Professional Documents
Culture Documents
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
ANALOG ELEKTRONK .............................................................................................................. i
A. KISA ATOM BLGS............................................................................................................1
Giri .............................................................................................................................................1
Yrnge ve Kabuk.......................................................................................................................1
Enerji Bantlar..............................................................................................................................2
letken, Yar letken ve Yaltkanlar .............................................................................................4
Kovalent Ba ...............................................................................................................................5
Saf Yar letken Malzemenin zellikleri.....................................................................................5
N Tipi Malzeme...........................................................................................................................6
P Tipi Malzeme ...........................................................................................................................7
Katk Maddelerine Scakln Etkisi............................................................................................8
B. DYOTLAR ve ETLER ...................................................................................................9
P-N Jonksiyonu............................................................................................................................9
Ters Kutuplama ...........................................................................................................................9
Delinme...............................................................................................................................10
leri Kutuplama..........................................................................................................................10
Diyodun V-I Karakteristii........................................................................................................11
Diyotlu Devrelerde Grafik Yntemi ile alma Noktasnn Bulunmas..................................12
leri Kutuplama Durumu .......................................................................................................12
Uygulama 1 : .........................................................................................................................13
zm : .................................................................................................................................13
Ters Kutuplama Durumu .......................................................................................................14
Uygulama 2 : .........................................................................................................................14
zm : .................................................................................................................................14
Sonular .....................................................................................................................................15
Diyodun Direnci ........................................................................................................................15
Uygulama 3 : .........................................................................................................................15
zm : .................................................................................................................................16
Uygulama 4 : .........................................................................................................................17
zm : .................................................................................................................................17
Diyot Devrelerinin Yaklak Edeer Analizi ...........................................................................17
Uygulama 5 : .........................................................................................................................18
zm : .................................................................................................................................18
Uygulama 6 : .........................................................................................................................19
zm : .................................................................................................................................19
Uygulama 7 : .........................................................................................................................19
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Yrnge ve Kabuk
Elektronlar atomun ekirdei etrafnda yrngelerde dnmektedir. Yrngeler kabuklarda
toplanmtr ve kabuklar arasnda boluklar vardr. Bir atomun belirli sayda kabuu vardr. Her
bir kabukta bulunabilecek maksimum elektron says belirli ve sabittir. Kabuklar ekirdekten
itibaren K,L,M,N,O,P,Q olarak adlandrlr. Kabuklarda bulunabilecek maksimum elektron says
srasyla 2,8,18,32,50,72,98 olarak bilinmektedir. rnek olarak farkl atomlarn yaplar ekil
1.2de gsterilmitir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Enerji Bantlar
ekirdek etrafndaki dnen elektronlarn her biri ayr bir yrngeye ve her yrnge belirli bir
enerji seviyesine sahiptir. Modern fizie gre her bir elektronun ayrk bir enerji seviyesi
mevcuttur. Elektronlar ekirdekteki pozitif ykl protonlar tarafndan ekilir. Coulomb kanuna
gre elektrik ykleri arasndaki ekim kuvveti mesafenin karesi ile ters orantldr. Dolaysyla
st kabuklarda bulunan elektronlarn ekirdek tarafndan ekilme kuvveti daha zayftr. Bir
atomun K kabuunda bulunan elektronlar, L kabuundaki elektronlara gre ekirdek tarafndan
daha kuvvetli bir ekilde ekilir. Elektronun yrngesinin ap arttka enerjisi de artar. Elektron
enerjisi potansiyel ve kinetik enerjilerin toplamdr. ekil 1.3te yrngelerdeki elektronlar ve
enerjileri grlmektedir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
negatif iyon olur. Pozitif iyon olutuunda serbest kalan elektron, atomun ekirdeinin
etkisinden karak d etkilere ak hale gelir.
Tek atom iin geerli olan enerji diyagramlar, atomlar bir araya gelerek kat maddeyi
oluturduunda geerli olmaz. Kat maddelerde atomlar birbirine ok yakn olduundan tek bir
atomdaki enerji seviyeleri, kat maddede enerji bantlarn oluturur. Kat bir maddede elektronlar
iin tek bir atoma gre daha fazla enerji seviyesi vardr ve bu seviyeler bantlar ierisinde
toplanmtr. ekil 1.4te enerji bantlar gsterilmitir.
I =Q/t
W=Pxt=VxIxt
Joule = Watt x saniye
Q=Ixt
W=VxQ
1 eV = 1.6 x 10 19 joules
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
10 22 / cm 3 - 10 23 / cm 3
Yar letken
108 / cm 3 1014 / cm 3
Yaltkan
10 / cm 3
ekil 1.5. a) letken, b) Yar letken ve c) Yaltkan malzemenin enerji bant diyagramlar.
letkenlerde enerji bant diyagramndan grld gibi valans band ile iletim band arasnda
boluk yoktur. Valans elektronlar atomlara zayf olarak baldr. Valans elektronun atomdan
ayrlarak serbest elektron haline gelmesi ok kolaydr. Oda scaklnda ilave bir enerji
uygulamadan elektrik akmn iletebilecek ok sayda serbest elektron mevcuttur. Metallerin iyi
iletken olmalarnn en nemli sebebi son yrngesinde 1, 2 veya 3 elektron bulunmas ve bu
elektronlar kolaylkla verebilmeleridir.
Yar iletkenlerdeki enerji boluu nedeniyle iletim bandnda hi elektron olmad kabul
edilebilir. Yar iletkenlerin valans yrngeleri iletkenlere gre daha fazla dolu olduundan
atomlar arasndaki ba daha kuvvetlidir. Yar iletkeni iletken hale getirmek iin bu ba
bozabilecek bir enerji uygulamak gerekir. Silisyumun enerji boluu 1.1 eV, germanyumun 0.7
eVtur. Germanyum silisyuma gre daha iyi iletkendir. Germanyumun serbest elektron says
silisyuma gre 1000 kat fazladr. Oda scaklnn salad az bir enerji ile baz elektronlar
balarn kopararak iletim bandna atlayabilirler. Bundan dolay yar iletken malzemeler oda
scaklnda elektrik akmn iletirler. rnein silisyumun serbest elektron miktar 25 ! C de
2 x1010 / cm 3 , 100 ! C de 2 x1012 / cm 3 tr. Scaklkla orantl olarak serbest elektron saysnn
4
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
artmas yani direncin dmesi nedeniyle yar iletkenler negatif scaklk katsaysna sahiptir.
letkenlerde ise tayc says scaklk ile artmaz. Scakln artmas ile elektronlarn
hareketlerinde oluan titreimler akm geiini zorlatrr. Bundan dolay iletkenlerin direnci
scaklkla artar ve diren pozitif scaklk katsayldr. Yaltkanlarda enerji boluunun ok byk
olmas nedeniyle enerji vererek valans elektronlar iletim bandna geirmek ok zordur. Valans
bandnn tamamen dolu olmasndan dolay idealde iletim bandnda hi elektron yoktur. Pratikte
iletim bandnda ok az sayda elektron olmas nedeniyle yalktanlar ok kk akmlar iletir.
Kovalent Ba
Atomlar arasnda elektronlarn ortak kullanlmas ile kovalent ba oluur. Ayn cins atomlar
kovalent ba ile boyutlu dzenli bir kristal yap oluturur. Kristal yap periyodik bir ekilde
kendini tekrarlayan yapdr. Kat cisimlerin ou kristal yapdadr. Paylalan her elektron,
kendisini paylaan iki komu atomun ekirdei tarafndan eit bir ekilde ekilmektedir. Valans
elektronlarn bu ekilde paylam atomlar bir arada tutar. Kovalent ba ile elektron paylam
atomun ntr olmasn deitirmez.
Kararl bir atom yapsnda son yrngede 8 elektron bulunur. Son yrngesinde 4 elektron
bulunan bir yar iletken malzemede (silisyum veya germanyum), kendilerine komu olan atomlar
elektron paylaarak kovalent ba oluturur. Bylece atomlarn son yrngelerindeki elektron
says 8e tamamlanr ve kristal yap oluur. Silisyum kristalinin iki boyutlu yaps ekil 1.6da
gsterilmitir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Kristal yapda s enerjisi alarak kovalent ban koparan bir elektron ve elektronun ayrlmas
nedeniyle oluan boluk ekil 1.7de gsterilmitir. Elektron kaybeden atom pozitif ykl hale
gelir. Elektronun atomdan ayrlmas ile kovalent bada oluan bolua delik denir. Delik pozitif
ykl olup bir arla sahip deildir ve elektronlar eker. Serbest kalan elektron ve oluan
delik, elektron-delik itfi olarak adlandrlr. Kristal iindeki elektron-delik ifti says scaklkla
artar.
ekil 1.7. Oda scaklnda saf silisyum kristalinde bir elektronun ban kopartarak serbest hale
gelmesi ve delik olumas.
Oda scaklnda bulunan yar iletken kristale bir gerilim uygulandnda, scaklk nedeniyle
serbest kalan elektronlar elektrik akm retir. Serbest elektronlar atomlarn ekim etkisinden
kurtulduu iin hzl bir ekilde kaynan pozitif ucuna doru hareket eder. Scakln artmas ile
serbest elektron ve delik says artar. Kovalent balarn koparan serbest elektronlarn
oluturduu delikler de hareket halindedir. Kovalent ba iindeki delik komu atomun elektronu
tarafndan doldurulur. Komu atomda oluan delik, onun komusu olan atom tarafndan
doldurulur. Delik kaynan negatif ucuna doru ilerler ve kaynaktan kopan bir elektron delii
doldurur. Scaklk nedeniyle elektron-delik ifti srekli oluur ve yar iletkenden bir akm geer.
Delikleri dolduran elektronlar, serbest elektron olmak iin yeterli miktarda enerjilenememi olan
valans elektronlardr. Serbest elektronun hareketi delik hareketine gre ok hzldr. Yar
iletkenden geen akm, serbest elektronlarn oluturduu akm ile deliklerin oluturduu akmn
toplamdr. Delik hareketi serbest elektronlarn hareketinin tersinedir. Saf bir yar iletkende
serbest elektronlarn says ile deliklerin says birbirine eittir. Saf bir yar iletken malzemeye
katk atomlar eklendiinde bant yaps, elektriksel karakteristikleri deiir. Katk oran on
milyonda bir civarnda olmasna ramen yar iletkenin davran nemli lde farkllar.
Katklanan malzeme N tipi veya P tipi malzemeye dnr.
N Tipi Malzeme
Valans elektron says be olan antimon, arsenik, bizmut ve fosfor gibi bir katk maddesi
germanyum veya silisyum tabana nceden belirlenmi miktarda eklenerek N tipi malzeme elde
edilir. ekil 1.8de silisyum malzemeye az miktarda arsenik eklenerek elde edilen N tipi
malzemenin scaklk ile ilikisi gsterilmitir. Arsenik atomlarnn be valans elektronu silikonun
kristal yapsna tam olarak uymaz. Sadece drt elektronu kovalent bada bulunur. Beinci
elektron kovalent baa katlmaz ve mutlak sfr scaklkta komu atoma gevek bir ekilde
baldr. Bu elektron oda scaklnda ald enerji (0.05 eV civarnda) ile serbest elektron olur.
Bu elektronun atomdan ayrlmas ile delik olumaz. Arsenik atomu elektron kaybettii iin
pozitif iyon olur. Pozitif iyonlarn kristal yap iindeki konumlar deimez.
6
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
P Tipi Malzeme
Valans elektron says olan indiyum, boron, aluminyum ve galliyum gibi bir katk maddesi
germanyum veya silisyum tabana nceden belirlenmi miktarda eklenerek P tipi malzeme elde
edilir. ekil 1.10da silisyum malzemeye az miktarda indiyum eklenerek elde edilen P tipi
malzemenin scaklk ile ilikisi gsterilmitir. Indiyum atomlarnn valans elektronu
silisyumun kristal yapsna tam olarak uymaz. Indiyum kristal yapda kovalent ba oluturur
ve bir kovalent ba bo kalr. Bo kalan kovalent badaki delik, komu atomlarn valans
elektronlar ile kolaylkla doldurulabilir. Bu deliin doldurulmas iin gereken enerji, valans
elektronlarn boluk bandn atlayarak iletime bandna gemeleri iin gereken enerjiden ok
kktr. Indiyum atomlarna komu olan silisyum atomlarnn valans elektronlar oda
scaklnda yeterli miktarda enerji alarak (0.08 eV civarnda) delikleri kolaylkla doldurur.
ndiyum atomlar elektron ald iin negatif iyon olur. Oda scaklnda silisyum atomlarnda
oluan elektron-delik ifti nedeniyle iletim bandnda az sayda serbest elektron da bulunur. P tipi
malzemede ounluk akm tayclar delikler ve aznlk akm tayclar elektronlardr. Bu
durum ekil 1.11de gsterilmitir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
A. DYOTLAR ve ETLER
P-N Jonksiyonu
P ve N tipi malzemeler bir kristal yap iinde bir araya getirildiinde iki blge arasnda bir P-N
jonksiyonu olutur. Bu eleman yar iletken diyot olarak bilinir ve tek ynde akm geirir. P-N
jonksiyonu diyot, transistr ve dier yar iletken elemanlarn temelidir.
Jonksiyon olumadan nce oda scaklnda, N blgesinde ok sayda serbest elektron ve P
blgesinde ok sayda delik mevcuttur. Elektronlar ve delikler btn ynlere serbeste hareket
eder. Jonksiyon olumas annda elektronlardan bir ksm P blgesine doru hareket eder. Bu
hareketin sebebi difzyon akmdr. Difzyon akm elektron younluunun ok olduu yerden
az olduu yere doru oluan yaylmadr. P blgesine geen elektronlar deliklerle birleir. N
blgesinde elektronlarn kaybeden atomlar (+) ve P blgesinde elektron alarak deliklerini
kaybeden atomlar (-) olur. Bunun sonucunda P-N jonksiyonu yaknnda ok sayda pozitif ve
negatif iyon olur. N blgesindeki elektronlarn hepsi P blgesine geemez. N blgesindeki
elektronlar pozitif iyonlar tarafndan ekilir. Bu elektronlarn P blgesine geebilmeleri iin
negatif iyonlarn itme kuvvetini yenmeleri gerekir. ekil 2.1(a)da P-N jonksiyonu ve (b)de
jonksiyonun birlemesinden sonra oluan boluk blgesi gsterilmitir. Boluk blgesi bir pil
gibi gerilim retir. Boluk blgesinde oluan gerilim germanyum diyotlarda 0.3 V, silisyum
diyotlarda ise 0.7 Vtur.
Ters Kutuplama
P-N jonksiyonunun P blgesine negatif ve N blgesine pozitif bir gerilim uygulanmasna ters
kutuplama (polarma) denir. P blgesindeki delikler kaynan negatif ucu tarafndan ve N
blgesindeki elektronlar kaynan pozitif ucu tarafndan ekilir. ounluk tayclar
jonksiyondan uzaklaarak jonksiyon etrafnda daha ok pozitif ve negatif iyon oluur. Geici
rejimde ounluk akm tayclar bir akm oluturur. Boluk blgesi genileyerek kararl
rejimde bu blgenin potansiyeli P-N jonksiyonuna uygulanan VR gerilimine eit olur ve
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ounluk tayc akm sfr olur. ok kk bir VR gerilimi ounluk akm tayclarnn
akn durdurmak iin yeterlidir. Ters kutuplanan bir P-N jonksiyonunda aznlk akm
tayclar jonksiyondan bir sznt akm geirir. VR gerilimi arttka sznt akm artar. VR
geriliminin daha fazla arttrlmas aznlk akm tayclarnn saysn arttrmaz nk elektrondelik iftinin miktar scakla baldr. Jonksiyondan geen bu akma ters doyma akm denir.
ekil 2.2de ters kutuplama durumundaki P-N jonksiyonu ve iinden geen sznt akm
gsterilmitir.
Delinme
P-N jonksiyonuna uygulanan ters gerilimin artrlmas aznlk akm tayclarnn daha hzl
hareket etmelerine neden olur. Bu akm tayclar kristal iindeki atomlara arparak valans
elektronlarn enerjilenmesine ve kovalent ba kopararak valans elektronlarn serbest kalmasna
neden olur. Serbest kalan aznlk akm tayclar hzla hareket ederek baka atomlara arpar ve
yeni elektron-delik iftlerinin olumasna neden olur. Bylece aznlk akm tayc says hzl
bir ekilde ( gibi) ykselir. Bu olaya delinme denir ve aznlk akm tayclarn bu ekilde
hzlandrmak iin gerekli enerjiyi oluturan gerilime ters devrilme gerilimi ( VBD ) denir. Ters
devrilme gerilimi scakla, katk miktarna ve baka faktrlere baldr.
leri Kutuplama
P-N jonksiyonunun P blgesine pozitif ve N blgesine negatif bir gerilim uygulanmasna ileri
kutuplama denir. P blgesindeki delikler kaynan pozitif ucu tarafndan ve N blgesindeki
elektronlar kaynan negatif ucu tarafndan jonksiyona doru itilir. Bu blgedeki pozitif ve
negatif iyonlar ntr hale gelmeye balar. Jonksiyona uygulanan VF gerilimi yeteri kadar byk
ise, diyot iinde oluan gerilim potansiyeli sfrlanr ve boluk blgesi ortadan kalkar. N
blgesindeki elektronlar yeterli enerji alarak P blgesine geer. P blgesine geen elektron
burada valans elektron haline gelir ve delikten delie atlayarak kaynan pozitif ucuna doru
hareket eder. P blgesinde valans elektronlarn hareketi, deliklerin ters ynde hareketi demektir.
Akm yn, delik hareketi ile ayn ynde kabul edilir. N blgesini terk eden her elektron iin
kaynan negatif ucundan bir elektron kar. Bylece jonksiyondan srekli akm geer. VF
gerilimi silisyum diyotta 0.7 V ve germanyum diyotta 0.3 Vtan byk olduunda P-N
10
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
jonksiyonundan akm gemeye balar. Gerilimin biraz daha arttrlmas akmn hzla artmasna
neden olur. Akm snrlamak iin diyoda seri bir diren balanr. ekil 2.3te ileri ynde
kutuplanm bir P-N jonksiyonu gsterilmitir.
N blgesinde ounluk akm taycs olan elektronlarn, P blgesine gemeleri difzyon ile
olur. P blgesinde elektronlar aznlk akm tayclardr. Bu durum transistrn almasnn
anlalmas asndan nemlidir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
scaklkla artar. Oda scaklndaki doyma akm silikonda on nano amperler mertebesindedir.
Germanyumda ise enerji boluu daha kk olduundan silikona gre daha fazla aznlk akm
taycs mevcuttur ve sznt akm birka mikro amper mertebesindedir. VBD diyodun ters
ynde devrilme gerilimidir. Diyoda ters ynde uygulanabilecek gerilimin tepe deeri (PRV),
VBD den kktr ve silisyum diyotta 1000 V , germanyumda ise 400 V civarndadr. PRV ksa
sreli ters gerilimdir. Kataloglarda ayrca ters ynde uygulanabilecek DC gerilimin maksimum
deeri ( VRDC ) de verilir. Silisyum diyot 200 ! C scakla kadar kullanlabilirken, germanyum
diyot 100 ! C ye kadar kullanlabilir. Silisyum diyodun germanyuma gre dezavantaj eik
geriliminin daha yksek olmasdr. Germanyum diyot silisyumdan daha hzldr.
12
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 1 :
V-I karakteristii aada verilen bir diyot R Y = 1.5 k olan seri diren zerinden ileri
kutuplanacak ekilde DC gerilim kaynana balanmtr. Diyodun alma noktasn bulunuz.
a) VS = 1.5 V
b) VS = 3 V
zm :
a) VS = 1.5 V iin
1.5 = v D + 1500 i D (yk dorusunun denklemi)
i D = 0 v D = 1.5 V
v D = 0 i D = 1.5 / 1500 = 0.001 A = 1 mA
Bu iki deer kullanlarak yk dorusu izilir. Diyodun V-I karakteristii ile yk dorusunun
kesime noktas (a) diyodun alma noktasdr. Grafikte (a) noktasnda diyodun gerilimi
v D = 0.55 V ve akm i D = 0.63 mA olarak grlmektedir. Sonucun doruluunu kontrol etmek
iin bulunan akm ve gerilim denklemde yerine konulur. 1.5 0.55 + 1500 x 0.63x10 -3
b) VS = 3 V iin
3 = v D + 1500 i D
(yk dorusunun denklemi)
iD = 0 vD = 3 V
v D = 0 i D = 3 / 1.5 k = 2 mA
Diyodun alma noktas (b noktas) v D = 0.6 V ve akm i D = 1.6 mA olarak grlmektedir.
13
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
b) VS = 75 V
c) VS = 125 V
zm :
a) Yk dorusu gerilim eksenini 50 Vta, akm eksenini 50 / 5 M = -10A deerinde keser.
alma noktas v D = 45 V ve i D = 1 Adir.
b) Yk dorusu gerilim eksenini 75 Vta, akm eksenini 75 / 5 M = -15Ade keser.
alma noktas v D = 70 V ve i D = 2 Adir. Bu akm ters doyma akmdr ve gerilimle artmaz.
Devrilme gerilimine kadar ayn deerde akm geer. Bu akm deeri aznlk akm tayclarnn
saysna baldr.
c) Yk dorusu gerilim eksenini 125 Vta, akm eksenini 125 / 5 M = -25Ade keser.
alma noktas v D = 100 V ve i D = 5 Adir. 100 Vun zerindeki bir ters gerilim diyodun ters
devrilmesine ve ar akm gemesine neden olur. Devrilme blgesinde diyot akm
14
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
snrlanmazsa ar akm geer ve diyot bozulur. Bu devrede 5 Mluk seri diren ar akm
gemesini nler.
Sonular
Yk dorusu analizinden aadaki sonular karlabilir.
1. Kaynak gerilimi diyodu ileri kutupladnda, kaynak geriliminin arttrlmas ile diyot gerilimi
eik geriliminden sonra artmaya devam etmez, hemen hemen sabit kalr. Diyottan geen
akm seri diren tarafndan belirlenir.
2. Kaynak gerilimi diyodu ters kutupladnda, diyottan ok kk bir ters akm geer. Kaynak
gerilimi VBD gerilimine ulaana kadar sabit kabul edilebilir.
3. Diyoda uygulanan ters gerilim VBD den byk ise, diyot zerinde VBD gerilimi der.
Diyot akm seri diren tarafndan belirlenir.
Diyodun Direnci
Diyodun direnci DC veya AC olarak tanmlanabilir. alma noktasndaki diren DC veya statik
diren olarak tanmlanr. leri ynde kutuplanm bir diyodun statik direnci akm ykseldike
artar. Diyot karakteristiinin belirli bir blgesinde, gerilimdeki deimenin akmdaki deimeye
oran AC veya dinamik diren olarak tanmlanr. ekil 2.7de diren tanmlar gsterilmitir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
zm :
A noktasndaki DC diren;
B noktasndaki DC diren;
VDC
0.5
=
= 250
I DC
2 mA
V
0.8
R DC = DC =
= 40
I DC
20 mA
R DC =
leri kutuplama blgesinde diyodun direnci gerilim ve akm arttka artar. deal bir diyotta
iletimdeki i diren sfr kabul edilir.
C noktasndaki DC diren;
R DC =
VDC
10
=
= 5 M
I DC
2 A
Ters kutuplama blgesinde diren olduka yksektir. deal bir diyotta ise bu blgede direncin
sonsuz olduu ve hi akm gemedii kabul edilir.
DC bir devrede belirli bir alma noktasnda diyodun direnci bulunarak, diyot yerine bu edeer
diren konulabilir.
16
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 4 :
Yanda verilen diyot karakteristiini
kullanarak A, B noktalar arasnda
diyodun AC direncini bulunuz.
zm :
VA VB
0.8 0.73
=
iA iB
20.10 3 6.10 3
R AB = 5
R AB =
17
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 5 :
Yanda verilen devrede,
a) deal diyot iin,
b) Silisyum diyot iin,
c) Germanyum diyot iin
diyot akmn ve diren gerilimini bulunuz.
zm :
Devrede diyot geirme ynnde kutuplanmtr ve iletimdedir. Diyot ve diren seri bal
olduundan diyot akm diren akmna eittir. Diyot gerilimi ile diren geriliminin toplam
kaynak gerilimini verir.
a) deal diyodun gerilim dm sfrdr ve iletimdeki i direnci sfrdr. Devreden geen akm,
I=
10
1.10 3
= 10 mA bulunur.
Diren gerilimi,
VR = I.R = 10 mA.1k = 10 V bulunur.
b) Silisyum diyodun iletim gerilim dm 0.7 Vtur. Diyodun iletimdeki i direnci ok
kktr ve diren yannda sfr kabul edilebilir. Devreden geen akm,
I=
10 0.7
1.10 3
= 9.3 mA bulunur.
Diren gerilimi,
VR = I.R = 9.3 mA.1k = 9.3 V bulunur.
c) Germanyum diyodun iletim gerilim dm 0.3 Vtur. Diyodun iletimdeki i direnci ok
kktr ve diren yannda sfr kabul edilebilir. Devreden geen akm,
I=
10 0.3
1.10 3
= 9.7 mA bulunur.
Diren gerilimi,
VR = I.R = 9.7 mA.1k = 9.7 V bulunur.
NOT : Devredeki gerilim ok byk ise silisyum ve germanyum diyodun eik gerilimi de ihmal
edilerek zm ideal diyottaki gibi bulunur.
18
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 6 :
ekildeki devrede kullanlan diyodun devrilme
gerilimi VBD = 75 V tur.
a) VS = 30 V ve
b) VS = 100V iin,
devreden geen akm ile diyot ve diren
gerilimini bulunuz.
zm :
a) Diyot ters kutuplama blgesinde olduuna gre devreden geen akm sfr kabul edilir. Btn
gerilim diyot zerinde oluur. Diren zerindeki gerilim sfrdr.
I 0
VD = - 30 V
VR = I.R = 0
b) Diyoda gelen ters gerilim devrilme gerilimini atna gre seri diren akm belirler.
VD = - 50 V
V VBD 100 75
I= S
=
= 0.25 mA = 250 A
R
100 k
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ekil 2.10. Orta ulu transformatr ile yaplan tam dalga dorultma devresi.
Dntrme oran n:1 , giri gerilimi V1 ve k gerilimi 2x V2 olan orta ulu transformatrde,
V
V2m = 1m
2n
olarak yazlr. m indisi maksimum deerdir. Yk zerindeki gerilimini ortalama deeri,
VDC =
2V2 m
20
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 7 :
ekilde verilen tam dalga dorultucuda
transformatr giri gerilimi 220 V, 50 Hz ve
k gerilimi 2x15 Vtur (Gerilim deerleri
efektif deerlerdir).
a) Giri ve k gerilimlerinin deiimlerini
iziniz ve k geriliminin ortalamasn
bulunuz.
b) Bir diyodun minimum PIV deerini
hesaplaynz.
zm :
a)
V1 = 220 V
V2m = 220 2 V = 311 V
V2 = 15 V
V2m = 15 2 V
1
T=
= 0.02 = 20 ms
50
VDC =
2V2 m 2.15 2
=
= 13.5 V
Kpr Dorultucu
Kpr dorultucu ile elde edilen DC gerilim, orta ulu transformatr ile yaplan tam dalga
dorultucudaki DC gerilimin iki katdr. ekil 2.11de kpr dorultucu devresi ve giri k
gerilimleri gsterilmitir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
KIRPICI DEVRELER
Diyot devreleri giri iaretinin belirli bir blgesini krpmak ve iareti telemek iin kullanlabilir.
Krpclar ngerilimli, ngerilimsiz, seri, paralel, pozitif veya negatif trde olabilir. ngerilimli
devrelerde DC gerilim kayna kullanlr. Krpma seviyesi devrede kullanlan DC gerilim
kaynann deeri ile ayarlanabilir. Diyodun yn ile seri veya paralel bal olmasna gre,
pozitif veya negatif krpma yaplabilir. Kaynan ynnn deitirilmesi ile krpma ilemi
tamamen deiir.
ekil 2.12de ngerilimli seri krpc ve giri gerilimi ile k gerilimi arasndaki iliki
gsterilmitir. Bu devrede 5 Vtan daha dk gerilimler iin diyot ak devre olur ve k
gerilimi sfr olur. 5 Vun zerinde diyot iletime girer. Bylece giri gerilimi 5 V yukar
telenmi olur ve alt krplr.
22
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
KENETLEYC DEVRELER
Kenetleyici devreler ac bir iarete dc bir seviye eklemek iin kullanlr. Kenetleyiciler televizyon
alclarnda dc seviye elde etmek iin kullanlr. Alcya gelen video iareti genellikle kapasitif
bir amplifikatr ile ykseltilir. Ykseltme ilemi dc bileenin yani siyah, beyaz ve boluk
seviyelerinin kaybolmasna neden olur. Video iareti resim tpne uygulanmadan nce bu
referans seviyeler kenetleyici yeniden elde edilir.
ekil 2.15te pozitif dc kenetleyici gsterilmitir. A noktasna kadar kondansatr arj olur. Daha
sonra kondansatr geriliminin sabit kald kabul edilir. Devrede kondansatrn dejarj R
zerinden olur. RC zaman sabiti uygulanan giri sinyalinin peryodundan ok byktr. k
gerilimi sabit olan kondansatr gerilimi ile giri geriliminin toplamdr.
23
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 8 :
Aada verilen kenetleyici devrede giri gerilimi iin k gerilimini iziniz.
zm :
Devre giriine uygulanan iaretin frekans 1 kHz olduuna gre darbe peryodu,
T = 1 / f = 1 ms
olarak bulunur. RC zaman sabiti,
R.C = 100k.1 = 100.10 3.1.10 6 = 100.10 3 =100 ms.
RC zaman sabiti darbe peryodundan ok byk olduu iin kondansatr geriliminin R zerinden
dearj olmad kabul edilir.
Analize diyodun iletimde olduu aralktan balayalm.
t1 t 2 aralnda diyot iletimdedir. Devrenin giriinde
20 V gelmektedir. Yani alt ucuna + 20 V uygulanmtr.
Diyot bu aralkta Anot-Katot gerilimi pozitif olduundan
iletime girer ve k gerilimi 5 V olur. Kondansatr ise
ekilde gsterildii gibi + 25 Va arj olur. t 2 t 3
aralnda diyot kesime girer. k gerilimi giri gerilimi
ile kondansatr geriliminin toplamdr. v o = 10 V + 25 V
= 35 V. k geriliminin deiimi yanda verilmitir.
Zener Diyot
Normal diyotlarda ters devrilme olay istenmez. Zener diyotlar ise belirli bir gce kadar ters
devrilme blgesinde kullanlabilir. Ters kutuplanm bir diyodun devrilmesi iki ekilde olur.
1- devrilme: Ters kutuplama ile hzlanan aznlk tayclarn kovalent badaki valans
elektronlar koparmas ile oluur. devrilme diyoda 5 volttan daha byk bir ters gerilim
uygulandnda oluur.
2- Zener devrilme : Boluk blgesi dar olmas durumunda meydana gelen yksek elektrik alan
nedeniyle oluur. Bu elektrik alan kovalent badaki valans elektronlar kopararak diyottan
ters ynde yksek akm gemesine neden olur. Zener devrilme 5 volttan kk gerilimlerde
oluur. Katk orannn arttrlmas boluk blgesini daraltr. Boluk blgesinde oluan
elektrik alan (uzaklk ile ters orantl) ise artar. Dolaysyla katk orannn arttrlmas zener
diyodun devrilme gerilimini azaltr.
24
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Zener diyodun karakteristii, sembol ve edeer devreleri ekil 2.17de gsterilmitir. Zener
diyot ileri ynde kutuplanrsa normal bir diyot gibi davranr. Uygulamalarda zener diyot ters
devrilme blgesinde kullanlr. Karakteristik eride iki nemli nokta gsterilmitir. A noktas
zener diyodunun ters devrilme noktasdr. Zener diyodun A noktasnda alabilmesi iin,
diyottan minimum bir akm gemesi gerekir. Bu durumda zener gerilimi minimumdur. B
noktasnda diyottan maksimum akm geer ve zener gerilimi maksimumdur. B noktasndaki
akm deeri katalogda verilen I ZM deerini amamaldr. Zener diyotlar 1.8 V ile 200 V
arasndaki gerilim deerlerinde ve 1 / 4 W ile 50 W arasndaki g deerlerinde retilmektedir.
Zener diyodun ideal edeeri bir gerilim kayna kabul edilir. Yaklak edeeri ise bir diren ve
kaynak geriliminin toplam olarak verilir.
v z = Vz + rz .i z
Zener diyodun i direncinin tanm karakteristik eri zerinde gsterilmitir. diren ne kadar
kk olursa, zener ularndaki gerilimin akm ile deimesi o kadar az olur. Zener diyot,
reglasyon ve referans gerilim salamak amacyla yaygn olarak kullanlmaktadr.
Vz 50 mV
=
= 25
I z
2 mA
25
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama : 10
Gerilimi 10 V ve i direnci 5 olan zener diyottan 20 mA gemesi durumunda ularndaki
gerilimin ne olacan bulunuz.
zm:
Diren ularndaki gerilim,
rz .i z = 5.20.10 3 = 0.1 V
bulunur. Zener ularndaki gerilim,
v z = Vz + rz .i z = 10 + 0.1 = 10.1 V
olur. 20 mA akm getiinde zener diyot
gerilimi % 10 artar.
Uygulama : 11
ekilde verilen devrede giri geriliminin hangi
aralnda reglasyon salanacan hesaplaynz.
I Z min = 1 mA , I Z max = 15 mA
VZ = 5.1 V , rZ = 10
zm:
I Z min = 1 mA iin;
Vo = VZ + rZ .I Z min = 5.1 + 10. 1mA = 5.11 V
Vi min = R.I Z min + Vo = 600. 1mA + 5.11 = 5.71 V
I Z max = 15 mA iin;
Vo = VZ + rZ .I Z max = 5.1 + 10. 15mA = 5.25 V
Vi max = R.I Z max + Vo = 600. 15mA + 5.25 = 14.25 V
Girie deiken bir giri gerilimi uygulanmas ile k geriliminin deimemesi istenmektedir.
k geriliminin regle edilebilmesi iin girie 5.71 V ile 14.25 V aralnda bir gerilim
uygulanmas gerekir. Bu durumda k gerilimi 5.11 V ile 5.25 V arasnda bir deer alr.
Uygulama : 12
ekilde verilen devrede I Z min = 3 mA ,
I ZM = 90 mA , VZ = 12 V , rZ = 10 olan bir
zener diyot kullanlmtr.
a) Reglasyon salanabilmesi iin R Y
direncinin minimum deerini hesaplaynz
( rZ = 0 alnz).
b) k geriliminin akma bal deiimini
iziniz. k gerilimindeki bal
reglasyonu hesaplaynz.
26
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
zm:
a) Devrede yk bal deil iken, R direncinden geen akm maksimum olur. Bu akm ayn
zamanda zenerden geer.
I R max = I Z max =
Vi VZ 24 12
=
= 24 mA
R
500
I Z max < I ZM
Zenerden geen maksimum akm I ZM deerini gememelidir. Devrede I Z max < I ZM art
salandndan R direncinin deeri uygundur. Bu devrede R direnci biraz daha kk seilebilir.
Yk akm maksimum iken zenerden geen akm minimumdur. Zener diyodun reglasyon
yapmas iin I Z min = 3 mA deerinde bir akm zenerden gemelidir. Yk akmndan geen
maksimum akm ve minimum yk direnci aadaki gibi hesaplanr.
I Y max = I R max I Z min
I Y max = 24 mA 3 mA = 21 mA
R Y min =
VY
I Y max
12
= 570
21 mA
Yk geriliminin deiimi akma gre aadaki gibi izilebilir. Yk akm 21 mA olana kadar
zener diyot reglasyon salar. Bu aralkta dorunun eimi rZ direncini verir. Bu deerden sonra
zener diyot ok az akm geirir ve yksek diren gsterir. k ksa devre edilirse gerilim sfr
olur, akm sadece R direnci snrlar. Ksa devre akm 24V/500 = 48 mAdir.
b) Bota almada yk akm sfrdr ve zenerden maksimum akm geer. Bu durumda zener
gerilimi (yk gerilimi) maksimum olur.
VY max = VZ max = VZ + rZ .I Z max = 12 + 10.21.10 3 = 12.21 V
Yk akm maksimum olduunda zenerden geen akm minimumdur. Bu durumda zener gerilimi
(yk gerilimi) minimum olur.
VY min = VZ min = VZ + rZ .I Z min = 12 + 10.3.10 3 = 12.03 V
Bal Yk Reglasyonu =
12.21 12.03
x100 = % 1.5
12
27
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Varaktr Diyotlar
Ters gerilim uygulanan diyot bir kapasite gibi davranr. Normal diyotlarda ters gerilim
uygulandnda bir boluk blgesi oluur. Bu boluk blgesi uygulanan ters gerilim ile artar.
Boluk blgesi akm geirmediinden yaltkan kabul edilir. P ve N blgeleri ise iletken
olduundan kapasitenin plakalar gibi davranr. Normal diyotlarn kapasitesi uygulanan ters
gerilime bal olarak az miktarda deiir. Katklama miktar jonksiyon civarnda arttrlarak
kapasitenin deime oran ykseltilebilir. Bu ekilde yaplan zel diyotlara varaktr diyot denir.
Varaktr diyotlarn kapasitesi gerilimle deitirebilir. Diyodun kapasitesi,
C=
A
d
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ekil 2.20. Diyoda ters gerilim uygulandnda oluan kapasite ve varaktr diyodun edeeri.
Schottky Diyotlar
Schottky diyotlar ok yksek frekanslarda ve hzl anahtarlama uygulamalarnda kullanlr.
letim gerilim dmnn azl ve yksek anahtarlama hzndan dolay zellikle anahtarlamal
g kaynaklarnda verim asndan tercih edilir. Hzlarnn ykseklii sebebiyle entegre (IC)
devrelerde kullanlr. Schottky diyotta P tipi malzeme yerine altn, gm, platin gibi bir metal
kullanlr. Metalde iletim bandnda ok sayda elektron mevcuttur. P-N diyodunda mevcut olan
boluk blgesi Schottky diyotta yoktur ve dk bir gerilimle iletime girer. Pozitif kutuplama ile
N blgesindeki yksek enerjili elektronlar metale (P blgesine) geerek bu blgedeki
elektronlarn enerjilerini arttrr. Schottky diyot, P-N diyoda gre ok hzldr. nk bu diyot
sadece ounluk akm tayclar ile alr. Serbest elektronlarn hareketi deliklerin hareketine
gre ok hzldr. Shottky diyodun yaps ve sembol ekil 2.22de gsterilmitir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Tnel Diyot
Tnel diyot, P ve N blgelerinde jonksiyon civarndaki katklanma miktar arttrlarak yaplan bir
diyottur. Bilindii gibi katklama miktarnn arttrlmas boluk blgesini daraltr ve zener
gerilimini azaltr. Tnel diyotta boluk blgesinin genilii normal diyodun yzde biri kadar
kktr. Bu nedenle ok kk bir ileri gerilim diyottan akm gemesine neden olur. Tnel
diyodun yaps, karakteristii ve sembol ekil 2.23te verilmitir.
30
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
E burada elektronun kaybettii enerjidir. Enerji ne kadar byk olursa yaylan n frekans o
kadar yksektir. Elektronlar elektrik enerjisini tad gibi, fotonlar k enerjisini tayan,
arl ve yk olmayan kk paracklardr. Ik emen cisim enerji alm olur ve snr. Bir
madde ne kadar ok snrsa yayd klarn dalga boylar o kadar ksa olur. In hz ile
elektromanyetik dalgann hz ayn olup c = 3 x 10 8 metre / saniyedir. In frekans ile dalga
boyu arasndaki iliki aada verilmitir.
=
c
f
Dalga boyu, k veya elektromanyetik dalgann bir peryodunda ka metre yol aldn gsterir.
Yksek frekanslarda uzunluk birimi olarak metre yerine, milimetrenin onmilyonda biri olan
angstron kullanlr.
!
1 A = 10 -10 metre
Farkl renkteki k enerjilerinin frekans ve dalga boylar ekil 2.24te gsterilmitir. nsan gz
3800-7000 angstron dalga boyundaki klar grebilir. Gzn en iyi alglad renkler sar ile
sar-yeil renk blgeleridir. Gne btn klar eit ierdii iin beyaz k olarak grnr.
c
3x108
=
= 0.43x10 15 Hz
10
7000x10
Fotonlarn enerjisi,
E = h x f = 4.137x 10 15 x 0.43x 10 15 = 1.78 eV.
31
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Ledlerde galyum arsenit (GaAs), galyum fosfat (GaP), galyum arsenit fosfat (GaAsP) gibi
maddeler kullanlr. Bu malzemelerin kartrlmas ve katklama orannn ayarlanmas ile
LEDlerin istenilen dalga boyunda k vermesi salanr. LEDler krmz, turuncu, sar ve beyaz
renklerde retilmektedir.
LED Karakteristikleri
LEDin V-I karakteristii, sembol ve yayd n gc ekil 2.25te verilmitir. LEDin
iletim gerilim dm 1 V ve geen akm 100 mA civarndadr. Buna ramen a dnen g
W seviyesindedir. Elektrik enerjisinin k enerjisine dnmndeki verim ok dktr.
LEDlerin g ihtiyac 10 ile 150 mW arasnda deiir ve mrleri 100.000 saatten fazladr.
LEDlerin ters dayanma gerilimleri 3-4 V civarndadr.
: Diyottan geebilecek tek bir yarm dalga sins eklindeki akmn tepe deeri
: Termik diren
: DC gerilimin tutulduu maksimum scaklk
: Jonksiyonun alma scaklk aral
Elektriksel Karakteristikler
: leri ynde maksimum ani gerilim dm
VF
: Nominal ters DC gerilimde geen maksimum ters akm
IR
: Tipik jonksiyon kapasitesi
CJ
32
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
BPOLAR TRANSSTR
35
Yaps ve Sembol.....................................................................................................................35
Transistrn almas ..............................................................................................................35
Aktif Blge ............................................................................................................................36
Doyum Blgesi ......................................................................................................................37
Kesim Blgesi........................................................................................................................37
Ters alma Blgesi.............................................................................................................37
Ortak Tabanl Devre ..................................................................................................................37
Kesimde Blgesi....................................................................................................................38
Aktif Blge ve Doyum Blgesi .............................................................................................38
Uygulama 1 : .........................................................................................................................38
zm : .................................................................................................................................38
Uygulama 2: ..........................................................................................................................39
zm: ..................................................................................................................................39
Ortak Emiterli Devre .................................................................................................................40
Uygulama 3: ..........................................................................................................................40
zm....................................................................................................................................40
Ortak emiterli devrede k karakteristii ............................................................................41
Kesim Blgesi........................................................................................................................41
Aktif Blge ve Doyum Blgesi .............................................................................................42
Uygulama 4: ..........................................................................................................................42
zm : .................................................................................................................................42
Ortak Kollektrl Devre............................................................................................................43
Uygulama 5: ..........................................................................................................................43
zm : .................................................................................................................................43
Transistrn maksimum deerleri .............................................................................................44
Uygulama 6: ..........................................................................................................................44
zm: ..................................................................................................................................44
Kutuplama Amac......................................................................................................................45
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
BPOLAR TRANSSTR
Yaps ve Sembol
Bipolar transistr iki jonksiyonlu ve ulu bir elemandr. Diyodun almasndaki prensipler
kullanlarak bipolar transistrn almas aklanabilir. Bipolar transistr yerine genellikle
sadece transistr kelimesi kullanlmaktadr. NPN ve PNP olmak zere iki eit transistr
vardr. Transistr, emiter, taban ve kollektr ularndan oluur. NPN transistrde taban (baz), iki
N blgesi arasndadr. N blgelerinden biri emiter, dieri kollektrdr. PNP transistrde ise
taban, iki P blgesi arasndadr. P blgelerinden biri emiter, dieri kollektrdr. Transistrde
taban blgesinin genilii ve katklama oran, emiter ve kollektre gre ok kktr. Emiter ve
kollektr ayn tr malzeme olmakla birlikte emiterin katklama oran kollektre gre ok
yksektir. ekil 3.1de NPN ve PNP transistrlerin yap ve sembolleri gsterilmitir.
Transistrn almas
Transistrde iki jonksiyon mevcuttur. Emiter ile taban arasndaki jonksiyon ve taban ile kollektr
arasndaki jonksiyon. Bu iki jonksiyonun kutuplanmasna gre transistr farkl blgelerde alr.
Tablo 3.1de transistrn alma blgeleri gsterilmitir.
alma Blgesi
Aktif
Doyma
Kesim
Ters
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Aktif Blge
Transistrn drt farkl alma blgesinden ncelikle aktif blgeyi inceleyelim. NPN bir
transistrn aktif blgede almas iin kutuplamann nasl yapld ekil 3.2de gsterilmitir.
Aktif blgede alan bir NPN transistrde E-B jonksiyonu ileri ynde, C-B jonksiyonu ters
ynde kutuplanr. Emiter blgesinde ounluk akm tayclar olan elektronlar kaynan (-) ucu
tarafndan itilerek taban blgesine doru hareket eder. Taban blgesinin dar olmas ve az
miktarda katklanmas sebebiyle, emiter blgesindeki elektronlarn ok az taban blgesindeki
deliklerle birleir, ounluu kollektr blgesine geer. Bunun nedeni C-B jonksiyonunun ters
kutuplanmasdr. Emiterdeki elektronlar, kollektre bal (+) gerilim kayna tarafndan ekilir.
Ayn zamanda C-Bde oluan boluk blgesi emiterden gelen elektronlarn hareketini destekler.
Emiterden gelen elektronlarn yaklak olarak % 99u kollektre gider. Bu akm kaln okla
gsterilmitir. Transistrdeki dier akmlar bu akmn yannda ok kktr. Emiter elektronlar
yayan blgedir. Kollektr ise bu elektronlarn topland blgedir. Emiterden gelen elektronlarn
yaklak olarak % 1i tabana doru gider. Bu esnada taban blgesindeki deliklerin bir ksm da
emitere doru hareket eder. Tabann katklama oran ok dk olduundan bu akm da ok
kktr.
C-B jonksiyonunun ters ynde kutuplanmas ile boluk blgesi oluur ve sznt akm geer.
Bde aznlk aznlk akm tayclar olan elektronlar Cye doru, Cde aznlk akm tayclar
olan delikler Bye doru hareket eder. B-E ularna bir gerilim uygulanmadnda, C-Bden
geen sznt akm I CB0 sembol ile gsterilir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Transistrde taban akm ile kollektr akmnn toplam emiter akmn verir. Taban akm,
emiter ve kollektr akmna gre ok kktr. Kollektr akmnn emiter akmna oran 1e
yakndr. Bu oran DC akm kazancn verir ve DC ile gsterilir.
IE = IB + IC
I B << I E
I C = DC I E + I CB0
I CB0 0
=>
I C DC I E
I
DC = C , DC akm kazanc, 0.95 < DC < 0.999
IE
Doyum Blgesi
Tablo 3.1de gsterildii gibi her iki blge de ileri ynde kutuplanrsa alma doyum blgesinde
olur. Doyumda C-B jonksiyonundaki boluk blgesi ortadan kalkar. Kollektrn emiterden gelen
akm tayclar toplama zellii byk lde azalr. Eer C-B jonksiyonundaki ileri kutuplama
yeterli ise kollektr emiterden gelen akm tayclarn toplamaz ve emiter gibi tabana doru
akm tayc yayar.
Kesim Blgesi
Transistrn her iki jonksiyonu ters ynde kutuplanrsa alma kesim blgesinde olur. Emiter
taban blgesine ounluk akm tayc gndermez. Emiter ve kollektrden sznt akm geer.
Emiter akmnn sfr olmas da kesim blgesinde almadr.
Ters alma Blgesi
Transistrde kollektr ve emiter yer deitirilerek kullanlrsa bu blge ters alma blgesidir.
Emiter ve kollektrn katklama oran ayn olmad iin bu blgedeki alma, aktif blgeden
farkldr. Kollektr ve emiterin deitirilmesi genellikle mmkn deildir. Fakat baz zel
devrelerde transistr bu ekilde kullanlabilir.
37
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Kesimde Blgesi
Kesim durumunda emiterden bir akm gemez ve kollektr akm olumaz. Transistrn kesimde
olmasnn sebebi aadakilerden biri olabilir.
-
kullanlan
transistrde
deerlerini
durumunda
deerlerini
zm :
a) Transistrn B-E jonksiyonu doru ynde kutuplanmtr. VBE = 0.7 V .
4 0.7
IE =
= 1 mA
3.3 k
I C I E = 1 mA
VCB = 20 1 mA x 15 k = 5 V
5.1 0.7
= 1.33 mA
3.3 k
I C I E = 1.33 mA
VCB = 20 1.33 mA x 15 k = 0 V ( transistr doyumda )
b) I E =
C-B jonksiyonu ters kutuplanmad iin ( VCB = 0) transistr doyuma girmitir. Doyumda
I E akmnn arttrlmas I C yi arttrmaz. Kollektr akmnn doyum deeri,
I C R C = VCC
V
I C = I Csat = CC = I Esat eklinde hesaplanr.
RC
38
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 2:
ekildeki devrede bir silisyum PNP
transistr kullanlmtr. I E , I C ve
VCB deerlerini hesaplaynz.
a) R E = 4.7 k
b) R E = 680
c) R E = 470
d) R E = 470 , R C = 150
zm:
a) Transistrn doyma akm, I Csat = I Esat =
VCC
15
= 10 mA
=
R C 1.5 k
10 0.7
= 1.97mA 2 mA
4.7 k
I E < I Esat transistr doymaya girmez. Aktif blgededir.
I C I E = 2 mA
VCB = -15 + 2 mA x 1.5 k = -12 V, sonu negatif. PNP transistr aktif blgededir.
IE =
10 0.7
= 13.7mA
680
I E > I Esat transistr doymaya girer.
I C = I Csat =10 mA
b) I E =
VCB = -15 +
10 mA x 1.5 k = 0 V
10 0.7
= 20 mA
470
I E > I Esat transistr doymaya girer.
I C = I Csat =10 mA
VCB = 0 V
c) I E =
VCC
15
=
= 100 mA
R C 150
I E =20 mA
I E < I Esat transistr doymaya girmez.
I C I E = 20 mA
VCB = -15 + 20 mA x 150 = -12 V, sonu negatif. PNP transistr aktif blgededir.
39
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 3:
Bir transistr DC = 0.995 deerine sahiptir. Transistrn DC deerini hesaplaynz.
zm
DC =
DC
0.995
=
= 199
1 DC 1 0.995
40
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
41
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
VCEsat
,
RC
I
I Bsat Csat
RC
Uygulama 4:
ekildeki devrede kullanlan NPN
transistrde DC = 150 olduuna gre,
a) R B = 100 k iin I B , I C , I E ve
VCE deerlerini hesaplaynz.
b) Taban direncini 50 k alarak
yukardaki ilemleri tekrarlaynz.
c) I B = 1 mA olmas durumunda I C
ve I E yi hesaplaynz.
zm :
6 0.7
= 53 A
100 k
12
I Csat =
= 12 mA
1 k
12 mA
= 80 A
I Bsat =
150
I B < I Bsat olduundan transistr
aktif blgededir.
6 0.7
=106 A
50 k
I Csat = 12 mA, I Bsat =80 A
I B I Bsat olduundan transistr
doyuma girer.
a) I B =
b) I B =
I C = I Csat = 12 mA
VCE 0
I E = I C + I B =12.11 mA
I C = DC I B =150 x 53 A = 7.95 mA
VCE = 12 V 7.95 mA x 1 k = 4.05 V
I E = I C + I B 8 mA
c) Taban akm 1 mA ise transistr doyumdadr. Doyumda kollektr akm sabit olup, taban
akm ile orantl olarak artmaz. Taban akmnn fazlal emiter akmn arttrr.
I E = I C + I B =12 mA + 1 mA = 13 mA
42
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
VBB VBE
R B + ( DC + 1)R E
Doyumda ; I Esat
direnci
VCC
I Esat
, I Bsat =
RE
(1 + DC )
Uygulama 5:
ekil 3.5teki ortak kollektrl devrede R B = 50 k , R E = 1 k , VBB = 12 V , VCC = 16 V ve
DC = 99 olarak bilinmektedir.
a) I B , I E , VE ve VCE deerlerini hesaplaynz.
b) VBB gerilimi arttrldnda ka V doymaya neden olur?
zm :
12 0.7
= 75.3 A
50 k + (99 + 1).1k
I E = (1 + DC )I B = 7.53 mA
VE = I E R E =7.53 V
VB = VE + VBE =7.53 + 0.7 = 8.23 V
VCE = VCC VE = 16 7.53 V = 8.47 V
a) I B =
VCC
16
=
= 16 mA
RE
1 k
IE
16 mA
I Bsat =
=
= 160 A
1 + DC 1 + 99
VBB 0.7
IB =
= 160 A
50 k + (99 + 1).1k
b) I Esat =
VBB = 24.7 V
43
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Kutuplama Devreleri
Bir transistrn ykseltici (amplifikatr) olarak alabilmesi iin dc olarak kutuplanmas (n
gerilimlenmesi) gerekir. Ykseltici devrenin giriine bir AC iaret uygulandnda, kta elde
edilen iaret, DC bileen ile AC iaretin toplamdr. Bir AC iaret uygulanmazsa devrede sadece
DC bileen mevcuttur. ekil 3.10da bu durum gsterilmitir. Uygulamada transistr iki ayr
kaynak yerine tek bir kaynak ile kutuplanr. ekil 3.11de gsterilen ortak emiterli devrenin
giriine bir AC gerilim uygulanmtr ve taban akm 200 A ile 400 A arasnda deimektedir.
Taban akmnn 500 A den byk olmas durumunda kollektr akm ve gerilimi doymaya
gider. Taban akmnn negatif olmas durumunda ise transistr kesime gider. alma noktasna
ve snrlara dikkat edilmelidir.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Aktif blgede;
I C = .I B
VCE = VCC I C R C
ekil 3.12. Ortak emiterli devrede taban kutuplama devresi.
Devrede alma noktas kararl deildir. VBE gerilimi scakln artmas ile azalr. VBE
geriliminin artmas taban akmn azaltr. I CB0 sznt akm scaklkla artar. I CB0 akm, R B
direnci zerinde taban akmn arttrc ynde bir gerilim oluturur. DC de scaklkla deiir. Bu
deiimler devrede alma noktasnn deimesine yol aar. VBE ve I CB0 n deimesi VCC
gerilimine gre olduka kktr. alma noktasndaki kararszlk daha ok DC deki
deiimden kaynaklanr.
Emiter Direnli Kutuplama Devresi
Emiter direncinin eklenmesi kararll arttrr. alma noktasndaki deiim ok kktr.
VCC I B R B VBE I E R E = 0
I E = ( + 1).I B
VCC VBE
IB =
R B + ( + 1)R E
I C = .I B
VCE = VCC I C (R C + R E )
46
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
VE
RE
IC IE
VCE = VCC I C (R C + R E )
IE =
Emiter akmnn DC den bamsz olmas nedeniyle devredeki alma noktas kararldr.
Uygulama 7:
ekil 3.14teki
R B1 = 39 k ,
R B2 = 3.9 k , R C = 10 k , R E = 1.5 k ,
VCC = 22 V ve = 140 olarak verilmitir. Transistrn VCE gerilimini, i C akmn ve
transistrde harcanan gc hesaplaynz.
devrede
zm:
R B2
39
VCC =
22 = 2 V
R B1 + R B2
39 + 3.9
VE = VB VBE = 2 0.7 = 1.3 V
V
1.3
I E = E IC =
= 0.867 mA
RE
1.5 k
VCE = VCC I C (R C + R E ) =22 - 0.867mA .10 k =13.3 V
P = I C .VCE =0.867mA . 13.33 V = 11.55 mW
VBB =
47
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Geribeslemeli DC ngerilimleme
ekil 3.15te geribeslemeli bir ngerilimleme devresi gsterilmitir. Geribesleme de emiter
direnci gibi ngerilimleme kararlln arttrr.
VCC I 'C R C I B R B VBE I E R E = 0
'
IC
= I C + I B = I E = ( + 1)I B
VCC VBE
R B + ( + 1)(R C + R E )
VCE = VCC I E (R C + R E )
ekil 3.15. Geribeslemeli DC
ngerilimleme
Uygulama 8:
ekil 3.15teki devrede R B = 250 k , R E = 1.2 k , R C = 3 k , VCC = 10 V ve = 50
olarak verilmitir. Transistrn VCE gerilimini, i C akmn ve transistrde harcanan gc
hesaplaynz.
zm:
IB =
VCC VBE
10 0.7
= 20.03 A
=
R B + ( + 1)(R C + R E ) 250 k + 51.(3 k + 1.2 k)
Ters ynde kollektr akm (kaak akm I CB0 ) scaklktaki her 10 ! C artla ikiye katlanr.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Darlington Balant
Akm kazanc yksek olan transistrler ykseltici devrelerde tercih edilir. Akm kazanc 1000
civarnda olan transistrler mevcuttur. Daha yksek bir kazan elde etmek iin ekil 3.16da
gsterildii gibi iki transistrden oluan darlington balant kullanlr. Darlington balantda
akm kazanc iki transistrn akm kazanlarnn arpmna eittir. Bu kazan 7000 ile 70000
arasndadr. Darlington iftinin giri empedans yksektir. Darlington balantdaki iki transistr,
genellikle tek bir transistr klfnda retilir. Darlington iftine rnek olarak NPN olan 2N5308A
gsterilebilir.
I E1 = 1I B1
I B2 = I E1
I E 2 = 2 I B2 = 21I B1 = .I B1
= 1 2
50
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
nverter Devresi
Transistrn anahtar olarak kullanld devrelerden biri de inverter devresidir. nverter devresi
saysal devrelerin temelidir. nverter devresinde girie kare dalga gerilim uygulanr. Kollektr ile
toprak arasndan alnan k gerilimi giri geriliminin tersidir. Giri gerilimi 0 iken transistr
kesimdedir ve k gerilimi 5 Vtur. Giri gerilimi 5 V iken transistr iletime girer ve k
gerilimi 0 olur. Devre transistr iletimde iken doymada alacak ekilde tasarlanr. ekil 3.17de
transistrl inverter devresi ile giri ve k gerilimleri gsterilmitir.
zm :
a) Transistr iletimde iken lamba gerilimi 24 V ve kollektr akm 20 mAdir.
6 0.7
IB =
= 53 A
100 k
20 mA
=
= 377
53 A
Transistrn doymada alabilmesi iin akm kazanc en az 377 olmaldr.
b) Lamba gc = 24 V x 20 mA = 480 mW
Transistrn giri gc = 6 V x 53 A = 0.318 mW
ok kk bir giri gc ile ykn gc kontrol edilmektedir.
51
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Emiter-taban gerilimi
6V
BVCB0
25 V
BVCE 0
20 V
I C max
Kollektr akm
300 mA
PD max
Toplam kayp
150 mW
TJ max
Jonksiyon scakl
150 C
Uygulama 11:
ekilde verilen devreleri Tablo 3.2de verilen transistrn maksimum deerlerini kullanarak
inceleyiniz.
zm:
a) E-B jonksiyonu 10 V ile ters kutuplanmtr. Bu deer 6 V olan BVEB0 deerinden byktr.
Transistr tahrip olur.
b) Kollektr akm 50 mA olup I C max deerden kktr. Kollektr-emiter ise gerilimi 5 Vtur.
Transistrde harcanan g P = I C .VCE = 50 mA . 5 V = 250 mWtr. G PD max deerinden
byk olduundan transistr tahrip olur.
c) Kollektr-taban arasndaki besleme gerilimi 30 Vtur. BVCB0 gerilimi 25 V olduundan
transistr bozulur.
d) Emiter-kollektr arasndaki gerilim 25 Vtur. Bu gerilim 20 V olan BVCE 0 geriliminden
byk olduundan transistr bozulur.
52
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
JFET
BJT akm kontrollu bir elemandr yani taban akm ile kollektr akm kontrol edilir. FET ise
gerilim kontrollu bir elemandr. FETin kap (G) ile kaynak (S) arasna uygulanan gerilim ile,
kanaldan (D ile S arasndan) geen akm kontrol edilir. G-S ularna uygulanan gerilim, kanaldan
geen akmn ynne dik olan bir elektrik alan oluturur. JFET, N veya P kanal olabilir. N kanal
JFETde, kanal N tipi ve kap P tipi bir malzemedir. Kapdan kanala bir P-N jonksiyonu
mevcuttur. Kapya uygulanan gerilim P-N jonksiyonunu ters ynde kutuplar ve kapdan ok
kk bir sznt akm geer. Bu nedenle FETlerde giri direnci ok yksektir (1000 M).
G ile S ularna ters ynde bir gerilim uygulandnda, P-N jonksiyonunda boluk blgesi oluur.
Boluk blgesinde akm taycs yoktur. Boluk blgesi kanal iine doru genileyerek kanaln
akm geiren ksmn daraltr ve kanaln direncini arttrr. Bu durum ekil 4.2de gsterilmitir.
Kanaln direnci ve kanaldan geen akm, VGS ile VDS nin fonksiyonudur.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
N kanal FETte G ile S ular arasna 0 veya negatif bir gerilim, D ile S ular arasna ise pozitif
bir gerilim uygulanr. Kapdan kanala olan P-N jonksiyonu ters ynde kutuplanr.
VGD = VGS VDS olduuna gre, VGD gerilimi VGS e gre daha negatiftir. Bu nedenle, G ile
D arasndaki blgede ters ynde kutuplanan P-N diyodunun boluk blgesi daha geni olur.
VGS = 0 iken VDS geriliminin arttrlmas ile N kanal JFETte elde edilen karakteristik ekil
4.3te gsterilmitir. A ile B noktalar arasndaki diren blgesinde VDS nin 0dan itibaren
arttrlmas ile i D akm I DSS deerine kadar artar. A ile B arasnda, boluk blgesinin genilii
etkili olmadndan kanaln direnci sabittir. VGS = 0 iken geen I DSS akm FETin maksimum
akmdr. B noktasnda VDS gerilimi VP deerini alr. B noktasndan sonra, VDS geriliminin
artrlmas ile i D akm deimez. C noktasndan sonra VDS geriliminin artrlmas, P-N
jonksiyonunun ters ynde devrilmesine neden olur ve i D akm hzla artar. B ile C noktalar
arasndaki blgeye pinch-off blgesi denir. P-N jonksiyonunun ters kutuplanmas ile oluan
boluk, pinch off blgesinde kanal tkar ve kanal direncini artrr. Buna ramen kanal akm
sabit kalr. Akmn sabit kalmasnn nedeni, VDS geriliminin kanal direncindeki art
dengelemesidir. VDS gerilimi, kaynaktan kan elektronlarn tkal blgeyi geerek D ucuna
ulamasn salar. B noktasndaki VDS gerilimine VP pinch-off gerilimi denir. FETin VP
deeri, BJTde nn karldr.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama 1:
ekilde verilen FETte VP = 8 V ve
I DSS = 12 mA dir.
a) VGS gerilimi 5 V ise, pinch-offun balad
VDS gerilimini bulunuz.
b) VDD gerilimi 12 V, VDS pinch- off geriliminden
byk ve kap ucu topraa bal ise I D akmn
hesaplaynz.
c) VGS gerilimi 10 V iken I D akm ne olur ?
zm :
a) VDS( P) = VP + VGS = 8 + (-5) = 3 V
b) VGS = 0 ve VDS pinch- off geriliminden byk ise, I D = I DSS = 12 mA olur.
c) JFET kesimdedir ve I D = 0 olur.
VGS
I D = I DSS 1
VGS(off )
VGS = VGS(off )
VGS = 0
ID = 0
I D = I DSS
ekil 4.6. N kanal JFETin transfer karakteristii.
Uygulama 2:
N kanal bir JFETte VGS(off ) = 8 V ve I DSS = 10 mA dir. VGS = 0 V, - 2V, - 4 V ve - 6 V iin
i D akmn hesaplayarak transfer karakteristiini iziniz.
55
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
zm:
VGS = 0 I D = I DSS = 10 mA
VGS = 8 V
ID = 0
VGS
I D = I DSS 1
VGS(off )
VGS = 2 V I D = 10 mA 1 - - 2 = 5.625 mA
-8
- 4
VGS = 4 V I D = 10 mA 1 - = 2.5 mA
-8
2
- 6
VGS = 6 V I D = 10 mA 1 - = 0.625 mA
-8
VGS
g m = g m 0 1
VGS(off )
Uygulama 3:
VGS(off ) = 8 V , I DSS = 20 mA ve g m 0 = 4000 s olan JFETin VGS = -4 V iin ileri yn
gei iletkenliini bulunuz
zm:
VGS
8
= 2000 s
g m = g m 0 1
= 4000 1
4
VGS(off )
56
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
JFETin kutuplanmas
JFETde kutuplamann amac uygun bir VGS gerilimi ile istenilen I D akmn salamaktr.
VG gerilimi sznt akm ok kk
olduundan 0 kabul edilir.
VGS = VG VS = 0 I D R S
VGS = I D R S
VD = VDD I D R D
VDS = VD VS
VS = I D R S
VDS = VDD I D (R D + R S )
Uygulama 4:
ekil 4.8de verilen devrede R D = 1 k , R S = 500 , VDD = 10 V ve I D = 5 mA olarak
verilmitir. VDS ve VGS yi hesaplaynz.
zm:
VS = I D R S = 5 mA x 500 = 2.5 V
VG = 0 olduuna gre,
VGS = VG VS = 2.5 V bulunur.
VD = VDD I D R D = 10 V - 5 mA x 1 k = 5 V
VDS = VD VS = 5 V - 2.5 V = 2.5 V bulunur.
Uygulama 5:
VGS(off ) = 10 V , I DSS = 25 mA olan N kanal JFETte VGS = 5 V tur. R S direncinin
deerini hesaplaynz.
zm:
2
-5
VGS
=
25
mA
1
=
I D I DSS 1
- 10 = 6.25 mA
VGS(off )
VGS = VG VS
VG = 0 olduuna gre,
VGS = I D R S
Rs =
VGS
5V
=
= 800 bulunur.
ID
6.25 mA
57
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
DE MOSFET
DE MOSFETin temel yaps ekil 4.9da gsterilmitir. DE MOSFETte D ve S altkatman
malzeme zerine katklanarak, kapya komu olan dar bir kanal ile birbirine balanmtr. DE
MOSFET N kanal ve P kanal olabilir. Burada sadece N kanall DE MOSFET incelenecektir. P
kanall DE MOSFETte gerilim ynleri terstir fakat alma prensipleri ayndr.
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Negatif bir kap gerilimi uygulandnda, P malzemesindeki delikler N kanala doru ekilir ve
elektronlar kanaldan uzaklar. Bu elektronlarn yerine pozitif iyonlar oluur ve N kanaldaki
serbest elektronlar azalr. Bu durumda kanal direnci artar ve kanal akm azalr (ekil 4.10(a) ).
Pozitif bir kap gerilimi uygulandnda, elektronlar kanala doru ekilir ve P malzemesindeki
delikler uzaklatrlr. Bylece kanalda daha ok serbest elektron olur. Bu durumda kanal direnci
azalr ve kanal akm artar (ekil 4.10(b) ).
DE MOSFETin transfer karakteristii ekil 4.11de gsterilmitir.
E MOSFET
E MOSFETin yap ve sembol ekil 4.12de gsterilmitir. Bu MOSFETte fiziksel bir kanal
yoktur. N kanal E MOSFETte kapya uygulanan gerilim eik deerinde, SiO2 tabakasna komu
olan P malzemesinde ince bir negatif yk tabakas ve bir kanal oluturur. Eik geriliminin altnda
bir kanal olumaz. Kap kaynak arasndaki pozitif gerilim arttrldnda kanala daha ok
elektron ekilir ve kanaln iletkenlii artar. N kanal E MOSFETin alma prensibi ekil 4.13te
gsterilmitir.
(a)
(b)
ekil 4.12 E MOSFETin temel yap ve sembol a) P kanal ve b) P kanal.
E MOSFET yalnz kanal arttrma ile kullanlr. N kanall bir E MOSFET pozitif kap kaynak
gerilimi ile alr. P kanall trnde ise negatif kap kaynak gerilimi gerekir. ekil 4.14te
gsterildii gibi E MOSFETin transfer karakteristiinde VGS = 0 iken bir akm gemez. Yani
59
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
E MOSFETte, JFET ve DE MOSFETteki gibi I DSS parametresi yoktur. VGS gerilimi VGS( th )
eik gerilimine ulaana kadar I D akm sfrdr. E MOSFETin transfer karakteristiinin eitlii
aada verilmitir. MOSFETin K sabiti VGS nin belirli bir deeri iin verilen I D(on ) akm
iin katalogda verilir.
I D = K VGS VGS( th ) 2
I D (on )
[VGS VGS( th ) ]
3 mA
(10 - 5)
3 mA
25 V
= 0.12 mA / V 2
ANALOG ELEKTRONK
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama : 7
Yanda verilen DE MOSFET kutuplama
devresinde I D akmn ve VDS gerilimini
hesaplaynz.
VGS(off ) = 8 V , I DSS = 12 mA
VDD = 18 V , R D = 600 , R G = 10 M
zm:
VGS = 0 olduundan I D = I DSS olur.
VDS = VDD I DSS R D eklinde hesaplanr
. I D = I DSS =12 mA
VDS = VDD I DSS R D = 18 12mA x 600 M = 10.8 V
Uygulama : 8
Yanda verilen Geribeslemeli E MOSFET kutuplama
devresinde VGS gerilimi l aleti ile 8.5 V olarak
llyor. Devrede I D akmn hesaplaynz.
VGS( th ) = 3 V
VDD = 15 V , R D = 5 k , R G = 50 M
zm:
Geribeslemeli devrede kap akm sfr kabul edilir.
VDS = VGS = 8.5 olur.
V VDS 15 8.5
=
I D = DD
olur.
RD
5 k
Uygulama : 9
Yanda verilen gerilim blcl E MOSFET
kutuplama devresinde VDS ve VGS gerilimlerini
hesaplaynz.
I D(on ) =3 mA @ VGS = 10 V
VGS( th ) = 5 V
VDD = 24 V
R 1 = 10 k , R 2 = 15 k , R D = 1 k
zm:
R2
15 k
VDD =
24 = 14.4 V
R1 + R 2
10 k + 15 k
I D (on )
3 mA
3 mA
=
=
= 0.12 mA / V 2
K=
2
2
2
[VGS VGS( th ) ]
(10 - 5)
25 V
VGS =