GÜNEŞ PİLLERİ - FOTOVOLTAİK PİLLER

Fotovoltaik etki silisyum gibi yarı

iletken maddelerin içerisinde oluşturulur.
Güneş pilleri(fotopiller) ikili yarı iletken
katmanlardan oluşurlar(P-n katmanları)
Bu katmanların bir arada kullanılmaları
ışık etkisiyle katmanlardan birinden
elektron koparılmasını sağlar. Kopan
elektron pozitif olan diğer katman
tarafından çekilir. Elektronların bu
şekilde hareket etmeleri hareket etmeleri
bir elektrik akımını oluşturur.

Oluşan elektrik akımı çeşitli iletkenler yardımıyla kullanılacağı

bölgelere taşınır. Güneş pillerinde oluşan elektrik akımının şiddeti
yüzeyin soğurduğu güneş ışığı şiddetiyle doğru orantılıdır. Güneş
pilleri tek tek kullanılabileceği gibi birleştirilip panel halinde de
kullanıma sunulabilmektedir.

Fotopiller aslında bir zorunluluktan

doğmuştur. Uzaya gönderilen uyduların
enerji ihtiyaçlarını karşılayabilme sorunu
güneş pillerinin bulunmasıyla aşılmıştır.
1950'li yıllar bu teknolojinin ilk örneklerinin
görüldüğü yıllardır. Ancak güneş pillerinin
uzay teknolojileri dışında ticari acıdan
kullanılmaya başlanması 1975 yıllarına denk
gelir.
Isıl teknolojilere göre daha duragan, görece
az karmaşık olan güneş pilleri yaygınlık
bakımından ısıl teknolojilerin gerisindedir.
Bunun sebebi güneş pillerinde verim oranının
%15-20'leri geçememesidir. Ayrıca çok ince
ve hassas yapıda olmaları sebebiyle
üretimleri, teknoloji ve maliyetler açısından
istenilen düzeyde değildir. Buna rağmen
dünya genelinde güneş pili üretimi ve satışı
gün geçtikçe artmaktadır.
Güneş pilleri başlangıçta daha çok düşük akım şidetlerine ihtiyaç duyan hesap makinesi,
radyo, saat gibi elektronik araçlarda kullanılmaya başlandı. Bunun yanında yine uydularda
olduğu gibi zorunlu alanlarda da kullanıldılar; Orman gözetleme kuleleri trafik ışıkları, deniz
fenerleri, elektrik şebekesinden uzakta bulunan küçük yerleşim birimleri bu teknolojinin
kullanılabileceği alanlardan bazılarıdır. Buna rağman teknolojinin ilerlemesi her alanda
olduğu gibi fiyatların ucuzlamasını doğurmuştur. Bu nedenle evlerde güneş pillerinin
kullanımı gün geçtikce artmaktadır. Henüz sahip olurken yüksek bir ücret ödemek gerekiyor
olsa da firmaların bu ürünler için 25 yıl garanti vermesi, neredeyse hiç bakıma ihtiyaç
duymamaları kullanıcıların çıkarına sonuç vermektedir.
Elektronik cihazlarda kullanılmasının haricinde günümüzde güneş pilleri oldukça yaygın bir
kullanım alanına sahip olmuştur. Bölgesel aydınlatmalarda ve özellikle trafik ikaz
lambalarında neredeyse hergün karşılaştığımız bir ürün olmuştur. Tüm bu gelişmelere karşın
güneş pillerinin yaygınlığının istenilen seviyeye ulaştığı söylemenin imkanı yoktur.
Günümüzde yaygın olarak kullanılan güneş pillerinin çoğu silisyum dioksit (SiO2) ve ince
film teknolojisine dayanmaktadır. Silisyum dioksit üretimi heryıl artış gösterse de özellikle
elektronik alanında bu maddeye duyulan ihtiyaç pazar fiyatının düşmesini engellemektedir.
Bu da güneş pili fiyatlarının belli seviyenin altına düşmesini engellemektedir. Firmalar bu
dezavantajı yenmek için çeşitli yöntemler üzerine durmaktadırlar.
Bunlardan ilki güneş pillerindeki verim oranını yüksekterek watt başına maliyeti düşürme
çalışmaları geliyor. Günümüzdeki güneş pilleri enfazla %20'lerde verimle çalışıyorlar ve watt
başına maliyet 1YTL civarında bulunuyor(2008)
Diğer bir yöntem ise organik boyar maddeli, organik polimer kökenli güneş pilleri üzerinde
yapıln çalışmaları kapsamaktadır. Bu sayede düşük malietlerde güneş pili üretiminin mümkün
olacağı düşünülmektedir.
Ülkemzde de bu konuda deneysek çalışmalar yapılmaktadır. Ege Üniversitesi Güneş Enerjisi
Enstitüsünde %2,5 verimle çalışan organik boyar maddeli piller üretilmiştir. Enstitüde
kullanılabilir özelliklerde başka güneş pilleri de üretilmektedir.

GÜNEŞ PİLİNİN EVDE KULLANIMI

Güneş pilleri her nekadar yüksek verimle çalışmasa da belirli bir maliyeti göze
alarak evlere bu sistemi kullanarak enerji ihtiyacımızı karşılamamız
mümkündür. Bilindiği gibi güneş pilinden gelen elektriğin elektrikli aletlere
ulaştırılması sırasında voltaj farklılıkları görülülebilir. Bunu önlemek için şarj
kontrol üniteleri kullanılır Güneş enerjisinin elektrik enerjisi olarak depo
edildiği bataryayla elektrikli aletler arasında bu sarj kontrol üniteleri bulunur.
DC-AC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER(INVERTER)
Elektrikli alerlerimizin neredeyse hepsi alternatif akımla(AC) çalışır fakat
güneş pilleri doğru akım(DC) üretir. Bu dönüşümü sağlayan alet DC- AC
dönüştürücülerdir. Aslında güneş pilleri enerji ihtiyacını tam karşılayamadığı
durumlarda şehir şebekesinden de enerji sağlanır. Dönüştürücüler Şebekeyle
uyumluluğun sağlanmasında da kullanılır.

GÜNEŞ PİLİ TARİHİ

 Güneş pilleri yeni bir teknoloji
olarak kabul edilse bile tarihsel
gelişimi 1800'lü yıllara kadar
uzanmaktadır.
1839'da Paris Doğal Tarih
Müzesinde uygulamalı fizik
profesörü Alexander Edmond
Becquerel platin tabakalar üzerinde
yaptığı bilimsel çalışmalar sırasında
ilk fotovoltaik etkiyi saptadı.
Alexander Edmond Becquerel 1820
- 1891 yılları arasında yaşadı
(yanda)
Becquerel'n yaptığı çalışmaların
ışığında 1873'te Willoughby Smith
ilk basit güneş pilini üretmeyi
başardı. Yanda Willoughby Smith'in
çizimlerini yaptığı pili görüyorsunuz

Televizyonun icadıyla daha çok

ismini duyurmuş olan Willoughby
Smith'in çalışmalarını 1877'de W.G.
Adams ve R.E. Day simli bilim
insanları sürdürdü. Bu ikilinin
yaptığı çalışmalarda katı maddelerin
de fotovoltaik etki oluşturabildiği
kanıtlanmış oluyordu.
1883'te Charles Fritts selenyum
kullanarak ilk ciddi güneş pilini
Willoughby Smith yapmış oldu. Bu pilin verimi ancak
1828 - 1891 yüzde 1 dolaylarındaydı.

1887 'de Heinrich Rudolf Hertz morötesi ışınığın fotovoltaik etki üzerinde yansımalarını
araştırdı. 1094 yılında Albert Einstein güneş etkisiyle elektrik akımı oluşumuna yönelik
bir makale yayınladı. Aynı yıl Wilhelm Hallwachs bakır ve bakır oksit bazlı bir güneş
pili denemesinde bulundu.
Heinrich Hertz
1857 - 1894
 Audobert ve Stora 1932 yılında Cadmium-Selenide (CdS) kullararak uzun bir süre
kullanılacak olan fotovoltaik bir yöntem keşfetmiş oldu. 1954'de Pearson ve Fuller
Silisyum (silikon)'un fotovoltaik etkisini keşfettiler. Böylece % 5 verimli bir güneş pili
üretmeyi başardılar. 1957 yılına gelindiğinde Pearson ve arkadaşlarının çalışmalarını
meyvelerini verdi ve güneş pilindeki verim % 8'lere kadar ulaştı.
Gerald L.
Pearson
1905-1986

1858'de Vanguard I isimli uzay aracında ilk defa bir güneş pili kullanıldı. Bu güneş pili
% 9 verimle çalışıyordu ve 100 santimetrekareye 0.1W güç üretiyordu.

Vanguard I
Uydusu

1961'de Brleşmiş Milletler solar Enerji

Konferansı düzenlendi
1967 yılında Güneş pilleri Soyuz I uydusuna
Yenilenebilir enerji sağlamak için kulanıldı.
Enerji
Laboratuarı -
ABD

1980 de Delaware Üniversitesinde %10

verim elde edebilen Cu2S/CdS teknolojileri
geliştirildi.

Dünyadaki toplam güneş pili kurulu gücü 1999 yılında 1000 megavat seviyesine ulaştı.
2005 yılında polikristal silikon kullanılarak yapılan güneş pillerinde büyük gelişmeler elde
edildi.

Güneş Pili Yapım Malzemeleri

 Tek kristalli silisyum güneş pilleri Laboratuar
koşullarında %24 verim sağlamasına rağmen ticari ürünlerde verim %15
civarındadır. Tekli kristaller üretmek uzun ve pahalı bir yöntem olduğu için bu
yöntem genellikle fazla tercih edilmemektedir.
Silisyum elektriksel ve optik özelliklerini uzun süre koruyabilmektedir. Bu da
Slisyumu güneş pilleri için uygun bir malzeme haline getirmiştir.

Çok kristalli silisyum güneş pilleri

Çok kristalli silisyum güneş pillerinin üretimi daha

yoğundur. Bunun başlıca nedeni poli kristal üretiminin görece kolay ve ucuz
olmasıdır. Erimiş yarı iletken silisyum kalıplara dökülür ve soğutulur. Sonrasında
kare şeklinde kesilirler. 1950'lerden beri güvenle kullanılan bu yöntem verim
olarak tek kristallilere oranla daha düşüktür. (%14)

Amorf silisyum güneş pilleri

Kristal yapılı değildir. Bu silisyum piller ticari

ürünlerde % 5 - 7 verimle çalışmaktadırlar. Daha çok küçük elektronik aletlerde
kullanılmaktadır. Gelecekte binaların dış cephesine entegre olarak
kullanılabileceği tahmin edilmektedir.
 Bakır İndiyum çok kristalli güneş pilleri

Genellikle ince film şeklinde yapıya sahiptirler. Bakır

ve indiyumla beraber galyum elementi de katılarak daha verimli ürünler
oluşturulmaktadır (yandaki resim)
Laboratuar şartlarında %18 verim sağlanmasına rağmen standart şartlarda %10
verimde çalışmaktadır.

Katmiyum tellür güneş pilleri

Üretimi kolay bir yöntemdir. Özellikle büyük paneller

için uygun bir türdür. Teknolojinin yaygınlaşmasının güneş pili maliyetini çok
aşağılara çekeceği tahmin edilmektedir. Deneysel çalışmalarda %16'lara ulaşan
verimleri ticari ürünlerde %7 seviyelerindedir.

GÜNEŞ PİLLERİ
( FOTOVOLTAİK PİLLER )
Güneş pilleri (fotovoltaik piller), yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren
yarıiletken maddelerdir. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen güneş pillerinin alanları
genellikle 100 cm² civarında, kalınlıkları ise 0,2-0,4 mm arasındadır.

Güneş pilleri fotovoltaik ilkeye dayalı olarak çalışırlar, yani üzerlerine ışık düştüğü zaman uçlarında elektrik
gerilimi oluşur. Pilin verdiği elektrik enerjisinin kaynağı, yüzeyine gelen güneş enerjisidir. (Güneş pillerinin
yapısı ve çalışması)
 Güneş enerjisi, güneş pilinin yapısına bağlı olarak % 5 ile % 20 arasında bir verimle elektrik enerjisine
çevrilebilir.

Güç çıkışını artırmak amacıyla çok sayıda güneş pili birbirine paralel ya da seri bağlanarak bir yüzey üzerine
monte edilir, bu yapıya güneş pili modülü ya da fotovoltaik modül adı verilir. Güç talebine bağlı olarak modüller
birbirlerine seri ya da paralel bağlanarak bir kaç Watt'tan megaWatt'lara kadar sistem oluşturulur.
Güneş Pillerinin Yapımında Kullanılan Malzemeler
Güneş pilleri pek çok farklı maddeden yararlanarak üretilebilir. Günümüzde en çok kullanılan maddeler
şunlardır:
Kristal Silisyum: Önce büyütülüp daha sonra 200 mikron kalınlıkta ince tabakalar halinde dilimlenen Tekkristal
Silisyum bloklardan üretilen güneş pillerinde laboratuvar şartlarında %24, ticari modüllerde ise %15'in üzerinde
verim elde edilmektedir. Dökme silisyum bloklardan dilimlenerek elde edilen Çokkristal Silisyum güneş pilleri ise
daha ucuza üretilmekte, ancak verim de daha düşük olmaktadır. Verim, laboratuvar şartlarında %18, ticari
modüllerde ise %14 civarındadır.
Galyum Arsenit (GaAs): Bu malzemeyle laboratuvar şartlarında %25 ve %28 (optik yoğunlaştırıcılı) verim
elde edilmektedir. Diğer yarıiletkenlerle birlikte oluşturulan çok eklemli GaAs pillerde %30 verim elde edilmiştir.
GaAs güneş pilleri uzay uygulamalarında ve optik yoğunlaştırıcılı sistemlerde kullanılmaktadır.
İnce Film:
Amorf Silisyum: Kristal yapı özelliği göstermeyen bu Si pillerden elde edilen verim %10 dolayında, ticari
modüllerde ise %5-7 mertebesindedir. Günümüzde daha çok küçük elektronik cihazların güç kaynağı olarak
kullanılan amorf silisyum güneş pilinin bir başka önemli uygulama sahasının, binalara entegre yarısaydam cam
yüzeyler olarak, bina dış koruyucusu ve enerji üreteci olarak kullanılabileceği tahmin edilmektedir.
Kadmiyum Tellürid (CdTe): Çokkristal yapıda bir malzeme olan CdTe ile güneş pili maliyetinin çok aşağılara
çekileceği tahmin edilmektedir. Laboratuvar tipi küçük hücrelerde %16, ticari tip modüllerde ise %7 civarında
verim elde edilmektedir.
Bakır İndiyum Diselenid (CuInSe2): Bu çokkristal pilde laboratuvar şartlarında %17,7 ve enerji üretimi
amaçlı geliştirilmiş olan prototip bir modülde ise %10,2 verim elde edilmiştir.
Optik Yoğunlaştırıcılı Hücreler: Gelen ışığı 10-500 kat oranlarda yoğunlaştıran mercekli veya yansıtıcılı
araçlarla modül verimi %17'nin, pil verimi ise %30'un üzerine çıkılabilmektedir. Yoğunlaştırıcılar basit ve ucuz
plastik malzemeden yapılmaktadır.

Son Yıllarda Üzerinde Çalışılan Güneş Pilleri:

Ticari ortama girmiş olan geleneksel Si güneş pillerinin yerini alabilecek verimleri aynı ama
üretim teknolojileri daha kolay ve daha ucuz olan güneş pilleri üzerinde de son yıllarda
çalışmalar yoğunlaştırılmıştır.
Bunlar; fotoelektrokimyasal çok kristalli Titanyum Dioksit piller, polimer yapılı Plastik piller
ve güneş spektrumunun çeşitli dalgaboylarına uyum sağlayacak şekilde üretilebilen enerji
band aralığına sahip Kuantum güneş pilleri gibi yeni teknolojilerdir.
Güneş Pili Sistemleri
Güneş pilleri, elektrik enerjisinin gerekli olduğu her uygulamada kullanılabilir. Güneş pili modülleri uygulamaya
bağlı olarak, akümülatörler, invertörler, akü şarj denetim aygıtları ve çeşitli elektronik destek devreleri ile
birlikte kullanılarak bir günes pili sistemi (fotovoltaik sistem) oluştururlar. Bu sistemler, özellikle yerleşim
yerlerinden uzak, elektrik şebekesi olmayan yörelerde, jeneratöre yakıt taşımanın zor ve pahalı olduğu
durumlarda kullanılırlar. Bunun dışında dizel jeneratörler ya da başka güç sistemleri ile birlikte karma olarak
kullanılmaları da mümkündür.
Bu sistemlerde yeterli sayıda güneş pili modülü, enerji kaynağı olarak kullanılır. Güneşin yetersiz olduğu
zamanlarda ya da özellikle gece süresince kullanılmak üzere genellikle sistemde akümülatör bulundurulur.
Güneş pili modülleri gün boyunca elektrik enerjisi üreterek bunu akümülatörde depolar, yüke gerekli olan enerji
akümülatörden alınır. Akünün aşırı şarj ve deşarj olarak zarar görmesini engellemek için kullanılan denetim
birimi ise akünün durumuna göre, ya güneş pillerinden gelen akımı ya da yükün çektiği akımı keser. Şebeke
uyumlu alternatif akım elektriğinin gerekli olduğu uygulamalarda, sisteme bir invertör eklenerek akümülatördeki
DC gerilim, 220 V, 50 Hz.lik sinüs dalgasına dönüştürülür. Benzer şekilde, uygulamanın şekline göre çeşitli
destek elektronik devreler sisteme katılabilir. Bazı sistemlerde, güneş pillerinin maksimum güç noktasında
çalışmasını sağlayan maksimum güç noktası izleyici cihazı bulunur. Aşağıda şebekeden bağımsız bir güneş pili
enerji sisteminin şeması verilmektedir.
Şebeke bağlantılı güneş pili sistemleri yüksek güçte-satral boyutunda sistemler şeklinde
olabileceği gibi daha çok görülen uygulaması binalarda küçük güçlü kullanım şeklindedir. Bu
sistemlerde örneğin bir konutun elektrik gereksinimi karşılanırken, üretilen fazla enerji
elektrik şebekesine satılır, yeterli enerjinin üretilmediği durumlarda ise şebekeden enerji
alınır. Böyle bir sistemde enerji depolaması yapmaya gerek yoktur, yalnızca üretilen DC
elektriğin, AC elektriğe çevrilmesi ve şebeke uyumlu olması yeterlidir.
Güneş pili sistemlerinin şebekeden bağımsız (stand-alone) olarak kullanıldığı tipik uygulama alanları aşağıda
sıralanmıştır.
- Haberleşme istasyonları, kırsal radyo, telsiz ve telefon sistemleri
- Petrol boru hatlarının katodik koruması
- Metal yapıların (köprüler, kuleler vb) korozyondan koruması
- Elektrik ve su dağıtım sistemlerinde yapılan telemetrik ölçümler, hava gözlem istasyonları
- Bina içi ya da dışı aydınlatma
- Dağevleri ya da yerleşim yerlerinden uzaktaki evlerde TV, radyo, buzdolabı gibi elektrikli aygıtların
çalıştırılması
- Tarımsal sulama ya da ev kullanımı amacıyla su pompajı
- Orman gözetleme kuleleri
- Deniz fenerleri
- İlkyardım, alarm ve güvenlik sistemleri
- Deprem ve hava gözlem istasyonları
- İlaç ve aşı soğutma

GÜNEŞ PİLLERİNİN YAPISI

VE ÇALIŞMASI
Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri
de, yarı-iletken maddelerden yapılırlar. Yarı-iletken özellik gösteren birçok madde arasında
güneş pili yapmak için en elverişli olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellür gibi
maddelerdir.
Yarı-iletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri için n ya da p tipi katkılanmaları
gereklidir. Katkılama, saf yarıiletken eriyik içerisine istenilen katkı maddelerinin kontrollü
olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen yarı-iletkenin n ya da p tipi olması katkı maddesine
bağlıdır. En yaygın güneş pili maddesi olarak kullanılan silisyumdan n tipi silisyum elde
etmek için silisyum eriyiğine periyodik cetvelin 5. grubundan bir element, örneğin fosfor
eklenir. Silisyum'un dış yörüngesinde 4, fosforun dış yörüngesinde 5 elektron olduğu için,
fosforun fazla olan tek elektronu kristal yapıya bir elektron verir. Bu nedenle V. grup
elementlerine "verici" ya da "n tipi" katkı maddesi denir.
P tipi silisyum elde etmek için ise, eriyiğe 3. gruptan bir element (alüminyum, indiyum, bor
gibi) eklenir. Bu elementlerin son yörüngesinde 3 elektron olduğu için kristalde bir elektron
eksikliği oluşur, bu elektron yokluğuna hol ya da boşluk denir ve pozitif yük taşıdığı
varsayılır. Bu tür maddelere de "p tipi" ya da "alıcı" katkı maddeleri denir.
P ve N tipi katkılandırılmış malzemeler bir araya getirildiğinde yarıiletken eklemler
oluşturulur. N tipi yarıiletkende elektronlar, p tipi yarıiletkende holler çoğunluk taşıyıcısıdır.
P ve N tipi yarıiletkenler biraraya gelmeden önce, her iki madde de elektriksel bakımdan
nötrdür. Yani P tipinde negatif enerji seviyeleri ile hol sayıları eşit, n tipinde pozitif enerji
seviyeleri ile elektron sayıları eşittir. PN eklem oluştuğunda, N tipindeki çoğunluk taşıyıcısı
olan elektronlar, P tipine doğru akım oluştururlar. Bu olay her iki tarafta da yük dengesi
oluşana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yüzeyinde, yani eklem bölgesinde, P bölgesi
tarafında negatif, N bölgesi tarafında pozitif yük birikir. Bu eklem bölgesine "geçiş bölgesi"
ya da "yükten arındırılmış bölge" denir. Bu bölgede oluşan elektrik alan "yapısal elektrik alan
(Ey)" olarak adlandırılır. Aşağıda PN eklemin oluşması şematize edilmiştir.

Yarıiletken eklemin güneş pili olarak çalışması için eklem bölgesinde fotovoltaik dönüşümün
sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk olarak, eklem bölgesine ışık
düşürülerek elektron-hol çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise, bunlar bölgedeki elektrik alan
yardımıyla birbirlerinden ayrılır.

Yarıiletkenler, bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji bandından oluşur. Bu
bandlar valans bandı ve iletkenlik bandı adını alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya daha
büyük enerjili bir foton, yarıiletken tarafından soğurulduğu zaman, enerjisini valans banddaki
bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar. Böylece, elektron-hol
çifti oluşur. Bu olay, pn eklem güneş pilinin ara yüzeyinde meydana gelmiş ise elektron-hol
çiftleri buradaki elektrik alan tarafından birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde güneş pili,
elektronları n bölgesine, holleri de p bölgesine iten bir pompa gibi çalışır. Birbirlerinden
ayrılan elektron-hol çiftleri, güneş pilinin uçlarında yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç
yeniden bir fotonun pil yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarıiletkenin iç
kısımlarında da, gelen fotonlar tarafından elektron-hol çiftleri oluşturulmaktadır. Fakat gerekli
elektrik alan olmadığı için tekrar birleşerek kaybolmaktadırlar.
Güneş pili (İngilizce: solar cell) ışığı doğrudan elektrik akımına
dönüştüren (fotovoltaik) bir araçtır. Yarı iletken bir diyot olarak çalışan
güneş pili, güneş ışığının taşıdığı enerjiyi iç fotoelektrik reaksiyondan
faydalanarak doğrudan elektrik enerjisine dönüştürür.

Tanımı

İngilizce "photovoltaic" olan fotovoltaik piller, Türkçe'ye güneş pilleri

şeklinde geçmiş olsa da bir pil gibi çalışmamaktadır. Bildiğiniz üzere
piller depolanan kimyasal enerjiyi elektrik enerjisine dönüştürür oysa
güneş hücreleri veya güneş gözeleri diye tabir edebileceğimiz
fotovoltaik piller Güneş'den yararlanır. Güneş'in yaydığı radyasyon foton
denen parçacıklarla hareket eder yani yayılır. Foton denen parçacıklar
enerji taşırlar ve ışık hızında hareket ederler.Güneş hücrelerinin
bildiğimiz pillerden en büyük farklarından biri daha uzun ömürlü
olmaları. Bir güneş hücresi yaklaşık 20-25 yıl ömre sahiptir.Güneş
hücreleri yarıiletken malzemelerden oluşur. Bu malzemeler kristal veya
ince film halinde silikon olurken ince film halinde germanyum gibi
malzemelerde kullanılmaktadır. Özellikle kristal slikonlar
kullanılmaktadır ve bunun sebebi daha ucuz imal edilmesidir.

Türkiye Cumhuriyetinde 5346 No.lu kanunun [1] kabulunden sonra

yenilenebilir enerjilere daha çok önem kazanmıştır. Belgeli yenilenebilir
enerji üreticilere satış garantisi veren bu kanunun benzerleri, çeşitli
Avrupa Birliği ülkelerinde de uygulanmaktadır.

Çalışması baktabul

Güneş ışığındaki elektromanyetik dalgalar, elektronları yarı iletken

metalik bir yonga plakasının bir katmanından bir diğer katmanına
hareket ettiren enerjiyi sağlar. Elektronların bu hareketi bir akım
yaratır. İki tür güneş hücresi kullanılmaktadır: silikon ve gallium
arsenid. Uydular gallium arsenidi kullanırlarken silikonlar ise genellikle
yerküredeki uygulamalarda kullanılmaktadır.

Pilin üst tabakaları yansımayı önleyici kaplama ve korumalardan oluşur.

Güneş hücreleri son derece kırılgan olduklarından böyle bir koruma
çatlama ve kırılmaları önlemek açısından gereklidir. Aksi halde pilin
çalışması sekteye uğrar ve buda enerji kaybına sebep olur. Işık bu
katmanlara nüfuz ettiğinde silikon veya gallium arsenid'e çarpar. P ve N
tabakaları arasındaki bölümlerin farklılıkları sebebiyle güneşten gelen
enerji bunlara çarptığında elektronların P tabakasından N tabakasına
akışı sağlanmış olur. P ve N tabakaları arasına tel çekilmek suretiyle
güneş hücresi artı ve eksi kutuplara sahip bir pil halini alır ve böylelikle
bir araca güç sağlamak için kullanılabilir. Depolama özelliği gösteren
araçlarda piyasada bulunabilen yerküre bazında kullanılan silikon piller
kullanılır. Tek tek sayısız piller (bine yakın) “Güneş Panelini” oluşturmak
için bir araya getirilir. Kullanılan motora bağlı olarak bu paneller 50 ila
200 volt arasında işler ve 2000 watt a kadar güç sağlayabilirler. Güneş
ışığının yoğunluğu, havanın bulutu olması ve hava sıcaklığı güneş
panelinin ürettiği gücü etkiler. Diğer tip güneş arabalarında ise
herhangi bir tip güneş hücresi kullanılabilir. Bu esneklik sebebiyle bir
çok güneş arabası takımı uzayda kullanılan gallium arsenid güneş
hücrelerini kullanırlar. Bu piller geleneksel silikon pillere oranla
genellikle daha ufak ve çok daha pahalıdırlar. Ancak bunlardan çok daha
verimlidirler. Bu iki pil arasındaki güç farkı 1000 watt a kadar
çıkabilirken maliyet en az 10 kat daha fazladır.

Güneş pilleri ile enerji kazanımı için nelere dikkat ekmek gerekir?
• Güneş pili alanı ve pilin kalitesi,
• Işığın pile vurduğu açı > 90° açısında vuran foton (ışık) cereyan kazanımı için en
verimlisidir,
• Havanın nem oranı > Düşük nem oranı enerji kazanımı için daha verimlidir,
• Güneş pilinin kurulduğu coğrafi konum

Güneş Pilleri nasıl çalışır?

Ali Sağlam tarafından yazıldı.

Cuma, 19 Eylül 2008 07:59

Sınırsız temiz enerji kaynakları olarak önce güneş enerjisi aklımıza gelir.
Güneş enerjisini kullanabilmek için güneş ışığını ısıya veya elektriğe dönüştürmemiz
gerekiyor. Güneş ışığının enerjisini kullanabilmek için iki seçenek vardır.
Güneş ışığından kazanılan enerji ısı veya elektriktir. Isı güneş kollektörleri ile kazanılır ve
genelde sıcak su kazanımı için kullanılınr. Elektrik kazanımı için güneş pilleri gerekmektedir.

Elektrik kazanımı nasıl gerçekleşiyor?

Güneş pilleri ( Fotovoltaik piller), yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektriğe
dönüştüren yarıiletken maddelerdir. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen
güneş pillerinin alanları genellikle 1m2 civarında, kalınlıkları ise 0,2-0,4 mm arasındadır.

Güneş pilleri fotovoltaik ilkeye dayalı olarak çalışırlar, yani üzerlerine ışık düştüğü zaman
uçlarında elektrik gerilimi oluşur. Pilin verdiği elektrik enerjisinin kaynağı, yüzeyine gelen
güneş enerjisidir.

Güneş enerjisi, güneş pilinin yapısına bağlı olarak % 5 ile % 20 arasında bir verimle elektrik
enerjisine çevrilebilir.

Güç çıkışını artırmak amacıyla çok sayıda güneş pili birbirine paralel ya da seri bağlanarak bir
yüzey üzerine monte edilir, bu yapıya güneş pili modülü ya da fotovoltaik modül adı verilir.
Güç talebine bağlı olarak modüller birbirlerine seri ya da paralel bağlanarak bir kaç Watt'tan
megaWatt'lara kadar sistem oluşturulur.

Güneş pilleri ile enerji kazanımı için nelere dikkat ekmek gerekir?
• Güneş pili alanı ve pilin kalitesi,
 • Işığın pile vurduğu açı > 90° açısında vuran foton (ışık) cereyan kazanımı için en
verimlisidir,
• Havanın nem oranı > Düşük nem oranı enerji kazanımı için daha verimlidir,
• Güneş pilinin kurulduğu coğrafi konum
Güneş Pillerin Yapısı ve Çalışması

Yarı-iletken maddelerin güneş pili olarak

kullanılabilmeleri için n ya da p tipi katkılanmaları gereklidir. Katkılama, saf yarı-iletken
eriyik içerisine istenilen katkı maddelerinin kontrollü olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen
yarı-iletkenin n ya da p tipi olması katkı maddesine bağlıdır.

Yarı-iletken madde olarak çok kristalli silisyum kullanılır. P ve n tipi yarı-iletkenler biraraya
gelmeden önce, her iki madde de elektriksel bakımdan nötrdür ve elektrik akımı oluşmaz.
PN eklem oluştuğunda, n tipindeki çoğunluk taşıyıcısı olan elektronlar, p tipine doğru akım
oluştururlar. Bu olay her iki tarafta da yük dengesi oluşana kadar devam eder ve elektrik akımı
oluşur.

Yarıiletken eklemin güneş pili olarak çalışması için eklem bölgesinde fotovoltaik dönüşümün
sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk olarak, eklem bölgesine ışık düşürülerek
elektron-hol çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise, bunlar bölgedeki elektrik alan yardımıyla
birbirlerinden ayrılır.

Güneş Pili Sistemi

Güneş pili sistemlerin kurumu ve işlev hale getirilmesi çok kolaydır.

Güneş pilinin ürettiği cereyan denetim birimi tarafından gereğe göre ya akumulatörlere
yönlendirilir ve enerjiyi orada depolar yada doğrudan kullanıma bırakır. Denetim birimi güneş
pili sisteminin beynidir. Geceleri veya güneşsiz zamanlarda kullanım birimi elektriği doğrudan
akumulatörlerden alır. Burada kullanılan akumulatörlerin kapasitesi önemlidir.

Şebeke uyumlu alternatif akım elektriğinin gerekli olduğu uygulamalarda, sisteme bir invertör
eklenerek akümülatördeki DC gerilim, 220 V, 50 Hz'lik sinüs dalgasına dönüştürülür.

Benzer şekilde, uygulamanın şekline göre çeşitli destek elektronik devreler sisteme katılabilir.
Bazı sistemlerde, güneş pillerinin maksimum güç noktasında çalışmasını sağlayan maksimum
güç noktası izleyici cihazı bulunur.

Güneş Pili Kullanım Alanları

Güneş pili sistemlerinin şebekeden bağımsız (stand-alone) olarak kullanıldığı tipik uygulama
alanları aşağıda sıralanmıştır.
• Bina içi ya da dışı aydınlatma
• Dağ evleri ya da yerleşim yerlerinden uzaktaki evlerde TV, radyo, buzdolabı gibi
elektrikli aygıtların çalıştırılması
• Tarımsal sulama ya da ev kullanımı amacıyla su pompajı
• Orman gözetleme kuleleri
• İlkyardım, alarm ve güvenlik sistemleri
• Deprem ve hava gözlem istasyonları

Güneş Pilleri ( Fotovoltaik Piller )

Kategoriler:
• Elektronik Elemanlar
• Güneş
Güneş pilleri (fotovoltaik piller), yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine
dönüştüren yarıiletken maddelerdir. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen
güneş pillerinin alanları genellikle 100 cm² civarında, kalınlıkları ise 0,2-0,4 mm arasındadır...
Güneş pilleri fotovoltaik ilkeye dayalı olarak çalışırlar, yani üzerlerine ışık düştüğü zaman
uçlarında elektrik gerilimi oluşur. Pilin verdiği elektrik enerjisinin kaynağı, yüzeyine gelen
güneş enerjisidir. (Güneş pillerinin yapısı ve çalışması)
Güneş enerjisi, güneş pilinin yapısına bağlı olarak % 5 ile % 20 arasında bir verimle elektrik
enerjisine çevrilebilir.
Güç çıkışını artırmak amacıyla çok sayıda güneş pili birbirine paralel ya da seri bağlanarak bir
yüzey üzerine monte edilir, bu yapıya güneş pili modülü ya da fotovoltaik modül adı verilir.
Güç talebine bağlı olarak modüller birbirlerine seri ya da paralel bağlanarak bir kaç Watt'tan
megaWatt'lara kadar sistem oluşturulur.
Güneş Pillerinin Yapısı
Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri
de, yarı-iletken maddelerden yapılırlar. Yarı-iletken özellik gösteren birçok madde arasında
güneş pili yapmak için en elverişli olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellür gibi
maddelerdir.
Yarı-iletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri için n ya da p tipi katkılanmaları
gereklidir. Katkılama, saf yarıiletken eriyik içerisine istenilen katkı maddelerinin kontrollü
olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen yarı-iletkenin n ya da p tipi olması katkı maddesine
bağlıdır. En yaygın güneş pili maddesi olarak kullanılan silisyumdan n tipi silisyum elde
etmek için silisyum eriyiğine periyodik cetvelin 5. grubundan bir element, örneğin fosfor
eklenir. Silisyum'un dış yörüngesinde 4, fosforun dış yörüngesinde 5 elektron olduğu için,
fosforun fazla olan tek elektronu kristal yapıya bir elektron verir. Bu nedenle V. grup
elementlerine "verici" ya da "n tipi" katkı maddesi denir.
P tipi silisyum elde etmek için ise, eriyiğe 3. gruptan bir element (alüminyum, indiyum, bor
gibi) eklenir. Bu elementlerin son yörüngesinde 3 elektron olduğu için kristalde bir elektron
eksikliği oluşur, bu elektron yokluğuna hol ya da boşluk denir ve pozitif yük taşıdığı
varsayılır. Bu tür maddelere de "p tipi" ya da "alıcı" katkı maddeleri denir.
P ya da n tipi ana malzemenin içerisine gerekli katkı maddelerinin katılması ile yarıiletken
eklemler oluşturulur. N tipi yarıiletkende elektronlar, p tipi yarıiletkende holler çoğunluk
taşıyıcısıdır. P ve n tipi yarıiletkenler biraraya gelmeden önce, her iki madde de elektriksel
bakımdan nötrdür. Yani p tipinde negatif enerji seviyeleri ile hol sayıları eşit, n tipinde pozitif
enerji seviyeleri ile elektron sayıları eşittir. PN eklem oluştuğunda, n tipindeki çoğunluk
taşıyıcısı olan elektronlar, p tipine doğru akım oluştururlar. Bu olay her iki tarafta da yük
dengesi oluşana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yüzeyinde, yani eklem bölgesinde, P
bölgesi tarafında negatif, N bölgesi tarafında pozitif yük birikir. Bu eklem bölgesine "geçiş
bölgesi" ya da "yükten arındırılmış bölge" denir. Bu bölgede oluşan elektrik alan "yapısal
elektrik alan" olarak adlandırılır. Yarıiletken eklemin güneş pili olarak çalışması için eklem
bölgesinde fotovoltaik dönüşümün sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk
olarak, eklem bölgesine ışık düşürülerek elektron-hol çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise,
bunlar bölgedeki elektrik alan yardımıyla birbirlerinden ayrılır.
Yarıiletkenler, bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji bandından oluşur. Bu
bandlar valans bandı ve iletkenlik bandı adını alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya daha
büyük enerjili bir foton, yarıiletken tarafından soğurulduğu zaman, enerjisini valans banddaki
bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar. Böylece, elektron-hol
çifti oluşur. Bu olay, pn eklem güneş pilinin ara yüzeyinde meydana gelmiş ise elektron-hol
çiftleri buradaki elektrik alan tarafından birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde güneş pili,
elektronları n bölgesine, holleri de p bölgesine iten bir pompa gibi çalışır. Birbirlerinden
ayrılan elektron-hol çiftleri, güneş pilinin uçlarında yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç
yeniden bir fotonun pil yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarıiletkenin iç
kısımlarında da, gelen fotonlar tarafından elektron-hol çiftleri oluşturulmaktadır. Fakat gerekli
elektrik alan olmadığı için tekrar birleşerek kaybolmaktadırlar.
Güneş pilleri pek çok farklı maddeden yararlanarak üretilebilir. Günümüzde en çok kullanılan
maddeler şunlardır:
Kristal Silisyum: Önce büyütülüp daha sonra 200 mikron kalınlıkta ince tabakalar halinde
dilimlenen Tekkristal Silisyum bloklardan üretilen güneş pillerinde laboratuvar şartlarında
%24, ticari modüllerde ise %15'in üzerinde verim elde edilmektedir. Dökme silisyum
bloklardan dilimlenerek elde edilen Çokkristal Silisyum güneş pilleri ise daha ucuza
üretilmekte, ancak verim de daha düşük olmaktadır. Verim, laboratuvar şartlarında %18, ticari
modüllerde ise %14 civarındadır.
Galyum Arsenit (GaAs): Bu malzemeyle laboratuvar şartlarında %25 ve %28 (optik
yoğunlaştırıcılı) verim elde edilmektedir. Diğer yarıiletkenlerle birlikte oluşturulan çok
eklemli GaAs pillerde %30 verim elde edilmiştir. GaAs güneş pilleri uzay uygulamalarında ve
optik yoğunlaştırıcılı sistemlerde kullanılmaktadır.
İnce Film:
Amorf Silisyum: Kristal yapı özelliği göstermeyen bu Si pillerden elde edilen verim %10
dolayında, ticari modüllerde ise %5-7 mertebesindedir. Günümüzde daha çok küçük
elektronik cihazların güç kaynağı olarak kullanılan amorf silisyum güneş pilinin bir başka
önemli uygulama sahasının, binalara entegre yarısaydam cam yüzeyler olarak, bina dış
koruyucusu ve enerji üreteci olarak kullanılabileceği tahmin edilmektedir.
Kadmiyum Tellürid (CdTe): Çok kristal yapıda bir malzeme olan CdTe ile güneş pili
maliyetinin çok aşağılara çekileceği tahmin edilmektedir. Laboratuvar tipi küçük hücrelerde
%16, ticari tip modüllerde ise %7 civarında verim elde edilmektedir.
Bakır İndiyum Diselenid (CuInSe2): Bu çokkristal pilde laboratuvar şartlarında %17,7 ve
enerji üretimi amaçlı geliştirilmiş olan prototip bir modülde ise %10,2 verim elde edilmiştir.
Optik Yoğunlaştırıcılı Hücreler: Gelen ışığı 10-500 kat oranlarda yoğunlaştıran mercekli
veya yansıtıcılı araçlarla modül verimi %17'nin, pil verimi ise %30'un üzerine
çıkılabilmektedir. Yoğunlaştırıcılar basit ve ucuz plastik malzemeden yapılmaktadır.

GÜNEŞ PİLLERİ(FOTOVOLTAİK PİLLER)

Fotovoltaik(photovoltaik) ışıktan gerilim üretilmesi anlamına gelir ve genellikle
(PV) ile gösterilir.fotovoltaik piller için kullanılan ortak terim güneş pilleri olmakla
birlikte piller her türlü ışık altında elektrik üretebilir.
Güneş pilleri yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine
dönüştüren yarıiletken maddedir.Yüzeyleri kare,dikdörtgen,daire şeklinde
biçimlendirilen güneş pillerinin alanları genellikle 100 cm² civarında,kalınlıkları ise
0,2-0,4 mm arasındadır.
Güneş pilleri enerjinin korunum yasasına uygun olarak ışık enerjisini elektrik
enerjisine dönüştüren cihazlardır fakat enerjiyi depolama özellikleri yoktur.ışık
kaynağı ortadan kalktığında pilin ürettiği elektrik'de kesilir.eğer elektrik gece
boyuncada kullanılmak isteniyorsa devreye bir elektrik depolayıcı(akü)
eklenmelidir.
Güneş pillerinin imal edildiği pek çok materyal vardır.Fakat en sık kullanılan
silisyumdur.Silisyum dünyada oksijende sonra en çok kullanılan
elementtir.Silisyum oksijenle birlikte kuartz veya daha biline haliyle kumu
oluştururlar.Zehirsiz ve güvenilir olduğu kadar da bol bulunabilen bir
malzemedir.Güneş pillerinin imal edildiği silisyum aynı zamanda bilgisayar
chiplerinin yapımında kullanılır.
Piller,enerjiyi dönüştürme sırasında herhangi bir yakıt kullanmazlar,yakıtları gün
ışığıdır.üzerlerine düsen ışık ne kadar fazla ise üretilen enerji o kadar fazla
olacaktır.Yakıtları olan güneş ışığı,dünya üzerinde bol oranda ve bedava bulunan
belki de tek yakıttır.
Güneş enerjisi güneş pilinin yapısına bağlı olarak %5-%20 arasında bir verimle
elektrik enerjisine dönüştürülebilir.
Güç çıkışını arttırmak amacıyla çok sayıda güneş pili birbirine paralel ve seri
bağlanarak bir yüzey üzerine monte edilirler.Bu yapıya güneş pili modülü yada
fotovoltaik modül adı verilir.Güç talebine bağlı olarak modüller birbirine seri yada
paralel bağlanarak birkaç watt'tan megavat'lara kadar sistem oluşturulur.

GÜNEŞ PİLLERİNİN YAPISI

VE ÇALIŞMASI
Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu
diyotlar gibi güneş pilleri de, yarı-iletken maddelerden yapılırlar. Yarı-
iletken özellik gösteren birçok madde arasında güneş pili yapmak için en
elverişli olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellür gibi
maddelerdir.
Yarı-iletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri için n ya da p
tipi katkılanmaları gereklidir. Katkılama, saf yarıiletken eriyik içerisine
istenilen katkı maddelerinin kontrollü olarak eklenmesiyle yapılır. Elde
edilen yarı-iletkenin n ya da p tipi olması katkı maddesine bağlıdır. En
yaygın güneş pili maddesi olarak kullanılan silisyumdan n tipi silisyum
elde etmek için silisyum eriyiğine periyodik cetvelin 5. grubundan bir
element, örneğin fosfor eklenir. Silisyum'un dış yörüngesinde 4,
fosforun dış yörüngesinde 5 elektron olduğu için, fosforun fazla olan
tek elektronu kristal yapıya bir elektron verir. Bu nedenle V. grup
elementlerine "verici" ya da "n tipi" katkı maddesi denir.
P tipi silisyum elde etmek için ise, eriyiğe 3. gruptan bir element
(alüminyum, indiyum, bor gibi) eklenir. Bu elementlerin son yörüngesinde
3 elektron olduğu için kristalde bir elektron eksikliği oluşur, bu elektron
yokluğuna hol ya da boşluk denir ve pozitif yük taşıdığı varsayılır. Bu tür
maddelere de "p tipi" ya da "alıcı" katkı maddeleri denir.
P ya da n tipi ana malzemenin içerisine gerekli katkı maddelerinin
katılması ile yarıiletken eklemler oluşturulur. N tipi yarıiletkende
elektronlar, p tipi yarıiletkende holler çoğunluk taşıyıcısıdır. P ve n tipi
yarıiletkenler biraraya gelmeden önce, her iki madde de elektriksel
bakımdan nötrdür. Yani p tipinde negatif enerji seviyeleri ile hol sayıları
eşit, n tipinde pozitif enerji seviyeleri ile elektron sayıları eşittir. PN
eklem oluştuğunda, n tipindeki çoğunluk taşıyıcısı olan elektronlar, p
tipine doğru akım oluştururlar. Bu olay her iki tarafta da yük dengesi
oluşana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yüzeyinde, yani eklem
bölgesinde, P bölgesi tarafında negatif, N bölgesi tarafında pozitif yük
birikir. Bu eklem bölgesine "geçiş bölgesi" ya da "yükten arındırılmış
bölge" denir. Bu bölgede oluşan elektrik alan "yapısal elektrik alan"
olarak adlandırılır. Yarıiletken eklemin güneş pili olarak çalışması için
eklem bölgesinde fotovoltaik dönüşümün sağlanması gerekir. Bu dönüşüm
iki aşamada olur, ilk olarak, eklem bölgesine ışık düşürülerek elektron-
hol çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise, bunlar bölgedeki elektrik alan
yardımıyla birbirlerinden ayrılır.

Yarıiletkenler, bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji

bandından oluşur. Bu bandlar valans bandı ve iletkenlik bandı adını
alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya daha büyük enerjili bir foton,
yarıiletken tarafından soğurulduğu zaman, enerjisini valans banddaki bir
elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar.
Böylece, elektron-hol çifti oluşur. Bu olay, pn eklem güneş pilinin ara
yüzeyinde meydana gelmiş ise elektron-hol çiftleri buradaki elektrik
alan tarafından birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde güneş pili, elektronları
n bölgesine, holleri de p bölgesine iten bir pompa gibi çalışır.
Birbirlerinden ayrılan elektron-hol çiftleri, güneş pilinin uçlarında
yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç yeniden bir fotonun pil
yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarıiletkenin iç
kısımlarında da, gelen fotonlar tarafından elektron-hol çiftleri
oluşturulmaktadır. Fakat gerekli elektrik alan olmadığı için tekrar
birleşerek kaybolmaktadırlar.

Güneş Pillerinin Yapısı ve Çalışması

Yarı-iletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri için n ya da p tipi katkılanmaları
gereklidir. Katkılama, saf yari-iletken eriyik içerisinde istenilen katkı maddelerinin kontrollü
olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen yarı-iletkenin n ya da p tipi olması katkı maddesine
bağlıdır.

Yarı-iletken madde olarak çok kristalli silisyum kullanilir. P ve n tipi yarı-iletkenler biraraya
gelmeden önce, her iki madde de elektriksel bakımdan nötrdür ve elektrik akımı oluşmaz.
PN eklem olustugunda, n tipindeki çogunluk taşıyıcısı olan elektronlar, p tipine dogru akım
olustururlar. Bu olay her iki tarafta da yük dengesi oluşana kadar devam eder ve elektrik
akımı olusur.

Yarı-iletken eklemin güneş pili olarak çalışması için eklem bölgesinde fotovoltaik dönüşümün
sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk olarak, eklem bölgesine ışık
düşürülerek elektron-hol çiftleri olusturulur, ikinci olarak ise, bunlar bölgedeki elektrik alan
yardımıyla birbirlerinden ayrılır.
GÜNEŞ PİLLERİ
Giriş
Güneş pillerinin çalışmasının daha iyi anlaşılabilmesi için bazı temel teorik bilgilerin
hazırlanmasında fayda vardır.
Güneş pilleri, yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren yarı
iletken maddelerdir. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen güneş
pillerinin alanları 100 cm2 civarında, kalınlıkları özellikle en yaygın olan silisyum güneş
pillerinde 0.2 – 0.4 mm arasındadır.
Güneş pilleri fotovoltaik ilkeye dayalı olarak çalışırlar, yani üzerine ışık düştüğü zaman
uçlarında elektrik gerilimi oluşur. Pillerin verdiği elektrik enerjisinin kaynağı, yüzeyine gelen
güneş enerjisidir. Deniz seviyesinde, parlak bulutsuz bir gündeki ışınım şiddeti maksimum
1000 W/M2 civarındadır. Yöreye bağlı olarak 1m2 ’ye düşen güneş enerjisi miktarı yılda
800-2600 KWh arasında değişir. Bu enerji, güneş pilinin yapısına bağlı olarak %5 - %70
arasında bir verimle elektrik enerjisine çevrilebilir.
Güç çıkışını artırmak amacıyla çok sayıda güneş pili birbirine paralel ya da seri bağlanarak bir
yüzey üzerine monte edilir. Bu yapıya güneş pili modülü ya da fotovoltail modül adı verilir.
Gerekirse bu modüller birbirlerine seri ya da paralel bağlanarak, fotovoltaik bir dizi
oluşturabilir.
Maddenin Yapısı ve Yarı İletkenler
Bilindiği gibi madde, pozitif yüklü çok ağır bir çekirdekle, onun etrafında belirli yörüngelerde
dolanan elektronlardan meydana gelmiştir. Bu yükler, dış tesir yoksa birbirini dengeler.
Elektronlar, yörüngelerinin bulunduğu yarıçapa, orantılı olarak potansiyel ve kinetik enerji
taşırlar. En dış yörünge de maksimum 2, sonrakinde 8 ve üçüncüde 18 elektron bulunabilir.
Elektronlar, ard arda gelen ve her biri belli sayıda elektron bulunduran enerji bandlarında
bulunurlar. Dışarıdan enerji alan.bir elektron bir üst seviyedeki banda çıkabilir. Daha düşük
banda geçen elektron da dışarı enerji yayar. Son tabaka elektronlarına valans (denge)
elektronları denir ve cisimlerin kimyasal bileşikler yapmalarını temin eder. Son tabakası
dolmamış bir atomun, bir başka cisme ait komşu atomdan elektron kapmaya yatkınlığı vardır.
İç tabaka elektronları ise çekirdeğe çok sıkı bağlıdırlar. Termik enerji verilirse, elektronun
yörüngesi etrafında titreşimi arttırır.
Elektron, yörüngesini muhafaza ettiği müddetçe ne enerji yayar, ne de absorblar. Bir elektron,
uyarımla, atomu terk edecek enerji kazanıp ayrılabilir. Atom (+) iyon şekline geçer (Şekil 1).
Şekil 1. Bir Yarı İletkenin Yapısı
İzoleli atomda (gazlarda) elektronlar, belirli bir enerji bandını işgal ederler. Bir kristalin
atomları, kristal içinde muntazam diziler halinde yer alırlar. Atomlar, birbirlerine çok
yakındırlar ve elektronlar, birbirine yakın enerjileri temsil eden enerji bandları üzerinde
bulunurlar. Örneğin; bir germanyum atomunda, tek bir atom ele alınırsa atom temel haldedir.
Mutlak sıfır, sıcaklıkta, elektron minimum enerji seviyesine sahiptir.
Germanyum kristalinde ise, mutlak sıfır sıcaklıkta, temel seviyenin yerini valans bandı alır.
Bundan sonra, hiçbir elektronun bulunmadığı yasak bölge ve sonra da yüksek enerjili
iletkenlik bandı bulunur. Bu sıcaklıkta Ge kristalinde iletkenlik bandında hiçbir elektron
bulunmaz, yani kristal ideal bir yalıtkandır (Şekil 2.).
Şekil 2. Enerji Bandları
Ge kristalinin iletkenlik kazanabilmesi için, iletkenlik seviyesine elektron temin edilmelidir.
Bunun için gerekli enerji 0.7 eV civarındadır. Fotoelektrik olay için Eg , kristalin
soğurabileceği minimum enerjisini gösterir.
Buna karşı, bir metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenliği temin edecek, iletkenlik
bandında çok sayıda elektron bulunur.
Elmas için E=7 eV’ luk enerji ile elektron yasak bandı geçilebilir. Bunun için malzemeye
büyük elektrik voltajı uygulanması gerekir. Bu ise malzemeyi tahrip eder.
Yarı iletkenlerde, yasak bandı geçmek için (1 eV) yeterlidir, oda sıcaklığında kristal
atomlarından birkaç tanesinin elektronları, iletkenlik bandına geçer ve iletkenliği sağlar.
Geride bıraktığı boşluğa da başka bir elektron gelir ve o da iletkenliğe katılmış olur.
Bir kristal, ortak elektronla birbirine bağlı atomların düzgün olarak yerleşimiyle meydana
gelmiştir. İyonik bağdan farklı olan bu birleşmeye ’K ovalant ’ bağ denir. Valans
elektronlar, kovalant bağ içinde, bir atomdakinden daha düşük enerji seviyesindedir. Kristali
bozmak için, bu enerji farkı kadar enerji gerekir. Bu kristalin kararlılığını gösterir. Deney
sonuçlarına göre;
Mutlak sıfır civarında, yarı iletkenin hiçbir elektronu serbest değildir. Bu sıcaklıkta sadece
iletken ve yalıtkan vardır.
Sıcaklık arttıkça, yarı iletkende serbest elektronlar oluşur ve cisim iletken hale geçer.
Serbest elektronların yoğunluğu, sıcaklıkla artar. Yarı iletkende öz iletkenlik sıcaklıkla artar.
İki atomu birbirine bağlayan valans elektronların serbest hale geçmesi için gerekli enerji;
metaller için sıfır, yalıtkanlar için birçok elektron volt, yarı iletkenler için 1 eV civarındadır.
a. N Tipi Yarı İletken:
İletkenlik tipini değiştirmek için Si ve Ge içine, periyodik cetvelin III ve V. grup elementleri
ilave edilir. Bunlar boş valans elektronu bulundururlar (Arsenik, Bor, Fosfor, Antimuan gibi).
Ergimiş halde bulunan Ge’a (milyonda bir) arsenik ilave edilirse, her arsenik atomu, bir Ge
atomu yerini alacak ve 4 elektronuyla kovalant bağ teşkil edilecek, 5. valans elektronu serbest
kalıp iletkenliği temin edecektir. İletkenlik (-) yükle temin edildiği için N tipi yarı iletken
ismini alır. Bu elektronlar, oda sıcaklığında, iletkenlik bandına ulaşır.
b. P Tipi yarı İletken:
Ergimiş germanyuma, III. gruptan üç valans elektronu bulunduran elemanlar ilave edilerek
yapılır (İndium, Galyum…). katılaşma sırasında indium atomları kristal örgü içinde Ge
atomunun yerini alır. Kovalan bağ için 3 elektron mevcuttur ve komşu atomdan bir elektron
kaparak bağ oluşturur. Komşu atomda bir boşluk oluşmuştur. Bu ise elektron hareketine sebep
olur. Bir yarı iletkenin kullanılabilme maksimum sıcaklığı, aktivasyon enerjisiyle artar.
Kullanabilme maksimum frekansı, yük taşıyıcıların hareketliliği ile artar.
P – N Kavşağı
Bir monokristal yarı iletkenliğinin P tipinden N tipine geçiş bölgesidir. Bu bölge kristalleşme
sırasında oluşturulur. N bölgesinde, termik uyarımla azınlıkta olan boşluk ve çoğunlukta olan
elektron yükleri ve (+) iyonize atomlar vardır (Şekil 3).
Şekil 3. P – N Kavşağının Oluşumu
P bölgesinde ise, negatif iyonize atom, termik uyarımla bulunabilen azınlık elektron ve
çoğunluk elektron boşlukları vardır. İki eleman temasa geçirildiğinde, N bölgesindeki
elektrolar (çoğunluktadır) P tipi bölgeye hareket eder. P bölgesindeki elektron boşlukları da N
bölgesine hareket eder. Böylece N tipi bölgedeki atomlar (+), P tipi bölgedeki atomlar (-)
olarak iyonlaşmış olur. Bunlar, kristal içinde sabit yük merkezleri oluştururlar. Kavşağın her
iki yüzünde iyonize olmuş atomlar, kristal içinde, yönü N’den P’ye doğru olan bir elektrik
alan meydana getirirler.
Bu bölge geçiş bölgesidir ve serbest yükler yoktur. Kavşaktaki bu potansiyel farkı, P’den
N’ye geçecek boşluklar ve N’den P’ye geçecek elektronlar için bir potansiyel duvarı
teşkil eder. N’den ayrılacak bir elektron, arkasında kendini geri çağıran bir boşluk bırakır ve
önündeki P tipi bölgedeki (-) yükler elektronu püskürtür (Şekil4).
Şekil4. P – N Kavşağı ve İç Akım
Özet olarak, P-N kavşağında meydana gelen elektrik alan, kavşak civarındaki elektronu,
P’den N’ye doğru iter (N’deki elektronu geri püskürtür, P’deki elektronu N’ye iletir).
Kavşağın enerji bandı, Şekil 5.’deki gibidir. N bölgesinde, valans ve iletkenlik bandı
enerjileri, P’dekilerden düşüktür.
Şekil 5. P – N Kavşağında Enerji Bandı
Enerjisi yeterli bir ışık demeti (h.f >Eg. N Planck sabiti, f frekans), P-N kavşağı üzerine
düşürüldüğü zaman, foton elektronlarla karşılaşıp enerji verebilir. Serbest elektronlar, valans
elektronlarının ancak 1/104 kadarı olduğundan, bu ihtimal zayıftır. Foton, muhtemel valans
elektronu ile karşılaşır ve ona enerjisini bırakarak iletkenlik bandına çıkarır. Elektron,
arkasında bir elektron boşluğu bırakır.
Olay A-B aralığında ise; elektron, oluşan elektrik alanla N bölgesine, boşluk da P bölgesine
itilir. Olay kavşağa yakın N bölgesinde oluşmuşsa, boşluk yine P bölgesine götürülür.
Kavşaktan uzakta oluşan elektron boşluk, zamanla birbirini bulacaktır. Sonuç olarak P tipi
bölge (+), N tipi bölge (-) yüklenmiş ve bir potansiyel doğmuştur.
Fotovoltaik Pil
Şekil 6’da görüldüğü gibi, foton absroblanmasıyla yük taşıyıcılar çoğunlukta oldukları
bölgelere sürüklenirler. Kavşaktan Is akımı geçer ve N(-), P’de (+) yüklenmiş olur.
Is akımı, kavşağın ileri yönde kutuplaşmasına ve kavşak potansiyel duvarının alçalmasına
sebep olur. Dış devre açık ise (akım yoksa) P’den N’ye akım geçer ve kavşak potansiyel
duvarı tekrar yükselir; P bölgesi (-), N bölgesi (+) yüklenir. Sonra tekrar foton absorblanarak
olay devam eder. Bu durumda Is = I olur.
Şekil 6. Fotovoltaik Pilin Yapısı
Dış devreden akım geçerse Is = I – IL olacak şekilde dışarıya elektrik enerjisi alınır. Şekil 7
’d e bu pilin elektrik eşdeğer devresi görülmektedir. En yüksek foton enerjisi yeşil ışık için
h.f = 2.5 eV civarındadır. P-N kavşağındaki temas potansiyeli, elektronları daha yüksek
potansiyele çıkaran batarya rolü oynamaktadır.
Şekil 7. Fotovoltaik Pil Eşdeğer Elektrik Devresi
Güneş Pili Çeşitleri
Bakır – bakıroksit ve gümüş yarı iletkenleri ile yapılan güneş pilleri, selenyum pilleri ve
silisyum güneş pilleri en çok kullanılanlarıdır:
a. Selenyum Güneş Pili:
Saf selenyum, alkali metallerle veya klor, iyod gibi halojenlerle karıştırılıp P tipi yarı iletken
oluşturulur. Bunun üzerine iyi iletken ve yarı iletken / yarı geçirgen bir gümüş tabaka birkaç
mikron kalınlığında kaplanarak P-N kavşağı oluşturulur. Şekil 8’da bir selenyum güneş
pilinin yapısı görülmektedir. Bu pillerin 50 0C’nin üzerinde kullanılmamaları tavsiye
olunur.
Şekil 8. Selenyum Güneş Pilinin Yapısı
b. Silisyum Güneş Pili:
Uzay araştırmalarında kullanılan pillerin çoğu bu türdendir. Silisyum SiO2 halindeki kumdan
elde edilir. Küçük bir kristal özünüm, eritilmiş potaya daldırılır. Belli hızda döndürülerek
potadan çıkarılırken soğuması temin edilir ve kristalin büyütülmesi ile güneş pili elde edilir.
Eriyik içine P tipi yarı iletkenlik malzemeleri katılır. P tipi kristaller dilimler şeklinde kesilir.
Sıcaklığı kontrol edilen P2O5 ’li difüzyon fırınında N tipi yarı iletkenle 10-4 - 105 m.
Derinliğe kadar difüzyon temin edilerek P-N kavşağı oluşturulur.
Silisyum pilleri germanyumla yapılan pillere göre, daha büyük açık devre direnci sağlar. Buna
karşı silisyumlu pillerin spektral cevabı daha azdır ve kızılötesi ışınlara kadar uzanmaz. Akkor
ışık kaynağı kullanılması halinde, Ge uçlarındaki gerilim küçük olmasına rağmen daha büyük
akım sağlar. Güneş ışınları için ise silisyum pil daha uygundur.
Güneş pilleri, pahalı oldukları için ulaşılması güç yerlerde kullanılmaktadır. Metalik
iletkenlerin normal sıcaklıktaki özdirençleri 1.6×10-6 – 150×10-6 ohm.cm aralığında
değiştiği halde iyi bir yalıtkanın özdirenci 1012 –1018 ohm.cm arasında değişir. Özdirençleri
10-3 –107 ohm.cm arasında olan elemanlar da yarı iletkenlerdir. yarı iletkenlerin özdirençleri
çok düşük sıcaklıklarda yalıtkanlarınkine yakındır. metallerin aksine, yarı iletkenler sıcak bir
ortamda, soğukta olduklarından daha iletkendirler. başka bir deyişle yarı iletkenlerin
özdirençleri sıcaklık arttıkça azalır ve değişim katsayısı metallerinkinden 10 kat daha
büyüktür.
Güneş pillerinin çalışmaları ile ilgili teoriyi kısaca şu şekilde özetleyebiliriz. Metallerde atom
sayısı kadar serbest elektron iletkenliği temin eder. Yalıtkan kristallerde ise elektronlar düşük
enerjili valans bandında bulunur. Bunları iletken hale getirmek için elektron bulunmayan
yasak enerji bantlarını geçecek şekilde elektronlarına enerji verilmelidir. Bu enerji 5-9 eV
civarındadır.
Birbirleriyle kovalant bağ teşkil ederek bağlanmış yalıtkan kristal atomları içine (milyonda
birkaç değerinde) III veya V. grup elementlerden katılırsa bazı kristal atomlarının yerini bu
elementler alacaktır. V. grupla oluşan yapıda, katkı elemanlarının 4 elektronu, yalıtkan kristal
atomunun 4 elektronunu müşterek kullanarak, dış devresini tamamlayıp kovalant bağ
oluşturacak ve bir elektronu açıkta kalıp iletkenliğe katılacaktır. Yarı iletken N tipidir ve
elektronun iletkenlik bandına geçmesi için gerekli enerji bir elektron volt civarındadır.
Kristalleşme III. grup elemanları ile yapılırsa elementin 3 elektronu yalıtkan kristal
atomunkilerle müşterek bağ kuracak ve yakın komşu atomdan bir elektron kapıp 4.cü bağını
tamamlarken orada bir elektron boşluğu bırakacaktır. Bu da P tipi yarı iletkendir ve iletkenlik
için 1,2 – 1,5 eV enerji gerekir.
Güneş Pili Eşdeğer Şeması ve Güneş Panelleri
Bilindiği gibi, güneş pili bir yarı iletken düzenektir. Çoğunluk yük taşıyıcıları elektronlardan
oluşan N tipi ile çoğunluk yük taşıyıcıları oyuklardan oluşan P tipi yarı iletken yan yana
getirilir. Işık enerjisi bu birleşme noktasına düşürülürse dış devreden bir akım geçebilmektedir
(Şekil 9).
Şekil 9. Güneş Pili
P-N yarı iletken kavşağında, elektronlar P tipi bölgeye geçerek birleşme yüzeyine yakın
bölgelerde boşluk yük taşıyıcıdaki elektron eksikliğini tamamlayıp (-) iyonlar oluştururken N
tipi bölgede de (+) iyon duvarı oluşacaktır. Dış tesir olmazsa bu enerji duvarı akımın
geçmesini önleyecektir. Işın demeti bu bölgeye düşerse, yük taşıyıcı elektronlar çok az
oranlarda olduğundan, muhtemelen bir valans elektrona enerjisini bırakacak ve onu P tipi
bölgeye doğru itecektir. Dış devre akımı ise P’den N’ye doğru olacaktır (Şekil 10).
Şekil 10. P – N Kavşağının Oluşturulması ve Kavşağa Düşen Foton Enerjisi ile İletkenlik
Temini
Bir güneş pilinde N tipi bölgede elektron üreten bir elektromotif kuvveti düşünülebilir. Şekil
11 ’de fiziksel eşdeğer devre görülmektedir. Devre elemanları bir elektromotor kuvvet, bir
iç diyot ve bir iç direnç şeklinde sembolize edilebilir.
Şekil 11. Güneş Pili Eşdeğer Elektrik Şeması
Güneş pilleri, belli güneşlenme şartlarında, birim alan başına belirli bir akım ve voltaj
üretirler. İstenen bir enerji için bir çok pili seri ve paralel olarak bağlamak gerekir. Böylece
güneş panelleri oluşturulur. Şekil 11 ’de eşdeğer şeması verilen güneş pilinde dış devre akım
şiddeti ve uçlardaki gerilim ölçülebilir. Ayarlanabilir bir dış dirençle, gerilim ve akım açık
devreden kısa devreye kadar değiştirilerek Şekil 12 ’deki gerilim akım şiddeti eğrileri elde
edilebilir. 1 cm² ‘lik pil güneşlenme alanı için ışınım şiddeti 0.5 – 1.0 kw/m² arasında
değişirken, optimum çalışma noktaları ve sabit yük eğrisi bu şekilde gösterilmiştir.
Ölçümler 27 0C sıcaklıkta yapılmış olup yüzey sıcaklığı arttıkça gerilim düşer. Akım şiddeti,
güneş ışınım yoğunluğu ve pil ışınım alanı ile orantılı olarak değişir. Sıcaklığın voltaja tesiri
0.022w/ 0C oranında olmaktadır. Şekil 13’te 40 adet seri bağlanmış 10×10 cm ebadında
pilin, 1 kw/m² ışınım şartlarında akım şiddeti gerilim karakteristiği değişik sıcaklıklar için
verilmiştir.
Şekil 12. 34 Wattlık Bir Güneş Pilinde Akım-Gerilim Eğrileri
(Yüzey Sıcaklığı 27 0C İçin)
Bir güneş panelinde güç adaptasyonunun optimizasyonu için şarj ve kullanma devresine,
ayarlanabilen dirençler eklenmelidir. Güneş pili iç direnci uygun olmalı, aşırı güneşlenme
halinde fazla enerji kullanan ikinci bir devre bulunmalıdır. Yük direnci veya şarj regülatörü
giriş direnci, ışınıma göre değişebilmelidir. 12 volt, 35 ampersaat kurşun aküler, sıvı kayıpları
ve kendiliğinden deşarjları az olduğundan bu amaçla kullanımları uygundur.
Güneş Pillerinin Yapısı
Tek kristalli silisyum güneş pilinin rengi koyu mavi olup, ağırlığı 10 gramdan azdır. Pilin üst
yüzeyinde, pil tarafından üretilen akımı toplayacak ve malzemesi genellikle bakır olan ön
kontaklar vardır. Bunlar negatif kontaklardır. Kontakların altında 150 mm kalınlığında,
yansıma özelliği olmayan bir kaplama tabakası vardır. Bu tabaka olmazsa, silisyum, üzerine
düşen ısınımın üçte birine yakın kısmını yansıtacaktır. Bu kaplama tabakası, pil yüzeyinden
olan yansımayı önler. Pilin on yüzeyi, normal olarak yansıyan ışığın bir kısmını daha
yakalayabilmek amacıyla, piramitler ve konikler şeklinde dizayn edilmiştir. Yansıtıcı olmayan
kaplamanın altında, pilin elektrik akımının ortaya çıktığı yapı bulunur. Bu yapı, iki farklı
katman halindedir. N-katmanı, fosfor atomları eklenmiş silisyumdan oluşan ve pilin negatif
tarafını oluşturan katmandır. P-katmanı ise, bor atomları eklenmiş silisyumdan oluşmuş, pilin
pozitif tarafıdır. İki katman arasında, P-N kavşağı denilen, pozitif ve negatif yüklü
elektronların karşılaştığı bir bölge bulunur. Pilin arka yüzeyinde, elektronların girdiği pozitif
kontak görevi gören arka kontak yer alır.
Şekil 13. Tipik Bir Silisyum Güneş Pilinin Ön Yüzü
Üretilen piller, standart test koşullarında test edildikten sonra, tüketiciye sunulmaktadır.
Ortam sıcaklığı 25 0C ortalama ışınım şiddeti 1000 W/m² vee Hava-Kütle oranı 1,5 olarak
test koşulları belirlenmiştir. Hava-kütle oranı, güneş ışınımının geçirilme oranını gösteren
atmosfer kalınlığıdır. Güneşin tam tepede olduğu durumda, bu oran, l olarak alınır. Atmosfer
tarafından emilen ışınımın oranına bağlı olarak, pilin üreteceği elektrik miktarı da
değişeceğinden, bu oran önemli bir parametredir.
Tipik bir silisyum güneş pili, 0.5 volt kadar elektrik üretebilir. Pilleri birbirine seri bağlayarak
üretilen gerilim değerini arttırmak olasıdır. Genellikle, 30-36 adet güneş pili, 15-17 voltluk bir
çıkış gücü vermek için birlikte bağlanabilir, ki bu voltaj değeri de, 12 voltluk bir aküyü şarj
etmek için yeterlidir. Farklı çıkış güçleri verecek şekilde imal edilmiş, farklı büyüklüklerde
güneş pilleri bulmak olasıdır. Silisyum pillerin seri bağlanması ile modüller, modüllerin
birbirine bağlanması ile örgüler oluşur. Her modül, paralel veya seri bağlanabilmesine olanak
verecek şekilde, bağlantı kutusuyla birlikte dizayn edilir.
Güneş pilinin kolayca kırılabilmesi ve ürettiği gerilimin çok düşük olması gibi, sakıncalarının
giderilmesi gerekir. Pillerin birbirlerine bağlanması ile oluşan modüller koruyucu bir çerçeve
içine alınmışlardır ve kullanılabilecek düzeyle gerilim üretirler. Modülde bulunan pil sayısı,
çıkış gücünü belirler. Genellikle, 12 voltluk aküler işarj etmek için 30-36 adet silisyum güneş
pilinin bağlanması ile bir modül oluşsa bile, daha yüksek çıkış güçleri için daha büyük
modüller yapılabilir. En basit sistem, bir modül v ebuna bağlı bir akü veya elektrik
motorundan oluşmuş bir sistemdir.
Şekil 14. Pillerden Modül ve Örgülerin Yapılması
Modüllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluşan yapıya panel adı
verilir. Bir modülden elde edilen gücü arttırmak için başvurulan bir yapılanma biçimidir. Bu
şekilde, çıkış gücü, 12,24,48 V veya daha yüksek olabilir. Birden fazla panelin kullanıldığı bir
sistemde, paneller, kontrol cihazına veya akü grubuna, birlikte bağlanabilecekleri gibi, her
panel tek olarak da bağlanabilir. Bu durumda, bakım kolaylığı olacaktır.
Sistemde kullanılan, fotovoltaik üreteçlerin tümünün oluşturduğu yapıya ise örgü
denilmektedir. Örgünün çok büyük olduğu uygulamalarda, daha kolay yerleştirme ve çıkış
kontrolü için sistem, alt-örgü gruplarına ayrılabilir. Örgü, bir modülden oluşabileceği gibi
100.000 veya daha fazla modülden de ulaşabilir.
Güneş Pili Türleri
Güneş pili teknolojisi, kullanılan maddeler ve yapım türleri açısından son derece zengindir.
Güneş pili yapımı için şu anda kullanılmakta olan bir düzineden fazla maddenin yanı sıra,
yüzlerce maddenin de üzerinde çalışılmaktadır. Belli başlı güneş pili türleri aşağıda
anlatılmaktadır.
1. Kristal Silisyum Güneş Pilleri
Silisyum yarı iletken özellikleri tipik olarak gösteren ve güneş pili yapımında en çok
kullanılan bir maddedir ve uzun yıllarda bu konumunu koruyacak gibi görünmektedir.
Fotovoltaik özellikleri daha üstün olan başka maddeler de olmakla birlikte, silisyum hem
teknolojisinin üstünlüğü nedeniyle hem de ekonomik nedenlerle tercih edilmektedir.
2. Monokristal Silisyum Güneş Pilleri
İlk ticari güneş pillerinde, CHROZALSKİ kristal çekme tekniği ile büyütülen tek kristal yapılı
silisyum kullanılmıştır. Fotovoltaik endüstride hala en çok kullanılan yöntem olan bu teknikte
öncelikle ark fırınlarında silisyum oksit çeşitli kimyasal ve termal reaksiyonlardan geçirilerek
saf silisyum elde edilir. Daha sonra silisyum eriyiğe çekirdek denen tek kristal yapılı bir
silisyum parçası batırılır. Bu çekirdek eriyikten çıkarıldığında soğuyan silisyum eriyik,
çekirdeğin üzerine külçe şeklinde yığılmış olur. Bu silisyum külçe olmaz bir keski ile
dilimlere ayrılır. Bu, iki aşamada olur. Önce külçe dikdörtgen bloklar şeklinde kesilir. Daha
sonra bu bloklar dilimlere ayrılarak pil şeklinde işlenir. Verimleri %15 civarındadır. Yapım
sırasında malzeme kaybının çok fazla olması bu pillerin dezavantajıdır.
3. Semisristal (Yarıkristal) Silisyum Güneş Pilleri
Bu tip piller, sıvı silisyumun soğutulmasıyla elde edilen kümelenmiş küçük silisyum
kristallerinden oluşur. Bu pillerin verimleri %14 civarında olup, kümelenmiş silisyum
taneciklerinin sınırlarındaki kayıpları bağlıdır.
4. Ribbon Silisyum Güneş Pilleri
Bu piller, malzeme kaybının azaltılması amacıyla levha halinde silisyum tabakalarından
yapılırlar. Çeşitli yöntemlerle (Efg, Dendritik ağ) elde edilen bu piller, halen geliştirme
aşamasındadır. Verimleri laboratuar şartlarında %13-14 arasındadır.
5. Polikristal Silisyum Güneş Pilleri
Bu piller de ribbon silisyum teknolojisiyle yapılıp, yapıları polikristal özellik gösterir. Halen
laboratuar aşamasındaki bu pillerin verimleri %10’dur.
6. İnce Film Güneş Piller
Bu teknikte, absorban özelliği daha iyi olan maddeler kullanılarak daha iyi olan maddeler
kullanılarak daha az kalınlıkta (tek kristalin 1-500’ü kalınlığında) güneş pilleri yapılır.
Örneğin amorf silisyum güneş pillerinin absorbsiyon katsayısı kristal silisyum güneş pillerinin
katsayısından daha fazladır. Dalga boyu katsayısı 0.7 mikrondan küçük bir bölgedeki güneş
radyasyonu 1 mikron kalınlığında amorf silisyum ile absorblanabilirken, kristal silisyumda ise
aynı radyasyonu absorblamak için 500 mikron kalınlıkta malzeme kullanılması
gerekmektedir. Bu yüzden amorf yapılı güneş pillerinde daha az malzeme kullanılır ve montaj
kolaylığı nedeniyle bir avantaj sağlar.
7. Amorf Silisyum Güneş Pilleri
Amorf silisyum güneş pilleri (a-Si), ince film güneş pili teknolojisinin en önde gelen
örneğidir. İlk yapılan a-Si piller Schottky bariyer yapısında iken, daha sonraları p-i-n yapıları
geliştirilmiştir. P-i-n yapısındaki pillerin fabrikasyonu kalay oksitle kaplı iletken bir yüzeyin
üzerine çöktürme yöntemi ile yapılır, bu yüzeyin arkası daha sonra metalle kaplanır.
Verimleri %5-8 arasındadır. Ancak bu piller, kısa zamanda bozunuma uğrayarak çıkışları
azalır.
8. Diğer Yapılar
Bakır indiyum diselenit (CuInSe) maddesinden yapılan ve verimleri %13 civarında olan piller
halen gelişme aşamasındadır ve daha kararlı çıkışa sahip olduğu için absorban özelliği
yüksek, verimleri de %12 civarındadır. Bu güne kadar elde edilen en yüksek verime (%24)
galyum arsenitten yapılan piller ulaşmıştır. Bu madde ile çeşitli türde piller elde edilebilmekle
birlikte, pahalı olduğu için pillerin, güneş spektrumunun daha büyük bir bölümünden
yararlanabilmesi amacı ile denenen bir yöntem ise, birden fazla ince film yapısının üst üste
konmasıyla elde edilen çok eklemli film yapılarıdır.
Bunların dışında, güneş ışınımının yüksek verimli pillerin üzerine optik olarak yoğunlaştıran
sistemler üzerinde çalışmalar yapılmaktadır. Bu tür sistemlerde güneşin hareketini izleyen
düzeneklerin yanı sıra, güneş ışığını kıran (mercek) ya da yansıtan (ayna) eleman kullanılır.
Güneş Pili Nasıl Çalışır
Yarı iletken bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji bandından oluşur. Bu bandlar
valans bandı ile iletkenlik bandı adını alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya daha büyük
enerjili bir foton yarı iletken tarafından soğrulduğu zaman, enerjisi valans banttaki bir
elektrona vererek elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar. Böylece elektron-hol çifti
oluşur. Bu olay, PN eklem güneş pilinin ara yüzeyinde meydana gelmiş ise elektron-hol
çiftleri buradaki elektrik alan tarafından birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde güneş pili
elektronları N bölgesine, holleri de P bölgesine iten bir pompa gibi çalışır. Birbirlerinden
ayrılan elektron-hol çiftleri, güneş pilinin uçlarında yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç
yeniden bir fotonun pil yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarı iletkenin iç
kısımlarında da, gelen fotonlar tarafından elektron-hol çiftleri oluşturulmaktadır. Fakat gerekli
elektrik alan olmadığı için tekrar birleşerek kaybolmaktadırlar.
Güneşten Elektrik Üretmenin Yararları
Elektrik üretimi için pek çok yöntem olmasına karşılık, güneş pilleri ile elektrik üretiminin
bazı yararları vardır. Bunlar aşağıda kısacı açıklanmıştır.
Mevcut sistemlerden farklı olarak en büyük yararı, Herhangi bir fosil yakıt veya bağlantı
gerektirmeden bağımsız olarak elektrik üretebilmesidir.
Kullanılan yakıtı, her yerde ve bedava bulmak mümkündür. Taşıma ve depolama gibi sorunlar
yoktur.
Sistemde kullanılan hareketli parçalar çok az olduğundan çok az bakım gerektirirler. Elektrik
üretiminde kullanılan diğer sistemler (jeneratörler, rüzgar veya hidroelektrik türbinleri vs)
düzenli olarak bakıma gerek duyarlar. Eğer, pv sisteminiz kompleks ise, bir parça bakım
gerekebilir; ancak, genel olarak, bu sistemler için “bakımsız” demek yanlış olmayacaktır.
Diğer elektrik üretim sistemleriyle karşılaştırıldıklarında, belki de en büyük yararları güvenilir
olmalarıdır. Hareketli parçaları ya çok azdır; ya da yoktur. Şimşekler, güçlü rüzgarlar veya
kum fırtınaları, nem ve ısı, kar veya buz gibi doğa olaylarına dayanıklıdırlar.
Enerjiyi kullanmak istendiği yerde üretmek olasıdır. Böylece enerjiyi taşımak gerekmez.
Şebekenin ulaşmadığı, örneğin, GSM vericilerinin yerleştirildiği yerlerde, bu sistemi
kullanmak olasıdır.
Enerji kaynağı ile kullanım yeri arasında, uzun kablolar ve bağların elemanları olmadığından
arada oluşabilecek güç kaybından kaçınılmış olur. Bu sistemle, çok sayıda tüketim noktası
beslenmek istendiği zaman bile yerel kayıplar yok denecek kadar azdır.
Modüler bir sistem olduğu için güç çıkışı kolaylıkla arttırılabilir. Mevcut modüllere
yenilerinin eklenmesi ile sistem, artan güç gereksinimini karşılayabilecek duruma getirilebilir.
SONUÇ
Güneş pilleri çevre dostu ve tükenmez enerji kaynağı güneşten, insan ömrü boyunca elektrik
üretirler. Türkiye yılda ortalama 2600 saat güneşlenme zamanıyla güneş enerjisinden
ekonomik olarak yararlanılabilen bir ülkedir.
Bir güneş pili sistemi dizayn etmek için sistemin kurulacağı bölge ve üretilmek istenen enerji
miktarının bilinmesi gerekir. Sistem, arzu edilen özel koşullarda göz önüne alınarak istenen
koşullarda dizayn edilebilir.
Güneş pillerinin kullanım alanlarının başında aydınlatma ve haberleşme gelmektedir.
Yerleşim merkezlerine uzak yerlerdeki GSM vericilerinin ve radyo istasyonlarının enerjilerini
karşılamak için ideal çözümdür. Sizi şebeke bağımlılığından, jeneratörlerin bakım ve işletme
masraflarından kurtarır.