T.C.

SLEYMAN DEMREL NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

Al/PNpClPhPPy/ptipi-Si KONTAIN ELEKTRONK ZELLKLER

Sinem GRKAN AYDIN

Danman: Yrd. Do. Dr. Ahmet Faruk ZDEMR

YKSEK LSANS TEZ FZK ANABLM DALI ISPARTA - 2010

TEZ ONAYI

Sinem

GRKAN

AYDIN

tarafndan

hazrlanan

Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Anabilim Dalnda

Kontan Elektronik zellikleri adl tez almas aadaki jri tarafndan oy birlii/oy okluu ile Sleyman Demirel niversitesi Fizik YKSEK LSANS TEZ olarak kabul edilmitir.

Danman: Yrd. Do. Dr. Ahmet Faruk ZDEMR Sleyman Demirel niversitesi Fizik Anabilim Dal

Jri yeleri : Prof. Dr. Ali KKCE Sleyman Demirel niversitesi Fizik Anabilim Dal Do. Dr. Fethiye GDE Sleyman Demirel niversitesi Kimya Anabilim Dal

Prof. Dr. Mustafa KUU Enstit Mdr.

Not: Bu tezde kullanlan zgn ve baka kaynaktan yaplan bildirilerin, izelge, ekil ve fotoraflarn kaynak gsterilmeden kullanm, 5846 sayl Fikir ve Sanat Eserleri Kanunundaki hkmlere tabidir.

ii

NDEKLER Sayfa NDEKLER ............................................................................................................. i ZET ........................................................................................................................... ii ABSTRACT ................................................................................................................ iii TEEKKR ................................................................................................................ iv EKLLER DZN...................................................................................................... v ZELGELER DZN ............................................................................................... vi SMGELER DZN .................................................................................................. vii 1. GR ....................................................................................................................... 1 2. KAYNAK ZETLER ............................................................................................ 5 2.1. Giri ....................................................................................................................... 5 2.2. Metal Yariletken Kontaklar ................................................................................. 6 2.2.1. Metal- p tipi yariletken dorultucu kontaklar ................................................... 6 2.2.2. Metal p-tipi yariletken omik kontaklar ............................................................. 8 2.3. Metal Yariletken Schottky Diyotlarda Schottky Kapasitesi .............................. 10 2.4. Schottky Diyotlarda Termoiyonik Emisyonla Akm letimi ............................... 14 2.5. Engel Yksekliinin maj Kuvvetine Ball ................................................... 19 2.6. MIS Yaplarda Arayzey Hal Younluklarnn Beslem Ball ...................... 21 3. MATERYAL VE YNTEM ................................................................................. 27 3.1. Polimer Arayzeyli Schottky Diyodun Hazrlanmas ......................................... 27 3.2. Schottky Diyotlarda Akm-Gerilim lmleri le Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi ........................................................................................................ 28 3.3. Cheung Fonksiyonlar Yardmyla Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi ........................................................................................................ 29 3.4. Norde Fonksiyonlar Yardm ile Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi ........................................................................................................ 31 3.5. Schottky Diyotlarda Kapasite-Gerilim lmleri ile Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi ........................................................................................................ 35 4. ARATIRMA BULGULARI VE TARTIMA .................................................... 36 4.1. Akm-Gerilim lmlerinden Elde Edilen Diyot Parametreleri ........................ 36 4.2. Kapasite Gerilim lmlerinden Elde Edilen Diyot Parametreleri .................. 40 5. SONU .................................................................................................................. 42 6. KAYNAKLAR ...................................................................................................... 48 ZGEM ............................................................................................................... 50

ZET Yksek Lisans Tezi Al/PNpClPhPPy/p-tipi Si/Al KONTAIN ELEKTRONK ZELLKLER Sinem GRKAN AYDIN Sleyman Demirel niversitesi Fen Bilimleri Enstits Fizik Anabilim Dal Danman: Yrd. Do. Dr. Ahmet Faruk ZDEMR Bu almada p-tipi Si yariletkenini zerine (PNpClPh PPy) polimeri ile oluturulmu kontan karakteristikleri alld. Polimer arayzeyli Schottky diyodun retiminde (100) dorultusunda, 400 m kalnlnda ve 1-cm zdirence sahip p-Si kullanlmtr. Akm gerilim (I-V) ve kapasite- gerilim lmleri kullanlarak diyodun karakteristik parametreleri elde edilmitir. Btn lmler oda scaklnda ve karanlkta gerekletirilmitir. Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al yapsnn idealite faktr ve engel ykseklii deeri I-V karakteristiinden 0.78eV ve 1.41 elde edilmitir. Oda scaklnda Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al diyodunun idealite faktr ve engel ykseklii deeri geleneksel Al/p-Si Schottky diyodundan nemli lde byk bulunmutur. Seri diren (Rs) Cheung fonksiyonlar ve Norde fonksiyonlar yardmyla bulunmutur. Cheung fonksiyonlarndan elde edilen kontak parametreleri ile Norde fonksiyonundan elde edilen kontak parametreleri karlatrlmtr. Diyodun ters beslem C2V karakteristiinden tayc konsantrasyonu1.27 1015 cm3 ve engel ykseklii 0.89eV olarak elde edilmitir. C-V lmlerinden bulunan engel ykseklii deeri I-V lmlerinden bulunan engel ykseklii deerinden daha byktr. Bu iki deer arasndaki uyumsuzluk artk kapasite veya engel inhomojenitesinin varlndan kaynaklanmaktadr. Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al diyodunun bulunan btn karakteristik zelliklerine gre MOS(metal-oksit-yariletken) davran sergiledii sylenebilir.

Anahtar Kelimeler: Schottky diyotlar, polimer arayzey tabaka, arayzey hal younluu, seri diren.

2010, 50 sayfa

ii

ABSTRACT M. Sc. Thesis THE STUDY OF THE ELECTRONICS PROPERTIES OF Al/PNpClPhPPy/p-type Si/Al STRUCTURES Sinem GRKAN AYDIN Sleyman Demirel University Graduate School of Applied and Natural Sciences Physics Department Supervisor: Asst. Prof. Dr. Ahmet Faruk ZDEMR The junction characteristics of the conducting polymer (PNpClPh PPy) on a p-type Si substrate have been studied. In this study, to fabricate a Schottky diode with polymer interface, p-type silicon wafer with (1 0 0) orientation, 400 m thickness and 1-cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the current-voltage (I-V) and the capacitance - voltage (C-V) measurements. All the measurements were performed at room temperature in dark. The ideality factor and barrier height of Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al structure were determined from current-voltage characteristics and were found to be 1.41 and 0.78eV, respectively. The ideality factor and barrier height values for the Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al junction at the room temperature are significantly larger than of the conventional Al/p-Si Schottky diode. Series resistance (Rs) of the diode were calculated from Cheung Functions and Nordes function. The contact parameters obtained from Nordes function were compared with those from Cheung Functions. The BH and carrier concentration values for diode were extracted from its reverse bias C2V characteristic. The barrier height value obtained from the reverse bias C2V characteristics has varied 0.89 eV. A doping density of about 1.27 1015 cm3 has been determined from the reverse bias C2V characteristics. The barrier height value obtained from C-V measurement is higher than that of the barrier height value obtained from I-V measurement. The discrepancy between these values is probably due to existence of excess capacitance at the structure or presence of barrier inhomogeneities. According to presented characteristic properties of Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al diode, it can be said that the diode obeys the metal-oksit-semiconductor (MOS) structure. Key Words: Schottky diode, polymer interfacial layer, density of interface states, Series resistance 2010, 50 pages

iii

TEEKKR

Sleyman Demirel niversitesi Fen Bilimleri Enstitsne yksek lisans tezi olarak sunulan bu alma, Fen- Edebiyat Fakltesi Fizik Blm retim yelerinden Yrd. Do. Dr. Ahmet Faruk ZDEMR danmanlnda yrtlmtr. alma boyunca desteini esirgemeyen tecrbe ve bilgilerinden yararlandm deerli hocam Yrd. Do. Dr. Ahmet Faruk ZDEMRe teekkrlerimi arz ederim. Deneysel verilerin deerlendirilmesinde, tezin hazrlanmas sresince karlatm sorunlarn zmnde her zaman yardmc olan Sleyman Demirel niversitesi Fen Edebiyat Fakltesi aratrma grevlilerinden Durmu Ali ALDEMRe teekkrlerimi sunarm. Ayrca, renim hayatm boyunca desteini, sevgisini grdm aileme sonsuz teekkrlerimi sunarm. Bu tez Sleyman Demirel niversitesi Bilimsel Aratrma Projeleri Ynetim Birimi Bakanl tarafndan 1874-YL-09 nolu ve Trkiye Bilimsel Ve Teknolojik Aratrma Kurumu (TUBITAK) tarafndan TBAG-105T382 no.lu proje ile desteklenmitir.

Sinem GRKAN AYDIN ISPARTA, 2010

iv

EKLLER DZN

ekil 2.1. Metal p-tipi yariletken dorultucu (Schottky) kontan enerji-bant diyagram a) Kontaktan nce, b) kontaktan sonra ve termal dengede, c)V 0 durumunda ............................................................................................ 7 ekil 2.2. Metal p-tipi yariletken omik kontan enerji bant diyagram a) kontaktan nce, b) kontaktan sonra, c) V0 durumunda .............................. 9 ekil 2.3. P+PM yariletken diyot yapsnn termal dengede enerji bant diyagram .. 10 ekil 2.4 Metal p-tipi yariletken yaplarda dorultucu kontan; a) Potansiyel dalm, b) Yk dalm ................................................................................ 11 ekil 2.5. Dz beslem altndaki metal yariletken kontakta imaj kuvvet azalma etkisi ................................................................................................................ 15 ekil 2.6. (a) Metal/dielektrik arayzeyinde imaj yk ve elektrik alan izgileri, (b) Elektrik alan sfr iken Schottky engelindeki bklme, (c) Sabit bir elektrik alanda imaj kuvvetinden dolay Schottky engelindeki bklme ....... 20 ekil 2.7 Arayzey tabakal metal/p-yariletken Schottky diyodunun uygulama gerilimi altndaki enerji band diyagram ......................................................... 22 ekil 3.1. Poli[N-(p-klorofenil)pirol] (PNpClPh PPy) iletken polimerinin molekl yaps. ................................................................................................ 28 ekil 4.1. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Schottky kontan doru ve ters beslem akmgerilim karakteristii ....................................................................................... 36 ekil 4.2. Cheung fonksiyonlar grafikleri ................................................................. 37 ekil 4.3. Arayzey hal younluunun arayzey hallerinin enerjisine oran ............ 39 ekil 4.4 Norde fonksiyonu grafii ............................................................................ 39 ekil 4.5. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Schottky kontan kapasite-gerilim lmleri .. 41 ekil 5.1.(a) letken polimerin(PNpClPh PPy) optik absorbsiyon spektrumu43 ekil 5.1.(b) letken polimerin (PNpClPh PPy) (h)2 nin h ye gre grafii43

ZELGELER DZN

izelge 4.1 Akm-gerilim karakteristiinden elde edilen parametrelerin deerleri ... 37 izelge 4.2 I-V grafiinden elde edilen parametrelerin deerleri............................. 38 izelge 4.3 Norde fonksiyonu kullanlarak elde edilen diyot parametreleri ............. 40 izelge 4.4. C-2-V karakteristiklerinden elde edilen diyot parametreleri .................. 40

vi

SMGELER DZN

A A* C d e E Ec Ef Efm Efs Emax Es Ev 0 i s b b0 bp n m s I I0 k s

Diyodun alan Etkin Richardson sabiti Boyutsuz sabit llen kapasite Arnma tabakas genilii Arayzey tabakasnn genilii maj yknn sebep olduu engel ykseklii alalmas Bir elektronun yk Yariletken ierisindeki alan Yariletkenin iletkenlik bandnn enerji seviyesi Fermi seviyesi Metalin fermi seviyesi Yariletkenin fermi seviyesi Yariletken ierisindeki elektrik alann en yksek deeri Yariletkenin dolu bandnn vakum seviyesi altndaki derinlii Valans bandn enerji seviyesi Boluun dielektrik sabiti Arayzey tabakasnn dielektrik sabiti Yariletkenin dielektrik sabiti Engel ykseklii maj kuvveti etkisi gz nne alnarak bulunan engel ykseklii Etkin bariyer ykseklii n-Tipi yariletken iin iletkenlik bandnn minimumu ile Fermi seviyesi arasndaki fark Metalin i fonksiyonu Yariletkenin i foksiyonu Diyot akm Diyodun doyma akm Boltzman sabiti Yariletkenin elektron yaknl

vii

n m0 mn
*

dealite faktr Elektronun ktlesi Deiklerin etkin ktlesi Deneysel alc younluu Teorik alc younluu Yariletkende iyonize olmu donr younluu Arayzey hal younluu Valans bandndaki etkin durum younluu Potansiyel fonksiyonu Yk younluu Seri diren Uzay yk younluu Scaklk Zaman sabiti Kontaa uygulanan gerilim Difzyon potansiyeli Arayzey tabakas boyunca den gerilim Yariletkenin valans bandnn tepesiyle, Fermi seviyesi arasndaki fark Tanma ynndeki hz C-2-V erisinin V eksenini kestii nokta Deplasyon blgesi genilii Maksimum engelin konumu

NA NA Nd Nss Nv (x) Q Rs (x) T r V Vd Vbi Vp Vx V0 W Xm

viii

1. GR

Metal ve yariletkenlerin elektriksel zelliklerinden yararlanlarak elde edilen Schottky yaplarn gnmzde ok farkl kullanm alanlar bulunmaktadr. Metal yariletken kontaklarla ilgili ilk alma 1874 ylnda Braun tarafndan yaplmtr. Braun; alt metal yariletken Schottky diyotlar radyo dedektr, radar dedektr ve entegre devrelerde anahtar hzn artrmak iin kullanlmtr. 1907de Pierce yariletken zerine metal pskrterek diyotlarn dorultma karakteristiine sahip olduunu bulmutur (Rhoderick, 1988). kinci dnya sava dneminde nokta kontak dorultucular mikrodalgalarda ve frekans dntrclerinde kullanlmtr. 1938de Schottky ve Mott tarafndan arayzeyde oluan potansiyel engeli zerine teoriler nerilmitir. Mottun teorisine gre; metal ve yariletkenin i fonksiyonlar arasndaki farktan dolay bir potansiyel engeli ortaya kmaktadr. Mott bu teoride arayzeyde kirlilik atomlarnn olmadn ve elektrik alannn sabit olduunu kabul etmitir. Schottky ise; arayzeyde sabit kirlilik atomlarnn bulunduunu ve elektrik alannn lineer olarak artn kabul etmitir. Mott elektrostatik potansiyelin metale olan uzaklkla lineer deitiini, Schottky ise; elektrostatik potansiyelin metal snrna kadar Poisson denklemi ile uyumlu olarak kuadratik deitiini varsaymtr. Torrey ve Whitmer (1948) frekans dntrc ve dk seviye mikrodalga dedektr diyodu olarak kullanlan Schottky diyodunun ayrntl aklamasn yapmtr. Nokta kontak olarak adlandrlan bu diyot, metal bir telin yariletken yzeyine dokundurulmasyla yaplmtr. Fakat bu kontaklar ok fazla retilemedii ve ykseltmesinin dk olmas nedeniyle gvenilir olmamlardr. Uzun sre mikrodalga lmlerinde kullanlmlardr. 1950li yllarda p-n eklemleri yapmnda akm iletimi iin omik kontak olarak dnlmtr.

Bardeen, J ve Brattain, WH (1948) nokta kontak germanyum diyotlarnda tayc enjeksiyonunu bulmulardr. Metal yariletken kontaklarla ilgili yaplan almalar 1960 l yllardan sonra hz kazanmtr. Baird (1964), yapt almada Schottky engelini Si transistrle birletirerek metal yariletken alan etkili transistr bulmutur. Chandra ve Prasad (1983), metal yariletken Schottky diyotlarnda V-T karakteristiklerini incelemilerdir. Metal yariletken yaplar scakln tayininde kullanlmtr. Schottky (1914), metal vakum sisteminde, uygulanan elektrik alandan dolay imaj kuvvetin etkisiyle engel alalmasn bulmutur. Bethe (1942), termoiyonik emisyonun metal yariletken kontaklarda

uygulanabileceini gstermitir. Crowell ve Sze (1966) Schottkynin difzyon teorisi ile Bethenin termoiyonik emisyon modelini tek bir teori olarak ortaya koymulardr. Daha sonralarda bu tip diyotlarn zelliklerini ayrntl olarak belirleyebilmek iin eitli almalar devam etmitir. Card ve Rhoderick (1971), arayzey oksit tabakal Si-Au kontaklarda arayzey hal younluunu belirleyip, arayzey hal younluunun ve arayzey tabakasnn I-V karakteristiklerinin idealite faktr zerine etkilerini aklamlardr. Trt ve Salam (1992), Au-Sb/n-Si/Al Schottky diyotlarnn I-V, C-V ve C2V grafiklerindeki lineerlikten sapmaya arayzey hallerinin sasnn neden olduunu belirtmilerdir. Trt vd (1995), Al/n-Si diyotlarn ideal olmayan doru beslem I-V ve ters beslem C-V karakteristiklerine arayzey hallerinin yk davrannn etkisini inceleyip ters beslem C-V karakteristikleri zerine arayzey tabakas, tersinim tabakas ve yklerin etkisinin de varln gstermitir.

Sonu olarak, hazrlanm Schottky diyotlarnn zelliklerinin I-V ve C-V karakteristiklerinde, ideallikten sapmaya arayzey durumlar, arayzey tabakas ve artk kapasitenin neden olduunu rapor etmilerdir. Pandey ve Kal (1998), arayzey hal younluunu belirlemek iin I-V ve C-V karakteristiklerini kullanarak kontak parametrelerini elde etmilerdir. Daha sonra arayzey hallerinin younluunu ve bu hallerin younluunun gerilimle deiimini incelemilerdir. Arayzey tabakasnn kontak parametrelerini etkilediinin anlalmasyla birlikte arayzey tabakas farkl Schottky diyotlar retilmeye balanm ve bunlar zerine almalar younlamtr. Forest vd (1981), arayzey maddesi olarak organik bileik(PTCDA), yariletken olarak p tipi Si kullanarak Schottky kontaklar hazrlamlardr. Diyotlarn akm gerilim karakteristiklerinin kontak yaplrken kullanlan metale bal olduunu belirtmilerdir. Ayrca polimer yaplarda elektronik alanda nemli bir yere sahiptir. Polimerlerin mekanik dayankll, hem yariletken ve hem de metal gibi davranmas, bulunduu ortamda iyi kararllk gstermesi, ayrca malzemenin fiyatnn ucuz ve malzemenin kolay hazrlanyor olmas geni kullanm alanlarna sahip olmalarna olanak salamaktadr. Nguyen vd (1999), Altn ve polipirol kontan (Au/PPy) I-V ve C-V karakteristiklerini ve elektriksel zelliklerini incelemilerdir. Engel ykseklii, idealite faktr gibi kontak parametrelerinin iletken polimerin katklanmasndan nemli lde etkilendiini gzlemlemilerdir. Bu kontaklarn akm gerilim karakteristii asimetrik ve lineer olmayan bir davran gstermitir. Tung (2001), Schottky engelli diyotlarda deneysel olarak elde edilen I-V karakteristiklerinin baz durumlarda termoiyonik emisyon modeline uymadklarn rapor etmitir.

dealite faktrnn byk olmasn termoiyonik emisyon modeli ile dorudan aklanamayacan, Schottky engel yksekliinin uygulanan gerilime ballna atfedileceini aklamtr. maj kuvvetinin etkisiyle engelin azalmas, jenerasyonrekombinasyon akmlar, arayzey halleri ve tnelleme gibi mekanizmalar nedeniyle idealite faktrnn 1den byk kt aklanmtr. Aydoan vd (2008), Al/aniline green(AG)/n-Si/AuSb diyodunun oda scaklnda IV, C-V ve C-f karakteristiklerini aratrmlardr. Modifiye Norde fonksiyonlar ile geleneksel I-V izgisinin bileiminden oluan metodu kullanarak bariyer ykseklii ve seri diren deerlerini hesaplamlardr. Ayrca Norde fonksiyonlarndan elde ettikleri bariyer ykseklii ve seri diren deerlerini Cheung fonksiyonlarndan bulduklar deerlerle karlatrmlardr. Ve iki metodun birbiri ile uyumlu sonu verdiini gstermilerdir. Yakuphanolu vd (2008), Al/p-tipi silikon/2,9,16,23-tetrakis-{6-(-thiophene-2carboxylate)-hexylthio} phthalocyaninato cobalt (II) organic yariletken kontann elektriksel karakteristiklerini akm gerilim ve kapasite gerilim lmleri ile aratrmlardr. I-V karakteristiinden idealite faktr (1,33), bariyer ykseklii (0,90eV) ve seri diren (314,5 k) hesaplamlardr. Al/p-Si/CoPc diyodundan hesaplanan bariyer ykseklii deerini sradan Al/p-Si Schottky diyodununkinden nemli lde yksek bulmulardr. Bu farkn CoPc organik tabakadan kaynaklandn rapor etmilerdir. Bu almada Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al yapl Schottky kontan I-V ve C-V lmleri ile parametreleri elde edilmitir. Be blmden oluan bu tezin birinci blmnde literatr zeti, ikinci blmnde kuramsal temeller bal altnda teorik bilgiler, nc blmnde kullanlan materyal ve yntem, drdnc blmnde deneyler sonucunda elde edilen aratrma bulgular, son blmnde ise tm almann sonucu ve yorumlanmas yer almaktadr.

2. KAYNAK ZETLER

2.1. Giri

Metal yariletken kontaklarn elektriksel iletkenlik zelliklerinden yeterince faydalanabilmek iin ve uygun kontaklar hazrlanarak elektronik devrelerde kullanabilmek iin karakteristiklerinin iyi bilinmesi gerekir. Kontak iki maddenin en az direnle temas etmesi olarak dnlr. Kontan ideal olmas yzeylerin temiz ve przsz olmasna baldr (Crowell and Sze, 1996). ki madde kontak haline getirildii zaman fermi seviyelerinin eit olduu denge durumuna gelinceye kadar ykler tekrar dalr (Ziel, 1968). Metal yariletken kontaklar, metalin ve yariletkenin i fonksiyonlarna (m, s) gre ya omik yada dorultucu (Schottky kontak) olabilir. Bir yariletkenin zelliklerini anlatmak iin fermi enerji seviyesi (Ef), i fonksiyonu (s) elektron yaknl (s) gibi parametrelerden faydalanlmaktadr. Fermi enerji seviyesi; dolu enerji seviyeleri ile bo enerji seviyelerini birbirinden ayran seviyedir. fonksiyonu; metal ve yariletkenin fermi seviyesinde bulunan bir elektronu vakum seviyesine karmak iin gerekli olan enerji miktardr. Yariletkenin elektron yaknl; vakum seviyesi ile iletkenlik band arasndaki enerji farkdr. Vakum seviyesi; metalin dnda bulunan hareket etmeyen bir elektronun enerjisidir. Metal yariletken kontaklarda; ykn her iki tarafta serbeste hareket edebildii kontak tr omik kontak ykn bir taraftan dierine gre daha kolay hareket ettii kontak tr ise dorultucu kontak olarak bilinir.

2.2. Metal Yariletken Kontaklar

2.2.1. Metal- p tipi yariletken dorultucu kontaklar

Bu ekilde oluan bir kontak iin m<s olsun. Oda scaklnda alclarn hepsi iyonize olmu olsun. Kontaktan nce, ekil 2.1.ada grld gibi yariletkenin Fermi seviyesi metalin Fermi seviyesinden s-m kadar aadadr. Kontaktan sonra her iki maddenin Fermi seviyeleri ayn hizaya gelinceye kadar metalden yariletkene doru elektron ak olur. Bunun sonucu olarak, yariletken tarafndaki holler, bu elektronlardan dolay iyonize olurlar. Yariletkenin yzey tabakasndaki bu negatif ykl iyonize olmu akseptrler d kalnlnda bir uzay yk tabakas ierisinde dalrlar. Yariletken gvdedeki enerji seviyeleri s-m kadar ykseldii iin, yariletken tarafndaki holler iin yzey engeli;

eVd = s m

(2.1)

olur. Burada Vd difzyon potansiyelidir. Yariletken ierisindeki bu potansiyel, metalin yzeyine gre alnr. Kontan metal tarafndaki holler iin engel ykseklii;

eb = Es e m
ifadesi ile verilir.

(2.2)

ekil 2.1. Metal p-tipi yariletken dorultucu (Schottky) kontan enerji-bant diyagram a) Kontaktan nce, b) kontaktan sonra ve termal dengede, c)V 0 durumunda

Termal uyarlmadan dolay, yariletkendeki baz holler potansiyel engelini aabilecek kadar enerji kazanarak, metalin iine geebilirler. Ayn ekilde metalde termal olarak oluan baz holler de engeli aabilecek kadar enerji kazanarak, yariletkenin iine geebilirler. Bylece kontakta engelden geen eit ve zt ynl iki Io akm oluur. Yariletkene bir V gerilimi uygulanrsa (ekil 2.1 b), soldan saa akan hol akm deimez, fakat yariletkendeki enerji seviyelerinin tm

eV kadar deceinden

yariletkenden metale geen holler iin engel ykseklii eV kadar azalr.

Bunun sonucu olarak sadan sola doru akan akm exp (eV/kT) arpan kadar azalr. Sadan sola doru olan akm pozitif kabul edilirse bu durumda karakteristik akm, eV I = I 0 exp 1 kT olacaktr. Burada Io doyma akmdr. Bu bir dorultucu kontaktr.

(2.3)

2.2.2. Metal p-tipi yariletken omik kontaklar

Omik kontak, uygulanan gerilimin polaritesinden bamsz olarak her iki ynde de akm akna minimum diren gsteren bir metal yariletken eklemdir (Brillson 1993, Neamen 1992). m>s (metalin i fonksiyonunun yariletkenin i fonksiyonundan byk olduu) durumu inceleyelim. ekil 2.2.ada grld gibi, yariletkenin Fermi seviyesi metalin Fermi seviyesinden m-s kadar yukardadr. Kontaktan sonra bir yk alverii meydana gelecektir. Yariletkendeki elektronlar, geride bir pozitif yzey yk (hollerden dolay) brakarak metal tarafna akarlar ve metal tarafnda bir negatif yzey ykne neden olurlar. Bundan dolay yariletkendeki Fermi seviyesi ekil 2.2 bde grld gibi m-s kadar aa der. Hol konsantrasyonunun artmasndan dolay, yariletken yzeyi daha fazla p-tipi olur. Bir V voltaj uygulandnda, bu potansiyel fark tm yariletken blge boyunca dalr (ekil 2.2.c). s-s nispeten elektronlar zorlukla karlamadan engeli geebilirler. Doru beslem durumunda, elektronlar, metalden yariletken iindeki bo durumlara kolayca hareket edebilirler. Bu yk hareketi, hollerin yariletkenden metale akna karlk gelir. Metal tarafna geen holler yksek elektron konsantrasyonundan dolay hemen ntralize olurlar. Ters beslem durumunda, metalin iletkenlik bandnda termal olarak oluan holler de kolay bir ekilde yariletken tarafna geebilirler. Bu durumda kontak omiktir.

Metal

Vakumsev.

Yariletken

Vakumsev.

s Ec m s Es E fs Ev Ec

m-s

++

m-sEfEs-s

Ev (a) V>0
Vakumsev.

(b) Ec
Vakumsev.

V<0

Ev EF (c)

Ec

Ev

ekil 2.2. Metal p-tipi yariletken omik kontan enerji bant diyagram a) kontaktan nce, b) kontaktan sonra, c) V0 durumunda

2.2.3 Metal p-tipi yariletken metal kontaklar Metal p-tipi yariletken metal (P+PM) yaps, p tipi yariletkenin bir yzeyine hol bakmndan ok zengin P+P omik konta ile dier yzeyine uygulanan pM dorultucu kontandan meydana gelir. Termal dengede byle bir yapnn enerji band diyagram ekil 2.3te grlmektedir.

P+ omik tarafna sfrdan byk bir gerilim uygulandnda, yap doru beslemde olur. P+ tarafna sfrdan kk olacak ekilde bir gerilim uygulanrsa, yap ters beslemde olur. Metal p-tipi yariletken metal yaps, diyot zelliine sahip bir yap olup yariletken diyot olarak adlandrlr.

Metal
Omik kontak Yariletken
e 0,n ep

Metal Dorultucu kontak

Ef
eVd d

ekil 2.3. P+PM yariletken diyot yapsnn termal dengede enerji bant diyagram

ekil 2.3de grld gibi holler iin engel ykseklii,

e po = eVd + E f
ifadesi ile verilir.

(2.4)

2.3. Metal Yariletken Schottky Diyotlarda Schottky Kapasitesi Metal-Yariletken kontaklarda oluan arnma blgesi (dipol tabakas), yariletken tarafndaki uzay ykleri ve metal tarafndaki yzey yklerinden dolay bir kondansatr gibi davranr. Ters beslem durumunda uygulanan gerilim arttka arnma blgesi geniler. Yariletkende metale yakn nemli bir hol younluu varsa, yeni Fermi seviyesinin metaldeki Fermi seviyesiyle akmasndan dolay hol younluu decektir.

10

(x)

(x)

eNA Vd+V eNA e(NAp) 0 (b) d x

x d (a)

ekil 2.4 Metal p-tipi yariletken yaplarda dorultucu kontan; a) Potansiyel dalm, b) Yk dalm

Schottky blgesinin kapasitesi, bu yk dalmndan dolay deiecektir. Bu zelliklerinden dolay Schottky diyotlar, gerilim kontroll deiken kapasitrler olarak kullanlabilmektedirler. Schottky blgesinin kapasitesini bulmak iin, diyodun engel blgesindeki potansiyel dalmnn Poisson eitlii;

2 (x ) =

d 2 ( x) dx 2

(x ) s 0

(2.5)

eklinde ifade edilebilir (Ziel 1968). Burada s yariletkenin dielektrik sabiti, 0 boluun elektrik geirgenlii,

(x ) konuma bal uzay yk younluudur. Uzay yk younluu;

(x ) = e(N A N d )

(2.6)

olarak yazlabilir (Rhoderick 1988). Burada N d , yariletkendeki iyonize olmu donor younluu, N A , yariletkendeki iyonize olmu alc younluudur. ( x ) potansiyel fonksiyonu ile uzay yk younluu ( x ) in konuma bal deiimleri ekil 2.4te gsterilmitir.

11

Engel tabakasnn potansiyelini Vd ve kontaa uygulanan potansiyeli V gsterelim.

ile

e(Vd V ) >> kT

olduunda

0 xd

aralnda yk tayclar

d uzunluunda Debye difzyon uzunluu ile verilen bir blgede ksmen

bulunacaklardr. Dolays ile p-tipi yariletken iin N A >> N d olduundan uzay yk younluu iin

(x ) = eN A
yazlabilir. (2.5) ve (2.7) eitliklerinden

(2.7)

d 2 ( x) dx
2

S0

eN A

(2.8)

elde edilir. (2.8) ifadesinin zm aadaki snr artlar altnda aranabilir. 1) x = 0 iin ( x ) = 0 2) x 0 iin ( x) = Vd + V 3) x = d iin

d ( x) =0 dx

(2.8) denklemi iin nc snr artn dikkate alarak integral alrsak, arnma blgesi iin elektrik alan bulabiliriz.
E (x ) = eN A d ( x ) (x d ) = dx S0

(2.9)

yukardaki snr artlarndan birincisini dikkate alarak alnacak olursa,

eN A 1 2 x xd S0 2

(2.9) ifadesinin integrali

( x) =

(2.10)

12

elde edilir. (2.10) ifadesinin zm de ikinci snr art dikkate alnarak zlrse;
1

2 2 d = s 0 (Vd V ) eN A

(2.11)

ifadesi elde edilir. Bu ifade, Schottky blgesinin geniliidir. Burada V > 0 iin kontak doru, V < 0 iin kontak ters beslemdedir. Yariletkende birim alan bana den yk younluu;

Q = eN A d
ile verilir. (2.11) ve (2.12) eitlikleri dikkate alndnda;
Q = [2 s o eN A (Vd V )]
1

(2.12)

(2.13)

ifadesi elde edilir. Ayrca Schottky kapasitesi (2.13) eitliine sahip Q yknn uygulanan gerilime bal deiimi olarak tanmlanr. Buna gre kapasite iin,

C=

Q V

(2.14)

yazlarak (2.13) ve (2.14) eitliklerinden,

1

eN 2 C= S 0 A 2(Vd + V )
veya
C=

(2.15)

S0
d

(2.16)

olarak bulunur.

13

Bu sonuca gre arnma blgesinin kapasitesi, uygulanan gerilim ve Schottky blgesinin genilii ile ters ve alc younluu ile doru orantldr. Efektif kontak alan A ile ounluk tayclarnn dalga fonksiyonun uzay yk blgesine szmasndan ileri gelen kT/q terimin ilave edilmesi ile kontak kapasitesi,

s 0 qN A C = A 2(Vd kT / q + V ) ile verilir.

1/ 2

(2.17)

2.4. Schottky Diyotlarda Termoiyonik Emisyonla Akm letimi

Schottky kontaklarda bir potansiyel engeli zerinden elektron tanmas ilemi termoiyonik emisyon teorisi ile aklanmaktadr (Scak bir yzeyden termal enerjileri nedeniyle tayclarn salnmas olay termoiyonik emisyon olarak bilinir.). Metal yariletken Schottky diyotlarda termoiyonik emisyon teorisi tayclarn termal enerjileri nedeniyle potansiyel engelini aarak yariletkenden metale veya metalden yariletkene gemesidir. Schottky diyotlarda akm ounluk tayclar tarafndan salanr. Metal n-tipi yariletken Schottky diyotlarda elektronlar, metal/p-tipi yariletken Schottky diyotlarda ise holler tarafndan salanr. Termoiyonik emisyon teorisi oluturulurken, Maxwell-Boltzmann yaklamnn uygulanabilmesi ve termal denge durumunun olaydan etkilenmemesi iin, dorultucu kontaa ait potansiyel engelinin, kT enerjisinden daha byk olduu ve arnma blgesindeki tayc arpmalarnn ok kk olduu kabul edilmektedir.

14

Jms

Jsm

e Ec en eb eV Ef EV x Ec Ef

e(VbiV)

ekil 2.5. Dz beslem altndaki metal yariletken kontakta imaj kuvvet azalma etkisi

ekil.2.5de V byklnde dz beslem gerilim uygulanm bir Schottky kontak grlmektedir. Burada J s m yariletkenden metale doru akan akm younluu ve

J ms ise metalden yariletkene doru olan akm younluudur. J sm akm

younluu, x ynnde ve engeli aabilecek byklkte hzlara sahip elektronlarn konsantrasyonunun bir fonksiyonudur. Bu nedenle,

J sm = e ' v x dn E
c

(2.18)

eklinde yazlabilir. Burada Ec metal iindeki termoiyonik emisyon iin gerekli minimum enerji, vx tanma ynndeki hzdr. Artan elektron konsantrasyonu,

dn = g c ( E ) f F ( E )d ( E )

(2.19)

ile verilir. Burada g c ( E ) , iletkenlik bandndaki hal younluu ve f F ( E ) , FermiDirac ihtimaliyet fonksiyonudur. Maxwell-Boltzmann yaklam uygulanarak elektron konsantrasyonu iin,

15

dn =

* 4 (2mn ) 3 / 2 h3

(E EF ) E E c exp dE kT

(2.20)

yazlabilir. E-Ec enerjisi serbest elektronun kinetik enerjisi olarak kabul edilirse, bu durumda, 1 * 2 mn v = E E c 2
* dE = m n vdv

(2.21)

(2.22)

ve
E Ec = v
* mn 2

(2.23)

olur. Bu sonular kullanlarak (2.20) ifadesi tekrar yazlrsa ,

3

* * 2 mn exp e n exp m n v 4v 2 dv dn = 2 h 2kT kT

(2.24)

elde edilir. Bu denklem, hzlar v ve v + dv aralnda deien elektronlarn saysn verir. Hz, bileenlerine ayrlrsa;
2 2 v2 = vx + v2 + vz y

eklinde olur.
m* e n J s m = 2e n exp h kT
3 * * 2 mn v 2 mn v x y dv exp v v x exp 2kT dv y 0x 2kT x

* 2 mn v z exp

dv , z 2kT

(2.25)

16

vox hz, x dorultusundaki harekette elektronun potansiyel engelini aabilmesi iin gerekli olan minimum hzdr. Son ifadede aadaki deiken deitirmeleri yaplabilir:
* 2 e(V V mn vx 2 + d 2kT kT

(2.26.a)

* mn v 2 y

2kT

(2.26.b)

* 2 mn v z 2 2kT

(2.26.c)

Ayrca minimum vox hz iin,

1 * 2 mnv0 x = e(Vd V ) 2

(2.27)

2kT yazlabilir. Bu durumda v x v ox art iin = 0 olur. Yine v x dv x = * d m n

yazlabilir. Bu ifadeler (2.25) denkleminde yerine yazlrsa; m* = 2e n h
3

J s m

2kT e(Vd V ) en * exp exp m kT kT n

2

0 exp 2 d 2 d 2 d

(2.28)

Bu son ifadenin integrali alnrsa;

* 4emn k 2 2 eV e(n + Vd ) J s m = h3 T exp exp kT kT

(2.29)

ya da

17

* 4emn k 2 2 eV T exp e b exp J s m = kT kT h3

(2.30)

olur. Uygulama gerilimi sfr olduunda J s m ile J m s birbirine eit olur. Yani,
* 4emn k 2 2 T exp e b J m s = kT h3

(2.31)

olur. Eklemdeki net akm younluu J = J sm J ms olur. Daha ak ifadeyle net akm younluu,
e b J = A*T 2 exp kT eV exp kT 1

(2.32)

olur. Burada A* termoiyonik emisyon iin Richardson sabiti olup,

* 4em n k 2 A = h3 *

(2.33)

ile verilir. Genel bir durum iin (2.32) ifadesi, eV J = J sT exp kT 1

(2.34)

olarak yazlabilir. Burada J sT ters-doyma akm younluu olarak bilinir ve e b J sT = A *T 2 exp kT

(2.35)

eklinde ifade edilir. b Schottky engel yksekliinin imaj kuvveti nedeniyle azald ve b = b 0 ekline verildii gz nne alnarak (2.35) ifadesi yeniden,

18

e b e J sT = A *T 2 exp exp kT kT

(2.36)

eklinde yazlr. Engel yksekliindeki deiimi, artan elektrik alanla ya da artan ters beslem gerilimi ile artacaktr.

2.5. Engel Yksekliinin maj Kuvvetine Ball

deal bir Schottky diyot iin verilen engel ykseklii ifadesi Schottky etkisi veya imaj kuvvet etkisinden dolay deiebilir. Bir dielektrikteki elektron metale belli bir uzaklktan yaklarken metal yzeyine dik bir elektrik alan oluturur. Bu elektrik alan izgileri metalin yzeyinden i ksma doru x kadarlk bir mesafede yerlemi bir +e imaj ykymi gibi dnlebilir. Bu imaj etkisi ekil 2.6.ada gsterilmitir. Dolaysyla metalden x kadar uzaklkta olan bu elektron Coulumb etkilemesinden dolay,
e2 4 s (2 x )2

F=

=-eE

(2.37)

kuvvetine maruz kalacaktr (Neamen 1992).

19

Metal

Dielektrik

+
x x=0 (a)

(x)

Ef

(x)

(b)

xm eb0 EF

x eEx

x=0 (c)

ekil 2.6. (a) Metal/dielektrik arayzeyinde imaj yk ve elektrik alan izgileri, (b) Elektrik alan sfr iken Schottky engelindeki bklme, (c) Sabit bir elektrik alanda imaj kuvvetinden dolay Schottky engelindeki bklme

ekme kuvvetinden dolay elektron negatif potansiyel enerjisine sahiptir. Potansiyel ifadesi yazlrsa:

( x ) = + Ed x ' = +
x

e e dx ' = ' 2 4 s 4( x ) 16 s x x

(2.38)

20

Metal-yariletken

arayzeyindeki

toplam

potansiyele

imaj

potansiyeli

de

katldnda, toplam potansiyel

(x ) = e Ex 16 s x

(2.39)

olarak elde edilir. Sabit bir elektrik alann varlnda elektronun potansiyel enerji deiimi ekil 2.6.c.de gsterilmitir. Bu ekilde potansiyel engeli piki azalmtr. Potansiyel engeli pikinin bu ekilde azalmas Schottky etkisi ve imaj kuvveti etkisi ile engel yksekliinin azalmas olarak bilinir. d (e ( x)) =0 dx art dikkate alnarak maksimum engelin konumu,

(2.40)

xm =

e 16 s E

(2.41)

ve Schottky engel yksekliinin azalmas,

eE 4 s

(2.42)

ile verilir.

2.6. MIS Yaplarda Arayzey Hal Younluklarnn Beslem Ball

ekil 2.7de arayzey tabakal metal/p-tipi yariletken Schottky diyodunun uygulanan gerilim altndaki enerji band diyagram grlmektedir. ekilde m metalin i fonksiyonu, s yariletkenin elektron yaknl, arayzey tabaka kalnl ve 0 valans bandn stnden llen arayzey hallerinin ntral seviyesidir.

21

ekil 2.7 Arayzey tabakal metal/p-yariletken Schottky diyodunun uygulama gerilimi altndaki enerji band diyagram

Bardeen modeline gre, bir metal ile bir yariletken kontak haline getirildiklerinde oluan arayzey halleri, yaltkan tabaka ile yariletken yzeyi arasnda lokalize olurlar. Bundan dolay metal yada yariletkende elektrik alan olmadnda arayzey tabakasndaki elektrik alan iddeti, metal yzeyindeki ve arayzeydeki yklerle alakaldr. Gauss kanununa gre;

i Ei = Qss

(2.43)

yazlabilir. Burada Ei arayzey tabakasndaki elektrik alan iddetidir. Schottky engelinde varolan elektrik alannn engel yksekliini nasl etkilediini bilmek nemlidir. Yariletken iinde bir Es elektrik alan olduunda Gauss kanunu

Vi =

( E + Qss ) i s max

(2.44)

eklinde yazlr. Burada Vi arayzey tabakasndaki potansiyel dmesi, Emax ise yariletken iindeki elektrik alann maksimum deeridir. dealite faktrnn arayzey hal younluu, arayzey tabaka kalnl ve uygulanan gerilime ball

22

literatrde rapor edilmitir (Trt, Card ve Rhoderick, Horvath,). Bu yaklamda, ilk olarak btn arayzey hallerinin metalle dengede olduu dnlmelidir. Yariletkenin yzey arnma tabakasnn ve arayzey tabakasnn var olduu durumda V uygulama gerilimi iin;

V = Vi + Vs

(2.45)

ifadesi yazlabilir. Burada Vs arnma tabakasndan dolay meydana gelen gerilim deiimidir. 2.3 ifadesi ak olarak

q b qV I = AA**T 2 exp exp 1 kT kT

(2.46)

eklinde yazlabilir. Bu denklemin her iki tarafnn tabii logaritmas alnarak V ye gre trevi alnacak olursa
1 d ln I 1 dI q d b qV = = + exp 1 1 dV I dV kT dV kT

(2.47)

olur. Dz beslem ksmnda lnI-V grafiinin lineer ksmnn eimi, idealite faktrn verdiinden 2.47 denkleminden

n=

kT dV 1 = q d ln I (1 )

(2.48)

ifadesi elde edilir. Burada =db/dV dir. Bu durumda idealite faktr iin

d b 1 = 1 n dV
yazlabilir.

(2.49)

23

Schottky diyotlarda engel ykseklii, birinci derecede arnma blgesindeki elektrik alana bal olduundan engel ykseklii b yerine etkin engel ykseklii e alnmaldr. Etkin engel ykseklii ifadesi

d e = b,0 + e V = b ,0 + V dV
ile verilir. Burada de /dV dir. Bu ifade gz nne alnarak (2.46)

(2.50)

qV qV I = I 0 exp exp 1 kT kT
olarak yeniden yazlabilir. Burada I0 doyma akmdr ve

(2.51)

qb,0 I 0 = AA**T 2 exp kT

(2.52)

ifadesiyle verilir. de/dV sabit olduunda idealite faktr de sabittir. dealite faktr deerinin birden byk olmas, uygulama geriliminin sadece arnma tabakasnn zerinde dmediini, arayzey tabakas, arnma tabakas ve gvde direnci arasnda paylaldn gstermektedir. (2.49) ifadesi ve (db/dV= de/dV)=(dVi/dV) eitlii gz nne alnrsa (2.44) denkleminin uygulama gerilimine gre trevi alnarak

1 dVi dEmax dQss = s + 1 = dV dV n dV i

ifadesi elde edilir. (2.45) ifadesi kullanlarak

(2.53)

24

1 dVs dEmax dEmax dVi 1 = = 1 = dV dVs dV nw w dV

elde edilir.

(2.54)

dQss dQsa dVi 1 = = qN ssa 1 dV dVi dV n

ile verilmektedir. Burada w yariletkendeki arnma blgesi kalnldr ve

(2.55)

2 V w= s d qN a

(2.56)

eklinde verilir. Qsa metalle dengede olan arayzey yk younluu, Nssa arayzey hal younluu, Na yariletkendeki donor konsantrasyonu ve Vd difzyon potansiyelidir. (2.55) denklemi metalin fermi seviyesine gre, hallerin enerjisindeki deiim olan dVi ile belirlenen metalle dengede olan igal edilmi arayzey hallerindeki deiimi verir. Bundan dolay (dQsa/dVi)=-qNssa eitlii yazlabilir. (2.54) ve (2.55) ifadeleri (2.53)de yerine yazlrsa (2.57)

1 s 1 qN ssa 1 1 = n i nw n
ve buradan

(2.58)

n = 1+

s w( i + qN ssa )

(2.59)

25

elde edilir. Bu sonu, arayzey hallerinin metalle dengede olduu durumda geerlidir. Arayzey hallerinin metalle dengede olmamas durumunda, arayzey hal yk younluu Qsb ve arayzey hal younluu Nssb alnarak (2.55) ifadesi

dQss dQsb dVs qN ssb = = dV dVs dV n

(2.60)

eklinde ifade edilebilir. (2.60) ifadesi, yariletkenin fermi seviyesine gre, hallerin enerjisindeki deiim olan dVs ile belirlenen yariletkenle dengede olan igal edilmi arayzey hallerindeki deiimi vermektedir. Bundan dolay; (dQsb/dVs)=qNssb eitlii yazlabilir. (2.54) ve (2.60) ifadeleri (2.53)de yerine yazlrsa

1 s qN ssb + 1 = n n i nw
ve buradan

(2.61)

n =1+

s w + qN ssb i

(2.62)

elde edilir. Yariletken yzeyindeki arayzey hallerinin Esb enerjisi, iletkenlik bandnn tabanna gre

Ec Esb = qb qV
ile verilir.

(2.63)

26

3. MATERYAL VE YNTEM

3.1. Polimer Arayzeyli Schottky Diyodun Hazrlanmas

Bu almada, polimer arayzeyli Schottky diyodun hazrlanmasnda [100] dorultusunda, 400 m kalnlnda, 1cm zdirenli p tipi Si yariletkeni kullanlmtr. Yzey ilk nce NH4OH+H2O2 +6H2O de 10 dakika boyunca sonra HCl +H2O2 +6H2O da 60C scaklkta kaynatlarak kimyasal olarak temizlenmitir. Si plakann arka yzeyine temiz bir ekilde Al buharlatrldktan sonra 3 dakika boyunca 580Cde N2 atmosferinde tavlanm ve omik kontak elde edilmitir. Bu aama boyunca n yzeydeki doal oksit tabakasn yok etmek iin 30s boyunca HF:H2O (1:10) solsyonunda tutulmu ve son olarak deiyonize suda ykanp kurutulmutur. 30g PNpClPh, 1l N-methyl-2-pyrrolidone de eritilerek oluturulan zelti p tipi silikon yzeyinin n tarafna damlatlmtr ve sonra oda scaklnda buharlamas beklenmitir. Son olarak, Schottky konta elde etmek iin levhann n yzeyine kaplanm polimere Al buharlatrlm ve Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al yapl 75102 cm2 Schottky kontak alan oluturulmutur. Tm buharlatrma sreci 105 Torrluk basn sisteminde gerekletirilmitir. Fabrikasyon srecinde nce tm metaller aseton ve methanol ile ykanmtr. Arayzeyde kullanlan PNpClPhPPy iletken polimerin molekl yaps ekil 3.1 de verilmitir. I-V ve C-V lmleri srasyla bir Keitley 487 picoammeter/voltage sourge ve HP4192A LF Impedance Analyzer cihazlaryla karanlkta ve oda scaklnda alnmtr.

27

ekil 3.1. Poli[N-(p-klorofenil)pirol] (PNpClPh PPy) iletken polimerinin molekl yaps

3.2. Schottky Diyotlarda Akm-Gerilim lmleri le Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi

Termoiyonik emisyon ile bulunan akm younluu (J), diyodun etkin alan (A ) ile arplrsa diyottan geen toplam akm; e b eV I = A.J = AA*T 2 exp exp kT kT olarak bulunur. Bu ifadede eV>> kT ise, 1 ihmal edilebilir. Uygulanan gerilimin tamamnn arnma blgesine dmedii dnlrse, ideal durumdan sapmalar meydana gelecektir. Bu sapmalar (n) idealite faktr gz nne alnarak aadaki gibi yazlan akm denklemi ile belirlenebilir. e b eV 1 I = A.J = AA*T 2 exp exp kT nkT 1

(3.1)

(3.2)

Uygulanan gerilimin (V) IRs kadarlk miktar seri diren zerine decei iin V yerine (V)- IRs yazarak (3.2) ifadesini aadaki ekilde yazabiliriz:

28

e b I = A.J = AA*T 2 exp kT ile verilmektedir. Doyma akm ifadesi,

e(V IR s ) 1 exp nkT

(3.3)

e b I 0 = AA * T 2 exp kT

(3.4)

ile verilir. Bu eitliinin iki tarafnn tabii logaritmas alnp b ye gre zlrse, e b = kT ln AA*T 2 / I 0

(3.5)

elde edilir. Burada A diyotun etkin alan, T Kelvin cinsinden ortamn mutlak scakl, k Boltzman sabiti, A* Richardson sabitidir. Ayrca V> 3kT/e iin 1 ihmal edilir ve Rs de gz ard edilirse, idealite faktr n, akm gerilim grafiinin doru beslem blgesinin lineer ksmnn eiminden bulunabilir. Bu lineer ksma fit yaplarak bulunan eim deeri,
e dV kT d (ln I )

n=

(3.6)

denkleminde yerine yazlr.

3.3. Cheung Fonksiyonlar Yardmyla Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi

Metal yariletken kontak yapsnn doru beslem I-V karakteristikleri yardmyla Schottky diyot parametrelerinin hesaplanmasnda Cheung (1986), tarafndan farkl bir model sunulmutur (Temirci, 2000).

29

(3.3) eitliinden;

nkT I V = ln * 2 + n b + IRs e AA T
ifadesi elde edilir. (3.7) eitliinin lnIya gre trevi alnrsa;
dV d (ln I ) nkT + IRs e

(3.7)

(3.8)

ifadesi elde edilir. (3.8) eitliinde, dV/dlnInn I ' ya gre grafii bir doruyu verecektir. Bu grafikten elde edilen dorunun eimi ntral blge direncini ya da Rs seri direncini verecektir. Bu dorunun dey ekseni kestii noktadan (n) idealite faktr bulunabilir. Potansiyel engeli b yi bulmak iin;

nkT I H (I ) = V ln * 2 e AA T
eklinde bir H (I ) fonksiyonu tanmlanabilir. (3.7) ve (3.8) eitliklerinden;
H (I ) = n b + IRs

(3.9)

(3.10)

yazlabilir. (3.10) eitliinde H (I ) I grafii izildiinde bu grafik de bir doru eklinde olacak ve bu dorunun eimi de Rs seri direncini verecektir. Bu dorunun

H (I ) eksenini kestii noktadan da engel ykseklii eb bulunur.

30

3.4. Norde Fonksiyonlar Yardm ile Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi

deal Schottky bariyer diyodu iin akm gerilim karakteristii denklem (3.1)de ve doyma akm ifadesi de denklem (3.4) ile daha nce verilmiti. Eer diyodun seri direnci esas alnrsa farkllklar ortaya kar. Grafiin doru ksm, kT/q << V << IR araln verecektir. R ok byk olduunda doyma akmnn gvenilir deeri ok kk olacaktr. Ayrca gerilimin byk olduu yerde bu aralk kullanlrsa, diyodun rekombinasyon akm total akmn nemli bir paras olabilir. Extrapole etmek Is deerini daha az gvenilir yapar. Seri diren ile bu problem birok durumda F(V) fonksiyonunun grafii kullanlarak zmlenebilir.
V 1 I ln 2 AA**T 2

F (V ) =

(3.11)

Diyot iin seri diren Rs, akm denklem (3.3) ile verilmiti. Vd > kT/q kabul edersek denklem (3.11) ve (3.3) den 1 F (V ) = b + IRs V ... 2

(3.12)

yazlabilir. deal durum iin Rs=0, F(V) dz bir izgiyi verir ve eimi 0,5dir. F(V) eksenini kestii nokta byi verir. Dier bir deyile sadece bir diren iin elde edersek F (V ) = FR (V ) = V 1 V ln ** 2 2 RAA T

denklemi ile ifade edilebilir.

31

Yksek gerilimler iin eim = +0 ,5 ile dz bir izgiye yaklaacaktr. deal durum iin F(V) dk akm deerleri ve yaklak FR(V) byk akm deerleri arasndadr. Baz yerlerde iki F(V) dorusu minimuma sahip olur. Denklem 3.12nin diferansiyeli alnrsa
dF dI = Rs dV dV 1 2

Buradan da
dI dI dI = 1 + Rs dV dV dVd d
1

ve
dI d [I s exp(Vd )] = I = dVd dVd

ve

RI dF 1 = dV 1 + RI 2

(3.13)

dF/dV=0 yerine yazlrsa F(V)nin minimum deerinde Io akm elde edilecektir. Denklem 3.13 den
Io = kT 1 = R qR

(3.14)

elde edilir. Denklem 3.11 kullanlarak uyum gerilimi Vo

I + ln *o 2 * AA T

Vo = I o Rs + Vd ( I o ) =

(3.15)

yazlr ve F(V) nin minimum deerinden

32

F (Vo ) =

Vo 1 I o 2 AA**T 2

(3.16)

Io , Vo ve F(Vo)n llen deerleri denklem 3.14 ve 3.16 de kullanlarak

kT qI o Vo kT 2 q

Rs =

b = F (Vo ) +

elde edilir. Nordenin kulland bu metot ideal durumlar ve seri direncin kk olduu durumlar iin geerli olup Bohlin ideal olmayan durumlar iin genelletirilmi Norde metodunu kullanarak seri diren ve n deerlerinin hesaplanabileceini gstermitir (Bohlin, 1986). Denklem (3.3) ile daha nce verilen akm gerilim karakteristiini gz nne alarak, seri bir F(V) fonksiyonu yazlabilir.
F (V , ) = V / 2 1 / ln I / AA**T 2

[ (

)]

(3.17)

Burada , nden byk keyfi bir sabittir. Denklem 3.16 ile 3.17 birletirilirse
F (V , ) = (1 / 1 / n )V + b + IRs / n

(3.18)

elde edilir. deal bir diyot iin seri diren sfr F(V,) fonksiyonu dz bir doru, eimi (n-)/n olacaktr. Dier bir deyile sadece bir diren varsa fonksiyon
F (V , ) = V / 1 / ln V / Rs AA**T 2

[ (

)]

olacaktr.

33

Bu fonksiyon gerilimin byk deerleri iin 1/ eimi ile dz izgiye yaklaacaktr. sabiti n den byk olduu srece fonksiyon minimuma sahip olacaktr. Denklem 3.18nin gerilime bal diferansiyeli alnrsa,
dF 1 1 Rs dI = + dV n n dV

(3.19)

ve denklem 3.19 den

dI I dI = Rs I /n dV n dV

Bylece
dI I = dV n Rs I 1 + n

(3.20)

Denklem 3.19 ve 3.20 birletirilirse

dF (n + Rs I ) = [ (n + Rs I )] dV

dF/dV=0 minumum deerinde

I 0 = ( n ) / ( Rs )

(3.21)

Denklem 3.18 ve 3.21 kullanlarak

F (V0 , ) = (1 / 1 / n )V0 + b + ( n ) / (n )

Burada I0 ve V0 deerleri minimumda benzeirler. Sonu olarak;

b = F (V0 , ) + (1 / n 1 / )V0 ( n ) / ( n ) R = ( n ) / (I 0 )

elde edilir.

34

3.5. Schottky Diyotlarda Kapasite-Gerilim lmleri ile Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi

Blm 2.3te kontak kapasitesinin verildii denklem (2.16) gz nne alndnda

C-2-V grafii lineerdir. Bu grafiin C-2=0 iin V eksenini kestii nokta Vdyi verir.

Engel ykseklii,
b = Vd + V p

(3.22)

eitliinden elde edilir. Burada bir beslem altndaki engel Vp yariletkenin valans bandnn tepesi ile Fermi seviyesi arasndaki farktr ve aadaki eitlikle verilir (Sze, 1981).
V p = ( kT / q ) ln( N v / N A ) ,

(3.23)

NV = 4 ,82 x10 15 T 3 / 2 ( m * / m0 )3 / 2

(3.24)

dir.
NV, Si un valans bandndaki etkin durumlarnn younluu, m*(0,16m0), m0

boluun etkin ktlesidir (Altndal, 2006). Deneysel olarak akseptr younluu C-2-V grafiinin eiminden

NA =

dV 2 2 e s A d (C 2 )

(3.25)

formlnden elde edilir.

35

4. ARATIRMA BULGULARI VE TARTIMA

4.1. Akm-Gerilim lmlerinden Elde Edilen Diyot Parametreleri

Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Schottky kontan -1 ile +1volt arasnda doru ve ters beslem akm-gerilim karakteristii ekil 4.1de verilmitir. dealite faktr n, akmgerilim grafiinin doru beslem blgesinin lineer ksmnn eiminden bulunabilir. Bu lineer ksma fit yaplarak bulunan eim deeri denklem (3.6)de yerine yazlarak n=1,41 bulunmutur. Doyma akm ise; ekil 4.1den doru beslem akm-gerilim karakteristiinin lineer ksmnn V=0 iin akm eksenini kestii noktadan Io= 2,18x10-09 A bulunmutur. Bulunan deerler izelge 4.1de gsterilmitir. Blm 3.2de verilen (3.5) eitlii kullanlarak engel ykseklii
=0,78 eV bulunmutur.

ekil 4.1. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Schottky kontan doru ve ters beslem akmgerilim karakteristii

36

izelge 4.1 Akm-gerilim karakteristiinden elde edilen parametrelerin deerleri

n 1,405 Io(A) 2,18x10-9

(eV)
0,775

Kontak parametrelerinin Cheung fonksiyonlar ile bulunmas blm 3.3te verilmiti. Bu fonksiyonlardan dV/dlnI nn I ' ya gre grafii ekil 4.2de verilmitir. Bu
grafiin I=0 iin dV/dlnI eksenini kestii noktadan idealite faktr n=7,63 ayn grafiin eiminden seri diren Rs= 7,8 k bulunmutur.

0.40 0.36 0.32 dV/d(lnI) (V) 0.28 0.24 0.20 0.16 0.12 0.0E+0
Rs=7778,98 b=0,636 eV Rs=7861,81 n=7,63

5.20 5.15 5.10 H(I) (V) 5.05 5.00 4.95 4.90 4.85 4.80 2.5E-5

5.0E-6

1.0E-5 1.5E-5 I (A)

2.0E-5

ekil 4.2. Cheung fonksiyonlar grafikleri Cheung fonksiyonlarndan olan H(I)nn Iya gre grafii de ekil 4.2te verilmitir. Bu grafiin I=0 iin H(I) eksenini kestii noktadan daha nce bulduumuz n deerini kullanarak b =0,64 eV grafiin eiminden ise; Rs =7,9 k bulunmutur.

37

Cheung fonksiyonlarndan bulunan btn deerler seri direncin etkin olduu I-V karakteristiindeki lineer olmayan ksmn verileri kullanlarak elde edilmitir. Arayzey hal younluu Car ve Rhedorick tarafndan, denklem (2.46) ile ne srlmtr (Car, Rhoderick, 1971). P tipi yariletkende arayzey hallerinin enerjisi iletkenlik bandnn taban dikkate alnarak yariletken yzeyinde (2.63) ifadesiyle verildiini Blm 2.6da belirtmitik. Denklem (2.46) ve denklem (2.63)den elde edilen deerler izelge 4.2de, grafikleri ise ekil(4.3)de gsterilmitir.

izelge 4.2 I-V grafiinden elde edilen parametrelerin deerleri

V 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18 0,20 0,22 0,24 0,26 0,28 0,30 0,32 0,34 0,36 n(V) 1,699 1,525 1,363 1,360 1,372 1,404 1,440 1,494 1,550 1,610 1,672 1,738 1,804 1,872 1,940 2,008 e (eV) 0,800 0,803 0,802 0,807 0,813 0,822 0,831 0,842 0,854 0,866 0,880 0,894 0,909 0,925 0,940 0,956 Ess-Ev (eV) Nss (eV-1cm-2) 0,740 0,723 0,702 0,687 0,673 0,662 0,651 0,642 0,634 0,626 0,620 0,614 0,609 0,605 0,600 0,596 1,78x1011 1,15 x1011 5,58 x1010 5,47 x1010 5,90 x1010 7,08 x1010 8,40 x1010 1,04 x1011 1,24 x1011 1,46 x1011 1,69 x1011 1,93 x1011 2,17 x1011 2,41 x1011 2,66 x1011 2,91 x1011

38

8E+11

6E+11 Nss (eV-1.cm-2)

4E+11

2E+11

0E+0 0.55

0.60

0.65 Ess-Ev (eV)

0.70

0.75

ekil 4.3. Arayzey hal younluunun arayzey hallerinin enerjisine oran Norde fonksiyonlarn kullanarak seri diren ve idealite faktr gibi diyot parametreleri belirlenebilir. Blm 3.4te bahsettiimiz genelletirilmi Norde fonksiyonunu kullanarak bulmu olduumuz diyot parametreleri izelge 4.3de verilmitir. Fonksiyonun n deerinden byk drt tane keyfi sabit iin (2,3,4,5) gerilime bal izmi olduumuz grafii ekil 4.4te verilmitir.
1.00 0.95 0.90 F (V) 0.85 0.80 0.75 0.70 0.65 0.0
=2 =3 =4 =5

0.2

0.4 0.6 Gerilim (V)

0.8

1.0

ekil 4.4 Norde fonksiyonu grafii

39

izelge 4.3 Norde fonksiyonu kullanlarak elde edilen diyot parametreleri

Fmin(V) V 0,741 0,706 0,684 0,668 Vmin (V) 0,180 0,240 0,300 0,340 Imin (A) 2,73 x10-7 6,90 x10-7 1,35 x10-6 1,90 x10
-6

n 1,41 1,41 1,41 1,41

2 3 4 5

e 0,768 0,767 0,774 0,776

Rs 55,9 59,6 49,6 48,9

4.2. Kapasite Gerilim lmlerinden Elde Edilen Diyot Parametreleri

Numunenin C-V lmleri -2 V ve +1 V gerilimleri arasnda 1000 kHz frekansta ve 300 Kde alnmtr. Numunenin ters beslem C2V erileri ekil 4.7de gsterilmitir. C2V grafiinin yatay ekseni kestii nokta kesiim potansiyeli Vd=0,684 V olarak tespit edilmitir ve engel ykseklii (3.22) eitliinden faydalanarak 0,894 eV bulunmutur. Ayrca C2V karakteristiinden elde edilen deerler izelge 4.4te verilmitir.

izelge 4.4. C-2-V karakteristiklerinden elde edilen diyot parametreleri

f (kHz) 1000 Vd (eV) NA (cm-3) Ef (eV) 0,710 1,27 x1015 0,185 b (eV) 0,894 W (cm) (eV)

8,54 x10-5 1,41 x10-2

40

5E-4

4E-4

C-2 (pF)-2

3E-4

2E-4

1E-4

0E+0 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 Gerilim (Volt) 0.5 1.0

ekil 4.5. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Schottky kontan kapasite-gerilim lmleri

41

5. SONU

Bu almada, 400m kalnlnda, 1cm zdirence sahip p-tipi Si yariletkeni ve yariletken arasnda PNpCIPhPPy iletken polimeri kullanarak arayzey tabakal Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al Schottky diyodu imal etmeyi ve bu diyodun karakteristik zelliklerinden diyot parametrelerini belirlemeyi amalar. Yariletkenin yzeyine Blm 3.1de bahsedilen kimyasal temizleme ilemi yapld. P tipi Si tabakann arka yzeyine Al buharlatrld ve sonrasnda 580Cde tavland. Si un yzeyinde oluan oksit tabakay kaldrmak iin HF: H2O solusyonunda tutulup deiyonize suda ykand. Daha sonra numunenin n yzeyine PNpCIPh ve N-methyl2 pyrrolidone ile oluturulan zelti damlatlp homojen olarak dalmas saland ve oda scaklnda buharlatrld. Schottky konta oluturmak iin polimer kaplanm yzeye Al buharlatrld. Sonu olarak 75x102 cm2 alanl Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al yaps elde edildi. Oluturduumuz bu diyodun I-V ve C-V lmleri 300 Kde karanlk ortamda Keitley 487 picoammeter/voltage sourge ve HP4192A LF Impedance Analyzer cihazlaryla alnd. PNpClPhPPynin UVVis spektrumu Unicam UV-2 model UV Vis spektrometresinde kaydedildi. letken polimer (PNpClPh PPy) in optik absorbsiyon spektrumlar UV-Vis aralnda alld ve ekil 5.1 a da grntlendi. Spektral deiim ifadesi denklem 5.1 ile verilmektedir (Mott, 1979).

h = (h E g ) m

(5.1)

Burada Eg optik band genilii, filmin absorbsiyon katsays, frekans, h Planck sabitidir. m stel terimi geilerin trne baldr ve izin verilmi dorudan veya izin verilmi dolayl, yasaklanm dorudan veya yasaklanm dolayl geiler iin, srasyla, m = 1/2 , 2, 3/2 veya 3 deerlerini alr. ekil 5.1 a da grlen iletken

42

polimer(PNpClPh PPy)in absorbsiyon spektrumunun datalar kullanlarak (h)2 nin hye kar grafiini izdik. zin verilmi dorudan geilerin optik enerji band aral ekil 5.1 bde grld gibi (h)2 = 0 da grafiin enerji eksenini kestii noktadan bulunmutur. letken polimer(PNpClPh PPy)in Eg optik enerji aral 2.89 eV olarak hesapland.
1.0

0.8

0.6
(cm-2
)

0.4

0.2

0.0

400

500 (nm)

600

700

ekil5.1.(a) letken polimerin(PNpClPh PPy) optik absorbsiyon spektrumu

16.0

12.0

(h)2

8.0
Eg= 2.94 eV

4.0

0.0 1.5

2.0

2.5
h (eV)

3.0

3.5

4.0

ekil5.1.(b) letken polimerin (PNpClPh PPy) (h)2 nin h ye gre grafii.

43

Akm gerilim lmleri -1V ile +1V arasnda alnmtr. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al diyodunun I-V grafii ekil 4.1de verilmitir. Diyodun engel ykseklii b deeri ve idealite faktr n deerleri srasyla 0,78 eV ve 1,41 olarak hesapland. Termoiyonik emisyon teorisine gre; idealite faktr n, engel ykseklii b I-V

karakteristiinin eiminden ve doru beslem ksmnn lineer blgesinde akm eksenini kestii noktadan elde edilebilir. 1,01e yaklaabilen idealite faktr akmn termoiyonik emisyon teorisine gre aktnn yani ideal oluunun gstergesidir. Bizim verilerimiz idealite faktrnn bu deerden nemli lde byk olduunu gstermektedir. dealite faktrnn yksek deeri diyodun ideallikten uzaklamas anlamna gelmektedir. Yani ideal bir Schottky diyottan ziyade metal-yaltkan tabakayariletken (MIS) yapya uymaktadr. dealite faktrnn yksek deeri arayzeyde imalat etkili kusurlar yannda arayzey katklama veya zel arayzey yapdan dolay arayzey dipollerini ieren bir takm mekanizmalardan kaynaklanr. Homojen olmayan yanal engelin sebep olduu dk Schottky engel ykseklii ksmlarn dalmnn varl da etkilidir (Tung, 1992). Ayrca imaj kuvvet etkisi, rejenerasyonrekombinasyon ve tnelleme akm da idealite faktrnn byk kmasna neden olur. Byle bir durumda arayzey tabakann varl ve seri diren de diyodun idealite faktrn etkiler. Diyot parametrelerinin belirlenmesinde seri direncin etkisini belirlemek iin gelitirilen metotlardan Cheung ve Norde fonksiyonlarn kullandk. Cheung fonksiyonlarn kullanarak Inn H(I) ya ve dV/dInI ya gre grafiini izdik (ekil 4.2). Bu grafiklerde seri diren blgesinde grafik dz bir eriyi vermektedir. dV/dIn(I)-I grafiinden hesaplanan seri diren deeri 7861,81, H(I)-I grafiinden hesaplanan seri diren deeri ise 7778,98 dur. Her iki grafikten elde edilen seri diren deeri birbiriyle uyumludur. Bu Cheung fonksiyonlarnn tutarlln gstermektedir. Ayrca bu grafiklerden n deeri 7,63 , b deeri ise 0,636 eV olarak bulundu. I-V lmlerinde bulunan idealite faktr n ve engel ykseklii b deeri Cheung fonksiyonlarndan bulunan deerinden farkldr. Bunun nedeni deerlerin iki yntem iin farkl blgelerden elde ediliidir. I-V karakteristiinden elde edilen deerler grafiin lineer olduu blgeden Cheung Fonksiyonlar ile elde edilenler ise

44

yksek voltaj deerlerinde grafiin bklen ksmndan bulunmutur. Ayrca idealite faktrnn uygulanan gerilime ball da bu farklln dier bir sebebidir (Aldemir, 2007). Seri diren deerini belirlemekte Norde alternatif bir metot belirlemitir (.Aydoan, 2008). Norde fonksiyonlar yardmyla akm gerilim parametrelerinden seri diren ve idealite faktr belirlenmitir. Norde fonksiyonlar ile F(V)=0,741, Vmin=0,180V, Imin=2,73x107A alnarak engel ykseklii b=0,768eV, seri diren Rs=46707,15 ve idealite faktr n=1,60 olarak bulunmutur. Norde fonksiyonundan bulunan seri diren deeri Cheung fonksiyonlar ile bulunan seri diren deerlerinden daha byktr. Cheung fonksiyonlar doru beslem fonksiyonlar lnI-V karakteristiklerinin lnI-V karakteristiklerinin yksek beslem ksmnn tmne gerilim blgesindeki lineer olmayan blgeye uygulanmaktadr. Fakat Norde doru uygulanmaktadr. Ayn zamanda seri direncin deeri, daha yksek idealite faktr deerleri iin daha yksek olabilir. Bu da seri direncin imal ettiimiz diyot iin akm limitleyici bir etken olduunu gsterir. Genellikle seri direncin etkisi bir Rs direnci ile bir diyodun gvde direncinin seri kombinasyonu eklinde modellenir. Bir diyottaki gerilim d, diyot ve Rs direncinde den toplam gerilim terimiyle ifade edilir. ok yksek seri diren, daha yksek dz beslem gerilimlerinde meydana gelen PNpClPhPPy ince filmi ierisine doru uzay yk enjeksiyonundan dolay stel olarak artan I akmnn azalmasna balanabilir. Dolaysyla, Norde nin modeli yksek idealiteye sahip dorultucu kontaklarn, (ki bu kontaklar saf termoiyonik emisyon teorisi ile uyumlu deildir,) incelenmesinde uygun bir model olmayabilir. Burada akmn baka bir mekanizmayla kontrol edilmeye baland sylenebilir. Bu mekanizma muhtemelen tnelleme olabilir. nk tnelleme ilemi zellikle ince arayzey tabakalar iin nemlidir. Yksek idealite faktrnn artnn arayzey tabakas boyunca voltaj dmesinden kaynaklandna inanlr (Cheung, 1986). Arayzey hal younluu NSS denklem 2.62den 4104 eV-1 cm2 civarnda bulundu. ekil 4.3te grld gibi Ess Ev deerinin artmasyla NSS deeri azalmaktadr. Benzer sonular literatrde rapor edilmitir (Trt, 1992; Altndal, 2005).

45

Arayzeyinde yaltkan var olan Schottky diyotlarnn arayzey hal younluu, arayzeyinde yaltkan tabaka olmayan Schottky diyotlarnnkinden daha azdr (H. Kanbur vd., 2005). Bu arayzey hal younluunun fazla olmas akm gerilim ve kapasite gerilim karakteristiklerinin ideal olmamasndan kaynaklanr. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al diyodunun C-V lmleri -2(V) ile +1(V) arasnda ve 1000kHz frekans deerlerinde alnmtr. Bir Schottky diyodu iin engel ykseklii ve tayc konsantrasyonu deeri ters beslem C2V karakteristiinden bulunabilir. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al diyodunun C2V karakteristii ekil 4.5de gsterilmitir. Diyot iin C2V karakteristiinden bulunan deerler izelge 4.4de verilmitir. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al konsantrasyonu ise diyodu
15

iin cm
-3

engel olarak

ykseklii bulunmutur.

0.89eV Kapasite

tayc gerilim

1,17x10

lmlerinden elde edilen engel ykseklii deeri akm gerilim lmlerinden elde edilen deerden daha byktr. Bu durum arayzey tabakasnn varl, yariletkendeki tuzak seviyeleri ve engelin homojen olmayndan kaynaklanmaktadr (zdemir vd 2003, Sullivan 1991). I-V ve C-V lmlerinin birbirinden farkl kmasnn nedeni lm tekniklerinin farkl olmasdr. Metal yariletken arayzeyinin homojen olmay akm gerilim karakteristiinden elde edilen grnr Schottky engel yksekliini etkilemektedir. nk arayzey tabakas boyunca akan akm Schottky engel yksekliine stel olarak baldr ve bundan dolayda akm engel dalmna baldr. C-V metodundan elde edilen engel ykseklii ise Schottky engel yksekliklerinin ortalama bir deerini iermektedir. Sonu olarak, Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al yap imal edildi ve I-V ve C-V karakteristikleri incelendi. Deiik metotlarla bulunan idealite faktr, engel ykseklii ve seri diren deerleri birbirleriyle karlatrld. P-tipi Si numunesi zerine PNpClPhPPy iletken polimeri iyi bir dorultucu davran gsterdi. C-V karakteristiinden bulunan b (0,89eV) engeli, I-V lmlerinden elde edilen b (0,78eV) engel yksekliinden byktr. Diyodun arayzey hallerinin younluk dalmnn 7x1011eV-1cm-2 den 0,4x1011eV-1cm-2 ye deitii tesbit edildi. lmleri arasndaki Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al diyodu MIS(metal-yaltkan-yariletken) yaps ile

46

uyumlu davran gstermektedir. letken polimer PNpClPhPPynin metal yariletken diyotlarn cihaz dzenleme uygulamalarnda kullanlabilecei sylenebilir.

47

6. KAYNAKLAR

Aldemir, D.A. 2007. Al/P2ClAn(C2H5(COOH))/P-Si/Al yaplarda akm-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi. Sleyman Demirel niversitesi Fen bilimleri Enstits, Yksek Lisans Tezi, 52, Fizik anabilim dal. Aydoan, ., Gll, ., Trt, A., 2008. Fabrication and Electrical Properties of Al/ aniline gren / n-Si / AuSb structure. Materials Science in Semiconductor Processing, 11, 5358. Bardeen, J. and Brattain, W.H., 1948. Physical principles nvolved in transistor action. Physical Review Letters. 74, 231. Bethe, H.A., 1942. Massachusetts Institute of Technology Radiation Laboratory. Report 43. Bohlin, K. E. 1986. Generalized Norde plot including determination of the ideality factor. J.Appl. Phys. 60, 1223. Braun, K.F., 1874. On the current conduction in metal sulphides. Physical Chemistry. 153, 556. Card, H.C. and Rhoderick, E.H. , 1971. Studies of tunnel MOS diodes II. Thermal equilibrium considerations. Journal of Applied Physics D, 4. Chandra, M.M. and Prasad, M., 1983. Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures. Physica. Status Solidi. A, 77 (2). pp. 715-719. Cheung, S. K. , Cheung N. W. Extraction of Schottky diode parameters from forward currentvoltage characteristics. Applied Physics Letters, 49(2): 85; Applied Physics Letters, 49 (1986) 85. Crowell, C.R. and Sze, S.M., 1966. Schottky barrier characteristics at low temperature. Solid State Electronics, 9, 1035. Forrest, S.R., M.L. , Schmidt, P.H. , Feldmann, W.L., Yanowski, E., 1982. Organic on organic semiconductor contact devices, Applied Physics Letters, 41(1), 90 -93. Kanbur, H., Altndal, S., Tatarolu, A., 2005. The effect of interface states, excess capacitance and series resistance in the Al/SiO2/p-Si Schottky diodes. Applied Surface Science. 252, 1732 1738. Mott, N. F. Davis, E. A. Electronic Process in non-Crystalline Materials, Calendron Press,Oxford, 1979. Neamen, D. A., 1992, Semiconductors Physics and Devices, R.R. Donnelley & Sons Company. Sydney. Norde., H., 1978. A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance. Journal of Applied Physics, 50(7). July, 1979.

48

zdemir, A. F., Trt, A., Kkce, A., The interface state energy distribution from capacitancefrequency characteristics of goldyn-type Gallium arsenide Schottky barrier diodes exposed to air, Thin Solid Films 425 (2003) 210215. Pandey, S., Kal, S., 1998. A simple approach to capacitance technigue for determination of interface state density of a metal semiconductor contact, 42 (6), 943 -94. Rhoderick, E.H., Williams, R.H., 1988. Metal semiconductor contacts, Clarendon Press (Oxford), 2575. Oxford. Schottky, W., 1914. Phys. 215. Sullivan, J. P. , Tung R. T. , Pinto M.R., Graham W. R. Electron transport of inhomogeneous Schottky barriers, a numerical study. Journal of Applied Physics, 1991. 70 7403-7407. Sze, S.M., 1981. Physics of semiconductor devices, 2nd edition, Willer, 245s. New York. Tung, R.T., 1992. Electron transport at metal semiconductor interface: General Teor. Physical Review, B 45 (23) 13509. Trt, A. And Salam, M., 1992. Determination of the density of Si-metal interface states and excess capacitance caused by them. Physica B, 179. 285-294. Trt, A., Salam, M., Efeolu, H., Yaln, N. Yldrm, M. And Abay, B., 1995. nterpreting the nonideal reverse bias C-V characteristics and importance of the dependence of Schottky barrier height on applied voltage. Physica B, 205, 41. Torrey, H.C., Whitmer C.A., 1948. Crystal Rectifiers, Mc Graw Hill. Yakuphanolu, F. Kandaz, M. Senkal, B. F.2008. Current- voltage and capacitancevoltage characteristics of Al / p-type slicon / organic semiconductor based on phthalocyanine rectifier contact. Thin Solid Films, 516, 87938796. Zeyrek, S., Altndal, ., Yzer, H., Blbl, N.M., 2006. Current transport mechanism in Al/Si3N4 /p-Si (MIS) Schottky barrier diodes at low temperatures. Applied Surface Science, 252, 2999-3010. Ziel, A. V., 1968. Solid State Physical Electronics, 2nd Edn., Prentice Hall, 245s. New Jersey.

49

ZGEM

Ad Soyad

: Sinem GRKAN AYDIN

Doum Yeri ve Yl : Adapazar, 27.09.1984 Medeni Hali Yabanc Dili : Evli : ngilizce (leri Seviyede)

Eitim Durumu (Kurum ve Yl):

Lise Lisans

: Karasu ehit stemen brahim Abanoz Lisesi, 1998 2002 : Sleyman Demirel ni., Fen Ed. Fak. Fizik Bl. 2003 2007

Yksek Lisans: Sleyman Demirel ni., Fen Bil. Enst., Fizik Anabilim Dal, 2007 alt Kurum/Kurumlar ve Yl:

Kampus Dershanesi, Isparta - 2007 Bat Dershanesi, Isparta - 2008 Zafer Dershanesi - 2009
Yaynlar (SCI ve dier makaleler):

123-

50