Tercer Examen Parcial FET.

1.- Para el siguiente circuito JFET.

VDD

RD
R1

Vout
C2
Q1
C1
IN

RL

GND

R2

Rs

Cs

GND

Si VDD=50 V; R1=38K; R2=2K; RD=1000; RS=500; RL=50000 ; VGSOFF=-30 V; IDDmax=45 mA, C1 y C2

= 1uF y amplifica una seal senoidal de 1KHz de una amplitud de 10 mV, cuya impedancia de salida es de
250.

a. Cules son los valores de VGSq, IDq, VDSq, Av, VL/VF?

b. Establezca una ecuacin para la IL/IF y demustrela?
c. Seleccionar el Valor de CS para una mxima ganancia.
Realizar los clculos de forma analtica y verificarlos en un simulador de circuitos electrnicos.

2.- Para el siguiente circuito FET.

VDD

RD

Vout
NFET2
C2
Q1
C1
IN

B1

RL

GND

Rs

Cs

Rin

GND

Si Vdd=40 V,VB1=4V, RD=250; RS=400, Rin=1.35 k, RL=50 k, C1 y C2=1uF, VGSoff=-25, IDDmax=40mA

a. Cules son los valores de VGSq, IDq, VDSq, Av, VL/VF?
b. Establezca una ecuacin para la IL/IF y demustrela?
c. Seleccionar el valor de CS para una mxima ganancia.
Realizar los clculos de forma analtica y verificarlos en un simulador de circuitos electrnicos

3.-

VDD

RD

Vout
NFET2
C2
Q1
C1
IN

RL

B1
R

GND

GND

Si Vdd=20 V; Rin=500k, RD=1000 , RL=10000, C1 y C2=1uF, VGSoff=-25, IDDmax=35 mA; VB1=-15 V

a. Cules son los valores de VGSq, IDq, VDSq, Av, VL/VF?
Realizar los clculos de forma analtica y verificarlos en un simulador de circuitos electrnicos