T.C.

KAHRAMANMARA ST MAM NVERSTES MHENDSLK-MMARLIK FAKLTES ELEKTRK-ELEKTRONK MHENDSL

STATK VAR KOMPANZASYONU

STATK VAR KOMPANZASYONU
lhan RN Onur TURAN

LSANS TEZ DANIMAN Yrd. Do. Dr. Mustafa EKKEL

KAHRAMANMARA HAZRAN 2011

NDEKLER
SAYFA NO TEEKKR..................................................................................................................I NSZ ........................................................................................................................ II EKLLER DZN..................................................................................................... III

1.GR .........................................................................................................................6 2.GENEL BLGLER ...................................................................................................7 2.1 Aktif G .........................................................................................8 2.2. Reaktif G......................................................................................8 2.3. Grnr G....................................................................................9 2.4 G geni.....................................................................................10 2.5 G Katsays..................................................................................10 3.REAKTF G KOMPANZASYONU ...................................................................11 3.1 Kompanzasyon ................................................................................11 3.2 Kompanzasyon Tesis eitleri ........................................................11 3.2.1Bireysel Kompanzasyon.....................................................11 3.2.2 Grup Kompanzasyon.........................................................12 3.2.3 Merkezi Kompanzasyon....................................................12 3.3 Kompanzasyon Yntemleri .............................................................13 3.4 Ar Kompanzasyonun Zararlar ....................................................15 3.5 Reaktif G Gereksinimi.................................................................15 3.6 Reaktif G Tketicileri ..................................................................15 3.7 Reaktif G reten Aralar.............................................................16 3.8 G Faktrnn Dourduu Sorunlar ve Sonular .........................16 3.8.1 retici Ynnden ..............................................................17 3.8.2 Tketici Ynnden............................................................17 4. STATK VAR SSTEMLER ..................................................................................18 4.1 Statik VAR Sistemlerinin zellikleri..............................................20 4.2 Statik VAR Sistemlerinin Ana Tipleri ...........................................20 4.3 SVSnin Ana Harmonik Frekansndaki Davran ..........................20 4.3.1 deal SVS Karakteristii ...................................................20 4.3.2 Gerek SVS Karakteristii ................................................21 4.3.3 Tesis in Yerletirilen SVS Karakteristii.......................22 4.4 Tristr Kontroll Reaktr ( TKR ) ........................................................................26 4.5 Tristr Anahtarlamal Reaktr ( TAR )..................................................................29 4.6 Tristr Anahtarlamal Kondansatr ( TAK )..........................................................30 4.7 Uygulamada Kullanlan Statik VAR Sistemleri ....................................................34 5. MATLAB/SIMULINK KULLANARAK BR TRSTR KONTROLL REAKTR GEREKLETRLMES.........................................................................................36 6. STATK VAR KOMPANZATRNN PROTEUS ORTAMINDA PIC LE SMULASYONU .......................................................................................42 6.1 G Katsays ..........................................................................................................42 6.2 G Katsays Tespiti...............................................................................................43 6.3 Modelleme in Hazrlanan Program Algoritmas ................................................... 45 6.4 Statik Kompanzatrn Modellenmesi ......................................................................46 7. SONU ....................................................................................................................42 8. KAYNAKA...........................................................................................................36

TEEKKR
ncelikle, bu tez almasnda gnmz artlarnda nem tayan bu deerli konuyu sememizde, aklc ynlendirmeleri ve deerli bilgilerinden faydalandmz, bizden hibir yardm esirgemeyen Sayn Yrd.Do.Dr Mustafa EKKEL hocamza ayrca programlama aamasnda bizden bilgilerini esirgemeyen Sayn r.Gr.Alper DZBYK hocamza, konu hakkndaki bilgi birikimlerinden faydalandmz Ar.Gr.Fatih KEECOLUna bizleri yetitiren, manevi desteklerini hibir zaman esirgemeyen ailelerimize teekkr bir bor biliriz.

NSZ
Dnyamzda enerjiye olan ihtiya her an artmakta, buna karlk zerinden enerji elde edebileceimiz kaynaklar da azalmaktadr.Bu sebeple elimizdeki enerjiyi en yksek verimle kullanmak birinci nceliktir.Elektrik enerjisi ihtiyacnn karlanmas hususunda, mevcut sistemlerin daha verimli kullanlabilmesi iin birok alma yaplmtr.Bunlarn en

nemlilerinden biriside Reaktif G Kompanzasyonudur.

Bu almamzdaki ama, yar iletken devre eleman (tristr) kullanarak sistemin gereksinim duyduu reaktif gc kontrol etmektir.Yapm olduumuz tez de matlab/simulink ortamnda Tristr Kontroll Reaktr uygulamas yaplm ve sonucunda reaktif g kontrolnde optimum deerler elde edilmitir.Ayrca proteus ortamnda ykn ektii akm-gerilim arasndaki faz fark tespit edilerek oluan faz farkna gre sistemin ihtiyac olan reaktrler devreye alnp karlarak Tristr Kontroll Reaktr modellenmitir.

Onur TURAN lhan RN

EKLLER DZN
2.1 Motor G Ak......................................................................................................7 2.2. Alternatif Gerilim Sinyali ........................................................................................9 2.3. Endktif Devrede G geni ................................................................................10 2.4 Kapasitif Devrede G geni................................................................................10 2.5 Akm geni ..........................................................................................................10 3.1 Bireysel Kompanzasyon Tek Hat emas................................................................12 3.2 Grup Kompanzasyon Tek Hat emas.....................................................................12 3.3 Merkezi Kompanzasyon Tek Hat emas................................................................13 4.1 Statik VAR Kompanzatr emas .........................................................................19 4.2 SVSnin Edeer Devresi........................................................................................21 4.3 SVSnin Akm Gerilim Karakteristii .....................................................................21 4.4 Kontrol Edilen Reaktr ve Sabit Kapasite ekli ......................................................22 4.5 SVS Barasnda Grlen Thevenin Edeer Devresi ................................................22 4.6 SVS Akm ile SVS Bara Gerilimi Arasndaki liki................................................23 4.7 SVSnin Edeer Karakteristii ..............................................................................23 4.8 SVSye likin Ayr Yk Karakteristii .............................................................24 4.9 SVS Devre Modeli ve Grafii .................................................................................25 4.10 Tristr Kontroll Reaktr.......................................................................................26 4.11 Tristr Kontroll Reaktr ve Sabit Kapasite...........................................................27 4.12 6 Darbeli TKR Yaps ............................................................................................28 4.13 12 Darbeli TKR Yaps ..........................................................................................28 4.14 3 Fazl TAR Yapsnn Bir Kutuplu Gsterimi .......................................................29 4.15 TAR Tabanl SVS Edeer Devresi .......................................................................30 4.16 Tristr Anahtar Kontrol .......................................................................................31 4.17 Bir Fazl TAK Yaps.............................................................................................31 4.18 TAK Bara Gerilimi Kapasite Gerilimi ve Akm ...................................................32 4.19 Paralel Bal TAK Yaplar ve Kontrol ................................................................33 4.20 TAK Yapsnn U I Karekterisitii ......................................................................33 4.21 TKR ve TAK Sistemleri le Oluan SVS Sistemi ..................................................34 4.22 SVS Sisteminin Lineer Kontrol Blgesi .................................................................35 5.1 Gerekletirilen TCR Sistem...................................................................................36 5.2 TCR Sistemin Kompanzasyondan nceki Hali ......................................................38 5.3 Sistemdeli Ykler ..................................................................................................38 5.4 Kaynaktan ekilen Reaktif G .............................................................................39 5.5 Kaynaktan ekilen Aktif G ................................................................................39 5.6 Kompanzasyon Sonras Devre emas ...................................................................40 5.7 Devreden ekilen Aktif Reaktif Gler ..................................................................40 5.8 Ykn stedii Ve Reaktrn rettii Reaktif G ................................................41 5.9 Tristr Tetikleme As ..........................................................................................41 6.1 Sfr Gei Dedektr ............................................................................................42 6.2 Sfr Gei Osilaskop Grnts ............................................................................43 6.3 ebeke Frekansnn Bir Peryot Grnts...............................................................44 6.4 LCD Ekran Faz As Deeri ..................................................................................44 6.5 Program Algoritmas ..............................................................................................45 6.6 Benzetim Yaplan Devrenin Blok Diyagram .........................................................46 6.7 Sistemde retine Reaktif Gcn Dalm .............................................................46 6.8 Simlasyon Devresi .............................................................................................47

1.GR
Gnmzde yeni enerji kaynaklar aratrlmakta ve var olan enerjinin de kalitesini artrarak en ekonomik ekilde kullancya ulatrlmas ynnde almalar yaplmaktadr. Elektrik enerjisinde; retildii santrallerden, tketildii yke ulancaya kadar eitli elektrik kayplar meydana gelir.

Elektrik ebekesine bal cihazlarn hemen hemen tamam ebekeden aktif g yannda , birde reaktif g eker. Burada i yapan g aktif gtr. Reaktif g ise ebekeden ekilir ve daha sonra ebekeye yollanr.ebekenin ve ykn ihtiyac olan reaktif gcn belli teknikler kullanlarak karlanmas ilemi reaktif g kompanzasyonu olarak adlandrlr.

Alternatif akmla alan elektrik g sistemlerinin tasarm ve isletmesinde uzun zamandr reaktif g nemli bir sorun olarak grnmektedir. Hatasz alan alternatif akm ebekesine sahip olabilmek iin reaktif gten kaynaklanan sorunlarn zlmesi gerekmektedir. Reaktif gcn hibir probleme neden olmad varsaylsa,enerji iletim hattn megul etmesi bile tek basna nemli bir olumsuzluktur.

Dinamik kompanzatrler (kompanzasyon amal senkron makineler) hzl deien reaktif g talebinin olduu sistemlerde (ataletleri sebebi ile) yetersiz kalmaktadr.Son yllarda gelien teknolojiye paralel olarak g elektronii elemanlar daha byk glerde imal edilebilmektedirler. Ayrca kontrol elemanlarnn performansnda da byk gelimeler salanmtr.Dolaysyla deiken reaktif g talep edilen yerlerde,bakm masrafl ve hantal olan dinamik kompanzatrler yerine statik kompanzatrlerin kullanlmas daha elverili duruma gelmitir.

2. GENEL BLGLER Elektriksel g; bir devreye uygulan gerilimle bunun dourduu akmn bir haslatdr.

Aktif g ile zahiri g arasndaki a, gerilimle akm arasndaki ayn faz asdr.O halde Cos ile faz fark ifade edilebilir.

Cos = 1 ( Sadece aktif g mevcuttur) Cos = 0 ( Sadece reaktif g mevcuttur)

ekil 2.1 Motor g ak Santralde retilen bir enerji, aktif ve reaktif akm ad altnda en kk alcya kadar beraberce akmakta, i yapmayan, sadece motorda magnetik alan dourmaya yarayan reaktif akm, havai hatta, trafoda, tablo, alterler ve kabloda lzumsuz yere kayplara sebebiyet vermektedir. Bu kayplar yok edilirse, phesiz trafo daha fazla motoru besleyebilecek bir kapasiteye sahip olacak, bununla beraber disjonktr ( kesici ) lzumsuz yere byk seilmeyecek, kablo ise daha kk kesitte seilebilecektir.[3]

Daha ilk bakta reaktif akmn santralden alcya kadar tanmas, byk ekonomik kayp olarak grnmektedir. 7

Genellikle enerji datm ebekelerinde lzumsuz yere tanan bu enerji, tanan aktif enerjinin % 75 100 arasnda tespit edilmektedir. Bu reaktif enerjinin santral yerine, motora en yakn bir mahalden gerek kondansatr tesisleri, gerekse senkron dner makinalar tarafndan temin edilmesiyle, santralden motora kadar btn tesisler bu reaktif akmn tanmasndan, yknden arnm olacaktr.[3]

2.1 Aktif G ( P)

Gcn her an deiik deer ald durumlarda i gren, faydal olan gcn ortalama deerine alternatif akmda aktif g (etkin g) denir.

P=U.I. Cos

Aktif g U gerilim vektr ile I. Cos akm vektrnn arpmna eittir. Akmn da iki vektr olduu gz nnde bulundurulmaldr. Ia = I. Cos bileene faydal akm,

Ir=I.Sin ise reaktif, i yapmayan bileendir.

Omik (Saf Diren) devrelerde Cos =1 dir. Bunu sonucu olarak omik devrelerde sadece aktif g mevcuttur ve P=U.I dr.

2.2 Reaktif G (Q)

Devrede ortalama deeri sfr olan gce reaktif g denir. Ortalama sfr olduundan faydal bir i grmez. Alc, eyrek periyotda sistemden enerji alr ikinci eyrek periyotda ise ald g tekrar ebekeye iade eder.

ekil 2.2. Alternatif gerilim sinyali

1.Blgede sistemden g alnr. 2.Blgeden alnan g sisteme iade edilir. Ksaca U.ISin arpmna reaktif g denir. Q harfi ile gsterilir. Birimi VARdr. VAR: Volt-Amper-Reaktif Omik devrelerde = 1 olduundan Sin = 0dr. Bu devrelerde reaktif g sfrdr. Endktif devrelerde = / 2 olduundan reaktif g Q>0dr. Kapasitif devrelerde = /2 olduundan reaktif g Q<0 dr.

2.3 Grnr G (S) Aktif gc direnler, reaktif gleri de endktif ve kapasitif devreler ekmektedir.Eer bir devrede hem diren hem de reaktanslar varsa bu devrede hem aktif hem de reaktif g birlikte ekilir. Byle devrelerde g, akm ile gerilimin arpmna eittir. Bu gce de grnen veya grnr g denir.

S = U. I

S = grnr g (VA)

U = Gerilim (volt)

I = Akm (Amper)

2.4 G geni Ortalama (aktif), reaktif ve grnr gler arasndaki geometrik banty gsteren gene g geni denir. Bilindii gibi endktif bir devrenin ularna bir gerilim uygulandnda devre, geriliminden geri fazda bir akm eker.

ekil 2.3 Endktif devrede akm, gerilim ilikisi ve g geni

ekil 2.4 Kapasitif devrede akm, gerilim ilikisi ve g geni

2.5 G Katsays Gerilimle,"I" akm arasnda kalan ann (zaman as) kosinsne g faktr (COS) ad verilir.

ekil 2.5 Akm geni

AKTF G / GRNR G = (W) / (VA) = Cos

10

3. REAKTF G KOMPANZASYONU 3.1 Kompanzasyon dealde voltaj ile akm arasnda faz fark olmaz fakat indktif ya da kapasitif yklerin oluturduu etki sonucunda sistemde faz fark meydana gelir. ndktif ve kapasitif etki neticesinde oluan voltaj ve akm arasndaki faz kaymasn sfra yakn tutma ilemine kompanzasyon denir. Yaplan bu ilem sonucunda reaktif akm azalacak , enerji tama kapasitesi ise artacak, enerji iletim sistemlerinin elemanlarnn iletken kesiti azalacak , gerilim dmleri nlenerek sistem daha verimli hale getirilmi olacaktr.Verilen bilgiler neticesinde zetle u tanm yaplabiliriz: sistemde endktif veya kapasitif yklerin oluturduu etki sonucu sistemde meydana gelen faz farknn sfra yakn yani g faktrnn bire yakn tutulmas iin sisteme yaplan ilemlere kompanzasyon denir.

3.2 Kompanzasyon Tesis eitleri 3.2.1 Bireysel Kompanzasyon Bireysel kompanzasyonda reaktif g kayna olan motor, lamba veya transformatr gibi alcya paralel bal belli gte kondansatr balanarak alc tekil kompanze edilir. Kondansatr alc ile beraber devreye girip ktndan kondansatr devreye almak iin ayr bir kontrol sistemine gerek yoktur. Fakat alc zerinde kararsz durum meydana gelebilir. Byk gl motor ve balastl fluoresan armatrlerde kullanlr. Byk sanayi tesislerinde ve fabrikalarda, Blok Yk olarak adlandrlan yksek gl (rn. 400 kW ) ve devreye girip kma zamanlar tam olarak bilinmeyen elektrik motorlar kalk annda ebekeden ksa sreli (yaklak 10 s.) olarak ok yksek akmlar eker. Sistemdeki otomatik kompanzasyon sistemi, byle ksa sreli maksimum ykleri belli bir gecikmeyle alglad iin, bu andaki reaktif gc karlayacak gerekli gte kondansatr bataryas devreye girene kadar motor yol alm olur ve nominal gte almaya balad iin ebekeden kalk anna gre daha az reaktif g eker. Bu olay srasnda tesisin reaktif enerji sayac hzla dner, kompanzasyon amacna ulamam olur. Byle durumlarda blok ykler, mstakil olarak kompanze edilmelidir.

11

ekil 3.1 Bireysel kompanzasyon tek hat emas[5]

3.2.2 Grup Kompanzasyon Ayn kontaktr veya alter zerinden devreye girip kan yk gruplarnn kompanzasyonu yapmak iin kullanlr. Bireysel kompanzasyonda olduu gibi alc zerinde kararsz durumlara sebep olabilir.

ekil 3.2 Grup kompanzasyon tek hat emas[5]

3.2.3 Merkezi Kompanzasyon

Merkezi

Otomatik

Kompanzasyon

Sistemi,

temel

olarak

uygun

dzenlenmi

kondansatr

bataryalar,

reaktif gc alglayp, 12

uygun kondansatr bataryalarnn

devreye alnp karlmasn salayan reaktif g kontrol rlesi ve kondansatr gruplarna kumanda eden kontaktrlerden oluur.letmeler iinde en ok kullanlan kompanzasyon eididir. letmelerde hibir zaman ykler ayn anda devreye girip ayn zamanda ayn gleri tketemeyecei iin genelde reaktif g kompanzasyonu bireysel ve grup kompanzasyon ile salanamaz.Alt kademelere kadar inip tek tek veya grup halinde kompanzasyom yapmaktansa tek merkezden kompanzasyon gerek kontrol gerekse sistem kalitesi iin en uygun yntemdir. Bireysel ve grup kompanzasyonda; kompanzasyon arzas bulmakda zordur.

G trafosu Reaktif g kontrol rolesi

Role cos

400V Anahtarlama

M M letme Tketici

Kompanzasyon iin kondansatrler

ekil 3.3 Merkezi kompanzasyon tek hat emas[5]

3.3 Kompanzasyon Yntemleri Alternatif akml enerji sistemlerinde reaktif g kompanzasyonunun nemi bilinmektedir. Bu yzden g faktrn (Cos) dzeltmek iin eitli yntemler gelitirilmitir. Kompanzasyon sistemlerinde ykn zellikleri olduka nemlidir. G ve g katsays yaklak olarak sabit olan bir ykn varl halinde uygun olarak seilmi bir kondansatr grubu sorunu zebilir. Fakat yk her an sistemden farkl aktif ve reaktif g ekebiliyor ise yukarda nerilen yaklam burada geerli olmaz.

Byle bir problemin drt farkl zm yolu vardr: Besleme sisteminin ksa devre gcn arttrp sabit kondansatr bataryas kullanmak Mekanik olarak anahtarlanan nt kondansatr gruplar kullanmak.

13

Senkron makinalar kapasitif blgede altrmak yada ayrca senkron kapasitr kullanmak

Tristrl statik kompanzasyon sistemleri kullanmak.

Gerek ark frnlarnda gerek fazlarndan farkl aktif ve reaktif g eken dengesiz yklerde ve gerekse g faktrnn anlk deiim gsterdii tketiciler, besleme sistemine etki ederek gerilim dalgalanmasna yol aarlar. stenmeyen bu gerilim dalgalanmasn en aza indirmenin yolu; besleme sistemine deiken reaktif g salayarak g katsaysn sabit tutmaktan geer.

Deiken reaktif g salanmasnda senkron reaktr kullanm bir zmdr.Enterkonnekte sistem ile paralel alan bir senkron makinann uyarma akm deitirilerek reaktif g denetimi yaplabilir. Ykn aktif ve reaktif gleri srekli olarak llp senkron makinann uyarma devresi geri besleme olarak ayarlanrsa ykn bal olduu barada g katsaysnn sabit kalmas salanm olur.

Dinamik kompanzasyon ad verilen bu yntemin aada verilen sakncalar bulunmaktadr: Dner makine kullanma zarureti ve eylemsizlik momentinin bulunmas Tepkime hznn yeterince byk olmamas fazda ayr ayr denetim imkann olmamas

Yukardaki dezavantajlarndan dolay dinamik kompanzasyon pek kullanlmamaktadr. Bu saylan sakncalar tristrl devrelerde ortadan kaldrlmtr. Tristrl devreler Statik VAR Kompanzasyonu ad altnda endstride dinamik kompanzasyona tercih edilmektedir. ok eitli statik kompanzasyon devreleri gereklenebilir.Ayrca srekli rejimde; senkron makinann kompanze ettii reaktif gte kVAr bana yaplmas gereken sabit yatrm masraflar ve hareketli sistemlerin dezavantaj olan srekli bakm ve arza gibi sorunlardan oluan iletme masraflar; sistemin en byk dezavantajdr. Ayn ekilde; mekanik veya elektronik kontrol ile iletime alnan kondansatr gruplar da istenilen hassasiyette alamamaktadr. Sz konusu olan ve endstride birok uygulamada ortaya kan sorun; fazl ebekenin stasyoner ve de dinamik olarak reaktif yklenmesidir. Fazlarn dengesiz olmas ise her faz iin ayr ayr kompanzasyon yaplmasna neden olacaktr. Tristr veya GTO gibi g elektronii elemanlarnn hzl almas ve hzl geliimi neticesinde gnmzde dinamik reaktif g kompanzasyonu pek kullanlmamaktadr.

14

Ayrca g faktrnn 1e yaklamas ve hzl deien yklerde bu deerde sabit tutulmas dinamik sistemlerde yeterince hzl gerekletirilememektedir. Statik reaktif g

kompanzasyonu bu yn ile de bir adm daha ne gemektedir.

3.4 Ar Kompanzasyon Zararlar

Her ne kadar reaktif g faydal deil ise de bundan tamamen vazgeilemez. Zira elektrodinamik prensibine gre alan generatr, transformatr, bobin ve motor gibi btn iletme aralarnn normal almalar iin gerekli olan manyetik alan reaktif akm tarafndan meydana getirilir. Bilindii gibi, endksiyon prensibine gre alan btn makineler ve cihazlar, manyetik alann meydana getirilmesi iin bir mknatslanma akm ekerler; ite bu mknatslanma akm, reaktif akmdr. Onun iin faydal reaktif gcn yannda mutlaka reaktif gce de ihtiya vardr. Bu sebeple btn alternatif akm tesisleri, aktif gcn yannda reaktif gcn de ekileceini gz nnde bulundurularak boyutlandrlr. Ar kompanzasyon manyetik alan oluturan reaktif akm yok edeceinden iletme aralarnn alma verimliliini azaltacaktr.

3.5 Reaktif G Gereksinimi

G faktr dzeltmede balang noktas, yk karakteristiinin tam olarak belirlenmesidir. e g sistemi ynnden bakldnda, sistemin en fazla zorland ykteki g faktrnn bilinmesi yeterlidir.Trkiyede mteri gruplarnn puant ykteki g faktrleri zerinde yaplm almalar ok eksiktir.Eldeki bilgiler genellikle datm panolarndaki Cos metrelerden okunan bilgileri iermektedir. Yaplan aratrma ve lmlerde her mteri grubu iin g faktr deerleri ortalama olarak bulunmutur.

3.6 Reaktif G Tketicileri

Magnetik veya statik alanla alan btn elektrikli aralar ebekeden aktif g yannda reaktif g eker; baz koullar altnda da reaktif g verir.

Bu tip nemli baz aralar unlardr: Dk ikazl sekron makinalar

15

Asenkron motorlar Senkron motorlar Bobinler Transformatrler Redresrler Endksiyon frnlar, ark frnlar Kaynak makinalar Hava hatlar Fluoresan lamba balastlar Sodyum ve cva buharl lamba balastlar Neon lamba balastlar

3.7 Reaktif G reten Aralar

Tketicilerin reaktif g ihtiyalarn karlamak iin 2 tip aratan yararlanlr: Dinamik faz kaydrclar, ar ikaz edilmi senkron makinalar (Senkron kompensatrler) , statik faz kaydrclar, kondansatrler. Kondansatrlerin kayplar ok dk olup, nominal glerinin % 0.5 inin altndadr. Bakm masraflar ihmale gelebilecek kadar azdr. Tketicilerin hemen yanna ve istenilen byklkte tesis edilebilme kolaylklar da vardr. Bu nedenle tercih edilirler.

Kompanzasyon tesislerinde 2 tip kondansatr kullanlr;

1. Yal Tip Kondansatr: Belli peryotlarda bakm gerektirirler. ( Suyunun deimesi gib vb.) 2. Kuru Tip Kondansatr: Bakm gerektirmezler. En kt yan harmoniklerinin fazla olmasdr.

3.8 G Faktrnn Dourduu Sorunlar ve Sonular

Tketicilerin g faktr belirli limitlerin altnda kald srece besleme sisteminin ortalama g faktr de dk olur. Dk g faktrnn etkileri yle zetlenebilir:

16

3.8.1 retici Ynnden

Kurulacak bir tesiste: Generatr ve transformatrlerin daha byk gte seilmesine, letkenlerin daha kaln kesitli olmasna, cihazlarnn daha byk ve hassas olmasna neden olur. Kurulu bir tesiste: retim, iletim ve datmda kapasite ve verimin dmesine, letkenlerde kayplarn ve gerilim dmnn artmasna, Gerilim reglasyonu ve iletmeciliin zorlamasna neden olur.

Sonu: retim maliyeti artar.

3.8.2 Tketici Ynnden

Kurulacak bir tesiste: Alc transformatrnn (varsa), kumanda, koruma ve kontrol donanmnn gereinden daha byk olmasna, letkenlerin daha kaln kesitli seilmesine neden olur.

Kurulu bir tesiste: Transformatr (varsa), o tesisatn kapasite ve veriminin dmesine, ebekeden daha ok reaktif enerji ekilmesine, kayplarn ve gerilim dmnn artmasna neden olur.

Sonu: Grlen hizmet ve retilen rnn maliyeti artar. Btn bunlar yannda gereksiz yatrmlar yaplmas ile milli ekonomiye zarar verilmi olur.

17

4. STATK VAR SSTEMLER Gl ve hzl devreye girip kan yklerin g faktr geleneksel elektromekanik kompanzasyon dzenekleri ile dzeltilemez. Bunun nedeni geleneksel kompanzasyon sistemlerinin (reaktif g rlesi, kontaktrl), ykn ani ekilde ihtiya duyduu reaktif g talebine hemen cevap verememesi ihtiya duyulan kapasitif reaktif gcn kompanzasyon sisteminden karlanamamasdr. Bu problemden yola karak statik kompanzasyon gelitirilmitir.Statik VAR Kompanzatr (SVC) ile g faktrnn sk ve byk deiimler gsterdii ark ocaklar, asansrler, otomotiv, kat ,ambalaj, gda, tekstil cam ve imento sektrnde kullanlan; punto kaynak makinas, liman vinleri, dz kaynaklar gibi ok hzl devreye girip kan byk gl yklerin anlk kompanzasyonu hzl biimde

yaplabilmektedir. Mevcut reaktif g kontrol rlelerinin hzlar bunlara yeterli olmamakla birlikte kondansatr kademelerinden dolay hassas bir kompanzasyon yapmak pek mmkn deildir. Ayrca kademelerin devreye alnmas srasnda geici rejimler yaanmaktadr. Kontaktrler ise ok sk ama-kapama yapmalarndan dolay daha sk arzalanrlar.

Kompanzasyon sistemlerinde ykn zellii ok nemlidir . G ve g katsays sabit kalan bir ykn varl halinde uygun olarak seilmi bir kondansatr gurubu sorunu zer. Fakat yk her an sistemden farkl aktif ve reaktif g ekebiliyor ise yukarda nerilen yaklam burada geerli olmaz. Srekli deiim gsteren reaktif g retimi nceleri, ar veya dk uyarlm asenkron makinelerle ve sonralar da doymal reaktrler ve bunlara bal kondansatrler ile yaplmaktayd. zellikle son yllarda yksek gl yar iletkenler (tristrlerin) retilmesi ve bunlarn reaktif g kompanzasyon sistemlerinde kullanlmas yaygnlk kazanmtr. Yar iletkenlerin kullanlmasyla gerekletirilen (SVS) kompanzasyon sistemine statik Var generatr de denir. Bugn kullanlan tristr kontroll statik var generatrnn alma prensibi; kondansatr ve/veya reaktrlerin, hesaplanan tetiklenme alarna bal olarak ebekeye sokup karlarak deiken deiken deerli nt empedans elde etmeye dayanr. Uygun tetikleme ile statik var generatrnn bal olduu barada maksimum kapasitif reaktif g deerinden maksimum endktif reaktif g deerine kadar geni bir aralkta reaktif g ayar yaplabilir.[1]

Statik var sistemleri ile , ekilen ve retilen reaktif gc pasif elemanlar vastasyla kontrol etme zellii sayesinde gerilim kontrolnde kullanlabilir. Ayrca asimetrik ykleri dengelemek amac ile de kullanlabilir. SVC, aada gsterildii gibi genellikle bir tristr kontroll reaktr (TKR) ve birka tristr anahtarlamal kondansatr (TAK) grubundan oluturulur.

18

Her bir kondansatr grubunun devreye alnmas, ani akmlar nlemek iin akmn sfr noktasna dikkat edilerek yaplr. Ayn zamanda reaktrn reaktans devaml olarak tristrlerin tetikleme as degistirilerek kontrol edilir. Bu ynetim sekli ile SVC, degisken bir reaktif gc belirli bir aralkta devaml olarak retebilir. Ayrca bu durumda TKRnin boyutu bir TAKnin boyutuna orantl olarak snrlanr. Endktif ynde ekilen reaktif gcn snrlarn da reaktrn boyutu belirler.[1]

ekil 4.1 Statik Var kompanzator emas SVC iletim hatlar kompanzasyonunda, rayl sistemleri besleyen hatlarn kompanzasyonunda, haddehanelerin bozucu etkilerinin giderilmesinde ve ark ocaklarnn kompanzasyonunda hem reaktif g kompanzasyonu amal, hem de fliker olusumunu nleme amal kullanlmaktadr. SVCnin reaktif glerdeki degisimi kompanze etme zelligi, SVCyi fliker emisyonunu azaltmak iin uygun klmaktadr. Bu amala kullanlan SVC sistemleri genellikle filtreli bir TKRden olusur (TAK kullanlmaz). SVCnin ark frnlar ile beraber kullanlmas sadece fliker emisyonunu azaltmaz ayn zamanda gerilimin regle edilmesine bagl olarak elik retimini ve retilen eliin kalitesini de arttrr. Ancak SVCnin cevap verme sresinin uzunluu sistemin dezavantajlarndan biridir.[1]Ayrca SVC sistemleri ilk retim maliyetleri asndan da dezavantajldr.

19

4.1. Statik Var Sisteminin zellikleri Yk deiimlerinin yava olduu durumlarda, beklenmeyen olaylarn neden olduu gerilim deiimlerinde, ani deien yklerin neden olduu gerilim titremelerinde sistem gerilimini sabit tutmak iin kullanlr. Anahtar noktalarda (rnein uzun bir hattn orta noktas) gerilimi destekleyerek sistem stabilitesini salamak amacyla kullanlrlar. G faktr ve faz dengesizliini dzeltmek amacyla kullanlrlar.

SVSnin nemli bir zellii reaktif gc devaml deitirerek balandklar baralardaki gerilim deerini sabit tutmaktr. Bara geriliminin sabit deerde tutulmas dinamik nt kompanzasyonunun en nemli hedefidir.[1] SVSnin ikinci nemli zellii ise cevap verme hzdr. Kompanzatrn reaktif gc, terminal gerilimindeki kk bir deiime tepki olarak yeterli derecede hzl deimelidir.[1]

4.2. Statik Var Sisteminin Ana Tipleri SVSnin ana tipleri; TKR-Tristr kontroll raktr (thyristor-controlled reactor,TCR) TAR-Tristr anahtarlamal reaktr (thyristor-switched reactor,TSC) TAK-Tristr anahtarlamal kapasitr (thyristor-switched capasitor,TSC)

4.3. SVSnin Ana Harmonik Frekansndaki Davran 4.3.1 deal SVS Karakteristii SVS iinde kullanlan yar iletkenler anahtarlama eleman olduklarndan, ekil 4.2de gsterildii gibi birbirlerine paralel bal ve ayarlanabilir bir reaktr ve kapasitenin SVSnin edeer devresi olarak kabul edilmesi mmkndr. SVSnin amac bal olduu barann gerilim ve reaktif g deerini kontrol etmektir.[1]

20

Bara ISVS

ekil 4.2 SVS nin edeer devresi deal bir SVS, (eer bara gerilimini sabit tutmak birinci ncelik ise ) aktif ve reaktif g kayb olmayan, istenildii anda istenilen reaktif g deerini retebilen (veya emebilen) ve bylece bara gerilimini sabit tutan bir kompanzatr anlamna gelir.[1] Kontrol edilen barann genlii;V, SVS akm genlii; I SVS, arzu edilen gerilim genlii; Vo ise, ideal bir SVSye ilkin akm-gerilim karakteristii ekil aada gsterildii gibi olacaktr.[1]

V Vo

ekil 4.3 ideal bir SVS ye ilikin akm- gerilim karakteristii 4.3.2 Gerek SVS Karakteristii SVSnin ayarlanabilir reaktr ve buna paralel olarak bal bir kapasiteden olutuu kabul edilsin. ekil 4.4de byle bir SVSnin akm-gerilim karakteristiinin oluumu gsterilmitir.[1]

21

V L + C

V Ic L

ISVS

Maks L

Min L + KSVS eimi IL Ic

KSVS eimi

a)kontrol edilen reaktr

b)sabit kapasite ekil 4.4

c) SVS

4.3.3. Tesis ine Yerletirilen SVS Karakteristii SVSler g sistemi iinde altklar iin yukarda verilen SVS karakteristiklerinin g sistemi koullarna uyarlanmas gerekmektedir. SVS barasnda sisteme doru bakldnda grlen thevenin edeer devresi ekil 4.5de verilmitir. Bu devrede Xth; SVS barasndan sisteme doru bakldnda grlen edeer reaktans (endktif), Eth; SVS barasndan sisteme doru bakldnda grlen edeer(sistem) gerilimini gstermektedir. ekil 4.6da ise SVS akmnn bara gerilimi ile deiimi grlmektedir.[1]

jXth

V SVS baras Isvs ebeke

Eth

Ayarlanan SVS empedans

ekil 4.5 SVS barasndan sisteme doru bakldnda grlen thevenin edeer devresi

22

jIsvsXth Isvs Eth V V Eth jIsvsXth Isvs V

Kapasitif

Endktif

ekil 4.6 SVS akm ile SVS bara gerilimi arasndaki iliki.

ekil 4.7 (a)da sistemin edeer gerilimi olan Eth deerinin artmas yada azalmas durumunda, SVS akm ile SVS gerilimi arasndaki deiim, ekil 4.6 (b)de ise sistem empedans olan Xth deerinin artmas yada azalmas durumunda, SVS akm ile SVS gerilimi arasndaki deiim gsterilmitir.

ekil 4.7 ekil 4.5de verilen edeer devre kullanlarak sistemin karakteristik denklemi; V=Eth-XthISVS Elde edilir. SVSnin karakteristik denklemi ise; V=Vo+XSVSISVS
Olacaktr.

V ifadesinde grlen XSVS ise SVS karakteristik erisinin eimidir.

23

ekil 4.8 SVS ilikin ayr yk karakteristii ve SVS karakteristii. ekil 4.8de tesis iine yerletirilen SVSye ilikin ayr yk karakteristii ve SVS karakteristii gsterilmitir. Her bir yk karakteristiinde yk gerilimi farkl deer almaktadr. Ortada yer alan (SVS karakteristiini A noktasndan kesen) sistem karakteristik erisi nominal sistem alma koullarn gstermektedir. Bu alma koulunda SVS bara gerilimi; Vo, SVS akm ise Isvs=0 deerini almaktadr.[1] Eer (rnein, sistem yknde bir azalma olurda) sistem gerilimi Eth kadar artar ve SVS devreye sokulmaz (Isvs=0) ise, V deeri V1 deerine ykselir. Sistem gerilimi artt iin eer SVS devreye sokulursa, alma noktas SVS karakteristii zerinde yer alan B noktasna kayar, SVS akm Isvs=I3 (endktif), SVS bara gerilimi ise (SVS kontrol edilerek) V3 deerinde sabit tutulur. Eer (rnein,sistem yknde bir artma olurda) sistem gerilimi Eth kadar azalr ve SVS devreye sokulmaz (Isvs=0) ise,V deeri V2 deerine ykselir. Sistem gerilimi azald iin eer SVS devreye sokulursa, alma noktas SVS karakteristii zerinde yer alan C noktasna kayar, SVS akm Isvs=I4 (kapasitif),SVS bara gerilimi ise (SVS kontrol edilerek) V4 deerinde sabit tutulur (sistem alma noktalarnn SVS karakteristik erisi zerinde olduu unutulmamaldr). Eer SVS eimi (Ksvs) sfr olsa idi, yukarda bahsedilen her iki durum iin de (V) sistem gerilimi Vo deerinde sabit tutulacaktr.[1]

24

a) ekil 4.9

b)

ekil 4.9de verilen karakteristie sahip bir sistemin reaktif g kontrol aral daha da byltlmek istenir ise ekil 4.9 (a)da verilen devre modeli kullanlabilir. ekil 4.9 (a)da verilen 3 adet kapasiteden 2 tanesi anahtarlanabilir zelliktedir. Buradaki anahtarlar tristrler yada baka ama kapama cihazlar olabilir. Anahtarlanmayan kapasite ve buna seri bal bobin ise filtre amal olarak kullanlmaktadr. ekil 4.9 (b)de grld gibi 3 numaral konumda tm kapasiteler devreye alnm durumdadr ve SVS akmnn kapasitif zellii olduka artmtr. 1 numaral konumda ise iki adet kapasite devre dna karlm ve ykn kapasitif karakteri azalmtr. Grld gibi SVS (yk ucundaki gerilim sabit kalamadndan) bir gerilim kayna deildir. SVS bir senkron kondenser gibi davranr. SVS sisteme verdii reaktif akm ile bal olduu barann gerilimini ayarlar. Dier bir anlatm ile SVSler , ayarlanabilir reaktif yk gibi davranarak bal olduu barann gerilimini (yaklak olarak) sabit tutmaya alr. SVSler genel olarak ykn (kapasite yada selfin) suseptansn deitirerek amalarna ularlar.[1]

25

4.4. Tristr Kontroll Reaktr ( TKR ) Tristr kontroll reaktrn edeer devresi tetikleme as ile iletim as ve akm gerilim ilikisi gsterilmitir.

ekil 4.10 Tristr kontroll reaktr

Tristr kontroll reaktr asl itibari ile bir akm kyc devresidir. Bir fazl ve fazl kyclar olarak iki ksmdrlar. Yap olarak ise birbirine paralel balanm tristrlerden olumutur. Bir fazl alternatif akm kyclar genel olarak aydnlatma, snma gibi harmoniklerin etki etmedii uygulamalarda kullanlmaktadr.

Tristre bir darbe sinyali uygulanrsa tristr iletime geer ve devreden bir IL akm geer.

Kaynan V=Vmsin(wt) eklinde bir gerilim uygulanrsa reaktr ularndaki gerilim

V1 =L.di/dt dir.

Tristr iletimde olduu srece V1=V olur.

Devreden geen akm herhangi bir tetikleme as iin

26

I=( Vm/wL)(cos cos wt) olacaktr.

AC kycnn 0<<90 iin akm kontrol yoktur. Yani bu aralkta yaplan btn tetiklemeler yk akm gerilimi 90 geriden takip eder.

Bu durumda yk akmnn etkin deeri IL=V/(wL) dir.

Bu akm fourier analizinde ana harmoniin etkin deeridir. Akm kontrol ancak 90<<180 aralnda gerekletirilebilir. Yani iletim asnn kontroll nonsinzoidal akmlarn olumasyla sonulanr. Yani tristr kontroll reaktr harmonik retir.

Ateleme asnn artmas akm dalga eklini sinsten uzaklatrr. Le=V/(wIL1) (endktansn etkin deeri) Sonu olarak : I L1( )= (2 -2-Sin2). V/ (wL) ifadesi elde edilir.

AC akm kyc ve seri selften meydana gelen tristr kontroll reaktr daima endktif karakterlidir. Bu sisteme uygun boyutlarda sabit paralel (nt) kapasite balanrsa tetikleme asna bal olarak, toplam sistem endktif veya kapasitif karakterli yaplabilir.

4.11 Tristr kontroll reaktr ve sabit kapasite

27

ekil 4.12 6 darbeli TKR yaps

ekil 4.13 12 darbeli TKR yaps.

28

4.5. Tristr Anahtarlamal Reaktr ( TAR ) ekil asndan bakldnda TAR yapsnn TAK yapsndan tek fark TAK yapsndaki kapasitelerin yerini TAR yapsnda reaktrlerin almasdr. TAR yapsnn TKR yapsnda tristrler 900-1800 arasnda tetiklenirken TAR yapsnda sadece alternans balarnda (900) tetiklenir. Bylece harmonik problemi ortadan kalkar. [1]

ekil 4.14 3 fazl TAR yapsnn bir kutuplu gsterimi

Ar gerilimlere ve geici olaylara yol amamak iin reaktr elemanlar sisteme uygulanan alternatif gerilimin pozitif ve negatif tepe deerlerinde (90) devreye alnr ve karlrlar. Bylece harmonikler ortadan kaldrlr. Bu tip kompanzasyonda sistemin gecikmesi yarm periyot mertebesindedir. Bu kompanzasyon trnn nemli bir problemi reaktrlerde meydana gelen kayplardr.

Aada ekil 4.15deTAR tabanl SVCnin edeer devresi grlmektedir. TAR, alternatif akm kyc ile buna seri bal bir reaktrden meydana gelmektedir. SVC oluumu ise mevcut TAR yapsna paralel bal bir sabit kapasitr eklenmesi ile elde edilmektedir. fazl uygulamalarda TAR cihaz gen olarak balanmaktadr.

29

ekil 4.15 Tar tabanl Svc edeer devresi 4.6. Tristr Anahtarlamal Kondansatr ( TAK ) Bu sistemde TKR den farkl olarak endktans akmnn srekli olarak ayarlanmas sz konusu deildir. Burada kondansatr ya devreye alan ya da devreden karan bir anahtarlama yaplmaktadr.Sistemin kondansatr besleyen ift ynl tristrlerin kap akm kesildiinde akm sfr noktasndan geerken tristr kendiliinden devre dna kar. Kondansatr akm ile gerilimi arasnda 90 derece faz fark olduundan, akm sfr noktasndan geerken gerilim tepe deerinde olacandan ebeke ile balants kesilen bu kondansatr zerinde gerilim kalr.Tetiklemenin kesildii ana bal olarak +V , -V deeri ile dolu olan bu kondansatr devreye alrken balangta akmas muhtemel byk deerlikli balang akmna engel olabilmek iin ebeke geriliminin kondansatr gerilimine eit olduu AA geriliminin tepe noktasnda tristrler tetiklenir.[2] ekildeki bobinin grevi kondansatrn devreye girmesi esnasnda ortaya kabilecek ar akmlara engel olmaktr.

30

ekil 4.16 Tristr anahtarlamal kondansatr

ekil 4.17 (a)da bir fazl tak yaps gsterilmitir. TAK alternatif akm kyc ile buna seri bal bir kapasitrden oluur. Birden fazla TAK yaps (gleri birbirine yaklak eit seilerek) ayn yk barasna paralel olarak balanr. Reaktif g talebi arttka tristrler tetiklenerek ihtiya duyulan sayda tak devreye alnr.[1]

a-)

b-) ekil 4.17 Bir fazl tak yaps

ekil 4.17de grlen ve tristrlere seri olarak balanan dk deerli selfin (L) grevi, tristrlerin tetiklendii anda olumas muhtemel geici olaylar (lenz kanunu etkisi) bastrmak ve rezonans nlemektir. fazl sistemde (gen balama iin) kullanlan TAK yaps ekil 4.17 (b) de gsterilmitir. Kapasitrlerin devreye sokulmas kk ya da byk geici dalgalanmalara yol aar. Bu dalgalanmalar kapasite ile d sistem arasndaki rezonans

31

frekansna bal olarak deiir. Devreye sokulurken ar gerilimlerin meydana gelmemesi iin kapasiteler ebeke geriliminin tepe deerine eit deerde doru gerilimle doldurulurlar.[1] Kapasite zerine uygulanan gerilim tepe deerine ulatnda veya bu deere yakn noktada iken tristr tetiklenir. Bylece kapasite akmnn minimum olduu anda tristr iletime sokulmu olur. Ayn ekilde akmn sfrdan getii anda devreden kartlr. Byle bir tetikleme devresi kullanlarak (ama kapama) anlarnda oluan geici olaylar ve ar gerilimler nlenmi olur. ekil 4.18 de bara gerilimi, kapasite gerilimi akm gsterilmitir.TAK yapsnda kullanlan suseptans kontrolne tam alternans kontrol ad verilir. Bu kontrol trnde kapasite tam alternans bitiminde anahtarlanr. Paralel bal TAK saylarn(tristrleri tetikleyip) deitirerek yk tarafndan istenilen reaktif g ulam olur. Tam alternans kontrolnn en byk stnl (gerilimin dalga eklinin sins formunu deitirmedii iin) harmonik retmemesidir.

ekil 4.18 TAK bara gerilimi, kapasite gerilimi ve kapasite akm

ekil 4.19de paralel bal TAK yaplar ve kontrolr gsterilmitir. TAKn baland bara geriliminin (V), referans gerilim deerinden (Vref) her iki ynde sapma miktar V/2 olarak alnmtr. Devreye sokulan kapasitr miktar
V

deerinin V/2 arasnda kalmasna

baldr. Kontrolr V deerini ler, eer bu deer Vref V/2 aralnda kalabiliyor ise mevcut durumdaki tak saysn deitirmez, aksi halde ilave kapasitrleri devreye alarak yada devreden kartarak V deerinin belirtilen gerilim aralnda (Vref V/2) kalmasn salar.[1]

32

ekil 4.19 Paralel bal TAK yaplar ve kontrolr.

ekil 4.20de TAK yapsnn V-I karakteristii gsterilmitir. Bu karakteristikte iki farkl yk durumuna kar gelen Y1 ve Y2 erileri grlmektedir. Bu iki eriye bakarak TAK kontrol sisteminin sreksiz ve basamakl olduu sylenebilir. Eer V gerilimi VrefV/2 bant aralnda kalyor ise mevcut TAK saysnda bir deime yaplmaz, fakat bu bant alrsa yeni bir kapasitr devreye alnarak V gerilimi kontrol altna alnr. Eer V bara gerilimi yksek deerde ise yksek maliyet dolays ile paralel olarak balanan kapasite says azaltlr. ekil 4.20de grld gibi sistem TKR olmadndan, alma kapasitif blgede

gereklemektedir.

ekil 4.20 TAK yapsnn V-I karakteristii ekil 4.20de grld gibi TAK sistemi A noktasnda alyorken Y1 ile gsterilen yk durumu iin C1 kapasitr devrede bulunmaktadr. Eer (mteride yk deiimi gibi) ani bir deiim olur ve sistem karakteristik erisi Y2ye kadar ise, bara gerilimi der ve sistemin 33

yeni alma noktas B olur. B noktasna ulamak iin ise C2 kapasitr de (tristrler kullanlarak) devreye alnmaldr. Fakat B noktas kabul edilen bant aralnda olmadndan C3 kapasitr de devreye alnarak sistem D noktasnda almaya balar. Bu nokta kabul edilen gerilim tolerans iinde kalmaktadr. Yeni yk deiimi oluncaya kadar TAK yaps her kapasitr de devrede tutarak almaya devam edecektir.[1]

4.7 Uygulamada Kullanlan Statik VAR Sistemleri

ekil 4.21 TKR ve TAK sistemlerinin bir araya getirilmeleri ile ortaya kan bir SVS yaps imdiye kadar gsterilen SVS sistemleri pratikte tek balarna pek kullanlmazlar. Pratikte kullanlan SVS sistemleri genellikle en az iki farkl statik VAr kompanzasyon sisteminin bir araya getirilmeleri ile meydana gelir. Byle bir yaklamn temel amac SVS sistemine esneklik kazandrmak ve kontrol daha hassas hale getirmektir. ekil 5.20te TKR ve TAK sistemlerinin bir araya getirilmeleri ile ortaya kan bir SVS yaps gsterilmitir. Burada grlen filtre TKR tarafndan retilen harmoniklerin szlmesini salamaktadr. Bu filtrede kapasitif etki endktif etkiye oranla daha fazladr. Filtrenin reaktif gc, TKR reaktif gcnn %10 ila %30u mertebesindedir. TAK yaplarnn her biri yaklak olarak birbirine eit gte imal edilirler. Bu tr SVS yaplarnda dzgn bir kontrol karakteristii elde etmek iin TKR akm bir adet TAK akmndan ok az yukarda seilmelidir. L ve C deerleri bu ilkeye gre belirlenir.[1]

34

ekil 4.22 (a)da srekli hal alma koulunda SVS yapsna ilikin V-I karakteristii, ekil 4.22 (b)de ise Q-V karakteristii verilmitir. Bu karakteristiklerde (lineer kontrol blgesinde) alma limitlerini TKR bobininin maksimum suseptans deeri (BLmaks) ve BC deerleri belirler. BC; filtre iinde yer alan TAK yaplarnn kapasitelerine ilikin suseptans deerlerinin toplamndan meydana gelir. Eer V deeri belirli bir sre iin (0.3 birim gibi) ok dk seviyelere der ise, sistemi kontrol etmek ve tristrleri tetiklemek iin gereken enerji salanamayaca iin SVS yaps devre dna kar (almaz). Eer gerilim dzene girerse SVS tekrar almaya balar.[1]

ekil 4.22

35

5. MATLAB/SIMULINK KULLANARAK BR TRSTR KONTROLL REAKTR GEREKLETRLMES

Bu almada nominal iletme gerilimi 380 volt olan bir tesiste, Tristr Kontroll Reaktr matlab/simulink kullanlarak gerekletirilmitir.Byle bir sistem gerekte byk gl ark frnlarnda kullanlr.Byk gl ark frnlarnda kullanlma sebebi; anlk reaktif g ihtiyacnn net olarak cevap verebilme ihtiyac ve sistem maliyetinin yksek

olmasdr.Maliyetleri drmek iin gnmzde almalar yaplmaktadr.uanda piyasada alak gerilim iin baz firmalarn rettii SVC rleleri bulunmaktadr. Byle sistemlerde ark frnna paralel bal bir kondansatr grubu srekli tam kapasiteli olarak sistemde olur.Frnn ihtiyac olan kvar cinsinden kapasite deeri anlk olarak sisteme gnderilir.Geri kalan kapasite deeri ise, reaktr zerinde harcanr.

Biz gereklediimiz bu sistemde aadaki ykleri kullandk; Sabit 1000w 300w 600w 900w 1.2kw 800var 600var 1kvar 1.3kvar 1.8kvar 1.2kvar 1.8kvar 2.2kvar 2.8kvar 3.5kvar

Btn ykler sisteme sfr noktasndan itibaren girmektedir.AC kycmz gcnde bir reaktrn gcn kontrol edecektir.Sistem yk artlarna gre lecek ve buna uygun tetikleme asn hesaplayarak retecek bylece ebekeden deil reaktr zerinden salanacaktr.

17.5kvar deerini ihtiyac

ekil 5.1 Gerekletirilen TCR sistemi 36

ekil 5.1 de kapasitif yk kompanze etmek iin simulink ortamnda gerekletirilen Statik Var sisteminin devre ekli gsterilmitir.Statik Var kompanzasyonunda bilindii gibi ana harmonie ilikin reaktif g deeri kompanze edilir, tm harmoniklere ilikin reaktif g deeri kompanze edilmez.

ekil 5.1 deki devrede dengeli olarak bir as ile tetiklenecek her iki tristrn,L bobini zerinden yke akacak reaktif gcn , ve L deerlerine bal ifadesi;

[4] formlleriyle hesaplanr.

[4]

deeri sistemde srekli hesaplanp buna gre bir tetikleme

as srekli hesaplanp, retilmektedir.Bu sebeple oluturulan simulink devresinde deeri srekli llm deerine gre bu deere eit gcn retecek

tetikleme asn (4) eitlii kullanlarak bulan ve tristrleri dengeli olarak tetikleyen bir simulasyon oluturulmutur.Bu asn bulmak iin Embedded MATLAB function blou kullanlmtr.Embeded MATLAB function blouna giren iaret, ykn ektii reaktif g olaca iin yk deitike sinyal kendiliinden deiecektir.Bu nedenle yke ait reaktif g deerini len Active&Reactive Power blou kullanlmtr.Bu devredeki iaretin reteci bu blok olacaktr.Simulink devresinde grlen Active&Reactive Power blounun kna balanan Demux blounun st ucu daima aktif gc alt ucu ise reaktif gc ler.

Pratikte, statik reaktif g kompanzasyonuna ilikin devre tasarlanrken, tristrlerin kontrol ettii L bobininin reaktif g deerinin iyi bir ekilde hesaplanmas gerekir.Bu hesaplama yaplrken u yol izlenir: sistemde sabit deerde olan reaktif g kaynaklarnn (C,L,lineer olmayan yk) reaktif g deerleri, iaretlerine baklarak toplanr.Daha sonra ykn maksimum reaktif g deeri hesaplanr.Sonu olarak sabit ve sabit olmayan yklere ilikin toplam reaktif g deerinden daha byk deerde reaktif g retebilecek boyutta bir L bobini AA kycsnn kna balanr.Yaptmz bu simulasyonda bu olarak tespit edilmitir. deeri 17.5 kvar

37

ekil 5.2 Gerekletirilen sistemin kompanzasyondan nceki hali

ekil 5.3 Sistemdeki ykler

38

ekil 5.4 Kaynakdan ekilen Reaktif gc

ekil 5.5 Kaynakdan ekilen Aktif gc

ekil 5.4 ve 5.5 de grld gibi sistemde, kaynakdan 400var civarnda kapasitif reaktif g ve yaklak 1kw aktif g ekilmektedir.

39

ekil 5.6 Kompanzasyondan sonraki devre emas

ekil 5.7 Devrede ekilen Aktif ve Reaktif Gler Yukardaki osilaskop grntlerinden de anlalaca gibi sistemde ebekeden yine 1kw aktif g ekilmektedir.Bunun yan sra TCR sayesinde ebekeden sfra yakn bir reaktif g ekilmektedir. 40

ekil 5.8 Ykn istedii Reaktif G - Reaktrn rettii Reaktif g Yklerimiz kapasitif karakterlidir.Devreden 400 var reaktif g istemektedirler.(st grafik)Fakat sistem bir tristr kontroll reaktr olduundan istenen bu 400 var reaktif g Reaktr zerinden (alt grafik) temin edilmektedir.Yukardaki osilaskop grntlerinden bu anlalmaktadr.

ekil 5.9 Tristr tetikleme as Sistemde tristrler yaklak olarak 157 de tetiklenirler.

41

6. STATK VAR KOMPANZATRNN PROTEUS ORTAMINDA PIC LE MODELLENMES

Yaplan bu benzetimde , ykn ebekeden ektii aktif gcn yannda gereksinim duyduu reaktif gc mmkn olan en verimli ekilde kullanmak iin ilk olarak mikrodenetleyici ile sistemin g katsays belirlenip, bu g katsaysndan yola karak, ykn o anki duyduu ihtiyaca gre devreye reaktr alp , karma ilemi gerekletirilmitir.

6.1 G Katsays

G katsays elektrik enerjisinin ne kadar verimli kullanldnn bir gstergesidir. G katsays ne kadar byk olursa, elektrik enerjisi o kadar verimli kullanlm demektir.

ebekeye bal endktif karakterdeki bir alcnn akm ve gerilim bilgileri , tasarlanan sfr gei dedektr ile akm ve gerilim bilgilerinin sfr gei noktalarnda tespit etmektedir.

ekil 6.1 Sfr gei dedektr 42

Dedektrn 1. ve 7. ularnda elde edilen kare dalga sinyaller st ste konduunda akm ve gerilim arasnda ki faz fark elde edilir. Elde edilen bu sinyaller mikrodenetleyicinin girilerine uygulanr.

6.2 Sfr gei osilaskop grnts

6.2 G Katsaysnn Tespiti

Uygulamada kullandmz PIC 16F877A mikrodenetleyicisinde 20 MHzlik kristal osilatr kullanlmtr. Timer seeneklerinden ise 16 bitlik TIMER1 zamanlaycs seilmitir. Timern artnda geen zaman seilen osilatr frekansna gre deimektedir. Setiimiz osilatr bir ilemi 0.2 sde gerekletirmektedir

43

TIMER1

zamanlaycs

16

bitlik

olduundan

ile

65536

aras

sayma

ilemi

gerekletirebilmektedir. Her ilem 0.2 s sreceinden yaklak olarak 13 mslik bir sayma ilemi yapabilir.

6.3 ebeke frekansnn bir peryotluk grnts

Yke uygulanan 50 Hzlik ebeke sinyalinin bir peryotluk deeri 20 ms dir. Akm ile gerilim arasndaki faz fark maksimum 90 olacandan aradaki gecikme 5ms deerini gememekte ve setiimiz TIMER1 ile bu zaman karlayabilmekteyiz.

0 ile 5 ms arasnda deien faz fark deeri TIMER1 zamanlaycsnda alnarak matematiksel bir formlasyon sonucu ekranda gsterilmektedir.

6.4 LCD ekranda faz as deeri

44

6.3 Modelleme in Hazrlanan Program Algoritmas

ncelikle Picin almasiin temel konfigrasyon ayarlar yaplmtr. Daha sonra Gerilim bilgisi PortB0a Akm bilgiside PORTB1e girilmitir. Burada nemli nokta picde bulunan harici kesmelerin kullanlmasdr. lk aamada RB0 portuna kontrol edilmekte ve gerilim bilgisi geldiindekesme reterek Timer1i 0 kurar ve saydrma ilemine balar .Bu ilem devam ederken RB1 portuna akm sinyali geldiinde TIMER1 durdurularak , iinde deer bir deikene atanr ve bu deere formlasyon ilemi uygulanarak ekrana yazdrlr. Ayn zamanda program ierisinde bulunan tablolardan deikenin deerine gre klar aktif edilerek sisteme gerekli olan reaktr veya reaktrler devreye alnr. Sistem bu ekilde bir dng halinde devam eder.

6.5 Program algoritmas 45

6.4. Statik Kompanzatrn Modellenmesi

Uygulamn yapld Proteus program; elektronik alannda en yetenekli, devre izimi, simlasyon ve animasyon yapabilen programlardan biridir [6]. sfr gei dedektr vastasyla PIC16F877 mikrodenetleyicisinin girilerine uygun hale getirilmi akm ve gerilim sinyallerinin benzetimi yaplarak g katsays lm gerekletirilmitir.

6.6 Benzetimi Yaplan Devrenin Blok Diyagram

Yaptmz simlasyon almasnda sisteme srekli olarak bal bir kondansatr olduunu ve tespit ettiimiz g katsays dorultusunda sistemin ihtiyac kadar kondansatr sfr geilerinde devreye alp gerekli ihtiyac saladktan sonra gerek duyulmayan kondansatr gcn picin klarna bal olan tristrlerin tetikledii reaktrler zerinde tketmesini salamaktr.

6.7 Sistemde retilen reaktif gn dalm

46

Tasarlanan devrede PORTB nin 0. ve 1. pinleri giri, PORTDnin 8 biti ve PORTCnin 6 biti k olarak kullanlmaktadr. Sfr gei dedektrnden gelen bilgi dorultusunda PORTDye bal LCD ekranda gerilim ile akm arasndaki faz fark deeri gsterilmi. Bu deer dorultusunda PORTC ye bal olan tristrler tetiklenerek reaktrlerin devreye alnma ilemi gerekletirilmitir.

6.8 Simlasyon devresi

Tasarlanan devrenin kndaki tristr tetiklemeli reaktrlerin says artrlarak, daha optimum deerlerin yakalanmas salanabilir.

47

6. SONU Gemiten bugne kullanlan kompanzasyon yntemleri enerji ihtiyacnn artmas ve gerekli g kalitesinin salanmas iin bir takm almalar da zorunlu klmtr. G elektroniinin gelimesiyle kompanzasyon teknikleri gelierek imdiki halini almtr.

Sonu olarak kontaktr kullanlarak yaplan kompanzasyon da ebekede bozucu etkilere neden olmakta ,ar akm ve gerilimlere sebebiyet vermekte ,tristr anahtarlamal statik var sistemleri ise bu gibi olumsuzluklar ortadan kaldrmaktadr.

48

7. KAYNAKLAR

[1] PLC KONTROLL REAKTF G KOMPANZASYONU, GAZ NVERSTES YKSEK LSANS TEZ

[2] STATK VAR SSTEMLER VE SMULNK UYGULAMASI, SAKARYA NVERSTES LSANS TEZ

[3] STATK REAKTF G KOMPANZASYONU VE UYGULAMA DEVRES YT LSANS TEZ

[4] UUR ARFOLU UYGULAMALARI

MATLAB

VE

MHENDSLK

[5] EMO KOMPANZASYON KONFERANSI NOTLARI,MUSTAFA EKKEL

[6] PIC KULLANARAK G KATSAYISI LM DEVRES TASARIMI VE SMLASYONU SABR RSTEML, MUHAMMET ATE

49

ZGEM

lhan RN Lise : Hrriyet Endstri Meslek Lisesi - Elektronik 2003 niversite : Uluda niversitesi TBMYO Endstriyel Elektronik 2005 niversite : KahramanMara St mam niversitesi 2011 Deneyimleri: Coats TRKYE 2003-2004 Uluda letiim ve Telekomnikasyon 2007-2008 Ekom Mhendislik 2010-2011 E-posta : ilhansirin86@gmail.com

Onur TURAN Lise : Atatrk ada Yaam ok Programl Lisesi Elektronik 2004 niversite : stanbul niversitesi TBMYO Endstryel Elektronik 2006 niversite : KahramanMara St mam niversitesi 2011 Deneyimleri: Bimtes Elektronik Laboratuarlar 2003 2008 Ekom Mhendislik 2010-2011

E-posta : onrtrna@hotmail.com

50