CEM AVN 210327

NPN VE PNP TP TRANSSTRLERN YAPISI

Trasistrler, temel yaps bakmndan aada gsterilmi olduu gibi; iki gruba ayrlr:

NPN Tipi Transistrler

PNP Tipi Transistrler

Yine her iki tip transistrn de N-P-N ve P-N-P blgeleri yle adlandrlr: 1) EMETR; "E" ile gsterilir. 2) BAZ; "B" ile gsterilir. 3) KOLLEKTR; "C" ile gsterilir.

Blgeler u zelliklere sahiptir: Emetr blgesi (Yayc): Akm tayclarn harekete balad blge. Baz blgesi (Taban): Transistrn almasn etkileyen blge. Kollektr blgesi (Toplayc): Akm tayclarn topland blge. Bu blgelere irtibatlandrlan balant iletkenleri de, elektrot, ayak veya balant ucu olarak tanmlanr.

CEM AVN 210327

Transistrn asl grevi, deiik frekanslardaki AC iaretleri ykseltmektir. Transistrn bu grevi yerine getirebilmesi iin, nce Emiter, Beyz ve Collectorn DC gerilim ile beslenmesi gerekir. Uygulanan bu DC gerilime POLARMA GERLM denir. Transistrn polarlmas: Transistrn almasn salayacak ekilde, Emiter, Beyz ve Collectotnn belirli deerdeki ve iaretteki (), DC gerilim ile beslenmesine transistrn polarlmas (kutuplandrlmas) denir. NPN tipi transistrde uygulanan polarma gerilim: Emiter N tipi kristaldir : Kristal yapya uygun, negatif (-) gerilim. Beyz P tipi kristaldir : Kristal yapya uygun, pozitif (+) gerilim. Collector N tipi kristaldir : Kristal yapya ters, pozitif (+) gerilim. Emiter - Beyz diyodu, doru polarlr. Baz - Collector diyodu ise, ters polarlr. NPN TRANSSTRN ALIMASI 1. N BLGESNDEK GELMELER Emiter ve collector oluturan N blgesindeki, ounluk tayclar, elektronlar u ekilde etkilenir; 1) VCB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisinde kalan, gerek emiter, gerekse de collector blgesi elektronlar VCB kaynana doru akar. Bu ak IC collector akmn yaratr. 2) Ayn anda VEB kaynann negatif kutbundan ayrlan elektronlar da emitere geer.Bu gei IE emiter akmn yaratr. 3) P blgesinden gemekte olan elektronlardan bir miktarda VEB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle VEB 'ye doru akar. Bu ak IB beyz akmn yaratr. 4) Son olarak da VCB 'nin negatif kutbundaki elektronlar, VEB 'nin pozitif kutbuna gei yaparak akm yolunu tamamlar. Bylece devrede bir akm doar. 2. P BLGESNDEK GELMELER

P tipi kristaldeki "+" ykler (oyuklar) yle deiimler gsterir:

CEM AVN 210327

Emiter ve collector blgesindeki elektronlarn byk blm collector elektroduna doru ve kk bir blm de yalnzca emiterden beyz elektroduna doru akmaktadr. Elektron ak d devrede de devam eder. Bu ak IE, IB ve IC akmlarn yaratr. IE=IB+IC 'dir.

Bu bant her eit devre kuruluunda ve her transistr iin geerlidir.Ancak IB akm IC akm yannda ok kk kaldndan (IB=0.02 IC), pratik hesaplamalarda IB ihmal edilir. IE = IC olarak alnr. Serbest elektronlarn ok hzl hareket etmesi nedeniyle NPN transistor deki akm iletimi de hzl olmaktadr. Bu nedenle NPN transistrler yksek frekanslarda almaya daha uygundur.

PNP TP TRANSSTRN POLARILMASI PNP transistrn, NPN transistre gre, yapmnda olduu gibi, polarma geriliminde de terslik vardr.

Emiter P tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, pozitif (+) gerilim uygulanr. Beyz N tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, negatif (-) gerilim uygulanr. Collector P tipi kristaldir: Kristal yapsna ters, negatif (-) gerilim uygulanr.

Emiter - Beyz diyodu, doru polarlr. Collector - Beyz diyodu, ters polarlr.

Polarma durumuna gre devreden akan akmlarn yn Daima IE=IB+IC 'dir. PNP TRANSSTRN ALIMASI PNP transistrde, NPN transistrdeki elektron yerine, pozitif elektrik ykleri (oyuklar), ve pozitif elektrik ykleri yerine de elektronlar gemektedir.

1) P tipi kristaldeki katk maddesi atomlarnn d yrngesinde elektron var. Bir elektronu katk maddesi atomlarna veren Ge ve Si atomlar, pozitif elektrik yk (oyuk) haline gelir ve bunlar ounluktadr. 1) VEB besleme kaynann pozitif kutbunun itme, negatif kutbunun ve negatif kutbunun da ekme 2) VEB besleme kaynann pozitif (+) kutbunun itme kuvveti etkisi ekme kuvveti etkisiyle, emiterdeki pozitif elektrik ykleri (oyuklar) atomdan atoma yer deitirerek beyzebalar. Dier bir kuvveti etkisiyle, beyzden emitere doru bir pozitif elektrik yk (oyuk) hareketi doru akar. ifadeyle, emiterden beyz 'e doru elektron hareketi balar. 3) Yine collectorde. Aznlk tayclar durumunda olan ok az saydaki "+" ykler (oyuklar), VCB kaynann pozitif kutbunun itme kuvveti ve negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle beyz elektroduna doru hareket eder. Bylece ok kk bir,akm doar. Bu akm, beyz collector diyodunun ters yn (kaak) akm olup ihmal edilebilecek kadar kktr.

CEM AVN 210327

2) Bu hareketlenme srasnda pozitif elektrik ykleri (oyuklar) collectore bal VCB besleme kaynann negatif kutbunun ekme kuvveti etkisi altnda kalr.VCB gerilimi VEB 'ye gre daima daha byk seildiinden; pozitif elektrik yklerinin (oyuklarn) %98 - %99 gibi byk bir blm collector elektroduna doru, %1 - %2 gibi kk bir blm de beyz elektroduna doru akm iletimi salar. Bu arada, bir miktar pozitif elektrik yk de, beyzdeki serbest elektronlar ile birleerek ntr hale gelir. 3) Ayn zamanda collector blgesindeki aznlk tayclar durumunda bulunan az saydaki elektronlar da VCB 'nin etkisiyle beyz elektroduna doru hareket eder. Bu hareket, ters yn (kaak) akmn yaratr.

D devredeki gelimeler: Emiterden VEB besleme kaynann "+" kutbuna ve oradan da beyz'e ve VCB besleme kaynann zerinden collectore, elektron ak balar. Akm yn de, yine ekildeki gibi, besleme kaynann "+"kutbundan "-" kutbuna doru olmaktadr.

AKIM VE GERLM YNLER AKIM YNLER: NPN Transistrde akm ynleri:

a) Emiterde; Transistrden d devreye doru, yani emiterdeki ok ynndedir. b) Beyz ve Collectorde; D devreden transistre dorudur.

PNP Transistrde akm ynleri:

NPN transistrde beyz P tipi kristaldir. Burada gerilim ynnden ama, polarma geriliminin "+" veya "-" oluudur. PNP transistrdeki akm iletimi pozitif elektrik ykleri ile aklanmaktadr. PNP transistrn almas u ekilde olmaktadr:

CEM AVN 210327

PNP Transistrde gerilim ynleri:

a) Emitere: Pozitif (+) gerilim uygulanr. b) Beyze: Negatif (-) gerilim uygulanr. c) Collectore: Negatif (-) gerilim uygulanr.

AKIM KAZANCININ BULUNMASI Akm kazanc, ykselte olarak almakta olan bir transistrn, kndaki akmn giriindeki akma orandr. ekilden de grld gibi, ykseltelerin balant ekli vardr. Bu balant ekillerindeki akm kazanlar yle ifade edilir:

Akm kazanc 1. Emiteri ortak balant. 2. Beyzi ortak balant.Akm kazanc 3. Collector ortak balant. Akm kazanc

BETA, =IC/IB ALFA, =IC/IE GAMA, =IE/IB

a) Emiterde; D devreden transistre dorudur, yani okun gsterdii yndedir. b) Beyz ve Collectorde; Transistrden d devreye dorudur.

GERLM YNLER:

NPN Transistrde gerilim ynleri:

a) Emitere: Negatif (-) gerilim uygulanr. b) Beyze: Pozitif (+) gerilim uygulanr. c) Collectore: Pozitif (+) gerilim uygulanr.

CEM AVN 210327

TRANSSTRN DRT BLGE KARAKTERST Drt blge karakteristiklerinde, DC 'de ve yksz olarak altrlan transistrn giri ve k akmlar ile gerilimleri arasndaki bantlara ait karakteristik erileri hep birlikte grntlenir. Drt blge karakteristik erilerinden yararlanlarak u statik karakteristik deerleri hesaplanabilmektedir.

1) 2) 3) 4)

Giri direnci kdirenci Akm kazanc Giri-k gerilim (zt reaksiyon) bants

Bunlar transistrn yapsyla ilgili karakteristik deerlerdir. Drt blge karakteristii, transistr knda yk direnci yokken karldndan bunlara ksa devre karakteristikleri de denir.

DRT BLGE KARAKTERSTK ERSNN BLGELER: Emiteri ortak ykseltece ait drt blge karakteristik erisi, u blgelerden olumaktadr.

1. BLGE KARAKTERSTK ERS (VCE-IC): VCE k gerilimindeki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. RC=VCE/IC bants ile IKI DRENCN belirler.

2. BLGE KARAKTERSTK ERS (IB-IC): IB giri akmndaki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir.=IC/IB bants ile AKIM KAZANCINI belirler. 3. BLGE KARAKTERSTK ERS (VBE-IB): VBE giri gerilimindeki deiime gre, IB giri akmndaki deiimi gsterir.Rg=VBE/IB bants ile GR DRENCN belirler. 4. BLGE KARAKTERSTK ERS (VBE-VCE):

6
ekil- Transistrdeki balant halinde balant ularnn durumu.

CEM AVN 210327

"VBE - VCE" bants VBE giri gerilimindeki deiime gre, VCE k gerilimindeki deiim miktarn gsterir. Bu deiim, gerilim transfer oran olarak tanmlanr.