Diyotlar yapm tekniine bal olarak; 1) Nokta temasl diyotlar, 2) Yzey birlemeli diyotlar olmak zere iki gruba

ayrlr. Diyotlar yapmlarnda kullanlan malzemeye gre; 1) Germanyum diyotlar, 2) Silisyum diyotlar olmak zere iki gruba ayrlr. Diyotlar kullanm alanlarna gre ise, 1) Zener diyotlar, 2) Ik yayan diyotlar, 3) Varaktr (Varikap) diyotlar, 4) Tunnel diyotlar, 5) Foto diyotlar, 6) Kristal diyotlar, 7) Schottky diyotlar, 8b) PIN diyotlar gibi ok eitli ekillerde isimlendirilirler.

ZENER DYOTLAR
Zener diyot, ters polarma altnda alan ve gerilim reglasyonunda kullanlan bir diyot eididir. PN birleiminin terspolarma altndaki krlma noktasndan yararlanlarak gelitirilmi zel diyotlardr. Zener diyotlar doru polarma altnda bir kristal diyot gibi (Germanyum 0.3V, Silisyum 0.7V) iletime geer.

ekil 4.1: Zener diyodun (a) Sembolleri (b) Ters polarmas (c) Karakteristii Zener blgesinin konumu, katklama dzeyleri deitirilerek ayarlanabilir ve eklenen katk maddelerinin says artrlarak zener potansiyeli deitirilebilir. Zener diyotlarn yapmnda genelde, yksek scaklk ve akm kapasitesi nedeniyle silisyum tercih edilir. Zener diyodunun tam edeer devresi ekil 4.2a`da gsterildii gibi kk bir dinamik direnten ve zener potansiyeline eit bir DC kaynaktan oluur. Ancak, zener edeer direnci kullanlan harici direnlerden ok kk olduu iin ihmal edilerek, uygulamalarda ekil 4.2b`deki yaklak zener edeer devresi kullanlacaktr.

ekil 4.2 : (a) Zener tam edeer devresi (b) Zener yaklak edeer devresi

Aadaki tabloda 500mW ve % 20 ile tanmlanan 1N961 zener diyoduna ait elektriksel karakteristikler verilmitir. Tablo 4.1: Elektriksel karakteristikler (Aksi belirtilmedike 25C ortam scaklnda) Zener Jedec tipi Anma Gerilimi VZ (V) 1N961 10 Teot Akm IZT (mA) 12.5 Max. Dinamik Max. Dinamik Max. Bklme Empedans (A) 10 Test VR (V) 7.2 Test VR (V) 32 Tipik Scaklk Katsays (% / oC) +0.072

Empedans Empedans (W) 8.5 (mA) (W) 700 0.25

Gerilimi Gerilimi

IZT`de ZZT IZT`de ZZT IZK`da ZZK

Bu karakteristik deerleri ekil zerinde gsterecek olursak aadaki zener karakteristii elde edilir.

ekil 4.3 : Zener test karakteristii (1N961)

IIK YAYAN DYOTLAR (LEDLER)

Ik yayan diyot (LED), adndan da anlalaca gibi enerji verildii zaman grlebilir bir k yayan diyottur. Genel olarak krmz, sar ve yeil olmak zere deiik renkte yaplrlar. alma akmlar 5 mA ile 50 mA arasndadr. alma gerilimleri ise, sras ile krmznn 1.5V, sarnn 1.8V, yeilin 2.2V civarndadr. LED diyotlarn verdikleri k rengi ve n dalga boyu, yapmlarnda kullanlan katk maddelerinin oranlarna baldr. Katk maddeleri ve oranlar deitirilerek istenilen renkte ve istenilen dalga boyunda LED diyotlar yaplabilir. Galyum Arsenit (GaAs) katks ile gerekletirilen diyot, kzl tesi yani gzle grlmeyen diyottur. Infrared diyot yada ksaca IRED diyot olarak da anlr. Katk maddesi ayarlanarak gerekletirilen hzl GaAs IRED diyotlar, MHz`lere varan frekans bantlarnda, fiberoptik kablolu optik veri aktarma sistemlerinde kullanlrlar. LED diyot deyimi ise genelde gzle grlebilir dalga boyunda k veren diyotlar iin kullanlr. Galyum Arsenit Fosfat (GaAsP) ve Galyum Fosfat (GaP) katklar deiik

oranlarda gerekletirilerek krmzdan yeile kadar deiik renklerde grnr k veren LED`ler yaplr.

ekil 4.4 : LED diyodun (a) Sembol (b) Balant emas ekil 4.4de grld gibi LED diyot doru polarmalandrld zaman, enerji seviyeleri farkl elektron ve oyuklar birleebilmek iin enerjilerinin bir ksmn vermek zorunda kalrlar. Elektronlar bu enerjilerini s ve k eklinde ortama verirler. Eer PN birleimi effaf plastik bir klfla kaplanrsa, PN yapda elektron-oyuk birleimi annda harcanan enerji k eklinde ortama yaylr. LED diyotlarn, elektronik devrelerde kullanm alanlar iki grupta toplanabilir. Bunlar; 1) Bir elektronik devrede gerilimin varln, polaritesini ve seviyesini gstermek iin kullanlrlar. 2) Dijital sistemlerde harf ve rakamlar gstermek iin kullanlrlar. Harf, rakam ve zel iaretleri gstermek iin kullanlan ve bir gvdeye yerletirilmi LED gruplarna display (gsterge) ad verilir. Displayler de kullanm yerlerine gre; 7 paral gsterge, matriks gsterge, ok paral gsterge gibi adlar alrlar. alma akm ve gerilim deerlerine dikkat edilmek artyla LED`ler istenilen gerilim deerlerinde istenilen balant eklinde altrlabilirler.

VARKAP(Deiken Kapasiteli) DYOT

Bu tip diyotlar zerine uygulanan ters yndeki gerilimin deerine bal olarak, ular arasnda grlen kapasitif deeri deien diyotlardr. Bu yzden elektronik devrelerde deeri ularndaki voltajla deien kondansatr olarak kullanlrlar. Normal bir P-N birleimli diyot ters ynde kutuplandnda, gei blgesi genilii artar. Gei blgesi iinde N tipi blge pozitif, P tipi blge ise negatif yke sahiptir. Gei blgesinin genilemesi ile burada aa kan yk miktarda artar. Aa kan yk miktar direkt olarak diyot ularna uygulanan ters ynl gerilim deerine bal olduundan, birleim yzeyinde bir kapasite ortaya kar. Bu kapasiteye birleim(jonksiyon) kapasitesi ismi verilir. Bu kapasitenin deeri diyot ularna uygulanan ters ynl voltajla ters orantl olarak deiir. Yani gerilim artarsa kapasite der. nk diyot ularna uygulanacak ters ynl gerilim deerinin artmas, gei blgesinin genilemesine neden olur. Bildiimiz gibi kapasitif etki iki iletken arasndaki mesafe ile ters orantl olduundan, diyotun kapasiteside decektir. Bu diyotlar zellikle radyo ve televizyonlarda kanal ayar amac ile kullanlr. Daha nceden belirlenen farkl deerdeki gerilimler diyot ularna ters ynl olarak uygulanarak, farkl frekanstaki kanallar seilebilir. Varikap diyotun sembol ekil 4.5de verilmitir.

ekil 4.5 : Varikap diyotun sembol

TUNNEL DYOTLAR
ekil 4.6 tipik bir tunnel diyotun semboln ve akm-gerilim(I-V) karakteristiini gstermektedir. Tunnel diyotlar olduka zenginletirilmi germanyum(Ge) veya galyum arsenik(GaAs) maddelerinden yaplm, P ve N tipindeki iki yariletkenin yzey birlemesine tabi tutulmas ile elde edilirler. Dolays ile ileri(doru) ynde kutuplandrldklarnda ok kk gerilimlerde dahi iletime geerler. Grafikte grlen Vp voltajnn altnda kalan ok kk voltaj deerlerinde bir iletken gibi davranr ve zerinden byk bir akm akar. zerine uygulanan voltaj Vp deerini at anda diyot negatif dirence sahip bir eleman gibi davranr ve gerilim arttka direnci artar. Buna bal olarak zerinden geen ileri yn akm azalr. Bu durum Vv voltaj deerine kadar devam eder. Bu voltaj deerinden sonra tunnel diyot normal bir diyot gibi almaya balar. Uygulama devrelerinde tunnel diyot grafik zerinde gsterilen negatif diren blgesinde altrlr. Bylece zerine uygulanan gerilim deeri dtnde, zerinden geen akm miktarn arttrr. Bu durum zellikle L-C devrelerinde osilasyonun devamll iin kullanlr. Bylece LC devresindeki voltaj deeri azaldnda, devreye artan miktarda akm pompalayarak, osilasyonun(salnmn) devamlln salar.

ekil 4.6 : Tunnel Diyodun sembol ve karakteristik erisi

FOTODYOT
Normal bir diyot ters ynde kutuplandnda, akan ters ynl akm sznt akmdr ve deeri ok kktr. Bu akma aznlk akm tayclar neden olur ve eer dardan mdahale edilmez ise deeri ok kk olur. Bu akm arttrmann yolu dardan bir enerji vererek valans balarnn koparlmas ve dolays ile aznlk akm tayc saylarnn arttrlmas ile mmkndr. Bu enerji s enerjisi olabildii gibi, k enerjiside olabilir. Bu amala bir mercek vastas ile toplanan k enerjisi, tam birleim yzeyine odaklanarak valans balar koparlp, aznlk akm tayclar says ve buna bal olarakta ters yn akm arttrlabilir. Bu tr diyotlara fotodiyot denir. Bu diyotlar elektronik devrelerde ters ynde kutuplanarak k iddeti lme ve kla kontrol devrelerinde k iddeti ve dalga boyunu deiken akma eviren dntrcler olarak kullanlrlar.

ekil 4.7 : Fotodiyot sembol

SCHOTTKY DYOTLAR
ekil 4.8de sembol ve yaps grlen schottky diyotlar, yksek anahtarlama hzlarna ihtiya duyulan bilgisayarlar ve radyo frekans devrelerinde dorultma amac ile kullanlrlar. Diyot yaps yukardaki ekilden de grld gibi ilgin bir zellik gsterir. Yapsnda az bir oranda katklandrlm(genellikle N tipi) silisyum(Si) ve bununla yzey temasna tutulmu bir metal(genellikle altn, gm veya platin) vardr. Bu diyot yapmnda P tipi madde olmadndan ileri yn polarmas altnda valans band iletimi sadece N tipi madde ve metal iletim bandnda oluur. Bu yzden iletime geme hzlar olduka yksektir. N tipi madde ierisindeki elektronlarn sahip olduklar enerji seviyeleri metale gre daha dk seildiinden, diyotun iletime gemesi iin bir ileri yn polarmasna(gerilimine) ihtiya vardr. Bu dizayn ekli, ileri yn polarmasnn diyot zerinden kaldrld durumda, birleim yzeyinin yksek seviyede arj tutmasna engel olur. Bylece diyot ok hzl bir ekilde iletim durumundan kesim durumuna geirilebilir. rnein 30 MHz(30000000 Hz) frekansnda alan normal diyotun 10 nsde kesime gittiini dnsek bile, sinyalin bir alternans 16.7 ns olacandan bu sinyalin byk bir ksmnda iletim durumunda kalacak ve grevini yapamayacaktr. Schottky diyotta ise bu durum sz konusu deildir.

ekil 4.8 : Schottky diyodun sembol ve yaps

PIN DYOTLAR
PIN diyotlar ekil 4.9da grld gibi katk bakmndan zenginletirilmi P ve N tipi iki yar iletken arasna saf bir yar iletken yerletirilmek sureti ile elde edilirler. leri ynde kutuplandrldnda deiken bir diren gibi, ters ynde kutuplandrldnda ise yaklak olarak sabit bir kondansatr gibi davranrlar. leri ynde geen akm miktar arttka, saf haldeki maddenin direnci azalr. Bu diyotlar doru ynde kutuplandrlarak yksek frekansl radyo sinyallerinin genliini, dk frekansl ses frekanslarnn genliine bal olarak deitirmek yani genlik modlasyonu yapmak amac ile kullanlrlar. Yine ileri yndeki akm deitirilerek, deiken diren ihtiyacnn olduu elektronik devrelerde kullanlrlar.

ekil 4.9 : PIN diyodun yaps ve karakteristii Transistrler zel teknikle diyot yapsna nc bir tabaka (P tipi veya N tipi) ilave edilerek oluturulan ulu elemana transistr ad verilir. Bu nc u sayesinde elde edilen yeni elemanla d devre akmlar, devre yk ve kaynak voltaj deitirilmeden kontrol edilebilir. Transistrler yapm tekniine gre; a) Nokta temasl transistrler, b) Yzey birlemeli transistrler olarak iki grupta toplanabilir. Yzey birlemeli transistrler; transistrn yapmnda kullanlan maddelerin says ve yapm tekniine gre; a) Bipolar transistrler (BJT), b) Foto transistrler , c) Unijonksiyon transistrler (UJT), d) Alan etkili transistrler (FET), e) Metal oksit yariletken alan etkili transistrler (MOSFET) diye gruplandrlabilir. Transistrler, elektronik devrelerde sinyal ykseltme veya anahtarlama yapan yariletken devre elemanlardr. Pasif elemanlarca ve diyotlarda olmayan sinyal ykseltme zelliine sahip olduklar iin aktif devre eleman diye isimlendirilirler.

BPOLAR JONKSYON TRANSSTRLERN YAPISI

Bir bipolar yzey birlemeli transistr, iki N ve bir P tipi malzeme tabakasndan veya iki P ve bir N tipi malzeme tabakasndan oluan katmanl bir elemandr. lkine NPN transistr, ikincisine ise PNP transistr denmektedir. ekil 5.1de PNP ve NPN tipi transistrlerin yaplar grlmektedir. Transistr ayaklarnn isimleri ekil 5.1de de grld gibi emiter (Emitter), kollektr (Collector) ve beyz (Base) olarak adlandrlr. Transistrn tipini (PNP veya NPN) belirtmek iin emiter ucu kullanlr. Ok dar ise NPN, ok ieri ise PNP tipi transistrdr. Yariletken sembollerindeki ok ayn zamanda yapdaki N tipi maddeyi veya akm ynn gsterir.

ekil 5.1 : PNP ve NPN tipi transistrn yaplar E : Emiter ucu K : Kollektr ucu B : Beyz ucu IE : Emiter akm IC : Kollektr akm IB : Beyz akm Bipolar (iki kutuplu) transistrn ksaltlmas olan BJT terimi; bu ulu eleman iin sk sk kullanlmaktadr. ki kutupluluk terimi elektron ve oyuklarn, zt polarizasyonlu malzemedeki enjeksiyon ilemine katldklarn gstermektedir. NPN veya PNP transistr yapsnda emiter blgesi youn katkl beyz blgesi emitere gre ok ince (1/100 gibi) ve az katkl, kollektr blgesi ise emitere gre byk yapl ve normal katkl gerekletirilir.

BPOLAR JONKSYON TRANSSTRN ALIMASI

Transistrn grevini yapabilmesi iin ularna uygun yn ve deerde DC gerilim verilmesi gerekir. Uygulanan bu DC gerilime transistrn polarma gerilimi, ileme de transistrn polarmalandrlmas denir. Bir transistrn aktif ykseltme ilemini yapabilmesi iin; beyz-emiter aras doru, beyzkollektr aras ters polarmalandrlmaldr. Dier bir deyile, eer transistr PNP tipinde ise beyzi emitere gre negatif, kollektre gre ise pozitif bir voltaj deerinde olmaldr. Ayn ekilde NPN trqansistr iin ise, beyzi emitere gre pozitif, kollektre gre ise negatif bir voltaj deerinde olmaldr. Bu kurala transistrn aktif alma art da denir.

ekil 5.2 : (a) PNP tipi transistrn doru polarmalandrlm (b) NPN tipi transistrn doru polarmalandrlmas Bu aklamalardan sonra bir transistrn almas, ekil 5.2a`daki PNP tipi transistr gznne alnarak anlatlacaktr. NPN tipi transistrn almas ise, elektron ve oyuklarn rolleri karlkl olarak yer deitirildiinde PNP transistr ile ayn olmaktadr. ekil 5.2a`daki PNP transistr beyz-kollektr ngerilimlemesi olmadan ekil 5.3a`da yeniden izilmitir. Bu durumda boaltlm blgenin genilii uygulanan ngerilimleme nedeniyle azalmtr ve dolaysyla P tipi malzemeden N tipi malzemeye byk bir ounluk tayc ak olacaktr. ekil 5.3b`de ise beyz-emiter ngerilimlemesi olmadan ekil 5.2a`daki PNP transistrn yeniden izilmi hali grlmektedir. Bu durumda ounluk tayclarnn ak sfrlanp, yalnzca aznlk tayc ak olacaktr.

ekil 5.3 : (a) PNP transistrn ileri ngelimli jonksiyonu (b) PNP transistrn ters ngelimli jonksiyonu ekil 5.4`de her iki ngerilimleme potansiyeli bir PNP transistrne uygulanmtr. Burada grld gibi, ok sayda ounluk taycs, ileri ngerilimli PN jonksiyonunu difzyon yoluyla aarak N tipi malzemeye ulamaktadr. Bu tayclarn dorudan IB beyz akmna m katkda bulunduklar yoksa dorudan P tipi malzemeye mi getikleri sorusu gndeme gelmektedir. Arada kalan N tipi malzeme, ok ince ve iletkenlii dk olduu iin ok az sayda tayc, yksek dirence sahip bu yolu izleyerek beyz ucuna ulaacaktr. Tipik olarak

mA dzeyindeki beyz akm, emiter ve kollektr akmlarnda grlen mA dzeylerine oranla ok kktr.

ekil 5.4 : Bir PNP transistrde ounluk ve aznlk tayclarnn ak ekil 5.4`de gsterildii gibi, ounluk tayclarnn ters ngerilimli jonksiyon zerinden difzyon yoluyla kollektrn ucuna bal P tipi malzemeye geeceklerdir. Ters ngerlilimli jonksiyona enjekte edilen ounluk tayclarnn N tipi malzemede aznlk taycs olarak grnmesi, ounluk tayclarnn ters ngerilimli jonksiyon zerinden kolaylkla gemelerini salamaktadr. ekil 5.4`deki transistr tek bir dm olarak kabul edilerek Kirchhoff akm yasas uygulanrsa;

(5.1) elde edilir. Ancak kollektr akm ounluk ve aznlk tayclar olmak zere iki bileenden olumaktadr. Aznlk akm bileenine kaak akm denir ICO sembolyle gsterilir (emiter ucu akken akan IC akm). Bu nedenle kollektr akm eitlik 5.2 ile belirlenir.

(5.2) Genel amal transistrlerde, IC mA dzeyindeyken, ICO A veya nA dzeyindedir. Ters ngerilimlenmi diyotlardaki IS akmnda olduu gibi, Ico akm da scakla kar duyarldr ve geni scaklk aralklarna sahip uygulamalar szkonusu olduunda dikkatle incelenmelidir. Gerekli nem verilmezse yksek scaklklarda sistemin kararln nemli lde etkileyebilmektedir. Yapm tekniklerinde salanan ilerlemelerle Ico dzeyleri, etkilerinin ihmal edilebilecei noktalara kadar drlmtr. ekil 5.2`de NPN ve PNP transistrleri iin grlen devre, beyzin hem giri (emiter) hem de k (kollektr) ularnda ortak olmas nedeniyle ortak beyzli devre olarak anlmaktadr. Ortak beyzli devrede sabit VCB deerleri iin IC`deki kk bir deimenin deki kk bir deiime olan oran ortak beyzli ksa devre ykseltme faktr olarak tanmlanmakta ve a (alfa) sembolyle gsterilmektedir.

 (5.3) Tipik a deerleri, 0.90 ile 0.998 arasnda deimektedir. Pratik uygulamalarn ounda deeri aadaki formlle belirlenebilir:

(5.4) Burada IC ve IE srasyla, transistr karakteristii zerinde bulunan, belli bir noktadaki emiter ve kollektr akm deerleridir. Denklem (5.3) ve (5.4), transistr karakteristikleri veya devre koullarndan a deerini bulmak iin kullanlr. Ancak a deeri, sadece ekil 5.4`n P tipi emiter ucundan kp kollektr ucuna ulaan oyuklarn (ounluk tayclarnn) yzdesini gsteren bir ldr. Bu nedenle IC akm aadaki formlle ifade edilebilir.

(5.5)

ekil 5.5 : Bir NPN transistrde ounluk ve aznlk tayclarnn ak ekil 5.5de bir NPN transistrnn almas canlandrlmtr. Eer devre zerinde bulunan S anahtar kapatlrsa(zerine tklanarak), devrenin almas incelenebilir. A) ORTAK BEYZL DEVRE Beyzin, hem giri hem de k ularnda ortak olarak kullanlmasyla oluan devrelere, ortak beyzli devre denir. Ortak beyzli devrede, uygulanan potansiyeller, beyz potansiyeline gre VEB ve VCB eklinde isimlendirilirler. Baka bir deyile, indisin ikinci harfi daima transistrn devre tipini belirtmektedir. Her durumda indisin ilk harfi, ekil 5.6`de de gsterildii gibi daha yksek potansiyele sahip noktay tanmlar. Bu nedenle PNP transistr iin ekil 5.7`daki karakteristikde belirtildii gibi, VEB pozitif ve VCB negatifdir (nk

VCB kayna, kollektr daha dk potansiyelde tutmaktadr). NPN tipi transistrde ise, VEB negatif ve VCB pozitifdir.

ekil 5.6 : Ortak beyzli devre iin kullanlan iaret ve semboller (a) PNP transistr (b) NPN transistr ekil 5.7a`daki k veya kollektr karakteristii, kollektr akmn, kollektrden beyze giden gerilime ve emiter akmna ilikilendirir. Kollektr karakteristii ekil 5.7a`da da gsterildii gibi iletim, kesim ve doyma blgelerine sahiptir. letim blgesinde kollektr jonksiyonu ters ynde, emiter jonksiyonu ise ileri ynde ngerilimlenmitir.

ekil 5.7 : Ortak beyzli PNP transistrnn karakterisrikleri (a) Kollektr veya k karakteristikleri (b) Emiter veya giri karakteristikleri Emiter akm (IE) sfr dzeyindeyken kollektr akm ekil 5.7a`da gsterildii gibi, ters doyma akm Ico`dan olumaktadr. Ico akm, IC`nin dey eksen leine (mA) gre o denli kktr ki (A), IC = 0 ile ayn yatay eksende grlmektedir. Ortak beyzli devrede IE = 0 durumunda grlen devre koullar ekil 5.8`de gsterilmitir. Ico iin bilgi sayfalarnda en sk kullanlan iaret, ekil 5.8`de de gsterildii gibi, ICBO`dr. Gelien yapm teknikleri sayesinde genel amal (zellikle silisyum) transistrlerde dk ve orta g aralklarnda ICBO dzeyi ihmal edilebilmektedir. Ancak, yksek g elemanlarnda ICBO yine A dzeyindedir. Buna ek olarak ICBO, ayn diyottaki IS akm (her ikisi de kaak akmdr) gibi, scakla kar duyarldr. Yksek scaklklarda herhangi bir dzeydeki g eleman iin, scaklkla beraber hzl bir ykselie gemesi sebebiyle nemli bir faktr olabilir.

ekil 5.7a`ya dikkat edilirse, emiter akm sfrn zerine knca kollektr akm da yaklak olarak, transistr akm denklemlerinde belirtildii gibi emiter akmnn artna eit bir artla ykselmektedir. Ayrca VCB`nin kollektr akm zerindeki etkisi, neredeyse ihmal edilebillir ldedir. Erilerden de aka anlalabilecei gibi, IE ve IC arasndaki iliki iletim blgesinde yaklak olarak

(5.6) kadardr.

ekil 5.8 : Ters doyma akm Kesim blgesinde, hem kollektr hem de emiter jonksiyonu ters ngerilimlenmitir. Bu da ekil 5.7 a`da gsterildii gibi ihmal edilebilir bir kollektr akmna yol amaktadr. Doyma blgesi ad verilen blgede ise kollektr ve emiter jonksiyonlar ileri ngerilimlenmitir. Bu da, kollektr-beyz potansiyelindeki kk deiiklere karlk kollektr akmnda stel deiimler oluturmaktadr. ekil 5.7b`de gsterildii gibi, giri veya emiter karakteristiklerinin sadece bir blgesi ile ilgilenilmektedir. Sabit VCB gerilimi altnda, emiter-beyz potansiyeli arttka emiter ekm da artmaktadr. Artan VCB dzeyleri ise, ayn akm salayacak ekilde, VEB dzeyinin azalmasna yol amaktadr. Yariletken silisyum diyotta olduu gibi, DC almada ileri ngerilimli beyz-emiter jonksiyonu iin VEB deeri yaklak olarak,

(5.7) bulunmaktadr. rnek 5.1 ekil 5.7`deki karakteristikleri kullanarak; (a) IE = 3mA ve VCB = -10V iin devredeki kollektr akmn (IC) bulunuz. (b) VEB = 750mV ve VCB = -10V iin devredeki kollektr akmn (IC) bulunuz. (c) IC = 5mA ve VCB = -1V iin VEB`yi bulunuz. zm :

(b) VEB = 750mV ve VCB = -10V deerlerindeki kesime noktasnda IE = 3,5mA`dir. Bylece IC ;

olarak belirlenir.

(c) IE = IC = 5mA`dir. Giri karakteristiinde IE = 5mA ve VCB = -1V`un kesime noktasnda VEB= 800mV = 0.8V olarak bulunur.

ekil 5.9 B) ORTAK EMTERL DEVRE ekil 5.10`da, PNP ve NPN transistrleri iin en sk rastlanlan transistrler devreleri gsterilmitir. Emiterin hem giri hem de k ularnda ortak kullanlmasyla oluan devrelere, ortak emiterli devre denir. (Bu durumda hem beyz hemde kollektr ular emiteri ortak olarak kullanr). ekil 5.10`da da grld gibi devrenin tipini belirtmek zere potansiyellerde, ikinci indis olarak E (emiter) harfi kullanlmtr. Transistr devre tipinin deimesine ramen, daha nce ortak beyzli devre iin gelitirilen akm denklemleri ortak emiterli devre iin de geerlidir.

ekil 5.10 : Ortak emiterli devre iin kullanlan iaret ve semboller (a) PNP transistr (b) NPN transistr

Giri akmnn (IB) deer aral iin, k akmnn (IC) k gerilimine gre grafii ortak emiterli devrenin k karakteristiini oluturmaktadr. Giri karakteristii ise, k geriliminin (VCE) deer aral iin, giri akmnn (IB) giri gerilimine (VBE) gre bir grafiidir. ekil 5.11`daki karakteristie dikkat edilirse, IC mA dzeyinde olmasna karn IB mA`ler dzeyindedir. Ayrca IB erilerinin, ortak beyzli devrelerde elde edilen IE erileri kadar yatay olmadna da dikkat edilmelidir. Bu olgu kollektr-emiter geriliminin, kollektr akmnn bykln etkilediini gsterir.

ekil 5.11 : Ortak emiterli NPN transistrnn karakterisrikleri (a) Kollektr karakteristikleri (b) Beyz karakteristikleri Ortak emiterli devrenin iletimde olduu blge, eksenin en byk dorusalla sahip paras; yani IB erilerinin hemen hemen dz ve eit aralkta olduu blgedir. ekil 5.11a`da bu blge VCE doyma noktasndaki dey kesik izginin sanda ve IB = 0 erisinin stnde kalan blmdr. VCE doyma noktasnn solundaki blgeye doyma blgesi denir. Iletim blgesinde

kollektr jonksiyonu ters ngerilimlli olmasna karlk, emiter jonksiyonu ileri ngerilimlidir. Ortak emiterli devrenin iletim blgesi, gerilim akm veya g ykseltmede kullanlabilir. Daha nce tartlan IB = 0 durumunu ele alr ve bu deeri denklem (5.8)`de yerine koyarsak;

(5.9) olarak tespit edilir. a = 0.996 iin,

bu da, IB = 0 erisinin yatay gerilim ekseninden dey doruda sapmasn aklamaktadr. lerde kullanmak zere denklem (5.9) ile tanmlanan kollektr akm, denklem (5.10)`daki gibi gsterilecektir.

(5.10) Yeni tanmlanan bu akm evreleyen koullar, buna ilikin referans yn ile birlikte ekil 5.12`de verilmitir.

ekil 5.12 : ICEO`a ilikin devre koullar ICEO`nun bykl silisyum malzemelerde germanyum malzemelerde olandan ok daha dktr. Benzer anma deerlerine sahip transistrlerde tipik ICEO deeri, silisyumda birka mA`ken, germanyumda birka yz mA olabilmektedir. Transistr bir bilgisayarn mantk devrelerinde anahtar olarak kullanldnda, kesim ve doyum blgesi olmak zere iki nemli alma noktasna sahip olmaktadr. Kesim durumu, seilen VCE gerilimi iin ideal olarak IC = 0 ile belirlenmi olmaldr. ICEO, silisyum malzemelerde tipik olarak dk olduu iin, anahtarlama amacna ynelik kesim, yalnzca silisyum transistrlerde IC = ICBO veya IB = 0`da gereklemektedir. Germanyum transistrlerde ise anahtarlama amacna ynelik kesim, ICEO = ICEO = ICO koullar altnda tanml olmaktadr. Bu koul, germanyum transistrlerde, normalde ileri ngerilimli beyzemiter jonksiyonunu, gerilim deerinin onda biri-ikisi kadar ters ngerilimleyerek elde edilebilir. rnek 5.2

ekil 5.11`daki karakteristikleri kullanarak; (a) VBE = 800mV ve VCE = 10V`a karlk gelen IC deerini bulunuz. (b) IC = 4mA ve IB = 40mA`e karlk gelen VBE ve VCE deerlerini bulunuz. zm : (a) Giri karakteristiinde, VBE = 800mV ile VCE = 10V`un kesitii noktadan IB = 50mA gibi bir deer bulunur. k karakteristiinde ise, IB = 50mA ve VCE = 10V`un kesitii noktadan, IC = 5.1mA deerinde bir akm elde edilir. (b) k karakteristiinde, IC = 4mA ve IB = 40mA`in kesitii noktadan, VCE = 6.2V deerinde bir gerilim bulunur. Giri karakteristiinde ise, IB = 40mA ve VCE = 6.2V`un kesitii noktadan, VBE = 770 mV deerinde bir gerilim elde edilir. Daha nce bahsedildii gibi alfa (a) sembol, ortak beyzli devrenin ileri akm transfer oran iin kullanlmt. Ortak emiterli devrede, sabit bir kollektr-emiter geriliminde (VCE) kollektr akmndaki kk bir deiiklie kar beyz akmndaki deiikliin oran beta (b) sembol ile gsterilir ve genelde ortak emiter ileri ynde akm ykseltme faktr adn alr. b`nn deeri,

(5.11) formlyle verilir. Beta (b) deeri, yaklak olarak u formlden de bulunabilir:

(5.12) Burada IC ve IB, dorusal blgedeki (yani, ortak emiter karakteristiinin yatay beyz akm izgilerinin paralel ve eit aralkl olmaya en yakn olduklar yerde) belirli bir alma noktasnn kollektr ve beyz akmlardr. Denklem (5.12) ile belirlenen deere DC deer (IC ve IB sabit veya DC deerler olduu iin), Denklem (5.11) ile bulunan deere de AC veya dinamik deer denmektedir. Tipik deerleri 20 ile 100 arasnda deimektedir. Denklem (5.1), (5.4) ve (5.12) zerinde aadaki ilemleri yaparsak:

rnek 5.3 (a) ekil 5.11`daki karakteristikte VCE =10V ve IC = 3mA alma noktasndaki DC beta (b) deerini bulunuz. (b) Bu alma noktasyla ilgili a deerini bulunuz. (c) VCE =10V`a karlk gelen ICEO deerini bulunuz.

(d) (a) kkndan elde edilen bDC deerini kullanarak yaklak ICBO deerini hesaplaynz. zm : (a) VCE =10V, IC = 3mA ve IB = 25mA`in kesime noktasnda,

Ortak emiterli devredeki giri karakteristikleri, ortak beyzli devrenin karakteristiklerine ok benzemektedir (ekil 5.11). Her iki durumda da giri akmndaki art, ileri ngerilim potansiyelinin artmas sonucu beyz-emiter jjonksiyonunu geen ounluk tayclarnn artndan kaynaklanmaktadr. Ayrca k gerilimindeki deimelerin (ortak emiterli devre iin VCE ve ortak beyzli devre iin VCB) karakteristiklerde byk kaymalara yol amadna dikkat edilmelidir. Aslnda, genelde karlalan DC gerilim dzeylerinde, k u gerilimindeki deimeler nedeniyle beyz-emiter geriliminde meydana gelen deiimler, yaklak olarak ihmal edilebilir. Burada ortalama bir deer kullanlacak olursa, kollektremiter devresi iin ekil 5.13`deki eri elde edilir. Silisyum diyot karakteristikleriyle olan benzerliklere dikkat edilmelidir. Yariletken diyot tanmndan da hatrlanaca gibi DC analizinde ekil 5.13`deki eri, ekil5.14`deki eriyle gsterilmiti. Bu nedenle bir transistr yapsnn beyz-emiter gerilimi, DC analizde silisyum iin VBE = 0.7V ve germanyum iin de 0.3V olarak kabul edilebilir. Eer uygun polariteyle 0.7V ngerilimi (silisyum transistrler iin) salayacak yeterli gerilim yoksa, transistr aktif blgede olamaz. Ortak beyzli devrenin benzer giri karakteristikleri olduundan, DC analizinde karakteristiin iletim blgesinde ngerilimlenen bir BJT`nin beyz-emiter geriliminin VT olduu sonucu karlabilir. Ayrca kollektr-beyz devresinin k karakteristiinde IC = IB olduu daha nce gsterilmiti. Kollektr-emiter devresinde IC = bIB`dir ve b alma koullaryla belirlenir.

ekil 5.13 : VCE`nin ihmal edilmesi halinde ekil 5.11`in yeniden izilmesi

ekil 5.14 : DC analiz iin ekil 5.13`n yaklaklk yntemiyle yeniden izilmesi Uygulanan DC potansiyelleri iin uygun polariteyi belirlemek zere yaplmas gereken ilk ilem, nce ekil 5.15`de bir NPN transistr iin gsterildii gibi, IE ynn sembol zeerindeki ok yn ile eletirmektir. IE = IB + IC olduundan hem IB hem de IC ekildeki gibi gsterilmelidir. Bundan sonra gerekli tek ey, VBE ve VCE kaynaklarn, IB ve IC akmlarn gsterilen ynde itecek ekilde yerletirmektir (ekil 5.15). Bir PNP transistrnde ise, tm akmlar ve dolaysyla da tm kaynaklar ters evrilecektir.

ekil 5.15 : Ortak emiterli bir NPN transistrnn uygun ngerilimlenmesinin belirlenmesi C) ORTAK KOLLEKTRL DEVRE Ortak kollektrl devre, empedans uygunlatrma amacyla kullanlmaktadr. nk bu devre, yksek k empedansn dk k empedansna evirmektedir. Yani, ortak beyz ve ortak kollektrl develerin tam tersi zelliklere sahiptir.

ekil 5.16 : Ortak kollektrl devre iin kullanlan iaret ve sembolleri (a) PNP transistr (b) NPN transistr Ortak kollektrl devre genelde ekil 5.17`de gsterildii gibi emiterden topraa arada yk direnci bulunacak ekilde dzenlenir. Bu devrede transistr, ortak emiterli devreye benzer ekilde balanm olmasna karn kollektrn topraklanm olduuna dikkat edilmelidir. Pratik adan ortak kollektrl devrenin k karakteristii ortak emiterli devreninkiyle ayndr. Ortak kollektrl devrede k karakteristii, IB deer aralnda IE`nin VEC`ye gre grafiidir. Bu nedenle giri akm, hem ortak emiter hem de ortak kollektr karakteristiinde ayndr. Ortak kollektrll devrenin yatay gerilim ekseni, VEC = VCE olduu iin ortak emiter karakteristii kollektr-emiter geriliminin iareti deitirilerek elde edilir. Son olarak, ortak kollektr karakteristiinde IC yerine IE konulduu takdirde, ortak emiter karakteristiinin dey IC leinde hemen hemen fark edilemeyecek bir deiiklik meydana gelir (nk a = 1).

ekil 5.17 : Empedans uygunlatrma amacyla kullanlan ortak kollektrl devre

Ortak kollektrl devrenin giri devresine ilikin gerekli bilgiyi elde etmek iin ortak emiter karakteristii yeterlidir. Yaplmas gereken tek ey ekil 5.16`daki devreye Kirof gerilim yasasn uygulayarak uygun matematiksel ilemleri gerekletirmektir.