THIN FILM

| HACETTEPE UNV.TECHNOLOGY CLUP | CV. | PROJECTS | PRESENTATIONS |CYCLOTRON | FOTONOBIL SOLAR CAR | WANKEL ENGINE | THIN FILM | PRIMER VACUUM SYSTEM |PHOTO
HOMEPAGE

Niin nce Film Yaplyor ? Gnmzde ince filmler, yar iletken aletlerin yapmnda, manyetik kayt ve alglama sistemlerinde, optik kaplamalarda ve dekoratif ilerde yaygnlkla kullanlmaktadr.Kaplama yntemlerindeki farkllklar ve kaplama srasndaki eitli ilemler sonucu, hacimli malzemede bulunmayan birok zellik bu malzemelerin ince filmlerinde yaratlabilir.nce filmli malzemelerde olup hacimli malzemelerde olmayan u zellikler vardr: 1. Klasik laboratuar artlarnda elde edilemeyecek lde temizdir, 2. Klasik laboratuar artlarnda elde edilemeyecek seviyede kk geometrilerin boyutta olumas mmkndr, 3. Atomik byme ileminden kaynaklanan filme zg malzeme zellikleri grlebilir, 4. Kalnlk, kristal ynlenmesi ve ok katl yaplardan kaynaklan kuantum boyut etkileri ve dier boyut etkilerini grmek mmkndr.

Boay Uygulamalar ve Buharla Biriktirme Yntemleri: nce film kaplamada, boay sistemleriyle fiziksel uygulama tekniklerine dayal kaplamalar ve kimyasal yntemlele buhar tama teknikleri ok geni kullanm alanlarna sahiptir. Kimyasal buhar tama yntemiyle film kaplama, son yllarda kullanlmaya balanan bir tekniktir. Bu yntem daha ok, yariletken filmlerin yapmnda ktle arttrma teknolojisinin bir metodudur. Ayrca metal kaplama yntemi olarak da kullanlmaktadr. NCE FLM KAPLAMA YNTEMLER

Fiziksel Olarak Buhar Biriktirme Yntemi (PVD: Physical Vapour Deposition Process):

Bu yntemle yaplan kaplamalarda, malzemenin termal stma veya yksek enerjili elektron ya da iyon kullanlarak film zerin birikimi salanr. Malzeme buharlatrlp altta zerinde biriktirilir. Vakum altnda stabilizesini koruyabilen her trl malzemenin biriktirmesi bu yntemle yaplabilmektedir. Fiziksel olarak buhar biriktirme yntemi ile film kaplama ileminin temel zellii ok plazma ve iyon ilemi

kullanlrsa ok sayda malzemeyi iermesidir. nce film kaplama ileminin temel sorunu u gereklerden ortaya kmaktadr: Pin boluu iermeyen tabakalar sadece ve ounlukla kaln filmler iin ekonomik olmayan bir ekilde elde edilmesi ve zerinde eit kalnlkta tabaka yaplacak alttan sert olmasdr. Bu sorunlar izole edici ve pasifletirici tabakalar iin belli bir anlam ifade etmektedir. Yksek Vakumda Biriktirme Yntemi (High Vacuum Deposition Process):

Bu yntemde biriktirilecek malzeme, diren veya elektron tabancas kullanlarak yaplr.Deposition enerjisi yaklak olarak buharlama enerjisine eittir. Bu yntem basit ve ekonomiktir.Yeni alg (sensor) malzemelerinin retimi iin gerekli olan reaktif ilemler ve karmak malzemelerin buharlatrlmas ok kritik ve zor olmas bu yntemin dezavantajlardr. Kopartma Yntemi (Sputtering Process):

Bu yntemde basnc 0.1 Padan 10 Paa kadar olan soy gaz atmosferinde, DC veya RF (radyo frekans) gkayna yardm ile plazma retilir.Genel olarak argon veya azot gaz kullanlr. Biriktirmesi yaplacak malzeme RF jeneratrne veya DC gkaynann negatifine balanr. Birikmi malzeme miktarn arttrmak iin plazmay arttrmak gerekir. Bunu salamak iin de katot yzeyine paralel ve elektronlar spiral yrngede harekete zorlayacak; bu sayede anoda elektronlarn direkt ulamasn nlyecek bir manyetik alan kullanlabilir. yon Demetiyle Biriktirme Yntemi (Ion Deposition Assisted Deposition):

Hedefi veya altta ya da her ikisini birden bombardman enerjisi, kinetik enerjisi, iyi bilinen bir iyon demetiyle dverek iyi bir biriktirme ilemi yaplabilir. Plazma younluu ve enerji bamsz olarak seilebilir ve yksek vakum artlarndan dolay biriktirilen malzeme kopartma yntemine gre daha temiz elde edilebilmektedir. Bu yntem karmakl ve geni alan plazma kaynaklarnn ksa anlar iin elde edilmesinden dolay sensr teknolojisinde henz yerini alamamtr. yon Grubu Demeti Biriktirme Yntemi (Ion Cluster Beam Deposition):

Buharlatrma, kopartma, ve iyon demeti yardm ile biriktirme yntemlerinin birlemi bir eklidir. Bir maden eritme potas termal olarak stlp, metal buharnn geniletilmesi yoluyla, sadece tek atom deil; atom gruplar kaynaktan vakum ortamna yaylr. Bu gruplar bir plazma blgesinde iyonlatrlp belli enerji ve gerilime gnderilerek istenen tabakann oluumu salanr. Kimyasal Buhar Biriktirme Yntemi (Chemical Vapor Deposition): Biriktirilmesi istenen malzeme altta zerine kimyasal buhar olarak biriktirilir. Bu buhar altta zerinde kimyasal olarak paralanarak film tabakas oluturulur.Reaksiyon sonucu kan, istenmeyen rnler buhar olarak sistemden uzaklatrlr. Kimyasal olarak paralanma enerjisi termal, optik ve elektriksel

yollardan birisi kullanlarak verilen bu yntem ile avantajlar, dzlemsel olmayan yzeyleri kaplama ve pin boluu yapmama olan fiziksel buhar biriktirme yntemi karlatrlnca ortaya kan fark, kimyasal buhar biriktirme ynteminin enerji temin yollar olmaktadr. Bu yntem geni hacim uygulamalar iin kullanlr. Kaplama iin silikon, silikon di oksit, ve nitritler kullanlabilir. Plazma oaltmal Kimyasal Buhar Biriktirme Yntemi (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) :

Burada ilemler elektromanyetik enerji ile, ounlkla birka 100 kHz (dk frekans), 13.6 MHz (radyo frekans) ve 2.56 GHz (mikrodalga); 1 Padan 100 Paa kadar basn aralnda ve dk altta scaklklarnda (oda scaklndan 450 dereceye kadar) yaplmktadr. Alak Basn Kimyasal Buhar Biriktirme Yntemi (Low Pressure Chemical Vapor Deposition):

Bu yntemde kimyasal bozunma iin gerekli enerji sdan elde edilmektedir.Alak basntan dolay altta biriktirme yntemini bozmadan dik olarak hedef malzemeye ok yakn pozisyonda tutulabilir. Bu yntem geni hacim uygulamalar iin kullanlmaktadr.Yksek scaklklarda almak mmkndr. Lazer Gelitirmeli Kimyasal Buhar Biriktirme Yntemi ( Laser Enhanced Chemical Vapor Deposition Process):

Bu yntemle ince filmlerin geni ve hantal yzeylere, rnein motor blou zerine, kaplanmas mmkndr. Bu yntemle tabakalar 100 Padan 1000 Paa kadar plazma gelitirme yntemine benzer scaklklarda tipik olarak yaplabilir.
Kimyasal Reinbergin Buhar Biriktirme yapt 1973

Von Guerkie blgesel stma yapmay salayan lazer kefedilmi ve derhal btn CVD sistemlerinde uygulamaya koyulmutur.

APCVD atmosferik basn ve ok yksek scaklklarda alrken yariletken komponentleri retmede kullanlmaktadr. Aralkl-dk basn CVD ok ince film kaplamalar yapmak amac ile kullanlmaktadr. Aralkl CVDnin atomsal katman kaplama (ALD) ilemi ile rnein yzey zerine tek katman halinde atom kaplanabilmektedir. ALCVD yntemi yzeyde yksek oranda tek grnm (cephe) oluturabilmeyi salar. lk plazma ieren kimyasal buhar kaplama proseslerine Ildama dearj biriktirme ad verilmiti. Daha sonra Karbon-iyon demeti yntemleri). 1965te Sterling ve Swann sper ince partikller retilmesini salayabilmektedir. Plazma takviyeli PECVD ilemi

1971de Reinberg yariletken kapslleme ilemi yapyordu. Plazma kaplama ilemi genellikle optik kaplamalarda kullanlmtr. kinci Dnya sava srasnda icat edilen ilk metal iyon demeti tipi kaynaa calutron ad verilmitir. Calutronun rettii iyonlar 35 kVa kadar hzlandrlabilir ve manyetizma ile izotopik ktleleri ayrtrr. Calutron negatif ykl paracklar ile bombalanr ve buharlam atomlar pozitif ykl hale getirilir. Ardndan pozitif ykl paracklar manyetik alan ile hzlandrlrlar ve yolun sonunda arptklar tabakada ktlelerine gre akm retirler ve ayrrlar. CVDnin bir yntemide plazma polimerizasyondur. Bu yntem ilk defa 1874 ylnda De Wilde ve Thenard tarafndan bulunmutur. Ancak 1960lara kadar hibir pratik uygulamas olmamtr. 1960lardan sonra gda ambalajlarn korozyondan korumak amacyla ok ince polimer kaplamalar yaplmtr.