CVD SSTEMLER

YILDIRIM DURMU

CVD
Kimyasal

Buhar
Kaplama(CVD)
teknii
malzemelerin ince film olarak alttalara veya
waferlara kaplanma biimidir. Bu kaplama
tekniinde, kaynak gazlar reaksiyon odacna
nceden verilir. Daha sonra uygulanan scaklk
,yksek frekansta yksek voltaj(RF Plazma)
ya da dier teknikler neticesinde
kaynak
gazlarnn ayrmas ve kimyasal reaksiyonu
sonucunda ince film oluur.

CVD Trleri
APCVD - Atmospheric Pressure CVD
LPCVD - Low Pressure CVD
MOCVD - Metal Organic CVD
PECVD - Plasma Enhanced CVD

APCVD

LPCVD

MOCVD
Reactor
Gas handle
system

Vacuum and
Exhaust system
Computer
Control

MOCVD

MOCVD

PECVD

PECVD

PECVD
PECVD(Plasma

Enhanced Chemical Vapour

Deposition); elektrik enerjisini kullanarak istenen
RF gcnde, bir gaz karmna enerji transfer
eder. Transfer edilen bu enerji sonucunda reaktif
radikaller, iyonlar , ntr atomlar ve yksek
enerjili dier paracklardan oluan bir plazma
oluur.
Oluan bu atomik ve molekler
paracklar, yzeyle etkilemeye girerek yzeyin
yapsna bal olarak yzeyde andrma ya da
yzey zerinde kimyasal bir tabaka oluturur.

PECVD
Reaktif ve enerjisi yksek paracklar gaz

faz ierisindeki arpmalar sonucunda

gerekleir ve bu kimyasal paracklar belli
scaklklarda tutulan alt ta zerine difz
edip yzeyde bir kaplama oluturur.

PECVD
PECVD nin

dier CVD trlerine gre

avantajlar:
Geleneksel

CVDye
gre
daha
dk
scaklklarda proses olana sunar (rnein
yksek kalitede SiO2 kapalamak iin PECVD
cihaznda 300-350 oC scaklk yeterli iken CVD
ynteminde ayn kalitede film retmek iin
scakln 650-850oC olmas gerekmektedir).

PECVD
Film stresi yksek/dk gaz karm ve

scaklkla kontrol edilebilir.

Plazma ile temizlik yaplabildii iin
reaktrn
fiziksel/kimyasal
temizlik
ihtiyacn azaltr.
Proses koullar deitirilerek stokiyometri
kontrol edilebilir.

PECVD
PECVD cihaznda altta, enerjileri 1 eV ile

100eV
arasnda
deien
enerjitik
paracklar
tarafndan
bombardman
edildiinden daha youn ve daha kaliteli
film bytlebilmektedir (Yzeyde enerjitik
paracklar tarafndan oluan tortular
birbirlerine daha sk bal olduklarndan
film kalitesi de o oranda artm olur).

PECVD
SO2 ve Si3N4 kaplamalar:
SiO2;

SiH4+O2SiO2+2 H2
LPCVD
3SiH4+6 N2O3 SiO2+4 NH3+4 N2
PECVD
Si3N4:
3SiH2Cl2+4 NH3Si3N4+6 HCl+6 H2
LPCVD
3SiH4+4 NH3Si3N4+12H2
PECVD

PECVD
PECVD sisteminin kullanm metodu
Temizlik lemi(Plazma ve IPA+DI Su)

Koullama(Plazmann elektrisel deeri iin

yaplr)
Esas Proses(Tm koullar hazrdr )
Temizlik lemi(Kaplama sonras yaplr)

PECVD

PECVD
SENTEC PECVD

PECVD
SENTEC PECVD

PECVD
SAMCO PECVD

PECVD

SiO2

Si3N4

PECVD

Si3N4

PECVD
Si3N4 ve SiO2nin karakterizasyonu:

Elipsometre ile kalnlk ve krlma indisi

lm
Profilometre ile kalnlk ve stress lm
Elektriksel lmler(I-V,C-V)

PECVD
Elipsometre ile lm:

PECVD
Elipsometrede polarize k demeti malzemeden

yansr ve yansyan n polarizasyon durumu iin

analiz edilir. Kutuplanmadaki deiim genlik oran
ve faz deiimi ile ifade edilir. Elde edilen veriler
her bir malzemenin optik zelliklerine ve llen
filmin kalnlna baldr. Polarizasyondaki llen
deiim malzemenin zelliklerini
ortaya
karmakta kullanlr.
Krlma
indisi
(n)
kaplanan
filmin
kalitesi
bakmndan ok nemlidir. Kaplanan SiO2 ve Si3N4
filmlerinin n deerlerli literatrdeki deerler ile
uyumaldr(SiO2: 1.46, Si3N4:2.05)

PECVD
Kalnlk

lmnde,
filmin trne gre
nceden bir model oluturulur ve bu model
etrafnda sisteme istenen deer girilir. Daha
sonra lm yaplarak istenen deer ile
llen deer arasnda fitting ilemi yaplr.
lm deerleri etrafnda sistem filmin
kalnl ve krlma indisini hesaplar.
Yaplan bu lmler filmin uniformitysi
asnda farkl blgelerde birka kez daha
tekrar yaplr.

PECVD
SENTECH ELIPSOMETRE

PECVD
Profilometre ile lm:
Bu
yntemde,
filmlerin
zerine
uygun
fotorezist kullanlarak fotolitografi ile maske
yaplr. Maskede aklklar kuru andrmaya
tabi tutulur. Aklklardaki filmler andrlrken,
fotorezistin altnda bulunan filmler anmaz.
Bylece anm film yzeyi ile film arasnda
ykseklik fark olur ve bu fark lldnde
filmin kalnl bulunur.
Filmin kapland yzeyde birden ok lm
yaplarak filmin uniformitysine baklr.

PECVD

PECVD
Veeco Dektak Profilometre

PECVD

PECVD
Kaplanan fimlerde stress de nemli bir

parametredir. Filmlerin zerine yaplacak

sonraki proses lere gre filmlerinde stress tr
belirlenmeli ve o stress trne gre film
kaplanmaldr.
PECVD sistemlerinde tensile ve compresive
olmak zere 2 tr stress vardr.

PECVD

PECVD

CVD sistemlerinin
karlatrlmas

Teekkrler