INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE

CHAMPOTON

UNIDAD 1
DIODOS

ELECTRONICA ANALOGICA

ALUMNO: IRWING ALEXIS COTO COAZOZON

PROFESOR: MAURO GABRIEL GONZALEZ GONGORA

CONSTRUCCION DE UN DIODO

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la

circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes.
En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales
semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material
es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partculas
negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la
diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Cuando se aplica un
voltaje de paralizacin directa (voltaje de corriente directa) la regin inica en la
unin se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la
barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial
aplicado.
Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor, en la que un lado se
contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres;
germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicioha reemplazado al
germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la
operacin a temperaturas ms altas, y los costosde material son mucho menores.
El arsenurio de galio esparticularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y
microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambiode material de
tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica defabricacin. La caracterstica
esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se

debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se

comporta como un diodo.

Diodo de germanio

Diodo de silicio

1.1.1 Semiconductores Contaminados P y N

Son componentes basados en la propiedad de ciertos materiales como el silicio, el
germanio, el sulfuro de cadmio y el arseniuro de galio entre otros; y tienen la
particularidad de comportarse indistintamente como conductores o aislantes bajo
determinadas condiciones externos o estmulos; de all que se dice que sus

caractersticas son dependientes de factores de la naturaleza, como la luz, la

temperatura, campos magnticos, etc.

Semiconductores tipo N: Se aaden tomos de valencia 5 (fosforo, arsnico,

antimonio) con lo que al combinarse con el silicio queda un electrn libre por cada
tomo pentavalente.
Semiconductores tipo P: Se aaden tomo de valencia 3 (boro, galio) con lo que al
combinarse con el silicio queda un hueco por cada tomo trivalente que se
comporta como una carga positiva.
En electrnica los semiconductores ms usados tocados por el hombre son los
diodos, transistores, Tiristores, y los circuitos integrados; todos construidos
principalmente a base de silicio.
La caracterstica principal de los semiconductores que los distingue de los
conductores y aislantes es su estructura atmica.
Los conductores como el cobre, la plata y el oro, tiene pocos electrones en la
rbita de valencia, justamente 1, los cuales son atrados dbilmente por el ncleo
del tomo. Entonces, bajo la influencia de fuerzas externas, dicho electrn de
valencia puede escapar fcilmente del tomo, pasando as a ser un electrn libre
que viaja a travs del material y propicia junto a otros similares el establecimiento
de corrientes elctricas.
Por su parte los aislantes relativamente tienen muchos electrones de valencia,
tpicamente 8, y los mismos estn fuertemente ligados al ncleo del tomo.

Entonces resulta muy difcil convertirlos en electrones libres y obligarlos a

participar en la creacin de corrientes elctricas
1.1.2 unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente
de silicio (Si), aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N
segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar
cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn
otro metal o compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar
fotovoltaica.

Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que
deja un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn
libre. Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se
debe a la temperatura (como una aplicacin, al caso, de las leyes de la
termodinmica) o a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor puro
(intrnseco) se cumple que, a temperatura constante, el nmero de huecos es igual
al de electrones libres.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos
con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente
trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos, huecos).

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado

aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5
electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).

Barrera interna de potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p .
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de

potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de

deplexin, de vaciado, etc.

Polarizacin directa de la unin PN

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P
- N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor

que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.

Polarizacin inversa de la unin PN

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin

en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo
que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo
que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

1.2 TIPOS DE DIODO

Diodo detector o de baja seal
Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto
puntual, estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN
muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales
pequeas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la
componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia
(informacin audible). Esta operacin se denomina deteccin.

Diodo rectificador
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen.
Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en
inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie, por
ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de un semiconductor, el 1 indica el
nmero de uniones PN y el 4004 las caractersticas o especificaciones exactas
del dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos
letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la B indica el material (silicio) y la Y el
tipo (rectificador).

DIODO ZNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de
mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran
polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se
les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4
voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su
voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zener se identifican por una
referencia, como por ejemplo: 1N3828 BZX85, y se especifican principalmente

por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia mxima que pueden absorber en
forma segura sin destruirse (PZ)

DIODO VARACTOR
El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como
condensadores variables controladas por voltaje. Esta caracterstica los hace muy
tiles como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin
muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de
FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos
SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs)

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si
este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.
Los LEDs se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la cada
de voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima corriente directa
(IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se
consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms de 100 mA
e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000 mcd.
Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de

VF depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs
azules. Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para
limitar la corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima.
Tambin deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso
superior a 5V causa generalmente su destruccin inmediata del LED.

1.3 APLICACIONES DEL DIODO

Principio de funcionamiento
Estos tipos de circuitos utilizan dispositivos de una o ms uniones PN como
elementos de conmutacin.
Se disean con el objetivo de recortar o eliminar una parte de la seal que se le
introduce en sus terminales de entrada y permita que pase el resto de la forma de
onda sin distorsin o con la menor distorsin posible. Para realizar esta funcin de
recortar, los recortadores hacen uso de la variacin brusca que experimenta la
impedancia entre los terminales de los diodos y transistores al pasar de un estado
a otro, de ah que sean los elementos bsicos en dichos circuitos.

Recortador de diodo paralelo

En la figura se muestra el circuito y la forma de onda obtenida a la salida del
mismo. Como se observa la seal de entrada es una seal sinusoidal y el circuito
cuenta con una resistencia, un diodo en serie con una fuente polarizado en inversa
y una R de carga. Cuando el voltaje de la fuente se hace mayor que la suma del
voltaje de la fuente y el voltaje umbral de conduccin del diodo, el diodo se
polariza en directa y obtenemos la forma de onda mostrada.

Si invertimos el sentido del diodo. podemos obtener formas de ondas como la

mostrada en esta figura. A este tipo de circuito se le llama recortador por debajo.

Recortador de diodo serie

Al igual que podemos recortar una seal con los circuitos antes mencionados, en
los que el diodo se encontraba en la rama paralelo, tambin podemos obtener
resultados anlogos si el diodo se encontrara en la rama serie. Si consideramos el
circuito de la figura IV., resulta evidente que en valores de voltaje de entrada
mayores que (VR-V), el diodo est polarizado a la inversa, por lo tanto, no permite
que la seal a la entrada pase a la salida, es decir, recorta la seal de entrada al
valor (VR-V). Los voltajes VR y V se restan porque VR est conectado con el
terminal positivo hacia el nodo, o sea, favoreciendo la conduccin. En valores de
voltaje a la entrada menores que (VR-V)el diodo conduce y a la salida se obtendr
la misma seal que a la entrada.

Doble recortador de diodos

En los recortadores analizados hasta ahora solo se recorta a un solo nivel
determinado por la fuente VR que puede ser ajustable. No obstante, en muchas
aplicaciones prcticas resulta de inters poder recortar la seal a 2 niveles
distintos que puedan ser ajustados a voluntad, e independientemente. En tales
ocasiones se utilizan dobles recortadores de diodo que constan de 2 recortadores
como los ya analizados, por lo tanto, podemos considerar 4 configuraciones de
dobles recortadores que en lo sustancial son capaces de realizar la misma
funcin, pero con las diferencias que observamos en cuanto a la posicin del
diodo.

1.3.1REGULADOR DE VOLTAJE CON DIODO ZENER

Caractersticas de los reguladores de voltaje con diodo zener
El diodo zener se puede utilizar para regular una fuente de voltaje. Este
semiconductor se fabrica en una amplia variedad de voltajes y potencias. Estos
van desde menos de 2 voltios hasta varios cientos de voltios, y la potencia que
pueden disipar va desde 0.25 watts hasta 50 watts o ms.
La potencia que disipa un diodo zener es simplemente la multiplicacin del voltaje
para el que fue fabricado por la corriente que circula por l. Pz = Vz x Iz. Esto
significa que la mxima corriente que puede atravesar un diodo zener es: Iz =
Pz/Vz. (en amperios). Donde:

Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener

Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante)
Vz = Voltaje del diodo zener (dato del fabricante)
Ejemplo: La corriente mxima que un diodo zener de 10 Voltios y 50 Watts puede
aguantar, ser: Iz = Pz/Vz = 50/10 = 5 amperios

1.4 REGULADORES DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO

Los reguladores de voltaje son usados para mantener una salida de voltaje
predeterminada, a pesar de las variaciones en la entrada de la fuente (voltaje AC)
y a pesar tambin de las variaciones que se puedan dar en la carga. El regulador
de voltaje se inserta entre la carga y la salida de la fuente sin regular:
Los reguladores de voltaje en circuitos integrados, simplifican considerablemente
el diseo de fuentes de poder, pues reemplazan a componentes tales como
transistores y tubos al vaco. Adems, stos poseen la ventaja de tener bajo
precio, alto desempeo, tamao pequeo y fcil manejo.
Los circuitos integrados (reguladores de voltaje) tienen la ventaja de que
proporcionan una salida bastante estable, adems limitan la corriente y tienen
proteccin trmica.
Estos tipos de reguladores integrados ofrecen una amplia gama de variaciones y
distintas clasificaciones para el tipo de fuente que se desee implementar.

El regulador con circuito integrado detecta un cambio en la salida de voltaje de la

carga por medio de un circuito de muestreo que suministra un voltaje de
realimentacin para ser comparado con una referencia, as s:
1. El voltaje de salida aumenta, el comparador hace que el elemento de
control baje el voltaje de salida.
2. Si el voltaje de salida disminuye el comparador indica al elemento de
control que suba el voltaje de salida.

Los reguladores de voltaje comprenden una amplia clase de C.I. utilizados. Estas
unidades contienen la circuiteria para la fuente de referencia, el amplificador de
error, el dispositivo de control y la proteccin de sobre carga. Todas estas
contenidas en una sola pastilla en el C.I. Aunque la construccin interna es algo
diferente que la que se describi para los reguladores de voltaje discretos, la
operacin externa es prcticamente la misma. Examinaremos la operacin de
algunos de los reguladores de voltajes fijos de 3 terminales tanto para voltajes
positivos como negativos y los que permiten tener un voltaje de salida ajustable.
Una fuente de suministro puede construirse en una forma simple utilizando
un trasformador conectado al suministro de C.A. para aumentar o disminuir el
valor deseado, posteriormente rectificndolo con un circuito de onda o onda

completa, filtrarlo para obtener el nivel de voltaje deseado y finalmente regular el

voltaje de C.C. utilizando un regulador de voltaje en C.I.

1.5 CONSTRUCCIN DE UNA FUENTE

REGULADA
Cuando trabajamos en nuestro taller, es
necesario

contar

con

una

fuente

de

corriente que sea capaz de alimentar nuestros circuitos de manera controlada. De

esta manera, evitamos daar nuestras creaciones antes de perfeccionarlas.
Existen muchos planos sobre fuentes elctricas, en este artculo estaremos
mostrando cmo hacer una fuente de corriente regulada de forma simple y con
materiales muy accesibles.

Materiales a utilizar
Un transformador de 120 V o 220 V segn sea nuestra red elctrica y un
secundario de 16 +16 V.
Un transistor DB137 y uno 2N3055.
Dos condensadores electrolticos uno de 3300 uF 25 V y otro de 470 uF 25V.
Un condensador de 0.1 uF 100V.

 Dos diodos rectificadores 1N5402.

Un diodo Zener de 15 V 400 mW.
Un potencimetro de 50K.
Dos resistencia una de 270 1W y otra de 100 1W.