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1. Aspectos gerais.
O FET (Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo é um dispositivo unipolar (um tipo de
portador). Sua operação parte do princípio em que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de
corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo "P" ou portadores do tipo
"N" os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N.
É constituído a partir de uma barra de material do tipo "P" ou "N" denominado "Canal". Nas
extremidades da barra existem contatos metálicos formando um terminal chamado dreno "drain" e outro
denominado fonte, supridouro "source". Ao lado dos contatos dreno-fonte existem ainda duas regiões "P"
ou duas regiões "N", interligadas e difundidas no interior da barra chamadas de porta ou "gate". A figura
a seguir ilustra este processo.
Cap.5 82 Eletrônica Linear - Teoria e Prática
A figura abaixo mostra na seqüência o principio de funcionamento do FET de junção canal "N". O
funcionamento de um FET canal "P" é análogo, necessário apenas inverter a polaridade das fontes de
alimentação dreno-supridouro (VDS) e gate-supridouro VGS.
Cap.5 84 Eletrônica Linear - Teoria e Prática
4. Polarização do J-FET
Polarizar um dispositivo é fixar um ponto de trabalho ou ponto quiescente por meio de componentes
periféricos, podendo esse ponto ser visualizado na característica de saída do dispositivo.
Figura 03 - Polarização do J-FET canal "N". Figura 04 - Polarização do J-FET canal "P".
A física por trás do funcionamento do J-FET é a mesma para todos os J-FETs. Apenas o tamanho das
regiões dopadas, o nível de dopagem etc. muda de um J-FET para outro. Por isso todos os J-FETs têm
uma curva de transferência (transcondutância) que é o gráfico de uma equação do tipo Y=ax2, para o J-
FET:
4.2 - Exemplo
Figura 05 - A equação ID = IDSS x (1 - VGS / Vp)², é a equação que determina ID em função de VGS,
VP e IDSS.
No gráfico da Fig. 8, são mostrados os pontos de operação sobre a reta de carga, semelhante ao BJT.
5. Característica de Saída
Tomando por base as características de entrada do FET anterior e considerando o máximo valor da tensão
de alimentação suportada por este (VDS máx = 20 Volts), poderemos representar em um gráfico as
características de saída (VDS x ID), também denominada "curvas de dreno".
5.1- Reta de carga e ponto de trabalho (ponto quiescente "Q") - Com base no circuito de polarização do
FET, aplicando Kirchoff na malha de dreno, temos:
que corresponde a equação de uma reta em um sistema (ID x VDS) e para traçá-la necessitamos dois pontos, a saber:
• primeiro:
Semelhante ao BJT
• segundo:
Cap.5 86 Eletrônica Linear - Teoria e Prática
A partir destes dois pontos traçaremos a reta de carga na característica de saída do dispositivo e
localizaremos nesta, o ponto de trabalho ou ponto quiescente "Q", mostrado na figura 08.
Com um J-FET autopolarizado, conforme mostrado na figura abaixo, a tensão da fonte (supridouro) é
igual ao produto da corrente de dreno pela resistência (rs) de supridouro:
Essa é a equação para encontrar o ponto de trabalho (ponto "Q") em um J-FET autopolarizado, conforme
mostrado na figura abaixo.
Analogia: Não há corrente no Gate, VGS = 0, corresponde a um terra virtual, assim sendo:
Os dados desta equação permitem determinar a linha de autopolarização, a partir dos valores de VGS e ID
quiescente, mostrada nas figuras 10 e figura 11.
Exemplo:
Considerando um determinado FET com VGSq = -2V e IDq = 4 mA, o valor do resistor de supridouro
Rs, será:
8. MOS-FET
Além do FET discreto ou FET de junção (J-FET), existe outro tipo de transistor de efeito de campo
chamado MOS-FET, que significa "transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor". A figura
15 compara os modelos do J-FET com MOS-FET e a figura 16 compara o MOS-FET com o transistor
bipolar.
Figura 15 - Comparação entre o JFET e o MOSFET. Figura 16 - Comparação entre o MOSFET e o transistor bipolar.
Cap.5 88 Eletrônica Linear - Teoria e Prática
É importante notar que a diferença básica entre FETs e transistores bipolares é que, os FETs controlam
uma corrente de operação a partir de uma tensão e os transistores bipolares controlam a partir de outra
corrente, aplicada aos respectivos terminais de controle.
Exemplo:
Conclui-se que, o FET é um dispositivo controlado por tensão e o transistor bipolar é um dispositivo controlado por corrente.
O MOS-FET é também chamado de IG-FET (Isolated Gate) porta isolada, porque apresenta a porta internamente isolada por
uma camada de silício SiO2, O que faz apresentar uma resistência de entrada bem mais elevada que o FET de junção ou J-FET.
Cap.5 89 Eletrônica Linear - Teoria e Prática
8.1 - MOS-FET modo depleção - Também chamado normalmente ligado, porque conduz quando
VGS=0, seu funcionamento depende das regiões de depleção.
Nesta primeira década do século XXI, os MOSFETs estão sendo largamente empregados na fabricação de
monitores de vídeo, principalmente em circuitos de proteção de saída horizontal e fonte de alimentação
chaveadas para monitores de diversas marcas conceituadas no Brasil. A figura seguinte mostra alguns dos
MOSFETs utilizados para esta finalidade.
A seguir apresentamos outro tipo de aplicação com MOSFET de potência, empregado na área de instrumentação Industrial,
conforme mostra a figura 22.
10. Referências
ALMEIDA, Antônio Carlos de; Caderno de Anotações: SENAI/CEFET, 1978/2001.
BASTOS, Arilson; Manutenção de monitores digitais; Rio de Janeiro - Brasil, Antenna Edições Técnicas Ltda, 2001.
CIPELLI, Antonio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir João; Teoria e desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrônicos;
São Paulo - Brasil, Érica, 1979.
LOWENBERG, Edwin C.; Circuitos Eletrônicos; (Tradução: Ostend. A. Cardim). São Paulo - Brasil, McGraw-Hill do
Brasil, 1974.
MALVINO, Albert Paul; Eletrônica:volume 1; Tradução: José Lucimar do Nascimento; revisor técnico: Antonio Pertence
Junior.- 4a ed. São Paulo - Brasil, Makron Books, 1995.
KAUFMAN, Milton; Eletrônica Básica;(Tradução: Fausto Martins Pires Júnior) São Paulo - Brasil, McGraw-Hill do Brasil,
1984.