Professional Documents
Culture Documents
FIRAT UNivERSiTESi
FEN BiLiMLERi ENSTiTUSU
SerhatKAYA
ELAZIG, 2006
T.e.
FIRAT UNivERSiTESi
FEN BiLiMLERi ENSTiTUSU
Mehmet H. KoRKUT
DO\,. Dr
Serhat KAYA
ELAZIG, 2006
SerhatKAYA
ELAZId, 2006
T.e.
FIRAT UNtVERSITESi
FEN BiLtMLERi ENSTiTDsD
SerhatKAYA
Bll seminer ... ..1. ... 2006 tarihinde . A~aglda Belirtilen Jiiri Taraf1ndan
Oybirligi ! OYyoklugll ile Ba~anll ! Ba~anslz OIarak Degerlendiri]mi~tir.
Bll seminerin kabulLi. Fen Bilimleri Enstiliisii Yonetim Kurulul1l111 .... .1.. .. .1.
larih ve saylh karanyla onaylam11l~tlr.
TEI;iEKKUR
i<;iNDEKiLER. 1
!)EIGLLER LisTESi. IV
TABLOLAR LisTESi VI
OZET VII
1. GiRi!) 1
2. MiKROSKOP ONCESi NUMUNE HAZILIKLARI 2
2.1.Numune Se9imi 2
2.2. Numune Alma 2
2.3. Numune Kesme .3
2.4. Kallplama .4
2.4.1. Sleak Kallplama 5
2.4.2. Soguk Kallplama 6
2.5. Vakumla G6zeneklerin Doldurulmasl 7
2.6. Numunelerin Kodlanmasl ve Muhafazasl. 7
2.7. Zlmparalama ve Parlatma 8
2.7.1. Zimparalama ve Parlatmada Kullamlan Gere9Ier. 8
2.7.1.1. Zlmparalar 8
2.7.1.2. Parlatmada Kullanilan A~IndIrleIiar ve <;uhalar 9
2.7.1.3. Zlmparalama ve Parlatma Cihazlan 9
2.7.2. Mekanik Zlmparalama ve Parlatma 10
2.7.2.1. Kaba Zlmparalama Kademesi 10
2.7.2.2. inee ZImparalama Kademesi 11
2.7.2.3. Kaba Parlatma Kademesi 12
2.7.2.4. inee Parlatma Kademesi 12
2.7.3. Otomatik Parlatma 13
2.7.4. Elektrolitik Parlatma 13
2.7.5. Kimyasal Parlatma 14
2.8. Ylkama 14
2.9. Daglama 15
2.9.1. Daglama i~lemin Uygulanmasl 16
2.9.2. Elektrolitik Daglama 18
2.9.3. Makro Daglama 18
l\IIehmet H. KORKUT
D09. Dr
2.9.4. Renklendinne Daglamasl.. 18
3. ZIMPARALAMA,PARLATMA VE OAGLAMA PROBLEMLER. 18
3.1. Zimparalama ve Parlatma <;:izikleri 19
3.2. Numune HaZiriama Sirasmda Olu~an Deformasyon 19
3.3. Deformasyon Bantlan 20
3.4. Numune Kenarlannm Yuvariakla~masI. 21
3.5. Farkh Oranlarda A~mma 21
3.6. Aynlma Halasl 22
3.7. Yanklar .23
3.8. <;:allaklar 23
3.9. Hatall Bo~luklar. 24
3.10. Kuyruklu Ylldlz Seklindeki Halalar.. 24
3.11. Bula~ma Hatas!... 25
3.12. A~mdlflci Partikiillerin Gomiilmesi 25
3.13. Renk Bozuklugu .26
3.14. Daglama Problemleri 26
4. MiKROSKOpiK <;:ALISMALAR 27
4.1. Melal Mikroskobu 28
4.1.1. Objektifler .3 1
4.1.2. Objektif Ozellikleri .31
4.1.2.1. Biiyiilme 31
4.1.2.2. Niimerik A9Ikhk 32
4.1.2.3. AYlrt elme Giicii 33
4.1.2.4. Derinligine Aylrl Etme.Giicii 33
4.1.3. Okiiler .33
4.1.4. Aydmlatma Sislemleri 34
4.1.5. Mercek Kusurlan 34
4.1.6. M ikroskopik inceleme yontemleri 34
4.1.6.1. Karanhk Saha AydmlalmasI. 35
4.1.6.2. Faz Kontrast. 36
4.1.6.3. Polarize 1~lk .37
4.1.7. Yiiksek Sicakhk Mikroskobu .37
II
4.2. Elektron Mikroskobu .37
4.2.I.Aymna Giicii .38
4.2.2. <;:a11~ma ~ekli .39
4.2.3 . X -1~lI1lan Analizi .40
4.2.4. Numune Hazlrlanmasl .40
4.2.5. Diger Mikroskopik incelemeler. .41
4.2.5.1. Elektron Promikro Analizat6rii (EPMA) .41
4.2.5.2. Transmisyon (I~m Ge,irimli) Elektron Mikroskobu (TEM) .41
4.2.5.3. X-I~1I11 Difraksiyonu .42
5. DEMiRLi MALZEMELERDE GORULEN KUSURLAR .45
5.1. Anizotropi .45
5.2. Lunker (<;:ekme bo~lugu) 46
5.3. Gaz Kabarclklan 46
5.4. Yapl Kirleticileri .46
5.5. Segregasyon 46
5.6. Anonnal Km1malar Ve Ylrtllmalar.. .46
5.7. Gevreklik Ve Gerime Yolu ile Ya~lanma .46
5.8. <;:eperde Karbon Yoksunlugu Ve Yanma .46
5.9. Yumu~ak Lekelilik .46
5.10. Yanma .47
5.11. ikizle~me .47
6. TEHLiKELi MALZEMELERiN KULLANILMASINDA DiKKAT EDiLECEK
HUSUSLAR .47
KAYNAKLAR 50
111
SEKiLLER LisTESi
IV
SekiI4.9. Karaklerislik X-I~mlan iirelimine ail ~ematik gosterimler. 43
Sekil4.1 O. X-l~lm difraksiyonunun meydana geli~i 44
SekiI4.] ]. X-I~lm difraksiyonunun meydana geli~i. 44
v
TABLOLAR LisTESi
Tabla 2.1. Farkh saguk kaplarna rnalzerneleri 6
Tabla2.2. Zirnpara kagltlarmm tasnift 8
Tabla2.3. Parlatma i~leminde kullaJ11lan a~mdlflcJ1ar ve kullamrn alanIan 9
Tabla 2.4. Uygulamada sIk9a kullaJ11lan kirnyasal daglarna yonternleri 17
VI
OZET
Serhat KAYA
Firat Oniversitesi
2006, Sayfa:
VlI
Mehmet H. KORKUT
009. Dr
1. GiRi~
Metalografinin tarih,esi 19. ylizyJim ba~lanna kadar uzansa da ilk metalografik ,ah~malar
slirdlinnektedir.
Malzemelerin l,yaplSI11I ineelemeden ama,; a) Malzemede meveut fazlan ve dagJilmml,
b)Tane boyut ~ekil ve daglilml c) Genel olarak yapl kusurlannm (,atlak, porozite, segregasyon,
kahntJiar v.b.) einsini ve miktanm saptarnaktlr. Malzemelerin i,yaplsml ineelerken hangi
yontemin ve hangi eihazm se,ileeegine karar verebilmek i,in, hem yapllaeak mikro yapl
,ah~masmm boyu!u hakkmda, hem de yontem ve eihazlann bu boyuta duyarhhgl hakkmda bilgi
Mellm"! H. KORKUT
Do\,. Dr
1
sahibi olmak gereklidir. Malzeme igerisindeki meveut fazlarm, faz miktarlannm, tane boyutu
ve tane daglilmlannm ineelenmesinde optik mikroskop yeterlidir; fakat mikro yapldaki nanD
olgek1i 90keltilerin tespit edilmesinde ve gozlemlenmesinde daha ileri eihaz ve teknikler
kullallllmalldlr. Buna benzer ~ekilde Farkll ineelemeler i9in farkii eihaz ve teknikler
kullallllabilir fakat her teknik i9in numune hazlrlama a~amasl ayn tarzda olaeaktlr.
2
Enine kesit ahnmasIDI gerektiren dnrnmlar
Kesme i~lemi i,in zorunlu kalmmadlk,a sleak kesme metotlan kullamlmamaltdlr. Sleak
kesme metotlan, kesme bolgesinde a~1fI ISInmaya sebep olarak; kesilen bolgenin yaplsml
degi~tireeeginden bu tOr metotlar tereih edilmemelidir. Bu yiizden kesme i~lemi i,in otomatik
kesme eihazlan kullamlmaltdlr. Kesme metodunun se,imi kesileeek malzemenin einsine,
biiyiikliigiine ve nasll bir ineeleme yapllaeagma baghdlr. Biiyiik par,alar i,in el testeresi ya da
testere eihazlan kullamlabilir; fakat en uygun ve kullam~h kesme eihazlan doner diskli kesme
eihazlandlr. Bu tip doner diskli kesme eihazlannda farkh ,aplarda ve farkh ozelliklerde kesiei
diskler kullamhr. Doner diskli eihazlar yiiksek devirlerde kullamlarak uygun kesme i~lemi
ger,ekle~tirilir. $ekil 2.1 'de ,qitli farkh tipte kesme eihazlan ve kesme diskleri goriilmektedir.
3
Mehmet H. KORKUT
DOIf. Dr
• NlImllne olarak alman parya yGzeyinin dGzgGn oimasl gerekir. Kesme slrasmda plastik
deformasyon olu~masma engel olllnmahdir.
• SGrtGnmeden dolayl meydana gelen lSI, yaplda donii~Gmlere yol aymamah ve kesilen
yiizeylerde yanma belirtileri olll~mamahdir.
Yukanda bahsedilen iki husustan dolaYI kesme i~lemi Iym a~mdinci doner diskler
geli~tirilmi~tir. Bu tiir a~mdlflci diskler kesme esnasmda mmlmum lSI ve m1111mum
deformasyon olu~tururlaf. A~mdlflci kesme diskleri Gzerine tutturulmu~ AI,O" SiC, CBN
(kGbik bor nitrGr) ve elmas partikGller kesme i~lemini yaparlar. Kesici partikGller diskler iizerine
bakalit veya metal baglaylcJ1arla baglamrlar. Her iki tip a~mdlflci kesme diski sert malzemelerin
kesilmesinde kullanllabilir; fakat metalik bagh a~mdlflci kesme diskleri seramik ve gevrek
malzemelerin kesiminde, bakaIit bagh a~111dlncl kesllle diskleri ise sinterlenmi~ karbGr tiirii
lllaIzelllelerin kesiminde kllllamhrlar. Yumu~ak malzemelerin kesiminde metalik bagh diskler
kullamltrken, sert malzemelerin kesiminde bakalit baglt diskler kullanllmaltdlr. AI,O, tipi
diskIer, dG~iik ala~lmh yelikler, paslanmaz yelikler aliiminyum ve nikel ala~lmlan; SiC diskler,
baklr ve ala~lmlan; CBN diskler, yok sert demir grubu malzemeler, elmas kesici diskler ise ultra
sert (> 1000 HV) malzemeler iyin kullamltr.
Kesme i~lemi esnasmda olu~an lSI birikimlerini azaltmak iyin sogutllcu SIVI kllllantimalldif.
KullamIan soglltucu SIVI numunede korozyona yol aymayacak yag ve yag kan~lmlanndan
olu~maltdlf. Sogutucu SIVI bir taraftan olu~an ISIYl azaltlrken bir taraftan da yiizeyden kopan
partikiilleri kesme bolgesinden uzakla~tlflr.
2.4. Kaltplama
Metalografik incelemeye tabi tutulacak numllneler elle tutulamayacak kadar kiiyiikse veya
diiz bir zeminde stabil halde duramayacak bir ~ekle sahipse bll durumda bu tip nllmuneler
kaltplamf.
Mehmet H. KORKUT
DOIf. Dr
4
Numune kallplamanm diger bir onemli sebebi de, zlmparalama ve parlatma esnasmda
temizligin kolayca saglanmas,dlr. Numunenin yan yiizeyleri piiriizlii oldugu i,in zlmparalama
ve parlatma esnasmda a~mdlflci tozlan tutar ve numune, ne kadar y,kamrsa Ylkansm yine de
iizerinde bir miktar a~md,nci toz kal,r. Bu tozlar bir sonraki parlatma kademesinde dokiilerek
numune yiizeyinde derin ,izikler meydana getirirler. KahplamnI~ numunelerde bu dezavantaj
ortadan kalkar.
Metalografik ama,h numune kallplama i~lemlerinde temelde iki farkh kahplama yontemi
uygulamr:
1. Sicak kahplama,
2. Soguk kahpJama.
5
ORKUT
Mahmat H. K
D09. DF
numunenm etrafml sararlar. Seyilen plastik malzemenin aYIll zamanda daglama esnasmda
kullantlacak daglama reaktiflerinden etkilenmemesi gerekmektedir. Diger taraftan seyiIen
plastik malzeme kattla~ma esnasmda yok biiyiik olyii degi~ikligi (yekme) gostermemeli ve
kaliptan kolayca ylkabiImeli
Kahplama iyin uygun plastik maIzeme seyilerek kahplama cihazma numune iIe birlikte
yerle~tiriIir ve yakla~lk 15 dakika iyerisinde kahplama tamamlalllr. Biryok kahplama cihazl otomatik
olarak yah~maktadlr. Kahplama parametreleri (basmy, slcakhk, siire) seyilen plastik malzeme tiiriine
gore degi~iklik gosterir. Ergime noktasl dii~iik olan kur~un ve kalay gibi malzemeler bu metotla
kahplanmamalldlr.
Melzeme -~.
Akrilik POlYester Eooksi
Ketlle~ma
sOrasi '(1 8'C\ 15dak, 40 dak. 8 seal
! Cekme Az YGksek I Cok az
: Fival Panal] Ucuz Normal
DG~Ok vizkozite.
Ozelligi Kaley \~Ienlr Ucuza malolur di.i§Ok bunnr baSIIlCI,
I ivi VaOISl1
Uygulama I Genel metalografik Mineroloji
uVQulamalar Cak saYlda numune
~,,~,~~
I
Mehmet H. KORKUT
Do!;,. Dr
6
2.5. Vakumla Giizeuelderin Doldurulmasl
Gozeneklerdeki havamn vakumla ba~atI!Ip bunun yerine epaksi ile daldurulmasl i~lemidir.
Gozenekli, gevrek ve kalayca ufalanabilen numunelerin epaksi re,ineleri ile ka!Iba a!Inmasl
vakum aracl!Iglyla uygulamr. Yakum, gozeneklerdeki ve ,atlaklardaki havaYI ba~altarak
epaksinin bu bolgelere, dalmasml saglar. Eger i~lem ba~anh almazsa zlmparalama ve parlatma
esnasmda numunenin bir klsml kapabilir. Gozeneklerin epaksi ile daldurulmasl aym zamanda
gozenek bi,iminin korunmasml da saglar. Bu yontem uygulanmadlgl taktirde, gozenekli
malzemelerde parlatma esnasmda gozenekler bliylir ve kenarlan yuvariakla~lr. Bunun dl~mda
7
2.7. Z.mparalama ve Parlatma i~lemleri
ge~itli kademeleri iyerir. Her kademede bir evvelki kademede kullamlan a~mdIr1cllardan daha
ince a~mdIr1cIlar kullamhr ve boyIeee her kademenin numune ylizeyinde olu~turdugu
defonnasyon ve yizik miktan minimum seviyeye indirilir. Zimparalama i~leminin ilk
a~amalannda (kaba zlmparalama) ylizeydeki plirlizllillik degeri yakla~lk 10-100 J.1m seviyesine
indirilir. Son zlmparalama kademesinden soora bu deger lJ.1m'in altma indirilebilir.
Zimparalama kademesinden soora yUzeyler parlatma i~lemine tabi tutulur ve numune ylizeyleri
daglama i~leminden once nihai dUzgUnllige ve parlakhga ula~tIr1hr.
2.7.1.1. Zlmparalar
Kum ve karbondan elde edilmi~ SiC tanelerinin belirli bir kuma~ ya da kaglt Uzerine
yapl~tIr1lmasl ile elde edilen a~mdIr1Cllardlr. Zlmparalar SiC' den yapIlabildigi gibi % 55-75
AI,03 ve manyetit tozu ihtiva eden a~mdlrlcllardan da imal edilebilirler. Sadece AI,03 ihtiva
eden zlmpara kagltlan da mevcuttur. Zlmpara kagltlannm tasnifedili~i Tablo 2.2'te verilmi~tir.
8
Zlmpara kiigltlannda znnpara numaraSI arttlkya a~mdJr1Cl tane boyutu da kUyUlmektedir.
800 numaranm Uzerindeki znnpara kiigltlan yok ince oldugundan yogu zaman kullal1llmazlar.
Parlatma kademesinde genellikle AI,O" Cr,O" MgO, Fe,O, ve elmas tozu gibi
a~lI1dtnCllar kullalllhr. Elmas tozu macun veya sprey ~eklinde, digerleri ise damttlk su ile
sUspansiyon ~eklinde kullalllhr. Parlatdan numuneler eger su kar~lsll1da oksidasyona ugruyorsa
bu durumda etilen, glikol, alkol ve gliserin kullal1lhr. Parlatma i~leminde kullantlan a~mdJr1ctlar
: Sun er taSI
AI~l ta~1
SnOl
MoO
i Fe 2 0J
Ilim
Cr 032 I
~
para I
~aJkorund I I
Sentetik korund
B,O
AbOJ
SIC I I ?????1
B,C I
Elmas
- i
Znnparalarna ve parlatma cihazlan Uzerinde genellikle bir kay tane disk bulunrnasma
ragmen tek diskli cihazlar da mevcuttur. Disk yaplarl 200, 250, 300 mm'dir ve amaca uygun
olarak farkh yaplarda diskler de kullallliabilir. ~ekil 2.5'de bir zlmparalama ve parlatrna
cihazlan gorUlmektedir.
Kullal1llan diskler korozyona kar~l dayalllkli piriny, bronz veya alUminyum ala~nnlanndan
9
~,...Jor-.V \
,.. " ... --;~~. Dr
imal edilirler. Disklerin donme hlzlan 500-400 dev/dak. arasmda deg,i~ir. YUksek devir kaba
zimparalama ve parlatma kademesinde, dU~iik devir ise nihai parlatma kademesinde kullamhr.
i~lem genellikle kahplama i~leminden once yap"'r. Bu nedenden dolaYI, daglama oneesi
yiizey hazlrlama i~leminin inee zimparalama i~lemiyle ba~ladlgl soylenebilir. Kaba
zimparalama kademesinin amael bir sonraki zlInparalama kademeleri iyin yiizeyi hazlrlamaktJr.
Bu kademede numunenin keskin ko~e kenarlan ortadan kaldmhrken, kesme i~leminde
olu~an kesme izleri yok edilir. Keskin noktalar ta~lanarak almdlktan sonra 60, 80, 120 ve 150
nllmarah zlmpara kiigltlanyla zlInparalama yap",r. Bu i~lem donen disk veya ~erit ~eklindeki
zimpara kiigltlan Uzerinde yap"lr. i~lem esnasmda numunenin IsmmaSllla izin verilmez ve Sik
slk Sll He sogutulur veya akan su altmda yap"lr.
10
2.7.2.2. ince Zlmparalama Kadcmesi
ince zimparalama kademesinin amaCI, kaba zlmparalamada olu~an derin yiziklerin ortadan
kaldlrllmasl ve olu~an defonnasyon miktarmm azaltilmasldlr. Bu kademede 180,240,320,400,
500, 600 ve 800 numarah zlInpara kiigltlan kullamhr. Bazi ozel malzemeler iyin ise 800 numara
zunparanm iizeri olan 1000, 1200 ve 2500 numarah zlmpara kiigltlan kullamlmalldlr. Bir
zimparadan digerine geytigi zaman bir onceki zimpara tanelerinin kendisinden daha ince laneli
Z1mpara kiigldma geymesini onlemek iyin eller ve numune akan su allmda iyice Ylkanmalldlr.
A~mdmcl tanelerin gozenek ve yatlak gibi bolgelere girmesi durumunda ultrasonik Ylkama
yapilmahdlr.
ince zimparalama kademesi istisnai durumlar dl~mda genellikle ya~ yaplhr. Kullallllan
SIVI, numunenin Ismmasml onledigi gibi numune ile zimpara kiigldl arasmda homojen bir lemas
saglar. Numune ozelliklerine bagh olarak su yerine daha yiiksek viskoziteli slVllar da
kullanilabilir.
Uygulamada her farkh zlInpara kiigldl kullanildlgmda numune ~ekil 2.7'de de goriildiigii
gibi 900 dondiiriilmeli ve numune diskin dl~ yiizeylerinden merkezine dogru hareket
ettirilmelidir.
i~lem slraslllda zllnparalanan yiizey slk slk gozle konlrol edilmeli ve bir onceki
11
mikroskop altmdaki gorlintlinlin niteligini direkt etkilemektedir. Numune ylizeyine
uygulanan a~tr1 ylik, numunenin Ismmasma sebebiyet vererek yapmm degi~mesine neden
Ba~anll bir parlatma i~leminde en onemli kademe kaba parlatma kademesidir. Ba~anh bir
kaba parlatma kademesi ince parlatmal1ln dalm kolay ve saghkh sonu, almmasml ve de
,iziksiz bir ylizey elde edilmesini saglar. Tiim parlatma kademelerinde oldugu gibi bu
kademede de parlatma gere,leri pariatIlan yiizeyin kalitesini dogrudan etkilemektedir. Bu
gere,lerden en iinemlileri ise parlatma ,uhasl ve a~mdtrlcIiardJr. Kaba parlatma kademesinde
geneJlikle ,ad If bezi gibi tiiysiiz kuma~lar kullamhr. Bu kademede kullal1llan a~mdlflcIiar
S1faslyla a-aliimina (15- 0.3 J.1m), y-aliimina (0.05~un) dlr. A~lI1dIflCI tane boyutu kiiyiildiik,e
numllneleri birim zamandaki inceltme hlZI dli~mektedir.
Numune, parlatma ,uhasl iizerinde diskin donme yoniine ters yiinde ve merkezden ,evreye
dogru hareket ettirilmelidir. Numune hareketi sonucunda ,uha iizerinde homojen bir Ylpranma,
a~mdtrlcll1m yiizeyde homojen olarak dagllIlmasl ve ince ,iikelti bulunan numunelerde giiriilen
yiinlenmi~ parlatmal1ln olumsuzluklannll1 giderilmesi saglal1lr.
Kaba parlatma kademesinde numune ,uha iizerine yeteri kadar baslInlmahdJr. Uzun siireli
parlatmalardan ka,mllmahdlr. Gereginden fazla yapIian uzun slireli parlatmalar sonucunda yapl
i,erisindeki ikincil fazlar ve grafit gibi yapIiar dokiilebilir. Numune parlatma esnasmda slk slk
gozle veya 100X biiyiitmede incelenerek kontrol edilmelidir.
Kaba parlalIna sonucllnda en dii~iik seviyeye men, fa kat heniiz mevcllt olan plastik
deformasyon biilgeleri ince parlatma ile tamamen ortadan kaldtrlilr. Kaba parlatmadaki i~lemler
bu kademede de aYl1ldlr, fakat kllllal1llan parlatma gereyleri farkllhk gosterir. Bu kademede
kllJlal1llan ,uhalar dalm ince ve klsa tiiylii olmahdlr. A~lI1dlnCI olarak da demir ve baklr
ala~lmlan i,in AI,O" AI ve Mg ala~nnlan i,in seryllm oksit kllllal1llmahdJr. Bllnlarm dl~mda
elmas hamuru, Cr,O, ve MgO kullal1llabilir. Parlatma slfasll1da ,uha iizerindeki nem miktanna
dikkat edilmelidir. En dli~lik nem miktan, nllmllne parlatma diskinden uzakla~ttrlldlgll1da
havada 1-5 saniye i,erisinde hemen kuruma ile sonuylanlr. Nem miktannm az olmasl numune
yiizeyinde lekelenmelere yol a,ar. A~1fl nem ise parlatma siiresini uzatJr ve yiizeyde
12
oyukla~malara neden olur. Parlatma esnasmda yiizeydeki a~mdmcl miktan onemlidir ve bu
miktar yiizeyde opak bir tabaka ~eklinde beliren yeteri miktardaki a~mdmcl miktandlr.
ince parlatma sonrasmda Immune daglanmadan once mikroskopta incelenecekse alkol ve
kuru hava ile yiizey temizlenip kurutulur. ince parlatma sonrasmda yiizeyde parmak izi, leke ve
,izik bulunmamahdlr.
Elle yapllan parlatmanm zorluklarmdan dolaYI 1950'li yJilarda geli~tirilen bu metot ,ok
saYlda numunenin klsa zamanda parlatllmasml saglar. Bazl ozel durumlarda parlatma miimkiin
olmaz (radyoaktif numunelerin parlatllmasl) ve bu durumda otomatik parlatma ka,mJimaz olur.
C;:ok saYlda numune tek bir tabla iizerine baglanarak aym zamanda parlatJiabilir. Parlatma
i~leminde numunelerin numune tutueu tabla iizerine baglanmasl, disk iizerine baskI kuvveti,
numunelerin disk iizerindeki hareket miktan ve diskin donme hlzl gibi parametreler onem arz
eder.
laboratuarlannda mekanik parlatmadan daha ,ok tereih edilir. A~mdmeJiar yerine elektrolitik
hiierelerin kullamlmaslyla ger,ekle~tirilen bu metot 1930'da Jacquet ve Figour tarafmdan
bulunmu~tur. Sorby'nin ,ah~malanndan sonraki en onemli metalografik geli~medir. Elektrolitik
parlatma, en onemli ve en iyi sonu, alman parlatma yontemlerindendir. Mekanik parlatmanm
zorluklanm ortadan kaldlrmak amael ile geli~tirilmi~ bir parlatma metodudur. C;:ok saYldaki
numuneler klsa zamanda parlatJiabilir ve mekanik parlatmadan daha diizgiin ve nitelikli
yiizeyler elde edilir. Elektron mikroskobiksi i,in numuneler sadeee bu yontemle parlatJiabilir.
Dezavantajl, kullamlan kimyasal gere,lerin bir,ogunun saglhga zararh maddeler i,ermesidir.
13
~ekil2. 8. Elektrolitil< parlatma esnasmda yiizeyde olu~an film tabakaSl
Numune anot durumunda oldugundan, (+) yliklli iyonlar numune ylizeyini terk ederek
katoda giderler. Numunenin bu ~ekilde ,ozlinmesi esnasmda numune ylizeyinin hemen lizerinde
metal iyonlannm meydana getirdigi bir film tabakaSl olu~ur. Bu film tabakasmm elektrik
direnci, elektrolitin direncinden daha bliyliktiir ye farkh bile~imdedir. Parlatma mekanizmasl
hakkmdaki genel gorli~; ylizeydeki ,Ikmtlh klslmlarda film tabakaSl ince, metal iyonlan
konsantrasyonu yliksek ye elektrik direncinin dli~lik oldugudur. Bu duruma gore uygulanan
potansiyel altmda plirlizlii klslmlardaki aklm yogunlugu ,ukur klslmlara klyasla daha fazla
olacaktlr. Eger yeterli miktarda bir potansiyel uygulanml~sa metal ,Ikmtlh klsllnlardan ,ukur
klslmlara nazaran daha hlzh elektrolite ge,ecektir. Bu slire, yUzeyin tamamen dliz olmasma
kadar deyam eder.
parlatllabilir. Parlatma stiresi klsadlr ye ,ok klsa bir zamanda kaba defonnasyon tabakasl
ortadan kalkar.
2.8. Y.kama
Ylkama i~lemi metalografik ,ah~malarda ba~anh sonu,lar I,m ka,mtlmaz bir i~lem
14
kademesidir. Numuneler fum haztrhk kademelerinden soma ytkanmahdtr. Her ztmparalama ve
parlatma kademesinden bir tist a~amaya ge,meden once numuneler ytkanmah ve ytizeye
yapt~mt~ olan tanecikler ve lekeler uzakla~ttr1lmahdtr.
Ytkama i~lemi Ihk hava tifleyerek, kurutularak veya ultrasonik olarak yaplhr.Bu
metotlann i,erisinde en iyi sonu, veren ultrasonik Ylkama i~lemidir. Ultrasonik Ylkama, sadece
yUzeydeki temizlemeyi yapmakla kalmaz aynl zamanda da gozenek ve ,atlaklardaki
kavitasyonlan da uzakla~ttr1r. Ylkama i~leminden sonra numuneler alkol, benzen veya dti~tik
kaynama slcakhgma sahip slvdarla hlzh bir ~ekilde silinmeli ve kurutulmahdlr. Bazt
durumlarda musluk suyu kullamlabilir fakat oksidasyon olu~umuna dikkat edilmelidir.
2.9. Daglama
fotograft gorUlmektedir.
15
(a) Zlmparalanmll (b) ParlatJlmll (c) Daglanm'l
~eldl 2.9. Z.mparalanmll, parlatolmll ve daglanm'l bir numunenin her alamadaki fotografl
Ba~artll bir daglama i~leminin temel ~artl, malzemeye uygun daglama reaktifinin
seyilmesi ve hazlrlanmasldlr. Ne kadar ba~arth bir uygulama yaptllrsa yapllsm yanh~ rcaktil'
kullamlmasl daglamaYI ba~artslz ktlar. Uygun daglama reaktiftnin seyilmesi kadar uygulama
biyimi, uygulama siiresi ve uygulama slcakltgl da onem!idir (Dy'~lk, 1981).
iyin hareket ettirilir. Numunenin hareket ettirilmesi aynca reaktille yiizeyin temasml dalm iyi
saglayacaktlr. Reaktifin pamukla uygulanmasl durumunda, reaktif ile Islattlan pamuk DlIlDllDe
yiizeyine l'azla bastmlmadan silinir. Reaktifli pamuk ma~a ile tutulmaltdlr.
Numune yiizeyinin yeteri derecede daglanmasmdan soma, yiizeyin reaktifle iJi~kisi kesilir
ve akan su altmda y,kal1lr. Numune yiizeyindeki olu~abilecek su lekelerini onlemek iyin yiizey
alkolle Ylkamr ve ,hk hava cereyanmda kurutulur.
Numune yap,smm ortaya ylkartolmasmda uygun reaktif seyimi tek ba~ma ba~arth olamaz.
16
Reaktifin uygulama sUresi ye slcakhgl da iyi tespit edilmelidir. Malzemenin cinsine ye seyilen
reaktifin iyerigine gore uygulama sUresi ye slcakhgl farkhhk gosterir. KUyUk bUyUtmede
incelenecek nllmunelerde yaplYI tam olarak orlaya ylkarmak iyin gerekli daglama sUresi, yUksek
bUyiill11elerde ayrmtlYI ortaya ylkarmak iyin gerekli zamandan fazladlr. Fotografl yekilecek
nllmunelerin daglama sUresi daha klsa tutlilmahdif.
Uygulamada slkya kullalllian kimyasal daglama yontemleri Tabla 2.4'te Yerilmi~tir.
17
2.9.2. Elektrolitik Daglama
Makro daglama malzemelerdeki heterojenligi ortaya ylkarmak iyin yapJian bir daglama
i~lemidir. Makro daglamada ~u yapl ozeJlikleri ortaya ylkartJiabilir:
• Kolonsa] yapl,
• Dentritik yapl,
• Segregasyon ve kalmtJiar,
• Karbiirler,
• Prozite ve yatlaklar.
Makro daglama i~lemi iyin numune 400 numarah zlmparaya kadar zlmpara]amr. istisnalar
dl~mda numune yiizeyinin parlatJimasma gerek yoktur. Makro daglama reaktilleri yak kuvvetli
ve tesirlidirier, bu yiizden yiiksek zlmparalama ve par]atma kademelerine ihtiyay duyulmaz.
Makro daglama reaktilleri geneJlikle Hel, H2S0 4, HN0 3 gibi kuvvetli asitler ihtiva ederler.
Reaktifderi~ikligini kontrol etmek iyin safsu ve alkol tiirev]eri kullamlir.
18
denilir. Renklendinne daglamasl diger daglama i~lemlerinden pek farkll degildir. Yalmzea
kullamlan daglama reaktifleri ve uygulanl~ bi9imleri farklJlJk gosterir. Renklendirme
daglamaslyla renklendinnenin birka9 metodll vardlr:
2. Bir sonraki a~amaya ge9meden once bir oneeki a~amada olu~an hatalarm tamaml yak
edilmelidir. Bu yapllmadlgl taktirde numuneler son a~amaya kadar getirilseler bile bir
miktar hata igerirler.
3. Nllmune hazlrhk a~amalan milmkUn oldugu kadar k,sa zamanda yapllmahdlr, fakat
gereginden kIsa tutulmamahdlr. Gereginden llzun sUre yapilan i~lemler sonuellnda farkh
hatalar olu~abilir.
19
(a) (b)
Sekil 3. 1. Uygun yapJlmayan z.mparalama ve parla!ma esnasmda yfizeyde olu~an ~izikler
Elastik ve plastik olmak fizere iki tip deformasyon meveuttur. Yfik kaldlnldlgmda elastik
deformasyon ortadan kalkar. Plastik deformasyonda ise ylik kaldmldlgmda dahi ~ekil degi~imi
(a-Kiir ~izik, polarize I~.I" SOOX, b- Keskin ~izikler 200X, c-K.sa ~izikler IOOX)
NlImune yfizeylerindeki geni~ deformasyon bantlanna veri len isimdir. Uyglln sel'ilmeyen
20
......... 1.... 1,,)1
D09. Dr
(a) (b)
Seidl 3.3 Deformasyon bantlan
(SUnek ~elikteki deformasyon bantlan a-15X, b-25X)
(a) (b)
~ekil3.4. Parlatma esnasmda kenarlarm yuvariakla!;imasl
(a- Yuvarlakla~ml~ kenarlar 500X, b-ideal parlatma, kenar yuvarlalda~maslyok 500
21
3.5. Farkh Oranlarda A~lRma
Malzemelerin i,yaplsl i,erisinde farkh fazlar mevcuttuT. Her fazm sertlik degeri ve a~mma
davralll~lan birbirinden farkhdlr. Bu, ozellikle kompozit malzemelerde ,ok daha ,arplCI
boyutlardadlf. Zimparalama ve parlatma esnasmda sertlikleri farkll olan fazlar ve bolgeler
degi~ik oranlarda a~lIlmaya maruz kahrlar. Bu durum sertligi dU~Uk bolgelerin daha ,ok
a~lIlarak ,ukurla~masilla ve bunun sonucunda bu bolgelerin net olmayan gorUntU vermesine
sebep olur. Bu tip hata genellikle parlatma a~amasmda ortaya 'Ikar. Bu hatanm onlenmesinde
en onemli iki parametre parlatma sUresi ve parlatma ,uhasl cinsidir. Parlatma sUresi mUmkUn
oldugu Kadar klsa tutulmah ve parlatma ,uhasl dU~Uk esneme kabiliyetine sahip olmalldlr. $ekil
3.5'te hatah ve hataslz parlatllml~ iki farkh uygulamaya ait g5rUntU verilmi~tir.
(aj (bj
i;lekil 3.5. Zlmparalama ve parlalma esoasmda rarkh oraolarda a~mma giislermi~ B,C
tal<Viyeli AISi kompozitioe ail ytizey giirtioltisti
(a-Farkh oraolarda a~mma giislermi~ 200X, b-Farkh oraolarda a~mma giislermemi~ 200Xj
kullanilmamahdlr. Parlatma kademesinde klsa tUylii, homojen yaplh ,uhalar ve dU~Uk esneme
kabiliyetine sahip ,uhalar kullamlmahdlT. Her kademede yUzeyde bu gibi hatalarm olu~up
olu~madlgl kontrol edilmelidir. $ekil 3.6.'da bu tip bir aynlma hatasl gorUlmektedir.
22
Sekil3.6. Aynlma hatasl i~eren nnmune gorfintfisfi, SOOX
3.7. Yanklar
Numune ile kaltplama malzemesi arasmda bo~luk ve yanklann olu~masldlr. Bu tip hatalar
hazlrhk kademelerinde kenarlann yuvarlakla~masma, parlatma yuhasmm pisliklere
bula~masma, daglama problemlerine ve ylizeyin renklenmesine yol al'ar. Bu hatanm
olu~mamasl iyin uygun kahplama metodu ve uygun kahplama malzemesi sel'ilmeli ve kahplama
oncesinde numune ylizeylerinin dalm iyi yap,~masm, saglamak amaClyla numune ylizeyleri
ylkanmahdlr.
3.8. <;:atlaldar
Farkh fazlara sahip ve gevrek malzemelerde gorlilen bir hata bil'imidir. Genellikle
numune kesme a~amasl11da olu~ur ve sebebi, a~ln miktarda baskl ve 11Izlt kesmedir. Bu hata
bil'imi en ,ok kahplama yapliml~ numunelerde kendisini gosterir. Hatamn olu~mamasI iyin
uygun kesme diski, uygun besleme ve uygun kesme l11zlan kullanlimaltdlr. Numune
oIabilecek titre~imlere kar~1 mengeneye uygun ve dikkatli bir bil'imde baglanmahdlr. Kolay
kIrllabilir ve nazik paryalann kallplanmasmda, slcak kahplama yerine soguk kaltplama tercih
edilmelidir.. Soguk kahplama il'in dli~iik I'ekme gosteren rel'ineler seyilmelidir; zira yiiksek
I'ekme gosteren reyineler katlia~ma esnasmda tabakalar arasmda l'atlaK olu~turabilir. sekil
3.7' de bu tip bir hata gorli Imekted ir. .
23
(a) (b)
:;lekH3.7. <;:atlak olu~mu~ bir mikro yapl ve re~ine ile ~atlak dnidurulmasl (a-Plazma sprey He
yapdan kaplamanIU numune kesme i~lemi slfaslUda aydmasl, b- Yiizeyde olu~an ~atlagIU re~ine He
doldurulmasl)
Oiikme demir, termal piiskiirtme ile kaplanm,~ malzemeler, seramikler ve toz meta!urjisi
(TM) iiriinii par,alar dogal olarak giizenek i,erirler. Bu tip malzemeler uygun hazlrhk
i~lemlerinden ge,irilmediklerinde yanh~ yorumlara yo! a,abilecek giiriintiilere sebep olurlar.
Yumu~ak ve siinek malzemeler kolay deforme olurlar. Bu yiizden giizenekler k,smen
kapanarak nonnalden daha azallr ve boyutlan kii,ii1ebilir. Sekil 3.8'de bu durumu anlatan diirt
farkll siirede parlatma yap,hlll~ yumu~ak ve siinek numuneden almm,~ mikro yap' fotograflan
vcrilmi~tir.
(e) (d)
:;lekil 3.8. Farkh siirelerde parlatdan ve giizenek i~eren siiper ala~lm mikro yapdafl, 500X
(a-5 dak. parlahlm,~, b-6 dak. parlahlml~, e-7 dal,. parlahlml~, d-8 dal,. parlahlml~)
Bu tip hatalar birbirine biti~ik giizenek ve kahnttlarda, parlatma esnaslOda meydana gelir.
Parlatma esnasmda otomatik veya tam otomatik parlatma cihazlan kullamldlglOda eger
24
l
a~lI1dlflCI disk ile numune yUzeyi araslI1da dinamik bir temas olu~uyorsa bu tip hatalar
kayll1t1mazdlr, Bu yiizden dinamik temaslardan kaymllmah ve otomatik cihazlann kullamlmasl
durumunda uygun parametreler seyilmelidir. :;>ekil3.9'da bu tip bir hata gorUlmektedir.
(a) (b)
I;'ekil 3.9. Uygun olmayan parlatma ~artlarmda olu~an kuyruklu yddlz hatasl (a- 20X, b-
200X)
25
:;lekil 3.11. Alilminyum numunede a~mdJrlel partikfillerin gfimfilmesi, 500X
(a-3 /lm'luk elmas a~mdJrledarm alfiminyum yfizeye gomfilmesi, b- Nihai parlatma
yap.lmasma ragmen halen elmas partikfiller meveut)
(a) (b)
Numuneler daglama a~amasllla ne kadar iyi hazlrlal1lrsa hazlrlansm yanh~ yaptlan daglama
biitUn emekleri bo~a Ylkattabilir. Parlatma sonrasll1da numune yfizeyi gayet iyi temizlenmeli ve
daglama reaktifinin homojen olarak tesiri saglanmahdlr.
Numunenin daglama reaktifi iyerisinde gereginden fazla tutulmasl ve deri~ikligi yiiksek
reaktifler kullal1llmasl sonucunda IlUmune ylizeyleri a~lfl daglal1lr. A~ln daglanml~ numune
26
yUzeylerinden elde edilen gorUntUler anlamslz ve yoruma kapahdlr. A~m daglamayl onlemek
iyin lIyglln deri~iklikte reaktifler ve lIyglln daglama sUreleri seyilmelidir. Eger yUzey a~If1
daglanml~ ise a~If1 daglamanlll miktarllla bagh olarak tekrardan parlatma ve de gerekiyorsa
inee zlmparalama yapllmahdlr.
Daglama kademesindeki bir diger problem ise nlllllllne yUzeylerinin lekelenmesidir. BII tUr
bir hatayl onlelllek iyin daglallla reaktifi iyerisine birkay damla Gifkins EDTA(etilen-diamin
tetra-asetik asit) dallllatJilllahdlr. BII ~ekilde yUzeyde olll~an oksit filmi ortadan kaldmhr
(Salman ve dig., 2004).
4. MiKROSKOpiK <;:ALISMALAR
1. Optil' mikroskoplar:
2. E1ektron mikroskoplafl:
27
4.1. Metal Mikroskobu
numune yUzeylerinde ise durum boyle degildir. Daglanml~ yUzeyin degi~ik ayrmtJ ve
konumlarma gore yanslmalar farkltla~lr ve goriintii anlam kaza11lr. SekiI4.2'de basil bir polarize
metal mikroskobu kesiti ve paryalan gorUlmekledir.
28
_ - -, Retina goriintiisii
insan gazii --
iris _ - - - - - "';:-¥-''i-=;;l!<:''~ - - Komea
T-----~
I -Gaz bebegi
1
1 Gaz mereegi ...rH-I-'h
1
I
1
1
I Huygenian okiileri
,I ilk gariintii , ~
,
I noktas/
, Alan mereeg!
I
_ - - f'>;/ \'-t--;-r
"-- Alan mereegi VE
objeklit taraflndan'
1 - - i olu§turulan ilk '
I / / geff,ek gariintli
I
(Giiriintii ters ve donmii§)
I /I
I /
/I
,1
II
{,,I
./
/
/
/ / Yans/t,el ayna i§lk kaynagl
~ \'~=9=====m~=
/
~
I Objeklit
arkasmdaki
~
\
1 odak noktas, \
'l Objeklit \
I
I ~ \~
if odak
I
I
1 Objekllf aniindeki _ Numunenin \
1 noktasl objekill alam ,
,,
I
1 Numune ----
LL- 5_a_n_a_1g:.o_··r_ii_nt_ii --~
(Ters ve danmii§)
29
2345 \. ..\.1>
/' '\'.J1
. . . -i...::.;r
- .. - 11
'..
·1'-
::.; 10
----9
___8
---7
I) Harekelli mereel.,
2) Half slop,
3) A~lkhk diyafram,
4) Polarize prizmasl veya filtre,
5) Alan diyaframl,
6) Merkezleme mereegi,
7) Numune,
8) Objektif,
9) Dengeleyici prizma,
10) Ttip mereekler,
II)Gortintti dondtirtieti,
12)gtiz mereegi.
30
Basit bir metal mikroskobunda Uy temel parya bulunur:
1. Objektifler
2. Okuler
3. Aydmlatma sistemleri
4.1.1. Objektifler
gorUntii kalitesinde onemli olyUde olumsuz etkilenmeye yol ayar, Objektifler farkh
bUyUtmelerde dizayn edilmi~tir ve toplam bUyUtmeye esas katktYI saglarlar. Objektifler 4 tipte
smltlandtrthrlar:
I.Akromatik objektitler,
2.Apokromatik objektifler,
3.Yan apokromatik objektifler,
4.0zel objektitler.
gereksinim duyulur. Bu nedenle bUyUk objektitlerle yah~lrken diyafmm daha fazla aytlarak
numune yUzeyine daha fazla 1~lk dii~Uriilmesi saglamr Objektifler gorUntUniin kalitesini
dogrudan etki1ediginden ozellikleri iyi bilinmelidir. Objektiflerin temel ozell ikleri ~unlardtr:
I. BUyiitme yetenegi,
2. Niimerik aylkhk,
3. Aylrt etme yetenegi,
4. Derinligine aylrt etme gUcii (Alan derinligi).
4.1.2.1. Biiyiitme
Objektifler kendi1erine ozgU bUyUtme oranlarma sahiptirler. Buna "on biiyUtme" adt verilir
ve objektifUzerindeki on bUyUtme miktan "X" ~eklinde belirtilir. On bUyUtmeler 5X, lOX, 20X,
31
40X, 1OOX ~ekl indedirler. Mikroskoptaki toplam bliylitme okliler ve objektifteki bliylitme
miktarlannlO 9arplml ile bulunur. Objektif bliyiitmesi lOX, okliler bliylitmesi 20X alan bir
mikroskobun toplam biiyiitmesi 200X olacaktIr. Toplam biiylitme her iki mercek (okliler,
objektif) araslOdaki mesafe ile dogrudan ili~kilidir. Bir90k mikroskopta bu mesafe 160 mm dir,
fa kat 250 mm alan mikroskoplar da mevcuttur (Gifkins, 1970).
Nlimerik a91khk objektifin 1~lk top lama yetenegini ifade eder. Objektif ne kadar 1~lk
toplayabilirse a oranda g6riintli alaOl artar. Niimerik a91khk degeri biiyiidiikge objektifin
nesneleri aylrt etme yetenegi de artar. Objektifteki nlimerik a91khk ~u baglOtl ile bulunur:
N.A = '1 Sine
Burada N.A niimerik a9lkhk, '1 ortamlO kmlma indisi, e l~lk tepe a91smlO yansldlr.
Objektiflerde nlimerik a91khg1 artmnak i9in kuliaOllan ortamlO kmlma indisi arttmhr.
~ekil 4.3.'te farkh kmlma indislerine sahip ortamlardaki niimerik a91khglO degi~imi
g6riilmektedir.
Tepe a91S1 60° alan bir objektifte farkh ortamlar kullalllldlgll1da (hava 1]=1. yag 11 =1,5)
N.A degerleri
N.A (hava)= 1. Sin 30 = 0,5
N.A (yag) = 1,5. Sin30 = 0,75
Kmlma indisi degerinin yiiksek olu~u N.A degerini arttmr ve bu ise objektiflerde aylrt
etme giiclinli artlrarak birbirine yakll1 nesnelerin fark edilebilmesini kolayla~tmr.
32
Mehmel H. KOBKUT
009. Dr
O~jektiflerdeki bu ozellik, en yakm iki noktanm birbirinden net olarak aylrt edilebilmesini
ifade eder. Eger bir objektifte objektif a,lkhgl tamamen 1~lklandlfllml~ ise maksimum ay!rt
etme gUcU elde edilir. AYlrt etme gUcU ~u bagmt! ile bulunur;
4.1.3. Okiiler
OkUler, abjektifin meydana getirdigi ilk gorUntUyU geni~leten ye sanal goriintU alarak
goriilebilir hale getiren veya ilk gorUntUyii ger,ek goriintU alarak tespit eden aptik
sistemlerdir. Okiilerler, temel alarak bu i~leyi yapmasmm yam slra abjektif kusurlanm da
k1smen dUzeltirler. Bazl durumlarda, abjektiflerdeki arlIk sapma hatalan i,inde dengeleyici
gorey gorUrler. OkUlerler genellikle 5X, 7,5X, lOX bUyUtmeye ye 24-30 mm gorU~ alanlarma
sahiptirler.IOX biiyiitmenin iizerinde l2X, l5X, 20X ve 25X biiyUlIneli akUlerler de
mevcuttur; fakat genellikle lOX bUyiitmeli akiiler slkhkla kullamllr. OkUler Uzerinde yapdacak
alan aynamalarla gorii~ alanlan artmlabiJir. OkUler dort farkh tiptedir:
1. Negatiftipler (i,bUkey mercekli veya lraksak mercekli),
2. Pazitiftipler (dl~bUkey mercekli yeya taplaylcl mercekli),
33
3. Dengeleyici (kompanze edici, dlizenleyici) tipler,
4. Amplifikat6r (fotografik) tipler.
Nesnelerin g6rlinmesini l~lk demetleri saglar. Nesneler lizerine dli~en I~lk demetleri
yanslyarak g6rlintli olarak g6zlimlizde anlam bulur. Mikroskopta l~lk kaynagl olmakslZln
g6rlintli elde edilemez. KullanJian 1~lk kaynagma bagh olarak g6rlintli kalitesi degi~ir. Metalurji
mikroskoplannda g6rlintli olu~umu numune ylizeyinde yanslyan 1~lk miktanna bagil
oldugundan 1~lk kaynaklan 6nemlidir. Bu baknndan 1~lk kaynagmm kuvvetli olmasl istenir.
Metalurji mikroskoplannda tungsten Flamanh lambalar, karbon ark lambalan. zenon lambalar,
zirkonyum ark Iambasl, clva buharh, Iambalar ve Ultraviole lambalar en ,ok kulianJian
lambalardlr.
olu~ur. Bunlar:
I. Sferikel kusur,
2. Koma,
3. Astigmatizm,
4. G6rlintli alamnm kavislenmesi,
5. <;:arpllma,
6. Boyuna kromatik kusur (beyaz l~lkta),
34
daglanmasl ile faz kontrastl saglamr. Fakat daglama ile yeterli miktarda faz kontrastl
olu~turulamJYorsa, bu durumda optik yontemlerle faz kontrastl olu~turulur. Bu ama91a a~agldaki
Numune
Konkav yammcf!af
Objektif {
35
(a) (b)
!;iekil 4.5. Aydmhk ve karanhk alan aydmlatmalar yap"arak ~ekilmil iki farkh gorfintil, 1000X
(a) Aydmhk alan aydmlatmasl, (b) Karanhk alan aydmiatmasl
Numune yUzeyindeki pUrUzler, yanslyan 1~lkta faz farkma sebep olur. Faz kontrast
metodunda bu faz fark! gozle fark edilebilecek ~ekilde ~iddet farkma donU~lir. Bunun i,in 1~lk
kaynagm111 ve objektifin online halka disk ~eklinde "faz ge,irme" halkalan konulur. Halkalann
konumuna bagh olarak halkadan ge,en 1~lk geciktirilir veya ilerletilir. Eger geciktirme
yapJlml~sa yfizeydeki ,ukur bOigeler daha karanhk, yliksek bolgeler ise daha aydmhk
goriilecektir. Bunun tersi olarak ilerletme yapllml~sa gorfintfi ters yonde degi~ecektir. :;>ekil
4.6'da faz kontrast sistemin ,all~ma prensibi goriilmektedir. Bu metotla ozellikle tane sllllrlan
kayma bantlan, ikizlenmeler ve belirli bUyiikliikteki ,okeltiler rahathkla gorlilebilir
36
Polarizasyon mikroskobu herhangi bir optik mikroskoba polarize 1~lk verebilen bir
dUzenegin eklenmesi ile olu~turulur. Polarize l~lk yogunla~tIflcl mercegin onUne bir
polarizor ve mikroskobun gorme merceginin onUne, mikroskop iyerisine bir analizor
yerlqtirilerek elde edilir. Anizotropik bir fazdan yanslyan l~lk, yozUmleyicinin her 90°
donU~Unde SIraslyla bir karanhk, bir aydll1lIk gorUlecektir. izotropik fazlar ise bu dondUrme
sonucu gorUntUden tUmden Ylkar. Bunun sebebi anizotropik malzemelerde optik
ozelliklerin kristalografik yon ile degi~mesidir.
YUksek slcakhk mikroskabu, yak ozel durumlar iyin geli~tirilmi~ ve genellikle ara~tlrma
37
Optik mikroskop ile arasmdaki onemli bir [ark, elektron mikroskobunun dalm
bliylik bir aylrma giiciiniin olmasldlr. <;:iinkii elektronlar, yok yiiksek kinetik enerjilere
kadar hlzlandmlabilir. Bu da onlara yok lusa dalga boyIan kazandmr. Tipik olarak,
elektronlarm dalga boylan, optik mikroskopta kullamlan goriiniir l~lgm dalga
boylarmdan yakla~lk 100 kez daha kisadlr. Bunun sonucu olarak elektron mikroskoplan
yakla~lk yiiz kez daha kiiyiik aynntJian aylrt edebilir. Modern sistemlerde bu
algJiaYlcllardan gelen sinyaller dijital sinyallere yevrilip bilgisayar moniWrUne
verilmektedir.
$ekil 4.7 'de goriilen mikro yapl malzeme analiz cihazlarm dan olan SEM(Taramall
Elektron Mikroskobu) tarafmdan goriinttilenmi~tir.
Taramah elektron mikroskobllndan renkli goriintii ahnmaz. Elde edilen goriinttiler siyah
beyazdlL Optik mikroskobllna gore aylrma giicii ve alan derinligi daha yiiksektir.Optik
mikroskopta aylrma Sll1ln, dalga boyunun uzun olmasmdan dolayl (1c = 6000 A") 200 flm
civannda ve buda 500x gibi bir biiyiitme saglarken ,SEM'de elektron aylrma giicii 2-10 flm iken
dalga boyu 1c = 20-100 AD civanndadlL Buda pratik1e 10.000x gibi biiyiitmeler saglamaktadlL
Bu yiizden insan goziiniin gordiigiine I'ok yakm iiI' boyutlu goriintiiler elde edilebilir ve piiriizlii
yiizeyler incelenebilir. SEM ile birlikte analiz il'in EDS (enerji dagillmil x-I~lI1lan
38
numunenm bir noktasl lizerine giinderilir. Elektron demeti ile numunenin elkile~mesi sonucu
elde edilen veriler sadece bombardlman edilen noktaya aillir. Daha geni~ bir ylizeyin
giirlinllislinlin ele almabilmesi i,in elektron demeti incelenecek alan lizerinde slraslyla nokta
nokta dola~tlrlhr ve tarama yaplhr. Bu i~lem yukandan a~aglya ve soldan saga dogru yapillr.
SEM'de nokta taramasl, alan taramaSl ve ,izgi taramasl yapilabilir.
$ekil 4.8 'de kesiti giirlilen optik kolonda bulunan elektron tabancasmda olu~turulan
elektron demetinin, mercekler yardlml ile kolonun alt klsmmda numune odaclgmda bulunan
11l1mune lizerine dli~lirlilmesi ve elektron demeti-numune etkile~iminden ortaya ,Ikan sinyallerin
uygun algilaYlcllar tarafmdan algllandlktan sonra ,eviriciler yoluyla giirlinlliye diinli~llirUlmesi
ile oll1~ur.
Vaklllniu 1II11l1lllle
yiiklellle odaclgl,
Taramah elektron mikroskobu, optik kolon, numune hUcresi ve giirlinllileme sistemi olmak
lizere U, klslmdan olu~ur:
Optik kolon klsmmda; elektron demetinin kaynagl olan elektron tabancasl, elektronlan
numuneye dogru 11Izlandmnak i,in yUksek gerilimin uygulandlgl anot plakasl, ince elektron
demeti elde etmek i,in kondenser mercekleri, demeti numune Uzerinde odaklamak i,in objektif
mercegi, bu mercege bagh ,e~itli ,apta par,alar ve elektron demetinin numune yUzeyini
taramasl i,in tarama bobinleri yer almaktadlf. Mercek sistemJeri elektromanyetik alan ile
elektron demetini inceltmekte veya numune Uzerine odaklamaktadlr. Tlim optik kolon ve
numune 10 4 ve Pa gibi bir vakumla tutulmaktadlr.
39
GorUntii sisteminde, elektron demeti ile numune giri~imi sonllcunda olu~an <;e~itli elektron
ve 1~lmalan toplayan dedektOrler, bllnlarlll sinyal <;ogaltlcJian ve numune yUzeyinde elektron
demetini gorUntU ekramyla senkronize tarayan manyetik bobinler bulunmaktadlr.
YUksek enerjili elektron demeti bir numllneye <;arphglllda X-I~mlan Uretir.Bu X-I~lIllan
sUrekli bir enerji spektrumu ile birlikte ,numunelerdeki elementlerin belli enerji seviyelerindeki
keskin tepelerden olu~ur. Bu karakteristik enerji seviyelerini belirleyip X-I~lIllan quanta
numaralannl ol<;mek suretiyle kalitatif ve kantitatif analizleri yapJiabilir.(Heinrich, 1981)
X-I~mIan analizlerinin yapJiabilmesi i<;in taraylci eIektron mikroskobuna katI hal X-
1~lIllan dedektOrU monte edilmi~tir. X-I~lIllan dedektOre <;arpligmda sinyal olu~lIr bll sinyal <;ok
kanalh bir analizor i<;erisine depo edilir.Yakla~lk 100 sn beklendikten sonra bUtiin spektrum
ekran Uzerinde gorUlecegi gibi kaglt Uzerine de <;izdirilebilinir. Nlimline i<;erisindeki farkh
elementler bir S1fa dahilinde se<;ilerek bllnlarlll nllmllne i<;erisindeki daglhmml gosteren
gorUntiiIer elde edilir.Bu yontemle <;api I llm den daha geni~ bolgelerin kimyasal analizlerini
dUzgUn yUzeyli nllmllnelerin kantitatif analizlerini, pUrUzlU yUzeylerin kaIitatif analizlerini
yapmak mUmkUndUr.
Hafif eIementier X-I~IIlIan dedektOrUn berilyum penceresinden ge<;emediginden, bu
malzemelerin analizleri yapJiamamaktadlr. BlI belirsizlik elektron promikro analizi (EPMA)
kullanllarak <;ozUlmektedir (Heinrich, 1981).
40
EPMA <;ogu a<;ldan SEM'e benzemektedir. Fakat EPMA elektro garlinttileri vermekten
ziyade X-I~mlannlll liretimi ve toplanmasl i<;in liretilmi~tir. X-I~mlan EPMA i<;erisinde elektron
demetinin yolunu kesen numune i<;erisindeki elementlerin tanlmlanmasl ve bu elementlerin
kantitatif analizleri i<;in kullamhr.
Her elementin kendine has X -1~JIlI enerjisi vardlr. Bu enerji tespit edildiginde element de
tayin edilmi~ olm. Hatta X- I~mlanmn lirelme miktanna bakJiarak klitlesel bile~im oram hesap
edilebilir. X-I~JIllan atomlann iyonla~masl sonucu yaYlhr. EPMA'nlll de met akJm ~iddeti
standard I veya kimyasal bile~imi ile elde edilen X- I~mlarmm ~iddetleriyle kar~J1a~tll'lhr.
Kantitalif analiz slrasmda demet aklml, demet voltajl, numune ve standartlann ylizeysel
durumlan degi~memeli; numune dlizglin ve parlatllml~ 0Imahdlr.(Korkllt.2002)
41
kullandan elektron 1~lmnm dalga boyu 0.0037 ~m olup 1~lk 1~lm, x-I~lm ve notron radyasyonu
gibi 1~lIllarlll dalga boylanndan yak daha kiiyiiktUr
Yliksek voltaj altmda hJZlandmlml~ elektronlar bir numune lizerine gonderilirse elektronlar
ile nUl11une atol11lan arasmda ye~itli etkile~imler olu~ur ve nUl11uneden degi~ik enerjide
elektronlar ve X I~mlan Ylkar. Bu etkile~imlerden yararJamlarak numunenin incelenl11esi
elektron mikroskobunun prensibini olu~turur. Eger 11Izlandmlml~ elektronlar ince nUl11une
iizerine gonderilmi~ ise, elektronlann bir k,sm, etkilqmeden bir k,sm, da Bragg ~artlan sonueu
kmnllna ugrayarak nUl11unenin alt yiiziinden dl~an Ylkar. Bu tiir elektronlan kullanarak
nUl11unenin i,yaplslllm incelenl11esi ge,iril11 e1ektron mikroskobunda yapdlr. Transmission
Electron Mikroscobe veya k,saca TEM olarak bilinir. Elektron mikroskoplan tel11el ve
fonksiyonel olarak, optik l11ikroskoplann aymsldlr. Yani her iki mikroskopta ,'plak gozle
gorlilmeyen cisil11leri bliylitl11ek i,in kullamhr. ikisi arasmdaki fark ise, optik l11ikroskopta 1~lk
1~lm, elektron mikroskobunda elektron kullandmasldlr.
TEM'de incelenecek numunelerin, elektron I~mlmn numunenin i,inden ge,l11esine Izm
verecek kadar ince almaIan gerekmektedirler (birka, 100 ~m kalmhgmda) Atom numarasl
dli~lik elementleri i,eren numunelerde bu kalmhk biraz daha artlnlabilir. C;:ogu TEM
deneylerinde, numune kahnllgl 200 ~m'den daha incedir. Boylece, elektronlann numune i,inde
daha az nokta tarafllldan sa,dl11alan saglamr.
difraksiyonu gelir. Difraksiyon ,ah~malarmda dalga boyu sabit alan X-I~mlan kullamhr ve
bun lara karakteristik X-I~mlan denilir. Bu I~mlan, lipta tam i,in kullamlan birden fazla dalga
boyuna sahip beyaz radyasyon adl veri len X-I~mlan ile kan~tlrl11amak gerekir. Karakteristik
X -I~mlan elde etmek i,in, ISltdan bir filamandan lSI tahriki ile yaymlanan elektronlar
elektromanyetik bir alan i,erisinde luzlandmhr. Hlzlandmlarak yliksek enerji kazandlnlan bu
elektron demeti bir anota ,arptlgmda, elektronlar anot malzemesinin elektron kabuklarma
girerJer. Yliksek enerjili elektron demeti ,ekirdege yakm alan K kabugundaki bir elektrona
,arparak onu yerinden ,Ikartlrsa, bir elektronu kaybeden atom olduk,a kararslz bir durul11a
ge,er. K kabugunda bo~ kalan elektronun yeri enerji seviyesi yliksek alan bir kabuktaki,
omegin L kabugundaki bir elektron ile doldurulur. Yani L kabugundaki bir elektron K
kabugunda bo~ bulunan yere aliaI'. Elektronun iki konumu (K ve L kabuklan) arasmdaki
enerji farkl bir elektromanyetik dalga veya X-I~lm fotonu olarak yaymlamr. Eger atomdan
,'kart'lan elektronun enerji dlizeyi E , ve transfer alan elektronun enerji dlizeyi E, Ise
yayllllanan X-I~lm fotonunun enerjisi E = E,- E , olur ve bu enerji;
42
he
E =- baglantisl ile bulunur.
A.
Bu bagmtlda h Plank sabiti (6.62xIO'17 erg.s. veya O.662xlO,)J J.s), c 1~lk hlZl
K kabugundan
: ~:Jkartllan elektron Gelen hlzh E=hclA
_ ~ _ \/_A
\ elektron
'\
'\
'\
8" K
(a)
L
))
tv! N K
(b)
L
1
tv! N
X-I~lm difraksiyonu, basit bir ifade iIe kristal yaplh bir malzeme Uzerine gonderilen X-
1~lI1larlnm kristalin atom dUzlemlerine ,arparak yanslmasl olayldlr. Aneak, buradaki yanslma
1~lgll1 bir ayna yUzeyinden yanslmasl olaymdan ,ok farkhdlr. Difraksiyon olaymda gelen X-
1~lI1larl malzeme yUzeyinin altmdaki atom dlizlemlerine ula~lr, yani difraksiyon ylizeysel bir
olay degildir. Diger taraftan gelen X-l~mlarl malzemenin atomlarma ,arparak, her dogrultuda
sa'lhrlar. <;:linkU difraksiyon esasmda X-I~mlan ile atomlar arasmda meydana gelen yeni bir
etkiIe~im degil, bir sa,Jima olayldlr. Sa,J1an X-I~mlan aym faz i,erisinde degillerse birbirini
iptal ederler ve sonu,ta difraksiyon olayl ger,ekle~mez. Gelen X-I~lm demetinin kristal
dlizlemlerine herhangi bir a,1 altll1da ,arpmaSI durumunda difraksiyon ger,ekle~meyebilir.
<;:linkli dlizlemlerden yanslyan X-I~mlannm aldlklan yollarm uzunluklan farkh oldugundan, soz
konusu l~mlar arasmda faz fark! olu~ur ve bu I~mlar birbirlerini iptal ederler.
X-I~1I11 demetinin atom dUzlemlerine Bragg a,ISI (8) olarak bilinen belirli bir a,1 ile
,arpmasl durumllnda ise yanslyan I~mlar tarafmdan alman yol, dalga boyunlln (A.) tam
katlarma e~it olaeagll1dan I~mlar aym faza sahip olur. Difraksiyon veya klflmma llgrayan, yani
43
atom dUzlemlerinden yanslyan X-I~mlannm aYI1l fazda olmasl durumunda difraksiyon paterni
(desen) olu~ur. Difraksiyon paterni elde edebilmek iyin X-I~mlannm atom dUzlemlerine yarpma
aylSI (6), atom dUzlemleri arasmdaki uzakhk (d) ve gelen X-I~mlarmln dalga boyu (A) arasmda
belirli bir bagmtmm buiunmasl gerekir.
Bir X-I~111I demetinin birbirine paralel olan atom dUzlemlerine 6 aylSI altmda yarpmasl
durumunda difraksiyon meydana gelir. Difraksiyonun meydana geli~i ~ekil 4.10'da
gorUlmektedir. B ve B' noktalanndaki atomlardan klfll1lma ugrayan, yani yarpma sonucu
yanslyan X-l~mlan K noktasmda aYI1l faza sahip olurlar. Ancak, difraksiyon olayllllll meydana
gelebilmesi iyin yUzey altmdaki dUzlemlerde bulur atomlardan omegin E noktasmdaki atom
yanslyan I~mlann da K noktasmda aYI1l faz iyerisinde bulunmalan gerekir. Bunun
geryekle~ebilmesi iyin de MEN yol farklllm A dalga boyuna veya A 'nm tam katlanna e~it
olmasl gerekmektedir. Yanslyan 1~lIllar, ancak bu durumda aYI1l fazda olurlar. Difraksiyon
olaYlllda X-I~lIllannm aldlklan yollann uzunluklan arasmdaki farklar ~ekil 4.11' de
gorU Imekted ir.
(hid)
dOzlcmlcri
ivl E
44
EN olarak yaz"abilir. BME ve BNE dik Uygenlerindeki 8 aylsmm sinUsU,
ME EN
sm 8= - - = - - ~eklinde yazlhrsa ME= EN= d sin8 oldugu gorUIUr. Bllradan X-
ci cI
l~mlarmm aldlklan yollann llzunluklan arasmdaki fark, ME + EN = 2d sin8 olarak bulllnllr.
Difraksiyonun geryekle~mesi iyin bu yol farkmm A. veya A. 'nm tam katlanna e~it olmasl
gerekir. Bu nedenle, 2d sin 8 = n A. bagmtlsl elde edilir. Burada 8 Bragg aylsl (gelen l~mlarla
atom dlizlemlerinin yaptlgl ayl), A. kllllamlan X-I~mmm dalga boyu ve d atom dUzlemleri
5.1. Anizotropi
Malzemelerin kristal yapllarmdan kaynaklanan bir hatadlr. Amorf (~ekilsiz) malzemeler,
vektoriyel ozellikleri aylsmdan her yonleriyle aym davram~l gosterirler. Bunlar durum itiban ile
izotropturlar. Omegin, cam 1~lk geyirgenlik derecesi aylsmdan hangi yonden ele ahmrsa ahnsm
aymdlr. Kristaller ise anizotrop olup, farkh yonlerden ele almdlklarmda farkh sonuylara ula~lilr.
Bunlarda ye~itli fiziksel bUyliklUklerin degerleri farkh yonlerde farkh vekt6rler verir.
Teknik olarak her ne kadar her kristal kendi ba~ma anizotrop ise de bir blitlin olarak
izotrop olarak gorlinlirler. Malzeme aylsmdan istenilen de bu olmasma ragmen, bazen kristaller
e~ yon len me denilen bir konuma girdiklerinden yoklu bir kristal toplulugunda anizotropiye
rastlamr. Derin yekilen saclarda olu~an tepe olu~umu buna tipik bir ornektir.
45
Dokiimden sonra SIVI ve kat! metal de soguma ile birlikte siirekli yekme (hacim
degi~iklikleri) goriiliir. Bu yekmeler sonucunda da malzeme kusuru sayilan yekme bo~lugu
"blok Iunkeri"olu~ur.
5.5. Segregasyon
Segregasyon. ba~langlyta diizenli kan~lmdaki ergiyiklerin daha sonra ilerleyen
zamanlarda homojen olarak dagilmamasl olaYldlr.
46
5.10. Yanma
Yliksek sleakhklarda oksijen(y)- kan~lml kristallerinin tane smln boyunea yaylhp, par~a
i~erisinde oksidasyona yol a~arak yaplYI bozar. Boyle bir ~elik hurdan farkslzdlr.
5.11. ildzle~me
Haddeleme slrasmda iyiee kayna~mayan kalmtl, ikineil ve iplik lunkerlerin sebep
oldugu bir malzeme kusurudur (YJldmm, 1984).
• Mahalli atlk kullanma kurallanl1l gozden ge~irip almadan once konsantre kimyasallar
sulandmlmahdlr.
• Tlim saklama kaplan temiz bir ~ekilde eliketlenmelidir.
• Kritik maddeler (yanabilir, patlaylel, zehirli veya korozif) serin, ate~e dayal1lkll izole
edilmi~ onaylanml~ kaplarda depolanmahdlr.
• Asitler, bazlar, peroksitler ve bazl tuzlar gibi yaklel maddeler emniyet gozliigii, lastik
eldiven, laboratuar elbisesi ve onllik gibi koruyueu giysi ile kullal1llmahdlr. Bu
malzemelerin buhan genellikle zararhdlr. Zehirli gazlar ve ~liphelenilen buharlardan
koruyueu gaz maskeleri kullal1llarak korunulmahdlr.
• SlilfIirik asil gibi etkili kimyasallan i~eren daglama reaktiflerinin haZiflanmasll1da,
kimyasallara daima ~iiziieli (su, alkol, gliserin vb.) maizemeIer ilave edilmeli ve
kan~tmlmahdlr. lSI arlI~1 ozellikle hlzh ve fazla ise hariei bir sogutma gereklidir.
• Benzen, aselon, eler, perklorit, nitral v.b. gibi buharla~abilen, yanabilen patlama riski
olan malzemeler ISltIimamah veya aleve yakll1 yerlerden uzak tutulmalldlr.
• Berilyum gibi zehirli malzemelerin, radyoaktif maddelerin veya uranyum, toryum ve
pliitonyum ihtiva eden ala~lmlann mikro kesillerinin hazlrlal1masll1da eldiven veya
koruyueu sleak hliere kullanJimahdlr.
47
• Konsantrasyondaki peroksit asit % 60'1 a~tlgmda olduk,a yaOlcl ve patiaylci
ozelliktedir. Bu tehlike organik malzemelerin veya bizmut gibi kolayca oksitlenebilen
metallerin varhgmda olduk,a artar. Plastik kaplarda yUksek, konsantrasyonda peroksit
,ozeltiler asia depolanmamahdlr; ozellikle elektrolitik parlatmada ve daglamada bu
,ozeltilerin ISltilmasmdan ve yUksek konsantrasyonundan sakll1ill1lahdlr. Peroksit asit
ve alkol kan~tIrJldlgmda, yUksek patiaylci nitelikte alkil perkloratlar olu~abilir.
Perklorik asit sabit kan~tlrrna altmda yava~,a ,ozeltiye eklenmelidir. <;:ozeltinin
sICakhgl 35 DCden dU~Uk slcakhklarda muhafaza edilmeli ve eger gerckirse sogutucu
banyo kullaOllmahdlr. El1lniyet gozlUgU faydahdlr, fakat,ah~l1lalarm koruyucu bir siper
altmda yapill1lasl tercih sebebidir.
• Alkol ve hidroksit asit kan~lmlan ,e~itli yollarla aldehitler, yag asitleri, patlaylcl azot
bile~ikleri vb. l1leydana getinnek i,in kar~J1lkh olarak reaksiyona girebilirler. Artan
11l0iekUl hacmiyle patlal1la egilimi artar. Etanoldaki hidroksit asit miktan % 5'i,
l1letanoldeki ise % 35'i a~mamahdlr. Bu kan~lmlar depolanmamahdlr.
• Alkol ve sUlftirik asit kan~lmlan ester olu~umu ile sonu,lanabilirler, esterin bazilan da
etkili sinir zehirleyicidir. Eger bu esterler deriye nUfuz eder veya solunum yoluyla
vUcuda ahmrsa, bir,ok ki~i i,in tehlikeli olabilir.
• Metanol ve sUlftirik asit kan~lmlan dimetil sUlfat, kokusuz ve tatslz bile~ikler
olu~tururlar. Bunlar yeterince deriye nUfuz ederse veya solunum yoluyla ahOlrsa
oldUrUcU olabilirler. Halla gaz maskeleri yeterince koruyuculuk gorevini yerine
getinnez. YUksek alkol miktarlannda sUlfatlar potansiyel olarak tehlikeli degildir.
• Kur~un ve kur~un tuzlan zehirlidir ve miktan arttlk,a zaran da artar. Kadmiyum,
talyum, nikel, civa ve diger aglr metallerde kullaOlhrken tavsiyelere dikkat edilmelidir.
• Krom (VI) oksit ve organik malzemelerin kan~lmlan patlaylcldlr, dikkatlice
kan~tIrJll1lall ve depolanmalJdlr.
• TUm siyanUr bile~ikleri (CN) kolayca hidrasiyonik asit (HCN) olu~turabileceklerinden
olduk,a tehlikelidir. Bunlar Illzla tesir ettiklerinden ,ok dU~Uk konsantrasyonlarda bile
61Ume sebep olabilirler.
48
• Hidroflorik asit kontral edilmesi =01" olan bir as it olup, lOok kuvvetli deri ve solunuma
etki eder. Bu asiti kullamrken son derece dikkatli olunmaltdlr, \,UnkU bu asitin sebep
oldugu yaralar kolayllkla iyile~mezler. Hidraflorik asit cam malzemelere dahi tesir
edebiJir ve HF \'ozeltisiyle daglanan numunelerden \'Ikan buharlar mikraskop
mercekleri onUndeki elementleri kolayhkla tahrip edebilir. Numuneler suda ylkanmah
ve \,e~itli ama,lar i\'in inceleme yapmadan once vakum desikaWr i\'inde I veya 2 saat
kalmaltdlr.
• Pikrik asit anhidrit patlaylcldlr.
49
KAYNAKLAR
Heinrich, K. F. J., ,Electron Beam X-Ray Microanalyssis ,Van Nostrand Reinhold, 1981
Kelh, G.L., Special Report 80,Metallography, Tile Iron and Steel I Institute, 1963
50
Petzow, G., ,Metallographic Etching, A.S.M. 1978
Salman, S., Giilsoy, H.O., Metalografi Bilimi, Nobel Yaym, No:701, 1-57.2004
Y,ldmm, M. M., Malzeme Bilgisi 11I, F.O. Mlihendislik Fakliltesi Baslmevi, No:69, 74-80,
1984
51