NDYUM KATKILI ZnO NCE FLMLERNN

BAZI FZKSEL ZELLKLER

Bar DEMRC
Yksek Lisans Tezi

Fizik Anabilim Dal
Austos- 2006


JR VE ENSTT ONAYI


Bar Demirci nin ndiyum Katkl ZnO nce Filmlerinin Baz
Fiziksel zellikleri balkl Fizik Anabilim Dalndaki ,Yksek Lisans Tezi
26.07.2006 tarihinde aadaki jri tarafndan Anadolu niversitesi Lisansst
Eitim-retim ve Snav Ynetmeliinin ilgili maddeleri uyarnca
deerlendirilerek kabul edilmitir.




Ad- Soyad mza
ye (Tez Danman) : Yard. Do. Dr. SALHA ILICAN ........................
ye : Do Dr. YCEL AHN ........................
ye : Yard. Do. Dr. MJDAT ALAR ........................




Anadolu niversitesi Fen Bilimleri Enstits Ynetim Kurulunun
.................................tarih ve ...............................sayl kararyla onaylanmtr.

Enstit Mdr















Desteklerini hibir zaman benden esirgemeyen
Sevgili Annem ve Babam
iin



i

ZET

Yksek Lisans Tezi

NDYUM KATKILI ZnO NCE FLMLERNN
BAZI FZKSEL ZELLKLER

Bar DEMRC

Anadolu niversitesi
Fen bilimleri Enstits
Fizik Anabilim Dal

Danman : Yard. Do. Dr. Saliha ILICAN
2006, 62 Sayfa

Katksz inko oksit (ZnO) ve indiyum-katkl inko oksit (IZO) ince filmleri cam
tabanlar zerine pskrtme yntemi kullanlarak elde edilmitir. In
katklanmasyla yapsal, elektriksel ve optik zelliklerindeki deiimler
incelenmitir. ZnO ince filmlerinin kristal yaps ve tercihli ynelimleri x-n
krnm spektrumlarnda belirlenmitir. Bu spektrumlarndan elde edilen btn
filmlerin polikristal yapda olduu grlmektedir. Yaplanma katsays ve tanecik
boyutu ince filmler iin hesaplanmtr. Filmlerin optik absorpsiyon spektrumlar
200-900 nm dalga boylu spektrofotometrik olarak llm; yasak enerji
aralklar, Urbach parametreleri ve optik sabitler (krlma indisi, snm katsays
ve dielektrik sabitleri) hesaplanmtr. Elektriksel parametreler Van der Pauw
methodu kullanlarak elde edilmitir. Optikelektronik aygtlara uygulamasnda,
geirgenlii yaklak %89, ve zdirenci 11,71 cm gibi dk bir deer olan %3
indiyum katkl ZnO tercih edilir. Bu filmin zdirencinin, UV lambas ile
aydnlatlarak yaplan lm sonucunda 1,66 cm deerine dt gzlenmitir.
Sonu olarak, ZnO filmine indiyum katklandnda, filmin yapsal, elektriksel ve
optik zelliklerinde nemli deiiklikler meydana gelir.

Anahtar Kelimeler: Yariletkenler, ndiyum katkl ZnO, Pskrtme yntemi,
Yasak enerji Aral, X-nlar krnm spektrumu, Van der
Pauw Metodu


ii

ABSTRACT

Master of science Thesis

SOME PHYSICAL PROPERTIES OF
INDIUM DOPED ZnO THIN FILMS

Bar DEMRC

Anadolu University
Graduate School of Sciences
Physics Program

Superviser: Assist. Prof. Dr. Saliha ILICAN
2006, 62 pages

Non-doped zinc oxide (ZnO) and indium-doped zinc oxide (IZO) thin
films have been deposited onto glass substrates by the spray pyrolysis method.
The variations of the structural, electrical and optical properties with the indium
incoporation were investigated. The crystal structure and orientation of the ZnO
thin films were investigated by X-ray diffraction (XRD) patterns. From these
patterns, it is seen that all the deposited films are polycrystalline in nature. The
texture coefficient and grain size were evaluated for the thin films. The optical
absorbance through the films was measured spectrophotometrically in the
wavelength range 200900 nm; the optical energy gap, Urbach parameters, and
optical constants (refractive index, extinction coefficient, and dielectric constants)
was estimated. The electrical parameters were obtained by the Van der Pauw
method. The ZnO thin film doped with 3 % indium, presents the low resistivity
11.71 cm associated to a high transmittance ~89%, characteristics required for
application on optoelectronic devices. This film is illuminated by the UV lamb,
the its resistivity value decreases to 1.66 cm. Consequently, it was seen that
indium incorporation makes a significant change on the structural, optical and the
electrical properties.

Key words: Semiconductors, Indium doped ZnO, Spray Pyrolysis method,
Optical band gap, X-ray diffraction patterns, Van der Pauw method
iii


TEEKKRLER

ncelikle bilimsel slubundan yararlandm ve bu almada desteini
esirgemeyen sayg deer hocam Yard. Do. Dr.Saliha ILICAN a,
almamda desteini esirgemeyen Yard. Do. Dr. Mjdat ALAR ve
Yard. Do. Dr. Yasemin ALAR a,
Eitimim ve almam sresince desteini esirgemeyen deerli aileme,
Eitim hayatm boyunca bilgi ve bilimsel kltrmn gelimesine
katkda bulunan tm hocalarma,
En iten teekkrlerimi sunarm.

Bar DEMRC
Austos, 2006


iv

NDEKLER
Sayfa

ZET............................................................................................................ i

ABSTRACT. ii

TEEKKRLER.iii

NDEKLER iv

EKLLER DZN vii

ZELGELER DZN.. ix

SMGELER VE KISALTMALAR DZN. x

1.GR 1
1.1.Giri....................................................................................................1
1.2.Katlarn Bant Oluumu..................2
1.3.II-VI Birleikleri.....................3

2.YARILETKENLER 5
2.1Yariletkenler...................5
2.1.1 Katkl yariletkenler.................................................................. 6
2.2.inko Oksit (ZnO)..............................................................................9
2.2.1.inko oksidin tarihsel geliimi................................................. 9
2.2.2.inko oksit ince filmlerin kullanm alanlar............................ 9
2.2.3. inko oksit bileiinin zellikleri.......................................... 10
2.3. nce Filmler...................................................................................... 13
2.3.1. Neden ince filmler? ................................................................ 13
v

3.DENEY 15
3.1. nce Film Elde Etme Metotlar......................................................... 15
3.1.1. Pskrtme metodu................................................................... 15
3.1.2.Pskrtme kabini...................................................................... 18
3.1.3.Pskrtme bal (Spray-head)............................................... 19
3.1.4. Pskrtme basnc.................................................................... 20
3.1.5.Istc ve scaklk kontrol....................................................... 21
3.1.6.zelti ak hz....................................................................... 21
3.2 Deneyin Yapl................................................................................ 21
3.3. zeltilerin Hazrlanmas................................................................. 23
3.4.Elde Edilen Filmlerin Kalnlklar..................................................... 24

4.YAPI ANALZ ALIMASI 25
4.1 X-Inlar.............................................................................................25
4.2. Bragg Yasas......................................................................................27
4.3. Elde Edilen nce Filmlerin X-In Krnm Spektrumlar.................29
4.4 rg Sabitleri, Tanecik Boyutu ve Yaplanma Katsays.................. 31

5.OPTK METOD 34
5.1 Giri................................................................................................... 34
5.2. Temel Absorpsiyon Olay.................................................................. 34
5.2.1.Direkt bant geii...................................................................... 35
5.2.2. direkt bant geii.................................................................. 36
5.3. Optik Sabitler.................................................................................... 38
5.4. Urbach Parametresi........................................................................... 41
5.5. Elde Edilen nce Filmlerin Temel Absorpsiyon, Geirgenlik
ve Yansma Spektrumlar .............................................................. 42
5.6. Elde Edilen nce Filmlerin Yasak Enerji Aralklar ve Urbach
Enerjileri........................................................................................... 43
5.7. Elde Edilen nce Filmlerin Optik Sabitleri....................................... 45

vi
6 .ELEKTRKSEL LETKENLK 48
6.1. Giri.................................................................................................. 48
6.2. Yariletkenlerde Elektriksel letkenlik.............................................. 48
6.3. Prob Yntemleri ile zdiren llmesi.......................................... 49
6.4. Elde Edilen nce Filmlerin Van der Pauw Metodu ile
zdiren lm.............................................................................. 53

7.TARTIMA VE SONU 57

KAYNAKLAR............................................................................................. 59
vii

EKLLER DZN
Sayfa
1.1. Karbon atomunun enerji band oluumu 2
1.2. Hekzagonal (wurtzite) kristal yap 3
2.1. Bir yariletkenin (a) T = 0 Kde (b) T > 0 Kde ematik enerji-
bant diyagram.. 5
2.2. n-tipi ve p-tipi yariletkenler. 6
2.3. Bir yariletkende donr enerji seviyesi. 7
2.4. Bir yariletkende akseptr enerji seviyesi. 8
2.5. Hekzagonal yapdaki ZnO birleii.. 11
3.1. Pskrtme Deney Seti... 16
3.2. Pskrtme ynteminde kullanlan ultrasonik pskrtme bal ile
pskrtme konisinin ematikgsterim.. 20
4.1. X-n knmnda gelen ve krnma uram nlar 27
4.2. Difraksiyon as... 28
4.3. 450
O
Cde elde edinilen filmlerin x-n krnm spekturmlar. 30
5.1. Yariletkenlerde gelen n dalga boyuna kar absorpsiyon grafii.. 35
5.2. Bir yariletkende direkt bant geiinin ematik gsterimi 37
5.3. Bir yariletkende indirekt bant geiinin ematik gsterimi. 38
5.4. Inn materyale dik gelmesi durumunda sourulma, geirilme ve
yansma sreci.. 40
5.5. Elde edilen ince filmlerin absorpiyon spektrumlar.. 42
5.6. Elde edilen ince filmlerin (h )
2
~ h grafii . 43
5.7. Elde edilen filmlerin Urbach grafikleri 44
5.8. ZnO ve IZO3 ince filmlerinin (a) %Geirgenlik ve
(b) %Yansma spektrumlar.. 45
5.9. ZnO ve IZO3 ince filmlerinin dalgaboyuna kar (a) krlma indisi
ve (b) snm katsays grafikleri... 46
5.10. ZnO ve IZO3 ince filmlerinin dalgaboyuna kar (a)
1
ve
(b)
2
grafikleri 47
6.1. ki-problu yntemle zdiren lme devresi 49
viii
6.2. Drt-prob yntemiyle zdiren lme devresi (GK g kaynadr)... 50
6.3. Van der Pauw yntemiyle zdiren lmnde kontaklarn
yerletirilmesi... 51
6.4. f(R
1
/R
2
) dzeltme fonksiyonunun grafii. 52
6.5. Van der Pauw yntemi ile zdiren lmlerinde kullanlan
rneklerin geometrik formlar... 52
6.6. Katksz ZnO ince filminin (a) karanlk ortamda, (b) aydnlk
ortamda akm-voltaj grafii.. 54
6.7. IZO3 ince filminin (a) karanlk ortamda, (b) aydnlk ortamda
akm-voltaj grafii 55


ix

ZELGELER DZN

2.1. inko oksitin baz fiziksel zellikleri....... 12
4.1. Elde edilen ince filmlerin 2 ve d-deerleri. 31
4.2. Elde edilen ince filmler iin hesaplanan a ve c rg sabitleri... 32
4.3. Elde edilen ince filmlerin bal pik iddetleri ( I / I
o
)
ve yaplanma katsay deerleri (TC(hkl)) 33
5.1. Elde edilen ince filmlerin yasak enerji aralklar (E
g
)
ve Urbach parametreleri(E
U
). 45
6.1. Elde edilen ZnO ve IZO3 filmlerinin karanlk ve aydnlk
ortamlardaki diren deerleri 53
6.2. ZnO ve IZO3 filmlerinin karanlk ve aydnlk ortamlardaki
zdiren ve elektriksel iletkenlik deerleri........... 56

x

SMGELER VE KISALTMALAR DZN

a : r sabiti
A : Absorbans
B : Yar pik genilii
c : r sabiti
c
k
: Ik hz
d : Kristal dzlemleri arasndaki mesafe
e : Elektronun yk
eV : Elektron volt
E : Elektrik alan
E
a
: Akseptr enerji seviyesi
E
c
: letim bandnn minimum enerji seviyesi
E
d
: Donr enerji seviyesi
E
F
: Yariletkenin fermi enerji seviyesi
E
f
: Son durum enerji seviyesi
E
g
: Yasak enerji aral
E
i
: lk durum enerji seviyesi
E
U
: Urbach parametresi
f(E) : Fermi-Dirac dalm fonksiyonu
G : Tane boyutu
h : rg parametresi
h : Planck sabiti
I : Materyali geen elektromagnetik dalgann iddeti
I
0
: Materyale gelen elektromagnetik dalgann iddeti
I
k
: Akm iddeti
J : Akm younluu
k : Snm katsays
k
B
: Boltzmann sabiti
L : letkenin uzunluu
: Gerilim kontaklar arasndaki uzaklk
xi
m
*
e
: Elektronun etkin ktlesi
m
*
k
: Holn etkin ktlesi
n
e
: letim bandndaki elektron younluu
n : Krlma indisi
n : Krlma indisinin kompleks ksm
p : Valans bandndaki hol younluu
: zdiren
p
f
: Film younluu
R : Diren
R
y
: Yansma
s : Cam tabann yzey alann
S : letkenin kesit alan
T : Scaklk
T : Geirgenlik
v
e
: Elektronun srklenme hz
v
h
: Holn srklenme hz
V : Uygulanan voltaj
x : nce filmin kalnl
: Lineer absorbsiyon katsays
o
: Absorpsiyonun balad andaki absorpsiyon katsays
: Bragg as
m : Filmin ktlesi

0
: Boluun permitivitesi

r
: Materyalin dielektrik sabiti

1
: Dielektrik sabitinin gerel ksm

2
: Dielektrik sabitinin sanal ksm
v : Frekans
: Dalgaboyu

g
: Gelen fotonun dalga boyu
: Elektriksel iletkenlik
: Mobilite

1
1.GR

1.1. Giri

Gnmz teknolojik ve bilimsel aratrmalarnda nemli bir yer tutan ince
kat filmler zerine almalar, 1950li yllardan gnmze kadar eitli metotlarla
devam ede gelmitir. Gnmzde modern cihazlar kullanlarak eitli metotlarla
elde edilen filmler ile onlarn yaplar, elektriksel ve optik zellikleri ve bunlar
arasndaki ilikinin aratrlmas sonucunda birok yeni kullanm alan (gne
pilleri, k yayan diyotlar (LED), dekoratif kaplamalar da ve gece gr
drbnleri gibi) gelitirilmitir.
Bata cam olmak zere tabanlar zerine ok iyi yapan, fiziksel ve
kimyasal d etkenlere kar son derece dayankl olan bu filmler eitli metotlarla
hazrlanabilir. Uygun cins ve miktarda katklarn ilavesiyle bu filmlerin elektriksel
iletkenlii arttrlmaktadr [1].
nceleri inko oksit sadece boya maddesi olarak kullanlmaktayd.
Gnmzde gerek endstride gerekse aratrma almalarnda ok geni kullanm
alanlar sebebiyle bu alandaki almalar younlamtr. inkonun doada bol
miktarda bulunmas ve ucuz olmas nedeniyle bir tercih sebebidir.
Pskrtme (spray pyrolysis) metodu ince film elde etme metotlar arasnda
en kolay ve en ucuz olan metotdur. Pskrtme metodu, olduka basit yapda
olmasndan, gerekli tertibat ynnden daha ekonomik olmasndan, retim
ileminde mdahale iin elverili yapda olmasndan, ince film retimi iin vakum
ortamna ihtiya duyulmamas ve retim ileminin adm adm takip
edilebilmesinden dolay dier metotlara gre ok daha avantajldr. Ayrca bu
metot n-tipi ve p-tipi katklamaya da izin verir.
Periyodik cetvelin IIB grup elementlerinden olan Zn, Cd, Hg ile VIA grup
elementleri olan O, S, Se ve Te kendi aralarnda on iki tane ikili bileik
olutururlar. Ayrca bu bileikler ile l, drtl, hatta beli bileikler de
oluturulmaktadr. Yasak enerji aralklarnn geni bir blgeyi kapsamasndan
dolay teknolojide ve bilimsel almalarda olduka fazla kullanlmaktadr.
Bunlar, infrared dedektrlerin grnt sistemleri, yksek enerjili radyasyon
2
dedektrleri, televizyon ve kamera tplerindeki fotoiletken grnt detektrleri,
gne pilleri, lazerler, elektrolminesans diyotlar gibidir.

1.2. Katlarn Bant Oluumu

Elektriksel iletim katy oluturan atomlara ve bunlarn kat ierisindeki
dizililerine baldr. Eer katy oluturan atomlar belirli bir dzen ierisinde
dizilmilerse bu yapya kristal yap denir. Atomlar kat ierisinde rasgele
dizilmilerse bu yapya amorf yap denir.
Bir atomda elektronlar kuantum koullarna uygun kesikli seviyelerde ve
bu seviyelerde Pauli ilkesine uygun olarak dizilirler. rnein karbon atomu iin
elektron konfigrasyonu 1s
2
2s
2
2p
2
eklindedir. En d yrngede 2 tanesi s
seviyesinde, serbest haldeki atomlar kristal yapy olutururlarken karlkl
balanma kuvvetleri etkili hale gelir. Bu durumda enerji dzeyleri yarlmalara
urayarak enerji bantlarn olutururlar. rnek olarak karbon atomunun enerji
atomlar aras mesafeye gre band yaps ekil 1.1 de gsterilmitir [2].



ekil 1.1. Karbon atomunun enerji band oluumu [2]

3
1.3. II-VI Bileikleri

II-VI bileiklerinin enerji bant aral 1,8-4 eV arasnda deimektedir. II-
VI bileiklerinden olan yariletkenler, hem kbik (sphalerite) hem de hekzagonal
(wurtzite) kristal yapda kristallenmektedir.Kbik yapda ikili bileii oluturan
atomlardan biri, dier trn drt atomu tarafndan eit uzaklkta olacak ekilde
evrilmitir ve bu drt atom bir tetrahedronun kelerini oluturmaktadr.
Komu atomlarn yerleim dzeni i ie gemi iki yzey merkezli kbik
yapdan olumutur. Her kbik rg ayn tr atomlar tarafndan meydana
getirilmitir. ki kbik rg birbirine paralel olarak dier kpn gvde
merkezinden geen kegenin zerinde ve kegen uzunluunun drtte biri
uzaklkta yerlemitir.Kbik kristal yap, fcc rg simetrisine sahiptir. rg sabiti,
kbik rgnn kenar uzunluu olan (a) kadardr. Kristalin birim hcre bana
den atom says ise 8/a
3
tr.
Hekzagonal yapdaki atomlarn yerleim dzeni ise kbik yapya
benzemektedir. Bu yapda ise bir atom, dier trn drt atomu tarafndan
tetrahedral olarak evrilmitir. Fakat tetrahedronlar yle ynelmilerdir ki,
atomlarn yerleim dzeni i ie gemi iki sk-paketlenmi hekzagonal rgden
olumutur (ekil 1.2).
ki rg ayn eksene sahiptir, fakat bunlardan biri dierine gre yer
deitirmitir. Dolaysyla hekzagonal yap, iki temel atomlu sk paketlenmi
hekzagonal yap gibi deerlendirilebilir.










ekil 1.2. Hekzagonal (wurtzite) kristal yap [3]
4
Sk-paketlenmi hekzagonal yap bir atomu ( ) 0 , 0 , 0 da ve dieri
2
c
3
a
3
a 2
2 1

+ + vektrnn ucunda yer alan iki temel atomlu hekzagonal bir uzay
rgsdr. Orjin olarak hekzagonalin yzey merkezi seilmitir. Hekzagonalin
kenar uzunluu a ve a/c ise (8/3)
1/3
=1,63 tr.
Temel dnm vektrleri tarafndan oluturulan hcrenin kelerindeki
atomlar sekiz komu hcre tarafndan paylalr. Dolaysyla hekzagonal rgdeki
byle bir hcre bir tek atoma sahiptir. Sk-paketlenmi yapda bu say iki,
hekzagonal yapda ise drttr. Hekzagonal yapnn birim hcre hacmi
2 / c a 3
2
ve birim hcre bana den atom says
1 2
) c a 3 ( 8

dir.
Hem kbik hem de hekzagonal yapdaki atomlar, tetrahedral rg
simetrisine gre dizilmilerdir. Bu iki yapda da bir atomun en yakn komusu
olarak dier trden drt tane atom, en yakn ikinci komu olarak ayn tr atomdan
vardr. Hekzagonal yapda c ekseni boyunca atomlarn yerleim dzeni, kbik
yapda 111 dorultusu boyunca olan atomlarn yerleim dzenine
benzemektedir. Hekzagonal yapdaki atomlar c ekseni boyunca kutuplanmlardr.
Fakat hekzagonal yap unaxial bir simetriye sahiptir. Dolaysyla bu yapdaki
kristaller piezoelektrik olmalarnn yannda pyroelektriktirler.
Kbik ve hekzagonal yapnn rg uzay birbirine benzemektedir. Fakat
kbik ve hekzagonal yaplar piezoelektrik ve pyroelektrik zellikleri bakmndan
birbirinden ayrlrlar. Kbik ve hekzagonal yap arasndaki benzerlikten dolay, II-
VI bileiklerinin enerji bant yaplar birbirine benzemektedir [3].
5
2. YARILETKENKER

2.1. Yariletkenler

Katlar elektriksel ve optik zeliliklerine gre, iletkenler, yariletkenler,
yaltkanlar olmak zere grupta toplanr. Yariletkenlerin elektriksel iletkenlii
(oda scaklnda) yaltkanlara gre daha iyi, iletkenlere gre daha zayftr.
Yariletkenleri iletkenlerden ayran en belirgin zellik, scaklk arttka
iletkenliin artmasdr. letkenlerde scaklk arttka iletkenlik azalr. Mutlak
sfrda ( T =0 K de) yariletkenler iyi bir yaltkandr. Bir yariletkende, mutlak
scaklkta, elektronik durumlar tamamen dolu olan bir valans band ile bu battan
yasak enerji aral kadar yukarda tamamen bo olan iletim band vardr.
T =0 K de yariletkenin elektronlar valans bandnda bulunduu iin
elektriksel iletim gzlenmez ve bu scaklkta yariletken mkemmel bir iletken
gibi davranr (ekil 2.1.a). Scaklk T =0 K den itibaren ykselirse, en az yasak
enerji aral kadar sl enerji kazanan elektronlar valans bandan iletim banttan
geerler (ekil 2.1.b).














ekil 2.1. Bir yariletkenin (a) T =0 K de (b) T >0 K de ematik enerji-bant diyagram [4
6
Elektriksel iletimleri zerine yaplarnn etkisi olduka byktr. Kristal
yapda bandlar olutuktan sonra bandlar aras elektron geileri Pauli ilkesini ve
istatiksel dengeyi salayncaya kadar devam eder. Deerlik band ile iletim band
aralna yasak enerji aral (E
g
) denir.
Yariletkenlerde yasak enerji aral 4 eV dan daha kktr. Mutlak sfr
scaklnda yariletkenlerin iletim band tamamen bo, deerlik band
elektronlarla tamamen doludur.
Yariletkenlerde elektriksel iletim, iletim bandndaki elektronlar ve
deerlik bandndaki hollerle (elektronlarn bo brakt yerler) salanr.
Yariletkenlerin tipi iletim bandndaki elektronlarn ve deerlik bandndaki
hollerin younluklarna baklarak belirlenir. letim bandndaki elektron younluu
deerlik bandndaki hol younluuna eit ise bu yariletkenlere has, eit deilse
has olmayan yariletken denir [4, 5].

2.1.1. Katkl yariletkenler

Yariletken ierisine yaplan katklamadan sonra, elektriksel zelliklerinde
nemli deiiklikler meydana gelir. Bu durumda istenilen zellikte yariletken
elde etmek iin, yariletken ierisine belirli oranda safszlk atomlar katklanr.
Yariletkenler katklama ileminden sonra n-tipi yada p-tipi zellik gsterirler.
ekil 2.2 deki gibi n-tipi yariletkenlerde yariletkenler donor atomlaryla, p-tipi
yariletkenlerde yariletkenler akseptr atomlar ile katklanr.








(a) n-tipi (b) p-tip

ekil 2.2. n-tipi ve p-tipi yariletkenler [6]
7
iletm band
deerlik band
---------------------------------------
E
d
donr enerji
seviyesi
n-tipi yariletkenlerin ounluk yk tayclar elektronlardr. Bu durumda
yariletken donr atomlaryla katklanmtr. rnein IV. grup elementlerinden Si
kristalin V. grup elementlerinden biri (P, As, Sb,) katklanarak n-tipi Si
yariletkeni elde edilir.
Katklama atomu olarak kullanlan V. grup elementlerinin son
yrngelerinde be deerlik elektronu vardr. Si kristalinin V. grup
elementlerinden P ile katklandn gz nne alalm. Silisyumun son
yrngesinde drt deerlik elektronu ve katk elementi olan fosforun be deerlik
elektronu vardr. Kristal ierisinde fosfor atomunun drt elektronu silisyum
atomunun drt elektronu ile kovalent ba yapar. Fosfor atomunun beinci
elektronu fosfor atomuna zayf elektriksel kuvvetle baldr. Bu durumda kk
enerjilerle fosfor atomu iyonlaabilmektedir. Bu elektron kristal ierisinde fosfor
atomundan bamsz hareket edebilmektedir. Fosfor atomu silisyum kristaline bir
elektron vermitir, baka bir deyile fosfor atomu donr atomudur. Donr atomu
ile katklanan silisyum kristali n-tipi yariletken zellik gsterir. Donr
atomlarnn yariletken ierisinde bulunduklar enerji seviyesi iletim bandnn alt
snrna yakndr. Bu durum kk enerjilerde donr atomlarnn iyonlamasyla
elektronlarn iletim bandna geeceini gsterir. ekil 2.3 te donr iyonlarnn
enerji seviyeleri gsterilmitir.
n-tipi yariletkenin ounluk tayclar (n
n
) elektronlar, aznlk tayclar
(p
n
) hollerdir. Elektron younluu donr younluuna bal olarak, elektronlarn
elektriksel iletkenlie katks hollerden daha fazla olacaktr.










ekil 2.3. Bir yariletkende donr enerji seviyesi [6]
8
iletm band
deerlik band
-------------------------------------------
E
a
akseptr
enerji

p-tipi yariletken iin de silisyum kristalini rnek alabiliriz, ancak burada
silisyum kristaline akseptr atomlar katklanacaktr. Akseptr atomlar periyodik
tablonun III. grup (B, Ga, Al, In,) elementleridir.
Silisyum kristalini p-tipi yapmak iin belirli oranda bor atom ile
katklandn dnelim. Bor atomu silisyum atomu ile kovalent ba yapar, ancak
bu balanma iin bir elektron eksii vardr, bunu da dier Si-Si balarndan bir
elektronu yakalayarak yapar. Burada bor atomu akseptrdr, baka bir deyile
ortamdan elektron yakalamtr. Elektron yakalanmas bir holn olutuunu
gsterir. Akseptr iyonlarnn enerji seviyeleri deerlik bant snrlarna yakndr.
ekil 2.4 te akseptr iyonlarnn enerji seviyeleri gsterilmitir.
p-tipi yariletkenlerde ounluk yk tayclar holler (p
p
), aznlk
tayclar ise elektronlardr (n
p
). Hol younluu akseptr younluuna bal
olarak, hollerin elektriksel iletkenlie katks elektronlardan daha fazla olacaktr
[7].












ekl 2.4. Bir yariletkende akseptr enerji seviyesi [6]





9
2.2. inko Oksit (ZnO)

2.2.1. inko oksitin tarihsel geliimi

inko oksit nceleri sadece boya maddesi olarak kullanlr ve beyaz inko
in beyaz veya iek beyaz olarak adlandrlrd ve inko oksit bakrn
eritilmesinden ortaya kan bir yan rn olarak bilinmekteydi. Romallar ise
cadmia olarak adlandrmlar ve prin elde etmekte ve melhem yapmnda
kullanyorlard. Bununla birlikte Roma daki tm kimyaclar cadmia'nm altna
dntrlebileceini dnmlerdir [8].
18. yzyln ortalarnda, Alman kimyac Cramer cadmia'nm metal
inkonun yanmasndan (s ve k veren oksitlenme) elde edildiini kefetmitir.
Courtois Fransa da 1781 de beyaz inkoyu retmeye balad, fakat 1840 a kadar
sanayide kullanlmad, bu tarihten itibaren Reclaire tarafndan sanayide
kullanlmaya balanmtr. Slfr gazndan etkilenmemesi (siyahlamamas),
toksit madde iermemesi ve iyi saklanabilmesi nedeniyle kurun oksidin yerini
almtr [9].
1850 li yllarda New Jersey deki S. Wethrill irketi tarafndan gelitirilen
metot ile frn iinde yksek sda inkoyu starak inko koru haline getirdiler ve
frn dna karlan kor halindeki inkonun havadaki oksijenle temasa
gemesiyle inko oksit elde etmilerdir. Bu metot gelitirilmi fakat gnmzde
yaygn olarak kullanlmamaktadr. 19. yzyln ikinci yars sresince, kauuun
ebonitietirme mekanizmasn ksaltmak iin kullanlm, 1906 ylnda ilk
ebonitietirme organik hzlandrclarnn bulunmas ile bu malzemelerin iinde
aktivatr grevi gren inko oksidin nemini artrmtr [10].

2.2.2. inko oksit ince filmlerinin kullanm alanlar

Saydam ve olduka iletken ince film almalar gerek endstride gerekse
aratrma almalarnda ok geni kullanm alanlar sebebiyle bu alandaki
almalar younlamtr. Maliyeti drmek ve alternatif malzeme eklemek iin
yaplan almalar sonunda inko oksit ve inko oksit esasl filmlerin benzer
10
zelliklere sahip olduu ve benzer uygulama alanlarnda kullanlabilecei
grlmtr.
Kaplamalarn elektronik cihazlarda ok yaygn uygulama alanlar bulmas
bu malzemelerin film oluturma ve yapsal zelliklerine ilikin aratrmalarda ilgi
ekmitir. Burada rnek olarak, gne pilleri, gne s kollektrleri, gaz
sensrleri vs. gibi elektronik cihazlar saylabilir. Bu malzemelerin, kzl tesinde
yksek yanstclk zelliklerinin yan sra gne spektrumunda yksek oranda
saydam olular bunlar saydam s yanstan malzemeler olarak olduka ekici
klmaktadr. Bu trden zel olarak seilen filmler, cam izolasyonunda ve
lambalarda termal izolasyonda ok yaygn olarak kullanm alanlarna sahiptir.
Optik iletiim sistemlerinde son zamanlarda 1,3 m lik k
kaynaklarndan yararlanlmas yakn IR fotoelektrik ve k yayan cihazlarda
youn ilgi grmtr. ZnO esasl ince filmler (Al, In vb. ile katklanan filmler)
ayrca bu yakn IR dalga boyu aralnda alan cihazlar iin bir saydam ve
iletken elektrot olarak da kullanlabilir.
Ana uygulama alanlarnn yan sra, saydam iletken filmler artk arabalarn
n camlarn dondan ve buulanmaktan korumak iin rezistans tabakalarnn
retimi, optoelektronik cihazlarn gelitirilmesinde k ileten cihazlar, optik dalga
gdml elektro optik modlatrler, fotoelektrokimyasal pillerde fotokatot,
yrngeli uydularda scaklk kontrol kaplamalar zerinde antistatik yzey
tabakalar ve elektrolminans uygulamalarda yzey tabakalar gibi birok dier
uygulamalarda da kullanlmaktadr.

2.2.3. inko oksit bileiinin zellikleri

Optik ve elektriksel zelliklerinden dolay metal oksit yariletken filmler
son yllarda youn bir ekilde allmakta ve olduka ilgi ekmektedir. inko
oksit, doada mineral zinkit olarak bulunur. ZnO bileii hekzagonal yapda
kristallemektedir ve rg sabitleri a=3,24982 , c=5,20661 dur. ZnO birim
hcresinin hekzagonal yapsnda her Zn atomu birinci kabukta drt O atomu ve
ikinci kabukta on iki Zn atomu ile evrilmitir. inko oksitin hekzagonal yaps
ekil 2.5 de gsterilmitir.
11
ZnO yksek elektriksel iletkenlie ve oda scaklnda yaklak 3,3 eV
luk direk bant geili yasak enerji aralna sahip bir yariletkendir. Dolaysyla
ince film formunda tm grnr blgede bu materyal saydam yaplabilmektedir.
ZnO ferroelektrik olmayan bir bileiktir ve olduka byk bir elektro
mekanik coupling katsaysna sahiptir. Bundan dolay ZnO delay line cihazlar ve
yzey akustik dalga cihazlar (SAW) iin bir transdser olarak kullanlan ve iyi
bilinen bir piezoelektrik materyaldir.












ekil 2.5. Hekzagonal yapdaki ZnO bileii [11]

ZnO n-tipi bir yariletkendir ve elektriksel zellikleri sl ilemle veya
uygun katk ile tamamen deitirilebilmektedir. Katk atomu olarak genelde Al
+3
,
In
+3
ve Ga
+3
kullanlmaktadr.
inkonun doada bol miktarda bulunmas ve ucuz bir malzeme oluu
inko oksit ince filmlerin maliyetini drmektedir. inko oksit filmlerin grnr
k blgesinde saydam oluu nedeniyle saydam iletken malzeme olarak ok
byk ilgi grmektedir. ZnO bileii grnr blgede yaklak %80-%90 optik
geirgenlie ve
2 3
10 10
+
cm blgesinde bir elektriksel dirence sahiptir.
inko oksit amfoterik bir bileik olup, hem organik hem de inorganik
asitlerle reaksiyona girer, ayn zamanda, hem alkaliler hem de amonyak zeltisi
ierisinde znerek inko asetat oluturur. CO
2
, SO
2
, H
2
S gibi asidik gazlarla
12
kolay birleir (reaksiyon verir). Ayrca yksek scaklklarda dier oksitlerle
tepkime vererek inko ferrites gibi bileikler oluturur.
inko oksit 300 C ye kadar stlnca rengi beyazdan sarya dner. Tek
veya deerlikli element paracklar kristal rgs iine girdiinde de
yariletken zelliini srdrr. inko oksitin baz fizikel zellikleri izelge 2.1
de verilmitir.

izelge 2.1. inko oksitin baz fiziksel zellikleri [1]

Younluk () : 5,61-5,68 g / cm
3
Krlma indisi (n): 1,95-2,10
Erime scakl: 1975 C
Is sas (kapasitesi) : 25 C' de 40,26 j mol
-1
K
-1
,
100 C' de 44,37 j mol
-1
K
-1
,
1000C' de 54,95 j mol
-1
K
-1

Isl iletkenlik: 25,2 W m
-1
K
_1

Kristal yaps: Hekzagonal Wurtzite
Mohs sertlii: 4-4,5

Katklanmam inko oksitte n-tipi iletkenlik stokiyometriden sapmadan
dolay meydana gelir.Araya skm oksijen ve inko eksiklikleri olas akseptr
dzeyleri yaratabilmesine karn, serbest yk tayclar oksijen boluklar ve
interstitiyal inko ile balantl olarak donr dzeylerden kaynaklanr. Hazrlama
metodu ne olursa olsun, btn katklanmam ZnO iletken filmler uzun vadede
kararsz elektrik zelliklere sahiptirler. Bu durum oksijenin kimyasal olarak
adsorbsiyon olmas ve sonra da desorbsiyon olmas nedeniyle ZnO filmlerinin
yzey iletkenliinde deiiklik meydana gelmesinden kaynaklamaktadr. ZnO
filmlerinin elektrik zellikleri byk lde kaplama metoduna, sl ileme ve
oksijenin kimyasal adsorbsiyonuna baldr [1].



13
2.3. nce Filmler

nce filmler, elde edili yntemlerine ve kullanlan materyallere gre genel
olarak grupta toplanmaktadrlar. Bu gruplar; homoepitaksiyel filmler,
heteroepitaksiyel filmler ve polikristal filmlerdir. Homoepitaksiyel filmler, tek
kristal film zerine ayn materyalden tekrar bytme ile oluturulur. Mesela, Si
zerine Si oluturulacak ekilde. Heteroepitaksiyel filmler, farkl materyallerden
yaplm tek kristal taban zerine ayn kristalden film bytmedir. Mesela, GaAs
zerine GaAlAs, GaPAs gibi bileikler ile oluturulan filmler. Polikristal filmler,
genellikle amorf tabanlar (cam, NaCl gibi) zerine film oluturmadr. Mesela,
ZnO ve CdS rnek olarak verilebilir. Homoepitaksiyel ve heteroepitaksiyel filmler
genellikle 1 m kalnlktan daha byktrler. Polikristal filmler ise genellikle 1
m den daha az kalnlkta olup, bunlara ince filmler ad verilir [12, 13].

2.3.1. Neden ince film?

nce film, kalnlklar 100 ile birka m arasnda deien kaplamalardr.
Gnmzde ince film teknolojisinin en byk uygulama alan yariletken
sanayidir. Transistrler, entegre devreleri, k yayan diyotlar (LED), ekranlar,
lazerler bu teknoloji ile yaplmaktadr. Gne pilleri, gece gr drbnleri gibi
optik aygtlar ve aralar da bu teknolojinin rnleridir. Optik ve manyetik kayt
cihazlar, fiziksel ve kimyasal anmaya direnli sert ve dekoratif kaplamalar da
ince film teknolojisinin en yaygn kullanm alanlar arasndadr.
nce film teknolojisinin stnlkleri aada sralanmaktadr:
i. Hacimli malzemelerde olmayan lde saf malzeme eldesi.
ii. Atomik bytme dolaysyla filme zg malzeme zelliklerinin eldesi ve
bu zelliklerin kontrol edilebilmesi.
iii. Kk geometrilerin boyutta oluturulabilmesi, homojenliin kontrol
edilebilmesi.
iv. Ardk ilemlere imkan vermesi, bylece ok katl ve ok deiik
zelliklerde film elde edilebilmesi.
14
v. Kalnlk, kristal ynlenmesi ve ok katl yaplardan kaynaklanan
kuantum boyut etkileri ve dier boyut etkilerinin kontrol edilebilmesi.
vi. Kaliteli malzemeden tasarruf salanmas.
vii. Hzl, kolay kullanlabilir, endstriyel ve ekonomik bir teknoloji olmas.
Kalnlk, ince filmlerin elektriksel, optik, manyetik ve mekanik
zelliklerini en ok etkileyen parametrelerden biridir. Metal filmlerde direncin
scaklk katsays (TCR), yariletkenlerde tayc mobilitesi, yaltkanlarda tnel
akm, yksek frekans almalarnda anormal deri etkisi (skin effect), ok ince
yariletkenler ve yar metallerde kuantum boyut etkileri (Hall mobilitesi,
magnetodiren), stn iletkenlerde kritik scaklk gibi deerler kalnla son
derece baldrlar [13].
Taban scakl, safszlklarn kayna ve enerjileri, tabann fiziksel ve
kimyasal zellikleri, gaz ortam nemli parametrelerdir. Tabana gelen
paracklarn kinetik enerjileri, birim zamanda gelen parack says, younlama
ve yapma katsaylar, safszlk miktar ve sper doyum oran (younlama iin
gerekenden daha fazla olan buhar basnc/sv deriimi oran) yzeye gelen
paracklarn yzey hareketliliklerini etkileyen parametreler olarak saylabilir.
Gelen paracklarn kinetik enerjilerinin artmas belirli bir blgeye kadar
ekirdek boyutunu arttrmaktadr.
Younluk fiziksel yapnn nemli bir parametresidir. nce filmlerde
grlen nemli bir zellik de filmin kalnlnn azalmasyla younluunun da
azalmasdr.
15

3. DENEY

3.1. nce Film Elde Etme Metotlar

Filmler aratrma laboratuvarlarnda ve endstriyel almalarda buharla
ve zeltiyle elde etme metotlaryla hazrlanrlar. Metot seiminde fiziksel,
kimyasal, teknolojik, teknik ve ekonomik zellikler rol oynar. Elde edilmek
istenen filmin malzemesi, taban uyumu, taban bykl ve ekli, scakla
bamllk ve daha sonraki alma ortam da film elde etme metodunu belirler.
Saydam iletken ince filmlerin elde edilmesinde yaygn olarak kullanlan ve
verimli sonular alnan metotlar: kimyasal buharlatrma metodu (chemical
vapour deposition; CVD), pskrtme metodu, vakumlu buharlatrma metodu
(vacuum evaporation) ve sama metodudur (sputtering) [11].

3.1.1. Pskrtme metodu

Pskrtme metodu, elde edilecek materyallerin elementlerini ieren
zeltilerinin stlm tabanlar zerine basnl azot gaz veya hava yardm ile
atomize edilerek belirli bir srede pskrtlmelidir. zeltilerde zc olarak
deiyonize su ve baz durumlarda da etanol ya da metanol kullanlabilmektedir.
Kullanlan tabanlar iki ana grupta toplanmaktadr. lki silisyumlu camdr. Eer
bulk yap incelenecekse, bu camlar yaltkan olduklarndan dolay yariletken
tabakalar ktrlmeden nce konta salayacak iletken cam tabakalarn zerine
ktrlmesi gerekmektedir. Bu tabaka hem effaf hem de iletken olmaldr.
rnek olarak indiyum kalay oksit (ITO) verilebilir. kincisi metalik tabanlardr.
Bu tabanlarn en yaygn olarak kullanlanlar elik, titanyum, tungsten,
alminyum gibi metallerle kaplanm elik tabakalardr.
Pskrtme metodu film elde etme metotlar arasnda en kolay ve en ucuz
olan metottur.
16
Pskrtme metodunda dk taban scaklklarnda byk hzlar aktive
edilmi baz sreler tarafndan kontrol edilmektedir. Bunlar yzey difz kimyasal
reaksiyonlar ve adsorpsiyondur.
Pskrtme metodunda atomize edilerek stlm tabanlara pskrtlen
zeltilerin moleklleri tabana doru difzlendikleri zaman aktive edilmi
srelerin meydana gelmesi sonucunda bu molekller taban zerinde kat bir tortu
oluturamazlar. Yksek taban scaklklarnda taban tarafndan absorbe edilmi
molekllerin difzyonunun sonucunda dzgn yzeyli bir film meydana gelir.
ekil 3.1 de pskrtme metodunda kullanlan deney setinin ematik diyagram
verilmitir.














ekil 3.1. Pskrtme deney seti [11]

ekil 3.1 de gsterilen pskrtme deney setinde kullanlan malzemeler :
(1) azot gaz tpn, (2) pskrtme odasn, (3) stcy, (4) ayarlanabilir akm
kaynan (varya), (5) zelti kabn, (6) pskrtme baln (spray-head), (7)
pskrtme balarken ve sona erdiinde damlalar nleyici srgl kab, (8) demir-
konstantan termokuplu, (9) bakr blou, (10) payreks cam tabanlar, (11)
pskrtme odasndan dar atk gaz kn, (12) azot gaz ve pskrtme basnc
17
gstergelerini, (13) ayarlanabilir flowmetreyi, (14) vantilatr, (15) dijital
multimetreyi, (16) cival deney tplerini, (17) buzlu su kabn, (18) masay ve (19)
pskrtme bal kontrol nitesini gstermektedir.
Pskrtme metodunda zeltileri atomize etmek iin transducer ad verilen
ultrasonik atomizer de kullanlmaktadr. Taban ile atomizer arasnda uygulanan
elektrik alan daha fazla damlacklarn tabana tanmasn salar.
Bu metot ile elde edilen ince filmlerin kalnl her yerde homojen
deildir. Yzey durumlar da dzgn olmamaktadr. Bu iki dezavantajn etkisini
ortadan kaldrmak iin sabit taban yerine ileri geri hareket eden ya da dner taban
kullanlabilir. Pskrtme metodu ile II-VI ve III-V gibi bileiklerin baarl bir
biimde elde edilmektedir.
Pskrtme metodu dier metotlarla kyaslanacak olursa, dier metotlara
gre daha avantajldr. Pskrtme metodu, olduka basit yapda olmasndan,
gerekli tertibat ynnden daha ekonomik olmasndan, retim ileminde mdahale
iin elverili yapda olmasndan, ince film retimi iin vakum ortamna ihtiya
duyulmamas ve retim ileminin adn adm takip edilebilmesinden dolay dier
metotlara gre ok daha avantajldr. Ayrca bu metot n-tipi ve p-tipi katklamaya
da izin verir .
Bu metotta pskrtc gaz olarak azot veya hava kullanlr. Hazrlanacak
zeltide zc olarak deiyonize su, etil alkol (etanol) ya da metil alkol
(metanol) kullanlr. Etil alkol ancak 200 C ye kadar kullanlabilir .
Pskrtme metodu ile retilen filmlerin dzgn yapda olmas iin
genellikle taban scakl 100-500 C aralnda deitirilir. Bu metotla retilen
filmlerin fiziksel zellikleri dzenei oluturan elemanlara baldr. retilecek
materyalin yapsal zellii daha ok film retim aamasndaki scakla,
soumaya braklrken ki scakla, zelti oranlarna, zelti ve gaz ak hzna
baldr. retilen film kalnlklar taban scaklna, zelti oranna, zelti
miktarna ve pskrtme balnn konumuna baldr. Filmlerin yaps ve
ekillerinde ise, balangta kullanlan bileik ve zeltiler anahtar rol oynar.
Pskrtme metodu iki aamada gerekleir. Birincisi scak taban zerine
pskrtme ilemi ve daha sonraki scak taban zerindeki film oluma srecidir.
Pskrtmenin iki aamada olumasnn nceden istee gre tercihli i yaplmas,
18
karmn kontrol edilmesi ve deiik film morfolojisinin elde edilmesi ve kolayca
leklendirilmesi gibi ok avantajlar vardr.
Birinci aama zeltiyi basnla atomize edip pyrolysisin olduu tabana
gnderilmesiyle balanmaktadr. Birinci aamada atomize olmu zelti scak
taban zerine homojen bir dalm ve birletirme etkisi olsun diye yanal yani
dairesel hareketle arptrlr.
Atomize olmu zerreciklerin scakl pskrtme bal ve taban
arasndaki scaklk farkndan dolay, hz aerodinamik yapsndan dolay,
bykl ve bileimi buharlamadan dolay deiirBu deiim miktar tayc
gazn ve zeltinin doasna, ak hzna, pskrtme bal ve taban arasndaki
scakla ve son olarak da ekipmanlarn geometrisine baldr.Uygun deney
koullar altnda atomize olmu zerreler scak tabana yaklatrldklarnda sv evre
ve scak taban arasndaki direkt temas engelleyecek ekilde zerre etrafnda nce
buu oluur. Daha sonra taban zerinde termal etkiler sonucu kimyasal balar ve
filmler meydana gelir.

3.1.2. Pskrtme kabini

ekil 3.1 de grlen pskrtme kabini 80x80x80cm
3
ebatlarnda 2cm
kalnlnda suntadan yaplm ve elik masa zerine sabitlenmitir. n yznde
alp kapanabilen bir pencere vardr. Kabinin altnda bulunan bir lavabo ve buna
balanan aspiratr ile pskrtme srasndaki atk gazlar darya atlmaktadr.
Kabinin stnden zelti ve azot gazn tayan hortumlar ve elektrik
lambasnn kablosu iin giri yeri, sol tarafnda istenmeyen zelti damlacklarn
almak iin hazrlanan metal bir blok zerine kesilen kurutma katlar iin giri
yeri ve termoift giri yerleri ve sa yzeyinde stcya giren elektrik kablolar ile
srgl kap iin giri yeri bulunmaktadr.
Pskrtme odasnn ierisinden darya s kaybn nlemek iin kabinin
ii alminyum folyo ile kaplanmtr.



19
3.1.3. Pskrtme bal (Spray-head)

Pskrtme bal, pskrtlecek zeltiyi atomize etmek iin kullanlr.
Pskrtme ilemi srasnda pskrtme gaznn yardmyla, pskrtme balnn
ucunda oluan vakumla, zeltinin atomize edilmesini salar. Bu almada
paslanmaz elikten yaplm Lechler Ultrasonik Atomizer US1 marka pskrtme
bal kullanlmtr.
ekil 3.2. de paslanmaz elikten yaplm pskrtme bal ve
aerodinamii gsterilmitir.Pskrtcden kan damlacklar tabana ulancaya
kadar deiik aamalardan geer.
A blgesinde, zelti azot gaz yardmyla baln ucundan ivmelendirir.
Ak girdapl ve koni eklindedir. Damlacklar skk halde bulunurlar.
B blgesinde, azot gaz girdapl ak yapan zeltiye kesme kuvvetleri
uygular ve sonuta atomize damlacklar oluur. Damlacklarn hz, A
blgesindekilere gre dktr.
C blgesi tabana daha ok yakndr. Bu yzden istenmeyen bir durum
ortaya karmaktadr. Bu blgenin oluumu, pskrtc ucundaki anma veya
zeltilerin brakt tortulardan kaynaklanmaktadr. Bylece, bunlarn oluumu
neticesinde, bu blgede ak bozulmaktadr ve dk hzl damlacklar
grlmektedir [1]. Bu nedenle zeltinin aktld hortumda ve pskrtme
balnda oluan tortular nlemek iin, her pskrtme sonunda, zeltinin
aktld hortum ve pskrtme bal, saf su geirilerek temizlenmelidir. Bu
blgedeki damlacklarn hz A ve B blgelerindeki damlacklarn hzlarndan
daha dktr. Bu nedenle, zelti geni bir yzeye dalmaktadr ve daha kk
paralara ayrlmaktadr.
20

ekil 3.2. Pskrtme metodunda kullanlan ultrasonik pskrtme bal ile pskrtme
konisinin ematik gsterimi [11]

Damlacklar scak tabana ulat anda, kimyasal ayrmann olduu
pyrolysis meydana gelir.

3.1.4. Pskrtme basnc

zeltinin atomize edilmesini salamak iin azot gaz kullanlmtr
(basnc 0,2 bar). Azot gaz basnc, azot tp zerinde balantl ve el ile kontrol
edilebilen bir manometre yardm ile istenilen deerde sabit tutulmutur. Azot
gaz miktar da ayrca, azot tp ile balantl olan dier bir manometreden
kontrol edilmitir. Basn deerlerinin arttrlmas cam tabanlarn hzl
soumasna, azaltlmas da bozuk film oluumuna sebep olur. Pskrtme
metodunda pskrtme basncnn baz koullar vardr. Basn belli deerlerin
altna derse zelti damlalar atomize olmaz ve tabana damlalar halinde
ularlar. Bu durum iyi film retimi iin sakncaldr. Damla pskrtme
balndan scak tabana gidene kadar bir ok deiime urar. Atomize olmu
A
B
C
Pskrtme
konisi
zelti
girii
Azot gaz
girii
Pskrtme
bal kontrol
nite
Ultrasonik
pskrtme
bal
21
damla etraftan s alr ve scak tabana varmadan nce buhar haline geer. Basncn
fazla olmas scaklk kontroln gletirir ve atomize paralarn yeterli sy
almadan tabana varmalarna neden olur.

3.1.5. Istc ve scaklk kontrol

Istc olarak diren teli ve 5 kW'lk ayarlanabilen bir varyak kullanlmtr.
Diren telini muhafaza etmek iin ytong bloklar kullanlmtr. Cam tabanlara s
transferini salamak iin 15x15x1,5 cm ebadnda yzeyi dz bakr bir blok diren
teli zerine yerletirilmitir. Ytonglar arasna s kaybn nlemek iin s kalkan
konulmutur. Bakr blok zerine yerletirilen cam tabanlar zerindeki scakl
lmek iin Eskord EDM-1341 model multimetre balanm ve demir-konstantan
termoift kullanlmtr. Scaklk lmleri iin demir-konstantann gerilim
scaklk tablosundan yararlanlm ve 0 C referans scakl buzlu su ve civadan
oluan bir sistemle salanmtr.

3.1.6. zelti ak hz

zelti ak hz elde edilecek filmlerin kalitesi asndan olduka
nemlidir. Pskrtlecek zeltilerin ak hzlar deneme yanlma yolu ile
belirlenmitir. zelti ak hzlarnn arttrlmas gzenekli filmlerin olumasna,
azaltlmas ise enerji ve zaman kaybna neden olmutur. zelti ak hzn
istediimiz deerde tutmak iin bir flowmetre kullanlmtr. En uygun ak hz
yaplan denemeler sonucunda 4 ml/dak olarak seilmitir [11].

3.2. Deneyin Yapl

ZnO ve indiyum katkl ZnO (IZO) filmlerini elde etmek iin yaklak
10x10 mm ebatlarnda dzgn olarak kesilmi 1 mm kalnlnda Objekttrager
marka mikroskop camlar taban olarak kullanlmtr. Bu camlar nce sabunlu saf
su ile kaynatlm ve daha sonra srasyla deiyonize su, ykama zetisi, bir ka
22
kez daha deiyonie su ve en son alkolden geirilerek temizlenmitir. Temizlenen
cam tabanlar daha sonra kullanlmak zere petri kaplarna yerletirilmitir.
Her pskrtme ileminden nce cam tabanlarn konulduu bakr blok
temizlenmitir. Bakr blok yerine yerletirildikten sonra bir akul yardm ile
merkezlenmi ve pskrtme bal ile taban arasndaki mesafe istenilen deere
ayarlanmtr. Pskrtc ile scak taban arasndaki mesafe 30 cm olarak
seilmitir. Bu ayarlama tamamlannca bakr blok zerine temizlenmi camlar
merkezde olacak ekilde yerletirilmilerdir.
Scaklk kontrol iin cam tabanlardan birisinin zerine demir-konstantan
termoift yerletirilmitir. Cam taban ile termoift arasndaki scaklk temasn iyi
bir ekilde salamak iin ikisi arasna indiyum konulmutur. Termoiftin ucunu
pskrtme balndan srayacak zelti paracklarndan korumak iin yzeyi
sya dayankl olan yanmaz teflon bant ile kapatlmtr. Bu bandn ucuna da
mikroskop cam yerletirilmitir. Pskrtme ncesinde pskrtme balnn
ucundan zelti damlacklarnn cam tabanlara dmesini nlemek iin srgl
kap pskrtme balnn tam altna gelecek ekilde srlmtr. Bu ilemler
bittikten sonra pskrtme odasnn penceresi kapatlarak sistem retime hazr hale
getirilmitir. nceden hazrlanm olan zelti ayrma hunisine konulmutur.
Daha sonra ayrma hunisi pskrtme odasndan daha yksek bir konuma
yerletirilmitir.
Scaklk kontrol iin 0 C referans scakl buzlu su ile salanmtr.
Buzlu suyun bulunduu kabn iine, ii civa dolu iki deney tp, deney tplerinin
iine de termoiftin referans ular civa ile temas edecek ekilde yerletirilmitir.
Bu deney tplerinden kan bir baka kabloda dijital multimetreye balanmtr.
Btn hazrlklar tamamlandktan sonra stcnn anahtar alp, scaklk
multimetreden kontrol edilmeye balanmtr. Cam tabanlarn scakl istenilen
scakla ulancaya kadar stma ilemine devam edilmitir. Taban scakl
istenilen deerden yaklak 30 C daha yksek olan bir deere getirilmitir. nk
ilk pskrtme annda, pskrtlen zeltinin scakl taban scaklndan kk
olduundan tabanda ani scaklk dmeleri olmaktadr. Pskrtme sresi her
deney iin 10dk olarak seilmitir. Bu sre boyunca scaklk, varyak yardm ile
dengede tutulmaya allmtr.
23
stenilen scaklk deerine ulaldktan sonra azot gaznn basn ayar
yaplm ve zelti k anahtar alp flowmetreden zelti ak hz ayar
yaplmtr. Pskrtme balnn altndaki srgl kap ekilerek deneye
balanmtr. Pskrtme boyunca atk gazlarn dar atlabilmesi iin aspiratr
srekli altrlmtr.
Pskrtme ilemi boyunca, zelti ak hz, taban scakl ve 0 C
referans scakl srekli kontrol edilmitir.
Pskrtme ilemi bittikten sonra zeltinin anahtar kapatlp, stc yava
yava devre d braklmtr. Sonra srgl kap pskrtme balnn altna
getirilip azot gaz kapatlmtr. Bu halde elde edilen filmler soumaya
braklmtr. Souma srasnda da atk gazlarn dar kmas iin aspiratr bir
mddet ak braklmtr.
Son olarak pskrtme annda zeltinin akt hortumda ve pskrtme
balnda arta kalan zelti damlacklar, sistemden deiyonize su geirilerek
temizlenmitir. Bu geirilen saf su, srgl kap iindeki bir beherde toplanmtr.
Souma ilemi bittikten sonra elde edilen filmlerden homojen grnml
olanlar seilip, zerlerine elektrot kaplanmak zere petri kaplarna konulmutur.
Katksz ZnO filmi 450 C taban scaklnda elde edilmitir. Daha sonra
yine ayn taban scaklnda %l, %3 ve %5 oranlarnda indiyum katkl ZnO (IZO)
filmleri elde edilmitir. Elde edilen filmler bundan sonra, ZnO, IZO1, IZO3 ve
IZO5 olarak kodlanmtr.

3.3. zeltilerin Hazrlanmas

ZnO filmini elde etmek iin molekl ktlesi 219,49 gmol
-1
olan
Zn(CH
3
COO)
2
.2H
2
O (inko asetat di hidrat) tuzu kullanlmtr.
Zn(CH
3
COO)
2
.2H
2
O sulu zeltisi 0,2 M konsantrasyonunda ve 1000 ml
deiyonize su iersinde 43,898 g Zn(CH3COO)
2
.2H
2
O tuzu zlerek
hazrlamtr. zc olarak 1:3 orannda deiyonize su ve metil alkol
kullanlmtr.
IZO filmlerinde indiyum kayna olarak %100 lk InCI
3
tuzu
kullanlmtr. InCI
3
tuzunun molekl ktlesi 221,19 gmol
-1
olup, scak suda kolay
24
znen bir bileiktir. zelti 0,2 M konsantrasyonunda ve 100 ml deiyonize su
iersinde 4,4238 g InCI
3
tuzu zlerek hazrlanmtr [14].
Hazrlanan zeltiler ayr ayr temizlenmi ielere szge kadndan
szlerek konulmutur. Hazrlanan zeltilerde renk deiimi veya keltinin
olup olmadna bakmak iin, istenen konsantrasyon orannda kartrlan zelti
bir cam iede bir gn bekletilmitir. zeltilerin hibirinde herhangi bir deiim
gzlenmediinden, zeltiler pskrtmeye hazr hale getirilmitir.
IZO filmlerini elde etmek iin, pskrtlecek zelti, hazrlanan
zeltilerden uygun hacimlerde alnarak hazrlanmtr. rnein toplam 100 ml
lik IZO1 zeltisi hazrlamak iin, 99 ml 0,2 M Zn(CH
3
COO)
2
.2H
2
O sulu
zeltisine, 1 ml 0,2 M InCI
3
sulu zeltisi eklenmitir. Hidroksit oluumunu
nlemek iin pskrtmenin hemen ncesinde zeltilere birka damla asetik asit
damlatlmtr. Bunun sonucunda zelti daha berrak olmaktadr. IZO3 ve IZO5
zeltisi hazrlamak iin de benzer ilemler yaplmtr.

3.4. Elde Edilen Filmlerin Kalnlklar

Cam tabanlar zerinde ekle edilen ZnO ve IZO filmlerinin kalnlklar tart
metodu ile bulunmutur. Tartm ilemi yar-mikro (0,01 mg hassasiyetli)
SARTORIUS-CP225D model elektronik terazi ile yaplmtr. Cam tabanlar
temizlendikten sonra tartlmtr. Pskrtme sonras film kaplanan tabanlar bir kez
daha tartlmtr. ki tart arasndaki fark cam taban zerinde oluan filmin
ktlesini vermektedir. Filmlerin kalnlklar (x)
f
s
m
x

= (3.1)
forml ile bulunmutur. Burada; m, filmin ktlesi;
f
, filmin younluu; s, cam
tabann yzey alann gstermektedir.
Film kalnlklar hesaplanrken ZnO filminin younluk deeri 5,61 gcm
-3

olarak alnmtr. IZO filmlerinde ise indiyum katksnn film younluuna etkisi
ihmal edilerek ZnO ile ayn film younluk deeri alnarak hesaplamalar
yaplmtr. Elde edilen filmlerin yaklak olarak 600 nm kalnlnda olduu
hesaplanmtr.
25
4. YAPI ANALZ ALIMASI

4.1. X-Inlar

Atomlar veya atom gruplarnn boyutlu uzayda belirli bir simetri dzeni
ierisinde periyodik olarak tekrarlanmasna kristal yap ad verilir. Kristal katlarn
yaps hakkndaki bilgiler, numunenin d grnnn makroskopik veya
mikroskopik olarak incelenmesinden elde edilir. Bununla birlikte grnr k
kullanlarak yap hakknda bilgiler elde edemeyiz. nk grnr n dalga
boyu, kristalin atom ve moleklleri arasndaki boluklarla kyaslandnda
olduka byktr. Dalga boylarnn kristal iindeki boluklarla ayn boyutta
olmas kristal hakknda bilgi elde etmeyi kolaylatrmaktadr.
Bir malzemenin atomik yapsn grntlemek, yksek znrle sahip
eitli elektron mikroskoplar kullanlarak mmkndr. Fakat bilinmeyen yaplar
belirlemek veya yapsal parametreleri tayin etmek iin krnm spektrumlarn
kullanmak gerekir. Katlarn kristal yaplarn incelemek iin en ok kullanlan
krnm teknii x-n krnmdr
Kristal yapnn varl ve kristal yap iersindeki atomlarn dizilileri, x-
n krnm spektrumlarn kullanlarak, ilk defa 1912 ylnda Max von Laue
tarafndan incelenmitir. X-nlarnn dalga boylar atomik boyutla
kyaslanabilecek kadar kktr. Dalga boyu x-nn dalga boyu kadar kk
olan ntronlar veya elektronlar kullanlarak da kristalin yaps hakknda bilgi elde
edilebilir. Fakat en fazla kullanlan metot x-n krnm spektrumlardr [15, 16].
Materyallerin kristal yaplar ile ilgili almalarda x-nlarnn
krnmndan yararlanlmaktadr. Bir x-nn enerjisi, dalga boyu ile ters
orantldr ve enerjisi E=h c
k
/ dr. Dalga boyu ise 0,1 ile 100 arasnda
deiir. Kristal almalarnda 0,2 ile 2,5 arasndaki dalga boylu x-nlar
kullanlr.
X-nlarnn kristalde krnma uramas iin belirli geometrik artlarn
gereklemesi gerekmektedir. X-nlar bir kristal zerine drldkleri zaman
kristaldeki atomlara ait elektronlar ayn frekansta titremeye zorlarlar. Bylece,
kristaldeki elektronlar, her ynde ayn dalga boyunda n yaynlarlar. Kristaldeki
26
her atomun btn elektronlar, x-nlarnn salmasna katkda bulunurlar ve
kresel dalga eklinde ayn faz ile ayn frekansta ma yaparlar. Ayn frekansta
ma yapan bu rg noktalarndaki atomlar birer kaynak gibi davranrlar. Bu
malar baz ynlerde birbirlerini kuvvetlendirirken baz ynlerde ise zayflatrlar.
Yani, bu malar yapc ve ykc giriim yaparlar. Giriim ile kuvvetlenmi
nlar, fotoraf filmi zerinde spektrum olutururlar.
X-n krnm ile filmlerin kalnlk, kimyasal bileim, amorfluk, tek
kristal ya da polikristal durum, kristal yap bozukluklar, kristal ierisinde
bulunabilecek katk atomlar, kristalografik ynelim, rg parametreleri, tane
boyutu ve benzeri pek ok zellik incelenebilmektedir
Bir malzeme iin yaplan basit kimyasal analiz ancak malzeme ierisinde
var olan elementlerin hangileri olduu hakkna bilgi verebilir. Halbuki x-n
krnm ile malzemenin iinde bulunan kimyasal bileenlerin cinsi ve bu
bileenlerin malzeme iinde hangi fazda bulunduklar belirlenerek nitel analiz
yaplabilir.
Ayn zamanda nicel analiz de mmkndr. nk malzeme iinde var
olan bileenlerin sahip olduu piklerin iddeti, bu bileenin malzeme iindeki
oranna baldr. Bu ekilde bilinmeyen bir malzeme, krnm spektrum ve JCPDS
(Joint Committee on Powder Diffraction Standarts) kartlar kullanlarak tayin
edilebilir. XRD ile kimyasal analizde kullanlacak bilinmeyen malzeme zarar
grmez ve kk bir paras bu analiz iin yeterlidir. Bir cismin toz deseni o
cismin karakteristik bir zelliidir.
Spektrum zerindeki piklerin iddetlerine, yar pik geniliklerine ve zemin
(background) iddetine baklarak malzemenin kristallemesi hakknda bilgi
edinilebilir. yi bir kristalleme seviyesine sahip malzemenin XRD spektrumu,
iddeti minimum olan bir zemin zerinde bulunan yksek iddetli ve yar pik
genilikleri dar olan piklere sahiptir.
Eer zemin iddeti yksek, yar pik genilikleri geni ve pik iddetleri
dk ise kristalleme seviyesinin kt olduu sylenebilir. Spektrum zerinde
zemin iddetinin yksek olmas dk iddete sahip pikleri grntlenemeyecek
hale getirir [16].

27
4.2. Bragg Yasas

Kristal yapnn incelenmesinde Bragg yasasndan yararlanlr. Bu yasaya
gre, monokromatik x-nlar kristalin paralel dzlemlerine as yaparak gelsin
ve atomlarn paralel dzlemleri arasndaki uzaklkta d olsun. Kristale giren x-
nlarnn krlmad kabul edilirse, x-nlar atomlarn oluturduu
dzlemlerden as yaparak yansyacaktr (ekil 4.1).
Bu nlar yol farkndan dolay birbirlerini kuvvetlendirici veya zayflatc
ynde etkileyebilirler. Giriim kuvvetlendirici ise 1 ve 2 nolu nlar arasndaki
yol fark, dalga boylarnn tam katlarna eit olmaldr. O halde, yol fark,
Yol Fark= ML + LN =dsin+dsin (4.1.a)
ile verilir. Buradan,
2dsin=n (4.1.b)
yazlr. Bu eitlik Bragg yasas olarak bilinir. Burada; d, kristal dzlemleri aras
mesafe; n = 1,2,3... deerlerini alabilen bir tam say; , nn dalga boyudur.
X-nlar kristalografisinde genellikle n =l alnr. nk krnma urayan
nn iddeti hzla azalr.










ekil 4.1. X-n knmnda gelen ve krnma uram nlar [17]

X-n krnm verileri deiik metot kullanlarak belirlenebilir ve bu
krnm metotlarnn alma prensipleri Bragg yasasna dayanmaktadr. Bu
metotlar arasndaki farkllklar kullanlan numune ve ndan kaynaklanr. Bu


Gelen nlar
Krnma uram
nlar
M N
L
1
2
1
'
2'
d
28
metotlar; Laue metodu, dner kristal metodu ve toz metodudur. Laue metodunda,
numune olarak tek kristal ve deien dalgaboylu nlar kullanlr. Bu metotta
Bragg as sabit tutulur. Dner kristal metodunda, yine tek kristal ancak sabit
dalgaboylu nlar kullanlr. Bragg as iin deien deerler elde edilir. Toz
metodunda ise, tek dalgaboylu nlar ile polikristal veya toz haline getirilmi
numuneler kullanlr. Bu metotta da Bragg as deikendir. Dolaysyla
polikristal yapdaki materyallerin incelenmesinde kullanlan tek metot toz
metodudur. Bu metotta krnm spektrumlar , nlarn iddetine ve deien alara
bal olarak elde edilir. Elde edilen piklerin a deerlerine gre, d mesafesi
hesaplanr ve kristal yap belirlenir. Piklerdeki iddetlerin, dar ve keskin olmas,
kristallenmenin iyi olduu anlamna gelir [17,18].
Bragg yasasnda iki nokta gzden karlmamaldr. Bunlardan birincisi,
gelen demet, yanstan dzlemin normali ve difraksiyon demeti her zaman ayn
dzlemdir. kincisi, difraksiyon demeti ile gelen demet arasndaki a daima
2dr (ekil 4.2). Bu a difraksiyon as olarak adlandrlr [16].
















ekil 4.2 Difraksiyon as [19]

29
4.3. Elde Edilen nce Filmlerin X-n Krnm Spektrumlar

ZnO ve IZO filmlerinin x-n krnm spektrumlar Rigaku Rint 2200
serisi X-Ray Diffractometer model x-nlar krnm cihaznda 1,5405 dalga
boylu CuK

n kullanlarak 202 60 snr deerlerinde incelenmitir. Bu

spektrumlarn incelenmesinden, filmlerin yaps hakknda bilgi elde edinilebilir.
Spektrum zerindeki piklerin iddetlerine, yar pik geniliklerine ve zemin
(background) iddetine baklarak malzemenin kristallemesi hakknda bilgi
edinilebilir. yi bir kristalleme seviyesine sahip malzemenin XRD spektrumu (X-
n Krnm Spektrumu), iddeti minimum olan bir zemin zerinde bulunan
yksek iddetli ve yar pik genilikleri dar olan piklere sahiptir. Eer zemin
iddeti yksek, yar pik genilikleri geni ve pik iddetleri dk ise kristalleme
seviyesinin kt olduu sylenebilir. Spektrum zerinde zemin iddetinin yksek
olmas dk iddete sahip pikleri grntlenemeyecek hale getirir [25].
Filmlerin krnm spektrumlar incelendiinde pik iddetleri ve genilikleri
filmler arasnda farkllklar ortaya karmaktadr. iddetleri byk ve genilikleri
dar olan piklerde kristallerime iyi, iddetlen kk ve genilikleri byk olan
piklerde kristallenmenin iyi olmad anlamna gelmekledir. Bu almada elde
edilen ZnO ve IZO filmlerinin x-n krnm spektrumlarnda, piklerin zerinde
parantez iinde ilgili dzlemlerin Miller indisleri belirtilmitir.
ZnO ve IZO filmlerinin x-n krnm spektrumlarndan elde edilen
filmlerin JCPDS kartlarna gre hekzagonal yapda ZnO [23] olduklar
belirlenmitir.
Genel olarak, taban scakl, katk konsantrasyonu ve balang
zeltisinin konsantrasyonu elde edilen filmlerin yapsnda nemli bir etkiye
sahiptir. ekil 4.2 de elde edilen ZnO ve IZO ince filmlerinin x-n krnm
spektrumlar grlmektedir. Yani, grlen piklerin hekzagonal yapdaki ZnO
filmlerine ait olduu polikristal yapda olduu grlmektedir. ekil 4.2 ye
baktmzda (101) dorultusunda tercihli bir ynelmeye sahiptir. kincil mevcut
pikler (100), (002), (102) ve (110) dir. Elde edilen krnm spektrumlarnda farkl
iddet ve geniliklere sahip eitli piklere ait 2 ve d-deerleri izelge 4.1 de
verilmektedir. Buna gre, 2=36,241
o
ile gnderilen pik en iddetli piktir.
30
IZO1 ince filmi iin, tercihli ynelme (002) olmutur. Katksz filmden
katklya geerken tercihli ynelmedeki deiimin yapya sonradan katlan
indiyum atomundan kaynakland dnlmektedir. izelge 4.1 de verilen
krnm spektrumlarnda farkl iddet ve geniliklere sahip eitli piklerden (002)
dorultusunda 2=34,460
o
ile gnderilen pik en iddetli piktir.
.


ekil 4.3. Elde edilen ince filmlerin x-nlar krnm spektrumlar

IZO3 ince filmi iin yine ekil 4.2 ye baktmzda, en byk pikin
katksz ZnO daki gibi (101) de ve ikinci byk pikin katksz ZnO daki gibi (002)
dorultusunda olduu grlmektdir. izelge 4.1 de verilen krnm spektrumunda
farkl iddet ve geniliklere sahip eitli piklerden (101) dorultusunda
2=36,180
o
ile gnderilen pik en iddetli piktir.
31
IZO5 ince filminin tercihli ynelmesi (002) dzlemindedir. izelge 4.1 de
verilen krnm spektrumunda farkl iddet ve geniliklere sahip eitli piklerden
(002) dorultusunda 2=34,520
o
ile gnderilen pik en iddetli piktir.
IZO1 ve IZO5 ince filmleri (002) tercihli ynelmesine sahiptir. Dk
indiyum katk oranlarnda pikler iddetli ve keskindir. Bu da kristallenmenin daha
iyi olduu anlamna gelmektedir. Fakat yksek indiyum katk oranlarnda piklerin
iddetleri zayflamakta ve pikler daha yayvanlamaktadr. Yani
kristallenmelerinde iyi olmamakta ve yap gittike kendi zelliini kaybetmeye
balamaktadr. Baka bir deyile, amorf zellik gstermektedir diyebiliriz. IZO
filmleri iin elde edilen x-n krnm spektrumlarnda indiyum ya da onun
oksitlerine ait bir pike rastlanmamtr.

izelge 4.1. Elde edilen ince filmlerin 2 ve d-deerleri.

ZnO IZO1 IZO3 IZO5
(hkl) 2 d() 2 d() 2 d() 2 d()
(100) 31,799 2,8118 31,780 2,8135 31,701 2,8203 31,919 2,8015
(002) 34,460 2,6005 34,460 2,6005 34,420 2,6034 34,680 2,5845
(101) 36,241 2,4767 36,280 2,4741 36,180 2,4807 36,399 2,4663
(102) 47,522 1,9118 47,579 1,9096 47,440 1,9149 47,641 1,9073
(110) 56,542 1,6263 56,618 1,6243 56,439 1,6285 - -

4.4 rg Sabitleri, Tanecik Boyutu ve Yaplanma Katsays

X-nlar krnm desnlerine gre elde edilen ZnO ve IZO ince filmleri
hekzagonal yapya sahip polikristaldir. rg sabitleri hekzagonal ZnO filmi iin
JCPDS standart datalarna [30] gre a=3,24982 ve c=5,20661 olarak verilir.
Hekzagonal yaplar iin a ve c rg sabitleri analitik metot kullanlarak

2
2
2
2 2
2
3
4 1
c
l
a
k hk h
d
+
|
|
.
|

\
|
+ +
= (4.2)
ifadesi ile hesaplanr.


32
izelge 4.2. Elde edilen ince filmler iin hesaplanan a ve c rg sabitleri

ZnO [37,14] IZO1 [37] IZO3 [14] IZO5
a () 3,24679 3,24875 3,25660 3,23489
c () 5,20100 5,20100 5,20680 5,16900

Pek ok kat malzemenin mikroyaplar, birok taneden meydana gelir.
Tane, ierisinde atom dizilimlerinin zde olduu malzemenin bir ksmdr. Buna
karn atomlarn ynelimi veya kristal yap, her komu tane iin farkldr.
Tanelerin byklklerinin ve ynelimlerinin; malzemenin elektriksel, optiksel ve
yapsal zellikleri zerinde nemli etkileri vardr. Tane snrlar, ayn kristal yap
iinde fakat deiik dorultulardaki kristal blgeleri birbirinden ayran ve
atomlarn dzgn yerlemedii yzeysel kusurlardr. Tane boyutunun klmesi
tane saysnn ve tane snrlarnn artmasna sebep olur. Bu durumda, herhangi bir
izgisel kusur, bir tane snr ile karlamadan nce ksa bir mesafe hareket eder.
Bylece malzemenin sertlii ve dayanm artar [20].
Polikristal yaplar birden fazla faz ierebilir. Bu durumda polikristal
yapnn zellii doal olarak her fazn tek bana sahip olduu zellie ve bu
fazlarn polikristal yap iinde bulunu ekline bal olacaktr. Her fazn tanelerinin
boyutu, mkemmellii ve yn dier fazlardaki tanelerinkinden farkldr.
Ticari metallerde ve alamlarda karlalan tane byklkleri 10
-1
-10
-4
cm
aralndadr. Bu snrlar olduka u deerleri gsterir. Tipik deerler ise 10
-2
-10
-3

cm aralnda kalrlar [21].
Kristal tanelerinden birinin boyutu 10
-5
cm den daha kk olursa,
genellikle tanecik (grain) terimi kullanlr. Bu byklkteki kristaller Debye
halkalarnn genilemesine sebep olur. Scherrer forml ile genileme miktar,

cos B
9 , 0
G = (4.3)
ile verilir. Burada B maksimum iddetli pikin radyan olarak yar pik genilii, G
tanecik boyutu, Bragg as ve kullanlan nn dalgaboyudur [22].
Elde edilen ZnO, IZO1, IZO3 ve IZO5 filmleri iin tanecik boyutlar
srasyla 35,80 nm, 35,62 nm, 31,30 nm ve 30,90 nm olarak hesaplanmtr.
Grld gibi indiyum katks arttka tanecik boyutu da azalmaktadr.
33
Elde edilen filmlerin tercihli ynelimleri belirlemek amacyla yaplanma
katsays (TC(hkl)) iin aada verilen ifade kullanlmtr [11]

=

) ( / ) (
) ( / ) (
) (
1
hkl I hkl I N
hkl I hkl I
hkl TC
o
o
(4.4)
Burada; N ; yansima saysn, I
o

(hkl), (hkl) dzleminin standart iddetini ve
I (hkl) ise ayn dzlemin gzlenen iddetini ifade eder. Tercihli bir ynelme iin
TC(hkl) deeri birden byk olmaldr
Elde edilen filmler iin bal pik iddetleri ve yaplanma katsaylar
izelge 4.3 de verilmitir.

izelge 4.3. Elde edilen ince filmlerin bal pik iddetleri ( I / I
o
) ve yaplanma katsay deerleri
(TC(hkl))

ZnO [37,14] IZO1 [37] IZO3 [14] IZO5
(hkl) I'/I'o TC(hkl) I'/I'o TC(hkl) I'/I'o TC(hkl) I'/I'o TC(hkl)
(100) 15,2 0,43 10 0,32 45,9 0,87 39,1 0,77
(002) 44,2 1,24 100 3,19 86,3 1,63 100 1,97
(101) 100 2,81 32,8 1,05 100 1,89 54,3 1,07
(102) 14,3 0,40 9,9 0,32 18,1 0,34 9,7 0,19
(110) 4,4 0,12 3,9 0,12 13,8 0,26 - -

34
5. OPTK METOT

5.1. Giri

Bir materyale gelen elektromagnetik dalgann materyalde bulunan
elektriksel ykler ile etkilemesi sonucunda enerji kaybna uramas absorpsiyon
olarak adlandrlr. Bu enerji kayb materyalin atomlar tarafndan kullanlr.
Yariletkenlerin bant aralklarn belirlemek iin en yaygn ekilde kullanlan
metot optik absorpsiyon metodudur. Absorpsiyon ileminde enerjisi belli bir
foton, bir elektronu dk enerji seviyesinden daha yksek bir enerji seviyesine
uyarr.
Kalnl x olan bir materyal zerine gelen I
o
iddetindeki bir n ile
materyali geen n iddeti I arasnda,
x
o
e I I

= (5.1)
bants vardr. Burada; I
o
materyale gelen elektromagnetik dalgann iddetini; I,
x kalnlkl materyalden geen elektromagnetik dalgann iddetini; , lineer
absorpsiyon katsaysn gstermektedir.
Lineer absorpsiyon katsays , elektromagnetik dalgann dalgaboyuna ve
materyale baldr. Denklem (5.1)den grld gibi lineer absorpsiyon katsays
bydke materyali geen n iddeti de o derece azalacaktr [26].

5.2. Temel Absorpsiyon Olay

Yariletkenlerde en nemli absorpsiyon olay, bir elektronun bir foton
sourarak valans bandndan iletim bandna gemesiyle oluur. Dolaysyla bu
olay, temel absorpsiyon olay olarak adlandrlr. Temel absorpsiyon,
absorpsiyonda hzl bir art olarak kendini gsterir ve bu yariletkenin enerji
aralnn belirlenmesinde kullanlr [27].
Temel absorpsiyon olaynda bir elektron, materyale gelen n demetinden
bir foton absorplayarak valans bandndan iletim bandna geer. Bu gei
sonucunda valans bandnda bir hol oluur. Bu geiin gereklemesi iin materyal
35
zerine den foton enerjisinin, en az yariletken materyalin yasak enerji aralna
eit veya bu deerden daha byk olmas gerekir.











ekil 5.1. Yariletkenlerde gelen n dalga boyuna kar absorpsiyon grafii [28]

Bu nedenle gelen fotonun frekans ,
E
g
/ h veya
o
(5.2)
olmaldr.
o
E
g
/h frekans absorpsiyon snr olarak adlandrlr. Burada; E
g
,
yasak enerji aral; c, k hzdr.
Bir yariletken iin temel absorpsiyon spektrumu (ekil 5.1)
g

(
g
=h c
k
/E
g
) dalga boyuna yakn dalga boylarndan itibaren absorpsiyonda
srekli bir art gzlenir ve
g
sonra bir denge deerine ular.
Yariletken materyal
g
dalga boyundan kk dalga boylarnda kuvvetli
bir sourucu, byk dalga boylarnda hemen hemen geirgen zellik gsterir. Bu
iki blgeyi ayran snr temel absorpsiyon snr olarak adlandrlr.
Yariletkenlerde temel absorpsiyon snrnda direkt ve indirekt olmak zere
iki tr gei olay vardr.

5.2.1 Direkt bant geii

Direkt bant geiinde, yar iletkenin iletim bandnn minimumu ile valans
bandnn maksimumu enerji-momentum uzaynda ayn k deerinde ise geiler

g
A

(nm)
36
direkt olmaktadr ( k =0). Yariletkende E
i
, ilk durum ve E
f
, son durum enerji
seviyesi ise,
E
f
=h -E
i
(5.3)
ile verilmektedir.
Parabolik bantlarda,
E
f
- E
g
=
*
2 2
2
) (
e
m
k h
(5.4)
ve
E
i
=
*
2 2
2
) (
h
m
k h
(5.5)
ile verilir. Burada; m
*
e
, elektronun etkin ktlesi; m
*
h
, holn etkin ktlesini
gstermektedir. Denklem (5.4) ve denklem (5.5)i denklem (5.3)te yerine
yazarsak,
h -E
g
=
2
2 2
k h
(
* *
1 1
h e
m m
+ ) (5.6)
bants elde edilir. Direkt geilerde eksiton oluumu veya elektron-hol
etkileimi dikkate alnmazsa absorpsiyon katsays , gelen fotonun enerjisine
[28].
( h v) = A
*
( h v - E
g
)
m
(5.7)
ifadesiyle baldr. Burada A* sabiti,
A
*

* 2
2 / 3
* *
* *
2
) 2 (
e
e h
e h
m nch
m m
m m
q
+
(5.8)
bants ile verilir. Direkt bant geiinde ile h arasndaki bant,
h v ~ ( h - E
g
)
m
(5.9)
ile verilir. Burada; m, 1/2 (izinli gei) veya 3/2 (izinsiz gei) deerlerini alabilen
bir sabittir.
Ayrca denklem (5.9)da h ' y sfr yapan deer yariletkenin yasak
enerji aral deerini vermektedir [28 , 29].

37


ekil 5.2. Bir yariletkende direkt bant geiinin ematik gsterimi [30]

5.2.2. direkt bant geii

ndirekt bant geiinde, yariletkenin iletim bandnn minimumu ile valans
bandnn maksimumu enerji-momentum uzaynda ayn k deerine karlk
gelmiyorlarsa ( k 0), geiler indirekt olarak adlandrlr .
ndirekt geilerde enerji korunur fakat momentum korunumu iin bir
fononun emisyonu veya absorpsiyonu gereklidir. Bu iki gei,
h v
e
= E
f
E
i
- E
p
(Fonon emisyonu durumunda) (5.10)
h v
a
= E
f
- E
i
+ E
p
(Fonon apsorpsiyonu durumunda) (5.11)
ile verilir. Burada; E
p
fonon enerjisidir; fonon emisyonu durumunda); fonon
absorpsiyonlu gei iin absorpsiyon katsays h >E
g
- E
p
iin,

e
( h v) =
(

+
T k
E
E E v h A
B
p
m
p g
exp
) (
(5.12)
ile verilir. Fonon emisyonlu gei iin absorpsiyon katsays h v>E
g
+ E
p
iin,

e
( h v) =
(

T k
E
E E v h A
B
p
m
p g
exp 1
) (
(5.13)
38
ile verilir. Hem fonon emisyonu hem de fonon absorpsiyonu olduu zaman ile
v arasndaki bant,
( h v)
(

+
T k
E
E E v h A
B
p
m
p g
exp
) (
+
(

T k
E
E E v h A
B
p
m
p g
exp 1
) (
(5.14)
ile verilir. Burada; m indirekt bant geili bir yariletken iin 2 (izinli gei) veya
3 (izinsiz gei) deerlerini alabilen bir sabiti gstermektedir [30, 31].



ekil 5.3. Bir yariletkende indirekt bant geiinin ematik gsterimi [30]

5.3. Optik Sabitler

zerine n gnderilen madde bir yariletken ise fotonlar malzeme ile
etkileerek absorpsiyon, krlma, yansma ve geirme gibi bir ok optik olaylar
meydana gelir.
Malzeme zerine gnderilen fotonun enerjisi elektronu iletim bandna
karamayacak kadar azsa, malzeme fotonu souramaz ve malzeme foton iin
saydam davranr. Bu olaya n geirme yani transmitans (geirgenlik) denir ve T
ile gsterilir. Malzemenin absorpsiyon katsays [32]
39
x
T) / 1 log(
303 . 2 = (5.15)
eitlii ile verilir. Bir fotonun absorplanmas veya geirilmesi fotonun enerjisine,
yariletkenin yasak enerji aralna ve atomlarn veya molekl gruplarnn
diziliine baldr.
Geirgenlik numuneyi geen nn iddetinin numuneye gelen nn
iddetine oran olarak tanmlanr ve
T=I/I
0
(5.16)
eitlii ile verilir. Geirgenlik ve absorbans arasndaki iliki ise
A=-logT (5.17)
eitlii ile verilir. Numunenin absorpsiyon spekturumundan
T=10
-A
(5.18)
eitlii ile geirgenlii bulunabilir ve dalga boyuna kar grafii izilebilir.
Malzeme ile fotonun bir etkilemesi de yansma (yani reflektans) dr.
Yansma malzeme yzeyinden yansyan nn iddetinin malzeme yzeyine gelen
nn iddetine oran olarak tanmlanr ve R
y
ile gsterilir. Malzeme yzeyi dz ve
gelen fotonlarn enerjisi yasak enerji aralndan dkse gelen fotonlarn bir
ksmi yzeyden yanstlr. Malzeme zerine gnderilen nn, absorplanma,
geirilme ve yanstlma sreci ekil 5.4 te gsterilmitir [33].
ekil 5.4ten de grld gibi malzemeyi geen nn iddeti
x -
o
2
y
e I ) R - (1 = I

ile gsterilmitir. Geirgenlik, absorbans ve yansma katsays
arasndaki bant ise
T=(1-R
y
)
2
e
-A
(5.19)
eitlii ile verilir. Eitlik (5-19)dan faydalanlarak,
R
y
=1-
A A
e 10

(5.20)
eitlii elde edilir. Bu eitlik bize absorbans lmnden faydalanlarak yansma
katsaysnn bulunmas olanan verir. Absorpsiyon katsaysnn yansma
katsays R
y
ve geirgenlik katsays T ye bamll
}
4
) 1 (
2
) 1 (
1
1
2 / 1 2
2
4 2

(
(

=
y
y y
R
T
R
T
R
n
t
(5.21)
eitlii verilir [34].
40


ekil 5.4. Inn materyale dik gelmesi durumunda sourulma, geirilme ve yansma sreci [35]

Inn malzeme ile etkilemesinden birisi de krlmadr. Krlma nn
malzemeye dik gelmedii durumlarda malzemenin iine geerken, veya daha
genel anlamda nn ortam deitirirken yn deitirmesidir. Yariletken bir
malzeme iin kompleks krlma indisi (n')
n'=n-i k (5.22)
eitlii ile verilir. Burada n krlma indisinin gerel ksm olup,
2
2
) 1 (
4
1
1
k
R
R
R
R
n
y
y
y

+
= (5.23)
eitlii ile verilir. k ise, krlma indisinin sanal ksm olup

4
= k (5.24)
eitlii ifade edilir ve snm katsays denir [36].
Malzemenin krlma indisi dalga boyunun bir fonksiyonudur. Yksek
krlma indisine sahip malzemeler daha fazla yanstma zelliine sahiptirler. Atom
numaras arttnda elektron says da artacandan ve kutuplama oalacandan
fotonlar daha fazla etkilenir ve daha fazla krlmaya urarlar. Bu nedenle
malzemenin krlma indisi ve dielektrik sabiti arasnda bir iliki vardr.
Bir malzeme iin kompleks dielektrik sabiti ( )
2 1
i + = (5.25)
41
eitlii ile verilebilir. Burada;
1
dielektrik sabitinin gerel ksm,
2
ise sanal
ksm olup,
2 2
1
k n = ve (5.26)
nk 2
2
= (5.27)
eitlikleri ile verilmektedir [37].
Malzemenin dielektrik sabiti dorudan llemez. Dorudan ancak optik
lmlerle yansma katsays R
y
, krlma indis n ve snm katsays k llebilinir.
Dielektrik sabiti ve krlma indisi arasnda ise,
= n (5.28)
ilikisi bulunmaktadr.

5.4. Urbach Parametresi

Yaplan birok almalar gstermitir ki bir yariletkenin optik
absorpsiyonu yasak enerji aralnda dzgn ve ok hzl ekilde artmamaktadr.
Fakat bir ok materyallerde optik absorpsiyon spektrumu normal olmas gereken
snrn yaknlarnda balar. Bunun sebebi band sarkmalardr. Bant kysndaki
sarkmalar kristal veya amorf yaplarn hepsinde bulunabilir. Bu sarkmalarn
olumasnda etkili ve barol oynayan sebep statik gerilme ve bozukluklardr.
Bunun yan sra dinamik bir etkisi olan scaklk deiiminin de etkisi vardr.
Dinamik veya statik etkiler ister kristal ister amorf yaplar olsun, hepsinde oluur
ve bu etkilerin absorpsiyon katsaysna bamllnn olduu bilinmektedir.
Urbach kural dinamik ve statik etkiler altnda
|
|
.
|

\
|

=
o o
T
T
E
v h
o
e T v h ) , ( (5.29)
eitlii ile verilir. Burada;
o
absorpsiyonun balad andaki absorpsiyon
katsaysn, T' scakl, E
U
sarkan bant geniliini (Urbach parametresini) ifade
etmektedir.
Etkisi az olan dinamik etkiler ihmal edilirse, statik etki altnda Urbach
kural
U
E v h
o
e v h
/
) (

= (5.30)
42
0
0,5
1
1,5
2
2,5
300 500 700 900
Dalgaboyu (nm)
A
ZnO
IZO1
IZO3
IZO5
eitlii ile verilir. Urbach parametresi E
U

1
) (
) (

|
|
.
|

\
|

=
v h In
In
E
U

(5.31)
eitlii ile verilir [36] .
Herhangi bir yariletkende, kristalde veya amorf yapda bant sarkmalar
enerji bant aralnda daralmalara, bu da absorpsiyon spektrumunda artmalara
sebep olur.

5.5. Elde Edilen nce Filmlerin Temel Absorpsiyon Spektrumlar

Elde edilen ince filmlerin oda scaklndaki absorpsiyon spektrumlar
200nm ile 900nm arasnda tarama blgesi olan Shimadzu UV-2450 PC UV-VIS
Spektrofotometre cihazndan elde edilmitir.


















ekil 5.5. Elde edilen ince filmlerin absorpiyon spektrumlar
43
0
2
4
6
8
10
1,5 2 2,5 3 3,5
Enerji (eV)
(

)
2


(
e
V
/
m
)
2


x
1
0
1
3
ZnO
IZO1
IZO3
IZO5
ekil 5.5 te elde edilen ince filmlerin absorpsiyon spektrumlar
grlmektedir. ZnO ve IZO iin absorbans deerlerinde yaklak 380 nm de hzl
bir art grlmektedir. Grafikten IZO1 filminin absorbansnn en fazla deer
aldn gryoruz. Ama katk oran arttka absorbansn azald grlmektedir.

5.6. Elde Edilen nce Filmlerin Yasak Enerji Aralklar ve Urbach Enerjileri

Yariletkenlerin yasak enerji aralnn belirlenmesinde kullanlan eitli
metotlar vardr. Bu band aralnn en iyi deerleri iki yolla, (i) optik absorpsiyon
ile (ii) scakla bal iletkenliin analizinden elde edilir. Optik absorpsiyon
metodu, yariletkenlerin band aralnn belirlenmesinin yansra band yaplarnn
belirlenmesinde de yaygn olarak kullanlr. ZnO ve IZO filmlerinin yasak enerji
aralklarnn belirlenmesinde optik absorpsiyon metodu kullanlmtr.


















ekil 5.6. Elde edilen ince filmlerin (h )
2
~ h grafii
44
11
12
13
14
2,4 2,8 3,2
Enerji (eV)
l
n

(

)
ZnO
IZO1
IZO3
IZO5
Elde edilen filmler iin ekil 5.6. daki grafikler extrapole edilerek, yasak
enerji aralklar bulunmu ve bulunan deerler izelge 5.1 de verilmitir. Buna
gre indiyum katks ZnO ince filminin optik band aralnda ok kk bir
deiime sebep olmaktadr.
Urbach parametrelerinin hesab iin ise, ekil 5.7 deki gibi ln( ) ~ h
grafii izilmitir. Denklem (5.31) den yararlanlarak hesaplanan Urbach
parametreleri izelge 5.1 de verilmitir.
























ekil 5.7. Elde edilen filmlerin Urbach grafikleri
45
izelge 5.1. Elde edilen ince filmlerin yasak enerji aralklar (E
g
) ve Urbach parametreleri (E
U
)

ZnO [37, 38] IZO1 [37] IZO3 [38] IZO5
E
g
(eV) 3,29 3,30 3,30 3,28
E
U
(meV) 87 82 87 104

5.6. Elde Edilen nce Filmlerin Optik Sabitleri

Elde edilen filmlerden ZnO ve IZO3 filmlerinin daha saydam olmas
nedeniyle burada sadece bu iki filmin geirgenlik ve yansma spektrumlar
verilmitir (ekil 5.8a-b).
















ekil 5.8. ZnO ve IZO3 ince filmlerinin (a) %Geirgenlik ( T ) ve (b) %Yansma spektrumlar
0
20
40
60
80
100
300 500 700 900
Dalgaboyu (nm)
%
T
ZnO
IZO3
0
20
40
60
80
300 500 700 900
Dalgaboyu (nm)
%
R
ZnO
IZO3
(a) (b)
46
Yaklak 380 nmden sonra geirgenlik hzl bir art, yansmada ise hzl
bir azal sz konusudur. 400-800 nm dalgaboyu aralndaki ortalama geirgenlik
deerleri, ZnO filmi iin %88,82 iken, IZO3 filmi iin biraz artarak %89,36
deerine ykselmitir.
Yansma ksa dalga boyuna doru kaydka artmtr. Bunun nedeni
fotonlarn enerjisinin artndan dolay, fotonlarn elektron, atomlar veya kristal
moleklleriyle daha fazla etkilemeleri ve geri yanstmalardr. Yapya indiyum
katlmasyla yansmas az da olsa artt gzlenmitir.
Geirgenlik ve yansma spektrumlarndan yararlanlarak, optik sabitler
hesaplanabilir. (5.23) eitliinden yararlanlarak krlma indisi n, (5.24)
eitliinden yararlanlarak snm katsays k, (5.26) eitliinden yararlanlarak
dielektrik sabitinin gerel ksm
1
ve (5.27) eitliinden yararlanlarak da
dielektrik sabitinin sanal ksm
2
hesaplanabilir.
Hesaplanan bu optik sabitlerin dalgaboyuna kar grafikleri ekil 5.9 ve
ekil 5.10 da verilmitir.















ekil 5.9. ZnO ve IZO3 ince filmlerinin dalgaboyuna kar (a) krlma indisi ve (b) snm
katsays grafikleri
0
2
4
6
8
10
300 500 700 900
Dalgaboyu (nm)
K

l
m
a

n
d
i
s
i
,

n
ZnO
IZO3
0
2
4
6
8
300 500 700 900
Dalgaboyu (nm)
S

m

K
a
t
s
a
y

,

k

x

(
1
0
-
2
)
ZnO
IZO3
(a) (b)
47
Gelen fotonun dalga boyu azaldka (yani fotonun enerjisi arttka) snm
katsaysnn ve krlma indisinin artt grlmektedir. Bunun nedeni, gelen
fotonun enerjisinin artmasndan dolay elektronlarla daha fazla
etkilemesindendir. Ayrca indiyum katklandnda snmlenmenin ve krlma
indisinin ok az artt grlmektedir.

















ekil 5.10. ZnO ve IZO3 ince filmlerinin dalgaboyuna kar (a)
1
ve (b)
2
grafikleri

Dielektrik sabiti krlma indisine bal bir niceliktir ve yaltkanln bir
lsdr. Krlma indisinin azalan dalgaboyuna gre hzl art, ayn ekilde
dielektrik sabitinin de artna neden olmaktadr. ndiyum katklanmas dielektrik
sabitini az miktarda arttrmaktadr.


(a) (b)
0
20
40
60
80
100
300 500 700 900
Dalgaboyu (nm)
D
i
e
l
e
k
t
r
i
k

S
a
b
i
t
i
n
i
n

G
e
r

e
l

K

s
m

1
ZnO
IZO3
0
0,4
0,8
1,2
1,6
300 400 500 600 700 800 900
Dalgaboyu (nm)
D
i
e
l
e
k
t
r
i
k

S
a
b
i
t
i
n
i
n

S
a
n
a
l

K

s
m

2
ZnO
IZO3
48
6. ELEKTRKSEL LETKENLK

6.1. Giri

Yariletkenler iin Ohm yasas,
R I I
S
L
I
S
L
V
k k k
=
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|
=

(6.1)
ile verilir. Burada L iletkenin uzunluu ve S kesittir. Diren, yariletkenin
geometrisinin yansra zdirencin veya iletkenliin bir fonksiyonudur.
Metallerin aksine, yariletkenler scak bir ortamda, soukta olduklarndan
daha iletkendirler. Metallerde olduu gibi, yariletkenlerin iletkenlikleri
elektronlarn yer deitirmeleri nedeniyledir; bu hal onlar iyonik iletkenlerden
ayrr. Bununla beraber yariletkenlerin zdirenleri scaklk arttka azalr. u
halde bunlarn zdirenlerinin scaklk ile deiim katsays metallerinkinden on
defa daha byktr. Scaklk ykseldii zaman zdirencin klmesi,
yariletkenleri metallerden ayran bir zelliktir.

6.2. Yariletkenlerde Elektriksel letkenlik

Yariletkenlerde elektronlarn ve hollerin oluturduu akm younluu,
kendi ykleriyle hzlarnn arpmna eittir. E

elektrik alan uygulanan bir

yariletkende elektronlarn ve hollerin oluturduu toplam akm younluu J

,
en J J J
h e
= + =

e
+
e
v

ep
h
v

(6.2)
bants ile verilir. Burada; -e, n
e
,
e
v

srasyla, elektron ykn, younluunu ve

srklenme hzn; +e, p,
h
v

srasyla hol ykn, younluunu ve srklenme

hzn gstermektedir [13]. Buna gre holler elektrik alanla ayn ynde hareket
ederlerken elektronlar elektrik alann tersi ynnde hareket ederler.




49


6.3. Prob Metotlar ile zdiren llmesi

Yariletken malzemelerin zdiren lmleri iin en ok iki problu, drt
problu ve Wan der Pauw metotlar kullanlmaktadr. rnekten akm geerken,
belirli bir blgesinde elektrik potansiyel fark lmleri bu metotlarn temelidir.
ki problu metot lmleri iin rneklerin ekli tam belirli olmaldr. Drt-
problu ve Wan der Pauw metotlarnda kullanlan rneklerin ekli serbest olabilir.
ki-problu metotta kullanlan rnekler dzgn dikdrtgen geometrik
eklinde ve sabit kesit alana sahip olmaldrlar. rnein iki kar kenar
yzeylerine akm iin kullanlan 1 ve 2 omik kontaklar bulunmaktadr (ekil 6.1).
Gerilim lmleri (V
34
) iin, akm izgileri zerine, 3 ve 4 kk alanl,
birbirinden l uzaklkta omik kontaklar yaplmaktadr.










ekil 6.1. ki-problu metotla zdiren lme devresi [40]

Homojen olan rnekte zdirencin deeri u ekilde verilir.
12
34
k
I
V S

= (6.3)
Burada I
k12
, 1 ve 2 kontaklarndan geen sabit akm, V
34
, 3ve 4 kontaklar
(problar) aras oluan gerilim, S=ab akmn ynne dik olan rnein kesit alan,
ise, 3 ve 4 gerilim problar aras uzaklktr.
50
zdiren lmlerinde, kontaklarn direncinin etkisini ortadan kaldrmak
iin, yksek i direnli (R> 10
8
Ohm) voltmetreler kullanlmaktadr.
Drt problu metot, yariletkenlerin zdiren lmlerinde en ok
kullanlan metottur. rnek eklinin dzgnlne ve kontaklarn tam omikliine
bu metotta gerek bulunmamaktadr. Drt-problu metodu kullanmak iin, rnein
en az bir yzeyi dzlemsel olmal ve bu yzeyin geometrik boyutlar, kontaklar
sisteminin boyutlarndan daha byk olmaldr.
Bu lmlerde kk alanl drt kontak, rnein dzlemsel yzeyinde
yerlemektedir (ekil 6.2).









ekil 6.2. Drt-prob metoduyla zdiren lme devresi (GK g kaynadr) [40]

ki d (1 ve 4) kontaktan akm (I
k14
) geirilir ve iki i (2 ve 3) kontak
arasnda gerilim (V
23
) llr. Birbirinden eit uzaklkta ( ) yerleen drt kontak
sistemi kullanldnda, rnein zdirenci
14
23
2
k
I
V
= (6.4)
forml ile hesaplanabilir. Drt problu metotla zdiren lmleri iin kullanlan
elektrik devre ok basittir (ekil 6.2). Elektrik g kaynandan akm 1 ve 4
kontaklarndan geirilmek 2 ve 3 kontaklarn arasndaki gerilim yksek i direnli
(R> 10
8
Ohm) voltmetre ile llmektedir. lmler, rnein snmamas iin,
dk akmlarda (A-mA) gereklemektedir. Drt-prob metodu ile silisyum
kristalinin zdirenci (10
-3
-10
4
Ohmxcm) %5 hata ile llebilir.
51
Van der Pauw metodu, serbest formlu dzlemsel plaka eklindeki
rneklerin zdiren lmlerinde geni olarak kullanlmaktadr. Bu lmler iin,
rnek kenarnn drt noktasnda omik kontaklar yaplr (ekil 6.3).



ekil 6.3. Van der Pauw metoduyla zdiren lmnde kontaklarn yerletirilmesi[40]

nce 1 ve 4 kontaklarndan akm (I
k14
) geirilir, 2 ve 3 kontaklar aras
gerilim fark (V
23
) llr, ve aadaki formlle diren (R
1
) hesaplanr.
R
1
=
14
23
k
I
V
(6.5)
Daha sonra, 1 ve 2 kontaklarndan akm (I
12
) geirilir, 3 ve 4 kontaklar
aras gerilim fark (V
34
) llr, ve R
2
direnci
R
2
=
12
34
k
I
V
(6.6)
eitliinden bulunur.
Van der Pauw metodunun teorisine gre, direncin bu iki deeri ve rnein
zdirenci arasndaki iliki
|
.
|

\
|
+
=
2
1
2 1
R
R
f
2
R R
2 n
t

(6.7)
ile verilir. Burada t rnein kalnl, f(R
1
/R
2
) dzeltme fonksiyonudur. R
1
ve R
2

direnlerin oran ile bal olan dzeltme fonksiyonunun grafii ekil 6.4 te
gsterilmektedir.


3
4
1
2
52
















ekil 6.4. f(R
1
/R
2
) dzeltme fonksiyonunun grafii [11]












ekil 6.5. Van der Pauw metodu ile zdiren lmlerinde kullanlan rneklerin geometrik
formlar [26]

53
R
1
/R
2
orannn birden ok az ( %10) farkl olduu durumda, bu metotla
rneklerin zdirenci yksek dorulukla llmektedir. Kontaklarn alan byktr
ve rnein kenar yzeyinden dzlem yzeyine yayld durumda, zdiren l
hatalar artmaktadr. Bu hatalarn sebeplerini ortadan kaldrmak veya azaltmak
iin, zel geometrik formlu rnekler kullanlmaktadr (ekil 6.5). Elde edilen
filmlerin zerine ekil 6.5.c deki formda kontaklar gm boya ile yaplmtr.

6.4. Elde Edilen nce Filmlerin Van der Pauw Metodu ile zdiren lm

Van der Pauw teknii, serbest formlu dzlemsel levha eklindeki
malzemelerin zdiren lmlerinde yaygn olarak kullanlmaktadr. Bu lmler
iin numunenin kenarnn drt noktasna omik kontaklar yaplr. Bu almada,
1x1cm boyutlarndaki cam taban zerine hazrlanan filmlerin zerine kontaklar
gm boya ile yaplmtr.
Elektriksel iletkenlik deerleri ZnO ve IZO3 yariletken ince filmleri iin
karanlk ve aydnlk ortamlar iin Van der Pauw metodu kullanlarak
hesaplanmtr. Aydnlk ortam UV lambas (Black-Ray non-UV Semiconductor
inspection lamb Model B) ile salanmtr. Kullanlan lambasnn iddeti 100W
ve dalgaboyu ise 254 nm dir.
Yaplan drt kontak yardmyla, iki farkl akm-voltaj grafii izilerek,
diren deerleri bu grafikten Ohm Yasas ile hesaplanr. Karanlk ortamdaki R
1
ve
R
2
diren deerleri; aydnlk ortamdaki R
1
' ve R
2
' deerlerinin hesapland akm-
voltaj grafikleri ZnO ince filmi iin ekil 6.6.a-b de ve IZO ince filmi iin de
ekil 6.7.a-b de verilmitir. Hesaplanan tm diren deerleri ise izelge 6.1 de
verilmitir.

izelge 6.1. Elde edilen ZnO ve IZO3 filmlerinin karanlk ve aydnlk ortamlardaki diren
deerleri

ZnO IZO3
R
1
(ohm) R
2
(ohm) R
1
(ohm) R
2
(ohm) Karanlkta
435651 256307 277436 48695
R
1
' (ohm) R
2
' (ohm) R
1
' (ohm) R
2
' (ohm) Aydnlkta
23013 16665 29102 11662
54
0
1
2
3
4
5
6
1,0E-08 2,0E-06 4,0E-06 6,0E-06 8,0E-06 1,0E-05
I (amper)
V

(
v
o
l
t
)
R1
R2
(a)
0
2
4
6
8
1,0E-06 5,1E-05 1,0E-04 1,5E-04 2,0E-04 2,5E-04
I (amper)
V

(
v
o
l
t
)
R1'
R2'
(b)












































ekil 6.6. Katksz ZnO ince filminin (a) karanlk ortamda, (b) aydnlk ortamda akm-voltaj
grafii

55
0
1
2
3
4
5
1,0E-08 1,0E-05 2,0E-05 3,0E-05
I (amper)
V

(
v
o
l
t
)
R1
R2
0
1
2
3
4
5
1,0E-06 1,0E-04 2,0E-04 3,0E-04
I (amper)
V

(
v
o
l
t
)
R1'
R2'
(a)
(b)











































ekil 6.7. IZO3 ince filminin (a) karanlk ortamda, (b) aydnlk ortamda akm-voltaj grafii

Van der Pauw metoduna gre zdiren hesab denklem (6.7) ye gre
yaplm ve izelge 6.2 de verilmitir.
56

izelge 6.2. ZnO ve IZO3 filmlerinin karanlk ve aydnlk ortamlardaki zdiren ve elektriksel
iletkenlik deerleri [38]

Karanlk ortam Aydnlk ortam
(ohm.cm) (ohm.cm)
-1
(ohm.cm) (ohm.cm)
-1

ZnO 30,72 0,03 1,78 0,56
IZO3 11,71 0,09 1,66 0,60

Olduka yksek bir serbest tayc younluuna sahip ZnO yariletkenine
indiyum katklanmas, tayc konsantrasyonunda ilave bir arta sebep olacaktr.
inko atomlar, oksijen boluklar ve indiyum katks rg iersine serbest
elektron salayacaklardr. Dolaysyla ZnOe indiyum katklanmas ile iletkenlikte
bir art beklemek doaldr. Nitekim izelge 6.2 den de grld zere,
aydnlk ortam ZnO filminin elektriksel iletkenliini ~17 kat, indiyum katks ise
ZnO yariletken ince filminin karanlk ortamdaki iletkenliini kat arttrmtr.

57
7. TARTIMA VE SONU

Bu almada, pskrtme yntemi kullanlarak 450
o
C taban scaklnda
katksz ZnO, IZO1, IZO3 ve IZO5 filmleri elde edilmitir. Elde edilen filmlerin
yapsal, optik ve elektriksel zellikleri incelenmitir.
Doada ucuz elde edilmesinden dolay ve zehirsiz olmasndan dolay ZnO
tercih sebebi olmaldr. Pskrtme metodunun kullanlmasnn nedeni dk
maliyette olmasndadr.
ZnO ve In katkl ZnO filmlerinin kalnlklar tart yntemiyle bulunmu
ve kalnlklarnn yaklak 600 nm olduu hesaplanmtr.
Katk konsantrasyonu elde edilen filmlerin yapsnda nemli bir etkiye
sahiptir. ZnO e indiyum katklanmas ile birlikte kristal (101) ynnden (002)
tercihli ynelimine doru bir kayma gstermitir. Bu tercihli ynelmedeki deiim
yapya sonradan katlan indiyum atomundan kaynaklanmaktadr.
ZnO ve IZO filmlerinin oda scaklnda elde edilen absorpsiyon
spektrumlarndan yararlanlarak, geirgenlik ve yansma spektrumlar elde
edilmitir. Ayrca, yasak enerji aralklar optik metot kullanlarak hesaplanmtr.
Bu spektrumlar yardmyla da krlma indisi, snm katsays ve dielektrik sabiti
gibi optik sabitleri tespit edilmitir.
Elde edilen absorpsiyon spektrumlarndan yararlanlarak ZnO ve IZO
filmlerinin (h )
2
- h deiim grafiinden yararlanlarak filmlerin direk bant
geili olduklar belirlenmitir. Bu grafiklerden yararlanlarak ZnO ve IZO ince
filmlerinin yasak enerji aralklarnn 3,28 eV ile 3,30 eV arasnda deitii
belirlenmitir. Bu sonular literatrdeki deerler ile uyum iindedir. ZnO
filmlerine indiyum katklanmas bu filmlerin yasak enerji aralklarnda nemli bir
deiiklie sebep olmamtr.
Malzemenin krlma indisi ve dielektrik sabiti arasnda bir iliki vardr.
Krlma indisi, snmlenme katsays ve dielektri sabitleri elde edilen ZnO ve
IZO3 filmlerinde ksa dalgaboylarnda art gstermitir. ZnO filmine indiyum
katlmasyla optik sabitlerin ok az da olsa artt gzlenmitir.
Akm ZnO daki serbest ykler oluturmaktadr. Olduka yksek bir
serbest tayc younluuna sahip ZnO filmine indiyum katklanmas, tayc
58
konsantrasyonunda ilave bir arta sebep olacaktr. inko atomlar, oksijen
boluklar ve indiyum katks rg iersine serbest elektron salayacaklardr.
Dolaysyla ZnO e indiyum katklanmas ile iletkenlikte bir art ve buna bal
olarak da zdirente bir d beklemek doaldr. Optimum katklama ile
minimum zdiren, yani maksimum iletkenlik elde edilir. Optimum katklamann
almas durumunda film yaps iersinde istenmeyen yaplar oluabilir. inko
oksit iine indiyum katklandnda tayc konsantrasyonu artmakta, bu da
iletkenliin artp direncin azalmasna neden olmaktadr.
Sonu olarak, IZO3 filminin hem elektriksel hem de optik zellikleri
bakmndan iletken uygulamalarnda katksz ZnO filmine tercih edilebilecei
sylenebilir. Yani, zellikle IZO3 filminin hem daha yksek geirgenlie hem de
iletkenlie sahip olmasndan dolay fotovoltaik gne pillerinde pencere materyali
olarak kullanlabileceinin uygun olduu grlmektedir.

59
KAYNAKLAR

[1] Kamerski, L.L., Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices,
Academic press, 1980.
[2] Tyag, M.S., Introduction to Semiconductor Materials and Devices, John
Wiley and Sons,1991. 4. MOLLER,H.J., Semiconductor FOR Solar Cells,
Artecth House, Inc., 1993.
[3] Durak.Z. ve Kabakolu D., CdS Filmlerin Elektriksel ve Optik zellikleri
1999.
[4] Kittel, C., Kathal Fiziine Giri, (ev. B. Karaolu), Gven, stanbul,
Trkiye, 1996.
[5] Mckelvey, D.A., Semiconductor Physics and Devices, Harper and Row
press., New York 1966.
[6] Omar, M.A., Elementary Solid State Physics, Addison-Wesley publishing
Company Inc., Menlo Park, California, 1975.
[7] Nunes, P., Fernandes, B., Fortunato, E., Vlarnho, P. ve Martns, R.,
Performances Presented by Zinc Oxide Thin Films Deposited by Spray
Pyrolysis, Thin Solid Films, 337, 176-179, 1999.
[8] Catlow, C.R.A., Defects and Disorder in Crystalline and Amorphous Solids,
Klumer Academic publshers, 1991.
[9] Feng, Z.C., Semiconductor Interface, Microstructures and Device, IOP
Publihing Ltd., 1993.
[10] Deker, M., Encylopedia of Chemical Proccessinng and Design, Inc., 1988.
[11] Akkoyunlu, O., inko Oksit Yariletken Birleiin Elektriksel ve Optik
zellikleri, Yksek Lisans Tezi, Anadolu niversitesi, Fen Bilimleri
Enstits, 2000.
[12] Rudden, M. N. ve Wlson, J., Elements of Solid State Physics, School of
Physics, Newcastle Upon Tyne Polytechnic, 1980.
[13] Wasa, K. ve Hayakava, S., Handbook of Sputtering Deposition Technology,
Noyes Publication, 1992.
60
[14] Demirci, B. ve Ilcan, S., X-ray Difraction Studies of Non-Doped And
Indium-Doped Zinc Thin Films, II. Ulusal Kristalografi Toplants, Kayseri,
2006.
[15] Snyder, R.L., Characterisation of Materials, VCH Publishers, New
York,A.B.D.,251-356,1992.
[16] Durlu, T.N., Kathal Fiziine Giri, Bilim yaynlar, Ankara, 1992.
[17] Messaoudi, C., Sayah, D. ve Lefdil, M.A.,Tansparent Conducting Undoped
and Indium-Doped Zinc Oxide Films Properties of Fluorine-doped ZnO
Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis, Thin Solid Films, 333, 196-202,
1998.
[18] Major, S., Banerje, A. ve Chopra, K.L., Highly Transparent and Conducting
Indium-Doped Zinc Oxide Films by Spray Pyrolsis, Thin Solid Films, 108,
333-340, 1983.
[19] Anonim, The Bragg Law, University of Cambridge, 2006,
http://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/x-ray-diffraction/bragg.php
[20] Askeland, D.R., Malzeme bilimi ve mhendislik malzemeleri, (ev. M.
Erdoan), Cut 2, Nobel Yayn Datm Ltd. ti., Ankara, 712 s., 1998.
[21] Onaran, K., Malzeme Bilimi, 4. bs., stanbul Bilim Teknik Yaynevi,
stanbul, 368 s., 1993.
[22] Afify, H.H., Momtaz, R.S., Badawy, W.A. and Nasser, S.A., Some physical
properties of fluorine-doped SnO
2
films prepared by spray pyrolysis, Journal
of Materials in Electronics, 2, 4045, 1991.
[23] Joint Committee On Powder Diffraction Standards, Powder Dffraction File
Card No: 361451.
[24] Nasser, S.A., Afifty, H.H., El-Hakim, S.A., ve Zayed, M.K., Structural and
physical properties of sprayed copper-zinc oxide films, Thin Solid Films,
315, 327-335, 1998.
[25] Cullity, B.D., X-nlarnn difraksiyonu, (ev. A. Smer), stanbul Teknik
niversitesi Yaynlar, stanbul, 546 s., 1966.
[26] Tang,Z.,K., G. Wong, K.L. P. YU, P., Kawasaki, M., Ohtomo, A.,Konuma,
H., Segawa, Y., Appl. Phys. Lett. 72, 3270, 1998.
61
[27] Cho, S., Ma, J., Kim, Y., Sun, Y., Wong, G.K.L., Ketterson, J.B, Appl. Phys.
Lett. 75, 271, 1999.
[28] Pankove, J.I., Optical Process in Semicobductors,Princeton Press., New
Jersey, 1971.
[29] Mott, N.F. ve Davis, E.A.,Electronic Processes in Non-Crystalline
Materials, Clarendon Preess,London, 1971.
[30] Krunks, M., Bijakina, O., Verema, T., Mikli, V. ve Mellikkok, E.,
Structural nad optical properties of sprayed CuInS2 films, Thin Solid
Films, 338,125-130, 1999.
[31] Skoog, D.A., Holler, F.J. ve Nieman, T.A., Enstrmental Analiz lkeleri,
(ev. Kl, E., Keolu, F., Ylmaz, H.), Bilim yaynlar, Ankara, 1998.
[32] Natsume, Y., ve Sakata, H., Electrical and optical properties of zinc oxide
films post-annealing in H
2
after fabrication by sol-gel process, Materials
Chemistry and Physics, 78, 170-176, 2002.
[33] Bilgin, V., ZnO Filmlerinin Elektrik Optik Yapsal ve Yzeysel zellikleri
zerine Kalay Katksnn Etkisi, Doktora Tezi, Osmangazi niversitesi, Fen
Bilimleri Enstits, Eskiehir, 2003.
[34] Ermandez, J.G., Gorley, P.M., Horles, P.P., Vartsabyuk, O.M. ve Vorobiev,
Y.V., X-Ray kinetic and optical properties of thin CuInS
2
films, Thin Solid
Films, 403-404, 471-475, 2002.
[35] Altokka, B., Spray Pyrolysis Yntemi ile Elde Edilen Zn laveli CuInS
2

FilmlerininBaz Fiziksel zellikleri, Fen Bililmleri Enstits, Eskiehir,
2003.
[36] Weinstein, I.A., Zatsepin, A.F. ve Kortov, V.S., Effect of structural disorder
and Urbachs rule in binary lead silicate glasses, Journal of Non-Crystalline
Solids, 279, 77-87, 2001.
[37] Demirci, B., Ilcan, S., "Transparent n-type Conducting Indium-Doped ZnO
Thin Films Deposited by Spray Pyrolysis" The 61st Annual Congress of the
Canadian Association of Physicists, Brock University, Canada, 2006.
[38] Demirci, B., Ilcan, S., inko Oksit Yariletken nce Filmlerinin Gne Pili
zelliklerine ndiyum Katksnn Etkisi, I. Ulusal Gne ve Hidrojen Enerjisi
Kongresi, Osmangazi niversitesi,Eskiehir, 2006.
62
[39] Neaman, D.A., Semiconductor Physics and Devices, Irwin Book Team,
1997.
[40] Caferov, T., Yariletken Fizii, Yldz Teknik niversitesi Fen Bilimleri
Enstits, 1999.