P. 1
ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN ÜRETİM YÖNTEMLERİ

ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN ÜRETİM YÖNTEMLERİ

|Views: 1,486|Likes:
Yayınlayan: Dursun

More info:

Published by: Dursun on Jul 14, 2011
Telif Hakkı:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

03/13/2013

pdf

text

original

Sections

  • 1. GİRİŞ:
  • 2.1. Kristal Yapısı
  • 2.2. Elektronik Bant Yapısı
  • 3.1.Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Yöntemi
  • 3.2.Sprey Piroliz (Sprey Pyrolisis) Tekniği
  • 3.3. Sıçratma (Sputtering)
  • 3.4.Atmalı Lazer Depolama (PLD)
  • 3.5.Moleküler Işın Epitaksiyel Yöntemi (Molecular-Beam Epitaxy-MBE)
  • 3.6.Teknik Karşılaştırma
  • 4. ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLER ÜZERİNE YAPILAN ÇALIŞMALAR
  • 5.1.Taban Malzemesinin Sıcaklığının Etkileri
  • 5.2.Sıçratma Parametrelerinin Etkileri
  • 5.3.Yayınım Mekanizmalarının Etkisi
  • 5.4.1. Taban Sıcaklığı ve Film Kalınlığının Etkisi
  • 5.4.2. Termal Kararlılık
  • 6. ÜRETİLEN ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİ
  • 7. ÜRETİLEN ZnO SAYDAM İLETKEN İNCE FİLMLERİN KARAKTERİZASYONU
  • 8. TARTIŞMA VE SONUÇ

 
1. GİRİŞ:

Günümüz teknolojik ve bilimsel araştırmalarında önemli bir yere sahip olan
saydam iletken ince filmler üzerine yapılan çalışmalar, 1950’li yıllardan günümüze
kadar çeşitli yöntemlerle süregelmiştir. Günümüzde ise özellikle güneş pillerindeki
uygulamalarda, LED, ısı yansıtıcılar, foto termal dönüşüm sistem gaz sensörleri, optik
pozisyon sensörleri gibi uygulamalarda ince oksit filmlerinin kullanımı önemli bir yer
tutmaktadır. Dolayısıyla günümüzde bu tür uygulamalar için saydam iletken ince
filmlerin üretimi önem arz etmektedir.
Kalınlığı 1 µm’den az olan filmler ince film olarak adlandırılmaktadır. Saydam
iletken ince filmler (TCO) farklı optoelektronik uygulamalarda ucuz ve sağlam
oldukları için giderek artan kullanıma sahiptirler [1]. Tüm bu malzemeler arasından
çinko oksit saydam iletken ince filmler sahip oldukları optik ve elektriksel özellikleriyle
beraber yüksek kimyasal ve mekanik kararlılıkları ve doğada çok miktarda ZnO
bulunması ve dolayısıyla maliyetlerinin diğer oksit filmlere göre nispeten ucuz olması
nedeniyle en öne çıkanlardan biridir.
ZnO’nun molekül ağırlığı 81,S8 gi olup yoğunluğu S,6S gi¡cm
3
olan beyaz bir
tozdur. II-VI türü bir bileşiktir. S2 bai basınç altında 197S°’de erir. Kafes
parametreleri a = S,249 Å, c = S,2uS Å olup hekzagonal wurtzite yapısına sahiptir. En
yakın komşu anyon katyon arası mesafe 1,96 Å’dur.
ZnO güneş ışığındaki ultraviyole ışınları soğurabilir. Düşük maliyetli, zehirli
olmaması, geniş bant aralığına sahip oluşu ve kolaylıkla katkılanabilmesi, elektrolitle
kontaklar dahil edildiğinde bozunma ve aşınma oluşmaması gibi sebepler dolayısıyla
günümüzde çok fazla ilgilenilen bir malzemedir. Genellikle oksitlerinin çoğu kimyasal
olarak kararlıdır ve havadaki oksijenle tepkimeye girmez [2].
ZnO geniş enerji bant aralığına (S,1 -S,S c:) sahip bir n-tipi yarı iletkendir.
Elektriksel iletkenliği temelde farklı konumlardaki Zn atomlarının fazlalığından
dolayıdır [3]. Üretilen ince filmin iletkenliği katkılandırma ve uygun koşullar altında
tavlama ile kolaylıkla kontrol edilebilir [3].

 
Katkısız ZnO, düz panel göstergeleri ve güneş pillerindeki gibi geçirgen iletken
elektrot uygulamalarının çoğu için seçilen malzemedir [4]. ZnO katmanları, çok
katmanlı bir güneş pilinin en üst katmanı olarak da kullanılabilir. Çünkü bu birçok
katmanın en üst katmanı genellikle, güneş spektrumundaki yüksek enerjili fotonları
soğurur. Her zaman daha yüksek enerji aralığı olan malzemeler, daha yüksek foto-
voltajları elde etmek için kullanışlıdır [2]. Ayrıca katkısız ve katkılı ZnO filmlerin her
ikisi de, optoelektronik gösterge aygıtlarında ve ultra-yüksek frekans elektro-akustik
dönüştürücülerde kullanılır [5].
Katkılandırma ve tavlama işlemleri ZnO’nun birçok özelliğinin gelişmesini
sağlar. Çeşitli iyonlarla ZnO filmleri katkılandırmak mümkündür. En çok p-tipi katkılı
ZnO ince filmler araştırmacıların ilgisini çekmiştir. Al, Ga, İn ve B gibi grup III
elementleriyle veya Si, Ge, Ti, Zr ve Hf gibi grup IV elementleriyle katkılandığında bu
elementler Zn atomlarıyla yer değiştirirler ve F gibi grup VII elementleriyle
katkılandığında ise bu elementler O atomlarıyla yer değiştirirler. Ayrıca Sc, Y gibi nadir
toprak elementleriyle katkılandığında bu elementler Zn atomlarıyla yer değiştirirler.
Yapıda yük fazlalığı oluşturan atomlar sebebiyle ekstrinsik donörler, daha yüksek
sıcaklıklara bağımlı olarak hatalar oluşturan intrinsik donörlere göre daha kararlıdırlar
[6].
Uygun cins ve miktarda katkıların ilavesiyle bu filmlerin elektrik iletkenliği
artmaktadır. Filmlerin hidrojen plazmasına maruz kalmaları durumunda bozunmaya
uğramaları nedeniyle, hidrojen plazmasına daha dayanıklı olan alüminyum veya benzeri
katı malzemeleriyle katkılanmış çinko oksit filmler son yıllarda tercih edilmektedir.
Güneş pillerinin temel katmalarından biri olan saydam iletken katmana olan
gereksinim nedeniyle, saydam iletken ince filmler üzerindeki çalışmalarda yoğunlaşma
başlamıştır. Saydam elektrot olarak da adlandırılan bu katmanın, güneş pillerinin verimi
üzerine en etkili parametrelerden biri olan seri direncin önemli bir kesrini oluşturması
nedeniyle iletkenliğin çok yüksek olması ve güneş spektrumunun kullanışlı bölgesinde
saydam olması gerekmektedir.
İnce filmler çoğunlukla biriktirme şeklinde elde edilirler ve yüksek teknoloji
uygulamaları sayılamayacak kadar çoktur. İnce film biriktirme teknikleri genel olarak;
buharlaştırma gibi sadece fiziksel veya gaz ve sıvı faz kimyasal işlemler gibi sadece

 
kimyasal olabildiği gibi elektriksel deşarj ve reaktif söktürme gibi hem fiziksel hem de
kimyasal işlemlerin birleşiminden oluşabilir. Katkılı ve katkısız ZnO saydam iletken
ince filmlerin biriktirilmesinde kimyasal buhar yöntemi, D.C. ve R.F. reaktif magnetron
sıçratma, püskürtme, atmalı lazer depolama, kimyasal ışın depolama, sol-gel spin-
kaplama, buharlaştırma, hidrotermal metot gibi birçok yöntem kullanılmaktadır[5].
Bahsedilen bu yöntemlerin her biri farklı parametrelere sahip olup, bu
yöntemlerden herhangi biriyle elde edilemeyen özelliklerin diğer yöntemlerden biriyle
elde edilmesi mümkündür. Bu yüzden istenilen özelliklere sahip olan saydam iletken
ince filmlerin üretimi için en önemli kademe bu özellikleri sağlayabilecek en uygun
yöntemin seçilmesidir.















 
2. ÇİNKO OKSİT’İN ÖZELLİKLERİ

Doğada zinkit minerali olarak bulunan ZnO çeşitli bilimsel alanlarda kullanılan
çok amaçlı bir malzemedir. Bu bölümde, ZnO’nun önemli bazı özellikleri kısaca ele
alınacaktır.
2.1. Kristal Yapısı
Çinko oksit normal çevre şartlarında termodinamik olarak sabit fazda
wurzite’dir. Çinko atomları sıkı paket hekzagonal yapıya yakın bir şekilde yapıda yer
almaktadırlar. Her bir oksijen atomu dört adet tetrahedral dizilimdeki çinko atomu
arasında yer almaktadır [5]. ZnO’nun wurzite kristal yapısı Şekil 2.1’de görülmektedir.

Şekil 2. 1. Çinko oksidin altıgen wurzite kafes yapısı; büyük daireler oksijen atomunu,
küçük dairelerde çinko atomunu göstermektedir [7].
2.2. Elektronik Bant Yapısı
ZnO, oksijen atmosferdeki denge reaksiyonu yüzünden sebebiyle yapıkadi
oksijen iyonlarının eksik olmas ve yapıdaki katyon fazlalğı sebebiyle stokiyometrik

 
olmayan Zn
1+x
0 şeklinde görülebilir. Denge durumunu şu şekilde gösterilmesi bir
hatadır:
Zn0 = Zn
İ
x
+ (
1
2
] )0
2
(g)
(2.1)
Zn
I
x
arayer çinko atomunu göstermektedir ve iyonize olabilir. Elektronlarını ise
aşağıdaki şekilde iletken banda bağışlayabilir:
Zn
ì
x
= Zn
ì
.
+ c
i
(2.2)
Zn
ì
.
= Zn
ì
..
+ c
i
(2.3)
Zn
ì
x
ve Zn
ì
.
’nin her ikisi de donör olarak rol oynayabilir ve böylece ZnO n-tipi
bir yarı iletkendir.
 
Şekil 2. 2. Çinko oksidin şematik elektronik seviye diyagramı [8]
Bant yapısı modelleri kullanılarak hesaplanan yasak enerji bant aralığı ~3,5 eV
olup deneysel verilerle mükemmel bir tutarlılık içerisindedir. Bu yasak enerji bant
aralığı sebebiyle ZnO ince film konumunda tüm görünür bölgede saydam
yapılabilmektedir[5]

 
3. ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN ÜRETİMİ

ZnO ince filmler genellikle cam vb. alt tabanlar üzerine ZnO’nun çeşitli
yöntemler kullanılarak biriktirilmesiyle üretilirler. ZnO ince film üretimi için yapılan ilk
araştırmalar magnetron sıçratma ve kimyasal buhar depolama gibi büyütme
teknikleridir. Sonraki çalışmalar, RF (Radio Frequency) magnetron sıçratma ve
moleküler ışın epitaksi (MBE, Molecular Beam Epitaxy)’dir. Bunların dışında atmalı-
lazer depolama (PLD, Pulsed Laser Deposition), metal organik kimyasal buhar
depolama (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapour Deposition) gibi depolama
parametreleri üzerinde iyi kontrol sağlayan büyütme teknikleri ile yüksek nitelikli ZnO
tek-kristal filmler elde edilmiştir [5].
Bu kısımda günümüzde üzerinde daha çok durulan ince film üretim teknikleri
üzerinde durulacaktır.
3.1.Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Yöntemi
Gaz faz kimyasal işlemler içerisinde Kimyasal Buhar Depolama’dan söz etmek
gerekir. Kimyasal buhar depolamanın CVD Epitaksi, Atmosfer Basınçlı CVD, Düşük
Basınçlı CVD (LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition), Metalorganic
CVD (MOCVD), IşıkYardımlı CVD(PHCVD), Lazerle İndüklenen CVD(PCVD),
Elektron Yardımlı CVD olmak üzere pek çok türü vardır [5].
CVD reaksiyona girecek elementlerin buhar fazda katı film oluşturmak üzere
etkileştiği malzeme üretim yöntemidir. Yüksek saflıktaki sıvı kaynaktan buhar elde
edilebilir. Gaz ve katı fazda, reaksiyona girecek elementlerin kısmi basınçları, toplam
enerjileri, sıcaklık değerleri iyi bilinmelidir. Düşük sıcaklık değerlerinde büyümeyi
yüzey soğurması belirler. Yüksek sıcaklık değerlerinde ise büyüme oranını yüzeye
doğru olan difüzyon ve/veya yüzeyden dışarı doğru olan difüzyon belirler. CVD deki
işlem parametreleri arasında akış hızı, sıcaklık, sıcaklığın sistemdeki dağılımları, reaktör
geometrisi, gaz ve buhar özellikleri bulunmaktadır [6].
Aoki ve çalışma arkadaşları safir tabanlar üzerine tek kristal ZnO filmler
biriktirmişlerdir. Kullanılan biriktirme reaksiyonları [9]:

 
3ZnO +2NH
3
-3Zn
(g)
+ N
2
+ 3H
2
O (kaynakta)
Zn
(g)
+ 2H
2
O -ZnO + H
2
(tabanda)
Konvansiyonel CVD sistemlerinde hidrojen, normal şartlarda ZnO kaynağı için
indirgeyici gaz olarak kullanılmaktadır. Ancak Aoki ve çalışma arkadaşları biriktirme
hızını düşürmek ve film kalitesini arttırmak için NH
3
gazı kullanmışlardır. Kullanılan
CVD sisteminin şematik bir görüntüsü Şekil 3.1 de verilmiştir. Bu sistem için optimum
kaplama parametreleri: Katot sıcaklığı 870–880°C, taban malzemesi sıcaklığı 730–
740°C, NH
3
debisi 0,61 dk
-1
, hedef-katot arası mesafe 20–30 cm olarak belirlenmiştir.
Plazma destekli metal-organik CVD sistemi ile ise 150–350°C gibi düşük sıcaklıklarda
da yüksek yönlenmeli ZnO filmlerin üretildiği rapor edilmiştir. Bu sistemde dietil
çinkonun yanına O
2
gazı da ilave edilerek çalışılması uygun görülen parametreler
arasındadır. Bu teknikle safir taban üzerine eş eksenli, cam taban üzerine de c ekseni
yönlenmeli filmler biriktirilmiştir. Ancak cam üzerine biriktirilen filmlerin yapışma
özelliklerinin nazaran zayıf olduğu tespit edilmiştir [9].

Şekil 3.1. CVD cihazının şematik gösterimi [9]
Yakın zamanda ilave yapılmış ZnO saydam iletken ince filmlerin üretiminde
CVD tekniği kullanılmaya başlamıştır ve bu yöntemle bu yöntemle 3 × 1û
-3
Ω.cm

 
direnç ve yaklaşık %85 geçirgenliğe sahip Al ile katkılanmış ZnO ince filmler
üretilmiştir [9].
3.2.Sprey Piroliz (Sprey Pyrolisis) Tekniği
Sprey piroliz metodu ile ZnO saydam iletken ince filmlerin üretiminde
genellikle sprey solüsyonu olarak çinko asetat sulu çözeltisi kullanılır. Bu öncül düşük
sıcaklıktaki yüksek buhar basıncı sebebiyle seçilir. Birkaç damla asetik asit ilavesi
çinko oksit çökelmesini önler ve böylece sprey solüsyonu temiz kalır. Bu da daha
kaliteli optik geçirgen filmlerin üretimine yardım eder. Genel olarak elde edilen
sonuçlara göre taban malzeme sıcaklığı 350–550°C arasında değişse de en düşük direnç
değerleri 400°C’de gözlenmiştir [9].
Şekil 3.2’de tipik bir sprey piroliz sistemi görülmektedir.

Şekil 3.2. Sprey piroliz sistemi [7]
Tomar ve Garcia tavlanmış taban malzemeleri üzerine 15 cm
3
dk ⁄ debiyle su
alkol karışımından oluşan çinko asetat çözeltisi ve taşıyıcı gaz olarak 101 dk
-1
debili
kuru hava kullanarak ve işlem süresince solüsyon sıcaklığını 80°C’de tutarak ZnO ince
film üretmişlerdir. Ürettikleri filmin ilk etapta yüksek dirençli olduğunu
gözlemlemişlerdir. Daha sonrasında 350°C’de N
2
atmosferde 45 dk süreyle tavlama
sonucu üretilen ince filmin direncinde düşüş gözlemlemişlerdir ve en düşük direnç
değeri için optimum taban malzemesi sıcaklığını 400°C olarak tespit etmişlerdir [9].

 
Aranovich 0,1 mol ZnCl
2
+H
2
O
2
ve 0,1 mol çinko asetat sulu çözeltisi
kullanılarak ZnO ince filmler üretmiştir. Bu işlem sırasında solüsyonun ve havanın
akısını sırasıyla 1,8–3,5 cm
3
dk ⁄ ve 8,6–10,61cm
3
dk ⁄ arasında değiştirmiştir. Taban
malzemesi sıcaklığının ve hava akısının kristal doğasını ve filmlerin klor içeriğini
önemli ölçüde etkilediğini gözlemlemiştir [9].

Şekil 3.3. ZnO filmler içindeki klor konsantrasyonu ile sıcaklık ve hava akışının ilişkisi
(F
A
’nın birimi dh
-1
’dir.) [9]
Şekil 3.3’den ZnO filmlerin klor bileşiminin değişen hava akısı için sıcaklığın
bir fonksiyonu olduğu görülmektedir. Bu şekilden taban malzemesi sıcaklığındaki ve
hava debisindeki artışla filmdeki klor içeriğinin azalacağı görülmektedir [9].
X-ışınları difraksiyonu çalışmaları 300°C’nin altındaki sıcaklıklarda (101) ve
(100) yönlenmelerinin etkin olduğunu göstermiştir. Bunun yanı sıra 300°C de (002)
yönlenmesi dominant yönlenme olarak hızla artmaya başlamakta, diğer piklerin
şiddetleri ise hızla düşmektedir. Bu değişim Şekil 3.4’de açıkça görülmektedir [9].

10 
 

Şekil 3.4. Sprey piroliz yöntemiyle biriktirilmiş ZnO filmlerde (100), ; (101), •; (002),
+ ; piklerinin bağıl şiddetleri ile sıcaklığın değişimi [10]
Film morfolojisi taban malzemesi sıcaklığı ve film kalınlığıyla yakın ilişki
içerisindedir. Genellikle homojen, kristalin yapıya sahip filmler 400–450°C aralığındaki
sıcaklıklarda elde edilebilmektedirler. Düşük sıcaklıklarda ise kristal boyutları ve
şekilleri üniform değildir. Stokiyometrik olmayan ZnO filmler iyi elektriksel ve optik
özelliklere sahip olmalarına rağmen, kalınlıklarından bağımsız olarak yüksek
sıcaklıklarda kararsız bir yapıya sahiptirler. 400 Å’nın altında kalınlığa sahip filmler oda
sıcaklığında dahi kararsızdırlar. Bazı durumlarda film alanlarının %25’ni kaplayan bu
daha ince filmler saydam alanların geliştirilmesi için uygundurlar. Saydığımız bu
birtakım sebeplerden dolayı katkılama yapılmamış bu ZnO filmler pratik uygulamalar
için elverişli değildirler [9].
ZnO ince filmlere katkılama yapılması sadece üretilen filmlerin elektriksel ve
optik özelliklerini geliştirmekle kalmaz aynı zamanda son derece kararlı hale
gelmelerini de sağlar. Al ilavesi yapılmış ince filmler ilk etapta son derece yüksek
dirence sahiptirler. Fakat bu filmlerin 400°C’de hidrojen atmosferde tavlanmasıyla
optik özelliklerinde bir değişim meydana getirmeden direnci önemli bir oranda
azaltılabilir. Optimum koşullar altında üretilmiş bu katkılanmış filmler (Al veya İn)
yaklaşık 10
-3
Ω.cm dirence ve %85 geçirgenliğe sahiptirler [9].


11 
 
3.3. Sıçratma (Sputtering)
Sıçratma prosesi özetle, bir hedef malzemenin yüzey atomlarının iyonize olmuş
gaz atomları (genellikle asal gaz) tarafından kaldırılarak, sıçratılması ve sıçratılan
atomların istenilen taban malzemesi yüzeyine taşınması ve yüzeyde birikmesi esasına
dayanmaktadır [9].
Sıçratma tekniğinde kullanılan mekanizmasının gözlenmesi çok eskilere
dayanmaktadır. 1852 yılında Grove ve birkaç yıl sonra Plucker bir deşarj tüpünün
çalışması sırasında elektrotları oluşturan malzemenin, yavaşça tüpün duvarlarında
birikmeye başladığını tespit etmişlerdir. Günümüzde artık bu elektrotların, tüpün
çalışması esnasında sürekli olarak iyonlar tarafından bombardıman edilmekte olduğu ve
birikme işleminin bu sebepten meydana geldiği bilinmektedir [10].
Sıçratma tekniğinde kullanılan hedefler uygulamaya göre, su soğutmalı katot-
taşıyıcılar üzerine yapıştırılmış veya vidalanmış olabilirler ve plazmanın yoğunluğunu
arttırmak amacıyla da yüksek manyetik alana sahip olmaları sağlanabilmektedir.
Bunlara ek olarak harici bir elektron vericisi düşük basınçlarda plazma oluşumuna
destek olmaktadır. Ayrı bir iyon kaynağı, biriktirme işleminden önce taban
malzemesinin temizlenmesini sağlarken biriktirme işlemi sırasında da bombardımanı
gerçekleştirebilmektedir. Taban malzemeler de uygulamaya yönelik olarak, soğutulmuş,
ısıtılmış, polarize edilmiş veya mobil olabilmektedirler [10].
Bu teknik pek çok kişi tarafından akustik dalga dönüştürücüleri için yüksek
dirence sahip ZnO filmlerim üretiminde kullanılmıştır. Fakat sıçratma (sputtering)
tekniği aynı zamanda saydam iletken uygulamalar için gerekli düşük dirençli ZnO film
stokiyometrisinin ya da ZnO’e Al, İn ya da Sn ilavesiyle üretimi içinde kullanılmaktadır
[9].
Stokiyometrik olmayan ZnO filmler oksijen-argon bulunan atmosferde yer alan
bir metalik çinko hedef ya da hidrojen-argon atmosferindeki bir oksit hedef kullanılarak
hazırlanabilir. Genel olarak bu yöntemle üretilen filmlerin büyüme hızının ve yapısal
özelliklerinin gaz fazı karışımı, plazma koşulları, kaplama sıcaklıkları ve kaplama
geometrisi gibi çeşitli işlem koşullarında güçlü bir şekilde etkilenir. Genelde taban
malzemesinin sıcaklığının artmasıyla kristalleşme artmaktadır. Ayrıca hedef ve taban
12 
 
malzemesi arasındaki mesafe çinko atomlarının serbest yolundan daha az ise daha iyi
özelliklere sahip filmler elde edilebilir. Çinko hedef kullanılarak sıçratma tekniğiyle
ZnO filmler üretmek için tipik sıçratma tekniği şunlardır: Sıçrama gücü, 100W; toplam
basınç, 10
-5
Torr; oksijen konsantrasyonu, hacimce %0–29,4; taban malzemesi sıcaklığı
300K’den 600K’e kadar [9].
Şekil 3.5 ve Şekil 3.6 iki farklı sıcaklıktaki taban malzemesi için farklı oksijen
konsantrasyonlarında çinko hedef kullanılarak ve sıçratma tekniğiyle hazırlanmış ZnO
filmlere ait XRD paternlerini göstermektedir. Bu şekillerden oda sıcaklığında üretilen
filmlerin fazının ve kompozisyonunun oksijen içerine bağlı olduğu görülmektedir.
Oksijen olmadığında filmler doğadaki metal gibidirler. Oysa oksijen konsantrasyonu
%1 olduğunda filmler Zn ve ZnO piklerinin her ikinse de sahiptir. Fakat tek fazlı ZnO
filmler sadece oksijen konsantrasyonu %2 olduğu zaman oda sıcaklığında
hazırlanabilirler. Tipik olarak 573 K’de %1 oksijen kristalin ZnO filmler üretmek için
yeterlidir. Daha fazla oksijen ilavesi kristalleşmede ve tane boyutunda önemli bir artış
sağlar [9].

Şekil 3.5. (a) %0, (b) %1 ve (c) %2 oksijen konsantrasyonlarında, oda sıcaklığında
büyütülmüş ZnO filmlere ait XRD paternleri [9]
13 
 
   

Şekil 3.6. (a) %1 ve (b) %2 oksijen konsantrasyonlarında, 573 K sıcaklığında
büyütülmüş ZnO filmlere ait XRD paternleri [9]

Şekil 3.7. Sıçratma tekniğiyle biriktirilen ZnO filmlerde büyüme hızının oksijen
konsantrasyonuna göre değişimi [9]
14 
 
Şekil 3.7’den farklı kaplama sıcaklıklarında oksijen konsantrasyonu ile büyüme
hızının değişimi görülmektedir. Büyüme hızı ilk başta oksijen konsantrasyonundaki
artışla artar, daha sonrasında ise oksijen konsantrasyonundan bağımsız olarak bir
platoya ulaşır. Daha yüksek oksijen konsantrasyonlarında ise büyüme hızı sert bir
biçimde düşer. Bu olgu reaktif sıçratma tekniğinin önemli bir özelliğidir. Büyüme hızı
metalik hedefteki (bu durumda çinko) sıçratma hızı, taban malzemesine ulaşan metal
atomlarının oranı tarafından kontrol edilir. Büyüme hızındaki plato taban malzemesi
üstündeki bir oksijen çokluğundan dolayı taban malzemesine ulaşan bütün metal
atomlarının oksitlenmesinden kaynaklanabilir. Büyüme hızındaki azalma metal
hedefteki oksidasyon hızının sıçratma hızından çok daha büyük olmasından
kaynaklanır. Bu çinko oksit hedef kullanılarak elde edilen değerlerle çinko hedef
kullanılarak elde edilen değerlerin karşılaştırılmasıyla daha çok desteklenir. Şekil
3.8’den düşük oksijen konsantrasyon bölgesinde taban malzemesinin sıcaklığının
artmasıyla büyüme hızının düştüğü de anlaşılır. Bu da oldukça yüksek olan ve artan
sıcaklıkla hızlıca artan çinkonun buhar basıncı sonucunda çinko atomlarının
oksitlenmeden taban malzemesinden buharlaşmasının sonucudur [9].

Şekil 3.8. Biriktirme hızının taban malzeme sıcaklığına göre değişimi [10]
 Taban malzeme sıcaklığının artmasıyla büyüme hızındaki düşüş benzer bir
şekilde çeşitli araştırmacılar tarafından da gözlenmiştir. Bu sonuçlar Şekil 3.8’da
verilmektedir. Tipik olarak, biriktirme hızının, taban malzeme sıcaklığının 50°C ile
15 
 
300°C arasındaki değişimleri için, 38 Å⁄dk’dan 30 Å⁄dk’ya değiştiğini söylemek
mümkündür [10].
Argon-oksijen atmosferde ZnO+Zn hedeften ya da hidrojen-oksijen karışımı
kullanarak ZnO hedefte geçirgen iletken ZnO filmlerin üretiminde sıçratma metodu
yaygın olarak kullanılmaktadır.[5] Barnes ve arkadaşları sıcak preslenmiş ZnO
tozlarından elde ettikleri hedef malzeme ile ZnO filmler biriktirmişlerdir.
Gerçekleştirilen çalışmada sıcaklı 500°C’de tutulmuştur. Filmlerin büyüme hızları
oksijen konsantrasyonuna ve uygulanan RF gücüne bağlıdır. Şekil 3.9 uygulanan RF
gücüne göre film büyüme hızlarını göstermektedir [10].


Şekil 3.9. Katkılama yapılmamış ZnO filmlerde biriktirme hızının uygulanan RF
gücüne bağlı değişimi [9]
DC sıçratma ya da magnetron sıçratma tekniklerinden her ikisini de kullanarak
düşük sıcaklıklarda düşük dirençli ZnO filmlerin üretimi mümkündür. Taban
malzemesine uygulanan bias voltajın büyüklüğünün değiştirilmesinden dolayı ZnO
filmlerin direnci düşürülebilir [10].
16 
 
Caporaletti taban malzemesi potansiyeli yaklaşık olarak 200V’da ve %5
hidrojen-argon içeren plazmada ZnO hedef kullanılarak yaklaşık olarak 10
-2
Ω.cm
dirençte ve yaklaşık %80 geçirgenlikte filmler üretmiştir [9].
Katkılama yapılmamış ZnO filmler yüksek sıcaklıklarda kararsız oldukları için
pratik uygulamalar için kullanılışlı değildirler. ZnO filmlere katkı yapılması onları
saydam iletken ince film uygulamaları için uygun bir alternatif yapmaktadır. Katkı
yapmak amacıyla çinko oksit tozu içine İn, Al, Ga, Sn v.b. gibi farklı metallerin
oksitleri ilave edilir ve bu toz karışımından hedef hazırlanır. İyi kalitede bir film elde
etmek için ilave madde konsantrasyonu ağırlıkça %2–10 arasında değişir. Yüksek
oranda geçirgen (>%80) ve düşük dirençli (~1u
-4
Ω.cm) filmler bu teknik kullanarak
hazırlanabilir [9].
3.4.Atmalı Lazer Depolama (PLD)
Atmalı-lazer depolama (PLD) metodunda yüksek güçlü lazer atmaları
malzemenin stokiyometrisinin etkileşimde korunduğu bir hedef yüzeyden malzemeyi
buharlaştırmak için kullanılır. Sonuç olarak, parçacıkların süpersonik jeti (plume) hedef
yüzeye normal olarak yönlendirilir. Jet farklı parçacıkların hız dağılımına güçlü bir
şekilde ileri yönlenmesiyle hedeften atılır. Çıkarılan örnekler hedefe zıt yerleşen alt
tabana yoğunlaşır. Tipik bir PLD sisteminin şematik diyagramı Şekil 3.10’da
gösterilmiştir [5].

Şekil 3.10. Atmalı lazer depolama sisteminin şematik gösterimi [5]

17 
 
Atmalı lazer depolama tekniğinin avantajları [5]:
• Düşük alt taban sıcaklığında yüksek nitelikli film büyümesine izin verir.
• Yüksek enerji kaynaklı parçacıklar yaratır.
• Deney düzeneği basittir.
• 10
-5
-10
-1
Torr aralığındaki basınçlarda yüksek ambient gaz basınçlarında
çalışılır.

3.5.Moleküler Işın Epitaksiyel Yöntemi (Molecular-Beam Epitaxy-MBE)
Epitaksiyel büyütme yöntemlerinden MBE diğer yöntemlere göre daha
baskındır. Çünkü istenilen aygıt yapıları en iyi şekilde elde edilebilmektedir ve bir
atomik tabaka (monolayer) geçiş değişimi oldukça keskindir. MBE ile elektronik
aygıtlarının üretimi, küçük olmaları nedeniyle ve ara yüzey kontrolünü başarılı bir
şekilde sağlayabilmelerinden dolayı özellikle tercih edilmektedir. Bu yöntem, süper
örgüler için istenilen düzgünlükte, kafes uyumunda, katkı yoğunluklarında ve kalınlıkta
üretim sağlar ki bunların optik ve elektriksel özellikleri mükemmeldir. Dezavantajları
ise sınırlı sayıda uygulaması vardır, pahalı deney sistemine sahiptir ve üretim işlemi
oldukça karmaşıktır [5].
MBE işleminde kristal, katman atomların veya moleküllerin termal demetinden
elde edilir. Depolama oldukça düşük basınç (1u
-8
Pa) altında oluşur. Alt taban sıcaklığı
ise 400- 900 °C arasında değişir. Depolama oranı düşüktür. Ve plazma yardımlı CVD,
MBE’nin birçok özelliğini taşımaktadır ve üretim hızı da oldukça yüksektir [5].
3.6.Teknik Karşılaştırma
Tablo 3.1 bize farklı tekniklerle hazırlanmış ZnO filmlerin özdirenç, geçirgenlik
ve büyüme parametreleri gibi değerleri verir. İlave yapılmamış ZnO filmler üretim
yönteminden bağımsız olarak her zaman kararsızdır [4]. Bu tablodan sıçratma tekniği ile
hazırlanan Al ile katkılanmış ZnO filmlerin en iyi özelliklere sahip olduğu ve
katkılannmış SnO
2
ve ITO filmlere bir alternatif olabileceği görülmektedir.


18 
 

Tablo 3. 1. Farklı teknikler kullanılarak üretilmiş ZnO filmlerin özellikleri [9]
Yöntem
Taban sıcaklığı
(°)
Oluşma hızı
(Å/dk)
Özdirenç
(Ω.cm)
Geçirgenlik
(%)
Açıklamalar
ZnO
Püskürme
yöntemi
400 — 1u
-2
70 N
2
’de tavlama
Reaksiyonla
Buharlaştırma
150-200 — 1,S × 1u
-3
89 —
Sıçratma 200-250 — ~1u
-2
>80 0
2
=%1-2
Sıçratma 125 — 2 × 1u
-3
90 Hidrojende sıçratma
Bias sıçratma Oda sıcaklığı — 7 × 1u
-3
80 Plazma %5E
2
Ar ⁄
ZnO: In
Püskürtme 375 — ~1u
-3
85 —
Sıçratma Oda sıcaklığı 90-120 S,72 × 1u
-3
>80 Ar %S0
2
⁄ ; E
2
’de tavlama
Magnetron
sıçratma
— 72-120 4,4 × 1u
-2
>80
0
2
=%5; Ar=%95,
Hidrojende tavlama
ZnO: Al
CVD 367-444 — S × 1u
-4
85 —
Püskürtme 500 — 2 × 1u
-2
>80 —
Püskürtme 300-500 — 1u
-3
85 E
2
’de tavlama
Sıçratma — — 1u
-4
85 —
Sıçratma 200 7-274
1,4 - S
× 1u
-4

90 Ar
Sıçratma Oda sıcaklığı 90-120 9,12 × 1u
-3
90 Ar %S0
2
⁄ E
2
’de tavlama
Magnetron
sıçratma
>250 — 2,7 × 1u
-4
85
Dış manyetik alan
kullanarak plazma
kontrollü
Magnetron
sıçratma
<100 72 S × 1u
-4
~85 0
2
Ar ⁄
ZnO: Ga
Sıçratma — — 1u
-3
85 Ar; ağırlıkça %5 ua
2
0
3



19 
 

Tablo 3. 2. Değişik yöntemlerin karşılaştırılması (ZnO için) [7]
Yöntem
Taban
sıcaklığı
Oluşma
hızı
Uniformluk Tekrarlanabilirliği Maliyeti
Elektrik
iletkenliği
Geçirgenlik
CVD Yüksek Yüksek Yüksek Yüksek Orta
Orta-
mükemmel
Orta-
mükemmel
Püskürtme
Yöntemi
Yüksek Yüksek Orta üstü Orta Düşük
Orta-
mükemmel
Orta-
mükemmel
Sıçratma
tekniği
Düşük Düşük Mükemmel Mükemmel Yüksek Mükemmel Mükemmel














20 
 
4. ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLER ÜZERİNE YAPILAN
ÇALIŞMALAR

Bu bölümde geçmişten günümüze kadar yapılmış olan bazı çalışmaları ve bu
çalışmalar sonucu elde edilen verileri ele alacağız.
Ar-0
2
gaz karışımının kontrollü kullanımıyla, geleneksel diyot ve magnetron
olmak üzere iki ayrı sistemle ZnO ince filmler DC reaktif sıçratma yöntemiyle elde
edilmiştir. Alt tabanın yerleştirilme konumuna göre iki tür depolama şekli (paralel ve
dikey konum olmak üzere) kullanılarak incelemeler yapılmıştır. Geleneksel diyot
sisteminde alt taban paralel konumdayken; film yapısının gaz karışımındaki oksijen
miktarına bağlı olduğu görülmüştür. En baskın (002) yansıması ile (011) ve (010)
yansımaları gözlenmiş, oksijen miktarının artmasıyla rastgele yönelimli filmler elde
edilmiştir. Dikey konumdayken, alt taban şiddetli boşalma bölgesinin dışına
yerleştirildiğinde, oksijen miktarının herhangi bir değeri için kırınım örneğinde sadece
(002) yansımaları sergileyen yüksek yönelimli filmler elde edilmiştir. Magnetron
söktürme sisteminde; düşük basınçlarda (0,4 Pa), enerjik oksijen bombardımanının yol
açtığı, yüksek baskıcı gerilime sahip filmler elde edilirken, yüksek basınçlara
çıkıldığında (4-7 Pa) bu yan etkiler ortadan kaldırılmıştır. Ayrıca depolama sonrası
tavlamayla da gerilim ortadan kalkmış ve daha yüksek kaliteli filmler elde edilmiştir
[11].
ZnO ince filmleri RF sıçratma yöntemiyle cam, alüminyum (Al), altın (Au) ve R
kesim (R-cut) safir alt tabanlar üzerine depolanmıştır. Zn0 ve alt taban ara yüzeyi
arasındaki mikro yapılar geçirimli elektron mikroskobu (TEM, Transmission Electron
Microscope) ile incelenmiştir. Zn0¡cam ara yüzeyinde amorf bir tabaka ve Zn0¡Al ara
yüzeyinde ise daha kalın bir amorf tabaka gözlenmiştir. Zn0¡Au ve Zn0¡safir ara
yüzeyleri arasında ise herhangi bir amorf tabaka gözlenmemiş, her iki ara yüzeyde de
direk Zn0 ince film yöneliminin başladığı gözlenmiştir. Bu sonuçlar açıkça Zn0 ince
filmlerin alt tabanın yüzey morfolojisinden ve yüzey kristalliğinden oldukça
etkilendiğini kanıtlamaktadır [12].
21 
 
RF sıçratma yöntemiyle Zn0 ince filmler Al, Au, Ni, Cu ve cam alt tabanlar
üzerine büyütülmüştür. Zn0 ince filmlerin kristalliği x-ışın kırınımı (XRD, X-ray
diffraction) ve yansımalı yüksek enerjili elektron kırınımı yöntemi (RHEED, Reflection
High Energy Electron Diffraction) sonuçlarından incelenmiştir. Zn0 ve alt taban ara
yüzeyleri arası geçirimli elektron mikroskobu (TEM, Transmission Electron
Microscope) ile gözlenmiştir. Alt taban türüne bağlı olarak cam, Au ve Al üzerine
depolanan filmler iyi c eksen yönelimi gösterirken, Ni ve Cu üzerine depolanan
filmlerin yönelimlerinin düzensiz olduğu gözlenmiştir. Alt taban yüzey morfolojisi ve
Zn0 kristalliği arasındaki ilişki göz önüne alındığında, eğer alt taban yüzeyi sert ise
Zn0 ince filmlerin yöneliminin düzensiz olduğu görülmüştür. Au alt taban üzerine
büyütülen Zn0’nun en iyi kristal özelliği gösterdiği bulunmuştur [13].
Zn0 filmler cam alt tabanlar üzerine DC reaktif magnetron sıçratma tekniğiyle
metalik çinko hedeften bir argon ve oksijen atmosferinde hazırlanmıştır. Değişen
basınçların yapısal, elektriksel ve optiksel özellikler üzerine etkisi araştırılmıştır. X-ışın
kırınımı (XRD, X-Ray Diffraction) çalışmaları filmlerin alt taban yüzeyine dik (002)
yönelimli polikristal yapı sergilediğini göstermiştir. Tanecik boyutunun ise artan
basınçla 2S nm’ den SS nm’ ye arttığı gözlenmiştir. Elektriksel direnç S x 1u
-2
mbai
ile 6 x 1u
-2
mbai arasında artan basınçla S2 x 1u
-2
W. cm’ den 6,9 x 1u
-2
W. cm’ ye
düşerken 1u x 1u
-2
mbai basınçta 1 W. cm’ ye çıkmıştır. Yine Sx1u
-2
mbai
ile 6 x 1u
-2
mbai arası basınçlarda, optik geçirgenlik % 8u’den % 8S’e çıkmış daha
sonra artan basınçta 1u x 1u
-2
mbai’ da optik geçirgenlik % 7S değerine düşmüştür.
Optik bant aralığı ise artan basınçla S,24 ev’ dan S,S2 ev değerine artış göstermiştir.
Artan basınçla bant aralığının genişlemesinin taşıyıcı yoğunluğunun artışıyla alakalı
olduğu düşünülmüştür. Ayrıca böyle bir genişleme stokiyometrik olmayan filmlerin
göstergesi olarak düşünülmüştür. Sonuç olarak elde edilen en iyi filmlerin
6 x 1u
-2
mbai basınçta 2,6 x 1u
-2
W. cm gibi düşük bir direnç, % 8S’ lük bir optik
geçirgenlik ve S,28 ev’ luk bir bant aralığına sahip oldukları bulunmuştur [14].
ZnO filmler farklı büyütme koşullarında GaAs tabanlar üzerinde atmalı lazer
depolama (PLD) tekniği ile sentezlenmiştir. Ortam gazı olarak yüksek saflıktaki,
%99,999 oksijen kullanılmıştır. ZnO filmlerin büyütülmesi için ortamdaki oksijen gaz
basıncı 20’den 50 mTorr’a ve sıcaklıkta 300’den 450°’ye değiştirilmiştir. Elde edilen
22 
 
ZnO filmler 3,37 ve 3,35 eV aralığında çok güçlü bağıl eksiton pikleri göstermiştir.
Bağıl eksiton pikin yarı maksimumdaki t
m
genişliği 5 meV’tan azdır. Bu sonuçlar GaAs
tabanlar üzerinde üretilen ZnO filmlerin optik devreler için LED olarak
kullanılabileceğini göstermektedir. Ayrıca GaAs tabanlar üzerinde yapılandırılmış ZnO
filmlerin diğer belirgin özellikleri de açıklanmıştır [15].
(uuu1) ve (112u) yönelimli safir alt tabanlar üzerine, Radyo Frekans
magnetron sıçratma yöntemiyle depolanan Zn0 filmlerin yapısal özellikleri üzerine, alt
taban sıcaklığı, Ar gaz basıncı ve uygulanan RF gücü gibi depolama şartlarının etkisi
araştırılmıştır. X-ışın kırınımı (XRD, X-ray diffraction) ve yansımalı yüksek enerjili
elektron kırınımı yöntemi (RHEED, Reflection High Energy Electron Diffraction)
ölçümlerinden (112u) yönelimli safir alt taban üzerine depolanan filmlerin depolama
koşullarından bağımsız olarak mozaik yapılı (0001) yönelimli hetero epitaksiyel filmler
olduğu, fakat mozaik yapının c eksen tabakasının alt taban sıcaklığı ve/veya film
kalınlığıyla geliştiği gözlenmiştir. Yine bu ölçümler sonucunda (uuu1) yönelimli safir
üzerine depolanan filmlerin çoğunun (uuu1) yönelimi içeren fiber kristali yapısında
olduğu ve a eksen tabakasının depolama koşullarına bağlı olarak değiştiği gözlenmiştir
[16].
Polikristal katkısız ZnO ince filmlerin ozon duyarlılığı, değişen parametrelerle,
sprey piroliz, DC ve RF sıçratma teknikleri kullanılarak üretilmiştir. Ozon duyarlılığı
ölçümleri; tersine çevrilebilir bir süreçte, öncelikle elde edilen filmlerin foto azalım için,
sabit bir iletkenlik değeri elde edilene dek vakumda UV (ultraviyole) ışığına
tutulmasıyla ve ardından oksidasyon işlemine geçilerek yapılmıştır. Foto azalım ve
oksidasyonun filmlerin elektriksel iletkenliğine etkisi çalışılmış ve ozon duyarlılığı
hesaplanmıştır. Filmlerin x-ışın kırınımı (XRD, X-ray diffraction) ve atomik kuvvet
mikroskobu (AFM, Atomic Force Microscope) analizleri tüm filmlerin mikro kristal
yapıya sahip olduğunu göstermiştir. Film yapısının, büyütme tekniği ve kullanılan
parametrelerle oldukça ilgili olduğu gözlenmiş, en iyi sonuçlara yüksek toplam basınçta
depolanan RF sıçratılan filmlerle ulaşılmıştır. Elde edilen en iyi filmlerin ozon
duyarlılığı 1,2 x 10
8
olarak bulunmuştur [17].
Tabaka kalınlığı 50 ile 500 Å arasında değişen bir dizi ZnO film c yönelimli safir
tabanlar üzerine RF sıçratma tekniği kullanılarak biriktirilmiştir. Arayüzey morfolojisini
23 
 
araştırmak için Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) kullanılmıştır. ZnO filmlerin
kristalliği çift kristalli x-ışını difraktometresi (DCXRD) kullanılarak incelenmiştir.
Ayrıca elde edilen ZnO filmlerin optik özellikleri de düşük sıcaklık (LT)
fotolüminesans (PL) kullanılarak açıklanmıştır. Biriktirilen bu tampon tabaka
kalınlığının üretilen filmlerin yüzey morfolojisi, yapısal ve optik özellikleri üzerine
etkili olduğu bulunmuştur. ZnO filmler 100Å kalınlığında biriktirildiği takdirde bu
düzgün yüzeyli tampon tabaka çok iyi yapısal ve optiksel özellikler göstermektedir [18].
Elektron demeti ile buharlaştırma yöntemi kullanılarak safir alt taban üzerine
biriktirilmiş olan c yönelimli ZnO ince filmler tavlanmıştır. Tavlama işleminin
sonucunda filmlerin elektrik ve optik özelliklerinin nasıl değiştiği incelenmiştir.
Katkılanmamış ve hava ortamında tavlanmış ZnO’nun görünür bölgede renksiz ve
şeffaf olduğu, ayrıca yine bu bölgede keskin ultraviyole (mor ötesi) soğurma şiddetine
sahip olduğu görülmüştür. Tavlanan filmlerin yasak enerji bant aralığının tavlama
sıcaklığına bağlı olarak 3,27 ile 3,30 eV aralığında değiştiği gözlenmiştir. Elde edilen
sonuçların geçirgenlik spektroskopisinin verileriyle uyumlu olduğu görülmüştür [19].
ZnO ince filmler SiO
2
alt tabanı üzerine RF magnetron sıçratma yöntemiyle
depolanmış ve tavlama sıcaklığının yapı kalitesine etkisi araştırılmıştır. X-ışın kırınımı
(XRD) sonuçlarından baskın (002) piki yanı sıra (100) ve (110) pikleri de gözlenmiş ve
artan tavlama sıcaklığıyla (002) kırınım pikinin ve c eksen yöneliminin artış gösterdiği
gözlenmiştir. Yarı maksimumdaki genişliğinin artan tavlama sıcaklığıyla azaldığı, buna
bağlı olarak da tanecik boyutunun arttığı gözlenmiştir. Ayrıca yapılan taramalı elektron
mikroskobu (SEM) analizleri de bu x-ışın kırınımı (XRD) sonuçlarını doğrulamıştır
[20].
300– 800 nm arası kalınlıklarda depolanan ZnO filmlerin 373 - 673 K arasında
değişen tavlama sıcaklıklarında optik ve yapısal özellikleri çalışılmıştır. Alınan x-ışın
kırınımı (XRD, X-ray diffraction) sonuçlarından sadece 2q = 34,4° açı değerinde (002)
piki gözlenmiştir. Depolama sonrası artan tavlama sıcaklıklarıyla da (002) pikinin
keskinleştiği görülmüştür. Bu da kristal boyutunun artmasıyla bağlantılıdır. Elde edilen
tüm filmler 400– 1100 nm dalga boyu aralığında ortalama %90 geçirgenlikle, yaklaşık
380 nm’ de soğurma sınırına sahip olarak gözlenmiştir. Filmlerin kırılma indisi ve
soğurma katsayısı artan tavlama sıcaklığıyla artarken, artan film kalınlığıyla azalmıştır.
24 
 
Optik bant aralığı E
g
ise artan tavlama sıcaklığıyla artarken, artan film kalınlığıyla
azalmıştır [21].
Oda sıcaklığında FCVA ile depolanan ZnO ince filmlerin uygulanabilirliğini
kanıtlamak amaçlanmış ve oksijen basıncının, yapısal, optiksel ve elektriksel özellikler
üzerine etkisi sistematik bir şekilde araştırılmıştır. Sonuçlar yüksek geçirgenlikli
(> % 9u), düşük dirençli ( 4,1 x 10
-3
Ω. cm ), 5 x 10
-4
- 1 x 10
-3
Torr basınç
aralığında yüksek c eksen yönelimli filmler elde edildiğini göstermiştir. Yüksek taşıyıcı
konsantrasyonu olarak Zn safsızlıkları gösterilmiştir. Yüksek iyon enerjisi ve düşük alt
taban sıcaklıklarında Zn safsızlıklarının oluşma olasılığı artmıştır. Yüksek enerji
iyonları, film yüzeyi üzerinde büyüme çeşitlerinin gelişmesine ve ZnO filmlerin
depolanmasına öncülük etmiştir. Oksijen basıncının artmasıyla çeşitlerin enerjileri
oldukça düşmüş, dolayısıyla düşük sıcaklıkta yüksek kaliteli filmler sadece yakın bir
oksijen basınç aralığında ( 3,5 x 10
-4
- 1 x 10
-3
Torr) FCVA sisteminde
üretilebilmiştir. [22].
Polikristal ZnO ince filmler oda sıcaklığında cam alt tabanlar üzerine filtreli
vakum ark depolama yöntemi (FVAD) ile depolanmıştır. Elektriksel, optiksel ve yapısal
özellikler, oksijen basıncının 0,26 – 0,73 Pa aralığında değişen değerlerinin ve ark
akımının 100 – 300 A arası değişen değerlerinin bir fonksiyonu olarak
araştırılmıştır. 100– 400 nm aralığında film kalınlıklarının ark akımına çizgisel bağımlı
olduğu görülmüştür. O¡Zn = 0,75 konsantrasyon oranıyla, oksijen taban basıncına
sadece zayıf bir şekilde bağlı, stokiyometrik olmayan filmler elde edilmiştir. Tanecik
boyutu oksijen taban basıncıyla küçülmüştür. Film kalınlığı oksijen taban basıncıyla
yaklaşık çizgisel bir şekilde düşerken, geçirgenlik T, görünür bölge ve yakın kızılötesi
(NIR, Near-IR) bölgede oksijen taban basıncıyla artmıştır. X-ışın kırınım (XRD, X-ray
diffraction) analizleri filmlerin polikristal yapıda olduğunu göstermiştir. Ölçüm
parametrelerinin göreli standart sapması, aynı akım ve basınç değerleriyle depolanan
yedi örneğin incelenmesi sonucu %4’den az olduğu bulunmuştur [23].
Yüksek kalitede katkılanmamış ve ua
2
0
3
ile katkılanmış ZnO filmler reaktif
elektron demeti buharlaştırma metoduyla hazırlanmıştırlar. Yapılan katkıların yapıdaki,
elektriksel ve optiksel özellikler üzerine etkisi araştırılmıştır. XRD sonuçları ua
2
0
3
ile
katkılanmış ZnO filmlerin c doğrultusunda büyüdüğünü ve bu sonuçlara istinaden (002)
25 
 
pikinin şiddetinin kaktı konsantrasyonundaki değişimlere bağlı olduğunu göstermiştir.
%28 oranında ua
2
0
3
ile katkılanmış ZnO filmler en iyi kristal yapıyı göstermiştir. AFM
sonuçları üretilen film içeriğindeki ua
2
0
3
konsantrasyonu arttıkça film yüzeyinin daha
pürüzsüz bir hal aldığını göstermiştir. Optik yasak enerji aralığı katkı içeriğinin
artmasıyla artar. ua
2
0
3
konsantrasyonunun arttırılmasıyla ZnO film içerisindeki
oksijenin kemisorpsiyonu (kimyasal olarak absorbsiyon) dolayısıyla taşıyıcı
konsantrasyonda azalma olur bu da artan ua
2
0
3
konsantrasyonlarında elektriksel
özdirencin artmasına sebep olmaktadır [24].
Atmalı DC magnetron sıçratma tekniği kullanılarak cam tabanlar üzerine Al
katkılı ZnO (AZO) saydam iletken ince filmler biriktirilmiştir ve atım frekansının filmin
yapısal, elektriksel ve optiksel özellikleri üzerine etkisi araştırılmıştır. Taban
malzemesine doğru 35 kHz bir atım frekansı uygulandığında büyük oranda c eksen
yönelimine sahip AZO filmler üretilebilir. Optimum büyütme koşulları altında, üretilen
AZO filmler en düşük direnç olarak 7,4u × 1u
-4
Ω.cm’lik bir özdirenç ve R
m
= S,2S
nm gibi yumuşak bir yüzey pürüzlülüğü göstermiştir. Filmlerin optik geçirgenlik
spektrumundan üretilen filmlerin görünür bölgede %85-90 gibi çok yüksek bir
geçirgenliğe ve yaklaşık 350 nm’lik bir soğurum kenarına sahip oldukları görülmüştür
[25].
ZnO ince film oda sıcaklığında atmalı filtreli katodik vakum ark yöntemiyle cam
alt taban üzerine depolanmıştır. X-ışın kırınımı yardımıyla filmlerin kristalografiık
yapıları ve kristal büyüklüğü çalışılmıştır. Ölçümler bütün kristallerin wurtzite
formunda olduğunu ve yönelimlerinin (002) yönünde olduğunu göstermiştir. Tanecik
büyüklüğünün 18,9 -42 nm olduğu tahmin edilmektedir. Tavlamanın etkisiyle kristal
büyüklüklerinin arttığı ve X-ışını desenlerinin de keskinlik kazandığı gözlenmiştir.
ZnO’nun optik özellikleri UV-görünür spektrometre kullanılarak çalışılmıştır.
Tavlamanın etkisiyle filmlerin kırılma indisi azalırken soğurma katsayısı ve optiksel
bant aralığının arttığı görülmüştür. Atmalı filtreli katodik vakum ark yöntemi ile cam alt
taban üzerine depolanan ZnO ince filmler için en iyi tavlama sıcaklığının 600 °C olduğu
görülmüştür. Bu sıcaklık cam alt tabanın özelliklerinden dolayı, cam alt tabanlar için
ölçülebilen en yüksek sıcaklıktır [26].
26 
 
Çinko oksit (ZnO) filmleri püskürtme yöntemi kullanılarak farklı taban
sıcaklıklarında üretilmiştir. Üretilen bu filmlerin yapısal ve elektriksel özelliklerine
taban sıcaklığının etkisi incelenmiştir. Filmlerin x-ışınları kırınım desenlerinden
polikristal ve hekzagonal yapıda oldukları görülmüştür. Buradan tanecik boyutu ve
yapılanma katsayısı (TC) hesaplanmıştır. ZnO filmlerinin iletkenlikleri karanlıkta ve
oda sıcaklığında alınan akım-voltaj ölçümlerinden belirlenmiştir. Bütün filmlerin ohmik
iletim mekanizmasına sahip olduğu gözlenmiştir [27].
Saf ve Al ile katkılanmış ZnO ince filmler saf Zn ve seramik ZnO hedef
kullanılarak DC magnetron sıçratma tekniği ile üretilmiştir. Sıçratma atmosferi
içerisindeki farklı oksijen kısmi basınçları için hedef bileşimin filmin yüzey topolojisi,
kristalliği ve optik geçirgenliği üzerine etkileri araştırılmıştır. Yapılan XRD
incelemeleri sonucunda metalik ya da seramik hedeften sıçratma tekniği ile üretilen Al
ile katkılanmış ZnO filmlerin katkılanmamış filmlerden farklı yüzey morfolojisi
gösterdiği ve tercihen (002) doğrultusunda büyüdüğü görülmüştür. Daha da önemlisi,
Al ile katkılanmış filmler üretilirken metalik hedef kullanılması seramik hedef
kullanılmasına kıyasla optik geçirgenlikte ve yasak enerji bant aralığında daha yüksek
bir artışa sebep olur [28].










27 
 
5. ÜRETİLEN ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN ELEKTRİKSEL
ÖZELLİKLERİ

Çinko oksit II-VI n-tipi bir yarı iletken olup, yasak enerji bant aralığı 3,2-3,3
eV’tur. Katkılanmamış ZnO’de n-tipi yarıiletkenlik görülmesi stokiyometrideki
sapmalardan kaynaklanmaktadır. Arayer oksijen ve çinko eksiklikleri olası akseptör
düzeyleri yaratabilmesine karşın, serbest yük taşıyıcılar oksijen boşlukları ve arayer
çinko ile bağlantılı olarak donör seviyelerinden kaynaklanır. Kaplama tekniğinden
bağımsız olarak, bütün katkılanmamış ZnO filmler uzun süreli kullanımlarda
kararsızdırlar. ZnO filmlerin elektrilsel özellikleri güçlü bir şekilde kaplama metoduna,
ısıl işleme ve oksijen kemisorpsiyonuna bağlıdır [9].
5.1.Taban Malzemesinin Sıcaklığının Etkileri
Şekil 5.1(a) ve Şekil 5.1(b) şekilleri oda sıcaklığındaki dietil çinkonun (DEZ)
oksidasyonu ile kaplanmış ZnO filmlerin sıcaklığın bir fonksiyonu olarak oda
sıcaklığındaki iletkenliğinin, taşıyıcı konsantrasyonunun ve Hall mobilitesinin tipik
varyasyonlarını göstermektedir. Taban malzemesinin sıcaklığı 280°C’den 350°C’ye
kadar değiştiğinde iletkenliğin 10
-2
’den 50 Ω
-1
cm
-1
’e değiştiği görülmektedir.
350°C’den daha düşük sıcaklıklarda taban malzemesi kullanıldığında elektriksel
özelliklerdeki iyileşme taşıyıcı konsantarsyonundaki artıştan kaynaklanmaktadır.
350°C’den daha yüksek sıcaklıkta taban malzemesi kullanıldığında elektriksel özellikte
meydana gelen azalma muhtemelen daha iyi stokiyometri sebebiyle altlık yüzeyindeki
organik ürünlerin oksidasyona daha fazla uğraması yüzünden taşıyıcı
konsantrasyonunda meydana gelen azalmadan kaynaklanmaktadır [9].
Şekil 5.1(b)’den mobilitenin 350°C’ye kadar artan sıcaklıkla arttığı
görülmektedir. Mobilitedeki bu artış CVD tekniği ile hazırlanan ZnO filmlerin daha iyi
kristalleşmesine ve tane sınırlarının eşik potansiyelindeki azalmadan kaynaklanır [9].
28 
 

Şekil 5.1. Oksijenin farklı kısmi basınçlarında, taban sıcaklığı ile (a) iletkenliğin, (b)
Hall mobilite ve taşıyıcı konsantrasyonu değişimi [7]
5.2.Sıçratma Parametrelerinin Etkileri
Sıçratma tekniği ile hazırlanan ZnO saydam iletken filmlerin elektriksel
özelliklerine altlık sıcaklığına ilaveten oksijen kısmi basıncıda etki eden önemli bir
parametredir. Taban malzemesi sıcaklığına ve oksijen konsantrasyonuna bağlı olarak
ZnO iletken filmler üç grupta kategorize edilebilir. Şekil 5.2’ de altlık sıcaklığına ve
oksijen içeriğine bağlı olarak bu üç grup görülmektedir. Metalik çinko ve çinko oksit
karışımı olarak karakterize edilen ve birinci gruba ait olan filmler opak (saydam
olmayan) ve iletkendirler. Bu filmler %1,8’den daha az oksijen konsantrasyonlarıyla
473 K’den düşük sıcaklıktaki taban malzemeleri üzerinde hazırlanırlar. Üçüncü grupta
yer alan ve ZnO’nun stokiyometrisine yakın bir kompozisyona sahipt olan filmler,
geçirgen ve iletken değildirler. Bu filmler altlık sıcaklığı 523 K’den daha yüksek ya da
yüksek oksijen konsantrasyonlarında (>%1,8) ve düşük sıcaklıklarda da
hazırlanabilirler. Arayer çinko atomları ve/veya yetersiz oksijen bölgeleri
(stokiyometrik olmayan durum) ZnO filmlerin elektriksel iletkenlikleri ve optik
geçirgenliği üzerinde çok önemli bir rol oynar. Bu tip filmler ikinci grupta yer alır ve
Zn
(1+x)
O olarak gösterilirler. Bu tip saydam iletken ince filmler %1,8’den daha az
oksijen konsantrasyonlarında 473–523 K sıcaklık aralığındaki altlık üzerinde
hazırlanabilirler [9].
29 
 

Şekil 5.2. ZnO filmlerin iletkenliğine ve saydamlığına oksijen konsantrasyonunun ve
taban sıcaklığının etkisi; ● opak ve iletken, ○ saydam ve iletken olmayan, saydam ve
iletken [7]
Sıçratma tekniği ile hazırlanmış ZnO filmlerinde 10
3

-1
cm
-1
’lik yüksek
iletkenlik filmlerin stokiyometrisi değiştirilerek elde edilmiştir. Fakat sıçratma ile
üretilen filmler hidrojen ve argon eklenmiş gazda sıçratmaya ya da çinko ilave yapılmış
ZnO hedef üzerine sıçratmaya ihtiyaç duymaktadır [9].

Şekil 5.3. Hidrojen eklenmesiyle ZnO filmlerde özdirenç değişimi: ● T
s
=400 K,
kaplama gücü=200 W; + T
s
=315 K, kaplama gücü=100 W [7]
30 
 
Şekil 5.3’de hidrojen ilavesiyle özdirencin değişimi görülmektedir. Bu şekilden
özdirencin artan hidrojen ilavesiyle başlangıçta azaldığı, belirli bir hidrojen kısmi
basıncında minimum bire değere ulaştığı ve daha sonra hidrojen kısmi basıncındaki
artışla arttığı gözlemlenebilir. Özdirençte başlangıçta meydana gelen düşüş hidrojenin
oksijeni uzaklaştırmasıyla ilişkilidir ve böylece kaplanan filmdeki çinko/oksijen oranı
arttırılır. Bu olay ya oksijen boşluğuna ya da arayer çinkoya yol açarak donör
seviyelerinin yükselmesine yol açar. Bu aralıkta taşıyıcı konsantrasyonunun arttığı
görülmektedir. Ayrıca özdirençteki artışın hidrojen eklenmesinin ötesinde bu artış
taşıyıcı konsantrasyonundaki azalmanın da önemli bir rolü vardır. Bu basınçlarda elde
edilen filmler, filmlerin oluşma karakteristiklerinde meydana gelen değişiklerden
kaynaklanan akseptör düzeylerinin yoğunluğundaki artış nedeniyle artan dengeleme
gösterilebilir [7].
Capolaretti büyük oranlarda ilave yapılarak büyük bias voltajları uygulanmış
altlıklar kullanarak bias-sıçratma tekniğiyle üretilen ZnO filmlerde özdirençte bir
azalma ve taşıyıcı konsantrasyonda bir artış rapor etmiştir. Örneğin büyük bias
voltajlarıyla kaplanmış filmler en düşük özdirenç değerlerine ve en büyük taşıyıcı
konsantrasyonlarına sahip olmaktadır. Tipik olarak 200 V bias voltajında özdirenç
8 × 10
-3
Ω.cm ve taşıyıcı konsantrasyonu da 8 × 1u
19
cm
-3
’dür [9].
5.3.Yayınım Mekanizmalarının Etkisi
Şekil 5.4’de dietil çinkonun oksidasyonu ile hazırlanan ZnO filmlerin sıcaklıkla
σ, N ve μ’nin değişimini göstermektedir. Bu mobilite sonuçlarının yorumlanması çeşitli
yayınım mekanizmalarının eş zamanlı hareketi sebebiyle karmaşıktır.
31 
 

Şekil 5.4. CVD ile kaplanan ZnO filmlerin sıcaklıkla σ, N ve μ değişimi; numune
(111)’in kalınlığı 900Å ve numune (118)’in kalınlığı 500Å [9]
Roth ve Williams tane sınırlarındaki termiyonik ve termal alan emisyonlarını
dikkate alarak analiz yaptığında; polikristal yarıileken filmler, yüksek oranda
katkılandığında ya da düşük sıcaklıkta olduğunda egemen akım, taşıyıcıların termal alan
emsiyonundan kaynaklanmakta olduğunu, oysa düşük oranda katkılama yapılmış
malzemede ya da yüksek sıcaklıkta termiyonik emisyondan kaynaklandığını
gözlemlemişlerdir [9].
Blom ve Ogama termiyonik emisyonun aynı zamanda daha yüksek sıcaklık
bölgesinde baskın iletkenlik mekanizmasının tane sınırlarında gerçekleşmesi olduğunu
gözlemlemişlerdir [9].
Minami çeşitli çevre koşullarında RF magnetron sıçratma tekniği ile hazırlanan
ZnO filmlerin elektriksel özellikleri üzerine çalışmış ve 10 ay süreyle oda sıcaklığında
32 
 
havaya maruz bırakılan ZnO filmlerin elektriksel özelliklerinde belirgin bir değişiklik
olmadığını rapor etmiştir. Fakat 400°C’ye kadar yüksek sıcaklıklarda vakum, inert gaz
ve hava ortamlarında tavlanan ZnO filmlerin özdirencinde değişik gözlemlemiştir. Bu
etki en çok 400°C’de vakumda ve soy gaz ortamda tavlanan filmlerde görülmüştür ve
özdirençte bir ile üç derecede artış tespit edilmiştir [9].


Şekil 5.5. Sıçratma tekniğiyle hazırlanan ve vakumda tavlanan ZnO filmlerin direncinin
tavlam sıcaklığıyla değişimi [9].
Şekil 5.5’de sıçratma tekniğiyle hazırlanmış ve yaklaşık 400°C’ye kadar vakum
altında tavlanmış ZnO filmlerin sıcaklıkla değişimi görülmektedir. Grafikten rejim
bölgesindeyken görece bir düşük dirence sahip olan A numunesinin direncinde ısıl
işlemle en fazla artış meydana gelir. Vakumda ve inert gazda ısıl işlemden sonra
özdirençteki artış taşıyıcı konsantrasyonundaki azalmaya bağlıdır. Taşıyıcı
konsantrasyonundaki bu azalma oksijenin tanecik sınırlarında kemisorpsiyonu
yüzündedir. Çünkü film yüzeyindeki oksijenin kemisorpsiyonu vakumda ve inert
gazlarda önemsizdir [9].
33 
 
Major sprey pirolizle hazırlanmış ve 30 dk süreyle 625 K’de vakum altında
tavlanmış katkılanmamış ZnO filmin direncinin 0,15’den 6 × 10
-2
Ω.cm’e kadar kayda
değer bir düşüş gösterdiğini gözlemlemiştir [9].
Roth ve Williams aynı zamanda oksijen desorpsiyonu sebebiyle uzun süreli UV
ışınına maruz kalan ZnO filmlerin iletkenliğinde bir artış rapor etmişlerdir [9].
Minami hava ortamında yapılan ısıl işlemin vakum altında ve inert gaz
ortamında yapılan ısıl işlemden daha fazla oranda özdirençte artışa sebep olduğunu
gözlemlemiştir. Filmlerin direncinde meydana gelen artış 400°C’de hava ortamında
tavlamadan sonra üç ile on mertebe derecesinde arttığını tespit etmiştir [9].
Caillaud aynı zamanda oksijende olduğu kadar iyi bir şekilde havada tavlamanın
sonucu olarak benzer bir şekilde özdirençte artış gözlemlemiştir. Hava ortamında ısıl
işlem sırasında filmler sürekli olarak havaya maruz kaldığı için yüzeydeki oksijenin
kemisorpsiyona uğraması özdirençteki bu artışa sebep olur. Havada ve vakum altında
tavlamanın aksine, 400°C’de hidrojen atmosferde tavlamayla özdirençte yalnızca bir kat
artış sağlanmıştır. Hidrojen altında ısıl işlemle özdirençte gözlenen artış diğer
ortamlarda gözlenenden daha azdır. Bu fark hidrojen empüritelerinin difüzyonunun bir
sonucu olarak sığ donörlein oluşumuna ve oksijen eksikleri sebebiyle arayer çinko
atomlarından ve oksijen boşluklarından kaynaklanan hataların sonucuna bağlanabilir.
Fakat pek çok araştırmacı sıçratma tekniğiyle üretilmiş ve sonrasında ısıl işleme tabi
tutulmuş ZnO filmlerin direncinde bir düşüş gözlemlemiştir [9].
5.4.Katkılamanın Elektriksel Özelliklere Etkisi
ZnO filmlere ilaveler yapılması sadece onların elektriksel özelliklerini
geliştirmekle kalmaz aynı zamanda onların kararlılıklarını da geliştirir. Örneğin; %3 İn
ilavesi yapılmış ZnO filmler vakum altında 650 K’e kadar, oksijen ortamında ise 450
K’e kadar termal kararlılık göstermektedir. Al ilave edilmiş filmler katkılanmamış
filmlere karşılaştırıldığında yüksek taşıyıcı konsantrasyonu ve düşük mobiliteye
sahiptirler. Al ilave edilmiş ZnO filmlerdeki yüksek taşıyıcı konsantrasyonu Zn
+2
iyon
bölgelerine yerleşen Al
+3
iyonlarından ve ZnO kafesinde yer alan Al’dan
kaynaklanmaktadır [9].
34 
 




35 
 


Şekil 5.6. ZnO filmlerdeki Al içeriği ile (a) iletkenlik, (b) taşıyıcı konsantrasyonu, (c)
mobilite değişimi [9]
Şekil 5.6 (a), (b) ve (c)’de CVD ile üretilmiş Al ilaveli filmlerde iletkenlik,
taşıyıcı konsantrasyonu ve mobilitenin Al içeriği ile değişimini göstermektedir. Şekil
5.6 (a)’dan iletkenliğin %0,45 Al konsantrasyonunda hızlıca arttığı daha sonrasında ise
neredeyse hızlıca arttığı daha sonrasında ise neredeyse kararlı olduğu görülmektedir.
İletkenlikteki bu artış çok az sayıdaki alüminyumun filmde çok sayıda serbest elektron
sağlamasından kaynaklanmaktadır. Bu aynı zamanda şekil 5.6 (b)’de de görülmektedir.
Al içeriği %0,45’in üzerine çıkarıldığı zaman fazladan Al atomlarına bağlı olarak
iletken olmayan alüminyum oksit fazı oluşur. İletimi gerçekleştiren elektronları
sağlayan alüminyum atomları ile oluşan alüminyum oksit atomları arsında bir dengeye
ulaşılır. Daha yüksek alüminyum konsantrasyonlarında filmde büyük miktarda iletken
olmayan alüminyum oksidin oluşumu sonucunda iletkenliğin azalması beklenebilir.
Şekil 5.6 (c)’den Al içeriğinin artmasıyla mobilitenin azalacağı görülebilir. Al atomları
sadece iletkenliği sağlamaz aynı zamanda yayılım merkezlerini de iyonize eder, aynı
zamanda arayer pozisyonlarını işgal edebilir ve kristal yapıyı da deforme edebilir.
36 
 
İyonize olmuş empüriteler tarafından yapılan yayılım ve kristaldeki hatalar da
mobilitede düşük bir değere sebep olurlar. Aynı sonuçlar RF sıçratma tekniği
kullanılarak ve galyum oksit (Ga
2
O
3
) ilavesi yapılmış ZnO filmlerde de gözlenmiştir.
Galyum oksit içeriğiyle mobilite, iletkenlik ve taşıyıcı konsantrasyon arasında ilişki
Şekil 5.7’de görülmektedir [9].


Şekil 5.7. Ca
2
D
3
içeriği ile ZnO filmlerin özdirenç, taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall
mobilitesinin değişimi [9]
Galyum oksit içeriğinin %5’e kadar artmasıyla önce özdirenç ani bir şekilde
düşer ve daha sonrasında galyum oksit içeriğinin artmasıyla artış gösterir. Taşıyıcı
konsantrasyonu %5 galyum oksit içeriğine kadar hızlıca artar ve daha yüksek galyum
oksit içeriklerinde kararlıdır. Galyum oksit içeriğinin %5’e kadar artmasıyla sadece
donörler sağlanırken, %5 üzeri galyum oksit içeriğinde tane sınırlarında galyum
segregasyonu gerçekleşir. Şekil 5.7’den mobilitenin katkılanmamış ZnO filmlerde
~30 cm
2
V. s ⁄ iken ağırlıkça %15 galyum oksit ile katkılanmış filmlerde ~1 cm
2
V. s ⁄
37 
 
değerine düştüğü görülmektedir. Mobilitedeki bu azalma esasen iyonize empüritelerin
yayınımından ve tane sınırlarındaki galyumun sebep olduğu ekstra yayınımlardan
kaynaklanmaktadır [9].
Katkılama ZnO filmlerin yapısal özelliklerinde kayda değer değişimler neden
olmaktadır. Fakat en büyük değişimler %1–2 ilave madde konsantrasyonlarına kadar
direncin düşüşüyle elektriksel özelliklerde sağlanır. En düşük direnç değeri %1 İn
ilavesiyle sağlanmıştır ve bu da sprey piroliz ile üretilmiş ZnO ince filmler için en
uygun ilavenin İn olduğu anlamına gelir. Elde edilen sonuçlardan düşük direnç ve
absorbsiyon işbirliği ile bu ZnO ince filmlerin pek çok optoelektronik uygulamada
kullanılabileceği görülmektedir [29].
Bor (B) ilave edilmiş ZnO flmlerin oda sıcaklığındaki direç, taşıyıcı
konsantrasyonu ve Hall mobilitesi ilave madde miktarının bir fonksiyonu gibidir ve
Şekil 5.8 (a), (b) ve (c)’de görülmektedir. Film içerisindeki B bileşiminin artması ile
elektron yoğunluğu kademeli olarak artar ve %2 B bileşiminde en fazla 1,3 × 10
20
cm
-3

olur. Daha yüksek B bileşimi miktarlarında azalır.B konsantrasyonundaki artışlarla
taşıyıcı konsantrasyonundaki artıştan ziyade doğal sonuçlar gözlenir. Özellikle bu
durum Al ile katkılanmış filmlerde gözlenir. B içeriği arttıkça mobilite artar ve %1 B
bileşiminde maksimuma ulaşır ve daha sonrasında aniden düşüş gösterir. Mobilitedeki
bu düşüş iyonize empürite dağılımının varlığıyla açıklanamamaktadır. Aslından
mobilitenin dağılım mekanizması taşıyıcı konsantrasyonun gösterdiği etkinin tersini
göstermektedir. Bu yüzden bu durum daha yüksek konsantrasyonlarda ayrılmış atomlar
sebebiyle oluşan kümeleşmeden kaynaklandığı nitel olarak açıklanabilir. B ile
katkılanmış ZnO filmlerde minimum direnç değeri %0,8 B bileşiminde 9,5 × 10
-3
Ω.cm
olarak elde edilmiştir [30].

38 
 
39 
 

Şekil 5.8. B
2
H
ó
akısının bir fonksiyonu olarak B ile katkılanmış ZnO filmlerin
elektriksel özellikleri; (a) direnç, (b) taşıyıcı konsantrasyonu, (c) mobilite [31]
Tablo 5. 1. Çeşitli koşullarda hazırlanmış ZnO, AZO ve BZO ince filmlerin elektriksel
özellikleri [30]

Kaplama parametreleri Elektriksel özellikler
Doping Büyüme Taşıyıcı Taşıyıcı Tabaka
Konsantrasyonu Vakum Tavlama Direnç Konsantrasyonu Mobilitesi Direnci
Eklenen
malzeme
(%) Sıcaklığı(◦C ) Sıcaklığı(◦C) (× 10−3_ cm) (× 10 19cm−3) (cm2/Vs) (×104 Ω)
Yok, (saf ZnO) 0 450 Tavlanmamış 2100 0.47 0.63 6.69
Yok,(saf ZnO) 0 450 450 149 0.80 5.18 0.74
Bor 0.8 450 Tavlanmamış 2219 1.52 0.19 9.13
Bor 0.8 450 400 15.4 6.98 5.82 0.06
Bor 0.8 450 450 9.5 7.26 9.00 0.05
Bor 1.0 650 Tavlanmamış 1632 0.41 0.93 7.25
Bor 1.0 650 450 14.6 2.82 15.18 0.07
Alüminyum 0.8 450 Tavlanmamış 1432 0.18 2.08 5.26
Alüminyum 0.8 450 400 3.8 13.50 12.19 0.01
Alüminyum 0.8 450 450 3.3 14.95 12.69 0.02
 
40 
 
Makul sıcaklıklarda tavlamayla elektron konsantrasyonu ve elektron
mobilitesinde de kayda değer artışlar elde edilmiştir. Bu da vakum altında sol-gel
metodu ile ince filmlerin üretiminin önemini işaret etmektedir. Tablo 5.1’de çeşitli
koşullarda hazırlanmış ZnO, AZO (Al ile katkılanmış ZnO) ve BZO (B ile katkılanmış
ZnO) ince filmlerin elektriksel özellikleri görülmektedir [30].

Şekil 5.9. Vakum altında tavlanmış B katkılı ZnO filmler için Hall mobilitesi, taşıyıcı
konsantrasyonu ve direncin B bileşimi ile değişimi [30]
B yapı içerisindeki Zn atomları veya formları ile yer değiştirerek film
içerisindeki serbest elektron yoğunluğunu arttıran n-tipi yeralan bir atomdur. MOCVD
(Metal Organik CVD) ile ZnO film üretimi yapıldığında; B
2
H
6
debisinin arttırılması ile
direnç 17 sccm’de minimum değer olan 2,8 × 10
-3
Ω.cm’e düşerken, B
2
H
6
debisinin
arttırılmasıyla artmaktadır. Hall mobilitesi (μ
H
) ise B
2
H
6
debisi arttıkça kademeli olarak
artar ve 17scmm’de maksimum değer olan 17,8 cm
2
V. s ⁄ ’ye ulaşır, sonrasında ise
azalmaya başalar. Elektron konsantrasyonu (n
e
) 0–21 sccm arasında artmakta ve daha
yüksek B
2
H
6
debisinde azalmaktadır. B
2
H
6
debisinin 0’dan 17 sccm’ye arttırılması
daha büyük tanelere sebep olabilmekte ve bu da SEM fotoğraflarından
anlaşılabilmektedir. Yapılan incelemelerin sonuçları B
+3
’ün ZnO filmlere dahil
edilebileceğini ve böylece de ZnO filmlerin dirençlerinin düşürülebileceğini
göstermektedir [31].
41 
 

5.4.1. Taban Sıcaklığı ve Film Kalınlığının Etkisi
ZnO saydam iletken ince filmlerde elektriksel özellikler taban sıcaklığına ve
film kalınlığına bağlılık göstermektedir. Şekil 5.10’da DC magnetron sıçratma
tekniğiyle hazırlanmış Al ilaveli ZnO filmlerin özdirenç, taşıyıcı konsantrasyonu ve
Hall mobilitesinin taban malzemesi sıcaklığıyla ilişkisi görülmektedir [9].

Şekil 5.10. Al-ZnO filmlerin taban sıcaklığı ile mobilite (μ), taşıyıcı yoğunluğu ve
özdirenç (ρ) değişimi [7]
En düşük özdirenç olan 3,5 × 10
-4
Ω.cm değerinin 250–300°C arasında taban
sıcaklığından bağımsız olduğu Şekil 5.10’dan görülmektedir. Taban sıcaklığı 250°C’ye
kadar arttırıldığında özdirenç değerinde meydana gelen kademeli azalış esas olarak
mobilitedeki artışla ilişkilidir. Taban sıcaklığında 250°C’ye kadar artışla beraber
mobilitede gözlenen bu artış filmdeki kristalliğin artmasına başlıdır [9].
42 
 
Aktaruzzaman spreyle kaplanmış Al ilaveli ZnO filmlerde 300–500°C arasındaki
taban sıcaklığıyla elektriksel özdirenç arasında zayıf bir ilişki olduğunu gözlemlemiştir
[9].
Şekil 5.11 RF sıçratma tekniğiyle hazırlanmış Ga
2
O
3
ilaveli ZnO filmlerin
özdirencinin film kalınlığıyla değişimini göstermektedir. Film kalınlığı 2500Å’dan daha
az olduğu zaman film kalınlığı arttıkça özdirencin azaldığı görülmektedir. Fakat film
kalınlığı 2500Å’un üzerine çıktığında özdirenç neredeyse film kalınlığından
bağımsızdır. Aynı olay sırasıyla Minami ve Major tarafından alüminyum ve indiyum ile
katkılanmış ZnO filmlerde de gözlenmiştir [9].

Şekil 5.11. RF sıçratma tekniğiyle hazırlanmış Ca
2
D
3
katkılı ZnO filmin özdirencinin
kalınlıkla değişimi; 0,42 W ¢m
2
⁄ , 0,84 W ¢m
2
⁄ [7]
5.4.2. Termal Kararlılık
Daha önce de değindiğimiz gibi katkılanmamış ZnO filmler termal
kararsızlıkları sebebiyle pratik uygulamalar için uygun değildirler. Fakat katkılanmış
ZnO filmler elektriksel ve optiksel özellikleri bakımından kararlıdırlar.
43 
 
Şekil 5.12 oksijende ve vakum altında tavlanmış katkısız ve (%3 İn) katkılı ZnO
filmlerin özdirencinin değişimini göstermektedir. oksijen ve vakum altında tavlama
işlemlerinin katkılama yapılmamış ZnO filmlerin özdirencinde dikkate değer bir
değişime neden olduğu şekilden açıkça anlaşılmaktadır. Diğer taraftan, %3 İn ile
katkılanmış filmler her iki ortamda da (oksijen ve vakum ortamı) 650 K’e kadar termal
kararlılık göstermektedir [9].

Şekil 5.12. Sıcaklıkla özdirencin değişimi: Vakumda (●), oksijen ortamında ( )
tavlanan; katkısız (─) ve%3 İn katkılı (…) ZnO filmler için [7].
44 
 
Genel olarak ZnO ince filmlerin elektriksel özellikleri film oluşturma
tekniklerine ve parametrelerine bağlıdır. Tablo 5.2’de optimum koşullar altında
oluşturulmuş ZnO saydam iletken oksit filmlerin elektriksel özellikleri görülmektedir.
Tablo 5. 2. ZnO’nun elektriksel özellikleri [7]
Malzeme Yöntem
Yüzey
özdirenci, R
s

(Ω.cm)
Elektriksel
iletkenlik, σ
(Ω
-1
cm
-1
)
Taşıyıcı
konsantrasyonu,
N (cm
-3
)
Hall mobilitesi,
µ
H
(cm
2
v. s ⁄ )
ZnO
Sıçratma
tekniği
85 S × 1u
2
S × 1u
19
8
ZnO CVD — 1u 1u
21
14
ZnO
Reaksiyonla
buharlaştırma
— 1u
3
1u
20
1u
ZnO
Reaksiyonla
buharlaştırma
— 2,9 × 1u
2
4 -12 × 1u
19
1u -4u
In-ZnO Püskürtme — 1u
3
2,2 × 1u
20
24
In-ZnO
Sıçratma
tekniği
— S × 1u
2
1u
20
12,6
In-ZnO
Sıçratma
tekniği
— 50 7 × 1u
19
1,9
Al-ZnO
Sıçratma
tekniği
— 4 × 1u
3
8 × 1u
20
2u
Al-ZnO
Sıçratma
tekniği
— 4 × 10
3
10
21
Su -4u
Al-ZnO
Sıçratma
tekniği
— 7 × 10
3
10
21
2S
Al-ZnO
Sıçratma
tekniği
— 10
2
4,68 × 10
20
1,47
Al-ZnO CVD 4000 3 × 10
3
8 × 10
20
SS
Ga-ZnO
Sıçratma
tekniği
— 10
3
10
21
1u


45 
 
6. ÜRETİLEN ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN OPTİK
ÖZELLİKLERİ

Çinko oksit filmler görünür bölgede saydam oluşları [7] ve keskin bir soğurum
kenarına sahip omları sebebiyle [10] saydam iletken malzeme olarak çok büyük ilgi
görmektedir. Şekil 6.1’de farklı taban sıcaklıklarında elde edilmiş ZnO filmlerin
absorpsiyon eğrileri görülmektedir [10].
 
Şekil 6. 1. 500°C, 550°C ve 600°C’de hazırlanan ZnO filmlerin optik absorpsiyonu [10]
Üretilen ZnO ince filmlerin optik özellikleri de yapılan katkılardan
etkilenmektedir. Bu etki Şekil 6.2’de görülmektedir. Absorbsiyonda %1–2 katkı
konsantrasyonuna kadar bir artış ve katkı konsantrasyonu daha fazla arttıkça ise belli
belirsiz bir düşüş gözlenmektedir. Bu davranış ise serbest taşıyıcı konsantrasyonundaki
artışla ve taşıyıcı konsantrasyonda meydana gelen bu artış aynı zamanda bant aralığında
meydana gelen artışla ilişkilendirilmektedir [29].
46 
 

 
Şekil 6. 2. Katkılanmış ZnO ince filmler için (a) absorbsiyon katsayısını (λ=550 nm
için) ve (b) bant aralığının katkı konsantrasyonu ile değişimi [29]
47 
 
B katkısı yapılmış ve yapılmamış ZnO filmler karşılaştırıldığında dalga boyutu
1000 nm’nin altında iken optik geçirgenlik bakımından önemli bir fark yokken, B
2
H
6

debisi arttırıldığı zaman 1000 nm üzerindeki dalga boylarında geçirgenliğin azaldığı
gözlenmiştir [10]. Vakumda tavlamadan sonra katkısız ve %1,4 B ilaveli ZnO filmlerin
bant aralıklarının sırasıyla 3,26 eV’tan 3,28 eV’a ve 3,24 eV’tan hafifçe arttığı da
gözlemlenmiştir [30].
Katkılanmamış ve katkılanmış ZnO fillerin optik özellikleri incelenirken taşıyıcı
konsantrasyonun ZnO filmlerin optik bant aralığındaki etkisi ele alınmıştır. İndiyumla
katkılanmış ve ardından muhtelif ortamlarda tavlamayla taşıyıcı konsantrasyonu
değiştirilmiştir. Taşıyıcı yoğunluğu arttıkça bant sınırının daha düşük dalga boylarına
kaydığı gözlemlenmiştir. Taşıyıcı konsantrasyonuna bağlı olarak bant aralığındaki bu
değişim Şekil 6.3’de gösterilmiştir [7].
 
Şekil 6. 3. Taşıyıcı yoğunluğuna (N
2 3 ⁄
) karşı bant aralığının (E
upt
) değişimi [8]
48 
 
Farklı teknikler (organo-metalik CVD (OCVD), reaktif RF magnetron sıçratma
(RRFMS), bias saçma (BS) ve reaktif buharlaştırma (RE))kullanılarak oluşturulan ZnO
filmler için 300 K’deki teorik ∆E
g
değerleri Şekil 6.4’de gösterilmiştir [7].
 
Şekil 6. 4. Taşıyıcı konsantrasyonunun fonksiyonu olarak yasak enerji aralığındaki
daralma, değişik elde etme yöntemleri [9]
6.1.Geçirgenlik ve Yansıma
Hem kısmi oksijen basıncı hem de taban sıcaklığı bu filmlerin hem elektriksel
özelliklerini hem de optik özelliklerini kontrol etmede çok önemli bir rol oynamaktadır.
Oksijen konsantrasyonlarının %2’den büyük değerleri için filmler yüksek derecede
saydam olmakla beraber iletken değildir. Diğer taraftan %2’den küçük oksijen
konsantrasyonları için filmler iletken olmakla beraber ~ 473 K’e kadarki taban
sıcaklıklarında opaktır; bunun ardından filmler 523 K’e kadarki taban sıcaklıklarında
saydam olmanın yanı sıra iletkendir. 523 K’den daha yüksek taban sıcaklıkları için
filmler, oksijen konsantrasyonundan bağımsız olarak saydam ve yalıtkandır. Optimum
koşullar altında oluşturulan filmlerin ışık geçirgenliği %90’dır [7].
49 
 
Şekil 6.5’de katkılanmamış ve İn ile katkılanmış ZnO filmler için ışık
geçirgenliği ve yansımanın spektral bağımlılığı gösterilmektedir. Tüm filmler görünür
aralıkta yüksek ışık geçirgenliğine sahiptir ve değeri %80’den büyüktür. Bununla
beraber ışık geçirgenliği temel absorpsiyon sınırına bağlı olarak kızılötesi bölgede çok
hızlı düştüğü ve absorpsiyon sınırında da hafifçe daha kısa dalga boylarına doğru
kaydığı da gözlemlenmiştir. Ayrıca Şekil 6.11’den de görüldüğü gibi ışık yansıması
büyük oranda indiyum konsantrasyonuna bağlıdır; indiyum konsantrasyonu ne kadar
yüksekse ışık yansımasının değeri de o kadar büyük olur. %1 ve %3 İn katkılanmış ZnO
filmleri için sırsıyla yansıma değerleri yaklaşık olarak %30 ve %60’dır [7].

 
Şekil 6. 5. Geçirgenliğin ve yansımanın spektral bağımlılığı, katkısız (…), ve %1 (---),
%3 (—) İn katkılı ZnO filmler için [9]
Şekil 6.6’de katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için dalga boyunda meydana
gelen değişimlere karşı geçirgenliğin değiştiği görülmektedir. Katkısız ve %3 Al katkılı
ZnO filmleri için geçirgenlik (T), 800 nm dalga boylarındaki fotonlar için başlamış ve ~
400 nm dalga boylarından itibaren giderek azalmıştır. Bu durum fotonların enerjilerinin
50 
 
elde edilen yarıiletken filmlerin yasak enerji aralığına eşit veya büyük olduğu
durumlarda malzemenin absorplama yaptığını, küçük olduğu durumlarda ise
absorplama yapmadığını gösterir [32].
 
Şekil 6. 6. Katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için dalga boyu-geçirgenlik grafiği[32]
 
Şekil 6. 7. Katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için dalga boyu-yansıma grafiği [32]
51 
 
Şekil 6.7’de katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için fotonun dalga boyunda
meydana gelen değişimler karşılık yansıma katsayısının (R) değişimi görülmektedir.
Yansıma olayı, yaklaşık olarak 180 nm dalga boylarından başlayarak daha kısa dalga
boylarına gidildikçe artmıştır. Bunun sebebi fotonların enerjilerinin artışından dolayı
fotonların elektronlar, atomlar veya kristal molekülleriyle daha fazla etkileşmeleri ve
geri yansıdıkları düşünülmektedir. Katkısız numunenin yansımsı, %3 Al katkılı ZnO
filmin yansımasından daha büyüktür. Buna göre katkı miktarı arttıkça yansıma azalır
denilebilir [32].
 
Şekil 6. 8. Elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO filmler için dalga boyu-
geçirgenlik grafiği [33]
Şekil 6.8’de elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO yarıiletken ince
filmlerinin oda sıcaklığındaki geçirgenlik spektrumu verilmiştir. Katkısız ve %1 Sn
katkılı ZnO filmleri için dalga boyu 800 nm’den başlayıp 300 nm’ye kadar azalmıştır.
Bu da fotonların enerjilerinin yarıiletken malzemenin enerji bant aralığına denk veya
daha fazla olduğu durumlarda malzemenin daha fazla absorplama yaptığını
göstermektedir. Geçirgenliğin kısa dalga boylarında ani bir düşüş göstermesinin
sebebinin bu olduğu düşünülmektedir. Şekil 6.14’den de görüldüğü gibi Sn katkısı ile
ZnO yarıiletken ince filmin optik geçirgenliği büyük değerlerde başlayıp çok hızlı bir
düşüş göstermiştir. Kısa dalga boylarına gidildikçe katkısız ZnO filme göre katkılı
52 
 
filmin geçirgenliği daha düşük çıkmıştır. Bu düşüşe Sn ilave ettikçe filmin
kalınlığındaki artışın sebep olduğu düşünülmektedir. Geçirgenlik spektrumlarından
filmlerin ortalama geçirgenlikleri katkısız ZnO fil için %75, Sn katkılı film için ise %89
olarak bulunmuştur [32].
Şekil 6.9’da elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO yarıiletken ince filmlerin
% yansımalarının (R) fotonun dalga boyuna karşı değişimi görülmektedir. Yansıma kısa
dalga boylarına kaydıkça artmıştır. Bunun sebebinin fotonların enerjisinin artmasından
dolayı fotonların elektronlar, atomlar veya kristal molekülleriyle daha fazla etkileştikleri
ve geri yansıdıkları düşünülmektedir. %1 oranında Sn katkılı ZnO filmde, katkısız ZnO
filme göre daha fazla yansımanın olduğu gözleniştir [33].
 
Şekil 6. 9. Elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO filmler için dalga boyu-yansıma
grafiği [33]
Tablo 6.1’de çeşitli tekniklerle hazırlanmış, katkılanmış ve katkılanmamış
ZnO’nun bazı optik özellikleri görülmektedir.



53 
 
Tablo 6. 1. Çinko oksidin optik özellikleri [7]
Malzeme Yöntem
% Geçirgenlik
(T) (görünür
bölgede)
% Yansıma
(R) (IR
bölgesinde)
Bant aralığı
E
g
(eV)
Kırılma indisi
(n)
ZnO
Püskürtme
Yöntemi
70 --- 3,1 ---
ZnO CVD >90 --- 3,23 ---
ZnO
Reaksiyonla
buharlaştırma
88 --- 3,3 ---
İn- ZnO
Sıçratma
Tekniği
>80 --- 3,29 1,85
Al- ZnO
Sıçratma
Tekniği
90 --- 3,52 ---
Al- ZnO CVD 85 90 --- ---
Ga- ZnO
Sıçratma
Tekniği
>85 --- 3,59 ---








54 
 
7. ÜRETİLEN ZnO SAYDAM İLETKEN İNCE FİLMLERİN
KARAKTERİZASYONU


Şekil 7.1. Farklı B
2
H
ó
akılarında biriktirilmiş ZnO:B filmlerin SEM fotoğrafları; (a) 0
sccm, (b) 12 sccm, (c) 17 sccm, (d) 21 sccm, (e) 25 sccm [31]
Şekil 7.1’de B ile katkılanmış ZnO filmlerin farklı diboran akılarındaki SEM
fotoğrafları görülmektedir. B ilave edilmemiş ZnO filmler hücresel morfoloji
55 
 
gösterirken, B ilave edildikçe yapının düzensiz bir biçim aldığı gözlemlenmiştir. Ayrıca
B
2
H
6
akısı arttırıldıkça tane boyutunun arttığı ve ZnO filmlerin morfolojisin de
olağanüstü bir şekilde değiştiği gözlemlenmiştir. 17 sccm B
2
H
6
akısında tane
büyüklüğü ve morfolojisi yaklaşık 300 nm olan piramit iken, 25 sccm’de küresel gibidir
[31].


Şekil 7.2. Farklı B
2
H
ó
akılarında ZnO:B filmlerin XRD spektrumları [31]
Şekil 7.2’ farklı diboran akılarında hazırlanan B ile katkılanmış ZnO filmlerin
XRD spektrumları görülmektedir. Katkılanmamış ZnO filmler (101) doğrultusunda
yönelim gösterirler. B ilavesi ZnO filmlerin kristal doğrultularında ve yapısının
modifiye edilmesinden önemli bir rol oynamaktadır. Deneyimler biboran debisinin
56 
 
arttırılması ile ZnO filmlerin büyümesinin yüzeyde uzanmadan yüzeye dik doğrultuda
değiştiğini göstermiştir. Mikroyapının değiştirilmesi ZnO kristal yapısının (002)
düzlemin en düşük seviyede enerjiye sahip olması gibi arayüzey enerjisinde de değişime
sebep olabilir. B ilavesi ZnO filmlerin mikroyapısını kararsızdan kararlı hale
geçmektedir [31].
Şekil 7.3 Kalınlığı 390 nm, basıncı 6,9 × 10
-4
Torr ve cam alt taban üzerine
depolanan ZnO yarıiletken ince farklı tavlam sıcaklıkları için X-ışın kırınım desenlerini
göstermektedir. PFCVAD (Atmalı Filtreli Katodik Vakum Ark Depolama) yöntemiyle
üretilen ZnO yarıiletken ince film 1 saat süreyle 200°, 300°, 400°, 500° ve 600°
lik sıcaklıklarda havada tavlanmıştır. Tavlanmamış ve tavlanmış ZnO yarıiletken ince
filmlerin c-ekseni (002) yönüne sahip olduğu XRD ölçümlerinden bulunmuştur ve
filmin kristalliği tavlamayla gelişmiştir. Alt taban amorf olmasına rağmen, tavlama
sıcaklığı 600 ºC iken tanecik büyüklüğü 42 nm olarak bulunmuştur [5].

Şekil 7.3. Kalınlığı 390 nm, basıncı ó, 9 × 1û
-4
Torr ve cam alt taban üzerine kaplanan
ZnO yarıiletken ince farklı tavlam sıcaklıkları için X-ışın kırınım desenleri [5]
57 
 
 
Şekil 7. 4. Cam alt tabanlar üzerine depolanan aynı kalınlık (350 nm) farklı basınçtaki
ZnO filmlerin X-ışını kırınım desenleri [5]
Şekil 7.4 kalınlığı 350 nm olan ve farklı basınçlarda cam alt taban üzerine
depolanan ZnO yarıiletken ince filminin X-ışını kırınım desenlerini göstermektedir.
Cam alt tabanlar üzerine depolanan aynı kalınlık (350 nm) farklı basınçlardaki filmlerin
X-ışını kırınım desenlerinin incelenmesiyle elde edilen değerler Tablo 7.2’de
görülmektedir. Tablodan da görüldüğü gibi aynı kalınlıkta üretilen filmlerin hepsinin
sadece (002) kırınım piki sergilediği dolayısıyla alt taban yüzeyine dik c eksen
yöneliminde, hekzagonal kristal yapıya sahip ZnO filmler elde edildiği anlaşılmıştır
(Şekil 7.4). Ayrıca basınç arttıkça (002) kırınım piki şiddetlerinde artış gözlenirken, pik
yerleri (2θ) daha büyük değerlere kaymış olsa da birbirine yakın değerler aldıkları ve
yarı maksimum pik genişliklerinin de (FWHM) azaldığı görülmüştür. Bu veriler
kullanılarak hesaplanan tanecik büyüklüğünün ise basınç arttıkça arttığı bulunmuştur.
58 
 
Düzlemler arası uzaklık d ve örgü parametresi c basınç arttıkça azalmıştır. Filmlerin
deformasyonlarının basınç arttıkça azaldığı, gerilmelerinin ise arttığı hesaplanmıştır [5].
Tablo 7. 1. Cam alt tabanlar üzerine depolanan aynı kalınlık (350 nm) farklı basınçtaki
ZnO filmlerin X-ışını kırınım desenlerinin değerlendirilmesi [5]
Oksijen Basıncı (Torr) S,8 × 1u
-4
S × 1u
-4
6,9 × 1u
-4

Açı (2θ) 34,40 34,44 34,52
Şiddet (I) 1310 1633 2863,33
Yarı Maksimum Pik Genişliği
(FWHM)
0,492 0,369 0,369
Yönelim (002) (002) (002)
Tanecik büyüklüğü, D (nm) 16,9 22,5 22,6
Düzlemler arası uzaklık, d (nm) 0,2604 0,2601 0,2595
Kafes parametresi c (nm) 0,5207 0,5201 0,5192
Deformasyon (ε) 0,00038 -0,00045 -0,00288
Gerilme σ (× 1u
6
Pa) -88,54 177,08 671,05

59 
 
8. TARTIŞMA VE SONUÇ
Bu çalışmada çinko oksit saydam iletken ince filmlerin üretim yöntemleri
üzerinde durulmuş ve bu yöntemlerle elde edilen filmlerin yapısal, elektriksel ve optik
özellikleri incelenmiştir. Çinko oksit saydam iletken ince filmler kimyasal buhar
biriktirme (CVD), sprey piroliz, sıçratma metodu vb. metotlarla üretilebilmektedir.
Üretilen filmlerin özelliklerinin üretim metotları ile yakından ilişkili olduğu
gözlemlenmiş ve her metodun kendine has parametreleri olduğundan, metot değiştikçe
filmlerin karakteristik özelliklerinin de değişiklik gösterdiği görülmüştür.
Üretim metotlarından sprey piroliz metodu düşük maliyetli ve büyük alan
kaplamaları için uygun olmasına karşın üretilen filmlerin üniform olmayışı bu metodun
dezavantajıdır. CVD ve sıçratma teknikleriyle üretilen filmlerin tekrar üretilebilirlikleri
yüksektir. PLD ile film üretilirken düşük taban sıcaklılarına ihtiyaç duyulurken, CVD
tekniğiyle daha hızlı bir şekilde film büyütülebilir. Ayrıca sıçratma metodu ile filmlerin
kalınlıkları ve malzeme oranları daha hassas bir şekilde kontrol edilebilir. Ancak
sıçratma tekniği ile çinko oksit film üretimi diğer tekniklere kıyasla daha maliyetlidir.
Bu da bu teknik için daha karmaşık bir düzeneğe ihtiyaç duyulmasından kaynaklanır.
Tüm saydam iletken oksit filmleri gibi çinko oksitte n-tipi yarıiletken malzeme
özelliği gösterir. Taban sıcaklığı çinko oksit filmlerin özelliklerini önemli ölçüde
etkilemektedir. Her yöntem için taban malzemesi sıcaklığı değişmekle beraber, sprey
piroliz için taban sıcaklığı 350-550° aralığında iken CVD tekniğinde 730-740°’dir.
Genelde yüksek sıcaklığa sahip altlıklar üzerinde üretilen filmlerin iyi elektriksel
özellikler gösterdiği tespit edilmiştir. Taban malzemesi sıcaklığının yanı sıra film
kalınlığı da ZnO saydam iletken ince filmlerin elektriksel özelliklerini etkilemektedir.
Filmlerde meydana gelen kalınlık artışı ile kristalleşme artmakta, dolayısıyla tanecik
boyutu da artmaktadır. Tanecik boyutun artması da saçılmalardan (tanecik sınırında
meydana gelebilecek etkileşimler; elektron-elektron vb.) gelecek etkileri azaltmakta, bu
da iletkenliği arttırmaktadır.
Katkılamanın da ilave madde konsantrasyonuna bağlı olarak üretilen ZnO filmlerin
elektriksel özelliklerini önemli ölçüde geliştirdiği görülmüştür. Uygun ilave madde
konsantrasyonlarında minimum direnç ve optimum taşıyıcı konsantrasyonu elde
60 
 
edilmiştir. B ile katkılanmış ZnO filmlerde minimum direnç değeri %0,8 B bileşiminde
9,5 × 10
-3
Ω.cm iken, Al ile katkılanmış filmlerde en düşük direnç 3,5 × 10
-4
Ω.cm
olarak tespit edilmiştir. Gene en yüksek taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall mobilitesi
değerleri Al ile katkılanmış filmlerde gözlemiştir. Yapılan araştırmalar %1-2 ilave
madde konsantrasyonlarında minimum direnç ve maksimum taşıyıcı konsantrasyonu ve
mobilitenin elde edilmesini sağladığını göstermiştir. Daha fazla ilave madde
konsantrasyonlarında ise yapıda oluşan iletken olmayan bileşiklerden (Al
2
O
3
gibi)
dolayı iletkenlik azalmaktadır. Çinko oksit filmlerin katkılanmasında kullanılan temel
maddeler genelde Al, İn ve Ga’dur. Bu katkılar ile optimum koşullarda katkılanmış olan
ZnO filmler kendisi gibi saydam iletken olan ITO filmlere alternatif oluşturmaktadır.
Filmlerin optik özellikleri (geçirgenlik ve yansıma) üretim parametrelerine ve
katkılama konsantrasyonuna bağlıdır. Bant aralığı büyük oranda taşıyıcı
konsantrasyonuna bağlılık göstermektedir. Absorpsiyon sınırı taşıyıcı konsantrasyonun
artışıyla yüksek enerji yönüne artmaktadır. Bant aralığında meydana gelen bu daralma
filmlerin taşıyıcı yoğunluğunun 10
20
cm
-3
’ün üzerinde olduğunda elektron-elektron ve
elektron-safsızlık saçılması önemli bir rol oynamaktadır. CVD tekniği ile hazırlanmış
filmlerde görünür bölgede geçirgenlik >%90 olarak tespit edilmişken sprey piroliz ile
üretilen filmlerde %70 olarak bulunmuştur.
Katkılamanın optik özelliklere etkisi ele alınacak olursa Sn ile katkılanmış
filmlerde ortalama %89 geçirgenlik görülürken, bu değer Al ile katkılanmış filmlerde
%85-90, Ga ile katkılanmış filmlerde ise >%85 ve İn ile katkılanmış filmlerde >%80
olduğu gözlenmiştir.
Katkılanmamış ZnO filmler (101) doğrultusunda yönelim gösterirler. Katkılama
ile filmlerin kristal doğrultuları ve yapısı modifiye edilebilir. Örneğin ilk başta baskın
yönelim (101) iken katkılama ve tavlama işlemleri sonrası (002) doğrultusu baskın
yönelim halini almaktadır. Ayrıca katkılama işlemi ile daha kararlı bir yapıya sahip
filmler üretilebilmektedir. Tavlanmamış ve tavlanmış ZnO yarıiletken ince filmlerin c-
ekseni (002) yönüne sahip olduğu XRD ölçümlerinden bulunmuştur ve filmin kristalliği
tavlamayla geliştiği gözlenmiştir. Sabit film kalınlığı için sistem basıncı arttıkça tane
büyüklüğünün arttığı, düzlemler arası mesafe (d) ve kafes parametresi (c)’nin ise
61 
 
azaldığı bulunmuştur. Ayrıca filmlerin deformasyonlarının basınç arttıkça azaldığı ve
gerilmelerin arttığı da tespit edilmiştir.
Bütün bu bilgiler sonucunda katkılanmamış ZnO saydam iletken ince filmlerin
pratik uygulamalar için uygun olmadığı anlaşılmaktadır. Üretilen bu filmlerin uygun
ilave madde konsantrasyonlarında katkılanması veya optimum koşullarda tavlamasıyla
ihtiyaç duyulan yapısal, elektriksel ve optik özelliklere sahip filmlerin üretimi mümkün
olmaktadır. Ayrıca ZnO’nun doğada bolca bulunan bir malzeme olması, ucuz oluşu ve
toksik bir malzeme olmaması sebebiyle günümüzde ihtiyaç duyulan saydam iletken ince
filmlerin üretimine diğer oksit filmlere karşı tercih edilen ana malzeme olmaktadır.















62 
 
KAYNAKLAR

[1] NUNES P, FERNANDES B, FORTUNATO E, VILARINHO P, MARTINS
R. , Performances presented by zinc oxide thin films deposited by spray pyrolysis, Thin
Solid Films, 337: 176-179, 1999
[2] SAMARASEKARA, P. , NISANTHA, A.G.K. , DISANAYAKE, A.S. ,
High Photo-Voltage Zinc Oxide Thin Films Deposited by DC Sputtering,Chinese Journl
of Physics, Vol. 40, No. 2 (2002)
[3] RISTOV, M. , SINADINOVSKI, G. , GROZDANOV, I. , MITRESKI, M. ,
Chemical deposition of ZnO films, Thin Solid Films, Volume 149, Issue 1 , Pages 65-
71, 1987
[4] BAIK, D.G. , CHO, S.M. , Application of sol-gel derived films for ZnO/n-Si
junction solar cells, Thin Solid Films, Volume 354, Issue 1-2, Pages 227-231, 1999
[5] ŞENADIM, E. , 2007, ZnO İnce Filmlerin Eldesi ve Aygıt Üretimi İçin
Parametrelerinin Optimizasyonu, Doktora Tezi, Çukurova Üniversitesi
[6] MINAMI, T, YAMAMOTO, T. MIYATA, T. , Highly transparent and
conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering, Thin
Solid Films 366 (2000) 63-68
[7] AKKOYUNLU, O. , 2000, Çinko Oksit Yarıiletken Bileşiğin Elektriksel ve
Optik Özellikleri, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Üniversitesi
[8] LIMA S. A. M. , SIGOLI, F. A. , JAFELICCI JR, M. , DAVOLOS, R. ,
Luminescent properties and lattice defects correlation on zinc oxide, Internatıonal
Journal of Inorganic Materials, 3 (2001), 749-754
[9] HARNAGEL, H.L. , 1995, Semiconducting Transparent Thin Films ,
Taylor&Francis, 0750303220
63 
 
[10] ALPARSLAN, B. , 2002, ZnO İnce Film Kaplamaların DC Magnetron
Sıçratma Yöntemiyle Cam Taban Malzemeler Üzerine Biriktirilmesi, Yüksek Lisans
Tezi, İstanbul Teknik Üniversitesi
[11] PETROV I. , ORLINOV V. , MISIUK A. , Highly oriented ZnO films
obtained by D. C. reactive sputtering of a zinc target, Thin Solid Films, Volume 120,
no1, pp. 55-67, 1984
[12] YOSHINO, Y. , INOUE, K. , TAKEUCHI, M. ,OHWADA, K. , Effects of
interface micro structure in crystallization of ZnO thin films prepared by radio
frequency sputtering, Vacuum, Volume 51, Issue 4, 1 December 1998, Pages 601-607
[13] YOSHINO, Y. , INOUE, K. , TAKEUCHI, M. , MAKINO, T. ,
KATAYAMA, Y. , HATA, T. , Effect of substrate surface morphology and interface
microstructure in ZnO thin films formed on various substrates, Vacuum, Volume 59,
Issues 2-3, November 2000, Pages 403-410
[14] SUBRAMANYAM, T. K. , SRINIVASULU NAIDU, B. , UTHANNA, S. ,
Physical Properties of Zinc Oxide Films Prepared by dc Reactive Magnetron Sputtering
at Different Sputtering Pressures, doi: 10.1002/1521-4079(200010)35:10<1193::AID-
CRAT1193>3.0.CO;2-6,2000
[15] RYU, Y. R. , ZHU, S. , BUDAI, J. D. , CAHNDRASEKHAR, H. R. ,
MICELI, P. F. , WHITE, H. W. , Optical and structural properties of ZnO films
deposited on GaAs by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, Volume 88,
Number 1, 2000
[16] IGASAKI, Y. , NAITO, T. , MURAKAMI, K. , TOMODA, W. , The
effects of deposition conditions on the structural properties of ZnO sputtered films on
sapphire substrates, Applied Surface Science, Volumes 169-170, 15 January 2001,
Pages 512-516
[17] BENDER, M. , GAGOUDAKIS, E. , DOULOUFAKIS, E. ,
NATSAKOU, E. , KATSARAKIS, N. , CIMALLA, V. , KIRIAKIDIS, G. ,
FORTUNATO, E. , NUNES, P. , MARQUES, A. , MARTINS, R. , Production and
64 
 
characterization of zinc oxide thin films for room temperature ozone sensing, Thin Solid
Films, 418 (2002) 45–50
[18] BANG, K. H. , HWANG, D. K. , MYOUNG, J. M. , Effects of ZnO buffer
layer Thickness on properties of ZnO thin films deposited by radio-frequency
magnetron sputtering, Applied Surface Science 207 (2003) 359–364
[19] AGHAMALYAN, N. R. , GAMBARYAN I. A. , GOULAINAN, E. K. ,
HOVSEPYAN, R. K. , KOSTANYAN, R. B. , PETROSYAN, S. I. , VARDANYAN,
E. S. , ZERROUK, A. F. , Influence of thermal annealing on optical and electrical
properties of ZnO films prepared by electron beam evaporation, Semiconductor
Science and Technology, 18 525-529, 2003
[20] KIM, K. S. , KIM, H. W. , KIM, N. H. , Structural characterization of ZnO
films grown on SiO2 by the RF magnetron sputtering, Physica B: Condensed Matter ,
Volume 334, Issues 3-4, July 2003, Pages 343-346
[21] MOUSTAGHFIR, A. , TOMASELLA, E. , BEN AMOR, S. , JACQUET,
M. , CELLIER, J. , SAUVAGE, T. , Structural and optical studies of ZnO thin films
deposited by r.f. magnetron sputtering: influence of annealing, Surface and Coatings
Technology, Volumes 174-175, September-October 2003, Pages 193-196
[22] WANG, Y. G. , LAU S. P. , LEE, H. W. , YU, S. F. , TAY, B. K. ,
ZHANG, X. H. , TSE, K. Y. , HNG, H. H. , Comprehensive study of ZnO films
prepared by filtered cathodic vacuum arc at room temperature, Journal of Applied
Physics, Volume 94, 1597 (2003)
[23] DAVID, T. , GOLDSMITH, S. , BOXMAN, R. L. , Electro-optical and
structural properties of thin ZnO films, prepared by filtered vacuum arc deposition,
Thin Solid Films, Volumes 447-448, 30 January 2004, Pages 61-67
[24] AL ASMAR, R. , JUILLAGUET S. , RAMONDA, M. , GIANI, A. ,
COMBETTE, P. , KHOURY A. , FOUCARAN, A. , Fabrication and characterization
of high quality undoped and 0o
2
0
3
-doped ZnO thin films by reactive electron beam co-
evaporation technique, Journal of Crystal Growth, 275 (2005) 512–520
65 
 
[25] KO, H. , TAI, W. T. , KIM, K. C. , KIM, S. H. , SUH, S. J. , KIM, Y. S. ,
Growth of Al-doped ZnO thin films by pulsed DC magnetron sputtering, Journal of
Crystal Growth, 277 (2005) 352–358
[26] ŞENADIM, E. , KAVAK, H. , ESEN, R. , The effect of annealing on
structural and optical properties of ZnO thin films grown by pulsed filtered cathodic
vacuum arc deposition, Journl of Physics: Condensed Matter, 18 6391-6400,2006
[27] ÇAĞLAR, M. , ILICAN, S. , ÇAĞLAR, Y. , Influence of substrate
temperature on structural and electrical properties of ZnO films, Trakya Univ J Sci,
7(2): 153-159, 2006
[28] SUCHEA, M. , CHRISTOULAKIS, S. , KATSARAKIS, N. ,
KITSOPOULOS, T. , KIRIAKIDIS, G. , Comparative study of zinc oxide and
aluminum doped zinc oxide transparent thin films grown by direct current magnetron
sputtering, Thin Solid Films, 515 (2007) 6562–6566
[29] NUNES, P. , FORTUNATO, E. , VILARINHO, P. , MARTINS, R. ,
Effect of different dopants on the properties of ZnO thin films, International Journal of
Inorganic Materials, 3 (2001), 1211–1213
[30] BEL HADJ TAHAR, R. , BEL HADJ TAHAR, N. , 2005, Boron-doped
zinc oxide thin films by sol-gel technique , Journal of Materials Scince, 40 (2005),
5285-5289
[31] CHEN, X.L. , XU, B.H. , XUE, J.M. , ZHAO, Y. , WEI C.C. , SUN, J.
, WANG, Y. , ZHANG, X.D. , GENG, X.H. , 2007, Boron-doped zinc oxide thin
films for large-area solar cells grown by metal organic chemical vapor deposition, Thin
Solid Films, 515 (2007), 3753–3759
[32] EREN, O. , 2006, Alüminyum Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Bazı Fiziksel
Özellikleri, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Üniversitesi
[33] AKSOY, S. , 2006, Kalay Katkılı ZnO İnce Filmlerin Bazı Fiziksel
Özellikleri, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Üniversitesi

Katkısız ZnO, düz panel göstergeleri ve güneş pillerindeki gibi geçirgen iletken elektrot uygulamalarının çoğu için seçilen malzemedir [4]. ZnO katmanları, çok katmanlı bir güneş pilinin en üst katmanı olarak da kullanılabilir. Çünkü bu birçok katmanın en üst katmanı genellikle, güneş spektrumundaki yüksek enerjili fotonları soğurur. Her zaman daha yüksek enerji aralığı olan malzemeler, daha yüksek fotovoltajları elde etmek için kullanışlıdır [2]. Ayrıca katkısız ve katkılı ZnO filmlerin her ikisi de, optoelektronik gösterge aygıtlarında ve ultra-yüksek frekans elektro-akustik dönüştürücülerde kullanılır [5]. Katkılandırma ve tavlama işlemleri ZnO’nun birçok özelliğinin gelişmesini sağlar. Çeşitli iyonlarla ZnO filmleri katkılandırmak mümkündür. En çok p-tipi katkılı ZnO ince filmler araştırmacıların ilgisini çekmiştir. Al, Ga, İn ve B gibi grup III elementleriyle veya Si, Ge, Ti, Zr ve Hf gibi grup IV elementleriyle katkılandığında bu elementler Zn atomlarıyla yer değiştirirler ve F gibi grup VII elementleriyle katkılandığında ise bu elementler O atomlarıyla yer değiştirirler. Ayrıca Sc, Y gibi nadir toprak elementleriyle katkılandığında bu elementler Zn atomlarıyla yer değiştirirler. Yapıda yük fazlalığı oluşturan atomlar sebebiyle ekstrinsik donörler, daha yüksek sıcaklıklara bağımlı olarak hatalar oluşturan intrinsik donörlere göre daha kararlıdırlar [6]. Uygun cins ve miktarda katkıların ilavesiyle bu filmlerin elektrik iletkenliği artmaktadır. Filmlerin hidrojen plazmasına maruz kalmaları durumunda bozunmaya uğramaları nedeniyle, hidrojen plazmasına daha dayanıklı olan alüminyum veya benzeri katı malzemeleriyle katkılanmış çinko oksit filmler son yıllarda tercih edilmektedir. Güneş pillerinin temel katmalarından biri olan saydam iletken katmana olan gereksinim nedeniyle, saydam iletken ince filmler üzerindeki çalışmalarda yoğunlaşma başlamıştır. Saydam elektrot olarak da adlandırılan bu katmanın, güneş pillerinin verimi üzerine en etkili parametrelerden biri olan seri direncin önemli bir kesrini oluşturması nedeniyle iletkenliğin çok yüksek olması ve güneş spektrumunun kullanışlı bölgesinde saydam olması gerekmektedir. İnce filmler çoğunlukla biriktirme şeklinde elde edilirler ve yüksek teknoloji uygulamaları sayılamayacak kadar çoktur. İnce film biriktirme teknikleri genel olarak; buharlaştırma gibi sadece fiziksel veya gaz ve sıvı faz kimyasal işlemler gibi sadece 2 
 

kimyasal olabildiği gibi elektriksel deşarj ve reaktif söktürme gibi hem fiziksel hem de kimyasal işlemlerin birleşiminden oluşabilir. Katkılı ve katkısız ZnO saydam iletken ince filmlerin biriktirilmesinde kimyasal buhar yöntemi, D.C. ve R.F. reaktif magnetron sıçratma, püskürtme, atmalı lazer depolama, kimyasal ışın depolama, sol-gel spinkaplama, buharlaştırma, hidrotermal metot gibi birçok yöntem kullanılmaktadır[5]. Bahsedilen bu yöntemlerin her biri farklı parametrelere sahip olup, bu yöntemlerden herhangi biriyle elde edilemeyen özelliklerin diğer yöntemlerden biriyle elde edilmesi mümkündür. Bu yüzden istenilen özelliklere sahip olan saydam iletken ince filmlerin üretimi için en önemli kademe bu özellikleri sağlayabilecek en uygun yöntemin seçilmesidir.


 

Bu bölümde. Elektronik Bant Yapısı ZnO. küçük dairelerde çinko atomunu göstermektedir [7]. ZnO’nun önemli bazı özellikleri kısaca ele alınacaktır. oksijen atmosferdeki denge reaksiyonu yüzünden sebebiyle yapıkadi oksijen iyonlarının eksik olmas ve yapıdaki katyon fazlalğı sebebiyle stokiyometrik 4    . ZnO’nun wurzite kristal yapısı Şekil 2.2. 2. Şekil 2. büyük daireler oksijen atomunu. 2.1’de görülmektedir.1. Kristal Yapısı Çinko oksit normal çevre şartlarında termodinamik olarak sabit fazda wurzite’dir. Çinko oksidin altıgen wurzite kafes yapısı.2. Çinko atomları sıkı paket hekzagonal yapıya yakın bir şekilde yapıda yer almaktadırlar. Her bir oksijen atomu dört adet tetrahedral dizilimdeki çinko atomu arasında yer almaktadır [5]. 1. ÇİNKO OKSİT’İN ÖZELLİKLERİ Doğada zinkit minerali olarak bulunan ZnO çeşitli bilimsel alanlarda kullanılan çok amaçlı bir malzemedir.

olmayan Zn hatadır: O şeklinde görülebilir. ’nin her ikisi de donör olarak rol oynayabilir ve böylece ZnO n-tipi   Şekil 2.2) (2. (2. 2.3) .. ve bir yarı iletkendir. Çinko oksidin şematik elektronik seviye diyagramı [8] Bant yapısı modelleri kullanılarak hesaplanan yasak enerji bant aralığı ~3. Elektronlarını ise aşağıdaki şekilde iletken banda bağışlayabilir: . .5 eV olup deneysel verilerle mükemmel bir tutarlılık içerisindedir. Denge durumunu şu şekilde gösterilmesi bir ZnO Znİ 1 2 O (2. Bu yasak enerji bant aralığı sebebiyle ZnO ince film konumunda tüm görünür bölgede saydam yapılabilmektedir[5] 5    . .1) Zn arayer çinko atomunu göstermektedir ve iyonize olabilir.

Metal Organic Chemical Vapour Deposition) gibi depolama parametreleri üzerinde iyi kontrol sağlayan büyütme teknikleri ile yüksek nitelikli ZnO tek-kristal filmler elde edilmiştir [5]. gaz ve buhar özellikleri bulunmaktadır [6].3. metal organik kimyasal buhar depolama (MOCVD.Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Yöntemi Gaz faz kimyasal işlemler içerisinde Kimyasal Buhar Depolama’dan söz etmek gerekir. CVD reaksiyona girecek elementlerin buhar fazda katı film oluşturmak üzere etkileştiği malzeme üretim yöntemidir. Molecular Beam Epitaxy)’dir. Bu kısımda günümüzde üzerinde daha çok durulan ince film üretim teknikleri üzerinde durulacaktır. Pulsed Laser Deposition). sıcaklık. Metalorganic CVD (MOCVD). Bunların dışında atmalılazer depolama (PLD. sıcaklığın sistemdeki dağılımları. Düşük Basınçlı CVD (LPCVD. Sonraki çalışmalar. 3. ZnO ince film üretimi için yapılan ilk araştırmalar magnetron sıçratma ve kimyasal buhar depolama gibi büyütme teknikleridir. Gaz ve katı fazda. Yüksek saflıktaki sıvı kaynaktan buhar elde edilebilir. CVD deki işlem parametreleri arasında akış hızı. RF (Radio Frequency) magnetron sıçratma ve moleküler ışın epitaksi (MBE. Elektron Yardımlı CVD olmak üzere pek çok türü vardır [5]. ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN ÜRETİMİ ZnO ince filmler genellikle cam vb. sıcaklık değerleri iyi bilinmelidir. Düşük sıcaklık değerlerinde büyümeyi yüzey soğurması belirler. reaksiyona girecek elementlerin kısmi basınçları. Kullanılan biriktirme reaksiyonları [9]: 6    . Aoki ve çalışma arkadaşları safir tabanlar üzerine tek kristal ZnO filmler biriktirmişlerdir.1. Yüksek sıcaklık değerlerinde ise büyüme oranını yüzeye doğru olan difüzyon ve/veya yüzeyden dışarı doğru olan difüzyon belirler. alt tabanlar üzerine ZnO’nun çeşitli yöntemler kullanılarak biriktirilmesiyle üretilirler. Atmosfer Basınçlı CVD. toplam enerjileri. Low Pressure Chemical Vapor Deposition). reaktör geometrisi. Lazerle İndüklenen CVD(PCVD). IşıkYardımlı CVD(PHCVD). Kimyasal buhar depolamanın CVD Epitaksi.

Bu teknikle safir taban üzerine eş eksenli. NH3 debisi 0.1. CVD cihazının şematik gösterimi [9] Yakın zamanda ilave yapılmış ZnO saydam iletken ince filmlerin üretiminde CVD tekniği kullanılmaya başlamıştır ve bu yöntemle bu yöntemle Ω. Ancak Aoki ve çalışma arkadaşları biriktirme hızını düşürmek ve film kalitesini arttırmak için NH3 gazı kullanmışlardır. Şekil 3. cam taban üzerine de c ekseni yönlenmeli filmler biriktirilmiştir. hedef-katot arası mesafe 20–30 cm olarak belirlenmiştir. taban malzemesi sıcaklığı 730– 740°C. Bu sistem için optimum kaplama parametreleri: Katot sıcaklığı 870–880°C. normal şartlarda ZnO kaynağı için indirgeyici gaz olarak kullanılmaktadır.cm 7    .3ZnO Zn g 2NH3 2H2 O 3Zn g ZnO N2 H2 3H2 O (kaynakta) (tabanda) Konvansiyonel CVD sistemlerinde hidrojen. Kullanılan CVD sisteminin şematik bir görüntüsü Şekil 3. Ancak cam üzerine biriktirilen filmlerin yapışma özelliklerinin nazaran zayıf olduğu tespit edilmiştir [9].61 dk 1 . Bu sistemde dietil çinkonun yanına O2 gazı da ilave edilerek çalışılması uygun görülen parametreler arasındadır. Plazma destekli metal-organik CVD sistemi ile ise 150–350°C gibi düşük sıcaklıklarda da yüksek yönlenmeli ZnO filmlerin üretildiği rapor edilmiştir.1 de verilmiştir.

8    .Sprey Piroliz (Sprey Pyrolisis) Tekniği Sprey piroliz metodu ile ZnO saydam iletken ince filmlerin üretiminde genellikle sprey solüsyonu olarak çinko asetat sulu çözeltisi kullanılır. 3. Bu öncül düşük sıcaklıktaki yüksek buhar basıncı sebebiyle seçilir. Daha sonrasında 350°C’de N2 atmosferde 45 dk süreyle tavlama sonucu üretilen ince filmin direncinde düşüş gözlemlemişlerdir ve en düşük direnç değeri için optimum taban malzemesi sıcaklığını 400°C olarak tespit etmişlerdir [9]. Şekil 3. Genel olarak elde edilen sonuçlara göre taban malzeme sıcaklığı 350–550°C arasında değişse de en düşük direnç değerleri 400°C’de gözlenmiştir [9].2.2’de tipik bir sprey piroliz sistemi görülmektedir. Bu da daha kaliteli optik geçirgen filmlerin üretimine yardım eder. Şekil 3.direnç ve yaklaşık %85 geçirgenliğe sahip Al ile katkılanmış ZnO ince filmler üretilmiştir [9].2. Birkaç damla asetik asit ilavesi çinko oksit çökelmesini önler ve böylece sprey solüsyonu temiz kalır. Ürettikleri filmin ilk etapta yüksek dirençli 1 debili kuru hava kullanarak ve işlem süresince solüsyon sıcaklığını 80°C’de tutarak ZnO ince olduğunu gözlemlemişlerdir. Sprey piroliz sistemi [7] Tomar ve Garcia tavlanmış taban malzemeleri üzerine 15 cm3 ⁄dk debiyle su alkol karışımından oluşan çinko asetat çözeltisi ve taşıyıcı gaz olarak 101 dk film üretmişlerdir.

9    . diğer piklerin şiddetleri ise hızla düşmektedir. Şekil 3. Bu değişim Şekil 3. Bu şekilden taban malzemesi sıcaklığındaki ve hava debisindeki artışla filmdeki klor içeriğinin azalacağı görülmektedir [9].1 mol çinko asetat sulu çözeltisi kullanılarak ZnO ince filmler üretmiştir. X-ışınları difraksiyonu çalışmaları 300°C’nin altındaki sıcaklıklarda (101) ve (100) yönlenmelerinin etkin olduğunu göstermiştir. Taban malzemesi sıcaklığının ve hava akısının kristal doğasını ve filmlerin klor içeriğini önemli ölçüde etkilediğini gözlemlemiştir [9].5 cm3 ⁄dk ve 8.Aranovich 0.6–10.) [9] Şekil 3.4’de açıkça görülmektedir [9]. Bunun yanı sıra 300°C de (002) yönlenmesi dominant yönlenme olarak hızla artmaya başlamakta.8–3.1 mol ZnCl2 H2 O2 ve 0. Bu işlem sırasında solüsyonun ve havanın akısını sırasıyla 1. ZnO filmler içindeki klor konsantrasyonu ile sıcaklık ve hava akışının ilişkisi ( ’nın birimi ’dir.3’den ZnO filmlerin klor bileşiminin değişen hava akısı için sıcaklığın bir fonksiyonu olduğu görülmektedir.61cm3 ⁄dk arasında değiştirmiştir.3.

cm dirence ve %85 geçirgenliğe sahiptirler [9]. 10    . Düşük sıcaklıklarda ise kristal boyutları ve şekilleri üniform değildir. Genellikle homojen. (002).4. Bazı durumlarda film alanlarının %25’ni kaplayan bu daha ince filmler saydam alanların geliştirilmesi için uygundurlar. •. 400 Å’nın altında kalınlığa sahip filmler oda sıcaklığında dahi kararsızdırlar. kalınlıklarından bağımsız olarak yüksek sıcaklıklarda kararsız bir yapıya sahiptirler. ZnO ince filmlere katkılama yapılması sadece üretilen filmlerin elektriksel ve optik özelliklerini geliştirmekle kalmaz aynı zamanda son derece kararlı hale gelmelerini de sağlar. Stokiyometrik olmayan ZnO filmler iyi elektriksel ve optik özelliklere sahip olmalarına rağmen. . kristalin yapıya sahip filmler 400–450°C aralığındaki sıcaklıklarda elde edilebilmektedirler. Optimum koşullar altında üretilmiş bu katkılanmış filmler (Al veya İn) yaklaşık 10 3 Ω.Şekil 3. Al ilavesi yapılmış ince filmler ilk etapta son derece yüksek dirence sahiptirler. Saydığımız bu birtakım sebeplerden dolayı katkılama yapılmamış bu ZnO filmler pratik uygulamalar için elverişli değildirler [9]. piklerinin bağıl şiddetleri ile sıcaklığın değişimi [10] Film morfolojisi taban malzemesi sıcaklığı ve film kalınlığıyla yakın ilişki içerisindedir. + . Sprey piroliz yöntemiyle biriktirilmiş ZnO filmlerde (100). Fakat bu filmlerin 400°C’de hidrojen atmosferde tavlanmasıyla optik özelliklerinde bir değişim meydana getirmeden direnci önemli bir oranda azaltılabilir. (101).

bir hedef malzemenin yüzey atomlarının iyonize olmuş gaz atomları (genellikle asal gaz) tarafından kaldırılarak. su soğutmalı katottaşıyıcılar üzerine yapıştırılmış veya vidalanmış olabilirler ve plazmanın yoğunluğunu arttırmak amacıyla da yüksek manyetik alana sahip olmaları sağlanabilmektedir.3. Sıçratma tekniğinde kullanılan mekanizmasının gözlenmesi çok eskilere dayanmaktadır. Ayrı bir iyon kaynağı. İn ya da Sn ilavesiyle üretimi içinde kullanılmaktadır [9]. ısıtılmış. yavaşça tüpün duvarlarında birikmeye başladığını tespit etmişlerdir. soğutulmuş. Genel olarak bu yöntemle üretilen filmlerin büyüme hızının ve yapısal özelliklerinin gaz fazı karışımı. Stokiyometrik olmayan ZnO filmler oksijen-argon bulunan atmosferde yer alan bir metalik çinko hedef ya da hidrojen-argon atmosferindeki bir oksit hedef kullanılarak hazırlanabilir. sıçratılması ve sıçratılan atomların istenilen taban malzemesi yüzeyine taşınması ve yüzeyde birikmesi esasına dayanmaktadır [9]. polarize edilmiş veya mobil olabilmektedirler [10]. tüpün çalışması esnasında sürekli olarak iyonlar tarafından bombardıman edilmekte olduğu ve birikme işleminin bu sebepten meydana geldiği bilinmektedir [10]. Günümüzde artık bu elektrotların. Bu teknik pek çok kişi tarafından akustik dalga dönüştürücüleri için yüksek dirence sahip ZnO filmlerim üretiminde kullanılmıştır. Taban malzemeler de uygulamaya yönelik olarak. biriktirme işleminden önce taban malzemesinin temizlenmesini sağlarken biriktirme işlemi sırasında da bombardımanı gerçekleştirebilmektedir. 1852 yılında Grove ve birkaç yıl sonra Plucker bir deşarj tüpünün çalışması sırasında elektrotları oluşturan malzemenin. plazma koşulları. kaplama sıcaklıkları ve kaplama geometrisi gibi çeşitli işlem koşullarında güçlü bir şekilde etkilenir. Genelde taban malzemesinin sıcaklığının artmasıyla kristalleşme artmaktadır. Ayrıca hedef ve taban 11    . Fakat sıçratma (sputtering) tekniği aynı zamanda saydam iletken uygulamalar için gerekli düşük dirençli ZnO film stokiyometrisinin ya da ZnO’e Al. Sıçratma (Sputtering) Sıçratma prosesi özetle.3. Sıçratma tekniğinde kullanılan hedefler uygulamaya göre. Bunlara ek olarak harici bir elektron vericisi düşük basınçlarda plazma oluşumuna destek olmaktadır.

Şekil 3. Fakat tek fazlı ZnO filmler sadece oksijen konsantrasyonu %2 olduğu zaman oda sıcaklığında hazırlanabilirler. Şekil 3.malzemesi arasındaki mesafe çinko atomlarının serbest yolundan daha az ise daha iyi özelliklere sahip filmler elde edilebilir. 100W. Daha fazla oksijen ilavesi kristalleşmede ve tane boyutunda önemli bir artış sağlar [9]. hacimce %0–29. 10 5 Torr. taban malzemesi sıcaklığı 300K’den 600K’e kadar [9]. Oysa oksijen konsantrasyonu %1 olduğunda filmler Zn ve ZnO piklerinin her ikinse de sahiptir.5. oda sıcaklığında büyütülmüş ZnO filmlere ait XRD paternleri [9] 12    .5 ve Şekil 3. Oksijen olmadığında filmler doğadaki metal gibidirler. Tipik olarak 573 K’de %1 oksijen kristalin ZnO filmler üretmek için yeterlidir. oksijen konsantrasyonu. Bu şekillerden oda sıcaklığında üretilen filmlerin fazının ve kompozisyonunun oksijen içerine bağlı olduğu görülmektedir.4.6 iki farklı sıcaklıktaki taban malzemesi için farklı oksijen konsantrasyonlarında çinko hedef kullanılarak ve sıçratma tekniğiyle hazırlanmış ZnO filmlere ait XRD paternlerini göstermektedir. (a) %0. (b) %1 ve (c) %2 oksijen konsantrasyonlarında. toplam basınç. Çinko hedef kullanılarak sıçratma tekniğiyle ZnO filmler üretmek için tipik sıçratma tekniği şunlardır: Sıçrama gücü.

573 K sıcaklığında büyütülmüş ZnO filmlere ait XRD paternleri [9] Şekil 3. (a) %1 ve (b) %2 oksijen konsantrasyonlarında.    Şekil 3.6.7. Sıçratma tekniğiyle biriktirilen ZnO filmlerde büyüme hızının oksijen konsantrasyonuna göre değişimi [9] 13    .

8’da verilmektedir.7’den farklı kaplama sıcaklıklarında oksijen konsantrasyonu ile büyüme hızının değişimi görülmektedir. Bu sonuçlar Şekil 3. Büyüme hızındaki plato taban malzemesi üstündeki bir oksijen çokluğundan dolayı taban malzemesine ulaşan bütün metal atomlarının oksitlenmesinden kaynaklanabilir.8’den düşük oksijen konsantrasyon bölgesinde taban malzemesinin sıcaklığının artmasıyla büyüme hızının düştüğü de anlaşılır. Şekil 3. Büyüme hızı metalik hedefteki (bu durumda çinko) sıçratma hızı. Şekil 3. Bu çinko oksit hedef kullanılarak elde edilen değerlerle çinko hedef kullanılarak elde edilen değerlerin karşılaştırılmasıyla daha çok desteklenir. Bu da oldukça yüksek olan ve artan sıcaklıkla hızlıca artan çinkonun buhar basıncı sonucunda çinko atomlarının oksitlenmeden taban malzemesinden buharlaşmasının sonucudur [9]. biriktirme hızının.Şekil 3. daha sonrasında ise oksijen konsantrasyonundan bağımsız olarak bir platoya ulaşır.8. Bu olgu reaktif sıçratma tekniğinin önemli bir özelliğidir. Daha yüksek oksijen konsantrasyonlarında ise büyüme hızı sert bir biçimde düşer. taban malzeme sıcaklığının 50°C ile 14    . Biriktirme hızının taban malzeme sıcaklığına göre değişimi [10]  Taban malzeme sıcaklığının artmasıyla büyüme hızındaki düşüş benzer bir şekilde çeşitli araştırmacılar tarafından da gözlenmiştir. taban malzemesine ulaşan metal atomlarının oranı tarafından kontrol edilir. Büyüme hızı ilk başta oksijen konsantrasyonundaki artışla artar. Büyüme hızındaki azalma metal hedefteki oksidasyon hızının sıçratma hızından çok daha büyük olmasından kaynaklanır. Tipik olarak.

Taban malzemesine uygulanan bias voltajın büyüklüğünün değiştirilmesinden dolayı ZnO filmlerin direnci düşürülebilir [10]. 15    . Şekil 3.9 uygulanan RF gücüne göre film büyüme hızlarını göstermektedir [10]. Şekil 3. Filmlerin büyüme hızları oksijen konsantrasyonuna ve uygulanan RF gücüne bağlıdır.300°C arasındaki değişimleri için. Gerçekleştirilen çalışmada sıcaklı 500°C’de tutulmuştur. Katkılama yapılmamış ZnO filmlerde biriktirme hızının uygulanan RF gücüne bağlı değişimi [9] DC sıçratma ya da magnetron sıçratma tekniklerinden her ikisini de kullanarak düşük sıcaklıklarda düşük dirençli ZnO filmlerin üretimi mümkündür. Argon-oksijen atmosferde ZnO+Zn hedeften ya da hidrojen-oksijen karışımı kullanarak ZnO hedefte geçirgen iletken ZnO filmlerin üretiminde sıçratma metodu yaygın olarak kullanılmaktadır. 38 Å⁄dk’dan 30 Å⁄dk’ya değiştiğini söylemek mümkündür [10].9.[5] Barnes ve arkadaşları sıcak preslenmiş ZnO tozlarından elde ettikleri hedef malzeme ile ZnO filmler biriktirmişlerdir.

parçacıkların süpersonik jeti (plume) hedef yüzeye normal olarak yönlendirilir. ZnO filmlere katkı yapılması onları saydam iletken ince film uygulamaları için uygun bir alternatif yapmaktadır. gibi farklı metallerin oksitleri ilave edilir ve bu toz karışımından hedef hazırlanır. Katkı yapmak amacıyla çinko oksit tozu içine İn.10’da gösterilmiştir [5].4. Çıkarılan örnekler hedefe zıt yerleşen alt tabana yoğunlaşır. 3. Tipik bir PLD sisteminin şematik diyagramı Şekil 3. Jet farklı parçacıkların hız dağılımına güçlü bir şekilde ileri yönlenmesiyle hedeften atılır.Caporaletti taban malzemesi potansiyeli yaklaşık olarak 200V’da ve %5 hidrojen-argon içeren plazmada ZnO hedef kullanılarak yaklaşık olarak 10 dirençte ve yaklaşık %80 geçirgenlikte filmler üretmiştir [9]. Sn v.cm Şekil 3. Atmalı lazer depolama sisteminin şematik gösterimi [5] 16    . 2 Ω.Atmalı Lazer Depolama (PLD) Atmalı-lazer depolama (PLD) metodunda yüksek güçlü lazer atmaları malzemenin stokiyometrisinin etkileşimde korunduğu bir hedef yüzeyden malzemeyi buharlaştırmak için kullanılır.10. İyi kalitede bir film elde etmek için ilave madde konsantrasyonu ağırlıkça %2–10 arasında değişir. Al. Yüksek oranda geçirgen (>%80) ve düşük dirençli (~10 Ω. Sonuç olarak. Ga. Katkılama yapılmamış ZnO filmler yüksek sıcaklıklarda kararsız oldukları için pratik uygulamalar için kullanılışlı değildirler.cm) filmler bu teknik kullanarak hazırlanabilir [9].b.

Ve plazma yardımlı CVD. Bu yöntem. 17    . MBE ile elektronik aygıtlarının üretimi. Deney düzeneği basittir. 3. küçük olmaları nedeniyle ve ara yüzey kontrolünü başarılı bir şekilde sağlayabilmelerinden dolayı özellikle tercih edilmektedir. MBE işleminde kristal. katman atomların veya moleküllerin termal demetinden elde edilir. İlave yapılmamış ZnO filmler üretim yönteminden bağımsız olarak her zaman kararsızdır [4]. süper örgüler için istenilen düzgünlükte.Teknik Karşılaştırma Tablo 3.6. Depolama oranı düşüktür.5. Alt taban sıcaklığı ise 400. 10 5 10 1 Torr aralığındaki basınçlarda yüksek ambient gaz basınçlarında çalışılır. Çünkü istenilen aygıt yapıları en iyi şekilde elde edilebilmektedir ve bir atomik tabaka (monolayer) geçiş değişimi oldukça keskindir.Moleküler Işın Epitaksiyel Yöntemi (Molecular-Beam Epitaxy-MBE) Epitaksiyel büyütme yöntemlerinden MBE diğer yöntemlere göre daha baskındır.Atmalı lazer depolama tekniğinin avantajları [5]: • • • • Düşük alt taban sıcaklığında yüksek nitelikli film büyümesine izin verir. MBE’nin birçok özelliğini taşımaktadır ve üretim hızı da oldukça yüksektir [5]. pahalı deney sistemine sahiptir ve üretim işlemi oldukça karmaşıktır [5]. Dezavantajları ise sınırlı sayıda uygulaması vardır. kafes uyumunda. Depolama oldukça düşük basınç (10 Pa) altında oluşur. 3. Bu tablodan sıçratma tekniği ile hazırlanan Al ile katkılanmış ZnO filmlerin en iyi özelliklere sahip olduğu ve katkılannmış SnO2 ve ITO filmlere bir alternatif olabileceği görülmektedir.1 bize farklı tekniklerle hazırlanmış ZnO filmlerin özdirenç.900 °C arasında değişir. katkı yoğunluklarında ve kalınlıkta üretim sağlar ki bunların optik ve elektriksel özellikleri mükemmeldir. Yüksek enerji kaynaklı parçacıklar yaratır. geçirgenlik ve büyüme parametreleri gibi değerleri verir.

Hidrojende tavlama Dış manyetik alan >250 — 2.Tablo 3. 400 150-200 200-250 125 Oda sıcaklığı — — — — — 10 1. — ’de tavlama =%95. Farklı teknikler kullanılarak üretilmiş ZnO filmlerin özellikleri [9] Yöntem ZnO Püskürme yöntemi Reaksiyonla Buharlaştırma Sıçratma Sıçratma Bias sıçratma ZnO: In Püskürtme Sıçratma Magnetron sıçratma ZnO: Al CVD Püskürtme Püskürtme Sıçratma Sıçratma Sıçratma Magnetron sıçratma Magnetron sıçratma ZnO: Ga Sıçratma — — 10 85 . ağırlıkça %5 Ga O 367-444 500 300-500 — 200 Oda sıcaklığı — — — — 7-274 90-120 3 2 10 10 10 10 1.4 10 9.7 10 85 kullanarak plazma kontrollü <100 72 5 10 ~85 ⁄ 18    .4 10 10 85 >80 >80 ⁄%5 . 1.5 10 70 89 >80 90 80 ’de tavlama — =%1-2 Hidrojende sıçratma Plazma %5 ⁄ Taban sıcaklığı ( ) Oluşma hızı ( /dk) Özdirenç (Ω.cm) Geçirgenlik (%) Açıklamalar ~10 2 7 10 10 =%5.72 4.12 10 3 85 >80 85 85 90 90 ⁄%5 ’de tavlama — — ’de tavlama — 375 Oda sıcaklığı — — 90-120 72-120 ~10 3.

Tablo 3. Değişik yöntemlerin karşılaştırılması (ZnO için) [7] Taban sıcaklığı Oluşma hızı Elektrik iletkenliği Ortamükemmel Ortamükemmel Yöntem Uniformluk Tekrarlanabilirliği Maliyeti Geçirgenlik CVD Yüksek Yüksek Yüksek Yüksek Orta Ortamükemmel Ortamükemmel Püskürtme Yöntemi Sıçratma tekniği Yüksek Yüksek Orta üstü Orta Düşük Düşük Düşük Mükemmel Mükemmel Yüksek Mükemmel Mükemmel 19    . 2.

ZnO/cam ara yüzeyinde amorf bir tabaka ve ZnO/Al ara yüzeyinde ise daha kalın bir amorf tabaka gözlenmiştir. Magnetron söktürme sisteminde. En baskın (002) yansıması ile (011) ve (010) yansımaları gözlenmiş. oksijen miktarının herhangi bir değeri için kırınım örneğinde sadece (002) yansımaları sergileyen yüksek yönelimli filmler elde edilmiştir. ZnO ve alt taban ara yüzeyi arasındaki mikro yapılar geçirimli elektron mikroskobu (TEM. Ayrıca depolama sonrası tavlamayla da gerilim ortadan kalkmış ve daha yüksek kaliteli filmler elde edilmiştir [11]. altın (Au) ve R kesim (R-cut) safir alt tabanlar üzerine depolanmıştır. geleneksel diyot ve magnetron olmak üzere iki ayrı sistemle ZnO ince filmler DC reaktif sıçratma yöntemiyle elde edilmiştir. alüminyum (Al). düşük basınçlarda (0. ZnO ince filmleri RF sıçratma yöntemiyle cam. Alt tabanın yerleştirilme konumuna göre iki tür depolama şekli (paralel ve dikey konum olmak üzere) kullanılarak incelemeler yapılmıştır. Bu sonuçlar açıkça ZnO ince filmlerin alt tabanın yüzey morfolojisinden ve yüzey kristalliğinden oldukça etkilendiğini kanıtlamaktadır [12]. yüksek baskıcı gerilime sahip filmler elde edilirken. alt taban şiddetli boşalma bölgesinin dışına yerleştirildiğinde. film yapısının gaz karışımındaki oksijen miktarına bağlı olduğu görülmüştür.4 Pa). Dikey konumdayken. 20    . yüksek basınçlara çıkıldığında (4-7 Pa) bu yan etkiler ortadan kaldırılmıştır. Geleneksel diyot sisteminde alt taban paralel konumdayken. her iki ara yüzeyde de direk ZnO ince film yöneliminin başladığı gözlenmiştir.4. ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLER ÜZERİNE YAPILAN ÇALIŞMALAR Bu bölümde geçmişten günümüze kadar yapılmış olan bazı çalışmaları ve bu çalışmalar sonucu elde edilen verileri ele alacağız. oksijen miktarının artmasıyla rastgele yönelimli filmler elde edilmiştir. Ar-O gaz karışımının kontrollü kullanımıyla. ZnO/Au ve ZnO/safir ara yüzeyleri arasında ise herhangi bir amorf tabaka gözlenmemiş. enerjik oksijen bombardımanının yol açtığı. Transmission Electron Microscope) ile incelenmiştir.

X-Ray Diffraction) çalışmaları filmlerin alt taban yüzeyine dik (002) yönelimli polikristal yapı sergilediğini göstermiştir. Alt taban yüzey morfolojisi ve ZnO kristalliği arasındaki ilişki göz önüne alındığında. Au. cm’ ye mbar arası basınçlarda. cm’ den 6. cm gibi düşük bir direnç. Ni ve Cu üzerine depolanan filmlerin yönelimlerinin düzensiz olduğu gözlenmiştir. optik geçirgenlik % 80’den % 85’e çıkmış daha mbar’ da optik geçirgenlik % 73 değerine düşmüştür.9 x 10 düşerken 10 x 10 mbar basınçta 1 W.28 eV’ luk bir bant aralığına sahip oldukları bulunmuştur [14]. elektriksel ve optiksel özellikler üzerine etkisi araştırılmıştır. Au ve Al üzerine depolanan filmler iyi c eksen yönelimi gösterirken. Artan basınçla bant aralığının genişlemesinin taşıyıcı yoğunluğunun artışıyla alakalı olduğu düşünülmüştür. Ni. Ortam gazı olarak yüksek saflıktaki. ZnO filmlerin büyütülmesi için ortamdaki oksijen gaz basıncı 20’den 50 mTorr’a ve sıcaklıkta 300’den 450 ’ye değiştirilmiştir.6 x 10 W. X-ışın kırınımı (XRD. Cu ve cam alt tabanlar üzerine büyütülmüştür. ZnO filmler cam alt tabanlar üzerine DC reaktif magnetron sıçratma tekniğiyle metalik çinko hedeften bir argon ve oksijen atmosferinde hazırlanmıştır. Elektriksel direnç 3 x 10 ile 6 x 10 ile 6 x 10 mbar arasında artan basınçla 32 x 10 W.RF sıçratma yöntemiyle ZnO ince filmler Al. Ayrıca böyle bir genişleme stokiyometrik olmayan filmlerin göstergesi olarak düşünülmüştür. Reflection High Energy Electron Diffraction) sonuçlarından incelenmiştir. Alt taban türüne bağlı olarak cam. X-ray diffraction) ve yansımalı yüksek enerjili elektron kırınımı yöntemi (RHEED. cm’ ye çıkmıştır. Yine 3x10 mbar mbar W. % 83’ lük bir optik geçirgenlik ve 3. Değişen basınçların yapısal. Tanecik boyutunun ise artan basınçla 25 nm’ den 55 nm’ ye arttığı gözlenmiştir. Au alt taban üzerine büyütülen ZnO’nun en iyi kristal özelliği gösterdiği bulunmuştur [13].24 eV’ dan 3. Transmission Electron Microscope) ile gözlenmiştir. %99. eğer alt taban yüzeyi sert ise ZnO ince filmlerin yöneliminin düzensiz olduğu görülmüştür. ZnO ve alt taban ara yüzeyleri arası geçirimli elektron mikroskobu (TEM. Sonuç olarak elde edilen en iyi filmlerin 6 x 10 mbar basınçta 2. ZnO ince filmlerin kristalliği x-ışın kırınımı (XRD. ZnO filmler farklı büyütme koşullarında GaAs tabanlar üzerinde atmalı lazer depolama (PLD) tekniği ile sentezlenmiştir.999 oksijen kullanılmıştır.32 eV değerine artış göstermiştir. Elde edilen 21    . sonra artan basınçta 10 x 10 Optik bant aralığı ise artan basınçla 3.

Bu sonuçlar GaAs tabanlar üzerinde üretilen ZnO filmlerin optik devreler için LED olarak kullanılabileceğini göstermektedir. öncelikle elde edilen filmlerin foto azalım için. X-ray diffraction) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM. DC ve RF sıçratma teknikleri kullanılarak üretilmiştir. Polikristal katkısız ZnO ince filmlerin ozon duyarlılığı. Yine bu ölçümler sonucunda (0001) yönelimli safir üzerine depolanan filmlerin çoğunun (0001) yönelimi içeren fiber kristali yapısında olduğu ve a eksen tabakasının depolama koşullarına bağlı olarak değiştiği gözlenmiştir [16]. Atomic Force Microscope) analizleri tüm filmlerin mikro kristal yapıya sahip olduğunu göstermiştir. X-ışın kırınımı (XRD. sprey piroliz.2 x 108 olarak bulunmuştur [17]. X-ray diffraction) ve yansımalı yüksek enerjili elektron kırınımı yöntemi (RHEED. (0001) ve (1120) yönelimli safir alt tabanlar üzerine. Filmlerin x-ışın kırınımı (XRD.ZnO filmler 3. tersine çevrilebilir bir süreçte. sabit bir iletkenlik değeri elde edilene dek vakumda UV (ultraviyole) ışığına tutulmasıyla ve ardından oksidasyon işlemine geçilerek yapılmıştır. Ar gaz basıncı ve uygulanan RF gücü gibi depolama şartlarının etkisi araştırılmıştır. Film yapısının. Foto azalım ve oksidasyonun filmlerin elektriksel iletkenliğine etkisi çalışılmış ve ozon duyarlılığı hesaplanmıştır. fakat mozaik yapının c eksen tabakasının alt taban sıcaklığı ve/veya film kalınlığıyla geliştiği gözlenmiştir. Tabaka kalınlığı 50 ile 500 arasında değişen bir dizi ZnO film c yönelimli safir tabanlar üzerine RF sıçratma tekniği kullanılarak biriktirilmiştir. Ozon duyarlılığı ölçümleri.35 eV aralığında çok güçlü bağıl eksiton pikleri göstermiştir. en iyi sonuçlara yüksek toplam basınçta depolanan RF sıçratılan filmlerle ulaşılmıştır. alt taban sıcaklığı. Arayüzey morfolojisini 22    . Elde edilen en iyi filmlerin ozon duyarlılığı 1. Ayrıca GaAs tabanlar üzerinde yapılandırılmış ZnO filmlerin diğer belirgin özellikleri de açıklanmıştır [15]. büyütme tekniği ve kullanılan parametrelerle oldukça ilgili olduğu gözlenmiş. Radyo Frekans magnetron sıçratma yöntemiyle depolanan ZnO filmlerin yapısal özellikleri üzerine. değişen parametrelerle. Reflection High Energy Electron Diffraction) ölçümlerinden (1120) yönelimli safir alt taban üzerine depolanan filmlerin depolama koşullarından bağımsız olarak mozaik yapılı (0001) yönelimli hetero epitaksiyel filmler olduğu.37 ve 3. Bağıl eksiton pikin yarı maksimumdaki t genişliği 5 meV’tan azdır.

ayrıca yine bu bölgede keskin ultraviyole (mor ötesi) soğurma şiddetine sahip olduğu görülmüştür. Tavlama işleminin sonucunda filmlerin elektrik ve optik özelliklerinin nasıl değiştiği incelenmiştir. Elde edilen sonuçların geçirgenlik spektroskopisinin verileriyle uyumlu olduğu görülmüştür [19]. Alınan x-ışın 34. buna bağlı olarak da tanecik boyutunun arttığı gözlenmiştir. Elektron demeti ile buharlaştırma yöntemi kullanılarak safir alt taban üzerine biriktirilmiş olan yönelimli ZnO ince filmler tavlanmıştır. Katkılanmamış ve hava ortamında tavlanmış ZnO’nun görünür bölgede renksiz ve şeffaf olduğu. Yarı maksimumdaki genişliğinin artan tavlama sıcaklığıyla azaldığı. ZnO filmler 100 kalınlığında biriktirildiği takdirde bu düzgün yüzeyli tampon tabaka çok iyi yapısal ve optiksel özellikler göstermektedir [18].araştırmak için Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) kullanılmıştır. Depolama sonrası artan tavlama sıcaklıklarıyla da (002) pikinin keskinleştiği görülmüştür. Tavlanan filmlerin yasak enerji bant aralığının tavlama sıcaklığına bağlı olarak 3. yaklaşık 380 nm’ de soğurma sınırına sahip olarak gözlenmiştir. Ayrıca yapılan taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizleri de bu x-ışın kırınımı (XRD) sonuçlarını doğrulamıştır [20]. X-ray diffraction) sonuçlarından sadece 2q 673 K arasında değişen tavlama sıcaklıklarında optik ve yapısal özellikleri çalışılmıştır. 23    .30 eV aralığında değiştiği gözlenmiştir. Filmlerin kırılma indisi ve soğurma katsayısı artan tavlama sıcaklığıyla artarken.4° açı değerinde (002) piki gözlenmiştir. Biriktirilen bu tampon tabaka kalınlığının üretilen filmlerin yüzey morfolojisi. X-ışın kırınımı (XRD) sonuçlarından baskın (002) piki yanı sıra (100) ve (110) pikleri de gözlenmiş ve artan tavlama sıcaklığıyla (002) kırınım pikinin ve c eksen yöneliminin artış gösterdiği gözlenmiştir. ZnO ince filmler SiO2 alt tabanı üzerine RF magnetron sıçratma yöntemiyle depolanmış ve tavlama sıcaklığının yapı kalitesine etkisi araştırılmıştır. artan film kalınlığıyla azalmıştır. yapısal ve optik özellikleri üzerine etkili olduğu bulunmuştur. Ayrıca elde edilen ZnO filmlerin optik özellikleri de düşük sıcaklık (LT) fotolüminesans (PL) kullanılarak açıklanmıştır. Bu da kristal boyutunun artmasıyla bağlantılıdır. ZnO filmlerin kristalliği çift kristalli x-ışını difraktometresi (DCXRD) kullanılarak incelenmiştir. 300– 800 nm arası kalınlıklarda depolanan ZnO filmlerin 373 kırınımı (XRD.27 ile 3. Elde edilen tüm filmler 400– 1100 nm dalga boyu aralığında ortalama %90 geçirgenlikle.

[22]. Elektriksel. Oda sıcaklığında FCVA ile depolanan ZnO ince filmlerin uygulanabilirliğini kanıtlamak amaçlanmış ve oksijen basıncının. görünür bölge ve yakın kızılötesi (NIR. düşük dirençli ( 4. oksijen taban basıncına sadece zayıf bir şekilde bağlı. artan film kalınlığıyla azalmıştır [21]. X-ray diffraction) analizleri filmlerin polikristal yapıda olduğunu göstermiştir. Near-IR) bölgede oksijen taban basıncıyla artmıştır.26 – 0. X-ışın kırınım (XRD. 100– 400 nm aralığında film kalınlıklarının ark akımına çizgisel bağımlı olduğu görülmüştür. Yüksek taşıyıcı konsantrasyonu olarak Zn safsızlıkları gösterilmiştir.Optik bant aralığı Eg ise artan tavlama sıcaklığıyla artarken. Sonuçlar yüksek geçirgenlikli ( % 90). Oksijen basıncının artmasıyla çeşitlerin enerjileri oldukça düşmüş. Yüksek kalitede katkılanmamış ve Ga O ile katkılanmış ZnO filmler reaktif elektron demeti buharlaştırma metoduyla hazırlanmıştırlar. Yüksek enerji iyonları. optiksel ve elektriksel özellikler üzerine etkisi sistematik bir şekilde araştırılmıştır. film yüzeyi üzerinde büyüme çeşitlerinin gelişmesine ve ZnO filmlerin depolanmasına öncülük etmiştir. yapısal. XRD sonuçları Ga O ile katkılanmış ZnO filmlerin c doğrultusunda büyüdüğünü ve bu sonuçlara istinaden (002) 24    .5 x 10 4 1 x 10 3 Torr) FCVA sisteminde üretilebilmiştir. aynı akım ve basınç değerleriyle depolanan yedi örneğin incelenmesi sonucu %4’den az olduğu bulunmuştur [23]. cm ). 5 x 10 4 1 x 10 3 Torr basınç aralığında yüksek c eksen yönelimli filmler elde edildiğini göstermiştir. geçirgenlik T.73 Pa aralığında değişen değerlerinin ve ark akımının 100 – 300 A arası değişen değerlerinin bir fonksiyonu olarak araştırılmıştır.1 x 10 3 Ω. Film kalınlığı oksijen taban basıncıyla yaklaşık çizgisel bir şekilde düşerken. Ölçüm parametrelerinin göreli standart sapması. stokiyometrik olmayan filmler elde edilmiştir. oksijen basıncının 0. O/Zn 0. elektriksel ve optiksel özellikler üzerine etkisi araştırılmıştır. Tanecik boyutu oksijen taban basıncıyla küçülmüştür. dolayısıyla düşük sıcaklıkta yüksek kaliteli filmler sadece yakın bir oksijen basınç aralığında ( 3. Polikristal ZnO ince filmler oda sıcaklığında cam alt tabanlar üzerine filtreli vakum ark depolama yöntemi (FVAD) ile depolanmıştır. Yapılan katkıların yapıdaki. optiksel ve yapısal özellikler.75 konsantrasyon oranıyla. Yüksek iyon enerjisi ve düşük alt taban sıcaklıklarında Zn safsızlıklarının oluşma olasılığı artmıştır.

X-ışın kırınımı yardımıyla filmlerin kristalografiık yapıları ve kristal büyüklüğü çalışılmıştır. Atmalı filtreli katodik vakum ark yöntemi ile cam alt taban üzerine depolanan ZnO ince filmler için en iyi tavlama sıcaklığının 600 °C olduğu görülmüştür. %28 oranında Ga O ile katkılanmış ZnO filmler en iyi kristal yapıyı göstermiştir. Taban malzemesine doğru 35 kHz bir atım frekansı uygulandığında büyük oranda c eksen yönelimine sahip AZO filmler üretilebilir. cam alt tabanlar için ölçülebilen en yüksek sıcaklıktır [26].25 nm gibi yumuşak bir yüzey pürüzlülüğü göstermiştir. üretilen AZO filmler en düşük direnç olarak 7. Atmalı DC magnetron sıçratma tekniği kullanılarak cam tabanlar üzerine Al katkılı ZnO (AZO) saydam iletken ince filmler biriktirilmiştir ve atım frekansının filmin yapısal. Bu sıcaklık cam alt tabanın özelliklerinden dolayı. Optimum büyütme koşulları altında. Optik yasak enerji aralığı katkı içeriğinin artmasıyla artar.9 42 nm olduğu tahmin edilmektedir. Ölçümler bütün kristallerin wurtzite formunda olduğunu ve yönelimlerinin (002) yönünde olduğunu göstermiştir.cm’lik bir özdirenç ve R 3. Filmlerin optik geçirgenlik spektrumundan üretilen filmlerin görünür bölgede %85-90 gibi çok yüksek bir geçirgenliğe ve yaklaşık 350 nm’lik bir soğurum kenarına sahip oldukları görülmüştür [25]. AFM sonuçları üretilen film içeriğindeki Ga O konsantrasyonu arttıkça film yüzeyinin daha pürüzsüz bir hal aldığını göstermiştir.40 10 Ω. Tanecik büyüklüğünün 18.pikinin şiddetinin kaktı konsantrasyonundaki değişimlere bağlı olduğunu göstermiştir. 25    . Ga O oksijenin konsantrasyonunun arttırılmasıyla ZnO film içerisindeki (kimyasal olarak absorbsiyon) dolayısıyla taşıyıcı konsantrasyonlarında elektriksel kemisorpsiyonu konsantrasyonda azalma olur bu da artan Ga O özdirencin artmasına sebep olmaktadır [24]. Tavlamanın etkisiyle kristal büyüklüklerinin arttığı ve X-ışını desenlerinin de keskinlik kazandığı gözlenmiştir. Tavlamanın etkisiyle filmlerin kırılma indisi azalırken soğurma katsayısı ve optiksel bant aralığının arttığı görülmüştür. ZnO’nun optik özellikleri UV-görünür spektrometre kullanılarak çalışılmıştır. ZnO ince film oda sıcaklığında atmalı filtreli katodik vakum ark yöntemiyle cam alt taban üzerine depolanmıştır. elektriksel ve optiksel özellikleri üzerine etkisi araştırılmıştır.

Yapılan XRD incelemeleri sonucunda metalik ya da seramik hedeften sıçratma tekniği ile üretilen Al ile katkılanmış ZnO filmlerin katkılanmamış filmlerden farklı yüzey morfolojisi gösterdiği ve tercihen (002) doğrultusunda büyüdüğü görülmüştür. Daha da önemlisi. Üretilen bu filmlerin yapısal ve elektriksel özelliklerine taban sıcaklığının etkisi incelenmiştir. ZnO filmlerinin iletkenlikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında alınan akım-voltaj ölçümlerinden belirlenmiştir. Buradan tanecik boyutu ve yapılanma katsayısı (TC) hesaplanmıştır. 26    . Saf ve Al ile katkılanmış ZnO ince filmler saf Zn ve seramik ZnO hedef kullanılarak DC magnetron sıçratma tekniği ile üretilmiştir. kristalliği ve optik geçirgenliği üzerine etkileri araştırılmıştır. Al ile katkılanmış filmler üretilirken metalik hedef kullanılması seramik hedef kullanılmasına kıyasla optik geçirgenlikte ve yasak enerji bant aralığında daha yüksek bir artışa sebep olur [28]. Sıçratma atmosferi içerisindeki farklı oksijen kısmi basınçları için hedef bileşimin filmin yüzey topolojisi. Filmlerin x-ışınları kırınım desenlerinden polikristal ve hekzagonal yapıda oldukları görülmüştür. Bütün filmlerin ohmik iletim mekanizmasına sahip olduğu gözlenmiştir [27].Çinko oksit (ZnO) filmleri püskürtme yöntemi kullanılarak farklı taban sıcaklıklarında üretilmiştir.

Arayer oksijen ve çinko eksiklikleri olası akseptör düzeyleri yaratabilmesine karşın. Şekil 5. ısıl işleme ve oksijen kemisorpsiyonuna bağlıdır [9]. 350°C’den daha düşük sıcaklıklarda taban malzemesi kullanıldığında elektriksel özelliklerdeki iyileşme taşıyıcı konsantarsyonundaki artıştan kaynaklanmaktadır.1(b)’den mobilitenin 350°C’ye kadar artan sıcaklıkla arttığı görülmektedir. 350°C’den daha yüksek sıcaklıkta taban malzemesi kullanıldığında elektriksel özellikte meydana gelen azalma muhtemelen daha iyi stokiyometri sebebiyle altlık yüzeyindeki organik ürünlerin oksidasyona daha fazla uğraması yüzünden taşıyıcı konsantrasyonunda meydana gelen azalmadan kaynaklanmaktadır [9]. Taban malzemesinin sıcaklığı 280°C’den 350°C’ye kadar değiştiğinde iletkenliğin 10 2 ’den 50 Ω 1 cm 1 ’e değiştiği görülmektedir.3 eV’tur. serbest yük taşıyıcılar oksijen boşlukları ve arayer çinko ile bağlantılı olarak donör seviyelerinden kaynaklanır. Katkılanmamış ZnO’de n-tipi yarıiletkenlik görülmesi stokiyometrideki sapmalardan kaynaklanmaktadır. Kaplama tekniğinden bağımsız olarak.1(a) ve Şekil 5. ÜRETİLEN ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ Çinko oksit II-VI n-tipi bir yarı iletken olup.1.5.Taban Malzemesinin Sıcaklığının Etkileri Şekil 5. ZnO filmlerin elektrilsel özellikleri güçlü bir şekilde kaplama metoduna. bütün katkılanmamış ZnO filmler uzun süreli kullanımlarda kararsızdırlar. taşıyıcı konsantrasyonunun ve Hall mobilitesinin tipik varyasyonlarını göstermektedir. yasak enerji bant aralığı 3.1(b) şekilleri oda sıcaklığındaki dietil çinkonun (DEZ) oksidasyonu ile kaplanmış ZnO filmlerin sıcaklığın bir fonksiyonu olarak oda sıcaklığındaki iletkenliğinin. 5.2-3. 27    . Mobilitedeki bu artış CVD tekniği ile hazırlanan ZnO filmlerin daha iyi kristalleşmesine ve tane sınırlarının eşik potansiyelindeki azalmadan kaynaklanır [9].

taban sıcaklığı ile (a) iletkenliğin.8’den daha az oksijen konsantrasyonlarıyla 473 K’den düşük sıcaklıktaki taban malzemeleri üzerinde hazırlanırlar.8’den daha az oksijen konsantrasyonlarında 473–523 K sıcaklık aralığındaki altlık üzerinde hazırlanabilirler [9]. atomları ve/veya bölgeleri (stokiyometrik olmayan durum) Zn 1 ZnO filmlerin elektriksel iletkenlikleri ve optik geçirgenliği üzerinde çok önemli bir rol oynar. Şekil 5. geçirgen ve iletken değildirler. Üçüncü grupta yer alan ve ZnO’nun stokiyometrisine yakın bir kompozisyona sahipt olan filmler. 28    .Şekil 5.2.2’ de altlık sıcaklığına ve oksijen içeriğine bağlı olarak bu üç grup görülmektedir.1. Taban malzemesi sıcaklığına ve oksijen konsantrasyonuna bağlı olarak ZnO iletken filmler üç grupta kategorize edilebilir. Metalik çinko ve çinko oksit karışımı olarak karakterize edilen ve birinci gruba ait olan filmler opak (saydam olmayan) ve iletkendirler. Bu filmler %1. Oksijenin farklı kısmi basınçlarında.Sıçratma Parametrelerinin Etkileri Sıçratma tekniği ile hazırlanan ZnO saydam iletken filmlerin elektriksel özelliklerine altlık sıcaklığına ilaveten oksijen kısmi basıncıda etki eden önemli bir parametredir. (b) Hall mobilite ve taşıyıcı konsantrasyonu değişimi [7] 5.8) ve düşük yetersiz sıcaklıklarda oksijen da hazırlanabilirler. Bu filmler altlık sıcaklığı 523 K’den daha yüksek ya da yüksek oksijen konsantrasyonlarında Arayer çinko (>%1. Bu tip saydam iletken ince filmler %1. Bu tip filmler ikinci grupta yer alır ve x O olarak gösterilirler.

ZnO filmlerin iletkenliğine ve saydamlığına oksijen konsantrasyonunun ve taban sıcaklığının etkisi. ● opak ve iletken.3. kaplama gücü=100 W [7] 29    =400 K. + =315 K. Hidrojen eklenmesiyle ZnO filmlerde özdirenç değişimi: ● kaplama gücü=200 W.Şekil 5. . Fakat sıçratma ile üretilen filmler hidrojen ve argon eklenmiş gazda sıçratmaya ya da çinko ilave yapılmış ZnO hedef üzerine sıçratmaya ihtiyaç duymaktadır [9]. ○ saydam ve iletken olmayan.2. saydam ve Şekil 5. iletken [7] Sıçratma tekniği ile hazırlanmış ZnO filmlerinde 103 Ω 1 cm 1 ’lik yüksek iletkenlik filmlerin stokiyometrisi değiştirilerek elde edilmiştir.

Örneğin büyük bias voltajlarıyla kaplanmış filmler en düşük özdirenç değerlerine ve en büyük taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip olmaktadır. filmlerin oluşma karakteristiklerinde meydana gelen değişiklerden kaynaklanan akseptör düzeylerinin yoğunluğundaki artış nedeniyle artan dengeleme gösterilebilir [7]. Bu olay ya oksijen boşluğuna ya da arayer çinkoya yol açarak donör seviyelerinin yükselmesine yol açar. Bu aralıkta taşıyıcı konsantrasyonunun arttığı görülmektedir.4’de dietil çinkonun oksidasyonu ile hazırlanan ZnO filmlerin sıcaklıkla σ. Özdirençte başlangıçta meydana gelen düşüş hidrojenin oksijeni uzaklaştırmasıyla ilişkilidir ve böylece kaplanan filmdeki çinko/oksijen oranı arttırılır. Bu basınçlarda elde edilen filmler. Bu şekilden özdirencin artan hidrojen ilavesiyle başlangıçta azaldığı. 5. Capolaretti büyük oranlarda ilave yapılarak büyük bias voltajları uygulanmış altlıklar kullanarak bias-sıçratma tekniğiyle üretilen ZnO filmlerde özdirençte bir azalma ve taşıyıcı konsantrasyonda bir artış rapor etmiştir. belirli bir hidrojen kısmi basıncında minimum bire değere ulaştığı ve daha sonra hidrojen kısmi basıncındaki artışla arttığı gözlemlenebilir.Şekil 5. 30    . Bu mobilite sonuçlarının yorumlanması çeşitli yayınım mekanizmalarının eş zamanlı hareketi sebebiyle karmaşıktır. Ayrıca özdirençteki artışın hidrojen eklenmesinin ötesinde bu artış taşıyıcı konsantrasyonundaki azalmanın da önemli bir rolü vardır.Yayınım Mekanizmalarının Etkisi Şekil 5.3’de hidrojen ilavesiyle özdirencin değişimi görülmektedir.3.cm ve taşıyıcı konsantrasyonu da 8 10 cm ’dür [9]. N ve μ’nin değişimini göstermektedir. Tipik olarak 200 V bias voltajında özdirenç 8 10 3 Ω.

4. taşıyıcıların termal alan emsiyonundan kaynaklanmakta olduğunu. yüksek oranda katkılandığında ya da düşük sıcaklıkta olduğunda egemen akım. oysa düşük oranda katkılama yapılmış malzemede ya da yüksek sıcaklıkta termiyonik emisyondan kaynaklandığını gözlemlemişlerdir [9]. N ve μ değişimi. Minami çeşitli çevre koşullarında RF magnetron sıçratma tekniği ile hazırlanan ZnO filmlerin elektriksel özellikleri üzerine çalışmış ve 10 ay süreyle oda sıcaklığında 31    . Blom ve Ogama termiyonik emisyonun aynı zamanda daha yüksek sıcaklık bölgesinde baskın iletkenlik mekanizmasının tane sınırlarında gerçekleşmesi olduğunu gözlemlemişlerdir [9].Şekil 5. polikristal yarıileken filmler. CVD ile kaplanan ZnO filmlerin sıcaklıkla σ. numune (111)’in kalınlığı 900Å ve numune (118)’in kalınlığı 500Å [9] Roth ve Williams tane sınırlarındaki termiyonik ve termal alan emisyonlarını dikkate alarak analiz yaptığında.

Vakumda ve inert gazda ısıl işlemden sonra özdirençteki artış taşıyıcı konsantrasyonundaki azalmaya bağlıdır. Bu etki en çok 400°C’de vakumda ve soy gaz ortamda tavlanan filmlerde görülmüştür ve özdirençte bir ile üç derecede artış tespit edilmiştir [9]. Sıçratma tekniğiyle hazırlanan ve vakumda tavlanan ZnO filmlerin direncinin tavlam sıcaklığıyla değişimi [9]. 32    . Çünkü film yüzeyindeki oksijenin kemisorpsiyonu vakumda ve inert gazlarda önemsizdir [9]. Şekil 5. Grafikten rejim bölgesindeyken görece bir düşük dirence sahip olan A numunesinin direncinde ısıl işlemle en fazla artış meydana gelir.havaya maruz bırakılan ZnO filmlerin elektriksel özelliklerinde belirgin bir değişiklik olmadığını rapor etmiştir. inert gaz ve hava ortamlarında tavlanan ZnO filmlerin özdirencinde değişik gözlemlemiştir.5’de sıçratma tekniğiyle hazırlanmış ve yaklaşık 400°C’ye kadar vakum altında tavlanmış ZnO filmlerin sıcaklıkla değişimi görülmektedir. Fakat 400°C’ye kadar yüksek sıcaklıklarda vakum. Taşıyıcı konsantrasyonundaki bu azalma oksijenin tanecik sınırlarında kemisorpsiyonu yüzündedir. Şekil 5.5.

5. Roth ve Williams aynı zamanda oksijen desorpsiyonu sebebiyle uzun süreli UV ışınına maruz kalan ZnO filmlerin iletkenliğinde bir artış rapor etmişlerdir [9]. Al ilave edilmiş ZnO filmlerdeki yüksek taşıyıcı konsantrasyonu Zn bölgelerine yerleşen Al kaynaklanmaktadır [9].4. Al ilave edilmiş filmler katkılanmamış filmlere karşılaştırıldığında yüksek taşıyıcı konsantrasyonu ve düşük mobiliteye sahiptirler. Bu fark hidrojen empüritelerinin difüzyonunun bir sonucu olarak sığ donörlein oluşumuna ve oksijen eksikleri sebebiyle arayer çinko atomlarından ve oksijen boşluklarından kaynaklanan hataların sonucuna bağlanabilir. Örneğin. %3 İn ilavesi yapılmış ZnO filmler vakum altında 650 K’e kadar. Caillaud aynı zamanda oksijende olduğu kadar iyi bir şekilde havada tavlamanın sonucu olarak benzer bir şekilde özdirençte artış gözlemlemiştir.cm’e kadar kayda iyon iyonlarından ve ZnO kafesinde yer alan Al’dan 33    . 400°C’de hidrojen atmosferde tavlamayla özdirençte yalnızca bir kat artış sağlanmıştır. Minami hava ortamında yapılan ısıl işlemin vakum altında ve inert gaz ortamında yapılan ısıl işlemden daha fazla oranda özdirençte artışa sebep olduğunu gözlemlemiştir. Fakat pek çok araştırmacı sıçratma tekniğiyle üretilmiş ve sonrasında ısıl işleme tabi tutulmuş ZnO filmlerin direncinde bir düşüş gözlemlemiştir [9]. oksijen ortamında ise 450 K’e kadar termal kararlılık göstermektedir. Havada ve vakum altında tavlamanın aksine. Filmlerin direncinde meydana gelen artış 400°C’de hava ortamında tavlamadan sonra üç ile on mertebe derecesinde arttığını tespit etmiştir [9]. Hidrojen altında ısıl işlemle özdirençte gözlenen artış diğer ortamlarda gözlenenden daha azdır. Hava ortamında ısıl işlem sırasında filmler sürekli olarak havaya maruz kaldığı için yüzeydeki oksijenin kemisorpsiyona uğraması özdirençteki bu artışa sebep olur.Major sprey pirolizle hazırlanmış ve 30 dk süreyle 625 K’de vakum altında tavlanmış katkılanmamış ZnO filmin direncinin 0.Katkılamanın Elektriksel Özelliklere Etkisi ZnO filmlere ilaveler yapılması sadece onların elektriksel özelliklerini geliştirmekle kalmaz aynı zamanda onların kararlılıklarını da geliştirir.15’den 6 değer bir düşüş gösterdiğini gözlemlemiştir [9]. 3 2 10 2 Ω.

34    .

6 (a). taşıyıcı konsantrasyonu ve mobilitenin Al içeriği ile değişimini göstermektedir. (b) taşıyıcı konsantrasyonu. Şekil 5.45’in üzerine çıkarıldığı zaman fazladan Al atomlarına bağlı olarak iletken olmayan alüminyum oksit fazı oluşur. 35    .6 (c)’den Al içeriğinin artmasıyla mobilitenin azalacağı görülebilir.6 (a)’dan iletkenliğin %0. Şekil 5.Şekil 5. (b) ve (c)’de CVD ile üretilmiş Al ilaveli filmlerde iletkenlik.45 Al konsantrasyonunda hızlıca arttığı daha sonrasında ise neredeyse hızlıca arttığı daha sonrasında ise neredeyse kararlı olduğu görülmektedir. Daha yüksek alüminyum konsantrasyonlarında filmde büyük miktarda iletken olmayan alüminyum oksidin oluşumu sonucunda iletkenliğin azalması beklenebilir. (c) mobilite değişimi [9] Şekil 5.6 (b)’de de görülmektedir. aynı zamanda arayer pozisyonlarını işgal edebilir ve kristal yapıyı da deforme edebilir. İletkenlikteki bu artış çok az sayıdaki alüminyumun filmde çok sayıda serbest elektron sağlamasından kaynaklanmaktadır. Al içeriği %0.6. ZnO filmlerdeki Al içeriği ile (a) iletkenlik. İletimi gerçekleştiren elektronları sağlayan alüminyum atomları ile oluşan alüminyum oksit atomları arsında bir dengeye ulaşılır. Al atomları sadece iletkenliği sağlamaz aynı zamanda yayılım merkezlerini de iyonize eder. Bu aynı zamanda şekil 5.

Şekil 5. Galyum oksit içeriğinin %5’e kadar artmasıyla sadece donörler sağlanırken. Galyum oksit içeriğiyle mobilite.7.İyonize olmuş empüriteler tarafından yapılan yayılım ve kristaldeki hatalar da mobilitede düşük bir değere sebep olurlar. Şekil 5.7’den mobilitenin katkılanmamış ZnO filmlerde ~30 cm2 ⁄V. Aynı sonuçlar RF sıçratma tekniği kullanılarak ve galyum oksit (Ga2 O3 ) ilavesi yapılmış ZnO filmlerde de gözlenmiştir.7’de görülmektedir [9]. s iken ağırlıkça %15 galyum oksit ile katkılanmış filmlerde ~1 cm2 ⁄V. içeriği ile ZnO filmlerin özdirenç. s 36    . iletkenlik ve taşıyıcı konsantrasyon arasında ilişki Şekil 5. taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall mobilitesinin değişimi [9] Galyum oksit içeriğinin %5’e kadar artmasıyla önce özdirenç ani bir şekilde düşer ve daha sonrasında galyum oksit içeriğinin artmasıyla artış gösterir. %5 üzeri galyum oksit içeriğinde tane sınırlarında galyum segregasyonu gerçekleşir. Taşıyıcı konsantrasyonu %5 galyum oksit içeriğine kadar hızlıca artar ve daha yüksek galyum oksit içeriklerinde kararlıdır.

B konsantrasyonundaki artışlarla taşıyıcı konsantrasyonundaki artıştan ziyade doğal sonuçlar gözlenir.değerine düştüğü görülmektedir. Aslından mobilitenin dağılım mekanizması taşıyıcı konsantrasyonun gösterdiği etkinin tersini göstermektedir.3 1020 cm 3 olur. Özellikle bu durum Al ile katkılanmış filmlerde gözlenir.8 B bileşiminde 9.5 olarak elde edilmiştir [30]. Mobilitedeki bu azalma esasen iyonize empüritelerin yayınımından ve tane sınırlarındaki galyumun sebep olduğu ekstra yayınımlardan kaynaklanmaktadır [9]. Katkılama ZnO filmlerin yapısal özelliklerinde kayda değer değişimler neden olmaktadır. Bu yüzden bu durum daha yüksek konsantrasyonlarda ayrılmış atomlar sebebiyle oluşan kümeleşmeden kaynaklandığı nitel olarak açıklanabilir. Bor (B) ilave edilmiş ZnO flmlerin oda sıcaklığındaki direç. 10 3 Ω. B içeriği arttıkça mobilite artar ve %1 B bileşiminde maksimuma ulaşır ve daha sonrasında aniden düşüş gösterir. En düşük direnç değeri %1 İn ilavesiyle sağlanmıştır ve bu da sprey piroliz ile üretilmiş ZnO ince filmler için en uygun ilavenin İn olduğu anlamına gelir.cm 37    . B ile katkılanmış ZnO filmlerde minimum direnç değeri %0.8 (a). Daha yüksek B bileşimi miktarlarında azalır. taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall mobilitesi ilave madde miktarının bir fonksiyonu gibidir ve Şekil 5. Elde edilen sonuçlardan düşük direnç ve absorbsiyon işbirliği ile bu ZnO ince filmlerin pek çok optoelektronik uygulamada kullanılabileceği görülmektedir [29]. (b) ve (c)’de görülmektedir. Mobilitedeki bu düşüş iyonize empürite dağılımının varlığıyla açıklanamamaktadır. Fakat en büyük değişimler %1–2 ilave madde konsantrasyonlarına kadar direncin düşüşüyle elektriksel özelliklerde sağlanır. Film içerisindeki B bileşiminin artması ile elektron yoğunluğu kademeli olarak artar ve %2 B bileşiminde en fazla 1.

38    .

69 0.(saf ZnO) Bor Bor Bor Bor Bor Alüminyum Alüminyum Alüminyum 0 0 0.26 0.26 0. Çeşitli koşullarda hazırlanmış ZnO.82 9.8 0.00 0.41 2.19 5.47 0.52 6.5 1632 14.93 15. AZO ve BZO ince filmlerin elektriksel özellikleri [30] Kaplama parametreleri Doping Konsantrasyonu Eklenen malzeme Yok.8 450 450 450 450 450 650 650 450 450 450 Tavlanmamış 450 Tavlanmamış 400 450 Tavlanmamış 450 Tavlanmamış 400 450 2100 149 2219 15.69 Tabaka Direnci (×104 Ω) 6.8 0. (a) direnç.18 2.06 0. 1.05 7.3 (%) Büyüme Vakum Tavlama Direnç (× 10−3_ cm) Sıcaklığı(◦C ) Sıcaklığı(◦C) Elektriksel özellikler Taşıyıcı (× 10 19cm−3) 0.02 Konsantrasyonu Mobilitesi   39    . akısının bir fonksiyonu olarak B ile katkılanmış ZnO filmlerin elektriksel özellikleri.8 1.80 1.8 0.0 1.63 5.01 0.08 12.18 13.25 0.74 9. (c) mobilite [31] Tablo 5.6 1432 3.8 3.98 7.13 0.50 14.0 0. (saf ZnO) Yok.Şekil 5.07 5.8. (b) taşıyıcı konsantrasyonu.19 12.82 0.4 9.18 0.8 0.95 Taşıyıcı (cm2/Vs) 0.

40    .cm’e düşerken. Şekil 5. Bu da vakum altında sol-gel metodu ile ince filmlerin üretiminin önemini işaret etmektedir. B2 H6 debisinin arttırılması ile direnç 17 sccm’de minimum değer olan 2.Makul sıcaklıklarda tavlamayla elektron konsantrasyonu ve elektron mobilitesinde de kayda değer artışlar elde edilmiştir.1’de çeşitli koşullarda hazırlanmış ZnO. B2 H6 debisinin 0’dan 17 sccm’ye arttırılması daha büyük tanelere sebep olabilmekte ve bu da SEM fotoğraflarından anlaşılabilmektedir.8 cm2 ⁄V. Tablo 5. Yapılan incelemelerin sonuçları B 3 ’ün ZnO filmlere dahil edilebileceğini ve böylece de ZnO filmlerin dirençlerinin düşürülebileceğini göstermektedir [31]. AZO (Al ile katkılanmış ZnO) ve BZO (B ile katkılanmış ZnO) ince filmlerin elektriksel özellikleri görülmektedir [30]. sonrasında ise azalmaya başalar.8 10 3 Ω.9. Hall mobilitesi (μH ) ise B2 H6 debisi arttıkça kademeli olarak artar ve 17scmm’de maksimum değer olan 17. Vakum altında tavlanmış B katkılı ZnO filmler için Hall mobilitesi. MOCVD (Metal Organik CVD) ile ZnO film üretimi yapıldığında. s’ye ulaşır. B2 H6 debisinin arttırılmasıyla artmaktadır. taşıyıcı konsantrasyonu ve direncin B bileşimi ile değişimi [30] B yapı içerisindeki Zn atomları veya formları ile yer değiştirerek film içerisindeki serbest elektron yoğunluğunu arttıran n-tipi yeralan bir atomdur. Elektron konsantrasyonu (ne 0–21 sccm arasında artmakta ve daha yüksek B2 H6 debisinde azalmaktadır.

Taban sıcaklığında 250°C’ye kadar artışla beraber mobilitede gözlenen bu artış filmdeki kristalliğin artmasına başlıdır [9]. Şekil 5.4. taşıyıcı yoğunluğu ve özdirenç (ρ) değişimi [7] En düşük özdirenç olan 3. Taban Sıcaklığı ve Film Kalınlığının Etkisi ZnO saydam iletken ince filmlerde elektriksel özellikler taban sıcaklığına ve film kalınlığına bağlılık göstermektedir.10’dan görülmektedir.5. 41    . Şekil 5. taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall mobilitesinin taban malzemesi sıcaklığıyla ilişkisi görülmektedir [9]. Taban sıcaklığı 250°C’ye kadar arttırıldığında özdirenç değerinde meydana gelen kademeli azalış esas olarak mobilitedeki artışla ilişkilidir.1.5 10 4 Ω. Al-ZnO filmlerin taban sıcaklığı ile mobilite (μ).10’da DC magnetron sıçratma tekniğiyle hazırlanmış Al ilaveli ZnO filmlerin özdirenç.cm değerinin 250–300°C arasında taban sıcaklığından bağımsız olduğu Şekil 5.10.

katkılı ZnO filmin özdirencinin 0. Film kalınlığı 2500Å’dan daha az olduğu zaman film kalınlığı arttıkça özdirencin azaldığı görülmektedir. RF sıçratma tekniğiyle hazırlanmış kalınlıkla değişimi.42 ⁄ . Fakat katkılanmış ZnO filmler elektriksel ve optiksel özellikleri bakımından kararlıdırlar.2.4. Şekil 5. Termal Kararlılık 0.Aktaruzzaman spreyle kaplanmış Al ilaveli ZnO filmlerde 300–500°C arasındaki taban sıcaklığıyla elektriksel özdirenç arasında zayıf bir ilişki olduğunu gözlemlemiştir [9]. 42    . Şekil 5.11. Fakat film kalınlığı 2500Å’un üzerine çıktığında özdirenç neredeyse film kalınlığından bağımsızdır.11 RF sıçratma tekniğiyle hazırlanmış Ga2 O3 ilaveli ZnO filmlerin özdirencinin film kalınlığıyla değişimini göstermektedir. Aynı olay sırasıyla Minami ve Major tarafından alüminyum ve indiyum ile katkılanmış ZnO filmlerde de gözlenmiştir [9]. 5.84 ⁄ [7] Daha önce de değindiğimiz gibi katkılanmamış ZnO filmler termal kararsızlıkları sebebiyle pratik uygulamalar için uygun değildirler.

oksijen ve vakum altında tavlama işlemlerinin katkılama yapılmamış ZnO filmlerin özdirencinde dikkate değer bir değişime neden olduğu şekilden açıkça anlaşılmaktadır. katkısız (─) ve%3 İn katkılı (…) ZnO filmler için [7]. Sıcaklıkla özdirencin değişimi: Vakumda (●). oksijen ortamında ( tavlanan.12 oksijende ve vakum altında tavlanmış katkısız ve (%3 İn) katkılı ZnO filmlerin özdirencinin değişimini göstermektedir. Şekil 5.Şekil 5.12. Diğer taraftan. ) 43    . %3 İn ile katkılanmış filmler her iki ortamda da (oksijen ve vakum ortamı) 650 K’e kadar termal kararlılık göstermektedir [9].

2’de optimum koşullar altında oluşturulmuş ZnO saydam iletken oksit filmlerin elektriksel özellikleri görülmektedir. N (cm ) 5 10 10 10 12 2.2 10 10 10 1021 1021 4.47 35 10 10 10 10 24 12.6 1. Tablo 5.9 10 10 7 8 10 4 σ Taşıyıcı konsantrasyonu. (Ω cm ) 5 10 10 10 2. (Ω. 2. ZnO’nun elektriksel özellikleri [7] Yüzey Malzeme Yöntem Sıçratma tekniği CVD Reaksiyonla buharlaştırma Reaksiyonla buharlaştırma Püskürtme Sıçratma tekniği Sıçratma tekniği Sıçratma tekniği Sıçratma tekniği Sıçratma tekniği Sıçratma tekniği CVD Sıçratma tekniği özdirenci. Tablo 5. s) 8 14 10 40 44    . µH (cm ⁄V.cm) ZnO ZnO ZnO ZnO In-ZnO In-ZnO In-ZnO Al-ZnO Al-ZnO Al-ZnO Al-ZnO Al-ZnO Ga-ZnO 85 — — — — — — — — — — 4000 — 3 50 4 4 7 10 103 103 102 103 103 3 R Elektriksel iletkenlik.Genel olarak ZnO ince filmlerin elektriksel özellikleri film oluşturma tekniklerine ve parametrelerine bağlıdır.9 20 40 Hall mobilitesi.68 8 1020 1020 1021 30 25 1.

2’de görülmektedir.   Şekil 6. 500°C.6. Bu etki Şekil 6. Şekil 6. 45    . 550°C ve 600°C’de hazırlanan ZnO filmlerin optik absorpsiyonu [10] Üretilen ZnO ince filmlerin optik özellikleri de yapılan katkılardan etkilenmektedir. 1. Bu davranış ise serbest taşıyıcı konsantrasyonundaki artışla ve taşıyıcı konsantrasyonda meydana gelen bu artış aynı zamanda bant aralığında meydana gelen artışla ilişkilendirilmektedir [29]. Absorbsiyonda %1–2 katkı konsantrasyonuna kadar bir artış ve katkı konsantrasyonu daha fazla arttıkça ise belli belirsiz bir düşüş gözlenmektedir.1’de farklı taban sıcaklıklarında elde edilmiş ZnO filmlerin absorpsiyon eğrileri görülmektedir [10]. ÜRETİLEN ÇİNKO OKSİT İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİ Çinko oksit filmler görünür bölgede saydam oluşları [7] ve keskin bir soğurum kenarına sahip omları sebebiyle [10] saydam iletken malzeme olarak çok büyük ilgi görmektedir.

2.  Şekil 6. Katkılanmış ZnO ince filmler için (a) absorbsiyon katsayısını (λ=550 nm için) ve (b) bant aralığının katkı konsantrasyonu ile değişimi [29] 46    .

3. Taşıyıcı yoğunluğuna ( ⁄ ) karşı bant aralığının ( 47  ) değişimi [8]   .B katkısı yapılmış ve yapılmamış ZnO filmler karşılaştırıldığında dalga boyutu 1000 nm’nin altında iken optik geçirgenlik bakımından önemli bir fark yokken. Katkılanmamış ve katkılanmış ZnO fillerin optik özellikleri incelenirken taşıyıcı konsantrasyonun ZnO filmlerin optik bant aralığındaki etkisi ele alınmıştır. İndiyumla katkılanmış ve ardından muhtelif ortamlarda tavlamayla taşıyıcı konsantrasyonu değiştirilmiştir.   Şekil 6.3’de gösterilmiştir [7]. Vakumda tavlamadan sonra katkısız ve %1.4 B ilaveli ZnO filmlerin bant aralıklarının sırasıyla 3.26 eV’tan 3.24 eV’tan hafifçe arttığı da gözlemlenmiştir [30]. B2 H6 debisi arttırıldığı zaman 1000 nm üzerindeki dalga boylarında geçirgenliğin azaldığı gözlenmiştir [10]. Taşıyıcı konsantrasyonuna bağlı olarak bant aralığındaki bu değişim Şekil 6.28 eV’a ve 3. Taşıyıcı yoğunluğu arttıkça bant sınırının daha düşük dalga boylarına kaydığı gözlemlenmiştir.

Oksijen konsantrasyonlarının %2’den büyük değerleri için filmler yüksek derecede saydam olmakla beraber iletken değildir. bias saçma (BS) ve reaktif buharlaştırma (RE))kullanılarak oluşturulan ZnO filmler için 300 K’deki teorik ∆Eg değerleri Şekil 6. Taşıyıcı konsantrasyonunun fonksiyonu olarak yasak enerji aralığındaki daralma.Geçirgenlik ve Yansıma Hem kısmi oksijen basıncı hem de taban sıcaklığı bu filmlerin hem elektriksel özelliklerini hem de optik özelliklerini kontrol etmede çok önemli bir rol oynamaktadır. Diğer taraftan %2’den küçük oksijen konsantrasyonları için filmler iletken olmakla beraber ~ 473 K’e kadarki taban sıcaklıklarında opaktır. 523 K’den daha yüksek taban sıcaklıkları için filmler.4’de gösterilmiştir [7]. 48    .   Şekil 6. bunun ardından filmler 523 K’e kadarki taban sıcaklıklarında saydam olmanın yanı sıra iletkendir. Optimum koşullar altında oluşturulan filmlerin ışık geçirgenliği %90’dır [7].Farklı teknikler (organo-metalik CVD (OCVD). değişik elde etme yöntemleri [9] 6. reaktif RF magnetron sıçratma (RRFMS). 4.1. oksijen konsantrasyonundan bağımsız olarak saydam ve yalıtkandır.

5. Katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmleri için geçirgenlik (T).Şekil 6. 800 nm dalga boylarındaki fotonlar için başlamış ve ~ 400 nm dalga boylarından itibaren giderek azalmıştır.6’de katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için dalga boyunda meydana gelen değişimlere karşı geçirgenliğin değiştiği görülmektedir. %1 ve %3 İn katkılanmış ZnO filmleri için sırsıyla yansıma değerleri yaklaşık olarak %30 ve %60’dır [7]. Geçirgenliğin ve yansımanın spektral bağımlılığı.   Şekil 6.5’de katkılanmamış ve İn ile katkılanmış ZnO filmler için ışık geçirgenliği ve yansımanın spektral bağımlılığı gösterilmektedir. indiyum konsantrasyonu ne kadar yüksekse ışık yansımasının değeri de o kadar büyük olur. Bununla beraber ışık geçirgenliği temel absorpsiyon sınırına bağlı olarak kızılötesi bölgede çok hızlı düştüğü ve absorpsiyon sınırında da hafifçe daha kısa dalga boylarına doğru kaydığı da gözlemlenmiştir. Ayrıca Şekil 6. ve %1 (---). Tüm filmler görünür aralıkta yüksek ışık geçirgenliğine sahiptir ve değeri %80’den büyüktür. katkısız (…). Bu durum fotonların enerjilerinin 49    . %3 (—) İn katkılı ZnO filmler için [9] Şekil 6.11’den de görüldüğü gibi ışık yansıması büyük oranda indiyum konsantrasyonuna bağlıdır.

elde edilen yarıiletken filmlerin yasak enerji aralığına eşit veya büyük olduğu durumlarda malzemenin absorplama yaptığını, küçük olduğu durumlarda ise absorplama yapmadığını gösterir [32].

 

Şekil 6. 6. Katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için dalga boyu-geçirgenlik grafiği[32]

 

Şekil 6. 7. Katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için dalga boyu-yansıma grafiği [32]

50 
 

Şekil 6.7’de katkısız ve %3 Al katkılı ZnO filmler için fotonun dalga boyunda meydana gelen değişimler karşılık yansıma katsayısının (R) değişimi görülmektedir. Yansıma olayı, yaklaşık olarak 180 nm dalga boylarından başlayarak daha kısa dalga boylarına gidildikçe artmıştır. Bunun sebebi fotonların enerjilerinin artışından dolayı fotonların elektronlar, atomlar veya kristal molekülleriyle daha fazla etkileşmeleri ve geri yansıdıkları düşünülmektedir. Katkısız numunenin yansımsı, %3 Al katkılı ZnO filmin yansımasından daha büyüktür. Buna göre katkı miktarı arttıkça yansıma azalır denilebilir [32].

 

Şekil 6. 8. Elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO filmler için dalga boyugeçirgenlik grafiği [33] Şekil 6.8’de elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO yarıiletken ince filmlerinin oda sıcaklığındaki geçirgenlik spektrumu verilmiştir. Katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO filmleri için dalga boyu 800 nm’den başlayıp 300 nm’ye kadar azalmıştır. Bu da fotonların enerjilerinin yarıiletken malzemenin enerji bant aralığına denk veya daha fazla olduğu durumlarda malzemenin daha fazla absorplama yaptığını göstermektedir. Geçirgenliğin kısa dalga boylarında ani bir düşüş göstermesinin sebebinin bu olduğu düşünülmektedir. Şekil 6.14’den de görüldüğü gibi Sn katkısı ile ZnO yarıiletken ince filmin optik geçirgenliği büyük değerlerde başlayıp çok hızlı bir düşüş göstermiştir. Kısa dalga boylarına gidildikçe katkısız ZnO filme göre katkılı 51 
 

filmin geçirgenliği daha düşük çıkmıştır. Bu düşüşe Sn ilave ettikçe filmin kalınlığındaki artışın sebep olduğu düşünülmektedir. Geçirgenlik spektrumlarından filmlerin ortalama geçirgenlikleri katkısız ZnO fil için %75, Sn katkılı film için ise %89 olarak bulunmuştur [32]. Şekil 6.9’da elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO yarıiletken ince filmlerin % yansımalarının (R) fotonun dalga boyuna karşı değişimi görülmektedir. Yansıma kısa dalga boylarına kaydıkça artmıştır. Bunun sebebinin fotonların enerjisinin artmasından dolayı fotonların elektronlar, atomlar veya kristal molekülleriyle daha fazla etkileştikleri ve geri yansıdıkları düşünülmektedir. %1 oranında Sn katkılı ZnO filmde, katkısız ZnO filme göre daha fazla yansımanın olduğu gözleniştir [33].

 

Şekil 6. 9. Elde edilen katkısız ve %1 Sn katkılı ZnO filmler için dalga boyu-yansıma grafiği [33] Tablo 6.1’de çeşitli tekniklerle hazırlanmış, katkılanmış ve katkılanmamış ZnO’nun bazı optik özellikleri görülmektedir.

52 
 

ZnO 90 --- 3.ZnO >80 --- 3.3 --- İn. 1.85 Al. Çinko oksidin optik özellikleri [7] % Malzeme Yöntem (T) bölgede) Püskürtme Yöntemi Geçirgenlik (görünür % (R) Yansıma (IR Bant Eg (eV) aralığı Kırılma indisi (n) bölgesinde) ZnO 70 --- 3.1 --- ZnO CVD >90 --- 3.23 --- ZnO Reaksiyonla buharlaştırma Sıçratma Tekniği Sıçratma Tekniği 88 --- 3.59 --- 53    .ZnO CVD 85 90 --- --- Ga.52 --- Al.29 1.ZnO Sıçratma Tekniği >85 --- 3.Tablo 6.

1’de B ile katkılanmış ZnO filmlerin farklı diboran akılarındaki SEM fotoğrafları görülmektedir. (a) 0 sccm. B ilave edilmemiş ZnO filmler hücresel morfoloji 54    . (c) 17 sccm. (e) 25 sccm [31] Şekil 7. (d) 21 sccm. Farklı akılarında biriktirilmiş ZnO:B filmlerin SEM fotoğrafları.1. (b) 12 sccm. ÜRETİLEN ZnO SAYDAM İLETKEN İNCE FİLMLERİN KARAKTERİZASYONU Şekil 7.7.

B ilavesi ZnO filmlerin kristal doğrultularında ve yapısının modifiye edilmesinden önemli bir rol oynamaktadır. B ilave edildikçe yapının düzensiz bir biçim aldığı gözlemlenmiştir. 17 sccm B2 H6 akısında tane büyüklüğü ve morfolojisi yaklaşık 300 nm olan piramit iken. Ayrıca B2 H6 akısı arttırıldıkça tane boyutunun arttığı ve ZnO filmlerin morfolojisin de olağanüstü bir şekilde değiştiği gözlemlenmiştir.gösterirken. Farklı akılarında ZnO:B filmlerin XRD spektrumları [31] Şekil 7. Şekil 7.2’ farklı diboran akılarında hazırlanan B ile katkılanmış ZnO filmlerin XRD spektrumları görülmektedir. 25 sccm’de küresel gibidir [31]. Katkılanmamış ZnO filmler (101) doğrultusunda yönelim gösterirler.2. Deneyimler biboran debisinin 55    .

Tavlanmamış ve tavlanmış ZnO yarıiletken ince filmlerin c-ekseni (002) yönüne sahip olduğu XRD ölçümlerinden bulunmuştur ve filmin kristalliği tavlamayla gelişmiştir. Şekil 7. Şekil 7.3. 500 ve 600 lik sıcaklıklarda havada tavlanmıştır. 400 .3 Kalınlığı 390 nm. B ilavesi ZnO filmlerin mikroyapısını kararsızdan kararlı hale geçmektedir [31].arttırılması ile ZnO filmlerin büyümesinin yüzeyde uzanmadan yüzeye dik doğrultuda değiştiğini göstermiştir. basıncı . 300 . Torr ve cam alt taban üzerine kaplanan ZnO yarıiletken ince farklı tavlam sıcaklıkları için X-ışın kırınım desenleri [5] 56    . Mikroyapının değiştirilmesi ZnO kristal yapısının (002) düzlemin en düşük seviyede enerjiye sahip olması gibi arayüzey enerjisinde de değişime sebep olabilir. tavlama sıcaklığı 600 ºC iken tanecik büyüklüğü 42 nm olarak bulunmuştur [5]. basıncı 6.9 10 4 Torr ve cam alt taban üzerine depolanan ZnO yarıiletken ince farklı tavlam sıcaklıkları için X-ışın kırınım desenlerini göstermektedir. Kalınlığı 390 nm. PFCVAD (Atmalı Filtreli Katodik Vakum Ark Depolama) yöntemiyle üretilen ZnO yarıiletken ince film 1 saat süreyle 200 . Alt taban amorf olmasına rağmen.

hekzagonal kristal yapıya sahip ZnO filmler elde edildiği anlaşılmıştır (Şekil 7. 4. Cam alt tabanlar üzerine depolanan aynı kalınlık (350 nm) farklı basınçtaki ZnO filmlerin X-ışını kırınım desenleri [5] Şekil 7.4). Tablodan da görüldüğü gibi aynı kalınlıkta üretilen filmlerin hepsinin sadece (002) kırınım piki sergilediği dolayısıyla alt taban yüzeyine dik c eksen yöneliminde.  Şekil 7. 57    . Bu veriler kullanılarak hesaplanan tanecik büyüklüğünün ise basınç arttıkça arttığı bulunmuştur.2’de görülmektedir. Ayrıca basınç arttıkça (002) kırınım piki şiddetlerinde artış gözlenirken. Cam alt tabanlar üzerine depolanan aynı kalınlık (350 nm) farklı basınçlardaki filmlerin X-ışını kırınım desenlerinin incelenmesiyle elde edilen değerler Tablo 7. pik yerleri (2θ) daha büyük değerlere kaymış olsa da birbirine yakın değerler aldıkları ve yarı maksimum pik genişliklerinin de (FWHM) azaldığı görülmüştür.4 kalınlığı 350 nm olan ve farklı basınçlarda cam alt taban üzerine depolanan ZnO yarıiletken ince filminin X-ışını kırınım desenlerini göstermektedir.

369 Yönelim (002) (002) (002) Tanecik büyüklüğü.08 671. 1.Düzlemler arası uzaklık d ve örgü parametresi c basınç arttıkça azalmıştır.5207 0.492 0.00038 -0.5201 0. gerilmelerinin ise arttığı hesaplanmıştır [5].52 Şiddet (I) 1310 1633 2863.44 34.40 34.2604 0.00045 -0.9 10 Açı (2θ) 34.5192 Deformasyon (ε) 0.2601 0.54 177. d (nm) 0.2595 Kafes parametresi c (nm) 0.5 22. Cam alt tabanlar üzerine depolanan aynı kalınlık (350 nm) farklı basınçtaki ZnO filmlerin X-ışını kırınım desenlerinin değerlendirilmesi [5] Oksijen Basıncı (Torr) 3.33 Yarı Maksimum Pik Genişliği (FWHM) 0. Filmlerin deformasyonlarının basınç arttıkça azaldığı. D (nm) 16.05 58    .8 10 5 10 6.9 22.6 Düzlemler arası uzaklık.369 0. Tablo 7.00288 Gerilme σ ( 10 Pa) -88.

TARTIŞMA VE SONUÇ Bu çalışmada çinko oksit saydam iletken ince filmlerin üretim yöntemleri üzerinde durulmuş ve bu yöntemlerle elde edilen filmlerin yapısal. bu da iletkenliği arttırmaktadır. Her yöntem için taban malzemesi sıcaklığı değişmekle beraber.8. Filmlerde meydana gelen kalınlık artışı ile kristalleşme artmakta.) gelecek etkileri azaltmakta. metot değiştikçe filmlerin karakteristik özelliklerinin de değişiklik gösterdiği görülmüştür. dolayısıyla tanecik boyutu da artmaktadır. Katkılamanın da ilave madde konsantrasyonuna bağlı olarak üretilen ZnO filmlerin elektriksel özelliklerini önemli ölçüde geliştirdiği görülmüştür. Tüm saydam iletken oksit filmleri gibi çinko oksitte n-tipi yarıiletken malzeme özelliği gösterir. Tanecik boyutun artması da saçılmalardan (tanecik sınırında meydana gelebilecek etkileşimler. Taban sıcaklığı çinko oksit filmlerin özelliklerini önemli ölçüde etkilemektedir. Üretim metotlarından sprey piroliz metodu düşük maliyetli ve büyük alan kaplamaları için uygun olmasına karşın üretilen filmlerin üniform olmayışı bu metodun dezavantajıdır. Bu da bu teknik için daha karmaşık bir düzeneğe ihtiyaç duyulmasından kaynaklanır. Çinko oksit saydam iletken ince filmler kimyasal buhar biriktirme (CVD). PLD ile film üretilirken düşük taban sıcaklılarına ihtiyaç duyulurken. sprey piroliz için taban sıcaklığı 350-550 aralığında iken CVD tekniğinde 730-740 ’dir. elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Taban malzemesi sıcaklığının yanı sıra film kalınlığı da ZnO saydam iletken ince filmlerin elektriksel özelliklerini etkilemektedir. metotlarla üretilebilmektedir. Ancak sıçratma tekniği ile çinko oksit film üretimi diğer tekniklere kıyasla daha maliyetlidir. Ayrıca sıçratma metodu ile filmlerin kalınlıkları ve malzeme oranları daha hassas bir şekilde kontrol edilebilir. Uygun ilave madde konsantrasyonlarında minimum direnç ve optimum taşıyıcı konsantrasyonu elde 59    . sıçratma metodu vb. CVD ve sıçratma teknikleriyle üretilen filmlerin tekrar üretilebilirlikleri yüksektir. sprey piroliz. CVD tekniğiyle daha hızlı bir şekilde film büyütülebilir. Genelde yüksek sıcaklığa sahip altlıklar üzerinde üretilen filmlerin iyi elektriksel özellikler gösterdiği tespit edilmiştir. elektron-elektron vb. Üretilen filmlerin özelliklerinin üretim metotları ile yakından ilişkili olduğu gözlemlenmiş ve her metodun kendine has parametreleri olduğundan.

Bant aralığı büyük oranda taşıyıcı konsantrasyonuna bağlılık göstermektedir. B ile katkılanmış ZnO filmlerde minimum direnç değeri %0. Gene en yüksek taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall mobilitesi değerleri Al ile katkılanmış filmlerde gözlemiştir. Filmlerin optik özellikleri (geçirgenlik ve yansıma) üretim parametrelerine ve katkılama konsantrasyonuna bağlıdır. Ayrıca katkılama işlemi ile daha kararlı bir yapıya sahip filmler üretilebilmektedir. Yapılan araştırmalar %1-2 ilave madde konsantrasyonlarında minimum direnç ve maksimum taşıyıcı konsantrasyonu ve mobilitenin elde edilmesini sağladığını göstermiştir.5 10 3 Ω. Katkılamanın optik özelliklere etkisi ele alınacak olursa Sn ile katkılanmış filmlerde ortalama %89 geçirgenlik görülürken.edilmiştir. Örneğin ilk başta baskın yönelim (101) iken katkılama ve tavlama işlemleri sonrası (002) doğrultusu baskın yönelim halini almaktadır. Ga ile katkılanmış filmlerde ise >%85 ve İn ile katkılanmış filmlerde >%80 olduğu gözlenmiştir. düzlemler arası mesafe (d) ve kafes parametresi (c)’nin ise 60    . Katkılama ile filmlerin kristal doğrultuları ve yapısı modifiye edilebilir. İn ve Ga’dur. Tavlanmamış ve tavlanmış ZnO yarıiletken ince filmlerin cekseni (002) yönüne sahip olduğu XRD ölçümlerinden bulunmuştur ve filmin kristalliği tavlamayla geliştiği gözlenmiştir. Al ile katkılanmış filmlerde en düşük direnç 3. Sabit film kalınlığı için sistem basıncı arttıkça tane büyüklüğünün arttığı. Katkılanmamış ZnO filmler (101) doğrultusunda yönelim gösterirler.8 B bileşiminde 9.cm iken. Bant aralığında meydana gelen bu daralma filmlerin taşıyıcı yoğunluğunun 1020 cm 3 ’ün üzerinde olduğunda elektron-elektron ve elektron-safsızlık saçılması önemli bir rol oynamaktadır.5 10 4 Ω. bu değer Al ile katkılanmış filmlerde %85-90.cm olarak tespit edilmiştir. Absorpsiyon sınırı taşıyıcı konsantrasyonun artışıyla yüksek enerji yönüne artmaktadır. Daha fazla ilave madde konsantrasyonlarında ise yapıda oluşan iletken olmayan bileşiklerden (Al2 O3 gibi) dolayı iletkenlik azalmaktadır. Çinko oksit filmlerin katkılanmasında kullanılan temel maddeler genelde Al. Bu katkılar ile optimum koşullarda katkılanmış olan ZnO filmler kendisi gibi saydam iletken olan ITO filmlere alternatif oluşturmaktadır. CVD tekniği ile hazırlanmış filmlerde görünür bölgede geçirgenlik >%90 olarak tespit edilmişken sprey piroliz ile üretilen filmlerde %70 olarak bulunmuştur.

Ayrıca ZnO’nun doğada bolca bulunan bir malzeme olması. Bütün bu bilgiler sonucunda katkılanmamış ZnO saydam iletken ince filmlerin pratik uygulamalar için uygun olmadığı anlaşılmaktadır. 61    . ucuz oluşu ve toksik bir malzeme olmaması sebebiyle günümüzde ihtiyaç duyulan saydam iletken ince filmlerin üretimine diğer oksit filmlere karşı tercih edilen ana malzeme olmaktadır.azaldığı bulunmuştur. elektriksel ve optik özelliklere sahip filmlerin üretimi mümkün olmaktadır. Üretilen bu filmlerin uygun ilave madde konsantrasyonlarında katkılanması veya optimum koşullarda tavlamasıyla ihtiyaç duyulan yapısal. Ayrıca filmlerin deformasyonlarının basınç arttıkça azaldığı ve gerilmelerin arttığı da tespit edilmiştir.

Anadolu Üniversitesi [8] LIMA S. Performances presented by zinc oxide thin films deposited by spray pyrolysis. . 2007. Application of sol-gel derived films for ZnO/n-Si junction solar cells. . MITRESKI.S. D. E. Thin Solid Films. M. 2 (2002) [3] RISTOV. 1995. 337: 176-179. I. SINADINOVSKI. M. . DAVOLOS. NISANTHA. 1999 [5] ŞENADIM. High Photo-Voltage Zinc Oxide Thin Films Deposited by DC Sputtering. .G. FORTUNATO E. . Taylor&Francis. R. T.KAYNAKLAR [1] NUNES P.K. A. Internatıonal Journal of Inorganic Materials.Chinese Journl of Physics. H. M. . DISANAYAKE. Issue 1 . . Volume 354. GROZDANOV. A.L. 1987 [4] BAIK. 2000. . M. G. S. Yüksek Lisans Tezi. . Semiconducting Transparent Thin Films . SIGOLI. MARTINS R. CHO. Pages 227-231. . ZnO İnce Filmlerin Eldesi ve Aygıt Üretimi İçin Parametrelerinin Optimizasyonu. No. Volume 149. JAFELICCI JR. . . A. 0750303220 62    . T. Chemical deposition of ZnO films. . Thin Solid Films. MIYATA. . Thin Solid Films 366 (2000) 63-68 [7] AKKOYUNLU. 40. Issue 1-2. Thin Solid Films. Pages 6571. Vol. YAMAMOTO. . FERNANDES B. 1999 [2] SAMARASEKARA. P. Çukurova Üniversitesi [6] MINAMI. . A. VILARINHO P. Çinko Oksit Yarıiletken Bileşiğin Elektriksel ve Optik Özellikleri. . F. Doktora Tezi. O. Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering.G. 3 (2001).M. . Luminescent properties and lattice defects correlation on zinc oxide. T. 749-754 [9] HARNAGEL.

UTHANNA. T.CO. . E. . . pp. . ZHU. TOMODA. . 15 January 2001. A. CAHNDRASEKHAR. Thin Solid Films. . Y. . . İstanbul Teknik Üniversitesi [11] PETROV I. F. R. K. Volume 51. . J. FORTUNATO. T. . 2000 [16] IGASAKI. G. Y. Y. R. DOULOUFAKIS. . ORLINOV V. T. E. Effect of substrate surface morphology and interface microstructure in ZnO thin films formed on various substrates. K. BUDAI. . D. K. C. . . S. . . NATSAKOU. Volume 120. K. . M. H. Volumes 169-170. K. MARTINS. B. no1. Effects of interface micro structure in crystallization of ZnO thin films prepared by radio frequency sputtering.0.2-6. S. MAKINO. MISIUK A. N. KIRIAKIDIS. MURAKAMI. . reactive sputtering of a zinc target. . . . GAGOUDAKIS. 1 December 1998. KATSARAKIS. WHITE. 55-67.[10] ALPARSLAN. R. Journal of Applied Physics. Pages 403-410 [14] SUBRAMANYAM. . B. . E. 2002.2000 [15] RYU. Optical and structural properties of ZnO films deposited on GaAs by pulsed laser deposition. . Production and 63    . The effects of deposition conditions on the structural properties of ZnO sputtered films on sapphire substrates.1002/1521-4079(200010)35:10<1193::AIDCRAT1193>3. E. Vacuum. P. Issue 4. Number 1. ZnO İnce Film Kaplamaların DC Magnetron Sıçratma Yöntemiyle Cam Taban Malzemeler Üzerine Biriktirilmesi. November 2000. . . doi: 10. . Pages 512-516 [17] BENDER. . 1984 [12] YOSHINO. Highly oriented ZnO films obtained by D. TAKEUCHI. T. V. W. Issues 2-3. M. NUNES. . Volume 59. H. . INOUE. . . MARQUES. Volume 88. Physical Properties of Zinc Oxide Films Prepared by dc Reactive Magnetron Sputtering at Different Sputtering Pressures. KATAYAMA. . . Y. HATA. P. Y. INOUE. . Yüksek Lisans Tezi. MICELI. SRINIVASULU NAIDU. Applied Surface Science. M. Vacuum. . TAKEUCHI. W. CIMALLA.OHWADA. Pages 601-607 [13] YOSHINO. . NAITO. .

A. . J. GOLDSMITH. TAY. LAU S. P. W. . A. . . . September-October 2003. K. . . . H. ZHANG. PETROSYAN. BOXMAN. prepared by filtered vacuum arc deposition. Influence of thermal annealing on optical and electrical properties of ZnO films prepared by electron beam evaporation. . BEN AMOR. H. HNG. Structural and optical studies of ZnO thin films deposited by r. E. J. SAUVAGE. .characterization of zinc oxide thin films for room temperature ozone sensing. 30 January 2004. P. X. . . . . H. A. Volumes 447-448. magnetron sputtering: influence of annealing. R. H. . L. GAMBARYAN I. 18 525-529. Physica B: Condensed Matter . CELLIER. TSE. S. A. KIM. . HWANG. GIANI. I. . N. July 2003. . Pages 193-196 [22] WANG. 1597 (2003) [23] DAVID. LEE. . Y. TOMASELLA. GOULAINAN. Journal of Applied Physics. Volumes 174-175. Thin Solid Films. Pages 61-67 [24] AL ASMAR. VARDANYAN. JUILLAGUET S. S. Effects of ZnO buffer layer Thickness on properties of ZnO thin films deposited by radio-frequency magnetron sputtering. COMBETTE. K. K. 418 (2002) 45–50 [18] BANG. . JACQUET. F. M. S. Issues 3-4. S. . ZERROUK. K. RAMONDA. M. . Pages 343-346 [21] MOUSTAGHFIR. E. . . R. 275 (2005) 512–520 Semiconductor 64    . K. Y. YU. . Surface and Coatings Technology. . Thin Solid Films. 2003 [20] KIM. Volume 334. R. E. F. Structural characterization of ZnO films grown on SiO2 by the RF magnetron sputtering. . . A. . . . . KOSTANYAN. N. KIM. B. . . H. R. Journal of Crystal Growth. Comprehensive study of ZnO films prepared by filtered cathodic vacuum arc at room temperature. T. Volume 94. KHOURY A. . Applied Surface Science 207 (2003) 359–364 [19] AGHAMALYAN. Fabrication and characterization of high quality undoped and -doped ZnO thin films by reactive electron beam coevaporation technique. M. FOUCARAN. HOVSEPYAN. H. W. . MYOUNG. . G. H. K. B. D. T. K. Science and Technology. S. R.f. Electro-optical and structural properties of thin ZnO films. . S.

XUE. N. . C. R. . KIM. Boron-doped zinc oxide thin films for large-area solar cells grown by metal organic chemical vapor deposition. MARTINS. . . . Yüksek Lisans Tezi. Boron-doped zinc oxide thin films by sol-gel technique . BEL HADJ TAHAR. G. Influence of substrate temperature on structural and electrical properties of ZnO films. M. KAVAK. E. S. WANG. 7(2): 153-159. . Journal of Materials Scince. R. KIRIAKIDIS. B. S. Kalay Katkılı ZnO İnce Filmlerin Bazı Fiziksel Özellikleri. J. .2006 [27] ÇAĞLAR. Y. H. Effect of different dopants on the properties of ZnO thin films. P. 40 (2005). WEI C. Y. . SUH. P. VILARINHO.C. 2006. KATSARAKIS. ÇAĞLAR. 18 6391-6400. Y. . KIM. M. W. Thin Solid Films. .L. 3753–3759 [32] EREN. Journl of Physics: Condensed Matter. . . . . SUN. 2006 [28] SUCHEA. Trakya Univ J Sci. ZHAO. J. N. ESEN. . S. J. 1211–1213 [30] BEL HADJ TAHAR. . 5285-5289 [31] CHEN. . . KIM. KITSOPOULOS. 2007. . Anadolu Üniversitesi 65    . . 277 (2005) 352–358 [26] ŞENADIM. . X. . X. Growth of Al-doped ZnO thin films by pulsed DC magnetron sputtering. H. T. H. . . . . 3 (2001). 2006. . S. S. . International Journal of Inorganic Materials. Journal of Crystal Growth. . S. GENG.M. ILICAN. Thin Solid Films. The effect of annealing on structural and optical properties of ZnO thin films grown by pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition. Y. 515 (2007).D.H.[25] KO. 2005. X. ZHANG. TAI. Anadolu Üniversitesi [33] AKSOY. . R. 515 (2007) 6562–6566 [29] NUNES. O. Alüminyum Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Bazı Fiziksel Özellikleri. E. CHRISTOULAKIS. XU. . T. Yüksek Lisans Tezi. Comparative study of zinc oxide and aluminum doped zinc oxide transparent thin films grown by direct current magnetron sputtering. . FORTUNATO. . .H. K.

You're Reading a Free Preview

İndirme
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->