Elektronik II - Mersin Üniversitesi - Analog Elektronik

YARILETKENLERN TANITILMASI
Amalar:
tla
Atomik Yap
Yariletken, letken ve Yaltkan
Yariletkenlerde letkenlik
N Tipi ve P tipi Yariletkenler
PN Bitiimi (eklemi) ve Diyot
PN Bitiiminin nbeslemesi
no
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
ri.
Konular:
.e
em
Maddenin temel atomik yaps

Atom numaras ve arl, elektron kabuklar ve yrngeler, Valans elektronlar,
iyonizasyon
Yariletken, iletken ve yaltkan. Enerji bandlar, Silisylum ve germanyum
Yariletkenlerde iletkenlik, elektronlar ve boluklarda iletkenlik,
N tipi ve P tipi maddenin oluturulmas; Katk ilemi
PN eklemi ve temel ilevleri
PN ekleminin nbeslenmesi
Diyot karakteristikleri
de
rs
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip

olacaksnz.
co
m
BLM 1
co
m
Kaplan
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-1.1 eitli elektronik devre elemanlarnn genel grnm
Kullandmz pek ok cihazn retiminde bir veya birka elektronik devre eleman
kullanlmaktadr. Elektronik devre elemanlar ise yariletken materyaller kullanlarak
retilir. Diyot, transistr, tristr, FET, tmdevre (entegre) v.b adlarla tanmlanan
elektronik devre elemanlarnn bir ou ekil-1.1de resimlenmitir.
Kaplan
ri.
Elektronik devre elemanlarnn dolaysyla elektronik cihazlarn nasl altn anlamak

iin yariletken materyallerinin yaps hakknda bilgiye gereksinim duyarz. Bu bilgiyi
ulamann en etkin yolu maddenin temel atomik yapsn incelemekle balar.
ATOMK YAPI
no
1.1
tla
Bu kitap boyunca elektronik devre elemanlarn belirli bir sra ierisinde tanyacaz. Bu
elemanlarn tm zelliklerini inceleyerek cihaz tasarmlarn gerekletireceiz.
rs
Tm maddeler atomlardan oluur. Atomlar ise; elektronlar, protonlar ve ntronlardan

meydana gelir. Elektrik enerjisinin oluturulmasn ve kontrol edilmesini maddenin
atomik yaps belirler. Atomik yapya bal olarak tm elementler; iletken, yaltkan
veya yariletken olarak snflandrlrlar.
de
Elektronik endstrisinde temel devre elemanlarnn retiminde yariletken materyaller

kullanlr. Gnmzde elektronik devre eleman retiminde kullanlan iki temel
materyal vardr. Bu materyaller; silisyum ve germanyumdur.
letken, yaltkan ve yariletken maddelerin ilevlerini ve zelliklerini incelemek iin
temel atomik yapnn bilinmesi gerekir.
.e
em
Bu blmde temel atomik yapy inceleyeceiz. Blm sonunda aada belirtilen

konular hakknda bilgi edineceksiniz.
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekirdek, proton, ntron ve elektron

Atom arl ve atom numaras
Yrnge
Valans elektronlar
yonisazyon
Yeryznde bilinen 109 element vardr. Bir elementin zelliklerini belirleyen en kk

yapta ise atomlardr. Bilinen btn elementlerin atomik yaplar birbirinden farkldr.
Atomlarn birlemesi elementleri meydana getirir.
Klasik bohr modeline gre atom, ekil-1.1de gsterildii gibi 3 temel paracktan oluur.
Bunlar; elektron, proton ve ntrondur. Atomik yapda; ntron ve protonlar merkezdeki
ekirdei oluturur. ekirdek art ykldr. Elektronlar ise ekirdek etrafnda sabit bir
yrngede dolarlar ve negatif ykldrler.
co
m
Ntron
Proton
no
tla
Elektron
rs
ekil-1.1 Bohr modeline gre atom.
.e
em
de
Elektronlar, negatif ykn temel nesneleridirler. Bilinen btn elementleri bir birinden
ayran temel zellik, atomlarnda bulunan proton ve ntron saylardr. Her bir atomun,
proton ve ntron saylar fakldr. rnein, en basit yapya sahip atom, hidrojen
atomudur. Hidrojen atomu; ekil-1.2.ada gsterildii gibi bir proton ve bir elektrona
sahiptir. ekil-1.2.bde gsterilen helyum atomunun yrngesinde iki elektron,
ekirdeinde ise; iki proton ve iki ntron bulunmaktadr.
Kaplan
ri.
ANALOG ELEKTRONK- I
ekirdek yrngesinde
1 elekton
ekirdek yrngesinde
2 elekton
2 Protonlu ve 2 Ntronlu ekirdek
1 Protonlu ekirdek
b) Helyum Atomu
a) Hidrojen Atomu
ekil- 1.2 Hidrojen ve Helyum atomlar
Atom Numaras ve Arl

Btn elementler atom numaralarna uygun olarak periyodik tabloda belirli bir dzen
iinde dizilmilerdir. Proton saylar ile elektron saylar eit olan atomlar, elektriksel
adan kararl (ntral) atomlardr. Elementler, atom arlna gre de belirli bir dzen
iindedirler. Atom arl yaklak olarak ekirdekteki proton saylar ile ntron
saylarnn toplam kadardr. rnein hidrojenin atom numaras 1dir ve atom arl da
1dir. Helyumun atom numaras 2dir ve atom arl ise 4 tr. Normal veya tarafsz
durumda verilen her hangi bir elementin btn atomlarndaki; elektron ve proton
saylar eittir.
Elektron Kabuklar ve Yrngeler
ri.
Bir atomun, elektron ieren yrngeleri ekirdekten belirli uzaklktadr. ekirdee yakn
olan yrngedeki elektronlar, ekirdee uzak olan yrngedeki elektronlardan daha az
enerjiye sahiptir. ekirdee farkl uzaklklarda bulunan yrngelerdeki elektronlar
belirli enerji seviyelerine uyar. Atomda, enerji bantlar eklinde gruplam yrngeler
kabuk (shell) olarak bilinirler. Verilen her bir atom, sabit kabuk saysna sahiptir.
Kabuklarda barnan elektronlar ise belirli bir sistem dahilinde dizilirler.
no
tla
Her bir kabuk, izin verilen sayda maksimum elektron barndrr. Bu elektronlarn enerji
seviyeleri deimez. Kabuk iindeki elektronlarn enerji seviyeleri bir birinden azda olsa
kk farkllklar gsterir. Fakat; kabuklar arasndaki enerji seviyelerinin fark ok daha
byktr.
ekirdek etrafnda belirli bir yrngeyi oluturan kabuklar, k-l-m-n olarak gsterilirler.
ekirdee en yakn olan kabuk k dr. k ve l kabuklar ekil-1.4 de gsterilmitir.
enerji seviyesi
Bu elektron, en yksek
enerjiye sahiptir.
rs
W6
2. Kabuk
W5
W4
de
W3
1. Kabuk
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
r3
r4
W2
W1
r1
r2
r6
r5
ekirdek
W= Enerji
r = ekirdekten uzaklk
Bu elektron, en dk
enerjiye sahiptir.
ekil- 1.3 ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri.
Valans Elektronlar
Elektronlar ekirdekten uzaktadr ve ekirdekten ayrlma eilimindedir. ekirdek
elektronun bu ayrlma eilimini dengeleyecek gtedir. nk elektron negatif ykl,
ekirdek pozitif ykldr. ekirdekten uzakta olan elektronun negatif yk daha fazladr.
Bu durum merkezden kama kuvvetini dengelemektedir. Bir atomun en dtaki kabuu, en
yksek enerji seviyeli elektronlara sahiptir. Bu durum onu atomdan ayrlmaya daha eilimli
hale getirir. Valans (atomun deerini ayarlayan elektronlar) elektronlar kimyasal reaksiyona
ve malzemenin yapsna katk salar.
Bir atomun en d kabuundaki elektronlar, ekirdek etrafnda simetrik olarak hareket
ederler ve kendi aralarnda bir ba olutururlar. Bu baa kovelant ba denir. Atomun en
d kabuundaki elektronlara ise valans elektron ad verilir. Komu atomlarn en d
kabuklarndaki elektronlar (valans elektronlar) kendi aralarnda valans iftleri olutururlar.
yonizasyon
Bir atom, s kaynandan veya ktan enerjilendii zaman elektronlarnn enerji seviyeleri
ykselir. Elektronlar enerji kazandnda ekirdekten daha uzak bir yrngeye yerleir.
ri.
Bylece Valans elektronlar daha fazla enerji kazanr ve atomdan uzaklama eilimleri artar.
Bir valans elektronu yeterli miktarda bir enerji kazandnda ancak bir st kabua kabilir
ve atomun etkisinden kurtulabilir.
YARILETKEN, LETKEN VE YALITKAN
de
1.2
rs
no
tla
Bir atom, pozitif arjn ar artmas (protonlarn elektronlardan daha fazla olmas)
durumunda ntr deere ulamaya alr. Bu amala atom, valans elektronlarn harekete
geirir. Valans elektronunu kaybetme ilemi YONZASYON olarak bilinir ve atom pozitif
arj ile yklenmi olur ve pozitif iyon olarak adlandrlr. rnein; hidrojenin kimyasal
sembol Hdr. Hidrojenin valans elektronlar kaybedildiinde pozitif iyon adn alr ve H+
olarak gsterilir. Atomdan kaan valans elektronlar serbest elektron olarak adlandrlr.
Serbest elektronlar, ntr hidrojen atomunun en d kabuuna doru akar. Atom negatif yk
ile yklendiinde (elektronlarn prontonlardan fazla olmas) negatif iyon diye adlandrlrlar
ve H- olarak gsterilirler.
em
Byn materyaller; elektrik enerjisine gsterdikleri tepkiye bal olarak balca 3 gruba
ayrlrlar. Bu guruplar; iletken, yaltkan ve yariletken olarak tanmlanr. Bu blmde;
zellikle yariletken maddelerin temel yapsn inceleyerek, iletken ve yaltkan maddelerle
aralarndaki farklar ortaya koymaya alacaz.
.e
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konularda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Atomik yapnn z
Bakr, silisyum, germanyum ve karbon v.b maddelerin atomik yaplar
letkenler
Yariletkenler
letken ve yariletken arasndaki farklar
Silisyum ve germanyum yariletken malzemelerin farkllklar
Tm materyaller atomlardan oluur. Materyallerin atomik yaps, materyalin elektrik

enerjisine kar gsterecekleri tepkiyi belirler. Genel bir atomik yap; merkezde bir
ekirdek ve ekirdei evreleyen yrngelerden olumaktadr. Materyalin iletken veya
yaltkan olmasnda atomik yrngede bulunan elektron says ok nemlidir.
letken
Elektrik akmnn iletilmesine kolaylk gsteren materyallere iletken denir. yi bir iletken
zellii gsteren materyallere rnek olarak, bakr, gm, altn ve aliminyumu
sayabiliriz. Bu materyallerin ortak zellii tek bir valans elektronuna sahip olmalardr.
Dolays ile bu elektronlarn kolaylkla kaybedebilirler. Bu tr elementler; 1 veya birka
valans elektrona sahiptirler. rnein bakr, altn, gm v.b .
Yaltkan
ri.
Normal koullar altnda elektrik akmna zorluk gsterip, iletmeyen materyallere yaltkan
denir. Yaltkan maddeler son yrngelerinde 6 ile 8 arasnda valans elektron barndrrlar.
Serbest elektron bulundurmazlar. Yaltkan maddelere rnek olarak bakalit, ebonit v.b
ametalleri sayabiliriz.
Yariletken
Enerji Band
no
tla
Yariletken maddeler; elektrik akmna kar, ne iyi bir iletken nede iyi bir yaltkan zellii
gsterirler. Elektronik endstrisinin temelini oluturan yariletken maddelere rnek olarak;
silisyum (si), germanyum (ge) ve karbon (ca) elementlerini verebiliriz. Bu elementler son
yrngelerinde 4 adet valans elektron bulundururlar.
de
rs
Maddelerin iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlmasnda enerji bandlar

olduka etkindir. Yaltkan, yariletken ve iletken maddelerin enerji bandlar ekil-1.4de
verilmitir. Enerji band bir yaltkanda ok genitir ve ok az sayda serbest elektron ierir.
Dolaysyla serbest elektronlar, iletkenlik bandna atlayamazlar. Bir iletkende ise; valans
band ile iletkenlik band adeta birbirine girmitir. Dolaysyla harici bir enerji
uygulanmakszn valans elektronlarn ou iletkenlik bandna atlayabilir. ekil-1.4
dikkatlice incelendiinde yariletken bir maddenin enerji aral; yaltkana gre daha dar,
iletkene gre daha genitir.
.e
em
Enerji
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Enerji
Enerji
letim Band
letim Band
Enerji Aral
Valans Band
Enerji Aral
letim Band
Valans Band
Valans Band
a) Yaltkan
a) Yariletken
a) letken
ekil-1.4 farkl Materyal iin enerji diyagram
Silisyum ve Germanyum
Diyot, transistr, tmdevre v.b elektronik devre elemanlarnn retiminde iki tip yar iletken
malzeme kullanr. Bunlar; SLSYUM ve GERMANYUM elementleridir. Bu elementlerin
atomlarnn her ikisi de 4 Valans elektronuna sahiptir. Bunlarn birbirinden fark; Silisyumun
ekirdeinde 14 proton, germanyumun ekirdeinde 32 proton vardr. ekil-1.5de her iki
malzemenin
atomik yaps grlmektedir. Silisyum bu iki malzemenin en ok
kullanlandr.
ri.
En d yrngede 4 valans
elektronu bulunur.
+32
tla
+14
b) Germanyum Atomu
no
a) Silikon Atomu
ekil-1.4 Silisyum ve germanyum atomlar.
rs
Kovelant Ba
de
Kat materyaller, kristal bir yap olutururlar. Slikon, kristallerden olumu bir
materyaldir. Kristal yap ierisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent ba denilen
balarla balanrlar. Kovelant ba, bir atomun valans elektronlarnn birbirleri ile
etkileim oluturmas sonucu meydana gelir.
.e
em
Her silisyum atomu, kendisine komu dier 4 atomun valans elektronlarn kullanarak
bir yap oluturur. Bu yapda her atom, 8 valans elektronunun oluturduu etki
sayesinde kimyasal kararll salar. Her bir silisyum atomunun valans elektronu,
komu silisyum atomunun valans elektronu ile paylam sonucunda kovalent ba
oluur. Bu durum; bir atomun dier atom tarafndan tutulmasn salar. Bylece
paylalan her elektron birbirine ok yakn elektronlarn bir arada bulunmasn ve
birbirlerini eit miktarda ekmesini salar. ekil-1.5 saf silisyum kristallerinin kovalent
balarn gstermektedir. Germanyumun kovalent bada benzerdir. Onunda sadece
drt valans elektronu vardr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Valans Elektronlar
Kovelant Balar
Si
Si
Si
Si
ekil-1.5 Saf silisyum kristalin kovalent balar.
1.3 YARILETKENLERDE LETKENLK
ri.
Malzemenin elektrik akmn nasl ilettii, elektrik devrelerinin nasl altnn

anlalmas bakmndan ok nemlidir. Gerekte temel akm mantn bilmeden diyot
veya transistr gibi yariletken devre elemanlarnn almasn anlayamazsnz.
tla
Bu blmde iletkenliin nasl meydana geldiini ve baz malzemelerin dierlerinden

niye daha iletken olduunu, yariletken malzemelerde iletkenliin nasl salandn
reneceksiniz.
no
Bu blmde enerji bantlar ierisinde elektronlarn nasl ynlendiini greceksiniz.

ekirdein etrafndaki kabuklar enerji bantlar ile uyumludur. Enerji bantlar birbirlerine
ok yakn kabuklarla ayrlmtr. Aralarnda ise elektron bulunmaz. Bu durum ekil1.6da silisyum kristalinde (dardan s enerjisi uygulanmakszn) gsterilmitir.
rs
Enerji
letim Band
de
Enerji Aralklar
.e
em
Valans Band
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Enerji Aralklar
2. Band ( l kabuu)
Enerji Aralklar
1. Band ( k kabuu)
ekirdek 0
ekil-1.6 Durgun silisyum kristalinin enerji band diyagram.
Elektronlar ve Boluklarda iletkenlik

Saf bir silisyum kristali oda scaklnda baz tepkimelere maruz kalr. rnein; baz
valans elektronlar enerji aralklarndan geerek, valans bandndan iletkenlik bandna
atlarlar. Bunlara serbest elektron veya iletkenlik elektronlar denir. Bu durum ekil1.7.ada enerji diyagramnda, ekil-1.7.bde ise ba diyagramnda gsterilmitir. Bir
elektron; valans bandndan iletkenlik bandna atladnda, valans bandnda boluklar
kalacaktr. Bu boluklara delik=boluk veya hole denir. Is veya k enerjisi
yardmyla iletkenlik bandna kan her elektron, valans bandnda bir delik oluturur. Bu
durum, elektron boluk ifti diye adlandrlr. letkenlik bandndaki elektronlar enerjilerini kaybedip, valans bandndaki bolua geri dtklerinde her ey eski haline dner.
zetle; saf silisyumunun iletkenlik bandndaki elektronlarn bir ksm oda scaklnda
hareketli hale geer. Bu hareket, malzemenin herhangi bir yerine doru rasgeledir. Bylece valans bandndaki boluk saysna eit miktarda elektron, iletkenlik bandna atlar.
Serbest
Elektron
ri.
Enerji
Si
Serbest
Elektron
letim Band
tla
Enerji Aralklar
Valans Band
Is
Enerjisi
Delik
Si
Is
Enerjisi
Delik
b) Ba Diyagram
no
a) Enerji Diyagram
ekil-1.7.a ve b. Hareketli bir silisyum atomunda bir elektron boluunun oluturulmas.
rs
Elektron ve Delik (hole) akm
.e
em
de
Saf silisyumun bir ksmna gerilim uygulandnda neler olduu ekil-1.8 zerinde
gsterilmitir. ekilde iletkenlik bandndaki serbest elektronlarn negatif utan pozitif
uca doru gittikleri grlmektedir. Bu; serbest elektronlarn hareketinin olutuu akmn
bir trdr. Buna elektron akm denir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
V
+
ekil-1.8 Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket,

silisyum iinde bir elektron akna neden olur.
Akm oluturan bir dier tip ise valans devresindeki deiimlerdir. Bu ise; serbest
elektronlar neticesinde boluklarn olumas ile meydana gelir. Valans bandnda kalan
dier elektronlar ise hala dier atomlara bal olup serbest deillerdir. Kristal yap
ierisinde rasgele hareket etmezler. Bununla birlikte bir valans elektronu komu bolua
tanabilir. (enerji seviyesindeki ok kk bir deiimle). Bylece bir boluktan dierine
hareket edebilir. Sonu olarak kristal yap ierisindeki boluklarda bir yerden dier yere
hareket edecektir. Bu durum ekil-1-9da gsterilmitir. Boluklarn bu hareketi de
akm diye adlandrlr.
10
ri.
tla
N-TP VE P-TP YARI LETKENLER
de
1.4
rs
no
ekil-1.9 Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket silisyum iinde bir
elektron akna neden olur.
Yariletken malzemeler, akm iyi iletmezler. Aslnda ne iyi bir iletken, nede iyi bir
yaltkandrlar. nk valans bandndaki boluklarn ve ilettim bandndaki serbest
elektronlarn says snrldr. Saf silisyum veya germanyumun mutlaka serbest
elektron veya boluk says artrlarak iletkenlii ayarlanmaldr. letkenlii
ayarlanabilen silisyum veya germanyum, elektronik devre elemanlarnn yapmnda
kullanlr. Germanyum veya silisyumun iletkenlii ise ancak saf malzemeye katk
maddesi eklenmesi ile salanr. Katk maddesi eklenerek oluturulan iki temel
yariletken materyal vardr. Bunlara; N-tipi madde ve P-tipi madde denir. Elektronik
devre elemanlarnn retiminde bu iki madde kullanlr.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blm bitirdiinizde;
Katk (doping) ilemini
N-tipi yariletken maddenin yapsn
P-tipi yariletken maddenin yapsn
ounluk ve aznlk akm tayclarn
Ayrntl olarak reneceksiniz.
Katk lemi (Doping)

Silisyum ve germanyumun iletkenlii kontroll olarak artrlabilir. letkenlii kontroll
olarak artrmak iin saf yariletken malzemeye katk maddesi eklenir. Bu ileme
doping denir. Akm tayclarnn (elektron veya boluk) saysnn artrlmas
malzemenin iletkenliini, azaltlmas ise malzemenin direnci artrr. Her iki doping
olaynn sonucunda N-tipi veya P-tipi madde oluur.
11
N-Tipi Yariletken
ri.
Saf silisyumun iletkenlik bandndaki deliklerinin artrlmas atomlara katk maddesi

ekleyerek yaplr. Bu atomlar, 5-deerli valans elektronlar olan arsenik (As), fosfor (P),
bizmut (Bi) veya antimondur. Silisyuma katk maddesi olarak 5 valans elektrona sahip
fosfor belli bir oranda eklendiinde, dier silisyum atomlar ile nasl bir kovelent ba
oluturulduu ekil-1.10da gsterilmitir.
tla
Fosfor atomunun 4 valans elektronu, silisyumun 4 valans elektronu ile kovalent ba

oluturur. Fosforun 1 valans elektronu akta kalr ve ayrlr. Bu akta kalan elektron
iletkenlii artrr. nk herhangi bir atoma bal deildir. letkenlik, elektron saylar ile
kontrol edilebilir. Bu ise silisyuma eklenen atomlarn says ile olur. Katk sonucu
oluturulan bu iletkenlik elektronu, valans bandnda bir boluk oluturmaz.
-
no
Si
Si
Si
Fb
-
Si
Si
Si
Si
de
-
rs
Si
Si
Si
Kovelant Ba
Fb atomunun
serbest elektronu
Si
ekil-1.10 N tipi yariletken maddenin oluturulmas.
.e
em
Akm tayclarnn ounluu elektron olan, silisyum veya germanyum maddesine Ntipi yariletken malzeme denir. N-tipi malzemede elektronlar, ounluk akm tayclar
diye adlandrlr. Bylece N-tipi malzemede akm tayclar elektronlardr. Buna ramen
s ile oluturulan birka tane elektron boluk iftleri de vardr. Bu boluklar 5-deerli
katk maddesi ile oluturulmamlardr. N-tipi malzemede boluklar aznlk tayclar
olarak adlandrlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
P-Tipi Yariletken
Saf silisyum atomu ierisine, 3 valans elektrona sahip (3-deerli) atomlarn belli bir
oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yap oluur. Bu yeni kristal yapda delik (boluk)
says artrlm olur. 3 valans elektrona sahip atomlara rnek olarak; alminyum (Al),
Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. rnein; saf silisyum ierisine belli bir
oranda bor katlrsa; bor elementinin 3 valans elektronu, silisyumun 3 valans elektronu
ile ortak kovalent ba oluturur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak valans ba
oluturamaz. Bu durumda 1 elektron noksanl meydana gelir. Buna boluk veya
delik=hole denir.
Silisyuma eklenen katk miktar ile boluklarn says kontrol edilebilir. Bu yntemle elde
edilen yeni malzemeye P tipi yariletken malzeme denir. nk boluklar pozitif
ykldr. Dolays ile P-tipi malzemede ounluk akm taclar boluklardr.
Elektronlar ise P tipi malzemede aznlk akm tayclardr. P-tipi malzemede bir ka
adet serbest elektronda olumutur. Bunlar s ile oluan boluk ifti esnasnda meydana
gelmitir. Bu serbest elektronlar, silisyuma yaplan katk esnasnda oluturulamazlar.
Elektronlar P-tipi malzemede aznlk akm tayclardr.
12
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B
-
Kovelant Ba
ri.
Si
Si
B atomundan
oluan delik (hole)
tla
Si
Si
rs
1.5 PN BRLEM
no
ekil- 1.11 Silisyum kristaline 3 bal katk atomu. Bohr katk atomu merkezde
gsterilmitir.
de
Silisyum veya Germanyum kristaline yeterli oranda katk maddeleri eklenerek, P-tipi
ve N-tipi maddeler oluturulmutu. Bu maddeler yaln halde elektriksel ilevleri
yerine getiremezler. P ve N tipi malzeme bir arada kullanlrsa, bu birleime PN
birleimi (junction) veya PN eklemi denir. PN birleimi; elektronik endstrisinde
kullanlan diyot, transistr v.b devre elemanlarnn yapmnda kullanlr.
em
PN bitiiminin zelliklerini
Deplasyon katman ve ilevini
.e
ayrntl olarak reneceksiniz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-1.12.(a)da yars P-tipi, dier yars N tipi malzemeden oluan iki blml bir
silisyum parasn gstermektedir. Bu temel yap biimine yar iletken diyot denir. N
blgesinde daha ok serbest elektron bulunur. Bunlar akm tayccs olarak grev
yaparlar ve ounluk akm taycs olarak adlandrlrlar. Bu blgede ayrca s etkisi
ile oluturulan birka boluk (delik=hole) bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar
ad verilir.
pn bitiimi
P TP
MADDE
P TP MADDE
N TP MADDE
N TP
MADDE
Delik (hole)
ekil-1.12.a ve b Basit bir PN yapsnn oluumu.

ounluk ve aznlk tayclarnn ikisi de gsterilmitir.
13
Elektron
tla
Deplasyon Katman ve levi
ri.
P blgesi ise ok sayda boluklar (delik=hole) ierir. Bunlara ounluk akm

tayclar denir. Bu blgede s etkisi ile oluan birka serbest elektronda bulunur.
Bunlara ise aznlk akm tayclar denir. Bu durum ekil-1.12.(b)de gsterilmitir. PN
birleimi elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn, transistrlerin ve dier katk hal
devrelerinin temelini oluturur.
P maddesinde elektron noksanl (boluk), N maddesinde ise elektron fazlal meydana

gelmiti. Elektron ve oyuklarn hareket ynleri birbirine zttr. Aslnda bu iki madde
balangta elektriksel olarak ntr haldedir.
de
rs
no
P ve N maddesi ekil-1.13.ada grld gibi birletirildiini kabul edelim. Birleim

olduu anda N maddesindeki serbest elektronlar, P maddesinde fazla olan oyuklarla
(boluk=delik) birleirler. P maddesindeki fazla oyuklarn bir ksm ise, N maddesine
gelip elektronlarla birleirler. Bu durumda P maddesi net bir (-) yk, N maddesi ise (+)
yk kazanm olur. Bu olay olurken P maddesi (-) yke sahip olduundan N
maddesindeki elektronlar iter. Ayn ekilde, N maddesi de (+) yke sahip olduundan P
maddesindeki oyuklar iter. Bylece P ve N maddesi arasnda daha fazla elektron ve
oyuk akmasn engellerler. Yk dalmn belirtildii ekilde olumas sonucunda PN
birleiminin arasnda gerilim seddi denilen bir blge (katman) oluur.
Bu durum ekil-1.13.bde resmedilmitir. letim dengesi salandnda deplesyon kat, PN birleiminde iletim elektronu bulunmad noktaya kadar geniler.
.e
em
P TP MADDE
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Delik (hole)
pn bitiimi
N TP MADDE
P TP MADDE
Engel Potansiyeli
N TP MADDE
+
+
Deplasyon
Blgesi
Elektron
ekil-1.13.a ve b PN birleiminin denge iletimi. Elektron boluk iftinin oluturduu

scaklkla, N blgesindeki birka boluun aznlk tayclarnn meydana getirilmesi.
ekil-1.13.bde PN birleim blgesinde pozitif ve negatif iyonlarla oluturulan gerilim
seddi grlmektedir. Oluan bu gerilim seddi; 250 Cde silisyum iin engel 0.7 volt,
germanyum iin 0.3 volt civarndadr. Bu gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot
ngerilimi sdan etkilenir. rnein scaklk miktarndaki her 10Clik art, diyot
ngeriliminin yaklak 2.3mV azalmasna neden olur.
Diyot ngerilimi ok nemlidir. nk PN birleimine dardan uygulanan gerilimin
oluturaca akm miktarnn kararl olmasn salar. lerideki blmlerde PN birleimini
ayrntl olarak inceleyeceiz.
14
1.6 PN BRLEMNN POLARMALANMASI
bitiimi
elektronik
devre
ri.
PN bitiiminin nasl oluturulduunu grdk. PN

elemanlarnn retiminde kullanlan en temel yapdr.
tla
PN birleimine elektronik biliminde diyot ad verilmektedir. Diyot veya dier bir

elektronik devre elamannn DC gerilimler altnda altrlmasna veya almaya
hazr hale getirilmesine elektronikte Polarma veya bias ad verilmektedir.
PN birleimi veya diyot; DC gerilim altnda iki trde polarmalandrlr. Bunlardan
birisi ileri ynde polarma dieri ise ters ynde polarma dr. leri veya ters ynde
polarma, tamamen diyot ularna uygulanan gerilimin yn ile ilgilidir.
no
leri ynde polarma (forward bias)

Ters ynde polarma (reverse bias)
rs
Kavramlarn reneceksiniz.
de
leri Ynde Polarma (Forward Bias)
.e
em
leri ynde polarma; yariletken bir devre elemannn ularna uygulanan DC gerilimin
yn ile ilgilidir. PN birleiminden akm akmasn salayacak ekilde yaplan
polarmadr. ekil-1.14de bir diyoda ileri ynde polarma salayacak balant
grlmektedir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
p
R
n
Vpolarma
+
ekil-1.14 leri ynde polarma balants. R, direnci akm snrlamak amacyla

kullanlmtr.
leri ynde polarma yle alr. Bataryann negatif ucu N blgesine (Katot olarak
adlandrlr), pozitif ucu ise P blgesine (Anot olarak adlandrlr) balanmtr.
Bataryann negatif terminali, N blgesindeki iletkenlik elektronlarn birleim blgesine
doru iter. Ayn anda pozitif terminal, P blgesindeki oyuklar birleim blgesine iter.
Uygulanan polarma gerilimi yeterli seviyeye ulanca; N blgesindeki elektronlarn ve P
blgesindeki oyuklarn engel blgesini amasn salar.
N blgesinden ayrlan elektronlara karlk, bataryann negatif ucundan ok sayda
elektron girmesini salar. Bylece N blgesinde iletkenlik elektronlarnn hareketi
(ounluk akm tayclar) eklem blgesine dorudur.
Karya geen iletkenlik elektronlar, P blgesinde boluklar ile birleirler. Valans
elektronlar boluklara tanr ve boluklar ise pozitif anot blgesine tanr. Valans
15
elektronlarnn boluklarla birleme ilemi PN ularna voltaj uyguland srece devam

eder ve devaml bir akm meydana gelir. Bu durum ekil-1.15de resmedilmitir.
ekilde ileri ynde bayaslanan diyodtaki elektron ak grlmektedir.
N TP
tla
ri.
P TP
boluk akm
Elektron akm
VD
no
rs
Vpolarma
de
ekil-1.15: PN birleimli diyot ta elektron ak.
leri polarmada Gerilim seddinin etkisi
.e
em
PN birleiminde meydana gelen gerilim seddi, Silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V
civarndadr. Polarma geriliminin potansiyeli bu deere ulatnda, PN birleiminde
iletim balar. PN ularna uygulanan gerilim, diyodu bir kez iletime geirdikten sonra
gerilim seddi klr. Akm ak devam eder. Bu akma ileri yn akm If denir. If akm
P ve N blgesinin direncine bal olarak ok az deiir. Bu blgenin direnci (ileri yndeki
diren) genellikle kktr ve kk bir gerilim kaybna sebep olur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Ters Polarma (Revrese Bias)
Ters kutuplamada bataryann negatif ucu P blgesine, pozitif ucu ise N blgesine
balanmtr. Bu durum ekil-1.16da gsterilmitir. Ters polarmada PN birleiminden
akm akmaz. Bataryann negatif ucu, PN blgesindeki boluklar kendine doru eker.
Pozitif ucu ise PN blgesindeki elektronlar kendine doru eker ve bu arada (deplesyon
blgesi) yaltkan katman geniler. N blgesinde daha ok pozitif iyonlar, P blgesinde ise
daha ok negatif iyonlar oluturulur.
Vpolarma
+
ekil-1.16 Ters Polarma balants.
16
N TP
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
no
tla
P TP
-
ri.
Yaltkan (deplesyon) katmandaki potansiyel fark harici bayas gerilimine eit oluncaya
kadar geniler. Bu noktada boluklarn ve elektronlarn hareketi durur. Birleimden
ounluk akm tayclarnn harekete balamas (transient ) akm diye adlandrlr. Bu
ise ters kutuplama yapldnda ok ksa bir anda akan bir akmdr.
Engel
Katman
rs
V polarma
de
ekil-1.17 Ters polarmada oluan engel katman
em
Diyot ters kutuplandnda engel katmannn yaltkanl artacak ve her iki taraftaki iyonlar
arj olacaktr. Bu durum kapasitif bir etki yaratr. Ters kutuplama gerilimi arttka engel
katman geniler. Bu arada kapasitansda artacaktr. Bu durum, deplesyon katmannn
kapasitans diye bilinir ve bu durum pratik kolaylklar salar.
.e
Aznlk Akm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
imdiye kadar rendiimize gre; diyoda ters gerilim uygulandnda ounluk akm
abucak sfr olur. Ancak ters kutuplama da bile ok az bir aznlk akm mevcut
olacaktr. Bu ters akm germanyumda, silisyuma gre daha fazladr. Bu akm silisyum
iin mikro amper veya nano amperler mertebesindedir. Dolays ile s ile oluan elektron
boluk ifti ise minimum seviyesindedir. Harici ters gerilim; uygulanrken baz
elektronlar PN birleimini geecektir. Ters akm ayn zamanda birleimin ssna ve ters
kutlama geriliminin miktarna baldr dolays ile snn artmas ters akm da
artracaktr.
Ters Ynde Krlma

Eer dardan uygulanan ters polarma gerilimi ar derecede artrlrsa krlmas
meydana gelir. imdi bu ne demektir? Aznlk akm tayclar olan iletkenlik band
elektronlar dardan uygulanan ters gerilim kaynann etkisi ile P blgesine itilirler. Bu
esnada valans elektronlar iletkenlik bandna doru hareket ederler. Bu anda iki tane
iletkenlik band elektronu mevcuttur. Her biri bir atomda bulunan bu elektronlar; valans
bandndan, iletkenlik bandna hareket eder. letkenlik band elektronlarnn hzla
oalmas olay, etkisi olarak bilinir. Sonu olarak byk bir ters akm akar. ou
diyotlar genelde ters krlma blgesinde almazlar. nk hasar grebilirler. Bununla
birlikte baz diyotlar srf ters ynde alacak ynde yaplmlardr. Bunlara Zener
Diyot ad verilir.
17
1.7
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DYOT
ri.
nceki blmlerde oluturulan PN birleimine elektronik endstrisinde diyot ad

verilmektedir. Diyot, elektronik endstrisinin temelini oluturan en basit aktif devre
elemandr. retici firmalar kullancnn gereksinimine bal olarak farkl akm ve
gerilim deerlerinde alabilecek ekilde binlerce tip diyot retimi yapmlardr.
no
Diyot semboln
deal diyot modelini
Pratik diyot modelini
Diyotun polarmalandrlmasn,
Diyotun V-I karakteristiini
Diyot direncini
Diyotlarda yk dorusu ve alma karakteristiini
Diyodun scaklkla ilikisini
rs
tla
Bu blmde diyodun nasl altn, akm-gerilim karakteristiklerini ayrntl

olarak inceleyeceiz. Bu blmde sra ile;
de
reneceksiniz. Bu blmde reneceiniz temel alma prensipleri, ileriki

blmlerde diyotlarla yapacanz uygulama ve tasarmlara sizleri hazrlayacaktr.
PN Bitiimi ve Diyot
.e
em
Bir nceki blmde oluturulan P ve N maddesinin birletirilmesi, Diyot ad verilen

yariletken devre elemann meydana getirir. P ve N maddesinin birletirilmesi ilemi,
diyot reticileri tarafndan bir yzey boyunca veya belirli bir noktada yaplabilir. Bu
nedenle diyotlara nokta temasl diyot veya yzey bitiimli diyot ad da verilebilir.
Her iki tip diyodun zellikleri ve alma karakteristikleri ayndr. Dolays ile bu olay
reticileri ilgilendirir. Bizim bu konuyla ilgilenmemize gerek yoktur. ekil-1.19da
elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn klf tipleri ve terminal isimleri verilmitir.
ekil-1.19 Diyotlarda klf tipleri ve terminal isimleri
18
Anot
Anot
Anot
tla
ri.
Elektronik biliminde her devre eleman sembollerle ifade edilir. Sembol tespiti bir takm
uluslararas kurallara gre yaplmaktadr. ekil-1.20de diyotun temel yaps ve ematik
diyot sembolleri verilmitir.
Katod
Katod
no
Katod
ekil-1.20 Diyotun yaps ve ematik diyot sembolleri
rs
ekil-1.20de grld gibi diyot 2 terminalli aktif bir devre elemandr. Terminallerine
ilevlerinden dolay anot ve katod ismi verilmitir. Anot terminalini P tipi madde,
katod terminalini ise N tipi madde oluturur.
de
Bu blmde genel amal dorultma diyotlarn ayrntlar ile inceleyeceiz. Elektronik

endstrisinde farkl amalar iin tasarlanm, ilevleri ve zellikleri farkllklar gsteren
diyotlarda vardr. Bu diyotlar, zel tip diyotlardr. leriki blmlerde incelenecektir.
deal Diyot Modeli
.e
em
deal diyodu tek ynl bir anahtar gibi dnebiliriz. Anot terminaline gre; katot
terminaline negatif bir gerilim uygulanan diyot, doru (ileri) ynde polarmalandrlm
olur. Diyot, doru ynde polarmalandnda kapal bir anahtar gibi davranr. zerinden
akm akmasna izin verir. Direnci minimumdur. Bu durum ekil-1.21..ada grlmektedir.
Anot terminaline gre; katot terminaline pozitif bir gerilim uygulanan diyot ters ynde
polarmalandrlm olur. deal diyot ters ynde polarmalandrldnda, ak bir anahtar
gibi davranr. zerinden akm akmasna izin vermez ve direnci sonsuzdur.
Bu durum ekil-1.21.bde gsterilmitir. deal bir diyotun Akm-gerilim karakteristii ise

ekil-1.21.cde verilmitir.
deal Diyot
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
deal Diyot
VF=0V
+
VDD
If
Vr
IF=VDD /R
VDD
+
Vr
Vf
Ir=0
Ir
a) Dogru Polarma
b) Ters Polarma
ekil-1.21 deal diyotun ileri ve ters polarmada davranlar
19
c) V-I Karakteristii
Pratik Diyot Modeli
ri.
Pratik kullanmda diyot, ideal modelden farkl davranlar sergiler. rnein; doru
polarma altnda kapal bir anahtar gibi ksa devre deildir. Bir miktar direnci vardr. Bu
nedenle zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu gerilime diyot ngerilimi denir
ve VF veya VD sembolize edilir. Bu gerilim deeri; silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V
civarndadr. Gerek bir diyotun doru polarma altnda modellemesi ekil-1.22..ada
verilmitir.
tla
Ters ynde polarmada ise, ak bir anahtar gibi direnci sonsuz deildir. Bu nedenle
zerinden ok kk bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm denir ve IR ile
sembolize edilir. Sznt akm ok kk olduundan pek ok uygulamada ihmal
edilebilir.
no
Gerek bir silisyum diyodun V-I karakteristii ise ekil-1.22.cde verilmitir. rnein; ekil1.22.ada grlen doru polarma devresinde diyot zerinden geen ileri yn akm deeri IF;
IF =
rd
de
0.7
+
rr
em
VDD
If
Vr
Vf
If
VDD VD
R
rs
olarak belirlenir.
VDD
Vr
Vf
b) Ters Polarma
a) Dogru Polarma
Ir
c) V-I Karakteristii
.e
ekil-1.22 Pratik bir diyotun ileri ve ters polarmada davranlar
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1.8
DYOT KARAKTERSTKLER
Diyot karakteristii; diyoda uygulanan polarma gerilimi ve akmlarna bal olarak

diyodun davrann verir. retici firmalar; rettikleri her bir farkl diyot iin, gerekli
karakteristikleri kullancya sunarlar.
Bu blmde;
Diyotun V-I karakteristiini
Diyot direncini
Yk dorusu ve alma noktasn
Diyot karakteristiinin scaklkla ilikisini
20
Diyotun V-I karakteristii
ri.
Diyotun V-I karakteristii; diyot ularna uygulanan gerilimle, diyot zerinden geen akm
arasndaki ilikiyi gsterir. Diyot; doru ve ters polarma altnda farkl davranlar sergiler.
Genel kullanm amal silisyum diyodun doru ve ters polarmalar altndaki V-I
karakteristii ekil-1.23de verilmitir. ekil-1.23 zerinde diyodun V-I karakteristiini
karmak iin gerekli devre balantlar grlmektedir.
tla
Diyot, doru polarmada iletimdedir. Ancak iletime balama noktas VD olarak

iaretlenmitir. Bu deerden sonra diyot zerinden akan ileri yn IF akm artarken, diyot
zerine den gerilim yaklak olarak sabit kalmaktadr. Bu gerilim diyot ngerilimi olarak
adlandrlr. Diyot ngerilimi silisyum bir diyotda yaklak olarak 0.7V civarndadr.
em
de
rs
no
Ters polarma altnda ise; diyot zerinden geen akm miktar ok kktr. Bu akma
sznt akm denir. Sznt akm, silisyum bir diyotda birka nA seviyesinde, germanyum
bir diyotda ise birka A seviyesindedir. Ters polarma altnda diyot, belirli bir gerilim
deerinden sonra iletime geer. zerinden akan akm miktar ykselir. Ters polarma altnda
diyotu krlp iletime gemesine neden olan bu gerilime krlma gerilimi denir. Bu durum
ekil-1.23 zerinde gsterilmitir.
If (mA )
If
Dogru Polarma
Sznt akm
Vf ( V )
.e
Vr ( V )
V DD
Krlma noktas
Vf
VF=0.7V
Vr
Ir
+
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VDD
Ters Polarma
Ir (A )
ekil-1.23 Silisyum diyotun V-I karakteristii

Diyot; krlma geriliminde iletime gemekte ve zerinden akm akmasna izin vermektedir.
ekil-1.23deki grafik dikkatlice incelenirse, diyot zerinden akan akm artt halde, gerilim
sabit kald gzlenmektedir. Bu durum nemlidir. retici firmalar, bu durumu dikkate
alarak farkl deerlerde krlma gerilimine sahip diyotlar gelitirip, tketime sunmulardr.
Bu tr diyotlara zener diyot ad verilir. Zener diyotlar, ileri blmlerde ayrntl olarak
incelenecektir.
21
ekil-1.23de verilen diyot karakteristiinde; diyotun krlp akm aktmaya balamas,

aada verilen eitlik ile aklanabilir.
qV
( e kT
1)
ri.
I = I0
no
tla
Bu formlde;
I : Diyot akmn
I0 : Ters polarmada sznt akmn
V : Diyot ularna uygulanan polarma gerilimini
Q : Elektron arj miktarn (Coulomb olarak)
T : pn birleim scakln (K cinsinden)
K : Boltzman sabitini
: Metale baml bir sabite (Ge:1, Si=2)
rs
Silisyum ve germanyum diyotlarn akm-gerilim karakteristik erileri ekil-1.24de birlikte

verilmitir. Grld gibi germanyum diyotlarn sznt akm ok daha byktr. Bu
nedenle gnmzde silisyum diyotlar zellikle tercih edilir. Germanyum diyotlar, ise
ngerilimlerinin kk olmalar nedeniyle (0.2-0.3V) zellikle alak gl yksek frekans
devrelerinde krpc olarak kullanlmaktadrlar.
Ge
Si
30
25
20
10
5
Ir(si)=10nA
Vr ( V )
2A
.e
em
de
If (mA )
15
0.3
0.5
0.7
Vf ( V )
4A
6A
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Si
Ge
Ir (A )
ekil-1.24 Silisyum ve germanyum diyot karakteristiklerinin karlatrlmas
Diyot Direnci
Diyotun elektriksel olarak direnci; diyot ularndaki gerilimle diyot zerinden geen
akmn oranna gre tayin edilir. Diyot direnci, karakteristiinde grld gibi
dorusal deildir. Doru polarma altnda ve iletim halindeyken, direnci minimum 10
civarndadr. Ters polarma altnda ve kesimdeyken ise 10M-100M arasndadr.
Diyodun doru akm altnda gsterdii diren deerine statik diren denir. Statik
diren (rs) aadaki gibi formle edilir.
22
VD
ID
rS (statik ) =
Alternatif akm altnda gsterdii diren deerine dinamik diren denir. Dinamik
diren (rD) aadaki gibi formle edilir.
V
I
ri.
rD ( dinamik ) =
tla
Diyotlarda; dinamik veya statik diren deerlerinin hesaplanmasnda diyot karakteristii

kullanlr. ekil-1.25de silisyum bir diyodun ileri yn karakteristii verilmitir.
IF(mA)
Q3
no
I3
Q2
I2
Q1
I1
V 1 V 2 V3
rs
VF (v)
ekil-1.25 Statik ve Dinamik diyot direnlerinin belirlenmesi
.e
em
de
Statik ve dinamik diyot direnlerinin belirlenip formle edilmesinde ekil-1.25de

grlen diyot karakteristiinden yararlanlr. ekilde grlen karakteristikte deiim
noktalar Q1, Q2 ve Q3 olarak iaretlenmitir. rnein Q1 ve Q2 noktalarnda diyotun
statik direnci;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rS (Q1 ) =
V1
I1
rS (Q2 ) =
V2
I2
olarak bulunur. Diyotun dinamik direnci ise, akm ve gerilimin deimesi ile oluan
diren deeridir. rnein Q2 noktasndaki dinamik diren deerini bulmak istersek, Q2
noktasndaki deiimin (Q1 .. Q3 deiimi gibi) kk bir deiimini almamz gerekir.
rD =
V V3 V1
=
I 3 I1
I
Elde edilen bu eitlik ters polarmada da kullanlabilir.
Yk Dorusu ve alma Noktas

Diyot, diren ve DC kaynaktan oluan basit bir devre ekil-1.26.da verilmitir. Devrede
diyot doru ynde polarmalandrlmtr.
I F(mA)
VD
VDD
R
IF
Egim =
VDD
VF
23
VDD
1
R
V(v)
Diyot ideal kabul edilirse devreden akacak akm miktar;

IF =
V DD
R
ri.
olaca aktr. Gerek bir diyot kullanldnda ise; devreden akacak I akm miktarna
bal olarak diyot ularnda VD ile belirlenen bir diyot ngerilimi oluacaktr. Bu gerilim
deeri lineer deildir. Bu gerilim deerinin;
tla
V F = V DD I F R
no
olaca aktr. Ayrca devreden akan akacak olan ID akm deerinin VDD gerilimine bal
olarak da eitli deerler alaca aktr. eitli VDD deerleri veya IF deerleri iin, diyot
n gerilimi VDnin alabilecei deerler diyot karakteristii kullanlarak bulunabilir. VDD
geriliminin eitli deerleri iin devreden akacak olan IF akm deerleri bulunup
karakteristik zerinde iaretlenir ve kesiim noktalar birletirilirse ekil-1.26da grlen
eri elde dilir. Bu eriye yk dorusu denilir.
rs
Yk dorusu izimi iin;
IF=0 iin
VF=0 iin
VF=VDD
IF=VDD/R
(Diyot yaltkan)
(Diyot iletken)
de
Bulunan bu deerler karakteristik zerindeki koordinatlara iaretlenir. aretlenen

noktalar karakteristik zerinde birletirilirse yk dorusu izilmi olur. Bu durum ekil1.26 zerinde gsterilmitir. Diyot karakteristik erisinin yk izgisini kestii nokta Q
alma noktas olarak bilinir. Yk izgisinin eimi ise -1/Rdir.
em
ekil-1.26da verilen devreye bal olarak yk dorusu bir defa karldktan sonra
VDDnin herhangi bir deeri iin akacak akm miktar ve buna bal olarak R direnci
ularnda oluabilecek gerilim deeri kolaylkla bulunabilir. Yk dorusu ve alma
noktasnn tayini; diyotu zellikle hassas kullanmlarda duyarl ve pratik alma salar.
.e
Scaklk Etkisi
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot karakteristii ile ilgili bir dier faktr ise scaklktr. retici firmalar diyodun
karakteristik deerlerini genellikle 250C oda scakl iin verirler. Diyotun alma
ortam ss, oda scaklndan farkl deerlerde ise diyot ngeriliminde ve sznt
akmnda bir miktar deiime neden olur.
Diyot ngerilimi VF; her 10Clik s artnda yaklak 2.3mV civarnda azalr.
Diyot sznt akm I0; her 100Clik s artnda yaklak iki kat olur.
Diyotun s deiimine kar gsterdii duyarllk olduka nemlidir. rnein bu

duyarllktan yararlanlarak pek ok endstriyel s lmnde ve kontrolnde sensr
olarak diyot kullanlr.
24
rnek:1.1
a) ekil-1.27.ada verilen devre iin diyot zerinden akan ileri yn akmn ideal ve
pratik bir silisyum diyot iin bulunuz.
ri.
b) ekil-1.27.bde verilen devre iin ters yn gerilim ve akm deerlerini ideal ve

pratik bir silisyum diyot iin bulunuz. Diyot ters yn akm IR=1A
RA
IF
VDD
1K
10V
tla
RA
VDD
VF
IR
ekil-1.27.a ve b Diyot devreleri
zm:1.1 a)
deal Diyot Modeli;
de
rs
VF=0V
10V
V
= 10mA
I F = DD =
1K
RA
VA = I F RA = ( 10mA) ( 1K ) = 10V
em
Pratik Diyot Modeli;
VF=0.7V
V VF 10V 0.7V
=
= 9.3mA
I F = DD
1K
RA
VA = I F RA = (9.3mA) (1K ) = 9.3V
b)
.e
deal Diyot Modeli;
IR=0A
VR = VDD = 10V
VRA = 0V
Pratik Diyot Modeli;
IR=1A
VRA = I R RA = (1A) (1K ) = 1mV

VR = VDD VRA = 10V 1mV = 9.999V
c)
d)
25
1K
10V
no
(a)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VR
(b)
a) ekil-1.28de verilen devrede germanyum diyot kullanlmtr. Diyotun

dayanabilecei maksimum akm deeri 100mA olduuna gre R direncinin
minimum deeri ne olmaldr? Diyot ve diren zerinde harcanan gleri
bulunuz?
ri.
rnek:
1.2
ID
10V
I F(mA)
V F=0.3V
50
no
VDD
tla
b) Ayn devrede verilen diyot karakteristiini kullanarak diyotun ac dinamik

direncini bulunuz?
10
0.72
0.9
VF (v)
ekil-1.28 Diyot devresi ve V-I karakteristii
zm:
rs
a)
V DD = I D R + V D
de
R=
V DD V D 10V 0.3V
=
= 97
ID
100mA
Diren ve diyot zerinde harcanan gleri hesaplayalm.

PR = ( I F ) 2 R = (100mA) 2 (97) = 0.97W
em
PD = ( I F ) (V D ) = (100mA) 2 (0.3V ) = 0.03W = 30mW
.e
b) leri yn karakteristii verilen diyodtun ac dinamik diren deeri;

V 0.9V 0.72V 0.18V
rD =
=
=
rD = 4.5
I 50mA 10mA 40mA
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot Testi
Diyot, saysal veya analog bir multimetre yardmyla basite test edilebilir. Analog bir
multimetre ile lme ilemi konumunda yaplr. Salam bir diyotun ileri yn direnci
minumum, ters yn direnci ise sonsuz bir deerdir. Test ilemi sonucunda diyotun anotkatod terminalleri de belirlenebilir.
ekil-1.29da diyotun saysal bir multimetre yardmyla nasl test edilecei gsterilmitir.
Test ilemi saysal multimetrenin Diyot konumunda yaplr. Multimetrenin gsterdii
deer diyot zerindeki ngerilimidir. Bu gerilim; doru polarmada silisyum diyotlarda 0.7V
civarndadr. Germanyum diyotlarda ise 0.3V civarndadr. Ters polarmada her iki diyot
tipinde multimetrenin pil gerilimi (1.2V) grlr.
26
mA
COM
Katod
Off
10A
10A
Anot
mA
10A
mA
Anot
a) Ileri Ynde polarma

Diyot Saglam
COM
0.00
mA
Off
10A mA
Katod
b) Ters Ynde polarma

Diyot Saglam
Katod
Off
10A
COM
mA
Anot
c) Ileri Ynde polarma

Diyot Bozuk (aik devre)
10A
mA
10A
COM
Katod
Anot
d) Ileri Ynde polarma

Diyot Bozuk (kisa devre)
rs
BLM ZETi
de
1.9
no
ekil-1.25 Saysal multimetre ile diyot testi
Doadaki tm maddeler atomlardan oluur. Klasik bohr modeline gre atom 3

temel paracktan oluur. Proton, ntron ve elektron.
em
Atomik yapda ntron ve protonlar merkezdeki ekirdei oluturur. Elektronlar ise

ekirdek etrafnda sabit bir yrngede dolarlar. Protonlar pozitif ykldr.
Ntronlar ise ykszdr.
Elektronlar, ekirdekten uzakta belirli yrngelerde bulunurlar ve negatif ykldrler.
.e
Yrngedeki elektronlar atom arl ve numarasna bal olarak belirli saylardadrlar.
Off
10A
mA
1.20
tla
1.20
ri.
0.70
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Atomun yrngeleri K-L-M-N olarak adlandrlrlar.

yrngesindeki elektron miktar 8den fazla olamaz.
Bir
atomun
son
Atomun son yrngesindeki elektronlar valans elektron olarak adlandrlrlar.

Valans elektronlar maddenin iletken, yaltkan veya yariletken olarak
tanmlanmasnda etkindirler.
Yariletken materyaller 4 adet valans elektrona sahiptir. Elektronik endstrisinde
yariletken devre elemanlarnn retiminde silisyum ve germanyum elementleri
kullanlr.
Silisyum veya germanyum elementlerine katk maddeleri eklenerek P ve N tipi
maddeler oluturulur. P ve N tipi maddeler ise elektronik devre elemanlarnn
retiminde kullanlrlar.
P ve N tipi maddelerin birleimi diyotu oluturur. Birleim ilemi bir noktada
yaplabildii gibi yzey boyunca da yaplabilir. Bu nedenle diyotlar genellikle
yzey birleimli veya nokta temasl olarak imal edilirler. Her iki tip diyotunda
temel zellikleri ayndr.
27
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot elektronik endstrisinin en temel devre elemanlarndan biridir. ki adet

terminale sahiptir. N tipi maddeden oluan terminale Katot, P tipi maddeden
oluan terminale Anot ismi verilir.
ri.
Diyot iki temel alma biimine sahiptir. Bunlar letim ve kesim modunda
almadr.
tla
Diyotun anoduna; kataduna nazaran daha pozitif bir gerilim uygulanrsa diyot
iletim blgesinde alr ve iletkendir. Diyotun anoduna; kataduna nazaran daha
negatif bir gerilim uygulanrsa diyot kesim blgesinde alr yaltkandr.
no
letim blgesinde alan bir diyot zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu
gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi silisyum bir diyot zerinde
yaklak 0.7V, Germanyum bir diyot zerinde ise yaklak 0.3V civarndadr.
Diyot ngerilimi bir miktar diyotun alma ortam ssna bamldr. Diyot
ngerilimi 10C scaklk artmasna karn yaklak 2.3mV azalr.
rs
Kesim blgesinde alan bir diyot, pratik olarak ak devre (direnci sonsuz)
deildir. zerinden ok kk bir bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm
denir. Bu deer nA ile Aler mertebesindedir.
de
Sznt akm deeri germanyum diyotlarda silisyum diyotlardan bir miktar daha
fazladr.Sznt akm diyotun alma ssndan etkilenir. rnein her 100C scaklk
artnda sznt akm yaklak iki kat olur.
.e
em
Analog veya saysal bir ohmmetre kullanlarak diyotlarn salamlk testi yaplabilir.
Test ilemi sonucunda ayrca diyotun anot ve katot terminalleri belirlenebilir.
28
tla
ri.
Diyot Uygulamalar
Konular:
no
Yarm-Dalga Dorultma
Tam-Dalga Dorultma
Filtre Devreleri
Krpc ve Snrlayc Devreler
Gerilim Kenetleyici ve Gerilim oklayclar
Diyot Veri Sayfalar
Amalar:
rs
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
Yarm dalga dorultma devresinin almas ve analizi

Tam dalga dorultma devresinin almas ve analizi
Dorultmalarda filtreleme ve filtre devreleri
Diyotlarla gerekletirilen krpc ve snrlayc devrelerin analizi
Diyot veri sayfalarnn incelenmesi ve eitli karakteristikler
Diyot devrelerinin ksa analizleri ve yorumlar
.e
em
de

olacaksnz.
co
m
BLM 2
2.1
YARIM DALGA DORULTMA
tla
ri.
Tm elektronik cihazlar almak iin bir DC g kaynana (DC power supply)

gereksinim duyarlar. Bu gerilimi elde etmenin en pratik ve ekonomik yolu ehir
ebekesinde bulunan AC gerilimi, DC gerilime dntrmektir. Dntrme ilemi
Dorultma (redresr) olarak adlandrlan cihazlarla gerekletirilir.
no
Dorultma veya DC G kayna (DC power supply) denilen cihazlar, basitten

karmaa doru birka farkl yntemle tasarlanabilir. Bu blmde en temel
dorultma ilemi olan yarm dalga dorultma (Half wave rectifier) devresinin
yapsn ve almasn inceleyeceiz.
Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip
olacaksnz.
de
rs
Temel bir g kayna sistemi

Transformatrler ve ilevleri
Yarm dalga dorultma devresi
Rpl faktr
Temel DC G Kayna (Power Supply)
Temel bir DC g kaynann blok emas ekil-2.1de grlmektedir. Sistem; dorultucu

(rectifier), Filtre (filter) ve reglatr (regulator) devrelerinden olumaktadr. Sistem
giriine uygulanan ac gerilim; sistem knda dorultulmu dc gerilim olarak
alnmaktadr.
.e
em
Bilindii gibi btn elektronik cihazlar (radyo, teyp, tv, bilgisayar v.b gibi) almak iin
bir DC enerjiye gereksinim duyarlar. DC enerji, pratik olarak pil veya aklerden elde
edilir. Bu olduka pahal bir zmdr. DC enerji elde etmenin dier bir alternatifi ise
ehir ebekesinden alnan AC gerilimi kullanmaktr. ebekeden alnan AC formdaki
sinsoydal gerilim, DC gerilime dntrlr. Dntrme ilemi iin DC g
kaynaklar kullanlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transformatr
Dorultma
Devresi
Filtre
Devresi
Reglatr
Devresi
Vgiri
AC
RL
ekil-2.1 AC Gerilimin DC Gerilime Dntrlmesi

Sistem giriine uygulanan AC gerilim (genellikle ehir ebeke gerilimi), nce bir transformatr yardmyla istenilen gerilim deerine dntrlr. Transformatr, dntrme
ilemiyle birlikte kullancy ehir ebekesinden yaltr. Transformatr yardmyla istenilen
bir deere dntrlen AC gerilim, dorultma devreleri kullanlarak dorultulur.
30
tla
Transformatrler
ri.
Dorultma ilemi iin yarm ve tam dalga dorultma (redresr) devrelerinden yararlanlr.
Dorultulan gerilim, ideal bir DC gerilimden uzaktr ve az da olsa AC bileenler (rpl)
ierir. Filtre devreleri tam bir DC gerilim elde etmek ve rpl faktrn minimuma
indirmek iin kullanlr. deal bir DC gerilim elde etmek iin kullanlan son kat ise reglatr
dzenekleri ierir. Sistemi oluturan bloklar sra ile inceleyelim.
no
Transformatrler, kayplar en az elektrik makineleridir. Transformatr; silisyumlu zel

satan yaplm gvde (karkas) zerine sarlan iletken sarglardan oluur. Transformatr
karkas zerine genellikle iki ayr sarg sarlr. Bu sarglara primer ve sekonder ad verilir.
Primer giri, sekonder k sargs olarak kullanlr. Sarglarn sarm says spir olarak
adlandrlr. Transformatrn primer sarglarndan uygulanan AC gerilim, sekonder
sargsndan alnr.
rs
ehir ebeke gerilimi genellikle 220Vrms/50Hzdir. Bu gerilim deerini belirlenen veya

istenilen bir AC gerilim deerine dntrlmesinde transformatrler kullanlr.
Transformatrlerin sekonder ve primer sarglar arasnda fiziksel bir balant olmadndan,
kullancy ehir ebekesinden yaltrlar. Bu durum, gvenlik iin nemli bir avantajdr.
.e
em
de
Sekonder sargsndan alnan AC iaretin, gc ve gerilim deeri tamamen kullanlan

transformatrn sarm saylarna ve karkas apna badr. reticiler ihtiyaca uygun olarak
ok farkl tip ve modelde transformatr retimi yaparlar. ekil-2.2de rnek olarak baz alak
gl transformatrler grlmektedir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-2.2 Farkl model ve tipte transformatrler

Transformatrlerin primer ve sekonder gerilimleri ve gleri zerlerinde etkin deer (rms)
olarak belirtilir. Primer sarglar genellikle 220Vrms/50Hz, sekonderler sarglar ise farkl
gerilim deerlerinde retilerek kullancya sunulurlar. ekil-2.3'de farkl sarglara sahip
transformatrlerin sembolleri ve gerilim deerleri gsterilmitir.
31
36V
Sekonder
24V
Primer
Sekonder
Sargs
12V
ri.
220Vrms
50Hz
220Vrms
50Hz
220Vrms
50Hz
24V
12Vrms
50Hz
12V
12V
tla
Primer
Sargs
a) Transformatr
b) Orta ulu Transformatr
0V
c) ok ulu Transformatr
ekil-2.3 Farkl tip ve modelde Transformatr sembolleri ve u balantlar
rs
no
ulu transformatrler dorultucu tasarmnda tasarruf salarlar. Transformatr

seiminde; primer ve sekonder gerilimleri ile birlikte transfomatrn gcne de dikkat
edilmelidir. G kaynanda kullanlacak transformatrn toplam gc; trafo zerinde ve
dier devre elemanlarnda harcanan g ile ykte harcanan gcn toplam kadardr.
Transformatr her durumda istenen akm vermelidir. Fakat bir transformatrden uzun sre
yksek akm ekilirse, ekirdein doyma blgesine girme tehlikesi vardr. Bu nedenle
transformatr hem harcanacak gce, hem de k akmna gre tleransl seilmelidir.
de
Yarm Dalga Dorultma
em
ehir ebekesinden alnan ve bir transformatr yardmyla deeri istenilen seviyeye

ayarlanan AC gerilimi, DC gerilime dntrmek iin en basit yntem yarm dalga
dorultma devresi kullanmaktr. Tipik bir yarm dalga dorultma devresi ekil-2.4de
verilmitir. ehir ebekesinden alnan 220Vrms deere sahip AC gerilim bir
transformatr yardmyla 12Vrms deerine drlmtr.
12Vrms
50Hz
220Vrms
50Hz
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot
RL
ekil-2.4 Yarm Dalga Dorultma Devresi

Devrenin almasn ayrntl olarak incelemek zere ekil-2.5den yararlanlacaktr.
Yarm dalga dorultma devresine uygulanan giri iareti sinsoydaldr ve zamana bal
olarak yn deitirmektedir. Devrede kullanlan diyodu ideal bir diyot olarak
dnelim. Giri iaretinin pozitif alternansnda; diyot doru polarmalanmtr.
Dolaysyla iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. pozitif alternans yk
zerinde oluur. Bu durum ekil-2.5.a zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
Diyot letimde
+
-
V Giri
V k
+
0
12Vrms
50Hz
RL
ekil-2.5.a Giri iaretinin pozitif alternansnda devrenin almas
32
ri.
Giri iaretinin frekansna bal olarak bir sre sonra diyodun anoduna negatif alternans
uygulanacaktr. Dolaysyla giri iaretinin negatif alternansnda diyot yaltmdadr.
nk diyot ters ynde polarmalanmtr. zerinden akm akmasna izin vermez. Ak
devredir. RL direnci zerinden alnan k iareti 0V olur. Bu durum ekil-2.5.b zerinde
gsterilmitir.
Diyot kesimde
+
V k
tla
V Giri
I=0A
12Vrms
50Hz
RL
no
ekil-2.5.b Giri iaretinin negatif alternansnda devrenin almas
.e
em
de
rs
Yarm dalga dorultma devresinin knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil2.6da ayrntl olarak verilmitir. Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan
iaret artk AC bir iaret deildir. nk k iareti, negatif alternanslar iermez.
Dorultma kndan sadece pozitif saykllar alnmaktadr. k iareti bu nedenle DC
iarete de benzememektedir dalgaldr. Bu durum istenmez. Gerekte dorultma
kndan tam bir DC veya DC gerilime yakn bir iaret alnmaldr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V
VTepe
ekil-2.6 Yarm dalga dorultma devresinin k dalga biimleri
Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan iaretin DC deeri nemlidir. Bu

deeri lmek iin k ykne (RL) paralel bir DC voltmetre baladmzda ekil2.6daki iaretin ortalama deerini leriz. Yarm dalga dorultma devresinin giriine
uyguladmz iaret 12Vrms deerine sahipti. Bu iaretin tepe deeri ise;
VTepe = 2 12V 17V

civarndadr. O halde k iaretinin alaca dalga biimi ve ortalama deeri ekil-2.7
zerinde gsterelim.
V
VTepe
Vort =VDC
0
t
T
ekil-2.7 Yarm dalga dorultma devresinde k iaretinin ortalama deeri
33
Tam bir periyot iin k iaretinin ortalama deeri;

VOrt = V DC =
Vt 17V
=
= 5.4 volt
3.14
tla
ri.
olarak bulunur. Yukarda belirtilen deerler gerekte ideal bir diyot iindir. Pratikte
1N4007 tip kodlu silisyum bir diyot kullandmz dnelim. Bu durumda k
iaretinin dalga biimi ve alaca deerleri bulalm.
V F =0.7v
+
VGiri
t
12Vrms
50Hz
no
VTt =17-0.7
RL
V DC=5.19
0
rs
ekil-2.8 Pratik Yarm Dalga dorultma devresi

k iaretinin alaca tepe deer;
de
VTepe=17V-0.7V=16.3Volt
Dolays ile ka balanacak DC voltmetrede okunacak ortalama deer (veya DC

deer);
em
VOrt = V DC =
Vt 16.3V
=
= 5.19 volt
3.14
olarak elde edilir.
TAM DALGA DORULTMA
.e
2.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Basit ve ekonomik DC g kaynaklarnn yapmnda yarmdalga dorultma devreleri

kullanlr. Profesyonel ve kaliteli DC g kaynaklarnn yapmnda ise tam dalga
dorultma devreleri kullanlr. Tam dalga dorultma devresi knda dc gerilime
daha yakn bir deer alnr. Tam dalga dorultma devreleri; orta ulu ve kpr tipi
olmak zere iki ayr tipte tasarlanabilir.
Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde
edeceksiniz.
Yarmdalga dorultma ile tam dalga dorultma arasndaki farklar.

Tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin analizi
Orta ulu tamdalga dorultma devresinin analizi
Kpr tipi tamdalga dorultma devresinin analizi
34
ri.
Bir nceki blmde yarm dalga dorultma devresini incelemitik. Yarm dalga
dorultma devresinde ehir ebekesinden alnan sinsoydal iaretin sadece tek bir
alternansnda dorultma ilemi yaplyor, dier alternans ise kullanlmyordu.
Dolaysyla yarmdalga dorultmacn kndan alnan gerilimin ortalama deeri
olduka kktr. Bu ekonomik bir zm deildir.
Vt
Vt
0
t Vgiri
TAMDALGA
DORULTMA
DEVRES
Vk
V
Vk
de
Vt
YARIMDALGA
DORULTMA
DEVRES
no
Vt
t Vgiri
rs
tla
Tamdalga dorultma devresinde ise dorultma ilemi, ebekenin her iki alternansnda
gerekletirilir. Dolaysyla k gerilimi daha byk deerdedir ve DCye daha
yakndr. Bu durum ekil-2.9 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
ekil-2.9 Yarm dalga ve tamdalga dorultma devresinde k dalga biimleri
em
Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin alaca DC deer aadaki forml

yardmyla bulunur.
VOrtalama = VDC =
2Vt
.e
rnein tamdalga dorultma giriine 17V tepe deerine sahip sinsoydal bir iaret
uygulanmsa bu durumda k iaretinin alaca deer;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VOrtalama = V DC =
2 (17V )
= 10.8 volt
3.14
olarak elde edilir. Bu durum bize tamdalga dorultma devresinin daha avantajl
olduunu kantlar.
Tamdalga Dorultma Devresi

Tamdalga dorultma devresi ekil-2.10da grlmektedir. Bu devre, orta ulu bir
transformatr ve 2 adet diyot ile gerekletirilmitir. Transformatrn primer sarglarna
uygulanan ebeke gerilimi, transformatrn sekonder sarglarnda tekrar elde edilmitir.
Sekenderde elde edilen geriliminin deeri transformatr dntrme oranna baldr.
Transformatrn sekonder sargs ekilde grld gibi uludur ve orta ucu referans
olarak alnmtr. Sekonder sargsnn orta ucu referans (ase) olarak alndnda
sekonder sarglar zerinde oluan gerilimin dalga biimleri ve ynleri ekil-2.10
zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
35
VIKI
Vsek/2
RL
_
t
Vsek/2
no
tla
D2
ri.
D1
Vgiri
ekil-2.10 Orta ulu tamdalga dorultma devresi
rs
Orta ulu tamdalga dorultma devresinin incelenmesi iin en iyi yntem ebeke
geriliminin her bir alternans iin devreyi analiz etmektir. Orta u referans olarak
alnrsa, sekonder gerilimi iki ayr deere (Vsek/2) dntrlmtr. rnein; Vgiri
iaretinin pozitif alternansnda, transformatrn sekonder sargsnn st ucunda pozitif
bir gerilim oluacaktr.
em
de
Bu durumda, D1 diyodu doru polarmalandrlm olur. Akm devresini; trafonun st

ucu, D1 diyodu ve RL yk direnci zerinden transformatrn orta ucunda tamamlar. RL
yk direnci zerinde ekil-2.11de belirtilen ynde pozitif alternans oluur. Akm yn
ve akmn izledii yol ekil zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
+
D1
.e
VIKI
Vgiri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RL
_
t
D2
kesim
ekil-2.11 Pozitif alternansta devrenin almas ve akm yolu

ebekenin negatif alernansnda; transformatrn sekonder sarglarnda oluan gerilim
dm bir nceki durumun tam tersidir. Bu durumda aseye gre; sekonder
sarglarnn st ucunda negatif alternans, alt ucunda ise pozitif alternans oluur. Bu
durum ekil-2.12 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. Bu durumda D2 diyodu iletken,
D1 diyodu ise yaltkandr. Akm devresini trafonun orta ucundan balayarak D2
zerinden ve RL yk zerinden geerek tamamlar. Yk zerinde ekil-2.12de belirtilen
dalga ekli oluur. Akm yolu ve gerilim dmleri ekil zerinde gsterilmitir.
36
D1
VIKI
kesim
Vgiri
RL
_
tla
ri.
D2
no
ekil-2.12 Negatif alternansta devrenin almas ve akm yolu
rs
Orta ulu tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin dalga biimini
tekrar ele alp inceleyelim. Devrede kullanlan transformatrn sekonder sarglarnn
2x12Vrms deere sahip olduunu kabul edelim. Bu durumda transformatrn sekonder
sargsnda elde edilen iaretin tepe deeri;
VTepe = 2 V rms 1.41 12V = 17 volt
em
de
olur. Devrede kullanlan diyotlar ideal olamaz. Silisyum diyot kullanlacaktr. Bu

nedenle diyot zerinde 0.7V gerilim dm meydana gelir. Bu durumda RL yk direnci
zerinde den k geriliminin tepe deeri;
VTepe = 17V 0.7 = 16.3 volt
.e
olacaktr. kta elde edilen iaretin DC deeri ise devreye bir DC voltmetre balanarak
llebilir. Bu deer k iaretinin ortalama deeridir ve aadaki formlle bulunur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VOrtalama =
2(VTepe V D )
2(17 0.7)
= 10.3 volt
3.14
k iaretinin dalga biimi ve zellikleri ekil-2.13 zerinde gsterilmitir.

V k
VTepe =16.3V
VOrt =10.3V
t
ekil-2.13 k dalga biiminin analizi
Kpr Tipi Tamdalga Dorultma

Tamdalga dorultma devresi tasarmnda dier bir alternatif ise kpr tipi tamdalga
dorultma devresidir. Kpr tipi tamdalga dorultma devresi 4 adet diyot kullanlarak
gerekletirilir. ehir ebekesinden alnan 220Vrms/50Hz deere sahip sinsoydal
gerilim bir transformatr kullanlarak istenilen deere dntrlr.
Transformatrn sekonderinden alnan gerilim dorultularak ktaki yk (RL) zerine
aktarlr. Dorultma ileminin nasl yapld ekil-2.14 ve ekil-2.15 yardmyla
37
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vgiri
D3
D2
V k
D4
no
D1
tla
ri.
anlatlacaktr. ehir ebekesinin pozitif alternansnda; transformatrn sekonder

sargsnn st ucunda pozitif alternans oluur. D1 ve D2 diyodu doru ynde
polarmaland iin akm devresini D1 diyodu, RL yk direnci ve D2 diyodundan geerek
transformatrn alt ucunda tamamlar. RL yk direnci zerinde pozitif alternans oluur.
Bu durum ve akm yn ekil-2.14de ayrntl olarak gsterilmitir.
+
RL
t
rs
ekil-2.14 Pozitif alternansta tamdalga dorultma devresinin davran
em
de
ebekenin negatif alternansnda; bu defa transformatrn alt ucuna pozitif alternans

oluacaktr. Bu durumda D3 ve D4 diyotlar doru ynde polarmalanr ve iletime
geerler. Akm devresini; D4 diyodu, RL yk direnci ve D3 diyodu zerinden geerek
transformatrn st ucunda tamamlar ve RL yk direnci zerinde pozitif alternans
oluur. Bu durum ayrntl olarak ekil-2.15 zerinde gsterilmitir.
D3
D1
Vk
D2
D4
RL
_
.e
Vgiri
ekil-2.15 Negatif alternansta tamdalga dorultma devresinin davran

Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin ald DC deer hesaplanmaldr.
rnein transformatrn sekonder gerilimi 12Vrms (etkin) deere sahip ise bu gerilimin
tepe deeri;
VTepe = 2 Vrms 1.41 12V = 17 volt
deerine eit olur. Dorultma ileminde tek bir alternans iin iki adet diyot iletken
olduunda diyotlar zerinde den ngerilimler dikkate alndnda RL yk direnci
zerinde oluan k gerilimin tepe deeri;
38
VCikis (Tepe ) = VTepe (V D1 + V D 2 )
Vikis (Tepe) = 17 (0.7 + 0.7) = 15.4 volt
2Vikis (Tepe )
2(15.4)
= 9.8 volt
3.14
tla
VOrtalama = V DC =
ri.
deerine sahip olur. Bu durum ekil-2.16 zerinde gsterilmitir. Tamdalga dorultma

devresinde k iaretinin alaca ortalama veya DC deeri ise;
Vk
no
V TE P E=15.4V
VORT=10.3V
0V
DORULTMA FLTRELER
de
2.3
rs
ekil-2.16 Kpr tipi tamdalga dorultma devresinde k iaretinin analizi
.e
em
Yarmdalga ve tamdalga dorultma devrelerinin klarndan alnan dorultmu

sinyal ideal bir DC sinyalden ok uzaktr. Dorultucu devrelerin kndan alnan bu
sinyal, darbelidir ve bir ok ac bileen barndrr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Elektronik devre elemanlarnn tasarmnda ve gnlk hayatta kullandmz DC

sinyal ise ideal veya ideale yakn olmaldr. AC bileenler ve darbeler
barndrmamaldr. ehir ebekesinden elde edilen dorultulmu sinyal eitli filtre
devreleri kullanlarak ideal bir DC gerilim haline dntrlebilir.
En ideal filtreleme elemanlar kondansatr ve bobinlerdir. Bu blmde bitirdiinizde
aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz.
Filtre ileminin nemi ve amalarn,

Kondansatr (C) ile gerekletirilen kapasitif filtre ilemini
Rpl gerilimini ve rpl faktrn
LC filtre
ve T tipi filtreler
DC G kayna tasarm ve yapmnda genellikle 50Hz frekansa sahip ehir ebeke

geriliminden yararlanlr. Bu gerilim tamdalga dorultma devreleri yardmyla
dorultulur. Dorultma kndan alnan gerilim ideal bir DC gerilim olmaktan uzaktr.
eitli darbeler barndrr ve 100Hzlik bir frekansa sahiptir. Bu durum ekil-2.17de
ayrntl olarak gsterilmitir.
39
Kaplan
V
t
tla
ekil-2.17 Dorultma Devrelerinde Filtre ilemi
rs
Kapasitif Filtre
no
Dorultma kndan alnan gerilim, byk bir dalgalanmaya sahiptir ve tam bir DC
gerilimden uzaktr. Filtre knda ise dalgalanma oran olduka azaltlmtr. Elde
edilen iaret DC gerilime ok yakndr. Filtre knda kk de olsa bir takm
dalgalanmalar vardr. Bu dalgalanma Rpl olarak adlandrlr. Kaliteli bir dorultma
devresinde rpl faktrnn minimum deere drlmesi gerekmektedir.
de
Dorultma devrelerinde filtrelemenin nemi ve ilevi hakknda yeterli bilgiye ulatk.

Filtreleme ilemi iin genellikle kondansatr veya bobin gibi pasif devre elemanlarndan
faydalanlr. Dorultma devrelerinde, filtreleme ilemi iin en ok kullanlan yntem
kapasitif filtre devresidir. Bu filtre ileminde kondansatrlerden yararlanlr.
.e
em
Kapasitif filtre ileminin nasl gerekletirildii bir yarm dalga dorultma devresi
zerinde ekil-2.18 yardmyla ayrntl olarak incelenmitir. Kondansatr ile
gerekletirilen filtre ilemi ekil-2.18de ayrntl olarak gsterilmitir. Sisteme enerji
verildiinde nce pozitif alternansn geldiini varsayalm. Bu anda diyot doru
polarmaland iin iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. Pozitif alternansn
ilk yars yk zerinde oluur. Devredeki kondansatrde ayn anda pozitif alternansn ilk
yar deerine arj olmutur. Bu durum ekil-2.18.a zerinde gsterilmitir.
VT(giri)
VT(giri)-0.7V
+
0V
Vgiri
+
-
Filtre
Devresi
ri.
Tamdalga
Dorultma
Devresi
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC
RL
0V
t0
ekil-2.18.a Poizitif alternansta diyot iletken, kondansatr belirtilen ynde arj oluyor
40
Vgiri
VC
RL
ri.
0V
0V
t0
t1
tla
ekil-2.18.b Negatif alternansnda diyot yaltkan, kondansatr RL yk zerine dearj oluyor.

_
no
t0
t1
t2
Vgiri
+
VC
RL
0V
t0
t1
t2
de
rs
0V
ekil-2.18.c Yk zerinde grlen k iaretinin dalga biimi
.e
em
Pozitif alternansn ikinci yars olumaya baladnda diyot yaltmdadr. Diyotun

katodu anaduna nazaran daha pozitiftir. nk kondansatr giri geriliminin tepe
deerine arj olmutur. Kondansatr arj gerilimini ekil-2.18.bde belirtildii gibi yk
zerine boaltr. ebekeden negatif alternans geldiinde ise diyot ters polarma olduu
iin yaltmdadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kondansatrn dearj ehir ebekesinin negatif alternans boyunca devam eder.

ebekenin pozitif alternans tekrar geldiinde bir nceki admda anlatlan ilemler
devam eder. Sonuta k yk zerinde oluan iaret DCye olduka yakndr.
k iaretindeki dalgalanmaya rpl denildiini belirtmitik. DC g kaynaklarnda

rpl faktrnn minimum dzeyde olmas istenir. Bu amala filtreleme ilemi iyi
yaplmaldr. Kondansatrle yaplan filtrreleme ileminde kondansatrn kapasitesi
byk nem tar. ekil-2.19de filtreleme kondansatrnn k iaretine etkisi ayrntl
olarak gsterilmitir.
0V
Byk kapasiteli C
Kk kapasiteli C
ekil-2.19 Filtre kondansatr deerlerinin k iareti zerinde etkileri

Filtreleme ileminin tamdalga dorultma devresinde daha ideal sonular verecei
aktr. ekil-2.20de ise tamdalga dorultma devresinde gerekletirilen kapasitif
filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi verilmitir.
41
rpl
ri.
rpl
ekil-2.20 Tamdalga dorultma devresinde kapasitif filtreleme ilemi ve rpl etkileri
VDC
no
tla
Filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi bir miktar dalgalanma
iermektedir. Bu dalgalanmaya rpl ad verildiini daha nce belirtmitik. Filtrelemenin
kalitesini ise rpl faktr=rp belirlenmektedir. Rpl faktr yzde olarak ifade edilir.
Rpl faktrnn hesaplanmasnda ekil-2.21den yararlanlacaktr.
} Vr(t-t)
rs
ekil-2.21 Tamdalga dorultmata rpl faktrnn bulunmas

Vr
V DC
de
Rpl faktr= Rf =
em
Formlde kullanlan Vr ifadesi; filtre kndan alnan geriliminin tepeden tepeye

dalgalanma miktardr. VDC ise filtre kndan alnan gerilimin ortalama deeridir.
knda yeterli byklkte kapasitif filtre tamdalga dorultma devresinde bu iki
gerilim iin aadaki tanmlamalar.
.e
Tamdalga dorultma devresi iin filtre kndaki dalgalanma miktar Vr, dorultma
kndan alnan ve filtreye uygulanan giri iareti tepe deerinin (VT) maksimum %10u
kadar ve bu snrlar ierisinde ise, Vr ve VDC deerleri aadaki gibi formle edilebilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1
VT (in )
V r =
f RL C
1
VT (in )
V DC = 1
2 f RL C
Formlde kullanlan f deerleri frekans deerini belirtmektedir. Bir tamdalga

dorultma devresinde k iaretinin frekansnn 100Hz, yarm dalga dorultma
devresinde ise 50Hz olduu unutulmamaldr. ekil-2.22de yarmdalga ve tamdalga
dorultma devresi klarnda elde edilen filtresiz iaretlerin dalga biimleri ve ehir
ebekesine bal olarak peryot ve frekanslar tekrar hatrlatlmtr.
42
Yarm dalga dorutma devresinde k iaretinin frekans
T = 20ms
0
1 1
f YD = =
= 50 Hz
T 20ms
ri.
TYD
Tam dalga dorutma devresinde k iaretinin frekans
tla
1
T
= 2 f YD
f TD = YD = 2
2
TYD
f TD = 2 50 Hz = 100 Hz
T TD
Aada verilen tamdalga dorultma devresinin analizini yapnz?

D4
D2
24Vrms
50Hz
de
em
D1
220Vrms
50Hz
rs
rnek:
2.1
no
ekil-2.22 Yarmdalga ve tamdalga dorultma devrelerinde k iaretinin frekanslar
D3
C
47 F
RL
1K
nce transformatrn sekonder geriliminin tepe deerini bulalm.
zm
VT ( sek ) = (1.414) (24V ) = 34V
.e
Dorultma knda elde edilen dorultulmu gerilimin deerini bulalm;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VT (in ) = (34V 1.4V ) = 32.6V
Filtre kndan elde edilecek k gerilimi deerini bulalm.
1
VT (in )
V DC = 1
2 f RL C
1
32.6V
V DC = 1
2 100 Hz 1K 47 F
V DC = (1 0.10) 32.6V
V DC = 29.3V
Devre kndan alnan iaretin tepeden tepeye rpl gerilimi Vr;
1
VT (in )
V r =
f RL C
43
1
32.6V
Vr =
100
Hz
1
K
47
ri.
Vr = (0.21) 32.6V = 6.9V

k geriliminin rpl faktrn bulalm.
Vr
V DC
Rf =
6.9
29.3
tla
Rf =
no
Rf=0.23
Rpl faktr genellikle yzde olarak ifade edilir.
D2
RA NI
.e
D4
F
Sigorta
VT ( sek ) 1.4V
R ANI =
IF
D1
em
de
rs
knda kapasitif filtre kullanlan bir dorultma devresi ekil-2.23de verilmitir. Bu

devrede S anahtar kapatld anda; filtre kandansatr ilk anda yksz (bo) olduu
iin ksa devre etkisi gstererek ar akm eker. Dolaysyla devreyi korumak amac ile
kullanlan sigorta (F) atabilir. Ayrca diyotlar zerinden geici bir an iinde olsa yksek
akm geer. Devrenin ilk alnda oluan ar akm etkisini minimuma indirmek iin
genellikle bir akm snrlama direnci kullanlr. Bu diren ekil zerinde RANI olarak
tanmlanmtr. Ar akm etkisini minimuma indirmek iin kullanlan RANI direncinin
deeri nemlidir. Bu diren diyot zerinden geecek tepe akm deerini snrlamaldr.
Uygulamalarda bu diren zerinde bir miktar g harcamas olaca dikkate alnmaldr.
D3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C
47F
RL
1K
ekil-2.23 Tamdalga dorultma devresinde ar akmn nlenmesi
LC Filtre
Dorultma devrelerinde rpl faktrn minimuma indirmek iin bir dier alternatif
bobin ve kondansatrden oluan LC filtre devresi kullanmaktr. ekil-2.22de LC filtre
devresi grlmektedir.
L
AC
Giri
Tamdalga
Dorultma
LC
Filtre
ekil-2.24 Tamdalga dorultma devresinde LC filtre
44
RL
Bu filtre devresinde bobinin endktif reaktans (XL) ve kondansatrn kapasitif

reaktansndan (XC) yararlanlarak filtre ilemi gerekletirilir. Byle bir filtre devresinde
giri ve k iaretlerinin dalga biimleri ekil-2.25 zerinde gsterilmitir. k
geriliminin alaca deer ve dalgallk miktar aada formle edilmitir.
V
r (in )
ri.
XC
Vr ( out ) =
X X
C
L
XL
tla
Dorultma
Devresi
AC
Giri
Vr(in)
XC
Vr(out)
no
ekil-2.25 Tamdalga dorultma devresinde LC filtre
ve T Tipi Filt re
de
rs
LC tipi filtre devreleri gelitirilerek ok daha kaliteli filtre devreleri oluturulmutur.

ve T tipi filtreler bu uygulamalara iyi bir rnektir. Rpl faktrnn minimuma
indirilmesi gereken ok kaliteli dorultma klarnda bu tip filtreler kullanlabilir.
ekil-2.23de ve T tipi filtre devreleri verilmitir.
L
V giri
Vk
V giri
L1
C2
L2
Vk
C1
T - tipi filtre
? - tipi filtre
ekil-2.23 ve T tipi filtre devreleri
.e
em
C1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
2.4
KIRPICI DYOT DEVRELER
Elektronik biliminin temel ilevi, elektriksel sinyalleri kontrol etmek ve ihtiyaca gre
ilemektir. Pek ok cihaz tasarmnda elektriksel bir iareti istenilen seviyede krpmak
veya snrlandrmak gerekebilir. Belirli bir sinyali krpma veya snrlama ilemi iin
genellikle diyotlardan yararlanlr. Bu blmde krpc (Limiting) diyot devrelerini
Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde
edeceksiniz.
Krpc diyot devrelerinin zellikleri ve ilevleri.
Polarmal krpc devrelerin zellikleri ve analizi
45
Krpc Devreler
ri.
Krpc devreler, giriine uygulanan iaretin bir ksmn kana aktarp, dier bir ksmn
ise krpan devrelerdir. rnein ekil-2.24de grlen devrede giri iaretinin pozitif
alternans krplp atlm, ka sadece negatif alternans verilmitir.
tla
Devrenin almasn ksaca anlatalm. Giri iaretinin pozitif alternansnda diyot doru
ynde polarmalanr. nk; anaduna +VT gerilimi, katoduna ise ase (0V)
uygulanmtr. Diyot iletimdedir. Diyot zerinde 0.7V n gerilim grlr. Bu gerilim,
diyoda paralel balanm RL yk direnci zerinden alnr.
no
Giri iaretinin negatif alternansnda ise diyot ters ynde polarmalanmtr. Dolaysyla
kesimdedir. Negatif alternans olduu gibi RL yk direnci zerinde grlr. Bu durum
ekil-2.24de ayrntl olarak gsterilmitir.
VT
V giri
RL
Vk
+0.7V
de
-VT
rs
R1
em
ekil-2.24 Pozitif krpc devre ve k dalga biimi
.e
Giri iaretinin sadece negatif alternansnn krpld, negatif krpc devre ekil-2.25de
grlmektedir. Bu devrede; giri iaretinin negatif alternans krplm, ktan sadece
pozitif alternans alnmtr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Devrenin almasn ksaca aklayalm. Giri iaretinin pozitif alternansnda, diyot ters
ynde polarmalanmtr. Dolaysyla kesimdedir. Giriteki pozitif alternans RL yk
direnci zerinde olduu gibi elde edilir. Giri iaretinin negatif alternansnda ise diyot
iletimdedir. zerinde sadece 0.7V diyot n gerilimi elde edilir. Bu gerilim diyoda paralel
bal RL yk direnci zerindede oluacaktr.
R1
VT
V giri 0
RL
Vk
0
-0.7V
-VT
ekil-2.25 Negatif krpc devre
46
Her iki krpc devrede ktan alnan iaretin deerini belirlemede R1 ve RL direnleri
etkindir. k iaretinin alaca deer yaklak olarak;
RL
Vikis (Tepe) =
VGiri
R L + R1
tla
rnek:
2.2
ri.
forml ile elde edilir.
Aada verilen krpc devrenin analizini bir tam peryot iin yapnz?
20V
R1=220
no
RL
2.2K
-20V
rs
Giri iaretinin pozitif alternansnda diyot ak devredir. Dolaysyla kta RL yk

zerindeki gerilim dm;
em
de
RL
VT ( out ) =
VT (in )
R1 + R L
2 .2 K
VT ( out ) =
20V
100 + 2.2 K
VT ( out ) = 19.13V
.e
Negatif alternansta ise diyot iletkendir. Dolaysyla kta -0.7V grlr. Devrenin
giri ve k iaretlerinin dalga biimleri aada verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
20V
19.3V
0
-0.7V
-20V
Polarmal Krpclar
Pozitif veya negatif alternanslar krpan krpc devreleri ayrntl olarak inceledik. Dikkat
ederseniz krpma ilemi diyot ngerilimi hari bir tam periyot boyunca gerekleiyordu.
Bu blmde k iaretinin pozitif veya negatif alternanslarn istenilen veya belirtilen
bir seviyede krpan devreleri inceleyeceiz.
Giriinden uygulanan sinsoydal iaretin pozitif alternansn istenilen bir seviyede
krpan krpc devre ekil-2.26da grlmektedir. Devre giriine uygulanan sinsoydal
iaretin (Vg) pozitif alternans, VA geriliminin belirledii deere bal olarak
krplmaktadr.
47
R1
Vt
+
RL
VA
Vk
VA+0.7V
0
ri.
Vgiri
tla
-Vt
ekil-2.26 Polarmal pozitif krpc devre
rs
no
Devre analizini Vg geriliminin pozitif ve negatif alternanslar iin ayr ayr inceleyelim.
Giriten uygulanan iaretin pozitif alternans, diyodun katoduna bal VA deerine
ulaana kadar diyot yaltmdadr. nk diyodun katodu anaduna nazaran pozitiftir. Bu
durumda devre knda Vg gerilimi aynen grlr. Giriten uygulanan Vg geriliminin
pozitif alternans VA deerinden byk olduunda (Vg=0.7+VA) diyot doru ynde
polarmalanacaktr ve iletime geecektir. Diyot iletime getii anda VA gerilimi dorudan
ka aktarlacak ve RL yk zerinde grlecektir.
de
Giri iareti negatif alternansa ulatnda ise diyot devaml yaltmdadr. Dolaysyla VA
kayna devre ddr. RL yk zerinde negatif alternans olduu gibi grlr. Devrede
kullanlan R1 direnci akm snrlama amacyla konulmutur. zerinde oluan gerilim
dm kk olaca iin ihmal edilmitir. Diyot zerine den n gerilim (0.7V) diyot
ideal kabul edilerek ihmal edilmitir.
em
ekil-2.27de ise polarmal negatif krpc devre grlmektedir. Bu devre, giri iaretinin
negatif alternansn istenilen veya ayarlanan bir seviyede krpmaktadr.
.e
Giri iaretinin tm pozitif alternans boyunca devredeki diyot yaltkandr. nk ters

polarmalanr. Dolaysyla VA kayna devre ddr. ktaki RL yk zerinde tm
pozitif alternans olduu gibi grlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Giri iaretinin negatif alternans, diyodun anaduna uygulanan VA geriliminden daha

byk olana kadar diyot yaltma devam eder. Dolaysyla kta negatif alternans
grlmeye devam eder. Giri iaretinin negatif alternans VA gerilimi deerinden byk
olduunda (Vg=0.7+VA) diyot iletime geecektir. Diyot iletime getii anda kta VA
kayna grlr.
VT
Vgiri
R1
+
RL
VA
-VT
Vk
0
-VA-0.7V
ekil-2.27 Polarmal negatif krpc devre
48
R1
VT
Vgiri
tla
ri.
ekil-2.28deki devre ise, giri iaretinin pozitif seviyesini VA gerilimine bal olarak
snr-lamaktadr. Giri iareti, diyodun anaduna balanan VA deerine ulaana kadar
diyot iletimdedir. Bu durumda kta VA kayna grlr. Giriten uygulanan iaret VA
dee-rinden byk olduunda ise diyot ters polarma olarak yaltma gidecektir. Diyot
yaltm-da olduunda devre knda giri iareti aynen grlecektir. Dolaysyla giri
iaretinin tm negatif alternans boyunca diyot iletimde olduu iin kta VA kayna
grlecektir.
RL
VA
VA-0.7V
0
no
-VT
rs
ekil-2.28 Polarmal pozitif snrlayc devre
de
Giri iaretinin negatif seviyesini istenilen bir deerde snrlayan devre emas ekil2.29da verilmitir. Giri iaretinin tm pozitif alternans boyunca diyot doru
polarmalanr ve iletimdedir. kta VA kayna olduu gibi grlr.
em
Giri iaretinin negatif alternans, diyodun katoduna uygulanan VA geriliminden daha

negatif olduunda ise diyot yaltma gidecektir. Diyot yaltma gittiinde giri iareti
aynen kta grlecektir.
.e
R1
VT
Vgiri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+
RL
VA
-VT
-VA+0.7V
ekil-2.29 k dalga biiminin analizi

Krpc devreler, diyotlarn alma prensiplerinin anlalmas ve analizi iin olduka
nemlidir. Unutulmamaldr ki bir ok elektronik devre tasarmnda ve elektronik
cihazlarda DC ve AC iaretler i iedir ve birlikte ileme tabi tutulurlar. Dolaysyla
herhangi bir sinyalin ilenmesinde diyodun ilevi nem kazanr.
Krpc devreler, seri ve paralel olarakta tasarlanabilir. Bu blmde seri ve paralel krpc
devreler srayla verilmitir.
R1
+
Vg
+
V
R1
Vg
5V
+
5V
49
5+0.7V
R1
R1
Vg
Vg
5V
5V
R1
tla
+
V
Vg
R1
em
R1
Vg
5V
-5+0.7V
ekil-2.30 Paralel ve seri krpc diyot devreleri
GERLM KENETLEYCLER
.e
5V
5V
2.5
de
Vg
rs
no
5V
5-0.7V
R1
Vg
-5-0.7V
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Gerilim kenetleyiciler; girilerinden uygulanan bir iaretin alt veya st seviyesini, istenilen
sabit bir gerilime kenetlemek veya tutmak amac ile tasarlanmlardr.
Kenetleme devreleri; pozitif veya negatif kenetleme olmak zere ikiye ayrlrlar. Pozitif
kenetlemede, giriten uygulanan iaretin en alt seviyesi sfr referans noktasnda
kenetlenir. Negatif kenetlemede ileminde ise, giriten uygulanan iaretin en st seviyesi
sfr referans noktasna kenetlenir.
Bu blmde; pozitif ve negatif kenetleme ilemlerinin nasl gerekletirildii
incelenecektir.
Gerilim kenetleme ilemi gerekte, bir iaretin dc seviyesini dzenleme ilemidir.
Kenetleme pozitif ve negatif kenetleme olmak zere iki temelde yaplabilir. Pozitif ve
negatif gerilim kenetleme ilemi ekil-2.31de grsel olarak verilmitir.
50
+2V
k
areti
+V
t
Pozitif
Kenetleyici
Devre
0
-V
-V
k
areti
Giri
areti
-2V
tla
Giri
areti
Negatif
Kenetleyici
Devre
ri.
+V
no
ekil-2.31 Pozitif ve negatif gerilim kenetleme ilemi

Pozitif kenetleyici devre giriine uygulanan iaret, +V ve V seviyelerinde salnmaktadr.
Kenetleyici knda ise bu iaret 0V referans seviyesine kenetlenmitir. Yaplan bu ilem
sonucunda giri iaretinin, negatif seviyesi kaydrlmtr. ktan alnan iaret artk 0V
ile +2V deerleri arasnda salnmaktadr.
de
rs
Negatif kenetleyici devre giriine uygulanan iaret de ayn ekilde, +V ve V

seviyelerinde salnmaktadr. Kenetleyici knda bu iaret 0V referans seviyesine
kenetlenmitir. Bu ilem sonucunda giri iaretinin, pozitif seviyesi 0V referans alnarak
kaydrlmtr. ktan alnan iaret artk 0V ile 2V deerleri arasnda salnmaktadr.
Pozitif ve negatif gerilim kenetleyici devreleri ayr ayr inceleyelim.
Pozitif Gerilim Kenetleyici
em
ekil-2.32de pozitif gerilim kenetleyici devre grlmektedir. Bu devre bir diyot, bir
kondansatr ve diren kullanarak gerekletirilmitir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
t
+
+
VC
Diyot
letimde
VC=VT-0.7V
RL
0.7V
RL
Vt
ekil-2.32 Pozitif gerilim kenetleyici devre

Kenetleme ileminin gereklemesi iin bu elemanlarn kullanlmas zorunludur.
Devrede kullanlan R ve C elemanlarnn deeri olduka nemlidir. Bu elemanlarn
zaman sabitesi (=RC) yeterince byk seilmelidir. Devrenin almasn ksaca
anlatalm.
Devre giriine uygulanan iaretin negatif alternasnn ilk yarm sayklnda; diyot doru
ynde polarmalanr ve iletkendir. Diyot ksa devre etkisi gstereceinden RL direncinin
etkisini ortadan kaldrr. Kondansatr, annda sarj olarak dolar. Kondansatr zerindeki
gerilim;
51
VC = VT (0.7V )
ri.
deerine eit olur. Bu gerilimin polaritesi; ekil zerinde belirtildii yndedir. Giri
iaretinin negatif alternansnda; kenetleyici knda (RL yk direnci zerinde) 0.7Vluk
diyot ngerilimi elde edilir. Bu durum ekil-2.32 zerinde gsterilmitir.
tla
Giri iaretinin pozitif yarm sayklnda ise diyot ak devredir. Devreden herhangi bir
akm akmaz. RL yk direnci zerinde ise; giri iareti ve kondansatr zerindeki
gerilimlerin toplam grlr. Devreye K.G. K uygulanrsa k gerilimi;
V RL = VC + VT
V RL = (Vt 0.7) + VT
no
V RL 2 VT (0.7)
de
rs
Devre giriine uygulanan ve +VT ve VT deerlerinde salnan giri iareti, kenetleyici

devre knda 0V veya 0.7V referans seviyesine kenetlenmitir. k iareti artk
yaklak olarak 0.7V ile +2VT deerleri arasnda salnmaktadr. Giri iaretinin negatif
tepe deeri, 0V (0.7V) referans seviyesine kenetlenmitir. Bu durum ekil-2.33de ayrntl
+VT
2VT-(0.7)
VC=VT-0.7V
Diyot
yaltmda
VT-(0.7)
RL
0
-0.7V
.e
em
-Vt
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-2.33 Pozitif gerilim kenetleyici ve k dalga biimleri
Negatif Gerilim Kenetleyici
Giri geriliminin st seviyesini, 0V referans noktasna kenetlemek iin negatif

kenetleyici kullanlr. Negatif kenetleyici devresinde diyot, kondansatr ve diren
elemanlar kullanlr. Kenetleme ilemi; bir diyot yardm ile kondansatrn arj ve
dearjndan yararlanlarak gerekletirilir. ekil-5.34de negatif kenetleyici devre
grlmektedir. Devre zerinde, kenetleyici giriine uygulanan iaret ve kndan alnan
kenetlenmi iaret gsterilmitir.
+VT
0
+0.7V
0
-VT+(0.7)
VC=-VT+0.7V
Diyot
iletimde
RL
-2VT+(0.7)
-VT
ekil-5.34 Negatif gerilim kenetleyici devre
52
Polarmal Kenetleyici
ri.
Polarmal kenetleyici; giriinden uygulanan iareti dc bir deer zerine bindirerek

kna aktarr. ekil-2.35de giriinden uygulanan sinsoydal gerilimi, VA ile
tanmlanan dc gerilim kaynana kenetleyen polarmal bir gerilim kenetleyici devresi
grlmektedir.
+
t
0
-Vm
t1
t2
Vi
VC=Vm-VA
VA
RL
100K
no
+Vm
tla
Vi
VA
RL
100K
rs
ekil-2.35 Polarmal kenetleyici devresi
em
de
Devrede giri gerilimi Vi, VA dc gerilim kaynandan byk olduunda (VmSinWt>VA)

diyot iletime geecektir. Diyot iletime getiinde devrenin edeeri ekilde gsterilmitir.
Giri gerilimi Vi, maksimum deere ulat anda (+Vm), K.G.K yazarsak;
Vm sin wt + VC + V A = 0V
.e
olur. Vc, kondansatr zerindeki arj gerilimidir. Kondansatr zerinde den gerilimi
hesaplarsak;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC = Vm sin wt V A
bulunur. Bu deerler nda RL yk direnci zerinde oluan k gerilimi; K.G.Kdan;

V RL = VC + Vm sin wt
olur. Kondansatr gerilimini (Vc=Vm sinwt-VA) eitlie yerletirirsek;
VRL = (Vm sin wt V A ) + Vm sin wt
deeri elde edilir. Burada; sinwt=sin900=1 e eittir. Eitlii yeniden dzenlersek;
VRL = (Vm 1 V A ) + Vm 1
VRL = Vm V A + Vm
VRL = +V A
deerine eit olur. Dolays ile giri iaretinin pozitif tepe deerinde; kenetleyici k VA
gerilim kaynann deerine eittir. nk RL yk direnci, VA kaynana paralel hale
gelir. Bu durum ekil-2.35de verilmitir.
53
Giri iaretinin negatif tepe (Vi=Vm sin 2700 t) deerinde ise diyot ters polarma olur ve
ak devredir. Kenetleyici devre ekil-2.36da grlen durumu alr.
VC=Vm-VA
0
t1
t2
100K
VA
VA
0
RL
-2Vm+VA
no
-Vm
Vi
tla
+Vm
ri.
ekil-2.36 Polarmal kenetleyici ve dalga biimleri
rs
Giri iaretinin negatif alternansnda devrenin matematiksel analizini yapalm. Diyot

yaltmdadr. Kondansatr zerindeki Vc gerilimi arj deerini korur.
Vc = Vm sin wt V A
de
RL yk direnci zerinde oluan k gerilimi; K.G.Kdan;

V RL = VC Vm sin wt
em
olur. Kondansatr gerilimini (VC=Vm sinwt-VA) eitlie yerletirirsek;

VRL = (Vm sin wt V A ) Vm sin wt
.e
deeri elde edilir. Burada; sinwt=sin2700=-1 e eittir. Eitlii yeniden dzenlersek;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
2.6
VRL = (Vm ( 1 ) V A ) Vm ( 1 )
VRL = 2Vm + V A
deeri elde edilir. Polarmal kenetleyici knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil2.36 zerinde gsterilmitir. Sonuta; devre giriinden uygulanan iaret, VA gerilimine
kenetlenmitir.
GERLM OKLAYICILAR
Gerilim oklayclar (voltage multipliers); giriinden uygulanan iareti istee bal
olarak birka kat ykseltip kna aktaran devrelerdir. Gerilim oklayclar; gerilim
kenetleyici ve dorultma devreleri birlikte kullanlarak tasarlanr.
Gerilim oklayc devreler; yksek gerilim alak akm gereksinilen yerlerde kullanlr. TV
alclar kullanm alanlarna rnek olarak verilebilir. Bu blm bitirdiinizde;
Yarmdalga ve tamdalga gerilim iftleyiciler
Gerilim leyiciler
Gerilim drtleyiciler
Hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
54
Gerilim iftleyici
ri.
Gerilim iftleyiciler (Voltage Doupling) girilerine uygulanan gerilim deerini, ikiye

katlayarak klarna aktaran elektronik dzeneklerdir. Gerilim iftleyicilerin girilerine
uygulanan gerilim, ac veya darbeli bir iaret olmaldr. Gerilim iftleyicilerin kndan ise
dorultulmu dc gerilim elde edilir. Gerilim iftleyici devrelerin klarndan yaplar gerei
srekli olarak byk akmlar ekilemez.
no
tla
Gerilim iftleyici tasarm, yarmdalga ve tamdalga zere iki tipde yaplabilir. ekil2.37de yarmdalga gerilim iftleyici devresi grlmektedir. Gerilim iftleyici devre;
gerilim kenetleyici ve yarmdalga dorultma devresinin birlikte kullanlmas ile
oluturulmutur. Bu durum ekil-2.37 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
Gerilim Kenetleyici
Vi
T
+
t
+2Vm
D1
Vo
C2
t2
de
-Vm
Vi
Vo
D2
rs
0
t1
Yarmdalga Dorultma
C1
+Vm
ekil-2.37 Yarmdalga gerilim iftleyici devre
em
Devrenin almasn daha iyi anlayabilmek iin her bir devre blounun ilevleri, dalga
ekilleri zerinde ekil-2.38 zerinde gsterilmitir.
.e
+Vm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
T
+2Vm
-Vm
Vm
0
a) Giri areti
+2Vm
b) Kenetleyici k
0
c) Dorultucu k
ekil-2.38 Yarmdalga gerilim iftleyici devrenin dalga biimleri

Yarmdalga gerilim iftleyici devresinin nasl alt ekil-2.39 zerinde grafiksel olarak
analiz edilmitir. Giri iaretinin (Vi) pozitif yarm sayklnda; D1 diyodu iletkendir. C1
kondansatr ekilde belirtilen ynde D1 zerinden, Vc=Vm-0.7V deerine arj olur. D2
ise bu anda ters polarma olduundan yaltmdadr. Dolays ile k gerilimi 0V dur.
55
Vc=Vm-0.7
Vi
+
D1
letimde
Vi
C2
C1
D2 letimde
D1
C2
Kesimde
Vi
Vc=2Vm
b) Vi negatif alternans
tla
a) Vi pozitif alternans
ekil-2.39 Yarmdalga gerilim iftleyici devresinin grafiksel analizi
no
Giri iareti Vinin negatif alternansnda ise; D1 diyodu ters polarmalandndan

yaltmdadr. D2 diyodu ise iletkendir. C2 kondansatr Vinin maksimum deerine D2
zerinden arj olur. C1 kondansatr ters polaritede dolu olduu iin boalamaz. k
iareti C2 kondansatr zerinden alnabilir. C2 zerindeki gerilim ise; K.G.Kdan;
rs
VC 1 VC 2 + Vm = 0
VC 2 = VC 2 + Vm = 0
de
VC2 zerinde, giri iaretinin maksimum deeri olduundan VC2=Vmdir. Dolaysyla

kta C2 kondansatr zerinden alnan gerilim, giri gerilimi tepe deerinin 2 katdr.
VC 2 = V0 = Vm + Vm
VC 2 = V0 = 2Vm
Not: Devre analizinde diyotlar zerine den ngerilimler (0.7V) ihmal edilmitir.
em
Gerilim kenetleyici tasarmnda bir dier alternatif ise Tamdalga gerilim iftleyici
devresidir. ekil-2.40da tamdalga gerilim iftleyici devresi grlmektedir.
D1 letimde
D1 Kesimde
.e
Vi
D2 Kesimde
ri.
Vi
C1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vi
+
C1
+
C1
Vm
Vm
+
2Vm
+
C2
C2
D2 Kesimde
D2 letimde
Vm
ekil-2.40 Tamdalga gerilim iftleyici
Transformatrn sekonderinde pozitif alternans olutuunda D1 diyodu doru ynde

polarmalanr ve iletime geer. D2 diyodu ise kesimdedir. D1 diyodu iletimde olduunda;
C1 kondansatr giri iaretinin maksimum deerine ekilde belirtilen ynde arj olur.
56
ri.
Transformatrn sekonderinde negatif alternans olutuunda ise D2 diyodu doru

ynde polarmalanr ve iletime geer. D1 diyodu ise kesimdedir. D2 diyodu iletimde
olduunda; C2 kondansatr giri iaretinin maksimum deerine (Vm) ekilde belirtilen
ynde arj olur. Gerilim iftleyici devre kndan C1 ve C2 kondansatrlerinde oluan
gerilimlerin toplam alnr. Dolaysyla k iareti;
V0 = +VC 1 + VC 2
V0 = +Vm + Vm
V0 = 2 Vm
tla
olarak alnr.
Gerilim leyici
de
rs
no
Tipik bir gerilim leyici devresi ekil-2.31de verilmitir. Bu devrenin kndan alnan
iaret, giri iaretinin tepe deerinin yaklak 3 katdr. Devre ilk negatif yarm sayklda
gerilim iftleyici gibi alr. C1 zerinde ekilde belirtilen ynde giri iaretinin tepe
deeri (VT) grlr. C2 zerinde ise giri iaretinin yaklak 2 kat (2VT) grlr. Sonraki
negatif sayklda ise D3 diyodu doru ynde polarmalanr. letkendir. C3, 2VT deerine
belirtilen ynde arj olur. Gerilim leyici kndan C1 ve C2 zerinde oluan gerilimler
toplam 3VT alnr.
leyici k= 3V T
VT
+
C1
em
.e
2V T
+
C3
D2
D1
Vg
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
D3
C2
_
2V T
ekil-2.31 Gerilim leyici devre
Gerilim Drtleyici
Tipik bir gerilim drtleyici devre ekil-2.32de verilmitir. Bu devrenin kndan alnan
iaret, giri iaretinin tepe deerinin yaklak 4 katdr. Devre ilk 3 negatif yarm saykl
sresinde gerilim leyici gibi alr. C1 kondansatr zerinde ekilde belirtilen ynde
giri iaretinin tepe deeri grlr. Devredeki dier tm kondansatrler ise 2VT deerine
arj olur. Devre dikkatlice incelenirse her bir negatif alternansta diyotlarn srayla iletken
olaca dolays ile kondansatrlerin dolaca grlr.
_
VT
2VT
+
C1
Vg
C3
D2
D1
D3
D4
C4
C2
_
+
2VT
Drtleyici k= 4VT
ekil-2.32 Gerilim drtleyici devre
57
+
2VT
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
k iareti C2 ve C4 kondansatrleri zerinden alnmtr. Dolays ile bu kondansatrler

zerinde oluan gerilimler toplam;
ri.
V=(2VT) + (2VT)
V=4VT
DYOT VER SAYFALARI
no
2.7
tla
Deerine eit olur. Gerilim oklayclarn klarndan srekli yksek akm ekilmesi
mmkn deildir. Anlk yksek gerilim temininde kullanlabilir.
de
rs
Uluslaras yariletken retecisi pek ok firma farkl zelliklere sahip yzlerce tip diyot
retimi yaparlar. retilen her bir diyot belirli standartlara gre kodlanp tketicinin
kullanmna sunulur. retici firmalar; rettikleri her bir diyot tipinin eitli
zelliklerini ve karakteristiklerin veri kitapklar (data book) halinde kullancya
sunarlar. Devre tasarmlarnda kullanlacak diyot seimi, bu verilerden yararlanlarak
seilir. Veri kitapklarnda aada belirtilen zellikler hakknda kullancya ayrntl
bilgiler verilmektedir.
Bu blmde sizlere rnek olarak seilmi baz diyotlarn veri sayfalar ve
karakteristikleri verilecektir. Bu blm bitirdiinizde;
alma akm ve geriliminin maksimum deerleri
Elektriksel karakteristikleri
alma karakteristiklerinin grafiksel analizi
em
retici firmalar, rettikleri devre elemanlarnn iin genelde iki tr tantm yntemi
izlerler. Ksa tantmda elemannn ok ksa bir tantm ve genel zellikleri verilir.
Ayrntl tantmda ise elemanla ilgili ayrntl aklamalar, elektriksel grafikler,
uygulama notlar v.b zel bilgiler yer alr.
Veri tablosunda reticilerin kulland sembollere sadk kalnmtr. Sembollerle ilgili
gerekli aklamalar tablo sonunda verilmitir. Pek ok retici veri kitapklarnda bu
sembol tanmlarna uymaktadr.
.e
hakknda gerekli bilgileri edineceksiniz.
58
Tablo-1.1 Baz silisyum dorultma diyotlarnn karakteristikleri

:
Peak repertitive reverse

voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
VRRM
VRWM
VR
ri.
SEMBO 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 BR

L
1
2
3
4
5
6
7
M
AIKLAMA
50
tla
VRRM
200
400
600
800
1000
60
120
240
480
720
1000
1200
RMS reverse voltage
VR(rms)
35
70
140
280
420
560
700
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
30
30
30
30
30
30
30
rs
no
VRSM
I0
IFSM
Operating and storage

junction temperature range
TJ, Tstg
em
de
Nonrepetitive peak surge

current (surge capplied at
rated load conditions)
.e
100
Nonrepetitive peak reverse

voltage
Average rectified forward
current (single-phase,
resistive load, 60Hz, TA=750C
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VRWM
VRSM
-65.....+175
VR(rms) :
I0
IFSM
TJ
Tstg
59
SLSYUM DORULTMA DYOTLARI

1.0 A
If (A)
DO-15
PLASTK
1.5 A
3.0 A
6.0 A
DO-27A
PLASTK
DO-15
PLASTK
SLSYUM HIZLI (FAST) DYOTLAR

1.0 A
P-6
PLASTK
DO-15
PLASTK
3.0 A
DO-27A
PLASTK
6.0 A
P-6
PLASTK
ri.
KILIF
1.5A@75 C
50A
175 C
1N5540
1N5401
1N5402
.............
1N5404
.............
1N5406
1N5407
1N5408
P600A
P600B
P600D
.............
P600Q
.............
P600J
P600K
1N4933
1N4934
1N4935
.............
1N4936
............
1N4937
.........
.........
6A@60 C
400A
175 C
1A@50 C
30A
150 C
no
If (ort)
If FSM
Tj
1N5391
1N5392
1N5393
1N5394
1N5395*
1N5396
1N5397
1N5398
1N5399
3A@105 C
200A
175 C
de
1N4001*
1N4002*
1N4003*
...........
1N4004*
..........
1N4005*
1N4006*
1N4007*
1A@75 C
50A
175 C
rs
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
tla
VRRM
VOLT
MR650
MR651
MR652
.............
MR654
............
MR656
.........
.........
3A@90 C
100A
175 C
MR820
MR821
MR822
.............
MR824
............
MR826
.........
.........
5A@55 C
300A
150 C
SLSYUM KPR DYOTLAR
If (A)
1.0 A
PLASTK
KILIF
em
KILIF
1.5 A
PLASTK
KILIF
1.5 A
PLASTK
KILIF
+ ~ ~
4.0 A
PLASTK
KILIF
10.0 A
METAL
KILIF
25.0 A
METAL
KILIF
35.0A
METAL
KILIF
VRRM
VOLT
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
50
100
200
400
600
800
1000
WL005F
WL01F
WL02F
WL04F
WL06F
WL08F
WL10F
If (ort)
If FRM
If FSM
Tj
1A@25 C
.......
30A
+175 C
W005F
W01F
W02F
W04F
W06F
W08F
W10F
1.5A@50 C
.......
50A
+125 C
PBF005
PBF01
PBF02
PBF04
PBF06
PBF08
PBF10
PBU4A
PBU4B
PBU4D
PBU4Q
PBU4J
PBU4K
PBU4M
4A@105 C
4A@65 C
.......
.......
50A
200A
-55 C to +150 C -55 C to +150 C
60
........
PB1001
PB1002
PB1004
PB1006
.........
.........
PB2500
PB2501
PB2502
PB2504
PB2506
........
........
PB3500
PB3501
PB3502
PB3504
PB3506
........
........
10A@55 C
50A
200A
+150 C
25A@55 C
75A
300A
+150 C
35A@55 C
75A
400A
+150 C
ri.
R70
R72
tla
R62
DO-200
DO-5
DO-8
DO-9
AC gerilimin DC gerilime dntrlmesinde silisyum diyotlarndan

yararlanlr. Dntrme ilemini gerekletiren devrelere dorultma denir.
de
rs
BLM ZET
no
ekil-2.33 eitli diyot klf tipleri ve klf kodlar
ehir ebekesinden alnan ac gerilim dorultma ileminden nce bir

transformatr yardmyla istenilen deere drlr.
Transformatrler kayplar en az elektrik makineleridir. Transformatrler ac

gerilimi istenilen deere dntrme ilemi yannda kullancy ve sistemi ehir
ebekesinden yaltr.
Transformatr kndan alnan ac gerilim, diyotlar kullanlarak dorultulur.

Dorultma ilemi yarm-dalga ve tam-dalga olmak zere iki temelde yaplr.
Yarm-dalga dorultma devresinde tek bir diyot kullanlr. Diyot giri ac

iaretinin sadece yarm sayklnda (1800) iletkendir.
Tam-dalga dorultma devresi, kpr tipi ve orta ulu olmak zere iki temel
tipte tasarlanr.
Tamdalga dorultma devrelerinin kndan alnan iaretin frekans, giri

iaretinin iki katdr. Dolaysyla ktan alnan iaretin ortalama deeri (dc
deer) yarm-dalga dorultma devresinden daha byktr.
Dorultma kndan alnan iaretler dc gerilimden uzaktr ve ac bileenler

(rpl) barndrr. Dorultma klarndan dcye yakn bir dalga formu elde
etmek iin filtre devreleri kullanlr.
En basit filtre metodu kondansatrle yaplan filtreleme ilemidir. Bu tipi filtre

devrelerinde kondansatrn arj ve dearjndan yararlanlr.
Filtreleme ileminde L ve C elemanlar kullanlabilir. Bu tr filtreleme ilemleri

sonucunda k iaretindeki rpllar (dalgalanma) minimum dzeye iner.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
61
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Belirlenen bir iaretin krplmas ilemi iin diyotlar kullanlr. Bu tr devrelere

krpc (clippers) denir.
Herhangi bir ac iarete, dc seviyeler eklenebilir veya iaretin seviyesi

deitirilebilir. Bu tr devrelere gerilim kenetleyici denir. Gerilim kenetleme
ilemi diyot ve kondansatrler kullanlarak gerekletirilir.
Giri geriliminin tepe deerini 2, 3, ....n kat ykselterek kna aktaran

devreleri gerilim oklayc (voltage multiplier) denir. Bu tr devreler, diyot ve
kondansatr kullanlarak gerekletirilir.
Tipik bir dc g kayna (dc power supply) tasarm; transformatr, dorultucu

diyot, filtre devresi ve reglatr devresi ile gerekletirilir.
Gnmzde yzlerce yariletken devre eleman (kompenet) reticisi firma

vardr. Her bir firma rettii elemanlar belirli bir standart dahilinde kodlayarak
tketime sunar. Devre elemanlarnn ayrntl karakteristikleri ve zellikleri
retici firma kataloglarndan temin edilebilir.
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
62
BLM 3
ri.
ZEL TP DYOTLAR
Amalar:
no
Zener Diyot
Zener Diyot Uygulamalar
Varikap Diyot
Optik Diyotlar
zel Amal Diyotlar
Sistem Uygulamalar
rs
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
tla
Konular:
Zener diyotun yaps, karakteristikleri ve ilevleri

Zener diyotla gerekletirilen gerilim reglasyonu ve krpclar
Varikap diyotun zellikleri, ilevleri ve karakteristikleri
Foto-diyotlarn ve LEDlerin zellikleri, ilevleri ve karakteristikleri
Reglatr diyotlar, otki diyotlar, pin diyot, tunel diyot v.b zel tip diyotlarn ilevleri,
zellikleri ve karakteristikleri
.e
em
de

olacaksnz.
co
m
Kaplan
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Elektronik endstrisinin en basit ve temel devre elemanlarndan olan diyotlar pek ok

cihazn retiminde sklkla kullanlmaktadr. nceki blmlerde silisyum ve germanyum
dorultucu diyotlarn pek ok zelliklerini rendiniz. eitli uygulama devrelerini
gerekletirdiniz. Endstrinin artan gereksinimlerini karlamak amac ile farkl tip ve
modelde zel tip diyotlarn retimide yaplmaktadr. Yukarda bir ksmnn grntleri
verilen zel diyotlar bu blmde inceleyeceiz.
64
3.1
ZENER DYOT
ri.
Zener diyot; ters polarma altnda krlma blgesinde altrlmak zere tasarlanm pn
bitiimli bir devre elemandr. Referans gerilimi temin etmek ve gerilim reglasyonu
salamak amac ile kullanlr.
Zener diyot sembol

Zener diyotun alma blgeleri ve krlma gerilimi
Zener karakteristiklerinin analizi
Zener veri sayfalar
no
tla
Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip

olacaksnz.
de
rs
Zener diyot; pn bitiiminden oluturulmu ve silisyumdan yaplm yar iletken devre

elemanlarndandr. Zener diyot; ters polarma blgesinde zener krlma geriliminde
altrlmak zere tasarlanmtr. Doru polarma altnda almas dorultucu diyotla
benzerlik gsterir. ekil-3.1de zener diyotun ematik sembolleri verilmitir.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Katod
Anot
ekil-3.1 Zener diyot sembolleri

Zener diyot; doru polarma altnda silisyum dorultma diyotlarn tm zelliklerini
gsterir. Doru polarma altnda iletkendir. zerinde yaklak 0.7V diyot ngerilimi
oluur. Ters polarma altnda ise pn bitiimi sabit gerilim blgesi meydana getirir. Bu
gerilim deeri; krlma gerilimi (Broke-down voltage) olarak adlandrlr. Bu gerilime
baz kaynaklarda zener gerilimi denilmektedir. ekil-3.2de silisyum dorultma
diyodu ile zener diyot karakteristikleri birlikte verilmilerdir.
65
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I F ( mA )
I F ( mA )
Doru
Polarma
Blgesi
VBR
VF (V )
0.7V
Ters
Polarma
Blgesi
ri.
VR (V )
Krlma
VR (V )
0.7V
Ters
Polarma
Blgesi
I R ( A )
no
a) Silisyum Dorultucu Diyot Karakteristii
Doru
Polarma
Blgesi
VZ
tla
Krlma
VF (V )
I Z ( mA )
a) Zener Diyot Karakteristii
rs
ekil-3.2 Silisyum dorultucu diyot ve zener diyot karakteristikleri
de
Zener diyot ile silisyum diyot karakteristikleri arasnda ters polarma blgesinde nemli
farkllklar vardr. Silisyum diyot ters polarma dayanma gerilimi deerine kadar ak
devre zelliini korur. Zener diyot ise bu blgede zener krlma gerilimi (Vz) deerinde
iletime geer. Zener zerindeki gerilim dm yaklak olarak sabit kalr.
em
Zener diyotlarda krlma gerilimi, retim aamasnda pn bitiiminin katk maddesi

oranlar ayarlanarak belirlenmektedir. Gnmzde 1.8V ile 200V arasnda farkl krlma
gerilimlerine sahip zener diyotlar retilmektedir.
.e
Gnmz piyasasnda kullancnn ihtiyacna uygun olarak; 1/4W ile 50W anma gleri
arasnda alacak ekilde zener diyot retimi yaplmaktadr. Zener diyotlarla ilgili baz
retici firma verilerini, veri sayfalar blmnde bulabilirsiniz. Ayrntl karakteristik ve
veriler iin retici kataloglar incelenmelidir. ekil-3.4de farkl glere dolaysyla farkl
klflara sahip zener diyotlar grlmektedir.
ekil-3.4 Zener diyotlarda klf tipleri
66
Zener Krlma Karakteristii
ri.
Zener diyot, doru polarma blgesinde normal silisyum diyot zellii gsterdii
belirtilmiti. Zener diyodun en nemli zellii ters polarma blgesindeki davrandr. Zener
diyodun ters polarma altnda almas iin gerekli devre balants ve akm-gerilim
karakteristii ekil-3.5de verilmitir.
tla
Ters polarma altnda zener diyot zerine uygulanan gerilim deeri; zener krlma gerilimi
deerini atnda zener diyot krlarak iletime geer. Ters polarma altnda iletime geen
zener diyot, zerinde sabit bir gerilim deeri oluturur. Bu gerilime zener gerilimi (Vz)
denir.
no
Zener diyodun iletime geebilmesi iin zener zerinden geen akm; Izmin deerinden
byk, Izmax deerinden kk olmas gerekir. Baka bir ifadeyle zenere uygulanan ters
polarma gerilimi, Zener krlma gerilimi (Vz) deerinden byk olmaldr.
rs
VR (V )
VZ @ IZT
IZ min
de
Iz
VDD
I ZTest
Vz
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I Z max
I R ( mA )
ekil-3.5 Zener diyotun ters polarma altnda karakteristii
Zener diyot zerinden geen akm miktar; Izmax deerini getiinde zener bozularak
ilevini yitirir. Karakteristikten de grld gibi zener diyot zerinden geen Iz akm;
Izmin ve Izmax deerleri arasnda tutulmaldr.
Zener diyot ters polarma altnda iletimde kald srece zerinde Vz olarak belirtilen bir
gerilim oluur. Bu gerilime zener gerilimi, bu ileme ise gerilim reglasyonu denir.
Zener diyot, karakteristikte gsterildii gibi zerindeki gerilimi Vz deerinde sabit
tutmaktadr. Bu zellik zener diyodu olduka popler klar. zellikle gerilim reglasyonu
veya referans gerilimi elde etmede ska kullanlmasn salar.
Zener Edeer Devreleri

Zener diyodun ters polarma blgesindeki davrann tanmlamak iin ekil-3.3de
edeer devresi verilmitir. deal bir zenerin edeer devresi, nominal zener krlma
gerilimi deerine eit gerilim kayna (Vz) ile gsterilir.
Gerek (pratik) bir zenerin ters polarma blgesinde edeer devresi ise, kk bir i
empedans (Zz) ve nominal zener krlma gerilimini temsilen bir gerilim kaynandan
oluur. Zener krlma gerilimi; ideal deildir. Karakteristik eriden de grlecei gibi bir
67
miktar deiim gsterir (VZ). Bu durum ekil-3.3.c zerinde gsterilmitir. Zener

empedans; deien zener akmnn (VZ), deien zener akmna (IZ) orandr ve
aadaki ekilde belirlenir.
VZ
I Z
ri.
ZZ =
tla
retici firmalar normal koullarda veri tablolarnda test deerleri iin zener akmn IZT
ve zener empedansn ZZT verirler. Zenerle yaplan tasarmlarda bu deerler dikkate
alnmaldr.
no
VZ
VR (V )
IZ min
Zz
Vz
Vz
em
rs
ZZ =
VZ
IZ
b) Pratik zener edeeri
VZ
IZ max
de
a) deal zener edeeri
c) zener karakteristii
I R ( mA )
ekil-3.3 Zener diyot edeer devresi
.e
Isl Kararllk
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Tm yariletken devre elemanlar gibi, zener diyotlarda alma ortamlarndaki sdan

etkilenirler. retici firmalar zener diyot iin gerekli karakteristikleri genellikle 250C oda
scakl iin veririler. Is artmnda zener geriliminde oluabilecek deiimler retici
kataloglarnda belirtilir.
rnein alma koullarndaki her 10Clik s art, zener geriliminde (Vz) yaklak
%0.05 orannda art gsterir. Bu zellik uygulamalarda dikkate alnmaldr. Yksek
glerde altrlan zener diyotlar zerine soutucular monte edilmelidir.
G Tketimi ve Bozulma Faktr

Zener diyotlarla uygulama yaplrken maksimum g deerlerine dikkat edilmelidir.
retici firmalar DC gerilim altnda her bir zener diyot iin uyulmas gereken g
deerlerini kataloglarnda verirler. rnein; 1N746 kodlu zener diyot iin maksimum
g PD=500mW, 1N3305 kodlu zener diyot iin maksimum g PD=50W olarak
verilmitir.
Zener diyotlarn dc gerilim altnda maksimum dayanma gc;
PD = VZ I Z(max)
forml kullanlarak bulunur. Zenerlerde maksimum dayanma gc genellikle 500C iin

verilir. alma koullarndaki s deiimi, hesaplamalarda dikkate alnmaldr.
68
Zener Diyot veri sayfas
ri.
retici firmalarn binlerce tip farkl alma karakteristiklerine sahip zener diyot rettiklerini
belirtmitik. Bu blmde sizlere rnek olmas amac ile baz zener diyotlarn retici firma
tarafndan verilen karakteristiklerini sizlere sunacaz.
tla
retici firma karakteristikleri genelde ingilizce hazrlandklar iin orijinal metine sadk
kalp, gerekli aklamalar notlar halinde sunacaz.
Maxsimum Rating (maksimum kategoriler)
Symbol (Sembol)
Value (Deer)
Unit (Birim)
DC power dissipation @ TA=500C

Derete above 500C
PD
1.0
6.67
Watt
mW/C0
Opereting and stor junction

Temperature range
TJ, Tstg
-65 to +200
0C
rs
no
Ratings (Kategoriler)
de
Electrical Characteristics (TA=250C unless otherwise noted) VF=1.2Vmax IF=200mA

for all types
Elektriksel karakteristikler (Aksi not olarak belirtilmedike TA=250Cde) Tm tipler iin
VF=1.2Vmax IF=200mA
JEDEC
Type no
Nominal
Zener
Voltage
VZ@IZT
Volts
Test
Current
IZT
mA
ZZT@IZT
Ohms
ZZK@IZK
Ohms
IZK
mA
IR
A max
VR
Volts
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
76
69
64
58
53
10
10
9.0
9.0
8.0
400
400
400
400
500
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
100
100
50
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
49
45
51
37
34
7.0
5.0
2.0
3.5
4.0
550
600
700
700
700
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
10
10
10
10
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1N4758
1N4759
1N4760
56
62
68
4.5
4.0
3.7
110
125
150
2000
2000
2000
0.25
0.25
0.25
5.0
5.0
5.0
42.6
47.1
51.7
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Maxsimum zener impedance
Leakage Current
Tablo-3.1 eitli tip zener diyotlarn baz nemli karakteristikleri
69
ZENER DYOT UYGULAMALARI
ri.
3.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
Zener diyotlar genellikle dc g kaynaklarnda gerilim reglasyonunu salamak amac

ile kullanlrlar. Karlatrma yapmak iin referans gerilimi temininde de zener
diyotlar sklkla kullanlr.
Reglasyon ilemi bir bykl, baka bir byklk karsnda kararl tutmaktr.
rnein gerilim reglasyonu terimi; gerilimi, akmdan veya ykten bamsz hale
getirip sabit bir deerde tutma anlamna gelmektedir.
no
Bu blmde; zener diyotla gerilim reglasyonunun nasl gerekletirildiini

reneceksiniz. Ayrca zenerle yaplan basit krpc devreleri tanyacaksnz.
rs
Zenerin Reglasyonda Kullanlmas
de
Zener diyotlarn en geni ve yaygn kullanm alan gerilim reglasyonudur. Gerilim

reglasyonu; gerilimi d etkilerden bamsz hale getirip sabit tutabilmektir. Ksaca
gerilimi kararl hale getirebilmektir. Gerilim kararl klmann en basit yntemi ekil3.6da gsterilmitir.
.e
em
Devre giriine uygulanan reglesiz VGR gerilimi, zener diyotla kararl hale getirilmitir.
Bu ilem iin zener diyot ve R direnciyle gerilim blc bir devre oluturulmutur.
Devre giriine uygulanan VGR gerilimi deimektedir. Devrede kullanlan 12Vluk
zener diyot, giri gerilimindeki tm deiimleri alglamal ve devrenin k gerilimini
VIKI 12Vta sabit tutmaldr. Bu ilem gerekletirildiinde zener diyot, gerilim
reglasyonu yapyor diyebiliriz.
R
IT
Vz
12V
VGR
IL
VIKI
RL
Reglesiz
DC kaynak
IZ
ekil-3.6 Zener diyotla gerekletirilen gerilim reglasyonu

Zener diyot bu ilemi nasl gerekletirecektir. Zenerin istedii artlar yerine getirirsek
gayet basit. Zener diyot gerilim reglasyonu yapmak iin neler istiyordu. Ksaca tekrar
hatrlayalm.
12-
Zener diyot ters polarma altnda altrlmal

Zenere uygulanan gerilim, zener krlma geriliminden (VZ) byk olmal. (Vin>Vz)
70
3-
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Zenerden geecek akm; Izmin deerinden byk, Izmax deerinden

kk olmal (Izmin<Iz<Izmax)
ri.
ekil-3.6da verilen regle devresinde zener diyotdan iki temel ilemi gerekletirmesi
istenmektedir.
tla
1- Zener diyot; giri gerilimlerindeki deiimi alglamal ve k gerilimini

sabit tutmaldr. Giri gerilimlerindeki deiimler, k gerilimini etkilememelidir.
2- Devre kndan alnan gerilim, ykteki deiimlerden etkilenmemelidir.
k gerilimi yk akm ILden bamsz ve sabit olmaldr.
no
Bu zellikleri srayla inceleyelim.
Deiken giri geriliminde reglasyon
R
220
Reglesiz
DC kaynak
IZ
Vz
12V
VN
VOUT
ekil-3.7 Deiken giri geriliminde reglasyon
rnein ekil-3.7deki regle devresinde 1/2W gcnde 12Vluk zener diyot

kullanldn varsayalm. Zener diyotun minimum krlma akm ise Izmin=IZK=0.50mA
olsun. Bu durumda devrenin regle edebilecei giri gerilimi araln bulalm.
zm: nce zener diyotun dayanabilecei maksimum akm deerini bulalm.
.e
em
de
rs
Bu blmde reglesiz giri gerilimlerinde zener diyotun nasl regle yaptn

reneceiz. amala ekil-3.7deki devre verilmitir. Devrede giri gerilimi VGR, belli
bir aralkta deimektedir. Devre knda ise 12Vluk sabit k gerilimi alnacaktr. Bu
ilem 12Vluk zener diyotla gerekletirilmektedir. Devredeki R direnci; zener diyot
zerinden geecek akm miktarn belirlemektedir. Zenerin regle ilemini yerine
getirebilmesi iin zerinden akan akm miktar (Izmim-Izmax) deerleri arasnda
olmaldr.
PD(max) = Vz I Z max
I Z max =
PD(max)
VZ
500mW
= 41.6mA
12V
olarak bulunur. Zener akm minimum olduunda; R direnci zerine den gerilim,
71
VR = R I Z min = ( 220) (0.50mA) = 110mV
ri.
Dolaysyla giri geriliminin minimum deeri;

VR = VIN VZ
tla
VIN ( MIN ) = VR + VZ = 12V + 110mV = 12.11V
no
Dolaysyla zener diyotun regle ilemini yerine getirebilmesi iin giri gerilimi (VIN)
minimum 12.11V olmaldr. imdi giri geriliminin alabilecei maksimum deeri
bulalm.
rs
VR = R I Z max = ( 220) ( 41.6mA) = 9.166V
de
Dolaysyla giri gerilimini alabilecei maksimum deer;

VR = VIN VZ
em
VIN ( MAX ) = VR + VZ = 12V + 9.166V = 21.16V
.e
ekil-3.7de verilen regle devresinde yaplan hesaplamalar sonucunda aadaki veriler

elde edilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek:
3.1
1-
Zener diyot regle ilemini gerekletirebilmesi iin, giri gerilimi minimum

VIN(MN)=12.11V olmaldr.
2-
Zener diyot regle ilemini gerekletirebilmesi iin, giri gerilimi maksimum

VIN(MAX)=21.16V olmaldr.
ekil-3.8de verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin
giri geriliminin alabilecei deerler araln hesaplaynz.
R
100
Reglesiz
DC kaynak
VN
I
Vz
1N4758
IZ
VOUT
ekil-3.8 Deiken giri gerilimlerinde reglasyon
72
Devrede kullanlan 1N4578 kodlu zener diyodun karakteristiklerini retici veri

sayfasndan yararlanarak bulalm. VZ=56V, PD(max)=1W, IZmin=0.25mA
ri.
Bu durumda devrenin minimum giri gerilimi;
VIN(min)=(IZmin . R)+VOUT
zm:
tla
VIN(min)=(0.25mA)(100)+56V=56.25V
Deerinde olmaldr. Devrenin maksimum giri gerilimini bulmak iin nce zenerin
dayanabilecei maksimum akm bulmalyz.
PD(max)
VZ
1W
= 17.8mA
56V
no
I Z max =
O halde devrenin maksimum giri gerilimi;
VIN(max)=(IZmax . R)+VOUT
rs
VIN(max)=(17.8mA)(100)+56V=57.8V
de
Dolaysyla ekil-3.8de verilen regle devresinde zener diyodun regle ilemini

gerekletirebilmesi iin giri gerilimi;
56.2V>VIN >57.8V
em
aralnda olmaldr.
.e
Deiken yk akmnda reglasyon
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blmde deiken yk akmnda zener diyodun nasl regle yaptn greceksiniz.

rnek bir regle devresi ekil-3.9da verilmitir. Devrede zener diyoda paralel deiken
bir yk direnci (RL) balanmtr. Zener diyot regle yapt srece RL yk zerindeki
gerilim dm sabit kalmaldr. Ksaca VOUT=12V olmaldr.
IT
Vz
12V
VIN
IL
IZ
VOUT
RL
ekil-3.9 Deiken yk akmnda reglasyon

Konuyu daha iyi irdeleyebilmek amac ile eitli uygulama rnekleri verilerek
matematiksel analizleri yaplmtr.
73
IT
+
VIN
24V
Vz
10V
1W
RL
VOUT
no
IL
IZ
tla
470
zm:
rs
ekil-3.10 Deiken yk direncinde gerilim reglasyonu

Devrede kullanlan zener diyodun karakteristikleri; VZ=10V, PD(max)=1W, IZmin=1mA
olarak verilmitir. Bu veriler nda gerekli analizleri yapalm.
.e
em
de
Devrede kullanlan zener diyodun dayanabilecei maksimum akm deerini bulalm;
ekil-3.10da verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin
RL yk direncinin alabilecei deerler araln hesaplaynz.?
ri.
rnek:
3.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I Z(max) =
PD(max)
VZ
1W
= 100mA
10V
nce devrede yk direnci kullanlmadnda (RL=) zener regle ilemini yerine

getirebilir mi? nceleyelim. Bu durumda IL=0A olacandan, IT=IZ(max) olacaktr.
Dolaysyla;
VIN = R I T + VZ
I T = I Z (max) =
V I N VZ
R
24 10
470
I T = I Z(max) = 29.7 mA
elde edilen bu sonuca gre devrede yk direnci yokken regle ilemi yerine
getirilebiliyor. Devreden;
74
elde edilen bu sonuca gre devrede yk direnci yokken regle ilemi yerine
getirilebiliyor. Devreden;
I T = I Z(max) + I L(min)
tla
ri.
I T = I Z (min) + I L (max)
olaca aktr. Buradan yk akmnn alabilecei maksimum deeri bulabiliriz.
no
I L(max) = I T I Z(min)
rs
I L (max) = 29.7 1mA = 28.7 mA
de
Devre kndan alnabilecek maksimum yk akmn hesapladk. Bu veriyi kullanarak

ka balanabilecek RL yk direncini hesaplayalm.
em
R L(min) =
VZ
I L (max)
10V
= 348
28.7 mA
.e
Sonu: Elde edilen bu veriler nda devremizin regle ilemini yerine getirebilmesi
iin RL Yk direncinin alabilecei deerler aral;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek:
3.3
398>RL>
Zenerle bir gerilim reglatr tasarlanrken dikkat edilmesi gereken faktrler vardr.
Bunlar giri gerilimindeki deiimler ve yk akmndaki deiimler olarak zetleyebiliriz.
Son olarak komple bir regle devresi tasarm rnei vererek konuyu bitirelim.
ekil-3.11da verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin
gerekli R n direncinin olmas gereken deerini hesaplaynz?.
R
IT
+
20V
Vz
10V
1W
VIN
IZ
IL
1K
RL
ekil-3.11 Zenerle gerilim reglasyonu
75
VOUT
PD (max)
VZ
tla
I Z (max) =
ri.
Devrede kullanlan zener diyodun karakteristikleri; VZ=10V, PD(max)=1W, IZmin=1mA

olarak verilmitir. Devrede kullanlan zener diyodun dayanabilecei maksimum akm
deerini bulalm;
I Z (max) =
1W
= 100mA
10V
no
zm:
Devrede kullanlan RL yk direnci 1K deerindedir. Dolaysyla yk akm sabittir.
VZ = VOUT
10
=
= 10mA
RL
1K
rs
IL =
R n direncinden geecek akm IT olarak belirtilmitir. IT akmnn alabilecei deerleri

hesaplayalm.
de
I T (min) = I Z (min) + I L( = 1mA + 10 mA = 11mA
em
I T (max) = I Z (max) + I L ( = 100 mA + 10 mA = 110 mA
Devrede akm snrlamak amacyla kullanlan R n direnci bu deerleri salamaldr.

Dolaysyla R direncinin minimum ve maksimum olmak zere iki snr deeri olacaktr.
.e
VIN = R min I T (max) + VZ

R min =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R max =
V I N VZ
I T (max)
V I N VZ
I T (min)
20 10
= 90
110mA
20 10
= 909
11mA
Devrede kullanacamz R n direnci yukarda belirtilen deerler aralnda olmaldr.

Salkl alma iin limit deerler kullanmak nerilmez. Ortalama bir deer kullanalm.
R=
R max + R min 90 909

=
470
2
2
R=
90 909
470
2
76
Zenerle krpc devreler
ri.
Zener diyotun sklkla kullanlan bir dier uygulama alan ise krpc devre tasarmdr.
zellikle ac iaretlerin krplmas ve farkl dalga formlarna dntrlmesi iin zener
diyotlar sklkla kullanlr. Bu blmde ac iaretlerin krplmasn ve dalga formlarnn
deitirilmesini inceleyeceiz.
tla
ekil-3.12de sinsoydal bir iaretin nasl krpld gsterilmitir. Bu devrede; giri iaretinin
pozitif sayklnda zener diyot krlma gerilimi deerine kadar yaltmdadr. Dolaysyla giri
iareti, kta aynen grlr. Giri iaretinin pozitif seviyesi, zener krlma gerilimi deerini
atnda zener diyot krlarak k gerilimini +5V deerinde sabit tutar.
VIN
+10V
no
Giri iaretinin negatif yarm sayklnda ise zener iletkendir. kta 0.7V zener n gerilimi
elde edilir. Dolaysyla devre giriine uygulanan 20Vt-t deerine sahip sinsoydal iaret,
devre kndan +5Vluk kare dalgaya dntrlm olarak alnr.
VOUT
Vz
5V
rs
VIN
5V
VOUT
-0.7V
de
-10V
ekil-3.12 Sinsoydal bir iaretin pozitif alternansnn krplmas
.e
em
ekil-3.13de grlen devrede ise sinsoydal giri iaretinin negatif alternans zener diyot
tarafndan 7Vta krplmtr. Pozitif alternansta zener diyot iletimde olduu iin k
gerilimi +0.7V civarndadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VIN
+10V
0
VOUT
R
+
t
VIN
Vz
7V
VOUT
+0.7V
-7V
-10V
ekil-3.13 Sinsoydal bir iaretin negatif alternansnn krplmas

ekil-3.14de ise sinsoydal bir iaretin pozitif ve negatif alternanslarn krpan bir devre
verilmitir. Giri iaretinin pozitif alternansnda; VZ2 zeneri iletimdedir. VZ1 ise pozitif
alterrnans krlma gerilimi deerinde krpar. Pozitif alternansta k geriliminin tepe deeri
VZ1+0.7V deerine eitttir.
Giri iaretinin negatif alternansnda; VZ1 zeneri iletimdedir. VZ2 ise negatif alterrnans
krlma gerilimi deerinde krpar. Negatif alternansta k geriliminin tepe deeri
(VZ2+0.7V) deerine eitttir.
77
Kaplan
VIN
Vz1
+
t
Vz1
VOUT
VIN
ri.
Vz2
-10V
tla
Vz2
3.3
VARKAP DYOT
no
ekil-3.14 Sinsoydal bir iaretin negatif ve pozitif alternanslarnn krplmas
rs
Varikap diyot, pn ekleminden retilmi yariletken bir devre elemandr. Kimi

kaynaklarda varaktr (varactor) diyot olarak adlandrlr. P-N bitiimi ters gerilim
altnda bir miktar kapasitif etki gsterir. Bu zellikten yararlanlarak varikap diyotlar
retilmitir.
de
Varikap diyot, genellikle iletiim sistemlerinde kanal seici (tuning) devrelerin

tasarmnda kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda
ayrntl bilgilere sahip olacaksnz.
P-N bitiimi ters ynde polarmalandnda bir miktar kapasitif etki oluturur. P-N
bitiiminin bu zelliinden yararlanlarak varikap diyotlar gelitirilmitir. Varikap
diyodu; ters polarma altnda kapasitans deien diyot veya yariletken kondansatr
olarak tanmlayabiliriz. ekil-3.15de varikap diyodun ematik sembol ve edeer
devresi verilmitir.
.e
em
Varikap diyotun temel yaps ve sembol

Varikap diyotun alma karakteristikleri
Varikap diyotun veri sayfalar
Rs
VOUT
+10V
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Cv
ekil-3.15 Varikap diyodun ematik sembol ve edeer devresi

Varikap diyodun kapasitif deerini, pn bileiminin fakirletirilmi blgesinde
belirlenmektedir. retimde kullanlan katk maddesi ve fiziksel boyut kapasitif deeri
etkileyen dier faktrlerdir. Kapasitif etkinin nasl olutuu ekil-3.16 yardmyla
grselletirilmitir. Varikap diyoda uygulanan ters polarma deerine bal olarak
kapasitif etkinin deitiine dikkat ediniz.
78
ri.
Fakirletirilmi
Blge
tla
+
VDD
VDD
no
ekil-3.16 Varikap diyodun temel yaps ve almas
rs
Varikap diyodun kapasitesi uygulanan ters gerilimin deerine bal olarak bir ka
pFdan yzlerce pFa kadar deitirilebilir. ekil-3.17de tipik bir varikap diyodun
karakteristii verilmitir.
de
Karakteristik eriden grld gibi varikap diyoda uygulanan ters polarite art,
diyodun kapasitif deerini azaltmaktadr.
C(pF)
60
40
em
VDD
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
20
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
VR (v)
ekil-3.17 Varikap diyodun karakteristii
Genel kullanm Alanlar

Varikap diyotlar; genellikle iletiim sistemlerinin tasarmnda kullanlr. Kullanm
alanlarna rnek olarak; FM modlatr, otomatik frekans kontrol, filtreleme
devrelerini verebiliriz. ekil-3.18de varikap diyot, paralel bir rezonans devresinde,
rezonans frekansnn ayarlanmasnda kullanlmtr.
R
D1
Vi
L
+V
D2
ekil-3.18 Paralel rezonans devresinde varikap diyodun kullanlmas
79
Devrede; 2 adet varikap diyot kullanlmtr. Varikap diyodlara uygulanan dc gerilim;

varikap diyodlarn kapasitif deerlerini deitirmektedir. Bu durum, paralel rezonans
(tank devresi) devresinin rezonans frekansn belirler. Bu devrede rezonans frekans (Q
10 iin) Fr;
ri.
2 LC
tla
Fr =
Genel veriler
rs
Ters
Yn
Akm
(IR)
leri
Yn
Akm
(IF)
Seri Diyod
Direnci rS
Max
Min
Max
Max
Max
Max
Max
8pF
17pF
0.7pF
1.05pF
30V
10nA
20mA
3@200MH
z
1.7pF
2.1pF
30V
10nA
20mA
0.7@470
MHz
6V
10nA
20mA
0.6@470
MHz
32V
200nA
20mA
1.2@100
MHz
BB135
17.5pF
21pF
BB145
6.4pF
7.4pF
.e
Ters Yn
Gerilimi
(VR)
Min
em
BB131
CD, Diyod
Kapasitesi
VR=28VDC,
f=1.0MHz
de
Kodu
CD, Diyod
Kapasitesi
VR=0.5VDC,
f=1.0MHz
no
retici firmalar kullanm amalarna bal olarak yzlerce farkl tipte varikap diyot
retimi yaparak tketime sunarlar. retilen her bir varikap diyodun karakteristiklerini
retici kataloglarndan temin edilebilir. Bu blmde; rnek olarak birka varikap
diyodun genel karakteristikleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
4V@2.7p 4V@3.2p
F
F
BB152
1V@52p 1V@62
F
pF
2.48pF
2.89pF
BB190
1V@18p 1V@20 10V@6p 10V@6p

F
pF
F
F
10V
3nA
BBY40 3V@26p 3V@32 25V@4.3 25V@6p

F
pF
pF
F
30V
10nA
0.4@470
MHz
20mA
ekil-3.19 Baz Varikap diyotlarn genel karakteristikleri
80
0.7@200
MHz
3.4
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
OPTK DYOTLAR
ri.
Bu blmde; optik zellik gsteren iki tr diyodu ayrntl olarak inceleyeceiz.

Bunlardan ilki k yayan diyottur. Bu diyot, genellikle LED (Light Emitting Diode)
olarak adlandrlr.
tla
Optik zellik gsteren bir dier diyot ise Foto-Diyot olarak adlandrlr. Foto-diyot,
ters polarma altnda alacak ekilde tasarlanmtr. Ters polarma altnda iletkenlii
a duyarldr. Her iki diyot tr, zellikle optik uygulamalarda sklkla kullanlrlar.
Bu blmde;
no
Ik yayan diyotlarn (LED) zellikleri ve karakteristikleri

Foto-Diyot zellikleri ve alma karakteristikleri
Lazer Diyot
rs
Hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz.
de
Ik Yayan Diyot (LED)
Katot
Katot
n tipi
madde
Ik Enerjisi
.e
em
Ik yayan diyot (LED), doru ynde polarmalandnda grlebilir k yayan

yariletken bir devre elemandr. P-N bitiiminden retilmitir. Bilindii gibi germanyum
veya silis-yumdan yaplan pn bitiimleri doru polarma altnda zerlerinden bir akm
akmasna izin verir. Akm ak esnasnda bir enerji aa kar. Bu enerjinin bir miktar
s, kk bir miktar ise k (foton) enerjisidir. Bu nedenle LED retiminde silisyum
veya germanyum elementleri kullanlmaz. LED retimi iin P ve N maddelerinin
oluturulma-snda genellikle Galyum arsenit fosfit (GaAsP) veya galyum fosfit (GaP)
kullanlr. Bu tr maddeler doru polarma altnda grlebilir k elde etmek iin
yeterlidir. ekil-3.19.ada LEDin ematik sembol, 3.19.bde ise doru polarma altnda
pn bitiiminde k enerjisinin oluumu verilmitir.
_
Anot
n tipi
madde
Anot
a) Ledin ematik gsterimi
b) Ik enerjisinin olumas
ekil-3.19.a ve b Led sembolleri ve k enerjisinin olumas
81
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
PN bitiiminde, bitiim blgesinde elektron ve boluklar yeniden birleir. Yeniden

birleme ilemi esnasnda enerjinin byk bir ksm k enerjisine dnerek
grlebilmesine neden olur. Bu durum ekil-3.19bde resmedilmitir.
ri.
Yariletken malzemeye elektrik enerjisi uygulanarak k enerjisi elde edilebilir. Bu ilem

elektrolminesans (elektro-parlaklk) olarak adlandrlr.
no
tla
LED, doru polarma atnda iletime geer ve zerinden akm akmasna izin verir. Doru
polarma altnda zerinde maksimum 1.2V ile 3.2V arasnda bir gerilim dmne sebep
olur. LEDlerin zerlerinden akmalarna izin verilen akm miktar 10-30mA civarndadr.
Bu deer; kullanlan LEDin boyutuna ve rengine gre farkllk gsterebilir. Gerekli
maksimum deerler retici kataloglarndan temin edilebilir. ekil-3.20de LEDin doru
polarma altnda almas ve V-I karakteristii verilmitir.
R
+ VRD -
Ik iddeti
VF
de
VDD
IF
rs
IF
IF(mA)
IF
IF (mA)
2. 0V
b) LEDin V-I Karakteristii
c) LED akmna bal olarak k iddeti
em
a) LEDin Doru polarmalanmas
V F(v)
1. 5V
LEDin yayd k enerjisinin iddeti ve rengi imalatta kullanlan katk maddesine gre
deimektedir. retiminde GaP kullanlan LEDler, krmz yada sar renkte grlebilir
k yayarlar. GaAsP kullanlan LEDler ise sar renkte grlebilir k yayarlar.
retiminde GaAs kullanlan LEDler ise kzl tesi (infrarad) k yayarlar.
LEDlerin yayd n grnebilir veya grnemez olmas, yaylan n dalga boyu

tarafndan belirlenir. 500nm-700nm arasnda dalga boyuna sahip malar grlebilir.
800nm-1000nm arasnda dalga boyuna sahip malar ise kzl tesi olarak adlandrlr ve
grlemez. ekil-3.21de her rengin dalga boyu ve k iddeti grafiksel olarak verilmitir.
.e
ekil-3.20 Doru polarma altnda LEDin almas ve karakteristikleri
82
1.0
0.9
0.9
0.8
0.8
0.6
0.5
0.4
0.4
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
500
540
580
620
, dalga boyu (nm)
660
700
740
no
0.5
tla
0.3
0.6
ri.
0.7
Nispi k iddeti
Y eil
K rmz
Nispi k iddeti
Sa r
1.0
0.7
a) Grlebilir k (visible light)
880
900
920
940
960
, dalga boyu (nm)
980
1000
b) Grlemeyen k (Nonvisible infrared)
ekil-3.21 Renklerin dalga boyuna gre bal iddetinin grafii
.e
em
de
rs
Pek ok retici firma, kullanm alan ve gereksinime bal olarak LED retimi yapar.
Gnmzde sar, turuncu, yeil ve krmz renklerde k veren LEDler retilmektedir.
Mavi k yayan LED retimi imdilik pek ekonomik deildir. Yakn gelecekte bu tr
LEDlerinde seri tketime sunulacak ekilde gelitirilebileceini syleyebiliriz. Bir ok
farkl klfa (yuvarlak, kare, diktrtgen v.b) ve boyuta sahip LED retimi yaplmaktadr.
Yaygn olarak kullanlan baz LED tiplerinin grnm ekil-3.22de verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-3.22 LEDlerde klf tipleri ve grnmleri

Snr Deerler
Son yllarda reklam sektrndeki gelimeler, LED tketimi ve kullanmn artrmtr.
Enerji tketimlerinin olduka az olmas yaygn kullanmda etkendir. LED kullanmnda
iki snr deere zellikle dikkat edilmelidir. Bunlar ileri ynde maksimum geirme akm
IFM, ve maksimum ters tepe gerilimi VRM dir. Bu deerlerin almas durumunda LED
hasar grebilir. malatlar rnein, 3mmlik boyuta sahip krmz LED iin IFM=50mA,
dier renkler iin ise IFM=30mA limit deerlerini vermilerdir. Pratik kullanmda her LED
iin 10-20mA ileri yn akm deeri yeterli olmaktadr. LEDlerin maksimum ters tepe
gerilimi ou kez birka volt civarndadr. LEDlerin alma mr ok uzundur ve
yaklak olarak 105 saat civarndadr.
83
Led Gsterge
tla
ri.
Led diyotlar gnmzde eitli kombinazasyonlar oluturularak da kullanlmaktadr.

zellikle saysal elektronik uygulamalarnda rakam ve yazlarn gsterimi bu tr devre
elemanlar ile yaplr. Yedi paral gsterge (seven-segment displey) olarak adlandrlan
bu tr optik devre elemanlar ortak anot veya ortak katot balantl olarak retilirler.
ekil-3.23de Led gstergelerin temel yaps ve birka tipik led gstergenin grnmleri
verilmitir.
E
E
G
D
F
GND
no
GND
GND
C
A
dp
rs
Ortak katodlu gsterge
Ortan anotlu gsterge
em
.e
ekil-3.23 Led gstergenin temel yaps ve tipik grntleri
Foto-Diyot
Foto-diyot (Photo-diode), k enerjisine duyarl aktif devre elemanlarndandr. Ters
polarma altnda altrlmak zere PN bitiiminden retilmitir. ekil-3.24de fotodiyotun sembol ve birka farkl tip foto-diyotun grnm verilmitir. Foto-diyot k
enerjisine duyarl bir elemandr. Bu nedenle tm foto-diyotlar k enerjisini alglamalar
iin effaf bir pencereye sahiptir.
Katod
Katod
Anot
Anot
ekil-3.25 Foto-Diyotun ematik gsterimleri ve grnmleri
84
GND
dp
de
Led gstergenin oluturulmas
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Foto-diyot; doru polarma altnda normal diyotlar gibi iletkendir. Ters polarma altnda
ise, zerine uygulanan k younluuna bal olarak ok kk bir akm akmasna izin
verir. Dolaysyla karanlk bir ortamda bulunan foto-diyot yaltkandr.
tla
ri.
Bir foto-diyotun k enerjisine bal olarak nasl alt ekil-3.26da gsterilmitir.

ncelikle foto-diyot ters polarma altnda altrlmtr. ekilde grld gibi karanlk
ortamda foto-diyotun direnci maksimumdur ve zerinden akm akmasna izin vermez.
Foto-diyot zerine bir k kayna uygulandnda ise Aler seviyesinde bir akm
akmasna izin verir.
Ik Yok
no
rs
Ampermetre
Ampermetre
VR
VR
de
VR
Ik Var
ekil-3.26 Foto-diyotun almas
100
H=20mW/cm
IL, Foto akm (A)
50
Foto akm, (I )
.e
em
Bir foto-diyotun karakteristii zerine gelen k gcne bal olarak retecei foto-akm
(I) miktardr. Karakteristikler genellikle watt bana akm miktar olarak belirtilir. ekil3.27de bir foto-diyot iin gerekli karakteristikler verilmitir.
10
20
10
0.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Karanlk, H
20
40
60
80
100
VR , ters gerilim (V)
ekil-3.26 Foto-diyot iin gerekli karakteristikler
Lazer Diyot
Lazer; ngilizce, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (uyarlm n
neriyle k kuvvetlendirilmesi) cmlesindeki kelimelerin ba harflerinin alnmasndan
tretilmi bir kelimedir. Normal k, dalga boylar muhtelif, rengarenk, yani farkl faz ve
frekansa sahip dalgalardan meydana gelir.
Lazer ise yksek genlikli, ayn fazda, birbirine paralel, tek renkli (monochromatic),
hemen hemen ayn frekansl dalgalardan ibarettir. Optik frekans blgesi yaklak olarak
85
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1x109 Hz ile 3x1012 Hz arasnda yer alr. Bu blge, krmz tesi nlar, grlebilen
nlar ve elektromanyetik spektrumun mortesi nlarn kapsar. Lazer diyot ok
yksek frekanslarda alr.
+
Anot
Metalleme
N tipi katman
P
P Duvar
N Duvar
Pn bitiimi
P tipi katman
Metalleme
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Lazer nmnn retimi iin farkl yntemler ve malzemeler kullanlmaktadr.

Yariletken malzemelerden elde edilen kristallerden yaplan lazerlere, lazer diyot ad
verilmektedir. Galyum arsenik kristali yariletken lazere rnektir. Lazer diyot; Yar
iletken diyot gibi p-n malzemenin birlemesinden oluturulmutur. Birleim yzeyinde
pozitif gerilim p tarafna, negatif gerilim ise n tarafna verildii zaman elektronlar n
malzemesinden p malzemesine geerken enerjilerini kaybeder ve foton yayarlar. Bu
fotonlar tekrar elektronlara arparak bu elektronlarn daha ok foton retmesine sebep
olurlar. Neticede yeterli seviyeye ulaan foton neri, lazer nn meydana getirir. Bu tr
lazerler verimli k kaynaklardr. Genellikle boylar bir milimetreden byk deildir.
Ancak ok verimli alma iin ortam scakl oda scaklnn ok altna drlmelidir.
Lazer diyotun grnm ve yaps ekil-3.25de verilmitir.
Katod
ekil-3.25 Lazer diyotun grnm ve yaps
Lazer nnn zellikleri:

Lazer nnn en byk zellii, dalmamas ve yn verilebilmesidir. Dalga
boyunun kk olmas dalmay da byk lde azaltr. Uyarlan atomlar her yn
yerine, belli ynlerde hareket ederler. Bu durum lazer nn ok parlak olmasn
salar.
86
ri.
Laser n, dalga boyu tek olduundan monokromatik zellik tar. Frekans dalm
aral, frekansnn bir milyonda biri civarndadr. Bu sebepten istenilen frekansta
ok sayda dalgalar lazer dalgas zerine bindirilmek suretiyle haberlemede iyi bir
sinyal reteci olarak kullanlr.
tla
Lazer n dalmaz olduundan ksa darbeler halinde yaynlanabilmesi

mmkndr. Kaypsz yksek enerji nakli yaplmas bu zellii ile salanabilir.
Ynl bir hareket olmasndan ise holografi ve lm biliminde yararlanlr.
Lazer eitleri:
no
Lazer n tek dalga boyuna sahip olduu iin lazer cinsine gre eitli renkte nlar
elde etmek mmkndr.
rs
Gnmzde lazer nmnn retimi iin farkl yntemler kullanlmaktadr. Bu nedenle

lazerler; kat, gaz, kimyasal, sv ve yariletken lazer olmak zere snflara ayrlrlar. lk
bulunan kat lazer tr, yakut lazeridir. Yakut, az miktarda krom ihtiva eden alminyum
oksit kristalidir. lk yakut laser sadece bir darbe ile altrlrd.
de
lk gaz lazerin retiminde helyum ve neon karm eklinde kullanlmtr. Helyum ve

neon gaz ile alan lazerde, gazlar yksek voltaj altnda iyonize hale gelir. Helyum
atomlar elektrik dearj esnasnda elektronlarn arpmas ile ikazlanarak yksek enerji
seviyelerine kar. Bunlar, kazandklar enerjilerini neon atomlarndaki e enerji
seviyelerine aktarrlar. Bu enerji aktarma ilemi fotonun yaylmasna sebep olur. Aynalar
vastasyla yeterli seviyeye ulatktan sonra lazer n elde edilmi olur. Bu tr lazer
nnn dalga boyu 1,15 mikrondur.
.e
em
Kimyasal lazerde ise meydana getirilen gazlar kimyasal reaksiyon yoluyla pompalanr.
Kimyasal pompalama bir eksotermik kimya reaksiyonunda enerji aa kmasyla olur.
rnein; hidrojen ve flor elementleri tersine evrilmi bir toplumda hidrojen florur
meydana getirmek zere reaksiyona girdiklerinde lazer etkisi ortaya kar.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
En ok kullanlan sv lazer tr, organik bir zc iindeki organik boyann seyreltik

bir zeltisidir. Birka lazer paralel olarak altrlabilir. Bylece saniyenin birka
trilyonda biri devam eden lazer darbeleri elde edilebilir. Boya lazerlerinin en nemli
zellii dalga boyunun geni bir alanda hassas bir ekilde ayarlanabilmesidir.
Lazer nnn kullanld yerler:
Lazer, haberlemede kullanlabilecek zelliklere sahiptir. Lazer n da gne n gibi

atmosferden etkilenir. Bu sebeple atmosfer, radyo yaynlarnda olduu gibi lazer yayn
iin uygun bir ortam deildir. Bu bakmdan lazer nlar, ii ayna gibi olan lifler iinden
gnderilirse, lifler ne kadar uzun, kvrntl olursa olsun kayp olmadan bir yerden
dierine ular. Bu liflerden istifade edilerek milyonlarca deiik frekanstaki bilgi ayn
anda tanabilmektedir. Bu maksatla foto diyot kullanlmakta ve elektrik enerjisi foto
diyotta k enerjisine evrilmektedir.
Karbondioksit lazerleri metal, cam, plastik kaynak ve kesme ilerinde kullanlr. Lazer,
uzayda mesafe lmede kullanlr. Peykler arasndaki mesafeyi 25cm hata ile
lebilmektedir. Lazerle ilk mesafe lm, 1962 senesinde, Aya yerletirilen argon-iyon
lazeri ile yaplmtr. Lazer, inaatlarda, boru ve tnel yapmnda, yn ve dorultu
tayininde ve tespitinde klasik teodolitlerden ok daha mkemmel ve kullanldr.
87
Lazer; askeri alandaki mesafe bulma ve yer tanma maksadyla kullanld

bilinmektedir. Gece karanlnda gece gr drbnleri ile operasyon yaplabilir. ok
balkl fzelerin hafzalarna yerletirilen hedef resmi, fze hedefe yaklanca lazer n
ile tannr.
ri.
Holografi ve fotoraflkta ok mhim yeri vardr. Lazerle grnt kaydetme sresi

saniyenin 10 trilyonda biri zamanda mmkn olur. Holografi, lazer nlar ile
boyutlu resim ekme ve grntleme tekniidir.
no
tla
Tpta lazer kansz ameliyat maksatlar ile kullanlr. Yrtlm gz retinas, lazer n ile
acsz ve sratle dikilir. Vcudun eitli blgelerindeki tmrler bakla almadan
yerinde kesilerek tedavi edilebilir. Damardaki dokular, lazer n ile kaynar ve kanama
olmaz. rk di ukurlar dolgu yaplmak zere acsz delinebilir.
Lazer teknolojisinde beklenen gelimeler:
rs
Nkleer enerji alannda lazerin eitli gelimelere yol aaca umulmaktadr. En nemlisi
balatlmas zor olan termonkleer-fzyon olaynn (hidrojen bombas ve gnete her an
meydana gelen reaksiyon) lazer ile tetiklenmesidir. Bylece dnya enerji problemi
ortadan kalkacaktr.
em
de
Laser nnn darbe sresinin saniyenin trilyonda birine drlmesi halinde ksa bir
srede retilecek enerji bugn dnyada ayn mddette retilmekte olan enerji
toplamndan fazla olacaktr. Lazer n ile alan silahlarn yaplmas ile ok uzaklardan
mhimmat, akaryakt, karargah binalar imha edilebilecektir. Lazer zellii dolaysyla
bilgisayarn hafza kapasitesini byk lde arttrabilir.
ZEL TP DYOTLAR
.e
3.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blmde elektronik endstrisinde azda olsa kullanlan baz zel amal diyot trleri
tantlacak ve alma karakteristikleri verilecektir. Bu tr diyotlara rnek olarak
otki (Schoottky), Tunel diyot, Pin diyotu sayabiliriz.
Bu blmde srayla;
otki diyotun yaps, sembol ve karakteristikleri

Pin diyotun yaps, sembol ve karakteristikleri
Tunel diyotun yaps, sembol ve karakteristikleri
ncelenecektir.
88
otki (Schottky) Diyot
tla
ri.
otki diyotlar ok yksek frekanslarda kullanlmak zere tasarlanm zel bir diyot
trdr. Bu diyotlara scak tayc (hot-carrier) diyotlarda denilmektedir. ok yksek
frekanslar altnda yaplan almalarda normal diyotlar anahtarlama ilevini yerine
getirirken zorlanrlar. rnein istenilen srelerde durum deitiremezler (iletim/kesim).
Bu soruna zm bulmak amac ile otki diyotlar gelitirilmitir. otki diyotlar ok
yksek anahtarlama hzlarna sahiptirler. Bu nedenle yksek frekanslarda yaplan
almalarda anahtarlama eleman olarak otki diyotlar tercih edilir. Kullanm alanlarna
rnek olarak saysal (digital) sistem tasarmlarn verebiliriz.
no
otki diyotlarn yaps normal diyotlarla benzerlik gsterir. Sadece P ve N maddesinin

birleim yzeyi normal diyotlardan farkldr. Anahtarlama hzn artrmak amac ile otki
diyotlarn birleim yzeylerinde altun, gm veya platin gibi metaller kullanlr. otki
diyotun sembol ve yaps ekil-3.26da verilmitir.
Metal-Slikon
bitiimi
Katod
de
rs
Katod
Anot
Katod
Anot
N
Anot
em
ekil-3.26 otki Diyotun sembol ve yaps
.e
Pin Diyot
Pin diyotlarda P ve N eklemleri youn bir ekilde katklandrlmtr. Fakat bu iki

malzeme katksz bir silisyum malzeme ile ayrlmtr. in diyot, Ters ynde polarmalandrldnda sabit bir kondansatr gibi davranr. Doru ynde polarmalandnda ise
deiken bir diren gibi alr. Pin diyot bu zelliklerinden dolay modlasyon eleman
olarak kullanlr. Hzl deiiminden dolay kontroll mikro dalga anahtar gibi, ya da
direnci akm kontroll olduundan zayflatma uygulamalarnda kullanlrlar. Pin
diyodun yaps ve edeer devreleri ekil-3.27de verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
zel Blge
Katod
N
Anot
CR
b) Ters polarma edeeri
c) Doru polarma edeeri
a) Temel Yaps
ekil-3.27 Pin Diyotun temel yaps ve edeer devreleri
89
RF
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Tunel Diyot
tla
ri.
Tunel Diyot (Tunnel diode), dier diyotlar gibi PN bitiiminden retilmitir. retiminde
germanyum veya galyum arsenit kullanlr. Dorultucu diyotlardan farkl olarak p ve n
tipi eklemleri oluturulurken daha youn katk maddesi kullanlr. Tunel diyotun en
belirgin zellii negatif diren karakteristiidir. Bu zellik onu zellikle osilatr
devrelerinin tasarmnda popler klar. Tunel diyotlarn sk kullanld bir dier
uygulama alan ise mikrodalga ykselteleridir. ekil-3.28de tunel diyotun ematik
sembol ve karakteristii verilmitir.
Tunel
Akm
VF
Anot
rs
Anot
Negatif
Diren
Blgesi
IF
Katod
no
Katod
de
ekil-3.27 Tunel Diyotun ematik sembol ve karakteristii
Tunel diyotun bu zellii onu kimi uygulamalarda popler klar. rnein osilatr
devrelerinde tetikleme eleman olarak kullanlabilir. Tunel diyotun bir osilatr devresinde nasl kullanldn kk bir rnekle aklayalm. ekil--3.28de paralel bir rezonans
devresi verilmitir. Bu devre, S anahtar kapatldnda snml bir osilasyon retilir.
S
V
S
R
.e
em
Tunel diyot, doru polarma altnda ok kk gerilim deerlerinde dahi iletimdedir ve

zerinden bir akm akmasna izin verir. Bu durum karakteristikte A-B noktalar arasnda
grlmektedir. Tunel diyot zerine uygulanan doru yndeki polarma gerilimi, tunel
diyot krlma (barrier) gerilimi deerini atnda tunel diyot negatif diren zellii
gsterir. Bu noktada (B noktas) tunel diyot zerinden geen akm miktar artt halde,
zerine den gerilim azalr. Bu durum negatif diren zelliidir. Tunel diyota has bir
zelliktir. Karakteristikte B-C noktalar arasnda gsterilmitir.
ekil-3.28 Snml bir osilasyonun oluumu

Bu devreye bir tunel diyot ilavesiyle osilasyon srekli hale gelir. Devrenin almasn
ksaca aklayalm. S anahtar kapatldnda tunel diyot tetiklenerek tank devresine
enerji pompalar. Tank devresinde salnm oluur ve tunel diyot kesime gider. Tank
90
D1
Tank Devresi
R1
D1
VF
no
tla
IF
ri.
devresinde oluan salnmn genlii belli bir deerin altna dtnde tunel diyot tekrar
tetiklenerek tank devresine enerji pompalar. Bu durum srekli tekrarlanarak osilasyonun
sreklilii tunel diyot tarafndan salanr.
BLM ZET
de
3.7
rs
ekil-3.29 Tunel diyotla gerekletirilen osilatr devresi
em
Zener diyot, ters polarma altnda ve krlma geriliminde altrlmak zere

retilmi zel tip bir diyotdur.
Zener diyot, anot ve katod olarak adlandrlan iki adet terminale sahiptir. Gerilim
reglatr ve krpc olarak kullanlr.
.e
Zener diyotlarda krlma gerilimi retim aamasnda 1.2V ile 200V arasnda farkl
deerlerde ayarlanarak kullancnn tketimine sunulur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Regle ilemi hat ve yk reglasyonu olmak zere iki temelde yaplr. Zenerin temel ilevi
zerine uygulanan ters gerilimi, krlma gerilimi deerinde sabit tutmaktr.
Zener diyot, regle ilemini belirli koullar altnda yerine getirir. Zenere
uygulanan ters gerilim deeri, zener krlma geriliminden byk olmaldr. Zener
akm ise belirli limitler ierisinde tutulmaldr.
Zener diyot, regle ilemini kk gler sz konusu olduunda yerine
getirebilir. Byk glerde regle ilemi iin ek devre elemanlar kullanlmaldr.
Zener diyotun bir dier kullanm amac ise referans gerilimi elde etmektir.
Dolaysyla zener, kimi zaman referans diyot olarak kullanlabilir.
Varikap diyot, ters polarma altnda ayarl bir kondansatr gibi davranr. zerine
uygulanan ters gerilim deerine bal olarak kapasitesi deiir.
Varikap diyotlar genellikle iletiim sistemlerinde; modlatr, otomatik frekans
kontrol ve filtreleme devrelerinde kullanlr.
91
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
otki (Schottky) diyotlar, ok yksek frekanslarda anahtarlama eleman olarak

altrlmak zere tasarlanmlardr.
ri.
Pin diyot, zellikle mikro dalga devrelerinde altrlmak zere tasarlanmtr.

Doru ynde sabit bir kondansatr etkisi, ters ynde ise ayarl bir diren gibi
davranr. Mikro dalga ve sinyal zayflatma devrelerinde sklkla kullanlr.
tla
Doru polarma altnda k yayan diyodlara LED ad verilmektedir. LED, ters

polarma altnda yaltkandr. zerinden akm akmasna izin vermez.
Farkl yariletken materyaller kullanlarak sar, turuncu, krmz ve yeil renklerde
k grlebilir k yayan LED retimi yaplmaktadr.
no
Faskl dalga boylarnda gzle grlemeyen k yayan LED retimi de

yaplmaktadr. Bu tr LEDlere infrared ad verilmektedir.
Foto-diyot, ters polarma blgesinde zerine uygulanan k miktarna duyarl bir
diyotdur. zerine uygulanan k iddetine bal olarak zerinden kk bir
miktar akm akmasna izin verir.
de
rs
Baz zel tip diyotlarn ematik sembolleri ekil-3.30da toplu olarak verilmitir.
Zener Diyot
LED
otki Diyot
Tunel Diyot
Foto Diyot
ekil-3.30 zel tip diyotlarn ematik sembolleri
.e
em
Dorultma Diyodu
92
de
rs
no
tla
ri.
BPOLAR JONKSYON TRANSSTR
.e
em
retilen ilk yariletken transistr ve bulan bilim adamlar
co
m
BLM 4
Konular:
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
Transistrn Yaps
Transistrn almas
Transistr Karakteristikleri ve parametreleri
Transistrn anahtar olarak almas
Transistrn Ykselte olarak almas
Transistrlerde klf tipleri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Elektronik bilimi, 1904-1947 yllar arasnda elektron lambalarnn kullanmyla geliip

nem kazand. lk diyot lamba 1904 ylnda J.A. Fleming tarafndan yapld. 1906 ylnda
Lee De Forest, diyot lambaya nc elektrodu ilava ederek Triyot lambay gelitirdi.
zleyen yllarda elektron lambalarndaki gelimelere paralel olarak ilk radyo ve
televizyon retildi.
ri.
1931-1940 yllar kat maddeler elektronii hakknda daha ziyade teorik almalar devri
olmutur. Bu sahada isimleri en ok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F.
Seitz ve W. Schottky'dir.
tla
23 haziran 1947 tarihinde elektronik endstrisi gelime yolunda en byk adm att. Bu
tarihte Bell laboratuarlarnda Walter H. Brottain ve John Bardeen tarafndan nokta
temasl ilk transistr tantld. Ykselte olarak baaryla denendi. Bulunan bu yeni
elemann elektron lambalarna gre bir ok stnl vard.
no
mal edilen ilk transistr, nokta temasl transistrd ve gc miliwatt seviyesindeydi.

Sadece alak frekanslarda kullanlabiliyordu. Bu transistrn esas, germanyum bir para
zerine iki madeni ucun ok yakn ekilde balanmasndan ibaretti. Kolay tahrip olmas
ve fazla dip grlts olmas sebebiyle ok tutulmamtr.
de
rs
1949'da William Schockley tarafndan gelitirilen "Jonksiyon Transistr" ise 1953'ten

itibaren elektroniin eitli alanlarnda deneysel maksatlarla, 1956'dan itibaren ise her
alanda seri olarak kullanlmaya balanmtr. Zamanla daha pek ok transistr eidi
bulunarak hizmete sunulmutur.
Gnmzde transistrler mikron teknolojisi ile retilebilir hale gelmi ve tmdevrelerin
(chip=Ics) iinde kullanlmaya balanmtr. Kullandmz bilgisayarlarn ilemcileri
modeline gre 3 ila 100 milyon adet transistr ierebilmektedir.
.e
em
Transistr, bir grup elektronik devre elemanna verilen temel addr. Transistrler yaplar
ve ilevlerine bal olarak kendi aralarnda gruplara ayrlrlar. BJT (Bipolar Jonksiyon
Transistr), FET, MOSFET, UJT v.b gibi... Elektronik endstrisinde her bir transistr tipi
kendi ad ile anlr. FET, UJT, MOSFET... gibi. Genel olarak transistr denilince akla
BJTLer gelir. Bu blmde bipolar jonksiyon transistrlerin genel yapsn, zelliklerini ve
almasn inceleyeceiz.
eitli tip transistrlerin grnmleri
94
4.1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
TRANSSTRN YAPISI
tla
ri.
Transistrler, kat-hal "solid-state" devre elemanlardr. Transistr yapmnda

silisyum, germanyum yada uygun yariletken karmlar kullanlmaktadr. Bu
blmde; Bipolar Jonksiyon transistrlerin temel yapsn inceleyeceiz. Transistr
szc akla ilk olarak BJTleri getirir. Dier transistrler adlar ile anlrlar. FET,
MOSFET, UJT... gibi. Bipolar Transistrler npn ve pnp olmak zere iki temel yapda
retilirler
Npn ve pnp transistrlerin temel yaps

Npn ve pnp tipi transistrlerin ematik gsterimi
Bipolar Transistrlerin temel alma prensipleri
rs
no
Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere

sahip olacaksnz.
Metal Kontaklar
Oxide
.e
em
de
Bipolar Jonksiyon Transistr (BJT) elektronik endstrisinin en temel yariletken devre

elemanlarndandr. BJT; anlam olarak ift kutuplu yzey birleimli transistr ifadesini
ortaya karr. BJT iinde hem ounluk tayclar, hem de aznlk tayclar grev
yapar. Bundan dolay bipolar (ift kutuplu) szc kullanlr. Transistr ilk
icat edildiinde yar iletken maddeler birbirlerine nokta temasl olarak monte edilirlerdi.
Bu nedenle onlara "Nokta Temasl Transistr" denirdi. Gnmzde transistrler yapm
itibari ile bir tost grnmndedir. Transistr imalatnda kullanlan yar iletkenler,
birbirlerine yzey birleimli olarak retilmektedir. Bu nedenle Bipolar Jonksiyon
Transistr olarak adlandrlrlar. Transistrn temel yaps ekil-4.1de gsterilmitir.
Emiter
Beyz
Kollektr
Substrate (taban)
ekil-4.1 Bipolar Jonksiyon transistrn yaps

BJT transistrler katklandrlm P ve N tipi malzeme kullanlarak retilir. NPN ve PNP
olmak zere balca iki tipi vardr. NPN transistrde 2 adet N tipi yariletken madde
arasna 1 adet P tipi yariletken madde konur. PNP tipi transistrde ise, 2 adet P tipi
yariletken madde arasna 1 adet N tipi yariletken madde konur. Dolaysyla transistr 3
adet katmana veya terminale sahiptir diyebiliriz.
95
C (Kollektr)
B (Beyz)
C (Kollektr)
Beyz-Kollektr
Jonksiyonu
B (Beyz)
P
N
Beyz-Emiter
Jonksiyonu
B (Beyz)
E (Emiter)
rs
E (Emiter)
C (Kollektr)
no
tla
ri.
Transistrn her bir terminale ilevlerinden tr; Emiter (Emiter), Beyz (Base) ve
Kollektr (Collector) adlar verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize
edilirler. ekil-4.2de NPN tipi ve PNP tipi transistrn fiziksel yaps ve ematik
sembolleri verilmitir. Fiziksel yapdan da grld gibi transistrn iki jonksiyonu
vardr. Bunlardan beyz-emiter arasndaki blge beyz-emiter jonksiyonu, beyzkollektr arasndaki blge ise beyz-kollektr jonksiyonu olarak adlandrlr.
Transistrlerde beyz blgesi; kollektr ve Emiter blgelerine gre daha az katklandrlr.
Ayrca beyz blgesi; kollektr ve Emiter blgesine nazaran ok daha dar tutulur.
C (Kollektr)
Beyz-Kollektr
Jonksiyonu
B (Beyz)
N
P
Beyz-Emiter
Jonksiyonu
E (Emiter)
E (Emiter)
b) PNP tipi Transistr fiziksel yaps ve ematik sembol
de
a) NPN tipi Transistr fiziksel yaps ve ematik sembol
ekil-4.2 NPN ve PNP tipi transistrlerin fiziksel yaps ve ematik sembolleri
TRANSSTRN ALIMA LKELER
.e
em
4.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bipolar transistrlerin genelde iki alma modu vardr. Ykselte (amplifier) ve

anahtar olarak. Transistr, her iki alma modunda harici dc besleme gerilimlerine
gereksinim duyar. Bu blmde NPN tipi transistrn alma ilkeleri analiz
edilecektir. PNP tipi transistrn alma ilekeleri, NPN ile benzerlik gsterir. PNP
tipi transistrde dc besleme gerilimi ve akmlarnn ynleri terstir. Bu nedenle sadece
NPN tipi transistrlerin almas incelenecektir. Bu blm bitirdiinizde; aada
belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz.
Transistrlerin doru ve ters ynde polarmalandrlmas

Transistrlerde polarma gerilimlerinin balant ynleri
Transistrlerde oluan akm ve gerilim ilikileri
Transistrde beyz, emiter ve kollektr akmlar arasndaki ilikiler
Transistrler genellikle alma blgelerine gre snflandrlarak incelenebilir.

Transistrn alma blgeleri; kesim, doyum ve aktif blge olarak adlandrlr.
Transistr; kesim ve doyum blgelerinde bir anahtar ilevi grr. zellikle saysal
sistemlerin tasarmnda transistrn bu zelliinden yararlanlr ve anahtar olarak
kullanlr. Transistrn ok yaygn olarak kullanlan bir dier zellii ise ykselte
olarak kullanlmasdr. Ykselte olarak kullanlacak bir transistr aktif blgede
altrlr.
96
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Ykselte olarak altrlacak bir transistrn PN jonksiyonlar uygun ekilde

polarmalandrlmaldr.
VBE
BC Ters
Polarma
VBE
BE Doru
Polarma
VBC
+
BC Ters
Polarma
rs
no
BE Doru
Polarma
+
VBC
tla
ri.
ekil-4.3de NPN ve PNP tipi transistrlerin ykselte olarak altrlmas iin gerekli
polarma gerilimleri ve bu gerilimlerin polariteleri verilmitir. NPN tipi bir transistrde;
beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyz-kollektr jonksiyonu ise ters ynde
polarmalanr. Her iki transistrnde alma ilkeleri ayndr. Sadece polarma gerilimi ve
akmlarnn ynleri terstir. Bu nedenle bu blm boyunca NPN tipi bir Transistrn
almasn analiz edeceiz.
de
ekil-4.3 NPN ve PNP transistrlerin polarmalandrlmas
em
Transistrn ykselte olarak almas ekil-4.4de verilen balantlar dikkate alnarak

anlatlacaktr. NPN tipi bir transistrde beyz terminaline, emitere gre daha pozitif bir
gerilim uygulandnda doru polarma yaplmtr. Bu polarma etkisiyle gei blgesi
daralmaktadr. Bu durumda P tipi maddeki (beyz) ounluk akm tayclar, N tipi
maddeye (emiter) gemektedirler.
zet olarak ykselte olarak altrlacak bir transistrde; Beyz-emiter jonksiyonlar

doru, beyz-kollektr jonksiyonlar ise ters polarmaya tabi tutulur diyebiliriz. Bu durum
ekil-4.4de ayrntl olarak verilmitir.
ounluk Akm Tayclar
Aznlk Akm Tayclar
N
C
.e
Emiter-beyz polarmasn iptal edip, beyz-kollektr arasna ters polarma uygulayalm. Bu

durumda ounluk akm tayclar sfrlanacaktr. nk gei blgesinin kalnl
artacaktr. (Diyodun ters polarmadaki davrann hatrlayn). Aznlk tayclar, beyzkollektr jonksiyonundan VCB kaynana doru akacaktr.
Gei
Blgesi
VEB
Gei
Blgesi
VCB
ekil-4.4 NPN tipi transistr jonksiyonlarnn doru ve ters polarmadaki

davranlar
97
ri.
Transistrn nasl altn anlamak amacyla yukarda iki kademede anlatlan olaylar
birletirelim. ekil-4.5de NPN tipi bir transistre polarma gerilimleri birlikte
uygulanmtr. Transistrde oluan ounluk ve aznlk akm tayclar ise ekil
zerinde gsterilmitir. Transistrn hangi jonksiyonlarna doru, hangilerime ters
polarma uygulandn ekil zerindeki gei blgelerinin kalnlna bakarak
anlayabilirsiniz.
N
Aznlk Akm
T ayclar
tla
IC0
E
ounluk Akm Tayclar
no
IE
Gei
Blgeleri
VEB
C
IC
VCB
rs
IB
ekil-4.5 NPN tipi transistrde ounluk ve aznlk akm tayclarnn ak
.e
em
de
Doru ynde polarmalanan emiter-beyz jonksiyonu, ok sayda ounluk taycsnn P

tipi malzemeye (beyze) ulamasn salar. Beyz blgesinde toplanan tayclar nereye
gidecektir. IB akmna katkda m bulunacaklardr yoksa N tipi malzemeye mi
geeceklerdir. Beyz blgesinin (P tipi malzeme) iletkenlii dktr ve ok incedir. Bu
nedenle; az sayda tayc yksek dirence sahip bu yolu izleyerek beyz ucuna
ulaacaktr. Dolaysyla beyz akm, emiter ve kollektr akmlarna kyasla ok kktr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-4.5de gsterildii gibi ounluk tayclarnn ok byk bir blm, ters

polarmal kolektr-beyz jonksiyonu zerinden difzyon yoluyla kollektr ucuna bal Ntipi malzemeye geecektir. ounluk tayclarnn ters polarmal jonksiyon zerinden
kolaylkla gemelerinin nedeni, N-tipi maddede (emiterde) bulunan oyuklardr. Bu
durumda akm miktar artacaktr.
Sonu ksaca zetlenecek olursa; emiterden enjekte edilen elektronlarn kk bir miktar
ile beyz akm olumaktadr. Elektronlarn geri kalan byk bir ksm ile kollektr akm
olumaktadr. Buradan hareketle; emiterden enjekte edilen elektronlarn miktar, beyz ve
kollektre doru akan elektronlarn toplam kadar olduu sylenebilir. Transistr
akmlar arasndaki iliki aadaki gibi tanmlanabilir.
I E = IC + I B
Ksaca, kollektr akmnn miktar beyz akmnn miktar ile doru orantldr ve
kollektre uygulanan gerilimden bamszdr. nk kollektr ancak beyzin
toplayabildii tayclar alabilmektedir. Emiterden gelen tayclarn yaklak %99u
kollektre geerken geriye kalan ok kk bir ksm beyze akar.
Bir transistrn almas iin gerekli artlar ksaca zetleyelim.
Transistrn alabilmesi iin; beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyzkollektr jonksiyonu ise ters ynde polarmalandrlmaldr. Bu alma biimine
transistrn aktif blgede almas denir.
98
Beyz akm olmadan, emiter-kollektr jonksiyonlarndan akm akmaz. Transistr

kesimdedir. Farkl bir ifadeyle; beyz akm kk olmasna ramen transistrn
almas iin ok nemlidir.
PN jonksiyonlarnn karakteristikleri transistrn almasn belirler. rnein;

transistr, VBE olarak tanmlanan beyz-emiter jonksiyonuna doru ynde bir
balang gerilimi uygulanmasna gereksinim duyar. Bu gerilimin deeri
silisyum transistrlerde 0.7V, germanyum transistrlerde ise 0.3V civarndadr.
tla
ri.
TRANSSTR PARAMETRELER VE KARAKTERSTKLER
no
4.3
Transistrde dc beta (DC) parametrelerinin tantm

Transistrde dc alfa (DC) parametrelerinin tantm
DC ve DC parametrelerinin karlatrlmalar ve matematiksel analizleri
Transistr devrelerinde akm-gerilim ilikileri
Temel transistr devrelerinin dc analizleri
Transistrlerin ematik gsterimi
Transistrlerin almas iin gerekli ilk art, dc polarma gerilimlerinin uygun ekilde
balanmasdr. ekil-4.6da NPN ve PNP tipi transistrler iin gerekli polarma
balantlar verilmitir. Transistrn beyz-emiter jonksiyonuna VBB kayna ile doru
polarma uygulanmtr. Beyz-kollektr jonksiyonuna ise VCC kayna ile ters polarma
uygulanmtr.
.e
em
de
rs
Transistrle yaplan her trl tasarm ve almada dikkat edilmesi gereken ilk konu,
transistrn dc polarma gerilimleri ve akmlardr. Transistrlerin dc analizlerinde
kullanlacak iki nemli parametre vardr. Bu parametreler; DC (dc akm kazanc) ve
DC olarak tanmlanr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda
ayrntl bilgilere sahip olacaksnz.
RC
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IC
RB
VBB
RC
RB
VCC
IB
V BB
IE
IC
VCC
IB
IE
ekil-4.7 NPN ve PNP transistrlerin polarmalandrlmas

Bir transistrn analizi yaplrken iki nemli parametresi vardr. Bunlar; DC akm
kazanc veDC akm kazancdr. Bu parametreleri inceleyelim.
99
DC Beta (DC) ve DC Alfa (DC)
akm kazanc, ortak emiter balantda akm kazanc olarak da adlandrlr. Ortak emiter
balant kavram ileride aklanacaktr. Bir transistr iin akm kazanc, kollektr
akmnn beyz akmna oranyla belirlenir.
IC
IB
ri.
tla
akm kazanc bir transistr iin tipik olarak 20-200 arasnda olabilir. Bununla birlikte
deeri 1000 civarnda olan zel tip transistrlerde vardr. akm kazanc kimi
kaynaklarda veya retici kataloglarnda hFE olarak da tanmlanr.
no
= h FE
Kollektr akmn yukardaki eitlikten;
IC = I B
de
rs
olarak tanmlayabiliriz. Transistrde emiter akm; IE=IC+IB idi. Bu ifadeyi yeniden

dzenlersek;
IE = IB + IB
I E = I B (1 + )
deeri elde edilir. Ortak beyzli balantda akm kazanc olarak bilinen deeri; kollektr
akmnn emiter akmna oran olarak tanmlanr.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IC
IE
Emiter akmnn kollektr akmndan biraz daha byk olduu belirtilmiti. Dolaysyla
transistrlerde akm kazanc 1den kktr. akm kazancnn tipik deeri 0.95-0.99
arasndadr. Emiter akm; IE=IC+IB deerine eitti. Bu eitlikte eitliin her iki taraf ICye
blnrse;
I E IC I B
=
+
IC IC IC
IE
I
= 1+ B
IC
IC
DC=IC/IE ve DC=IC/IB olduundan, yukardaki formle yerletirilirse

1
= 1+
deeri elde edilir. Buradan her iki akm kazanc arasndaki iliki;
1+
olarak belirlenir. Bir transistrde akm kazanc deeri yaklak olarak sabit kabul edilir.
Ancak akm kazanc deerinde ok kk bir deiimin, akm kazanc deerinde ok
byk miktarlarda deiime neden olaca yukardaki formlden grlmektedir.
100
Transistrlerde akm kazanc, gerekte sabit bir deer deildir. Deeri bir miktar
transistrn alma ssna bamldr.
zm:
DC =
IC
IB
ri.
Bir transistrn akm kazanc deeri 200dr. Beyz akmnn 75A olmas
durumunda, kollektr akm, emiter akm ve akm kazanc deerlerini bulunuz.
I C = I B = ( 200 75 A) = 150mA
tla
rnek 4-1
I E = I C + I B = (1 + ) I B = (1 + 200 ) 75 A = 150.75mA
no
1+
200
= 0.99
1 + 200
de
rs
Transistrlerde DC akm kazanc sabit deildir. Deeri bir miktar kollektr akm ve
scaklk deiimi ile orantldr. Transistr reticileri kataloglarnda belirli bir IC deeri ve
scaklk altnda oluan ortalama DC deerini verirler. ou uygulamalarda transistrn
IC deeri ve jonksiyon scakl sabit tutulsa dahi DC deeri deiebilir. Bu nedenle;
reticiler rettikleri her bir transistr tipi iin, DC akm kazancnn minimum ve
maksimum deerlerini verirler. ekil-4.8de scaklk ve kollektr akmndaki deiime
bal olarak DC akm kazancndaki deiim rneklenmitir.
70
Minimum akm ka za nc (D C)
.e
em
Transistrle yaplan devre tasarmlarnda DC deerindeki deiimler dikkate alnarak

deerinden bamsz uygulama devreleri gelitirilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
T=125 0C
50
T=250 C
30
T=-15 0C
20
T=-55 0C
10
1 .0
2.0
3.0
10
20
30
50
10 0
200
IC ( mA )
ekil-4.8 Scaklk ve kollektr akmndaki deiime bal olarak DCnin deiimi
Transistrde Akm ve Gerilim likileri

Bir transistr devresinde akm ve gerilimler arasnda belirli ilikiler vardr. Transistrn
her bir terminalinde ve terminalleri arasnda oluan gerilim ve akmlar birbirinden
bamsz deildir. Transistrn her bir jonksiyonundan geen akmlar ve jonksiyonlar
arasnda oluan gerilimler ekil-4.9 zerinde gsterilmi ve adlandrlmtr.
101
Kaplan
RC
IC
II.GZ
IB
IE
IC
RB
VBE
_ _
VBE : Beyz-emiter gerilimi (dc)

VCB : Kollektr-beyz gerilimi (dc)
VCE : Kollektr-emiter gerilimi (dc)
tla
IB
IE
I.GZ
no
VBB
VCC
VCE
: Beyz akm (dc)

: Emiter akm (dc)
: Kollektr akm (dc)
ri.
V CB + +
ekil-4.9 Transistrde akm ve gerilimler
de
rs
Transistrn beyz-emiter jonksiyonu VBB gerilim kayna ile doru ynde

polarmalanmtr. Beyz-kollektr jonksiyonu ise VCC gerilim kayna ile ters ynde
polarmalanmtr. Beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalandnda tpk ileri
ynde polarmalanm bir diyot gibi davranr ve zerinde yaklak olarak 0.7V gerilim
dm oluur.
VBE 0.7V
em
Devrede I.Gz iin K.G.K yazlrsa;

VBB = I B R B + VBE
olur. Buradan beyz akm ekilirse;
.e
VBB VBE = I B R B
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
VBB VBE
RB
olarak bulunur. Buradan kollektr ve emiter akmlarn bulabiliriz.

I C = .I B
I E = I C + .I B
RC direnci zerine den gerilim;
R C
olur.
102
= IC R
Transistrn emiter-kollektr gerilimini bulmak iin devredeki II.Gzden yararlanrz.

II.Gz iin K.G.K yazlrsa;
VCC = ( I C RC ) + VCE
ri.
VCE = VC C ( I C RC )
tla
olarak bulunur.
rnek 4-2
RC
10K
no
RB
VC E
V BE
I B=?, I C=?, IE =?
VC C
10V
V BE =?, V CE =?, V CB =?
rs
5V
Yanda verilen devrede;

transistrn polarma akm ve
gerilimlerini bulunuz?
100
VCB + +
VBE=0.7V
.e
em
zm:
de
=200
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DC =
VBB = I B R B + VBE
IB =
VBB VBE 5V 0.7V

=
= 430 A
RB
10K
IC
IB
I C = I B = ( 200 430 A) = 86mA
1+
200
= 0.99
1 + 200
VCC = ( I C RC ) + VCE
VCE = VC C ( I C RC ) = 12V (86mA 100) = 3.4V
VCB gerilimini bulmak iin evre denklemlerinden yararlanlr.
VCC = ( I C RC ) + VCB + VBE

VCB = VCC ( I C RC ) VBE
VCB = 12 (86mA 100) 0.7V = 2.7Volt
103
Transistrn Giri Karakteristii
ri.
Karakteristik eri, herhangi bir elektriksel elemanda akm-gerilim ilikisini gsterir.

Transistr; giri ve k iin iki ayr karakteristik eriye sahiptir. Transistrn giri
karakteristii beyz-emiter gerilimi ile beyz akm arasndaki ilikiyi verir. Transistrn
giri karakteristiini karmak iin ekil-4.10daki balantdan yararlanlr.
tla
Transistrn giri karakteristiklerini elde etmek iin, kollektr-emiter gerilim (VCE)

parametre olarak alnr ve bu gerilime gre beyz akm (IB) deitirilir. Beyz akmndaki
bu deiimin beyz-emiter gerilimine (VBE) etkisi llr.
no
Grafikten de grld gibi transistrn giri karakteristii normal bir diyot

karakteristii ile benzerlik gsterir. VBE gerilimi 0.5Vun altnda olduu srece beyz
akm ihmal edilecek derecede kktr. Uygulamalarda aksi belirtilmedike
transistrn iletime balad andaki beyz-emiter gerilimi VBE=0.7V olarak kabul edilir.
Beyz-emiter (VBE) gerilimi, scaklktan bir miktar etkilenir. rnein her 10Clik scaklk
artmnda VBE gerilimi yaklak 2.3mV civarnda azalr.
RB
IB (mA)
T1 T2 T3
rs
de
RB
IB
VCC
T1>T2>T3
VBE
em
VBB
0
0.5
0.7
VBE (V)
.e
ekil-4.10 Transistrn giri karakteristiinin karlmas ve giri karakteristii
Transistrn k Karakteristii
Ttransistrlerde k, genellikle kollektr-emiter ular arasndan alnr. Bu nedenle

transistrn k karakteristii; beyz akmndaki (IB) deiime bal olarak, kollektr
akm (IC) ve kollektr-emiter (VCE) gerilimindeki deiimi verir. Transistrn k
karakteristiini elde etmek iin gerekli devre dzenei ve transistrn k karakteristik
erileri ekil-4.11de ayrntl olarak verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
IC
IC (mA)
IC
VCC
RB
VCE
IB
VBB
A
0
0.7
VCE (V)
ekil-4.11 Transistrn k karakteristiklerinin karlmas ve k karakteristikleri
104
no
tla
ri.
Devredeki VBB kayna beyz akmn ayarlamada kullanlr. Bu kaynan oluturduu

beyz akm deerine bal olarak transistrn kollektr akm deiecektir. Karakteristik
karmak iin farkl IB ve IC deerleri iin VCE gerilimleri llr ve kaydedilir.
Balangta VCC=0, IC=0 ve VCE=0 iken VBBnin belirli bir IB deeri vermek zere
ayarlandn kabul edelim. VCC geriliminin artrlmasyla birlikte IC akm dolaysyla
VCE artacaktr. Bu durum ekil-4.11deki karakteristik zerinde gsterilmitir (A-B
noktalar aras). VCE gerilimi B noktasna ulaana kadar beyz, kolektrden daha yksek
potansiyeldedir ve B-C jonksiyonu doru ynde polarmalanmtr. Bu nedenle gerilim
art ile birlikte kollektr akmda artmaktadr. VCE gerilimi B noktasna ulatnda
deeri yaklak olarak 0.7V civarndadr.Bu anda beyz-kollektr jonksiyonu ters ynde
polarmalanmaya balar. Kollektr akm IC=IB ilikisi ile gsterilen maksimum
deerine ular. Bu noktadan sonra VCE gerilimine karlk IC deeri hemen hemen sabit
kalmaya balar. Bu durum karakteristikte B ve C noktalar arasnda grlmektedir.
Gerekte ise artan VCE gerilimi ile, beyz-kollektr jonksiyonu fakirlemi blgenin
bymesi nedeniyle kollektr akmda az miktarda artmaktadr.
rs
retici firmalar her bir transistrn giri ve k karakteristik erilerini kataloglarnda

kullancya sunarlar. ekil-4.12de farkl beyz akmlarnda transistrn k karakteristik
erileri verilmitir. Transistrlerle yaplan devre tasarmlarnda retici firmann verdii
karakteristik erilerden yararlanlr.
.e
em
de
IC (mA )
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I C (mA)
I B6
I B6
I B5
I B5
I B4
I B4
I B3
I B3
I B2
I B2
I B1
I B1
VC E (V)
VC E (V)
Transist rde krlma gerilimi snr
I B1 <I B2<IB 3<IB4 <I B5<I B6
ekil-4.12 Transistrn IC-VCE karakteristikleri ve krlma gerilimi

Transistre uygulanan VCE gerilimi nemlidir. Bu gerilim deeri belirli limitler
dahilindedir. Bu gerilim belirlenen limit deeri atnda transistrde krlma (avalange)
olay meydana gelerek bozulmaya neden olur. Bu durum ekil-4.12de gsterilmitir.
Krlma gerilim deerleri retilen her bir transistr tipi iin retici kataloglarnda verilir.
Transistrde alma Blgeleri

Transistrlerde balca 3 alma blgesi vardr. Bu blgeler; aktif blge, kesim (kat-off)
blgesi ve doyum (saturation) blgesi olarak adlandrlr. Transistrn alma blgeleri
ekil-4.13de transistrn k karakteristikleri zerinde gsterilmitir. Bu blgeleri
ksaca inceleyelim.
105
I C (mA)
ri.
I B5
I B4
AK TF
B LGE
I B3
tla
DOY UM BLG ES
I B6
I B2
I B=0
I B1
VCE (V )
no
KES M BLG ES
ekil-4.13 Transistrlerde alma blgeleri
de
rs
Aktif Blge: Transistrn aktif blgesi; beyz akmnn sfrdan byk (IB>0) ve
kollektr-emiter geriliminin 0Vdan byk (VCE>0V) olduu blgedir. Transistr aktif
blgede alabilmesi iin beyz-emiter jonksiyonu doru, kollektr-beyz jonksiyonu ise
ters ynde polarmalanr. Bu blgede transistrn k akm ncelikle beyz akmna,
kk bir miktarda VCE gerilimine bamldr. Transistrn aktif blgede nasl alt,
transistrn almas blmnde ayrntl olarak incelenmiti. Dorusal ykselte
tasarm ve uygulamalarnda transistr genellikle bu blgede altrlr.
.e
em
Kesim Blgesi: Transistrn kesim blgesinde nasl alt ekil-4.13.a yardmyla

aklanacaktr. ekilde grld gibi transistrn beyz akm IB=0 olduunda, beyzemiter gerilimi de VBE=0V olaca iin devrede kollektr akm (IC) olumayacaktr. Bu
durumda transistr kesimdedir. Kollektr-emiter jonksiyonlar ok yksek bir diren
deeri gsterir ve akm akmasna izin vermez. Transistrn kollektr-emiter gerilimi
VCE, besleme gerilimi VCC deerine eit olur. Kollektrden sadece IC0 ile belirtilen ok
kk bir akm akar. Bu akma sznt akm denir. Sznt akm pek ok uygulamada
ihmal edilebilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
RC
I C0
IC
+
VCE V CC
I B =0A
RB
VCE VCC IC R C
V CC
IB
VCC
VBB
a) Transistrn kesim blgesinde almas
b) Transistrn doyum blgesinde almas
ekil-4.13.a ve b Transistrn kesim ve doyum blgesinde almas
106
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kaplan
ri.
Doyum Blgesi: Transistrn doyum (saturation) blgesinde alma ekil-4.3.b

yardmyla aklanacaktr. Transistre uygulanan beyz akm artrldnda kollektr
akmda artacaktr. Bu ilemin sonucunda transistrn VCE gerilimi azalacaktr. nk IC
akmnn artmas ile RC yk direnci zerindeki gerilim dm artacaktr.
tla
Kollektr-emiter gerilimi doyum deerine ulatnda (VCE(DOY)) beyz-emiter jonksiyonu

doru ynde polarmalanacaktr. Sonuta IB deeri daha fazla ykselse bile IC akm daha
fazla artmayacaktr. Bu durumda transistrdeki IC=IB eitlii doruluunu
kaybedecektir. Doyum blgesinde alan bir transistrn kolektr-emiter gerilimi VCE
yaklak 0V civarndadr. Bu deer genellikle VCE(DOY)=0V olarak ifade edilir.
no
Transistrde Maksimum G Snr
IC =
PD( MAX )
VCE
I C (mA)
Ma ksimum
g
snr
IC (max)
.e
em
de
rs
Her bir transistr tipinin alma alann belirleyen bir takm snr (maksimum) deerler
vardr. Bu deerler standart transistr kataloglarnda verilir. Transistrle yaplan
tasarmlarda bu deerlere uyulmaldr. Kataloglarda verilen tipik maksimum snr
deerlerini; kollektr-beyz gerilimi (VCB(max)), emiter-beyz gerilimi (VBE(max)), kollektremiter gerilimi (VCE(max)), kollektr akm (IC(max)) ve maksimum g harcamas (PD(max))
olarak sayabiliriz. ekil-4.14de tipik bir k karakteristii zerinde maksimum deerler
gsterilmitir. Transistrlerde g harcamas; kollektr-emiter gerilimi (VCE) ve kollektr
akmna (IC) baldr. Aadaki gibi formle edilir.
V CE (V)
V CE (max)
ekil-4.14 Transistrde maksimum snr deerler ve g snr

rnek:
4.3
Aktif blgede alan bir transistrn VCE gerilimi 8V llmtr. Transistrn

maksimum g harcama snr 300mW verildiine gre, kollektr akmnn maksimum
deeri ne olmaldr. Hesaplaynz
107
zm:
VCE
300mW
= 37.5mA
8V
VC C
rs
5V
ekildeki devrede transistrn

maksimum snr deerleri verilmitir.
Transistrn zarar grmeden
altrlabilecei maksimum VCC gerilimi
deeri ne olmaldr? Hesaplaynz?
PD(MAX) =1W
V CE(MAX) =20V
IC(MAX) =100mA
DC
=150
no
33 K
V BB
1K
tla
RC
RB
Transistrn VCE gerilimi deerini belirleyen faktrler; VCC, IC ve IB deerleridir. lk

etapta devredeki IB deerini belirleyelim.
de
zm:
PD(max)
ri.
IC =
rnek:
4.4
em
VBB = I B R B + VBE I B =
VBB VBE
5V 0.7V
IB =
= 130 A
RB
33K
IC = I B
I C = 150 130 A 19.5mA
.e
VCE geriliminin 20V olmasn salayan IC akmnn deeri, IC(max) deerinden kktr.
IC akmn belirleyen bir dier faktr ise VCC gerilimidir. Bu gerilimin olmas gereken
deerini bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCC = I C RC + VCE
VCC = 19.5mA 1K + 20V
VCC = 39.5V
Buradan transistrn maksimum g artlarnda alabilmesi iin VCC geriliminin
alabilecei deeri belirledik. imdi transistrde harcanabilecek maksimum gc
bulalm.
PD = VCE( MAX ) I C PD = 20V 19.5mA

PD = 390mW
Transistrde harcanabilecek toplam g, 390mW bulunmutur. Bu deer transistrn
snr g deerinden (1W) kktr. 39.5Vluk VCC besleme geriliminde gvenli bir
alma ortam salanmtr.
108
4.4
TRANSSTRN ANAHTAR OLARAK ALIMASI
Transistrde kesim (cutoff) ve doyum (saturation) blgeleri

Transistrn kesim blgesindeki zellikleri
Transistrn doyum blgesindeki zellikleri
no
tla
ri.
Transistrlerin en popler uygulama alanlarna rnek olarak ykselte ve anahtarlama

devrelerini verebiliriz. Transistrn elektronik anahtar olarak kullanlmasnda kesim ve doyum
blgelerinde almasndan yararlanlr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular
hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz.
rs
deal bir anahtar, ak olduunda direnci sonsuzdur. zerinden akm akmasna izin
vermez. Kapal konuma alndnda ise direnci sfrdr ve zerinde gerilim dm
olmaz. Ayrca anahtar bir durumdan, dier duruma zaman kayb olmadan
geebilmelidir. Transistrle gerekletirilen elektronik anahtar, ideal bir anahtar deildir.
Fakat transistr kk bir g kayb ile anahtar olarak alabilir.
em
de
Transistrn bir anahtar olarak nasl kullanld ekil-4.14de verilmitir. ekil-4.14.ada

grld gibi transistrn beyz-emiter jonksiyonu ters ynde polarmalanmtr.
Dolaysyla transistrn kesimdedir. Kollektr-emiter aras ideal olarak ak devredir.
Transistr bu durumda ak bir anahtar olarak davranr.
RB
+VC C
I C=0
RC
C
+V CC
+VC C
RB
IB=0
+VC C
IC
RC
RC
0V
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
+VBB
E
IB
b) Transistr doyumda -Anahtar KAPALI
a) Transistr kesimde -Anahtar AIK
ekil-4.14.a ve b Transistrn anahtar olarak almas

ekil-4.14.bde ise transistrn beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalanmtr.
Bu devrede beyz akm yeterli derecede byk seilirse transistr doyum blgesinde
alacaktr. Kollektr akm maksimum olacak ve transistrn kollektr-emiter aras
ideal olarak ksa devre olacaktr. Transistr bu durumda kapal bir anahtar gibi davranr.
109
Kaplan
ri.
Transistr kesimdeyken;
Beyz-emiter jonksiyonu iletim ynnde polarmalanmamtr. Dolaysyla transistrn
kollektr-emiter gerilimi;
VCE = VCC I C RC
tla
deerine eittir. Bu deer ayn zamanda transistrn k gerilimidir. Transistr

kesimdeyken IC=0 olduunu biliyoruz. nk transistrn kollektr-emiter aras ak
devredir. Bu durumda;
VCE( KESIM ) = VCC
no
olur. Bu gerilim, transistrn kollektr-emiter arasnda grlebilecek maksimum

deerdir ve yaklak olarak transistrn besleme gerilimi VCC deerine eittir.
rs
Transistr doyumdayken;
Kollektr akm maksimum deerine ulamaktadr. Kollektr-emiter gerilimi ise ideal
olarak dnlrse VCE=0V olmaktadr. Bu durumda transistrn kollektr akm;
de
VCC = VCE( DOYUM ) + I C RC

I C ( DOYUM ) =
VCC
RC
em
deerine eit olur. Bu deerden hareketle transistr doyumda tutacak beyz akmnn
minimum deeri belirlenebilir.
I
I B(min) = C
.e
rnek
4.5
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekildeki devrede transistr anahtarlama

amac ile kullanlmaktadr.
VC C=+12V
RC
1K
a) VB =0V olduunda V0 deerini bulunuz?

RB
VO
b) Transistr doyumda tutacak minimum

beyz akmn bulunuz?
=150
zm:
c) V B=6V olduunda transistr doyumda

tutacak RB deerini bulunuz?
a) VB=0V olduunda transistr kesimdedir. Kollektr akm IC=0A olur. Dolaysyla

transistrn V0 gerilimi;
V0 = VCE = VCC = +12V
b) Transistr doyumda olduunda; VCE(DOYUM)=0V olacaktr. Buradan IC akmn

bulalm.
VCC = I C RC + VCE
110
VCC
12V
=
= 12 mA
RC
1K
ri.
I C ( DOYUM ) =
olacaktr. Buradan transistr doyumda tutacak beyz akmnn minimum deerini

buluruz.
I C ( DOYUM )
12 mA
= 80 A
150
tla
I B( MIN ) =
no
Bulunan bu deer; transistr doyumda tutmak iin gereken beyz akmnn

minimum deerdir. Beyz akmnn bu deerden daha fazla olmas kollektr akmn
artrmayacaktr.
c) Transistr doyuma ulatracak beyz akmn belirleyen devre elaman RB
direncidir. Bu direncin olmas deerini bulalm. Transistr iletime girdiinde, beyzemiter gerilimi VBE=0.7V olacaktr. Dolaysyla devreden RB deerini bulabiliriz.
rs
VB = I B R B + VBE
de
RB =
VB VBE
6V 0.7V
=
= 66.2K
IB
80 A
olarak bulunur.
Pek ok endstriyel uygulamada veya saysal tasarmda tmdevrelerin kndan alnan

iaretlerin kuvvetlendirilmesi istenir. rnein ekil-4.15a.da tmdevre kndan alnan
bir kare dalga iaretin bir ledi yakp sndrmesi iin gerekli devre dzenei verilmitir.
Giri iareti; 0V olduunda transistr kesimdedir, LED yanmayacaktr. Giri iareti +V
deerine ulatnda ise transistr iletime geerek LED yanacaktr.
+V CC=12V
RO LE
12V/100mA
+VCC
.e
em
Transistrl anahtar uygulamas
RC
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RB
RB
BC547
= 150
5V
+V
VBE=0.6V
0V
a) Transistrn anahtar olarak almas
b) Transistrle role kontrol
ekil-4.15.a ve b Transistrn anahtar olarak kullanlmas
111
ekil-4.15.bde ise bir tmdevre kndan alnan iaretin kuvvetlendirilerek bir rleyi,
dolaysyla role kontaklarna bal bir yk kontrol etmesi gsterilmitir.
zm:
ri.
ekil-4-15.bde verilen devrede tmdevre k +5V olduunda rolenin kontaklarn

ekmesi istenmektedir. Tmdevre knn izin verdii akm miktar 10mAdir. RB
direncinin deeri ne olmaldr? Hesaplaynz?
Rolenin kontaklarn ekebilmesi iin gerekli minimum akm deeri 100mAdir.
Dolaysyla transistrn kolektrnden akacak IC akm deeri 100mAdir.
Buradan IB akmnn olmas gereken deerini bulabiliriz.
tla
rnek:
4.6
I C 100mA
= 0.6mA
=
150
no
IB =
rs
Bulunan bu deer; transistr doyumda tutmak iin gereken beyz

akmnn minimum deerdir. imdi bu akm aktacak RB deerini bulalm.
Devreden;
RB =
R B + VBE
VB - VBE 5V - 0.6V
= 7.3K
=
IB
0.6mA
em
de
+5V = I B
TRANSSTRN YKSELTE OLARAK ALIMASI
.e
4.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistrlerin ok popler bir dier uygulama alan ise ykselte (amplifier) devresi
tasarmdr. Ykseltme (amplifikasyon) ilemi, transistre uygulanan her hangi bir
iaretin genliinin veya gcnn dorusal olarak kuvvetlendirilmesi (ykseltilmesi)
ilemidir. Ykselte olarak tasarlanacak bir transistr, genellikle aktif blgede
altrlr.
Bu blmde bitirdiinizde ;
Ykselte (amplifier)
Temel transistrl ykseltecin dc ve ac analizi
Hakknda temel bilgiler elde edeceksiniz.
Transistrn en temel uygulama alanlarndan biri de ykselte (amplifier) devresi

tasarmdr. Temel bir ykselte devresinin ilevi, giriine uygulanan iareti ykselterek
(kuvvetlendirerek) kna aktarmasdr.
112
Kaplan
Transistrl temel bir ykselte devresi ekil-4.16da verilmitir. Devrede kullanlan dc

kaynaklar transistrn aktif blgede almasn salamak iindir. Devre giriine
uygulanan ac iaret (VN) ise ykseltme ilemine tabi tutulacaktr.
Transistrl ykselte devrelerinin dc analizi

Transistrl ykselte devrelerinin ac analizi
tla
ri.
Transistrl ykselte devresinde; devrenin ykselte olarak alabilmesi iin dc

besleme (polarma) gerilimlerine gereksinim vardr. Dolaysyla transistrl ykselte
devreleri genel olarak iki aamada incelenilirler. Bu aamalar;
no
+V CC
RC
V out
rs
RB
de
V in
V BB
ekil-4.16 Transistrl ykselte devresi
.e
em
DC Analiz
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
yi bir ykselte tasarm iin transistrn zelliklerine uygun dc polarma akm ve

gerilimleri seilmelidir. Dolaysyla ykselte tasarmnda yaplmas gereken ilk adm
transistrl ykselte devresinin dc analizdir. Analiz ileminde transistrn alma
blgesi belirlenir. Bu blge iin uygun akm ve gerilimler hesaplanr. Sonuta;
transistrl ykselte devresi ac almaya hazr hale getirilir.
Transistrl ykselte devrelerinin dc analizinde edeer devrelerden yararlanlr.

Transistrl ykselte devrelerinin dc analizi ilerideki blmlerde tm ayrntlar ile
incelenecektir.
AC Analiz
Transistrl ykselte tasarmnda ikinci evre, tasarlanan veya tasarlanacak ykselte
devresinin ac analizidir. Ykselte devresinin ac analizini yaplrken edeer devrelerden
yararlanlr. ekil-4.17a.da transistrl temel bir ykselte devresi verilmitir. Ayn
devrenin ac edeeri devresi ise ekil-4.17.bde grlmektedir.
113
+V CC
RC
RC
ri.
Vout
RB
RB
Vout
Vin
Vin
Vin
no
a) Transistrl ykselte devresi
Vo
Vg
tla
VBB
b) Transistrl ykselte devresinin ac edeeri
ekil-4.17.a ve b Transistrl temel ykselte devresi ve ac edeeri
rs
Transistrl bir ykselte devresinin ac edeer devresi izilirken, dc kaynaklar ksa

devre yaplr. Ykselte devresi doal olarak giriinden uygulanan ac iareti ykselterek
kna aktaracaktr. Dolaysyla bir kazan sz konusudur.
de
Ykseltecin temel amacda bu kazanc salamaktr. Bir ykselte devresi; giriinden

uygulanan iaretin genliini, akmn veya gcn ykseltebilir. Dolaysyla bir akm,
gerilim veya g kazanc sz konusudur.
em
Ykseltelerde kazan ifadesi A ile sembolize edilir. Gerilim kazanc iin AV, Akm
kazanc iin AI ve g kazanc iin AP sembolleri kullanlr.
.e
rnein ekil-4.17de grlen ykselte devresinin gerilim kazanc AV;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
4.6
AV =
V0
Vg
Transistrl ykselteler, belirtildii gibi elektronik biliminin en nemli konularndan

birisidir. Bu nedenle transistrl ykseltelerin analizi ve tasarm bu kitabn ilerleyen
blmlerinde ayrntl olarak incelenecektir. Bu blmde sizlere ksa n bilgiler
sunulmutur.
TRANSSTRLERDE KODLAMA VE KILIF TPLER

Gnmzde pek ok farkl klf tipine sahip transistr retimi yaplmaktadr.
Transistrlerin klf tipleri genelde kullanm amacna ve kullanm yerine bal olarak
deimektedir. rnein, kk veya orta gl transistrlerin retiminde genellikle
plastik veya metal klflar kullanlmaktadr. Transistrlerde kullanlan klf tiplerini
belirleyen dier nemli bir faktr ise alma frekanslardr.
Bu blmde transistrlerin klf tiplerini belirleyen etkenler olarak ;
Transistrlerde uluslaras standart kodlama
Transistrlerde retim kategorileri
hakknda temel bilgiler elde edeceksiniz.
114
tla
Uluslararas Standard Kodlama:
ri.
Uluslararas bir ok firma, transistr retimi yapar ve kullancnn tketimine sunar.

Transistr retimi farkl ihtiyalar iin binlerce tip ve modelde yaplr. retilen her bir
transistr farkl zellikler ierebilir. Farkl amalar iin farkl tiplerde retilen her bir
transistr; reticiler tarafndan bir takm uluslararas standartlara uygun olarak
kodlanrlar. Transistrler; bu kodlarla anlrlar. retilen her bir transistrn eitli
karakteristikleri retici firma tarafndan kullancya sunulur.
no
Transistrlerin kodlanmasnda bir takm harf ve rakamlar kullanlmaktadr. rnein

AC187, BF245, 2N3055, 2SC2345, MPSA13 v.b gibi bir ok transistr sayabiliriz. Kodlamada
kullanlan bu harf ve rakamlar rasgele deil uluslar aras standartlara gredir ve anlamldr.
Gnmzde kabul edilen ve kullanlan balca 4 tip standart kodlama vardr. Bir ok retici
firma bu kodlamalara uyarak transistr retimi yapar ve tketime sunarlar. Yaygn olarak
kullanlan standart kodlamalar aada verilmitir.
rs
Avrupa Pro-electron Standard (Pro-electron)

Amerikan jedec standard (EIA-jedec)
Japon (JIS)
Dou Blok (eski SSCB)
de
1.
2.
3.
4.
.e
em
Pro-Electron Standard:
Avrupa lkelerinde bulunan transistr reticilerinin genellikle kullandklar bir kodlama
trdr. Bu kodlama trnde reticiler transistrleri; AC187, AD147, BC237, BU240,
BDX245 ve benzeri ekilde kodlarlar. Kodlamada genel kural, nce iki veya harf sonra
rakamlar gelir. Kullanlan her bir harf anlamldr ve anlamlar aada ayrntl olarak
aklanmtr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
LK HARF: Avrupa (Pro Electron) standardna gre kodlanmada kullanlan ilk harf,
transistrn yapm malzemesini belirtmektedir. Germanyumdan yaplan transistrlerde
kodlama A harfi ile balar. rnein AC121, AD161, AF254 v.b kodlanan transistrler
germanyumdan yaplmtr. Silisyumdan yaplan transistrlerde ise kodlama B harfi ile
balar. rnein; BC121, BD161, BF254 v.b kodlanan transistrler silisyumdan yaplmtr.
IKINCI HARF: Transistrlerin kodlanmasnda kullanlan ikinci harf Avrupa Standardna

gre, transistrn kullanm alanlarn belirtir. rnek kodlamalar aada verilmitir.
AC:
BC:
BD:
BF:
BL:
BU:
Avrupa (Pro Electron) Standardna gre, dk gl alak frekans transistrdr.

Germanyumdan yaplmtr. AC121, AC187, AC188, AC547 gibi...
Avrupa (Pro Electron) Standardna gre, dk gl alak frekans transistrdr
ve Silisyumdan yaplmtr. BC107, BC547 gibi...
Avrupa (pro electron) standart seri, Si, dk gl, alak frekans transistr.
BD135, BD240, BD521 v.b. gibi
Avrupa (pro electron) standart seri, Si, dk gl, yksek frekans transistr.
BF199, BF240, BF521, gibi...
Avrupa (pro electron) standart seri, Si, byk gl, yksek frekans transistr.
BL240, BL358, BL521 gibi...
Avrupa (pro electron) standart seri, Si, byk gl, anahtarlama transistr. BU240,
BU521 gibi...Germanyumdan yaplan transistrlerin bana A harfinin geldii
unutulmamaldr. AC, AD, AF, AU gibi...
115
NC HARF: Avrupa (pro electron) standardnda baz Transistrlerin kodlanmasnda

nc bir harf kullanlr. nc harf, ilk iki harfte belirtilen zellikler ayn kalmak
kouluyla o transistrn endstriyel amala zel yapldn belirtir. rnek olarak;
BCW245, BCX56, BFX47, BFR43, BDY108, BCZ109, BUT11A, BUZ22 v.b gibi
tla
ri.
Dier Kodlama trleri ve standartlar:

Avrupa pro-electron standardna gre kodlamann zelliklerini verdik. Bu kodlamaya ilave
olarak Amerikan ve Japon reticilerin uyduklar kodlamalar ve anlamlar aada liste
olarak verilmitir. Bu gruplara ilave olarak, byk yariletken reticisi baz kurulular
azda olsa zel kodlar kullanmaktadrlar.
.e
em
de
rs
no
KOD
AIKLAMALAR
2N.....
: Amerikan (EIA-jedec) Standard (FET dahil).
3N.....
: Amerikan (EIA-jedec) Standard (FET, MOSFET)
4N.....
: Amerikan (EIA-jedec) Standard opto-kuplr v.b
2S.....
: Japon (JIS) Standard Si (2S2134 gibi...)
2SA....: Japon (JIS) Standard, PNP, Yksek frekans
2SB....
: Japon (JIS) Standard, PNP, Alak frekans
2SC.... : Japon (JIS) Standard, NPN, Yksek frekans
2SD.... : Japon (JIS) Standard, NNP, Alak frekans
2SH.... : Japon (JIS) Standard, Unijonksiyon Transistr
2SJ....
: Japon (JIS) Standard, FET, P kanall
2SK....: Japon (JIS) Standard, FET, N kanall
3SJ....
: Japon (JIS) Standard, FET, P kanall
3SK....: Japon (JIS) Standard, FET, N kanall
MA...
: Motorola, Ge, Dk gl, metal klf
MPS... : Motorola, Si, Kk iaret, plastik klf
MJE...
: Motorola, Si, Byk gl, plastik klf
MPF... : Motorola, JFET, plastik klf
MJ
: Motorola, Si, Byk gl, Metal klf
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Baz byk retici firmalar ise kendi kodlaryla zel retim yapmaktadrlar. zelliklerini
kataloglardan temin edebilirsiniz.
Transistr kategorileri ve klf tipleri

Uluslaras transistr reticileri, retimlerini genellikle 3 temel kategoride gerekletir. Bu
kategorileri;
Genel amal/alak frekans transistrleri

G transistrleri
Radyo frekans (RF) transistrleri
Olarak tanmlayabiliriz. Her bir kategori, belirli alt kategorilerede ayrlmaktadr. retici
firmalar transistr adlarnn kodlanmasnda, klf ve pin tiplerinin belirlenmesinde belirli
standartlara uyarlar.
Genel Amal/Kk Sinyal Transistrleri: Bu tip transistrler genellikle orta gl
ykselte veya anahtarlama devrelerinde kullanlr. Metal veya plastik klf ierisinde
retilirler. ekil-4.18de plastik klfa sahip standart transistr klf tipleri, klf kodlar ve
terminal isimleri verilmitir.
116
B
E
C
B
TO-92 veya TO-226AA
TO-92 veya TO-226AE
SOT-23 veya TO-236AB
tla
ri.
no
ekil-4.18 Genel amal alak sinyal plastik transistr klflar ve terminal

isimleri
ekil-4.19da ise ayn kategoride bulunan ve metal klf ierisinde retilen baz
transistrlerin klf kodlar ve terminal isimleri ile birlikte verilmitir. Farkl terminal
balantlarna ve klf tipine sahip onlarca tip transistr vardr.
de
rs
Bu blmde rnekleme amac ile ok kullanlan birka tip klf tipi verilmitir. Ayrntl
bilgileri retici kataloglarndan elde edebilirsiniz.
.e
TO-39 veya TO-205AD
TO-18 veya TO-206AA
TO-46 veya TO-206AB
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C
C
C
B
B
E
TO-52 veya TO-206AC
TO-5
B E
G
G=GVDE
TO-72 veya TO-206AF
ekil-4.18 Genel amal alak sinyal metal transistr klflar ve terminal

isimleri
G (power) Transistrleri:
G (power) transistrleri yksek akm ve gerilim deerlerinde altrlmak zere
tasarlanmlardr. Dolaysyla boyutlar olduka byktr. Bu tip transistrler genellikle
metal klf ierisinde retilirler. Transistrn gvdesi metaldir ve genellikle kollektr
terminali metal gvdeye monte edilmitir. ekil-4.19da yaygn olarak kullanlan baz g
transistrlerinin klf kodlar ve terminal balantlar verilmitir.
117
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
tla
TO-218
no
TO-126 ve TO-225AA
B
E
TO-218AC
TO-220AB
GVDE C
GVDE C
rs
TO-66
TO-3 veya TO204AE
de
SMD TP
em
ekil-4.19 Baz g transistrlerinin klf tipleri ve terminal balantlar
ok yksek frekansla alan sistemlerde (Radyo frekans=RF) altrlmak zere

tasarlanm transistrler, RF transistrleri olarak anlmaktadr. zellikle iletiim
sistemlerinde kullanlan bu transistrlerin klf tipleri dierlerinden farkllk gsterebilir.
Bunun nedeni yksek frekans etkisini minimuma indirmektir. ekil-4.20de baz RF
transistrlerinin standart klf tipleri rnek olarak verilmitir.
.e
Radyo Frekans (RF) Transistrleri:
ekil-4.20 RF transistrlerinde kullanlan klf tipleri
118
4.7
TRANSSTR VER SAYFALARI
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
retici firmalar rettikleri her bir transistr tipi iin standart ve maksimum alma
karakteristiklerini veri kitapklarnda tasarmcnn kullanmna sunarlar. Bu
blmde retici firmann rettii bir transistr iin veri kitapnda kullancya
sunduu katalog bilgileri rnek olarak sizlere verilecektir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
4.8
TRANSSTR TEST
Elektronik cihazlarda kimi zaman bir takm arzalar oluabilir. Bu arzalar genellikle
yariletken devre elemanlarnn bozulmasndan kaynaklanr. Bu nedenle herhangi bir
cihazn onarmnda ilk aama cihazda kullanlan yariletken devre elemanlarnn
salamlk testinin yaplmasdr.
Transistrlerin salamlk testi; statik ve dinamik test olmak zere iki aamada
yaplabilir. Transistre herhangi bir enerji uygulamadan bir l aleti yaplan test
119
ilemine statik test denir. Bu ilemde transistrn jonksiyonlar aras direnci llr.
ri.
Dinamik test ilemi ise transistr devre zerinde alma halindeyken yaplr. Bu
ilemde transistr zerinde oluabilecek polarma gerilim ve akmlarnn lm
yaplr.
Bir transistrn multimetre ile statik testinin nasl yapldn

Bir transistrde dinamik lmlerin nasl yaplabileceini
tla
no
Ayrntl olarak reneceksiniz. Yaptnz test ilemleri sonucunda her hangi bir transistrde
salamlk testinin nasl yaplaca, transistr tipinin (pnp veya npn) ve terminal balantlarnn
nasl bulanacan yetisini kazanacaksnz.
rs
Transistrn Statik Testi
de
Saysal veya analog bir multimetre kullanlarak herhangi bir transistrn salamlk testi
yaplabilir. Test ileminde sonucunda transistrn salam olup olmadnn yan sra
transistr tipi (npn/pnp) ve transistr terminalleride (b,e,c) belirlenebilir.
em
Npn veya pnp tipi bir transistrn test ileminde pratik bir zm, transistr srt srta
bal iki diyot gibi dnmektir. Test ileminde bu durum bize kolaylk salar. NPN ve
PNP tipi transistrlerin diyot edeerleri ekil-4.21de verilmitir. Bu durum sadece
transistr test etmemizde bize kolaylk salar. ki gerek diyot, ekilde belirtildii gibi
balanrsa transistr olamayaca ve transistr gibi almayaca zellikle bilinmelidir.
C
.e
p
n
E
Yaps
B
E
Sembol
C
n
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
E
Diyot edeeri
a) npn tipi transistr ve diyot edeeri
E
Sembol
E
Yaps
E
Diyot edeeri
a) npn tipi transistr ve diyot edeeri
ekil-4.21 Npn ve Pnp tipi transistrlerin sembol ve diyot edeerleri

Transistrn diyot edeer devresinden yararlanlarak saysal bir multimetre ile test
ileminin nasl yaplabilecei ekil-4.22 yardm ile anlatlacaktr. Test ilemi iin saysal
multimetrenin diyot lme konumu kullanlr. Her bir aamada transistrn sadece iki
terminali arasndaki ngerilim llr. Salam bir transistrn doru polarma altnda
terminalleri arasndaki gerlim 0.7V civarndadr. Ters polarma altnda ise bu deer
multimetrenin pil gerilimidir.
ekil-4.22 zerinde bir transistr iin gerekli test aamalar ve sonular adm adm
gsterilmitir. Belirtilen admlar sra ile izleyerek sonu ve yorumlar gzlemleyiniz.
120
0.70
0.70
E B C
E B C
V
off
V
off
A mA COM V
V
off
.e
V
off
A mA COM V
e) B-C jonksiyonu ters

polarma
Sonu: Doru deer
f) E-C jonksiyonu testi

Sonu: Doru deer
0.00
E B C
V
off
V
off
A mA COM V
A mA COM V
g) E-B jonksiyonu doru

polarma
Sonu: E-B Bozuk ak devre
1.20
E B C
V
off
rs
de
em
c) E-C jonksiyonu testi

Sonu: Doru deer
A mA COM V
1.20
E B C
V
off
A mA COM V
1.20
E B C
A mA COM V
d) E-B jonksiyonu ters

polarma
Sonu: Doru Deer
1.20
E B C
ri.
b) B-C jonksiyonu doru

polarma
Sonu: Doru deer
no
1.20
E B C
A mA COM V
tla
a) E-B jonksiyonu doru

polarma
Sonu: Doru deer
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
h) B-C jonksiyonu doru

polarma
Sonu: E-B Bozuk ksa devre
1.20
E B C
V
off
A mA COM V
i) B-C jonksiyonu doru

polarma
Sonu: B-C Bozuk ak devre
ekil-4.22 npn tipi bir transistrn saysal multimetre ile statik testi
Test ilemi, analog multimetre kullanlarak da yaplabilir. Multimetre ohm kademesine
alnr. Transistrn jonksiyonlar arasndaki diren deerleri sra ile llr. Multimetre;
Ters polarmada ok byk diren deeri, doru polarmada ise kk bir diren deeri
gstermesi gerekir. Aksi durumlarda transistrn bozuk olduu anlalr.
Transistrleri test etmek amac ile eitli firmalarca gelitirilmi hazr transistr test
cihazlar da (transistor tester) vardr. ekil-4.23de rnek olarak birka transistr test
cihaz verilmitir. Her bir cihazn kullanm kataloglarndan renilebilir.
121
ri.
tla
no
ekil-4.23 Transistr test cihazlar
Transistrn Dinamik Testi
.e
em
de
rs
alan herhangi bir devre veya cihaz zerinde bulunan transistrler test edilebilir. Test
ileminde devre zerindeki transistrn terminalleri arasndaki gerilimler llr.
Dolays ile lm sisteminde enerji vardr. Bu tr test ilemine dinamik test denir.
Salkl bir test ilemi iin baz analizler yaplmal veya bilinmelidir. Test ileminde size
pratiklik kazandrmak amac ile ekil-4.24de grlen basit bir transistrl devre
verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+V CC=12V
RC
680
VC
RB
BC108
VB B=+3V
47K
VBE
(DC)=hFE =200
ekil-4.24 Transistrl devre ve polarma gerilimleri

Devrenin ksaca analizini yaparak elde edilen sonular ekil zerinde gsterelim. Doru
polarma altnda alan bir transistrde beyz-emiter gerilimi VBE her zaman;
VBE = 0.7V
deerinde olur. Transistrn dier polarma akm ve gerilimlerini bulalm.

IB =
VBB VBE 3V 0.7V

2.3V
=
=
= 48 A
RB
47 K
47 K
I C = ( DC ) I B = ( 200) ( 48 A) = 9.6mA
122
VC = VCC ( I C RC ) = 12V (9.6mA 680) = 12 6.5V = 5.5V
hesaplamalar sonucunda salam bir transistr zerinde bulunan deerler ekil-4.24

zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
ri.
+12V
RC
680
tla
5.5v
RB
BC108
+3V
47K
(DC)=hFE =200
no
0.7v
rs
ekil-4.24 Transistrl devre ve polarma gerilimleri
de
ekil-4.24de verilen devrede veya herhangi bir transistrl devrede oluabilecek pek ok
arza eidi vardr. Transistrl bir devrede oluabilecek arza, devrede yaplacak gerilim
lmeleri sonucunda belirlenebilir. ekil-4.25de transistrl bir devrede olas arzalar
nedenleri ve lme sonular verilmitir. Dikkatlice inceleyiniz
em
Not: Tm lmeler ase (gnd) terminaline gre yaplmtr.
+12V
+12V
RC
680
Ak Devre
.e
+3V
RC
680
12v
12v
RB
RB
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
BC108
BC108
+3V
47K
47K
0.5..0.7v
Test
: Beyz-Emiter terminalinde birka V,

Kollektr
terminalinde
ise
12
llmtr.
Yorum : Transistrn beyz akmn alamaktadr.
Sonu : RB direnci ak devre olmutur.
zm : RB direnci deitirilmelidir.
123
Test
: Beyz-Emiter terminalinde 0.5V0.7V,

Kollektr terminalinde ise 12 llmtr.
Yorum : Transistr kesimdedir, kollektr akm
yoktur.
Sonu : Kollektr terminali iten ak devre
olmutur
zm : Transistr bozuktur, deitirilmelidir..
+12V
Ak
Devre
+12V
RC
680
RC
ri.
v
RB
12v
RB
BC108
BC108
+3V
47K
47K
3v
tla
+3V
05...0.7v
Ak
Devre
0v
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 3V,
Kollektrde
12V, emiterde 0V
llmtr.
Yorum : Transistrn
kollektr akm yoktur.
Sonu : Emiter terminali
iten ak devre olmutur.
zm : Transistr bozuktur,
deitirilmelidir.
de
rs
no
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 0.50.7V,
Kollektr de
birka V llmtr.
Yorum : Transistrn
kollektr akm yoktur.
Sonu : RC direnci ak
devre olmutur.
zm : RB direnci bozuktur,
deitirilmelidir.
+12V
em
Ak
Devre
+12V
RC
680
RC
680
12v
12v
RB
+3V
RB
BC108
BC108
+3V
47K
0v
47K
3v
.e
3v
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
2.5v
Ak Devre
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 3V,
Kollektrde
12V,Emiterde 0V llmtr.
Yorum : Transistrn iletime
gememektedir.
Sonu : Emiter terminalase balants kopmutur.
zm : Balant
salanmaldr.
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 3V,
Kollektrde
12V,Emiterde 0V
llmtr.
Yorum : Transistrn iletime
gememektedir.
Sonu : Beyz terminali
iten ak devre olmutur.
zm : Transistr bozuktur,
deitirilmelidir.
ekil-4.25 Transistrl bir devrede oluabilecek olas arzalar ve nedenleri

Herhangi bir transistrl devrede oluabilecek arzalar ve arza tipleri yukarda
ayrntlar ile verilmitir. Arza aramada temel mantk transistr polarma gerilimlerinin
llp yorumlanmasdr. Normal koullarda alan bir transistr de beyz-emiter
geriliminin her zaman 0.7V civarnda olaca unutulmamaldr.
124
4.9
BLM ZET
ri.
Bipolar jonksiyon transistr BJT olarak bilinir ve katmandan oluur. Katmanlarna

ilevlerinden tr Beyz (base), Emiter (emiter) ve Kolektr (collector) isimleri verilir.
Bipolar transistr iki adet pn bitiim yzeyine (jonksiyona) sahiptir. Bu jonksiyonlara
beyz-emiter ve beyz-kollektr jonksiyonalar ad verilir.
tla
BJT iinde hem serbest elektronlar, hem de oyuklar akm tayc olarak grev yapar.
Bundan dolay bipolar (ift kutuplu) szc kullanlr.
Bipolar transistrde beyz blgesi; kolektr ve emiter blgesine nazaran daha az
katklandrlmtr ve daha incedir.
no
Bipolar Jonksiyon transistrler npn ve pnp olmak zere iki tipte retilirler.
Transistr bir ykselte eleman olarak kullanldnda; beyz-emiter jonksiyonu ileri
ynde, beyz-kollektr jonksiyonu ters ynde polarmalandrlr.
rs
Transistrlerde 3 temel akm vardr. Bunlar; beyz akm (IB), kolektr akm (IC) ve
emiter akm (IE) olarak adlandrlr.
de
Transistrde beyz akm, kolektr ve emiter akmna nazaran ok kktr. Fakat

transistrn almasnda ok etkindir. Beyz akm, kolektr ve emiter akmlarn
kontrol eder.
em
Bir transistrde emiter akmnn kolektr akmna oran beta akm kazanc olarak
bilinir ve DC olarak tanmlanrlar. DC deeri akm ykseltme katsaysdr. Tipik DC
deeri 20 ile birka 100 birim arasnda olabilir.
Transistrde DC deeri kimi retici firma kataloglarnda HFE olarak tanmlanr ve

verilirler.
.e
Bir transistrde emiter akmnn kolektr akmna oran alfa akm kazanc olarak
bilinir ve DC olarak tanmlanrlar. Tipik DC deeri 0.95 ile 0.99 arasndadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistr kesim ve doyum blgelerinde elektronik bir anahtar gibi altrlabilir.
Kesimde alan bir transistrn beyz-emiter jonksiyonu ters ynde polarmalandrlmtr. Transistrn kollektr akm yoktur. deal olarak kollektr-emiter
jonksiyonu ak devredir ve ak bir anahtar gibi davranr.
Doyumda alan bir transistrn beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalandrlmtr. Transistrn kolektr akm maksimumdur. Kolektr-emiter
jonksiyonu ideal olarak ksa devredir ve kapal bir anahtar gibi davranr.
DC deeri alma ortam ssndan bir miktar etkilenir. DC deeri ayn tip
transistrlerde farkl deerlerde olabilir.
Transistrler kendi aralarnda snflandrlrlar. Transistrlerin klflarnda metal,
plastik, seramik v.b materyaller kullanlr. Transistr retiminde yzlerce farkl klf
kullanlr.
Bir transistrn salamlk testi statik veya dinamik olarak gerekletirilebilir. Testileminde
multimetre kullanlr. Ayrca test ilemi sonucunda bir transistrntipi(npn/pnp) ve ular
(e/b/c) belirlenebilir.
125
tla
ri.
TRANSSTRLERN DC ANALZ
Konular:
no
Transistrde DC alma noktas

Transistrde temel polarama
Beyz polarma
Gerilim blcl polarma devresi
Geribeslemeli polarma devresi
Onarm
rs
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
Amalar:
Ykselte tasarmnda dc alma noktasnn nemi
Ykseltelerde dc polarma ve analizi
Ykseltelerde kararl alma iin eitli polarma yntemleri
de
.e
em
Bu blmde transistrn ykselte olarak nasl altrlacan reneceksiniz. Ykselte tasarmnda dc

polarma akm ve gerilimlerinin analizini yapacak ve kararl bir alma iin yntemler gelitireceksiniz.
co
m
BLM 5
5.1
DC ALIMA NOKTASI
tla
ri.
Bir transistr ykselte (amplifikatr) olarak alabilmesi iin dc polarma

gereksinim duyar. Dorusal ve verimli bir alma iin transistrl ykselte
devresinde polarma akm ve gerilimleri iyi seilmeli veya hesaplanmaldr. Bu durum
bir nceki blmde belirtilmiti.
no
Bu blmde; ykseltelerde dzgn ve verimli bir alma iin gerekli analizler

yaplacaktr. Bu analizlerde dc yk hatt ve alma noktas (Q) gibi kavramlarn
nemini ve zelliklerini kavrayacaksnz.
DC Polarma ve alma Noktas
.e
em
de
rs
Transistrl ykselte; giriinden uygulanan iaretleri ykselterek kna aktarmak

zere tasarlanm bir devredir. Transistr, ykselte olarak alabilmesi iin dc polarma
gerilimlerine gereksinim duyar. Transistre uygulanan polarma gerilimleri k
karakteristii zerinde transistrn alma noktasn belirler. Transistrn sahip olduu
polarma akm ve gerilim deerini gsteren bu nokta alma noktas ya da Q
noktas olarak adlandrlr. ekil-5.1de bir transistrn k karakteristii zerinde
eitli alma noktas rnekleri verilmitir. rnein dc polarma gerilimleri uygulanmasa
idi transistrn alma noktas Q1 olurdu. Bu durumda transistr tmyle kapal olur ve
giriinden uygulanan iaretleri ykseltmez idi.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IC (mA)
Q3
IC2
Q2
IC3
Q4
IC4
Q1
VCE (V)
VCE 2
VCE 3 VCE 4
ekil-5.1 Transistr iin eitli alma noktas rnekleri

Transistre polarma gerilimleri uygulandnda ise alma noktalar ekil zerinde
belirtilen Q2, Q3 ve Q4 noktalardan birinde olabilirdi. Bu alma noktalarnda transistr
doal olarak ykselte olarak alacaktr. Dolaysyla giriinden uygulanan iareti
ykselterek kna aktaracaktr. Transistr kndan alnan iaret de nispeten bozulma
olmayacaktr. Bu durum ekil-5.2 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. rnein ekil5.2.ada transistrn alma noktas uygun seilmi ve lineer bir ykseltme salanmtr.
Ancak alma noktasnn uygun seilmemesi durumunda ise k iaretinde krplmalar
olumaktadr. Bu durum ekil-5.2.b ve c zerinde gsterilmitir.
127
ri.
a) Lineer alma
b) k gerilimi kesim snrnda krplm
c) k gerilimi doyum snrnda krplm
tla
ekil-5.2 Bir ykselte devresinin lineer ve nanlineer almasna rnekler
DC Yk Hatt
rs
no
Transistrl ykselte devrelerinde alma noktasnn ve dc yk hattnn nemini

gstermek amac ile ekil-5.3.ada grlen devreden yararlanlacaktr. Bu devrede
transistrn polarma akm ve gerilimleri, VBB ve VCC kaynaklar ile ayarlanabilmektedir.
Devredeki transistr iin kollektr karakteristik erileri ise ekil-5.3.bde verilmitir.
IC (mA)
IC
de
RC
200
em
.e
ekil-5.3
DC =200
250
50
VCC
0-10V
22K
VBB
0-5V
300
60
RB
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
200
40
30
150
20
100
10
50
1
10
VCE (V)
Ayarlanabilen kaynaklarla dc polarma ve transistrn karakteristik erisi
DC polarmann etkisini ve nemini anlamak amac ile ekil-5.3deki devrede IB akmn

farkl deerlere ayarlayalm. Ayarladmz her bir IB akm deerine karlk transistrn
IC ve VCE deerlerinin nasl deitiini inceleyelim.
lk olarak VBB kaynan ayarlayarak IB deerini 100A yapalm. Bu durumda

transistrn kollektr akm IC;
I C = I B = 200 100 A = 20mA
olacaktr. Bu kollektr akmna karlk transistrde oluan kollektr-emiter gerilim

dm VCE;
VCE = VCC ( I C RC )
= 10V ( 20mA 200 ) = 6V
olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil-5.4.a da

transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q1 olacaktr.
128
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistrn beyz akmnn IB=150A yaplmas durumunda ise kollektr akm;

I C = I B = 200 150 A = 30mA
ri.
olacaktr. Bu kollektr akmna karlk transistrde oluan kollektr-emiter gerilim

dm VCE;
VCE = VCC ( I C RC ) = 10V ( 30mA 200) = 4V
tla
olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil-5.4.b de

no
Son olarak IB akmn 200A yapalm bu durumda transistrn alma noktasn

bulalm.
I C = I B = 200 200 A = 40mA
rs
VCE = VCC ( I C RC )
= 10V ( 40mA 200 ) = 2V
de
olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil-5.4.c de

.e
em
Her IB akm deerine bal olarak transistrn alma blgesindeki deiimler ekil-5.4
zerinde toplu olarak verilmitir.
129
RC
200
60
IC =20mA
50
I B=100A
40
22K
30
IC (mA)
ri.
VCC
Q1
20
VBB
100
10
DC =200
tla
V CE (V)
10
a) IB=100A deeri iin transistrn Q1 alma noktas
I B=150A
60
IC =30mA
no
RC
200
VCC
VBB
rs
22K
IC (mA)
50
40
Q2
30
150
20
10
DC =200
V CE (V)
10
de
b) IB=150A deeri iin transistrn Q2 alma noktas
RC
200
60
IC =40mA
em
IC (mA)
50
I B=200A
Q3
40
VCC
22K
200
30
20
VBB
10
DC =200
V CE (V)
10
.e
c) IB=200A deeri iin transistrn Q3 alma noktas
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-5.4 eitli IB akm deerlerinde transistrn alma noktasnn deiimi

ekil-5.4 dikkatlice incelenirse transistrn beyz akmndaki deiim, kollektr akmn
deitirmekte dolaysyla transistrn kollektr-emiter (VCE) gerilimi de deimektedir.
rnein IB akmndaki artma, IC akmn artrmaktadr. Buna bal olarak VCE gerilimi
azaltmaktadr. Bu durumda VBB geriliminin ayarlanmas ile IB deeri ayarlanmaktadr.
IBnin ayarlanmas ise transistrn DC alma noktasn dzgn bir hat zerinde hareket
ettirmektedir. ekil-5.4de transistr karakteristii zerinde gsterilen ve Q1, Q2 ve Q3 ile
belirtilen alma noktalarnn birletirilmesi ile bir doru elde edilir. Bu doru dc yk
hatt olarak adlandrlr. ekil-5.5de dc yk hatt karakteristik zerinde gsterilmitir.
130
IC (mA)
60
DOYUM
50
YK ZGS
Q3
200
Q2
30
150
Q1
100
KESM
tla
20
10
ri.
40
VCE (V)
10
ekil-5.5 Transistr karakteristii zerinde dc yk hattnn gsterilii
de
rs
no
DC yk hatt x eksenini 10Vda kesmektedir. Bu deer VCE=VCC noktasdr. Bu noktada

transistr kesimdedir nk kollektr ve beyz akmlar idealde sfrdr. Gerekte beyz ve
kollektr akmlar bu noktada tam sfr deildir. ok kk bir sznt akm vardr. Bu
nedenle bu kesim noktas gerekte 10Vdan biraz daha kktr. Yine bu rnekte dc yk
hattnn IC eksenini kestii deer idealde 50mAdir. Bu deer ise transistr iin doyum
noktasdr. Transistrn doyum noktasnda kollektr akm maksimumdur. nk bu
noktada VCE=0dr. Kollektr akm;
IC =
VCC
RC
deerinde olacaktr ve maksimumdur.
em
Lineer alma
.e
Transistrn balca 3 alma blgesi olduu belirtilmiti. Bunlar; kesim, doyum ve aktif
blgelerdir. Transistr aktif blgede alyorken btn alma noktalar kesim ve
doyum blgeleri arasndadr. Transistr eer aktif blgede alyorsa giriine uygulanan
iareti (sinyali) lineer olarak ykseltir. Lineer ykseltme ilemini incelemek amacyla
ekil-5.6.a da verilen devreden yararlanlacaktr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Balangta devre giriine VS iaretinin uygulanmadn dnelim. Devrede beyz

akmnn IB=150A ve kollektr akmnn ise 30mA olduunu kabul edelim. Bu durumda
transistrn alma noktas VCE=4V olacaktr. Bu nokta ekil-5.6.bde transistr
karakteristii zerinde gsterilen Q alma noktasdr.
Devre giriine VS kaynandan tepe deeri 50A olan bir sins iareti uygulandn
varsayalm. nce VS iaretinin pozitif saykl geldiini kabul edelim. Bu iaret; VBB
kayna ile ayn ynde etki edecek ve beyz akmnn ykselmesine neden olacaktr. Giri
iareti VS, pozitif tepe deerine ulatnda beyz akmda maksimum oranda ykselecektir. Bu anda IB=150+50=200A olacaktr. Bu deer ekil-5.6.bde karakteristikte A
noktas olarak iaretlenmitir. Buna karlk kollektr akm 40mA deerine ykselecek,
kollektr-emiter gerilimi ise 2V deerine decektir. Bu aamadaki almaya dikkat
edilirse transistrn alma noktas A noktasna kaymtr. Burada giri iaretinde
toplam 50Alik bir deiim vardr. k kollektr akmnda ise 10mAlik bir deiim
sz konusudur. Dolaysyla giri iaretinin pozitif saykl 200 kat ykseltilmitir.
131
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V CC=+10V
IC (mA)
IC
tla
RC
200
ri.
Giri iaretinin negatif sayklnda ise; bu iaret beyz akmn dolaysyla kollektr akmn
azaltacaktr. Transistr ekil-5.6.bde karakteristik zerinde gsterilen ve B olarak
adlandrlan alma noktasna kayacaktr. Bu alma noktasnda; IB=100A, IC=20mA ve
VCE=6V deerine ulaacaktr. Ayn ekilde dikkat edilirse giri iaretinin 200 kat
ykseltildii grlecektir.
I CQ
RB
VS
VBB
30
200
150
100
VCE (V)
VCE
DC=200
rs
6.7V
IB
20
no
20K
40
a) Ayarl kaynaklarla transistrl polarma devresi
VCEQ
b) Yk hatt zerinde sinyal davran
de
ekil-5.6 Transistrl ykselte devresi ve yk hatt zerinde sinyal davranlar
em
Buraya kadar anlatlanlardan da anlalaca gibi, devre giriinde ac giri iareti yokken,
transistr Q alma noktasnda (skunet noktas) kalmaktadr. Girie bir sinyal gelmesi
durumunda ise alma noktas bu sinyalin ynne bal olarak aaya veya yukarya
kaymaktadr. Giri iareti ykseltme ileminde Q noktasnn etrafnda salnmaktadr.
Transistrn kesim veya doyum noktalarna ulamamaktadr. kta elde edilen iaret,
giri iaretinin ykseltilmi bir formudur. k iaretinin dalga biiminde herhangi bir
bozulma yoktur. Bundan dolay bu ileyie Lineer alma denir.
Transistrle gerekletirilen ykseltelerde; ktan elde edilen ykseltilmi iaretin giri

iareti ile ayn dalga formunda olmas istenir. k iaretinde her hangi bir bozulma
olmas istenmez. k iaretinde oluan veya oluabilecek bozulmaya ise distorsiyon
ad verilir. Ykselte devrelerinde bir ok nedenden dolay distorsiyon oluabilir. ekil5.7de transistr devresinde oluabilecek distorsiyonlar k karakteristikleri zerinde
gsterilmitir.
.e
kn Bozulmas (Distorsiyon)
132
IC (mA)
B
Q
IC (mA)
IB
Doyum
I CQ
ri.
Q
V CE (V)
ICQ
V CC
VCC
VCE (V)
tla
Kesim
Doyum
VCEQ
Kesim
VCEQ
b) alma blgesi kesime srlm
no
a) alma blgesi doyuma srlm
IC (mA)
rs
B
Q
Doyum
em
de
I CQ
Kesim
V CC
VCE (V)
Doyum
VCEQ
Kesim
c) alma blgesi kesime-doyuma srlm
.e
ekil-5.7 Transistrl ykselte devresinde oluan bozulmalar (distorsiyon)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek:
5.1
ekil-5.7de verilen her 3 karakteristikte de distorsiyon vardr. ekil-5.7.ada transistrn

alma blgesi doyum blgesine yakn ayarlanmtr. Dolaysyla k iaretinin bir
ksmnda transistr doyum blgesinde alt iin k iareti krplmtr. ekil-5.7.bde
ise transistr kesim blgesine yakn altrlm ve k iaretinin bir ksm krplmtr.
ekil-5.7.cde ise transistr aktif blgenin tam ortasnda altrlmtr. Fakat giri
iaretinin ar yksek olmas transistr alma blgesinin kesim ve doyuma kaymasna
neden olmutur. Bu durumda k iaretinin her iki sayklnda da krpmalar olumutur.
ekilde verilen devrede transistr iin dc yk hattn izerek alma noktasn ve lineer
alma iin girie uygulanabilecek iaretin maksimum genliini belirleyiniz?
133
RB
33K
VBB
12V
20V
DC =100
nce transistrn Q alma noktasn bulalm. Q noktas IC ve VCE deerleriyle

belirlendiine gre ICyi bulmak iin nce IByi buluruz.
no
zm
VCC
tla
VS
IC
ri.
RC
220
VBB VBE 12 0.7

=
= 342.42 A
RB
33K
rs
IB =
I C = I B = (100 )( 342.42 A) = 34.242 mA
de
Buradan transistrn alma noktasndaki VCE deerini buluruz. Kirofun gerilim

yasasndan;
VCE = VCC ( I C RC ) = 20V (7.533V ) = 12.467V
.e
em
alma noktas deerleri olarak bulunur. VCE=VCC-ICRC denklemi kullanlarak

transistrn kesim anndaki VCE ve IC(KES) deerleri belirlenir. Transistr kesim de
iken kollektr akm IC=0dr. Dolaysyla;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCE = VCC = 20V
deerine eit olur. Transistrn doyum noktasndaki deerlerini bulalm. Doyum

annda VCE=0V olacana gre IC akm;
I C ( DOY ) =
VCC
20
=
= 90.90mA
RC
220
Bulunan bu deerlere gre transistrn dc yk hatt aada gsterildii gibi olacaktr.

.
134
IC (mA)
Doyum
ri.
90.90
34.24
tla
Kesim
12.46
VCE (V)
Bulunan bu deerler kullanlarak lineer alma iin giriten uygulanacak VS iaretinin

maksimum genlii belirlenebilir. Bu amala nce Q noktasnn yeri yorumlanmaldr.
nk Q noktas hangi snra (kesim/doyum) yaknsa krplma nce o blgede
gerekleecektir. Dolaysyla aranan deerde yakn olduu blgenin deeri ile Q
noktas arasndaki mesafeden hareketle belirlenecektir.
no
zm
de
rs
Q noktasnn kesim snr ile arasndaki mesafe 34.24mA, doyum snr ile arasndaki
mesafe ise (90.90-34.24)=55.76mAdir. Buradan grlmektedir ki Q alma noktas
kesim blgesine daha yakndr. Dolaysyla lineer alma iin giri sinyali; kta
maksimum 34.24mAlik kollektr akm salayacak ekilde olmaldr. O halde lineer
bir alma iin kollektr akmnn genlii;
I CP = 34.24mA
em
olmaldr. Transistr iin DC akm kazanc deeri (DC) bilindiine gre giri beyz
akmnn maksimum deeri;
IB =
I CMax 34.24
=
= 342.42 A
100
.e
olmaldr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
5.2
BEYZ POLARMASI
Bipolar transistrn ykselte olarak alabilmesi iin dc polarma gerilimlerine

gereksinim duyduu belirtilmiti. nceki birka blmde transistrn gereksinim
duyduu polarma kaynaklar ve alma karakteristikleri verilmiti. Tm almalarda
transistrn alma blgesinin ayarlanmas iin iki ayr dc gerilim kayna
kullanmt. Bu; pratik bir zm deildir. Tek bir dc gerilim kayna kullanlarak
yaplan birka polarma yntemi vardr. Bu blmde tek bir dc gerilim kayna
kullanarak yaplan beyz polarmas ad verilen yntemi tm boyutlar ile inceleyeceiz.
135
RC
no
VCC
+VCC
RC
RB
+
VB E _
rs
RB
tla
ri.
nceki blmlerde ele alnan polarma devrelerinde iki ayr dc besleme gerilimi
kullanlmt. Bu devrelerde transistrn beyz polarmas VBB ile tanmlanan ayr bir g
kaynandan salanmt. Transistrl ykseltelerin dc polarma gerilimlerini salamada
pratik bir zm tek besleme kayna kullanmaktr. ekil-5.8.ada tek bir dc gerilim
kayna kullanlarak gerekletirilmi devre modeli verilmitir. Bu tr polarma ilemine
beyz polarmas ad verilmektedir.
b) Basit gsterimi
de
a) Beyz polarmas
ekil-5.8.a ve b Beyz polarmas ve edeer gsterimi
em
Devre dikkatlice incelenirse; transistrn beyz polarmas iin ayr bir dc kaynak
kullanlmamtr. Transistrn beyz polarmas RB direnci kullanlarak VCC gerilim
kaynandan alnmtr. Bu yntem pratiktir ve avantaj salar.
.e
Transistrl polarma devrelerinde pratiklik kazanmak ve devre analizi bilgilerimizi

gzden geirelim. Bu amala devre zerinde oluan polarma akm ve gerilimlerinin olas
eitlikleri ve ynleri ekil-5.9 zerinde yeniden verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VCC
VRB
RB
RC
IB
VCC
IC
VRC
VCC
IB
+
VBE _
VBE
VCE
IE
ekil-5.9 Beyz polarmasnda polarma akm ve gerilimleri
136
Kaplan
Devrenin analizinde temel evre denklemlerini kullanmak yeterlidir. ekil-5.9da

gsterildii gibi VCC-beyz-emiter evresinden;
tla
yazlabilir. Denklemden beyz akm ekilirse,
ri.
VCC = I B R B + V BE
IB =
VCC V BE
RB
no
elde edilir. Beyz akmnn bulunmas ile devredeki dier tm polarma akm ve
gerilimleri bulunabilir.
IC = I B
rs
VCE = VCC I C RC
de
VCE = VCC ( I B ) RC
Bu devrede dc yk hatt snrlarn bulmak iin, doyum snrnda VCE=0V olduu kabul
edilerek (ideal durum),
em
I C ( DOYUM ) =
VCC
RC
.e
yk hattnn dier noktasn ise transistr kesimde iken IC=0 kabul ederek,
VCE = VCC
olarak belirleriz.
rnek:
5.2
+VCC=+12V
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
2.2K
RB
620K
+
VBE _
137
ekilde verilen devrede transistr

iin dc yk hattn izerek alma
noktasn belirleyiniz?
I C = I B = (100) (17 A) = 1700A = 1.7 mA
polarma akm ve gerilim deerleri olarak bulunur. Transistrn alma noktas

gerilimi ise 8.26Vdur. Yk hattn izmek iin transistrn kesim ve doyum
noktalarndaki deerleri bulalm. Kesim annda IC=0dr. Dolaysyla kolektr-emiter
gerilim dm VCE;
no
zm:
tla
VCE = VCC I C RC = 12V (1.7 mA 2.2 K) = 8.26V
VCE = VCC = 12V
olarak belirlenir. Doyum gerilimi ise, doyum annda VCE=0V alnarak;
rs
I C ( DOYUM ) =
VCC
12
=
= 5.45mA
RC
2.2 K
.e
em
de
olarak bulunur. Dc yk zerinde alma noktas, aada grld gibi kesim

blgesine yakn bir yerdedir.
VCC VBE 12 0.7

11.03
=
=
= 0.017 mA = 17 A
RB
620 K 620 K
ri.
IB =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I C (mA)
Doyum
5.45
1.70
Kesim
0
8.26
12
VCE (V)
Q alma noktasna DC etkisi ve kararllk

Transistrn akm kazancn DC deeri belirler. Bu deer her bir transistr iin retici
tarafndan verilir. Gnmz teknolojisinde retimi yaplan ayn tip transistrlerin DC
deerlerinde farkllk olabilir. reticiler genellikle ortalama bir deer verirler.
DC deerini etkileyen dier nemli bir faktr ise sdr. alma ortam ssna bal
olarak bu deer deiir. rnein 250Cde 100 olan DC, 750Cde 150 olabilir. Bu durum
transistrn kollektr akmn dolaysyla kolektr-emiter gerilimini etkiler. Bu etkileim
sonucunda transistrn Q alma noktas ortam ssna bal olarak deiecektir.
Transistr alma noktasnn DC deerine bal olarak kaymas istenmeyen bir
durumdur. nk distorsiyona neden olur. Bu durumu basit bir rnekle alayalm.
138
rnek:
5.3
RB
tla
100K
ekil-5.10
nce 250C s altnda transistr devresinde VCE ve IC deerlerini bulalm. Devreden;
no
zm
ekil-5.10da verilen beyz polarmal devrenin

alma ortam ss 250C ile 500C arasnda
deeri
deimektedir.
Transistrn
DC
250C=100, 500C=150 olmaktadr. Bu koullar
altnda transistrn Q alma blgesinde
davrann (IC, VCE) analiz ediniz. Scaklktaki
deiimin devreye etkilerini belirleyiniz.
ri.
RC
620
VCC = VCE + ( I C RC )
VCC = VCE + [( I B ) RC ]
rs
veya yine devreden;
VCC = V RB + V BE
de
VCC = I B R B + V BE
em
eitliklerini yazabiliriz. Bize IC akm gerekmektedir. Yukardaki eitlikte IB deerini

IC cinsinden ifade edelim.
VCC =
IC
DC
+ V BE
.e
Bulunan bu eitilkten ICyi ekelim ve deerini hesaplayalm.
VCC =+12V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V V BE
12 0.7
11.03
I C = DC CC
= 100
= 11.3mA
= 100
RB
100 K
100 K
Buradan transistrn Q alma noktas gerilimi VCE deerini bulalm.

VCE = VCC ( I C RC ) = 12V (11.3mA 620) = 5V
imdi 500C s altnda transistr devresinde VCE ve IC deerlerini bulalm. Devreden;

V V BE
12 0.7
11.03
I C = DC CC
= 150
= 17 mA
= 150
RB
100 K
100 K
Buradan transistrn Q alma noktas gerilimi VCE deerini bulalm.

VCE = VCC ( I C RC ) = 12V (17mA 620) = 1.46V
Dolaysyla sl deiim transistrn kolektr akmn ve alma noktas gerilimi VCE

deerini deitirmektedir. IC akmndaki deiimin yzde miktarn bulalm.
139
VCE = VCC ( I C RC ) = 12V (17mA 620) = 1.46V
I C ( 750 ) I C ( 250 )
I C ( 250 )
%100 =
17 mA 11.3mA
%100 %50 ( Artma)
11.3mA
tla
%I C =
ri.
Dolaysyla sl deiim transistrn kolektr akmn ve alma noktas gerilimi VCE

deerini deitirmektedir. IC akmndaki deiimin yzde miktarn bulalm.
%VCE =
no
Neticede scaklk artyla oluan DC deerindeki deiim IC akmnda %50 orannda

bir arta neden olmaktadr. Ayn ekilde transistrn alma noktasnda oluan
deiim orann hesaplayalm.
VCE ( 750 ) VCE ( 250 )
VCE ( 250 )
%100 =
1.46V 5V
%100 %70 ( Azalma)
5V
Yorum:
rs
grld gibi s deiimi transistrn alma blgesini de kaydrmaktadr.
em
de
Isl veya eitli etkenlerden dolay DC deerinin deimesi transistrn alma

noktasn ar lde etkilemektedir. Bu durum lineer almay etkiler ve kararl bir
alma oluturulmasn engeller. Transistrn alma blgesinin kaymas istenmeyen
bir durumdur. Transistrn alma blgesinin kararl olmas ve kaymamas iin eitli
yntemler gelitirilmitir. rnein emiter direnli beyz polarmas DC deiimlerinden
ar etkilenmez.
.e
Emiter direnli beyz polarmas
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistrl polarma devrelerinde kararl almay salamak amacyla beyz

polarmasnn gelitirilmi halidir. Beyz polarmasndan daha avantajldr. Bu polarma
tipinde de tek bir dc besleme kayna kullanlr.
Tipik bir emiter direnli beyz polarma devresi ekil-5.11de verilmitir. Devre beyz
polarma devresinden daha kararl bir alma salamak iin gelitirilmitir. Devrenin
emiterinde kullanlan RE direnci transistrn daha kararl almasn salar.
+VCC
RB
+VCC
RC
VRB =IB R B
RB
RC
IC
IB
VRC=IC RC
VCE
+
VBE _
VB =VB E +VRE
RE
RE
IE
V RE =IE RE
ekil-5.11 Emiter direnli Beyz polarmas ve polarma akm ve gerilimleri
140
Devreyi analiz etmek iin beyz-emiter ve kollektr-emiter evrelerini ayr ayr ele alalm.
nin analizinde temel evre denklemlerini kullanmak yeterlidir. ekil-5.9da gsterildii
gibi VCC-beyz-emiter evresinden;
ri.
VCC = I B R B + V BE + I E R E
denklemi elde edilir. IE akmn IB cinsinden ifade edelim.
tla
I E = I C + I B I E = ( I B ) + I B I E = I B ( + 1)
VCC = I B R B + V BE + ( + 1) I B R E
Bu denklem beyz akm (IB) ekilirse;
VCC V BE
R B + ( + 1) R E
no
IB =
rs
deeri elde edilir. Artk beyz akm kullanlarak kolektr ve emiter akmlar belirlenebilir.
Transistrrn kolektr-emiter gerilimini (VCE) bulmak iin kolektr-emiter evresinden
yararlanalm.
VCC = I C RC + VCE + I E R E
de
Buradan VCE gerilimini ekelim.
VCE = VCC I C RC I E R E
em
olarak bulunur.
DC=100
VB E=0.7V
zm
a.
a) ekilde verilen devrede oda

scaklnda altrlmaktadr (250C)
transistrn polarma akm ve gerilim
deerlerini bulunuz?
RC
1K
RB
470K
.e
rnek:
5.4
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
b) Ayn devrede transistrn DC

deeri 750C s altnda 150 olsayd
polarma akm ve gerilimlerindeki
deiimi hesaplayarak yorumlaynz.
RE
470
250C oda scaklnda, DC=100 iin gerekli analizleri yapalm. Beyzemiter evresinden beyz akm (IB);
IB =
VCC V BE
12V 0.7V
11.3
=
= 0.021mA = 21A
=
R B + ( + 1) R E 470 K + (101) 470 517470
elde edilir. Buradan kolektr ve emiter akmlar buluruz.
141
ri.
I C = I B = 100 0.021mA = 2.1mA
I E = ( + 1) I B veya I E = I C + I B = 2.1mA + 0.021mA = 2.12mA
tla
deerleri elde edilir. Buradan transistrn kolektr-emiter gerilimi VCE;

VCE = VCC I C RC I E R E VCE = 12 (2.1mA 1K) (2.12mA 470)
VCE = 8.9V
750C oda scaklnda, DC=150 iin gerekli analizleri yapalm. Beyz-emiter

evresinden beyz akm (IB);
VCC V BE
12V 0.7V
11.3
=
= 0.020mA = 20 A
=
R B + ( + 1) R E 470 K + (151) 470 517470
rs
IB =
no
b.
I C = I B = 150 0.020mA = 3mA
de
I E = ( + 1) I B veya I E = I C + I B = 3mA + 0.020mA = 3.02mA
VCE = VCC I C RC I E R E VCE = 12 (3mA 1K) (3.02mA 470)

VCE = 7.5V
.e
em
Dolaysyla sl deiim transistrn kolektr akmn ve alma noktas gerilimi

VCE deerini deitirmektedir. IC akmndaki deiimin yzde miktarn bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
%I C =
I C ( 750 ) I C ( 250 )
%VCE =
I C ( 250 )
%100 =
VCE ( 750 ) VCE ( 250 )

VCE ( 250 )
3.02mA 2.12mA
%100 %42 ( Artma)
2.12mA
%100 =
7.5V 8.9V
%100 %15 ( Azalma )
8.9V
Yorum:
rnek 5.3de verilen polarma devresi DC deiiminden ok fazla etkilenmekte ve
alma noktas %70 orannda kaymakta idi. Yukarda verilen emiter direnli
polarma devresinde ise DC deiiminden etkilenme oran (%15) ok azdr.
Dolaysyla emiter direnli beyz polarma devresinin kararll daha iyidir.
142
no
tla
Emiter polarmas transistrn kararl altrlmas iin gelitirilmi bir dier

polarma metodudur. Bu polarma tipinde pozitif ve negatif olmak zere iki ayr
besleme gerilimi kullanlr. Bu nedenle bu polarma tipi kimi kaynaklarda simetrik
polarma olarak adlandrlmaktadr.
rs
Tipik bir emiter polarma devresi ekil-5.12.ada verilmitir. Grld gibi devrede iki
ayr gerilim kayna kullanlmtr. VCC ve VEE olarak adlandrlan bu kaynaklar
transistrn polarma akm ve gerilimlerini salarlar. Bu devrede beyz gerilimi yaklak
0Vdur. Ayn devrenin basitletirilmi izimi ise ekil-5.12.bde verilmitir.
+VCC
de
IC
+VCC
RC
RB
RC
RB
.e
em
EMTER POLARMASI
ri.
5.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB
VBE
IE
+
VB
RE
RE
VE
VC
VEE
-VE E
a) Emiter polarmalandrma devresi
b) Emiter polarmalandrlmasnn basitletirilmi izim
ekil-5.12.a ve b Emiter polarmal transistor devresi ve basitletirilmi izimi

Devrede beyz gerilimi ase potansiyelindedir ve yaklak 0V civarndadr. Transistrn
emiterini VEE kayna beyze gre daha dk potansiyelde tutarak, beyz-emiter
jonksiyonunu iletim ynnde etkiler. Devrede analizini evre denklemlerini kullanarak
yapalm.
Devrenin analizinde iki farkl yntem (yaklam) kullanabiliriz. Birinci yaklam beyz
gerilimini, dolaysyla da beyz akmn sfr kabul ederek ihmal etmektir. kinci yaklam
ise beyz akmn da hesaba katmaktr.
143
I. Yaklam: Beyz akmn yaklak sfr kabul edelim.

VB=0V
VE=-VEE
VE VEE
RE
ri.
IE =
tla
IC=IE
VC = VCC I C RC
no
VCE = VC VE
II. Yaklam: Beyz akmnn varln kabul edip devrenin analizini yapalm.
VEE = I B R B + VBE + I E RC
de
rs
Yukardaki denklemde beyz akm yerine; I B =
IE
eitliini yazarsak;
+1
I
VEE = E R B + VBE + I E R E
+ 1
em
bu denklemde gerekli IE akmn ekersek;
.e
Devrede eer , R E =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IE =
VEE VBE
R
RE + B
+1
RB
ise yukardaki eitlik yeniden dzenlenebilir. Bu durumda;
+1
IE =
VEE VBE
RE
devrede VEE>>VBE olmas durumunda bir basitletirme daha yapabiliriz. Bu durumda

eitlik;
IE =
VEE
RE
olarak yazlabilir. Bu eitlik bize emiterli polarma devresinin DC ve VBE deerlerinden ve

deiimlerinden bamsz olduunu gsterir. Bu durum, transistrn Q alma
noktasnn kararl olduu anlamna gelir.
Grld gibi emiterli polarma devresi olduka kararldr. Emiterli polarma devresinde
transistrn kollektr-emiter gerilimini doyum annda yaklak sfr VCE=0 kabul edersek
kollektr akmn;
I C ( DOYUM ) =
144
VCC VEE
RC + R E
belirleriz. Transistrn kesim annda ise kollektr akmn yaklak sfr kabul ederek
kollektr-emiter arasndaki toplam gerilim bulunur. Bu deer;
rnek:
5.5
ri.
VCE = VCC VEE
+VCC =12V
tla
Yandaki emiterli polarma devresinde

transistrn alma noktas deerlerini
bulunuz. Hesaplamalarda beyz akmn
ihmal ediniz.
RC
1K
47K
RE
VE
5.6K
VC
rs
VB
no
RB
Devrede VB gerilimini yaklak olarak sfr kabul edersek;
em
zm
de
-VE E
-12V
VE = VBE = 0.7V
IE =
VEE VEE 0.7V ( 12V )

=
RE
5.6K
IE =
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
11.3V
= 2.01mA
5.6K
I C I E = 2.01mA
VC = VCC I C RC = 12 ( 2.01mA 1K) = 10V
VCE = VC ( VE ) = 10V ( 0.7V ) = 11.7V
Emiterli polarma devresinde transistrn alma noktas deerleri elde edilmitir. DC

yk hatt deerlerini bulalm. Doyum annda VCE=0V kabul edersek;
I C ( DOYUM ) =
VCC VEE 12V ( 12V )

24V
=
=
= 3.36mA
RC + R E
1K + 5.6K 6.6K
bulunur. Transistr kesimdeyken ise IC=0 kabul edersek;

VCE = VCC VEE = 12V ( 12V ) = 24V
145
ri.
deerlerini elde ederiz. Bulunan bu deerler kullanlarak karakteristikte yk dorusu

aadaki gibi izilir.
I C (mA)
3.36
8.26
24
VCE (V)
rs
no
tla
2.01
rnek:
5.6
+VCC =15V
Yanda verilen devrede VBE geriliminin

0.7Vdan 0.6Va dmesi ve DC deerinin
100den 150ye kmas durumunda
alma noktasnda meydana gelecek
deiimleri analiz ediniz.
de
RC
2.2K
RB
VB
RE
V
8.2K E
VC
-VE E
-15V
.e
em
15K
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
zm
DC=100 ve VBE=0.7 olmas durumunda gerekli analizleri yapalm.

IE =
( 15V ) 0.7V
VEE VBE
14.3V
=
=
= 1.71mA
RB
15K
8
.34K
8.2 K +
RE +
100 + 1
+1
I C I E = 1.71mA
VC = VCC I C RC = 15 (1.71mA 2.2K) = 11.23V

VE = VEE + I E R E = 15V + (1.71mA 8.2K) = 0.98V
VCE = VC VE = 11.23V ( 0.98V ) = 10.25V
146
DC=150 ve VBE=0.6 olmas durumunda gerekli analizleri yapalm.
( 15V ) 0.6V
VEE VBE
14.4V
=
=
= 1.72 mA
R
15K
8.34K
8.2 K +
RE + B
100 + 1
+1
ri.
IE =
tla
I C I E = 1.72 mA
VC = VCC I C RC = 15 (1.72 mA 2.2 K) = 11.21V
no
VE = VEE + I E R E = 15V + (1.72mA 8.2K) = 0.896V

VCE = VC VE = 11.21V ( 0.896V ) = 10.31V
rs
Bulunan bu deerleri kullanarak; kolektr akm (IC) ve kollektr-emiter gerilimi (VCE)

deiim yzdelerini bulalm.
I C ( = 150 0 ) I C ( = 100 )
I C ( = 100 )
de
% I C =
%VCE =
%100 =
VCE ( =150 ) VCE = 100 )

VCE ( = 100 )
1.72 mA 1.71mA
%100 %0.5 ( Artma)
1.71mA
%100 =
10.31V 10.25V
%100 %0.50 ( Artma)
10.25
.e
em
Yorum:
Sonulardan da grld gibi sl ve eitli nedenlerden dolay DC ve VBE
deerlerindeki deiim transistrn alma noktas deerlerini ok az miktarda
etkilemektedir. Bu nedenle emiterli polarma devresinin kararl yksektir ve DCden
bamszdr diyebiliriz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
5.4
GERLM BLCL POLARMA
Gerilim blcl polarma devresi, Lineer almada ska tercih edilen en popler
polarma metodudur. Gerilim blme ilemi direnlerle gerekletirilir. Bu polarma tipi
transistrn son derece kararl almasn salar ve DCden bamszdr. Bu tip
polarma devresinde tek bir besleme geriliminin kullanlmas ise dier bir avantajdr.
zellikle lineer ykselte devrelerinin tasarmlarnda gerilim blcl polarma
devreleri kullanlr.
147
ri.
nceki blmlerde incelediimiz polarma devrelerinde alma noktas DC ykseltme

faktrne ar derecede baml idi. ya bamllk ykselte devrelerinde bir takm
sorunlar yaratr. rnein ayn firma tarafndan retilen ayn tip transistrlerin
deerleri farkllklar ierir. Ayrca s deiiminden de etkilenmektedir. Bu durum
transistrn kararl almasn engelleyerek alma noktasnn istenmeyen blgelere
kaymasna neden olur. alma noktasnn nemi nceki konularda aklanmt.
Transistrlerde kararl bir alma iin gerilim blcl polarma devreleri gelitirilmitir.
RC
de
R1
rs
no
tla
Tipik bir gerilim blcl polarma devresi ekil-5.13.ada verilmitir. Grld gibi
devre tek bir gerilim kaynandan (VCC) beslenmitir. Devrede transistrn beyz akm
R1 ve R2 direnleri tarafndan salanmaktadr. Devrenin kararll ok yksektir.
Transistrn alma blgesi deerleri DCnin deiiminden etkilenmez. Bu nedenle bu
tr polarma tipine dan bamsz polarma ad da verilmektedir. ekil-5.13.bde ise
polarma devresinin analizini kolaylatrmak amac ile polarma akm ve gerilimleri devre
zerinde gsterilmitir.
+VCC
RC
V RC=IC.RC
I1
IB
V R2 =I2.R2
RE
IC
R1
V R1 =I1 .R1
V CC
R2
R2
VB
IE
RE
V RE=IE.RE
em
I2
V CE=V CC-V RC-V RE
.e
ekil-5.13.a ve b Gerilim blcl polarma devresi ve polarma akm-gerilimi

ilikileri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Devrenin zm iin eitli yntemler uygulanabilir. ki temel yntem vardr. Birinci

yntem devrede beyz akm ihmal edilebilecek kadar kk ise uygulanr. Bu yntemde
I1 akmnn tamamnn I2 olarak yoluna devam ettii varsaylarak zm retilir. kinci
yntemde ise devre analizi beyz akm dikkate alnarak yaplr. zm tekniinde
thevenin teoreminden yararlanlr.
Yntem 1:
Bu yntemde beyz akm ihmal edilebilecek kadar kk kabul edilir. R1 direncinden
akan akmn R2 direncinden de akt kabul edilir. nk transistrn giri direnci Rin
R2 direncinden ok byk olduu kabul edilir (Rin>>R2). Yaplan kabuller neticesinde
polarma devresinin edeeri ekil-5.14.bde verilen hale gelir. Edeer devrede; R1 ve R2
direnlerinin birletii noktada elde edilen gerilim, transistrn beyz polarma gerilimi
olacaktr.
148
+VCC
+VCC
I1
RC
R1
R1
R2
RE
SE
I2
R2
Rin
tla
I1 =I 2>>I B
ri.
IB
Rin >>R2
no
ekil-5.14.a ve b Gerilim blcl polarma devresi ve edeer gsterimi
rs
Transistrn beyzinde elde edilen VB geriliminin deeri;
VB =
R2
VCC
R1 + R2
de
olarak bulunur. Beyz gerilimi; beyz noktas ile ase arasndaki gerilim olduundan
yazlacak evre denkleminden;
V B = V BE + I E R E
em
Buradan IE akmn ekersek;

IE =
V B V BE
RE
.e
devrede IB ok kk olduundan IE=IC kabul edebiliriz. Dolaysyla;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC = VCC + I C RC
transistrn alma noktas ise;

VCE = VCC I C RC I E R E
olarak elde edilir. Dikkat ederseniz yaptmz analizlerde transistrn DC deerini hi

kullanmadk. Beyz akm R1, R2 direnlerine baml klnmtr. Emiter gerilimi ise
yaklak olarak beyz gerilimine bamldr. Emiter direnci RE, emiter ve kolektr akmn
kontrol etmektedir. Son olarak RC direnci kolektr gerilimini dolaysyla kolektr-emiter
gerilimi VCEyi kontrol etmektedir.
149
rnek:
5.7
+VCC =20V
ri.
Yandaki devrede polarma akm ve

gerilimi deerlerini bulunuz.
DC=100
VBE=0.7V
RC
5K6
tla
R1
100K
R2
10K
no
RE
1K
zm
R2
10K
VCC =
20V = 1.82V
100K + 10K
R1 + R2
V VBE 1.82 0.7
=
= 1.12 mA
IE = B
RE
1K
I E IC
de
rs
VB =
VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.12 mA 5.6K) (1.12mA 1K)
em
VCE = 20 6.27V 1.11V = 20 7.38 = 12.6V
.e
Yntem 2:
Gerilim blcl polarma devresinde bir dier yntem ise Thevenin teoremini
kullanmaktr. Bu yntem tam zm sunar. Hibir kabul iermez. Devrenin giriinde
(beyz) thevenin teoremi uygularsak polarma devresi ekil-5.15.bde verilen basit forma
dnr.
R1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VCC
+VCC
RC
RC
R TH
A
R2
IB
VTH
RE
a) Gerilim blcl polarma devresi
RE
b) Thevenin edeer devresi
ekil-5.15 Gerilim blcl polarma devresi ve Thevenin edeeri
150
ri.
Thevenin edeer gerilimi olan VTH deerini bulmak iin devre giriini A noktasndan
ayralm (Transistr baml akm kayna gibi dnebiliriz). Bu durumda devremiz
ekil-5.16.ada verilen forma dnr. VTH gerilimi ise A noktasnda elde edilecek gerilim
deeridir.
VCC
R2
VTH =
R1 + R2
tla
Thevenin edeer diren deeri RTH ise; VCC gerilim kayna ksa devre edilerek
bulunur. Bu deer A noktasndan grlen diren deeridir ve R1 ve R2 direnleri paralel
duruma gemitir. Bu durum ekil-5.16.bde gsterilmitir.
no
RTH = R 1 // R 2 =
R1 R2
R1 + R2
+VCC
R1
rs
R1
de
VTH
RTH
R2
R2
b) Thevenin e deer direnci
em
a) Thevenin e deer gerilimi
ekil-5.16 Thevenin edeer gerilimi (VTH) ve Edeer direncinin (RTH) bulunmas
.e
Thevenin edeer gerilimi ve edeer diren deerlerini bulduktan sonra ekil-5.15.bde

verilen edeer devreden zme devam edelim. IB akmn bulmak iin devre girii iin
evre denklemini yazalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VTH = I B RTH + VBE + I E R E
Devrede IB ve IE olmak zere iki bilinmeyen var. O halde IE akmn IB cinsinden ifade
edelim. IE=IB(+1)dir. Denklemde yerine koyalm.
VTH = I B RTH + VBE + ( + 1) I B R E
Buradan gerekli olan IB akmn ekelim.
IB =
VTH VBE
RTH + ( + 1) R E
olarak bulunur. Bulanan bu deerden IE, IC ve VCE deerleri srayla elde edilir.
151
+VCC=20V
tla
+VCC =20V
RC
5.6K
RC
5.6K
R1
100K
IB
V TH
VB E
IE
RE
1K
zm iin ilk adm thevenin edeer devresini izmektir. Edeer devre yukarda
izilmitir. nce thevenin edeer gerilimi ve edeer diren deerlerini bulalm.
de
zm
RE
1K
rs
R2
10K
no
R TH
VTH =
VCC
20
R2 =
10K = 1.82V
R1 + R2
100K + 10K
em
RTH = R 1 // R 2 =
R1 R2
100K 10K
=
= 9.09K
R 1 + R 2 100K + 10K
.e
Edeer devreden giri iin evre denklemini yazalm.

VTH = I B RTH + VBE + ( + 1)I B R E
Aada verilen devrenin analizini yapnz. zm iin Thevenin teoremini

kullannz. DC=100, VBE=0.7V. Not: Ayn devre rnek 5.7de farkl bir yntem
kullanlarak zlmt.
ri.
rnek:
5.8
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Yorum
IB =
VTH VBE
1.82V 0.7V
1.12V
=
=
= 10 A
RTH + ( + 1) R E 9.09K + (101) 1K 110K
I E = ( + 1) I B = 101 10 A = 1.02 mA
I C = I E I B = 1.02 mA 0.01mA = 1.01mA
VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.01mA 5.6K) (1.02 mA 1K)
VCE = 20V ( 5.65V ) (1.02V ) = 20V 6.67V = 13.33V
Elde edilen bu sonu rnek:5.7de bulunan deerler ile karlatrldnda aralarnda

yaklak %3-%4 civarnda fark olduu grlr. Dolaysyla yaklak zm ile tam
zm arasnda ok kk bir fark vardr. Bu fark kimi zaman ihmal edilebilir.
152
rnek:
5.9
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek 5.8de verilen polarma devresinde transistrn DC deeri yzde yz artarak

200 olmutur. Polarma akm ve gerilimlerini bulunuz?
Not: Polarma devresi ve thevenin edeeri aada yeniden verilmitir.
+VC C =20V
ri.
+VC C=20V
RC
5.6K
R1
100K
RC
5.6K
tla
R TH
R2
10K
VB E
IE
RE
1K
VCC
R2
R1 + R2
no
VTH =
IB
V TH
RE
1K
zm
20
10 K = 1.82V
100 K + 10 K
rs
VTH =
de
RTH = R1 // R2 =
RTH =
R1 R2
R1 + R2
100 K 10 K
= 9.09 K
100 K + 10 K
em
Edeer devreden giri iin evre denklemini yazalm.

VTH = I B RTH + V BE + I E R E
.e
Denklemde IB ve IE olmak zere iki adet bilinmeyen var. O halde IE akmn IB

cinsinden yazalm. IE=IB (+1) denklemde yerletirilirse;
VTH = I B RTH + VBE + ( + 1)I B R E
Analiz iin gerekli olan IB akmn ekelim.

IB =
VTH VBE
1.82V 0.7V
1.12V
=
=
= 5.3 A
RTH + ( + 1) R E 9.09K + ( 201) 1K 210K
Polarma devresinde dier akm ve gerilim deerlerini bulalm.
I E = ( + 1) I B = 201 5.33 A = 1.072 mA

I C = I E I B = 1.072 mA 0.005mA = 1.067 mA
Transistrn alma noktas gerilimi VCE;

VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.067 mA 5.6K) (1.07 mA 1K)
VCE = 20V ( 5.97V ) (1.07V ) = 20V 6.67V = 13V
Yorum:
Grld gibi DC deerinin %100 orannda deimesi devrenin alma blgesini

pek etkilememitir. Devre alma deerlerinde kararl kalmaktadr. Bu durum gerilim
blcl polarma devresinin son derece kararl altn gstermektedir.
153
+VCC =12V
C1
C2
10F
10F
R2
22K
RE
470
R1
+VCC =12V
RC
2.2K
V0
no
Vi
RC
2.2K
tla
R1
R2
22K
CE
47F
a) Ykselte devresi
RE
470
b) DC analiz iin edeeri
ekil-5.17.ada komple bir ykselte devresi verilmitir. Ykselte giriine uygulanan

Vi iareti; ykselte tarafndan kuvvetlendirilecek ve ykselte kndan Vo olarak
alnacaktr.
de
zm
rs
ekil-5.17. a ve b Ykselte devresi ve dc analizi
em
Ykseltecin lineer alabilmesi iin dc polarma gerilimleri ve akmlar iyi

ayarlanmaldr. Ksaca nce dc analiz gerekir. DC analiz iin devrenin dc edeeri
izilir. Edeer devre iin; devredeki ac kaynaklar ksa devre ve kondansatrler ak
devre kabul edilir. Bu durumda devremiz ekil-5.17.bde verilen hale dnr.
.e
Ykselte devresi aktif blgenin tam ortasnda almas isteniyor. O halde transistrn kesim ve doyuma gitmeden ikisinin ortasnda almas gerekir. Transistrn
aktif blgedeki alma gerilimi deerini bulmak iin kesim ve doyum noktalarn
belirleyip ikisinin tam ortasn almalyz. O halde;
Aada ekil-5.17.ada verilen ykselte devresinde transistrn aktif blgenin

ortasnda almas isteniyor. Gerekli alma koulunun salanmas iin R1
direncinin deeri ne olmaldr? Hesaplaynz?
ri.
rnek:
5.10
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistr kesim noktasnda iken IC=0dr. Bu durumda Q alma noktas gerilimi

VCQ maksimum olacaktr ve deeri;
VCQ (max) = VCC
besleme gerilimine eittir. Transistr doyumda iken kollektr-emiter aras ksa devre
olur ve minimumdur. IC akm ise maksimumdur. Bu durumda transistrn Q
alma noktas gerilimi VCQ(min) ise;
VCQ (min) =
VCC
RE
R E + RC
deerine eit olacaktr. Bizim amacmz kesim ve doyum noktalarna gitmeden

ikisinin tam ortasnda almaktr. O halde aktif blgenin ortasnda almak iin;
154
VCQ (max) + VCQ (min)

2
VCC
2
RE
1 +
R E + RC
ri.
VCQ =
olmaldr. Buradan transistrn aktif blgenin ortasnda alabilmesi iin gerekli

VCC
R E 12
470
= 7.05V
1 +
= 1 +
2 R E + RC 2 470 + 2.2 K
no
VCQ =
tla
olan VCQ deerini bulalm.
Bu durumda R1 direncini VCQ gerilimini 7.05V yapacak ekilde semeliyiz. R1

direncini bulamak iin R1 zerinde oluan akm ve gerilimi bulmalyz. nce IC
akmn bulalm.
VCC VCQ
rs
I CQ =
de
I BQ =
I CQ
RC
12 7.05
= 2.25mA
2.2 K
2.25mA
= 0.01125mA = 11.25A
200
.e
em
Analiz kolayl iin devreyi yeniden izelim.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V R1
+VCC =12V
IR1
RC
2.2K
R1
ICQ
V RC
VCE Q
IBQ
VR2
R2
22K
IR2
VCQ
RE
470
IE Q
VRE
Devreden VR2 geriliminin; VR2=VCC-VR1 veya VR2=VBE+VRE deerine eit olacaktr.

Buradan;
V R 2 = V BE + I B ( + 1) R E = 0.7V + 11.25A (201) 470 = 1.76V
Buradan I2 akmn bulabiliriz.

I2 =
V R 2 1.76V
=
= 0.080mA = 80A
R2
22 K
VR1 deerini bulalm. Devreden VR1=VCC-VR2 olarak grlmektedir.

V R1 = VCC V R 2 = 12V 1.76V = 10.24V
155
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I1 akmn bulmak iin devreden; I1=I2-IB olduu grlr.
I 1 = I 2 I B = 80 A 11.25A = 68.75A
V R1 10.24V
=
= 148.9 K
I1
68.75A
tla
R1 =
ri.
Bulunan bu deerleri kullanarak R1in olmas gereken deerini bulabiliriz.
KOLLEKTR-GERBESLEMEL POLARMA
rs
5.5
no
Olarak bulunur. u halde ekil-5.17de verilen ykselte devresinde transistrn

aktif blgenin ortasnda alabilmesi iin gerekli R1 direnci 149K olarak
bulunmutur.
Tipik bir kolektr-geribeslemeli polarma devresi ekil-5.18de verilmitir. Devrede

negatif geribesleme yaplmtr. nk beyz ve kollektr gerilimleri arasnda 1800 faz
fark vardr. Devre, yaplan geribesleme sayesinde kararl bir yapya kavumutur.
nk transistrn snn neden olduu etkiler ve deiimler geribesleme ile
azaltlmtr. Ksaca geribesleme sayesinde kararl bir alma salanmtr.
+VCC
+VCC
I C+IB
RC
RB
RC
VRC
RB
.e
em
de
Transistrl ykselte devrelerinin polarmalandrlmasnda kullanlan bir dier

yntem ise kollektr-geribeslemeli devredir. Bu devrenin kararll olduka
yksektir. Transistrn alma blgesi deerleri DC deiimlerinden pek fazla
etkilenmez.
IB
IC
V CE
VB E
VB E
a) Kollektr-geribeslemeli polarma devresi
IE
b) Polarma akm ve gerilimlerinin gsterimi
ekil-5.18.a ve b Kollektr-geribeslemeli polarma devresi ve polarma deerleri
156
tla
ri.
Sistemin kararl almas iin geribesleme ile yaplan iyiletirilme aada anlatlmtr.
Is ile nn artmas transistrn kolektr akmnda da bir arta neden olur. Kolektr
akmnn artmas RC direnci zerinde oluan gerilimi de artracaktr. RC direnci zerinde
oluan gerilimin (VRC) artmas ise transistrn VCE geriliminin azalmasna neden olur.
Kolektr gerilimi ise RB direnci zerinden beyzi beslemektedir. Bu durumda beyz
akmda azalacaktr. Beyz akmnn azalmas ise kolektr akmnda deiiminin neden
olduu artmay engelleyecektir. Scaklk etkisiyle da dolaysyla kollektr akmnda
oluan artma veya azalma geribesleme ile dengelenmektedir. Bu durum, transistrn
alma blgesinin kararl kalmasn salar.
Devrenin matematiksel analizini yapalm. ekil-5.18.bde verilen devrede beyz-emiter
evresi iin gerekli eitlikler yazlrsa;
no
VCC = I RC RC + I B R B + V BE
olur. Burada IRC akm, RC direnci zerinden geen akmdr ve IRC=IB+IC deerine eittir.
VCC = ( I B + I C ) RC + I B R B + V BE
rs
IB+IC deeri ise IE akmna eittir.
VCC = I E RC + I B R B + V BE
de
IE akmn IB cinsinden yazarak IE=(+1)IB yukardaki denklemi sadeletirelim

VCC = ( + 1) I B RC + I B R B + V BE
em
elde edilen bu denklemden IB akmn ekelim.

IB =
VCC V BE
R B + ( + 1) RC
.e
denklemi elde edilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Devrede alma noktas deerlerini bulmak iin kollektr-emiter evresi iin gerilimler
yazlrsa;
VCC = I RC RC + VCE
IRC=IEdir. Denklem yeniden dzenlenirse;

VCE = VCC I E RC
eitlii elde edilir.

Kollektr-geribesleme devresinin ok daha gelitirilmi bir uygulamas ekil-5.19da
verilmitir. Kararllk faktrn artrmak amac ile devrede ilave olarak RE direnci
kullanlmtr. Devrenin analizi ise aada ayrntlar ile verilmitir.
157
+VCC
+VCC
RC
V RC
ri.
I C+IB
RC
VCE
RB
RB
IC
VBE
VB E
VB=VB E+IE R E
IE
RE
VRE
no
RE
tla
IB
ekil-5.19.a ve b Kollektr-geribeslemeli emiter direnli polarma devresi
rs
VCC = I RC RC + I B R B + V BE + I E R E
de
denklemi elde edilir. Elde edilen denklemde IRC akm yerine, IRC=IB+IC=(+1)IB eitliini
kullanrsak;
VCC = ( + 1) I B RC + I B R B + V BE + I E R E
IB =
VCC V BE
R B + ( + 1) ( RC + R E )
Transistrn alma noktasndaki deerleri bulmak iin polarma devresinden;
.e
em
denklemi elde edilir. Elde edilen denklemden IB akmn ekelim.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCC = I RC RC + VCE + I E R E
Formldeki IRC yerine IE kullanrsak IRC=IE;

VCE = VCC I E ( RC + R E )
denklemi elde edilir.
158
rnek:
5.11
VCC =+12V
Yanda verilen kollektr-geribeslemeli

polarma devresinde gerekli polarma
akm ve gerilimlerini hesaplaynz?
RC
2.2K
ri.
RB
DC=150
VBE=0.7V
tla
100K
VBE
Devrede nce beyz akmn bulalm.

IB =
no
zm
VCC V BE
12V 0.7V
11.3V
=
=
= 0.026mA = 26 A
R B + ( + 1) RC 100 K + (151) 2.2 K 432.2 K
rs
I C = I B = 150 26A = 3900 A = 3.90mA
I E = ( + 1) I B = 151 26 A = 3926A = 3.92mA
Transistrn alma noktas gerilimi VCE ise;
de
VCE = VCC I E RC = 12V (3.92mA 2.2 K) = 3.376V
olarak bulunur.
em
Devrenin kararllk faktrn incelemek amacyla ayn devrede scaklk etkisiyle DC

deerinin 150den 250ye ktn kabul edelim. Devrenin alma noktasna etkisini
grelim.
.e
IB =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCC V BE
12V 0.7V
11.3V
=
=
= 0.017 mA = 17 A
R B + ( + 1) RC 100 K + (251) 2.2 K 652.2 K
I C = I B = 250 17 A = 4250A = 4.25mA
I E = ( + 1) I B = 251 17 A = 4267 A = 4.26mA
Transistrn alma noktas gerilimi VCE ise;

VCE = VCC I E RC = 12V (4.2mA 2.2 K) = 2.76V
Yorum
Transistrn DC deerinde yaklak %100lk bir arta ramen alma blgesi akm
ve gerilimlerindeki deiim yaklak %10 civarndadr. Bu durum bize devrenin
kararllk faktrnn iyi olduunu gsterir.
159
ri.
KK SNYAL YKSELTELER
no
Kk sinyal ykseltme ilemi

Transistrn ac edeer devreleri
Ortak emiterli ykselte
Ortak beyzli ykselte
Ortak kolektrl ykselte
ok katl sistemler
Onarm
rs
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.6
6.7
tla
Konular:
de
Amalar:
Kk sinyal ykseltelerinin tantm ve zellikleri

Transistrlerin ac parametreleri
Ortak emiterli ykselte devresinin zellikleri, almas ve analizi
Ortak beyzli ykselte devresinin zellikleri, almas ve analizi
Ortak kollektrl ykselte devresinin zellikleri, almas ve analizi
ok katl (kaskat bal) ykselte devrelerinin almalar ve analizi
Ykseltelerde arza tipleri ve onarm
em
.e
Bu blmde transistrn ykselte olarak nasl altrlacan reneceksiniz. Ykselte tasarmnda

dikkat edilmesi gereken zellikleri belirleyip, kk iaretlerin nasl ykseltildiini greceksiniz.
co
m
BLM 6
tla
nceki blmde bir transistrn alabilmesi iin dc polarmaya gereksinim

duyduunu belirtmitik. Polarma ilemi sonunda transistrn alma blgesini
belirleyip iaret ilemeye hazr hale getirmitik. Tm hazrlklar transistr bir
ykselte (amplifier) olarak altrmaya hazrlamakt. Bu blmde transistrn
kk iaretleri nasl ykselttiini irdeleyeceiz.
no
Transistrl ykselte devreleri genellikle kk sinyal ve g ykselteleri olmak

zere iki temel blmde incelenir. rnein; mikrofon, anten v.b cihazlarn
klarndan alnan iaretleri ykseltmek amac ile kullanlan ykselte devreleri
kk sinyal ykselteleri olarak adlandrlr. Bu tr ykselteler girilerine
uygulanan kk iaretlerin gerilimlerini ykselterek ka aktarrlar.
de
rs
Bu blmde sra ile;

Ykselte devrelerinde ac ve dc iaretlerin nasl gsterildiini
Kk sinyal ykseltelerinde ykseltme ileminin nasl gerekletirildiini
Ac iaretler iin yk dorusunun analizini
reneceksiniz.
Ykselte devrelerinin analizi iki temelde yaplmaktadr. Bunlar ksaca dc alma

artlarnn analizi ve ac alma artlarnn analizi olarak tanmlayabiliriz. Ykselte
devrelerinde dc iaretlerin tanmlanmasnda genellikle alfabenin byk harfler kullanlr.
IE, VBE ve VCE v.b gibi. Oysaki ac iaretlerin eitli deerleri vardr. Etkin (rms) deer, tepe
deer (peak), tepeden tepeye (peak-to-peak), etkin (rms) deer gibi. Genel bir kabul
olarak ac iaretler tanmlanrken alfabedeki kk harfler italik formda kullanlr.
rnein; ic, ib, vce, vbe v.b gibi. rnein bir transistrn ac iarete kar gsterdii emiter
direnci Re, olarak dc iarete gsterdii emiter direnci ise RE olarak tanmlanr.
em
.e
KK SNYAL YKSELTME LEM
ri.
6.1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kk Sinyal Ykselteci
Tipik bir kk sinyal ykselte devresi ekil-6.1de verilmitir. Ykseltilecek sinusoydal
iaret transistrn beyz terminaline uygulanmtr. Ykseltilmi k ise transistr
kollektr terminalinden RL yk zerine alnmtr. Rs direnci ac iaret kaynann i
direncidir. Transistrn polarma gerilim ve akmlarn giriteki ac kaynaktan ve ktaki
RL yknden yaltmak amac ile C1 ve C2 kondansatrleri kullanlmtr.
161
+VCC
Ic
RC
Vb
ri.
R1
I CQ
C2
V ce
Rs
C1
Ib
RE
RL
no
R2
VCE Q
tla
Vs
ekil-6.1 Gerilim blc polarmal kk iaret ykselte devresi
de
rs
Balangta ykselte devresine ac iaretin uygulanmadn, sadece dc kaynan var

olduunu kabul edelim. Doal olarak dc kaynak, transistr polarmasn salayacak ve
alma noktasn belirleyecektir. Transistrn aktif blgede altn kabul edelim. Bu
durumda transistr iletimdedir. Belirli bir dc kollektr akm (IC) ve gerilimine (VCE)
sahiptir. Transistr artk ykseltme ilemine hazrdr. nk aktif blgede alyor.
.e
em
imdi transistrn beyzinden kk genlikli bir sinsoydal iaretin uygulandn

varsayalm. Sinsoydal iaretin pozitif saykl beyz akmnda artmaya neden olacaktr.
Beyz akmnn artmas kollektr akmnda da artmaya neden olacaktr. Giri sinsoydal
iaretinin sfra inmesi durumunda ise mevcut beyz akm deeri transistrn Q alma
noktasndaki deere geri dnmesine neden olacaktr. Giri sinsoydal iaretinin negatif
saykl ise beyz akmn azaltc ynde etki edecektir. Dolaysyla transistrn Q
noktasndaki kollektr akm deerini de azaltacaktr. Bu durum giri sinsoydal iareti
var olduu srece tekrarlanacaktr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Ykselte giriine uygulanan sinsoydal iaretin transistrn alma noktas (Q)

deerlerinde oluturduu deiim (ykselme-azalma) ekil-6.2de grafiksel olarak
gsterilmitir. Grafikten de grld gibi giri beyz akmndaki ok kk bir miktar
deiim, transistrn k kollektr akmnda byk miktarlarda deiime neden
olmaktadr. Ksaca giriten uygulanan iaret, kta ykseltilmitir. Grafikten grld
gibi giri beyz akmndaki deiim A dzeyinde olurken, k kollektr akmndaki
deiim ise mA dzeyindedir.
ekil-6.2de verilen grafii analiz edelim. Transistr skunet halinde (girite ac iaret yok)
Q alma noktasnda IB=30A, IC=3mA ve VCE=4V deerlerine sahiptir. Transistr
(ykselte) giriine tepe deeri 10A olan bir sinsoydal iaret uygulandnda ise;
Transistrn beyz akmndaki deiim 20A ile 30A arasnda olmutur. Buna karlk
transistrn kollektr akm 2mA ile 4mA arasnda deimitir.
Sonuta; transistr giriine uygulanan ve tepe deeri 20A olan sinsoydal iaret, ktan
yine sinsoydal olarak fakat tepe deeri 4mA olarak alnmtr. Ayn ekilde VCE
deerinde de bir deiim sz konusudur.
162
D
ze
y in
de
a rt
ea
z al
ma
ri.
ma
v
40A
Ic
30A
tla
mA Dzeyinde ar tma ve azalma
Ib
IC (mA)
20A
10
VCE (V)
no
rs
Vce
ekil-6.2 Ykselte devresinde ykseltme ileminin grafiksel analizi
de
TRANSSTRN AC EDEER DEVRES
em
6.2
.e
Transistrl ykseltelerin ac iaretlerde analizi olduka karmak yaplar ortaya

karabilir. Analizi kolaylatrp pratik hale getirmek iin eitli yntemler
gelitirilmitir. Kk sinyal analizinde en uygun ve pratik yntem; transistrn
edeer devre modellerinden yararlanmaktr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistrn ac edeer devre modellemesinde kullanlan balca iki tip parametre

vardr. Bunlar; h veya hibrit parametresi, dieri ise r parametresi olarak bilinir ve
tanmlanrlar.
Bu blmde; transistrn ac edeer devre modellemesinde kullanmak zere, hibrit-
modeli tantlacaktr.
Transistr ac Edeeri
Kk sinyal ykseltelerinin ac analizinde kullanlmak zere, eitli devre
modellemeleri gelitirilmitir. Bu blmde; transistrn ac edeer devresi iin Hibrid-
(Hybrid) modeli tantlacaktr. Bu model, dierlerine gre basit yapdadr ve kullanm
daha kolaydr. Dolaysyla transistrn ac analizde bu modelden yararlanlacaktr.
Kk sinyal ykseltelerinde Bipolar Jonksiyon Transistr (BJT) ekil-6.3de verilen
hiprid- devre modeli ile temsil edilebilir. Bu edeer devre modelinde; gm ve r olarak
verilen parametreler transistrn kollektr akm IC deerine bamldr. Dolays ile
hibrid- modeli transistrn belirli bir alma noktasnda kullanlabilir.
163
+
r
r0
gm v
ri.
tla
ekil-6.3 Bipolar jonksiyon transistr iin hibrid- modeli
rs
no
Edeer devre modelinde kullanlan parametreler srasyla;

v, transistrn beyz-emiter (vbe) sinyal gerilimini
gm, transkondktansn (iletkenliini)
r, transistrn beyz-emiter aras giri direncini
temsil etmektedir. Bu parametrele ile ilgili ayrntl bilgiler ileriki blmlerde verilecektir.
Transistrn transkondktans (gm )ve giri direnci deerleri (r) aadaki gibi verilir.
IC
IC
=
VT 26mV
r =
gm
de
gm =
.e
em
Grld gibi her iki parametrede kollektr akmnn deerine baldr. Bu sebeple
yukarda da belirtildii gibi hibrid- modelini kullanmak iin transistrn alma
noktasndaki IC deerinin bilinmesi zorunludur. Edeer devre modelinde transistrn
k akm baml bir kaynak ile tanmlanmtr. Transistrn k akm IC;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
i c = i b = g m v = g m r i b
eklinde yazlabilir. ekil-6.3de verilen edeer devre modelinde grld gibi

transistrn sahip olduu bir k direnci vardr. Bu diren r0 ile sembolize edilmitir.
Transistrn k direnci r0, ykseltecin kazanc hesaplanrken kimi durumlarda rnein
RC<< r0 olduunda ihmal edilebilir. Bu konu ileride ilenecektir.
Kk Sinyal Edeer Devresinin Kullanm

Transistrl bir ykselte devresinin kk sinyal analizi iki aamada yaplr. Analiz de
dc ve ac kaynaklarn neden olduu etkenler ayr ayr incelenmelidir. Bu yntem analizi
kolaylatrr. Transistrn bir ykselte olarak alabilmesi iin ncelikli koul aktif
blgede almasdr. Bu ise dc polarma ile salanr.
Transistrl ykseltelerinin analizinde ilk aama dc polarma akm ve gerilimlerinin
salanp alma noktasnn belirlenmesidir. Yaplan ykselte tasarm veya analizinde
eer transistr aktif blgede almyorsa, ac analiz yapmann anlam olmayacaktr.
Transistrl bir ykselte devresinde dc ve ac analiz iin yaplacak ilemler aada adm
adm anlatlmtr. rnein ekil-6.4.ada verilen ykselte iin dc ve ac analizi ayr ayr
gerekletirelim.
164
+VCC
+VCC
RC
RC
RB
ri.
RB
Vs
VB B
a) Ykselte devresi
tla
VBB
b) dc analiz iin edeer gsterim
no
ekil-6.4.a.b Transistrl ykselte devresi ve dc analiz iin edeer devre
de
rs
Bir ykselte devresinde dc analiz yaplrken, ac kaynaklar ksa devre edilir. Eer
ykselte devresinde kondansatrler varsa ak devre edilmelidir. nk kondansatrler
dc sinyale ak devre gibi davranrlar. Kk sinyal ykselteci iin devrenin dc edeeri
ekil-5.6.bde izilmitir. DC almada gerekli analizler yaplarak transistrn alma
blgesi belirlenir. Transistr aktif blgede altrlyorsa ac analize geilebilir. Aktif
blgede almayan bir transistr iin ac analiz yapmak gereksizdir. nk bir kazan
veya ykseltme sz konusu deildir.
em
Transistrl ykselte devresinin ac yaplrken doal olarak devrenin ac kaynaa tepkisi

incelenecektir. Dolaysyla devrede bulunan dc kaynaklar yok edilmelidir. Bunun iin dc
kaynaklar devreden kartlarak yerleri ksa devre edilir. Ayrca devrede kondansatrler
varsa ksa devre edilmelidir. nk kapasitrlerin orta frekans blgesinde ksa devre
davran gsterdii kabul edilir. ekil-6.4de verilen kk sinyal ykselte devresinin ac
edeer gsterimi ve ac edeer devre modeli grlmektedir.
+VCC
RC
RC
RB
Transistr
Edeeri
B
r
Vs
Vs
VBB
VB B
a) Ykselte devresi
RB
RB
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vs
+
v0
gmv
Rc
b) ac analiz iin edeer gsterim
c) ac analiz iin edeer devre modeli
ekil-6.4 Transistrl kk sinyal ykseltecinin ac edeeri ve devre modellemesi

ekil-6.4.cde verilen ac devre modellemesi kullanlarak ykselte devresi iin gerekli
analizler yaplr.
Kk iaret ykseltelerinin edeer devre modellemeleri ileri ki blmlerde ayrntlar
ile verilecektir. Ac ve dc devre modellemeleri kullanlarak gerekli analizler ve zmler
ayrntl olarak yaplacaktr. Konunun daha iyi anlalmas iin aada rnek bir devre
analizi verilmitir. Dikkatlice inceleyiniz.
165
rnek:
6.1
ekil-6.5.ada verilen ykselte devresinin kk sinyaller iin dc ve ac analizini

yapnz. =150, VBE=0.7V
RC
+VCC =12V
ri.
+VCC =12V
RC
2.2K
2.2K
RB
Vs
220K
VB B
5V
5V
no
VBB
220K
tla
RB
a) Ykselte devresi
b) dc analiz iin edeer gsterim
ekil-6.5.a ve b Transistrl ykselte devresi ve dc edeeri
a. dc analiz
Ykselteci dc alma artlarnn belirlenmesinde ilk adm devrenin dc edeerinin
izilmesidir. Dc edeer izimi iin devredeki ac kaynak 0V, kapasitrler ise ak
devre kabul edilir. Yaplan kabuller sonucunda ykselte devresinin dc edeeri
ekil-6.5.bde verildii gibidir.
de
rs
zm
.e
em
kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma blgesi
akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre
gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
I B ==
V BB V BE
RB
5 0.7
4.3
=
= 0.019mA = 19 A
220 K 220 K
I C = I B = (150) (19A) = 2850A = 2.85mA

VCE = VCC I C RC = 12V (2.85mA 2.2 K) = 5.73V
elde edilen deerler bize transistrn aktif blgede alt belirtmektedir. Dolays ile
transistr ykseltme (amplifikasyon) iin uygun blgede almaktadr. O halde
verilen devrenin ac analizine geebiliriz.
b. ac analiz
ekil-6.5.ada verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac analizi
yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc gerilim
kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Yaplan bu ilemler sonucunda devremizin
ac edeeri ve hibrid- devre modeli ekil-6.6da ykselte devresi ile birlikte
verilmitir.
Ykseltecin edeer devre modelinde, transistrn sahip olduu r0 k direnci ihmal
edilerek gsterilmemitir. Transistrn k direnci, RC direncinden ok (RC<<r0)
byktr. Dolays ile ihmal edilebilir.
166
RB
RC
2.2K
220K
RB
Vs
+
v0
gmv
ri.
Vs
220K
Rc
2K2
tla
a) ac analiz iin edeer gsterim
b) ac analiz iin edeer devre modeli
no
ekil-6.6.a ve b Transistrl ykselte devresi ve ac edeeri gsterimi

Ykselte giriine ykseltilmek amacyla uygulanan giri sinyali vs, ykselte
knda v0 olarak alnmaktadr. k iareti kollektr noktasndaki gerilimdir.
Dolaysyla RC direnci zerinde grlen ac deerdir.
em
de
rs
Devrenin zmnde ikinci adm ac edeer iin gereken parametrelerin

bulunmasdr. nce transistrn trankondktans ve beyz-emiter sinyal gerilimi
deerlerini bulalm.
I
2.85mA
gm = C =
= 109.6mA / V
26mV
VT
r =
gm
150
= 1.36 K
109.6mA
.e
olarak bulunur. imdi ykseltecin k ac gerilim deerini bulalm. Edeer devreden

RC direnci zerinden geen akmn gmv olduu grlmektedir. RC direnci zerindeki
ac gerilim ohm kanunu kullanlarak bulunur. VRc;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
v Rc = g m v RC
Bu gerilimin yn edeer devrede (ekil-6.6.b) gsterildii gibi akm ynyle

balantl olacaktr. Akmn girdii yer (+), kt yer (-) olduuna gre bu iaretleme
kollektr direnci zerindeki gerilimin ynyle terstir. Bu iaretlemeye gre k
gerilimi v0, kollektr direnci RC zerindeki gerilime gre terstir ve 1800 faz farkl
olacaktr. Bu nedenle ykseltecin ac k gerilim;
v0 = g m v RC
olacaktr. Bu eitlikte sadece v deeri bilinmemektedir. Bu deeri bulalm.
ekil-5.7de verilen edeer devrenin giri evresini kullanarak;
v =
vs
vs
r =
1.36 K = 0.006v s
220 K + 1.36 K
R B + r
167
Bulunan bu eitlik v0 = g m v RC denkleminde yerine yazlrsa ykseltecin k

gerilimi belirlenir.
ri.
v0 = g m v RC
tla
v 0 = (109.6 x10 3 ) (0.006v s ) (2.2 x10 3 )
v0 = (109.6 x10 3 ) (0.006v s ) (2.2 x10 3 ) = 1.43v s
YKSELTELERDE BALANTI TPLER
de
6.3
rs
no
Artk ykseltecin gerilim kazancn bulabiliriz. Ykseltelerde gerilim kazanc k

gerilimin giri gerilimine orandr.
v
AV = 0 = 1.43
vs
.e
em
Transistrl ykselteler; devrede kullanlan bipolar jonksiyon transistrn balant

ekline adlandrlrlar. Balca tip balant ekli vardr. Ortak emiterli, ortak
beyzli ve ortak kolektrl. Her bir balant tipinin farkl zellikleri ve ilevleri vardr.
Dolays ile farkl amalar iin farkl yerlerde kullanlabilirler.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blmde; ortak emiterli ykselte (commen-emiter amplifier), ortak kollektrl

ykselte (common-collector amplifier) ve ortak beyzli ykselte (common-base
amplifier) devresinin temel balant ekillerini analiz edip, temel zelliklerini
vurgulayacaz. Her bir ykselte devresi iin gerekli dc ve ac analizleri ise ileri
blmlerde gerekletireceiz.
Temel bir ykselte devresinin blok diyagram ekil-6.7de verilmitir. Ykselte giriine
uygulanan iaret, belirli ilemlerden geirilir ve ykseltilerek ka aktarlr. Bu durum,
ykselte devresinin temel ilevidir.
Giri
Transistrl
Ykselte
ekil-6.7 Temel bir ykseltecin blok diyagram
168
ri.
Blok diyagramda grld gibi ykselte iin 2 giri ve 2 k terminali gereklidir.

Transistrl ykselte devrelerinde kullanlan temel eleman ise transistrdr. Transistr
3 ulu bir devre elamandr. Dolaysyla ykselte tasarmnda transistrn bir terminali
giri ve k iin ortak u olarak kullanlr. Bu nedenle ykselteler, transistrn balant
ekillerine gre snflandrlrlar. rnein ortak emiterli bir ykselte devresinde; emiter
terminali giri ve k iin ortak utur.
Ortak-emiterli ykselte
Ortak-kollektrl ykselte
Ortak-beyzli ykselte
no
tla
Transistrl ykseltelerde kullanlan 3 temel balant tipi ekil-6.8de ayrntl olarak

verilmitir. Bu balant tipleri sras ile;
rs
olarak adlandrlr. Her bir balant tipinin kendine has bir takm zellikleri vardr.
Dolays ile kullanm alanlar farkldr. lerleyen blmlerde sra ile her bir balant
tipinin zelliklerini, dc ve ac analizlerini ayrntl olarak inceleyeceiz.
+VCC
RC
de
R1
C2
C1
VS
RE
em
R2
.e
6.4
+VCC
+VCC
RC
R1
R1
C1
V0
VS
a) Ortak emiterli ykselte devresi
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C2
V0
C1
R2
CE
RE
C2
a) Ortak kollektrl ykselte devresi
V0
C3
VS
R2
RE
a) Ortak beyzli ykselte devresi
ekil-6.8 Transistrl ykseltelerde balant tipleri
ORTAK EMTERL YKSELTE

Transistrl ykseltelerde kullanlan balant tiplerinden en popleri ortak emiterli
ykselte devresidir. Kimi kaynaklarda ismi ksaltlarak CE (Commen Emiter) olarak
tanmlanr. Ortak emiterli ykseltelerin (OE) gerilim ve akm kazanlar olduka
yksektir. Bu durum onu bir ok uygulamada popler klar.
Bu blmde ortak emiterli ykselte devresini tm ynleri ile analiz edeceiz. Daha
sonraki blmlerde srasyla dier balant tiplerini inceleyeceiz.
Tipik bir ortak emiterli ykselte devresi ekil-6.9da verilmitir. Bu ykselte devresi
ortak emiterli devrenin alma prensibini anlayabilmeniz iin gelitirilmitir. Pratikte bir
ykselte devresinde iki adet dc besleme kayna kullanlmaz.
169
RL
Vin
Vout
ri.
RB
tla
VCC
VEE
no
ekil-6.9 Tipik bir ortak emiter balantl ykselte devresi
Gerilim Kazanc (Voltage Gain)

Akm Kazanc (Current Gain)
G Kazanc (Power Gain)
Sinyal Faz evrimi
Giri Empedans
k Empedans
: Var
: Var
: Var, yksek
: Var, 1800
: Orta dzeyde (500-1k)
: Orta dzeyde (10K-50K
Gerilim blcl dc polarmaya sahip ortak emiterli ykselte devreleri pratikte sk

kullanr. Pek ok cihaz ve sistemin tasarmnda kullanlan byle bir ykselte devresi
ekil-6.10da verilmitir.
VCC =+12V
.e
em
de
rs
Ykseltilecek veya kuvvetlendirilecek giri iareti ykseltecin beyz-emiter terminalleri

arasndan uygulanmtr. k iareti ise; ykseltecin kollektr-emiter terminalleri
arasndan alnmtr. Dolays ile emiter terminali giri ve k iareti iin ortak utur.
Bundan dolay bu ykselte ortak emiterli ykselte (OE) olarak adlandrlr. Ortak emiter
balantl ykselte devresinin temel zellikleri aada sralanmtr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
27K
RC
2.2K
Rs
4.7K
VS
C2
C1
R2
5.6K
RE
470
V0
RL
1K
CE
ekil-6.10 Ortak emiter balantl gerilim blcl ykselte devresi
170
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
Devrede Vs giri sinyal kaynadr. Rs direnci ise sinyal kaynann i direncidir.

Ykseltilecek sinyal transistrn beyzine C1 kapasitr zerinden uygulanmaktadr. C1
deeri yeterince byk (1F-100F) seilmelidir. k sinyali ise kollektr zerinden C2
kapasitr ile RL yk direnci zerine alnmaktadr. C2 deeride C1 gibi uygun deerde
seilmelidir. Transistrn emiterine bal RE direnci, ac almada transistrn kazancn
azaltmaktadr. Orta frekans blgelerinde almada REnin bu etkisi paralel bal CE
kapasitr tarafndan yok edilmitir. Bu nedenle CE kapasitrde yeterince byk
(1F-100F) seilmelidir. CE kapasitr sadece dc almada transistrn kararlln
salamaktadr. Bu nedenle bu kapasitre emiter bypass kapasitr denilmektedir.
ekil-6.10!da verilen ortak enmiter balantl ykselte devresinin analizi iki aamada
gerekletirilir. lk aama dc analizdir. Devrenin dc analizini yapalm.
no
DC Analiz
rs
Devrenin dc analizi iin ilk adm, dc edeer devreyi izmektir. DC edeer iin devrede
bulunan kapasitrler ak devre kabul edilir ve Vs sinyal kayna dikkate alnmaz. Bu
koullar yerine getirildiinde oluan dc edeer devre ekil-6.11de verilmitir.
VCC =+12V
V CC=+12V
RC
2.2K
de
R1
27K
R1
27K
Rs
V0
4.7K
R2
5.6K
RE
470
RL
1K
R2
5.6K
RE
470
ekil-6.11 Ortak emiter balantl ykselte devresinin dc edeer devresinin

karlmas
Devrenin dc analizini yapalm. DC analizde transistrn polarma akm ve gerilimleri

hesaplanarak alma blgesi belirlenmekteydi. O halde, thevenin edeer devresinden
yararlanarak;
VTH =
.e
em
VS
RC
2.2K
VCC
12V
R2 =
5.6 K = 2.06V
R1 + R2
27 K + 5.6 K
RTH =
IE =
R1 R2
27 K 5.6 K
=
= 4.63K
R1 + R2 27 K + 5.6 K
VTH V BE
1.36V
2.06V 0.7V
=
=
= 2.64mA
RTH
4.63K
515
+ 470
+ RE
101
( + 1)
171
IB =
IE
2.64mA
=
= 26 A
( + 1)
101
ri.
I C = I B = 100 26 A = 2.6mA
tla
VC = VCC I C RC = 12 2.6mA 2.2 K = 6.28V
no
V E = I E R E = 2.64mA 470 = 1.24V
rs
VCE = VC V E = 6.28 1.24 = 5.03V
de
Bulunan sonularda transistrn aktif blgede alt grlmektedir. O halde ac analize

geebiliriz.
AC Analiz
.e
em
Devrenin ac analizi iin ilk adm, ac edeer devreyi izip daha sonra hibrid- modelini
karmaktr. DC edeer iin devrede bulunan dc kaynaklar ve kapasitrler ksa devre
kabul edilir. Bu koullar altnda oluan ac edeer devre ekil-6.12de verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
27K
RC
2.2K
V0
Rs
C2
4.7K
VS
V CC=+12V
C1
R2
5.6K
RE
470
Rs
V0
RL
1K
CE
VS
RC
R1
RL
R2
ekil-6.11 Ortak emiter balantl ykselte devresinin dc edeer devresinin karlmas

Ykselte devresinin kk sinyal edeer devresi iin ikinci aama ise transistrn
edeer modelini yerletirmektir. Bu ilem sonucunda ortak emiterli ykselte devresinin
kk sinyaller iin edeer devre modeli ekil-6.12de verilmitir.
172
4.7K
r
VS
R1
27K
R2
5.6K
gm v
RC
2K2
RL
1K
tla
R in
+
v0
ri.
Rs
ekil-6.11 Ortak emiterli ykselte devresinin kk sinyal edeer devre modeli
no
Gerekli parametreleri hesaplayarak ac analize geelim. nce transistrn iletkenlik

katsaysn ve beyz-emiter aras sinyal gerilimi deerlerini bulalm.
I C 2.6mA
=
= 100mA / V
VT
26mV
rs
gm =
em
de
r =
gm
100
100 10 3
= 1K
Rin = R1 // R2 // r = 0.823K
.e
Edeer devre modelinden yararlanarak vs, Rs ve Rin evresinden hareket ederek gz

denklemini yazarak v deerini bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
v =
vs
vs
Rin =
0.823K = 0.149v s
R s + Rin
4.7 K + 0.823K
buradan ykseltecin k sinyal gerilimini (v0) bulalm.

v 0 = g m v ( RC // R L ) = g m v
RC R L
= (100mA / V )(0.168v s )(0.68 K) = 11.4v s
RC + R L
eitlii elde edilir. Buradan ortak emiterli kk iaret ykseltecinin gerilim kazanc
bulunur.
173
rnek:
6.2
ekil-6.12de verilen ykselte devresinin kk sinyaller iin dc ve ac analizini

yapnz. =100, VBE=0.7V
RC
2K
C1
10F
10F
V0
RL
20K
no
VS
C2
tla
RB
560K
ri.
V CC=15V
ekil-6.12 Ortak emiter balantl transistrl ykselte devresi
zm
rs
c. dc analiz
.e
em
de
Ykselteci dc alma artlarnn analizi iin devredeki kapasitrler ak devre yaplr.

kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma blgesi
akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre
gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
VCC VBE 15V 0.7V

14.3V
=
=
= 25.54 A
RB
560K
560K
I C = I B = (100) ( 25.54 A) = 2554 A = 2.554mA

VCE = VCC I C RC = 15V ( 2.554mA)( 2K) = 9.892V
VCB = VCC I C RC VBE = 15V ( 2.554mA)( 2 K) 0.7V = 9.12V
deerleri bulunur. Devrede; VCB>0dr. Dolays ile transistr aktif blgede

almaktadr. AC analize geebiliriz.
d. ac analiz
ekil-6.12de verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac analizi
yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc gerilim
kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Devremizin ac edeeri devre modeli
ekil-6.13de verilmitir.
174
VCC =12V
RS
C1
10F
no
1K
RC
2K
tla
RB
470K
zm
C2
10F
V0
RL
20K
rs
ekil-6.14 Ortak emiter balantl transistrl ykselte devresi

a. dc analiz
de
Ykseltecin dc alma artlarnn analizi iin devredeki kapasitrler ak devre

yaplr. kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma
blgesi akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre
gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm
.e
em
ekil-6.14de verilen ykselte devresinin kk sinyaller iin gerilim kazanc

ifadesini bulunuz? =150, VBE=0.7V
ri.
rnek:
6.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
VCC VBE 12V 0.7V

11.3V
=
=
= 24 A
RB
470K
470K
I C = I B = (150) ( 24 A) = 3600 A = 3.6mA

VCE = VCC I C RC = 12V ( 3.6mA)( 2K) = 4.8V
VCB = VCC I C RC VBE = 12V ( 3.6mA)( 2 K) 0.7V = 4.1V
deerleri bulunur. Devrede; VCB>0dr. Dolays ile transistr aktif blgede

almaktadr. AC analize geebiliriz.
b. ac analiz
Analizi istenilen devre rnek:6.2de verilen devre ile benzerlikler iermektedir. Sadece
bu devrede giri iaret kaynann VS i direnci RS verilmitir. Edeer devre
iziminde bu direnci dikkate almalyz.
imdi ekil-6.14de verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac
analizi yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc
gerilim kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Devremizin ac edeeri devre modeli
175
Kaplan
1K
r
RB
470K
VS
+
-
g mv
RC
2K
RL
20K
tla
E
Rin
+
v0
ri.
RS
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-6.15 Ortak emiter balantl ykselte devresinin ac edeeri
no
Ykseltecin edeer devre modelinde, transistrn sahip olduu r0 k direnci ihmal

edilerek gsterilmemitir. Transistrn k direnci, RC direncinden ok (RC<<r0)
byktr. Dolays ile ihmal edilebilir.
IC
3.6mA
=
= 138mA /V
VT
26mV
r =
150
=
= 1.086K
g m 138x10 3
v 0 = g m v ( RC // R L )
RC // R L =
R in = R B // r =
v =
RC R L
2 K 20K
=
= 1.82 K
RC + R L 2 K + 20K
R B r
470K 1.086K
=
= 1.083K
R B + r 470K + 1.086K
vS
vS
R in =
1.083K = 0.5 v S
R B + Rin
1K + 1.083K
v 0 = g m v ( RC // R L )
v 0 = (138mA /V ) 0.5v S (1.82 K)
AV =
v0
= (138mA /V )(1.82K) = 125.58
vS
.e
em
de
rs
gm =
176
6.5
ORTAK KOLLEKTRL YKSELTE
ri.
Transistrl ykseltelerde kullanlan dier bir balant tipidir. Bu balant tipi

emiter izleyici (emiter-follower) olarakta adlandrlmaktadr. Yksek giri direncine
ve alak k direncine sahiptir. Bu nedenle tampon (buffer) olarak kullanlmaktadr.
no
tla
Bu blmde ortak kollektrl ykselte (common-collector amplifier) devresini tm

ynleri ile analiz edeceiz. Bir sonraki blmde ise son olarak ortak beyzli balant
tipini inceleyeceiz.
.e
em
de
rs
Tipik bir ortak kolektrl ykselte devresi ekil-6.16da verilmitir. Bu ykselte

devresinde giri sinyali (iareti) transistrn beyz-emiter ular arasndan uygulanmtr.
k iareti ise emiter-kollektr terminalleri arasndan alnmtr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VCC
R1
RS
C1
C2
VS
R2
V0
RE
RL
ekil-6.16 Tipik bir ortak kollektr balantl ykselte devresi

Ortak kollektr devresi emiter izleyici devre olarak da adlandrlmaktadr. Giri
direncinin yksek, k direncinin alak olmasndan dolay tampon (buffer) veya
izolasyon amac ile yaygn olarak kullanlmaktadr. ekil-6.16da grld gibi giri
iareti ykseltece beyz terminalinden uygulanmtr. k ise emiter terminalinden
alnmtr.
Devrede ilk bakta kollektr terminali giri ve k iareti iin ortak u olarak
gzkmektedir. Fakat ac almada, dc kaynaklar ksa devre kabul edildiinden, kollektr
terminali dorudan ase terminaline bal kabul edilmektedir. Dolaysyla ortak u
kolektrdr. Ortak kollektr balantl ykselte devresinin temel zellikleri aada
sralanmtr.
Giri Empedans
k Empedans
Gerilim Kazanc
: Yksek; yaklak 20K-300K

: Alak; yaklak 300-500
: Yok; 1den az
177
: Var; IE/IB
: Var.
: Yok.
: Tampon ykselteci ya da emiter izleyici
Akm Kazanc
G Kazanc
aret Faz evrimi
Genel Kullanm Alan
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
no
RS
tla
Devrede kullanlan RS direnci ykseltece uygulanan sinyal kaynann (VS) i direncidir.

Ortak kolektrl ykseltecin gerilim kazanc yoktur. Dolays ile k sinyali giri
sinyalinden dk olacaktr. Fakat akm kazanc vardr. ekil-6.16da verilen ortak kollektr
balantl ykselte devresinin kk sinyaller iin ac edeer devresi ekil-6.17de
grlmektedir.
1K
v
gm v
R1 //R2
rs
VS
RE
Rb
+
RL
v0
de
Rin
ekil-6.17 Ortak kollektr balantl ykselte devresinin ac edeeri
em
ekil-6.17de edeer devresi verilen ortak kolektrl ykselte iin k sinyal gerilimi
ifadesini yazalm;
v 0 = g m v ( R E // R L )
.e
Devrenin emiterinden bakldnda grlen diren etkisi, emiter direncinin (+1) katdr.
Edeer devrede Rb ile tanmlanan diren deeri ise;
R b = r + ( + 1) ( R E // R L )
olarak belirlenir. Edeer devrede grlen Rin deeri ise;

R in = R 1 // R 2 // R b
olacaktr. Analize devam edelim. Edeer devrenin girii iin evre gerilimlerinden
yararlanarak Rin zerindeki sinyal gerilimini ve v deerlerini yazalm.
v in =
v =
vS
Rin
Rin + RS
v in
r
r + ( + 1)( R E // R L )
Elde edilen bu deeri, k sinyal gerilimi ifadesindeki ilgili yere yerletirelim.

v 0 = g m v ( R E // R L )
v0 = gm
v in
r ( R E // R L )
r + ( + 1)( R E // R L )
178
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Yukardaki eitlikte gerekli sadeletirmeler yaplarak ortak kolektrl ykseltecin gerilim

kazanc ifadesi aadaki gibi yazlabilir.
ri.
ORTAK BEYZL YKSELTE
no
6.6
R in
v0
v in
= gm
( R E // R L )
vS
R in + RS r + ( + 1)( R E // R L )
tla
AV =
rs
Transistrl ykseltelerde kullanlan dier bir balant tipidir. Yksek gerilim ve

akm kazancna sahiptir. Alak giri direncine ve yksek k direncine sahiptir.
de
Bu blmde ortak beyzli ykselte (common-base amplifier) devresini tm ynleri ile

analiz edeceiz.
em
Tipik bir ortak beyzli ykselte devresi ekil-6.18da verilmitir. Bu ykselte devresinde
giri sinyali (iareti) transistrn emiter-beyz ular arasndan uygulanmtr. k iareti
ise kollektr-beyz terminalleri arasndan alnmtr. Grld gibi beyz ucu, hem giri
hem de k iareti iin ortak terminaldir. Bu nedenle bu devre ortak beyzli ykselte
olarak adlandrlr.
+VCC
C2
RS
C3
C1
VS
V0
RL
R2
.e
RC
R1
RE
ekil-6.18 Tipik bir ortak beyz balantl ykselte devresi

Ortak beyz balantl ykselte (common-base amplifier) devresinin temel zellikleri aada
maddeler halinde sralanmtr.
Giri Empedans
k Empedans
: Alak; yaklak 50 - 500

: Yksek; yaklak 300K - 1M
179
Gerilim Kazanc
Akm Kazanc
G Kazanc
aret Faz evrimi
Genel Kullanm Alan
tla
ekil-6.18de verilen ortak beyzli ykselte devresinde RS direnci, giriten uygulanan ac

kaynan (VS) i direncidir. DC analiz iin devredeki kapasitrler ak devre yapldnda
ortak emiterli devre ile ayndr. Devrenin dc polarma bileenlerinin bulunmas ve alma
noktasnn belirlenmesi ortak emiterli devre ile ayndr. Bu nedenle bu blmde dc analiz
ile ilgilenilmeyecektir.
no
AC analiz iin devredeki kapasitrleri ksa devre yapalm. Devreyi basitletirmek iin
transistrn k direnci r0 ise ihmal edelim. Belirtilen koullar altnda ekil-6.18de
verilen ortak beyz balantl ykselte devresinin ac edeeri ekil-6.19da verilmitir.
Devrenin k sinyalini yazalm;
rs
v 0 = g m v ( RC // R L )
.e
em
de
Ykseltecin emiter noktasnda ortaya kan sinyal bileenini bulmak iin gerilim blc
eitliini uygularz. Bu durumda emiter sinyali;
: Var; GV=VC / VE
: Yok; =IC / IE
: Var.
: Yok.
: Radyo frekans (RF) ykselte tasarm
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
+
r
R2
gm v
RL
RE
ie
RS
+
v0
ve
RE
VS
Rin
ekil-6.19 Ortak beyz balantl ykselte devresinin ac edeeri
vS
R in
R in + RS
ve =
olur. Ykselte devresinde beyz terminali direnler zerinden topraa bal olduu iin,
v = v0
olacaktr. Emitere doru bakldnda REye paralel bir re direnci vardr. Bu direncin
deeri ise;
re =
180
r
+1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
olarak verilir. re<<RE olduundan Rin=re alabiliriz. Bu durumda ykseltecin k gerilimi

v0 yeniden yazlrsa;
v 0 = g m v e ( RC // R L )
olur. Yukarda bulduumuz ve deerini k gerilimi eitliine yerletirelim.

vS
R in ( RC // R L )
R in + RS
ri.
v0 = gm
v0
R in
= gm
( RC // R L )
vS
R in + RS
.e
em
de
rs
no
AV =
tla
Bu denklemi kullanarak ykseltecin gerilim kazanc eitliini yazabiliriz.
181
G (POWER) YKSELTEC
Transistrl g ykseltecinin analizi ve alma karakteristiklerinin incelenmesi.
tla
1.
ri.
KONU:
GEREKL DONANIM:
de
rs
no
Osilaskop (ift Kanall)

aret reteci (Signal Generator)
DC G Kayna
Multimetre (Saysal ve Analog)
Transistr: BD135 veya 2N3055 veya Muadili
Kondansatr: 1F (Elektrolitik)
Diren: 47K
Hoparlr: 8
N BLG:
em
Ykselteler; kullanm amalarna veya ilevlerine gre eitli snflara ayrlrlar. Kk

sinyal, byk sinyal, alak frekans, yksek frekans v.b gibi. nceki blmlerde alak
frekans alak gl ykseltelerin analizlerini yaptk.
G ykselteleri; ilevsel olarak kk sinyal ykselteleri ile benzerlik gsterirler. Fakat

ok daha yksek akm ve gerilim deerlerinde alrlar. Dolays ile g ykselteleri
olarak tanmlanrlar.
G ykselteleri ses frekans tekniinde kullanld gibi eitli endstriyel uygulamalar

da sklkla kullanlmaktadr. Uygulama alanlarna rnek olarak; role ve motor kontrol v.b
uygulamalar sayabiliriz.
.e
co
m
BLM 7
Bu blmde; bir g ykseltecini endstriyel bir uygulamadan ziyade ses frekans

tekniinde kullanacaz. Bylece ykseltme ilemini iitsel olarak inceleyeceiz.
DENEYN YAPILII:
Ykseltecin temel ilevini renmek amac ile nce ykselte kullanmadan her hangi bir
ses frekans iaretinin hoparlr zerindeki etkisini inceleyeceiz.
1.1
ekil-15.1'de balanty deney seti zerine kurunuz. Balangta devreye iaret

retecini (Sinyal Genaratr) balamaynz.
1.2
aret retecinin k genliini minimuma alnz. Frekansn ise 1KHz sinsoydal

olacak ekilde ayarlaynz. aret retecinin DC offset deerinin 0V olmasna dikkat
ediniz.
1.3
Elde ettiiniz iareti, ekil-15.1deki gibi devrenin giriine uygulaynz. aret

retecinin frekans sabit kalmak kouluyla genliini maksimum olacak ekilde
artrnz. Bu esnada hoparlrden elde ettiiniz sesin iddetine tank olunuz.
182
Hp1
HOPARLR
8
ri.
C1=1F
1Khz
Sinsoydal
co
m
Vg +
aret
reteci
tla
ekil-15.1 Bir hoparlrn dorudan srlmesi
G ykseltecin almasna ve ilevine tank olmak amac ile ekil-15.2de grlen

ykselte devresinden yararlanacaz.
no
ekil-15.2deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta iaret retecini

devreye balamaynz.
rs
1.4
de
em
.e
47K
C1=1F
1Khz
~ Sinsoydal
1.5
Vcc=+12V
RB
Vg +
aret
reteci
Kaplan
ANALOG ELEKTRONK- I
Hp1
HOPARLR
8
ekil-15.2 Bir hoparlrn g ykselteci ile srlmesi
aret reteci devreye bal deilken ykseltecin polarma gerilimlerini lerek elde
ettiiniz deerleri tablo-15.1deki ilgili yerlere kaydediniz.
VCC
VCQ
VE
VBE
Tablo-15.2 G ykselteci devresinin Karakteristikleri
1.6
aret retecinin k genliini minimuma alnz. Frekansn ise 1KHz sinsoydal

olacak ekilde ayarlaynz. aret retecinin DC offset deerinin 0V olmasna dikkat
ediniz.
1.7
Elde ettiiniz iareti, ekil-15.2deki gibi devrenin giriine uygulaynz. aret

retecinin frekans sabit kalmak kouluyla genliini maksimum olacak ekilde
artrnz. Bu esnada hoparlrden elde ettiiniz sesin iddetine tank olunuz.
G ykseltecinin almasna tank oldunuz. Neler syleyebilirsiniz. Not ediniz.
183
ri.
Pu-Pul Balantl Ykselteler

KONULAR:
Pu-pul balantl g ykseltecinin alma karakteristiklerini ve zelliklerini

incelemek.
tla
1.
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
G Kayna: 12VDC
Osilaskop (ift kanall)
aret reteci (Sig.Gen)
Transistr: 2xBC108C, 2xBC177 veya muadilleri
Diyot: 2x1N4007
Diren: 2x22, 100, 2x220, 2x470, 2x22K
Kondansatr: 10nF, 1F
N BLG:
em
Ykseltelerin balant tiplerine gre snflandrldklarn ve 3 temel balant tipi

olduunu nceki blmlerde grdk. Ykselteler genel olarak ilevlerine gre; akm,
gerilim ve g ykselteci olarak da adlandrlrlar. Kullanm amacna ve ilevine bal
olarak ou uygulamada birka farkl ykselte devresi pepee balanarak birlikte
kullanlabilir. Bu tr ykseltelere kaskad ykselteler denir.
Ses frekans tekniinde kullanlan bir ykseltecin giriinin bir mikrofondan olaca, k
yknn ise hoparlr olaca aktr. Dolaysyla byle bir ykselte devresinde giri
empedansnn yksek, k empedansnn ise alak olmas istenir. Maksimum g
transferi iin bu durum gereklidir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Endstriyel uygulamalarda kullanlan ykselte devrelerinden ise farkl zellikler

beklenir. rnein, bir motorun srlmesinde kullanlan ykselte devresinin k; hem
yksek gerilim hem de yksek akm besleyebilmelidir.
G ykseltelerinin tasarmnda nemli bir faktr ise verimleridir. Ykselteler; verimleri

baz alnarak alma snflarna ayrlrlar. Bunlar; A snf, B snf, AB snf ve C snf
alma olarak adlandrlr. A snf almada ykseltme ilemi giri iaretinin tm
periyodu boyunca yaplr. Dolays ile ykselte devresinde kullanlan transistrler aktif
blgede alr. Bu durumda ykseltecin dc besleme (polarma) gerilimleri devrede her
zaman etkindirler ve g harcamasn artrrlar. Bu tr ykseltelerde verim dktr. B
snf almada ise; ykseltme ilemi giri iaretine bal olarak her bir alternans iin ayr
ayr yaplr. Dolaysyla ykselte giriinde iaret yokken g harcamas minimumdur.
nk transistrlerin aktiflemesinde giri ac iaretlerinden yararlanlr.
Bu blmde zellikle ses frekans tekniinde ska kullanlan B snf pu-pul ykseltelerin almas analiz edilerek ykseltelerin tantmlarna yeni bir boyut getireceiz.
184
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
ekil-17.1de B snf alan pu-pul balantl g ykselteci devresinin emas verilmitir.

Devrede Q1 transistr giri iaretinin pozitif alternanslarn, Q2 transistr ise negatif
alternanslarn ykselterek ka aktarr. kta RL yk zerinde giri iareti
ykseltilmi olarak alnr.
V1
IC1
IC1
tla
+Vcc
T1
Vg
no
V1
Vg
Q1
T2
IL
IL
RL
V2
Q2
IC2
rs
V2
0
IC2
de
ekil-17.1 Pu-pul ykselte devresi
em
Ykselte giriine giri iareti uygulanmad srece her iki transistrde kesimdedir.
Dolaysyla besleme kaynandan g sarfiyat olmaz. Bu nedenle ykselte devresinin
verimi maksimumdur.
Gei distorsiyonunu yok ederek transformatr kullanmn ortadan kaldran ekonomik

bir zm ekil-17.2de verilen ykselte devresidir.
.e
Ykselte devresinde; giri ve k iaretlerinde empedans uygunluu salamak amacyla

transformatr kullanlmtr. Transformatr kullanmak uygun ve ekonomik bir zm
deildir. Ayrca yukardaki ykselte devresi kk genlikli giri iaretleri iin iyi sonu
vermez. nk her bir transistrn iletime geebilmesi iin yaklak 0.7V beyz-emiter n
gerilimine ihtiyac vardr. Dolaysyla giri iaretinin her iki alternansnn ilk 0.7Vluk
dilimlerinde bir distorsiyon sz konusudur. k sinyalindeki bu bozulmaya gei
distorsiyonu veya kros-over denir.
185
Vcc=+12V
R5
470
R1
22K
Q3
BC177
R6
C1
D1
1N4007
1F
D2
1N4007
R7
22
C2
10nF
no
Vg
tla
22
ri.
Q1
BC108
R2
220
RL
100
R3
220
Q2
BC177
R8
470
rs
R4
22K
Q4
BC108
Vee= --12V
de
ekil-17.2 Komplementer simetrik pu-pul g ykselteci
em
Bu tr g ykselteleri, zellikle yksek g gerektiren ve kaliteli Hi-Fi ykseltelerin

tasarmnda kullanlr. kta yksek gler elde etmek iin uygun transistrler seilmeli
ve soutucu ile kullanlmaldr. ekil-17.2deki ykselte devresi A-B snf almaktadr.
D1 ve D2 diyotlar gei distorsiyonlarn yok etmek amacyla kullanlmtr. k ta
empedans uygunluunu salamak amac ile Q2 ve Q3 transistrleri emiter izleyici olarak
kullanlmtr.
Devrenin dc polarma gerilimleri aseye gre simetrik bir kaynaktan salanmtr. Bu
durumda ase referans alnarak, giri iaretinin pozitif ve negatif alternanslarnn
ykseltilebilmesini salamaktadr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Pu-pul balant olarak adlandrlan bu tr ykselteler, genellikle ses frekans

ykseltelerinin k katlarnda sklkla kullanlrlar. Bu tr k katlar, dk
distorsiyon ve yksek gler elde etmek iin idealdir. Pu-pul balant ayrca endstriyel
sistemler de src ykselte olarakda kullanlmaktadr.
DENEYN YAPILII:
1.1
ekil-17.2'de verilen pu-pul ykselte devresini deney seti zerine kurunuz.

Balangta ykselte giriine iaret reteci balamaynz.
1.2
Ykselte devresinin tablo-17.1de belirtilen dc polarma gerilimlerini dc voltmetre

ile lerek elde ettiiniz sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
186
VCE(Q2)
VCE(Q3)
VCE(Q4)
VD1
VD2
VR1
VR4
ri.
VCE(Q1)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Tablo-17.1 Pu-pul ykselte devresinde DC polarma gerilimleri

aret retecinin k genliini minimuma, frekansn ise 1KHz'e ayarlayarak
ykselte giriine bir sins dalga uygulaynz. Ykselte devresinin giri ve k
dalga biimlerini incelemek iin gerekli osilaskop balantlarn yapnz.
1.4
Giri iaretinin frekans 1KHzde sabit kalmak kouluyla, genliini ykselte

knda maksimum distorsiyonsuz bir k iareti elde edinceye kadar artrnz.
1.5
Ykseltecin giri (Vg) ve k (V) iaretlerinin genliini osilaskop veya multimetre

ile lerek sonularnz tablo-17.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
1.6
Giri iareti ile k iareti arasnda faz fark () var m?. Gerekli lmleri yaparak
sonucu tablo-17.2deki ilgili yere kaydediniz.
1.7
Ykseltecin gerilim kazancn elde ettiiniz verilerden faydalanarak hesaplaynz.

Sonucu tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
de
rs
no
tla
1.3
V (t-t)
GV
GP
Tablo-17.2 Pu-Pul ykselte devresinin ac karakteristikleri
.e
em
Vg (t-t)
187
co
m
BLM 8
8
ri.
ALAN ETKL TRANSSTRLER (JFET)

Konular:
no
tla
Alan Etkili Jonksiyon Transistr (JFET)

JFET Karakteristikleri ve Parametreleri
JFETin Polarmalandrlmas
MOSFET
MOSFETin Karakteristikleri ve Parametreleri
MOSFETin Polarmalandrlmas
.e
em
de
rs
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
188
8.1
ALAN ETKL TRANSSTR (JFET)
tla
ri.
Alan Etkili Transistr (Field-Effect Transistor); Bipolar Jonksiyon transistrn tm

ilevlerini yerine getirebilen fakat farkl yap ve karakteristiklere sahip bir devre
elemandr. ounlukla JFET veya FET olarak tanmlanr veya isimlendirilirler.
JFETler gerilim kontroll devre elemanlardr.
no
eitli alt gruplara da ayrlan alan etkili transistrler, kanal tiplerine gre n kanal ve
p kanal olmak zere iki tipte retilirler. Bu Blmde; JFETin temel yapsn,
semboln, zelliklerini ve temel alma prensiplerini inceleyeceiz.
rs
Alan Etkili Transistr (JFET), 3 ulu bir grup yariletken devre elemannn genel addr. Bu
gruptaki transistrler kendi aralarnda bir takm kategorilere ayrlr ve isimlendirilirler. Alan
etkili transistrlerin retim tipleri ve eitleri ekil-8.1'de tablo halinde verilmitir. lerleyen
blmlerde her bir tip ayrntlar olarak incelenecektir.
de
ALAN ETKL TRANSSTRLER (JFETS)
JFET
.e
em
N KANAL
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
P KANAL
MOSFET
OALTAN TP
(DEMOSFET)
N KANAL
P KANAL
AZALTAN TP
(E-MOSFET)
P KANAL
N KANAL
CMOS
ekil-8.1 Alan ekili tansistrlerin (JFET) Tipleri
Alan etkili transistr; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yar iletken JFET (MOSFET)
olarak yaplr ve isimlendirilir. Her iki tip transistrn de n kanall ve p kanall olmak zere
iki tipte retimi yaplr. N kanall JFET'lerde iletim elektronlarla, P kanall JFETlerde ise
oyuklarla salanr. FET'lerin yapmlar basit ve ekonomik olduklarndan dolay olduka ok
kullanm alan bulmulardr. JFETlerin bipolar transistrlere gre nemli farkllklar vardr.
JFET ile BJTlerin Karlatrlmalar

JFET'in giri ve k empedans ok yksektir. Bu empedansn deeri birka mega
ohm'dan yzlerce mega ohmaa kadar kabilir. Fakat alma frekanslar ykseldike
empedanslar azalr. MOSFET'in giri empedans JFET'e nazaran daha byktr. BJTnin
giri ve k empedans JFET'ten kktr. Bu farkllk BJT yerine JFET'in; JFET yerine de
BJT'nin kullanlamayacan gsterir.
JFET'in almas sadece ounluk akm tayclarnn akna baldr. Tek tip taycl
bu elemana unipolar transistr ad da verilir.
189
JFET'in grlt seviyesi bipolar transistrlere nazaran azdr. Bu nedenle FET, alak ve
yksek frekanslarda kullanlabilir. JFET, iyi bir sinyal krpc olarak alr.
ri.
JFET'in scaklk kararll daha iyidir. Scaklk deiimlerinden pek etkilenmez. JFET'in
radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir.
tla
JFET'in BJTye gre sakncas; kazan-bant genilii arpmnn (gei frekans-kazancn

bire dt frekans) bipolar transistrle elde edilebilene kyasla kk olmasdr.
JFET'in Yaps ve Sembol
no
JFET'ler; N kanall ve P kanall olmak zere iki tipte retilirler. JFET'in fiziksel yaps ve
elektriksel sembol ekil-8.2de gsterilmitir. JFET uca sahiptir. Ularna ilevlerinden
tr; Geyt (Gate), Srs (Source), Dreyn (Drain) isimleri verilmitir. JFET'in fiziksel yapsna
bakldnda srs ve dreyn ularnn ayn olabilecei ve hatta ularnn deitirilerek srs
yerine dreyn'in, dreyn yerine srs'n kullanlabilecei dnlebilir. Ancak JFET'in yaps,
srs ve dreyn blgeleri iin bu eitlii salamaz.
de
rs
JFET sembolnde, geyt ucunda bulunan okun yn kanal tipini ifade eder. Ok yn ieri
doru ise N kanal JFET, ok yn darya doru ise P kanal JFET olduu anlalr. Bu durum
ekil-8.2.a ve bde gsterilmitir.
n kanal
em
Dreyn
.e
p kanal
Srs
Dreyn
Srs
Geyt
Dreyn
(Drain)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Geyt
Srs
(Source)
Dreyn
(Drain)
Geyt (Gate)
Srs
(Source)
Geyt (Gate)
ekil-8.2.a ve b N Kanall ve P Kanall JFET'in Yaps ve Sembol
JFET'in almas
JFET'in elektriksel karakteristiklerini anlayabilmek iin elemann almasn incelememiz
gerekmektedir. JFET'e polarma gerilimleri uygulandnda meydana gelen akm ve
gerilimler ekil-8.3 zerinde gsterilmitir.
Dreyn-srs arasna uygulanan besleme gerilimi, dreyn ucu ile ase arasna balanr. Bu
gerilim, dreyn devresindeki besleme gerilimi olarak tanmlanr ve VDD ile sembolize edilir.
VDD gerilimi, n kanal ierisindeki elektronlarn hareket etmesini salar. Bu elektronlar,
srs'den dreyn'e oradan da VDD kaynann pozitif kutbuna giderler. VDD kaynann iinden
srse geri dnerler. Srs ve dreyn zerinden geen bu akma dreyn akm denir ve ID ile
sembolize edilir.
190
RD
ID
n
G
ID
ri.
VDS
V DD
tla
p
ID
V GG
VGS
ID
ID
no
rs
ekil-8.3 JFET'in almas
em
de
JFETin geyt terminali kontrol ucudur. JFETin iletkenliini kontrol eder. nce geyt terminali
kullanmadan JFETin almasn analiz edelim. Bu amala ekil-8.4den yararlanacaz.
ekil-8.4de verilen devrede, VGG gerilimi 0V (ase) yaplrsa ve VDD besleme kayna da
0Vdan balayarak ykseltilirse kanal ierisinden geen akm miktar da artar. Ancak n tipi
kanaln jonksiyon direnci maksimum akm deerini snrlar. VDD daha fazla artrldnda
JFETde bir ters polarma blgesi oluur. Bu polarma blgesine, azalma blgesi (deplation)
denir. Azalma blgesi, kanal akmnn n maddesinin dar bir kesidi iinden gemesini
gerektirir. Bu durum kanal direncinin artmasna sebep olur. Dolays ile ID akmnda artk bir
azalma sz konusudur.
RD
RD
ID
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ID
ID
ID
VDD
ID
VGS =0V
VGS =0V
n
S
n ID
S
ID
ekil-8.4.a ve b JFET'in almas
191
ID
VDD
ri.
VDD kaynann daha fazla artrlmas sonucu kanaln tamamen darald (kanal direncinin
maksimuma ykseldii) bir duruma eriilir. Bu deerden sonra daha fazla akm ak
meydana gelmez. Ksaca kanal akmnda art artk mmkn olmaz. nk kanal kapanma
moduna girmi ve dreyn akm doyuma ulamtr. Bu durum ekil-8.4.bde resimlenmitir.
no
tla
Sonuta, kanal direncinden dolay dreyn-srs arasnda bir gerilim dm meydana gelir.
Bu gerilim, VDS gerilimi olarak adlandrlr. Grld gibi, VDD artarken dreyn ve srs
ularnda VDS gerilim dm meydana gelir. Bu gerilim dmne ise ID akm sebep olur.
ekil-8.5'de grld gibi VP noktasnda, VDS artarken ID sabit bir deerde kalr. ID
maksimum deerine ulamtr. IDmax deerine ise IDSS denir. IDSS kanaln doyum akmdr.
Bu anda yani IDSS akm, VP deerine ulatnda geyt-srs aras gerilim de sfrdr (VGS=0V).
IDSS deeri, elemann yapsna gre belli bir deerde bulunur. Bu deer imalatlar tarafndan
verilir veya llebilir.
ID
N kanaldan geen
sabit ID akm
de
rs
IDS S
em
V GS=0V
N kanaldaki daralma noktas

N kanaln direncinden
dolay oluan eim
VDS
VP
ekil-10.5 Kanal Akmnn Neden Olduu Daralmann Grafii
JFET KARAKTERSTKLER
.e
8.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blmde; JFETin iletim ve kesim blgelerinde nasl altn reneceksiniz.

JFETin; iletim, kesim veya aktif blgelerde altrlmas iin gerekli parametreleri ve
karakteristikleri tanyacaksnz.
Blm sonunda JFETin nemli iki parametresini tanyacaksnz. Bu parametreler;
transfer karakteristii ve daralma gerilimi (pinch-off voltage) olarak
adlandrlmaktadr.
JFET'lerde; geyt ucu, kanal blgesini (azalma blgesi) kontrol etmek iin kullanlr. rnein;
n kanall bir JFET'te, geyt ile srs arasna uygulanan negatif polariteli bir gerilim, gerilim
azalma blgesini byltr. Bu durum, kanal akmnn daha dk deerlerinde kanaln
kapanmasna sebep olur. Eer; VGS gerilimi arttrlrsa (n kanal iin daha negatif yaplrsa)
kanaln azalma blgesi daha da byr. Neticede dreyn akm ekil-8.6.a ve b'de gsterildii
gibi daha dk akm seviyelerinde doyuma ular. ekil-8.6.a ve b'de p ve n kanal JFET'ler
iin VDS-ID grafii izilmitir. Karakteristikte sabit VGS geriliminin eitli deerlerinde ID ve
VDS deerleri gsterilmitir. rnek eriler; VGS=0v, -1v ve -2v iin izilmitir.
192
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ID
ID
VGS =0V
VGS =-1V
VGS =-2V
VDS
VGS =0V
tla
I DS S
ri.
IDS S
VP
VGS =+1V
VGS =+2V
VP
V DS
ekil-8.6.a.b N ve P Kanall JFET'in Dreyn Karakteristikleri
no
Sonu olarak, n kanal bir JFETde geyt-srs arasna uygulanan ters polarma byrken, kanal
akm azalr. Geyt-srs arasna uygulanan ters polarma gerilimi yeterli bykle ularsa
kanal tamamen kapanabilir ve ID akm sfra debilir.
rs
Kanaln tamamen kapanp akm geirmemesine neden olan ters gerilim deerine geyt-srs
daralma gerilimi (pinch-off) ad verilir: Bu deer VP ile ifade edilir. Yukardaki ekiller
ve grafik iyi incelendiinde VDS'nin kk deeri iin, ID akmnn lineer olarak artt
grlr (ekil-8.6). VDS gerilimi artarken, kanaln darald grlr.
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
eitlii ile ifade edilir. Bu eitlik veya bu eitlikten izilen transfer karakteristii VP ve IDSS
deerlerine baldr ve JFET'in almasn olduka iyi tanmlar. VP deeri, n kanall fetler iin
negatif, p kanall fetler iin pozitif bir deerdir.
Transfer karakteristii eitlii ile, ekil-8.7'deki transfer karakteristii karlatrlrsa; VGS=0
olduunda, eitliin ID=IDSS durumunu salad ve erinin dikey eksen ID'yi, IDSS deerinde
kestii grlr.
Dier taraftan ID=0 iin, eitlik VGS=VP durumunu salar. IDSS ve VP deerleri imalat
kataloglarnda verilir. Bu deerlerden yararlanlarak transfer karakteristii izilebilir.
Transfer karakteristii erisinden ve deerlerden faydalanarak ID deerleri de hesaplanabilir.
.e
em
de
FET'in bir dier nemli karakteristii ise, Transfer Karakteristii olarak adlandrlr.
Transfer karakteristii erisi; sabit bir dreyn-srs (VDS) geriliminde, geyt-srs (VGS)
geriliminin fonksiyonu olarak elde edilen dreyn akmnn (ID) erisini gsterir. Transfer
karakteristii ekil-8.7.a ve b'de gsterildii gibi elemann iki nemli parametresi olan VP ve
IDSS deerlerini verir. Transfer karakteristii erisi matematiksel olarak;
193
D
ID (mA)
G
IDS S
-4V
10
IDS S
10
ri.
-2V
2V
4V
+VGS
no
-VGS
ID (mA)
tla
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
ekil-8.7 N ve P Kanall JFET'in Transfer Karakteristikleri
ID (mA)
Doyum Blgesi
ID
VGD
VGS =0V
IDS S
+
VDS
VGS =-1V
VDD
V GS
VGS =-2V
Aktif Blge
.e
V GG
RD
Bozulma
Blgesi
em
de
rs
JFET'in almas grafiksel olarak ekil-8.8deki dreyn k karakteristii yardm ile

grlebilir. IDSS deeri, VGS=0 durumunda elde edilen akm seviyelerinin meydana getirdii
eriden okunur. VP deeri ise ak bir ekilde grlmez. Ancak VP deeri en alttaki VGS
erisinin deerinden biraz daha byktr. Karakteristikteki kesik izgi, doyum akmnn
akt noktalardan gemektedir. Buna gre, kesik izgi VDS=VP-VGS durumunu
gstermektedir. Bu izgi genellikle dreyn karakteristiinin bir paras deildir, ama erinin
yatay eksene (VDS) dedii noktann deerini verir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VP
BV GDS
VDS
ekil-8.8 JFET'in Dreyn Karakteristikleri

Karakteristikten grld gibi aktif blgede ID akm sabittir. Ancak belli bir VDS
deerinden sonra JFET bozulur, dreyn akmnn art JFET tarafndan artk snrlanamaz.
Ancak JFET devresine bir harici eleman balanarak, JFET korunur. JFET'in bozulma gerilimi
deeri BVGDS olarak iaretlenmitir. BVGDS deeri, kk geyt-srs polarma gerilimleri iin
daha byktr. retici firmalar tek bir VGS deeri iin genellikle 0V, BVGDS deerini
kataloglarnda belirtirler.
JFETin dreyn karakteristiinde kesik izgi ile belirtilen blge ile, bozulma erileri arasnda
kalan blge JFET iin aktif alma blgesidir.
JFET'ler sinyal ykseltmek amac ile kullanldklarnda aktif blgede altrlrlar. Aktif
blgede alma ise byk lde dc polarma gerilimleri ile salanr. JFET'ler saysal
devrelerde ve anahtarlama devrelerinde de ok sk kullanlrlar. Bu tip almada JFETlerin
Kesim veya doyum blgelerinde almalarndan faydalanlr ve bu blgelerde altrlrlar.
194
tla
nceki blmlerden JFETin alma artlarn ve genel V-I karakteristiklerini

inceledik. JFETin zelliklerini ve karakteristiklerini kullanarak devre tasarm
yapabilmemiz iin gerekli dc polarma artlarn salamamz gerekmektedir.
Bu blmde, JFET iin gerekli dc polarma arlarn analizini yapp dc polarma
yntemlerini greceiz.
rs
no
JFETler iin uygulanan polarma yntemlerini sra ile; sabit polarma, self polarma ve
gerilim blcl polarma olarak sralayabiliriz. Bu blm bitirdiinizde JFET iin
gerekli dc polarma yntemlerini renip, JFETi kullanarak devre ve cihaz
tasarlamaya hazr hale geleceksiniz.
de
Belli bir dreyn akm ve dreyn-srs gerilimi etrafnda JFET'in alabilmesi iin ounlukla
polarmalandrlmas gerekir. Eleman bir ykselte olarak altrlacaksa aktif blgede
alacak ekilde polarma gerilim ve akmlar seilir. JFET polarmalarnda bir ok polarma
tipi kullanlabilir. Biz bu blmde ok kullanlan bir ka polarma tipini inceleyeceiz.
Sabit Polarma Devresi
.e
em
Sabit polarmal bir JFET ykselte devresi ekil-8.9da verilmitir. Devreyi incelediimizde
polarmann iki adet dc besleme kaynandan saland grlmektedir. Gerekte
uygulamalarda tek bir dc besleme kayna kullanlr. Fakat konunun daha iyi anlalabilmesi
iin bu devrede ift besleme kayna kullanlmtr. imdi ekildeki sabit polarmal ykselte
devresini inceleyelim.
JFETN POLARMALANDIRILMASI
ri.
8.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VERLER
IDDS=10mA
RD
1K
VP=-4V
C1
VS
RG
470K
+
I DRD
ID
C2
+
VDS
-
V DD
12V
V0
VGG=1.5V
ekil-8.9 Sabit polarmal JFET'li ykselte devresi

Ykseltilecek iaret, geyt-srs arasna VS giri iareti olarak uygulanr. Uygulanan bu iaret
ykseltilmi olarak Dreyn-srs arasndan alnr (V0). RG direnci AC iaret iin bir yol grevi
grr. Fakat ters olarak polarmalandrlan geyt-srs blgesinden dc akm gemez.
Dolaysyla RG zerinde dc gerilim dm olmaz. Bu nedenle geyt-srs arasndaki gerilim
besleme gerilimine eittir. Yani VGG=VGS=-1.5 V'dur. Buradan dreyn akmn bulabiliriz.
195
V GS
- 1.5v
= 3.9mA
I D = I DSS 1 = 10mA 1 - 4
V p
tla
ri.
Yukardaki eitlikten grld gibi, geyt-srs gerilimi (VGS), dreyn akm ID'nin deerini
ayarlar. Bu akm 12V'luk besleme kaynandan, RD direncinden dreyn-srs kanalndan
aseye doru geer. JFET aktif blgede alt srece; ID akm VGS gerilimine baldr. Fakat
RD direyn direnci deerine bal deildir. ekil-8.9 da grld gibi, dreyn akmndan
dolay RD ularnda bir gerilim dm meydana gelir.
Buna gre JFET'in alma blgesi yada VDS gerilimi bulunabilir. Devreden;
VDD = I D R D +VDS
no
olduu grlr. Buradan;
VDS = VDD I D R D
rs
VDS = 12 ( 3.9mA 1.8K) = 4.98V
bulunur. Bulunan bu deer yardm ile JFETin alma noktas belirlenmitir.
de
JFET'li sabit polarma devresinde karlalan pratik baz snrlamalar vardr. Bu snrlamalar,
ekil-8.10da JFETin V-I karakteristikleri zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
.e
em
rnein yksek kazan elde edebilmek iin VGS'nin sfr volta polarmalandrlmas, giri
geriliminin deiim miktarn snrlar. Sz konusu polarma ile byk genlikli giri sinyali
kullanlrsa VGS'nin pozitif alternansnda geyt pozitife kayar ve kanal akm kontrol edilemez.
Bu nedenle ok kk giri sinyalleri iin sfr volta yakn polarma kullanmak mmkn olur.
Byk giri sinyaliyle alrken alma geriliminin iyi seilmesi gerekir. Karakteristikte
grld gibi sfr voltta farkl VGS deerleri daha kk gm deerleri verirler. Yine ok
byk RD deerleri de eleman doyuma gtrebilecek gerilim deerlerini vereceinden aktif
blgenin dnda bir alma noktas meydana getirirler.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Sonu olarak; istenilen miktardaki herhangi bir kazan sadece byk RD deerleri seilerek
gerekleemez.
I D(mA)
DC YK DORUSU RD=1K
I DS S
VGS=0V
Kk
deerli RD
V DD
RD
VGS=-1V
Q alma
Noktas
IDQ
Byk
deerli RD
V GS=-1.5V
VGS=-2V
V GS=-3V
0
V DS Q
10
12
VDS
V DD
ekil-8.10 JFET'in almas ve Polarmalandrlmas
196
Self Polarma Devresi
tla
ri.
Pratik uygulamada JFET'li ykselteler genellikle tek bir dc besleme kayna ile
polarmalandrlr. Byle bir polarma devresi ekil-8.11' de gsterilmitir. Bu devrede geytsrs polarma gerilimi elde etmek iin bir self polarma direnci RS kullanlmtr. RS direnci
ularnda IDxRS gerilim dm nedeniyle pozitif bir VS gerilimi meydana gelir. Geyt veya
RG geyt direncinden dc akm hi gemediinden geyt gerilimi sfr volttur. Geyt gerilimi sfr
volt olduundan, geyt (0V) ile srs (+VS) arasnda llen net gerilim negatif gerilimdir. (Bu
gerilim, referans noktas srs alndnda negatif deerde llr.) llen bu negatif gerilim
geyt-srs aras polarma gerilimi VGSdir. Geyt-srs aras polarma balants;
VGS = 0 I D R S = I D R S
no
olduu devreden grlmektedir. Bu bant transfer karakteristii zerinde gsterilir. Bunun

iin iki ID deeri seilir. JFET kesimde iken,
ID = 0
rs
olur. JFET iletimde iken ID;
de
em
.e
VS
C1
ID =
VDD
RD + RS
VDD=+24V
RD
6.2K
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+
ID RD
ID
VD
VG=0V
VGS =-ID(1.5K )
ID(mA)
0
3
C2
6
4
VS
ID
0
-4.5
Self polarma
erisi RS=1.5K
VDS
IDS S 10
8
VDS
RG
1M
ID (mA)
V GS(V)
V0
RS
1.5K
C2
Q
-4
-2
IDQ
VGS (V)
ekil-8..12.a ve b Self polarmal JFET devresi ve transfer karakteristii

Bulunan bu deerler ile transfer karakteristii zerinde yk izgisi izilir. Bu deerlere
karlk gelen VGS deerleri bulunur. Bu deerler ekil-8.12.bdeki tabloda verilmitir.
Tablodaki ID ve VGS deerleri ilgili eksenlerde iaretlenir. aretlenen bu noktalardan bir dz
izgi izilir. Bu dz izgiye self polarma izgisi denir. Dz izginin transfer karakteristii
erisini kestii nokta, devrenin alma noktasdr (Q). Polarma noktasndan eksenlere dikler
inerek bu noktann alma artlar;
I DQ = 1.6mA
ve
VGSQ = 2.4V
olarak bulunur. RS deeri artrlrsa, RS yk dorusu yatay eksene doru yaklar. alma
blgesi kayar ID deeri klr. VGS deeri byr. RS deeri azaltlrsa bu kez alma
noktasnda ID byr, VGS klr.
197
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-8.12.ada verilen self polarmal ykselte devresinde alma noktasn RS=1K kabul
ederek bulunuz?
zm
ekil-8.12.b'deki karakteristik eri zerine sfrdan yani VGS=0, ID=0 noktasndan balayan
ve seilen ID deeri rnein 4 mA ile buna karlk bulunan VGS gerilimi;
ri.
rnek:
8.1
tla
VGS = I D RS = ( 4mA) (1K) = 4V
no
olarak bulunur. Bu deerlerin belirledikleri kesime noktasndan geen self-polarma

izgisi izilir. Bu izgi ile elemann transfer karakteristiinin kesitii nokta alma
noktas olarak bulunur. alma noktas skunet annda (girite AC iaret yokken), dreyn
akm IDQ ve geyt-srs gerilimi VGSQ deerini verir. alma noktas iin izim yaplarak ;
I DQ = 2.2mA
ve
VGSQ = 2.2V
deerleri tespit edilir. Tespit edilen bu deerlerden yararlanarak ayn noktadaki dreyn-srs
gerilimi;
rs
VDSQ = VDD I DQ R S = 24V ( 2.2 mA 6.2 K) = 24V 15.8V = 8.2V
V P=-6V
IDSS =5mA
C2
ID
C1
VD
VG=0V
+
-
VS
ekil-8.13de verilen
self polarmal ykselte
devresinin alma
noktasn bulunuz ve
transfer karakteristiini
iziniz?
RD
4.1K
RG
1.8M
VDS
VDS
VS
ID
RS
2.2K
VP=-6V,
IDSS=5mA
V0
C2
.e
VDD=+16V
JFET
em
rnek:
8.2
de
olarak hesaplanr.
zm
ekil-8.13 n kanall JFETli self polarmal ykselte devresi

Belirlenmesi istenen polarma noktasn bulmak iin gerekli transfer karakteristii
izilmemi ancak VP ve IDSS deerleri verilmitir. Karakteristik erinin izimi de istenmitir.
O zaman transfer erisi forml ;
I D = I DSS
198
V
1 - GS
V p
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
ile verilen VP ve IDSS deerlerini kullanarak transfer karakteristii erisini izmek olduka
kolay olur. Seilen birka VGS noktas ve bunlara karlk hesaplanan ID deerlerine gre
grafik kadna taslak eri izilebilir. rnein; ekil-8.13'deki JFET x ekseninde VP=-6
volttan balayp;
2
VGS = 4V iin I D ; I D = I DSS
no
V
2V
VGS = 2V iin I D ; I D = I DSS 1 - GS = 5mA 1 = 2.2 mA
6mA
VP
de
rs
noktalarn iine alan y ekseninde ID=IDSS=5mA noktasna kadar uzanan taslak transfer
erisi oluturulur. Bu transfer erisi zerine (ekil-8.14), RS=2.2 iin self polarma izgisi
izilir.
ID (mA)
IDS S
4
-4
Q
-2
IDQ
VGS(V)
ekil-8.14 Transfer erisi
.e
Self polarma erisi RS=1.5K
-6
VGS=-ID.RS=-(2mA)(2.2K)= - 4.4V
volt bulunur. Self polarma izgisi transfer
erisini yaklak;
VGSQ=-2.95V
IDQ=1.35mA
VGS(V)
0
-4.4
em
0
2
rnein; ID=2mAlik bir dreyn akm seilerek

geyt-srs gerilimi;
ID (mA)
VGS =-ID(2.2K )
2
V
4V
1 - GS = 5mA 1 = 0.55mA
6mA
VP
noktalarn birletii yerde keser. Skunet

anndaki bu deerlerden yine ayn andaki dreynsrs gerilimi;
VGSQ=VDD-IDQ (RS+RD)
VGSQ=16V-1.35mA(2.2K+4.1K)
VGSQ=7.5 volt.
olarak bulunur.
Gerilim Blcl Polarma

JFET iin kullanlan dier bir dc polarma devresi ve transfer karakteristii ekil-8.15de
verilmitir. Bu polarma ekli, gerilim blcl geyt polarma olarak bilinir. Bu polarma
tipinde, polarma gerilimi ve akmnn belirlenmesi dier polarma devrelerindeki gibidir.
Sadece geyt geriliminin 0 volttan farkl bir deerde tutulmasnda durum deiir.
199
VDD =+16V
ID (mA)
JFET
R1
2M
VGS =2-ID(2.2K )
RD
2.5K
ID(mA)
C1
0
1.33
2
C2
ID
+
VDS
IDS S
+2
0
-1
RS=1.5K
tla
VS
V GS(V)
ri.
V P=-5V
IDSS =8mA
V0
R2
280K
ID
RS
1.5K
C2
-2
IDQ
+2
VGS(V)
no
-4
ekil-8.15 Gerilim blcl geyt polarmas ve transfer karakteristii
rs
Gerilim blcl polarma devresinde, dier polarma tiplerine nazaran daha iyi bir kararllk
sz konusudur. Gerilim blc devreden elde edilen VG geriliminin deeri;
VG = VGG =
R2
VDD
R1 + R2
de
olarak bulunur. Bu durumda skunetteki geyt-srs polarma gerilimi;

VGSQ = VGG ( I D R D )
em
olur.
rnek:
8.3
ekil-8.15'de grlen gerilim blcl polarma devresinde JFET'in DC polarma

gerilimlerini bulunuz ?
zm
JFETin geyt gerilimi;
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R2
280K
VG = VGG =
VDD =
16V = 2V
R
R
+
+
2
M
280
K
2
1
olur. ID.RS gerilim dmnn sonucunda geyt-srs gerilimi ;

VGS=VG-VS
VGS=2-(ID.RS)
olur. Burada belli bir RS deeri iin, ID'ye bir ka deiik deer verilerek bunun karl
olan VGS deerleri bulunur. Transfer karakteristii erisi nceden olduu gibi;
I D = I DSS
V
1 - GS
VP
formlnden belirlenir. O zaman VP=-4volt ve IDS=8mA deerlerine sahip olur. JFET iin
transfer karakteristii yukardaki gibi izilir. Self polarma izgisi ile transfer
karakteristiinin kesitii nokta, dc polarma (alma) noktasn verir.
200
Bu noktadan alma artlar da;

IDQ=2.5mA,
VGSQ=-1.75 Volt
ri.
olarak saptanr. Buradan;
VDQ=VDD-IDQ.RD=16V-2.5mA(2.5K)=9.75 volt
Dreyn-srs gerilimi ise;
tla
VSQ=IDQ.RD =2.5mA (1.5K)= 3.75 volt
VDSQ=VDQ-VSQ = 9.75 - 3.75 = 6 volt
rs
no
Olarak hesaplanr. Hesaplanan deerlerden yararlanarak polarma noktasndaki geyt-srs

gerilimi kontrol edilirse,
sonu;
VGSQ=VGQ-VSQ
VGSQ=2V - 3.75V
VGSQ=-1.75 volt
MOSFETLERN TANITIMI VE KARAKTERSTKLER
.e
em
8.4
de
bulunur. Sonucun grafiksel metot kullanlarak elde edilen deerle ayn olduu grlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
MOSFET (MetalOksit Semiconductor FET), Alan etkili transistrlerden gelitirilmi

bir grup transistrn genel addr. MOSFETlerde geyt terminali, kanaldan izole
edilmitir. Bu tr alan etkili transistrlere, Metal oksitli yariletken FET veya ksaca
MOSFET denilmektedir. Ayrca kimi kaynaklarda zole edilmi geytli FET veya
IGFET ad da verilmektedir.
Mosfetler, Azaltan tip (Depletion) ve oaltan tip (Enhancement) olmak zere iki tip
de retilirler. Bu tr mosfetler; ksaca D-MOSFET ve E-MOSFET olarak adlandrlr.
Bu blmde mosfet tiplerini, temel yaplarn, ematik sembollerini ve temel alma
prensiplerini greceksiniz.
MOSFET'in Temel Yaps

Alan etkili transistrlerin baz tiplerinde geyt terminali kanaldan izole edilmi (yaltlm)
biimde yaplr. Bu tr alan etkili transistrlere, metal oksitli yar iletken FET (Metal-Oxide
Semiconductor FET) veya ksaca MOSFET denir. Mosfetler, izole edilmi geytli FET
veya ksaca IGFET olarak da adlandrlmaktadrlar.
201
ri.
MOSFET'ler; ya azaltan tip MOSFET (Deplation-MOSFET) yada oaltan tip MOSFET

(Enhancment MOSFET) olarak imal edilirler. Azaltan tip Mosfetlere ksaca D-MOSFET,
oaltan tip Mosfetlere ise E-MOSFET denilmektedir. Her iki tip MOSFETinde; P kanal ve
N kanal olmak iki tipi vardr. N kanall D ve E-MOSFET'in temel yaplar ekil-8.16'da
verilmitir.
tla
MOSFETlerde tpk JFETler gibi 3 ulu aktif devre elamanlar grubundandr. Ularna
ilevlerinden tr; Geyt (Gate), Dreyn (Drain) ve Srs (Source) isimleri verilmektedir.
ekil-8.16da verilen temel yapda Sabstreyt (Subsrate) terminali, drdnc u gibi grnse
de genellikle srse balanr veya ase potansiyelinde tutulur.
no
D-MOSFET'in yapsnda kanal fiziksel olarak yaplm haldedir. D-MOSFETin, dreyn-srs

ularna bir dc gerilim kayna balandnda dreyn ile srs arasnda bir akm meydana
gelir. E-MOSFET' in yapsnda ise, imalat srasnda ekillendirilmi veya oluturulmu bir
kanal yoktur. E-MOSFET'in; dreyn-srs ularna gerilim uygulandnda akm meydana
gelebilmesi iin, arj tayclarnn kanal oluturmas gerekir. Bunun iinde geyt ucuna
gerilim uygulanmas gereklidir.
Dreyn (Drain)
rs
Dreyn (Drain)
de
SiO2
SiO 2
.e
em
Geyt
(Gate)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Geyt
(Gate)
Substrate
(Sabreyt)
Substrate
(Sabreyt)
Kanal
n
Kanal
Yok
Srs (Source)
Srs (Source)
ekil-8.16 Azaltan ve oaltan Tip N Kanal MOSFET'lerin Yaplar
Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET)

D-MOSFETlerin, n-kanal ve p-kanal olmak zere balca iki tipde retimi yaplr. ekil8.17.a'da n-kanal D-MOSFET'in yaps ve ematik sembol grlmektedir. ekil-8.17.bde
ise p-kanal D-MOSFETin yaps ve ematik sembol grlmektedir. N kanall D-MOSFET,
p tipi gvde (substrate-sabstreyt) zerine yerletirilmitir. N tipi yar iletken maddeden
yaplan srs ve dreyn blgelerine, srs ve dreyn terminalleri bir metalle (alimnyum)
balanmlardr. Ayrca srs ve dreyn blgeleri iten N tipi kanal blgesiyle birbirine
balanrlar. N kanaln stnde bulunan ve kanal ile geyt arasndaki izolasyonu salayan
ince silikon dioksit (SiO2) tabakasnn zerine ince bir metal tabaka konur. Bu bileimi DMOSFET'i oluturur.
ematik sembolde elemann geyt, srs ve dreyn ular gsterilir. Sabsreyt ucu ise
ounlukla srse bal olarak gsterilir. ematik gsterimde elemann kanal tipi sabstreyt
ucundaki okun yn ile belirtilir. ekil-8.17de grld gibi ok yn elemann iine
doru ise n-kanal D-MOSFET, ok yn dar doru ise p-kanal D-MOSFET tanmlanr.
202
SiO2
Sabsreyt
G
Kanal
Sabsreyt
ri.
SiO2
Kanal
tla
ekil-8.17.a ve b N Kanal ve P Kanal DE-MOSFET'in Yaps ve Sembol
rs
no
N-kanall D-MOSFET'in geyt-srs arasna negatif bir gerilim (VGG) uygulanrsa elektronlar
kanal blgesinin ortasna doru itilirler ve kanalda daralma olur. Yeterli byklkte geytsrs gerilimi kanal tamamen daraltarak kapatr. Dier taraftan; pozitif geyt-srs
geriliminin uygulanmas halinde, p tipi tayclar itildiklerinden kanal byklnde bir
art olur. Bu durum daha ok arj taycsnn oluumuna izin verdiinden daha byk bir
kanal akm meydana gelir.
.e
em
de
N kanall D-MOSFET'in transfer ve dreyn karakteristikleri ise ekil-8.18'de grlmektedir.

Karakteristik eriler; elemann gerek pozitif, gerekse negatif geyt-srs geriliminde almasn gstermektedir. Negatif VGS deerleri, daraltma gerilimine (pinch-off) kadar dreyn
akmn azaltrlar. Bu gerilimden sonra dreyn akm hi akmaz. N kanall D-NOSFET'in
transfer karakteristii, negatif geyt-srs gerilimleri iin JFET karakteristii ile ayndr ve
pozitif VGS deerleri iin de bu zellik korunur. Negatif ve pozitif her iki VGS deerinde de
geyt kanaldan izole edildiinden MOSFET, VGS'nin her iki polarite durumunda
altrlabilir. Sz konusu iki polarite durumun da da geyt akm meydana gelmektedir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ID (mA)
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
ID (mA)
V GS=+1V
D
I DS S
IDS S
VGS=0V
VGS=-1V
G
VGS=-2V
-VGS
S
VP
V DS
ekil-8.18.a ve b N Kanal DE-MOSFET'in Transfer ve V-I karakteristikleri

P kanall D-MOSFET'in yaps ve ematik sembol ekil-8.18.b'de verilmitir. Bu tip
MOSFET'in kanal P tipi, sabsreyti ise N tipi yariletkenden yaplr. P ve N kanall DMOSFET'ler alma esas bakmndan birbirinin benzeridir. Ancak P kanall D-MOSFETte
polarma kaynaklarnn yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Geyt-srs gerilimi negatif
olduunda dreyn akm artarken, pozitif olduunda azalr. Bu nedenle daralma gerilimi VP
pozitif deerlidir. ekil-8.19da P kanal D-MOSFET'in transfer ve dreyn V-I (Akm-Gerilim)
karakteristikleri grlmektedir.
203
ID (mA)
IDS S
I D(mA)
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
VGS=-1V
I DS S
VGS=0V
+VGS
V GS=+2V
VDS
tla
VP
ri.
V GS=+1V
ekil-8.19 P Kanall DE-MOSFET'in Transfer ve V-I Karakteristikleri
no
oaltan Tip MOSFET (E-MOSFET)
rs
oaltan tip MOSFETin (E-MOSFET) temel yaps ve ematik sembol ekil-8.20'de

verilmitir. E-MOSFETler, n-kanall ve p-kanall olmak zere iki tip de retilirler. ekildeki
yapdan da grld gibi E-MOSFETin temel yapsnda fiziksel olarak oluturulmu bir
kanal yoktur. Ksaca E-MOSFET, dreyn ile srs arasnda fiziksel bir kanala sahip deildir.
de
E-MOSFET'in ematik sembolnde dreyn ile srs aras kesik izgilerle gsterilir. Bu durum
balangta E-MOSFETde kanal olmadn belirtmek iindir. ematik sembolde sabsreyt
ucundaki okun yn E-MOSFETin kanal tipini belirtir. Ok yn ieri doru ise, N tipi
kanal gsterir. Ok yn dar doru ise P tipi kanal gsterir. E-MOSFETlerde kanal tipi
ile sabsreytte kullanlan yariletken malzemelerin tipleri terstir.
em
D
D
SiO2
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
p
SiO2
Sabsreyt
Sabsreyt
G
S
S
S
ekil-8.20.a ve b N Kanall ve P kanall E-MOSFET'in Yaps ve Sembol

E-MOSFETlerde kanal, geyt terminaline uygulanan harici bir besleme ile oluturulur.
Geyt-srs ular arasna pozitif bir geriliminin uygulanmas, geyt altnda sabstreyt
blgesinde bulunan oyuklar (boluklar) iter ve orada bir azalma (deplasyon) blgesi
yaratr. Geyt gerilimi yeterince pozitif deere karldnda; elektronlar, pozitif gerilim
tarafndan bu azalma blgesine ekilirler. Bylece, dreyn ile srs arasndaki bu blge N
kanal gibi hareket eder.
Pozitif geyt gerilimiyle oluturulan ve ekillendirilen N kanall E-MOSFET'in transfer ve VI Karakteristii ekil-8.21'de gsterilmitir.
204
ID (mA)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I D(mA)
I D = K [VGS - VT ]2
VGS=6V
G
VGS
VT
tla
ri.
VGS=5V
V GS=4V
VGS=3V
VDS
no
ekil-8.21 N Kanall E-MOSFET'in V-I Karakteristikleri
rs
Elemann transfer karakteristiinden de grld gibi, geyt-srs gerilimi eik (thresholdbalang) deeri VT'yi ancaya kadar dreyn akm hi akmaz. Bu eik gerilimi deerinin
zerindeki pozitif gerilimlerde, artan deerli bir dreyn akm meydana gelir. Bu akmn
Transfer karakteristii de,
I D = K (VGS VT ) 2
de
Eitlii yardmyla tanmlanabilir. Eitlik yukardaki formlde yalnz VGS>VT art iin
geerlidir. Eitlikte K sabitesi tipik olarak 0.3 mA/V2 deerinde olup elemann yapsna
bal olan bir zelliktir.
P kanall E-MOSFET'ler ekil-8.20.b'de gsterilen yapda imal edilir. ematik sembol ise
ayn ekilde gsterilmitir. E-MOSFETin sabstreyti, N tipi yar iletkenden yaplr. P-kanall
E-MOSFET'in alma prensibi N kanall gibidir. Ancak, P kanall da polarma kaynaklarnn
yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Negatif deerli eik gerilimi alncaya kadar
dreyn akm yoktur. Daha byk deerli negatif geyt gerilimlerinde artan bir dreyn akm
vardr.
P Kanall E-MOSFET (Enhancment-MOSFET)'in transfer ve V-I Karakteristii ekil-8.22'de

gsterilmitir. Karakteristikleri inceleyerek bu elemann almas kolayca irdelenebilir.
Karakteristikte grld gibi P kanall E-MOSFETde polarma akm ve gerilimlerinin
yn N kanal E-MOSFET'e gre terstir.
.e
em
VGS=0 volt durumunda dreyn akm akmad iin E- MOSFET'lerde IDS deerinden sz
edilebilir. E-MOSFET'lerin alma sahas; D-MOSFET'lerden daha snrl olmasna ramen,
E-MOSFETler, byk-lekli entegre devreler iin ok kullanldr. nk E-MOSFETler
basit yapl ve kk boyutlu elemanlardr. E-MOSFET'in ematik sembolnde dreyn ile
srs aras kesik izgilerle gsterilir. Bu oaltan tip elemanda balangta kanaln olmayn
belirtmek iindir. Bundan baka sabstreyt ucundaki ok P tipi sabstreyti ve N kanal gsterir.
205
ID (mA)
ID (mA)
D
VGS=-6V
VGS=-5V
VGS=-4V
VGS
VGS=-3V
VDS
tla
-VT
ri.
ekil-8.22. a ve b P Kanall E-MOSFET'in Transfer ve V-I Karakteristikleri
no
MOSFETLERN POLARMALANDIRILMASI
rs
8.5
Bu blmde MOSFETlerin nasl polarmalandrlacan greceksiniz. zellikle

MOSFETlerle gerekletirilen ykselte devrelerinde dc polarmann nemi byktr.
de
Bu blmde; sras ile D-MOSFET ve E-MOSFET iin polarma yntemlerini ve dc

analizlerini greceksiniz.
Tipik bir n-kanall D-MOSFETli ykselte devresi ekil-8.23.ada ve D-MOSFETin transfer

karakteristii ise ekil-8.23.bde verilmitir. Bu ykselte devresi, ok byk deerli geyt
direnci RG hari, JFET'li ykseltele benzerdir. Bu devrede geyt-srs gerilimi pozitife
gidebildiinden, elaman kk negatif geyt-srs geriliminde polarmalandrmak
mmkndr.
VERLER
IDDS=12mA
.e
em
D-MOSFET'in Polarmalandrlmas
VP=-4V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VDD =+20V
RD
1.5K
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
C2
IDS S
12mA
47nF
C1
VDS
V0
47nF
VS
ID (mA)
RG
10M
RS
150
RS
150
CS
47F
Q
IDQ
6.7mA
-VGS
V P=-4V
VGSQ=-1V
ekil-8.23.a ve b N-kanall D-MOSFETli ykselte ve transfer karakteristii
206
Devrenin DC polarma deerleri aada gsterilen ilemler takip edilerek bulunur. JFETde
olduu gibi, D-MOSFET'inde transfer karakteristii; transfer karakteristii eitlii
yardmyla bulunur ve self polarma yk izgisi ekil-8.23.bde verilen transfer karakteristii
zerine izilir.
ri.
2
V
1V
I D = I DSS 1 GS = 12 mA 1
= 6.75mA
VP
4V
tla
VGS = 0 ( I D R S ) = 6.75mA (150) = 1V
no
IDSS=12 mA ve VP=4 volta gre izilen transfer karakteristii ile RS=150 ohm iin izilen selfpolarma yk izgisinin kesitii yer skunetteki polarma noktasn verir. ekil-8.23.bde
izim yaplarak polarma noktasnn artlar;
VGSQ = 1V
ve
I DQ = 6.75mA
rs
olarak belirlenir. Bu durumda dreyn gerilimi,
VDQ = VDD ( I DQ R D ) = 20V (6.75mA 1.5K) = 9.88V
de
ve dreyn-srs gerilimi ise;
VDSQ = VDQ VSQ = 9.88V 1 = 8.88V
olarak bulunur.
.e
em
E-MOSFET'in Polarmalandrlmas
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
E-MOSFET'in dc polarmalandrlmas iin ok kullanlan bir devre dzeni ekil-8.24'de

grlmektedir. Devrede dreyn-srs gerilimi (VDD), geyt-srs polarma gerilimi olarak
kullanlmtr. Bu ilem, dreyn-srs arasna RG=10Mluk bir diren balamak suretiyle
gerekletirilmitir. Geyt akm olmadndan RG direnci ularnda bir gerilim dm
olmaz. Dolaysyla dreyn gerilimi aynen geytte grlr. Dolaysyla VDS=VGS olur. Dier bir
deyimle dreyn-srs arasndaki VDS gerilimi, geyt-srs arasndaki VGS gerilimine eittir. Belli
bir RD deeri iin uygun polarma noktas elemann transfer karakteristii kullanlarak
bulunabilir.
ekil-8.24.b'de RD=2K ve VDD=20V deerleri iin polarma noktasnn, elamann transfer
karakteristiinden faydalanlarak nasl bulunduu grlmektedir. Elemann transfer
karakteristii,
I D = K (VGS VT ) 2
eitlii kullanlarak grafik kadna izilebilir. rnek olarak verilen n-kanall E-MOSFET'in
eleman yapsna bal sabitesi K=0.3mA/V2 ve eik gerilimi VT=3 V olduuna gre transfer
karakteristii eitlii,
207
V DD=+20V
ID (mA)
10
47nF
RG
10M
IDQ
V0
47nF
VS
150
I D = 0.3 (VGS - 3)2
VDD 20V
=
= 10mA
RD
2K
C2
ri.
RD
2K
6.2
tla
VERLER
VT =3V
C1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V T=3V
V DSQ=V DSQ=7.6V
VGS =VDS
V DD=20V
no
DC yk izgisi
RD =2K
ekil-8.24.a ve b N Kanal E-MOSFET Polarma devresi ve Transfer Karakteristii

I D = K (VGS VT ) 2
rs
I D = 0.3 (VGS 3) 2
de
eklinde yazlabilir. Bu eitlikte VGS'ye birka deer (3V ve daha byk) verilerek bunlara
karlk olan ID deerleri hesaplanr. Elde edilen sonulardan yararlanarak transfer
karakteristii erisi izilir. Ayn grafik zerine devrenin DC yk izgisi de izilebilir. DC
yk izgisi eitlii,
VGS = VDS = VDD I D R D
VGS = VDS = VDD I D R D = 20V ( I D ) ( 2K)
olur.
Bu izginin VDS=VGS=0V ve ID=0 mA artlar iin srasyla dikey ve yatay eksendeki iki
noktas belirlenir. Dikey ve yatay eksende belirlenen iki nokta bir doru vastasyla
birletirildiinde RD=2K iin DC yk izgisi izilmi olur. Yk izgisiyle elemann transfer
karakteristii erisinin kesitii yer alma noktasn gsterir. ekil-8.24.b'de grlen
alma noktasnn artlar izim yardmyla,
VGQ=VDSQ=7.6 V
olarak bulunur.
.e
em
olur. Verilen rnekte RD=2K ve VDD=20 Volt'dur. Bu taktirde DC yk izgisi eitlii,
208
IDQ=6.2 mA
ALAN ETKL TRANSSTRL YKSELTELER

JFETL YKSELTELER
ri.
9.1
tla
JFET'in en nemli uygulama alanlarndan biri ykselte (amplifikatr) devreleridir. Dier

taraftan son yllarda saysal devrelerde de ok sk kullanlmaya balanlmtr. JFET'li
amplifikatrlerin analizi ve tasarm edeer devreler yardm ile yaplr. Devre
analizinde kullanlan iki tip edeer devre modeli vardr. Bunlar; Lineer veya kk
sinyal edeer devresi, byk sinyal veya lineer olmayan devrelerdir.
rs
no
Elemann maksimum alma frekanslarnn altnda almas alak frekans devre

modeline uygundur. Alak frekans devre modelleri genellikle frekansa bal olmayan
devre elemanlarndan oluur. Yksek frekanslarda ise elemann frekansla ilgili
etkilerini gsterebilmek iin, devreye kapasitans ve endktanslar eklenebilir. Bu tip
devre modellerine de yksek frekans edeer devre modeli denir.
Alak Frekans-Byk Sinyal in JFET Devre Modeli
em
de
Alak frekans-byk sinyal iin tasarlanlan devre modeline edeer devre ismi de
verilmektedir. JFET karakteristikleri, bipolar transistr karakteristiklerine biraz benzerlik
gstermesine karn, bu karakteristikler arasnda nemli fark vardr. Birinci fark, JFET'in
kontrol parametresi akmdan ziyade gerilim esasna bal oluudur. kinci fark, JFET'te giri
gerilimi sfr iken k akmnn akmasdr. nc fark ise; JFET karakteristik eimlerinin
belli bir eime sahip olduklardr.
.e
Normal alma artlar altnda JFET'te geytden srs'e doru sinyal akm hi akmaz. Bu
nedenle, geyt-srs direnci kullanlan elemana bal olarak mega ohm'lar mertebesindedir.
VGS'nin ID akm zerindeki etkisi ise trandktans eitlii;
co
m
BLM 9
gm =
I DS
V GS
ile gsterilmiti. VGS gerilimindeki deiimler nedeni ile ID'de meydana gelen deiimler,
dreyn-srs devresinde gerilime Baml akm kayna sembol (gm.VGS) ile ekil-9.1de
verilen edeer devrede gsterilmitir. Devrede VDS gerilimi artarken ID akm da belli bir
eimle ykselir. VDS gerilimi ile ID akm arasndaki bu etkileim edeer devrede dreyn-srs
arasna konulan rd i direnci ile gsterilebilir. rd nin deeri JFET ve MOSFET iin 10K ile
100K arasndadr. Edeer devrenin knda grlen r direnci, dreyn u (terminal)
direncidir.
209
rg
ID
VD
D3
rd
VDS
D1
IDSS
gmVGS
ri.
D2
tla
no
ekil-11.1 N Kanall JFET'in Sembol ve piecewise-lineer modeli (Edeeri)
rs
Edeer devrede girii temsil eden geyt-srs aras ise PN bitiimli diyoda benzer. Diyodun
ileri yn ofset gerilimini VD kayna, omik direncini ise rg direnci temsil eder. Geyt srs'e
gre negatif olduundan ok az bir geyt akm akar. VGS gerilimi ok byk negatif deer
alsa bile, D2 diyodu k devresinden akmas beklenen ters ynl akmn akn nler.
Edeer devre yardm ile daha iyi anlalan bu zellik, JFET'in daraltma olayndaki
gvenirliini aklamaya yeterlidir.
de
k devresi daha basitletirilerek incelenebilir. Bu amala ekil-9.2.ada verilen edeer

devre ve karakteristik zerinde duralm.
em
ID akm IDSS akmndan daha kk olduunda, D3 diyodu ileri ynde polarmalanr. Akm
kayna ularnda gerilim dmne izin vermez Uygulanan VDS gerilimi, erinin eimini
belirleyen r dreyn direnci ularnda der. U gerilimi, IDSSxr deerine eit veya bu deerden
fazla olduunda, r direncinden geen ID akm IDSS'ye eit duruma gelir. Bylece D3 diyodu
ters ynde polarmalanr. Bundan dolay eri aadan sfr eimli ksma bklrken, ID
akm da ekil-9.2.b'de grld gibi IDSS deerine eriir. ayet rd deerli bir diren akm
kaynana paralel balanrsa, bklme noktasnda erinin deeri Re eitlii ile bulunabilir.
Burada;
Re=Edeer diren=r+rd
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
r
ID
D3
I DS S
ID
+
VDS
I DSS
V=IDS S . r
VDS
ekil-9.2.a ve b JFET k Devresinin basit edeeri ve V-I karakteristii

Bu takdirde meydana gelen sfr eimli ksm yerine, ID akm IDSS deerine eritiinde
erinin eimi;
1
r + rd
210
eitlii ile bulunabilecektir. Sabit akm kayna IDSS'ye akm kayna gm*VGS'nin eklenmesi
btn erilerin retilmesini salar. Bunun iin ekil-9.1 deki edeer devre modeli JFET
karakteristiklerinin retebilecei uygun bir devre modelidir.
tla
ri.
Ters polarmalandrlan diyod yksek bir empedans gstereceinden giri devresi

ounlukla ak devre eklinde dnlebilir. Bu zellik MOSFET iin her zaman dorudur.
Devrenin almas srasnda ve geyt-srs aras ters polarmal olan JFET'e de bu zellik
uygulanabilir.
rnek:
9.1
VDD =+20V
ekil-9.3de verilen JFETli

ykselte devresinde;
RD
no
4K
VS
IDSS=6mA,
gm=2mho,
V0=0.6 volt
V0
VS
r=500 ohm ve rd=40K ohm
rs
-4
0
-1
olduuna gre ykseltecin k

dalga eklini bulunuz.
em
de
ekil-9.3 JFETli ykselte devresi
.e
zm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Edeer devre modelinden yararlanarak ekil-9.4de grlen edeer devreyi izebiliriz.

Devre giriinde VS=0 iken, D3 diyodundan geen akm 6mA'lik IDSS akmndan daha azdr.
nk dreyn yk direnci bu akm 6mA'den daha kk bir deerde snrlar. Bylece D3
diyodu ileri ynde polarmalanr.
G
rg
VD
rd
D3
500
ID
40K
RD
4K
D1
gmVGS
D2
I DSS
ekil-9.4 JFETli ykselte devresinin edeeri
Bu durum ekil-9.5.ada basitletirilmi edeer devrede gsterilmitir. Bu giri geriliminde

JFET doyumdadr ve VGS=0 iin dreyn akm;
ID =
VDD
20V
=
= 4.44mA
r + R D 500 + 4K
k gerilimi VDS;
VDS = VDD ( I D R D ) = 20V ( 4.44mA 4K) = 2.22V
211
olur. ekil-9.5.bdeki edeer devre VGS=-1 volt durumundaki karakteristik eriyi

gstermektedir. Bu durumda iki akm kayna tarafndan retilen net akm,
ri.
I = I DSS + ( gm VGS ) = 6mA + 2 ( 1V ) = 4mA
tla
olur. D3 diyodu ters ynde polarmalanr ve ak devre zellii gsterir. Devrede geriye
4mAlik akm reten iki kayna ile bunlara paralel bal 40Kluk diren kalr. Akm
kayna gerilim kaynana dntrlrse Thevenin edeer gerilimi;
no
VTH = 4mA 40K = 160V
deerinde gerilim kayna ve buna seri bal 40Kluk edeer devre haline gelir. Buna
gre dreyn akm;
RD
Rd+r
rs
4K
40.5K
V DD
20V
de
RD
4K
V TH
160V
a) V GS=0V iin kn edeeri
V DD
20V
b) V GS=-1V iin kn edeeri
ekil-9.5 a)VGS=0v, b)VGS=-1V durumu iin k Devresinin Edeeri

ID =
VTH + VDD
160 + 20V
=
= 4.045mA
r + rd + R D 40K + 500 + 4K
em
olur. k gerilimi ise;
.e
deerini alr. Giri sinyali VS=-4 v deerine geldiinde, iki akm kaynann rettii net
akm,
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I DSS + ( gm VGS ) = 6mA ( 2 4V ) = 2mA
olur. Bu durumda, D2 diyodu, ters ynde polarmalanr ve dreyn devresinden ters ynde
akm akmasna izin vermez.
JFET kesime gittiinden k sinyali 20v'luk bir deere ular. Yine, VS giri sinyali 0v'a
doru deitiinde k da 2.22V'a iner ve olaylar ayn biimde devam eder. ekil-9.6da
ykselte giri ve k iaretleri verilmitir.
V0
20
VS
t
0
-1
3.8
2.2
-4
ekil-9.6 JFET'li Katn Giri ve k Sinyallerinin Dalga ekilleri
212
Alak Frekans-Kk Sinyal JFET Modeli
ID
| = sabit
V GS V DS
tla
gm =
ri.
Alak frekans-kk sinyal iin tasarlanm, tek besleme kaynana sahip bir JFET'li
ykselte ve edeer devresi ekil-9.7.a'da verilmitir. Kk sinyal modelini kullanabilmek
iin, gm ve rds deerlerinin verilmesi veya bu deerlerin karakteristik erilerden bulunmas
gerekir. Eriler kullanlrsa, bu deerler skunetteki alma noktasna yakn ID, VDS, VGS
miktarna gre tespit edilir. Daha sonra trandktans;
ve dreyn-srs aras (dreyn i ve k) direnci;
V DS
| =Sabit
I DS V GS
no
rds =
rs
eitliklerinden bulunur. Kk sinyal edeer devresi dc seviyeleri iine almaz. Bu nedenle

VGG, VDD gibi btn dc kaynaklar ksa devre edilir. JFET'lerde dc ve ac hesaplarn birbirlerine
olan etkisini gsterebilmek iin ekil-9.7.a'da grlen ykselte ile karakteristiklerinin
kullanldn, VGG=-1V, RD=2K, ve VDD=20V olduunu kabul edelim.
de
+VDD
RD
Transistr Edeeri
D
VGS
em
VS
V0
V0
VS
.e
VGG
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rds
gmVGS
RD
ekil-9.7.a ve b. JFET'li Ykseltecin Gerek ve edeer Devresi (self Polarma

Devresi)
DC alma artlar, daha nce akland gibi, dreyn karakteristikleri zerine yk izgisi
izilerek ve skunet noktas iaretlenerek belirlenir. nceki blmde karakteristiklerde;
VGSQ=-1v durumu iin, VDSQ=9v ve IDQ=5.5mA
deerleri bulunmutu. Bu noktadaki transdktansn gm=3.5 mmho ve dreyn i direncinin
rds=10K olabilecei hesaplanr. ekil-9.7.bdeki kk sinyal edeer devresinden giri
gerilimi;
VS=VGS
k gerilimi ise;
V 0 = [-gm V GS ]
rds RD
rds RD
= [-gm V S ]
rds + RD
rds + RD
yazlabilir. Bu durumda gerilim kazanc;
213
Kaplan
AV =
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V0
rds RD
= - gm
VS
rds + RD
V0
20K 2K
= 6.4
= -3.5
20K + 2 K
VS
tla
AV =
ri.
olur. Gerekli hesaplamalar yaplrsa;
olaca bulunur. Eer giri gerilimi Vi=0.5 Coswt ise k bu durumda k sinyali;
V0 = AV VS = 6.4 (0.5 cos t ) = 3.2 cos t
no
dir. Bu durumda giriteki AC ve DC sinyallerin toplam girite;

VGS=VGG+VS
VGS=-1+0.5 coswt
rs
ve k sinyali ise;
VDS=VDSQ+V0=9-3.2 coswt
olur.
de
Burada bir edeer devrenin kullanlmas ile ortaya kan sonularn grafiksel analizle
olduka iyi uyutuu grlebilir. Edeer devrenin kullanm konusunda bir sorun
olduunda, grafik metotla ilgili kata ok kolay biimde uygulanabilir.
ekil-9.8'de bu duruma uygun bir ykselte grlmektedir. Bu ykselte devresinin alak

frekans kk sinyal edeeri ise ekil-9.9.ada verilmitir. Bu devrede, gm.VGS akm kayna
ve rds dreyn i direncinin theve'nin edeer devresi ekil-9.9.bde grlmektedir.
+VDD
.e
em
Edeer devre zmnde analitik metod kullanmann bir ok stnl vardr. Analitik
metotla dizayn, DC seviyeler kritik deilse V-I karakteristikleri kullanlmadan da yaplabilir.
Tipik gm, rds ve VP deerleri, pek ok tasarmda devrenin yeterli dorulukta
uygulanabilmesine imkan salarlar. Ayrca ok katl tasarmlarda analitik metodular
sayesinde hzl bir ekilde yaplabilir. Dier bir stnlk, self polarma direnci
baypaslanmad zaman grlebilmektedir. Halbuki, ayn devre iin grafiksel metot
kullanarak gerilim kazancn hesaplamak ok zordur. Bundan dolay, self polarma direnci
baypaslanmad zaman gerilim kazancn bulmak iin analitik bir ifade gelitireceiz.
RD
+
V0
VS
RS
ekil-9.8 RS direnci baypaslanm JFET'li Ykselte
214
VGS
gmVGS
rds
V0
V0
rds
VGS
VS
ri.
RD
RD
RS
tla
RS
ekil-9.9.a ve b Rs direnci baypaslanm JFET'li ykseltecin edeer devreleri
no
Theve'nin edeer devresinde k gerilimi;

V0 = -
veya;
RD
gm.VGS rds
+
rds
+ RS
RD
- RD
V GS
RD + rds + RS
= gm rds
rs
V0 =
de
dir. Burada; =gm.rds eitliinin karldr. Yine, bu devrede geyt-srs aras gerilim, giri
sinyaline eit deildir. Geyt-srs gerilimi;
VGS = VS
Rs
VGS
R D + rds + R S
em
yazlabilir. VGS iin zm yaplrsa;

VGS = VS
R D + rds + R S
R D + rds + ( + 1) R S
.e
eitlii elde edilir. VGS'nin bu deeri V0 eitliinde yerine konursa, k gerilimi;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RD + rds + R S
- RD V S
RD + rds ( + 1) RS
=
R D + rds + RS
R D + rds + ( + 1)R S
- RD V S
V GS =
olur. Gerilim kazanc iin de;
AV =
V0
=
VS
RD .V S
+
rds
+ ( + 1) RS
RD
VS
- RD
RD + rds + ( + 1) RS
eitlii bulunur. RS deeri sfra doru azaltlrken, (11.2) eitlii self polarma direnci
olmayan JFET'li ykselte iin kullanlan (11.1) eitii ile bulunacak deere yaklar. Miktar,
ykseltme (amplifikasyon) faktr diye isimlendirilir,
= -
215
V DS
| =Sabit
V GS I D
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
forml ile deerlendirilebilir. Miktarnn deerlendirilmesin de ok doru olan dier bir

forml de aada verilmitir.
=gm.rds
tla
ri.
Gerilim kazanc hesaplamalarnda devrenin karakteristik erilerinin lineer ksmnda

altnn kabul edildiini belirtmek gerekir. Belli bir k sinyalinde aktif blgenin dna
klmaz ise, kk sinyal edeer devresi iin lineer ksmdan sz etmek gerekmez.
rnein, gerilim kazanc -12 olan bir JFET'e tepe deeri 2V'a sahip giri sinyali uygulanrsa,
bu giriin kta, tepe deeri 24V olacak k sinyali yaratabilecei nceden tahmin
edilebilir. Ancak VDD=20v ise, phesiz bu k elde edilemez.
no
JFET'li ykseltecin k empedans birok uygulama iin nemli bir deerdir. ekil-11.5'deki
self-polarma direnci kullanlmayan JFET'li ykseltecin k empedans,
rs
RD = RD - rds =
RD .rds
RD + rds
eklinde yazilabilir. Srs'e bal self polarma direnci (RS) baypaslanm ekil-11.6'daki JFET'li
ykselte devresi iin k empedans;
de
RD = RD - [rds + ( + 1) RS ]
.e
em
ifadesiyle gsterilebilir.
216
RD =
RD [rds + ( + 1) RS ]
RD + rds + ( + 1) RS
KONULAR:
Dengesiz (astable) multivibratrn almas ve zelliklerini incelemek.
2.
if dengeli (bistable) multivibratrn almasn ve zelliklerini incelemek.
no
tla
1.
GEREKL DONANIM:
de
rs
G Kayna: 12VDC
Transistr: 2xBC108C
LED: 5mm standart led
Diren: 2x100, 2x470, 2x1K, 2x2.2K, 2x4.7K, 2x10K
Kondansatr: 2x22nF, 2X100nF, 2x100F, 2x2200F
N BLG:
em
Multivibratrler; Dengeli (stable) ve dengesiz (astable) olmak zere iki gruba ayrlrlar.
Dengesiz multivibratrler, iki transistrle oluturulmu kare dalga osilatrleridir. ekil24.1'de grlen dengesiz multivibratr devresi incelendiinde transistrlerin giri ve
klarnn birer kondansatrle birbirlerine baland grlmektedir.
.e
Her bir transistrn karakteristiklerindeki farkllklarndan dolay transistrlerden biri

iletimde iken dieri kesimdedir. Balangta Q1 transistrnn iletimde olduunu kabul
edelim.
ri.
Multivibratrler
co
m
10A
BLM 10
Bu durumda VCE1=0V olur. VCE1 gerilimi C2 kapasitr zerinden Q2 transistrnn

beyzine kuple edilir. Q2 transistrnn beyzi emiterine nazaran daha negatif olur ve
kesime gider.
Bu anda C2 kapasitr, R2 direnci zerinden dearj olarak zt ynde dolmaya balar.

zerindeki gerilim 0.7V'a ulatnda Q2 transistrnn beyzini tetikleyerek iletime
geirir. Bu anda Q2 'nin k gerilimi VCE2=0V'a dmtr. Bu gerilim negatif bir pals
olarak C1 kondansatr ile Q1'in beyzine kuple edilir ve Q1 kesime gider. C1 kondansatr
R1 zerinden dearj olarak zt ynde dolmaya balar. Bu gerilim 0.7V'a ulanca Q1
transistrn iletime geirir. Bu olaylar bylece tekrarlanr.
Sonuta transistr klarndan (VCE1 ve VCE2) bir kare dalga iaret elde edilir. Bu iaretin
frekans C1, C2 kondansatrlerine ve R1, R2 diren deerlerine baldr. Elde edilen iaretin
periyodu yaklak olarak;
T = 0.7( R 2 C 1 ) + ( R 3C 2 )
formlnden bulunur. klarda dzgn bir kare dalga elde etmek iin R1=R2 ve C1=C2
seilmelidir.
217
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+Vcc=12V
R1
R2
100
R3
2.2K
2.2K
C2
0.1F
100
0.1F
Q1
VCE2
VBE1
VBE2
no
Q2
tla
VCE1
R4
ri.
C1
de
DENEY 1:
rs
ekil-24.1 Dengesiz (astable) Multivibratr Devresi
DENGESZ MULTVBRATR:
ekil-24.1'deki dengesiz multivibratr devresini deney seti zerine kurunuz.
Osilaskop kullanarak dengesiz multivibratr devresinde VCE1, VBE1 gerilimlerinin
dalga biimlerini ekil-24.2.ada grlen diyagrama iziniz.
em
1.1
VCE2, VBE2 gerilimlerinin dalga biimlerini ise ekil-24.2.bdeki diyagramlara orantl

olarak iziniz.
1.3
Q2 veya Q1 transistrnn k dalga biimlerini inceleyiniz. Q1 ve Q2

Transistrlerinin kesim (T1) ve doyum anndaki (T2) periyotlarn lerek tablo24.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
1.4
ekil-24.1'deki dengesiz multivibratr devresinde R1, R2 direnlerini ve C1, C2

kondansatrlerini tablo-24.2'de belirtilen deerlerle sra ile deitiriniz.
.e
1.2
V/DIV=
T/DIV=
V/DIV=
T/DIV=
ekil-24.2 a ve b Kararsz multivibratrn dalga biimleri
218
Transistr
T1
T2
Q1
T1+T2
ri.
Q2
C1 (nF)
C2 (nF)
100
100
100
100
no
Deitirdiiniz Her deer iin k iaretlerinin T1, T2 deerlerini ve toplam periyot

deerini (T=T1+T2) lerek tablo-24.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
R2 ()
R3 ()
2K2
2K2
4K7
4K7
100
1K
1K
22
1K
1K
22
22
2K2
2K2
100
100
2K2
4K7
100
4K7
2K2
100
em
de
22
rs
1.5
tla
Tablo-24.1 Multivibratr Dalga ekilleri
100
T1 (s)
T2 (s)
T=T1+T2
F=1/T
.e
Tablo-24.2 Dengesiz Multivibratr devresinin eitli deerler altnda Karakteristikleri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DENEY: 2
UYGULAMA DEVRES (FLAR):
Bu deneyde dengesiz multivibratr kullanarak bir flar devresi tasarlayacaz. Bylece
multivibratrn almasn grsel olarak daha iyi anlayacaz. Uygulamas yaplacak
olan flar devresi ekil-24.3de verilmitir.
219
Kaplan
+Vcc=12V
LED1
470
R3
2.2K
2.2K
C1
R4
470
C2
2200F
VCE2
2200F
Q1
Q2
tla
VCE1
LED2
R2
ri.
R1
VBE1
VBE2
no
ekil-24.3 Dengesiz multivibratr ile yaplan flar devresi
rs
DENEYN YAPILII:
ekil-24.3'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Devreye enerji vererek

almasn LED'lerin yanp snmesine bakarak irdeleyiniz.
2.2
Devredeki C1 ve C2 kondansatrlerini 100F yapnz. Devrenin almasn

gzlemleyiniz. Devrenin almasnda ne gibi deiiklikler olmutur. Neden?
Aklaynz?
em
de
2.1
DENEY: 3
FT DENGEL MULTVBRATR:
.e
Bu blmde ift Dengeli Multivibratr devresinin almasn ve zelliklerini

inceleyeceiz. Deneyde kullanacamz ift dengeli multivibratr devresi ekil-24.4de
verilmitir.
+Vcc=12V
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
R3
1K
1K
R5
R2
VQ1
R4
2.2K
4.7K
4.7K
Q1
Q2
R3
R6
100
SET
100
RESET
ekil-24.4 ift dengeli (Bistable) multivibratr devresi
220
VQ2
N BLG:
ri.
Multivibratrlerin Dengeli ve Dengesiz olmak zere ikiye ayrldklarn belirtmitik.

Dengeli alan multivibratrler tek dengeli (monostable) ve ift dengeli (bistable) olmak
zere ikiye ayrlrlar.
tla
ift dengeli multivibratrler, zellikle saysal elektronik uygulamalarnda yaygn olarak

kullanlrlar. Bellek oluturulmasnda kullanlan flip-flop'lar gerekte birer bistable
multivibratrdr. ekil-24.4'de bir bistable multivibratr devresi verilmitir. Devrenin
almasn ksaca zetleyelim.
no
Bistable multivibratr devresine enerji verildiin de; transistrlerden biri iletime dieri
kesime gidecektir. Kullanlan farkl materyaller nedeniyle hangi transistrn nce iletime
geecei konusunda bir ey sylenemez. Q2'nin iletimde Q1'in ise kesimde olduunu
kabul edelim. Bu durumda;
VQ2=0V, VQ1=VCC
rs
deerine ular. Bir an iin Q2 transistrnn RESET ucu (beyz) ase potansiyeline
alndnda Q2 transistr kesime gidecek ve VQ2 gerilimi besleme gerilimine ulaacaktr.
Bu durum; Q1 transistrne R5 zerinden pozitif bir beyz gerilimi uygulanmasn salar.
em
de
Bu pozitif gerilim, Q1 transistrn iletime srer. VQ1=0V olur. Q1 transistrnn kollektr

gerilimi azalmtr. Bu gerilim R2 zerinden Q2 transistrn kesime srer. Bu durum da;
Q1 transistr iletimde, Q2 transistr ise kesimdedir. Bu durum; kararl durum olarak
adlandrlr. Dier bir kararl duruma geme; yani Q2 iletimde, Q1'in kesimde olmas ise
SET giriinin ksa bir sre ase potansiyeline balanmas ile salanr.
Sonu olarak bu tip multivibratrde transistrlerin durumlar R ve S ularndan
uygulanan polariteye baldr. Transistrler; R ve S ularndan en son uygulanan
polariteye bal olarak durumlarn devaml korurlar. Bu durum saysal elektronik de bilgi
depolamada nemlidir.
Multivibratr girilerinden R reset (sil) anlamna, S ise; set (kur) anlamna gelmektedir.
Bu deneyde bu ularn ilevlerini greceksiniz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DENEYN YAPILII:
3.1
ekil-24.4'deki ift dengeli multivibratr devresi grlmektedir. Bu devreyi deney

seti zerine kurunuz.
3.2
Tablo-24.4'de belirtilen saysal deerleri ksa bir sre iin devrenin RESET ve SET
girilerine uygulaynz. R ve S girilerinden uygulayabileceiniz iaretin ve
transistr klarndan alacanz analog deerlerin saysal karlklar da tablo24.3de verilmitir.
SAYISAL DEER
GR
V=0V
V=12V
IKI
V<2 volt
V>9 volt
Tablo-24.3 Saysal verilerin analog karlklar
221
Bu almada ve tablo-24.4'de belirtilen deerler analog olarak tablo-24.3'de verilen

deerlere karlk gelmektedir. Elde ettiiniz sonularn saysal deerlerini tablo24.4'deki ilgili yerlere kaydediniz.
SET
VQ2
1
0
no
0
1
VQ1
ri.
RESET
tla
3.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rs
Tablo-24.4 Bistable Multivibratrn almas
ZET:
.e
em
ift kararl multivibratrler bistable multivibrators olarakda bilinirler.

ift kararl multivibratr, saysal elektronikten anmsayacanz temel RS flip flop
devresini oluturmaktadr.
ki transistrden meydana gelen bu devre bilgi saklanmasnda kullanlr.
de
222
10B
KONULAR:
ri.
FAZ KAYMALI RC OSLATR

Osilatrler ve temel alma prensipleri
2.
Faz Kaymal RC osilatrn temel alma prensipleri ve zellikleri
tla
1.
GEREKL DONANIM:
rs
no
G Kayna: 12VDC
Transistr: BC108C veya Muadili
Diren: 1K, 2x2.2, 3.3, 5.6K, 4x10K, 22K, 33K
Kondansatr: 3x10n, 10F, 47F
N BLG:
de
DC gerilimi istenilen frekansta iaretlere dntren devrelere osilatr denir. Osilatrler

DC gerilim kaynaklar ile beslenirler. Bir osilatr devresi; osilasyonu balatan rezonans
devresi, ykselte ve geribesleme katlarndan olumaktadr.
em
Temel osilatr devrelerinden sinsoydal k alnr. Fakat klarnda kare, gen v.b
dalga biimleri elde edilebilen osilatr tasarm da yaplabilir.
.e
Osilatrler; kullanm amalar ve zelliklerine bal olarak eitli ekillerde

tasarlanabilirler. Osilasyonun balamasn salayan rezonans devreleri genellikle; R-C
veya R-L pasif devre elemanlarnda oluur. Aada popler ve yaygn kullanm alanlar
bulunan baz osilatr tipleri sralanmtr. Bu osilatr devreleri srayla incelenecektir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC Faz kaymal osilatr

Wien Kpr osilatr
Kolpits osilatr
Hartley osilatr, kristal osilatr v.b
Bir osilatr devresinin oluturulabilmesi iin nce tank devresi (rezonans devresi) ve
ykselte devresine gereksinim vardr. Ayrca osilasyonun srekliliini salamak iin
ykselte devresinde pozitif geribesleme yaplmaldr.
ekil-25.1de ortak emiterli bir ykselte devresi grlmektedir. Bu ykselte devresini
gelitirerek bir osilatr devresine dntrebiliriz. Ortak emiterli ykselte devresinde;
ykselte giriine uygulanan iaret ile kndan alnan iaret arasnda 1800 faz fark
olduunu biliyoruz.
Ortak emiterli ykselte devresini bir osilatr haline dntrmek iin; ykselte
kndan alnacak iaretin bir ksm, pozitif geribesleme ile ykselte giriine
uygulanmaldr. Bu osilasyonun sreklilii iin gereklidir. Osilasyonun balamas ile R-C
devreleri ile gerekletirilir. Osilasyon ilemi iin bir kondansatrn arj ve dearj
sresinden faydalanlr.
223
+VCC=12V
R3
RC
ri.
CC
T1
BC108
C3
tla
Vg
R4
CE
no
RE
ekil-25.1 Ortak emiterli ykselte devresi
de
rs
Ykselte k gerilimini; girie geri besleyerek osilasyon elde edebilmek iin, k

iaretini 1800 faz kaydrmak gerekmektedir. RC faz kaydrmal osilatr devresinin temel
prensibi bu koula dayanmaktadr. ekil-25.2de RC faz kaydrmal osilatr devresi
verilmitir. Devre dikkatlice incelendiinde k iaretinin bir ksm RC geri besleme
elemanlar ile girie geribeslenmitir.
em
Her bir RC hcresi; k iaretinin bir ksmn 600 faz kaydrmaktadr. k ile giri
arasnda 3 adet faz kaydrma devresi kullanlmtr. Dolaysyla k iaretinin faz 1800
kaydrlarak girie pozitif geribesleme yaplmtr.
+VCC=12V
.e
R3
RC
CC
C1
T1
BC108
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C2
R1
C3
R2
R4
Faz Kaydrc
RE
CE
Ortak Emiterli Ykselte
ekil-25.2 RC faz kaydrmal osilatr devresi
Her bir RC devresinin 600 faz kaydrmas istenirse R1=R2=Rg ve C1=C2=C3 olarak
seilmelidir. Rg, ortak emiterli ykseltecin giri empedansdr.
Giri empedansnn R1 ve R2'ye eit olmas gerekmektedir. Bu koullar saland zaman,
k iaretinin frekans aadaki forml yardm ile bulunur.
224
Kaplan
f=
1
2 C
6 R12 + 4 R1 RC
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
Osilasyonlarn genlii, geribesleme oranna ve ykseltecin kazancna baldr.

Geribesleme oran seri RC devrelerinin toplam empedansna baldr. Bu empedans
arttka geribesleme oran decek ve k iaretinin (osilasyonun) genlii azalacaktr.
+VCC=12V
no
R3
10K
RC
5.6K
CC
C1
C2
10nF
R2
10K
R4
10K
10K
de
R1
Faz Kaydrc
em
T1
BC108
10F
V
10nF
rs
10nF
C3
RE
5.6K
CE
47F
Ortak Emiterli Ykselte
ekil-25.3 RC Faz Kaydrmal Osilatr Devresi
DENEYN YAPILII:
1.2
ekil-25.3'deki faz kaymal osilatr devresini deney seti zerine kurunuz. Osilatrn
k iaretini gzlemlemek iin gerekli osilaskop balantsn yapnz.
Osilatr k iaretinin (V) ve Q1 transistrnn beyzindeki iaretin dalga
biimlerini ekil-25.4'deki diyagrama orantl olarak iziniz.
.e
1.1
V/DIV=
T/DIV=
V/DIV=
T/DIV=
ekil-20.4 RC osilatrn k ve beyz iaretlerinin dalga biimleri
225
1.3
aretin tepeden tepeye deerini ve frekansn lerek elde ettiiniz sonucu ilgili
yere kaydediniz.
V =
volt
Osilatr k iareti ile, transistrn beyzindeki iareti ayn anda osilaskop ta

gzleyiniz. Bu iki iaret arasnda faz fark var m? Varsa ilgili yere not ediniz?
tla
1.4
Herz
ri.
f=
no
=______________
ekil-25.3'deki deney devresinde RE diren deerini tablo-25.1'de verilen deerlere

sra ile deitiriniz. Her deer iin k iaretinin tepeden tepeye deerini ve
frekansn lerek tablo-25.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
1.6
Osilatr devresini ekil-25.3'deki ilk haline getiriniz. Devredeki R1 direnci yerine

22K' luk bir diren balaynz. Bu durumda k iaretinin genlii ve
frekansndaki deiimi gzleyerek sonucu ilgili yere not ediniz.
de
rs
1.5
RE ()
V t-t (volt)
F (Herz)
.e
em
6.6K
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
5.6K
3.2K
Tablo-25.1 Osilatr Kazancnn Etkileri
V =
volt
Herz
f=
SORULAR:
1.
Osilatr devresinin osilasyona balamas iin k ve geribeslenen giri iaretleri

arasndaki faz fark nasl salanmtr? Aklaynz?
2.
Osilatrn almasna RE direncinin etkisini belirtiniz? RE direncinin deiimi

osilatr k iaretinde ne gibi deiimler salar? Aklaynz?
226
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kaplan
KOLPTS OSLATR
Kolpits osilatr (Colpitts Oscillator) devresinin almas ve ilevlerinin incelenmesi
tla
3.
ri.
KONULAR:
GEREKL DONANIM:
N BLG:
rs
no
G kayna: 12VDC
Transistr: BC108C veya muadili
Diren: 2x2K, 10K
Kondansatr: 2n2, 4n7, 10n, 22n, 47n, 0.1, 0.22, 0.47, 1F
Bobin (indktans): 3mH, 10mH, 30mH
em
de
Kolpits osilatrler bir ok uygulamada yaygn olarak kullanlmaktadr. Bu osilatrlerin

rezonans devresi (tank devresi) L ve C elemanlarndan olumaktadr. ekil-26.1'de devre
emas ayrntl olarak verilmitir.
+VCC=12V
C2
R1
10K
L1
C3
2.2nF
V2
.e
T1
BC108
C1
2.2F
R2
2.2K
R3
V1
2.2K
4.7nF
3mH
ekil-26.1 Kolpits osilatr devresi
Devrenin almasn ksaca anlatalm; Osilatr devresinde Q1 transistr ortak beyzli bir
ykselte olarak alr. L, C2 ve C3 rezonans devresi yk empedansdr. Osilatr
devresinin; empedans ve amplifikasyonu rezonans frekansnda yksektir.
Ykselte k iaretinin bir ksm, emitere geri beslendiinde; devre osilasyon yapmaya
balar. Geribeslemenin miktar (oran), C2 ve C3 kondansatrlerinin arasndaki oranla
belirlenir. Geri besleme kkse, emiter gerilimi gibi kollektr akm da sinsoydal
formda olacaktr.
227
DENEYN YAPILII:
ekil-26.1'deki kolpits osilatr devresi verilmitir. Bu devreyi deney seti zerine

kurunuz. Devreye g uygulaynz.
1.2
Devre kndaki iaretleri (V1 ve V2) incelemek iin gerekli osilaskop balantlarn
yapnz. Doru bir lme iin, osilaskop ta gerekli kalibrasyon ayarlarn yapnz.
1.3
Osilatr kndaki V1 geriliminin dalga biimini osilaskopla inceleyiniz ve elde

ettiiniz iareti ekil-26.2'deki diyagrama orantl olarak iziniz.
de
rs
no
tla
ri.
1.1
em
V/DIV=
.e
1.4
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
T/DIV=
V/DIV=
T/DIV=
ekil-26.2 V1 ve V2 gerilimlerinin Dalga Biimleri
V1 iaretinin frekansn aadaki forml kullanarak hesaplaynz. Sonucu

kaydediniz. C; rezonans devresinin toplam kapasite deeridir. Toplam
kapasite;forml yardmyla bulunur.
f=
1
2
LC
f (hesaplanan)=
f (len)=
C=
C 2 xC 3
C2 + C3
Hz
Hz
1.5
Ayn ilemleri V2 iareti iinde tekrarlayarak sonular ilgili yerlere kaydediniz. V2

iaretinin frekansn aadaki forml kullanarak hesaplaynz.
1.6
Sonucu kaydediniz. V2 iaretinin dalga biimini ekil-26.2deki diyagrama orantl

olarak iziniz.
f=
1
2
LC
f (hesaplanan)=
228
Hz
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Hz
f (len)=
1.7
C3 (nF)
4.7
10
4.7
22
10
10
22
10
47
F (KHz) Hesaplanan
22
100
220
100
47
470
220
470
1000
de
30
F (KHz) llen
rs
10
C (toplam)
tla
C2 (nF)
no
L1 (mH)
ri.
Osilatr devresinde kullanlan L1, C2 ve C3 elemanlarn tablo-26.1'de belirtilen

deerlerle sra ile deitiriniz. Her deer iin k iaretinin frekansn lerek,
sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
30
em
Tablo-26.1 Kolpits Osilatr Karakteristikleri
ekil-26.1'deki osilatr devresinde; L=3mH, C2=10nF ve C3=4n7 deerleri iin, V1 ve

V2 gerilimlerinin dalga biimleri zamann bir fonksiyonu olarak ekil-26.3'deki
diyagrama orantl olarak iziniz.
1.9
ekil-26.1'deki osilatr devresinde; L=3mH, C2=10nF ve C3=47nF deerleri iin, V1

ve V2 gerilimlerinin dalga biimleri zamann bir fonksiyonu olarak ekil-26.3'deki
.e
1.8
V/DIV=
T/DIV=
V/DIV=
ekil-26.3 V1ve V2 Gerilimlerinin Dalga Biimleri
229
T/DIV=
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
10D
ri.
WEN KPRL OSLATR
tla
KONULAR:
Wien Kpr devresinin zelliklerini ve karakteristiklerini incelemek
2.
Wien Kprl osilatrn almasn ve karakteristiklerini incelemek.
no
1.
GEREKL DONANIM:
de
rs
Osilaskop: ift Kanall

G Kayna :12VDC
aret reteci (Signal Generator)
Transistr: 2xBC108C veya muadili
Diren: 2x1K, 2x1.5K, 2x2.2K, 2x4.7K, 2x10K, 3x33K, 68K, 2x100K, 220K
Potansiyometre: 470
Kondansatr: 2x4.7nF, 22nF, 47nF, 2.2F, 47F Elko
em
DENEY: 1
WIEN KPR DEVRESI
N BLG:
Wien kprs, endstriyel elektronik devre uygulamalarnda ve eitli endstriyel
cihazlar da sklkla kullanlmaktadr. En popler ve yaygn kullanm alan ise osilatr
devrelerindedir. ekil-27.1'de bir Wien kpr devresi grlmektedir.
.e
Bu deney de; bir wien kpr devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri ayrntl
olarak incelenecektir.
C
R1
4.7nF
68K
R
10K
Vg
V1
R2
33K
ekil-27.1 Wien kpr devresi
230
4.7nF
10K
V2
DENEYN YAPILII:
ekil-27.1'de Wien kpr devresi grlmektedir. Bu devreyi deney seti zerine

kurunuz. Devre giriine (Vg); genlii 10Vt-t olan 200Hz'lik bir sinsoydal iaret
uygulaynz. k iaretinin tepeden tepeye deerini lerek sonucu tablo-27.1'deki
ilgili yere kaydediniz.
1.2
Giri iaretinin (Vg) frekansn tablo-27.1'deki deerlere gre sra ile deitiriniz. Her
deer iin k iaretinin (V) tepeden tepeye deerini lerek tablo-27.1'deki ilgili
yerlere kaydediniz.
1.3
Devrede;
no
tla
ri.
1.1
V(t-t)=V1(t-t)-V2(t-t)
rs
gerilimleri arasndaki zaman ilikisini (t) gsteriniz. Aadaki forml kullanarak

V1 ve V2 iaretleri arasndaki faz asn hesaplaynz ve elde ettiiniz sonular
kullanmak zere not ediniz.
= 360 0.f. t
de
ltnz ve hesapladnz deerleri tablo-27.1'e kaydediniz.
em
R=10K, C=4.7 nF
.e
F (Hz)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V (t-t)
R=33K, C=4.7 nF
F (Hz)
V (t-t)
R=100K, C=4.7 nF
F (Hz)
200
200
200
400
400
400
600
600
600
800
800
800
1000
1000
1000
2000
2000
2000
4000
4000
4000
6000
6000
6000
10000
10000
10000
15000
15000
15000
Tablo-27.1 Wien kpr devresinin karakteristikleri
231
V (t-t)
ekil-27.1'deki wien kpr devresinde R direnlerini 33K, ve C kondansatrlerini

4.7nF yaparak devreyi yeniden dzenleyiniz. Bir nceki admdaki deneyi
tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-27.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
1.5
ekil-27.1'deki wien kpr devresindeki R direnlerini 100K ve C

kondansatrlerini 4.7nF yapnz. Deneyi tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo27.1'deki ilgili yerlere yaznz.
tla
ri.
1.4
no
DENEY: 2
WEN KPRL OSLATR
de
N BLG:
rs
Bu deneyde Wien Kpr ile gerekletirilmi bir osilatr devresini inceleyeceiz.

Osilatrler hakknda baz temel kavramlara sahip olacaz.
Bir elektronik devre giriine bir AC iaret uygulanmadan, knda periyodik bir AC
iaret retiyorsa bu tr devrelere Osilatr denir.
em
Osilatrler DC g kaynaklarndan beslenirler. Bunun sonucu olarak DC gerilimi istenilen

frekansa sahip iaretlere dntrlrler. Temel osilatr devrelerinden sinsoydal k
alnr. Ayrca, kare dalga ve testere dii gibi eitli dalga formlarna sahip osilatrler
vardr.
Osilatrler kullanm amalarna ve uygulama alanlarna bal olarak eitli tip ve modelde
retilirler. Osilatrlerde kullanlan temel devreler; osilasyonu balatan rezonans devresi,
ykselte ve geribeslemedir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Rezonans devreleri; L ve C elemanlarndan yada R ve C elemanlarndan oluur ve bu

isimle anlrlar. Aada yaygn olarak kullanlan baz osilatr tipleri verilmitir.
Kolpits Osilatr (Colpitts Oscillator)
Hartley Osilatr
Wien Kpr Osilatr
Faz Kaymal Osilatr.
Bu uygulamada ekil-27.2'de grlen wien kpr osilatr devresini inceleyeceiz.
Devrenin almasn ksaca zetleyelim.
232
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vcc=+12V
R3
10K
P
470
R1
ri.
Q2
BC108
C1
R2
100K
R4
10K
R5
10K
C2
47F
no
BC108
tla
2.2F
Q1
220K
ekil-27.2 Wien kprl osilatr devresi
rs
Q1 ve Q2 transistrleri ile oluturulan her iki ykselte kat bir evirmeyen ykselte olarak
grev yapar. P potansiyometresi osilatr k gerilimi V'n bir ksmnn girie geri
beslenmesinde kullanlr.
de
Wien kpr osilatrnn zayflatma katsays ykselte ile kompanze edilir. Osilatr
devresindeki P direnci ayarlanarak, devrenin balang osilasyonu kontrol edilir.
em
Geribesleme tek bir frekansta oluur. Balang osilasyonunun ayarlanmas ile, osilatr
knda sinsoydal bir iaret elde edilir. Elde edilen bu iaretin frekans ise devrede
kullanlan R ve C elemanlarna baldr.
DENEYN YAPILII:
2.2
ekil-27.2'de verilen wien kpr osilatr devresini deney seti zerine kurunuz.
R=1K ve C=22nF kullannz.
Devre kna osilaskop balayarak k iaretini inceleyiniz. Osilatr knda
distorsiyonsuz bir sinsoydal iaret elde etmek iin P potansiyometresini
ayarlaynz. k iaretindeki deiimi osilaskop ta gzleyiniz. Elde ettiiniz
iaretin dalga biimini ekil-27.3deki diyagrama orantl olarak iziniz.
.e
2.1
V/DIV=_____________ T/DIV=_____________
ekil-22.3 Wienkpr osilatrnn k dalga biimi
233
ekil-27.2'deki wien kpr osilatr devresindeki R ve C elemanlarn tablo-27.1'de

belirtilen deerlerle deitiriniz. Osilatr devresinde;
f=
1
2 RC
ri.
2.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1K
V (t-t)
KHz
22n
47n
rs
1K
C (F)
no
R ()
tla
olduunda, yani osilatr devresinin k maksimuma ulatnda, giri ve k

gerilimi arasnda faz kaymas; =0'dr. Kullandnz her deer iin k gerilimini
ve frekans lnz. Sonular tablo-27.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
22n
2.2K
100n
em
de
2.2K
4.7K
22n
4.7K
47n
Tablo-27.2 Osilatr devresinin Karakteristikleri
1.
Osilatrler; salnm reten elektronik dzenlerdir.
2.
Osilatrler, bir ykselte kat ile birlikte kullanlan R ve C elemanlarndan oluurlar.
3.
Bu tip osilatr devrelerinde osilasyonun sreklilii geribesleme ile salanr.
.e
ZET:
234
Kaplan
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
BLM 1
Kaplan
co
m
ri.
TRANSSTRL DFERANSYEL
YKSELTE
KONU:
tla
Transistrlerle gerekletirilmi Diferansiyel (farksal) ykseltecin zellikleri, almas

ve eitli karakteristikleri incelenecektir.
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
G Kayna: 2x12VDC
aret reteci (SIG.GEN)
Transistr: 3xBC108C
Diren Kutusu (Rezistor Box)
Diren: 680W, 3x1KW, 2K2W, 4K7W, 3x10KW
Potansiyometre: 1KW
Kondansatr: 2x100F
N BLG:
.e
em
zellikle fiziksel ve biyolojik byklklerin llmesinde diferansiyel ykselteler

kullanlr. Bu tip ykselteler iki ayr girie sahiptirler ve girilerinden uygulanan
iaretlerin farkn alarak ka aktarrlar. Diferansiyel ykseltecin blok diyagram
ekil-1.1'de gsterilmitir.
ekil-1.1 Diferansiyel Ykseltecin Blok Diyagram

deal bir diferansiyel (farksal) ykselte, her iki giriinden uygulanan V1 ve V2
iaretlerinin farkn alr ve istenilen oranda ykselterek kna aktarr. Dolaysyla
k iaretinin deeri;
Kaplan
co
m
tla
ri.
V0=Ad(V1-V2)
eklinde formle edilir. Pratik uygulamalarda yukardaki Vo eitliini elde etmek
mmkn deildir. nk ykseltecin yapmndan ve elemanlarn toleranslarndan
kaynaklanan kstlamalar vardr. Bu kstlamalar Diferansiyel ykselteci ideal
durumdan uzaklatr. Diferansiyel ykselteci ideal almadan uzaklatran
etkenlerden en nemlisi Ortak Mod Kazancdr. Bu kazan, AColarak tanmlanr. yi
dzenlenmi bir diferansiyel ykseltete; Ortak Mod Kazanc yok edilmeli veya
minimuma indirilmelidir.
rs
no
Ortak mod kazancnn yok edilmesi, oransal olarak CMRR ile ifade edilir. CMRR
deeri (Commen Mode Ration Range) aadaki gibi formle edilir.
em
de
Yukardaki formlde Ad, diferansiyel kazan, AC ise ortak mod kazancdr. yi

dzenlenmi bir diferansiyel ykseltete CMRR oran yksek olmaldr.
DENEY: 1
- Bu deneyde iki transistrle gerekletirilmi temel diferansiyel ykseltecin DC

analizini yapp alma artlarn inceleceiz. Ayrca diferansiyel ykseltecin optimum
alma noktalarn belirleyeceiz.
.e
DFERANSYEL YKSELTE:
DENEYN YAPILII:
de
rs
no
tla
ri.
ekil-1.2'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. P potansiyometresini kullanarak

her iki transistrn kollektr gerilimleri eit olacak ekilde 6V'a ayarlaynz.
ekil-1.2 Temel Diferansiyel Ykselte Devresi
em
Saysal bir voltmetre kullanarak her transistrn beyz, emiter ve kollektr polarma
gerilimlerini devrenin asesine gre lnz. Elde ettiiniz sonular tablo-1.1'deki
ilgili yerlere kaydediniz.
.e
Transistr
Kaplan
co
m
Kollektr Gerilimi Vc Beyz Gerilimi VB Emiter Gerilimi VE

(v)
(v)
(v)
Q1
Q2
Tablo-1.1 Diferansiyel Ykselte Devresinde DC alma artlar
DENEY: 2
ORTAK MOD KAZANCI (Ac):

Bu deneyde; diferansiyel ykselteci ideal durumdan uzaklatran ortak mod kazancn
(AC) belirleyeceiz ve bu kazanc minimuma indirme yntemlerini aratracaz ve
uygulayacaz.
Kaplan
co
m
N BLG:
ri.
Diferansiyel ykseltecin her iki giriinden ayn iaret uygulandnda k iaretinin

ideal olarak sfr olmas gerekir. Pratikte bu durum mmkn olmayabilir. ekil-1.3'de
diferansiyel ykseltecin ortak mod kazancn lmek iin gerekli devre balants
verilmitir. Dikkat ederseniz ykseltecin her iki giriine de ayn iaret
uygulanmaktadr.
tla
DENEYN YAPILII:
no
Deney-1'de kullandnz (ekil-1.2) devreyi ekil-1.3'deki gibi dzenleyerek deney

rs
aret reteci devreye bal deilken P potansiyometresi ile ykseltecin DC polarma

gerilimlerini optimum seviyeye ayarlaynz.
em
de
Not:
Bunun iin bir nceki deneyde elde ettiiniz tablo-1.1'deki sonulardan
yararlanabilirsiniz.
Ykseltecin giriine, 1KHz sinsoydal iaret veren ve genlii minimum olan iaret
retecini balaynz.
.e
Ykseltecin giri ve k iaretlerini (V01 ve V02) gzlemlemek amac ile gerekli

osilaskop balantlarn yapnz.
ekil-1.3 Ortak Mod Kazancnn llmesi
aret retecinin k genliini ykselte klarnda (V01 ve V02) maksimum

distorsiyonsuz bir gerilim elde edene kadar artrnz.
ri.
Bu durumda ykselte giriine uyguladnz iaretin etkin deerini (Virms) bir

voltmetre ile lerek sonucu tablo-1.2'deki ilgili yere kaydediniz.
AC*
rs
no
tla
ORTAK MOD (COMMEN MOD) ALIMA

RE ()
Vi (rms)
Vo1 (rms) Vo2 (rms)
680
1K
4K7
Transistrl
Akm
Kayna
de
Sonularn Analizi Blmnde Hesaplanacaktr.
Tablo-1.2 Diferansiyel Ykselte de Yaplan eitli lmler
em
Her iki transistrn k iaretlerinin (V01 ve V02) etkin deerlerini lnz. Elde
ettiiniz sonular tablo-1.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
Devrede, RE emiter direncini 1K yapnz. Deneyi paragraf-2.2'den 2.7'ye kadar

Deneyi, emiter direnci (RE) 4K7 iinde ayn ekilde tekrarlaynz. Elde ettiiniz
sonular tablo-1.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
ekil-1.3'deki diferansiyel ykselte devresinde emiter direnci (RE) yerine transistrl

sabit akm kayna balamak iin devreyi ekil-1.4'deki gibi yeniden dzenleyiniz.
Transistrl sabit akm kayna devresi ekil zerinde kesik izgilerle belirtilmitir.
Deneyi paragraf-2.2'den 2.7'ye kadar tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo1.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
ri.
tla
no
rs
de
ekil-1.4 Transistrl Sabit Akm Kayna
em
DENEY: 3
DFERANSYEL (FARKSAL) KAZAN:
.e
Bu deneyde; diferansiyel ykselte devresinin en nemli parametresi olan

diferansiyel kazan (Ad) miktarn inceleyeceiz.
Kaplan
co
m
N BLG
ekil-1.5'de diferansiyel kazanc lmek iin gerekli devre balants verilmitir.
Devre incelendiinde ykseltecin her iki giriine farkl iaretler uyguland grlr.
Bu durum da ideal olarak ktan alnan iaret her iki girie uygulanan iaretin fark
olmaldr.
DENEYN YAPILII:
Bir nceki deneyde kullandnz devreyi ekil-1.5'deki gibi yeniden dzenleyiniz.
Bu devre iinde bir nceki deneyde yaptnz paragraf-2.2'den 2.7'ye kadar olan
ilemleri tekrarlaynz. Giri gerilimi (Vi) ile ktaki fark gerilimi (Vod) deerlerini
lerek elde ettiiniz sonular tablo-1.3'deki ilgili yerlere kaydediniz.
NOT:
ekil-1.5 Diferansiyel Kazancn llmesi
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Fark gerilimi Vd, ktan alnan V01 ve V02 iaretlerinin farkdr. Bu gerilimi lmek
iin; voltmetrenin negatif ucunu Q1'in kollektrne, pozitif ucunu ise Q2'nin
kollektrne balaynz. Bu lmeyi yaparken k iareti distorsiyonlu olmamaldr.
V01 ve V02 iaretlerini osilaskobun iki kanalna (Y1 ve Y2) balaynz ve osilaskobu
fark moduna ayarlaynz. Eer fark iareti (Vod) distorsiyonlu ise, giri gerilimini
distorsiyonun balad noktaya kadar azaltnz.
Kaplan
co
m
Ayn devreyi RE=1K, 4K7 deerleri iinde tekrarlaynz. Sonular tablo-1.3'deki

ilgili yerlere yaznz.
DFERANSYEL MOD
RE ()
Vi (rms)
680
1K
4K7
Transistrl
Akm
Kayna
Vod (rms)
Ad *
CMRR*
Tablo-1.3 Diferansiyel Ykselte de Yaplan eitli lmler
tla
ri.
Ayn deneyi emiter direnci (RE) yerine ekil-1.6'deki transistrl sabit akm kaynan
kullanarak tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-1.3'deki ilgili yerlere yaznz.
rs
SONULARIN ANALZ:
no
ekil-1.6 Transistrl Sabit Akm Kayna Devresi
em
de
Diferansiyel ykseltecin ortak mod kazancn (Ac) tablo-1.2'de elde ettiiniz

sonulardan yararlanarak hesaplaynz. Elde ettiiniz deerleri ilgili yerlere
kaydediniz. Ortak mod kazanc aadaki forml yardm ile bulunur.
.e
Ykseltecin diferansiyel kazancn (Ad) tablo-1.3'de belirtilen her deer iin

hesaplaynz. Sonular tablodaki ilgili yerlere yaznz.
Kaplan
co
m
Ykseltecin ortak mod eleme orann (CMRR) tablo-1.3'de elde ettiiniz deerlerden
faydalanarak hesaplaynz. Sonular tablodaki ilgili yerlere yaznz.
ZET:
Diferansiyel ykselte iki girie sahiptir.
Diferansiyel knda bir kazan elde edebilmek iin girilerinden farkl fazda iaret
uygulanmaldr. Dier taraftan ayn fazda iki iaret uyguland zaman ortak mod
kazanc elde edilir.
Kaplan
co
m
ri.
Ortak mod eleme orannn (CMRR) saysal deeri ykseltecin kalitesini belirler. Bu
deerin yksek olmas iyi bir diferansiyel ykselte iin gereklidir.
Diferansiyel ykseltelerde Ortak mod eleme oran direkt olarak emiter devresindeki
diren deerine (RE) baldr.
tla
Ortak mod eleme oran, emiter direnci yerine transistrl sabit akm kayna
kullanlarak ykseltilebilir.
SORULAR:
no
Diferansiyel ykseltecin direkt kuplajl ykseltelere nazaran avantajlar nelerdir?
VEE besleme kayna kullanlmadan diferansiyel ykselteler altrlabilir mi?
rs
Neden? Aklaynz?
de
Diferansiyel ykseltelerde emiter direnci yerine transistrl akm kayna
.e
em
balamann avantajlar nelerdir? Aklaynz?
10
co
m
Kaplan
DFERANSYEL YKSELTE UYGULAMALARI
ri.
KONU:
tla
Transistrl Diferansiyel Ykseltecin leyii tantlacak ve rnek bir uygulama

devresi incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
de
rs
no
G Kayna: 12VDC
Saysal veya Analog Multimetre
Transformatr: N1:1600 N2:2x525 Sarm
Transistor: 3xBC108C
NTC: Negatif Is Katsayl Diren
Diren: 100, 150, 1K, 2K2, 2x4K7, 10K, 47K
Potansiyometre: 470, 10K
N BLG:
em
Blm-1de diferansiyel ykselte devresi ayrntlar ile incelenmiti. Bu blmde; DC

polarma gerilimleri sabit olarak ayarlanm diferansiyel ykseltecin diferansiyel
kazancn inceleyeceiz. Bunun iin ekil-2.1'deki devre gelitirilmitir. Devrenin en
nemli zellii ortak mod ve diferansiyel almann bir transformatr yardm ile
gerekletirilmesidir.
Diferansiyel ykseltecin giri iaretleri bir transformatr zerinden uygulanmtr.
Transformatr yardm ile ykseltecin diferansiyel mod'da ve ortak mod'da almas
salanabilir.
.e
BLM 2
DENEY: 1
DFERANSYEL YKSELTE:
Bu deneyde diferansiyel ykseltecin diferansiyel ve ortak mod'da almas
incelenecektir. almalarda kullanlacak diferansiyel ykselte devresi ekil-2.1de
verilmitir.
11
ri.
tla
no
ekil-2.1 Transistrl Diferansiyel Ykselte Devresi
rs
DENEYN YAPILII:
de
ekil-2.1'deki diferansiyel ykselte devresini deney seti zerine kurunuz. aret

retecinin kn 100mVp-p deerine ayarlayarak, 1KHz'lik sinusoydal bir gerilimi
devre giriine transformatr zerinden uygulaynz.
em
Her iki transistrn (Q1 ve Q2) beyz ve kollektr gerilimlerini osilaskopta gzleyiniz.
Elde ettiiniz sonular tablo-2.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
Diferansiyel ykseltecin k gerilimini (Vd) osilaskopta gzleyiniz. Elde ettiiniz

deeri kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
Vd=__________________ volt
Transistr VB (beyz) p-p
Q1
Q2
VC (kollektr)p-p A=VCp-p/VBpp
Tablo-2.1 Pu-pul almada Veriler.

Tablo-2.1e kaydettiiniz deerleri kullanarak, her iki transistrn diferansiyel
almada (Bu alma ekline pu-pul almada denir) kazanlarn hesaplaynz.
Elde ettiiniz sonular tablo-2.1'deki ilgili yerlere kaydediniz. Hesaplamalarda
aadaki formlleri kullanabilirsiniz.
12
Kaplan
ri.
co
m
tla
Q1 transistrnn beyz'inden transisformatrn 3 nolu noktasna gelen balanty

karnz. Bu balanty transformatrn 5 nolu noktasna yapnz.
Not:
no
Bu durumda; her iki transistrn giriine ayn iareti uyguladnz. Bu almaya ortak
mod alma denir.
rs
Transformatr giriine Vin=10Vp-p, 1KHz sinsoydal bir iaret uygulaynz.

Osilaskopla her iki transistrn beyz ve kollektr gerilimlerinin tepeden tepeye
deerlerini lnz. Elde ettiiniz sonular tablo-2.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
de
Transistr VB (beyz) p-p
VC (kollektr)pA=VCp-p/VBpp
p
em
Q1
Q2
Tablo-2.2 Ortak-Mod leyiinde Veriler
1.9 Ayn ekilde diferansiyel k geriliminde tepeden tepeye deerini lerek

sonucu kaydediniz.
1.10 ltnz deerleri kullanarak ortak mod almada ykseltecin gerilim

kazanlarn hesaplaynz. Sonular tablo-2.2'deki ilgili yerlere yaznz.
.e
Vd=_______________ volt
1.11 Diferansiyel ykseltecin ortak mod eleme orann (CMRR) bulunuz. Sonucu lgili
yere kaydediniz.
CMRR= ______________
13
ZET:
DENEY: 2
no
tla
ri.
Q1 ve Q2 transistrlerinin giri iaretleri genlik ve faz olarak ayn deerde tutulursa,

bu duruma ortak mod ileyii denir.
Ortak mod ileyiinde; Q1 ve Q2 transistrlerinin kollektr potansiyelleri arasndaki
fark pratik olarak 0'dr.
Q1 ve Q2 transistrlerinin girilerine uygulanan iaretler ters fazda iseler, bu alma
moduna pu-pul (diferansiyel) alma denir. Bu durumda ykseltecin k direnci
alak, gerilim kazanc ise yksektir.
Diferansiyel gerilim; Q1 ve Q2 transistrlerinin kollektrlerindeki gerilimlerin
toplamdr.
rs
DFERANSYEL YKSELTE LE ISI LM:
em
de
Diferansiyel ykseltelerle pek ok uygulama gerekletirildiine deinmitik. Bu

blmde bir NTC yardm ile s lm ve kontroln inceleyeceiz.
Is lmnde kullanlmak zere sl katsayl direnler retilmitir. Bunlar NTC ve
PTC olarak adlandrlrlar.
.e
NTC; negatif s katsayl bir direntir. Yzeyine uygulanan s miktarna artnda

diren deeri der. PTC ise pozitif s katsayl direndir. Yzeyine uygulanan s
miktarna artnda diren deeri artar. retici firmalar ok farkl diren deerlerine
sahip NTC ve PTC retimi yapmaktadrlar.
Kaplan
co
m
N BLG:
ekil-2.2'de evre scaklnn veya referans alnan herhangi bir scaklk deerinin
deitiini bildiren uygulama devresi grlmektedir.
Devrede, R1, R2, R3 ve R4 (PA+PB) wheatstone kprs olarak grev yaparlar.

evre scakl PB potansiyometresi ile dengelenerek ykseltecin Vdif k 0V'a
ayarlanr.
14
ri.
tla
no
rs
ekil-2.2 NTC le Scaklk Kontrol Ve lm
de
Q1 ve Q2 transistrleri yksek kazanl bir diferansiyel ykselte gibi balanmlardr.

evre scaklndaki kk bir deiim NTC'nin direncini deitirecektir. NTC
direncindeki bu deiim ise kprdeki dengeyi bozar.
em
Bu durumda; Q1 ve Q2 transistrlerinin beyzleri arasnda bir fark gerilimi oluur. Bu

gerilim scaklk deiimi ile orantldr ve Q1 ile Q2 transistrnn kollektrleri
arasndan ykseltilmi olarak llebilir. (Vdiff)
Sonuta; NTCnin alglad evre scaklndaki kk bir deiim, NTCnin diren
deerini deitirecektir. Bu durum, sistemin dengesini bozacak ve diferansiyel
ykselte knda belirlenecektir.
.e
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII:
ekil-2.2'de verilen uygulama devresini deney seti zerine kurunuz. Devreye enerji
uygulamaynz.
NTC'yi; 40cm'lik balant kablolar kullanarak devreye balaynz. NTC yzeyi size
dnk olmaldr.
Devreye enerji uygulaynz. Devredeki Vdiff gerilimini lmek iin saysal voltmetre
balaynz. Vdiff gerilimini PB potansiyometresi yardm ile 0V'a ayarlaynz.
NTC'yi elinize alnz. NTCnin Isl direncini deitirmek iin parmaklarnzla yzeyine
dokunuz veya nefesinizle scak hava fleyiniz.
Bu anda saysal voltmetreden Vdiff gerilimindeki deiimi gzlemleyiniz ve elde
ettiiniz sonucu kaydediniz.
Vdiff=______________
15
Kaplan
co
m
ZET:
ri.
Bu almada s deiimi bir NTC yardm ile alglanm ve diferansiyel ykseltele

kontrol edilmitir. Bir ok endstriyel uygulamada bu tr devreler kullanlmaktadr.
NTC, Is katsayl bir direntir. NTCnin direnci bulunduu ortam koullarna bal
olarak deimektedir. NTC; negatif katsayl diren, PTC; pozitif katsayl direndir.
tla
SORU:
.e
em
de
rs
no
Isya duyarl elektronik devre elemanlar hakknda bilgi veriniz. Devre sembollerini
iziniz?
16
co
m
Kaplan
OPAMP KARAKTERSTKLER
ri.
KONU:
tla
Operasyonel (ilemsel) ykseltelerin temel zellikleri ve eitli karakteristikleri

incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
de
N BLG:
rs
no
G Kayna: 12V DC,

aret reteci (Signal Genarator)
Multimetre (Saysal veya Analog)
741 Tipi opamp (LM741, NE741, uA741v.b)
Diren: 1K, 100K, 1M
Potansiyometre: 2x10K
em
Operasyonel ykselteler, elektronik ve endstriyel kontrol dzenlerinde yaygn

olarak kullanlan devre elemanlardr. Ksaca opamp olarak isimlendirilirler.
Gnmzde tek bir tmdevre (entegre) ierisine yerletirilmi yzlerce tip opamp
vardr. Bunlar retici kataloglarndan incelenebilir. Bu kitap boyunca; 741 tipi opamp
tmdevresini inceleyeceiz ve pek ok uygulama devresi gerekletireceiz. Bu
nedenle 741 tipi Opamp'n baz nemli karakteristik deerleri aada verilmitir.
Besleme gerilimi
: 18V (maksimum)
Giri gerilimi : 18V (maksimum)
Kazan (f=1Hz)
: 500000
Kazan (f=100KHz) : 10
k empedans
: 300 ohm (yaklak)
Giri empedans
: 1 Mohm
CMRR: 90 Db
.e
BLM 3
741 tipi Opamp'lar genellikle pozitif ve negatif olmak zere simetrik besleme gerilimi
ile alrlar. Eviren (faz eviren) ve evirmeyen (faz evirmeyen) olmak zere iki adet
girie sahiptirler. 741 tipi tmdevre Opamp kndan maksimum 25mA akm
ekilebilir ve k ar akma kar sl korumaldr. ekil-1.1de 741 tipi opamp'n
sembol,
pin
balantlar
ve
baz
nemli
zellikleri
gsterilmitir.
Opamplarn en temel zellikleri, ak evrim ve kapal evrim altnda almalar ile
belirginleir. Bu blmde; opampn bu iki zellii ayrntl olarak incelenerek tasarm
yetenei gelitirilecektir.
17
Kaplan
tla
ri.
co
m
DENEY: 1
rs
AIK EVRM KAZANCI
no
ekil-1.1 741 tipi Opamp tmdevresinin bacak (pin) balantlar
de
Opamp'n gerilim kazanc, k iaretinin bir ksm girie geri beslenerek kontrol
edilebilir. Geri besleme kullanlmadnda ise kazanc kontrol etmek mmkn deildir.
Bu blm de 741 tipi opamp tmdevresinin geri beslemesiz (ak evrim) kazancn
inceleyeceiz.
em
DENEYN YAPILII
Opamp knda elde edilen gerilimi lnz. Giri gerilimi ase (0V) potansiyelinde
olduu halde k geriliminin +V veya V besleme gerilimine kilitlendiini
greceksiniz.
.e
Opampn geribeslemesiz (ak evrim) almasn incelemek iin ekil-3.1' deki

deney devresini, deney seti zerine kurunuz. G kaynaklarn anz.
Devreyi dikkatlice inceleyiniz. Opamp k ucu bota braklm, k ucu ile giri
ucu arasnda geribesleme yaplmamtr.
ekil-3.1 Opampn Ak evrim (Geribeslemesiz) almas
18
Kaplan
co
m
Opamp girilerini ase potansiyelinden sknz ve bo braknz. k iaretini

voltmetrede tekrar gzlemleyiniz.
no
tla
ri.
Opampn geribeslemesiz (Ak evrim) almasn incelemeye devam edelim.

Opampn her bir giriine uygulanan iaretlerdeki deiimler opamp kn
nasl etkiliyor. Bu durumu incelemek amac ile ekil-3.2deki balantlardan
faydalanacaz.
nce opampn negatif giriine uygulanan iaretler, knda nasl bir deiime
neden oluyor. Bu durumu incelemek iin ekil-3.2deki devre balantsn set zerine
kurunuz.
Devreyi dikkatlice incelersek opampa geri besleme yaplmamtr. Opampn
Negatif (eviren) giriine 10Kluk pot zerinden +12V ile 12V arasnda
ayarlanabilen bir gerilim uygulanacaktr. Negatif girie uygulanan bu gerilimin,
opamp kna etkisi aratrlacaktr.
de
rs
Opampn negatif giriine tablo-3.1de belirtilen gerilim deerlerini P1

potansiyometresini kullanarak sra ile uygulaynz. Uyguladnz her deer iin k
gerilimi (Vo) deerlerini lerek tablo-3.1deki ilgili yerlere kaydediniz.
-3
-5
-10
em
AIK EVRM ALIMA (EVREN GR)

Vi (v) 10
5
3
2
1
-1
Vo (v)
.e
Tablo-3.1 Eviren Girile Ak evrim almada Veriler
ekil-3.2 Ak evrim almada Eviren Giriin ka Etkisi

Ak evrim almada eviren girie uygulanan ok kk iaretlerin opamp kn
nasl etkilediini aratrmak iin ekil-3.3deki deney devresi dzenlenmitir.
Bu devre dikkatlice incelenirse; opampn negatif giriine uygulanan iaretler, R2 ve
R3 gerilim blc direnleri ile mVlar seviyesine drlmtr.
19
Kaplan
tla
ri.
co
m
no
ekil-3.3 Opampla Ak evrim alma (Eviren Giri)
rs
Opampn eviren (negatif) giriine uygulanan iaretin gerilim seviyesini P1 potunu

kullanarak tablo-3.2de grlen deerlere sra ile ayarlaynz. Ayarladnz her Vi
deeri iin k iaretinin (Vo) deerini lp tablodaki ilgili yere kaydediniz.
AIK EVRM ALIMA (EVREN GR)
10mV 30mV 50mV 100mV
em
Vo
(v)
de
Vi (v) 100mV 50mV 30mV 20mV 10mV
Tablo-3.2 Eviren Girile Ak evrim almada Veriler
.e
Ak evrim almada eviren giriin opamp kna etkisini inceledik. Bu blmde

evirmeyen (pozitif) giriin ka etkisini inceleyeceiz. Bu ilem iin ekil-3.4de
grlen devre kullanlacaktr. Bu devreyi deney seti zerine kurunuz.
Devreyi dikkatlice incelerseniz eviren giri ase potansiyeline balanm, giri iareti
evirmeyen giriten uygulanmtr.
ekil-3.4 Evirmeyen Girile Ak evrim alma
20
Opampn evirmeyen giriine uygulanan iaretin gerilim seviyesini P1 potunu

ri.
AIK EVRM ALIMA (EVRMEYEN GR)

Vi (v) 10
5
3
2
1
-1
Vo (v)
-5
-10
tla
-3
Tablo-3.3 Evirmeyen Girile Ak evrim almada Veriler
em
de
rs
no
Ak evrim almada evirmeyen girie uygulanan ok kk iaretlerin k nasl

etkilediini aratrmak iin ekil-3.5deki deney devresi dzenlenmitir.
Bu devre dikkatlice incelenirse; opampn eviren giriine uygulanan iaretler, R2 ve
R3 gerilim blc direnleri ile mVlar seviyesine drlmtr.
.e
ekil-3.5 Evirmeyen Girile Ak evrim alma
Kaplan
co
m
Opampn eviren (negatif) giriine uygulanan iaretin gerilim seviyesini P1 potunu

AIK EVRM ALIMA (EVRMEYEN GR)
Vi
100mV 50mV 30mV 20mV 10mV
(v)
10mV 30mV 50mV 100mV
Vo
(v)
Tablo-3.4 Evirmeyen Girile Ak evrim almada Veriler
Ak evrim almada; Opampn eviren ve evirmeyen girileri birlikte kullanlrsa

opamp k nasl etkilenir. Bu durumu incelemek iin ekil-3.6daki devreden
yararlanlacaktr. ekil-3.6daki deney devresini kurunuz.
21
rs
no
tla
ri.
Bu tr almaya; opampn Gerilim karlatrc (Voltage comparator) olarak

almas denir. zellikle iki farkl bykl lmek veya karlatrmak amac ile
endstride ska kullanlr. Komparatrler ileriki blmlerde ayrntl olarak ayrca
incelenecektir.
ekil-3.6 Ak evrim almada, Eviren ve Evirmeyen Girilerin ka Etkileri
.e
em
de
Devre dikkatlice incelenirse; P1 ve P2 potansiyometreleri ile Opampn eviren (V1) ve

evirmeyen (V2) girilerine uygulanan iaretlerin gerilim seviyeleri +12V ile 12V
arasnda ayarlanmaktadr. P1 ve P2 potlarn kullanarak opamp girilerine uygulanan
gerilim deerlerini tablo-3.5de verilen sra ile ayarlayarak uygulaynz. Bu anda
kta elde ettiiniz gerilim deerlerini (Vo) lerek sonular tablo-3.5deki ilgili
yerlere kaydediniz.
Kaplan
co
m
V1 (V)
+1
1
0
+2
+1
+1
1
1
2
V2 (V)
0
0
+1
+1
+2
1
+1
2
1
Vo (V)
Tablo-3.5 Opampn Gerilim Komparatr olarak almas
22
Kaplan
co
m
DENEY: 2
KAPALI EVRM KAZANCI:
tla
ri.
Opampn ak evrimde nasl altn inceledik. Dikkat ettiiniz gibi ak evrim

kazancn incelemede geri besleme kullanmadk. Bu blmde geribeslemenin
opamp'n gerilim kazancna etkisini greceiz. Geribesleme altnda oluan opamp
kazancna, kapal evrim kazanc denir.
DENEYN YAPILII
ekil-3.7 Opampn Kapal evrim almas
Opampn kapal evrimde davrann ayrntl olarak incelemek ve gerilim kazancn

kontrol etmek amacyla ekil-3.8deki deney devresi dzenlenmitir. Bu devreyi
deney seti zerine kurunuz.
.e
em
de
rs
no
Opampn kapal evrim altnda almasn incelemek amac ile ekil-3.7'deki

devreyi deney seti zerine kurunuz. Bu durumda opamp k gerilimini gzleyiniz.
Devreyi dikkatlice inceleyiniz. Opampn k 100Kluk Rf direnci ile girie
geribeslenmitir. Bu tr almaya kapal evrim alma denir.
23
ri.
tla
no
ekil-3.8 Geri Beslemeli opamp devresi
de
rs
Tablo-3.6da verilen giri gerilimi deerlerini (Vin) P1 potu ile salayarak, her giri
deeri iin opampn k gerilimi (Vo) deerlerini lp sonular tablo-3.6daki ilgili
yerlere kaydediniz.
em
Geri Beslemeli Opamp Devresi

Vin (v)
Vo (v)
Tablo-3.6 Geri Beslemeli opamp devresinin verileri
.e
ZET:
Kaplan
co
m
Opamplarn ok yksek gerilim kazanlarndan dolay geribesleme olmakszn kontrol

edilebilmeleri ok gtr. Bu tr almadaki gerilim kazancna Ak evrim gerilim
kazanc denir.
Ak evrim almada giri iaretinin deeri ne olursa olsun, opamp k daima +V
veya V besleme gerilimine kenetlenir.
k iaretinin alaca +V veya V deerleri eviren giri ile evirmeyen girie
uygulanan iaretlerin polariteleri ve gerilim deerlerine baldr.
Opamplarda geri besleme yaplrsa (kapal evrim) gerilim kazancn kontrol etmek
mmkndr.
Opampn gerilim kazanc; opamp kndan alnan gerilimle, opamp giriine
uygulanan
gerilimin
orandr
ve
A
harfiyle
ifade
edilir.
A=Vo/Vi
rnein; 100K'luk direnle yaplan geri besleme sayesinde hassas ve kontrol
edilebilir sonular alnmas salanmtr.
24
Kaplan
co
m
SORULAR:
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
retici katologlarn aratrarak 741 tipi bir opamp'n pin balantlarn iziniz?
Yaygn olarak kullanlan LM747 ve LM324 tipi opamplarn pin balantlarn ve
zelliklerini ksaca belirtiniz?
Aada verilen devrelerde k iaretinin alabilecei deerleri ilgili yerlere
kaydediniz.
25
ri.
KONU:
co
m
Kaplan
EVREN (INVERTNG) YKSELTE
tla
Opamp uygulamas olarak eviren ykselte (op-amp Inverting Amplifier) devresinin

almas ve zellikleri incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
de
rs
no

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7, 6K8, 5x10K, 22K, 47K, 100K
Potansiyometre: 10K
Kondansatr: 2x1F Elektrolitik
N BLG:
em
Eviren ykselte devresi temel opamp uygulamalarndandr. ekil-4.1'de grlen

eviren ykselte devresinde opampn evirmeyen (pozitif) girii topraa balanmtr.
Ykseltilecek iaret ise opamp'n eviren (negatif) giriine uygulanmtr. Devrenin bir
dier temel ilkesi ise RF direnci ile yaplan negatif geri beslemedir. Geribesleme
devrenin gerilim kazancn belirlemede etkindir. Bu devrenin gerilim kazanc aada
formle edilmitir.
.e
BLM 4
Opamp'n k empedans ok dk olduundan, ykselte kna hariten dk

deerli bir yk balanmas halinde, devrenin almasnda herhangi bir aksama
grlmez.
Opampn maksimum k akm, retici tarafndan 25mA'de snrlanmtr. Opamp'n
maksimum k gerilimi ise besleme gerilimi ile snrldr (V).
1
26
ri.
tla
rs
DENEY: 1
no
ekil-4.1 Temel Eviren Ykselte Devresi
de
DC KAZANCIN LLMES
Bu deneyde; eviren ykselte devresinin DC alma altnda zelliklerini

davrannn inceleyeceiz.
ve
em
N BLG
Eviren ykselte devresinin almasn ve zelliklerini incelemek amacyla ekil4.2deki devre gelitirilmitir. Devreyi ksaca tanyalm.
Eviren ykselte devresi temel olarak R1, RF, Rn ve RL direnlerinden meydana

gelmitir. RA ve RB direnleri P potu ile birlikte opampn eviren giriine farkl polarite
ve deerlerde gerilim uygulamak amacyla kullanlm gerilim blc direnlerdir.
Devrenin gerilim kazancn, RF geri besleme direnci ve R1 direnci kontrol etmektedir.
AV=RF/R1; formldeki iareti devrenin faz evirmesinden dolay olumaktadr.
Opampn evirmeyen girii bir Rn direnci zerinden devrenin asesine balanmtr.
Bu diren opampn offset akmn dengelemek amacyla konulmutur. Rn direncinin
deeri yaklak RFR1 oran kadar olmaldr. k geriliminin bota salnmamas
amacyla opamp kna bir RL yk direnci balanmtr.
.e
Kaplan
co
m
27
ri.
tla
no
ekil-4.2 Eviren Ykselte Devresi
rs
DENEYN YAPILII:
de
ekil-4.2'deki uygulama devresini deney seti zerine kurunuz. Vin ve Vo gerilimlerini

lmek iin gerekli balantlar yapnz.
em
Devreye g uygulayarak opamp'n eviren giriine uygulanan Vin gerilimini +1Va

ayarlaynz. Opamp knda elde ettiiniz Vo gerilimini lerek sonucu tablo-4.1deki
ilgili yere yaznz.
R1 (K)
RF (K)
Vin (v)
10
10
10
4.7
22
10
22
47
100
47
47
47
+1
+1
+1
-1
-1
-1
.e
Kaplan
co
m
Vo (v)
AV= RF / AV= Vo /
R1
Vin
Tablo-4.1 Eviren Ykselte Devresi Verileri

Eviren ykselte devresindeki RF direnci deerini 47K yapnz. Elde ettiiniz k
gerilimi deerini lerek sonucu tablo-4.1deki ilgili
yerlere yaznz.
Eviren ykselte devresinin almasn tm boyutlar ile irdeleyebilmek iin Tablo4.1de verilen tm; Vin, Rf ve R1 deerleri iin deneyi tekrarlaynz. Elde ettiiniz
sonular ilgili yerlere yaznz.
Tablo-4.1de elde ettiiniz verilerden yararlanarak eviren ykselte devresinin gerilim
kazancn (AV) hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-4.1'deki ilgili yerlere
kaydediniz.
28
DENEY: 2
AC ALIMA:
ekil-4.3 Eviren Ykseltele AC alma
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Bu deneyde eviren ykselte devresinin AC iaretler altnda almasn ve

zelliklerini inceleyeceiz. AC analizde kullanacamz eviren ykselte devresi ekil4.3de grlmektedir.
Devrede; C1 ve C2 kondansatrleri giri ve k iaretleri iin DC yaltm salar ve
distorsiyon etkisini minimuma indirir.
Bu deney sonucunda; Eviren ykselte devresinin farkl frekanslarda almas ve
frekans-kazan karakteristii incelenecektir.
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII:
Eviren ykseltecin AC iaretlerdeki almasn incelemek iin ekil-4.2'deki deney
devresini set zerine kurunuz. Giri ve k iaretlerinin dalga biimlerini incelemek
iin gerekli osilaskop balantlarn yapnz.
aret retecinin k genliini tepeden tepeye Vp-p=1V'a, frekansn ise 100Hz'e
ayarlayarak ykselte giriine sinsoydal bir iaret uygulaynz.
k iaretinin ald deeri osilaskopta lerek sonucu tablo-4.2deki ilgili yere
kaydediniz.
29
aret retecinin genlii sabit kalmak kouluyla frekansn tablo-4.2de verilen 1KHz
deerine ayarlayn. Bu durumda k iaretinin tepeden tepeye deerini osilaskopta
lerek sonucu ilgili yere kaydediniz.
ri.
Deneyi tablo-4.2de verilen her frekans deeri iin tekrarlaynz. Elde ettiiniz
sonular tablo-4.2deki ilgili yerlere kaydediniz.
tla
Deney devresindeki RF direncini 47K yapnz. Tablo-4.2deki verileri kullanarak

deneyi adm adm tekrarlaynz. Sonular ilgili yerlere kaydediniz.
de
rs
no
Eviren Ykselte Giri areti Vin=1Vp-p

RF=100K in
RF=47K in
Frekans
Vo (Vp-p) Vo (Vp-p) Vo (Vp-p) Vo (Vp-p)
100 Hz
1KHz
10KHz
100KHz
500KHz
1MHz
em
Tablo-4.2 Eviren Ykseltecin AC almada Karakteristikleri
ZET:
Temel opamp uygulamalarndan birisi Eviren Ykselte devresidir.

Eviren ykselte devresinde; Giri iareti opamp'n negatif terminaline uygulanr.
Pozitif terminal ise ase potansiyelindedir.
Eviren ykselte devresinin Gerilim kazanc kontrol edilebilir. (RF/R1)
Eviren ykselte devresinde; giriten uygulanan iaret, ters evrilerek ka aktarlr.
Eviren ykselte, AC iaretler altnda alabilir. k iareti ile giri iareti arasnda
180 faz fark vardr.
.e
Kaplan
co
m
SORULAR
Bir DC eviren ykselte ile AC eviren ykselte arasndaki balca fark nedir?
Eviren ykselte niin yksek giri ve alak k empedansna sahiptir? Aklaynz?
Ykselte DC ve AC iaretler altnda alrken k iareti besleme gerilimi deerini
ayor mu? Neden?
Ykselte giriinden uygulanan iaret knda ayn formda m alnyor? aret ve faz
fark var m? Neden? Aklaynz?
30
Kaplan
co
m
EVREN TOPLAYICI
KONU:
ri.
Opamp uygulamas olarak, eviren toplayc (Op-Amp Summing/adder Amplifier)

devresinin almas ve zellikleri incelenecektir.
tla
GEREKL DONANIM:
rs
N BLG:
no

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7, 6K8, 5x10K, 22K, 47K, 100K
.e
em
de
Bir nceki deneyde kullanlan eviren ykselte devresi tek bir giri iaretini evirerek
ykseltmekteydi. Bu devre gelitirilerek eviren toplayc devre haline dntrlebilir.
Eviren toplayc devre, giriine uygulanan iaretleri toplayarak kna aktarmaktadr.
Temel
bir
eviren
toplayc
devresi
ekil-5.1de
grlmektedir.
Devrede; RA, RB, RC, RD direnleri ve P1, P2 potlar gerilim blc olarak
kullanlmtr. Bu direnler ve potlar yardmyla, eviren toplayc giriine iki farkl
gerilim (V1, V2) uygulanacaktr.
ekil-5.1 Eviren Toplayc Devresi
31
ri.
Bu devrede k iareti Vo, giriten uygulanan iaretlerinin cebirsel toplamna eittir

ve aadaki gibi formle edilir.
no
tla
Bu devrede kullanlan tm direnler eit deerde seilirse yukardaki forml;
rs
olur. Ayn devrede Tm giri direnleri eit seilip, RF geri besleme direnci daha
byk seilirse devremiz bu defa gerilim kazancna sahip olur. Giriten uygulanan
iaretleri toplayp RF/R orannda ykseltir.
DENEYN YAPILII:
.e
em
de
ekil-5.1'deki uygulama devresini deney seti zerine kurunuz. P1 ve P2 potlarn

ayarlayarak opampn eviren giriine uygulanan V1 ve V2 iaretlerini tablo-5.1de
belirtilen
gerilim
deerlerine
ayarlaynz
(V1=+1V,
V2=+2V).
Tablo-5.1in ilk satrnda belirtilen bu deerler (V1=+1V, V2=+2V) iin k gerilimi
Von alaca deeri hesaplaynz. Elde ettiiniz sonucu tablodaki ilgili yere yaznz.
Kaplan
co
m
Giri
(volt)
V1
+1
+1
1
+2
+2
2
Gerilimi
V2
+2
2
2
+1
1
2
Rf=10K in
Rf=22K in
Vo (volt)
Vo (volt)
Hesaplanan llen Hesaplanan llen
Tablo-5.1 Eviren Toplayc Devresinin Verileri

Toplayc devresinin k gerilimini (Vo) lnz. Elde ettiiniz deeri tablo-5.1deki
ilgili stuna yaznz.
Deneyi, tablo-5.1de verilen her V1 ve V2 deeri iin srayla tekrarlaynz. Elde
ettiiniz sonular ilgili yerlere kaydediniz.
Tablo-5.1de verilen V1 ve V2 deerleri iin, k gerilimi Von alaca deerleri
hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
32
tla
ri.
Eviren toplayc devresindeki RF geri besleme direnci deerini 22K yapnz. V1 ve V2

giri gerilimlerini tablo-5.1de verilen deerlere dikkate alarak her deer iin
hesaplaynz. Sonularnz tablo-5.1deki ilgili yerlere kaydediniz.
no
Tablo-5.1de verilen V1 ve V2 deerlerini sra ile ayarlayarak opampa uygulaynz. Her

deer iin eviren toplayc devresinin k gerilimini lnz. Elde ettiiniz sonular
tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
.e
em
de
rs
ekil-5.1de grlen eviren toplayc devresinde R2 direncinin deerini 4K7, RF

deerini ise 10K yaparak devreyi ekil-5.2de grlen duruma dntrnz.
Kaplan
co
m
ekil-5.2 Eviren Toplayc Devresi
Devredeki potansiyometreleri kullanarak; V1 ve V2 gerilimlerini tablo-5.2nin ilk

satrnda verilen deerlere ayarlaynz. k gerilimi Vo lerek sonucu tablo5.2deki ilgili yere kaydediniz.
Deneyi tablo-5.2de verilen tm V1 ve V2 deerleri iin tekrarlaynz. Sonular ilgili
yerlere yaznz.
Tablo-5.2de verilen her V1 ve V2 deeri iin k iareti Von alaca deerleri
hesaplayarak sonular ilgili yerlere yaznz.
33
tla
ri.
Giri Gerilimi (volt) k Gerilimi Vo (volt)

V1
V2
llen Hesaplanan
+1
+2
+1
2
+2
+1
+2
1
2
2
Tablo-5.2 Eviren Toplayc Devresinin Verileri
no
ZET:
Toplayc devreler; giriine uygulanan gerilimlerin cebirsel toplamn alarak kna

aktaran devrelerdir.
rs
Toplama ilemi ile birlikte istenirse toplanan iaretler ykseltme ilemine de tabi
tutulabilir.
em
de
Toplayc devreler opamp kullanlarak gerekletirilebilir. Bu durum bize toplama

ilevinin evirilerek veya evirmeden yaplabileceini belirtir.
EVRMEYEN (NONNVERTNG) YKSELTE

KONU:
Opamp uygulamas olarak evirmeyen ykselte (Op-Amp Noninverting Amplifier)

devresinin almas ve zellikleri incelenecektir.
.e
Kaplan
co
m
GEREKL DONANIM:

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7, 6K8, 5x10K, 22K, 47K, 100K
Potansiyometre: 10K
34
Kaplan
co
m
N BLG:
tla
ri.
Temel bir Evirmeyen Ykselte devresi ekil-6.1'de grlmektedir. Bu temel devre;

R1, R2, RL ve RF direnlerinden olumaktadr. Devredeki RA, RB ve RC direnleri,
Opamp'n evirmeyen giriine uygulanacak DC gerilimi ayarlamaya yarayan gerilim
blc direnlerdir. Evirmeyen ykseltecin gerilim kazanc (AV) aadaki gibi formle
edilir.
ekil-6.1 Evirmeyen Ykselte Devresi
.e
em
de
rs
no
Formlden de grld gibi evirmeyen ykselte devresinin gerilim kazancn

belirlemede RF geri besleme direnci etkindir. Evirmeyen ykselte devresinde; k
iaretinin, giri iaretine oranlanmas ayn ekilde ykseltecin gerilim kazancn (AV)
verir. Geri besleme direnci RF ve R1 direnleri istenilen seviyede ayarlanarak
evirmeyen ykselte devresinin gerilim kazanc kontrol edilebilir. Opampn
maksimum k gerilimi her koulda besleme geriliminden byk olamayaca
unutulmamaldr.
Evirmeyen ykseltete, giri sinyali deise bile kazan sabittir. Giri ile k
iaretleri arasnda faz fark yoktur. ok yksek giri empedansna sahip olan
evirmeyen ykseltete R1 direnci, yksek deerde kullanlmaktadr. Bu diren
devrenin
kazancn
etkiler
ve
yksek
grltye
neden
olur.
Evirmeyen ykselte devresine, ters evirmeyen devrede denilmektedir. Pek ok
endstriyel uygulamada kullanlr.
35
ri.
Bu blmde evirmeyen ykselte devresinin DC ve AC iaretler altnda almasn

ve zelliklerini ayrntl olarak inceleyeceiz.
DENEY: 1
tla
DC ALIMA
em
de
rs
no
Bu deneyde evirmeyen ykselte devresinin DC gerilimler altnda almasn

inceleyeceiz. Gerekli incelemeleri yapmak iin ekil-6.2de verilen evirmeyen
ykselte devresinden yararlanacaz.
ekil-6.2 Evirmeyen Ykselte Devresinde DC alma
ekil-6.2de verilen uygulama devresini deney seti zerine kurunuz. Vin ve Vo

gerilimlerini lmek iin gerekli balantlar yapnz.
.e
Kaplan
co
m
Devreye g uygulayarak opamp'n evirmeyen giriine uygulanan Vin gerilimini P1

potansiyometresini kullanarak +1Va ayarlaynz. Opamp knda elde ettiiniz Vo
gerilimini lerek sonucu tablo-6.1deki ilgili yere yaznz.
R1 (K)
RF (K)
Vin (v)
10
10
10
4.7
22
10
22
47
100
47
47
47
+1
+1
+1
-1
-1
-1
Vo (v)
AV=
1+ (RF
R1)
Tablo-6.1 Evirmeyen Ykselte Devresi Verileri
36
AV= Vo /
Vin
Kaplan
co
m
Evirmeyen ykselte devresinde Vin=+1Vda sabit kalmak kouluyla RF direncini

47K yapnz. Elde ettiiniz k gerilimi deerini lerek sonucu tablo-6.1deki ilgili
yerlere yaznz.
tla
ri.
Evirmeyen ykselte devresinde Vin=+1Vda sabit kalmak kouluyla RF direncini

100K yapnz. Elde ettiiniz k gerilimi deerini lerek sonucu tablo-6.1e
kaydediniz.
no
Evirmeyen ykselte devresinin almasn tm boyutlar ile irdeleyebilmek iin

Tablo-6.1de verilen tm; Vin, Rf ve R1 deerleri iin deneyi srayla tekrarlaynz.
Elde ettiiniz sonular ilgili yerlere yaznz.
DENEY: 2
de
AC ALIMA:
rs
Tablo-6.1de elde ettiiniz verilerden yararlanarak evirmeyen ykselte devresinin

gerilim kazancn (AV) hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-6.1'deki ilgili yerlere
kaydediniz.
em
Bu deneyde eviren ykselte devresinin AC iaretler altnda almasn ve

zelliklerini inceleyeceiz. AC analizde kullanacamz evirmeyen ykselte devresi
ekil-6.3de grlmektedir.
Devredeki C1 kondansatr girite oluabilecek DC gerilimi yaltmak ve

distorsiyonlar nlemek amacyla kullanlmtr. kta kullanlan kondansatrn
ilevide benzerdir.
.e
Evirmeyen ykselte devresinin giri empedans olduka yksektir. Bu nedenle R1

direnci ok yksek seilmemelidir. nk grlt faktrn artrr ve kazancn dzenli
olmasn nler.
ekil-6.3 Evirmeyen Ykselte Devresinde AC iaretlerde alma
37
DENEYN YAPILII:
ekil-6.3'deki evirmeyen ykselte devresini deney seti zerine kurunuz. Devreye

henz g uygulamaynz.
tla
ri.
aret retecinin k frekansn 1KHz ve genliini ise 0.1 VP-P sinsoydal iaret
verecek ekilde ayarlaynz. k iaretinin tepeden tepeye deerini osilaskopta
lp sonucu Tablo-6.2'ye kaydediniz.
no
Evirmeyen Ykseltecin gerilim kazancn gerekli formlleri kullanarak hesaplaynz ve

sonucu ilgili yere kaydediniz.
Vin giri iaretini, Tablo-6.2'de belirtilen deerlere frekans 1KHzde sabit kalmak
kouluyla sra ile ayarlayn ve her deer iin k lp sonucu ilgili yere kaydedin.
AV = 1+ (RF /
Vout=AV x Vin
R1)
(Hesaplanan)
(Hesaplanan)
em
de
100mV
200mV
500mV
1V
1.5V
Vout
(llen)
rs
Vin (Vp-p)
Tablo-6.2 Evirmeyen Ykseltele AC alma bilgi tablosu
.e
ZET:
Kaplan
co
m
Evirmeyen ykselte (Noninverting amplifier) devresi, opamp'n bir dier

uygulamasdr.
Evirmeyen ykselte devresinde; giri iareti opamp'n evirmeyen giriinden (+ giri)
uygulanr. Giri iareti ile k iareti arasnda faz fark yoktur.
Evirmeyen ykselte devresinin gerilim kazanc harici elemanlarla kontrol edilebilir.
SORULAR:
Evirmeyen
ykseltecin
kazanc
nelere
baldr?
Neden?
Aklaynz?
Evirmeyen ykseltecin giri ile k iareti arasnda faz fark varmdr? Neden?
Aklaynz?
38
Kaplan
GERLM ZLEYC (VOLTAGE FOLLOWER)

KONU:
co
m
ri.
Opamp uygulamas olarak; Gerilim zleyici (Op-Amp Voltage Followers) devrelerinin

almalar ve zellikleri incelenecektir.
de
N BLG:
rs
no

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 1K, 1x10K, 100K, 1M
Potansiyometre: 10K
tla
GEREKL DONANIM:
em
Gerilim izleyici devreler (voltage follovers); yksek giri, alak k empedansa sahip
olmalar nedeniyle pek ok uygulama ve tasarmda sklkla kullanlrlar.
Eviren ve evirmeyen olmak zere 2 ayr tip gerilim izleyici devresi tasarlanabilir.
ekil-7.1de Evirmeyen gerilim izleyici devresi grlmektedir. Bu devrede; opampn
k eviren girile ksa devre edilmitir. Bu nedenle devrenin gerilim kazanc 1dir.
Giri iareti, opampn evirmeyen giriine uygulanmtr. Giri iareti ile k iareti
ayn fazdadr.
.e
Eviren Gerilim zleyici devresi ise aslnda tipik bir eviren ykselte devresidir. Eviren
ykselte devresinin gerilim kazanc 1 olarak (RF/R1=1) tasarlanrsa gerilim izleyici
olarak kullanlabilir. Eviren gerilim izleyici devresinde giri iareti ile k iareti
arasnda 1800 faz fark vardr. Bu tr devrelerin giri empedans ise R1 direncinden
dolay genellikle kktr.
39
DENEY:1
DC ALIMA
rs
no
tla
ri.
Bu blmde Evirmeyen tip Gerilim izleyici devrenin DC almada analizini yaplacak

ve zellikleri incelenecektir. Gerekli devre dzenei ekil-7.1'de grlmektedir.
de
ekil-7.1 Gerilim zleyici Devresi
DENEYN YAPILII:
.e
em
ekil-7.1de grlen gerilim izleyici devreyi deney seti zerine kurunuz. Besleme
gerilimlerini
uygulaynz.
VDD
gerilimini
balangta
0Va
ayarlaynz.
Giri gerilimini (Vin), Tablo-7.1'de belirtilen deerlere VDD kaynan kullanarak sra
ile ayarlaynz. Ayarladnz her Vin deeri iin V0 k gerilimini lerek sonucu
Tablo-7.1'deki ilgili yerlere kaydediniz
Kaplan
co
m
NOT:
Her iki devrede de lmeyi daha hassas yapabilmek iin opampn pozitif girii ile
k arasna voltmetre balayarak lme yapabilirsiniz. lmelerde Saysal
voltmetre kullannz.
1K YK
Vin (v)
Vo (v)
1
2
4
6
8
10
YKSZ
Vin (v)
Vo (v)
1
2
4
6
8
10
R1=Ksa Devre=0
Vin (v)
Vo (v)
1
2
4
6
8
10
Tablo-7.1 Gerilim zleyici Devrenin Verileri
40
Kaplan
co
m
ri.
Opamp kna bal olan 1Kluk RL yk direncini sknz (ak devre). Deneyi
tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-7.1deki ilgili yerlere kaydediniz..
Giriteki R1 direncini ksa devre ediniz. Deneyi tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular
Tablo-7.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
rs
no
tla
Soru: Giride kullanlan R1 direncinin ksa devre olmas veya olmamas opampn
almasn etkiliyor mu? Nedenini aklaynz?
ZET:
em
de
Bu deneyde; tm koullarda k geriliminin ok fazla deimediini gzledik. Bu

durum devrenin ideale yakn bir tampon ykselte olduunu gsterir.
Giri sinyali, k yknn etkisinden korunmutur. Bundan dolay bu devrelere;
"Gerilim src = Gerilim izleyici" veya Tampon Ykselte denir.
DENEY:2
AC ALIMA
.e
Bu blmde; Gerilim izleyici devrenin AC iaretler altnda almasn test edip

analizini yapacaz. Gerekli devre dzenei ekil-7.2de verilmitir. Devredeki C1 ve
C2 kondansatrlerinin kullanm amac, AC ve DC iaretleri birbirinden yaltmak ve
grlt faktrn minimuma indirmektir.
ekil-7.2 Gerilim zleyici Devrede AC alma
41
DENEYN YAPILII:
ri.
ekil-7.2'de verilen Gerilim zleyici devreyi deney seti zerine kurunuz. Gerekli
Osilaskop (OSP) balantlarn yapnz.
F=10KHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
de
rs
F=1KHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
no
tla
Devrenin giriine; frekans 1KHz, genlii 1VP-P olan sinsoydal bir iareti uygulaynz.
Giri ve k iaretlerini osilaskopta inceleyiniz. Giri ve k iaretlerinin tepeden
tepeye deerlerini lerek sonular tablo-7.2deki ilgili yerlere kaydediniz.
Giri iaretinin erilim ve frekans deerlerini tablo-7.2deki verileri dikkate alarak sra
ile deitiriniz. Her durumda kta elde ettiiniz iaretin tepeden tepeye deerlerini
osilaskopla lerek ilgili yerlere kaydediniz.
F=100KHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
F=1MHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
em
Tablo-7.2 Gerilim zleyici Devrenin AC aretlerde almas
Soru: Evirmeyen Gerilim zleyici devresinde, Giri iareti ile k iareti arasnda fark
var m? Neden? Aklaynz?
Soru: Evirmeyen Gerilim zleyici Devresinin gerilim kazanc var m? Neden? Ksaca
aklaynz.
.e
Kaplan
co
m
ZET:
Gerilim izleyici devrede, k iareti direkt olarak opampn negatif giriine geri
beslenmitir. Giri iareti ise opampn evirmeyen (pozitif) giriine uygulanmaktadr.
Gerilim zleyici devrenin gerilim kazanc 1 olup, giri empedans ok yksektir. Bu
deer yaklak olarak 1M civarndadr. k empedans ise ok dktr.
Gerilim zleyici Devresinde giri iareti ile k iareti arasnda faz fark yoktur.
42
BLM 5
Kaplan
co
m
ri.
GERLM SEVYE DEDEKTR

KONU:
tla
Opamp uygulamas olarak; Gerilim Seviye Dedektr (Op-amp Voltage-Level

Dedectors) devrelerinin almalar ve zellikleri incelenecektir.
no
GEREKL DONANIM:
rs

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 2x10K, 22K,
Potansiyometre: 10K
de
N BLG:
.e
em
Deeri ve polaritesi bilinmeyen her hangi bir gerilim, deeri ve polaritesi daha
nceden bilinen baka bir referans gerilimle karlatrlp, seviyesi ve polaritesi
hakknda bilgi edilebilir. Bu ilemi yapan devrelere Gerilim Seviye Dedektr
denilmektedir.
Gerilim seviye dedektrleri opamplarla gerekletirilebilir. Gerilimi dedekte etme
ilemi iin opampn eviren veya evirmeyen girileri kullanlabilir. ekil-8.1de eviren
giriine uygulanan giri iaretinin seviyesini, opampn evirmeyen giriindeki referans
iareti ile karlatran Eviren Girili Gerilim Seviye Dedektr grlmektedir.
ekil-8.1 Eviren Girili Gerilim Seviye Dedektr Devresi
43
tla
ri.
Dedekte edilecek iaret opampn eviren giriine P potu ile uygulanmaktadr.

Opampn pozitif giriine ise karlatrma yaplacak olan VREF gerilimi
uygulanmaktadr. VREF geriliminin deerini R1 ve R2 gerilim blc direnleri
belirlemektedir. Bu deer aadaki formlden hesaplanr.
.e
em
de
rs
no
Devrede opampn negatif giriine uygulanan Vin giri iareti; VREF iaretinden
bykse, opampn k +V besleme gerilimine kilitlenir. nk opamp ak evrimde
almaktadr ve gerilim kazanc yaklak sonsuzdur. Ayn ekilde Vin giri iareti
VREFiaretinden kkse bu defa opamp k -V gerilimine kilitlenir.
Gerilim seviye dedektr eviren girili ve evirmeyen girili olmak zere ikiye
ayrlmaktadr. ekil-8.2'de evirmeyen girili bir gerilim seviye dedektr
grlmektedir. Bu devrede; opampn pozitif giriindeki giri iareti ile negatif
giriindeki referans gerilimi karlatrlmaktadr. Bu durumda devrenin k iareti
Vin iaretinin deerine bal olarak +V ile -V arasnda olmaktadr.
Kaplan
co
m
ekil-8.2 Evirmeyen Girili Komparatr Devresi
DENEY: 1
EVREN GRL GERLM SEVYE DEDEKTR

ekil-8.1'deki eviren girili gerilim seviye dedektr devresini deney seti zerine
kurunuz.
P potansiyometresi ayarlayarak seviyesi tespit edilecek Vin giri gerilimini 0V
potansiyeline getiriniz (Vin=0V).
44
Kaplan
co
m
ri.
Aadaki forml kullanarak devrenin referans gerilimini hesaplaynz ve sonucu

tablo-8.1deki ilgili yere kaydediniz.
rs
A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
no
tla
Saysal voltmetre ile opampn evirmeyen giriindeki (pozitif giri) VREFgerilimini lp

Eviren girili Gerilim Seviye dedektr devresinin k gerilimini (Vo) lp sonucu
Giri geriliminin deerini (Vin), k gerilimi (Vo) deiinceye kadar artrnz. kn
deitii andaki tm deerleri (Vin, VREF ve Vo) lerek sonular Tablo-8.1'deki B
stununda ilgili yerlere kaydediniz.
de
0V
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
em
Tablo-8.1 Eviren Girili Gerilim Seviye Dedektrnn Verileri
.e
Devrede referans gerilimi olarak, A noktasndan alnan +V gerilimi uygulanmaktadr.

Devreye, referans gerilimi olarak negatif bir gerilim uygulayarak devrenin almasn
gzlemleyelim.
Bu ilem iin, ekil-8.1deki devrede A noktasndaki balanty, B noktasna alarak
devreyi ekil-8.3deki gibi yeniden dzenleyin.
Bu durumda deneyi adm 1.2'den 1.6'ya kadar ayn ekilde tekrarlayp elde ettiiniz
ekil-8.3 Eviren Girili Gerilim Seviye Dedektr
45
Kaplan
co
m
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
ri.
A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
0V
Vo (volt)
tla
Tablo-8.2 Eviren Girili Gerilim Seviye Dedektrnn Verileri
no
DENEY:2
EVRMEYEN GRL GERLM SEVYE DEDEKTR
de
N BLG:
rs
Bu blmde; Evirmeyen girili gerilim seviye dedektrnn almasn test edip

analizini yapacaz.
em
ekil-8.2'de evirmeyen girili gerilim seviye dedektr devresi grlmektedir. Bu

devrede referans gerilimi ile karlatrma yaplacak olan iaret opamp'n evirmeyen
(+) giriine uygulanmtr. Opamp'n eviren giriine ise R1 ve R2 gerilim blc
direnlerle bir referans gerilimi salanmtr.
DENEYN YAPILII:
.e
ekil-8.2'deki evirmeyen girili gerilim seviye dedektr devresini deney seti zerine
kurunuz.
P potansiyometresi ayarlayarak seviyesi tespit edilecek Vin giri gerilimini 0V
potansiyeline getiriniz (Vin=0V).
Aadaki forml kullanarak devrenin referans gerilimini hesaplaynz ve sonucu
Saysal voltmetre ile opampn evirmeyen giriindeki (pozitif giri) VREFgerilimini lp

46
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
0V
ri.
A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
Kaplan
co
m
tla
Tablo-8.3 Evirmeyen Girili Gerilim Seviye Dedektrnn Verileri
no
Giri geriliminin deerini (Vin), k gerilimi (Vo) deiinceye kadar artrnz. kn

deitii andaki tm deerleri (Vin, VREF ve Vo) lerek sonular Tablo-8.3'deki B
stununda ilgili yerlere kaydediniz.
rs
Devrede referans gerilimi olarak, A noktasndan alnan +V gerilimi uygulanmaktadr.

Devreye, referans gerilimi olarak negatif bir gerilim uygulayarak devrenin almasn
gzlemleyelim.
de
Bu ilem iin, ekil-8.2deki devrede A noktasndaki balanty, B noktasna alarak

devreyi ekil-8.4deki gibi yeniden dzenleyin.
.e
em
Bu durumda deneyi adm 1.2'den 1.6'ya kadar ayn ekilde tekrarlayp elde ettiiniz
ekil-8.4 Evirmeyen Girili Gerilim SeviyeDedektr

A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
0V
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
Tablo-8.4 Evirmeyen Girili Gerilim Seviye Dedektrnn Verileri
47
ZET:
ri.
Gerilim Seviye Dedektr devresi iki adet girie sahiptir. Girilerden birine deeri
belirlenen bir referans gerilimi uygulanr. Dier girie ise deeri bilinmeyen ve kontrol
edilecek bir giri gerilimi uygulanr.
no
tla
Kontrol (giri) gerilimi, referans geriliminden farkl ise opamp k doyuma gider. (V
besleme gerilimine kilitlenir) Ayn ise 0V olur. Bylece kontrol sinyali test edilebilir.
Gerilim Seviye dedektr (Komparator) devresinin hassasiyeti harici elemanlarla
ayarlanabilir.
SORULAR:
de
rs
ekil-8.1'deki devrede opamp k iareti Besleme gerilimlerinde salnmas opampn

hangi zelliklerine baldr? Aklaynz?
Opampn k iareti hangi durumlarda deimektedir? Niin? Aklaynz?
Gerilim seviye dedektrlerine endstriyel uygulamalardan rnekler veriniz. Nerelerde
ne amala kullanabiliriz? Aklaynz?
em
FARK YKSELTEC (DFFERENCE AMPLFER)

KONU:
.e
Opamp uygulamas olarak; fark alc (Op-amp Difference Amplifier) devrenin

almalar ve zellikleri incelenecektir.
Kaplan
co
m
GEREKL DONANIM:

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 3.3K, 5x10K, 22K, 4x100K
N BLG:
Opamp uygulamas olarak kartma (fark alma) ilemini yapan devre ekil-9.1'de
grlmektedir. Devrenin matematiksel analizini ksaca yapalm. Devreye
sperpozisyon teoremi uygulandn da V1 den dolay k (V01);
48
V1
ve
V2
iaretlerinin
ka
toplam
tepkisi
ise;
em
de
rs
Olur. Devredeki
V0 = V01 +V02
no
tla
ri.
Olur. V2 den dolay k (V02);
.e
ekil-9.1 Opampla Gerekletirilen Fark Ykselteci Devresi
Kaplan
co
m
olarak bulunur. Eer ekil-9.1deki fark alc devresinde;

R1=R2=R3=RF
olarak seilirse, k iaretinin alaca deer;
V0=V1V2
olur. Grld gibi devre; her iki giriine uygulanan gerilimlerin farkn almaktadr.
Bu devrede R3=RF ve R1=R2 olarak semek artyla, devreyi fark ykselteci haline
getirmek mmkndr.
rnein R3=RF=100K ve R1=R2=10K olarak seilirse devrenin knda; V1 ve V2
giri iaretleri arasndaki farkn 10 kat grlecektir.
Bu blmde opamp kullanlarak gerekletirilmi fark alc devrenin DC ve AC
iaretler altnda almalarn ayr ayr inceleyeceiz.
49
Kaplan
co
m
DENEY: 1
DC ALIMA:
ri.
Bu deneyde Fark ykseltecinin DC iaretler altnda almasn inceleyeceiz. DC

alma iin tasarlanan deney devresi ekil-9.2de grlmektedir.
no
tla
Devrede opampn eviren giriine deeri ayarlanabilen bir DC gerilim uygulamak

amacyla RA, RB direnleri ve P1 potu kullanlmtr. Bu elemanlar, gerilim blc
olarak almaktadr.
Opampn evirmeyen giriine ise; RC, RD ve P2 gerilim blc elemanlar kullanlarak
ayarlanabilen bir DC gerilim uygulamaktadr.
rs
Fark alc devresinin gerilim kazancn ise, devrede kullanlan R1 ve RF direnleri

belirlemektedir.
.e
em
de
Not:
Deney devresinde RA, RB, RC ve RD direnlerini 2K2, 4K7 gibi farkl deerler
seerek kullanabilirsiniz.
ekil-9.2 Fark Alc Devresi
DENEYN YAPILII:
ekil-9.2'deki fark alc devreyi deney seti zerine kurunuz. Devreye 12V besleme
gerilimlerini uygulaynz.
50
Kaplan
co
m
P1 ve P2 Potansiyometrelerini kullanarak opamp giri gerilimlerini; V1=+2V ve

V2=+4V deerine ayarlaynz. k gerilimi Vo' lerek, sonucu tablo-9.1'deki ilgili
yere kaydediniz. lmelerde saysal voltmetre kullannz.
tla
ri.
k Gerilimi =Vo (v)

llen
Hesaplanan
no
Giri Gerilimleri
V1 (v)
V2 (v)
+2
+4
+4
+2
+4
-2
-2
+4
-4
-2
Tablo-9.1 Fark Alc Devrede Veriler
de
rs
V1 ve V2 gerilimlerini tablo-9.1'de belirtilen deerlere sra ile ayarlaynz. Ayarladnz

her deer iin Vo gerilimini lnz ve tablo-9.1'deki ilgili yere kaydediniz.
Tablo-9.1de verilen V1 ve V2 deerleri iin, Vo k iaretinin alabilecei deerleri
gerekli formlleri kullanarak hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-9.1deki ilgili
yerlere yaznz.
em
DENEY: 2
AC ALIMA:
.e
Bu blmde fark ykselteci Devresinin AC iaretlerde almasn ve zelliklerini

inceleyeceiz. Gerekli devre dzenei ekil-9.3de verilmitir.
ekil-9.3 Farksal Ykseltete AC alma
51
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII:
Fark ykseltecinin AC almadaki ilevini incelemek iin ekil-9.3'deki devreyi deney

ri.
Fark ykseltecinin V2 giriini (evirmeyen) topraklaynz. V1 giriinden ; 2Vp-p genlie

sahip, 100Hz'lik sinsoydal bir iaret uygulaynz.
tla
Giri ve k iaretlerinin dalga biimlerini osilaskopta inceleyerek ekil-9.4'deki

em
de
rs
no
Ayn devrede V1 giriini topraklayn ve V2 giriinden 2Vp-p, 100Hz'lik sinsoydal bir

iaret uygulaynz. Bu durumda Osilaskop kullanarak giri ve k iaretlerinin dalga
biimlerini ekil-9.4'deki diyagrama iziniz.
V1 giriini topraktan skn, bu anda osilaskopta k iaretinin dolaysyla kazancn

deitiini greceksiniz. Osilaskopta elde ettiiniz dalga biimlerini ekil-9.5deki
.e
ekil-9.4 Fark Ykselteci Giri ve k dalga biimleri
ekil-9.4 Fark Ykselteci Giri ve k dalga biimleri

52
Soru: 3 Kazan niin deimitir? Aklaynz?
ri.
2Vp-p genlie, 100Hz'lik frekansa sahip sinsoydal iareti opampn her iki giriine
birlikte uygulaynz. Bu durumda ideal olarak k iareti 0V olmaldr.
Soru: 4 k iareti neden 0V olacaktr? Aklaynz?
.e
em
de
rs
no
tla
Eer opamp'n k iareti 0 olmuyor ve kta belirli bir sapma gzleniyorsa bunun
nedeni opamp girilerinde kullanlan direnlerin gerekte birbirlerine eit
olmamasndan ve opamp'n ortak mod kazancndan dolaydr. Bunun sonucu olarak
opamp'n
eviren
ve
evirmeyen
girilerinin
kazanlar
farkldr.
Eviren ve evirmeyen kazanlar dengelemek iin (ortak mod kazancn sfrlamak)
devrede iyiletirme yaplabilir. Bunun iin ykseltecin V2 girii ekil-9.5'de grld
gibi dzenlenebilir.
Kaplan
co
m
ekil-9.5 Farksal Ykseltecin Dengeleme Ayar
Devrenin V2 giriinde bulunan potansiyometre yardm ile kazan ayarlanabilir. Ayar

iin uygun bir yntem R2 deerini artrp, bu art dengelemek iin R3'e seri bir
potansiyometre balanmasdr. Bu ayarlama esnasnda eviren giriin kazanc
deimez.
ekil-9.5'deki gerekli balantlar opamp zerinde yapnz. Potansiyometre ile
oynayarak ortak mod tepkisini sfrlamaya alnz. k iaretindeki deiimi
gzleyiniz ve sonucu yorumlaynz?
ZET:
Fark ykselteci, eviren ve evirmeyen olmak zere iki adet girie sahiptir. Girilerine
uygulanan iaretlerle orantl olarak bir k iareti verir.
53
Kaplan
co
m
Fark ykselteci, uygulamalarda grld gibi eviren ve evirmeyen ykseltelerin

birlikte kullanlmas ile oluturulmutur. Bu ykseltecin kazanc harici devre
elemanlar ile kontrol edilebilmektedir.
ri.
KARE DALGA RETEC
tla
KONU:
GEREKL DONANIM:
no
Opampla gerekletirilen bir Kare Dalga reteci (Square Wawe Generetor)

devresinin almasn ve zellikleri incelenecektir.
de
rs

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7,2x10K, 22K, 100K
Kondansatr: 22nF, 47nF, 100nF
N BLG:
.e
em
Bir opamp kullanarak oluturulmu kare dalga reteci (Square-Wave Generatr)

ekil-10.1'de grlmektedir.
ekil-10.1 Opampla Gerekletirilen Kare dalga reteci

R2 ve R3 direnleri, k gerilimini blerek belirli bir deerde (VREF) referans gerilimi
oluturur. Balangta, Opamp'n k geriliminin (Vo) +VSAT (+12V) deerinde
olduunu kabul edelim. C1 kondansatr +VSAT deerine Rf zerinden arj olmaya
balar. C1 zerindeki gerilim, +VREF gerilim deerini atnda opamp k bu sefer
VSAT (12V) deerine kilitlenir. Kondansatr Rf zerinden dearj olur.
54
Referans gerilimi VREFdeerini almtr. Kondansatr bu sefer, Rf zerinden VREF

ynnde arj olmaya balar. C1 gerilimi, VREF deerini atnda opamp k +VSAT
(+12V) deerine kilitlenir.
rs
no
tla
ri.
Bu olay srekli tekrarlanr. Sonuta k iareti +VSAT ile VSAT arasnda salnan bir
kare dalgadr. ekil-10.2'de k iareti, ve kondansatr geriliminin dalga biimleri ve
snr deerleri grlmektedir.
de
ekil-10.2 Kare Dalga retecinin Dalga Biimleri
.e
em
VC1 geriliminin tepe deerini de belirleyen +VREF ve VREF gerilimlerinin deerleri

aadaki formller yardmyla bulunur.
Kaplan
co
m
k iaretinin frekans ise; R3 direncini R2 direncinin Yzde 86's olarak semek

kouluyla aadaki formlden bulunur.
DENEYN YAPILII:
ekil-10.1'de Opampla gerekletirilmi Kare dalga reteci devresini deney seti
zerine
kurunuz.
Gerekli formlleri kullanarak +VREF ve VREF gerilim deerlerini hesaplaynz. Elde
ettiiniz
sonular
ilgili
yerlere
kaydediniz.
Volt
VREF=
+VREF=
Volt
55
Kaplan
co
m
+VSAT, VSAT, +VREF ve VREF degerlerini osilaskop kullanarak lnz. VC1 ve Vo

iaretinin frekansn gerekli forml kullanarak hesaplaynz ve elde ettiiniz deeri
Tablo-10.1'deki ilgili yere kaydediniz.
ri.
k iaretinin frekansn gerekli forml kullanarak hesaplaynz ve elde ettiiniz

deeri Tablo-10.1'deki ilgili yere kaydediniz.
tla
k iaretinin frekansn osilaskopta lerek sonucu Tablo-10.1'deki ilgili yere

kaydediniz.
no
Rf ve C1 elemanlarnn Tablo-10.1'de belirtilen deerlere gre sra ile deitirin. Her

Deer iin Adm-1.4 ve 1.5'te yaplanlar tekrarlayn. Sonular Tablo-10.1'deki ilgili
yerlere kaydediniz.
rs
k iaretinin dalga biimini osilaskopta gzleyerek elde ettiiniz dalga biimini

ekil-10.3'e orantl olarak iziniz.
de
Kondansatr zerindeki VC1 iaretini osilaskopta gzleyiniz. Elde ettiiniz dalga

biimini ekil-10.4'e orantl olarak iziniz.
C1 (nF)
10
22
4.7
10
10
47
47
47
22
100
Fo (Hz)
llen
Hesaplanan
Tablo-10.1 Kare Dalga reteci Verileri
.e
em
R1 (K)
k Geriliminin (Vo) Dalga Biimi
Kondansatr Geriliminin (VC1) Dalga Biimi
ekil-10.3 ve 4 Kare Dalga reteci Devresinin Dalga Biimleri

56
Kaplan
co
m
SORULAR:
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Karedalga reteci k iaretinin genlii neye baldr? Neden? Aklaynz?

Devrede C1 kondansatrnn ilevi nedir? C1 deeri devreyi nasl etkiler?
Aklaynz?
Devrede R2 ve R3 elemanlarnn ilevi nedir? Bu elemanlar rasgele deerlere sahip
olabilir mi? Neden? Aklaynz?
57
BLM 6
Kaplan
co
m
ri.
TREV ALICI DEVRE

KONU:
tla
Opampla gerekletirilen bir trev alc (differantiator) almasn ve zellikleri

incelenecektir.
no
GEREKL DONANIM:
de
rs

G Kayna: 12V DC
aret reteci
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7,2x10K, 22K, 100K
N BLG:
.e
em
Trevleyici devresi, genel olarak bir eviren ykselte zelliindedir. Fark olarak girite
diren yerine kondansatr (C1) bulunmaktadr. Devre, giriine uygulanacak periyodik
iaretin trevini alarak ka aktaracaktr. ekil-11.1'de temel bir trevleyici devresi
grlmektedir. Trevleyici devrenin matematiksel analizini ksaca aklayalm.
ekil-11.1 Temel Bir Trev Alc Devre

Opamp giriinin giri empedans ok yksek olduundan x noktasndaki gerilim
yaklak 0 Volt (+ utaki gerilim) civarndadr. Buna gre; C1 kondansatr zerinden
akacak akm Iin;
58
Kaplan
co
m
ri.
olur. k gerilimi V0 ise,
tla
V0=RF.IF
olarak yazlabilir. (x noktas yaklak 0 Volt olduundan) IF=Iinolacaktr. Bu durumda;
rs
no
olacaktr. Grld gibi ekil-11.1'deki devre, giriine uygulanan V1 iaretinin

trevini alp [dV1/dt] belirli bir sabite ile (RF.C1) arparak ka aktarmaktadr. ekil11.1'deki devre uygulamada bu haliyle yeterli deildir. nk C1 kondansatr
yksek frekanstaki iaretlere ksa devre gibi davranacandan ykseltecin kazanc
artar.
de
k bu frekanslar iin yksek deerlere ular. V1 iaretinin frekans yksek olmasa

bile beraberinde grlt mevcut olabilir. Grlt iareti ok geni frekans tayfna
sahip olduundan, ekil-11.1'deki devre grltnn yksek frekans blmn olduu
gibi ykseltebilir. Bu ise istenmeyen bir durumdur.
.e
em
Bu nedenle Opamp devresinin kazancna yksek frekanslar iin snr koymak gerekir.
Bu ilem ekil-11.2'de grld gibi girie bir R1 direncinin eklenmesi ile
salanabilir. Bylece devrenin kazanc RF/R1 ile snrlandrlmtr.
ekil-11.2 Gelitirilmi Trevleyici Devre

ekil-11.2'de grlen devrenin trevleyici olarak alabilmesi iin iki artn yerine
getirilmesi gerekir. Bu artlar aada aklanmtr.
59
Kaplan
co
m
ri.
Giri iaretinin frekans Fin;
tla
olmaldr. Bu deerden byk frekansa sahip giri iaretleri iin devre trevleyici
olarak almaz.
Trevleyici devresinde; " RF.C1 " arpm "Zaman Sabitesi" olarak isimlendirilir. Giri
iaretinin periyodu, yaklak bu deer civarnda olmaldr.
no
RNEK:
.e
em
de
rs
ekil-11.3'deki devreye frekans 1KHz olan bir sinsoydal iaret uygulanmtr. Bu

devre trevleyici olarak alr m?
ekil-11.3 rnek Uygulama Devresi
Bu durumda nce devrenin zaman sabitesini bulmamz gerekir.
olarak bulunur. Bu durumda devrede;

Fin < FC
olur. Devrenin zaman sabitesi;
C1xRF=(0.1x10 -6)(10x10 3)
Cin=1 mili saniye
bulunur. Giri iaretinin periyodu ise;
60
ri.
olarak bulunur. Grld gibi giri iaretinin peryodu devrenin zaman sabitesine
eittir. u halde, devre 1 KHz frekansl bir sinsoydal iaret iin trevleyici olarak
alabilir.
no
Giri iaretini;
tla
ekil-11.3'deki devrenin trevleyici olarak alabileceini ispatladktan sonra, devre

giriine 0.5 volt genlie ve 1 KHz frekansa sahip bir sinsoydal iaret uygulandnda
kta grlecek iaretin ne tip bir iaret olabileceini aratralm.
em
de
rs
Vgr=0.5 Sin (2 ft)

Vgr=0.5 sin 2 (1000)t
olarak formlize etmek mmkndr.
.e
V0=-(10K)(0.1F)[(0.5x2x1000)(cos2 (1000)t]
V0=-3.14 cos 2 (1000)t
olur. Bu durumda, k iareti 3.14 volt tepe deerli ve 1KHz frekansl bir kosinus
erisidir.
Kaplan
co
m
N ALIMA:
ekil-11.4'deki devre giriine ekil-11.5'de grlen iaret uygulandnda devre
trevleyici olarak grev yapar m? Gerekli ilemleri yaparak aklaynz?
FC ve Fin frekanslarn ve devrenin zaman sabitesi ile Tin deerini karlatrarak
cevab bu sonularla karlatrnz?
61
Kaplan
tla
ri.
co
m
de
rs
no
ekil-11.4 Trevleyici Devresi
ekil-11.5 Trevleyici Giriine Uygulanacak aret
em
ekil-11.4'deki devre giriine ekil-11.5 deki iaret uygulandnda k iaretinin

dalga biimi, frekans ve genlii ne olur? Aklaynz? Vin ve V0 iaretlerini orantl
olarak alt alta iziniz?
YOL GSTERME:
.e
ekil-11.6'daki doru paras t1 msn kadar bir sre ierisinde -V'den +V'ye
kmaktadr. Denklemi ise;
ekil-11.6 Trevleyici Giriine Uygulanacak aret
62
Kaplan
co
m
no
em
de
olduunda;
Vbc=+V
Vbc=-V
rs
olur. nk;
t=t1 olduunda;
t=2t1 olduunda;
olmaktadr.
tla
ri.
olarak yazlabilir. nk;

t=0 olduunda;
Vab=V
t=t1 olduunda;
Vab=+V
olmaktadr. bc arasndaki doru paras ise, t1 ile 2t1 arasnda +V'den -V'ye
inmektedir. Denklemi;
bulunur. Buradan;
.e
olur. Vbc aralnda da benzer ekilde;
sonucu elde edilir. Bu sonulara gre; V0 iaretinin (Vin'nin tamam iin) genlii
aada formlde grld gibi ifade edilir.
Bu sonuca gre k iaretinin bir kare dalga olaca aktr. Bu bilgilerin nda n
alma 2'deki soruyu cevaplaynz.
63
DENEYN YAPILII:
ri.
ekil-11.7'de verilen trevleyici devresini deney seti zerine kurunuz.

aret retecinin kn 2 VP-P genlie sahip, 1KHz gen dalga verecek ekilde
ayarlaynz ve devreye uygulaynz.
tla
Osilaskopun x kanalna giri iaretini, y kanalna ise k iaretini uygulaynz.

Ekranda net bir grnt elde ediniz.
em
de
rs
no
Vin ve V0 iaretlerini ekranda izleyerek aradaki farklar not ediniz. Trevleyici

devresinin giri ve k iaretlerini osilaskopla izleyerek dalga biimlerini ekil11.8'deki diyagrama orantl olarak iziniz.
ekil-11.8 Trevleyici Devrenin Giri ve k Dalgalar
k iaretinin tepe deerini lp not ediniz. Bu deeri n alma-2'de bulduunuz

deer ile karlatrnz.
.e
Kaplan
co
m
Girie uyguladnz iaretin genlii ayn kalmak kouluyla frekansn yarya (0.5KHz)
indiriniz. k iaretlerindeki deiiklikleri not ediniz. Bu deiiklikleri nasl
aklarsnz?
Girie uyguladnz iaretin frekansn 10KHz yaparak deneyi tekrarlaynz. k
iaretinde oluan deiimleri not ediniz ve aklaynz?
Devrenin gerilim kazanc ne kadardr? Teorik sonulara yakn mdr? Devreye artk
sadece eviren ykselte gz ile bakabilir miyiz? Neden? Aklaynz?
64
NTEGRAL ALICI DEVRE

KONU:
bir
ntegratr
almas
ve
zellikleri
rs
no

G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 3x10K, 100K
Kondansatr: 10nF, 100nF
tla
GEREKL DONANIM:
N BLG:
devresinin
ri.
Opampla gerekletirilen
incelenecektir.
.e
em
de
ntegratr devresi, giriine uygulanan iaretin integralini alarak kna aktarr. Bu

ilemi yapan bir opamp devresi ekil-12.1'de gsterilmitir. Dikkat edilirse bu devrede
geri besleme bir kondansatr ile yaplmaktadr. Bu devrede a noktasndaki gerilim
opamp giri zelliinden dolay 0V civarndadr.
Kaplan
co
m
ekil-12.1 ntegratr Devresi

Bu durumda;
in=Vin/R1
yazlabilir. Opampn k iareti Cf kondansatr zerindeki gerilime eittir. Cf
zerindeki gerilimi ise Cf zerinden geen akmn zamana gre integrali verir. Bu
durumda;
65
Kaplan
co
m
tla
ri.
Olur. burada If=-Iin olduuna gre;
no
olur. Dolaysyla;
.e
em
de
rs
elde edilir. Bilindii gibi integral; anlam olarak, bir erinin altnda kalan alana karlk
gelmektedir. Opamp devresindeki giri offset geriliminin giderek opamp doyuma
gtrmesini engellemek iin ekil-12.1'deki devrede baz deiiklikler yapmak
gerekir. Bu deiiklik Cf kondansatrne parelel bir Rf direnci balanarak yaplr. Bu
durum ekil-12.2 de gsterilmitir.
ekil-12.2 Gelitirilmi ntegratr Devresi

Ayrca, giri polarma akmlarnn eit olmayndan doacak offset gerilimini ve
dolays ile bu gerilimin etkilerini gidermek amac ile, ekil-12.3'de grld zere
integratr devresinde birde R2 direnci kullanlr. Bu direncin deeri;
R2=RF // R1
66
no
tla
olmaldr. Ayrca devrenin zaman sabitesi;
ri.
olmaldr. Bu devrenin bir integratr olarak grev yapabilmesi iin girie uygulanan
iaretin frekans (F1);
.e
em
de
rs
ile girie uygulanan iaretin peryodu birbirlerine yakn deerde olmaldr. F1FC
olduunda, devre eviren ykselte olarak alr ve kta giriin Rf/R1 kadar
ykseltilmii grlr.
Kaplan
co
m
ekil-12.3 Gelitirilmi ntegratr devresi
ntegral alma ilemi, trev alma ileminin tersi olduundan bir integratr giriine kare
dalga uygulandnda kta gen dalga alnr.
N ALIMA:
ekil-12.3'deki devre giriine ekil-12.4'deki iaret uygulandnda devre integratr
olarak alr m?
67
ri.
tla
ekil-12.4 ntegral Alc Devre Giriine Uygulanacak aret
YOL GSTERME:
de
rs
0 ile 0.05 msn arasnda;
no
FC ile F1 frekanslarn ve devrenin zaman sabitesi ile giri iaretinin periyodunu (TGiri)
karlatrarak cevabnz bu sonulara dayandrnz.
.e
em
bu deer [-1/R1CF] eimli doru denklemidir ve tepe deerini;

t=t1=0.05x10 - 3 sn
annda alr. Bu durumda;
Kaplan
co
m
denklem zldnde;
V0(Tepe)=-10 4(0.05)10 3
V0(Tepe)=-0.5 volt
olur. 0.05 msn ile 0.1 msn arasndaki durumda ayn ekilde hesaplanmaldr.
DENEYN YAPILII:
ekil-12.3'deki ntegratr devresini deney seti zerine kurunuz ve besleme
gerilimlerini balaynz.
aret retecinin kn 10KHz, 2VP-P kare dalga verecek ekilde ayarlaynz ve
devre giriine uygulaynz.
Osilaskopla giri ve k iaretlerini gzleyiniz. Elde ettiiniz giri ve k dalga
biimlerini ekil-12.4'e iziniz. Deerlerini yaznz. Devre ntegratr olarak alyor
mu? Aklaynz?
68
Kaplan
co
m
ri.
k iareti Vo'n tepe genliini lp not ediniz. Bu sonucu n almada

bulduunuz sonu ile karlatrnz?
RF=100K direncine paralel olarak bir de 10K balaynz ne oldu? niin?
Aklaynz?
tla
Girie uygulanan kare dalgann genlii ayn kalmak artyla, frekansn 5 KHz
yapnz. kta gzlediiniz iarette ne gibi deiiklikler oldu? Bu deiiklii nasl
aklarsnz?
rs
no
Girie uygulanan kare dalgann genlii ayn kalmak artyla frekansn 50 Hz yapnz.
k iaretinin dalga biimi ncekilere oranla deiti mi? niin? Aklaynz?
Devrenin gerilim kazanc ne kadardr? bu kazan ;
sonucuna yakn m? Aklaynz?
.e
em
de
Devreye artk sadece eviren ykselte gzyle bakmak doru olur mu? Niin?
Aklaynz?
ekil-12.4 ntegratr Devresi k Dalga Biimleri

ZET
ntegratr devresi, Giriine uygulanan iaretin integralini alarak kna
aktarmaktadr.
ntegratr devresinin kazanc harici elemanlarla kontrol edilebilir. Belirli snrlar
dahilinde ayarlanabilir.
ntegral alma ilemi operasyonel ykseltelerle tasarlanabilir.
69
ALAK GEREN FLTRE

KONU:
ri.
Opamp uygulamas olarak; 2. dereceden Alak Geiren Aktif Filtre (Low Pass- Filter)
devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri incelenecektir.
N BLG:
rs
no

Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 2x10K, 22K, 100K
Kondansatr: 10nF, 100nF
tla
GEREKL DONANIM:
em
de
Bir filtre devresi, belli bir frekans bandn geirerek ve bu frekansn dndakileri
zayflatmak
amac
ile
gelitirilmi,
aktif
veya
pasif
bir
devredir.
Pasif filtre devreleri; diren, self ve kapasitif elemanlar ierir. Aktif filtreler ise bunlara
ilaveten transistor veya opamp gibi aktif devre elemanlar ierirler. Aktif filtrelerde self
eleman kullanlmaz.
Aktif filtreler, pasif filtrelere nazaran bir ok stnlk ierirler. rnein filtrenin
geirgen olduu frekanslarda bir zayflatma olmaz. Bu filtrelerde giri empedans ok
yksek, k empedans ise ok dktr. Opampn band genilii snrl olduundan
baz
frekanslarda
filtreleme
ilemi
yapmak
mmkn
deildir.
eitli derecelerde aktif filtre yapmak mmkndr. Bu blmde; 2.dereceden (40
dB/dekad) bir aktif filtre devresini inceleyeceiz. Bunun yan sra 1. ve 3. dereceden
(20dB/dekad ve 60dB/dekad) filtre devreleri de vardr.
.e
Kaplan
co
m
Alak geiren filtre, belirli bir ke frekans nn altdaki frekanslar geiren

stndekileri ise zayflatan bir devredir. Ke frekansna Fc denir. Fc, ayn zamanda;
0.707 frekans, -3dB frekans veya kesimfrekans olarakta isimlendirilir.
ekil-13.1'de uygulamasn yapacamz 2. dereceden aktif fitre devresi
grlmektedir. Bu devrenin kazanc; kesim frekans Fc'den sonra -40dB/dekad'lk bir
eimle zayflar. Bu durum ekil-13.2'de alak geiren filtrenin frekans karakteristii
incelenerek grlebilir.
ekil-13.1'deki alak frekans filtresinde direnler frekanstan etkilenmezler. Devredeki kondansatrlerin (C1 ve C2) kapasitif reaktans (XC) ise frekansa baldr.
Balangta XC deeri byktr ve C2 yksek empedans gsterir. Ayn zamanda C1
kondansatrde geribesleme akmna kar yksek bir empedans gsterir. Bundan
dolay Vo k iareti yksek deerdedir. Giri iaretinin frekans arttnda, XC azalr
ve C2 kondansatr giri iaretini daha fazla ntlemeye balar. Bu anda C1
70
rs
no
tla
ri.
kondansatr daha fazla geribesleme akmna msade eder ve devrenin kazanc

azalr. Bylece yksek frekanslarda kazanc azalan devre, alak frekanslarda yksek
kazan gsterir.
.e
em
de
ekil-13.1 40dB/Dekadlk Alak Geiren Aktif Filtre Devresi
Kaplan
co
m
ekil-13.2 Alak Geiren Aktif Filtrenin Frekans Tepkisi

DENEYN YAPILII:
ekil-13.1'de Opampla gerekletirilmi alak geiren aktif filtre devresini deney seti
zerine
kurunuz.
aret
retecini
balangta
devreye
balamaynz.
aret retecinin k genliini tepeden tepeye 1Vp-p sinsoydal bir gerilim verecek
ekilde ayarlaynz. aret retecinin k frekansn ise tablo-13.1'de belirtilen 250Hz
deerine ayarlaynz.
Giri ve k iaretlerini lmek iin gerekli osilaskop balantlarn yapnz. aret
retecini alak geiren filtrenin giriine balaynz.
71
Kaplan
co
m
k iaretinin tepeden tepeye deerini [Vo(p-p)] osilaskop ile lerek sonucu tablo13.1'deki ilgili stuna kaydediniz.
ri.
Deneyi iaret retecinin k genlii her durumda ayn kalmak kouluyla tablo13.1'de verilen her frekans deeri iin tekrarlaynz. Her frekans iin elde ettiiniz
k geriliminin tepeden tepeye deerini ilgili yere kaydediniz.
tla
Tablo13.1deki verilerden yararlanarak her frekans deerinde 40dB/Dekad lk alak

geiren filtre devresinin gerilim kazancn hesaplayarak sonular tablo-13.1deki ilgili
yerlere yaznz.
rs
no
Uygulamas yaplan alak geiren filtre devresinin ke frekans FC; aadaki

formlden bulunur. Bu forml kullanarak devrenin ke frekansn hesaplaynz.
Bulduunuz sonucu ilgili yere kaydediniz.
de
Fc=___________________ Hz
em
Alak Geiren Filtre Devresi; Giri areti (Vin)= 1Vp-p Sinsoydal

Fin (Hz)
250 500 750 1K 1.25K 1.5K 2K 3K 5K 10K
Vo (Vp-p)
A=Vo/Vin
Tablo-13.1 40dB/Dekadlk Alak Geiren Filtre Devresinin Bilgi Tablosu.
Tablo-13.1'deki sonulardan yaralanarak alak geiren filtrenin kazan-frekans

karakteristiini ekil-13.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz. izim iin ekil13.2de verilen frekans karakteristiinden yararlanabilirsiniz.
Devre ke frekansn altndaki ve stndeki frekans deerlerine nasl tepki
gsteriyor? Aklayarak sonucu yorumlaynz?
.e
SORULAR:
72
Kaplan
no
tla
ri.
co
m
.e
em
de
rs
ekil-13.3 40dB/Dekadlk Alak Geiren Filtre Devresinin Frekans

Karakteristii
73
co
m
Kaplan
ri.
YKSEK GEREN FLTRE

KONU:
tla
Opamp uygulamas olarak; 2. dereceden Yksek Geiren Aktif Filtre (High-Pass

Filter) devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri incelenecektir.
no
GEREKL DONANIM:
de
N BLG:
rs
Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7,2x10K, 22K, 100K
Kondansatr: 22nF, 47nF,
.e
em
Yksek geiren filtre; belirli bir ke frekansnn yalnz zerindeki frekanslar geiren,
altndakileri frekanslar ise zayflatan filtre devresidir. Yksek geiren filtre, Alak
geiren filtrenin simetriidir. Bu deneyde inceleyeceimiz filtre devresi 40dB/dekad'lk bir eime sahiptir ve frekans tepkisi ekil-13.2'de izilmitir. Filtrenin
ke frekans FC, aadaki formlden elde edilir.
BLM 7
kinci dereceden (-40dB/Dekad) yksek geiren filtre devresi ekil-14.1'de

izilmitir.Devrenin zellikleri ve almasn ksaca aklayalm. Alak frekanslarda
C1 ve C2 kondansatrlerinin kapasitif reaktanslar byktr. Bundan dolay giri
iaretinin nemli bir miktar bu elemanlar zerinde der. Bu ise kk bir giri
iaretinin opampa ulamas demektir.
Filtre giriinden uygulanan iaretin frekansn artrrsak C1 ve C2 kondansatrlerinin
kapasitif reaktanslar azalr. Bu durumda opampa daha fazla sinyal ular ve daha
byk bir k iareti elde edilir. Bylece; devrenin yksek frekanslarda kazanc
artarken dk frekanslarda kazanc azalr ve yksek geiren bir filtre devresi elde
edilmi olur.
74
Kaplan
no
tla
ri.
co
m
rs
ekil-14.1 kinci Dereceden Yksek Geiren Aktif Filtre Devresi
.e
em
de
ekil-14.2de Yksek geiren aktif filtre devresinin frekans karakteristii

grlmektedir. ekil dikkatlice incelenirse; dk frekanslarda k iaretinin belirli
bir eimle zayflad grlmektedir. Yapacanz deney sonucunda benzer sonular
elde ederek yksek geiren aktif filtre devresinin frekans karakteristiini sizde
izeceksiniz.
ekil-14.2 Yksek Geiren Aktif Filtrenin Frekans Tepkisi

DENEYN YAPILII:
ekil-14.1'de verilen yksek geiren filtre devresini deney seti zerine kurunuz.
Besleme gerilimlerini uygulaynz.
75
aret retecinin k genliini 1Vp-p sinsoydal iaret verecek ekilde ayarlaynz.

k frekansn ise tablo-14.1'de grlen ilk deere ayarlaynz (250Hz) ve yksek
geiren filtre devresinin giriine uygulaynz.
ri.
k iaretinin tepeden tepeye deerini [Vo(p-p)] osilaskop ile lerek elde ettiiniz
sonucu tablo-14.1'deki ilgili yere kaydediniz.
tla
aret retecinin k genlii ayn kalmak kouluyla frekansn 500Hz yapnz. Bu

frekansta elde ettiiniz k geriliminin tepeden tepeye deerini osilaskop ile lerek
tablodaki ilgili yere kaydediniz.
no
aret retecinin k frekansn tablo-14.1'de verilen deerlere sra ile ayarlaynz.

Her frekans deeri iin k iaretinin tepeden tepeye deerlerini osilaskop ile
lerek sonularnz tablo-14.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
rs
Giri iaretinin her frekans deeri iin yksek geiren filtre devresinin Gerilim
kazancn (A) hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-14.1'deki ilgili yerlere
yaznz.
em
de
ekil-14.1'de uygulamas yaplan yksek geiren aktif filtre devresinin ke frekans

aadaki formlden bulunur.
Bu forml kullanarak; -40dB/Dekadlk yksek geiren aktif filtre devresinin devrenin

ke frekansn hesaplaynz. Sonucu kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
FC=_______________________Hz
Tablo-14.1'deki sonulardan yaralanarak devremiz yksek geiren filtre olarak

alyor mu? Aklaynz?
Yksek Geiren Filtre Devresi; Giri areti
Sinsoydal
Fin (Hz) 250 500 750 1K 1.25K 1.5K 2K 3K
Vo (Vpp)
A=Vo/Vin
Vin=1Vp-p
5K
10K
Tablo-14.1 Yksek Geiren Filtre Devresinin Veri Tablosu
76
SORULAR:
ri.
Devrenin frekans-kazan karakteristiini tablo-14.1'deki sonulardan yararlanarak

ekil-14.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz? izim ilemi iin ekil-14.1deki
karakteristikten yararlanabilirsiniz.
de
rs
no
tla
,Devrenin kazanc geirgen olduu frekans bantlarnda ne kadardr? Aklaynz?

Yksek geiren bir pasif filtre devresi izerek almasn ksaca anlatnz?
em
ekil-14.3 40dB/Dekadlk Yksek Geiren Filtre Devresinin Frekans

Karakteristii
.e
BAND GEREN FLTRE
Kaplan
co
m
KONU:
Opamp uygulamas olarak; 2. dereceden Band Geiren Aktif Filtre (Bandpass Pass
Filter) devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
aret reteci
Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7,2x10K, 22K, 100K
Kondansatr:2x10nF
77
N BLG:
tla
ri.
Band geiren filtre, belirli bir frekans aralndaki iaretleri geiren dndaki iaretleri
ise geirmeyen bir filtre devresidir. Rezonans (Fr) frekansnn her iki yanndaki yar
g noktalar arasnda bir grup frekansta alr. (Filtrenin k geriliminin ve
kazancnn maksimum olduu frekansa Rezonans frekans denir) Bu frekans snrlar
dnda frekans zayflar. En byk k gerilimi Rezonans frekansnda oluur ve bu
nokta tepe noktas olarak adlandrlr.
.e
em
de
rs
no
ekil-15.1'de opampla gerekletirilmi aktif band geiren filtre devresi grlmektedir.

Bu filtre devresi -40dB/dekad'lk bir eime sahiptir. Bu filtreye 2.dereceden band
geiren filtrede denilmektedir.
Kaplan
co
m
ekil-15.1 40dB/Dekadlk Band Geiren Aktif Filtre Devresi
Band geiren filtrede kazancn 0.707 kat olan frekanslara alt (FL) ve st (FH) kesim
frekanslar denir. Bu iki kesim frekans arasndaki blge Band Genilii olarak
adlandrlr ve devrenin Q'suna baldr.
Devrenin Q'su; devrenin direnci ile ters orantldr. Dk dirence sahip bir devre
yksek Q deerine sahiptir ve ok dar bir frekans band oluturur. Byk dirence
sahip devre ise daha az k iareti retir ve band genilii artar.
ekil-15.2'de band geiren filtre devrelerinin frekans tepkisini grmektesiniz.
Karakteristikten de grld gibi Band genilii FL ile FH arasnda olumaktadr.
78
ri.
tla
no
ekil-15.2 Band Geiren Filtre Devresinin Frekans Tepkisi
rs
DENEYN YAPILII:
de
ekil-15.1'de grlen 40dB/Dekadlk band geiren aktif filtre devresini deney seti
zerine kurunuz. aret retecini imdilik devreye balamaynz.
em
Devreye besleme gerilimlerini uygulaynz. Giri ve k iaretlerini lmek iin

gerekli osilaskop balantlarn yapnz. aret retecinin k genliini tepeden
tepeye Vin=1Vp-p sinusoydal bir iaret verecek ekilde ayarlaynz ve band geiren
filtre giriine balaynz.
aret retecinin genlii 1Vp-p deerinde sabit kalmak kouluyla frekansn 100Hze
ayarlaynz. Filtre knda k geriliminin tepeden tepeye deerini (Vo) osilaskopla
lerek sonucu tablo-15.1deki ilgili yere kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
Band geiren filtrenin kazancn (A) hesaplayarak sonucu tablo-15.1'deki ilgili yere
kaydediniz.
aret retecinin frekansn, genlii sabit kalmak kouluyla 500Hz deerine
ayarlaynz. Band geiren filtre devresinin k iaretinin tepeden tepeye deerini
osilaskopla lerek sonucu tablo-15.1deki ilgili yere kaydediniz
Deneyi tablo-15.1de verilen her frekans deeri iin srayla tekrarlaynz. Elde ettiiniz
lme yaptnz her frekans deeri iin Band geiren filtre devresinin gerilim
kazancn
hesaplayarak
sonular
tablo-15.1deki
ilgili
yerlere
yaznz.
Band Geiren Filtre Devresinin rezonans frekans aadaki formlden bulunur.
79
Kaplan
co
m
ri.
bu formlde RP deeri;
tla
ifadesine eittir. Devrenin Rezonans frekansn hesaplaynz. Sonucu aaya

kaydediniz.
Fr=_________________ Hz
no
Band Geiren Filtre Devresi; Giri areti Vin=1Vp-p Sinsoydal

Fin (Hz) 100 250 500 750 1K 1.25K 1.5K 2K 3K 5K
Vo (Vpp)
A=Vo/Vin
de
SORULAR:
rs
Tablo-15.1 Band Geiren Filtre Devresinin Bilgi Tablosu.
em
Band geiren filtrenin frekans tepkisini tablo-14.1'deki sonulardan yararlanarak ekil15.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz? izim ilemi iin ekil-15.2deki
karakteristikten yararlanabilirsiniz.
Devrenin kazanc geirgen olduu frekans bantlarnda ne kadardr? Bu konuda neler
syleyebilirsiniz?
.e
Band geiren filtrenin kullanm alanlarnda rnekler vererek rnek bir uygulama
devresi iziniz?
ekil-15.3 Band Geiren Aktif Filtre Devresinin Frekans Karakteristii
80
Kaplan
co
m
BAND SNDREN FLTRE

KONU:
ri.
Opamp uygulamas olarak; 2. dereceden Band Sndren Aktif Filtre (Banreject

(notch) Filter) devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri incelenecektir.
no
Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 1K, 10K, 47K, 1M
Kondansatr: 2z10nF
tla
GEREKL DONANIM:
rs
N BLG:
.e
em
de
stenmeyen veya parazit etkisi yapan iaretlerin devre zerindeki etkisini azaltmak
veya yok etmek iin band sndren filtreler kullanlmaktadr. zellikle ehir
ebekesinden dolay oluan parazitlerin eitli elektronik cihazlarda bozucu etkisini
nlemek
amac
ile
bu
tip
filtrelerden
yararlanlmaktadr.PRIVATE
Bant sndren filtrelere band durduran filtrede denilmektedir. Band durduran filtrenin
fonksiyonu band geiren filtrenin tersidir. Bu tip bir filtrede band genilii ierisindeki
belli bir grup frekans hari, dier tm frekanslarn geiine izin verilir.
ekil-16.1'de bir band durduran filtre devresi grlmektedir. Bu filtre; giri iaretinin
bir ksmnn evirmeyen girie uygulanmas hari, band geiren filtreye ok benzer.
Kondansatrlerin fonksiyonu ve her iki giriteki aktiflik bu filtrenin alma
karakteristiklerini oluturur.
ekil-16.1 Band Sndren Aktif Filtre Devresi

81
de
rs
no
tla
ri.
ekil-16.2'de Band sndren filtrenin frekans tepkisi grlmektedir. Karakteristik

dikkatle incelendiinde durdurulan band genilii, geen frekanslar arasnda bir
entik olarak grlmektedir. Durdurulan bandn alt ve st frekans limitleri
karakteristikte FL ve FH olarak iaretlenmitir. Devrenin Q faktr bu entiin dar
olacan tanmlar.
em
ekil-16.2 Band Sndren Filtrenin Devresinin Frekans Tepkisi
DENEYN YAPILII:
ekil-16.1'de grlen Aktif band durduran filtre devresini deney seti zerine kurunuz.
Devreye besleme gerilimlerini uygulaynz. aret retecinin k genliini 1Vp-p
sinsoydal bir iaret verecek ekilde ayarlaynz. aret retecinin k frekansn ise
tablo-16.1'de grlen ilk frekans deerine (50Hz) ayarlaynz.
.e
Kaplan
co
m
k iaretinin tepeden tepeye deerini osilaskopla lerek tablo-16.1'deki ilgili yere

kaydediniz.
Band sndren aktif filtre devresinin 50Hzdeki gerilim kazancn hesaplayarak
aret retecinin genlii sabit kalmak koulu ile frekansn tablo-16.1'de verilen 100Hz
deerine ayarlaynz.
Bu durumda band sndren filtrenin k iaretinin (Vo) tepeden tepeye deerini bir
osilaskopla lerek sonucu tablo-16.1'deki ilgili yere kaydediniz.
82
ri.
Tablo-16.1'de belirtilen her frekans deeri iin ayn lmeleri tekrarlaynz. Elde
ettiiniz sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz. lmesi yaplan her frekans iin
devrenin kazancn hesaplayarak tablodaki ilgili yere kaydediniz.
tla
Not:
Giri iaretinin (Vi) k genliinin her frekans deerinde 1VP-P olmasna dikkat
ediniz.
rs
no
Band Geiren Filtre Devresi; Giri areti Vin=1Vp-p

Sinsoydal
Fin (Hz) 50 75 100 125 150 175 200 225 250 300
Vo (Vpp)
A=Vo/Vin
de
Tablo-16.1 Band Sndren Aktif Filtre Devresinin Bilgi Tablosu.
em
Devrenin rezonans frekans aadaki formlden bulunur.
.e
Devrenin Rezonans frekansn hesaplaynz. Sonucu ilgili yere kaydederek sonucu

yorumlaynz?
Kaplan
co
m
Fr =________________ Hz
SORULAR:
Band sndren filtrenin frekans tepkisini tablo-16.1'deki verilerden yararlanarak ekil16.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz?
Devrenin kazanc band durduran olduu frekanslarda ne kadardr?
Band sndren filtrenin uygulamalarna rnekler vererek bir uygulama devresi
iziniz?
83
Kaplan
no
tla
ri.
co
m
.e
em
de
rs
ekil-16.3 Band Sndren Filtre Devresinin Frekans Karakteristii
84
BLM 8
Kaplan
co
m
UJT KARAKTERSTKLER
ri.
KONU:
GEREKL DONANIM:
rs
no

G Kayna: 12V DC
UJT: 2N2646 veya Muadili
Diren: 2x100, 220, 1K,
Potansiyometre: 10K
tla
UJTlerin (Unijunction Transistor: Tek Bileimli Transistr) eitli zellikleri ve

karakteristikleri incelenecektir.
de
N BLG:
em
UJT, N tipi bir yar iletken gvdenin ortasna bir PN eklemi eklenmesi ile oluturulmu
aktif bir devre elemandr. Emiter, beyz1 ve beyz2 olarak adlandrlan adet
terminali vardr.
.e
ekil-17.1'de UJT'nin yaps, edeer devresi ve sembol grlmektedir. Edeer

devrede grld gibi UJT'nin Emiter terminali bir diyot olarak dnlebilir.
ekil-17.1 UJT'nin Yaps, Edeeri ve Sembol
UJT'nin emiter ucu ak braklp, beyzler arasndan llen diren deerine beyzler
aras diren denir ve RBB ile gsterilir.
85
ri.
Bu elemann en nemli zellii negatif diren karakteristiidir. Bu zellik UJT iletime

getii anda ortaya kar. UJT'nin emiter gerilimi belli bir deeri (Vp:tepe deer)
atnda iletime geer. Bu anda emiter gerilimi minimuma inmeye balar fakat emiter
akm (Ip) maksimum olur.
tla
DENEY: 1
OHMMETRE LE TEST
no
UJT'nin jonksiyon ularn bulmak ve salamlk testi iin pratik bir metot ohmmetre ile
yaplan lmdr.
rs
N BLG:
de
UJT'nin jonksiyon ularn tespit etmek ve salamlk testi yapmak iin pratik bir
yntem ohmmetre ile yaplan testtir. Bu deneyde UJT'nin ohmmetre ile test edilmesini
reneceiz.
.e
em
UJT'nin PN eklemi diyot ve bipolar transistrlerdeki gibi test edilebilir. Ohmmetrenin

negatif ucu UJT'nin emiter, pozitif ucu ise beyz terminaline balanrsa ters polarma
yaplm
olur
ve
ok
yksek
bir
diren
deeri
okunur.
Bu durum tersine evrildiinde; yani emitere terminaline pozitif, beyz terminaline
negatif bir polarma uygulandnda UJT'nin beyz-emiter eklemi doru polarma olur ve
kk bir diren deeri grlr.
Kaplan
co
m
UJT'nin beyzler aras direnci ise her iki ynde de birka bin ohm civarndadr. UJT'nin
bu zellikleri analog bir ohmmetre yardm ile test edilebilir.
DENEYN YAPILII:
lmeleri, l skalasnn orta konumunda yapacak ekilde ohmmetreyi kalibre

ediniz. Her lme iin ohmmetrenin sfr ayarn yapnz.
ekil-17.2'deki balantlar sra ile yaparak her balant iin UJT'nin ters polarmada
terminaller aras diren deerlerini lerek ilgili yerlere kaydediniz.
86
ri.
tla
no
ekil-17.2 UJT'nin Test Edilmesi
ekil-17.3 UJT'nin Test Edilmesi
.e
em
de
rs
Ayn lmeleri ekil-17.3'deki balantlar iinde sra ile yapnz ve sonular

kaydediniz.
Kaplan
co
m
SORULAR:
leri Ynde polarmalandrlm PN eklemi
sahiptir.
diren deerine
Ters ynde polarmalandrlm PN eklemi

sahiptir.
diren deerine
leri ynde polarmalandrlm bir PN ekleminde yksek diren deeri okunmuyorsa

UJT
dir.
Beyzler aras diren lldnde ohmmetrenin ular dikkate alnmakszn her iki
ynde de
diren gsterir.
87
Kaplan
co
m
DENEY:2
UJT KAREKTERSTKLER
ri.
Bu deneyde UJT'nin; Vp, Vv ve olarak adlandrlan temel karakteristikleri llecek

ve temel ilevleri renilecektir.
tla
N BLG:
rs
no
UJT'nin nemli karakteristii vardr. Bunlar; , Vp ve Vv deerleridir. ; gerek

ilgisizlik oran olarak bilinir. Bu deer UJT'nin beyzler aras diren deimelerinden ve
scaklktan etkilenmez. Yaklak olarak 0.47 ile 0.75 arasnda bir deere sahiptir. Bu
oran aadaki eitlikten bulunabilir.
de
Vp; UJT'nin iletime balama anndaki emiter geriliminin tepe deeridir. Deeri
yaklak olarak;
em
formlnden bulunur.
.e
Formlde; VD= diyot n gerilimidir. Deeri yaklak 0.7 volt'dur. Vv; Bu deer vadi
gerilimi olarak bilinir ve UJT iletime getikten sonra tepe gerilimi Vp'nin ald
minimum deerdir.
UJTnin yukarda belirtilen temel parametrelerini lmek ve almasn anlamak

amacyla ekil-17.4deki devre tasarlanmtr.
ekil-17.4 UJTnin temel Parametrelerinin llmesi
88
ri.
UJTnin tetikleme gerilimi veya Vp deerini bulmak amacyla UJTnin emiter bacana
bir voltmetre balanmtr. Emiter gerilimi RE potansiyometresi yardmyla yavaa
artrlr ve art voltmetrede gzlenir. Artrlan VE gerilimi UJTnin tetikleme gerilimi
deerine ulatnda bu gerilim deerinin aniden dt gzlemlenir.
Dme ncesinde emiter geriliminin ald maksimum deer Vp olarak tanmlanr ve
bu deer UJTnin tetikleme (ateleme) gerilimidir.
tla
UJT tetiklendikten sonra emiter gerilimi azalr. Azalan bu deer ise UJTnin vadi
gerilimi olarak tanmlanan Vv deeridir.
no
UJT tetiklenmeden nce emiter gerilimi IE=0 olmaldr. Tetiklendikten sonra ise bir
miktar IE akm akaca aktr.
rs
Deney devresindeki Rs direnci IE akmn snrlamak amacyla konulmutur. R2

direnci ise gerilim blcdr ve UJT tetiklenince beyzler aras akm snrlar ve
zerine bir miktar gerilim dmne neden olur.
DENEYN YAPILII:
de
UJT'nin parametrelerini incelemek iin ekil-17.4'deki deney devresini deney seti

zerine kurunuz. Ampermetre olarak analog l aleti kullannz ve lme kademesini
yaklak 10mA deerine ayarlaynz.
em
Devredeki RE potansiyometresini kullanarak VE gerilimini 0Va ayarlaynz. Bu anda

UJT kesimdedir ve tetiklenmemitir.
RE potansiyometresi yardmyla UJTnin emiter gerilimini yava yava artrnz.
UJTnin tetiklendii an VE gerilimi aniden azalacak ve IE akm artacaktr. Emiter
geriliminin aniden dmeden nceki emiter geriliminin ald deeri tetikleme gerilimi
olarak (Vp) adlandrlr. Bu gerilimi gerekirse deneyi birka kez tekrarlayarak lerek
bulunuz ve elde ettiiniz deeri tablo-17.1deki ilgili yere yaznz.
UJTnin tetiklenmeden hemen nceki durumda; VB2 ve IE deerlerini de lerek
sonular tablo-17.1deki ilgili yerlere yaznz.
.e
Kaplan
co
m
UJT PARAMETRELER
VBB=12V
UJTnin DURUMU
VE (v)
Tetiklenmeden nce
Vp=
Tetiklendikten Sonra
Vv=
VB2 (v)
IE (mA)
Tablo-17.1 UJTnin Temel Parametreleri ve Deerleri

UJT tetiklendikten sonra VE geriliminin ald deer, vadi gerilimi (Vv) olarak
tanmlanr. Bu deeri lp tablodaki ilgili yere kaydediniz.
89
UJT tetiklendikten hemen sonra; VB2 gerilimi ve IE akm deerlerinide

sonular tablo-17.1deki ilgili yerlere yaznz.
lerek
(hesaplanan)
tla
Vp (llen)
no
VBB (volt)
12
10
8
6
ri.
UJTnin tetikleme gerilimi; bir miktar besleme gerilimi VBB deerine bamldr. Bu
banty tespit etmek amac ile ekil-17.4deki deney devresinde VBB gerilimini
tablo-17.2de belirtildii gibi 10V yapnz.
Tablo-17.2 UJTnin Temel Parametreleri ve Deerleri
de
rs
Deneyi tablo-17.2de belirtilen VBB besleme gerilimi deerleri iinde tekrarlaynz.

Her VBB deeri iin UJT tetikleme gerilimi deerini (Vp) lerek sonucu tablo17.2deki ilgili yere yaznz.
em
Elde ettiiniz deerleri ve aadaki forml kullanarak UJTnin gerek ilgisizlik

oranlarn hesaplaynz ve tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
VD= 0.7V
.e
SORULAR:
Kaplan
co
m
UJT tetiklenmeden nce emiter geriliminin ald deer ___________________

gerilimi olarak adlandrlr.
UJT tetiklendikten sonra emiter geriliminin ald deer ___________________

gerilimi olarak adlandrlr.
UJTnin _________________ deeri; bir miktar besleme gerilimi ve tetikleme gerilimi
deerlerine baldr.
90
Kaplan
co
m
DENEY:3
UJT AKIM-GERLM KAREKTERST
ri.
Bu deneyde, UJT iletime getiinde akm ve gerilim tepkilerinin gsterilmesi gerilimdiren deerlerinin kullanlarak eitli akmlarn hesaplanmas incelenecektir.
tla
N BLG:
no
UJTnin iletime geme artlar, iletim annda ve iletimden nceki akm ve gerilim
deerleri llp hesap edilmelidir. Bu durum UJT ile devre tasarlamada olduka
nemlidir.
rs
Bu blmde; UJTnin iletim ve kesim anndaki davranlarn inceleyeceiz. Bu

inceleme sonucunda UJT ularnda oluan akm ve gerilimler arasndaki ilikileri
irdeleyeceiz.
.e
em
de
UJTnin Akm-Gerilim karakteristiklerini incelemek amacyla gerekli devre dzenei

ekil-17.5 UJT Akm-Gerilim Karakteristiklerinin llmesi

DENEYN YAPILII:
ekil-17.5'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. PE potansiyometresi ile VE
gerilimini 0V'a ayarlaynz.
Bu durumda UJT iletime gememitir ve kesimdedir. UJT'nin iletimden nceki VB1 ve
VB2 gerilimlerini lerek sonular tablo-17.3'e kaydediniz.
91
UJT'nin IB1, IB2 ve IE akmlarn lme sonucu elde ettiiniz deerlerden

yararlanarak hesaplaynz. Sonular tablo-17.3deki ilgili yerlere kaydediniz.
ri.
RE potansiyometresi ile VE emiter gerilimini UJT'yi iletime geirene kadar artrnz.

UJT'nin iletime getiinden emin olunuz. UJT'nin iletime getii andaki VE deerini
(Vv) lerek sonucu tablo-17.3'e kaydediniz.
tla
UJT'nin iletime getikten sonraki VB1 ve VB2 deerlerini lerek tablo-17.3'deki ilgili
yere kaydediniz. Vv gerilimini de lerek kaydediniz.
no
UJT'nin IB1, IB2 ve IE deerlerini her durum iin tablodaki deerlerden yaralanarak
hesaplaynz ve ilgili yerlere kaydediniz.
em
de
rs
UJTnin IB1, IB2 ve IE deerleri aadaki eitliklerden hesaplanr.
VE
Tetiklemeden
nce
Tetiklemeden
Sonra
< Vp
.e
DURUM
VB1 (v) VB2 (v) IB1

(mA)
IB2
(mA)
IE (mA)
Vv=
Tablo-17.3 UJT'nin Akm-Gerilim Karakteristik Verileri
Kaplan
co
m
SORULAR:
UJT'nin iletime getii andaki VE ve IE deerlerini yaznz. Bu deerlere ne ad verilir
belirtiniz?
UJT'nin iletime getikten sonraki VE ve IE deerlerini yaznz. Bu deerlere ne ad
verilir belirtiniz?
92
UJT'nin akm-gerilim karakteristiini iziniz?
ri.
Deneylerde kullandnz 2N2646 tipi UJT'nin karakteristiklerini retici kataloglarndan

yararlanarak belirtiniz?
tla
UJTnin ltnz deerleri ile katalog deerlerini karlatrnz?
UJT UYGULAMALARI
no
KONU:
rs
UJT uygulamas olarak Relaksasyon (Relaxation Oscillator) ve Astable Multivibratr

devrelerinin almas ve zellikleri incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
em
de
G Kayna: 0-12V DC
Multimetre (Saysal ve Analog)
UJT: 2N2646 veya muadili
Diren: 2x100W, 4K7W, 10KW, 22KW,
DENEY: 1
.e
Kaplan
co
m
RELAKSASYON OSLATR:
Bu blmde UJT ile gerekletirilen ve olduka sk kullanlan Relaksasyon
(gevemeli) osilatr devresinin almasn ve zelliklerini inceleyeceiz.
N BLG:
UJT ile gerekletirilen osilatr devreleri, frekans kararllnn yksek olmas ve basit
yaplar nedeni ile olduka sk kullanlrlar.
UJT ile gerekletirilen relaksasyon osilatr (gevemeli osilatr) devresi ekil-18.1'de
grlmektedir. Bu devre genellikle g elektroniinde tetikleme osilatr olarak
kullanlr.
Devrenin almasn ksaca zetleyelim. Balangta UJT yaltmda olsun. Bu
durumda; VB2 gerilimi Besleme gerilimine (VBB) eittir. VB1 gerilimi ise 0V
civarndadr.
93
ri.
tla
no
ekil-18.1 UJT ile Gerekletirilen Gevemeli Osilatr Devresi
de
rs
CE kondansatr RE zerinden VBB gerilimine arj olmaya balar. Kondansatr

gerilimi VC, UJT ateleme gerilimi Vp deerine ulanca UJT iletime geer.
Kondansatr, emiter ve R1 direnci zerinden dearj olur. Dearj gerilimi UJT'nin vadi
gerilimi Vv deerine dtn de UJT kesime gider.
em
Bunun sonucunda UJT'nin; VB1 ve VB2 klarndan darbeli bir iaret alnr. Bu
iaretin frekans RE ve CE elemanlarna baldr. Devrenin frekansnda belirleyici
faktr CE kondansatrnn arj sresidir.
.e
Kondansatrn dearj sresi (Yada UJT'nin iletim sresi) kontrol edilemez.

Kondansatrn arj sresi Toff olarak tanmlanr. Deeri ise yaklak olarak;
Kaplan
co
m
1
formlnden bulunur.
TOFF = 1.2 (RE CE)
Burada
deerini
0.7
olarak
kabul
edersek;
olarak bulunur. Buradan relaksasyon osilatr devresinin yaklak olarak frekans;
94
Kaplan
co
m
ri.
bulunur.
tla
ekil-18.1'deki relaksasyon osilatr devresin de RE ve R2 direnleri iin baz snr

deerler vardr. Bunlar aada ksaca belirtilmitir.
no
R2 direnci, 100W ile 500W arasnda bir deerde seilmelidir. RE direncinin ise geni
bir snr deeri vardr. Bu deer 2KW ile 2MW arasnda seilmelidir ve uygulamalarda
bu koullara dikkat edilmelidir.
DENEYN YAPILII:
de
rs
ekil-18.1'deki Gevemeli Relaksasyon osilatr devresini deney seti zerine kurunuz.

Devredeki VE, VB1 ve VB2 DC polarma gerilimlerini bir DC voltmetre ile lerek
VE
VB1
VB2
em
Tablo-18.1 Relaksasyon Osilatr Devresinin DC Polarma Gerilimleri
Relaksasyon devresinin osilasyon frekansn lerek elde ettiiniz sonucu tablo18.2'deki ilgili yere kaydediniz.
ekil-18.1'deki relaksasyon osilatr devresinde RE ve CE elemanlarn tablo-18.2'de
verilen deerlerle gre sra ile deitiriniz. Deitirdiiniz her RE ve CE deeri iin
gerekli lme ve hesaplamalar yaparak tablo-18.2'yi tamamlaynz.
.e
Relaksasyon osilatr devresinde B1, B2 ve E ularndaki gerilimlerin dalga biimlerini

osilaskop ile gzleyiniz. Osilaskopta elde ettiiniz dalga biimlerini ekil-18.2'deki
95
ri.
tla
no
ekil-18.2 Relaksasyon Osilatrn Dalga ekilleri
llen
100
100
100
220
47
em
de
10
22
4K7
10
10
F 1/(RECE)
Hesaplanan
rs
RE (KW) CE (nF)
Tablo-18.2 Relaksasyon Osilatrn Bilgi Tablosu
ZET:
.e
Kaplan
co
m
Relaksasyon (gevemeli) osilatr devresi bir kare dalga iaret retecidir. k

iaretinin genlii ve frekans belli snrlar ierisinde kontrol edilebilir.
k iaretinin frekans deerini kontrol etmede devrede kullanlan kondansatr
etkindir.
Kondansatrn arj ve dearj sreleri k iaretinin frekansn belirler. Uygulamas
yaplan relaksasyon osilatr devresinde kondansatrn arj sresi kontrol edilmekte
fakat dearj sresi kontrol edilememektedir.
Relaksasyon osilatr devresi genellikle, endstriyel g kontrol uygulamalarnda
tetikleme devresi olarak kullanlr.
96
Kaplan
co
m
SORULAR:
ri.
Relaksasyon osilatr devresinde k iaretinin frekans nelere bamldr?

Aklaynz?
tla
Relaksasyon osilatr devresinde CE kondansatrnn dearj sresi neden kontrol

edilemiyor? Aklaynz?
rs
DENEY: 2
no
Gevemeli relaksasyon devresinde RE ve R2 direnleri iin snr deerleri niin

verilmitir? Aklaynz?
KARARSIZ MULTVBRATR:
de
Bu deneyde, UJT ile oluturulmu kare dalga k verebilen bir kararsz (astable)
multivibratr devresi incelenecektir.
N BLG:
em
ekil-18.3'de kare dalga kl bir kararsz osilatr (astable multivibrator) devresi

verilmitir. Devrenin almasn ksaca aklayalm.
.e
lk anda, C kondansatr R1 zerinden VBB deerine arj olur. Diyot ularna den
gerilim ihmal edilirse, kondansatr gerilimi Vp deerine ulatnda UJT iletken olur.
Bir sre sonra kondansatr gerilimi Vv deerine der ve diyot ters polarma olarak
yaltma girer. Kondansatr bu sefer ters polariteye R2 zerinden arj olur.
ekil-18.3 Kararsz Multivibratr Devresi

97
Kaplan
co
m
Bylece bir saykl tamamlanr. Kondansatrn arj ve dearj sreleri aadaki

formllerden bulunur.
tla
ri.
arj sresi;
DENEYN YAPILII:
no
Dearj sresi;
rs
Kararsz multivibratr devresi ekil-18.3'de grlmektedir. Bu devreyi deney seti

zerine kurunuz. Germanyum diyot kullannz.
de
Kararsz multivibratr devresinde VE ve VB2 gerilimlerinin DC seviyelerini lerek

sonucu tablo-18.3deki ilgili yerlere kaydediniz.
VE
VB2
em
VBB
Tablo-18.3 Kararsz Multivibratrn DC polarma Gerilimleri
.e
Osilaskop kullanarak VE ve VB2 gerilimlerinin dalga biimlerini inceleyiniz. Elde

ettiiniz dalga biimlerini ekil-18.4'deki diyagrama orantl olarak iziniz.
ekil-18.4 Kararsz Multivibratrn Dalga ekilleri
98
Kaplan
co
m
Osilaskopdan yararlanarak Vp, VE(on), VB2, Ton ve Toff deerlerini lnz. Elde
ettiiniz sonular tablo-18.4'deki ilgili yerlere yaznz.
Vp (volt) Veon (v)
Ton
(ms)
Toff
(ms)
F (Hz)
tla
C1 (F)
ri.
ekil-18.3'deki deney devresindeki C kondansatrn 1F yapnz ve deneyi

0.1
1
.e
em
de
rs
no
Tablo-18.4 Kararsz Multivibratrn Verileri
99
VB2 (v)
BLM 9
Kaplan
co
m
PUT KARAKTERSTKLER VE UYGULAMALARI
ri.
KONU:
tla
Programlanabilir Tek Bileimli Transistrnn (Programmable UJT); almas,

zellikleri ve baz nemli uygulamalar gerekletirilecektir.
GEREKL DONANIM:
de
rs
no

G Kayna: 12V DC
Anahtar: 2 Adet
PUT: 2N6027 veya Muadili
Diren: 100,2x220, 1K, 6K8, 10K
Potansiyometre: 10K
N BLG:
.e
em
PUT; (programmable unijuntion transistor: programlanabilir UJT) yar iletkenler

ailesinden tristr grubuna dahil aktif bir devre elemandr. 4 kat P ve N ekleminden
oluan PUT'un yariletken yaps ve sembol ve UJT edeeri ekil-19.1'de
gsterilmitir. adet terminale sahip olan PUT'un terminalleri Anot, katot ve geyt
olarak adlandrlr. PUT'un almas UJT'den farkl deildir. Sadece tetikleme gerilimi
Vp'nin deeri, PUT'ta harici direnler kullanlarak programlanabilir.
ekil-19.1 PUT'un Yaps, Sembol ve UJT Edeeri

Doru polarmada PUT'un anot-katot ularna uygulanan gerilim deeri programlanan
Vp deerini geerse, PUT iletime geer. Eer anot-katot arasna uygulanan gerilim
tutma seviyesinin (Vv) altna inerse PUT kesime gider. PUT'un tetikleme seviyesi
ekil-20.2'deki devreden faydalanarak programlanr ve deeri aada belirtilen
ekilde hesaplanr.
100
ri.
de
DENEY: 1
rs
no
tla
ekil-19.2 PUT'un Programlanmas
OHMMETRE LE TEST:
em
Bu deneyde PUT'un ohmmetre ile pratik olarak test edilmesi ve anot, katot ve geyt
ularnn bulunmas renilecektir.
N BLG:
PUT'un basit testi tpk regler diyot gibi ohmmetre ile yaplabilir. PUT'un geyt ile
katot terminalleri aras daima ok yksek bir diren deeri gsterir. nk ters
polaritededir.
.e
Kaplan
co
m
Ohmmetre'nin pozitif ucu PUT'un anat'una negatif ucu ise katot'una uygulandnda
PUT ak devre gsterir. Bu balant bozulmadan katot ucundan geyt'ede negatif bir
polarma uygulanrsa PUT tetiklenerek iletime geer ve kk bir diren deeri
gsterir. Bu durum ekil-19.3'de ayrntl olarak izilmitir.
DENEYN YAPILII:
PUT zerinde gerekli lmleri yapabilmek iin analog ohmmetrenin kalibrasyonunu
yapnz.
ekil-19.3.a'daki balanty yapnz. Ohmmetre ularnn polaritelerine dikkat ediniz
ve Ohmmetre skalasn en dk deere alnz. Bu durumda ohmmetreden PUT'un
gsterdii diren deerini lerek kaydediniz.
101
Kaplan
tla
ri.
co
m
no
ekil-19.3 PUT'un ohmmetre ile Testi
rs
Bir nceki balanty bozmadan ohmmetrenin negatif ucundan bir kabloyla ekil19.3.b'deki gibi PUT'un geyt'ini tetikleyiniz. Ohmmetrede sonucu gzleyerek elde
ettiiniz diren deerini kaydediniz.
de
PUT'un geyt ucunu boa alnz. Ohmmetrede sonucu gzleyerek not ediniz. PUT
iletime devam ediyor mu? Neden? Aklaynz?
em
DENEY: 2
PUT'UN ALIMASI:
.e
PUT'un iletime geebilmesi iin anodu kataduna nazaran daha pozitif bir polaritede
olmaldr. Geyt'e ise anaduna nazaran daha negatif bir polarite uygulanmaldr. Bu
koullarda PUT iletime geer ve katodundan anaduna doru bir akm akar. PUT'un
iletimi; anot akmnn tutma akm (IH) deerinin altna dene kadar devam eder.
PUT'un iletim geriliminin programlanabildii unutulmamaldr. Bu deneyde PUT'un
iletimde ve kesimde nasl alt gzlenecektir.
102
ri.
tla
no
de
rs
ekil-19.4 PUT'un almas ve Karakteristikleri
DENEYN YAPILII:
em
PUTun alma karakteristiklerini incelemek zere ekil-19.4'deki devre

tasarlanmtr. Bu uygulama devresini deney seti zerine kurunuz. Uygulama
devresinde S1 ve S2 anahtarn A konumuna alp devreye g uygulaynz.
PUT'un anot gerilimi (VA) ve anot-katod akmn (IAK) lnz. Elde ettiiniz sonucu
tablo-19.1'deki ilgili yere yaznz.
S1 anahtarn B konumuna alnz ve bu durumda da lmeleri tekrarlaynz. Sonular

tablo-19.1'deki ilgili yerlere yaznz.
.e
Kaplan
co
m
S1 anahtarn tekrar A konumuna alnz ve lmeleri tekrarlayarak sonularnz tablo19.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
DURUM
Atelemeden
nce
Ateleme An
Atelemeden
Sonra
Reset
Resetden Sonra
S1
S2
A
A
B
A
VA (v)
Tablo-19.1 PUT'un alma Verileri
103
IAK (mA)
ri.
Tablo-20.1'de verilen S1 ve S2 anahtarlarnn btn konumlarn sra ile deneyiniz.

Her konum iin gerekli lmeleri yaparak sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
Devrenin besleme gerilimini kapatnz. Bu deney bitmitir.
PUT KAREKTERSTKLER:
tla
DENEY: 3
no
Bu deneyde PUT'un Akm-Gerilim karakteristii ve zellikleri ayrntl olarak

incelenecektir.
N BLG:
.e
em
de
rs
PUT'un iletime geebilmesi veya kesime gidebilmesi iin bir takm koullarn
salanmas gerekmektedir. Bu koullar PUT paremetreleri ile ilgilidir. PUT'un en
nemli paremetreleri; VG, Vp, IAK ve IH deerleridir. Bu deerlerin zelliklerini nceki
deneylerden biliyorsunuz. Bu almada PUT'un belirtilen paremetrelerini
hesaplayacaz ve leceiz.
Kaplan
co
m
ekil-19.5 PUT Paremetreleri in Deney Devresi
DENEYN YAPILII:
ekil-19.5'deki deney devresini set zerine kurunuz. VA gerilimini Potansiyometreyi
kullanarak 0V'a ayarlaynz.
PUT'un VG ve Vp deerleri aadaki formller yardm ile bulunur. Bu formlleri
kullanarak ekil-19.5'deki devrede gerekli VG ve Vp deerlerini hesaplaynz.
Sonular tablo-20.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
104
ri.
tla
VG gerilimini lerek elde ettiiniz sonucu tablo-19.2'deki ilgili yere yaznz.

VAKgerilimini P potansiyometresini kullanarak yava yava artrnz. Bu gerilimin
aniden azald noktay voltmetreden bir ka kez deneyerek tespit ediniz. Bulduunuz
bu deer, PUT'un tetikleme gerilimi Vp'dir. Bu deeri lerek tablodaki ilgili yere
kaydediniz.
no
PUT'un iletime getii noktada anat-katod akmn (IAK) lerek sonucu tabloya
kaydediniz.
de
rs
PUT atelendikten sonra P potansiyometresi ile IAK akmn yava yava azaltnz. IAK
akmnn aniden 0'a dt noktay bir ka kez deneyerek belirleyiniz. IAK akmnn
ani olarak 0'a dt noktadaki deer PUT'un tutma akm IH deeridir. Bu deeri
lerek tablodaki ilgili yere kaydediniz.
PUT'un atelendii andaki VA ve Vp gerilim deerlerini lerek tablodaki ilgili yerlere
kaydediniz.
em
Ayn deneyi, tablo-20.2'de verilen R1 ve R2 direnlerini kullanarak tekrarlaynz. Elde

ettiiniz sonular tablodaki ilgili yerlere yaznz.
VG
Vp
Vp
VG
I (mA) IH (mA)
(Hesap) (llen) (Hesap) (llen) AK
.e
R1 (K) R2 (K)
Kaplan
co
m
Tablo-29.2 PUT'un eitli Paremetrelerinin Elde edilmesi
DENEY: 4
RELAKSASYON OSLATR:
Bu deneyde PUT'la gerekletirilmi bir relaksasyon osilatr devresinin almasn
ve zelliklerini inceleyeceiz.
105
N BLG:
em
de
rs
no
tla
ri.
Relaksasyon osilatrn ilevini ve zelliklerin daha nce yaptmz uygulamalardan

biliyorsunuz (UJT ile gerekletirilen relaksasyon osilatr). PUT'la gerekletirilen
osilatr devresi UJT ile yaplanla benzerlik gsterir. Mstesna olarak PUT'un
tetikleme gerilimi UJT'den daha belirgindir ve belli koullar dahilinde ayarlanabilir.
ekil-19.6'da PUT'la gerekletirilmi relaksasyon osilatr devresi grlmektedir. Bu
devrede PUT'un tetikleme gerilimi R1 ve R2 direnlerine bal olarak seilir. Bu deer
yaklak olarak besleme geriliminin (Vcc) yzde 63.2'sidir. Devrenin osilasyon
frekans ise yaklak olarak aadaki formlle bulunur.
ekil-19.6 PUT'la Yaplan Relaksasyon Osilatr
DENEYN YAPILII:
ekil-19.6'daki devreyi deney seti zerine kurunuz. Voltmetre ile VA, VG ve VK

deerlerini lerek kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
VA
VG
VK
Anot, katod ve geyt terminallerindeki gerilimlerin dalga biimlerini osilaskop ile

lerek ekil-19.7'deki diyagrama orantl olarak iziniz.
106
ri.
tla
no
ekil-19.7 Relaksasyon Osilatr Dalga ekilleri
rs
Devrenin osilasyon frekansn hesaplayarak tablo-19.3'deki ilgili yere kaydediniz.

Devrenin osilasyon frekansn osilaskop ile lerek sonucu tablo-19.3'deki ilgili yere
kaydediniz.
.e
em
de
Deneyi tablo-19.3'de belirtilen RA ve CA deerleri iin deneyi tekrarlaynz. Elde

ettiiniz sonular tablo'daki ilgili yerlere kaydediniz.
Kaplan
co
m
RA
(K)
100
100
100
47
220
CA
(nF)
10
100
22
10
10
F=1 / RACA (Hz)

Hesaplanan llen
Tablo-19.3 Relaksasyon Osilatr Bilgi Tablosu
ZET:
PUT, paremetreleri UJT ile benzerlik gsterir. Sadece iletim gerilimi belli koullar
altnda istenilen bir deere proramlanabilir. Bu zellik PUT'u bir ok uygulamada
popler yapmtr.
SORULAR:
Bir PUT'un salam veya bozuk olup olmadn bir ohmmetre ile test edebilir misiniz?
Nasl? Aklaynz?
PUT'un iletime gemesi iin gerekli koullar aklaynz?
107
Kaplan
co
m
SCR (TRSTR) KARAKTERSTKLER

KONU:
ri.
SCR'nin (Tristr) Ohmmetre ile test edilmesi, Akm-Gerilim karakteristikleri ve

almasnn incelenmesi.
tla
GEREKL DONANIM:
rs
no

Ayarl G Kayna: 0-20V, DC
SCR (TIC126D veya Muadili)
ki Konumlu Anahtar,
Buton 2 Adet
Kondansatr: 22nF, 2.2F
Diren: 100, 470, 680, 1K, 1K5, 10K, 22K, 100K
Potansiyometre: 47K
de
N BLG:
.e
em
SCR; (Slikon Controlled Rectifier: Slikon Kontroll Dorultucu) yar iletken devre
elemanlar ailesinden Tristr grubuna dahil ulu aktif bir devre elemandr.
SCR'nin sembol, yaps ve transistr edeeri ekil-20.1'de gsterilmitir. SCR'nin
adet terminali vardr. Terminallerine Anot , Katod ve Geyt isimleri verilmitir.
ekil-20.1 SCR'nin Sembol, Yaps ve Transistr Edeeri

SCR'nin iletimde ve kesimde olmak zere balca iki tip alma ekli vardr. SCR,
iletimde iken anot ile katot terminalleri arasndaki direnci minimumdur (yaklak
olarak ksa devre). Kesimde ise bu deer maksimumdur (yaklak olarak ak devre).
SCR'nin anot ile katot terminalleri arasn bir anahtar olarak dnebiliriz.
SCR'yi iletimde veya kesimde altrmann bir ok yntemi vardr. En yaygn
kullanlan yntem, SCR'yi bir transistor gibi altrmaktr. Bu yntemde SCR'yi
iletime geirmek iin geyt terminaline bir tetikleme pals uygulanr. Bu pals'n
polaritesi katoda nazaran pozitif olmaldr. Bu yntem, deneyler de ayrntl olarak
incelenecektir.
108
ri.
SCR, bir ok endstriyel uygulama da kontrol eleman olarak olduka sk kullanlr.

Alak g kayb, Kk boyutu, sessiz almas, ok kk kontrol akmlar ile ok
byk akmlar kontrol etmesi SCR'nin tercih edilmesinde etkendir.
SCR'NN OHMMETRE LE TEST:
tla
DENEY:1
no
Bu deneyde; SCR'nin ohmmetre ile salamlk testi yaplacak ve terminallerinin nasl

bulunduu renilecektir.
N BLG:
de
rs
SCR'nin almasn bir ohmmetre ile test edebiliriz. SCR terminallerine bakldnda
geyt-anot arasnn tpk bir diyot gibi test edilebilecei grlebilir fakat bu pratik olarak
mmkn deildir. nk geyt-anot aras daima ters polaritededir ve ok byk bir
diren deeri gsterir.
em
SCR'nin ohmmetre ile testi genellikle anot, katod ve geyt terminalleri birlikte
kullanlarak yaplr. Ohmmetre'nin pozitif ucu SCR'nin anoduna, negatif ucu ise
katoduna uygulandnda doru polarma olduu halde SCR yksek bir diren
gsterir. nk geyt terminali tetiklenmemitir. SCR'nin iletime geip anot-katod
arasnn ksa devre olabilmesi iin ayn anda geyt ucuna da pozitif bir tetikleme
uygulanmaldr. Bu durum ekil-20.2.b'de gsterilmitir.
.e
DENEYN YAPILII:
Kaplan
co
m
Gerekli lmleri yapabilmek iin ohmmetre'nin kalibrasyonunu yapnz ve analog

ohmmetre kullannz.
SCR'nin anot ve katod terminalleri arasna ohmetre'nin ularn ekil-20.2.a'daki gibi

balaynz. Analog ohmmetrelerde genellikle siyah u art (+), krmz u negatif (-)
polaritededir. Sonucu kaydediniz. Salam bir tristrde; tristr yaltkan olduu iin
sonsuz diren deeri grmelisiniz.
Ohmmetre'nin ular ayn kalmak kouluyla, anot ve geyt terminallerini bir kabloyla
ekil-20.2.b'deki gibi ksa devre ediniz. Sonucu kaydediniz. Salam bir tristrde;
Tristr tetiklenip ve iletime getii iin anot-katod aras direnci minimuma inecektir.
Geyt terminaline baladnz kabloyu karnz. Sonucu kaydediniz. Bu koullarda
SCR iletime devam etmelidir.
109
ri.
tla
no
ekil-20.2.a.b ve c SCR'nin Ohmmetre ile Testi
rs
DENEY: 2
SCR'NN ALIMASI:
de
Bu deneyde; SCR'yi iletime ve kesime gtrme yntemleri incelenerek, SCRnin

iletimde ve kesimde nasl alt aratrlacaktr.
em
N BLG:
SCR'yi geyt terminali ile iletkenlii kontrol edilebilen bir diyot gibi dnebiliriz. SCR'yi
iletime geirebilmek iin anot ile katod arasna doru polarma ve geyt terminaline ise
katod'a nazaran pozitif bir tetikleme gerilimi uygulanmaldr. SCR, iletime getiinde
katodundan anoduna doru bir akm akar ve zerinde (anot-katot ular arasnda)
kk bir gerilim dm meydana gelir.
.e
Kaplan
co
m
SCR iletime getikten sonra geyt terminali kontrolden kar ve SCR'yi artk kontrol
edemez. SCR'nin tekrar kesime gidebilmesi iin anot akm, SCR'nin Tutma Akm
(holding current) deerinin altna drlmelidir. Tutma akm IHolarak tanmlanr ve
deeri her SCR iin retici kataloglarnda verilir.
SCR'nin nemli bir zellii ok kk geyt akm (IG) ile ok byk anot (IA) akmn
kontrol etmesidir.
SCRnin; temel alma zelliklerini (iletim/kesim) ekil-20.3de verilen devre
yardmyla aratracaz.
110
ri.
tla
no
ekil-20.3 SCR'nin letimde ve Kesimde almas
rs
DENEYN YAPILII:
de
SCRnin; iletimde ve kesimde nasl altn anlamak amacyla ekil-20.3'deki devre

tasarlanmtr. Bu devreyi deney seti zerine kurunuz.
em
nce S2, daha sonra S1 anahtarn A konumuna alnz. S1 ve S2 anahtarlar A

konumunda iken SCR'nin geyt (VG) ve anot (VA) gerilimlerini lerek elde ettiiniz
deerleri tablo-20.1'deki ilgili yere kaydediniz. Tablo-20.1deki ilgili kolona bu durumda
SCRnin iletimde mi kesimde mi olduunu belirtiniz.
.e
S1 anahtarn B konumuna alnz. Bu durumda SCR'nin geyt (VG) ve anot (VA)

gerilimlerini lerek sonular tablo-20.1'deki ilgili yere kaydediniz. Ayrca tablodaki
ilgili yere SCR'nin durumunu (iletimde veya kesimde) belirtiniz.
Kaplan
co
m
S1 anahtarn A konumuna alnz. Bu durumda SCR'nin geyt (VG) ve anot (VA)

gerilimlerini lerek tablo-20.1'deki ilgili yere kaydediniz. Ayrca tablodaki ilgili yere
SCR'nin durumunu belirtiniz.
S2 anahtarn B konumuna alnz. Bu durumda SCR'nin geyt (VG) ve anot (VA)
gerilimlerini lerek tablo-21.1'deki ilgili yere kaydediniz. Ayrca tablodaki ilgili yere
SCR'nin durumunu (iletimde veya kesimde) belirtiniz.
S2 anahtarn A konumuna alnz. Bu durumda SCR'nin geyt (VG) ve anot (VA) gerilimlerini lerek tablo-21.1'deki ilgili yere kaydediniz. Ayrca tablodaki ilgili yere
SCR'nin durumunu (iletim-kesim) belirtiniz.
111
VG (v)
VA (v)
DENEY: 3
no
Tablo-20.1 SCR'nin almas Bilgi Tablosu
rs
SCR LE AKIM KONTROL:
de
Bu blmde; Geyt akm ve geriliminin SCR'nin anot akm ve gerilimine etkisini

inceleyeceiz.
N BLG:
.e
em
SCR'nin iletime geebilmesi iin geyt akmnn nemi nceki deneyde incelenmiti.
Geyt akm (IG) ile anot akm (IA) arasndaki iliki bu blmde aratrlacaktr.
SCR'nin iletime geebilmesi iin anot ile katod arasna doru polarma uygulanp,
geyt terminalinden tetiklenmesi gerektiini biliyoruz. Fakat tetikleme akm ve
geriliminin maksimum ve minimum deerleri hakknda bilgimiz yok.
Bu deneyde; SCR'nin bu karakteristiklerini lerek minimum ve maksimum deerleri
tespit edeceiz. Gerekte retici firmalar bu deerleri rettikleri her SCR iin
kataloglarnda vermilerdir. Deneylerimizde kullandmz TIC126D tipi SCR'nin baz
nemli katalog bilgileri ve karakteristikleri aada verilmitir.
SCRnin Durumu
ri.
S2
A
A
A
B
A
B
tla
S1
A
B
A
A
A
A
Kaplan
co
m
VAK
: Maksimum 400
Volt
IAK
IG
: Maksimum 8 Amper
: Minimum 5mA,
VG
: Minimum 0.8V,
IH
VH
: 40mA
: 0.95V
Maksimum 20mA
Maksimum 1.5V
112
ri.
SCR'nin tetiklenip iletime gemesinden sonra geyt terminali artk SCR zerindeki
kontroln kaybeder. SCR'yi tekrar kesime gtrmek iin Anot akmnn belli bir
deerin altna drlmesi gerekir. SCR'nin bu akm deerine Tutma Akm denir ve
IH ile sembolize edilir. Deeri retici kataloglarnda verilmektedir.
DENEYN YAPILII:
no
tla
ekil-20.4'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta VGG gerilim kayna
0V olmaldr. Deneye balamadan SCR'nin kesimde olduundan emin olunuz.
VGG gerilim kaynan kullanarak IG akmn tablo-20.2'de belirtilen 1mA deerine
ayarlaynz. Anot akmn (IA) ve Anot-katod gerilimini (VA) lerek elde ettiiniz
sonucu tablo-20.2'deki ilgili yerlere yaznz.
.e
em
de
rs
VGG ayarl gerilim kaynan kullanarak geyt akmn Tablo-20.2'de belirtilen

deerlere sra ile ayarlaynz. Her IG deeri iin IA akmn ve VA gerilimini lerek
Kaplan
co
m
ekil-20.4 SCR'nin Kontrol Karakteristikleri
IG
0
(mA)
VG (v)
IA
(mA)
VA (V)
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0
Tablo-20.2 SCR'nin Geyt ve Anot Akmlar Arasndaki liki

lmeleri tablo-20.2'deki btn deerler iin tamamlaynz. Elde ettiiniz deerleri
ilgili yerlere kaydediniz. SCR'nin minimum tetikleme akm deeri nedir? Kaydediniz?
113
IG( min )=
Kaplan
co
m
mA.
Bu
deer
Katalogda
belirtilen
deere
uygun
mudur?
SCR'nin tetikleme anndaki geyt gerilimi deerini lerek kaydediniz.
volt.
ri.
VG( min ) =
Aklaynz?
tla
Bu
deer
katalogda
belirtilen
deere
uygun
mudur?
Aklaynz?
SCR iletimde iken sadece tetikleme kaynan devreden skerek VG deerini 0V
yapnz. SCR hala iletken mi? Neden? Aklaynz?
no
SCR'nin kontrol edilmesinde anot-katot geriliminin fonksiyonu, yn ve deeri

hakknda bilgi veriniz? Nedenlerini aklaynz?
rs
SCR'yi kesime gtrmek iin anot akm deerinin, tutma akm (IH) deerinin altna
drlmesi gerekir. Bu deeri lmek ve SCR'yi kesime gtrmek iin ekil20.5'deki deney dzeneinden faydalanacaz.
.e
em
de
ekil-20.5de iki ayr deney dzenei verilmitir. Bu deney dzenekleri yardmyla da

tpk bir nceki deneydeki gibi SCRnin; IA, VA, IG, VG ve IH deerlerini test
edebiliriz.
ekil-20.5.a ve b SCRnin eitli Akm ve Gerilim Deerlerinin llmesi

ekil-20.5.ada grlen deney dzeneini set zerine kurunuz. S1 ve S2
anahtarlarn
A
konumuna
alnz
ve
devreye
enerji
uygulaynz.
Devre dzeneinden faydalanarak SCRnin Geyt akmn hesaplaynz. Sonucu ilgili
yere kaydediniz.
114
ri.
SCRnin anot-katot gerilimini lnz. Sonucu kaydediniz. Sonulara gre SCR

iletimde mi, kesimde mi? Belirtiniz?
tla
VAK=_______________ volt,
SCR=_______________________(iletimde/Kesimde)
rs
no
S1 anahtarn B konumuna alnz. SCRnin geyt akmn hesaplaynz. Sonucu ilgili

yere kaydediniz.
de
SCRnin anot-katot gerilimini lnz. Sonucu kaydediniz. Sonulara gre SCR

iletimde mi, kesimde mi? Belirtiniz?
VAK=_______________ volt,
em
SCR=_______________________(iletimde/kesimde)
VAA gerilim kaynan devreden sknz. SCRnin tutma akmn lmek amacyla
devreyi
ekil-20.5.bdeki
gibi
yeniden
dzenleyiniz.
Balangta
RH
potansiyometresini 0 deerine alnz. S1 ve S2 anahtarlarnn A konumunda
olduundan
emin
olunuz
ve
sisteme
enerji
uygulaynz.
S1 anahtarn bir an iin B konumuna alp tekrar A konumuna alnz. Bu anda
SCRnin VAK gerilimini ve IA akmn lerek sonular kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
VAK=_________________ volt,
IA=___________________mA
RH potansiyometresini yava yava artrarak IA akmn azaltnz. IA akmnn

minimuma dt deeri veya VAK=VAA=12Volt olana kadar ileme devam ediniz.
Bu ilemi gerekirse 1 ka kez tekrarlaynz. SCRyi kesime gtren IA akmnn bu
deerine tutma akm (IH) denir. Bu deeri tespit edip kaydediniz.
IH=____________________ mA
Tutma akm ve gerilimini tespit etmek amacyla aada farkl bir yntem daha
anlatlmtr. Bu yntemi de gerekirse deneyiniz.
115
no
tla
ri.
ekil-20.6daki devre dzeneini deney seti zerine kurunuz. S butonuna basarak

SCR'yi tetikleyiniz ve iletime geiriniz.
de
Bu anda IA akm;
rs
ekil-20.6 SCRnin eitli Akm ve Gerilim Deerlerinin llmesi
em
deerine eittir. Bu deeri devreden hesaplaynz ve lnz. Sonular kaydediniz.
IA(Hesaplanan) :
mA
IA(llen) :
mA
.e
Kaplan
co
m
IA deeri tutma akmndan byk olduu iin SCR iletime gemitir. VAA gerilim
kaynann deerini anot akmndaki deiimi gzleyerek yava yava drnz. IA
akmnn aniden 0'a dt noktay bir ka kez deneyerek bulunuz. Bu deer tutma
akm deeridir. lerek kaydediniz.
IH=
mA
Bu andaki SCR'nin anot-katod ular arasndan llen gerilim deeri (VA), tutma
gerilimi deeridir. Bu gerilimi lerek kaydediniz.
VH=
volt.
116
DENEY: 4
SCR LE DC KONTROL:
ri.
Bu deneyde SCR ile yaplan eitli kontrol devreleri verilecek ve bunlarn almalar
aratrlacaktr.
tla
N BLG:
no
ekil-20.6.a ve b'de DC yk akmnn kontrol edilebilmesi iin gelitirilmi kontrol

devreleri grlmektedir. ekil-20.6.adaki uygulama devresinde SCR kullanmann
nemli bir zellii yoktur. nk btn yk akm, S2 anahtar zerinden
gemektedir. Devre sadece anahtarla kontrol edilebilir.
.e
em
de
rs
ekil-20.6.b'deki devre ise alma ve zellikleri bakmndan dierinden farkldr. Bu

devrede yk akm SCR tarafndan kontrol edilmektedir. SCR'nin kontrol ise geyt
terminalinden yaplmaktadr. Bu devrenin nemli bir zellii, SCR'nin iletimde veya
kesimde olmasn geyt terminalinin kontrol etmesidir.
Kaplan
co
m
ekil-20.6.a ve b SCR le DC Kontrol
Devrenin almasn ksaca zetleyelim: S1'e basldnda, C zerinden bir kap

akm akacak tristr iletime geecek ve lamba yanacaktr. Bu anda kapasitr G-K
balants yoluyla 11V'a arj olacaktr.
S2'ye basldn da ise arjl kapasitr tristre paralel balanm olacaktr. Bu
durumda, SCR'nin anoduna negatif, katoduna ise pozitif kutup balanm olur.
Sonuta SCR ters polarmalanarak kesime gidecektir. Bylece geyt terminali
kullanlarak SCR'nin iletime veya kesime gtrlmesi salanm olur.
117
DENEYN YAPILII:
ekil-20.6'a.daki devreyi deney seti zerine kurunuz. nce S1 butonuna basp

braknz. Bu anda lambann durumunu gzleyiniz.
ri.
Soru: Lambann durumu nedir? Neden? Aklaynz?
tla
S2 anahtarn anz. S1 anahtarna basp braknz ve lambann durumunu

gzleyiniz.
no
S1 butonunu ve S2 anahtarn eitli olaslklar iin deneyip sonular gzleyiniz.

Soru: Devrede kullanlan elemanlarn ilevlerini belirtiniz?
rs
ekil-20.6.b'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. nce S1 butonuna basp

braknz ve Lambann durumunu gzleyiniz. SCR iletime gemi ve Lamba
yanmtr. Nedenini aklaynz?
de
S2 butonuna basp braknz. Soru:Lambada ve devrede ne gibi deiiklikler

olmutur? neden? Aklaynz?
em
SORULAR:
SCR'nin ohmmetre ile

fonksiyonunu belirtiniz?
tetiklenip
iletime
geebilmesi
iin
geyt
terminalinin
SCR tetiklenip iletime getikten sonra geyt terminalinin fonksiyonunda bir deiim
oluyor mu? Aklaynz?
.e
Kaplan
co
m
SCR'nin tetiklendikten sonra, tekrar kesime gidebilmesi iin ne yaplmaldr?

Aklaynz?
Ohmmetre kullanlarak terminal isimleri belli olmayan bir SCR'nin terminallerini
bulabilir misiniz? Nasl? ekil izerek aklaynz?
letimden nce, SCR'nin anodu ile ase arasnda
bulunur. Neden? Aklaynz?
volt gerilim
SCR'nin iletime geebilmesi iin geyt tetikleme geriliminin deeri ve polaritesi ne

olmaldr? Aklaynz?
SCR'nin akm-gerilim karakteristiini iziniz?
retici kataloglarn inceleyerek SCR tipleri ve tip kodlar hakknda bilgiler veriniz?
118
co
m
Kaplan
SCR UYGULAMALARI
ri.
KONU:
tla
SCR ile yaplan eitli uygulamalar tantlacak ve SCR ile gerekletirilen Faz kontrol
devreleri incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
de
rs
no
G Kayna: 24V AC
Multimetre
SCR (TIC126D veya Muadili)
Diyot:4x1N4007 veya Muadili
UJT: 2N2646 veya Muadili
Diren: 2x100, 470, 680, 1K, 100K
Potansiyometre: 10K, 100K
Kondansatr: 0.22F, 10F
Lamba: 24V Akkor Flemanl
em
N BLG:
SCR'nin DC karakteristiklerini ve alma prensiplerini inceledik. Bu blmde SCR'nin

AC iaretlerde almasn ve zelliklerini inceleyeceiz.
Elektro mekanik devrelerde; anahtar, role ve reostalarn yerlerine SCR'ler gvenle
kullanlabilir. Alak g harcamas, sessiz almas, ekonomik olmas, boyutlarnn
kk olmas SCR'nin bir ok endstriyel uygulamada tercih edilmesine neden olur.
G ve endstriyel kontrol nitelerinde SCR'nin temel alma prensibi faz
kontroldr. Bu blmde SCR ile yaplan eitli faz kontrol devrelerini inceleyeceiz.
.e
BLM 10
DENEY: 1
YARIM DALGA FAZ KONTROL:
ekil-21.1'de SCR ile yaplan yarm dalga faz kontrol devresi grlmektedir. Bu
devrede faz kontrol sadece pozitif alternanslarda yaplmaktadr. Devrenin almas
aada ksaca anlatlmtr.
119
ri.
tla
ekil-21.1 Yarm Dalga Faz Kontrol Devresi
de
VC=VD+VGK
rs
no
C kondansatr her sayklda SCR'nin tetikleme gerilimine P potansiyometresi

vastas ile arj olur. Devredeki diyodun grevi SCR'yi ar ters gerilimlere kar
korumaktr. SCR'nin g kontroln grmek iin devreye bir lamba eklenmitir.
Lambaya seri bal 100 ohm'luk diren lambann mrnn uzatlmas iindir. P
potansiyometresi C kondansatrnn arj sresini ayarlamada kullanlr. C
kondansatrnn arj gerilimi;
em
deerine ulanca SCR tetiklenir ve tetikleme as P potansiyometresi ile

ayarlanabilir.
DENEYN YAPILII:
ekil-21.1'deki devreyi deney seti zerine kurunuz ve SCR'nin VAK geriliminin dalga
biimini lmek ve incelemek iin SCR'nin anot-katod terminalleri arasna bir
osilaskop balaynz.
.e
Kaplan
co
m
Osilaskobun gerekli kalibrasyon ayarlarn yapnz. P potansiyometresini kullanarak

SCR ile faz kontrol yapmaya alnz. Minimum ve maksimum faz kontrol alarn
osilaskop ile lerek sonular kaydediniz.
QT( min )=____________________
QT( max )=___________________
Potansiyometreyi kullanarak SCR'nin tetikleme asn 900 ye ayarlaynz. SCR

gerilimi (VAK ) ve yk geriliminin (VL) dalga biimlerini inceleyiniz ve ekil-21.2'de
verilen grafik ekrana iziniz.
120
Kaplan
co
m
Yk Gerilimi (VL)
QT
SCR Gerilimi (VAK)
tla
ri.
900
VL(rms) =
no
VAK (rms)=
rs
1200
VAK (rms)=
de
VL(rms) =
ekil-21.2 SCR ve Yk Gerilimlerini Dalga Biimleri
.e
em
Yk gerilimi ve SCR geriliminin rms deerlerini voltmetre ile lerek ilgili yerlere
kaydediniz.
SCR'nin tetikleme asn 1200 ye ayarlaynz. Yk (VL) ve SCR (VAK) gerilimlerinin
dalga biimlerini osilaskopta gzleyiniz ve dalga ekillerini orantl olarak ekil21.2deki diyagrama iziniz.
Yk ve SCR gerilimlerinin etkin (rms) deerlerini bir voltmetre ile lerek sonular
ekil-21.2deki ilgili yerlere kaydediniz.
DENEY: 2
TAM DALGA FAZ KONTROL:
SCR ile yaplan tam dalga faz kontrol devresi en ekonomik ve popler faz kontrol
devresidir. Adndan da anlalaca gibi bu devre ile 3600 derece faz kontrol yapmak
mmkndr.
Tamdalga faz kontrol devrelerinde tetikleme devresi olarak sklkla UJT'li relaksasyon
osilatr devresi kullanlr. ekil-21.3'de byle bir devre verilmitir. Devredeki
tamdalga dorultma devresi sayesinde SCR'ye daima doru polarma uygulanmtr.
121
ri.
tla
no
rs
ekil-21.3 UJT Tetiklemeli Tam Dalga Faz Kontrol Devresi
em
de
SCR'nin tetikleme gerilimi ise UJT'li relaksasyon osilatr tarafndan retilmektedir.

Devredeki P ve C elemanlar relaksasyon osilatrn osilasyon frekansn ayarlamakta
kullanlr. Bu ise SCR'nin iletim asn kontrol etmede nemli bir parametredir.
UJT'nin B1 terminalinden R3 direnci ile SCR'nin geytine uygulanan tetikleme sinyali
SCR'nin iletim asn kontrol eder. letim as UJT ile kontrol edilen SCR, yk
akmn istenilen seviyede kontrol eder.
ekil-21.3'deki deney devresinde; SCR ile Yaplan tam dalga faz kontrol
gzlemlemek amac ile yk direnci yerine bir lamba konulmutur. Dolaysyla
lambadan geen akm SCR ile kontrol edilebilmekte ve lambann parlakl istenilen
lde ayarlanabilmektedir. eitli endstriyel uygulamalarda bu devreyle farkl bir
ok AC yk kontrol edilebilir.
.e
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII
ekil-21.3'deki tam dalga faz kontrol devresini deney seti zerine kurunuz. Yk
geriliminde yaplan faz kontroln gzlemlemek iin gerekli osilaskop balantsn
yaparak, osilaskobun kalibrasyonunu yapnz.
P potansiyometresini maksimum ve minimum deerlere sra ile ayarlaynz. Yk
gerilimindeki deiimi osilaskopta gzleyiniz.P potunun deiimi ile lambann
parlaklnda meydana gelen deiimi gzlemleyiniz.
P potansiyometresinin maksimum ve minimum deerlerinde oluan yk gerilimi ve
SCR geriliminin dalga biimlerini ekil-21.4'e orantl olarak iziniz ve bu gerilimlerin
etkin deerlerini lerek kaydediniz. (Vrms)
122
QT
Kaplan
co
m
Yk Gerilimi (VL)
SCR Gerilimi (VAK)
tla
ri.
P
Minim
um
VL(rms) =
no
VAK (rms)=
rs
P
Maksi
mum
VAK (rms)=
de
VL(rms) =
ekil-21.4 VL ve VAK Gerilimlerinin Dalga Biimleri
em
Osilaskobun 1.kanaln VC gerilimini, 2.kanaln ise VB1 gerilimini lecek ekilde

balaynz. P potansiyometresinin minimum ve maksimum deerleri iin elde ettiiniz
dalga biimlerini ekil-21.5'e iziniz.
UJTnin VB1 Gerilimi
VC Gerilimi
VL(rms) =
VAK (rms)=
VL(rms) =
VAK (rms)=
P
Mini
mum
.e
QT
P
Maksi
mum
ekil-21.5 Vc ve VB1 Gerilimlerinin Dalga Biimleri
123
P potansiyometresini SCR'nin iletim as 900 olacak ekilde ayarlaynz. Bu

konumda yk gerilimi (VL) ve SCR gerilimi (VAK) deerlerini osilaskopla lerek elde
ettiiniz dalga biimlerini ekil-21.6'da verilen diyagramda ilgili yere orantl olarak
iziniz.
Yk Gerilimi VRL
SCR Gerilim VAK
no
QT
tla
ri.
P potansiyometresini SCR'nin iletim as 1200 olacak ekilde ayarlaynz. Bu

konumda yk gerilimi (VL) ve SCR gerilimi (VAK) deerlerini osilaskopta lerek elde
ettiiniz dalga biimlerini ekil-21.6'daki diyagrama iziniz.
rs
900
VAK (rms)=
de
VL(rms) =
em
1800
.e
VL(rms) =
Kaplan
co
m
VAK (rms)=
ekil-21.6 eitli Faz Alarnda Dalga Biimleri
SONU:
Bu deneyde SCR'nin tetikleme gerilimi UJT'li relaksasyon osilatr ile salanmtr. Bu
devre dier faz kontrol devresine nazaran daha kullanl ve verimlidir. nk bir tam
sayklda faz kontrol yaplmtr.
SORULAR:
UJT'li tam dalga faz kontrol devresinde faz kontrol alarnn minimum ve maksimum
deerleri nedir? Belirtiniz?
Devrenin almasn ksaca aklaynz? Elemanlarn fonksiyonlarn belirtiniz?
Devrede; kpr dorultma devresi niin kullanlmtr? Aklaynz?
124
Kaplan
co
m
ri.
Bu devre ile DC bir yk kontrol edilebilmek iin neler yaplmaldr? ekil izerek
aklaynz?
TRYAK KARAKTERSTKLER
tla
KONU:
GEREKL DONANIM:
no
Slikon kontroll devre elemanlar grubundan Triyakn Karakteristikleri ve zellikleri

incelenerek eitli uygulamalar tantlacaktr.
de
rs
G Kayna: 24V AC, 15V DC

Triyak: TIC226D veya Muadili
Multimetre (saysal veya analog)
Anahtar: 2 Adet
Diren: 2x100, 2x1K, 10K
Kondansatr: 1F, 2.2F
em
N BLG:
.e
Triyak; yar iletken devre elemanlar ailesinden tristr grubuna dahil SCR'den
gelitirilmi ulu aktif bir devre elemandr. ekil-22.1'de sembol ve tristr
edeeri izilmitir.
ekil-22.1 Tiyak'n Sembol ve SCR edeeri

Triyak; anot1 (T1), anot2 (T2) ve geyt olmak zere adet terminale sahiptir. SCR
gibi triyakta tetikleme sinyallerinin kontrol altnda byk gerilim ve akmlar kontrol
etmek iin kullanlr.
125
Triyak, iki adet SCR'nin ters ynde paralel balanmas ile oluturulmutur ve ortak bir
geyt'e sahiptir. (ekil-22.1). AC gerilimin her iki alternasnda faz kontrol yapmas
elemann en nemli zelliidir.
DENEY: 1
OHMMETRE LE TEST:
no
tla
ri.
Gnmzde endstriyel uygulamalarda ok sk kullanlr. zellikle aydnlatma ve

stma sistemlerinde, motor ve g kontrolnde yaygn olarak kullanlr. ok yksek
akm ve gerilim deerlerinde alabilen yzlerce tip triyak vardr. zellikleri ve
karakteristikleri retici kataloglarndan temin edilebilir.
de
N BLG:
rs
Bu deneyde Triyak'n ohmmetre ile salamlk testi yaplacak ve terminallerinin

bulunmas incelenecektir.
.e
em
Triyak'ta tpk SCR'ye benzer ekilde test edilebilir. Ohmmetrenin pozitif ucu triyak'n
A2 terminaline, negatif ucu ise A1 terminaline balanrsa ohmmetre ok yksek bir
diren deeri (yaklak sonsuz) gsterir. nk Triyak tetiklenmemitir ve kesimdedir.
Ayn balant korunarak ohmmetrenin pozitif ucu geyt'e temas ettirilirse triyak
tetiklenir ve ohmmetreden kk bir diren deeri okunur. Daha sonra geyt'e yaplan
bu
balant
iptal
edilse
dahi
triyak
iletime
devam
edecektir.
Triyak'n terminal ve salamlk testi, ekil-22.2 ve 22.3'de gibi eitli durumlar iin
verilmitir. Srayla yapalm.
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII:
Analog Multimetrenin Ohm kademesinde (x1) gerekli kalibrasyonu yaparak lme
ilemi iin hazrlaynz.
ekil-22.2.a'daki balanty yaparak sonucu ohmmetre'de gzleyiniz ve ilgili yere
kaydediniz.
126
ri.
tla
ekil-22.2 Triyak'n Ohmmetre le Testi
no
Ayn balanty koruyarak ohmmetrenin pozitif ucunu bir kabloyla triyak'n geytine
ekil-22.2 deki gibi balaynz. Ohmetrede elde ettiiniz sonucu okuyarak ilgili yere
kaydediniz.
rs
Geyt'e uyguladnz tetiklemeyi iptal ediniz. (ekil-22.2.c) Sonucu ohmmetrede

gzleyerek ilgili yere kaydediniz.
.e
em
de
ekil-22.3'deki balanty kurunuz ve sonucu ohmmetreden gzleyerek kaydediniz.

ekil-22.3'deki balantlar bir nceki deneydeki gibi sra ile yapnz ve sonular
ohmmetreden okuyarak kaydediniz.
Kaplan
co
m
ekil-22.3 Triyak'n Ohmmetre le Test Edilmesi
DENEY: 2
TRYAK'I TETKLEME EKLLER:
Bu deneyde triyak' tetikleme (iletime geirme) modelleri incelenerek, almas
aratrlacaktr.
127
N BLG:
tla
no
A2 terminali pozitif, geyt pozitif

A2 terminali pozitif, geyt negatif
A2 terminali negatif, geyt pozitif
A2 terminali negatif, geyt negatif
ri.
Triyak'n tetiklenmesi geyt terminalinden uygulanan bir sinyal ile yaplmaktadr. Bu

sinyalin polaritesi, A1 ve A2 terminallerinin polaritesine bal olarak seilir. A1 terminali
referans olarak alnrsa balca 4 tip tetikleme modeli vardr. Bunlar aada sra ile
belirtilmitir. A1 referans olarak alnrsa;
.e
em
de
rs
Polaritelerde olmaldr. Bu blmde triyakn nasl tetiklendiini, tetiklenme blgelerini

ve polaritelerini ayrntl bir ekilde test edeceiz. Test ilemlerinde ekil-22.4deki
deney devresinden yararlanacaz.
Kaplan
co
m
ekil-22.4 Triyak' Tetikleme Metodlar
DENEYN YAPILII:
ekil-22.4'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. S1 ve S2 anahtarlarnn A
konumunda olduundan emin olunuz. Anahtarlarn ncelik sras nemlidir. Triyak'n
kesimde olduundan emin olunuz. Triyak kesimde deilse anahtarlarn ncelik
srasndan kaynaklanyordur. Bu nedenle; S1 anahtar A konumunda iken S2
anahtarn nce B sonra tekrar A konumuna alnz.
S1 ve S2 anahtarlar A konumunda iken VG ve VT2 gerilimlerini lerek sonular
tablo-22.1'deki ilgili yere kaydediniz. Triyak'n durumunu lme sonularnda elde
ettiiniz deerlere gre yorumlaynz. Triyakn durumu iin grnz (iletimde
veya kesimde) tablo-22.1'deki ilgili satra kaydediniz.
128
Kaplan
co
m
ri.
S2 anahtar A konumunda kalmak kouluyla sadece S1 anahtarn B konumuna

alnz. VG ve VA2 gerilimlerini lerek sonular tablo-22.1'e kaydediniz. Triyak'n
durumunu bu sonulara gre yorumlaynz ve tablodaki ilgili yere iletimde veya
kesimde olduunu belirtiniz.
tla
S1 anahtarn tekrar A konumuna alnz. lmeleri tekrarlaynz. Sonular ve triyak'n

durumunu tablo-22.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
S1 anahtarn B konumuna alp sonra tekrar A konumuna alnz. Sonular tabloya
kaydediniz.
VG
VT2
Triyakn DURUMU
rs
S2nin
DURUMU
A
A
A
ABA
A
A
ABA
em
de
S1in
DURUMU
A
B
A
A
C
A
A
no
Tablo-22.1'de belirtilen btn konumlar iin deneyi tekrarlaynz. Sonular tablo22.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
Tablo-22.1 Triyak Tetikleme Yntemleri Bilgi Tablosu
.e
Triyakn tetiklenmesini tm boyutlar ile incelemek amac ile ekil-22.4'deki devrede

g kaynaklarnn (VAA) ynlerini deitiriniz ve devreyi ekil-22.5'deki gibi yeniden
dzenleyiniz.
ekil-22.5 Triyak' Tetikleme Metodlar
129
Kaplan
co
m
VG
VT2
Triyakn DURUMU
tla
S2nin
DURUMU
A
A
A
ABA
A
A
ABA
no
S1in
DURUMU
A
B
A
A
C
A
A
ri.
S1 ve S2 anahtarlarn tablo-22.2'de verilen konumlara sra ile ayarlaynz. Her konum

iin VG ve VA2 gerilimlerini lerek sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
Elde ettiiniz sonulara gre triyak'n durumunu (iletimde veya kesimde)
yorumlayarak sonucu tablo-22.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
rs
Tablo-22.2 Triyak Tetikleme Modelleri Bilgi Tablosu
de
ZET:
Triyak'n terminalleri ve salaml bir ohmmetre yardm ile test edilebilir. Test iin
gerekli balant ve lmeler yukarda anlatlmtr.
em
Triyak'n tetiklenme modelleri aratrlm ve eitli tetikleme modellerinde Triyak'n

davranlar incelenmitir. Deney sonularndan da grlecei zere Triyak'n bir ok
farkl tetikleme tipi mevcuttur.
Triyak tetiklenmeden nce neden yksek bir diren deeri gsterir? Aklaynz?
Triyak'n ohmmetre ile hangi zelliklerini test edebiliriz? Aklaynz?
Triyak'n tetikleme modelleri hakknda ayrntl bilgi veriniz?
.e
SORULAR:
130
co
m
Kaplan
TRYAK UYGULAMALARI
ri.
KONU:
GEREKL DONANIM:
em
de
rs
no
G Kayna: 24V AC
Transformatr N=1/2
Diyot: 4x1N407
UJT: 2n2646
Ampl: 23V (Akkor Flemanl)
Diyak: 33V
Diren: 2x100 2x1K 470
Potansiyometre: 10K
Kondansatr: 1F 2,2F
tla
Bu blmde triyak'la gerekletirilen eitli uygulamalar tantlp, triyakla faz kontrol

yaplacaktr
DENEY: 1
.e
TRYAK'LA FAZ KONTROL-I
BLM 11
Bu deneyde Triyak'n AC gerilimde almasna rnek olarak bir kondansatr ile

tetikleme as ayarlanabilen faz kontrol devresi incelenecektir.
N BLG:
Bilindii gibi triyak ift ynl SCR gibi alr. Bir tam saykln pozitif ve negatif
alternanslarnda triyak'la faz kontrol yapmak mmkndr. ekil-23.1'de bir
kondansatr
yardm
ile
yaplan
faz
kontrol
devresi
grlmektedir.
Devrede faz kontrol P potansiyometresi ve C kondansatr yardm ile
yaplmaktadr. R1 direnci lambann mrn uzatmak amac ile konulmutur.
131
ri.
tla
rs
DENEYN YAPILII:
no
ekil-23.1 Triyak'la Faz Kontrol Devresi
de
ekil-23.1'daki devreyi deney seti zerine kurunuz. Devreye g uygulaynz.

Triyak'n tetikleme asn P potansiyometresi ile minimumdan maksimuma kadar
ayarlaynz. Lamba zerinde faz kontroln gzlemleyiniz. Lambann Parlaklnda
deiim oluyor mu? Neden? Aklaynz?
em
Triyak'n iletim asnn maksimum ve minimum deerlerini osilaskop ile lerek elde
ettiiniz sonucu kaydediniz.
QT(min)=_____________________
QT(max)=_____________________
Soru: Triyak'n tetikleme veya iletim alar pozitif ve negatif alternanslar iin simetrik
midir? Neden? Aklaynz?
.e
Kaplan
co
m
P potansiyometresinin minimum ve maksimum deerleri iin yk gerilimindeki

deiimi osilaskop ile gzlemleyiniz.
Not: Yk gerilimi, lamba ve ona seri bal 100 ohm'luk diren zerindeki gerilimdir.
Bu durumu dikkate alarak lmeyi bu iki eleman zerinde yapnz.
Triyak'n iletim asn ekil-23.2'de belirtilen 900'ye ayarlaynz. Yk geriliminin (VL)
ve Triyak geriliminin (VA2) dalga biimlerini osilaskopta gzleyerek ekil-23.2'deki ilgili
yere orantl olarak iziniz.
132
VL DALGA BMi
tla
900
VL (rms)=
no
VA2(rms) =
de
rs
1200
VL(rms) =
VAK (rms)=
em
ekil-23.2 Faz Kontrol Devresinin Dalga Biimleri
Yk gerilimi ve VA2 geriliminin Vrms deerlerini bir voltmetre ile lerek ekil-23.2'deki
Triyak'n iletim asn P ile 1200'ye ayarlaynz. Yk geriliminin (VL) ve Triyak

geriliminin (VA2) dalga biimlerini osilaskopta gzleyerek ilgili yere orantl olarak
iziniz. Yk gerilimi ve VA2 geriliminin Vrms deerlerini bir voltmetre ile lerek ekil23.2'deki ilgili yere kaydediniz.
.e
VA2 DALGA BM
ri.
QT
Kaplan
co
m
ZET:
Triyakla bir tam saykl (3600) boyunca g kontrol yapmak mmkndr. Uygulamas
yaplan devrede triyak'n tetikleme as, P potansiyometresi ve C kondansatr
yardm ile ayarlanabilmektedir.
Bu devre, bu haliyle hassas uygulamalar iin yeterli deildir. Hassas g kontrol
gerekmeyen uygulamalar da bu devre rahatlkla kullanlabilir.
Deneylerde kontrol edilen gerilim ve akmlar, gvenlik asndan dk deerlerde
tutulmulardr. Triyakla ok byk akm ve gerilimlerin kontrolnn yaplabildii
unutulmamaldr.
133
DENEY: 2
TRYAK'LA FAZ KONTROL-II
ri.
Bu deneyde Bir Diyak'la tetiklenen Triyak'la yaplan Faz kontrol devresi

incelenecektir.
tla
N BLG:
no
Bu deneyde Triyak' tetiklemek iin bir Diyak kullanlmtr. Diyak, ift ynl tetikleme
diyodu olarakta tanmlanan tristr grubuna dahil aktif bir devre elemandr.
Diyak ularna uygulanan gerilim, diyak krlma gerilimi deerini atnda tetiklenerek
iletime geer. Gerilimin polaritesi nemli deildir. nk diyak belirtildii gibi ift
ynl iletime geebilir.
em
de
rs
Diyak' basite srt srta seri balanm ters ynl iki zener diyot gibi dnebiliriz.
ekil-23.3'de diyak'n yaps, sembol ve edeer devresi verilmitir.
.e
ekil-23.3 Diyakn Yaps, Sembol ve Edeer Devresi
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII:
ekil-23.4'daki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta devreye enerji
uygulamaynz.
Triyak'n iletim asn lmek iin A2 ve A1 terminalleri arasna bir osilaskop

balaynz. Devreye enerji uygulaynz.
P potansiyometresini minimum ve maksimum konumlara alarak Triyak tetikleme
geriliminin minimum ve maksimum deerlerini osilaskopla gzleyiniz ve sonular
kaydediniz.
QT( min )= _____________
QT( mak )= _____________
Soru: Triyak'n iletim alar pozitif ve negatif alternanslar iin simetrik midir?
Neden?Aklaynz?
134
Kaplan
co
m
P potansiyometresinin minimum ve maksimum deerleri iin yk gerilimindeki

deiimi de yk zerine bir osilaskop balayarak gzlemleyiniz.
rs
no
tla
ri.
Not: Yk gerilimi, lamba ve ona seri bal 100 ohm'luk diren zerindeki gerilimdir.
lmeyi bu durumu dikkate alarak yapnz.
Yk Gerilimi (VL)
SCR Gerilimi (VAK)
em
QT
de
ekil-23.4 Triyak'la Faz Kontrol
VL(rms) =
VAK (rms)=
VL(rms) =
VAK (rms)=
1200
.e
900
ekil-23.5 Triyak'la Faz Kontrol Bilgi Tablosu

Triyakn iletim asn ekil-23.5'de belirtilen 900'ye ayarlaynz. Yk geriliminin (VL)
ve Triyak geriliminin (VA2) dalga biimlerini osilaskopta gzleyerek ekil-23.5'daki ilgili
yere orantl olarak iziniz.
135
Kaplan
co
m
Yk gerilimi ve VA2 geriliminin Vrms deerlerini bir voltmetre ile lerek ekil-23.5'daki
tla
ri.
Deneyi, ekil-23.5'da belirtilen her iletim as iin tekrarlaynz. Elde ettiiniz

gerilimlerin dalga biimlerini ilgili yerlere iziniz. Elde ettiiniz gerilimlerin rms
deerlerini de lerek ilgili yerlere kaydediniz.
ZET:
no
Bu deneyde triyak'la yaplan ve diyak'la tetiklenen bir faz kontrol devresi

incelenmitir. Bu devre bir nceki uygulama devresine nazaran daha kullanl ve
hassastr. Bu yzden bir ok uygulamada tercih edilir.
de
rs
Yaptmz deneyde kontrol edilen AC gerilim deeri snrl tutulmutur. Bu durum

Diyak krlma gerilimi deerinin baz durumlarda altnda kaldndan faz kontroln
maksimum deerlerde yapmak mmkn olmamtr. Bu durumu dikkate alnz. ok
byk akm ve gerilim deerlerinde g kontrol yaplabileceini hatrlaynz.
em
DENEY: 3
TRYAK'LA FAZ KONTROL-III
N BLG:
Bir ok uygulamada Triyak'n faz kontrol devresini ebekeden yaltmak amac ile pals
transformatr kullanlr.
.e
Bu deneyde Triyak'la tam dalga faz kontrol gerekletirilecektir. Triyak'n Faz kontrol
as; bir relaksasyon osilatr devresi ile pals transformatr zerinden tetiklenerek
yaplacaktr.
136
ri.
tla
no
ekil-23.6 Triyakla Gerekletirilen Tam Dalga Faz Kontrol Devresi
de
rs
Pals transformatr hassas uygulamalar iin nemli bir gelimedir. ekil-23.6'deki

devre dikkatle incelenirse tetikleme eleman olarak bir UJT'li relaksasyon osilatr
devresi kullanlmtr.
em
Relaksasyon osilatr devresinin besleme gerilimi ise kpr tipi dorultma devresi ile
salanmtr. Relaksasyon osilatr devresinin k iareti triyak' tetiklemek amac ile
bir pals transformatr zerinden triyak'n geytine uygulanmtr.
Deneyde gvenlik amac ile alak akm ve gerilimlerde alma yaplmtr. Bu durum
dikkate alnmaldr.
DENEYN YAPILII:
ekil-23.6'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balanty yaparken

transformatr ularnn doru balandna emin olunuz ve devreye g uygulaynz.
P potansiyometresini kullanarak triyak'n iletim asn minimum ve maksimum
deerler iin osilaskop ve lamba yardmyla gzlemleyiniz. letimin asnn
maksimum ve minimum a deerlerini lerek kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
QT( min )=___________________

QT( mak )=___________________
ekil-23.7'de belirtilen her tetikleme asnn deerini P potansiyometresi ile
salaynz.
Saladnz bu deer altnda ekil-23.7'de istenilen lmeleri osilaskop ve voltmetre
kullanarak yapnz.
137
SCR Gerilimi (VAK)
tla
900
VAK (rms)=
no
VL(rms) =
de
rs
1200
VL(rms) =
VAK (rms)=
em
ekil-23.7 Triyak'la G Kontrol Bilgi Tablosu
Elde ettiiniz dalga biimlerini ve gerilim deerlerini ekil-23.7'de belirtilen yerlere

orantl olarak iziniz ve kaydediniz.
Soru: Tetikleme as pozitif ve negatif alternanslar iin simetrikmidir? Neden?
Aklaynz?
.e
Yk Gerilimi (VL)
ri.
QT
Kaplan
co
m
ZET:
Uygulamas yaplan g kontrol devresi triyakla yaplan en popler g kontroldr.

Bu devrede g kayb minimumdur ve hassas bir kontrol yaplmtr. Devrede
kullanlan elemanlarn ve kullancnn gvenlii maksimum lde salanmtr.
SORULAR:
SCR ile Triyak arasndaki farklar belirtiniz? Avantajlar ve dezavantajlarn yaznz?
Triyak'la yaplan g kontrol devrelerine uygulama rnekleri veriniz? rnek bir devre
emasn izerek almasn ksaca anlatnz?
Diyak'n almasn anlatnz ve akm-gerilim karakteristiini iziniz?
138
co
m
Kaplan
TRANSSTRL GERLM REGLATRLER
ri.
KONU:
Transistrl
Seri
Gerilim
tla
Gerilim reglasyonunu gerekletirmek amacyla,

Reglatrlerinin zellikleri almalar incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
de
rs
no
G Kayna: 12 VDC
Osiloskop ( ift kanall )
Transformatr: 220V/ 12V
Transistr: 3xBC108C, BD135
Zener Diyot: ZD6. 2
Silisyum Diyot: 1N4007
Diren: 1KW, 2K2W, 4K7W, 10KW
Potansiyometre: 10KW
Kondansatr: 22nF, 0.1mF, 100mF, 47mF
em
N BLG:
Regle ileminin amac belli bir elektriksel bykl (gerilim veya akm) d
etkilerden bamsz olarak sabit tutulabilmektedir. Regleli bir gerilim kaynann
k gerilimi, k akm ve ykten bamsz olmaldr. rnein 12Vluk sabit gerilim
reten regleli bir gerilim kaynann k gerilimi daima 12V olmaldr. k
akmndan, ykten veya dier bir takm faktrlerden etkilenmemelidir.
Regle ileminin yaplabilmesi iin, regle edilecek byklk srekli llmek
zorundadr. llen bu deer (o anki deer) olmas istenilen gerek deerle
karlatrlarak gerekli dzenleme (regle) yaplr. Olmas istenen deer iin bir
referans gerilimi gereklidir. Referans gerilimi genellikle bir zener diyotla salanr.
Zener diyot, regle ilemi iin tek bana yeterli deildir. Zener diyotla elde edilen
referans gerilim, dier bir takm yariletken devre elemanlar kullanlarak gelitirilir. ile
gelitirilerek regle ilemi gerekletirilir.
.e
BLM 12
Regle ilemi gerilim iin yapld gibi akm iinde yaplabilir. Bu blmde gerilimi
kararl
klmak
iin
gerekletirilen
reglatr
devreleri
incelenecektir.
Seri ve paralel olmak zere iki tip Transistrl gerilim reglatr vardr. Reglatr
devresinin yke seri veya paralel olmas reglatrn tipini belirler.
Paralel gerilim reglatrleri bota akm ekmeleri, ok g harcamalar vb
nedenlerden tr pek tercih edilmezler. Regle devrelerine, k akmn istenilen
seviyede snrlamak amac ile bir takm ilave dzenekler eklenebilir.
139
Kaplan
co
m
DENEY:1
SER GERLM REGLATR-I
ri.
Bu deneyde zener diyot ve transistr yardm ile gerekletirilen temel bir seri gerilim
reglatr devresi incelenecektir.
tla
N BLG:
no
rnek bir transistrl seri gerilim reglatr devresi ekil-24.1de grlmektedir. Bu

devrede reglasyon transistr yke seri balanmtr. Reglatr k gerilimi Vo;
Transistrn beyz-emiter gerilimi (VBE) ile zener geriliminin toplamna eittir.
de
rs
k yk akm ise, seilen transistrn beyz akmn salamas art ile;
em
deerinde olur. R1 direnci, transistrn beyz akmn ve zenerin krlma gerilimini

salar. Deeri yaklak olarak;
deerine eittir. Regle ileminin gereklee bilmesi iin, giri gerilimi (Vin) deerinin
Vz+Vbe deerinden mutlaka daha byk olmaldr.
.e
formlnden bulunur. Bu formlde transistrn maksimum beyz akm;
ekil-24.1 Transistrl Seri Gerilim Reglatr
140
DENEYNYAPILII:
ekil-24.1deki transistrl seri gerilim reglatr devresini devreyi deney seti zerine
kurunuz. Balangta RL yk direncini devreye balamaynz.
10
11
12
no
Vin (v) 5
Vo (v)
tla
ri.
Reglatr giri gerilimini (Vin) tablo-24.1de verilen +5v deerine ayarlaynz. Bu

durumda regle devresinin k gerilimini (Vo) lerek sonucu tablo-24.1 deki ilgili
yere kaydediniz.
Tablo-24.1 Transistrl Seri Gerilim Reglatrnde Veriler
de
rs
Tablo-24.1 de verilen giri gerilimlerini (Vin) reglatr giriine sra ile uygulaynz.
Uyguladnz her deer iin k gerilimini lerek sonular tablo-24.1 e
kaydediniz.
ekil-24.1deki seri gerilim reglatr devresini eitli ykler altnda incelemek iin
reglatr giri gerilimini 12V yapnz. (Vin=12V)
em
Reglatr kna 1KW luk yk direnci balaynz. (RL=1KW) 1KW luk yk altnda
reglatr k gerilimini (Vo) lerek sonucu tablo-24.2deki ilgili yere yaznz.
Reglatr kndaki yk direncini 800W yapnz. k geriliminin ald deeri
lerek sonucu tablo-24.2ye kaydediniz.
Vin = 12 Volt
RL (K) 1
Vo (v)
.e
Kaplan
co
m
0.9
0.8
0.7 0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Tablo-24.2 Transistrl Seri Gerilim Reglatrnn Yk Altnda Davran
Bu deneyi tablo-24.2 de belirtilen her RL deeri iin gerekletiriniz. Elde ettiiniz

sonular tablodaki ilgili yerlere yaznz.
DENEY:2
SER GERLM REGLATR-II
Bu deneyde k gerilimi ve akm ayarlanabilen bir nceki uygulamadan gelitirilmi
seri gerilim reglatr incelenecektir. ncelenmesi yaplacak transistrl seri gerilim
reglatr devresi ekil-24.2de verilmitir. Reglatr devresinin k gerilimi PA
potansiyometresi ile ayarlanabilmektedir.
141
ri.
tla
no
ekil--24.2 Transistrl Seri Gerilim Reglatr Devresi
rs
DENEYN YAPILII:
de
ekil-24.2deki reglatr devresini deney seti zerine kurunuz ve Reglatr giri

gerilimini 12V ayarlaynz (Vin=12V)
Reglatr k gerilimini (Vo), PA potansiyometresini kullanarak 3Va ayarlaynz.
(Vo=3V)
em
Tablo-24.3 de verilen deere uygun olarak (12V, 11V, 10V, 9V, 8V, 7V) giri
gerilimini deitiriniz. Bu durumda her Vin gerilimi iin k gerilimini lerek Tablo24.3 deki ilgili yere kaydediniz.
PA potansiyometresini kullanarak reglatr k gerilimini 6Va ayarlaynz. (Vo=6)
Giri geriliminin deerini tablo-24.3de belirtilen deerlere sra ile ayarlaynz. Her Vin
giri gerilimi deeri iin, k gerilimindeki deiimi gzleyiniz ve lnz. Elde
ettiiniz sonular tablo-24.3 deki ilgili yerlere yaznz.
.e
Kaplan
co
m
Ayn deneyi Vo=9V deeri iinde tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-24.3deki
Giri gerilimi deiiminin, k geriliminde oluturduu deiimi oransal olarak
hesaplaynz ve sonucu tablo-24.3 deki ilgili yere kaydediniz.
142
Vo (v) Vo/Vin Vo (v) Vo/Vin Vo (v) Vo/Vin

6
ri.
tla
Vin
(v)
12
11
10
9
8
7
Kaplan
co
m
DENEY: 3
no
Tablo-24.3 Transistrl Seri Gerilim Reglatrnn Verileri
SER GERLM REGLATR-III
de
N BLG:
rs
Bu deneyde AC gerilimi DC gerilime dntren ve k gerilimi ayarlanabilen bir

gerilim reglatr devresi incelenecektir.
em
nceki deneylerde seri gerilim reglatrlerinin eitli zelliklerini inceledik. Bu

blmde ebekeden alnan AC gerilimi dorultup regle ilemine tabi tutacaz.
Bunun iin gerekli devre balants ekil-24.3de verilmitir.
.e
ebekeden alnan 24 Vrms deerine sahip AC gerilim, kpr tipi balanm diyotlarla
dorultulur ve C1, C2, C3 kondansatrleri ile filtre edilir. Filtrenin kaliteli olmas amac
ile 3 adet kondansatr kullanlmtr. stenirse yksek deerli tek bir kondansatr
kullanlabilir (1000mF, 2200mF gibi). Reglatr devresinin dier ksmlarn ise nceki
deneylerimizde incelemitik.
ekil--24.3 k Gerilimi Ayarlanabilen Transistrl Seri Gerilim Reglatr

Devresi
143
Kaplan
co
m
DENEYN YAPILII:
Vo (max)=_______________ volt.
no
Vo (min)=_______________ volt
tla
ri.
ekil-24.4de grlen reglatr devresini deney seti zerine kurunuz. Balant

yaparken kondansatr kutuplarna dikkat ediniz. Balangta ka RL yk direnci
balamaynz.
PA ayarl direncini kullanarak k gerilimini minimum ve maksimum deerler
arasnda deitiriniz. k gerilimin ald minimum ve maksimum deerleri lerek
not ediniz.
rs
k gerilimini Vo=10V olacak ekilde PA potansiyometresini ayarlaynz. Tablo-24.4

de verilen deerlere uygun olarak ka eitli ykler (RL) balayarak, bu durumda
Vin ve Vo gerilimlerini lnz. Elde ettiiniz sonular tablo-24.4deki ilgili yerlere
kaydediniz.
de
Vo=10V in lmeler
Vo (v)
1000
470
330
220
100
10V
Vor (v)
Vin (v)
Vir (v)
Rpl
Oran
em
RL ()
Giri ve k iaretlerinde oluan rpl faktrlerini (Vor ve Vir) osiloskopta lnz.

Sonular tablo-24.4deki ilgili yerlere kaydediniz. Her yk direnci iin rpl orann
hesaplayarak sonular ilgili yerlere kaydediniz.
NOT: Rpl faktrnn hesaplanabilmesi iin gerekli formller aada verilmitir. Bu
formlleri kullanabilirsiniz.
.e
Tablo-24.4 Transistrl Seri Gerilim Reglatrnn Verileri (Vo=10V)
Reglatr k gerilimini PA potansiyometresi ile 15V a ayarlaynz. Bir nceki

deneyi ayn ekilde tekrarlayp sonular tablo-24.5deki ilgili yerlere kaydediniz.
144
Vo=15V in lmeler
Vo (v)
1000
470
330
220
100
15V
Vor (v)
Vin (v)
Vir (v)
Rpl
Oran
tla
ri.
RL ()
Tablo-24.5 Transistrl Seri Gerilim Reglatrnn Verileri (Vo=15V)
no
Ayn deneyi Vo=20V deeri iinde tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo24.6daki ilgili yerlere kaydediniz.
rs
Vo=20V in lmeler
Vo (v)
1000
470
330
220
100
20V
Vor (v)
Vin (v)
Vir (v)
Rpl
Oran
em
de
RL ()
Tablo-24.6 Transistrl Seri Gerilim Reglatrnn Verileri
.e
ZET:
Kaplan
co
m
Belli bir gerilim deerini, tm d etkenlerden bamsz klarak kararl hale getirmek
iin gerilim reglatrleri kullanlr. Gerilimi kararl bir hale getirmenin pratik bir yolu
transistrl gerilim reglatrleridir.
Transistrl gerilim reglatrleri, seri ve paralel olmak zere iki temel yapya
ayrlrlar. Bu blmde blmde yaygn olarak kullanmlarndan ve avantajlarndan
tr seri gerilim reglatrleri incelenmitir.
SORULAR:
Gerilimi regle etme ilemi niin gereklidir? Aklaynz.
Seri ve paralel gerilim reglatrlerini karlatrarak avantaj ve dezavantajlarn
belirtiniz.
ekil-24.1 deki seri gerilim reglatr devresinde C kondansatr ve R2 direncinin
ilevlerini belirtiniz.
145
Yk direncinin reglatr k gerilimine ve almasna ne gibi etkileri vardr?

Aklaynz.
tla
ri.
Gerilim reglatrlerinde k akmn snrlamak ve ksa devreden korumak iin neler

yaplabilir? rnek vererek aklaynz.
TMDEVRE GERLM REGLATRLER
no
KONU:
Tmdevreli Sabit ve ayarl
karakteristikleri incelenecektir.
gerilim
reglatrlerinin
zellikleri
ve
alma
rs
GEREKL DONANIM:
em
de
G kayna: 0-30V DC
Multimetre: Saysal ve Analog
Silisyum diyot: 4x1N4007
Tmdevre: 7805, 7905, 7809, LM317
Transformatr: 220V/2x12V, 5QW
Elektrolitik kondansatr: 1mF, 1000mF
Kondansatr: 0.33mF, 0.1mF
Diren:
.e
N BLG:
Kaplan
co
m
Tmdevre reticileri, kullancnn gereksinimine uygun binlerce farkl tip gerilim

reglatr reterek tketicinin kullanmna sunmutur. Tmdevreli gerilim
reglatrleri, ayrk elemanlarla oluturulan gerilim reglatrlerine gre daha ilevsel
ve ekonomiktirler.
k gerilimi sabit ve ayarlanabilen olmak zere pozitif ve negatif tip gerilim
reglatrleri retilmektedir. Tablo-25.1de olduka sk kullanlan; terminalli, sabit
kl pozitif gerilim reglatrlerinin baz nemli zellikleri verilmitir.
146
Kaplan
co
m
k Gerilimi
Tipik
Skun Klf
Tipi
et
Akm
78.....
X X X X X
X
X
X
35
1A
4.2mA TO220
78M....
X X X X X
X
X
X
35
500mA 3mA TO202
78L.....
X X X X X
X
X
X
35
100mA 3mA TO92
LM309K X
35
1A
5.2mA TO3
LM323
X
20
3A
12mA TO3
LM340K X X X X X
X
X
X
35
1.5A
4.2mA TO3
LM317K 1.2V..............37V
Ayarlanabilir. 40
1.5A
50A TO3
L200
2.85V............36V Ayarlanabilir.
40
2A
4.2mA pentaw
Not: Tm Gerilim Reglatrlerinde Giri Gerilimi, Tmdevre k Geriliminden en
az 3V fazla olmaldr.
no
tla
ri.
Giri
k
Tmdevre
Gerilimi Akm
Tipi
5V 6V 8V 9V 12V 15V 18V 24V (max) (max)
rs
Tablo-25.1 Tmdevreli Pozitif Gerilim Reglatrleri
em
de
78li saylarla kodlanan gerilim reglatrlerinde ilk iki rakam (78) reglatr tipini
sonraki harf k akmn, son rakamlar ise k gerilimi deerini verir. rnein 7805
ile kodlanm bir reglatr; +5V k gerilimi ve 1 Amper k akmna sahiptir.
78M15 eklinde kodlanm bir gerilim reglatr ise +15V k gerilimine ve 500mA
k akmna sahiptir. Pozitif ve negatif sabit gerilim reglatrlerinin klar sl
korumaldr. ktan ar akm ekildiinde sl duyarl koruma devresi etkinleerek
tmdevreyi ar akma kar korurlar.
.e
Tablo-25.1 dikkatlice incelendiinde dier gerilim reglatrlerinin zellikleri grlebilir.

ekil-25.1de ise pozitif ve negatif sabit gerilim reglatrlerinin terminal balantlar ve
klf tipleri grlmektedir.
ekil-25.1 Tmdevre Pozitif Gerilim Reglatrlerinin Klf Tipleri ve Pin

Balantlar
Negatif kl sabit gerilim reglatrleri ise 79lu saylarla (7912, 79L15, 79M09 v.b
gibi) kodlanrlar. Tablo-25.2dee ise negatif gerilim reglatrleri zellikleri ile birlikte
verilmitir. Tmdevreli negatif gerilim reglatrlerinin klf tipleri ve pin balantlar
147
k Gerilimi
Giri
k
Tmdevre
Gerilimi Akm
Tipi
5V 6V 8V 9V 12V 15V 18V 24V
(max) (max)
no
tla
ri.
Tipik
Klf
Skunet
Tipi
Akm
I
79.....
X X X X X
X
X
X
35
1A
4.2mA
II,
79M...
X X X X X
X
X
X
35
500mA 3mA
IV
79L....
X X X X X
X
X
X
35
100mA 3mA
III
LM345K X
20
3A
1mA
V
LM320K X X X X X
X
X
X
35
1.5A
2mA
V
LM337
1.2V..............37V Ayarlanabilir.
40
1.5A
65A
V
Not: Tmdevre giriinden uygulanacak gerilim, tmdevre k geriliminden en
az 3V fazla olmaldr.
em
de
rs
ekil-25.2 Tmdevre Negatif Gerilim Reglatrlerinin Klf Tipleri ve Pin Balantlar
DENEY: 1
.e
Kaplan
co
m
SABT GERLM REGLATRLER:

Bu blmde ulu sabit gerilim reglatrlerinin almas ve zellikleri
incelenecektir.
N BLG:
ekil-25.3de 5V DC k gerilimi reten temel bir reglatr devresi verilmitir. Devre

giriine uygulanacak reglesiz gerilim 7V ile 35V arasnda herhangi bir deer olabilir.
C2 kondansatr, dorultma devresi ile gerilim reglatr arasnda 2cm den fazla
mesafe varsa kullanlr. Ayn ekilde yk regle devresinden 2cm den daha uzaksa
C3 kondansatr kullanlr.
148
ri.
tla
ekil-25.3 Pozitif Gerilim Reglatr
em
de
rs
no
Tmdevreli pozitif sabit gerilim reglatrnn almas ve zelliklerini incelemek iin

ekil-25.4de grlen uygulama devresinden yararlanacaz. Bu devrede uygulama
amacyla dorultma ilemine gerek grlmemitir. Dorudan DC bir gerilim reglatr
devresine uygulanmtr. Bizim amacmz gerekte dorultma ilemi deil, regle
ilemini incelemektir.
ekil-25.4 Pozitif Gerilim Reglatrnn Uygulama Devresi
.e
DENEYN YAPILII:
Kaplan
co
m
ekil-25.4deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta yk direnci (RL)

olarak 220W kullannz.
Reglatr giriine Vin=3V DC gerilim uygulaynz. Reglatr k gerilimini (Vo)
lnz. Sonucu Tablo-25.3deki ilgili yere yaznz.
Deneyi Tablo-25.3de verilen giri gerilimi (Vin) deerleri iin tekrarlaynz. Her Vin
deeri iin elde ettiiniz k gerilimi (Vo) deerlerini lerek sonular tablo25.3deki ilgili yerlere kaydediniz.
149
ri.
7812
Vo (volt)
no
Tablo-25.3 Sabit Gerilim Reglatrlerinin Karakteristikleri
rs
ekil-25.4 deki devrede 7805 tmdevresini 7812 tmdevresi ile deitiriniz ve deneyi
tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular Tablo-25.3deki ilgili yerlere kaydediniz.
Reglatr kna bir osiloskop balayarak Vo k gerilimini gzlemleyiniz. Gzlemi
osiloskopun minimum volt/dv kademesinde yapnz.
de
Soru: 1.1 k gerilimi bir dalgalanmaya sahip mi? Neden? Aklaynz.

C2yi reglatr devresinden karnz. Sonucu osiloskopta tekrar gzlemleyiniz.
em
Soru:1.2 k gerilimde bir deiiklik oldu mu? Neden? Bu konuda neler

syleyebilirsiniz? Aklaynz?
Reglatr devresini ekil-25.4deki gibi yeniden dzenleyiniz. Giri gerilimini Vi=20V

a sabitleyiniz. RL yk direncini 100W yapnz. k gerilimini (Vo) lerek sonucu
.e
7805
Vo (volt)
tla
Vi (volt)
3
4
5
8
10
12
15
20
Kaplan
co
m
RL yk direncini 220W yapnz. k gerilimini lerek sonucu tablo-25.4deki ilgili

yere kaydediniz.
Deneyi tablo-25.4de belirtilen her RL yk direnci deerleri iin tekrarlaynz.
Sonular tablodaki ilgili yere kaydediniz.
RL ()
Vo (v)
100
220
470
1000
4K7
10K
Tablo-25.4 Sabit Gerilim Reglatrlerinin Karakteristikleri
150
Kaplan
co
m
ZET:
ri.
terminalli sabit pozitif gerilim reglatrleri 78 li saylarla, negatifler ise 79 lu

saylarla kodlanrlar. 5V ile 24V arasnda standart k gerilimi verebilen tipleri vardr.
k gerilimi
tla
belirtilen k akmn amamak kouluyla sabittir. Ucuz ve kullanm kolay

olduundan dolay pek ok uygulamada tercih edilir.
no
DENEY: 2
AYARLI GERLM REGLATRLER:
de
N BLG:
rs
Bu blmde k gerilimi istenilen deere ayarlanabilen DC gerilim reglatrleri

incelenecektir.
deerine eittir. Yukardaki formlde IQ, R2 direncinden akan transistrn skunet

akmdr. Deeri ise 3-8mA civarndadr. Bu durumda k gerilimi (Vo) yaklak
olarak;
.e
em
Pek ok firma bir ok tip ve modelde k gerilimi ayarlanabilen DC gerilim reglatr

retmiler ve kullanm kataloglarn tketiciye sunmulardr. Her birini tek tek
incelemek yerine yaygn kullanlan birka rnek vereceiz. nceki deneylerde
kullandmz 78XX serisi gerilim reglatrlerinin k gerilimleri istenirse
ayarlanabilir. Bu amala ekil-25.4de bir uygulama devresi verilmitir. Bu devrede,
reglatrn ase ucu R2 direncinden dolay 0V dan farkl bir gerilimdedir. Devrenin
k gerilimi Vo ise;
Formlnden bulunur.
151
ri.
tla
DENEYN YAPILII:
no
ekil-25.5 k Gerilimi Ayarlanabilen Gerilim Reglatr
rs
ekil-25.5deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Reglatr giri gerilimini 20Va
(Vin=20V) ayarlaynz. R1 ve R2 direnlerini ise balangta 100W olarak balaynz.
Reglatr devresinin k gerilimi (Vo) deerini voltmetre ile lnz. Elde ettiiniz
de
Ayn devrede R2 direncini 220W yapnz ve deneyi tekrarlaynz. Sonucu tablo25.5deki ilgili yere yaznz.
em
Deneyi tablo-25.5de belirtilen her R1 ve R2 deeri iin tekrarlaynz. Elde ettiiniz

deerleri tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
.e
Tablo-25.5de belirtilen R1 ve R2 deerleri iin k gerilimi deerini forml

kullanarak hesaplaynz. Sonular tablodaki ilgili yere kaydediniz.
Kaplan
co
m
R1 ()
R2 ()
100
100
100
220
220
100
220
330
100
330
Vo (llen)
Vo
(Hesaplanan)
Tablo-25.5 Ayarl gerilim reglatr verileri
152
Kaplan
co
m
DENEY: 3
AYARLI GERLM REGLATRLER
ri.
Bu deneyde k gerilimi ayarlanabilen zel tip tmdevre gerilim reglatrleri

incelenecek ve eitli uygulama devreleri verilecektir.
tla
N BLG:
rs
no
k gerilimi ayarlanabilen regleli gerilim kaynaklarna dier bir alternatif ise

NATONAL firmasnn rettii LM317 kodlu pozitif, ve LM337 kodlu negatif gerilim
reglatrdr. bu gerilim reglatrlerinin k gerilimi harici elemanlarla +1.2V ile
+37V arasnda istenilen deere ayarlanabilirler. k akmlar ise 1.5A civarndadr.
3A lik metal klfl tipleri de vardr. Bu reglatrlerin giri gerilimleri, maksimum k
geriliminden 3V daha byk olmaldr. Ayrca giri gerilimi iyi bir filtrelemeye tabi
tutulmaldr.
.e
em
de
ekil-25.6a.da ayak balantlar verilen gerilim reglatr dikkat edilirse adet

terminale sahiptir. Giri ve k terminalleri dnda k geriliminin deerlerini
ayarlamada kullanlan ayar (adjust) terminali vardr.Tm devrenin k gerilimi ekil25.6.bdeki devre yardm ile belirlenir ve aadaki ekilde formle edilir.
ekil-25.6.a ve b Ayarl tmdevre gerilim reglatrlerinin pin balantlar ve

uygulama devresi
R2 ayarl direnci, k geriliminin istenilen seviyede oluturulmasn salar. LM337
tm devresi ise ayn koullarda alan negatif gerilim reglatrdr. ekil-25.7.a ve
bde k gerilimi bir potaniyometre ile 1.2V ve 25.v arasnda ayarlanabilen gerilim
reglatr devresi verilmitir. Bu devrelerde giri gerilimi 28Vdan byk olmal ve
filtre edilmelidir. Ayrca kn kararl olmas ve rpl faktrnn minimumuma
indirilmesi iin devreye birka eleman eklenmitir. (D1, D2, C2). Bu elemanlarn
kullanlmamas devrenin almasn nemli lde etkilemez.
153
ri.
tla
no
ekil-25.7.a ve b Pozitif ve Negatif ayarlanabilir tmdevre gerilim reglatrleri
rs
DENEYN YAPILII:
de
Ayarlanabilir kl pozitif gerilim reglatr devresi ekil-25.7.a da verilmitir. Bu

devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta (D1, D2, C2) elemanlarn devreye
balamaynz.
em
Reglatr giriine filtre edilmi minimumum +28V DC gerilim uygulaynz. R2

potansiyometresini kullanarak gerilimin minimum ve maksimum deerlere sra ile
ayarlaynz ve bu deerleri bir voltmetre ile lerek kaydediniz.
Vo (minimum)
Vo (maksimum)
.e
k gerilimini osiloskopta inceleyiniz. Dalgalanma orann tespit ediniz.

D1, D2, C2 elemanlarn devreye balaynz. Adm 3.3 ve 3.4 de yaptnz ilemlerini
tekrarlaynz.sonular kaydediniz.
Kaplan
co
m
Vo (minimum)
Vo (maksimum)
SORULAR:
retici kataloglarn inceleyerek birka tip farkl gerilim reglatr iziniz ve
zelliklerini belirtiniz?.
Gerilim reglatr uygulamalarnda soutucu ne amala ve nasl kullanlmaldr?
Aklaynz?.
154
Kaplan
co
m
Gerilim reglatrlerinin k akmlar nasl arttrlabilir ve ksa devreye kar reglatr

devresi nasl korunur rnekler vererek aklaynz?.
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
k gerilimi simetrik +-12Volan bir gerilim reglatr devresi iziniz?.
155
co
m
Kaplan
GERLM/AKIM VE A/V DNTRCLER
ri.
KONU:
tla
Gerilim/Akm dntrc (Voltage-to-Current Converter) ve Akm/Gerilim

Dntrc (Current-to-Voltage Converter) devrelerinin zellikleri ve almalar
incelenecektir.
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
Simetrik g kayna: -+12V DC

Multimetre: Saysal ve Analog
aret reteci
Opamp: 2xLM741 tipi, 1xLM324
Transistr: BC108
Diren: 47, 100, 220, 4K7, 6x10K, 4x100K
Potansiyometre: 100, 4x1K, 10K
N BLG:
em
Endstriyel sistemlerde basn, s, scaklk, debi v.b gibi eitli fiziksel byklklerin
llmesinde ve kontrol edilmesinde sensrlerden (transducers) yararlanlr.
Sensrlerin genellikle kullanm amalar yukarda belirtilen fiziksel byklkleri
elektriksel iaretlere dntrmektir. Dntrme ilemi sonucunda elde edilen akm
veya gerilim deerleri endstride kullanlan standart deerler aralnda olmaldr.
Her hangi bir sensr knda elde edilen elektriksel byklk standart bir akm veya
gerilim deerine dntrlr. Endstriyel uygulamalarda pek ok zaman elde edilen
standart akm veya gerilim deerlerinin birbirlerine dntrlmeleri gerekir. Bu tr
ilevleri
yerine
getirmek
amacyla
Akm/gerilim
veya
gerilim
akm
dntrclerinden faydalanlr.
.e
BLM 13
Bu blmde gerilim/akm ve akm/gerilim dntrme ilemlerinin nasl

gerekletirildiini inceleyeceiz. Gerilim Reglatrlerinin Klf Tipleri ve Pin
Balantlar
156
DENEY: 1
GERLM/AKIM DNTRC:
ri.
Bu blmde opamp kullanlarak gerekletirilmi bir gerilim/akm dntrc devre

incelenecektir. ekil-26.1de giri gerilim deerine bal olarak ktaki yke akm
verebilen dntrc bir devre grlmektedir.
tla
N BLG:
rs
no
Dntrc devre; giri geriliminin 0 ile 1V arasndaki deiimine karlk ktan

endstri standardnda 4 ile 20mA arasnda deien bir akm vermektedir. Devrenin
transfer fonksiyonu (dntrme oran);
.e
em
de
0Va karlk gelen 4mAlik akm deeri offset deeridir.
Kaplan
co
m
ekil-26.1 Gerilim/Akm Dntrc Devre (Voltage to Current Converter)

DENEYN YAPILII:
ekil-26.1deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta devreye g
uygulamaynz.
157
tla
no
forml yeniden dzenlenirse;
ri.
Giri terminallerinde potansiyel fark olmad srece opamp k 0Vdur. Grsel

olarak ayarl Rs direnci zerinden geen akm, RL yk direnci zerinden de geer.
Yk zerinden geen akm miktar aadaki gibi formle edilir.
rs
sonu olarak e1 gerilimi, sabit bir offset deerine set edilmelidir. Rs direnci,
dntrme devresinin k akm sahasn (SPAN) ayarlar. Bundan dolay Rs deeri;
.e
em
de
olmaldr. Rs deerini yukardaki forml kullanarak hesaplaynz ve sonucu ilgili yere

kaydediniz. Elde ettiiniz sonuca gre Rs ayarl direncini yeniden ayarlaynz.
e1 offset gerilimi deerini hesaplamamz gerekmektedir. Bu deer iin yukardaki
denklemlerden yararlanlr. rnein ein=1V ise; Iyk akm Iyk=20mA olmaldr.
Dolaysyla;
Kaplan
co
m
deerine ayarlanmaldr. e1 gerilimini yukarda bulduunuz deere ayarlamak iin

OFFSET olarak tanmlanan potansiyometreden yararlanlr. Gerekli ayar bu potu
kullanarak gerekletiriniz.
Tablo-26.1de verilen farkl giri gerilimi ein deerleri iin dntrc kndan elde
edilmesi gereken yk akm (Iyk) deerlerini yukarda verilen formllerden
yararlanarak hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-26.1deki ilgili yerlere
kaydediniz.
158
I yk(llen)
no
Tablo-26.1 Gerilim/Akm Dntrc devresinin verileri
rs
Tablo-26.1de belirtilen giri gerilimlerini (ein) elde edebilmek iin P1

potansiyometresini srayla ayarlaynz. Her deer iin yk akmn (Iyk) lerek
sonucu tablo-26.1deki ilgili yerlere kaydediniz.
de
ekil-26.1deki devrede Rw direnci iletim (transmisyon), yolunda olmas gereken

olas direnleri temsil eder. Bu direnlerin devreye etkisini incelemek iin devrede
verilen Rw direncini ksa devre yapnz. Rl yk direnci zerindeki gerilim ve akmlarn
etkilenip etkilenmediini gzlemleyiniz. Etkilenme var m? Neden? Sonular
tartnz?
em
ncelemesini yaptmz gerilim/akm dntrc devreyi set zerinde olduu gibi

braknz. Bir sonraki deneyde tekrar kullanacaz. Bir sonraki deneye geiniz.
DENEY:2
.e
yk(Hesaplanan)
ri.
0.00
0.10
0.25
0.50
0.75
0.90
1.00
tla
ein (volt)
Kaplan
co
m
AKIM/GERLM DNTRC
Bir nceki blmde herhangi bir sensrden alnan gerilim deerlerinin endstri
standardnda bir akm (4-20mA) deerine dntrldn inceledik. Bu blmde;
endstri standardnda elde edilen bir akm deerinin gerilime dntrlmesi iin
gerekli dzenekleri inceleyeceiz.
N BLG:
Baz endstriyel cihazlar gerilim esasna bal olarak almaktadr. Dolaysyla
herhangi bir sensrden alnacak standart akm deerleri, orantl olarak gerilime
evrilmelidir. Bunun iin akm/gerilim dntrclerine gereksinim duyulur.
Baz durumlarda ekil-26.1de verilen gerilim akm dntrc devrenin kndan
alnan akm, ilenmek zere nemli saylabilecek uzak bir mesafeye transfer edilmesi
gerekebilir. Transfer ileminin akmla yaplmas olduka zor ve sorunludur. Bu
nedenle akm/gerilim dntrcleri sklkla kullanlr.
159
Transfer ilemi sonucunda RL yk direnci zerinde oluan gerilim deeri bu amala

kullanlabilir. Bu dnm iin yeterlidir.
ri.
4-20mA akm aral standart bir deerdir ve endstriyel cihazlarn tasarmnda ska
kullanlr. Baz saysal cihaz reticileri analog gerilim girilerini 1V ila 5V aralklarnda
tasarlarlar. Bu nedenle 220luk sonlandrma direnci standart akm aral iin yeterli
olacaktr.
em
de
rs
no
tla
ekil-26.2de belirtilen zellikler dikkate alnarak tasarlanm akm/gerilim

dntrc devre grlmektedir. Akm/gerilim dntrme ilemi iin ekil-26.1de
elde edilen standart akm deerlerinden yararlanlacaktr.
ekil-26.2 Akm/Gerilim Dntrc Devre
DENEYN YAPILII:
ekil-26.2de grlen devreyi deney seti zerine kurunuz. Bu devre ekil-26.1de

kurduunuz gerilim/akm dntrc devresine ilave bir devredir. Bu duruma dikkat
ediniz. Devreye imdilik enerji uygulamaynz.
.e
Kaplan
co
m
Devrenin kalibrasyonunu salamak amac ile, P1 ayarl direncinin olmas gereken

deerleri iin aada belirtilen hesaplamalar yapnz.
4-20mA aralnda transfer yapldnda RL zerinde oluan maksimum ve minimum
giri gerilimleri;
Devrenin kazanc, k gerilimi deiikliklerinin giri gerilimindeki deiikliklere oran

ile hesaplanabilir.
160
ri.
AV=______________________
tla
yukardaki eitlikleri kullanarak gerilim kazancn hesaplaynz.
de
rs
no
ekil-26.2deki devrede kullanlan 2. opamp kat dntrc devrenin kazancn

belirler. 3. opamp kat ise dntrcnn tampon devresi olarak kullanlmtr.
Bundan dolay P1 ayarl direncinin deeri aadaki gibi hesaplanr.
Yukardaki forml kullanarak P1 ayarl direncinin olmas gereken deerini

hesaplaynz ve kaydediniz.
em
P1=______________________
P1 direncini bulduunuz bu deere ayarlaynz ve devreye enerji uygulaynz.

P2 ayarl direnci ise; en uygun offset deerini ayarlamak iin kullanlr. Bu
uygulamada giri akm 4mA alndnda kn 0V olduu kabul edilmitir. P2
ayarl direncinin orta ucundaki gerilim aadaki gibi hesaplanr.
.e
Kaplan
co
m
Not: Rf=R2 olduunda Voffset=-1Vdur. Voffset gerilimini bu deere ayarlaynz.

ekil-26.1deki gerilim/akm dntrc devrenin kn ekil-26.2deki devrenin
giriine balaynz. ekil-26.1deki devrenin k akmn ve ekil-26.2deki devrenin
k gerilimi gzlemleyiniz.
Devreye nce 4mA giri akm uygulayarak ekil-26.2deki devrenin ince ayarlarn ve
kalibrasyonunu yapnz. Ayn uygulamay 20mA giri akm iinde yapnz.
Bu uygulamalar yaparken ncelikle en uygun lme alann (SPAN), daha sonra
offset deerini ayarlaynz.
alma noktas ierisinde birka ara deer noktasn test ederek devrenin
almasn kontrol ediniz.
161
Kaplan
co
m
Deneyi tablo-26.2de verilen eitli deerler iin tekrarlaynz ve elde ettiiniz

deerleri tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
VOUT
IOUT
(hesaplanan)
4 mA
ri.
V yk
tla
0.00
0.10
0.25
0.50
0.75
0.90
1.00
I yk(Iin)
no
ein (volt)
20mA
.e
em
de
rs
Tablo-26.2 Akm/Gerilim Dntrc devresinin verileri
162
ri.
tla
no
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
BLM 1
Kaplan
co
m
tla
Konular:
ri.
lemsel Ykselteler
Amalar:
no
1.1 lemsel (operasyonel) ykseltecin (opamp) tantlmas

1.2 Farksal (differential) Ykselte
1.3 Opamp Karakteristikleri
rs
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
Operasyonel ykseltecin tantm ve sembol,
deal opamp zellikleri
de
Pratik opamp zellikleri ve 741 tipi tmdevre opampn tantlmas ve terminal balantlar
Opampn temel yaps ve blok olarak gsterimi
Transistrl Farksal Ykseltecin Yaps, zellikleri ve alma Karakteristikleri
.e
em
Opamp Karakteristikleri
ri.
tla
no
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
1.1 OPAMPIN TANITILMASI

Operasyonel (ilemsel) ykselteler, ksaca opamp olarak bilinir ve bu adla
tanmlanrlar. Elektronik endstrisinde retilen ilk tmdevre (ntegrated circuits=ICs) bir
opamptr. 1963 ylnda Fairchild firmas tarafndan A702 kodu ile retilip tketime
sunulmutur. Sonraki yllarda bir ok firma tarafndan farkl tip ve kodlarda opamplar
retilip kullanma sunulmutur.
Opamplar; geni frekans snrlarnda sinyal ykseltmek amacyla tasarlanm, direkt
elemeli ve yksek kazanl gerilim ykselteleridir. Gnmzde; proses kontrol,
haberleme, bilgisayar, g ve iaret kaynaklar, gsterge dzenleri, test ve l sistemleri
v.b gibi bir ok alanda kullanlmaktadr.
Bu Blmde;
Opamp Semboln
Genel amal opamp tmdevrelerinin tantmn
Opampn giri ve k terminallerini
deal ve pratik bir opampn zelliklerini
Ayrntl olarak izleyeceiz.
Opamp Sembol ve Terminalleri
tla
ri.
Standart bir opamp; iki adet giri terminali, bir adet k terminaline sahiptir. Opamp giri
terminalleri ilevlerinden tr, eviren (giri) ve evirmeyen (+giri) olarak adlandrlmtr.
Kimi kaynaklarda opamp giri terminalleri; ters eviren (inverting) ve ters evirmeyen
(noninverting) giri olarak da adlandrlmaktadr. Standart opamp sembol ekil-1.1.ada
verilmitir. ekil-1.bde ise standart bir opamp sembol besleme kaynaklar ile birlikte
verilmitir.
Eviren Giri
+V
no
Evirmeyen Giri
a) Opamp Sembol
-V
b) Opamp Sembol ve besleme balantlar
ekil-1.1 Operasyonel Ykseltecin (opamp) Sembol
.e
em
de
rs
Opamp tek bir tmdevre halinde kullancnn tketimine sunulmaktadr. Gnmzde pek
ok tmdevre reticisi farkl tip ve zelliklere sahip opamp retimi gerekletirmektedir.
ekil-1.2de baz opamplarn tipik klf grntleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ekil-1.2 Baz opamplarn tipik grnmleri
Elektronik piyasasnda ok eitli amalar iin retilmi binlerce tip opamp vardr. retici
firmalar rettikleri her bir opamp tipi iin eleman tantan bir kod kullanrlar. Tmdevreler
genellikle bu kodlarla anlrlar. ekil-1.3de genelde pek ok reticinin uyduu kodlama
sistemi iki ayr tmdevre zerinde kodlamada uygulanan kurallar ile birlikte gsterilmitir.
Kodlama genellikle 3 gruba ayrlarak yaplr.
8
LM 741C P
LM741CP
3601
MC358MI
1702
3. Grup
2. Grup
1. Grup
ekil-1.3 Tmdevrelerde kodlama sistemi
Baz reticiler farkl kodlama sistemleri kullanabilmektedir. Bu durumda retici firmann

kataloglarna baklmaldr. Pek ok retici firmann uyduu kodlama sisteminin genel
zellikleri tablo-1.1de ayrntl olarak verilmitir.
Kaplan
co
m
Tmdevrelerde Kodlama rnekleri

zellikler
3. Grup
3den 7ye kadar eitli rakam ve

harflerden oluabilir. Son harf
tmdevrenin kullanm alann ve
alma scakln belirler.
C: Ticari, alma aral: 00C - 700C

I: Endstri, alma aral: -250C - 850C
M: Askeri, alma aral: -250C - 1250C
Son grup 1 veya 2 harften

meydana gelir. Paket tipini ve
klf materyalini gsterir.
C: Seramik klf
P: Plastik klf
D, J: Cift sral soket (DIP)
ri.
LM: National, NE:Fairchild,

MC:Motorola; SE: Signetics, SN: Texas Ins.
AD: Analog Dv. CD: Haris v.b gibi
tla
2. Grup
ki veya harften meydana

gelen bir ksaltma kullanlr. Bu
grup, retici firmay belirler.
no
1. Grup
rnekler
Tablo-1.1 Tmdevrelerde kodlama sistemi
de
rs
Opamplar, pek ok uygulamada sklkla kullanlmaktadr. Bu nedenle genel ve zel amal

kullanm iin retilen binlerce farkl tip ve zellie sahip opamp vardr. Elektronik
endstrisinde retilen ilk opamp A741 kodludur ve 1968 ylnda retilmitir.
Opamp zellikleri:
em
Opamplar, elektronik devre tasarmnn temel yap talarndandr. Gnmzde hemen her
trl devre ve cihaz tasarmnda sklkla kullanlmaktadr. Opamp bu denli ilevsel klan
ise zellikleridir. deal bir opampta olmas gereken zellikler ekil-1.5de opamp sembol
zerinde ayrntl olarak gsterilmilerdir.
+V
Iin = 0 A
Rin =
Ro = 0
Iin = 0 A
Rin =
.e
Pratikte ise yukarda belirtilen ideal opamp zelliklerine ulamak mmkn deildir. retim
tekniklerinin ve kullanlan malzemelerin oluturduklar bir takm kstlamalar vardr.
Gnmzde ideal zelliklere yaklaan pek ok tip opamp gelitirilmitir. Tablo-1.2de ideal
opamp ile genel amal bir opampn (LM741) zellikleri karlatrmal olarak verilmitir.
Vo
-V
ekil-1.5 deal opamp zellikleri
zellik
Giri Direnci; Ri (Input Impedance)
k Direnci; Ro (Output Impedance)
Ak evrim Gerilim Kazanc; AV (Open-Loop Gain)
deal Opamp
Gerek Opamp (LM741)
Sonsuz
Yksek (1M)
Sfr
Dk (<500)
Sonsuz
ok Byk (104)
Sonsuz
Etkin Kutup (10-100Hz)
Ortak Mod Zayflatma Oran; CMRR
Sonsuz
Yksek (70dB)
Giri Kutuplama akmlar (Input Bias Current)
Sfr
Dk (<0.5A)
Ofset gerilim ve akmlar; VO, IO (Input Offset Voltage

and Current)
Sfr
Dk (<10mV,<0.2nA)
Deimez
Az (5V/0C, 0.1nA/0C)
V0=0
V00 olabilir.
tla
Giri Gerilimleri; V1=V2 ise
ri.
Ak evrim Bant Genilii; BW
Scaklkla Karakteristiklerinin deiimi

Besleme Gerilimi
5V..15V
20mA
no
Maksimum k Akm
Tablo-1.2 deal opamp ile gerek bir opampn zelliklerinin karlatrlmas
rs
Besleme Terminalleri
de
Opamplar genelde simetrik besleme gerilimine gereksinim duyar. Bu durum ekil-1.4.a ve b

zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. Opamplar olduka geni bir besleme gerilimi
aralnda alabilirler.
em
Pratikte pek ok opamp 5V ile 18V arasnda simetrik besleme gerilimine gereksinim
duyar. Ayrca 0V-30V arasnda tek bir besleme gerilimi altnda alan opamplar olduu gibi
zel besleme gerilimlerine gereksinim duyan opamplar da vardr. Herhangi bir opampn
gereksinim duyduu besleme gerilimi kataloglardan belirlenebilir.
Beslenme srasnda opampn topraa (ground) direkt balanmadna dikkat ediniz.
Akmlarn d devreden ve yk zerinden getiine dikkat edilmelidir.
+V
+V
.e
Kaplan
co
m
RL
+V
Vo
Ortak U
RL
-V
-V
-V
a) Besleme geriliminin gerek balants
a) Besleme geriliminin sembolik balant
ekil-1.4 LM741 tipi bir opampa besleme gerilimlerinin balanmas
k Terminalleri
Opampta bir k terminali bulunur. Bu terminalden ekilebilecek akm miktar ise
snrldr. retici firmalar; her bir opamp tipi iin maksimum k akmlarn kataloglarnda
verirler. Bu deer ounlukla birka 10mA mertebesindedir.
ekil-1.6da 741 tipi bir opampn k terminali ile birlikte, giri ve besleme terminalleri pin
numaralar ile verilmitir. Devrede opampn k terminali bir RL yk zerinden topraa
balanmtr. Dolays ile opampn k iareti RL yk direnci zerindeki gerilimdir.
+12V
2
7
6
-12V
V0
ri.
IL
tla
ekil-1.6 741 tipi bir opampn giri ve k terminalleri
rs
no
Operasyonel ykselteler alabilemek iin her zaman bir besleme gerilimine gereksinim
duyarlar. Besleme gerilimi uygulanan bir opamp, giri ularna uygulanan gerilime ve
ilevine bal olarak k gerilimi retir. Bir opampn kndan alnabilecek maksimum
k gerilimi, besleme geriliminden birka volt daha kktr. Bu durum opampn i
yapsndan ve enerji tketiminden kaynaklanr. Opamp knda elde edilen iaretin
maksimum deerlerine doyum (saturation) gerilimi denir. VSAT olarak ifade edilir. rnein
besleme gerilimi 12V olan bir opampta doyum gerilimleri negatif iaretler iin 2V, pozitif
iaretler iin ise 1V daha azdr. Yani opamp kndan pozitif deerler iin maksimum +11V,
negatif deerler iin ise maksimum -10V civarnda bir gerilim alnabilir. retici firmalar, bu
deerleri kataloglarnda belirtirler.
de
Giri Terminalleri
em
Opamplar iki adet giri terminaline sahiptir. Bu terminaller ilevlerinden tr eviren ve

evirmeyen giri olarak adlandrlr. Opamp kndan alnan iaretin polaritesi eviren ve
evirmeyen giriler arasndaki gerilimin farkna baldr. Opampn girilerindeki gerilim
farkna fark gerilimi denir ve Vd ile tanmlanr. Opamp; hem ac, hem de dc iaretleri
kuvvetlendirmede kullanlan bir devre elamandr. Bu zellii dikkate alnarak opamp
giriindeki gerilim fark;
V = V d = V 2 V1
.e
olarak tanmlanr. Bu durumda opampn k gerilimi V0;
Kaplan
co
m
V0 = AOL V d = AV V d
olur. Formlde kullanlan Vd, opamp giriine uygulanan iaretlerin farkdr. AOL ise,
opampn ak evrim gerilim kazancdr. Opamp devresinde geribesleme kullanlmyorsa,
yani opampn k terminali herhangi bir ekilde giri terminaline balanmamsa opamp
ak evrim altnda alyordur. Bir opampn ak evrim gerilim kazanc teorik olarak
sonsuzdur. Pratikte ise olduka yksek bir deerdir.
Bu durumda opampn eviren (V1) ve evirmeyen (V2) girilerine uygulanan iaretler;
V2>V1 ise fark gerilimi Vd pozitif olacak, opamp k +VSAT deerini alacaktr.
V2<V1 ise fark gerilimi Vd negatif olacak, opamp k -VSAT deerini alacaktr.
Yukarda anlatlan tm durumlar ekil-1.7 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
-V
-V
+
V =V d
4
V 2 =V+
V 1=V_
V 0=+V OSAT
V0 =A OL.V d
V2 =V +
+V
ri.
+V
V0 =+V OSAT
V O =+VSATdir
V2<V1 ise V d=-
V O=-VSATdir
tla
V2>V1 ise V d=+
V =V d
V 0=A OL. Vd
V 1=V_
ekil-1.7 Opampn k iaretinin polaritesinin belirlenmesi
Bir opampn k geriliminin maksimum +VSAT veya VSAT deerinde olabilecei belirtilmiti. Bu durumda VSAT deeri bilinen bir opampn maksimum giri fark gerilimi Vd;
Besleme gerilimi 12V olan bir opampn ak evrim kazanc AOL=120.000dir.

opampn maksimum fark giri gerilimini bulunuz?
rs
rnek:
1.1
V0 SAT
AOL
no
Vd =
Bu
de
Besleme gerilimi 12V olan bir opampn alabilecei maksimum k gerilimi deeri
VSAT=10.5V civarndadr. Bu durumda giri fark gerilimi;
Vd =
10.5V
= 8.75 10 5 = 0.0875mV = 87.5 V
12 10 4
.e
em
Fark geriliminin bu deeri ok kktr. Opampn bu derece kk bir giri gerilimini

dahi ykseltebildiine dikkat ediniz. Opampn bu zellii kullanlarak her trl
sensrden veya dntrcden elde edilen ok kk iaretler kuvvetlendirilebilir.
Elektronik piyasasnda ak evrim gerilim kazanc milyonlarla ifade edilebilen yzlerce
tip opamp bulunduu unutulmamaldr.
Kaplan
co
m
Operasyonel Ykseltecin Yaps

Operasyonel ykseltecin i yaps olduka karmaktr. retici kataloglar incelendiinde bu
durum aka grlr. Bir opamp; onlarca transistr, diren ihtiva eder. rnein 741 tipi
opamp tmleik devresinde; 3mm2 lik bir silikon ierisine 20 transistr, 11 diren ve 1 adet
kondansatr yerletirilmitir. Bunun nedeni ideale yaklamaktr. Biz bu blmde opampn
fonksiyonel blok diyagramn inceleyeceiz.
Opampn temel yaps ekil-1.6da blok olarak verilmitir. Opamp temel olarak 4 ayr bloktan
olumaktadr. Blok gsterimde en nemli katman fark ykseltecidir. Dier katmanlarn
zellikleri ve ilevlerini biliyorsunuz. Burada tekrar incelemeyeceiz.
V1
V2
FARKSAL
YKSELTE
KAZAN
KATI
SEVYE
KAYDIRICI
ekil-1.6 Opampn Blok Diyagram
IKI
KATI
Vo
Opamp oluturan bu katlar sra ile inceleyelim. lk giri blounu oluturan diferansiyel
ykselteci bir sonraki blmde ayrntl olarak inceleyeceiz. kinci blok kazan katdr. Bu
kat bir veya birka ykselte devresinden oluturulmutur. levi, farksal ykselte
kndan alnan iaretlerin empedans uygunluunu salayp genliini ykselterek yksek
deerli kazanlar elde etmektir.
tla
ri.
Buffer ve seviye kaydrc katn biraz aalm; Opamp retiminde kondansatr kullanlmadndan katlar birbirlerine direkt kuplajl olarak balanrlar. Bundan dolay alma
noktasnn seviyesi katlar ilerledike artar veya azalr. Bu artma ve azalma besleme gerilimlerine kadar devam eder. Bunun dnda opampn girilerinde iaret yok iken, kn sfr
olmas iin de seviyenin ayarlanmas gereklidir. Seviye kaydrc iin giri direnci byk,
k direnci kk olan bir emiter izleyici devre kullanlr. Bu devre buffer olarak da bilinir.
rs
no
Operasyonel ykseltecin k direncinin kk olmas istenir. Bunun nedeni ktan yeteri

kadar ve kolaylkla akm ekilebilmesidir. Bu zellii salamak iin k katnda, elenik
emiter izleyici bir devre kullanlr. Bu devre B snf pupul g ykselteci olarak bilinir. Bu
devre sayesinde opampn k direnci ok kk olur. Opamp kndan alnan iaretlerin
distorsiyonsuz olmas iin k katnda ayrc bir takm dzenlemeler yaplr.
de
1.2 FARKSAL (DFERANSYEL) YKSELTE
em
Farksal ykselte, opamp tasarmnda kullanlan ilk bloktur. Opamp tasarmnda bir veya
birka adet fark ykselteci kullanlr.
.e
Fark ykselteci, opampn temel zelliklerini ve ilevlerini gerekletiren devredir. Bu

blmde; farksal ykseltecin zellikleri ve karakteristiklerini inceleyeceiz. deal oluum
iin gerekli artlar analiz edeceiz.
Kaplan
co
m
En basit bir farksal ykselte (Diferansiyel ykselte=differantial amplifier) devresi ekil1.7'de blok olarak gsterilmitir. Bu ykselte; iki ayr giri terminali ve bir adet de k
terminaline sahiptir. Farksal ykseltecin, temel ilevlerinden birisi girilerine uygulanan iki
ayr sinyalin farkn almas ve ykseltmesidir. Fark ykselteleri, DC gerilimden bir ka
MHz'e kadar olan iaretleri kuvvetlendirirler.
V1
Vo
V2
ekil-1.7 Farksal Ykseltecin Blok Olarak Gsterilii.
ekil-1.7 de grlen farksal ykseltecin giri sinyalleri; V1 ve V2 dir. k sinyali ise topraa
gre llen V0 k gerilimidir. deal bir diferansiyel ykseltecin k sinyali;
V0 = AD (V1 V2 )
Kaplan
olur. Bu formlde, AD=Farksal (Diferansiyel) ykseltme miktardr. Bylece giriten

uygulanan iki sinyal birden ykseltilmez. Sadece iki sinyalin fark ykseltilir. Gerek
(pratik) bir fark ykseltecinde ise yukardaki forml elde edilemez. Pratikde k gerilimi
V0; iki sinyalin farkna (VD) ve ortak mod sinyaline (VC) bamldr. Bu deerler aadaki
gibi formle edilirler;
ri.
VD = V1 V2
tla
1
VC = (V1 V2 )
2
no
Formlde ki VC deeri ortak mod sinyalidir. Ortak Mod sinyali VC, farksal ykselteci ideal
durumdan uzaklatrr. yi dzenlenmi bir farksal ykseltete ortak mod sinyalinin yok
edilmesi gerekir. Ortak mod sinyalinin nasl yok edilecei aada ayrntlar ile
anlatlmtr.
Ortak Mod'un Yok Edilmesi
deal bir diferansiyel ykseltecin k sinyalini aadaki gibi yazabiliriz;
rs
V0 = ( A1 V1 ) + ( A2 V2 )
de
Burada A1 ve A2 giri sinyaline baml olarak, kta aseye gre oluan amplifikasyon
deeridir. Yukardaki VD ve VC eitliinden yararlanarak V1 ve V2 deerlerini yeniden
yazalm.
1
V1 = VC + VD
2
1
V2 = VC VD
2
em
bu deerleri yukardaki V0 eitliinde yerine koyarsak;
1
1
V0 = A1 (VC + VD ) + A2 (VC VD )
2
2
.e
Bu ifade sadeletirilirse,
V0 = VC ( A1 + A2 ) + VD
( A1 A2 )
2
deeri elde edilir. Bu ifade basitletirilerek, AD ve AC deerleri;
AD =
co
m
A1 A2
2
AC = A1 + A2
cinsinden yazlrsa, k gerilimi (V0);
V0 = VC AC + VD AD
Deerine eit olur. Bu formlde AD, giri sinyallerinin farknn kazancdr. AC ise giriin iki
terminalindeki sinyalin ortak kazancdr (ortak mod kazanc).
Eer girite ortak mod sinyali yok ise (olmas istenmez) VC=0 dr. Bu durumda k sinyali;
V0 = VD AD
10
Devredeki amplifikasyon katsays ise bu durum da;
AD =
V0
VD
ri.
olarak llr. ki giri iin ortak mod sinyali (VC) llebilir. Bu durum da VD=0 yaplrsa,
ortak mod kazanc AC=V0/VC dir. Kaliteli bir diferansiyel ykseltete, diferansiyel kazan
(AD) byk, Ortak mod kazanc (AC) ise kk olmaldr.
tla
Diferansiyel ykseltecin kalitesini tayin etmek amac ile bu iki kazan arasndaki orana
baklr. Bu oran ortak mod eleme oran (Commen-mode rejetion ratio: C.M.R.R) olarak
isimlendirilir. Aadaki ekilde ifade edilir.
no
CMRR = =
AD
AC
rs
C.M.R.R deeri iyi bir diferansiyel ykseltede 1000 ile 10000 arasnda bir deerde
olmaldr. deal bir differansiyel ykseltete ise sonsuzdur. Bu deer kataloglarda desibel
olarak ifade edilir. C.M.R.R deerinin desibel olarak ifadesi aadadr.
AD
AC
de
CMRR = (dB) = 20 log
Emiter Kuplajl Fark Ykselteci
em
Transistrl temel bir fark ykselteci ekil-1.8'de verilmitir. Devre simetrik bir yapya
sahiptir. Fakat transistrlerin zellikleri ve scaklk etkisinden dolay mutlak bir simetrilik
sz konusu deildir. Bundan dolay difamp girilerine uygulanan VS1 ve VS2 gerilimleri eit
olsa bile dengesizlikten dolay k gerilimi sfr olmayacaktr. [V0=AD(VS1-VS2)]
.e
Bu durum ortak mod kazancndan dolaydr. Amacmz ise ideal diferansiyel ykselte
zelliklerine yaklamaktr. deal bir dif-ampte Ortak mod kazanc (AC) sfrdr.
+V CC
Kaplan
co
m
R C1
C2
C1
RC2
V0
Q1
RS1
+
VS1
Q2
E1
RE
E2
RS2
+
RE
VS2
-VEE
ekil-1.8 Emiter Kuplajl transistrl diferansiyel ykselte devresi
11
ri.
Girilere VS1 ve VS2 gerilimleri eit deerde uygulandn da fark iareti VD=0 olacandan
k iareti V0=AC.VC olur. Farksal ykselte, tam simetri olmadndan eer RE direnci ok
byk seilirse RE zerinden geen IE akm ok kk olur. Bu durumda emiter akmlar
IE1 ve IE2 yaklak sfr olur. IC2>IB2 olduundan, IC2=IE2=0 olur. Grld gibi ortak mod
kazancn (AC) kltmek iin RE direncini bytmek gerekir.
DC analiz:
tla
ekil-1.8'deki farksal ykselte devresinde kullanlan devre elemanlarn simetrik kabul

edersek devrenin edeerini ekil-1.9daki gibi izebiliriz.
+ VCC
+V CC
C2
C1
no
R C1
Q1
RC2
Q2
E2
E1
rs
RS1
RS2
de
VS1
2RE
2R E
-VEE
-VEE
VS2
em
ekil-1.9 Emiter Kuplajl Diferansiyel Ykseltecin Edeer Gsterilii
.e
Verilen edeer devreden aadaki eitlikleri yazabiliriz.
Kaplan
co
m
IC1=IC2=IC,
IB1=IB2=IB,
IE1=IE2=IE
Devredeki ortak emiter direnci RE, her iki emiterin akmn tar ve emiter direncinden
geen akmn deeri;
IRE=IE1+IE2=2IE
olur. Emiter gerilimi VE ise ;
VE=VRE-VEE=(IRE.E)-VEE
olur. ki transistrn emiter gerilimi ayn olduuna gre; VE gerilimi,
VE=(2IE)RE-VEE
olur.
ekil-1.8'deki farksal ykselte devresini simetrik yapsndan ve analiz kolaylndan dolay

ekil-1.9'daki gibi dnebiliriz. Bu devrede bir transistrn k iin aadaki eitlikler
yazlabilir.
VCC+VEE=VCE+(IC1.C)+(IE.RE)
yaklak olarak IE=IC kabul edersek yk izgisi eitlii;
VCC+VEE=VCE+IC(RC+2RE)
yazlabilir.
12
ac analiz:
ri.
ekil-1.8deki fark ykselteci devresinde k sinyali, Q1 ve Q2 transistrlerinin

kollektrlerinden alnmaktadr. Bu yzden devre simetriktir. AC analiz iin devredeki DC
kaynaklar ksa devre edilirse diferansiyel ykseltecin edeer devresi ekil-1.10.adaki gibi
olur.
RC
RS
no
RS
VS
RC
tla
2R E
+
V0 /2
a)
b)
rs
ekil-1.10.a ve b Diferansiyel Ykseltecin AC edeer devresi
de
Ykseltecin giri terminallerindeki sinyaller birbirine eitse;

VS1=VS2=VS
diferansiyel kazan;
VD=VS1-VS2=0
em
olur. Buradan k gerilimi;

V0=AC .VS
olur.
.e
Ortak mod kazanc (AC) ise aadaki gibi hesaplanr.
Kaplan
co
m
AC =
I R
R
V0
= C C = C
I B R in
VS
Rin
Burada Rin direnci, gerilim kayna tarafndan grlen giri direncidir. Deeri;
Rin=(+1)2RE+RS+Ri
Ri direnci, transistrn giri direncidir. Ri ve RS diren deerleri, (+1)2RE deeri ile
karlatrldnda ihmal edilebilir. nk ok kktr. Buna gre ortak mod kazanc
aadaki gibi olur ;
AC =
( . RC )
( + 1)2 R E
ekil-1.10.a'daki devrenin AC edeerini kullanarak diferansiyel kazanc hesaplayalm.

Bunun iin ekil-1.10.bdeki devre gelitirilmitir.
ekil-1.10.bdeki devre diferansiyel ykseltecin AC edeeri olarak bu tanmlamalardan
sonra izilmitir. Bu edeer devrede RE direnci AC sinyal asndan ihmal edilmitir.
Aslnda RE direncinin ihmal edilmesi, zerinden geen AC akmn yaklak sfr
olmasndan trdr. nk diferansiyel ykselte iki girili olduundan dolay
transistrlerin emiterlerinden biri zerinde zt ynde akma sebep olur. Bu akmlar RE
13
zerinden her biri iin geer.
Gerekte RE direnci yalnz AC edeer devrede ihmal edilebilir. Aslnda fiziksel olarak
devrede vardr. Eer diferansiyel ykseltecin giri terminallerindeki sinyal;
ise ortak mod sinyali;
V S1 + V S2
=0
2
tla
VC =
VS
2
ri.
V C = VS 2 =
olur. Ve diferansiyel kazan aadaki gibi formle edilir.
I B . RC
V0
I .R
R
= C C =
= C
2
.
2
.
2
VS
I B Rin
I B R in
Rin
no
AD =
Burada Rn gerilim kaynandan grlen giri direncidir.

Rin=(RS+RI)
AD =
( RC )
2( R S + R i )
de
rs
Buradan diferansiyel kazan iin aadaki eitlik yazlabilir.
Ortak Modun Atlmas Oran (C.M.R.R):
em
Farksal ykseltecin C.M.R.R orann hesaplamak iin yukarda bulduumuz AC ve AD

amplifikasyon faktr eitliklerinden faydalanabiliriz. Bilindii gibi CMMR oran aadaki
formlle aklanyordu.
AD
AD
AD
.e
Bu formlde AC ve AD deerleri yerletirilirse;
Kaplan
co
m
RC
2 ( R S + R i ) ( + 1) 2 R E
AD
CMMR =
=
=
RC
AC
(2 RS + R i )
( + 1) 2 R E
deeri elde edilir. Bulunan bu ifade sadeletirilirse;

C.M.M.R =
( + 1)RE
RS + R1
ifadesi bulunur. Uygun alma noktasnn elde edilmesi iin, bu eitlikte grld gibi RE
deerinin transistr tipide gz nne alnarak yksek seilmesi gerekir. C.M.R.R orannn
yksek olmas transistrn kalitesini artrd biliniyordu. Fakat transistr alma
artlarndan dolay RE direncini istediimiz byklkte seemeyiz.
rnein C.M.R.R orann bir ka yz civarnda olmasn isteyelim. Gerek devre iin
RE=100K ohm seelim. Bu durumda her transistr iin 1 mili amperlik akm elde etmek
istiyorsak RE direncinden 2mA'lik akm gemesi gerekir. Bunun iin ihtiyacmz olan VEE
kaynak gerilimi;
14
VEE=IE.IE 'den
VEE=(-2.10 -3).(100.10 3)
VEE=200 volt
tla
ri.
Bulunur. Bu deer ise transistrl ykselteler iin uygun bir deer deildir. Buradan u
sonu kyor. RE direncini fazla artramyoruz. Bu duruma are olarak RE direnci yerine
sabit akm kayna kullanrsak sorunu zeriz. Ancak kullanacamz akm kaynann
k direncinin yksek olmas gerekir. Bundan dolay transistrl bir sabit akm kayna
kullanlr.
Sabit Akm Kaynakl Diferansiyel Ykselte
no
Kaliteli bir diferansiyel ykselte oluturmak iin, ekil-1.8'de grlen fark ykseltecinin
emiter devresine transistrl sabit bir akm kayna eklenmitir. ekil-1.11'de grlen bu
devre dikkatle incelenirse ilave edilen transistr ortak beyz balantldr. Bilindii gibi bu
balantda kollektr devresinin k direnci olduka yksektir. (Bir ka K civarnda) Bu
diren ykselte transistrlerinin iki emiterinin de ortak direncidir. Bylece ykselte ok
yksek ortak mod eleme oran (CMRR) salayarak, ideal bir farksal ykselte halini alr.
rs
Devrenin analizine gelince; Q1 ve Q2 transistrlerinin alma noktasn IE akm tayin eder.

Bu akm ile transistrlerin alma noktas sabitlenir. R1 ve R2 direnleri gerilim blc
olarak kullanlmtr. Bu durumda R2 direnci zerinde den gerilimi yazacak olursak;
V R2 =|V EE|
de
em
.e
Kaplan
co
m
R2
R1 + R 2
+V CC
R C1
C2
IC1
Ib1
V01
RC2
V02
Q1
I b2
Q2
RS1
RS2
Q3
VS1
VS2
R3
R2
R1
-VEE
ekil-1.11 Sabit akm kaynakl farksal Ykselte
Buradan R3 zerine den gerilim;

VR3=VR2-VBE
VBE, VR2 ile karlatrldnda kk olduundan ihmal edilebilir. Bu durumda;
VR3=VR2
15
Kaplan
co
m
olur. Bylece R3 ten geen akm;
I3 =
VR 3
2
1
R2
R2
=VR
= |V EE|
=
|V EE|
R3
R3 R3
R1 + R 2 R 3 ( R1 + R 2 )
IE akmnn deeri ise;
ri.
IE= I3=I3
transistr parametrelerinin scaklkla kk bir miktar deimesi dnda IE akm sabittir.
tla
R2
IE =
VEE
R3 ( R1 + R2 )
no
Temel diferansiyel ykselteci olutururken devre elemanlarn simetrik kabul ettik ve ideal
devre elemanlarndan oluturulduklarn varsaydk. Pratik uygulamalarda ise ideal bir
eleman bulmak mmkn deildir. Her elemann belli tolerans deerleri vardr.
de
rs
deale yaklamak amacyla ekil-1.12deki farksal ykselte devresi dzenlenmitir. Bu

devrede, her iki transistrn ortak olan emiter ularna bir ayarl diren balanmtr. Bu
diren ayarlanarak iki transistrn emiterinden eit akm akmas salanr. Bylece devrede
maksimum simetrilik salanm olur.
R C1
+V CC
.e
em
Ib1
V01
RC2
V02
Q1
I b2
Q2
P
RS1
RS2
Q3
VS1
VS2
R3
R2
R1
-VEE
ekil-1.12 Ayarl Sabit akm kaynakl Farksal Ykselte
C2
IC1
16
1.3 OPAMP KARAKTERSTKLER
ri.
Bu blmde opampn baz nemli karakteristiklerini ayrntl olarak inceleyeceiz.

nceleme sonucunda opampla yaplan tasarmlarda dikkat etmemiz gereken parametreleri
tanyp, gerekli nlemleri alacaz.
tla
Opamlarla yaplan tasarmlarda, tasarmn zelliine gre dikkate alnmas gereken

parametreler bu blmde ayrntl olarak incelenecektir.
Giri dengesizlik gerilimi (nput offset voltage)

Giri kutuplama akm (input bias current)
Giri dengesizlik akm (input offset current)
Kayma (drift)
de
rs
no
Operasyonel ykselteler, DC ve AC iaretleri veya her ikisini birden kuvvetlendirmek

amac ile kullanlrlar. zellikle DC iaretlerin kuvvetlendirilmesinde opamp hatal sonular
verebilir. Opampn k iareti; giri iareti ile kapal evrim kazancnn (ACL) arpmna
eittir. Opamp'n i elemanlarnda ki (diren, transistr) eitsizlikten dolay k iareti bazen
hatal olabilir. Bu hata fazla deilse ihmal edebilir, aksi halde bu hatay kltmeye alrz.
DC iaretlerin kuvvetlendirilmesinde hata oluturan, hata karakteristikleri aada
belirtilmitir.
em
AC iaretlerde yukarda belirtilen hatalar kapasitif kuplajdan dolay yok olacaktr. AC

iaretler de oluabilen hatalar ise aada belirtmitir.
Frekans cevab (Frequency Response)
Eim oran (Slew Rate)
.e
Giri Dengesizlik Gerilimi
Kaplan
co
m
deal bir opampn giri ular topraklandnda k gerilimi Vo=0V olmaldr. Pratikte ise
opamp kndan 0V yerine, deeri bir ka mikrovolt ile milivolt mertebesinde deien
hata gerilimleri alnabilir. Bu durum opampta kullanlan transistrlerin dengesizliinden
dolaydr. Kimi uygulamalarda bu deer gz ard edilebilir. Fakat hassas uygulamalarda
bu durum gz nne alnmal ve k gerilimi 0V mertebesine ekilmelidir. k gerilimini
0V mertebesine indirebilmek iin eitli yntemler vardr. retici firmalar kataloglarnda
giri dengesizlik gerilimini yok edip k 0Va indirmek iin gereken yntemler verirler.
Opampta oluan gerilim dengesizliinin nasl sfrlanaca baz opamp tipleri iin ekil1.13de verilmitir. Verilen yntemler denenmi en uygun yntemlerdir. rnek olarak
verilen opamp devrelerinde k hata gerilimi bir ayarl diren vastas ile sfrlanmaktadr.
Giri dengesizlik gerilimi (input ofset voltage) nedeni ile opamp knda oluabilecek hata
gerilimlerinin nasl sfrlanaca her bir opamp tipi iin retici kataloglar incelenerek
gerekli sistemler kurulabilir.
17
-V
-V
5
4
5.1M
ri.
-V
+V
+V
10K
1-5M
tla
ekil-1.13 Opampta k hata geriliminin sfrlanmas
no
Giri dengesizlik geriliminin k gerilimine etkisi, opampn ak evrim gerilim kazancna

ve dengesizlik geriliminin deerine baldr. Dengesizlik geriliminin genlii ve polaritesi,
opamptan opampa farkllk gsterebilir. Giri dengesizlik gerilimi, ak evrim kazanc
ok byk olan baz opamplarda k iaretini pozitif veya negatif kesim noktasna
ulatrabilir. (+VSAT, -VSAT).
rs
Giri Kutuplama Akm
em
de
Opamp iinde kullanlan transisitrlerin polarmalar (kutuplamalar) beyz akmlar ve

beyz-kollektr gerilimleri dengeli ekilde yaplmaldr. Bu durumda opamp girilerinden
dengeli ve ok kk bir kutuplama akm akar. deal durumda bu akmn hi akmad
dnlmektedir. Opamp giriinde oluan ve giri kutuplama akm (nput Bias Current)
olarak adlandrlan bu akm ekil-1.14 zerinde gsterilmitir.
B -
.e
B ++IB - B -
Kaplan
co
m
Q1
V0
Q2
B +
B +
a) Edeer devre
a) Basitletirilmi opamp giri devresi
ekil-1.14 Opampta giri kutuplama akmlar (IB)
IB+ ve IB- olarak tanmlanan bu akmlar. Birbirine eit olmayabilir. Bu iki akmn mutlak
deerlerinin toplamlarnn yarsna giri kutuplama akm denir ve deeri aadaki gibi
formle edilir.
IB =
I B+ + I B
2
IB akmnn deeri FET kullanlan opamplarda 1pAden kk, transistrl opamplarda ise
1pA ile 1mA arasndadr. Giri kutuplama akmlar kimi durumlarda opamp kn
gerilimini etkiler ve hatalar deerler alnmasna sebep olabilir. deal durumda opamplarda
giri gerilimi Vi=0V olduunda k gerilimi Vo=0V olmaldr. Pek ok uygulamada
kutuplama akmlar ihmal edilebilir.
18
Giri Dengesizlik Akm:
Opampn k gerilimi Vo=0V yapldnda veya olduunda, IB+ ve IB- akmlarnn mutlak
deerlerinin farkna giri dengesizlik akm (Input Ofset current) denir ve IOS olarak
tanmlanr.
ri.
I OS = I B+ I B
tla
reticiler; rettikleri her bir farkl opamp tipi iin bu deeri kataloglarnda verirler. retici
kataloglarnda verilen IOS deeri; genellikle opamp k gerilimi Vo=0V iken 250C oda
scakl altndadr.
no
Giri dengesizlik akmnn sfr veya IB+=IB- durumuna ok ender rastlanr. Bu

nedenle pek ok uygulamada giri dengesizlik akmn dikkate alnmas gerekir. Giri
dengesizlik akmnn etkisini yok etmek iin alnan nlemler ileride ilenecek uygulama
blmlerinde belirtilecektir.
Kayma (Drift-Srklenme):
I O kayma =
V O kayma =
.e
em
de
rs
Giri dengesizlik akm veya geriliminin scaklkla deimesine kayma denir. Dengesizlik
akmndaki kayma nA/0C, dengesizlik gerilimindeki kayma ise V/0C eklinde tanmlanr
ve aadaki gibi formle edilirler.
Kaplan
co
m
I O
T
V O
T
nA / 0 C
V / 0 C
olduka kk deerli olan bu kaymalarn miktar ve yn scakla gre deiebilir. Bu

sebeple reticiler kataloglarnda kayma iin ortalama ve maksimum deerleri
vermektedirler. Opampta kullanlan devre elemanlarnn karakteristiklerini zamanla
deitirmeleri de dengesizlik akm ve geriliminin deimesine neden olmaktadr. Ayrca
opampta kullanlan besleme gerilimi scaklkla deitii gibi devre elemanlarnn
deerlerinin zamanla deimesinden de etkilenmektedir.
Deiim Hz (Slew Rate-SR):

Opamp giriine uygulanan bir iaretdeki deiim, bir sre sonra opamp knda da
deiime neden olacaktr. Bu deiimin hz olduka nemlidir ve deiim hz (Slew
Rate=SR) olarak adlandrlr. Deiim hz, opamp knn ne derece hzl deitiini ifade
eden parametredir.
deal bir opampta deiim hz (SR) sonsuzdur. Pratikte ise bu mmkn deildir. rnein
741 tipi genel amal bir opampn deiim hz 0.5V/sdir. Bu durumda k iareti 1
saniyede 0.5Vluk bir deiim gstermektedir. Deiim hz ykseltecin kazancna,
kompanzasyon kapasitesine ve k geriliminin pozitif veya negatif gidiine baldr.
Deiim hz birim kazan iin verilir. nk deiim hz en kk deere birim kazanta
ular. Opampta oluabilecek istenmeyen baz osilasyonlar nlemek iin opamp iinde
veya dnda bir frekans kompanzasyonu kondansatr kullanlr. Bu kondansatrden
geebilecek maksimum akm (I), devre elemanlar tarafndan snrlandrlmtr. Maksimum
akm (Imax) miktarnn C kondansatr deerine oran,
19
opamp iin deiim hzn belirler ve aadaki gibi formle edilir.

SR =
I max
C
Bu durumda deiim hz (SR) ksaca;

dV0
dt
max
V0
t
ri.
SR
max
no
tla
olarak formle edilebilir. Yukarda verilen eitlikler aslnda birbirinden farkl deildir.
nk bir kondansatrden belli bir t zamannda I akm geerken zerinde birikecek Q
yk ve ularnda oluacak V gerilimi ilikisini hatrlayalm.
V 1
=
Q=I.t SR=C.V
t C
retici firmalar ounlukla tam gteki opamp band geniliini kataloglarnda verirler. Bu
deer verilen bir SR deeri ile k geriliminin tepe deeri (VP) arasndaki ilikidir.
Aadaki ekilde formle edilir.
rs
f max =
SR
2 V p
de
Bu forml kullanlarak opamp knda bozulmaya neden olmadan kuvvetlendirilebilecek

giri iaretinin maksimum frekans bulunabilir.
rnek: 741 tipi genel amal bir opampta Deiim hz SR=0.5V/sdir. Bu deere gre;
a) VoSAT=12Vluk k iin tam gteki band geniliini
1.2
em
b) Vo=9Vluk k iin giri iaretinin maksimum frekansn bulunuz.
.e
zm
Kaplan
co
m
a) f max =
0.5(V / s )
0.5 106
SR
=
= 6.634 KHz
=
2 V p 6.28 (12V ) 6.28 12V
b) f max =
0.5(V / s ) 0.5 106

SR
=
= 8.846 KHz
=
2 V p 6.28 (9V ) 6.28 9V
Grld gibi opamp k geriliminin genlii azaldka, giri iaretinin frekans limiti
artmaktadr. reticiler her hangi bir opamp iin deiim hzn birim kazanta verirler.
nk opamplarda deiim hz en kk deere birim kazanta ular.
Bir opampn giriindeki iaretin deiim hz, opampn deiim hzndan daha kk
olmaldr. Daha byk olduunda opamp, giriindeki iaretin deiim hzna yetiemez.
Dolays ile opamp k iaretinde bozulmalar meydana gelir. Bu durumu nlemek iin
daha byk deiim hzna sahip opamplar kullanlmaldr.
Opampn almasn etkileyen en nemli karakteristikler yukarda maddeler halinde
verilmitir. Bununla birlikte kimi uygulamalarda nem arzeden bir ka parametre daha
vardr. Bu parametreleri ve zelliklerini retici kataloglarnda inceleyebilirsiniz. Tablo1.2de size rnek olmas amac ile genel amal bir opampn retici kataloglarndan alnan
karakteristikleri verilmitir.
20
Kaplan
ZELLKLER
co
m
Trke
Orjinal
Giri Dengesizlik Gerilimi, VIO
Input Offset Voltage
Giri Dengesizlik Akm, IIO
Input Offset Current
20nA
Giri Kutuplama Akm, IB
Input Bias Current
100nA
Ortak Mod Eleme Oran, CMMR,
Commen Mode Rejection Ratio, CMRR
100dB
G Kaynakl Bastrma Oran; PSRR
Power-Supply Rejection Ratio, PSRR
20V/V
Kayma (srklenme), IO
Drift IO
0.1nA/0C
Drift VO
5V/0C
Deiim Hz, SR
5mV
ri.
tla
Kayma (srklenme), VO
Deer
Slew Rate, SR
1V/s
Unity-gain Frequance
1MHz
Tam gteki band genilii, BW
Full-power, BW
50KHz
Ak evrim fark kazanc, AOL, AV
Open-loop gain
100000
Ak evrim Giri Direnci, R
Input impedance
1M
Ak evrim k Direnci, R0
Output impedance
100
rs
no
Birim Kazan Frekans
.e
em
de
Tablo-1.2 Tmdevre bir opampn 250Cdeki tipik parametreleri
21
co
m
Kaplan
Amalar:
no
Eviren ve Evirmeyen Ykselte

Temel Fark Alc
Gerilim zleyici
Trev ve Entegral Alc
rs
2.1
2.2
2.3
2.4
tla
Konular:
ri.
Temel Opamp Devreleri
de
Opampla gerekletirilen eviren ykselte devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri

Eviren toplayc devresi ve zellikleri
Evirmeyen ykselte devresinin genel zellikleri ve karakteristikleri
em
Opampla gerekletirilen gerilim izleyici devresi ve zellikleri

Opampla gerekletirilen trev alc devrenin zellikleri ve alma karakteristikleri
.e
Opampla gerekletirilen Entegral alc devrenin zellikleri ve alma karakteristikleri
BLM 2
2.1 EVREN VE EVRMEYEN YKSELTE
ri.
Opamplarn en temel uygulamalarndan biri ykselte (amplifikatr) tasarmdr.

Ykselteler; girilerine uygulanan elektriksel iaretleri ykselterek (kuvvetlendirerek)
klarna aktaran sistemlerdir. Kaliteli bir ykselte, kuvvetlendirme ilemi esnasnda
giri ve k iaretlerinde herhangi bir bozulmaya (distorsiyona) sebep olmaz.
Bu blmde opampla gerekletirilen temel ykselte modellerini inceleyeceiz. Bunlar;
tla
Eviren Ykselte
Eviren Toplayc
Evirmeyen Ykselte
Evirmeyen Toplayc
no
Eviren Ykselte
de
rs
Bilindii gibi opamplarn ak evrim kazanc ok yksektir. Bu durum kullancya her

zaman avantaj salamaz. nk opampn kazan kontrol altnda deildir. Ykselte
tasarmnda elemann kazanc kullanc tarafndan kontrol edilmelidir. Opamp kazancnn
kontrol edilebilecei iki temel tip ykselte devresi vardr. Bunlar; eviren (inverting) ve
evirmeyen (noninverting) ykseltelerdir.
.e
em
Opampn kazancn kontol etmede en etkili yntem geri besleme kullanmaktr. Temel bir
eviren ykselte devresi ekil-2.1de verilmitir. Devrede dolaan akmlar ve gerilim
dmleri devre zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
RF
+ VRF -
VA
R1
+ VR1 -
I1
I=0A
+V
If
0V
VN
I=0A
-V
IL
RL
Kaplan
co
m
ekil-2.1 Temel Eviren Ykselte Devresi

Eviren ykselte devresinde giri gerilimi V1, R1 direnci ile opampn negatif terminaline
uygulanmtr. Opampn pozitif terminali ise topraklanmtr. Opampn giri ve k
terminalleri arasna balanan Rf direnci, geri besleme direnci olarak anlr. VN giri iareti ile
V0 k iareti arasndaki bant R1 ve RF direnleri ile ifade edilir. Devrenin analizine
yapmadan nce, opamp zellikleri tekrar hatrlatalm.
Opampn eviren (-) ve evirmeyen (+) girileri arasnda potansiyel fark yoktur.
Ksaca gerilim fark sfrdr.
23
Kaplan
co
m
Opampn eviren (-) ve evirmeyen (+) ularndan, opamp ierisine kk bir akm
akar. Bu akm ok kk olduundan ihmal edilebilir.
ri.
Girie uygulanan iaretin AC veya DC olmas durumu deitirmez, her ikisi de

kuvvetlendirilir. Opampn (-) ucu ile (+) ucu arasndaki potansiyel fark sfrdr. Bu nedenle,
devre de opamp'n (-) ucuda toprak potansiyelindedir. Devrenin analizine gelince VA
noktasnda K.A.K yazarsak;
I1 + I F = 0
tla
devreden I1 ve IF akmlar iin gerekli bantlar yazalm;
(VN VA ) + (V0 VA ) = 0
no
R1
RF
Ykseltecin kapal evrim kazancna A dersek, VA geriliminin deeri VA=V0 /A olur. VA nn

toprak potansiyelinde olduunu biliyoruz. Ykseltecin ak evrim kazancnn ok byk
olduunu da biliyoruz.
de
rs
Buradan VA=V0 /A dan VA=0 yazabiliriz. Bu durumda;
VN V0
+
=0
R1 RF
em
buradan k gerilimi;
R
V0 = V1 F
R1
V
VRF = I1 RF = N RF = V0
R1
olacaktr. Devrede Rf direncinin bir ucu toprak potansiyeline bal olduu iin RL yk
direncine paralel olarak dnebilir. Dolays ile Rf ularnda ki gerilim dm k
gerilimi Vo deerine eit olur. Bylece giri iaretinin fazda terslenmi olur. Baka bir
ifadeyle giri iareti evrilmitir. Opampn kazanc ise;
A=
olarak aa kar.
.e
bulunur. Dier bir ifadeyle opampn girileri akm ekmediinden, I1 akmnn tm Rf

direncinin zerinden akacaktr. Rf direnci zerindeki gerilim dm ise;
24
V0
R
= F
VN
R1
rnek:
2.1
ekil-2.2de grlen eviren ykselte devresinde LM741 tipi opamp kullanlmtr. Devre,
12Vluk simetrik kaynakla beslenmitir.
a. Devredeki I0 akmn, k gerilimini V0, Kapal evrim gerilim kazancn A
bulunuz?
ri.
b. Opamp kna 2.2Kluk bir RL yk direnci balandnda yk zerinden geen IL

yk akmn ve opampn toplam k akmn hesaplaynz?
tla
R f= 10K
- VRf +
+12V
no
R1 = 1K
+ VR1 -
I=0A
I1
V1
0.5V
I=0A
+
-12V
RL
2.2K
V0
-
rs
nce I1 akmn bulalm. Devreden;
em
zm
de
ekil-2.2 Eviren Ykselte Devresi
I1 =
V1 0.5V
=
= 0.5mA
R1 1K
.e
Opampn k gerilimi V0 ise;
Kaplan
co
m
V0 =
Rf
R1
V1 =
10 K
(0.5V ) = 5V
1K
olarak bulunur. Opampn kapal evrim kazanc ACL;

ACL =
Rf
V0
=
= 10
V1
R1
RL yk direnci zerinden geen IL yk akm;

IL =
V0
RL
5V
= 2.27mA
2.2 K
Opamp kndan ekilen toplam akm I0 ise;

I 0 = I L + I 1 = 2.27mA + 0.5mA = 2.32mA
olarak bulunur.
Eviren girie DC iaret yerine AC iaret de uygulanabilir. Bu durumda opamp ykseltme

ilevini yine yerine getirecektir. Byle bir eviren ykselte devresi ekil-2.3de gsterilmitir.
25
150K
+V
R1
V0
3V
10K
0.2
I=0A
ri.
V1
V1
I=0A
V0
RL
-V
-0.2
tla
-3V
no
ekil-2.3 Eviren ykselte devresinde ac alma
Devrede akm ve gerilimlerin analizini yapalm. ekil-2.3 zerindeki deerler dikkate

alndn da opampn kapal evrim gerilim kazanc ACL;
rs
ACL =
Rf
R1
150 K
= 15
10 K
de
Opamp kndan alnan k iaretinin tepeden tepeye deeri ise;

V0 =
Rf
R1
V1 =
150K
(0.2V )
10K
V0 = 3V
.e
em
olacaktr. Eviren amplifikatr zelliinden dolay giri geriliminin faz 1800 derece faz
terslenmi olarak ka yansyacaktr. Bu durum ekil-2.3 zerinde ayrntl olarak
gsterilmitir.
Kaplan
co
m
Eviren Toplayc
Temel eviren ykselte devresindeki negatif terminale tek giri yerine, ekil-2.4'deki gibi bir
ok giri iareti balanrsa opamp eviren toplayc olarak alr. Eviren toplayc devre,
giriine uygulanan iaretleri toplayarak kna aktarr.
Eer giri gerilimleri sras ile; V1, V2 .. Vn ise; ortak u (negatif terminal) toprak
potansiyelinde olduu iin opampn + ile - terminalleri arasnda potansiyel fark yoktur.
Dolays ile her bir koldan akan akmlar sras ile;
I1 =
V1
,
R1
I2 =
V2
,
R2
In =
Vn
Rn
olur. RF geri besleme direncinden bu akmlarn toplam kadar bir akm akacandan
(opampn iine akm akmaz, giri direnci sonsuzdur). Bu durumda opampn k gerilimi;
V 0 = (I 1 + I 2 + I n ) R F
V 1
Vn
V2
V 0 = R F +
RF +
RF
R2
Rn
R1
26
V
V
V
V0 = R F 1 + 2 + n
R1 R 2 R n
R1
RF=R
I1
If =I1+I2++In
I T=If
R2
I2
~0V
Rn
741
+
IL
-12V
In
RL
+
V0
-
no
Vn
If
+12V
tla
V2
ri.
V1
ekil-2.4 Eviren toplayc devresi
rs
rnek: ekil-2.4'deki devrede Rf=100K, R1=R2=Rn=10K ve V1=V2=Vn=0.2 volt ise, opampn k

gerilimi;
2.2
de
0.2V
0.2V
0.2V
+
+
V 0 = 100 K
10
K
10
K
10
K
= 6V
em
elde edilir. Toplayc devrede Rf=R1=R2=Rn seilirse kta giriler ykseltilmeden sadece
toplanm olarak alnr. Yine ayn mantkla giri iaretlerinin ortalamas ktan alnabilir.
Bunun iin;
R1=R2=Rn=R , Rf=R/3
.e
olarak seilmelidir.rnek olarak ekil-12.11'deki devrede; R1=R2=Rn=100K, Rf=100K/3 ve

V1=5v, V2=5v, Vn=-1v ise V0 k gerilimi;
Kaplan
co
m
V0=(5+5+(-1))/3
V0=-3 volt
bulunur. Unutulmamaldr ki opampn k geriliminin maksimum deeri besleme

gerilimi ile snrldr. Ksaca k geriliminin deeri hi bir zaman besleme gerilimi
deerini aamaz.
Ses Kartrc (mixer)

Bilindii gibi toplayc devre, giriine uygulanan dc iaretleri toplayarak kna aktarmakta
idi. Eviren toplayc devresinde, opampn eviren giriine ekil-2.5de grld gibi
mikrofonlar balayarak ses kartrc veya mixer olarak adlandrlan devreyi elde edebiliriz.
Bu devrede; opampn eviren giriine mikrofonlar zerinden uygulanan ses iaretleri
toplanarak ka aktarlmaktadr. Mikrofonlarla opamp giriine uygulanan giri iaretleri;
istenirse ayarl direnler kullanlarak zayflatlabilir. Bylece giriten uygulanan iaretlerden
iitilmesi arzu edilen enstrmann veya arkcnn sesi ayarlanabilir.
27
Rf
mic1
If
+12V
R2
~0V
741
ri.
mic2
Rn
IL
-12V
+
V0
tla
mic3
ekil-2.5 Ses kartrc (mixser) devre
no
Evirmeyen Ykselte
rs
Opamplarn temel uygulamalarndan bir dieri ise evirmeyen ykselte devresidir. Bu

devrede ykseltilecek iaret opampn evirmeyen giriine uygulanmaktadr. Evirmeyen
ykselte devresinde giri iareti ile k iareti ayn fazdadr. Yani giri ile k iareti
arasnda faz fark yoktur. Temel bir evirmeyen ykselte devresi ekil-2.6da verilmitir.
de
Evirmeyen ykselte devresinin en nemli zelliklerinden birisi ok yksek bir giri

direncine sahip olmasdr. Eviren bir ykselte devresinde giri direnci, devrede kullanlan
R1 direncine baldr ve deeri birka K civarndadr. Evirmeyen ykselte devresinde ise
giri direnci opampn giri direncine eittir. Bu deer ise yzlerce mega ohm civarndadr.
em
Rf
R1
I=0A
.e
+12V
Rf
If
R1
~0V
I1
Kaplan
co
m
I=0A
V1
IL
RL
V0
-
+12V
If
~0V
I1
+
-12V
I=0A
I=0A
V1
-12V
IL
V0
RL
ekil-2.6 Evirmeyen ykselte devresi
ekil-2.6da verilen evirmeyen ykselte devresinin analiziniz yapalm. Opampn eviren ve

evirmeyen girileri arasndaki potansiyel fark 0Vdur. Bunu biliyoruz. Dolaysyla R1 direnci
ularnda veya zerinde V1 gerilimini aynen grrz. Devrede kirof yasalarndan
yararlanarak k geriliminin alaca deeri yazalm.
V0 = I 1 R1 + I F R F
elde edilir. Devrede;
I1 = I F
olduu grlmektedir. Bu durumda yukarda verilen eitlii k gerilimini bulmada
yeniden yazarsak V0 ;
28
Kaplan
V0 = I 1 R1 + I 1 R F
denklemini elde ederiz. Bu denklemde; I1 Akm,
deerine eittir. Bu deeri V0 eitliine yerletirirsek,
V1
V
R1 + 1 R F
R1
R1
tla
V0 =
denklemi dzenlersek;
V1
RF
R1
no
V0 = V1 +
rs
R
V0 = V1 1 + F
R1
denklemi elde edilir. Yukarda elde edilen denklemin nda evirmeyen ykselte
devresinde kapal evrim kazanc ACL ise;
de
R
ACL = 1 + F
R1
deerine eittir.
em
Evirmeyen ykselte devresinde gerilim kazanc grld gibi evirmeyen ykselte

devresinden 1 fazladr.
.e
rnek:
2.3
ekil-2.7de grlen evirmeyen ykselte devresinde LM741 tipi opamp kullanlmtr.

Devre, 12Vluk simetrik kaynakla beslenmitir.
a. Devrede k gerilimi V0, ve Kapal evrim gerilim kazancn ACL bulunuz?
b. Opamp kna 3.3Kluk bir RL yk direnci balandnda yk zerinden geen IL
yk akmn hesaplaynz?
c. Ayn devrede opamp kndan ekilen toplam akm hesaplaynz?
V1
R1
ri.
I1 =
co
m
R F=10K
If
R1=2K
+12V
I=0A
I1
IF
~0V
V1
2V
I=0A
+
-12V
IL
29
RL
3.3K
V0
-
nce V0 k gerilimini bulalm. Devreden;
V1
R f V0 = 2V
R1
10 K
1 +
2 K
V0 = 12V
tla
V0 = V1 +
ri.
zm
Kapal evrim kazanc ACL;
10 K
ACL = 1 +
=6
2 K
no
R
ACL = 1 + F
R1
RL yk direnci zerinden geen IL yk akm deeri;
V0
RL
IL =
12V
= 3.63mA
3 .3 K
rs
IL =
Opamptan ekilen toplam Akm;
em
de
I T = I F + I L I T = 1mA + 3.63mA = 4.63mA
ekil-2.8de grlen evirmeyen ykselte devresinde; k gerilimi V0, gerilim kazancn

ACL ve opamptan ekilen toplam akm bulunuz?
RF=100K
.e
rnek:
2.4
If
R1=10K
I1
R2=1K
V1
1V
Kaplan
co
m
+12V
I=0A
~0V
I=0A
+
-12V
R3
1K
IF
IL
RL
1K
V0
-
VA
zm
Devreyi analiz edebilmek iin yaplmas gereken ilk ilem, opampn evirmeyen giriine
uygulanan gerilim deerinin bulunmasdr. Opampn evirmeyen giriine uygulanan
gerilime VA dersek; Devreden VA gerilimini bulalm.
VA =
V1
1V
R3 V A =
R 2 + R3
1K + 1K
Dolaysyla evirmeyen ykseltecin k gerilimi V0;
30
V A = 0.5V
Dolaysyla evirmeyen ykseltecin k gerilimi V0;
R
V0 = V A 1 + F
R1
ri.
100 K
V0 = 0.5 1 +
= 5.5V
10 K
RL yk direnci zerinden geen IL yk akm ve I1 akmnn deeri;
V0 5.5V
=
= 5.5mA
RL
1K
I1 =
V A 0.5V
=
= 00.5mA
R1 10 K
tla
IL =
Opamptan ekilen toplam akm ise;
no
I T = I F + I L I T = 0.05mA + 5.5mA = 6mA
rs
Evirmeyen Toplayc
em
de
Evirmeyen ykselte kullanlarak toplama ilemi yaplabilir. Evirmeyen toplayc ykselte

uygulamasnda toplanacak iaretler, opampn evirmeyen giriine uygulanr. Opamp
knda ise bu iaretlerin toplam alnr. Tipik bir evirmeyen toplayc devresi ekil-2.9.ada
grlmektedir. Devrede toplanacak giri says istee bal olarak artrlabilir. ekildeki
devrede rnekleme amac ile iki girili bir devre gelitirilmitir. Devrede toplanmas istenen
V1 ve V2 gerilimleri R1 ve R2 direnleri vastasyla opampn evirmeyen giriine
uygulanmtr. Opampn evirmeyen giriinde oluan gerilim ekilde VA olarak
tanmlanmtr.
R
RF
+12V
+12V
R
.e
R3
Kaplan
co
m
R1
VA
V1
V0
V0
RL
R2
-12V
IL
R/2
-12V
VA =
V2
RL
IL
V1 + V2
R
ekil-2.9.a ve b Evirmeyen toplayc ve edeer devresi
VA geriliminin deerini bulmak iin opamp zelliklerinden yararlanarak devreyi ekil2.9.bde grld gibi yeniden dzenleyebiliriz. Bu durumda VA gerilimi K.G.K dan;
VA =
V1 V 2
R2 + V2
R1 + R2
olacaktr. Devrede R1=R2=R3=R4=R Kabul edersek,

VA =
31
V1 V2
R + V2
2R
Bulunan bu eitlikte gerekli sadeletirme yaplrsa;

VA =
V1 + V2
R
bulunur. Devredeki giri devresinin thevenin edeer direnci ise;
tla
deerindedir. Bu durumda k gerilimi; V0,
R
2
ri.
R E = RTH =
V0 = 2 V A
olarak bulunur.
no
V0 = V1 + V2
rs
Evirmeyen ykseltele tpk eviren ykselteteki gibi giri gerilimlerinin ortalamasn alan
veya toplayp kuvvetlendiren devrelerde gerekletirilebilir. rnein devrede n adet giri
varsa RF deeri;
RF=(n-1)R
de
yaplr. Bu durumda ykselte kazanc giri says kadar olup, kta giri gerilimlerinin
toplam olan bir gerilim deeri elde edilir.
2.2 TEMEL FARK ALICI
em
Bu blmde opamplarn en temel uygulamalarndan olan fark alc (diferansiyel) ykselte

devresi incelenecektir. Fark alc devre, genelde lme ve kontrol sistemlerinin
tasarmnda kullanlan temel ykselte devresidir. Olduka hassas ve kararl bir
alma karakteristiine sahiptir.
.e
Bu blmde opampla gerekletirilen temel bir fark alc devreyi inceleyerek birka
temel uygulama rneini inceleyeceksiniz.
Kaplan
co
m
Temel fark alc devre, karc amplifikatr (differance amplifier) veya farksal ykselte
olarakda isimlendirilir. Temel bir fark alc devresi ekil-2.9'da gsterilmitir. Devre
dikkatlice incelendiinde opampn her iki giriinin de kullanld grlmektedir. Devrenin
temel alma prensibi eviren ve evirmeyen girilerine uygulanan iaretlerin farkn
almasdr. Bu tip ykselteler pek ok endstriyel uygulamada sklkla kullanlrlar.
Opamp devresinin fark alma (karma) ilemini nasl yaptn ekil-2.10dan yararlanarak
aklayalm. Bu devrede; giriten uygulanan iki ayr iaretin fark alnp ka
aktarlmaktadr.
32
RF
+12V
R1
V1
ri.
I=0A
R2
I=0A
R3
VA
V0
RL
-12V
tla
V2
ekil-2.10 Temel Fark Alc (differansiyel Amplifikatr) Devresi
RF
rs
RF
no
Devrenin analizi iin en uygun zm sper perpozisyon teoremi uygulamaktr. Bu ilem

iin nce V2 giriini ksa devre yaparak, V1'den dolay oluan k gerilimi V01'i bulalm. Bu
ilem sonucunda devremiz ekil-2.11.ada grlen biimi alr.
+12V
de
R1
V1
-12V
R2
V01
V02
RL
em
R3
V2
.e
a) V2 kayna ksa devre iken opamp k; Vo1
+12V
R1
R2
Kaplan
co
m
R3
-12V R L
VA
b) V 1 kayna ksa devre iken opamp k; Vo2
ekil-2.11.a ve b Fark alc devreye Super pozisyon teoreminin uygulanmas
Devrede kullanlan R2 ve R3 direnlerinin etkisi kalmaz. nk opampn giri direnci

yaklak sonsuz olduu iin zerlerinden bir akm akmaz. Dolaysyla zerlerinde bir
gerilim dm olmaz. Bu durumda devremiz bir evirmeyen ykselte halini almtr.
Dolaysyla V1'den dolay k gerilimi V01;
V 01 = V1
RF
R1
olarak bulunur. Devre eviren ykselte zelliindedir. V2 giri geriliminin ka etkisini

bulabilmek iin V1 giriini ksa devre etmemiz gerekir. Bu ilem sonunda devremiz ekil2.11.bde gsterilen ekli alr. Bu devre evirmeyen ykselte zelliindedir. Devrenin k
gerilimini (V02) hesaplayalm.
R
V02 = V A 1 + F
R1
bulunur. VA, opampn evirmeyen giriine uygulanan gerilimdir. Deerini devreden

aadaki gibi yazabiliriz;
33
VA =
R3
V2
R3 + R 2
Bulunan VA deerini V02 eitliinde yerine yerletirirsek ;
ri.
R3

R
V02 =
V2 1 + F
R1
R 2 + R3

tla
R F R3
V2
V 02 = 1 +
R1 R3 + R2
Toplam k gerilimi V0 ise her iki k geriliminin toplam olacaktr.
no
V0 = V01 + V02
deerler yerletirilirse , Toplam k gerilimi ;
rs
R

R3
R
V2 )
V0 = F V1 + (1 + F ) (
R1
R2 + R3
R1

olarak bulunur. rnein ekil-2.12deki temel fark alc devrede R1=R2=R3=RF olarak seilirse
k gerilimi;
de
V0 = V2 - V1
em
olarak bulunur. Grld gibi devre giriine uygulanan gerilimlerin farkn almaktadr. Bu
devrede;
R3=RF ve R1=R2
semek art ile devreyi fark ykselteci haline getirmek mmkndr.
RF
+12V
R1
.e
Kaplan
co
m
I=0A
R2
V1
I=0A
V2
R3
-12V
RL
VA
ekil-2.12 Temel Fark Alc (differansiyel Amplifikatr) Devresi
34
V0
rnek:
2.5
Kaplan
co
m
ekil-2.13de verilen fark alc devrede k gerilimini (Vo) ve opamptan ekilen yk

akmn (IL) bulunuz? R1=R2=R3=10K, Rf=10K, RL=1K
Rf
ri.
+12V
R1
4V
V2
tla
R2
V1
R3
4V
VA
-12V
RL
V 02
IL
zm:
no
ekil-2.13 Temel Fark Alc devre
Verilen devre V1 ve V2 iaretlerinin farkn alp kuvvetlendirecektir. nce k iaretinin

alaca deeri bulalm. Bunun iin;
de
rs
RF

R
V1 + (1 + F ) VA
V 0 =
R1
R1

R

R3
R
V2 )
V0 = F V1 + (1 + F ) (
R1
R2 + R3
R1
V 0 = [ 4V ]+ [(1 + 1) (0.5 4V )]
V 0 = [ 4V ]+ [(4V )]
V 0 = 0V
Grld gibi fark alc devre opamp giriine uygulanan iaretlerin farkn almtr. k
gerilimi Vo=V2-V1 olmutur. Opamp kna balanan RL yk direnci zerinden geen IL
akmn hesaplayalm.
IL =
V0
RL
.e
em
10 K
10 K
10 K

V0 =
4V + (1 +
)(
4V )
10 K 10 K + 10 K
10 K

35
IL =
0
=0
1K
rnek:
2.6
Kaplan
co
m

Rf
ri.
+12V
R1
V1
2V
R3
2V
VA
-12V
RL
V 02
IL
no
V2
tla
R2
ekil-2.14 Temel Fark alc devre

rs
zm
de
R

R3
R
V2 )
V0 = F V1 + (1 + F ) (
R1
R2 + R3
R1

V 0 = [2V ]+ [(1 + 1) (0.5 2V )]

V 0 = [2V ]+ [(2V )]
V 0 = +4V
Grld gibi fark alc devre opamp giriine uygulanan iaretlerin farkn almtr.
k gerilimi Vo=V2-V1 olmutur.
Opamp kna balanan RL yk direnci zerinden geen IL akmn hesaplayalm.
IL=
V0
RL
.e
em
10 K
10 K
10 K

(2V ) + (1 +
)(
2V )
V 0 =
10 K 10 K + 10 K
10 K

36
IL=
4V
= 4mA
1K
rnek:
2.7

RF
+12V
2V
2V
R2
VA
-12V
RL
V02
IL
no
V2
tla
V1
ri.
R1
ekil-2.13 Temel Fark Alc devre
zm:

R
V0 = F V1 + (1 + F ) (+2V )
R1
R1

10 K
10 K

) (2V )
2V + (1 +
V 0 =
10 K
10 K

.e
em
de
rs
R

R
V 0 = F V1 + (1 + F ) V A
R1
R1

Kaplan
co
m
V 0 = [ 2V ] + [4V ]
V 0 = +2V
2.3 GERLM ZLEYC

Opamp kullanlarak gerekletirilen dier bir uygulama ise gerilim izleyicisi (Voltage
Follover) olarak bilinir. Gerilim izleyici devreler; yksek giri, alak k empedansa
sahip olmalar nedeniyle pek ok uygulama ve tasarmda sklkla kullanlrlar.
Bu blmde opampla gerekletirilen gerilim izleyici devreyi inceleyerek birka temel
uygulama rneini inceleyeceksiniz.
Gerilim izleyici devre, evirmeyen ykselte devresinin zel bir halidir. Temel bir gerilim
izleyici devre ekil-2.14de verilmitir. Dikkat edilirse bu devrede Rf geri besleme direnci
kullanlmam, geri besleme direkt yaplmtr. Opamp girileri arasnda gerilim fark
olmadndan k gerilimi Vo, giri gerilimi ile ayndr (Vo=Vin). Devrede gerilim kazanc
yoktur. Bu nedenle bu tip devrelere gerilim izleyicisi denir.
37
Kaplan
co
m
+V
0V
ri.
V0 =Vin
-V
tla
Vin
ekil-2.14 Gerilim izleyici devre
no
Genel amal opamplarla (LM 741 gibi) ekil-2.14deki balant yaplarak gerilim izleyicisi
elde edilebilecei gibi yalnzca bu amala gerekletirilmi operasyonel ykseltelerde
vardr. rnein LM 110 tmdevresi bu ama iin retilmitir. LM 110 tmdevresinde kla
eviren giri arasndaki balant tm devre ierisinde yaplmtr. LM 110 tmdevresinin baz
karekteristikleri aada verilmitir.
de
rs
Giri direnci Ri: 106 M (ok byk)

Giri akm Iin: 1 nA (ok kk)
k direnci Ro: 0.7 (ok kk)
Band genilii BG: 10 Mhz
Gerilim Kazanc ACL: 0.9997
I=0A
+V
+V
I0
0V
Vin
0V
-V
IL
RL
V0=V in
Vin
-V
ekil-2.15 Gerilim izleyici devrenin dc ve ac alma artlar
.e
em
D balant ile gerekletirlen gerilim izleyicileri de yaklak ayn deere sahiptirler.

Gerilim izleyicilerinde giri direnci ok byk olduu iin bir nceki devreyi yklemezler.
Bu yzden bunlara buffer veya izolasyon amplifikatr denir. Dolays ile k
geriliminin genlik ve faz girile ayndr. ekil-2.15de dc ve ac alma iin gerilim izleyici
devreleri ve evre akmlar verilmitir. Yk akm IL, opamptan ekilen akma eittir.
38
IL
RL
V0=Vin
2.4 TREV VE ENTEGRAL ALICI
ri.
Bu blme kadar anlatlan opamp uygulamalarnda geri besleme elemanlarnn tamamen

omik olduu varsayld veya omik bir eleman olan diren kullanld. Genel olarak
elamanlar kapasitif ve endktif zellik gsterdiklerinden giri ve geri besleme direnci yerine
empedans ieren (L ve C) elamanlarda kullanlr. Bylece tamamen omik elaman yerine,
empedans kullanmakla devrenin ilevide byk oranda deitirilmi olur.
tla
Bu blmde opampla gerekletirilen temel trev ve entegral alc devreyi inceleyecek ve

birka temel uygulama rnei greceksiniz.
no
Trev Alc Devre
de
rs
Trev alc devresi, genel olarak bir eviren ykselte zelliindedir. Fark olarak girite R1
direnci yerine C kondansatr bulunmaktadr. Genel bir trev alc devresi ekil-2.16da
verilmitir. Trev alc, giriinden uygulanan iaretin trevini alarak ka aktaran bir
devredir.
RF
iF
+V
.e
em
Vin
Kaplan
co
m
RL
-V
V0
ekil-2.16 Trev Alc Devre
Devrenin almasn ksaca inceleyelim. Girite kullanlan kondansatr, ac iaretleri geiren

fakat dc iaretleri geirmeden zerinde bloke eden bir devre elemandr. Dolays ile dc
iaretler iin trev alma sz konusu deildir. Gerekte dc iaretler iin trev alc k
Vo=0dr. Trev alc giriine mutlaka sinsoydal iaret uygulanmas sz konusu deildir.
Frekans barndran veya genlii zamana bal olarak deien bir iaretin uygulanmas
yeterlidir. ekil-2.16da verilen trev alc devrenin k gerilimi;
V0 = R F i
deerine eittir. C kondansatr zerinden akan i akmnn deeri ise;
i= C
dVin
dt
olduu bilinmektedir. Dolaysyla bu deer k gerilimi iin yeniden dzenlenirse;

V0 R F i
V0 = R F C
dVin
dt
olarak ifade edilir. Bu denklemden de grld gibi k gerilimi (V0), giri geriliminin
trevi ile orantldr.
39
ekil-2.17de verilen trev alc devre giriine genlii tepeden tepeye Vpp=0.5V olan
2KHzlik bir gen dalga iareti uygulanmtr. k geriliminin (Vo) analizini yaparak
dalga biimini iziniz.
tla
rnek:
2.8
ri.
Trev alc devrenin k denkleminde kullanlan; dVin/dt ifadesi herhangi bir anda giri
iaretinin eimini veya deiim hzn belirtmektedir. Bu ifade matematiksel olarak trev
fonksiyonu olarak bilinir. Dolays ile ierisinde eim veya deiim barndran tm
iaretlerin trevini almak sz konusudur. Konunun daha iyi anlalmas amac ile
aada rnek bir devre zm verilmitir.
RF =10K
C=10nF
no
Vin
f=2KHz
0.5
+V
V in
0.5
rs
T=0.5ms
de
t1=0.25ms
-V
V0
t 2=0.25ms
ekil-2.17 Trev alc devrenin analizi
zm: Verilen devrede nce pozitif eimi hesaplayalm. V1 ve V2 iaretlerinin farkn alp
em
kuvvetlendirecektir. nce k iaretinin alaca deeri bulalm. Bunun iin;

dVin Vin
0.5V
V
= 2000
Pozitif egim : t 1 = dt = t =
3
s
0.25 10 s
.e
Pozitif eim iin k gerilimini hesaplayalm,
Kaplan
co
m
V0 ( t 1 ) = R F C
dVin
= 50 10 3 10 10 9 2000 = 1V
dt
Negatif eim iin gerekli analizleri yapalm.

Vin
dVin
0.5V
V
= 2000
Negatif egim : t 2 = dt = t =
3
s
0.25 10 s
V0 (t 2 ) = R F C
dVin
V
= 50 10 3 10 10 9 2000 = 1V
dt
s
Yukarda yaplan analizler nda giri ve k iaretlerini dalga biimlerini birlikte

gsterelim.
40
V in
0.5V
f=2KHz
0
0.5V
t1 =0.25ms
ri.
T=0.5ms
t2=0.25ms
1V
t1
-1V
t2
t3
no
tla
V0
.e
em
de
rs
Pratik uygulamalarda ekil-2.16daki devre yaln hali ile yeterli deildir. rnein yksek
frekanslarda C kondansatr ksa devre gibi davranacandan ykseltecin kazancn
artrarak doyuma gtrebilir. Ayrca Vin iaretinin ierisinde eitli grltler olabilir.
Grlt iaretleri ise ok geni frekans tayfna sahiptir. Bu durumda grltde olduu gibi
ykseltilebilir. Bu istenmeyen durumu nlemek iin opamp devresinin kazancn yksek
frekanslar iin snrlamak gerekir. Bu amala ekil-2.18de grlen devre gelitirilmitir.
Kaplan
co
m
RF
R1
Vin
iF
C1
+V
R2
-V
V0
ekil-2.18 Trev alc devrenin analizi

Bu devrede girie kazanc snrlayan R1 direnci eklenmitir. Bylece devrenin gerilim kazanc
Rf/R1 ile snrlanmtr. R2 direnci ise opamp girilerindeki dc akm kampanzasyonunun
salanmas iin kullanlmtr. Ayrca bu devrenin trev alc olarak alabilmesi iin
aadaki iki artn yerine getirilmesi gerekir.
1- Devrede giri iaretinin frekans FGR; FC deerine eit yada ondan kk olmaldr.
FGR
1
= FC
2 R 1 C 1
2- Devrede RfC1 arpm "zaman sabiti" olarak isimlendirilir. Giri iaretinin periyodu
yaklak bu deerde olmaldr.
41
Entegral Alc
Entegral alc devre, girie uygulanan iaretin entegralini alarak ka aktarr. Bu ilemi
gerekletiren bir entegral alc devre ekil-2.19da gsterilmitir. Grld gibi bu devrede
geri besleme bir kondansatr yardm ile yaplmaktadr.
ri.
iF
-V
RL
V0
rs
Vin
no
+V
tla
R1
de
ekil-2.19 Entegral Alc Devre
em
Entegral alc devrenin n noktasndaki gerilim, opamp giri zelliinden dolay 0 volt
civarndadr. Bu durumda i akm ise i=Vin/R1 veya i=-IF dir. Bilindii gibi kondansatr
ularndaki gerilim;
VC =
1
IF
C
.e
Kondansatr zerinden geen akm ise;
Kaplan
co
m
IC = C
dv
dt
deerine eittir.
Bu aklamalardan sonra devredeki n noktas iin K.A.Ky yazalm;
I IF = 0 I = IF
Vin
dV0
C
=0
R1
dt
Vin
dV0
+C
R1
dt
V0 deerini bulmak iin her iki terimin zamana gre trevini alrsak;
V0 =
1
Vin dt
R1 C
deerini buluruz. Formlden de grld gibi opamp giri geriliminin entegralini alan bir
devre olarak almaktadr. Bilindii gibi entegral anlam olarak bir erinin altnda kalan
alana karlk gelmektedir. ekil-2.19da verilen temel entegral alc devre bu haliyle yeterli
deildir. Gelitirilmi bir entegral alc devresi ekil-2.20de verilmitir.
42
C
RP
R1
ri.
+V
Vin
-V
RL
V0
tla
R2
no
ekil-2.20 Gelitirilmi Entegral Alc Devre
de
rs
Bu devrede; giri ofset geriliminin giderek opamp kn doyuma gtrmesini engellemek

amacyla C kondansatrne paralel bir RP direnci balanmtr. Bu diren, opampn gerilim
kazancn da snrlamaktadr. Ayrca giri polarma akmlarnn eit olmayndan doacak
ofset geriliminin etkilerini gidermek amac ile R2 direnci kullanlmtr. Bu direncin deeri
R2=Rf//R1 olmaldr. Opampn entegral alc olarak grev yapabilmesi iin giriine
uygulanacak iaretin frekans (fGR), fC deerine eit yada ondan byk olmaldr.
(fGR fC)
F GR F C =
1
2 R P C F
.e
em
Ayrca devrenin zaman sabitesi (1/R1Cf) ile, girie uygulanan iaretin frekans fGR<fC
olduunda devre sadece eviren ykselte olarak alr.
Kaplan
co
m
Bilindii gibi devre entegral alc olarak alt zaman, giri iaretinin entegralini alarak
ka aktarr. rnein giri iareti kare dalga biiminde ise, devre knda gen dalga bir
iaret alnr. Konunun daha iyi anlalmas amac ile aada rnek bir devre analizi
verilmitir.
rnek: ekil-2.21de verilen trev alc devre giriine genlii tepeden tepeyede Vpp=2V olan
2KHzlik bir kare dalga iareti uygulanmtr. k geriliminin (Vo) analizini yaparak
2.9
dalga biimini iziniz.
C=0.1F
2V
RP=47K
R1=4.7K
t1
t2
t3
Vin
-2V
0.25ms
0.5ms
+V
n
R2
4.7K
0.75ms
ekil-2.21 Entegral alc devrenin analizi
43
-V
RL
10K
V0
Kaplan
co
m
Verilen devrede pozitif yarm saykl (alternans) iin k gerilimini hesaplayalm.

1
R 1 C
T /2
Vm dt =
0
t1
Vm
2V
t =
0.25 10 3
3
R 1 C 0 4.7 10 0.1 10 6
ri.
V0 (t 1 ) =
V0 (t 1 ) 1V
V0 ( t 2 ) =
tla
Negatif yarm saykl;
T
t2
Vm
1
2V
=
+
=
0.25 10 3
V
dt
t
m
3
R 1 C T / 2
R 1 C t 1 4.7 10 0.1 10 6
no
V0 (t 1 ) +1V
Yukarda yaplan analizler nda giri ve k iaretlerini dalga biimlerini birlikte
zm: gsterelim.
rs
V in
f=2KHz
2V
de
t1
t2
t3
-2V
t 2=0.25ms
V0
1V
0
-1V
t
T=0.5ms
Trev ve entegral alc devreler, elektronik endstrisinde pek ok alanda kullanlrlar. Bu

durum dikkate alnarak eitli iaretler iin trev ve entegral alc devrenin klarnda
oluturabilecekleri dalga biimleri ekil-2.22de verilmitir.
.e
em
t 1=0.25ms
44
Kaplan
Giri areti Dalga ekli
co
m
Opampla Trevi (dV1 /dt)
V
0
mt
-mRC
rs
rampa
de
V m Sin w t
em
m1 t
mt 2
2 R C
-Vm w RC Cos w t
Vm
cos t
R C
-m1 RC
m2 t
V
t
R C
no
tla
ri.
Opampla Entegrali
-m2 RC
.e
Parabolik
ekil-2.22 Opampla gerekletirilen trev ve entegral alc devrelerinin baz giri

iaretlerinde k dalga biimleri
45
co
m
Kaplan
Konular:
Amalar:
no
Gerilim Karlatrclar (Komparator)

Multivibratrler
Aktif Filtreler
Hassas
rs
3.1
3.2
3.3
3.4
tla
ri.
Opamp Uygulamalar
de

em

.e
BLM 3
3.1 GERLM KARILATIRICILAR
Gerilim karlatrclar kimi kaynaklarda ksaca komparator (comparators) olarak

tanmlanr. Temel ilevi herhangi bir gerilim deerini bilinen bir deer ile karlatrp
seviyesini belirlemektir. Bu nedenle Gerilim Seviye Dedektr olarak da adlandrlr.
tla
Basit Komparator Devresi

Negatif Seviyeli Gerilim Dedektrleri
Pozitif Seviyeli Gerilim Dedektrleri
Pozitif Geribeslemeli Gerilim Seviye Dedektr
no
ri.
Kullanm amacna ve ilevine bal olarak pek ok tip gerilim karlatrc devre
gelitirilmitir. Bu blmde srayla aada belirtilen temel karlatrc devreleri
incelenecek ve uygulama rnekleri verilecektir.
de
rs
Gerilim karlatrclar ksaca komparator olarak bilinir veya tanmlanr. Kimi

kaynaklarda Gerilim Seviye Dedektr olarak da anlmaktadr. Komparatorlar genellikle
opamplardan yararlanlarak oluturulur ve iki adet girie sahiptir. Komparatorun temel
ilevi girilerine uygulanan iki ayr iaretin birbirleri ile mukayese edilmesini salamaktr.
Girilerden birine referans iaret, dierine ise mukayese edilecek iaret uygulanr. Bu iki
iaret komparator tarafndan karlatrlr. Mukayese edilen iaretlerin deerlerine bal
olarak komparator kndan bir iaret alnr. Sonuta komparator, karlatrlacak iaretin
referans geriliminden byk veya kk olduunu belirler. Eer komparator olarak her
hangi bir opamp kullanlrsa opampn k gerilimi ya pozitif yada negatif doyumdadr.
Bylece mukayese edilen gerilimin referans geriliminden farkl olduunu anlalr.
.e
em
Referans gerilimi; pozitif, negatif veya sfr deerinde olabilir. Komparatorler genellikle
referans gerilimin polaritesine bal olarak; pozitif, negatif ve sfr gerilim seviye dedektr
olarak da isimlendirilerek snflandrlmaktadr. Komparatorlar aada belirtilen amalar
iin kullanlrlar.
Kaplan
co
m
Her hangi bir iaretin sfr seviyesinden ne zaman ve hangi ynde getiini
belirleyen sfr seviye detektrleri olarak.
Her hangi bir iaretin belirli bir referans gerilimine ne zaman ulatn gsteren
gerilim seviye detektr olarak kullanlrlar
Dzensiz biimdeki iaretlerin kare dalga veya darbeli iaretlere dntrlmesin

de schmit tetikleyici olarak.
Kare ve gen dalgalarn retilmesinde osilatr olarak kullanlrlar.
Kullanm alanlar son derece geni bir alan kapsayan komparatorlar; darbe genilii
modlatr (PWM), tepe detektr, gecikme ve zamanlama devrelerinde temel devre
eleman olarak kullanlmaktadr. Analog ve saysal veri ileme ve oluturma sistemleri ise
dier nemli kullanm alanlarndandr.
Basit Komparatr
Genel amal bir opamp, komparator olarak kullanlaca gibi bu i iin zel olarak retilmi
ve tek bir tmdevre ierisine yerletirilmi komparatorlar vardr (LM 101, LM 301 v.b gibi).
Bu tmdevreler daha iyi sonu verirler. Opamp kullanlarak oluturulmu basit bir
47
komparatr devresi ekil-3.1de gsterilmitir.
V
+1V
+V
0
-1V
tla
VR =0V
ri.
Devreden grld gibi opamp devresinde geribesleme direnci kullanlmamtr.

Dolaysyla opampn gerilim kazanc sonsuzdur. Opamp temel alma ilkesine bal olarak
eviren ve evirmeyen girilerine uygulanan iaretlerin farkn alp ak evrim kazanc kadar
ykseltip kna aktaracaktr.
RL
no
V0
+V DOY
V0
-V
V >0
t
V<0
-V DOY
rs
ekil-3.1 Evirmeyen girili basit bir komparator devresi ve giri/k dalga biimleri
de
Komparator devresinde opampn evirmeyen giriine gen dalga uygulanm, eviren giri
ise aseye balanmtr. Dolaysyla komparator devresinin referans gerilimi VR=0Vdur.
Opampn evirmeyen giriine uygulanan V giri iaretinin deeri; VR deerinden byk
olduunda yani V>0 olduunda opampn k gerilimi pozitif ynde doyuma (+VDOY)
gidecektir. V<0 olduunda ise komparator k negatif ynde doyuma (-VDOY) gidecektir.
nk opampn ak evrim kazanc maksimumdur.
.e
em
Bu noktada VDOY deerlerini opampn besleme gerilimi belirlediini tekrar hatrlatalm.

rnein 15Vluk bir gerilimle beslenen bir opampta kta oluabilecek VDOY deeri
yaklak olarak 13V civarndadr.
ekil-3.2de eviren girili komparator devresi verilmitir. Karlatrlacak iaret opampn

eviren giriine uygulanmtr. Referans gerilimi ise evirmeyen giriteki VR gerilimidir ve ase
(0V) potansiyelindedir. Komparator giriine uygulanan iaret ve bu iarete bal olarak elde
edilen k iareti ekil zerinde gsterilmitir. Eviren giriten uygulanan iarete bal olarak
opamp k deiecektir. rnein giri iareti V, VRden byk olduunda opamp k VDOY deerine, kk olduunda ise +VDOY deerine kilitlenecektir.
V
+1V
+V
Kaplan
co
m
0
-1V
V0
RL
V R=0V
-V
V0
+VDOY
V <0
0
V >0
-V DOY
ekil-3.2 Eviren girili basit bir komparator devresi ve giri/k dalga biimleri
Yukarda verilen komparator devrelerinde referans gerilimi asedir (0V). V iareti negatiften
pozitife veya pozitiften negatife doru giderken sfr seviyesini keser. k ise bu anlarda +V
48
doyumdan -V doyuma, veya -V doyumdan +V doyuma gider. k iareti bu ekilde

durum deitirdiinde, giri iaretinin sfrdan getii anlalr. Bu durum ekil-3.1 ve ekil3.2 zerinde gsterilmitir.
tla
ri.
Yukarda verilen komparator devreleri uygulamada yeterli sonucu veremez. Pratik

uygulamalarda opamp, ou kez giriindeki seviye deiimlerine ekillerde grld gibi
hzl cevap veremez. Ayrca; giri ularndaki grltden dolay giri iareti zerinde bir
takm osilasyonlar oluabilir. Bu osilasyonlar yznden sfr ekseni bir ka defa kesilerek
komparator k durum deitirebilir. Bu durum hatal alglamalara neden olabilir.
Belirtilen bu hatalar minimuma indirmek iin eitli tip komparator devreleri gelitirilmitir.
Sonraki blmlerde gelitirilmi komparator devrelerini inceleyeceiz.
Pozitif Seviyeli Gerilim Dedektrleri
de
rs
no
Bir nceki blmde komparatorda kullanlacak referans gerilimi olarak ase potansiyelini
belirlemitik. Bu tr komparatorlara genellikle Sfr Seviyeli Gerilim Dedektrleri
denilmektedir. Komparator devresinde kullanlan opamp girilerinden herhangi birisine
pozitif sabit bir referans gerilimi uygulanrsa bu tr komparatorlere Pozitif Seviyeli Gerilim
Dedektrleri denilmektedir. ekil-3.3.a ve bde bu tr dedektr rnekleri grlmektedir.
ekil-3.3.ada referans gerilimi sembolik bir batarya ile belirtilmitir. ekil-3.3.bde ise
referans gerilimi gerilim blc direnler kullanarak elde edilmitir. Her iki ekilde de
referans gerilimi VR pozitif bir deerdedir.
+V
em
+V
+VR
.e
R1
RL
Kaplan
co
m
V0
+V
V
+VR
-V
RL
R2
V0
-V
(b)
(a)
V
V >VR
+VDOY
+V DOY
VR
VR
V <V R
t
V >VR
V<V R
-V DOY
-V DOY
ekil-3.3.a ve b Pozitif seviyeli gerilim dedektrleri ve dalga biimleri

ekil-3.3.adaki komparator devresinde evirmeyen girie uygulanan gen dalgann genlii
bir an iin 0V olarak dnelim. Bu durumda, opampn eviren giriinde bulunan referans
gerilimi VR pozitif olduu iin opamp giriindeki fark gerilimi VR olacaktr. Dolaysyla
eviren giri etkin olacak ve komparator k negatif doyumda olacaktr (-VDOY).
Komparator knn bu durumu, evirmeyen giriteki V iaretinin genlii VR seviyesine
ulaana kadar devam eder. V=VR eitlii bozulup V>VR olunca, evirmeyen giri etkin
konuma geecek ve opamp pozitif doyuma srecektir (+VDOY).
zet olarak opamp girilerindeki V=VR dengesi hangi giri lehine deiirse, opampn k
49
Kaplan
co
m
giriine uygun olarak VDOY deerlerinde deiiklie urayacaktr. Bu durumlar ekil-3.3

zerinde ayrntl olarak izilmitir. Dalga biimlerini inceleyeniz.
Negatif Seviyeli Gerilim Dedektrleri
tla
ri.
Komparator devresinde kullanlan opamp girilerinden herhangi birisine negatif sabit bir
referans gerilimi uygulanrsa bu tr komparatorlere Negatif Seviyeli Gerilim Dedektrleri
denilmektedir. ekil-3.4.a ve bde bu tr dedektr rnekleri grlmektedir. ekil-3.4.ada
referans gerilimi sembolik bir batarya ile belirtilmitir. ekil-3.4.bde ise referans gerilimi
gerilim blc direnler kullanarak elde edilmitir. Her iki ekilde de referans gerilimi VR
negatif bir deerdedir.
rs
+V
de
-VR
RL
V0
-V
R1
-VR
-V
em
+V DOY
+V DOY
.e
+V
RL
R2
V0
-V
V <VR
0
-V R
V >VR
0
-V R
t
V <V R
V<V R
-V DOY
-V DOY
ekil-3.4.a ve b Negatif seviyeli gerilim dedektrleri ve dalga biimleri
no
Bu tr komparatorlerin almas ekil-3.4 zerinde gsterilmitir. zetle, opamp

girilerindeki V=VR dengesi hangi giri lehine deiirse, opampn k o giriine uygun
olarak VDOY deerlerinde deiiklie urayacaktr. Dalga biimlerini inceleyeniz.
50
rnek:
3.1
ekil-3.5de verilen gerilim seviye dedektrnn knda elde edilecek gerilim deerini
(V0) hesaplaynz? Opamp ideal olarak kabul ediniz.
+VCC =12V
ri.
V
5V
+V=15V
tla
R1
10K
R2
2K
+VR
RL V0
1K
-V=15V
no
ekil-3.5 Gerilim seviye dedektr ve analizi
zm: Verilen komparator devresinde nce referans gerilim (VR) deerini bulmalyz. Bunun iin
opampn evirmeyen giriine uygulanan VR deeri;
10K
(+ VCC ) V R =
(12V )
K
K
10
2
rs
R1
VR =
R1 + R 2
V R = 10V
de
olarak bulunur.
Komparatore seviyesinin tespiti iin uygulanacak giri iaretinin deeri ise V=5Vdur. Bu
durumda opampn evirmeyen girii daha etkindir. nk;
em
V < VR
olmutur.
.e
Bu sonuca gre opamp k +VDOY deerine sahip olacaktr. Opampn besleme gerilimi
15V olduuna gre ideal bir opamp iin k gerilimi V0=+15Vdur. Gerek bir opampta
ise Vo=+13V civarndadr.
Kaplan
co
m
rnek:
3.2
ekil-3.6da verilen gerilim seviye dedektrnn analizini yaparak k iaretinin dalga

biimini iziniz? R1=2K, R2=10K, RL=1K
-V=12V
R1
V (v)
+5
0
-VR
-5
R2
RL
+V=12V
ekil-3.6 Gerilim seviye dedektr ve analizi
51
V0
Kaplan
co
m
Verilen komparator devresinde nce referans gerilim (VR) deerini bulmalyz. Bunun iin
opampn evirmeyen giriine uygulanan VR deeri;
ri.
R1
VR =
( V )
R1 + R 2
tla
2 K
VR =
( 12V )
K
K
2
10
V R = 2V
no
olarak bulunur. Bulunan bu deere gre k iaretinin dalga biimi aada verilmitir.
zm:
V0
+12V
rs
+5V
-V R
de
-2V
-5V
em
-12V
Komparator veya gerilim seviye dedektrnn temel alma prensibi, girilerine

uygulanan iki iaretin karlatrlmas eklindedir. Komparator olarak altrlan opampn
eviren ve evirmeyen girilerine uygulanan iaretlerden hangisi etkin ise komparator
kndaki Vo gerilimini oluturmaktadr. Tm gerilim seviye dedektrlerinde opamp ak
evrimde altrlmaktadr. Bu nedenle kazanc son derece yksektir. Bu durum kimi
uygulamalarda sorun yaratmaktadr.
rnek olarak ekil-3.7de grlen ve ierisinde grltler barndran bir iaretin komparator
giriine uygulandn varsayalm. Bu durum opampn almasn olumsuz etkileyecek ve
kk grlt iaretlerinde dahi komparator k durum deitirecektir. Grltnn
komparator kn nasl etkiledii ekil-3.7 zerinde bytlerek gsterilmitir.
.e
Pozitif Geribeslemeli Gerilim Seviye Dedektr
52
+V
RL
ri.
-V
rs
+VDOY
no
tla
de
-VDOY
ekil-3.7 Grltl bir giri iaretinin opamp kn etkilemesi
.e
em
Komparatr giriinin duyarlln ayarlamak, grlt etkisini azaltmak ve kazancn kontrol

etmek iin ekil-3.8'de verilen pozitif geribeslemeli komparatr devresi gelitirilmitir. Bu
devrede R1 ve R2 direnleri yardm ile pozitif geri besleme yaplarak komparatrn giri
duyarll ve kazanc ayarlanabilir hale getirilmitir. Belli bir deerin altndaki iaretler iin
komparatr durum deitirmez. Bu tip devrelere Schmit Trigger devreleri denilmektedir.
Kaplan
co
m
+V
+V
VD
VD
R1
V <VHT
V0
R1
V >VLT
-V
VHT
-V
V LT
R2
V0
R2
(b)
(a)
ekil-3.8.a ve b Pozitif geribeslemeli gerilim dedektrleri

ekil-3.8.a'daki devrede V<VHT olduunda k gerilimi +VDOY durumundadr. Opampn
evirmeyen giriine uygulanan geribesleme geriliminin deeri;
VHT =
R2
(+ VDOY )
R1 + R2
olur. Bu gerilime, eik st gerilimi denir. Eer V'nin deerini artrrsak VD geriliminin
polaritesi deiecek ve k gerilimi V0 azalmaya balayacaktr. Bu durumda geribesleme
53
Kaplan
co
m
ri.
gerilimi VHT de azalacandan VD gerilimi hzla deiecektir. k gerilimi bu sefer VDOY

deerine kilitlenecektir. Bu durum ekil-3.8.b zerinde gsterilmitir. V0=-VDOY deerine alt
eik gerilimi denir ve deeri;
R2
VLT =
( VDOY )
R1 + R2
olarak ifade edilir.
+0.50mV
no
ekil
ekil-3.9da verilen gerilim seviye
dedektrnn analizini yaparak
k dalga biimini iziniz? Giri
iaretinde izin verilebilecek
grltnn tepe deerlerini
hesaplaynz? Giri iaretinin dalga
biimi yanda verilmitir.
R1=100K, R2=100
V + Grlt
V HT
t
VLT
-0.50mV
de
+15V
+15V
VD
-15V
em
VHT, V LT
R1
V0
R2
-15V
ekil-3.9 gerilim seviye dedektr
.e
Verilen devrenin nce alt ve st eik eik gerilimlerinin deerini bulalm.
zm:
VHT =
VHT =
+15mV
0
-15mV
rs
rnek:
3.3
tla
Sonu olarak, pozitif geribesleme sayesinde k gerilimi V0 daha hzl deimektedir. Eer
alt ve st eik gerilimi deerleri, grlt geriliminin tepe deerinden byk ise, geribesleme
sayesinde grlt etkisi ortadan kalkm olur.
R2
(+ VDOY )
R1 + R2
100
(+ 15V )
100K + 100
VHT 15mV
VLT =
VLT =
R2
( VDOY )
R1 + R2
100
( 15V )
100K + 100
VLT 15mV
Bulunan bu deerler dikkate alnarak gerilim seviye dedektrnn; giri iareti ve grlt etkenlerine
bal olarak alaca k dalga biimi yukarda verilmitir. Grld gibi giri iareti zerine
binebilecek 15mVluk tepe deere sahip bir grlt komparator kn etkilememektedir
54
3.2 AKTF FLTRELER
ri.
Belirli bir frekans bandn geirmek, bunun dnda kalan frekanslar zayflatmak amac ile
filtre devreleri kullanlr. Filtreler; aktif ve pasif olmak zere iki temel tipte tasarlanrlar.
Bu blmde opamplarla gerekletirilmi aktif filtre devrelerini ayrntl olarak
inceleyeceiz.
Aktif ve pasif filtrelerin zellikleri

Alak Geiren Filtre
Yksek Geiren Filtre
Band Geiren Filtre
Band Sndren Filtre
no
tla
Alak geiren, yksek geiren, band geiren ve band sndren olmak zere drt tip aktif
filtre vardr. Bu blmde sra ile aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler
edinecek ve eitli uygulama devreleri gerekletireceksiniz.
de
rs
Filrelerin balca ilevi, belirli bir frekans bandn geirip dierlerini zayflatmasdr. Pasif ve
Aktif olmak zere iki tip filtre tasarm yaplabilir. Pasif filtre tasarmnda; diren,
kondansatr ve bobin (self) gibi pasif devre elemanlar kullanlr. Aktif filtrelerde ise pasif
devre elemanlarna ilaveten transistr ve tmdevre gibi yariletken devre elemanlarda
kullanlr. Aktif filtrelerin pasif filtrelere nazaran baz avantaj ve dezavantajlar vardr.
Bunlar aada sralanmtr.
Aktif filtre tasarmnda bobin (self) eleman kullanlmaz. Bu nedenle tasarm kolay
ve ucuzdur.
.e
em
Kaplan
co
m
Aktif filtre devrelerinin k empedans ok dk, giri empedans ise olduka

yksektir. Bu nedenle, aktif filtrelerin girilerine veya klarna balanacak devre
veya devre elemanlarnn etkilenmesi sz konusu deildir.
Aktif filtrelerde, filtrenin geirgen olduu frekanslarda herhangi bir zayflatma

olmaz. nk aktif filtre tasarmnda kullanlan opamp, filtre edilen iaretleri
ykselterek kna aktarabilir.
Pasif filtreler herhangi bir besleme gerilimine gereksinim duymazlar. Fakat aktif
filtrelerin her zaman besleme gerilimine gereksinimleri vardr.
Aktif filtre tasarmnda kullanlan opamplarn band genilikleri snrl olduundan

her frekansta aktif filtre tasarlamak olduka zordur.
Aktif filtre devrelerinde tmdevre retim teknolojisinden kaynaklanan snrlamalar

nedeniyle self (bobin) eleman kullanlamaz. Bu eleman yerine negatif empedans
dntrclerden yararlanlarak kondansatrden self elde edilebilir.
Pek ok endstriyel uygulamada ska kullanlan filtreler balca drt tiptir. Bunlar;
Alak Geiren (Low Pass)

Yksek Geiren (High Pass)
Band Geiren (Band Pass)
Band Sndren (Notch Filters)
olarak adlandrlr. Belirtilen drt tip filtrenin frekans tepkileri (cevaplar) ekil-3.10da
ayrntl olarak izilmitir. rnein alak geiren filtre, belirlenen bir frekansn altndaki
frekanslar geiren, stndekileri ise zayflatan bir devredir. Belirlenen bu frekans deerine
55
Kaplan
co
m
Ke frekans olarak adlandrlr ve Fc ile ifade edilir. denir. Fc, ayn zamanda; 0.707
frekans, -3dB frekans veya kesim frekans olarak da isimlendirilir.
V0
Geen
Band
ri.
V0
Durdurulan
Band
Durdurulan
Band
fC
b) Yksek geiren filtre
V0
no
V0
fC
tla
a) Alak geiren filtre
Geen
Band
Durdurulan
Band
Durdurulan
Band
G.B
fR
rs
c) Band geiren filtre
D.B
Geen
Band
Geen
Band
f
fR
d) Band sndren filtre
ekil-3.10 Aktif filtrelerin frekans tepkileri
em
de
Filtre devrelerinde iletilen frekans aralna geen band, zayflatlan frekans aralna ise
durdurulan veya sndrlen band ad verilir. Alak geiren filtre; kesim frekansnn (FC)
altndaki frekanslar geirir, stndekileri ise durdurur veya zayflatr. Alak geiren filtre
devresinde ke frekansna kadar k gerilim Vo sabittir ve zayflama yoktur. Ke frekans
deerinden sonra k iareti belirli bir eimle zayflar. Bu durum ekil-3.10daki
karakteristikte kesik izgi ile gsterilmitir. Dz izgi ise ideal filtreyi temsil etmektedir.
.e
Yksek geiren filtre; kesim frekansnn (FC) stndeki frekanslar geirir, altndakileri ise
durdurur veya zayflatr. Band geiren filtre ise, sadece belirlenen band ierisindeki
frekanslar geirir, dierlerini zayflatr.
Alak Geiren Filtre

Belirlenen kesim frekansnn altndaki frekanslar olduu gibi geirip, zerindeki frekanslar
zayflatan filtrelere alak geiren filtre denir. Filtre devreleri zayflatma eimine veya
kalitesine bal olarak; 1. derece veya -20deb/decad, 2.derece veya -40deb/decad ve 3.
derece -60deb/dekad olmak zere tasarlanabilirler. Uygulamalarda ska kullanlan 1.
derece veya -20 deb/dekadlk filtre devresi ve frekans cevab ekil-3.11.a.bde verilmitir.
R F=10K
V0
= ACL
V
+V
R1 =10K
1.0
0.707
0
-3
0.1
-20
V0
C=1nF
20 log ACL
0V
+
V
Eim=20db/dek
-40
-V
Wc
f
10Wc
100Wc
ekil-3.11 Birinci derece (-20deb/dekad) alak geiren filtre ve frekans tepkisi
56
ri.
Devrede filtre ilemi R ve C elemanlarndan olumaktadr. Opamp ise birim kazan

ykselteci olarak almaktadr. DC iaretler iin C kondansatr ak devredir. R1=RF
seildiinde opamp girilerine eit diren balanm olur. Opampn eviren ve evirmeyen
girileri arasnda potansiyel fark olmadndan (0V), k gerilimi C kondansatr
ularndaki gerilime eittir. Giri V gerilimi; diren ve kondansatr zerinde
blndnden k gerili deeri Vo;
tla
1
JwC
V0 =
V
1
R+
jwC
olarak bulunur. Opampn kapal evrim kazanc ise,
V0
1
=
V 1 + jw R C
no
ACL =
olur. Grld gibi opampn gerilim kazanc frekansn bir fonksiyonudur. Bu durumda;
iin
ACL 1
ve
iin
rs
w0
ACL 0
de
olur. Grld gibi frekans deeri bydke opampn kazanc sfra ulamaktadr. FC
ke frekans deerinden sonra k gerilimi 20db/dekadlk veya 6db/oktavlk bir eimle
zayflar.
Devrenin FC ke frekans, ACLnin 1/ 2 deerindeki frekanstr. Bu ifade;
2 = 1 + C2 R 2 C 2
em
deerine eittir. Buradan ekil-3.11de verilen 20db/dekadlk alak geiren filtre devresinin
ke frekans FC;
FC =
1
2 R C
.e
olarak bulunur.
Kaplan
co
m
rnek:
3.4
ekil-3.11de verilen alak geiren filtre devresinin ke frekansnn 2KHz olmas

isteniyor. Devrede R1=RF=10K olarak seildiine gre C deeri ne olmaldr? Ayrca ke
frekansnn genlii ne olur hesaplaynz?
zm
FC=2KHz iin kondansatrnn olmas gereken deeri bulalm.

FC =
1
1
1
C =
C=
2 R C
2 f R
WC R
C=
1
= 0.008F
2 3.14 2 10 3 10 10 3
olmaldr. Ke frekansnn genlii ise;
ACL =
1
2
= 0.707 3dB, CL = 45 0
57
Kaplan
co
m
olmaldr. Ke frekansnn genlii ise;
1
2
1
2 + 45 0
= 0.707 45 0
= 0.707 3dB, CL = 45 0
tla
ACL =
1
=
1 + j1
ri.
ACL =
no
deerindedir. ekil-3.11.bde grld gibi 0.1WCde ACL=1 (0dB), ve 10WCde ACL=0.1

(20dB) olmaktadr.
rs
Filtre devrelerinde ke frekansndan sonra zayflama eiminin artmas, filtrenin ideale

yaklatn gsterir. Pek ok uygulamada 20db/dekadlk birinci dereceden bir filtre devresi
yeterli olmayabilir. Bu amala -40dB/dekadlk ve -60dB/dekadlk filtre devreleri
gelitirilmitir. Alak geiren filtre devresi iin 20, 40 ve 60dB/dekadlk tip filtre devresi
iin frekans cevab (frekans/kazan erileri) ekil-3.12de izilmitir.
de
V0
V
deal Eim
0.707 noktas
-20db/dek
-3dB, 0.707
-40db/dek
-20dB, 0.1
-60db/dek
Geen Band
0.1Wc
Wc
10Wc
ekil-3.12 Alak geiren filtre devrelerinin frekans tepkisi

-40dB/dekadlk sk kullanlan bir alak geiren filtre devresi ekil-3.13de verilmitir.
Devrenin kapal evrim kazanc, ke frekansndan sonra -40dB/dekadlk bir eimle
zayflar. Devrede opamp birim kazan amplifikatr olarak dzenlenmitir. Dolaysyla C1
kondansatr ularndaki gerilim k gerilimine (Vo) eittir. R1=R2 semekle devre
basitletirilebilir.
.e
em
0dB, 1.0
58
Kaplan
C2
V0
V
R F=20K
+V
R2
10K
10K
1.0
0.707
0V
0.1
V0
-V
dB
0
-3
-20
Eim=-40db/dek
tla
C1
20 log ACL
ri.
R1
co
m
0.1Wc
-40
Wc
10Wc
ekil-3.13 -40dB/Dekadlk Alak geiren filtre ve frekans tepkisi
no
Devrenin dzenlenmesi ve analizi iin aada belirtilen admlar srayla izlenmelidir.

lk adm ke frekans FCnin belirlenmesi veya seilmesidir.
2.
Analiz kolayl iin R1=R2 olmal ve deeri 10K ile 100K arasnda seilmelidir.
RF deeri ise 2R olarak seilmelidir.
3.
C1 kondansatrnn deeri;
rs
1.
0.707
C R
de
C1 =
forml kullanlarak hesaplanabilir. C2 kondansatr ise C2=2C1 olarak

seilmelidir. dir. aada belirtilen yntem izlenir.
ekil-3.13de verilen alak geiren filtre devresinde WC=30k rad/s iin C1 ve C2 deerleri
ne olmaldr. Hesaplaynz?
C1 =
0.707
0.707
= 0.0024 F = 2.4nF
C1 =
C R
30 10 3 10 10 3
)(
C 2 = 2 C 1 = 2 (0.0024 F ) = 0.0048F
-60dB/dekadlk alak geiren bir filtre devresi elde etmek iin, ekil-3.14de grld gibi
-40dB/dekadlk bir filtre ile -20dB/dekadlk filtre arka arkaya balanmaldr.
.e
em
rnek:
3.5
59
-40dB/dekad
-20dB/dekad
C2
R F=10K
R F=20K
+V
ri.
+V
R 3=10K
R2
10K
10K
0V
tla
R1
-V
V0
-V
C3
no
C1
V 01
0V
ekil-3.14 -60dB/Dekadlk Alak geiren filtre devresi
de
rs
Devrenin dzenlenmesi ve analizinde ilk adm FC ke frekansnn seilmesidir. Direnler

ise; R1=R2=R3=R olarak seilmeli, deerleri ise 10K ile 100K arasnda olmaldr. C3
kondansatrnn deeri;
1
C1 =
C R
formlnden hesaplanmaldr. C1 ve C2 deerleri iin ise;
C1 =
1
C 3 ve C 2 = 2 C 3
2
em
bantlar kullanlmaldr.
Yksek geiren filtre; belirlenen ke frekansnn stndeki frekanslar olduu gibi geirip,
altndaki frekanslar zayflatan filtre devresidir. -20deb/decad, -40deb/decad ve
60deb/dekad olmak zere tip yksek geiren filtre devresi vardr. Bu tip filtre
devresinin frekans cevaplar (kazan/frekans) erileri ekil-3.15de gsterilmitir.
.e
Yksek Geiren Filtre
Kaplan
co
m
V0
V
0.707 noktas
0dB, 1.0
-3dB, 0.707
-20dB,
0.1
deal Eim
-20db/dek
-40db/dek
Geen Band
-60db/dek
0.1Wc
Wc
10Wc
ekil-3.15 Yksek geiren filtre devrelerinin frekans tepkisi
60
Kaplan
co
m
-20deb/dekadlk bir filtre devresi ve frekans/kazan karakteristii ekil-3.16da

verilmitir. Yksek geiren filtre devresi temelde alak geiren filtre ile benzerlik gsterir.
Sadece R ve C elemanlarnn yerleri deimitir. Opamp birim kazan ampilifikatr
olarak alt iin k gerilimi Vo, R direncinin ularndaki gerilime eittir.
1 j
V0
=
V1
1
RC
1
(RC ) 2
tla
ACL =
ri.
V0 =
1+
no
Kapal evrim kazancnn 1/ 2= 0.707 deeri iin; W RC=1 olmaldr. Buradan devrenin ke
frekans;
C =
rs
olarak elde edilir.
1
= 2 f C
R C
RF=R
de
1
1
=
C C 2 f C C
V0
V
+V
C1
R=
em
0
-3
Eim=20db/dek
V0
dB
1.0
0.707
0V
20 log ACL
-20
0.1
-40
-V
W
Wc
0.01Wc
10Wc
100Wc
ekil-3.16 -20dB/Dekadlk Yksek geiren filtre devresi ve frekans-kazan erisi
.e
Devrenin dzenleme ve analizi aadaki gibi yaplmaldr. lk adm olarak FC ke

frekans seilmelidir. kinci admda uygun bir C deeri seilmelidir. Gerekli R deeri
yukarda verilen bantlar kullanlarak hesaplanmaldr. Son olarak RF=R seilmelidir.
Kimi uygulamalarda -20dB/dekadlk filtre devresi yeterli olmayabilir. Frekans/kazan

karakteristii daha iyi olan -40dB/dekadlk bir yksek geiren filtre devresi ekil-3.17de
verilmitir.
R2
V0
V
RF=R1
20 log ACL
dB
+V
0
-3
1.0
0.707
C1
Eim=20db/dek
0V
C2
V0
+
V
R1
0.1
-20
-V
-40
W
0.01Wc
0.1Wc
Wc
10Wc
100Wc
ekil-3.17 -40dB/Dekadlk Yksek geiren filtre devresi ve frekans-kazan erisi
61
Devrenin dzenleme ve analizi aadaki gibi yaplmaldr. lk adm olarak FC ke

frekans seilmelidir. kinci aamada C1=C2=C seilmelidir. Diren deerleri ise;
R1 =
1.414
C C
R2 =
1
R1
2
ri.
formllerinden hesaplanmaldr. Opmapn DC ofset sfrlamas iin RF=R1 Seilmelidir.
rnek:
3.6
tla
ekil-3.17de verilen yksek geiren filtre devresinde FC=1KHz ve C1=C2=0.01F olarak

seilmi ise R1 ve R2 deerleri ne olmaldr. Hesaplaynz?
1.414
1.414
= 22.5K
R1 =
C C
(6.28) (1 10 3 ) (0.01 10 6 )
no
R1 =
1
1
R 1 R 2 = ( 22.5K) = 11.3K
2
2
rs
R2 =
de
-60dB/dekadlk yksek geiren filtre devresi tpk alak geiren filtrede olduu gibi
oluturulabilir. Bunun iin -40dB/dekadlk ve -20dB/dekadlk yksek geiren filtre
devreleri arka arkaya balanmaldr.
Band Geiren Filtre
.e
em
Belirli bir frekans aralndaki iaretleri geirip, dierlerini geirmeyen veya zayflatan
filtrelere band geiren filtre denir. ekil-3.18de band geiren filtre devresi ve frekans cevab
verilmitir. Bu devrede; k gerilimin ve kazancn maksimum olduu frekansa Rezonans
Frekans denir. Rezonans frekans FR veya WR ile sembolize edilir.
Kaplan
co
m
C1
V0
V
R2
C2
R1
Ar
+V
0.707
Band
Genilii
(B)
+
V
R3
V0
-V
WL Wr WH
ekil-3.18 Band geiren filtre devresi ve frekans cevab

Band geiren filtre devresinde kazancn 0.707 kat olan frekanslara alt (WL) ve st (WH)
kesim frekans denir. Alt ve st kesim frekanslar arasndaki blgeye ise Band Genilii ad
verilir ve B ile sembolize edilir. Band Genilii; B=WH-WL eklinde belirlenebilir.
Dar ve geni bant olmak zere iki tip band geiren filtre vardr. Dar bant filtrelerde band
genilii rezonans frekansnn 1/10nundan daha kktr. Geni band filtrelerde ise daha
byktr. Rezonans frekansnn (Wr), band geniliine (B) oranna filre devresinin kalite
62
faktr (Q) denir. Kalite Faktr, Q=Wr/B forml ile belirlenir. Qnun alacaa deere gre
filtre devresinin kalitesi ve seicilii deiir. Q deeri yksek ise seicilikte fazladr. Dar
bantl filtrelerde seicilik daha fazladr nk Q>10dur. Geni bantl da ise Q<10dur.
2
B C
R1 =
R2
2 Ar
R3 =
R2
tla
R2 =
ri.
ekil-3.18de verilen band geiren filtre devresi dar veya geni bandl olabilir. Band geiren
filtre tasarmnda iki yntem vardr. Birinci yntemde Wr ve B deerleri seilir, Q deeri ise
hesaplanr. kinci yntemde ise Wr ve Q deerleri seilir, B deeri ise hesaplanr.
Hesaplamay kolaylatrmak ve devreyi sadeletirmek iin C1=C2=C olarak seilir ve B
hesaplanr. R deerleri ise;
4 Q 2 Ar
2
rnek:
3.7
no
formlleri yardm ile bulunur. R3 deerinin pozitif olmas iin 4Q2>2Ar olmaldr.
ekil-3.18de verilen band geiren filtre devresinde Wr=10 k rad/s, Ar=40, Q=20 ve
C1=C2=C=0.01F deerleri iin B, R1, R2, ve R3 deerlerini hesaplaynz?
Wr 10 10 3
=
= 0.5k rad / s
Q
20
rs
B=
.e
em
de
R2 =
Kaplan
co
m
R3 =
2
2
=
= 400K
B C 0.5 10 3 0.01 10 6
R1 =
R 2 400 10 3
= 5K
2 Ar 2 40
R2
4 Q 2 2 Ar
400 10 3
= 263K
4 400 2 40
Band Sndren Filtre

Belirli bir frekans aralndaki iaretleri geirmeyip, dierlerini geireren veya zayflatan bir
filtre tipidir. Band sndren filtre genellikle istenmeyen ve sistemler zerinde parazit
(grlt) etkisi yapan iaretlerin azaltlmasnda kullanlr. rnein elektronik cihazlarn
evresinde alan motor, generator, transformatr v.b elektromekaniksel cihazlar
evrelerinde ve ebekede elektiriksel grlt olumasna sebep olurlar. Belirtilen bu
parazitleri yok etmek amac ile elektronik cihazlarn pek ounda band sndren filtre
devreleri kullanlr.
Tipik bir band sndren filtre devresi ve frekans cevab ekil-3.19da verilmitir. Band
sndren filtre devresinin dzenlenmesinde; rezonans frekans, band genilii (B) veya
kalite faktr (Q)nn bilinmesi gerekir.
63
C1
Wr
R2
C2
0.01
Band
Genilii
(B)
-40dB
V0
RB
-V
0.001
tla
RA
-20dB
0.1
+V
-3dB
0.707
ri.
R1
-60dB
no
ekil-3.19 Band sndren filtre devresi ve frekans cevab

Devrenin dzenlenmesi ve eleman deerlerinin hesaplanmasnda aadaki admlar izlenir.
C1=C2=C elemanlar iin uygun bir deer seilir.
2.
Devrede kullanlan diren deerleri aadaki gibi hesaplanr.
rs
1.
R2 =
2
B C
R1 =
R2
4 Q 2
de
RA direnci iin uygun deer; RA=1Kdur.

RB = 2 Q 2 R A
em
3.3 MULTVBRATRLER
.e
Bu blmde opamp kullanlarak oluturulan astable (kararsz) ve monostable (tek-kararl)

multivibratr devrelerini inceleyeceiz. Multivibratr devreleri genellikle saysal sistemler
de olduka geni bir kullanm alanna sahiptir. Bu blmde opampla gerekletirilen;
Kaplan
co
m
Astable Multivibratr (Kare dalga reteci)

Monostable Multivibratr
devrelerinin tasarm ve almas hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz.
Astable Multivibratr
Astable multivibratr gerekte bir kare dalga retecidir (osilatr). Opampla oluturulmu
bir kare dalga reteci ekil-3.20de verilmitir. Eviren girie balanan C kondansatr
dnda devre bir komparatora benzer. C kondansatr dc iaretler iin ak devre olduuna
gre opamp ak evrimde almaktadr ve kazanc ok yksektir. Opamp k girilerine
bal olarak +VDOY ve VDOY arasnda salnacaktr.
64
Kaplan
RF
VC
RF
+V
VC
C
-V
-V
R1
R2
tla
V0=+VDOY
(a)
+V
ri.
VHT
co
m
VLT
R1
V0=-VDOY
R2
(b)
no
ekil-3.20 Kare Dalga rete Devresi
rs
Devrenin almasn ksaca aklayalm. R1 ve R2 direnleri gerilim blc olarak

kullanlmtr. k iaretinin belirli bir miktar R2 zerinde opampn evirmeyen giriine
uygulanmtr. lk anda opamp knn Vo=+VDOY deerinde olduunu kabul edelim. Bu
durum da ekil-3.20.ada gsterilen VHT gerilimi;
VHT = R 1
+VDOY
R1 + R2
de
deerindedir. RF direnci zerinden de negatif geribesleme oluacaktr. RF zerinden I+ akm

akacak ve C kondansatr belirtilen ynde arj olacaktr. Kondansatr zerinde oluan VC
arj gerilimi, opampn evirmeyen giriine uygulanan VHT geriliminden kk olduu srece
k Vo=+VDOY deerinde kalacaktr.
VLT = R 1
VDOY
R1 + R 2
olur. Opamp k VDOY deerine getiinde kondansatr gerilimi VC, akacak olan I- akm
ile nce 0Va dearj olacaktr. Daha sonra ise VLT deerine kadar tekrar ar olacaktr.
VC gerilim VLT deerinden daha negatif olduunda ise opamp k tekrar konum
deitirecektir. VDOY deerinden +VDOY deerine ulaacaktr. Bu durum bylece srp
gidecektir.
C kondansatrnn arj sresi devrenin osilasyon frekansn belirlemektedir. Devrede
oluan gerilimler ve k iaretinin dalga biimi ekil-3.21de gsterilmitir.
.e
em
Kondansatr gerilimi VC, VHT deerini getii anda, opamp k +VDOYdan VDOY deerine
geer. Bu durum ekil-3.20.bde gsterilmitir. Bylece opampn evirmeyen giriine negatif
bir gerilim uygulanm olur. Bu gerilim deeri;
65
Kaplan
V 0 (v)
V0
+VDOY
V HT
ri.
VC
co
m
+VDOY
tla
VLT
t1=RF.C
+VDOY
t2=RF.C
no
ekil-3.21 Kare Dalga rete Devresinin dalga biimleri

Devrede kondansatrn arj sresinin hesaplanmasn kolaylatrmak iin R2 direnci;
R2=0.86R1
de
rs
eklinde seilmelidir. rnein R1=100K ise R2=86K deerinde olmaldr. Devrede

kondansatrn arj ve dearj ayn elemanlar ve simetrik gerilim deerleri ile yapldndan
k da elde edilecek kare dalgann her iki alternans da (t1 ve t2) eit olacaktr. Bylece;
t1=t2=RF C
olacaktr. Devre knda elde edilen kare dalga iaretin peryodu ise R2=0.86R1 deerleri
iin; T = 2 R F C olacaktr. Buradan devrenin frekans;
em
f =
1
1
=
T 2 RF C
olarak bulunur veya hesaplanabilir.
ekil-3.22de verilen kare dalga osilatr devresinde alma frekans 50Hz olmas
isteniyor. C kondansatrnn deeri ne olmaldr? Hesaplaynz? VDOY=15V
RF=100K
VC
+V
.e
rnek:
3.8
-V
R1
100K
V0
VLT
R2
86K
ekil-3.22 Kare dalga osilatrnn analizi
66
R2
86K
( +VDOY ) =
( +15V ) +7V
86K + 100K
R2 + R1
VLT =
R2
86K
( VDOY ) =
( 15V ) 7V
86K + 100K
R 2 + R1
1
1
1
=
C=
2 RF f
T 2 RF C
C=
1
1
=
= 0.1F
2 100K 50 Hz 2 100 10 3 50
tla
f =
VHT =
ri.
zm
Kaplan
co
m
Monostable Multivibratr
no
Tek dengeli multivibratr olarak adlandrlan bu tr devreler, giriinden uygulanan iarete

bal olarak sadece tek bir darbe eklinde k iareti verirler. k iaretinin darbe sresi ise
devrede kullanlan R ve C elemanlar ile salanr. ekil-3.23de bir astable multivibratr
devresinde giri ve k dalga biimleri birlikte verilmitir.
rs
de
V0
em
t
T
Dalga ekillerinden de grld gibi k iaretinin darbe sresi, multivibratrn giri

iaretinin darbe sresinden bamszdr. Ondan daha byk veya kk olabilir. Bu zellii
monostable multivibratr zamanlama ve geciktirme sistemlerinin tasarmnda popler
klar. Ayrca bu tr multivibratrler zellikle saysal sistemlerde tetikleme kayna olarak da
kullanlmaktadr.
Monostable multivibratrn ayr konumda almaktadr. Bunlar; kararl hal, gei hali ve
kararsz hal olarak tanmlanr. Tipik bir monostable multivibratr devresi ve almas ekil3.24.a ve bde gsterilmitir.
.e
ekil-3.23 Monostable multivibratr devresinde giri (V) ve k (V0) dalga biimleri
67
Kaplan
co
m
D1
D1
C1=0.1F
_
+
-V
RA
10K
R1
10K
V0=+15V
+
VHT=2.1V
_
R2
1.8K
RA
10K
VLT=2.1V
2ms sresince
+
Vd
D2
-V
R1
10K
V 0=+15V
2ms
sresince
R2
1.8K
(b)
no
(a)
C2=0.01F
tla
V=0V
+V
Vd
D2
RF=100K
ri.
+V
0.5V
C2=0.01F
C1=0.1F
_
+
RF =100K
ekil-3.24.a ve b Monostable multivibratr devresi ve almas
rs
ekil-3.24.ada kararl hal grlmektedir ve k Vo=+VDOYdur. Opampn evirmeyen

giriine R1 ve R2 tarafndan VHT gerilim uygulanmtr. Eviren giri ise D1 diyodu iletimde
iken 0.5V ile snrlanr. Kararl halde opampn evirmeyen girii daha etkin olduundan
(VHT=+2.1V) opamp k daima +VDOY deerindedir.
Gei durumundan sonra multivibratr kararsz duruma geecektir. Fakat bu kararsz halde
uzun sre kalamaz. nk R1 ve R2 direnleri zerinden opampn evirmeyen giriine VLT=2.1V civarnda bir gerilim uygulanr. Bu durumda D1 diyodu VDOY gerilimi ile ters ynde
kutupland iin kesimdedir. C1 kondansatr nce 0Va kadar dearj olacak ve daha sonra
ters ynde arj olacaktr. Belirli bir sre sonra opampn eviren ucundaki negatiflik,
evirmeyen utaki VLT=-2.1Vdan daha byk olur. Bu anda opamp k tekrar VDOYdan
+VDOYuma geer. Bylece k darbesi tamamlanm olur. Multivibratr tekrar kararl hale
geer.
Bu tip multivibratrlerde tek bir kararl durum olduundan monostable
multivibratr olarak adlandrlr.
.e
em
de
ekil-3.24.bde gsterildii gibi astable multivibratr devresinin giriine bir negatif darbe
uygulandn dnelim. Eer bu darbenin genlii VHT deerinden byk olursa opampn
evirmeyen girii, eviren girie gre daha negatif olacaktr. Bu durumda opamp k
deiecek ve +VDOYdan VDOY olacaktr. Bu olaya gei durumu denir. yi bir sonu iin
C2 ondansatr 0.005Fdan byk seilmelidir.
68
3.4 GERLM/AKIM ve AKIM/GERLM

DNTRCLER
tla
ri.
Endstriyel sistemlerde basn, s, scaklk, debi v.b gibi eitli fiziksel byklklerin
llmesinde ve kontrol edilmesinde sensrlerden (transducers) yararlanlr. Sensrlerin
genellikle kullanm amalar yukarda belirtilen fiziksel byklkleri elektriksel
iaretlere dntrmektir. Dntrme ilemi sonucunda elde edilen akm veya gerilim
deerleri endstride kullanlan standart deerler aralnda olmaldr.
no
Her hangi bir sensr knda elde edilen elektriksel byklk standart bir akm veya
gerilim deerine dntrlr. Endstriyel uygulamalarda pek ok zaman elde edilen
standart akm veya gerilim deerlerinin birbirlerine dntrlmeleri gerekir. Bu tr
ilevleri yerine getirmek amacyla akm/gerilim veya gerilim akm dntrclerinden
faydalanlr. Dntrc devrelerinin tasarm opampla gerekletirilir. Elektronik
sistemlerde kullanlan balca iki tip dntrc vardr. Bunlar;
rs
Gerilim/Akm Dntrcs
Akm/Gerilim Dntrcs
de
olarak tanmlanmaktadr. Bu blm boyunca; gerilim/akm ve akm/gerilim dntrme

ilemlerinin nasl gerekletirildiini inceleyerek gerekli analizleri yapacaz.
.e
em
Gerilim/Akm Dntrc
Kaplan
co
m
Elektronik devre uygulamalarnda her hangi bir devrenin giri iaret kayna genellikle bir
gerilim kayna eklindedir. Eer, herhangi bir devrede giri gerilimine bal olarak bir k
akm elde ediliyorsa bu tr sistem ve devrelere gerilim kontroll akm kayna denir. Bu tr
sistem veya devreler gerilim/akm dntrcs (Voltage-to-Current Converter) olarak
da adlandrlmaktadr. Gerilim/Akm dntrc bir devrenin kndan elde edilecek
akmn, giri gerilimiyle orantl olmas istenir. Opampla gerekletirilmi tipik bir
Gerilim/akm dntrc devre ekil-3.25de grlmektedir.
Verilen bu devreyi nceki blmlerde evirmeyen ykselte olarak tanmlam ve analizini

yapmtk. Devrenin Gerilim/akm dntrc haline gelmesinin balca nedeni RL olarak
tanmlanan yk direnci ve bu diren zerinden geen IL akmdr.
I
R1
IL
RL
VR1 =V +
0A
Yk
0V
V0
V
ekil-3.25 Topraksz ykler iin gerilim/akm dntrc devre
69
Devreyi dikkatlice incelediimizde RL zerinden geen IL akmnn tamamen V giri

gerilimine bal olduunu grrz. Devrede I=ILdir. Buradan IL deerini yazarsak;
IL = I =
V
RL
R3
R4
IL
0V
VL
V0
IL
R2
Yk
de
RL
V0
rs
no
VL
VL
0V
R1
tla
ri.
olduu grlr. Formlden grld gibi IL akm tamamen giri gerilimi V deerine
bamldr. ekil-3.25de verilen devrede RL yk direncinin herhangi bir ucu topraa bal
deildir. Bu durum uygulamada baz sorunlara neden olabilir. Toprakl ykler iin ekil3.26.ada grlen gerilim/akm torak dntrc devre gelitirilmitir.
RL
Yk
(b)
(a)
ekil-3.26.a ve b Gerilim/Akm dntrc devre (toprakl) ve basitletirilmi hali
em
Bu devre iin A noktasndaki dm denklemini yazalm.
.e
dzenlenirsek;
Kaplan
co
m
IL +
VL V
R1
VL V0
=0
R2
I L ( R 1 R 2 ) + (VL R 2 ) (V R 2 ) + (VL R 1 ) (V0 R 1 ) = 0
(Denklem-3.1)
elde edilir. deal bir opampn girilerindeki gerilim farknn 0V olduunu biliyoruz. Bu
nedenle evirmeyen girie uygulanan VL gerilimi, opampn eviren giri terminalinde de
grlr. Buradan;
V0
VL = I L R L ve I =
R3 + R4
yazlabilir. Bu devrede; R3=R4 ve R1=R2 ise VL gerilimi;

denklem-3.1de yerine konulursa;
V
I L R 1 = V I L =
R1
VL=Vo/2 olacaktr. Bu deer
olacaktr. Bu sonu bize IL akmnn V giri gerilimi ile orantl ve RL yk direncinden

bamsz olduunu belirtir.
ekil-3.26.ada verilen gerilim/akm dntrc devreyi daha basit hale getirmek iin
devrede kullanlan direnleri R1=R2=R3=R4=R eklinde seebiliriz. Bu durumda devremiz
imdi ekil-3.26.bde verilen ekle dnr. Bu ise bize analiz kolayl salar.
70
R2
R2
10K
10K
tla
V2
0V
1K
no
1K
R1
V1
R1
IL
Yk
rs
RL
2K
ekil-3.27 Gerilim/akm dntrc devre ve analizi
Devrede Vo gerilimi ve IL yk akmn srasyla formle edelim.

V0 V2
2R 2
de
zm
em
I=
VL = I R 2 + V 2 =
V0 = 2 VL V 2
IL +
V0 V 2
( R 2 ) + V2
2R2
(Denklem-3.2)
VL V1 VL V0
+
=0
R1
R1
.e
Burada, denklem-3.2 yerine konularak IL akm yazlrsa,
ekil-3.27de verilen gerilim/akm dntrc devrede;

a. V1=5V, V2=2V
b. V1=0V, V2=2V
olduuna gre, her iki durum iin devrenin Vo k gerilimini ve IL yk akmn
hesaplaynz.
ri.
rnek:
3.9
Kaplan
co
m
IL =
V1 V 2
R1
bulunur. Bulunan bu formlleri kullanarak problemi zmeye balayalm.

a)
IL =
V1 V2 ( 5V 2V )
=
= 3mA
R1
1K
VL = I L R L = 3mA 2 K = 6V
V0 = 2 VL V2 = 2 6 2 = 10V
Bu durumda devre bir akm kayna (current source) gibi davranp yke yani d devreye
akm salamaktadr.
a)
IL =
V1 V2 (0 2V )
=
= 2mA
R1
1K
VL = I L R L = 2mA 2 K = 4V
V0 = 2 VL V2 = 2 4 2 = 10V
Bu durumda devre bir akm ekici (current sink) gibi davranp d devreden yani ykten
akm ekmektedir.
71
Kaplan
co
m
Akm/Gerilim Dntrc
ri.
Baz elektronik devre elemanlar ykten bamsz bir k akm retirler. Termokupl,
fotosel, termistr v.b gibi pek ok eleman rnek olarak gsterebiliriz. Bu elamanlar yardm
ile retilen akmn llebilmesi ve zerinde ilem yaplp kullanlabilir hale getirilebilmesi
iin gerilime evrilmesi gerekir. Akm, gerilime eviren tipik bir devre emas ekil-3.28'de
izilmitir.
tla
no
-V
V 0=-IS.R
rs
RS
+V
de
ekil-3.28 Akm/gerilim dntrc devre
Bu devrede k gerilimi V0;
em
V0 = I S R'
Akm/gerilim eviricisi ideal bir ampermetre gibi, akm lmelerin de rahatlkla kullanlrlar.
Opamp girileri yklenmediinden devre ideal bir ampermetredir. Bilindii gibi ideal bir
ampermetrenin i direncinin sfr olmas istenir ki ularnda gerilim dm olmasn.
Opamplarla yaplan lme ilemlerinde bu dilek yerine getirilmi olur.
.e
deerine eittir. Bylece giriten uygulanan Is akm kta bir gerilime dntrlm olur.
R direncine paralel bal C kondansatr ise yksek frekansla ilgili grltlerin zayflamas
ve muhtemel osilasyonlarn nlenmesi iin konulmutur.
72
co
m
BLM 4
Konular:
no
Tek Bileimli Transistr (UJT)

Programlanabilir UJT
Tristr (SCR)
Triyak
Diyak
Dier Devre Elemanlar
de
Amalar:
rs
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
tla
ri.
Slikon Kontroll Devre Elemanlar
em
.e
Kaplan
4.1 TEK EKLEML TRANSSTR (UJT)
UJTnin Yaps ve Sembol

UJTnin V-I Karakteristikleri
UJT Parametrelerinin Tantm
UJT Uygulamalar
no
tla
ri.
Tek eklemli transistr (unijunction transistors), ksaca UJT olarak da adlandrlmaktadr.

En nemli elektriksel zellii negatif diren karakteristiidir. Bu zellik, UJTnin osilatr
ve pals jenaratr tasarmnda kullanlmasn salar. UJT ayrca g kontrol devrelerinde
tetikleme eleman olarak da kullanlmaktadr. Bu blmde aada belirtilen sra
ierisinde UJTyi tm ynleri ile tanyp uygulama yeteneinizi gelitireceksiniz.
UJT'nin Yaps ve Sembol
de
rs
UJT, N tipi bir yariletken gvdenin ortasna bir PN eklemi eklenmesi ile oluturulmutur.
Bu durum ekil-4.1.a'da grlmektedir. Ortadaki P yar iletken eklemine emiter ucu balanr.
N tipi yar iletken maddeye yaplan balantlar B1 ve B2 beyz'leri olarak adlandrlr. UJT'nin
elektriksel edeeri ekil-4.1.b'de gsterilmitir. Bu edeer devrede RB2 direnci, B2 ile E
eklemi arasndaki ksmn direncini gsterir.
.e
em
UJT'nin emiter ucu ak braklp beyzler arasndan (B1,B2) llen diren deerine "Beyzler
aras Diren" denir ve RBB ile gsterilir. Bu diren deeri RB1 ve RB2 iletkenlerinin toplam
direncidir. ekil-4.1.c'de ise UJT'nin sembol verilmitir. UJT'nin negatif diren zelliini
beyz direnci RB1 salar. Bu durum ileride anlatlacaktr.
Kaplan
co
m
B2
B2
B2
RB 2
E
E
RB 1
B1
B1
a) Yaps
a) edeeri
B1
a) sembol
ekil-4.1 a.b.c UJT'nin yaps, edeeri, sembol
UJTnin V-I Karakteristikleri

UJT ulu aktif bir devre elemandr. UJT'nin almasn anlamak iin eitli
karakteristiklerini incelemek gerekir. UJT'nin en nemli karakteristii; emiter besleme
gerilimine (VEE) bal olarak llen, emiter gerilimi (VE) ve emiter akm (IE) deerleridir.
UJT karakteristiklerini incelemek iin ekil-4.2.a'daki temel uygulama devresi kullanlabilir.
ekil-4.2.b'de ise emiter besleme gerilimi VEE artarken emiter akm (IE) ve emiter gerilimi
(VE) lmnden elde edilen UJT giri karakteristii grlmektedir
74
VEE=0 iken (Emiter ucu ak, IE=0) UJT, VBB gerilim kaynana bal olan bir gerilim blc
olarak alacaktr. Emiterde grlen gerilim;
VE( I E = 0 ) = VRB1 = VBB
R B1
R BB
ri.
deerinde olur. Formlde kullanlan RB1/RBB ifadesine gerek ilgisizlik oran denir ve ile
sembolize edilir. Bu deer UJT reticileri tarafndan kullancya verilmektedir. UJTnin
emiter gerilimi iin denklemi yeniden dzenlersek;
tla
VE( I E = 0 ) = VRB1 = VBB
formln elde ederiz.
no
VE
B2
rs
VE
Vp
VBB
Doyum
Blgesi
Vadi
Noktas
B1
IE 0
VV
de
VE E
Negatif
Diren
Blgesi
VB B
IE
IE
IP
IV
ekil-4.2.a.b UJT Uygulama Devresi ve Giri Karakteristii
.e
em
UJTnin emiter ucu, bir silisyum diyot gibi dnlebilir. Bu durum edeer devrede
gsterilmitir. Emiter src gerilimi VE, formldeki (VBB) deerinden daha kk olduu
zaman [VE<(n VBB)] diyot ters ynde polarize olur ve ak devredir. Bu yzden IE akm, ok
kk bir sznt akm mertebesindedir. Bu deere IEO denir.
Kaplan
co
m
Uygulama devresindeki VEE besleme gerilimini artrrsak, Kk bir ileri yn akm akmaya
balayacaktr. Akan bu akm diyodun iletim gerilimi deeri VD'ye eriinceye kadar devam
eder. VEE gerilimi deeri VBB deerini atnda diyot iletime geer ve gerilim engeli
grlmez. letim salanr. letimin saland bu noktada llen emiter gerilimi "Tepe
noktas" olarak bilinir. Bu deer;
VE=VP= VBB+VD
forml ile bulunur. Bu deer karakteristikte de iaretlenmitir. Bu durumda tepe noktas
akm (IP) eklem ierisinden akar. Giri gerilimi (VE) tepe noktas deerini atnda; besleme
gerilimi VBB'nin polaritesinden dolay yar iletkendeki elektronlar beyz'den emiter blgesine
doru akarlar.
E ile B1 arasndaki arjn artmas dolays ile beyzin bu ksmnn iletkenlii de artacaktr.
Emiter akm artarken RB1 direnci azalacak ve bylece (VE) gerilimi de azalacaktr. Bu
"Negatif Diren Etkisidir" ve karakteristik de gsterilmitir. Bu durum vadi noktasna
eriinceye kadar devam eder. Vadi noktasnda emiter akm artarken artk RB1 deeri
azalmaz. Bu durum beyz'deki akm tayclarn doyuma ulamasndan kaynaklanmaktadr.
Bu durum da RB1'deki gerilim dm artacak ve ayn ekilde emiter gerilimi (VE)
ykselecektir. RB1'deki ve emiterde oluan gerilim art UJT giri karakteristiklerindeki
doyum (saturasyon) blgesini oluturur. ekil-4.2.b'de grlen UJT giri karakteristii belirli
bir beyzler aras dirende UJT'nin davrann gstermektedir.
75
UJT Paremetrelerinin Tantm
ri.
UJT yalnz negatif diren blgesinde alr. Giri karakteristiinde bu nemli zellik
grlmektedir. Bu zelliklerden birisi tepe noktas deeri VP, ikincisi ise VBB'deki artla
birlikte dorusal olarak artan Vadi gerilimi VV deeridir. Karakteristikken grld gibi IP
deeri ile IV deeri arasndaki blge UJT'nin aktif olduu negatif diren blgesidir.
tla
Bu blmde, retici dkmanlarndan alnan nemli UJT parametrelerinin anlamlar ve

alabildikleri deerler sra ile tantlmtr.
RBB=Beyzler aras diren: Bu deer UJT'nin emiter ucu akken beyzler arasndan llen
direncin omik deeridir. Bu deer yaklak olarak 4K ile 10K arasndadr. Bu diren
deeri scaklk deimelerinden etkilenir. Bu etkilenme 0C bana %0.1 ile %0.9 arasndadr.
no
=Gerek lgisizlik Oran: Bu oran sabit bir deerdir. Beyzler aras diren deerinden ve
scaklk deimelerinden etkilenmez. Yaklak olarak 0.47 ile 0.75 deerleri arasndadr.
oran aadaki formlden hesaplanabilir. VD, ileri polarmada diyot n gerilimidir.
rs
VP VD
VBB
de
VP=Tepe Noktas Gerilimi: UJT giri karekteristiinde grld gibi negatif diren
blgesinin balad andaki snr gerilimi deeridir. Tepe noktas gerilimi deeri, diyot
gerilimi (VD) deimeleri sonucu olarak scaklk artarken azalr. Bu deer ayn zamanda VBB
deeri ile dorusal olarak artar.
VE=VP=n VBB+VD
em
IP=Tepe Noktas Akm: UJT'nin negatif diren blgesinde almasna gei iin gerekli olan
minimum akm deeridir. Tepe noktas akm (IP), beyzler aras diren deeri ile ters orant
ldr. IP deeri scaklk arttnda azalr. IP deeri A seviyesindedir.
.e
VV=Vadi Gerilimi: UJT giri karakteristiin de grlen negatif diren blgesinin bitimindeki snr deeridir. Vadi gerilimi, VBB geriliminin artyla birlikte artar ve scaklk art ile
azalr. Vadi gerilimi deeri yaklak olarak 2v ile 5v arasndadr.
Kaplan
co
m
IV=Vadi Akm: Negatif diren blgesindeki maksimum emiter akm deerine denir. Vadi
akm, beyzler aras direnle birlikte artar. Bu akmn scaklkla ilgisi, scaklk arttnda
azalmasdr. Vadi akmnn tam deerini belirlemek, vadi blgesi geni olduu iin zordur.
IE0=Emiter Sznt Akm: Emiter ucu ters polarma edildiin de akan akm deeridir. Sznt
akm deeri emiter ucu akken bilinen bir gerilim deerinde llr. Bu deer yaklak
0.01 A ile 10 A arasndadr. Bu akm bipolar transistrlerin IC0 sznt akmna benzer.
Yukarda aklanan temel parametrelere ek olarak, bilinen bir emiter akmndaki saturasyon
gerilimi (VE(sat)), Maksimum osilasyon frekans (fmax.), Anahtarlama sreleri v.b. gibi
parametreler de vardr. Bunlar ve deerleri retici kataloglarnda verilmilerdir. Ayrca UJT
karakteristiklerine ek olarak, izin verilen maksimum g snr, maksimum emiter gerilimi,
maksimum beyzler aras diren deeri, maksimum emiter akm, maksimum alma
scakl gibi snr deerleri kataloglarda verilirler. Ksaca yukarda belirtilen ve anlatlan
parametreler eitli lme devreleri yardm ile llecei gibi retici firma kataloglarndan
da yararlanlarak bulunabilir.
76
UJT Uygulamalar
a. Gevemeli (Relaksasyon) Osilatr
ri.
UJT; eitli osilatr devrelerinde, zamanlama devrelerin de, tetikleme kayna olarak eitli
sistemlerde ve testere dii rete olarak bir ok uygulamalarda gvenle kullanlmaktadr.
Aadaki blmler de UJT'nin en ok kullanlan tip uygulama devresi anlatlmtr.
tla
Tek eklemli transistr (UJT)'nin en ok kullanlan uygulamalarndan birisi relaksasyon

osilatrdr. Bu devreye ilevinden tr kararsz (Astabl) anahtarlam devresi de denir. Bu
devrenin yaps ok basit ve frekans karall iyi olduu iin ok sk kullanlr. Bu osilatrde
alima frekans ok geni bir saha boyunca ayarlanabilir.
rs
no
Relaksasyon osilatr devresi ve dalga ekilleri ekil-4.3.a ve b'de grlmektedir. Devrede R1

ve R2 direnlerinin kullanlmas art deildir. Fakat bu direnler yardm ile VB1 ve VB2
iaretlerinin ktan alnmas gerekleir. R1 deeri maksimum 10-40 arasnda olmaldr.
Bu diren deerinin daha fazla olmas, UJT'nin negatif diren etkisini bozar. R2 direnci ise
belirtilen ilevinden baka, devrede scaklk deimelerinden dolay meydana gelecek
osilasyon kaymalarn nler. Ksaca kararll salar.
de
+VB B
em
.e
VE
VBB
VP
R2
VV
VB 2
VB1
T OFF
TON
Kaplan
co
m
VB 2
VB1
VBB
R1
ekil-4.3.a.b Relaksasyon osilatr ve dalga ekilleri

Devrenin almasn ksaca yle zetleyebiliriz. C1 kondansatr, R1 zerinden belli bir
srede VBB src geriliminden dolay arj olmaya balar. Kondansatr arj gerilimi (VE),
tepe noktas gerilimi (VP) deerine eritii anda UJT iletime geer. Bu anda C1 kondansatr;
emiter, R2 direnci ve ase yolu ile dearj olur. Kondansatrn dearj gerilimi, vadi gerilimi
(VV) deerine ulancaya kadar devam eder. Bu noktada UJT direnci RB1 artmaya balar ve
UJT kesime gider. Bu durumda C1 kondansatr tekrar ayn ekilde arj olmaya balar.
Bylece tek bir osilasyon tamamlanm olur. C1 kondansatrnn arj sresi, k gerilimi
VB1'in sfr olduu sreye eittir. arj sresi TOFF olarak tanmlanr.
TOFF = R C ln
V
1
D
1 VB1B2
formlnden hesaplanr. Burada; VB1B2, beyzler aras gerilimdir. Pek ok durumda

VB1B2>>VD olduundan VD/(VB1B2) terimi (1-) terimi ile karlatrldnda ihmal edilebilir.
Bu durumda yukarda ki forml ;
77
TOFF = R C ln
1
1
ri.
olur. n=0.7 olduunu kabul edersek,

TOFF=1.2(RC)
olur. TOFF zaman kondansatrn arj zamandr. Bu anda UJT kesimdedir. TON zaman ise
UJT'nin iletimde olduu sredir. Bu anda kondansatr dearj olmaktadr. Genellikle dearj
zaman (TON), arj zamanndan (TOFF) ok daha ksadr. Relaksasyon osilatrn frekans SE
yaklak olarak u formlden bulunur.
1
1
=
TOFF R C ln
tla
F=
1
1
no
Osilasyonu salamak iin aadaki artlar yerine getirmek gerekir.

VBB VP
> IP
R
VBB VV
< IV
R
de
rs
Formlden de grlecei gibi ilk art R direnci, IP tepe akmn besleyecek kadar kk
deerde olmaldr. Bu art salanmazsa UJT iletime gemeyecektir. Dier art ise, jonksiyon
zerinden vadi akmnn akmasna izin veren R direncinin minimum deere ayarlanmasdr.
Bu art yerine getirilmezse UJT iletim durumunda kalamayacaktr. Uygulamalarda
yukardaki artlar iin R direncinin geni bir snr deeri vardr. rnek artlar olarak;
2K R 2M
deerleri gsterilebilir.
Yukardaki aklamalardan grlecei gibi osilatr frekans, tepe noktas gerilimi VP'ye
bamldr. VP geriliminin ise scaklkla etkilendiini nceki blmde aklamtk. Devrede
scaklk etkisini azaltarak frekans kararlln salamak iin R2 direnci kullanlmtr. ekil4.3'deki devre de beyzler aras gerilime (VB1B2), R2 zerinde den gerilimin tesir ettii
grlebilir. (Genellikle R1<<R2 olduundan R1 ihmal edilebilir) R2 iin uygun bir deer
seilerek devre scaklk deimelerine kar kararl hale getirilebilir. R2 >> R1 ve RBB >> R2
varsayarak, R2 deeri;
em
.e
Kaplan
co
m
R2 =
0.31 R BB
VBB
formlnden hesaplanabilir. R2 iin rnek deerler 100 ile 500 deerleri arasdr.
Relaksasyon osilatrn dearj sresi; UJT'nin negatif diren karakteristii yardm ile tayin
edilir. Bu zellik bir dezavantajdr. Yukarda anlatlan bu devre ile bu sreyi kontrol etme
imkan yoktur. Bu sre her bir UJT'de farkldr.
b. Dearj Sresi Kontroll Gevemeli Osilatr
Gevemeli (Relaksasyon) osilatr devresinde arj sresinin R direnci yardm ile kontrol
edildii, dearj sresinin ise kontrol edilemedii anlatlmt. Bu uygulamada relaksasyon
osilatrn dearj sresi kontrol edilerek daha kullanl bir devre gelitirilmitir. Dearj
sresi kontroll relaksasyon osilatr devresi ve dalga ekilleri ekil-4.4.a.b'de izilmitir.
78
Kaplan
co
m
VC
+VB B
TOFF
VBB
VP
R2
R.C
V EON
0
R3.C
ri.
VE
VB2
VP
tla
D
VE
T ON
VB2
VBB
no
R3
ekil-4.4.a ve b Dearj sresi kontroll relaksasyon osilatr ve dalga ekilleri

Devrenin almasn ksaca anlatalm; Devreyi Thevenin teoremini uygulayarak
basitletirirsek, devrenin edeer gerilimi ve direnci;
R3
VBB
R1 + R2
rs
VTH =
RTH =
R R3
R + R3
TOFF = RTH C ln
VTH VE(ON )
VTH VP
VBB
Dearj sresi;
TON = R 2 C ln
VP
VE(ON )
Bu osilatrn k dalga biimleri ekil-4.4.b'de grlmektedir. B2 beyzindeki iaret kare

dalgadr. Belirtildii gibi bu osilatrde arj ve dearj (Ton-Toff) srelerini kontrol etmek
mmkndr.
.e
em
de
olur. Bu durumda C kondansatr, diyot ve RTH zerinden VTH gerilimine arj olur.
Kondansatr gerilimi VP deerine arj olduunda UJT iletime geer. Emiter gerilimi bu anda,
(VE(on)) deerine der. Bu gerilim, IE-VE karakteristiinin negatif diren blgesi ve yk
izgisinin kesime noktas ile tayin edilir. VP>(VE(on)) olduunda UJT ters polarize olarak
kesime gider. Bu durumda C kondansatr ancak R3 zerinden dearj olur. Kondansatr
gerilimi VE(on) deerine eritiinde diyot iletime geer ve kondansatrn arj daha sonraki
palste balar. Bylece D diyodu ve R3 direnci yardm ile dearj sresi kontrol edilmitir. arj
ve dearj sreleri aadaki formllerle hesap edilebilir. arj sresi;
79
c. Kararsz (astable) Multivibratr
Kare dalga retimi iin ok kullanlan bir kare dalga kl astabl multivibratr devresi ve
k dalga biimleri ekil-4.5.a ve b'de gsterilmitir.
+VB B
ri.
VE
VP
R
R1
VEON
tla
R2
C
V0
V0
V BB
VC
VE
no
rs
ekil-4.5 Astabl Multivibratr ve Dalga ekilleri
.e
em
de
Bu devrenin almasn ksaca yle zetleyebiliriz: Kaynak gerilimi devreye balandnda

diyot iletime geer ve kondansatr R1 zerinden VBB deerine arj olmaya balar. Diyot
zerindeki gerilim dm ihmal edilirse kondansatr gerilimi, emiter gerilimine (VE) eit
olur. Buna gre VC=VE'dir Emiter geriliminin deeri, VP deerini atnda UJT iletime geer
ve emiter gerilimi VE(on) deerine der. Emiter gerilimindeki bu d diyodun ters
polarmalanmasna sebep olur. Diyod'un iletimi durur. C kondansatr bu anda, Diyot
yeniden iletime geinceye kadar R2 zerinden arj olur. Emiter akm bu artlar altnda IV
deerinin altna der. Formle edersek;
Kaplan
co
m
VBB VE(ON )
< IV
R1
olur. Bu olaylar bir tam sayklda tamamlanr Daha sonraki saykl R1 zerinden C
kondansatrnn arj ile balar. Bu durumda arj ve dearj sreleri aadaki formlle
bulunur. arj sresi;
VE(ON )
TOFF = R 1 C ln VBB
VBB VP
Dearj sresi;
TON = R 2 C ln
VBB + VP VE(ON )
VBB VP
Monostabl (Tek kararl) multivibratrlerin (UJT ve BJT transistrleri bir arada olan tipler)
saykl sresi senkronizasyonlu (uyumlu) deiik tetikleme ve testere dii devrelerinin var
olduu unutulmamaldr.
80
4.2 PROGRAMLANABLR UJT (PUT)
ri.
Programlanabilir tek eklemli transistr (PUT), UJT'den gelitirilmi aktif bir devre
elemandr. alma bakmndan SCR ile benzerlik gsterir. Bu elemann en nemli zellii
tetikleme gerilimi seviyesinin, istenilen bir gerilim deerine programlanabilmesidir.
PUTun Yaps ve Sembol

PUTun Programlanmas
PUTun UJTye nazaran stnlkleri
PUT Uygulamalar
no
tla
Bu blmde aada belirtilen sra ierisinde PUTu tm ynleri ile tanyp uygulama
yeteneinizi gelitireceksiniz.
rs
PUT'un Yaps ve Sembol
.e
em
de
PUT'un yaps, Bilinen normal tek bileimli transistr (UJT)'den biraz farkllk gsterir. PUT
tpk tristr gibi 4 farkl yar iletken eklemin (PNPN) bitiminden olumutur. UJT'un yaps
ekil-4.6.a'da gsterilmitir. ekilden de grld gibi PUT, ulu bir devre elemandr.
Ular tristr gibi Anot (A), Katot (K) ve geyt (G) olarak isimlendirilmilerdir. Dikkat edilirse
tristr'den farkl olarak geyt ucu N tipi yar iletkene balanmtr. ekil-4.6.b'de PUT'un
transistrle gerekletirilmi edeer devresi izilmitir. ekil-4.6.cde ise PUTun ematik
sembol grlmektedir.
Kaplan
co
m
A
P
N
N
K
a) Yaps
a) edeeri
a) sembol
ekil-4.6.a.b.c. PUT'un Yaps, Transistr Edeeri, Sembol
PUTun Programlanmas
PUT'a harici direnler balayarak UJT'den daha ileri seviyede fonksiyonlar
gerekletirebiliriz. PUT'un anot-katot arasna uygulanan gerilim deeri, programlanan
tetikleme gerilimi (VP) seviyesini geerse PUT iletime geer. Eer anot-katot arasna
uygulanan gerilim, tutma gerilimi (VH) seviyesinin altna derse bu deere vadi noktas
gerilimi (Vv) denir. Vadi gerilimi deeri yaklak 1 volt olursa PUT kesime gider.
Yukarda anlatld gibi PUT'un iletime gemesi iin gerekli olan tetikleme gerilimi deeri
(VP) istenilen bir deere programlanabilir. PUT'un programlanabilmesi iin gerekli devre
balants ve karakteristii ekil-4.7'de verilmitir. Bu devrede grld gibi VP gerilimini
byk lde R2 ve R1 deerleri belirlemektedir.
81
V P = V AK =
R1
V S + VT
R1 + R2
tla
ri.
Bu forml kullanlan VT; PUT un denge gerilimidir. R1 ve R2 deerleri ayarlanarak VP deeri

istenilen bir gerilim deerine programlanabilir.
R2
no
VAK
VS
R1
rs
ekil-4.7 PUTun programlanabilmesi iin gerekli devre dzenei
PUT'un UJT'ye Nazaran stnlkleri

PUT'un tetikleme gerilimi (VP) istenilen deerde seilebilir. Oysa normal UJT'de VP
deeri bir tanedir. PUT'un tetikleme gerilimi programlanabilir ve besleme gerilimine
bal deildir.
Tetikleme akm (IP) ve tutma akm (IH) harici direnler ile geni bir saha ierisinde
ayarlanabilir.
de
em
.e
Kaplan
co
m
PUT iletim durumunda iken zerindeki gerilim dm 1.4 volt'dan daha az bir
deerdedir. PUT olduka yksek gerilim deerlerinde rahatlkla kullanlabilir.
PUT; Yksek gerilim altnda altnda geyt ucundan, anod ve katod ucuna akan
akm deeri ok kktr.(IGAo<10 nA)
PUT'un tetiklenmesi iin ok kk akm deerleri yeterlidir. Bu nedenle uzun

sreli tamamlayc devre tasarmlarnda da tercih edilir. (Pals reteleri)
PUT Uygulamalar
PUT pek ok eit devre uygulamalarnda kullanlmaktadr. PUT'la yaplan baz
uygulamalar yle sralayabiliriz. Pals reteleri, tek kararl multivibratrler, testere dii
reteler, metronom vb. belirtilen bu uygulamalardan bazlarn ksaca inceleyelim.
a- Pals reteci
PUT'un en ok kullanlan uygulama yerlerinin banda pals reteleri gelmektedir.
(Relaksasyon osilatr) ekil-4.8de PUTla yaplan bir relaksasyon osilatr devresi
grlmektedir. Bu devrede PUT un tetikleme gerilimi (VP), R1 ve R2 direnleri tarafndan
ayarlanr. Bu deer formlize edilirse;
VP =
R1
VS
R1 + R2
82
RG =
R1 R2
R1 + R2
yazlabilir. PUT iletime getiinde oluan IP akmnn minimum ve maksimum deeri IV

akm ve Rg deeri tarafndan tayin edilir. Rg deeri ise R1 ve R2 direnlerinin paralel
edeeridir. Bu deer retici kataloglarnda verilir.
ri.
Kondansatr gerilimi tepe gerilimi (VP) seviyesini at zaman PUT tetiklenir ve

kondansatr PUT zerinden dearj olur. Kondansatr dearj akm vadi akm (IV) seviyesini
geinceye kadar devam eder. Bu anda PUT kesime gider ve kondansatr tekrar arj olur. Bu
olay periyodik olarak tekrarlanarak devam eder. retilen sinyalin frekansn CT ve R3
elemanlarnn zaman sabitesi belirler.
( =R3CT)
tla
R4 ve R5 direnleri kondansatr dearj akmn snrlar. Bu direnlerin deeri kk

olmaldr. Devrenin zaman sabitesi;
=Zaman sabitesi=(R4+R5)xCT
de
rs
no
formlyle belirlenir. R4 ve R5 deerleri ayn zamanda pozitif ve negatif palslerin genlik

deerlerini ayarlamada kullanlr. Eer ktan tek pals alnacaksa R4 ve R5 direnlerinden
birisi kullanlmaz. Osilasyonun balamas iin R3 deeri nemlidir. R3 direnci, zerinden
geen akmn deerini belirler. R3 zerinden geen akm PUT tetikleme akm (IP) den byk
fakat vadi akm (Iv) dan kk olacak ekilde ayarlanmaldr. Bu ayar R3 ile yaplr.
R2
R3
VS
.e
em
3-70V
Kaplan
co
m
CT
R1
VC
R5
R4
VG
ekil-4.8 PUT'la gerekletirilen pals reteci
Devrenin osilasyon artlarn aadaki eitlik salar.

V VP
VS VV
< R3 < S
IV
IP
Bu eitlikte Vv=vadi noktas gerilimidir. Yaklak 1 volttur Vp=Tepe noktas gerilimidir. Bu
gerilim deeri;
VP =
R1
VS
R1 + R2
eitliinden de grld gibi R1 ve R2 direnleri ile ayarlanr. Devredeki Ip ve Iv akmlar da

bu direnlerin paralel edeeri ile belirlenir. Bu deer retici kataloglarnda (Rg) verilir. Pals
reteci 3-70 volt besleme gerilimlerin de alr. Besleme gerilim bu deerlerin dn da
olursa osilatr almaz. Devrenin zaman sabitesi kondansatrn sznt akm tarafndan
ayarlanr. Bunun nedeni pals reteci devresinin direncinin ok yksek olmasdr.
Kondansatrn arj akm, ilk andaki sznt akmna gre olduka yksek bir deerde
seilmelidir. Bu durum salanmazsa kondansatrn arj sresi uzar.
83
R2
10K
CT
10F
63V
R3
15
V0
+VS
6V
RT
60K-1M
tla
RT
60K-1M
R1
10K
CT
100F
63V
no
+VS
6V
ri.
ekil-4.9.a da uzun sreli bir zamanlayc devresi verilmitir. Bu devrede 10F deerinde bir
mika (MKL) kondansatr kullanlmtr. ekil-4.9.bde ise 100flk elektrolitik kondansatr
kullanlan ksa sreli bir zamanlayc devresi grlmektedir. Bu devrede kondansatrn
sznt akm 1A'den ok kktr. Bundan dolay devrenin zamanlama sresi nceki
devreden daha azdr. Zamanlama sreleri ekillerin yannda belirtilmitir.
R3
15
V0
R2
10K
R1
10K
rs
ekil-4.9.a ve b Ksa ve uzun sreli zamanlayc devreleri
b- Testere Dii reteci
de
nemli bir PUT uygulamas da testere dii reteci devresidir. Byle bir devre ekil-4.10'da
verilmitir. Bu devrede CT kondansatrnn arj akm bir transistor ile salanmtr. Bu
transistr sabit bir akm salayarak osilatrn testere dii geriliminin lineeritesini dzeltir.
.e
em
Devrede retilen sinyalin genlii P1 potansiyometresi ile yaklak 1 ile 10 volt arasnda
ayarlanabilir. P3 potansiyometresi ise retilen sinyalin frekansn (sresini) ayarlar. Bu
devrede geni bir frekans sahasnda sinyal retmek iin farkl CT deerleri kullanlabilir.
stenilirse bir anahtar kullanlarak eitli CT deerleri devreye eklenebilir.
Kaplan
co
m
Transistrn VBE gerilimini scaklktan etkilenmemesi iin D1 diyodu kullanlmtr. PUT

ofsett (denge) geriliminin scaklkla deiimi ise D2 ile minimuma indirilmitir. Devrenin
k akm kktr. Bu akm P3 emiter direnci ile ayarlanabilir. P3=20M iken I akm
1A'den ok kktr. Bundan dolay devre kna eer istenirse ykselte eklenebilir.
D1
D2
220K
R2
22K
D1=D2 =BAY61
180K
+15V
P3
20M
Q1
P1
100K
10K
V0
10
CT
ekil-4.10 PUT'la yaplan testere dii rete devresi
84
c- PUT'la Bir Tristrn Tetiklenmesi
ri.
PUT'la bir tristrn tetiklenmesi iin gerekli tetikleme devresi ekil-15.5'de izilmitir. Bu
devrede tristrn tetiklenmesi iin kondansatrn dearj palsi PUT zerinden tristre
dorudan doruya uygulanmtr. 1 M'luk potansiyometre ile kondansatrn arj akm
ayarlanarak arj sresi belirlenir. Kondansatr arj gerilimi PUT tetikleme seviyesine
eritiinde PUT iletime geer. Bu anda kondansatrn dearj akm tristr tetikler. Zener
diyot kontrol devresinin (tetikleme devresi) gerilimini snrlar ve negatif yarm saykl
esnasnda kondansatrn dearjn engeller.
tla
Bu devrede giriten uygulanan (kontrol edilen) AC gerilim yerine DC gerilim uygulanrsa

uzun sreli zamanlayc olarak kullanlabilir. Bu durumda eleman deerlerini yeniden
dzenlenerek istenilen zaman gecikmesi salanabilir.
no
ekil-4.11'de PUT ile yaplan bir metronom devresi grlmektedir. Bu devre pals retecinin
basit bir uygulamasdr. 1M'luk potansiyometre ile devrenin frekans 30Hz ile 240Hz
arasnda ayarlanabilir. kta 4'luk bir hoparlr kullanlmtr.
em
de
rs
RT
1M
3.3F
16V
2K7
+15V
47K
15
HOP
ekil-4.11 PUT'la yaplan metronom devresi
4.3 SCR (Tristr)
.e
Kaplan
co
m
lk SCR (Silikon contrelled rectifiers: Slikon Kontroll Dorultucular) 1957 ylnda

Amerika'da general elektrik firmas tarafndan retilmitir. Yap olarak transistrn daha
gelimi bir modeli olarak kabul edilir. SCR'ler yksek akm ve gerilimlerin kontrolnde,
yksek gl anahtarlama devrelerinde ska kullanlrlar. En nemli avantaj g
kaybnn olduka az olmasdr. Elektronik piyasasnda SCR, tristr olarak da
adlandrlmaktadr.
Bu blmde aada belirtilen sra ierisinde SCRyi tm ynleri ile tanyp uygulama
yeteneinizi gelitireceksiniz.
SCRnin Yaps ve Sembol

SCRnin alma Biimleri
SCRyi Tetikleme Yntemleri
SCRnin V-I Karakteristikleri ve Parametreleri
85
SCRnin Yaps ve Sembol
Tristr; 4 adet bipolar yar iletken PN ekleminden olumu ulu aktif bir devre
elemandr. Tristr, yar iletken devre elemanlar ailesinden SCR grubuna dahildir. ekil4.12.a.b ve c'de tristrn yaps, transistr edeeri ve ematik sembol grlmektedir.
A
ri.
P
N
IC2
IC1
tla
a) Yaps
b) edeeri
no
c) sembol
ekil-4.12. a.b.c Tristrn yaps, transistr edeeri, ematik sembol
.e
em
de
rs
Tristr'ler genellikle 3 ulu retilirler. Her bir ucu ilevlerinden tr katod, anot ve geyt
olarak adlandrlmaktadr. Drt uca sahip olan tristrler de vardr. Bu tiplerde iki adet geyt
ucu bulunmaktadr. Ayrca a duyarl olarak alan ve LASCR olarak adlandrlan SCR
eitleri de bulunmaktadr. SCR'ler diyot gibi sadece tek ynde akm geirirler. ift ynl
akm geiren SCR'lere ise Triyak denir. Kullanm alanna ve amacna bal olarak yzlerce
farkl tip ve boyut da tristr retimi yaplmaktadr. ekil-4.13'de rnek olarak birka farkl tip
ve boyut da tristr grntleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ekil-4.13 eitli tip ve glerdeki tristrlerin grnm
SCRnin alma Biimi

SCR'ler; gereksinime gre iletimde veya kesimde altrlrlar. SCR iletimde altrldn
da; anot-katot terminalleri arasndaki diren ok dktr ve birka ohm civarndadr. Bu
alma eklinde; SCRnin Anot-Katot terminali kapal bir anahtar gibi dnlebilir.
SCR kesimde altrldnda ise; anot-katot terminalleri arasndaki diren ok yksektir. Bu
deer; 10 Mdan yzlerce Ma kadar olabilir. Bu alma eklinde; SCRnin anot-katot
terminalleri aras ak bir anahtar olarak dnlebilir. Bu durum ekil-4.14de sembolik
86
+V
R
+V
R
+V
I=0A
A
V G=0
+V
ri.
IG=0
IG
b) SCR iletimde
tla
a) SCR kesimde
ekil-4.14 SCRnin alma biimleri
no
SCRnin iletim ve kesimde almasndan yararlanlarak pek ok endstriyel uygulama

gerekletirilir. SCRyi iletimde veya kesimde altrmak iin farkl yntemler
kullanlmaktadr. Aada bu yntemler anlatlmtr.
rs
SCR'yi Tetikleme Yntemleri
.e
em
de
SCRnin tetikleme yntemlerini belirlemek iin transistr edeerinden yararlanlr. PNP tipi
bir transistrle, NPN tipi bir transistr ekil-4.12.b'de grld gibi bir arada balanrsa
teorik olarak bir SCR oluur. Bu devre SCR'nin almasn irdelemek asndan nemlidir.
Bu devrede SCR akm;
Kaplan
co
m
I=
I CB01 + I CB02
1 ( 1 + 2 )
I=
2 I C ( 1 + B1 )
1 ( 1 + 2 )
yazlabilir. Bu formlde ICBO1 ve ICB02 transistrlerin sznt akmlardr. 1 ve 2 ise akm

ykseltme katsaylardr. (=IE/IC), Akm ykseltme katsaylarnn olduka kk olduu
bilinmektedir (1+2=1). Sznt akmlarnn bu durumda ok kk olaca aktr. Sznt
akmnn ok ok kk olmas bir dezavantajdr. Bundan dolay akm ykseltme
katsaylarnn 1'e yakn olmas istenir.
Akm amplifikasyon katsaylarnn (1 ve 2) dorudan doruya jonksiyonlara bal olduu

aktr. Bu nedenle SCR iletimde veya kesimde altrmak iin gerekli olan tetikleme
metotlar yukarda ki balant ve devrelerden yararlanarak gelitirilebilir. SCR'yi iletime
veya kesime srmek iin belli bal bir takm yntemler vardr. Bu yntemleri aadaki gibi
sralayabiliriz.
1. Transistr eklinde altrma metodu:
Bilindii gibi bir transistrde beyz akm artarken, emiter akmda beyz akmna bal olarak
artar. SCR'de ayn ilem geyt ucu ile gerekletirilir. SCR'de geyte ileri ynde bir akm
uygulanrsa SCR iletime geer. Bu anda akm art 1+2=1 deerine erimelidir (1+2=1
deeri, akm iletimini devam ettiren deerdir). SCRyi tetiklemede kullanlan en popler
metot budur.
87
Kaplan
co
m
2. Anot ile katot arasndaki gerilimi artrma metodu:

Bu metot da SCR'nin anot ile katodu arasna yksek bir gerilim uygulanarak SCR'nin iletime
gemesi salanr. Bu ilem yapldnda jonksiyonlarda kuvvetli bir elektrik alan oluur. Bu
sayede gerilim seddi alarak, jonksiyonlardaki akm aknda bir art salanr. Bu akm
deeri iletimi devam ettiren 1+2=1 deerine eriitiinde SCR, kesimden iletime geer.
tla
ri.
3. Frekans artrma metodu:

Anot ile katot arasna uygulanan gerilimde hzl bir deime yaplrsa SCR iletime geer.
SCR'nin jonksiyonlar bir yere kadar kondansatr gibi davranrlar. Anoda bir gerilim
uygulandnda, bu gerilim bir deiime neden olur ve jonksiyon kapasitelerini arj eden bir
arj akm meydana gelir. Bu akmn deeri i=(v/t) formlnden hesaplanr. Eer gerilim
deiimi (v), ksa bir sre iinde (t), meydana gelirse, SCR kesimden iletim durumuna
geer.
no
4. Scakl artrma metodu:

SCR'nin alma ortam scakl artrldn da SCR jonksiyonlarndaki akm tayclarn
says artacaktr. Bu ise SCR'nin kesimden iletime srlmesini salar.
rs
5. Ikla altrma metodu:

Baz tip SCR'ler a kar duyarldrlar. Bu tip SCR'lere LASCR denir. k enerjisinin
uygulanmas sonucunda oluan radyasyon, Akm tayc iftlerinin serbest braklmasna
neden olur. Bu ise jonksiyon iinden geen akmn artmasn salar. Bylece SCR'nin iletime
gemesi salanr.
de
Yukarda anlatlan yntemler iinde en ok kullanlan ve en verimli SCR tetikleme metodu;

transistr eklinde yaplan tetikleme yntemidir.
SCR'nin almasn daha iyi anlayabilmek iin SCR karakteristiklerinden faydalanacaz.

ekil-4.15'de SCR'nin akm-gerilim (I-A) karakteristii grlmektedir. Devrede geyt ucu ak
devre yapldnda veya anot katot arasna ters polarmada bir gerilim uygulandnda SCR
kesim durumundadr. Bu halde SCR seri bal birbirine ters iki diyot gibi davranr. Bundan
dolay SCR zerinden ok kk bir sznt akm akar. Bu durum karakteristik zerinde (A
ve B noktalar arasnda) gsterilmitir. Bu blge ters tutma blgesi olarak bilinir. VROM
noktasnda zener krlma olay meydana gelir. Bu durum SCR'yi tehlikeye sokar. Bu limite
ulalmamaldr.
.e
em
SCR Karakteristikleri
88
+IA
+V
tla
V FOM
IH
VROM
-VA K
ri.
VA K
+V
no
-IA
rs
ekil-4.15 SCR Akm-Gerilim Karakteristikleri
de
SCR'nin anot-katot arasna doru polarma uygulanp, geyt ucu bota brakldnda yani
tetikleme yaplmadnda SCR iletimde deildir. nk geyt ters polarma kabul edilir.
Geyt'in bal olduu jonksiyonundan bir sznt akm geer. Bu blge karakteristik de B ile C
noktalar arasdr. Bu blgeye ileri yndeki tutma blgesi denir.
.e
em
J2 jonksiyonundaki byk ters polarma deeri (V(BR)FX) maksimum krlma gerilimi noktasn
belirler. Uygulanan gerilim bu deere ulatnda SCR iletime geer ve zerinden byk bir
akmn akmasna imkan verir. Bu akm sadece devredeki R direnci ile snrlanabilir. SCR
iletime getii anda, zerinden geen akmda byk bir art, zerine den gerilimde ise
byk bir d gzlenir. Bu durum SCR iletime getii anda negatif diren etkisi
gsterdiini kantlar. Bu durum karakteristikte C ve D noktalar arasnda belirtilmitir.
Kaplan
co
m
SCR karakteristiinde grld gibi alma noktas VFOM noktasndan E noktasna

ulatnda SCR artk negatif diren blgesinden km ve tamamen iletken olmutur. Bu
noktada SCR zerinden geen akmn deeri yaklak olarak;
I=
V 0.8V
R
deerindedir.
SCR'yi yeniden kesime gtrmek iin IA akmn "Tutma akm=IH" deerinin altnda bir
seviyeye drmek gerekir. Bu durum ancak kaynak gerilimi (V) azaltlarak yada SCR
yaltma geinceye kadar ierisinden ters ynde bir akm geirerek gerekletirilir. SCR iletim
durumuna getikten sonra geyt kontroln kaybeder. Bundan dolay SCR'yi tetiklemek iin,
geyte srekli bir akmdan ziyade ksa bir pals uygulamak yeterlidir. Bylece gereksiz g
harcamas nlenmi olur.
SCR Parametrelerinin Tantlmas:

Bu blmde retici firmalarn hazrlam olduklar kullanm kataloglarnda belirtilen baz
nemli parametrelerin anlamlar ve alabildikleri deerler sra ile tantlmtr.
VROM (Ters Tepe Gerilimi): Bu gerilim, SCR zarar grmeden, SCR'ye uygulanabilecek ters
polarma geriliminin maksimum deeridir. retici firmalar bu deeri kataloglarnda
tanmlarlar. Bu parametre, bazen AC gerilimlere veya ani gerilim deerlerine gre de
89
verilebilir.
ri.
VFOM (Doru Polarmada Tepe Tutma Gerilimi): SCR iletim durumunda iken alabilecei
maksimum ani ileri n gerilimi deeridir. Bu parametre bir ka ekilde tanmlanabilir. Bazen
geyt ak devre olduu durumda, bazen de geyt ile katot arasndaki direnle birlikte
tanmlanr. (VRRM)
tla
IF(AV) (Ortalama leri Yn Akm): Bu parametre iletim esnasnda SCR ierisinden gemesine
izin verilen maksimum DC akm deeridir. Bazen bu akm deeri etkin deer olarak da
verilebilir.
no
IRx-IFx (Ters ve leri yndeki maksimum Sznt Akmlar): Bu parametre SCR'nin sznt
akm deerlerini belirtmede kullanlr. Bu deerler retici kataloglarnda verilirler. Bu
parametre genellikle tepe deerlerine gre verilir. "x" geyt ile katot arasndaki k
empedans durumunu gsterir.
IGT (Geyt Tetikleme Akm): Bu akm, verilen bir anot geriliminde SCR'yi tetiklemeyi
garanti eden maksimum geyt akm deeridir. retici firmalar bu akmn deerini Yk
direnci ve anot-katot gerilim deeri ile birlikte verirler. Verilen bu deerler tetiklemenin
garanti edildii minimum deerlerdir.
de
rs
VGT (Geyt Tetikleme Gerilimi): Geyt giri akm IGT deerinde iken ve SCR tetiklenmeden
nce meydana gelen maksimum geyt gerilimidir. Bu gerilim scakla baldr. 250C'de 0.6
volt, 1000C'de ise 0.3 volt civarndadr.
VGRM (Ters Tepe Geyt Gerilimi): SCR'nin zarar grebilecei geyt terminaline uygulanan
ters gerilimin maksimum deeridir.
.e
em
PGM (Maksimum Geyt Gc): zin verilen ani g harcamasnn maksi-mum deeridir.
Bazen bu deer ortalama olarak da verilebilir (PG(AV)).
Kaplan
co
m
IH (Tutma Akm): SCR'nin iletimine sebep olan deerin hemen altndaki akm deeridir. Bu
deer SCR'yi kesimde tutan snr deeridir. retici firmalar ayn tip btn SCR'ler iin
gerekli maksimum tutma akm deerini verirler. rnein, tutma akm deeri IH=5mA
verilmi ise, bu durumda 5mA'in altndaki btn akm deerlerinde SCR kesim
durumundadr.
dv/dt (Akm Art Hz): SCR iletim durumunda alrken anot geriliminde zamana bal
olarak meydana gelebilecek maksimum art hzn belirtir.
Buraya kadar tanmlanan SCR parametreleri en ok kullanlan parametrelerdir. Bunlara ek
olarak zel artlar altnda almalar iin farkl bir takm parametrelerde retici kataloglarn
da verilebilirler. Bu parametreler laboratuar almalarnda eitli lme devreleri
kullanlarak llebilir. SCR iki alma ekline sahip devre eleman olarak dnlmelidir.
Bunlardan biri kesim, dieri ise iletim durumudur. Bu iki alma durumu arasndaki gei
zaman ok ksadr.
90
4.4 SCR UYGULAMALARI
ri.
Bir nceki blmde SCR karakteristiklerini ve parametrelerini tandk. letim ve kesim

olmak zere iki temel alma ekli olduunu rendik. SCRyi iletimde veya kesimde
altrmak iin gerekli artlar inceledik. Artk SCR ile endstriyel uygulamalar
yapabiliriz.
tla
SCRnin en temel ve belirgin kullanm alan ac ve dc g kontroldr. Bu blmde aada

belirtilen sra ierisinde SCR ile gerekletirilmi temel uygulamalar inceleyip analizini
yapacaz.
no
SCR ile Faz Kontrol

Faz Kontrolnde Tetikleme Yntemleri
SCR ile eitli Uygulama Devreleri
de
rs
Pek ok uygulamada SCR'nin tercih edilmesinin en byk sebebi alak g kaybdr.

Bundan dolay SCR; g kontrol, s kontrol, motor hz kontrol, k karartma kontrol
gibi birok endstriyel uygulamada rahatlkla kullanlmaktadr. SCRlerin balca kullanm
alanlarn aadaki gibi sralayabiliriz.
Alak frekanslarda alan sistemlerde g transistr yerine baaryla kullanlr.

Elektromekanik devrelerde; anahtarlarn, alterlerin, rlelerin ve reostalarn btn
eitleri yerine kullanlr.
Koruyucu devrelerde, sigorta ve devre ac, kesici yerine kullanlr.
G amplifikatr devrelerinde, magnetik amplifikatr yerine kullanlabilir.
em
.e
Yarm Saykl Faz Kontrol
Kaplan
co
m
SCR'nin en temel almas faz kontrolnde belirginleir. AC iaretlerin kontrolnde SCR

ideal bir devre elemandr. AC iareti belirlenen bir faz asnda SCR tetiklenerek g
kontrol yaplabilir. SCR geytini tetiklemek artyla tek ynde akm geiren bir devre
elemandr. Bundan dolay SCR, AC alma da sadece tek bir alternansta (1/2 saykl)
iletimde tutulabilir. Uygun bir tetikleme devresi kullanlarak SCR'nin iletim asn yarm
saykl sresince (00-1800) denetlemek mmkndr.
Uygulamalardaki baz snrlamalar nedeniyle tetikleme as daha da kktr. Yarm saykl

kontrol metodunda g kaynandan alnan mevcut gcn ancak yars kontrol edilip yke
transfer edilebilir. Kaynaktaki mevcut gcn yars ise hi kullanlmamaktadr. Bu bir
dezavantajdr. Bu durum ekil-4.16da gsterilmitir. ekilde belirtilen taral alanda SCR faz
kontrol yapmaktadr.
VA K
V
Yk
0
A
0
Tetikleme
Devresi
ekil-4.16 Yarm Saykl Kontrol metodu ve k dalga biimi
91
ri.
Yarm saykl kontrol metodunda mevcut olan dier yarm saykln kullanlmad
grlmt. Pozitif yarm saykln faz as kontrol SCR ile salanmaktayd. ekil-4.17de
grlen kontrol metodunda ise negatif alternans bir D diyodu vastasyla yke transfer
edilmitir (Negatif yarm sayklda SCR kontrol yapmaz). Bu metotda yke transfer edilen
gc, tam gten yarm gce kadar ayarlamak mmkndr. G kontrol as ekil-4.17'de
AC k sinyali zerinde taral alanda gsterilmitir.
VAK
Yk
no
Tetikleme
Devresi
tla
ekil-4.17 Yarm saykl kontroll tam saykl iletim ve dalga ekilleri
Tam Saykl Faz Kontrol
em
de
rs
Tam saykl kontrol metodunda AC sinyalin her iki yarm saykl da kontrol edilebilir.
Bundan dolay yke uygulanan ac gerilimi veya yk zerinden geen ac akm 00 dan 3600
ye kadar kontrol etmek mmkndr. SCR ile tam saykl g kontroln gerekletirmek iin
ekil-4.18de grlen kpr diyot. devresi kullanlmtr. Kpr diyot devresi ac gerilimi
dorultarak SCRye uygulamaktadr. Bu sayede tristr btn alternanslarda doru
polarmalandrlm olur. Yk zerinde oluan gerilim ise SCR ile kontrol edilmi AC
sinyaldir.
VA K
Yk
4xD
.e
Kaplan
co
m
0
Tetikleme
Devresi
ekil-4.18 Tristr ile yaplan tam saykl kontrol Metodu
Faz Kontrolde Tetikleme Metodlar

Faz as kontrol devrelerinde SCR tetikleme devresi blok olarak gsterilmiti. Bu blmde
SCRyi tetiklemek iin kullanlabilecek tetikleme devrelerini ayrntlar ile inceleyeceiz.
SCRyi tetiklemek iin bir ok yntem mevcuttur.
Tam dalga faz kontrolnde kullanlan direkt tetikleme metodu ekil-4.19 gsterilmitir.
Fakat bu devre ile tetiklenebilecek faz as 900 ile snrldr. Bu durum ac iaret zerinde
gsterilmitir. ekildeki devrede D1 diyodu, SCRnin geyt-katot arasn ar bir ters
gerilimden korur. P1 potansiyometresi ise SCR ateleme asnn 00-900 lik bir saha ierisinde
ayarlanmasn salar.
92
Yk
VA
c
b
a
ri.
ekil-4.19 SCR'nin bir ayarl diren ile tetiklenmesi ve kontrol alar
no
tla
Potansiyometre minimum pozisyonda iken SCR tetiklenmez. ekil-4.19da mmkn

olabilecek ayr durum ac iaret zerinde gsterilmitir. Burada a,b,c erileri P1
potansiyometresi ile yaplabilecek ayar gstermektedir. a ayarnda tetikleme ilemi
yoktur. SCR tetiklenemedii iin kesimdedir. b ayarnda ise tetikleme 900 de meydana
gelmektedir. c ayarnda ise tetikleme ok kk bir faz asnda meydana gelmektedir.
de
rs
Ayarl diren kullanlarak yaplan tetikleme devresinde, tetikleme asnn kk bir sahada
yaplabildiini grdk. Tetikleme asnn daha geni bir alanda yapabilmek iin ekil4.20deki tetikleme devresi kullanlabilir. Bu devrede C kondansatr tetikleme asnn
geniletilmesinde nemli bir ilev yklenmitir. C kondansatr her alternansta tetikleme
gerilimine arj olur. Kondansatr gerilimi, SCR tetikleme gerilimi VGT deerine ulatnda
D2 ve SCR zerinden dearj olur. D1, SCRyi ar ters gerilime kar korur. P1, Cnin arj
sresini ayarlamada kullanlr. Bu ise ateleme asnn ayarlanmasn salar.
.e
em
Kaplan
co
m
I
Yk
SCR
D2
P1
D1
ekil-4.20 SCRnin kondansatr kontroll tetiklenmesi
Yukarda anlatlan her iki metod da SCR tetikleme alar, dorudan doruya kontrol
edilecek olan giri gerilimine ve SCR'nin tetikleme gerilimine baldr. Bu ballk kararsz
almay dourur. Ayrca eitli devre elemanlar iin anormal deerler gndeme gelebilir.
Uygulamada en ok tercih edilen tetikleme metodu, SCR'yi bir UJT ile tetiklemektir. Byle
bir yarm dalga faz kontrol devresi ekil-4.21'de gsterilmitir.
Bu devrenin almasn ksaca zetleyelim. C1 kondansatr P1xC1 zaman sabitesine bal
olarak UJT krlma gerilime arj olur. Kondansatr gerilimi UJT krlma gerilimi deerine
ulatnda UJT iletime geer. UJT iletime getiinde R1 zerinde bir tetikleme pals
oluturur. Bu tetikleme palsi R3 ile SCR geytine uygulanr. R2 akm snrlaycdr. UJT'yi ar
akmlardan korur. Eer kaynak gerilimi VS ok yksek ise, tetikleme devresine uygun bir
zener balanarak UJT korunur ve gerilim reglasyonu salanr.
93
Kaplan
co
m
R4
Yk
R2
ri.
P1
R3
tla
R1
no
ekil-4.21 UJT'li yarm dalga faz kontrol
de
rs
ekil-4.22'de ise ok kullanlan UJT kontroll tam dalga faz kontrol devresi izilmitir. Bu
devrede kpr, faz kontrol devresindeki SCR ye dorultulmu ileri ynde bir gerilim besler.
Bylece SCR her iki alternansta da faz kontrol yapabilir. Devredeki zener diyot UJT
besleme gerilimini sabit bir deerde tutar. Bu devrenin almas ekil-4.21'deki devre ile
benzerlik gsterir. Devrenin almasnda oluan eitli gerilimleri ekil-4.22de grafiksel
olarak gsterilmitir. Grafikte kullanlan sembollerin anlamlar aada belirtilmitir.
V
Yk
R4
em
ebeke gerilimi
V BB
R2
VZ
R3
.e
P1
Geyt gerilimi
VG
VL
R1
UJT gerilimi
VX
VP
C1
Yk gerilimi
ekil-4.22 UJT'li Tam Dalga Faz Kontrol ve Dalga ekilleri
VBB=Zener diyot tarafndan snrlanan ve regle edilen UJT besleme gerilimi.

VP=UJTnin emiter krlma gerilimi (Bu deer VBB gerilimine baldr.)
V2=Kondansatr arj gerilimidir.
=Tetikleme as (Bu deer P1C1 zaman sabitesine baldr.)
V=Faz asnn kontrol edilmesi istenen giri gerilimidir.
VL=Kontrol edilen yk gerilimidir.
Bu devrede senkronizasyon, C1 kondansatr yardmyla gerekletirilir. Kondansatr
gerilimi, SCR tetiklendiinde SCR zerinden dearj olur. Bu durum her sayklda tekrarlanr.
94
4.5 TRYAK VE DYAK
ri.
Triyak, slikon kontroll redresr grubuna dahil bir devre elemandr. Triyak, gerekte ift
ynl bir SCR'dir ve SCR'den yararlanarak gelitirilmitir Endstriyel uygulamalarda ve
g kontrolnde ok kullanlr. Alternatif akm ve gerilim beslemeli g kontrolleri triyakn
en nemli uygulama alanlardr.
tla
Diyak ise ift ynl tetikleme diyotu olarak tanmlanr. SCR snfna dahil aktif bir devre
elemandr.
Bu blmde aada belirtilen sra ierisinde bu devre elemanlarn tm ynleri ile
tanmlayp eitli uygulamalar gerekletireceiz.
rs
no
Triyakn Yaps ve Sembol

Triyak Tetikleme Yntemleri
Triyak Karakteristikleri
Triyak Parametrelerinin Tantm
Diyak
Diyakn Akm/Gerilim Karakteristikleri
Triyak ve Diyak Uygulamalar
de
Triyakn Yaps ve Sembol
.e
em
nceki blmde SCR'nin nasl yapldn grmtk. Bilindii gibi SCR drt adet P ve N
eklemlerinin bir araya getirilmesinden olumutu. Triyak da benzer ekilde be adet P ve N
ekleminin bir araya getirilmesi ile yaplr. Triyakn genel yaps, tristr edeeri ve ematik
sembol ekil-4.23de srayla verilmitir. Triyak iki ynl bir SCR gibi alr ve simetrik
yapl aktif bir devre elemandr. Triyak; tpk SCR gibi tetikleme sinyallerinin kontrol
altnda, byk gerilim ve akmlar kontrol etmekte kullanlr. Anot-1, Anot-2 ve geyt olmak
zere adet terminale sahiptir. Geyt, tetikleme terminalidir.
A1
N
A1
A1
N
P
Kaplan
co
m
G
N
G
N
A2
A2
A2
a) yaps
b) SCR edeeri
c) sembol
ekil-4.23.a.b.c Triyak'n yaps, SCR edeeri ve ematik sembol

Triyak, alternatif akmda alternatif sinyalin tam sayklnda (00-3600) faz kontrol yapabilir.
Bu ise ideal bir g kontrol demektir. G kontrol eleman olarak triyak kendisine edeer
olan rle ile karlatrldnda yksek hz ve ekonomiklii ile daha avantajldr. Ayrca
triyakn rle gibi kontaklar olmadndan sessiz alr ve herhangi bir ark oluturmaz.
Triyak; aydnlatma ve stma sistemlerinde, motor devir ve hz kontrol devrelerinde gvenle
kullanlr. Simetrik bir devre elemandr. Bu nedenle minimum distorsiyon altnda AC
95
devrelerde ift polarmal olarak alabilir. Gerek ebeke, gerekse atmosferden szabilecek
parazitlerden etkilenir. Triyakla ac iaretin her iki alternansnda kontrol yapabilir.
Triyak' Tetikleme Yntemleri
ri.
Triyak yksek frekanslarda iyi bir alma karakteristii gsteremez. Uygun alma frekans
sahas 50 Hz'den 400 Hz'e kadardr. Daha yksek frekanslarda altrlmamaldr.
no
tla
Triyak'n iki anot ucu (A1, A2) ve tek bir geyt ucu vardr. Geyt (G) ve ikinci anot
parametrelerinin her ikiside A1 anot ucu referans alnarak llr. Triyak, balca drt
tetikleme yntemi ile tetiklenebilir. Tetikleme, A2 ve G parametrelerine gre drt kordinant
blgesin de gerekletirilir.
I.BLGE: Bu tetikleme blgesi; A1 anoduna gre A2 ve geyt'in her ikisininde pozitif olduu
I.kordinant blgesindeki alma eklidir. En ok kullanlan tetikleme yntemi budur.
(+A2,+IG), (I+)
II.BLGE: Bu tetikleme blgesi; A1 anoduna gre A2 anodu negatif, geytine ise pozitif
polarite uygulanan II. koordinat blgesindeki alma eklidir. (-A2,+IG).
rs
III.BLGE: Bu tetikleme blgesi; A1 Anoduna gre A2 anodu ve geyt ucunun her ikisine de
negatif polarite uygulanan III. koordinat blgesindeki alma eklidir. (-A2,-IG)
de
IV. BLGE: Bu alma blgesinde A1 anoduna gre; A2 anoduna pozitif geyt'ine ise negatif
polarite uygulanan IV. koordinat blgesindeki alma eklidir. (+A2,-IG)
em
Uygulamalarda en ok tercih edilen ve kullanlan I. koordinat blgesi iindeki alma

metodudur. Triyakn belirtilen drt ayr blgede almas ekil-4.24 zerinde ksaca
zetlemitir. Dikkatlice inceleyiniz.
.e
I. BLGE
+
A1
GEYT +
Kaplan
co
m
-V
-V
RL
RL
RL
RL
II. BLGE
+
A1
GEYT -
P
N
RG
+V
+V
0V
+V
0V
-V
P
N
RG
III. BLGE
A1
GEYT +
P
P
+V
0V
IV. BLGE
A1
GEYT -
RG
0V
-V
P
N
RG
ekil-4.24 Triyak'n tetiklenme blgeleri ve almas

retici firmalar genellikle geyt tetikleme akm deerini bu alma blgesi iin verirler. Bu
blgede tetikleme akm deeri dier blgelere gre olduka dktr. Bir blge iin verilen
tetikleme akm dier blgeler iin triyak tetikleyecek akm deeri deildir. Bu deer her
blge iin ayr olabilir. Tetikleme genellikle bir palsle yapld iin, tetikleme pals esnasnda
geyti tetikleyecek yeterli enerjiyi beslemek iin akm deeri katalogda verilen deerde
olmaldr.
Triyak kontroll g devrelerinde genellikle endktif yklerde kullanlmaktadr. Bu
durumda triyakn tetikleme palsi genilii, Lenz Kanunundan dolay biraz daha geni
tutulmaldr.
96
Triyak Karakteristikleri
Triyakn almasn daha iyi anlayabilmek iin akm-gerilim (V-I) karakteristiinin izilmesi
gerekir. Triyakn V-I karakteristii ekil-4.25de verilmitir.
tla
ri.
A1 ile A2 arasndaki gerilimin bir fonksiyonu olarak triyak ierisinden geen akmn deerini
karakteristikteki eri vermektedir. Karakteristikte grlen VB0 deeri, triyakn yksek
empedansl bir blgeden dk empedansl bir blgeye kadar alt ksmda herhangi bir
andaki gerilim deeridir. Bu gerilim deerinden sonra triyak iletime geer. Bu gerilimden
sonraki kk bir artta, triyak akm (IA), ani ve keskin bir artma gsterir.
+IA
+V
no
RL
IH
-VB O
rs
-VA K
+VB O
VA K
+V
.e
em
de
RL
Kaplan
co
m
-IA
ekil-4.25 Triyak'n akm-gerilim karakteristii
Triyakn iinden geen akm (I), tutma akm (IH) deerinin altna dnceye kadar triyak
iletimde kalr. Triyak akmn IHnn altna drmek ve kesime gtrmek iin kaynak
gerilimini sfra yakn bir deere drmek gerekir.
Triyak geyt ucu sayesinde bir kere tetiklendiinde geyt sinyali artk triyak iinden geen
akm kontrol edemez. Geyt sinyali, geyt ucundan genellikle ksa bir pals olarak verilir. Geyt
ucuna srekli bir sinyal uygulamak gerekmez. Geyte srekli sinyal uygulanmasndan
kanlmaldr. Srekli sinyal geyt devresinde ar snmaya neden olarak triyak bozabilir.
Karakteristie bakldnda III. blgedeki erinin de I. blge ile ayn olduu grlr. Bu
blgede tiryaka uygulanan gerilimlerinin polariteleri I. blgeye gre terstir. Bu durum
tetikleme ekilleri blmnde anlatlmt. Her iki blgedeki karakteristiklerin ayn olmas
triyakn simetrik zelliinden olduu unutulmamaldr.
Triyak Parametrelerinin Tantm

retici firmalar, triyak kullanclar iin eitli karakteristik deerleri kataloglarnda
belirtirler. ok kullanlan baz karakteristik deerler bu blmde anlatlmtr.
IH (Tutma Akm): Triyakn iinden geen akm, IH deerinin altna dtnde triyak
kesime gider. retici firmalar kataloglarnda, hibir yardmc eleman kullanlmadan triyak
kesimde tutan IH deerini belirtirler. rnein tutma akm 10 mA olarak verilmise; bu triyak
10 mA'in altndaki hatta biraz daha stndeki IH deerlerinde kesimdedir.
97
PGM (Maksimum Geyt G Harcamas): Bu deer geytteki maksimum ani g harcamasn

belirtir. Genellikle geyt g harcamas (PG(AV)) olarak da belirtilir.
ri.
VIT (Geyt Tetikleme Akm): Triyakn belirtilen (verilen) bir anot gerilimi altnda ve
belirtilen bir alma scaklnda tetiklenebilmesi iin izin verilen maksimum geyt akmdr.
rnek olarak VD=12 volt, TC=250C, Imax=10 mA
VGT (Geyt Tetikleme Gerilimi): retici kataloglarnda tetikleme gerilimi iin izin verilen
maksimum geyt tetikleme gerilimi deeridir. Genellikle 250C lik bir ortam iin verilir.
tla
dv/dt (Kesimdeki alma Gerilimi Artnn Oran): Bir triyak iletimde deilken izin
verilen maksimum anotlar aras gerilim art oran V/s cinsinden tanmlanr. Bu deer
kataloglarda 100 0C iin verilir.
no
VDROM (AC'deki Kesim Tepe Gerilimi): Bu deer retici tarafndan belirlenen triyaka
uygulanabilecek ters gerilimin maksimum deeridir. Bu deerin dnda uygulanabilecek
herhangi bir gerilim triyaka zarar verebilir. Bu deer bazen tek bir palse gre verilebilir.
rs
ITSM (letm Durumundaki Ani Akm Deiimi): Bu deer, triyak iletim durumunda iken
ierisinden akmasna izin verilen maksimum deiim akmdr. Bu zellik genellikle yarm
veya tam sayklda 50 Hz veya 60 Hz iin verilir.
em
de
retici kataloglarnda birtakm zel uygulamalar iin gerekli gerilim deerleri ve baz zel
parametreler de vardr. Tetikleme akm ve gerilimi deerleri en nemli triyak parametreleridir. Bu deerler daha ok eleman scaklna baldr. Scaklkla birlikte deiebilirler.
Bunun iin devre dizaynnda dikkatli olunmaldr. Triyak uygulamalarnda geyt devresinin
dizaynna dikkat edilmelidir. Dizaync triyakn btn alma artlar altnda
tetiklendiinden emin olmaldr. Dizaynda triyakn tetikleme akmlarnn SCR sahas
ierisinde bulunduu gz nnde bulundurulmaldr. SCR sahas kataloglarda maksimum
geyt g harcamasna gre tanmlanr. Bunun iin en kt durumdaki minimum geyt akm
dahi triyak tetikleyebilecek seviyede olmaldr.
.e
Triyakn alma ssnn nemi daha nce belirtildi. Yksek gl almalarda sy sabit
deerlerde muhafaza etmek iin soutucular kullanlabilir.
Kaplan
co
m
DYAK
Diyak ift ynl tetikleme diyotu olarak tanmlanan SCR snfna dahil aktif bir devre
elemandr. Diyak, polaritesiz (kutupsuz) iki uca sahip olan bir tetikleme diyotudur. Bu
eleman adet (PNP) yar iletken eklemin bir araya getirilmesiyle oluturulmutur. Diyakn
yaps ve ematik sembol ekil 4.26'da verilmitir.
T
P
N
P
T
a) yaps
b) zener edeeri
c) sembol
ekil-4.26 Diyak'n yaps ve ematik sembol
98
Kaplan
co
m
Diyak'n Akm-Gerilim Karakteristikleri
Diyakn akm-gerilim karakteristii ekil-4.27de izilmitir. Karakteristikte grld gibi

diyak ularna uygulanan gerilim deeri, gerek VBOI gerekse VBOII deerin den birisine
ulatnda diyak iletime geer. Bu gerilim deerlerine diyak krlma gerilimi denir.
tla
ri.
+I
-VB O
+V
+V
+VB O
-I
rs
RL
RL
no
-V
+V
ekil-4.27 Diyak'n akm-gerilim Karakteristii
em
de
Diyak ift ynl simetrik bir devre elemandr. Diyak negatif diren blgesine girer girmez
iletime geer. Bu blgede diyak ierisinden geen akm artarken ularndaki gerilim dm
azalr. Diyak ift ynl bir devre eleman olduundan her iki ynde akan akm deeri
ayndr. Bundan dolay karakteristii simetriktir.
Triyak ve Diyak Uygulamalar
Triyak'n balca uygulama alan g kontroldr. Bilindii gibi SCRde g kontrolnde

kullanlmaktayd. Fakat triyak ift polarmal bir eleman olduu iin kontrol sahas tristrden
daha genitir. rnein alternatif akmda tristrle yaplan kontrol yarm saykl boyuncadr.
Bu durum anlatlmt.
Triyak'la ayn sinyal zerinde tam saykl kontrol yapmak mmkndr. Tiristr ve triyakla
yaplan faz kontrol ve kontrol alar ekil-4.28 zerinde ayr ayr gsterilmitir. Grld
gibi tristrde mmkn olan kontrol as 900'dir ve sadece tek bir alternanstadr. Triyakla
hem pozitif hem de negatif alternansta faz kontrol yaplabilmektedir.
.e
Bundan nceki blmde triyak ve diyak'n almas ve karakteristikleri anlatlmt. Bu

blmde bu devre elemanlar ile gerekletirilen baz nemli uygulamalar anlatlacaktr.
99
V
Yk
0
Yk
Tetikleme
Devresi
ri.
Tetikleme
Devresi
VA K
VAA
no
tla
ekil-4.28 Triyak ve tristrle yaplan faz kontrol ve dalga ekilleri
de
rs
Yukarda belirtilen g kontrol devrelerinde tetikleme devresinin nemi byktr. Bilindii

gibi g kontrol, tetikleme geriliminin bir sonucudur. Triyakn tetiklenmesinde kullanlan
iki ayr tetikleme devresi ekil-4.29da verilmitir.
Yk
Yk
em
.e
Kaplan
co
m
R1
R2
P
C
a)
b)
ekil-4.29 Triyak tetikleme yntemleri

ekil-4.29.a'daki tetikleme devresinde; tetikleme sinyali, giri geriliminden R ve P direnleri
yardm ile direkt olarak triyak'n geytine uygulanmtr. ekil-4.29.b'deki devrede ise biraz
daha gelitirilmi bir tetikleme devresi grlmektedir. Bu devrede tetikleme gerilimi; R1, P, C
ve R2 elemanlar ile salanr. D diyodu ise tristrn geytini ters gerilimlerden korumak
amac ile kullanlmtr.
Bu tetikleme devreleri kullanmda pek tercih edilmezler. Pratikte en ok kullanlan ve tercih
edilen tetikleme devresi ekil-4.30'da verilmitir. Bu tetikleme devresinde triyak'n
tetiklenmesi diyak ile gerekletirilmitir. Bu devre diyak tetiklemeli triyakla yaplan bir tam
dalga faz kontrol devresidir. Tetikleme as P potansiyometresi C kondansatr ve diyakn
krlma gerilimi ile ayarlanabilir.
100
Yk
V
Kaplan
VA A
P
Diyak
tla
ri.
ekil-4.29 Diyak Tetiklemeli, triyakla yaplan faz kontrol
no
Bu devrede, yke uygulanan AC gerilimin herhangi bir andaki deerinde triyak iletime
srebilmek iin tetikleme devresinde diren, kondansatr birleimi kullanlmtr. Devrenin
zaman sabitesi; (tetikleme palsnn frekans) yk devresi ve faz kontrol potansiyometresi
P1'in deeri ile birlikte C1 kondansatrnn deerine baldr. Bu elemanlarla elde edilen
zaman sabitesi kontrol edilecek sinyali istenilen noktada tetikleyerek faz asn belirler.
de
rs
Devrede kondansatr zerinde oluan gerilim deeri, diya iletimi srecek seviyeye
ulatnda diyak tetiklenerek iletime geer. Diyak iletken olduunda; triyak, diyak
zerinden tetiklenir. Bu anda kondansatr diyak zerinden dearj olur ve yeni bir saykln
balamasna izin verir.
Zaman sabitesi= (yk direnci+P1)xC1
deerine eittir.
.e
em
ekil-4.29'daki devre az sayda elemanla gerekletirilmitir. Byk akm ve gerilim

deerlerinde alr. Bu devrede kontrol edilen gerilim harmonik bakmndan olduka
zengin olacaktr. Harmonikler ebekeye bal dier cihazlara zarar verirler ve zellikle alc
cihazlarda (radyo, TV) parazitlere sebep olurlar. Bundan dolay diyak ve triyakn iletim ve
kesime gitmelerinden oluan harmonikleri yok etmek iin bir filtre devresi eklenmelidir.
Byle bir faz kontrol devresi ekil-4.30da izilmitir.
Devrenin almasn ve elemanlarn fonksiyonlarn ksaca zetleyelim. P potansiyometresi

minimum deere ayarlandnda tetikleme devresine zarar vermemesi iin potansiyometreye seri olarak bir R2 gerilim blc diren balanmtr. Eer R2 balanmaz ise C2
kondansatr P zerinden ebeke gerilimine arj olmak sureti ile tetikleme devresine zarar
verebilir. Devrede; C1 ve L1 ebekede oluabilecek parazitleri filtre etmek amacyla
kullanlmtr.
co
m
L1
V
Yk
C1
R2
C2
R3
R4
Diyak
C3
ekil-4.30 Diyak tetiklemeli triyakla yaplan faz kontrol (Filtreli)
101
co
m
Kaplan
ri.
DC G Kaynaklar
DC G Kaynaklar
Transistrl Gerilim Kaynaklar
Tmdevre Gerilim Kaynaklar
Anahtarlamal Gerilim Kaynaklar
Amalar:
no
5.1
5.2
5.3
5.4
tla
Konular:
rs
DC g kaynaklarnn temel yaps ve genel prensipleri,

Gerilim reglasyonu ve nemi
de
Transistrl paralel ve seri gerilim reglasyonu

Tmdevre pozitif gerilim reglatrlerinin zellikleri ve uygulamalar
Tmdevre negatif gerilim reglatrlerinin temel zellikleri ve uygulamalar
em
Tmdevre ayarlanabilir gerilim reglatrlerinin temel zellikleri ve uygulamalar
.e
Anahtarlamal gerilim reglatrleri
BLM 5
Kaplan
co
m
5.1 DC G KAYNAKLARI
ri.
Tm elektronik cihazlar almak iin bir DC g kaynana (DC power supply)

gereksinim duyarlar. Bu gerilimi elde etmenin en pratik ve ekonomik yolu ehir
ebekesinde bulunan AC gerilimi, DC gerilime dntrmektir. Dntrme ilemi
Dorultma (redresr) olarak adlandrlan cihazlarla gerekletirilir.
Temel dc G Kayna
Transformatrler
Dorultma ve Filtre devreleri
Reglasyon ilemi
no
tla
Dorultma veya DC G kayna (DC power supply) denilen cihazlar, basitten

karmaa doru birka farkl yntemle tasarlanabilir. Bu blm; bir dc g kaynann
genel yaps ierisinde aadaki konulardan olumaktadr.
rs
Temel DC G Kayna (Power Supply)
de
Bilindii gibi btn elektronik cihazlar (radyo, teyp, tv, bilgisayar v.b gibi) almak iin
bir dc enerjiye gereksinim duyarlar. dc enerji, pratik olarak pil veya aklerden elde
edilir. Bu olduka pahal bir zmdr. dc enerji elde etmenin dier bir alternatifi ise
ehir ebekesinden alnan ac gerilimi kullanmaktr. ebekeden alnan ac formdaki
sinsoydal gerilim, dc gerilime dntrlr. Bu ilem iin dc g kaynaklar kullanlr.
Transformatr
Dorultma
Devresi
Filtre
Devresi
Reglatr
Devresi
RL
.e
em
Temel bir dc g kaynann blok emas ekil-5.1de grlmektedir. Sistem; dorultucu,

filtre ve reglatr (regulator) devrelerinden olumaktadr. Sistem giriine uygulanan
acgerilim (genellikle ehir ebeke gerilimi), bir transformatr yardmyla istenilen gerilim
deerine dntrlr. Transformatr kndan alnan bu ac gerilim, dorultma
devreleri kullanlarak dorultulur. Dorultulan gerilim, ideal bir dc gerilimden uzaktr ve
az da olsa dalgalanmalar (rpl) ierir. Filtre devreleri tam bir dc gerilim elde etmek ve rpl
faktrn minimuma indirmek iin kullanlr. deal bir dc gerilim elde etmek iin
kullanlan son kat ise reglatr dzenekleri ierir. Sistemi oluturan bloklar sra ile ksaca
inceleyelim.
ekil-5.1 ac Gerilimin dc Gerilime dntrlmesi
Transformatr
ehir ebeke gerilimi genellikle 220Vrms/50Hzdir. Bu gerilim deerini belirlenen veya
istenilen bir ac gerilim deerine dntrlmesinde transformatrler kullanlr. Bir
transformatr silisyumlu zel satan yaplm gvde (karkas) zerine sarlan iletken iki
ayr sargdan oluur. Bu sarglara primer ve sekonder ad verilir. Primer giri, sekonder
k sargsdr. Primer ile sekonder sarglar arasnda fiziksel bir balant yoktur. Bu
zellik, kullancy ve sistemi ehir ebekesinden yaltarak gvenli bir alma salar.
103
reticiler eitli g deerlerinde transformatr reterek kullancnn tketimine sunarlar.
ri.
Bir trafonun gc artka boyutu ve fiyat da artmaktadr. Enerji kayplar az olduundan

primerden uygulanan g, ok az kaypla sekondere aktarlr. Primer sarglar genellikle
220Vrmsdir. Sekonder sarglar ise farkl gerilim deerlerinde retilmektedir.
Transformatrlerin primer ve sekonder gerilimleri ve gleri zerlerinde etkin deer (rms)
olarak belirtilir.
.e
em
de
rs
no
tla
Transformatr seiminde; primer ve sekonder gerilimleri ile birlikte gcne de dikkat

edilmelidir. Bir g kaynann tasarmnda kullanlacak transformatrn toplam gc; trafo
zerinde ve dier devre elemanlarnda harcanan g ile ykte harcanan gcn toplam
kadardr. Transformatr her durumda istenen akm vermelidir. Fakat bir transformatrden
uzun sre yksek akm ekilirse, ekirdein doyma blgesine girme tehlikesi vardr. Bu
nedenle transformatr seimine dikkat edilmeli, tasarlanacak dc kaynann gcne uygun
transformatr seimi yaplmaldr. ekil-5.2de rnek olarak farkl glerdeki baz
transformatr grntleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ekil-5.2 eitli glerde transformatrler
Dorultma ve Filtre Devreleri

ehir ebekesinden alnan ve bir transformatr yardmyla deeri istenilen seviyeye
ayarlanan AC gerilimi, DC gerilime dntrmek iin ilk adm dorultma devresi
kullanmaktr. Dorultma devreleri, yarm dalga ve tam dalga olmak zere iki tiptir.
Yarm dalga dorultma devresi kaliteli bir g kayna tasarm iin yeterli deildir. k
gerilimi dk ve darbelidir. yi bir g kayna tasarmnda mutlaka tamdalga dorultma
devresi kullanlmaldr. Kpr tipi ve orta ulu olmak zere iki tip tamdalga dorultma
devresi tasarlanabilir. Tipik bir kpr tipi tamdalga dorultma devresi ve kndan alnan
dalga biimi ekil-5.2de verilmitir.
104
D1
D1
D3
RL
V0
V0
RL
ri.
D2
tla
ekil-5.2 Kpr tipi ve orta ulu tam dalga dorultma devreleri
no
Dorultma kndan alnan iaretin dalga biimi, dc iaretten uzaktr ve eitli

dalgalanmalar (ripple) barndrmaktadr. aret zerindeki dalgalanmalar minimum dzeye
indirip tam bir dc gerilim elde etmek amac ile filtre devreleri kullanlr. eitli tip filtre
devreleri (RC, C, LC, v.b) vardr. En pratik ve ekonomik filtre ilemi kondansa-trlerle
yaplr. ekil-5.3de tamdalga dorultma kndan alnan iaret ve filtre ilemi grafiksel
rs
Dorultma ve filtre devrelerinin almalar ve zellikleri zerinde fazla durmayacaz. Bu

konular daha nceden bildiinizi varsayarak sadece hatrlatma yaplmtr.
V0
Tam
Dalga
Dorultma
Filtre
Devresi
V0
0
de
12Vrms
50Hz
+
+
.e
V0=(1.41x12V)-1.4V=16V
D1
em
Son olarak ekil-5.4de komple bir dc g kayna devresi, k iaretinin dalga biimi ve
alabilecei dc deer verilmitir. kta filtre amacyla kullanlan kondansatrn kapasite
deeri nemlidir. Byk deerli kapasiteye sahip kondansatr daha iyi sonu verir.
D3
Kaplan
co
m
RL
V0
V0
0
Gerilim Reglasyonu ve nemi

Kaliteli bir g kaynann yapmnda son aama reglasyon ilemidir. Reglesiz bir g
kayna zellikle hassas cihazlarn beslenmesinde tercih edilmez. Reglesiz bir dc g
kaynann sakncalar aada zetlenmitir.
Reglesiz bir g kaynandan ekilen akm miktar deitike (ya da) k yk

deitike, k gerilimi sabit kalamayarak deimektedir.
Reglesiz kaynan giriindeki ac gerilim deimesi, k dc geriliminde

deimesine neden olur.
Reglesiz kaynakta dorultma ileminde kullanlan yariletkenler sdan
105
etkilenirler. Dolaysyla sdaki deiimler k dc gerilimini deitirebilir.
Belirtilen bu kusuru ortadan kaldrmak ve ktaki dalgalanma orann azaltmak

amacyla gerilim reglasyonu yaplr. Her hangi bir g kaynann gerilim reglasyonu
(G.R) aadaki gibi formle edilebilir.
VYKSZ VTAMYKL
ri.
G.R =
VTAMYKL
tla
Gerilim reglasyonu genellikle % olarak ifade edilir. Bu durumda %G.R;
rnek:
5.1
VYKSZ VTAMYKL
VTAMYKL
100
no
G.R = %
Bir dc g kaynann k gerilimi bota (yksz, IL=0A) 12V llmtr. G

kaynann k gerilimi 10mAlik tam ykte ise 11.9V llmtr. Kaynan gerilim
reglasyonunu bulunuz?
VYKSZ VTAMYKL
rs
zm
VTAMYKL
de
G.R = %
100
G.R = %
12V 11.9V
100
11.9V
G.R=%0.084 / mA
em
5.2 TRANSSTRL GERLM REGLATRLER
.e
Kararl ve dzenli bir dc gerilim elde etmede ilk adm gerilim reglasyonudur. Gerilim
reglasyonu, gerilim reglatr devreleri kullanarak yaplmaktadr. lk gerilim
reglatrleri zener diyot-transistr ikilisinin kullanlmas ile gelitirilmitir.
Kaplan
co
m
Bu blmde regle ileminin temel ilkelerini renmek amac ile transistrl gerilim
reglatrlerini inceleyeceiz. Reglatr devresinin yke seri veya paralel olmas
reglatrn tipini belirler. Seri ve paralel olmak zere iki tip transistrl gerilim
reglatr vardr. Paralel gerilim reglatrleri bota akm ekmeleri, ok g
harcamalar vb nedenlerden tr pek tercih edilmezler. Regle devrelerine, k
akmn istenilen seviyede snrlamak amac ile bir takm ilave dzenekler eklenebilir.
Paralel Gerilim Reglatr
Seri Gerilim Reglatr
Regle ileminin amac belli bir elektriksel bykl d etkilerden bamsz olarak sabit
tutabilmektir. Bunun iin regle edilecek byklk (gerilim veya akm) srekli olarak
llmek zorundadr. llen bu deer (o andaki deer), olmas istenen gerek deerle
karlatrlarak regle ilemi yaplr.
Regle devrelerinde; olmas istenen deer iin bir referans gerilimi gereklidir. Bu deer
zener diyotlarla salanr. Zener diyotla yaplan regle devresi nceki blmlerde
incelenmiti. Burada tekrar incelenmeyecektir. Zener diyot regle ilemi iin tek bana
yeterli deildir.
106
ri.
Zener diyotla alnan referans deer, dier bir takm elektronik devre elemanlar ile
gelitirilerek regle ilemi yaplr. Regle ilemi gerilim iin yapld gibi akm iinde
yaplabilir. Bu blmde gerilimi kararl klmak iin gerekletirilen reglatrler
incelenecektir. Transitrl gerilim reglatrleri seri ve paralel gerilim reglatrleri olarak
ikiye ayrlmlardr. Paralel reglatrde yke paralel gerilim kontrol yaplr. Seri
reglatrde ise gerilim kontrol yk ile seri olup akm yolu zerindedir. Bu iki reglatr tipi
aada ayrntl olarak incelenmitir.
tla
Paralel Gerilim Reglatr
.e
em
de
rs
V
12Vrms 0
no
Standart bir paralel gerilim reglatr devresi ekil-5.5de verilmitir. Bu devrede; RP direnci
ve Q transistr yardm ile regle edilmeye uygun bir gerilim blc oluturulur. k
gerilimi V0, zener geriliminden transistrn VBE eik gerilimi kadar daha byktr. Yani
V0=VZ+VBE olur. RP n direnci, transistrn maksimum akm ve transistrde harcanmasna
izin verilen maksimum g kayb almayacak biimde seilmelidir.
Kaplan
co
m
VZ
5v 6
Q
IK
VN
16V
C
1000 F
25V
IL
RL
VL
IB
R1
RP
IK +L
ekil-5.5 Paralel Gerilim Reglatr Devresi
rnein zener gerilimi VZ=5.6 volt, Reglesiz giri gerilimi V=16 volt deerinde ise,
transistrden izin verilen maksimum IC=1Alik akmas halinde Rp direncinin deeri;
RP =
VN V0
IC
16 6
= 10
1
olarak elde edilir. Transistrn emiter ile kollektr ksa devre edilirse, bu durumda giri
geriliminin toplam Rp direnci zerinde der. Rp direncinde harcanan toplam g ise;
PRP =
VN 2
RP
16 2
= 25W
10
olarak bulunur. O halde Rp direnci, 25Wlk bir gle yklenebilecek ekilde seilmelidir.
Devredeki IK ksa devre akm ise;
IK =
VN
RP
16
= 1.6 A
10
olarak bulunur. k gerilimi V0, Rp direncindeki gerilimin Vi-VZ farkndan byk oluncaya
kadar ve benzer ekilde yksz halde IL akm IC akmndan byk oluncaya kadar kararl
107
klar. Daha sonra zener diyotundan akan akm deeri, zener krlma akm IZmin deerinden
daha kk olursa kararllk yok olur. Bu durum ayn zaman da V0 k gerilimi, Vi(VZ+VBE) olduunda sz konusudur. Zener akm IZ=0.02 amper olan bir zener diyodu
kullanldnda RLmin deeri;
0.6V
VBE
=
= 6
0.02mA
IZ
ri.
RL min =
tla
olur. Burada dikkat edilmesi gereken husus, IZmax deerine transistrn beyz akmnn da
ekleneceidir. Bu anda zener diyottan akacak gerek akm deeri;
I Z max = I Z + I B = I Z +
IL
no
olur. Dk gl bir transistrde deeri rnein 50 ise;

I Z max = 0.02mA +
PZ=VZIZ
rs
olur ve zener gc;
1
= 40mA
50
PZ=5.6v0.04A
PZ=224 mW
de
elde edilir. Paralel gerilim reglatrleri uygulamalarda pek kullanlmazlar. nk bu tr

gerilim reglatrlerinde yksz durumda dahi bir g harcanmas sz konusudur. Bu
durum nemli bir dezavantajdr. Uygulamalarda bundan dolay genellikle seri gerilim
reglatrleri tercih edilir.
em
Seri Gerilim Reglatrleri
.e
Seri gerilim reglatrlerinde, reglasyon transistr yke seri balanr. k gerilimi V0;
transistrn beyz-emiter gerilimi (VBE) ile zener gerilimi (VZ) toplamna eittir. ekil-5.6'da
seri reglatr devresi grlmektedir. Buna gre k gerilimi;
Kaplan
co
m
V0=VZ+(-VBE)
olur. k yk akm ise, seilen transistrn beyz akmn salayabilmesi art ile;
I0max=(IZmax-IZmin)
deerinde olur. Burada transistrn kaldrabilecei maksimum g kayb da dikkate
alnmaldr. , transistrn akm kazancdr. RS direncinin bu durumda deeri;
RS =
VN VZ
I Z + I BMAX
ifadesinden bulunur. Burada IBMAX;

I BMAX =
deerine eittir.
108
I 0 MAX ( = I CMAX )
Kaplan
co
m
I N
V
12Vrms 0
I0
RS
IB
ri.
VN
C1
IZ
VZ
tla
C2
V0
ekil-5.6 Seri Gerilim Reglatr Devresi
rs
no
nceki blmlerde anlatlan gerilim reglatrleri uygulama da bu halleri ile yeterli

deillerdir. Bu devrelerde k geriliminin deeri kullanlan elemanlarn toleranslarna
baldr. Bu ise bir dezavantajdr. Uygulamada; k geriliminin istenilen deere
ayarlanabilmesi, yksek akm verebilmesi ve ar akm korumas iyi bir g kaynandan
istenilen zelliklerdir. ekil-5.7'de yukarda sralanan baz zelliklere cevap verebilen bir
reglatr devresi izilmitir.
de
Grld gibi bu devrede adet transistr kullanlmtr. k yk akm Q3 transistr

zerinden alnmaktadr. Q2 transistr ise Q3' srmek amac ile kullanlarak 'ya ar
bamllk yok edilmitir. Devrenin analizine gelince; Topraa gre Q1 transistrnn
kollektrndeki gerilim VCEQ1;
VCEQ1=V0+VBEQ3+VBEQ2
V0min=VZ+VCEQ1-(VBEQ2+VBEQ3)
V0min=5.6v+2v-(0.6+0.6) =6.4 Volt.
bulunur. Dolays ile bu devreden en az 6.4V k gerilimi elde ederiz. Daha kk k

gerilimi elde etmemiz mmkn deildir.
Q1
IN
I0
Q2
R1
V
Reglesiz
dc giri
gerilimi
IR
R3
R2
V0
Q3
.e
em
VCEQ1 geriliminin deeri, VZ gerilimine bal olarak en az 2 volt olmaldr. Bylece en kk

k gerilimi belirlenmitir. rnein Vz=5.6 volt kullanlrsa;
R4
VZ
R5
ekil-5.7 k Ayarlanabilen Kararl Gerilim Reglatr

Transistrde harcanabilecek maksimum g PQ3;
PQ 3 = (V0 MAX V0 MIN ) I LMAX
deerindedir. Devrede giri gerilimi Vi, ayarlanabilecek k gerilimi V0'dan daha byk
109
olmaldr. rnein k geriliminin maksimum deeri 24 volt, akm ise 0.5 Amper olsun. Bu
durumda PQ3 transistrnde harcanacak maksimum g;
PQ 3 = (V0 MAX V0 MIN ) I LMAX
PQ 3 = 9W
ri.
PQ 3 = ( 24V 9V ) 0.5
tla
elde ederiz. Kullanlacak transistr, bu gce dayanabilecek gte seilmelidir. Devredeki

dier elemanlarn analizine gelince; nce devrede kullanlan R3, R4, R5 gerilim blc
direnlerinin deerlerini bulalm. Bunun iin nce Q1'in beyz akmn bulmamz gerekir.
BC107 transistr kullanalm. Katologdan bu transistrn beyz akm IBmax=100A bulunur.
Gerilim blclerden akan IR akm beyz akmnn yaklak 50 kat olmaldr.
I RMIN = 50 I BMAX I RMIN = 50 + 0.1 I RMIN = 5mA
no
Bu deer doal olarak en kk V0 deeri iin geerlidir. Q1 beyzinde bu durumda;

VBQ 1 = VZ + VBEQ 1 VBQ 1 = 5.6V + 0.6 VBQ 1 = 6.2V
bulunur. Buradan diren deerlerini belirleyelim.
rs
R3 , R3 , R3 =
V0 MIN
9V
=
= 1.8K
VBQ 1
5mA
de
18 voltluk k geriliminde ise;
I R MAX =
18V
= 10mA
1.8K
em
olur. En kolay R5 deerini buluruz. Devrenin almas iin R5 de en az;

VR 5 = VBEQ 1 + VZ VR 5 = 5.6 + 0.2 VR 5 = 6.2V
R5 =
VR 5
I RMAX
6.2V
= 620
10mA
bulunur. R4'n deeri hesaplarken ayarlanabilir orta noktay R3 ve R4 arasnda dnelim.

Bu durumda k gerilimi VLmin=9v'dur. R4 ve R5 de 6.2 volt derken, IR akm 5mA dir.
R 4 ,5 =
.e
gerilim dmelidir. Buradan;
Kaplan
co
m
VR 4 , R 5
I RMIN
==
6.2V
= 1.2K
5mA
R4=R4,5-R5=(1.2K-620)
R4=620
bulunur. Buradan R3 de basite;

R3=(R3,R4,R5)-(R2,3)
R3=(1.8K-1.24K)=560
olarak bulunur. Devrede ok nemli bir ilevi yerine getiren direnlerden biride reglasyon
ilemi yapan Q1 transistrnn yk direnci R1dir. R1 deerini bulmak iin Q2 ve Q3n beyz
akmn bilmemiz gerekir. retici kataloglarndan Q3 iin =25, Q2=iin =200 akm kazanc
bulunmutur. O halde 0.5Alik bir yk akmn kumanda etmek iin;
I BQ 3 =
IL
0.5 A
=
= 20mA
Q3
25
110
I BQ 2 =
I EQ 2
Q2
20mA
= 0.1mA
200
Kaplan
co
m
olur. Q2'nin beyz akm, Q2'ye ve ayn zamanda Q3'n beyz akmna eit olan, kendisinin
emiter akmna baldr. R1 direnci, bu durumda zerinde den en kk gerilimde dahi
IR4=1mA'lik akm geirecek ekilde seilmelidir. R4 direncindeki en kk gerilim deerini;
VRMIN = 21.6 (18V + 0.6V + 0.6V ) = 2V
VR 4
2V
=
= 20K
I BQ 2 0.1mA
ri.
R 1 MAX =
bulunur.
V0 MIN VZ 9V 5.6V
=
= 680
5mA
I ZMIN
no
R2 =
tla
elde edilir. R1=18K seelim. R2 direnci ise zener krlma gerilimini ayarlayan n direntir.
Bu direncin deeri her durumda zeneri reglede tutacak deerde seilmelidir. Bunun iin
zener minimum krlma akmn katalogdan IZmin=5mA alalm. Bu durumda R2 deeri;
rs
Ar Akm Korumas
de
Regleli gerilim kaynaklarndan istenen bir dier zellik ise ar akm korumasdr. Regleli
bir akm kaynann kndan ar akm ekildiinde veya ksa devre olduunda regle
devresinin ve g kaynann zarar grmemesi iin ar akm koruma devresi eklenir. ekil5.8'de byle bir devre verilmitir. Bu devrede, ekil-5.7'deki devreye ilave olarak R6 ve Q4
transistr ilave edilmitir. Devrenin dier ksmlar ayndr. Bu yeni elemanlar bize iki
seenek sunarlar.
k Akm IL deerini nceden belirlenen bir akm deerinde snrlanr.
k akm IL, nceden belirlenen bir deeri aarsa k gerilimi sfra indirilir.
Devrenin almas ksaca yledir: ktan alnan IL akm, RAK direnci ve Q3 transistr
zerinden geer. Bu anda IL akm RAK direnci zerinde bir gerilim dmne neden olur.
Bu gerilimin deerini IL akm ve RAK deeri belirler. RAK zerine den gerilim, Q4
transistrnn beyz-emiter gerilimine ulatnda Q4 iletime geer ve Q3 transistrnn beyz
gerilimini snrlar. Bylece akm sabit bir deerde kalr ve aadaki gibi hesaplanr.
I 0 MAX =
VBE 4 0.6V
=
5mA
R6
Bylece R6 direncini istediimiz deerde ayarlayarak akm snrlamas yapabiliriz. Ar akm

ve ksa devre korunmasnda dier elektronik devre elemanlarndan da yararlanlabilir. (SCR,
Opamp, Flip-flop gibi) Bu kullancnn tercihine baldr.
.e
em
1)
2)
111
Q1
IN
R6
I0
IR
Q2
R1
R2
R3
ri.
V
Reglesiz
dc giri
gerilimi
V0
Q4
VCE Q1
tla
Q3
R4
R5
no
VZ
ekil-5.8 Ar Akm Korumasnn Gerekletirilmesi
rs
5.3 LNEER TMDEVRE GERLM REGLATRLER
em
de
Lineer tmdevre gerilim reglatrleri; ayrk elemanlarla oluturulan reglatrlere gre hem
daha ekonomik, hem de daha ilevseldirler. Bu tr reglatrler genellikle seri gerilim
reglatr gibi dnebilir. Lineer tmdevre gerilim reglatrleri; genellikle k
gerilimleri (sabit/ayarl) kutuplama ynleri (pozitif/negatif) dikkate alnarak kendi
aralarnda snflandrlabilir.
Bu blmde;
.e
Sabit gerilim kl (pozitif/negatif)

Ayarlanabilir gerilim kl (pozitif/negatif)
Kaplan
co
m
lineer tmdevre gerilim reglatrleri ayrntl olarak sizlere tantlacak eitli uygulama
rnekleri verilecektir.
DC gerilimi, tm etkilere kar kararl (regleli) hale getirebilmek iin regle ileminin
nemli olduunu biliyoruz. Regle ilemi ise reglatr devreleri kullanlarak
gerekletirilmektedir. Bir nceki blmde; aktif ve pasif devre elemanlar kullanarak
reglatr yapmn gerekletirdik. Gelien elektronik teknolojisi tek bir tmdevre (chip, ICs)
ierisinde gerilim reglatr retimine olanak salamtr. Gnmzde tek bir tmdevre
ierisinde yzlerce farkl tip ve zellikte gerilim reglatr retimi yaplmaktadr. Bu
blmde elektronik piyasasnda yaygn olarak kullanlan birka farkl tip tmdevre gerilim
reglatrnn tantm yaplacak ve uygulama rnekleri verilecektir.
Sabit Gerilim kl Lineer Tmdevreler

Tmdevre imalatlar, eitli sabit gerilim deerlerinde regleli k gerilimi verebilen tip
tmdevreler reterek kullancya sunmulardr. Sabit gerilim reglatrleri genellikle ulu
imal edilirler. Kk boyutlu, kolay kullanml ve olduka ucuzdurlar. Bu tr gerilim
reglatrleri kendi aralarnda pozitif ve negatif olmak zere iki gruba ayrlrlar. Bu blmde,
112
bu tr tmdevreleri inceleyeceiz.
Tablo-5.1de olduka sk kullanlan; terminalli, sabit kl pozitif gerilim

reglatrlerinin baz nemli zellikleri verilmitir.
ri.
78li saylarla kodlanan gerilim reglatrlerinde ilk iki rakam (78) reglatr tipini sonraki
harf k akmn, son rakamlar ise k gerilimi deerini verir. rnein 7805 ile
kodlanm bir reglatr; +5V k gerilimi ve 1A k akmna sahiptir.
5V
6V
8V
9V
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
12V 15V 18V 24V
rs
78.....
78M....
78L.....
LM309K
LM323
LM340K
k Gerilimi
LM317T
L200
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
no
Tmdevre
Tipi
tla
Pozitif Sabit Gerilim kl Lineer Tmdevreler
2.85V............36V Ayarlanabilir.
Giri
Gerilimi
(max)
k
Akm
(max)
Tipik
Skunet
Akm
Klf
Tipi
35
35
35
35
20
35
1A
500mA
100mA
1A
3A
1.5A
4.2mA
3mA
3mA
5.2mA
12mA
4.2mA
TO220
TO202
TO92
TO3
TO3
TO3
40
40
1.5A
2A
50A
4.2mA
TO220
pentaw
de
Not: Tm Gerilim Reglatrlerinde Giri Gerilimi, Tmdevre k Geriliminden en az 2V fazla olmaldr.
Pozitif veya negatif sabit gerilim reglatrleri kullanarak reglatr yapmak iin tablo5.1de belirtilen snr deerlere uymak gerekir. rnein; tmdevre gerilim reglatrnn
giriine uygulanacak reglesiz gerilim deeri, reglatr geriliminden en az 2V daha
byk olmaldr. Tmdevre gerilim reglatrlerinin pek ounun klar sl
korumaldr. ktan ar akm ekildiinde sl duyarl koruma devresi etkinleerek
tmdevreyi ar akma kar korur. Pozitif sabit gerilim reglatrlerinin terminal
balantlar ve klf tipleri ise ekil-5.9da verilmitir.
TO-220
.e
em
78M15 eklinde kodlanm bir gerilim reglatr ise +15V k gerilimine ve 500mA
k akmna sahiptir.
pentawatt
TO-202
TO-92
Kaplan
co
m
LM
78XX
GR
LM
78MX
IKI
GR
L200
LM
78LX
IKI
IKI
GR
GR
IKI
Akm Sens
Vreferans
ekil-5.9 Tmdevre pozitif gerilim reglatrlerinin klf tipleri ve pin balantlar

Negatif kl sabit gerilim reglatrleri ise 79lu saylarla (7912, 79L15, 79M09 v.b gibi)
kodlanrlar. Tablo-5.2de ise negatif gerilim reglatrleri zellikleri ile birlikte verilmitir.
Tmdevreli negatif gerilim reglatrlerinin klf tipleri ve terminal balantlar ekil5.10da verilmitir. Negatif gerilim reglatrlerinin terminal balantlar, pozitif
reglatrlerden farkldr. Bu duruma devre tasarm ve montajnda dikkat edilmelidir.
113
Negatif Sabit Gerilim kl Lineer Tmdevreler

k Gerilimi
6V
8V
9V
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
79.....
79M...
79L....
LM345K
LM320K
LM337
12V 15V 18V 24V
k
Akm
(max)
Tipik
Skunet
Akm
Klf
Tipi
35
35
35
20
35
1A
500mA
100mA
3A
1.5A
4.2mA
3mA
3mA
1mA
2mA
TO220
TO202
TO92
TO3
TO3
40
1.5A
65A
TO220
X
X
X
ri.
5V
Giri
Gerilimi
(max)
tla
Tmdevre
Tipi
no
Not: Tmdevre giriinden uygulanacak gerilim, tmdevre k geriliminden en az 2V fazla olmaldr.

TO-220
TO-3
TO-202
TO-92
rs
GR
LM
79XX
de
GR
LM
79MX
LM
79LX
IKI
GR
IKI
IKI
GR
GR
em
GR
LM
K
337
IKI
IKI
ulu sabit pozitif gerilim reglatr ile yaplan temel uygulama devresi ekil-5.11de
izilmitir. Bu balant tipiyle yaplan devre montajnda; dorultucu, reglatr ve beslenecek
devre birbirlerine yakn iseler, C1 ve C2 kondansatrlerine gereksinim olmaz. Ancak balant
kablolarnn boylar birka santimin dna ktknda yksek frekanslarda titreimi
nlemek iin bu kondansatrler mutlaka kullanlr. C2 kondansatr ayrca k geriliminin
kararlln salamada ve reglasyon hzn iyiletirmede kullanlmaktadr.
.e
ekil-5.10 Tmdevre negatif gerilim reglatrlerinin klf tipleri ve pin balantlar
Kaplan
co
m
LM78XX
IN
OUT
GND
C1
1000 F
C2
330nF
C3
100nF
V0
ekil-5.11 ulu pozitif gerilim reglatrnn temel balant emas

Sabit gerilim reglatrlerinin k akmlar istenirse ykseltilebilir. yksek k akmlar
verebilen bir devre rnei ekil-5.12de izilmitir. Bu devrede reglatrn k akmn
artrabilmek iin tmdevreye bir PNP tipi g transistr paralel balanmtr. Devrede; R1
114
ri.
direnci ve tmdevreden akan yk akm, R1 direnci zerinde transistr sren bir gerilim
dmne neden olur. Tmdevreden akan akm ne kadar bykse R1deki gerilim dm
ve T1den akan akm da o kadar byk olur. Bu durumda yk akm, tmdevre ve transistr
zerinde ikiye blnr. Bylece, devrenin k akm tmdevreye zarar vermeden
ykseltilmi olur. Devre kndan transistorn gcne bal olarak yksek akmlar
alnabilir. k gerilimi sabittir.
LM78XX
IL
R1
V
Reglesiz
dc gerilim
IL
tla
T1
OUT
IN
GND
no
C2
330nF
C3
100nF
V0
rs
ekil-5.12 Yksek k akmlar verebilen sabit reglatr devresi
de
ekil-5.12de verilen reglatr devresinde ar akm korumas yoktur. Sadece tmdevre

iten ar akma kar korumaldr. Fakat transistrde her hangi bir koruma yoktur.
Transistr iin ar akm korumas yapan bir devre rnei ekil-5.13de verilmitir. Bu
devrede ar akm korumas T2 transistr ve R2 direnci yardm ile yaplmaktadr. Devrede
R2 zerinden geen yk akm (IL), R2 zerinde bir gerilim dmne neden olur. Bu gerilim
deeri T2 transistrnn eik gerilimi (VBE=0.6V) deerine ulatnda T2 iletime geer, T1
kesime gider. Dolays ile tmdevre ve T1 transistr ar akmdan korunmu olur.
R2 =
VBE
I LMAX
0.6V
I MAX
elde edilir.
IL
R2
.e
em
Devrede ar akm korumasn gerekletiren R2 direncinin deeri olduka nemlidir ve

koruma ilemine uygun olarak seilmelidir. Bu direncin deeri;
Kaplan
co
m
R1
V
Reglesiz
dc gerilim
T2
LM78XX
OUT
IN
GND
C2
330nF
T1
C3
100nF
V0
ekil-5.13 Ar akm korumal yksek k akml reglatr devresi

Sabit gerilim reglatrlerinin k gerilimleri istenirse ayarlanarak istenilen deerlerde k
gerilimi vermesi salanabilir. k gerilimi istenilen bir deere ayarlanabilen bir devre
rnei ekil-5.14'de verilmitir.
115
LM78XX
OUT
IN
GND
V
Reglesiz
dc gerilim
IQ
V0
ri.
C1
330nF
VRE G
R1
C2
100F
tla
R2
ekil-5.14 k Gerilimi Ayarlanabilen Reglatr Devresi
no
Bu devrede tmdevre kna R1 ve R2 direnleri balanmtr. Bundan dolay reglatrn

ase ucu 0 volttan farkl bir gerilimdedir. Reglatrn k gerilimi V0;
R
V0 = V REG 1 + 2 + R2 I Q
R1
de
rs
forml ile bulunur. Formlde kullanlan IQ akm, Tmdevrenin R2 direncinden akan

sknet akmdr ve deeri 5mA ile 10mA arasnda deiir. Devrenin k geriliminin
dalgallk oran olduka byktr. Dalgallk orann azaltmak amac ile ka 100Flk bir
kondansatr balanmtr. k dalgallk oran buna ramen ancak 20mVa kadar
drlebilmitir.
em
Sabit gerilim kl negatif gerilim reglatrnn temel balants ekil-5.15de verilmitir.

Bu tr tmdevrelerin tm zellikleri pozitif gerilim reglatrleri ile benzerlik gsterir.
Sadece tmdevre terminal balantlar farkldr.
.e
Kaplan
co
m
LM79XX
_
IN
OUT
GND
C1
1000 F
C2
330nF
C3
100nF
V0
ekil-5.15 Negatif sabit gerilim kl reglatrlerin temel balants

Pozitif ve negatif sabit gerilim reglatrleri birlikte kullanlarak simetrik kl sabit gerilim
reglatrleri yaplabilir. ekil-5.16da bu tip besleme kaynaklarna rnekler verilmitir. Bu tip
regleli gerilim kaynaklar yaplrken kondansatrlerin polaritelerine ve tmdevre bacak
ularna dikkat edilmelidir.
116
Kaplan
co
m
+12V
12Vrms
220Vrms
50Hz
IN
IN
LM7812
12Vrms
C2
470nF
GND
C5
1000F
C6
470nF
GND
C3
100nF
100nF
tla
C7
100nF
IN
IN
C8
100nF
GND
LM7905
OUT
-5V
-12V
no
LM7912
ekil-5.16 Sabit Simetrik kl regleli g kayna
de
rs
Bu blmde en ok kullanlan ve popler olan gerilim reglatrleri verilmitir. Bu

tmdevrelere ilaveten daha bir ok tip ve modelde gerilim reglatrleride vardr. Bunlar
hakknda ayrntl bilgileri retici firmalarn hazrlam olduklar bilgi kitaplarndan (data
book) bulabilirsiniz.
em
Ayarlanabilir Gerilim kl Lineer Tmdevreler
.e
Ayarlanabilir kl tmdevreler olduka yeni gelimeler gstermektedir ve pek ok tipleri

vardr. Bu blmde ok kullanlan bir ka tip ayarlanabilir kl tmdevre tantlacaktr.
ok kullanlan ve kullanm olduka basit olan pozitif gerilim reglatr A78MG ve negatif
gerilim reglatr A79MG ile uygulama rnekleri ve baz karakteristik deerler
verilecektir.
Bu tmdevreler ile maksimum 0.5A k akmnda, +5V dan +30Va kadar ve -2.2Vdan 30Va kadar regleli gerilimler retilebilir. Bu tmdevreler; i akm snrlamas, kayp g
snrlamas ve ar scakla kar koruma devreleri ierirler. k gerilimlerin kararll,
yk ve giri gerilimleri deiimlerine kar her durumda %1den daha iyidir. ekil-5.17de
ayarlanabilir bir ka sahip reglatr rnei verilmitir.
C4
GND
ri.
C1
1000F
+5V
OUT
LM7805
+
D1
R1
22K
uAM78MG
OUT
IN
GND
V
Reglesiz
dc gerilim
V0
5.30V
K
IQ
C1
330nF
C2
100nF
R2
5K
ekil-5.17 Ayarlanabilir gerilim reglatr devresi
117
Kaplan
Bu devrede k gerilimi V0; aadaki gibi hesaplanr.

R + R2
V0 = 1
VR
R2
co
m
tla
ri.
Bu formlde VR deeri referans gerilimidir. Bu deer A78MG iin 5V, A79MG iin -2.2V
dur. Devredeki K kontrol girii, k geriliminin ayarlanmasn salar. K ucuna doru akan
akmn deeri sadece 1Adir. Gerilim blcnn ortalama akm 1mA olarak belirlenirse
78MG tmdevresinde R2 iin,
R2 =
no
79MG tmdevresinde ise R2 iin;
VR
5V
=
= 5 K
I Q 1mA
R2 =
V R 2.2V
=
= 2.2 K
I Q 1mA
de
rs
deerleri bulunur. nk kontrol girii K, her iki tmdevrede de referans gerilimidir. ekil5.17deki devrede C1 ve C2 kondansatrlerinin ilevleri nceki blmlerde aklananlarla
ayndr. Yani bu kondansatrler k geriliminin rpl faktrn (dalgaln) ve giriteki
deimelere kar karalln iyiletirmede kullanlrlar. Tmdevrenin lehimleme sresi 10
saniyeyi gememelidir. Ayrca tmdevreye uygulanacak giri gerilimi maksimum k
geriliminden en az 2V daha yksek olmaldr.
em
Devre de R1 ve R2 direnlerinden pratik olarak ayn akm akar. ( K ucundan akan akm ok
kk olduundan ihmal edilebilir.) Bylece 1mAlik IQ akm iin k gerilimi;
V0=(R1+R2)IQ
V0=(R1+R2)1mA
Bu tr tmdevrelerin k akmlar g transistrleri kullanlarak artrlabilir. Bunun iin

sabit gerilim kaynaklarnda kullanlan ilkelerden faydalanlr. ekil-5.18de yksek k
akmlar verebilen bir devre tasarmlanmtr. Bu devrede k akmnn bir ksm T1
transistr zerinden alnm bylece tmdevrenin zarar grmesi engellenerek k
akmnn kapasitesi artrlmtr. Ayn devre zerinde T2 transistr ve RSC direnleri yardm
ile ar akm korumas da yaplmtr. RSC direncinin deeri belirlenen maksimum k
akm deerine gre seilir. Devredeki R1 direnci ise k geriliminin deerini ayarlamada
kullanlr.
.e
R1 ve R2 deerleri K olarak seilmelidir. rnek devrede R1 direnci ayarl seildiinden k

gerilimin deeri bu diren ile ayarlanabilir.
118
RS C
R3
BD376
D1
Q1
Q2
uAM78MG
BD140
OUT
GND
V
Reglesiz
dc gerilim
R1
22K
ri.
IN
IQ
C1
330nF
tla
C2
100nF
V0
5.30V
R2
5K
no
ekil-5.18 Yksek k akml ve ar akm korumal reglatr
de
rs
Negatif ayarlanabilir gerilim kaynaklar da ayn esaslara bal olarak kullanlr. ekil-5. 19da
ise simetrik bir gerilim kayna rnei verilmitir. Bu tip simetrik gerilim kaynaklarna
"Dual-Tracking" gerilim reglatrleri denir. Bu devrede pozitif ve negatif gerilim
reglatrleri birbirleri ile yle balanmlardr ki k gerilimleri aseye gre daima ayn
(tam) mutlak deerleri gsterirler. rnein; yk akm deimelerinde pozitif k gerilimi
10mV azalrsa, ayn anda negatif gerilimde otomatik olarak 10mV azalr. Bylece k
gerilimleri daima topraa (aseye) gre simetrik kalr.
uAM78MG
OUT
IN
GND
+V0
R1
C2
100nF
C1
330nF
R2
V
Reglesiz
dc gerilim
R 2+R2
0V
R 2
.e
em
malat firmalar deiik g ve tiplerde daha bir ok ayarlanabilir gerilim reglatrleri

retmilerdir ve retmeye de devam ediyorlar. Bu tmdevreler hakknda ayrntl bilgi ve
rnek uygulamalar katologlardan temin edilebilir.
Kaplan
co
m
C2
1F
C1
2.2F
GND
IN
R 1
OUT
-V0
uAM79MG
ekil-5. 19 Simetrik Ayarlanabilir Gerilim Reglatr
zel Tip Gerilim Reglatrleri

eitli ihtiyalara cevap verebilecek pek ok tip gerilim reglatrleri retilmitir. Bu
reglatrler bir ok retici firma tarafndan deiik isim ve katalog numaras ile tketiciye
sunulmutur. Ksaca baz rnekler sralayalm. MC 1560, SE 550, TL 1723, LM117, LM137,
LM317, LM337, MC 723, L200 v.b. Bu tm devrelerin i yaplarnda ve kullanmlarnda baz
farkllklar olmalarna karn temel dnce hepsinde ayndr.
119
Kaplan
co
m
Bu blmde sk kullanlan ve elektronik piyasasnda kolayca bulunabilen LM317 ve LM337

pozitif ve negatif ayarlanabilir gerililim reglatrlerini ksaca tantacaz. ekil-3.20de
Ayarlanabilir k reten LM317li pozitif gerilim reglatr devresi grlmektedir.
Devrenin k gerilimi;
tla
LM317
IN
VRE F
R1
C2
1F
IA
V0
no
OUT
AYAR
C1
100nF
R2
rs
ekil-5.20 LM317li Ayarlanabilir gerilim reglatr devresi
de
LM337 tmdevresi iin tipik deerler ise retici tarafndan;

VREF=1.25V
IA=100A
em
olarak verilmitir. ekil-5.21de Ayarlanabilir k veren pozitif ve negatif gerilim

reglatrleri verilmitir. Her iki devrede de k gerilimi R2 ayarl direnci tarafndan
ayarlanmaktadr. R2 deerine bal olarak k geriliminin alabilecei gerilim deerleri ise
tablo olarak verilmitir.
V = +40V veya -40V
V0
1.25V
120
2.5V
360
5V
1032
12V
2184
24V
2760
30V
.e
R2 Deeri
ri.
R
V0 = V REF 1 + 2 + I A R2
R1
LM317
IN
AYAR
V
LM337
OUT
C1
100nF
R2
V RE F
IA
IN
R1
120
AYAR
C2
1F
V0
OUT
C1
100nF
R2
V RE F
R1
120
IA
ekil-5.21 Pozitif ve negatif ayarlanabilir gerilim reglatr devreleri
120
C2 V
0
0.1F
LM317T
+25V
IN
ri.
LM317 ve LM337 tmdevreleri birlikte kullanlarak ayarl 20V simetrik k gerilimi

verebilen bir gerilim reglatr devresi ise ekil-5.22de verilmitir. Bu devrede pozitif ve
negatif k gerilimleri birbirinden bamsz olarak 1.2V ile 20V arasnda
ayarlanabilmektedir.
+1.2.20V
OUT
R1
120
AYAR
tla
C1
0.1F
R2
2K
no
V
Reglesiz
dc gerilim
R2
C3
10F
C4
10F
2 K
C2
01F
rs
AYAR
IN
-25V
C5
1F
0V
C6
1F
R1
120
OUT
LM337T
-1.2.20V
de
ekil-5.22 Laboratuvar tipi ayarlanabilir simetrik gerilim reglatr devresi
.e
em
5.4 ANAHTARLAMALI GERLM REGLATRLER
Kaplan
co
m
Dk gl dc g kaynaklarnn tasarmnda genellikle lineer (dorusal) tmdevre

gerilim reglatrleri tercih edilmektedir. Tercih nedeni olarak; basit yaplar, yk
deiimlerine hzl cevap vermeleri, grltsz almalar ve dk maliyetleri gibi
etkenleri sralayabiliriz. Fakat bu tip reglatrlerde verim ok dk ve g kayb fazladr.
Yksek gl dc kaynaklarnn tasarmnda verimleri ok daha fazla olan anahtarlamal
gerilim reglatrleri (switching regulators) kullanlmaktadr.
Anahtarlamal gerilim reglatrlerinin kullanm alanlar teknolojik gelimelere paralel
olarak son yllarda olduka artmtr. Birka farkl tip anahtarlamal gerilim reglatr
tasarm yaplmaktadr. Bu blmde;
Anahtarlamal gerilim reglatrlerinin genel zellikleri

Aa Doru Anahtarlamal Reglatr
Yukar doru Anahtarlamal Reglatr
Yn eviren Anahtarlamal Reglatr
sra ile incelenecek ve uygulama rnekleri verilecektir.
121
Genel zellikler
tla
ri.
G kaynaklarnn tasarmnda dikkat edilmesi gereken nemli faktrlerden birisi

verimliliktir. Dorusal (lineer) tmdevre gerilim reglatrlerinde verimlilik olduka
dktr ve yaklak olarak %25 ile %60lar seviyesindedir. Bu durumda acden dcye
dntrme ileminde yaklak olarak %50ler seviyesinde bir enerji kayb sz konusudur.
Dk gl (10W alt) dc g kaynaklarnn tasarmnda nemsenmeyecek boyutlarda olan
bu kayp zellikle yksek glerde sorunlara neden olmaktadr. Dorusal (lineer) bir
reglatrde g kayb yaklak olarak;
PREG = (V V0 ) I L (VV V E ) I L VCE I C
no
olarak ifade edilmektedir. Dolaysyla kayplarn tmne yakn kontrol eleman olarak
kullanlan ve aktif blgede altrlan transistr zerinde olumaktadr.
rs
Anahtarlamal gerilim reglatrlerinin tasarm zor ve maliyetleri yksektir. Bu nedenle

dk gler iin kullanm ve tasarm pek tercih edilmez. Yksek gl dc kaynaklarn
tasarmnda ise anahtarlamal gerilim reglatr kullanmak neredeyse zorunluluktur.
Anahtarlamal gerilim reglatrlerinin dierlerine nazaran temel zellikleri aada
maddeler halinde verilmitir.
Yaplar dorusal (lineer) reglatrlere gre daha karmak ve zordur. Bu nedenle
maliyetleri daha yksektir.
k grlt seviyeleri ve dalgallk oranlar daha yksektir. lave filtre devreleri

kullanmna gereksinim duyulur. Bu durum maliyeti artrr.
Yk akmlarnda ve giri gerilimlerinde meydana gelen deiimleri alglama ve

tepki verme sreleri daha uzundur.
de
em
.e
Kaplan
co
m
Anahtarlamal gerilim reglatrleri yaplarndan dolay, elektromanyetik ve radyo

frekansl (EMI-RFI) giriimlere sebep olurlar. Bu nedenle zel filtre devrelerine ve
ekranlama ilemine gereksinim duyarlar.
Anahtarlamal g kaynaklarnn verimleri dier g kaynaklarna nazaran olduka

yksektir.
Anahtarlamal gerilim reglatrlerinin alma frekanslar ehir ebekesinden ok

yksektir (KHz). Bu nedenle tasarmlarnda kullanlan bobin ve transformatr v.b
gibi. devre elemanlarnn fiziksel boyutlar olduka kktr.
Dorusal reglatrlerde; reglesiz giri gerilimi daima k geriliminden byk

olmaldr. Anahtarlamal reglatrlerde ise k gerilimi giriten byk
yaplabilmektedir.
Anahtarlamal gerilim reglatrlerinde birden fazla k elde edilebilmekte ve k

geriliminin kutuplar deitirilebilmektedir. Bu zellik dorusal reglatrlerde sz
konusu deildir.
Anahtarlamal gerilim reglatrnn temel alma prensibi, giriine uygulanan dc

iaretin yksek frekanslarda anahtarlanarak ka aktarlmasna dayanmaktadr. Bu
ilem iin giri gerilimi kylmakta ve darbe-periyot oran deitirilmektedir. Ksaca
darbe genilii modlasyonu (Pulse Widh Modulation=PWM) yaplmaktadr. Bu ilem;
reglatr kn yk ve giri geriliminde oluan deiimlerden bamsz hale getirir.
Ayrca devrede kullanlan elemanlar (yariletkenler) kesim/doyum modunda
anahtarlamal olarak altklar iin g kayplar minimumdur. Anahtarlamal bir g
kaynann blok olarak temel yaps ekil-5.23de verilmitir.
122
VREF
gen Dalga
Referans
Reglatr
VB
R1
R2
ri.
VA
PWM
VM
G Anahtar
tla
Hata Amp.
VH
V
Reglesiz
Giri
Tmdevre
RL
VL
Regleli
k
no
ekil-5.23 Anahtarlamal dc gerilim reglatrnn blok diyagram

Blok diyagram verilen anahtarlamal gerilim reglatrnn temel alma ilkelerinden olan
darbe genilii modlasyonunun (PWM) temel prensibi ise ekil-5.24de gsterilmitir.
+
rs
VM
VA
V>VM ise V 0=+VA

V<VM ise V 0=-VA
Gerilim Karlatrc
de
VM
t
.e
em
Kaplan
co
m
V0
VA
t
-VA
ekil-5.24 Anahtarlamal dc gerilim reglatrnde dalga biimleri

Anahtarlamal gerilim reglatrnn blok diyagramnn da grld gibi hata amplifikatrnn eviren giriindeki gerilim (VM), geri beslemeden dolay;
R1
V H = V0
R1 + R 2
deerindedir. Opampn ideal olduu kabul edilirse (eviren ve evirmeyen girileri arasnda
gerilim fark yoktur), evirmeyen giriteki VREF deeri;
R1
V REF = V0
R1 + R2
olur. Bu formlden regleli k gerilimini yazarsak;
R
V0 = V L = V REF 1 + 2
R1
Elde edilen k geriliminin devre giri gerilimi Vden ve yk akm ILden bamsz olduu
123
grlmektedir. Devrede R2=2R1 ve VREF=10V olarak seilirse; devrenin k gerilimi V0;

2 R1
R
V 0 = V REF 1 + 2 = 10V 1 +
= 30V
R1
R1
ri.
olarak bulunur. Dolays ile k geriliminin maksimum deeri V kadar olduundan bu

devre V0<V olacak ekilde kullanlabilir.
tla
ekil-5.24de verilen gerilim karlatrcnn kndaki VA geriliminim periyodu Tdir. Buna

gre darbe-periyot oran;
DPO = = D =
Darbe Sresi
T
no
olur. Grld gibi darbe periyot orann (D); VA geriliminin periyodu (T) belirlemektedir.
VA gerilimi ise ekil-5.24de grld gibi karlatrc giriine verilen VM deerine
baldr. Dolaysyla sistemin lineer bir darbe periyot modlatr (PWM) gibi altn
syleyebiliriz.
Darbe Sresi
V
= 0.5 1 M
T
V
rs
D=
de
Devrede (ekil-5.23) PWM modlatr kndan alnan VA gerilimi kare dalgadr. Bu

gerilimin gc, bir g anahtarndan geirilerek ykseltilmektedir. Dolaysyla g anahtar
kndan alnan VB gerilimi de kare dalgadr. Bu gerilimde bulunabilecek yksek frekansl
harmonik bileenleri zayflatmak iin bir LC alak geiren filtre devresi kullanlr. Bu ilem
iin XL>>XC seilmelidir. Bu durumda devre kndan alnacak V0 k gerilimi, VBnin
ortalama deerine eittir.
.e
em
Anahtarlamal reglatr devresinde (ekil-5.23) kullanlan g anahtar ise (power switch)

bir grup transistrle gerekletirilen zel bir anahtardr. Bu devrede transistrler aktif
blgede altrlmaz. Kesim ve doyum blgelerinde bir anahtar gibi altrlr. Bu yzden
g kayplar ok azdr. G anahtar devresinde verimlilii artrmak amacyla kollektremiter doyum gerilimi (VCESAT) dk ve anahtarlama hz yksek transistrler tercih edilir.
Kaplan
co
m
Gnmzde pek ok farkl tip anahtarlamal gerilim reglatr tasarm yaplabilmektedir.

Bunlarn ierisinde en yaygn olarak kullanlanlar ise genellikle 3 tiptir. Bunlar;
Aaya doru (step-down veya buck) anahtarlamal reglatr

Yukarya doru (step-up veya boast) anahtarlamal reglatr
Yn eviren (inverting veya boast) anahtarlamal reglatr
olarak adlandrlr. Yukarda belirtilen 3 ayr tip anahtarlamal reglatr ayrntl olarak
inceleyeceiz. Her 3 tipin zelliklerini belirterek avantaj ve dezavantajlar zerinde
duracaz.
Aa Doru (buck) Anahtarlamal Reglatr

Bu tr reglatrlerin kndan alnan regleli gerilim, reglesiz giri geriliminden daha
kktr. Aa doru reglatrn temel alma prensibini anlamak amacyla
basitletirilmi temel yaps ekil-5.25de verilmitir.
124
Kaplan
L
V
Reglesiz
Giri
Anahtarlama
Kontrol
co
m
V0
Regleli
k
RL
ri.
tla
ekil-5.25 Aa doru anahtarlamal gerilim reglatrnn temel (basit) yaps
no
Devrede giriten uygulanan reglesiz dc gerilimi karedalgaya evirmek (anahtarlamak) iin

bir S1 anahtar kullanlmaktadr. Bu anahtar gerekte bir transistrdr. Anahtarlama sreleri
ise (darbe periyot oranlar) doal olarak reglatrn k ykne bal olarak yaplacaktr.
k geriliminin ortalamasn almak ve harmonikleri zayflatmak iin bir LC filtresi
kullanlmtr.
de
rs
Aa doru anahtarlamal gerilim reglatrnn gelitirilmi devresi ve devrede kullanlan

T1 transtrnn kesim-doyum (on-off) aralklar ekil-5.26da verilmitir.
em
R1
Transistr on/off kontrol
t ON
tOFF
Kondansatr Gerilimi
V0
V0
V0
V
D
R2
Transistr on/off kontrol
tOFF
tON
PWM
Kondansatr Gerilimi
RL
V0
R3
V0
+
0
ekil-5.26 Aa doru anahtarlamal gerilim reglatr ve gerilim dalga biimleri
.e
Vi
Reglesiz
Giri
125

Elektronik II - Mersin Üniversitesi - Analog Elektronik

Uploaded by

Document Information

Copyright

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Elektronik II - Mersin Üniversitesi - Analog Elektronik

Uploaded by

Copyright:

YARILETKENLERN TANITILMASI

Maddenin temel atomik yaps

Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip

ekil-1.1 eitli elektronik devre elemanlarnn genel grnm

Elektronik devre elemanlarnn dolaysyla elektronik cihazlarn nasl altn anlamak

Tm maddeler atomlardan oluur. Atomlar ise; elektronlar, protonlar ve ntronlardan

Elektronik endstrisinde temel devre elemanlarnn retiminde yariletken materyaller

Bu blmde temel atomik yapy inceleyeceiz. Blm sonunda aada belirtilen

ekirdek, proton, ntron ve elektron

Yeryznde bilinen 109 element vardr. Bir elementin zelliklerini belirleyen en kk

ekil-1.1 Bohr modeline gre atom.

2 Protonlu ve 2 Ntronlu ekirdek

ekil- 1.2 Hidrojen ve Helyum atomlar

Atom Numaras ve Arl

Elektron Kabuklar ve Yrngeler

ekil- 1.3 ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri.

YARILETKEN, LETKEN VE YALITKAN

Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konularda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.

Tm materyaller atomlardan oluur. Materyallerin atomik yaps, materyalin elektrik

Maddelerin iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlmasnda enerji bandlar

ekil-1.4 farkl Materyal iin enerji diyagram

ekil-1.4 Silisyum ve germanyum atomlar.

ekil-1.5 Saf silisyum kristalin kovalent balar.

1.3 YARILETKENLERDE LETKENLK

Malzemenin elektrik akmn nasl ilettii, elektrik devrelerinin nasl altnn

Bu blmde iletkenliin nasl meydana geldiini ve baz malzemelerin dierlerinden

Bu blmde enerji bantlar ierisinde elektronlarn nasl ynlendiini greceksiniz.

ekil-1.6 Durgun silisyum kristalinin enerji band diyagram.

Elektronlar ve Boluklarda iletkenlik

ekil-1.7.a ve b. Hareketli bir silisyum atomunda bir elektron boluunun oluturulmas.

Elektron ve Delik (hole) akm

ekil-1.8 Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket,

N-TP VE P-TP YARI LETKENLER

N-tipi yariletken maddenin yapsn

P-tipi yariletken maddenin yapsn

ounluk ve aznlk akm tayclarn

Ayrntl olarak reneceksiniz.

Katk lemi (Doping)

Saf silisyumun iletkenlik bandndaki deliklerinin artrlmas atomlara katk maddesi

Fosfor atomunun 4 valans elektronu, silisyumun 4 valans elektronu ile kovalent ba

ekil-1.10 N tipi yariletken maddenin oluturulmas.

ayrntl olarak reneceksiniz.

ekil-1.12.a ve b Basit bir PN yapsnn oluumu.

Deplasyon Katman ve levi

P blgesi ise ok sayda boluklar (delik=hole) ierir. Bunlara ounluk akm

P maddesinde elektron noksanl (boluk), N maddesinde ise elektron fazlal meydana

P ve N maddesi ekil-1.13.ada grld gibi birletirildiini kabul edelim. Birleim

ekil-1.13.a ve b PN birleiminin denge iletimi. Elektron boluk iftinin oluturduu

1.6 PN BRLEMNN POLARMALANMASI

PN bitiiminin nasl oluturulduunu grdk. PN

PN birleimine elektronik biliminde diyot ad verilmektedir. Diyot veya dier bir

leri ynde polarma (forward bias)

leri Ynde Polarma (Forward Bias)

ekil-1.14 leri ynde polarma balants. R, direnci akm snrlamak amacyla

elektronlarnn boluklarla birleme ilemi PN ularna voltaj uyguland srece devam

ekil-1.15: PN birleimli diyot ta elektron ak.

leri polarmada Gerilim seddinin etkisi

Ters Polarma (Revrese Bias)

ekil-1.16 Ters Polarma balants.

ekil-1.17 Ters polarmada oluan engel katman

Ters Ynde Krlma

nceki blmlerde oluturulan PN birleimine elektronik endstrisinde diyot ad

Bu blmde diyodun nasl altn, akm-gerilim karakteristiklerini ayrntl

reneceksiniz. Bu blmde reneceiniz temel alma prensipleri, ileriki

Bir nceki blmde oluturulan P ve N maddesinin birletirilmesi, Diyot ad verilen

ekil-1.19 Diyotlarda klf tipleri ve terminal isimleri

ekil-1.20 Diyotun yaps ve ematik diyot sembolleri