1

ĐSTANBUL ÜNĐVERSĐTESĐ
ELEKTRĐK – ELEKTRONĐK MÜHENDĐSLĐĞĐ
ELEKTRONĐK DEVRELER-II
LABORATUVARI
DENEY-1
Dr.Sungur AYTAÇ
Ars.Gör.Koray GÜRKAN
Ars.Gör.M.Emin BASAK
Ars.Gör.Đbrahim GÜNES
Ars.Gör.Serap ÇEKLĐ
2
DENEY-1 BĐPOLAR TRANSĐSTÖR (BJT)
ÖN HAZIRLIK
1) v(t) = 5 + 3.sin(200πt) isareti veriliyor.
a) Đsaretin periyodunu saniye, açısal frekansını radyan/saniye cinsinden
hesaplayınız.
b) Bu isaret laboratuvarda kullandığınız fonksiyon üretecinin çıkısı ise, üreteç
ekranındaki frekans bölmesinde hangi değer okunurdu?
c) Đsaretin ortalaması, DC değeri, efektif değeri (RMS) nedir?
d) Sinüsoidal isaretin genliği, tepe değeri ve tepeden tepeye değeri nedir?
e) Đsaretin DC ve AC kuplajlı osiloskop ekranında nasıl görüneceğini çiziniz.
2) B(t) isareti, ilk sorudaki V(t) ile aynı frekansta, genliği 1 V, DC değeri 2
V ve V(t) ile
arasındaki zaman farkı 20 ms (geride) olduğuna göre B(t)’nin matematiksel ifades
ini
yazınız. B(t) ile V(t) isaretini aynı grafik üzerinde gösteriniz.
3) BC548B transistörünün kataloğunu (datasheet) internette bularak inceleyiniz.
a) Katalog hangi firmaya aittir?
b) Transistörün tipi (PNP ya da NPN) nedir?
c) Maksimum kollektör akımı ne kadardır, bu akım asılırsa ne olur, neden?
d) VCEO, VCBO değerleri ne kadardır, bu değerler neyi gösteriyordu?
e) DC akım kazancı hFE ne kadardır? Bu değer hangi kosul(lar) için verilmistir?
f) Küçük akım kazancı (hfe ) değeri hangi aralıktadır. Neden sabit bir değer
verilmemistir?
g) Transistör için hFE ile hfe aynı seyleri mi ifade eder, farkları nedir?
h) Transistörün bacak bağlantılarını gösteren semayı çizerek deneye getiriniz.
NOT : Deneye gelmeden önce yukaridaki soruları cevaplamıs, transistörü, esdeğer
devresinin nasıl çizileceğini, frekans cevabı, Bode eğrisi, faz farkı kavramları
nı ve deneyde
ne yapacağınızı anlamıs olmanız gerekmektedir. Bu konularda eksiğiniz varsa dene
yin size
bir faydası olmayacaktır. Bu nedenle deney baslangıcında yapılacak kısa sınavda
basarılı
olamayan öğrenciler deneye devam edemeyeceklerdir.
3
DENEY-1 BĐPOLAR TRANSĐSTÖR (BJT)
Amaç: Transistör öz eğrisinin ölçülmesi, transistörlü bir kuvvetlendiricinin gir
is empedansı,
frekans karakteristiği (genlik, faz) ve kazancının incelenmesidir.
Gerekli önbilgi: pn eklemi, esdeğer devre kavramı, kullanımı, Bode diyagramları.
Transistör: Transistör Sekil 1-a’da gösterildiği gibi pes pese gelen n, p ve n k
atmanlarından
olusmustur ve bu yapıdaki transistör “npn tipi transistör” olarak isimlendirilir
.
Sekil 1
Sekil 1-a’dan görüldüğü gibi npn transistörü, anotları birbirine bağlanmıs iki d
iyot gibi
düsünebilirsiniz. Fakat bu, iki diyodu sırt sırta bağlayarak bir transistör yapa
bileceğiniz
anlamına gelmez. Yapının bir transistör olarak etkin olabilmesi için her iki ekl
emin aynı
yarıiletken içinde, arada, bir süreksizlik olmaksızın yer alması gerekir. Soldak
i n bölgesinin
sağdakine göre çok daha fazla katkılanmıs olduğunu vurgulamak için bu bölge n il
e değil de n+
ile gösterilmistir ve emetör olarak isimlendirilir. Sağdaki n bölgesi ise kollek
törü olusturur ve
aradaki 0.1 - 2 mm kalınlığındaki p katmanı baz bölgesi olarak isimlendirilir. n
pn transistörün
sembolü Sekil 1–c’de verilmistir. Benzer sekilde p, n ve p katmanlarının arka ar
kaya
getirilmesiyle olusturulan pnp tipi transistör, yapısı ve sembolü Sekil 1–d,e,f’
de verilmistir.
4
Emetör (E), baz (B) ve kollektörün (C) elektrotlarından birinin ortak kullanılma
sı ile, Sekil 2’
de gösterildiği gibi transistör iki kapılı bir devre elemanı olarak yorumlanabil
ir.
Sekil 2
Sekil 2-a,b,c’de sırasıyla emetör, baz ve kollektör montajı olarak isimlendirile
n iki kapılılar
gösterilmistir. Sekil 2-d,e,f’de ise aynı devreler pnp tipi transistör için veri
lmistir. Bu
devrelerde elektrotlar arası gerilim ve akımlar ile bunlar için seçilen pozitif
yönler
gösterilmistir. Yönlerin seçiminde asağıdaki kurallar geçerlidir.
1) Transistör sembolünde emetör elektrodu üzerindeki ok emetör akımının pozitif
yönünü tanımlar.
2) Transistörü bir düğüm noktası gibi düsünerek
(1)
düğüm denklemini yazabilirsiniz. Bu sayede bilinen emetör akımı yönünden
kalkınarak diğer iki elektrodun pozitif akım yönlerini bulabilirsiniz.
3) Transistörün kuvvetlendirici olarak etkin olabilmesi için emetör baz eklemi (
kısaca
EB eklemi) iletim, baz kollektör eklemi (kısaca BC eklemi) tıkama yönünde
kutuplanmalıdır. Bu kosulu sağlayacak sekilde kutuplanmıs transistörün aktif kip
te
çalıstığını söyleriz. Elektrotlar arası gerilimlerin pozitif yönleri aktif kipte
çalısan
transistörde gerilimler pozitif sayılar olacak sekilde seçilir. Gerilim sembolle
rinde
alt indisteki ilk harf, potansiyeli yüksek olan elektrodu gösterir.
Transistörün çalısmasını kavramak için aktif kipte kutuplanmıs pnp transistörü g
öz önüne
alınız.(Sekil 3)
E B C I = I + I
5
Sekil 3
Simdilik Ug değisken gerilim kaynağını ve RC direncini yok sayınız. EB eklemi il
etim yönünde
kutuplanmıs olduğundan emetörden baza delikler enjekte edilir. (Tabi ki bazdan e
metöre de
elektronlar.) Baza giren delikler kollektöre doğru yayılırlar. Yolculukları sıra
sında deliklerden
bir kısmı bazda bol sayıda bulunan elektronlarla birleserek yok olurlar. Bu birl
esmede
harcanan elektronların yerine baz elektrodu üzerinden yeni elektronlar gelir ki
bunlar IB baz
akımını olustururlar. BC eklemi tıkama yönünde kutuplandığından BC ekleminin bos
altılmıs
bölgesinde sekilde gösterilen yönde bir E elektrik alanı vardır. Bazda CB eklemi
kıyısına kadar
gelebilen delikler bu alan nedeniyle kollektöre doğru sürüklenirler ve IC kollek
tör akımını
yaratırlar. Burada anlatılan mekanizma neden (1) bağıntısının geçerli olduğunu a
çıklar.
Bazda deliklerin birleserek kaybolmalarının sayısının olabildiğince az olmasını
istediğimizden,
birlesme olasılığını azaltmak amacıyla baz bölgesini olabildiğince dar yaparız.
Böylece
B
C
FE I
I
β = h = (2)
Oranı üyük ya
ılmaya çalısılır. veya hFE transistörün kısa devre akım kazancı
olarak
isimlendirilir. hFE ‘deki “E” alt indisi unun emetör montajlı transistörün akım
kazancı
olduğunu vurgular. Benzer sekilde baz ve kollektör montajlı transistörler için h
FB, hFC akım
kazançları tanımlanır.
Bir transistörün davranısını belirleyebilmek için elektrot akımları ile elektrot
lar arası gerilimler
arasındaki iliskileri vermek yeterlidir. Bu iliskiler derste görmüs olduğunuz gi
bi karmasık
iliskilerse de, pek çok uygulama için;
I ~ I (e T 1)
EB
U
U
E ES = - (3)
yeterince iyi bir yaklasıklıktır. Artan bir emetör akımı ile orantılı olarak baz
akımının da
artacağı gerçeğinden hareketle baz akımının da UEB gerilimi ile üstel olarak art
acağı açıktır.
6
Emetörden delikler enjekte edilmese de, tıkama yönünde kutuplanmıs olan CB eklem
inden ICO
ile göstereceğimiz bir tıkama yönü akımı akar.(Bakınız Sekil 3) Bu akımı da göz
önüne alacak
olursanız
C F E CO I = α I + I (4)
Olur ki bur d  F, emetör kımının kollektöre ul s bilen kısmını göstermektedir.
Bu if dede
(1) esitliğini kullanarak
CO
F
B
F
F
C I
1 α
1
I
1 α
α
I
-
+
-
= (5)
Y zıl bilir ki bunu (2) ile k rsıl stırırs nız
F
F 1 α
1
β
-
= (6)
Olması gerektiğini ve bunu kullanarak (5) ifadesinin
C F B F CO F B CBO I = β I + (1+ β )I = β I + I (7)
Biçiminde yazıla ileceğini görürsünüz. Çoğu kere ICBO ihmal edilebilecek kadar k
üçüktür.
Elektrotlar arası gerilimler ve akımlar arasındaki iliskiyi tanımlamanın kolay b
ir yolu Sekil 4
’te verilen öz eğrilerdir.
Sekil 4-Transistör öz eğrileri
(Eğriler emetör montajlı npn transistör için verilmistir.)
Transistörün değisken isaretlere davranısını kavramak için Sekil 3’te verilmis o
lan Ug değisken
gerilim kaynağını ise katalım. Bir an için Ug’nin artmakta olan pozitif bir geri
lim olduğunu
varsayınız. Bu gerilim UEB’ye eklendiğinden EB eklemi daha büyük bir gerilimle i
letim
7
yönünde kutuplanacağından IE akımı büyür. IE-UEB iliskisi üstel olduğundan, Ug’d
eki küçük bir
değisme IE’de büyük bir değismeye neden olur. IE=IC olduğundan, bu değisim kolle
ktör
akımına da yansır. Ug nedeniyle UEB’deki değismeyi DUEB ve bunun neden olduğu em
etör
akımındaki değismeyi DIE ile gösterecek olursak DIC=DIE olacaktır. Bu ise IC akı
mının yolu
üzerindeki RC direnci uçlarında RC.DIC kadar bir değisimeye yol açar. RC kuramsa
l olarak
istenildiği kadar büyük seçilebileceğinden RCDIC>DUEB olması kolaylıkla sağlanab
ilir. DUEB’yi
girise uygulanan gerilim, RCDIC’yi ise bunun çıkısta neden olduğu gerilim olarak
yorumlarsanız
EB
C C
U
RI
K = (8)
Devrenin gerilim kazancıdır. Bu olgu transistörün gerilim kuvvetlendirici olarak
kullanılabilmesini açıklar. DIE=DIC olduğundan K>1 ise devrenin sadece gerilim k
azancı değil,
güç kazancı da 1’den büyük olacaktır.
Transistörlerin değisken isaretlere davranısını kolay anlasılabilir ve hesaplana
bilir bir sekle
dönüstürmek için esdeğer devreler kullanılır. Sekil 5’te çok kullanılan iki küçü
k isaret esdeğer
devresi verilmistir. Bu isimdeki “küçük isaret” sıfatı, bunların sadece küçük Ug
genlikleri için
geçerli olduğunu hatırlatmak için eklenmistir. h parametreleri esdeğer devresi o
larak
isimlendirilen sağdaki esdeğer devre sadece emetör montajlı transistör için veri
lmisse de ( bu
nedenledir ki alt indisin ikinci harfi “e”dir) soldaki esdeğer devreyi herhangi
bir montaj için
kullanabilirsiniz. Esdeğer devreler transistörün tipinden (npn ya da pnp olmasın
dan)
bağımsızdır. Esdeğer devredeki parametreler için asağıdaki bağıntılar geçerlidir
.
Sekil 5
rp = (1+bF)re
e
m r
1
g =
I (mA)
~ 25mV
I
U
r
E E
T
e = = hie=rp ; hfe=bF
8
DENEY
1. Asağıda verilen devreyi kurunuz.
Sekil 6
2. UCC gerilimini 12 V’a ayarlayınız.
3. VE gerilimi 200 mV oluncaya kadar UBB gerilimini yavasça artırınız. 200 mV de
ğerine
ulastığınız durum için UBB, VRB değerlerini ölçüp Tablo-1’in ilk satırına kayded
iniz.
4. UBB gerilimini 10 esit adımda sıfıra kadar azaltıp her adım için UBB, VRB, VE
gerilimlerini ölçüp Tablo-1’in ilgili yerlerine kaydediniz.
Tablo-1
UBB VRB VE (mV)
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
10
0
9
5. UCC gerilimini 15 V’a getiriniz. VE=10 mV olacak sekilde UBB’yi ayarlayınız.
6. UBB gerilimine dokunmadan Tablo-2’de verilen UCC gerilimleri için VE, VRB
gerilimlerini ölçüp sonuçları Tablo-2’ye kaydediniz.
7. Ölçüm sonunda UCC’yi tekrar 15 V’a alınız. Bu kez VE=50 mV olacak sekilde UBB
’yi
ayarlayınız. 6.adımı tekrarlayınız. Yine aynı yolla VE=100 mV ve VE=200 mV
değerleri için Tablo-2’yi doldurunuz.
Tablo-2
UE=10mV UE=50mV UE=100mV UE=200mV
URB UE UCC URB UE UCC URB UE UCC URB UE UCC
15 15 15 15
10 10 10 10
5 5 5 5
2 2 2 2
1 1 1 1
0.6 0.6 0.6 0.6
8. Asağıda verilen devreyi elektrolitik kondansatörlerin yönlerine dikkat ederek
kurunuz.
Sekil 7
10
9. Fonksiyon üretecini bağlamadan önce RB direncini kısa devre yaparak transistö
rün DC
elektrot gerilimlerini ölçünüz. Transistör iletimde midir, ölçüm sonuçlarına bak
arak
yorumlayınız. Gerilimler beklediğiniz gibi değilse devreyi kontrol ediniz.
VB = ............. V VE = ............... V VC = ................ V
10.RB direncindeki kısa devreyi kaldırmadan, girise Ug=1 V (tepe), 1 kHz frekans
lı
sinusoidal isaret uygulayarak Uo geriliminin tepe değerini osiloskop yardımıyla
ölçünüz. (Çıkıs isareti bozuksa, giris isaretinin genliğini düsürebilirsiniz.)
Uo = ............... V (tepe)
11.Kısa devreyi kaldırırak RB değerini, çıkıs gerilimi bir önceki adımda ölçtüğü
nüz
değerin yarısına ininceye kadar artırınız. Daha sonra RB’nin bir ucunu devreden
ayırarak, değerini ohmmetre ile ölçünüz.
RB = .............. W
12.RB yine direncini kısa devre yaparak Ug=10 V(tepe) için Uo gerilimini osilosk
opta
inceleyip dalga seklini uygun yere çiziniz. (Osiloskop DC kuplajda)
13.Ug=1 V (tepe) yaptıktan sonra osilatörün frekansını değistirerek Tablo-3’te i
stenilen Ui
ve Uo ölçümlerini yapınız.
Tablo-3
f (Hz) Ui(p) Uo(p) |K| f (Hz) Ui(p) Uo(p) |K|
10 100
20 1 k
30 5 k
40 10 k
50 20 k
60 50 k
50 100 k
70 200 k
11
SORULAR
1. Tablo-1’den faydalanarak transistörün b akım kazancının IC akımı üzerinden de
ğisimini
çiziniz.
2. Tablo-1’deki değerleri kullanarak IC-IB diyagramını çiziniz.
3. Tablo-2’deki değerleri kullanarak IB parametre olmak üzere IC-VCE çıkıs özeğr
ilerini
çiziniz.
4. Deneyin 9. adımdaki sonuçlara göre transistörün kollektör, emetör ve baz akım
larını
hesaplayınız. DC akım kazancı ve re ne kadardır?
5. Vce(SAT) = 0.6 V ise transistörün doymadan çalısacağı kollektör akımı en çok
kaç mA
olabilir?
6. Deneyin 11. adımında yapılan ölçüm sonuçlarından kuvvetlendiricinin giris dir
encini
bulunuz ve bunu, esdeğer devreden hesaplayacağınız değerle karsılastırınız.
7. Tablo-3’ten faydalanarak kuvvetlendiricinin genlik Bode diyagramını çiziniz.
Alt ve üst
kesim frekansını çizdiğiniz eğri üzerinde bulunuz. Alt kesim frekansının altında
ve üst
kesim frekansının üzerinde genlik diyagramının eğimini bulunuz. Bu değerleri teo
rik
olarak hesaplayıp, Bode diyagramını çiziniz, ölçüm sonucuyla karsılastırınız.
8. Orta frekans bölgesindeki kazancı esdeğer devreden hesaplayıp ölçü sonuçlarıy
la
karsılastırınız.