c

ri.

: Yariletken Malzemeler ve zellikler

: Diyotlar
: Diyot Uygulamalar
: ift Jonksiyonlu Transistrler (BJT)
: BJT DC ngerilimleme
: Alan Etkili Transistrler

w
w

.e

em

de
r

Giri
1.Blm
2.Blm
3.Blm
4.Blm
5.Blm

sn
o

tl a

ALAR GL

c
ri.
tl a
sn
o
de
r

Giri

w
w

.e

em

Yariletken Malzemeler ve
zellikleri

c
ri.

tl a

Atom Yaps

sn
o

Maddenin en kk paras olan atom, merkezinde bir ekirdek ve etrafnda

dnen elektronlardan oluur. ekirdei oluturan en ar paracklar proton ve
ntronlardr.

de
r

Proton ve ntronlarn arl yaklak olarak birbirine eittir. Protonun arl

elektronun arlnn 8000 katdr. Elektron ve protonun elektrik ykleri
birbirine eittir.

.e

em

Protonlar pozitif ykl olup, elektronlar negatif ykldr. Ntronlar yksz

paracklardr. Serbest halde atom ntr haldedir yani elektron says proton
saysna eittir.

w
w

Atomlardaki elektron says birden 105e kadar deimektedir. Elektron, ntron

ve proton saysna gre farkl atomlar ve bu atomlardan zellikleri deiik olan
elementler oluur. Bir atomun numaras elektron saysna veya proton
saysna eittir.

ri.

tl a

sn
o

de
r

em

.e

w
w

Atom Yaps

c
ri.

em

de
r

sn
o

Bu modelde grld gibi,

elektronlar ekirdek etrafnda
belirli bir yrngede yer
almaktadrlar. Bir malzemenin
atomik yaps, onun iletkenlik
ya da yaltkanlk zelliini
belirlemektedir.

tl a

Bohr Atom Modeli

w
w

.e

Diyot, idealde bir ynde akm

geiren devre elemandr.

c
ri.

tl a

Atom Yaps

sn
o

Elektronlar atomun ekirdei etrafnda yrngelerde dnmektedir.

de
r

Yrngeler kabuklarda toplanmtr ve kabuklar arasnda boluklar

vardr.

em

Bir atomun belirli sayda kabuu vardr. Her bir kabukta

bulunabilecek maksimum elektron says belirli ve sabittir.

.e

Kabuklar ekirdekten itibaren K,L,M,N,O,P,Q olarak adlandrlr.

w
w

Kabuklarda bulunabilecek maksimum elektron says srasyla 2, 8, 8,

32, 50, 72, 98 olarak bilinmektedir.

c
ri.

Bir malzemenin

tl a

letkenler, Yaltkanlar, Yariletkenler

de
r

sn
o

akm iletme
yetenei,
malzemenin
atomik
yapsna baldr.

ekirdei

em

evreleyen
elektronlarn yrnge konumlar
Kabuk
(Shell)
olarak
adlandrlr.

.e

Her bir kabuk 2n2 forml ile

w
w

belirlenen
sahiptir.

elektron

saysna

En dtaki kabuk valans kabuu

olarak adlandrlr.

c
ri.

letkenler, Yaltkanlar, Yariletkenler

Bir silisyum atomunun
son
yrngesinde 4 elektron vardr. Bu
zellii
onu
yariletken
bir
malzeme yapar. n=3 kabuk saysna
sahip olduu iin, 2n2 formlne
gre 18 elektron alma kapasitesine
sahiptir.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Bakr atomu valans yrngesinde

sadece 1 elektrona sahiptir. Bu
onu iyi bir iletken klar ve bu
yrnge n=4 kabuk saysna sahip
olduu iin, 2n2 formlne gre 32
elektron
alma
kapasitesine
sahiptir.

tl a

Valans kabuu, malzemenin iletkenlik zelliini belirler.

c
ri.

Enerji Band Diyagramlar

sn
o

tl a

Atom ve yar iletken teorisinde kullanlan elektron volt (eV) birimi, bir elektronun
bir Vluk gerilim potansiyeline kar hareket etmesi sonucu kazand enerjidir. Bir
kat maddenin valans bandndaki elektronlar iletim bandna geirmek iin s, k,
elektrik gibi enerjilerden biri uygulanabilir.

de
r

Maddeye gerilim uygulandnda oluan serbest elektronlar elektrik akm retir.

Akm tayan elektronlar serbest elektronlardr. Akm yk ak olduuna gre belirli
bir noktadan saniyede akan yk miktar olarak tanmlanabilir.

w
w

.e

em

Yk birimi coulomb ve enerji birimi joule ile elektron enerjisi eV arasndaki iliki
aadaki gibi yazlabilir.

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Enerji Band Diyagramlar

c
ri.

tl a

Enerji Band Diyagramlar

sn
o

Elektronlarn enerjileri ekirdekten uzaklatka artmaktadr.

Yarap kk olan elektronun enerjisi en kktr ve enerji yarap
ile artar.

de
r

Kabuk iindeki elektronlarn enerjileri arasndaki fark kktr.

Kabuklar arasndaki enerji fark ise byktr.

em

Kabuklar arasndaki blge, yasak blge veya enerji boluu olarak

adlandrlr.

w
w

.e

Elektronlar bu blgede bulunmazlar. Btn kabuklar arasnda enerji

boluu mevcuttur. Atomun en d kabuundaki elektronlara valans
elektron ad verilir.

10

c
ri.

tl a

Kovalent Ba

w
w

.e

em

de
r

sn
o

ki veya daha fazla atomun valans elektronlarnn etkileimi ile oluan baa,
Kovalent ba ad verilir.

11

c
ri.

tl a

Yar letkenlerde Kristal Yap

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Silisyum ve germanyum atomlarnn valans yrngelerinde yer alan

elektronlar arasnda kovalent ba yaps vardr. Saf halde bu ba yaps
bozulmaz ve bu yariletken malzemeler yaltkan durumdadr.

12

c
ri.

tl a

N-tipi ve P-tipi Yariletkenler

sn
o

N-tipi ve P-tipi malzemelerin oluturulma ilemi katklama olarak adlandrlr.

P-tipi yariletken oluturmak iin

Silisyum yapya Bor gibi 3 valans
elektronlu katklama atomlar katlr.

w
w

.e

em

de
r

N-tipi yariletken oluturmak iin

Silisyum yapya Antimuan gibi 5
valans
elektronlu
katklama
atomlar katlr.

13

c
ri.
tl a
sn
o
de
r
em

P-tipi yariletken yapda, yapya

katlan ve elektron alan katklama
atomlar Akseptr yonlar olarak
tanmlanr. Bu yapda ounluk akm
tayclar oyuklar, aznlk akm
tayclar ise elektronlardr.

w
w

.e

N-tipi yariletken yapda, yapya katlan

ve elektron vererek pozitif yklenen
katklama atomlar Donr yonlar
olarak tanmlanr. Bu yapda ounluk
akm tayclar elektronlar, aznlk
akm tayclar ise oyuklardr.

14

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

p-n Jonksiyonu

Jonksiyon blgesinde elektron-oyuk birlemesi meydana gelerek burada

iyonize atomlardan oluan fakirlemi blge (depletion region) ve
bariyer potansiyeli oluur.
15

de
r

sn
o

tl a

ri.

leri Yn ve Ters Yn Kutuplama

leri Yn Kutuplama

Ters Yn Kutuplama
Gerilim kaynann (kutuplama
balantlar) - terminali p-tipi malzemeye, +
terminali de n-tipi malzemeye gelecek
ekilde balanr.

.e

em

Gerilim kaynann (kutuplama

balantlar) + terminali p-tipi
malzemeye, terminali de n-tipi
malzemeye gelecek ekilde balanr.

w
w

Kutuplama gerilimi Germanyum diyot

iin 0.3 V dan, Silisyum diyot iin de 0.7
V dan daha byk olmaldr.
leri yn kutuplama, p-n
jonksiyonundaki fakirlemi blgenin
daralmasna yol aacaktr.
16

Kutuplama gerilimi, krlm geriliminden

(breakdown voltage) daha az olmaldr.
Ters ynl bir kutuplama durumunda diyot
p-n jonksiyon yapsndaki fakirlemi blge
geniler ve yapda ters ynl kk bir sznt
akm dnda akm akmaz.

c
ri.
tl a
sn
o

w
w

.e

em

de
r

1. Blm:
Blm:
Diyotlar

tl a

ri.

Yar iletken Maddeler

de
r

Silisyum
Silisyum (Si)
Germany
Germanyum (Ge
(Ge))dur.

w
w

.e

em

sn
o

Yariletken devre elemanlarnda en ok kullanlan maddeler;

tl a

ri.

Katk Oluturma

sn
o

Silisyum ve Germanyumun elektriksel zellikleri, katk ilemiyle eklenen

maddeler sayesinde arttrlr.

de
r

ki tip katkl yariletken vardr:

.e

n-tipi maddeler silisyum (ya da germanyum) atomlarn negatif yapar.

p-tipi maddeler silisyum (ya da germanyum) atomlarn pozitif yapar.

w
w

n-tipi
p-tipi

em

sn
o

tl a

ri.

p-n Jonksiyonu

de
r

Silisyum ya da germanyum kristalinin bir ksm p-tipi madde ile dier

ksm ise n-tipi madde ile katklandrlr.

w
w

.e

em

Sonuta elde edilen durum p-n jonksiyonudur.

onksiyonudur.

c
ri.

sn
o

tl a

p-n Jonksiyonu

de
r

p-n jonksiyonunda, n-tipi katmann

negatif ykl atomlar, p-tipi
katmann pozitif ykl atomlar
tarafndan hareketlendirilir.

em

n-tipi
maddedeki
elektronlar,
jonksiyon blgesini geerek p-tipi
maddeye doru akarlar (elektron
ak).

w
w

.e

Sonuta, jonksiyon blgesinin

etrafnda bir boaltlm blge
oluur.

c
ri.

Diyot

sn
o

tl a

P ve N tipi malzemeler bir kristal yap iinde bir araya getirildiinde iki blge
arasnda bir P-N jonksiyonu oluturur. Bu eleman yar iletken diyot olarak bilinir
ve tek ynde akm geirir.

de
r

P-N jonksiyonu diyot, transistr ve dier yar iletken elemanlarn temelidir. Bir
diyot, anot ve katot eklinde iki ucu olan bir devre elemandr.

w
w

.e

em

Diyot, idealde bir ynde akm

geiren devre elemandr.

c
ri.

tl a

Diyot

Kesim Blgesi

.e

Diyot zerindeki gerilim 0Vtur

Akm idealde sonsuzdur.
leri yn direnci
RF = VF / IF ile tanmlanr.
Diyot iletimde ksa devre gibi davranr.

w
w

em

de
r

sn
o

letim Blgesi

Uygulanan gerilim diyot

zerindedir.
Akm 0Adir.
Ters yn direnci; RR = VR / IR
Diyot ak devredir.

sn
o

tl a

ri.

Diyotun alma artlar

Bir diyotun alma durumu vardr:

ngerilimsiz
leri ngerilimli
Ters ngerilimli

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

Diyotun alma artlar

ngerilimsiz

w
w

.e

em

Dardan bir gerilim uygulanmaz:

VD = 0V
Herhangi bir akm olumaz: ID = 0A
ok az miktarda boluk blgesi vardr.

de
r

tl a

ri.

Diyotun alma artlar

sn
o

Ters ngerilim

w
w

.e

em

de
r

p-n jonksiyonuna ters ynde harici bir gerilim

uygulanr.

10

Ters polarma, boluk blgesinin

genilemesine neden olur.
n-tipi maddedeki elektronlar pozitif
uca doru hareketlenir.
p-tipi maddedeki oyuklar negatif uca
doru hareketlenir.

tl a

ri.

Diyotun alma artlar

sn
o

leri ngerilim

w
w

.e

em

de
r

p-n jonksiyonuna, p ve n katmanlar ile ayn ynde

harici bir gerilim uygulanr.

11

leri polarma, boluk blgesinin

daralmasna neden olur.
Elektronlar ve oyuklar, p-n
jonksiyonuna doru itilir.
Elektronlar ve oyuklar, p-n
jonksiyonunu geecek kadar yeterli
enerjiye sahip olur.

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Diyot Karakteristik Erisi

12

sn
o

Bir diyottan iki eit akm geer:

tl a

ri.

ounluk ve Aznlk Tayclar

de
r

ounluk Tayclar

n-tipi maddede ounluk tayclar elektronlardr.

p-tipi maddede ounluk tayclar oyuklardr.

Aznlk Tayclar

.e

em

n-tipi maddede aznlk tayclar oyuklardr.

p-tipi maddede aznlk tayclar elektronlardr.

w
w

13

sn
o

tl a

ri.

Zener Blgesi

Zener Blgesi, bir diyotun ters

polarma blgesidir.

w
w

Bu maksimum snr gerilimi krlma

gerilimi
Akm ise akm olarak tanmlanr.

.e

em

de
r

Zener blgesinin snr aldnda,

diyot bozulur ve ters yn akm ani bir
ekilde art gsterir.

14

c
ri.

sn
o

tl a

leri Yn Gerilimi

de
r

Elektron ve oyuklar p-n jonksiyonunu geecek kadar enerjilendiinde,

diyot ngerilimsiz durumdan ileri ngerilimli duruma geer. Burada
gerekli olan enerji, harici bir kaynaktan uygulanan gerilimdir.

em

Diyot tipine gre gerekli olan ngerilim deerleri unlardr:

Silisyum diyot 0.7V
Germanyum dyot 0.3V

w
w

.e

15

c
ri.

sn
o

tl a

Scaklk Etkisi

Scaklk arttka diyottaki enerji artar.

leri polarma durumu iin gerekli olan ileri ngerilim deerini

drr.

Ters polarma durumunda ters yn akm deerini ykseltir.

Maksimum ters polarma gerilimini arttrr.

em

Germanyum diyotlar, scaklk deiimlerine silisyum diyotlara

gre daha duyarldr.

w
w

.e

de
r

16

tl a

ri.

Diren Seviyeleri

sn
o

Yariletkenler DA (DC) ve AA (AC) akmlarda farkl davranrlar.

de
r

Diyotlarda tip diren vardr:

w
w

.e

em

DA, ya da statik diren

AA, ya da dinamik diren
Ortalama AA diren

17

de
r

sn
o

Uygulanan spesifik bir DA VD

geriliminin sonucunda, diyotta bir ID
akm meydana gelir ve RD direncini
oluturur.

tl a

ri.

DA, ya da statik diren

VD
ID

w
w

.e

em

RD

18

tl a

ri.

AA, ya da dinamik diren

rd

sn
o

leri polarma (doru polarma) blgesinde;

26 mV
rB
ID

Diren, diyottaki akmn (ID) deerine baldr.

Diyot gerilimi sabittir (26mV @25C).

rB yksek g elemanlarnda 0.1dan dk g elemanlarnda

2a kadar deer gsterir. Baz durumlarda rB gz ard edilir.

em

de
r

rd

Diren sonsuzdur ve diyot ak devre gibi alr.

w
w

.e

Ters polarma blgesinde

19

Vd
I d

de
r

rav

sn
o

tl a

ri.

Ortalama AA diren

w
w

.e

em

AA diren karakteristik eride

akm ve gerilim iin ikier nokta
seilerek hesaplanr.

20

tl a

ri.

Diyot Kataloglar

sn
o

Diyot kataloglarnda yer alan bilgiler ve aklamalar u ekildedir;

1. VF, belirli bir akm ve scaklkta ileri yn gerilimi

de
r

2. IF, belirli bir scaklkta maksimum ileri yn akm

3. IR, belirli bir scaklkta maksimum ters yn akm

em

4. PIV ya da PRV ya da V(BR), belirli bir scaklkta maksimum

ters yn gerilimi

.e

5. G tketimi, belirli bir scaklkta tketilen maksimum g

deeri

w
w

6. C, ters polarmada kapasitans seviyesi

7. trr, ters toparlanma sresi

8. Scaklklar, alma ve depolama scaklklar

21

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

Diyot Kapasitans

w
w

.e

Ters polarmada, boluk blgesi ok genitir. Diyotun pozitif ve negatif

polariteleri CT kapasitansn oluturur. Kapasitansn deeri uygulanan ters
gerilime baldr.

Doru polarmada depolama kapasitans CD uygulanan gerilim arttka art

gsterir.

22

sn
o

tl a

ri.

Ters Toparlanma Sresi (trr)

w
w

.e

em

de
r

Ters toparlanma zaman iletimdeki bir diyotun kesime geirildiinde, akm

geiini durdurmas iin gerekli olan sreyi ifade eder.

23

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

Diyot
Diyot Sembolleri ve Paketleri

w
w

.e

Anot A ksaltmas ile, katot ise K ksaltmasyla gsterilir.

24

Diyot kontrolcs
Ohmmetre

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

Diyot Kontrolleri

25

c
ri.

sn
o

tl a

Diyot Kontrolcs

Bir ok dijital multimetrede diyot kontrol zellii vardr.

de
r

Diyot devreden ayrlarak test edilmelidir. Normal bir diyot iin

llmesi gereken ileri ngerilim deerleri:

Silisyum diyot 0.7V

Germanyum diyot 0.3V

w
w

.e

em

26

tl a

ri.

Ohmmetr
Ohmmetree

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Ohmmetre dk bir ohm kademesine alnr. Doru polarmada

dk diren, ters polarmada yksek diren gstermelidir.

27

Zener diyot
LED diyot
Diyot dizileri

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

Diyot Trleri

28

tl a

ri.

Zener Diyot

sn
o

Zener diyot, ters polarmada zener geriliminde

altrlr (VZ).

w
w

.e

em

de
r

Genel zener gerilimleri 1.8 V ile 200 V

arasndadr.

29

sn
o

tl a

ri.

Ik yayan diyotlar (LED)

w
w

.e

em

de
r

LED diyot, doru polarma durumunda foton yayar. Bu fotonlar,

kzltesi ya da grlebilir k spektrumunda olabilir. leri yn
gerilimleri genellikle 2V ile 3V arasndadr.

30

sn
o

Bir entegre devre

ierisinde birok diyot
yerletirilerek oluturulur.

tl a

ri.

Diyot Dizileri

em

de
r

Common Anode

Common Cathode

w
w

.e

Ortak anot ya da ortak

katot tipleri vardr.

31

c
ri.
tl a
sn
o

w
w

.e

em

de
r

2. Blm:
Diyot Uygulamalar

c
ri.

em

de
r

sn
o

Yk erisi, herhangi bir devrede

diyot uygulanan btn gerilimler
(VD) iin muhtemel akm (ID)
durumlarn gsterir. E/R
maksimum ID akmn, E ise
maksimum VD gerilimini ifade
eder.

tl a

Yk Erisi

w
w

.e

Yk erisi ile karakteristik erinin

kesitii Q-noktas, rnek devre
iin en uygun ID veVD deerlerini
ifade eder.

c
ri.

sn
o

leri ngerilimleme

tl a

Seri Diyot Devreleri

de
r

Sabitler
Silisyum Diyot : VD = 0.7V
Germanyum Diyot: VD = 0.3V

w
w

.e

em

Analiz
VD = 0.7V (ya da VD = E eer E <0 .7V)
VR = E VD
ID = IR = IT = VR / R

c
ri.

sn
o

Ters ngerilimleme

tl a

Seri Diyot Devreleri

w
w

.e

em

Analiz
VD = E
VR = 0 V
ID = 0 A

de
r

Diyot idealde ak devre gibi alr.

c
ri.

sn
o

tl a

Paralel Devreler
VD 0.7 V

de
r

VD1 VD2 VO 0.7 V

VR 9.3 V

10 V .7 V

em

IR

E VD
R

0.33k

28 mA

14 mA

w
w

.e

I D1 I D2

28 mA

c
ri.

.e

em

de
r

Diyot sadece doru

polarma
durumunda
iletime geer, bu
nedenle giriten
uygulanan AA
dalgann sadece
yarm periyodu
ka aktarlr.

sn
o

tl a

Yarm Dalga Dorultucu

w
w

DA k gerilimi 0,318Vm, Vm = AA tepe gerilim deeridir.

VDA ya da VAVG = Vp/

c
ri.

sn
o

tl a

PIV (PRV)

de
r

Diyot bir alternansta doru polarmalandrlrken, dier alternansta ters

polarmalandrlr.
Ters krlma gerilim deerinin, ters polarma durumundaki AA gerilimin tepe
deerini karlayabilecek deerde olmas gerekir.

em

PIV (ya da PRV) > Vm

PIV = Peak inverse voltage

PRV = Peak reverse voltage
Vm = Peak AC voltage

w
w

.e

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

Ters Tepe Gerilimi

(Peak inverse
voltage), ters ynl
kutuplanm diyotun
dayanabilecei en
byk gerilim
deeridir.

sn
o

tl a

PIV (PRV)

c
ri.

tl a

Transformatr Balantl Giri

sn
o

Transformatrler gerilim seviyelerinin deitirilmesinde ve izolasyon

amal olarak kullanlrlar.
Primerden sekondere dntrme oran, girie kar k belirler.

w
w

.e

em

de
r

Gerekte Primer ve Sekonder sarglar arasnda dorudan bir

balant yoktur, bu zellik ikincil devrede elektrik arplmalarn
nler.

c
ri.

sn
o

tl a

Tam Dalga Dorultucu

de
r

Tam dalga dorultucuda dorultma ilemi

birden fazla diyot kullanlarak yaplr.

em

Tam dalga dorultucu daha yksek DA k

gerilimi retir:
VDA veya VAVG = 2Vp/.
Yarm Dalga: Vdc = 0.318Vm
Tam Dalga: Vdc = 0.636Vm

w
w

.e

10

ri.

Tam Dalga Dorultucu

tl a

Orta Ulu

sn
o

Bu dorultma tipinde iki adet diyot orta ulu bir transformatre

balanr.

w
w

.e

em

de
r

k tepe gerilimi, transformatrn sekonder geriliminin tepe

deerinin yars kadardr.

11

ri.

Tam Dalga Dorultucu

em

de
r

sn
o

Her iki alternans boyunca

akm akmaktadr. k
tepe deeri yaklak olarak,
sekonder sarglarnn
toplam geriliminin yars
kadardr.

tl a

Orta Ulu

w
w

.e

Her diyot, sekonder

sarglarndaki k gerilimi
ve diyot gerilim dm
kadarlk bir PIV e maruz
kalr.

PIV=2Vp(out) +0.7V
12

c
ri.

em

de
r

sn
o

tl a

Tam Dalga Dorultucu

.e

Orta ulu transformatrle yaplan tam

dalga

ki diyot
Orta ulu bir transformatr
gerekir.

w
w

VDC = 0.636(Vm)
13

ri.

Tam Dalga Dorultucu

em

de
r

Kpr dorultucu 4 adet

diyotun zel bir ekilde
balanmas ile elde edilir.

sn
o

Tam dalga kpr dorultucu

sekonder sarglarnn
kndan tam olarak
yararlanr.

tl a

Kpr Tipi

w
w

.e

Periyotun her bir yarsnda

yk zerinden ayn ynde
akm akar.

14

ri.

Tam Dalga Dorultucu

em

de
r

sn
o

tl a

Kpr Tipi

Drt diyotlar oluturulur.

VDC = 0.636 Vm

w
w

.e

Kpr Dorultucu

15

ri.

Tam Dalga Dorultucu

em

de
r

sn
o

tl a

Kpr Tipi

PIV=Vp(out) +0.7V

w
w

.e

Kpr dorultucu iin PIV deeri, orta ulu dorultucunun yaklak

olarak yars kadardr.

16

c
ri.

tl a

Dorultucu Devrelerin zeti

Yarm Dalga Dorultucu

VDC = 0.318Vm 0.7

VDC = 0.636(Vm)

VDC = 0.636(Vm) 2(0.7)

VDC = 0.636(Vm)

VDC = 0.636(Vm) 0.7

em

Orta Ulu Transformatrl

Gerek VDC

VDC = 0.318(Vm)

de
r

Kpr Tipi Dorultucu

deal VDC

sn
o

Dorultucu

w
w

.e

Vm = AA gerilim tepe deeri.

17

c
ri.

tl a

G Kayna Filtreleri ve Reglatrler

w
w

.e

em

de
r

sn
o

ekil (a)da grld gibi dorultucu k bir darbeli DA eklindedir.

Filtreleme ve reglasyon ilemleri ile bu darbeli gerilim ekil (b)deki
gibi daha dzgn bir ekle dntrlebilir.

18

c
ri.

de
r

sn
o

Bir kondasatr filtresi arj

ve dearj olarak her tepe
arasndaki "boluklar"
doldurur. Bu sayede gerilim
deiimleri azaltlr.

tl a

G Kayna Filtreleri ve Reglatrler

w
w

.e

em

Geriye kalan gerilim

deiimleri ise dalgalanma
gerilimi (ripple voltage)
olarak adlandrlr.

19

c
ri.

tl a

G Kayna Filtreleri ve Reglatrler

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Tam dalga dorultmann, yarm dalga dorultmaya kar avantajlar

olduka aktr. Tepe deerleri arasndaki zaman azaldka,
kondansatrn dalgalanma gerilimini dzeltmesi daha etkili olmaktadr.

20

c
ri.

de
r

sn
o

Kondansatr ilk arj

srasnda ksa devre gibi
davranr ve diyotlar
zerinden bir an iin yksek
bir akm akar.

tl a

G Kayna Filtreleri ve Reglatrler

w
w

.e

em

Diyotlarn zarar grmemesi

iin, bir akm snrlayc
diren (Rsurge) filtre ve yke
seri olarak yerletirilir.

21

c
ri.

tl a

G Kayna Filtreleri ve Reglatrler

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Reglasyon ilemi, kalan dalgalanmalarn giderildii ve k geriliminin

belirli bir deerde sabitlendii son admdr. Genellikle bu reglasyon
ilemi bir tmleik devre reglatr tarafndan gerekletirilir. Akm ve
Gerilim gereksinimlerine gre birok farkl tmleik devre reglatr
mevcuttur.

22

c
ri.

tl a

G Kayna Filtreleri ve Reglatrler

sn
o

Reglasyon ileminin ne kadar iyi yaplm olduu, reglasyon yzdesi ile

llr. ki eit reglasyon vardr: Hat reglasyonu ve Yk reglasyonu

em

de
r

Hat ve Yk reglasyonu, gerilim veya akmdaki deiimin basit bir yzde

orandr.

Hat Reglasyonu = (Vk/Vgiri)%100

w
w

.e

Yk Reglasyonu = ((Vyksz Vtamyk)/Vtamyk)%100

23

c
ri.

tl a

Diyot Krpclar

de
r

Ters ngerilim polaritesi

Silisyum diyot iin 0,7Vtan daha
dk bir doru polarma ngerilimi

w
w

.e

em

sn
o

Seri bir krpc devresinde diyot doru

polarma salamayan gerilimi krpar:

24

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

Krpc diyota seri bir DA

kaynak eklendiinde,
diyotun etkin ileri
ngerilim deeri deiir.

sn
o

tl a

ngerilimli Krpclar

25

c
ri.

sn
o

tl a

Paralel Krpclar

de
r

Seri bir krpc devresinde diyot

doru polarma salayan gerilimi
krpar:

w
w

.e

em

Krpma seviyesini deitirmek

iin diyota seri bir DA ngerilim
uygulanabilir.

26

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Krpc Devreler zeti

27

c
ri.

tl a

Kenetleyici

sn
o

Bir diyot ve kondansatr spesifik bir AA gerilimi istenen DA seviyeye

kenetlemek iin birlikte kullanlr.

w
w

.e

em

de
r

Bir diyot kenetleyicisi AA gerilime bir DA seviye ekler. Kondansatr

Vpeak-Vd gerilimine arj olur. Kondansatr bir kez arj olduktan sonra
giri gerilimine seri bal bir rete gibi davranr. AA gerilim, DA gerilim
boyunca deiecektir. DA gerilimin pozitif ya da negatif olmasn diyotun
polaritesi belirler.

28

c
ri.

sn
o

tl a

ngerilimli Kenetleyici Devreler

de
r

Giri sinyali sins, kare ya da gen

dalgalarn herhangi birisi olabilir.

w
w

.e

em

DA kaynak, kenetleme seviyesini

belirlemek iin kullanlr.

29

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Kenetleyici Devreler zeti

30

c
ri.

de
r

sn
o

Zener diyot, Zener geriliminde

(Vz) ters ngerilimle altrlr.

tl a

Zener Diyot

Vi Vz ise
Zener iletimdedir
Zener zerindeki gerilim Vz
Zener akm: IZ = IR IRL
Zener Gc: PZ = VZIZ

Vi < Vz ise
Zener kesimdedir
Ak devre durumundadr.

w
w

.e

em

31

c
ri.

tl a

Zener Diren Deerleri

Minimum akm deeri:
I Lmin I R - I ZM

em

de
r

Direncin maksimum deeri:

VZ
R Lmax
I Lmin

sn
o

Eer R ok bykse, Zener diyotun minimum akm deerinden (IZK) daha dk

bir Iz akm ulaacandan zener iletime geemez.

Eer R ok kk deerde olursa, Zener akm maksimum akm

IZM snrn geer. Devrenin maksimum akm :

VL
VZ

RL
R Lmin
Direncin maksimum deeri:
RVZ
R Lmin
Vi VZ

w
w

.e

I Lmax

32

c
ri.

tl a

Gerilim Katlayc Devreler

de
r

Gerilim kileyici
Gerilim leyici
Gerilim Drtleyici

w
w

.e

em

sn
o

Gerilim Katlayc devreler, dorultucu devrenin k gerilimini

ykseltmek iin diyot ve kondansatrleri kullanr.

33

c
ri.

em

de
r

sn
o

tl a

Gerilim kileyici

w
w

.e

Vout = VC2 = 2Vm

34

c
ri.

sn
o

tl a

Gerilim kileyici

Pozitif Yarm Periyot

o D1 iletimde
o D2 kesimde
o C1 , Vm deerine arj olur.

Negatif Yarm Periyot

o D1 kesimde
o D2 iletimde
o C2 , Vm deerine arj olur.
Vout = VC2 = 2Vm

w
w

.e

em

de
r

35

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Gerilim leyici ve Drtleyici

36

c
ri.

sn
o

tl a

Pratik Uygulamalar

Dorultucu Devreler
DA ile alan devreler iin AA-DA dntrme

Batarya arj devreleri

Temel Diyot Devreleri

Ar akm koruma devresi

Polarite deitirme devreleri

Rleli devrelerde akm sndrc

em

de
r

Zener Devreler

Ar akm korumas
Referans gerilim ayarlamas

w
w

.e

37

c
ri.
tl a

w
w

.e

em

de
r

sn
o

3. Blm:
ift Jonksiyonlu Transistrler
(BJT)

c
ri.

sn
o

pnp

de
r

ki tip transistr vardr:

pnp
npn

tl a

Transistr Yaps

.e

em

Transistrn ular:
E - Emiter
B - Beyz
C - Kollektr

w
w

npn

c
ri.

tl a

Transistr Yaps

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Bir transistr, ykselte ya da anahtar olarak kullanlan

devre elemandr. lk nce bu devre elemannn akm kontroll
alma zelliklerini ele alalm.

c
ri.

tl a

Transistrn altrlmas

sn
o

VEE ve VCC harici kaynaklar aadaki gibi balandnda:

w
w

.e

em

de
r

Emiter beyz jonksiyonu ileri ynde

Beyz-kollektr jonksiyonu ters ynde polarmalandrlr.

c
ri.

tl a

Transistrn altrlmas

w
w

.e

em

de
r

sn
o

ekildeki devre, beyz-emiter devresi (sol taraf) ve

kollektr-emiter devresi (sa taraf) olmak zere iki ayr
devre olarak analiz edilir. Emiter baca, her iki devre iin
de iletim hattn oluturur.

c
ri.

tl a

Transistrn altrlmas

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Beyz-emiter devresinde iletilen akmn miktar, kollektr

devresinden geecek akmn miktarn kontrol eder. Beyzemiter akmndaki kk bir deiim kollektr akmnda
byk bir deiime neden olur.

c
ri.

tl a

Transistr Karakteristik ve Parametreleri

sn
o

Daha nce deinildii gibi, beyz-emiter akmndaki deiim

kollektr-emiter akmn kontrol eder. Bu deiim faktr
beta() olarak tanmlanmaktadr.

w
w

.e

em

de
r

= IC/IB

c
ri.

tl a

Transistr Karakteristik ve Parametreleri

IB: dc beyz akm

de
r

IE: dc emiter akm

sn
o

Bir transistrde arza analizi iin nemli akm ve

nemli gerilim deeri vardr. Bunlar;

em

IC: dc kollektr akm

VBE: beyz-emitter jonksiyonu dc

gerilimi

w
w

.e

VCB: kollektr-beyz jonksiyonu

dc gerilimi

VCE: kollektr-emiter
jonksiyonu dc gerilimi

c
ri.

tl a

Transistr Karakteristik ve Parametreleri

sn
o

Uygun bir altrma ilemi iin, beyz-emiter jonksiyonu VBB

tarafndan ileri ynde ngerilimlenir ve bir diyot gibi iletim
gerekleir.

em

de
r

Kollektr-beyz jonksiyonu ise VCC tarafndan ters ngerilimlenir ve

diyot gibi akm geiini engeller.

w
w

.e

Beyz-emiter jonksiyonundan
geen akm kollektr ile emiter
arasnda akm gei yolunu
meydana getirmektedir.

c
ri.

tl a

Transistr Karakteristik ve Parametreleri

sn
o

Transistr devresinin analizi, Ohm kanunu, Kirchoffun

gerilimler kanunu ve transistrn betas kullanlarak
hesaplanan dc gerilim ve akmla gerekletirilir.

w
w

.e

em

de
r

Bu kanunlarn
kullanlmasnda ilk adm
beyz akmn belirlemek
iin analiz edilen beyz
devresidir. Kirchoffun
gerilimler kanunu kullan
VBE gerilim dm
dikkate alnr.

10

c
ri.

tl a

Transistr Karakteristik ve Parametreleri

sn
o

Beyz akmnn bulunmas iin Ohm kanunu kullanlr;

de
r

VRB/RB = IB

.e

em

Kollektr akm ise beyz

akmnn
beta
ile
arplmas sonucunda elde
edilir.

w
w

Ic = IB

11

c
ri.

sn
o

tl a

Transistr ve Akm

em

de
r

IE IC IB

w
w

.e

IC ICmajority ICOminority

12

ri.

tl a

sn
o

de
r

em

.e

w
w

w
Ortak Beyz Yaps

13

c
ri.

sn
o

tl a

Ortak-Beyz Ykselte
Giri Karakteristikleri

w
w

.e

em

de
r

Bu
eri,
farkl
k
gerilimleri (VCB) iin giri
akm (IE) ve giri gerilimi
(VBE)
arasndaki
ilikiyi
aklar.

14

sn
o

tl a

ri.

Ortak-Beyz Ykselte

Giri Karakteristikleri

w
w

.e

em

de
r

Bu eri, farkl giri

akmlar (IE) iin
k akm (IC) ve
k gerilimi (VCB)
arasndaki
ilikiyi
aklar.

15

c
ri.

de
r

Aktif Blge

sn
o

tl a

alma Blgeleri

em

Kesim Blgesi

w
w

.e

Doyum Blgesi

16

c
ri.

sn
o

tl a

Kabuller
Emiter ve Kollektr akmlar

de
r

IC I E

VBE 0.7

w
w

.e

em

Beyz-emiter gerilimi

17

c
ri.

tl a

Alfa (a)

sn
o

DA modda, Alfa() IC ve IE akm ile aklanr:

IE

de
r

dc

IC

em

dealde : = 1
Gerekte : ; 0.9 ile 0.998 arasndadr.

ac

I C
I E

w
w

.e

AA modda Alfa()

18

c
ri.

em

de
r

sn
o

tl a

Transistr Uygulamalar

Akm ve Gerilimler:
Vi
200mV

10mA
20
Ri

w
w

.e

IE Ii

Gerilim Kazanc:

IC IE

I L I i 10 mA
VL I L R (10 ma )( 5 k ) 50 V
19

VL
50V
Av

250
Vi
200mV

c
ri.

sn
o

tl a

Ortak Emiter Yaps

de
r

Emiter, giri (BE) ve kn

(CE) her ikisine balanr.

w
w

.e

em

Giri beyz ucunda, k ise

kollektr ucundadr.

20

c
ri.

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Ortak Emiter Karakteristikleri

Kollektr Karakteristii

w
w

Beyz Karakteristii

21

c
ri.

sn
o

IC = IE

de
r

deal Akmlar
IE = IC + IB

tl a

Ortak Emiter Ykselte Akm

Gerek Akmlar

em

IC = IE + ICBO

ICBO = Aznlk kollektr akm ok

kk bir deer olduu iin
genellikle gz ard edilir.

w
w

.e

IB = 0 A iken transistr kesimdedir fakat ICEO olarak

tanmlanan aznlk akmlar vardr.

I CBO
I CEO
I B 0 A
1
22

c
ri.

tl a

Beta ()

de
r

sn
o

Bir transistrn ykseltme faktrn ifade eder. ( baz

durumlarda hfe olarak geer)

em

DA alma modunda:

ac

w
w

.e

AA alma modunda:

IC
dc
IB

23

IC

IB

VCE sabit

c
ri.

(3.2 mA 2.2 mA)

(30 A 20 A)
1 mA
V 7.5
10 A CE

em

100

de
r

AC

sn
o

nn grafikle bulunmas

tl a

Beta ()

2.7 mA
VCE 7.5
25 A
108

w
w

.e

DC

Not: AC = DC

24

tl a

ri.

Beta ()

sn
o

ve arasndaki iliki

de
r

em

Akmlar arasndaki iliki;

I E ( 1)I B

w
w

.e

I C I B

25

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

Giri beyz ucundan,

k ise emiterden
alnr.

sn
o

tl a

Ortak Kollektr Yaps

26

c
ri.

tl a

Ortak Kollektr Yaps

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Karakteristik erisi dikey eksenin IE olmamas dnda ortak-emiter

ile ayndr.

27

c
ri.

tl a

Ortak Balantlar iin alma Snrlar

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Kesim blgesinde, VCE maksimum ve IC minimumdur (ICmax= ICEO).

Doyum blgesinde, IC maksimum ve VCE minimumdur (VCE max = VCEsat =
VCEO).
Transistr, doyum ve kesim arasnda aktif blgede alr.

28

c
ri.

tl a

G Tketimi
Ortak-Beyz:

de
r

sn
o

PCmax VCB I C

Ortak-Emiter:

em

PCmax VCE I C

PCmax VCE I E

w
w

.e

Ortak Kollektr:

29

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Transistr Kataloglar

30

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

Transistr Kataloglar

31

c
ri.

tl a

Transistor Kontrol
Dijital Multimetre (DMM)
Baz DMMler DC veya hfe ler.

Ohmmetre

w
w

.e

em

de
r

sn
o

32

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Transistor Ularnn Belirlenmesi

33

c
ri.
tl a
sn
o

w
w

.e

em

de
r

4. Blm:
BJT DC ngerilimleme

c
ri.

sn
o

tl a

ngerilimleme

de
r

Transistrn
dzgn
bir
ekilde
almas
iin
ngerilimlenmesi gerekir. DA alma noktasn oluturmak
iin birok yntem vardr.

w
w

.e

em

ngerilimleme kavram, transistrn AA giri sinyallerini

ykseltebilmesi iin iletime geirmek zere DA gerilim
uygulanmasn ifade eder.

c
ri.

tl a

alma Noktas

w
w

.e

em

de
r

sn
o

DC giri gerilimi alma ya da skunet noktas olarak

tanmlanan bir Q-noktas oluturur.

c
ri.

tl a

ngerilimleme ve alma Durumu

de
r

sn
o

Aktif ya da Dorusal alma Blgesi

BeyzEmiter jonksiyonu ileri ngerilimli
BeyzKollektr jonksiyonu ters ngerilimli

em

Kesim Blgesi
BeyzEmiter jonksiyonu tersngerilimli

w
w

.e

Doyum Blgesi
BeyzEmiter jonksiyonu ileri ngerilimli
BeyzKollektr jonksiyonu ileri ngerilimli

c
ri.

sn
o

tl a

DC ngerilim Devreleri
Sabit ngerilim devresi

de
r

Emiter direnli ngerilim devresi

em

Kollektr-Emiter evresi
Betadan Bamsz ngerilim devresi (Gerilim Blc

.e

devre)

w
w

Gerilim geri beslemeli DC ngerilim devresi

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Sabit ngerilim Devresi

c
ri.

sn
o

tl a

Beyz-Emiter evresi
Kirchhoffun gerilim kanununa gre:

de
r

+VCC IBRB VBE = 0

em

Beyz akmnn hesab:

w
w

.e

VCC VBE
IB
RB

Kollektr akm:

de
r

I C I B

sn
o

tl a

ri.

Kollektr-Emiter evresi

em

Kirchhoffun gerilim kanununa

gre:

w
w

.e

VCE VCC I C R C

c
ri.

tl a

Transistor Doyum Seviyesi

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Transistr doyum blgesinde altrldnda, transistrden

geen akm maksimum akm olarak ifade edilir.
VCC
I Csat
RC

VCE 0 V

c
ri.

.e

em

de
r

ICsat
o IC = VCC / RC
o VCE = 0 V
VCEcutoff
o VCE = VCC
o IC = 0 mA

sn
o

Yk izgisinin snr deerleri:

tl a

Yk izgisinin Analizi

w
w

Q-noktas belirgin alma noktasdr. Bu noktada:

RB deeri IB akm deerini belirler
IB ve yk izgisi kesiir
Buna bal olarak VCE ve IC deeri belirlenir.

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Q-Noktasnn Etkileyen Devre Deerleri

c
ri.

tl a

Emiter Direnli ngerilim Devresi

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Emiter devresine bir diren eklenmesi (RE) ngerilim akmn

kararl hale getirir.

c
ri.

sn
o

tl a

Beyz-Emiter evresi

de
r

Kirchhoffun gerilim
kanunundan:

VCC - I E R E - VBE - I E R E 0

em

IE = ( + 1)IB olduuna gre:

.e

VCC - I B R B - ( 1)I B R E 0

w
w

IB hesaplanrsa:
IB

VCC - VBE
R B ( 1)R E

c
ri.

sn
o

tl a

Kollektr-Emiter evresi
Kirchhoffun gerilim
kanunundan :

de
r

I E R E VCE I C R C VCC 0

IE IC olduuna gre :

em

VCE VCC I C (R C R E )

.e

Ayn zamanda:

w
w

VE I E R E
VC VCE VE VCC - I C R C
VB VCC I R R B VBE VE

c
ri.

sn
o

tl a

Arttrlm ngerilim Kararll

de
r

Emiter devresine bir diren eklenmesi (RE) ngerilim akmn

sabit hale getirir.

w
w

.e

em

Kararllk, transistrn Beta () deerinin ve alma

scaklnn geni bir aralnda n gerilim devresinde akm
ve gerilimin sabit kalmasn ifade eder.

c
ri.

em

de
r

sn
o

tl a

Doyum Seviyesi

w
w

.e

Erideki u noktalar yk izgisinden belirlenebilir.

VCEcutof
VCE VCC
f:
I C 0 mA

ICsat:

VCE 0 V

IC

VCC
RC RE

c
ri.

sn
o

tl a

Betadan Bamsz ngerilim Devresi

em

de
r

Bu devrede ngerilim
akm ok kararl
durumdadr.

w
w

.e

Akm ve gerilimler
neredeyse
deiimlerinden
bamszdr.

c
ri.

VB

R 2 VCC
R1 R 2

VE
RE

em

IE

de
r

RE > 10R2 iken:

sn
o

IB << I1 ve I2 ve I1 I2 :olduu
kabul edilirse:

VE VB VBE

w
w

.e

Kirchhoffun gerilim
kanunundan :
VCE VCC - I C R C - I E R E

tl a

Yaklak Analiz

IE IC
VCE V CC -I C (R C R E )

c
ri.

sn
o

tl a

Gerilim Blc ngerilim Analizi

Transistor Doyum Seviyesi

de
r

V CC
I Csat I Cmax
RC RE

em

Yk izgisi Analizi
Kesim:

w
w

.e

VCE VCC
I C 0mA

Doyum:
IC

VCC
RC RE

VCE 0V

c
ri.

tl a

Gerilim Geri Beslemeli DC ngerilim Devresi

w
w

.e

em

de
r

sn
o

ngerilim devresinde kararll arttrmann bir dier yntemi

ise, kollektr-beyz arasna bir geri besleme yolu eklemektir.
Bu ngerilim devresinde Q-noktas transistrn betasna ok
dk derecede bamldr.

c
ri.

sn
o

Kirchhoffun gerilim kanunundan :

tl a

Beyz-Emiter evresi
VCC IC R C I B R B VBE I E R E 0

de
r

IB << IC olduuna gre:

I C I C I B I C

em

IC = IB ve IE IC, olduu bilindiine gre evre

denklemi yeniden dzenlenirse:

.e

VCC I B RC I B R B VBE I B R E 0

w
w

Buradan IB:
IB

VCC VBE
R B (R C R E )

c
ri.

sn
o

tl a

Kollektr-Emiter evresi

de
r

Kirchhoffun gerilim kanunu

uygulanrsa :
IE + VCE + ICRC VCC = 0

em

IC IC ve IC = IB olduuna gre:

.e

IC(RC + RE) + VCE VCC =0

w
w

VCE hesaplanrsa:
VCE = VCC IC(RC + RE)

c
ri.

tl a

Beyz-Emiter ngerilim Analizi

sn
o

Transistor Doyum Seviyesi

de
r

V CC
I Csat I Cmax
RC RE

em

Yk izgisi Analizi
Kesim:

w
w

.e

VCE VCC
I C 0mA

Doyum:
VCC
IC
RC RE

VCE 0V

c
ri.

sn
o

tl a

Transistr Anahtarlama Devreleri

w
w

.e

em

de
r

Sadece DC kaynak uygulanan transistrler elektronik anahtar

olarak kullanlabilir.

c
ri.

tl a

Anahtarlama Devresi Hesaplar

VCC
I Csat
RC

sn
o

Doyum Akm:

de
r

Doyum salamak iin:

em

I
I B Csat
dc

w
w

.e

Doyum ve kesimde
emiter-kollektr direnci:
R sat

VCEsat
I Csat

R cutoff

VCC
I CEO

c
ri.

sn
o

tl a

Anahtarlama Sresi

de
r

Transistrn anahtarlama
sreleri:

w
w

.e

em

t on t r t d
t off t s t f

c
ri.

tl a

Arza Arama Yntemleri

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Yaklak gerilim deerleri

Silisyum transistr iin VBE 0.7 V
VCE VCCnin %25 ile %75i arasnda olmaldr.
Ak ve ksa devre noktalarnn ohmmetre ile lm.
Lehim noktalarnn kontrol.
Transistrn beta ve dier deerlerinin test edilmesi.
Yk ya da takip eden balantlarn transistr parametlerini
deitireceinin gz nnde bulundurulmas.

c
ri.

sn
o

tl a

PNP Transistrler

w
w

.e

em

de
r

PNP transistrlerin ngerilim analizleri de ayn npn tipi

transistrlerdeki gibidir. Aralarndaki tek fark akm ynlerinin
ters olmasdr.

c
ri.
tl a
sn
o

w
w

.e

em

de
r

5. Blm:
Alan Etkili Transistrler

c
ri.

tl a

FET

sn
o

FETler (Alan etkili transistrler) BJTlere ok benzer yapdadr.

de
r

Benzerlikleri:
Ykselteler
Anahtarlama devreleri
Empedans uygunlatrma devreleri

w
w

.e

em

Farklar:
FETler gerilim kontroll, BJTler ise akm kontroll kaynaklardr.
FETler daha yksek giri empedansna sahiptir, BJTler ise daha
yksek kazan deerlerine.
FETler scaklk deiimlerinden daha az etkilenirler ve bu nedenle
entegre devrelerde daha kolay kullanlrlar.
FETler genellikle BJTlerden daha kararldrlar.
FETin en byk avantaj yksek giri empedansdr.
2

c
ri.

sn
o

tl a

FET Trleri

de
r

JFET Junction Field-Effect Transistor

MOSFET Metal-Oxide Field-Effect Transistor

w
w

.e

em

D-MOSFET Depletion MOSFET

E-MOSFET Enhancement MOSFET

ki tip JFET vardr

w
w

.e

em

de
r

sn
o

n-kanal
p-kanal
N-kanal daha yaygn kullanlr.

tl a

ri.

JFET Yaps

balant ucu vardr.

Drain (D) ve source (S) ular n-kanalna
Gate (G) ise p-tipi maddeye balanr.
4

tl a

ri.

JFETin alma Yaps

sn
o

JFETin almas bir vanaya benzetilebilir.

de
r

Source (Kaynak) , drain-source

geriliminde
negatif
kutuptaki
elektronlarn toplamn ifade eder.

em

Drain (Aka) uygulanan gerilimin

pozitif tarafnda elektron eksikliini ya
da oyuklar ifade eder.

w
w

.e

Su akntsnn Kontrol ksm ise nkanalnn geniliini ve dolaysyla

kaynaktan akaa yk akn kontrol
eden gate (kap) gerilimidir.

c
ri.

tl a

JFET alma Karakteristii

sn
o

Bir JFETin 3 temel alma karakteristii vardr:

w
w

.e

em

de
r

VGS = 0, pozitif artan VDS

VGS < 0, pozitif VDS
Gerilim kontroll diren

c
ri.

tl a

JFET alma karakteristikleri

VGS = 0, pozitif artan VDS

sn
o

VGS = 0 and VDS sfrdan pozitif bir deere ykselirken 3 durum gerekleir:

em

de
r

N-kanaldaki
elektronlar
ile
pkapsndaki oyuklar karlarken pkaps ve n-kanal arasndaki gei
blgesi artar.

.e

Gei blgesinin artmas n-kanaln

boyutunu azaltr ve n-kanal direncini
ykseltir.

w
w

N-kanal direncinin artmasna ramen,

VDS gerilimi ykselecei iin sourcedrain arasndaki akm (ID) artar.

c
ri.

sn
o

tl a

JFET alma karakteristikleri

VGS = 0, VDS pozitif artan VDS : Bklme (Pinch Off)

de
r

VGS = 0 iken VDS daha yksek bir

pozitif deere getirilirse, gei blgesi
(boaltlm blge) n-kanal tkayacak
kadar geniler.

w
w

.e

em

Bu durum, n-kanal akmnn (ID) 0Ae

deceini gsterir ancak VDS arttka
ID de artacaktr.

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

JFET alma karakteristikleri

VGS = 0, VDS pozitif artan VDS : Bklme (Pinch Off)

c
ri.

Bklme noktasnda:

sn
o

tl a

JFET alma karakteristikleri

VGS = 0, VDS pozitif artan VDS : Doyum

em

de
r

VGS arttrlsa da ID akmnda

herhangi
bir
artn
elde
edilemeyecei bir noktaya ulalr.
Bklme
noktasndaki
VGS
gerilimi Vp olarak tanmlanr.

w
w

.e

ID doyum ya da maksimum
deerdedir ve bu durumda akm
IDSS olarak adlandrlr.
deeri

Kanaln
diren
maksimumdur.

10

c
ri.

sn
o

tl a

JFET alma karakteristikleri

VGS < 0, pozitif VDS

w
w

.e

em

de
r

VGS negatif deer aldka gei blgesi

artar.

11

c
ri.

VGS negatif deer aldka :

sn
o

tl a

JFET alma karakteristikleri

VGS < 0, pozitif VDS : ID < IDSS

de
r

JFET daha dk bir

gerilimde (Vp) bklme
noktasna ular.

em

VDS artsa da ID azalr

(ID < IDSS)

w
w

.e

Sonu olarak ID 0Ae ular.

Bu noktada VGS, Vp ya da
VGS(off) olarak adlandrlr.

Bunun yan sra yksek VDS geriliminde JFET krlma durumuna gelecektir.
Eer VDS > VDSmax olursa ID kontrolsz bir ekilde artar.
12

c
ri.

sn
o

tl a

JFET alma karakteristikleri

Gerilim Kontroll Diren

de
r

Bklme noktasnn solunda

kalan blge ohmik blge
olarak tanmlanr.

w
w

.e

em

JFET, VGS gerilimi drainsource direncini (rd) kontrol

ettiinden dolay deiken
diren olarak kullanlabilir.
VGS negatif deere dtke
(rd) direnci artar.
rd

ro

V
1 GS
VP

13

c
ri.

sn
o

tl a

p-Kanal JFET

w
w

.e

em

de
r

Polariteleri ve akm ynlerinin

ters olmasnn dnda p-kanal
JFETler n-kanal JFET gibi
alr.

14

c
ri.

sn
o

tl a

p-Kanal JFET Karakteristii

de
r

VGS pozitif olarak arttnda

w
w

.e

em

Gei blgesi artar

ID azalr (ID < IDSS)
sonuta ID = 0A olur.

Bunun yan sra yksek VDS geriliminde JFET krlma durumuna gelecektir. Eer
VDS > VDSmax olursa ID kontrolsz bir ekilde artar.

15

ri.

tl a

sn
o

de
r

em

.e

w
w

JFET Sembol

16

c
ri.

sn
o

tl a

JFET Transfer Karakteristii

karakteristii BJTler kadar kolay

de
r

JFETlerin giriten-ka transfer

anlalr deildir.

BJTler, IB (giri) ve IC (k) arasndaki ilikiyi gsterir.

ID

V
I DSS 1 GS

V P

w
w

.e

em

Bir JFETte ise VGS (giri) ve ID (k) arasndaki iliki daha karmaktr:

17

c
ri.

sn
o

tl a

JFET Transfer Erisi

w
w

.e

em

de
r

Aadaki ekilde sabit bir VGS deerine gre ID akm grlmektedir.

18

tl a

ri.

JFET Transfer Erisinin izilmesi

sn
o

Bir JFETin kataloundaki IDSS ve Vp (VGS(off)) deerlerine gre transfer

erisinin izilmesi aadaki 3 admda gerekletirilir.
1. Adm

de
r

V
I D I DSS 1 GS
VP

em

VGS = 0V ise

ID = IDSS

2. Adm

w
w

.e

VGS = Vp (VGS(off)) ise

V
I D I DSS 1 GS
VP

ID = 0A

3. Adm
VGS = 0V Vp deerine
19

V
I D I DSS 1 GS
VP

ri.

JFET Katalog Sayfalar

sn
o

tl a

Elektriksel Karakteristikleri

w
w

.e

em

de
r

Maximum Ratings

20

tl a

ri.

JFET Katalog Sayfalar

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Maximum Ratings

21

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

ri.

JFET Klf Tipleri ve Ular

22

c
ri.

tl a

MOSFETler

de
r

sn
o

MOSFETler JFETlere benzer karakteristik zellikler gstermekle birlikte

JFETlerden daha kullanl olmalarn salayan zellikleri vardr.

em

ki tip MOSFET vardr:

w
w

.e

Kanal Ayarlamal (Depletion) Tip

Kanal Oluturmal (Enhancement) Tip

23

c
ri.

tl a

MOSFETler

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Metal oksit alan etkili transistrler (MOSFET), FET elemanlann 2.

kategorisidir. Temel fark, pn jonksiyonunun bulunmamas ve p ve n
maddelerinin birbirinden yaltlm olmasdr. MOSFETler statik elektrie
kar duyarldrlar ve hassas bir ekilde kullanlmas gerekir.

24

c
ri.

de
r

sn
o

Drain (D) ve source (S) n-katkl

kanala balanr. Bu n-katkl
kanallar, bir n-kanal ile birbirine
baldr. Bu n-kanal ise ince bir
yaltkan SiO2 kanalyla gate (G)
ucuna balanr.

tl a

Kanal Ayarlamal (Depletion) Tip MOSFET Yaps

w
w

.e

em

n-katkl maddeler ise p-katkl alt

katmann stne yerletirilir. Bu alt
katmann ise substrate (SS) yani alt
tabaka balants yaplr.

25

sn
o

tl a

ri.

Kanal Ayarlamal Tip MOSFETin Temel alma

Prensibi
Kanal Ayarlamal bir MOSFET iki modda altrlabilir:

w
w

.e

em

de
r

Kanal ayarlama
Kanal oluturma

26

c
ri.

Depletion Mod

sn
o

tl a

Kanal Ayarlamal MOSFETin Depletion Modu

de
r

Karakteristik zellii JFETe

ok benzerdir.

VGS

I D I DSS 1
VP

w
w

.e

em

VGS = 0V iken ID = IDSS

VGS < 0V iken ID < IDSS
Transfer erisi izmek iin kullanlan
forml ayndr:

27

c
ri.

tl a

Kanal Ayarlamal MOSFETin Enhancement Modu

sn
o

Enhancement Mod

VGS > 0V

de
r

ID IDSSden daha yksektir

em

Transfer erisi izmek

iin kullanlan forml
ayndr:

w
w

.e

V
I D I DSS 1 GS
VP

!!! VGS nin pozitif olduuna dikkat ediniz.

28

c
ri.

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

p-Kanal Kanal Ayarlamal MOSFET

29

ri.

Katalog Sayfalar

w
w

.e

em

de
r

sn
o

tl a

Elektriksel Karakteristikler

30

sn
o

tl a

ri.

Katalog Sayfalar

w
w

.e

em

de
r

Maximum Ratings

31

de
r

sn
o

Drain (D) ve source (S) n-katkl

kanala balanr. Bu n-katkl
kanallar, bir n-kanal ile birbirine
baldr.

tl a

ri.

Kanal Oluturmal (Enhancement) Tip MOSFET

Yaps

em

Gate (G) ucu ince bir yaltkan SiO2

kanalyla p-katkl alt katmana
balanr.

.e

Drain source arasnda kanal yoktur.

w
w

n-katkl madde ise p-katkl alt

katmann stne yerletirilir. Bu alt
katmann ise substrate (SS) yani alt
tabaka balants yaplr.
32

c
ri.

sn
o

tl a

Kanal Oluturmal (Enhancement) Tip MOSFETin

Temel alma Prensibi
Kanal oluturmal MOSFET sadece enhancement modunda alr.

de
r

VGS daima pozitiftir.

VGS arttka ID de artar

w
w

.e

em

VGS sabit tutulur ve VDS

arttrlrsa, ID (IDSS)
deerinde doyuma
gider ve VDSsat doyum
seviyesine ular.

33

de
r

I D k ( VGS VT ) 2

sn
o

Belirli bir VGS deerinde

IDyi belirlemek iin :

tl a

ri.

Kanal Oluturmal (Enhancement) Tip MOSFET Transfer

Erisi

.e

em

Burada:
VT = MOSFETin
iletime getii gerilim
ya da eik gerilimi
k = katalogda belirtilen
sabit deer

w
w

k deeri ayn zamanda belirli bir noktadaki

deerler kullanlarak da hesaplanabilir:
k

I D(ON)
(VGS(ON) VT) 2

34

VDSsat ise aadaki gibi hesaplanr:

VDsat VGS VT

c
ri.

em

de
r

sn
o

tl a

p-Kanal Enhancement Tip MOSFETler

w
w

.e

P-kanal kanal oluturmal tip (enhancement) MOSFETler gerilim

polariteleri ve akm ynlerindeki terslikler dnda n-kanal Mosfetler
ile ayndr.

35

ri.

tl a

sn
o

de
r

em

.e

w
w

MOSFET Sembolleri

36

tl a

ri.

Katalog Sayfalar

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Maksimum Deerler

37

tl a

ri.

Katalog Sayfalar

w
w

.e

em

de
r

sn
o

Elektriksel Karakteristikler

38

tl a

ri.

MOSFETlerin Kullanm

sn
o

MOSFETler statik elektrie kar ok hassastrlar. Harici ular ile

katmanlar arasndaki ince SiO2 katmandan dolay statik elektrik
dearjlarndan ani olarak etkilenirler.

de
r

Koruma

em

Daima statik korumal poetlerde tanmal

.e

MOSFETlere mdahale edilirken statik koruyucu bileklik

kullanlmal

w
w

Ani gei gerilimlerini nlemek iin gate ve source ular

arasnda zener gibi gerilim snrlayc elemanlar kullanlmal.

39

de
r

c
ri.

sn
o

VMOS (vertical MOSFET)

devre elemannn yzey
alannn geniletir.

tl a

VMOS

Avantajlar

w
w

.e

em

VMOSlar yzey alann

genileterek s
dalmn
kolaylatrdndan daha
yksek akmlarda alr.

VMOSlarn anahtarlama
frekanslar daha
yksektir.
40

sn
o

tl a

ri.

CMOS

em

de
r

CMOS (complementary
MOSFET), ayn katmanda
hem p-kanal hem de n-kanal
MOSFET kullanlarak
oluturulur.
Avantajlar

.e

Mantk devrelerinde kullanlr

Yksek giri empedans vardr
Yksek anahtarlama frekans
Daha dk alma seviyeleri

w
w

41

ri.

tl a

sn
o

de
r

em

.e

w
w

42

zet Tablosu