir.

ekil 9.4 deki devrede R1 = R2 = 270, C1 = C2 = 0,1F ise oluacak kare dalgann frekansn bulunuz. T = 0,7.( 10.103.0,1.10-6 + 10.103.0,1.10-6 ) T = 0,7.( 1.10-3 + 1.10-3 ) = 0,7.2.10-3 = 1,4 ms f = 1/T = 1/1,4.10-3 = 714,28 Hz. 9.6.2 TEK KARARLI ( MONOSTABLE ) MULTVBRATR

200

Monostable multivibratr, bir transistr iletimde ve dieri yaltmda olduundan tek bir sabit konuma sahip olan bir devredir. Devrenin konum deitirebilmesi iin yani kesimde olan transistrn iletime geebilmesi iin bir tetikleme palsinin devreye tatbiki arttr.

ekil 9.6daki devreye tetikleme palsi CT, RT ve DT elemanlar ile Q1in beyzine tatbik edilir. CT, RT ve DTden oluan devre bir
trevleyici devredir. Giriten kare dalga uygulanr. RT zerinden pozitif ve negatif olmak zere darbeler alnr. Bu darbelerin negatif alternanslarnn yok edilmesi iin diyod kullanlmtr. ekil 9.6daki devreye dardan herhangi bir etkide bulunulmad srece, yani giriten kare dalga verilmedii srece Q1 transistr yaltmda, Q2 ise iletimdedir. nk Q2 beyz polarmasn almtr. Q1 transistrn kesimden kurtarmak iin beyzine yeterli genlikte bir pozitif darbenin uygulanmas gerekir. Bunun iin giriten kare dalga uygulanr. Q1 transistr iletime getii anda C kapasitesinin ( + ) kutbu Q1 vastasyla ( C-E eklemi ksa devre ) topraa, ( - ) kutbu ise Q2nin beyzine bal durumdadr. Bylece, Q2nin beyzine ( - ) sinyal geldii iin Q 2 transistr kesime girecektir. Yani girie kare dalga uygulandnda, Q1 kesimde iken iletime, Q2 iletimde iken kesime girecektir. C kondansatr R zerinden dearj olmaya balar. Daha sonra, Q2nin beyzine bal olan ucu ( + ) olacak ekilde tekrar arj olmaya balar. Cnin zerindeki gerilim, uygun bir deere ulatnda Q2 iletime, Q1 yaltma girer. C kondansatr, kaynak gerilimine kadar dolar. Yeni bir tetikleme palsine kadar, devre konumunu koruyacaktr.

ekil 9.6 Monostable Multivibratr

201

9.6.3

FT KARARLI ( BISTABLE ) MULTVBRATR

ekil 9.7 Bistable Multivibratr

ki istikrarl duruma sahiptir. Devreye tetikleme palsi tatbik edilinceye kadar, devre sabit konumunu korur. Tetikleme palsi uygulandktan sonra devre dier sabit duruma girer ve nceki sabit duruma dnebilmesi iin tekrar tetikleme palsine ihtiya vardr. Bu multivibratrde bir transistr iletimde iken dieri yaltmdadr. rnein, Q 1in iletimde Q2nin yaltmda olduunu dnelim. Devreye dardan herhangi bir etkide bulunulmad srece transistrler bu konumunu korurlar. Dardan uygulanacak bir tetikleme ile yaltmda olan Q2 iletime, iletimde olan Q1 yaltma girecektir. Uygulanacak bir tetikleme palsi ile devre konum deitirecektir. Dardan tetikleme yapabilmek iin, Q1 ve Q2 transistrlerinin beyzlerine birer diyod balanarak diyotlarn katotlarndan giri sinyalleri uygulanmaldr. BLM X OSLATRLER 10.1 OSLATRE GR Kendi kendine sinyal reten devrelere osilatr denir. Byle devrelere dardan herhangi bir sinyal uygulanmaz. klarnda sinsoidal, kare, dikdrtgen ve testere dii gibi sinyaller meydana getirirler. Osilatrler; muharebe sistemlerinde, radar ve test cihazlarnda kullanlrlar. Aslnda bir osilatr, kendi giri sinyalini kendi temin eden bir ykselte devresidir.

ei

eb

Ykselte

eo

Beo

Geri Besleme 202

ekil 10.1 Ykseltelerde geri besleme

Ykseltelerde geri besleme, bir sistemde enerjinin yksek seviyeli bir noktadan, alak seviyeli bir noktaya geii olarak tanmlanr. Baka bir ifadeyle, emiteri ortak bir ykseltecin kollektrndeki sinyalin, geri evrilip beyzine uygulanmas ilemine geri besleme denir. Pozitif ve negatif olmak zere iki eit geri besleme vardr. Bir ykseltece, ei gibi giri sinyali uygulandnda kndan e0 gibi bir sinyal alnr. k voltajnn bir ksm geri besleme devresi vastasyla girie geri verilir. Transistre uygulanan gerek giri voltaj (e b); (ei) giri voltaj ve (Be0) geri besleme voltajlarnn toplamdr. Geri besleme varken kullanlan forml;

AFB =

A 1 AB

dir. Bu formlde;

AFB = Geri besleme varken ykseltecin kazanc A = Geri besleme yokken ykseltecin kazanc B = Geri beslemenin % ile ifadesi + = Negatif geri besleme durumu = Pozitif geri besleme durumunu gsterir.

203

Pozitif geri besleme durumunda; eb = ei + B.e0 A.eb e0 = A(ei + Be0) e0 = Aei + ABe0 Aei = e0 - ABe0 Aei = e0 (1 AB)

Aei = Av =

e 0 (1 AB ) A

e0 e0 e A = = 0 e 0 (1 AB ) ei 1 e 0 (1 AB ) A A 1 AB
bulunur.

Av =

Daha fazla kazan istendiinde kullanlan geri besleme, pozitif geri beslemedir. Pozitif geri besleme; 1. 2. Band geniliini azaltr. Distorsiyonu azaltr. Geri besleme miktar payday sfr yapacak ekilde bydnde devre kararsz hale gelerek osilasyon yaparak kendi sinyalini retir. Ykselte, osilatr gibi almaya balar.

3.

Bir ykseltecin geri besleme kazanc 10, geri besleme miktar %5 ise pozitif geri beslemede ykseltecin geri besleme kazancn bulunuz. A = 10

B = %5

AFB =
AFB = 20

A = 1 AB

10 5 1 ( 10) 100

AFB = ?

204

Ayn soruyu negatif geri besleme iin znz.

AFB =

10 = 6,66 5 1+ 10 100

Bir ykseltecin geri beslemesiz kazanc 50, pozitif geri besleme kullanlarak kn %2si girie geri verilmektedir. Ykseltecin geri beslemeli kazancn bulunuz ve sonucu yorumlaynz.

A = 50

AFB =

50 1 (50 2 ) 100

50 50 = = 1 1 0

B = %2 AFB = ? Bu ilemde payda sfra gittii iin geri beslemeli kazan sonsuz olarak bulunmutur. Dolaysyla ykselte kararsz hale gelerek bir osilatr gibi almaya balar. Osilasyon, osilatr devresinde ykselte kndan girie uygulanan pozitif geri besleme sonucu oluan sins dalgasdr. Bir osilatrn meydana getirdii sinyallerin veya osilasyonlarn devam edebilmesi iin YKSELTME, GER BESLEME, FREKANS TESPT EDCye ihtiya vardr. Osilatrler 3 ana balk altnda incelenebilir: 1. 2. RC osilatrler Kristal osilatrler 2. LC osilatrler

Osilatrlerde, devre kayplarnn nne geebilmek iin kullanlmas gereken geri besleme POZTF GER BESLEME dir. Osilatrlerde, frekans tespit edici olarak diren ve kondansatr kullanlmsa RC osc, bobin ve kondansatr kullanlmsa LC osilatr, kristal kullanlmsa kristal kontroll osilatrler adn alr. Genelde osilatrlerde kullanlan ykselte tertibi emiteri ortaktr.

205

10.2 OSLATR ETLER 10.2.1 TRANSSTRL FAZ KAYMALI R-C OSLATR Faz kaymal R-C osilatr ayn zamanda bir sins dalga osilatrdr.

ekil 10.2 Transistrl R-C osilatr

ekil 10.2 de grlen transistrl R-C osilatr devresinde ykselte NPN tipi bir transistrle, emiteri ortak balantl olarak tertiplenmitir. Emiteri ortak ykselte devresinin beyzi ile kollektr arasnda 180 0 faz fark vardr. Bu devrenin osilasyon yapabilmesi iin k V0 geriliminin 1800 faz kaydrlarak girie (beyz) pozitif geri beslemesi gerekir. ekil 10.2deki devrede C1-R1, C2-R2, C3-RB2 : Faz evirici devre ve frekans tespit edici tertip, RB1 ve RB2 RE ve CE RC BC 238 : Beyz polarmasn salayan voltaj blc direnler, : Emiter direnci ve by-pass kondansatr, :Geri besleme genlik kontrol salayan kollektr yk direnci, : NPN tipi, ykselte transistrdr.

C1-R1; birinci R-C devresini, C2-R2; ikinci R-C devresini ve C3-RB2 nc R-C devresini oluturur. NPN tipi transistrn kollektrnden alnan geri besleme sinyali 1800 faz kaydrlarak tekrar transistrn beyzine tatbik edilmektedir. Burada her bir R-C devresi 600lik faz kaydrmaya neden olmaktadr. Her bir R-C osilatr devresinde 3 adet R-C devresine ihtiya yoktur. Toplam faz kaydrmann 1800ye ulamas yeterlidir. Emiteri ortak ykselte devresinin beyzi ile kollektr arasnda 1800 faz fark olduuna gre kollektr sinyali 1800 evrilerek ve pozitif geri besleme olarak transistrn beyzine verilir. Transistrl RC osilatr devresinin V0 k sinyalinin frekans ve genlii geri besleme hattndaki diren ve kondansatrlerin deerlerine baldr. Her bir R-C devresinin 600 faz kaydrmas istenirse;

206

R1=R2=RB2=Rgr olmaldr. Burada Rgr, emiteri ortak ykseltecin giri empedansdr. Transistrl R-C devresinin osilatr

frekans;

f =

1 2RC 6 + 4( RC ) R
formlyle bulunur. Burada R ve C deeri, frekans tespit edici tertipteki diren ve

kondansatr deeri, Rc ise kollektr yk direncidir. Osilasyon genlii ise RC osilatrde kullanlan ykselte devresinin kazancna baldr.

Frekans tespit edici tertipte R = 10 K, C = 10 nf olarak seilirse, devrenin kndan alnan sinyalin frekansn bulunuz.

f =

1 Rc 2RC 6 + 4 R

1 5500 6,28.10.10 3.10.10 9 6 + 4 10000

1 = 555,55 Hz 1,8.10 3

10.2.2 OP-AMPLI FAZ KAYMALI R-C OSLATR

ekil

ekil 10.3 OP-AMPl faz inverting modda osilatr kaymal R-C olup, 3 adet R-C 10.3te gsterilen OP-AMP devresi

frekans tespit ediciden olumutur. Rf OP-

AMPn kapal evrim kazancn belirleyen geri besleme direnci, R1 ise giri direncidir. Her bir R-Cden oluan frekans tespit edici tertip 600 faz kaymasna neden olur. Toplam 1800lik faz kaymas meydana gelir. ktan alnan sinsoidal sinyalin frekans;

f =

1 2RC 6

formlyle bulunur.

207

Devrenin osilasyon yapabilmesi iin devre kazancnn 29dan byk olmas gerekir. Bundan dolaydr ki Rf olacak ekilde seilmelidir.

29R1

ekil 10.4 OP-AMPl faz kaymal osilatrn EWB programnda uygulanmas

OP-AMPl faz kaydrmal R-C osilatr devresinde, Rf = 1010 K, R1 = 33 K, R = 3,3 K ve C = 0,1 osilasyon yapp yapmadn tespit ediniz. Osilasyon yapyorsa hangi frekansta sinyal rettiini bulunuz.

ise devrenin

Av =

Rf R1 1

1010 = 30,6 33 1 6,28.3,3.10 3.0,1.10 6 . 6

Av > 29 olduundan devre osilasyon yapar.

f =

2RC 6

= 197 Hz

208

10.2.3 ARMSTRONG OSLATR

ekil 10.5 Armstrong osilatr Bu osilatr devresi emiteri ortak bal ykselte ile bu ykseltecin kna balanan tank devresinden oluur. Frekans tespit edici tertip Lp ve Cden olutuu iin L-C osilatr tipine bir rnektir. Tank devresindeki transformatrn sekonderinden (Ls) ykselte giriine C1 vastasyla geri besleme yaplmtr. Burada geri besleme oran, transformatrn dntrme oranna baldr. Osilatrn rettii sinsoidal sinyalin frekans;

f =

1 2 Lp.C

formlyle bulunur.

10.2.4 SER BESLEMEL HARTLEY OSLATR

209

eki

Dier osilatrlerde olduu gibi bir ykselte ve L 1, L2, CTden oluan tank devresinden olumutur. L1, L2 ve CTden oluan tank devresi ykselte ile +VCC g kayna arasna seri balanmtr. Bu nedenle bu devreye seri hartley osilatr denir. Devreye dikkat edilirse; doru akm, topraktan itibaren RE direnci, NPN tipi transistr, L1 ve RC zerinden +VCC tatbik voltajna ular. Tank devresinin bir ksm +VCC g kayna ile seri olduundan devre seri beslemelidir. Tank devresinde L 1+L2=LT ise k sinyal frekans;

f =

1 2 C T .LT

forml ile bulunur.

Geri besleme L1 ve L2 bobinlerinin orta ucundan, ykseltecin giriine yaplmtr. Bu devrede ; RB1-RB2 RE-RC1 C1 L1-L2-CT CB : Transistrn beyz polarmasn salayan voltaj blc direnler : Emiter direnci ve by-pass kondansatr : Beyz ile toprak arasnda oluan yksek frekansl osilasyonlar sndren, devrenin kararl salayan kondansatr. : Frekans tespit edici tertip : Geri besleme kuplaj kondansatrdr. almasn

10.2.5 PARALEL BESLEMEL HARTLEY OSLATR

ekil 10.7 Paralel beslemeli hartley osilatr

Hartley osilatrlerin dier tipi paralel hartley osilatrdr. Seri ve paralel hartley osilatrlerin en belirgin zellii orta ulu bobinin kullanlmasdr. Burada tank devresi, besleme gerilimine paraleldir. DC akm yolu; toprak, RE, NPN tipi transistr, RC ve +VCC besleme kaynadr. L1-L2 ve CTden oluan frekans tespit edici tank devresi, ykselte zerinden geen DC akm yoluna paraleldir. Bundan dolay, paralel beslemeli hartley osilatr olarak ta bilinir. Devrede CC ve Cgb kondansatrleri, transistrn kollektr ve beyzini L1 ve L2 bobininden DC bakmdan ayrr. L1 ve L2 bobinleri orta uca sahip tek bir bobindir. Tank devresinin frekans bobin ve kondansatrn deerine baldr. Devrenin alma frekans seri hartley osilatrde verilen forml ile bulunur.

210

Paralel hartley osilatrde, LT = 400H, CT = 100nF ise ktan alnan sinsoidal sinyalin frekansn bulunuz.

f =

1 1 = 2.. . L T.CT 6,28 40010 6.10010 9 . . .

f = 2518 , KHz
10.2.6 TRANSSTRL COLPITS OSLATR

ekil 10.8 Transistrl colpits osilatr

Colpits osilatrlerde, C1 ve C2 gibi split kondansatrler, colpits osilatrlerin en belirgin zelliidir. Bu osilatrn tank devresini L-C1 ve C2 elemanlar oluturur. Burada, C1 ve C2 seri bal olduundan, tank devresinin edeer kapasite deeri;

CT =

C1.C2 C1 + C2

dir

Osilatrn kndan alnan sinsoidal sinyalin frekans;

f =

1 2. . L.CT

ile bulunur.

Colpits osilatr devresinde; RE-CE RB1-RB2 : Emiter direnci ve by-pass kondansatr : Beyz polarmasn salayan voltaj blc direnler

211

C3 L-C1-C2

: Beyzi AC sinyalde topraklayan by-pass kondansatr : Frekans tespit edici tertip

Transistr: Ykseltme elemandr. C1 ve C2nin birletii noktadan, transistrn emiterine geri besleme yaplmtr. Osilatrn alma frekansn, kondansatr ve bobin deerleri belirler.

ekil 10.9 Transistrl colpits osilatrnn EWB programnda uygulanmas

ekil 10.9da grld gibi devrenin kndan dzgn bir sinsoidal sinyal alnr. Pratik uygulamalarda ise C1<C2 olarak seilir.

Transistrl colpits osilatr devresinde frekans tespit edici tertipteki L = 100mH, C1 = 5nF, C2 = 10nF ise ktan alnacak sinsoidal sinyalin frekansn bulunuz.

CT =

5.10 = 3,33 nF 5 + 10

f =

1 1 = = 8,73 KHz 2. . L.CT 6,28 10010 3.3,3310 9 . . .

212

10.2.7 OP-AMPLI COLPITS OSLATR

ekil 10.10 OP-AMPl colpits osilatr

OP-AMP ile gerekletirilen colpits osilatr ekil 10.10da gsterilmitir. Osilatrn alma frekans Colpits devresinin LC geri besleme devresiyle ayarlanr.

ekil 10.11 OP-AMPl colpits osilatrnn EWB programnda uygulanmas

Osilatrn alma frekans;

f =

1 2. . L.CT

CT =

C1.C2 C1 + C2

formlleriyle hesaplanr.

OP-AMP ile gerekletirilen colpits osilatr devresinde, frekans tespit edici elemanlar C1 = C2 = 2F, L = 50mH olduuna gre devrenin kndan alnacak sinsoidal sinyalin frekansn bulunuz.

213

CT =

2.2 = 1F 2+ 2

f =

1 1 = = 712 Hz ,14 2. . L.CT 6,28 5010 3.1.10 6 . .

10.2.8 VOLTAJ KONTROLL OSLATR Voltaj kontroll bir osilatr ( VCO ), frekans, DC gerilim ile belirli snrlar iinde ayarlanabilen, kare veya gen dalga reten bir devredir.

Her bir voltaj kontroll osilatrde ktan alnan sinyalin frekans DC tatbik voltaj ile deimez. alma frekans;

ekil 10.12 555 entegresiyle yaplan voltaj kontroll osilatr devresi

ekil 10.12deki

devrede ktan alnan kare ve gen dalgann frekans, R veya C elemanlarnn deitirilmesiyle mmkndr. Devrenin

f =

1 44 , (RA + 2.RB).C

forml ile bulunur.

214

ekil 10.13 VCO ' nun EWB programnda uygulanmas

10.2.9 KRSTAL KONTROLL OSLATRLER

ekil 10.14 Transistrl kristal kontroll osilatr

ekil 10.14te, kristalin seri rezonans frekansnda alabilmesi iin geri besleme yoluna seri olarak balanmtr. Burada geri besleme miktar en byk dzeydedir. NPN tipi transistr, ykselte devresini olutururken R1, R2 gerilim blc devresini oluturur. RFC ( Radyo Frekans ok ) bobini ise kollektre

215

ekil 9.16: Paralel Rezonans Devresi Olarak alan Kristal Kontroll Osilatr Devresi

DC n gerilimi salar ve yksek frekansl sinyalleri g kaynandan izole eder. CC ise, kollektr ile beyz arasnda DC bloklamay salar. Devrenin osilasyon frekans, kristalin seri rezonans frekans ile belirlenir. ekil 10.15 Paralel rezonans frekansnda alan kristal kontroll osilatr

Bir kristalin, paralel rezonansta empedans maksimum olduu iin ekil 10.15te grld gibi devreye paralel balanr. Paralel rezonans frekansnda kristalin empedans yksek olduu iin zerindeki gerilim dm de maksimum olur.

ekil 10.16 OP-AMPl kristal kontroll osilatr devresi

ekil 10.16da grld gibi kristal kontroll osilatr devresinde OP-AMP kullanlabilir. Bu devrede kristal, geri besleme yoluna seri balanmtr. Dolaysyla kristal, seri rezonans frekansnda alr. Bu devrenin kndan kare dalga alnr. Tam olarak zener geriliminde k genliini salamak iin ka bir ift zener balanmtr.

216

10.2.10 TRANSSTRL TESTERE D JENERATR

ekil 10.17 Basit Testere Dii Jeneratr

ekil 10.17deki transistr anahtar gibi almaktadr. Girie uygulanan V sinyali kare dalga olup genlii, transistr kesim ve doyumda altrabilecek seviyededir. Girie uygulanan kare dalgann (-) alternansnda transistr kesimde olup C kondansatr, RC zerinden arj olur. Girie uygulanan kare dalgann (+) alternansnda transistr doyuma gider ve C kondansatr, Q1 transistr zerinden dearj olur. Kondansatrn arj ve dearj ile ktan testere dii dalga elde edilir.

217

ekil 9.19: Basit Testere Dii Jeneratrnn EWB Programnda Uygulanmas

ekil 10.18 Basit testere dii jeneratrnn EWB programnda uygulanmas

ekil 10.19da iki transistr ile yaplan testere dii jeneratr devresinde, tek transistr ile gerekletirilen jeneratr devresinde olduu gibi ktan testere dii sinyal elde edilir.

ekil 10.19 ki transistr ile yaplan testere dii jeneratr devresi

218