Professional Documents
Culture Documents
Chương II
JJG
BF
Bh
JJG
Bd
BF : Từ tính trong chất sắt từ
JJG
-B0k B0k JJG B : từ rường ngòai
B0 0
-Bhd
-Bh
JJG
Đặt 1 miếng sắt từ chưa bị từ hóa vào từ trường ngoài có cường độ B0 . Cho
JJG JJG
B0 tăng dần và khảo sát hiện tượng từ hóa chất sắt từ. Ta thấy khi tăng B0 thì từ tính
JJG
của chất sắt từ cũng tăng lên. Tiếp tục tăng B0 thì từ tính của chất sắt từ sẽ đạt trạng
JJG
thái bảo hòa từ, lúc này ta giảm dần B0 thì từ tính trong chất sắt từ cũng giảm theo,
nhưng quá trình này diễn ra chậm hơn, đến khi từ trường ngoài giảm về ∅ thì từ tính
JJG
trên chất sắt từ vẫn còn. Tiếp theo ta đổi chiều và tăng dần B0 thì từ tính của chất sắt
từ giảm nhanh về ∅ . Khi từ trường ngoài đạt giá trị B0k. B0k được gọi là lực khử từ.
Lúc này, nếu tiếp tục tăng từ trường ngoài thì chất sắt từ sẽ bị từ hóa theo hướng
ngược lại và cũng đạt đến giá trị bảo hòa từ ở hướng này . Nếu ta đổi chiều từ trường
và tăng dần từ trường đến một giá trị nhất định thì từ trường trong chất sắt từ sẽ đạt
đến trạng thái bảo hòa mới, và như vậy kết quả của khảo sát cho ta một đường cong
khép kín mô tả trạng thái nhiễm từ của chất sắt từ.
JJG
B0
Và trong thực tế, băng từ ( băng hộp cassette ) được chế tạo dựa trên nguyên lý
xuất hiện hiện tượng từ dư trong chất sắt từ.
Băng từ có thể ghi/ phát ở mặt A và mặt B, mỗi mặt là một nữa của độ rộng
băng từ. Độ rộng toàn thể của băng từ là 3,81mm, được chia làm 2 phần:
0.8mm
Mặt B
Mặt A
Tùy theo tín hiệu ghi là mono hay stereo mà mỗi mặt lại được chia thành những
phần khác nhau:
0.3mm
0.8mm R
Mặt B L
0.005mm R
Mặt A
L
Mono Stereo
Hình 2.3 cấu tạo các lọai băng từ
III.ĐẦU TỪ
Là thiết bị biến đổi điện từ, khi máy thực hiện chức năng ghi, đầu từ đóng vai
trò là một nam châm điện, khi máy thực hiện chức năng phát, đầu từ đóng vai trò là
cuộn cảm.
Cấu tạo của đầu từ : Là một cuộn dây được quấn trên một lõi sắt từ mềm, lõi
sắt từ gần như khép kín, chỉ chừa một khe rất nhỏ, nơi vùng từ tiếp xúc với băng từ và
được gọi là khe từ. Khe từ là cửa thoát từ khi ghi và thu nhận đường sức cảm ứng từ
vào nòng từ khi phát. Khe từ phải thật hẹp, khoảng 1 đến 1,6 µ m để làm việc được với
tín hiệu có tần số cao. Tất cả được đặt trong vỏ bọc kim loại.
Ký hiệu
Khe từ
Đầu thu/phát
Cuộn dây
Đầu xóa
Lỗi sắt
Khe từ
1 2
Đầu ra
Khe từ 1 2
3 4
Đầu ra
3. Đầu Stereo đảo chiều tự động ( Auto reverse ): có 4 khe từ và 8 dây ra, có đế
quay được 1800 theo chiều trên băng.
Đầu ra
Kí hiệu
Sw1
1
Sw1 SPEAKER
1
2
Sw1
2 Sw1
Chiều
băng di
chuyển
JG
Đầu từ được đặt cố định, cho băng từ chạy qua với vận tốc V sao cho
băng từ ép sát vào đầu từ tại vị trí khe từ. Cho dòng điện âm tần chạy qua cuộn
dây đầu từ, từ trường sinh ra trong lõi sắt từ biến thiên theo qui luật biến đổi
của dòng điện âm tần. Từ trường tiêu thụ thóat ra từ khe từ sẽ từ hóa lớp từ tính
trên mặt băng.
Mức độ mạnh yếu của từ trường phát ra tại khe từ được đo bằng cường
độ từ trường H.
H = Kµi
Trong đó :
K: hệ số, phụ thuộc vào số vòng dây trong đầu từ và độ dài cuộn dây.
µ : độ từ thẩm của lõi sắt từ
Các vết ghi trên băng từ tương đương với những nam châm nhỏ sắp xếp đảo
chiều nhau liên tục trên băng từ.
Độ dài bước sóng tín hiệu ghi trên băng được xác định theo công thức:
v G
λ= v : vận tốc di chuyển của băng
f
Để tín hiệu ghi tốt trên băng thì độ rộng của khe từ tối thiểu phải bằng nửa
bước sóng
λ
d=
2
Nếu khe từ có độ rộng lớn thì tín hiệu ghi sẽ bị trùng lập trên mặt băng.
1 1 v
Ví dụ: f = 10 KHz → d = v.T = .
2 2 f
SNV
Kp1 Kp2
SNX1 SNX2
S N 02 = ( S N 01 + S NX 2 ) K p 2
⇒ S N 02 = ( S NV + S NX 1 ) K p1 + S NX 2 K p 2
= ( S NV + S NX 1 ) K p1.K p 2 + S NX 2 .K p 2
Ta thấy : thành phần thứ nhất là tạp âm xuất hiện ở ngõ vào tầng khuếch đại 1
gây ra.
Thành phần thứ 2 là tạp âm do xuất hiện ở ngõ vào tầng 2 gây ra.
Nếu chọn K p1 = K p 2 = K p thì tạp âm tầng đầu gấp K p lần tạp âm ở tầng sau.
Ta thấy: tạp âm tăng theo căn bậc 2 của trở kháng cuộn dây và dải tầng làm
việc.
Qua nghiên cứu về tạp âm, ta thấy tạp âm do nhiều nguyên nhân sinh ra và vấn
đề quan trọng đối với 1 tầng khuếch đại là nâng cao tỉ số S N . Đối với nhiễu từ bên
ngoài, ta có thể bố trí tầng khuếch đại đầu ở vị trí thích hợp như: tránh xa nguồn điện,
mạch dao động và dùng vỏ bọc kim loại để chống nhiễu.
Đối với tạp âm nội bộ ta có thể chọn loại transistor với hệ số tạp âm nhỏ, chấp
nhận giảm hệ số khuếch đại ở tầng đầu, trong trường hợp cần thiết ta sẽ tăng hệ số
khuếch đại ở tầng sau.
Một số transistor có hệ số tạp âm nhỏ: 2CC2240 (BL), 25C2458GR,
25C1642GR, BC109, BC107, BCY51R, SE4010, 25C26314,…..
3. Tín hiệu lấy ra từ đầu từ:
Khi băng dịch chuyển qua đầu từ, từ thông Φ do các vết từ tạo ra gửi qua khe
dφ
từ: e = −n
dt
Nếu tín hiệu hình sin thì sức điện động trên 2 đầu cuộn dây đầu từ được xác định:
e = −n2π f φ
e = −n2π f φ .S
πd
Ta thấy: ở tần số thấp và trung bình λ đủ lớn, do đó →0
X
sin 0
⇒ lim S = lim =1
0
πd
Khi tần số đủ cao: →∞
λ
sin ∞
⇒ lim S = lim =0
∞
làm cho tín hiệu ra ở cuộn dây qua cuộn dây đầu từ suy giảm nhanh chóng.
Để tăng tín hiệu trên cuộn dây đầu từ ta có thể tăng n , tuy nhiên khi tăng n thì
dẫn đến L tăng → tăng nhiễu ( thực tế người ta khống chế giá trị này ≤ (1,6-1,6mH ),
hoặc tăng φ bằng cách tăng tiết diện lõi sắt. Tuy nhiên tiết diện lõi sắt bị giới hạn bởi
độ rộng khe từ và độ rộng track ghi. Do đó để tăng e ta phải phối hợp nhiều yếu tố kỹ
thuật trong đầu từ.
4. Mạch khuếch đại đầu từ dùng transistor
Vout
Vin
Rc
RB1
1K8
6K8 Vout
5UF
Q2
10U
RB2
5K6
β 1 = β2 = 100
Vin Q1
RB3
4K7 RE 2UF
1K
⇒ β1 = β 2 = β ⇒ I b1 = I b 2
R3
VB1 = .Vcc = 4,95V
R1 + R2 + R3
26mV 26mV
re1 = = = 6,12Ω
I E1 4, 25mA
⇒ re 2 = re1 = 6,12Ω
β RC 2
AV 2 =
hie2
RC 2
AV 2 =
hie2
RC1 r
⇒ AV 1 = − = − e 2 = −1
re1 re1
Vout
Vin
ZNF
Hình 2.11 Mạch nguyên lý khuếch đại 2 tầng liên lạc trực tiếp
VCC
10K
100PF
8K2 1UF
Q2
3K3
Q1
10UF
1K2 100UF
1K
4K7 ZNF
Hình 2.12 Mạch thực tế khuếch đại 2 tầng liên lạc trực tiếp
RC 2 & tai
AV ≈ β 2 .
RE1
Vin Av V0
Kp
AV
⇒ AVht = k : hệ số hồi tiếp
1 + k p . AV
ta có:
RE R
kp = ≈ E
RE + Z NF Z NF
vì Z NF RE
1 Z NF
⇒ AVht = =
kp RE
Rõ ràng độ lợi thật sự của mạch phụ thuộc chủ yếu vào thành phần trở kháng
hồi tiếp. Trong thực tế, dạng mạch hồi tiếp như sau :
Như vậy: độ lơi của mạch phụ thuộc vào tần số tín
hiệu
ZNF VD: cho β 2 = 100, RE1 = 1k , R = 10k
C2
RC 2
Khi chưa có tải: AV = β 2 = 1000
RE1
Nếu không tính đến sự tổn hao trên mạch từ và khe từ với băng từ tiêu chuẩn
có đặc tuyến đường ghi băng phẳng, biên độ từ thông gửi qua lõi sắt từ không thay
đổi, thì đặc tuyến đầu ra của đầu từ tỉ lệ với tần số. Ta có
16Hz 16Kz
Z NF nhỏ do Z C & Rht Khi ở tần số cao Z C & Rht ≈ Rht &⇒ Z NF giảm dần ⇒ AV giảm
ở tần số cao.
Một số dạng sơ đồ mạch thực tế
10UF 18K
3K9
47PF 10PF
0
10UF
3K6 10UF
47UF 120K
22nF
150
Các tụ 47p và 10p có tác dụng chống dao động tự kích. Điện trở 4k7 và tụ
10 µ F hạn dòng và lọc ra để tạo điện áp DC phẳng cung cấp cho tầng đầu tiên của
1K
10UF
10K
82 Volume
1nF
15 33UF 68K
10 10
154K
4K7
33nF
47UF
10UF
8 - 6
1UF 9V
9 + 2SC1815
22
4 Q1
1nF
220UF
1K
5
1UF 450UF
1 - 3
1nF 2 +
10UF
33nF
47UF
Ở chế độ AC, các tụ này xem như ngắn mạch, Ri ≈ 100Ω, R f = 4k 7 + 100k & Z C . Ở
Rf
tần số thấp, Z c lớn ⇒ R f ≈ 100k ⇒ AV = 1 + ≈ 1000 lần
Ri
ZC
Ở tần số cao Z C nhỏ ⇒ R f giảm ≈ Z C ⇒ AV = 1 + ⇒ Độ khuếch đại của
Ri
Như vậy cần phải sửa đặc tuyến cho mạch khuếch đại ghi. Trở kháng Z ở tần
số thấp sẽ gây méo phi tuyến. Để ổn định trở kháng trong cả dải tần tín hiệu ghi,
người ta mắc thêm điện trở hạn chế R nối tiếp với tải đầu từ, với điều kiện R phải có
giá trị đủ lớn ( R Lω ) phụ tải của mạch khuếch đại ghi lúc này xem như là điện trở
thuần R
Trong thực tế R được chọn theo công thức:
R = 2ωC L = 4π f C L f C : tần số cắt
α 2 + ( k 3 + α 2k − k 2 )
Z = R.α
k2 +α2
L 1 ω
với α = ωc . , ωc = , k = , ω = 2π f
R LC ωc
Zv α=3
α=2
α=1.6
α=1
Từ đặc tuyến trên ta thấy, khi α = 1, 6 thì tổng trở ra của mạch ổn định, do đó ta
L
chọn α = ωc = 1, 6
R
Như vậy ta có thể xác định giá trị của R
L L
R = ωc . = ωc .
α 1, 6
1
C=
ωr2 .L
Nếu không sử dụng tụ C mắc & với R thì để ổn định trở kháng ra của mạch thì
phải tăng điện trở lên khoảng 3,2 lần.
Tuy nhiên, khi sử dụng thêm R và RC để ổn định trở kháng sẽ làm suy hao biên
độ tín hiệu ghi do đó, ta phải tăng cường biên độ tín hiệu ghi.
Dạng cơ bản của một mạch khuếch đại ghi:
VCC
C
R1 R3
R5 L1 Mạch khuếch đại ghi
OSC sieu âm
C2 C3
R2 R4
100UF
470K
4.7UF
15K
2
Q2 4.7UF 18K
Q1 Line in
5n
3K9 15K
1 330p
560 82 82 10n
500
10n 15n
Q2 10K
150K
Q2
VCC
47UF10n Normal
10K
Cro2
56K 10n
2
Q2
1 4.7n 47
0 2
15n 3.4mH
1
1K 12V
1K5 10UF
680K 1K5
Out
4,7UF 0.47UF
20nF 4K7
220pF
2K2
22
- Tụ 220p là hồi tiếp dương để nâng biên độ cho tín hiệu có tần số cao
- 680k hồi tiếp âm, có tác dụng khử nhiễu và tăng độ rộng băng tần
- Tụ .02 phối hợp tổng trở tải để sửa đáp tuyến tần số
Mạch 2:
12V
220K 4K7
AUX
270K
220K 100UF 6K5
0
0 0
1UF
MIC 10K
18K
4K7 100
680 VCC
100UF 100UF
180K 22K
2M2 470
2U2F 2U2F
2K2
MIC 22UF
Q2 Q2
Out
47K
15K
270
1K
220
680
3K3
33n 330K
Tầng điều chỉnh âm sắc có nhiệm vụ cho qua các thành phần tín hiệu có tần số
mong muốn và giảm thiểu các thành phần tín hiệu có tần số khác tùy theo ý thích của
người nghe.
1. Mạch điều chỉnh âm sắc đơn giản:
Xuất hiện trong các máy cassette chất lượng thấp. Tác dụng của mạch này chủ
yếu ảnh hưởng lên các tín hiệu có tần số cao. Dạng mạch lọc hạ thông :
C2
1
f = ≤ fc
2π RC
Volumn
2. Mạch Baxandal:
Vi
10R
C/10
Boostrap
Vo
100R
C f
Cut off
Vo
100R
R
f
Cut off
1
Tần số cắt của mạch: f L = ở tần số thấp f = 0,1 f L , trở kháng của các tụ
2π RC
1
giá trị của các điện trở R ⇒ V0 = Vi giảm đáng kể ở ngõ ra.
10
Ở tần số cao f ≥ f L , các tụ điện xem như nối tắt, khi đó: nếu chỉnh VR hết về
Boost ta có: Vob = Vi
1
Nếu chỉnh VR hết về phía cut off : Voc = Vi
10
Mạch Treb-Bass có thể kết hợp lại như sau :
Vi
10K 10nF
33nF 10K
330nF 1K
1K 100nF
4K7
Đối với các thành phần tín hiệu vào lớn đến mức cho phép sẽ được cho qua
mạch lọc 1 cách dễ dàng.
dB dB
20 20
10 10
0 0
-10 -10
-20 -20
-30 -30
-40 -40
-50 -50
-60 -60
-70 -70
-80 -80
IN OUT
Ta nhận thấy rằng : Ở mức xung quanh odB, hệ thống Dolby không hoạt động.