Professional Documents
Culture Documents
Amalar:
tla
Atomik Yap
Yariletken, letken ve Yaltkan
Yariletkenlerde letkenlik
N Tipi ve P tipi Yariletkenler
PN Bitiimi (eklemi) ve Diyot
PN Bitiiminin nbeslemesi
no
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
ri.
Konular:
.e
em
de
rs
co
m
BLM 1
co
m
Kaplan
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
ANALOG ELEKTRONK- I
Kullandmz pek ok cihazn retiminde bir veya birka elektronik devre eleman
kullanlmaktadr. Elektronik devre elemanlar ise yariletken materyaller kullanlarak
retilir. Diyot, transistr, tristr, FET, tmdevre (entegre) v.b adlarla tanmlanan
elektronik devre elemanlarnn bir ou ekil-1.1de resimlenmitir.
Kaplan
ri.
ATOMK YAPI
no
1.1
tla
Bu kitap boyunca elektronik devre elemanlarn belirli bir sra ierisinde tanyacaz. Bu
elemanlarn tm zelliklerini inceleyerek cihaz tasarmlarn gerekletireceiz.
rs
de
.e
em
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
co
m
Ntron
Proton
no
tla
Elektron
rs
.e
em
de
Elektronlar, negatif ykn temel nesneleridirler. Bilinen btn elementleri bir birinden
ayran temel zellik, atomlarnda bulunan proton ve ntron saylardr. Her bir atomun,
proton ve ntron saylar fakldr. rnein, en basit yapya sahip atom, hidrojen
atomudur. Hidrojen atomu; ekil-1.2.ada gsterildii gibi bir proton ve bir elektrona
sahiptir. ekil-1.2.bde gsterilen helyum atomunun yrngesinde iki elektron,
ekirdeinde ise; iki proton ve iki ntron bulunmaktadr.
Kaplan
ri.
ANALOG ELEKTRONK- I
ekirdek yrngesinde
1 elekton
ekirdek yrngesinde
2 elekton
1 Protonlu ekirdek
b) Helyum Atomu
a) Hidrojen Atomu
ri.
Bir atomun, elektron ieren yrngeleri ekirdekten belirli uzaklktadr. ekirdee yakn
olan yrngedeki elektronlar, ekirdee uzak olan yrngedeki elektronlardan daha az
enerjiye sahiptir. ekirdee farkl uzaklklarda bulunan yrngelerdeki elektronlar
belirli enerji seviyelerine uyar. Atomda, enerji bantlar eklinde gruplam yrngeler
kabuk (shell) olarak bilinirler. Verilen her bir atom, sabit kabuk saysna sahiptir.
Kabuklarda barnan elektronlar ise belirli bir sistem dahilinde dizilirler.
no
tla
Her bir kabuk, izin verilen sayda maksimum elektron barndrr. Bu elektronlarn enerji
seviyeleri deimez. Kabuk iindeki elektronlarn enerji seviyeleri bir birinden azda olsa
kk farkllklar gsterir. Fakat; kabuklar arasndaki enerji seviyelerinin fark ok daha
byktr.
ekirdek etrafnda belirli bir yrngeyi oluturan kabuklar, k-l-m-n olarak gsterilirler.
ekirdee en yakn olan kabuk k dr. k ve l kabuklar ekil-1.4 de gsterilmitir.
enerji seviyesi
Bu elektron, en yksek
enerjiye sahiptir.
rs
W6
2. Kabuk
W5
W4
de
W3
1. Kabuk
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
r3
r4
W2
W1
r1
r2
r6
r5
ekirdek
W= Enerji
r = ekirdekten uzaklk
Bu elektron, en dk
enerjiye sahiptir.
Valans Elektronlar
Elektronlar ekirdekten uzaktadr ve ekirdekten ayrlma eilimindedir. ekirdek
elektronun bu ayrlma eilimini dengeleyecek gtedir. nk elektron negatif ykl,
ekirdek pozitif ykldr. ekirdekten uzakta olan elektronun negatif yk daha fazladr.
Bu durum merkezden kama kuvvetini dengelemektedir. Bir atomun en dtaki kabuu, en
yksek enerji seviyeli elektronlara sahiptir. Bu durum onu atomdan ayrlmaya daha eilimli
hale getirir. Valans (atomun deerini ayarlayan elektronlar) elektronlar kimyasal reaksiyona
ve malzemenin yapsna katk salar.
Bir atomun en d kabuundaki elektronlar, ekirdek etrafnda simetrik olarak hareket
ederler ve kendi aralarnda bir ba olutururlar. Bu baa kovelant ba denir. Atomun en
d kabuundaki elektronlara ise valans elektron ad verilir. Komu atomlarn en d
kabuklarndaki elektronlar (valans elektronlar) kendi aralarnda valans iftleri olutururlar.
yonizasyon
Bir atom, s kaynandan veya ktan enerjilendii zaman elektronlarnn enerji seviyeleri
ykselir. Elektronlar enerji kazandnda ekirdekten daha uzak bir yrngeye yerleir.
ri.
Bylece Valans elektronlar daha fazla enerji kazanr ve atomdan uzaklama eilimleri artar.
Bir valans elektronu yeterli miktarda bir enerji kazandnda ancak bir st kabua kabilir
ve atomun etkisinden kurtulabilir.
de
1.2
rs
no
tla
Bir atom, pozitif arjn ar artmas (protonlarn elektronlardan daha fazla olmas)
durumunda ntr deere ulamaya alr. Bu amala atom, valans elektronlarn harekete
geirir. Valans elektronunu kaybetme ilemi YONZASYON olarak bilinir ve atom pozitif
arj ile yklenmi olur ve pozitif iyon olarak adlandrlr. rnein; hidrojenin kimyasal
sembol Hdr. Hidrojenin valans elektronlar kaybedildiinde pozitif iyon adn alr ve H+
olarak gsterilir. Atomdan kaan valans elektronlar serbest elektron olarak adlandrlr.
Serbest elektronlar, ntr hidrojen atomunun en d kabuuna doru akar. Atom negatif yk
ile yklendiinde (elektronlarn prontonlardan fazla olmas) negatif iyon diye adlandrlrlar
ve H- olarak gsterilirler.
em
Byn materyaller; elektrik enerjisine gsterdikleri tepkiye bal olarak balca 3 gruba
ayrlrlar. Bu guruplar; iletken, yaltkan ve yariletken olarak tanmlanr. Bu blmde;
zellikle yariletken maddelerin temel yapsn inceleyerek, iletken ve yaltkan maddelerle
aralarndaki farklar ortaya koymaya alacaz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Atomik yapnn z
Bakr, silisyum, germanyum ve karbon v.b maddelerin atomik yaplar
letkenler
Yariletkenler
letken ve yariletken arasndaki farklar
Silisyum ve germanyum yariletken malzemelerin farkllklar
letken
Elektrik akmnn iletilmesine kolaylk gsteren materyallere iletken denir. yi bir iletken
zellii gsteren materyallere rnek olarak, bakr, gm, altn ve aliminyumu
sayabiliriz. Bu materyallerin ortak zellii tek bir valans elektronuna sahip olmalardr.
Dolays ile bu elektronlarn kolaylkla kaybedebilirler. Bu tr elementler; 1 veya birka
valans elektrona sahiptirler. rnein bakr, altn, gm v.b .
Yaltkan
ri.
Normal koullar altnda elektrik akmna zorluk gsterip, iletmeyen materyallere yaltkan
denir. Yaltkan maddeler son yrngelerinde 6 ile 8 arasnda valans elektron barndrrlar.
Serbest elektron bulundurmazlar. Yaltkan maddelere rnek olarak bakalit, ebonit v.b
ametalleri sayabiliriz.
Yariletken
Enerji Band
no
tla
Yariletken maddeler; elektrik akmna kar, ne iyi bir iletken nede iyi bir yaltkan zellii
gsterirler. Elektronik endstrisinin temelini oluturan yariletken maddelere rnek olarak;
silisyum (si), germanyum (ge) ve karbon (ca) elementlerini verebiliriz. Bu elementler son
yrngelerinde 4 adet valans elektron bulundururlar.
de
rs
.e
em
Enerji
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Enerji
Enerji
letim Band
letim Band
Enerji Aral
Valans Band
Enerji Aral
letim Band
Valans Band
Valans Band
a) Yaltkan
a) Yariletken
a) letken
Silisyum ve Germanyum
Diyot, transistr, tmdevre v.b elektronik devre elemanlarnn retiminde iki tip yar iletken
malzeme kullanr. Bunlar; SLSYUM ve GERMANYUM elementleridir. Bu elementlerin
atomlarnn her ikisi de 4 Valans elektronuna sahiptir. Bunlarn birbirinden fark; Silisyumun
ekirdeinde 14 proton, germanyumun ekirdeinde 32 proton vardr. ekil-1.5de her iki
malzemenin
atomik yaps grlmektedir. Silisyum bu iki malzemenin en ok
kullanlandr.
ri.
En d yrngede 4 valans
elektronu bulunur.
+32
tla
+14
b) Germanyum Atomu
no
a) Silikon Atomu
rs
Kovelant Ba
de
Kat materyaller, kristal bir yap olutururlar. Slikon, kristallerden olumu bir
materyaldir. Kristal yap ierisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent ba denilen
balarla balanrlar. Kovelant ba, bir atomun valans elektronlarnn birbirleri ile
etkileim oluturmas sonucu meydana gelir.
.e
em
Her silisyum atomu, kendisine komu dier 4 atomun valans elektronlarn kullanarak
bir yap oluturur. Bu yapda her atom, 8 valans elektronunun oluturduu etki
sayesinde kimyasal kararll salar. Her bir silisyum atomunun valans elektronu,
komu silisyum atomunun valans elektronu ile paylam sonucunda kovalent ba
oluur. Bu durum; bir atomun dier atom tarafndan tutulmasn salar. Bylece
paylalan her elektron birbirine ok yakn elektronlarn bir arada bulunmasn ve
birbirlerini eit miktarda ekmesini salar. ekil-1.5 saf silisyum kristallerinin kovalent
balarn gstermektedir. Germanyumun kovalent bada benzerdir. Onunda sadece
drt valans elektronu vardr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Valans Elektronlar
Kovelant Balar
Si
Si
Si
Si
ri.
tla
no
rs
Enerji
letim Band
de
Enerji Aralklar
.e
em
Valans Band
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Enerji Aralklar
2. Band ( l kabuu)
Enerji Aralklar
1. Band ( k kabuu)
ekirdek 0
zetle; saf silisyumunun iletkenlik bandndaki elektronlarn bir ksm oda scaklnda
hareketli hale geer. Bu hareket, malzemenin herhangi bir yerine doru rasgeledir. Bylece valans bandndaki boluk saysna eit miktarda elektron, iletkenlik bandna atlar.
Serbest
Elektron
ri.
Enerji
Si
Serbest
Elektron
letim Band
tla
Enerji Aralklar
Valans Band
Is
Enerjisi
Delik
Si
Is
Enerjisi
Delik
b) Ba Diyagram
no
a) Enerji Diyagram
rs
.e
em
de
Saf silisyumun bir ksmna gerilim uygulandnda neler olduu ekil-1.8 zerinde
gsterilmitir. ekilde iletkenlik bandndaki serbest elektronlarn negatif utan pozitif
uca doru gittikleri grlmektedir. Bu; serbest elektronlarn hareketinin olutuu akmn
bir trdr. Buna elektron akm denir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
V
+
10
ri.
tla
de
1.4
rs
no
ekil-1.9 Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket silisyum iinde bir
elektron akna neden olur.
Yariletken malzemeler, akm iyi iletmezler. Aslnda ne iyi bir iletken, nede iyi bir
yaltkandrlar. nk valans bandndaki boluklarn ve ilettim bandndaki serbest
elektronlarn says snrldr. Saf silisyum veya germanyumun mutlaka serbest
elektron veya boluk says artrlarak iletkenlii ayarlanmaldr. letkenlii
ayarlanabilen silisyum veya germanyum, elektronik devre elemanlarnn yapmnda
kullanlr. Germanyum veya silisyumun iletkenlii ise ancak saf malzemeye katk
maddesi eklenmesi ile salanr. Katk maddesi eklenerek oluturulan iki temel
yariletken materyal vardr. Bunlara; N-tipi madde ve P-tipi madde denir. Elektronik
devre elemanlarnn retiminde bu iki madde kullanlr.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blm bitirdiinizde;
Katk (doping) ilemini
11
N-Tipi Yariletken
ri.
tla
no
Si
Si
Si
Fb
-
Si
Si
Si
Si
de
-
rs
Si
Si
Si
Kovelant Ba
Fb atomunun
serbest elektronu
Si
.e
em
Akm tayclarnn ounluu elektron olan, silisyum veya germanyum maddesine Ntipi yariletken malzeme denir. N-tipi malzemede elektronlar, ounluk akm tayclar
diye adlandrlr. Bylece N-tipi malzemede akm tayclar elektronlardr. Buna ramen
s ile oluturulan birka tane elektron boluk iftleri de vardr. Bu boluklar 5-deerli
katk maddesi ile oluturulmamlardr. N-tipi malzemede boluklar aznlk tayclar
olarak adlandrlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
P-Tipi Yariletken
Saf silisyum atomu ierisine, 3 valans elektrona sahip (3-deerli) atomlarn belli bir
oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yap oluur. Bu yeni kristal yapda delik (boluk)
says artrlm olur. 3 valans elektrona sahip atomlara rnek olarak; alminyum (Al),
Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. rnein; saf silisyum ierisine belli bir
oranda bor katlrsa; bor elementinin 3 valans elektronu, silisyumun 3 valans elektronu
ile ortak kovalent ba oluturur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak valans ba
oluturamaz. Bu durumda 1 elektron noksanl meydana gelir. Buna boluk veya
delik=hole denir.
Silisyuma eklenen katk miktar ile boluklarn says kontrol edilebilir. Bu yntemle elde
edilen yeni malzemeye P tipi yariletken malzeme denir. nk boluklar pozitif
ykldr. Dolays ile P-tipi malzemede ounluk akm taclar boluklardr.
Elektronlar ise P tipi malzemede aznlk akm tayclardr. P-tipi malzemede bir ka
adet serbest elektronda olumutur. Bunlar s ile oluan boluk ifti esnasnda meydana
gelmitir. Bu serbest elektronlar, silisyuma yaplan katk esnasnda oluturulamazlar.
Elektronlar P-tipi malzemede aznlk akm tayclardr.
12
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B
-
Kovelant Ba
ri.
Si
Si
B atomundan
oluan delik (hole)
tla
Si
Si
rs
1.5 PN BRLEM
no
ekil- 1.11 Silisyum kristaline 3 bal katk atomu. Bohr katk atomu merkezde
gsterilmitir.
de
Silisyum veya Germanyum kristaline yeterli oranda katk maddeleri eklenerek, P-tipi
ve N-tipi maddeler oluturulmutu. Bu maddeler yaln halde elektriksel ilevleri
yerine getiremezler. P ve N tipi malzeme bir arada kullanlrsa, bu birleime PN
birleimi (junction) veya PN eklemi denir. PN birleimi; elektronik endstrisinde
kullanlan diyot, transistr v.b devre elemanlarnn yapmnda kullanlr.
em
Bu blm bitirdiinizde;
PN bitiiminin zelliklerini
Deplasyon katman ve ilevini
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-1.12.(a)da yars P-tipi, dier yars N tipi malzemeden oluan iki blml bir
silisyum parasn gstermektedir. Bu temel yap biimine yar iletken diyot denir. N
blgesinde daha ok serbest elektron bulunur. Bunlar akm tayccs olarak grev
yaparlar ve ounluk akm taycs olarak adlandrlrlar. Bu blgede ayrca s etkisi
ile oluturulan birka boluk (delik=hole) bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar
ad verilir.
pn bitiimi
P TP
MADDE
P TP MADDE
N TP MADDE
N TP
MADDE
Delik (hole)
13
Elektron
tla
ri.
de
rs
no
.e
em
P TP MADDE
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Delik (hole)
pn bitiimi
N TP MADDE
P TP MADDE
Engel Potansiyeli
N TP MADDE
+
+
Deplasyon
Blgesi
Elektron
14
bitiimi
elektronik
devre
ri.
tla
no
Bu blm bitirdiinizde;
rs
Kavramlarn reneceksiniz.
de
.e
em
leri ynde polarma; yariletken bir devre elemannn ularna uygulanan DC gerilimin
yn ile ilgilidir. PN birleiminden akm akmasn salayacak ekilde yaplan
polarmadr. ekil-1.14de bir diyoda ileri ynde polarma salayacak balant
grlmektedir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
p
R
n
Vpolarma
+
15
N TP
tla
ri.
P TP
boluk akm
Elektron akm
VD
no
rs
Vpolarma
de
.e
em
PN birleiminde meydana gelen gerilim seddi, Silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V
civarndadr. Polarma geriliminin potansiyeli bu deere ulatnda, PN birleiminde
iletim balar. PN ularna uygulanan gerilim, diyodu bir kez iletime geirdikten sonra
gerilim seddi klr. Akm ak devam eder. Bu akma ileri yn akm If denir. If akm
P ve N blgesinin direncine bal olarak ok az deiir. Bu blgenin direnci (ileri yndeki
diren) genellikle kktr ve kk bir gerilim kaybna sebep olur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Ters kutuplamada bataryann negatif ucu P blgesine, pozitif ucu ise N blgesine
balanmtr. Bu durum ekil-1.16da gsterilmitir. Ters polarmada PN birleiminden
akm akmaz. Bataryann negatif ucu, PN blgesindeki boluklar kendine doru eker.
Pozitif ucu ise PN blgesindeki elektronlar kendine doru eker ve bu arada (deplesyon
blgesi) yaltkan katman geniler. N blgesinde daha ok pozitif iyonlar, P blgesinde ise
daha ok negatif iyonlar oluturulur.
Vpolarma
+
16
N TP
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
no
tla
P TP
-
ri.
Yaltkan (deplesyon) katmandaki potansiyel fark harici bayas gerilimine eit oluncaya
kadar geniler. Bu noktada boluklarn ve elektronlarn hareketi durur. Birleimden
ounluk akm tayclarnn harekete balamas (transient ) akm diye adlandrlr. Bu
ise ters kutuplama yapldnda ok ksa bir anda akan bir akmdr.
Engel
Katman
rs
V polarma
de
em
Diyot ters kutuplandnda engel katmannn yaltkanl artacak ve her iki taraftaki iyonlar
arj olacaktr. Bu durum kapasitif bir etki yaratr. Ters kutuplama gerilimi arttka engel
katman geniler. Bu arada kapasitansda artacaktr. Bu durum, deplesyon katmannn
kapasitans diye bilinir ve bu durum pratik kolaylklar salar.
.e
Aznlk Akm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
imdiye kadar rendiimize gre; diyoda ters gerilim uygulandnda ounluk akm
abucak sfr olur. Ancak ters kutuplama da bile ok az bir aznlk akm mevcut
olacaktr. Bu ters akm germanyumda, silisyuma gre daha fazladr. Bu akm silisyum
iin mikro amper veya nano amperler mertebesindedir. Dolays ile s ile oluan elektron
boluk ifti ise minimum seviyesindedir. Harici ters gerilim; uygulanrken baz
elektronlar PN birleimini geecektir. Ters akm ayn zamanda birleimin ssna ve ters
kutlama geriliminin miktarna baldr dolays ile snn artmas ters akm da
artracaktr.
17
1.7
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DYOT
ri.
no
Diyot semboln
deal diyot modelini
Pratik diyot modelini
Diyotun polarmalandrlmasn,
Diyotun V-I karakteristiini
Diyot direncini
Diyotlarda yk dorusu ve alma karakteristiini
Diyodun scaklkla ilikisini
rs
tla
de
PN Bitiimi ve Diyot
.e
em
18
Anot
Anot
Anot
tla
ri.
Elektronik biliminde her devre eleman sembollerle ifade edilir. Sembol tespiti bir takm
uluslararas kurallara gre yaplmaktadr. ekil-1.20de diyotun temel yaps ve ematik
diyot sembolleri verilmitir.
Katod
Katod
no
Katod
rs
ekil-1.20de grld gibi diyot 2 terminalli aktif bir devre elemandr. Terminallerine
ilevlerinden dolay anot ve katod ismi verilmitir. Anot terminalini P tipi madde,
katod terminalini ise N tipi madde oluturur.
de
.e
em
deal diyodu tek ynl bir anahtar gibi dnebiliriz. Anot terminaline gre; katot
terminaline negatif bir gerilim uygulanan diyot, doru (ileri) ynde polarmalandrlm
olur. Diyot, doru ynde polarmalandnda kapal bir anahtar gibi davranr. zerinden
akm akmasna izin verir. Direnci minimumdur. Bu durum ekil-1.21..ada grlmektedir.
Anot terminaline gre; katot terminaline pozitif bir gerilim uygulanan diyot ters ynde
polarmalandrlm olur. deal diyot ters ynde polarmalandrldnda, ak bir anahtar
gibi davranr. zerinden akm akmasna izin vermez ve direnci sonsuzdur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
deal Diyot
VF=0V
+
VDD
If
Vr
IF=VDD /R
VDD
+
Vr
Vf
Ir=0
Ir
a) Dogru Polarma
b) Ters Polarma
19
c) V-I Karakteristii
ri.
Pratik kullanmda diyot, ideal modelden farkl davranlar sergiler. rnein; doru
polarma altnda kapal bir anahtar gibi ksa devre deildir. Bir miktar direnci vardr. Bu
nedenle zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu gerilime diyot ngerilimi denir
ve VF veya VD sembolize edilir. Bu gerilim deeri; silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V
civarndadr. Gerek bir diyotun doru polarma altnda modellemesi ekil-1.22..ada
verilmitir.
tla
Ters ynde polarmada ise, ak bir anahtar gibi direnci sonsuz deildir. Bu nedenle
zerinden ok kk bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm denir ve IR ile
sembolize edilir. Sznt akm ok kk olduundan pek ok uygulamada ihmal
edilebilir.
no
Gerek bir silisyum diyodun V-I karakteristii ise ekil-1.22.cde verilmitir. rnein; ekil1.22.ada grlen doru polarma devresinde diyot zerinden geen ileri yn akm deeri IF;
IF =
rd
de
0.7
+
rr
em
VDD
If
Vr
Vf
If
VDD VD
R
rs
olarak belirlenir.
VDD
Vr
Vf
b) Ters Polarma
a) Dogru Polarma
Ir
c) V-I Karakteristii
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1.8
DYOT KARAKTERSTKLER
20
ri.
Diyotun V-I karakteristii; diyot ularna uygulanan gerilimle, diyot zerinden geen akm
arasndaki ilikiyi gsterir. Diyot; doru ve ters polarma altnda farkl davranlar sergiler.
Genel kullanm amal silisyum diyodun doru ve ters polarmalar altndaki V-I
karakteristii ekil-1.23de verilmitir. ekil-1.23 zerinde diyodun V-I karakteristiini
karmak iin gerekli devre balantlar grlmektedir.
tla
em
de
rs
no
Ters polarma altnda ise; diyot zerinden geen akm miktar ok kktr. Bu akma
sznt akm denir. Sznt akm, silisyum bir diyotda birka nA seviyesinde, germanyum
bir diyotda ise birka A seviyesindedir. Ters polarma altnda diyot, belirli bir gerilim
deerinden sonra iletime geer. zerinden akan akm miktar ykselir. Ters polarma altnda
diyotu krlp iletime gemesine neden olan bu gerilime krlma gerilimi denir. Bu durum
ekil-1.23 zerinde gsterilmitir.
If (mA )
If
Dogru Polarma
Sznt akm
Vf ( V )
.e
Vr ( V )
V DD
Krlma noktas
Vf
VF=0.7V
Vr
Ir
+
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VDD
Ters Polarma
Ir (A )
21
( e kT
1)
ri.
I = I0
no
tla
Bu formlde;
I : Diyot akmn
I0 : Ters polarmada sznt akmn
V : Diyot ularna uygulanan polarma gerilimini
Q : Elektron arj miktarn (Coulomb olarak)
T : pn birleim scakln (K cinsinden)
K : Boltzman sabitini
: Metale baml bir sabite (Ge:1, Si=2)
rs
Ge
Si
30
25
20
10
5
Ir(si)=10nA
Vr ( V )
2A
.e
em
de
If (mA )
15
0.3
0.5
0.7
Vf ( V )
4A
6A
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Si
Ge
Ir (A )
Diyot Direnci
Diyotun elektriksel olarak direnci; diyot ularndaki gerilimle diyot zerinden geen
akmn oranna gre tayin edilir. Diyot direnci, karakteristiinde grld gibi
dorusal deildir. Doru polarma altnda ve iletim halindeyken, direnci minimum 10
civarndadr. Ters polarma altnda ve kesimdeyken ise 10M-100M arasndadr.
Diyodun doru akm altnda gsterdii diren deerine statik diren denir. Statik
diren (rs) aadaki gibi formle edilir.
22
VD
ID
rS (statik ) =
Alternatif akm altnda gsterdii diren deerine dinamik diren denir. Dinamik
diren (rD) aadaki gibi formle edilir.
V
I
ri.
rD ( dinamik ) =
tla
Q3
no
I3
Q2
I2
Q1
I1
V 1 V 2 V3
rs
VF (v)
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rS (Q1 ) =
V1
I1
rS (Q2 ) =
V2
I2
olarak bulunur. Diyotun dinamik direnci ise, akm ve gerilimin deimesi ile oluan
diren deeridir. rnein Q2 noktasndaki dinamik diren deerini bulmak istersek, Q2
noktasndaki deiimin (Q1 .. Q3 deiimi gibi) kk bir deiimini almamz gerekir.
rD =
V V3 V1
=
I 3 I1
I
VD
VDD
R
IF
Egim =
VDD
VF
23
VDD
1
R
V(v)
V DD
R
ri.
olaca aktr. Gerek bir diyot kullanldnda ise; devreden akacak I akm miktarna
bal olarak diyot ularnda VD ile belirlenen bir diyot ngerilimi oluacaktr. Bu gerilim
deeri lineer deildir. Bu gerilim deerinin;
tla
V F = V DD I F R
no
olaca aktr. Ayrca devreden akan akacak olan ID akm deerinin VDD gerilimine bal
olarak da eitli deerler alaca aktr. eitli VDD deerleri veya IF deerleri iin, diyot
n gerilimi VDnin alabilecei deerler diyot karakteristii kullanlarak bulunabilir. VDD
geriliminin eitli deerleri iin devreden akacak olan IF akm deerleri bulunup
karakteristik zerinde iaretlenir ve kesiim noktalar birletirilirse ekil-1.26da grlen
eri elde dilir. Bu eriye yk dorusu denilir.
rs
IF=0 iin
VF=0 iin
VF=VDD
IF=VDD/R
(Diyot yaltkan)
(Diyot iletken)
de
em
ekil-1.26da verilen devreye bal olarak yk dorusu bir defa karldktan sonra
VDDnin herhangi bir deeri iin akacak akm miktar ve buna bal olarak R direnci
ularnda oluabilecek gerilim deeri kolaylkla bulunabilir. Yk dorusu ve alma
noktasnn tayini; diyotu zellikle hassas kullanmlarda duyarl ve pratik alma salar.
.e
Scaklk Etkisi
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot karakteristii ile ilgili bir dier faktr ise scaklktr. retici firmalar diyodun
karakteristik deerlerini genellikle 250C oda scakl iin verirler. Diyotun alma
ortam ss, oda scaklndan farkl deerlerde ise diyot ngeriliminde ve sznt
akmnda bir miktar deiime neden olur.
Diyot ngerilimi VF; her 10Clik s artnda yaklak 2.3mV civarnda azalr.
Diyot sznt akm I0; her 100Clik s artnda yaklak iki kat olur.
24
rnek:1.1
a) ekil-1.27.ada verilen devre iin diyot zerinden akan ileri yn akmn ideal ve
pratik bir silisyum diyot iin bulunuz.
ri.
IF
VDD
1K
10V
tla
RA
VDD
VF
IR
zm:1.1 a)
de
rs
VF=0V
10V
V
= 10mA
I F = DD =
1K
RA
VA = I F RA = ( 10mA) ( 1K ) = 10V
em
VF=0.7V
V VF 10V 0.7V
=
= 9.3mA
I F = DD
1K
RA
VA = I F RA = (9.3mA) (1K ) = 9.3V
b)
.e
IR=0A
VR = VDD = 10V
VRA = 0V
IR=1A
c)
d)
25
1K
10V
no
(a)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VR
(b)
ri.
rnek:
1.2
ID
10V
I F(mA)
V F=0.3V
50
no
VDD
tla
10
0.72
0.9
VF (v)
zm:
rs
a)
V DD = I D R + V D
de
R=
V DD V D 10V 0.3V
=
= 97
ID
100mA
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot Testi
Diyot, saysal veya analog bir multimetre yardmyla basite test edilebilir. Analog bir
multimetre ile lme ilemi konumunda yaplr. Salam bir diyotun ileri yn direnci
minumum, ters yn direnci ise sonsuz bir deerdir. Test ilemi sonucunda diyotun anotkatod terminalleri de belirlenebilir.
ekil-1.29da diyotun saysal bir multimetre yardmyla nasl test edilecei gsterilmitir.
Test ilemi saysal multimetrenin Diyot konumunda yaplr. Multimetrenin gsterdii
deer diyot zerindeki ngerilimidir. Bu gerilim; doru polarmada silisyum diyotlarda 0.7V
civarndadr. Germanyum diyotlarda ise 0.3V civarndadr. Ters polarmada her iki diyot
tipinde multimetrenin pil gerilimi (1.2V) grlr.
26
mA
COM
Katod
Off
10A
10A
Anot
mA
10A
mA
Anot
COM
0.00
mA
Off
10A mA
Katod
Katod
Off
10A
COM
mA
Anot
10A
mA
10A
COM
Katod
Anot
rs
BLM ZETi
de
1.9
no
em
.e
Off
10A
mA
1.20
tla
1.20
ri.
0.70
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bir
atomun
son
27
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
Diyot iki temel alma biimine sahiptir. Bunlar letim ve kesim modunda
almadr.
tla
Diyotun anoduna; kataduna nazaran daha pozitif bir gerilim uygulanrsa diyot
iletim blgesinde alr ve iletkendir. Diyotun anoduna; kataduna nazaran daha
negatif bir gerilim uygulanrsa diyot kesim blgesinde alr yaltkandr.
no
letim blgesinde alan bir diyot zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu
gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi silisyum bir diyot zerinde
yaklak 0.7V, Germanyum bir diyot zerinde ise yaklak 0.3V civarndadr.
Diyot ngerilimi bir miktar diyotun alma ortam ssna bamldr. Diyot
ngerilimi 10C scaklk artmasna karn yaklak 2.3mV azalr.
rs
Kesim blgesinde alan bir diyot, pratik olarak ak devre (direnci sonsuz)
deildir. zerinden ok kk bir bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm
denir. Bu deer nA ile Aler mertebesindedir.
de
Sznt akm deeri germanyum diyotlarda silisyum diyotlardan bir miktar daha
fazladr.Sznt akm diyotun alma ssndan etkilenir. rnein her 100C scaklk
artnda sznt akm yaklak iki kat olur.
.e
em
Analog veya saysal bir ohmmetre kullanlarak diyotlarn salamlk testi yaplabilir.
Test ilemi sonucunda ayrca diyotun anot ve katot terminalleri belirlenebilir.
28
tla
ri.
Diyot Uygulamalar
Konular:
no
Yarm-Dalga Dorultma
Tam-Dalga Dorultma
Filtre Devreleri
Krpc ve Snrlayc Devreler
Gerilim Kenetleyici ve Gerilim oklayclar
Diyot Veri Sayfalar
Amalar:
rs
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
.e
em
de
co
m
BLM 2
2.1
tla
ri.
no
de
rs
.e
em
Bilindii gibi btn elektronik cihazlar (radyo, teyp, tv, bilgisayar v.b gibi) almak iin
bir DC enerjiye gereksinim duyarlar. DC enerji, pratik olarak pil veya aklerden elde
edilir. Bu olduka pahal bir zmdr. DC enerji elde etmenin dier bir alternatifi ise
ehir ebekesinden alnan AC gerilimi kullanmaktr. ebekeden alnan AC formdaki
sinsoydal gerilim, DC gerilime dntrlr. Dntrme ilemi iin DC g
kaynaklar kullanlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transformatr
Dorultma
Devresi
Filtre
Devresi
Reglatr
Devresi
Vgiri
AC
RL
30
tla
Transformatrler
ri.
Dorultma ilemi iin yarm ve tam dalga dorultma (redresr) devrelerinden yararlanlr.
Dorultulan gerilim, ideal bir DC gerilimden uzaktr ve az da olsa AC bileenler (rpl)
ierir. Filtre devreleri tam bir DC gerilim elde etmek ve rpl faktrn minimuma
indirmek iin kullanlr. deal bir DC gerilim elde etmek iin kullanlan son kat ise reglatr
dzenekleri ierir. Sistemi oluturan bloklar sra ile inceleyelim.
no
rs
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
31
36V
Sekonder
24V
Primer
Sekonder
Sargs
12V
ri.
220Vrms
50Hz
220Vrms
50Hz
220Vrms
50Hz
24V
12Vrms
50Hz
12V
12V
tla
Primer
Sargs
a) Transformatr
0V
c) ok ulu Transformatr
rs
no
de
em
12Vrms
50Hz
220Vrms
50Hz
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Diyot
RL
V Giri
V k
+
0
12Vrms
50Hz
RL
32
ri.
Giri iaretinin frekansna bal olarak bir sre sonra diyodun anoduna negatif alternans
uygulanacaktr. Dolaysyla giri iaretinin negatif alternansnda diyot yaltmdadr.
nk diyot ters ynde polarmalanmtr. zerinden akm akmasna izin vermez. Ak
devredir. RL direnci zerinden alnan k iareti 0V olur. Bu durum ekil-2.5.b zerinde
gsterilmitir.
Diyot kesimde
+
V k
tla
V Giri
I=0A
12Vrms
50Hz
RL
no
.e
em
de
rs
Yarm dalga dorultma devresinin knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil2.6da ayrntl olarak verilmitir. Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan
iaret artk AC bir iaret deildir. nk k iareti, negatif alternanslar iermez.
Dorultma kndan sadece pozitif saykllar alnmaktadr. k iareti bu nedenle DC
iarete de benzememektedir dalgaldr. Bu durum istenmez. Gerekte dorultma
kndan tam bir DC veya DC gerilime yakn bir iaret alnmaldr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V
VTepe
t
T
33
Vt 17V
=
= 5.4 volt
3.14
tla
ri.
olarak bulunur. Yukarda belirtilen deerler gerekte ideal bir diyot iindir. Pratikte
1N4007 tip kodlu silisyum bir diyot kullandmz dnelim. Bu durumda k
iaretinin dalga biimi ve alaca deerleri bulalm.
V F =0.7v
+
VGiri
t
12Vrms
50Hz
no
VTt =17-0.7
RL
V DC=5.19
0
rs
de
VTepe=17V-0.7V=16.3Volt
em
VOrt = V DC =
Vt 16.3V
=
= 5.19 volt
3.14
.e
2.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
34
ri.
Bir nceki blmde yarm dalga dorultma devresini incelemitik. Yarm dalga
dorultma devresinde ehir ebekesinden alnan sinsoydal iaretin sadece tek bir
alternansnda dorultma ilemi yaplyor, dier alternans ise kullanlmyordu.
Dolaysyla yarmdalga dorultmacn kndan alnan gerilimin ortalama deeri
olduka kktr. Bu ekonomik bir zm deildir.
Vt
Vt
0
t Vgiri
TAMDALGA
DORULTMA
DEVRES
Vk
V
Vk
de
Vt
YARIMDALGA
DORULTMA
DEVRES
no
Vt
t Vgiri
rs
tla
Tamdalga dorultma devresinde ise dorultma ilemi, ebekenin her iki alternansnda
gerekletirilir. Dolaysyla k gerilimi daha byk deerdedir ve DCye daha
yakndr. Bu durum ekil-2.9 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
em
2Vt
.e
rnein tamdalga dorultma giriine 17V tepe deerine sahip sinsoydal bir iaret
uygulanmsa bu durumda k iaretinin alaca deer;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VOrtalama = V DC =
2 (17V )
= 10.8 volt
3.14
olarak elde edilir. Bu durum bize tamdalga dorultma devresinin daha avantajl
olduunu kantlar.
35
VIKI
Vsek/2
RL
_
t
Vsek/2
no
tla
D2
ri.
D1
Vgiri
rs
Orta ulu tamdalga dorultma devresinin incelenmesi iin en iyi yntem ebeke
geriliminin her bir alternans iin devreyi analiz etmektir. Orta u referans olarak
alnrsa, sekonder gerilimi iki ayr deere (Vsek/2) dntrlmtr. rnein; Vgiri
iaretinin pozitif alternansnda, transformatrn sekonder sargsnn st ucunda pozitif
bir gerilim oluacaktr.
em
de
D1
.e
VIKI
Vgiri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RL
_
t
D2
kesim
36
D1
VIKI
kesim
Vgiri
RL
_
tla
ri.
D2
no
rs
Orta ulu tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin dalga biimini
tekrar ele alp inceleyelim. Devrede kullanlan transformatrn sekonder sarglarnn
2x12Vrms deere sahip olduunu kabul edelim. Bu durumda transformatrn sekonder
sargsnda elde edilen iaretin tepe deeri;
VTepe = 2 V rms 1.41 12V = 17 volt
em
de
.e
olacaktr. kta elde edilen iaretin DC deeri ise devreye bir DC voltmetre balanarak
llebilir. Bu deer k iaretinin ortalama deeridir ve aadaki formlle bulunur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VOrtalama =
2(VTepe V D )
2(17 0.7)
= 10.3 volt
3.14
37
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vgiri
D3
D2
V k
D4
no
D1
tla
ri.
+
RL
t
rs
em
de
D3
D1
Vk
D2
D4
RL
_
.e
Vgiri
deerine eit olur. Dorultma ileminde tek bir alternans iin iki adet diyot iletken
olduunda diyotlar zerinde den ngerilimler dikkate alndnda RL yk direnci
zerinde oluan k gerilimin tepe deeri;
38
2Vikis (Tepe )
2(15.4)
= 9.8 volt
3.14
tla
VOrtalama = V DC =
ri.
Vk
no
V TE P E=15.4V
VORT=10.3V
0V
DORULTMA FLTRELER
de
2.3
rs
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
39
Kaplan
V
t
tla
rs
Kapasitif Filtre
no
Dorultma kndan alnan gerilim, byk bir dalgalanmaya sahiptir ve tam bir DC
gerilimden uzaktr. Filtre knda ise dalgalanma oran olduka azaltlmtr. Elde
edilen iaret DC gerilime ok yakndr. Filtre knda kk de olsa bir takm
dalgalanmalar vardr. Bu dalgalanma Rpl olarak adlandrlr. Kaliteli bir dorultma
devresinde rpl faktrnn minimum deere drlmesi gerekmektedir.
de
.e
em
Kapasitif filtre ileminin nasl gerekletirildii bir yarm dalga dorultma devresi
zerinde ekil-2.18 yardmyla ayrntl olarak incelenmitir. Kondansatr ile
gerekletirilen filtre ilemi ekil-2.18de ayrntl olarak gsterilmitir. Sisteme enerji
verildiinde nce pozitif alternansn geldiini varsayalm. Bu anda diyot doru
polarmaland iin iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. Pozitif alternansn
ilk yars yk zerinde oluur. Devredeki kondansatrde ayn anda pozitif alternansn ilk
yar deerine arj olmutur. Bu durum ekil-2.18.a zerinde gsterilmitir.
VT(giri)
VT(giri)-0.7V
+
0V
Vgiri
+
-
Filtre
Devresi
ri.
Tamdalga
Dorultma
Devresi
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC
RL
0V
t0
ekil-2.18.a Poizitif alternansta diyot iletken, kondansatr belirtilen ynde arj oluyor
40
Vgiri
VC
RL
ri.
0V
0V
t0
t1
tla
no
t0
t1
t2
Vgiri
+
VC
RL
0V
t0
t1
t2
de
rs
0V
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
0V
Byk kapasiteli C
Kk kapasiteli C
41
rpl
ri.
rpl
VDC
no
tla
Filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi bir miktar dalgalanma
iermektedir. Bu dalgalanmaya rpl ad verildiini daha nce belirtmitik. Filtrelemenin
kalitesini ise rpl faktr=rp belirlenmektedir. Rpl faktr yzde olarak ifade edilir.
Rpl faktrnn hesaplanmasnda ekil-2.21den yararlanlacaktr.
} Vr(t-t)
rs
de
Rpl faktr= Rf =
em
.e
Tamdalga dorultma devresi iin filtre kndaki dalgalanma miktar Vr, dorultma
kndan alnan ve filtreye uygulanan giri iareti tepe deerinin (VT) maksimum %10u
kadar ve bu snrlar ierisinde ise, Vr ve VDC deerleri aadaki gibi formle edilebilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1
VT (in )
V r =
f RL C
1
VT (in )
V DC = 1
2 f RL C
42
T = 20ms
0
1 1
f YD = =
= 50 Hz
T 20ms
ri.
TYD
tla
1
T
= 2 f YD
f TD = YD = 2
2
TYD
f TD = 2 50 Hz = 100 Hz
T TD
D2
24Vrms
50Hz
de
em
D1
220Vrms
50Hz
rs
rnek:
2.1
no
D3
C
47 F
RL
1K
zm
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1
VT (in )
V DC = 1
2 f RL C
1
32.6V
V DC = 1
2 100 Hz 1K 47 F
V DC = (1 0.10) 32.6V
V DC = 29.3V
Devre kndan alnan iaretin tepeden tepeye rpl gerilimi Vr;
1
VT (in )
V r =
f RL C
43
1
32.6V
Vr =
100
Hz
1
K
47
ri.
Rf =
6.9
29.3
tla
Rf =
no
Rf=0.23
Rpl faktr genellikle yzde olarak ifade edilir.
D2
RA NI
.e
D4
F
Sigorta
VT ( sek ) 1.4V
R ANI =
IF
D1
em
de
rs
D3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C
47F
RL
1K
LC Filtre
Dorultma devrelerinde rpl faktrn minimuma indirmek iin bir dier alternatif
bobin ve kondansatrden oluan LC filtre devresi kullanmaktr. ekil-2.22de LC filtre
devresi grlmektedir.
L
AC
Giri
Tamdalga
Dorultma
LC
Filtre
44
RL
V
r (in )
ri.
XC
Vr ( out ) =
X X
C
L
XL
tla
Dorultma
Devresi
AC
Giri
Vr(in)
XC
Vr(out)
no
ve T Tipi Filt re
de
rs
V giri
Vk
V giri
L1
C2
L2
Vk
C1
T - tipi filtre
? - tipi filtre
.e
em
C1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
2.4
Elektronik biliminin temel ilevi, elektriksel sinyalleri kontrol etmek ve ihtiyaca gre
ilemektir. Pek ok cihaz tasarmnda elektriksel bir iareti istenilen seviyede krpmak
veya snrlandrmak gerekebilir. Belirli bir sinyali krpma veya snrlama ilemi iin
genellikle diyotlardan yararlanlr. Bu blmde krpc (Limiting) diyot devrelerini
ayrntl olarak inceleyeceiz.
Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde
edeceksiniz.
Krpc diyot devrelerinin zellikleri ve ilevleri.
Polarmal krpc devrelerin zellikleri ve analizi
45
Krpc Devreler
ri.
Krpc devreler, giriine uygulanan iaretin bir ksmn kana aktarp, dier bir ksmn
ise krpan devrelerdir. rnein ekil-2.24de grlen devrede giri iaretinin pozitif
alternans krplp atlm, ka sadece negatif alternans verilmitir.
tla
Devrenin almasn ksaca anlatalm. Giri iaretinin pozitif alternansnda diyot doru
ynde polarmalanr. nk; anaduna +VT gerilimi, katoduna ise ase (0V)
uygulanmtr. Diyot iletimdedir. Diyot zerinde 0.7V n gerilim grlr. Bu gerilim,
diyoda paralel balanm RL yk direnci zerinden alnr.
no
Giri iaretinin negatif alternansnda ise diyot ters ynde polarmalanmtr. Dolaysyla
kesimdedir. Negatif alternans olduu gibi RL yk direnci zerinde grlr. Bu durum
ekil-2.24de ayrntl olarak gsterilmitir.
VT
V giri
RL
Vk
+0.7V
de
-VT
rs
R1
em
.e
Giri iaretinin sadece negatif alternansnn krpld, negatif krpc devre ekil-2.25de
grlmektedir. Bu devrede; giri iaretinin negatif alternans krplm, ktan sadece
pozitif alternans alnmtr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Devrenin almasn ksaca aklayalm. Giri iaretinin pozitif alternansnda, diyot ters
ynde polarmalanmtr. Dolaysyla kesimdedir. Giriteki pozitif alternans RL yk
direnci zerinde olduu gibi elde edilir. Giri iaretinin negatif alternansnda ise diyot
iletimdedir. zerinde sadece 0.7V diyot n gerilimi elde edilir. Bu gerilim diyoda paralel
bal RL yk direnci zerindede oluacaktr.
R1
VT
V giri 0
RL
Vk
0
-0.7V
-VT
46
Her iki krpc devrede ktan alnan iaretin deerini belirlemede R1 ve RL direnleri
etkindir. k iaretinin alaca deer yaklak olarak;
RL
Vikis (Tepe) =
VGiri
R L + R1
tla
rnek:
2.2
ri.
Aada verilen krpc devrenin analizini bir tam peryot iin yapnz?
20V
R1=220
no
RL
2.2K
-20V
rs
em
de
RL
VT ( out ) =
VT (in )
R1 + R L
2 .2 K
VT ( out ) =
20V
100 + 2.2 K
VT ( out ) = 19.13V
.e
Negatif alternansta ise diyot iletkendir. Dolaysyla kta -0.7V grlr. Devrenin
giri ve k iaretlerinin dalga biimleri aada verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
20V
19.3V
0
-0.7V
-20V
Polarmal Krpclar
Pozitif veya negatif alternanslar krpan krpc devreleri ayrntl olarak inceledik. Dikkat
ederseniz krpma ilemi diyot ngerilimi hari bir tam periyot boyunca gerekleiyordu.
Bu blmde k iaretinin pozitif veya negatif alternanslarn istenilen veya belirtilen
bir seviyede krpan devreleri inceleyeceiz.
Giriinden uygulanan sinsoydal iaretin pozitif alternansn istenilen bir seviyede
krpan krpc devre ekil-2.26da grlmektedir. Devre giriine uygulanan sinsoydal
iaretin (Vg) pozitif alternans, VA geriliminin belirledii deere bal olarak
krplmaktadr.
47
R1
Vt
+
RL
VA
Vk
VA+0.7V
0
ri.
Vgiri
tla
-Vt
rs
no
Devre analizini Vg geriliminin pozitif ve negatif alternanslar iin ayr ayr inceleyelim.
Giriten uygulanan iaretin pozitif alternans, diyodun katoduna bal VA deerine
ulaana kadar diyot yaltmdadr. nk diyodun katodu anaduna nazaran pozitiftir. Bu
durumda devre knda Vg gerilimi aynen grlr. Giriten uygulanan Vg geriliminin
pozitif alternans VA deerinden byk olduunda (Vg=0.7+VA) diyot doru ynde
polarmalanacaktr ve iletime geecektir. Diyot iletime getii anda VA gerilimi dorudan
ka aktarlacak ve RL yk zerinde grlecektir.
de
Giri iareti negatif alternansa ulatnda ise diyot devaml yaltmdadr. Dolaysyla VA
kayna devre ddr. RL yk zerinde negatif alternans olduu gibi grlr. Devrede
kullanlan R1 direnci akm snrlama amacyla konulmutur. zerinde oluan gerilim
dm kk olaca iin ihmal edilmitir. Diyot zerine den n gerilim (0.7V) diyot
ideal kabul edilerek ihmal edilmitir.
em
ekil-2.27de ise polarmal negatif krpc devre grlmektedir. Bu devre, giri iaretinin
negatif alternansn istenilen veya ayarlanan bir seviyede krpmaktadr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VT
Vgiri
R1
+
RL
VA
-VT
Vk
0
-VA-0.7V
48
R1
VT
Vgiri
tla
ri.
ekil-2.28deki devre ise, giri iaretinin pozitif seviyesini VA gerilimine bal olarak
snr-lamaktadr. Giri iareti, diyodun anaduna balanan VA deerine ulaana kadar
diyot iletimdedir. Bu durumda kta VA kayna grlr. Giriten uygulanan iaret VA
dee-rinden byk olduunda ise diyot ters polarma olarak yaltma gidecektir. Diyot
yaltm-da olduunda devre knda giri iareti aynen grlecektir. Dolaysyla giri
iaretinin tm negatif alternans boyunca diyot iletimde olduu iin kta VA kayna
grlecektir.
RL
VA
VA-0.7V
0
no
-VT
rs
de
Giri iaretinin negatif seviyesini istenilen bir deerde snrlayan devre emas ekil2.29da verilmitir. Giri iaretinin tm pozitif alternans boyunca diyot doru
polarmalanr ve iletimdedir. kta VA kayna olduu gibi grlr.
em
.e
R1
VT
Vgiri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+
RL
VA
-VT
-VA+0.7V
+
Vg
+
V
R1
Vg
5V
+
5V
49
5+0.7V
R1
R1
Vg
Vg
5V
5V
R1
tla
+
V
Vg
R1
em
R1
Vg
5V
-5+0.7V
GERLM KENETLEYCLER
.e
5V
5V
2.5
de
Vg
rs
no
5V
5-0.7V
R1
Vg
-5-0.7V
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Gerilim kenetleyiciler; girilerinden uygulanan bir iaretin alt veya st seviyesini, istenilen
sabit bir gerilime kenetlemek veya tutmak amac ile tasarlanmlardr.
Kenetleme devreleri; pozitif veya negatif kenetleme olmak zere ikiye ayrlrlar. Pozitif
kenetlemede, giriten uygulanan iaretin en alt seviyesi sfr referans noktasnda
kenetlenir. Negatif kenetlemede ileminde ise, giriten uygulanan iaretin en st seviyesi
sfr referans noktasna kenetlenir.
Bu blmde; pozitif ve negatif kenetleme ilemlerinin nasl gerekletirildii
incelenecektir.
Gerilim kenetleme ilemi gerekte, bir iaretin dc seviyesini dzenleme ilemidir.
Kenetleme pozitif ve negatif kenetleme olmak zere iki temelde yaplabilir. Pozitif ve
negatif gerilim kenetleme ilemi ekil-2.31de grsel olarak verilmitir.
50
+2V
k
areti
+V
t
Pozitif
Kenetleyici
Devre
0
-V
-V
k
areti
Giri
areti
-2V
tla
Giri
areti
Negatif
Kenetleyici
Devre
ri.
+V
no
de
rs
em
ekil-2.32de pozitif gerilim kenetleyici devre grlmektedir. Bu devre bir diyot, bir
kondansatr ve diren kullanarak gerekletirilmitir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
t
+
+
VC
Diyot
letimde
VC=VT-0.7V
RL
0.7V
RL
Vt
51
VC = VT (0.7V )
ri.
deerine eit olur. Bu gerilimin polaritesi; ekil zerinde belirtildii yndedir. Giri
iaretinin negatif alternansnda; kenetleyici knda (RL yk direnci zerinde) 0.7Vluk
diyot ngerilimi elde edilir. Bu durum ekil-2.32 zerinde gsterilmitir.
tla
Giri iaretinin pozitif yarm sayklnda ise diyot ak devredir. Devreden herhangi bir
akm akmaz. RL yk direnci zerinde ise; giri iareti ve kondansatr zerindeki
gerilimlerin toplam grlr. Devreye K.G. K uygulanrsa k gerilimi;
V RL = VC + VT
V RL = (Vt 0.7) + VT
no
V RL 2 VT (0.7)
de
rs
+VT
2VT-(0.7)
VC=VT-0.7V
Diyot
yaltmda
VT-(0.7)
RL
0
-0.7V
.e
em
-Vt
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VT
0
+0.7V
0
-VT+(0.7)
VC=-VT+0.7V
Diyot
iletimde
RL
-2VT+(0.7)
-VT
52
Polarmal Kenetleyici
ri.
+
t
0
-Vm
t1
t2
Vi
VC=Vm-VA
VA
RL
100K
no
+Vm
tla
Vi
VA
RL
100K
rs
em
de
.e
olur. Vc, kondansatr zerindeki arj gerilimidir. Kondansatr zerinde den gerilimi
hesaplarsak;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC = Vm sin wt V A
53
Giri iaretinin negatif tepe (Vi=Vm sin 2700 t) deerinde ise diyot ters polarma olur ve
ak devredir. Kenetleyici devre ekil-2.36da grlen durumu alr.
VC=Vm-VA
0
t1
t2
100K
VA
VA
0
RL
-2Vm+VA
no
-Vm
Vi
tla
+Vm
ri.
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
2.6
VRL = (Vm ( 1 ) V A ) Vm ( 1 )
VRL = 2Vm + V A
deeri elde edilir. Polarmal kenetleyici knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil2.36 zerinde gsterilmitir. Sonuta; devre giriinden uygulanan iaret, VA gerilimine
kenetlenmitir.
GERLM OKLAYICILAR
Gerilim oklayclar (voltage multipliers); giriinden uygulanan iareti istee bal
olarak birka kat ykseltip kna aktaran devrelerdir. Gerilim oklayclar; gerilim
kenetleyici ve dorultma devreleri birlikte kullanlarak tasarlanr.
Gerilim oklayc devreler; yksek gerilim alak akm gereksinilen yerlerde kullanlr. TV
alclar kullanm alanlarna rnek olarak verilebilir. Bu blm bitirdiinizde;
Yarmdalga ve tamdalga gerilim iftleyiciler
Gerilim leyiciler
Gerilim drtleyiciler
Hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
54
Gerilim iftleyici
ri.
no
tla
Gerilim iftleyici tasarm, yarmdalga ve tamdalga zere iki tipde yaplabilir. ekil2.37de yarmdalga gerilim iftleyici devresi grlmektedir. Gerilim iftleyici devre;
gerilim kenetleyici ve yarmdalga dorultma devresinin birlikte kullanlmas ile
oluturulmutur. Bu durum ekil-2.37 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
Gerilim Kenetleyici
Vi
T
+
t
+2Vm
D1
Vo
C2
t2
de
-Vm
Vi
Vo
D2
rs
0
t1
Yarmdalga Dorultma
C1
+Vm
em
Devrenin almasn daha iyi anlayabilmek iin her bir devre blounun ilevleri, dalga
ekilleri zerinde ekil-2.38 zerinde gsterilmitir.
.e
+Vm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
T
+2Vm
-Vm
Vm
0
a) Giri areti
+2Vm
b) Kenetleyici k
0
c) Dorultucu k
55
Vc=Vm-0.7
Vi
+
D1
letimde
Vi
C2
C1
D2 letimde
D1
C2
Kesimde
Vi
Vc=2Vm
b) Vi negatif alternans
tla
a) Vi pozitif alternans
no
rs
VC 1 VC 2 + Vm = 0
VC 2 = VC 2 + Vm = 0
de
VC 2 = V0 = 2Vm
Not: Devre analizinde diyotlar zerine den ngerilimler (0.7V) ihmal edilmitir.
em
Gerilim kenetleyici tasarmnda bir dier alternatif ise Tamdalga gerilim iftleyici
devresidir. ekil-2.40da tamdalga gerilim iftleyici devresi grlmektedir.
D1 letimde
D1 Kesimde
.e
Vi
D2 Kesimde
ri.
Vi
C1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vi
+
C1
+
C1
Vm
Vm
+
2Vm
+
C2
C2
D2 Kesimde
D2 letimde
Vm
56
ri.
V0 = +Vm + Vm
V0 = 2 Vm
tla
olarak alnr.
Gerilim leyici
de
rs
no
Tipik bir gerilim leyici devresi ekil-2.31de verilmitir. Bu devrenin kndan alnan
iaret, giri iaretinin tepe deerinin yaklak 3 katdr. Devre ilk negatif yarm sayklda
gerilim iftleyici gibi alr. C1 zerinde ekilde belirtilen ynde giri iaretinin tepe
deeri (VT) grlr. C2 zerinde ise giri iaretinin yaklak 2 kat (2VT) grlr. Sonraki
negatif sayklda ise D3 diyodu doru ynde polarmalanr. letkendir. C3, 2VT deerine
belirtilen ynde arj olur. Gerilim leyici kndan C1 ve C2 zerinde oluan gerilimler
toplam 3VT alnr.
leyici k= 3V T
VT
+
C1
em
.e
2V T
+
C3
D2
D1
Vg
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
D3
C2
_
2V T
Gerilim Drtleyici
Tipik bir gerilim drtleyici devre ekil-2.32de verilmitir. Bu devrenin kndan alnan
iaret, giri iaretinin tepe deerinin yaklak 4 katdr. Devre ilk 3 negatif yarm saykl
sresinde gerilim leyici gibi alr. C1 kondansatr zerinde ekilde belirtilen ynde
giri iaretinin tepe deeri grlr. Devredeki dier tm kondansatrler ise 2VT deerine
arj olur. Devre dikkatlice incelenirse her bir negatif alternansta diyotlarn srayla iletken
olaca dolays ile kondansatrlerin dolaca grlr.
_
VT
2VT
+
C1
Vg
C3
D2
D1
D3
D4
C4
C2
_
+
2VT
Drtleyici k= 4VT
57
+
2VT
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
V=(2VT) + (2VT)
V=4VT
no
2.7
tla
Deerine eit olur. Gerilim oklayclarn klarndan srekli yksek akm ekilmesi
mmkn deildir. Anlk yksek gerilim temininde kullanlabilir.
de
rs
Uluslaras yariletken retecisi pek ok firma farkl zelliklere sahip yzlerce tip diyot
retimi yaparlar. retilen her bir diyot belirli standartlara gre kodlanp tketicinin
kullanmna sunulur. retici firmalar; rettikleri her bir diyot tipinin eitli
zelliklerini ve karakteristiklerin veri kitapklar (data book) halinde kullancya
sunarlar. Devre tasarmlarnda kullanlacak diyot seimi, bu verilerden yararlanlarak
seilir. Veri kitapklarnda aada belirtilen zellikler hakknda kullancya ayrntl
bilgiler verilmektedir.
Bu blmde sizlere rnek olarak seilmi baz diyotlarn veri sayfalar ve
karakteristikleri verilecektir. Bu blm bitirdiinizde;
alma akm ve geriliminin maksimum deerleri
Elektriksel karakteristikleri
alma karakteristiklerinin grafiksel analizi
em
retici firmalar, rettikleri devre elemanlarnn iin genelde iki tr tantm yntemi
izlerler. Ksa tantmda elemannn ok ksa bir tantm ve genel zellikleri verilir.
Ayrntl tantmda ise elemanla ilgili ayrntl aklamalar, elektriksel grafikler,
uygulama notlar v.b zel bilgiler yer alr.
Veri tablosunda reticilerin kulland sembollere sadk kalnmtr. Sembollerle ilgili
gerekli aklamalar tablo sonunda verilmitir. Pek ok retici veri kitapklarnda bu
sembol tanmlarna uymaktadr.
.e
58
VRRM
VRWM
VR
ri.
AIKLAMA
50
tla
VRRM
200
400
600
800
1000
60
120
240
480
720
1000
1200
VR(rms)
35
70
140
280
420
560
700
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
30
30
30
30
30
30
30
rs
no
VRSM
I0
IFSM
TJ, Tstg
em
de
.e
100
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VRWM
VRSM
-65.....+175
VR(rms) :
I0
IFSM
TJ
Tstg
59
If (A)
DO-15
PLASTK
1.5 A
3.0 A
6.0 A
DO-27A
PLASTK
DO-15
PLASTK
P-6
PLASTK
DO-15
PLASTK
3.0 A
DO-27A
PLASTK
6.0 A
P-6
PLASTK
ri.
KILIF
1.5A@75 C
50A
175 C
1N5540
1N5401
1N5402
.............
1N5404
.............
1N5406
1N5407
1N5408
P600A
P600B
P600D
.............
P600Q
.............
P600J
P600K
1N4933
1N4934
1N4935
.............
1N4936
............
1N4937
.........
.........
6A@60 C
400A
175 C
1A@50 C
30A
150 C
no
If (ort)
If FSM
Tj
1N5391
1N5392
1N5393
1N5394
1N5395*
1N5396
1N5397
1N5398
1N5399
3A@105 C
200A
175 C
de
1N4001*
1N4002*
1N4003*
...........
1N4004*
..........
1N4005*
1N4006*
1N4007*
1A@75 C
50A
175 C
rs
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
tla
VRRM
VOLT
MR650
MR651
MR652
.............
MR654
............
MR656
.........
.........
3A@90 C
100A
175 C
MR820
MR821
MR822
.............
MR824
............
MR826
.........
.........
5A@55 C
300A
150 C
If (A)
1.0 A
PLASTK
KILIF
em
KILIF
1.5 A
PLASTK
KILIF
1.5 A
PLASTK
KILIF
+ ~ ~
4.0 A
PLASTK
KILIF
10.0 A
METAL
KILIF
25.0 A
METAL
KILIF
35.0A
METAL
KILIF
VRRM
VOLT
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
50
100
200
400
600
800
1000
WL005F
WL01F
WL02F
WL04F
WL06F
WL08F
WL10F
If (ort)
If FRM
If FSM
Tj
1A@25 C
.......
30A
+175 C
W005F
W01F
W02F
W04F
W06F
W08F
W10F
1.5A@50 C
.......
50A
+125 C
PBF005
PBF01
PBF02
PBF04
PBF06
PBF08
PBF10
PBU4A
PBU4B
PBU4D
PBU4Q
PBU4J
PBU4K
PBU4M
4A@105 C
4A@65 C
.......
.......
50A
200A
-55 C to +150 C -55 C to +150 C
60
........
PB1001
PB1002
PB1004
PB1006
.........
.........
PB2500
PB2501
PB2502
PB2504
PB2506
........
........
PB3500
PB3501
PB3502
PB3504
PB3506
........
........
10A@55 C
50A
200A
+150 C
25A@55 C
75A
300A
+150 C
35A@55 C
75A
400A
+150 C
ri.
R70
R72
tla
R62
DO-200
DO-5
DO-8
DO-9
de
rs
BLM ZET
no
Tam-dalga dorultma devresi, kpr tipi ve orta ulu olmak zere iki temel
tipte tasarlanr.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
61
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
62
BLM 3
ri.
ZEL TP DYOTLAR
Amalar:
no
Zener Diyot
Zener Diyot Uygulamalar
Varikap Diyot
Optik Diyotlar
zel Amal Diyotlar
Sistem Uygulamalar
rs
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
tla
Konular:
.e
em
de
co
m
Kaplan
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
64
3.1
ZENER DYOT
ri.
Zener diyot; ters polarma altnda krlma blgesinde altrlmak zere tasarlanm pn
bitiimli bir devre elemandr. Referans gerilimi temin etmek ve gerilim reglasyonu
salamak amac ile kullanlr.
no
tla
de
rs
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Katod
Anot
65
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I F ( mA )
I F ( mA )
Doru
Polarma
Blgesi
VBR
VF (V )
0.7V
Ters
Polarma
Blgesi
ri.
VR (V )
Krlma
VR (V )
0.7V
Ters
Polarma
Blgesi
I R ( A )
no
Doru
Polarma
Blgesi
VZ
tla
Krlma
VF (V )
I Z ( mA )
rs
de
Zener diyot ile silisyum diyot karakteristikleri arasnda ters polarma blgesinde nemli
farkllklar vardr. Silisyum diyot ters polarma dayanma gerilimi deerine kadar ak
devre zelliini korur. Zener diyot ise bu blgede zener krlma gerilimi (Vz) deerinde
iletime geer. Zener zerindeki gerilim dm yaklak olarak sabit kalr.
em
.e
Gnmz piyasasnda kullancnn ihtiyacna uygun olarak; 1/4W ile 50W anma gleri
arasnda alacak ekilde zener diyot retimi yaplmaktadr. Zener diyotlarla ilgili baz
retici firma verilerini, veri sayfalar blmnde bulabilirsiniz. Ayrntl karakteristik ve
veriler iin retici kataloglar incelenmelidir. ekil-3.4de farkl glere dolaysyla farkl
klflara sahip zener diyotlar grlmektedir.
66
ri.
Zener diyot, doru polarma blgesinde normal silisyum diyot zellii gsterdii
belirtilmiti. Zener diyodun en nemli zellii ters polarma blgesindeki davrandr. Zener
diyodun ters polarma altnda almas iin gerekli devre balants ve akm-gerilim
karakteristii ekil-3.5de verilmitir.
tla
Ters polarma altnda zener diyot zerine uygulanan gerilim deeri; zener krlma gerilimi
deerini atnda zener diyot krlarak iletime geer. Ters polarma altnda iletime geen
zener diyot, zerinde sabit bir gerilim deeri oluturur. Bu gerilime zener gerilimi (Vz)
denir.
no
Zener diyodun iletime geebilmesi iin zener zerinden geen akm; Izmin deerinden
byk, Izmax deerinden kk olmas gerekir. Baka bir ifadeyle zenere uygulanan ters
polarma gerilimi, Zener krlma gerilimi (Vz) deerinden byk olmaldr.
rs
VR (V )
VZ @ IZT
IZ min
de
Iz
VDD
I ZTest
Vz
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I Z max
I R ( mA )
Zener diyot zerinden geen akm miktar; Izmax deerini getiinde zener bozularak
ilevini yitirir. Karakteristikten de grld gibi zener diyot zerinden geen Iz akm;
Izmin ve Izmax deerleri arasnda tutulmaldr.
Zener diyot ters polarma altnda iletimde kald srece zerinde Vz olarak belirtilen bir
gerilim oluur. Bu gerilime zener gerilimi, bu ileme ise gerilim reglasyonu denir.
Zener diyot, karakteristikte gsterildii gibi zerindeki gerilimi Vz deerinde sabit
tutmaktadr. Bu zellik zener diyodu olduka popler klar. zellikle gerilim reglasyonu
veya referans gerilimi elde etmede ska kullanlmasn salar.
67
ri.
ZZ =
tla
retici firmalar normal koullarda veri tablolarnda test deerleri iin zener akmn IZT
ve zener empedansn ZZT verirler. Zenerle yaplan tasarmlarda bu deerler dikkate
alnmaldr.
no
VZ
VR (V )
IZ min
Zz
Vz
Vz
em
rs
ZZ =
VZ
IZ
VZ
IZ max
de
c) zener karakteristii
I R ( mA )
.e
Isl Kararllk
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnein alma koullarndaki her 10Clik s art, zener geriliminde (Vz) yaklak
%0.05 orannda art gsterir. Bu zellik uygulamalarda dikkate alnmaldr. Yksek
glerde altrlan zener diyotlar zerine soutucular monte edilmelidir.
68
ri.
retici firmalarn binlerce tip farkl alma karakteristiklerine sahip zener diyot rettiklerini
belirtmitik. Bu blmde sizlere rnek olmas amac ile baz zener diyotlarn retici firma
tarafndan verilen karakteristiklerini sizlere sunacaz.
tla
retici firma karakteristikleri genelde ingilizce hazrlandklar iin orijinal metine sadk
kalp, gerekli aklamalar notlar halinde sunacaz.
Symbol (Sembol)
Value (Deer)
Unit (Birim)
PD
1.0
6.67
Watt
mW/C0
TJ, Tstg
-65 to +200
0C
rs
no
Ratings (Kategoriler)
de
JEDEC
Type no
Nominal
Zener
Voltage
VZ@IZT
Volts
Test
Current
IZT
mA
ZZT@IZT
Ohms
ZZK@IZK
Ohms
IZK
mA
IR
A max
VR
Volts
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
76
69
64
58
53
10
10
9.0
9.0
8.0
400
400
400
400
500
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
100
100
50
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
49
45
51
37
34
7.0
5.0
2.0
3.5
4.0
550
600
700
700
700
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
10
10
10
10
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1N4758
1N4759
1N4760
56
62
68
4.5
4.0
3.7
110
125
150
2000
2000
2000
0.25
0.25
0.25
5.0
5.0
5.0
42.6
47.1
51.7
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Leakage Current
69
ri.
3.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
no
rs
de
.e
em
Devre giriine uygulanan reglesiz VGR gerilimi, zener diyotla kararl hale getirilmitir.
Bu ilem iin zener diyot ve R direnciyle gerilim blc bir devre oluturulmutur.
Devre giriine uygulanan VGR gerilimi deimektedir. Devrede kullanlan 12Vluk
zener diyot, giri gerilimindeki tm deiimleri alglamal ve devrenin k gerilimini
VIKI 12Vta sabit tutmaldr. Bu ilem gerekletirildiinde zener diyot, gerilim
reglasyonu yapyor diyebiliriz.
R
IT
Vz
12V
VGR
IL
VIKI
RL
Reglesiz
DC kaynak
IZ
12-
70
3-
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
ekil-3.6da verilen regle devresinde zener diyotdan iki temel ilemi gerekletirmesi
istenmektedir.
tla
no
R
220
Reglesiz
DC kaynak
IZ
Vz
12V
VN
VOUT
.e
em
de
rs
PD(max) = Vz I Z max
I Z max =
PD(max)
VZ
500mW
= 41.6mA
12V
olarak bulunur. Zener akm minimum olduunda; R direnci zerine den gerilim,
71
ri.
tla
no
Dolaysyla zener diyotun regle ilemini yerine getirebilmesi iin giri gerilimi (VIN)
minimum 12.11V olmaldr. imdi giri geriliminin alabilecei maksimum deeri
bulalm.
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek:
3.1
1-
2-
ekil-3.8de verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin
giri geriliminin alabilecei deerler araln hesaplaynz.
R
100
Reglesiz
DC kaynak
VN
I
Vz
1N4758
IZ
VOUT
72
ri.
VIN(min)=(IZmin . R)+VOUT
zm:
tla
VIN(min)=(0.25mA)(100)+56V=56.25V
Deerinde olmaldr. Devrenin maksimum giri gerilimini bulmak iin nce zenerin
dayanabilecei maksimum akm bulmalyz.
PD(max)
VZ
1W
= 17.8mA
56V
no
I Z max =
VIN(max)=(IZmax . R)+VOUT
rs
VIN(max)=(17.8mA)(100)+56V=57.8V
de
em
aralnda olmaldr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IT
Vz
12V
VIN
IL
IZ
VOUT
RL
73
IT
+
VIN
24V
Vz
10V
1W
RL
VOUT
no
IL
IZ
tla
470
zm:
rs
.e
em
de
ekil-3.10da verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin
RL yk direncinin alabilecei deerler araln hesaplaynz.?
ri.
rnek:
3.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I Z(max) =
PD(max)
VZ
1W
= 100mA
10V
VIN = R I T + VZ
I T = I Z (max) =
V I N VZ
R
24 10
470
I T = I Z(max) = 29.7 mA
elde edilen bu sonuca gre devrede yk direnci yokken regle ilemi yerine
getirilebiliyor. Devreden;
74
elde edilen bu sonuca gre devrede yk direnci yokken regle ilemi yerine
getirilebiliyor. Devreden;
I T = I Z(max) + I L(min)
tla
ri.
I T = I Z (min) + I L (max)
no
I L(max) = I T I Z(min)
rs
de
em
R L(min) =
VZ
I L (max)
10V
= 348
28.7 mA
.e
Sonu: Elde edilen bu veriler nda devremizin regle ilemini yerine getirebilmesi
iin RL Yk direncinin alabilecei deerler aral;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek:
3.3
398>RL>
Zenerle bir gerilim reglatr tasarlanrken dikkat edilmesi gereken faktrler vardr.
Bunlar giri gerilimindeki deiimler ve yk akmndaki deiimler olarak zetleyebiliriz.
Son olarak komple bir regle devresi tasarm rnei vererek konuyu bitirelim.
ekil-3.11da verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin
gerekli R n direncinin olmas gereken deerini hesaplaynz?.
R
IT
+
20V
Vz
10V
1W
VIN
IZ
IL
1K
RL
75
VOUT
PD (max)
VZ
tla
I Z (max) =
ri.
I Z (max) =
1W
= 100mA
10V
no
zm:
VZ = VOUT
10
=
= 10mA
RL
1K
rs
IL =
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R max =
V I N VZ
I T (max)
V I N VZ
I T (min)
20 10
= 90
110mA
20 10
= 909
11mA
R=
90 909
470
2
76
ri.
Zener diyotun sklkla kullanlan bir dier uygulama alan ise krpc devre tasarmdr.
zellikle ac iaretlerin krplmas ve farkl dalga formlarna dntrlmesi iin zener
diyotlar sklkla kullanlr. Bu blmde ac iaretlerin krplmasn ve dalga formlarnn
deitirilmesini inceleyeceiz.
tla
ekil-3.12de sinsoydal bir iaretin nasl krpld gsterilmitir. Bu devrede; giri iaretinin
pozitif sayklnda zener diyot krlma gerilimi deerine kadar yaltmdadr. Dolaysyla giri
iareti, kta aynen grlr. Giri iaretinin pozitif seviyesi, zener krlma gerilimi deerini
atnda zener diyot krlarak k gerilimini +5V deerinde sabit tutar.
VIN
+10V
no
Giri iaretinin negatif yarm sayklnda ise zener iletkendir. kta 0.7V zener n gerilimi
elde edilir. Dolaysyla devre giriine uygulanan 20Vt-t deerine sahip sinsoydal iaret,
devre kndan +5Vluk kare dalgaya dntrlm olarak alnr.
VOUT
Vz
5V
rs
VIN
5V
VOUT
-0.7V
de
-10V
.e
em
ekil-3.13de grlen devrede ise sinsoydal giri iaretinin negatif alternans zener diyot
tarafndan 7Vta krplmtr. Pozitif alternansta zener diyot iletimde olduu iin k
gerilimi +0.7V civarndadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VIN
+10V
0
VOUT
R
+
t
VIN
Vz
7V
VOUT
+0.7V
-7V
-10V
77
Kaplan
VIN
Vz1
+
t
Vz1
VOUT
VIN
ri.
Vz2
-10V
tla
Vz2
3.3
VARKAP DYOT
no
rs
de
P-N bitiimi ters ynde polarmalandnda bir miktar kapasitif etki oluturur. P-N
bitiiminin bu zelliinden yararlanlarak varikap diyotlar gelitirilmitir. Varikap
diyodu; ters polarma altnda kapasitans deien diyot veya yariletken kondansatr
olarak tanmlayabiliriz. ekil-3.15de varikap diyodun ematik sembol ve edeer
devresi verilmitir.
.e
em
Rs
VOUT
+10V
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Cv
78
ri.
Fakirletirilmi
Blge
tla
+
VDD
VDD
no
rs
Varikap diyodun kapasitesi uygulanan ters gerilimin deerine bal olarak bir ka
pFdan yzlerce pFa kadar deitirilebilir. ekil-3.17de tipik bir varikap diyodun
karakteristii verilmitir.
de
Karakteristik eriden grld gibi varikap diyoda uygulanan ters polarite art,
diyodun kapasitif deerini azaltmaktadr.
C(pF)
60
40
em
VDD
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
20
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
VR (v)
L
+V
D2
79
ri.
2 LC
tla
Fr =
Genel veriler
rs
Ters
Yn
Akm
(IR)
leri
Yn
Akm
(IF)
Seri Diyod
Direnci rS
Max
Min
Max
Max
Max
Max
Max
8pF
17pF
0.7pF
1.05pF
30V
10nA
20mA
3@200MH
z
1.7pF
2.1pF
30V
10nA
20mA
0.7@470
MHz
6V
10nA
20mA
0.6@470
MHz
32V
200nA
20mA
1.2@100
MHz
BB135
17.5pF
21pF
BB145
6.4pF
7.4pF
.e
Ters Yn
Gerilimi
(VR)
Min
em
BB131
CD, Diyod
Kapasitesi
VR=28VDC,
f=1.0MHz
de
Kodu
CD, Diyod
Kapasitesi
VR=0.5VDC,
f=1.0MHz
no
retici firmalar kullanm amalarna bal olarak yzlerce farkl tipte varikap diyot
retimi yaparak tketime sunarlar. retilen her bir varikap diyodun karakteristiklerini
retici kataloglarndan temin edilebilir. Bu blmde; rnek olarak birka varikap
diyodun genel karakteristikleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
4V@2.7p 4V@3.2p
F
F
BB152
1V@52p 1V@62
F
pF
2.48pF
2.89pF
BB190
10V
3nA
30V
10nA
0.4@470
MHz
20mA
80
0.7@200
MHz
3.4
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
OPTK DYOTLAR
ri.
tla
Optik zellik gsteren bir dier diyot ise Foto-Diyot olarak adlandrlr. Foto-diyot,
ters polarma altnda alacak ekilde tasarlanmtr. Ters polarma altnda iletkenlii
a duyarldr. Her iki diyot tr, zellikle optik uygulamalarda sklkla kullanlrlar.
Bu blmde;
no
rs
de
Katot
Katot
n tipi
madde
Ik Enerjisi
.e
em
_
Anot
n tipi
madde
Anot
b) Ik enerjisinin olumas
81
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
no
tla
LED, doru polarma atnda iletime geer ve zerinden akm akmasna izin verir. Doru
polarma altnda zerinde maksimum 1.2V ile 3.2V arasnda bir gerilim dmne sebep
olur. LEDlerin zerlerinden akmalarna izin verilen akm miktar 10-30mA civarndadr.
Bu deer; kullanlan LEDin boyutuna ve rengine gre farkllk gsterebilir. Gerekli
maksimum deerler retici kataloglarndan temin edilebilir. ekil-3.20de LEDin doru
polarma altnda almas ve V-I karakteristii verilmitir.
R
+ VRD -
Ik iddeti
VF
de
VDD
IF
rs
IF
IF(mA)
IF
IF (mA)
2. 0V
em
V F(v)
1. 5V
LEDin yayd k enerjisinin iddeti ve rengi imalatta kullanlan katk maddesine gre
deimektedir. retiminde GaP kullanlan LEDler, krmz yada sar renkte grlebilir
k yayarlar. GaAsP kullanlan LEDler ise sar renkte grlebilir k yayarlar.
retiminde GaAs kullanlan LEDler ise kzl tesi (infrarad) k yayarlar.
.e
82
1.0
0.9
0.9
0.8
0.8
0.6
0.5
0.4
0.4
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
500
540
580
620
, dalga boyu (nm)
660
700
740
no
0.5
tla
0.3
0.6
ri.
0.7
Nispi k iddeti
Y eil
K rmz
Nispi k iddeti
Sa r
1.0
0.7
880
900
920
940
960
, dalga boyu (nm)
980
1000
.e
em
de
rs
Pek ok retici firma, kullanm alan ve gereksinime bal olarak LED retimi yapar.
Gnmzde sar, turuncu, yeil ve krmz renklerde k veren LEDler retilmektedir.
Mavi k yayan LED retimi imdilik pek ekonomik deildir. Yakn gelecekte bu tr
LEDlerinde seri tketime sunulacak ekilde gelitirilebileceini syleyebiliriz. Bir ok
farkl klfa (yuvarlak, kare, diktrtgen v.b) ve boyuta sahip LED retimi yaplmaktadr.
Yaygn olarak kullanlan baz LED tiplerinin grnm ekil-3.22de verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
83
Led Gsterge
tla
ri.
E
G
D
F
GND
no
GND
GND
C
A
dp
rs
em
.e
Foto-Diyot
Foto-diyot (Photo-diode), k enerjisine duyarl aktif devre elemanlarndandr. Ters
polarma altnda altrlmak zere PN bitiiminden retilmitir. ekil-3.24de fotodiyotun sembol ve birka farkl tip foto-diyotun grnm verilmitir. Foto-diyot k
enerjisine duyarl bir elemandr. Bu nedenle tm foto-diyotlar k enerjisini alglamalar
iin effaf bir pencereye sahiptir.
Katod
Katod
Anot
Anot
84
GND
dp
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Foto-diyot; doru polarma altnda normal diyotlar gibi iletkendir. Ters polarma altnda
ise, zerine uygulanan k younluuna bal olarak ok kk bir akm akmasna izin
verir. Dolaysyla karanlk bir ortamda bulunan foto-diyot yaltkandr.
tla
ri.
Ik Yok
no
rs
Ampermetre
Ampermetre
VR
VR
de
VR
Ik Var
100
H=20mW/cm
50
Foto akm, (I )
.e
em
Bir foto-diyotun karakteristii zerine gelen k gcne bal olarak retecei foto-akm
(I) miktardr. Karakteristikler genellikle watt bana akm miktar olarak belirtilir. ekil3.27de bir foto-diyot iin gerekli karakteristikler verilmitir.
10
20
10
0.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Karanlk, H
20
40
60
80
100
Lazer Diyot
Lazer; ngilizce, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (uyarlm n
neriyle k kuvvetlendirilmesi) cmlesindeki kelimelerin ba harflerinin alnmasndan
tretilmi bir kelimedir. Normal k, dalga boylar muhtelif, rengarenk, yani farkl faz ve
frekansa sahip dalgalardan meydana gelir.
Lazer ise yksek genlikli, ayn fazda, birbirine paralel, tek renkli (monochromatic),
hemen hemen ayn frekansl dalgalardan ibarettir. Optik frekans blgesi yaklak olarak
85
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1x109 Hz ile 3x1012 Hz arasnda yer alr. Bu blge, krmz tesi nlar, grlebilen
nlar ve elektromanyetik spektrumun mortesi nlarn kapsar. Lazer diyot ok
yksek frekanslarda alr.
+
Anot
Metalleme
N tipi katman
P
P Duvar
N Duvar
Pn bitiimi
P tipi katman
Metalleme
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Katod
86
ri.
Laser n, dalga boyu tek olduundan monokromatik zellik tar. Frekans dalm
aral, frekansnn bir milyonda biri civarndadr. Bu sebepten istenilen frekansta
ok sayda dalgalar lazer dalgas zerine bindirilmek suretiyle haberlemede iyi bir
sinyal reteci olarak kullanlr.
tla
Lazer eitleri:
no
Lazer n tek dalga boyuna sahip olduu iin lazer cinsine gre eitli renkte nlar
elde etmek mmkndr.
rs
de
.e
em
Kimyasal lazerde ise meydana getirilen gazlar kimyasal reaksiyon yoluyla pompalanr.
Kimyasal pompalama bir eksotermik kimya reaksiyonunda enerji aa kmasyla olur.
rnein; hidrojen ve flor elementleri tersine evrilmi bir toplumda hidrojen florur
meydana getirmek zere reaksiyona girdiklerinde lazer etkisi ortaya kar.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
87
ri.
no
tla
Tpta lazer kansz ameliyat maksatlar ile kullanlr. Yrtlm gz retinas, lazer n ile
acsz ve sratle dikilir. Vcudun eitli blgelerindeki tmrler bakla almadan
yerinde kesilerek tedavi edilebilir. Damardaki dokular, lazer n ile kaynar ve kanama
olmaz. rk di ukurlar dolgu yaplmak zere acsz delinebilir.
Lazer teknolojisinde beklenen gelimeler:
rs
Nkleer enerji alannda lazerin eitli gelimelere yol aaca umulmaktadr. En nemlisi
balatlmas zor olan termonkleer-fzyon olaynn (hidrojen bombas ve gnete her an
meydana gelen reaksiyon) lazer ile tetiklenmesidir. Bylece dnya enerji problemi
ortadan kalkacaktr.
em
de
Laser nnn darbe sresinin saniyenin trilyonda birine drlmesi halinde ksa bir
srede retilecek enerji bugn dnyada ayn mddette retilmekte olan enerji
toplamndan fazla olacaktr. Lazer n ile alan silahlarn yaplmas ile ok uzaklardan
mhimmat, akaryakt, karargah binalar imha edilebilecektir. Lazer zellii dolaysyla
bilgisayarn hafza kapasitesini byk lde arttrabilir.
ZEL TP DYOTLAR
.e
3.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bu blmde elektronik endstrisinde azda olsa kullanlan baz zel amal diyot trleri
tantlacak ve alma karakteristikleri verilecektir. Bu tr diyotlara rnek olarak
otki (Schoottky), Tunel diyot, Pin diyotu sayabiliriz.
Bu blmde srayla;
ncelenecektir.
88
tla
ri.
otki diyotlar ok yksek frekanslarda kullanlmak zere tasarlanm zel bir diyot
trdr. Bu diyotlara scak tayc (hot-carrier) diyotlarda denilmektedir. ok yksek
frekanslar altnda yaplan almalarda normal diyotlar anahtarlama ilevini yerine
getirirken zorlanrlar. rnein istenilen srelerde durum deitiremezler (iletim/kesim).
Bu soruna zm bulmak amac ile otki diyotlar gelitirilmitir. otki diyotlar ok
yksek anahtarlama hzlarna sahiptirler. Bu nedenle yksek frekanslarda yaplan
almalarda anahtarlama eleman olarak otki diyotlar tercih edilir. Kullanm alanlarna
rnek olarak saysal (digital) sistem tasarmlarn verebiliriz.
no
Metal-Slikon
bitiimi
Katod
de
rs
Katod
Anot
Katod
Anot
N
Anot
em
.e
Pin Diyot
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
zel Blge
Katod
N
Anot
CR
a) Temel Yaps
89
RF
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Tunel Diyot
tla
ri.
Tunel Diyot (Tunnel diode), dier diyotlar gibi PN bitiiminden retilmitir. retiminde
germanyum veya galyum arsenit kullanlr. Dorultucu diyotlardan farkl olarak p ve n
tipi eklemleri oluturulurken daha youn katk maddesi kullanlr. Tunel diyotun en
belirgin zellii negatif diren karakteristiidir. Bu zellik onu zellikle osilatr
devrelerinin tasarmnda popler klar. Tunel diyotlarn sk kullanld bir dier
uygulama alan ise mikrodalga ykselteleridir. ekil-3.28de tunel diyotun ematik
sembol ve karakteristii verilmitir.
Tunel
Akm
VF
Anot
rs
Anot
Negatif
Diren
Blgesi
IF
Katod
no
Katod
de
Tunel diyotun bu zellii onu kimi uygulamalarda popler klar. rnein osilatr
devrelerinde tetikleme eleman olarak kullanlabilir. Tunel diyotun bir osilatr devresinde nasl kullanldn kk bir rnekle aklayalm. ekil--3.28de paralel bir rezonans
devresi verilmitir. Bu devre, S anahtar kapatldnda snml bir osilasyon retilir.
S
V
S
R
.e
em
90
D1
Tank Devresi
R1
D1
VF
no
tla
IF
ri.
devresinde oluan salnmn genlii belli bir deerin altna dtnde tunel diyot tekrar
tetiklenerek tank devresine enerji pompalar. Bu durum srekli tekrarlanarak osilasyonun
sreklilii tunel diyot tarafndan salanr.
BLM ZET
de
3.7
rs
em
Zener diyot, anot ve katod olarak adlandrlan iki adet terminale sahiptir. Gerilim
reglatr ve krpc olarak kullanlr.
.e
Zener diyotlarda krlma gerilimi retim aamasnda 1.2V ile 200V arasnda farkl
deerlerde ayarlanarak kullancnn tketimine sunulur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Regle ilemi hat ve yk reglasyonu olmak zere iki temelde yaplr. Zenerin temel ilevi
zerine uygulanan ters gerilimi, krlma gerilimi deerinde sabit tutmaktr.
Zener diyot, regle ilemini belirli koullar altnda yerine getirir. Zenere
uygulanan ters gerilim deeri, zener krlma geriliminden byk olmaldr. Zener
akm ise belirli limitler ierisinde tutulmaldr.
Zener diyot, regle ilemini kk gler sz konusu olduunda yerine
getirebilir. Byk glerde regle ilemi iin ek devre elemanlar kullanlmaldr.
Zener diyotun bir dier kullanm amac ise referans gerilimi elde etmektir.
Dolaysyla zener, kimi zaman referans diyot olarak kullanlabilir.
Varikap diyot, ters polarma altnda ayarl bir kondansatr gibi davranr. zerine
uygulanan ters gerilim deerine bal olarak kapasitesi deiir.
Varikap diyotlar genellikle iletiim sistemlerinde; modlatr, otomatik frekans
kontrol ve filtreleme devrelerinde kullanlr.
91
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
tla
no
de
rs
Baz zel tip diyotlarn ematik sembolleri ekil-3.30da toplu olarak verilmitir.
Zener Diyot
LED
otki Diyot
Tunel Diyot
Foto Diyot
.e
em
Dorultma Diyodu
92
de
rs
no
tla
ri.
.e
em
co
m
BLM 4
Konular:
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
Transistrn Yaps
Transistrn almas
Transistr Karakteristikleri ve parametreleri
Transistrn anahtar olarak almas
Transistrn Ykselte olarak almas
Transistrlerde klf tipleri
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
1931-1940 yllar kat maddeler elektronii hakknda daha ziyade teorik almalar devri
olmutur. Bu sahada isimleri en ok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F.
Seitz ve W. Schottky'dir.
tla
23 haziran 1947 tarihinde elektronik endstrisi gelime yolunda en byk adm att. Bu
tarihte Bell laboratuarlarnda Walter H. Brottain ve John Bardeen tarafndan nokta
temasl ilk transistr tantld. Ykselte olarak baaryla denendi. Bulunan bu yeni
elemann elektron lambalarna gre bir ok stnl vard.
no
de
rs
.e
em
Transistr, bir grup elektronik devre elemanna verilen temel addr. Transistrler yaplar
ve ilevlerine bal olarak kendi aralarnda gruplara ayrlrlar. BJT (Bipolar Jonksiyon
Transistr), FET, MOSFET, UJT v.b gibi... Elektronik endstrisinde her bir transistr tipi
kendi ad ile anlr. FET, UJT, MOSFET... gibi. Genel olarak transistr denilince akla
BJTLer gelir. Bu blmde bipolar jonksiyon transistrlerin genel yapsn, zelliklerini ve
almasn inceleyeceiz.
94
4.1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
TRANSSTRN YAPISI
tla
ri.
rs
no
Metal Kontaklar
Oxide
.e
em
de
Emiter
Beyz
Kollektr
Substrate (taban)
95
C (Kollektr)
B (Beyz)
C (Kollektr)
Beyz-Kollektr
Jonksiyonu
B (Beyz)
P
N
Beyz-Emiter
Jonksiyonu
B (Beyz)
E (Emiter)
rs
E (Emiter)
C (Kollektr)
no
tla
ri.
Transistrn her bir terminale ilevlerinden tr; Emiter (Emiter), Beyz (Base) ve
Kollektr (Collector) adlar verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize
edilirler. ekil-4.2de NPN tipi ve PNP tipi transistrn fiziksel yaps ve ematik
sembolleri verilmitir. Fiziksel yapdan da grld gibi transistrn iki jonksiyonu
vardr. Bunlardan beyz-emiter arasndaki blge beyz-emiter jonksiyonu, beyzkollektr arasndaki blge ise beyz-kollektr jonksiyonu olarak adlandrlr.
Transistrlerde beyz blgesi; kollektr ve Emiter blgelerine gre daha az katklandrlr.
Ayrca beyz blgesi; kollektr ve Emiter blgesine nazaran ok daha dar tutulur.
C (Kollektr)
Beyz-Kollektr
Jonksiyonu
B (Beyz)
N
P
Beyz-Emiter
Jonksiyonu
E (Emiter)
E (Emiter)
de
.e
em
4.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
96
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VBE
BC Ters
Polarma
VBE
BE Doru
Polarma
VBC
+
BC Ters
Polarma
rs
no
BE Doru
Polarma
+
VBC
tla
ri.
ekil-4.3de NPN ve PNP tipi transistrlerin ykselte olarak altrlmas iin gerekli
polarma gerilimleri ve bu gerilimlerin polariteleri verilmitir. NPN tipi bir transistrde;
beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyz-kollektr jonksiyonu ise ters ynde
polarmalanr. Her iki transistrnde alma ilkeleri ayndr. Sadece polarma gerilimi ve
akmlarnn ynleri terstir. Bu nedenle bu blm boyunca NPN tipi bir Transistrn
almasn analiz edeceiz.
de
em
N
C
.e
Gei
Blgesi
VEB
Gei
Blgesi
VCB
97
ri.
Transistrn nasl altn anlamak amacyla yukarda iki kademede anlatlan olaylar
birletirelim. ekil-4.5de NPN tipi bir transistre polarma gerilimleri birlikte
uygulanmtr. Transistrde oluan ounluk ve aznlk akm tayclar ise ekil
zerinde gsterilmitir. Transistrn hangi jonksiyonlarna doru, hangilerime ters
polarma uygulandn ekil zerindeki gei blgelerinin kalnlna bakarak
anlayabilirsiniz.
N
Aznlk Akm
T ayclar
tla
IC0
E
no
IE
Gei
Blgeleri
VEB
C
IC
VCB
rs
IB
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Ksaca, kollektr akmnn miktar beyz akmnn miktar ile doru orantldr ve
kollektre uygulanan gerilimden bamszdr. nk kollektr ancak beyzin
toplayabildii tayclar alabilmektedir. Emiterden gelen tayclarn yaklak %99u
kollektre geerken geriye kalan ok kk bir ksm beyze akar.
Bir transistrn almas iin gerekli artlar ksaca zetleyelim.
Transistrn alabilmesi iin; beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyzkollektr jonksiyonu ise ters ynde polarmalandrlmaldr. Bu alma biimine
transistrn aktif blgede almas denir.
98
tla
ri.
no
4.3
Transistrlerin almas iin gerekli ilk art, dc polarma gerilimlerinin uygun ekilde
balanmasdr. ekil-4.6da NPN ve PNP tipi transistrler iin gerekli polarma
balantlar verilmitir. Transistrn beyz-emiter jonksiyonuna VBB kayna ile doru
polarma uygulanmtr. Beyz-kollektr jonksiyonuna ise VCC kayna ile ters polarma
uygulanmtr.
.e
em
de
rs
Transistrle yaplan her trl tasarm ve almada dikkat edilmesi gereken ilk konu,
transistrn dc polarma gerilimleri ve akmlardr. Transistrlerin dc analizlerinde
kullanlacak iki nemli parametre vardr. Bu parametreler; DC (dc akm kazanc) ve
DC olarak tanmlanr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda
ayrntl bilgilere sahip olacaksnz.
RC
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IC
RB
VBB
RC
RB
VCC
IB
V BB
IE
IC
VCC
IB
IE
99
akm kazanc, ortak emiter balantda akm kazanc olarak da adlandrlr. Ortak emiter
balant kavram ileride aklanacaktr. Bir transistr iin akm kazanc, kollektr
akmnn beyz akmna oranyla belirlenir.
IC
IB
ri.
tla
akm kazanc bir transistr iin tipik olarak 20-200 arasnda olabilir. Bununla birlikte
deeri 1000 civarnda olan zel tip transistrlerde vardr. akm kazanc kimi
kaynaklarda veya retici kataloglarnda hFE olarak da tanmlanr.
no
= h FE
IC = I B
de
rs
deeri elde edilir. Ortak beyzli balantda akm kazanc olarak bilinen deeri; kollektr
akmnn emiter akmna oran olarak tanmlanr.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IC
IE
Emiter akmnn kollektr akmndan biraz daha byk olduu belirtilmiti. Dolaysyla
transistrlerde akm kazanc 1den kktr. akm kazancnn tipik deeri 0.95-0.99
arasndadr. Emiter akm; IE=IC+IB deerine eitti. Bu eitlikte eitliin her iki taraf ICye
blnrse;
I E IC I B
=
+
IC IC IC
IE
I
= 1+ B
IC
IC
= 1+
deeri elde edilir. Buradan her iki akm kazanc arasndaki iliki;
1+
olarak belirlenir. Bir transistrde akm kazanc deeri yaklak olarak sabit kabul edilir.
Ancak akm kazanc deerinde ok kk bir deiimin, akm kazanc deerinde ok
byk miktarlarda deiime neden olaca yukardaki formlden grlmektedir.
100
Transistrlerde akm kazanc, gerekte sabit bir deer deildir. Deeri bir miktar
transistrn alma ssna bamldr.
zm:
DC =
IC
IB
ri.
Bir transistrn akm kazanc deeri 200dr. Beyz akmnn 75A olmas
durumunda, kollektr akm, emiter akm ve akm kazanc deerlerini bulunuz.
I C = I B = ( 200 75 A) = 150mA
tla
rnek 4-1
I E = I C + I B = (1 + ) I B = (1 + 200 ) 75 A = 150.75mA
no
1+
200
= 0.99
1 + 200
de
rs
Transistrlerde DC akm kazanc sabit deildir. Deeri bir miktar kollektr akm ve
scaklk deiimi ile orantldr. Transistr reticileri kataloglarnda belirli bir IC deeri ve
scaklk altnda oluan ortalama DC deerini verirler. ou uygulamalarda transistrn
IC deeri ve jonksiyon scakl sabit tutulsa dahi DC deeri deiebilir. Bu nedenle;
reticiler rettikleri her bir transistr tipi iin, DC akm kazancnn minimum ve
maksimum deerlerini verirler. ekil-4.8de scaklk ve kollektr akmndaki deiime
bal olarak DC akm kazancndaki deiim rneklenmitir.
70
Minimum akm ka za nc (D C)
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
T=125 0C
50
T=250 C
30
T=-15 0C
20
T=-55 0C
10
1 .0
2.0
3.0
10
20
30
50
10 0
200
IC ( mA )
101
Kaplan
RC
IC
II.GZ
IB
IE
IC
RB
VBE
_ _
tla
IB
IE
I.GZ
no
VBB
VCC
VCE
ri.
V CB + +
de
rs
em
.e
VBB VBE = I B R B
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
VBB VBE
RB
I E = I C + .I B
R C
olur.
102
= IC R
ri.
VCE = VC C ( I C RC )
tla
olarak bulunur.
rnek 4-2
RC
10K
no
RB
VC E
V BE
I B=?, I C=?, IE =?
VC C
10V
V BE =?, V CE =?, V CB =?
rs
5V
100
VCB + +
VBE=0.7V
.e
em
zm:
de
=200
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DC =
VBB = I B R B + VBE
IB =
IC
IB
1+
200
= 0.99
1 + 200
VCC = ( I C RC ) + VCE
VCE = VC C ( I C RC ) = 12V (86mA 100) = 3.4V
103
ri.
tla
no
IB (mA)
T1 T2 T3
rs
de
RB
IB
VCC
T1>T2>T3
VBE
em
VBB
0
0.5
0.7
VBE (V)
.e
Transistrn k Karakteristii
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
IC
IC (mA)
IC
VCC
RB
VCE
IB
VBB
A
0
0.7
VCE (V)
104
no
tla
ri.
rs
.e
em
de
IC (mA )
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I C (mA)
I B6
I B6
I B5
I B5
I B4
I B4
I B3
I B3
I B2
I B2
I B1
I B1
VC E (V)
VC E (V)
Transist rde krlma gerilimi snr
105
I C (mA)
ri.
I B5
I B4
AK TF
B LGE
I B3
tla
DOY UM BLG ES
I B6
I B2
I B=0
I B1
VCE (V )
no
KES M BLG ES
de
rs
Aktif Blge: Transistrn aktif blgesi; beyz akmnn sfrdan byk (IB>0) ve
kollektr-emiter geriliminin 0Vdan byk (VCE>0V) olduu blgedir. Transistr aktif
blgede alabilmesi iin beyz-emiter jonksiyonu doru, kollektr-beyz jonksiyonu ise
ters ynde polarmalanr. Bu blgede transistrn k akm ncelikle beyz akmna,
kk bir miktarda VCE gerilimine bamldr. Transistrn aktif blgede nasl alt,
transistrn almas blmnde ayrntl olarak incelenmiti. Dorusal ykselte
tasarm ve uygulamalarnda transistr genellikle bu blgede altrlr.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
RC
I C0
IC
+
VCE V CC
I B =0A
RB
VCE VCC IC R C
V CC
IB
VCC
VBB
106
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kaplan
ri.
tla
no
IC =
PD( MAX )
VCE
I C (mA)
Ma ksimum
g
snr
IC (max)
.e
em
de
rs
Her bir transistr tipinin alma alann belirleyen bir takm snr (maksimum) deerler
vardr. Bu deerler standart transistr kataloglarnda verilir. Transistrle yaplan
tasarmlarda bu deerlere uyulmaldr. Kataloglarda verilen tipik maksimum snr
deerlerini; kollektr-beyz gerilimi (VCB(max)), emiter-beyz gerilimi (VBE(max)), kollektremiter gerilimi (VCE(max)), kollektr akm (IC(max)) ve maksimum g harcamas (PD(max))
olarak sayabiliriz. ekil-4.14de tipik bir k karakteristii zerinde maksimum deerler
gsterilmitir. Transistrlerde g harcamas; kollektr-emiter gerilimi (VCE) ve kollektr
akmna (IC) baldr. Aadaki gibi formle edilir.
V CE (V)
V CE (max)
107
zm:
VCE
300mW
= 37.5mA
8V
VC C
rs
5V
no
33 K
V BB
1K
tla
RC
RB
de
zm:
PD(max)
ri.
IC =
rnek:
4.4
em
VBB = I B R B + VBE I B =
VBB VBE
5V 0.7V
IB =
= 130 A
RB
33K
IC = I B
.e
VCE geriliminin 20V olmasn salayan IC akmnn deeri, IC(max) deerinden kktr.
IC akmn belirleyen bir dier faktr ise VCC gerilimidir. Bu gerilimin olmas gereken
deerini bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCC = I C RC + VCE
VCC = 19.5mA 1K + 20V
VCC = 39.5V
Buradan transistrn maksimum g artlarnda alabilmesi iin VCC geriliminin
alabilecei deeri belirledik. imdi transistrde harcanabilecek maksimum gc
bulalm.
108
4.4
no
tla
ri.
rs
deal bir anahtar, ak olduunda direnci sonsuzdur. zerinden akm akmasna izin
vermez. Kapal konuma alndnda ise direnci sfrdr ve zerinde gerilim dm
olmaz. Ayrca anahtar bir durumdan, dier duruma zaman kayb olmadan
geebilmelidir. Transistrle gerekletirilen elektronik anahtar, ideal bir anahtar deildir.
Fakat transistr kk bir g kayb ile anahtar olarak alabilir.
em
de
RB
+VC C
I C=0
RC
C
+V CC
+VC C
RB
IB=0
+VC C
IC
RC
RC
0V
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
+VBB
E
IB
109
Kaplan
ri.
Transistr kesimdeyken;
Beyz-emiter jonksiyonu iletim ynnde polarmalanmamtr. Dolaysyla transistrn
kollektr-emiter gerilimi;
VCE = VCC I C RC
tla
no
rs
Transistr doyumdayken;
Kollektr akm maksimum deerine ulamaktadr. Kollektr-emiter gerilimi ise ideal
olarak dnlrse VCE=0V olmaktadr. Bu durumda transistrn kollektr akm;
de
VCC
RC
em
deerine eit olur. Bu deerden hareketle transistr doyumda tutacak beyz akmnn
minimum deeri belirlenebilir.
I
I B(min) = C
.e
rnek
4.5
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC C=+12V
RC
1K
VO
=150
zm:
110
VCC
12V
=
= 12 mA
RC
1K
ri.
I C ( DOYUM ) =
12 mA
= 80 A
150
tla
I B( MIN ) =
no
rs
VB = I B R B + VBE
de
RB =
VB VBE
6V 0.7V
=
= 66.2K
IB
80 A
olarak bulunur.
+VCC
.e
em
RC
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RB
RB
BC547
= 150
5V
+V
VBE=0.6V
0V
111
ekil-4.15.bde ise bir tmdevre kndan alnan iaretin kuvvetlendirilerek bir rleyi,
dolaysyla role kontaklarna bal bir yk kontrol etmesi gsterilmitir.
zm:
ri.
tla
rnek:
4.6
I C 100mA
= 0.6mA
=
150
no
IB =
rs
RB =
R B + VBE
VB - VBE 5V - 0.6V
= 7.3K
=
IB
0.6mA
em
de
+5V = I B
.e
4.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistrlerin ok popler bir dier uygulama alan ise ykselte (amplifier) devresi
tasarmdr. Ykseltme (amplifikasyon) ilemi, transistre uygulanan her hangi bir
iaretin genliinin veya gcnn dorusal olarak kuvvetlendirilmesi (ykseltilmesi)
ilemidir. Ykselte olarak tasarlanacak bir transistr, genellikle aktif blgede
altrlr.
Bu blmde bitirdiinizde ;
Ykselte (amplifier)
Temel transistrl ykseltecin dc ve ac analizi
Hakknda temel bilgiler elde edeceksiniz.
112
Kaplan
tla
ri.
no
+V CC
RC
V out
rs
RB
de
V in
V BB
.e
em
DC Analiz
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
AC Analiz
Transistrl ykselte tasarmnda ikinci evre, tasarlanan veya tasarlanacak ykselte
devresinin ac analizidir. Ykselte devresinin ac analizini yaplrken edeer devrelerden
yararlanlr. ekil-4.17a.da transistrl temel bir ykselte devresi verilmitir. Ayn
devrenin ac edeeri devresi ise ekil-4.17.bde grlmektedir.
113
+V CC
RC
RC
ri.
Vout
RB
RB
Vout
Vin
Vin
Vin
no
Vo
Vg
tla
VBB
rs
de
em
Ykseltelerde kazan ifadesi A ile sembolize edilir. Gerilim kazanc iin AV, Akm
kazanc iin AI ve g kazanc iin AP sembolleri kullanlr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
4.6
AV =
V0
Vg
114
tla
ri.
no
rs
de
1.
2.
3.
4.
.e
em
Pro-Electron Standard:
Avrupa lkelerinde bulunan transistr reticilerinin genellikle kullandklar bir kodlama
trdr. Bu kodlama trnde reticiler transistrleri; AC187, AD147, BC237, BU240,
BDX245 ve benzeri ekilde kodlarlar. Kodlamada genel kural, nce iki veya harf sonra
rakamlar gelir. Kullanlan her bir harf anlamldr ve anlamlar aada ayrntl olarak
aklanmtr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
LK HARF: Avrupa (Pro Electron) standardna gre kodlanmada kullanlan ilk harf,
transistrn yapm malzemesini belirtmektedir. Germanyumdan yaplan transistrlerde
kodlama A harfi ile balar. rnein AC121, AD161, AF254 v.b kodlanan transistrler
germanyumdan yaplmtr. Silisyumdan yaplan transistrlerde ise kodlama B harfi ile
balar. rnein; BC121, BD161, BF254 v.b kodlanan transistrler silisyumdan yaplmtr.
115
tla
ri.
.e
em
de
rs
no
KOD
AIKLAMALAR
2N.....
: Amerikan (EIA-jedec) Standard (FET dahil).
3N.....
: Amerikan (EIA-jedec) Standard (FET, MOSFET)
4N.....
: Amerikan (EIA-jedec) Standard opto-kuplr v.b
2S.....
: Japon (JIS) Standard Si (2S2134 gibi...)
2SA....: Japon (JIS) Standard, PNP, Yksek frekans
2SB....
: Japon (JIS) Standard, PNP, Alak frekans
2SC.... : Japon (JIS) Standard, NPN, Yksek frekans
2SD.... : Japon (JIS) Standard, NNP, Alak frekans
2SH.... : Japon (JIS) Standard, Unijonksiyon Transistr
2SJ....
: Japon (JIS) Standard, FET, P kanall
2SK....: Japon (JIS) Standard, FET, N kanall
3SJ....
: Japon (JIS) Standard, FET, P kanall
3SK....: Japon (JIS) Standard, FET, N kanall
MA...
: Motorola, Ge, Dk gl, metal klf
MPS... : Motorola, Si, Kk iaret, plastik klf
MJE...
: Motorola, Si, Byk gl, plastik klf
MPF... : Motorola, JFET, plastik klf
MJ
: Motorola, Si, Byk gl, Metal klf
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Baz byk retici firmalar ise kendi kodlaryla zel retim yapmaktadrlar. zelliklerini
kataloglardan temin edebilirsiniz.
Olarak tanmlayabiliriz. Her bir kategori, belirli alt kategorilerede ayrlmaktadr. retici
firmalar transistr adlarnn kodlanmasnda, klf ve pin tiplerinin belirlenmesinde belirli
standartlara uyarlar.
Genel Amal/Kk Sinyal Transistrleri: Bu tip transistrler genellikle orta gl
ykselte veya anahtarlama devrelerinde kullanlr. Metal veya plastik klf ierisinde
retilirler. ekil-4.18de plastik klfa sahip standart transistr klf tipleri, klf kodlar ve
terminal isimleri verilmitir.
116
B
E
C
B
tla
ri.
no
de
rs
Bu blmde rnekleme amac ile ok kullanlan birka tip klf tipi verilmitir. Ayrntl
bilgileri retici kataloglarndan elde edebilirsiniz.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C
C
C
B
B
E
TO-5
B E
G
G=GVDE
117
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
tla
TO-218
no
TO-126 ve TO-225AA
B
E
TO-218AC
TO-220AB
GVDE C
GVDE C
rs
TO-66
de
SMD TP
em
.e
118
4.7
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
retici firmalar rettikleri her bir transistr tipi iin standart ve maksimum alma
karakteristiklerini veri kitapklarnda tasarmcnn kullanmna sunarlar. Bu
blmde retici firmann rettii bir transistr iin veri kitapnda kullancya
sunduu katalog bilgileri rnek olarak sizlere verilecektir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
4.8
TRANSSTR TEST
Elektronik cihazlarda kimi zaman bir takm arzalar oluabilir. Bu arzalar genellikle
yariletken devre elemanlarnn bozulmasndan kaynaklanr. Bu nedenle herhangi bir
cihazn onarmnda ilk aama cihazda kullanlan yariletken devre elemanlarnn
salamlk testinin yaplmasdr.
Transistrlerin salamlk testi; statik ve dinamik test olmak zere iki aamada
yaplabilir. Transistre herhangi bir enerji uygulamadan bir l aleti yaplan test
119
ilemine statik test denir. Bu ilemde transistrn jonksiyonlar aras direnci llr.
ri.
Dinamik test ilemi ise transistr devre zerinde alma halindeyken yaplr. Bu
ilemde transistr zerinde oluabilecek polarma gerilim ve akmlarnn lm
yaplr.
Bu blm bitirdiinizde;
tla
no
Ayrntl olarak reneceksiniz. Yaptnz test ilemleri sonucunda her hangi bir transistrde
salamlk testinin nasl yaplaca, transistr tipinin (pnp veya npn) ve terminal balantlarnn
nasl bulanacan yetisini kazanacaksnz.
rs
de
Saysal veya analog bir multimetre kullanlarak herhangi bir transistrn salamlk testi
yaplabilir. Test ileminde sonucunda transistrn salam olup olmadnn yan sra
transistr tipi (npn/pnp) ve transistr terminalleride (b,e,c) belirlenebilir.
em
Npn veya pnp tipi bir transistrn test ileminde pratik bir zm, transistr srt srta
bal iki diyot gibi dnmektir. Test ileminde bu durum bize kolaylk salar. NPN ve
PNP tipi transistrlerin diyot edeerleri ekil-4.21de verilmitir. Bu durum sadece
transistr test etmemizde bize kolaylk salar. ki gerek diyot, ekilde belirtildii gibi
balanrsa transistr olamayaca ve transistr gibi almayaca zellikle bilinmelidir.
C
.e
p
n
E
Yaps
B
E
Sembol
C
n
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
E
Diyot edeeri
E
Sembol
E
Yaps
E
Diyot edeeri
120
0.70
0.70
E B C
E B C
V
off
V
off
A mA COM V
V
off
.e
V
off
A mA COM V
0.00
E B C
V
off
V
off
A mA COM V
A mA COM V
1.20
E B C
V
off
rs
de
em
A mA COM V
1.20
E B C
V
off
A mA COM V
1.20
E B C
A mA COM V
1.20
E B C
ri.
no
1.20
E B C
A mA COM V
tla
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1.20
E B C
V
off
A mA COM V
ekil-4.22 npn tipi bir transistrn saysal multimetre ile statik testi
Test ilemi, analog multimetre kullanlarak da yaplabilir. Multimetre ohm kademesine
alnr. Transistrn jonksiyonlar arasndaki diren deerleri sra ile llr. Multimetre;
Ters polarmada ok byk diren deeri, doru polarmada ise kk bir diren deeri
gstermesi gerekir. Aksi durumlarda transistrn bozuk olduu anlalr.
Transistrleri test etmek amac ile eitli firmalarca gelitirilmi hazr transistr test
cihazlar da (transistor tester) vardr. ekil-4.23de rnek olarak birka transistr test
cihaz verilmitir. Her bir cihazn kullanm kataloglarndan renilebilir.
121
ri.
tla
no
.e
em
de
rs
alan herhangi bir devre veya cihaz zerinde bulunan transistrler test edilebilir. Test
ileminde devre zerindeki transistrn terminalleri arasndaki gerilimler llr.
Dolays ile lm sisteminde enerji vardr. Bu tr test ilemine dinamik test denir.
Salkl bir test ilemi iin baz analizler yaplmal veya bilinmelidir. Test ileminde size
pratiklik kazandrmak amac ile ekil-4.24de grlen basit bir transistrl devre
verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+V CC=12V
RC
680
VC
RB
BC108
VB B=+3V
47K
VBE
(DC)=hFE =200
I C = ( DC ) I B = ( 200) ( 48 A) = 9.6mA
122
ri.
+12V
RC
680
tla
5.5v
RB
BC108
+3V
47K
(DC)=hFE =200
no
0.7v
rs
de
ekil-4.24de verilen devrede veya herhangi bir transistrl devrede oluabilecek pek ok
arza eidi vardr. Transistrl bir devrede oluabilecek arza, devrede yaplacak gerilim
lmeleri sonucunda belirlenebilir. ekil-4.25de transistrl bir devrede olas arzalar
nedenleri ve lme sonular verilmitir. Dikkatlice inceleyiniz
em
+12V
+12V
RC
680
Ak Devre
.e
+3V
RC
680
12v
12v
RB
RB
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
BC108
BC108
+3V
47K
47K
0.5..0.7v
Test
123
Test
+12V
Ak
Devre
+12V
RC
680
RC
ri.
v
RB
12v
RB
BC108
BC108
+3V
47K
47K
3v
tla
+3V
05...0.7v
Ak
Devre
0v
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 3V,
Kollektrde
12V, emiterde 0V
llmtr.
Yorum : Transistrn
kollektr akm yoktur.
Sonu : Emiter terminali
iten ak devre olmutur.
zm : Transistr bozuktur,
deitirilmelidir.
de
rs
no
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 0.50.7V,
Kollektr de
birka V llmtr.
Yorum : Transistrn
kollektr akm yoktur.
Sonu : RC direnci ak
devre olmutur.
zm : RB direnci bozuktur,
deitirilmelidir.
+12V
em
Ak
Devre
+12V
RC
680
RC
680
12v
12v
RB
+3V
RB
BC108
BC108
+3V
47K
0v
47K
3v
.e
3v
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
2.5v
Ak Devre
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 3V,
Kollektrde
12V,Emiterde 0V llmtr.
Yorum : Transistrn iletime
gememektedir.
Sonu : Emiter terminalase balants kopmutur.
zm : Balant
salanmaldr.
Test
: Beyz-Emiter
terminalinde 3V,
Kollektrde
12V,Emiterde 0V
llmtr.
Yorum : Transistrn iletime
gememektedir.
Sonu : Beyz terminali
iten ak devre olmutur.
zm : Transistr bozuktur,
deitirilmelidir.
124
4.9
BLM ZET
ri.
tla
BJT iinde hem serbest elektronlar, hem de oyuklar akm tayc olarak grev yapar.
Bundan dolay bipolar (ift kutuplu) szc kullanlr.
Bipolar transistrde beyz blgesi; kolektr ve emiter blgesine nazaran daha az
katklandrlmtr ve daha incedir.
no
Bipolar Jonksiyon transistrler npn ve pnp olmak zere iki tipte retilirler.
Transistr bir ykselte eleman olarak kullanldnda; beyz-emiter jonksiyonu ileri
ynde, beyz-kollektr jonksiyonu ters ynde polarmalandrlr.
rs
Transistrlerde 3 temel akm vardr. Bunlar; beyz akm (IB), kolektr akm (IC) ve
emiter akm (IE) olarak adlandrlr.
de
em
Bir transistrde emiter akmnn kolektr akmna oran beta akm kazanc olarak
bilinir ve DC olarak tanmlanrlar. DC deeri akm ykseltme katsaysdr. Tipik DC
deeri 20 ile birka 100 birim arasnda olabilir.
.e
Bir transistrde emiter akmnn kolektr akmna oran alfa akm kazanc olarak
bilinir ve DC olarak tanmlanrlar. Tipik DC deeri 0.95 ile 0.99 arasndadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kesimde alan bir transistrn beyz-emiter jonksiyonu ters ynde polarmalandrlmtr. Transistrn kollektr akm yoktur. deal olarak kollektr-emiter
jonksiyonu ak devredir ve ak bir anahtar gibi davranr.
Doyumda alan bir transistrn beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalandrlmtr. Transistrn kolektr akm maksimumdur. Kolektr-emiter
jonksiyonu ideal olarak ksa devredir ve kapal bir anahtar gibi davranr.
DC deeri alma ortam ssndan bir miktar etkilenir. DC deeri ayn tip
transistrlerde farkl deerlerde olabilir.
Transistrler kendi aralarnda snflandrlrlar. Transistrlerin klflarnda metal,
plastik, seramik v.b materyaller kullanlr. Transistr retiminde yzlerce farkl klf
kullanlr.
Bir transistrn salamlk testi statik veya dinamik olarak gerekletirilebilir. Testileminde
multimetre kullanlr. Ayrca test ilemi sonucunda bir transistrntipi(npn/pnp) ve ular
(e/b/c) belirlenebilir.
125
tla
ri.
TRANSSTRLERN DC ANALZ
Konular:
no
rs
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
Amalar:
de
.e
em
co
m
BLM 5
5.1
DC ALIMA NOKTASI
tla
ri.
no
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IC (mA)
Q3
IC2
Q2
IC3
Q4
IC4
Q1
VCE (V)
VCE 2
VCE 3 VCE 4
127
ri.
a) Lineer alma
tla
DC Yk Hatt
rs
no
IC
de
RC
200
em
.e
ekil-5.3
DC =200
250
50
VCC
0-10V
22K
VBB
0-5V
300
60
RB
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
200
40
30
150
20
100
10
50
1
10
VCE (V)
128
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
tla
no
rs
VCE = VCC ( I C RC )
de
.e
em
Her IB akm deerine bal olarak transistrn alma blgesindeki deiimler ekil-5.4
zerinde toplu olarak verilmitir.
129
RC
200
60
IC =20mA
50
I B=100A
40
22K
30
IC (mA)
ri.
VCC
Q1
20
VBB
100
10
DC =200
tla
V CE (V)
10
I B=150A
60
IC =30mA
no
RC
200
VCC
VBB
rs
22K
IC (mA)
50
40
Q2
30
150
20
10
DC =200
V CE (V)
10
de
RC
200
60
IC =40mA
em
IC (mA)
50
I B=200A
Q3
40
VCC
22K
200
30
20
VBB
10
DC =200
V CE (V)
10
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
130
IC (mA)
60
DOYUM
50
YK ZGS
Q3
200
Q2
30
150
Q1
100
KESM
tla
20
10
ri.
40
VCE (V)
10
de
rs
no
VCC
RC
em
Lineer alma
.e
Transistrn balca 3 alma blgesi olduu belirtilmiti. Bunlar; kesim, doyum ve aktif
blgelerdir. Transistr aktif blgede alyorken btn alma noktalar kesim ve
doyum blgeleri arasndadr. Transistr eer aktif blgede alyorsa giriine uygulanan
iareti (sinyali) lineer olarak ykseltir. Lineer ykseltme ilemini incelemek amacyla
ekil-5.6.a da verilen devreden yararlanlacaktr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
131
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V CC=+10V
IC (mA)
IC
tla
RC
200
ri.
Giri iaretinin negatif sayklnda ise; bu iaret beyz akmn dolaysyla kollektr akmn
azaltacaktr. Transistr ekil-5.6.bde karakteristik zerinde gsterilen ve B olarak
adlandrlan alma noktasna kayacaktr. Bu alma noktasnda; IB=100A, IC=20mA ve
VCE=6V deerine ulaacaktr. Ayn ekilde dikkat edilirse giri iaretinin 200 kat
ykseltildii grlecektir.
I CQ
RB
VS
VBB
30
200
150
100
VCE (V)
VCE
DC=200
rs
6.7V
IB
20
no
20K
40
VCEQ
b) Yk hatt zerinde sinyal davran
de
em
Buraya kadar anlatlanlardan da anlalaca gibi, devre giriinde ac giri iareti yokken,
transistr Q alma noktasnda (skunet noktas) kalmaktadr. Girie bir sinyal gelmesi
durumunda ise alma noktas bu sinyalin ynne bal olarak aaya veya yukarya
kaymaktadr. Giri iareti ykseltme ileminde Q noktasnn etrafnda salnmaktadr.
Transistrn kesim veya doyum noktalarna ulamamaktadr. kta elde edilen iaret,
giri iaretinin ykseltilmi bir formudur. k iaretinin dalga biiminde herhangi bir
bozulma yoktur. Bundan dolay bu ileyie Lineer alma denir.
.e
kn Bozulmas (Distorsiyon)
132
IC (mA)
B
Q
IC (mA)
IB
Doyum
I CQ
ri.
Q
V CE (V)
ICQ
V CC
VCC
VCE (V)
tla
Kesim
Doyum
VCEQ
Kesim
VCEQ
no
IC (mA)
rs
B
Q
Doyum
em
de
I CQ
Kesim
V CC
VCE (V)
Doyum
VCEQ
Kesim
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rnek:
5.1
ekilde verilen devrede transistr iin dc yk hattn izerek alma noktasn ve lineer
alma iin girie uygulanabilecek iaretin maksimum genliini belirleyiniz?
133
RB
33K
VBB
12V
20V
DC =100
no
zm
VCC
tla
VS
IC
ri.
RC
220
rs
IB =
de
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I C ( DOY ) =
VCC
20
=
= 90.90mA
RC
220
134
IC (mA)
Doyum
ri.
90.90
34.24
tla
Kesim
12.46
VCE (V)
no
zm
de
rs
Q noktasnn kesim snr ile arasndaki mesafe 34.24mA, doyum snr ile arasndaki
mesafe ise (90.90-34.24)=55.76mAdir. Buradan grlmektedir ki Q alma noktas
kesim blgesine daha yakndr. Dolaysyla lineer alma iin giri sinyali; kta
maksimum 34.24mAlik kollektr akm salayacak ekilde olmaldr. O halde lineer
bir alma iin kollektr akmnn genlii;
I CP = 34.24mA
em
olmaldr. Transistr iin DC akm kazanc deeri (DC) bilindiine gre giri beyz
akmnn maksimum deeri;
IB =
I CMax 34.24
=
= 342.42 A
100
.e
olmaldr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
5.2
BEYZ POLARMASI
135
RC
no
VCC
+VCC
RC
RB
+
VB E _
rs
RB
tla
ri.
nceki blmlerde ele alnan polarma devrelerinde iki ayr dc besleme gerilimi
kullanlmt. Bu devrelerde transistrn beyz polarmas VBB ile tanmlanan ayr bir g
kaynandan salanmt. Transistrl ykseltelerin dc polarma gerilimlerini salamada
pratik bir zm tek besleme kayna kullanmaktr. ekil-5.8.ada tek bir dc gerilim
kayna kullanlarak gerekletirilmi devre modeli verilmitir. Bu tr polarma ilemine
beyz polarmas ad verilmektedir.
b) Basit gsterimi
de
a) Beyz polarmas
em
Devre dikkatlice incelenirse; transistrn beyz polarmas iin ayr bir dc kaynak
kullanlmamtr. Transistrn beyz polarmas RB direnci kullanlarak VCC gerilim
kaynandan alnmtr. Bu yntem pratiktir ve avantaj salar.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VCC
VRB
RB
RC
IB
VCC
IC
VRC
VCC
IB
+
VBE _
VBE
VCE
IE
136
Kaplan
tla
ri.
VCC = I B R B + V BE
IB =
VCC V BE
RB
no
elde edilir. Beyz akmnn bulunmas ile devredeki dier tm polarma akm ve
gerilimleri bulunabilir.
IC = I B
rs
VCE = VCC I C RC
de
VCE = VCC ( I B ) RC
Bu devrede dc yk hatt snrlarn bulmak iin, doyum snrnda VCE=0V olduu kabul
edilerek (ideal durum),
em
I C ( DOYUM ) =
VCC
RC
.e
yk hattnn dier noktasn ise transistr kesimde iken IC=0 kabul ederek,
VCE = VCC
olarak belirleriz.
rnek:
5.2
+VCC=+12V
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RC
2.2K
RB
620K
+
VBE _
137
no
zm:
tla
rs
I C ( DOYUM ) =
VCC
12
=
= 5.45mA
RC
2.2 K
.e
em
de
ri.
IB =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I C (mA)
Doyum
5.45
1.70
Kesim
0
8.26
12
VCE (V)
138
rnek:
5.3
RB
tla
100K
ekil-5.10
no
zm
ri.
RC
620
VCC = VCE + ( I C RC )
VCC = VCE + [( I B ) RC ]
rs
VCC = V RB + V BE
de
VCC = I B R B + V BE
em
IC
DC
+ V BE
.e
VCC =+12V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V V BE
12 0.7
11.03
I C = DC CC
= 100
= 11.3mA
= 100
RB
100 K
100 K
139
I C ( 750 ) I C ( 250 )
I C ( 250 )
%100 =
17 mA 11.3mA
%100 %50 ( Artma)
11.3mA
tla
%I C =
ri.
%VCE =
no
%100 =
1.46V 5V
%100 %70 ( Azalma)
5V
Yorum:
rs
em
de
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Tipik bir emiter direnli beyz polarma devresi ekil-5.11de verilmitir. Devre beyz
polarma devresinden daha kararl bir alma salamak iin gelitirilmitir. Devrenin
emiterinde kullanlan RE direnci transistrn daha kararl almasn salar.
+VCC
RB
+VCC
RC
VRB =IB R B
RB
RC
IC
IB
VRC=IC RC
VCE
+
VBE _
VB =VB E +VRE
RE
RE
IE
V RE =IE RE
140
Devreyi analiz etmek iin beyz-emiter ve kollektr-emiter evrelerini ayr ayr ele alalm.
nin analizinde temel evre denklemlerini kullanmak yeterlidir. ekil-5.9da gsterildii
gibi VCC-beyz-emiter evresinden;
ri.
VCC = I B R B + V BE + I E R E
tla
I E = I C + I B I E = ( I B ) + I B I E = I B ( + 1)
VCC = I B R B + V BE + ( + 1) I B R E
VCC V BE
R B + ( + 1) R E
no
IB =
rs
deeri elde edilir. Artk beyz akm kullanlarak kolektr ve emiter akmlar belirlenebilir.
Transistrrn kolektr-emiter gerilimini (VCE) bulmak iin kolektr-emiter evresinden
yararlanalm.
VCC = I C RC + VCE + I E R E
de
VCE = VCC I C RC I E R E
em
olarak bulunur.
DC=100
VB E=0.7V
zm
a.
RC
1K
RB
470K
.e
rnek:
5.4
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RE
470
250C oda scaklnda, DC=100 iin gerekli analizleri yapalm. Beyzemiter evresinden beyz akm (IB);
IB =
VCC V BE
12V 0.7V
11.3
=
= 0.021mA = 21A
=
R B + ( + 1) R E 470 K + (101) 470 517470
141
ri.
tla
rs
IB =
no
b.
de
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
%I C =
I C ( 750 ) I C ( 250 )
%VCE =
I C ( 250 )
%100 =
3.02mA 2.12mA
%100 %42 ( Artma)
2.12mA
%100 =
7.5V 8.9V
%100 %15 ( Azalma )
8.9V
Yorum:
rnek 5.3de verilen polarma devresi DC deiiminden ok fazla etkilenmekte ve
alma noktas %70 orannda kaymakta idi. Yukarda verilen emiter direnli
polarma devresinde ise DC deiiminden etkilenme oran (%15) ok azdr.
Dolaysyla emiter direnli beyz polarma devresinin kararll daha iyidir.
142
no
tla
rs
Tipik bir emiter polarma devresi ekil-5.12.ada verilmitir. Grld gibi devrede iki
ayr gerilim kayna kullanlmtr. VCC ve VEE olarak adlandrlan bu kaynaklar
transistrn polarma akm ve gerilimlerini salarlar. Bu devrede beyz gerilimi yaklak
0Vdur. Ayn devrenin basitletirilmi izimi ise ekil-5.12.bde verilmitir.
+VCC
de
IC
+VCC
RC
RB
RC
RB
.e
em
EMTER POLARMASI
ri.
5.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB
VBE
IE
+
VB
RE
RE
VE
VC
VEE
-VE E
143
ri.
IE =
tla
IC=IE
VC = VCC I C RC
no
VCE = VC VE
II. Yaklam: Beyz akmnn varln kabul edip devrenin analizini yapalm.
VEE = I B R B + VBE + I E RC
de
rs
IE
eitliini yazarsak;
+1
I
VEE = E R B + VBE + I E R E
+ 1
em
.e
Devrede eer , R E =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IE =
VEE VBE
R
RE + B
+1
RB
ise yukardaki eitlik yeniden dzenlenebilir. Bu durumda;
+1
IE =
VEE VBE
RE
VEE
RE
144
VCC VEE
RC + R E
belirleriz. Transistrn kesim annda ise kollektr akmn yaklak sfr kabul ederek
kollektr-emiter arasndaki toplam gerilim bulunur. Bu deer;
rnek:
5.5
ri.
+VCC =12V
tla
RC
1K
47K
RE
VE
5.6K
VC
rs
VB
no
RB
em
zm
de
-VE E
-12V
VE = VBE = 0.7V
IE =
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
11.3V
= 2.01mA
5.6K
I C I E = 2.01mA
VC = VCC I C RC = 12 ( 2.01mA 1K) = 10V
VCE = VC ( VE ) = 10V ( 0.7V ) = 11.7V
145
ri.
8.26
24
VCE (V)
rs
no
tla
2.01
rnek:
5.6
+VCC =15V
de
RC
2.2K
RB
VB
RE
V
8.2K E
VC
-VE E
-15V
.e
em
15K
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
zm
( 15V ) 0.7V
VEE VBE
14.3V
=
=
= 1.71mA
RB
15K
8
.34K
8.2 K +
RE +
100 + 1
+1
I C I E = 1.71mA
146
( 15V ) 0.6V
VEE VBE
14.4V
=
=
= 1.72 mA
R
15K
8.34K
8.2 K +
RE + B
100 + 1
+1
ri.
IE =
tla
I C I E = 1.72 mA
no
rs
de
% I C =
%VCE =
%100 =
1.72 mA 1.71mA
%100 %0.5 ( Artma)
1.71mA
%100 =
10.31V 10.25V
%100 %0.50 ( Artma)
10.25
.e
em
Yorum:
Sonulardan da grld gibi sl ve eitli nedenlerden dolay DC ve VBE
deerlerindeki deiim transistrn alma noktas deerlerini ok az miktarda
etkilemektedir. Bu nedenle emiterli polarma devresinin kararl yksektir ve DCden
bamszdr diyebiliriz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
5.4
Gerilim blcl polarma devresi, Lineer almada ska tercih edilen en popler
polarma metodudur. Gerilim blme ilemi direnlerle gerekletirilir. Bu polarma tipi
transistrn son derece kararl almasn salar ve DCden bamszdr. Bu tip
polarma devresinde tek bir besleme geriliminin kullanlmas ise dier bir avantajdr.
zellikle lineer ykselte devrelerinin tasarmlarnda gerilim blcl polarma
devreleri kullanlr.
147
ri.
RC
de
R1
rs
no
tla
Tipik bir gerilim blcl polarma devresi ekil-5.13.ada verilmitir. Grld gibi
devre tek bir gerilim kaynandan (VCC) beslenmitir. Devrede transistrn beyz akm
R1 ve R2 direnleri tarafndan salanmaktadr. Devrenin kararll ok yksektir.
Transistrn alma blgesi deerleri DCnin deiiminden etkilenmez. Bu nedenle bu
tr polarma tipine dan bamsz polarma ad da verilmektedir. ekil-5.13.bde ise
polarma devresinin analizini kolaylatrmak amac ile polarma akm ve gerilimleri devre
zerinde gsterilmitir.
+VCC
RC
V RC=IC.RC
I1
IB
V R2 =I2.R2
RE
IC
R1
V R1 =I1 .R1
V CC
R2
R2
VB
IE
RE
V RE=IE.RE
em
I2
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Yntem 1:
Bu yntemde beyz akm ihmal edilebilecek kadar kk kabul edilir. R1 direncinden
akan akmn R2 direncinden de akt kabul edilir. nk transistrn giri direnci Rin
R2 direncinden ok byk olduu kabul edilir (Rin>>R2). Yaplan kabuller neticesinde
polarma devresinin edeeri ekil-5.14.bde verilen hale gelir. Edeer devrede; R1 ve R2
direnlerinin birletii noktada elde edilen gerilim, transistrn beyz polarma gerilimi
olacaktr.
148
+VCC
+VCC
I1
RC
R1
R1
R2
RE
SE
I2
R2
Rin
tla
I1 =I 2>>I B
ri.
IB
Rin >>R2
no
rs
VB =
R2
VCC
R1 + R2
de
olarak bulunur. Beyz gerilimi; beyz noktas ile ase arasndaki gerilim olduundan
yazlacak evre denkleminden;
V B = V BE + I E R E
em
V B V BE
RE
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VC = VCC + I C RC
149
rnek:
5.7
+VCC =20V
ri.
RC
5K6
tla
R1
100K
R2
10K
no
RE
1K
zm
R2
10K
VCC =
20V = 1.82V
100K + 10K
R1 + R2
V VBE 1.82 0.7
=
= 1.12 mA
IE = B
RE
1K
I E IC
de
rs
VB =
em
.e
Yntem 2:
Gerilim blcl polarma devresinde bir dier yntem ise Thevenin teoremini
kullanmaktr. Bu yntem tam zm sunar. Hibir kabul iermez. Devrenin giriinde
(beyz) thevenin teoremi uygularsak polarma devresi ekil-5.15.bde verilen basit forma
dnr.
R1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VCC
+VCC
RC
RC
R TH
A
R2
IB
VTH
RE
RE
150
ri.
Thevenin edeer gerilimi olan VTH deerini bulmak iin devre giriini A noktasndan
ayralm (Transistr baml akm kayna gibi dnebiliriz). Bu durumda devremiz
ekil-5.16.ada verilen forma dnr. VTH gerilimi ise A noktasnda elde edilecek gerilim
deeridir.
VCC
R2
VTH =
R1 + R2
tla
Thevenin edeer diren deeri RTH ise; VCC gerilim kayna ksa devre edilerek
bulunur. Bu deer A noktasndan grlen diren deeridir ve R1 ve R2 direnleri paralel
duruma gemitir. Bu durum ekil-5.16.bde gsterilmitir.
no
RTH = R 1 // R 2 =
R1 R2
R1 + R2
+VCC
R1
rs
R1
de
VTH
RTH
R2
R2
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Devrede IB ve IE olmak zere iki bilinmeyen var. O halde IE akmn IB cinsinden ifade
edelim. IE=IB(+1)dir. Denklemde yerine koyalm.
VTH = I B RTH + VBE + ( + 1) I B R E
IB =
VTH VBE
RTH + ( + 1) R E
olarak bulunur. Bulanan bu deerden IE, IC ve VCE deerleri srayla elde edilir.
151
+VCC=20V
tla
+VCC =20V
RC
5.6K
RC
5.6K
R1
100K
IB
V TH
VB E
IE
RE
1K
zm iin ilk adm thevenin edeer devresini izmektir. Edeer devre yukarda
izilmitir. nce thevenin edeer gerilimi ve edeer diren deerlerini bulalm.
de
zm
RE
1K
rs
R2
10K
no
R TH
VTH =
VCC
20
R2 =
10K = 1.82V
R1 + R2
100K + 10K
em
RTH = R 1 // R 2 =
R1 R2
100K 10K
=
= 9.09K
R 1 + R 2 100K + 10K
.e
ri.
rnek:
5.8
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Yorum
IB =
VTH VBE
1.82V 0.7V
1.12V
=
=
= 10 A
RTH + ( + 1) R E 9.09K + (101) 1K 110K
I E = ( + 1) I B = 101 10 A = 1.02 mA
I C = I E I B = 1.02 mA 0.01mA = 1.01mA
VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.01mA 5.6K) (1.02 mA 1K)
VCE = 20V ( 5.65V ) (1.02V ) = 20V 6.67V = 13.33V
152
rnek:
5.9
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
+VC C=20V
RC
5.6K
R1
100K
RC
5.6K
tla
R TH
R2
10K
VB E
IE
RE
1K
VCC
R2
R1 + R2
no
VTH =
IB
V TH
RE
1K
zm
20
10 K = 1.82V
100 K + 10 K
rs
VTH =
de
RTH = R1 // R2 =
RTH =
R1 R2
R1 + R2
100 K 10 K
= 9.09 K
100 K + 10 K
em
.e
VTH VBE
1.82V 0.7V
1.12V
=
=
= 5.3 A
RTH + ( + 1) R E 9.09K + ( 201) 1K 210K
Yorum:
153
+VCC =12V
C1
C2
10F
10F
R2
22K
RE
470
R1
+VCC =12V
RC
2.2K
V0
no
Vi
RC
2.2K
tla
R1
R2
22K
CE
47F
a) Ykselte devresi
RE
470
de
zm
rs
em
.e
Ykselte devresi aktif blgenin tam ortasnda almas isteniyor. O halde transistrn kesim ve doyuma gitmeden ikisinin ortasnda almas gerekir. Transistrn
aktif blgedeki alma gerilimi deerini bulmak iin kesim ve doyum noktalarn
belirleyip ikisinin tam ortasn almalyz. O halde;
ri.
rnek:
5.10
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
besleme gerilimine eittir. Transistr doyumda iken kollektr-emiter aras ksa devre
olur ve minimumdur. IC akm ise maksimumdur. Bu durumda transistrn Q
alma noktas gerilimi VCQ(min) ise;
VCQ (min) =
VCC
RE
R E + RC
154
VCC
2
RE
1 +
R E + RC
ri.
VCQ =
= 7.05V
1 +
= 1 +
2 R E + RC 2 470 + 2.2 K
no
VCQ =
tla
rs
I CQ =
de
I BQ =
I CQ
RC
12 7.05
= 2.25mA
2.2 K
2.25mA
= 0.01125mA = 11.25A
200
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V R1
+VCC =12V
IR1
RC
2.2K
R1
ICQ
V RC
VCE Q
IBQ
VR2
R2
22K
IR2
VCQ
RE
470
IE Q
VRE
V R 2 1.76V
=
= 0.080mA = 80A
R2
22 K
155
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I 1 = I 2 I B = 80 A 11.25A = 68.75A
V R1 10.24V
=
= 148.9 K
I1
68.75A
tla
R1 =
ri.
KOLLEKTR-GERBESLEMEL POLARMA
rs
5.5
no
+VCC
I C+IB
RC
RB
RC
VRC
RB
.e
em
de
IB
IC
V CE
VB E
VB E
IE
156
tla
ri.
Sistemin kararl almas iin geribesleme ile yaplan iyiletirilme aada anlatlmtr.
Is ile nn artmas transistrn kolektr akmnda da bir arta neden olur. Kolektr
akmnn artmas RC direnci zerinde oluan gerilimi de artracaktr. RC direnci zerinde
oluan gerilimin (VRC) artmas ise transistrn VCE geriliminin azalmasna neden olur.
Kolektr gerilimi ise RB direnci zerinden beyzi beslemektedir. Bu durumda beyz
akmda azalacaktr. Beyz akmnn azalmas ise kolektr akmnda deiiminin neden
olduu artmay engelleyecektir. Scaklk etkisiyle da dolaysyla kollektr akmnda
oluan artma veya azalma geribesleme ile dengelenmektedir. Bu durum, transistrn
alma blgesinin kararl kalmasn salar.
Devrenin matematiksel analizini yapalm. ekil-5.18.bde verilen devrede beyz-emiter
evresi iin gerekli eitlikler yazlrsa;
no
VCC = I RC RC + I B R B + V BE
olur. Burada IRC akm, RC direnci zerinden geen akmdr ve IRC=IB+IC deerine eittir.
VCC = ( I B + I C ) RC + I B R B + V BE
rs
VCC = I E RC + I B R B + V BE
de
em
VCC V BE
R B + ( + 1) RC
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Devrede alma noktas deerlerini bulmak iin kollektr-emiter evresi iin gerilimler
yazlrsa;
VCC = I RC RC + VCE
157
+VCC
+VCC
RC
V RC
ri.
I C+IB
RC
VCE
RB
RB
IC
VBE
VB E
VB=VB E+IE R E
IE
RE
VRE
no
RE
tla
IB
rs
VCC = I RC RC + I B R B + V BE + I E R E
de
denklemi elde edilir. Elde edilen denklemde IRC akm yerine, IRC=IB+IC=(+1)IB eitliini
kullanrsak;
VCC = ( + 1) I B RC + I B R B + V BE + I E R E
IB =
VCC V BE
R B + ( + 1) ( RC + R E )
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCC = I RC RC + VCE + I E R E
158
rnek:
5.11
VCC =+12V
RC
2.2K
ri.
RB
DC=150
VBE=0.7V
tla
100K
VBE
no
zm
VCC V BE
12V 0.7V
11.3V
=
=
= 0.026mA = 26 A
R B + ( + 1) RC 100 K + (151) 2.2 K 432.2 K
rs
de
olarak bulunur.
em
.e
IB =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VCC V BE
12V 0.7V
11.3V
=
=
= 0.017 mA = 17 A
R B + ( + 1) RC 100 K + (251) 2.2 K 652.2 K
I C = I B = 250 17 A = 4250A = 4.25mA
I E = ( + 1) I B = 251 17 A = 4267 A = 4.26mA
Yorum
Transistrn DC deerinde yaklak %100lk bir arta ramen alma blgesi akm
ve gerilimlerindeki deiim yaklak %10 civarndadr. Bu durum bize devrenin
kararllk faktrnn iyi olduunu gsterir.
159
ri.
KK SNYAL YKSELTELER
no
rs
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.6
6.7
tla
Konular:
de
Amalar:
em
.e
co
m
BLM 6
tla
no
de
rs
em
.e
ri.
6.1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kk Sinyal Ykselteci
Tipik bir kk sinyal ykselte devresi ekil-6.1de verilmitir. Ykseltilecek sinusoydal
iaret transistrn beyz terminaline uygulanmtr. Ykseltilmi k ise transistr
kollektr terminalinden RL yk zerine alnmtr. Rs direnci ac iaret kaynann i
direncidir. Transistrn polarma gerilim ve akmlarn giriteki ac kaynaktan ve ktaki
RL yknden yaltmak amac ile C1 ve C2 kondansatrleri kullanlmtr.
161
+VCC
Ic
RC
Vb
ri.
R1
I CQ
C2
V ce
Rs
C1
Ib
RE
RL
no
R2
VCE Q
tla
Vs
de
rs
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-6.2de verilen grafii analiz edelim. Transistr skunet halinde (girite ac iaret yok)
Q alma noktasnda IB=30A, IC=3mA ve VCE=4V deerlerine sahiptir. Transistr
(ykselte) giriine tepe deeri 10A olan bir sinsoydal iaret uygulandnda ise;
Transistrn beyz akmndaki deiim 20A ile 30A arasnda olmutur. Buna karlk
transistrn kollektr akm 2mA ile 4mA arasnda deimitir.
Sonuta; transistr giriine uygulanan ve tepe deeri 20A olan sinsoydal iaret, ktan
yine sinsoydal olarak fakat tepe deeri 4mA olarak alnmtr. Ayn ekilde VCE
deerinde de bir deiim sz konusudur.
162
D
ze
y in
de
a rt
ea
z al
ma
ri.
ma
v
40A
Ic
30A
tla
Ib
IC (mA)
20A
10
VCE (V)
no
rs
Vce
de
em
6.2
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Transistr ac Edeeri
Kk sinyal ykseltelerinin ac analizinde kullanlmak zere, eitli devre
modellemeleri gelitirilmitir. Bu blmde; transistrn ac edeer devresi iin Hibrid-
(Hybrid) modeli tantlacaktr. Bu model, dierlerine gre basit yapdadr ve kullanm
daha kolaydr. Dolaysyla transistrn ac analizde bu modelden yararlanlacaktr.
Kk sinyal ykseltelerinde Bipolar Jonksiyon Transistr (BJT) ekil-6.3de verilen
hiprid- devre modeli ile temsil edilebilir. Bu edeer devre modelinde; gm ve r olarak
verilen parametreler transistrn kollektr akm IC deerine bamldr. Dolays ile
hibrid- modeli transistrn belirli bir alma noktasnda kullanlabilir.
163
+
r
r0
gm v
ri.
tla
rs
no
r =
gm
de
gm =
.e
em
Grld gibi her iki parametrede kollektr akmnn deerine baldr. Bu sebeple
yukarda da belirtildii gibi hibrid- modelini kullanmak iin transistrn alma
noktasndaki IC deerinin bilinmesi zorunludur. Edeer devre modelinde transistrn
k akm baml bir kaynak ile tanmlanmtr. Transistrn k akm IC;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
i c = i b = g m v = g m r i b
164
+VCC
+VCC
RC
RC
RB
ri.
RB
Vs
VB B
a) Ykselte devresi
tla
VBB
no
de
rs
Bir ykselte devresinde dc analiz yaplrken, ac kaynaklar ksa devre edilir. Eer
ykselte devresinde kondansatrler varsa ak devre edilmelidir. nk kondansatrler
dc sinyale ak devre gibi davranrlar. Kk sinyal ykselteci iin devrenin dc edeeri
ekil-5.6.bde izilmitir. DC almada gerekli analizler yaplarak transistrn alma
blgesi belirlenir. Transistr aktif blgede altrlyorsa ac analize geilebilir. Aktif
blgede almayan bir transistr iin ac analiz yapmak gereksizdir. nk bir kazan
veya ykseltme sz konusu deildir.
em
RC
RB
Transistr
Edeeri
B
r
Vs
Vs
VBB
VB B
a) Ykselte devresi
RB
RB
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vs
+
v0
gmv
Rc
165
rnek:
6.1
+VCC =12V
ri.
+VCC =12V
RC
2.2K
2.2K
RB
Vs
220K
VB B
5V
5V
no
VBB
220K
tla
RB
a) Ykselte devresi
a. dc analiz
Ykselteci dc alma artlarnn belirlenmesinde ilk adm devrenin dc edeerinin
izilmesidir. Dc edeer izimi iin devredeki ac kaynak 0V, kapasitrler ise ak
devre kabul edilir. Yaplan kabuller sonucunda ykselte devresinin dc edeeri
ekil-6.5.bde verildii gibidir.
de
rs
zm
.e
em
kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma blgesi
akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre
gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
I B ==
V BB V BE
RB
5 0.7
4.3
=
= 0.019mA = 19 A
220 K 220 K
elde edilen deerler bize transistrn aktif blgede alt belirtmektedir. Dolays ile
transistr ykseltme (amplifikasyon) iin uygun blgede almaktadr. O halde
verilen devrenin ac analizine geebiliriz.
b. ac analiz
ekil-6.5.ada verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac analizi
yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc gerilim
kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Yaplan bu ilemler sonucunda devremizin
ac edeeri ve hibrid- devre modeli ekil-6.6da ykselte devresi ile birlikte
verilmitir.
Ykseltecin edeer devre modelinde, transistrn sahip olduu r0 k direnci ihmal
edilerek gsterilmemitir. Transistrn k direnci, RC direncinden ok (RC<<r0)
byktr. Dolays ile ihmal edilebilir.
166
RB
RC
2.2K
220K
RB
Vs
+
v0
gmv
ri.
Vs
220K
Rc
2K2
tla
no
em
de
rs
gm
150
= 1.36 K
109.6mA
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
v Rc = g m v RC
v0 = g m v RC
olacaktr. Bu eitlikte sadece v deeri bilinmemektedir. Bu deeri bulalm.
ekil-5.7de verilen edeer devrenin giri evresini kullanarak;
v =
vs
vs
r =
1.36 K = 0.006v s
220 K + 1.36 K
R B + r
167
ri.
v0 = g m v RC
tla
de
6.3
rs
no
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Temel bir ykselte devresinin blok diyagram ekil-6.7de verilmitir. Ykselte giriine
uygulanan iaret, belirli ilemlerden geirilir ve ykseltilerek ka aktarlr. Bu durum,
ykselte devresinin temel ilevidir.
Giri
Transistrl
Ykselte
168
ri.
Ortak-emiterli ykselte
Ortak-kollektrl ykselte
Ortak-beyzli ykselte
no
tla
rs
olarak adlandrlr. Her bir balant tipinin kendine has bir takm zellikleri vardr.
Dolays ile kullanm alanlar farkldr. lerleyen blmlerde sra ile her bir balant
tipinin zelliklerini, dc ve ac analizlerini ayrntl olarak inceleyeceiz.
+VCC
RC
de
R1
C2
C1
VS
RE
em
R2
.e
6.4
+VCC
+VCC
RC
R1
R1
C1
V0
VS
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C2
V0
C1
R2
CE
RE
C2
V0
C3
VS
R2
RE
Tipik bir ortak emiterli ykselte devresi ekil-6.9da verilmitir. Bu ykselte devresi
ortak emiterli devrenin alma prensibini anlayabilmeniz iin gelitirilmitir. Pratikte bir
ykselte devresinde iki adet dc besleme kayna kullanlmaz.
169
RL
Vin
Vout
ri.
RB
tla
VCC
VEE
no
: Var
: Var
: Var, yksek
: Var, 1800
: Orta dzeyde (500-1k)
: Orta dzeyde (10K-50K
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
27K
RC
2.2K
Rs
4.7K
VS
C2
C1
R2
5.6K
RE
470
V0
RL
1K
CE
170
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
no
DC Analiz
rs
Devrenin dc analizi iin ilk adm, dc edeer devreyi izmektir. DC edeer iin devrede
bulunan kapasitrler ak devre kabul edilir ve Vs sinyal kayna dikkate alnmaz. Bu
koullar yerine getirildiinde oluan dc edeer devre ekil-6.11de verilmitir.
VCC =+12V
V CC=+12V
RC
2.2K
de
R1
27K
R1
27K
Rs
V0
4.7K
R2
5.6K
RE
470
RL
1K
R2
5.6K
RE
470
.e
em
VS
RC
2.2K
VCC
12V
R2 =
5.6 K = 2.06V
R1 + R2
27 K + 5.6 K
RTH =
IE =
R1 R2
27 K 5.6 K
=
= 4.63K
R1 + R2 27 K + 5.6 K
VTH V BE
1.36V
2.06V 0.7V
=
=
= 2.64mA
RTH
4.63K
515
+ 470
+ RE
101
( + 1)
171
IB =
IE
2.64mA
=
= 26 A
( + 1)
101
ri.
I C = I B = 100 26 A = 2.6mA
tla
no
rs
de
AC Analiz
.e
em
Devrenin ac analizi iin ilk adm, ac edeer devreyi izip daha sonra hibrid- modelini
karmaktr. DC edeer iin devrede bulunan dc kaynaklar ve kapasitrler ksa devre
kabul edilir. Bu koullar altnda oluan ac edeer devre ekil-6.12de verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
27K
RC
2.2K
V0
Rs
C2
4.7K
VS
V CC=+12V
C1
R2
5.6K
RE
470
Rs
V0
RL
1K
CE
VS
RC
R1
RL
R2
172
4.7K
r
VS
R1
27K
R2
5.6K
gm v
RC
2K2
RL
1K
tla
R in
+
v0
ri.
Rs
no
rs
gm =
em
de
r =
gm
100
100 10 3
= 1K
Rin = R1 // R2 // r = 0.823K
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
v =
vs
vs
Rin =
0.823K = 0.149v s
R s + Rin
4.7 K + 0.823K
RC R L
= (100mA / V )(0.168v s )(0.68 K) = 11.4v s
RC + R L
eitlii elde edilir. Buradan ortak emiterli kk iaret ykseltecinin gerilim kazanc
bulunur.
173
rnek:
6.2
RC
2K
C1
10F
10F
V0
RL
20K
no
VS
C2
tla
RB
560K
ri.
V CC=15V
zm
rs
c. dc analiz
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
174
VCC =12V
RS
C1
10F
no
1K
RC
2K
tla
RB
470K
zm
C2
10F
V0
RL
20K
rs
de
.e
em
ri.
rnek:
6.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
IB =
175
Kaplan
1K
r
RB
470K
VS
+
-
g mv
RC
2K
RL
20K
tla
E
Rin
+
v0
ri.
RS
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
no
r =
150
=
= 1.086K
g m 138x10 3
v 0 = g m v ( RC // R L )
RC // R L =
R in = R B // r =
v =
RC R L
2 K 20K
=
= 1.82 K
RC + R L 2 K + 20K
R B r
470K 1.086K
=
= 1.083K
R B + r 470K + 1.086K
vS
vS
R in =
1.083K = 0.5 v S
R B + Rin
1K + 1.083K
v 0 = g m v ( RC // R L )
v 0 = (138mA /V ) 0.5v S (1.82 K)
AV =
v0
= (138mA /V )(1.82K) = 125.58
vS
.e
em
de
rs
gm =
176
6.5
ri.
no
tla
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+VCC
R1
RS
C1
C2
VS
R2
V0
RE
RL
177
: Var; IE/IB
: Var.
: Yok.
: Tampon ykselteci ya da emiter izleyici
Akm Kazanc
G Kazanc
aret Faz evrimi
Genel Kullanm Alan
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
no
RS
tla
1K
v
gm v
R1 //R2
rs
VS
RE
Rb
+
RL
v0
de
Rin
em
ekil-6.17de edeer devresi verilen ortak kolektrl ykselte iin k sinyal gerilimi
ifadesini yazalm;
v 0 = g m v ( R E // R L )
.e
Devrenin emiterinden bakldnda grlen diren etkisi, emiter direncinin (+1) katdr.
Edeer devrede Rb ile tanmlanan diren deeri ise;
R b = r + ( + 1) ( R E // R L )
olacaktr. Analize devam edelim. Edeer devrenin girii iin evre gerilimlerinden
yararlanarak Rin zerindeki sinyal gerilimini ve v deerlerini yazalm.
v in =
v =
vS
Rin
Rin + RS
v in
r
r + ( + 1)( R E // R L )
v in
r ( R E // R L )
r + ( + 1)( R E // R L )
178
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
no
6.6
R in
v0
v in
= gm
( R E // R L )
vS
R in + RS r + ( + 1)( R E // R L )
tla
AV =
rs
de
em
Tipik bir ortak beyzli ykselte devresi ekil-6.18da verilmitir. Bu ykselte devresinde
giri sinyali (iareti) transistrn emiter-beyz ular arasndan uygulanmtr. k iareti
ise kollektr-beyz terminalleri arasndan alnmtr. Grld gibi beyz ucu, hem giri
hem de k iareti iin ortak terminaldir. Bu nedenle bu devre ortak beyzli ykselte
olarak adlandrlr.
+VCC
C2
RS
C3
C1
VS
V0
RL
R2
.e
RC
R1
RE
179
Gerilim Kazanc
Akm Kazanc
G Kazanc
aret Faz evrimi
Genel Kullanm Alan
tla
no
AC analiz iin devredeki kapasitrleri ksa devre yapalm. Devreyi basitletirmek iin
transistrn k direnci r0 ise ihmal edelim. Belirtilen koullar altnda ekil-6.18de
verilen ortak beyz balantl ykselte devresinin ac edeeri ekil-6.19da verilmitir.
Devrenin k sinyalini yazalm;
rs
v 0 = g m v ( RC // R L )
.e
em
de
Ykseltecin emiter noktasnda ortaya kan sinyal bileenini bulmak iin gerilim blc
eitliini uygularz. Bu durumda emiter sinyali;
: Var; GV=VC / VE
: Yok; =IC / IE
: Var.
: Yok.
: Radyo frekans (RF) ykselte tasarm
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
+
r
R2
gm v
RL
RE
ie
RS
+
v0
ve
RE
VS
Rin
vS
R in
R in + RS
ve =
olur. Ykselte devresinde beyz terminali direnler zerinden topraa bal olduu iin,
v = v0
olacaktr. Emitere doru bakldnda REye paralel bir re direnci vardr. Bu direncin
deeri ise;
re =
180
r
+1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
v0 = gm
v0
R in
= gm
( RC // R L )
vS
R in + RS
.e
em
de
rs
no
AV =
tla
181
G (POWER) YKSELTEC
tla
1.
ri.
KONU:
GEREKL DONANIM:
de
rs
no
N BLG:
em
.e
co
m
BLM 7
DENEYN YAPILII:
Ykseltecin temel ilevini renmek amac ile nce ykselte kullanmadan her hangi bir
ses frekans iaretinin hoparlr zerindeki etkisini inceleyeceiz.
1.1
1.2
1.3
182
Hp1
HOPARLR
8
ri.
C1=1F
1Khz
Sinsoydal
co
m
Vg +
aret
reteci
tla
no
rs
1.4
de
em
.e
47K
C1=1F
1Khz
~ Sinsoydal
1.5
Vcc=+12V
RB
Vg +
aret
reteci
Kaplan
ANALOG ELEKTRONK- I
Hp1
HOPARLR
8
aret reteci devreye bal deilken ykseltecin polarma gerilimlerini lerek elde
ettiiniz deerleri tablo-15.1deki ilgili yerlere kaydediniz.
VCC
VCQ
VE
VBE
1.6
1.7
183
ri.
tla
1.
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
G Kayna: 12VDC
Osilaskop (ift kanall)
aret reteci (Sig.Gen)
Transistr: 2xBC108C, 2xBC177 veya muadilleri
Diyot: 2x1N4007
Diren: 2x22, 100, 2x220, 2x470, 2x22K
Kondansatr: 10nF, 1F
N BLG:
em
Ses frekans tekniinde kullanlan bir ykseltecin giriinin bir mikrofondan olaca, k
yknn ise hoparlr olaca aktr. Dolaysyla byle bir ykselte devresinde giri
empedansnn yksek, k empedansnn ise alak olmas istenir. Maksimum g
transferi iin bu durum gereklidir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
184
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ri.
IC1
IC1
tla
+Vcc
T1
Vg
no
V1
Vg
Q1
T2
IL
IL
RL
V2
Q2
IC2
rs
V2
0
IC2
de
em
Ykselte giriine giri iareti uygulanmad srece her iki transistrde kesimdedir.
Dolaysyla besleme kaynandan g sarfiyat olmaz. Bu nedenle ykselte devresinin
verimi maksimumdur.
.e
185
Vcc=+12V
R5
470
R1
22K
Q3
BC177
R6
C1
D1
1N4007
1F
D2
1N4007
R7
22
C2
10nF
no
Vg
tla
22
ri.
Q1
BC108
R2
220
RL
100
R3
220
Q2
BC177
R8
470
rs
R4
22K
Q4
BC108
Vee= --12V
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DENEYN YAPILII:
1.1
1.2
186
VCE(Q2)
VCE(Q3)
VCE(Q4)
VD1
VD2
VR1
VR4
ri.
VCE(Q1)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1.4
1.5
1.6
Giri iareti ile k iareti arasnda faz fark () var m?. Gerekli lmleri yaparak
sonucu tablo-17.2deki ilgili yere kaydediniz.
1.7
de
rs
no
tla
1.3
V (t-t)
GV
GP
.e
em
Vg (t-t)
187
co
m
BLM 8
8
ri.
no
tla
.e
em
de
rs
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
188
8.1
tla
ri.
no
eitli alt gruplara da ayrlan alan etkili transistrler, kanal tiplerine gre n kanal ve
p kanal olmak zere iki tipte retilirler. Bu Blmde; JFETin temel yapsn,
semboln, zelliklerini ve temel alma prensiplerini inceleyeceiz.
rs
Alan Etkili Transistr (JFET), 3 ulu bir grup yariletken devre elemannn genel addr. Bu
gruptaki transistrler kendi aralarnda bir takm kategorilere ayrlr ve isimlendirilirler. Alan
etkili transistrlerin retim tipleri ve eitleri ekil-8.1'de tablo halinde verilmitir. lerleyen
blmlerde her bir tip ayrntlar olarak incelenecektir.
de
JFET
.e
em
N KANAL
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
P KANAL
MOSFET
OALTAN TP
(DEMOSFET)
N KANAL
P KANAL
AZALTAN TP
(E-MOSFET)
P KANAL
N KANAL
CMOS
Alan etkili transistr; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yar iletken JFET (MOSFET)
olarak yaplr ve isimlendirilir. Her iki tip transistrn de n kanall ve p kanall olmak zere
iki tipte retimi yaplr. N kanall JFET'lerde iletim elektronlarla, P kanall JFETlerde ise
oyuklarla salanr. FET'lerin yapmlar basit ve ekonomik olduklarndan dolay olduka ok
kullanm alan bulmulardr. JFETlerin bipolar transistrlere gre nemli farkllklar vardr.
189
JFET'in grlt seviyesi bipolar transistrlere nazaran azdr. Bu nedenle FET, alak ve
yksek frekanslarda kullanlabilir. JFET, iyi bir sinyal krpc olarak alr.
ri.
JFET'in scaklk kararll daha iyidir. Scaklk deiimlerinden pek etkilenmez. JFET'in
radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir.
tla
no
JFET'ler; N kanall ve P kanall olmak zere iki tipte retilirler. JFET'in fiziksel yaps ve
elektriksel sembol ekil-8.2de gsterilmitir. JFET uca sahiptir. Ularna ilevlerinden
tr; Geyt (Gate), Srs (Source), Dreyn (Drain) isimleri verilmitir. JFET'in fiziksel yapsna
bakldnda srs ve dreyn ularnn ayn olabilecei ve hatta ularnn deitirilerek srs
yerine dreyn'in, dreyn yerine srs'n kullanlabilecei dnlebilir. Ancak JFET'in yaps,
srs ve dreyn blgeleri iin bu eitlii salamaz.
de
rs
JFET sembolnde, geyt ucunda bulunan okun yn kanal tipini ifade eder. Ok yn ieri
doru ise N kanal JFET, ok yn darya doru ise P kanal JFET olduu anlalr. Bu durum
ekil-8.2.a ve bde gsterilmitir.
n kanal
em
Dreyn
.e
p kanal
Srs
Dreyn
Srs
Geyt
Dreyn
(Drain)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Geyt
Srs
(Source)
Dreyn
(Drain)
Geyt (Gate)
Srs
(Source)
Geyt (Gate)
JFET'in almas
JFET'in elektriksel karakteristiklerini anlayabilmek iin elemann almasn incelememiz
gerekmektedir. JFET'e polarma gerilimleri uygulandnda meydana gelen akm ve
gerilimler ekil-8.3 zerinde gsterilmitir.
Dreyn-srs arasna uygulanan besleme gerilimi, dreyn ucu ile ase arasna balanr. Bu
gerilim, dreyn devresindeki besleme gerilimi olarak tanmlanr ve VDD ile sembolize edilir.
VDD gerilimi, n kanal ierisindeki elektronlarn hareket etmesini salar. Bu elektronlar,
srs'den dreyn'e oradan da VDD kaynann pozitif kutbuna giderler. VDD kaynann iinden
srse geri dnerler. Srs ve dreyn zerinden geen bu akma dreyn akm denir ve ID ile
sembolize edilir.
190
RD
ID
n
G
ID
ri.
VDS
V DD
tla
p
ID
V GG
VGS
ID
ID
no
rs
em
de
JFETin geyt terminali kontrol ucudur. JFETin iletkenliini kontrol eder. nce geyt terminali
kullanmadan JFETin almasn analiz edelim. Bu amala ekil-8.4den yararlanacaz.
ekil-8.4de verilen devrede, VGG gerilimi 0V (ase) yaplrsa ve VDD besleme kayna da
0Vdan balayarak ykseltilirse kanal ierisinden geen akm miktar da artar. Ancak n tipi
kanaln jonksiyon direnci maksimum akm deerini snrlar. VDD daha fazla artrldnda
JFETde bir ters polarma blgesi oluur. Bu polarma blgesine, azalma blgesi (deplation)
denir. Azalma blgesi, kanal akmnn n maddesinin dar bir kesidi iinden gemesini
gerektirir. Bu durum kanal direncinin artmasna sebep olur. Dolays ile ID akmnda artk bir
azalma sz konusudur.
RD
RD
ID
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ID
ID
ID
VDD
ID
VGS =0V
VGS =0V
n
S
n ID
S
ID
191
ID
VDD
ri.
VDD kaynann daha fazla artrlmas sonucu kanaln tamamen darald (kanal direncinin
maksimuma ykseldii) bir duruma eriilir. Bu deerden sonra daha fazla akm ak
meydana gelmez. Ksaca kanal akmnda art artk mmkn olmaz. nk kanal kapanma
moduna girmi ve dreyn akm doyuma ulamtr. Bu durum ekil-8.4.bde resimlenmitir.
no
tla
Sonuta, kanal direncinden dolay dreyn-srs arasnda bir gerilim dm meydana gelir.
Bu gerilim, VDS gerilimi olarak adlandrlr. Grld gibi, VDD artarken dreyn ve srs
ularnda VDS gerilim dm meydana gelir. Bu gerilim dmne ise ID akm sebep olur.
ekil-8.5'de grld gibi VP noktasnda, VDS artarken ID sabit bir deerde kalr. ID
maksimum deerine ulamtr. IDmax deerine ise IDSS denir. IDSS kanaln doyum akmdr.
Bu anda yani IDSS akm, VP deerine ulatnda geyt-srs aras gerilim de sfrdr (VGS=0V).
IDSS deeri, elemann yapsna gre belli bir deerde bulunur. Bu deer imalatlar tarafndan
verilir veya llebilir.
ID
N kanaldan geen
sabit ID akm
de
rs
IDS S
em
V GS=0V
VDS
VP
JFET KARAKTERSTKLER
.e
8.2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
JFET'lerde; geyt ucu, kanal blgesini (azalma blgesi) kontrol etmek iin kullanlr. rnein;
n kanall bir JFET'te, geyt ile srs arasna uygulanan negatif polariteli bir gerilim, gerilim
azalma blgesini byltr. Bu durum, kanal akmnn daha dk deerlerinde kanaln
kapanmasna sebep olur. Eer; VGS gerilimi arttrlrsa (n kanal iin daha negatif yaplrsa)
kanaln azalma blgesi daha da byr. Neticede dreyn akm ekil-8.6.a ve b'de gsterildii
gibi daha dk akm seviyelerinde doyuma ular. ekil-8.6.a ve b'de p ve n kanal JFET'ler
iin VDS-ID grafii izilmitir. Karakteristikte sabit VGS geriliminin eitli deerlerinde ID ve
VDS deerleri gsterilmitir. rnek eriler; VGS=0v, -1v ve -2v iin izilmitir.
192
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ID
ID
VGS =0V
VGS =-1V
VGS =-2V
VDS
VGS =0V
tla
I DS S
ri.
IDS S
VP
VGS =+1V
VGS =+2V
VP
V DS
no
Sonu olarak, n kanal bir JFETde geyt-srs arasna uygulanan ters polarma byrken, kanal
akm azalr. Geyt-srs arasna uygulanan ters polarma gerilimi yeterli bykle ularsa
kanal tamamen kapanabilir ve ID akm sfra debilir.
rs
Kanaln tamamen kapanp akm geirmemesine neden olan ters gerilim deerine geyt-srs
daralma gerilimi (pinch-off) ad verilir: Bu deer VP ile ifade edilir. Yukardaki ekiller
ve grafik iyi incelendiinde VDS'nin kk deeri iin, ID akmnn lineer olarak artt
grlr (ekil-8.6). VDS gerilimi artarken, kanaln darald grlr.
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
eitlii ile ifade edilir. Bu eitlik veya bu eitlikten izilen transfer karakteristii VP ve IDSS
deerlerine baldr ve JFET'in almasn olduka iyi tanmlar. VP deeri, n kanall fetler iin
negatif, p kanall fetler iin pozitif bir deerdir.
Transfer karakteristii eitlii ile, ekil-8.7'deki transfer karakteristii karlatrlrsa; VGS=0
olduunda, eitliin ID=IDSS durumunu salad ve erinin dikey eksen ID'yi, IDSS deerinde
kestii grlr.
Dier taraftan ID=0 iin, eitlik VGS=VP durumunu salar. IDSS ve VP deerleri imalat
kataloglarnda verilir. Bu deerlerden yararlanlarak transfer karakteristii izilebilir.
Transfer karakteristii erisinden ve deerlerden faydalanarak ID deerleri de hesaplanabilir.
.e
em
de
FET'in bir dier nemli karakteristii ise, Transfer Karakteristii olarak adlandrlr.
Transfer karakteristii erisi; sabit bir dreyn-srs (VDS) geriliminde, geyt-srs (VGS)
geriliminin fonksiyonu olarak elde edilen dreyn akmnn (ID) erisini gsterir. Transfer
karakteristii ekil-8.7.a ve b'de gsterildii gibi elemann iki nemli parametresi olan VP ve
IDSS deerlerini verir. Transfer karakteristii erisi matematiksel olarak;
193
D
ID (mA)
G
IDS S
-4V
10
IDS S
10
ri.
-2V
2V
4V
+VGS
no
-VGS
ID (mA)
tla
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
ID (mA)
Doyum Blgesi
ID
VGD
VGS =0V
IDS S
+
VDS
VGS =-1V
VDD
V GS
VGS =-2V
Aktif Blge
.e
V GG
RD
Bozulma
Blgesi
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VP
BV GDS
VDS
194
tla
rs
no
JFETler iin uygulanan polarma yntemlerini sra ile; sabit polarma, self polarma ve
gerilim blcl polarma olarak sralayabiliriz. Bu blm bitirdiinizde JFET iin
gerekli dc polarma yntemlerini renip, JFETi kullanarak devre ve cihaz
tasarlamaya hazr hale geleceksiniz.
de
Belli bir dreyn akm ve dreyn-srs gerilimi etrafnda JFET'in alabilmesi iin ounlukla
polarmalandrlmas gerekir. Eleman bir ykselte olarak altrlacaksa aktif blgede
alacak ekilde polarma gerilim ve akmlar seilir. JFET polarmalarnda bir ok polarma
tipi kullanlabilir. Biz bu blmde ok kullanlan bir ka polarma tipini inceleyeceiz.
.e
em
Sabit polarmal bir JFET ykselte devresi ekil-8.9da verilmitir. Devreyi incelediimizde
polarmann iki adet dc besleme kaynandan saland grlmektedir. Gerekte
uygulamalarda tek bir dc besleme kayna kullanlr. Fakat konunun daha iyi anlalabilmesi
iin bu devrede ift besleme kayna kullanlmtr. imdi ekildeki sabit polarmal ykselte
devresini inceleyelim.
JFETN POLARMALANDIRILMASI
ri.
8.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VERLER
IDDS=10mA
RD
1K
VP=-4V
C1
VS
RG
470K
+
I DRD
ID
C2
+
VDS
-
V DD
12V
V0
VGG=1.5V
195
V GS
- 1.5v
= 3.9mA
I D = I DSS 1 = 10mA 1 - 4
V p
tla
ri.
Yukardaki eitlikten grld gibi, geyt-srs gerilimi (VGS), dreyn akm ID'nin deerini
ayarlar. Bu akm 12V'luk besleme kaynandan, RD direncinden dreyn-srs kanalndan
aseye doru geer. JFET aktif blgede alt srece; ID akm VGS gerilimine baldr. Fakat
RD direyn direnci deerine bal deildir. ekil-8.9 da grld gibi, dreyn akmndan
dolay RD ularnda bir gerilim dm meydana gelir.
Buna gre JFET'in alma blgesi yada VDS gerilimi bulunabilir. Devreden;
VDD = I D R D +VDS
no
VDS = VDD I D R D
rs
de
JFET'li sabit polarma devresinde karlalan pratik baz snrlamalar vardr. Bu snrlamalar,
ekil-8.10da JFETin V-I karakteristikleri zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
.e
em
rnein yksek kazan elde edebilmek iin VGS'nin sfr volta polarmalandrlmas, giri
geriliminin deiim miktarn snrlar. Sz konusu polarma ile byk genlikli giri sinyali
kullanlrsa VGS'nin pozitif alternansnda geyt pozitife kayar ve kanal akm kontrol edilemez.
Bu nedenle ok kk giri sinyalleri iin sfr volta yakn polarma kullanmak mmkn olur.
Byk giri sinyaliyle alrken alma geriliminin iyi seilmesi gerekir. Karakteristikte
grld gibi sfr voltta farkl VGS deerleri daha kk gm deerleri verirler. Yine ok
byk RD deerleri de eleman doyuma gtrebilecek gerilim deerlerini vereceinden aktif
blgenin dnda bir alma noktas meydana getirirler.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Sonu olarak; istenilen miktardaki herhangi bir kazan sadece byk RD deerleri seilerek
gerekleemez.
I D(mA)
DC YK DORUSU RD=1K
I DS S
VGS=0V
Kk
deerli RD
V DD
RD
VGS=-1V
Q alma
Noktas
IDQ
Byk
deerli RD
V GS=-1.5V
VGS=-2V
V GS=-3V
0
V DS Q
10
12
VDS
V DD
196
tla
ri.
Pratik uygulamada JFET'li ykselteler genellikle tek bir dc besleme kayna ile
polarmalandrlr. Byle bir polarma devresi ekil-8.11' de gsterilmitir. Bu devrede geytsrs polarma gerilimi elde etmek iin bir self polarma direnci RS kullanlmtr. RS direnci
ularnda IDxRS gerilim dm nedeniyle pozitif bir VS gerilimi meydana gelir. Geyt veya
RG geyt direncinden dc akm hi gemediinden geyt gerilimi sfr volttur. Geyt gerilimi sfr
volt olduundan, geyt (0V) ile srs (+VS) arasnda llen net gerilim negatif gerilimdir. (Bu
gerilim, referans noktas srs alndnda negatif deerde llr.) llen bu negatif gerilim
geyt-srs aras polarma gerilimi VGSdir. Geyt-srs aras polarma balants;
VGS = 0 I D R S = I D R S
no
rs
de
em
.e
VS
C1
ID =
VDD
RD + RS
VDD=+24V
RD
6.2K
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+
ID RD
ID
VD
VG=0V
VGS =-ID(1.5K )
ID(mA)
0
3
C2
6
4
VS
ID
0
-4.5
Self polarma
erisi RS=1.5K
VDS
IDS S 10
8
VDS
RG
1M
ID (mA)
V GS(V)
V0
RS
1.5K
C2
Q
-4
-2
IDQ
VGS (V)
ve
VGSQ = 2.4V
olarak bulunur. RS deeri artrlrsa, RS yk dorusu yatay eksene doru yaklar. alma
blgesi kayar ID deeri klr. VGS deeri byr. RS deeri azaltlrsa bu kez alma
noktasnda ID byr, VGS klr.
197
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ekil-8.12.ada verilen self polarmal ykselte devresinde alma noktasn RS=1K kabul
ederek bulunuz?
zm
ekil-8.12.b'deki karakteristik eri zerine sfrdan yani VGS=0, ID=0 noktasndan balayan
ve seilen ID deeri rnein 4 mA ile buna karlk bulunan VGS gerilimi;
ri.
rnek:
8.1
tla
no
ve
VGSQ = 2.2V
deerleri tespit edilir. Tespit edilen bu deerlerden yararlanarak ayn noktadaki dreyn-srs
gerilimi;
rs
V P=-6V
IDSS =5mA
C2
ID
C1
VD
VG=0V
+
-
VS
ekil-8.13de verilen
self polarmal ykselte
devresinin alma
noktasn bulunuz ve
transfer karakteristiini
iziniz?
RD
4.1K
RG
1.8M
VDS
VDS
VS
ID
RS
2.2K
VP=-6V,
IDSS=5mA
V0
C2
.e
VDD=+16V
JFET
em
rnek:
8.2
de
olarak hesaplanr.
zm
198
V
1 - GS
V p
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
ile verilen VP ve IDSS deerlerini kullanarak transfer karakteristii erisini izmek olduka
kolay olur. Seilen birka VGS noktas ve bunlara karlk hesaplanan ID deerlerine gre
grafik kadna taslak eri izilebilir. rnein; ekil-8.13'deki JFET x ekseninde VP=-6
volttan balayp;
2
no
V
2V
VGS = 2V iin I D ; I D = I DSS 1 - GS = 5mA 1 = 2.2 mA
6mA
VP
de
rs
noktalarn iine alan y ekseninde ID=IDSS=5mA noktasna kadar uzanan taslak transfer
erisi oluturulur. Bu transfer erisi zerine (ekil-8.14), RS=2.2 iin self polarma izgisi
izilir.
ID (mA)
IDS S
4
-4
Q
-2
IDQ
VGS(V)
.e
-6
VGS=-ID.RS=-(2mA)(2.2K)= - 4.4V
volt bulunur. Self polarma izgisi transfer
erisini yaklak;
VGSQ=-2.95V
IDQ=1.35mA
VGS(V)
0
-4.4
em
0
2
ID (mA)
VGS =-ID(2.2K )
2
V
4V
1 - GS = 5mA 1 = 0.55mA
6mA
VP
199
VDD =+16V
ID (mA)
JFET
R1
2M
VGS =2-ID(2.2K )
RD
2.5K
ID(mA)
C1
0
1.33
2
C2
ID
+
VDS
IDS S
+2
0
-1
RS=1.5K
tla
VS
V GS(V)
ri.
V P=-5V
IDSS =8mA
V0
R2
280K
ID
RS
1.5K
C2
-2
IDQ
+2
VGS(V)
no
-4
rs
Gerilim blcl polarma devresinde, dier polarma tiplerine nazaran daha iyi bir kararllk
sz konusudur. Gerilim blc devreden elde edilen VG geriliminin deeri;
VG = VGG =
R2
VDD
R1 + R2
de
em
olur.
rnek:
8.3
zm
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R2
280K
VG = VGG =
VDD =
16V = 2V
R
R
+
+
2
M
280
K
2
1
V
1 - GS
VP
formlnden belirlenir. O zaman VP=-4volt ve IDS=8mA deerlerine sahip olur. JFET iin
transfer karakteristii yukardaki gibi izilir. Self polarma izgisi ile transfer
karakteristiinin kesitii nokta, dc polarma (alma) noktasn verir.
200
VGSQ=-1.75 Volt
ri.
VDQ=VDD-IDQ.RD=16V-2.5mA(2.5K)=9.75 volt
tla
rs
no
.e
em
8.4
de
bulunur. Sonucun grafiksel metot kullanlarak elde edilen deerle ayn olduu grlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
201
ri.
tla
MOSFETlerde tpk JFETler gibi 3 ulu aktif devre elamanlar grubundandr. Ularna
ilevlerinden tr; Geyt (Gate), Dreyn (Drain) ve Srs (Source) isimleri verilmektedir.
ekil-8.16da verilen temel yapda Sabstreyt (Subsrate) terminali, drdnc u gibi grnse
de genellikle srse balanr veya ase potansiyelinde tutulur.
no
rs
Dreyn (Drain)
de
SiO2
SiO 2
.e
em
Geyt
(Gate)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Geyt
(Gate)
Substrate
(Sabreyt)
Substrate
(Sabreyt)
Kanal
n
Kanal
Yok
Srs (Source)
Srs (Source)
202
SiO2
Sabsreyt
G
Kanal
Sabsreyt
ri.
SiO2
Kanal
tla
rs
no
N-kanall D-MOSFET'in geyt-srs arasna negatif bir gerilim (VGG) uygulanrsa elektronlar
kanal blgesinin ortasna doru itilirler ve kanalda daralma olur. Yeterli byklkte geytsrs gerilimi kanal tamamen daraltarak kapatr. Dier taraftan; pozitif geyt-srs
geriliminin uygulanmas halinde, p tipi tayclar itildiklerinden kanal byklnde bir
art olur. Bu durum daha ok arj taycsnn oluumuna izin verdiinden daha byk bir
kanal akm meydana gelir.
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
ID (mA)
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
ID (mA)
V GS=+1V
D
I DS S
IDS S
VGS=0V
VGS=-1V
G
VGS=-2V
-VGS
S
VP
V DS
203
ID (mA)
IDS S
I D(mA)
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
VGS=-1V
I DS S
VGS=0V
+VGS
V GS=+2V
VDS
tla
VP
ri.
V GS=+1V
no
rs
de
E-MOSFET'in ematik sembolnde dreyn ile srs aras kesik izgilerle gsterilir. Bu durum
balangta E-MOSFETde kanal olmadn belirtmek iindir. ematik sembolde sabsreyt
ucundaki okun yn E-MOSFETin kanal tipini belirtir. Ok yn ieri doru ise, N tipi
kanal gsterir. Ok yn dar doru ise P tipi kanal gsterir. E-MOSFETlerde kanal tipi
ile sabsreytte kullanlan yariletken malzemelerin tipleri terstir.
em
D
D
SiO2
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
p
SiO2
Sabsreyt
Sabsreyt
G
S
S
S
204
ID (mA)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
I D(mA)
I D = K [VGS - VT ]2
VGS=6V
G
VGS
VT
tla
ri.
VGS=5V
V GS=4V
VGS=3V
VDS
no
rs
Elemann transfer karakteristiinden de grld gibi, geyt-srs gerilimi eik (thresholdbalang) deeri VT'yi ancaya kadar dreyn akm hi akmaz. Bu eik gerilimi deerinin
zerindeki pozitif gerilimlerde, artan deerli bir dreyn akm meydana gelir. Bu akmn
Transfer karakteristii de,
I D = K (VGS VT ) 2
de
Eitlii yardmyla tanmlanabilir. Eitlik yukardaki formlde yalnz VGS>VT art iin
geerlidir. Eitlikte K sabitesi tipik olarak 0.3 mA/V2 deerinde olup elemann yapsna
bal olan bir zelliktir.
P kanall E-MOSFET'ler ekil-8.20.b'de gsterilen yapda imal edilir. ematik sembol ise
ayn ekilde gsterilmitir. E-MOSFETin sabstreyti, N tipi yar iletkenden yaplr. P-kanall
E-MOSFET'in alma prensibi N kanall gibidir. Ancak, P kanall da polarma kaynaklarnn
yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Negatif deerli eik gerilimi alncaya kadar
dreyn akm yoktur. Daha byk deerli negatif geyt gerilimlerinde artan bir dreyn akm
vardr.
.e
em
VGS=0 volt durumunda dreyn akm akmad iin E- MOSFET'lerde IDS deerinden sz
edilebilir. E-MOSFET'lerin alma sahas; D-MOSFET'lerden daha snrl olmasna ramen,
E-MOSFETler, byk-lekli entegre devreler iin ok kullanldr. nk E-MOSFETler
basit yapl ve kk boyutlu elemanlardr. E-MOSFET'in ematik sembolnde dreyn ile
srs aras kesik izgilerle gsterilir. Bu oaltan tip elemanda balangta kanaln olmayn
belirtmek iindir. Bundan baka sabstreyt ucundaki ok P tipi sabstreyti ve N kanal gsterir.
205
ID (mA)
ID (mA)
D
VGS=-6V
VGS=-5V
VGS=-4V
VGS
VGS=-3V
VDS
tla
-VT
ri.
no
MOSFETLERN POLARMALANDIRILMASI
rs
8.5
de
.e
em
D-MOSFET'in Polarmalandrlmas
VP=-4V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
VDD =+20V
RD
1.5K
V
I D = I DSS 1 - GS
VP
C2
IDS S
12mA
47nF
C1
VDS
V0
47nF
VS
ID (mA)
RG
10M
RS
150
RS
150
CS
47F
Q
IDQ
6.7mA
-VGS
V P=-4V
VGSQ=-1V
206
Devrenin DC polarma deerleri aada gsterilen ilemler takip edilerek bulunur. JFETde
olduu gibi, D-MOSFET'inde transfer karakteristii; transfer karakteristii eitlii
yardmyla bulunur ve self polarma yk izgisi ekil-8.23.bde verilen transfer karakteristii
zerine izilir.
ri.
2
V
1V
I D = I DSS 1 GS = 12 mA 1
= 6.75mA
VP
4V
tla
no
IDSS=12 mA ve VP=4 volta gre izilen transfer karakteristii ile RS=150 ohm iin izilen selfpolarma yk izgisinin kesitii yer skunetteki polarma noktasn verir. ekil-8.23.bde
izim yaplarak polarma noktasnn artlar;
VGSQ = 1V
ve
I DQ = 6.75mA
rs
de
olarak bulunur.
.e
em
E-MOSFET'in Polarmalandrlmas
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
eitlii kullanlarak grafik kadna izilebilir. rnek olarak verilen n-kanall E-MOSFET'in
eleman yapsna bal sabitesi K=0.3mA/V2 ve eik gerilimi VT=3 V olduuna gre transfer
karakteristii eitlii,
207
V DD=+20V
ID (mA)
10
47nF
RG
10M
IDQ
V0
47nF
VS
150
VDD 20V
=
= 10mA
RD
2K
C2
ri.
RD
2K
6.2
tla
VERLER
VT =3V
C1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V T=3V
V DSQ=V DSQ=7.6V
VGS =VDS
V DD=20V
no
DC yk izgisi
RD =2K
rs
I D = 0.3 (VGS 3) 2
de
eklinde yazlabilir. Bu eitlikte VGS'ye birka deer (3V ve daha byk) verilerek bunlara
karlk olan ID deerleri hesaplanr. Elde edilen sonulardan yararlanarak transfer
karakteristii erisi izilir. Ayn grafik zerine devrenin DC yk izgisi de izilebilir. DC
yk izgisi eitlii,
VGS = VDS = VDD I D R D
VGS = VDS = VDD I D R D = 20V ( I D ) ( 2K)
olur.
Bu izginin VDS=VGS=0V ve ID=0 mA artlar iin srasyla dikey ve yatay eksendeki iki
noktas belirlenir. Dikey ve yatay eksende belirlenen iki nokta bir doru vastasyla
birletirildiinde RD=2K iin DC yk izgisi izilmi olur. Yk izgisiyle elemann transfer
karakteristii erisinin kesitii yer alma noktasn gsterir. ekil-8.24.b'de grlen
alma noktasnn artlar izim yardmyla,
VGQ=VDSQ=7.6 V
olarak bulunur.
.e
em
208
IDQ=6.2 mA
ri.
9.1
tla
rs
no
em
de
Alak frekans-byk sinyal iin tasarlanlan devre modeline edeer devre ismi de
verilmektedir. JFET karakteristikleri, bipolar transistr karakteristiklerine biraz benzerlik
gstermesine karn, bu karakteristikler arasnda nemli fark vardr. Birinci fark, JFET'in
kontrol parametresi akmdan ziyade gerilim esasna bal oluudur. kinci fark, JFET'te giri
gerilimi sfr iken k akmnn akmasdr. nc fark ise; JFET karakteristik eimlerinin
belli bir eime sahip olduklardr.
.e
Normal alma artlar altnda JFET'te geytden srs'e doru sinyal akm hi akmaz. Bu
nedenle, geyt-srs direnci kullanlan elemana bal olarak mega ohm'lar mertebesindedir.
VGS'nin ID akm zerindeki etkisi ise trandktans eitlii;
co
m
BLM 9
gm =
I DS
V GS
ile gsterilmiti. VGS gerilimindeki deiimler nedeni ile ID'de meydana gelen deiimler,
dreyn-srs devresinde gerilime Baml akm kayna sembol (gm.VGS) ile ekil-9.1de
verilen edeer devrede gsterilmitir. Devrede VDS gerilimi artarken ID akm da belli bir
eimle ykselir. VDS gerilimi ile ID akm arasndaki bu etkileim edeer devrede dreyn-srs
arasna konulan rd i direnci ile gsterilebilir. rd nin deeri JFET ve MOSFET iin 10K ile
100K arasndadr. Edeer devrenin knda grlen r direnci, dreyn u (terminal)
direncidir.
209
rg
ID
VD
D3
rd
VDS
D1
IDSS
gmVGS
ri.
D2
tla
no
rs
Edeer devrede girii temsil eden geyt-srs aras ise PN bitiimli diyoda benzer. Diyodun
ileri yn ofset gerilimini VD kayna, omik direncini ise rg direnci temsil eder. Geyt srs'e
gre negatif olduundan ok az bir geyt akm akar. VGS gerilimi ok byk negatif deer
alsa bile, D2 diyodu k devresinden akmas beklenen ters ynl akmn akn nler.
Edeer devre yardm ile daha iyi anlalan bu zellik, JFET'in daraltma olayndaki
gvenirliini aklamaya yeterlidir.
de
em
ID akm IDSS akmndan daha kk olduunda, D3 diyodu ileri ynde polarmalanr. Akm
kayna ularnda gerilim dmne izin vermez Uygulanan VDS gerilimi, erinin eimini
belirleyen r dreyn direnci ularnda der. U gerilimi, IDSSxr deerine eit veya bu deerden
fazla olduunda, r direncinden geen ID akm IDSS'ye eit duruma gelir. Bylece D3 diyodu
ters ynde polarmalanr. Bundan dolay eri aadan sfr eimli ksma bklrken, ID
akm da ekil-9.2.b'de grld gibi IDSS deerine eriir. ayet rd deerli bir diren akm
kaynana paralel balanrsa, bklme noktasnda erinin deeri Re eitlii ile bulunabilir.
Burada;
Re=Edeer diren=r+rd
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
r
ID
D3
I DS S
ID
+
VDS
I DSS
V=IDS S . r
VDS
1
r + rd
210
eitlii ile bulunabilecektir. Sabit akm kayna IDSS'ye akm kayna gm*VGS'nin eklenmesi
btn erilerin retilmesini salar. Bunun iin ekil-9.1 deki edeer devre modeli JFET
karakteristiklerinin retebilecei uygun bir devre modelidir.
tla
ri.
rnek:
9.1
VDD =+20V
RD
no
4K
VS
IDSS=6mA,
gm=2mho,
V0=0.6 volt
V0
VS
rs
-4
0
-1
em
de
.e
zm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rg
VD
rd
D3
500
ID
40K
RD
4K
D1
gmVGS
D2
I DSS
VDD
20V
=
= 4.44mA
r + R D 500 + 4K
k gerilimi VDS;
VDS = VDD ( I D R D ) = 20V ( 4.44mA 4K) = 2.22V
211
ri.
tla
olur. D3 diyodu ters ynde polarmalanr ve ak devre zellii gsterir. Devrede geriye
4mAlik akm reten iki kayna ile bunlara paralel bal 40Kluk diren kalr. Akm
kayna gerilim kaynana dntrlrse Thevenin edeer gerilimi;
no
deerinde gerilim kayna ve buna seri bal 40Kluk edeer devre haline gelir. Buna
gre dreyn akm;
RD
Rd+r
rs
4K
40.5K
V DD
20V
de
RD
4K
V TH
160V
V DD
20V
VTH + VDD
160 + 20V
=
= 4.045mA
r + rd + R D 40K + 500 + 4K
em
.e
deerini alr. Giri sinyali VS=-4 v deerine geldiinde, iki akm kaynann rettii net
akm,
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
olur. Bu durumda, D2 diyodu, ters ynde polarmalanr ve dreyn devresinden ters ynde
akm akmasna izin vermez.
JFET kesime gittiinden k sinyali 20v'luk bir deere ular. Yine, VS giri sinyali 0v'a
doru deitiinde k da 2.22V'a iner ve olaylar ayn biimde devam eder. ekil-9.6da
ykselte giri ve k iaretleri verilmitir.
V0
20
VS
t
0
-1
3.8
2.2
-4
212
ID
| = sabit
V GS V DS
tla
gm =
ri.
Alak frekans-kk sinyal iin tasarlanm, tek besleme kaynana sahip bir JFET'li
ykselte ve edeer devresi ekil-9.7.a'da verilmitir. Kk sinyal modelini kullanabilmek
iin, gm ve rds deerlerinin verilmesi veya bu deerlerin karakteristik erilerden bulunmas
gerekir. Eriler kullanlrsa, bu deerler skunetteki alma noktasna yakn ID, VDS, VGS
miktarna gre tespit edilir. Daha sonra trandktans;
V DS
| =Sabit
I DS V GS
no
rds =
rs
de
+VDD
RD
Transistr Edeeri
D
VGS
em
VS
V0
V0
VS
.e
VGG
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rds
gmVGS
RD
DC alma artlar, daha nce akland gibi, dreyn karakteristikleri zerine yk izgisi
izilerek ve skunet noktas iaretlenerek belirlenir. nceki blmde karakteristiklerde;
VGSQ=-1v durumu iin, VDSQ=9v ve IDQ=5.5mA
deerleri bulunmutu. Bu noktadaki transdktansn gm=3.5 mmho ve dreyn i direncinin
rds=10K olabilecei hesaplanr. ekil-9.7.bdeki kk sinyal edeer devresinden giri
gerilimi;
VS=VGS
k gerilimi ise;
V 0 = [-gm V GS ]
rds RD
rds RD
= [-gm V S ]
rds + RD
rds + RD
213
Kaplan
AV =
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V0
rds RD
= - gm
VS
rds + RD
V0
20K 2K
= 6.4
= -3.5
20K + 2 K
VS
tla
AV =
ri.
olaca bulunur. Eer giri gerilimi Vi=0.5 Coswt ise k bu durumda k sinyali;
V0 = AV VS = 6.4 (0.5 cos t ) = 3.2 cos t
no
VGS=-1+0.5 coswt
rs
ve k sinyali ise;
VDS=VDSQ+V0=9-3.2 coswt
olur.
de
Burada bir edeer devrenin kullanlmas ile ortaya kan sonularn grafiksel analizle
olduka iyi uyutuu grlebilir. Edeer devrenin kullanm konusunda bir sorun
olduunda, grafik metotla ilgili kata ok kolay biimde uygulanabilir.
.e
em
Edeer devre zmnde analitik metod kullanmann bir ok stnl vardr. Analitik
metotla dizayn, DC seviyeler kritik deilse V-I karakteristikleri kullanlmadan da yaplabilir.
Tipik gm, rds ve VP deerleri, pek ok tasarmda devrenin yeterli dorulukta
uygulanabilmesine imkan salarlar. Ayrca ok katl tasarmlarda analitik metodular
sayesinde hzl bir ekilde yaplabilir. Dier bir stnlk, self polarma direnci
baypaslanmad zaman grlebilmektedir. Halbuki, ayn devre iin grafiksel metot
kullanarak gerilim kazancn hesaplamak ok zordur. Bundan dolay, self polarma direnci
baypaslanmad zaman gerilim kazancn bulmak iin analitik bir ifade gelitireceiz.
RD
+
V0
VS
RS
214
VGS
gmVGS
rds
V0
V0
rds
VGS
VS
ri.
RD
RD
RS
tla
RS
no
veya;
RD
gm.VGS rds
+
rds
+ RS
RD
- RD
V GS
RD + rds + RS
= gm rds
rs
V0 =
de
dir. Burada; =gm.rds eitliinin karldr. Yine, bu devrede geyt-srs aras gerilim, giri
sinyaline eit deildir. Geyt-srs gerilimi;
VGS = VS
Rs
VGS
R D + rds + R S
em
R D + rds + R S
R D + rds + ( + 1) R S
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
RD + rds + R S
- RD V S
RD + rds ( + 1) RS
=
R D + rds + RS
R D + rds + ( + 1)R S
- RD V S
V GS =
AV =
V0
=
VS
RD .V S
+
rds
+ ( + 1) RS
RD
VS
- RD
RD + rds + ( + 1) RS
eitlii bulunur. RS deeri sfra doru azaltlrken, (11.2) eitlii self polarma direnci
olmayan JFET'li ykselte iin kullanlan (11.1) eitii ile bulunacak deere yaklar. Miktar,
ykseltme (amplifikasyon) faktr diye isimlendirilir,
= -
215
V DS
| =Sabit
V GS I D
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
no
JFET'li ykseltecin k empedans birok uygulama iin nemli bir deerdir. ekil-11.5'deki
self-polarma direnci kullanlmayan JFET'li ykseltecin k empedans,
rs
RD = RD - rds =
RD .rds
RD + rds
eklinde yazilabilir. Srs'e bal self polarma direnci (RS) baypaslanm ekil-11.6'daki JFET'li
ykselte devresi iin k empedans;
de
RD = RD - [rds + ( + 1) RS ]
.e
em
ifadesiyle gsterilebilir.
216
RD =
RD [rds + ( + 1) RS ]
RD + rds + ( + 1) RS
KONULAR:
2.
no
tla
1.
GEREKL DONANIM:
de
rs
G Kayna: 12VDC
Transistr: 2xBC108C
LED: 5mm standart led
Diren: 2x100, 2x470, 2x1K, 2x2.2K, 2x4.7K, 2x10K
Kondansatr: 2x22nF, 2X100nF, 2x100F, 2x2200F
N BLG:
em
Multivibratrler; Dengeli (stable) ve dengesiz (astable) olmak zere iki gruba ayrlrlar.
Dengesiz multivibratrler, iki transistrle oluturulmu kare dalga osilatrleridir. ekil24.1'de grlen dengesiz multivibratr devresi incelendiinde transistrlerin giri ve
klarnn birer kondansatrle birbirlerine baland grlmektedir.
.e
ri.
Multivibratrler
co
m
10A
BLM 10
T = 0.7( R 2 C 1 ) + ( R 3C 2 )
formlnden bulunur. klarda dzgn bir kare dalga elde etmek iin R1=R2 ve C1=C2
seilmelidir.
217
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
+Vcc=12V
R1
R2
100
R3
2.2K
2.2K
C2
0.1F
100
0.1F
Q1
VCE2
VBE1
VBE2
no
Q2
tla
VCE1
R4
ri.
C1
de
DENEY 1:
rs
DENGESZ MULTVBRATR:
ekil-24.1'deki dengesiz multivibratr devresini deney seti zerine kurunuz.
Osilaskop kullanarak dengesiz multivibratr devresinde VCE1, VBE1 gerilimlerinin
dalga biimlerini ekil-24.2.ada grlen diyagrama iziniz.
em
1.1
1.3
1.4
.e
1.2
V/DIV=
T/DIV=
V/DIV=
T/DIV=
218
Transistr
T1
T2
Q1
T1+T2
ri.
Q2
C1 (nF)
C2 (nF)
100
100
100
100
no
R3 ()
2K2
2K2
4K7
4K7
100
1K
1K
22
1K
1K
22
22
2K2
2K2
100
100
2K2
4K7
100
4K7
2K2
100
em
de
22
rs
1.5
tla
100
T1 (s)
T2 (s)
T=T1+T2
F=1/T
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DENEY: 2
UYGULAMA DEVRES (FLAR):
Bu deneyde dengesiz multivibratr kullanarak bir flar devresi tasarlayacaz. Bylece
multivibratrn almasn grsel olarak daha iyi anlayacaz. Uygulamas yaplacak
olan flar devresi ekil-24.3de verilmitir.
219
Kaplan
+Vcc=12V
LED1
470
R3
2.2K
2.2K
C1
R4
470
C2
2200F
VCE2
2200F
Q1
Q2
tla
VCE1
LED2
R2
ri.
R1
VBE1
VBE2
no
rs
DENEYN YAPILII:
2.2
em
de
2.1
DENEY: 3
FT DENGEL MULTVBRATR:
.e
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
R1
R3
1K
1K
R5
R2
VQ1
R4
2.2K
4.7K
4.7K
Q1
Q2
R3
R6
100
SET
100
RESET
220
VQ2
N BLG:
ri.
tla
no
Bistable multivibratr devresine enerji verildiin de; transistrlerden biri iletime dieri
kesime gidecektir. Kullanlan farkl materyaller nedeniyle hangi transistrn nce iletime
geecei konusunda bir ey sylenemez. Q2'nin iletimde Q1'in ise kesimde olduunu
kabul edelim. Bu durumda;
VQ2=0V, VQ1=VCC
rs
deerine ular. Bir an iin Q2 transistrnn RESET ucu (beyz) ase potansiyeline
alndnda Q2 transistr kesime gidecek ve VQ2 gerilimi besleme gerilimine ulaacaktr.
Bu durum; Q1 transistrne R5 zerinden pozitif bir beyz gerilimi uygulanmasn salar.
em
de
Multivibratr girilerinden R reset (sil) anlamna, S ise; set (kur) anlamna gelmektedir.
Bu deneyde bu ularn ilevlerini greceksiniz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
DENEYN YAPILII:
3.1
3.2
Tablo-24.4'de belirtilen saysal deerleri ksa bir sre iin devrenin RESET ve SET
girilerine uygulaynz. R ve S girilerinden uygulayabileceiniz iaretin ve
transistr klarndan alacanz analog deerlerin saysal karlklar da tablo24.3de verilmitir.
SAYISAL DEER
GR
V=0V
V=12V
IKI
V<2 volt
V>9 volt
221
VQ2
1
0
no
0
1
VQ1
ri.
RESET
tla
3.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
rs
ZET:
.e
em
de
222
10B
KONULAR:
ri.
2.
tla
1.
GEREKL DONANIM:
rs
no
G Kayna: 12VDC
Transistr: BC108C veya Muadili
Diren: 1K, 2x2.2, 3.3, 5.6K, 4x10K, 22K, 33K
Kondansatr: 3x10n, 10F, 47F
N BLG:
de
em
Temel osilatr devrelerinden sinsoydal k alnr. Fakat klarnda kare, gen v.b
dalga biimleri elde edilebilen osilatr tasarm da yaplabilir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Bir osilatr devresinin oluturulabilmesi iin nce tank devresi (rezonans devresi) ve
ykselte devresine gereksinim vardr. Ayrca osilasyonun srekliliini salamak iin
ykselte devresinde pozitif geribesleme yaplmaldr.
ekil-25.1de ortak emiterli bir ykselte devresi grlmektedir. Bu ykselte devresini
gelitirerek bir osilatr devresine dntrebiliriz. Ortak emiterli ykselte devresinde;
ykselte giriine uygulanan iaret ile kndan alnan iaret arasnda 1800 faz fark
olduunu biliyoruz.
Ortak emiterli ykselte devresini bir osilatr haline dntrmek iin; ykselte
kndan alnacak iaretin bir ksm, pozitif geribesleme ile ykselte giriine
uygulanmaldr. Bu osilasyonun sreklilii iin gereklidir. Osilasyonun balamas ile R-C
devreleri ile gerekletirilir. Osilasyon ilemi iin bir kondansatrn arj ve dearj
sresinden faydalanlr.
223
+VCC=12V
R3
RC
ri.
CC
T1
BC108
C3
tla
Vg
R4
CE
no
RE
de
rs
em
Her bir RC hcresi; k iaretinin bir ksmn 600 faz kaydrmaktadr. k ile giri
arasnda 3 adet faz kaydrma devresi kullanlmtr. Dolaysyla k iaretinin faz 1800
kaydrlarak girie pozitif geribesleme yaplmtr.
+VCC=12V
.e
R3
RC
CC
C1
T1
BC108
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
C2
R1
C3
R2
R4
Faz Kaydrc
RE
CE
Her bir RC devresinin 600 faz kaydrmas istenirse R1=R2=Rg ve C1=C2=C3 olarak
seilmelidir. Rg, ortak emiterli ykseltecin giri empedansdr.
Giri empedansnn R1 ve R2'ye eit olmas gerekmektedir. Bu koullar saland zaman,
k iaretinin frekans aadaki forml yardm ile bulunur.
224
Kaplan
f=
1
2 C
6 R12 + 4 R1 RC
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
tla
ri.
no
R3
10K
RC
5.6K
CC
C1
C2
10nF
R2
10K
R4
10K
10K
de
R1
Faz Kaydrc
em
T1
BC108
10F
V
10nF
rs
10nF
C3
RE
5.6K
CE
47F
DENEYN YAPILII:
1.2
ekil-25.3'deki faz kaymal osilatr devresini deney seti zerine kurunuz. Osilatrn
k iaretini gzlemlemek iin gerekli osilaskop balantsn yapnz.
Osilatr k iaretinin (V) ve Q1 transistrnn beyzindeki iaretin dalga
biimlerini ekil-25.4'deki diyagrama orantl olarak iziniz.
.e
1.1
V/DIV=
T/DIV=
V/DIV=
T/DIV=
225
1.3
aretin tepeden tepeye deerini ve frekansn lerek elde ettiiniz sonucu ilgili
yere kaydediniz.
V =
volt
tla
1.4
Herz
ri.
f=
no
=______________
1.6
de
rs
1.5
RE ()
V t-t (volt)
F (Herz)
.e
em
6.6K
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
5.6K
3.2K
Tablo-25.1 Osilatr Kazancnn Etkileri
V =
volt
Herz
f=
SORULAR:
1.
2.
226
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Kaplan
KOLPTS OSLATR
tla
3.
ri.
KONULAR:
GEREKL DONANIM:
N BLG:
rs
no
G kayna: 12VDC
Transistr: BC108C veya muadili
Diren: 2x2K, 10K
Kondansatr: 2n2, 4n7, 10n, 22n, 47n, 0.1, 0.22, 0.47, 1F
Bobin (indktans): 3mH, 10mH, 30mH
em
de
C2
R1
10K
L1
C3
2.2nF
V2
.e
T1
BC108
C1
2.2F
R2
2.2K
R3
V1
2.2K
4.7nF
3mH
Devrenin almasn ksaca anlatalm; Osilatr devresinde Q1 transistr ortak beyzli bir
ykselte olarak alr. L, C2 ve C3 rezonans devresi yk empedansdr. Osilatr
devresinin; empedans ve amplifikasyonu rezonans frekansnda yksektir.
Ykselte k iaretinin bir ksm, emitere geri beslendiinde; devre osilasyon yapmaya
balar. Geribeslemenin miktar (oran), C2 ve C3 kondansatrlerinin arasndaki oranla
belirlenir. Geri besleme kkse, emiter gerilimi gibi kollektr akm da sinsoydal
formda olacaktr.
227
DENEYN YAPILII:
1.2
Devre kndaki iaretleri (V1 ve V2) incelemek iin gerekli osilaskop balantlarn
yapnz. Doru bir lme iin, osilaskop ta gerekli kalibrasyon ayarlarn yapnz.
1.3
de
rs
no
tla
ri.
1.1
em
V/DIV=
.e
1.4
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
T/DIV=
V/DIV=
T/DIV=
f=
1
2
LC
f (hesaplanan)=
f (len)=
C=
C 2 xC 3
C2 + C3
Hz
Hz
1.5
1.6
1
2
LC
f (hesaplanan)=
228
Hz
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Hz
f (len)=
1.7
C3 (nF)
4.7
10
4.7
22
10
10
22
10
47
F (KHz) Hesaplanan
22
100
220
100
47
470
220
470
1000
de
30
F (KHz) llen
rs
10
C (toplam)
tla
C2 (nF)
no
L1 (mH)
ri.
30
em
1.9
.e
1.8
V/DIV=
T/DIV=
V/DIV=
229
T/DIV=
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
10D
ri.
tla
KONULAR:
2.
no
1.
GEREKL DONANIM:
de
rs
em
DENEY: 1
N BLG:
Wien kprs, endstriyel elektronik devre uygulamalarnda ve eitli endstriyel
cihazlar da sklkla kullanlmaktadr. En popler ve yaygn kullanm alan ise osilatr
devrelerindedir. ekil-27.1'de bir Wien kpr devresi grlmektedir.
.e
Bu deney de; bir wien kpr devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri ayrntl
olarak incelenecektir.
C
R1
4.7nF
68K
R
10K
Vg
V1
R2
33K
230
4.7nF
10K
V2
DENEYN YAPILII:
1.2
Giri iaretinin (Vg) frekansn tablo-27.1'deki deerlere gre sra ile deitiriniz. Her
deer iin k iaretinin (V) tepeden tepeye deerini lerek tablo-27.1'deki ilgili
yerlere kaydediniz.
1.3
Devrede;
no
tla
ri.
1.1
V(t-t)=V1(t-t)-V2(t-t)
rs
de
em
R=10K, C=4.7 nF
.e
F (Hz)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
V (t-t)
R=33K, C=4.7 nF
F (Hz)
V (t-t)
R=100K, C=4.7 nF
F (Hz)
200
200
200
400
400
400
600
600
600
800
800
800
1000
1000
1000
2000
2000
2000
4000
4000
4000
6000
6000
6000
10000
10000
10000
15000
15000
15000
231
V (t-t)
1.5
tla
ri.
1.4
no
DENEY: 2
de
N BLG:
rs
Bir elektronik devre giriine bir AC iaret uygulanmadan, knda periyodik bir AC
iaret retiyorsa bu tr devrelere Osilatr denir.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
232
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
Vcc=+12V
R3
10K
P
470
R1
ri.
Q2
BC108
C1
R2
100K
R4
10K
R5
10K
C2
47F
no
BC108
tla
2.2F
Q1
220K
rs
Q1 ve Q2 transistrleri ile oluturulan her iki ykselte kat bir evirmeyen ykselte olarak
grev yapar. P potansiyometresi osilatr k gerilimi V'n bir ksmnn girie geri
beslenmesinde kullanlr.
de
Wien kpr osilatrnn zayflatma katsays ykselte ile kompanze edilir. Osilatr
devresindeki P direnci ayarlanarak, devrenin balang osilasyonu kontrol edilir.
em
Geribesleme tek bir frekansta oluur. Balang osilasyonunun ayarlanmas ile, osilatr
knda sinsoydal bir iaret elde edilir. Elde edilen bu iaretin frekans ise devrede
kullanlan R ve C elemanlarna baldr.
DENEYN YAPILII:
2.2
ekil-27.2'de verilen wien kpr osilatr devresini deney seti zerine kurunuz.
R=1K ve C=22nF kullannz.
Devre kna osilaskop balayarak k iaretini inceleyiniz. Osilatr knda
distorsiyonsuz bir sinsoydal iaret elde etmek iin P potansiyometresini
ayarlaynz. k iaretindeki deiimi osilaskop ta gzleyiniz. Elde ettiiniz
iaretin dalga biimini ekil-27.3deki diyagrama orantl olarak iziniz.
.e
2.1
V/DIV=_____________ T/DIV=_____________
233
f=
1
2 RC
ri.
2.3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK- I
1K
V (t-t)
KHz
22n
47n
rs
1K
C (F)
no
R ()
tla
22n
2.2K
100n
em
de
2.2K
4.7K
22n
4.7K
47n
1.
2.
3.
.e
ZET:
234
Kaplan
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
BLM 1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
TRANSSTRL DFERANSYEL
YKSELTE
KONU:
tla
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
G Kayna: 2x12VDC
aret reteci (SIG.GEN)
Transistr: 3xBC108C
Diren Kutusu (Rezistor Box)
Diren: 680W, 3x1KW, 2K2W, 4K7W, 3x10KW
Potansiyometre: 1KW
Kondansatr: 2x100F
N BLG:
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
V0=Ad(V1-V2)
eklinde formle edilir. Pratik uygulamalarda yukardaki Vo eitliini elde etmek
mmkn deildir. nk ykseltecin yapmndan ve elemanlarn toleranslarndan
kaynaklanan kstlamalar vardr. Bu kstlamalar Diferansiyel ykselteci ideal
durumdan uzaklatr. Diferansiyel ykselteci ideal almadan uzaklatran
etkenlerden en nemlisi Ortak Mod Kazancdr. Bu kazan, AColarak tanmlanr. yi
dzenlenmi bir diferansiyel ykseltete; Ortak Mod Kazanc yok edilmeli veya
minimuma indirilmelidir.
rs
no
Ortak mod kazancnn yok edilmesi, oransal olarak CMRR ile ifade edilir. CMRR
deeri (Commen Mode Ration Range) aadaki gibi formle edilir.
em
de
DENEY: 1
.e
DFERANSYEL YKSELTE:
DENEYN YAPILII:
de
rs
no
tla
ri.
em
Saysal bir voltmetre kullanarak her transistrn beyz, emiter ve kollektr polarma
gerilimlerini devrenin asesine gre lnz. Elde ettiiniz sonular tablo-1.1'deki
ilgili yerlere kaydediniz.
.e
Transistr
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Q1
Q2
Tablo-1.1 Diferansiyel Ykselte Devresinde DC alma artlar
DENEY: 2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
N BLG:
ri.
tla
DENEYN YAPILII:
no
rs
em
de
Not:
Bunun iin bir nceki deneyde elde ettiiniz tablo-1.1'deki sonulardan
yararlanabilirsiniz.
Ykseltecin giriine, 1KHz sinsoydal iaret veren ve genlii minimum olan iaret
retecini balaynz.
.e
ri.
AC*
rs
no
tla
de
em
Her iki transistrn k iaretlerinin (V01 ve V02) etkin deerlerini lnz. Elde
ettiiniz sonular tablo-1.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
no
rs
de
em
DENEY: 3
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
N BLG
ekil-1.5'de diferansiyel kazanc lmek iin gerekli devre balants verilmitir.
Devre incelendiinde ykseltecin her iki giriine farkl iaretler uyguland grlr.
Bu durum da ideal olarak ktan alnan iaret her iki girie uygulanan iaretin fark
olmaldr.
DENEYN YAPILII:
Bir nceki deneyde kullandnz devreyi ekil-1.5'deki gibi yeniden dzenleyiniz.
Bu devre iinde bir nceki deneyde yaptnz paragraf-2.2'den 2.7'ye kadar olan
ilemleri tekrarlaynz. Giri gerilimi (Vi) ile ktaki fark gerilimi (Vod) deerlerini
lerek elde ettiiniz sonular tablo-1.3'deki ilgili yerlere kaydediniz.
NOT:
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Fark gerilimi Vd, ktan alnan V01 ve V02 iaretlerinin farkdr. Bu gerilimi lmek
iin; voltmetrenin negatif ucunu Q1'in kollektrne, pozitif ucunu ise Q2'nin
kollektrne balaynz. Bu lmeyi yaparken k iareti distorsiyonlu olmamaldr.
V01 ve V02 iaretlerini osilaskobun iki kanalna (Y1 ve Y2) balaynz ve osilaskobu
fark moduna ayarlaynz. Eer fark iareti (Vod) distorsiyonlu ise, giri gerilimini
distorsiyonun balad noktaya kadar azaltnz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Vod (rms)
Ad *
CMRR*
tla
ri.
Ayn deneyi emiter direnci (RE) yerine ekil-1.6'deki transistrl sabit akm kaynan
kullanarak tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-1.3'deki ilgili yerlere yaznz.
rs
SONULARIN ANALZ:
no
em
de
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Ykseltecin ortak mod eleme orann (CMRR) tablo-1.3'de elde ettiiniz deerlerden
faydalanarak hesaplaynz. Sonular tablodaki ilgili yerlere yaznz.
ZET:
Diferansiyel ykselte iki girie sahiptir.
Diferansiyel knda bir kazan elde edebilmek iin girilerinden farkl fazda iaret
uygulanmaldr. Dier taraftan ayn fazda iki iaret uyguland zaman ortak mod
kazanc elde edilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
Ortak mod eleme orannn (CMRR) saysal deeri ykseltecin kalitesini belirler. Bu
deerin yksek olmas iyi bir diferansiyel ykselte iin gereklidir.
Diferansiyel ykseltelerde Ortak mod eleme oran direkt olarak emiter devresindeki
diren deerine (RE) baldr.
tla
Ortak mod eleme oran, emiter direnci yerine transistrl sabit akm kayna
kullanlarak ykseltilebilir.
SORULAR:
no
rs
Neden? Aklaynz?
de
.e
em
10
co
m
Kaplan
ri.
KONU:
tla
de
rs
no
G Kayna: 12VDC
Osilaskop (ift kanall)
Saysal veya Analog Multimetre
Transformatr: N1:1600 N2:2x525 Sarm
Transistor: 3xBC108C
NTC: Negatif Is Katsayl Diren
Diren: 100, 150, 1K, 2K2, 2x4K7, 10K, 47K
Potansiyometre: 470, 10K
N BLG:
em
.e
BLM 2
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 1
DFERANSYEL YKSELTE:
Bu deneyde diferansiyel ykseltecin diferansiyel ve ortak mod'da almas
incelenecektir. almalarda kullanlacak diferansiyel ykselte devresi ekil-2.1de
verilmitir.
11
ri.
tla
no
rs
DENEYN YAPILII:
de
em
Her iki transistrn (Q1 ve Q2) beyz ve kollektr gerilimlerini osilaskopta gzleyiniz.
Elde ettiiniz sonular tablo-2.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Vd=__________________ volt
Transistr VB (beyz) p-p
Q1
Q2
VC (kollektr)p-p A=VCp-p/VBpp
12
Kaplan
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
no
Bu durumda; her iki transistrn giriine ayn iareti uyguladnz. Bu almaya ortak
mod alma denir.
rs
de
VC (kollektr)pA=VCp-p/VBpp
p
em
Q1
Q2
.e
Vd=_______________ volt
1.11 Diferansiyel ykseltecin ortak mod eleme orann (CMRR) bulunuz. Sonucu lgili
yere kaydediniz.
CMRR= ______________
13
ZET:
DENEY: 2
no
tla
ri.
rs
em
de
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
N BLG:
ekil-2.2'de evre scaklnn veya referans alnan herhangi bir scaklk deerinin
deitiini bildiren uygulama devresi grlmektedir.
14
ri.
tla
no
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
ekil-2.2'de verilen uygulama devresini deney seti zerine kurunuz. Devreye enerji
uygulamaynz.
NTC'yi; 40cm'lik balant kablolar kullanarak devreye balaynz. NTC yzeyi size
dnk olmaldr.
Devreye enerji uygulaynz. Devredeki Vdiff gerilimini lmek iin saysal voltmetre
balaynz. Vdiff gerilimini PB potansiyometresi yardm ile 0V'a ayarlaynz.
NTC'yi elinize alnz. NTCnin Isl direncini deitirmek iin parmaklarnzla yzeyine
dokunuz veya nefesinizle scak hava fleyiniz.
Bu anda saysal voltmetreden Vdiff gerilimindeki deiimi gzlemleyiniz ve elde
ettiiniz sonucu kaydediniz.
Vdiff=______________
15
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ZET:
ri.
tla
SORU:
.e
em
de
rs
no
Isya duyarl elektronik devre elemanlar hakknda bilgi veriniz. Devre sembollerini
iziniz?
16
co
m
Kaplan
OPAMP KARAKTERSTKLER
ri.
KONU:
tla
de
N BLG:
rs
no
em
.e
BLM 3
ANALOG ELEKTRONK - II
741 tipi Opamp'lar genellikle pozitif ve negatif olmak zere simetrik besleme gerilimi
ile alrlar. Eviren (faz eviren) ve evirmeyen (faz evirmeyen) olmak zere iki adet
girie sahiptirler. 741 tipi tmdevre Opamp kndan maksimum 25mA akm
ekilebilir ve k ar akma kar sl korumaldr. ekil-1.1de 741 tipi opamp'n
sembol,
pin
balantlar
ve
baz
nemli
zellikleri
gsterilmitir.
Opamplarn en temel zellikleri, ak evrim ve kapal evrim altnda almalar ile
belirginleir. Bu blmde; opampn bu iki zellii ayrntl olarak incelenerek tasarm
yetenei gelitirilecektir.
17
Kaplan
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 1
rs
no
de
Opamp'n gerilim kazanc, k iaretinin bir ksm girie geri beslenerek kontrol
edilebilir. Geri besleme kullanlmadnda ise kazanc kontrol etmek mmkn deildir.
Bu blm de 741 tipi opamp tmdevresinin geri beslemesiz (ak evrim) kazancn
inceleyeceiz.
em
DENEYN YAPILII
Opamp knda elde edilen gerilimi lnz. Giri gerilimi ase (0V) potansiyelinde
olduu halde k geriliminin +V veya V besleme gerilimine kilitlendiini
greceksiniz.
.e
18
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
no
tla
ri.
de
rs
-3
-5
-10
em
.e
19
Kaplan
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
no
rs
em
Vo
(v)
de
.e
20
ri.
-5
-10
tla
-3
em
de
rs
no
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
21
rs
no
tla
ri.
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V1 (V)
+1
1
0
+2
+1
+1
1
1
2
V2 (V)
0
0
+1
+1
+2
1
+1
2
1
Vo (V)
22
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 2
tla
ri.
.e
em
de
rs
no
23
ri.
tla
no
de
rs
Tablo-3.6da verilen giri gerilimi deerlerini (Vin) P1 potu ile salayarak, her giri
deeri iin opampn k gerilimi (Vo) deerlerini lp sonular tablo-3.6daki ilgili
yerlere kaydediniz.
em
.e
ZET:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Opamplarda geri besleme yaplrsa (kapal evrim) gerilim kazancn kontrol etmek
mmkndr.
Opampn gerilim kazanc; opamp kndan alnan gerilimle, opamp giriine
uygulanan
gerilimin
orandr
ve
A
harfiyle
ifade
edilir.
A=Vo/Vi
rnein; 100K'luk direnle yaplan geri besleme sayesinde hassas ve kontrol
edilebilir sonular alnmas salanmtr.
24
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SORULAR:
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
retici katologlarn aratrarak 741 tipi bir opamp'n pin balantlarn iziniz?
Yaygn olarak kullanlan LM747 ve LM324 tipi opamplarn pin balantlarn ve
zelliklerini ksaca belirtiniz?
Aada verilen devrelerde k iaretinin alabilecei deerleri ilgili yerlere
kaydediniz.
25
ri.
KONU:
co
m
Kaplan
tla
de
rs
no
em
.e
BLM 4
ANALOG ELEKTRONK - II
26
ri.
tla
rs
DENEY: 1
no
de
DC KAZANCIN LLMES
ve
em
N BLG
Eviren ykselte devresinin almasn ve zelliklerini incelemek amacyla ekil4.2deki devre gelitirilmitir. Devreyi ksaca tanyalm.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
27
ri.
tla
no
rs
DENEYN YAPILII:
de
em
RF (K)
Vin (v)
10
10
10
4.7
22
10
22
47
100
47
47
47
+1
+1
+1
-1
-1
-1
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Vo (v)
AV= RF / AV= Vo /
R1
Vin
28
DENEY: 2
AC ALIMA:
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
Eviren ykseltecin AC iaretlerdeki almasn incelemek iin ekil-4.2'deki deney
devresini set zerine kurunuz. Giri ve k iaretlerinin dalga biimlerini incelemek
iin gerekli osilaskop balantlarn yapnz.
aret retecinin k genliini tepeden tepeye Vp-p=1V'a, frekansn ise 100Hz'e
ayarlayarak ykselte giriine sinsoydal bir iaret uygulaynz.
k iaretinin ald deeri osilaskopta lerek sonucu tablo-4.2deki ilgili yere
kaydediniz.
29
aret retecinin genlii sabit kalmak kouluyla frekansn tablo-4.2de verilen 1KHz
deerine ayarlayn. Bu durumda k iaretinin tepeden tepeye deerini osilaskopta
lerek sonucu ilgili yere kaydediniz.
ri.
Deneyi tablo-4.2de verilen her frekans deeri iin tekrarlaynz. Elde ettiiniz
sonular tablo-4.2deki ilgili yerlere kaydediniz.
tla
de
rs
no
em
ZET:
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SORULAR
Bir DC eviren ykselte ile AC eviren ykselte arasndaki balca fark nedir?
Eviren ykselte niin yksek giri ve alak k empedansna sahiptir? Aklaynz?
Ykselte DC ve AC iaretler altnda alrken k iareti besleme gerilimi deerini
ayor mu? Neden?
Ykselte giriinden uygulanan iaret knda ayn formda m alnyor? aret ve faz
fark var m? Neden? Aklaynz?
30
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
EVREN TOPLAYICI
KONU:
ri.
tla
GEREKL DONANIM:
rs
N BLG:
no
.e
em
de
Bir nceki deneyde kullanlan eviren ykselte devresi tek bir giri iaretini evirerek
ykseltmekteydi. Bu devre gelitirilerek eviren toplayc devre haline dntrlebilir.
Eviren toplayc devre, giriine uygulanan iaretleri toplayarak kna aktarmaktadr.
Temel
bir
eviren
toplayc
devresi
ekil-5.1de
grlmektedir.
Devrede; RA, RB, RC, RD direnleri ve P1, P2 potlar gerilim blc olarak
kullanlmtr. Bu direnler ve potlar yardmyla, eviren toplayc giriine iki farkl
gerilim (V1, V2) uygulanacaktr.
31
ri.
no
tla
rs
olur. Ayn devrede Tm giri direnleri eit seilip, RF geri besleme direnci daha
byk seilirse devremiz bu defa gerilim kazancna sahip olur. Giriten uygulanan
iaretleri toplayp RF/R orannda ykseltir.
DENEYN YAPILII:
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Giri
(volt)
V1
+1
+1
1
+2
+2
2
Gerilimi
V2
+2
2
2
+1
1
2
Rf=10K in
Rf=22K in
Vo (volt)
Vo (volt)
tla
ri.
no
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
33
tla
ri.
no
ZET:
rs
Toplama ilemi ile birlikte istenirse toplanan iaretler ykseltme ilemine de tabi
tutulabilir.
em
de
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
GEREKL DONANIM:
34
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
N BLG:
tla
ri.
.e
em
de
rs
no
Evirmeyen ykseltete, giri sinyali deise bile kazan sabittir. Giri ile k
iaretleri arasnda faz fark yoktur. ok yksek giri empedansna sahip olan
evirmeyen ykseltete R1 direnci, yksek deerde kullanlmaktadr. Bu diren
devrenin
kazancn
etkiler
ve
yksek
grltye
neden
olur.
Evirmeyen ykselte devresine, ters evirmeyen devrede denilmektedir. Pek ok
endstriyel uygulamada kullanlr.
35
ri.
DENEY: 1
tla
DC ALIMA
em
de
rs
no
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R1 (K)
RF (K)
Vin (v)
10
10
10
4.7
22
10
22
47
100
47
47
47
+1
+1
+1
-1
-1
-1
Vo (v)
AV=
1+ (RF
R1)
36
AV= Vo /
Vin
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
no
DENEY: 2
de
AC ALIMA:
rs
em
.e
37
DENEYN YAPILII:
tla
ri.
aret retecinin k frekansn 1KHz ve genliini ise 0.1 VP-P sinsoydal iaret
verecek ekilde ayarlaynz. k iaretinin tepeden tepeye deerini osilaskopta
lp sonucu Tablo-6.2'ye kaydediniz.
no
em
de
100mV
200mV
500mV
1V
1.5V
Vout
(llen)
rs
Vin (Vp-p)
.e
ZET:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
38
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
de
N BLG:
rs
no
tla
GEREKL DONANIM:
em
Gerilim izleyici devreler (voltage follovers); yksek giri, alak k empedansa sahip
olmalar nedeniyle pek ok uygulama ve tasarmda sklkla kullanlrlar.
Eviren ve evirmeyen olmak zere 2 ayr tip gerilim izleyici devresi tasarlanabilir.
ekil-7.1de Evirmeyen gerilim izleyici devresi grlmektedir. Bu devrede; opampn
k eviren girile ksa devre edilmitir. Bu nedenle devrenin gerilim kazanc 1dir.
Giri iareti, opampn evirmeyen giriine uygulanmtr. Giri iareti ile k iareti
ayn fazdadr.
.e
Eviren Gerilim zleyici devresi ise aslnda tipik bir eviren ykselte devresidir. Eviren
ykselte devresinin gerilim kazanc 1 olarak (RF/R1=1) tasarlanrsa gerilim izleyici
olarak kullanlabilir. Eviren gerilim izleyici devresinde giri iareti ile k iareti
arasnda 1800 faz fark vardr. Bu tr devrelerin giri empedans ise R1 direncinden
dolay genellikle kktr.
39
DENEY:1
DC ALIMA
rs
no
tla
ri.
de
DENEYN YAPILII:
.e
em
ekil-7.1de grlen gerilim izleyici devreyi deney seti zerine kurunuz. Besleme
gerilimlerini
uygulaynz.
VDD
gerilimini
balangta
0Va
ayarlaynz.
Giri gerilimini (Vin), Tablo-7.1'de belirtilen deerlere VDD kaynan kullanarak sra
ile ayarlaynz. Ayarladnz her Vin deeri iin V0 k gerilimini lerek sonucu
Tablo-7.1'deki ilgili yerlere kaydediniz
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
NOT:
Her iki devrede de lmeyi daha hassas yapabilmek iin opampn pozitif girii ile
k arasna voltmetre balayarak lme yapabilirsiniz. lmelerde Saysal
voltmetre kullannz.
1K YK
Vin (v)
Vo (v)
1
2
4
6
8
10
YKSZ
Vin (v)
Vo (v)
1
2
4
6
8
10
R1=Ksa Devre=0
Vin (v)
Vo (v)
1
2
4
6
8
10
40
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
Opamp kna bal olan 1Kluk RL yk direncini sknz (ak devre). Deneyi
tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-7.1deki ilgili yerlere kaydediniz..
Giriteki R1 direncini ksa devre ediniz. Deneyi tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular
Tablo-7.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
rs
no
tla
Soru: Giride kullanlan R1 direncinin ksa devre olmas veya olmamas opampn
almasn etkiliyor mu? Nedenini aklaynz?
ZET:
em
de
AC ALIMA
.e
41
DENEYN YAPILII:
ri.
ekil-7.2'de verilen Gerilim zleyici devreyi deney seti zerine kurunuz. Gerekli
Osilaskop (OSP) balantlarn yapnz.
F=10KHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
de
rs
F=1KHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
no
tla
Devrenin giriine; frekans 1KHz, genlii 1VP-P olan sinsoydal bir iareti uygulaynz.
Giri ve k iaretlerini osilaskopta inceleyiniz. Giri ve k iaretlerinin tepeden
tepeye deerlerini lerek sonular tablo-7.2deki ilgili yerlere kaydediniz.
Giri iaretinin erilim ve frekans deerlerini tablo-7.2deki verileri dikkate alarak sra
ile deitiriniz. Her durumda kta elde ettiiniz iaretin tepeden tepeye deerlerini
osilaskopla lerek ilgili yerlere kaydediniz.
F=100KHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
F=1MHz
Vin
Vo
(Vp-p) (Vp-p)
1
5
10
em
Soru: Evirmeyen Gerilim zleyici devresinde, Giri iareti ile k iareti arasnda fark
var m? Neden? Aklaynz?
Soru: Evirmeyen Gerilim zleyici Devresinin gerilim kazanc var m? Neden? Ksaca
aklaynz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ZET:
Gerilim izleyici devrede, k iareti direkt olarak opampn negatif giriine geri
beslenmitir. Giri iareti ise opampn evirmeyen (pozitif) giriine uygulanmaktadr.
Gerilim zleyici devrenin gerilim kazanc 1 olup, giri empedans ok yksektir. Bu
deer yaklak olarak 1M civarndadr. k empedans ise ok dktr.
Gerilim zleyici Devresinde giri iareti ile k iareti arasnda faz fark yoktur.
42
BLM 5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
no
GEREKL DONANIM:
rs
de
N BLG:
.e
em
Deeri ve polaritesi bilinmeyen her hangi bir gerilim, deeri ve polaritesi daha
nceden bilinen baka bir referans gerilimle karlatrlp, seviyesi ve polaritesi
hakknda bilgi edilebilir. Bu ilemi yapan devrelere Gerilim Seviye Dedektr
denilmektedir.
Gerilim seviye dedektrleri opamplarla gerekletirilebilir. Gerilimi dedekte etme
ilemi iin opampn eviren veya evirmeyen girileri kullanlabilir. ekil-8.1de eviren
giriine uygulanan giri iaretinin seviyesini, opampn evirmeyen giriindeki referans
iareti ile karlatran Eviren Girili Gerilim Seviye Dedektr grlmektedir.
43
tla
ri.
.e
em
de
rs
no
Devrede opampn negatif giriine uygulanan Vin giri iareti; VREF iaretinden
bykse, opampn k +V besleme gerilimine kilitlenir. nk opamp ak evrimde
almaktadr ve gerilim kazanc yaklak sonsuzdur. Ayn ekilde Vin giri iareti
VREFiaretinden kkse bu defa opamp k -V gerilimine kilitlenir.
Gerilim seviye dedektr eviren girili ve evirmeyen girili olmak zere ikiye
ayrlmaktadr. ekil-8.2'de evirmeyen girili bir gerilim seviye dedektr
grlmektedir. Bu devrede; opampn pozitif giriindeki giri iareti ile negatif
giriindeki referans gerilimi karlatrlmaktadr. Bu durumda devrenin k iareti
Vin iaretinin deerine bal olarak +V ile -V arasnda olmaktadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 1
44
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
rs
A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
no
tla
de
0V
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
em
.e
45
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
ri.
A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
0V
Vo (volt)
tla
no
DENEY:2
de
N BLG:
rs
em
.e
ekil-8.2'deki evirmeyen girili gerilim seviye dedektr devresini deney seti zerine
kurunuz.
P potansiyometresi ayarlayarak seviyesi tespit edilecek Vin giri gerilimini 0V
potansiyeline getiriniz (Vin=0V).
Aadaki forml kullanarak devrenin referans gerilimini hesaplaynz ve sonucu
tablo-8.3deki ilgili yere kaydediniz.
46
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
0V
ri.
A
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
no
rs
de
.e
em
Bu durumda deneyi adm 1.2'den 1.6'ya kadar ayn ekilde tekrarlayp elde ettiiniz
sonular tablo-8.4'deki ilgili yerlere kaydediniz.
0V
B
VREF (llen)
VREF
(hesaplanan)
Vin (volt)
Vo (volt)
47
ZET:
ri.
Gerilim Seviye Dedektr devresi iki adet girie sahiptir. Girilerden birine deeri
belirlenen bir referans gerilimi uygulanr. Dier girie ise deeri bilinmeyen ve kontrol
edilecek bir giri gerilimi uygulanr.
no
tla
Kontrol (giri) gerilimi, referans geriliminden farkl ise opamp k doyuma gider. (V
besleme gerilimine kilitlenir) Ayn ise 0V olur. Bylece kontrol sinyali test edilebilir.
Gerilim Seviye dedektr (Komparator) devresinin hassasiyeti harici elemanlarla
ayarlanabilir.
SORULAR:
de
rs
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
GEREKL DONANIM:
N BLG:
Opamp uygulamas olarak kartma (fark alma) ilemini yapan devre ekil-9.1'de
grlmektedir. Devrenin matematiksel analizini ksaca yapalm. Devreye
sperpozisyon teoremi uygulandn da V1 den dolay k (V01);
48
V1
ve
V2
iaretlerinin
ka
toplam
tepkisi
ise;
em
de
rs
Olur. Devredeki
V0 = V01 +V02
no
tla
ri.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
49
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 1
DC ALIMA:
ri.
no
tla
rs
.e
em
de
Not:
Deney devresinde RA, RB, RC ve RD direnlerini 2K2, 4K7 gibi farkl deerler
seerek kullanabilirsiniz.
DENEYN YAPILII:
ekil-9.2'deki fark alc devreyi deney seti zerine kurunuz. Devreye 12V besleme
gerilimlerini uygulaynz.
50
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
no
Giri Gerilimleri
V1 (v)
V2 (v)
+2
+4
+4
+2
+4
-2
-2
+4
-4
-2
Tablo-9.1 Fark Alc Devrede Veriler
de
rs
em
DENEY: 2
AC ALIMA:
.e
51
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
ri.
tla
em
de
rs
no
.e
ri.
2Vp-p genlie, 100Hz'lik frekansa sahip sinsoydal iareti opampn her iki giriine
birlikte uygulaynz. Bu durumda ideal olarak k iareti 0V olmaldr.
Soru: 4 k iareti neden 0V olacaktr? Aklaynz?
.e
em
de
rs
no
tla
Eer opamp'n k iareti 0 olmuyor ve kta belirli bir sapma gzleniyorsa bunun
nedeni opamp girilerinde kullanlan direnlerin gerekte birbirlerine eit
olmamasndan ve opamp'n ortak mod kazancndan dolaydr. Bunun sonucu olarak
opamp'n
eviren
ve
evirmeyen
girilerinin
kazanlar
farkldr.
Eviren ve evirmeyen kazanlar dengelemek iin (ortak mod kazancn sfrlamak)
devrede iyiletirme yaplabilir. Bunun iin ykseltecin V2 girii ekil-9.5'de grld
gibi dzenlenebilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
53
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
KONU:
GEREKL DONANIM:
no
de
rs
.e
em
54
rs
no
tla
ri.
Bu olay srekli tekrarlanr. Sonuta k iareti +VSAT ile VSAT arasnda salnan bir
kare dalgadr. ekil-10.2'de k iareti, ve kondansatr geriliminin dalga biimleri ve
snr deerleri grlmektedir.
de
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
ekil-10.1'de Opampla gerekletirilmi Kare dalga reteci devresini deney seti
zerine
kurunuz.
Gerekli formlleri kullanarak +VREF ve VREF gerilim deerlerini hesaplaynz. Elde
ettiiniz
sonular
ilgili
yerlere
kaydediniz.
Volt
VREF=
+VREF=
Volt
55
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
no
rs
de
10
22
4.7
10
10
47
47
47
22
100
Fo (Hz)
llen
Hesaplanan
.e
em
R1 (K)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SORULAR:
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
57
BLM 6
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
.e
em
Trevleyici devresi, genel olarak bir eviren ykselte zelliindedir. Fark olarak girite
diren yerine kondansatr (C1) bulunmaktadr. Devre, giriine uygulanacak periyodik
iaretin trevini alarak ka aktaracaktr. ekil-11.1'de temel bir trevleyici devresi
grlmektedir. Trevleyici devrenin matematiksel analizini ksaca aklayalm.
58
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
V0=RF.IF
olarak yazlabilir. (x noktas yaklak 0 Volt olduundan) IF=Iinolacaktr. Bu durumda;
rs
no
de
.e
em
Bu nedenle Opamp devresinin kazancna yksek frekanslar iin snr koymak gerekir.
Bu ilem ekil-11.2'de grld gibi girie bir R1 direncinin eklenmesi ile
salanabilir. Bylece devrenin kazanc RF/R1 ile snrlandrlmtr.
59
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
olmaldr. Bu deerden byk frekansa sahip giri iaretleri iin devre trevleyici
olarak almaz.
Trevleyici devresinde; " RF.C1 " arpm "Zaman Sabitesi" olarak isimlendirilir. Giri
iaretinin periyodu, yaklak bu deer civarnda olmaldr.
no
RNEK:
.e
em
de
rs
60
ri.
olarak bulunur. Grld gibi giri iaretinin peryodu devrenin zaman sabitesine
eittir. u halde, devre 1 KHz frekansl bir sinsoydal iaret iin trevleyici olarak
alabilir.
no
Giri iaretini;
tla
em
de
rs
.e
V0=-(10K)(0.1F)[(0.5x2x1000)(cos2 (1000)t]
V0=-3.14 cos 2 (1000)t
olur. Bu durumda, k iareti 3.14 volt tepe deerli ve 1KHz frekansl bir kosinus
erisidir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
N ALIMA:
ekil-11.4'deki devre giriine ekil-11.5'de grlen iaret uygulandnda devre
trevleyici olarak grev yapar m? Gerekli ilemleri yaparak aklaynz?
FC ve Fin frekanslarn ve devrenin zaman sabitesi ile Tin deerini karlatrarak
cevab bu sonularla karlatrnz?
61
Kaplan
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
de
rs
no
em
.e
ekil-11.6'daki doru paras t1 msn kadar bir sre ierisinde -V'den +V'ye
kmaktadr. Denklemi ise;
62
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
no
em
de
olduunda;
Vbc=+V
Vbc=-V
rs
olur. nk;
t=t1 olduunda;
t=2t1 olduunda;
olmaktadr.
tla
ri.
bulunur. Buradan;
.e
sonucu elde edilir. Bu sonulara gre; V0 iaretinin (Vin'nin tamam iin) genlii
aada formlde grld gibi ifade edilir.
Bu sonuca gre k iaretinin bir kare dalga olaca aktr. Bu bilgilerin nda n
alma 2'deki soruyu cevaplaynz.
63
DENEYN YAPILII:
ri.
tla
em
de
rs
no
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Girie uyguladnz iaretin genlii ayn kalmak kouluyla frekansn yarya (0.5KHz)
indiriniz. k iaretlerindeki deiiklikleri not ediniz. Bu deiiklikleri nasl
aklarsnz?
Girie uyguladnz iaretin frekansn 10KHz yaparak deneyi tekrarlaynz. k
iaretinde oluan deiimleri not ediniz ve aklaynz?
Devrenin gerilim kazanc ne kadardr? Teorik sonulara yakn mdr? Devreye artk
sadece eviren ykselte gz ile bakabilir miyiz? Neden? Aklaynz?
64
ntegratr
almas
ve
zellikleri
rs
no
tla
GEREKL DONANIM:
N BLG:
devresinin
ri.
Opampla gerekletirilen
incelenecektir.
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
65
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
no
olur. Dolaysyla;
.e
em
de
rs
elde edilir. Bilindii gibi integral; anlam olarak, bir erinin altnda kalan alana karlk
gelmektedir. Opamp devresindeki giri offset geriliminin giderek opamp doyuma
gtrmesini engellemek iin ekil-12.1'deki devrede baz deiiklikler yapmak
gerekir. Bu deiiklik Cf kondansatrne parelel bir Rf direnci balanarak yaplr. Bu
durum ekil-12.2 de gsterilmitir.
66
no
tla
ri.
olmaldr. Bu devrenin bir integratr olarak grev yapabilmesi iin girie uygulanan
iaretin frekans (F1);
.e
em
de
rs
ile girie uygulanan iaretin peryodu birbirlerine yakn deerde olmaldr. F1FC
olduunda, devre eviren ykselte olarak alr ve kta giriin Rf/R1 kadar
ykseltilmii grlr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ntegral alma ilemi, trev alma ileminin tersi olduundan bir integratr giriine kare
dalga uygulandnda kta gen dalga alnr.
N ALIMA:
ekil-12.3'deki devre giriine ekil-12.4'deki iaret uygulandnda devre integratr
olarak alr m?
67
ri.
tla
YOL GSTERME:
de
rs
no
FC ile F1 frekanslarn ve devrenin zaman sabitesi ile giri iaretinin periyodunu (TGiri)
karlatrarak cevabnz bu sonulara dayandrnz.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
denklem zldnde;
V0(Tepe)=-10 4(0.05)10 3
V0(Tepe)=-0.5 volt
olur. 0.05 msn ile 0.1 msn arasndaki durumda ayn ekilde hesaplanmaldr.
DENEYN YAPILII:
ekil-12.3'deki ntegratr devresini deney seti zerine kurunuz ve besleme
gerilimlerini balaynz.
aret retecinin kn 10KHz, 2VP-P kare dalga verecek ekilde ayarlaynz ve
devre giriine uygulaynz.
Osilaskopla giri ve k iaretlerini gzleyiniz. Elde ettiiniz giri ve k dalga
biimlerini ekil-12.4'e iziniz. Deerlerini yaznz. Devre ntegratr olarak alyor
mu? Aklaynz?
68
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
Girie uygulanan kare dalgann genlii ayn kalmak artyla, frekansn 5 KHz
yapnz. kta gzlediiniz iarette ne gibi deiiklikler oldu? Bu deiiklii nasl
aklarsnz?
rs
no
Girie uygulanan kare dalgann genlii ayn kalmak artyla frekansn 50 Hz yapnz.
k iaretinin dalga biimi ncekilere oranla deiti mi? niin? Aklaynz?
Devrenin gerilim kazanc ne kadardr? bu kazan ;
.e
em
de
Devreye artk sadece eviren ykselte gzyle bakmak doru olur mu? Niin?
Aklaynz?
69
ri.
Opamp uygulamas olarak; 2. dereceden Alak Geiren Aktif Filtre (Low Pass- Filter)
devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri incelenecektir.
N BLG:
rs
no
tla
GEREKL DONANIM:
em
de
Bir filtre devresi, belli bir frekans bandn geirerek ve bu frekansn dndakileri
zayflatmak
amac
ile
gelitirilmi,
aktif
veya
pasif
bir
devredir.
Pasif filtre devreleri; diren, self ve kapasitif elemanlar ierir. Aktif filtreler ise bunlara
ilaveten transistor veya opamp gibi aktif devre elemanlar ierirler. Aktif filtrelerde self
eleman kullanlmaz.
Aktif filtreler, pasif filtrelere nazaran bir ok stnlk ierirler. rnein filtrenin
geirgen olduu frekanslarda bir zayflatma olmaz. Bu filtrelerde giri empedans ok
yksek, k empedans ise ok dktr. Opampn band genilii snrl olduundan
baz
frekanslarda
filtreleme
ilemi
yapmak
mmkn
deildir.
eitli derecelerde aktif filtre yapmak mmkndr. Bu blmde; 2.dereceden (40
dB/dekad) bir aktif filtre devresini inceleyeceiz. Bunun yan sra 1. ve 3. dereceden
(20dB/dekad ve 60dB/dekad) filtre devreleri de vardr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
70
rs
no
tla
ri.
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
71
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
k iaretinin tepeden tepeye deerini [Vo(p-p)] osilaskop ile lerek sonucu tablo13.1'deki ilgili stuna kaydediniz.
ri.
Deneyi iaret retecinin k genlii her durumda ayn kalmak kouluyla tablo13.1'de verilen her frekans deeri iin tekrarlaynz. Her frekans iin elde ettiiniz
k geriliminin tepeden tepeye deerini ilgili yere kaydediniz.
tla
rs
no
de
Fc=___________________ Hz
em
.e
SORULAR:
72
Kaplan
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
.e
em
de
rs
73
co
m
Kaplan
ri.
tla
no
GEREKL DONANIM:
de
N BLG:
rs
Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7,2x10K, 22K, 100K
Kondansatr: 22nF, 47nF,
.e
em
Yksek geiren filtre; belirli bir ke frekansnn yalnz zerindeki frekanslar geiren,
altndakileri frekanslar ise zayflatan filtre devresidir. Yksek geiren filtre, Alak
geiren filtrenin simetriidir. Bu deneyde inceleyeceimiz filtre devresi 40dB/dekad'lk bir eime sahiptir ve frekans tepkisi ekil-13.2'de izilmitir. Filtrenin
ke frekans FC, aadaki formlden elde edilir.
BLM 7
ANALOG ELEKTRONK - II
74
Kaplan
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
rs
.e
em
de
75
ri.
k iaretinin tepeden tepeye deerini [Vo(p-p)] osilaskop ile lerek elde ettiiniz
sonucu tablo-14.1'deki ilgili yere kaydediniz.
tla
no
rs
Giri iaretinin her frekans deeri iin yksek geiren filtre devresinin Gerilim
kazancn (A) hesaplaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-14.1'deki ilgili yerlere
yaznz.
em
de
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
FC=_______________________Hz
Vin=1Vp-p
5K
10K
76
SORULAR:
ri.
de
rs
no
tla
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
KONU:
Opamp uygulamas olarak; 2. dereceden Band Geiren Aktif Filtre (Bandpass Pass
Filter) devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
aret reteci
Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 4K7,2x10K, 22K, 100K
Kondansatr:2x10nF
77
N BLG:
tla
ri.
Band geiren filtre, belirli bir frekans aralndaki iaretleri geiren dndaki iaretleri
ise geirmeyen bir filtre devresidir. Rezonans (Fr) frekansnn her iki yanndaki yar
g noktalar arasnda bir grup frekansta alr. (Filtrenin k geriliminin ve
kazancnn maksimum olduu frekansa Rezonans frekans denir) Bu frekans snrlar
dnda frekans zayflar. En byk k gerilimi Rezonans frekansnda oluur ve bu
nokta tepe noktas olarak adlandrlr.
.e
em
de
rs
no
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Band geiren filtrede kazancn 0.707 kat olan frekanslara alt (FL) ve st (FH) kesim
frekanslar denir. Bu iki kesim frekans arasndaki blge Band Genilii olarak
adlandrlr ve devrenin Q'suna baldr.
Devrenin Q'su; devrenin direnci ile ters orantldr. Dk dirence sahip bir devre
yksek Q deerine sahiptir ve ok dar bir frekans band oluturur. Byk dirence
sahip devre ise daha az k iareti retir ve band genilii artar.
ekil-15.2'de band geiren filtre devrelerinin frekans tepkisini grmektesiniz.
Karakteristikten de grld gibi Band genilii FL ile FH arasnda olumaktadr.
78
ri.
tla
no
rs
DENEYN YAPILII:
de
ekil-15.1'de grlen 40dB/Dekadlk band geiren aktif filtre devresini deney seti
zerine kurunuz. aret retecini imdilik devreye balamaynz.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Band geiren filtrenin kazancn (A) hesaplayarak sonucu tablo-15.1'deki ilgili yere
kaydediniz.
aret retecinin frekansn, genlii sabit kalmak kouluyla 500Hz deerine
ayarlaynz. Band geiren filtre devresinin k iaretinin tepeden tepeye deerini
osilaskopla lerek sonucu tablo-15.1deki ilgili yere kaydediniz
Deneyi tablo-15.1de verilen her frekans deeri iin srayla tekrarlaynz. Elde ettiiniz
sonular tablo-15.1deki ilgili yerlere kaydediniz.
lme yaptnz her frekans deeri iin Band geiren filtre devresinin gerilim
kazancn
hesaplayarak
sonular
tablo-15.1deki
ilgili
yerlere
yaznz.
Band Geiren Filtre Devresinin rezonans frekans aadaki formlden bulunur.
79
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
bu formlde RP deeri;
tla
no
de
SORULAR:
rs
em
Band geiren filtrenin frekans tepkisini tablo-14.1'deki sonulardan yararlanarak ekil15.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz? izim ilemi iin ekil-15.2deki
karakteristikten yararlanabilirsiniz.
Devrenin kazanc geirgen olduu frekans bantlarnda ne kadardr? Bu konuda neler
syleyebilirsiniz?
.e
Band geiren filtrenin kullanm alanlarnda rnekler vererek rnek bir uygulama
devresi iziniz?
80
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
no
Osilaskop
G Kayna: 12V DC
Opamp (LM741 tipi)
Diren: 1K, 10K, 47K, 1M
Kondansatr: 2z10nF
tla
GEREKL DONANIM:
rs
N BLG:
.e
em
de
stenmeyen veya parazit etkisi yapan iaretlerin devre zerindeki etkisini azaltmak
veya yok etmek iin band sndren filtreler kullanlmaktadr. zellikle ehir
ebekesinden dolay oluan parazitlerin eitli elektronik cihazlarda bozucu etkisini
nlemek
amac
ile
bu
tip
filtrelerden
yararlanlmaktadr.PRIVATE
Bant sndren filtrelere band durduran filtrede denilmektedir. Band durduran filtrenin
fonksiyonu band geiren filtrenin tersidir. Bu tip bir filtrede band genilii ierisindeki
belli bir grup frekans hari, dier tm frekanslarn geiine izin verilir.
ekil-16.1'de bir band durduran filtre devresi grlmektedir. Bu filtre; giri iaretinin
bir ksmnn evirmeyen girie uygulanmas hari, band geiren filtreye ok benzer.
Kondansatrlerin fonksiyonu ve her iki giriteki aktiflik bu filtrenin alma
karakteristiklerini oluturur.
de
rs
no
tla
ri.
em
DENEYN YAPILII:
ekil-16.1'de grlen Aktif band durduran filtre devresini deney seti zerine kurunuz.
Devreye besleme gerilimlerini uygulaynz. aret retecinin k genliini 1Vp-p
sinsoydal bir iaret verecek ekilde ayarlaynz. aret retecinin k frekansn ise
tablo-16.1'de grlen ilk frekans deerine (50Hz) ayarlaynz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
82
ri.
Tablo-16.1'de belirtilen her frekans deeri iin ayn lmeleri tekrarlaynz. Elde
ettiiniz sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz. lmesi yaplan her frekans iin
devrenin kazancn hesaplayarak tablodaki ilgili yere kaydediniz.
tla
Not:
Giri iaretinin (Vi) k genliinin her frekans deerinde 1VP-P olmasna dikkat
ediniz.
rs
no
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Fr =________________ Hz
SORULAR:
Band sndren filtrenin frekans tepkisini tablo-16.1'deki verilerden yararlanarak ekil16.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz?
Devrenin kazanc band durduran olduu frekanslarda ne kadardr?
Band sndren filtrenin uygulamalarna rnekler vererek bir uygulama devresi
iziniz?
83
Kaplan
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
.e
em
de
rs
84
BLM 8
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
UJT KARAKTERSTKLER
ri.
KONU:
GEREKL DONANIM:
rs
no
tla
de
N BLG:
em
UJT, N tipi bir yar iletken gvdenin ortasna bir PN eklemi eklenmesi ile oluturulmu
aktif bir devre elemandr. Emiter, beyz1 ve beyz2 olarak adlandrlan adet
terminali vardr.
.e
UJT'nin emiter ucu ak braklp, beyzler arasndan llen diren deerine beyzler
aras diren denir ve RBB ile gsterilir.
85
ri.
tla
DENEY: 1
OHMMETRE LE TEST
no
UJT'nin jonksiyon ularn bulmak ve salamlk testi iin pratik bir metot ohmmetre ile
yaplan lmdr.
rs
N BLG:
de
UJT'nin jonksiyon ularn tespit etmek ve salamlk testi yapmak iin pratik bir
yntem ohmmetre ile yaplan testtir. Bu deneyde UJT'nin ohmmetre ile test edilmesini
reneceiz.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
UJT'nin beyzler aras direnci ise her iki ynde de birka bin ohm civarndadr. UJT'nin
bu zellikleri analog bir ohmmetre yardm ile test edilebilir.
DENEYN YAPILII:
86
ri.
tla
no
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SORULAR:
leri Ynde polarmalandrlm PN eklemi
sahiptir.
diren deerine
diren deerine
87
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY:2
UJT KAREKTERSTKLER
ri.
tla
N BLG:
rs
no
de
Vp; UJT'nin iletime balama anndaki emiter geriliminin tepe deeridir. Deeri
yaklak olarak;
em
formlnden bulunur.
.e
Formlde; VD= diyot n gerilimidir. Deeri yaklak 0.7 volt'dur. Vv; Bu deer vadi
gerilimi olarak bilinir ve UJT iletime getikten sonra tepe gerilimi Vp'nin ald
minimum deerdir.
88
ri.
UJTnin tetikleme gerilimi veya Vp deerini bulmak amacyla UJTnin emiter bacana
bir voltmetre balanmtr. Emiter gerilimi RE potansiyometresi yardmyla yavaa
artrlr ve art voltmetrede gzlenir. Artrlan VE gerilimi UJTnin tetikleme gerilimi
deerine ulatnda bu gerilim deerinin aniden dt gzlemlenir.
Dme ncesinde emiter geriliminin ald maksimum deer Vp olarak tanmlanr ve
bu deer UJTnin tetikleme (ateleme) gerilimidir.
tla
UJT tetiklendikten sonra emiter gerilimi azalr. Azalan bu deer ise UJTnin vadi
gerilimi olarak tanmlanan Vv deeridir.
no
UJT tetiklenmeden nce emiter gerilimi IE=0 olmaldr. Tetiklendikten sonra ise bir
miktar IE akm akaca aktr.
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
UJT PARAMETRELER
VBB=12V
UJTnin DURUMU
VE (v)
Tetiklenmeden nce
Vp=
Tetiklendikten Sonra
Vv=
VB2 (v)
IE (mA)
89
lerek
(hesaplanan)
tla
Vp (llen)
no
VBB (volt)
12
10
8
6
ri.
UJTnin tetikleme gerilimi; bir miktar besleme gerilimi VBB deerine bamldr. Bu
banty tespit etmek amac ile ekil-17.4deki deney devresinde VBB gerilimini
tablo-17.2de belirtildii gibi 10V yapnz.
de
rs
em
VD= 0.7V
.e
SORULAR:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
90
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY:3
ri.
Bu deneyde, UJT iletime getiinde akm ve gerilim tepkilerinin gsterilmesi gerilimdiren deerlerinin kullanlarak eitli akmlarn hesaplanmas incelenecektir.
tla
N BLG:
no
UJTnin iletime geme artlar, iletim annda ve iletimden nceki akm ve gerilim
deerleri llp hesap edilmelidir. Bu durum UJT ile devre tasarlamada olduka
nemlidir.
rs
.e
em
de
91
ri.
tla
UJT'nin iletime getikten sonraki VB1 ve VB2 deerlerini lerek tablo-17.3'deki ilgili
yere kaydediniz. Vv gerilimini de lerek kaydediniz.
no
UJT'nin IB1, IB2 ve IE deerlerini her durum iin tablodaki deerlerden yaralanarak
hesaplaynz ve ilgili yerlere kaydediniz.
em
de
rs
VE
Tetiklemeden
nce
Tetiklemeden
Sonra
< Vp
.e
DURUM
IB2
(mA)
IE (mA)
Vv=
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SORULAR:
UJT'nin iletime getii andaki VE ve IE deerlerini yaznz. Bu deerlere ne ad verilir
belirtiniz?
UJT'nin iletime getikten sonraki VE ve IE deerlerini yaznz. Bu deerlere ne ad
verilir belirtiniz?
92
ri.
tla
UJT UYGULAMALARI
no
KONU:
rs
em
de
G Kayna: 0-12V DC
Multimetre (Saysal ve Analog)
Osilaskop (ift kanall)
UJT: 2N2646 veya muadili
Diren: 2x100W, 4K7W, 10KW, 22KW,
Kondansatr: 47nF, 100nF, 220nF
DENEY: 1
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RELAKSASYON OSLATR:
Bu blmde UJT ile gerekletirilen ve olduka sk kullanlan Relaksasyon
(gevemeli) osilatr devresinin almasn ve zelliklerini inceleyeceiz.
N BLG:
UJT ile gerekletirilen osilatr devreleri, frekans kararllnn yksek olmas ve basit
yaplar nedeni ile olduka sk kullanlrlar.
UJT ile gerekletirilen relaksasyon osilatr (gevemeli osilatr) devresi ekil-18.1'de
grlmektedir. Bu devre genellikle g elektroniinde tetikleme osilatr olarak
kullanlr.
Devrenin almasn ksaca zetleyelim. Balangta UJT yaltmda olsun. Bu
durumda; VB2 gerilimi Besleme gerilimine (VBB) eittir. VB1 gerilimi ise 0V
civarndadr.
93
ri.
tla
no
de
rs
em
Bunun sonucunda UJT'nin; VB1 ve VB2 klarndan darbeli bir iaret alnr. Bu
iaretin frekans RE ve CE elemanlarna baldr. Devrenin frekansnda belirleyici
faktr CE kondansatrnn arj sresidir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
1
formlnden bulunur.
TOFF = 1.2 (RE CE)
Burada
deerini
0.7
olarak
kabul
edersek;
94
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
bulunur.
tla
no
R2 direnci, 100W ile 500W arasnda bir deerde seilmelidir. RE direncinin ise geni
bir snr deeri vardr. Bu deer 2KW ile 2MW arasnda seilmelidir ve uygulamalarda
bu koullara dikkat edilmelidir.
DENEYN YAPILII:
de
rs
VB1
VB2
em
Relaksasyon devresinin osilasyon frekansn lerek elde ettiiniz sonucu tablo18.2'deki ilgili yere kaydediniz.
ekil-18.1'deki relaksasyon osilatr devresinde RE ve CE elemanlarn tablo-18.2'de
verilen deerlerle gre sra ile deitiriniz. Deitirdiiniz her RE ve CE deeri iin
gerekli lme ve hesaplamalar yaparak tablo-18.2'yi tamamlaynz.
.e
95
ri.
tla
no
llen
100
100
100
220
47
em
de
10
22
4K7
10
10
F 1/(RECE)
Hesaplanan
rs
RE (KW) CE (nF)
ZET:
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
96
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SORULAR:
ri.
tla
rs
DENEY: 2
no
KARARSIZ MULTVBRATR:
de
Bu deneyde, UJT ile oluturulmu kare dalga k verebilen bir kararsz (astable)
multivibratr devresi incelenecektir.
N BLG:
em
.e
lk anda, C kondansatr R1 zerinden VBB deerine arj olur. Diyot ularna den
gerilim ihmal edilirse, kondansatr gerilimi Vp deerine ulatnda UJT iletken olur.
Bir sre sonra kondansatr gerilimi Vv deerine der ve diyot ters polarma olarak
yaltma girer. Kondansatr bu sefer ters polariteye R2 zerinden arj olur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
arj sresi;
DENEYN YAPILII:
no
Dearj sresi;
rs
de
VB2
em
VBB
.e
98
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Osilaskopdan yararlanarak Vp, VE(on), VB2, Ton ve Toff deerlerini lnz. Elde
ettiiniz sonular tablo-18.4'deki ilgili yerlere yaznz.
Ton
(ms)
Toff
(ms)
F (Hz)
tla
C1 (F)
ri.
0.1
1
.e
em
de
rs
no
99
VB2 (v)
BLM 9
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
KONU:
tla
de
rs
no
.e
em
ri.
de
DENEY: 1
rs
no
tla
OHMMETRE LE TEST:
em
Bu deneyde PUT'un ohmmetre ile pratik olarak test edilmesi ve anot, katot ve geyt
ularnn bulunmas renilecektir.
N BLG:
PUT'un basit testi tpk regler diyot gibi ohmmetre ile yaplabilir. PUT'un geyt ile
katot terminalleri aras daima ok yksek bir diren deeri gsterir. nk ters
polaritededir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Ohmmetre'nin pozitif ucu PUT'un anat'una negatif ucu ise katot'una uygulandnda
PUT ak devre gsterir. Bu balant bozulmadan katot ucundan geyt'ede negatif bir
polarma uygulanrsa PUT tetiklenerek iletime geer ve kk bir diren deeri
gsterir. Bu durum ekil-19.3'de ayrntl olarak izilmitir.
DENEYN YAPILII:
PUT zerinde gerekli lmleri yapabilmek iin analog ohmmetrenin kalibrasyonunu
yapnz.
ekil-19.3.a'daki balanty yapnz. Ohmmetre ularnn polaritelerine dikkat ediniz
ve Ohmmetre skalasn en dk deere alnz. Bu durumda ohmmetreden PUT'un
gsterdii diren deerini lerek kaydediniz.
101
Kaplan
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
no
rs
Bir nceki balanty bozmadan ohmmetrenin negatif ucundan bir kabloyla ekil19.3.b'deki gibi PUT'un geyt'ini tetikleyiniz. Ohmmetrede sonucu gzleyerek elde
ettiiniz diren deerini kaydediniz.
de
PUT'un geyt ucunu boa alnz. Ohmmetrede sonucu gzleyerek not ediniz. PUT
iletime devam ediyor mu? Neden? Aklaynz?
em
DENEY: 2
PUT'UN ALIMASI:
.e
PUT'un iletime geebilmesi iin anodu kataduna nazaran daha pozitif bir polaritede
olmaldr. Geyt'e ise anaduna nazaran daha negatif bir polarite uygulanmaldr. Bu
koullarda PUT iletime geer ve katodundan anaduna doru bir akm akar. PUT'un
iletimi; anot akmnn tutma akm (IH) deerinin altna dene kadar devam eder.
PUT'un iletim geriliminin programlanabildii unutulmamaldr. Bu deneyde PUT'un
iletimde ve kesimde nasl alt gzlenecektir.
102
ri.
tla
no
de
rs
DENEYN YAPILII:
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
S1 anahtarn tekrar A konumuna alnz ve lmeleri tekrarlayarak sonularnz tablo19.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
DURUM
Atelemeden
nce
Ateleme An
Atelemeden
Sonra
Reset
Resetden Sonra
S1
S2
A
A
B
A
VA (v)
103
IAK (mA)
ri.
PUT KAREKTERSTKLER:
tla
DENEY: 3
no
.e
em
de
rs
PUT'un iletime geebilmesi veya kesime gidebilmesi iin bir takm koullarn
salanmas gerekmektedir. Bu koullar PUT paremetreleri ile ilgilidir. PUT'un en
nemli paremetreleri; VG, Vp, IAK ve IH deerleridir. Bu deerlerin zelliklerini nceki
deneylerden biliyorsunuz. Bu almada PUT'un belirtilen paremetrelerini
hesaplayacaz ve leceiz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
ekil-19.5'deki deney devresini set zerine kurunuz. VA gerilimini Potansiyometreyi
kullanarak 0V'a ayarlaynz.
PUT'un VG ve Vp deerleri aadaki formller yardm ile bulunur. Bu formlleri
kullanarak ekil-19.5'deki devrede gerekli VG ve Vp deerlerini hesaplaynz.
Sonular tablo-20.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
104
ri.
tla
no
PUT'un iletime getii noktada anat-katod akmn (IAK) lerek sonucu tabloya
kaydediniz.
de
rs
PUT atelendikten sonra P potansiyometresi ile IAK akmn yava yava azaltnz. IAK
akmnn aniden 0'a dt noktay bir ka kez deneyerek belirleyiniz. IAK akmnn
ani olarak 0'a dt noktadaki deer PUT'un tutma akm IH deeridir. Bu deeri
lerek tablodaki ilgili yere kaydediniz.
PUT'un atelendii andaki VA ve Vp gerilim deerlerini lerek tablodaki ilgili yerlere
kaydediniz.
em
.e
R1 (K) R2 (K)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 4
RELAKSASYON OSLATR:
Bu deneyde PUT'la gerekletirilmi bir relaksasyon osilatr devresinin almasn
ve zelliklerini inceleyeceiz.
105
N BLG:
em
de
rs
no
tla
ri.
DENEYN YAPILII:
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VA
VG
VK
106
ri.
tla
no
rs
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RA
(K)
100
100
100
47
220
CA
(nF)
10
100
22
10
10
ZET:
PUT, paremetreleri UJT ile benzerlik gsterir. Sadece iletim gerilimi belli koullar
altnda istenilen bir deere proramlanabilir. Bu zellik PUT'u bir ok uygulamada
popler yapmtr.
SORULAR:
Bir PUT'un salam veya bozuk olup olmadn bir ohmmetre ile test edebilir misiniz?
Nasl? Aklaynz?
PUT'un iletime gemesi iin gerekli koullar aklaynz?
107
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
GEREKL DONANIM:
rs
no
de
N BLG:
.e
em
SCR; (Slikon Controlled Rectifier: Slikon Kontroll Dorultucu) yar iletken devre
elemanlar ailesinden Tristr grubuna dahil ulu aktif bir devre elemandr.
SCR'nin sembol, yaps ve transistr edeeri ekil-20.1'de gsterilmitir. SCR'nin
adet terminali vardr. Terminallerine Anot , Katod ve Geyt isimleri verilmitir.
108
ri.
tla
DENEY:1
no
de
rs
SCR'nin almasn bir ohmmetre ile test edebiliriz. SCR terminallerine bakldnda
geyt-anot arasnn tpk bir diyot gibi test edilebilecei grlebilir fakat bu pratik olarak
mmkn deildir. nk geyt-anot aras daima ters polaritededir ve ok byk bir
diren deeri gsterir.
em
SCR'nin ohmmetre ile testi genellikle anot, katod ve geyt terminalleri birlikte
kullanlarak yaplr. Ohmmetre'nin pozitif ucu SCR'nin anoduna, negatif ucu ise
katoduna uygulandnda doru polarma olduu halde SCR yksek bir diren
gsterir. nk geyt terminali tetiklenmemitir. SCR'nin iletime geip anot-katod
arasnn ksa devre olabilmesi iin ayn anda geyt ucuna da pozitif bir tetikleme
uygulanmaldr. Bu durum ekil-20.2.b'de gsterilmitir.
.e
DENEYN YAPILII:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
109
ri.
tla
no
rs
DENEY: 2
SCR'NN ALIMASI:
de
em
N BLG:
SCR'yi geyt terminali ile iletkenlii kontrol edilebilen bir diyot gibi dnebiliriz. SCR'yi
iletime geirebilmek iin anot ile katod arasna doru polarma ve geyt terminaline ise
katod'a nazaran pozitif bir tetikleme gerilimi uygulanmaldr. SCR, iletime getiinde
katodundan anoduna doru bir akm akar ve zerinde (anot-katot ular arasnda)
kk bir gerilim dm meydana gelir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
SCR iletime getikten sonra geyt terminali kontrolden kar ve SCR'yi artk kontrol
edemez. SCR'nin tekrar kesime gidebilmesi iin anot akm, SCR'nin Tutma Akm
(holding current) deerinin altna drlmelidir. Tutma akm IHolarak tanmlanr ve
deeri her SCR iin retici kataloglarnda verilir.
SCR'nin nemli bir zellii ok kk geyt akm (IG) ile ok byk anot (IA) akmn
kontrol etmesidir.
SCRnin; temel alma zelliklerini (iletim/kesim) ekil-20.3de verilen devre
yardmyla aratracaz.
110
ri.
tla
no
rs
DENEYN YAPILII:
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
111
VG (v)
VA (v)
DENEY: 3
no
rs
de
.e
em
SCR'nin iletime geebilmesi iin geyt akmnn nemi nceki deneyde incelenmiti.
Geyt akm (IG) ile anot akm (IA) arasndaki iliki bu blmde aratrlacaktr.
SCR'nin iletime geebilmesi iin anot ile katod arasna doru polarma uygulanp,
geyt terminalinden tetiklenmesi gerektiini biliyoruz. Fakat tetikleme akm ve
geriliminin maksimum ve minimum deerleri hakknda bilgimiz yok.
Bu deneyde; SCR'nin bu karakteristiklerini lerek minimum ve maksimum deerleri
tespit edeceiz. Gerekte retici firmalar bu deerleri rettikleri her SCR iin
kataloglarnda vermilerdir. Deneylerimizde kullandmz TIC126D tipi SCR'nin baz
nemli katalog bilgileri ve karakteristikleri aada verilmitir.
SCRnin Durumu
ri.
S2
A
A
A
B
A
B
tla
S1
A
B
A
A
A
A
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VAK
: Maksimum 400
Volt
IAK
IG
: Maksimum 8 Amper
: Minimum 5mA,
VG
: Minimum 0.8V,
IH
VH
: 40mA
: 0.95V
Maksimum 20mA
Maksimum 1.5V
112
ri.
SCR'nin tetiklenip iletime gemesinden sonra geyt terminali artk SCR zerindeki
kontroln kaybeder. SCR'yi tekrar kesime gtrmek iin Anot akmnn belli bir
deerin altna drlmesi gerekir. SCR'nin bu akm deerine Tutma Akm denir ve
IH ile sembolize edilir. Deeri retici kataloglarnda verilmektedir.
DENEYN YAPILII:
no
tla
ekil-20.4'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta VGG gerilim kayna
0V olmaldr. Deneye balamadan SCR'nin kesimde olduundan emin olunuz.
VGG gerilim kaynan kullanarak IG akmn tablo-20.2'de belirtilen 1mA deerine
ayarlaynz. Anot akmn (IA) ve Anot-katod gerilimini (VA) lerek elde ettiiniz
sonucu tablo-20.2'deki ilgili yerlere yaznz.
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IG
0
(mA)
VG (v)
IA
(mA)
VA (V)
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0
113
IG( min )=
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
mA.
Bu
deer
Katalogda
belirtilen
deere
uygun
mudur?
SCR'nin tetikleme anndaki geyt gerilimi deerini lerek kaydediniz.
volt.
ri.
VG( min ) =
Aklaynz?
tla
Bu
deer
katalogda
belirtilen
deere
uygun
mudur?
Aklaynz?
SCR iletimde iken sadece tetikleme kaynan devreden skerek VG deerini 0V
yapnz. SCR hala iletken mi? Neden? Aklaynz?
no
rs
SCR'yi kesime gtrmek iin anot akm deerinin, tutma akm (IH) deerinin altna
drlmesi gerekir. Bu deeri lmek ve SCR'yi kesime gtrmek iin ekil20.5'deki deney dzeneinden faydalanacaz.
.e
em
de
114
ri.
tla
VAK=_______________ volt,
SCR=_______________________(iletimde/Kesimde)
rs
no
de
em
SCR=_______________________(iletimde/kesimde)
VAA gerilim kaynan devreden sknz. SCRnin tutma akmn lmek amacyla
devreyi
ekil-20.5.bdeki
gibi
yeniden
dzenleyiniz.
Balangta
RH
potansiyometresini 0 deerine alnz. S1 ve S2 anahtarlarnn A konumunda
olduundan
emin
olunuz
ve
sisteme
enerji
uygulaynz.
S1 anahtarn bir an iin B konumuna alp tekrar A konumuna alnz. Bu anda
SCRnin VAK gerilimini ve IA akmn lerek sonular kaydediniz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VAK=_________________ volt,
IA=___________________mA
115
no
tla
ri.
de
Bu anda IA akm;
rs
em
IA(Hesaplanan) :
mA
IA(llen) :
mA
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IA deeri tutma akmndan byk olduu iin SCR iletime gemitir. VAA gerilim
kaynann deerini anot akmndaki deiimi gzleyerek yava yava drnz. IA
akmnn aniden 0'a dt noktay bir ka kez deneyerek bulunuz. Bu deer tutma
akm deeridir. lerek kaydediniz.
IH=
mA
Bu andaki SCR'nin anot-katod ular arasndan llen gerilim deeri (VA), tutma
gerilimi deeridir. Bu gerilimi lerek kaydediniz.
VH=
volt.
116
DENEY: 4
SCR LE DC KONTROL:
ri.
Bu deneyde SCR ile yaplan eitli kontrol devreleri verilecek ve bunlarn almalar
aratrlacaktr.
tla
N BLG:
no
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
117
DENEYN YAPILII:
ri.
tla
no
rs
de
em
SORULAR:
tetiklenip
iletime
geebilmesi
iin
geyt
terminalinin
SCR tetiklenip iletime getikten sonra geyt terminalinin fonksiyonunda bir deiim
oluyor mu? Aklaynz?
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
volt gerilim
118
co
m
Kaplan
SCR UYGULAMALARI
ri.
KONU:
tla
SCR ile yaplan eitli uygulamalar tantlacak ve SCR ile gerekletirilen Faz kontrol
devreleri incelenecektir.
GEREKL DONANIM:
de
rs
no
G Kayna: 24V AC
Osilaskop (ift Kanall)
Multimetre
SCR (TIC126D veya Muadili)
Diyot:4x1N4007 veya Muadili
UJT: 2N2646 veya Muadili
Diren: 2x100, 470, 680, 1K, 100K
Potansiyometre: 10K, 100K
Kondansatr: 0.22F, 10F
Lamba: 24V Akkor Flemanl
em
N BLG:
.e
BLM 10
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 1
YARIM DALGA FAZ KONTROL:
ekil-21.1'de SCR ile yaplan yarm dalga faz kontrol devresi grlmektedir. Bu
devrede faz kontrol sadece pozitif alternanslarda yaplmaktadr. Devrenin almas
aada ksaca anlatlmtr.
119
ri.
tla
de
VC=VD+VGK
rs
no
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
120
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Yk Gerilimi (VL)
QT
tla
ri.
900
VL(rms) =
no
VAK (rms)=
rs
1200
VAK (rms)=
de
VL(rms) =
.e
em
Yk gerilimi ve SCR geriliminin rms deerlerini voltmetre ile lerek ilgili yerlere
kaydediniz.
SCR'nin tetikleme asn 1200 ye ayarlaynz. Yk (VL) ve SCR (VAK) gerilimlerinin
dalga biimlerini osilaskopta gzleyiniz ve dalga ekillerini orantl olarak ekil21.2deki diyagrama iziniz.
Yk ve SCR gerilimlerinin etkin (rms) deerlerini bir voltmetre ile lerek sonular
ekil-21.2deki ilgili yerlere kaydediniz.
DENEY: 2
TAM DALGA FAZ KONTROL:
SCR ile yaplan tam dalga faz kontrol devresi en ekonomik ve popler faz kontrol
devresidir. Adndan da anlalaca gibi bu devre ile 3600 derece faz kontrol yapmak
mmkndr.
Tamdalga faz kontrol devrelerinde tetikleme devresi olarak sklkla UJT'li relaksasyon
osilatr devresi kullanlr. ekil-21.3'de byle bir devre verilmitir. Devredeki
tamdalga dorultma devresi sayesinde SCR'ye daima doru polarma uygulanmtr.
121
ri.
tla
no
rs
em
de
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII
ekil-21.3'deki tam dalga faz kontrol devresini deney seti zerine kurunuz. Yk
geriliminde yaplan faz kontroln gzlemlemek iin gerekli osilaskop balantsn
yaparak, osilaskobun kalibrasyonunu yapnz.
P potansiyometresini maksimum ve minimum deerlere sra ile ayarlaynz. Yk
gerilimindeki deiimi osilaskopta gzleyiniz.P potunun deiimi ile lambann
parlaklnda meydana gelen deiimi gzlemleyiniz.
P potansiyometresinin maksimum ve minimum deerlerinde oluan yk gerilimi ve
SCR geriliminin dalga biimlerini ekil-21.4'e orantl olarak iziniz ve bu gerilimlerin
etkin deerlerini lerek kaydediniz. (Vrms)
122
QT
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Yk Gerilimi (VL)
tla
ri.
P
Minim
um
VL(rms) =
no
VAK (rms)=
rs
P
Maksi
mum
VAK (rms)=
de
VL(rms) =
em
VC Gerilimi
VL(rms) =
VAK (rms)=
VL(rms) =
VAK (rms)=
P
Mini
mum
.e
QT
P
Maksi
mum
123
Yk Gerilimi VRL
no
QT
tla
ri.
rs
900
VAK (rms)=
de
VL(rms) =
em
1800
.e
VL(rms) =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VAK (rms)=
SONU:
Bu deneyde SCR'nin tetikleme gerilimi UJT'li relaksasyon osilatr ile salanmtr. Bu
devre dier faz kontrol devresine nazaran daha kullanl ve verimlidir. nk bir tam
sayklda faz kontrol yaplmtr.
SORULAR:
UJT'li tam dalga faz kontrol devresinde faz kontrol alarnn minimum ve maksimum
deerleri nedir? Belirtiniz?
Devrenin almasn ksaca aklaynz? Elemanlarn fonksiyonlarn belirtiniz?
Devrede; kpr dorultma devresi niin kullanlmtr? Aklaynz?
124
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
Bu devre ile DC bir yk kontrol edilebilmek iin neler yaplmaldr? ekil izerek
aklaynz?
TRYAK KARAKTERSTKLER
tla
KONU:
GEREKL DONANIM:
no
de
rs
em
N BLG:
.e
Triyak; yar iletken devre elemanlar ailesinden tristr grubuna dahil SCR'den
gelitirilmi ulu aktif bir devre elemandr. ekil-22.1'de sembol ve tristr
edeeri izilmitir.
125
Triyak, iki adet SCR'nin ters ynde paralel balanmas ile oluturulmutur ve ortak bir
geyt'e sahiptir. (ekil-22.1). AC gerilimin her iki alternasnda faz kontrol yapmas
elemann en nemli zelliidir.
DENEY: 1
OHMMETRE LE TEST:
no
tla
ri.
de
N BLG:
rs
.e
em
Triyak'ta tpk SCR'ye benzer ekilde test edilebilir. Ohmmetrenin pozitif ucu triyak'n
A2 terminaline, negatif ucu ise A1 terminaline balanrsa ohmmetre ok yksek bir
diren deeri (yaklak sonsuz) gsterir. nk Triyak tetiklenmemitir ve kesimdedir.
Ayn balant korunarak ohmmetrenin pozitif ucu geyt'e temas ettirilirse triyak
tetiklenir ve ohmmetreden kk bir diren deeri okunur. Daha sonra geyt'e yaplan
bu
balant
iptal
edilse
dahi
triyak
iletime
devam
edecektir.
Triyak'n terminal ve salamlk testi, ekil-22.2 ve 22.3'de gibi eitli durumlar iin
verilmitir. Srayla yapalm.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
Analog Multimetrenin Ohm kademesinde (x1) gerekli kalibrasyonu yaparak lme
ilemi iin hazrlaynz.
ekil-22.2.a'daki balanty yaparak sonucu ohmmetre'de gzleyiniz ve ilgili yere
kaydediniz.
126
ri.
tla
no
Ayn balanty koruyarak ohmmetrenin pozitif ucunu bir kabloyla triyak'n geytine
ekil-22.2 deki gibi balaynz. Ohmetrede elde ettiiniz sonucu okuyarak ilgili yere
kaydediniz.
rs
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 2
TRYAK'I TETKLEME EKLLER:
Bu deneyde triyak' tetikleme (iletime geirme) modelleri incelenerek, almas
aratrlacaktr.
127
N BLG:
tla
no
ri.
.e
em
de
rs
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
ekil-22.4'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. S1 ve S2 anahtarlarnn A
konumunda olduundan emin olunuz. Anahtarlarn ncelik sras nemlidir. Triyak'n
kesimde olduundan emin olunuz. Triyak kesimde deilse anahtarlarn ncelik
srasndan kaynaklanyordur. Bu nedenle; S1 anahtar A konumunda iken S2
anahtarn nce B sonra tekrar A konumuna alnz.
S1 ve S2 anahtarlar A konumunda iken VG ve VT2 gerilimlerini lerek sonular
tablo-22.1'deki ilgili yere kaydediniz. Triyak'n durumunu lme sonularnda elde
ettiiniz deerlere gre yorumlaynz. Triyakn durumu iin grnz (iletimde
veya kesimde) tablo-22.1'deki ilgili satra kaydediniz.
128
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
VG
VT2
Triyakn DURUMU
rs
S2nin
DURUMU
A
A
A
ABA
A
A
ABA
em
de
S1in
DURUMU
A
B
A
A
C
A
A
no
Tablo-22.1'de belirtilen btn konumlar iin deneyi tekrarlaynz. Sonular tablo22.1'deki ilgili yerlere kaydediniz.
.e
129
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VG
VT2
Triyakn DURUMU
tla
S2nin
DURUMU
A
A
A
ABA
A
A
ABA
no
S1in
DURUMU
A
B
A
A
C
A
A
ri.
rs
de
ZET:
Triyak'n terminalleri ve salaml bir ohmmetre yardm ile test edilebilir. Test iin
gerekli balant ve lmeler yukarda anlatlmtr.
em
Triyak tetiklenmeden nce neden yksek bir diren deeri gsterir? Aklaynz?
Triyak'n ohmmetre ile hangi zelliklerini test edebiliriz? Aklaynz?
Triyak'n tetikleme modelleri hakknda ayrntl bilgi veriniz?
.e
SORULAR:
130
co
m
Kaplan
TRYAK UYGULAMALARI
ri.
KONU:
GEREKL DONANIM:
em
de
rs
no
G Kayna: 24V AC
Osilaskop (ift Kanall)
Transformatr N=1/2
Diyot: 4x1N407
UJT: 2n2646
Ampl: 23V (Akkor Flemanl)
Diyak: 33V
Diren: 2x100 2x1K 470
Potansiyometre: 10K
Kondansatr: 1F 2,2F
tla
DENEY: 1
.e
BLM 11
ANALOG ELEKTRONK - II
131
ri.
tla
rs
DENEYN YAPILII:
no
de
em
Triyak'n iletim asnn maksimum ve minimum deerlerini osilaskop ile lerek elde
ettiiniz sonucu kaydediniz.
QT(min)=_____________________
QT(max)=_____________________
Soru: Triyak'n tetikleme veya iletim alar pozitif ve negatif alternanslar iin simetrik
midir? Neden? Aklaynz?
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
132
VL DALGA BMi
tla
900
VL (rms)=
no
VA2(rms) =
de
rs
1200
VL(rms) =
VAK (rms)=
em
Yk gerilimi ve VA2 geriliminin Vrms deerlerini bir voltmetre ile lerek ekil-23.2'deki
ilgili yere kaydediniz.
.e
VA2 DALGA BM
ri.
QT
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ZET:
Triyakla bir tam saykl (3600) boyunca g kontrol yapmak mmkndr. Uygulamas
yaplan devrede triyak'n tetikleme as, P potansiyometresi ve C kondansatr
yardm ile ayarlanabilmektedir.
Bu devre, bu haliyle hassas uygulamalar iin yeterli deildir. Hassas g kontrol
gerekmeyen uygulamalar da bu devre rahatlkla kullanlabilir.
Deneylerde kontrol edilen gerilim ve akmlar, gvenlik asndan dk deerlerde
tutulmulardr. Triyakla ok byk akm ve gerilimlerin kontrolnn yaplabildii
unutulmamaldr.
133
DENEY: 2
TRYAK'LA FAZ KONTROL-II
ri.
tla
N BLG:
no
Bu deneyde Triyak' tetiklemek iin bir Diyak kullanlmtr. Diyak, ift ynl tetikleme
diyodu olarakta tanmlanan tristr grubuna dahil aktif bir devre elemandr.
Diyak ularna uygulanan gerilim, diyak krlma gerilimi deerini atnda tetiklenerek
iletime geer. Gerilimin polaritesi nemli deildir. nk diyak belirtildii gibi ift
ynl iletime geebilir.
em
de
rs
Diyak' basite srt srta seri balanm ters ynl iki zener diyot gibi dnebiliriz.
ekil-23.3'de diyak'n yaps, sembol ve edeer devresi verilmitir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
ekil-23.4'daki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta devreye enerji
uygulamaynz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
rs
no
tla
ri.
Not: Yk gerilimi, lamba ve ona seri bal 100 ohm'luk diren zerindeki gerilimdir.
lmeyi bu durumu dikkate alarak yapnz.
Yk Gerilimi (VL)
em
QT
de
VL(rms) =
VAK (rms)=
VL(rms) =
VAK (rms)=
1200
.e
900
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Yk gerilimi ve VA2 geriliminin Vrms deerlerini bir voltmetre ile lerek ekil-23.5'daki
ilgili yere kaydediniz.
tla
ri.
ZET:
no
de
rs
em
DENEY: 3
N BLG:
Bir ok uygulamada Triyak'n faz kontrol devresini ebekeden yaltmak amac ile pals
transformatr kullanlr.
.e
Bu deneyde Triyak'la tam dalga faz kontrol gerekletirilecektir. Triyak'n Faz kontrol
as; bir relaksasyon osilatr devresi ile pals transformatr zerinden tetiklenerek
yaplacaktr.
136
ri.
tla
no
de
rs
em
Relaksasyon osilatr devresinin besleme gerilimi ise kpr tipi dorultma devresi ile
salanmtr. Relaksasyon osilatr devresinin k iareti triyak' tetiklemek amac ile
bir pals transformatr zerinden triyak'n geytine uygulanmtr.
Deneyde gvenlik amac ile alak akm ve gerilimlerde alma yaplmtr. Bu durum
dikkate alnmaldr.
DENEYN YAPILII:
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
137
tla
900
VAK (rms)=
no
VL(rms) =
de
rs
1200
VL(rms) =
VAK (rms)=
em
.e
Yk Gerilimi (VL)
ri.
QT
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ZET:
138
co
m
Kaplan
ri.
KONU:
Transistrl
Seri
Gerilim
tla
de
rs
no
G Kayna: 12 VDC
Osiloskop ( ift kanall )
Saysal veya Analog Multimetre
Transformatr: 220V/ 12V
Transistr: 3xBC108C, BD135
Zener Diyot: ZD6. 2
Silisyum Diyot: 1N4007
Diren: 1KW, 2K2W, 4K7W, 10KW
Potansiyometre: 10KW
Kondansatr: 22nF, 0.1mF, 100mF, 47mF
em
N BLG:
Regle ileminin amac belli bir elektriksel bykl (gerilim veya akm) d
etkilerden bamsz olarak sabit tutulabilmektedir. Regleli bir gerilim kaynann
k gerilimi, k akm ve ykten bamsz olmaldr. rnein 12Vluk sabit gerilim
reten regleli bir gerilim kaynann k gerilimi daima 12V olmaldr. k
akmndan, ykten veya dier bir takm faktrlerden etkilenmemelidir.
Regle ileminin yaplabilmesi iin, regle edilecek byklk srekli llmek
zorundadr. llen bu deer (o anki deer) olmas istenilen gerek deerle
karlatrlarak gerekli dzenleme (regle) yaplr. Olmas istenen deer iin bir
referans gerilimi gereklidir. Referans gerilimi genellikle bir zener diyotla salanr.
Zener diyot, regle ilemi iin tek bana yeterli deildir. Zener diyotla elde edilen
referans gerilim, dier bir takm yariletken devre elemanlar kullanlarak gelitirilir. ile
gelitirilerek regle ilemi gerekletirilir.
.e
BLM 12
ANALOG ELEKTRONK - II
Regle ilemi gerilim iin yapld gibi akm iinde yaplabilir. Bu blmde gerilimi
kararl
klmak
iin
gerekletirilen
reglatr
devreleri
incelenecektir.
Seri ve paralel olmak zere iki tip Transistrl gerilim reglatr vardr. Reglatr
devresinin yke seri veya paralel olmas reglatrn tipini belirler.
Paralel gerilim reglatrleri bota akm ekmeleri, ok g harcamalar vb
nedenlerden tr pek tercih edilmezler. Regle devrelerine, k akmn istenilen
seviyede snrlamak amac ile bir takm ilave dzenekler eklenebilir.
139
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY:1
SER GERLM REGLATR-I
ri.
Bu deneyde zener diyot ve transistr yardm ile gerekletirilen temel bir seri gerilim
reglatr devresi incelenecektir.
tla
N BLG:
no
de
rs
em
deerine eittir. Regle ileminin gereklee bilmesi iin, giri gerilimi (Vin) deerinin
Vz+Vbe deerinden mutlaka daha byk olmaldr.
.e
140
DENEYNYAPILII:
ekil-24.1deki transistrl seri gerilim reglatr devresini devreyi deney seti zerine
kurunuz. Balangta RL yk direncini devreye balamaynz.
10
11
12
no
Vin (v) 5
Vo (v)
tla
ri.
de
rs
Tablo-24.1 de verilen giri gerilimlerini (Vin) reglatr giriine sra ile uygulaynz.
Uyguladnz her deer iin k gerilimini lerek sonular tablo-24.1 e
kaydediniz.
ekil-24.1deki seri gerilim reglatr devresini eitli ykler altnda incelemek iin
reglatr giri gerilimini 12V yapnz. (Vin=12V)
em
Reglatr kna 1KW luk yk direnci balaynz. (RL=1KW) 1KW luk yk altnda
reglatr k gerilimini (Vo) lerek sonucu tablo-24.2deki ilgili yere yaznz.
Reglatr kndaki yk direncini 800W yapnz. k geriliminin ald deeri
lerek sonucu tablo-24.2ye kaydediniz.
Vin = 12 Volt
RL (K) 1
Vo (v)
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
0.9
0.8
0.7 0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
DENEY:2
SER GERLM REGLATR-II
Bu deneyde k gerilimi ve akm ayarlanabilen bir nceki uygulamadan gelitirilmi
seri gerilim reglatr incelenecektir. ncelenmesi yaplacak transistrl seri gerilim
reglatr devresi ekil-24.2de verilmitir. Reglatr devresinin k gerilimi PA
potansiyometresi ile ayarlanabilmektedir.
141
ri.
tla
no
rs
DENEYN YAPILII:
de
em
Tablo-24.3 de verilen deere uygun olarak (12V, 11V, 10V, 9V, 8V, 7V) giri
gerilimini deitiriniz. Bu durumda her Vin gerilimi iin k gerilimini lerek Tablo24.3 deki ilgili yere kaydediniz.
PA potansiyometresini kullanarak reglatr k gerilimini 6Va ayarlaynz. (Vo=6)
Giri geriliminin deerini tablo-24.3de belirtilen deerlere sra ile ayarlaynz. Her Vin
giri gerilimi deeri iin, k gerilimindeki deiimi gzleyiniz ve lnz. Elde
ettiiniz sonular tablo-24.3 deki ilgili yerlere yaznz.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Ayn deneyi Vo=9V deeri iinde tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-24.3deki
ilgili yere kaydediniz.
Giri gerilimi deiiminin, k geriliminde oluturduu deiimi oransal olarak
hesaplaynz ve sonucu tablo-24.3 deki ilgili yere kaydediniz.
142
ri.
tla
Vin
(v)
12
11
10
9
8
7
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 3
no
de
N BLG:
rs
em
.e
ebekeden alnan 24 Vrms deerine sahip AC gerilim, kpr tipi balanm diyotlarla
dorultulur ve C1, C2, C3 kondansatrleri ile filtre edilir. Filtrenin kaliteli olmas amac
ile 3 adet kondansatr kullanlmtr. stenirse yksek deerli tek bir kondansatr
kullanlabilir (1000mF, 2200mF gibi). Reglatr devresinin dier ksmlarn ise nceki
deneylerimizde incelemitik.
143
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEYN YAPILII:
Vo (max)=_______________ volt.
no
Vo (min)=_______________ volt
tla
ri.
rs
de
Vo=10V in lmeler
Vo (v)
1000
470
330
220
100
10V
Vor (v)
Vin (v)
Vir (v)
Rpl
Oran
em
RL ()
.e
144
Vo=15V in lmeler
Vo (v)
1000
470
330
220
100
15V
Vor (v)
Vin (v)
Vir (v)
Rpl
Oran
tla
ri.
RL ()
no
Ayn deneyi Vo=20V deeri iinde tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo24.6daki ilgili yerlere kaydediniz.
rs
Vo=20V in lmeler
Vo (v)
1000
470
330
220
100
20V
Vor (v)
Vin (v)
Vir (v)
Rpl
Oran
em
de
RL ()
.e
ZET:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Belli bir gerilim deerini, tm d etkenlerden bamsz klarak kararl hale getirmek
iin gerilim reglatrleri kullanlr. Gerilimi kararl bir hale getirmenin pratik bir yolu
transistrl gerilim reglatrleridir.
Transistrl gerilim reglatrleri, seri ve paralel olmak zere iki temel yapya
ayrlrlar. Bu blmde blmde yaygn olarak kullanmlarndan ve avantajlarndan
tr seri gerilim reglatrleri incelenmitir.
SORULAR:
Gerilimi regle etme ilemi niin gereklidir? Aklaynz.
Seri ve paralel gerilim reglatrlerini karlatrarak avantaj ve dezavantajlarn
belirtiniz.
ekil-24.1 deki seri gerilim reglatr devresinde C kondansatr ve R2 direncinin
ilevlerini belirtiniz.
145
tla
ri.
no
KONU:
Tmdevreli Sabit ve ayarl
karakteristikleri incelenecektir.
gerilim
reglatrlerinin
zellikleri
ve
alma
rs
GEREKL DONANIM:
em
de
G kayna: 0-30V DC
Multimetre: Saysal ve Analog
Silisyum diyot: 4x1N4007
Tmdevre: 7805, 7905, 7809, LM317
Transformatr: 220V/2x12V, 5QW
Elektrolitik kondansatr: 1mF, 1000mF
Kondansatr: 0.33mF, 0.1mF
Diren:
.e
N BLG:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
146
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
k Gerilimi
Tipik
Skun Klf
Tipi
et
Akm
78.....
X X X X X
X
X
X
35
1A
4.2mA TO220
78M....
X X X X X
X
X
X
35
500mA 3mA TO202
78L.....
X X X X X
X
X
X
35
100mA 3mA TO92
LM309K X
35
1A
5.2mA TO3
LM323
X
20
3A
12mA TO3
LM340K X X X X X
X
X
X
35
1.5A
4.2mA TO3
LM317K 1.2V..............37V
Ayarlanabilir. 40
1.5A
50A TO3
L200
2.85V............36V Ayarlanabilir.
40
2A
4.2mA pentaw
Not: Tm Gerilim Reglatrlerinde Giri Gerilimi, Tmdevre k Geriliminden en
az 3V fazla olmaldr.
no
tla
ri.
Giri
k
Tmdevre
Gerilimi Akm
Tipi
5V 6V 8V 9V 12V 15V 18V 24V (max) (max)
rs
em
de
78li saylarla kodlanan gerilim reglatrlerinde ilk iki rakam (78) reglatr tipini
sonraki harf k akmn, son rakamlar ise k gerilimi deerini verir. rnein 7805
ile kodlanm bir reglatr; +5V k gerilimi ve 1 Amper k akmna sahiptir.
78M15 eklinde kodlanm bir gerilim reglatr ise +15V k gerilimine ve 500mA
k akmna sahiptir. Pozitif ve negatif sabit gerilim reglatrlerinin klar sl
korumaldr. ktan ar akm ekildiinde sl duyarl koruma devresi etkinleerek
tmdevreyi ar akma kar korurlar.
.e
Negatif kl sabit gerilim reglatrleri ise 79lu saylarla (7912, 79L15, 79M09 v.b
gibi) kodlanrlar. Tablo-25.2dee ise negatif gerilim reglatrleri zellikleri ile birlikte
verilmitir. Tmdevreli negatif gerilim reglatrlerinin klf tipleri ve pin balantlar
ekil-25.2de verilmitir.
147
k Gerilimi
Giri
k
Tmdevre
Gerilimi Akm
Tipi
5V 6V 8V 9V 12V 15V 18V 24V
(max) (max)
no
tla
ri.
Tipik
Klf
Skunet
Tipi
Akm
I
79.....
X X X X X
X
X
X
35
1A
4.2mA
II,
79M...
X X X X X
X
X
X
35
500mA 3mA
IV
79L....
X X X X X
X
X
X
35
100mA 3mA
III
LM345K X
20
3A
1mA
V
LM320K X X X X X
X
X
X
35
1.5A
2mA
V
LM337
1.2V..............37V Ayarlanabilir.
40
1.5A
65A
V
Not: Tmdevre giriinden uygulanacak gerilim, tmdevre k geriliminden en
az 3V fazla olmaldr.
em
de
rs
DENEY: 1
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
148
ri.
tla
em
de
rs
no
.e
DENEYN YAPILII:
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
149
ri.
7812
Vo (volt)
no
rs
ekil-25.4 deki devrede 7805 tmdevresini 7812 tmdevresi ile deitiriniz ve deneyi
tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular Tablo-25.3deki ilgili yerlere kaydediniz.
Reglatr kna bir osiloskop balayarak Vo k gerilimini gzlemleyiniz. Gzlemi
osiloskopun minimum volt/dv kademesinde yapnz.
de
em
.e
7805
Vo (volt)
tla
Vi (volt)
3
4
5
8
10
12
15
20
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
100
220
470
1000
4K7
10K
150
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ZET:
ri.
tla
no
DENEY: 2
de
N BLG:
rs
.e
em
Formlnden bulunur.
151
ri.
tla
DENEYN YAPILII:
no
rs
ekil-25.5deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Reglatr giri gerilimini 20Va
(Vin=20V) ayarlaynz. R1 ve R2 direnlerini ise balangta 100W olarak balaynz.
Reglatr devresinin k gerilimi (Vo) deerini voltmetre ile lnz. Elde ettiiniz
sonucu tablo-25.5deki ilgili yere kaydediniz.
de
Ayn devrede R2 direncini 220W yapnz ve deneyi tekrarlaynz. Sonucu tablo25.5deki ilgili yere yaznz.
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R1 ()
R2 ()
100
100
100
220
220
100
220
330
100
330
Vo (llen)
Vo
(Hesaplanan)
152
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DENEY: 3
AYARLI GERLM REGLATRLER
ri.
tla
N BLG:
rs
no
.e
em
de
153
ri.
tla
no
rs
DENEYN YAPILII:
de
em
Vo (maksimum)
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Vo (minimum)
Vo (maksimum)
SORULAR:
retici kataloglarn inceleyerek birka tip farkl gerilim reglatr iziniz ve
zelliklerini belirtiniz?.
Gerilim reglatr uygulamalarnda soutucu ne amala ve nasl kullanlmaldr?
Aklaynz?.
154
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
155
co
m
Kaplan
ri.
KONU:
tla
no
GEREKL DONANIM:
de
rs
em
Endstriyel sistemlerde basn, s, scaklk, debi v.b gibi eitli fiziksel byklklerin
llmesinde ve kontrol edilmesinde sensrlerden (transducers) yararlanlr.
Sensrlerin genellikle kullanm amalar yukarda belirtilen fiziksel byklkleri
elektriksel iaretlere dntrmektir. Dntrme ilemi sonucunda elde edilen akm
veya gerilim deerleri endstride kullanlan standart deerler aralnda olmaldr.
Her hangi bir sensr knda elde edilen elektriksel byklk standart bir akm veya
gerilim deerine dntrlr. Endstriyel uygulamalarda pek ok zaman elde edilen
standart akm veya gerilim deerlerinin birbirlerine dntrlmeleri gerekir. Bu tr
ilevleri
yerine
getirmek
amacyla
Akm/gerilim
veya
gerilim
akm
dntrclerinden faydalanlr.
.e
BLM 13
ANALOG ELEKTRONK - II
156
DENEY: 1
GERLM/AKIM DNTRC:
ri.
tla
N BLG:
rs
no
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
157
tla
no
ri.
rs
sonu olarak e1 gerilimi, sabit bir offset deerine set edilmelidir. Rs direnci,
dntrme devresinin k akm sahasn (SPAN) ayarlar. Bundan dolay Rs deeri;
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
158
I yk(llen)
no
rs
de
em
DENEY:2
.e
yk(Hesaplanan)
ri.
0.00
0.10
0.25
0.50
0.75
0.90
1.00
tla
ein (volt)
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
AKIM/GERLM DNTRC
Bir nceki blmde herhangi bir sensrden alnan gerilim deerlerinin endstri
standardnda bir akm (4-20mA) deerine dntrldn inceledik. Bu blmde;
endstri standardnda elde edilen bir akm deerinin gerilime dntrlmesi iin
gerekli dzenekleri inceleyeceiz.
N BLG:
Baz endstriyel cihazlar gerilim esasna bal olarak almaktadr. Dolaysyla
herhangi bir sensrden alnacak standart akm deerleri, orantl olarak gerilime
evrilmelidir. Bunun iin akm/gerilim dntrclerine gereksinim duyulur.
Baz durumlarda ekil-26.1de verilen gerilim akm dntrc devrenin kndan
alnan akm, ilenmek zere nemli saylabilecek uzak bir mesafeye transfer edilmesi
gerekebilir. Transfer ileminin akmla yaplmas olduka zor ve sorunludur. Bu
nedenle akm/gerilim dntrcleri sklkla kullanlr.
159
ri.
4-20mA akm aral standart bir deerdir ve endstriyel cihazlarn tasarmnda ska
kullanlr. Baz saysal cihaz reticileri analog gerilim girilerini 1V ila 5V aralklarnda
tasarlarlar. Bu nedenle 220luk sonlandrma direnci standart akm aral iin yeterli
olacaktr.
em
de
rs
no
tla
DENEYN YAPILII:
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
160
ri.
AV=______________________
tla
de
rs
no
em
P1=______________________
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
161
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IOUT
(hesaplanan)
4 mA
ri.
V yk
tla
0.00
0.10
0.25
0.50
0.75
0.90
1.00
I yk(Iin)
no
ein (volt)
20mA
.e
em
de
rs
162
ri.
tla
no
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
BLM 1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
Konular:
ri.
lemsel Ykselteler
Amalar:
no
rs
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
Operasyonel ykseltecin tantm ve sembol,
deal opamp zellikleri
de
Pratik opamp zellikleri ve 741 tipi tmdevre opampn tantlmas ve terminal balantlar
Opampn temel yaps ve blok olarak gsterimi
Transistrl Farksal Ykseltecin Yaps, zellikleri ve alma Karakteristikleri
.e
em
Opamp Karakteristikleri
ri.
tla
no
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
Standart bir opamp; iki adet giri terminali, bir adet k terminaline sahiptir. Opamp giri
terminalleri ilevlerinden tr, eviren (giri) ve evirmeyen (+giri) olarak adlandrlmtr.
Kimi kaynaklarda opamp giri terminalleri; ters eviren (inverting) ve ters evirmeyen
(noninverting) giri olarak da adlandrlmaktadr. Standart opamp sembol ekil-1.1.ada
verilmitir. ekil-1.bde ise standart bir opamp sembol besleme kaynaklar ile birlikte
verilmitir.
Eviren Giri
+V
no
Evirmeyen Giri
a) Opamp Sembol
-V
.e
em
de
rs
Opamp tek bir tmdevre halinde kullancnn tketimine sunulmaktadr. Gnmzde pek
ok tmdevre reticisi farkl tip ve zelliklere sahip opamp retimi gerekletirmektedir.
ekil-1.2de baz opamplarn tipik klf grntleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Elektronik piyasasnda ok eitli amalar iin retilmi binlerce tip opamp vardr. retici
firmalar rettikleri her bir opamp tipi iin eleman tantan bir kod kullanrlar. Tmdevreler
genellikle bu kodlarla anlrlar. ekil-1.3de genelde pek ok reticinin uyduu kodlama
sistemi iki ayr tmdevre zerinde kodlamada uygulanan kurallar ile birlikte gsterilmitir.
Kodlama genellikle 3 gruba ayrlarak yaplr.
8
LM 741C P
LM741CP
3601
MC358MI
1702
3. Grup
2. Grup
1. Grup
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
3. Grup
C: Seramik klf
P: Plastik klf
D, J: Cift sral soket (DIP)
ri.
tla
2. Grup
no
1. Grup
rnekler
de
rs
Opamp zellikleri:
em
Opamplar, elektronik devre tasarmnn temel yap talarndandr. Gnmzde hemen her
trl devre ve cihaz tasarmnda sklkla kullanlmaktadr. Opamp bu denli ilevsel klan
ise zellikleridir. deal bir opampta olmas gereken zellikler ekil-1.5de opamp sembol
zerinde ayrntl olarak gsterilmilerdir.
+V
Iin = 0 A
Rin =
Ro = 0
Iin = 0 A
Rin =
.e
Pratikte ise yukarda belirtilen ideal opamp zelliklerine ulamak mmkn deildir. retim
tekniklerinin ve kullanlan malzemelerin oluturduklar bir takm kstlamalar vardr.
Gnmzde ideal zelliklere yaklaan pek ok tip opamp gelitirilmitir. Tablo-1.2de ideal
opamp ile genel amal bir opampn (LM741) zellikleri karlatrmal olarak verilmitir.
Vo
-V
ekil-1.5 deal opamp zellikleri
zellik
Giri Direnci; Ri (Input Impedance)
k Direnci; Ro (Output Impedance)
Ak evrim Gerilim Kazanc; AV (Open-Loop Gain)
deal Opamp
Sonsuz
Yksek (1M)
Sfr
Dk (<500)
Sonsuz
ok Byk (104)
Sonsuz
Sonsuz
Yksek (70dB)
Sfr
Dk (<0.5A)
Sfr
Dk (<10mV,<0.2nA)
Deimez
Az (5V/0C, 0.1nA/0C)
V0=0
V00 olabilir.
tla
ri.
5V..15V
20mA
no
Maksimum k Akm
rs
Besleme Terminalleri
de
em
Pratikte pek ok opamp 5V ile 18V arasnda simetrik besleme gerilimine gereksinim
duyar. Ayrca 0V-30V arasnda tek bir besleme gerilimi altnda alan opamplar olduu gibi
zel besleme gerilimlerine gereksinim duyan opamplar da vardr. Herhangi bir opampn
gereksinim duyduu besleme gerilimi kataloglardan belirlenebilir.
Beslenme srasnda opampn topraa (ground) direkt balanmadna dikkat ediniz.
Akmlarn d devreden ve yk zerinden getiine dikkat edilmelidir.
+V
+V
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RL
+V
Vo
Ortak U
RL
-V
-V
-V
k Terminalleri
Opampta bir k terminali bulunur. Bu terminalden ekilebilecek akm miktar ise
snrldr. retici firmalar; her bir opamp tipi iin maksimum k akmlarn kataloglarnda
verirler. Bu deer ounlukla birka 10mA mertebesindedir.
ekil-1.6da 741 tipi bir opampn k terminali ile birlikte, giri ve besleme terminalleri pin
numaralar ile verilmitir. Devrede opampn k terminali bir RL yk zerinden topraa
balanmtr. Dolays ile opampn k iareti RL yk direnci zerindeki gerilimdir.
+12V
2
7
6
-12V
V0
ri.
IL
tla
rs
no
Operasyonel ykselteler alabilemek iin her zaman bir besleme gerilimine gereksinim
duyarlar. Besleme gerilimi uygulanan bir opamp, giri ularna uygulanan gerilime ve
ilevine bal olarak k gerilimi retir. Bir opampn kndan alnabilecek maksimum
k gerilimi, besleme geriliminden birka volt daha kktr. Bu durum opampn i
yapsndan ve enerji tketiminden kaynaklanr. Opamp knda elde edilen iaretin
maksimum deerlerine doyum (saturation) gerilimi denir. VSAT olarak ifade edilir. rnein
besleme gerilimi 12V olan bir opampta doyum gerilimleri negatif iaretler iin 2V, pozitif
iaretler iin ise 1V daha azdr. Yani opamp kndan pozitif deerler iin maksimum +11V,
negatif deerler iin ise maksimum -10V civarnda bir gerilim alnabilir. retici firmalar, bu
deerleri kataloglarnda belirtirler.
de
Giri Terminalleri
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0 = AOL V d = AV V d
olur. Formlde kullanlan Vd, opamp giriine uygulanan iaretlerin farkdr. AOL ise,
opampn ak evrim gerilim kazancdr. Opamp devresinde geribesleme kullanlmyorsa,
yani opampn k terminali herhangi bir ekilde giri terminaline balanmamsa opamp
ak evrim altnda alyordur. Bir opampn ak evrim gerilim kazanc teorik olarak
sonsuzdur. Pratikte ise olduka yksek bir deerdir.
Bu durumda opampn eviren (V1) ve evirmeyen (V2) girilerine uygulanan iaretler;
V2>V1 ise fark gerilimi Vd pozitif olacak, opamp k +VSAT deerini alacaktr.
V2<V1 ise fark gerilimi Vd negatif olacak, opamp k -VSAT deerini alacaktr.
Yukarda anlatlan tm durumlar ekil-1.7 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
-V
-V
+
V =V d
4
V 2 =V+
V 1=V_
V 0=+V OSAT
V0 =A OL.V d
V2 =V +
+V
ri.
+V
V0 =+V OSAT
V O =+VSATdir
V O=-VSATdir
tla
V =V d
V 0=A OL. Vd
V 1=V_
Bir opampn k geriliminin maksimum +VSAT veya VSAT deerinde olabilecei belirtilmiti. Bu durumda VSAT deeri bilinen bir opampn maksimum giri fark gerilimi Vd;
rs
rnek:
1.1
V0 SAT
AOL
no
Vd =
Bu
de
Besleme gerilimi 12V olan bir opampn alabilecei maksimum k gerilimi deeri
VSAT=10.5V civarndadr. Bu durumda giri fark gerilimi;
Vd =
10.5V
= 8.75 10 5 = 0.0875mV = 87.5 V
12 10 4
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V1
V2
FARKSAL
YKSELTE
KAZAN
KATI
SEVYE
KAYDIRICI
IKI
KATI
Vo
Opamp oluturan bu katlar sra ile inceleyelim. lk giri blounu oluturan diferansiyel
ykselteci bir sonraki blmde ayrntl olarak inceleyeceiz. kinci blok kazan katdr. Bu
kat bir veya birka ykselte devresinden oluturulmutur. levi, farksal ykselte
kndan alnan iaretlerin empedans uygunluunu salayp genliini ykselterek yksek
deerli kazanlar elde etmektir.
tla
ri.
Buffer ve seviye kaydrc katn biraz aalm; Opamp retiminde kondansatr kullanlmadndan katlar birbirlerine direkt kuplajl olarak balanrlar. Bundan dolay alma
noktasnn seviyesi katlar ilerledike artar veya azalr. Bu artma ve azalma besleme gerilimlerine kadar devam eder. Bunun dnda opampn girilerinde iaret yok iken, kn sfr
olmas iin de seviyenin ayarlanmas gereklidir. Seviye kaydrc iin giri direnci byk,
k direnci kk olan bir emiter izleyici devre kullanlr. Bu devre buffer olarak da bilinir.
rs
no
de
em
Farksal ykselte, opamp tasarmnda kullanlan ilk bloktur. Opamp tasarmnda bir veya
birka adet fark ykselteci kullanlr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
En basit bir farksal ykselte (Diferansiyel ykselte=differantial amplifier) devresi ekil1.7'de blok olarak gsterilmitir. Bu ykselte; iki ayr giri terminali ve bir adet de k
terminaline sahiptir. Farksal ykseltecin, temel ilevlerinden birisi girilerine uygulanan iki
ayr sinyalin farkn almas ve ykseltmesidir. Fark ykselteleri, DC gerilimden bir ka
MHz'e kadar olan iaretleri kuvvetlendirirler.
V1
Vo
V2
ekil-1.7 de grlen farksal ykseltecin giri sinyalleri; V1 ve V2 dir. k sinyali ise topraa
gre llen V0 k gerilimidir. deal bir diferansiyel ykseltecin k sinyali;
V0 = AD (V1 V2 )
Kaplan
ri.
VD = V1 V2
tla
1
VC = (V1 V2 )
2
no
Formlde ki VC deeri ortak mod sinyalidir. Ortak Mod sinyali VC, farksal ykselteci ideal
durumdan uzaklatrr. yi dzenlenmi bir farksal ykseltete ortak mod sinyalinin yok
edilmesi gerekir. Ortak mod sinyalinin nasl yok edilecei aada ayrntlar ile
anlatlmtr.
rs
V0 = ( A1 V1 ) + ( A2 V2 )
de
Burada A1 ve A2 giri sinyaline baml olarak, kta aseye gre oluan amplifikasyon
deeridir. Yukardaki VD ve VC eitliinden yararlanarak V1 ve V2 deerlerini yeniden
yazalm.
1
V1 = VC + VD
2
1
V2 = VC VD
2
em
1
1
V0 = A1 (VC + VD ) + A2 (VC VD )
2
2
.e
Bu ifade sadeletirilirse,
V0 = VC ( A1 + A2 ) + VD
( A1 A2 )
2
AD =
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
A1 A2
2
AC = A1 + A2
cinsinden yazlrsa, k gerilimi (V0);
V0 = VC AC + VD AD
Deerine eit olur. Bu formlde AD, giri sinyallerinin farknn kazancdr. AC ise giriin iki
terminalindeki sinyalin ortak kazancdr (ortak mod kazanc).
Eer girite ortak mod sinyali yok ise (olmas istenmez) VC=0 dr. Bu durumda k sinyali;
V0 = VD AD
10
AD =
V0
VD
ri.
olarak llr. ki giri iin ortak mod sinyali (VC) llebilir. Bu durum da VD=0 yaplrsa,
ortak mod kazanc AC=V0/VC dir. Kaliteli bir diferansiyel ykseltete, diferansiyel kazan
(AD) byk, Ortak mod kazanc (AC) ise kk olmaldr.
tla
Diferansiyel ykseltecin kalitesini tayin etmek amac ile bu iki kazan arasndaki orana
baklr. Bu oran ortak mod eleme oran (Commen-mode rejetion ratio: C.M.R.R) olarak
isimlendirilir. Aadaki ekilde ifade edilir.
no
CMRR = =
AD
AC
rs
C.M.R.R deeri iyi bir diferansiyel ykseltede 1000 ile 10000 arasnda bir deerde
olmaldr. deal bir differansiyel ykseltete ise sonsuzdur. Bu deer kataloglarda desibel
olarak ifade edilir. C.M.R.R deerinin desibel olarak ifadesi aadadr.
AD
AC
de
em
Transistrl temel bir fark ykselteci ekil-1.8'de verilmitir. Devre simetrik bir yapya
sahiptir. Fakat transistrlerin zellikleri ve scaklk etkisinden dolay mutlak bir simetrilik
sz konusu deildir. Bundan dolay difamp girilerine uygulanan VS1 ve VS2 gerilimleri eit
olsa bile dengesizlikten dolay k gerilimi sfr olmayacaktr. [V0=AD(VS1-VS2)]
.e
Bu durum ortak mod kazancndan dolaydr. Amacmz ise ideal diferansiyel ykselte
zelliklerine yaklamaktr. deal bir dif-ampte Ortak mod kazanc (AC) sfrdr.
+V CC
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R C1
C2
C1
RC2
V0
Q1
RS1
+
VS1
Q2
E1
RE
E2
RS2
+
RE
VS2
-VEE
ekil-1.8 Emiter Kuplajl transistrl diferansiyel ykselte devresi
11
ri.
Girilere VS1 ve VS2 gerilimleri eit deerde uygulandn da fark iareti VD=0 olacandan
k iareti V0=AC.VC olur. Farksal ykselte, tam simetri olmadndan eer RE direnci ok
byk seilirse RE zerinden geen IE akm ok kk olur. Bu durumda emiter akmlar
IE1 ve IE2 yaklak sfr olur. IC2>IB2 olduundan, IC2=IE2=0 olur. Grld gibi ortak mod
kazancn (AC) kltmek iin RE direncini bytmek gerekir.
DC analiz:
tla
+V CC
C2
C1
no
R C1
Q1
RC2
Q2
E2
E1
rs
RS1
RS2
de
VS1
2RE
2R E
-VEE
-VEE
VS2
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IC1=IC2=IC,
IB1=IB2=IB,
IE1=IE2=IE
Devredeki ortak emiter direnci RE, her iki emiterin akmn tar ve emiter direncinden
geen akmn deeri;
IRE=IE1+IE2=2IE
olur. Emiter gerilimi VE ise ;
VE=VRE-VEE=(IRE.E)-VEE
olur. ki transistrn emiter gerilimi ayn olduuna gre; VE gerilimi,
VE=(2IE)RE-VEE
olur.
12
ac analiz:
ri.
RC
RS
no
RS
VS
RC
tla
2R E
+
V0 /2
a)
b)
rs
de
diferansiyel kazan;
VD=VS1-VS2=0
em
olur.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
AC =
I R
R
V0
= C C = C
I B R in
VS
Rin
Burada Rin direnci, gerilim kayna tarafndan grlen giri direncidir. Deeri;
Rin=(+1)2RE+RS+Ri
Ri direnci, transistrn giri direncidir. Ri ve RS diren deerleri, (+1)2RE deeri ile
karlatrldnda ihmal edilebilir. nk ok kktr. Buna gre ortak mod kazanc
aadaki gibi olur ;
AC =
( . RC )
( + 1)2 R E
13
Gerekte RE direnci yalnz AC edeer devrede ihmal edilebilir. Aslnda fiziksel olarak
devrede vardr. Eer diferansiyel ykseltecin giri terminallerindeki sinyal;
V S1 + V S2
=0
2
tla
VC =
VS
2
ri.
V C = VS 2 =
I B . RC
V0
I .R
R
= C C =
= C
2
.
2
.
2
VS
I B Rin
I B R in
Rin
no
AD =
AD =
( RC )
2( R S + R i )
de
rs
em
AD
AD
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RC
2 ( R S + R i ) ( + 1) 2 R E
AD
CMMR =
=
=
RC
AC
(2 RS + R i )
( + 1) 2 R E
( + 1)RE
RS + R1
ifadesi bulunur. Uygun alma noktasnn elde edilmesi iin, bu eitlikte grld gibi RE
deerinin transistr tipide gz nne alnarak yksek seilmesi gerekir. C.M.R.R orannn
yksek olmas transistrn kalitesini artrd biliniyordu. Fakat transistr alma
artlarndan dolay RE direncini istediimiz byklkte seemeyiz.
rnein C.M.R.R orann bir ka yz civarnda olmasn isteyelim. Gerek devre iin
RE=100K ohm seelim. Bu durumda her transistr iin 1 mili amperlik akm elde etmek
istiyorsak RE direncinden 2mA'lik akm gemesi gerekir. Bunun iin ihtiyacmz olan VEE
kaynak gerilimi;
14
VEE=IE.IE 'den
VEE=(-2.10 -3).(100.10 3)
VEE=200 volt
tla
ri.
Bulunur. Bu deer ise transistrl ykselteler iin uygun bir deer deildir. Buradan u
sonu kyor. RE direncini fazla artramyoruz. Bu duruma are olarak RE direnci yerine
sabit akm kayna kullanrsak sorunu zeriz. Ancak kullanacamz akm kaynann
k direncinin yksek olmas gerekir. Bundan dolay transistrl bir sabit akm kayna
kullanlr.
no
Kaliteli bir diferansiyel ykselte oluturmak iin, ekil-1.8'de grlen fark ykseltecinin
emiter devresine transistrl sabit bir akm kayna eklenmitir. ekil-1.11'de grlen bu
devre dikkatle incelenirse ilave edilen transistr ortak beyz balantldr. Bilindii gibi bu
balantda kollektr devresinin k direnci olduka yksektir. (Bir ka K civarnda) Bu
diren ykselte transistrlerinin iki emiterinin de ortak direncidir. Bylece ykselte ok
yksek ortak mod eleme oran (CMRR) salayarak, ideal bir farksal ykselte halini alr.
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R2
R1 + R 2
+V CC
R C1
C2
IC1
Ib1
V01
RC2
V02
Q1
I b2
Q2
RS1
RS2
Q3
VS1
VS2
R3
R2
R1
-VEE
ekil-1.11 Sabit akm kaynakl farksal Ykselte
15
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
olur. Bylece R3 ten geen akm;
I3 =
VR 3
2
1
R2
R2
=VR
= |V EE|
=
|V EE|
R3
R3 R3
R1 + R 2 R 3 ( R1 + R 2 )
ri.
IE= I3=I3
tla
R2
IE =
VEE
R3 ( R1 + R2 )
no
Temel diferansiyel ykselteci olutururken devre elemanlarn simetrik kabul ettik ve ideal
devre elemanlarndan oluturulduklarn varsaydk. Pratik uygulamalarda ise ideal bir
eleman bulmak mmkn deildir. Her elemann belli tolerans deerleri vardr.
de
rs
R C1
+V CC
.e
em
Ib1
V01
RC2
V02
Q1
I b2
Q2
P
RS1
RS2
Q3
VS1
VS2
R3
R2
R1
-VEE
ekil-1.12 Ayarl Sabit akm kaynakl Farksal Ykselte
C2
IC1
16
ri.
tla
de
rs
no
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
deal bir opampn giri ular topraklandnda k gerilimi Vo=0V olmaldr. Pratikte ise
opamp kndan 0V yerine, deeri bir ka mikrovolt ile milivolt mertebesinde deien
hata gerilimleri alnabilir. Bu durum opampta kullanlan transistrlerin dengesizliinden
dolaydr. Kimi uygulamalarda bu deer gz ard edilebilir. Fakat hassas uygulamalarda
bu durum gz nne alnmal ve k gerilimi 0V mertebesine ekilmelidir. k gerilimini
0V mertebesine indirebilmek iin eitli yntemler vardr. retici firmalar kataloglarnda
giri dengesizlik gerilimini yok edip k 0Va indirmek iin gereken yntemler verirler.
Opampta oluan gerilim dengesizliinin nasl sfrlanaca baz opamp tipleri iin ekil1.13de verilmitir. Verilen yntemler denenmi en uygun yntemlerdir. rnek olarak
verilen opamp devrelerinde k hata gerilimi bir ayarl diren vastas ile sfrlanmaktadr.
Giri dengesizlik gerilimi (input ofset voltage) nedeni ile opamp knda oluabilecek hata
gerilimlerinin nasl sfrlanaca her bir opamp tipi iin retici kataloglar incelenerek
gerekli sistemler kurulabilir.
17
-V
-V
5
4
5.1M
ri.
-V
+V
+V
10K
1-5M
tla
no
rs
em
de
B -
.e
B ++IB - B -
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Q1
V0
Q2
B +
B +
a) Edeer devre
IB+ ve IB- olarak tanmlanan bu akmlar. Birbirine eit olmayabilir. Bu iki akmn mutlak
deerlerinin toplamlarnn yarsna giri kutuplama akm denir ve deeri aadaki gibi
formle edilir.
IB =
I B+ + I B
2
IB akmnn deeri FET kullanlan opamplarda 1pAden kk, transistrl opamplarda ise
1pA ile 1mA arasndadr. Giri kutuplama akmlar kimi durumlarda opamp kn
gerilimini etkiler ve hatalar deerler alnmasna sebep olabilir. deal durumda opamplarda
giri gerilimi Vi=0V olduunda k gerilimi Vo=0V olmaldr. Pek ok uygulamada
kutuplama akmlar ihmal edilebilir.
18
Opampn k gerilimi Vo=0V yapldnda veya olduunda, IB+ ve IB- akmlarnn mutlak
deerlerinin farkna giri dengesizlik akm (Input Ofset current) denir ve IOS olarak
tanmlanr.
ri.
I OS = I B+ I B
tla
reticiler; rettikleri her bir farkl opamp tipi iin bu deeri kataloglarnda verirler. retici
kataloglarnda verilen IOS deeri; genellikle opamp k gerilimi Vo=0V iken 250C oda
scakl altndadr.
no
Kayma (Drift-Srklenme):
I O kayma =
V O kayma =
.e
em
de
rs
Giri dengesizlik akm veya geriliminin scaklkla deimesine kayma denir. Dengesizlik
akmndaki kayma nA/0C, dengesizlik gerilimindeki kayma ise V/0C eklinde tanmlanr
ve aadaki gibi formle edilirler.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
I O
T
V O
T
nA / 0 C
V / 0 C
19
I max
C
max
V0
t
ri.
SR
max
no
tla
olarak formle edilebilir. Yukarda verilen eitlikler aslnda birbirinden farkl deildir.
nk bir kondansatrden belli bir t zamannda I akm geerken zerinde birikecek Q
yk ve ularnda oluacak V gerilimi ilikisini hatrlayalm.
V 1
=
Q=I.t SR=C.V
t C
retici firmalar ounlukla tam gteki opamp band geniliini kataloglarnda verirler. Bu
deer verilen bir SR deeri ile k geriliminin tepe deeri (VP) arasndaki ilikidir.
Aadaki ekilde formle edilir.
rs
f max =
SR
2 V p
de
rnek: 741 tipi genel amal bir opampta Deiim hz SR=0.5V/sdir. Bu deere gre;
a) VoSAT=12Vluk k iin tam gteki band geniliini
1.2
em
.e
zm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
a) f max =
0.5(V / s )
0.5 106
SR
=
= 6.634 KHz
=
2 V p 6.28 (12V ) 6.28 12V
b) f max =
Grld gibi opamp k geriliminin genlii azaldka, giri iaretinin frekans limiti
artmaktadr. reticiler her hangi bir opamp iin deiim hzn birim kazanta verirler.
nk opamplarda deiim hz en kk deere birim kazanta ular.
Bir opampn giriindeki iaretin deiim hz, opampn deiim hzndan daha kk
olmaldr. Daha byk olduunda opamp, giriindeki iaretin deiim hzna yetiemez.
Dolays ile opamp k iaretinde bozulmalar meydana gelir. Bu durumu nlemek iin
daha byk deiim hzna sahip opamplar kullanlmaldr.
Opampn almasn etkileyen en nemli karakteristikler yukarda maddeler halinde
verilmitir. Bununla birlikte kimi uygulamalarda nem arzeden bir ka parametre daha
vardr. Bu parametreleri ve zelliklerini retici kataloglarnda inceleyebilirsiniz. Tablo1.2de size rnek olmas amac ile genel amal bir opampn retici kataloglarndan alnan
karakteristikleri verilmitir.
20
Kaplan
ZELLKLER
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Trke
Orjinal
20nA
100nA
100dB
20V/V
Kayma (srklenme), IO
Drift IO
0.1nA/0C
Drift VO
5V/0C
Deiim Hz, SR
5mV
ri.
tla
Kayma (srklenme), VO
Deer
Slew Rate, SR
1V/s
Unity-gain Frequance
1MHz
Full-power, BW
50KHz
Open-loop gain
100000
Input impedance
1M
Ak evrim k Direnci, R0
Output impedance
100
rs
no
.e
em
de
21
co
m
Kaplan
Amalar:
no
rs
2.1
2.2
2.3
2.4
tla
Konular:
ri.
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
de
em
.e
BLM 2
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
tla
Eviren Ykselte
Eviren Toplayc
Evirmeyen Ykselte
Evirmeyen Toplayc
no
Eviren Ykselte
de
rs
.e
em
Opampn kazancn kontol etmede en etkili yntem geri besleme kullanmaktr. Temel bir
eviren ykselte devresi ekil-2.1de verilmitir. Devrede dolaan akmlar ve gerilim
dmleri devre zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
RF
+ VRF -
VA
R1
+ VR1 -
I1
I=0A
+V
If
0V
VN
I=0A
-V
IL
RL
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Opampn eviren (-) ve evirmeyen (+) girileri arasnda potansiyel fark yoktur.
Ksaca gerilim fark sfrdr.
23
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Opampn eviren (-) ve evirmeyen (+) ularndan, opamp ierisine kk bir akm
akar. Bu akm ok kk olduundan ihmal edilebilir.
ri.
I1 + I F = 0
tla
(VN VA ) + (V0 VA ) = 0
no
R1
RF
de
rs
VN V0
+
=0
R1 RF
em
buradan k gerilimi;
R
V0 = V1 F
R1
V
VRF = I1 RF = N RF = V0
R1
olacaktr. Devrede Rf direncinin bir ucu toprak potansiyeline bal olduu iin RL yk
direncine paralel olarak dnebilir. Dolays ile Rf ularnda ki gerilim dm k
gerilimi Vo deerine eit olur. Bylece giri iaretinin fazda terslenmi olur. Baka bir
ifadeyle giri iareti evrilmitir. Opampn kazanc ise;
A=
olarak aa kar.
.e
24
V0
R
= F
VN
R1
rnek:
2.1
ekil-2.2de grlen eviren ykselte devresinde LM741 tipi opamp kullanlmtr. Devre,
12Vluk simetrik kaynakla beslenmitir.
a. Devredeki I0 akmn, k gerilimini V0, Kapal evrim gerilim kazancn A
bulunuz?
ri.
tla
R f= 10K
- VRf +
+12V
no
R1 = 1K
+ VR1 -
I=0A
I1
V1
0.5V
I=0A
+
-12V
RL
2.2K
V0
-
rs
em
zm
de
I1 =
V1 0.5V
=
= 0.5mA
R1 1K
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0 =
Rf
R1
V1 =
10 K
(0.5V ) = 5V
1K
Rf
V0
=
= 10
V1
R1
V0
RL
5V
= 2.27mA
2.2 K
25
150K
+V
R1
V0
3V
10K
0.2
I=0A
ri.
V1
V1
I=0A
V0
RL
-V
-0.2
tla
-3V
no
rs
ACL =
Rf
R1
150 K
= 15
10 K
de
Rf
R1
V1 =
150K
(0.2V )
10K
V0 = 3V
.e
em
olacaktr. Eviren amplifikatr zelliinden dolay giri geriliminin faz 1800 derece faz
terslenmi olarak ka yansyacaktr. Bu durum ekil-2.3 zerinde ayrntl olarak
gsterilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Eviren Toplayc
Temel eviren ykselte devresindeki negatif terminale tek giri yerine, ekil-2.4'deki gibi bir
ok giri iareti balanrsa opamp eviren toplayc olarak alr. Eviren toplayc devre,
giriine uygulanan iaretleri toplayarak kna aktarr.
Eer giri gerilimleri sras ile; V1, V2 .. Vn ise; ortak u (negatif terminal) toprak
potansiyelinde olduu iin opampn + ile - terminalleri arasnda potansiyel fark yoktur.
Dolays ile her bir koldan akan akmlar sras ile;
I1 =
V1
,
R1
I2 =
V2
,
R2
In =
Vn
Rn
olur. RF geri besleme direncinden bu akmlarn toplam kadar bir akm akacandan
(opampn iine akm akmaz, giri direnci sonsuzdur). Bu durumda opampn k gerilimi;
V 0 = (I 1 + I 2 + I n ) R F
V 1
Vn
V2
V 0 = R F +
RF +
RF
R2
Rn
R1
26
V
V
V
V0 = R F 1 + 2 + n
R1 R 2 R n
R1
RF=R
I1
If =I1+I2++In
I T=If
R2
I2
~0V
Rn
741
+
IL
-12V
In
RL
+
V0
-
no
Vn
If
+12V
tla
V2
ri.
V1
rs
de
0.2V
0.2V
0.2V
+
+
V 0 = 100 K
10
K
10
K
10
K
= 6V
em
elde edilir. Toplayc devrede Rf=R1=R2=Rn seilirse kta giriler ykseltilmeden sadece
toplanm olarak alnr. Yine ayn mantkla giri iaretlerinin ortalamas ktan alnabilir.
Bunun iin;
R1=R2=Rn=R , Rf=R/3
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0=(5+5+(-1))/3
V0=-3 volt
27
Rf
mic1
If
+12V
R2
~0V
741
ri.
mic2
Rn
IL
-12V
+
V0
tla
mic3
no
Evirmeyen Ykselte
rs
de
em
Rf
R1
I=0A
.e
+12V
Rf
If
R1
~0V
I1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
I=0A
V1
IL
RL
V0
-
+12V
If
~0V
I1
+
-12V
I=0A
I=0A
V1
-12V
IL
V0
RL
V0 = I 1 R1 + I F R F
elde edilir. Devrede;
I1 = I F
olduu grlmektedir. Bu durumda yukarda verilen eitlii k gerilimini bulmada
yeniden yazarsak V0 ;
28
Kaplan
V0 = I 1 R1 + I 1 R F
denklemini elde ederiz. Bu denklemde; I1 Akm,
V1
V
R1 + 1 R F
R1
R1
tla
V0 =
denklemi dzenlersek;
V1
RF
R1
no
V0 = V1 +
rs
R
V0 = V1 1 + F
R1
denklemi elde edilir. Yukarda elde edilen denklemin nda evirmeyen ykselte
devresinde kapal evrim kazanc ACL ise;
de
R
ACL = 1 + F
R1
deerine eittir.
em
.e
rnek:
2.3
V1
R1
ri.
I1 =
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R F=10K
If
R1=2K
+12V
I=0A
I1
IF
~0V
V1
2V
I=0A
+
-12V
IL
29
RL
3.3K
V0
-
V1
R f V0 = 2V
R1
10 K
1 +
2 K
V0 = 12V
tla
V0 = V1 +
ri.
zm
10 K
ACL = 1 +
=6
2 K
no
R
ACL = 1 + F
R1
V0
RL
IL =
12V
= 3.63mA
3 .3 K
rs
IL =
em
de
.e
rnek:
2.4
If
R1=10K
I1
R2=1K
V1
1V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
+12V
I=0A
~0V
I=0A
+
-12V
R3
1K
IF
IL
RL
1K
V0
-
VA
zm
Devreyi analiz edebilmek iin yaplmas gereken ilk ilem, opampn evirmeyen giriine
uygulanan gerilim deerinin bulunmasdr. Opampn evirmeyen giriine uygulanan
gerilime VA dersek; Devreden VA gerilimini bulalm.
VA =
V1
1V
R3 V A =
R 2 + R3
1K + 1K
30
V A = 0.5V
R
V0 = V A 1 + F
R1
ri.
100 K
V0 = 0.5 1 +
= 5.5V
10 K
V0 5.5V
=
= 5.5mA
RL
1K
I1 =
V A 0.5V
=
= 00.5mA
R1 10 K
tla
IL =
no
rs
Evirmeyen Toplayc
em
de
RF
+12V
+12V
R
.e
R3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R1
VA
V1
V0
V0
RL
R2
-12V
IL
R/2
-12V
VA =
V2
RL
IL
V1 + V2
R
VA geriliminin deerini bulmak iin opamp zelliklerinden yararlanarak devreyi ekil2.9.bde grld gibi yeniden dzenleyebiliriz. Bu durumda VA gerilimi K.G.K dan;
VA =
V1 V 2
R2 + V2
R1 + R2
31
V1 V2
R + V2
2R
V1 + V2
R
tla
R
2
ri.
R E = RTH =
V0 = 2 V A
olarak bulunur.
no
V0 = V1 + V2
rs
Evirmeyen ykseltele tpk eviren ykselteteki gibi giri gerilimlerinin ortalamasn alan
veya toplayp kuvvetlendiren devrelerde gerekletirilebilir. rnein devrede n adet giri
varsa RF deeri;
RF=(n-1)R
de
yaplr. Bu durumda ykselte kazanc giri says kadar olup, kta giri gerilimlerinin
toplam olan bir gerilim deeri elde edilir.
em
.e
Bu blmde opampla gerekletirilen temel bir fark alc devreyi inceleyerek birka
temel uygulama rneini inceleyeceksiniz.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Temel fark alc devre, karc amplifikatr (differance amplifier) veya farksal ykselte
olarakda isimlendirilir. Temel bir fark alc devresi ekil-2.9'da gsterilmitir. Devre
dikkatlice incelendiinde opampn her iki giriinin de kullanld grlmektedir. Devrenin
temel alma prensibi eviren ve evirmeyen girilerine uygulanan iaretlerin farkn
almasdr. Bu tip ykselteler pek ok endstriyel uygulamada sklkla kullanlrlar.
Opamp devresinin fark alma (karma) ilemini nasl yaptn ekil-2.10dan yararlanarak
aklayalm. Bu devrede; giriten uygulanan iki ayr iaretin fark alnp ka
aktarlmaktadr.
32
RF
+12V
R1
V1
ri.
I=0A
R2
I=0A
R3
VA
V0
RL
-12V
tla
V2
RF
rs
RF
no
+12V
de
R1
V1
-12V
R2
V01
V02
RL
em
R3
V2
.e
+12V
R1
R2
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R3
-12V R L
VA
RF
R1
R
V02 = V A 1 + F
R1
33
VA =
R3
V2
R3 + R 2
ri.
R3
R
V02 =
V2 1 + F
R1
R 2 + R3
tla
R F R3
V2
V 02 = 1 +
R1 R3 + R2
no
V0 = V01 + V02
rs
R
R3
R
V2 )
V0 = F V1 + (1 + F ) (
R1
R2 + R3
R1
olarak bulunur. rnein ekil-2.12deki temel fark alc devrede R1=R2=R3=RF olarak seilirse
k gerilimi;
de
V0 = V2 - V1
em
olarak bulunur. Grld gibi devre giriine uygulanan gerilimlerin farkn almaktadr. Bu
devrede;
R3=RF ve R1=R2
semek art ile devreyi fark ykselteci haline getirmek mmkndr.
RF
+12V
R1
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
I=0A
R2
V1
I=0A
V2
R3
-12V
RL
VA
34
V0
rnek:
2.5
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
+12V
R1
4V
V2
tla
R2
V1
R3
4V
VA
-12V
RL
V 02
IL
zm:
no
de
rs
RF
R
V1 + (1 + F ) VA
V 0 =
R1
R1
R
R3
R
V2 )
V0 = F V1 + (1 + F ) (
R1
R2 + R3
R1
V 0 = [ 4V ]+ [(1 + 1) (0.5 4V )]
V 0 = [ 4V ]+ [(4V )]
V 0 = 0V
Grld gibi fark alc devre opamp giriine uygulanan iaretlerin farkn almtr. k
gerilimi Vo=V2-V1 olmutur. Opamp kna balanan RL yk direnci zerinden geen IL
akmn hesaplayalm.
IL =
V0
RL
.e
em
10 K
10 K
10 K
V0 =
4V + (1 +
)(
4V )
10 K 10 K + 10 K
10 K
35
IL =
0
=0
1K
rnek:
2.6
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
+12V
R1
V1
2V
R3
2V
VA
-12V
RL
V 02
IL
no
V2
tla
R2
rs
zm
de
R
R3
R
V2 )
V0 = F V1 + (1 + F ) (
R1
R2 + R3
R1
Grld gibi fark alc devre opamp giriine uygulanan iaretlerin farkn almtr.
k gerilimi Vo=V2-V1 olmutur.
Opamp kna balanan RL yk direnci zerinden geen IL akmn hesaplayalm.
IL=
V0
RL
.e
em
10 K
10 K
10 K
(2V ) + (1 +
)(
2V )
V 0 =
10 K 10 K + 10 K
10 K
36
IL=
4V
= 4mA
1K
rnek:
2.7
+12V
2V
2V
R2
VA
-12V
RL
V02
IL
no
V2
tla
V1
ri.
R1
zm:
R
V0 = F V1 + (1 + F ) (+2V )
R1
R1
10 K
10 K
) (2V )
2V + (1 +
V 0 =
10 K
10 K
.e
em
de
rs
R
R
V 0 = F V1 + (1 + F ) V A
R1
R1
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V 0 = [ 2V ] + [4V ]
V 0 = +2V
Gerilim izleyici devre, evirmeyen ykselte devresinin zel bir halidir. Temel bir gerilim
izleyici devre ekil-2.14de verilmitir. Dikkat edilirse bu devrede Rf geri besleme direnci
kullanlmam, geri besleme direkt yaplmtr. Opamp girileri arasnda gerilim fark
olmadndan k gerilimi Vo, giri gerilimi ile ayndr (Vo=Vin). Devrede gerilim kazanc
yoktur. Bu nedenle bu tip devrelere gerilim izleyicisi denir.
37
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
+V
0V
ri.
V0 =Vin
-V
tla
Vin
no
Genel amal opamplarla (LM 741 gibi) ekil-2.14deki balant yaplarak gerilim izleyicisi
elde edilebilecei gibi yalnzca bu amala gerekletirilmi operasyonel ykseltelerde
vardr. rnein LM 110 tmdevresi bu ama iin retilmitir. LM 110 tmdevresinde kla
eviren giri arasndaki balant tm devre ierisinde yaplmtr. LM 110 tmdevresinin baz
karekteristikleri aada verilmitir.
de
rs
I=0A
+V
+V
I0
0V
Vin
0V
-V
IL
RL
V0=V in
Vin
-V
.e
em
38
IL
RL
V0=Vin
ri.
tla
no
de
rs
Trev alc devresi, genel olarak bir eviren ykselte zelliindedir. Fark olarak girite R1
direnci yerine C kondansatr bulunmaktadr. Genel bir trev alc devresi ekil-2.16da
verilmitir. Trev alc, giriinden uygulanan iaretin trevini alarak ka aktaran bir
devredir.
RF
iF
+V
.e
em
Vin
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RL
-V
V0
dVin
dt
V0 = R F C
dVin
dt
olarak ifade edilir. Bu denklemden de grld gibi k gerilimi (V0), giri geriliminin
trevi ile orantldr.
39
ekil-2.17de verilen trev alc devre giriine genlii tepeden tepeye Vpp=0.5V olan
2KHzlik bir gen dalga iareti uygulanmtr. k geriliminin (Vo) analizini yaparak
dalga biimini iziniz.
tla
rnek:
2.8
ri.
Trev alc devrenin k denkleminde kullanlan; dVin/dt ifadesi herhangi bir anda giri
iaretinin eimini veya deiim hzn belirtmektedir. Bu ifade matematiksel olarak trev
fonksiyonu olarak bilinir. Dolays ile ierisinde eim veya deiim barndran tm
iaretlerin trevini almak sz konusudur. Konunun daha iyi anlalmas amac ile
aada rnek bir devre zm verilmitir.
RF =10K
C=10nF
no
Vin
f=2KHz
0.5
+V
V in
0.5
rs
T=0.5ms
de
t1=0.25ms
-V
V0
t 2=0.25ms
zm: Verilen devrede nce pozitif eimi hesaplayalm. V1 ve V2 iaretlerinin farkn alp
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0 ( t 1 ) = R F C
dVin
= 50 10 3 10 10 9 2000 = 1V
dt
dVin
V
= 50 10 3 10 10 9 2000 = 1V
dt
s
40
V in
0.5V
f=2KHz
0
0.5V
t1 =0.25ms
ri.
T=0.5ms
t2=0.25ms
1V
t1
-1V
t2
t3
no
tla
V0
.e
em
de
rs
Pratik uygulamalarda ekil-2.16daki devre yaln hali ile yeterli deildir. rnein yksek
frekanslarda C kondansatr ksa devre gibi davranacandan ykseltecin kazancn
artrarak doyuma gtrebilir. Ayrca Vin iaretinin ierisinde eitli grltler olabilir.
Grlt iaretleri ise ok geni frekans tayfna sahiptir. Bu durumda grltde olduu gibi
ykseltilebilir. Bu istenmeyen durumu nlemek iin opamp devresinin kazancn yksek
frekanslar iin snrlamak gerekir. Bu amala ekil-2.18de grlen devre gelitirilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RF
R1
Vin
iF
C1
+V
R2
-V
V0
1
= FC
2 R 1 C 1
2- Devrede RfC1 arpm "zaman sabiti" olarak isimlendirilir. Giri iaretinin periyodu
yaklak bu deerde olmaldr.
41
Entegral Alc
Entegral alc devre, girie uygulanan iaretin entegralini alarak ka aktarr. Bu ilemi
gerekletiren bir entegral alc devre ekil-2.19da gsterilmitir. Grld gibi bu devrede
geri besleme bir kondansatr yardm ile yaplmaktadr.
ri.
iF
-V
RL
V0
rs
Vin
no
+V
tla
R1
de
em
Entegral alc devrenin n noktasndaki gerilim, opamp giri zelliinden dolay 0 volt
civarndadr. Bu durumda i akm ise i=Vin/R1 veya i=-IF dir. Bilindii gibi kondansatr
ularndaki gerilim;
VC =
1
IF
C
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IC = C
dv
dt
deerine eittir.
Bu aklamalardan sonra devredeki n noktas iin K.A.Ky yazalm;
I IF = 0 I = IF
Vin
dV0
C
=0
R1
dt
Vin
dV0
+C
R1
dt
V0 deerini bulmak iin her iki terimin zamana gre trevini alrsak;
V0 =
1
Vin dt
R1 C
deerini buluruz. Formlden de grld gibi opamp giri geriliminin entegralini alan bir
devre olarak almaktadr. Bilindii gibi entegral anlam olarak bir erinin altnda kalan
alana karlk gelmektedir. ekil-2.19da verilen temel entegral alc devre bu haliyle yeterli
deildir. Gelitirilmi bir entegral alc devresi ekil-2.20de verilmitir.
42
C
RP
R1
ri.
+V
Vin
-V
RL
V0
tla
R2
no
de
rs
F GR F C =
1
2 R P C F
.e
em
Ayrca devrenin zaman sabitesi (1/R1Cf) ile, girie uygulanan iaretin frekans fGR<fC
olduunda devre sadece eviren ykselte olarak alr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Bilindii gibi devre entegral alc olarak alt zaman, giri iaretinin entegralini alarak
ka aktarr. rnein giri iareti kare dalga biiminde ise, devre knda gen dalga bir
iaret alnr. Konunun daha iyi anlalmas amac ile aada rnek bir devre analizi
verilmitir.
rnek: ekil-2.21de verilen trev alc devre giriine genlii tepeden tepeyede Vpp=2V olan
2KHzlik bir kare dalga iareti uygulanmtr. k geriliminin (Vo) analizini yaparak
2.9
dalga biimini iziniz.
C=0.1F
2V
RP=47K
R1=4.7K
t1
t2
t3
Vin
-2V
0.25ms
0.5ms
+V
n
R2
4.7K
0.75ms
43
-V
RL
10K
V0
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
T /2
Vm dt =
0
t1
Vm
2V
t =
0.25 10 3
3
R 1 C 0 4.7 10 0.1 10 6
ri.
V0 (t 1 ) =
V0 (t 1 ) 1V
V0 ( t 2 ) =
tla
T
t2
Vm
1
2V
=
+
=
0.25 10 3
V
dt
t
m
3
R 1 C T / 2
R 1 C t 1 4.7 10 0.1 10 6
no
V0 (t 1 ) +1V
zm: gsterelim.
rs
V in
f=2KHz
2V
de
t1
t2
t3
-2V
t 2=0.25ms
V0
1V
0
-1V
t
T=0.5ms
.e
em
t 1=0.25ms
44
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V
0
mt
-mRC
rs
rampa
de
V m Sin w t
em
m1 t
mt 2
2 R C
-Vm w RC Cos w t
Vm
cos t
R C
-m1 RC
m2 t
V
t
R C
no
tla
ri.
Opampla Entegrali
-m2 RC
.e
Parabolik
45
co
m
Kaplan
Konular:
Amalar:
no
rs
3.1
3.2
3.3
3.4
tla
ri.
Opamp Uygulamalar
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
de
Pratik opamp zellikleri ve 741 tipi tmdevre opampn tantlmas ve terminal balantlar
em
.e
Opamp Karakteristikleri
BLM 3
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
no
ri.
Kullanm amacna ve ilevine bal olarak pek ok tip gerilim karlatrc devre
gelitirilmitir. Bu blmde srayla aada belirtilen temel karlatrc devreleri
incelenecek ve uygulama rnekleri verilecektir.
de
rs
.e
em
Referans gerilimi; pozitif, negatif veya sfr deerinde olabilir. Komparatorler genellikle
referans gerilimin polaritesine bal olarak; pozitif, negatif ve sfr gerilim seviye dedektr
olarak da isimlendirilerek snflandrlmaktadr. Komparatorlar aada belirtilen amalar
iin kullanlrlar.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Her hangi bir iaretin sfr seviyesinden ne zaman ve hangi ynde getiini
belirleyen sfr seviye detektrleri olarak.
Her hangi bir iaretin belirli bir referans gerilimine ne zaman ulatn gsteren
gerilim seviye detektr olarak kullanlrlar
Kullanm alanlar son derece geni bir alan kapsayan komparatorlar; darbe genilii
modlatr (PWM), tepe detektr, gecikme ve zamanlama devrelerinde temel devre
eleman olarak kullanlmaktadr. Analog ve saysal veri ileme ve oluturma sistemleri ise
dier nemli kullanm alanlarndandr.
Basit Komparatr
Genel amal bir opamp, komparator olarak kullanlaca gibi bu i iin zel olarak retilmi
ve tek bir tmdevre ierisine yerletirilmi komparatorlar vardr (LM 101, LM 301 v.b gibi).
Bu tmdevreler daha iyi sonu verirler. Opamp kullanlarak oluturulmu basit bir
47
V
+1V
+V
0
-1V
tla
VR =0V
ri.
RL
no
V0
+V DOY
V0
-V
V >0
t
V<0
-V DOY
rs
ekil-3.1 Evirmeyen girili basit bir komparator devresi ve giri/k dalga biimleri
de
Komparator devresinde opampn evirmeyen giriine gen dalga uygulanm, eviren giri
ise aseye balanmtr. Dolaysyla komparator devresinin referans gerilimi VR=0Vdur.
Opampn evirmeyen giriine uygulanan V giri iaretinin deeri; VR deerinden byk
olduunda yani V>0 olduunda opampn k gerilimi pozitif ynde doyuma (+VDOY)
gidecektir. V<0 olduunda ise komparator k negatif ynde doyuma (-VDOY) gidecektir.
nk opampn ak evrim kazanc maksimumdur.
.e
em
+V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
0
-1V
V0
RL
V R=0V
-V
V0
+VDOY
V <0
0
V >0
-V DOY
ekil-3.2 Eviren girili basit bir komparator devresi ve giri/k dalga biimleri
Yukarda verilen komparator devrelerinde referans gerilimi asedir (0V). V iareti negatiften
pozitife veya pozitiften negatife doru giderken sfr seviyesini keser. k ise bu anlarda +V
48
tla
ri.
de
rs
no
Bir nceki blmde komparatorda kullanlacak referans gerilimi olarak ase potansiyelini
belirlemitik. Bu tr komparatorlara genellikle Sfr Seviyeli Gerilim Dedektrleri
denilmektedir. Komparator devresinde kullanlan opamp girilerinden herhangi birisine
pozitif sabit bir referans gerilimi uygulanrsa bu tr komparatorlere Pozitif Seviyeli Gerilim
Dedektrleri denilmektedir. ekil-3.3.a ve bde bu tr dedektr rnekleri grlmektedir.
ekil-3.3.ada referans gerilimi sembolik bir batarya ile belirtilmitir. ekil-3.3.bde ise
referans gerilimi gerilim blc direnler kullanarak elde edilmitir. Her iki ekilde de
referans gerilimi VR pozitif bir deerdedir.
+V
em
+V
+VR
.e
R1
RL
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0
+V
V
+VR
-V
RL
R2
V0
-V
(b)
(a)
V
V >VR
+VDOY
+V DOY
VR
VR
V <V R
t
V >VR
V<V R
-V DOY
-V DOY
49
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
Komparator devresinde kullanlan opamp girilerinden herhangi birisine negatif sabit bir
referans gerilimi uygulanrsa bu tr komparatorlere Negatif Seviyeli Gerilim Dedektrleri
denilmektedir. ekil-3.4.a ve bde bu tr dedektr rnekleri grlmektedir. ekil-3.4.ada
referans gerilimi sembolik bir batarya ile belirtilmitir. ekil-3.4.bde ise referans gerilimi
gerilim blc direnler kullanarak elde edilmitir. Her iki ekilde de referans gerilimi VR
negatif bir deerdedir.
rs
+V
de
-VR
RL
V0
-V
R1
-VR
-V
em
+V DOY
+V DOY
.e
+V
RL
R2
V0
-V
V <VR
0
-V R
V >VR
0
-V R
t
V <V R
V<V R
-V DOY
-V DOY
no
50
rnek:
3.1
ekil-3.5de verilen gerilim seviye dedektrnn knda elde edilecek gerilim deerini
(V0) hesaplaynz? Opamp ideal olarak kabul ediniz.
+VCC =12V
ri.
V
5V
+V=15V
tla
R1
10K
R2
2K
+VR
RL V0
1K
-V=15V
no
zm: Verilen komparator devresinde nce referans gerilim (VR) deerini bulmalyz. Bunun iin
opampn evirmeyen giriine uygulanan VR deeri;
10K
(+ VCC ) V R =
(12V )
K
K
10
2
rs
R1
VR =
R1 + R 2
V R = 10V
de
olarak bulunur.
Komparatore seviyesinin tespiti iin uygulanacak giri iaretinin deeri ise V=5Vdur. Bu
durumda opampn evirmeyen girii daha etkindir. nk;
em
V < VR
olmutur.
.e
Bu sonuca gre opamp k +VDOY deerine sahip olacaktr. Opampn besleme gerilimi
15V olduuna gre ideal bir opamp iin k gerilimi V0=+15Vdur. Gerek bir opampta
ise Vo=+13V civarndadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
rnek:
3.2
R1
V (v)
+5
0
-VR
-5
R2
RL
+V=12V
51
V0
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Verilen komparator devresinde nce referans gerilim (VR) deerini bulmalyz. Bunun iin
opampn evirmeyen giriine uygulanan VR deeri;
ri.
R1
VR =
( V )
R1 + R 2
tla
2 K
VR =
( 12V )
K
K
2
10
V R = 2V
no
olarak bulunur. Bulunan bu deere gre k iaretinin dalga biimi aada verilmitir.
zm:
V0
+12V
rs
+5V
-V R
de
-2V
-5V
em
-12V
.e
52
+V
RL
ri.
-V
rs
+VDOY
no
tla
de
-VDOY
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
+V
+V
VD
VD
R1
V <VHT
V0
R1
V >VLT
-V
VHT
-V
V LT
R2
V0
R2
(b)
(a)
R2
(+ VDOY )
R1 + R2
olur. Bu gerilime, eik st gerilimi denir. Eer V'nin deerini artrrsak VD geriliminin
polaritesi deiecek ve k gerilimi V0 azalmaya balayacaktr. Bu durumda geribesleme
53
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
ri.
+0.50mV
no
ekil
ekil-3.9da verilen gerilim seviye
dedektrnn analizini yaparak
k dalga biimini iziniz? Giri
iaretinde izin verilebilecek
grltnn tepe deerlerini
hesaplaynz? Giri iaretinin dalga
biimi yanda verilmitir.
R1=100K, R2=100
V + Grlt
V HT
t
VLT
-0.50mV
de
+15V
+15V
VD
-15V
em
VHT, V LT
R1
V0
R2
-15V
.e
zm:
VHT =
VHT =
+15mV
0
-15mV
rs
rnek:
3.3
tla
Sonu olarak, pozitif geribesleme sayesinde k gerilimi V0 daha hzl deimektedir. Eer
alt ve st eik gerilimi deerleri, grlt geriliminin tepe deerinden byk ise, geribesleme
sayesinde grlt etkisi ortadan kalkm olur.
R2
(+ VDOY )
R1 + R2
100
(+ 15V )
100K + 100
VHT 15mV
VLT =
VLT =
R2
( VDOY )
R1 + R2
100
( 15V )
100K + 100
VLT 15mV
Bulunan bu deerler dikkate alnarak gerilim seviye dedektrnn; giri iareti ve grlt etkenlerine
bal olarak alaca k dalga biimi yukarda verilmitir. Grld gibi giri iareti zerine
binebilecek 15mVluk tepe deere sahip bir grlt komparator kn etkilememektedir
54
ri.
Belirli bir frekans bandn geirmek, bunun dnda kalan frekanslar zayflatmak amac ile
filtre devreleri kullanlr. Filtreler; aktif ve pasif olmak zere iki temel tipte tasarlanrlar.
Bu blmde opamplarla gerekletirilmi aktif filtre devrelerini ayrntl olarak
inceleyeceiz.
no
tla
Alak geiren, yksek geiren, band geiren ve band sndren olmak zere drt tip aktif
filtre vardr. Bu blmde sra ile aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler
edinecek ve eitli uygulama devreleri gerekletireceksiniz.
de
rs
Filrelerin balca ilevi, belirli bir frekans bandn geirip dierlerini zayflatmasdr. Pasif ve
Aktif olmak zere iki tip filtre tasarm yaplabilir. Pasif filtre tasarmnda; diren,
kondansatr ve bobin (self) gibi pasif devre elemanlar kullanlr. Aktif filtrelerde ise pasif
devre elemanlarna ilaveten transistr ve tmdevre gibi yariletken devre elemanlarda
kullanlr. Aktif filtrelerin pasif filtrelere nazaran baz avantaj ve dezavantajlar vardr.
Bunlar aada sralanmtr.
Aktif filtre tasarmnda bobin (self) eleman kullanlmaz. Bu nedenle tasarm kolay
ve ucuzdur.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Pasif filtreler herhangi bir besleme gerilimine gereksinim duymazlar. Fakat aktif
filtrelerin her zaman besleme gerilimine gereksinimleri vardr.
Pek ok endstriyel uygulamada ska kullanlan filtreler balca drt tiptir. Bunlar;
olarak adlandrlr. Belirtilen drt tip filtrenin frekans tepkileri (cevaplar) ekil-3.10da
ayrntl olarak izilmitir. rnein alak geiren filtre, belirlenen bir frekansn altndaki
frekanslar geiren, stndekileri ise zayflatan bir devredir. Belirlenen bu frekans deerine
55
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Ke frekans olarak adlandrlr ve Fc ile ifade edilir. denir. Fc, ayn zamanda; 0.707
frekans, -3dB frekans veya kesim frekans olarak da isimlendirilir.
V0
Geen
Band
ri.
V0
Durdurulan
Band
Durdurulan
Band
fC
V0
no
V0
fC
tla
Geen
Band
Durdurulan
Band
Durdurulan
Band
G.B
fR
rs
D.B
Geen
Band
Geen
Band
f
fR
d) Band sndren filtre
em
de
Filtre devrelerinde iletilen frekans aralna geen band, zayflatlan frekans aralna ise
durdurulan veya sndrlen band ad verilir. Alak geiren filtre; kesim frekansnn (FC)
altndaki frekanslar geirir, stndekileri ise durdurur veya zayflatr. Alak geiren filtre
devresinde ke frekansna kadar k gerilim Vo sabittir ve zayflama yoktur. Ke frekans
deerinden sonra k iareti belirli bir eimle zayflar. Bu durum ekil-3.10daki
karakteristikte kesik izgi ile gsterilmitir. Dz izgi ise ideal filtreyi temsil etmektedir.
.e
Yksek geiren filtre; kesim frekansnn (FC) stndeki frekanslar geirir, altndakileri ise
durdurur veya zayflatr. Band geiren filtre ise, sadece belirlenen band ierisindeki
frekanslar geirir, dierlerini zayflatr.
R F=10K
V0
= ACL
V
+V
R1 =10K
1.0
0.707
0
-3
0.1
-20
V0
C=1nF
20 log ACL
0V
+
V
Eim=20db/dek
-40
-V
Wc
f
10Wc
100Wc
56
ri.
tla
1
JwC
V0 =
V
1
R+
jwC
V0
1
=
V 1 + jw R C
no
ACL =
olur. Grld gibi opampn gerilim kazanc frekansn bir fonksiyonudur. Bu durumda;
iin
ACL 1
ve
iin
rs
w0
ACL 0
de
olur. Grld gibi frekans deeri bydke opampn kazanc sfra ulamaktadr. FC
ke frekans deerinden sonra k gerilimi 20db/dekadlk veya 6db/oktavlk bir eimle
zayflar.
Devrenin FC ke frekans, ACLnin 1/ 2 deerindeki frekanstr. Bu ifade;
2 = 1 + C2 R 2 C 2
em
deerine eittir. Buradan ekil-3.11de verilen 20db/dekadlk alak geiren filtre devresinin
ke frekans FC;
FC =
1
2 R C
.e
olarak bulunur.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
rnek:
3.4
zm
1
1
1
C =
C=
2 R C
2 f R
WC R
C=
1
= 0.008F
2 3.14 2 10 3 10 10 3
ACL =
1
2
= 0.707 3dB, CL = 45 0
57
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
1
2
1
2 + 45 0
= 0.707 45 0
= 0.707 3dB, CL = 45 0
tla
ACL =
1
=
1 + j1
ri.
ACL =
no
rs
de
V0
V
deal Eim
0.707 noktas
-20db/dek
-3dB, 0.707
-40db/dek
-20dB, 0.1
-60db/dek
Geen Band
0.1Wc
Wc
10Wc
.e
em
0dB, 1.0
58
Kaplan
C2
V0
V
R F=20K
+V
R2
10K
10K
1.0
0.707
0V
0.1
V0
-V
dB
0
-3
-20
Eim=-40db/dek
tla
C1
20 log ACL
ri.
R1
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
0.1Wc
-40
Wc
10Wc
no
2.
Analiz kolayl iin R1=R2 olmal ve deeri 10K ile 100K arasnda seilmelidir.
RF deeri ise 2R olarak seilmelidir.
3.
C1 kondansatrnn deeri;
rs
1.
0.707
C R
de
C1 =
ekil-3.13de verilen alak geiren filtre devresinde WC=30k rad/s iin C1 ve C2 deerleri
ne olmaldr. Hesaplaynz?
C1 =
0.707
0.707
= 0.0024 F = 2.4nF
C1 =
C R
30 10 3 10 10 3
)(
C 2 = 2 C 1 = 2 (0.0024 F ) = 0.0048F
-60dB/dekadlk alak geiren bir filtre devresi elde etmek iin, ekil-3.14de grld gibi
-40dB/dekadlk bir filtre ile -20dB/dekadlk filtre arka arkaya balanmaldr.
.e
em
rnek:
3.5
59
-40dB/dekad
-20dB/dekad
C2
R F=10K
R F=20K
+V
ri.
+V
R 3=10K
R2
10K
10K
0V
tla
R1
-V
V0
-V
C3
no
C1
V 01
0V
de
rs
1
C 3 ve C 2 = 2 C 3
2
em
bantlar kullanlmaldr.
Yksek geiren filtre; belirlenen ke frekansnn stndeki frekanslar olduu gibi geirip,
altndaki frekanslar zayflatan filtre devresidir. -20deb/decad, -40deb/decad ve
60deb/dekad olmak zere tip yksek geiren filtre devresi vardr. Bu tip filtre
devresinin frekans cevaplar (kazan/frekans) erileri ekil-3.15de gsterilmitir.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0
V
0.707 noktas
0dB, 1.0
-3dB, 0.707
-20dB,
0.1
deal Eim
-20db/dek
-40db/dek
Geen Band
-60db/dek
0.1Wc
Wc
10Wc
60
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0
=
V1
1
RC
1
(RC ) 2
tla
ACL =
ri.
V0 =
1+
no
Kapal evrim kazancnn 1/ 2= 0.707 deeri iin; W RC=1 olmaldr. Buradan devrenin ke
frekans;
C =
rs
1
= 2 f C
R C
RF=R
de
1
1
=
C C 2 f C C
V0
V
+V
C1
R=
em
0
-3
Eim=20db/dek
V0
dB
1.0
0.707
0V
20 log ACL
-20
0.1
-40
-V
W
Wc
0.01Wc
10Wc
100Wc
.e
V0
V
RF=R1
20 log ACL
dB
+V
0
-3
1.0
0.707
C1
Eim=20db/dek
0V
C2
V0
+
V
R1
0.1
-20
-V
-40
W
0.01Wc
0.1Wc
Wc
10Wc
100Wc
61
1.414
C C
R2 =
1
R1
2
ri.
rnek:
3.6
tla
no
R1 =
1
1
R 1 R 2 = ( 22.5K) = 11.3K
2
2
rs
R2 =
de
-60dB/dekadlk yksek geiren filtre devresi tpk alak geiren filtrede olduu gibi
oluturulabilir. Bunun iin -40dB/dekadlk ve -20dB/dekadlk yksek geiren filtre
devreleri arka arkaya balanmaldr.
.e
em
Belirli bir frekans aralndaki iaretleri geirip, dierlerini geirmeyen veya zayflatan
filtrelere band geiren filtre denir. ekil-3.18de band geiren filtre devresi ve frekans cevab
verilmitir. Bu devrede; k gerilimin ve kazancn maksimum olduu frekansa Rezonans
Frekans denir. Rezonans frekans FR veya WR ile sembolize edilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
C1
V0
V
R2
C2
R1
Ar
+V
0.707
Band
Genilii
(B)
+
V
R3
V0
-V
WL Wr WH
62
faktr (Q) denir. Kalite Faktr, Q=Wr/B forml ile belirlenir. Qnun alacaa deere gre
filtre devresinin kalitesi ve seicilii deiir. Q deeri yksek ise seicilikte fazladr. Dar
bantl filtrelerde seicilik daha fazladr nk Q>10dur. Geni bantl da ise Q<10dur.
2
B C
R1 =
R2
2 Ar
R3 =
R2
tla
R2 =
ri.
ekil-3.18de verilen band geiren filtre devresi dar veya geni bandl olabilir. Band geiren
filtre tasarmnda iki yntem vardr. Birinci yntemde Wr ve B deerleri seilir, Q deeri ise
hesaplanr. kinci yntemde ise Wr ve Q deerleri seilir, B deeri ise hesaplanr.
Hesaplamay kolaylatrmak ve devreyi sadeletirmek iin C1=C2=C olarak seilir ve B
hesaplanr. R deerleri ise;
4 Q 2 Ar
2
rnek:
3.7
no
formlleri yardm ile bulunur. R3 deerinin pozitif olmas iin 4Q2>2Ar olmaldr.
ekil-3.18de verilen band geiren filtre devresinde Wr=10 k rad/s, Ar=40, Q=20 ve
C1=C2=C=0.01F deerleri iin B, R1, R2, ve R3 deerlerini hesaplaynz?
Wr 10 10 3
=
= 0.5k rad / s
Q
20
rs
B=
.e
em
de
R2 =
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R3 =
2
2
=
= 400K
B C 0.5 10 3 0.01 10 6
R1 =
R 2 400 10 3
= 5K
2 Ar 2 40
R2
4 Q 2 2 Ar
400 10 3
= 263K
4 400 2 40
63
C1
Wr
R2
C2
0.01
Band
Genilii
(B)
-40dB
V0
RB
-V
0.001
tla
RA
-20dB
0.1
+V
-3dB
0.707
ri.
R1
-60dB
no
2.
rs
1.
R2 =
2
B C
R1 =
R2
4 Q 2
de
em
3.3 MULTVBRATRLER
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Astable Multivibratr
Astable multivibratr gerekte bir kare dalga retecidir (osilatr). Opampla oluturulmu
bir kare dalga reteci ekil-3.20de verilmitir. Eviren girie balanan C kondansatr
dnda devre bir komparatora benzer. C kondansatr dc iaretler iin ak devre olduuna
gre opamp ak evrimde almaktadr ve kazanc ok yksektir. Opamp k girilerine
bal olarak +VDOY ve VDOY arasnda salnacaktr.
64
Kaplan
RF
VC
RF
+V
VC
C
-V
-V
R1
R2
tla
V0=+VDOY
(a)
+V
ri.
VHT
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VLT
R1
V0=-VDOY
R2
(b)
no
rs
+VDOY
R1 + R2
de
VLT = R 1
VDOY
R1 + R 2
olur. Opamp k VDOY deerine getiinde kondansatr gerilimi VC, akacak olan I- akm
ile nce 0Va dearj olacaktr. Daha sonra ise VLT deerine kadar tekrar ar olacaktr.
VC gerilim VLT deerinden daha negatif olduunda ise opamp k tekrar konum
deitirecektir. VDOY deerinden +VDOY deerine ulaacaktr. Bu durum bylece srp
gidecektir.
C kondansatrnn arj sresi devrenin osilasyon frekansn belirlemektedir. Devrede
oluan gerilimler ve k iaretinin dalga biimi ekil-3.21de gsterilmitir.
.e
em
Kondansatr gerilimi VC, VHT deerini getii anda, opamp k +VDOYdan VDOY deerine
geer. Bu durum ekil-3.20.bde gsterilmitir. Bylece opampn evirmeyen giriine negatif
bir gerilim uygulanm olur. Bu gerilim deeri;
65
Kaplan
V 0 (v)
V0
+VDOY
V HT
ri.
VC
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
+VDOY
tla
VLT
t1=RF.C
+VDOY
t2=RF.C
no
de
rs
olacaktr. Devre knda elde edilen kare dalga iaretin peryodu ise R2=0.86R1 deerleri
iin; T = 2 R F C olacaktr. Buradan devrenin frekans;
em
f =
1
1
=
T 2 RF C
ekil-3.22de verilen kare dalga osilatr devresinde alma frekans 50Hz olmas
isteniyor. C kondansatrnn deeri ne olmaldr? Hesaplaynz? VDOY=15V
RF=100K
VC
+V
.e
rnek:
3.8
-V
R1
100K
V0
VLT
R2
86K
66
R2
86K
( +VDOY ) =
( +15V ) +7V
86K + 100K
R2 + R1
VLT =
R2
86K
( VDOY ) =
( 15V ) 7V
86K + 100K
R 2 + R1
1
1
1
=
C=
2 RF f
T 2 RF C
C=
1
1
=
= 0.1F
2 100K 50 Hz 2 100 10 3 50
tla
f =
VHT =
ri.
zm
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Monostable Multivibratr
no
rs
de
V0
em
t
T
.e
67
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
D1
D1
C1=0.1F
_
+
-V
RA
10K
R1
10K
V0=+15V
+
VHT=2.1V
_
R2
1.8K
RA
10K
VLT=2.1V
2ms sresince
+
Vd
D2
-V
R1
10K
V 0=+15V
2ms
sresince
R2
1.8K
(b)
no
(a)
C2=0.01F
tla
V=0V
+V
Vd
D2
RF=100K
ri.
+V
0.5V
C2=0.01F
C1=0.1F
_
+
RF =100K
rs
Gei durumundan sonra multivibratr kararsz duruma geecektir. Fakat bu kararsz halde
uzun sre kalamaz. nk R1 ve R2 direnleri zerinden opampn evirmeyen giriine VLT=2.1V civarnda bir gerilim uygulanr. Bu durumda D1 diyodu VDOY gerilimi ile ters ynde
kutupland iin kesimdedir. C1 kondansatr nce 0Va kadar dearj olacak ve daha sonra
ters ynde arj olacaktr. Belirli bir sre sonra opampn eviren ucundaki negatiflik,
evirmeyen utaki VLT=-2.1Vdan daha byk olur. Bu anda opamp k tekrar VDOYdan
+VDOYuma geer. Bylece k darbesi tamamlanm olur. Multivibratr tekrar kararl hale
geer.
Bu tip multivibratrlerde tek bir kararl durum olduundan monostable
multivibratr olarak adlandrlr.
.e
em
de
ekil-3.24.bde gsterildii gibi astable multivibratr devresinin giriine bir negatif darbe
uygulandn dnelim. Eer bu darbenin genlii VHT deerinden byk olursa opampn
evirmeyen girii, eviren girie gre daha negatif olacaktr. Bu durumda opamp k
deiecek ve +VDOYdan VDOY olacaktr. Bu olaya gei durumu denir. yi bir sonu iin
C2 ondansatr 0.005Fdan byk seilmelidir.
68
tla
ri.
Endstriyel sistemlerde basn, s, scaklk, debi v.b gibi eitli fiziksel byklklerin
llmesinde ve kontrol edilmesinde sensrlerden (transducers) yararlanlr. Sensrlerin
genellikle kullanm amalar yukarda belirtilen fiziksel byklkleri elektriksel
iaretlere dntrmektir. Dntrme ilemi sonucunda elde edilen akm veya gerilim
deerleri endstride kullanlan standart deerler aralnda olmaldr.
no
Her hangi bir sensr knda elde edilen elektriksel byklk standart bir akm veya
gerilim deerine dntrlr. Endstriyel uygulamalarda pek ok zaman elde edilen
standart akm veya gerilim deerlerinin birbirlerine dntrlmeleri gerekir. Bu tr
ilevleri yerine getirmek amacyla akm/gerilim veya gerilim akm dntrclerinden
faydalanlr. Dntrc devrelerinin tasarm opampla gerekletirilir. Elektronik
sistemlerde kullanlan balca iki tip dntrc vardr. Bunlar;
rs
Gerilim/Akm Dntrcs
Akm/Gerilim Dntrcs
de
.e
em
Gerilim/Akm Dntrc
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Elektronik devre uygulamalarnda her hangi bir devrenin giri iaret kayna genellikle bir
gerilim kayna eklindedir. Eer, herhangi bir devrede giri gerilimine bal olarak bir k
akm elde ediliyorsa bu tr sistem ve devrelere gerilim kontroll akm kayna denir. Bu tr
sistem veya devreler gerilim/akm dntrcs (Voltage-to-Current Converter) olarak
da adlandrlmaktadr. Gerilim/Akm dntrc bir devrenin kndan elde edilecek
akmn, giri gerilimiyle orantl olmas istenir. Opampla gerekletirilmi tipik bir
Gerilim/akm dntrc devre ekil-3.25de grlmektedir.
R1
IL
RL
VR1 =V +
0A
Yk
0V
V0
V
69
V
RL
R3
R4
IL
0V
VL
V0
IL
R2
Yk
de
RL
V0
rs
no
VL
VL
0V
R1
tla
ri.
olduu grlr. Formlden grld gibi IL akm tamamen giri gerilimi V deerine
bamldr. ekil-3.25de verilen devrede RL yk direncinin herhangi bir ucu topraa bal
deildir. Bu durum uygulamada baz sorunlara neden olabilir. Toprakl ykler iin ekil3.26.ada grlen gerilim/akm torak dntrc devre gelitirilmitir.
RL
Yk
(b)
(a)
em
.e
dzenlenirsek;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IL +
VL V
R1
VL V0
=0
R2
(Denklem-3.1)
elde edilir. deal bir opampn girilerindeki gerilim farknn 0V olduunu biliyoruz. Bu
nedenle evirmeyen girie uygulanan VL gerilimi, opampn eviren giri terminalinde de
grlr. Buradan;
V0
VL = I L R L ve I =
R3 + R4
70
R2
R2
10K
10K
tla
V2
0V
1K
no
1K
R1
V1
R1
IL
Yk
rs
RL
2K
de
zm
em
I=
VL = I R 2 + V 2 =
V0 = 2 VL V 2
IL +
V0 V 2
( R 2 ) + V2
2R2
(Denklem-3.2)
VL V1 VL V0
+
=0
R1
R1
.e
ri.
rnek:
3.9
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IL =
V1 V 2
R1
IL =
V1 V2 ( 5V 2V )
=
= 3mA
R1
1K
VL = I L R L = 3mA 2 K = 6V
V0 = 2 VL V2 = 2 6 2 = 10V
Bu durumda devre bir akm kayna (current source) gibi davranp yke yani d devreye
akm salamaktadr.
a)
IL =
V1 V2 (0 2V )
=
= 2mA
R1
1K
VL = I L R L = 2mA 2 K = 4V
V0 = 2 VL V2 = 2 4 2 = 10V
Bu durumda devre bir akm ekici (current sink) gibi davranp d devreden yani ykten
akm ekmektedir.
71
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Akm/Gerilim Dntrc
ri.
Baz elektronik devre elemanlar ykten bamsz bir k akm retirler. Termokupl,
fotosel, termistr v.b gibi pek ok eleman rnek olarak gsterebiliriz. Bu elamanlar yardm
ile retilen akmn llebilmesi ve zerinde ilem yaplp kullanlabilir hale getirilebilmesi
iin gerilime evrilmesi gerekir. Akm, gerilime eviren tipik bir devre emas ekil-3.28'de
izilmitir.
tla
no
-V
V 0=-IS.R
rs
RS
+V
de
em
V0 = I S R'
Akm/gerilim eviricisi ideal bir ampermetre gibi, akm lmelerin de rahatlkla kullanlrlar.
Opamp girileri yklenmediinden devre ideal bir ampermetredir. Bilindii gibi ideal bir
ampermetrenin i direncinin sfr olmas istenir ki ularnda gerilim dm olmasn.
Opamplarla yaplan lme ilemlerinde bu dilek yerine getirilmi olur.
.e
deerine eittir. Bylece giriten uygulanan Is akm kta bir gerilime dntrlm olur.
R direncine paralel bal C kondansatr ise yksek frekansla ilgili grltlerin zayflamas
ve muhtemel osilasyonlarn nlenmesi iin konulmutur.
72
ANALOG ELEKTRONK - II
co
m
BLM 4
Konular:
no
de
Amalar:
rs
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
tla
ri.
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
Operasyonel ykseltecin tantm ve sembol,
em
Pratik opamp zellikleri ve 741 tipi tmdevre opampn tantlmas ve terminal balantlar
Opampn temel yaps ve blok olarak gsterimi
Transistrl Farksal Ykseltecin Yaps, zellikleri ve alma Karakteristikleri
.e
Opamp Karakteristikleri
Kaplan
no
tla
ri.
de
rs
UJT, N tipi bir yariletken gvdenin ortasna bir PN eklemi eklenmesi ile oluturulmutur.
Bu durum ekil-4.1.a'da grlmektedir. Ortadaki P yar iletken eklemine emiter ucu balanr.
N tipi yar iletken maddeye yaplan balantlar B1 ve B2 beyz'leri olarak adlandrlr. UJT'nin
elektriksel edeeri ekil-4.1.b'de gsterilmitir. Bu edeer devrede RB2 direnci, B2 ile E
eklemi arasndaki ksmn direncini gsterir.
.e
em
UJT'nin emiter ucu ak braklp beyzler arasndan (B1,B2) llen diren deerine "Beyzler
aras Diren" denir ve RBB ile gsterilir. Bu diren deeri RB1 ve RB2 iletkenlerinin toplam
direncidir. ekil-4.1.c'de ise UJT'nin sembol verilmitir. UJT'nin negatif diren zelliini
beyz direnci RB1 salar. Bu durum ileride anlatlacaktr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
B2
B2
B2
RB 2
E
E
RB 1
B1
B1
a) Yaps
a) edeeri
B1
a) sembol
74
VEE=0 iken (Emiter ucu ak, IE=0) UJT, VBB gerilim kaynana bal olan bir gerilim blc
olarak alacaktr. Emiterde grlen gerilim;
VE( I E = 0 ) = VRB1 = VBB
R B1
R BB
ri.
deerinde olur. Formlde kullanlan RB1/RBB ifadesine gerek ilgisizlik oran denir ve ile
sembolize edilir. Bu deer UJT reticileri tarafndan kullancya verilmektedir. UJTnin
emiter gerilimi iin denklemi yeniden dzenlersek;
tla
no
VE
B2
rs
VE
Vp
VBB
Doyum
Blgesi
Vadi
Noktas
B1
IE 0
VV
de
VE E
Negatif
Diren
Blgesi
VB B
IE
IE
IP
IV
.e
em
UJTnin emiter ucu, bir silisyum diyot gibi dnlebilir. Bu durum edeer devrede
gsterilmitir. Emiter src gerilimi VE, formldeki (VBB) deerinden daha kk olduu
zaman [VE<(n VBB)] diyot ters ynde polarize olur ve ak devredir. Bu yzden IE akm, ok
kk bir sznt akm mertebesindedir. Bu deere IEO denir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Uygulama devresindeki VEE besleme gerilimini artrrsak, Kk bir ileri yn akm akmaya
balayacaktr. Akan bu akm diyodun iletim gerilimi deeri VD'ye eriinceye kadar devam
eder. VEE gerilimi deeri VBB deerini atnda diyot iletime geer ve gerilim engeli
grlmez. letim salanr. letimin saland bu noktada llen emiter gerilimi "Tepe
noktas" olarak bilinir. Bu deer;
VE=VP= VBB+VD
forml ile bulunur. Bu deer karakteristikte de iaretlenmitir. Bu durumda tepe noktas
akm (IP) eklem ierisinden akar. Giri gerilimi (VE) tepe noktas deerini atnda; besleme
gerilimi VBB'nin polaritesinden dolay yar iletkendeki elektronlar beyz'den emiter blgesine
doru akarlar.
E ile B1 arasndaki arjn artmas dolays ile beyzin bu ksmnn iletkenlii de artacaktr.
Emiter akm artarken RB1 direnci azalacak ve bylece (VE) gerilimi de azalacaktr. Bu
"Negatif Diren Etkisidir" ve karakteristik de gsterilmitir. Bu durum vadi noktasna
eriinceye kadar devam eder. Vadi noktasnda emiter akm artarken artk RB1 deeri
azalmaz. Bu durum beyz'deki akm tayclarn doyuma ulamasndan kaynaklanmaktadr.
Bu durum da RB1'deki gerilim dm artacak ve ayn ekilde emiter gerilimi (VE)
ykselecektir. RB1'deki ve emiterde oluan gerilim art UJT giri karakteristiklerindeki
doyum (saturasyon) blgesini oluturur. ekil-4.2.b'de grlen UJT giri karakteristii belirli
bir beyzler aras dirende UJT'nin davrann gstermektedir.
75
ri.
UJT yalnz negatif diren blgesinde alr. Giri karakteristiinde bu nemli zellik
grlmektedir. Bu zelliklerden birisi tepe noktas deeri VP, ikincisi ise VBB'deki artla
birlikte dorusal olarak artan Vadi gerilimi VV deeridir. Karakteristikken grld gibi IP
deeri ile IV deeri arasndaki blge UJT'nin aktif olduu negatif diren blgesidir.
tla
no
=Gerek lgisizlik Oran: Bu oran sabit bir deerdir. Beyzler aras diren deerinden ve
scaklk deimelerinden etkilenmez. Yaklak olarak 0.47 ile 0.75 deerleri arasndadr.
oran aadaki formlden hesaplanabilir. VD, ileri polarmada diyot n gerilimidir.
rs
VP VD
VBB
de
VP=Tepe Noktas Gerilimi: UJT giri karekteristiinde grld gibi negatif diren
blgesinin balad andaki snr gerilimi deeridir. Tepe noktas gerilimi deeri, diyot
gerilimi (VD) deimeleri sonucu olarak scaklk artarken azalr. Bu deer ayn zamanda VBB
deeri ile dorusal olarak artar.
VE=VP=n VBB+VD
em
IP=Tepe Noktas Akm: UJT'nin negatif diren blgesinde almasna gei iin gerekli olan
minimum akm deeridir. Tepe noktas akm (IP), beyzler aras diren deeri ile ters orant
ldr. IP deeri scaklk arttnda azalr. IP deeri A seviyesindedir.
.e
VV=Vadi Gerilimi: UJT giri karakteristiin de grlen negatif diren blgesinin bitimindeki snr deeridir. Vadi gerilimi, VBB geriliminin artyla birlikte artar ve scaklk art ile
azalr. Vadi gerilimi deeri yaklak olarak 2v ile 5v arasndadr.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IV=Vadi Akm: Negatif diren blgesindeki maksimum emiter akm deerine denir. Vadi
akm, beyzler aras direnle birlikte artar. Bu akmn scaklkla ilgisi, scaklk arttnda
azalmasdr. Vadi akmnn tam deerini belirlemek, vadi blgesi geni olduu iin zordur.
IE0=Emiter Sznt Akm: Emiter ucu ters polarma edildiin de akan akm deeridir. Sznt
akm deeri emiter ucu akken bilinen bir gerilim deerinde llr. Bu deer yaklak
0.01 A ile 10 A arasndadr. Bu akm bipolar transistrlerin IC0 sznt akmna benzer.
Yukarda aklanan temel parametrelere ek olarak, bilinen bir emiter akmndaki saturasyon
gerilimi (VE(sat)), Maksimum osilasyon frekans (fmax.), Anahtarlama sreleri v.b. gibi
parametreler de vardr. Bunlar ve deerleri retici kataloglarnda verilmilerdir. Ayrca UJT
karakteristiklerine ek olarak, izin verilen maksimum g snr, maksimum emiter gerilimi,
maksimum beyzler aras diren deeri, maksimum emiter akm, maksimum alma
scakl gibi snr deerleri kataloglarda verilirler. Ksaca yukarda belirtilen ve anlatlan
parametreler eitli lme devreleri yardm ile llecei gibi retici firma kataloglarndan
da yararlanlarak bulunabilir.
76
UJT Uygulamalar
ri.
UJT; eitli osilatr devrelerinde, zamanlama devrelerin de, tetikleme kayna olarak eitli
sistemlerde ve testere dii rete olarak bir ok uygulamalarda gvenle kullanlmaktadr.
Aadaki blmler de UJT'nin en ok kullanlan tip uygulama devresi anlatlmtr.
tla
rs
no
de
+VB B
em
.e
VE
VBB
VP
R2
VV
VB 2
VB1
T OFF
TON
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VB 2
VB1
VBB
R1
V
1
D
1 VB1B2
77
TOFF = R C ln
1
1
ri.
tla
F=
1
1
no
VBB VV
< IV
R
de
rs
Formlden de grlecei gibi ilk art R direnci, IP tepe akmn besleyecek kadar kk
deerde olmaldr. Bu art salanmazsa UJT iletime gemeyecektir. Dier art ise, jonksiyon
zerinden vadi akmnn akmasna izin veren R direncinin minimum deere ayarlanmasdr.
Bu art yerine getirilmezse UJT iletim durumunda kalamayacaktr. Uygulamalarda
yukardaki artlar iin R direncinin geni bir snr deeri vardr. rnek artlar olarak;
2K R 2M
deerleri gsterilebilir.
Yukardaki aklamalardan grlecei gibi osilatr frekans, tepe noktas gerilimi VP'ye
bamldr. VP geriliminin ise scaklkla etkilendiini nceki blmde aklamtk. Devrede
scaklk etkisini azaltarak frekans kararlln salamak iin R2 direnci kullanlmtr. ekil4.3'deki devre de beyzler aras gerilime (VB1B2), R2 zerinde den gerilimin tesir ettii
grlebilir. (Genellikle R1<<R2 olduundan R1 ihmal edilebilir) R2 iin uygun bir deer
seilerek devre scaklk deimelerine kar kararl hale getirilebilir. R2 >> R1 ve RBB >> R2
varsayarak, R2 deeri;
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R2 =
0.31 R BB
VBB
formlnden hesaplanabilir. R2 iin rnek deerler 100 ile 500 deerleri arasdr.
Relaksasyon osilatrn dearj sresi; UJT'nin negatif diren karakteristii yardm ile tayin
edilir. Bu zellik bir dezavantajdr. Yukarda anlatlan bu devre ile bu sreyi kontrol etme
imkan yoktur. Bu sre her bir UJT'de farkldr.
b. Dearj Sresi Kontroll Gevemeli Osilatr
Gevemeli (Relaksasyon) osilatr devresinde arj sresinin R direnci yardm ile kontrol
edildii, dearj sresinin ise kontrol edilemedii anlatlmt. Bu uygulamada relaksasyon
osilatrn dearj sresi kontrol edilerek daha kullanl bir devre gelitirilmitir. Dearj
sresi kontroll relaksasyon osilatr devresi ve dalga ekilleri ekil-4.4.a.b'de izilmitir.
78
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VC
+VB B
TOFF
VBB
VP
R2
R.C
V EON
0
R3.C
ri.
VE
VB2
VP
tla
D
VE
T ON
VB2
VBB
no
R3
rs
VTH =
RTH =
R R3
R + R3
TOFF = RTH C ln
VTH VE(ON )
VTH VP
VBB
Dearj sresi;
TON = R 2 C ln
VP
VE(ON )
.e
em
de
olur. Bu durumda C kondansatr, diyot ve RTH zerinden VTH gerilimine arj olur.
Kondansatr gerilimi VP deerine arj olduunda UJT iletime geer. Emiter gerilimi bu anda,
(VE(on)) deerine der. Bu gerilim, IE-VE karakteristiinin negatif diren blgesi ve yk
izgisinin kesime noktas ile tayin edilir. VP>(VE(on)) olduunda UJT ters polarize olarak
kesime gider. Bu durumda C kondansatr ancak R3 zerinden dearj olur. Kondansatr
gerilimi VE(on) deerine eritiinde diyot iletime geer ve kondansatrn arj daha sonraki
palste balar. Bylece D diyodu ve R3 direnci yardm ile dearj sresi kontrol edilmitir. arj
ve dearj sreleri aadaki formllerle hesap edilebilir. arj sresi;
79
Kare dalga retimi iin ok kullanlan bir kare dalga kl astabl multivibratr devresi ve
k dalga biimleri ekil-4.5.a ve b'de gsterilmitir.
+VB B
ri.
VE
VP
R
R1
VEON
tla
R2
C
V0
V0
V BB
VC
VE
no
rs
.e
em
de
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VBB VE(ON )
< IV
R1
olur. Bu olaylar bir tam sayklda tamamlanr Daha sonraki saykl R1 zerinden C
kondansatrnn arj ile balar. Bu durumda arj ve dearj sreleri aadaki formlle
bulunur. arj sresi;
VE(ON )
TOFF = R 1 C ln VBB
VBB VP
Dearj sresi;
TON = R 2 C ln
VBB + VP VE(ON )
VBB VP
Monostabl (Tek kararl) multivibratrlerin (UJT ve BJT transistrleri bir arada olan tipler)
saykl sresi senkronizasyonlu (uyumlu) deiik tetikleme ve testere dii devrelerinin var
olduu unutulmamaldr.
80
ri.
Programlanabilir tek eklemli transistr (PUT), UJT'den gelitirilmi aktif bir devre
elemandr. alma bakmndan SCR ile benzerlik gsterir. Bu elemann en nemli zellii
tetikleme gerilimi seviyesinin, istenilen bir gerilim deerine programlanabilmesidir.
no
tla
Bu blmde aada belirtilen sra ierisinde PUTu tm ynleri ile tanyp uygulama
yeteneinizi gelitireceksiniz.
rs
.e
em
de
PUT'un yaps, Bilinen normal tek bileimli transistr (UJT)'den biraz farkllk gsterir. PUT
tpk tristr gibi 4 farkl yar iletken eklemin (PNPN) bitiminden olumutur. UJT'un yaps
ekil-4.6.a'da gsterilmitir. ekilden de grld gibi PUT, ulu bir devre elemandr.
Ular tristr gibi Anot (A), Katot (K) ve geyt (G) olarak isimlendirilmilerdir. Dikkat edilirse
tristr'den farkl olarak geyt ucu N tipi yar iletkene balanmtr. ekil-4.6.b'de PUT'un
transistrle gerekletirilmi edeer devresi izilmitir. ekil-4.6.cde ise PUTun ematik
sembol grlmektedir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
A
P
N
N
K
a) Yaps
a) edeeri
a) sembol
PUTun Programlanmas
PUT'a harici direnler balayarak UJT'den daha ileri seviyede fonksiyonlar
gerekletirebiliriz. PUT'un anot-katot arasna uygulanan gerilim deeri, programlanan
tetikleme gerilimi (VP) seviyesini geerse PUT iletime geer. Eer anot-katot arasna
uygulanan gerilim, tutma gerilimi (VH) seviyesinin altna derse bu deere vadi noktas
gerilimi (Vv) denir. Vadi gerilimi deeri yaklak 1 volt olursa PUT kesime gider.
Yukarda anlatld gibi PUT'un iletime gemesi iin gerekli olan tetikleme gerilimi deeri
(VP) istenilen bir deere programlanabilir. PUT'un programlanabilmesi iin gerekli devre
balants ve karakteristii ekil-4.7'de verilmitir. Bu devrede grld gibi VP gerilimini
byk lde R2 ve R1 deerleri belirlemektedir.
81
V P = V AK =
R1
V S + VT
R1 + R2
tla
ri.
R2
no
VAK
VS
R1
rs
Tetikleme akm (IP) ve tutma akm (IH) harici direnler ile geni bir saha ierisinde
ayarlanabilir.
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
PUT iletim durumunda iken zerindeki gerilim dm 1.4 volt'dan daha az bir
deerdedir. PUT olduka yksek gerilim deerlerinde rahatlkla kullanlabilir.
PUT; Yksek gerilim altnda altnda geyt ucundan, anod ve katod ucuna akan
akm deeri ok kktr.(IGAo<10 nA)
PUT Uygulamalar
PUT pek ok eit devre uygulamalarnda kullanlmaktadr. PUT'la yaplan baz
uygulamalar yle sralayabiliriz. Pals reteleri, tek kararl multivibratrler, testere dii
reteler, metronom vb. belirtilen bu uygulamalardan bazlarn ksaca inceleyelim.
a- Pals reteci
PUT'un en ok kullanlan uygulama yerlerinin banda pals reteleri gelmektedir.
(Relaksasyon osilatr) ekil-4.8de PUTla yaplan bir relaksasyon osilatr devresi
grlmektedir. Bu devrede PUT un tetikleme gerilimi (VP), R1 ve R2 direnleri tarafndan
ayarlanr. Bu deer formlize edilirse;
VP =
R1
VS
R1 + R2
82
RG =
R1 R2
R1 + R2
ri.
tla
de
rs
no
R2
R3
VS
.e
em
3-70V
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
CT
R1
VC
R5
R4
VG
R1
VS
R1 + R2
83
R2
10K
CT
10F
63V
R3
15
V0
+VS
6V
RT
60K-1M
tla
RT
60K-1M
R1
10K
CT
100F
63V
no
+VS
6V
ri.
ekil-4.9.a da uzun sreli bir zamanlayc devresi verilmitir. Bu devrede 10F deerinde bir
mika (MKL) kondansatr kullanlmtr. ekil-4.9.bde ise 100flk elektrolitik kondansatr
kullanlan ksa sreli bir zamanlayc devresi grlmektedir. Bu devrede kondansatrn
sznt akm 1A'den ok kktr. Bundan dolay devrenin zamanlama sresi nceki
devreden daha azdr. Zamanlama sreleri ekillerin yannda belirtilmitir.
R3
15
V0
R2
10K
R1
10K
rs
de
nemli bir PUT uygulamas da testere dii reteci devresidir. Byle bir devre ekil-4.10'da
verilmitir. Bu devrede CT kondansatrnn arj akm bir transistor ile salanmtr. Bu
transistr sabit bir akm salayarak osilatrn testere dii geriliminin lineeritesini dzeltir.
.e
em
Devrede retilen sinyalin genlii P1 potansiyometresi ile yaklak 1 ile 10 volt arasnda
ayarlanabilir. P3 potansiyometresi ise retilen sinyalin frekansn (sresini) ayarlar. Bu
devrede geni bir frekans sahasnda sinyal retmek iin farkl CT deerleri kullanlabilir.
stenilirse bir anahtar kullanlarak eitli CT deerleri devreye eklenebilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
D1
D2
220K
R2
22K
D1=D2 =BAY61
180K
+15V
P3
20M
Q1
P1
100K
10K
V0
10
CT
84
ri.
PUT'la bir tristrn tetiklenmesi iin gerekli tetikleme devresi ekil-15.5'de izilmitir. Bu
devrede tristrn tetiklenmesi iin kondansatrn dearj palsi PUT zerinden tristre
dorudan doruya uygulanmtr. 1 M'luk potansiyometre ile kondansatrn arj akm
ayarlanarak arj sresi belirlenir. Kondansatr arj gerilimi PUT tetikleme seviyesine
eritiinde PUT iletime geer. Bu anda kondansatrn dearj akm tristr tetikler. Zener
diyot kontrol devresinin (tetikleme devresi) gerilimini snrlar ve negatif yarm saykl
esnasnda kondansatrn dearjn engeller.
tla
no
ekil-4.11'de PUT ile yaplan bir metronom devresi grlmektedir. Bu devre pals retecinin
basit bir uygulamasdr. 1M'luk potansiyometre ile devrenin frekans 30Hz ile 240Hz
arasnda ayarlanabilir. kta 4'luk bir hoparlr kullanlmtr.
em
de
rs
RT
1M
3.3F
16V
2K7
+15V
47K
15
HOP
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
85
Tristr; 4 adet bipolar yar iletken PN ekleminden olumu ulu aktif bir devre
elemandr. Tristr, yar iletken devre elemanlar ailesinden SCR grubuna dahildir. ekil4.12.a.b ve c'de tristrn yaps, transistr edeeri ve ematik sembol grlmektedir.
A
ri.
P
N
IC2
IC1
tla
a) Yaps
b) edeeri
no
c) sembol
.e
em
de
rs
Tristr'ler genellikle 3 ulu retilirler. Her bir ucu ilevlerinden tr katod, anot ve geyt
olarak adlandrlmaktadr. Drt uca sahip olan tristrler de vardr. Bu tiplerde iki adet geyt
ucu bulunmaktadr. Ayrca a duyarl olarak alan ve LASCR olarak adlandrlan SCR
eitleri de bulunmaktadr. SCR'ler diyot gibi sadece tek ynde akm geirirler. ift ynl
akm geiren SCR'lere ise Triyak denir. Kullanm alanna ve amacna bal olarak yzlerce
farkl tip ve boyut da tristr retimi yaplmaktadr. ekil-4.13'de rnek olarak birka farkl tip
ve boyut da tristr grntleri verilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
86
+V
R
+V
R
+V
I=0A
A
V G=0
+V
ri.
IG=0
IG
b) SCR iletimde
tla
a) SCR kesimde
no
rs
.e
em
de
SCRnin tetikleme yntemlerini belirlemek iin transistr edeerinden yararlanlr. PNP tipi
bir transistrle, NPN tipi bir transistr ekil-4.12.b'de grld gibi bir arada balanrsa
teorik olarak bir SCR oluur. Bu devre SCR'nin almasn irdelemek asndan nemlidir.
Bu devrede SCR akm;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
I=
I CB01 + I CB02
1 ( 1 + 2 )
I=
2 I C ( 1 + B1 )
1 ( 1 + 2 )
87
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
no
rs
de
.e
em
SCR Karakteristikleri
88
+IA
+V
tla
V FOM
IH
VROM
-VA K
ri.
VA K
+V
no
-IA
rs
de
SCR'nin anot-katot arasna doru polarma uygulanp, geyt ucu bota brakldnda yani
tetikleme yaplmadnda SCR iletimde deildir. nk geyt ters polarma kabul edilir.
Geyt'in bal olduu jonksiyonundan bir sznt akm geer. Bu blge karakteristik de B ile C
noktalar arasdr. Bu blgeye ileri yndeki tutma blgesi denir.
.e
em
J2 jonksiyonundaki byk ters polarma deeri (V(BR)FX) maksimum krlma gerilimi noktasn
belirler. Uygulanan gerilim bu deere ulatnda SCR iletime geer ve zerinden byk bir
akmn akmasna imkan verir. Bu akm sadece devredeki R direnci ile snrlanabilir. SCR
iletime getii anda, zerinden geen akmda byk bir art, zerine den gerilimde ise
byk bir d gzlenir. Bu durum SCR iletime getii anda negatif diren etkisi
gsterdiini kantlar. Bu durum karakteristikte C ve D noktalar arasnda belirtilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V 0.8V
R
deerindedir.
SCR'yi yeniden kesime gtrmek iin IA akmn "Tutma akm=IH" deerinin altnda bir
seviyeye drmek gerekir. Bu durum ancak kaynak gerilimi (V) azaltlarak yada SCR
yaltma geinceye kadar ierisinden ters ynde bir akm geirerek gerekletirilir. SCR iletim
durumuna getikten sonra geyt kontroln kaybeder. Bundan dolay SCR'yi tetiklemek iin,
geyte srekli bir akmdan ziyade ksa bir pals uygulamak yeterlidir. Bylece gereksiz g
harcamas nlenmi olur.
89
verilebilir.
ri.
VFOM (Doru Polarmada Tepe Tutma Gerilimi): SCR iletim durumunda iken alabilecei
maksimum ani ileri n gerilimi deeridir. Bu parametre bir ka ekilde tanmlanabilir. Bazen
geyt ak devre olduu durumda, bazen de geyt ile katot arasndaki direnle birlikte
tanmlanr. (VRRM)
tla
IF(AV) (Ortalama leri Yn Akm): Bu parametre iletim esnasnda SCR ierisinden gemesine
izin verilen maksimum DC akm deeridir. Bazen bu akm deeri etkin deer olarak da
verilebilir.
no
IRx-IFx (Ters ve leri yndeki maksimum Sznt Akmlar): Bu parametre SCR'nin sznt
akm deerlerini belirtmede kullanlr. Bu deerler retici kataloglarnda verilirler. Bu
parametre genellikle tepe deerlerine gre verilir. "x" geyt ile katot arasndaki k
empedans durumunu gsterir.
IGT (Geyt Tetikleme Akm): Bu akm, verilen bir anot geriliminde SCR'yi tetiklemeyi
garanti eden maksimum geyt akm deeridir. retici firmalar bu akmn deerini Yk
direnci ve anot-katot gerilim deeri ile birlikte verirler. Verilen bu deerler tetiklemenin
garanti edildii minimum deerlerdir.
de
rs
VGT (Geyt Tetikleme Gerilimi): Geyt giri akm IGT deerinde iken ve SCR tetiklenmeden
nce meydana gelen maksimum geyt gerilimidir. Bu gerilim scakla baldr. 250C'de 0.6
volt, 1000C'de ise 0.3 volt civarndadr.
VGRM (Ters Tepe Geyt Gerilimi): SCR'nin zarar grebilecei geyt terminaline uygulanan
ters gerilimin maksimum deeridir.
.e
em
PGM (Maksimum Geyt Gc): zin verilen ani g harcamasnn maksi-mum deeridir.
Bazen bu deer ortalama olarak da verilebilir (PG(AV)).
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
IH (Tutma Akm): SCR'nin iletimine sebep olan deerin hemen altndaki akm deeridir. Bu
deer SCR'yi kesimde tutan snr deeridir. retici firmalar ayn tip btn SCR'ler iin
gerekli maksimum tutma akm deerini verirler. rnein, tutma akm deeri IH=5mA
verilmi ise, bu durumda 5mA'in altndaki btn akm deerlerinde SCR kesim
durumundadr.
dv/dt (Akm Art Hz): SCR iletim durumunda alrken anot geriliminde zamana bal
olarak meydana gelebilecek maksimum art hzn belirtir.
Buraya kadar tanmlanan SCR parametreleri en ok kullanlan parametrelerdir. Bunlara ek
olarak zel artlar altnda almalar iin farkl bir takm parametrelerde retici kataloglarn
da verilebilirler. Bu parametreler laboratuar almalarnda eitli lme devreleri
kullanlarak llebilir. SCR iki alma ekline sahip devre eleman olarak dnlmelidir.
Bunlardan biri kesim, dieri ise iletim durumudur. Bu iki alma durumu arasndaki gei
zaman ok ksadr.
90
ri.
tla
no
de
rs
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V
Yk
0
A
0
Tetikleme
Devresi
91
ri.
Yarm saykl kontrol metodunda mevcut olan dier yarm saykln kullanlmad
grlmt. Pozitif yarm saykln faz as kontrol SCR ile salanmaktayd. ekil-4.17de
grlen kontrol metodunda ise negatif alternans bir D diyodu vastasyla yke transfer
edilmitir (Negatif yarm sayklda SCR kontrol yapmaz). Bu metotda yke transfer edilen
gc, tam gten yarm gce kadar ayarlamak mmkndr. G kontrol as ekil-4.17'de
AC k sinyali zerinde taral alanda gsterilmitir.
VAK
Yk
no
Tetikleme
Devresi
tla
em
de
rs
Tam saykl kontrol metodunda AC sinyalin her iki yarm saykl da kontrol edilebilir.
Bundan dolay yke uygulanan ac gerilimi veya yk zerinden geen ac akm 00 dan 3600
ye kadar kontrol etmek mmkndr. SCR ile tam saykl g kontroln gerekletirmek iin
ekil-4.18de grlen kpr diyot. devresi kullanlmtr. Kpr diyot devresi ac gerilimi
dorultarak SCRye uygulamaktadr. Bu sayede tristr btn alternanslarda doru
polarmalandrlm olur. Yk zerinde oluan gerilim ise SCR ile kontrol edilmi AC
sinyaldir.
VA K
Yk
4xD
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
0
Tetikleme
Devresi
92
Yk
VA
c
b
a
ri.
no
tla
de
rs
Ayarl diren kullanlarak yaplan tetikleme devresinde, tetikleme asnn kk bir sahada
yaplabildiini grdk. Tetikleme asnn daha geni bir alanda yapabilmek iin ekil4.20deki tetikleme devresi kullanlabilir. Bu devrede C kondansatr tetikleme asnn
geniletilmesinde nemli bir ilev yklenmitir. C kondansatr her alternansta tetikleme
gerilimine arj olur. Kondansatr gerilimi, SCR tetikleme gerilimi VGT deerine ulatnda
D2 ve SCR zerinden dearj olur. D1, SCRyi ar ters gerilime kar korur. P1, Cnin arj
sresini ayarlamada kullanlr. Bu ise ateleme asnn ayarlanmasn salar.
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
I
Yk
SCR
D2
P1
D1
Yukarda anlatlan her iki metod da SCR tetikleme alar, dorudan doruya kontrol
edilecek olan giri gerilimine ve SCR'nin tetikleme gerilimine baldr. Bu ballk kararsz
almay dourur. Ayrca eitli devre elemanlar iin anormal deerler gndeme gelebilir.
Uygulamada en ok tercih edilen tetikleme metodu, SCR'yi bir UJT ile tetiklemektir. Byle
bir yarm dalga faz kontrol devresi ekil-4.21'de gsterilmitir.
Bu devrenin almasn ksaca zetleyelim. C1 kondansatr P1xC1 zaman sabitesine bal
olarak UJT krlma gerilime arj olur. Kondansatr gerilimi UJT krlma gerilimi deerine
ulatnda UJT iletime geer. UJT iletime getiinde R1 zerinde bir tetikleme pals
oluturur. Bu tetikleme palsi R3 ile SCR geytine uygulanr. R2 akm snrlaycdr. UJT'yi ar
akmlardan korur. Eer kaynak gerilimi VS ok yksek ise, tetikleme devresine uygun bir
zener balanarak UJT korunur ve gerilim reglasyonu salanr.
93
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R4
Yk
R2
ri.
P1
R3
tla
R1
no
de
rs
ekil-4.22'de ise ok kullanlan UJT kontroll tam dalga faz kontrol devresi izilmitir. Bu
devrede kpr, faz kontrol devresindeki SCR ye dorultulmu ileri ynde bir gerilim besler.
Bylece SCR her iki alternansta da faz kontrol yapabilir. Devredeki zener diyot UJT
besleme gerilimini sabit bir deerde tutar. Bu devrenin almas ekil-4.21'deki devre ile
benzerlik gsterir. Devrenin almasnda oluan eitli gerilimleri ekil-4.22de grafiksel
olarak gsterilmitir. Grafikte kullanlan sembollerin anlamlar aada belirtilmitir.
V
Yk
R4
em
ebeke gerilimi
V BB
R2
VZ
R3
.e
P1
Geyt gerilimi
VG
VL
R1
UJT gerilimi
VX
VP
C1
Yk gerilimi
94
ri.
Triyak, slikon kontroll redresr grubuna dahil bir devre elemandr. Triyak, gerekte ift
ynl bir SCR'dir ve SCR'den yararlanarak gelitirilmitir Endstriyel uygulamalarda ve
g kontrolnde ok kullanlr. Alternatif akm ve gerilim beslemeli g kontrolleri triyakn
en nemli uygulama alanlardr.
tla
Diyak ise ift ynl tetikleme diyotu olarak tanmlanr. SCR snfna dahil aktif bir devre
elemandr.
Bu blmde aada belirtilen sra ierisinde bu devre elemanlarn tm ynleri ile
tanmlayp eitli uygulamalar gerekletireceiz.
rs
no
de
.e
em
nceki blmde SCR'nin nasl yapldn grmtk. Bilindii gibi SCR drt adet P ve N
eklemlerinin bir araya getirilmesinden olumutu. Triyak da benzer ekilde be adet P ve N
ekleminin bir araya getirilmesi ile yaplr. Triyakn genel yaps, tristr edeeri ve ematik
sembol ekil-4.23de srayla verilmitir. Triyak iki ynl bir SCR gibi alr ve simetrik
yapl aktif bir devre elemandr. Triyak; tpk SCR gibi tetikleme sinyallerinin kontrol
altnda, byk gerilim ve akmlar kontrol etmekte kullanlr. Anot-1, Anot-2 ve geyt olmak
zere adet terminale sahiptir. Geyt, tetikleme terminalidir.
A1
N
A1
A1
N
P
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
G
N
G
N
A2
A2
A2
a) yaps
b) SCR edeeri
c) sembol
95
devrelerde ift polarmal olarak alabilir. Gerek ebeke, gerekse atmosferden szabilecek
parazitlerden etkilenir. Triyakla ac iaretin her iki alternansnda kontrol yapabilir.
ri.
Triyak yksek frekanslarda iyi bir alma karakteristii gsteremez. Uygun alma frekans
sahas 50 Hz'den 400 Hz'e kadardr. Daha yksek frekanslarda altrlmamaldr.
no
tla
Triyak'n iki anot ucu (A1, A2) ve tek bir geyt ucu vardr. Geyt (G) ve ikinci anot
parametrelerinin her ikiside A1 anot ucu referans alnarak llr. Triyak, balca drt
tetikleme yntemi ile tetiklenebilir. Tetikleme, A2 ve G parametrelerine gre drt kordinant
blgesin de gerekletirilir.
I.BLGE: Bu tetikleme blgesi; A1 anoduna gre A2 ve geyt'in her ikisininde pozitif olduu
I.kordinant blgesindeki alma eklidir. En ok kullanlan tetikleme yntemi budur.
(+A2,+IG), (I+)
II.BLGE: Bu tetikleme blgesi; A1 anoduna gre A2 anodu negatif, geytine ise pozitif
polarite uygulanan II. koordinat blgesindeki alma eklidir. (-A2,+IG).
rs
III.BLGE: Bu tetikleme blgesi; A1 Anoduna gre A2 anodu ve geyt ucunun her ikisine de
negatif polarite uygulanan III. koordinat blgesindeki alma eklidir. (-A2,-IG)
de
IV. BLGE: Bu alma blgesinde A1 anoduna gre; A2 anoduna pozitif geyt'ine ise negatif
polarite uygulanan IV. koordinat blgesindeki alma eklidir. (+A2,-IG)
em
.e
I. BLGE
+
A1
GEYT +
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
-V
-V
RL
RL
RL
RL
II. BLGE
+
A1
GEYT -
P
N
RG
+V
+V
0V
+V
0V
-V
P
N
RG
III. BLGE
A1
GEYT +
P
P
+V
0V
IV. BLGE
A1
GEYT -
RG
0V
-V
P
N
RG
96
Triyak Karakteristikleri
Triyakn almasn daha iyi anlayabilmek iin akm-gerilim (V-I) karakteristiinin izilmesi
gerekir. Triyakn V-I karakteristii ekil-4.25de verilmitir.
tla
ri.
A1 ile A2 arasndaki gerilimin bir fonksiyonu olarak triyak ierisinden geen akmn deerini
karakteristikteki eri vermektedir. Karakteristikte grlen VB0 deeri, triyakn yksek
empedansl bir blgeden dk empedansl bir blgeye kadar alt ksmda herhangi bir
andaki gerilim deeridir. Bu gerilim deerinden sonra triyak iletime geer. Bu gerilimden
sonraki kk bir artta, triyak akm (IA), ani ve keskin bir artma gsterir.
+IA
+V
no
RL
IH
-VB O
rs
-VA K
+VB O
VA K
+V
.e
em
de
RL
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
-IA
Triyakn iinden geen akm (I), tutma akm (IH) deerinin altna dnceye kadar triyak
iletimde kalr. Triyak akmn IHnn altna drmek ve kesime gtrmek iin kaynak
gerilimini sfra yakn bir deere drmek gerekir.
Triyak geyt ucu sayesinde bir kere tetiklendiinde geyt sinyali artk triyak iinden geen
akm kontrol edemez. Geyt sinyali, geyt ucundan genellikle ksa bir pals olarak verilir. Geyt
ucuna srekli bir sinyal uygulamak gerekmez. Geyte srekli sinyal uygulanmasndan
kanlmaldr. Srekli sinyal geyt devresinde ar snmaya neden olarak triyak bozabilir.
Karakteristie bakldnda III. blgedeki erinin de I. blge ile ayn olduu grlr. Bu
blgede tiryaka uygulanan gerilimlerinin polariteleri I. blgeye gre terstir. Bu durum
tetikleme ekilleri blmnde anlatlmt. Her iki blgedeki karakteristiklerin ayn olmas
triyakn simetrik zelliinden olduu unutulmamaldr.
97
ri.
VIT (Geyt Tetikleme Akm): Triyakn belirtilen (verilen) bir anot gerilimi altnda ve
belirtilen bir alma scaklnda tetiklenebilmesi iin izin verilen maksimum geyt akmdr.
rnek olarak VD=12 volt, TC=250C, Imax=10 mA
VGT (Geyt Tetikleme Gerilimi): retici kataloglarnda tetikleme gerilimi iin izin verilen
maksimum geyt tetikleme gerilimi deeridir. Genellikle 250C lik bir ortam iin verilir.
tla
dv/dt (Kesimdeki alma Gerilimi Artnn Oran): Bir triyak iletimde deilken izin
verilen maksimum anotlar aras gerilim art oran V/s cinsinden tanmlanr. Bu deer
kataloglarda 100 0C iin verilir.
no
VDROM (AC'deki Kesim Tepe Gerilimi): Bu deer retici tarafndan belirlenen triyaka
uygulanabilecek ters gerilimin maksimum deeridir. Bu deerin dnda uygulanabilecek
herhangi bir gerilim triyaka zarar verebilir. Bu deer bazen tek bir palse gre verilebilir.
rs
ITSM (letm Durumundaki Ani Akm Deiimi): Bu deer, triyak iletim durumunda iken
ierisinden akmasna izin verilen maksimum deiim akmdr. Bu zellik genellikle yarm
veya tam sayklda 50 Hz veya 60 Hz iin verilir.
em
de
retici kataloglarnda birtakm zel uygulamalar iin gerekli gerilim deerleri ve baz zel
parametreler de vardr. Tetikleme akm ve gerilimi deerleri en nemli triyak parametreleridir. Bu deerler daha ok eleman scaklna baldr. Scaklkla birlikte deiebilirler.
Bunun iin devre dizaynnda dikkatli olunmaldr. Triyak uygulamalarnda geyt devresinin
dizaynna dikkat edilmelidir. Dizaync triyakn btn alma artlar altnda
tetiklendiinden emin olmaldr. Dizaynda triyakn tetikleme akmlarnn SCR sahas
ierisinde bulunduu gz nnde bulundurulmaldr. SCR sahas kataloglarda maksimum
geyt g harcamasna gre tanmlanr. Bunun iin en kt durumdaki minimum geyt akm
dahi triyak tetikleyebilecek seviyede olmaldr.
.e
Triyakn alma ssnn nemi daha nce belirtildi. Yksek gl almalarda sy sabit
deerlerde muhafaza etmek iin soutucular kullanlabilir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
DYAK
Diyak ift ynl tetikleme diyotu olarak tanmlanan SCR snfna dahil aktif bir devre
elemandr. Diyak, polaritesiz (kutupsuz) iki uca sahip olan bir tetikleme diyotudur. Bu
eleman adet (PNP) yar iletken eklemin bir araya getirilmesiyle oluturulmutur. Diyakn
yaps ve ematik sembol ekil 4.26'da verilmitir.
T
P
N
P
T
a) yaps
b) zener edeeri
c) sembol
98
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Diyak'n Akm-Gerilim Karakteristikleri
tla
ri.
+I
-VB O
+V
+V
+VB O
-I
rs
RL
RL
no
-V
+V
em
de
Diyak ift ynl simetrik bir devre elemandr. Diyak negatif diren blgesine girer girmez
iletime geer. Bu blgede diyak ierisinden geen akm artarken ularndaki gerilim dm
azalr. Diyak ift ynl bir devre eleman olduundan her iki ynde akan akm deeri
ayndr. Bundan dolay karakteristii simetriktir.
Triyak'la ayn sinyal zerinde tam saykl kontrol yapmak mmkndr. Tiristr ve triyakla
yaplan faz kontrol ve kontrol alar ekil-4.28 zerinde ayr ayr gsterilmitir. Grld
gibi tristrde mmkn olan kontrol as 900'dir ve sadece tek bir alternanstadr. Triyakla
hem pozitif hem de negatif alternansta faz kontrol yaplabilmektedir.
.e
99
V
Yk
0
Yk
Tetikleme
Devresi
ri.
Tetikleme
Devresi
VA K
VAA
no
tla
de
rs
Yk
Yk
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R1
R2
P
C
a)
b)
100
Yk
V
Kaplan
VA A
P
Diyak
tla
ri.
no
Bu devrede, yke uygulanan AC gerilimin herhangi bir andaki deerinde triyak iletime
srebilmek iin tetikleme devresinde diren, kondansatr birleimi kullanlmtr. Devrenin
zaman sabitesi; (tetikleme palsnn frekans) yk devresi ve faz kontrol potansiyometresi
P1'in deeri ile birlikte C1 kondansatrnn deerine baldr. Bu elemanlarla elde edilen
zaman sabitesi kontrol edilecek sinyali istenilen noktada tetikleyerek faz asn belirler.
de
rs
Devrede kondansatr zerinde oluan gerilim deeri, diya iletimi srecek seviyeye
ulatnda diyak tetiklenerek iletime geer. Diyak iletken olduunda; triyak, diyak
zerinden tetiklenir. Bu anda kondansatr diyak zerinden dearj olur ve yeni bir saykln
balamasna izin verir.
Zaman sabitesi= (yk direnci+P1)xC1
deerine eittir.
.e
em
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
L1
V
Yk
C1
R2
C2
R3
R4
Diyak
C3
101
co
m
Kaplan
ri.
DC G Kaynaklar
DC G Kaynaklar
Transistrl Gerilim Kaynaklar
Tmdevre Gerilim Kaynaklar
Anahtarlamal Gerilim Kaynaklar
Amalar:
no
5.1
5.2
5.3
5.4
tla
Konular:
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.
rs
de
em
.e
BLM 5
ANALOG ELEKTRONK - II
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
5.1 DC G KAYNAKLARI
ri.
Temel dc G Kayna
Transformatrler
Dorultma ve Filtre devreleri
Reglasyon ilemi
no
tla
rs
de
Bilindii gibi btn elektronik cihazlar (radyo, teyp, tv, bilgisayar v.b gibi) almak iin
bir dc enerjiye gereksinim duyarlar. dc enerji, pratik olarak pil veya aklerden elde
edilir. Bu olduka pahal bir zmdr. dc enerji elde etmenin dier bir alternatifi ise
ehir ebekesinden alnan ac gerilimi kullanmaktr. ebekeden alnan ac formdaki
sinsoydal gerilim, dc gerilime dntrlr. Bu ilem iin dc g kaynaklar kullanlr.
Transformatr
Dorultma
Devresi
Filtre
Devresi
Reglatr
Devresi
RL
.e
em
Transformatr
ehir ebeke gerilimi genellikle 220Vrms/50Hzdir. Bu gerilim deerini belirlenen veya
istenilen bir ac gerilim deerine dntrlmesinde transformatrler kullanlr. Bir
transformatr silisyumlu zel satan yaplm gvde (karkas) zerine sarlan iletken iki
ayr sargdan oluur. Bu sarglara primer ve sekonder ad verilir. Primer giri, sekonder
k sargsdr. Primer ile sekonder sarglar arasnda fiziksel bir balant yoktur. Bu
zellik, kullancy ve sistemi ehir ebekesinden yaltarak gvenli bir alma salar.
103
ri.
.e
em
de
rs
no
tla
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
104
D1
D1
D3
RL
V0
V0
RL
ri.
D2
tla
no
rs
Tam
Dalga
Dorultma
Filtre
Devresi
V0
0
de
12Vrms
50Hz
+
+
.e
V0=(1.41x12V)-1.4V=16V
D1
em
Son olarak ekil-5.4de komple bir dc g kayna devresi, k iaretinin dalga biimi ve
alabilecei dc deer verilmitir. kta filtre amacyla kullanlan kondansatrn kapasite
deeri nemlidir. Byk deerli kapasiteye sahip kondansatr daha iyi sonu verir.
D3
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
RL
V0
V0
0
105
ri.
G.R =
VTAMYKL
tla
rnek:
5.1
VYKSZ VTAMYKL
VTAMYKL
100
no
G.R = %
rs
zm
VTAMYKL
de
G.R = %
100
G.R = %
12V 11.9V
100
11.9V
G.R=%0.084 / mA
em
.e
Kararl ve dzenli bir dc gerilim elde etmede ilk adm gerilim reglasyonudur. Gerilim
reglasyonu, gerilim reglatr devreleri kullanarak yaplmaktadr. lk gerilim
reglatrleri zener diyot-transistr ikilisinin kullanlmas ile gelitirilmitir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
Bu blmde regle ileminin temel ilkelerini renmek amac ile transistrl gerilim
reglatrlerini inceleyeceiz. Reglatr devresinin yke seri veya paralel olmas
reglatrn tipini belirler. Seri ve paralel olmak zere iki tip transistrl gerilim
reglatr vardr. Paralel gerilim reglatrleri bota akm ekmeleri, ok g
harcamalar vb nedenlerden tr pek tercih edilmezler. Regle devrelerine, k
akmn istenilen seviyede snrlamak amac ile bir takm ilave dzenekler eklenebilir.
Paralel Gerilim Reglatr
Seri Gerilim Reglatr
Regle ileminin amac belli bir elektriksel bykl d etkilerden bamsz olarak sabit
tutabilmektir. Bunun iin regle edilecek byklk (gerilim veya akm) srekli olarak
llmek zorundadr. llen bu deer (o andaki deer), olmas istenen gerek deerle
karlatrlarak regle ilemi yaplr.
Regle devrelerinde; olmas istenen deer iin bir referans gerilimi gereklidir. Bu deer
zener diyotlarla salanr. Zener diyotla yaplan regle devresi nceki blmlerde
incelenmiti. Burada tekrar incelenmeyecektir. Zener diyot regle ilemi iin tek bana
yeterli deildir.
106
ri.
Zener diyotla alnan referans deer, dier bir takm elektronik devre elemanlar ile
gelitirilerek regle ilemi yaplr. Regle ilemi gerilim iin yapld gibi akm iinde
yaplabilir. Bu blmde gerilimi kararl klmak iin gerekletirilen reglatrler
incelenecektir. Transitrl gerilim reglatrleri seri ve paralel gerilim reglatrleri olarak
ikiye ayrlmlardr. Paralel reglatrde yke paralel gerilim kontrol yaplr. Seri
reglatrde ise gerilim kontrol yk ile seri olup akm yolu zerindedir. Bu iki reglatr tipi
aada ayrntl olarak incelenmitir.
tla
.e
em
de
rs
V
12Vrms 0
no
Standart bir paralel gerilim reglatr devresi ekil-5.5de verilmitir. Bu devrede; RP direnci
ve Q transistr yardm ile regle edilmeye uygun bir gerilim blc oluturulur. k
gerilimi V0, zener geriliminden transistrn VBE eik gerilimi kadar daha byktr. Yani
V0=VZ+VBE olur. RP n direnci, transistrn maksimum akm ve transistrde harcanmasna
izin verilen maksimum g kayb almayacak biimde seilmelidir.
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VZ
5v 6
Q
IK
VN
16V
C
1000 F
25V
IL
RL
VL
IB
R1
RP
IK +L
rnein zener gerilimi VZ=5.6 volt, Reglesiz giri gerilimi V=16 volt deerinde ise,
transistrden izin verilen maksimum IC=1Alik akmas halinde Rp direncinin deeri;
RP =
VN V0
IC
16 6
= 10
1
olarak elde edilir. Transistrn emiter ile kollektr ksa devre edilirse, bu durumda giri
geriliminin toplam Rp direnci zerinde der. Rp direncinde harcanan toplam g ise;
PRP =
VN 2
RP
16 2
= 25W
10
olarak bulunur. O halde Rp direnci, 25Wlk bir gle yklenebilecek ekilde seilmelidir.
Devredeki IK ksa devre akm ise;
IK =
VN
RP
16
= 1.6 A
10
olarak bulunur. k gerilimi V0, Rp direncindeki gerilimin Vi-VZ farkndan byk oluncaya
kadar ve benzer ekilde yksz halde IL akm IC akmndan byk oluncaya kadar kararl
107
klar. Daha sonra zener diyotundan akan akm deeri, zener krlma akm IZmin deerinden
daha kk olursa kararllk yok olur. Bu durum ayn zaman da V0 k gerilimi, Vi(VZ+VBE) olduunda sz konusudur. Zener akm IZ=0.02 amper olan bir zener diyodu
kullanldnda RLmin deeri;
0.6V
VBE
=
= 6
0.02mA
IZ
ri.
RL min =
tla
olur. Burada dikkat edilmesi gereken husus, IZmax deerine transistrn beyz akmnn da
ekleneceidir. Bu anda zener diyottan akacak gerek akm deeri;
I Z max = I Z + I B = I Z +
IL
no
PZ=VZIZ
rs
1
= 40mA
50
PZ=5.6v0.04A
PZ=224 mW
de
em
.e
Seri gerilim reglatrlerinde, reglasyon transistr yke seri balanr. k gerilimi V0;
transistrn beyz-emiter gerilimi (VBE) ile zener gerilimi (VZ) toplamna eittir. ekil-5.6'da
seri reglatr devresi grlmektedir. Buna gre k gerilimi;
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0=VZ+(-VBE)
olur. k yk akm ise, seilen transistrn beyz akmn salayabilmesi art ile;
I0max=(IZmax-IZmin)
deerinde olur. Burada transistrn kaldrabilecei maksimum g kayb da dikkate
alnmaldr. , transistrn akm kazancdr. RS direncinin bu durumda deeri;
RS =
VN VZ
I Z + I BMAX
deerine eittir.
108
I 0 MAX ( = I CMAX )
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
I N
V
12Vrms 0
I0
RS
IB
ri.
VN
C1
IZ
VZ
tla
C2
V0
rs
no
de
V0min=VZ+VCEQ1-(VBEQ2+VBEQ3)
V0min=5.6v+2v-(0.6+0.6) =6.4 Volt.
IN
I0
Q2
R1
V
Reglesiz
dc giri
gerilimi
IR
R3
R2
V0
Q3
.e
em
R4
VZ
R5
109
olmaldr. rnein k geriliminin maksimum deeri 24 volt, akm ise 0.5 Amper olsun. Bu
durumda PQ3 transistrnde harcanacak maksimum g;
PQ 3 = (V0 MAX V0 MIN ) I LMAX
PQ 3 = 9W
ri.
PQ 3 = ( 24V 9V ) 0.5
tla
no
rs
R3 , R3 , R3 =
V0 MIN
9V
=
= 1.8K
VBQ 1
5mA
de
I R MAX =
18V
= 10mA
1.8K
em
R5 =
VR 5
I RMAX
6.2V
= 620
10mA
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
VR 4 , R 5
I RMIN
==
6.2V
= 1.2K
5mA
R4=R4,5-R5=(1.2K-620)
R4=620
IL
0.5 A
=
= 20mA
Q3
25
110
I BQ 2 =
I EQ 2
Q2
20mA
= 0.1mA
200
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
olur. Q2'nin beyz akm, Q2'ye ve ayn zamanda Q3'n beyz akmna eit olan, kendisinin
emiter akmna baldr. R1 direnci, bu durumda zerinde den en kk gerilimde dahi
IR4=1mA'lik akm geirecek ekilde seilmelidir. R4 direncindeki en kk gerilim deerini;
VRMIN = 21.6 (18V + 0.6V + 0.6V ) = 2V
VR 4
2V
=
= 20K
I BQ 2 0.1mA
ri.
R 1 MAX =
bulunur.
V0 MIN VZ 9V 5.6V
=
= 680
5mA
I ZMIN
no
R2 =
tla
elde edilir. R1=18K seelim. R2 direnci ise zener krlma gerilimini ayarlayan n direntir.
Bu direncin deeri her durumda zeneri reglede tutacak deerde seilmelidir. Bunun iin
zener minimum krlma akmn katalogdan IZmin=5mA alalm. Bu durumda R2 deeri;
rs
Ar Akm Korumas
de
Regleli gerilim kaynaklarndan istenen bir dier zellik ise ar akm korumasdr. Regleli
bir akm kaynann kndan ar akm ekildiinde veya ksa devre olduunda regle
devresinin ve g kaynann zarar grmemesi iin ar akm koruma devresi eklenir. ekil5.8'de byle bir devre verilmitir. Bu devrede, ekil-5.7'deki devreye ilave olarak R6 ve Q4
transistr ilave edilmitir. Devrenin dier ksmlar ayndr. Bu yeni elemanlar bize iki
seenek sunarlar.
k Akm IL deerini nceden belirlenen bir akm deerinde snrlanr.
k akm IL, nceden belirlenen bir deeri aarsa k gerilimi sfra indirilir.
Devrenin almas ksaca yledir: ktan alnan IL akm, RAK direnci ve Q3 transistr
zerinden geer. Bu anda IL akm RAK direnci zerinde bir gerilim dmne neden olur.
Bu gerilimin deerini IL akm ve RAK deeri belirler. RAK zerine den gerilim, Q4
transistrnn beyz-emiter gerilimine ulatnda Q4 iletime geer ve Q3 transistrnn beyz
gerilimini snrlar. Bylece akm sabit bir deerde kalr ve aadaki gibi hesaplanr.
I 0 MAX =
VBE 4 0.6V
=
5mA
R6
.e
em
1)
2)
111
Q1
IN
R6
I0
IR
Q2
R1
R2
R3
ri.
V
Reglesiz
dc giri
gerilimi
V0
Q4
VCE Q1
tla
Q3
R4
R5
no
VZ
rs
em
de
Lineer tmdevre gerilim reglatrleri; ayrk elemanlarla oluturulan reglatrlere gre hem
daha ekonomik, hem de daha ilevseldirler. Bu tr reglatrler genellikle seri gerilim
reglatr gibi dnebilir. Lineer tmdevre gerilim reglatrleri; genellikle k
gerilimleri (sabit/ayarl) kutuplama ynleri (pozitif/negatif) dikkate alnarak kendi
aralarnda snflandrlabilir.
Bu blmde;
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
lineer tmdevre gerilim reglatrleri ayrntl olarak sizlere tantlacak eitli uygulama
rnekleri verilecektir.
DC gerilimi, tm etkilere kar kararl (regleli) hale getirebilmek iin regle ileminin
nemli olduunu biliyoruz. Regle ilemi ise reglatr devreleri kullanlarak
gerekletirilmektedir. Bir nceki blmde; aktif ve pasif devre elemanlar kullanarak
reglatr yapmn gerekletirdik. Gelien elektronik teknolojisi tek bir tmdevre (chip, ICs)
ierisinde gerilim reglatr retimine olanak salamtr. Gnmzde tek bir tmdevre
ierisinde yzlerce farkl tip ve zellikte gerilim reglatr retimi yaplmaktadr. Bu
blmde elektronik piyasasnda yaygn olarak kullanlan birka farkl tip tmdevre gerilim
reglatrnn tantm yaplacak ve uygulama rnekleri verilecektir.
112
bu tr tmdevreleri inceleyeceiz.
ri.
78li saylarla kodlanan gerilim reglatrlerinde ilk iki rakam (78) reglatr tipini sonraki
harf k akmn, son rakamlar ise k gerilimi deerini verir. rnein 7805 ile
kodlanm bir reglatr; +5V k gerilimi ve 1A k akmna sahiptir.
5V
6V
8V
9V
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
rs
78.....
78M....
78L.....
LM309K
LM323
LM340K
k Gerilimi
LM317T
L200
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
no
Tmdevre
Tipi
tla
1.2V..............37V Ayarlanabilir.
2.85V............36V Ayarlanabilir.
Giri
Gerilimi
(max)
k
Akm
(max)
Tipik
Skunet
Akm
Klf
Tipi
35
35
35
35
20
35
1A
500mA
100mA
1A
3A
1.5A
4.2mA
3mA
3mA
5.2mA
12mA
4.2mA
TO220
TO202
TO92
TO3
TO3
TO3
40
40
1.5A
2A
50A
4.2mA
TO220
pentaw
de
Pozitif veya negatif sabit gerilim reglatrleri kullanarak reglatr yapmak iin tablo5.1de belirtilen snr deerlere uymak gerekir. rnein; tmdevre gerilim reglatrnn
giriine uygulanacak reglesiz gerilim deeri, reglatr geriliminden en az 2V daha
byk olmaldr. Tmdevre gerilim reglatrlerinin pek ounun klar sl
korumaldr. ktan ar akm ekildiinde sl duyarl koruma devresi etkinleerek
tmdevreyi ar akma kar korur. Pozitif sabit gerilim reglatrlerinin terminal
balantlar ve klf tipleri ise ekil-5.9da verilmitir.
TO-220
.e
em
78M15 eklinde kodlanm bir gerilim reglatr ise +15V k gerilimine ve 500mA
k akmna sahiptir.
pentawatt
TO-202
TO-92
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
LM
78XX
GR
LM
78MX
IKI
GR
L200
LM
78LX
IKI
IKI
GR
GR
IKI
Akm Sens
Vreferans
113
8V
9V
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
79.....
79M...
79L....
LM345K
LM320K
LM337
k
Akm
(max)
Tipik
Skunet
Akm
Klf
Tipi
35
35
35
20
35
1A
500mA
100mA
3A
1.5A
4.2mA
3mA
3mA
1mA
2mA
TO220
TO202
TO92
TO3
TO3
40
1.5A
65A
TO220
X
X
X
ri.
5V
Giri
Gerilimi
(max)
tla
Tmdevre
Tipi
1.2V..............37V Ayarlanabilir.
no
TO-3
TO-202
TO-92
rs
GR
LM
79XX
de
GR
LM
79MX
LM
79LX
IKI
GR
IKI
IKI
GR
GR
em
GR
LM
K
337
IKI
IKI
ulu sabit pozitif gerilim reglatr ile yaplan temel uygulama devresi ekil-5.11de
izilmitir. Bu balant tipiyle yaplan devre montajnda; dorultucu, reglatr ve beslenecek
devre birbirlerine yakn iseler, C1 ve C2 kondansatrlerine gereksinim olmaz. Ancak balant
kablolarnn boylar birka santimin dna ktknda yksek frekanslarda titreimi
nlemek iin bu kondansatrler mutlaka kullanlr. C2 kondansatr ayrca k geriliminin
kararlln salamada ve reglasyon hzn iyiletirmede kullanlmaktadr.
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
LM78XX
IN
OUT
GND
C1
1000 F
C2
330nF
C3
100nF
V0
114
ri.
direnci ve tmdevreden akan yk akm, R1 direnci zerinde transistr sren bir gerilim
dmne neden olur. Tmdevreden akan akm ne kadar bykse R1deki gerilim dm
ve T1den akan akm da o kadar byk olur. Bu durumda yk akm, tmdevre ve transistr
zerinde ikiye blnr. Bylece, devrenin k akm tmdevreye zarar vermeden
ykseltilmi olur. Devre kndan transistorn gcne bal olarak yksek akmlar
alnabilir. k gerilimi sabittir.
LM78XX
IL
R1
V
Reglesiz
dc gerilim
IL
tla
T1
OUT
IN
GND
no
C2
330nF
C3
100nF
V0
rs
de
R2 =
VBE
I LMAX
0.6V
I MAX
elde edilir.
IL
R2
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
R1
V
Reglesiz
dc gerilim
T2
LM78XX
OUT
IN
GND
C2
330nF
T1
C3
100nF
V0
115
LM78XX
OUT
IN
GND
V
Reglesiz
dc gerilim
IQ
V0
ri.
C1
330nF
VRE G
R1
C2
100F
tla
R2
no
de
rs
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
LM79XX
_
IN
OUT
GND
C1
1000 F
C2
330nF
C3
100nF
V0
116
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
+12V
12Vrms
220Vrms
50Hz
IN
IN
LM7812
12Vrms
C2
470nF
GND
C5
1000F
C6
470nF
GND
C3
100nF
100nF
tla
C7
100nF
IN
IN
C8
100nF
GND
LM7905
OUT
-5V
-12V
no
LM7912
de
rs
em
.e
C4
GND
ri.
C1
1000F
+5V
OUT
LM7805
+
D1
R1
22K
uAM78MG
OUT
IN
GND
V
Reglesiz
dc gerilim
V0
5.30V
K
IQ
C1
330nF
C2
100nF
R2
5K
117
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
ri.
Bu formlde VR deeri referans gerilimidir. Bu deer A78MG iin 5V, A79MG iin -2.2V
dur. Devredeki K kontrol girii, k geriliminin ayarlanmasn salar. K ucuna doru akan
akmn deeri sadece 1Adir. Gerilim blcnn ortalama akm 1mA olarak belirlenirse
78MG tmdevresinde R2 iin,
R2 =
no
VR
5V
=
= 5 K
I Q 1mA
R2 =
V R 2.2V
=
= 2.2 K
I Q 1mA
de
rs
deerleri bulunur. nk kontrol girii K, her iki tmdevrede de referans gerilimidir. ekil5.17deki devrede C1 ve C2 kondansatrlerinin ilevleri nceki blmlerde aklananlarla
ayndr. Yani bu kondansatrler k geriliminin rpl faktrn (dalgaln) ve giriteki
deimelere kar karalln iyiletirmede kullanlrlar. Tmdevrenin lehimleme sresi 10
saniyeyi gememelidir. Ayrca tmdevreye uygulanacak giri gerilimi maksimum k
geriliminden en az 2V daha yksek olmaldr.
em
Devre de R1 ve R2 direnlerinden pratik olarak ayn akm akar. ( K ucundan akan akm ok
kk olduundan ihmal edilebilir.) Bylece 1mAlik IQ akm iin k gerilimi;
V0=(R1+R2)IQ
V0=(R1+R2)1mA
.e
118
RS C
R3
BD376
D1
Q1
Q2
uAM78MG
BD140
OUT
GND
V
Reglesiz
dc gerilim
R1
22K
ri.
IN
IQ
C1
330nF
tla
C2
100nF
V0
5.30V
R2
5K
no
de
rs
Negatif ayarlanabilir gerilim kaynaklar da ayn esaslara bal olarak kullanlr. ekil-5. 19da
ise simetrik bir gerilim kayna rnei verilmitir. Bu tip simetrik gerilim kaynaklarna
"Dual-Tracking" gerilim reglatrleri denir. Bu devrede pozitif ve negatif gerilim
reglatrleri birbirleri ile yle balanmlardr ki k gerilimleri aseye gre daima ayn
(tam) mutlak deerleri gsterirler. rnein; yk akm deimelerinde pozitif k gerilimi
10mV azalrsa, ayn anda negatif gerilimde otomatik olarak 10mV azalr. Bylece k
gerilimleri daima topraa (aseye) gre simetrik kalr.
uAM78MG
OUT
IN
GND
+V0
R1
C2
100nF
C1
330nF
R2
V
Reglesiz
dc gerilim
R 2+R2
0V
R 2
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
C2
1F
C1
2.2F
GND
IN
R 1
OUT
-V0
uAM79MG
119
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
tla
LM317
IN
VRE F
R1
C2
1F
IA
V0
no
OUT
AYAR
C1
100nF
R2
rs
de
em
1.25V
120
2.5V
360
5V
1032
12V
2184
24V
2760
30V
.e
R2 Deeri
ri.
R
V0 = V REF 1 + 2 + I A R2
R1
LM317
IN
AYAR
V
LM337
OUT
C1
100nF
R2
V RE F
IA
IN
R1
120
AYAR
C2
1F
V0
OUT
C1
100nF
R2
V RE F
R1
120
IA
120
C2 V
0
0.1F
LM317T
+25V
IN
ri.
OUT
R1
120
AYAR
tla
C1
0.1F
R2
2K
no
V
Reglesiz
dc gerilim
R2
C3
10F
C4
10F
2 K
C2
01F
rs
AYAR
IN
-25V
C5
1F
0V
C6
1F
R1
120
OUT
LM337T
-1.2.20V
de
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
121
Genel zellikler
tla
ri.
no
olarak ifade edilmektedir. Dolaysyla kayplarn tmne yakn kontrol eleman olarak
kullanlan ve aktif blgede altrlan transistr zerinde olumaktadr.
rs
de
em
.e
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
122
VREF
gen Dalga
Referans
Reglatr
VB
R1
R2
ri.
VA
PWM
VM
G Anahtar
tla
Hata Amp.
VH
V
Reglesiz
Giri
Tmdevre
RL
VL
Regleli
k
no
rs
VM
VA
Gerilim Karlatrc
de
VM
t
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0
VA
t
-VA
R1 + R 2
deerindedir. Opampn ideal olduu kabul edilirse (eviren ve evirmeyen girileri arasnda
gerilim fark yoktur), evirmeyen giriteki VREF deeri;
R1
V REF = V0
R1 + R2
olur. Bu formlden regleli k gerilimini yazarsak;
R
V0 = V L = V REF 1 + 2
R1
Elde edilen k geriliminin devre giri gerilimi Vden ve yk akm ILden bamsz olduu
123
R1
ri.
tla
Darbe Sresi
T
no
olur. Grld gibi darbe periyot orann (D); VA geriliminin periyodu (T) belirlemektedir.
VA gerilimi ise ekil-5.24de grld gibi karlatrc giriine verilen VM deerine
baldr. Dolaysyla sistemin lineer bir darbe periyot modlatr (PWM) gibi altn
syleyebiliriz.
Darbe Sresi
V
= 0.5 1 M
T
V
rs
D=
de
.e
em
Kaplan
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
olarak adlandrlr. Yukarda belirtilen 3 ayr tip anahtarlamal reglatr ayrntl olarak
inceleyeceiz. Her 3 tipin zelliklerini belirterek avantaj ve dezavantajlar zerinde
duracaz.
124
Kaplan
L
V
Reglesiz
Giri
Anahtarlama
Kontrol
co
m
ANALOG ELEKTRONK - II
V0
Regleli
k
RL
ri.
tla
no
de
rs
em
R1
t ON
tOFF
Kondansatr Gerilimi
V0
V0
V0
V
D
R2
tOFF
tON
PWM
Kondansatr Gerilimi
RL
V0
R3
V0
+
0
.e
Vi
Reglesiz
Giri
125