Radiao Trmica

Fsica Clssica:
Todo corpo acima de 0 K emite uma radiao trmica. Radiao trmica a vibrao
trmica de tomos que se movem em torno de uma posio de equilbrio emitindo
radiao eletromagntica. O poder de absoro de uma superfcie igual ao poder de
emisso da mesma, ou seja, a porcentagem de energia absorvida a mesma da emitida.
Propriedades gerais da radiao eletromagntica
A radiao eletromagntica descrita por um modelo clssico de onda senoidal,
complementado com a idia de que composta por um fluxo de partculas discretas,
chamadas ftons, cuja energia proporcional freqncia da radiao. considerada
ento onda e partcula. A radiao eletromagntica no requer um meio para sua
transmisso.
Propriedades ondulatrias da radiao eletromagntica
A radiao eletromagntica pode ser representada por campos eltrico e magntico, com
oscilaes senoidais em fase e perpendiculares entre. O componente eltrico
responsvel por fenmenos, como a transmisso, a reflexo, a refrao e a absoro.
O componente magntico responsvel pela absoro de ondas de rdio freqncia na
ressonncia magntica nuclear.
O espectro eletromagntico
Representa uma faixa de comprimentos de onda e freqncias, e, portanto, energias.

Difrao da radiao
Difrao um processo no qual um feixe paralelo de radiao dobrado quando passa
por uma barreira abrupta ou atravs de uma abertura estreita. conseqncia da
interferncia.
Transmisso da radiao
A velocidade em que a radiao propagada atravs de uma substncia depende dos
tipos e concentraes dos tomos, ons ou molculas no meio. A transmisso envolve a
deformao temporria que as nuvens eletrnicas associadas aos tomos, ons ou
molculas do meio sofrem pelo campo eletromagntico da radiao (Polarizao).
A energia necessria polarizao retida pelo meio e reemitida sem alterao
quando a radiao volta ao seu estado original. O ndice de refrao de um meio
definido por _ = c / v. A variao do ndice de refrao de uma substncia com o
comprimento de onda, ou freqncia, chamada de disperso.

Refrao e reflexo da radiao

Refrao quando a radiao passa atravs da interface entre dois meios que tenham
diferentes densidades, ocorrendo uma mudana na direo e velocidade da radiao nos
dois meios. Reflexo quando a radiao reflete em uma interface entre meios com
ndice de refrao diferentes.
Emisso da radiao
A radiao produzida quando partculas excitadas relaxam aos nveis de energia mais
baixos, gerando ftons.A excitao pode ser feita por vrios modos:
_ bombardeamento com partculas elementares, raiosX;
_ exposio a uma fasca eltrica ou ao calor de uma chama, arco ou forno, que produz
radiao ultravioleta, visvel ou infravermelha;
_ irradiao com um feixe de radiao, que causa fluorescncia.
Absoro da radiao
Quando a radiao atravessa uma camada de slido, lquido ou gs, certas freqncias
podem ser
removidas pela absoro, um processo no qual a energia eletromagntica transferida
aos tomos, ons ou
molculas que compe a amostra.
A absoro promove estas partculas de seu estado fundamental a um ou mais estados
excitados. Para
que a absoro ocorra, a energia do fton tem que ser exatamente igual diferena de
energia entre o estado
fundamental e um dos estados excitados.
Mtodos Espectroanaliticos
1) Absoro Atmica: Energia de um comprimento de onda especfico emitido pela
lmpada de catodo
oco. Comprimento de onda especfico absorvido promovendo um eltron a um nvel de
maior energia.
Absoro proporcional concentrao elementar.

2) Emisso tica: Transferncia de energia (trmica/colisional) a partir de uma chama ou

fonte de plasma.
Transferncia de energia promove um eltron a um nvel de maior energia. O eltron
retorna a seu estado
fundamental emitindo energia luminosa em um determinado l. Emisso proporcional
concentrao
elementar.

3)Espectroscopia de Massa: Transferncia de energia (trmica/colisional) a partir de uma

fonte de

plasma. Transferncia de energia promove a ionizao da espcie, gerando ons

carregados
positivamente. Esses so transferidos e analisados em um espectrmetro de massas.

Espectroscopia de Absoro Atmica: (AAS)

a) FAAS (Espectrometria de absoro atmica com chama)
b) GFAAS (Espectrometria de absoro atmica com forno de grafite)
c)WCAAS(Espectrometria de absoro atmica com filamento de tungstnio)
Difrao de Raios-X
1. Introduo
A tcnica de difrao e electroscopia de raios X trata-se do uso de ondas
eletromagnticas com freqncias entre 3x1016 Hz e 3x1023 Hz( comprimentos de onda
entre 10-6nm e 10 nm) para caracterizar fases, no caso da difrao, ou fazer anlise
qumica
elementar, no caso da espectroscopia.
2. Gerao de raios X
Raios X podem ser gerados por dois fenmenos eletromagnticos:
O primeiro seria o espalhamento de eltron, que consiste na alterao da trajetria
de um eltron que incide sobre um ncleo atmico. A freqncia da radiao depende do
ncleo, da velocidade incidente do eltron e do parmetro de impacto, _, que a
distancia
da linha de trajetria do tomo com uma linha paralela que passa pelo centro do ncleo
que
realizar o espalhamento. O espalhamento gera um espectro contnuo (branco) em que

gerada uma banda de intensidade, principalmente devido a grande variao possvel

para o
parmetro de impacto. Nesse espectro temos um comprimento de onda mnimo bem
definido, causado pelo maior espalhamento possvel, e um comprimento mximo sem
limites, uma vez que o eltron pode passar infinitamente longe do ncleo.
O segundo fenmeno o de transio de eltrons entre nveis de energia em um
tomo, provocando absoro ou emisso de ftons. De forma geral, quando um tomo
promovido para um nvel de energia maior, ele absorve um fton, e quando ele
rebaixado
para um menor, ele emite um fton. Nesse caso, a energia proveniente para o salto do
eltron quantizada. O espectro gerado por esse fenmeno chamado espectro
caracterstico, pois as transies so especficas de cada elemento qumico. A principal
transio entre nveis energticos a K , que ocorre quando um eltron da camada L e
subnvel P se desloca para a camada K.
O conjunto total de emisso consiste na sobreposio do espectro contnuo e
caracterstico, em que h um _min do espectro contnuo e as transies com picos de
intensidade originados do espectro caracterstico.
Geralmente o espectro de raio X utilizado em laboratrio gerado de um tubo de
raios X. Esse tubo formado por filamentos, alvo, cmara de refrigerao e janela de
sada

da radiao. O funcionamento consiste em aquecer o filamento (de tungstnio) at que

ele
emita eltrons. Esses eltrons so direcionados a um alvo atravs da aplicao de uma
alta
tenso (ordem de dezenas de kV) entre o alvo e o filamento. O alvo uma placa de
material
monoelementar, que d nome ao tubo (tudo de Cr, por exemplo) e emite raios X com o
bombardeamento de eltrons. Os raios X emitidos passam atravs da janela, que
geralmente
de Be, material transparente a eles.
Para que um espectro gerado por um tubo de raios X seja utilizado preciso realizar
uma monocromatizao do espectro emitido. Esse processo feito principalmente
atravs
da filtragem do espectro com a sua incidncia em uma placa de material. As possveis
interaes que decorrem disso so:
Emisso de eltrons: A energia incidida utilizada para excitar eltrons e emiti-los
em diferentes direes.
Espalhamento: os eltrons incidem na placa e se espalham com o mesmo
comprimento em diferentes direes.
Calor: os eltrons incidem na placa gerando calor, absorvendo os ftons.
Raio X fluorescento: o material absorve a energia dos raios X incididos e emite
novos raios X com diferentes comprimentos de onda em todas as direes.
Transmisso de raios X: ocorre quando o feixe atravessa o material sem ter
espalhamento, sendo parcialmente absorvido pelo material, causando os outros efeitos
listados acima. Esse fenmeno o mais importante na filtragem do espectro de raios X.
A
intensidade do feixe transmitido dada por : I=I0 xexp(x), com sendo o coef. De
absoro linear.
O coef. /_ chamado de coef. De absoro mssica e caracterstico de cada
material. Esse coef. Se modifica com o comprimento de onda que est sendo absorvido,
com grandes descontinuidades. Exemplo do Ni, que tem coef. crescente at 1,4 A, que
cai
abruptamente quando aumentado para 1,5 A, voltando a ser crescente. Esse
comprimento
de onda em que ocorre a queda corresponde a uma aresta de absoro da srie K,
correspondendo o comprimento de onda que arrancam os eltrons da camada K do Ni.
Quando essa aresta se encontra entre picos de emisso do espectro caracterstico
podemos
usar o material como filtro. Caso de Ni (aresta em 1,489 A) para filtrar emisso de raios X
do Cu ( K
= 1,54 A e K_ = 1,39 A), em que a emisso total do Cu pode ser filtrada
obtendo um espectro com uma alta intensidade de emisso de K e baixssimas
emisses de
comprimentos menores devido a aresta e de maiores devido a crescente absoro
mssica
com o comprimento. Ao final, o feixe est monocromado.
Outro modo de se obter feixes de raios X utilizando um Sncrotron. Nesse aparato
os eltrons giram constantemente em um tubo com alto-vcuo em que so acelerados
por
eletroms de forma a manter uma trajetria circular. Com o desvio de sua trajetria o
eltron emite radiao tangencialmente a curva. Essa radiao controlada pela
curvatura
da trajetria e muito bem quantizada, gerando um feixe com intensidades muito
maiores

do que nos tubos de raios X e tambm com comprimento de onda muito mais limpo.
Com isso possvel realizar medidas muito mais precisas e rpidas do que no tubo de
raios
X.
3. Difrao de Raios X e a lei de Bragg
Quando incidimos um feixe de raios X sobre um material temos diversas interaes,
sendo a difrao a de grande importncia para essa tcnica. Ela determinada quando a
radiao incidente emerge da amostra com mesmo comprimento de onda, mas numa
direo diferente. Essa difrao ocorre em uma nica direo quando o material
cristalino, ou seja, o arranjo de tomos peridico.
A difrao ocorre sob a condio de que satisfaa a lei de Bragg. Ela estabelece
que o feixe ser refratado somente se obedecer a seguinte equao:
n._=2.d.sen(_)
Sendo d a distncia entre planos paralelos, _ o ngulo de refrao e n a ordem de
refrao do material. Essa equao mostra que para que o feixe refratado apresente
uma
interao no destrutiva entre as ondas o comprimento deve ser da proporcional a
distancia
interplanar dada por d/n. Para satisfazer ainda as condies de difrao temos que o
material necessita de um nmero mnimo de clulas unitrias iluminadas tambm que o
fator de estrutura seja diferente de 0. O fator de estrutura assume o valor 0 para redes
CCC
com planos {hkl} em que h+k+l= n. mpar, e tambm para materiais CFC com h, k e l
misturados entre pares e mpares (pelo menos um deles mpar ou par).
4. Tcnica de Difrao de raios X (DRX)
Essa tcnica consiste em incidir sobre uma amostra um feixe de raios X de
comprimento de onda conhecido de modo a determinar os ngulos em que ocorre a
difrao
do feixe (ngulos de Bragg), deduzindo assim a distncia interplanar. O aparelho
utilizado
para realizar a anlise se chama difratmetro e a informao proveniente de
difratograma,
em que coletada a informao de intensidade do feixe que chega ao detector e o
ngulo
2_. O difratmetro consiste de 4 principais partes: a fonte de raios X, o detector de raios
X,
o gonimetro e a mesa do porta-amostra.
Para que essa anlise apresente bons resultados deve-se ter uma amostra isenta de
textura ou qualquer tipo de orientao preferencial. Para que uma fase seja detectada
por
esse mtodo preciso que ela represente mais do que 5% do volume da poro em que
o
feixe de raios X incide. Outro erro que pode ocorrer nessa anlise a superposio de
linhas de difrao de diferentes fases, dificultando a determinao da amostra.
Atravs dessa tcnica temos informaes estruturais (d) da amostra e assim, pode-se
inferir sobre o parmetro de rede do cristal ou identificar fases presentes na amostra.
Para
materiais totalmente cristalinos, como materiais cermicos, temos picos muito bem
definidos e finos. Quando o material apresenta certa parcela amorfa temos picos mais

arredondados, mais grossos e mau definidos, chegando ao 100% amorfo, em que o

difratograma apresenta uma banda de intensidade muito larga e arredondada.
Os picos apresentados no difratograma esto relacionados com a fase presente, que
pode ser identificada atravs de fichas de difratogramas existentes, que foram
determinadas
anteriormente. As intensidades apresentadas em um difratograma so relativas, pois
dependem de parmetros operacionais. Devido a quantidade de fichas, o ideal que se
tenha informaes prvias sobre os elementos qumicos que constituem a amostra.
5. Espectroscopia de raios X
Essa tcnica consiste em incidir sobre uma amostra conhecida, com parmetros
estruturais j determinados, um feixe de raios X desconhecido. Desse modo, atravs dos
ngulos de difrao pode-se determinar o comprimento de onda do feixe incidente sobre
o
cristal analisador. Esse feixe de raios X proveniente do bombardeamento de uma
amostra
desconhecida com feixes de raios X primrios, que absorve os ftons e emite espectros
de
raios X referentes aos elementos qumicos presentes na amostra.
O espectrmetro usa o feixe de raios X fluorescentes da amostra. Sua estrutura
praticamente igual ao difratmetro, mas agora a amostra fica fora do crculo do
gonimetro
e que bombardeada com um feixe de raios X e no meio do gonimetro est presente o
cristal analisador.
Grande diferena entre um difratograma e um espectrograma que no primeiro os
picos so relativos aos planos de difrao das fases do material enquanto no segundo os
picos so provenientes da emisso de onda pela amostra.
importante ter em mente que essas anlises so QUALITATIVAS, apresentando
resultados que identificam a fase ou elementos presentes na amostra, mas no os
quantificam!! A anlise quantitativa por raios X pode ser feita atravs da tcnica de
Rietveld em que diversos parmetros dos picos de difrao e do rudo de difrao so
equacionados e normalizados. Essa tcnica muito trabalhosa, e, portanto no muito
usada, ao menos que outras opes de anlise quantitativa no apresentem bons
resultados.
Microscopia tica quantitativa
Metalografia: consiste no estudo da microestrutura dos metais. O procedimento para a
obteno de uma amostra metalogrfica consiste em:corte da seo de interesse,
embutimento, lixamento, polimento, ataque qumico e anlise em microscpio.
O corte da seo de interesse: Pode ser feito tanto utilizando: serras manuais,
automticas, cuttoff, eletroeroso, ou disco diamantado. Sendo que a deformao gerada
na
amostra reduz-se dos primeiros citados at o ultimo que gera a menor deformao na
superfcie cortada. Segue-se embutimento:
Embutimento quente: A amostra cortada colocada na embutidora com a superfcie
de
interesse voltada para baixo, em seguida, o mbolo enchido geralmente com baquelite.
Em seguida o mbulo selado, e aplicado presso e calor. A resina termofixa se funde
e
solidifica, dando a amostra um formato adequado para a posterior preparao.
Caracterstica desse mtodo: Possui menor custo que o embutimento a frio, requer
menos tempo para o embutimento, Requer uma mquina embutidora, Possui insumos
baratos e facilmente encontrados. Em amostras cuja temperatura crtica baixa esse
mtodo
no pode ser utilizado por possivelmente alterar a microestrutura a ser analisada

 Embutimento a frio: A amostra cortada colocada no molde com a superfcie de

interesse
voltada para baixo, em seguida colocada resina termoplstica junto com um
catalisador.
Espera-se o tempo de cura da resina e a amostra est pronta
Caracterstica desse mtodo: Utiliza geralmente PMMA(mais cara), a cura da resina
mais lenta, no necessita de nenhum equipamento especfico
Lixamento: Consiste em lixar a superfcie de interesse com vrias granulometrias de
lixas.
Polimento: Uso de granulometrias muito finas, tornando a superfcie quase espelhada.
Ataque Qumico: Consiste num ataque a regies preferenciais, de forma que revele
elementos a serem analisados na superfcie de interesse (contornos de gro,
precipitados,
etc..)

Microscopia tica
Resoluo significa a menor distncia discernvel entre duas retas pelo sistema. A
formula de resoluo do equipamento:

onde : R -> resoluo do equipamento, ->

comprimento de luz do
sistema tico utilizado, N.A -> Abertura numrica da lente. Quanto menor R melhor!
Caractersticas do Microscpio tico: Utiliza faixa de luz visvel e lentes
convencionais; faixa de Aumento: 50x a 2000x; com luz do tipo: Refletida ou Transmitida;
possui um baixo custo relativo de equipamento(comparado com MEV); possui baixo
custo
de manuteno; preparao de Amostra: requer uma superfcie lisa, com acabamento
prximo a espelhado; possui preparao de amostra simples, comparado com MEV/MET;
requer pouco treinamento.
Insero de escala na foto tirada pelo microscpio: cuidado com ampliao e reduo de
imagens sem incluso de escala.
MICROSCOPIA ELETRNICA DE VARREDURA
Funo
O Microscpio Eletrnico de Varredura geralmente utilizado para observaes de
amostras espessas,
ou seja, basicamente no transparentes a eltrons. A razo principal de sua utilizao
est associada alta
resoluo que pode ser atingida, tipicamente da ordem de 3 nm, e a grande
profundidade de foco, da

ordem de 300 vezes melhor que a do microscpio tico, resultando em imagens

com aparncia tridimensional.
Informaes topolgicas so obtidas utilizando-se eltrons de baixa energia da ordem de
50 ev e
informaes sobre nmero atmico ou orientao so obtidas utilizando-se eltrons de
alta energia. Pode-se
ainda obter informaes sobre domnios em amostras magnticas ou utilizar sinais
devido a condutividade
induzida pelo feixe de eltrons e luz catodoluminescente, para a caracterizao e anlise
de falhas de
dispositivos semi-condutores. Alm disto, o MEV possibilita a obteno de informaes
qumicas em reas da
ordem de mcrons.
Componentes bsicos de um MEV
Fonte de eltrons (filamento de canho)
Canho
O propsito do canho fornecer uma fonte estvel de eltrons, atingindo a amostra. O
canho
tradicional utiliza um filamento aquecido de tungstnio como fonte de eltrons e um
dispositivo tipo Wehnelt
que, desempenhando as funes de uma lente eletrosttica, converge os eltrons
emitidos e acelerados numa
certa regio entre filamento e anodo chamado cross-over. A distribuio dos eltrons
neste ponto representa
a distribuio espacial dos eltrons emitidos do filamento neste momento. O feixe
incidente na amostra uma
imagem demagnificada deste crossover.
Cilindro de Wehnelt:
Este cilindro ou grade tem duas funes: a primeira, para controlar o grau de emisso de
eltrons do
filamento, e a segunda, para permitir que os eltrons sejam direcionados para dentro do
canho.
Filamentos
Um filamento de tungstnio feito de um pedao curvado de fio, tipicamente com 100
mcrons de
dimetro. Uma corrente aplicada ao filamento para aquecer o fio na faixa de 2700 K.
Neste ponto so
emitidos eltrons do filamento por um processo chamado emisso de termoinica. Para
que os eltrons no
filamento escapem do material, eles necessitam de energia suficiente para superar a
energia da funo de
trabalho do material. Esta energia obtida pelo calor provido pelo filamento, que
aquecido pela corrente de
polarizao.
Sistema tico-eletrnico no MEV
Este sistema consiste em uma fonte de eltrons, sistema de condensao duplo do feixe,
bobinas de
varredura e lente objetiva final. A fonte de eltrons (canho) produz um feixe de eltrons
divergente,
impulsionando-o para o centro da coluna. As lentes eletromagnticas so basicamente
do mesmo tipo que as

utilizadas em qualquer microscpio eletrnico. No MEV, o objetivo dessas lentes o de

formar o menor
dimetro de feixe de eltrons possvel, ou seja, produzir uma imagem demagnificada da
rea da primeira
imagem do filamento. Em geral o sistema de lentes composto de duas condensadoras
e uma objetiva.
Interao feixe-amostra
A interao de um feixe de eltrons de alta energia com a superfcie de uma amostra
resulta na emisso de
eltrons e de raios-X com uma faixa de distribuio de energia e, em alguns casos, na
emisso de radiao
catodoluminescente, que possui menor energia que raios-X.
Os eltrons gerados pela interao do feixe primrio com a amostra podem ser divididos
em trs tipos: retroespalhados,
secundrios e Auger.
Eltrons retroespalhados: emitidos por espalhamento elstico, espalhamento de
plasmons ou espalhamento
inelstico. Eltrons espalhados elasticamente saem basicamente com a mesma energia
que o feixe incidente,
enquanto que os espalhados inelasticamente geralmente sofrem vrias interaes de
espalhamento, e saem da
amostra com um espectro de energia menor que a energia do feixe.
Eltrons secundrios: eltrons de baixa energia (< 50 ev) e so formados pela
excitao de eltrons
fracamente ligados ao ncleo, devido interao com eltrons primrios ou eltrons
espalhados de qq tipo,
passando prxima a superfcie.
Quando um eltron de uma camada interior de um tomo arrancado por um eltron de
alta energia (do feixe
primrio) o tomo pode retornar ao seu estado de energia original com a movimentao
de um eltron de uma
camada mais externa para a camada interior vacante. Neste processo, existe liberao
de energia, que
acompanhada ou pela emisso de um fton ou pela emisso de outro eltron da camada
mais externa. A
emisso de fton resulta no espectro caracterstico de raios-X e a emisso de eltrons
conhecida como
efeito Auger. Tambm neste caso, as energias tanto do fton como do eltron emitidos
so caractersticas dos
elementos que os gerou, possibilitando a obteno de informaes das caractersticas
qumicas da matria.
Tipos de espalhamento
Espalhamento Elstico e Inelstico
Quando eltrons atravessam um material eles interagem com os tomos atravs de uma
fora eletrosttica e
podem ser espalhados inelstica ou elasticamente. O espalhamento elstico conserva
ambos: a energia e o
momento dos eltrons e envolve uma interao Coulumbiana com o ncleo atmico e
todos os eltrons ao
redor dele. Tal espalhamento d origem aos eltrons retroespalhados e difrao. Eventos
de espalhamento
inelsticos resultam na transferncia de energia entre o feixe incidente de eltrons e a
matria com qual eles

interagem. Estes eventos de espalhamentos inelsticos podem produzir raios-X, eltrons

secundrios, fnons.
Emisso de raiox-X caractersticos
A interao de um eltron de alta energia com um tomo pode resultar na ejeo de um
eltron de uma
camada atmica interna. Isto deixa o tomo em estado ionizado ou excitado, com uma
vacncia nesta camada.
A variao em energia determinada pela estrutura eletrnica do tomo, que a nica
para cada elemento.
Esta energia caracterstica pode ser libertada do tomo de dois modos: a primeira a
emisso de um fton de
raios-X com uma energia caracterstica especifica para aquela transio e,
consequentemente, para o
elemento. A deteco de tais ftons fornece informao sobre a composio elementar
da amostra, em termos
de quantidade e distribuio. O segundo modo a liberao dos chamados eltrons de
Auger.
Tipos de sinais
O feixe de eltrons interage com a regio prxima superfcie de uma amostra at uma
profundidade de
aproximadamente alguns microns, dependendo da tenso de acelerao e da densidade
do material. So
produzidos numerosos sinais como resultado desta interao, que podem ser detectados
atravs de detectores
apropriados para fornecer informaes sobre a amostra. Estes sinais incluem emisso
secundria de baixa
energia, gerao de eltron Auger, emisso de raios-X caracterstico, raiox-X continuo,
emisso de eltrons
retroespalhados e catodoluminescncia.
Eltrons Auger
O bombardeamento da amostra por eltrons de alta energia resulta em tomos ionizados
a certa profundidade.
Esta depende da tenso de acelerao e da densidade do material.
Um tomo ionizado pode emitir raios-X caracterstico ou energia liberada como um
eltron. Um eltron
preenchendo a vacncia inicial pode lanar outro eltron do tomo em uma transio de
baixa emisso de
radiao, chamada efeito Auger. Se um eltron da camada interna K lanado e um
eltron da camada L
preenche esta vacncia, liberta energia e lana um eltron Auger da camada L. A
transio de Auger ento
chamada de transio KLL.
A espectroscopia Auger uma tcnica sensvel superfcie, uma vez que eltrons Auger
gerados mais
profundamente que os das camadas superficiais perdero a sua assinatura de energia
enquanto caminham
para fora da amostra. Assim, o sinal detectado inclui eltrons gerados apenas das
poucas primeiras monocamadas
da amostra-aqueles que tm energia suficiente para escapar.
Eltrons secundrios (SE)
A emisso de eltrons secundrios um dos sinais mais comuns usados para produzir
imagens do MEV, uma

vez que a maioria do sinal est confinado a uma regio prxima do feixe incidente, e d
origem a uma
imagem de alta resoluo.
A profundidade de escape de eltrons secundrios essencialmente determinada pela
energia dos eltrons
secundrios gerados, pela seo transversal para este processo inelstico de excitao
de eltrons e pelo livre
caminho mdio correspondente para este espalhamento. Se o eltron tem energia
suficiente para superar a
energia de barreira de superfcie, ele pode escapar da amostra e pode ser detectado
pelo detector de eltrons
secundrios. A probabilidade de escape diminui exponencialmente com a profundidade.
Quando o feixe
incidente penetra na amostra, podem ser produzidos eltrons secundrios ao longo de
qualquer fase da
trajetria do feixe, mas somente os com energia suficiente para superar a funo
trabalho do material podem
escapar da amostra e serem detectados pelo detector.
Eltrons retroespalhados (BSE)
Um nmero significativo dos eltrons incidentes que atingem uma amostra grossa reemitido atravs da
superfcie do material. Estes eltrons so conhecidos como eltrons retroespalhados,
que sofreram
espalhamentos elsticos com alto ngulo no material, fazendo com que eles se
aproximem da superfcie com
energia suficiente para escapar. A intensidade do espalhamento esta relacionada ao
numero atmico do
tomo; quanto maior o numero atmico envolvido do material, maior coeficiente de
retroespalhamento, e
maior rendimento. Eltrons retroespalhados do origem a um sinal importante usado
apara produzir imagens
em um MEV, e sensvel a diferenas em numero atmico, topografia local,
cristalografia, bem como a
estrutura do campo magntico do material. O grau de espalhamento depende de vrios
parmetros, inclusive
do numero atmico do material.
Tipos de contraste
A imagem observada do MEV resulta da variao de contraste que ocorre quando o feixe
se move do ponto a
ponto sobre a superfcie da amostra. Variaes do sinal detectado de diferentes pontos
podem ocorrer devido
variao do numero de eltrons emitidos da superfcie ou devido variao do numero
de eltrons atingindo
o detector.
Contraste de topografia
No MEV, o feixe incidente varre uma rea da amostra. Para uma superfcie spera, o
ngulo de incidncia
varia por causa da inclinao local da amostra e, uma vez que amostras inclinadas
produzem mais eltrons
que as planas, o contraste visto devido ao numero diferente de eltrons que so
emitidos. A posio do
detector tb crucial.
Contraste de numero atmico

Ocorre pq a quantidade de emisso correspondente a eltrons de alta energia aumenta

linear e rapidamente
com o numero atmico Deste modo, possvel utilizar imagens de eltrons
retroespalhados para detectar
diferenas de composio, caso essas diferenas resultem em diferentes nmeros
atmicos.

Microestruturas e microanlise
As microestruturas determinam muitas das propriedades de interesse para os materiais e
sua formao
depende fundamentalmente da composio qumica e do processamento. Este aspecto
j indica a relevncia
da caracterizao qumica de um material, porm outro aspecto de igual importncia est
relacionado
identificao localizada de fases e segregaes qumicas, frequentemente associada a
interfaces ou defeitos da
estrutura. Este ltimo caso exemplifica a importncia da microscopia analtica, que
possibilita a visualizao
de detalhes da estrutura, mesmo em dimenses nanomtricas e a anlise qumica
localizada na regio de
interesse. Por ex, em microestruturas decorrentes dos processos de fuso/solidificao,
as informaes
microanalticas de interesse esto frequentemente associadas a dendritas, segregao
ou incluso.
A microanlise eletrnica baseada na medida de raios-X caractersticos emitidos de
uma regio
microscpica da amostra bombardeada por um feixe de eltrons. As linhas de raios-X
caractersticos so
especificas do numero atmico da amostra e os seus comprimentos de onda podem
identificar o elemento que
esta emitindo a radiao.
XPS

Com a tcnica de espectroscopia de fotoeltrons, estudam-se transies eletrnicas nas

quais os estados finais
pertencem ao contnuo. Ftons de alta energia so utilizados para ionizar tomos e
molculas. Determinandose
a energia cintica dos eltrons emitidos pela interao da luz com a amostra, pode-se
obter valores para os
potenciais de ionizao, PI, dos orbitais envolvidos, a partir da conhecida equao de
Einstein: h f = Ec + PI, onde h a constante de Planck, f a freqncia da luz e Ec a
energia cintica dos fotoeltrons.
MICROSCPIO ELETRNICO DE TRANSMISSO
Um microscpio eletrnico de transmisso consiste de um feixe de eltrons e um
conjunto de lentes
eletromagnticas, que controlam o feixe, encerrados em uma coluna evacuada com uma
presso cerca de 10-5
mm Hg. Um microscpio moderno de transmisso possui cinco ou seis lentes
magnticas, alm de vrias
bobinas eletromagnticas de deflexo e aberturas localizadas ao longo do caminho do
feixe eletrnico. Entre
estes componentes, destacam-se os trs seguintes pela sua importncia com respeito
aos fenmenos de
difrao eletrnica: lente objetiva, abertura objetiva e abertura seletiva de difrao. A
funo das lentes
projetoras apenas a produo de um feixe paralelo e de suficiente intensidade
incidente na superfcie da
amostra.
Os eltrons saem da amostra pela superfcie inferior com uma distribuio de
intensidade e direo
controladas principalmente pelas leis de difrao impostas pelo arranjo cristalino dos
tomos na amostra. Em
seguida, a lente objetiva entra em ao, formando a primeira imagem desta distribuio
angular dos feixes
eletrnicos difratados. Aps este processo importantssimo da lente objetiva, as lentes
restantes servem apenas
para aumentar a imagem ou diagrama de difrao para futura observao na tela ou na
chapa fotogrfica.
Deve-se finalmente destacar que embora existam em operao alguns aparelhos cuja
tenso de
acelerao de 1000 kV, a maioria dos equipamentos utilizados no estudo de materiais
(metlicos, cermicos
e polimricos) dispe de tenso de acelerao de at 200 kV. Os MET utilizados em
biologia (materiais
orgnicos naturais) em geral operam na faixa de 60 a 80 kV.
1. A preparao de amostras
As amostras utilizadas em MET devem ter as seguintes caractersticas: espessura de
500 a 5000
(dependendo do material e da tenso de acelerao utilizada) e superfcie polida e limpa
dos dois lados.
Durante a preparao, a amostra no deve ser alterada, como por exemplo, atravs de
deformao plstica,
difuso de hidrognio durante o polimento eletroltico ou transformaes martensticas
Os corpos de prova podem ser de dois tipos: lminas finas do prprio material ou
rplicas de sua

superfcie. A preparao de lminas finas de metais e ligas segue normalmente a

seguinte seqncia de
preparao: corte de lminas de 0,8 a 1,0 mm de espessura, afinamento por polimento
mecnico at 0,10-0,20
mm de espessura e polimento eletroltico final. As laminas finas de materiais polimricos
e de outros
materiais orgnicos so obtidas por microtomia, onde uma navalha corta pelculas finas e
com espessura
controlada. Em geral, o material orgnico resfriado em nitrognio lquido
(ultramicrotomia) para minimizar
a deformao durante o corte. O afinamento final das lminas de materiais cermicos
geralmente feito por
desbaste inico.
Trs tipos de rplica so normalmente utilizados para obteno de amostras de MET: de
plstico, de
carbono e de xido. Na tcnica de rplica de plstico, uma soluo diluda de plstico em
um solvente voltil,
por exemplo formvar em clorofrmio, gotejada na superfcie da amostra.
O solvente se evapora e deixa um filme, que pode ser retirado e que representa o
"negativo" da
superfcie. Na rplica de carbono, este material evaporado na superfcie da amostra.
Esta tcnica pode ser
utilizada tambm para arrancar partculas de precipitados da amostra, a chamada rplica
de extrao. Na
rplica de xido, usada principalmente para ligas de alumnio, o filme de xido obtido
por anodizao de
uma superfcie previamente polida eletroliticamente. Nos trs tipos de rplica, o contraste
tem origem nas
variaes de espessura. No caso de partculas extradas, um contraste adicional
aparece, pois as partculas, se
forem cristalinas, difratam eltrons.
2. A formao de imagens em MET
Em microscopia eletrnica de transmisso a imagem observada a projeo de uma
determinada espessura do material, havendo uma diferena com relao ao observado
numa superfcie. Como
pode observado, ocorre uma projeo das linhas, reas e volumes de interesse,
podendo ocorrer superposio.
O contraste nas imagens formadas em MET tem diversas origens, tais como diferena de
espessura,
diferena de densidade ou de coeficiente de absoro de eltrons (contraste de massa),
difrao e campos
elsticos de tenso. H dois casos: slidos amorfos (contraste de massa) e slidos
cristalinos (difrao).
4. Algumas aplicaes tpicas de MET
Outra aplicao clssica de MET a observao e anlise de defeitos de empilhamento,
os quais no
podem ser observados com os outros tipos de microscopia. Em materiais com estrutura
cristalina CFC e baixa
energia de defeito de empilhamento, tais como a prata, o ouro, o lato alfa e os aos
inoxidveis austenticos,
numerosos defeitos de empilhamento so formados durante a deformao plstica.

A energia de defeito de empilhamento (EDE) inversamente proporcional distncia

entre o par de
discordncias parciais e uma das principais grandezas ou constantes dos materiais. A
energia de defeito de
empilhamento determinada principalmente pela distribuio eletrnica (composio
qumica) da fase, mas
tambm influenciada pela temperatura. Uma diminuio na EDE tem em geral
numerosas conseqncias no
comportamento de um material tais como menor mobilidade das discordncias e menor
propenso
ocorrncia ao escorregamento com desvio, aumento no coeficiente de encruamento,
aumento na energia
armazenada dentro do material na
deformao, maior resistncia fluncia e maior susceptibilidade corroso sob tenso.
Existem
vrias tcnicas experimentais para a determinao da EDE, sendo que a microscopia
eletrnica de transmisso
a mais utilizada.
Uma outra aplicao muito freqente da MET a observao e anlise de precipitados
muito finos,
de dimenses nanomtricas, dispersos em uma matriz de outra fase.
MICROSCOPIA DE FORA ATMICA PEDRO RIS
Seu princpio fundamental a medida das deflexes de um suporte (de 100 a 200 mm
de
comprimento) em cuja extremidade livre est montada a sonda. Estas deflexes so
causadas pelas interaes
das Foras de Van der Walls, que agem entre a sonda e a amostra. As diferentes
tcnicas fornecem diversas
possibilidades para fazer imagens de diferentes tipos de amostras e para gerar uma
ampla gama de
informaes. Os modos de fazer as imagens, tambm chamados modos de varredura ou
de operao, referemse
fundamentalmente distncia mantida entre a sonda (que chamaremos ponteira) e a
amostra, no momento
da varredura, e s formas de movimentar a ponteira sobre a superfcie a ser estudada. A
deteco da superfcie
realiza-se visando criao de sua imagem. H um contnuo de modos possveis de
fazer imagens, devido s
diferentes interaes em funo da distncia entre a ponteira e a amostra, assim como
ao esquema de deteco
utilizado. A escolha do modo apropriado depende da aplicao especfica que se deseja
fazer.
Microscopia de Tunelamento: Entre a ponta condutora muito fina (tungstnio ou
platina-irdio) e
amostra (condutora ou semicondutora) aplicada uma pequena diferena de potencial
da ordem de mV,
havendo passagem de uma corrente de tunelamento, que deve ser mantida constante
durante a varredura pelo
sistema de controle. A corrente de tunelamento medida depende exponencialmente da
distncia ponta/amostra
e portanto muda conforme a sonda passa por pontos de diferentes alturas. O controle
aciona ento o scanner

(atuador responsvel pelos movimentos da amostra em x, y e z) para que a posio

vertical z seja alterada de
forma a corrigir a diferena entre o valor da corrente medida e a definida no sistema
(setpoint da ordem de
nA), para cada ponto x,y medido na superfcie da amostra. O conjunto dos pontos de
coordenadas x, y e z
formar a imagem topogrfica da superfcie da amostra. O STM a tcnica de maior
resoluo, podendo
chegar resoluo atmica.MFA: Variando-se a sonda e detectores pode-se obter
informaes sobre a
superfcie, condutividade, magnetizao, capacitncia, etc. Consegue-se imagens de
100m angstrons com
resoluo em 3D. Pode-se trabalhar em qualquer meio, ou na ausncia deste
(vcuo).Tcnica pode ser
aplicada in-situ como no caso de problemas de corroso.
Microscopia de Fora Atmica: No modo de Fora Atmica, uma ponta presa a um
cantilever varre
a superfcie da amostra, atravs de uma cermica piezoeltrica que a movimenta. Um
laser incide sobre o
cantilever e refletido para um conjunto de foto-detectores. O sinal eltrico obtido
realimentado para o
computador mantendo constante a deflexo do cantilever (modo de contato) ou a
amplitude de oscilao
(modo contato intermitente ou no-contato). As correes na altura z so ento gravadas
juntamente com as
respectivas posies x,y da amostra, gerando a imagem topogrfica da amostra. Usado
em amostras isolantes.
Modo de contato, intermitente ou no-contato. No modo contato ponta e amostras esto
em contato e as foras
de Wan Der walls tornam-se positivas
Microscopia de Fora Magntica: Nesta modalidade utilizado um cantilever oscilante
com uma
ponta recoberta por um filme de material magntico permanentemente imantado.
Durante a varredura, a ponta
oscila acima da superfcie e sofre influncia do campo magntico da amostra, o que
altera seu movimento. A
variao na freqncia proporcional ao gradiente do campo magntico na direo
vertical, aplicado ponta
pela superfcie e pode ser detectada por fase (medida da defasagem entre deslocamento
de oscilao e fora
oscilante aplicada ao cantilever pelo scanner), amplitude (diminuio de seu RMS) ou
pela medida direta da
variao da freqncia.
-Quanto menor for a varredura, maior ser a ampliao;
-SPM