TRANSİSTÖRLERDE YÜKSELTME İŞLEMİNİN GERÇEKLEŞTİRİLMESİ

Transistörler yapısı gereği, akım yükseltme özelliğine sahiptir.Uygun, bir devre dizaynıyla
gerilim ve güç yükseltmesi de yapar.Tabi bu
işlemlerde de asıl olan akımdır. Bu nedenle, önce akımın nasıl yükseltildiğinin bilinmesi
gerekir.....
a) Jonksiyonel bağlantı devresi

b) Sembolik bağlantı devresi

Emiter ucu giriş ve çıkış devrelerinde ortak olduğu için, bu yükselteç "Emiteri ortak bağlantılı
yükselteç" olarak tanımlanır. En çok
kullanılan yükselteç şeklidir.
Transistörün bu şekilde çıkışında bir yük direnci bulunmadan çalıştırılmasına kısa devrede
çalışma denmektedir.

YÜKSELTME İŞLEMİNİN SAĞLANMASI:

1) Transistör içerisinde emiterden beyz ve collectöre doğru bir elektron akışıvardır..
2) Elektronların küçük bir kısmı da Vbe kaynağının oluşturduğu giriş devresi üzerinden, büyük
bir kısmıda Vce kaynağının oluşturduğu çıkış
devresi üzerinden devresini tamamlar...
3) Giriş ve çıkışta dolaşan elektronların miktarı, trans. büyüklüğüne bağlı olduğu gibi, Vbe ve
Vce kaynak gerilimlerinin büyüklüğüde
bağlıdır.
4) Emiterdeki elektronları harekete geçirmek için "Silisyum" transistörde en az 0.6V,
"Germanyum" transistörde ise 0.2V olması gerekir.
5) Elektroları çekebilmesi için Vce gerilimi Vbe 'ye göre oldukça büyük seçilir.

1
6) Giriş devresinden dolaşan elektronlar "Ib" beyz akımını, çıkış devresinden dolaşan
elektronlarda "Ic" collectör akımını oluşturur.
7) Buradaki Ib ve Ic akımları DC akımlardır... Eğer girişe AC gerilim uygulanırsa, ve Ic 'de AC
olarak değişir.
8) Ib ve Ic akımları devrelerini tamamlarken emiter elektrodu üzerinde birleştiğinden Ie akımı,
Ib ve Ic 'nin toplamı olur.
Herzaman geçerli kural: IE=IB+IC

Sonuçta:
Ib akımı giriş akımı, Ic akımı da çıkış akımı olarak değerlendirilirse, Ib gibi küçükdeğerli bir
akımdan, Ic gibi büyük değerli bir akıma
ulaşılmaktadır.........
Bu olay "Transistörün akım yükselteci olarak çalıştığını göstermektedir."
Emiteri ortak bağlantıda akım kazancı formülü: ß=IC/IB 'dir...
Beta:(ß) IB ve IC akımları değişse de, ß(Beta) akım kazancı sabit kalmaktadır.
Akım kazancı nasıl oluyorda sabit kalıyor?
Şekil e göre; VBE gerilimi büyütüldüğünde; iki aşamalı şu gelişmeler olmaktadır:
1) Emiter - Beyz diyodu daha büyük bir gerilim ile polarılmış olduğundan, dahaçok elektron
harekete geçer. Bu elektronların, Beyz girişi
üzerinden devre tamamlayan miktarı da artacağından IB akımı büyür.
2) Diğer taraftan, büyük hareketlilik kazanan emiter elektronları, mevcut olanVCE çekme
kuvveti etkisiyle beyz 'i daha çok sayıda geçerek
collectore ulaşır.Böylece daha büyük IC akımı oluşur.
IB ve IC deki artış aynı oranda olmaktadır.Dolayısıyla da, ß=IC/IB değeri sabit
kalmaktadır.VBE küçültüldüğünde de IB ve IC aynı oranda
küçüldüğünden, ß (Beta) yine sabitkalır.
Görüldüğü gibi, gerek IB, gerekse de IC akımının büyüyüp küçülmesinde yalnızca VBE giriş
gerilimi etkin olmaktadır...
Transistörlerde kazanç
ß (BETA) AKIM KAZANCI
Transistörler, B ucuna uygulanan akıma (tetikleme sinyali) göre C-E arasından daha büyük bir
akım geçirir. Işte bu durum kazanç olarak
adlandırılır. Başka bir deyişle, kolektör akımının beyz akımına oranı b olarak ifade edilir.
Transistörlerin b akım kazancı kabaca 5-1000
arasında değişir.
Beta akım kazancı kataloglarda hFE olarak da adlandırılır.
ß akım kazancının hesaplanmasında kullanılan denklem:
ß = Çıkış devresi akım değişmeleri/Giriş devresi akım değişmeleri.
ß = DIC/DIB ya da
ß = IC/IB.dır. Birimi yoktur.
Basitçe açıklarsak B ucuna 1 mA uygulandığında C-E arasından 250 mA geçirebilen
transistörün kazancı 250 olmaktadır.
Örnek: IB = 3 mA. IC = 900 mA.
Çözüm: ß = IC/IB = 300.

2
Örnek: Kollektör akımı IC = 10 MA, Beyz akımı IB = 80 mA (0,08 mA) olan transistor ün
beta akım kazancını bulunuz.
Çözüm: ß = IC/IB = 10/0,08 = 125.
Örnek: Beta (ß) akım kazancı 100, beyz akımı 50 mA olan transistörün kollektör akımını
bulunuz.
Çözüm: IC = b.IB = 100.50 = 5000 mA = 5 mA.
Emiter: (-)gerilim,
Beyz: (+)gerilim,
Collectore: (+)gerilim.
Mehmet BEKTAŞ Proteus Ders Notları
A (Alfa) Akım Kazancı
Kollektör akımının emiter akımına oranıdır. Emiter ucundan hem beyz akımı, hem de
kollektör akımı geçtiðinden bu akım kollektör akımından biraz büyüktür.
Denklemi: a = IC / IE'dir. Birimi yoktur.
Beyzi şaseye baðlı tip transistörlü yükselteçlerde a akım kazancı 0,85-0,998 arasındadır.
Örnek: IB = 1 mA, IC = 100 mA, IE = ?, a = ?
Çözüm: IE = IB + IC = 101 mA. a = IC/IE = 100/101 = 0,99.
Örnek: Silisyumdan yapılmış transistörün IC akımı 1 mA, IB akımı 20 mA'dir. b, IE ve a'yı

bulunuz.
Çözüm: b = IC / IB = 1 / 0,02 = 50.
IE = IB + IC = 0,02 + 1 = 1,02 mA.
a = IC / IE = 1 / 1,02 = 0,98.

Örnek: Silisyumdan yapılmış transistörün beta akım kazancı50,

emiter akımı3 mA'dir. Kollektör akımını bulunuz.
Çözüm: a = b / (b + 1)= 50 / (50 +1) = 0,98.
a = IC/IE denkleminden, IC çekilerek
IC = a.IE = 0,98.3 = 2,94 mA olarak bulunur.
Örnek: Alfa (a) akım kazancı 0,95 olan bir transistörün beta
(b)akım kazancını bulunuz.
Çözüm:b = a /(1-a) = 0,95 / 1-0,95 = 19.

3
Transistör kazançlarının birbirine dönüştürülmesi: Yükselteç hesaplamalarında kazanç
değerinin birisi
hesaplandıktan sonra diğersonuçlar yanda verilen denklemlerle kolayca bulunabilir. Denklemler
tamamen
birbirinden türetilmektedir. Ancak bu teorik ispatlar üzerinde durulmayıp denklemler doğrudan
verilmiştir.->

BJT KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜLMESİ

Amaç :Bu deneyin amacı; BJT transistörlerin giriş çıkış karakteristikleri hakkında bilgi
edinmek ve doğrusal transistör modellerinde
kullanılan parametreleri transistör karakteristiklerinden elde etmektir.
Bilgi: BJT transistörler ile tasarım yaparken Baz (B) ve Emiter (E) arasında gözlenen akım-
gerilim bağıntısına transistörün giriş
karakteristiği, Kollektör (C) ve Emiter (E) arasındaki bağıntıya da transistörün çıkış
karakteristiği denir. Giriş karakteristiği bir
diyotun akım-gerilim eğrisini anımsatırken çıkış karakteristiği baz akımına bağlı olarak değişik
özellikler gösterir. Çıkış karakteristiği
genellikle üç bölgeye ayrılır:
• Saturasyon bölgesi: Düşük V CE , yüksek İ C (transistörün “açık” konumu)
• Kesim (Cut-off) bölgesi: Yüksek V CE, düşük İ C (transistörün “kapalı” konumu)
• Aktif bölge (transistörün kuvvetlendirici olarak kullanıldığı bölge)
Bu deneyde, ilk önce baz akımı I B sabit tutularak baz akımına bağlı çıkış karakteristik eğrileri
daha sonra da sabit kollektör-emiter gerilimi
V CE için giriş karakteristik eğrileri bulunacaktır. Transistör modelinde kullanılan β F , V
BE(sat) , r π , V A ve r 0 değerleri bu karakteristik
eğrilerden bulunabilir.
Ekte’ki BC238 npn transistörünün üretici tarafından verilen bilgileri inceleyiniz. Transistöre
uygulanabilecek en yüksek kollektör-emitör
(VCE) gerilimi nedir? En yüksek kollektör akımı nedir? hFE hangi aralıkta değerler almaktadır?
DENEY
Sekil de sabit polarma devresi gösterilmektedir. Bu devrede Vcc = 10 V , Rb = 100k veRc=1k
seçerek transistörün çalısma bölgesini tespit edelim.

4
5
Örnek: Silisyumdan yapılmış transistörün beta akım kazancı50,
emiter akımı3 mA'dir. Kollektör akımını bulunuz.
Çözüm: a = b / (b + 1)= 50 / (50 +1) = 0,98.
a = IC/IE denkleminden, IC çekilerek
IC = a.IE = 0,98.3 = 2,94 mA olarak bulunur.
Örnek: Alfa (a) akım kazancı 0,95 olan bir transistörün beta
(b)akım kazancını bulunuz.
Çözüm:b = a /(1-a) = 0,95 / 1-0,95 = 19.
Bu sonuçlar karakteristik bir eğriyle ifade edilebilir. Grafikteki doğrusal çizgi yük çizgisi
olarak bilinir. Devrede transistör doyurulduğunda, Ic = Vcc/Rc ve Vce = 0 ( A noktası )
olur.
Kesim durumunda Ic = 0 ve Vce = 12 V = Vcc olusur. Bu durum da sekil 6.3’de B noktası
olarakgösterilmistir.

Deney
BJT KUTUPLANMASI VE KÜÇÜK İŞARET ANALİZİ
I. Amaç
Bu deneyin amacı; BJT transistörlü ortak emitörlü kuvvetlendirici beslemesi (biasing)
hakkındabilgi edinmek ve belirli bir çalışma (Q)
noktasındaki transistörlü kuvvetlendiricinin (amplifier) küçük işaret ölçümlerini ve analizini
yapmaktır.
II. Bilgi
Transistörlü bir kuvvetlendirici analizinde, önce besleme (bias) devresiyle çalışma noktası (DC)
belirlenir. Daha sonra çalışma
noktasındaki akım ve gerilimler kullanılarak küçük işaret modeli (AC) oluşturulur. Aynı tip
transistörler de dahi akım kazancı
geniş bir aralıkta değerler alabilir
Bunun için Q çalışma noktasının ve dolayısıyla toplam devrenin kazancının değerinden
mümkün bağımsız olması istenir.
Emetör ile toprak arasına konan bir direnç kazancı düşürmekle birlikte bu bağımsızlığı sağlar

Şekil-1
şekil-2

6
 Ş ekil deki devreyi BC 238 tipi bir transistör ile kurarak , ve
değerlerini ölçünüz.
Transistörü 2N3904 tipi bir transistörle değiştiriniz ve aynı değerleri ölçünüz.
2N3904 ile kurduğunuz devreye Şekil gösterildiği üzere 10uF’lık bir kapasitör üzerinden
tepeden tepeye 100 mV gerilimde, 10
kHz frekansında bir AC kaynak bağlayınız. Giriş gerilimi Vi ’yi, transistörün bazındaki Vb ve
kolektöründeki Vc gerilimlerini Vo çıkış gerilimini osiloskopta gözleyiniz ve kaydediniz.
BC 238 BC 238 2N3904 2N3904
IB: IB: IB: IB:
IC: IC: IC: IC:
VCE: VCE: VCE: VCE:
VBE: VBE: VBE: VBE: