Professional Documents
Culture Documents
Utku ERDİVEN
ADANA, 2009
ÇUKUROVA ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
Utku ERDİVEN
Kod No
Enstitü Müdürü
İmza ve Mühür
Not: Bu tezde kullanılan özgün ve başka kaynaktan yapılan bildirişlerin, çizelge, şekil ve fotoğrafların
kaynak gösterilmeden kullanımı, 5846 sayılı Fikir ve Sanat Eserleri Kanunundaki hükümlere tabidir.
II
ÖZ
Utku ERDİVEN
ÇUKUROVA ÜNIVERSITESI
FEN BILIMLERI ENSTITÜSÜ
FIZIK ANABILIM DALI
Bu çalışmada fotonik kristallerin özellikleri, kullanım alanları, bir ve iki boyutlu fotonik
kristallerin band yapısı, bunlara ait örgü kusurları, dalga kılavuzları incelendi. Fotonik
kristallerin, diğer kristallerde bulunan elektromanyetik band yapısına benzer özellikler
taşıdığı gösterildi. Fotonik kristallerdeki dielektrik ve hava bandı, atom ve moleküllerdeki
valans ve iletkenlik bandlarına benzetilerek kiplerin taşıdığı özellikler açıklandı. Fotonik
kristaller ve bunlara ait örgü kusurlarının band yapısı MPB (MIT Photonic Bands) programı
kullanılarak hesaplandı. GaAs ve ZnTe yapısı ve bazı parametreleri incelendi.
III
ABSTRACT
Utku ERDİVEN
DEPARTMENT OF PHYSİCS
UNIVERSITY OF ÇUKUROVA
In this study, properties of one and two dimensional photonic crystals band structure have
been investigated. Belong to photonic crystals with lattice defects and waveguides have also
been studied. It has been found that the photonic crystals show similar band properties with
the other type of crystals band structure. Atomic and molecular valance and conduction
bands, dielectric and air band modes features of photonic crystals are explained. Photonic
crystals and defects band structure were calculated by using MPB (MIT Photonic Bands)
program code. Band structure and some parameters of GaAs and ZnTe investigated.
IV
TEŞEKKÜR
Yaptığı çalışmalarla bilimle uğraşan herkese örnek olan, desteğini benden hiç
esirgemeyen danismanim Sayın Prof. Dr. Yüksel UFUKTEPE’ye her şey için teşekkür
ederim.
Yaptığım çalışmalar sırasında bana destek olan Yrd.Doç.Dr. Faruk KARADAĞ ve
doktora öğrencisi Erkan TETİK’e teşekkür ederim. Ayrıca benim her zaman yanımda olan,
manevi desteğini hiç esirgemeyen canımdan çok sevdiğim sevgili eşim İclal ERDİVEN’e ve
Annem Nazire ERDİVEN’e teşekkürlerimi sunuyorum.
V
İÇİNDEKİLER SAYFA
ÖZ ……………………………………………………………………………………...III
ABSTRACT……………………………………………………………………………IV
TEŞEKKÜR…………………………………………………………………………....V
İÇİNDEKİLER………………………………………………………………………...VI
ÇİZELGELER DİZİNİ……………………………………………………………….VIII
ŞEKİLLERDİZİNİ…………………………………………………………………….IX
1.GİRİŞ …………………………………………………………………………….......1
2.ÖNCEKİ ÇALIŞMALAR…………………………………………………………...13
3.MATERYAL VE METOD…………………………………………………………..14
3.1. MPB (MIT Photonic Band) Band Hesaplama Programı…………………….17
4.TEORİK ALTYAPI………………………………………………………………….22
4.1. Fotonik Kristaller................................................................................................22
4.1.1. Dielektrik ortamda elektromanyetik dalgalar…………………………......22
4.1.2. Harmonik kiplerin Genel Özellikleri ……………………………………...23
4.1.3. Kip Simetrileri……………………………………………………………...24
4.1.4. Sürekli Dönüşüm Simetrisinde Kipler……………………………………26
4.1.5. Kiplerde İndis Kılavuzlaması (Index Guiding)…………………………...29
4.1.6. Kesikli Dönüşüm Simetrisinde Kipler……………………………………31
4.1.7. Fotonik Kristallerin Band Yapıları……….………………………………..33
4.1.8. Fotonik Kristalde Bloch Dalgasının Yayılma Hızı………………………...34
4.1.9. Elektromanyetik enerji,varyasyon ilkesi …………………………………..35
4.2. Boyutlarına göre Fotonik kristaller ………………………………………….36
4.2.1. Bir boyutlu fotonik kristaller ………………………………………………36
4.2.2. Bir boyutlu fotonik kristallerde band aralığı……………………………….38
4.2.3. Fotonik Band Aralıklarında Kısa Süreli Kipler…………………………....40
4.2.4. Eksen Dışı Yayılma……………………………………………………….42
4.2.5. İki boyutlu fotonik kristaller ……………………………………………..44
4.2.6. İki Boyutta Bloch Seviyesi………………………………………………..46
4.2.7. Dielektrik Çubukların Kare Örgüsü………………………………………..47
4.2.8. Dielektrik Plaka İçindeki Deşiklerin Altıgen Örgüsü………………….....51
VI
4.3. Nokta ve Çizgi Örgü Kusuru……………………………………………......52
5. BULGULAR VE TARTIŞMA………………………………………………...........62
5.1. GaAs ………………………………………………………………………........62
5.1.1. GaAs yapısının kare örgüsünün band yapısı ……………………………...63
5.1.2. Dielektrik plakada deşiklerin altıgen örgüsü ……………………………...68
5.1.3. Noktasal Örgü Kusuru …………………………………………………….71
5.1.4. Çizgisel Örgü Kusuru ……………………………………………………..71
5.1.5. ZnTe………………………………………………………………………..74
6.SONUÇLAR VE ÖNERİLER ………………………………………………………77
KAYNAKLAR ………………………………………………………………..............80
ÖZGEÇMİŞ …………………………………………………………………...............87
EK A KUANTUM MEKANİĞİ İLE KARŞILAŞTIRMA ……………………..........88
EK B DÜZLEM DALGA YÖNTEMİ…………………………………………….......91
EK C MPB PROGRAMINDAN ÖRNEK ………………………………………........93
VII
ÇİZELGELER DİZİNİ SAYFA
VIII
ŞEKİLLER DİZİNİ SAYFA
IX
Şekil 4.15. İki boyutlu fotonik kristal biçimleri………………………………………..45
Şekil 4.16. Dielektrik sütunların kare örgüsü……………………………………….....46
Şekil 4.17. Dielektrik çubukların kare örgüsünün ters uzayı…………………………...47
Şekil 4.18. Dielektrik çubukların kare örgüsünün TM ve TE band yapısı…………….50
Şekil 4.19. Alan örgülerine ait kipler………………………………………………......50
Şekil 4.20. Dielektrik çubukların kare örgüsüne ait s, π ve δ örgüsü………………….51
Şekil 4.21. Dielektrik plakadaki deşiklerin altıgen örgüsünün TE ve TM band
yapısı.............................................................................................................52
Şekil 4.22. Örgü kusuru kipleri……………………………………………………......53
Şekil 4.23. Bir boyutlu fotonik kristalin örgü kusurunda yerelleşen kip…………….54
Şekil 4.24. Örgü kusurları ve yüzeyin iki boyutlu durumu…………………………..55
Şekil 4.25. Çubuğun yarıçapının azalmasından kaynaklanan örgü kusurunun
yerelleşen kipi……………………………………………………………..56
Şekil 4.26. Çubuğun yarıçapının artmasından kaynaklanan örgü kusurunun
yerelleşen kipi…………………………………………………………......57
Şekil 4.27. Çubuğun yarıçapındaki değişime göre örgü kusuru kiplerinin band
yapısı ve elektrik alan dağılımı………………………………………........58
Şekil 4.28. Doğrusal örgü kusuru……………………………………………………..59
Şekil 4.29. Doğrusal örgü kusurunda yerelleşen kip………………………………....60
Şekil 4.30. Dalga kılavuzundaki kiplerin sınıflandırılması……………………….......61
Şekil 4.31. Dalga kılavuzundaki temel kipin frekansa bağlı değişimi………………..61
Şekil 5.1. GaAs yapısı………………………………………………………………....62
Şekil 5.2. GaAs dielektrik çubuklarının kare örgüsünün TM band yapısı.....................64
Şekil 5.3. Dielektrik çubukların kare örgüye ait ilk iki TM band yapısı ve
bunlara ait yerelleşmiş kipler………………………………………….........65
Şekil 5.4. Dielektrik çubukların kare örgüye ait 4. ve 5. TM band yapısı ve
bunlara ait yerelleşmiş kipleri……………………………………………..66
Şekil 5.5. Eksen üzerindeki yayılmada grup hızı……………………………………...67
Şekil 5.6. Eksen dışındaki yayılmada grup hızı……………………………………….67
Şekil 5.7. GaAs’de deşiklerin altıgen örgüsünün TE band yapısı…………………...........68
Şekil 5.8. İlk iki TE bandının yerelleşen kipleri……………………………………....69
X
Şekil 5.9. TE 5 ve 6 bandının yerelleşen kipleri........................................................70
Şekil 5.10. Deşiklerin altıgen örgüsünün TM band yapısı........................................70
Şekil 5.11. Dielektrik örgü kusurunun iki boyutlu yapısı ve yerelleşen kip……...71
Şekil 5.12. Çizgisel örgü kusuru ve yerelleşmiş kipler………………………….....72
Şekil 5.13. Dalga kılavuzunda genliğin band numarasına karşılık grafiği………..73
Şekil 5.14. Çizgi örgü kusurunun TM band yapısı………………………………..73
Şekil 5.15 ZnTe kare örgüsünün TM band yapısı………………………………….75
Şekil 5.16. ZnTe’nin kare örgüsünde iletimin frekansa bağlı değişimi…………….75
Şekil 5.17. ZnTe kare örgüsünün TE band yapısı………………………………….76
XI
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
1. GİRİŞ
Fotonik, ışık ve madde arasındaki etkileşimi inceleyen bir bilim dalıdır. Işık
ve madde arasındaki etkileşimin incelendiği materyallerden birisi de fotonik
kristallerdir. Fotonik kristaller dielektrik sabitinin periyodik olarak değiştiği
yapılardır. Düzenli değişen dielektrik yapı, elektromanyetik dalgaların belirli
yönlerde ve belirli frekans aralığında ilerlemesini engeller. Bu yüzden optiksel
yalıtkan (optical insulator) olarak adlandırılabilir. Periyodik bir ortamda
elektromanyetik dalga yayılımı ilk defa 1887’de Lord Rayleigh tarafından çalışıldı
(Rayleigh, 1887). Yapılan çalışma, periyodik olarak birleştirilmiş düzlemler ile bir
kristal mineralinin özel yansıtıcı özellikleri ile ilgilidir. Bunlar bir boyutlu fotonik
kristallere benzemektedir. Lord Rayleigh bu materyallerin düzlemler boyunca ışığın
yayılmasını yasaklayan dar bir band aralığına sahip olduğunu söyledi. Bu band
aralığı ışığın gelme açısına bağlıdır. Doğadaki yanardöner renklerde, kelebek
kanatlarında, kabuklu deniz hayvanında bu durum mevcuttur. Çok katlı filmler
yoğun bir çalışma almasına rağmen, ancak 100 yıl sonra Yablonovitch ve John,
1987’de iki ve üç boyutlarda çok yönelimli fotonik band aralıkları ile ilgili
materyaller ürettiler (Yablonovitch ve ark, 1987). Bu materyallere fotonik kristal
adını verdiler.
Işığın dalgaboyunun onda biri inceliğinde (30-50 nm) olan bu yapılarda
bulunan örgü kusurları kullanılarak, ışık çok küçük bir alana sıkıştırılabilir ve ışık
ışınları (fotonlar) şekil 1.1’de görüldüğü gibi bir devrenin herhangi bir noktasına
yönlendirilebilir. Günümüzde tıkanma seviyesine gelmiş silikon temelli
mikroişlemcilerin en büyük sorunu, transistorler arasındaki iletişim ağının
yavaşlığıdır. Bu durumda bir bilginin elektronik bir devrede bir uçtan başka bir uca
aktarılması çok uzun bir süre almaktadır. Işık, bilginin taşınabilmesi bakımından
elektronlara göre daha avantajlı özelliklere sahiptir. Dielektrik bir materyal içerisinde
ışık, metal içerisinde elektronlardan çok daha hızlı ilerleyebilir. Ayrıca dielektrik
materyallerin band genişliği, metallerinkinden daha geniştir. Işık parçacıkları
(fotonlar), elektronlar gibi madde ile fazla etkileşim içerisinde bulunmaz. Bu durum
ise enerji kayıplarını azaltan bir faktör olur. Bu yüzden fotonik kristallerde, örgü
1
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
kusuru (defect) oluşumu çok önemlidir. Örgü kusurlarının en önemli özelliği, fotonik
band aralığındaki frekanslarda kılavuzlu kip oluşturmasıdır. Kristal örgüsü içerisinde
oluşturulan örgü kusuru, ışığın geri yansımasını engellemekte ve ışığın tutunmasını
sağlamaktadır. Örgü kusurları iki şekilde incelenebilir: Nokta kusur ve çizgi kusuru.
Örneğin, 2 boyutlu fotonik kristallerinde sütunların hareket etmesi, boşlukların
doldurulması, sütunların ve boşlukların büyüklüğünün değişmesi örgü kusuru
oluşturur. Nokta kusuru, ışığı tuzaklayan oyuk gibi, çizgi kusuru ise dalga kılavuzu
gibi davranır. Fotonik band aralığı içerisindeki dalga kipleri dalga kılavuzu içerisinde
sınırlanır. Fotonik kristal içerisinde oluşturulan bükülme bunun kanıtıdır. Bu
bükülme çok düşük enerji kayıplarıyla frekans bileşenlerinin yayılmasını sağlar.
Özellikle 90 derecelik bükülmelerde bu durum daha iyi sağlanabilmektedir (Şekil
1.1).
Fotonik kristallerin pek çok kullanım alanı vardır. Lazer teknolojisinde, fiber
optik yapılarda, yüksek hızlı optiksel bilgisayarlarda, mikroçiplerde, ışığı bükebilen
metamalzemelerde, ışık yayan diyodlarda, güneş pillerinde vb… kullanılabilir.
Fotonik kristallerin kullanım alanları şekil 1.2’de özetlenmiştir.
2
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
Kutuplayıcı
Fotonik
Kristaller
Filtre Meta
malzeme
Fiber Dalga
Kılavuzu
3
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
elektrik alan etkisi altında serbest elektronlar çok yüksek hızda taşınabilir. GaAs’in
diğer bir özelliği alttaş (substrate) olarak kullanılabilmesidir. Örgü içerisinde
oluşturulacak donor ve akseptörler GaAs için oldukça uygundur. Çünkü, GaAs
doğrudan fotonik band aralığına sahiptir. GaAs’in band yapısı optiksel nitelikleri
bakımından ışıldama (photoluminescence) özelliklerine sahiptir (Safa Kasap ve ark,
2006: Joannopoulos ve ark, 2007). GaAs’in band yapısı, GaAs ile oluşturulan örgü
kusurları ve dalga kılavuzu MPB programı ile hesaplandı.
İncelenen ikinci materyal ZnTe (Çinko Tellür)’dir. ZnTe ince filmlerde
oldukça kullanışlıdır. Bunun dışında mavi ışık yayan diyodlarda, lazer diyodlarında,
güneş pillerinde kullanılabilir. ZnTe’nin band yapısı MPB programı kullanılarak
incelendi.
ilkel öteleme vektörleri denir. Kristalin yapıtaşı olan en küçük hücre, ilkel öteleme
vektörleriyle oluşur. Bu hücre ilkel hücre olarak adlandırılır. İlkel hücre minimum
hacimli bölgedir. Bu hücreyi ötelemek suretiyle kristal tüm uzayı doldurur. İlkel
hücre seçimi için en uygun yol şekil 1.3’de görüldüğü gibi Wigner-Seitz hücresidir.
4
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
k ' =k 2 +2k.G + G 2
2
(1.2)
olur. Dalganın esnek saçıldığı düşünülürse k ' 2 = k 2 olur. Denklem (1.2),
5
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
2k.G = G 2 (1.3)
şeklinde yazılır. Bu denkleme göre k dalga vektörü, örgü vektörü G ’yi dik olarak
ikiye bölen düzlemde bulunuyorsa yansıma şartları sağlanmış olur. Maksimum
yansıma Brillouin bölgesi kenarlarında olur. Bu noktalar için toplam grup hızı sıfır
olur.
Şekil 1.4’de tek boyutta kristal örgü ve ters örgüsü verilmektedir. Ters örgüde
2π π
baz vektörü b olup boyu ’ya eşittir. Sınırlar k = ± ’dadır. Bu sınırlar 1.
a a
Brillouin bölgesini oluşturur. Bu sınırlarda dalga paketinin hızı sıfır olur. Bu
durumda elektromanyetik dalga dielektrik çubuk üzerinde yoğunlaşır (bağ yapma
durumu). Ancak 2. Brillouin bölgesinin sınırları dielektrik çubuklar üzerinden geçer.
Sınırlarda dalga paketinin hızı sıfır olduğundan ikinci Brillouin bölgesinde dielektrik
çubuklar üzerinden bir düğüm çizgisi geçer (bağ yapmama durumu). Böylece,
elektromanyetik dalgadaki yoğunlaşma dielektrik çubuklar arasındaki hava
bölgesinde olacaktır. İlk Brillouin bölgesi en küçük dereceli kip olan tek kutuplu
temel kipi, ikinci Brillouin bölgesi çift kutuplu dipol kipini verir. Üçüncü Brillouin
bölgesinde dört kutuplu (quadrupole) kip vb…
a
doğrusal örgü
k =-2π/a k =2π/a
k =-π/a k =π/a
b
ters örgü k
1. Brillouin bölgesi
2. Brillouin bölgesi
Şekil 1.4. Tek boyutlu doğrusal örgü ve buna ait Brillouin bölgesi
6
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
Şekil 1.5. Kristallerin fotonik özelliklerini gösteren genel fotonik band yapısı
7
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
Gelen dalga
Toplam Dalga
Gelen dalga
Toplam Dalga
Şekil 1.7. Band aralığı içerisinde olmayan dalgaboylarında dalgalar (Yablonovitch, 2001)
8
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
Şekil 1.8’de iki boyutlu kare örgü verilmektedir. (a)’da yapının gerçek
uzaydaki a aralıklı kare örgüsü verilmektedir. Örgü vektörleri a1 ve a 2 ile
2π
gösterilmektedir. (b)’de ise aralıklarıyla oluşturulmuş kare örgünün ters örgüsü
a
verilmektedir. Ters örgünün eksen vektörleri b1 ve b 2 ile gösterilmektedir. Noktalı
çizgiler ters örgü vektörlerine dik açıortaydır. Bu çizgiler en yakın ters örgü
noktalarıyla merkez noktasını (Γ noktası) birleştirmektedir. Bu çizgilerle kapatılmış
bölge ilk Brillouin bölgesini içermektedir. Taralı bölge ise en küçük hacimli
indirgenemez Brillouin bölgesini vermektedir. M ve X noktaları ise Brillouin
bölgesinin kenarlarını göstermektedir. Bu kenarlarda dalga paketinin hızı sıfırdır.
y ky
M
a2
b2
a1 x X kz
Γ
b1
Şekil 1.8. İki boyutlu kare örgü ve buna ait Brillouin bölgesi (Shen, 2006)
9
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
10
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
y
ky
b2
a2 M
a1 x X kz
Γ b1
4π/√3a
a
Şekil 1.10. İki boyutta altıgen örgü ve buna ait Brillouin bölgesi (Shen, 2006)
1 r w 2 r
Master eşitliği → ∇ × ∇ × H = H (1.5)
ε c
Özdeğer denklemlerin çözümleri periyodik yapılarda Bloch teoremi ile
yapılabilir. Bloch teoremi, elektronik yapılarda periyodikliği V (r ) = V (r + R )
11
1.GİRİŞ Utku ERDİVEN
2π
belirlenmiş olur. Burada k dalga sayısı, c ışık hızıdır. Dalga sayısı k = ve ışık
λ0
hızı c = λ0υ ’dır. λ0 , boş uzaydaki ışıma alanının dalga boyu, υ ise ışık frekansıdır.
Sonuç olarak fotonik kristaller şekil 1.11’de görüldüğü gibi kesikli frekans
değerlerine sahiptir.
w
w3
w2
w1
12
2.ÖNCEKİ ÇALIŞMALAR Utku ERDİVEN
2.ÖNCEKİ ÇALIŞMALAR
13
2.ÖNCEKİ ÇALIŞMALAR Utku ERDİVEN
14
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
3.MATERYAL VE METOD
k + G1 H 1 (G ) E1 (G )
2
A= k + G2 x = H 2 (G ) veya x = E 2 (G )
2
k + G3 H 3 (G ) E3 (G )
2
14
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
şeklinde yazılır.
Temel çizgisel cebir alt programı olan BLAS (Temel lineer cebir altprogramı)
ise vektör ve matris çarpımları gibi temel çizgisel uygulamaları yapmak için
programlanmıştır ve Lapack gibi paketleri oluşturmak için kullanılır. Ax = B ve
Ax = λBx matris ve özvektörler arasındaki işlemleri yapmada kullanılır. Burada x
özvektör, A ve B , N × N matrisleridir.
Fotonik kristallerde periyodiklik dielektrik fonksiyona göre ayarlanır. Ters
örgüde dielektrik fonksiyon ise brillouin bölgeleri arasında Fourier serisi ile
genişletilir. Temel fikir, kesikli Fourier serileri içindeki Bloch fonksiyonu ile birlikte
dielektrik sabitini genişletmektir. Buna göre dielektrik fonksiyonunun tersi
şeklinde yazılır ve H(r ) ve E(r ) özfonksiyonları ile birlikte Master eşitliği içerisine
eklenir. Elde edilen eşitlik matris biçiminde yazılarak LAPACK ile çözülür ve
özfonksiyonların özdeğerleri elde edilmiş olur. Özfonksiyonların çözümünden elde
edilen özdeğerler yansıyan ve iletilen dalgaların sanal ve reel çözümlerini verir.
FFTW (Fast Fourier transform-Hızlı Fourier dönüşümü), ters örgü uzayından
gerçek örgü uzayına geçmek için kullanılır. Kısaca FFTW, zamana bağlı olan
Maxwell eşitlikleri ile çözülmüş H(r ) kiplerini frekans alanına geçirirken kullanılan
bir işlemdir. FFTW, bloch teoremi ile belirlenmiş periyodik yapı içindeki titreşimleri
alır, yansıyan ve ilerleyen dalgalara ait kiplerin periyodik olanlarını belirleyip
harmonik bileşenlerine ayırır. H(r ) kiplerini tek (TM→ enine manyetik) ve çift
(TE→ enine elektrik) kipler olarak ayırır ve bu kiplerin sanal ve reel çözümlerini
belirler. Denklem (4.62)’deki gibi FFTW, özvektörleri frekans uzayından zaman
uzayına, zaman uzayından frekans uzayına dönüştürebilir.
15
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
+∞
H(f ) = ∫ h(t )e
2πift
dt
−∞
∞
(3.2)
h(t ) = ∫ H ( f )e
− 2πift
df
−∞
H (w ) = ∫ h(t )e
iwt
dt
−∞
∞
(3.3)
h(t ) = ∫ H (w)e
1 − iwt
dw
2π −∞
şeklindedir.
Alanların nasıl göründüğünü veya dielektrik fonksiyonunu kontrol etmek için
HDF (hiyerarşik veri formatı) dosya çıktısı gerekir. HDF sayesinde çözülen bandlar
belli bir hiyerarşiye göre sıralanır. HDF çıktı dosyaları ‘’.h5’’ ile dosya isimlerinin
sonuna eklenir. Birim hücre içindeki dielektrik fonksiyon ‘’epsilon.h5’’ dosyası
içerisine yazılmaktadır. h5 içerisine yazılan dielektrik fonksiyon ve özvektörler
h5utils içinde bulunan h5topng ile görüntülenir. MPB programının akış diyagramı
Şekil 3.1’de verilmektedir.
16
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
TERMİNAL GUİLE
MPB DATA
GÖRÜNTÜ
TE FREKANS
FOO.OUT GREP ORİGİN GRAFİK
DATA
TM FREKANS
DATA ORİGİN GRAFİK
yazılabilir. Burada H k periyodik bir fonksiyon k bloch dalga vektörüdür. Buna göre
her bir k değerinde kesikli özdurumları çözülmüş olur. H özdurumları birbirlerine
ortogonaldir. Bilgisayar üzerinde özdurumların hesaplanabilmesi için birkaç temel
17
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
(basis) ile manyetik alan genişletilir. Bunun için Fourier temelinde düzlem dalgaların
toplamı olan H k = ∑ h G e iG .x alanı periyodik olarak genişletilir. Burada h G düzlem
G
( )
r
H = exp i kx − wt H kr ’ye eşittir. İki boyutlu yapıda seçilen birim hücre içindeki
( ) ( )
2
r r r r
ˆ r H r = w H r
denklem A ˆ r = ∇ + ik × 1 ∇ + i k × ,
şeklinde yazılabilir. A
k k
c
k k
ε
pozitif yarı-tanımlı hermityen operatörüdür. Maxwell özdeğerini çözmek için bazlar
N
kullanılır. Sınırlı bir yapıda özdurumlar H = H ( xt ) = ∑ hm bm ( xt ) açılımı şeklinde
m =1
18
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
2
w
hesabı özdeğerler için LAPACK ister. Ah = Bh ’ı çözmek için iterasyon
c
yöntemi gerekir: Steepest-descent, Conjugate gradient, Preconditioned steepest
descent, Preconditioned conjugate gradient
Buradaki önemli nokta en küçük özdeğeri bulmaktır. Bunun için en kullanışlı yöntem
Rayleigh-quotient minimization’dır. Bu yöntemde kullanılan
h ' Ah
w0 = min = f (h ) eşitliğine göre en küçük özdeğer çözülür. Burada h '
2
'
h h Bh
hermityen adjoint (eşlenik transpoz)’dir. Daha sonra f (h ) fonksiyonuna iterasyon
yöntemi uygulanır. En uygun iterasyon yöntemi preconditioned conjugate
gradient’dir.
Steepest descent: (h + α∇f ) ’ yı α üzerinde tekrarlayarak minimum yapma
Conjugate gradient: (h + αd ) ’ yi minimum yapma d = ∇f + (stuff ) = önceki
araştırma sonucunun (dirs) eşleniği
Preconditioned steepest descent: (h + αd ) ’ yi minimum yapma
( )
d = A −1 ∇f → (Newton yöntemi)
( )
d = A −1 [∇f + (stuff )]
Şekil 3.2. Özdeğerdeki yüzde hatanın iterasyon sayısına bağlı grafiği (Johnson, 2001)
19
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
( )
w
2
r r
Ah = Bh eşitliğinden Ah ’ın, k + Gm dalga vektörü uzayında rotasyonel
c
alınır, FFT hesabının yapılmasıyla ε~ −1 ile çarpılır, daha sonra ters FFT yapılır ve
daha sonra tekrar rotasyoneli alınır. Böylece O(NlogN) içinde hesaplama yapılmış
olur.
Alm = −(k + G l ) × ...IFFT ...ε~ −1 ...FFT ...(k + G m ) × (3.3)
göre ayarlanmaktadır. Ancak, şekil 3.3’de görüldüğü gibi sınırlarda iki farklı
dielektrik sabiti vardır. Özdeğer denklemleri çözülürken sınırlarda iki farklı
dielektrik sabitini ortalamasının alınması daha uygun olur. Yüzey n̂ normaline göre
gelen ışığın kutuplanmasına bağlı olan etkin ortam teorisine göre iki farklı yoldan
r
ortalama dielektrik fonksiyonu alınabilir. E // nˆ için ε ’nun tersi ortalanırken,
r
E ⊥ nˆ için ε ’nun ortalamasının tersi alınır. Bunun sonucunda etkin dielektrik tensör
ortaya çıkar.
ε~ −1 = ε −1 (1 − P ) + ε −1 P (3.4)
Burada P izdüşüm operatörüdür. Elektrik alanın paralel bileşeni (dielektrik
çubuklara paralel) sürekli iken, dik bileşeni (dielektrik çubukları kesen bileşen)
sürekli değildir. Ancak D⊥ = εE⊥ yerdeğiştirme alanı süreklidir. Elektrik alan
çizgileri yüzeye paralel olduğunda zıt potansiyel kesikli bir şekilde azalırken yüksek
dielektrik bölgesinde alan enerjisi yoğunlaşamaz. Fakat, elektrik alan çizgileri
dielektrik sınır yüzeyini kestiğinde alan çizgilerinin dik bileşeni zıt potansiyelin
kesikli bir şekilde artmasını sağlar. Bu durum alan enerjisinin yüksek dielektrik
bölgesinde yoğunlaşmasını sağlar. Band aralığı oluşumu bu şekilde sağlanmış olur.
20
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
Şekil 3.3’de görüldüğü gibi birim periyot başına piksel değerleri (resolution) için
ızgaralama yapıldığında bir hücre içerisinde iki farklı dielektrik sabit vardır. Özdeğer
hesabında yapılması gereken aynı iterasyona karşılık gelen yüzde hatayı azaltmaktır.
Bunu yapabilmek için etkin dielektrik tensör almak gerekir. Şekil 3.4’de bu duruma
ait grafik verilmektedir. Ortalama alındığında elde edilen yüzdelik hata daha az
olmaktadır.
Şekil 3.4. Özdeğerdeki yüzde hatanın çözünürlüğe bağlı grafiği (Johnson, 2001)
21
3.MATERYAL VE METOD Utku ERDİVEN
22
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
D(r , t ) = ε 0 ε (r )E(r , t )
( )
r r r r
∇ × ∇ × (A ) = ∇ ∇.A − ∇ 2 A (4.2)
Maxwell denklemleri, (4.2) vektör özdeşliği ile birleştirilirse
r2 ∂2
∇ E = µ 0ε 0ε 2 E
∂t
(4.3)
r ∂2
∇ 2 H = µ 0 ε 0ε 2 H
∂t
denklemleri elde edilir. İkinci dereceden diferansiyel denklemlerin çözümleri
rr
[(
E = E m exp i k.r − wt )]
rr
[(
H = H m exp i k.r − wt )] (4.4)
22
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
1 r r
{ }
2
w
∇ × ∇ × E(r , t ) = E (r , t )
ε (r ) c
(4.5)
{ }
r 1 r w
2
∇× ∇ × H (r , t ) = H (r , t )
ε (r ) c
sonucu elde edilir. Burada E(r ) ve H(r ) kiplerin özfonksiyonlarıdır. Bir fonksiyon
üzerindeki işlem sonucunda birkaç sabit ile çarpılmasıyla fonksiyonun kendisi elde
ediliyorsa bu fonksiyon özfonksiyon (eigenfunction) veya özvektör (eigenvector),
çarpanı özdeğer (eigenvalue) olarak adlandırılır. Özfonksiyonların yönü değişmeden
sadece miktarı değişir. Bir özdeğer denklemi
23
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
2
ˆ H (r ) = w H(r )
Θ
c
(4.8)
r r
ˆ H (r ) = ∇ × 1 ∇ × H (r )
Θ ε (r )
∫ H (r ).H (r )dr ≠ 0
i j ise kipler dejeneredir. Farklı frekanstaki ortogonal kipler farklı
sayıda düğüm çizgisine sahiptir. Verilen yüksek frekanslı harmonik kipler ise daha
düşük frekanstaki kiplere göre daha çok sayıda düğüme sahiptir. Farklı frekanstaki
kipler farklı düğüm sayılarına sahip olduğuna göre dielektrik bölgedeki alan
örgülerinin enerjileri de farklı olur. Dielektrik bölgedeki alan örgülerine ait kiplerin
enerjileri varyasyon ilkesi ile belirlenir.
24
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Şekil 4.1’de görüldüğü gibi iki boyutlu metalik oyuk içinde izin verilen kipler
bulunmaktadır. Şekil keyfi olarak seçilmiştir. Oyuk önemli bir simetriye sahiptir.
Eğer, oyuk merkezi etrafında ters çevrilirse, aynı oyuk şekli elde edilir. Kipler iki
şekilde incelenmektedir: Çift kip ve tek kip.
Soldaki oyuğu dolduran çift kipi H(r ) = H (− r ) , Sağdaki oyuğu dolduran tek
operatör kullanıldığında Ia = −a olur. Bir alan vektörünü ters çevirmek için ise Ο̂ l
şeklinde ifade edilir. Terslenme operatörü çift kip için kullanıldığında H sanki
vektör (pseudovector), E ise vektördür. Yani, H pozitif işarete dönüşüyor
(IH = +H ) iken E negatif işarete (IE = −E) dönüşmektedir. Bu durumda
25
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
ˆ H(r ) = + H(r ) ve O
O ˆ E(r ) = − E(− r ) olur. Çift kip Ο̂ terslenme altında değişmez,
l l l
yani çift kip H(r ) = H (− r ) ve E(r ) = −E(− r ) ‘ye sahip olur. Benzer bir şekilde tek
kipte H(r ) = − H(− r ) ve E(r ) = E(− r ) meydana gelir. Yani E sanki vektör,
H vektördür. Bütün bu durumlara bağlı olarak özvektör üzerine uygulanan
Θ ˆ −1 Θ
ˆ =O ˆOˆ (4.11)
l l
ˆ (O
ˆ H) = O ˆ (Θˆ H ) = w (O ˆ H)
2 (4.12)
Θ l l 2 l
c
elde edilir. (4.12) denklemi H ’ın w frekanslı harmonik bir kip olduğunu anlatır.
ˆ H , w frekanslı bir kiptir. Eğer hiç dejenerelik yoksa (frekansları farklı) birim
O l
26
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
[
sabiti elde edilir. Td ε (r ) = ε (r − d ) = ε (r ) , veya Td , Θ ]
ˆ = 0 olur. Bu durumda Θ̂ ’nın
( )
T̂dzˆ e ikz = e ik ( z − d ) = e − ikd e ikz (4.13)
Aynı tanımlamalara benzer bir şekilde, kiplerin sürekliliği
H k (r ) = H 0 e ik .r (4.14)
şeklinde yazılabilir. H 0 , sabit bir vektördür. Çünkü H 0 ’ın yönü içinde kutuplanan,
düzlem dalgalardır. (4.14) eşitliğine göre enine durum için k.H 0 = 0 olmalıdır. (4.5)
2
w k2
Master eşitliğine (4.14) denklemi uygulandığında, özdeğerler = ve
c ε
ck
w= dağıtkanlık bağıntısı elde edilir. Böylece k dalga vektörüyle düzlem
ε
dalgalar sınıflandırılır. k dalga vektörü sürekli dönüşüm işlemi ile kipin nasıl bir
değişime uğradığını belirtir.
Sürekli dönüşüm simetrisine ait başka bir basit sistem, Şekil 4.2’de görüldüğü
gibi sonsuz bir cam düzlemidir. Bu durumda, z yönünde dielektrik fonksiyonu
değişmektedir. Kipler, sürekliliği gösteren düzlem dalga vektörleri k = k x xˆ + k y yˆ ‘e
göre sınıflandırılır.
27
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
olur. Ancak n çift değerler aldığında kip çift frekanslı (2 w,4 w,6 w...) , yani elektrik
alanı sanki vektör manyetik alan ise vektör olur. Tek kipler, TM (transverse
magnetic) bandını, çift kipler ise TE (transverse electric) bandını oluşturmaktadır.
Her iki durumda da bandlar kesiklidir ve cam düzleminde bulunmaktadır. Hava
ortamında bulunan kipler cam düzleminden bağımsız bir şekilde hareket ettiğinden
sürekli band yapısına sahiptir. Sürekli ve kesikli band yapıları ışık çizgisiyle
birbirinden ayrılır. Şekil 4.3’de a kalınlıklı cam düzlemi için harmonik kip
frekansları verilmektedir. Mavi çizgiler cam içinde yerelleşen tek ve çift kipleri
göstermektedir. Taralı bölge, cam ve etrafında uzanan sürekli durumları vermektedir.
Kırmızı çizgi w = ck ışık çizgisidir. Çift frekanslı kipler tek frekanslı kiplerden daha
yüksek frekans düzeyine sahiptir.
28
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
1.5
sürekli durumlar
Frekans wa/2πc
1
n=1
0.5
n=3
n=5
0
1 2 3 4
dalga vektörü ka/2π
Şekil 4.3. Cam içindeki harmonik kip frekanslarının band yapısı (Meade, 1995)
Şekil 4.4’de verildiği gibi ışık ışınları cam içerisinde arayüzeye çarptığında
ışığın bir kısmı tam yansımaya uğrar, bir kısmı ise kırılarak geçer.
e(x) ve o(x)
E düzleme paralel
θ1
E düzleme dik θ2
e(x)
k// k
ε1 ε2
e(x) ve o(x)
İki dielektrik arasındaki düz bir ara yüzeyde ışık, θ1 gelme açısıyla, snell
yasasına göre kırılmaya uğrar. Sayfa düzlemine dik olarak titreşen elektrik alan
bileşenine sahip olan ışık dalgaları ε 2 < ε 1 koşuluna göre tam yansımaya uğrar.
29
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Elektrik alanı dik olarak titreşen ışık dalgası e( x ) , elektrik alanı paralel olarak
ni = ε i µ i (4.17)
n2
Eğer, θ1 〉 sin −1 ise sin θ 2 〉1 olur ki, bunun hiçbir gerçel çözüm yoktur. Bu, ışığın
n1
tam yansımaya uğraması demektir. Snell yasasında iki korunum vardır: w açısal
frekansının korunması dalga
ve k vektörünün k // bileşeninin korunması. k // , arayüzeye paraleldir. k // = k. sin θ
nw
ve k = ’ dir.
c
a kalınlıklı bir camın k // dalga vektörüne karşı verilen w frekanslı
gerçel dalga vektörü için w = ck = c k // + k ⊥ ile düzlem dalgaların üst üste gelme
durumu vardır. Bu duruma göre şekil 1.3 ve şekil 1.4’de açıklandığı gibi düzlem
dalgaların üst üste gelmesi sonucu ya durgun dalgalar ya da ilerleyen dalgalar oluşur.
Ancak verilen k // değeri için, ck // ‘den daha büyük her olası frekansla kipler
frekanslar için sürekli olur. w〉 ck // , ışık konisi olarak adlandırılır. Işık konisindeki
kipler snell yasasının çözümleridir (sınır açısından küçük). Işık konisi sürekli ortam
ile sürekli olmayan ortamı birbirinden ayırır. Bu durumda ışık konisine göre cam
düzlem, ışık konisi aşağısında uzanan yeni elektromanyetik çözümler üretmektedir.
ε cam içinde daha büyük ise kipler daha düşük frekanslı olur. Bu yeni çözümler cam
30
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
w2
k ⊥ = ±i k l2 − ile üstel olarak azalmasına neden olur. Buna indis kılavuzlu kipler
c2
denir.
2π
k y dalga vektörü kesiklidir. k y dalga vektörüyle, k y + dalga vektörüne sahip
a
31
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
2π
kipleri ele alalım. Dejenere durum varsa, kiplerin tamamı k y + m şeklinde
a
yazılabilir.
2π
Çünkü hepsi, exp i (k y la ) ’ nın aynı TˆR özdeğerine sahiptir. b = ’ nın bir tam katı
a
ile k y ’ yi büyütmek durumu değiştirmez. Burada b = byˆ ilkel ters örgü vektörüdür.
m m
(4.19)
şeklinde yazılabilir. c k y , m , genişleme katsayısıdır. u ( y, z ) , y yönündeki periyodik bir
olur. Bu Bloch teoremi olarak bilinir. (4.20) denklemine göre k y dalga vektörlü
Bloch seviyesi ile k y + mb dalga vektörlü Bloch seviyesi aynıdır. Kip frekansları k y
π π
içinde w(k y ) = w(k y + mb ) eşitliğine göre periyodiktir. Aslında k y , − ile
a a
aralığında bulunur. Bu bölge brillouin bölgesi olarak adlandırılır. Dielektrik üç
boyutlarda periyodiktir. Bu durumda dielektrik üç boyutlularda R örgü vektörlerinin
32
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
sıklığı boyunca dönüşümler altında değişmez. Herhangi bir örgü vektörlerinden biri,
(a1 , a 2 , a 3 ) üç ilkel örgü vektörlerinin özel bir birleşimi olarak yazılabilir. Bu
a i b j = 2πδ ij (4.21)
durumu sağlanmış olur. 3 boyutlu periyodik sistemin kipleri Bloch seviyelerine göre,
Bloch dalga vektörü k = k1 .b1 + k 2 .b 2 + k 3 .b 3 ile sınıflandırılır. k brillouin bölgesi
içerisinde uzanır. Brillouin bölgesi içerisinde k dalga vektörünün her bir değeri
w(k ) frekansıyla Θ̂ ’nın bir özdurumunu eşitler. Bir H k (r ) özvektörü
H k (r ) = e ik .r u k (r ) (4.22)
ˆ H = w(k ) H
2
Θ k k
c
r 1 r ik .r w(k ) ik .r
2
∇× ∇ × e u k (r ) = e u k (r )
ε (r ) c
(4.23)
w(k )
( ) ( )
r r 2
ik + ∇ × u k (r ) = u k (r )
1
ik + ∇ ×
ε (r ) c
ˆ u (r ) = w(k ) u (r )
2
Θ k k k
c
olur. Θ̂ hermityen operatörüdür ve
33
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
( ) ( )
r r
ˆ = ik + ∇ × 1 ik + ∇ ×
Θ (4.24)
ε (r )
k
( )
r
şeklinde yazılır. Enine olma durumuna göre ik + ∇ .u k = 0 olmalıdır. Periyodiklik
koşuluna göre
u k (r ) = u k (r + R ) (4.25)
olur. Brillouin bölgesi sınırlarında ilerleyen bir dalga değil durgun bir dalgadır.
Dalga ne sağa ne de sola ilerler. Bu, bragg şartıdır.
(4.28) denklemi, enerji yayılma hızını verir. Gerçel bir k ve gerçel bir dielektrik
fonksiyonu, ε ≥ 1 için frekanstan bağımsızdır. Bu duruma göre v hızı, her zaman
ışık hızından küçüktür.
34
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
U f (H ) =
(H, Θˆ H ) (4.29)
(H, H )
U f , Rayleigh quotient (Rayleigh bölümü) olarak adlandırılır. Hermityen
(∇ × E, ∇ × E ) ∫ d r ∇ × E(r )
3 2
U f (H ) = = (4.30)
(E, ε (r )E) ∫ d 3rε (r ) E(r ) 2
Denklem (4.30)’da görüldüğü gibi elektromanyetik enerji fonksiyonu dielektrik
sabitiyle ters orantılıdır. Uygun varyasyon ilkesinde en düşük frekanslı kip
∇.εE = 0 ‘a bağlı olarak E elektrik alanını minumum yapar. Enerji fonksiyonu
elektromanyetik dalga içindeki elektrik ve manyetik alanı bileşeni
ε0
UE = ∫ d 3rε (r ) E(r )
2
4 (4.31)
µ
U H = 0 ∫ d 3 r H(r )
2
4
şeklinde yazılabilir. Enerji, alan büyüklüğünün (genlik) karesiyle orantılıdır.
Harmonik kip içinde enerji, elektrik ve manyetik alanlar arasında değiş tokuş
edilebilir. Çünkü elektromanyetik dalga içindeki elektrik ve manyetik alan enerji
fonksiyonları aynı enerjide titreşir, biri diğerinden bağımsız olamaz. Yani, U E = U H
olur. Enerji taşıma oranı, S Poynting vektörü ile belirlenir.
S=
1
2
[
Re E ∗ × H ] (4.32)
Re, reel kısmı verir. Bu, zamana bağlı harmonik kip için birim alan ve birim zaman
başına S ’nin yönündeki ortalama elektromanyetik enerji akışı iken aynı zamanda
S ’nin yönündeki ışık yoğunluğudur. Enerji akışının enerji yoğunluğuna oranı enerji
taşıma hızını vermektedir. Enerji hızı, dalga paketinin hızı olan grup hızına eşittir.
35
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Fotonik kristaller, şekil 4.6’da görüldüğü gibi bir, iki ve üç boyutlu olmak
üzere üçe ayrılır.
Bir boyutlu fotonik kristal, Bragg aynası olarak adlandırılır. Düzlem dalga
her ara yüzeyde yansımaya ve kırılmaya uğrar. Bunun sonucunda iki boyutta
elektromanyetik kipleri tanımlayabilmek için yine simetriler kullanılır.
Şekil 4.7, bir boyutlu fotonik kristale aittir. x ve y yönünde her tabaka
değişmezdir. z yönünde ise kesikli periyodiklik söz konusudur. Kipleri
sınıflandırmak için düzlem içindeki (xy ) dalga vektörü k Ι , z yönündeki dalga
36
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
vektörü k z ve n band sayısı kullanılır. Band sayısı frekansla artar. Kipler, Bloch
biçiminde yazılırsa
H n , k z ,kΙ (r ) = e ikΙ . ρ e ik z z u n, k z , kΙ (4.33)
∆w 4 n − n2
= sin −1 1
(4.36)
wm π n1 + n 2
şeklinde olur.
37
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
(4.37) eşitliği verilen bir k noktasında iki özdurum m ≠ n için geçerli bir çözümdür.
İkinci koşul en düşük bandın varyasyon ilkesine uyumlu olmasıdır. Minimum seviye,
alan titreşimlerinin yüksek dielektrik içindeki alana oranı ile sağlanır. Manyetik alan
ve elektrik alan özvektörlerine ait minimum seviye
( )
r 2
w 1 (k ) = min
2
r
∫ ∇ + ik × H kr / ε 2
c
∫ k
Hk 2
H r
(4.38)
∫ ∇×E
2
w (k ) = min
2 k
r c2
∫ε E
1 2
Ek
k
38
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
bantta rotasyonel daha büyüktür ve daha hızlı titreşimler içerir. Bu durum, daha
yüksek kinetik enerjiye karşılık gelir.
1-boyutlu fotonik kristallerinde fotonik band aralığı tek boyutta oluşur. Şekil
4.8’de gösterildiği gibi, tek boyutta yüksek ve düşük kırıcılık indisine sahip
dielektrik ortamlar periyodik olarak ayarlanmıştır. Dalgaların ilerleme yönü
dielektrik ortamların periyodik olarak değiştiği yöndedir. Fotonik band aralığı da bu
yönde oluşacaktır. Çünkü, ışık farklı bir ortama geçtiğinde iki farklı kutuplanmaya
± iπx
ayrılır. Işığın elektrik alan bileşeni, E ( x ) = exp lineer bileşimleri olan
a
πx πx
e( x ) = cos olağanüstü dalgalar (extraordinary waves) ve o( x ) = sin
a a
sıradan dalgalar (ordinary waves) şeklinde yazılabilir. İki dalganın kutuplanması
birbirine ortogonaldir. Bu durumda farklı titreşim potansiyeli oluşur. e( x ) alanı
Band aralığı
cos(πx/a)
39
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Şekil 4.9’da bir boyutlu fotonik kristale ait band yapısı verilmektedir. Yüksek
dielektrik sabiti 12, düşük dielektrik sabiti 1 olarak alınmıştır. Band diyagramı k = 0
π
ve k = (k = 11) aralığındadır. Daha yüksek dalga vektörlerine ait bandlar kesikli
a
π
dönüşüm simetrisine bağlı olarak k = 0 ve k = aralığına katlanmıştır.
a
40
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
π π
2
∆w = w2 (k ) − w2 ≈ α k − = α (∆k )
2
(4.40)
a a
eşitliği ile ölçülür.
Gerçel ∆k
Sanal ∆k
Şekil 4.10. Bir boyutlu fotonik kristalin kompleks band yapısı (Joannopoulos, 1995)
Burada, α band eğrisine bağlı bir katsayıdır. Şekil 4.10’da bir boyutlu fotonik
kristalin kompleks band yapısı verildi. Üst ve alt çizgiler sırasıyla 2 bandının altına
ve 1 bandının üstüne benzemektedir. Kısa süreli seviyeler daire içinde meydana
gelmektedir. Çünkü dielektrik banttan hava bandına geçiş sözkonusu değildir.
Maximum azalma, aralığın merkezinde meydana gelmektedir. ∆w > 0 (aralığın
üstündeki daha yüksek frekanslar) ise ∆k gerçeldir. ∆w < 0 (aralığın içerisindeki
frekanslar) ise ∆k sanaldır. Bu durumda seviyeler ∆k = iκ ile üstel olarak azalır.
41
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Zayıflama sabiti κ büyüdükçe frekans aralığın merkezine ulaşır ve sonra daha düşük
bir band kenarında kısa süreli durum olur. Bu davranış Şekil 4.10’da
yansıtılmaktadır.
elektrik alandaki kutuplanmaya bağlı olarak farklı davranışlar gösterir. Şekil 4.11’de
görüldüğü gibi x ve y yönünde (eksen dışı yayılma) dielektrik çubuklara paralel
olan elektrik alanı süreklidir. Bu süreklilikten dolayı elektromanyetik enerji yüksek
dielektrik sabitli değişmez ortamda yoğunlaşır. Bu yönde dalgalar sadece kırılarak
geçeceğinden bu yöndeki kipler için fotonik band aralığı yoktur. Fakat z yönünde
elektrik alanı kesiklidir. Bu yönde elektrik alanı dielektrik çubuklara dik olduğundan
dalgaların bir kısmı tam yansıma yapar, bir kısmı kırılarak geçer. Fotonik band
aralığı bu eksen üzerinde oluşur.
ky
E
E E
kx
kz
Şekil 4.11. Eksen dışı yayılma
Şekil 4.11, bir boyutlu fotonik kristallerinde k = k y kipleri için band yapısını
42
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
simetrisine sahip bölgede olmaktadır. Şeklin sol tarafı eksen üzerindeki (0,0, k z )
üzerindeki ve dışındaki yayılma için en önemli fark, eksen dışı yayılmada hiçbir
band aralığı olmamasıdır. Başka önemli bir fark, dejenere bandlarda gözlenmektedir.
x ve y yönleri gibi iki temel kutuplanma ele alındığında, bu iki kip dönel simetri
(rotational symmetry) ile farklılaşırlar. Bu yüzden iki kip dejeneredir. Dejenere
kipler aynı enerji düzeyine sahiptir. Dalga vektörü k ’nın keyfi bir yönelimiyle bir
kip yayılımı için bu simetri kırılır. Dejenerelik (TM ve TE bandlarının çakıştığı
durum) ortadan kalkar. Bu durumda başka simetriler ortaya çıkar. Mümkün olan
kutuplanmalar olan x kutuplu TM, yz kutuplu TE kipi meydana gelir. Bu, fotonik
.
Şekil 4.12. Bir boyutlu fotonik kristalde eksen içi ve eksen dışı band yapısı (Meade, 1995)
43
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Şekil 4.13’de enine elektrik alan kipleri (TE) ve enine manyetik alan kipleri
r r
verilmektedir. TE kiplerinde H düzlemin normalidir ve H = H(ρ )zˆ ve E düzlem
içindedir, E( ρ )zˆ = 0 . Enine manyetik alan kipleri (TM), E = E(ρ ).zˆ ve H(ρ )zˆ = 0
olur. TE kutuplanmasında elektrik alanı eksen üzerinde yer aldığından kesiklidir,
ancak manyetik alan eksen dışında olduğundan süreklidir. TM kutuplanmasında ise
elektrik alanı eksen dışında, manyetik alan eksen üzerindedir.
w = c kx + ky
2 2
(4.41)
şeklinde ifade edilir. (4.41) denklemi şekil 4.14’de verildiği gibi bir koniyi
yansıtmaktadır.
44
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Şekil 4.14. İki boyutlu fotonik kristalde düzlem dalganın band yapısı ve konturlar (Huang, 2003)
45
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
İ İki boyutlu fotonik kristallere örnek olarak şekil 4.16’da gösterilen yapı
verilebilir.
46
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Dalga vektörü en yakın komşu birim hücreler arasındaki faz farkını tanımlar.
2π
X 0.5∗ ,0 : x yönü boyunca en yakın komşu birim hücre arasında 180
a
derecelik faz farkı vardır.
2π 2π
M 0.5∗ ,0.5∗ : köşegen yönü boyunca en yakın birim hücre arasında 180
a a
derecelik faz farkı vardır.
ky
(3) (2)
M M M(2) M(3)
Г(3) (2)
Г(2) (2)
Г(3)
X (4) X X X(4)
Şekil 4.17. Dielektrik çubukların kare örgüsünün ters uzayı (Sakoda, 2005)
47
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
2πc 2 2πc
, ’dır. Özdeş noktalar birbirlerine ters örgü vektörleriyle bağlıdır ve aynı
a a
özfrekansa sahiptir. Ancak birbirlerinin eşlenikleridir. Örneğin, k x ayna simetrisine
48
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
ikincisi birincisine ortogonal olmak için bir düğüm düzlemine sahip olur. Yüksek
dielektrik bölgesinde elektrik alanların yoğunlaşma derecesi yoğunlaşma faktörünü
tanımlar. Buna göre yoğunlaşma faktörü:
∫d rε 1 (r ) E(r )
3 2
f = (4.43)
∫d rε 2 (r ) E(r )
3 2
şeklinde yazılır. Yüksek dielektrik bölgesinden daha düşük bir dielektriğe karşı
2
hareket edildiğinde enerji yoğunluğunu ifade eden ε E , E alanı arayüzeye paralel
ise ε 2 ile kesikli şekilde azalacaktır ( E // sürekli), ancak Elektrik alanı arayüzeye
ε1
ε1
dik ise ile kesikli bir şekilde artacaktır ( εE ⊥ sürekli). TM kiplerinde elektrik
ε2
alanı arayüzeylere paralel olduğundan büyük bir yoğunlaşma faktörü mümkündür.
TE kiplerinde ise elektrik alan çizgileri sınırda yüzeyi keser. Bu yüzden çubuklar
dışında elektromanyetik enerjiyi zorlayarak büyük bir yoğunlaşma faktörünü
engeller. Bu yüzden TE kiplerinde band aralığı görünmez.
Şekil 4.18’de hava içindeki dielektrik çubukların kare örgüsünün TM ( e( x )
dalgası) ve TE ( o( x ) dalgası) band yapısı verilmektedir. TM tek frekanslı kipleri,
TE ise çift frekanslı kiplere ait bandlardır. TM ışığında elektrik alan çizgileri
çubuklara (rodlara) paralel iken, TE ışığında diktir. Görüldüğü gibi, dielektrik
çubuklarda TM ışığı için mutlak fotonik band aralığı oluşurken, TE ışığı için kısmi
band aralığı oluşmaktadır. Bu durumda çubuklar için en uygun olanı TM ışığıdır.
Çünkü TM ışığı sisteme gönderildiğinde ışığın bir kısmı bazı frekanslarda (fotonik
band aralığı içindeki frekanslar) tam yansımaya uğrar, bir kısmı ise bazı frekanslarda
(fotonik band aralığı dışındaki frekanslar) kırılarak geçer. Fotonik band aralığı
içerisindeki frekanslarda gelen dalgalar ile aynı fazda birbirini kuvvetlendirerek
yansıyan dalgalar birbirini sönümler. Bu dalgalar eksen üzerinde yayıldığından
periyodik yapı içerisinde ilerleyemez. Kırılarak geçen dalgalarda ise yansıyan
dalgalar zıt fazlı olduğundan birbirini sönümler ve gelen dalgayla birleşemezler.
Dielektrik bandında M kenarında oluşan TM kipi ile hava bandında X kenarında
oluşan TM kipi fotonik band aralığını belirlemektedir.
49
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
düğüm
düğümsüz düğüm
s örgüsü
π örgüsü
düğüm çizgisi
düğüm çizgisi
δ örgüsü
50
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
bandı 2 bir düğüm çizgisi içeren π örgüsünü, TM bandı 5 ise iki düğüm çizgisi olan
δ örgüsünü vermektedir.
Fotonik band aralığı bu tür yapılarda TE için mutlak iken TM için kısmidir.
Bu örgünün band yapısı şekil 4.21’de verilmektedir. TE ışığı için H manyetik alanı
çubuklara paralel iken elektrik alan çizgileri çubuklara diktir. Burada gözlenen
durum dielektrik çubuklarda oluşan durumla terstir. TE ışığı sisteme gönderildiğinde
ışığın bir kısmı tam yansımaya uğrar, bir kısmı ise kırılarak geçer. TM ışığı ise
sadece kırılarak geçer. Diğer bir taraftan manyetik alan vektörü deşik ile dielektrik
arasındaki arayüzeye paralel olduğundan sürekliliğe sahiptir. Bu yüzden deşik ve
dielektrik üzerinde farklı yoğunlaşma faktörleri oluşur. Ancak TM kipinde manyetik
alan arayüzeye dik olduğundan yoğunlaşma faktörünü engellenir. Bu yüzden
deşiklerin altıgen örgüsünde TM kipi için bir mutlak fotonik band aralığı gözlenmez.
TE kiplerinde manyetik alan enerjisinin yoğunlaşması her bir band için farklı olur.
Bu manyetik alan özfonksiyonlarının oluşturduğu alan örgüleri bandlara göre tek
kutuplu, çift kutuplu ve dört kutuplu olur.
51
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
52
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Hava bandı
Frekans c/a
Dielektrik band
k dalga vektörü
w = w0 + α (k − k 0 )
2
(4.44)
şeklinde yazılır. Minimum (aralık üstündeki ilk yayılan minimum) konum
(k 0 , w0 ) ,α pozitif sayı ve w0 aşağısındaki frekans için aralık içerisinde küçük ∆w
∆w
k = k0 ± i (4.45)
α
şeklinde yazılır. Bu, üstel zayıflama oranını veren sanal bölümdeki (fotonik band
aralığı içindeki bölüm) kompleks dalga vektörüdür. Daha geniş bir band aralığı için
53
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
∆w geniş olur ve böylece daha kuvvetli bir yerelleşme (daha hızlı alan zayıflaması)
meydana gelir.
Bir boyutlu fotonik kristalin tek bir tabakasının genişliği ve kırıcılık indisinin
farklı olması kesikli dönüşüm simetrisinin kırdığından örgü kusuru oluşur. Örgü
kusurunun her iki yanındaki çok tabakalı filmler özel frekans aynası gibi davranır.
Bu, ışığın sınırlı bir bölgede yerelleşmesi demektir.
Şekil 4.23. Bir boyutlu fotonik kristalin örgü kusurunda yerelleşen kip (Joannopoulos, 1995)
Şekil 4.23’de görüldüğü gibi örgü kusurunun kalınlığı arttıkça frekans azalır.
Çünkü kip titreşmek için daha çok uzaya sahip olacaktır. Kalınlıktaki artış hava
bandından aralık içerisine ardışık kesikli kipleri çeker ve böylece kipler tuzaklanır.
Örgü kusurunun her iki tarafı yansıtıcı duvarlara sahip olduğundan ışıma kiplerinin
sızması engellenir ve elektrik alan büyüklüğü örgü kusuru dışında zamanla azalır.
Diğer bir taraftan kalınlık sabit kalmak şartıyla tek bir tabakanın dielektrik
sabitindeki artma veya azalma frekanstaki artma veya azalmayı oluşturur. Bu
durumda hava bandından aralık içerisine ya da dielektrik banttan aralık içerisine
kipler çekilir. Örgü kusurunun yerelleşme derecesi frekans, aralığın merkezine yakın
olduğunda en büyük olacaktır.
54
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Şekil 4.24’de görüldüğü gibi iki boyutlu fotonik kristalin tek bir sütunu
çıkarıldığında veya yer değiştirildiğinde, boyutu, şekli, dielektrik sabiti değiştiğinde
örgü kusuru oluşturulabilir. Fotonik kristal band aralığındaki mutlak frekanslarda ışık
yansır. Eğer örgüden bir çubuk çıkarılırsa yansıtıcı duvarlarla çevrili bir oyuk
oluşturulur. Eğer oyuk boyutu kipi destekleyecek büyüklükte ise ışık kaçamaz.
Şekil 4.24. Örgü kusurları ve yüzeyin iki boyutlu durumu (Soukoulis, 1996)
Oyuk yansıtıcı duvarlara sahip değilse kip frekansı, band aralığında tuzağa
düşürülemez; kipler, hava bandı seviyelerinin sürekli dizisine sızar. Örgü kusuru
artık yerelleşmiş kip yaratamaz. Bu durumda kip, örgü kusuru yakınındaki alan
enerjisiyle yoğunlaşır. Eğer kılavuzlu band, ışık konisi kenarına ulaşırsa rezonans
seviyesi durumu hacimsel temelden (background) uzakta sonsuza kadar küçük
genlikte genişleme) olur. Bu durumun olması için örgü kusuru ışıma kipinin
sızmasını engelleyen yansıtıcı duvarlarla çevrili değildir. Bu durumdaki sızan kipe
sızdırılan kip (leaky mode) veya rezonans kipi denir.
55
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Şekil 4.25. Çubuk yarıçapının azalmasıyla oluşan örgü kusurunun yerelleşen kipi (Johnson, 2003)
56
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
şeklinde ifade edilir. Diğer bir taraftan dielektrik çubuğun yarıçapı daha büyük
olduğunda kip hava bandından fotonik band aralığına aşağıya çekilir. Bu duruma
verici (donor) denir. Ancak, burada aynı w ’ de çift dejenerelik ortaya çıkar.
Şekil 4.26. Çubuk yarıçapının artmasıyla oluşan örgü kusurunun yerelleşen kipi (Johnson, 2003)
57
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
azaltır. Bu, örtüşen kip sayısını azaltır, yani daha düşük sıralı kip elde edilir).
Sağdaki, tek bir çubuğun dielektrik sabitinin artmasıyla oluşturulan bir örgü
kusurudur. Bu kip, örgü kusuru içindeki iki düğüm çizgisiyle dört kutuplu örgüye
sahiptir. (Dielektrik sabitindeki artış, daha çok yansıma oluşturacağından daha çok
kipin üst üste gelmesi ve daha üst sıralı kipin oluşması demektir).
Şekil 4.27. Çubuk yarıçapı değişimine göre örgü kusuru kipinin elektrik alan dağılımı(Johnson, 2003)
Fotonik band aralığı içerisinde kılavuzlanmış kipler sadece nokta örgü kusuru
ile değil aynı zamanda doğrusal dalga kılavuzu gibi davranan çizgi örgü kusurları ile
oluşturulabilir. Nokta örgü kusuru ile doğrusal örgü kusuru arasındaki temel fark,
nokta kusuru için fotonik band aralığı içerisindeki bir kip frekansında yerelleşme
olmasıdır. Doğrusal bir örgü kusuru için kipin davranışı sadece frekansın fonksiyonu
olarak değil, aynı zamanda dalga vektörünün bir fonksiyonu cinsinden
yazılabilmesidir.
58
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
niceliktir. z yönü içinde sürekli dönüşüm simetrisi vardır. k z korunan bir niceliktir.
Sadece TM kutuplanması göz önünde tutulduğunda şekil 4.29’da k y ‘ye karşı w
band diyagramı verilmektedir. Kristal içerisinde uzanan kipler sürekli bölgede (mavi
bölge) bulunmaktadır. Sarı bölge band aralığını, kırmızı çizgi ise örgü kusuru bandını
vermektedir.
Dalga kılavuzları ışıma kayıplarını engelleyen rezonans oyukları ve
bükülmelerle sıfıra yakın yansıma ve kayıp ile fotonik band aralığında kılavuzlanmış
59
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
Doğrusal dalga kılavuzları kısa dalga boyunda tam yansıma yöntemi ile
çalışır. Şekil 4.30’da verildiği gibi dalga kılavuzu genişliği dalgaboyunun yarısı
olması gerekir. Böylece temel kip olan m = 0 kipini yerelleştirmek mümkün olur.
Işığın dalgaboyundaki azalma durumlarına göre dalga kılavuzunda kipler m ile
sınıflandırılır.
60
4.TEORİK ALTYAPI Utku ERDİVEN
w
Cladding indisi
Cladding
3
2 Çekirdek (core)
1
Çekirdek indisi Cladding
0
w küçük
w büyük
k λ büyük λ küçük
Şekil 4.31. Dalga kılavuzundaki temel kipin frekansa bağlı değişimi
61
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
5. BULGULAR VE TARTIŞMA
5.1. GaAs
62
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
Özellikler Parametreler
Kristal yapısı Zinc blende ( Çinko sülfür )
Örgü sabiti 5.65 A0
Yoğunluk 5.32 g/cm3
Atomik yoğunluk 4.5 x 1022 atom/cm3
Moleküler ağırlık 144.64
Hacim modülü 7.55 x 1011 dyn/cm2
Genleşme katsayısı 5.8 x 10-6 K-1
Özısısı 0.327 J/g-K
Örgü termal iletkenliği 0.55 W/cm-0C
Dielektrik sabiti 12.85
Band aralığı 1.42 eV
Eşik alanı 3.3 kV/cm
Elektron hareketliliği 8500 cm2/V-s
Boşluk hareketliliği 400 cm2/V-s
Erime noktası 12380C
Sudaki çözünürlük < 0.1 g/100 ml(20°C)
Kaynama noktası -
Işığın vakumdaki dalga boyu λ = 1.5 μm olarak seçilmiştir. Grafiğe göre ilk
63
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
64
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
Şekil 5.3. Dielektrik çubukların kare örgüye ait ilk iki TM band yapısı ve yerelleşmiş kipler
65
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
düzleme dik olarak titreşirken, manyetik alan çizgileri düzleme paralel olarak titreşir.
İkinci fotonik band aralığı TM bandı 4 ve TM bandı 5 arasında olur. Fotonik
band aralığının frekans aralığı 0.715 – 0.743’dür. Frekans aralığı ortalaması ise
0.729’dur. Band aralığının genişliği ise % 3.89’dur. Oluşan kipler, daha yüksek
frekanslı daha yüksek dereceli kiplerdir ve dört kutupludur. Oluşan bu fotonik band
aralığı aynı X noktasındadır. Bu durum, Şekil 5.4’de verilmektedir.
Şekil 5.4. Dielektrik çubukların kare örgüye ait 4. ve 5. TM band yapısı ve yerelleşmiş kipler
66
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
67
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
Şekil 5.7’de görüldüğü gibi bu örgüler TE bandları için mutlak fotonik band
aralığı oluşturmaktadır. İlk iki TE bandı arasındaki fotonik band aralığı (0.299-0.492)
% 48.5’lik band aralığı yüzdesine karşılık gelmektedir. Bu band yapısında elektrik
alan çizgileri düzleme paralel iken, manyetik alan vektörü düzleme diktir.
TE bandı 1 ve TE bandı 2 arasındaki % 48.5’lik fotonik band aralığı
k=11’deki ilk band ile k=6’daki 2.band arasında olmaktadır. M noktasındaki ilk TE
bandında manyetik alan deşikler içerisinde yoğunlaşmaktadır. X noktasındaki ikinci
bandın M noktasındaki ilk banda ortogonal olması için deşikler üzerinden bir düğüm
çizgisi geçer. İkinci fotonik band aralığı TE bandı 5’in X noktası ile TE bandı 6’nın
Г noktası arasında olmakta ve % 1.6’lık fotonik band aralığı yüzdesine sahiptir. TE
bandı 5’de dielektrik çubuklar üzerinden bir düğüm çizgisi geçerken, TE bandı 6’nın
diğerine ortogonal olması için dielektrik çubuklar üzerinden iki düğüm çizgisi geçer.
Şekil 5.8’de ise bu bandlara ait manyetik alan özfonksiyonları ile tanımlanmış
olan alan örgülerinin TE kipleri verilmektedir. Bu bandlara ait olan kipler birbirine
68
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
69
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
ortogonal olmak için deşikler üzerinden iki düğüm çizgisi geçer. Bu örgü dört
kutuplu iki düğüm çizgisi içerenδ örgüsüne benzemektedir.
Şekil 5.10’da görüldüğü gibi deşikler TM band yapısına uygun değildir. Sadece belli
frekans aralıklarında kısmi fotonik band aralığına sahiptir.
70
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
değişim ∆k = π ‘den bulunur. Şekil 5.11’de görüldüğü gibi bir dielektrik çubuğun
L
ortadan kaldırılmasıyla oluşturulan oyuk hava örgü kusuru oluşturur. Bu durumda
dielektrik banttaki temel kip aralık içerisine çekilir.
Dielektrik çubukların yarıçapı 0.2 iken, dielektrik örgü kusuru bir çubuğun
kaldırılmasıyla oluşturulmuştur. Kip frekansı 0.314’dür. Bu frekansa karşılık gelen
etkin dielektrik sabiti yaklaşık olarak 5.41’dir. Bu değer kök bulma algoritması
Ridder’s yöntemi ile bulundu. Bu yöntem ile elde edilen ışıma kipi tek kutuplu kiptir.
Şekil 5.11. Dielektrik örgü kusurunun iki boyutlu yapısı ve yerelleşen kip
71
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
Akım kaynağı olarak frekansı 0.15 olan noktasal bir kaynak kullanıldı.
Frekans vakum dalgaboyunun tersine eşittir. Bu durumda 0.15 frekansı vakumda
1/0.15 = 6.67 dalgaboyuna karşılık gelir. Dielektrik sabiti 12 olan materyal içinde
yaklaşık olarak dalgaboyu 2’dir. Dalga kılavuzu yarım dalgaboyu genişliğindedir. Bu
durumda elde edilen kip tek-kip olur. Elektrik alanın z bileşeni ve manyetik alanın
x , y , z bileşenleri tanımlandı. Simülasyonun tam olarak yapılabilmesi için sınır
şartlarının belirlenmesi gerekir. Soğurucu sınırlar mükemmel bir şekilde uyumlu
tabakalar (PML) ile sağlandı. Bu durumda hücrenin bütün kenarlarına kalınlığı 1
olan soğurucu tabaka eklendi.
Birim uzaklık başına pixel sayısını veren çözünürlük 10 alındı. Bu değer hava
içinde birim dalgaboyuna 67 pixel, dielektrik malzeme içinde birim dalgaboyuna 20
pixel’e karşılık gelir. Şekil 5.12’deki sekizinci banda ait kipe dikkat edilirse kaynak
dalga kılavuzundaki kipleri uyardığında oluşan ışıma alanları dalga kılavuzundan
uzağa ilerlemektedir. Sınırlarda PML tabakalarından dolayı alan hızlı bir şekilde
sıfıra gider.
Çizgisel örgü kusurunda diğer elde edilen sonuç genlikle ilgilidir. Maksimum
genliğe sahip kip 8 bandına aittir. Genlik, 0.34 ile 0.89 arasında değişmekte ve 8
bandının maksimum genliği 0.89’dur. Genliğin band numarasına karşılık grafiği
şekil 5.13’de verilmektedir.
72
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
73
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
5.1.5 ZnTe
ZnTe’nin dielektrik sabiti 8.7’dir. GaAs gibi geniş bir fotonik band aralığına
sahip olan ZnTe’nin TM ve TE band yapıları hesaplandığında, dielektrik çubukların
kare örgüsü için en uygun olan bandın yine TM band yapısı olduğu görüldü. İlk
fotonik band aralığı brillouin bölgesi kenarlarında k=11(M noktası) ile k=6 (X
noktası) arasında oluşmaktadır. Şekil 5.14’de TM bandı 1 ile TM bandı arasındaki
frekans aralığı 0.445-0.327=0.118’dir. Frekans aralığını oluşturan değerlerin
ortalaması 0.386’dır. 0.118’in 0.386’ya oranı fotonik band aralığı yüzdesi yani
%30’u vermektedir. İkinci fotonik band aralığı brillouin bölgesinin X noktaları
arasında oluşmaktadır ve % 0.6’lık bir fotonik band aralığına, üçüncü fotonik band
aralığı Г ile M noktası arasında %1’lik fotonik band aralığına sahiptir. Г noktasında 3
ve 4 bandı, M noktasında 2 ve 3, 5 ve 6 bandı dejeneredir.
Dielektrik çubukların kare örgüsünde açıklandığı gibi bu örgüdeki ilk TM
bandında elektrik alan enerjisi yoğunluğu dielektrik çubuk üzerinde
yoğunlaşmaktadır. Merkezdeki dielektrik çubuk üzerindeki titreşimler ile
çevresindeki çubuklar üzerindeki titreşimler zıt fazlıdır. Bu yüzden merkezdeki
çubuk ile çevresindeki çubuklar arasına yıkıcı girişim sonucu düğüm çizgisi girer.
İkinci band ile birinci band birbirine diktir. Bu durumun sağlanabilmesi için
dielektrik çubuk üzerinden bir düğüm çizgisinin geçmesi gerekir.
74
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
75
5.BULGULAR VE TARTIŞMA Utku ERDİVEN
birleşemez.
76
6.SONUÇLAR VE ÖNERİLER Utku ERDİVEN
6.SONUÇLAR VE ÖNERİLER
77
6.SONUÇLAR VE ÖNERİLER Utku ERDİVEN
78
6.SONUÇLAR VE ÖNERİLER Utku ERDİVEN
kipler çekildiği görüldü. Diğer bir taraftan boşluğun yarıçapı azaldığında verici
durumunun meydana geldiği ve hava bandından band aralığına kiplerin çekildiği
gözlendi. Alıcıkipinin tek kutuplu kip, verici kipin çift kutuplu kip olduğu görüldü.
2
ck
ε (w ) = formülüne göre dielektrik sabiti pozitif ve reel olduğunda
w
elektromanyetik dalgaların sönümsüz olarak ilerlediği, dielektrik sabiti negatif
olduğunda elektromanyetik dalgaların tümüyle geri yansıdığı görüldü. Dielektrik
sabitinin pozitif sanal kısmının elektromanyetik dalganın ortama enerji verdiği,
negatif sanal kısmının ise ortam tarafından dalgaya enerji verdiği belirtildi.
79
KAYNAKLAR
80
COOKE S. J. and LEVUSH B. (2000), Eigenmode solution of 2D and 3D algorithm,
electromagnetic cavities containing absorbing materials using the Jacobi-
Davidson J. Comput. Phys. 157, 350-370
COSTAS M.SOUKOULİS, (1996), Photonic Bandgap Materials, Kluwer
DOBSON D. C. , (1999), An efficient method for band structure calculations in 2D
photonic crystals, J. Comput. Phys. 149, 363-376
DONGORRA J. J. , CROZ J. DU, DUFF I. S. , HAMMARLİNG S. (1990). A set of
Level 3 Basic Linear Algebra Subprograms, ACM Trans. Math. Soft. 16. 1-
17
D. M. PUSTAİ, A. SHARKAWY, S. SHİ, and D. W. PRATHER, (2002). Tunable
photonic crystal microcavities. Appl. Opt. 41. 5574-5579
E.ANDERSON, Z. BAİ, C. BİSCHOF, S. BLACKFORD, J.DEMMEL, J.
DONGORRA, J. DU CROZ, A.GREENBAUM, S. HAMMARLİNG, A.
MCKENNEY, and D. SORENSEN, (1999). Lapack Users' Guide (SIAM,
Philadelphia)
FAN S, (1995), Guided and Defect modes in periodic dielectric waveguides. J. Opt.
Soc. Am. B. 12, 1267-1272
FOWLES, (1975), Introduction to Modern Optics, Newyork: Dover
GİLL P.E. , MURRAY W. ,WRİGHT M. H. (1981), Practical Optimization,
Academic London
GOLUB G, C. VAN LOAN. (1989). Matrix Computations. Johns Hopkins
University Pres, Baltimore
GRALAK B. , ENOCH S. , TAYEB G. (2000), Anomalous refractive properties of
photonic crystals, J. Opt. Soc. Am. A, 17, 1012-1020
HECHT and ZAJAC, (1997), Optics, MA: Addison-Wesley
HESTENES M. R. , STİEFEL E. , (1952), Methods of Conjugate Gradients for
Solving Linear Systems, J. Research of the Nat. Bureau of Stand, 49, 2379-
409-436
HO K.M, CHAN C.T, SOUKOULİS C.M. (1990), Existence of a Photonic Gap in
Periodic Dielectric Structures, Phys. Review Lett. (3152-3155)
JACKSON, J.D.(1962), Classical Electrodynamics, John Wiley & Sons, New York
81
JOANNOPOULOS J.D. ,MEADE R.D. , and WİNN J.N. , (1995), Photonic Crystals:
Molding the Flow of Light, Princeton, Princeton University Press.15
JOHN, S. , (1987), Strong localization of photons in certain disordered dielectric
superlattices, Phys. Rev. Lett. 58, 2486–2489.
JOHNSON S.G. and JOANNOPOULOS J.D. , (2002), Photonic Crystals: The Road
from Theory to Practice, Boston: Kluwer.
JOHNSON S.G, IBANESCU M, SKOROBOGATİY M, WEİSBERG O,
JOANNOPOULOS J.D. , and FİNK Y, (2002), Perturbation theory for
Maxwell’s equations with shifting material broundaries, Phys. Rev. E, 65,
066611.
JOHNSON S.G and J.D.JOANNOPOULOS, (2003), Introduction to Photonic
Crystals, MIT
JOHNSON ve JOANNOPOULOS, (2001), Block-iterative frequency-domain
methods for Maxwell’s equations in a planewave basis, Opt. Express 8(3):
173-190
JOHNSON S.G, (2003), Photonic Crystals: A Crash Course in Designer
Electromagnetism, Yayınlanmamış
J.D.JOANNOPOULOS, P.R.VİLLENEUVE, S.FAN, (1997), Photonic crystals:
putting a new twist on light. Nature 386, 143-149
JUNG Y.HUANG, (2003), Design and Characterization Tools for Building Optical
Functionalities at the Nanometer Scales, IEO, NCTU
KAWAKAMİ ve WATTS, (2002), Analitically solvable model of photonic crystal
structures and novel phenomena, J.Lightwave Tech.20(8): 1644-1650
KİTTEL. C.(1986), Solid State Physics, John Wiley & Sons. Newyork
KUNZ K. S. (1993). The Finite Difference Time Bölge Method for
Electromagnetics, Boca Raton: CRC Press,
LEVENT SEVGİ, (2006), Düzlem dalgalar ve bir boyutlu FDTD simulasyonu,
Endüstri Otomasyon Dergisi
LORD RAYLEİGH (1887), On the maintenance of vibrations by forces of
doublefrequency, and on the propagation of waves through a medium
endowed with a periodic structure, Philosophical Magazine 24:145-159
82
LOURTİOZ J. M., BENİSTY H. , BERGER V. , GERARD J. M. , MAYSTRE D.
TCHELNOKOV A. (2008), Photonic Crystals Towards Nanoscale Photonic
Devices, Springer-Verlag Berlin Heidelberg
MALDOVAN ve THOMAS, (2004), Diamond-structured photonic crystals, Nature
MARADUDİN A. , McGurn A, (1993), in Photonic Band Gaps and Localization
Materials, 3: 593-600 (ed Soukoulis, C.), 247-268
MATHEWS J. and WALKER R. (1964), Mathematical Methods of Physics.
Addison-Wesley Redwood City, Calif
McCALL, (1991), Microwave propagation in two-dimensional dielectric lattices
Phys. Rev. Lett.67: 2017–2020
MEADE, (1991), Electromagnetic Bloch waves at the surface of a photonic crystal,
Phys. Rev. B 44:10961-10964
MEADE, KARL D. BROMMER, ANDREW M. RAPPE, J. D. JOANNOPOULOS,
(1992), Existence of a Photonic Bandgap in two dimensions, App. Phys.
Letters (495-497)
MEADE, K. D. BROMMER, ANDREW M. RAPPE, J. D. JOANNOPOULOS-
(1991), Photonic bound states in periodic dielectric materials. Phys. Rev. B
44, 13772.
MEADE, K. D. BROMMER, A.M. RAPPE, J. D. JOANNOPOULOS, and O. L.
ALERHAND. (1993), Accurate theoretical analysis of photonic band gap
materials. Phys. Rev. B 48, 8434
MEADE, O. ALERHAND, and J. D. JOANNOPOULOS. (1993), Handbook of
Photonic Band Gap Materials. JAMteX I. T. R.
MERZBACHER E. (1961), Quantum Mechanics. John Wiley & Sons, New York
MIT Lecture Notes, Study of EM waves in Periodic Structures, yayınlanmamış
MIT Photonic-Bands Package home page http://ab-initio.mit.edu/mpb/
MOGİLEVTSEV D. , BİRKS T. A. ,and P. St. J. RUSSELL. (1999). Localized
function method for modeling defect modes in 2D photonic crystals, J.
Lightwave Tech. 17, 2078-2081
NOVOTNY L, HECHT B. (2006), Principles of Nano-Optics, Cambridge University
Press, New York
83
PAİNTER O. , J. VUCKOVİC, and A. Scherer. (1999). Defect modes of a two- 16,
dimensional photonic crystal in an optically thin dielectric slab, J. Opt. Soc.
Am. B. 275-285
PALİK E. (1998), Handbook of Optical Constants of Solids, Academic Press
PARLETT B. N. (1980), The Symmetric Eigenvalue Problem, Prentice-Hall,
Englewood Cliffs, NJ
PAYNE M. C, TETER M. P, D.C. ALLAN, T.A. ARİAS, J.D. JOANNOPOULOS,
(1992), Iterative Minimization Techniques for ab initio Total-Energy
Calculations: Molecular Dynamics and Conjugate Gradients, Rev. Mod.
Phys. (1045- 1097)
PENDRY J. B. and A. MacKİNNON ,(1992). Calculation of photon dispersion
relations. Phys. Rev. Lett. 69. 2772–2775.
PLİHAL ve MARADUDİN, (1991), Photonic band structure of two-dimensional
systems: The triangular lattice, Phys. Rev. B 44: 8565-8571
ROBERTSON, (1992), Measurement of photonic band structure in a two
dimensional periodic dielectric array, Phys. Rev. Let.68: 2023-2026
ROBERTSON, (1993), Observation of surface photons on periodic dielectric arrays
Opt. Lett. 18(7): 528-530
RYU. H. Y. , M. NOTOMİ, and Y. H. LEE. (2003). Finite-difference time-bölge
investigation of band-edge resonant modes in finite-size two-dimensional
photonic crystal slab. Phys. Rev. B. 68, 045209-1-8
SAFA KASAP, PETER CAPPER, (2006), Handbook of Electronic and Photonic
Materials. Springer Science- Bus. Med, Inc. New York
SAKODA K, (2001), Optical Properties of Photonic Crystals. Berlin: Springer.
SAKODA K. , SHİROMA H. (1997), Numerical method for localized defect modes
in photonic lattices, Phys. Rev. B. 56, 4830-4835
SHANKAR R. (1982), Principles of Quantum Mechanics. Plenum Pres, New York
SHEWCHUK J. R. (1994), An introduction to the Conjugate Gradient Method
without the agonizing pain, Mellon Univ. PA-15213
SİPE J.E, (2000), Vector k ·p approach for photonic band structures, Phys. Rev. E,
62, 5672–5677.
84
SMAJİC J. , HAFNER C. , ERNİ D. (2003), Opt. Soc. of A. ,11, 1378-1384
SMİTH, (1993), Photonic band structure and defects in one and two dimensions,
J.Opt. Soc. Am. B 10(2): 314-321
SÖZÜER H. S. , J. W. HAUS, and R. INGUVA. (1992), Photonic bands:
Convergence Problems with the plane-wave method, Phys. Rev. B 45, 13962
TAVLOVE A. (2000), Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time
Domain Method, Norwood, Massachusetts: Artech House
TOADER O. , SAJEEV J. (2004), Photonic band gap enhancement in frequency
dependent dielectrics, Phys. Rev. E.70: 046605-1-15
VİLLENEUVE and PİCHE, (1992), Photonic bandgaps in two-dimensional square
and hexagonal lattices, Phys. Rev. B 46: 4969-4972
VİLLENEUVE P. R. , FAN S. , JOANNOPOULOS J. D. (1996), Microcavities in
Photonic Crystals: Mode Symmetry, Tunability, and coupling efficiency,
Phys. Rev. B. 54. 7837-7842
WİLLİAM H. PRESS, SAUL A. TEUKOLSKY, WİLLİAM T. VETTERLİNG,
BRİAN P. FLANNERY, (1992), Numerical Recipes in Fortran 77,
Cambridge University Press
WİNN, (1998), Omnidirectional reflection from a one-dimensional photonic crystal
Opt. Lett.23(20): 1573-1575
WİNN, (1994), Two-dimensional photonic band-gap materials, J.Mod. Opt. 41(2):
257-273
YABLONOVİTCH, (1989), Photonic band structure, Phys.Rev.Lett. 63: 1950-1953
YABLONOVİTCH, (1987), Inhibited spontaneous emission insolid-state physics
and electronics, Phys. Rev. Lett. 58, 2059–2062.
YABNLONOVİTCH, (2001), Photonic crystals: Semiconductors of light, Scientific
American, 47-55
YABLONOVİTCH, T. J. GMİTTER, R. D. MEADE, K. D. BROMMER, A. M.
RAPPE, and J. D. JOANNOPOULOS (1991), Donor and acceptor modes in
photonic band structure. Phys. Rev. Lett. 67 3380.
YARİV A. , and YEH P. , Optical Waves in Crystals, John Wiley & Sons, Inc. 1984.
YARİV A. (1985). Optical Electronics. Holt, Reinhart and Winston, New York
85
YEH P. (1988). Optical Waves in Layered Media. John Wiley & Sons, New York.
YOSHİE T. , J. VUCKOVİC, A. SCHERER, H. CHEN, and D. DEPPE, (2001).
High quality two dimensional photonic crystal slab cavities. Appl. Phys. Lett.
79, 4289-4291
ZHANG ZE and SASHİ SATPATHY. (1990). Electromagnetics wave propagation
in periodic structures: Bloch wave solutions of Maxwell’s equations. Phys.
Rev. Lett. 65, 2650.
86
ÖZGEÇMİŞ
87
EK A
Elektromanyetik ve Kuantum Teorisi Arasında Karşılaştırma
Çizelge A.1. Kuantum mekaniği ile elektromanyetik teorinin karşılaştırılması
Periyodik potansiyel içinde Periyodik dielektrik içinde
kuantum mekaniği ( kristal ) elektromagnetizma (fotonik kristal )
Bütün bilgileri Skaler dalga fonksiyonu ψ (r, t ) Manyetik alan vektörü H (r , t )
kapsayan
anahtar
fonksiyon nedir?
Uzaysal Enerjinin özdurumlarının Harmonik kiplerin genişletilmesi
bağımlılıktan genişletilmesi H (r , t ) = ∑ w c w H w (r )e −iwt
fonksiyonun − iEt
zamana bağlılığı ψ (r , t ) = ∑ E c Eψ E (r )e h
88
Normal kipler ve frekansları ψ , H ’ın özdurumu olduğunda H , Θ̂ ’nın bir özdurumu
tanımlayan varyasyon ilkesi
(ψ , Hˆ ψ ) olduğunda küçültülür.
E=
(ψ ,ψ ) U=
(H , ΘH )
(H , H )
Değişim teoremi ile birlikte Dalga fonksiyonu daha düşük Elektromanyetik alanlar, daha
hareket eden deneye dayalı enerji durumlarına ortogonal düşük frekanslı kiplere
olan nedir? kalırken, daha hızlı ortogonal kalırken, daha hızlı
titreşmeksizin potansiyel titreşmeksizin daha yüksek ε
kuyusu içinde yoğunlaşır. bölgesi içinde yoğunlaşır.
Sistemin fiziksel enerjisi nedir? Hamiltonyanın E özdeğeri Ortalama elektromanyetik enerji
U=
1 3
4 ∫ (
d r ε 0 εE 2 + µ 0 H 2 )
Sistemin doğal uzunluk ölçeği Bohr yarıçapı gibi fiziksel Yoktur.
nedir? sabitler
A , sistemin simetrisi midir diye A , Hamiltonyanı komute A Maxwell operatörünü
söyleyen matematiksel durum ediyor. komute ediyor : A, Θ [ ]
ˆ =0
nedir? [A, H ] = 0
ψ k (r ) = u k (r )e ik .r H k (r ) = u k (r )e ik .r
sınıflandırılır?
k dalga vektörü için gerekli Onlar ters uzayda brillouin Onlar ters uzayda brillouin
değerler nedir? bölgesinde uzanırlar. bölgesinde uzanırlar.
89
Kuantum mekaniği Fotonik kristaller
90
EK B:
Düzlem Dalga Yöntemi ile Band Hesabı
r = ∑ ε (G − G ')e
1 −1 i (G − G ' ).r
(B.2)
ε (r ) G ,G '
r r
∇.H kr (r ) = 0 ⇒ (k + G ).h Gr = 0
(B.6)
h ⊥ (k + G )
r
G
91
( )
r r
durumu sağlanmalıdır. eˆ1Gr , eˆ2Gr , kutuplanma vektörleridir ve k + G ’ ye dik düzlem
H veya E
e1,G e2,G
k+G
(k + G ) × eˆ 1Gr = k + G eˆ 2Gr
(B.8)
(k + G ) × er 2Gr = − k + G er1Gr
(k + G ') × h Gr ' = k + G ' (h1Gr 'eˆ 2Gr ' − h2Gr 'eˆ 1Gr ' )
dalgaların sayısıdır.
92
EK C
93
Program içindeki bütün uzaysal vektörler basis-size uzunlukları için normalize olmuş
örgü yönlerinin temelinde tanımlanır.
Bundan sonraki aşama sistemin geometrisini oluşturmaktır. libctl ile okunan
geometrik nesneler (make type(property value 1) (property value 2)...) biçiminde
oluşturulur.Geometrik nesnelerin alt-sınıfları vardır: silindirler, küreler, bloklar.
(set! geometry (list (make cylinder
(center 0 0 0) (radius 0.2) (height infinity)
(material (make dielectric (epsilon 12))))))
Hesaplanan hücrenin boyutu belirlenir. 1x1 iki boyutta örgüyü verir.no-size sistemin
boyutluluğunu indirger.
(set! geometry-lattice (make lattice (size 1 1 no-size)))
Bu hücre çözünürlüğe göre kesiklidir. Küçük ızgaralanmış bölgeler daha net bilgi
verir. Bunun için 32x32 hesaplama ızgarası oluşturuldu.
(set! resolution 32)
Band yapısını hesaplamak için en basit yol (run) komutudur. İki boyutlu hesap için
bandlar TE ve TM kutuplu kiplere ayrılmıştır.( run-te ) ve ( run-tm)
Bu aşamadan sonra TM ve TE frekansları elde edilir.
Band yapısı hesaplandı ve her bir k noktasındaki özfrekanslar sağlandı. Alanların
nasıl göründüğünü veya dielektrik fonksiyonunu kontrol etmek için HDF dosya
çıktısı gerekir. HDF, çok boyutlu bir bilimsel veri için çift formattır, ve görüntüleme
programları ile okunabilir. HDF (hiyerarşik veri formatı) formatı içindeki çıktı
dosyaları ‘’.h5’’ile dosya isimlerinin sonuna eklenir. Birim hücre içindeki dielektrik
fonksiyon ‘’epsilon.h5’’dosyası içerine yazıldı. Dielektrik fonksiyonlardaki alanların
çıkışını almak için run fonksiyonunda daha fazla argumana ihtiyaç vardır. Örneğin,
(run-tm output-efield-z)
(run-te (output-at-kpoint (vector3 0.5 0 0) output-hfield-z output-dpwr))
Bu komut, sadece X noktasındaki TE için elektrik alan enerji yoğunluğunu ve
manyetik alanın z bileşenini; bütün k noktalarındaki TM bandları için elektrik alanın
z bileşenini verir.
Çıkış dosya ismi ‘’e.k12.b03.z.te.h5’’dir. 12.k noktasının (.k12) üçüncü bandı (.b03)
için elektrik alanın (e) TE (.te) sinin (.z) bileşenini için hesaplama yapılmıştır. Her
HDF5 dosyası çok katlı veri içeriyor. Bu durumda alanın gerçel ve sanal bölümlerini
(z.r ve z.i) ve alanların bileşenlerinin tamamını içerir.
94
Dielektrik fonksiyon epsilon.h5 dosyasında tanımlandığında, h5utils paketindeki
h5topng sayesinde bir PNG görüntüsüne dönüşebilir.
unix% h5topng -S 3 epsilon.h5
95
Resolution: Örgü birimi başına görüntü ekranlarındaki hesaplanan ızgara
çözünürlüğünü tanımlar. Eğer ayrışma 3-vektör ise her bir yönelim için farklı
ayrışma tanımlanır, yoksa ayrışma sabittir.
Grid-size: Örgü yönlerinin her biri boyunca kesikli hesaplanan ızgaranın boyutunu
tanımlanır.
k–points: Ters örgü vektörlerinin temelinde tanımlanan bandları hesaplamak için
bloch dalga vektörlerini listeler.
Num-bands: Her bir k noktasındaki bandların sayısını (özvektörleri) hesaplar.
Basis1, basis2, basis3: Kristalin üç örgü yönü kartezyen temelinde tanımlanır. Bu
vektörlerin uzunluğunu tanımlamaz.
Basis-size: Temel-boyutun bileşenleri üç temel vektörün uzunluklarıdır.
Size: Temel vektörlerin birimleri içindeki örgünün boyutudur. Böylece, örgü
vektörlerinin gerçek uzunlukları elde edilir.
Run-te and run-tm: İki boyutta TE ve TM kutuplu olması için onların çözümlerini
elde etmede kullanılır. TE ve TM kutuplular xy düzlemindeki elektrik ve manyetik
alanları tanımlar.
96