Gunes Pilleri Ve Verimleri Solar Cells and Their Efficiencies

GNE P LLER VE VER MLER
Aye zge KPEL
Yksek Lisans Tezi Fizik Ana Bilim Dal
2005
SOLAR CELLS AND THEIR EFFICIENCIES

Aye zge KPEL
Msc. Thesis Physics Department
2005
GNE P LLER VE VER MLER
Aye zge KPEL
Osmangazi niversitesi Fen Bilimleri Enstits Lisansst Ynetmelii Uyarnca Fizik Anabilim Dal Genel Fizik Bilim Dalnda Yksek Lisans Tezi Olarak Hazrlanmtr.
Danman: Yrd. Do. Dr. Derya PEKER
Temmuz 2005
Ayla KPEL ve Ali KPEL ye
iii
Aye zge KPEL nin YKSEK L SANS tezi olarak hazrlad GNE P LLER VE VER MLER balkl bu alma, jrimizce lisansst ynetmeliinin ilgili maddeleri uyarnca deerlendirilerek kabul edilmitir. .../.../2005
ye: ............................................................................... ye: ............................................................................... ye: ...............................................................................
Fen Bilimleri Enstits Ynetim Kurulu nun..............................................gn ve .........................................sayl kararyla onaylanmtr.
Prof. Dr. Abdurrahman KARAMANCIOLU Fen Bilimleri Enstits Mdr
iv
ZET Bu almada, Gne Pilleri ve Verimleri konusu ele alnmtr. almann banda gne pillerinin yapmnda seilen malzemeler olarak yariletkenlerin zellikleri incelenmitir. Daha sonra fotovoltaik dnm sistemleri, bu sistemlerin yaplarndaki p-n eklemleri ve alma ilkeleri aklanmtr. Fotovoltaik bir dnm sistemi olarak gne pilleri tanmlanmtr. Gne pillerinin optik, yapsal ve elektriksel zellikleri incelenerek snflandrlmalar yaplmtr. Bu almalarn ardndan, gne pillerinin verimlerinin belirlenmesinde kullanlan yntemler aklanarak verimleri incelenmitir. almann sonunda, gne pillerinin btn zellikleri ve verimleri gz nnde bulundurularak, gemiten gnmze kullanm alanlar ve uygulama yntemleri sralanmtr. Avantajlar ve dezavantajlar karlatrlarak, kullanmlarnn
yaygnlatrlmas gerektii sonucuna varlmtr. En son olarak, bu amala yaplabilecek almalar konusunda nerilerde bulunulmutur. Anahtar szckler: Fotovoltaik sistemler, Gne enerjisi, Gne pilleri.
SUMMARY In this study,Solar Cells and Their Efficiencies were considered. At the beginning of the study, the properties of the semiconductor materials in our research for production of solar cells were investigated and then, the photovoltaic systems, the p-n junctions in the structure of this system and working principles were also studied. As a photovoltaic transforming system, the solar cells were defined. The optical, structural and electirical properties of the solar cells were studied and they were classified. After these studies, the methods used for the determination of efficiencies of solar cells have been investigated and efficiency levels were also studied. At the end of the study, all of the properties and efficiencies of the solar cells were taken into account, their fields of using and application methods were classified. Advantages and disadvantages of them were compared and in conclusion has been reached that their usage should be expanded. Finally, some recommendations were given for the studies planned for this purpose. Key words: Photovoltaic systems, Solar energy, Solar cells.
vi
TEEKKR Bu almann bandan sonuna kadar, destek ve katklarn hibir zaman esirgemeyen sayn hocam Yrd. Do. Dr. Derya PEKER e ve ei Yrd. Do. Dr. Mehmet PEKER e en iten teekkrlerimi sunmay bir bor bilirim. Katklarndan dolay Raziye TEK N e, ukurova niversitesi Fizik Blm retim yeleri Yrd. Do. Dr. Cebrail GM ve Sleyman ABUK a teekkrlerimi sunarm. almalarmda salad kolaylklardan dolay nceki grev yerim Adyaman Teknik Lise ve Endstri Meslek Lisesi Mdr Sayn Mehmet ESEN e, Mdr Yardmclar Kazm ZBEY, Orhan Veli TURA ve Muhittin TUZCU ya, Elektrik Blm retmenleri Aziz CAMCI ya, Diner KOAK a ve tm okul personeline teekkrlerimi gndermekten byk zevk duyarm. altm kurum Krka ehit Halil Kara Lisesi Mdr Sayn Fethi Fahri KAYA ve tm okul personeline desteklerinden dolay teekkrlerimi sunarm. almamn her aamasnda maddi ve manevi yardmlarn fazlasyla grdm sevgili aileme; snav ncesi saladklar gzel tatil iin Hlya DALGALI ve Yusuf DALGALI ya, en byk desteklerimden biri yeenim Ozan a, eski dostum Mira KARAKO a, psikolojik ve teknik destek servisi olarak ylmadan alan sevgili arkadam Mehmet ALTU a, Burcu ZAYDIN, Bahar YAMAN ve emei geen dier btn arkadalarma; yanmdan hi ayrlmayarak bilgisayar masasnn altnda derin uykulara dalan kk kpeim Zibidi ye; adlarn bilmediim bilgisayar tamircilerine, kargo kuryelerine, postaclara, ktphane grevlililerine, bilgisayarma, kendime ve eline salk diyen herkese teekkr ederim. Son olarak; bize bilgiyi armaan ederek doann gizemini zme konusunda cesaret veren bilim adamlarna ve onlar bize balayan tarihe teekkr ederim.
vii
NDEK LER
Sayfa
ZET ....................................................................................................................... SUMMARY ............................................................................................................. TEEKKR ............................................................................................................. EK LLER D Z N ..................................................................................................
iv v vi xiv
ZELGELER D Z N ............................................................................................ xviii S MGELER VE KISALTMALAR D Z N ............................................................. xix
1. G R VE AMA ................................................................................................ 1.1. Giri .............................................................................................................. 1.2. Ama ...........................................................................................................
1 1 4
2. YARI LETKENLER N ZELL KLER ............................................................. 2.1. Giri ............................................................................................................. 2.2. Yariletkenler ............................................................................................... 2.3. Bant Yaps .................................................................................................. 2.3.1. Madde yaps .................................................................................... 2.3.2. Enerji Bantlar .................................................................................. 2.3.2.1. letkenlerin enerji bant modeliyle incelenmesi ................... 2.3.2.2. Yaltkanlarn enerji bant modeliyle incelenmesi ................. 2.3.2.3. Yariletkenlerin enerji bant modeliyle incelenmesi ............ 2.4. Yariletken Trleri .......................................................................................
6 6 7 8 8 10 14 15 16 16
viii
NDEK LER (devam)
Sayfa
2.4.1. Has yariletkenler ............................................................................. 2.4.2. Katkl yariletkenler ......................................................................... 2.4.2.1. n-tipi yariletkenler .............................................................. 2.4.2.2. p-tipi yariletkenler .............................................................. 2.5. Yariletkenlerin Elektriksel zellikleri ....................................................... 2.6. Yariletkenlerin Optik zellikleri ............................................................... 2.6.1. Yariletkenlerde gerekleen temel geiler ..................................... 2.6.2. Yariletkenlerde gerekleen absorpsiyon olaylar ........................... 2.6.2.1. Temel absorpsiyon .............................................................. 2.6.2.2. Serbest yk tayclarnn absorpsiyonu ............................. 2.6.2.3. Eksitonlarn absorpsiyonu ................................................... 2.6.2.4. Katk atomlarnn absorpsiyonu .......................................... 2.6.3. Yariletkenlerde gerekleen bant geileri ...................................... 2.6.3.1. Direkt bant geii ................................................................ 2.6.3.2. ndirekt bant geii .............................................................. 2.7. Yariletkenlerde Gerekleen Birleme Olaylar ........................................ 2.8. Yariletken Alet Fiziinde Kullanlan Temel Bantlar ............................. 2.8.1. Poisson bants ............................................................................... 2.8.2. Akm younluu bantlar ............................................................. 2.8.3. Sreklilik bantlar .........................................................................
17 18 18 20 23 26 27 29 29 30 30 31 31 32 33 35 35 36 36 37
ix
NDEK LER (devam)
Sayfa
3. FOTOVOLTA K DNM S STEMLER .................................................... 3.1. Giri ............................................................................................................. 3.2. Fotovoltaik Olay Ve Gne Pilleri .............................................................. 3.3. p-n eklemleri ............................................................................................... 3.3.1. p-n eklemlerinin elektrostatii .......................................................... 3.3.2. p-n eklemlerinin iletkenlii .............................................................. 3.3.2.1. p-n ekleminin ileri ynde beslenmesi .................................... 3.2.2. p-n ekleminin ters ynde beslenmesi ......................................... 3.3.3. p-n ekleminde meydana gelen optik olaylar .....................................
39 39 39 41 42 45 45 46 48
4. GNE ENERJ S VE GNE P LLER .......................................................... 4.1. Giri ............................................................................................................. 4.2. Gne Ve Yaps ......................................................................................... 4.3. Gne Enerjisi ............................................................................................. 4.3.1. Kara cisim mas ve gnein yaynlad enerji ............................. 4.4. Gne Enerjisinin Kullanm ....................................................................... 4.5. Gne Enerjisi Teknolojileri ....................................................................... 4.6. Gne Pilleri ................................................................................................ 4.6.1. Yariletken gne pillerinin alma ilkesi ....................................... 4.6.2. Gne pillerinin elektriksel zellikleri ............................................. 4.6.3. Bir gne pilinin edeer devresi .....................................................
50 50 50 52 53 55 56 57 59 61 64
NDEK LER (devam)
Sayfa
4.7. Yk Tayclarnn mr Ve Difzyon Mesafesi ...................................... 4.8. Yariletken Gne Pilleri in Materyal Seimi ..........................................
66 67
5. YARI LETKEN GNE P L E TLER ....................................................... 5.1. Giri ............................................................................................................. 5.2. Gne Pillerinin Kristal Cinsine Bal Olarak Snflandrlmas ................ 5.2.1. p-n homoeklemli gne pilleri .......................................................... 5.2.1.1. Silisyum gne pilleri ............................................................. 5.2.1.2. Galyum Arsenik (GaAs) Gne Pilleri .................................. 5.2.2. p-n heteroeklemli gne pilleri ......................................................... 5.2.2.1. Kadmiyum slfr-bakr slfr gne pilleri ........................... 5.2.2.2. Kadmiyum slfr-bakr indium diselenit gne pilleri .......... 5.2.2.3. Bakr slfr-inko kadmiyum slfr gne pilleri ................. 5.2.2.4. Kadmiyum slfr- silisyum gne pilleri ............................... 5.2.2.5. Kadmiyum slfr-kadmiyum tellr gne pilleri ................... 5.2.3. Amorf silisyum gne pilleri ............................................................ 5.3. Gne Pillerinin p-n Eklem Yapsna Gre Snflandrlmas ..................... 5.3.1. ok eklemli gne pilleri ................................................................. 5.3.2. Metal- yariletken (MS) heteroeklem gne pilleri .......................... 5.3.3. Metal-yaltkan-yariletken (MIS) heteroeklem gne pilleri ............ 5.3.4. Yariletken-yaltkan-yariletken (SIS) heteroeklem gne pilleri .....
71 71 71 71 72 75 76 77 79 80 80 80 81 83 83 84 84 85
xi
NDEK LER (devam)
Sayfa
5.3.5. Elektrolitik gne pilleri ...................................................................
85
6. GNE P LLER N N VER M .......................................................................... 6.1. Giri ............................................................................................................. 6.2. Gne Pillerinin Verimi .............................................................................. 6.3. Gne Pillerinin Verim Hesaplamalar ....................................................... 6.4. Kuantum Verimi .......................................................................................... 6.5. Gne Pillerinin Verim lmleri .............................................................. 6.5.1. Bir gne pilinin karakteristik akm-gerilim erisi .......................... 6.5.2. Bir gne pilinin I-V erisinden yararlanlarak veriminin bulunmas 6.6. Gne Pillerinin Verimini Snrlayan Etkenler ........................................... 6.6.1. Scaklk etkeni .................................................................................. 6.6.2. Yzey parametresi etkeni ................................................................. 6.6.3. Spektral etken ................................................................................... 6.6.4. Foto asal etken ............................................................................... 6.7. Gne Pillerinin Verim Kayplar ...............................................................
86 86 86 87 89 91 92 93 94 94 96 97 98 99
6.7.1. Iksal kayplar ................................................................................. 100 6.7.1.1. Iksal yansma kayplar ........................................................ 100 6.7.1.2. Iksal d sourulma kayplar ............................................... 101 6.7.2. Elektriksel kayplar ........................................................................... 103 6.7.2.1. Akm kayplar ....................................................................... 103
xii
NDEK LER (devam)
Sayfa
6.7.2.2. Ak devre gerilimi kayplar ................................................. 104 6.7.2.3. Diren kayplar ...................................................................... 105 6.7.2.4. Fill faktr kayplar .............................................................. 107 6.7.3. Ara yzeyde yeniden birleme ......................................................... 110 6.7.4. Verim kayb sreleri ....................................................................... 111 6.7.4.1. Belirleyici z sreler ............................................................ 111 6.7.4.2. evreden kaynaklanan geici sreler ................................... 111 6.8. Gne Pillerinden Yksek Verim Elde Etmek in Kullanlan Sistemler ... 112 6.8.1. Younlatrcl gne pilleri sistemleri ........................................... 112 6.8.2. ok katl (birok bant aralkl ya da ok eklemli) gne pili sistemleri .......................................................................... 114 6.8.3. nce film teknolojisi .......................................................................... 115
7. GNE P L UYGULAMALARINDA DN-BUGN-YARIN ....................... 117 7.1. Giri ........................................................................................................... 117 7.2. Gne Pili Uygulamalar ............................................................................. 117 7.3. Gne Pili Modlleri ................................................................................... 119 7.4. Gne Pili Sistemleri (Fotovoltaik Sistemler) ............................................. 121 7.4.1. ebekeden bamsz fotovoltaik sistemler ....................................... 122 7.4.2. ebekeye baml fotovoltaik sistemler ........................................... 125 7.4.2.1. ebekeye baml fotovoltaik g santralleri ......................... 125
xiii
NDEK LER (devam)
Sayfa
7.4.2.2. ebekeye baml datlm fotovoltaik g sistemleri ........ 126 7.4.3. Gne pili sistemlerinin kullanm ................................................... 126 7.5. Gne Pillerinin Kullanm Alanlar ............................................................ 128 7.6. Gne Pillerinin Uygulama rnekleri ......................................................... 131 7.6.1. Gne pillerinin aydnlatma birimlerindeki uygulamalar ............... 131 7.6.2. Gne pillerinin trafik sistemlerindeki uygulamalar ....................... 132 7.6.3. Gne pillerinin su pompalama sistemlerindeki uygulamalar ........ 133 7.6.4. ebeke balantl gne pili sistemi uygulamalar ........................... 134 7.7. Gne Pili Uygulamalarnn Trkiye deki Durumu ................................... 135 7.8. Gne Pillerinin Gelecei ........................................................................... 135 TARTIMA VE SONU ........................................................................................ 138 NER LER .............................................................................................................. 140 KAYNAKLAR ........................................................................................................ 142
xiv
EK LLER D Z N
ekil ekil 2.1. Yaltlm durumdaki bir atomun enerji seviyelerinin ematik gsterimi ekil 2.2. D elektronlarna ait enerji seviyeleri belirtilmi iki atomun ematik gsterimi .................................................................................................. ekil 2.3. ki atomun birbirine ok yakn olduu durumdaki enerji seviyesi diyagram ................................................................................................. ekil 2.4. Kristal bir yapda meydana gelen valans band, iletkenlik band ve yasak bandn grnm .......................................................................... ekil 2.5. Bir yariletkenin enerji bant diyagram .................................................... ekil 2.6. letkenlerde enerji bant modelinin ematik gsterimi ............................. ekil 2.7. Yaltkanlarda enerji bant modelinin ematik gsterimi ........................... ekil 2.8. Yariletkenlerde enerji bant modelinin ematik gsterimi ....................... ekil 2.9. Enerji bant diyagramnda dnor enerji seviyesinin gsterimi ................. ekil 2.10. n-tipi bir yariletkenin enerji bant diyagramnda Fermi enerji seviyesinin gsterimi ............................................................................... ekil 2.11. Enerji bant diyagramnda akseptr enerji seviyesinin gsterimi ...........
Sayfa 8
11
11
12 13 14 15 16 19
20 21
ekil 2.12. p-tipi bir yariletkenin enerji bant diyagramnda Fermi enerji seviyesinin gsterimi .................................................................................................. ekil 2.13. Yariletkenlerde gerekleen temel geilerin ematik gsterimi ......... ekil 2.14. Yariletken bir materyalin temel absorpsiyon spektrumu ...................... ekil 2.15. Yariletkenlerde gerekleen temel bant geiinin ematik gsterimi ... ekil 2.16. Yariletkenlerde gerekleen indirekt bant geiinin ematik gsterimi 22 28 30 32 34
xv
EK LLER D Z N (devam)
ekil
Sayfa
x
ekil 2.17. Herhangi bir yariletkenin zerinden alnm
uzunluundaki hacim 38 40 42 44 45 46 46 47 47
elemannn gsterimi ............................................................................... ekil 3.1. Fotovoltaik dnm sisteminin ematik gsterimi ................................ ekil 3.2. p-n eklemindeelektrik alan oluumunun gsterimi................................... ekil 3.3. Termal denge durumunda p-n ekleminin enerji bant diyagram ............. ekil 3.4. leri ynde beslenen bir p-n ekleminin ematik gsterimi ....................... ekil 3.5. leri ynde beslenen bir p-n ekleminin enerji bant diyagram ................. ekil 3.6. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin ematik gsterimi ...................... ekil 3.7. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin enerji bant diyagram ................ ekil 3.8. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin I-V karakteristii ....................... ekil 4.1. Gneten gelen nm enerjisinin AM koullarna gre spektral dalmnn gsterimi .............................................................................. ekil 4.2. p-n eklemli gne pilinin ematik gsterimi ............................................ ekil 4.3. Bir gne pilinin edeer devresinin gsterimi ....................................... ekil 4.4. deal bir gne pilinin edeer devresinin gsterimi ............................... ekil 4.5. eitli yariletken materyallerin verimlerinin yasak bant aralklar ile teorik olarak karlatrmasnn grafik zerinde gsterimi ...................... ekil 5.1. Gne pili yapsnn ematik gsterimi .................................................... ekil 5.2. Kadmiyum slfr-bakr slfr (n-CdS/p-Cu2S) pillerinin ematik ......... grnm ................................................................................................
51 61 65 66
68 74
78
xvi
ekil ekil.6.1. Kuantum veriminin dalgaboyuna ballnn gsterimi ......................... ekil 6.2. Bir gne pilinin karakteristik akm-gerilim (I-V) erisinin gsterimi ... ekil 6.3. Taramal elektron mikroskobu altnda zel yapl silisyum yzeyin grnm ................................................................................................ ekil 6.4. Bir gne pilinin temel kesimlerinin ematik grnm ......................... ekil 6.5. Ak devre voltajnn (Vad), pil zerine gelen n asyla () ilikisinin ematik gsterimi ..................................................................
Sayfa 90 93
97 98
99
ekil 6.6. Absorpsiyon katsaysnn dalgaboyu ile deiiminin grnm ............. 102 ekil 6.7. Bir gne pilinin seri direnciyle verimi arasndaki ilikinin gsterimi .... 106 ekil 6.8. Fill faktr ile yasak bant aral arasndaki ilikinin gsterimi ............. 109 ekil 6.9. deal verimin yasak bant aralna bal deiiminin gsterimi............... 110 ekil 6.10. Younlatrcl bir gne pilinde verimin younlatrma arpan ile deiiminin gsterimi .............................................................................. 113 ekil 6.11. %29.5 orannda bir verime sahip olan GaInP2/GaAs ok katl gne pili kesitinin grnm .................................................................................. 114 ekil 7.1. Gne pili hcresinin fotoraf ................................................................ 119 ekil 7.2. Bir gne pili modlnn fotoraf ......................................................... 120 ekil 7.3. Doru akm (DC) elde edilen bir fotovoltaik sistemin yapsal grnm 123 ekil 7.4. Alternatif akm (AC) elde edilen bir fotovoltaik sistemin yapsal .......... grnm ................................................................................................ 124
xvii
ekil ekil 7.5. 1992-2000 yllar arasnda tm dnyadaki gne pilinden elde edilen
Sayfa
enerji satlarnn grafik zerinde gsterimi ............................................ 126 ekil 7.6. Dnyada kurulu gne pili sistemlerinin kullanm alanlarna gre dalmnn grafik zerinde gsterimi ..................................................... 127 ekil 7.7. Gne pillerinin sokak aydnlatmasnda kullanmnn fotoraf .............. 131 ekil 7.8. Gne pillerinin bahe aydnlatmasnda kullanmnn fotoraf ............. 132 ekil 7.9. Gne pillerinin karayollarnda kullanmnn fotoraf ............................ 132 ekil 7.10. Gne pillerinin trafik ikaz sistemlerinde kullanmnn fotoraf .......... 133 ekil 7.11. Gne pillerinin su pompalama sisteminde kullanmnn fotoraf........ 133 ekil 7.12. ebekeye elektrik veren bir gne santralinin fotoraf ........................ 134 ekil 7.13. ats gne pilleriyle kapl art enerjili bir binann fotoraf ............... 134
xviii
ZELGELER D Z N
izelge izelge 6.1. Baz gne pillerinin verimlerinin izelge zerinde gsterilmesi (Global AM1.5 spektrumu, 1000 Wm-2, 25 0C ) .................................
Sayfa
87
xix
S MGELER VE KISALTMALAR D Z N Simgeler

0
Aklama Angstrm Diyodun ideal olma faktr Gne pilinin gren aktif alan Younlatrma arpan Maksimum younlatrma arpan
2 boyutlu younlatrclar iin maksimum younlatrma arpan 3 boyutlu younlatrclar iin maksimum younlatrma arpan In boluktaki hz Elektronlar iin difzyon sabiti Holler iin difzyon sabiti Enerji Elektrik alan
Akseptr atomlarnn enerji seviyesi letim bandnn en alt enerji seviyesi Dnor atomlarnn enerji seviyesi Eksitonlarn balanma enerjileri Fermi enerji seviyesi Fonon enerjisi Foton enerjisi
A
A0 Aa C Cm
C m( 2D ) C m( 3D ) c De Dh E
E
Ea
Ec Ed Eeks Ef Efn Eft
xx
S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

Eg
Aklama
Yasak bant aral
Eg
EH Ev
0 oC scaklkta yasak bant genilii Hidrojen atomunun iyonlama enerjisi Valans bandnn en st enerji seviyesi Yapsal elektrik alan Eksajoule elektronvolt p-n ekleminin gei blgesindeki potansiyel engeli Maxwell-Boltzman faktr p-n ekleminin potansiyel engeli ykseklii Fermi-Dirac dalm fonksiyonu Fill Faktr Seri direncin ve nt direncinin olmad durumda gne pilinin fill faktr
E yap EJ eV eVd
Vd kT
e0 f(E) FF FF0
Fv G h h
Voltaj faktr Elektron-hol ifti oluum hz Planck sabiti Foton enerjisi Momentum
hk
xxi

hk e
Aklama
Elektronun kristal ierisinde sahip olduu kristal momentumu Holn kristal ierisinde sahip olduu kristal momentumu Materyalden geen elektromanyetik dalgann iddeti Diyodun ters doyum akm Cismin birim yzeyinden birim zamanda yaynlanan enerji Ksa devre akm Maksimum akm Materyale gelen elektromanyetik dalgann iddeti Seri direnten geen akm Ksa devre akm nt direnten geen akm Toplam akm younluu Karanlk doyum akm younluu Elektronlarn oluturduu akm younluu Fotoakm younluu Hollerin oluturduu alkm younluu Ksa devre akm younluu Yk direncinden geen akm younluu n-tipi yariletken iin oluum akm younluu
hk h
I I0 Ie Ikd Im I1 Is Isc Ish J J0 Je Jf Jh Jkd JL Jng
xxii

Jr Jpg Jpr K k k
Aklama
Birleim akm younluu p-tipi bir yariletken iin oluum akm younluu p-tipi bir yariletken iin birleme akm younluu Kelvin Boltzmann sabiti Dalga vektr Elektrona elik eden dalga vektr Hole elik eden dalga vektr Yok olma katsays Termal enerji Difzyon mesafesi Elektron ktlesi Elektronun etkin ktlesi Hol ktlesi Holn etkin ktlesi Foton aks Akseptr atomlar younluu Dnor atomlar younluu Elektron younluu
ke kh
ky kT L me m* e mh m* h N Na Nd n
xxiii

n0 ni nk nn np nQ p p0 pn pp q R Rch RL Rs Rsh rs rsh Sn Sp
Aklama
Has yariletkenlerde serbest elektron younluu Has yariletkenlerde tayc younluu Krclk indisi n-tipi yariletkenlerde elektron younluu p-tipi yariletkenlerde elektron younluu Kuantum verimi Hol younluu Has yariletkenlerde serbest hol younluu n-tipi yariletkenlerde hol younluu p-tipi yariletkenlerde hol younluu Elemanter yk Pil yzeyi yanstma katsays Gne pili belirtgin direnci Yk direnci seri diren nt direnci Seri direncin belirtgin dirence oran nt direncinin belirtgin dirence oran Elektronlarn yzey birleim hz Hollerin yzey birleim hz
xxiv

T Tg U V Vad Vd
Aklama
Mutlak scaklk In gne pilinden geen ksm Yk tayclarnn birleerek yok olma hz Voltaj Ak devre gerilimi Diyod zerinde grlen voltaj
Vg
0 oC scaklkta pilin ular arasndaki gerilim Maksimum voltaj Ak devre gerilimi Hz Elektronlarn srklenme hz Hollerin srklenme hz Materyal kalnl Lineer absorpsiyon katsays Pili aydnlatan h>Eg enerjili foton aks Materyalin geirgenlii Gne pilinin verimi Dnyadan gnein grld minimum a Dalgaboyu
Vm Voc
v ve vh
x
xxv

g m e h
Aklama
Temel absorpsiyon oluturabilecek n dalgaboyu Maksimum dalgaboyu Mobilite Elektronlarn mobilitesi Hollerin mobilitesi Frekans
q i S-B n p 0
pi says zdiren Yk younluu Elektriksek iletkenlik Has yariletkenler iin elektriksel iletkenlik Stefan Boltzmann sabiti Tayc mr Elektron mr Hol mr p-n ekleminin kontak potansiyeli ohm
xxvi
S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Ksaltmalar

AC AM AM0 AM1
Aklama
Alternatif akm Atmosferik koullar D uzaydaki gne spektrumu (1. 353 kW/m2) Deniz seviyesinde gne tam tepede iken dnya atmosferinden geerek yeryzne ulaan gne nn spektral dalm
AM1.5
Gnein dnyann baucu (tepesi) ile 480 lik a yapt durumda yeryzne ulaan gne nn spektral dalm
Ar-Ge AO DC FET GSM kW Mev MIS MJ MS MW PMR PV
Aratrma-Gelitirme Atatrk Orman iftlii Doru akm Alan etkili transistr (Field Effective Transistor) Kresel Mobil letiim Sistemi (Global System For Mobile) kilowatt megaelektronvolt Metal-yaltkan-yariletken (metal-isolator-semiconductor) megajoule Metal-yariletken (metal-semiconductor) megawatt Profesyonel mobil telsiz Fotovoltaik
xxvii
S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Ksaltmalar

SIS
Aklama
Yariletken-yaltkan yariletken (semiconductor-isolatorsemiconductor)
TV TEMEV TEA TEDA UGET-TB
Televizyon Temiz Enerji Vakf Trkiye Elektrik retim ve letim Anonim irketi Trkiye Elektrik Datm irketi Uluslararas Gne Enerjisi Topluluu-Trkiye Blm
1. G R VE AMA 1.1. Giri

Antropologlara gre bir toplumun gelimilik dzeyini belirleyen en salkl lt, o toplumda kii bana tketilen enerjidir. Enerji, klasik termodinamikte i yapabilme yetenei olarak tanmlanr (Uyarel ve z, 1987), birok yolla elde edilir ve gereksinimlerimize gre pek ok yolla tketilir. nsan, yaamn doal evrede srdrrken; ihtiyalarn da doal kaynaklardan salyordu. Nfus artp ihtiyalar eitlenince, daha ok ve daha hzly isteyen insan, yeni kaynaklarn arayna girdi. Bylece yakldnda daha fazla enerji aa karan yaktlara yneldi. Fakat, bu yaktlarn evreye ve atmosfere verdii zarar, salad fayday glgeledi (Uyar, 2004). Bugn iin en ok kullanlan ve ihtiya duyulan enerji trleri s ve elektrik enerjisidir. Bu nedenle tm enerji kaynaklarndan elde edilen enerjiler, s ve elektrik enerjisine dntrlr. Dnyada halen kullanlmakta olan nemli enerji kaynaklar; Fosil yaktlar (kmr-petrol-doalgaz), su gc, nkleer yaktlar, gne, rzgar, biyoktle, yer-ii ss (jeotermal), dalga ve gel-git enerjileri eklinde sralanabilir. Btn bu enerji kaynaklarnn her birinden enerji elde edilmesinin; ekonomi, salk ve evre maliyetleri zerinde yarar ve zararlar vardr. Bugn kullanlan enerjinin byk bir ksm; kmr, petrol ve doal gaz gibi fosil yaktlardan salanmaktadr. Dnya toplam elektrik enerjisi retiminde kullanlan kaynaklar arasnda; fosil yaktlarn paynn 1993 te %63 iken, 2010 da %69 a kaca hesaplanmaktadr (Kizirolu, 2005). Fosil yaktlar; bitkilerin ve hayvanlarn milyonlarca yl boyunca rmesi ile olumutur. Bunlar yeryzne karabilmenin yolu, yeryzn delmek (sondaj) ya da kazmaktr. Yeraltnda s ve basnla oluan bu yaktlar, oluumlarndan daha hzl olarak tketilmektedir. Bu sebeple fosil yaktlar, ksa srete yenilenemeyen yaktlar olarak dnlrler. Bu yaktlarn tkenmesi ve fiyatlarnn devaml artmasnn yan sra, yanmalar sonucu evreye verdikleri zararlar ve insan sal zerindeki etkileri de byktr.
Dnya genelinde enerji tketimi, nmzdeki 50 ylda iki misli artacaktr (Kizirolu, 2005). Sanayileme ve ehirlemeye bal olarak, toplumlarn enerji ihtiyac arttka; gne, rzgar ve jeotermal enerji gibi evreye daha az zarar veren, yenilenebilir enerji kaynaklarnn kullanm iin yeni teknikler gelitirilmesine gereksinim artmaktadr. Gnmzde aalardan, bitkilerden, nehirlerden ve hatta plerden bile; yenilenebilir enerji elde etmek mmkn olabilmektedir. 1973 dnya petrol krizi, alternatif ve yenilenebilir enerji kaynaklarna gsterilen ilginin artmasna sebep olmutur. 1992 ylnda Rio da birincisi, 2002 ylnda Johannesburg da ikincisi ve 2004 de Almanya nn Bonn kentinde ncs yaplan yenilenebilir enerji kaynaklar konferanslar, srdrlebilir kalknmay salama ve kresel iklim deiikliini engellemek ynnde dnya apnda atlan nemli admdr (Wille, 2004). 1-4 Haziran 2004 tarihleri arasnda, 154 lke bakan ve hkmet temsilcisi; nc yenilenebilir enerji konferans iin Bonn da bir araya geldi. Bu konferansta enerji verimlilii ile birlikte, yenilenebilir enerjilerin srdrlebilir kalknmasnn, enerjiye ulamn kolaylatrlmasnn, sera gazlarnn azaltlmasnn, yeni ekonomik frsatlar yaratlmasnn ve gvenli enerjinin byk nem tad kabul edildi. Burada, lkemizi TBMM Enerji Komisyonu Bakan Yksek Mhendis Soner Aksoy ve yardmcs Nejat Gencan temsil etti. Toplantya katlan bakan ve hkmet temsilcileri; Rio de Janerio Dnya Zirvesi (1992), Milenyum Deklarasyonu ve Milenyum Gelime Hedefleri (2000) ve Srdrlebilir Kalknma Dnya Zirvesi (2002) sonular ile anlamalarnn glendirilmesi konusunda anlatlar (Uyar, 2004). Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Elektrik Enerjisi retimi Amal
Kullanmna likin Kanun Tasars, 7 Temmuz 2004 aramba gnnden itibaren TBMM Komisyonlar nda grlmeye balanmtr. lgili grmeler, TBMM Sanayi, Ticaret, Enerji, Tabii Kaynaklar, Bilgi ve Teknoloji Komisyonlar nda yaplmaktadr. Avrupa Yenilenebilir Enerji Birlii Trkiye Blm (EUROSOLAR Trkiye); bu tasarnn AB enerji yasalaryla tam uyumlu olmas iin ilgilileri duyarl olmaya ve sorumluluklarnn gereini yerine getirmeye davet ediyor (Uyar, 2004). Yenilenebilir enerji kaynaklarnn nemi lkelerdeki potansiyeline gre deiir. Kukusuz yenilenebilir enerji kaynaklar ierisinde en gncel olan ve en ok uygulama
alan bulunan gnetir (Kl ve ztrk, 1980). Gneten dnyaya bir gnde gelen k enerjisi, dnyada tketilen gnlk enerjinin on-onbe bin kat kadardr
(Kizirolu, 2005). Gne enerjisi, yeni ve yenilenebilir bir enerji kayna oluu yannda; insanlk iin nemli bir sorun olan evreyi kirletici atklarnn bulunmay, yerel olarak uygulanabilmesi ve karmak bir teknoloji gerektirmemesi gibi stnlkleri sebebiyle son yllarda zerinde youn almalarn yapld bir konu olmutur. Gne enerjisi, gnein ekirdeinde yer alan fzyon sreci ile aa kan ma enerjisidir. Bu enerji, gneteki hidrojen gaznn helyuma dnmesi eklindeki fzyon srecinden kaynaklanr. Gne enerjisi, dnyadaki hayatn temelini oluturur. Bol ve temiz bulunan bir kaynaktr (Altn, 2002). Gne enerjisinin kullanm alanlar, zel amalara gre deiebilmektedir. Bu enerjinin kullanmndaki temel ama, ekonomik rekabet koullarnda olabildiince fosil yaktlarn yerini almasdr. Amalanan ve uygulanan kullanm alanlar yle sralanabilir: 1. Konutlarda, iyerlerinde ve gndelik yaam yapsnn eitli kesimlerinde s ve elektrie dayal bir blm enerji ihtiyacnn karlanmas. 2. Endstriyel enerji ihtiyacnn bir blmnn, s ve elektriin birlikte retim teknolojisiyle karlanmas. 3. Krsal yrelerde ve tarmsal teknolojide enerji ihtiyacnn karlanmas. 4. Kara, deniz ve hava tatlarnn bir blmnde hareketi salayc kaynak olarak kullanlmas. 5. letiim aralarnda (radyo, TV, telefon), sinyalizasyon ve otomasyonda bir blm enerji ihtiyacnn karlanmas. 6. Elektrik sektrnn birincil kaynaklar arasna gne enerjisinin de girmesi. 7. Askeri alanda zel amalarla gne enerjisinin kullanlmas. 8. Uzay almalarnda enerji gereksiniminin karlanmas ( nan ve ltanr, 1996). Gne enerjisinden elektrik elde etmek iin kullanlan teknolojilerden biri, gne
pilleridir. Gne pilleri (fotovoltaik piller), yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine dntren yariletken dzeneklerdir. Gne pilleri; 1960 larda uzay ann teknolojisi olarak ticariletii zamanlardan bugne, hayranlk uyandrc bir basitlie ve mkemmellie sahiptir. Son on ylda; pazarn cep telefonlarndan sonra, en hzl byten endstriyel mallardan biridir. Gne pili sistemlerinin kullanld tipik uygulama alanlarndan bazlar; haberleme istasyonlar, krsal radyo, telsiz ve telefon sistemleri, petrol boru hatlarnn katodik korumas, metal yaplarn (kprler, kuleler vb) korozyondan korunmas, elektrik ve su datm sistemlerinde yaplan tele metrik lmler, bina ii ya da d aydnlatma, da evleri ya da yerleim yerlerinden uzaktaki evlerde tv, radyo, buzdolab gibi elektrikli aygtlarn altrlmas, tarmsal sulama ya da ev kullanm amacyla su pompaj, deniz fenerleri, ilkyardm, alarm ve gvenlik sistemleri, deprem ve hava gzlem istasyonlar, ila ve a soutma, hava gzlem istasyonlar, uzay almalar, uydularn enerji ihtiyalarnn karlanmas, baz yerleim merkezlerinde ebekeye bal olarak elektrik retilmesi eklinde sralanabilir. Kullanm alanlar ve kullanc kitleleri byk bir hzla artan gne pilleri
konusunda aratrmalar, youn bir ekilde devam etmektedir. Gnmz elektronik rnlerinin ounda olduu gibi, gne pilleri de yariletken maddelerden yaplrlar. Bu yzden alma ilkeleri yariletken teknolojisine dayanr. Yaplarnn anlalp, verimlerinin arttrlabilmesi iin ncelikle, yariletken maddelerin zelliklerinin bilinmesi gereklidir.
1.2. Ama
Bu almadaki amacmz, dnya ekolojisine zarar vermeden enerji elde etme konusunda bir umut olan gne pillerinin yapsn, baz fiziksel zelliklerini ( optik ve elektriksel zelliklerini ), verimliliklerini incelemektir. Ayrca, tm dnyada ihtiya duyulan yenilenebilir enerji kaynaklar konusundaki aratrmalara katkda bulunmaktr. Bu amala u ilemler gerekletirilmitir: lk olarak, gne pillerinin yapmnda seilen maddeler olarak yariletkenlerin yaplar ele alnmtr. Daha sonra, fotovoltaik bir dnm sistemi olan gne pillerinin alma ilkeleri, yariletken teknolojisine dayanarak aklanmtr. Optik ve elektriksel zellikleri, verimleri incelenerek; kullanm alanlar aratrlmtr. Gemiteki ve gnmzdeki gne pili
uygulamalar incelenmitir. Gne pili kullanmnn olumlu ve olumsuz taraflar ele alnarak, uygulamalarn gelecei konusunda baz sonulara ulalmtr. Son alarak, dnyadaki enerji sorununa alternatif bir zm olarak grlen gne pillerinin kullanmlarn yaygnlatrmak amacyla nerilerde bulunulmutur.
2. YARI LETKENLER N ZELL KLER 2.1. Giri

nsanlar evrelerini alglamaya baladklar andan itibaren, daha rahat ve kaliteli bir yaam iin karlatklar maddeleri tanmlamaya, snflandrmaya ve onlardan en verimli ekilde yararlanmaya almlardr. Bu snflandrmalardan biri de,
elementlerin ve bunlarn kimyasal bileiklerinin doada kat, sv ve gaz olmak zere halde bulunduuna ait olan snflandrmadr. Son zamanlarda bu hale, sv kristal hal ve plazma hali de katlarak, maddenin be halde bulunduu vurgulanmaktadr. Herhangi bir maddenin bu hallerden birinde bulunmas; atom veya moleklleri arasndaki ekim kuvvetine, dolaysyla da scaklk ve basnca baldr. evremizde grdmz ve her alanda kullandmz maddelerin ou kat haldedir. Katlarda iki komu atom arasndaki uzaklk birka angstrmdr (1 A = 10-10 m). Atomlarnn dizili ve dzen zelliklerine gre iki grupta toplanrlar. Bunlardan birincisi: Atomlarnn ok dzenli bir ekilde sralandklar kristal yapdr. Dieri ise atomlarnn veya molekllerinin bir sv ierisindeki kadar dzensiz ve karmak olduklar amorf yapdr (Taylor ve Zafaritos, 1996; Erol, 2001). Kristaller ilerinde grain olarak isimlendirilen, eitli kristal blgeciklerini bulundururlar. Eer byk bir para kristalde; grainler (daha kk kristal blgecikler) hep ayn yapya sahipse, buna tek kristal ad verilir. Grainler farkl ise; yani kristal yaplanmalar deiiyorsa, buna da polikristal denir. Bu arada tek kristalin, tmyle ayn yapya sahip mkemmel bir kristal yap olmadn ve zaten hatasz kristal yaplanmalarn da, termodinamik yasalarna ters dtn unutmamak gerekir. Kristal yaplanmadaki hatalar; nokta hatalar, izgi hatas, dzlem hatalar balklar altnda toplanabilirler. Elektriksel ve optik zellikleri gz nnde bulundurularak yaplan
0
snflandrmaya gre katlar; iletkenler, yaltkanlar ve yariletkenler olmak zere grupta toplanrlar. Bu farkl zelliklerinin nedenleri; katy oluturan atomlarn d yrngelerindeki elektron says, kristal yapdan gelen periyodiklik ve Pauli lkesi dir.
En genel tanmlamalarla: iletken, elektrii iyi ileten maddelere; yaltkan, elektrii iyi iletemeyen maddelere denir. Yariletkenler ise; zdirenleri scaklkla hzl bir ekilde azalan, iletken cisimlerden daha az, fakat yaltkanlardan daha ok elektrii ileten maddelerdir (Oral, 1979; Kittel,1996; Erol, 2001).
2.2. Yariletkenler
Yariletkenlerin tarihine bakldnda, Edmond Becquerel in 1839 ylndaki almalarna kadar gitmek gerekir. Edmond Becquerel 1839 ylnda, ayn elektrolit iine batrlm iki elektrottan biri zerine k drm ve bunlar arasnda bir potansiyel fark olutuunu grmtr. Bundan sonra, Faraday 1883 ylnda gm slfatn direncinin scaklkla azaldn bulmutur. 1915 yllarna doru galen detektrler, 1920 de ise selenyum ve bakr oksit detektrler kullanlmaya balanmtr. 1923 ylnda Schottky nin yaynlad kuru redresrler teorisi, yariletkenlerin teorik incelemesinde ilk adm olarak kabul edilmektedir. kinci Dnya Sava nda radar gereksinmelerinin bir sonucu olarak, yariletken diyotlar yeni bir gelime alan bulmutur. 1958 de Amerika Birleik Devletleri nde, Brattain ve Bordein tarafndan nokta temasl detektrler kefedilmitir. Bundan ksa bir sre sonra Shockley, yzey temasl transistr gerekletirmitir (Oral, 1979; Kavcar, 2001). letkenlerde, scaklk arttka diren artar. Bunun temel sebebi; iletkenlii salayan elektronlarn birbirleri ve civardaki dier salma faktrleriyle (fononlar, kristal hatalar v.b) daha fazla arpma yapmalar ve bundan dolay hareketlerinin engellenmesidir. Scakln artmasyla elektron younluunda bir deiim olmas iletkenler iin sz konusu deildir. Dier bir deyile; iletkenler iin birim hacimdeki elektron says her scaklk iin sabittir. Tm metaller bu gruba girerler. letkenlerde direncin scaklkla artmasna karn, yariletkenlerde zdiren scaklkla azalr. Normal scaklkta, yariletkenlerin zdirenleri 10-2109 cm arasnda deimektedir. Bu deer, iletkenlerin zdirenleri iin verilen 10-610-4 cm deerleri ile yaltkanlarn zdirenleri iin verilen 10121018 cm deerleri arasndadr. Scaklk artt zaman zdirencin klmesi, yariletkenleri iletkenlerden ayran bir zelliktir. Scaklktan baka yariletkenin zdirencini etkileyen dier bir faktr de,
yabanc madde younluudur (Oral, 1979; Kittel, 1996; Erol, 2001).
2.3. Bant Yaps

Yariletkenlerin yaps, enerji bant modeliyle aklanmtr. Enerji bant modelinde, yariletkenler ile iletkenler ve yaltkanlar arasndaki farklar kolaylkla grlebilmektedir.
2.3.1. Madde yaps

Maddenin her atomu, pozitif ykl ok ar bir ekirdek ile onun etrafnda farkl yrngelerde dolanan belirli sayda negatif yklerden (elektronlardan) meydana
gelmitir. Elektronlar, bir biri ardndan gelen ve her biri belirli sayda elektron ieren tabakalarda bulunurlar. Dolu bir tabakaya baka bir elektron yerleemez.
Dolu seviyeler ekirdek
Doldurulabilecek enerji seviyeleri
ekil 2.1. Yaltlm durumdaki bir atomun enerji seviyelerinin ematik gsterimi (Oral, 1979).
Yaltlm durumdaki bir atomun enerji seviyeleri, ekil 2.1. de gsterilmitir. Yatay izgilerle enerji seviyeleri belirtilmektedir. Bu izgilerin uzunluu, sz konusu elektronun yrngesinin yarapdr. ekirdee en yakn elektronun, enerjisinin en kk olduu grlr. Bir sistemin, enerjisinin en kk olduu duruma gelme eilimi vardr. Buna gre; verilen atomun btn elektronlarnn, en dk enerji seviyelerini igal etmelerinin gerekli olduu dnlr. Fakat Pauli lkesi, zel bir enerji
seviyesinde bulunabilecek elektron saysnn snrl olduunu gstermitir.
Her atom iin birinci tabakaya yerleebilecek elektron says en fazla 2, ikinci tabakaya yerleebilecek elektron says en fazla 8 ve nc tabakaya yerleebilecek elektron says en fazla 18 dir. Bu farkl enerji tabakalarnn her biri, belirli enerji seviyelerine karlk gelirler. nk alt seviyelerde bulunan bir elektronu, st seviyelerden herhangi birine karmak iin gerekli enerjiler farkldr. Son tabakadaki elektronlara valans elektronlar denir. Son tabakada bulunabilecek toplam elektron says veya elektronlar tarafndan igal edilebilecek yerlerin says da, hal olarak adlandrlr (kten, 1994). rnein hidrojen atomu iin iki hal vardr. Sadece bir tabakas vardr ve bu tabakadaki iki halden biri doludur (Oral,1979; Kavcar, 2001). ekirdek etrafndaki yrngelerden birinde dolanan elektron; yrngesini koruduu srece ne enerji yayar, ne de enerji absorplar (sourur). Ancak bir elektron yrngesini deitirdii zaman, enerji absorplanmas ya da emisyonu (yaynlanmas) olabilir. Elektron, yksek bir enerji seviyesinden daha alak bir enerji seviyesine getiinde enerji emisyonu olur. Elektron alak bir enerji seviyesinden daha yksek bir enerji seviyesine kt zaman ise, enerji absorplanmas (sourulmas) sz konusudur (Slay, 2000). Birinci halde, yani elektron yksek bir enerji seviyesinden daha alak bir enerji seviyesine getiinde, enerjisi Eilk ve Eson seviyeleri arasndaki farka eit ve frekans,
E ilk E son h
(2.1)
bants ile verilen bir foton yaynlanr. Burada; Eilk elektronun gei yapmadan nce bulunduu seviyenin enerjisi, Eson elektronun gei yaptktan sonra bulunduu seviyenin enerjisi ve h Planck sabitidir (Slay, 2000). kinci durumun gereklemesi iin; yani elektronun alak bir enerji seviyesinden daha yksek bir enerji seviyesine kabilmesi iin elektrona, en az birbirini takip eden iki enerji seviyesi arasndaki farka eit bir enerji kazandrmak gerekir. Bunu elektrona yeterli derecede bir termik enerji vererek gerekletirmek mmkndr. Belirli bir yrngede dolanan elektrona termik enerji verildiinde, elektron denge konumu etrafnda titreim hareketi yapmaya balar. Termik enerji yeterli miktarda ise titreimin
10
genlii o kadar byk olabilir ki; elektron bulunduu yrngeyi terk ederek, daha yksek enerji seviyesindeki bir yrngeye geer. Bu durumda elektronun enerji absorplamas sz konusudur. Elektronun dardan enerji alarak daha yksek enerji seviyesine kmasna uyarlma denir. Elektronun ulat enerji seviyesi, uyarm (eksitasyon) seviyesi olarak adlandrlr. Uyarlm elektronlar, bu seviyede ok ksa bir sre kalrlar. Elektron, iki enerji seviyesi arasndaki farka eit enerjiye sahip bir foton yaynlayarak ilk konumuna geer (Slay, 2000). Elektrona yeterli enerji verilirse, elektron uyarlma seviyelerinin zerinde bir seviyeye geerek; ekirdein etkisinden kurtulur. Bu olaya ise iyonizasyon denir (Oral, 1979; Kavcar, 2001).
2.3.2. Enerji bantlar

Kat bir maddenin zellikleri, katy oluturan atomlarn yapsna ve bunlarn dizili durumlarna baldr. Yaltlm durumdaki bir atomda; yani dier atomlarla etkilemeyen bir atomda, elektronlar belirli enerji seviyelerini igal ederler. Fakat katlarda olduu gibi, atomlar bir birine ok yakn olduunda durum byle deildir. ki zde atomun birbirlerine ok yakn olmas durumunda her enerji seviyesi ikileir. Bir kristalin atomlar, kristal iinde dzgn diziler halinde yer almlardr. Bunlar arasnda, bir arada olmalarn salayan byk kuvvetler vardr. Kristal iinde atomlar birbirlerine ok yakndrlar ve son tabakann elektronlarnn kuantum hallerinin dalmn deitirecek ekilde birbirlerini etkilerler. Valans elektronlar ve son tabakann hallerinde ayrlmalar olur. Yaltlm durumdaki her bir enerji seviyesinin yerini; bir birinden farkl, fakat yakn enerji seviyeleri alr. Bu enerji seviyeleri arasndaki fark 10-19eV dur. Bu farkn ok kk olmas sebebiyle seviyelerin gsterdii enerji aral; srekli kabul edilerek, enerji band olarak tanmlanr. D elektronlarna ait enerji seviyeleri ekil 2.2. deki gibi belirtilmi iki atom bir birlerine yaklatrldklarnda; her iki atomdaki valans elektronlar, her iki atom tarafndan ekilirler. Bylece bir elektronu bir ekirdein evresinden kaldrp, dierinin evresine yerletirmek iin gerekli enerji azalr. Bu durumda bir elektron, her iki atom tarafndan ayn derecede etkilenecek ekilde yerleecek demektir. Bylece her iki atomun elektronlar arasndaki karlkl etki sebebiyle, her enerji seviyesi ikilenir.
11
ekil 2.2. D elektronlarna ait enerji seviyeleri belirtilmi iki atomun ematik gsterimi (Oral, 1979).
ki atomun bir birine ok yakn olduu durumdaki enerji seviyesi diyagram, ekil 2.3. deki gibi her atomun ekirdeinin yaknnda iki enerji seviyesi ierir. gal edilmemi enerji seviyeleri de buna benzer biimde, her biri iki elektron ierecek ekilde ikileir.
kilenen enerji seviyeleri
ekil 2.3. ki atomun birbirine ok yakn olduu durumdaki enerji seviyesi diyagram (Oral, 1979).
Birbirine ok yakn atom bulunmas durumunda ise, birbirine ok yakn enerji seviyesi oluur. Bir katy oluturmak zere atomlarn bir araya gelmesiyle meydana gelen ve bu atomlarn yaltlm ya da birbirlerini etkilemeyecek uzaklklarda bulunduklar durumdaki enerji seviyesinin yerini alan; bir araya gelen atom says kadar farkl ve yakn enerji seviyeleri topluluuna enerji band denir. Elektriksel iletkenlik iin atomun d klfndaki elektronlara karlk gelen bantlar sz konusudur. Bu elektronlar, komu atomlarla olan balanty salarlar.
12
Serbest hale getiklerinde, yani atomlar iyonize olduklarnda; bir elektrik alann etkisi altnda oluan toplu hareketleri elektrik akmn meydana getirir. Mutlak sfr scaklnda, yaltlm durumdaki bir yariletken atomu, rnein Germanyum atomu gz nne alnrsa; atom temel haldedir. Her elektron en dk enerjiye sahiptir. Germanyum atomlarnn bir araya gelmesiyle oluan germanyum kristalinde ise temel seviye, valans band denilen bir enerji seviyesi ile deimitir. Bu bant, dier bantlara gre daha dk bir enerji seviyesindedir. En alt seviyede bulunan valans band, mevcut enerji seviyelerinin her birinde bir elektron bulunacak ekilde doludur (Oral, 1979; Kavcar, 2001). Yaltlm durumdaki bir atomda, igal edilmemi yksek seviyelere karlk gelen yukardaki bantta elektron yoktur. Tamamen bo olan bu banda, iletkenlik band denir. Valans band ile iletkenlik band arasnda yer alan ve hibir elektronun yer alamayaca blgeye yasak bant denir (Oral, 1979; Kittel, 1996; kten, 2001). Yasak bant aral Eg ile ifade edilir. ekil 2.4. de kristal bir yapda meydana gelen valans
band, iletkenlik band ve yasak bant gsterilmitir
LETKENL K BANDI
YASAK BANT VALANS BANDI
elil 2.4. Kristal bir yapda meydana gelen valans band, iletkenlik band ve yasak bandn grnm (Oral, 1979).
Mutlak sfr scaklnda, yariletkenlerin valans bandndaki enerji seviyelerinin hibirinde serbest elektron yoktur. Btn seviyeler, elektronlarn hareket etmelerine olanak vermeyecek ekilde tamamen doludur. Bu durumda, mutlak sfr scaklnda,
13
yariletkenler yaltkandrlar (Kittel, 1996; Erol, 2001). Elektronlar, valans bandnn en st seviyesi Ev ile iletkenlik bandnn en alt seviyesi Ec arasnda yer alan yasak bant aralndaki hibir enerji seviyesinde yer alamazlar. Yasak enerji aral Eg nin deeri,
Eg = Ec Ev
(2.2)
bantsna gre iletkenlik seviyesinin en alt seviyesi Ec ile valans bandnn en st seviyesi Ev arsndaki farka eittir . Termik uyarm, foton ve tanecik bombardman durumunda, elektronlar yasak enerji aralna eit veya daha fazla enerji kazanrlarsa; arkalarnda holler brakarak iletim bandna geebilirler. Bu durumda bir elektrik alan uygulandnda; hem iletim bandnda bulunan elektronlar, hem de valans bandndaki holler akma katkda bulunurlar.
Enerji letkenlik band Ec Eg =Ec Ev Yasak Bant EF Fermi enerji seviyesi Dolu Valans Band Ev
ekil 2.5. Genel olarak tipik bir yariletkenin enerji bant diyagram.
ekil 2.5. de EF ile gsterilen Fermi enerji seviyesi; bir katda, mutlak sfr scaklnda (T=0 K), elektronlarn bulunabilecei en yksek enerji seviyesi olarak tanmlanr (kten, 1994). Fermi enerji seviyesi, katk maddesi iermeyen saf yariletkenler olarak tanmlanan has yariletkenler iin yasak bandn ortasndadr. Katkl yariletkenler iin katk trne ve younluuna bal olarak; yasak bant
14
ierisinde, aa ya da yukar doru kayar (Kittel, 1996; Erol, 2001). Katlarn bant yapsnn bilinmesi, onlarn elektriksel ve optik zelliklerinin anlalmasn salar. Bir kristalde enerji seviyelerinin elektronik olarak tanmlanmas, enerji bant modeli olarak adlandrlr. letkenler, yaltkanlar ve yariletkenler arasndaki farklar enerji bant modeliyle kolayca aklanabilir. letkenlerin, yaltkanlarn ve
yariletkenlerin, enerji seviyelerinin enerji bant modeliyle incelenmesi srasyla u ekildedir:
2.3.2.1. letkenlerin enerji bant modeliyle incelenmesi

letkenlerin valans band ile iletkenlik band, birbiriyle akktr ve iletkenlerin enerji bant modeli ekil 2.6. da grlmektedir.
Enerji letkenlik Band Ec Ev
Yasak bant Eg0 Valans Band
ekil 2.6. letkenlerde enerji bant modelinin ematik gsterimi.
letkenlerde yasak bant aral hemen hemen sfrdr (Eg~0). Dolaysyla valans bandnda bulunan tm elektronlar, ayn zamanda iletkenlik bandnda kabul edilirler. Bu yzden iletkenlik ve valans band tamamen doludur denir. Valans elektronlarnn birou, bir elektrik alann varlnda katnn iinde hareket etmeye hazrdrlar. Scaklk deitirildiinde, elektron younluu deimez. Scaklk arttnda, elektronlarn birbirleriyle ve evredeki dier salma faktrleriyle (fononlar, kristal hatalar) arpmalar artar. Bu durum elektronlarn hareketlerinin engellenmesine yol aar. Bu sebeple iletkenlerin direnci scaklkla artar (Kittel, 1996; Erol, 2001).
15
2.3.2.2. Yaltkanlarn enerji bant modeliyle incelenmesi

Bir iletkende veya yariletkendeki yk tayclar elektronlar ve hollerdir. Elektronlar maddenin yapsnda bulunan negatif ykl taneciklerdir. Holler ise, valans bandndan iletkenlik bandna geen elektronlarn geride braktklar boluklardr. Bu yk tayclarnn, sadece scaklklarndan dolay sahip olduklar kT deerindeki kinetik enerjiye termik kinetik enerji veya termal enerji denir (kten, 1994). Termal enerji ifadesinde; k Boltzmann sabitini, T ise mutlak scakl ifade eder.
Enerji Bo letkenlik Band Ec
Yasak Bant (Eg) Eg >> kT
Ev Dolu Valans Band ekil 2.7.Yaltkanlarda enerji bant modelinin ematik gsterimi.
Enerji bant modeli ekil 2.7. deki gibi olan yaltkan bir kristalin yasak bant aral, taneciklerin scaklk etkisi ile kazanabilecekleri kT deerindeki termal enerjiden ok ok byktr. Bu yzden valans bandndaki hibir elektron, stteki iletkenlik bandna geemez. Valans band tamamen dolu iken iletkenlik band tamamen bo olduundan, iletimi salayacak elektronlarn says yok denecek kadar azdr. Valans bandndaki elektronlar da iletkenlie katlamazlar. Bu yzden elektrii iyi iletemezler (Kittel, 1996; Erol, 2001). Yaltkan bir kristalin valans bandnda bulunan bir elektronun, iletkenlik bandna geebilmesi iin ona ok byk bir enerji verilmesi gerekir. Fakat bu derecede byk bir enerji kristale zarar verir (Oral, 1979).
16
2.3.2.3. Yariletkenlerin enerji bant modeliyle incelenmesi

Yariletkenlerin enerji bant modeli ekil 2.8. de grld gibi yaltkanlarn enerji bant modeline benzemekle birlikte, yariletkenin yasak bant aral daha kktr (1eV mertebesindedir).
Enerji letkenlik Band Ec Yasak Bant (Eg) Eg kT Ev Valans Band ekil 2.8. Yariletkenlerde enerji bant modelinin ematik gsterimi.
Mutlak sfr scaklnda (T=0 K), elektronlarn termal enerjileri kT ifadesine gre sfr olacandan, btn elektronlar valans bandnda bulunurlar. Baka bir deyile, T=0 K de yariletkenler yaltkan gibi davranrlar. Scaklk arttnda, elektronlar scakla bal olarak kT deerinde bir termal enerji kazanrlar. Bu enerji yasak enerji aralna eit veya byk olursa; valans bandndaki elektronlar arkalarnda holler brakarak, iletkenlik bandna geerler. Geride braktklar holler, valans bandndaki elektronlara hareket imkan tandndan; hem bu holler, hem de iletkenlik bandna geen elektronlar iletkenlie katkda bulunurlar (Kittel1996; Erol, 2001).
2.4. Yariletken Trleri

Yariletkenler gnmzde elektronik endstrisinde, bilimsel almalarda, enerji retiminde ve daha birok alanda yaygn olarak kullanlmaktadr. Yariletkenlerden faydalanlarak yaplan dzenekler arasnda; diyotlar, foto-diyotlar, transistrler, gne pilleri, detektrler, termistrler, fotoseller, modlatrler saylabilir. Bu dzenekleri elde etmek iin kullanlacak olan uygun zelliklere sahip yariletkenler, ou zaman doal
17
bir ekilde bulunmazlar. Bu yzden yariletkenlerin baz ilemlerden geirilerek, bir takm zelliklerinin deitirilmesi gerekir. rnein yariletken dzenekler p-n eklemi ierirler. Bir p-n eklemi elde edebilmek iin ounluk yk taycs holler olan p-tipi yariletkenler ile ounluk yk taycs elektronlar olan n-tipi yariletkenler elde edilip, bunlar bir birine eklenmelidirler. nk p-n eklemi, mono kristal (tek kristal) yariletkenin iletkenliinin bir tipten baka bir tipe deitii blgedir. p-tipi ve n-tipi iletkenlie sahip yariletkenler uygun katklama ilemleriyle elde edilebilirler. ok saf, yani iinde hemen hemen hi yabanc atom bulundurmayan yariletkenlere has yariletkenler denir (Kittel, 1996;Erol, 2001). Periyodik cetvelin IV. grubunda yer alan silisyum (Si), germanyum (Ge) gibi elementler ierisine III. ve V. gruptan bir atom katlmas ilemine katklama denir. Bu ekilde elde edilen elektriksel ve optik zellikleri deien maddelere has olmayan ya da katkl yariletkenler denir. Katklama ilemiyle p-tipi ve n-tipi iletkenlie sahip yariletkenler elde edilir (Oral, 1979; Kavcar, 2001).
2.4.1. Has yariletkenler

Has yariletkenler, katklama yaplmam saf yariletkenlerdir. Bu tr yariletkenlerde elektron ve hol younluklarn ayr ayr ifade etmek yerine, has yariletkenlerde tayc younluunu gsteren ni,
n 0 = p0 = ni
(2.3)
bants ile verilir.Burada n0 ve p0 srasyla, has yariletkenler iin birim hacimdeki serbest elektron ve hol saysdr. Bu tr yariletkenlerde elektronlara ve hollere serbest tayclar ya da tayclar denir. Tayc younluunu ifade eden ni de sadece scakla baldr ve yariletkenin iletkenlik derecesini belirler. Tayc younluunu belirleyen Fermi-dirac dalm fonksiyonu,
f (E ) = 1+ e
1 E E kT F
(2.4)
18
bants ile ifade edilir. Burada EF Fermi enerji seviyesi, k Boltzmann sabiti ve T de mutlak scaklktr. Bu dalm fonksiyonu; sistem T scaklndayken, bir E enerji seviyesinin bir elektron tarafndan igal edilme olasln verir. EF ile ifade edilen Fermi enerji seviyesi; mutlak sfr scaklnda, elektronlarn doldurabilecei en yksek enerji seviyesidir. Has yariletkenlerde tek Fermi enerjisi serbest elektronlarn ve boluklarn dalmn belirler. Ancak yariletken ierisinde ok sayda tuzak olduundan, zellikle ok dk scaklklarda (2.3) bants geerli deildir. Has yariletkenlerde Fermi enerji seviyesi, yasak bant aralnn tam ortasndadr (Kittel, 1996; Erol,2001).
2.4.2. Katkl yariletkenler

Btn yariletkenler bnyelerinde bir miktar yabanc atom bulundururlar. Bu yabanc atomlara safszlk atomlar denir. Safszlk atomlar, safszlk enerji seviyeleri denilen enerji seviyelerinde bulunarak; yariletkenin iletkenlik zelliklerini nemli lde etkilerler. Safszlk enerji seviyeleri izinli blgede bulunabilecei gibi, ou zaman yasak bandn iinde bulunurlar. Yariletkenin iinde doal olarak bulunan yabanc atom younluu, zellikle yksek scaklklarda daha dktr. Fakat scaklk azaldka, safszlk enerji seviyeleri tarafndan kaplan elektronlar, yariletkeni iletkenlik bakmndan p-tipi ya da n-tipi yapar. Yariletkenlere bytme srasnda, belli oranlarda uygun katk atomlarnn, eitli tekniklerle katlmasna katklama ve bu ekilde elde edilen yariletkenlere de katkl yariletkenler denir. Katklama ilemiyle yariletkenin elektriksel zellikleri
byk lde deiir. Bu ekilde iletkenlik tipine gre, n-tipi ve p-tipi yariletkenler elde edilir (Kittel, 1996; Erol, 2001).
2.4.2.1. ntipi yariletkenler

ntipi yariletken elde etmek iin yariletkenler donr (verici) atomlaryla katklanrlar. Periyodik tablonun IV. grubunda bulunan Si ve Ge elementlerinden birine, V. grup atomlarndan birinin (As, N, Sb, P olabilir) uygun bir yntemle katlmasyla bu tip bir katklama yaplabilir. Ge a bytme srasnda, 10-7 orannda As katlmas rnek
19
olarak verilebilir. Bu durumda; As nin be valans elektronundan drd, Ge un drt valans elektronuyla kovalent ba yapar. As nin geriye kalan V. valans elektronu ba yapamaz. Fakat As atomuna ok zayf bir elektriksel kuvvetle bal olduundan; ok kk enerjilerle iyonlaarak, kristal ierisinde serbest hareket edebilir. Bylece Ge atomu fazladan bir elektron kazanm olur. Bundan dolay As ye donr (elektron verici) atomu denir.
Enerji
letkenlik Band Ec Ed Yasak Bant ( Eg ) Ev Valans Band Donr Enerji Seviyesi
ekil 2.9. Enerji bant diyagramnda donr enerji seviyesinin gsterimi.
Donr atomlarnn yariletken ierisinde bulunduklar enerji seviyelerine donr enerji seviyesi denir (kten, 1994). Enerji bant diyagramndaki yeri ekil 2.9. da grld gibi olan ve Ed ile ifade edilen donr enerji seviyesi,
Ed
1 = r
m e m e
E H
(2.5)
bants ile tanmlanr. Burada; r yariletkenin bal dielektrik sabitini, me elektronun etkin ktlesini, me elektronun ktlesini ve EH Hidrojen iin iyonlama enerjisini ifade eder. Donr enerji seviyesi iletkenlik bandna ok yakn olduundan; bu seviyedeki donr atomlar, ok kk bir enerjiyle iyonlaarak iletkenlik bandna geerler. Bu ekilde iletkenlik bandnda elektron says artmasna karlk, valans bandnda holler
20
olumaz. Bylece elde edilen n-tipi yariletkende, ounluk yk tayclar elektronlar (nn) ve aznlk yk tayclar da hollerdir (pn). Elektronlarn elektriksel iletkenlie katks hollerden daha fazladr (Kittel, 1996; Erol, 2001). ntipi yariletkenlerde Fermi enerji seviyesi; yasak enerji aralnn ortasndan ayrlarak, iletim bandna doru kayar. Kayma miktar, katklanan maddenin younluuna baldr. ntipi bir yariletkenin enerji bant diyagramnda Fermi enerji seviyesinin yeri ise ekil 2.10. da gsterilmitir.
Enerji
letkenlik Band Ec Ed EF Yasak Bant ( Eg ) Donr Enerji Seviyesi Fermi Enerji Seviyesi
Valans Band
Ev
ekil 2.10. n tipi bir yariletkenin enerji bant diyagramnda Fermi enerji seviyesinin gsterimi.
2.4.2.2. ptipi yariletkenler

ptipi yariletken elde etmek iin yariletkenler akseptr atomlaryla
katklanrlar. Periyodik tablonun IV. grubunda bulunan Ge, Si elementlerinden birine; III. grup atomlarndan birinin (Al, B, In, Ga olabilir) uygun bir yntemle katlmasyla bu tip bir katklama yaplabilir. Si a bytme srasnda In katlmas rnek olarak verilebilir. Bu durumda In un valans elektronu, Si un drt valans elektronunun ile kovalent ba yapar. In un balarn tamamlayabilmesi iin Si atomlarnn birinden
21
bir elektron almas ve bu elektronun geldii yerde bir hol oluturmas sz konusudur. Her katk atomuna karlk, valans bandnda bir hol oluur. In atomlar Si dan elektron aldndan, bunlara akseptr (alc) atomlar denir. Akseptr atomlarnn yariletken ierisinde bulunduklar enerji seviyesine akseptr enerji seviyesi denir (kten, 1994). Ea ile ifade edilen akseptr enerji seviyesi,
Ea
1 = r
m h E H m h
(2.6)
bants ile tanmlanr ve enerji bant diyagramnda ekil 2.11. deki gibi gsterilir. Donr enerji seviyesini veren (2.5) bantsndan farkl olarak, burada mh holn etkin ktlesini ve mh de holn ktlesini ifade eder.
Enerji
letkenlik Band Ec
Yasak Bant ( Eg ) Ea Ev Valans Band ekil 2.11. Enerji bant diyagramnda akseptr enerji seviyesinin gsterimi. Akseptr Enerji Seviyesi
Akseptr enerji seviyesi, valans bandna ok yakndr. Bu seviyede bulunan akseptr atomlar, balarn tamamlayabilmek iin valans bandndan elektron alrlar. Valans bandndan akseptr enerji seviyesine geen her elektron, valans bandnda bir hol oluturmasna karn; iletkenlik bandndaki elektron says artmaz. Bylece elde edilen ptipi yariletkende, ounluk yk tayclar holler (pp) ve aznlk yk tayclar da
22
elektronlardr (np). Hollerin elektriksel iletkenlie katks elektronlardan daha fazladr (Kittel, 1996; Erol, 2001). ptipi yariletkenlerde Fermi enerji seviyesi; yasak enerji aralnn ortasndan ayrlarak, valans bandna doru kayar. Kayma miktar, katklanan maddenin younluuna baldr. Fermi enerji seviyesi ekil 2.12. de gsterilmitir.
Enerji
letkenlik Band Ec Yasak Bant ( Eg )
EF Ea Ev Valans Band
Fermi Enerji Seviyesi Akseptr Enerji seviyesi
ekil 2.12. ptipi bir yariletkenin enerji bant diyagramnda Fermi enerji seviyesinin gsterimi.
Belirli bir scaklkta hem has yariletkenlerde, hem de katkl yariletkenlerde; elektron ve hol younluklar arpm sabittir. Buna gre has yariletkenler iin,
n 0 p 0 = n i2
(2.7)
ve katkl yariletkenler iin de;
n n p n = p p n p = n i2
(2.8)
23
bants yazlabilir. Yariletkenlerde serbest yk tayclarnn arpmlar sabittir, fakat toplamlar sabit deildir.
2.5. Yariletkenlerin Elektriksel zellikleri

Elektriksel iletkenlik, elektriksel zdirencin tersidir. Birim elektrik alan bana akm younluu olarak tanmlanan elektriksel iletkenlik ,
J E
J E
(2.9)
bants ile verilir. Burada J akm younluunu, E ise elektrik alann deerini gsterir. letkenlik, serbest yklerin madde ierisindeki hareketinin bir ls olduundan; serbest yklerin hareketlilii, yani mobiliteleri zdirenci etkileyen bir parametredir. Mobilite, ykl bir taneciin birim elektrik alan bana kazand hza denir. Hz v olan bir tanecik, iddeti E olan bir elektrik alann etkisi altndaysa; mobilitesi ,
v E
v E
(2.10)
bants ile ifade edilir. Mobilitenin birimi m2/Vs dir. Bu tanma gre elektronlarn ve hollerin mobilitelerini ayr ayr yazmak mmkndr. Mobilite tanmna gre e
elektronlarn mobilitesi,
v e = = e E E
ve hollerin mobilitesi h,
ve
(2.11)
h =
vh E
vh E
(2.12)
24
bants ile verilir. (2.11) bantsndaki v e elektronlarn hzn, (2.12) bantsndaki
v h ise hollerin hzn gstermektedir. Toplam mobilite, elektronlarn ve hollerin

mobiliteleri toplamna eit olduuna gre,
= e + h =
ve vh + E E
(2.13)
bantsna eit olur (Kittel, 1996). Bir yariletkene elektrik alan uygulandnda, serbest ykler belirli hzlarla srklenmeye balar. Bylece yariletkende bir srklenme akm oluur. Yariletkene uygulanan elektrik alan E ise; J ile ifade edilen toplam akm younluu, elektronlarn oluturduu J e akm younluu ile hollerin oluturduu J h akm younluunun toplamdr. Buna gre toplam akm younluu,
J = J e + J h = qn v e + qp v h
(2.14)
bants ile verilir. Burada; q, n ve v e srasyla, elektronlarn ykleri, younluklar ve srklenme hzlardr. Benzer ekilde; q, p ve ykleri,younluklar ve srklenme hzlardr. Elektronlarn ve hollerin mobilite bantlarndan yola klarak, elektronlarn ve hollerin srklenme hzlarn veren bantlara ulamak mmkndr. Buna gre, elektronlarn srklenme hz, vh de, srasyla hollerin
e =
ve ve = eE E
(2.15)
ve hollerin srklenme hz,
25
(2.16)
v h = h vh = h E E
bants ile verilir. (2.15) ve (2.16) bantlar, (2.14) bantsnda v e ve v h yerine konulursa akm younluu,
J = J e + J h = q (n e + p h ) E
(2.17)
bantsna ile ifade edilir. Bu bant, (2.9) bantsnda J yerine konulursa, yariletkenin iletkenlii iin,
= q (n e + p h )
(2.18)
bantsna ulalr. Grld gibi bir yariletkenin iletkenlii, yk tayclarnn younluklarna ve mobilitelerine baldr. Has bir yariletkende, elektron younluu hol younluuna eit olduundan elektriksel iletkenlik i ,
i = qn i ( e + h )
(2.19)
bantsna eit olur. Has bir yariletkendeki toplam tayc younluu ni, scakln fonksiyonu olarak;
n i (T )
2 ( + )1 2 kT 2 e h e = 2 2 h
E g 2kT
(2.20)
bants ile verilir. Burada, e ve h srasyla; elektronlarn ve hollerin etkin ktleleri, k Boltzmann sabiti, h Planck sabiti, Eg ise yariletkenin yasak enerji araldr. (2.20) bants, (2.19) bantsnda ni yerine yazldnda has yariletkenlerin iletkenlii
26
iin,
i = 2q ( e + h )
2 ( + )1 2 kT 2 E g e h e 2 h
2kT
(2.21)
bants elde edilir (Kittel, 1996; Erol, 2001). (2.18) bantsna gre bir yariletkenin zdirenci iin,
1 1 = q (n e + p h )
(2.22)
bants bulunur. Yariletken n-tipi ise elektron younluu hol younluundan ok ok byk olacandan (n>>p), (2.22) bantsndaki p n-tipi bir yariletken iin zdiren bants,
ifadesi ihmal edilir. Bylece
1 qn e
(2.23)
ile ifade edilir. p-tipi yariletkenlerde ise hol younluu elektron younluundan ok ok byk olacandan(p>>n), (2.22) bantsndaki n e ifadesi ihmal edilir. Bu durumda da p-tipi bir yariletken iin zdiren bants,
olarak verilir (Kittel, 1996; Erol, 2001).
2.6. Yariletkenlerin Optik zellikleri

Yariletkenlerin optik zellikleri bilindiinde, baz elektriksel davranlar da anlalabilir. nk optik zelliklerinden yararlanlarak, yariletkenlerin bant yaplar incelenebilir ve yasak bant aralklar belirlenebilir. Bunun iin kullanlan en kolay
1 qn h
(2.24
27
yntemlerden biri, maddelerin temel absorpsiyon spektrumlarnn incelenmesine dayanan optik absorpsiyon yntemidir. Bu yntem optik yntem olarak da bilinir. Absorpsiyon, bir maddeye gelen elektromagnetik dalga ile maddedeki yklerin etkilemeleri sonucu ortaya kan enerji kayb olarak tanmlanr. Bu yeterli enerjiye sahip bir fotonun, bir elektronu alak enerji dzeyinden yksek enerji dzeylerinden birine uyarmas eklinde bir etkileme de olabilir. Geni bir dalga boyu aralndaki dalga boylar ile absorpsiyon lmleri yapldnda, ortamdan geen bu nlarn bal iddetleri ile dalga boylar arasndaki bantya absorpsiyon spektrumu denir. Her maddenin absorplayaca dalga boylar, dier maddelerden farkl olacaktr. Bu nedenle absorpsiyon spektrumlar kullanlarak; yariletken maddelerin bant yaplar incelenip, yasak enerji aralklar hesaplanabilir. Optik yntem olarak bilinen bu yntemle kristal bant yaplar hakknda bilgi edinilir Bir maddenin zerine k drldnde; n bir ksm maddeden geer, bir ksm da yansr. Maddeden geen ve yansyan nlarn absorplanmasndan yararlanlarak yaplan lmler, absorpsiyon spektrometrisinin temelini oluturur (Kul, 1996; Akyz, 2000). Kalnl x olan bir materyal zerine k demeti gnderildiinde, materyale gelen n iddeti I1 ile materyali geen n iddeti I arasnda,
I = I 1 e x
(2.25)
bants vardr. Burada lineer absorpsiyon katsaysn ifade etmektedir. Materyalin yapsal zelliklerine ve materyale gelen n dalgaboyuna bal olarak deiir. Materyali geen n iddeti, ile ters orantldr.
2.6.1. Yariletkenlerde gerekleen temel geiler

Yariletken bir materyal zerine k gnderildiinde; valans bandndaki
elektronlar gelen fotonlar absorplayarak, iletkenlik bandna ya da yasak enerji aralndaki uygun enerji seviyelerine geerler. Bylece yariletkende elektron-hol
28
iftleri oluur. Yariletken zerine gelen fotonun Ef ile ifade edilen enerjisi, Planck sabiti h ile fotonun deerindeki frekansnn arpmna eittir. Buna gre, yariletken zerine gelen fotonun enerjisi,
E f = h
(2.26)
bantsyla tanmlanr. Valans bandndaki elektronlarn fotonlar absorplayarak, yariletken ierisinde daha yksek enerji seviyelerine geileri; gelen fotonun enerjisine bal olarak ekilde gerekleir. ekil 2.13. de gsterilen bu geiler u ekilde sralanr:
letkenlik Band letkenlik Band elektronlar Ef = h foton (i.) (ii.) (iii.) Ec Eg Ev holler Valans band
ekil 2.13. Yariletkenlerde gerekleen temel geilerin ematik gsterimi.
1. Yariletken materyal zerine gelen fotonun enerjisi h, yariletkenin yasak enerji aral Eg ye eit ise (h=Eg); valans bandndaki bir elektron ekil 2.13(i.). de gsterilen biimde iletkenlik bandna geer. Bu geile valans bandnda bir boluk oluturur. Bylece yariletkende bir elektron-hol ifti meydana gelir. 2. Yariletken materyal zerine gelen fotonun enerjisi h, yariletkenin yasak enerji aral Eg den byk ise (h>Eg); valans bandndaki bir elektron ekil 2.13(ii.). de gsterilen biimde iletkenlik bandna geer. Bu geile
29
valans bandnda bir boluk oluturur. Bylece yariletkende bir elektron-hol ifti meydana gelir. (hEg) deerindeki fazla enerji s iin harcanr. 3. Yariletken materyal zerine gelen fotonun enerjisi h, yariletkenin yasak enerji aral Eg den kk ise (h<Eg); fiziksel kusurlara ve yasak enerji aralndaki kimyasal kusurlara bal olarak, uygun enerji durumlar olduunda foton absorpsiyonu gerekleebilir. Byle bir durumda; valans bandndaki bir elektron; ekil 2.13(iii.). de gsterilen biimde, absorplad fotonun enerjisine gre yasak bant ierisinde olumu uygun bir enerji seviyesine geer.
2.6.2. Yariletkenlerde gerekleen absorpsiyon olaylar

Bir materyal zerine elektromagnetik dalga gnderildiinde; bu dalgann bir ksm, materyalin ykleriyle etkileimi sonucu absorplanr. Kristal kusurlar dikkate alnmazsa, yariletkenlerin elektromagnetik bir dalgayla etkileimlerinin sonucunda gerekleen absorpsiyon olaylar drt tanedir.
2.6.2.1. Temel absorpsiyon

Valans bandnda bulunan bir elektronun yariletken zerine gelen fotonu absorplayarak, iletkenlik bandna gemesi olay temel absorpsiyon olarak tanmlanr. Temel absorpsiyon olay ancak; yariletken zerine gelen fotonun enerjisi h nn, yariletkenin yasak enerji aral Eg ye eit veya ondan byk olduu durumlarda (hEg) gerekleebilir. (2.26) bantsna gre, temel absorpsiyon olaynn gereklemesi iin yariletkene gelen fotonun sahip olmas gereken dalga boyu g ,
g =
hc Eg
(2.27)
bantsyla verilir. Burada h Planck sabitini, c k hzn ve Eg de yariletkenin yasak enerji araln ifade etmektedir. Yariletkenlerin temel absorpsiyon spektrumu
30
ekil 2.14. deki gibidir.
Absorpsiyon Temel absorpsiyon snr
Temel Absorpsiyon
Dalgaboyu () g ekil 2.14. Yariletken bir materyalin temel absorpsiyon spektrumu.
Bir yariletkenin temel absorpsiyon spektrumunda, g deerinde ok hzl bir art olur. Yariletken daha kk dalga boylarnda kuvvetli bir sourucu, daha byk dalga boylarnda ise geirgen olur. Bu iki blgeyi ayran snra, temel absorpsiyon snr denir
2.6.2.2. Serbest yk tayclarnn absorpsiyonu

Yariletken materyal zerine yasak enerji aral Eg den daha kk bir h enerjisine sahip foton geldiinde (h<Eg); valans bandnda bulunan bir hol veya iletim bandnda bulunan bir elektron bu fotonu absorplayarak, ayn banttaki daha yksek enerji seviyelerine geer. Yariletkenlerdeki serbest yk tayclarnn foton absorplayarak bu ekilde uyarlmas, serbest yk tayclarnn absorpsiyonu olarak tanmlanr.
2.6.2.3. Eksitonlarn absorpsiyonu

Aralarndaki elektriksel Coulomb etkilemesiyle bal duruma geen
31
elektron-hol iftine eksiton denir. Eksitonlarn bulunduu enerji seviyesi, iletim bandnn hemen altnda yer alr. Eksitonlarn absorpsiyonu olaynn gereklemesini salayan fotonun enerjisi,
h = E g E eks
(2.28)
bantsyla ifade edilir. Burada Eeks, eksitonlarn balanma enerjilerini gsterir.
2.6.2.4. Katk atomlarnn absorpsiyonu

Katkl bir yariletkene yasak enerji aral Eg den daha kk bir h enerjisine sahip foton geldiinde (h<Eg); donr veya akseptr atomlar bu fotonu absorplar. Bu olay, katk atomlarnn absorpsiyonu olarak tanmlanr.
2.6.3. Yariletkenlerde gerekleen bant geileri

Yariletken materyal zerine yasak enerji aral Eg den daha byk bir h enerjisine sahip foton geldiinde (h>Eg); valans bandnda bulunan bir elektron bu fotonu absorplayarak, iletkenlik bandna geer. Bu gei direkt veya indirekt olmak zere iki ekilde olabilir.
2.6.3.1. Direkt bant geii

Valans bandnda bulunan bir elektronun dalga vektrnde ve momentumunda bir deiiklik olmakszn; iletim bandna gemesi durumu direkt bant geii olarak tanmlanr. Yariletkenlerdeki direkt bant geii ekil 2.15. de gsterilmitir.
Yariletkenin iletim bandnn minimumu ile valans bandnn maksimumu; enerji momentum uzaynda ayn k deerinde iseler k = 0 , bant geileri direkt olur. Direkt bant geilerinde elektronun dalga vektr deimez ve hem enerjisi hem de momentumu korunur. Momentumun korunumu,
32
(2.29)
hk e + hk h = 0
bantsyla ifade edilir h h = 2 Burada
ke
ve ve
r kh
srasyla
elektrona ve hole elik eden dalga vektrlerini, elektronlarn ve hollerin momentumlarn gsterir.
E letkenlik Band elektron k=0
hol Valans band
ekil 2.15.Yariletkenlerde gerekleen direkt bant geiinin ematik gsterimi.
Eksiton oluumlar ihmal edildiinde; direkt bant geileri iin yariletkene gelen fotonun h enerjisi ve yariletkenin lineer absorpsiyon katsays ile ilgili olarak,
n k h (h E g ) m
bants verilir. Burada; ve h dnda kalan nk krlma indisini, Eg yariletkenin yasak enerji araln ifade eder. m ise, izinli geiler iin 1/2, yasak geiler iin 3/2 deerlerini alabilen bir sabittir.
hke
h k h ise; srasyla
k=0
(2.30)
33
2.6.3.2. ndirekt bant geii

letkenlik bandnn minimumu ile valans bandnn maksimumu; enerji momentum uzaynda ayn k deerinde deillerse k 0 , elektronlarn bant geileri indirekt olur. Bu durumda yariletkenin valans bandndaki bir elektronun
momentumunun korunarak,
iletkenlik bandna gei yapabilmesi iin fonon
sourulmas ya da fonon salnmas gerekir. Fonon kristaldeki rg noktalarnn titreimidir (Kittel, 1996; Erol, 2001). ndirekt geilerde momentumun korunumu,
h k = h k c h k fn
(2.31)
bantsyla ifade edilir. Burada k ve k fn srasyla fotona ve fonona elik eden dalga vektrlerini; k c de, k uzaynda valans bandnn maksimumuyla iletkenlik bandnn minimumu arasndaki fark gsterir (Kittel, 1996). korunumu,
E ft E fn = E g
ndirekt geilerde enerjinin
(2.32)
bants ile ifade edilir. Burada salnan ya da sourulan fononun enerjisi Efn ,
E fn = h fn
(2.33)
ve yariletkene gelen fotonun enerjisi Eft ,
E ft = h
(2.34)
bantlar ile tanmlanrsa, indirekt bant geilerinde enerjinin korunumu bants,
34
E ft = E g h fn
(2.35)
ile ifade edilir. (+) iareti fonon sourularak, (-) iareti ise fonon salnarak yaplan geileri gsterir. Yariletkenlerdeki indirekt bant geii ekil 2.16. da gsterilmitir.
letkenlik Band elektron
k0
k=0 hol Valans band
ekil 2.16. Yariletkenlerde gerekleren indirekt bant geiinin ematik gsterimi.
Yariletkenlerde meydana gelen indirekt bant geileri iin yariletkene gelen fotonun h enerjisi ve yariletkenin lineer absorpsiyon katsays ile ilgili olarak,
n k h
(h
exp (h fn kT ) 1
E g + h fn )m
(h
1 ( h fn kT )
E g h fn )m
(2.36)
bants verilir. Toplama durumundaki ifadede ilk terim fonon sourulmasn, ikinci terim fonon salnmasn gstermektedir. Buradaki m ise; izinli geiler iin 2, yasak geiler iin 3 deerlerini alan bir sabittir.
35
2.7. Yariletkenlerde Gerekleen Birleme Olaylar

Bir yariletken zerine uygun dalga boyunda k dtnde; yariletkende elektron-hol iftleri oluarak, yk tayc konsantrasyonlar artar. Yariletken zerine gelen k kaldrldnda; foton enerjisi etkisiyle oluan elektron-hol iftleri, birleme (recombination) yoluyla ortadan kalkarlar. Birleme olay sonucu yk tayc konsantrasyonlar, karanlktaki denge durumlarna geri dnerler. Yariletkenlerde grlen 3 birleme olay ayn anda birlikte olabilir. Bunlar yle sralanr: 1. Iyc birleme: Iyc birleme, absorpsiyonun (sourma) tam tersidir. Bir elektronun bulunduu enerji dzeyinden daha aadaki bir enerji dzeyine, nm yaynlayarak dnmesi yoluyla gerekleen birleme olaydr (Engin, 1995). 2. Auger birlemesi: Auger birlemesinde bir elektron bir holle birleerek; ar enerjisini, valans veya iletim bandndaki dier bir elektrona nm vermeksizin aktarr. kinci elektron da, ilk enerji dzeyine fononlar yayarak dner (Engin, 1995). 3. Tuzaklar yoluyla birleme: Yariletkenlerdeki safszlklar ve bozukluklar, yasak enerji aralnda izinli enerji dzeylerinin olumasna sebep olurlar. Elektronlarla hollerin iki adml birlemesinde ok etkili olan bu enerji dzeylerine tuzak denir. Tuzaklar yoluyla birlemede; elektron nce iletim bandndan yasak enerji aralndaki bir tuzaa, buradan da valans bandna geer. Valans bandna ulatnda bir holle birleir (Engin, 1995).
2.8 .Yariletken Alet Fiziinde Kullanlan Temel Bantlar

Gne pillerinin ideal zeliklerinin belirlenmesi iin yariletken maddelerin zeliklerinden baka, yariletken alet fiziinde kullanlan baz temel bantlarn bilinmesi gerekir. Bu bantlar; gne pilleri dahil, birok yariletken aletin temel zelliklerinin ve alma ilkelerinin belirlenmesinde yardmc olur. Yariletken alet fiziinde kullanlan temel bantlar unlardr:
36
2.8.1. Poisson bants

Herhangi bir yariletkenin sahip olduu yk younluu q ve maddenin geirgenlii ise, enerjisinin boyutlarna bal deiimi Poisson bantsndan bulunabilir. Buna gre, bir boyutta poisson bants,
q dE = dx
(2.37)
bants ile ifade edilir. Burada q yk younluu, kullanlan yariletken maddenin geirgenliidir (permittivity). Bir yariletkendeki yk younluu q ise,
q = q (p n + N + + N ) D A
(2.38)
bantsyla tanmlanr. Burada q elektronun ykdr. Bundan baka, srasyla p, n, ND+ ve NA-, hol younluu, elektron younluu, donr atomlar younluu ve akseptr atomlar younluudur. Baka safszlklar ve bozukluklar da yk depolama merkezleri gibi hareket ettiklerinde, (2.38) bantsna katlrlar. Yine de sz edilen bu yklerin katks ok azdr. Bu durumda donr atomlar ve akseptr atomlarnn younluklar iin,
N+ ND D
(2.39)
N NA A
(2.40)
bantlar yazlabilir (Engin, 1995).
2.8.2. Akm younluu bantlar

Yariletkenlerde meydana gelen akma, elektronlar ve holler hem difzyon hem de srklenme yoluyla katlrlar. Elektronlardan ve hollerden ileri gelen toplam akm
37
younluklar (bir boyutta) srasyla,
J e = q e nE + qD e
dn dx dp dx
(2.41)
J h = q h pE + qD h
(2.42)
bantlaryla ifade edilir. Bu bantlarda, De ve Dh srasyla, elektronlar ve holler iin difzyon sabitleridir ve difzyon sabitlerini veren Einstein eitleri ile u ekilde tanmlanrlar (Engin, 1995):
De =
kT e q
(2.43)
Dh
kT = h q
(2.44)
2.8.3. Sreklilik bantlar

Sreklilik bantlar, bir yariletkende elektron-hol ifti oluum hz ile birleerek yok olma hz arasnda iliki kurarak, bu yk tayclarnnn meydana getirdikleri akmlarn srekliliini aklar. Bir yariletkenden ekil 2.17. de gsterildii gibi x uzunluunda bir hacim eleman alnrsa; bu hacim elemannn elektron konsantrasyonundaki birim zamanda meydana gelen deiim,
A n = [ J e (x )] A [ J e (x + x )] + A x G A x U q q t A dJ e = x + A x (G U ) q dx
(2.45)
38
bants ile ifade edilir. Burada A yariletkenin kesit alan, G k gibi d etkenler tarafndan yk tayc yaratlma hz, U ise yk tayclarnn birleerek yok olma hzdr.
Je(x+ x)
Je(x)
x Kesit Alan (A)
ekil 2.17. Herhangi bir yariletkenin zerinden alnm x uzunluundaki hacim elemannn grnm.
Kararl durumda
n = 0 olduu iin (2.45) bants elektronlar iin, t
I dJ e = U G q dx
holler iin,
(2.46)
I dJ h = U G q dx
eklinde tanmlanan sreklilik bantlar yazlabilir (Engin, 1995).
(2.47)
39
3. FOTOVOLTA K DNM S STEMLER 3.1. Giri

Gne enerjisini elektrik enerjisine evirmenin evre dostu bir ekli olan fotovoltaik sistemlerin aratrlmas ve gelitirilmesi, maliyetinin drlerek
yaygnlatrlmas misyonu; uzun yllar niversitelerin yklendii ve yrtt bir grev olmutur. Bu nedenle kamuoyunda hep laboratuarda kalan bir alma olarak varln srdrmtr. Ancak son yirmi ylda; dnya genelinde evre konusunda duyarlln artmasna bal olarak kamuoyundan gelen bask, ok uluslu byk irketleri fosile dayal olmayan yeni ve yenilenebilir enerji kaynaklar konusunda almalar yapmaya zorlamtr. Byk irketlerin devreye girmesiyle fotovoltaik uygulamalar konusundaki teknolojik gelimeler, g sistemlerine artan talep ve buna bal olarak byyen retim kapasitesi; maliyetlerin hzla dmesini de beraberinde getirmitir. Yakn gemie kadar, allagelmi elektrik enerjisi retim yntemleri ile karlatrldnda; ok pahal olarak deerlendirilen fotovoltaik dnm sistemleri, yakn gelecekte enerji retimine byk katk salayacak sistemler olarak
deerlendirilmektedir. zellikle elektrik enerjisi retiminde hesaba katlmayan ve grnmeyen maliyet olarak deerlendirilebilecek sosyal maliyet gz nne alndnda; fotovoltaik sistemlerin fosile dayal sistemlerden daha ekonomik olduu sylenebilir (Oktik, 2001).
3.1. Fotovoltaik Olay ve Gne Pilleri

Fotovoltaik (photovoltaic) terimi, ktan gerilim retilmesi anlamna gelir ve genellikle PV ile gsterilir. Fotovoltaik dnm sistemi; yariletken malzemelerden olumu hcrelerle gne nmnn dorudan elektrik enerjisine (DC) dntrebilen bir teknolojidir. ematik gsterimi ekil 3.1. de yer alan fotovoltaik dnm sistemleri iin fotovoltaik piller ve gne pilleri terimleri de kullanlmaktadr. Bununla birlikte her trl k altnda elektrik retebilirler. Enerjinin korunumu yasasna uygun olarak, k
40
enerjisini elektrik enerjisine dntren gne pilleri; fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar. Yariletken maddeden yaplm yzeyleri zerine k dt zaman, ular arasnda potansiyel fark oluur. Bir d devreye balanrlarsa devreden akm geer.
D Devre Fotovoltaik Uygulama Ik (foton) Yariletken yzeyler
ekil 3.1. Fotovoltaik dnm sisteminin ematik gsterimi.
Fotovoltaik olay 1839 ylndan beri bilinmesine ramen, gerek anlamda gne enerjisini %6 verimlilikle elektrik enerjisine dntren fotovoltaik diyotlar ilk kez 1954 ylnda elde edilmitir. Bu verime ulamak, p-n eklemi oluturulmas ile mmkn olmutur. p-tipi ve n-tipi yariletkenlerle oluturulan ilk p-n ekleminde, CdS (Kadmiyum slfr) ve Si (Silisyum) kullanlmtr. Daha sonra Silisyum p-n eklemi
kullanlarak %15 verim elde edilmitir
Fotovoltaik etki, k bir yariletken tarafndan sourulduunda oluur. Fotonlarn enerjisi, yariletkenin valans bandndaki elektronlara aktarlr. Valans bandndaki elektronlarn iletim bandna ykseltilmesi sonucunda elektron-hol ifti oluur. Sadece yariletkenin yasak bant enerji araln aan enerjilere sahip fotonlar bu olayda etkili olabilir. Yariletken bant aral kkse; fotovoltaik sistemin ular arasnda oluan potansiyel fark kk, d devre akm byk olur (Serway, 1996).
41
Yaltlm yariletkende uyarlan elektron, esas olarak valans bandndaki holle birleir ve fazla enerjisini foton (fotoemisyon) ya da fononlar (s) olarak yaynlar. Bundan dolay kullanlabilir dzeyde bir elektrik enerjisi elde edilemez ve fotovoltaik pilin verimi dk olur. Foton enerjisini kullanlabilir elektrik enerjisine
dntrebilmek iin fotovoltaik sistemde bir yk ayrc sistemin bulunmas gerekir (Serway, 1996). Bu yzden souran yariletken yzeyler zerinde p-n eklemleri oluturulur.
3.3. p-n Eklemleri

p-n eklemleri, tm yar iletken dzeneklerin (diyot, transistor, FET,gne pili vs.) temel yapsdr. Gne pillerinde oluturulan p-n eklemlerinde, p-tipi ve n-tipi malzemelerin birletii yzeyler byk tutulmutur. Bu arakesitlere den fotonlarn enerjilerinin bir ksm, yariletkendeki serbest elektronlar hareket ettirir. Bu sayede elektrik akm retilmi olur (Batman, 2001). Saf yariletkenlerin; akseptr (alc) atomlaryla katklanmas sonucu p-tipi yariletkenler, donr (verici) atomlaryla katklanmas sonucu n-tipi yariletkenler elde edilir. p-n eklemi teorik olarak p-tipi bir yariletkenle n-tipi bir yariletkenin birletirilmesinden oluur. Fakat p-tipi ve n-tipi yariletken maddelerin ayr ayr retilip, sonra bunlarn birbirine yaptrlmasyla elde edilemez. p-n eklemi, kristalin bytlmesi srasnda p-tipi ve n-tipi blgeleri arasnda oluturulur. Basit bir p-n eklemi, uygun artlar altnda n-tipi bir yariletken ierisinde oluturulacak p-tipi bir blgeyle veya p-tipi bir yariletken ierisinde oluturulacak n-tipi bir blgeyle elde edilir (Kse,1986). p-n eklemi, bir yariletkenin iletkenliinin bir tipten baka bir tipe deitii blgedir (Oral, 1979). p-tipi blge, n-tipi blge ve bunlarn arasnda yer alan p-n eklem blgesi olmak zere ayr yariletken blgesinden oluur. p-n eklem blgesinde hareketli ykler bulunmaz. Hareketli yk tayclarn azaltan bu blgeye tketim veya ktlk (depletion region) blgesi de denir.
42
p-n ekleminin oluturulmasndan termal dengeye ulancaya kadar, eklem blgesinde meydana gelen elektriksel olaylar p-n eklemlerinin elektrostatiini oluturur.
3.3.1. p-n eklemlerinin elektrostatii

p-n eklemleri incelenirken, p-tipi bir yariletkenle n-tipi bir yariletkenin fiziksel olarak birbirine eklendii dnlr. p-n eklemi oluturulduunda; temas blgesinin yaknndaki serbest ykler, younluklarnn kk olduu blgeye doru hareket ederler. n-tipi blgesinin ounluk yk tayclar olan serbest elektronlar p-tipi blgesine, p-tipi blgesinin ounluk yk tayclar olan serbest holler n-tipi blgesine geerler. Bu geiin sonucu olarak, eklemin her iki tarafndaki atomlar iyonlarlar. Eklemin p-tipi blgesi negatif, n-tipi blgesi pozitif yklenir. ounluk yk tayclarnn younluklarnn az olduu blgeye doru olan geileri, p-tipi ve n-tipi blgeleri arasnda termodinamik bir denge kuruluncaya kadar devam eder. Her iki blgenin Fermi enerji seviyeleri ayn olduunda yk geii durur ve eklem evresinde bir elektrik alan oluur. Bu elektrik alann yn, ekil 3.2. de grld gibi n-tipi blgeden p-tipi blgeye doru olurken, bykl kullanlan yariletkenlere ve bunlarn katklanmalarna bal olarak deiir (Oktik, 2001).
Akseptr katk atomu
Serbest hol
Temas yzeyi
Serbest elektron
Donr Atomu
p-tipi blge
Eklem blgesi Elektrik alann yn
n-tipi blge
ekil 3.2. p-n ekleminde elektrik alan oluumunun gsterimi.
p-n ekleminin oluumu srasnda iyonlaan donr ve akseptr atomlar arasnda kontak (temas veya difzyon) potansiyeli denilen bir potansiyel fark meydana gelir.
43
Kontak potansiyelini meydana getiren ykler sabit olduu iin kontak potansiyeli ortadan kaldrlamaz. Bu potansiyel fark, p-tipi blgeden n-tipi blgeye geecek holler ve n-tipi blgeden p-tipi blgeye geecek elektronlar iin bir potansiyel duvar oluturur. Bununla birlikte kontak potansiyel fark, p-n ekleminin her iki tarafndaki aznlk yk tayclarnn kar blgeye gemesini salar. Bu ekilde n-tipi blgedeki holler p-tipi blgeye, p-tipi blgedeki elektronlar n-tipi blgeye geerek srklenme akmlarn olutururlar. p-n ekleminde ounluk yk tayclarnn oluturduu difzyon akmlar, aznlk yk tayclarnn oluturduu srklenme akmlar ile dengelenir. p-n eklemindeki temas potansiyel fark, bir voltaj kayna deildir. Bu yzden p-n ekleminden bir akm gemesini salayamaz. Eer temas potansiyel fark bir voltaj kayna olsayd; p-tipi blgeden n-tipi blgeye doru bir akm geerdi. Bunun iin ounluk yk tayclarnn blgeler arasndaki potansiyel duvarn amalar gerekirdi. Fakat bu durumda p-n ekleminin hibir zaman denge durumuna gelmemesi gerekirdi. Ayrca herhangi bir akmn varlnda, p-n eklemi ksa devre yapldnda; omik kontan i direncinden dolay snmas beklenir. Ne var ki yaplan deneylerde, omik kontan snmas sonucu devreden herhangi bir akmn gemedii anlalmtr. p-n ekleminin ksa devre yaplmas, yk tayclarna enerji salamaz; eklem dengede kalr ve p-n ekleminden herhangi bir akm gemez (Oral, 1979; Kavcar, 2001). Temas potansiyel fark, enerji seviyelerinin n-tipi blgede aaya doru, p-tipi blgede yukarya doru yer deitirmelerine ve bunun sonucu olarak da, her iki blgenin EF Fermi enerji seviyelerinin eklem boyunca yatay ve srekli olmalarna sebep olur. Termik denge durumundaki bir sistemde, Fermi enerji seviyeleri tm sistem boyunca sabittir (Oral, 1979). p-n ekleminin n tarafndaki donr iyonlar,; difzyon yoluyla p-tipi blgeden n-tipi blgeye geen hollerle, p tarafndaki akseptr iyonlar da, difzyon yoluyla n-tipi blgeden p-tipi blgeye geen elektronlarla birleerek yok olurlar (Kse, 1986). p-n eklemi termal dengeye ulatnda, elektron ve hollerin oluum akm
younluklar; birleme akm younluklarna eit olur. Elektronlarn ve hollerin oluum akm younluklar Jng ve Jpg , birleme akm younluklar Jnr ve Jpr ise bu eitlikler,
44
J ng = J nr
(3.1)
J pg = J pr
(3.2)
bantlar ile ifade edilirler. Jng akm younluu, p-tipi blgeden n-tipi blgeye geen elektronlarn saysna; Jpg akm younluu da, n-tipi blgeden p-tipi blgeye geen hollerin saysna bal olarak deiir. Termal denge durumundaki bir p-n ekleminin
enerji bant diyagram ekil 3.3. de gsterilmitir potansiyel engelinin yksekliidir.
Burada q0, eklemde oluan
Srklenme E akm (elektronlar) p-tipi blge

Difzyon (elektronlar) akm
0= kontak potansiyeli q0 E EF n-tipi blge Ei
Difzyon akm (holler) Ev Srklenme akm (holler) Uzay yk Uzay yk blgesi (-) Uzay yk blgesi (+) Uzay yk blgesi genilii veya eklem blgesi (w) ekil 3.3. Termal denge durumunda p-n ekleminin enerji bant diyagram. blgesi
45
3.3.2. p-n eklemlerinin iletkenlii

p-n ekleminin en belirgin zellii, akm yalnzca bir dorultuda iletmesidir. Fakat ounluk yk tayclarnn difzyonu sonucu p-n eklem blgesinde meydana gelen i elektrik alan, hareketli ykler iin bir potansiyel engeli oluturur. Bu yzden bir d devre gerilimi uygulanarak, bu potansiyel engeli ortadan kaldrlr ve eklemden akm gemesi salanr. p-n eklemine bir d devre gerilimi uygulanmas ilemine, p-n ekleminin beslenmesi ya da kutuplandrlmas (polarizasyonu) denir. Bu ilem ileri ynde (doru ynde) ve ters ynde olmak zere iki ekilde yaplabilir.
3.3.2.1. p-n ekleminin ileri ynde beslenmesi

p-n ekleminin ileri ynde beslenmesi, bir d voltaj kaynann pozitif kutbu eklemin p-blgesine; negatif kutbu da n-blgesine balanarak yaplr. Bu durumda d voltaj kaynann p-tipi blgeye hol, n-tipi blgeye elektron salad dnlr. Kaynak tarafndan salanan bu ykler ile p-n eklem blgesinde oluan potansiyel engeli alalr. Bunun sonucu olarak da, ounluk yk tayclarnn difzyonu kolaylar. Difzyon akmyla srklenme akm arasndaki denge bozulur. p-n ekleminden ekil 3.4. de gsterilen ynde bir akm geer.
RL
Vd
ekil 3.4. leri ynde beslenen bir p-n ekleminin ematik gsterimi.
46
leri doru beslenen bir p-n ekleminin enerji bant diyagram ekil 3.5. de grld gibi olur. p-n ekleminin ileri doru beslenmesi durumunda gei blgesindeki potansiyel engeli, qVd kadar azalr. Burada q elektronun yk, Vd ise p-n eklemine balanan d voltaj kaynann ular arasndaki potansiyel farkdr.
E EF,p q(0- Vd)
qVd Ec
EF,n Ev
x
ekil 3.5. leri ynde beslenen bir p-n ekleminin enerji bant diyagram.
3.3.2.2. p-n ekleminin ters ynde beslenmesi

p-n ekleminin ters ynde beslenmesi ekil 3.6. da gsterilen ekilde, bir d voltaj kaynann pozitif kutbu eklemin n-blgesine; negatif kutbu da p-blgesine balanarak yaplr.
I0
RL
Vd
ekil 3.6. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin ematik gsterimi.
47
Bu durumda gei blgesindeki potansiyel engeli qVd kadar artar. ounluk yk tayclarnn p-n ekleminden geii zorlarken, aznlk yk tayclarnn geii kolaylar. Difzyon akmyla srklenme akm arasndaki denge bozulur. Yariletken iindeki aznlk yk tayclarndan dolay, mikro amper seviyelerinde de olsa, bir akm geer. Bu akma ters akm ya da sznt akm (leakage current) denir. I0 ile gsterilir ve ters akm, p-n eklemine uygulanan ters besleme gerilimiyle ve scaklkla doru orantl olarak deiir. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin enerji bant diyagram ekil 3.7. de grld gibidir.
E q(0- Vd) Ec Ef,p
Ef,n Ev
x
qVd
ekil 3.7. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin enerji bant diyagram.
leri besleme Vd
ler iynd e besle m e
ynde
Ters ynde besleme
ekil 3.8. Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin I-V karakteristii (Kse, 1986).
p-n eklem blgesindeki potansiyel engeli; ters besleme durumunda ok yksek, ileri ynde besleme durumunda ise ok kk olur. Byle bir sistemin akm bir yne doru iletmesi daha kolay olur. u halde p-n eklemi diyot gibi davranr (Oral, 1979;
48
Kavcar,2001). Ters ynde beslenen bir p-n ekleminin I-V karakteristii ekil 3.8. de grld gibi olur. Ters ynde beslenen p-n eklemine, bir Vd d gerilimi uygulandnda p-n ekleminden geen I akm,
I = I o e qVd
kT
(3.3)
bants ile verilir. Burada I0 ters akmn maksimum deeri (akmn doymadeeri); q elektron yk, k Boltzmann sabiti ve T mutlak scaklktr.
3.3.3. p-n eklemlerinde meydana gelen optik olaylar

Gne pillerinde k enerjisinin elektrik enerjisine dnm, p-n eklem blgesindeki optik olaylar sonucu geekleir. Bu olaylardan bir tanesi fotoiletkenlik olay, dieri ise fotovoltaik olaydr. Uygun frekanstaki k altnda kalan bir yariletkenin, iletkenliinin ve elektriksel zelliklerinin deimesine fotoiletkenlik olay denir. Yariletken zerine gelen n foton enerjisi Ef, yariletkenin yasak bant genilii Eg ye eit veya ondan byk olduunda gzlenebilen bir olaydr. Buna gre, fotoiletkenliin gereklemesi iin,
Eg Ef =
hc
(3.4)
bantsnn salanmas gerekir. Burada h Planck sabiti, c k hz ve yariletken zerine gelen n dalga boyunu gsterir. Katkl yariletkenlerde katk atomlarnn iyonlama enerjileri ok kk olduundan, fotoiletkenlik daha byk dalga boyuna sahip nlarla da oluabilir (Kse, 1986). Inmlarn varln ortaya koymaya yarayan dzeneklerde (detektrlerde) fotoiletkenlikten yararlanlr (Oral, 1979; Kavcar, 2001). p-n ekleminde gzlenen optik olaylardan ikincisi fotovoltaik olaydr. In herhangi bir yariletkende, foton enerjisi etkisiyle elektron-hol ifti oluturmas olayna denir. Fotovoltaik olay sonucu oluan akma da fotoakm denir. Fotoakm elde edebilmek iin p-n ekleminin k almas salanmaldr. p-n ekleminden uzakta
49
meydana gelen elektron-hol iftleri, tekrar birleerek yok olurlar. Bu yzden fotoakma bir katklar olmaz.
50
4. GNE ENERJ S VE GNE P LLER 4.1. Giri

Gne, samanyolu galaksisinde yer alan orta byklkte bir yldzdr. Kresel geometrideki bu yldzn ap yaklak 1.4 milyon km dir ve dnyadan 150 milyon km uzaklkta bulunur. evresinde ok youn gazlar vardr (Oktik, 2001). %75
Hidrojen den ve %24.9 Helyum dan olumaktadr (Bu oranlar ktlesel oranlardr, atom saylarna gre %92.1 hidrojen ve %7.8 helyum ierir. Geri kalan her ey (metaller), ktlenin ancak %0.1 ini oluturur. Bu oran, ekirdekte hidrojenin helyuma dnmesi nedeniyle, zaman iinde helyumun oalmas ynnde deimektedir (Skmen, 2003). Dnya iin sonsuz bir enerji kayna olarak kabul edilen gneten bir ylda dnyaya aktarlan enerji, dnyadaki mevcut kmr rezervlerinin enerjisinin 150 katndan fazladr. Bu temiz ve tkenmez enerji kaynandan olabildiince yararlanma fikri; son yllarda lkemizin de iinde bulunduu Gne Kua denilen lkeler bata olmak zere, btn dnyada ilgi ekmitir (Gmgm, 1996).
4.2. Gne ve Yaps

Gne , farkl frekanstaki elektromanyetik dalgalarn bileimidir. Gne tarafndan yaynlanan elektromanyetik spektrum; bir Angstrmn kesirlerinden, yzlerce metreye kadar uzanr (Oral, 1979; Kavcar, 2001). Gne spektrumu ana blgeden oluur. Dalga boyu 0.4 m den kk olan ltraviyole (mortesi) blgenin gne nmndaki pay %9 dur. Dalga boyu 0.4 m ile 0.7 m arasndaki blge
grnr ktr. Grnr k, gne nm iinde %45 yer kaplar. Dalga boyu 0.7 m den byk olan infrared (kzltesi) blgenin pay ise %46 dr ve gnein
stma etkisi buradan kaynaklanr. Dnya atmosferi dnda, birim yzeye dik olarak, birim zamanda ulaan gne nm, Gne sabiti olarak tanmlanr ve deeri 1.353 kW/m dir. Yeryzne ulaan maksimum gne nm ise 0.3-2.5 m dalga
boylar arasnda 1 kW/m kadardr. Dnyann yaanabilir alanlarna gelen gne enerjisi yere, zamana ve iklime bal olarak 3 ile 50 MJ/m.gn arasnda deiir (ltanr, 1996).
51
ekil 4.1. Gneten gelen nm enerjisinin, AM koullarna gre spektral dalmnn gsterimi (Tercan, 2000).
Dnya yzeyinin ald gne enerjisinin miktarn atmosferik koullar belirler. Atmosferik koullarn dnya yzeyine ulaan gne n etkileme oran, Air Mass (AM) koulu ile tanmlanr. ekil 4.1. de, AM0 ve AM1 koullarnda gneten yaynlanan enerjinin spektral dalmn (birim yzeye, birim dalgaboyunda gneten ulaan g) gsteren eriler grlmektedir. stteki eri, dnya atmosferi dndaki gne nn (gne sabitinin) spektral dalmn gsterir. Bu AM0 koulu olarak adlandrlr. Altndaki eri ise gne tam tepede iken dnya atmosferinden geerek, yeryzne ulaan gne nn spektral dalmn verir. Bu koul ise AM1 koulu olarak bilinir. Son olarak, gnein dnyann baucu (tepesi) ile 480 lik a yapt durumda yeryzne ulaan gne nn spektral dalm grlmektedir. Bu da AM1.5 kouludur. AM0, AM1 ve AM1.5 koullarnda dnyaya ulaan k iddetleri ve spektrumlar farkldr. nk bu koullarn her birinde, gne nn dnyaya giri alar, yeryzne ulaana kadar ald yollar, sourulma ve salma oranlar farkldr (Tercan, 2000). Gne, s ve a ek olarak; younluu dk, art ve eksi ykl paracklar (ounluunu elektron ve protonlarn oluturduu) yayar. Gne rzgarlar olarak da
52
isimlendirilen ykl paracklarn bu akm, gneten evreye saniyede 450 km hzla yaylr (Skmen, 2003). Gne yaklak 4.5 milyar yandadr. Balangcndan bu yana, ekirdeindeki hidrojenin yarsn kullanmtr. Rahatlkla bir 5 milyar yl daha enerji yaymaya devam edecektir. Bu sre iinde parlakl da iki kat artacaktr. Eninde sonunda hidrojen yaktn tketecek ve kendi boyutundaki her yldz gibi, dnyay da iine alacak bir krmz deve dnecektir. En sonunda ise kendi iine kerek, bir beyaz cce haline gelecektir (Skmen, 2003).
4.3. Gne Enerjisi

Gne enerjisi, ekolojik adan dier btn enerjilerin temelidir. Fosil yaktlar, rzgar, hidroelektrik, biyogaz, termik, dalga gibi dier tm enerji trleri Gne enerjisinden trerler. Gne enerjisinin kayna gnein ekirdeinde meydana gelen fzyon reaksiyonlardr. Bu reaksiyonlar srasyla,
H 1 + 1 H 1 1 H 2 + + + + 0,42 Mev
(4.1)
H 2 + 1 H 1 2 He 3 + + + + 5,49 Mev
(4.2)
He 3 + 2 H 3 2 He 4 + 21 H 1 + 12,86 Mev
(4.3)
tepkime denklemleriyle tanmlanr (Engin, 1995). Doal bir fzyon reaktr olan gnete; her bir saniyede 564 milyon ton hidrojen, 560 milyon ton helyuma dnmekte ve kaybolan 4 milyon ton ktle karl 386 milyon EJ (eksa joule) enerji aa kmaktadr (ltanr, 1996). Fzyon reaksiyonlarnn gerekletii ekirdek ksmnda, scaklk yaklak 2 x 107 K olmakla birlikte, yzey (fotosfer) scakl yaklak 6000 K dir. Btn scak cisimler gibi gne de, bir ok dalga boyunda elektromanyetik
53
nmlar yapar. Gnein yaynlad nmlarn spektrumu; yaklak 6000 K scaklnda bulunan bir kara cismin yaynlad spektrum gibidir . Bu nedenle gnein yaynlad enerji, kara cisim masn aklamak iin kullanlan fizik yasalar ile belirlenebilir (Engin, 1995).
4.3.1. Kara cisim mas ve gnein yaynlad enerji

Herhangi bir scaklktaki cisim, termik radyasyon (nm) da denen bir radyasyon yaynlar. Bu radyasyonun zelikleri, cismin scaklna ve zeliklerine baldr. Termik radyasyon spektrumu; kzltesi blge, grnr blge ve mor tesi blge dalga boylarnn srekli bir dalmndan olumutur. Termik radyasyon spektrumu, kara cisim mas incelenerek aklanmtr. nk tanm olarak kara cisim zerine den tm radyasyonu souran ideal bir sistemdir (Serway, 1996). Kara cisim radyasyonu iin farkl scaklklardaki enerji dalmnn deneysel verileri incelenerek, yaynlanan enerjinin dalga boyu ve scaklkla deitii bulunmutur. Kara cismin scakl ykselince, yaynlad toplam enerji miktar da artar. Artan scaklkla, dalmn tepe noktas daha ksa dalga boylarna kayar. Bu kayma miktar Wien Kayma Yasas ad verilen,
max
T = 0,2898.10 2 m . K
(4.4)
bantsna uymaktadr. Burada; max yaynlanan radyasyonun dalga boyu iin elde edilebilecek en byk deerdir. T radyasyonu yaynlayan cismin scakldr. Radyasyon spektrumunu aklayabilmek iin d dalga boyu aralnda yaynlanan birim alan bana gc, I(,T) d eklinde tanmlamak kolaylk salar. Kara cisim masnn klasik bir modeline gre yaplan hesabn sonucu,
2ckT 4
I( , T) ) =
(4.5)
bants ile ifade edilen Rayleigh-Jeans Yasas dr. Burada k, Boltzmann sabitini
54
gstermektedir. Rayleigh-Jeans Yasas uzun dalga boylarnda baarl olmakla birlikte, ksa dalga boylar iin yaplan hesaplamalarda deneysel verilerle uyumlu deildir (Serway, 1996). Ayrca Rayleigh-Jeans bantsna gre, tm frekanslardaki radyasyon enerjileri toplamnn sonsuz olmas gerektii gibi yanl bir sonu (mor tesi felaket diye bilinir.) kmaktadr (Taylor ve Zafaritos, 1996). Fiziksel olarak, elektromanyetik alanda sonsuz bir enerji mmkn olmayan bir durumdur (Serway, 1996). Max Planck, bu yanll dzeltebilmek iin kara cisim masnn kuantalanm olduu varsaymn kullanarak,
I ( , T ) =
2 h c2 5 e
hc kT
(4.6)
bantsna ulamtr. Buradaki h deeri, Planck sabitidir ve deeri 6, 626.10 -34 J.s dir. Tm dalga boylarnda yaplan hesaplamalarda, deneysel verilerle tam bir uyum iinde olan bu bant Planck Yasas dr (Serway, 1996). Bunlardan baka, her scaklkta kara cisim masn aklamak iin bir de Stefan-Boltzmann Yasas kullanlr. Bu yasaya gre; her cisim, her scaklkta, btn dorultularna nlar halinde enerji gnderir. Cismin birim yzeyinden birim zamanda yaynlanan enerji,
I = sb T 4
(4.7)
bantsna eit olur. Burada sb, Stefan-Boltzmann sabitidir. Inm yapan cismin yzeyi matlatka sb deeri byr. Uygulama alanna gre gereken gne enerjisini belirleyebilmek iin kara cisim masnda kullanlan fizik yasalar kullanlr. Gne nmnn tamam yer yzeyine ulaamaz. Yaklak %30 u dnya atmosferi tarafndan geriye yanstlarak azaltlr. Bu azaltlmann sebepleri; Rayleigh salm (atmosfer molekllerince salma),
atmosferdeki yabanc maddelerce salma (toz gibi), atmosferi oluturan gazlarca ve dier yabanc maddelerce sourmadr (Engin, 1995). Gne enerjisinin kullanmnda bu durum gz nnde bulundurulmaldr.
55
4.4. Gne Enerjisinin Kullanm

Gneten yeryzne gelen toplam gne nm, dolaysz (direkt) ve dolayl (yaygn) olarak iki bileene ayrlabilir. Direkt nm adndan da anlalaca gibi, dorudan gneten gelen nmdr. Yaygn nmlarsa, tm gk kreden gelen belirli yn ve dorultusu olmayan nmlardr. Yutulan ve salan gne nmnn dank bir ekilde yeryzne ulaabilen ksm, yaygn nm oluturur (Engin, 1995). Gne nm asrlardan beri yeryzne geldii halde, bilinli olarak kullanlmas olduka yenidir. Gne enerjisinin nem kazanmas daha ok 1973 deki dnya enerji krizi ile olmutur. Gnmzde, gne enerjisinden birok alanda yararlanlmakta ve her geen gn bu alanlarn says artmaktadr (Baykul, 1987). Gne enerjisinin kullanm alanlar zel amalara gre deiebilmektedir. Bu enerjinin kullanmndaki temel ama, ekonomik rekabet koullarnda olabildiince fosil yaktlarn yerini almasdr. Amalanan ve uygulanan kullanm alanlar yle sralanabilir: 1. Konutlarda, iyerlerinde ve gndelik yaam yapsnn eitli kesimlerinde s ve elektrie dayal bir blm enerji ihtiyacnn karlanmas. 2. Endstriyel enerji ihtiyacnn bir blmnn, s ve elektriin birlikte retim teknolojisiyle karlanmas. 3. Krsal yrelerde ve tarmsal teknolojide enerji ihtiyacnn olabildiince karlanmas. 4. Kara, deniz ve hava tatlarnn bir blmnde hareketi salayc kaynak olarak kullanlmas. 5. letiim aralarnda (radyo, TV, telefon), sinyalizasyon ve otomasyonda bir blm enerji ihtiyacnn karlanmas.
6. Elektrik sektrnn birincil kaynaklar arasna gne enerjisinin de girmesi
7. Askeri alanda ve uzay almalarnda enerji gereksiniminin karlanmas ( nan ve ltanr, 1996).
56
4.5. Gne Enerjisi Teknolojileri

Gne enerjisinin yeterince kullanlabilmesi, uygun teknolojilerin gelitirilmesi ile mmkn olacaktr. Ancak birok lkede yaygnca kullanlmakta olan scak su retim sistemleri bile, Trkiye de olduka az kullanlmaktadr. Gne santralleri iin n koul saylan yllk en az 2 000 saat gneli olma sresi; Trkiye de yaklak 2 600, zellikle Gneydou Anadolu Blgesi nde ise, 3 000 saatlik sre ile salanmaktadr ( nan ve ltanr, 1996). Gne santralleri de dahil olmak zere scak su retim sistemleri, gne ocaklar, gne pilleri, gne soutucular kullanlarak gne enerjisinden yararlanlabilir. Bylece her yl 2 milyar dolarlk yatrm gerektiren enerji gereksinimimize, kk de olsa bir katk salanabilir. Gne enerjisinden yeterince yararlanmak, daha az yakt (kmr, petrol, doal gaz) kullanmay beraberinde getirir. Daha az yakt kullanmak, daha temiz ve salkl evre demektir. Temiz Enerji Vakf (TEMEV) ve Uluslararas Gne Enerjisi Topluluu-Trkiye Blm (UGET-TB) gne enerjisinin lkemizdeki kullanmn arttrmak iin almaktadr ( nan ve ltanr, 1996). Gne enerjisi teknolojileri; yntem, malzeme ve teknolojik dzey asndan ok eitlilik gstermekle birlikte, u ekilde snflandrlabilir: 1. Isl Gne Teknolojileri, a. Dk scaklk sistemleri: Dzlemsel gne kolektrleri, vakumlu gne kolektrleri, gne havuzlar, gne bacalar, su artma sistemleri, gne mimarisi, rn kurutma sistemleri ve seralar, gne ocaklardr. b. Younlatrc sistemler: Parabolik oluk kolektrler, parabolik anak sistemler, merkezi alc sistemlerdir. 2. Younlatrc Gne Enerjisi Sistemleri, a. Dorusal younlatrclar. b. Noktasal younlatrclar. Gne enerjisi, kullanlacak alana gre uygun bir teknoloji ile baka bir enerji
57
trne dntrlr. Gnmzde en ok ihtiya duyulan enerji trleri, s ve elektrik enerjisidir. Bu yzden yaplan almalar genellikle, gne enerjisinin s ve elektrik enerjisine dntrlmesine yneliktir. Son zamanlarda hidrojen tama, stma ve g retimindeki yksek verimliliklerinden dolay; nitelikli bir enerji kayna olarak tanmlanmtr. Bununla birlikte gne enerjisinden hidrojen elde etme almalar younlamtr. Gne enerjisinden s enerjisi elde etme, pasif stma ve aktif stma yntemleriyle yaplmaktadr (Grsoy, 1999). Elektrik enerjisi retimi asndan, gneten gelen enerji balca iki snfa ayrlabilir. Bunlardan biri, kzltesi dalga boylarn ieren ve s enerjisi olarak ortaya kan ksmdr. Dieri ise, grnr ve mor tesi dalga boylarn kapsar (Batman, 2001). Gnein sl enerjisini kullanan elektrik santrallerinde, gne bilgisayar kontroll aynalar tarafndan bir kulede odaklanmaktadr. Burada, gneten gelen s enerjisi bir akkana aktarlmakta ve akkan tarafndan kuleden alnmaktadr. Daha sonra bu s enerjisi, bir trbo jeneratr tahrik edecek buhar elde etmek iin kullanlmaktadr. Bu tip bir santralin verimi %5 ile %6 arasnda olmaktadr (Batman, 2001). Gneten gelen fotonlarn enerjileri, gne pilleri ile dorudan elektrik enerjisine dntrlebilir.
4.6. Gne Pilleri

Gne nlarn dorudan elektrik enerjisine dntren elektronik cihazlara gne pili veya fotopil (solar cell) denir. Gne enerjisi ayr cihazla elektrik enerjisine dntrlr. Bunlar fotoemissif selller, fotorezistan sellller ve yariletken gne pilleridir. lerinde en verimli ve en kullanl olanlar yariletken gne pilleridir (Kse, 1986). Yzey lleri genellikle 100 cm kadar ve kalnlklar 0.2-0.4 mm arasnda olan gne pillerinin yzeyleri; kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilir (www.eie.gov.tr). Fotovoltaik gne pili yapmnda en ok kullanlan materyaller ise silisyum(Si), galyum arsenik (GaAs), kadmiyum slfr (CdS) ve kadmiyum tellr (CdTe) dr (Kse, 1986). Gne pillerinin almas; fotovoltaik ilkeye dayanr. Levhalar zerine k dt zaman, ular arasnda elektrik gerilimi oluur. Pilin verdii elektrik enerjisinin
58
kayna, yzeyine gelen gne enerjisidir. Gne enerjisi; gne pilinin yapsna bal olarak, %5 ile %20 arasnda bir verimle elektrik enerjisine evrilebilir. G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili bir birine paralel ya da seri balanarak, bir yzey zerine monte edilir. Bu yapya gne pili modl ya da fotovoltaik modl ad verilir. G talebine bal olarak, modller bir birlerine seri ya da paralel balanarak; bir ka watt tan megawatt lara kadar sistem oluturulur (www.eie.gov.tr). lk gne pili Schottky, Lange ve Grondahl tarafndan, bakr oksit (CuO2) ve selenyumdan (Se) yaplmtr. 1954 ylnda, RCA ve Bell Telephone Laboratuarlar ndaki aratrma gruplar tarafndan, p-tipi ve n-tipi yariletkenlerden oluan p-n eklemleri ile %6 orannda bir verim elde edilmitir. Daha sonra p-n eklemli silisyum gne pilleri ile %15 orannda bir verime ulalmtr. Bu piller, 1958 ylndan beri yapay uydulara elektrik enerjisi salamaktadr. 1973 ylndaki petrol krizinden sonra, yeryznde enerji retimi iin yaygn olarak gne pilleri kullanlmaya balanmtr. 1970 li yllarn sonunda, yeryz kullanm uzay kullanmn gemitir. Dnyada ilk gne pili santrali, 1982 ylnda Alarko Solar Inc tarafndan A.B.D nin Kaliforniya Eyaleti nde kurulmu olan 1 MW gcndeki santraldir. Bu santral ulusal elektrik ebekesine balanmtr (Kse, 1986). Buna bal olarak fiyatlar da dmtr. 1980 li yllarn banda gne pilleri iin yeni retim yntemleri gelitirilerek kk apta retilmeye balanmtr. Bu gelimelerin, gelecekte fiyatlar daha da drecei tahmin edilmektedir (Engin, 1995). Gne pillerinin; son on ylda pazarn cep telefonlarndan sonra, en hzl byten endstriyel mallardan biri olduu vurgulanmaktadr. Artan retim hacmi ve den fiyatlar, gne pillerini nceleri ebekenin olmad blgelerde mstakil uygulamalar iin uygun hale getirmitir. zellikle 90 l yllarn ortalarna kadar gne pillerinin esas pazarlar, eitli uluslararas yardm uygulamalarnn hedefi olan 3. dnya lkelerindeki gelimemi altyap destek programlar olmutur (Kuban, 2003). Bu deiimin temel nedeni, gelimi lkelerde 90 l yllarn ortalarndan itibaren uygulanmaya balanan tevik programlardr. Bu alanda rnek gsterilen Federal Alman Yenilenebilir Enerji Yasas ile Alman pazar, en hzl byyen pazar olmutur. Gne pillerinin Alman kentlerindeki mimari uygulamalar her geen gn
59
artmaktadr. Devlet tevikleri ile byyen retim hacimleri, hemen tm endstriyel teknolojilerde rastlanan maliyet dlerini, beraberinde getirmektedir (Kuban, 2003). Gne pilleri, elektrik enerjisinin gerekli olduu her uygulamada kullanlabilir. Gne pili modlleri uygulamaya bal olarak; akmlatrler, invertrler, ak arj denetim aygtlar ve eitli elektronik destek devreleri ile birlikte kullanlarak bir gne pili sistemi (fotovoltaik sistem) olutururlar. Bu sistemler, zellikle yerleim yerlerinden uzak, elektrik ebekesi olmayan yrelerde, jeneratre yakt tamann zor ve pahal olduu durumlarda kullanlrlar. Bunun dnda dizel jeneratrler ya da baka g sistemleri ile birlikte karma olarak kullanlmalar da mmkndr ( nan ve ltanr, 1996). Kullanm alanlar ve kullanc kitleleri byk bir hzla artan gne pilleri konusundaki aratrmalar youn bir ekilde devam etmektedir. Bu pillerin stn yanlar arasnda uzun mrl olmas (yaklak 20-30 yl), evre kirlilii yaratmamas, hareketli ksmlar iermediinden anmamas saylabilirken; zayf yanlar arasnda dk gl olmas, yalnz gndzleri almas ve ekonomik olmamas saylabilir (Engin, 1995).
4.6.1. Yariletken gne pillerinin alma ilkesi

Gne pilleri (fotovoltaik diyotlar); levhalar zerine gne dtnde, gne enerjisini dorudan elektrik enerjisine eviren dzeneklerdir. Bu enerji evriminde, herhangi hareketli para bulunmaz. Gne pilleri ilke olarak, bugn hayatn her kesimine girmi olan elektronik dzeneklerin ierisinde kullanlan ve ok kk boyutlara sahip olan yariletken diyotlarn, geni yzey alanlara uygulanm eklidir. Kullanlan malzemeler, retim ekilleri ve diyotlarn alma ilkeleri temel olarak bir birlerine benzemektedir (Oktik, 2001). Gne pillerinin alma ilkesi, fotovoltaik dnm olayna dayanr. Fotovoltaik dnmde gne n souracak malzeme, yasak enerji aral gne spektrumu ile uyumlu ve elektrik yklerinin bir birinden ayrlabilmesine izin verebilecek zellikte bir yariletken olmaldr (Oktik, 2001). Fotovoltaik olay, iki aamada meydana gelir. Bunlar, birer tayc yk ifti olan elektron-hol iftinin oluturulmas ve bu yk iftlerinin birbirinden ayrlmas olaydr (Kse 1986; Baykul
60
1987). En basit olarak bir gne pili yapm; herhangi bir yariletkende n-tipi ve p-tipi blgeler oluturularak gerekletirilebilir. Oluturulan bu n-tipi ve p-tipi blgelerin gei blgesindeki p-n eklemi kesiminde, doal olarak bir elektrik alan kurulur. Bu blgede oluan elektrik alan, yapsal elektrik alan (Eyap) olarak adlandrlr. Yariletken eklemin gne pili olarak almas iin eklem blgesinde fotovoltaik dnmn salanmas gerekir. Bu dnm iki aamada olur. nce eklem blgesine k drlerek, elektron-hol iftleri oluturulur. Sonra bunlar, blgedeki elektrik alan yardmyla bir birlerinden ayrlr. Yariletkenler, bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan oluur. Bu bantlar valans band ve iletkenlik band adn alrlar. Yasak enerji aralna eit veya daha byk enerjili bir foton; yariletken tarafndan sourulduu zaman, enerjisini valans bandndaki bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandna kmasn salar. Bylece elektron-hol ifti oluur. Bu olay p-n eklemli gne pilinin ara yzeyinde meydana gelmi ise, elektron-hol iftleri buradaki elektrik alan tarafndan bir birlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili; elektronlar n-tipi blgesine, holleri de p-tipi blgesine iten bir pompa gibi alr. Bir birlerinden ayrlan elektron-hol iftleri, gne pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. Bu sre, bir fotonun yeniden pil yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yariletkenin i ksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-hol iftleri oluturulmaktadr. Fakat bunlar, gerekli elektrik alan olmad iin tekrar birleerek kaybolmaktadrlar (www.eie.gov.tr). Gne nlar, eklem blgesinde veya ekleme yakn yerlerde elektron-hol iftleri oluturduunda; eklemde meydana gelen bu elektrik alan elektronlarn n-blgesine, hollerin de p-tipi blgesine gemesini salar. Balangta ntr olan n-tipi ve p-tipi blgeleri srasyla, negatif ve pozitif yklenmi olur. Yariletkenin iki ucu bir d devreye balandnda, bu ykler akarak elektrik akm olutururlar. Elde edilen bu akm doru akmdr ve fotovoltaik akm (fotoakm) adn alr. Fotovoltaik akm, gne nlar pil zerine dt srece yok olmaz (Engin, 1995).
61
4.6.2. Gne pillerinin elektriksel zellikleri

Fotovoltaik gne pilleri; absorplanm fotonlarn meydana getirmi olduu akm geirecek yndeki bir diyot zerine paralel balanm, sabit bir akm kayna gibi davranr. Fotovoltaik gne pilleri, ileri ynde beslenmi bir p-n eklem diyotu gibi alrlar. ekil 4.2. de ematik olarak gsterilen p-n eklemli bir gne pilinde foton absorplanmas ile eklemin her iki tarafnda, tayc yk (elektron-hol) fazlalklar meydana gelir. Eklemin her iki yanndaki ounluk yk tayclar difzyon yoluyla, aznlk yk tayclar ise eklem blgesinde elektrik alann srklemesiyle () eklem blgesini geerek; fotoakm younluunu meydana getirirler (Kse, 1986).
Gelen fotonlar Js p Jf Jd Rs Rsh RL VL JL
ekil 4.2. p-n eklemli gne pilinin ematik gsterimi (Kse, 1986).
Fotoakm younluu (Jf), p-n eklemini ileri ynde kutuplar. Eer fotovoltaik gne pilinin knda herhangi bir yk bal deilse (RL=0) Jf; p-tipi blgeyi pozitif, n-tipi blgeyi negatif olarak ykler. Bu durumda p-n ekleminin potansiyel engeli 0 azalr ve ounluk yk tayclar, aznlkta olduklar blgelere doru difzyon yoluyla geerler. ounluk yk tayclarnn oluturduu bu birleim akm younluu Jr; p-tipi blgeyi negatif, n-tipi blgeyi pozitif ykler. Bu yklenmeden dolay Jf fotoakm younluu, p-n eklemini ters ynde besler. Bu durumda 0 potansiyel engelinin ykseklii tekrar artacandan, ounluk yk tayclarnn eklem blgesini geileri engellenmi olur. Bu anda tekrar bir foton absorplanr ve 0 potansiyel engelinin ykseklii tekrar azalr. Bylece 0 potansiyel engelinin bir azalp bir artmas, gne pili nlarn etkisinde kald srece devam eder (Kse, 1986; Baykul 1987).
62
Aydnlatlm fotovoltaik bir gne pilinin ierisinden geen toplam akm younluu J, elektronlarn ve hollerin meydana getirdikleri akm younluklarnn toplamna eittir. Herhangi bir x konumunda ve dalga boylu fotonlarn gne pili ierisinde meydana getirmi olduklar elektron ve hol akm younluklar srasyla, Je(x, f) ve Jh(x, f) ise J akm younluu,
J ( ) = J e (x, f ) + J h (x, f )
(4.8)
bants ile verilir. Je ve Jh akm younluklar, gelen fotonlarn dalga boyuna bal olarak deiir. Bu akm younluklar, sreklilik denklemleri ile verilir.
= e+ dn(x, dx ) + )
J e (x,
e p n(x,
(4.9)
n(x, ) n 0 (x) 1 dJ e (x, ) + g(x, ) e dx n
= 0
(x,
dp(x, dx
h n p (x, )
(4.10)
p(x, ) p 0 (x) 1 dJ h (x, ) + g(x, ) e dx p = 0
Burada n ve p, sabit olmayan katk konsantrasyonlarndan meydana gelen elektrik alanlardr. Dn, Dp , e , h ,n ve p, srasyla elektronlarn ve hollerin difzyon katsaylarn, mobilitelerini ve mrlerini, n(x,) ve konsantrasyonlarn, g(x,) elektron ve hollerin sreklilik denklemleri dzenlendiinde, p(x,) aznlk tayc oluum oranlarn gsterir. Bu
Dn
d2n dn(x, ) n(x, ) n0 (x) e n + g(x, ) = 0 2 dx dx n
(4.11)
63
Dp
d2p dp(x, ) p(x, ) p0 (x) h p + g(x, ) = 0 2 dx dx p
(4.12)
bantlar ile ifade edilen diferansiyel denklemler elde edilir. Gne pili ierisindeki tayc yklerinin mrleri ve mobiliteleri, konumdan bamsz kabul edilerek; (4.11) ve (4.12) bantlarndaki diferansiyel denklemleri aadaki snr koullar iin zlebilir. 1. n yzeyde x=0 iin birleme meydana gelir. Elektronlarn n yzeyde birleme hzlarnn akm younluklarna ball,
J e = eS n (n n 0 )
(4.13)
bants ile verilir. Burada Sn elektronlarn yzey birleim hzn ifade etmektedir. 2. Eklem dzleminde keskin ve ince olan gei ihmal edilebilirse; x=P snr koulu iin elektron ve hollerin younluklar srasyla,
n n0 = n0 e
eVd kT
(4.14)
p p0 = p0 e
eVd kT
(4.15)
bantlar ile verilir. Vd, p-n eklemine uygulanan gerilimdir. 3. Arka yzeydeki x=Wn+Wp iin hollerin birlemesi arasndaki iliki, ile akm younluklar
J h = eS p (p p 0 )
(4.16)
64
bants ile ifade edilir. Burada Sp hollerin yzey birleim hzdr. Bir gne pilinin ierisinden geen toplam akm J(), (4.9) ve (4.10) bantlarndaki diferansiyel denklemlerin zmnden elde edilen,
J( ) = J 0 (e
eVd kT
1) jf ( )
(4.17)
bantsdr. Burada e
ev d kT
ifadesi, Maxwell-Boltzmann faktrdr. J f = ( ) ,
fotoakm younluunu ifade eder ve gelen fotonlarn dalga boyuna baldr. Toplam fotoakm younluu J f ,
j f = 0 J f ( ) d ( )
(4.18)
bants ile verilir. Burada , gne pili zerine gelen fotonun dalga boyudur ve bykl,
hc Eg
(4.19)
bantsyla ifade edilir (Kse, 1986).
4.6.3. Bir gne pilinin edeer devresi

Bir gne pili; fotonlar tarafndan meydana getirilen akm geirecek durumda olan bir diyot zerine paralel bal, sabit bir akm kayna gibi davranr. Diyotun ular arasnda, potansiyel duvarnn alald miktara eit bir potansiyel fark meydana gelir. Bu potansiyel farkna, fotovoltaik elektromotor kuvveti (e.m.k) denir. Fotovoltaik e.m.k; silisyumdan yaplm gne pilleri iin yaklak 0.5 volt, germanyumdan yaplm piller iin yaklak 1 volttur (Oral, 1979).
65
ekil 4.3. de, bir gne pilinin edeer devresi gsterilmitir. Burada Rs gne pilinin i seri direncini, Rsh nt direncini, RL yk direncini, JL ise yk direnci iinden geen akm younluklarn ifade eder (Kse, 1986).
Js Rs
JL
Jf
Jd
Vd
Jsh
Rsh
RL
VL
ekil 4.3. Bir gne pilinin e deer devresinin gsterimi (Kse, 1986).
Bir gne pilinin ak devre gerilimi, pilden geen akmn sfr olmas durumunda pil ularndan llen gerilimdir. Pilin ksa devre akm ise, sfr gerilimde ve aydnlatma altnda pilden geen akmdr. Seri diren etkilerinin ihmal edildii ideal durumda, kla oluan akma eit olup ma iddetine baldr (abuk, 1992). deal bir gne pili iin Rs=0 ve Rsh= kabul edilebilir. Bu durumda pilin ksa devre art altnda, yani Vd=0 olmas halinde; pilin ksa devre akm younluu Jkd, Jf fotoakm younluuna eit olur . Bu durum,
J kd = J f
(4.20)
bantsyla ifade edilir. Ak devre art altnda, yani RL= iin gne pili ierisinden geen toplam akm sfr olacandan; (4.17) eitliinde J ( ) = 0 alndnda, ak devre gerilimi Vad iin,
j A kT Vad = 0 ln 1 + f j0 e
(4.21)
66
bants bulunur. Burada A0, p-n ekleminin ideal olma faktr, J0 karanlk doyum akm younluudur. Dzgn olmayan eklem blgesi, istenmeyen yabanc maddeler ve kristaldeki boluklar, J0 akm younluunun artmasna sebep olur (Oral, 1979; Kavcar, 2001). Gne pilinin ak devre voltaj fotovoltaik elektromotor kuvvetine (e.m.k) eittir (Kse, 1986). Fotovoltaik emk, yariletken materyalin yasak enerji aralnn ve nt direncinin artmas ile artar; J0 akm younluunun ve scakln artmas ile azalr. deal bir gne pilinin edeer devresi ekil 4.4. de gsterilmitir.
JL
Jf
Jd
Vd
RL
VL
ekil 4.4. deal bir gne pilinin edeer devresinin gsterimi (Kse, 1986).
4.7. Yk Tayclarnn mr ve Difzyon Mesafesi

Bir yariletken malzeme veya alette, yk tayclarnn mrn ve difzyon mesafesini bilmek birok ynden avantaj salar. rnein, yariletken aygtlarda grlen yeniden birleme akmnn kontrol edilmesinde, yk tayclarnn mr bilinmelidir (Yksel, 1990). Yariletkende meydana gelen yk tayclar saysnn ilk n deerinin, n/e deerine (e=2.718) dmesi iin geen zamanna yk taycsnn (aznlk) mr denir. ; meydana gelen aznlk yk tayclarnn yeniden birleerek, kayp olma (rekombinasyon) zaman sabitidir. Aznlk yk tayclarnn mr, yariletkenin nemli bir karakteristiidir. Yariletkenin kullanlabilir olmas iin byk olmaldr. Kullanlmakta olan yariletkenler iin nun deeri, 1/10 mikro saniyenin birka kat ile birka mili saniye arasndadr. Aznlk yk tayclarnn mr, kristalin mkemmellii ve safl ile artar. deeri; yariletkenin yapsna, hazrlanma ekline ve iletkenliinin cinsini tayin eden yariletkenin cinsine baldr (Oral, 1979).
67
Yariletkende meydana getirilen aznlk yk taycsnn llen mr, iletkenliine istenilen tipi vermek iin katklanan maddeyi dikkate alarak hesaplanan deerden daha kktr. Yariletkende; akseptr ve donr atomlar tarafndan meydana getirilen ve yk tayclarnn yeniden birleerek yok olmalarna yol aan merkezler vardr. Bunlardan en fazla rahatsz edici olanlar: germanyum iinde bakr, nikel, kalay; silisyum iinde ise demir ve manganezdir. Bu merkezler sayca az olsalar da, deerini nemli lde deitirirler. Bu durum ok saf ve mkemmel mono kristallerin hazrlanmasn gerektirir. L difzyon uzunluu, yk tayclarnn hareketlilii (mobiliteleri) ve mr ile artar. Bu deer germanyumda holler iin 1-2 mm ve elektronlar iin 1-3 mm iken, silisyumda holler iin 0.2-0.4 mm ve elektronlar iin 0.4-1 mm arasndadr (Oral, 1979; Kavcar, 2001). Bu parametreleri lmek iin eitli yntemler gelitirilmitir. Bu lmler kristal veya aygt zerinde yaplabilir. Yapm tamamlanm bir aygtta yk tayclarnn mrn ve dolayl olarak, difzyon mesafesini lmek iin en ok tavsiye edilen yntem, ak devre gerilimini azaltma yntemidir. p-n eklemli bir gne pilinde, gne yla uyarmalar sonucu oluan elektron-hol iftleri, difzyon mesafesi sonunda yeniden birleerek yok olurlar. Dolaysyla pilden elde edilmek istenen akma katkda bulunamazlar. Eer difzyon mesafesi bilinir ve pilin toplayc metal kafes aral, bu mesafeden dar tutulursa elektron-hol iftleri yeniden birlemeden akma katkda bulunurlar. Bylece yk tayclarnn yeniden birlemesinden kaynaklanan verim kayplar nlenmi olur (Yksel, 1990).
4.8. Yariletken Gne Pilleri in Materyal Seimi

Gne pilleri, pek ok farkl maddeden yararlanarak retilebilir. Materyal seimi; retilen gne pillerinin hem ekonomik, hem de yksek verimli olmas asndan byk nem tamaktadr. Silisyum, gne pili retiminde en yaygn kullanlan materyaldir. Gne pili; tek-ok kristal blok veya tabakadan elde edilerek, dilimlenmi kaln kristal malzemeden veya bir tayc zerinde oluturulmu ok kristal veya amorf ince film tabakalardan retilmektedir. Gne pili retiminde kullanlan balca malzemeler unlardr:
68
1. Kaln kristal malzeme: Kristal silisyum, galyum arsenik (GaAs). 2. nce film malzeme: Amorf silisyum, kadmiyum slfr (CdS), kadmium tellr (CdTe), bakr indium diselenid (CuInSe2). 3. Optik younlatrcl hcreler.
ekil 4.5. eitli yariletken materyallerin verimlerinin yasak bant aralklar ile teorik olarak karlatrlmasnn grafik zerinde gsterimi.
ekil 4.5. de eitli materyaller iin llen maksimum verimler, yasak bant aral zerinde bir apraz ile gsterilmitir. ekilde grlen eri ise Loferski tarafndan, atmosfer dnda bulunduu dnlen, ideal bir diyot iin teorik hesaplara gre izilmitir (Kavcar, 2001). Teorik sonulara gre izilen grafik, yasak bant genilii 1.1 eV ile 2.3 eV arasnda olan yariletken materyallerden yaplan gne pilleri ile daha yksek verim elde edildiini gstermektedir. Yasak bant genilii bu aralkta bulunan materyaller: Silisyum (Si-1.21 eV), indium fosfor (InP-1.27 eV), galyum arsenik (GaAs-1.36 eV), alminyum antimuan (AlSb-1.49 ev), kadmiyium tellr (CdTe-1.5 eV), inko tellr (ZnTe-2.1 eV), alminyum arsenik (AlAs-2.16 eV) ve galyum fosfordur (GaP-2.24 eV) (Kse, 1986; Kavcar, 2001).
69
Gne pillerinde kullanlan yariletken materyalin yasak bant aral Eg arttka; J0 karanlk doyum akm younluu azalr, Vad ak devre gerilimi artar. nk bu durumda pil tarafndan absorplanan, yasak bant geniliinden daha byk enerjili (h>Eg) fotonlarn says azalr. Yasak bant aral Eg azaldka; J0 karanlk doyum akm younluu artarken, Jf fotoakm younluu azalr. nk bu durumda gelen fotonlarn tamam gne pili tarafndan absorplanamaz. Yeterli miktarda elektron-hol ifti oluturulamaz ve Jf fotoakm younluu azalarak pilin verimi der. retilen gne pilinin yksek verimli olabilmesi iin kullanlacak yariletken malzemenin uygun yasak enerji aralna sahip olmas gerekir (Oral, 1979; Kse, 1986). Gne pili yapmnda kullanlacak materyalin seiminde, optik zelliklerine de dikkat edilmelidir. Direkt bant geiine sahip materyallerde gelen nlar daha ksa mesafelerde absorplanmalarna ramen, indirekt bant geili materyallerde daha derinlerde absorplanmaktadr. Bu sebeple direkt bant geili materyal kullanlarak yaplan gne pilleri, indirekt bant geili materyal kullanlarak yaplanlara gre daha ince olarak ve daha az materyal kullanlarak retilirler. Bu durumda indirekt bant geili materyallerde, yzey birlemeleri daha ok olur ve pilin k gc der. Dier taraftan; direkt bant geili yariletkenlerin pratikte elde edilmesi hem zor, hem de pahaldr (Kse, 1986). Gne pili yapmnda kullanlacak yariletken materyal seiminde dier lt, yariletken maddenin mikro yapsdr. Yariletken malzemedeki kusurlar, tayclarn iletilmesini nemli lde etkileyecektir. Tek kristalli malzemelerde yapsal zellikler tm maddede ayndr. Oysa ok kristalli malzemede, yapsal zellikleri bir birlerinden farkl olan ve damar ad verilen blgeler vardr. Bir damardan dierine geerken karlalan sreksizlik ve buna bal olarak mikro-yapda oluan kusurlar, elektriksel iletkenlii olumsuz ynde etkiler. Sonuta tek kristalli malzemeden ok kristalli malzemeye geildiinde; elde edilebilecek enerji dnm verimi derken, ok kristalli malzemede damar byklkleri verimle doru orantldr. Ayn yariletkeni p-tipi ve n-tipi katklamakla elde edilen p-n eklem diyotlarn (homoeklem diyot) yannda, bir birinden farkl yariletken kullanmakla elde edilen heteroeklem diyotlar da, fotovoltaik teknolojisinde baar ile uygulanmaktadr. Bu uygulamada; gne nlarnn byk oranda sourulmasn salayan bir yasak bant aralna sahip yariletken
70
malzeme ile eklemin k alan taraf oluturulur. Eklemin dier tarafnn oluturulmasnda seilen yariletken materyalin, eklemden yksek bir gerilim elde etmeyi salayacak yasak bant aralna sahip olmasna dikkat edilir. Bu ekilde retilmi yaplarda eklem ara yzeyleri de, tayclarn yeniden birlemesine neden olan kusurlar da; almas gereken yeni sorunlar olarak gndeme gelmektedir. Bu ltlerin yannda; seilen malzemenin maliyeti, dnya zerinde hangi bollukta bulunduu ve evre dostu olmas byk nem tamaktadr (Oktik, 2001). Yksek verimlikte fotovoltaik dnm iin yasak enerji aral en uygun malteryalin seilmesi, malzemenin yapsal ve elektriksel zelliklerinin gelitirilmesi ve heteroeklem seiminde en uygun kombinasyonun kullanlmas gerekmektedir. Ayrca seilen malzemenin byk leklerde ekonomik olarak retilebilmesi; koullardan birisi olarak karmza karken, bu malzemenin kullanmnda evreye kar olan duyarlln da gereken arlkta olmas arzulanmaktadr (Oktik, 2001).
71
5. YARI LETKEN GNE P L E TLER 5.1. Giri

Gne pillerinin uygulama alanlarnn geniletilebilmesi ve kullanmlarnn yaygnlatrlabilmesi iin tm dnyada almalar yaplmaktadr. Bu almalarda bilim adamlar, gne pillerinin maliyetlerini drerek verimlerini arttrmay
planlamaktadrlar. Bu amala alma ilkeleri ayn olmak zere, eitli maddeler ve yntemler kullanarak gne pilleri retmektedirler. almalarnn sonucunda ok eitli gne pilleri ortaya kmaktadr. Teknolojik olarak tek kristal, ok kristal (polikristal) ve ince film olarak retilen gne pilleri; genelde iki ekilde snflandrlrlar. Birincisi gne pili retiminde kullanlan kristalin cinsine gre, ikincisi ise eklem yapm trne bal olarak yaplr.
5.2. Gne Pillerinin Kristal Cinsine Bal Olarak Snflandrlmas

Gne pillerinin retimlerinde kullanlan kristalin cinsine bal olarak yaplan snflandrmada, gne pilleri ana grup altnda toplanr. Bunlar: 1. p-n homoeklemli gne pilleri, 2. p-n heteroeklemli gne pilleri, 3. Amorf silisyum (a:Si) gne pilleridir.
5.2.1. p-n homoeklemli gne pilleri

Homoeklemli bir gne pilinde, p-n ekleminin her iki taraf ayn kristal yapl yariletken iermektedir. Fakat bu tip gne pillerinde katklama yntemleri eitlilik gstermektedir. Katklama yntemlerine gre, drt ayr p-n homoeklemli gne pili yaps vardr. Bunlar s homoeklemli gne pilleri, yksek alak yaynlayc (High-low emitter) gne pilleri, n yzey alanl gne pilleri ve dey homoeklemli gne pilleridir (Engin, 1995).
72
Tek kristalli veya ok kristalli (polikristal) olarak ayn cins yar iletken materyal kullanlarak retilirler. Polikristallerin elde edilmesi zor ve pahaldr. Polikristalden yaplan homoeklemli gne pilleri, tek kristalden yaplanlara gre scakla kar daha dayankl, daha yksek verimli ve daha uzun mrldrler. p-n homoeklemli gne pillerinin ideal verimlilikleri yaklak %28 dir (Kse, 1986). p-n homoeklemli gne pillerinin yapmnda en yaygn olarak kullanlan malzemeler, Silisyum(Si) ve Galyum arseniktir (GaAs). Gne pillerinin yapmnda daha ok silisyum tercih edilir. nk silisyum kullanlarak elde edilen p-n ekleminin ak devre gerilimi daha byktr. Silisyumun spektral cevab, germanyumda olduu gibi kzltesi nlara kadar uzanamaz. Fakat bu snrlama, k kayna olarak gne kullanld zaman ciddi bir sorun oluturmaz. nk gne nda en yksek enerjili nm, grnr blgede yeil nmdr ve bu her iki madde iin de uygundur. Akkor k kayna kullanlmas halinde; germanyumun ular arasndaki gerilim kk olmasna ramen, kndan elde edilen g silisyuma gre daha byktr. nk germanyumun yasak bant genilii silisyumdan daha kktr ve daha kk enerjilerde fotoakm elde edilmesine olanak verir (Oral, 1979; Kse, 1986; Kavcar, 2001).
5.2.1.1. Silisyum gne pilleri

Elektronik sanayisinde ok nemli bir rol oynayan silisyum (Si), gne pili retiminde en ok kullanlan materyaldir. Silisyumun elektriksel, optiksel, yapsal zelliklerinin uzun sre deimemesi ve silisyum retim teknolojisinde elde edilen byk baarlar; bu malzemenin en popler malzeme olarak ne kmasn salamtr (Oktik, 2001). Oksijenden sonra yer yznde en ok bulunan element olan silisyumun, doada en yaygn bulunan biimi kum (SiO2 ) ve kuartzdr. Kumun saflk derecesi ok dk olduundan kullanlmaya uygun deildir. Ancak kuartzn %90 silisyumdur. Kuartz ilenerek %99 silika elde edilir. Daha sonra silikadan metalrji kalitesinde silisyum elde edilir (Oktik, 2001). Silisyum, indirekt bant yapsna sahip bir materyaldir ve bu yzden k sourulmasnda fonon yardmna ihtiya duyar. Bu ise, gne tayf boyunca silisyumun
73
olduka dk bir absorpsiyon katsays sergilemesine yol aar (Kavcar, 2001). Silisyumun yasak bant aral 0 K de 1.21 eV, oda scaklnda (300 K) 1.12 eV tur (Kse,1986). Uzay aratrmalarnda kullanlan gne pillerinin ou silisyumdan yaplmtr (Oral, 1979). Silisyum gne pillerinde bulunan p-n eklemleri, kristalin bytlmesi srasnda oluturulur. Kristal bytme ileminde kullanlan yntemler kimyasal buharlatrma, Czochralski, yzdrme ve kesme yntemleridir. Galyum (Ga), arsenik (Ar), boron (B), fosfor (P) ve almimyum (Al) silisyum kristalinde katk maddesi olarak kullanlan materyallerdir. Bunlardan boron (B) ve fosfor (P), Uzay uygulamalarndaki gne pillerinde kullanlrlar (Kse,1986). Yariletken endstrisinin ou tek kristal silisyuma dayandrlm olduundan, retim srecine ilikin byk bir teknoloji taban bulunmaktadr (Kavcar, 2001). Tek kristal silisyum, gne pili retiminde de yksek verim iin kullanlan malzemelerden biri olmakla birlikte; retim maliyetinin yksek olmas, bu alanda deiik seenek olarak ok kristalli (polikristal) malzemenin geni lekte kullanlmasna neden olmutur. Saf tek kristal retimi olduka zor ve pahal bir teknolojiyi gerektirmektedir. Bunu izleyen aamada ise silisyum saflatrlarak, yariletken niteliinde ok kristalli silisyum elde edilir. Polikristal silisyum elde edilmesine kadar olan aamalarn her birisi, olduka enerji gerektiren ve maliyeti ykselten ilemlerdir (Oktik, 2001). Tek kristalli silisyum gne pilinin rengi koyu mavi olup, arl 10 gram dan azdr. ekil 5.1. de grld gibi pilin st yzeyinde, pil tarafndan retilen akm toplayacak ve malzemesi genellikle bakr olan n kontaklar vardr. Bunlar negatif kontaklardr. Kontaklarn altnda 150 mm kalnlnda, yanstc zellii olmayan bir kaplama tabakas vardr. Bu tabaka olmazsa; silisyum, zerine den nmn te birine yakn ksmn yanstacaktr. Pilin n yzeyi, normal olarak yansyan n bir ksmn daha yakalayabilmek amacyla piramitler ve konikler eklinde dzenlenmitir. Yanstc olmayan kaplamann altnda, pildeki elektrik akmnn olutuu p-n eklemi bulunur. n-blgesi, pilin negatif tarafn; p-blgesi ise, pilin pozitif tarafn oluturur. Pilin arka yzeyinde, elektronlarn girdii pozitif kontak grevi gren arka kontak yer alr (trolu, 2000).
74
retilen piller, standart test koullarnda test edildikten sonra, tketiciye sunulmaktadr. Ortam scakl 25 oC, ortalama nm iddeti 1000 W/m2 ve hava-ktle oran 1.5 olarak test koullar belirlenmitir. Hava-ktle oran, gne nmnn geirilme orann gsteren atmosfer kalnldr. Gnein tam tepede olduu durumda (AM1 koulu), bu oran 1 olarak alnr. Atmosfer tarafndan emilen nmn oranna bal olarak, pilin retecei elektrik miktar da deieceinden; bu oran nemli bir parametredir. Tipik bir silisyum gne pili, 0.5 volt kadar elektrik retebilir. Pilleri bir birine seri balayarak retilen gerilim deerini arttrmak mmkndr (trolu, 2000).
ekil 5.1. Gne pili yapsnn ematik gsterimi.
ok kristalli malzemede, damarlarn kristal yaplarnn bir birlerine gre ynlenmeleri dnda; elektriksel, optiksel ve yapsal zellikleri zdetir. Damarlarn byklkleri, kristalin kalitesi ile doru orantldr. Damarlar arasndaki sreksizlik, zellikle elektriksel yk tayclarnn aktarlmasnda nemli lde engelleyici rol oynar. ok kristalli malzemenin elektriksel zelliklerinin, klen damar bykl ile orantl olarak bozulmas; elde edilebilecek verimliliin tek kristalle karlatrldnda kk olmasna neden olur. Ancak ok kristalli silisyum retim teknolojileri daha az enerji gerektirir ve daha kolaydr. Sonu olarak, ok kristalli silisyumun maliyeti
nemli lde dktr. ok kristalli silisyumun retilmesinde en ok kullanlan yntem dkme yntemidir. ok kristalli silisyumda balang malzemesi, tek-kristalli silisyumda
75
olduu gibi hazrlanr. Aranan saflk derecesi de benzer basamakta olmaldr. Erimi yariletken kalitesindeki silisyum, kalplara dklerek soumaya braklr. Daha sonra elde edilen bloklar kare eklinde kesilir. Bu teknoloji ile retilen malzemelerden fabrika edilen gne pillerinin verimleri ve maliyetleri dk olmaktadr (Oktik, 2001). Bununla birlikte birka milimetre tanecik byklndeki polikristal silisyumdan, verimi %14 n zerinde olan gne pilleri yaplabilmektedir (Engin,1995). Tek kristalli ya da ok kristalli silisyum gne pilleri, verimlilikleri ve kararllklar ile 1950 li yllardan bu yana kendilerini ispatlamlardr. Son yllarda gelitirilen teknolojiler ile gne-elektrik dnm verimlilikleri, beklentilerin bile zerinde seyretmektedir (Oktik, 2001). Tek kristal Silisyum bloklardan retilen gne pillerinde laboratuar artlarnda %24, ticari modllerde ise %15 in zerinde verim elde edilmektedir. Dkme silisyum bloklardan dilimlenerek elde edilen polikristal silisyum gne pilleri ise daha ucuza retilmekte, ancak verimleri daha dk olmaktadr. Polikristal Silisyum gne pillerinin verimi, laboratuar artlarnda %18, ticari modllerde ise %14 civarndadr (www.eie.gov.tr).
5.2.1.2. Galyum arsenik gne pilleri

Galyum ve arsenik elementlerinden oluan Galyum arsenik (GaAs), polikristal bir yapya sahiptir. Kristal yaplar silisyuma benzer. Bununla birlikte, silisyumdan yaplan gne pillerinin p-n ekleminde daha byk bir ak devre gerilimi elde edilir. Bu yzden gne pili yapmnda, silisyuma oranla daha az tercih edilen bir materyaldir (Kavcar, 2001). Galyum arsenik kristalinin yasak bant genilii 300 K de 1.43 eV deerinde olup, bu enerjiye eit ya da byk enerjiye sahip fotonlar sourarak elektron-hol ifti oluturur (Oktik, 2001). Direkt bant aralkl bir yariletken olduu iin zerine gelen nlar daha ksa mesafede absorplayabilir. Bu yzden GaAs gne pilleri ince yaplr ve yapmnda az materyal gerektirir (Engin, 1995). GaAs gne pilleri hem elektrik, hem de termal enerji elde etmek zere iki ama iin kullanlr. Bu durum Fresnel merceklerinin arkasna uygun olarak yerletirilmi GaAs gne pil panelleri ile salanr. Bu paneller su ile soutularak 120 oC ve 140 oC arasnda scak su buhar elde edilir ve klima cihazlar altrlr (Kse, 1986).
76
GaAs gne pilleri ile ticari modllerde %22, laboratuvar artlarnda %25 ve %28 (optik younlatrcl) verim elde edilmektedir. Dier yariletkenlerle birlikte oluturulan ok eklemli GaAs pillerde %30 verim elde edilmitir (Engin, 1995; www.eie.gov.tr). Fakat galyum elementi yeryznde az olduundan; GaAs gne
pilleri, daha ok uzay uygulamalar iin retilen optik younlatrcl sistemlerde kullanlmaktadr (Engin, 1995). GaAs in uzay uygulamalarndaki gne pillerinde kullanlmasnn dier sebebi, silisyuma gre scakla ve radyasyona kar daha dayankl olmasdr (Kse, 1986).
5.2.2. p-n heteroeklemli gne pilleri

Son zamanlarda p-n homoeklemli gne pillerine gre daha kolay ve daha ucuza elde edilebilmesi, birim arlk bana daha yksek g salanmas, scakla ve radyasyona kar daha fazla dayankllk gstermesi gibi stn zelliklerinden dolay; heteroeklem ad verilen ince film gne pilleri kullanlmaya balanmtr (Oral, 1979). Bu stn zelliklerine karn, verimleri homoeklemli gne pillerine gre dktr (Kse, 1986). Heteroeklemli bir gne pilinde p-n ekleminin her iki taraf farkl iki yariletkenden oluur. p-n ekleminin her iki yannn i fonksiyonlar (Fermi dzeyinden bir elektronu boluk dzeyine geirmek iin gerekli enerji), elektron ilgileri (electron affinity, iletim band kenarnda bulunan bir elektronu boluk dzeyine geirmek iin gerekli enerji), bant aralklar ve katk konsantrasyonlar farkldr (Engin, 1995). Termal dengede olan iki yariletken birletirildiinde, Fermi dzeyleri sistemin her yerinde ayn olur. Fakat sistemde i fonksiyonlarnn farkna eit olan bir elektrostatik potansiyel enerji, dolaysyla bir potansiyel engeli ortaya kar. Ayn zamanda p-n ekleminin iletim band kenarnda, kullanlan yariletkenlerin elektron ilgileri farkna eit olan ve valans band kenarnda, bant aralklar farkna baml olan sreksizlikler oluur. Bantlarda oluan bu sreksizlikler, fotovoltaik olay iin istenmeyen zelliklerdir. Bu tr sreksizlikler, uygun katklamann yaplmas ve uygun elektron ilgisi olan yariletkenlerin seilmesiyle ortadan kaldrlabilir (Engin, 1995).
77
Heteroeklemli bir gne pilinde p-n ekleminin her iki tarafn, tamamen ayn kristal yapda yapmak imkanszdr. Bu uyumsuzluk (bozukluk), yasak bant aralnda izinli enerji durumlarnn ortaya kmasna ve gei blgesinde birleme merkezlerinin olumasna sebep olur. Bu tuzaklar ayn zamanda, p-n ekleminde tnelleme olaynn olmasn salar. Bu durumlarn her ikisi de, gne pilinin ileyiini olumsuz ynde etkiler. Heteroeklemli gne pillerinde, eklemin iki yanndaki yar iletkenlerin rg sabitlerinin birbirine ok yakn olmasna allr (Engin, 1995). Bundan baka heteroeklem gne pili yapmnda, sourucu olarak kullanlacak materyalin 1-1.7 eV aral iinde, direkt bir yasak bant aralna sahip olmasna dikkat edilmelidir. Sourucu, yaklak 2.5 eV luk yasak bant aralna sahip bir pencere katman ierisinden aydnlatlmaldr. Pencere materyali fazlaca katklanm, sourucu materyal ise orta derecede katklanm olmaldr. Bundan baka, sourucu materyal ile pencere materyalinin yariletkenlik tipleri kart tipte seilmelidir (Oral, 1979; Kavcar, 2001). lk rnei kadmiyum slfr-bakr slfr (n-CdS/p-Cu2S) olan heteroeklem ince film dzeneklerinin, gnmzde en ok kullanlanlar kadmiyum slfr-bakr indium diselenit (n-CdS/p-CuInSe2), bakr slfr-inko kadmiyum slfr (p-Cu2S/n-ZnxCd1-xS), kadmiyum slfr-silisyum (n-CdS/p-Si), kadmiyum slfr-kadmiyum tellr (n-CdS/pCdTe) ince film gne pilleridir. Bunlardan baka I-III-VI2 ve II-IV-V2 kalkoprit (chalcopyrite) yaplar, heteroeklem gne pillerinde kullanlmalar asndan pek ok uygun zellie sahip materyallerdir (Kavcar, 2001).
5.2.2.1. Kadmiyum slfr-bakr slfr gne pilleri

Kadmiyum slfr-bakr slfr (n-CdS/p-Cu2S) pillerinin yapm 1954 ylnda, silisyum gne pilleri ile ayn ylda olmutur. Fakat ticari amal bir retim henz yaplamamtr. Bunun nedeni hem verimlerinin dk olmas, hem de uzun mrl olmalarn engelleyen baz sorunlarn ortadan kaldrlamam olmasdr. Bu pillerin en byk sorunu; Cu2S bileiindeki bakrn, bulunduu ortamdaki oksijen ile birleerek oksitlenmesidir (Kse, 1986; Engin, 1995). Bu gne pillerinin retilmesinde vakumda buharlatrma veya pskrtme yntemleri kullanlr. Elektriksel balant; taban eleman olan CdS iin inko, indium,
78
kalay; sourucu katman olan Cu2S iin bakr veya altn kullanlarak yaplr (Oral, 1979). Bakrn absorpsiyon katsays daha byk olduu iin n absorplanmas Cu2S
ierisinde gerekleir
ekil 5.2. de kesiti grlen bu pillerin Cu2S sourucu katman, Clevite ilemiyle oluturulur. Bu ilemden nce CdS filmi; vakumda buharlatrma ya da baka bir yntem kullanlarak, kalnl yaklak 20 m olacak ekilde, iletken bir madde ile kaplanm cam zerine depo edilir. CdS polikristal filminin tanecik bykl yaklak 5 m dir. Daha sonra bu CdS filmi; 80 oC-100 oC de bulunan bakr (I) klorr zeltisine 10-30 saniye daldrlarak, Cu2S sourucu katmannn oluumu salanr (Clevite ilemi). Kadmiyum slfr-bakr slfr (n-CdS/p-Cu2S) gne pilinin p-blgesini oluturan bu sourucu katmann kalnl 0.1-0.3 m dir (Engin, 1995). h
Au Cu2S CdS Ag Cr Cam Destek ekil 5.2. Kadmiyum slfr-bakr slfr (n-CdS/p-Cu2S) pillerinin ematik kesit grnm.
Heteroeklem oluturulmadan nce CdS n yasak bant genilii 2.4 eV, Cu2S n ise 1.2 eV tur. Bu deerler heteroeklem oluturulduktan sonra CdS iin 2.31 eV ve Cu2S iin 1.21 eV olarak deiir (Kse, 1986). Bu pillerin verimleri teorik olarak %10 olmasna karn, uygulamada %3 ile %8 arasnda deimektedir. Verimi arttrmak iin temizleme ilemi daha saf bir madde ile yaplr. Cu2S bileiindeki bakrn oksitlenmesini nlemek iin pilin st metal kafesi, buharlatrma yerine temas yoluyla yaplr ve gelen nlarn yansmasn nlemek iin ounu absorplayan bir madde kullanlr (Kse, 1986).
79
5.2.2.2. Kadmiyum slfr-bakr indium diselenit gne pilleri

Uzay d fotovoltaiklerin aratrlmasnda en byk ilgi, bakr indium diselenit zerinde toplanmtr (Kavcar, 2001). Periyodik sistemin I., III. ve VI. grup elementlerinden elde edilen, tetragonal chalcopyrite ad verilen rg yapsna sahip IIIIVI2 yariletken bileiklerinden biridir. IIIIVI2 bileikleri; rg parametreleri, byk absorpsiyon katsaylar ve oda scaklnda sahip olduklar direkt bant aralklaryla gne pilleri, non-lineer optik ve termoelektrik gibi birok kullanm alan iin uygun materyallerdir (Peker, 1999). Bakr indium ve selenyumdan yaplan l bileik yariletkenden yaplan gne pilleri, ksaca CIS gne pilleri olarak anlrlar (Oktik, 2001). Kadmiyum slfr-bakr indium diselenit gne pilleri (n-CdS/ p-CuInSe2), yaygn olarak retilen CIS gne pilerinden biridir. Bakr indium diselenit, fotovoltaik dzeneklerde zellikle sourucu katman iin uygun olan belirli materyal davranlarna sahiptir. Atmosferik ve mekanik etkilere kar dayankll ve kararll kusursuzdur. Bu bileik yariletkenlerin sourma katsaylar olduka yksek olup, yasak bant genilikleri gne spekturumu ile uyuacak biimde ayarlanabilir. nce filmleri hem n-tipi, hem de p-tipi biimde kolaylkla hazrlanabilir. Bu nedenle hem homoeklem, hem de heteroeklem olarak kullanm potansiyeli tamaktadr. Sourma katsaysnn byk oluu, bakr indium diselenit ince filmlerinin ok ince retilmesine imkan tanr. Bylece retim aamasndaki materyal maliyeti ve bulunabilirlii konusundaki engeller kendiliinden ortadan kalkar (Oktik, 2001; Kavcar, 2001). Yksek kalitede ve geni yzeyli CIS gne pillerinin ekonomik olarak retilebilmesi istei, eitli ince film kaplama yntemlerinin aratrlmasna sebep olmutur. Bu yntemlerden en nemlileri ssal buharlatrma, pskrtme, spreyleme, selenizasyon, elektro kaplama, elektroforetik kaplama, elementsel katmanlarn lazerle nlanmas ya da ssal tavlanmas gibi tekniklerdir. Bu tekniklerin ou, uzay d kullanm iin gerekli dzgn film retimini olanakl klarlar (Kavcar, 2001). Bu ok kristalli pilde, laboratuar artlarnda %17.7 ve enerji retimi amal gelitirilmi olan prototip bir modlde ise %10.2 verim elde edilmitir (www.eie.gov.tr). Bu gn CIS ince film gne pillerinin ou, ierisine galyum elementinin katlmas ile
80
daha verimli hale getirilir. Ancak yariletkeni oluturan element says artka, gereken teknoloji ve malzemenin zelliklerinin denetimi de bir o kadar karmak duruma gelmektedir (Oktik, 2001).
5.2.2.3. Bakr slfr-inko kadmiyum slfr gne pilleri

n-CdS/p-Cu2S pillerinin p-n eklemlerinde ak devre voltaj 500 mV dur. Bu pillerin kristal uyumazlklarn, (rg uyumazlklar) ksmen de olsa nlemek iin CdS kristali yerine, ZnxCd1-xS kristali kullanlarak bakr slfr-inko kadmiyum slfr (p-Cu2S/n-ZnxCd1-xS) gne pilleri retilmektedir. Bylece 800 mV ak devre voltaj elde edilerek, verim %10 deerinin zerine karlabilmektedir (Kse, 1986). ZnxCd1-xS materyali ierisindeki Zn konsantrasyonu arttrld zaman, bu pilin elektrik ve optik zellikleri deimektedir. Ak devre voltaj artarken, ksa devre akm azalmaktadr (Kse, 1986).
5.2.2.4. Kadmiyum slfr-silisyum gne pilleri

En nemli heteroeklem gne pillerinden biri olan Kadmiyum slfr-silisyum (n-CdS/p-Si) gne pilleri; yasak bant genilii 1.21 eV olan silisyumun, yasak bant aral 2.24 eV olan CdS ile zel artlar altnda birletirilmesinden elde edilirler. p-tipi silisyum taban zerine CdS kristali kaplanarak, p-n heteroeklemi oluturulur. Yksek bir verim elde etmek iin omik kontak; silisyum iin Au dan, CdS iin In dan yaplmaldr. Bu gne pillerinin verimi yaklak %9 dur (Kse, 1986).
5.2.2.5. Kadmiyum slfr-kadmiyum tellr gne pilleri

Periyodik tablonun ikinci gurubunda bulunan kadmiyum elementinin ve altnc gurubunda bulunan tellr elementinin bir araya gelmesiyle oluan II-VI yariletken bileii kadmiyum tellrn (CdTe), oda scaklnda yasak enerji aral (Eg) 1.5 eV tur. Bu deer, gne spektrumundan maksimum dnm elde etmek iin gerekli olan deere olduka yakndr. Yksek sourma katsays yannda; ince film bytme teknolojisinin bir ou ile kolayca retime olanak tanmas, geni yzey alanl gne pili retiminde CdTe bileik yariletkeninin ne kmasnn salamtr.
81
Kadmiyum slfr-kadmiyum tellr (n-CdS/p-CdTe) gne pili retiminde; kadmiyum tellr (CdTe), kadmiyum slfr (CdS) ile bir araya getirilerek heteroeklem diyot retilir. Yasak enerji aral yaklak 2.4 eV olan CdS yariletkeni, ok ince bir tabaka olarak uygulanr. Gne nmnn ounu geiren CdS, heteroeklemde pencere grevi yapar (Oktik, 2001). CdTe ince filmlerinin bytlmesinde teknoloji ortaya kmtr. Bunlardan birincisi olan yakn mesafeden buharlatrma (Close Space Sublimation, CSS) yntemi ile en yksek kalitede CdTe malzeme retilmektedir. Bu yntemde scaklk farkllklar ok az olan kaynak ve filmin byd yzey bir birine ok yakn tutularak, malzemenin sublimasyon yoluyla bymesi salanr. Bu yntemi kullanan ANTEK firmas (Almanya), geni lekli retime gemenin n almalarn Erfurt-Almanya da yapmaktadr. kinci CdTe bytme yntemi olan elektro-depozisyon (elektrotta
biriktirim) ynteminde ise; kadmiyum ve tellr iyonu tayan elektrolitten akm geirilerek, CdTe yariletkeninin katotta bymesi salanr. ok ucuz olan bu yntemde, byyen malzemenin denetimi CSS ynteminde olduu kadar kolay deildir. BP solar firmas, bu ynteme dayal pilot retime balam olup; 10 megawatt / yl retim kapasiteli bir fabrikay Fairfeld California-ABD de kurma almalarn srdrmektedir. BP solar, Solar Inc. ve Antek gibi ok uluslu irketler, byk lekli retimler iin ciddi admlar atmaktadr (Oktik, 2001).
5.2.3. Amorf silisyum gne pilleri

Hidrojenlenmi amorf silisyum (a-Si:H) ilk olarak, 1955 ylnda Sterling tarafndan incelenmi; fakat hidrojenin rol zerinde durulmamtr. a-Si:H, amorf silisyumdan (a-Si dan) farkl bir ok zellie sahiptir. Fotoiletkenlik, a-Si filmlerde ihmal edilebilir olduu halde, a-Si:H filmlerde byk bir fotoiletkenlik olay gzlenmektedir. Gne pilleri iin de nemli olan fotoiletkenliktir. 1977 ylnda, Wronski ve Carlson tarafndan ilk defa a-Si:H gne pili yaplm ve verimi %5.5 bulunmutur (Kse, 1986). Amorf silisyum malzemesini kristalli silisyumdan ayran zellik; silisyum atomlarnn malzeme iindeki dzenlerinin, birinci derece komu atomlarn tesinde
82
gelii gzel olmasdr. Amorf silisyum malzemedeki atomlarn, uzun mesafelerde etkili olabilen (uzun erimli) bir dzenlemesi yoktur. Silisyum atomlarnn arasndaki balarn bazlar doymam (dangling bonds) durumdadr. Atomlarn dzenli sralanmay; yasak bant aralna ok fazla izinli enerji durumu sokarak, birleme merkezleri olumasna sebep olur. Malzeme ierisindeki yap talarnn bu geliigzel dizilii, amorf-silisyumun elektriksel iletim kalitesini drse de; yariletken ierisine %5-10 orannda hidrojen katlarak, elektriksel zellikleri fotovoltaik evrime uygun dzeyde tutulabilir. Hidrojen; doymam Si balarnn bazlarn doyurarak, yasak enerji aralnda bulunan izinli durumlarn saysn azaltr. Amorf silisyum elde edilmesi iin kullanlan en yaygn yntem k boalm tekniidir (glow-discharge). Bu yntemde silane (SiH4) gaz ve hidrojen karm, bir ift elektrot arasndan geirilerek; elektrotlarn iaretleri yksek frekanslarda deitirilir. Bunun sonucu olarak, SiH4 paralanarak kararsz SiH3 radikalini oluturur. zleyen aamada, kararsz SiH3 elektrotlardan birine giderek balanr ve kararl hale gelir. Ardndan hidrojen, yzeyden ayrlarak geride silisyumu brakr. Bylece yzey silisyumla kaplanm olur. Elektrot zerinde byyen silisyum gaznn ierisine boron ya da fosfor katlarak, n-tipi ya da p-tipi yaplabilir (Engin, 1995; Oktik, 2001). Sourma katsays ok byk olan amorf silisyum, 250
o
C dolayndaki
scaklklarda geni yzeylere dzgn bir ekilde kaplanabilmektedir. Bu zellikleri amorf silisyumdan elde edilen gne pillerinin, kristal yapdakilere gre daha ucuza mal edilebilmelerini salar (Engin, 1995). Bu stnlklerinin yannda en byk dezavantajlar, zerlerine den kla verimlerinin azalmasdr (Steabler-Wronsky etkisi). Gne pilinin aydnlatlmas sonucu, serbest yk tayclar (elektronlar ve holler) oluur. Gne pilinde meydana gelen bu elektron ve holleri bir birinden ayracak, yapsal bir elektrik alan (Eyap) kurulmaldr. Katklanm blgelerdeki yksek orandaki kusur younluu, tayc mobilitesini drr. Bunun iin gne pilindeki p-tipi ve n-tipi yariletken tabakalarn arasna, dk kusurlu katksz bir tabaka (intrinsic i) tabaka eklenir. Bu tabaka optik olarak aktiftir ve grevi zerine k dtnde, yapsal elektrik alan tarafndan bir birinden ayrlacak serbest tayclar retmektir. Bylece p-i-n eklem yapsna sahip a-Si:H gne pilleri elde edilir (Tercan, 2000).
83
Kristal yap zellii gstermeyen bu amorf silisyum pillerden elde edilen verim %10 dolaynda, ticari modllerde ise %5-7 mertebesindedir. Gnmzde saat, hesap makinesi ve oyuncak gibi kk elektronik cihazlarn g kayna olarak kullanlmaktadrlar. Amorf silisyum gne pillerinin bir baka nemli uygulama sahasnda, binalara entegre yar saydam cam yzeyler olarak, bina d koruyucusu ve enerji reteci olarak kullanlabilecei tahmin edilmektedir (www.eie.gov.tr).
5.3. Gne Pillerinin p-n Eklem Yapsna Gre Snflandrlmas

p-n eklemlerinin yapsna bal olarak yaplan snflandrmada, gne pilleri alt grup altnda toplanr. Bunlar: 1. Tek eklem gne pilleri, 2. ok eklem gne pilleri, 3. Metal-yariletken heteroeklem (MS) gne pilleri, 4. Metal-yaltkan-yariletken (MIS) heteroeklem gne pilleri, 5. Yar iletken-yaltkan-yariletken (SIS) heteroeklem gne pilleri, 6. Elektrolit pillerdir. Gne pillerinde fotovoltaik dnmn gerekletirilebilmesi iin p-n eklemi oluturulup, n p-n eklemi yaknna drlmesi gerekir. Yapsnda bir tane p-n eklemi bulunduran gne pillerine tek eklemli gne pilleri, birden fazla p-n eklemi bulunduran gne pillerine de ok eklemli gne pilleri denir. Tek eklemli gne pillerinde p-n eklemi, homoeklem ya da heteroeklem eklinde olabilir. Gne pillerinden elde edilen verimi arttrabilmek iin bavurulan yntemlerden birisi de, ok eklemli (birok bant aralkl) gne pili retimidir.
5.3.1. ok eklemli gne pilleri

Dk enerjili fotonlar dar bant aralkl yariletken zerine, yksek enerjili fotonlar geni bant aralkl yariletken zerine drldnde; daha verimli gne pilleri oluturulabilir. Bylece hem dk enerjili fotonlarn, hem de yksek enerjili
84
fotonlarn elektron-hol iftleri oluturmas salanabilir. Spektrum yarlm (spectrum splitting) ve ardk (tandem) gne pili yaklamyla bu ama gerekletirilir. Spektrum yarlmnda gne nmlar, spektrum duyarl aynalarla uygun gne pilleri zerine drlrler. Ardk gne pili yaklamnda ise en geni yasak bant geniliine sahip gne pili en ste gelecek ekilde, gittike daha kk yasak bant geniliine sahip gne pilleri seri halinde art arda getirilirler. Ardk gne pillerinin yapmlar daha karmak ve pahal olduundan, odaklayc sistemlerde kullanlmas daha uygundur. Bu uygulamalarla sz konusu gne pillerinin verimi arttrlabilir (Engin, 1995). Gne pillerinin eklem yapsna gre yaplan snflandrlmasnda eklem saysnn tek ve ok olmasndan baka; eklem blgesinde kullanlan materyallerin iletken, yariletken ve yaltkan olmas gz nnde bulundurulur.
5.3.2. Metal-yariletken (MS) heteroeklem gne pilleri

Bir metal ile bir yariletken birletirildiinde i fonksiyonlarnn farkl olmasndan dolay, eklem blgesinde bir potansiyel engeli ve bir gei blgesi oluur. Gei blgeli metal-yariletken yaplar Schottky diyotlar olarak bilinir. Aznlk yk tayclarn yariletkendeki durumu p-n eklemindeki gibidir. Fakat gei blgesine oluan potansiyel engeli, ounluk yk tayc akna engel olur. Bu potansiyel engelinin ykseklii, dardan uygulanan gerilimle deitirilebilir (Engin,1995). En byk avantajlar, dier gne pillerine gre yapmlarnn kolay ve maliyetlerinin dk olmasdr. Dezavantajlar ise fotonlarn metalden yansmas ve giri gcn drmesidir (Tercan, 2000).
5.3.3. Metal-yaltkan-yariletken (MIS) heteroeklem gne pilleri

MS gne pillerinde, metalle yariletken tabaka arasna yaltkan bir tabaka koyulduunda; MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) tipi gne pilleri elde edilir. Bu tip gne pillerinde, metal ile yariletken arasnda ok byk bir potansiyel engeli oluur. Yaltkan katman ok ince (~20 A ) olduundan, yk tayclar bu engeli tnelleme ile geerler (Engin, 1995).
0
85
MIS gne pillerinde ak devre gerilimi Schottky diyotlarna gre daha byktr. Yaltkan tabakann kalnl arttka; ak devre gerilimi artar, ksa devre akm azalr. MIS heteroeklem gne pillerindeki ve Schotty diyotlarndaki st metal katman; hem elektriksel balanty salama, hem de potansiyel engeli oluturma grevi grr. st metal katman oluturmak iin genellikle saydam metal ve kafes (grid) yaklamlar kullanlr. Bunlardan baka nc bir yaklam ise kalay oksit, indium oksit, inko oksit, kadmiyum oksit gibi saydam iletken oksitler st katman olarak kullanlrlar (Engin, 1995; Tercan, 2000). MIS gne pillerinin balca stnl, yksek scaklkta, difzyonla eklem oluturma admnn olmamas nedeniyle ak devre gerilimi yksektir. Bu nedenle difzyonla yaplan gne pillerine gre verim stnlne sahiptir. AM1 koulunda, bir metal-SiO2-Si sistemi iin %18 deerine ulaan verim elde edilmitir (Tercan, 2000).
5.3.4. Yariletken-yaltkan-yariletken (SIS) heteroeklem gne pilleri

MIS gne pillerinde kalay oksit, indium oksit, kadmiyum oksit gibi saydam oksitler st katman olarak kullanlabilirler. Bu iletken oksitler ok fazla katkl yariletkenler olduundan, bu yaplara yariletken-yaltkan-yariletken (SIS)
heteroeklemli gne pilleri ad verilmektedir (Engin, 1995).
5.3.5. Elektrolitik gne pilleri

Eklem yapsna gre yaplan snflandrmada gne pilleri elektronik ya da elektrolitik karakterde olabilir. Elektronik karakterde olan gne pilleri, fiziksel kontak salanm katlarla oluturulurlar. Elektrolitik karakterde olanlar ise, uygun bir elektrolit iine batrlan iki elektrot ile elde edilirler. Ticari amal ilk elektrolitik fotovoltaik pil, kurun nitrat zeltisi iine batrlan bakr oksit ve kurun elektrotlarla oluturulmutur (Kavcar, 2001).
86
6. GNE P LLER N N VER M 6.1. Giri

Bir gne pilinin verimi, onun kalitesinin gstergesi olarak ok nemlidir. Bir gne pilinin verimi ne kadar yksek olursa, pil o derece kaliteli olur (Kse,1986). Pilin kaliteli olmas ise, kullanm alanlarnn yaygnl ve kullanc kitlesinin fazlal ile doru orantldr. Gne pillerinin k gleri; dier dnm sistemleri ile karlatrldnda, daha dktr. Yksek bir k gc elde edebilmek iin gne pilleri birbirlerine seri ve paralel balanarak, gne pili panelleri ve modlleri ile gne pili sistemleri kurulmaktadr. Bundan baka bilim adamlar; gne pillerinin verimini arttrmak amacyla yaptklar almalarla, gne pili teknolojisindeki gelimelere her geen gn bir yenisini eklemektedirler.
6.2. Gne Pillerinin Verimi

Bir gne pilinden salanan maksimum gcn, pil zerine gelen maksimum gce oranna gne pilinin verimi denir ve simgesi ile gsterilir (abuk, 1992). Gne pilinin maksimum g k Pm ve optik giri gc (atmosfer dnda birim alana
den gne enerjisi iddetidir) Pin olmak zere gne pilinin verimi,
Pm Pin
(6.1)
bants verilir (Demirci, 1996). Fotovoltaik gne pillerinin verimlerinin zetlendii izelgelerin geerlilik sreleri, srekli geliimlerine bal olarak olduka ksa olmaktadr (Oktik, 2001). Ancak karlatrmal bir kaynak olmas amacyla bugne kadar yaplm baz yksek verimli gne pillerinin verimleri ile yaplar izelge 6.1. de verilmitir (Photovoltaics Special Research Centre, 1999).
87
izelge 6.1. Baz gne pillerinin verimlerinin izelge zerinde gsterilmesi. (Global AM1.5 spektrumu, 1 000 Wm-2, 25 oC) (Tercan, 2000). P LLER (%) Alana (cm )
2
Vad (V)
Jkd (mA/cm )
2
FF (%)
Test Merkezi
b
Aklama
(ve Tarih) Si (kristal) Si (oklukristal) GaAs (kristal) GaAs (incefilm) GaAs (oklu kristal) InP (Kristal) CdTe (polikristal ince film) a-Si
c
24.4 0.5 19.8 0.5 25.1 0.8 23.3
4.00 (da) 1.09 (a.p) 3.91 (t) 4.00 (ap)
0.696
42.0
83.6
Sandia (2.98)
UNSW PERL UNSW Eurosolare Kopin, GaAs Pencere Kopin, 5 mm CLEFT RTI, Ge Altta Spire, Epitaksiyel Matsushita 3.5 mm CSS
0.654
38.1
79.5
Sandia (2.98)
1.022
28.2
87.1
NREL (3.97)
1.01127.6
27.6
83.8
NREL (4.90)
18.2 0.5 21.9 0.5 16.0 0.2
4.011 (t) 4.02 (t) 1.0 (ap)
0.994
23.0
79.7
NREL (11.95)
0.878
29.3
85.4
NREL (4.90)
0.840
26.1
73.1
JQA (3.97)
12.7 0.4
1.0 (da) 4.0 (t)
0.887
19.4
74.1
JQA (4.92)
Sanyo
GaIn/PGaAs (ok katl)
30.3
2.448
14.22
85.6
JQA (4.96)
Japan Energy (monolithe)
GaAs/CIS (ince film)
25.8 1.3
4.00
NREL (11.89)
Kopin/Boing (4 terminal)
(ap):aktif alan; (t):toplam alan; (da):seilmi aydnlanma alan; JQA:Japan Quality Assurance, NREL=National Renewable Laboratory.
6.3. Gne Pillerinin Verim Hesaplamalar

Gne pillerinin verimini belirleyen parametre vardr. Bunlar ak devre voltaj (Vad), ksa devre akm (Ikd) ve fill faktrdr(FF). Fill faktrne doluluk faktr
88
de denir (Kse, 1986; abuk, 1992). Radyasyon kayb katsays, uzay uygulamalar iin geerli olan drdnc bir parametredir (Kse, 1986). 1. Ak Devre Voltaj (Vad): Pilden geen akmn sfr olmas durumunda, pil ularndan llen gerilime denir (abuk, 1992). Pilin d devresine balanm yk direncinin (RL), devre direncinden ok daha byk olduu durumdaki gerilimdir. Yk direncinin byk olmasndan dolay, devreden herhangi bir akm gemez (Kse, 1986). Vad veya Voc ifadeleriyle gsterilir. 2. Ksa Devre Akm (Ikd): Gne pilinin ular arasna uygulanan gerilim sfr olduunda, aydnlatma altnda pilden geen akmdr. Seri diren etkilerinin ihmal edildii ideal durumda; kla oluan akma eit olup, ma iddetine baldr (abuk,1992). Bu akm devre direncinin, pilin d devresine balanm yk direncinden (RL) byk olduu zaman, yk direncinden geen akmdr (Kse, 1986). Ikd veya Isc ifadeleriyle gsterilir. 3. Fill Faktr (FF): Bir gne pilinin maksimum k gcn, ak devre voltaj ve ksa devre akmna bal olarak tanmlamak iin kullanlan bir parametredir. Fill faktrne doluluk faktr de denir ve FF ifadesiyle gsterilir (abuk, 1992). Gne pilinin i seri direncinden kaynaklanan bir niceliktir. Seri diren arttka fill faktr azalr (Tercan, 2000). Fill faktr; pilin maksimum k gcnn, ak devre voltaj ile ksa devre akm arpmna oranna eittir (Kse, 1986; abuk, 1992). Buna gre fill faktr,
FF =
Pm Vad I kd
(6.2)
bants ile tanmlanr. FF ak devre voltajnn fonksiyonu olarak,
FF =
ad l
ln V V
ad1
ad l
+ 0,72
+ 1
(6.3)
bants ile verilir. Burada,
89
ad1
Vad (kT/q )
(6.4)
bants ile tanmlanr. (6.4) batsndaki kT/q ifadesi termal gerilimdir ve oda scaklnda deeri 0.02559 V dur (abuk,1992). Fill faktrnn deeri, gne pilinin idealliinin bir lsdr. deal bir gne pilinde fill faktr 1 e eittir. Bu yzden herhangi bir gne pilinde fill faktrnn 1 e yakn olmas istenir. Fill faktrnn yksek olmas, gne pilinin veriminin yksek olduunu gsterir. Fill faktrnn byk olmas iin seri direncin (Rs), diyodun ideal olma faktrnn (Ao), ters doyum akm younluunun(J0) ve scakln (T) kk; yasak enerji aralnn (Eg) ve nt direncinin byk olmas gerekir (Rsh) (Kse, 1986). Bir gne pilinin ak devre voltaj (Vad), ksa devre akm (Ikd), fill faktr(FF) ve pil zerine gelen ma iddeti (Pin) bilindiinde,
Pm I V = m m Pin Pin
(6.5)
veya
(Vad I kd ) FF
Pin
100 (% )
(6.6)
bantlar kullanlarak verimi hesaplanabilir (abuk, 1992).
6.4. Kuantum Verimi

Gne pilinin verimini etkileyen parametrelerden ksa devre akm Ikd, pilin i zelliklerine baldr. Monokromatik bir aydnlatma altnda fotoakm bants,
I kd I
= qA (h E g ) (1 R )[1 exp ( x )] Q ( ) a
(6.7)
eklinde yazlabilir. Burada Aa pilin gren etkin alan (cm2), pili aydnlatan
90
hEg enerjili foton aks (cm-2s-1), R pil yzeyinin yanstma katsays, pilde kullanlan malzemenin sourma katsays (cm-1), x sourma ortamnn kalnl ve Q kuantum verimidir. Kuantum verimi; herhangi bir aydnlatma altnda, foton bana gne pilinde oluan elektron hol ifti saysna denir.
ekil 6.1. Kuantum veriminin dalgaboyuna ballnn gsterimi (Demirci, 1996).
Kuantum verimine toplama verimi ya da kuantum toplama verimi de denir. Kuantum veriminin dalgaboyuna ball, ekil 6.1. de grlmektedir. Kuantum verimi; kk dalga boylar iin gne pilinin p-tipi blgesinde, byk dalga boylar iin ise n-tipi blgesinde daha byktr. Yk tayclarnn yeniden birleerek yok olmalar, kuantum veriminin dmesine yol aar. (6.7) bantsnda R0 ve x1 olmas durumunda kuantum verimi,
Q ( ) =
I kd ( ) qA ( ) a
(6.8)
bants ile bulunabilir. Bu bantdan yararlanarak, herhangi bir aydnlatma altndaki ksa devre akm Ikd iin,
I kd = A a q n Q ( )
g
d d d
(6.9)
91
bants yazlabilir. Burada,
g =
hc Eg
(6.10)
olmak zere, g olan dalga boylar gz nne alnr (Yksel, 1990; Demirci, 1996 Kittel, 1996;).
6.5. Gne Pillerinin Verim lmleri

Gne pillerinin verim lmnde kabul edilen yntem referans pil yntemidir. Hava geirmez ekilde hazrlanan referans pil, test pili ile ayn malzemeden yaplmal ve ayn spektral tepkiyi vermelidir. Standart test koullarnn salanmas iin pil scakl 28 2 oC ve piller zerine gelen ma iddeti 100 W/m2 olmaldr. lm aletleri %5 den daha kk hatalar belirleyebilmelidir (abuk, 1992). Verim lmleri doal gne nda ya da gne masna denk ma veren gne simlatrleri ile yaplabilir. Yerel lmlerde kullanlan simlatrler iin nerilen ma kaynaklar unlardr: a. Dichroic, szgeli ELH tipi tungsten lamba, b. Ksa arkl Xenon lamba, c. Uzun arkl Xenon lamba. Bu kaynaktan salanan nlarn spektrumu, gne nlarnn spektrumuna ok yakndr (Chopra and Das, 1983). Bir gne pilinin verim lm yaplrken, uygun artlar altnda akm ve gerilim deerleri kaydedilir. Bu deerler kullanlarak gne piline ait karakteristik akm-gerilim erisi (I-V erisi) izilir. Elde edilen I-V erisinden gne pilinin verimini belirleyen parametreler bulunarak, verim hesab yaplr (abuk, 1992).
92
6.5.1. Bir gne pilinin karakteristik akm-gerilim erisi

Bir gne piline ait karakteristik akm-gerilim (I-V) erisi, ayr yntemle elde edilebilir. 1. Sabit bir k iddeti altnda, deiken bir direncin ak devre ve ksa devre durumlar arasnda deitirilerek; pilin ular arasndaki gerilime kar direnten geen akmn llmesi ile, 2. Gne pilinin karanlkta, bir d DC besleme kaynak yardmyla diyot gibi altrlmas ile, 3. iddeti deitirilebilen bir k kaynann aydnlatmas altnda Vad ve Ikd deerlerinin llmesi ile elde edilebilir. Bu yntemlerden en basit ve en yaygn kullanlan birincisidir (Kse, 1986). I-V erisi elde etmek iin k kayna dnda kullanlan genel aygtlar unlardr: a. Sabit yk direnleri: Bu direnler I-V erisi zerinde sadece belirli noktalarn elde edilmesini salarlar. Ksa devre akm kaydedilirken, pil zerindeki gerilim azalmas 20 mV u amamaldr. Ak devre gerilimi, i direnci en az 20 k /V olan bir voltmetre ile llmelidir. b. Deiken g kayna: Bu aygt ile srekli bir I-V erisi elde edilir. Aygta sinzoidal bir iaret yklenir. Akm gerilim dntrcs kullanlarak; pilden geen akm, gerilim iaretine dntrlr. Bundan sonra pilin ularndaki gerilim ile pilden geen akm, bir x-y kaydedicinin veya
osiloskobun srasyla x ve y girilerine verilir. Bylece osiloskop ekrannda pilin akm gerilim (I-V) erisi gzlenir. c. Mikro ilem veri sistemi: Bu sistem ek bir g kayna ierir. Sistem ierisinde g ykselticileri, x-y kaydediciler, ekran, mikrobilgisayar ve ilgili elektronik aygtlar yer almaktadr. Bu sistemde hem pillerin akmgerilim deerleri llmekte; hem de bu deerler bilgisayar yardm ile deerlendirilerek, k parametreleri belirlenmektedir. Bu sistem birok pilin deerlendirilmesi gerektiinde, seri retim durumlarnda olduka
93
yararldr. Verilerin ilenmesinde ok byk bir hz elde edilebilir (abuk, 1992).
6.5.2. Bir gne pilinin I-V erisinden yararlanlarak veriminin bulunmas

Bir gne pilinin I-V erisi zerindeki deiik noktalarda, akm gerilim arpmlarnn (IV) hesaplanmas ve bu arpmlarn maksimum olduu noktann belirlenmesi ile maksimum g noktas (Pm) bulunmu olur. Bu noktann akm ve gerilim eksenleri zerindeki izdm deerleri ise srasyla pilin maksimum akm (Im) ve maksimum gerilim (Vm) deerleri olarak bilinir. Pilden elde edilecek maksimum k gc,
Pm = I m V m
(6.11)
bantsndan bulunabilir (abuk, 1992).
Akm (I) Vm Vad Gerilim (V)
Maksimum dikdrtgeni Im Ikd
Pm
ekil 6.2. Bir gne pilinin karakteristik akm-gerilim (I-V) erisinin gsterimi (Kse, 1986).
Pilden elde edilecek bu maksimum k gc, ekil 6.2. de grld gibi pilin I-V erisi iine izilebilecek maksimum alanl dikdrtgen alanna eittir (Kse, 1986; Tercan, 2000).
94
Pil zerine gelen g Pin bilindiinde, gne pilinin verimi (6.1) bants ile bulunabilir. Burada pilin maksimum k gc Pm , I-V erisinden bulunabilir. Bundan baka I-V erisinden yararlanlarak; gne piline ait ak devre voltaj (Vad), ksa devre akm (Ikd) ve fill faktr (FF) belirlenebilir. Bu parametreler (6.6) bantsnda kullanlarak gne pilinin verimi bulunabilir (abuk, 1992).
6.6. Gne Pillerinin Verimini Snrlayan Etkenler

Gne pillerinin verimini snrlayan etkenler: scaklk etkeni, yzey parametresi etkeni, spektral etken ve foto asal etkendir (Demirci, 1996).
6.6.1. Scaklk etkeni

Gne pillerinin alma scakl, eitli kullanm alanlarna gre geni bir aralkta deiim gsterir. Bu yzden scakln gne pilinin verimi zerine etkisinin bilinmesi gerekir. Gne pilinin ksa devre akm scakla pek fazla bal deildir. Scakln artmasyla, ksa devre akmnda az bir artma eilimi gzlenir. Bunun nedeni, scaklk artmasyla yariletken yasak bant aralnn azalmas ve bunun sonucunda nm sourulmasnda oalmann meydana gelmesidir. Dier gne pili parametreleri olan ak devre voltaj ve fill faktr scaklk artyla azalr (Engin, 1995). Ksa devre akm ile ak devre voltaj arasndaki iliki,
I kd = I 0 e
qVad kT
(6.12)
bants ile gsterilir. Kk olan negatif terim ihmal edilerek, bu bant,
I kd = AT e
Eg
kT qV ad kT
(6.13)
eklinde yazlabilir. Burada A scaklktan bamsz bir sabit, E g 0 gne pilinin yapld yariletkenin sfr derece scaklktaki yasak bant araldr (bant aral lineer olarak sfr derece scaklktaki deerine yaklatrlmaktadr). , I0 belirleyen parametrelerin
95
scakla olan bamllklarn gsterir ve deeri genellikle 1 ile 4 arasnda deiir. Sfr derece scaklkta, pilin ular arasndaki potansiyel fark Vg 0 n,
Vg 0 =
E go q
(6.14)
olduu dikkate alnarak, (6.13) bantsnn scakla gre trevi alnrsa,

V V kT dI kd = A T 1 e ad go dT Vad Vg 0 q dV ad + AT T kT dT
q Vad Vg 0 kT e
(6.15)
bants elde edilir. Ikd scaklkla ok az deitiinden bu bantda,
dI kd = 0 dT olarak alnrsa, (6.15.) bantsndan, Vg 0 Vad + (kT q ) dVad = dT T
(6.16)
(6.17)
bants elde edilir. Bu sonu; scakln artmasyla, ak devre voltaj Vad nin lineer bir ekilde azaldnn ngrmektedir (Engin, 1995; Demirci, 1996). Fill faktr, Vad (kT q ) deerine baldr. Scaklktaki deiim, daha ok ak devre voltajn etkiledii iin gne pilinin k gc ve verimi scaklk arttka azalr (Demirci, 1996). Silisyumdan yaplm bir gne pilinin g k, 1 oC lik scaklk artnda %4-%5 orannda azalr. Bu scaklk bamll, geni bant aralkl yariletkenlerde daha azdr (Engin, 1995). Scakl dk tutarak, yksek verim elde etmek iin uzayda kullanlan pillerin zeri erimi silikondan yaplm, effaf bir rt ile kaplanr. Bu rt, ok katl bir filtre zellii gstererek, mor tesi nlar pil yzeyinden yanstr (Kse, 1986).
96
6.6.2. Yzey parametresi etkeni

Gne pili zerine gelen nlarn bir ksm, yariletken iine giremeden st yzey tarafndan yanstlr. Gne pilinin st yzeyine gelen nlar yanstma miktar, yapld yariletken maddenin cinsine bal olarak deiir. Yanstma miktarnn ls olan yansma katsays, ortamlarn krclk indislerine ve yok olma katsaysna bal olarak,
n k n k + k 21 y 1 2 R = n k 2 - n k1 2 + k 2 y2
(6.18)
bants verilir (Demirci, 1996). Burada n k ve n k n getii ortamlarn krclk

1 2
indisleri, k y ve k y ise bu ortamlara ait yok olma katsaylardr.

1 2
Gne pilinin st yzeyine gelen fotonlarn yansmas, pilin veriminde azalmaya sebep olur. Bu azalma miktar, yansma miktaryla doru orantldr. Gne pili yzeyine gelen nlarn yansmasn azaltmak iin kullanlan yaklamlardan biri, zel yapl yzeyler oluturmaktr. Bu yaklam altnda, gne pili yapmnda yzeyi desenli silisyum dilimleri kullanlmaktadr. Seici dalama yntemi ile silisyum tabakalarnn yzeylerinde kk piramitler elde edilmektedir. Bu piramitlerin yzeylerinden yansyan k, dier piramitlerin de yzeylerinden yansyarak pilin iine girer. Taramal elektron mikroskobu altnda bu piramitlerin grnm ekil 6.3. de grld gibidir. Bu yapya ek olarak yansma nleyici kaplama da kullanlarak, gne pilindeki yansma kayplar en aza indirilebilir (Engin, 1995; Demirci, 1996). Ne var ki bu kayplar tamamen ortadan kaldrlamaz (etinkaya, 2001). Gne pilleri, normal olarak cam altnda veya krlma indisi cama yakn olan (nk1,5) bir malzeme iinde gml olarak bulunur. Gne pillerinde oluturulacak yansma nleyici kaplamada kullanlacak materyalin sahip olmas gereken en uygun krlma indisi 2.3 dr. Bu materyalin optimum krlma indisine sahip olmas yannda, saydam olmas da gereklidir. Bu kaplama genellikle amorf yapda oluturulup; buharlatrma, oksidasyon, anodiz ve kimyasal yolla elde edilir. Bunun iin kullanlan
97
en ucuz yntemse pskrtme yntemidir. En yksek mortesi sourmaya sahip olan kaplama, buharlatrma yntemi ile elde edilir. Tek katl veya ok katl kaplama ile yansma oran, %3-%4 deerlerine drlebilmektedir. Seyreltik NaOH zeltisi kullanlarak, silisyum gne pilinin yzeyi desenli hale getirilebilir. Bylece yansma nleyici kaplama oluturulmadan, nlarn yansma oran en aza indirilebilir (Engin, 1995).
ekil 6.3. Taramal elektron mikroskobu altnda zel yapl silisyum yzeyin grnm (Engin, 1995).
6.6.3. Spektral etken

Yariletken zerine gelen monokromatik k, yariletkende elektron-hol iftlerinin oluumuna sebep olur. Elektron hol iftlerinin yaratlma hznn, yariletken yzeyinden iine doru olan deiimi,
G = (1 R )Ne x
(6.19)
bants ile verilir. Burada; N yariletken zerine gelen n foton aks, R yanstma katsays, sourma katsaysdr (Engin, 1995).
98
Ksa dalga boylu nmlar iin ok byk olduundan, yariletkene gelen bu nmlar hemen sourulur. Fakat ksa dalga boylu nmlar iin kuantum verimlilii ok dk olur. Kuantum verimlilii grnr dalga boylarnda en yksek deere ularken, kzltesi blgelerde olduka dktr (Demirci, 1996; Engin, 1995). Gne piline gelen n dalga boyu arttka; monokromatik g bana ksa devre k akm nce artar, sonra azalr (Engin, 1995). Bir gne pilinin temel kesimleri, ekil 6.4. de ematik olarak gsterilmitir.
n balantve grid Yansma nleyici kaplama
n-tipi kesimi
n balantve grid
p-tipi kesimi Arka balant ekil 6.4. Bir gne pilinin temel kesimlerinin ematik grnm (Engin, 1995).
6.6.4. Foto asal etken

Yariletken gne piline gelen fotonlar yzeye arpnca; gelen n bir ksm yzey tarafndan yanstlrken, n geri kalan ksm yariletken tarafndan sourulur veya malzemeden geer (Demirci, 1996). Ik pil yzeyinin normali ile bir a yaparak geldiinde, bir ksm yzey tarafndan yanstlr. Yanstma katsays, ortamlarn krclk indislerine ve yok olma katsaysna bal olarak, (6.18.) bantsnda verildii gibidir. h enerjisi ile pile giren fotonlarn sourulma katsays ise,
q 2 (2m m m + m )3 2 h e h e = 2 nch m e
(6.20)
99
bants ile ifade edilir. Gne pili zerine gelen n bir ksmnn yutulmas ve yanstlmasndan sonra, bir ksm da iddeti zayflayarak gne pilinden geer. Geen ksm Tg,
Tg =
(1 R )2 e x
1 R e
2 2
(6.21)
bantsna eittir Bir gne pilinin ak devre voltajnn, gne pili zerine gelen n asyla ilikisi ekil 6.5. de grld gibidir (Demirci, 1996).
Vad (V)
(Derece)
ekil 6.5. Ak devre voltajnn (Vad), pil zerine gelen n asyla () ilikisinin ematik grnm.
6.7. Gne Pillerinin Verim Kayplar

Gne pillerinin gne enerjisini elektrik enerjisine evrim verimi, dier enerji evrim sistemlerine gre daha dktr (Kse, 1986). deal artlarda bile, bir gne pilinin zerine gelen gne enerjisinin yaklak %75 lik bir ksm enerji evriminde kullanlamamaktadr (Tercan, 2000). Gne pillerinde verim kaybna sebep olan birok etken vardr. lk alma anndan balayarak grlen kayplar u ekilde sralanr: a. Iksal kayplar: Gne fotonlarnn sourulamamas ve aznlk tayclarnn retilememesinden doan kayplardr.
100
b. Elektriksel kayplar: Fotovoltaik diyotlarn optimum elektrik parametrelerini dren kayplardr. c. Ara yzey kayplar: Gne pilini meydana getiren yariletken tabakalar arasndaki yzeylerde, hacim kayplarna ek olarak ortaya kan kayplardr. Gne pilinin verimi zamanla azalr. Bu ise tanmlanan hacim veya ara yzey zelliklerindeki deiimlerden kaynaklanmaktadr (etinkaya, 2001).
6.7.1. Iksal kayplar

Gne pillerinde retilen akm deeri, retilen aznlk yk tayclar ve sourulan foton says ile belirlenir. Iksal kayplar, retilen akm deerinde azalmalara yol aar. Bu kayplar, her tabakada gerekleen yansma kayplar ile tabakalar veya ara yzeylerde grlen d sourulma kayplar olarak iki ksmda incelenebilir (etinkaya, 2001).
6.7.1.1. Iksal yansma kayplar

Iksal yansma kayplar; gne nmnn gne piline ulamasndan itibaren srayla st yzeyde, yariletken tabakada ve omik kontakta gerekleebilir. Gne pilinin st yzeyinde yer alan saydam kaplamadan yansma, ilk yansma kaybn oluturur. Saydam kontaklardaki kayplar; kontak tipi, iletici cam veya metal zgara (grid) ve bu kontan gerektirdii kapasitesine bal olarak nemli deiimler gsterir. Bir metal kontak kullanldnda, yansma kayplar %5 ile %10 arasnda deiir. Geni alanl cihazlarda, kabul edilebilir diren kayplarna ulamak amacyla daha yksek yansma kayplar ho grlebilir (etinkaya, 2001). Pilin st yzeyinde meydana gelen yansma kayplar, bu yzey zerinde desenler oluturulmas ve yzeyin yansma nleyici kaplama ile kaplanmas gibi teknolojik yntemlerle en aza indirilmektedir. %3-%4 dzeyine kadar drlebilen st yzey yansma kayplar, tamamen ortadan kaldrlamamaktadr (Engin, 1995; Demirci, 1996). Gne pilinde yansma nleyici kaplama ile yariletken tabakann ksal
101
sabitleri arasndaki farkllklara bal olarak, yariletken tabakalardan bir miktar yansma beklenebilir. Gne pilinin bu ksmndaki yansmalar, yansma nleyici kaplama ile yariletken tabakalarn uygun ilemlerden geirilmesi ve k tuzaklamas ile %5 in altna drlebilir (etinkaya, 2001). Gne pilindeki omik kontaa, sourucu-retici yoluyla bir miktar n szmas beklenebilir. deal bir durumda, bu k tekrar sourucu-reticiye yararl bir ekilde sourulmak zere yanstlabilir. Omik kontaktaki yansma kayplar, %2 yi gememelidir. yi tasarlanm bir gne pilinde, bu blgede meydana gelen toplam ksal yansma kayplar %18 e kadar kabilir. Bu oran uygun ilemlerle %5 e kadar drlebilir (etinkaya, 2001).
6.7.1.2. Iksal d sourulma kayplar

Fotonlarn aznlk taycs retiminin mmkn olmad tabakalar tarafndan sourulmas zerine ortaya kan kayplar, bu tr kayplardr. D sourulma kayplar iin verilen oran %0-%10 arasnda deimektedir (etinkaya, 2001). Fotovoltaik gne pilleri, yasak enerji aralna karlk gelen dalga boylarna sahip nlar (hEg) absorplayabilirler. Yasak enerji aralndan daha kk enerjili nlar (hEg) absorplayamazlar. Absorpsiyon katsaysnn, yasak enerji aralna yakn dalga boylarnda deiimi daha hzldr. Sourma katsays nn kk olmas, fotonlarn derine nfuz ettiini ve yetersiz foton-elektron etkilemesinden dolay maddenin bir tarafndan dier tarafna getiini ifade eder. Byle bir geiten doan Pgk g kayb,
Pgk = Pin ( ) e ( ) d
0
(6.22)
bants ile verilir. Burada Pin() gelen nn g younluunu, d yariletken tabakann kalnln ve e-()d, absorplanmayan enerji kesrini gsterir. Absorplanm fotonlarn byk bir ksm, elektron-hol ifti oluumu iin gerekli olan enerjiden daha fazla bir enerjiye sahiptir. Bir gne pili yasak enerji aralndan daha byk enerjiye sahip bir
102
foton sourduunda; fotonun h-Eg kadarlk fazla enerjisi, s enerjisine dnerek rg titreimlerine katkda bulunur. Sz edilen bu enerji fark, gne pilinden alnan gce bir katk salamadndan verim kaybna sebep olur (Kse, 1986; Tercan, 2000). ekil 6.6. da, yasak enerji aral Eg den sonra bir sourulma olmad gzlenmektedir (Kse, 1986).
Absorpsiyon katsays (cm-1)
Eg=hc/
Dalgaboyu ( A ) ekil 6.6. Absorpsiyon katsaysnn dalgaboyu ile deiiminin grnm (Kse, 1986).
D sourulma kayplarn azaltmak iin yasak enerji aralnda tuzak seviyeleri oluturulur. Bundan baka, gne pili yapmnda heteroeklem yaplar ve daha gelimii, yasak enerji aral farkl materyallerle ok katl tabakalar oluturulur ((Kse, 1986; Tercan, 2000). Gne pilinin yeterince kaln olmamas, gelen fotonlarn sourulmadan gne pilini terk etmesine sebep olur. Bu etken, sourulma kayplarnn azaltlabilmesi iin gne pilinin kalnlnda belirli llere uyma zorunluluu getirir. Foton sourulmas, indirekt bant aralna sahip yariletkenlerde direkt bant aralna sahip yariletkenlere gre daha azdr (Engin, 1995). ndirekt bant aralna sahip yariletkenlerden yaplan gne pilleri, direkt bant aralna sahip yariletkenlerden yaplanlara gre daha kaln olmaldr. Aksi takdirde, yzeylerine gelen fotonlarn tmn souramazlar ve ksal
103
sourulma kayb meydana gelir. Bu kayb azaltmak iin gne pili yapmnda direkt bant aralna sahip yariletkenlerin kullanlmas, hem daha uygun hem de daha ekonomiktir (Engin, 1995; Tercan, 2000).
6.7.2. Elektriksel kayplar

Bir gne pilinde elektriksel kayplar tanmlamann en kolay yolu, gne piline ait akm-gerilim erisini kullanmaktr. nk elektriksel kayplar akm ve gerilim kayplarndan oluur. Toplanp ounluk yk tayclarna dntrlemeyen aznlk yk tayclar, akm kayplarn belirler. Gerilim kayplar, ak devre geriliminin beklenen deerin altna dmesi olarak tanmlanr. Seri ve paralel (nt direnci) diren kayplar ile zayf diyot karakteristikleri, elde edilecek akm ve gerilim deerlerini drecektir (etinkaya, 2001).
6.7.2.1. Akm kayplar

Bir gne pilinde retilen aznlk yk tayclarnn kayb; hacim iinde yeniden birleme, yzeyde yeniden birleme ve kristal snrlarnn i yzeyler gibi davranmas gibi birok yolla gerekleebilir (etinkaya, 2001). Gne pilinin hacmi iinde meydana gelen yeniden birleme kayplar, fotonlarla uyarlan yk tayclarnn sonlu mrlerinden kaynaklanr (etinkaya, 2001). Pil iindeki donr ve akseptr atomlarnn meydana getirdii sabit birleme merkezleri, yk tayclarnn mrlerini nemli lde azaltr (Kse, 1986). p-n eklemli bir gne pilinde gne yla uyarmalar sonucu oluan elektron-hol iftleri, difzyon mesafesi sonunda yeniden birleerek yok olurlar. Dolaysyla, pilden elde edilmek istenen akma katkda bulunamazlar (Yksel, 1990). Bu nedenle ortaya kan akm kayplarn, en aza indirmek iin gne pilinin ksal ve elektriksel gereksinimleri arasnda bir uyum salanmaldr. Akm kayplarn azaltmak iin fotonlar gne pilinin p-n eklemine yakn blgelerine drlerek, elektron-hol iftleri eklem yaknlarnda oluturulabilir. Bundan baka pilin toplayc metal kafes aral, difzyon mesafesinden daha dar tutularak elektron-hol iftlerinin yeniden birlemesi engellenebilir (Kse, 1986; Yksel, 1990). Hacim ii yeniden birlemeden kaynaklanan verim kayplar, tamamen ortadan
104
kaldrlamaz.
yi tasarlanm gne pillerinde bu kaypla %5 ile %20 arasnda
deimektedir (etinkaya, 2001). Yzey yeniden birlemesi, bir malzemedeki her kesintinin yeni elektronik koullar yaratmasndan kaynaklanr. Inmla retilen ve yzeye doru yaylan yk tayclar; yzey etkilerini nleyici zel nlemler alnmad ya da tayclarn yzeye ulamalar engellenmedii zaman; yzeyde yeniden birleerek, akma katkda bulunamadan yok olurlar. Yzeyde bir oksit tabakann oluturulmas, yzey koullarnn etkisini ve bundan kaynaklanan tayc kaybn azaltr. Yzey yaknlarna uygulanan homojen olmayan bir katklama ilemi; bir i elektrik alan oluumuna yol aarak, aznlk yk tayclarnn yzeyden uzaklatrlmasn salar. Bylece yzeyde yeniden birleme sonucu oluan akm kayplar azaltlm olur. Bu kayplar en iyiletirilmi durumdaki gne pillerinde %0 ile %5 arasnda deiir (etinkaya, 2001). Bir gne pilinin kristal snrlar i yzeyler gibi davranabildiinden, serbest bir yzey lsnde aznlk yk tayclarnn kaybna sebep olabilirler. Kristal snrlarnda przler ok daha etkin olduundan, yaplacak bir katklama ilemi aznlk yk tayclarn kristal snrlarndan uzaklatracak ve bu blgelerde oluan akm kayplarn azaltacaktr (etinkaya, 2001).
6.7.2.2. Ak devre gerilimi kayplar

Homojen eklemler, heterojen eklemler ve Schottky diyotlarnda ak devre gerilimi; ya hacim ii yeniden birleme mr ya da ara yzey yeniden birleme hzlar ile denetlenir. Ak devre gerilimini kontrol eden ve etkileyen dier parametreler, yasak bant genilii ile p-n ekleminin her iki blgesindeki katklama seviyeleridir. Ak devre geriliminden kaynaklanan kayplar %4 ile %50 arasnda deimektedir (etinkaya, 2001). Bir gne pilinin ular arasnda gerilimin olumas, elektronlarn valans bandndan iletim bandna yasak enerji aral boyunca uyarlmasyla salanr. Bu uyarlma sonucu elektron-hol iftleri oluarak, yariletkenin p-tipi ve n-tipi blgeleri arasnda yasak bant genilii (Eg /q) ile orantl bir potansiyel fark olumasna yol aarlar (Tercan, 2000). Elektron-hol ifti oluumu iin kullanlabilir enerji miktar,
105
yasak enerji aralnn deerine eittir. Kazanlan enerji miktar, her zaman yasak enerji aralndan daha kk olacaktr. nk p-n eklemine uygulanabilir maksimum gerilim; eklemin potansiyel engeli yksekliine (eo) eittir. o, p-tipi ve n-tipi blgeleri oluturan yariletkenlerin Fermi enerji seviyeleri arasndaki farka eittir. Bir yariletkende Fermi enerji seviyesi, iletim band ile valans band arasnda yer alr. Bu nedenle eklemin potansiyel engeli ykseklii (eo), yasak enerji aralndan (Eg) her zaman kk olur (eo<Eg). Ak devre voltajndan kaynaklanan verim kayplarn belirlemek iin voltaj faktr kullanlr. Voltaj faktr,
Fv =
Vad E
g
(6.23)
bants ile verilir (Kse, 1986). Voltaj faktr; gne pilindeki p-tipi ve n-tipi blgelerin Fermi enerji seviyeleri arasndaki farka, dolaysyla bu blgelerdeki katk younluuna bal olarak deiir. Silisyumdan yaplm gne pillerinde voltaj faktrnn deeri, 0.66 ile 0.55 arasnda deiir. Voltaj faktrnn arttrlmas ile verim kaybnn azaltlmas mmkn grnse de, voltaj faktrnn bir st limiti vardr. Bu limit katk younluudur. Katk younluunu arttrarak voltaj faktrn arttrmak mmkndr. Ancak bu durumda, elektronlarn mobiliteleri azalacandan verim de azalr. Bu sebeple gne pili yapmnda kullanlacak yariletkenlerin katk younluklar, uygun deerlerde seilmelidir (Tercan, 2000).
6.7.2.3. Diren kayplar

Gne pilini oluturan yariletkenin direnci, metal balantlarn direnci ve metal balantlar ile yariletken arasnda oluan diren; pilin bir seri dirence sahip olmasna sebep olur. Gne pilinin eklem blgesindeki safszlklar, kristal bozukluklar ve p-n ekleminin kenarlarndaki kaaklar da dk nt direncinin olumasna neden olan etkenlerdir (Engin, 1995). Gne pillerinin yapmnda metal kontaklarn yzeye kaplanmas srasnda kullanlan metal, gne pilinin yzeyindeki izik ve atlaklar ksmen veya tamamen doldurur. Bu ise dk nt direncine sebep olur (Tercan, 2000). Seri direncin ok byk deerleri ile nt direncinin ok kk deerleri, srasyla ksa
106
devre akm(Ikd) ve ak devre gerilimini (Vad) deerlerini azaltr. Seri direncin yksek olmas ve nt direncinin de dk olmas, fill faktrn azaltarak verimin dmesine sebep olur (Engin, 1995). Bu direnler, gne pilinin akm-gerilim (I-V) erisinden hesaplanabilir. Buna gre bir gne pilinin seri direnci Rs,
1 dI d Rs dV I d = 0
bants ile ve nt direnci Rsh ise,
(6.24)
1 dI d R sh dV Vd = 0
(6.25)
bants ile verilir. ekil 6.7. de silisyumdan yaplm bir gne pilinin i seri direnci ve verimi arasndaki iliki grafik zerinde gsterilmektedir.
Verim ( %)
ekil 6.7. Bir gne pilinin seri direnciyle verimi arasndaki ilikinin gsterimi (Kse, 1986).
Gne pillerindeki seri direnten kaynaklanan verim kayplar, aygt boyunca akm toplamak iin p-tipi ve n-tipi blgelerinin zerine kaplanan metal kontaklardan
Seri diren (
107
kaynaklanan kayplardr. zellikle n dt yzey zerinde, kontak yzey alan kk tutulmaldr. Bu durumda oluan akm iin yol uzunluu ve buna bal olarak gne pilinin seri direnci artar. Bundan baka, bir gne pilinin karakterizasyonu srasnda akm lmek iin kullanlan balant kablolar veya iletkenler, gne pili iin seri diren olutururlar. Yksek gler elde etmek iin gne pilleri arasnda balant kurulmas, seri diren kayplarn arttracak bir etki oluturabilir. Bu sebeple piller arasndaki balantlarn iyi iletkenlerle yaplmas ve olabildiince ksa tutulmas gerekir (Tercan, 2000). Gne pilinin kenarlarndaki kaaklarn nlenmesi, kontak sinterlemesi srasnda metal yariletken arasnda difzyonun engellenmesi ve kenar pasifizasyonu ile nt direnci bytlerek, dk nt direncinden kaynaklanan verim kayplar azaltlr (Tercan, 2000). Bir gne pilinde seri direnten ve nt direncinden kaynaklanan verim kayplar %10 deerine kadar ulaabilmektedir (etinkaya, 2001). Bu kayplar, pil
teknolojisindeki gelimelerle azaltlmaktadr. deal bir gne pilinde seri diren sfr, nt direnci sosuz ( ) olmaldr.
6.7.2.4. Fill faktr (FF) kayplar

Fill faktr (FF), ak devre gerilimi ile ksa devre akm arpmnn (VadIkd), pilden alnan maksimum g deerinden (Pm) ne kadar saptnn bir lsdr ve deeri,
FF =
Pm Vm I m = Vad I kd Vad I kd
(6.26)
bants ile bulunur (Tercan, 2000). Seri direncin ok byk deerleri ile nt direncinin ok kk deerleri srasyla, ksa devre akm (Ikd) ve ak devre gerilimini (Vad) deerlerini azaltr. Seri direncin byk, nt direncinin kk olmas; fill faktrn azaltarak verimin dmesine sebep olur. Seri direncin ve nt direncinin fill faktr zerine olan etkisinin bykl, bu direnler gne pili belirtgin direnci ile
108
karlatrarak bulunabilir. Gne pili belirtgin direnci Rch,

R ch = Vad I
kd
(6.27)
bants ile verilir. Seri direncin deeri; gne pili belirtgin direncinden ok kk olduu durumda (RsRch) ve nt direncin gne pili belirtgin direncinden ok byk olduu durumda (RshRch), bu direnlerin fill faktr zerine etkisi ok az olur. Seri direncin gne pili belirtgin direncine oran rs,
rs = R s R ch
(6.28)
bants ile tanmlandnda fill faktr yaklak,
FF = FF0 (1 rs )
(6.29)
bantsna eit olur. Bu bant, Vad>10 ve rs<0,4 iin yaklak iki anlaml rakama dek dorudur. Burada FF0, seri diren ve nt diren olmad durumda gne pilinin fill faktrdr ve deeri,
FF0 =
Vad ln (Vad + 0,72 ) Vad + 1
(6.30)
bants ile bulunur. Buna benzer ekilde nt direncin gne pili belirtgin direncine oran rsh,
rsh = R sh R ch
(6.31)
eklinde tanmlanarak (6.4) bants gz nne aldnda, fill faktr yaklak,
V l + 0,72 FF 0 FF = FF0 1 ad rsh V l ad
(6.32)
109
bantsna eit olur. Bu bant, Vad>10 ve rsh<2,5 iin yaklak iki anlaml rakama dek dorudur. Hem seri direncin, hem de nt direncin deeri nemli olduunda; (6.32) bantsndaki FF0 yerine (6.29) bantsndaki FF kullanlarak fill faktr iin,
V l + 0,72 FF (1 rs ) 0 FF = FF0 (1 - rs ) 1 ad rsh V l ad
(6.33)
eklinde yaklak bir bant bulunur (Engin, 1995). Bir gne pilinin fill faktr seri ve nt direncinden baka, gne pilinin yapmnda kullanlan yariletkenin yasak bant aral Eg deerine baldr. .
FF
Eg(eV)
ekil 6.8. Fill faktr ile yasak bant aral arasndaki ilikinin gsterimi (Tercan, 2000).
Fill faktr ile yasak bant aral arasndaki iliki, ekil 6.8. de grld gibidir (Kse, 1986). Yasak bant aral arttka, fill faktr ideal deeri olan 1 e yaklamaktadr. Fill faktr asndan, maksimum verim elde etmek iin gne pili yapmnda olabildiince byk yasak bant aralna sahip yariletkenler kullanlmaldr.
110
Verm (%)
Yasak enerji aral (eV) ekil 6.9. deal verimin yasak bant aralna bal deiiminin gsterimi (Tercan, 2000).
Baka bir adan bakldnda, kullanlan yariletkenin yasak bant aral arttka, gne pili tarafndan sourulan foton says azalr. Bu yzden, gne pilinde elde edilen akm deerinin yksek olmas iin kullanlan yariletkenin yasak bant aral kk olmaldr. Bu ekilde, kullanlacak yariletkenin yasak bant aral iin en uygun deeri bulma gerei ortaya kar. Bunun iin ideal verimin yasak bant aral ile deiimine baklr. ekil 6.9. da grld gibi bir gne pilinin en yksek verime sahip olabilmesi iin, yapmnda kullanlan yariletkenin 1.4 eV ile 1.6 eV deerinde yasak bant aralna sahip olmas gerekir (Tercan, 2000).
6.7.3. Ara yzeyde yeniden birleme

Heteroeklem yapsna sahip bir gne pilinde; p-n ekleminin iki yannda bulunan materyallerin rg uyumsuzluu, ara yzey konum younluunun artmasna yol aar. Ara yzey konum younluunun artmas; yk tayclarnn ara yzeyde yeniden birleerek, yok olma hzn arttrr. Bu ise gne pilinde verim kaybnn artmasna neden olur. Kadmiyum slfr-bakr slfr (n-CdS/p-Cu2S) gne pillerindeki ara yzey uyumsuzluu %4 iken, ara yzey yeniden birleme hznn yaklak 105 cm/s olduu tespit edilmitir. Uygun tasarm yntemleri kullanlarak, kadmiyum slfr-bakr slfr
111
(n-CdS/p-Cu2S) gne pillerinin ara yzeyindeki net kayp, %5 in altna indirilebilir (etinkaya, 2001).
6.7.4. Verim kayb sreleri

Gne pillerinin maliyetinin drlerek kullanmlarnn arttrlmas, ancak pil mrnn uzun olmas ile salanabilir. Fakat gnmzde gne pillerinin mrne ilikin belirsizlikler vardr. Gne pilleri iin 20 yllk bir kullanm sresi iinde, %10 ile %20 arasnda bir verim azalmas hedeflenmektedir. Gne pillerinin zamanla verimlerinin azalmasna neden olan verim kayb sreleri, belirleyici z sreler ve evreden kaynaklanan, etkileri geici sreler olarak ikiye ayrlr (etinkaya, 2001).
6.7.4.1. Belirleyici z sreler

Bir p-n homoeklemine sahip gne pilinde eklem kontaklar ve katklama malzemeleri belirleyici z sreleri belirlerken; heteroekleme sahip gne pilinde ve Schotty diyotlarnda kimyasal elemanlar ieren yaynm sreci nem kazanr. Yaynm sreleri sl olarak balatldndan; belli bir parametrelerindeki verim dme hzlarn belirlemek amacyla, ykseltilmi scaklklarda hzlandrlm mr deneyleri yaplr. ok kristalli gne pillerinde kristal snrlar, yaynm salayan bir pompa ilevine sahip olabilir. Bu nedenle lmlerin gerek pillerde yaplmas, modelleme almalarnn ok kristalli malzemelerle yrtlmesi nerilmektedir (etinkaya, 2001).
6.7.4.2. evreden kaynaklanan, etkileri geici sreler

En nemli evre etkilerinden biri, kaplamann yetersiz olduu koullarda, yariletken tabakann oksitlenmesidir. Dier d etkiler arasnda pilin d yzeyinde gne nmnn geliini engelleyen toz ve pisliklerin birikmesi, kontak malzemelerinin rmesi, zellikle rutubetli blgelerde yansma nleyici kaplamann rmesi, mortesi nlar veya meteorolojik etkiler nedeniyle kaplama malzemesinin kararmas saylabilir. Bunlardan baka hzl souma ve snmann olduu blgelerde scaklk dnmlerinden kaynaklanan verim kayb olabilir (etinkaya, 2001).
112
6.8. Gne Pillerinden Yksek Verim Elde Etmek in Kullanlan Sistemler

Gne pillerinde giri gcnn etkili biimde alnmasn ve gneten gelen enerjinin en verimli ekilde kullanlmasn salamak amacyla, baz sistemler gelitirilmitir. Bu sistemler yle sralanabilir: 1. Younlatrcl gne pili sistemleri, 2. ok katl (birok bant aralkl) gne pili sistemleri, 3. nce film gne pili teknolojisi.
6.8.1. Younlatrcl gne pili sistemleri

Gne pillerinden elde edilen elektrik enerjisini daha ucuza mal edebilmek iin kullanlan sistemlerden biridir. Bu uygulamalarda gne nlar; yanstc veya n krc yzeyler yardm ile dorusal ya da noktasal olarak younlatrlarak, daha kk alanl gne pilleri kullanlr. Gne nlarnn younlatrlmas, dorusal ve noktasal olmak zere iki ekilde yaplr. Dorusal younlatrmada iki boyutlu dorusal younlatrclar; younlatrclar noktasal ve younlatrmada, alc boyutlu kullanlr parabolik anak
merkezi
sistemler
(www.eie.gov.tr).
Younlatrclar, duran fakat periyodik olarak ayarlanabilen veya srekli gnei kovalayan yapda tasarlanrlar (Engin, 1995). Younlatrc sistemlerde en nemli kavramlardan biri, younlatrma arpandr. Younlatrma arpan (C); younlatrc sistemin gnei gren alannn, sourucu alanna oran eklinde tanmlanr (Engin, 1995). Younlatrma arpannn maksimum deeri Cm, iki boyutlu dorusal younlatrclar iin, 1 sin ( m 2 )
C m ( 2D ) =
(6.34.)
bants ile ve boyutlu parabolik anak younlatrclar iin,
C m (3D ) =
1 sin ( m 2 )
2
(6.35.)
113
bants ile verilir. Bu eitliklerdeki m; dnyadan gnein grld minimum a olup, yaklak 0.50 dir. Bu eitliklerle hesaplanan deerlere, optik kayplar sebebiyle pratik uygulamalarda ulalamamaktadr (Engin,1995). Younlatrma arpannn maksimum deeri Cm; iki boyutlu dorusal younlatrclar iin 300, boyutlu younlatrclardan parabolik anak younlatrclar iin 40 000 mertebesindedir (www.eie.gov.tr). ekil 6.10. da, younlatrcl bir gne pilinin verimi ile younlatrma arpan arasndaki iliki grlmektedir.
T sabit
Seri diren nedeniyle azalma
Verim %
Vad de artma
Younlatrma arpan
ekil 6.10. Younlatrcl bir gne pilinde, verimin younlatrma arpan ile deiiminin gsterimi (Engin, 1995).
Sabit scaklkta tutulan younlatrcl bir gne pilinin verimi; younlatrma arpannn artyla artar. Bunun nedeni, nm iddetinin artyla ksa devre akmnn lineer olarak, ak devre geriliminin logaritmik olarak artmasdr. Inm iddeti arttka, ak devre gerilimine bal olarak fill faktr de artar. Bununla birlikte byk akm younluklarnda seri diren kayplar nemli olmaya balar. Gne pili seri direncini en az dzeye indirmek iin dk direnli taban kullanma, st katman direncini azaltma, uygun st dzey tasarm kullanma gibi ilemler yaplabilir. Verim nce younlatrma arpannn artyla artar. Bunun sebebi, akm younluunun artyla ak devre geriliminin logaritmik sonra, olarak artmasdr. verimi
Younlatrma arpannn
belli
bir deerinden
gne
pilinin
114
younlatrma arpannn artyla azalr. Bunun sebebi ise, akm younluunun artyla pildeki seri diren kayplarnn artmasndan ileri gelir. Younlatrcl sistemlerle Si gne pillerinin verimi yaklak %25 in zerine, GaAs gne pillerinin verimi ise, yaklak %30 un zerine karlabilmektedir (Engin, 1995).
6.8.2. ok katl (birok bant aralkl ya da ok eklemli) gne pili sistemleri

ok katl sistemler kullanlarak, verimi %29 un zerinde olan piller elde etmek mmkndr (Tercan, 2000). ekil 6.11. de bu sistemlere bir rnek olarak; %29.5 orannda bir verime sahip olan, GaInP2/GaAs ok katl gne pilinin ematik kesiti grlmektedir.
MgF2
0.12
ZnS
0.066
n-AlInP2
0.04
i- GaInP2 p- GaInP2 p - GaAs n+- GaAs

n-AlGaAs
+
0.1
0.8 0.02 0.02
0.2 0.1
n- GaAs
p- GaAs p - GaAs
+
0.1 0.05
ekil 6.11. %29.5 orannda bir verime sahip olan GaInP2/GaAs ok katl gne pil kesitinin grnm x(m) (Tercan, 2000).
115
ok katl gne pillerinin yapmlar daha karmak ve pahal olduundan, younlatrcl sistemlerde kullanlmas daha uygundur. ok katl pillerin kullanm alanlarnn genilemesi, maliyetinin drlmesi ile gerekleebilecektir (Engin, 1995; Tercan, 2000). ok katl gne pilleri, azalan bant aralklarna gre st ste bytlm p-n eklem dizileridir. Aydnlatma, en byk bant aralkl tabaka tarafndadr (Tercan, 2000). Dk enerjili fotonlar dar bant aralkl yariletken zerine, yksek enerjili fotonlar geni bant aralkl yariletken zerine drldnde; daha verimli gne pilleri oluturulabilir. Bylece hem dk enerjili fotonlarn, hem de yksek enerjili fotonlarn elektron-hol iftleri oluturmas salanabilir. Spektrum yarlm (spectrum splitting) ve ardk (tandem) gne pili yaklamyla bu ama gerekletirilir. Spektrum yarlmnda, gne nmlar spektrum duyarl aynalarla uygun gne pilleri zerine drlrler. Ardk gne pili yaklamnda ise en geni yasak bant geniliine sahip gne pili en ste gelecek ekilde, gittike daha kk yasak bant geniliine sahip gne pilleri, seri halinde art arda getirilirler. Bu uygulamalarla, sz konusu gne pillerinin verimi arttrlabilir (Engin, 1995).
6.8.3. nce film teknolojisi

Gne pillerinde kullanlan malzemenin ve iiliin azaltlmas, teknolojinin basitletirilerek maliyetlerinin drlmesi ynnde yaplan aratrma ve gelitirme almalar sonunda; yariletken malzemenin geni yzeyler zerine ince film eklinde kaplanmas yntemi ekici bir yaklam olarak ortaya kmtr. Bu alanda yaplan aratrma ve gelitirme almalar, gne pili retiminde kullanlabilecek bir ok yariletken malzemenin; dk maliyetlerde cam, metal ya da plastik folyo gibi tabakalar zerinde geni yzeylere kaplanabileceini gstermitir. nce film fotovoltaik malzemeler genellikle ok kristalli yapya sahiptir. Baka bir deyile ince film yariletken malzemeler; byklkleri bir milimetrenin binde birinden, milyonda birine kadar deien damarlardan olumaktadr. Yariletken malzemenin elektriksel, optiksel ve yapsal zellikleri; her damar ierisinde fotovoltaik uygulamalar iin ok uygun olsa da, damarlar aras snrlarda yer
116
alan mikro dzeydeki yapsal kusurlar, ok kristalli malzemede karlalan en nemli problemdir. Optiksel zellikleri uygun seilen bir yariletken malzemede; milimetrenin binde biri kadar bir kalnlk ierisinde, gne nlarnn tmne yakn bir ksm sourulabilir. Uzun bir sredir aratrma gelitirme almalarnn konusu olan ince film gne pilleri, ngrlen retim hedeflerinin gerisinde kalmtr. Bu gn laboratuar verimlilikleri %18 e kadar kmtr. Fakat uzun dnem kararllklarnn arzulanan dzeylere ulaamam olmas, retici firmalarn kararllklarn etkilemektedir. Ancak ulalan dzeyde bile ince film gne pilleri iin Siemens, BP Solar, Conan gibi firmalar pilot retim denemelerini srdrmektedirler (Oktik, 2001). nce film gne pilleri arasnda byk aday ne kmaktadr. Bunlar; amorf silisyum (a:Si), kadmiyum ve tellr elementlerinden meydana gelen bileik yariletken kadmiyum tellr (CdTe) ve bakr, indium selenyum elementlerinin bir aral olan bakr indium-diselenid (CuInSe2) bileik yariletkenidir (Oktik, 2001).
117
7. GNE P L UYGULAMALARINDA DN-BUGN-YARIN 7.1. Giri

Fotovoltaik uygulamalar, dnyada kullanlmakta olan yenilenebilir enerji kaynaklar arasnda en umut verici olanlarndan biridir. Sanayileme ve konfor gereksinimlerinin artna paralel olarak, elektrik enerjisi ihtiyac da artmtr. Bunun sonucu olarak gne pilleri, alternatif ve gvenilir bir enerji retim sistemi olarak eitli uygulama alanlarnda kullanlmaya balanmtr (trolu, 2000). Gne pilleri, gne n doru akm olarak elektrik enerjisine evirirler. Elde edilen elektrik doru akm olarak kullanlabildii gibi, alternatif akma dntrlerek de kullanlabilir veya daha sonra kullanlmak amacyla depolanabilir.
7.2. Gne Pili Uygulamalar

Fotovoltaik etki 1839 dan beri bilinmesine ramen; ilk gne pili 1954 ylnda, ABD deki Bell Laboratuarlar nda gelitirilmitir. Bir ok stnle sahip olmalarna karlk; dier sistemlere oranla maliyetlerinin yksek olmas, gne pillerinin uzun yllar boyunca laboratuar almas olarak kalmasna neden olmutur. lk yllarda daha ok uzay almalarnda, uydularn g gereksinimlerini karlamak iin
kullanlmlardr (trolu, 2000). Gne pillerinin 1955 ylndaki telefon amplifikatr devrelerindeki ilk kullanmndan sonra, uzay uygulamalarndaki kullanm ilk defa 1956 ylnda, Vanquard-I uydusunda olmutur. Bu uydunun verici anteninin 5 megawatt lk enerji ihtiyacn karlamak iin 6 adet gne pili kullanlmtr. Bu uygulamadan sonra, Apollo Projesi ile uzaya gnderilecek aralarn enerji ihtiyacn karlamak iin gne pillerinin kullanlmas kararlatrlmtr (Kse, 1986). Gne pilleri; uzay programlarnn geliimiyle birlikte hzl bir geliim gstermilerdir. Gne pillerinin alternatif ve gvenilir bir enerji retim sistemi olarak grlmeye balanmas, 1970 li yllarn banda ortaya kan petrol krizi sayesinde gereklemitir. Gelien performanslarnn yannda maliyetlerinin azalmas ve gvenilirliklerinin artmas, elektrik retiminde seenek olarak ne kmalarn salamtr. Gnmzde Amerika, Avrupa ve Japonya da binlerce irket ve kii, gnlk
118
yaamlarnda ve aratrma projelerinde enerji ihtiyalarn gne pillerinden salamaktadrlar. Almanya, talya ve Yunanistan gibi Avrupa lkeleri de, elektrik retimi iin gne pillerini kullanmaktadrlar. Ayrca gl ve gelimi elektrik santrallerine sahip olmayan, gelimekte olan ve az gelimi toplumlar; elektrik ihtiyalarn fotovoltaik sistemlerle karlamaktadrlar ( stanbulluolu, 1998). Yine de uygulamada gne pillerinin klasik kullanm, elektrik datmnn eriemedii yerler ile snrldr. nk gne pili retimi, ileri dzeyde teknolojik yntemler gerektirmekte ve pahalya mal olmaktadr. Ancak gelien teknolojik yntemlerle birlikte, yksek maliyetler gemite ok hzl bir dme gstermitir ve bu dme eilimi, gnmzde de devam etmektedir. Bu alanda yaplacak Ar-Ge yatrmlar, devletlerin bu alanda yaplacak almalar desteklemeleri ile gelitirilecek teknikler sonucu fiyatlarn daha da decei kesindir (www.tubitak.gov.tr). Bugn iin dz plaka sistemleri ve younlatrc sistemler kullanmak, gne pili tasarmnda maliyeti drmek iin kullanlan iki temel yntemdir. Temel olarak gne pili; yakt gne olan, hareketli paralar olmayan ve evreye zararl atklar iermeyen bir elektrik retim dzeneidir. Gne ndan her yerde yararlanlabilir. Ayrca bu sistemler kolay tanp, monte edilebilme zelliine sahiptir. Elektrik k glerine gre kol saati, hesap makinesi gibi kk gl yerlerden; elektrik retim santralleri gibi byk gl yerlere kadar elektrik enerjisinin gerektii her yerde kullanlabilirler (trolu, 2000). Gne pili uygulamalarnda kullanlan en kk pil birimine hcre denir. Bir gne pili hcresinden elde edilebilecek gerilim deeri 0.5 V ile 1 V arasndadr. Bu deer ok kk olduu iin gne pilleri birbirine seri ya da paralel balanarak, istenilen gerilime sahip gne pili modlleri oluturulur. Gne pilleri ticari olarak yaklak 50 cm x 100 cm alana ve 3 cm kalnla sahip modller halinde pazarlanmaktadrlar. Genelde 36 adet seri bal kristal tip silisyum hcrelerden oluan bir modlden, gndz saatlerinde yaklak 3 amperlik bir akm ve 16 V dan fazla bir gerilim elde edilir (www.tubitak.gov.tr). ekil 7.1. de bir gne pili hcresinin fotoraf grlmektedir.
119
ekil 7.1. Gne pili hcresinin fotoraf (www.eie.gov.tr).
7.3. Gne Pili Modlleri

Bir gne pilinden elde edilebilecek g 1-2 watt tr. Kullanlabilecek dzeyde yksek gler elde etmek iin, gne pillerinin bir dzen iinde birbirlerine balanmalar gerekir. G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak, bir yzey zerine monte edilir. Bu yapya gne pili modl ya da fotovoltaik modl ad verilir. G talebine bal olarak; modller bir birlerine seri ya da paralel balanarak, g k bir ka watt tan megawatt lara kadar olan fotovoltaik sistemler elde edilebilir (www.eie.gov.tr). Fotovoltaik modl tasarmnda; gne pilleri seri balanarak sistemin k gerilimi, paralel balanarak ise k akm arttrlr. 12 V luk bir aky yklemek iin elde edilecek bir gne pili modl, gneli geen zaman sresince aky dolduracak gerilimi salayacak ekilde tasarlanr. Modln k akm, yzeyi zerine gelen gne nmlar iddetiyle doru orantldr. Bu yzden modl tasarm, modl k akmyla ok yakn ilikilidir. Bunlardan baka, modln cam zerinde biriken tozun, %5 ile %10 arasnda bir verim azalmasna sebep olaca, modl tasarmnda gz nne alnmaldr (Engin, 1995). Modlleri daha verimli hale getirebilmek iin, gnein hareketine gre ynlendirmek gereklidir (etinkaya, 2001). Kuzey yarmkrede kullanlacak modller gneye bakacak ekilde, gney yarmkrede kullanlacak modller kuzeye bakacak ekilde konumlandrlrlar. Yl boyunca maksimum k gc elde etmek iin modllerin yatayla yapt a, genelde bulunduklar yerin enlem asna eit alnr.
120
Kn maksimum g elde etmek iin ise modllerin yatayla yapt a, bulunduklar yerin enlem asndan 15 oC kadar byk seilir (Engin, 1995). ekil 7.2. de bir gne pili modlnn fotoraf grlmektedir.
ekil 7.2. Bir gne pili modlnn fotoraf (www.eie.gov.tr).
Gne pillerinin bir birine balanmasyla modller, modllerin bir birine balanmas ile rgler oluur. En basit sistem, bir modl ve buna bal bir ak veya elektrik motorundan olumu bir sistemdir. Her modl; paralel veya seri balanabilmesine olanak verecek ekilde, balant kutusuyla birlikte tasarlanr. Modllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluan yapya panel ad verilir. Bir modlden elde edilen gc arttrmak iin bavurulan bir yaplanma biimidir. Bu ekilde k gcn 12 V, 24 V, 48 V veya daha yksek deerlere karmak mmkndr. Birden fazla panelin kullanld bir sistemde, paneller kontrol cihazna veya ak grubuna birlikte balanabilecekleri gibi, her panel tek olarak da balanabilir. Bu durumda sistemin bakm daha kolay olacaktr. Sistemde kullanlan fotovoltaik retelerin tmnn oluturduu yapya ise rg yada a denilmektedir. rgnn ok byk olduu uygulamalarda daha kolay yerletirme ve k kontrol iin sistem, alt-rg gruplarna ayrlabilir. rg bir modlden oluabilecei gibi, 100 000 veya daha fazla modlden de oluabilir (trolu, 2000). Gne pillerini bir birine balamak iin kullanlan kurallar, modllerin ve panellerin bir birlerine
121
balanmalarnda da
geerlidir (Tercan,
2000).
Gne pillerinin
bu
ekilde
yaplandrlmasyla elde edilen g megawatt mertebelerine kadar kabilir. Fotovoltaik bir rgde bir birine balanan gne pilleri ya da gne pili modlleri arasnda, elektriksel ve termal dengesizlikler oluabilir. Bu dengesizliklerin sebebi fotovoltaik rgy oluturan gne pillerinin veya modllerin her birinin, farkl karakteristik zelliklere sahip olmasdr. Gerekte, gne pillerinin elektriksel karakteristiklerinin ortalama bir deerden sapt sklkla grlr. Bu durum gne pili retiminde yaplan teknik ilemlerden kaynaklanabilecei gibi, kullanlan yariletken malzemeden de kaynaklanabilir. Ayn zamanda tozlanma ve glgelenme de (ksmi ya da tamamen) elektriksel dengesizliklere yol aar. Bu dengesizlikler engellenmedii zaman; rgdeki bir veya daha fazla modln istem d almasna yol aarak, rgye zarar verebilir. rgdeki modllerden biri veya daha fazlas bir yk gibi davranmaya balayarak, rgdeki dier modllerin rettii enerjiyi tketir duruma gelebilir. Pillerin veya modllerin yanmasna sebep olabilir. rgy oluturan birimlerden biri veya birden fazlas, yksek glerde (kw mertebesinde) zarar grerek kullanlmaz duruma gelebilir. Yksek glere ulaldnda, fotovoltaik rgy oluturan birimleri korumak iin maliyeti fazla arttrmayacak ve retilen enerjinin azalmasna yol amayacak koruyucu elemanlar sisteme eklenmeli ve uyarlanmaldr (Tercan, 2000). Gne pilleri ve modller yalnzca elektrii retirler. retilen bu enerjinin depolanmas, elektriksel ykle uyuacak ekilde iletilmesi ve dzenlenmesi gereklidir. Bunun iin modllere dengeleyici bileenler eklenerek gne pili sistemleri (fotovoltaik sistemler) meydana getirilir (etinkaya, 2001).
7.4. Gne Pili Sistemleri (Fotovoltaik Sistemler)

Gne pili modlleri uygulamaya bal olarak akmlatrler, invertrler (dntrcler), ak arj denetim aygtlar ve eitli elektronik destek devreleri ile birlikte kullanlarak bir gne pili sistemi (fotovoltaik sistem) olutururlar. Bu sistemler ayr grupta toplanrlar: 1. Gne enerjisini elektrik enerjisine dntren grup: Gne pili hcreleri, modlleri grubu.
122
2. Enerjiyi kullanan grup: Makineler, elektrikle alan tm ekipmanlar. 3. Enerji retimiyle tketimi arasnda kalan ve sistemi dengeleyen aralar (BOS aralar): Ak arj kontrolrleri, akler, invertrler (alternatif akm ihtiyac olan ykler iin), kablolar, kablo kanallar, bir topraklama devresi, sigortalar, kesiciler, klar, modlleri destekleyecek metal yaplar ve fotovoltaik sistemin paras olan dier bileenlerdir (etinkaya, 2001). Gnmzde kullanlan fotovoltaik sistemlerden elde edilen elektriksel g, watt mertebelerinden (kk elektronik devrelerin beslenmesi) kilowatt mertebelerine (katodik koruma, sinyalizasyon, iletiim niteleri, pompalama ve sulama tesisleri, evler, iftlikler) ve hatta megawatt mertebelerine (fotovoltaik santraller) kadar
uzanabilmektedir. Bu sistemler, ebekeden bamsz (stand-alone) ve ebekeye baml olmak zere iki grupta ele alnabilir (www.tubitak.gov.tr).
7.4.1. ebekeden bamsz fotovoltaik sistemler

Bu sistemler, zellikle yerleim yerlerinden uzak, elektrik ebekesi olmayan yrelerde, jeneratre yakt tamann zor ve pahal olduu durumlarda kullanlrlar. Bunun dnda dizel jeneratrler ya da baka g sistemleri ile birlikte, karma olarak kullanlmalar da mmkndr. ebekeden bamsz sistemlerde yeterli sayda gne pili modl, enerji kayna olarak kullanlr. Gnein yetersiz olduu zamanlarda ya da zellikle gece sresince kullanlmak zere, genellikle sistemde ak bulundurulur. Gne pili modlleri gn boyunca elektrik enerjisi reterek, bunu akmlatrde depolar. Yke gerekli olan enerji akmlatrden alnr (www.eie.gov.tr). Fotovoltaik sistemler, derin-evrim aklere ihtiya duyarlar. Bu akler genellikle kurun-asit tiplerdir. Yava yava dearj olurlar ve yzlerce kez kendi kapasitelerinin %80 i orannda arj olabilirler. Dearj olurken patlayc hidrojen gaz karan kurun-asit tipi ve slak hcreli akler; sistemin dier elektriksel bileenlerinden ve oturma alanlarndan uzak, iyi havalandrlan alanlara yerletirilmelidir. Aklere dzenli bakm yaplmaldr. Sistemde tkenen ak, yenisiyle deitirilmelidir. Otomotiv akleri, s-evrim akleridir ve fotovoltaik sistemlerde kullanlmamaldr. Bir fotovoltaik sistemin, birka bulutlu gn boyunca talep edilen
123
gc karlamas iin aklerde yeterli g depolayacak biimde boyutlandrlmas gerekir. Bu, zerklik gnleri olarak bilinir (etinkaya, 2001). Bir fotovoltaik sistemdeki aklerin, gne pili modlleri tarafndan ar arj olmasndan veya yk tarafndan ar dearj olmasndan zarar grmesini engellemek iin sisteme bir denetim birimi eklemek gerekir. Bunun iin kullanlan denetim birimine arj kontrolr de denir. arj kontrolr, fotovoltaik modllerden akye ve yke akan elektrii dzenler. Kontrolr, aky ar arj etmeden srekli tam arjl durumda tutar. Yk ekmeye balad zaman; kontrolr arjn modllerden akye, yke veya her ikisine birden akna izin verir. Akler tamamen arj olduunda, modlden geen arj akn durdurur. Ayrca birok kontrolr yklerin akden ok fazla akm ektiini tespit ederek, ak yeterli arja sahip olana kadar akm durdurur. Bu zellik, ak grubunun mrn nemli lde arttrr (etinkaya, 2001).
ekil 7.3. Doru akm (DC) elde edilen bir fotovoltaik sistemin yapsal grnm (etinkaya, 2001).
Bir gne pili modl zerine den gne na bal olarak, doru akm retir. Doru akm (DC) ihtiyacn karlamak zere tasarlanm bir fotovoltaik sistemin yaps ekil 7.3. deki gibi olmaldr.
124
ebeke uyumlu alternatif akm elektriinin gerekli olduu uygulamalarda sisteme bir invertr eklenerek; akmlatrdeki DC gerilim 220 V, 50 Hz lik sins dalgasna dntrlr (www.eie.gov.tr). Deiik tipte invertrler, deiik kalitede elektrik retirler. rnein lambalar, televizyonlar ve g aletleri dk kalitede elektrikle alabilirler. Ama bilgisayarlar, lazer yazclar ve dier gelimi elektronik aletler yksek kalitede elektrie ihtiya duyarlar (etinkaya, 2001). Alternatif akm (AC) ihtiyacn karlamak iin tasarlanm bir fotovoltaik sistemin ekil 7.4. deki gibi olmaldr. yaps
ekil 7.4. Alternatif akm (AC) elde edilen bir fotovoltaik sistemin yapsal grnm (etinkaya, 2001).
ebekeden bamsz sistemlerin tasarmnda, kullanm alanna gre eitli destek elektronik devreler sisteme katlabilir. Baz sistemlerde, gne pillerinin maksimum g noktasnda almasn salayan, maksimum g noktas izleyici cihaz bulunur.
125
7.4.2. ebekeye baml fotovoltaik sistemler

ebeke balantl gne pili sistemleri; yksek gte santral boyutunda sistemler eklinde olabilecei gibi, daha ok binalarda kk gl kullanm eklinde uygulanr (www.eie.gov.tr). Bu tr fotovoltaik sistemler aklere ihtiya duymazlar. nk ebeke a, yedekleme gc iin kullanlabilir. Bununla birlikte, ok daha ayrntl g dzenlemelerini gerektiren zelliklere sahiptirler. ebekeye baml sistemlerde kullanlan invertrler; ebekeden yke,
fotovoltaik rgden yke ve rgden ebeke ana akan elektrii, ebekenin AC dalga formuyla uyum salayacak ekilde dzenlemek zorundadrlar (etinkaya, 2001). ebekeye baml fotovoltaik sistemler iki balk altnda ele alnabilir: Bunlardan birincisi, ebekeye baml fotovoltaik g santralleridir. kincisi ise, ebekeye baml datlm fotovoltaik g santralleridir.
7.4.2.1. ebekeye baml fotovoltaik g santralleri

Gleri, 10 kilowatt ile onlarca megawatt arasnda deien fotovoltaik sistemler olup, ounlukla yerel enerji gereksinimlerine destek olmak zere kurulmulardr. zellikle g gereksiniminin artt saatlerde, yerel fotovoltaik sistemlerini devreye sokacak dzenlemeler iin ticari olarak enerji hatlarnn gelitirilmesinden daha ekici olabilmektedir (Oktik, 2001). Fotovoltaik santral olarak adlandrlan yksek gteki gne pili jeneratrleri (fotovoltaik jeneratrler); ak yedekli, dizel ve/veya rzgar jeneratr yedekli veya ebekeye baml olarak altrlrlar (www.tubitak.gov.tr). Bir gne pili jeneratrnn gcn belirlemek iin kullanm gcnn belirlenmesi, ak kapasitesinin belirlenmesi, modl eiminin seilmesi, modl byklnn alt ve st snrlarnn hesaplanmas gerekir. Baz durumlarda kullanc gc sabit olmakla birlikte (rle istasyonlar gibi), baz durumlarda deiebilmektedir. Gne enerjisi verilerinin bulunmad durumlarda; benzer blgelerin gne enerjisi verilerinden, kullanm blgesinin gne enerjisi verileri karlabilir (Engin, 1995).
126
7.4.2.2. ebekeye baml datlm fotovoltaik g sistemleri

Son yllarda yaygn hale gelen bu sistemlerden tipik olarak 1 kilowatt ile
50 kilowatt arasnda g elde edilebilmektedir. Kullanclarn bina at ve yzeylerine yerletirdikleri bu sistemlerde, iki ynl saya uygulamas kullanlmaktadr. Bu ekilde bir konutun elektrik gereksinimi karlanrken; retilen fazla enerji elektrik ebekesine satlr, yeterli enerjinin retilmedii durumlarda ise ebekeden enerji alnr (Oktik, 2001). Avrupa da bu tr uygulamalarn yaygnlatrlmas, devlet destei ile salanmaktadr (www.tubitak.gov.tr).
7.4.3. Gne pili sistemlerinin kullanm

Fotovoltaik sistemler, standart enerji kaynaklar karsnda g kazanmaktadr. Dnyada gne pili sistemlerinin kullanm, hzla yaygnlamaktadr. Gnmzde, dnyadaki gne piliyle elektrik retim kapasitesinin yllk 50-100 megawatt arasnda olduu tahmin edilmektedir.
ekil 7.5. 1992-2000 yllar arasnda tm dnyadaki gne pilinden elde edilen enerji satlarnn grafik zerinde gsterimi (www.eie.gov.tr).
ekil 7.5. de 1992-2000 yllar arasndaki gne pilinden elde edilen enerji satlar grafik zerinde gsterilmitir (Enerji birimi olarak MW kullanlmtr). Kii bana den yllk enerji ihtiyac 18 ile 24 kilowatt arasnda olduu gz nne alndnda, bu kapasitenin ok kk olduu dnlebilir (trolu, 2000; www.tubitak.gov.tr). Ancak bu alandaki teknolojik gelimeler, kullanm alanlarndaki
127
eitliliin artmas; gne pili kapasitesinde hzl gelimelerin beklenmesine sebep olmaktadr (www.tubitak.gov.tr). Son yirmi ylda gne pili teknolojilerindeki gelimelere ve fotovoltaik pazarnn bymesine kout olarak, gne pillerinin maliyetleri srekli bir d eilimindedir (Oktik, 2001). Yatrm maliyetleri yksek olsa da, iletme ve bakm maliyetlerinin dk olmas (yok denecek kadar az) nedeniyle; cazip duruma gelen fotovoltaik sistemlerin kullanm alanlar her geen gn artmaktadr. Dnyada kurulu gne pili sistemlerinin kullanm alanlarna gre dalmnn grafik zerinde gsterimi ekil 7.6. da yer almaktadr.
ekil 7.6. Dnyada kurulu gne pili sistemlerinin kullanm alanlarna gre dalmnn grafik zerinde gsterimi (www.eie.gov.tr).
Gne pili sistemlerinin maliyetleri temel olarak iki ksmda incelenebilir. Bunlardan birincisi, gne pili modllerinin maliyetidir. kinci ksmda ise, depolama, elektronik denetim aygtlar, invertrler, kablolama, arazi, altyap hazrlama gibi sistem destek elemanlarnn maliyetleri yer almaktadr. Genelde gne pillerinin maliyeti, toplam sistem maliyetinin yars kadardr. Gne pili sistemleriyle ilgili maliyet karlatrmalarnda evre etkileri dikkate alnmamaktadr. Ulusal enerji kaynaklarnn yetersizlii konu olduunda, ebekeye baml datlm fotovoltaik sistemlerin nemli bir tasarruf potansiyeli oluturduu anlalmaktadr. rnein Almanya da yaplan bir almada; bireysel tketicilerin atlarna koyduklar gne pilleri ile rettikleri elektriin te birini kendilerinin tkettikleri, geri kalan te ikilik ksmn ise enterkonnekte sisteme vererek ulusal elektrik enerjisi retimine katkda bulunduklar ve tasarruf saladklar saptanmtr (www. tubitak.gov.tr).
128
Fotovoltaik modl retiminin ounluu ABD (%44), Japonya(%20) ve Avrupa (%27) arasnda blrken; %9 kadarlk bir blm de dier lkelerce
gerekletirilmektedir (Oktik, 2001). Avrupa Birlii nin 2010 ylna kadar bir milyon kk fotovoltaik sistem kuraca aklanmtr. Hollanda, fotovoltaik sistemlerini atda kur-ilet-sahip ol programn balatmtr (Oktik, 2001). Sonu olarak gne pili teknolojileri hzl bir gelime eilimindedir. Bu gelimelerle her geen gn; gne pili verimlilikleri arttrlarak, maliyetleri drlmektedir. Bylece fotovoltaik sistemlerin kullanm alanlar ve pazarlar srekli
artan bir hzda bymektedir
7.5. Gne Pillerinin Kullanm Alanlar

Gne enerjisinin kullanm gndelik yaam yapsndan ve konutlardan balamakta; haberlemeye, tarma, endstri kesimine, elektrik santrallerine, askeri hizmetlere ve uzaya kadar uzanmaktadr. Gne pilleri, elektrik enerjisinin gerekli olduu her uygulamada kullanlabilir (etinkaya, 2001). Gne pilleri ilk defa telefon amplifikatrlerinde baarl bir ekilde kullanlmtr. Uzay uygulamalarndaki ilk kullanm 1956 ylnda Vanquard-I uydusunda olmutur. Gne pili ile alan ilk uak, 1979 ylnda Larry Mauro adnda bir ahs tarafndan yaplmtr. Enerjisi kanatlarna yerletirilmi silisyum gne pilleriyle salanan bu uak, 40 km/saat lik bir hzla ve 12 m lik bir ykseklikte umutur. 1985 ylnda, Avrupa da gne pilleriyle alan bir otomobil yarmas yaplmtr. Avustralya da ve srail de deneme amacyla birer otomobil altrlmtr (Kse, 1986; Oral, 1979). Gne pilleriyle yaplan uygulamalar arasnda bir rlenin altrlmas, yangn alarm sistemlerinin altrlmas, gne batnca sokak ve vitrin lambalarnn yaklmas, kk otomobillerin altrlmas ve gemi ambarnda kan yangnlarn ihbar edilmesi saylabilir (Kse, 1986). Gnmzdeki en nemli uygulama yeri, uydularda haberlemeyi salamak iin gerekli elektrik enerjisinin gne enerjisinden elde ediliidir. Gne pilleri, yeryznde az g gerektiren uygulama yerlerinde veya ulalmas zor olan blgelerde kullanlrlar. Bunlardan baka, luxmetre ve fotoraf
129
makinelerinin pozometrelerinde kullanm alan bulurlar (Oral, 1979). Bu alanlara hesap makineleri, radyo,televizyon ve uydu alclar, radar ve meteoroloji istasyonlar, mobil evler ve hastaneler, su pompalar, cellular ve PMR istasyonlar, mobil telefonlar, havaalan ve helikopter pist klandrmalar, denizcilik uygulamalar, karavanlar, sokak ve bahe aydnlatmalar ilave edilebilir ( stanbulluolu, 1998; etinkaya, 2001). Gnmzde Japonya daki birok deniz feneri gne pili ile donatlmtr. ABD de orman gzetleme kulelerinin enerji ihtiyacn karlamak iin gne pilleri kullanlmaktadr. Pakistan da kurulmu 600 watt lk santral ile bir su pompas, deniz feneri ve buradaki personel lojmannn enerji ihtiyac gne pilleri ile salanmaktadr (Kse, 1986; Oral, 1979). Uygulamada hcre, modl, panel eklinde kullanlabilen gne pilleri ile ebekeden bamsz ve ebekeye baml fotovoltaik sistemler kurulabilir. Gne pili sistemlerinin ebekeden bamsz (stand-alone) olarak kullanld tipik uygulama alanlar aada sralanmtr. 1. Haberleme istasyonlar, krsal radyo, telsiz ve telefon sistemleri; 2. Petrol boru hatlarnn katodik korumas; 3. Metal yaplarn (kprler, kuleler vb) korozyondan korumas; 4. Elektrik ve su datm sistemlerinde yaplan telemetrik lmler, hava gzlem istasyonlar; 5. Bina ii ya da d aydnlatma; 6. Da evleri ya da yerleim yerlerinden uzaktaki evlerde TV, radyo, buzdolab gibi elektrikli aygtlarn altrlmas; 7. Tarmsal sulama ya da ev kullanm amacyla su pompaj; 8. Deniz fenerleri; 9. lkyardm, alarm ve gvenlik sistemleri; 10. Deprem ve hava gzlem istasyonlar;
130
11. la ve a soutma (www.eie.gov.tr). Avusturya, spanya gibi lkelerin her birine ebekeden bamsz olarak
kurulmu fotovoltaik sistemlerin iletiim, denizcilik, gzetleme kuleleri, su pompalar, kara-deniz-hava yollar ile ilgili sinyaller, petrol ve gaz hatlarnda korozyondan korunma, vb. uygulamalar gn getike artmaktadr (Oktik, 2001). ebekeye baml fotovoltaik sistemlerin uygulamada iki eidi vardr. Santraller eklinde tasarlanan birinci eidinde, byk gler elde edilerek bir yerleim yerinin elektrik ihtiyac karlanabilir. ABD nin Arizona eyaletinde bulunan Schuchuli kasabasnn elektrik enerjisi ihtiyac, 3.5 watt lk bir gne pili santraliyle salanmaktadr. Bu tesis, 1978 ylnda NASA tarafndan desteklenerek hizmete almtr (Kse, 1986). 1982 ylnda California da, 1 megawatt lk Edison Lugo Fotovoltaik Santrali kurulmu ve bunu Los Angeles-San Francisco arasnda kurulan 6.5 megawatt lk Carissa Plains Fotovoltaik Santrali izlemitir. Amerika dndaki lkelerde de fotovoltaik santraller bulunmakla birlikte, toplam kurulu gleri gne termik santrallerinin %10 unu gememektedir (www.tubitak.gov.tr). ebekeye baml fotovoltaik sistemlerin ikinci uygulama trnde, evlerin atlar gne pilleriyle kaplanmaktadr. Art enerjili binalar denilen bu yaplar, enerji ihtiyalarn atlarnda rettikleri elektrikle karlamaktadrlar. Bu binalarda retilen fazla enerji, ift ynl sayalar sayesinde elektrik ebekesine satlrken, yeterli enerjinin retilmedii durumlarda ise ebekeden enerji alnmaktadr (www.tubitak.gov.tr). Uygulamadaki enerji ihtiyacna gre, tketim rnleri ve sistemler eklinde tasarlanan gne pillerinin kullanm, zellikle son yirmi ylda byk bir art gstermitir. Gne pillerinin daha yaygn kullanlmasndaki tek engel, maliyetlerinin yksek olduu dncesidir. Fakat yaplan almalarla gne pillerinin maliyetleri hzla dmektedir. Bu alandaki gelimeler, nmzdeki gnlerde gne pillerinin kullanmnn byk bir hzla yaygnlaacan gstermektedir. Gne pillerinin ok yakn bir gelecekte kl reklam panolar, trafik ve karayolu-demiryolu ikaz ve iaretleri, sokak-park-bahe aydnlatmas, karavanlar, tatil evleri, gzetleme
istasyonlar, haberleme istasyonlar gibi birok sahada; iletmesi ve bakm ok daha pahal olan ak ve jeneratrlerin yerini alaca tahmin edilmektedir ( stanbulluolu,
131
1998).
7.6. Gne Pillerinin Uygulama rnekleri

Gne pillerinin en yaygn karlalan kullanmlar, aydnlatma birimlerinde, trafik sistemlerinde ve su pompalama sistemlerindeki uygulamalar ile ebeke balantl gne pili sistemlerindeki uygulamalardr.
7.6.1. Gne pillerinin aydnlatma birimlerindeki uygulamalar

Gne pillerinin aydnlatma birimlerindeki uygulamalarna rnek olarak; ekil 7.7. de sokak aydnlatmasnda kullanmnn fotoraf, ekil 7.8. de ise bahe aydnlatmasnda kullanmnn fotoraf grlmektedir.
ekil.7.7. Gne pillerinin sokak aydnlatmasnda kullanmnn fotoraf (wwww.eie.gov.tr).
132
ekil 7.8. Gne pillerinin bahe aydnlatmasnda kullanmnn fotoraf (wwww.eie.gov.tr).
7.6.2. Gne pillerinin trafik sistemlerindeki uygulamalar

Gne pillerinin trafik sistemlerindeki kullanmna rnek olarak; ekil 7.9. da karayollarnda kullanmnn fotoraf, ekil 7.10. da trafik ikaz sistemlerine kullanmnn fotoraf yer almaktadr.
ekil 7.9. Gne pillerinin karayollarnda kullanmnn fotoraf (wwww.eie.gov.tr).
133
ekil 7.10. Gne pillerinin trafik ikaz sistemlerindeki kullanmnn fotoraf (wwww.eie.gov.tr).
7.6.3. Gne pillerinin su pompalama sistemlerindeki uygulamalar

Gne pillerinin su pompalama sistemlerindeki kullanmna rnek fotoraf ekil 7.11. de yer almaktadr.
ekil 7.11. Gne pillerinin su pompalama sisteminde kullanmnn fotoraf (www.eie.gov.tr).
134
7.6.4. ebeke balantl gne pili sistemi uygulamalar

ebeke balantl gne pili uygulamalarna rnek olarak; ekil 7.12. de ebekeye elektrik veren bir gne santralinin fotoraf yer almaktadr.
ekil 7.12. ebekeye elektrik veren bir gne pili santralinin fotoraf (www.eie.gov.tr).
Art enerjili bina ad verilen, ats gne pilleriyle kapl binalar da, ebeke balantl gne pili uygulamalarndandr. Bu tr bir binann fotoraf, ekil 7.13. de yer almaktadr.
ekil 7.13. ats gne pilleriyle kapl art enerjili bir binann fotoraf

(www.eie.gov.tr
135
7.7. Gne Pili Uygulamalarnn Trkiye deki Durumu

lkemiz corafi konumu nedeniyle sahip olduu gne enerjisi potansiyeli asndan, birok lkeye gre ansl durumdadr. Trkiye nin gne enerjisi potansiyeli gz nne alndnda; gne pili sistemleri bir ok farkl uygulamalarda ekici bir seenek olmasna ramen, lkemizde yeterince desteklenmemektedir. Bunun sebebi, bu sistemlerin devlet otoritelerine ve toplumumuza geni lde salkl verilerle tantlmam olmasdr (Oktik, 2001). Gne pillerinin Trkiye deki kullanm; ancak elektrik ebekesinin olmad, yerleim merkezlerinden uzak yerlerde ekonomik ynden uygun olmaktadr. Bu nedenle genellikle sinyalizasyon, krsal elektrik ihtiyacnn karlanmas vb. gibi uygulamalarda kullanlmaktadr. lkemizde halen Telekom istasyonlar, Orman Genel Mdrl yangn gzetleme istasyonlar, deniz fenerleri ve otoyol aydnlatmasnda kullanlan gne pili kurulu gc 300 kW civarndadr (www.eie.gov.tr). lkemizde aydnlatma birimi olarak kullanlan gne pili sistemlerinden iki tanesi Ankara AO Atatrk Evi nnde, iki tanesi Didim Gne ve Rzgar Enerjisi Aratrma Merkezi nde, bir tanesi Elektrik leri Ett daresi (E E) Genel Mdrlk Binas giriinde almaktadr. Ayrca Didim de gne pilleriyle oluturulan bir sistem ile evre aydnlatmas yaplmaktadr. E E Didim Gne ve Rzgar Enerjisi Aratrma Merkezi ne 4.8 kW gcnde ebeke balantl gne pili sistemi kurulmutur. Elektrik leri Ett daresi tarafndan, E E Yenilenebilir Enerji Park oluturulmutur. eitli alanlarla kullanlan gne pili sistemleri, sergi amacyla bu parkta kurulmutur (www.eie.gov.tr). Ayrca Akdeniz deki Zeytin Adas nda, bir GSM ebekesinin enerji ihtiyac gne pili sistemiyle karlanmaktadr. ok hzl ekilde olmasa bile, lkemizdeki fotovoltaik uygulamalar gn getike artmaktadr.
7.8. Gne Pillerinin Gelecei

Dnya genelinde bugn bile, 2 milyar insan elektrik enerjisinden yoksundur (Oktik, 2001). Nfus younluunun kk olduu blgelerde fotovoltaik enerji, bugnk fiyatlarla bile ekici grnmektedir. Tasarm, alt yap, akler, evirici ve btn gerekli balantlar hesaba katldnda oluturulacak sistemin maliyeti; birka kilowatt
136
g gereken bir noktaya, 500 m teden g balamann maliyetinden daha ucuzdur. Yeni ve yenilenebilir enerjilere giderek artan ilgiye bal olarak, fotovoltaik g sistemleri iin geerli olan fiyatlarnn ok yksek olmas ynndeki inan, yerini fiyat farknn ok byk olmad eklindeki bir syleme brakmtr. Fotovoltaik modllerin mr srelerinin 20 yl olduu dnlrse, yaplan yatrmn ka ylda geri alnabilecei sorusuna literatrde verilen cevap; gne kuandaki blgelerde tek kristalliler iin yaklak 5 yl, ok kristalliler iin yaklak 2.5 yl biimindedir. retim kapasitesinin art ve teknolojik gelimelerle birlikte, bu deerin yakn gelecekte bir yln altna inecei tahmin edilmektedir (Oktik, 2001). Gne pillerinin ticarilemesi yirmi yldan daha ksa bir srede gereklemitir. Gne pili teknolojileri gen teknolojilerdir ve gelime eilimi gstermektedirler. nmzdeki yirmi yl iinde olabilecek gelimeleri tahmin etmek zor olsa da, bu gelimeleri ynlendirecek faktrler belirlenebilir. Malzeme kullanm, teknoloji gelitike nemini arttracak bir faktrdr. Son maliyet limitinin, malzeme maliyeti ile ilgili olaca tahmin edilmektedir. Bu durumda az malzeme kullanlarak retilen ince film gne pillerinin, gelecekte ne kaca dnlmektedir. Ticari alanda daha iyi kurulduunda, amorf silisyumun fotovoltaik pazarnda baskn bir duruma gelecei tasarlanmaktadr. Bu arada CIS ve CdTe ince filmleri; verimlilik ve kararllk asndan yksek performans gstererek, amorf silisyuma yakn veya ondan daha dk maliyete sahip olacaklarnn sinyallerini vermektedirler. Gerek anlamda ucuz olan fotovoltaikler iin elde edilmek istenen deerler, modl mr iin 30 yl ve verimlik iin %15 dir. nce filmler bu amalara ulamak iin uygun kapasiteye sahip grnmektedirler (etinkaya, 2001). ebekeye bal fotovoltaik sistemler temel g ihtiyac iin kullanlmadan nce, bu sistemlerde elektriin depolanmasnda nemli gelimelerin salanmas gerekir. Fotovoltaik sistemler, gn nn olduu zamanda 24 saatte ihtiya duyulan tm gc retmek zorundadrlar. Bu da ok byk miktardaki enerjinin, boylama ve mevsime bal olarak 12-16 saat gibi uzun bir sre iin depolanmas gerektii anlamna gelir. Sudan elektrik akm geirilerek elde edilen hidrojen yaktnn, gelecekte fotovoltaik enerjinin depolanmasnda orta lekli en iyi depolamay salayaca dnlmektedir (etinkaya, 2001).
137
Gelecek iin yeryz gne santrallarndan baka, uzaya yerletirilecek topla uydusu ve dnya balantl gne santrallar kurulmas amalanmaktadr. Dnyadan 36 000 km uzaklkta ve 10 000 MW gl bir uzay santralndan retilecek elektrik enerjisi, santraln 1 km apl anteninden mikrodalgalarla dnyaya iletilecek, dnyadaki 7 km apl bir anten bu enerjiyi %55-75 verimle alp, doru akm verebilecektir. Bu proje Ameriken Apollo uzay programnda yer almtr ( nan ve ltanr, 1996). Fotovoltaik sistemlerin kullanmn yaygnlatrmak iin gne pillerinin maliyetinin drlmesi ve verimliliklerinin arttrlmas gerekmektedir. retim arttka, uluslar aras pazarlar geniledike ve teknoloji gelitike; daha yksek verime ve daha dk maliyete sahip piller retilebilecektir. Fotovoltaik gelimeler ayn zamanda; son kullanc ihtiyalar ve sistem tasarmclarnn yaratclklar, ev ve dier sistemler iin genileyen uygulama alanlar ile beslenecektir. Fotovoltaik sistemlerin hzla gelierek, gelecekteki enerji ihtiyacn karlama konusunda insanoluna byk bir katk salayaca ok aktr (etinkaya, 2001).
138
TARTIMA VE SONU
Sanayileme sreciyle birlikte hzla artan enerji ihtiyacnn karlanmas iin gelitirilen ve uygulanan yeni teknolojiler, birok problemi de beraberinde getirmitir. Dnya ekolojisinin zarar grmesi bakmndan byk nem tayan, enerji ve evre etkileiminde ortaya kabilecek evresel bozulmalarn en az dzeyde tutulabilmesi bu problemlerin en bydr. Gnmzde kullanlmakta olan enerji kaynaklarnn, evre zerindeki olumsuz etkileri bilinmekte ve bu etkilerin ortadan kaldrlmasna allmaktadr. evre dostu alternatif enerji kaynaklarnn kullanmnn
yaygnlatrlmas, dnyann gelecei bakmndan ok nemli bir adm olacaktr. Alternatif enerji kaynaklar grubundan olan gne enerjisinin evreye verdii zarar, gnmz enerji sistemleriyle karlatrlmayacak kadar azdr (etinkaya, 2001). Gne pilleri ile elektrik retimi, gne enerjisi kullanmnn bir uygulama alandr. Elektrik reten dier sistemlerle karlatrldnda, gne pillerinden oluan bir sistem kullanmann yararlar yle sralanabilir: 1. Mevcut sistemlerden farkl olarak en byk yarar; herhangi bir fosil yakt veya balant gerektirmeden, bamsz olarak elektrik retilebilmesidir. 2. Yakt gne dr, her yerde ve bedava bulmak mmkndr. Yaktn tama ve depolama gibi sorunlar yoktur. 3. Sistemde kullanlan hareketli paralar ok az olduundan sessiz alrlar ve ok az bakm gerektirirler. Elektrik retiminde kullanlan dier sistemler (jeneratrler, rzgar veya hidro-elektrik trbinleri vs.) dzenli olarak bakma gerek duyarlar. 4. Dier elektrik retim sistemleriyle karlatrldklarnda, belki de en byk yararlar gvenilir olmalardr. Hareketli paralar ok azdr ya da yoktur. imekler, gl rzgarlar, kum frtnalar, nem ve s, kar veya buz gibi doa olaylarna dayankldrlar.
139
5. Enerjiyi, kullanlmak istendii yerde retmek olasdr. Bylece enerjiyi tamak gerekmez. ebekenin ulamad (rnein, GSM vericilerinin yerletirildii yerlerde) bu sistemi kullanmak olasdr. 6. Enerji kayna ile kullanm yeri arasnda, uzun kablolar ve balant elemanlar olmadndan; arada oluabilecek g kaybndan kanlm olur. Gne pili sistemlerinde, ok sayda tketim noktas beslenmek istendii zaman bile, yerel kayplar yok denecek kadar azdr. 7. Modler bir sistem olduu iin g k kolaylkla arttrlabilir. Mevcut modllere yenilerinin eklenmesi ile sistem, artan g gereksinimini karlayabilecek duruma getirilebilir. 8. mrleri uzundur (20-30 yl) (trolu, 2000). Gne pillerinin kullanmn snrlayan iki konudan biri, maliyetlerinin yksek olduu dncesidir. Dieri ise, yalnzca gne varken elektrik retebildiklerinden, enerjinin depolanmas iin bir dzenee ihtiya duymalardr (Oral, 1979). Gnmzde retim ve tasarm maliyetleri gittike den gne pilleri, elektrik retiminde uygun bir seenek durumuna gelmilerdir. lk kurulu maliyeti dier sistemlere gre biraz yksek olsa bile, sistem bir sre sonra kendi maliyetini karlamaktadr. Sistemin en nemli zellii, elektrik retimi iin hibir yakta veya balantya gerek duymamasdr (trolu, 2000). Teknolojik gelimelerle gne pillerinin maliyeti drlerek verimleri arttrlmtr. Bunun sonucunda kullanm alanlar artan fotovoltaik sistemler, enerji piyasasnda byk bir atak yapmtr. Fotovoltaik etki 1839 ylndan beri biliniyor olmasna karlk, gne pillerinin ticari gelimeleri son yirmi ylda gereklemitir. Dnya bu geliimi 1970 li yllarda yaanan enerji krizine borludur. Gne pili uygulamalarndan alnan olumlu sonular, bu konudaki aratrma ve gelitirme almalarn hzlandrmaktadr. Gnmze kadar yaplan almalarla, fotovoltaik sistem uygulamalarnda birok gelime salanmtr. Bugn gelinen noktadan ileriye bakldnda, 21. yzyln gne pilleri asndan parlak geecei tahmin edilmektedir.
140
NER LER
nmzdeki elli ylda dnya genelindeki enerji ihtiyacnn, bu gnk deerinin iki katna kaca tahmin edilmektedir. Bu durum yenilenebilir enerji kaynaklarnn kullanmn kanlmaz duruma getirmektedir. Gneten bir gnde dnyaya gelen k enerjisi miktar, dnyada tketilen enerjinin on-on be bin katdr. nsanolu gne pillerini kullanarak, bu enerjiyi en dk maliyet ve en yksek verimlilikle elektrie evirmek iin almaktadr. Dnyadaki bir ok lkede fotovoltaik sistem uygulamalar, devlet tarafndan dzenlenip desteklenmektedir. lkemizde de, gne pili uygulamalarnn oaltlmas gerektii gr yaygnlamakta ve bu amaca ynelik almalar yaplmaktadr. Bu almalar; u anda tantm ve eitim dzeyinde olup, uygulama dzeyindeki almalar henz ok azdr. Yakn gelecekte, fotovoltaik sistemlerin dnya enerji dengelerine
kmsenmeyecek katklarnn olaca; herkes tarafndan kabul grmektedir. Bu gelimelere ayak uydurmak iin gne pili teknolojileri ve fotovoltaik sistemler ile ilgili bilgi-beceri birikiminin lkemize tanmas gereklidir. Bunun iin fotovoltaik uygulamalarla ilgili bilimsel ve teknolojik projelerin retilmesi, devlet ve zel giriimce zendirilmelidir. Ayrca fotovoltaik sistemlerin mimari entegrasyonu ve ift ynl saya kullanm konusunda yasal dzenlemeler yaplmaldr. Bu tr uygulamalar; ncelikle kamuya ait yeni projelerde, niversite yerleke planlamalarnda, otoyol inaatlarnda ve dier yaplarda kullanlmaldr. Fotovoltaik uygulamalar konusunda, toplumsal eitime nem verilmelidir. ncelikle orta retim kurumlar ve niversiteler hedef gurup olarak seilip, salkl tantm kampanyalar ile gne pilleri ve fotovoltaik sistemler abartsz anlatlmaldr (Oktik, 2001). Bugn gne pilleri konusunda pek ok lkede devlet destei ile gerekletirilen uygulamalar, Trkiye de de yaplmaldr. Bu uygulamalar, enterkonnekte sistemin eriemedii gzetleme istasyonu, fener kulesi, petrol boru hatt ve benzeri allm fotovoltaik enerji sistemlerinin dnda; balk iftlikleri, otel ve lokantalar, ebekeye bal ev ve sanayi tesisleri ile balangta kk apl gne pili santrallerini kapsamaldr. Devlet bunun tantmn yapmal, bireysel katlmclar zendirmeli,
141
fotovoltaik enerji ticaretini ve retimini tevik etmelidir. Vatandan kendi elektriini retip fazlasn devlete satmasn salayacak yasa zaman kaybetmeden dzenlenmelidir. Gne pillerinin tantm ve eitimiyle ilgili olan bu yasal ve kurumsal dzenlemelerin dnda, bir de uygulama ile ilgili dzenlemelerin yaplmas gerekir. Bununla ilgili olarak elektrik retim ve datm irketlerine (TEA/TEDA) grev dmektedir. atya veya baka bir serbest alana monte edilecek fotovoltaik modllerin bina statii veya d grnm gibi konulara uygunluk salayp salamad belediyelerce; gne pilleri ile retilen ve ebekeye verilen enerjinin frekans ve harmonik ynleriyle uyumu, kurulan tesisin ilgili ynetmeliklere uygunluu TEA/TEDA tarafndan proje zerinde kontrol edilmeli ve buna gre uygulanmasna izin verilmelidir (www.tubitak.gov.tr).
142
KAYNAKLAR D Z N
Akyz, ., 2000, Pskrtme Teknii le Elde Edilen Zn1-xCdxS Filmlerinin Baz Fiziksel zelliklerinin ncelenmesi, Yksek Lisans Tezi, Osmangazi niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 67s.
Altn, V, 2002, Gne, Bilim ve Teknik Dergisi, 446, Enerji Eki, 17-19s. Backus, C. E., 1976, Solar Cells, IEEE Press, 504p.
Batman, A., 2001, Elektrik retimi in Gne Pillerinin Kullanmnda Verimi Arttrc Yeni Bir Yntem, Doktora Tezi, T Fen Bilimleri Enstits, 104s.
Baykul, M. C., 1987, Gne Enerjisinin Depolanmas, Yksek Lisans Tezi, Anadolu niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 177s.
Chopra, K. L and Das S. R., 1983, Thin Film Solar Cells, Plenum Pres, 607p.
abuk, S., 1992, nce Film SNO2/CuO2 Gne Pilleri, Yksek Lisans Tezi, ukurova niversitesi Fen Bilimleri Enstits Fizik Ana Bilim Dal, 46s.
etinkaya, H. B., 2001, Gne Enerjisinden Elektrik Elde Edilmesi, Yksek Lisans Tezi, Kocaeli niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 154s.
trolu,
A.,
2000,
Gne
Enerjisinden
Yararlanarak
Elektrik
retimi,
http://www.mmo.org.tr/muhendis/makine/arsiv/2000/gunes.htm.
Demirci, F.,1996, Fotovoltaik Gne Pillerinin almasn Etkileyen D Faktrlerin ncelenmesi, Yksek Lisans Tezi, Sakarya niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 58 s.
143
KAYNAKLAR D Z N (devam )
Dickinson , W.C. and Cheremisinoff, P.N., 1980, Solar Cell Technology Handbook, Marcell Dekker, 517-560p.
Engin R., 1995, Gne Pilleri, Yznc Yl niversitesi Fen Bilimleri Fakltesi Fizik Blm Yaynlar No:3, 151s.
Erol, M., 2001, Kat Hal Fizii Ders Notlar, Dokuz Eyll niversitesi Buca Eitim Fakltesi Fizik Eitimi Blm, (yaymlanmam).
Gmgm,B., 1996, GneEnerjisi, http://www.dicle.edu.tr/merkez/dugem/turkce/faaliyet.htm.
Grsoy, U., 1999, Dikensiz Gl: Temiz Enerji; Dou Akdeniz evrecileri, Temiz ve Yenilenebilir Enerji Kaynaklarmz Raporu, skenderun evre Koruma Dernei Yayn Temiz Enerji Dizisi 1, 283s.
http://www.alternatifenerji.com.
http://www.eie.gov.tr.
http://www.ekocerceve.com.
http://www.mmo.org.tr.
http://www.tubitak.gov.tr.
http://www.tusiad.org.tr.
144
KAYNAKLAR D Z N (devam)
http://www.youthfor.hab.org.tr.
nan D. ve ltanr, M.., 1996, Gne Enerjisi, TEMEV; UGET-TB ve DAM Ortak Yayn.
stanbulluolu, S., 1998, Gne; Elektrik Kayna, Elektrik Mhendislii Dergisi, TMMOB-EMO, 39, 403, 35-36s.
Kavcar, N., 2001, Uygulamal Fizik II Ders Notlar, Dokuz Eyll niversitesi Buca Eitim Fakltesi Fizik Eitimi Blm, 130s., (yaymlanmam).
Kl, A ve ztrk, A., 1980, Gne Enerjisi, Kipa Datm, 331s.
Kittel, C., 1996, Kathal Fiziine Giri, (eviren: Bekir Karaolu), Gven Kitap Yayn Datm Ltd.ti, 434s.
Kizirolu, ., 2005, Alternatif Enerji Kaynaklar nsanl Kurtaracak, Popler Bilim Dergisi, 12, 50-54s.
Kse, S., 1986, Yariletken Gne Pilleri ve Verimlilikleri, Yksek Lisans Tezi, Anadolu niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 78s.
Kuban, B., 2003, Gneten Elektrik; Teknolojik renme ve Tarihsel Deneyim Inda Sektr Oluumu nndeki Engeller, Tesisat Mhendislii Dergisi,
TMMOB-MMO, 76.
Kul, M, 1996, Cd(In2S3)S Yariletken Filmlerinin Baz zellileri, Doktora Tezi, Osmangazi niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 169s.
145
Kkahin, F, 1996, ngilizce-Trke Ansiklopedik Teknik Szlk, nklap Kitapevi, 620s.
Mukund, R.P and Boca, R., 1999, Wind and Solar Power Systems, CRC Press, 351p.
Neville, R.C., 1995, Solar Energy Conversion:The Solar Cell, Elsevier Scientific Publication, 426p.
Oktik, ., 2001, Gne Elektrik Dnmleri Fotovoltaik Gne Gzeleri ve G Sistemleri, Ankara Temiz enerji Vakf Yaynlar, 40s.
Oral, M., 1979, Gne Pilleri, zmir lker Matbaas, 59s.
kten, 1994, Fizik Terimleri Szl, Dokuz Eyll niversitesi Buca Eitim Fakltesi Fizik Eitimi Blm, 107s., (yaymlanmam).
Peker, D., 1999, CuAlxIn1-xS2 Yariletken Filmlerinin Baz Fiziksel zellikleri, Doktora Tezi, Osmangazi niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 169s.
Serway, R. A., 1996, Fen ve Mhendislik in Fizik (Modern Fizik laveli), (eviri Editr: Kemal olakolu), Palme Yaynclk, Cilt:3, 344s.
Skmen, K., 2003, Gkyzne Merhaba, http://www.catamaranvega.com./astro.
Slay, ., 2000, Atom ve Molekl Fizii Ders Notlar, Dokuz Eyll niversitesi Buca Eitim Fakltesi Fizik Eitimi Blm, (yaymlanmam).
Sze, S. M., 1981, Physics of Semiconductor Devices, A Wiley-Interscience Pub., 868p.
146
Taylor, J.R. ve Zafaritos, C., 1996, Fizik ve Mhendislikte Modern Fizik, (eviri:Bekir Karaolu), Gven Kitap Yayn Datm Ltd.ti, 434s.
Tercan, M.B., 2000, Gne Pili Karakterizasyon Yntemleri, Yksek Lisans Tezi, Hacettepe niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 129s.
Uyar,
T.S.,
2004,
Yenilenebilir
Enerji
in
Politik
Deklarasyon,
http://www.bugday.org.tr .
Uyarel, A. Y. ve z, E. S, 1987, Gne Enerjisi ve Uygulamalar, Birsen Yaynevi, 239s.
ltanr, M.., 1996, Gne Enerjisi, Bilim ve Teknik Dergisi, 340, 50-56s.
Williams, J.,R., 1987, Solar Energy Technology and Applications, Ann Arbor Science, 176p.
Wille, J., 2004, Gelecein Enerji Kaynaklar, Deutschland T, 2, 42-65s.
Yksel, . F., 1990, p-n Eklem Gne Pillerinin Verim Parametreleri ve Bunlar lme Yntemi, Yksek Lisan Tezi, Seluk niversitesi, Fen Bilimleri Enstits, 65s.

Gunes Pilleri Ve Verimleri Solar Cells and Their Efficiencies

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Gunes Pilleri Ve Verimleri Solar Cells and Their Efficiencies

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

GNE P LLER VE VER MLER

Aye zge KPEL

Yksek Lisans Tezi Fizik Ana Bilim Dal

SOLAR CELLS AND THEIR EFFICIENCIES

Msc. Thesis Physics Department

GNE P LLER VE VER MLER

Aye zge KPEL

Danman: Yrd. Do. Dr. Derya PEKER

Ayla KPEL ve Ali KPEL ye

ye: ............................................................................... ye: ............................................................................... ye: ...............................................................................

Fen Bilimleri Enstits Ynetim Kurulu nun..............................................gn ve .........................................sayl kararyla onaylanmtr.

Prof. Dr. Abdurrahman KARAMANCIOLU Fen Bilimleri Enstits Mdr

ZELGELER D Z N ............................................................................................ xviii S MGELER VE KISALTMALAR D Z N ............................................................. xix

NDEK LER (devam)

NDEK LER (devam)

NDEK LER (devam)

NDEK LER (devam)

5.3.5. Elektrolitik gne pilleri ...................................................................

NDEK LER (devam)

NDEK LER (devam)

ekil 2.17. Herhangi bir yariletkenin zerinden alnm

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Simgeler

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Ksaltmalar

Ar-Ge AO DC FET GSM kW Mev MIS MJ MS MW PMR PV

S MGELER VE KISALTMALAR D Z N (devam) Ksaltmalar

TV TEMEV TEA TEDA UGET-TB

1. G R VE AMA 1.1. Giri

2. YARI LETKENLER N ZELL KLER 2.1. Giri

yabanc madde younluudur (Oral, 1979; Kittel, 1996; Erol, 2001).

2.3. Bant Yaps

2.3.1. Madde yaps

Dolu seviyeler ekirdek

Doldurulabilecek enerji seviyeleri

seviyesinde bulunabilecek elektron saysnn snrl olduunu gstermitir.

2.3.2. Enerji bantlar

kilenen enerji seviyeleri

band, iletkenlik band ve yasak bant gsterilmitir

YASAK BANT VALANS BANDI

yariletkenlerin, enerji seviyelerinin enerji bant modeliyle incelenmesi srasyla u ekildedir:

2.3.2.1. letkenlerin enerji bant modeliyle incelenmesi

Enerji letkenlik Band Ec Ev

Yasak bant Eg0 Valans Band

ekil 2.6. letkenlerde enerji bant modelinin ematik gsterimi.

2.3.2.2. Yaltkanlarn enerji bant modeliyle incelenmesi

Yasak Bant (Eg) Eg >> kT

2.3.2.3. Yariletkenlerin enerji bant modeliyle incelenmesi

2.4. Yariletken Trleri

2.4.1. Has yariletkenler

2.4.2. Katkl yariletkenler

2.4.2.1. ntipi yariletkenler

letkenlik Band Ec Ed Yasak Bant ( Eg ) Ev Valans Band Donr Enerji Seviyesi

ekil 2.9. Enerji bant diyagramnda donr enerji seviyesinin gsterimi.

2.4.2.2. ptipi yariletkenler

letkenlik Band Ec Yasak Bant ( Eg )

Fermi Enerji Seviyesi Akseptr Enerji seviyesi

ve katkl yariletkenler iin de;

2.5. Yariletkenlerin Elektriksel zellikleri

bants ile verilir. (2.11) bantsndaki v e elektronlarn hzn, (2.12) bantsndaki