******************************************************************************************

P-1 a) Find the diode current in the circuit in Figure-2 by using the constant
voltage drop model for the diode (VD=0.7V). (5Points)
V V D 2 0.7
A-2a) I R I D DC

0.65mA
R
2k
b) Find the diode current and voltage using the iterative analysis approach.
IS=10-16A, n=1, VT=25mV.(10Points)
I
V D VT ln D (1) (from the current-voltage expression of diode)
IS
V VD
(2) (from the circuit)
I R I D DC
R
The iterative analysis;
2 0.7
1st step: V D1 0.7V I D1
0.65mA
2k
I
0.65mA
2 0.737
0.63mA
2nd step: V D 2 VT ln D1 25mV ln 16 0.737 V I D 2
IS
2k
10 A
I
0.63mA
2 0.736
0.63mA
3rd step: V D 3 VT ln D 2 25mV ln 16 0.736 V I D 3
IS
2k
10 A

Figure-2

For the rest of the problem assume that VD=0.7V

c) Find the power dissipated on the diode.(5Points)
A-2c) PD=VDxID=0.7Vx0.65mA0.46mW
*****************************************************************************************

Figure-3a

Figure-3b

Figure-3c

P-2 The signal VK in Figure-3b is applied to the input of the circuit in Figure-3a. When the diode operates
in the forward-bias, the diode current is 1mA. Figure-3c shows the output signal (VO). Find the values of
the resistors R1 and R2 using the constant voltage drop model for the diode (VD=0.7V). (15Points)
A-3 When VK=10V, the diode operates in the forward-bias. In that case, the output voltage Vo is 5V and the
diode current is 1mA. From the circuit topology:
ID=IR1=IR2 and Vo=VR2
Therefore, When VK=10V, IR2=ID=1mA, VR2= Vo=5V, VK= VD+VR1+ VR2=10VVR1=10-5-0.7=4.3V.
Thus, R2=5V/1mA=5k
R1=4.3V/1mA=4.3k

P-3

Figure-1 shows a circuit employing a diode.

a) Find the diode current by using the constant voltage drop model
(VD0.7V)
a) VD0.7V
IR=(VDC-VD)/R=(4-0.7)/2k=1.65mA
ID=IR-IDC=1.65mA-1mA=0.65mA

Figure-1

ELEKTRONK-I
UYGULAMA-2.1
Soru-1 Yariletkenlerde delik hareketinde gerekte hareket eden nedir? Bir cmle ile aklaynz.
Cevap: Yariletken atomlarnn valans elektronlarndan biri hareket eder.
Soru-2 Has yariletken kavramn aklayp has yariletkenlerde delik says ile serbest elektron saysnn eit
olmasn aklaynz.
Cevap: Has (saf) yariletken sadece belli bir yariletken atomlarndan oluan malzemedir. Bu tip
malzemede bir atom bir elektron kaybedince delik olurken kaybettii elektron serbest elektron haline
olur. Dolaysyla ne kadar serbest elektron varsa o kadar delik ierir.
Soru-3 Yariletkenlerde katk younluu iin sz konusu olan minimum ve maksimum snrlar nasl ifade
edilebilir genel olarak aklaynz (Silisyumu baz alarak aklama yapabilirsiniz).
Cevap: Katklama ile yariletken malzeme N veya P tipi yaplr. N tipi malzemede serbest elktron
younluu delik younluuna gre, P tipi malzemede ise delik younluu serbest elektron
younluuna gre ok yksek olur. Bunun yaplabilmesi iin katk younluu deerinin has
yariletkendeki delik veya serbest elektron younluuna gre ok yksek olmas gereklidir.
Dolaysyla NA ve ND deerleri ni deerine gre ok yksek yaplr (en az 1000 kat gibi). Dier taraftan
malzeme katklama sonrasnda yariletken zelliini kaybetmemelidir. Bunun iin katk younluu
deeri yariletken atom younluuna gre ok dk olmal (yine en az 1000 kat gibi). Katk
younluu bu kriterlere gre bir aralk verir (silisyumda kabaca 1013 ile 1019 arasnda).
Soru-4 Sabit bir elektrik alan altnda tayclar (hareket edebilir ykler) kat malzeme ierisinde ortalama
olarak sabit bir hzda hareket ederler. Elektrik alan taycnn hzna
balayan bykl belirtip serbest elektron ve delik iin karlatrnz.
Cevap: Bu byklk hareket yeteneidir. Serbest elektronlarn deeri delikler iin olan deere
gre daha yksektir.

ELEKTRONK I
UYGULAMA
ekilde bir yariletken diyot gsterilmektedir.
Diyodun P tipi blgesi NA, N tipi blgesi ise ND
younluu ile katklanmtr.
Soru-1 Diyodun ykl blgelerini yk younluklarnn
ne olacan da vererek belirtiniz.
Cevap: Fakirlemi blge (sabit katk atomlar sebebi ile)
ykldr (akm taycs hareketli ykler asndan fakirdir).
Yk younluklar P tipi blgede kalan ksmda -NA,
N tipi blgede +NDdir.
Soru-2 Poisson* denkleminden faydalanarak diyodun
E elektrik alannn maksimum olduu noktadaki
ifadesini bulunuz.(10Puan) Not: E=f(q, , NA, Xp) veya E=f(q, , ND, XN) olarak kartnz.
dE

(Poisson denkleminin bir boyutlu hali: yk younluu, dielektrik katsays)

*
dX
Cevap: X X P E 0
X=XP ile X=0 arasndaki blge =-qNA younluklu ykldr.Poisson denklemi bu blgeye uygulanrsa (pozitif
X ile pozitif E yn ter olduundan bir iareti denkleme eklenir);
qN A
qN A
dE qN A
dE qN A

EX
XP

si
si
si
si
dX
dX

X 0 E 0 E max X P

qN A

si

XN

qN D

si

Soru-3 Diyoda ters ynde (katot anoda gre daha yksek) gerilim uygulandnda gerilimin hemen hemen
tamam fakirlemi blge zerinde der. Bu durumu nasl aklarsnz?
Cevap: Fakirlemi blgede hareketli yk younluu hemen hemen sfrdr. Dolaysyla Bu blgenin
direnci yaklak sonsuzdur. Dier taraftan fakirlemi blge dndaki blgelerde hareketli yk
younluu yksektir ve belli bir diren deeri (gvde direnci) verirler. Seri direnlere gerilim
uygulandnda diren deerlerinin oran ile gerilim paylalr. Dolysyla ters ynde gerilim
uygulandnda direnci hemen hemen sonsuz olan fakirlemi blge gerilimin hemen hemen tamamn
zerine alr.
Soru-4 Difzyon akmn belirleyen iki ana etkeni belirtin ve yorumlayn
Cevap: Yk younluk gradyan ve difuzyon katsays(malzemenin zellii)

Soru-5 Has yariletken ile katkl yariletkenin iletkenliklerinin scaklkla deiimini (karlatrarak)
aklaynz.
Cevap: Has yariletkende elektron ve delik saylar birbirine ve ni deerine eittir. ni scakla ok
baldr ve scaklkla artar. Dolaysyla iletkenlik has yariletkende scaklkla artar. Dier taraftan
Katkl yariletkende ounluk tayclar katk atomlarnn says ile belirlenir. Scaklk kak atomu
saysn deitirmediinden tayc says hemen hemen deimez. Dier taraftan scaklk dolaysyla
tayclarn rastgele hareketleri artar ve genel olarak katkl yariletkenlerde scaklkla iletkenlik azalr.

SORU ekil-1de verilen BJTli

kuvvetlendiricinin
a) IB, IC, IE, VB, VC ve VE alma noktas
akm ve gerilimlerini bulunuz.
b) Tranzistoru aktif blgeden karan RC deerini
bulunuz.
Not: b kknn zmnde RC dndaki
elemanlarn deerleri deimeyecektir.

ekil-1
zm:
a) RB1 ve RB2 direnlerinden oluan kolun Thevenin edeerini alrsak ekil-2 elde edilir.

V BB

RB 2
Vcc 1.1V
RB1 RB 2

RBB R B1 // RB 2 2.4k

ekil-2
ekil-3teki okun belirleyecei evrimden
aadaki denklem elde edilir;

VBB I B RBB VBE I E RE

V BB I B RBB V BE ( F 1) I B R E
V BB V BE
IB
RBB ( F 1) R E
IB

1.1V 0.6V
19 A
2.4k 24 K

I C F I B 3.8mA I E

ekil-3

V B I E R E V BE 0.45 0.6 1.05V

V E I E R E 0.45V
VC VCC I C RC 12 3.8 8.2V

VC V B V E aktif blge, analiz doru

b) VC=VB durumunda tranzistor aktif blgeden kmaktadr (saturasyona girmektedir).

VC V B 1.05 VCC I C RCI RCI 2.9k

Soru ekil-1de kullanlan tranzistor iin F=hFE=220, VBE0.6V, VT=25mV deerleri verilmitir.
Rc=7k6dr ve R1//R2 deerinin 20k olmas istenmektedir. Devrenin alma noktasnda VCEQ=6V ve
ICQ=1mA olmas amalanmaktadr.
RE, R1 ve R2 direnlerinin deerlerini hesaplaynz.

ekil-2
ekil-1
zm:
V E VCC VCEQ I CQ RC

V E 15V 6V 7.6V 1.4V

Bu denklem, kollektr
emetr kolu zerinden
Vccden referansa
gidilerek elde edildi.

ekil-2den (yukarda) ; RBB=R1//R2=20k

IB

VBB VBE V E

RBB

RBB R1 // R2

VCC

RE

VE VE

1. 4 k
IE
IC

VBB=VCCR2/(R1+R2)

R2
2
I
R1 R2
R2
2 .9
C 45 A

20k
F
R1 R2 15

R1 R 2
R2
2.9
R1
R1
20k R1 103k R2 25k
R1 R2
15
R1 R2

ELEKTRONK-1 UYGULAMA
SORU1- ekil-1de verilen devredeki tranzistor iin F=150,
VBE0.6V olarak verilmitir.
Tranzistorun kutuplama noktasndaki IC akmnn
deerini bulunuz. alma blgesini inceleyiniz.

ekil-1a

zm:
ekil-1bde ekil-1adaki devrenin DC (kutuplama) hali
grlmektedir. Ok ynnde gerilim denklemini kartrsak
srasyla aadaki ifadelere ularz;

VCC I E R E V EB I B RB 0
VCC F I B R E V EB I B RB 0
IB

VCC V EB
10V 0.6V

13.24 A
F R E RB 150 * 1k 560k

I C F I B 2mA

ekil-1b

Not: zm srasnda gerek akm ynleri kullanlmtr. Yani IE tranzistora doru, IB ve IC

tranzistordan darya doru alnmtr. Dier taraftan btn akmlar tranzistorun iine doru
alnarak soru zlebilirdi. Bu durumda IE akm pozitif, IB ve IC negatif deerli kard.

ELEKTRONK-1 UYGULAMA
ekildeki devre kullanlarak
VO=9V IRYmax=0.5Alik bir g kayna
tasarlanacaktr. Devredeki zener diyot
reglasyon amacyla kullanlmaktadr.
Kondansatr ularndaki gerilimin
dalgall zener diyot tarafndan azaltlarak
ka yanstlmaktadr. Zener diyotun zener
blgesinde kalmas iin gerekli minimum
zener diyot akm 0.1mAdir. Tranzistorun
akm kazanc F=100dr, baz emetr gerilimi
VBE0.8Vtur. Transformatrn evirme oran n=13tr. Diyot iletim gerilimleri VD=0.8V olarak alnabilir.
Kondansatr geriliminde (VC) maksimum %5lik dalgalanma istenmektedir (bu dalgalla karlk VO
gerilimindeki dalgallk ok dk olur).
a) Zener diyodun VZ zener gerilimini, C kondansatrnn ve RS direncinin deerlerini bulunuz. (15Puan)
b) Zener diyodun dayanmas gereken g deerini bulunuz.(5Puan)
c) Diyotlardan birinin bozularak ak devre olmas durumunda VO gerilimindeki dalgalln maksimum deeri
yaklak olarak ne olur. (10Puan) Not: IRYmax ayn kalacaktr.
zm:
a) Trafonun toplam sekonder gerilimi:Vs(genlik)=Vp(genlik)/n=311/1324
Trafonun birimi ift sargl olduundan; Vs1(genlik)=Vs2(genlik) 12V
Kondansatrn zerindeki gerilimin maksimum deeri: Vcmax=12-VD=11.2V
Kondsatr geriliminin maksimum dalgall %5 olarak verilmi dolaysyla: Vcmin=11.2-11.2x0.05=10.64V
Kondansatrn sana (yani Ry ykne doru) bakldnda derslerde dalgallk formlnde grlen R
bykl elde edilir. Bu bykln minimum deeri maksimum (bu rnekte %5) dalgalla sebep
olacaktr. Saa doru baktmzda grdmz diren (grnen diren kavramndan hareketle) Vcnin
geriliminin sa tarafa doru ekilen akma blnmesiyle elde edilir.
Rmin=Vcmax/IRYmax=11.2V/0.5A=22.4A
(Rmin hesabnda zener diyot akm 0.5Aden ok kk olduu iin ihmal edildi.)
%dalgallk forml: %Vr=T/(2RminC)=20mSn/(2x22.4xC)=0.05 C9mF
Bu ifadede T ebeke geriliminin peryodudur.
Zener diyodun gerilimi k gerilimine VBE geriliminin eklenmesiyle bulunur.
Vz=Vo+VBE=9.8V
Rs direncinin deeri belirlenirken en kt durumda dahi tranzistorun baz akmn ve zener diyodun zener
blgesinde jalmas iin gerekli minimum akm salayacak ekilde seilmelidir. Bundan dolay bir
maksimum deeri oluur. Bu deerden bir miktar kk alnabilir. Ama maksimum deerden ne kadar
alnrsa devrede o kadar ok gereksiz g kayb oluur.
Rs iin en kt durum Vcmin durumunda ve IRYmaks durumunda oluur. Vcmin Rs zerindeki akmn
azalmasna sebep olurken IRYmaks durumunda gerekli IB+IZ akm ihtiyac maksimuma kar.
IRYmaks=0.5A IBmaks=5mA
Iz=Izmin=0.1A
IRs=IBmaks+Izmin=5.1mA (IRS akm herzaman en az bu kadar akm temin edebilmelidir. Aksi
takdirde devrenin reglasyon yapamad durumlar oluur.)

Rs=(Vcmin-Vz)/IRs=(10.64 - 9.8)/5.1mA=165Ohm Rs

165 Ohm

b) Rs zerinde maksimum akm akp tranzistorun bazndan minimum akm ekildiinde (minimum baz
akm kta yk olmayabilecei gznne alndnda 0dr) Iz akm dolaysyla Pz maksimum olur. Rs
zerinden maksimum akm Vcmaks durumunda akacaktr (Rsnin dier baca Vz gerilimine dolaysyla
sabit 9.8Va baldr).
IRsmaks=(Vcmaks-Vz)/Rs=(11.2 - 9.8)/165= 8.5mA=Izmaks
Pzmaks= IzmaksxVz=8.5mAx9.8V=83mW
c)Diyotlardan biri bozulup ak devre trafolu dorultucu devre tek yollu dorultucuya dnr (sekonder
sarglardan biri devre d kalr ama Vcmaks 11.2V olmaya devam eder). Tek yollu dorultucularda
dalgallk ift yolluya gore iki katna kar dalgallk formlnde paydada 2 katsays bulunmaz.
%Vr2=T/(RminC)=20mSn/(22.4x9mF)=0.1
Vcmin=Vcmaks-Vcmaksx0.1=10.08V
Devre ift yollu dorultucuya gre tasarland iin tek yollu dorultucu alma durumunda Vo k
geriliminde dalgallk oluur. Bu dalgallk Vcmaks dolaysyla deil Vcmin dolaysyla oluur (zaten
Vcmaks deerinde herhangi bir deiiklik sz konusu deildir). Vcmaks durumunda k gerilimi yine 9V
olarak kalr. Ama Vcmin durumunun irdelenmesi gerekir. rdeleme iin en kt durum dnlmelidir. Bu
durum ise ktan IRYmaks=0.5A ekilmesidir.
%Vr2=T/(RminC)=20mSn/(22.4x9mF)=0.1
Vz2=VB=Vcmin-IRsxRs=Vcmin-IBmaksxRs=10.08-5mAx165=9.25V (Bu gerilim deeri Vz=9.8Vtan
kk olduu iin zener diyot zener blgesinde alamaz ve dolaysyla reglasyon yapamaz.)
Vo=9.25-0.8V 8.5V
Dalgallk(Vo)

9V-8.5V0.5V

ELEKTRONE GR

UYGULAMA-11

ekil-1deki devredeki MOSFETler iin

=1mA/V2, VTH=1V deerleri verilmitir.
MOSFETler zerinde harcanan gc hesaplaynz.
MOSFETlerin zerinde harcanan g

PM V DS I DS
bants ile hesaplanr. Dolaysyla tranzstorlarn IDS
akmlarnn ve VDS akmlarnn bulunmas gerekmektedir.

ekil-1

IDS AKIMLAR,
MOSFETler e olarak verilmilerdir. ayet ikisi de doymada ise ayn akm aktmak zorundadrlar zira
geit ve kaynak gerilimleri yani VGS gerilimleri eittir. ekilde soldaki tranzistor doymada olmaldr
nk savak ucu devredeki en yksek potansiyeldedir (bir NMOSun savak ucu en yksek potansiyele
bir PMOSun savak ucu en dk potansiyele balanrsa doyma art salanm olur). Bu durumda
sadaki tranzistorun doyma artn salayp salamad irdelenmelidir. Bunun iin VG ve VD
gerilimlerinin bilinmesi gerekir. Doyma art

V GS V TH V DS
veya

NMOS

V GD V TH
VGS VTH V DS

PMOS

veya
VGD VTH

olarak alnmaldr. Devredeki tranzistorlarn her ikisi NMOS tranzistorlardr. Her iki tranzistorun
geit gerilimi
VG VDD

RG 4
3.96V
RG 3 RG 4

olarak devreden elde edilir. Bu aamada bir ngrde bulunarak zme devam edeceiz. ngrmz
sadaki tranzistorun doymada olduudur. Bu durumda her iki tranzistorda ayn akm aktacandan

I DS1 I DS 2

IK
1mA
2

sonucuna ulalr. Bu akm deeri iin

V D 2 V DD I DS 2 xRD 12 4.7 7.3V
elde edilir.

Bu noktada yaptmz ngrnn doruluunu test etmemiz gerekmektedir. Buna gre

Nonlineer eleman ieren devrelerin analizinde nce

ngrde bulunup sonra elde edilen sonucun bu
ngry destekleyip desteklemediinin irdelenmesi
oldukca kullanlan bir yaklamdr. Sonu ngr ile
uyumlu ise doruluu tasdiklenmi olur.

VGD 2 VTH ????

3.96 7.3 1
3.34 1

elde edilir ki bu sonu ngrmzn doruluunu yani T2nin de doymada olduunu gsteriyor.
Dolaysyla her iki tranzistor eit yani 1mAlik akmlar aktmaktadr.
Akan akmlar bilindiine gre g hesab iin gerekli dier bykle yani VDS gerilimlerine
geebiliriz.
VDS GERLMLER
T1in savak ucu VDDye direkt baldr. T2nin savaj gerilimi ise yukarda hesaplanmtr. Her iki
tranzistorun kaynak gerilimleri ise eittir ve akm gerilim bantsndan (akmlar bilindii iin) VGS
bulunarak elde edilebilirler;

VGS 1 VGS 2

2 xI DS

VTH 2.4V VS 1 VS 2 VG V GS 3.96V 2.4V 1.55V

Sonu olarak

V DS1 V D1 VS 1 12 1.55 10.45V

V DS 2 VD 2 VS 2 7.3 1.55 5.75V
PT 1 I DS1 xVDS1 10.45mW
PT 2 I DS 2 xVDS 2 5.75mW
elde edilir.

ekilde verilen devrede kullanlan MOS

Tranzistor iinVTH=1V, =6mA/V2 deerleri verilmitir.
ID akmnn 3mA olmas iin RS direncinin deeri ne
olmaldr?

Cozum:

For the MOS transistors given in Figure-a,

1=2=3=1mA/V2, VTH1=VTH2= -1V and VTH3=1V
are given.
a) Find drain currents of the transistors for Vi=0V.
(10Points)

Figure-a

b) A PMOS transistor will be used in place of RSS (Figure-b).

DC values of the circuit (the values found in a) are required
not to change. Find the gate bias voltage (VGB) of
the transistor (4=2mA/V2, VTH4= -1V and VA4=100V) .
(10Points)

Figure-b

For the MOS transistors given in Figure-a,

1=2=3=1mA/V2, VTH1=VTH2= -1V and VTH3=1V
are given.
a) Find drain currents of the transistors for Vi=0V.
(10Points)

Figure-a

b) A PMOS transistor will be used in place of RSS (Figure-b).

DC values of the circuit (the values found in a) are required
not to change. Find the gate bias voltage (VGB) of
the transistor (4=2mA/V2, VTH4= -1V and VA4=100V) .
(10Points)

Figure-b