FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

1. Materiales conductores, semiconductores y aislantes

Materiales Conductores: Los materiales conductores son aquellos materiales cuya resistencia al paso de la corriente es muy baja. En general podemos denominar material conductor a cualquier sustancia o material que sometido a una diferencia de potencial elctrico proporciona un paso continuo de corriente elctrica. En general todas las sustancias en estado slido o lquido poseen la propiedad de conductividad elctrica, pero algunas sustancias son buenos conductores, las mejores sustancias conductoras son los metales. Entre los materiales considerados buenos conductores estn los metales, el agua y algunos cristales. Estos materiales aseguran que la electricidad pueda fluir libremente en un circuito. Ejemplo claro el cobre es uno de los electricidad. principales conductor de Los mejores conductores son los elementos metlicos el ms

utilizado de todos los metales en cualquier tipo de circuito elctrico es el cobre (Cu), por ser relativamente barato y buen conductor de la electricidad, al igual que el aluminio (Al). Sin embargo, los mejores metales conductores son el oro (Au) y la plata (Ag), aunque ambos se utilizan muy limitadamente por su alto costo.

Materiales Semiconductores: Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. Como por ejemplo est el Silicio, el Selenio, el Germanio, entre otros. Por otra parte los materiales semiconductores son aquellos que estn situados entre los conductores y los aislantes. sea tienen un menor coeficiente de conductividad que los materiales conductores, y un mayor coeficiente de conductividad que los materiales aislantes. Los materiales semiconductores estn localizados en el grupo IV de la tabla peridica.

Materiales Aislantes: Se utilizan para cubrir un elemento de una instalacin elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que resiste el paso de la corriente a travs del elemento que recubre y lo mantiene en su trayectoria a lo largo del conductor

1. Electrones y huecos.

Huecos, Ausencia de un electrn en un enlace covalente. Su carga asociada es la del electrn con signo +. Hueco: Enlace covalente roto A 0 K los semiconductores intrnsecos son aislantes. A temperatura ambiente existen electrones libres y huecos resultantes del aporte de energa trmica. El mecanismo de desplazamiento de un hueco no implica electrones libres y supone un movimiento de cargas positivas. En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones libres (n) es igual a la de huecos (p) e igual a su vez a la concentracin intrnseca. n = p = ni 2. Concepto de Barrera Potencial. La barrera de potencial finita es un problema modelo mono-dimensional que permite demostrar el fenmeno del efecto tnel. Para ello se resuelve la ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo para una partcula que incide sobre una barrera de potencial. Desde el punto de vista clsico, si la energa de la partcula es menor que la barrera siempre ser reflejada, es decir, rebotada. Mientras que si la energa es mayor que la de la barrera siempre la pasar. El comportamiento cuntico esperado es muy diferente del clsico. De hecho sucede que cunticamente hay siempre una probabilidad finita de que la partcula "penetre" la barrera y contine viajando hacia el otro lado, incluso cuando la energa de la partcula es menor que la de la barrera. La ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo en una dimensin es

dondeH es el Hamiltoniano,

es la constante de Planck reducida, m es la masa de la

partcula, E es la energa de la partcula.

3. Distribucin de las cargas por niveles y Energa.

4. Nivel ferm, impurezas, donadoras y aceptadoras.

Semiconductor extrnseco: Semiconductor contaminado con tomos de otro material. Semiconductor extrnseco tipo n: Semiconductor contaminado con impurezas donadoras (elementos qumicos pentavalentes como por ejemplo el Sb, P, As del grupo VA de la tabla peridica). Semiconductor extrnseco tipo p: Semiconductor contaminado con impurezas aceptadoras (elementos qumicos trivalentes como por ejemplo el B, Ga, In del grupo IIIA de la tabla peridica).

Ley de accin de masas A una temperatura T de equilibrio trmico se cumple que: n . p = ni^2 ni => concentracin intrnseca. Aumenta con la temperatura. Semiconductor tipo n: e- (n) -> portadores mayoritarios -> nn Huecos (p) -> portadores minoritarios -> pn Semiconductor tipo p: e- (n) -> portadores minoritarios -> np Huecos (p) -> portadores mayoritarios -> pp Las impurezas aumentan la conductividad. 5. Movilidad y conductividad. = n . q . => conductividad [1/( . m)] Modelo de cargas de un metal: Regin que contiene una red peridica tridimensional de iones pesados fuertemente enlazados rodeados de una nube de gas electrnico. Al aplicar un campo elctrico se cumple la 1 ley de Newton: a = F/m = q . E/m Hasta que se llega a un equilibrio con la energa perdida en las colisiones y se llega a una velocidad media constante (similar a lo que ocurre con el rozamiento): vmedia = . E => movilidad de los electrones [m2/V . s]

6. Efecto HALL El cientfico alemn Klaus von Klitzing obtuvo, en 1985, el Premio Nobel de Fsica por el descubrimiento del efecto Hall cuntico. Efecto Hall es conocido como la medicin del voltaje transversal en un conductor cuando es puesto en un campo magntico. Mediante esta medicin es posible determinar el tipo, concentracin y movilidad de portadores en silicio. El electromagnetismo ensea que un campo electromagntico variable en el tiempo slo penetra en un conductor hasta una profundidad del orden del espesor pelicular. El Efecto Hall permite la penetracin de un campo magntico rotante y la generacin de corriente. El efecto Hall consiste en que en un metal o semiconductor con corriente, situado en un campo magntico perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo elctrico transversal y un diferencia de potencial. La causa del efecto Hall es la desviacin que experimentan los electrones que se mueven en el campo magntico bajo la accin de la fuerza de Lorentz. Aplicaciones: Medida tipo de semiconductor (n o p) segn el signo de la tensin de Hall Medida de la densidad de carga = (B . I)/(w . VH) Medida de la movilidad y conductividad Medida de campo magntico B = . w . (VH/I) Multiplicador de efecto Hall VH = (1/ . w) . B . I

7. Densidad de carga y gradiente de difusin dentro de un semiconductor. Ley de accin de masas: n . p = ni^2 Ley de la neutralidad elctrica (n cargas + = n cargas -): p + ND = n + NA Semiconductor tipo n: NA = 0 => n = ND + p ND nn ND ; como nn . pn = ni^2 => pn = ni^2 / ND 8. Potencia de una unin abrupta en un circuito abierto. 9. Propiedades elctricas del germanio y del silicio.

10. Caracteristias de la unin P-N.

Conclusin Este mtodo est siendo utilizado para producir corriente necesaria en experimentos de fusin nuclear por confinamiento magntico.