G ELEKTRON G elektronii terimi, ok geni bir alanda elektronik devreleri iine alr ve buradaki ama ise bir kaynaktan

bir yke giden elektrik gcnn kontrol edilmesidir. Bu kontrol ok deiik biimlerde; rnein, sadece kaynaktan yke giden gcn miktar olabilir. Bunun yannda, kaynaktaki gcn zelliiyle karlatrldnda yke verilen gcn zelliinin de deitirilmesi gerekebilir. Buna rnek ise, bir AC kaynak frekansnn ykn gereksinimi olan baka bir frekansa deitirilmesidir. yi bir kontrol, anahtarlama teknikleri kullanlarak yaplr: Baz elektronik elemanlar ak veya kapal durumlu bir anahtar olarak kullanlr. deal bir anahtar ile, kayplar nleyecek bir kontrol yaplabilir. Gerekte ise hibir eleman byle bir ideal anahtar grevini yerine getiremez, fakat ideal eleman olabilecek kullanl elemanlar mevcuttur. Aada sralanan elemanlar bunlara rnek olabilir: BJT (bipolar junction transistor = bipolar jonksiyon transistr) MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor = metal oksit yariletken alan etkili transistr) SIT (static induction transistor = statik indksiyon transistr) IGBT (insulated gate bipolar transistor = yaltlm kapl bipolar transistr) SCR (silikon-controlled rectifier = silikon kontroll dorultucu) TRIAK (bi-directional gate-controlled thyristors = ift ynl kap kontroll tristrler) GTO (gate turnoff SCR = kapdan kapanabilir SCR)

KONTROL TPLER G elektronii uygulamalarnn ounluunda kullanlan dntrme dzenlemeleri aada sralanmtr. AC-DC: AC gerilim kayna, dorultularak tek ynl bir kaynaa dntrlr ve daha sonra bu kaynan filtre edilmesiyle DC kayna elde edilir. DC k gerilimi kontroll dorultucu kullanlmak suretiyle ayarl ekle getirilebilir. Ayarl bu k, DC motorunun hz kontrolnde bir kaynak olarak kullanlabilir. DC-DC: Herhangi bir gerilimdeki DC, daha byk veya kk olarak, baka bir DC kaynana dntrlr. Bir sistemdeki byle bir uygulama, anahtarlamal g dnm olarak adlandrlr. Bir uzay aracnn gne pilleri knn, uzay aracndaki deiik g sistemlerinde kullanlmak zere dnm buna ait bir uygulamadr.

DC-AC: Bir DC kayna, bir yke AC gerilim salamak iin anahtarlanr. Sinsoidal olmayp kare biimli veya adml dalga biimli bu inverter k, k frekansnn deitirilmesiyle AC motorunun hz ayarnda kullanldr. AC-AC: Ayarl frekansl AC k gerilimi, istenilen k dalga biimini alabilmek iin giriin uygun dalga elemanlar ile birletirilir. AC-AC: AC k gerilimi, giriteki temel dalga frekansyla ayn olarak, faz kontroll alternatif k gerilimi retmek iin, her yarm dalgada bir kere alr ve kapanr. k gerilimi girie gre azalmaktadr. Byle bir eleman kaynaktan yke giden gc kontrol etmektedir. Akkor Flamanl lambalarn k younluunun kontrol buna bir rnektir. AC-DC-AC: Yukardaki metotlarn ikisinin birletirilmesiyle daha baka dzenlemeler yaplabilir. Normal olarak AC ebeke gerilimi, DC ye dntrlr. Bu DC gerilimden inverter ile ayarl frekansl bir AC k elde edilir. retilen AC ise AC motorunun hz kontrolnde kullanlr. VERM KAVRAMI Bir anahtarlamal kontroln veriminin, dorusal bir kontrolle karlatrlmas aadaki rnekte grlmektedir.

ekil 1.1

ekil 1.2

100 voltluk bir DC kaynak, 20 luk bir yke 100 watt vermektedir. Bu, ekil 1.1 ve 1.2 de olduu gibi iki ekilde yaplabilir. ekil 1.1 de dorusal kontrolde, Rnin deeri; P = I2 . R E = I. RT I2 = P / R = 100 / 20 = 5A I = 2,24 A RT = E / I = 100 / 2,24 = 44,7 R = 44,7 20 = 24,7

R direnci zerinde kaybolan g: P = I2 . R = 5 . 24,7 = 124 W ( kaybolan g )

Kaynaktan yke enerji aktarmndaki verim: Verim = aktarlan g / ekilen g = 100W / 100 + 124 = 100 / 224 = 0,45 ( % 45 ) *** 124 W g R direnci zerinde kaybolmaktadr.

Yukardaki durumdan farkl olarak, ekil 1.2 deki ideal S anahtar periyodik olarak alacak ve kapatlacak ekilde dzenlenir. Anahtar kapal iken, yk gc 500 watt ve anahtar ak iken sfrdr ve bunlarn hepsi ekil 1.3 de gsterilmitir. ayet anahtar zamann %20 sinde kapal ise, ortalama g 500 wattn %20 si veya 100 watttr. Kayplar yoktur, bylece kaynan btn enerjisi yke aktarlr. Gerekte ideal anahtarlar yoktur fakat bir ideal anahtar yaklak olarak bir BJT olabilir, sonu ideal bir devre ilemine olduka yakndr.

ekil 1.3 Anahtarlama frekanslarndaki kayplar, transistrn kollektr-emiter doyma geriliminden kaynaklanmaktadr. ayet bu gerilim 2 volt ise, bu durumda anahtarlama iletim kayplar yaklak olarak 10 watt olacaktr. Bu, zamann %20 sinde olumakta ve ortalama 2 wattlk g kaybna neden olmaktadr. Bylece, yke 98 watt aktarlabilmesi iin, kaynaktan 100 wattlk bir besleme gerekecek ve kaynaktan yke g aktarmnn kontrolnde %98 lik bir verim salanacaktr. Tabiki, bu bir ideal kabuldr, nk anahtarlama sresinin dier ksmlarnda genelde kk olan baka kayplar da vardr ve kontrol devrelerini besleyen baz g kaynaklarna da gerek vardr. Bununla birlikte, bu, alnabilecek yksek verimi gstermektedir. G YARI-LETKENLERNN KULLANIMI Tablo 1.2 g elektroniinin baz uygulamalarnn listesini gstermektedir. Tablo 1.2 Reklamclk klimlendirme Is kontrolrleri Alarm sistemleri El aletleri Ses ykselticiler Pil ve ak arj Kartrc, mikser Makine tipi g aygtlar Yksek gerilimli DC ndksiyonla stma Lazer g kaynaklar Kilitleme rleleri Madencilik Lokomotifler Kat hal kontaktrleri RF ykselticiler Gvenlik sistemleri Servo sistemler Diki makinalar Televizyon devreleri Yk tama Kat hal rleleri Trenler

Manyetik kayt Boylerler Hrsz Alarmlar imento frn Kimyasal ileme Elbise kurutucu Bilgisayarlar Konveyrler Vinler Ik ayarlayclar Displayler Vantilatrler Elektrikli tatlar Elektromknatslar Flarler Buzdolaplar Asansrlerde Aspiratrler Model trenler Motor kontrolleri Motor srcleri Sinema projektrleri Elektronik ateleme Reglatrler Matbaa makinelar

Parack hzlandrclar Vakumlu sprgeler Statik devre kesiciler Trafik sinyal kontrolleri VAR kompanzasyonu Pompa ve kompresrler Elektrikli battaniyeler Elektrikli kap aclar Elektrikli kurutucular Elektromekanik elektrokaplama Nkleer reaktr kontrol ubuu Lineer indksiyon motor kontrolu Civa buharl lamba balastlar Gne enerjili g kaynaklar Radar ve sonar g kaynaklar Senkron makina yol vericileri Yiyecek stma tepsileri Elektrostatik kelticiler Ultrasonik generatrler Kesintisiz g kaynaklar Yksek frekansl aydnlatma Hava tat g kaynaklar Uzay arac g kaynaklar Sa kurutma makinalar El tipi g aygtlar

G kaynaklar Statik rleler elik deirmenleri Scaklk kontrolleri Zamanlayclar Petrol sondajlar Frn kontrolleri Mknatslar Yolcu tama TV saptrclar Frnlar Fonograflar Forkliftler Oyuncaklar Merubat makinalar Gerilim reglatrleri amar makinalar Kaynak makinalar Fotokopi makinalar Yiyecek kartrclar TV oyunlar Garaj kap aclar Gaz trbini balatclar Generatr uyartclar tcler

Genel elektronik elemanlarnda kullanlan DC g kaynaklarnn ou, AC kaynann dorultulmas ile DC anahtarlamal g kayna tipidir. Dier uygulamalar ise evlerde kullanlan k ayarlama anahtarlar ve tanabilir g aletlerinde kullanlan deiken hz kontroldr. ok byk glerde, retilen AC enerjisi DC olarak uzun mesafeli iletimi salamak iin dorultulur; iletim hattnn sonunda bir DC-AC konvertr AC sistemi enerjilemek iin 50-60 Hz de alr. Byle bir dzenleme, bir elektrik datm irketine ekonomik ve ilemsel avantajlar salar. Byle g elektronii sistemleri tketici ve endstriyel elemanlarda ok geni alanda bulunmaktadr.

G DYOTLARI 1-) PN-JONKSYON DYOTLARI En ok kullanlan g-dorultma eleman PN-jonksiyon diyotudur. Uygun bir akmn iletimi iin, bir jonksiyon bir klfn iine yerletirilmitir. Bu elemanlarda, ileri iletim durumunda, jonksiyon elemanlar arasnda ok az bir gerilim dm vardr. Geri (ters) alma durumunda ise ok az bir akm geirirler. PN-jonksiyonlu diyotlar, iletim ve tkama durumlarnda hzl gei zelliine sahiptirler. Birka mikro-saniyelik anahtarlama zamanl diyotlar, 50 Hz gibi dk frekansl gerilimleri dorultmada uygundur. ekil 2.1(a) da grlen diyot devresi, ideal bir PN-jonksiyonlu diyotu temsil etmekte ve ou durumlar iin yeterli dorulua sahiptir. Daha titiz ve karmak modellemelerde (b) ve (c) durumlar da gerekebilir. ekil 2.1in (a), (b) ve (c) ksmlar olabilecek, paral dorusal grafikleri gsterir ve dolaysyla daha karmak modellemelerde kullanlabilir. ekil 2.1 de grlen karakteristiklerdeki devre modelleri, ekil 2.2 de verilmitir. ekildeki her diyot sembol ideal bir diyotu temsil eder; (b) ve (c) durumlarnda devre ideal devre elemanlar ile yeniden dzenlenmitir. ayet diyot ekil 2.1 de grlen durumdan herhangi biri ile gsteriliyorsa devrenin analizi, paral dorusal devre analizi kullanlarak yaplabilir.

(a)

(b) ekil 2.1

(c)

(a)

(b) ekil 2.2

(c)

Diyot sembol ideal olmayan bir eleman temsil eder. ayet VD nin sfr olduu, ekil 2.1(a) daki model kullanlrsa akm, aadaki gibi bulunur.
I= V R

(2.1)

ekil 2.3 ekil 2.3 deki ideal diyot devresinde,V = 100 volt olduunda, VDnin yaklak 1 voltluk deeri gz nne alnmayabilir. Bununla beraber, V= 2 Volt olduunda, VDnin 1 voltluk deerini gz nne almamak, kabul edilemez bir hata meydana getirir. Bu

durumda ekil 2.1(b) veya (c) seilmelidir. Yksek akml durumlarda ise (c)nin seilmesi doru sonular almak iin gerekebilir. Genel olarak PN-jonksiyonlu diyotlarda ters akm ihmal edilir, fakat baz zel durumlarda, zellikle yksek scaklkta ters akm ihmal edilmeyebilir. Bu problem, modele paralel eklenen bir direnten bu ters akmn aktlmasyla giderilebilir. Diren seiminde ters gerilimin maksimum deeri dikkate alnr. Diyotlarda bir de jonksiyon kapasitesidir. Bu kapasite dorusal olmayp ters gerilime baldr. ou durumlarda bu kapasitans, devrede mevcut baka kapasitrlere kyasla ihmal edilebilir. 2-) SCHOTTKY ENGEL DYOTLARI Schottky diyotlarnn kullanlmasnn nedeni, ileri akm iletimi sresinde gerilim dmnn olduka dk olmasdr. Daha dk ileri gerilim dm, bir PN jonksiyon diyotuna gre normalden daha byk ters sznt akm eklinde dengelenebilir. Schottky diyotlar, dorultma ileminin verimliliinin gelitirilmesi istenen dk gerilimli dorultucu devrelerinde kullanlrlar. Epeyce dk olan ters delinme gerilimleri, byle dk gerilim uygulamalarnda kabul edilebilir. DYOT UYGULAMALARI 1-) Seri Balant ok yksek gerilim uygulamalarnda bir diyotun ters gerilim kapasitesi yeterli olmayabilir. Bazen iki veya daha fazla elemann seri balants gerekir. Byle bir durumda, seri balanm elemanlar arasnda ters gerilim eit olarak paylalamayabilir ve bir eleman zerine ar gerilim alabilir. ekil 2.15 deki grafik iki farkl diyotun statik ters akm-gerilim karakteristiklerini gstermektedir. Elemanlar seri olduundan, aka ters gerilimin iki farkl deerine sahip olmalarna ramen, ayn ters sznt akmna geirmelidirler. Bu, diyot 1 in ters gerilim kapasitesini amasna neden olur.

ekil 2.15

Bu problem, her bir diyota paralel gerilim blc direnlerin balanmas ile zlebilir. Bu direnlerin etkili olabilmesi iin, direnlerin diyotlarn sznt akmndan birka misli daha byk akm iletmesi gerekir. Bu zmn bir sakncas, ters alma sresince iki dirente boa harcanan gtr. Aadaki rnek, rakamlarla bunun daha iyi anlalmasn salayabilir.

2-) Paralel Balant ok byk akm gereksinimleri iin, bazen iki veya daha fazla diyot paralel olarak kullanlr. Buradaki problem ileri iletim karakteristiklerindeki farklln bir sonucu olarak akm paylamndaki eitsizliktir. ekil 2.18 de grlen devre ve grafik, problemi rnekle aklamaya yardmc olabilir. ki diyota uygulanan verilen bir gerilim iin, her eleman zerinde iki farkl akm deeri vardr. Her diyota seri balanm R diren deeri I1 ve I2 deerlerini yaklak olarak eit deerde tutmaya yardm edebilir. Aadaki rnek bu fikirleri aklamaya yardmc olur.

G TRANSSTRLER G transistrleri drt kategoriye ayrlabilir: BJT (power bipolar junction transistor = Bipolar jonksiyon transistr) MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor = Metal oksit yariletken alan etkili transistr) SIT (Static induction transistor = Statik indksiyon transistr) IGBT (Insulated gate bipolar transistor = Yaltlm kap bipolar transistr) 1--)) BPOLAR JONKSYON TRANSSTR ((BJT)) 1 B POLAR JONKS YON TRANS STR BJT Bipolar Jonksiyon Transistr (BJT), ok geni alanda kullanlan ve ideal anahtar yaklamn gsteren anahtarlama elemannn bir g versiyonudur.BJTnin dier kullanm yerlerinin tersine, anahtarlama amalar iin ilgi noktas normal aktif blgedir. Kesim ve doyum durumlar ilemin ilk blgeleridir; bu iki durum ideal anahtar olma yaklamnda ak ve kapal duruma karlk gelir.

letim blgesinde, transistr doyum durumunda veya doyuma yakn durumdadr. Dorusal blgeden doyum durumuna gei ani deildir, bylece ksmi doyum blgesi mevcuttur, burada VCE beyz akmnn art ile azalr ve akm kazanc kavram geerli deildir. ekil 4.2 de bu blgeler, (1) doyum blgesi, (2) ksmi doyum blgesi ve (3) dorusal blge olarak farkllk gsterir.

Doyumda veya doyuma yakn alma amac iin, zorlanm bir kazan:
Kazan = F = IC IB

Doyum blgesinde almay salamak iin, olduka byk deerde bir beyz akm gerekir, byle zorlanm kazan normal olarak kktr ve 3-10 arasndadr. Kk sinyal transistrlerinde elde edilebilecek 50-500 arasnda bir akm kazanc dnld

zaman bu artc olabilir. 1 A den daha byk akmlarn dnldn de dikkat etmek gerekir. Transistrn kazanc, g transistrlerinde artan kollektr akm ile normal olarak bariz ekilde azalr.

ekil 4.3

ekil 4.3 deki devrede, transistr akm aadaki devre eitliinden bulunabilir:

IC =

VCC VCE R

Kollektr akm iin bir ilk yaklam VCE yi sfra eitlemekle yaplabilir. Beyz akmnn bilinen bir deeri iin, F nin deeri hesaplanabilir. Transistrn karakteristiklerinden, VCE nin gerek deeri belirlenebilir. Kollektr blgesine verilen gce ek olarak, gcn baka bir bileeni beyz akm ve beyz-emiter gerilimi ile gsterilir. Transistrn toplam gc 4.3 eitlii ile verilir: P = VCE I C + VBE I B Bir BJT iin idealletirilmi beyz akm ekil 4.12(a)da grlmektedir. IB1 deerinde bir pozitif beyz akm transistr iletime geirmek ve istenilen doyma seviyesine getirmek iin gereklidir. Daha sonra transistr kesime gtrmek iin, ekseriyetle ksa bir sre iin beyz akm ters ynde verilir. IB2 genliinin ters akm, basite beyz akmnn azaltlarak sfr yaplmasndan daha hzl transistrn kesime gitmesine neden olur. Kollektr akm, kesim denge artlar salanncaya kadar beyz akmnn yn deitirmesinden sonra ksa bir sre daha devam eder. IB1 in byk bir deeri, kollektr akmnn balang deerinden son deerine deimesi iin gereken zaman azaltr. IB2 /IB1 oran genel olarak 0,5-2,0 arasnda seilir. ekil 4.12(b) beyz akmnn zamanla deiiminin sfr olmayan ykselme zamanlar ile gereki bir grafiini gstermektedir.

(a) deal beyz akm

(b) Gerek beyz akm

REZSTF YK DEVRES

Beyz devre elemanlar istenilen I B1 ve I B2 deerlerini elde etmek iin seilmitir. Kaynak gerilimi VX kesim aral sresince negatif beyz akm salar ve DY diyotu beyz-emiter ters gerilimini kabul edilebilir bir seviyede snrlar.
I B1 deki bir art transistrn iletim zamannda bir azalma ve depolama zamannda bir

arta neden olur. I B2 deki bir art depolama zamannn azalmasna ve kollektr akmnn dme zamannda bir azalmaya neden olur. NDKTF KOLLEKTR DEVRES

indktr akm iletim ileminin balangcnda sfr ise, bu durumda iletimde kollektr akm sfrdan balar ve yk indktans ile snrl olarak yavaa ykselir. Beyz akmnn deerinin ani olarak artmas gerekmez.

ayet transistr iletimde iken indktr akm sfr deilse, Bu durumda beyz akmnn ykselme zaman kritiktir. Transistrn ksa iletim zamanna sahip olmas iin hzlca iletime gemesi gerekir ve bylece byk kayplarn oluaca zaman sresi snrlanm olur.Bunu salamak iin Cs koruyucu kondansatr konulur. Rs, Cs nin dearjn kontrol eder. ANAHTARLAMA KAYIPLARI Transistrn iletimi ve kesimi sresince, ihmal edilemeyecek bariz g kayplar vardr. Anahtarlama kayb sadece kollektr akm veya kollektr-emiter gerilimindeki bariz deiim aral sresince oluur. REZSTF YKLER ekil 4.29 daki grafik ekil 4.3 de olduu gibi bir rezistif yk durumunda iletim ve kesim iin ideal dalga biimlerini gstermektedir. Akmn ykselme ve dme zamanlar hem transistrn beyzinin srlmesi ile ve hem de gerek transistr tipi ile kontrol edilmektedir.

ekil 4.29 Ykselme ve dme zamanlarnn azaltlmas zorunluluu anahtarlama kayplarn en aza indirmek iin de geerlidir. ayet transistr periyodik bir davranla iletim ve kesimde ise, bu anahtarlama kayb her periyot iin oluur. NDKTF YKLER ndktif yklerde, anahtarlama kayplar zel durumlara baldr. ayet balang indktr akm sfr ise, bu durumda transistrn iletiminin balangcnda kollektr

akm sfrdr. Anahtarlama gc ihmal edilebilir derecede kktr. Bylece iletim kayplar ihmal edilebilir. Balangta indktr akm sfr deilse, g kayplar meydana gelir. ekil 4.30 daki idealletirilmi grafikler iletime uygulanr. Transistrn g kayb grafiinde, maksimum g E2 ve ICM nin arpmdr. Burada da yine anahtarlama zamann azaltarak anahtarlama enerjisini en aza indirmek nemlidir.

ekil 4.30 G MOSFETLER

Yksek frekansl anahtarlamann gerektii durumlarda, MOSFETler, iletim kayplarnn daha byk olmasna ramen, BJTlerden daha az toplam kayplara sahiptir. MOSFETin bir BJTye gre iki durum arasnda daha hzl bir gei zellii vardr ve yksek frekansl anahtarlama ilemlerinde daha kullanl olmaktadr.

G MOSFETlerinin satatik karakyeristikleri akm ve gerilim deerlerindeki art haricinde kk sinyal mosfetlerine benzer.

Mosfet kapasitans: Mosfetin iletim-kesim anahtarlamasnda iki kapasitr nemlidir. Bunlar kap ve kaynak arasndaki Cgs ve kap ve aka arasndaki Cgd dir. Cgs nin deeri kk bir deiime sahiptir. Fakat Cgd byk deiime neden olur. Bu deiimlerin ihmali, verilen alma artlarn oluturmak iin gereken kap yklenmesinde bariz hata meydana getirir. letim: G MOSFET devrelerinde, ama anahtarlama kayplarn en aza indirmek iin mmkn olduu kadar abuk MOSFETi iletime geirmektir. Bunu yapmak iin, kap src devresinin kap gerilimini istenilen seviyeye hzlca artrmak iin yeterli akm verebilecek zellikte olmas gerekir. Kesim: MOSFETin kesimi iin, kap-kaynak geriliminin, iletimde oluan hareketlerin tersi ynnde azaltlmas gerekir.

SIT (statik indksiyon transistor)

Bir SIT (static induction transistor = statik indksiyon transistr) yksek gl, yksek frekansl bir aygttr.Temel olarak triyot vakum tpnn bir kat-hal versiyonudur. SITin kesit alan ve sembol ekil 4.48 de grlmektedir. Ksa ok kanallar ile dikey yapda bir aygttr. Bylece alan snrlamasna maruz kalmaz ve yksek hz ve byk g almalarnda kullanldr. letim ve kesim zamanlar ok kktr, 0,25 s. letim durumunda gerilim dm yksektir. Bir SIT normalde iletim durumundadr ve bir negatif kap gerilimi kesim durumunda tutar. SITin anma deerleri 300 A, 1200 Va kadar ve anahtarlama hz 100 kHz kadar yksek olabilir.

ekil 4.48

IGBT (yaltlm kap bipolar transistr)

ekil 4.49 (a) IGBTnin kesit alan

basitletirilmi e deer devre

ekil 4.50 Bir MOSIGBTnin sembol ve devresi

Bir IGBT, BJT ve MOSFETin avantajlarn zerinde tar. Bir IGBT MOSFETler gibi yksek giri empedans ve BJTler gibi dk iletim kayplarna sahiptir. Bir IGBTnin kesit alan MOSFETe benzemektedir. MOSFET gibi gerilim kontrollu elemandr. Dk anahtarlama ve iletim kayplarna sahiptir. Bir IGBT doal olarak bir BJTden daha hzldr. Bununla beraber, IGBTlerin anahtarlama hz MOSFETlerden daha aadr. Bir IGBTnin anma akm 400 A ve gerilimi 1200 V ve anahtarlama frekans 20 kHzye kadar olabilir. IGBTlerin, DC ve AC motor srcleri gibi orta gl uygulamalarda, g kaynaklar gibi yerlerde kullanlr.

TRSTRLER Tristr, P ve N tipi silikondan oluan ok tabakal bir yar-iletkendir. Bu elemanlar iletim ve iletimde olmama durumu arasnda anahtarlama yapabilirler. leri ynde iletimde olduu zaman, SCR normal bir dorultucu ile ayn karakteristiklere sahiptir. Dorultucu diyota benzer bir davranla, SCR ters yndeki akm tkama zelliine da sahiptir. letim artlar : SCR drt tabakal yar-iletken yapsndan oluur. SCRnin iletim ve kesim durumunu e deer devre zerinden grmek mmkndr.

yaps

sembol

transistr e deer devresi ki kolektr akmnn eitlikleri :

I C 1 = 1 I E 1 + I CBO1 = 1 I A + I CBO1
I C 2 = 2 I E 2 + I CBO 2 = 2 I K + I CBO 2

Formlde, I CBO1 ve akmlardr. Buradan;

I CBO 2

emiter ak olarak her transistrn kollektr sznt

I A = I C1 + I C 2 I K = I A + IG
I A = 1 I A + I CBO1 + 2 I K + I CBO 2 I A = 1 I A + I CBO1 + 2 ( I A + I K ) + I CBO 2

2 I G + I CBO1 + I CBO 2 IA = (1 1 + 2 )
SCRnin kesim durumunda, sznt akmlar kk ve ayn ekilde 1 ve 2 deerleri de kktr. SCRyi iletim durumuna koymak iin eleman akmnn artrlmas gerekir. ayet bu olursa 1 ve 2 artar; bunlarn toplam birim (1) olursa, SCR iletime geer ve iletim durumuna kilitlenmi kalr. Aadaki be metot, iletime neden olabilecek bir seviyede, anotun kesim durumundaki akmn artrmak iin kullanlabilir: 1-) IG, kap akmn artrmak 2-) TJ, elemann jonksiyon scakln artrmak 3-) VAK, anot-katot gerilimini artrmak 4-) dvAK/dt, anot-katot geriliminin deiim orann artrmak 5-) optik metotla jonksiyonlara enerji enjekte etmek.