Professional Documents
Culture Documents
0. SISTEME DE NUMERATIE
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
2. PORI LOGICE
2.0. Introducere
2.1. Constante i variabile booleene. tabele de adevr
2.2. Numere binare
2.3. Postulatele i teoremele algebrei booleene
2.4. Pori logice elementare
5. REGISTRE DE DEPLASARE
5.0. Introducere
5.1. Registrul SISO
5.2. Registrul SIPO
5.5. Registre de deplasare universale
5.6. Aplicatii ale registrelor de deplasare
6. NUMARATOARE
6.0. Introducere
6.1. Clasificarea numaratoarelor
6.2. Numaratoare asincrone
6.3. Numaratoare sincrone
7. MEMORII SEMICONDUCTOARE
7.0. Introducere
7.1. Clasificarea memoriilor
7.2. Unitati de masura a informatiei
7.3. Parametrii memoriei
7.4. Functionarea unei memorii
7.5. Memorii ROM
7.6. MEMORII RAM
7.7. EXTINDEREA CAPACITATII DE MEMORARE
7.8. MEMORII SPECIALE
7.9. APLICATII ALE MEMORIILOR
simbolurile
prin
care
sunt
reprezentate
cantitatile
(numerele/dimensiunea) nu au o pondere in functie de pozitia ocupata
in cadrul sirului de simboluri ce desemneaza (semnifica) cantitatea
globala (totala).
Ex. : sistemul de numeratie ROMAN
I = i de la in
reprezinta unitatea
II =
reprezinta
2 unitati
V = v de la vot
reprezinta
5 unitati
X = x de la xerox
reprezinta 10 unitati
L = L
reprezinta 50 unitati
C=
reprezinta 100 unitati
M=
reprezinta 1000 unitati
Prin alaturarea acestor simboluri cu o semnificatie prestabilita si folosind un
algoritm/conventie de calcul (interpretare) se pot reprezenta diferite cantitati.
IV = 4 = 5 1
VI = 6 = 5 + 1
IX = 9 = 10 1
XI = 11 = 10 + 1
XX = 20 = 10 + 10
Rang K
CK
unde ci = cifra de rang i
Rang K 1
CK-1
Rang I
Ci
Rang 1
C1
Rang 0
C0
Numarul se va reprezenta:
Nr. = Ck Ck-1 Ci C1C0
in total (k + 1) ranguri (de la 0, , k)
valoarea nr. N in baza X este:
k
Nx = Ck Xk + Ck-1 Xk-1 + + C1 X1 + C0 X0 =
c x
i0
Vom considera bazele de numeratie cel mai des folosite: baza 10, baza 2, baza
8, baza 16, iar pentru fiecare vom face o reprzentare pe 4 ranguri ( K + 1 = 4);
Observatie: Baza 10 fiind baza de numeratie naturala (cea pe care o simte toata lumea)
va fi baza de raportare, comparatie.
a) N(2) = NB = nr. exprimat in baza 2 (binar)
b) N(8) = NQ = nr. exprimat in baza 8 (octal)
c) N(10) = ND = nr. exprimat in baza 10 (decimal)
d) N(16) = NH = nr. exprimat in baza 16 (hexazecimal)
N(2)
N(8)
N(10)
N(16)
rang
3
1
1
6
1
rang
2
0
1
2
1
rang
1
1
0
7
0
rang
0
1
1
3
1
1
1
F
9
1
9
7
0
c
8
1
7
1011 = 1 23 + 0 22 + 1 21 + 1 20 =
11
3
2
1
0
1101 = 1 2 + 1 2 + 0 2 + 1 2 =
13
3
2
1
0
6273 = 6 8 + 2 8 + 7 8 + 3 8 = 14201
1101 = 1 83 + 1 82 + 0 81 + 1 80 = 512 + 64
+ 1 = 577
1978 = 1 103 + 9 102 + 7 101 + 8 100 = 1978
1101 = 1 103 + 1 102 + 0 101 + 0 100 = 1101
F9C7 = F 163 + 9 162 + C 161 + 7 160 =
63943
1101 = 1 163 + 1 162 + 0 161 + 1 160 =
4096 + 256 + +1 = 4353
Observatii:
1) Liniile scrise cu rosu ilustreaza scrierea numarului 1101 in bazele 2, 8, 10, 16 (acelasi sir de
simboluri in baze de numeratie diferite reprezinta cantitati diferite)
2) Algoritmul general pentru () ranguri este:
rang (k)
rang (k-1) ... rang (i) ... rang 1
rang 0
Ck
Ck-1
Ci
C1
C0
Nx = Ck (baza)k + Ck-1 (baza)k-1 + ... + Ci (baza)i + C1 (baza)1 + C0 (baza)0
Ci = cifra (simbolul corespunzator rangului (i)).
3) Simbolurile corespunzatoare bazei 16 sunt:
0, 1, ..., 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15
A B C D E F
deci A este corespondentul lui 10
.
.
.
F este corespondentul lui 15.
N2
10 2
16 2
N10
2 10
16 10
X 10
N16
2 10
10 16
Nx
10 X
Nx = Ck x + Ck-1 x
k
k-1
i + ... +
... Ci x
0 0
C1 x + C x =
c x
i 0
i 1
388 16
32 24 = Q1 16
68 16
1 = Q2 16
64 8
0
0 = Q3
4 C1
1
C0
C2
2
N16 = C2C1C0 = 184H = 1 16 + 8 161 + 4 160 = 256 + 128 + 4 = 388
3) Conversia din hexa (16) in baza 2 (16 2) si invers 2 16
a) Conversia 16 2 se face astfel:
fiecarei cifre hexa din numar i se asociaza un grup de cate 4 biti (locatii care pot lua
valoarea 0 sau 1), a caror valoare in baza 2 va corespunde cifrei hexa.
Observatie: Cifrele (simbolurile) in hexa sunt de la
0 16 0 F ; in total 16 simboluri.
Pe 4 biti numarul maxim care se poate exprima este 15, respectiv 16 simboluri sau
combinatii.
Exemplu:
5B9H = 5 162 + B 161 + 9 160 = 1280 + 176 + 9 = 1465D
5B9H =
0101
1011
1001
5
B
9
4
6H
9H
0110 1001B = 69h = 6 161 + 9 160 = 96 + 9 = 105D
Simbolic
2 simboluri distincte
k
In cadrul sistemelor numerice informatia cu care se lucreaza este codificata, adica acele
combinatii posibile de realizat pe un numar K de biti sunt manipulate dupa algoritmi bine precizati.
Coduri
Definitie
LEGEND
sistemele de ordin zero sau circuitele combinaionale au drept reprezentant poarta logic. Conectnd
corespunztor mai multe pori se obin circuite logice combinaionale (CLC), cele mai importante fiind:
codificatorul, decodificatorul, comparatorul, sumatorul, generatorul de paritate, convertorul de cod.
S1 sistemele de ordin unu sau circuitele de memorare au ca reprezentant tipic bistabilul. Conectnd corespunztor
mai multe bistabile (i eventual pori) se obin circuite secveniale, cele mai importante din acest sistem
fiind registrele de deplasare i memorare.
S2 sistemele de ordin doi sau automatele elementare sincrone au ca reprezentant tipic numrtorul. Extensia este
format de numrtoare, divizoare programabile, automate secveniale sincrone cu faciliti multiple.
Tip de circuit
a DRAM
b SRAM
c CI numeric
d Arii de pori
e Logic programabil
Element
Bii
Bii
Tranzistoare
Pori
Celule
Automate elementare
Sisteme
microprogramabile
Sisteme de calcul
6 S5
Reeaua de calculatoare
7 S6
Reele de reele
4 S
3
Registrul de deplasare
Numrtorul
Divizorul programabil
Microcontrolerul
Microprocesorul modern
Supercalculatorul
Calculatorul
LAN
Este interesant de apreciat proporia dintre hardware i software la sistemele numerice clasificate mai
sus. La sistemele de ordin 0 i 1 partea software este 0. Primele dispozitive programabile sunt cele de
10
ordin doi, dar ele nu ruleaz propriu-zis un program ci evolueaz n funcie de un cuvnt binar.
11
Pentru impulsul reprezentat n figura 1.6 n tehnica digital se definesc trei puncte de referin temporale care
survin la atingerea pragurilor de 10%, 50 % i 90% din amplitudinea semnalului. Limea impulsului se noteaz de
obicei cu tW, timpul de ridicare cu tr iar timpul de coborre sau cdere cu tf., toi indicii provenind de la iniialele
din limba englez (width, rise, fall). Timpul de ridicare, respectiv de coborre se msoar ntre pragurile de 10% i
90% deoarece se dorete evitarea regiunilor neliniare de racordare ntre palierul i frontul impulsului.
Diagramele de semnal aferente circuitelor numerice de cele mai multe ori nu reprezint valoarea real a tensiunii
n strile 0 i 1, preferndu-se o reprezentare simplificat (figura 1.7). Primul semnal este unul periodic cu
perioada T, iar cel de-al doilea este un semnal neperiodic. Un semnal de tact este un exemplu tipic de semnal
periodic, iar o linie a unei magistrale de date este un bun exemplu de semnal neperiodic.
12
Scara de integrare
Integrare pe scar mic
SSI
Small-scale integration
MSI
Medium-scale integration
LSI
Large-scale integration
VLSI
ULSI
Very
integration
large-scale
Ultra
integration
large-scale
Numr pori
echivalente
12
12 - 99
Exemplu de circuite
Pori, bistabile
Decodificatoare, registre numr-toare,
100 9.999
10k 99.999
Microprocesoare
i
complexitate redus
100k-
microcon-trolere
de
13
rspndite. Cele mai rspndite tehnologii MOS sunt CMOS (Complementary MOS) i NMOS (n-channel MOS).
Circuitele SSI i MSI se produc att n tehnologie TTL ct i CMOS. Circuitele LSI, VLSI i ULSI se
produc numai n tehnologie MOS datorit densitii (mult) mai mari de integrare necesare.
1.4.2. Capsule pentru circuitele integrate
Capsulele circuitelor integrate se clasific dup modul n care aceste circuite echipeaz o plac de circuit
imprimat (cu guri sau montate pe suprafa). Capsula DIP (engl. Dual in Line Package) este reprezentantul tipic
pentru prima categorie.
Tehnologia SMT (engl. Surface-Mount Technology) utilizeaz circuite integrate ale cror pini se lipesc direct pe
cablajul imprimat. Aceast soluie permite o important economie, deoarece:
- nu mai sunt necesare guri de trecere a pinilor;
- poriunea de cablaj de pe partea opus circuitului SMT poate fi folosit pentru alte circuite sau trasee;
- circuitele SMT sunt mult mai mici dect echivalentul lor DIP (att prin dimensiunile capsulei i ct i
prin distana mai mic dintre doi pini alturai).
Tabelul 1.2
Principalele capsule SMT ale CI
Denumire Explicaie
Traducere
SOIC
Small Outline IC
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
LCCC
Leadless Ceramic Chip carrier
FP
Flat Pack
SSOP
Shrink Small-Outline Package
TSSOP
Thin Shrink Small-Outline Package
TVSOP
Thin Very-Small-Outline package
14
7. n schimb se vor reprezenta simbolurile funcionale ale circuitelor (aa cum sunt redate n cataloage).
Figura 1.9. O reprezentare corect a unei scheme electronice cu circuite integrate numerice.
8. Toate elementele din schema electric se vor regsi ntr-un tabel de component care va conine denumirea
componentei, codul (acolo unde este posibil), cantitatea, denumirea sub care se gsete n schema electric,
valoarea, productorul i eventual o surs secundar de aprovizionare. Acest tabel de componen este destinat
aprovizionrii cu piese n cazul produciei n serie mare.
15
Tabelul 1.4
Exemplu de tabel de componen
Componenta
C1
C2C8
J1
R1
R2
R3, R4
R5
U1, U2
U3, U4
U5, U6
U7
Valoare
100n
100n
Soclu
100
2k
510
1k
74F04
74F74
74F00
74F112
Capsula
AXIAL0.3
RAD-0.1
DIP18
AXIAL0.3
AXIAL0.3
AXIAL0.3
AXIAL0.3
DIP14
DIP14
DIP14
DIP16
Descriere
Condensator
Condensator
Conector
Rezistor
Rezistor
Rezistor
Rezistor
ase inversoare
CI, Dou bistabile de tip D
CI, Patru pori I-NU cu 2 intrri
CI, Dou bistabile de tip JK
Cantitate
1
6
1
1
1
2
1
2
2
2
1
16
2. PORI LOGICE
2.0. INTRODUCERE
2.1. CONSTANTE I VARIABILE BOOLEENE. TABELE DE ADEVR
n algebra boolean sunt dou constante: 0 i 1. n funcie de tipul de logic folosit, de tehnologia
utilizat, materializarea celor dou constante se obine prin niveluri de tensiune bine stabilite. De exemplu,
valoarea 0 logic se poate obine comod n anumite condiii prin simpla legare la mas a intrrilor unui circuit
numeric.
Variabilele booleene pot lua una din cele dou valori, 0 sau 1. O variabil care nu este 0, va fi
obligatoriu 1 i reciproc. Este important de reinut faptul c 0 i 1 nu reprezint dou numere, ci stri sau
niveluri logice. O serie de sinonime desemneaz cele dou stri logice posibile, cele mai folosite fiind
prezentate n tabelul urmtor.
Tabelul 2.1
Sinonime pentru starea logic 0, respectiv 1
Denumirea n limba romn Denumirea n limba englez
Stare logic 0 Stare logic 1
Logic 0
Logic 1
Fals
Adevrat
False
True
JOS
SUS
Low
High
NU
DA
No
Yes
Oprit
Pornit
Off
On
Tabelul de adevr este o modalitate de descriere a dependenei ieirii unui circuit logic
combinaional de valorile logice ale intrrilor. n tabelul de adevr sunt prezente toate combinaiile
posibile ale variabilelor de intrare. n tabel liniile se trec ordonat cresctor, prima coloan aferent
variabilelor de intrare corespunznd bitului mai semnificativ MSb al vectorului de intrare, iar ultima
coloan bitului mai puin semnificativ LSb.
Tabelul de adevr
A
0
0
0
0
1
1
1
1
BC
0 0
0 1
1 0
1 1
0 0
0 1
1 0
1 1
y
0
1
0
1
0
0
0
1
Circuitul logic combinaional din figura 2.1 are trei intrri A, B i C, iar ieirea a fost notat cu y. Din
citirea tabelului 6 se poate afirma c:
y este Adevrat dac i numai dac:
A este Fals I B este Fals I C este Adevrat
A este Fals I B este Adevrat I C este Adevrat
A este Adevrat I B este Adevrat I C este Adevrat,
ceea ce se poate exprima astfel:
n continuare este prezentat tabelul de adevr al celor trei funcii elementare (NEGARE, I, SAU).
Tabelul 2.2
Tabelul de adevr al funciilor elementare
0
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
Teorem. Orice funcie poate fi realizat cu un singur tip elementar mpreun cu inversoare.
a-m separate de un simbol pentru virgul. Acest simbol este virgula n literatura romn i punctul n cea
englez.
Denumire
P1
Element neutru
P2
Complement
P3
Comutativitate
P4
Distributivitate
Tabelul 2.4
Teoremele algebrei booleene
T1 Idempoten
T2 Contradicie
T3 Dubla negaie
T4 Asociativitate
T5 De Morgan
T6 Absorbie
T7
T8
T9
a.
b.
Cel mai simplu DCD are o intrare i o ieire, fiind realizat cu un inversor (figura 3.2). Un DCD 2:4 necesit 4
pori I-NU i dou inversoare, ieirile fiind active JOS.
a.
b.
Schema electric pentru un DCD 3:8 necesit 8 pori I-NU cu cte 3 intrri (figura 3.3). Intrrile se aplic
prin perechi de inversoare pentru a asigura ca fiecare intrare s reprezinte o singur sarcin (TTL).
Schema se poate completa cu un circuit de validare (figura 3.4). Dac circuitul nu este validat, toate ieirile
22
Fiecrei ieiri i corespunde un circuit I-NU, ceea ce face ca ieirile circuitului s fie active pe 0. Acest lucru
nseamn c ieirea activat este pe 0 iar toate celelalte ieiri sunt pe 1. De exemplu: pentru x0 = 1, x1 = 0, x2 =
1, ieirea
este pe 0 i toate celelalte sunt 1.
Decodificatorul din figura 3.4 realizat n tehnologie TTL (74LS138) este foarte rspndit n aplicaii datorit
versatilitii oferite de validarea multipl.
23
O categorie aparte de decodificatoare sunt utilizate pentru comanda afiajelor cu 7 segmente (figura 3.7). n
tehnologie CMOS se fabric circuitele 4511 i 4513, cu 4 intrri i 7 ieiri, iar n tehnologie TTL se produc
circuite pereche (74LS47 i 74LS247 pentru afiaje cu anod comun, respectiv 74LS48 i 74LS248 pentru
circuite cu catod comun).
4511 este un latch, decodificator i etaj de ieire capabil s furnizeze la ieire un curent de 25 mA,
potrivit pentru comanda afiajelor cu catod comun (LED). Poate afia doar cifrele 0...9, pe care le
poate i memora de altfel.
4543 este un latch, decodificator i etaj de ieire capabil s furnizeze la ieire un curent de 25 mA,
potrivit pentru comanda afiajelor cu catod comun (LED), dac PH = 1 logic, a afiajelor cu anod
comun (LED), dac PH = 0 logic, respectiv a afiajelor cu cristale lichide (LCD). Poate afia doar
cifrele 0...9, pe care le poate i memora de altfel.
74LS47 i 74LS247 sunt decodificatoare realizate pentru comanda afiajelor cu anod comun, care
pot afia 13 combinaii (cifrele 0...9 i alte 5 semne, plus afiaj stins).
74LS48 i 74LS248 sunt decodificatoare realizate pentru comanda afiajelor cu catod comun,
24
care pot afia 13 combinaii (cifrele 0...9 i alte 5 semne, plus afiaj stins).
Combinaiile variabilelor x4 - x0 sunt prezentate n tabelul 3.1. nEN este o intrare global de validare; pentru
nEN = 1, toate ieirile sunt inactive (1 logic). De obicei x4 - x0 sunt bii de adres, rangurile mai semnificative
fiind utilizate pentru selecia decodificatorului activ (x4 x3 selecteaz U0 U3), iar rangurile mai puin
semnificative o anumit ieire dintr-un DCD (x2 x0 selecteaz una din cele 8 ieiri ale unui DCD).
25
Versatilitatea intrrilor de validare de la 74LS138 permite o implementare mai simpl a extinderii (figura 3.9),
prin utilizarea unui circuit inversor i renunarea la posibilitatea validrii globale.
Tabelul 3.1
nE x4 x3
1
0
x
0
X
0
x
0
x
0
x
0
U0
nY0
U0
nY1
.
0
.
0
.
0
.
1
.
1
.
1
.
U0
.
nY7
0
.
0
0
.
0
1
.
1
0
.
1
0
.
1
0
.
1
U1
.
U1
nY8
.
nY15
U2
nY13
.
0
.
1
.
0
.
1
.
1
.
1
.
U2
.
nY23
U3
nY24
.
0
.
1
.
1
.
1
.
1
.
1
.
U3
.
nY31
ntr-un microsistem DCD se utilizeaz la selecia diferitelor circuite integrate sau porturi. Un circuit complex
(port) poate rspunde la mai multe adrese adiacente (de exemplu circuitul Intel 8255 are o intrare de selecie
circuit nCS i dou linii de adres A0 i A1, coninnd astfel 4 porturi 3 de date i unul de comand).
26
Decodificarea adreselor se poate face complet, caz n care toate liniile de adres ajung la DCD sau incomplet
doar o parte din liniile de adres i sau adrese sunt decodificate. Exemplele din figurile 3.8 i 3.9 sunt
decodificri complete, pe cnd cea din figura 3.10 este incomplet.
Tabelul 3.2
Decodificare complet i incomplet cu explicarea spaiului de adresare
nEN
A7
A3
A5
A4
A3
A2
A1
A0
nCS
1
0
0
0
0
0
0
0
0
.
0
0
0
.
0
X
0
0
0
0
1
1
1
1
.
1
1
1
.
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
.
1
1
1
.
1
X
0
1
0
1
0
1
0
0
.
0
1
1
.
1
X
X
X
X
X
X
X
0
0
.
1
0
0
.
1
X
X
X
X
X
X
X
0
0
.
1
0
0
.
1
X
X
X
X
X
X
X
0
1
.
1
0
1
.
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
.
X
X
X
.
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
.
X
X
X
.
X
nCS0
nCS1
nCS2
nCS3
nCS4
nCS5
nCS3
nCS7
.
nCS13
nCS14
nCS15
.
nCS21
Domeniu
adresare
0x00 0x1F
0x20 0x3F
0x40 0x4F
0x30 0x7F
0x80 0x9F
0xA0 0xBF
0xC0 0xC3
0xC4 0xC7
.
0xDC 0xDF
0xE0 0xE3
0xE4 0xE7
.
0xFC 0xFF
Exemple de trunchiere
0x00, 0x04,..., 0x1C
0x21, 0x25,..., 0x3D
0x42, 0x43,..., 0x5E
0x33, 0x37,..., 0x9F
0x81, 0x85,..., 0x9D
0xA3, 0xA7,..., 0xBF
.
.
-
DCD
1
1
1
1
1
1
1, 2
1, 2
.
1, 2
1, 3
1, 3
.
1, 3
27
reprezint termenii
din exprimarea canonic disjunctiv a funciilor logice. Numrul funciilor (de acelai
numr de variabile binare) ce pot fi implementate nu este limitat dect de factorul de branament la ieire, ce
corespunde ieirilor DCD. Exist dou variante de implementare: DCD i o poart I-NU, respectiv un DCD
i o poart I.
n primul caz la intrrile circuitului I-NU se conecteaz ieirile DCD ce corespund termenilor cuprini n
funcie. Pentru a doua variant, la intrrile circuitului I se conecteaz ieirile DCD ce corespund termenilor
necuprini n funcia F.
Fie funcia F = P0 + P3 + P5. n acest caz n = 3 i se poate utiliza un DCD 3:8.
Varianta DCD + I-NU
Varianta DCD + I
, adic
Pentru reducerea numrului de circuite, n cazul funciilor de 3 variabile se utilizeaz varianta cu pori I-NU
pentru funcii cu maxim 4 termeni P, iar varianta cu I atunci cnd numrul termenilor care nu apar n funcie
este mai mic de 4. n tehnologie TTL circuitele I-NU se fabric cu 2, 3, 4, 8, 13 intrri, pe cnd circuitele I
se fabric cu 2, 3, 4 intrri.
3. Comanda afiajelor cu 7 segmente. Schemele electrice din figurile 3.9 i 3.10 sunt evident incomplete,
lipsind rezistoarele de limitare a curentului prin segmente. Acestea se conecteaz n serie cu ieirile DCD i au
o valoare tipic de 330. n ambele figuri este redat situaia afirii semnului corespunztor la 11002 = 0x0C.
Intrarea nLT (Lamp Test) activ JOS determin atunci cnd este trecut n 0 logic aprinderea tuturor
segmentelor, permind astfel verificarea afiajului. nRBI (Ripple Blank Input) este intrarea de mascare a
zerourilor nesemnificative, iar nRBO este ieirea corespunztoare. Pinul nRBO ofer i funcia suplimentar
de tergere (BI Blanking Input) prin care se poate comanda stingerea tuturor segmentelor afiajului.
28
Figura 3.12. Afiaje cu anod comun comandate de circuitele TTL 74LS47, respectiv 74LS247.
Figura 3.13. Afiaje cu catod comun comandate de circuitele TTL 74LS47, respectiv 74LS247.
29
Intrarea RBI permite stingerea zerourilor nesemnificative atunci cnd este conectat la ieirea RBO a
decodificatorului de rang imediat adiacent.
Figura 3.17. Afiaj cu trei cifre cu zero n poziia cea mai puin semnificativ.
30
Figura 3.18. Afiaj cu trei cifre mascarea zeroului mai puin semnificativ.
Pentru un numr mai mare de cifre comandate se folosesc tehnici de multiplexare a afirii, care vor fi
prezentate la x.x.
4. Utilizarea unui DCD 4:10 fr intrare de validare ca DCD 3/8 cu intrare de validare.
Se realizeaz utiliznd intrarea de rang semnificativ, notat x3, D sau A3 ca intrare de validare activ jos
(nEN). Se pot folosi doar ieirile nY0 nY7 ale DCD.
5. Tem. S se proiecteze un circuit cu 4 intrri care s semnalizeze momentele n care exact una dintre intrri
este 1 logic.
Rezolvare: sunt necesare un DCD 4/13 cu ieiri active sus i o poart SAU cu 4 intrri.
bii.
Funcia definit anterior sugereaz posibilitatea de a folosi orice DCD care are cel puin o intrare de validare
pentru realizarea unui DMUX. Modul n care un DCD 74LS138 devine DMUX i noua semnificaie a
intrrilor este ilustrat n figura 3.21. Considernd codul de selecie A = 1, B = 1, C = 0, datele prezente la
intrarea de date Di se vor regsi la ieirea L3 dac i numai dac circuitul este validat corect, deoarece
. Datele transmise serial sufer dou inversri, deci ajung la receptorul selectat
neinversate. n cazul n care Di se conecteaz la G1, datele ajung la receptoare complementate (dac G2 = Di i
G1A = G1B = 0, atunci L3 =
).
31
3.2.2. Aplicaii
Comanda n impulsuri a unui motor de curent continuu cu punte H i DMUX.
n acionrile electrice un motor de curent continuu se comand cel mai adesea modulnd n durat un semnal
dreptunghiular de frecven fix. Tensiunea medie la bornele motorului este direct proporional cu factorul de
umplere al semnalului PWM (pulse-width modulation) de comand. Aceast metod simpl permite variaia n
limite largi a turaiei unui motor de curent continuu, dar nu i modificarea sensului de rotaie caz n care este
necesar utilizarea unei puni H.
O punte H se poate realiza i cu tranzistoare (bipolare sau MOS), dar n cazul cel mai simplu o punte integrat
satisface cerinele pentru puteri mici-medii.
TA 8050P este o punte H integrat cu tranzistoare bipolare produse de firma Toshiba, care are urmtoarele
caracteristici:
Comanda bidirecional a motorului de curent continuu;
Patru moduri de operare: Direct, Invers, Stop i Frnare;
Comanda se face cu nivelurid e tensiune TTL;
curent comandat: 1,5 A;
Tensiuni de alimentare recomandate cuprinse ntre 3 V i 13 V;
Diode de protecie mpotriva tensiunii de autoinduse;
Protecie integrat la:
- Scurtcircuit;
- Supranclzire;
- Supratensiune;
Capsul HSIP cu 7 pini.
32
Schema tipic de utilizare este cea din figura 3.22, iar tabelul de funcionare 3.x.
Tabelul 3.x
Comanda punii TA 8050P
Ieire
Mod de lucru
Intrare
Di1 Di2
0
0 OFF (HiZ) OFF (HiZ)
0
1
L
H
1
0
H
L
1
1
L
L
M(+) M(-)
Stop
Invers
Direct
Frnare
Figura 3.24. Schema funcional a unui multiplexor i simbolul unui MUX 8:1.
33
Cel mai simplu MUX are 2 intrri i o ieire (figura 3.25.a). Un MUX 4:1 necesit 4 pori I-NU, o poart
SAU i minim 3 inversoare (figura 3.25.b).
a.
b.
34
74LS251:
Are o structur asemntoare cu 74LS151 (m = 8, n = 3, b = 1), fa de care prezint ns urmtoarele
deosebiri:
- ieirile Y i
cum se poate observa n figura 3.27. Nu mai exist (i nici nu mai este necesar) intrarea
(nlocuit cu
). Dac
, ambele ieiri sunt n stare de impedan ridicat HiZ.
- sunt circuite utilizate pentru conectare la magistrale
, liniile L1, L2 vor fi 0 logic, iar ieirile Y0,,Y3 vor fi de asemenea 0 logic.
Dac
, porile P1, P2 funcioneaz pentru semnalul de selecie ca inversoare; pentru S = 0 sunt selectate
intrrile I0a, I0b, I0c, I0d, iar pentru S = 1 sunt selectate intrrile I1a, I1b, I1c, I1d.
35
36
CNT este un numrtor binar modulo m. Cnd este activat, intrarea nCLR determin tergerea numrtorului.
Aplicarea unui impuls de tact Clk determin incrementarea codului de la ieirea CNT. Se selecteaz astfel
n
succesiv cele m = 2 canale de date, iar informaia prezent la intrare este transferat succesiv la receptorul Rx.
2. Conversia paralel-serie a unui cuvnt binar cu m bii
Se folosete un MUX cu m canale de cte 1 bit. De exemplu pentru conversia paralel-serie a unui cuvnt binar
se poate folosi MUX 74LS151. Cei 8 bii aplicai paralel la intrrile de date, apar succesiv la ieire, bit dup
bit. Dup 8 impulsuri de tact (CK) la ieire se obine ntregul cuvnt, n form serial.
37
pe 1 intrrile Ii ce corespund termenilor P care lipsesc din funcie. n exemplul de mai sus, pentru ca
= F se
Exemplul 2. n afar de situaia descris anterior, este de menionat c este posibil implementarea unei
funcii de n + k variabile binare cu ajutorul unui multiplexor cu n bii ai codului de selecie, dac numrul
termenilor P din funcia F nu depete numrul canalelor de intrri m.
Pentru 74LS151: codul de selecie fiind pe 3 bii, k = 1 - ceea ce corespunde la 4 variabile de intrare, iar
numrul termenilor P trebuie s fie cel mult egal cu 8.
Fie F= P2 + P3 + P11 + P12 + P15. Este o funcie de 4 variabile, dar implementarea se poate face cu un
3
multiplexor avnd n = 3 deoarece numrul termenilor P este mai mic dect m = 2 = 8. Se rescrie funcia:
, I3 = 1, I4 = D, 0, D7 = D, iar
(figura 3.34).
38
4 bii sunt suficieni pentru codificarea a 13 intrri. 3 dintre codurile valorilor logice posibile nu se vor utiliza.
Presupunem ca din cele 13 se aleg primele 10 coduri n ordine natural cresctoare. Rezult tabelul de
funcionare 3.3.
Tabelul 3.3
Funcionarea codificatorului BCD
Linia activ Y3 Y2 Y1 Y0
I0
I1
I2
I3
I4
I5
I3
I7
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
I8
I9
39
n aceste funcii nu intervine I0 - dac intrrile I1,....I9 sunt inactive (0), codul de ieire trebuie s fie
0.
40
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
I0
Pentru a obine un CDP fiecrei intrri i se atribuie o anumit prioritate prin intermediul unei
variabile intermediare Z. Folosind aceast substituire, funciile de ieire pentru CDP sunt:
(3.1)
41
Z5 =
dac I7 i I3 nu sunt activate, I5 rmne cea mai prioritar intrare;
GS (group select) selecie de grup. Aceasta este activ dac circuitul este validat i cel
puin una dintre intrrile circuitului este activ
42
are loc astfel: perifericul pune pe 0 linia de intrare care-i corespunde; se activeaz GS trecnd pe 1,
atenionnd microsistemul c a fost cerut o ntrerupere. Microsistemul termin seciunea n lucru din
programul principal i trece la deservirea ntreruperii. El citete codul de ieire al CDP, cod care determin
pentru fiecare periferic adresa subrutinei de deservire a perifericului. Dup terminarea acestei subrutine,
microsistemul revine la programul principal. Dac mai sunt i alte cereri, microsistemul le deservete n
ordinea prioritii, pn cnd GS = 0.
43
44
Pentru a obine fsk si fik se folosete cte un circuit I cu dou intrri, una din ele fiind complementat.
Tabelul 3.1
Definirea funciilor fek, fsk i fik
ak bk fek fsk fik
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
b) Condiia de superioritate ntre 2 numere binare A i B (A > B), notat Fs se scrie astfel:
A > B dac a3 > b3 SAU (a3 = b3 I a2 > b2) SAU (a3 = b3 I a2 = b2 I a1 > b1) SAU (a3 = b3 I a2 = b2
I a1 = b1 I a0 > b0), adic:
c) Similar
Dintre valorile Fe, Fs, Fi numai una este adevrat la un moment dat, iar
. Comparatorul se poate realiza n consecin i cu dou ieiri Fe, Fs, iar
,
. Evident Fi
necesit un circuit combinaional suplimentar, ceea ce implic o diferen temporal ntre apariia Fe, Fs pe de
o parte i Fi pe de alt parte. Dac acest defazaj este deranjant, o soluie simpl este ntrzierea cu un circuit
neinversor (de exemplu o poart I) a ieirilor Fe i Fs.
45
46
47
active pe 0.
48
3.5.7. Tem
Pentru un comparator de tip 74LS85 la care Fe = 1, s se completeze n diagrama de semnal de mai jos
variaia Fe, Fi, Fs.
0
1
0
1
0
1
1
0
49
Orice detector de imparitate se poate transforma intr-unul de paritate prin folosirea unui inversor suplimentar.
Astfel de circuite permit utilizatorului, n funcie de aplicaie, s aleag funcia ndeplinit, stabilind printr-un
bit dac circuitul funcioneaz ca un detector de paritate sau imparitate.
n prezent se folosesc:
74HC180
are 8 intrri; 2 ieiri PAR i IMPAR; 2 intrri de interconectare;
structura arborescent;
se folosete pentru detectarea erorilor de transmisie.
50
74LS280
are 9 intrri; 2 ieiri PAR i IMPAR
structura in lan
este folosit pentru detectarea erorilor de memorare ale unui cuvnt binar cu 8 bii. Verific
dac informaia citit din memorie are aceeai paritate ca i cea nscris. n afar de cei 8 bii
memoria trebuie s asigure i memoria de paritate.
0 1 2 3 4 5 3 7 P
n cazul unei linii de transmisie exista cmpuri electromagnetice care pot s modifice
informaia trimis de la surs.
3.7. SUMATORUL
Funcia: Efectuarea de operaii aritmetice (adunare sau scdere) cu dou numere binare avnd un numr egal
de bii. Orice sumator pe mai muli bii este construit din sumatoare elementare pe un bit.
Sumatoarele elementare pe un bit pot fi:
semisumatoare (sumator pentru bitul zero), acest sumator elementar se caracterizeaz prin faptul
c nu ine seama de transportul de la bitul cu semnificaie imediat inferioar.
sumatoare complete pe un bit care in seama de transportul de la bitul cu semnificaie imediat
inferioar.
51
- ieirile sunt: - (suma celor dou numere) i - (Carry - transportul ctre bitul 1).
iar
Tabelul 3.x
Funcionarea semisumatorului
X0 Y0 C1 S0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
52
Prin implementarea relaiilor obinute anterior, se obine urmtoarea schem pentru un sumator complet de 1
bit. Dac se determin timpul de propagare de la intrri la ieiri se constat c:
deoarece
Dac, pentru obinerea ieirii de transport, se folosete schema din dreapta, timpul de propagare se reduce la:
Tabelul 3.x
Funcionarea sumatorului complet
Xn Yn Cn Cn+1 Sn
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
53
n+1
54
- Se pune la mas dac circuitul este folosit pentru nsumarea a dou numere cu 4 bii, deoarece nu exist
transport de la un bit cu semnificaie mai mic. Cnd se extinde numrul de bii folosind dou sau mai multe
circuite conectate se face concordanta cu urmtoarea schem:
Un astfel de sumator furnizeaz rezultatul final dup un timp ce corespunde generrii transportului Cn. Dac se
consider la
| valorile care vor apare pentru sume i Carry nu sunt cele finale, este necesar ca s se
compun timpii de ntrziere cu care sunt generate transporturile numai dup aceast ntrziere suma i
transportul sunt corecte (transportul C
apare cu o ntrziere de ).
Un astfel de sumator se numete sumator succesiv (dac suntem n cazul cel mai defavorabil fiecare sumator
de un bit genereaz un transport 1
x 1 1 1 1
y 0 0 0 1
1 0 0 0 0
cu ct folosim mai multe sumatoare cu att e mai mare). Pentru a obine viteze mari e necesar ca ntrzierile
s fie ct mai mici.
55
la 1 iar se considera .
56
57
Cel mai simplu CLS este circuitul basculant bistabil CBB. Starea acestuia este caracterizata printr-o
variabila de stare notata Q.
58
Circuitul din dreapta cuprinde doua porti incluse ntr-o bucla de reactie pozitiva. Presupunnd ca P1si
P2functioneaza ca inversoare, bucla de reactie este activa doar atunci cnd cele doua porti functioneaza
simultan n zona de tranzitie a caracteristicii de transfer. n aceasta zona
amplificarea n valoare absoluta este:
dui
du 0
du i
celelalte zone amplificarea este nula, bucla de reactie nu este activa si ansamblul
format din P1si P2este ntr-o stare stabila.
Modificarea starii Q a unui latch SR se realizeaza prin modificarea variabilelor de intrare S si R. Daca
presupunem ca initial Q = 1 si S = R = 0 Q = 0 , iar aceasta stare se mentine un timp nedefinit. Similar,
lui Q, notata Q n functie de vechea valoare Q si valorile logice ale variabilelor de intrare S si R.
Combinatia S = R =1 este interzisa deoarece determina aparitia egalitatii tensiunilor la iesire Q = nQ =
1, iar dupa nlaturarea acestei combinatii si trecerea de exemplu la intrare la valorile S = R = 0, iesirile
se vor gasi ntr-o stare nedeterminata, influentata de procesul tehnologic, diferentele dintre P1 si P2, etc.
S R
0
0
1
0
1
0
Q*
Q
0
1
combinatie
interzisa
Explicatie
nici o modificare
Q sters
Q setat
Q = nQ = 1 si apoi Q
aleator
Tabelul 4.1.
Functionarea latch-ului RS
59
La reprezentarea tuturor CBB este important de respectat urmatoarea regula: notnd iesirea Q cu un
cerculet, n interiorul bistabilului se trece doar Q, n nici un caz tot Q .
Descrierea functionarii
Initial se sterge latch-ul, apasnd K. n functionare normala, fototranzistorul Q este permanent luminat,
astfel nct S = 0, K este nchis deci R = 0 iar Alarma = 0. La ntreruperea razelor de lumina, rezistenta
fototranzistorului este foarte mare, S devine 1 iar Alarma este 1. Indiferent de restabilirea caii razelor luminoase,
alarma va fi actionata pna la o apasare a lui K.
60
n cazul functionarii secventiale, modificarea starii latch-ului se poate face pe toata durata Tia
impulsului de comanda. Daca datele de intrare sunt modificate pe intervalul Ti, aceste modificari se
reflecta imediat n valorile lui Q si Q ca n cazul unui latch SR obisnuit. Modificarea lui S si R se poate
61
face si n intervalul dintre cele doua impulsuri succesive, cnd aceste modificari nu se transmit la
iesirile Q si Q , deoarece EN = 0 face ca iesirile portilor P3 si P4 sa fie pe 1 indiferent de faptul ca R
sau S se modifica. Starea variabilelor de intrare si iesire nainte de aplicarea impulsului n + 1 de tact se
noteaza cu Sn , Rn si Qn, iar dupa aplicarea impulsului n + 1 de tact se noteaza cu Sn+1, Rn+1 si Qn+1 . Nici
acest latch nu poate fi folosit n aplicatii n care poate apare combinatia S = R = 1.
Tabelul 4.2.
Tabel de functionare pentru latch-ul SR, cazul EN = 1
n
n+1
0
0
1
0
1
0
0
1
combinatie interzisa
Comentarii
nici o modificare
Q sters
Q setat
conduce la 1== QQ
62
folosesc cu precadere bistabile actionate pe front. Acest tip de comutare foloseste doua scheme simple de
detectoare de fronturi, una pentru fontul crescator si alta pentru frontul descrescator. Desi impulsul generat are o
latime mica, tipic de durata egala cu timpul de propagare, impulsurile generate intern CLKi+ si CLKisunt
suficiente pentru a declansa circuitele comandate.
4.1.7. Particularitati dinamice cu privire la utilizarea bistabilelor comutate pe front
Pentru functionarea corecta a bistabilelor D si JK comutate pe front este necesara respectarea a doua
intervale de timp care se numesc:
-timpul de (pre)stabilire (setup time)-tsu
-timpul de mentinere (hold time)-th .
tsu -este intervalul (durata minima) dintre momentul atingerii unei valori stabile a nivelului logic la
intrarea de date si momentul aplicarii frontului activ al impulsului de tact.
th -reprezinta durata minima n care valoarea stabila a nivelului aplicat la intrarea de date trebuie
mentinuta dupa aparitia frontului activ a impulsului de tact.
Pentru circuitele TTL uzuale, timpul de stabilire este cuprins ntre 5 si 50 ns, iar timpul de mentinere ntre
0 si 10 ns. Daca nu se respecta acesti timpi, functionarea bistabilului este imprevizibila dupa aplicarea frontului
activ al impulsului de tact (pot apare oscilatii, comportari metastabile sau n caz fericit o stare stabila
nedeterminata).
4.1.8. Bistabilul SR comandat pe front
63
Descrierea functionarii Deoarece semnalul intern de tact CLKi+ este activ cteva nanosecunde, modificarea
nivelului logic la S sau R poate afecta iesirea Q doar scurt timp nainte si dupa de frontul crescator al semnalului
de tact CLK aceasta comportare determina comanda pe front a bistabilului. Simbolul acestui bistabil este dat n
figura 4.10 dreapta.
4.1.9. Tema
1
Pentru secventa de impulsuri prezentata mai jos, se cere sa se deseneze variatia iesirii Q pentru un latch
SR.
2
Pentru aceeasi secventa de impulsuri, se nlocuieste EN cu CLK -se cere sa se deseneze variatia iesirii Q
pentru un bistabil SR.
3
Explicati diferenta dintre comportari.
) se pozitioneaza
dupa valorile din tabel. Informatia nmagazinata la nceputul semnalului de tact si pe durata lui nu e
transmisa bistabilului S deoarece CK este pe intervalul Tisi bistabilul al II-lea Slave este zavort.
64
T < t = 2t
i
pSI NU
).
= f (J , K ,Q )
n+1 n nn
65
Tabelul 4.3.
Functionaarea bistabilului JK din figura 4.15 pentru Ti <tp
n
n+1
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
Q
n
0
1
n
Analiza se bazeaza pe faptul ca iesirea unei porti SI-NU din circuitul de intrare este pe 1 daca cel
putin
o intrare a sa este pe 0. Starea bistabilului /S-/R se poate modifica numai daca cel putin una dintre
iesirile portilor P3si P4este 0. Pentru Jn= Kn = 0, aplicarea impulsului CLKn+1 nu modifica starea bistabilului JK.
Se constata ca pentru Jn si Kn egale simultan cu 1 starea bistabilului este complementata la fiecare semnal
de tact. Aceasta afirmatie, care presupune eliminarea nedeterminarii, nu e valabila dect n conditia n care
durata impulsului de tact e mai mica dect un timp de propagare, tp reprezentnd timpul de
propagare de la oricare intrare la orice iesire: Ti < tp , tp = 2tp
Si NU
Neglijam durata fronturilor, dar nu si timpii de propagare. Daca iesirea Q a fost pe 0, dupa trecerea
timpului tp, Q trece pe 1. Daca Ti < tp atunci aceasta este starea finala a bistabilului. Daca Ti are nsa o durata mai
mare, atunci dupa scurgerea a nca unui tp, Q trece din nou n 0, si asa mai departe, pna cnd CLK devine 0. n
acest caz apar oscilatii la iesire si nu se poate preciza starea finala a bistabilului.
Ecuatia caracteristica a bistabilului J-K, n ipoteza eliminarii nedeterminarii, n conformitate cu tabelul este:
= f (J , K ,Q )
Q
n+1 n nn
66
= JQ
Kn + K +
K nQ
Jn + J
n+1 nn nnn
Q = J Q + K nQ
n+1
Explicatie
n+1
0
1
0
1
0
0
0
1
n
Q sters
Q setat
(nici o modificare)
(complementare)
67
Tabelul 4.5.
Efectul intrarilor asincrone prioritare
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
Q
combinatie interzisa
Comentarii
setare bistabil
stergere bistabil
functionare normala, sincrona (nici un efect)
conduce la Q=/Q=1, apoi la nedeterminare
Intrarile asincrone prioritare notate cu S si R care servesc la initializarea starii bistabilului naintea sau n
timpul functionarii secventiale. Asincrone nu exista nici o sincronizare ntre aceste semnale si impulsurile de
tact, ele sunt prioritare -determina starea bistabilului, daca sunt active si nu intrarile J, K.
4.2.3. Aplicatie
Bistabilul JK comandat pe front poate fi folosit pentru determinarea ordinii a doua semnale I1 si I2 (figura
4.23).
68
Comunicarea ntre sectiunea Master si cea Slave este dirijata de portile P si P prin intermediul
1
69
Bistabile D, clasificare:
-D-latch
-bistabile D comutate pe frontul scazator al impulsului de tact.
-bistabile D comutate pe frontul crescator al impulsului de tact.
4.3.1. Latch-ul D
Latch-ul D este asemanator cu latch-ul SR care este utilizat pentru memorarea unui bit de informatie.
Ca si n toate bistabilele D acest bistabil realizat din SR functioneaza cu restrictia ca S trebuie sa fie
ntotdeauna complementul lui R sau invers.
70
Functionarea latch-ului D
EN
Q*
ant
ant
n prezent se fabrica n tehnologie TTL: 74LS75 Latch cvadruplu, 74LS373 latch octal des folosit,
74LS573 idem 373 dar cu o dispunere mai avantajoasa a intrarilor si iesirilor.
71
Fiecare latch din figura de mai sus va memora un bit din magistrala de date n momentul n care
LE la tranzitia 1 0 a semnalului LE.
4.3.3. Bistabilul D comutat pe frontul scazator al impulsului de tact
Acest tip de bistabil se poate realiza:
a. folosind fie un bistabil SR-MS, fie un bistabil JK-MS (figura 4.26)
b. folosind un latch D
72
poate produce rezultate imprevizibile. Cazul cel mai frecvent de conditionare este cel prezentat n figura 4.33.
Operatorul uman actioneaza aleator asupra unui comutator ale carui oscilatii mecanice sunt eliminate asa cum sa aratat de exemplu la 4.1.4. Desi semnalul din punctul A este curat din punct de vedere al oscilatiilor, el este
asincron fata de semnalul de tact, iar la iesirea portii SI se obtin si impulsuri incomplete.
Rezolvarea problemei descrise anterior este data n figura 4.34. Utiliznd un bistabil D comandat pe front
scazator, semnalul Q la iesirea acestuia este simultan sincronizat cu semnalul de tact si conditionat de intrarea
A, astfel nct la iesirea Y se obtin doar impulsuri de tact complete.
4.3.5. Bistabile D comutate pe front crescator Varianta 1 Este realizat dintr-un latch D la care se adauga un
detector de fronturi.
Bistabilul D-latch este validat pe o durata scurta plasata imediat dupa frontul crescator al semnalului de tact.
Reprezentarea simbolica este data n figura 4.35.
Tema. Reprezentati cronogramele pentru acest caz.
Varianta 2 Foloseste 2 latch-uri D si 1 inversor:
73
tCK t
Reprezentarile simbolice posibile pentru bistabilul D cu comutare pe front sunt prezentate n figura de mai
jos:
Figura 4.38. Bistabil D comandat pe front crescator sau scazator (stnga) si cu intrari asincrone prioritare /S, /R
(dreapta).
74
J=K=1
nn
J=K=0
nn
Intrarea T a unui astfel de bistabil se obtine prin interconectarea intrarilor J si K. Pentru realizarea
bistabilului de tip T se folosesc numai bistabile JK-MS.
La functionarea secventiala:
-daca T este permanent egal cu 1 Qn+1 = Qn ; -daca T este permanent egal cu 0 Qn+1 = Qn
Ecuatia caracteristica se deduce din:
Qn = JnQ + K nQn
n
75
Tabelul 4.7
Functionarea bistabilului T
n+1
Daca T este permanent 1, Qn+1 = Qn , bistabilul basculeaza la fiecare impuls de tact si se poate
folosi ca divizor de frecventa a impulsurilor de tact raportat la iesirea Qn
fQ = fCK 2
Modalitatile pe care le avem pentru a transforma un bistabil D n T sau invers. Cea mai frecvent
utilizata este conversia D
T impusa de necesitatea divizarii frecventei de tact cu 2.
Secventa de realizare:
Etapa II
76
Din tabel se obtine: Dn = T nQn + TnQn = Tn Qn . CL este o n acest caz poarta SAU-EXCLUSIV. Exista
situatii n care un astfel de bistabil trebuie sa functioneze permanent ca divizor de frecventa (T=1) si n
consecinta nu avem nevoie de o intrare T. Schema rezultata din relatia anterioara.
T = 1 Dn = Q urmatoarea schema:
n
f =f
CK
2
Figura 4.44. Divizor de frecventa cu 2, un bistabil T particular, cu T =1.
77
4.4.2. Conversia T
Conversia unui T care comuta pe frontul descrescator ntr-un D (care comuta pe frontul descrescator)
se realizeaza similar (schema). Se foloseste acelasi tabel dar se deduce:
Tn = f (Dn ,Qn )
Tn = DnQ + DnQn = Dn Qn
n
Ecuatia caracteristica
Latch
Bistabil
Latch
SR
JK
R QSQRSQ =++* =
nnn
Comuta
TTL
pe
Tip
Palier
bistabil
Front
Bistabil
MS
Bistabil
front
K QJ QQ + = +1
DQ* =
MS
Latch
Palier
DQ = +1
Bistabil
Front
T QT QQ + = +1
Bistabil
D
nn
nnn
Palier, 1
Palier, 1
bistabil
Bistabil
CMOS
Tip
4043
4044
Observatii
n
4
4
74112
74109
2
2
7472
7473
7476
7475
74373
74573
1
2
2
2
8
8
7474
74276 4 bistabile JK
74376 4 bistabile JK
4027
4042
4013
78
4.5. Aplicatii
4.5.1. Generarea unui semnal de tact cu doua faze
Este uneori necesara generarea unui semnal de tact cu mai multe faze. n figura 4.46 este ilustrat un asemenea
caz, n care bistabilul JK comutat pe front crescator functioneaza ca divizor cu 2, iar iesirile sale sunt preluate de
doua porti SI pentru a genera fazele a si b. Diagramele de semnal sunt reprezentate pentru cazul ideal, n care
tp = 0. Realiznd practic montajul sau simulndu-l se constata nsa o comportare complet diferita att a ct si
b prezinta o serie de impulsuri scurte (glitch).
Explicatia acestei comportari se obtine studiind atent formele de unda din figura 4.48: tinnd cont de timpul de
propagare tp prin bistabilul JK, ntre CLK si Q pe de o parte, respectiv CLK si nQ pe de alta parte vor aparea
conditii de suprapunere pe 1 (race conditions) ceea ce conduce la comutarea falsa n 1 a iesirilor portilor U2A
si U2B.
Rezolvarea acestei situatii se poate face simplu, adaugnd un inversor la intrarea de tact a bistabilului U1A, care
va comuta pe frontul scazator al semnalului de tact CLK si n acest fel se elimina suprapunerea nedorita n 1
ntre tact si iesirile bistabilului (figura 4.50).
79
Schemele din figurile 4.47 si 4.49 au fost simulate n Circuit Maker n modul digital, n care toate circuitele se
presupune ca au acelasi timp de propagare. O simulare mai precisa se obtine redesennd schema pentru modul
analogic (figura 4.51). n acest caz se foloseste un bistabil JK comandat pe front scazator (74LS112) fata de
bistabilul JK MS CMOS 4027 din figurile 4.47 si 4.49. Prezenta si absenta inversorului U3A este realizata cu
circuitul SAU-EXCLUSIV si a comutatorului K. Legatura de masa nu este uitata pe schema pentru simularea
analogica SPICE este obligatorie prezenta a cel putin unei legaturi la masa, chiar daca n acest caz ea este
aparent nefolosita.
80
RC
81
Pentru exemplul din figura, VOL = 0.2 V, VOH = 3.6 V, IILR = 0,125 V, VPSUS = 1,9 V, adica t 1 = RC ln 1.926 =
0.66 RC = 7,35 s. t 1 este delimitat n simulare de cursorul b, pentru t 1 rezultnd o valoare de 6 s (figura 4.55).
Pentru descarcarea condensatorului, se particularizeaza uC (0) = VOH si uC () = VOL + IIL R . Rezulta:
Pentru exemplul din figura, VOL = 0.2 V, VOH = 3.6 V, IILR = 0,125 V, VPJOS =1,1V,adicat 2= RC ln 4.38 =
1.48 RC = 16,59 s. t 2 este delimitat n simulare de cursorul a, pentru t 2 rezultnd o valoare de 18,61 s (figura
4.55).
82
5. REGISTRE DE DEPLASARE
5.0. Introducere
Un registru este format din mai multe bistabile si permite memorarea si / sau deplasarea informatiei la
comanda impulsurilor de tact. Pentru realizarea registrelor se folosesc de obicei bistabile D.
Clasificarea registrelor are n vedere urmatoarele criterii:
-Deplasarea informatiei se poate face ntr-un singur sens sau n ambele sensuri.
-nscrierea informatiei n registru se poate face serial (bit dupa bit, toti bitii cuvntului de n biti) sau
paralel (cei n biti se scriu simultan n registru).
-Citirea registrului se poate face serial (bit dupa bit) sau paralel (toti bitii simultan).
83
Descrierea functionarii registrului SISO Pentru nscrierea informatiei n registru, n general nu este necesara n
general initializarea prin
SIN
nMR
1 (Di3)
0 (Di2)
1 (Di1)
1 (Di0)
84
Circuitul 4731B (figura 5.4) produs de firma Fairchild contine 4 registre SISO de 64 de biti, la
care sunt accesibile doar intrarea SIN si iesirea Q63.
Pentru registrul SISO din figura 5.5, diagramele de semnal prezinta principala aplicatie a acestui tip de
registru ntrzierea informatiei cu o durata egala cu perioada a n -1 semnale de tact (figura 5.6).
Tema. n figura 5.5 desi bistabilele comuta pe frontul crescator al semnalului de tact, registrul functioneaza
corect. De ce?
85
Pentru exemplificare vom studia un registru SIPO n tehnologie TTL de 8 biti, larg utilizat 74LS164
(figura 5.10).
86
Acest registru permite nscrierea paralela a celor n biti si deplasarea informatiei ntr-un singur sens. n
figura 5.12 este prezentat un exemplu de registru PISO avnd n = 4 biti. Cele trei multiplexoare pe doi biti
formate din porti SI-SAU permit nscrierea si deplasarea informatiei. Si n acest caz daca n locul bistabilelor D
MS sau D active pe front s-ar utiliza latch-uri D cu intrare de validare, functionarea registrului nu ar mai fi
corecta.
nscrierea (paralel): Presupunem ca dorim sa scriem cuvntul 1101. La intrarile Di3, ..., Di0 se aplica
paralel cuvntul dorit (1101). Pentru nscrierea efectiva SH/nLD = 0 si apoi se aplica un impuls de tact.
Informatia prezenta la intrarile Di3, ..., Di0 se va memora n bistabile si se va regasi la iesirile Q0, ..., Q3. Doar Q3
este accesibil sub denumirea de SOUT (Serial Out). n acest caz nu este necesara o initializare pe 0 a
bistabilelor registrului deoarece informatia nscrisa paralel va suprascrie oricum registrul. Pentru a obtine la
87
iesire informatia nscrisa paralel sunt necesare doar n 1 = 3 semnale de tact, deoarece la primul semnal de tact
SOUT contine deja Di3 (figura 5.13).
Deplasarea informatiei se realizeaza pentru SH/nLD = 1, cte un bit pentru fiecare impuls de tact.
Circuitul din figura 5.12 poate fi modificat pentru a permite si intrarea seriala a datelor. n acest sens
este adaugat un multiplexor suplimentar la intrarea primului bistabil si este prevazuta intrarea SIN
(figura 5.14). Functionarea ca registru PISO este similara cu cea deja prezentata. Configurat ca registru
SISO, informatia trebuie furnizata serial la SIN, bit cu bit, fiecare bit valid fiind urmat de o tranzitie
activa JOS SUS a semnalului de tact (atentie! si n acest caz trebuie respectati timpii de stabilire si de
mentinere specificati n catalog pentru registru).
SH / LD =1. Mai sunt oferite ca facilitati suplimentarea un pin de inhibare a semnalului de tact (CLK
INH), iar iesirea seriala este disponibila si negata ( Q7 si Q7 ).
88
89
Diagramele de semnal
90
Tabelul 5.2
Modurile de operare ale registrului 74LS194
S1
0
0
1
1
S0
0
1
0
1
Functia
Hold
Shift Right
Shift Left
Load
Explicatie
Memorare (nici o modificare)
Deplasare la dreapta Q0 Q3
Deplasare la stnga Q0 Q3
ncarcare paralel
91
Cnd este adusa la 0 logic, intrarea nCLR (nMR) determina stergerea tuturor iesirilor Qi, indiferent de
starea semnalului de tact. n principiu nu este necesara initializarea continutului registrului, deoarece el se va
suprascrie oricum dupa 8 impulsuri de tact.
Secventa de nscriere a informatiei este D7, D6 ,..., D0 fiind necesare 8 impulsuri de tact pentru ca bitul 7
(cel mai semnificativ) sa ajunga la iesire pe pozitia corecta Q7. Ritmul n care sunt adusi bitii la SIN trebuie sa
fie corelat cu secventa de aplicare a impulsurilor de tact (figura 5.24). Chiar daca intern bistabilele D din
componenta registrului comuta pe frontul scazator al semnalului de tact, n registrele SIPO integrate semnalul de
tact este inversat intern si de aceea semnalul de tact din figura 3.24 este activ pe frontul crescator.
Trebuie remarcat ca fiecare dintre pinii Qi poate fi folosit si ca iesire seriala (circuitul se poate folosi si ca
SISO1 ... SISO8).
Conversia serie-paralel este utila pentru extinderea numarului de iesiri ntr-un sistem cu microcontroler,
mai ales la un microcontroler cu numar redus de pini PIC16F84A de exemplu are 18 pini, dintre care 13 pini
I/O care nu sunt ntotdeauna suficienti pentru o anumita aplicatie. Schema din figura 5.25 utilizeaza 2 linii I/O
pentru generarea semnalului de tact si date pentru SIPO8 (un 74LS164 de exemplu). Un al treilea pin I/O
permite stergerea simultana a iesirilor Q7 Q0, dar de obicei aceasta facilitate nu este necesara.
Secventa de ncarcare a lui U2 este obtinuta prin repetarea de 8 ori a succesiunii: SIN (I/O2) = Di, CLK
(I/O1) = 1, CLK (I/O1) = 0; primul bit nscris va fi bitul 7.
Desi corecta principial, schema din figura 5.25 are o problema subtila: pe durata ncarcarii seriale, iesirile Q[7-0]
se modifica n conformitate cu informatia seriala deplasata n registru, producnd zgomote nedorite n sistem.
Presupunnd pentru U1 un microcontroler modern cu o putere de calcul de 1 MIPS si durata executiei unei
instructiuni de 1 s, sunt necesare 3 s pentru fiecare bit nscris, respectiv 24 s pentru ntregul cuvnt de 8 biti.
92
Daca la iesirile Q[7-0] sunt conectate niste LED-uri, ochiul nu va sesiza aceasta plpire de 24 us; daca nsa
Q[7-0] comanda un DAC, un control al volumului ntr-un generator de functii sau ntr-un dispozitiv audio,
zgomotele vor fi deranjante. Pentru a rezolva acest neajuns trebuie utilizate registre care ofera un etaj
suplimentar de memorare cu strobare, de tip 74LS595 (figura 5.26).
Tema. Cte linii I/O sunt necesare pentru comanda a 16 linii de iesire?
5.6.2. Conversia unui cuvnt binar paralel ntr-un cuvnt serie
Registrul folosit este PISO (figura 3.28):
Optional poate exista si o intrare nCLR (nMR), care nu este reprezentata. Pentru nscrierea datelor Di7,
..., Di0 linia SH/nLD = 0 si se aplica un impuls de tact. nscrierea propriu-zisa se face pe frontul crescator al
semnalului de tact. Pentru citirea seriala a datelor (a cuvntului de n biti) se face SH/nLD = 1 si se aplica n-1
impulsuri de tact.
ntreaga operatie de conversie necesita n perioade de tact, prima fiind destinata pentru ncarcarea paralela, iar
restul pentru citirea seriala (figura 5.27).
93
Conversia paralel-serie este utila pentru extinderea numarului de intrari ntr-un sistem cu microcontroler.
Schema din figura 5.28 utilizeaza 3 linii I/O pentru generarea semnalului de tact (CLK), comanda (SH/nLD) si
citire seriala (SOUT) pentru PISO8 (un 74LS165 de exemplu).
Secventa de citire a lui U2 este obtinuta prin comanda nscrierii paralel a lui U2: SH/nLD (I/O2) = 0, CLK
(I/O1) = 1, CLK (I/O1) = 0, citirea lui Di7 care este disponibil n acest moment la SOUT, facnd SH/nLD (I/O2)
= 1 si apoi prin repetarea de 7 ori a succesiunii: CLK (I/O1) = 1, CLK (I/O1) = 0; citire Di. Primul bit citit este
Di7 iar ultimul Di0.
Tema. n schema din figura 5.30 sa se utilizeze un 74LS597. De cte linii I/O este nevoie pentru citirea a 16 linii
de intrare?
94
5.6.3. Realizarea unei ntrzieri in transmiterea seriala a informatiei utiliznd un registru de SISO
Daca n este numarul de biti ai registrului, atunci ntrzierea produsa este: T =(n 1) TCLK unde
T este perioada semnalului de tact. Se utilizeaza doar intrarea si iesirea serie a registrului (SIN si
SOUT).
CLK
Trebuie sa existe o sincronizare intre bitii aplicati la intrare si impulsurile de tact CLK. Frontul crescator al
semnalului de tact trebuie sa gaseasca bitul pe care l nscrie avnd un nivel stabil.
Succesiunea operatiilor:
1
2
Circuitul are un ciclu de functionare de n perioade de tact (n cazul din figura 5.30 sunt patru stari
distincte). Dupa terminarea unui ciclu ncepe un alt ciclu identic la iesirile Q3 Q0. Urmarind oricare dintre
iesirile Qi se constata ca circuitul se comporta ca un divizor de frecventa pentru frecventa tactului:
95
Trebuie remarcat ca nu exista situatie cnd doua iesiri sa fie pe 1 simultan Circuitul poate fi
considerat numarator al impulsurilor de tact aplicate deoarece pentru fiecare impuls de tact
dintr-un ciclu starea iesirilor Q3 Q0 este distincta, existnd n stari distincte (n cazul nostru n
= 4).
Tabelul 5.3
Functionarea numaratorului n inel cu 74LS194
Nr.
tact
Initializare
ciclul complet
de functionare
cuprinde 4
impulsuri de
tact
Explicatie
nMR = 0
5
(1)
1
2
S1 S0 = 11 (ncarcare paralel)
0
S1 S0 = 01 (deplasare dreapta)
96
iar contactul K0 se nchide. Toate celelalte relee sunt neanclansate si contactele acestora deschise. Astfel releele
sunt anclansate si contactele acestora nchise pe rnd, ciclic, n succesiunea data de numaratorul n inel.
Dioda D este necesara pentru taierea tensiunii de autoinductie care apare la bornele nfasurarii
releului, cu polaritatea din figura 5.33, in momentul blocarii tranzistorului. Daca nu ar exista dioda de descarcare
a energiei electromagnetice nmagazinate in nfasurarea releului pe timpul conductiei tranzistorului, tensiunea
aplicata ntre drena si sursa tranzistorului ar fi:
di
U DS = Ud + L
dt
-L este inductanta nfasurarii releului.
Aceasta tensiune ar putea atinge valori ridicate ce ar conduce la distrugerea tranzistorului. Prevenirea
acestui fenomen se face prin conectarea diodei D n paralel cu nfasurarea releului, cu anodul n drena
tranzistorului.
Releele pot fi nlocuite cu alte actuatoare (elemente de executie) sau chiar cu nfasurarile unui motor pas
cu pas.
5.6.5. Numaratorul Johnson
La aceasta varianta se utilizeaza un registru mai simplu (intrare serie, iesire paralel, SIPO). Initializarea
numaratorului se face prin aplicarea unui impuls de stergere. Numarul de stari distincte ale circuitului n cazul
unui ciclu complet de functionare nu mai este n ci este 2n.
97
Descrierea functionarii:
1
2
ciclul
complet
defunctionare
cuprinde8
impulsuri de
tact
Initializare
10
f
Din tabelul 5.4 si figura 5.34 se observa ca pentru orice iesire Qi, TQ = 2n TCLK , respectiv fQ =
i
CLK
2n
Circuitul functioneaza ca divizor de frecventa cu 2n . n cadrul unui ciclu circuitul functioneaza ca
numarator pna la 2n , m = 2n si m = numarul starilor distincte ale circuitului, in cadrul ciclului de functionare
m purtnd si denumirea de modulul numaratorului n inel.
Este posibila numararea impulsurilor de tact deoarece fiecarui impuls de tact i corespunde un cod binar,
urmarind valorile de la iesirile Q . Astfel de circuite pot fi utilizate pentru comanda succesiva
ntretesuta a n elemente actuatoare.
n figura 5.35 este prezentata realizarea practica a unui numarator Johnson pe 8 biti si diagramele de
semnal aferente.
98
nscrierea cuvintelor binare de b biti in memorie se face in paralel pe cele b intrari seriale prin aplicarea
a cate unui impuls de tact si deplasarea acestora spre dreapta. Citirea se face tot paralel pe cele b iesiri seriale
aplicnd in continuare impulsuri de tact.
Memorie este plina atunci cnd s-au nscris toate cele n cuvinte binare de cate b biti. Dupa umplerea
complecta a memoriei primul cuvnt citit este primul cuvnt nscris in memorie.
In procesul de citire informatia se deplaseaza in continuare spre dreapta cu fiecare impuls de tact aplicat.
Prin citire, informatia se pierde! Acest tip de memorie poate fi utilizat la gestionarea adreselor altor memorii
pe durata ntreruperilor unui sistem cu microprocesor.
99
Memoria LIFO
Pentru aceasta memorie este necesar un registru SISO bidirectional. In acest caz registrele au o linie
R / L care specifica sensul deplasarii.
nscrierea cuvintelor se face ca si la memoria FIFO, prin deplasarea spre dreapta a datelor
R / L 1iar citirea se face prin deplasarea in sens invers (spre stnga) a acestora R / L 0 . Astfel ultimul
cuvnt nscris este si primul citit. Iesirile de date sunt reprezentate de iesirile Qn 1ale fiecarui registru.
Memoria LIFO se utilizeaza ca memorie stiva in sistemele cu microprocesoare.
Tabelul 5.5 Sinteza principalelor tipuri de registre
Tip registru
Comuta
pe
TTL
Cod
SISO
Front
SIPO
Front
PIPO
PISO
Combinate
Universale
Front
CMOS
n
74164
74174
74374
74574
6
8
8
Observatii, comentarii
4006
Cod
4031
4517
4731
18
n
64
64
64
4015
4
4
3 stari
idem 374, alta dispunere pini Latch D cu controlul
polaritatii tactului
3 stari
4042
4076
Front
74165
intrari J nK
Front
74166
74195
74594
74595
74597
8
8
8
8
8
Front
Front
Front
7495
74194
4014
4021
4035
4094
8
8
4
8
PISO, SISO
intrari J nK
SISO, PIPO, 2 intrari de tact
SISO, PIPO, 2 intrari de tact, 3 stari
PIPO, SIPO, PISO
PISO, SISO
PISO, SISO
PIPO, SISO bidirectional, J nK
SISO, SIPO, 3 stari
40104
3 stari
4
4
100
6. NUMARATOARE
6.0. Introducere
Numaratoarele sunt circuite care evolueaza periodic (ciclic) ntre anumite stari. Numarul starilor distincte
dintr-un ciclu se numeste modulul numaratorului si se noteaza cu m. Numaratoarele n inel sau Johnson,
realizate cu registre de deplasare formate din bistabile D, studiate anterior aveau modulul m = n respectiv m =2n;
n
Dupa modul
n
-Binare m =2 ;
-Zecimale sau decadice m = 10;
n
-Modulo p 2 .
3
Dupa sensul de numarare
-directe acestea numara ntr-un singur sens in sens direct adica crescator;
-inverse -acestea numara in sens descrescator
-reversibile -numara n ambele sensuri adica att n sens direct ct si n sens invers.
Un numarator care evolueaza ciclic prin exact 10 stari se numeste zecimal sau decadic. Daca cele 10 stari
sunt 0, 1, 2, ..., 9 atunci el se mai numeste numarator BCD (Binary Coded Decimal).
Bistabilele utilizate n constructia numaratoarelor sunt de tip T realizate de obicei din bistabile JK sau DMS, cu T = 1 permanent sau uneori cu validarea accesibila n exterior.
Initializarea numaratorului se face de obicei prin intermediul semnalului de stergere (Reset sau Master
Reset), activ SUS sau JOS (nMR). Stergerea se poate face asincron, daca survine independent de starea
semnalului de tact si de ndata ce semnalul MR este activ sau sincron, n care stergerea se face numai dupa
frontul activ al semnalului de tact (crescator sau descrescator).
Anumite numaratoare poate fi initializate n orice stare daca sunt prevazut cu posibilitatea ncarcarii
paralel, folosind o linie aditionala notata LD (LOAD), activa SUS sau JOS (nLD). ncarcarea se poate face
asincron, daca survine ndata ce semnalul LD este activ sau sincron, n care ncarcarea se face numai dupa
frontul activ al semnalului de tact (crescator sau descrescator).
101
Pentru n = 4 bistabile numarul starilor distincte (modulul numaratorului) binar este m = 2 = 16.
Impulsurile de tact se aplica primului bistabil, urmatoarele bistabile avnd fiecare ca semnal de tact iesirea Q a
bistabilului anterior. Bistabilele functioneaza n regim de divizor de frecventa. Divizarea frecventei de tact
depinde de pozitia n numarator a bistabilului la iesirea caruia se culege semnalul.
In figura 6.2 s-a reprezentat un ciclu complet de functionare si partial nceputul celui de-al doilea ciclu.
Iesirile numaratorului evolueaza n sens crescator (direct), cu fiecare impuls de tact aplicat valoarea la iesire
creste cu o unitate. Numaratorul prezentat este modulo 16 (are 4 bistabile). Cel de-al 16-lea impuls de tact
ncheie ciclul, el aducnd numaratorul pe zero. Cel de-al 17-lea este primul impuls de tact din cel de-al doilea
ciclu.
La un moment dat codul binar de iesire corespunde numarului de impulsuri de tact aplicate n ciclul
respectiv, in aceasta constnd practic functia de numarare. Citind iesirile dupa cel de-al 11-lea impuls de tact,
rezulta Q3Q2Q1Q0 = 1011, care este tocmai corespondentul n binar al numarului zecimal 11.
Pentru extinderea capacitatii de numarare se pot conecta mai multe numaratoare n cascada prin
conectarea iesirii Q3 la intrarea de tact a urmatorului numarator.
102
Cnd Q trece din 1 n 0, nQ trece din 0 n 1, (bistabilul urmator nu comuta), dar cnd Q trece din 0 n 1,
nQ trece din 1 n 0 si determina comutarea bistabilului urmator. Acest lucru poate fi verificat n tabelul
6.1.
Tabelul 6.1
Functionarea (partiala) a numaratorului binar asincron invers
Tactul
Valoare initiala
1
2
3
4
5 ...
Q3
0
1
1
1
1
1
...
Q2
0
1
1
1
1
0
...
Q1
0
1
1
0
0
1
...
Q0
0
1
0
1
0
1
...
Corespondent zecimal
0
15
14
13
12
11 ...
103
104
Numaratorul zecimal din figura 6.8 este des ntlnit n aplicatiile practice. El se bazeaza pe structura
numaratorului asincron binar din figura 6.1 la care se adauga un circuit de decodificare a starii 10, format dintr-o
poarta SI-NU. Cnd numaratorul ajunge n starea 10, iesirea portii SI-NU trece n 0 logic, determinnd trecerea
numaratorului n starea 0, dupa care ciclul de functionare se repeta.
6.2.5. Numaratoare asincrone disponibile pe piata
Cele mai utilizate numaratoare asincrone n tehnologie TTL sunt 74LS93 (binare direct) si 74LS90
(zecimal direct). Ele sunt dublate de variantele ulterioare 74LS293 si 74LS290 la care alimentarea se face la
pinii 8 (GND) si 16 (VCC), deoarece la 74LS93 respectiv 74LS290 pinii de alimentare erau plasati neobisnuit
(pinul 10 GND, pinul 5 VCC). Varianta 74LS390 contine echivalentul a 2 numaratoare 74LS290 ntr-o singura
capsula, iar 74LS393 contine echivalentul a doua 74LS293 ntr-o singura capsula. n tehnologie CMOS sunt
disponibile mai multe numaratoare asincrone, de exemplu 4020, 4040, 4060 (tabelul 4.x).
n
Exista aplicatii n care modulul numaratorului nu mai este o putere ntreaga a lui 2 (m ?2 unde n natural).
Modulul unui astfel de numarator se va nota cu p. Pentru un ceas electronic, p poate fi egal cu 7, 12, 24, 38, 29,
30, 31, 365, 366 etc. Se pot realiza astfel de numaratoare modulo p, cu p = m plecnd de la numaratoare binare
n
conditia: 2 -1 < p <2 , adica 2 -1 < 51 <2 , ndeplinita n conditiile exemplului considerat
pentru n =6 (32 < 51 < 64).
Functionarea numaratorului cu p = 51 implica practic resetarea acestuia n cadrul unui ciclu dupa aplicarea
105
celui de al 51-lea impuls de tact. Acest lucru este posibil prin identificarea starii 51 cu ajutorul unui circuit
decodificator, care n cel mai simplu caz poate fi o poarta SI-NU si stergerea numaratorului prin activarea liniei
nCLR. n figura 6.10 este prezentata schema numaratorului modulo 51 care functioneaza pe acest principiu.
16
Q4
1
8
Q3
0
4
Q2
0
2
Q1
1
1
Q0
1
Determinarea acestei stari se face utiliznd o poarta SI-NU cu 4 intrari la care sunt conectate o
parte din iesirile numaratorului, respectiv Q5 Q4 Q1 si Q0 care sunt pe 1 logic pentru prima data ntr-un ciclu
de numarare pentru starea 51. n urma activarii liniei /CLR n care iesirea portii SI-NU este 0 logic, aceasta stare
se va transforma n starea 000000 (starea initiala). Astfel numarul starilor distinct ale numaratorului este redus
6
Dupa cum se observa din schema, circuitul de memorare folosit este n acest caz un latch S-R. Iesirea
portii SI-NU, X1 se afla pe 1 logic pna cnd apare frontul scazator al celui de al 51-lea impuls de tact. n acest
moment X1 trece n 0 logic, determina setarea bistabilului si punerea liniei X2 pe 0 logic. n acest moment
ncepe procesul de stergere a numaratorului. Iesirea portii SI-NU, X1 va sta scurt timp pe 0 logic, mai exact pna
cnd una din iesirile Q5, Q4, Q1 sau Q0 trece pe 0 logic. Desi X1 este deja 1 logic, latch-ul memoreaza impulsul
de stergere, mentinnd n continuare linia X2 pe 0 logic pna cnd apare frontul crescator al impulsului de tact,
n care se produce resetarea bistabilului SR si trecerea iesirii X2 pe 1 logic. Se poate observa ca latimea noului
106
impuls de stergere X2 = /CLR este proportionala cu durata ct semnalul de tact, CLK, este pe 0 logic. Se
presupune ca acest interval de timp este suficient de mare pentru stergerea (initializarea) tuturor bistabilelor din
care este compus numaratorul. n caz contrar, factorul de umplere al semnalului de tact se alege astfel nct sa fie
satisfacuta aceasta conditie.
n figura 6.12 este prezentata schema electrica pentru un numarator asincron direct cu n = 5 bistabile, cu
un ciclu de 32 de stari (S1 deschis), respectiv de 27 de stari (S1 nchis). Cele doua inversoare din schema
asociate bistabilului U1A simuleaza o stergere ntrziata a respectivului bistabil -un tpCLRQ mai mare dect la
celelalte bistabile. Cu S2 se poate valida sau inhiba aceasta ntrziere suplimentara.
Figura 6.13.a. Numarator asincron direct modulo p = 27, functionare corecta(S1 nchis, S2 spre dreapta).
Figura 6.13.b. Numarator asincron direct modulo p = 27, functionare incorecta n secventa ...26, 27+ stergere,
2, 3, ... obtinuta pentru S1 nchis si S2 spre stnga.
107
CLK min
=n t
P(CLK Q)
+t
unde n este numarul de bistabile din componenta numaratorului. n cazul n care intre iesirea Q a bistabilului
anterior si intrarea CLK a bistabilului urmator exista circuite care produc ntrzieri (de exemplu multiplexoare la
numaratoarele reversibile), durata minima a impulsului de tact este:
108
Acest fenomen limiteaza frecventa maxima de tact la care poate functiona numaratoarele asincrone (de exemplu
pentru circuitele 74LS90, 74LS93 fMax = 16 MHz, tipica pentru numaratoare asincrone ).
Tabelul de functionare (este valabil att pentru numaratoarele asincrone cat si pentru cele sincrone):
Nr. tacte
initializare
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16 (0)
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
T0 = 1
T1 = Q0
T2 = Q0 Q1 = Q1 T1 T = Q Q Q = Q T
3
..
Tn1 = Q0 Q1 ... Qn2 = Tn2 Qn2
109
CK min
=t
P(CK Q)
+t
+t .
PSI
Se observa ca tp este mai mic dect la numaratoarele asincrone cu acelasi numar de bistabile (frecventa de tact
mai ridicata). Din acest motiv aceasta este varianta preferata la realizarea numaratoarelor n integrate.
110
Relatiile pentru generarea valorilor T sunt cele ce nu contin pe T anterior. Fiecare valoare T este
generata doar pe baza valorilor Q pentru a scurta timpul de generare. Astfel ntrzierea de generare este doar a
111
unei singure porti SI. Impulsurile de tact CK se aplica simultan la toate bistabilele. Exista de asemenea o intrare
de initializare comuna /CLR pentru toate bistabilele. Numaratorul numara doar n sens direct (crescator), iar
iesirea CARRY serveste pentru interconectarea numaratorului reprezentat cu un alt numarator identic pentru bitii
superiori Q4 ...Q7 si se conecteaza la intrarea T0 care devine practic T4 al celui de al doilea numarator.
6.3.3. Numarator sincron reversibil
Descrierea functionarii
112
113
114
115
Al doilea exemplu de divizor programabil utilizeaza doua numaratoare sincrone configurate sa evolueze n sens
invers (U1 si U2) si un latch RS de memorare a impulsului de stergere, asa cum a fost prezentat n figura 6.11.
Functionarea divizorului este simpla: [KPD2:KPD1] specifica raportul de divizare, numararea se face n sens
descrescator de la p spre 0, starea 0 determinnd stergerea latch-ului RS si ncarcarea numaratoarelor cu p.
Diagramele de semnal (figura 4.x) indica o divizare initiala cu 5, urmata de schimbarea raportului si o divizare
cu 8.
116
Cel de-al treilea exemplu de divizor programabil de frecventa este si cel mai versatil: utiliznd doua numaratoare
CMOS 4029 si ncarcarea comandata de o poarta SAU-NU cu un numar de intrari egal cu numarul de circuite
4029 utilizate, circuitul ofera:
-numarare n sens crescator, de la p la 255 (U/nD = 1);
-numarare n sens descresator, de la p la 0 (U/nD = 0);
-numarare binara (B/nD = 1);
-numarare zecimala (B/nD = 0).
ntrebare: Specificati unde se afla iesirea divizorului din figura 6.x si forma semnalului divizat.
117
Asincron
binar
direct
Front
Asincron
BCD
direct
Sincron
binar
direct
Sincron
BCD direct
Reset
A, H
A, H
A, H
A, H
A, H
Load
-
sau
sau
CMOS
Cod
74LS293
74LS393
4
4
TTL
74LS290
74LS390
4
4
4
4
A, L
S, L
A, H
A, H
S, L
S, L
A,H
-
74LS161
74LS163
A, L
S, L
A, H
A, H
S, L
S, L
A, H
-
74LS160
74LS162
A, L
Observatii, comentarii
Cod
4020
4040
4060
14
12
14
4516
4520
4
4
4510
4518
4029
44
4
4
4
2 numaratoare ntr-o capsula
Reversibil, BDC / binar, fara stergere
Universale
118
7. MEMORII SEMICONDUCTOARE
7.0. Introducere
Sunt circuite integrate care au ca scop stocarea informatiei sub forma binara. Memoriile reprezinta
categoria de circuite integrate cu cea mai mare raspndire si vnzare n lume n prezent. Ele se gasesc sub
forma distincta sau intra n componenta altor circuite integrate cum ar fi microprocesoare,
microcontrolere, FPGA, circuite de telecomunicatii, etc.
119
Tabelul 7.1
Comparatie ntre caracteristicile diverselor tipuri de memorii
Tipul
memoriei
ROM
PROM
EPROM
OTP
EEPROM
Flash
NV RAM
SRAM
DRAM
Capacitate
Volatila
Mare
Mica
Medie
Medie
Medie
Mare
Medie
Mare
Foarte mare
NU
NU
NU
NU
NU
NU
NU
DA
DA
Celula elementara
cu 1 tranzistor
DA
DA
DA
DA
NU
DA
NU
NU
DA
Reprogramabila
NU
NU
DA
NU
DA
DA
Programare
n montaj
NU
NU
NU
NU
DA
DA
1kb =2 b=1024b
20
1 Mb = 2 b = 1024 kb = 1.048.576 b
30
1 Gb = 2 b =1024 Mb = 1.073.741.824 b
40
1 Tb = 2 b = 1024 Gb = 1.099.511.627.776 b
n echipamentele numerice informatia este organizata fizic si logic. Prin organizare fizica se ntelege
modul de stocare propriu memoriei semiconductoare, iar prin organizare logica modul de organizare a
informatiei n echipament. Cele doua marimi nu sunt neaparat egale. Exista memorii integrate cu
organizare multipla de obicei pe 8 sau 16 biti (memoria din figura 7.1 are o capacitate de 64 de biti si se
poate organiza n 64 de cuvinte de 1 bit, 16 cuvinte de 4 biti sau 8 cuvinte de 8 biti).
Marimea logica care caracterizeaza latimea unei adrese de memorie adresata unic se numeste cuvnt.
Cuvntul are o latime de unul sau mai multi octeti (1, 2, 4 sau 8). Mai multe locatii de memorie de la
adrese succesive formeaza o pagina de memorie. O pagina de memorie poate avea 2 kB sau mai mult.
n circuitele de memorie, informatia este organizata fizic pe 1 bit, 4 biti, 8 biti, 16 biti sau 32 de biti. O
locatie de memorie de 8 biti se mai numeste octet (byte), iar una de 4 biti o jumatate de octet sau nibble.
Octetul (notat o sau B) are aceeasi multipli ca si bitul kB, MB, GB, TB.
120
121
-W0, ..., Wm-1 sunt m= 2 linii de cuvnt, ele selecteaza intern cuvntul adresat.
-D0, ..., Dk-1 sunt k linii de date, k fiind latimea cuvntului memorat.
Aplicnd o adresa la liniile A0 An-1, la iesirea DCD se activeaza o singura linie Wi. La iesirea CD se
obtine un cod pe k biti ce reprezinta chiar informatia nmagazinata n locatia ce corespunde liniei de
cuvnt Wi active, respectiv adresei selectate la intrarea DCD si implicit a memoriei ROM. n aceasta
schema sediul informatiei memorate este CD, DCD necontinnd informatia ce urmeaza sa fie citita.
Cuvntul binar obtinut la iesirea CD depinde de structura codificatorului, nscrierea sau programarea unui
cuvnt ntr-o anumita locatie se face prin modificarea structurii schemei CD ce corespunde liniei de
cuvnt respective.
122
123
124
flotanta ncarcata cu sarcina negativa q-. Programarea este facuta prin ncarcarea grilei flotante cu ajutorul
unui impuls de programare (10V-15V, tipic 12 V sau uneori 12,5 V) ntre drena si sursa tranzistorului, cu
durata de cteva zeci de ms, dupa selectarea liniei de cuvnt Wi= UH (figura 7.9).
Tranzistorul MOS cu grila flotanta din figura 7.9 are Up2 > Ud. La activarea liniei de cuvnt Wi(Wi= 1), T
nu va conduce, iar linia de bit corespunzatoare va fi n 1 logic datorita sarcinii active formate din alt
tranzistor MOS, asa cum se poate observa n figura 7.7.
Stergerea informatiilor se face iradiind matricea CD cu radiatii UV (ultraviolete) un interval de timp de
ordinul zecilor de minute. Deoarece aceasta stergere nu se poate efectua selectiv, dupa expunere memoria
EPROM va fi integral stearsa, toti bitii fiind pe 1 logic. Radiatia ultravioleta determina stergerea memoriei
125
EPROM daca are o lungime de unda mai mica de 4000 , valoarea recomandata de catalog fiind de 2537
. Distanta dintre lampa UV si cip trebuie sa fie de circa 2,5 cm, iar puterea radiatiei 12000 mW/cm2; n
aceste conditii stergerea completa a circuitului survine dupa 15-20 minute. Studii de specialitate au
demonstrat ca expunerea continua a unei memorii EPROM la lumina fluorescenta din camera (care are si
o componenta cu lungimea de unda ntre 3000 si 4000 ) poate determina stergerea informatiei n circa 3
ani acelasi circuit se sterge n circa 1 saptamna daca este expus la lumina solara directa. Numarul
garantat de programari si de stergeri este mai mare de 100, dar defectele sunt frecvente chiar dupa cteva
cicluri stergere programare; durata de mentinere a informatiei memorate este minim zece ani.
Pentru circuitele EPROM moderne, avnd capacitati de peste 64 kbiti, o programare octet cu octet la zeci
de ms pentru un octet ar fi inacceptabil de lunga (la un EPROM 27512 de 512 kbiti, programarea ar dura
20 ms x 65536 octeti = 22 minute). Pentru reducerea timpului de programare au fost imaginati algoritmi
de programare rapida, la care pe durata programarii se face VDD = 6VsiVPP =12,5V, impulsul de
programare reducndu-se la 1 ms sau n unele cazuri chiar de 100 s! Prin aceasta chiar la memoriile
EPROM de capacitati relative ridicate (peste 1 Mbit), programarea dureaza maxim cteva minute.
Memoria EPROM 2764A
2764A este o memorie NMOS de 64 kbiti organizata ca 8 k cuvinte de 8 biti, oferita de o serie de
producatori. Dispunerea pinilor este prezentata n figura 7.26, iar aspectul capsulei n figura 7.13.
Tabelul 7.3
Modurile de operare pentru memoria EPROM 2764A
Mod
Citire (Read)
Inhibare iesiri (Output Disable)
Asteptare (Standby)
Programare (Program)
Verificare (Verify)
Inhibarea programarii (Program Inhibit)
Identificare inteligenta (Electronic
Signature)
nCS
0
0
1
0
0
1
nOE
0
1
X
1
0
X
nPGM
1
1
X
impuls
1
X
A9
X
X
X
X
X
X
VPP
VDD
VDD
VDD
VPP
VPP
VPP
12 V
VDD
Q 0 Q7
Data Out
HiZ
HiZ
Data In
Data Out
HiZ
Octet
identificare
Memoriile EPROM prezinta doua terminale de control asemanatoare: nCS si nOE. Pentru nCS = 1,
circuitul este trecut n modul asteptare, n care iesirile sunt n starea de nalta impedanta, iar consumul de
curent este substantial redus. nOE controleaza doar bufferele de iesire, care sunt inhibate pentru nOE = 1
si validate pentru nOE = 0. Motivatia existentei a doua terminale de control este mai subtila: ntr-un
sistem cu microprocesor, controlul cu doua terminale evita conflictele pe magistrala daca se utilizeaza mai
multe asemenea memorii si un decodoficator pentru selectia lor. Microprocesorul va emite semnalele de
126
adresa, din care o parte (cele mai semnificative) sunt folosite de DCD si semnalul nRD, care va fi conectat
la intrarile nOE ale tuturor memoriilor.
Fabricantul specifica n foaia de catalog punctele de test pentru 0 si 1 logic. n cazul memoriei 2764A
aceste puncte de test sunt 0,8 V si 2 V (niveluri TTL), figura 7.11. Aceste puncte de test sunt valabile si
pentru memorii EPROM mai noi, de exemplu pentru memoria de 1 Mbit 27C010, realizata n tehnologie
CMOS.
Figura 7.11. Punctele de test pentru starea 0 si 1 n cazul memoriei EPROM 2764A.
Datorita numarului mare de variante de memorii EPROM si a specificatiilor uneori usor diferite pentru
acelasi tip de circuit la diferiti producatori, memoriile EPROM moderne dispun de un mecanism de
identificare inteligenta pe baza unei semnaturi electronice (Electronic Signature). Pe baza semnaturii
electronice se identifica tipul circuitului (codificat pe un octet) si producatorul (codificat tot pe un octet).
Aceste informatii sunt citite automat de echipamentul de programare care va selecta algoritmul de
programare potrivit circuitului utilizat fara interventia operatorului uman, eliminndu-se astfel o
posibilitate de eroare. Pentru a activa modul de identificare inteligenta, adresa A9 trebuie adusa la o
tensiune de 12 V, toate celelalte linii de adresa se mentin la 0 logic; pentru A0 = 0 logic la liniile de date
se va putea citi codul producatorului, (de exemplu pentru SGS-THOMSON se va citi 20H), iar pentru A0
= 1 se va putea citi codul circuitului, n acest caz 08H.
Caracteristici principale 2764A:
timp de acces: 180 ns;
curent de alimentare n repaus: 35 mA;
curent de alimentare n functionare normala: 75 mA
tensiune de programare VPP = 12 V;
algoritm de programare rapid (durata totala de programare este sub 1 minut);
identificare inteligenta prin semnatura electronica;
Varianta CMOS pentru acelasi circuit, notata 27C64 este compatibila pin la pin cu predecesoarea sa si
ofera urmatoarele caracteristici mbunatatite:
127
NC = neconectat, DU = nu se foloseste
7.5.6. Memoria EEPROM
Elimina dificultatile de extragere din soclu si expunere la lumina ultravioleta. Att programarea ct si
stergerea se executa electric. Prin perfectionarea tehnologiei si micsorarea grosimii stratului izolator al
grilei flotante exista posibilitatea programarii si stergerii electrice cu tensiuni mici aplicate ntre drena si
poarta. Polaritatea caderii de tensiune drena-poarta este inversata la stergere fata de programare. Sunt mai
scumpe dect memoriile Flash; se pot rescrie n timpul functionarii, numarul de stergeri si reprogramari
fiind cu un cel putin un ordin de marime mai mare dect la memoriile Flash.
Memoria EEPROM 2864B
2864B este o memorie EEPROM CMOS de 64 kbiti organizata ca 8 k cuvinte de 8 biti, oferita de mai
multi producatori. Dispunerea pinilor este redata n figura 7.26, iar modurile de operare n tabelul 7.4.
Tabelul 7.4
Modurile de operare pentru memoria EEPROM 2864B
Mod
Citire (Read)
Scriere (Write)
Inhibare scriere (Write Inhibition)
Asteptare (Standby)
nCE
0
0
X
X
1
nOE
0
1
X
0
X
nWE
1
0
1
X
X
I/O0 I/O7
Data Out
Data In
HiZ
128
Programarea
n stare neprogramata, toate celulele memoriei sunt n 1 logic (sarcini reduse sau nule n grila flotanta).
Daca n procesul de programare se doreste memorarea unui 0 logic, grila de control se aduce la un
potential pozitiv +Vprog, prin aceasta fiind atrasi electroni spre grila flotanta, ea ncarcndu-se negativ.
O data programata, sarcina grilei flotanta se mentine un timp ndelungat minim 10 ani.
n cazul n care se doreste stocarea unui 1 logic, n timpul programarii celula respectiva este lasata
nemodificata.
Citirea
Pe durata operatiei de citire, la grila de control se aplica o tensiune pozitiva + Vread. Cantitatea de
sarcina stocata n grila flotanta va determina n acest caz daca sub actiunea acestei tensiuni,
tranzistorul MOS va conduce sau nu: daca se memoreaza un zero, datorita numarului mare de electroni
de pe grila flotanta, tranzistorul ramne blocat. n contrast, daca grila flotanta contine putini electroni,
sub influenta tensiunii +Vread tranzistorul MOS va conduce (figura 5.16).
Stergerea
Operatia de stergere se rezuma la nlaturarea electronilor din grila flotanta aducnd grila de control la
potentialul masei si sursa la o tensiune pozitiva (+ Verase), electronii vor fi atrasi spre sursa si prin aceasta
grila flotanta nu va mai contine sarcini negative sau numarul acestora va fi foarte redus. O memorie Flash
este ntotdeauna stearsa nainte de a fi programata. La memoriile Flash moderne stergerea se realizeaza pe
blocuri sau paginat, dar important este ca un octet singular din cadrul unui bloc nu poate fi scris
(programat) dect dupa ce este sters mpreuna cu ntregul bloc din care face parte. Memoriile Flash ofera
suplimentar posibilitatea stergerii globale rapide (bulk erase).
129
Schema simplificata pentru operatia de citire a unei memorii Flash este ilustrata n figura 7.17. Aria de
memorie contine m cuvinte a n biti fiecare, adica un total de m x n tranzistoare MOS cu grila flotanta
pentru acelasi numar de biti de informatie. La fiecare linie de bit un tranzistor MOS formeaza sarcina
activa (aceasta abordare este mai eficienta dect cea n care ar fi dispuse rezistente de sarcina, de ce?).
Pentru citire se activeaza o linie de cuvnt, fiecare din cele n comparatoare furniznd la iesire 1 sau 0
logic, dupa cum tranzistoarele MOS de memorare conduc sau nu (1 logic daca tranzistorul conduce, 0
logic n caz contrar).
Caracteristici generale:
timp de acces: 45 150 ns;
130
nCE
0
0
1
0
0
0
0
nOE
0
1
X
1
0
0
0
nWE
1
0
X
1
1
1
1
A0
A0
A0
X
X
1
0
0
A1
A1
A1
X
X
0
0
1
A9
A9
A9
X
X
12 V
12 V
12 V
I/O0-I/O7
Data Out
Data In
HiZ
HiZ
ID
ID
ID
Clasificare RAM:
-RAM statice (SRAM), realizate cu bistabile n tehnologie bipolara sau unipolara;
-RAM dinamice (DRAM), numai n tehnologie unipolara NMOS sau CMOS.
Dupa modul de selectie a locatiei: -selectie liniara, n cazul memoriilor de capacitate
redusa, organizate pe cuvinte de mai multi biti; -selectie prin coincidenta, n cazul
memoriilor de capacitate relativ ridicata, organizate pe cuvinte de un bit; -selectia
tridimensionala, n cazul memoriilor de capacitate foarte mare, organizate pe cuvinte de
mai multi biti.
131
figura 7.19 este organizata pe m = 2 octeti. Pentru combinatia de adrese An-1 ... A0 = 0...0, W0 = 1,
selectndu-se primul octet, care se va regasi la iesire (10111011).
Selectia prin coincidenta utilizeaza doua decodificatoare de adresa, unul pe linii si celalalt pe coloane.
Nodul selectat din memoria din figura 5.20 corespunde adresei de linii A0 ...Ax-1 = 0 1 ...1 si de coloane
Ax ... Ax+y-1 = 0 0 1 0 ... 0. Pentru o folosire eficienta a ariei de siliciu ocupate se cauta ca matricea de
memorare sa fie patrata sau ct mai aproape de un patrat n cazul unui numar impar de adrese,
dimensiunile celor doua DCD fiind egale sau apropiate.
132
La memoriile RAM de capacitate mare (de peste 1 Mbit) decodificarea bidirectionala nu mai este
suficienta, deoarece numarul de linii ale fiecaruia dintre cele doua DCD va depasi 1000. Din acest motiv
informatia stocata este dispusa ntr-o matrice tridimensionala. De exemplu la memoria 628128A de 128 x
8 kbiti, matricea de memorare se prezinta ca n figura 7.21. n acest caz decodificarea se face
bidimensional, existnd 512 rnduri a 256 de coloane, dar n punctul de selectie, cuvntul nu are lungimea
de 1 bit, ci de 8 biti.
Terminale memoriei sunt: A0 An-1 -linii de adresa, /CS -selectie capsula, Do0...Do(k-1) -date iesire,
/OE -validare iesire, Di0...Di(k-1) -date intrare, /nWE -validare scriere.
Celula completa de memorie pentru 1 bit cu latch D (figura 7.23).
Descrierea functionarii: Pentru a putea face o operatie de citire sau de scriere este necesar ca celulele sa
fie selectata cu ajutorul liniei de cuvnt Wi activa pe 1. Linia de cuvnt furnizeaza deci semnalul SEL ce
actioneaza asupra portii P si a bufferului B. O data selectat, bufferul B se afla n stare normala de
functionare. Cealalta intrare a portii SI se foloseste pentru stabilirea operatiei ce se va efectua: citire (nWE
= 1) sau scriere (nWE = 0). La citire (nWE = 1) trebuie selectata celula (SEL=1); n acest caz intrarea C a
bistabilului este 0 (C=0) si oricare ar fi datele pe linia de intrare ele nu se nmagazineaza n D-latch n
schimb B fiind n stare normala, obtinem la iesirea Do pe Q memorat in bistabil. La scriere (nWE = 0)
trebuie selectata celula (SEL=1); n acest caz ceea ce exista pe linia LBIN se nscrie in D-latch. Cu alte
cuvinte ceea ce am pe liniile de intrare DIN se va transfera n bistabil (adica la iesirea Q a acestuia). Daca
celula nu este selectata (SEL = 0), C = 0, iar B se afla n starea de impedanta ridicata (HiZ).
133
Consideram n cele ce urmeaza o memorie ipotetica de 1024 cuvinte de cte 4 biti. Aceasta memorie va
contine 4192 de celule, selectate liniar prin intermediul unui DCD 10:1024 (figura 7.24).
Tabelul 7.6
Functionarea memoriei SRAM
Operatie
CS
OE
WE
Citire (Read)
Scriere (Write)
Memorare (Hold)
Descrierea functionarii
Reducerea numarului de pini ai capsulei circuitului integrat se poate realiza folosind pini unici
pentru intrare si iesire, caracteristica obtinuta adoptnd urmatoarea structura I/O (figura 7.25):
134
Memoria SRAM 6264 nu are pin de tensiune de programare (pinul 1, VPP de la EPROM), acesta
ramnnd neconectat, iar selectia circuitului se face cu 2 semnale (nCS1 si CS2), aspect folositor
pentru extinderea capacitatii (vezi si aplicatiile de la 5.8). De cele mai multe ori producatorul de
memorii specifica timpul de acces ca un prefix la denumirea circuitului, de exemplu Hitachi ofera
circuitele HM6264A-10 (100 ns), HM6264A-12 (120 ns) si HM6264A-15 (150 ns).
Caracteristici principalele pentru memoria HM6264-10:
timp de acces 100 ns;
putere disipata n repaus: 100 W;
putere disipata n functionare normala: 15 mW / MHz;
8 intrari si iesiri trei-stari comune.
Diagramele de citire (figura 7.27) pentru memoria 6264 sunt asemanatoare cu cele de la memoria
EPROM. Toate valorile urmatoare se vor referi la memoria HM6264A-10, la care timpul de
acces (tACC) este de 100 ns. Pentru citire, trebuie specificata o adresa pe liniile A0-A12 pe
durata ciclului de citire, a carui durata minima tRC este de 100 ns. Deoarece memoria SRAM este
statica, nu este specificata si o valoare maxima tRC poate fi orict de lung.
135
Tabelul 7.7
Principalii parametri dinamici ai ciclului de citire pentru memoria SRAM HM6264A-10
Parametru
Durata ciclului de citire (Read cycle time)
Timpul de acces (Address access time)
Timpul de acces selectie circuit -iesire (Chip
CS1
Seletion to Output)
CS2
Timp de acces validare iesire (Output enable to output
valid)
Timp inhibare circuit (Chip deselection to
CS1
output in HiZ)
CS2
Timp inhibare iesiri (Output disable to output in HiZ)
Timpul de mentinere de la modificarea adresei
(Output hold from address change)
Simbol
tRC
tACC
tCS1
tCS2
Min
100
Max
100
100
100
UM
ns
ns
ns
ns
tOE
50
ns
tCS1Z
tCS2Z
0
0
35
35
ns
ns
tOEZ
35
ns
tOH
10
ns
98
Scrierea informatiei n memorie se realizeaza conform diagramelor din figura 7.28.
Tabelul 7.8
Principalii parametri dinamici ai ciclului de scriere pentru memoria SRAM HM6264A-10
Parametru
Durata ciclului de scriere (Write cycle time)
Timpul selectie circuit sfrsitul nWE (Chip selection to end
of write)
Timpul adrese valide sfrsitul nWE (Address valid to end of
write)
Latimea impulsului de scriere (Write pulse width)
Timpul de recupereare nWE (Write recovery time)
Timp suprapunere Dout cu nWE (Data to write time overlap)
Timpul de mentinere pentru DiN (Data hold from write time)
Timp inhibare iesiri (Output enable to output in HiZ)
Simbol
tWC
Min
100
Max
UM
ns
tCW
80
ns
tAW
80
ns
tWP
tWR
tDW
tDH
tOHZ
60
0
40
0
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
136
137
Bufferul B deserveste toate celulele conectate la linia de bit LB, din care s-a prevazut o singura celula. Cu
ajutorul lui B se alimenteaza n impuls linia de bit. Fiecare linie de bit este prevazuta cu comparatorul K si
bistabilul D-latch ce servesc la citirea informatiei. Linia de cuvnt este activa pe 1 actionata in impulsuri.
Celula de memorare propriu-zisa se compune din tranzistorul de comutatie T si capacitatea integrata de
memorare de valoare foarte mica Cm.
138
101
139
Descrierea functionarii
Scrierea
nscrierea unui 1 in celula se face punnd linia de bit LB la UH prin activarea bufferului B. In acest timp
se aplica un impuls de naltime tot UH liniei de cuvnt Wi = 1 care determina intrarea in conductie a
tranzistorului T si ncarcarea lui Cm la UH.
Pentru nscrierea unui 0 n celula, linia LB ramne pe UL (apropiat de 0). Liniei de cuvnt i se da un
impuls de naltime UH, care si in acest caz pune n conductie tranzistorul T descarcnd condensatorul Cm.
Citirea
Comparatorului K va avea iesirea pe 0 care este memorat de bistabilul D-latch. Dupa fiecare operatie
de citire, care altereaza nivelul de tensiune de la bornele Cm se efectueaza o operatie de reanscriere a
bitului citit folosind iesirea bistabilului D-latch (remprospatarea informatiei alterate prin citire). Nu numai
prin citire are loc o alterare a informatiei nscrise in Cm ci si datorita descarcarii exponentiale in timp a
acesteia datorita curentilor de pierdere. Din acest motiv, chiar daca nu se efectueaza citiri, este necesara
remprospatarea sarcinii acumulate n Cm la fiecare 2-4ms (depinde de tipul memoriei).
Timpul mediu necesar unei mprospatari este in medie de 0.3 s si daca mprospatarea s-ar face bit dupa
bit in intervalul de 4 ms ar putea fi mprospatate:
140
Pentru o memorie de 64kb (65536 biti) satisfacerea timpului disponibil de mprospatare impune adaptarea
unei structuri patrate a matricii de celule de memorie, corespunzatoare la 256/256 biti adica
o structura organizata pe 256 linii de cuvnt, fiecarui
cuvnt corespunzndu-i k = 256 biti.
n acest caz datorita mprospatarii simultane a tuturor celulelor selectate de o linie de cuvnt timpul
necesar pentru mprospatarea ntregii memorii va fi de:
, care constituie
din timpul disponibil pentru
reamprospatare. Deci 98% din intervalul de timp dintre doua mprospatari succesive poate fi folosit pentru
efectuarea unor operatii utile de citire si nscriere a informatiei.
Pentru exemplificare, n figura 7.37 este prezentata schema bloc a unei memorii DRAM de 1024kbiti
organizata pe cuvinte de cte 1 bit, a caror selectie se realizeaza prin coincidenta.
Terminalele circuitului sunt: A0...A9, linii de adresa, /RAS semnal de tip strobe pentru memorarea
adreselor de linie, (Row Address Strobe); /CAS semnal de tip strobe pentru memorarea adreselor de
coloana (Column Address Strobe); R/nW comanda citirii (= 1), respectiv a scrierii (= 0) Read / Write
Enable; DIN, linia de date de intrare, DOUT. linia de date de iesire.
141
20
Pentru a accesa 2 = 1.048.567 locatii de memorie sunt necesare 20 de linii de memorie (A0 .. A19).
ncepnd cu primele circuite DRAM, n scopul reducerii numarului de pini ai capsulei, s-a utilizat o
tehnica de multiplexare a adreselor, circuitul avnd doar 10 pini de intrare pentru adrese si doua semnale
specifice de comanda nRAS pentru comanda adreselor corespunzatoare decodificatorului de linii,
respectiv nCAS pentru comanda adreselor corespunzatoare decodificatorului de coloane. Deoarece un
circuit tipic de memorie DRAM nu are nici o intrare nCS, economia este de 10 terminale, rezultnd o
capsula cu 18 terminale la o capacitate de stocare de 1 Mbit, ceea ce este remarcabil.
nti se aplica prima jumatate a cuvntului de adresa A0A9, apoi a doua jumatate A10A19. Circuitul
de comanda contine doua lacth-uri D de memorare a celor doua jumatati ale cuvntului de adresa. Prin
intermediul liniilor A0A9 se comanda decodificatorul care are rolul de a selecta o singura linie de
cuvnt. ncarcarea A0A9 n registrul din circuitul de comanda se face prin activarea liniei /RAS. Cu
liniile A10A19 se comanda blocul MUX/DMUX prin care se selecteaza o singura linie de bit (la citire
prin MUX, iar la nscriere prin DMUX). ncarcarea adreselor A10A19 in registrul corespunzator din
circuitul de comanda se face prin activare liniei /CAS (Column Address Strobe). Linia de control stabileste
care dintre cele doua circuite (MUX sau DMUX) este activ. Evident la citire este activ MUX-ul, iar la
scriere DMUX-ul.
Mai exista la iesirea magistralelor liniilor de bit un registru RLB cu 256 bistabile D-latch. Schimbul
de informatie intre matrice si registru este bidirectional. In cazul operatiilor de citire este activata si linia
ce valideaza in stare normala bufferul B pentru Dout.
mprospatarea
Pe frontal scazator al semnalului /RAS se nregistreaza adresa liniei de cuvnt n registrul din circuitul de
comanda. Se selecteaza o linie de cuvnt ce corespunde acestei adrese si se nscrie continutul fiecarei
celule ce corespunde lui LC selectat n RLB. Pe frontul crescator al semnalului /RAS se renscrie
informatia din registru regenerata n celulele apartinatoare liniei de cuvnt selectata. n continuare se trece
142
la urmatoarea linie de cuvnt in vederea mprospatarii tuturor celulelor. Generarea adreselor pentru
mprospatarea memoriei se face folosind un numarator pe 8 biti ce functioneaza continuu. Se constata ca
nu intervine adresa ce stabileste linia de bit n care se face nscrierea sau citirea.
143
144
== 2 cipuri
Capacitatea unui circuit 131.072 biti
n acest caz numarul de adrese necesare sistemului de achizitie este 17, intervenind suplimentar si A16,
145
care va fi utilizata pentru selectarea alternativa a celor doua circuite de memorare. Daca memoria ar fi
avut un singur pin nCS ar fi fost necesar un inversor ntre A16 si intrarea celui de-al doilea cip de
memorie, A16 fiind legata direct la intrarea nCS a primului circuit. Deoarece sunt disponibile doua intrari
de selectie circuit, unul activ jos si altul sus, decodificarea este mult mai simpla (figura 7.42). Pretul platit
pentru aceasta simplitate este reducerea numarului de linii de selectie de la 3 n cazul initial la 1 la
memoria extinsa.
Exista situatii n care se doreste o extindere substantiala, de exemplu atunci cnd se doreste realizarea unei
memorii Flash de 1 Moctet utiliznd 8 circuite 29F010 de 128 kocteti. n acest caz prezenta unui
decodificator 3:8 este indispensabila. Pentru a dresa 1 Moctet sunt necesare 20 de linii de adresa, 17 mai
putin semnificative fiind legate n paralel la cele 8 memorii Flash notate #0...#7, cel 3 mai semnificative
A17-A19 fiind intrari n DCD 3:8 74LS138. n acest caz memoria extinsa are aceleasi linii de control ca
memoria initiala (nSEL, nOE, nWR, nRD) nemaifiind necesare alte modificari. Pentru schema electrica
extinsa trebuie facute cteva comentarii:
a.
Legarea liniei nRD la nOE este singura solutie posibila. Analiznd diagramele de timp
pentru memoria Flash rezulta ca mai nti uP emite o adresa pe liniile A0 A19 care este decodificata.
Datorita hazardului combinational propriu DCD, daca ar exista doar nCE, este posibil ca pentru intervale
de timp scurte, de ctiva tp, doua iesiri sau mai multe iesiri ale DCD sa fie simultan pe 0, validnd
accidental 2 sau multe memorii. Este putin probabil ca memoriile sa se distruga datorita unui singur
conflict pe magistrala (bus contentition) de cteva zeci de ns, dar daca acest proces se repeta, el va
conduce la ncalzirea etajelor finale din memoriile Flash si n final la distrugerea lor. Prezenta celei de-a
doua linie de selectie si legarea ei la nRD permite strobarea iesirii memoriilor la momente de timp bine
definite si dupa stabilizarea iesirii DCD si memoriilor, ceea ce elimina complet problema mentionata.
b.
n vederea reducerii n continuare a consumului, se poate nlocui circuitul 74LS138 cu
varianta 74HCT138.
c.
Linia nSEL poate fi legata la masa n cazul memoriei initiale, utilizarea ei reduce doar
semnificativ consumul, aspect esential n cazul echipamentelor portabile, alimentate la baterii.
d.
Linia nSEL poate fi utilizata similar n cazul memoriei extinse.
7.8.3. Extensia mixta
Cea mai complexa extindere este cea mixta. Pentru ilustrare vom considera doua implementari de memorii
de 256 kcuvinte pe 12 biti, utiliznd circuite SRAM de 1 Mb (organizare 128 kcuvinte de 8 biti, respectiv
de 256 k cuvinte de 4 biti).
n ambele cazuri sunt necesare 3 circuite de memorie, iar al doilea caz este chiar simplu. Pentru primul caz
se vor utiliza alternativ 128 kcuvinte de 8 biti din primul si 128 kcuvinte de 4 biti din al doilea circuit,
respectiv 128 kcuvinte de 8 biti din al treilea circuit mpreuna cu celelalte 128 kcuvinte de 4 biti din al
doilea circuit. Cu alte cuvinte, al doilea circuit de memorie este divizat logic n doua jumatati, asociate
celorlalte doua circuite (figura 7.44). Pentru a selecta care jumatate este utilizata, la iesirea memoriei #2 se
foloseste un multiplexor cvadruplu 2:1, de tip 74LS157.
La schema din figura 7.44 trebuie facute cteva observatii:
a.
Inversorul de pe linia de adresa A17 poate lipsi daca se renunta la linia globala de selectie
nCE.
b.
Multiplexorul 74LS157 nu asigura transferul bidirectional al informatiei, el trebuie
nlocuit cu circuite trei stari comandate de nRD si nWR pentru a putea asigura att citirea ct si scrierea
memoriei SRAM rezultate.
146
147
148
149