VII.

Ulusal Temiz Enerji Sempozyumu, UTES2008

17-19 Aralk 2008, stanbul

KARBON NANOTPLER N ORGAN K FOTOVOLTA K GNE P LLER NDE KULLANIMI Prof. Dr. Ahmet Avc Seluk niversitesi Mh-Mim Fakltesi Makine Mhendisli i Blm, Konya aavci@selcuk.edu.tr

ZET Son zamanlarda, Klasik Silikon Fotovoltaik Piller pahal olduklarndan bunlarn yerine ucuz ve retimi kolay Organik Gne Pilleri (Solar Cells)zerinde yo un al malar yaplmaktadr. Organik gne pilleri genel olarak ITO ( ndiyum inko Oksit) zerine konjuge polimerler verici (donor), karbon fullerene (C60) alc (acceptor) olarak uygulanarak retilirler. Organik gne pilleri dndrme kaplama veya pskrtme bask gibi metotlarla ok geni alanlara ve esnek plastikler zerine kaplanarak retilebilme zelliklerine sahiptirler. ITO olduka pahal oldu undan ve tam baskl fotovoltaik piller iin marketlerde sat ihtiyacn kar layacak bir retim iin uygun olmadklarndan karbon nanotp gibi iletken malzemeler kullanmak ihtiyac oratya km tr. Bu al mada ITO yerine tek cidarl karbon nano tpler (SWNT) kullanlarak organik gne pilleri retilmi tir. Cam zerine SWNT filmi kaplanm , onun zerine donor olarak PDOT:PSS merkezka etkisitle kaplanm , zerine acceptor oloarak P3HT:PCBM argon gaz altnda glove box ierisinde kaplanm tr. En ste Alminyum elektrod kimyasal buhar yntemiyle uygulanm tr. Elde edilen organik gne pillerinin verilili i, fill faktr, geirgenli i ve di er zellikleri bulunm ve yorumlanm tr. 1- G R Karbon fullerene C60 ke feden ve Nobel dl kazanan Prof. Richard Smelley bu yzyyln en nemli teknolojik konusunun enerji kayna oldu unu sylemi tir. 2050 yllarnda dnyann nfusu 10 milyar cvarna eri ece i d nld nde geli mekte olan lkelerin tatl su ve gda ihtiyac blgesel enrji kayna na ba l olacaktr. Petrol kaynaklarnn azalmas ve istenmeyen sera etkisi, yenilenebilir enerji kaynaklarna ve ye illiklere olan ilgiyi byk bir kuvvetle zorlamaktadr. Altrnatif enerji kayna gne enerjisini do rudan elektri e eviren gne pillerinin retmidir.Organik fotovoltaik gne pilleri silicon gne pillerine gre ucuz ve alternatif kaynaklardr. Bundan dolay gne pillerinde verimlili i artrmak iin hem akademik zeminde hem de endstri laboratuarlarnda byk bir efor sarfedilmektedir. Organik fotovoltaik cihazlarn (device) cezbedici yaps konjuge polimerlerin varl na dayanr. Bu polimerler kaplama i lemiyle (spin coating veya inkjet basksyla) geni bir yzeyi kaplayacak ekilde ve fleksible olarak plastik zeminler zerine retilebilirler. Konjuge bir polimerin fulleren C60 zerine etki ederek fotoendklenmi electron transferinin olu turdu unun ke fedilmesinden organik fotovoltaik bir cihazn olabilece i d nlm ve

429

VII. Ulusal Temiz Enerji Sempozyumu, UTES2008

17-19 Aralk 2008, stanbul

retimine geilmi tir. Burada konjuge polimer verici (donor), fullerene C60 alc (acceptor) olarak davranmaktadr. Polimer ile C60 n kimyasal olarak birle mesi (heterojunction) temeline dayanarak organic fotovoltaik pillerin retimi ilk olarak 1993 ylnda Heeger ve ekibi [1] tarafndan gerekle tirilmi tir. Konjuge polimer ile fullerene C60 n kar trlmas neticesinde bulk formunda alc ve verici formasyonundan kaynaklanan yksek arj ayrlmas ve birle mesini do urmaktadr. Alc verici (Donar-Acceptor) iftinin en iyi combinasyonunu ve optimum retim prosesini bulabilmek iin byk efor sarfedilmektedir. Organik fotovoltaik pillerin enerji evirim verimi bir gne radayasyonu altnda % 7 ye yakla maktadr. Bu verim konjuge electron verici olarak polimer poly(3- exylthiophene) (P3HT) nin ve electron alc olarak fullerene trevi (6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) nin kullanlmasyla elde edilmi tir. Son zamanlarda tek cidarl karbon nanotplerin (SWCNT) fotovoltaik zelliklerinden dolay konjuge polimerler ile kar trlmasyla elde edilen polimer gne pilleri alternative optoelektronik ve elektrokimyasal cihazlarn geli tirilmesinde kullanlmaya ba lam tr. Indium-Tin oxide (ITO) genelde polimer fotovoltaik pillerde hole (+yk) toplayan elektrot olarak kullanlmaktadr. Bunun yansra ITO ful baskl PV pillerde market ihtiyacn kar lamada bire bir retim prosesine uygun de ildir. Ayrca ITO olduka pahaldr. Bu problemlerin stesinden gelmek iin son zamanlarda ara trmaclar CNT gibi yksek derecede geirgenlik zelli i olan CNT lerin di er malzemeler ierisine da lmas zerine odaklanm lardr. CNT filmler mekanik gvenilirlik gsterir. Ve ayn zamanda CNT filmler d k scaklk teknikleri kullanlarak olu turulabilirler. Bu yzden CNT filmler d k maliyet, geni retim alan ve esneklik gerektiren alternatif uygulamalar iin ilgi ekicidir. Bu al mada, kompozit tek cidarl karbon nanotplerin (SWNT) ince filmlerinin iletimi ve iletkenli i ile ilgili sonular sunulmaktadr. Bu al mann amac organik PV aygtlar ierisinde en etkin art iyon (hole) ta ma tabakalar olarak hareket edecek olan SWNT filmlerin optimum artlarn tanmlamaktr. 1 - S OLAR C HAZ RET M ncelikle Tek cidarl karbon nanotp (SWNT) ince film metodla a a da verilen cam zerine yerle tirilmi tir. Safla trlm 2 mg SWNT 10 gr, SDS (Sodium dodecylesulfate) and 1000 mlt de-iyonize su ierisinde zeltildi. Bu zelti da lmam partikllerin ve byk nanotp demetlerinin zelmesi iin sonikatrle 10 saat kar trld. Nanotp zeltiden 30 ml (%0.06w) ve 40 ml (0.08w) miktarlar alnarak 220nm porlukta selloz ester mebrandan geirilerek filtre edildi. retilen SWNT film bir cam zerine yerle tirildi arkasndan bir silindirle yuvarlanarak yap mas sa land. Sonra 2-3 in-Hg vakum ve 120oC scaklk altnda bir frnda en az 2 saat

430

VII. Ulusal Temiz Enerji Sempozyumu, UTES2008

17-19 Aralk 2008, stanbul

bekletildi. Kr i leminden sonra SWNT filte aseton veya etilen ierisine daldrlarak selloz filter zeltildi ve geriye saf SWNT film kald. Bulk heterojunction organik Gne pili iin electron verici olarak poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve electron alc olarak [6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester (PCBM) kullanlarak ekil 1 deki gibi bir yap retildi. A rlka %1 P3HT ve %0.8 PCBM bile enleri 2 ml klorobenzen ierisinde konsanrte edildi.

ekil 1.

Solar cihazn ematik grnm ve elektronik enerji seviye diyagram

Yksek iletken Poly (3,4-ethylene dioxythiophene):polystyrene sulphonic acid (PEDOD:PSS) 3000 dev/dak lk bir hzda spin coater ile SWNT film zerine kapland. Buradan alnan yap 1 saat vakum altnda kurutuldu. Daha sonra azot gaz altnda glowbox ierisine alnarak 120o C scaklkta bir plak zerinde sl i lem yapld. inde P3HT:PCBM bulunan klorobenzen zeltisi glowbox ierisinde PEDOT tabaka zerine 800 dev/dak hzda spin koater ile uguland. Son olarak solar cihaz vakum altnda (<10-7 torr) metal buhar yo u turucunun ierisine alnarak en st tabakaya 100 nm kalnl nda Al yo u turuldu. Neticede ekil 1 deki formda gne pilinin retimi tamamland. retilen solar cihaz AM 1.5 gne i i aydnlatmas altnda oda scakl nda lmler yaplarak btn fotovoltaik zelkiler bulundu. 2 - V ER LER VE TARTI MA SWNT/PDOT:PSS/P^HT:PCBM /Al katmanl solar cihaz simule edilmi AM 1.5 gne i i aydnlatmas altnda 100 mV/cm2 lik bir yzeyde akm-voltaj (I-V) karekteristikleri elde edildi. ekil 2 de 30 ml lik ve 40 ml lik czeltilerinden retilen gne pillerinin akm-voltaj de i im e rilerini gstermektedir. 30 ml zelti lik solar cihazn tipik karekteristikleri, ksa devre akm (short circuit current) de eri de eri Isc = 5.1 mA/cm2 ve ak devre voltaj (opencircuit voltage) de eri Voc = 0.27 V, fil faktr FF= 2.72, g evirim verimi = %1.39 olarak bulunmu tur. 40 ml zeltiye sahip olan solar cihazn tipik karekteristikleri ise, ksa akm (short circuit current) de eri de eri Isc = 3.9 mA/cm2 ve ak devre voltaj (open-circuit voltage) de eri Voc = 0.39V , fil faktr FF= 2.37, g evirim verimi = % 1.54 olarak bulunmu tur. Bu solar cihazlarn performans a a daki e itliklerden hesaplanm tr. Verim, = IcsVoc FF/Pin 431 (1)

VII. Ulusal Temiz Enerji Sempozyumu, UTES2008

17-19 Aralk 2008, stanbul

Burada Ics ksa devre akm, Voc ak devre voltaj, FF fil faktr ve Pin ise gelen k gcdr. Fil Faktr de FF= ImVm / IcsVoc (2)

e itli inden hasaplanabilir. Burada Im ve Vm , akm- voltaj e risinin maksimum g dikdrtgenini olu turan I ve V eksenlerindeki de erleridir. ekil 1 de retilen solar cihazn enerji seviye diyagram da grlmektedir. P3HT:PCBM bile enlerinin iletken bandnn alt enerji seviyesi (LUMO) ve valans bandn en st seviyesi (HOMO), 3.3 eV ile 6.1 eV arasnda de i mektedir. Bu enerji seviyesi diyagram elektronik yapda gerekli olan optic aral n yeterli oldu unu gstermektedir.

ekil 2. 30 ml (0.06w) ve 40 ml (0.08w) oranlarnda SWNT katkl solar cihazlarn akmvoltaj karakteristik e rileri 3 - S ONULAR 1- P3HT/PCBM. ierikli polimer bulk heterojuntion gne pilllerinde SWNT hole toplayc elektrot olarak kullanlabildi i gsterilmi tir. 2- Karbon nanotplerin polimerlerle kullanlmas polimerlerde foto uyarclarn arj ayrlmasna izin verir. K AYNAKLAR
1. S.E.Shaheen, C.J.Brabec, N.S.Sarcifti, F.Padinger, T.Fromherz, J.C.Hummelen, Appl.Phys.Lett.,2001,78,841. 2. J.M.Kroon, M.M.Wienk, W.J.H.Verhees, J.C.Hummelen, Thin Sold. Films,2002,403-404,223. 3. M.Svenson, F.Zhang, S.C.Veensta, W.J.H.Verhees, J.C.Hummelen, J.M.Kroon, O.Inganas, M.R.Anderson, Adv.Mater,2003,15,988. 4. M.M.Wienk, JM.Kroon, W.J.H.Verhees, J.Knol, J.C.Hummelen, P.A.Van Hall, R.A.J.Janssen, Angew. Chem.Int.Ed.2003,42,3371. 5. Z.Boa, A.Dodabalapur, and A.J. Lovinger, Appl.Phy.Lett., 1195,69,4108. 6. F.Padinger, R.Ritrberger, N.S.Saiciftci, Adv.Func.Mater. 2003,13.85. 7. J.Y.Kim, S.H.Kim, H.H.Lee, K.Lee, W.Ma, X.Gong, A.J.Heeger, Adv.Mater. 2006,18,572-576. 8. M.Reyes, K.Kim, D.L.Karoll, Appl.Phys.Lett.2005,87,083 506. 9. W.Ma, C.Yang, X.gong, K.Lee, A.J.Heeger, Adv.Func.Mater. 2005,15,1617-1622.

432