Professional Documents
Culture Documents
NİSAN 2007
ÖNSÖZ
Bu çalışmanın hayata geçirilmesinde fikir babası olan, başından sonuna kadar değerli
bilgileriyle her zaman büyük destek veren, düşünceleriyle bana yol gösteren ve en
olumsuz anlarda beni teşvik eden sayın hocam Doç. Dr. Levent TRABZON’a,
Bütün süreçlerde yardımını esirgemeyen yakın arkadaşım Mak. Müh. Önder
TÜRKMEN’e,
Tez çalışmamın en önemli kısmını teşkil eden tasarım programı Coventor Ware
2006’yı değerli vakitlerinden fedakarlık ederek bilgi ve deneyimlerini benimle
paylaşan Elk. ve Hab. Yüksek Müh. Ahmet KUZU’ya,
Yine Coventor Ware ve MultiMEMS ile ilgili çok değerli bilgilerini benimle
paylaşan Vestfold University College’de Dr. Christopher GRINDE’ye,
Tezin tamamlanmasında manevi desteğini her zaman hissettiğim yakın arkadaşım
Mak. Müh. Metin CEBE’ye,
Tüm eğitim öğretim yaşantım boyunca maddi ve manevi her türlü fedakarlığı yapan,
destek ve sabır gösteren AİLEME,
Yardımlarıyla bugünlere ulaşmamı sağlayan ismini sayamadığım herkese sonsuz
teşekkürlerimi sunarım.
ii
İÇİNDEKİLER
KISALTMALAR v
TABLO LİSTESİ vi
ŞEKİL LİSTESİ vii
SEMBOL LİSTESİ ix
ÖZET x
SUMMARY xi
1. GİRİŞ 1
1.1. MEMS Teknolojisi 1
1.2. MEMS'in Avantajları 2
1.3. MEMS Tarihçe 3
1.4. MEMS Üretim Teknikleri 5
1.4.1. Yüzey Mikro İşleme 8
1.4.1.1. İnce Film Gerilmesi 9
1.4.1.2. Yapışma 11
1.4.2. Gövde Mikro İşleme 12
1.5. Basınç Sensörü 16
1.5.1. Basınç Sensörü Tanımlamaları 17
1.5.2. Basınç Sensörü Tipleri 17
1.5.2.1. Makro Düzeyde Basınç Sensörleri 17
1.5.2.1.1. Bourdon Tipi Basınç Sensörü 17
1.5.2.1.2. Diyafram Basınç Sensörü 18
1.5.2.1.3. Kapasitans Tipi Basınç Sensörü 19
1.5.2.1.4. Diferansiyel Basınç Sensörü 19
1.5.2.1.5. Piezoelektrik Basınç Sensörü 20
1.5.2.1.6. Körüklü Basınç Sensörü 20
1.5.2.1.7. Çok Düşük Basınç Sensörü 21
1.5.2.2. Mikro Düzeyde Basınç Sensörleri 22
1.5.2.2.1. Kapasitif Basınç Sensörü 22
1.5.2.2.2. Kuvvet Kompanzasyonlu Basınç Sensörü 23
1.5.2.2.3. Rezonant Basınç Sensörü 24
2. TEORİ 27
2.1. Piezorezistif Etki 27
2.1.1. Enine ve Boyuna Piezorezistif Katsayı 28
2.1.2. Silisyumun Piezorezistif Katsayıları 30
2.2. Diyaframdaki Gerilmeler 31
2.3. Göbekli Kare Diyafram Analizi 36
2.4. Wheatstone Köprüsü 39
iii
3. SENSÖR TASARIMI VE ÜRETİMİ 42
3.1. Tasarım Koşulları 42
3.1.1. MultiMEMS Tasarım Koşulları ve Sınırlamaları 42
3.1.2. Diyafram ve Hücre Boyutları 44
3.1.3. Dirençler ve Dirençlerarası Elektriksel Bağlantılar 46
3.2. Coventor Ware 2005 Hakkında Genel Bilgiler 47
3.2.1. Coventor Ware Modülleri 48
3.3. Multimems MPW Prosesleri 49
3.3.1. Nowel (n-well’siz Bölge) 49
3.3.2. Bucon (Gömülü İletken) 49
3.3.3. Bures (Gömülü Direnç) 50
3.3.4. Tikox (Kalın Oksit Tabakası) 50
3.3.5. Sucon (Yüzey İletkeni) 50
3.3.6. Sures (Yüzey Resistörü) 51
3.3.7. Nosur 51
3.3.8. Cohol (Temas Boşlukları) 52
3.3.9. Mcond (Metal İletkenler) 52
3.3.10. Betch (Arka Yüzey Oksit Desenlendirilmesi) 53
3.3.11. Noboa (Anodik Bağsız Bölge) 53
3.3.12. Retch (Serbest Aşındırma) 53
3.3.13. Toge, Bogef, Bogeb 54
3.4. Piezorezistif Basınç Sensörü Tasarımında Kullanılan MPW Prosesleri 54
3.4.1. Base 54
3.4.2. Nowell 55
3.4.3. Betch 56
3.4.4. Sures 57
3.4.5. Mcond 58
3.4.6. MPW ile Göbekli Piezorezistif Basınç Sensörü Tasarımı 59
KAYNAKLAR 78
ÖZGEÇMİŞ 81
iv
KISALTMALAR
v
TABLO LİSTESİ
Sayfa No
Tablo 1.1 : n ve p tipi silisyumlar için tipik oda sıcaklığında
piezorezistif katsayıları......................................................... 30
Tablo 3.1 : Silisyum altlığın teknik özellikleri....................................... 45
Tablo 3.2 : Tasarımı yapılacak mikrosensörlerin boyut ve basınç
değerleri................................................................................ 46
Tablo 3.3 : Göbekli kare diyaframlı basınç sensörünün boyut ve
basınç değerleri..................................................................... 46
Tablo 3.4 : T=25°C’de <110> kristal yönünde yerleştirilen dirençler
için enine ve boyuna piezorezistif katsayıları...................... 47
Tablo 4.1 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumlardaki
yerdeğiştirme değişimi…………………………………..... 62
Tablo 4.2 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumlardaki
yerdeğiştirme değişimi……………………………………. 64
Tablo 4.3 : Göbekli kare diyaframdaki yerdeğiştirme.……………….. 65
Tablo 4.4 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumdaki gerilme
değişimi…………………………………………………… 67
Tablo 4.5 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki gerilme
değişimi…………………………………………………… 69
Tablo 4.6 : Diyafram kalınlıklarına göre açığa çıkan voltaj değerleri... 73
vi
ŞEKİL LİSTESİ
Sayfa No
Şekil 1.1 : Elektron mikroskobu altında entegre devreli bir MEMS
cihazının görünümü.............................................................. 1
Şekil 1.2 : Resonant Gate Transistor..................................................... 4
Şekil 1.3 : Entegre devreli polisilisyum yüzey işlenmiş ilk MEMS
cihazı.................................................................................... 5
Şekil 1.4 : Fotolitografik yöntem.......................................................... 7
Şekil 1.5 : Yüzey mikro işleme tekniği................................................. 9
Şekil 1.6 : Tavlanmamış ince filmlerin sıkıştırılmış gerilmesini
gösteren bükümlü polisilisyum yapılar................................. 11
Şekil 1.7 : Heba tabakası aşındırması süresince oluşan Kapiler
kuvvetler............................................................................... 12
Şekil 1.8 : Kristalografik tabaka boyunca yapılan gövde mikroişleme. 13
Şekil 1.9 : Islak Kazıma........................................................................ 14
Şekil 1.10 : Derin tepkili ion kazıma ile pula dikine kazıma yaparak
oluşturulan mikrodirsek........................................................ 15
Şekil 1.11 : Mikrokalıplama Yöntemleri................................................. 16
Şekil 1.12 : Tipik Bourdon Tüpü Basınç Sensörü................................... 18
Şekil 1.13 : Helisel Tipteki Bourdon Tüpü............................................. 18
Şekil 1.14 : Spiral Tipteki Bourdon Tüpü............................................... 18
Şekil 1.15 : Diferansiyel basınç sensörü................................................. 20
Şekil 1.16 : Piezoelektrik Basınç Sensörü............................................... 20
Şekil 1.17 : Körüklü Basınç Sensörü....................................................... 21
Şekil 1.18 : Entegre kapasitif basınç sensörünün şeması........................ 23
Şekil 1.19 : Kuvvet kompanzasyonlu basınç sensörünün şeması........... 24
Şekil 1.20 : Rezonant basınç sensörünün SEM fotoğrafı........................ 25
Şekil 2.1 : p-tipi silisyum için (100) düzleminde ve oda
sıcaklığındaki piezorezistif katsayıları................................. 30
Şekil 2.2 : Maksimum yer değiştirme – basınç ilişkisi.......................... 35
Şekil 2.3 : Göbekli kare diyafram ve idealleştirilmiş göbekli plaka..... 37
Şekil 2.4 : Göbekli plakanın kesit görünüşü.......................................... 38
Şekil 2.5 : Wheatstone köprüsü konfigürasyonu................................... 39
Şekil 2.6 : Belli diyafram kalınlıklarına bağlı olarak diyafram kenar
uzunlukları ile hassasiyet ilişkisi ………………………..... 41
Şekil 3.1 : Multimems tarafından belirlenmiş kare diyaframlı basınç
sensöründeki Pmax ile diyafram kenar uzunluğu
arasındaki ilişki..................................................................... 44
Şekil 3.2 : Anizotropik gövde kazıma................................................... 45
Şekil 3.3 : Piezorezistörleri oluşturmada kullanılan tipik (a) paralel
ve (b) dikine dirençler........................................................... 47
Şekil 3.4 : CoventorWare programı genel akış diyagramı.................... 49
Şekil 3.5 : NOWEL maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü...... 49
vii
Şekil 3.6 : BUCON maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü...... 50
Şekil 3.7 : BURES maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü…... 50
Şekil 3.8 : TIKOX maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü…… 50
Şekil 3.9 : SUCON maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü….. 51
Şekil 3.10 : SURES maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü…… 51
Şekil 3.11 : NOSUR maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü….. 52
Şekil 3.12 : COHOL maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü….. 52
Şekil 3.13 : MCOND maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü..... 52
Şekil 3.14 : BETCH maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü…... 53
Şekil 3.15 : NOBOA maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü….. 53
Şekil 3.16 : RETCH maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü…... 54
Şekil 3.17 : TOGE, BOGEF,BOGEB uygulandığı pulun kesit
görünüşü…………………………………………………... 54
Şekil 3.18 : Base yapısının oluşumu....................................................... 55
Şekil 3.19 : Nowell prosesi sonucu açığa çıkan yapı.............................. 56
Şekil 3.20 : Betch prosesi sonucu açığa çıkan yapı................................. 57
Şekil 3.21 : Sures prosesi sonucu açığa çıkan yapı................................. 58
Şekil 3.22 : Mcond prosesi sonucu dirençler arasına bağlanmış metal
iletkenler………………....................................................... 59
Şekil 3.23 : MPW da tasarlanmış göbekli kare diyaframlı basınç
sensörü…………………………………………………….. 60
Şekil 3.24 : Meshlemede kullanılan mesh elemanı……………………. 60
Şekil 4.1 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumdaki teorik ve
analizle hesaplanan yerdeğiştirme…..……………..……… 62
Şekil 4.2 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumdaki
yerdeğiştirmenin CW programındaki görünümü….………. 63
Şekil 4.3 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki teorik ve
analizle hesaplanan yerdeğiştirme………..………..……… 64
Şekil 4.4 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki
yerdeğiştirmenin CW programındaki görünümü…..……… 65
Şekil 4.5 : Tasarımı yapılan göbekli kare diyafram için hesaplanan
yerdeğiştirme………………………………...…..………... 66
Şekil 4.6 : Tasarımı yapılan göbekli kare diyafram için hesaplanan
yerdeğiştirmenin CW programındaki görünüşü……….….. 66
Şekil 4.7 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumdaki CW
programı ile hesaplanan gerilme değerleri...…...…..……... 68
Şekil 4.8 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumdaki Von Mises
gerilmesi…………………………..…..……………….….. 68
Şekil 4.9 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki CW
programı ile hesaplanan gerilme değerleri...…...…..….….. 70
Şekil 4.10 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki Von
Mises gerilmesi…………………………..…………........... 70
Şekil 4.11 : Göbekli kare diyaframda CW ile hesaplanan gerilme……. 71
Şekil 4.12 : Göbekli kare diyaframda oluşan Von Mises gerilmesi….. 71
Şekil 4.13 : Teorik ve CW ile hesaplanan gerilme değerlerinin
karşılaştırılması……………………………………………. 72
Şekil 4.14 : 3 µm kalınlığındaki diyaframın hassasiyet grafiği……….. 73
Şekil 4.15 : 23 µm kalınlığındaki diyaframın hassasiyet grafiği…….... 73
Şekil 4.16 : Göbekli kare diyaframın hassasiyet grafiği………………. 74
Şekil 5.1 : Kistler Type4005A tipi piezorezistive basınç sensörü……. 76
viii
SEMBOL LİSTESİ
∇ : Planck sabiti
Lcr : Kritik uzunluk
E : Young modülü
I : Eylemsizlik momenti
τ : Kayma gerilmesi
ρ : Yoğunluk
δ : Bağıl direnç
A : Kesit alanı
Mo : Eğilme momenti
h : Diyafram kalınlığı
L : Diyafram kenar uzunluğu
γ : Sıvının yüzey gerilmesi
θ1,θ2 : Sıvının altlık ve mikroyapıyla temas açısı
P : Basınç
g : Yerçekimi ivmesi
C : Kapasitans
ε : Plakalar arası ortamın dielektrik katsayısı
d : Plakalar arası mesafe
w : Yerdeğiştirme
Aboss : Göbekli diyaframda göbeğin yüzey alanı
Cp : Parazitik kapasitans
Ca : Erişim düzeneği kapasitansı
Po : Dış basınç
Pe : Elektrostatik basınç
εo : Vakum permitivitesi
Vdrive : Sürüş voltajı
∆R : Dirençte meydana gelen değişme
R : Direnç değeri
πl : Boyuna piezorezistif katsayı
πt : Enine piezorezistif katsayı
σl : Boyuna gerilme
σt : Enine gerilme
π11, π12, π44 : Kübik yapılı Si malzemelerdeki bağımsız katsayılar
l, m, n : Kristal eksenler arasındaki yönlerin kosinüsleri
D : Eğilme Rijitliği
υ : Kayma modülü
cmn : Katsayı
wmax : Maksimum yerdeğiştirme
l1 : Göbekli diyaframda göbek kenar uzunluğu
W : Normalleştirilmiş yerdeğiştirme
Vcikiş : Çıkış voltajı
Vbesleme : Besleme voltajı
ix
PİEZOREZİSTİF TABANLI MEMS BASINÇ SENSÖRÜNÜN
TASARIMI VE ANALİZİ
ÖZET
Piezorezistif tabanlı MEMS basınç sensörü, araba lastikleri, katheter gibi pazarda
yoğunlukla kullanılan mikrosensör tiplerindendir. Bu durumdan yola çıkılarak
endüstriyel uygulamalar için üç farklı pieozrezistif basınç sensörü tasarımı ve analizi
yapılmıştır. Bu sensörlerin üretime hazır halde olması gerektiğinden tasarım
aşamasında, MultiMEMS üretim kriterleri ve sınırlamaları dikkate alınmıştır. Ek
olarak, sensöre şekil vererek final görünümünü oluşturmak üzere MultiMEMS’te
tanımlı maskeler kullanılmıştır. Bu beş maske silisyum pula gövde mikroişleme
tekniği vasıtasıyla uygulanmıştır ve sonrasında basınca maruz kalan diyafram
oluşturulmuştur. Diyaframın ön yüzüne, dört adet piezorezistörden oluşan
Wheatstone köprü konfigürasyonu bina edilmiştir. Bu piezorezistörler, 8000 Ω
direnç değerine sahip p tipi katkılandırılmıştır. Uygulanan basıncın sonucunda ortaya
çıkan gerilme bu piezorezistörler tarafından ölçülebilmektedir. Gerilmenin yanısıra
yerdeğişiminin de belirlenmesinde Wheatstone köprüsündeki çıkış voltaj farkı etkili
olur. Coventor Ware 2005 paket programı sayesinde tüm değerler elde
edilebilmektedir. Programdan elde edilen sonuçlar teorik hesaplamalarla
karşılaştırılmıştır. Hesaplamalar arasındaki hata miktarı tespit edilerek tasarımı
yapılan sensörlerin üretime hazır hale geldiği görülmüştür.
x
DESIGN AND ANALYSIS OF A PIEZORESISTIVE BASED
MEMS PRESSURE SENSOR
SUMMARY
Piezoresistive based MEMS pressure sensors are most common used sensor types in
the market such as tyre pressure, catheter etc. Regarding this, there are three different
piezoresistive pressure sensor are designed and made the analysis for industrial
applications. Since they should be ready to fabrication, in the design step,
MultiMEMS fabrication criteria and limitations are considered. In addition, masks
which create the final configuration of the sensors and define in the MultiMEMS, are
used. These five masks are applied to the Si substrate via bulk micromachining
technique and than diaphragm which received the applied pressure, are obtained. On
the front side of diaphragm, Wheatstone bridge which has four piezoresistors is
builded. These piezoresistors are selected as p-type diffusion with the values of
8000Ω. They have the mission of measuring the stress which is the result of applied
pressure. Not only the determination of the stress, but also the deflection are
measured by the output voltage difference of the Wheatstone bridge. Coventor Ware
2005 software package programme are used for these values. The results from this
program are compared with the theoritical ones. Errors between the results are
calculated and it is seen that the designed sensors are ready to fabrication.
xi
1. GİRİŞ
Şekil 1.1 : Elektron mikroskobu altında entegre devreli bir MEMS cihazının
görünümü [17]
1
bilişim kabiliyeti artmaktadır ve bu da muhtemel tasarım ve uygulama alanlarının
genişlemesinde en önemli etkendir.
İlk olarak MEMS ve Nanoteknoloji ticari ve askeri her alanda rahatlıkla ve güvenle
kullanılabilecek teknolojiye sahiptir. MEMS ve Nanoteknoloji insan vücudunda kan
basıncının izlenmesinden, otomobillerin süspansiyon sistemlerin aktif hale
getirilmesine kadar çok çeşitli yerlerde kullanılabilir. MEMS ve Nanoteknoloji
içeriği gereği ve elverişli uygulama alanları sayesinde günümüzde kullanılan entegre
devre mikroçiplerinde çok daha yaygın bir kullanım alanına sahiptir [1].
2
sergilemektedir. Örneğin; diğer mühendislik malzemeleriyle karşılaştırıldığında daha
güçlü bir dayanım-ağırlık oranına sahip olduğunu ve bu özelliğiyle de yüksek bant
genişliğine sahip mekanik cihazlar gerçekleştirmektir [1].
3
• Şekil 1.2 de gösterilen ve Nathenson tarafından üretilen Resonant gate
transistör ilk olarak dolgu – üretimli MEMS cihazıdır. Manivelalı altın girişli
elektrodun elektrsotatik tahrikli hareketi cihazın elektriksel karakteristiğini
düzenler - 1964
4
devreli MEMS üretiminde kullanmıştır (Şekil 1.3). Bu teknoloji pek çok
MEMS ürününün temelini oluşturmada hizmet etmiştir - 1984
Şekil 1.3 : Entegre devreli polisilisyum yüzey işlenmiş ilk MEMS cihazı [4]
5
geleneksel olarak entegre devre endüstrisinde kullanılmayan diğer mikro üretim
yöntemleri ve malzemelerinin gelişimi ve iyileştirilmesini sürdürmektedir.
• Tek kristalli silisyumun anizotropik ıslak kazıma, derin reaktif iyon kazıma
(DRIE), x-ışınlı litografi, düşük gerilmeli LPCVD filmleri, dönel kalıplama,
mikro kalıplama,
6
Şekil 1.4 : Fotolitografik yöntem
Ancak, tam bir MEMS cihazı üretmek için veya birden fazla örülü malzemeyi
birbirine entegre etmek için kullanılan yöntemler bireysel işlem ve malzemelerin
7
kendisinden daha önemlidir. MEMS entegrasyonu için kullanılan en genel iki metot
yüzey mikroişleme ve gövde mikroişlemedir. Aşağıda bu iki yöntem hakkında
detaylı bilgi verilmiştir.
Yüzey mikroişleme iki boyutlu tasarım alanına sahip olup serbestçe ayakta duran ve
hareket eden mikro yapıları imal eden bir prosestir. Bu teknikte, genellikle birkaç
mikron yüksekliğe sahip mekanik sistemler, geçici maskeler ve kalıcı malzeme
katmanları desenlendirilerek bir silisyum tabakasının yüzeyinde gerçekleştirilir [7].
Foto-litografi tekniğine dayalı mikroyüzey işlemenin kademeleri aşağıda Şekil 1.5’te
gösterilmiştir. Bu işleme tekniğindeki ana fikir iki ince film yapısındaki malzemeyi
depolama veya bu malzemeler üzerine desen oluşturmadır. Altlık, bu durumda
sadece mekanik bir taşıyıcı olarak görev alır. Yapı tamamıyla ince film
malzemesinden oluşmaktadır [32].
8
Şekil 1.5 : Yüzey mikro işleme tekniği [7]
Bu süreç için pek çok malzeme kombinasyonu mümkün olsa da teknoloji heba
malzemesi olarak yüksek standartta silisyum dioksit veya PSG (Fosfor-Silikat-Cam)
kombinasyonu ve yapı malzemesi olarak da polisilisyum kullanımı gelişmiştir. Bu
prosesi kullananlar genellikle iki tür problemle karşılaşmaktadırlar. Birincisi ince
film gerilmesi, ikincisi ise yapışmadır.
9
görüntülemek için yapılar test edilmelidir. Temel olarak çekme ve sıkıştırılmış yanal
gerilme olmak üzere iki tip gerilme vardır. Bununla beraber filmlerde gerilme
gradyenleri vardır. Yanal gerilme için test yapıları, yapılardaki bükülmeyi
görüntülemek için kullanılır. Şekil 6’da bükülmüş bir mikroyapı görülmektedir. Her
iki tarafa yapıştırılmış kirişler için aşağıdaki denklem verilmiştir.
Lcr = 2π EI σA (1.1)
Burada I kirişin eylemsizlik momenti, A kesit alanı ve σ gerilmeyi ifade eder. Şekil
1.6’daki mikro köprülerin bir sırasında bükülmüş en küçük köprü bu filmdeki
gerilme değerini verir. Çekme gerilmesi mekanik dönüşümler vasıtasıyla
belirlenmelidir. Gerilme gradyenleri ise manivela kirişlerinde görülebilir. Gradyenin
işaretine ve gerilme gradyenine bağlı eğrilik yarıçapına göre bu diziler aşağı veya
yukarı doğru kıvrılır.
h
2
M 0 = ∫ σ x ( z ) zdz (1.2)
h
−
2
Burada σ(z) gerilme dağılımını simgelemektedir, z ise kiriş yüzeyine normal olan
koordinattır. Eğrilik yarıçapı R ise;
Eh 3
R= (1.3)
12 M 0
10
Şekil 1.6 : Tavlanmamış ince filmlerin sıkıştırılmış gerilmesini gösteren bükümlü
1.4.1.2 Yapışma
1
8 Ed 2 h 3 4
Lcr > 1.059 (1.4)
γ (cos θ 1 + cos θ 2 )
11
Şekil 1.7 : Heba tabakası aşındırması süresince oluşan Kapiler kuvvetler [7]
Gövde işlemeyi, yüzey işlemeden ayıran en önemli şey, genellikle tek kristalli
silisyumdan oluşan altlık malzemesinin nihai aygıtın önemli bir fonksiyonel
parçasını oluşturabilmek için desenlendirilmesi veya şekillendirilmesidir [2].
12
Şekil 1.8 : Kristalografik tabaka boyunca yapılan gövde mikroişleme [9]
Bunlardan bir tanesi olan ıslak kazımada, çoğunlukla KOH gibi (sıvı) kimyasal
maddeler kullanılır. Şekil 1.9’da da gösterildiği gibi, fotolitografik yöntemlerle
yüzeyi maskelenmiş silisyum plaka, asit temelli kimyasalları içeren banyoya
daldırılarak bekletilir. Kullanılan kazıyıcı maddenin özelliklerine bağlı olarak açıkta
kalan malzeme farklı biçimlerde kazınır [7].
13
Şekil 1.9 : Islak Kazıma [7]
Bir başka gövde mikroişleme tekniği de kuru kazımadır. Bu tür üretimin en çok
uygulanan tekniklerinden biri Robert Bosch Şirketi patentli derin tepkili ion
kazımadır [11]. Bu üretim yönteminde, dikey duvarlar ayrılırken silisyum pul içine
derince kazıma yapılmaktadır. Ayrıca bu yöntem kristal yönden bağımsızdır [12].
(Şekil 1.10) Bu özelliklerle gövde mikroişlemenin kullanılırlığı arttırılır.
14
Şekil 1.10 : Derin tepkili ion kazıma ile pula dikine kazıma yaparak oluşturulan
mikrodirsek [12]
15
Şekil 1.11 : Mikrokalıplama Yöntemleri [13]
Statik bir akışkan içinde verilen bir noktadaki basınç, onun üstünde akışkanın
ağırlığına göre oluşur. Verilen bu noktadaki basınç, bu noktadan akışkanın yüzeyine
kadar olan yükseklik h, akışkanın yoğunluğu ρ, ve g yerçekimi ivmesine bağlıdır. Bu
şartlarda basın. Aşağıdaki formülle hesaplanır.
16
P=h ρ g (1.5)
Çok çeşitli basınç sensörleri, basınç ölçümü konusunda yıllardır çok geniş uygulama
alanı geliştirmektedirler. Belli uygulamalar için doğru tipte sensör seçebilmek için,
şartlar çok iyi anlaşılmalıdır. En temel şart, sensörün işletme basınç aralığıdır. Diğer
şartlar ise gayet açıktır: Maliyet, fiziksel boyut, ve diğer araçlarla uyumu. Bununla
beraber, performansa bağlı şartlar oldukça açık değildir ve üreticiler tarafından
kullanılan tanımlardaki gizli farklardan dolayı şiddetlenirler. Performans, sensör
elemanının davranışına, kullanılan malzemenin etkisine, uyum mekanizmasının
doğasına bağlıdır.
17
Şekil 1.12 : Tipik Bourdon Tüpü Basınç Sensörü [15]
Şekil 1.13 : Helisel Tipteki Bourdon Tüpü [15] Şekil 1.14 : Spiral Tipteki
Diyafram basınç sensörü 330 psi’ye kadar olan düşük basınçların ölçümünde
kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Diyafram esnek bir malzemeden yapılmıştır ki eğer
bu yukarıda verilen basınç aralığında ölçüm yapılacaksa genellikle kauçuktur.
Ancak, 330 psi’ye yakın değerlerde diyafram malzemesi olarak metallerde
kullanılabilmektedir. Diyafram, kapsülde iki hücre oluşturması için tam ortaya
yerleştirilir. Birinci hücre atmosfere açıktır, diğer hücre ise ölçülmesi istenen basınç
kaynağına bağlanır. Hücreye basınç uygulandığında, diyafram açık hücrenin içine
doğru hafifçe genişleme yapar. Bu hareketin miktarı uygulanan basınca bağlıdır. Bu
hareket, düşük basınçlı bir anahtar yaratmak için doğrudan bir devre anahtarına
18
uygulanır. Yada hareket miktarını yükseltip doğrudan bir ölçüm cihazında okuma
yapabilmek için dişlilerden oluşan mile bağlanır. Hareket ayrıca sinyallerin direnç
değişimine çevrilmesi için bir potansiyometreye bağlanır. Daha sonra eğer bu
potansiyometre bir köprü devresine bağlıysa bu sinyaller voltaja çevrilir.
Bu tipteki sensörler, vakum sensörlerine göre daha hızlı yanıt verirler. Ayrıca, eğer
sapma diyafram kalınlığından çok büyük değilse doğrusallıkları iyidir. Ancak, diğer
basınç sensörlerine göre maliyeti yüksektir [15].
Diyafram sensörü, 2 basınç kaynağı arasında oluşan farkın miktarını ölçmek üzere
değiştirilebilir. Bu tipteki sensöre diferansiyel basınç sensörü adı verilir ve Şekil
1.15’de görüldüğü gibi, diyaframın her iki tarafına basınç uygulanabilmesi için
diyaframı çevreleyen bir hücre tasarlanır. Daha fazla basınç uygulanan taraf, daha az
basınç uygulanan tarafa doğru hareket eder. Diyaframın hareket miktarı tespit edilir
ve bir devre anahtarını aktive edebilmek için doğrusal harekete çevrilir. Diyaframı
hareket ettirebilmek için gerekli basınç farkı miktarını ayarlayabilmek amacıyla
diyaframın bir veya her iki tarafına yay yerleştirilir. Diferansiyel basınç sensörü, çok
küçük miktardaki basınç farklarına yanıt verebilmek için imal edilir. Bu tiptekiler
için basınç portları P1 ve P2 olarak tanımlanır [15].
19
Şekil 1.15 : Diferansiyel basınç sensörü [15]
20
uygulandığı zaman, kıvrımlarını açarak genişlemeye çalışır. Düşük basınçlı körüklü
sensörlerde yaylara gerek yoktur. Körüklerin hareketi, devreyi aktif hale getirmek
veya bir potansiyometreye bağlamak için doğrusal harekete çevrilmektedir. Bu
tipteki sensörler genellikle 30 psi’den daha düşük basınçlarda kullanılmaktadır.
Körüklü basınç sensörleri, ayrıca diferansiyel basınç sensörü yapmak için de
kullanılabilir. Bu tip uygulamada, her körüğün bir diğerinin hareketini karşılaması
amacıyla, iki körük bir çerçeveye yerleştirilir. Bu durum, körüklere uygulanan basınç
farkının, körük çiftinde eşit olarak dolaşmasına sebep olmaktadır [15].
Çok düşük basınç sensörü genellikle oldukça düşük basınç değerlerini tespit etmek
için kullanılır. Örneğin, küçük bir sanayi fırınından egzoz gazı çekmek için küçük bir
fan kullanıldığında, toplam basınç değeri, genellikle atmosfer basıncının üzerinde 1
psi’den daha fazla değildir. Bu basınç değerlerini ölçmek için imal edilen diyafram
genellikle kauçuk malzemeden yapılır ve çok hassastır. Burada, uygulanan basınç, en
yüksek basınç değerini geçmemelidir, aksi takdir de diyafram hasar görmektedir.
[15]
21
1.5.2.2 Mikro Düzeyde Basınç Sensörleri
Kapasitif basınç sensörünün temel yapısı yüzeyde aralarında mesafe olan iki paralel
plakadan oluşmaktadır. Kapasitans formülü aşağıdaki gibidir:
εA
C= (1.6)
d
Burada, A yüzey, d paralel plakalar arası mesafe, ε plakalar arası ortamın dielektrik
katsayısıdır. Elekrodlardan birinin diyafram üzerinde olduğu basit sensör yapısında,
kapasitans aşağıdaki integral formülüyle belirlenir:
ε
C = ∫∫ dxdy (1.7)
d − w( x, y )
εAboss
C = ∫∫ (1.8)
d − ∆d
Burada, ∆d göbeğin basınca bağlı olan yerdeğiştirmesi, Aboss ise göbeğin yüzey
alanıdır. Kapasitansın karşılıklı değeri yerdeğiştirmeye lineer olarak bağımlıdır ve
düşük yerdeğiştirmelerde ayrıca basınca lineer olarak bağımlıdır. Bununla birlikte,
22
pratikte bu lineer ilişki parazitik kapasitans Cp den olumsuz yönde etkilenir. Bu
durumda toplam kapasitans aşağıdaki gibi olacaktır:
εAboss
C = ∫∫ + Cp (1.9)
d − ∆d
İlk olarak yayımlanan kapasitif basınç sensörü, 1980 tarihinde Sander tarafından
Stanford Üniversitesi’nde kardiolojide kullanılmak amacıyla geliştirilmiştir. Şekil
1.18, bu aygıtın şematik çizimini göstermektedir. Alüminyum malzemeli sabit
elektrodlar Pyrex pulun üzerine katkılandırılır. 25 µm kalınlığındaki diyafram,
elektrokimyasal aşındırıcılar kullanılarak anizotropik aşındırma yapılır. İki pul
anodik bağ ile birbirine eklenir. Bipolar entegre devre, bir periyotluk çıkıştaki
kapasitans değişimini dönüştürmek için çipin üzerine entegre edilir.
23
yerdeğiştirme tespitleyicisinden bağımsız olacaktır. Çıkış, tamamıyla erişim
düzeneği karakteri tarafından tanımlanır, bu yüzden erişim düzeneğinin yapısı
yeniden üretilebilir ve malzeme özelliklerinden bağımsız olmalıdır.
Gerekli erişim düzeneği voltajı oldukça yüksektir. Tipik olarak atmosfer basınç
aralığı için 100 – 300 V civarındadır. Gogol tarafından hazırlanan kuvvet artış şeması
bu voltajı indirmek için kullanılabilir. Bu şemada, hissedilen basınç alanı ve kuvvet
dengeleyici erişim düzeneği alanı ayrılmaktadır. Dış basınç, geniş bir plakaya
elektrostatik depolama basıncı uygulanırken küçük bir diyafram tarafından hissedilir.
Dış basınç Po, elektrostatik basınç Pe tarafından dengelenir:
Pe . Ad = Po . As (1.10)
2
ε o Vdrive
Pe = (1.11)
2 d
24
karşısındaki basınç farkına bağlıdır. Diğer tip ise diyaframın üstünde bir titreyen yapı
kullanmaktadır. Diyafram, basınç farkına bağlı olarak yerdeğiştirir ve titreyen
yapının rezonans frekansı, diyafram yüzeyindeki birim şekil değişiminin bir sonucu
olarak değişmektedir.
25
olabilmesidir. Bu, rezonatörlerin frekans tayfındaki istenmeyen rezonans piklerini
ortaya koyar. Bağlanmanın etkileri, eşleştirilmiş rezonatörlerde daha göze çarpar.
Bağlanmayı engellemek için bazı yaklaşımlar kullanılır. Bunlardan birisi mekanik
izolatör kullanımıdır. Ancak bu yöntem çok etkili değildir. Çünkü mekanik
izolatörün tasarımı ve imalatı oldukça karmaşıktır. Diğer bir yaklaşım ise ayarlama
çatalı tipinde rezonatör kullanımıdır. Bu tip rezonatörlerin karakteristik özelliği farklı
kolların titreşim yapmasıdır. Böylelikle, kenarlardaki reaksiyon momentleri ve
kuvvetleri yok edilir. Bu şekilde enerji kayıpları azalır ve mekanik kalite faktörü
artar.
26
2. TEORİ
27
değiştiğinde bant köşesindeki enerjiler küçük miktarlarda hareket ederler. Fakat
küçük kaymalar iletkenlik özelliklerinde büyük etkilere sahiptirler. Esas iletkenlik
yüzdesi açıklandığında bu etki metallerdekinden daha büyüktür. Bunun sebebi,
yarıiletkenlerdeki piezorezistivitenin birim şekil değişimi ölçüm yöntemini çok iyi
derecede sağlamasıdır. Bununla birlikte diğer yüzeylere bağlı ince film strain-
gaugeleri yapmak oldukça zordur. Bunun yerine yapının ilgili yerine direk olarak
piezorezistif strain-gaugeler konulur. Eğer duyarlı eleman silisyum katmanından
kolaylıkla kaldırılamıyorsa bu duyarlı elemanı içeren bütün cihaz tek parça halinde
yapılır. Özellikle silisyum basınç sensörü olmak üzere pek çok başarılı cihazda bu
yaklaşım kullanılır.
Eğer düzlemsel bir yapıda uzun ve dar bir direnç tanımlanırsa birincil akım
yoğunluğu ve elektrik alanı direncin boyun ekseninde oluşur. Bu eksenin diğer kübik
kristal eksenleriyle çakışık olmasına gerek yoktur. Onun için piezorezistif
denklemlerin rastgele bir koordinat sistemine nasıl dönüşeceğini bilmek gereklidir.
Yapılar düzlem gerilme eksenlerinden birinin direnç ekseni boyunca olacak şekilde
dizayn edilir. Bu, piezorezistivite formülasyonunda aşağıdaki gibi bir basitleştirme
sağlar.
∆R
= π lσ l + π tσ t (2.1)
R
Burada R direnç, l ve t indisleri sırasıyla direnç eksenindeki boyuna ve enine
gerilmeleri simgeler. πl ve πt için genel açılımları, koordinat dönüşümlerini orijinal
tensörlere uygulayarak oluşturulur. Sonuçlar aşağıdaki gibidir.
ve
28
Burada (l1,m1,n1) ve (l2,m2,n2) sırasıyla boyuna direnç doğrultusu ile kristal eksen
arasındaki ve enine direnç doğrultusu ile kristal eksen arasındaki kosinüs
kümeleridir.
1
π l ,110 = (π 11 + π 12 + π 44 ) (2.4)
2
ve
1
π t ,110 = (π 11 + π 12 − π 44 ) (2.5)
2
29
Şekil 2.1 : p-tipi silisyum için (100) düzleminde ve oda sıcaklığındaki
Piezorezistif katsayıları pek çok malzeme için ölçülebilir. Fakat MEMS’in öncelikle
ilgilendiği silisyum katsayılarıdır. Bu katsayılar katkılama tipine bağlıdır. Çünkü
silisyumu valans bant ve iletken bant yapıları çok farklıdır. Aşağıdaki tabloda p-tipi
ve n-tipi silisyumlar için tipik değerler verilmiştir.
Tablo 1.1 : n ve p tipi silisyumlar için tipik oda sıcaklığında piezorezistif katsayıları
[18]
30
Bu katsayılar yaklaşık 1019 cm-3 den daha düşük gömme durumunda gömme
seviyesinin zayıf fonksiyonlarıdır. Katsayılar sıcaklık artışı ile azalırlar. 150°C’da
oda sıcaklığı değeri yaklaşık 0,7 azalır. Sıcaklığa bağımlılık bazen lineer değildir.
Yüksek gömme durumunda piezorezistif katsayıların sıcaklığa bağımlılığı
küçülmeye başlar. Onun için eğer geniş bir sıcaklık aralığında piezorezistif sensör
yapılmak isteniyorsa yoğun bir şekilde gömülü ler kullanmak tasarım için bir avantaj
olabilir. Fakat burada piezorezistif hassasiyeti düşürülmüş olur.
Genel olarak, bir plakaya kuvvet uygulandığında ortaya çıkan gerilme eşdeğerlilik
şartları aşağıdaki gibidir:
∂σ x ∂τ xy ∂τ zx
+ + =0 (2.6)
∂x ∂y ∂z
h2 h2
∂σ x ∂τ xy ∂τ zx ∂M x ∂M xy ∂τ
∫ z
−h 2
∂x
+
∂y
+
∂z
dz =
∂x
+
∂y
+ ∫ z zx dz = 0
−h 2
∂z
(2.7)
h2
Sonuçta, z = ±h/2 yani yüzeyin üstünde ve altında τzx = 0 olduğu bilindiğine göre:
∂M x ∂M xy
Qx = + (2.9a)
∂x ∂y
∂M xy ∂M y
Qy = + (2.9b)
∂x ∂y
31
Gerilme eşdeğer denklemlerinin üçüncüsü ise diyafram kalınlığına integre edilerek:
h2 h2
∂σ z ∂τ zx ∂τ zy ∂σ z ∂Q x ∂Q y
∫
−h 2
∂z
+
∂x
+
∂y
dz = ∫
−h 2
∂z
dz +
∂x
+
∂y
=0 (2.10)
∂Q x ∂Q y
+ = [σ z ]z = − h / 2 − [σ z ]z = h / 2
∂x ∂y
yada
∂Q x ∂Q y
+ = −P (2.11)
∂x ∂y
∂2M x ∂ 2 M xy ∂ 2 M y
+ 2 + = −P (2.12)
∂x 2 ∂x∂y ∂y 2
Yukarıdaki diyaframın eğilmesi için verilmiş diferansiyel denklem her türlü malzeme
davranışı için uygundur.
Sadece elastik davranış için ise, gerilme sonuçları yer değiştirme fonksiyonunun
birer terimi olarak açıklanabilir. Eğilme momentlerinin yer değiştirmeye bağlı olarak
verilen denklemleri aşağıdaki gibidir [19]:
32
∂2w ∂2w
M x = −D 2 + v 2
∂x ∂y
∂ 2w ∂2w
M y = −D 2 + v 2
∂y ∂x (2.13)
ve
∂2w
M xy = − D(1 − v)
∂x∂y
Eh 3
D xy = (2.14)
12(1 − v 2 )
Burada E Young modülü ve v ise Kayma modülüdür. Denklem 2.12, Denklem 2.13
deki terimler kullanılarak yazılırsa aşağıdaki hali alır [19]:
P
∇ 2 (∇ 2 w) = (2.16)
D
Mxz Myz
σx = , σ y =
h 3 12 h 3 12
ve
M xy z
τ xy = (2.17)
h 3 12
33
Yukarıda verilen diferansiyel denklemler, özellikle diyafram kalınlığı h, sabit
olmadığında, analitik olarak çözmek oldukça zordur. Bu sebeple, kare diyaframlar
için sayısal çözüm yöntemleri kullanmak gerekli olduğu geliştirilmiştir [20]. Çünkü
sayısal çözüm, fiziksel olarak önemli bazı etkilerin simülasyonuna olanak
tanımaktadır. Kare diyaframın gerilme bileşenlerinin sayısal olarak çözümünde
Sonlu-farklar yöntemi kullanılmıştır. Sonuç olarak, hafifçe katkılandırılmış <110>
kristal yönündeki ve (100) düzlemindeki silisyum için uygun elastik sabitler
belirlenmiştir. Fakat, Sonlu-farklar yöntemi ile yalnızca belirlenen bir nokta için bu
sabitler bulunur ve daha sonra yerdeğiştirme hesaplanır. Dolayısıyla yerdeğiştirme, x
ve y’nin bir fonksiyonu olarak - w(x,y) - yer almaz. Bu sebeple tasarımda kullanılan
kare silisyum diyafram, aslında dört tarafı sabit kare plaka gibi
düşünülebileceğinden, aşağıdaki sınır şartları uygulanabilir:
Bu sınır şartları altında yer değiştirme, w, için yaklaşık sonuç aşağıdaki gibidir [19]:
∞ ∞
2mπx 2nπy
w = ∑∑ c mn 1 − cos 1 − cos (2.18)
m =1 n =1 L L
Burada cmn katsayıları belirlenebilen sayılardır. Serinin sadece ilk terimini alırsak, m
=n=1
2πx 2πy
w = c 1 − cos 1 − cos (2.19)
L L
haline dönüştürmüş oluruz. Son olarak Denklem 2.19 üzerinde Rayleigh – Ritz
metodunu kullanarak aşağıdaki denklemi elde ederiz:
34
Sınır şartları uygulanarak bulunan bu çözüm, yaklaşık çözüm olmasına rağmen yer
değiştirmede gerçek değerden %2,6 sapma göstermektedir [19]. Kare silisyum
diyaframda maksimum yer değiştirme merkezde oluşmaktadır ve aşağıdaki gibidir:
4
wmax PL
= 0.0513 (2.22)
h Eh
35
Daha önceden bahsedildiği üzere, maksimum gerilme, kenarların ortasında ortasında
oluşmaktadır. Bu sebeple maksimum Eğilme Momenti aşağıdaki gibi alınabilir:
M x = 0.0513PL2 (2.23)
L2
σ = β1 P (2.24)
h2
L2
σ = β2P (2.25)
h2
β1 = 0,3078 β2 = 0,1386
36
enerji, göbeğin sonlarında iki bölge üzerinde odaklanır. Piezorezistörler, bu iki
bölgeye yerleştirilir.
M y ( x) = ∫σ
−h 2
b, x ( x, z ) zdz = − Dd 2 w / dx 2 (2.26)
σ b, x ( x, z ) = − Ez (1 − υ 2 ) d 2 w / dx 2 (2.27)
[ (
D = Eh 3 12 1 − υ 2 )] (2.28)
Şekil 2.4 de gösterilen y yönünde sonsuzca uzayan plakanın kesit görünüşü için
aşağıdaki denklem birim genişlik başına eğilme momentini sağlayabilir:
M y ( x) = ( pl + p1l1 )x / 2 − px 2 / 2 + M 0 − K x w (2.29)
37
Şekil 2.4 : Göbekli plakanın kesit görünüşü [25]
Nötral düzlemin gerilmesini hesaba katmak için, birim genişlik başına kuvvet,
göbekli plakanın sabitlenmiş kenarlarında tanıtılır. Eğer eğilme momenti Denklem
2.24’e yerleştirilirse, aşağıdaki diferansiyel denklem göbekli plakaların matematiksel
tanımını oluşturmaktadır:
Dd 2 w / dx 2 − K x w = −( pl + p1l1 ) x / 2 + px 2 / 2 − M 0 (2.30)
dw / dx ( x = 0) = dw / dx ( x = l / 2) = w ( x = 0) = 0 (2.31)
σ m , x ( X ) = u 2 E /(3(1 − υ 2 ) L2 ) (2.33)
38
σ b, x ( X , Z ) = 3 / 2 EZPL2 / u[−[1 + P1 L1 ] coth(u ) − P1 L1
/ sinh(u )] cosh(uX ) + (1 + P1 L1 ) sinh(uX ) + 1 / u ]
(2.34)
(0 ≤ X ≤ 1; − 1 ≤ Z ≤ 1)
σ x ( X , Z ) = σ b, x ( X , Z ) + σ m,x ( X ) (2.35)
R1 R4 − R2 R3
Vcikis = Vbesleme (2.36)
( R1 + R4 ) ( R3 + R4 )
39
Eğer bu 4 direnç birbirine eşitse, çıkış voltajı sıfır olacaktır. İdeal durumda, sensöre
basınç uygulandığında, dört direnç aşağıdaki şekilde değişecektir:
R1 = R + ∆R = R(1 + δ )
R2 = R − ∆R = R (1 − δ )
R3 = R − ∆R = R(1 − δ )
R4 = R + ∆R = R(1 + δ )
ve sonucunda
Bu sebeple, çıkış voltajı bağıl direnç değişimine bağlıdır. Eğer bu dört dirençteki
dirençlilik değişimleri farklıysa, çıkış voltajı aşağıdaki gibidir:
δ 4 + δ 1 + δ 1δ 4 − δ 3 − δ 2 − δ 2δ 3
Vcikis = Vbesleme (2.38)
(2 + δ 1 + δ 2 ) (2 + δ 3 + δ 4 )
Eğer, direnç değişimleri yeterince küçükse, Denklem 2.36’daki ikinci derece terimler
ihmal edilebilir ve hassasiyeti Denklem 2.35’ten daha farklı bir doğrusal çıkış voltajı
oluşabilir:
1
Vcikis = (δ 1 + δ 4 − δ 2 − δ 3 )Vbesleme (2.39)
4
40
Şekil 2.6 : Belli diyafram kalınlıklarına bağlı olarak diyafram kenar uzunlukları ile
41
3. SENSÖR TASARIMI VE ÜRETİMİ
42
• Tasarımlar, 3mm x 3mm, 6mm x 3mm, 3mm x 6mm veya 6mm x 6mm
boyutlarındaki kalıplar için uygundur.
• Sızdırmaz üst cam oluğu olan, zarın kazıması baştanbaşa olmayan ve alt
camda açıklık bulunan cihazlar için, diyaframın duvarları arasında 1 barlık
basınç farkı
43
3.1.2 Diyafram ve Hücre Boyutları
44
Üstteki eğri 23 µm diyafram kalınlığı alttaki eğri ise 3 µm diyafram kalınlığı için
gösterilmiştir.
Tasarım için gerekli bir diğer boyut ise, pul kenar uzunlukları ve pul kalınlığıdır.
Tablo 3.1’de Multimems tarafından temin edilecek, pul için kullanılacak silisyum
altlığın özellikleri görülmektedir:
45
Bu formülasyondaki oksit maskenin kazıma altı genişliği 55 ± 10 µm’dir. Sonuç
olarak, <110> kristal yönünde (100) düzleminde tasarımı yapılacak basınç
sensörlerinin boyutları Tablo 3.2 de verilmiştir:
Anizotropik Maksimum
Diyafram Pul Patlama Akma
Diyafram Kenar Pul Kenar Gövde Kazıma İşletme
Kalınlığı Kalınlığı Basıncı Gerilmesi
Uzunluğu (µm) Uzunluğu (µm) Maskesi Kenarı Basıncı
(µm) (µm) (bar) (MPa)
(µm) (bar)
Bununla birlikte 3. uygulama olan göbekli kare diyaframlı basınç sensörü içinde bazı
sınırlamalar vardır. Öncelikle göbek kalınlığının diyafram kalınlığının minimum 6
katı daha kalın olması gereklidir. Ayrıca göbekli yapının daha etkili olabilmesi için
l1/l0 oranının 0,15 ten büyük olması gereklidir [26]. Bu koşullar altında 3 µm
diyafram kalınlığına ait göbek kalınlığı 20 µm olarak tasarlanmıştır. Tablo 3.3’te
göbekli kare diyaframlı basınç sensörünün boyut ve basınç değerleri verilmiştir.
Tablo 3.3 : Göbekli kare diyaframlı basınç sensörünün boyut ve basınç değerleri
350 x 350 3 20 60x60 3000x3000 403 917 x 917 4,0 0,8 300
46
CoventorWare programı yardımıyla yapılacak tasarımda yüzey direnci (SURES)
kullanılacağı düşünülerek Multimems standartlarında kullanılacak bu piezorezistörün
enine ve boyuna katsayıları Tablo 3.4’te verilmiştir [17]:
Tablo 3.4 : T=25°C’de <110> kristal yönünde yerleştirilen dirençler için enine ve
Piezorezistif Katsayısı
-10 -1
[10 Pa ]
Şekil 3.3 : Piezorezistörleri oluşturmada kullanılan tipik (a) paralel ve (b) dikine
dirençler
47
fizikler içermektedir. CoventorWare (CW) modellerin işlem hacmini arttırmaktadır
ve kullanıcıya daha geniş tasarımlar yapmasına imkân sağlamaktadır [35]. Ek olarak,
CW’nin yeni hibrit yaklaşımı sonlu eleman modellemesi ve sistem düzeyindeki
modellemeyi birleştirmektedir. CW-ARCHITECT’te tasarımcılar CW’nin model
kütüphanesindeki dikkatlice hazırlanmış sonlu eleman modelleriyle sistem düzeyinde
simülasyonları daha kısa sürede yapabilmektedirler [24].
48
Şekil 3.4 : CoventorWare programı genel akış diyagramı [24]
49
Şekil 3.6 : BUCON maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü [17]
Bu tabaka kalın oksit tabakasıdır. Oksit üzerine fotoresist maskesi kullanılarak ıslak
aşındırma uygulanır. Maske düz kutuplandırılır ve çizilen alanlar, kalın oksidi ifade
eder (Şekil 3.8). Kalın oksitin kullanım amacı gömülü iletkenler ve metal iletken
çizgileri arasında yalıtımı sağlamaktır.
50
Şekil 3.9 : SUCON maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü [17]
3.3.7 Nosur
51
Şekil 3.11 : NOSUR maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü [17]
Bu tabaka, ince oksit üzerindeki bağlantılar için temas boşluklarının desenleri olarak
tanımlanır. İnce oksit, fotoresist maske vasıtasıyla aşındırılır. Metalle yüzey veya
gömülü iletken arasındaki elektrik bağlantısını sağlar (Şekil 3.12). Ayrıca, diğer
alanlardaki ince oksit tabakalarını kaldırmak amacıyla kullanılır. Bununla birlikte,
NOBOA’daki (Anodik bağ olmayan tabaka) istenmeyen oksit tabakalarını soymak
için önerilir. Çünkü, silisyum yüzey bu yöntemle daha uzun süre korunmaktadır.
Eğer bu proses uygulanmazsa, bir sonraki adımdaki metal katkılandırılması ve
aşındırma işlemleri korunmasız silisyum alanlarında hasara ve kirlenmeye sebep
olabilir.
52
3.3.10 Betch (Arka Yüzey Oksit Desenlendirilmesi)
BETCH yapıldıktan sonra ön yüzeydeki izole görevini üstlenen oksit tabakası ıslak
aşındırma ile yok edilerek anodik bağ alanındaki silisyumun saf olarak ortaya
çıkarılması işlemidir (Şekil 3.15). İnce oksit tabakanın ıslak aşındırılması anodik bağ
için gerekli bir işlemdir. Arka yüzeydeki oksit tabakası tamamiyle bu bölgeden
uzaklaştırılır.
53
Şekil 3.16 : RETCH maskesinin uygulandığı pulun kesit görünüşü [17]
3.4.1 Base
Bu yapı pul diye tabir edilen sensörü oluşturan ana yapıdır. 3000x3000 µm
boyutlarında ve 403 µm kalınlığındaki yapı, silisyum malzemeden oluşan, farklı
kalınlıklardaki 4 tip alt yapıdan oluşmaktadır. Şekil 3.18’de gösterilen bu yapılar
sırasıyla aşağıda verilmiştir.
54
Şekil 3.18 : Base yapısının oluşumu
3.4.2 Nowell
55
Şekil 3.19 : Nowell prosesi sonucu açığa çıkan yapı
3.4.3 Betch
56
Şekil 3.20 : Betch prosesi sonucu açığa çıkan yapı
3.4.4 Sures
Tasarımda gömülü direnç yerine yüzey dirençleri tercih edilmiştir. Bunun sebebi
basınç uygulandığı zaman gerilmelerin yüzeyde oluşacağı ve bu gerilmelerin yüzey
dirençleriyle daha hassas ölçülebilmesidir. Gömülü dirençlerin kullanım ömürleri
yüzey dirençlerine göre daha uzun olsa da algılamaları daha düşüktür. Sures maskesi
de sensörün üzerine piezorezistif elemanların yerleştirilmesi amacıyla
kullanılmaktadır (Şekil 3.21). Sensör yüzeyinde oluşturulan yüzey dirençlerinin
boyutları Bölüm 3.1.2 de verilmiştir.
57
Şekil 3.21 : Sures prosesi sonucu açığa çıkan yapı
3.4.5 Mcond
58
Şekil 3.22 : Mcond prosesi sonucu dirençler arasına bağlanmış metal iletkenler
59
Şekil 3.23 : MPW da tasarlanmış göbekli kare diyaframlı basınç sensörü
Tasarımı yapılan 3 farklı piezorezistif basınç sensörü CW’de bir sonraki adım olan
meshleme işlemine tabi tutulmaktadır. Burada mesh elemanı olarak “mapped bricks”
kullanılmıştır (Şekil 3.24). Mesh boyutu ise 3 µm ve göbekli kare diyafram için 5
µmve 23 µm’luk diyafram içinde 30 µm’dur. Dolayısıyla, 3 µm, 23 µm ve göbekli
kare diyafram için kullanılan mesh adedi sırasıyla 3600, 3761 ve 3744’tür.
60
4. ANALİZ SONUÇLARI ve YORUMLAR
61
Tablo 4.1 : Diyafram kalınlığının 3 µm olduğu durumdaki yerdeğiştirme değişimi
Diyafram CW ile
İşletme Diyafram Teorik
Kenar Hesaplanan
Basıncı P Kalınlığı x (µm) y (µm) Yerdeğiştirme
Uzunluğu Yerdeğiştirme
[MPa] h (µm) w (µm)
L (µm) w (µm)
0,08 300 3 0 150 0,0000 0,0000
0,08 300 3 10 150 0,0223 0,0185
0,08 300 3 20 150 0,0881 0,0733
0,08 300 3 30 150 0,1946 0,1620
0,08 300 3 40 150 0,3372 0,2807
0,08 300 3 50 150 0,5096 0,4241
0,08 300 3 60 150 0,7042 0,5861
0,08 300 3 70 150 0,9126 0,7596
0,08 300 3 80 150 1,1257 0,9369
0,08 300 3 90 150 1,3341 1,1103
0,08 300 3 100 150 1,5287 1,2723
0,08 300 3 110 150 1,7011 1,4158
0,08 300 3 120 150 1,8436 1,5344
0,08 300 3 130 150 1,9502 1,6231
0,08 300 3 140 150 2,0160 1,6779
0,08 300 3 150 150 2,0383 1,6964
Teorik Sonuçlar
2,5000
CW Analiz Sonuçları
2,0000
Yerdeğiştirme (µm)
1,5000
1,0000
0,5000
0,0000
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
Diyafram Kenar Uzunluğu (µm)
hesaplanan yerdeğiştirme
62
Hesaplanan − Ölçülen 2,0383 − 1,6964
e yer deg istirme = = = 0,16 (4.1)
Hesaplanan 2,0383
programındaki görünümü
63
Tablo 4.2 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki yerdeğiştirme değişimi
Diyafram CW ile
İşletme Diyafram Teorik
Kenar Hesaplanan
Basıncı P Kalınlığı x (µm) y (µm) Yerdeğiştirme
Uzunluğu Yerdeğiştirme
[MPa] h (µm) w (µm)
L (µm) w (µm)
0,14 1840 23 0 920 0,0000 0,0000
0,14 1840 23 92 920 0,2741 0,2150
0,14 1840 23 184 920 1,0696 0,8389
0,14 1840 23 276 920 2,3087 1,8106
0,14 1840 23 368 920 3,8699 3,0351
0,14 1840 23 460 920 5,6006 4,3924
0,14 1840 23 552 920 7,3313 5,7498
0,14 1840 23 644 920 8,8926 6,9743
0,14 1840 23 736 920 10,1316 7,9460
0,14 1840 23 828 920 10,9271 8,5699
0,14 1840 23 920 920 11,2012 8,7849
14,0000
Teorik Sonuçlar
12,0000 CW Analiz Sonuçlar
10,0000
Yerdeğiştirme (µm)
8,0000
6,0000
4,0000
2,0000
0,0000
0 92 184 276 368 460 552 644 736 828 920
Diyafram Kenar Uzunluğu (µm )
hesaplanan yerdeğiştirme
64
Şekil 4.4 : Diyafram kalınlığının 23 µm olduğu durumdaki yerdeğiştirmenin CW
programındaki görünümü
65
5,0000
CW Analiz Sonuçlar
4,0000
Yerdeğiştirm e (µm )
3,0000
2,0000
1,0000
0,0000
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165 175
Diyafram Kenar Uzunluğu (µm)
Şekil 4.5 : Tasarımı yapılan göbekli kare diyafram için hesaplanan yerdeğiştirme
66
4.2 Gerilme Analizi
Diyafram CW'de
İşletme Diyafram
Kenar hesaplanan
x (µm) y (µm) Basıncı Kalınlığı
Uzunluğu Gerilme
P [MPa] h (µm)
L (µm) [MPa]
67
CW Simulasyonla Hesaplanan Gerilme
350
300
250
Gerilme [MPa]
200
150
100
50
0
20
40
60
80
0
10
12
14
x [µm]
68
CW programında oluşturulan gerilme durumunu Şekil 4.8’da daha açık bir şekilde
görülmektedir. Bu şekilden de diyafram kenarlarında gerilmenin daha yoğun olduğu
ve merkeze doğru bu yoğunluğun azaldığı görülmektedir.
Şekilde görüldüğü üzere Von Mises gerilmeleri çizilmiştir. Bunun anlamı basma ve
çekme gerilmeleri arasında fark olmamasıdır.
Diyafram CW'de
İşletme Diyafram
Kenar Hesaplanan
x (µm) y (µm) Basıncı P Kalınlığı
Uzunluğu Gerilme
[MPa] h (µm)
L (µm) [MPa]
69
CW Simulasyonla Hesaplanan Gerilme
300
250
Gerilme [MPa]
200
150
100
50
0
0 92 184 276 368 460 552 644 736 828 920
x [µm]
70
Son olarak, Şekil 4.11 ve Şekil 4.12’de sırasıyla göbekli kare diyaframda oluşan Von
Mises gerilme değerleri grafiğini ve CW programındaki görüntüsü görebilirsiniz.
Görüldüğü üzere, kenar bölgelerde ve göbeğin köşelerinde gerilme değerleri oldukça
yüksek çıkmıştır.
450,0000
350,0000
300,0000
250,0000
200,0000
150,0000
100,0000
50,0000
0,0000
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165 175
Diyafram Ke nar Uzunluğu [µm ]
71
Yukarıda CW ile elde edilmiş gerilme değerleri, Denklem 2.24 ile diyafram
merkezinde ve Denklem 2.25 ile diyaframın kenar orta noktasındaki gerilme
değerleri ile karşılaştırılarak Şekil 4.12’deki grafik elde edilmiştir.
72
Tablo 4.6 : Diyafram kalınlıklarına göre açığa çıkan voltaj değerleri
Diyafram İşletme Vbesl
∆R/R πl πt σl σt Vcikis
Kalınlığı Basıncı P
[Ω] [Pa-1] [Pa-1] [MPa] [MPa] eme
[mV]
h (µm) [MPa] [V]
Son olarak farklı basınç değerlerinde açığa çıkan gerilmelerden yola çıkarak Şekil
4.14, 4.15 ve 4.16’de tasarımı yapılan üç farklı basınç sensörünün çıkış voltaj
değerleri bulunarak hassasiyet eğrileri çıkarılmıştır.
350,00
300,00 y = 176,313x + 1,221
V cikis/V besleme [mV/V]
250,00
200,00
150,00
100,00
50,00
0,00
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,5 1,6
Uygulanan Basınç P [bar]
350,00
300,00 y = 108,1712x + 0,3322
V cikis/V besleme [mV/V]
250,00
200,00
150,00
100,00
50,00
0,00
0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,9 2,1 2,3 2,5 2,7
Uygulanan Basınç P [bar]
73
3 µm kalınlığındaki göbekli diyaframın hassasiyet grafiği
300,00
y = 279,81x + 0,3848
250,00
Vcikis/Vbesleme [mV/V]
200,00
150,00
100,00
50,00
0,00
0,2 0,4 0,6 0,8 1
Uygulanan Basınç P [bar]
Şekil 4.16’dan elde edilen denklemde, göbekli kare diyaframın aynı koşullarda 3 µm
kalınlığındaki diyaframa göre hassasiyetinin daha yüksek olduğunu göstermektedir.
Son olarak, Bölüm 3’te bahsedilen meshleme sistemiyle ilgili olarak, kullanılan mesh
sistemi dışında CW programında daha farklı mesh modülleri de yer almaktadır.
Ancak farklı mesh sistemleriyle yapılan denemelerde, örneğin 3 µm kalınlıktaki
diyafram için mapped bricks mesh elemanında lineer yerine parabolik bağ tipi
seçildiğinde, elde edilen yerdeğiştirme değerlerinin %15 daha fazla buna karşılık
gerilme değerlerinin %28 daha düşük çıktığı tespit edilmiştir. Bunu teorik
yerdeğiştirme değerleriyle kıyasladığımız zaman hata payının daha yüksek olduğu
görülmüştür. Bu sebeple tasarımı yapılan piezorezistif basınç sensörleri için en
uygun mesh elemanı olarak “mapped bricks” tipi lineer bağlı tipi tercih edilmiştir.
74
5. GENEL SONUÇLAR ve ÖNERİLER
Her iki sensör içinde farklı basınçlar uygulanmıştır. 3 µm kalınlıktaki diyafram için
0,08 MPa lık bir basınç uygulanarak açığa çıkan gerilme ve yerdeğiştirme değerleri
CW programı yardımıyla hesaplanmıştır. Ortaya çıkan değerler, teorik
hesaplamalarla karşılaştırılmıştır. Her iki hesap yönteminde de diyafram merkezinde
maksimum yerdeğişimi ve kenarlarda ise maksimum gerilme oluşmuştur. Bu durum
diğer bir uygulama olan 0,14 MPa basınç altındaki 23 µm kalınlığında diyafram için
de geçerliliğini korumuştur. Bunların dışında 20 µm göbek kalınlığı ve 3 µm
diyafram kalınlığında 0,08 MPa basınç altında tasarımı yapılan göbekli kare
diyafram için CW programı yardımıyla yerdeğişimi, gerilme ve çıkış voltajı değerleri
75
hesaplanmıştır. Bu sonuçlar kullanılarak, aynı diyafram kalınlıkların ve aynı
basınçlar altında göbekli kare diyaframın hassasiyetinin normal diyaframa göre daha
yüksek olduğu görülmüştür.
Sonuç olarak, tasarımı yapılan her üç piezorezistif basınç sensörü de gerek MPW
tasarım sınırlamaları gerekse teorik hesaplamalarla uyum gösterdiği için üretilebilir
durumdadır.
5.2 Öneriler
76
hitap eden daha düşük maliyetli ve geniş uygulama alanına sahip bir basınç sensörü
olduğunu göstermektir.
Bir başka açıdan bakarsak, İTÜ’de kurulum aşamasında olan temiz odada bu tezin
yapılmış olan çalışması baz alınarak basınç sensörü üretimi yapılabilir.
77
KAYNAKLAR
[3] Nathanson, H.C., Newell, W.E., Wickstrom, R.A., and Davis, J.R.Jr., 1967.
The resonant gate transistor, IEEE Trans. Electron Devices, 14-117 .
[4] Howe, R.T., and Muller, R.S.,1986. Resonant-microbridge vapor sensor, IEEE
Advancement Sci., Gray-Milne Trust, London.
[5] Fan, L. S., Tai, Y.C., and Muller, R.S., 1989. IC-processed electrostatic
micromotors, Sensors Actuators, 20, 41–7.
[6] Pister K.S.J., Judy, M.W., Burgett, S.R., and Fearing, R.S.,1992.
Microfabricated hinges Sensors Actuators, 33, 249–56.
[8] Kovacs, G.T.A., Maluf, N. I., and Petersen, K. E., 1998. Bulk Machining of
Silicon, Proc. of the IEEE, 86, 1536-1551.
[10] Petersen, K.E., 1982. Silicon as a mechanical material, Proc. IEEE, 70, 420–
57.
[11] L¨armer, F., and Schilp, P., 1994. Method of anisotropically etching silicon,
German Patent, DE4,241,045
[12] Klaassen, E.H., Petersen, K., Noworolski, J.M., Logan, J., Maluf, N.I.,
Brown, J., Storment, C., McCulley, W., and Kovacs, G.T.A., 1995.
78
Silicon fusion bonding and deep reactive ion etching; a new
technology for microstructures, Proc. Int. Solid-State Sensors and
Actuators Conf., Transducers ’97, Stockholm, pp. 556–9.
[13] Keller, C., and Ferrari, M., 1994. Milli-scale polysiliconstructures Solid-State
Sensor and Actuator Workshop Technical Digest, pp. 132–7, Hilton
Head Island, SC.
[14] Ehrfeld, W., 1987. Fabrication of microstructures using the LIGA process,
Proc. IEEE Micro Robots Teleoperators Workshop.
[18] Smith, C.S., 1954. Piezoresistance effect in germanium and silicon, Physical
Review, 94, 42-49.
[20] Clark, S.C., Wise, K.D., 1979. Pressure Sensitivity in Anisotropically Etched
Thin-Diaphragm Pressure Sensors, IEEE Transactions on Electronic
Devices, ED-26, No:12.
[21] Tufte, O.N., Chapman, P.W., and Long, D., 1962. Silicon diffused-element
piezoresistive diaphragm, J.Appl.Phys., 33, 3322-3327.
[22] Bistue, G., Elizalde, J.G., Garcia-Alonso, S., Castano, E., Gracia, F.J., and
Garcia-Alonso, A., 1997. A design tool for pressure microsensors
based on FEM simulations, Sens. Actuators A, 62, 591-594.
[23] http://www.sclindia.com/news/Datasheet%20SCP02.pdf
[25] Timoshenko, S., Woinowsky-Krieger, S., 1940. Theory of Plates and Shells,
McCraw-Hill, New York.
79
[26] Sandmaier, H., Kühl, K., 1993. A Square-Diaphragm Piezoresistive Pressure
Sensor with a Rectangular Central Boss for Low-Pressure Ranges,
IEEE Transaction on Electronic Devices, 40, 1754-1759.
[27] Young, W.C., Budynas, R.G., 2002. Roark’s Formulas for Stres and Strain,
McCraw-Hill, New York.
[28] Zorlu, Ö., 2002. A Piezoresistive Pressure and Temperature Sensor Cluster,
MSc Thesis, METU, Ankara.
[29] Blasquez, G., Naciri, Y., Blondel, P., Moussa, N. B., Pons, P., 1987. Static
Response of Miniature Capacitive Pressure Sensors with Square or
Rectangular Silicon Diaphragm, Revue Phys., 22, 505.
[30] Boman, P., Vienne, D., Bouwstra, S., Linear Behaviour of Differential
Pressure Loaded Square Diaphragms with Elastic Support, Tech.
Digest, 8th Micromechanichs Europe Workshops, Southampton, UK,
September 1997, 227.
[31] Trabzon, L., Lukat, K., Jankowski, I., Duerr, P., Schenk, H., Measurement
of Charging Under DUV Laser by a Test Chip for MOEMS and the
Mechanism of Charging, Proceedings of the 6th euspen International
Conference, Wien, Austuria, May 2006, 66.
[32] Erdener, O., Trabzon, L., Toker, A., Design and Analysis of Surface
Micromachined Accelerometer With High Dynamic Range by Force
Feedback Mechanism, 16th Workshop on Micromachining,
Micromechanics, and Microsystems, Göteburgh, Sweden, September
2005, 160.
[33] Yıldız, H. A., Önel, A., Trabzon, L., Karakaş, H. C., Uçar, N., On the Design
and Analysis of a Simple Smart Shirt for Monitoring Sudden Infant
Death in Babies, International Scientific Conference “Intelligent
Ambience and Well-Being”, Tampere, Finland, September 2005, 1.
[35] Türkmen, Ö., 2006. MEMS Tabanlı Piezorezistif Akış Sensörü Tasarımı ve
Analizi, Y. Lisans Tezi, İTÜ, İstanbul.
80
ÖZGEÇMİŞ
81