Gunes Enerjisi

T.C.
SAKARYA NVERSTES
FEN BLMLER ENSTTS

GNE ENERJS VE GNE PLLER

YKSEK LSANS TEZ

Elektronik retmeni Mustafa KARAMANAV

Enstit Anabilim Dal : ELEKTRONK BLGSAYAR ETM
Tez Danman : Prof. Dr. Abdullah FERKOLU

Mays 2007
T.C.
SAKARYA NVERSTES
FEN BLMLER ENSTTS

GNE ENERJS VE GNE PLLER

YKSEK LSANS TEZ

Elektronik retmeni Mustafa KARAMANAV

Enstit Anabilim Dal : ELEKTRONK BLGSAYAR ETM

Bu tez 29 / 05 /2007 tarihinde aadaki jri tarafndan Oybirlii ile kabul
edilmitir.

Prof.Dr.Abdullah FERKOLU Yrd.Do.Dr.Ali Fuat BOZ Yrd.Do.Dr.Ylmaz UYAROLU
Jri Bakan ye ye
ii

NSZ

Uygarln douu, maara adamnn yakt ilk atele belirlenebilir ve geliimi de
enerjinin kullanmndaki art ile badatrlabilirse, insanln geliimi ile kii bana
den enerji kullanm arasnda orantl bir art olduu grlebilir.Tarih
balangcndan 1900l yllara kadar, insanln kulland enerjinin, nfus art ile
hemen hemen orantl olduu grlmektedir.Ancak, 20.yzylda enerji kullanm
hzl bir art gstermitir.Dnya, bilinen fosil yakt kaynaklarnn %0,1i kadarn
bile kullanyor olsa, hesaplar sonucu elde edilen kullanm deerleri ile
karlatrldnda, bilinen tm kaynaklarn 100 yldan daha az bir zaman sresi
iinde tkenmesi beklenmektedir.te bu aratrmalar sonucu mkemmel bir enerji
kayna olan gne enerjisinden yararlanma yollar aratrlm ve gne pillerinin
retimine geilmitir.Alternatif enerji kaynaklar arasnda gne enerjisinden
elektrik elde etmek; tehlikesiz ve sonsuz olmas, evre sorunlarna neden olmamas,
temiz ve gvenilir olmas, tkenme olaslnn az olmas gibi nedenlerle, gne
enerjisi gittike daha ok nem kazanmaktadr.Gne enerjisi dnyada kullanlmakta
olan yenilenebilir enerji kaynaklar arasnda en umut verici olanlarndan
biridir.Rzgar enerjisi kullanm son 10 ylda yaklak %25 artarken, gne pili
kullanm yaklak %300 orannda artmtr.

Bu tez almasnda ve tezin hazrlanmasnda yardmlarn esirgemeyen sayn
Prof. Dr. Abdullah FERKOLUna teekkrlerimi sunarm.Ayrca almalarmda
beni sabrla destekleyen aileme sonsuz teekkrlerimi bir bor bilirim.

iii

NDEKLER

NSZ.............................................................................................................. ii
NDEKLER ................................................................................................ iii
SMGELER VE KISALTMALAR LSTES.................................................... vi
EKLLER LSTES ....................................................................................... vii
TABLOLAR LSTES....................................................................................... x
ZET................................................................................................................. xii
SUMMARY...................................................................................................... xiii

BLM 1.
GR. 1
1.1. Gne Enerjisi... 1
1.2. Trkiyede Gne Enerjisi 4

BLM 2.
GNE PLLER.. 6
2.1. Gne Pillerinin Tarihsel Geliimi 6
2.2. Gne Pillerinin zellikleri.. 7
2.2.1. Maddenin yaps ve yar iletkenler. 8
2.2.2. N tipi yar iletken 11
2.2.3. P tipi yar iletken. 12
2.2.4. P-N kava. 13
2.2.5. Yar iletkenlerin katklanmas. 15
2.2.6. Gne pili edeer emas... 17
2.2.7. Fotovoltaik pil. 20
2.3. Gne Pillerinin alma lkesi... 21
2.3.1. Gne pillerinin yaps... 22

iv
2.4. Gne Pili eitleri.. 26
2.4.1. Selenyum gne pili.. 26
2.4.2. Silisyum gne pili 26

BLM 3.
GNE PL ETLER. 28
3.1. Kristal Silisyum Gne Pilleri. 28
3.2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri. 28
3.3. Semikristal(Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri.. 29
3.4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri. 29
3.5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri 29
3.6. nce Film Gne Pilleri 29
3.7. Amorf Silisyum Gne Pilleri.. 30
3.8. Bakr ndium Diselenoid Gne Pilleri 30
3.9. Dier Yaplar... 31

BLM 4.
GNE PL G VERMLLKLER VE KULLANIM ALANLARI. 32
4.1. Gne Pili G Verimlilikleri.. 32
4.2. Gne Pili Kullanm Alanlar... 33
4.2.1. Dnyadaki gne pili uygulamalar.. 35
4.2.2. Trkiyedeki gne pili uygulamalar.. 36
4.2.3. Gne enerjisi sistemlerinin ekonomik analizi ve
konvansiyonel enerji kaynaklaryla maliyetlerin
karlatrlmas.. 36
4.2.4. Gne pili uygulama rnekleri.. 38
4.2.5. Gne pillerinin teknik ve ekonomik deerleri. 41

BLM 5.
GNE PLNN ALIMASINI ETKLEYEN DI FAKTRLER. 44
5.1. Scakln Etkisi... 44
5.2.Yzey Parametresinin Etkisi. 46
5.3. Spektral Etki. 46

v
5.4. Foto Asal Etki... 47
5.4.1. Foto asal etkinin deneysel yolla incelenmesi.. 48
5.4.1.1. Tek gne pili ile yaplan deney... 48
5.4.1.2. Seri balanm iki tane gne pili ile yaplan deney 51
5.4.1.3. Paralel balanm iki tane gne pili ile yaplan deney 53
5.4.1.4. Sonu 56

BLM 6.
GNE PLLER LE LGL STATSTKSEL BLGLER 57
6.1. 1971-2001 Yllar Arasnda Gne Enerjisinden Faydalanarak
Elektrik Enerjisi retmek Amacyla Kurulan Tesislerin Toplam
Kurulu G Deerleri.................... 57
6.2. 1992-2003 Yllar Aras Toplam Fotovoltaik G retimindeki
Deiim..
.
58
6.3. 2003 Ylnda Dnya Genelinde PV retiminin Yzdelik Dalm 59
6.4. 1998-2003 Yllar Aras Dnya PV retimi (MW).. 60
6.5. Dnya Genelinde 1996-2005 Yllar Arasnda Gne Pili
eitlerinin Pazar Paylarndaki Deiim........... 60
6.6. Trkiyede Yaplan Gne Pili Uygulamalar.. 61
6.7. Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Tevik Edilmesi 62
6.8. Dnyadaki Gne Pili reticileri Ve retim Teknolojileri.. 65

BLM 7.
SONULAR VE NERLER... 68

EKLER... 71
KAYNAKLAR.. 73
ZGEM... 76

vi

SMGELER VE KISALTMALAR LSTES

W : Watt
kW : Kilowatt
MW : Megawatt
kWh : Kilowattsaat
Si : Silisyum
Ge : Germenyum
Ga : Galyum
Cd : Kadmiyum
Te : Tellr
CuInSe : Bakr indium selenoid
eV : Elektron Volt
lm : Lmen
hf : Foton enerjisi
pv : Fotovoltaik(photovoltaic)
% n : Verim
nm : Nanometre
Kcal : Kilokalori
K : Kelvin
: Sourma katsays
n
1,
n
2
: Krclk indisleri
k
1,
k
2
: Yok olma katsaylar
DM : Devlet Meteoroloji leri Genel Mdrl
EE : Elektrik leri Ett daresi Genel Mdrl
AB : Avrupa Birlii
TMMOB : Trkiye Mhendis veMimarlar Odas Birlii

vii

EKLLER LSTES

ekil 1.1. Trkiyenin gne enerjisi haritas 5
ekil 2.1. Silisyum ve germenyum yariletkenlerinin yaps 9
ekil 2.2. Enerji bandlar... 10
ekil 2.3. Elektronlarn ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri. 11
ekil 2.4. N tipi yariletken... 12
ekil 2.5. P tipi yariletken 13
ekil 2.6. P-N kavann oluumu... 13
ekil 2.7. P-N kava ve i akm. 14
ekil 2.8. P-N kavanda enerji band. 15
ekil 2.9. Gne pili.. 17
ekil 2.10.

P-N kavann oluturulmas ve kavaa den foton enerjisi
ile iletkenlik temini...

18
ekil 2.11. Gne pili edeer elektrik emas 18
ekil 2.12. 34 Wattlk bir gne pilinde akm gerilim erileri. 19
ekil 2.13. Fotovoltaik pilin yaps. 20
ekil 2.14. Fotovoltaik pil edeer elektrik devresi 21
ekil 2.15. Gne pilinin yaps.. 22
ekil 2.16. Tipik bir silisyum gne pilinin nyz... 23
ekil 2.17. Pillerden modl ve rglerin yaplmas 24
ekil 2.18. Gne pili ile aknn arj edilmesi... 25
ekil 2.19. Selenyum gne pilinin yaps.. 26
ekil 3.1. Bakr indium diselenoid gne pilleri... 31
ekil 4.1. Gne pilli enerji sistemi.. 34
ekil 4.2. EE Didim ebekeye bal gne pili sistemi 37
ekil 4.3. Solar I merkez alc gne sl elektrik santrali (spanya). 38
ekil 4.4. ebekeye elektrik veren gne pili sistemi... 39

viii
ekil 4.5. Parabolik anak gne sl elektrik santrali (spanya)... 39
ekil 4.6. ats gne pili kapl ev... 40
ekil 4.7. Gne pili ile sokak aydnlatmas. 40
ekil 4.8. Gne pillerinin karayollarnda kullanlmas 41
ekil 5.1.

In geli asna bal olarak gne pilinin verimliliinin
llmesinde kullanlan deney dzenei..

48
ekil 5.2. Gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii... 49
ekil 5.3. Gne pili akmnn aya bal deiim grafii... 50
ekil 5.4. Gne pilinin akm-gerilim deiim grafii 50
ekil 5.5. ki adet seri balanm gne pilinin k asnn deiimiyle
gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney
dzenei

51
ekil 5.6. Seri balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal
deiim grafii..

52
ekil 5.7. Seri balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim
grafii

52
ekil 5.8. Seri balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii. 53
ekil 5.9. ki adet paralel balanm gne pilinin k asnn deiimiyle
gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney
dzenei

54
ekil 5.10. Paralel balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya
bal deiim grafii.

55
ekil 5.11. Paralel balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim
grafii

55
ekil 5.12. Paralel balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim
grafii

56
ekil 6.1. 1971-2001 yllar arasnda dnyadaki fotovoltaik geliim... 58
ekil 6.2. 1992-2003 yllar arasnda toplam fotovoltaik g retimindeki
deiim..

58
ekil 6.3. 2003 ylnda dnya genelinde PV retim miktar 59
ekil 6.4. 2003 ylnda dnya genelinde PV retiminin yzdelik dalm.. 59

ix
ekil 6.5. 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde silikon kristal
gne pillerindeki deiim

60
ekil 6.6. 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde ince film gne
pillerindeki deiim..

61
ekil 6.7. Baz enerji trlerinin toplumsal maliyetleri.. 64
ekil A.1. ki motorlu ,srekli hareketli ,engel alglamal, almad
zaman pillerini gne pili ile arj eden robot bcek devresi.

71
ekil B.1. Gne enerjisi ile alan robot bcek bask devresi..................... 72

x

TABLOLAR LSTES

Tablo 1.1. Trkiyenin aylk ortalama gne enerjisi potansiyeli.. 4
Tablo 1.2. Trkiyenin yllk toplam gne enerjisi potansiyelinin
blgelere gre dalm. 5
Tablo 4.1. Gne pillerinde rapor edilmi en yksek verimlilikler... 32
Tablo 4.2. Gne pili retiminde kullanlan maddelerin dnya rezervleri ve
retimi...

33
Tablo 4.3. EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri. 37
Tablo 4.4. Tek kristal silisyum gne pili.. 41
Tablo 4.5. Tek kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler 41
Tablo 4.6. ok kristal silisyum gne pili.. 42
Tablo 4.7. ok kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler... 42
Tablo 4.8. Tek ince film gne pili 42
Tablo 4.9. Tek ince film gne pillerinde hedeflenen deerler.. 42
Tablo 4.10. oklu ince film gne pilleri. 43
Tablo 4.11. oklu ince film gne pillerinde hedeflenen deerler.. 43
Tablo 5.1. Baz yariletken enerji bant aralnn scaklkla deiimi 44
Tablo 5.2. GaAs gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi. 45
Tablo 5.3. Silisyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi 45
Tablo 5.4. Germenyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin
deiimi.

45
Tablo 5.5. Gne piline n spektral etkisi. 47
Tablo 5.6. ekil 5.1deki gne piline ait k asnn deiimine bal
olarak akm ve gerilim deiim deerleri..

49
Tablo 5.7. ekil 5.5teki seri balanm iki gne piline ait k asnn
deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri..

51
Tablo 5.8. ekil 5.9daki paralel balanm iki gne piline ait k asnn
deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri..

54

xi
Tablo 6.1. 1971-2001 yllar arasnda dnyadaki fotovoltaik geliim... 57
Tablo 6.2. 1998-2003 yllar aras dnya PV retimi (MW). 60
Tablo 6.3. EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri. 61
Tablo 6.4. Trkiyedeki gne pili uygulamalarndan faydalanan kurumlar 62
Tablo 6.5. AB toplam yenilenebilir enerji tketimi iindeki kaynak
trlerine gre dalm...

62
Tablo 6.6. AB toplam elektrik retimi iindeki yenilenebilir enerjilerin
kaynak trlerine gre dalm..

63
Tablo 6.7. Dnyadaki gne pili reticileri ve retim teknolojileri... 65

xii
ZET

Anahtar Kelimeler:Yenilenebilir Enerji, Gne Enerjisi, Fotovoltaik Dnm,
Gne Pilleri

Bu almada fotovoltaik olay ve gne pillerinin ilkeleri incelenerek yenilenebilir
enerji kayna olan gne enerjisi hakknda istatistiksel bilgiler deerlendirilmi,
ayrca gne pilleriyle ilgili deneysel alma yaplmtr.Tez yedi blmden
olumaktadr.

Tezin birinci ksmnda gne enerjisinin mahiyeti ve gne nlarnn dnyaya olan
etkileri incelenmitir.kinci blmde gne pillerinin tarihsel geliimi, maddesel
yaps, alma prensibi ve fotovoltaik dnm ilkeleri zerinde
durulmutur.nc blmde gne pillerinin eitleri aklanmtr.Drdnc
blmde gne pillerinin verimlilikleri anlatlarak kullanm alanlar
belirtilmitir.Beinci blmde gne pillerinin almasn etkileyen d faktrler
zerinde durulmutur.Bu faktrlerden biri olan foto asal etki deneysel alma
yaplarak incelenmitir.Yaplan bu deneysel alma sonucunda elde edilen veriler
kullanlarak k asna bal olarak gne pilinin akm ve gerilim deiim grafikleri
elde edilmitir.Altnc blmde gne pilleriyle ilgili nemli istatistiksel bilgiler
derlenerek sunulmutur.Son blmde ise yenilenebilir enerji kullanm, gelecek iin
alnan nlemler hakknda genel bir deerlendirme yaplmtr.

xiii

SOLAR ENERGY AND SOLAR CELLS

SUMMARY

Key Words: Renewable energy,solar energy, fotovoltaic transformation, solar cell

In this work photovoltaic effect together with principles of solar cells are
investigated, statistical data about the solar energy as a renewable energy form is
treated, and experimentation with solar cells are performed.

The first chapter provides a general treatment of the solar energy and the effects of
sunlight to the earth. The second chapter includes historical development and
operation principles of solar cells together with photovoltaic effect. The third chapter
is about the variations of solar cells. The fourth chapter covers the efficiency of solar
cells and their utility areas. The fifth chapter expesses the external factors influencing
the operation of solar cells. One of these factors, namely photo angular effect is
experimented and the data obtained are provided as graphics. In the six chapter some
important statistical data are obtained and provided about the solar cells. An overall
evaluation is made in the last chapter regarding the utility of renewable energy and
the measures to be taken.

BLM 1. GR

1.1. Gne Enerjisi

Yaamn kayna olan Gne, doal sistem enerjisinin byk bir blmn salar.
ap yaklak 1.4 milyon kilometre olup, i evresinde ok youn gazlar bulunur.
Yeryznden yaklak 151.106 milyon km uzaklktadr. Nkleer yaktlar dnda,
dnyada kullanlan tm yaktlarn ana kaynadr. inde, srekli olarak Hidrojenin
Helyuma dnt fzyon reaksiyonlar gereklemektedir ve oluan ktle fark, s
enerjisine dnerek uzaya yaylmaktadr. Gne merkezi fzyon reaksiyonu iin
uygun bir ortamdr. Bir reaksiyonun basit olarak tanm; protonla bombardmana
tutulan Hidrojen molekl, Hidrojenin trevi olan Dteryuma dnr. Kararsz hale
geen iki Dteryum ekirdei birleerek daha ar olan Helyuma dnr. Akta
kalan iki proton ise reaksiyon zincirinin bu tanmna uygun olarak devam etmesini
salar. Bu reaksiyon sonucunda aa kan enerji ok fazladr. Gnein bu enerjiye
sahip olabilmesi iin saniyede 10-38 fzyon reaksiyonuna ihtiya duyduu
hesaplanmtr. Bu da yaklak olarak saniyede 657 milyon ton Hidrojenin 653 ton
Helyuma dnmesi demektir. Bu reaksiyonlar sonucu kaybolan ktle enerjiye
dnr.Yaklak 10 milyar yl sonra gneteki Hidrojen yakt bitip reaksiyonlarn
son bulmas sonucu gnein, ekim kuvveti etkisiyle bzp beyaz cce ad verilen
l bir yldza dnebilecei tahmin ediliyor. Gnete aa kan bu enerjinin ok
kk bir ksm yeryzne ulamaktadr. Atmosferin d yzeyine ulaan enerji
173.104 kW deerindeyken, yeryzne ulaan deer 1.395 kWa dmektedir.
Yeryzne ulaabilen nmn deerinin bu kadar dk olmasnn nedeni,
atmosferdeki karbondioksit, su buhar ve ozon gibi gazlarn nm absorbe
etmelerinin yan sra kat etmesi gereken yolun uzunluudur. D yzey scakl
6000K olarak kabul edilen ve bilinen en byk siyah cisim olan gnein yayd
nmn yeryzne ulaabilen miktar %70 kadardr. Bu eksilmeler ortaya kmadan
nce, atmosferin dnda nm deeri 1367 W/m
2
dir ve bu deer gne sabiti olarak
2
alnr. Pratik olarak yeryzne ulaan gne nm deeri 1000 W/m
2
olarak kabul
edilmektedir [1].

Gne merkezindeki scaklk milyonlarca dereceye ularken, yaymlanan nmn
spektrumunu belirleyen yzey tabakasnn (fotoser) scakl 6000 Kdir. Inm,
elektromagnetik zellie sahip olup gcn spektral dalm( birim dalga boyunda
birim alana , birim zamana gelen enerji) scakln bir fonksiyonudur. Dier
yldzlardan yeryzne elektromagnetik spektrumun deiik aralklarnda enerji
gelmektedir ancak, yerkrenin temel enerji kayna gne olup, yerkreye gelen
nmn byke bir blm grnr blgededir. Enerji tayan birimler gibi
dnlebilecek fotonlar, spektrumun grnr blgesinin krmz yannda daha
kk enerji , mavi-mor yannda daha byk enerji tarlar. Seilen bir dalga
boyundaki fotonun tad enerji ve o dalga boyunda birim yzeye birim zamanda
gelen foton says, seilen dalga boyundaki gc tanmlar. Dnyamza gneten
gelen spektrumun, krmznn tesinde kalan kzltesi ve morun tesinde kalan
mortesi blgelerinde bulunan nmnda toplam enerjiye nemli bir katks vardr.
Gnein gc, yani bir saniyede gne sistemine verdii enerji ok byk olmasna
ramen yerkre atmosferinin dna ulaan tutar, yalnzca kk bir blmdr. Gne
nm atmosferi geerken urad deiimin bal olduu deikenlerin says
olduka ok olmasna karn en nemli deiken , n atmosferde ald yolun
uzunluudur. Genellikle gne nm deerlendirilirken atmosfer dndaki seilen
nokta olarak ele alnp buna hava ktle sfr (air mass 0) ad verilir. Havakre
dnda birim yzeye gelen toplam g, tm spektrumun zerinden entegre edilirse,
ulalan deer 13267 W/m
2
olup bu deer gne deimezi olarak kullanlr, gne
nlar havakreyi geerken spektrumlar nemli lde deiiklie urar. Bulutsuz
ve gneli bir havada bile gne nlar havakreyi geerken su buhar, oksijen,
karbondioksit, ozon, azot, metan gibi gaz molekllerinin yannda aerosol ve toz
zerreciklerine salarak yeryzne ancak havakre dndaki enerjinin %70i ular.
Deniz seviyesinde ak bir havada optiksel hava-ktle; gne nlarnn ald gerek
yolun, gne tam tepedeyken aldklar yola oran olarak tanmlanr. rnein gne
tam tepedeyken bu deer, hava-ktle (air mass) olarak ad verilir. Yeryzne den
gne nlar , dorudan gneten gelen ve havakrede saldktan sonra difzyona
uram nlarn toplamdr. Hava koullarna bal olarak dorudan gneten gelen
3
nlarn, salm na oran deiir. rnein bulutlu bir gnde gne nlarnn
byk bir blm, salm nlardan oluurken, bulutsuz gneli bir gnde gne
enerjisinin byk bir blm dorudan nlardan oluacaktr. Dorudan ve yaylm
nm toplam, kresel nm olarak adlandrlr. Fotovoltaik sistemlerin seiminde,
gne nm verileri ok byk nem tar.

Gne enerjisi, daha ok binalarda stma, soutma ve scak su elde etmek iin
kullanlmaktadr. Scak su elde etmek amacyla kullanm, en yaygn olan kullanm
biimidir. Istma amacyla kullanm, sy depolama tekniklerinin geliimiyle daha
verimli kullanlr hale gelecektir. Soutma ise yllk gnelenme zamannn uzun
olduu blgelerde verimli olmaktadr.

Gne enerjisinden yararlanmak iin kullanlan sl uygulamalar, dk, orta ve
yksek scaklk uygulamalar olarak e ayrlr. Dk scaklk uygulamalar, daha
ok dzlem toplayclarla su stlmas, konut ve sera stlmas iin kullanlmaktadr.
Orta scaklk uygulamalarnda, gne nm, odakl toplayclarla toplanarak, sanayi
iin gerekli scak su veya buhar elde etmek iin kullanlr. Genellikle bu tip
toplayclarda, gne nmnn srekli olabilmesi iin gnei izleyen mekanizmalara
gerek vardr. 300 C scaklk deerinin zerine kabilen, geni bir alana gelen gne
nm bir noktaya odaklanarak, metal ergitme frnlar altrlabilir.

kinci bir uygulama tr ise gne pilleri kullanarak yaplan fotovoltaik
uygulamalardr. zerine den gne nmn direkt olarak elektrik enerjisine
eviren gne pilleri doru akm retirler. Bu piller, seri veya paralel balanarak,
rettikleri akm ve gerilim deerleri ykseltilebilir. retilen akm depolayabilmek
iin bir akmlatre gerek vardr.

Gne pilleri, uzay programlar iin gelitirilmeye balanm; ancak sonraki yllarda,
bilinen yollarla elektrik retiminin zor olduu yada uzak olan deniz fenerleri, orman
gzetleme kuleleri, iftlik evleri, da evleri gibi yerlerde de kullanlmaya
balanmtr.

4
Gne enerjisinden en iyi ekilde yararlanabilmek iin, Gne Kua ad verilen,
45 kuzey-gney enlemleri arasnda kalan blgede yer almak gerekmektedir.

1.2.Trkiye'de Gne Enerjisi

lkemiz, corafi konumu nedeniyle sahip olduu gne enerjisi potansiyeli
asndan birok lkeye gre ansl durumdadr. Devlet Meteoroloji leri Genel
Mdrlnde (DM) mevcut bulunan 1966-1982 yllarnda llen gnelenme
sresi ve nm iddeti verilerinden yararlanarak EE tarafndan yaplan almaya
gre Trkiye'nin ortalama yllk toplam gnelenme sresi 2640 saat (gnlk toplam
7,2 saat), ortalama toplam nm iddeti 1311 kWh/m-yl (gnlk toplam 3,6
kWh/m) olduu tespit edilmitir. Aylara gre Trkiye gne enerji potansiyeli ve
gnelenme sresi deerleri ise Tablo-1.1.'de verilmitir [2].

Tablo 1.1. Trkiye'nin Aylk Ortalama Gne Enerjisi Potansiyeli
AYLIK TOPLAM GNE ENERJS

AYLAR
(Kcal/cm
2
-ay) (kWh/m
2
-ay)
GNELENME
SRES
(Saat/ay)
OCAK 4,45 51,75 103,0
UBAT 5,44 63,27 115,0
MART 8,31 96,65 165,0
NSAN 10,51 122,23 197,0
MAYIS 13,23 153,86 273,0
HAZRAN 14,51 168,75 325,0
TEMMUZ 15,08 175,38 365,0
AUSTOS 13,62 158,40 343,0
EYLL 10,60 123,28 280,0
EKM 7,73 89,90 214,0
KASIM 5,23 60,82 157,0
ARALIK 4,03 46,87 103,0
TOPLAM 112,74 1311 2640
ORTALAMA 308,0 cal/cm
2
-gn 3,6 kWh/m
2
-gn 7,2 saat/gn

Trkiye'nin en fazla gne enerjisi alan blgesi Gney Dou Anadolu Blgesi olup,
bunu Akdeniz Blgesi izlemektedir. Gne enerjisi potansiyeli ve gnelenme sresi
deerlerinin blgelere gre dalm da Tablo-1.2.' de verilmitir.

5
Tablo 1.2. Trkiye'nin Yllk Toplam Gne Enerjisi Potansiyelinin Blgelere Gre Dalm
BLGE TOPLAM GNE
ENERJS
(kWh/m
2
-yl)
GNELENME SRES
(Saat/yl)
G.DOU ANADOLU 1460 2993
AKDENZ 1390 2956
DOU ANADOLU 1365 2664
ANADOLU 1314 2628
EGE 1304 2738
MARMARA 1168 2409
KARADENZ 1120 1971

Ancak, bu deerlerin, Trkiyenin gerek potansiyelinden daha az olduu, daha
sonra yaplan almalar ile anlalmtr. 1992 ylndan bu yana EE ve DM, gne
enerjisi deerlerinin daha salkl olarak llmesi amacyla enerji amal gne
enerjisi lmleri almaktadrlar. Devam etmekte olan lm almalarnn
sonucunda, Trkiye gne enerjisi potansiyelinin eski deerlerden %20-25 daha fazla
kmas beklenmektedir.

ekil 1.1. Trkiyenin Gne Enerjisi Haritas
Trkiyenin gne nlarn alma potansiyeli ekil.1.1.de gsterilmitir [3].Bu
haritaya gre gney blgelerimizin gne alma as kuzey blgelerimize gre daha
fazla olduu grlmektedir.Haritada gsterilen 1. kuak gne alma as en fazla
olan kuaktr. 1. kua srasyla 2.kuak, 3.kuak ve 4.kuak takip etmektedir.
Burada 4.kuak gne alma as en dk olan kuaktr.

BLM 2. GNE PLLER

2.1. Gne Pillerinin Tarihsel Geliimi

Gne pilleri (fotovoltaik diyotlar) zerine gne dtnde, gne enerjisini
dorudan elektrik enerjisine eviren dzeneklerdir. Bu enerji evriminde herhangi
devingen (hareketli) para bulunmaz. Gne pillerinin alma ilkesi, Fotovoltaik
(Photovoltaic) olayna dayanr. lk kez 1839 ylnda Becquerel, elektrolit ierisine
daldrlm elektrotlar arasndaki gerilim, elektrolit zerine den a baml
olduu gzlemleyerek Fotovoltaik olayn bulmutur. Katlarda benzer bir olay ilk
olarak selenyum kristalleri zerinde 1876 ylnda G.W. Adams ve R.E. Day
tarafndan gsterilmitir. Bunu izleyen yllarda almalar bakr oksit ve selenyuma
dayal foto diyotlarn, yaygn olarak fotoraflk alannda k metrelerinde
kullanlmasn beraberinde getirmitir. 1914 ylnda fotovoltaik diyotlarn verimlilii
%1, deerine ulam ise de gerek anlamda gne enerjisini %6 verimlilikle elektrik
enerjisine dntren fotovoltaik diyotlar ilk kez 1954 ylnda Chapin tarafndan
silikon kristali zerine gerekletirilmitir. Fotovoltaik g sistemleri iin dnm
noktas olarak kabul edilen bu tarihi izleyen yllarda aratrmalar ve ilk tasarmlar,
uzay aralarnda kullanlacak g sistemleri iin yaplmtr. Fotovoltaik g
sistemleri 1960larn bandan beri uzay almalarnn gvenilir kayna olmay
srdrmektedir.

1970li yllarn balarna kadar, gne pillerinin uygulamalar ile snrl kalmtr.
Gne pillerinin yeryznde de elektriksel g sistemi olarak kullanlabilmesine
ynelik aratrma ve gelitirme abalar 1954lerde balam olmasna karn, gerek
anlamda ilgi 1973 ylndaki 1. petrol bunalmn izleyen yllarda olmutur.
Amerikada, Avrupada, Japonyada byk bteli ve geni kapsaml aratrma ve
gelitirme projeleri balatlmtr. Bir yandan uzay almalarnda kendini ispatlam
7
silikon kristaline dayal gne pillerinin verimliliini artrma abalar ve dier
yandan alternatif olmak zere ok daha az yar iletken malzemeye gerek duyulan ve
bu neden ile daha ucuza retilebilecek ince film gne pilleri zerindeki almalara
hz verilmitir.

Gne enerjisini elektrik enerjisine evirmenin, basit, evre dostu olan fotovoltaik
sistemlerin aratrlmas ve gelitirilmesi, maliyetinin drlerek yaygnlatrlmas
misyonu uzun yllar niversitelerin yklendii ve yrtt bir grev olmu ve bu
nedenle kamuoyunda hep laboratuarda kalan bir alma olarak kalmtr. Ancak son
yirmi ylda dnya genelinde evre konusunda duyarlln artmasna bal olarak
kamuoyundan gelen bask, ok uluslu byk irketleri fosile dayal olmayan yeni ve
yenilenebilir enerji kaynaklar konusunda almalar yapmaya zorlamlardr. Byk
irketlerin devreye girmesiyle fotovoltaik piller konusundaki teknolojik gelimeler ve
g sistemlerine artan talep ve buna bal olarak byyen retim kapasitesi,
maliyetlerin hzla dmesini de beraberinde getirmitir. Yakn gemie kadar alla
gelmi elektrik enerjisi retim yntemleri ile karlaldnda ok pahal olarak
deerlendirilen fotovoltaik g sistemleri, artk yakn gelecekte g retimine katk
salayabilecek sistemler olarak deerlendirilmektedir. zellikle elektrik enerjisi
retiminde hesaba katlmayan ve grnmeyen maliyet olarak deerlendirilebilecek
sosyal maliyet gz nne alndnda, fotovoltaik sistemler fosile dayal
sistemlerden daha ekonomik olarak deerlendirilebilir [4].

2.2. Gne Pillerinin zellikleri

Gne pilleri, yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine
dntren yar iletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde
biimlendirilen gne pillerinin alanlar 100 cm
2
civarnda, kalnlklar zellikle en
yaygn olan silisyum gne pillerinde 0.2 0.4 mm arasndadr [5].

Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerine k dt
zaman ularnda elektrik gerilimi oluur. Pillerin verdii elektrik enerjisinin kayna,
yzeyine gelen gne enerjisidir. Deniz seviyesinde, parlak bulutsuz bir gndeki
8
nm iddeti maksimum 1000 W/M
2
civarndadr. Yreye bal olarak 1m
2
ye
den gne enerjisi miktar ylda 800-2600 KWh arasnda deiir. Bu enerji, gne
pilinin yapsna bal olarak %5 - %70 arasnda bir verimle elektrik enerjisine
evrilebilir.

G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri
balanarak bir yzey zerine monte edilir. Bu yapya gne pili modl yada
fotovoltaik modl ad verilir. Gerekirse bu modller birbirlerine seri ya da paralel
balanarak, fotovoltaik bir dizi oluturabilir.

2.2.1. Maddenin yaps ve yar iletkenler

Bilindii gibi madde, pozitif ykl ok ar bir ekirdekle, onun etrafnda belirli
yrngelerde dolanan elektronlardan meydana gelmitir. Bu ykler, d tesir yoksa
birbirini dengeler. Elektronlar, yrngelerinin bulunduu yarapa, orantl olarak
potansiyel ve kinetik enerji tarlar. En d yrnge de maksimum 2, sonrakinde 8
ve ncde 18 elektron bulunabilir. Elektronlar, ard arda gelen ve her biri belli
sayda elektron bulunduran enerji bandlarnda bulunurlar. Dardan enerji alan bir
elektron bir st seviyedeki banda kabilir. Daha dk banda geen elektron da
dar enerji yayar. Son tabaka elektronlarna valans (denge) elektronlar denir ve
cisimlerin kimyasal bileikler yapmalarn temin eder. Son tabakas dolmam bir
atomun, bir baka cisme ait komu atomdan elektron kapmaya yatknl vardr.
tabaka elektronlar ise ekirdee ok sk baldrlar.Termik enerji verilirse,
elektronun yrngesi etrafnda titreimi arttrr.

Elektron, yrngesini muhafaza ettii mddete ne enerji yayar, ne de absorbe eder.
Bir elektron, uyarmla, atomu terk edecek enerji kazanp ayrlabilir. Atom (+) iyon
ekline geer (Bkz. ekil 2.1.).
9

ekil 2.1. Silisyum ve Germanyum Yar letkenlerinin Yaps

zoleli atomda (gazlarda) elektronlar, belirli bir enerji bandn igal ederler. Bir
kristalin atomlar, kristal iinde muntazam diziler halinde yer alrlar. Atomlar,
birbirlerine ok yakndrlar ve elektronlar, birbirine yakn enerjileri temsil eden
enerji bandlar zerinde bulunurlar. rnein; bir germanyum atomunda, tek bir atom
ele alnrsa atom temel haldedir. Mutlak sfr, scaklkta, elektron minimum enerji
seviyesine sahiptir.
Germanyum kristalinde ise, mutlak sfr scaklkta, temel seviyenin yerini valans
band alr. Bundan sonra, hibir elektronun bulunmad yasak blge ve sonra da
yksek enerjili iletkenlik band bulunur. Bu scaklkta Ge kristalinde iletkenlik
bandnda hibir elektron bulunmaz, yani kristal ideal bir yaltkandr. Yaltkan,
yariletken, iletken maddelerin enerji bandlar ekil 2.2.de grlmektedir.
10

ekil 2.2. Enerji Bandlar

Ge kristalinin iletkenlik kazanabilmesi iin, iletkenlik seviyesine elektron
temin edilmelidir. Bunun iin gerekli enerji 0.7 eV civarndadr. Fotoelektrik olay
iin E
g
, kristalin sourabilecei minimum enerjisini gsterir.Buna kar, bir
metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenlii temin edecek, iletkenlik bandnda
ok sayda elektron bulunur. Elmas iin E=7 eV' luk enerji ile elektron yasak band
geilebilir. Bunun iin malzemeye byk elektrik voltaj uygulanmas gerekir. Bu
ise malzemeyi tahrip eder.

Yar iletkenlerde, yasak band gemek iin (1 eV) yeterlidir, oda scaklnda
kristal atomlarndan birka tanesinin elektronlar, iletkenlik bandna geer ve
iletkenlii salar. Geride brakt bolua da baka bir elektron gelir ve o da
iletkenlie katlm olur.

Bir kristal, ortak elektronla birbirine bal atomlarn dzgn olarak yerleimiyle
meydana gelmitir. yonik badan farkl olan bu birlemeye Kovalent ba denir.
Valans elektronlar, kovalent ba iinde, bir atomdakinden daha dk enerji
seviyesindedir. Kristali bozmak iin, bu enerji fark kadar enerji gerekir. Bu kristalin
kararlln gsterir.

ki atomu birbirine balayan valans elektronlarn serbest hale gemesi iin gerekli
enerji; metaller iin sfr, yaltkanlar iin birok elektron volt, yar iletkenler iin
11
1eV civarndadr. Elektronlarn ekirdekten uzakla gre enerji seviyeleri ekil
2.3.te verilmitir [6].

ekil 2.3 Elektronlarn ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri

2.2.2. N tipi yar iletken

letkenlik tipini deitirmek iin Si ve Ge iine, periyodik cetvelin III ve V. grup
elementleri ilave edilir. Bunlar bo valans elektronu bulundururlar (Arsenik, Bor,
Fosfor, Antimuan gibi).

Ergimi halde bulunan Gea (milyonda bir) arsenik ilave edilirse, her arsenik atomu,
bir Ge atomu yerini alacak ve 4 elektronuyla kovalant ba tekil edilecek, 5. valans
elektronu serbest kalp iletkenlii temin edecektir. letkenlik (-) ykle temin edildii
iin N tipi yar iletken ismini alr. Bu elektronlar, oda scaklnda, iletkenlik bandna
ular.

12

ekil 2.4 N Tipi Yar letken

2.2.3. P tipi yar iletken

Ergimi germanyuma, III. gruptan valans elektronu bulunduran elemanlar ilave
edilerek yaplr (ndium, Galyum,vb). Katlama srasnda indium atomlar kristal
rg iinde Ge atomunun yerini alr. Kovalent ba iin 3 elektron mevcuttur ve
komu atomdan bir elektron kaparak ba oluturur. Komu atomda bir boluk
olumutur. Bu ise elektron hareketine sebep olur. Bir yar iletkenin kullanlabilme
maksimum scakl, aktivasyon enerjisiyle artar. Kullanabilme maksimum frekans,
yk tayclarn hareketlilii ile artar.

13

ekil 2.5. P Tipi Yar letken

2.2.4 P N kava

Bir monokristal yar iletkenliinin P tipinden N tipine gei blgesidir.Bu blge
kristalleme srasnda oluturulur.N blgesinde, termik uyarmla aznlkta olan
boluk ve ounlukta olan elektron ykleri ve (+) iyonize atomlar vardr (Bkz. ekil
2.6).
ekil 2.6. P N Kavann Oluumu

P blgesinde ise, negatif iyonize atom, termik uyarmla bulunabilen aznlk elektron
ve ounluk elektron boluklar vardr. ki eleman temasa geirildiinde, N
blgesindeki elektronlar (ounluktadr) P tipi blgeye hareket eder. P
blgesindeki elektron boluklar da N blgesine hareket eder. Bylece N tipi
blgedeki atomlar (+), P tipi blgedeki atomlar (-) olarak iyonlam olur. Bunlar,
14
kristal iinde sabit yk merkezleri olutururlar. Kavan her iki yznde iyonize
olmu atomlar, kristal iinde, yn Nden Pye doru olan bir elektrik alan meydana
getirirler.

Bu blge gei blgesidir ve serbest ykler yoktur. Kavaktaki bu potansiyel fark,
Pden Nye geecek boluklar ve Nden Pye geecek elektronlar iin bir potansiyel
duvar tekil eder. Nden ayrlacak bir elektron, arkasnda kendini geri aran bir
boluk brakr ve nndeki P tipi blgedeki (-) ykler elektronu pskrtr
(Bkz. ekil 2.7.) [7].

ekil 2.7. P N Kava ve Akm

zet olarak, P-N kavanda meydana gelen elektrik alan, kavak civarndaki
elektronu, Pden Nye doru iter (Ndeki elektronu geri pskrtr, Pdeki elektronu
Nye iletir). Kavan enerji band, ekil 2.8.deki gibidir [8] .N blgesinde, valans
ve iletkenlik band enerjileri, Pdekilerden dktr.
15

ekil 2.8. P N Kavanda Enerji Band

Enerjisi yeterli bir k demeti (h.f >E
g
. N Planck sabiti, f frekans), P-N kava
zerine drld zaman, foton elektronlarla karlap enerji verebilir. Serbest
elektronlar, valans elektronlarnn ancak 1/10
4
kadar olduundan, bu ihtimal zayftr.
Foton, muhtemel valans elektronu ile karlar ve ona enerjisini brakarak iletkenlik
bandna karr. Elektron, arkasnda bir elektron boluu brakr.

Olay A-B aralnda ise; elektron, oluan elektrik alanla N blgesine, boluk da P
blgesine itilir. Olay kavaa yakn N blgesinde olumusa, boluk yine P
blgesine gtrlr. Kavaktan uzakta oluan elektron boluk, zamanla birbirini
bulacaktr. Sonu olarak P tipi blge (+), N tipi blge (-) yklenmi ve bir
potansiyel domutur.

2.2.5. Yar iletkenlerin katklanmas

Yar-iletkenin malzemenin ierisine, ok az tutarda uygun seilmi yabanc atom
katklanmas ile yar-iletkenin elektriksel zellikleri nemli lde deitirilebilir.
Saf yar-iletkenin yapsal zelliklerini bozmayacak tutarda ve denetimli bir biimde
yar-iletken kristale yerletirilen yabanc atomlara safszlk-atomlar ve bu
ilemede katklama ad verilir.

16
Katklamay daha iyi aklamak iin ounlukla kullanlan rnek silisyum kristalidir.
Saf silisyum kristalinde her atom 14 elektrona sahip olmakla birlikte, en d
yrngedeki drt elektron, komu atomlarla olan ilikileri belirler. Deerlik
elektronlar adn verdiimiz bu drt elektronun her biri, en yaknndaki drt silisyum
atomu ile ba yaparak silisyum kristalindeki ana yap tan oluturur. Ana yap ta,
kpn merkezindeki bir silisyum atomu ve kpn birbirine komu olmayan
kelerinde birer silisyum atomu yerlemesi ile kurulur. Silisyum kristali bu yap
talarnn yinelenerek uzay doldurmas ile oluur.

Saf silisyum kristali ierisinde deerlik elektron says be olan fosfor atomu
katklanrsa, fosfor atomu, silisyum atomunun yerine oturup drt deerlik elektronu
ile silisyum daha nce kristal ierisinde yapt balar salar iken, fosforun beinci
deerlik elektronu akta kalacaktr. Fosfor atomuna ok zayf olarak bal olan bu
elektron ok kk bir enerji ile atomundan ayrlarak silisyum kristalinin iletkenlik
bandna kacaktr. Fosfor atomunda olduu gibi, katld kristal yapya elektron
veren safszlk atomlarna verici denir. Bu ekilde katklanm yar-iletkenlerde
elektriksel yk, elektronlar ile, iletkenlik bandnda tanr ve bu nedenle bu yar-
iletkenler n-tipi olarak snflandrlr. Saf silisyum kristali ierisinde deerlik elektron
says olan boron atomu katkladmz dnelim . Silisyum atomunun yerini
alan boron atomu, silisyum kristalindeki atomla ba yaparken drdnc atomla
paylaaca elektronu olmad iin, bir eksik ba ortaya kacaktr. Deerlik
bandnn ky enerjisine yakn bulunan bu enerji dzeylerine ok kk enerjilerle
bile deerlik bandndan elektronla doldurularak deerlik bandnda boluklar
oluacaktr. Bu ekilde katklanm yar-iletkenlerde deerlik bandndaki boluklarn
says iletkenlik bandndaki serbest elektron saysndan daha ok olduundan,
ounluk tayclar art ykleri gibi dnlen boluklardr. Boluklarn ounluk
taycs olduu bu tr malzemelere p-tipi yar-iletken ad verilir. Yar iletken ister
n-tipi isterse p-tipi olsun kendi ilerinden ntrdr. Yani darya kar herhangi net
bir elektrik yk gstermezler; ancak, dardan bir elektrik alan uygulandnda
elektrik alana tepki veren ounluk tayclardr. N-tipi yar-iletkendeki ounluk
tayclar elektronlar ve aznlk tayclar boluklar, p-tipi yar iletkende rol
deitirirler. Elektronlar elektrik alan ile ters ynde hareket ederken, boluklar
elektrik alan dorultusunda hareket ederler.
17
2.2.6. Gne pili edeer emas

Bilindii gibi, gne pili bir yar iletken dzenektir. ounluk yk tayclar
elektronlardan oluan N tipi ile ounluk yk tayclar oyuklardan oluan P tipi
yar iletken yan yana getirilir. Ik enerjisi bu birleme noktasna drlrse d
devreden bir akm geebilmektedir (ekil 2.9).

ekil 2.9. Gne Pili

P-N yar iletken kavanda, elektronlar P tipi blgeye geerek birleme yzeyine
yakn blgelerde boluk yk taycdaki elektron eksikliini tamamlayp (-) iyonlar
olutururken N tipi blgede de (+) iyon duvar oluacaktr. D tesir olmazsa bu
enerji duvar akmn gemesini nleyecektir. In demeti bu blgeye derse, yk
tayc elektronlar ok az oranlarda olduundan, muhtemelen bir valans elektrona
enerjisini brakacak ve onu P tipi blgeye doru itecektir. D devre akm ise Pden
Nye doru olacaktr (ekil 2.10).

18

ekil 2.10. P N Kavann Oluturulmas ve Kavaa Den Foton Enerjisi ile letkenlik Temini

Bir gne pilinde N tipi blgede elektron reten bir elektromotor kuvveti
dnlebilir. ekil 2.11de fiziksel edeer devre grlmektedir. Devre elemanlar
bir elektromotor kuvvet, bir i diyot ve bir i diren eklinde sembolize edilebilir.

ekil 2.11. Gne Pili Edeer Elektrik emas

Gne pilleri, belli gnelenme artlarnda, birim alan bana belirli bir akm ve
voltaj retirler. stenen bir enerji iin bir ok pili seri ve paralel olarak balamak
gerekir. Bylece gne panelleri oluturulur. ekil 2.11de edeer emas verilen
gne pilinde d devre akm iddeti ve ulardaki gerilim llebilir. Ayarlanabilir
bir d direnle, gerilim ve akm ak devreden ksa devreye kadar deitirilerek ekil
2.12deki gerilim akm iddeti erileri elde edilebilir. 1 cmlik pil gnelenme alan
iin nm iddeti 0.5 1.0 kw/m arasnda deiirken, optimum alma noktalar ve
sabit yk erisi bu ekilde gsterilmitir.

19

lmler 27
0
C scaklkta yaplm olup yzey scakl arttka gerilim der. Akm
iddeti, gne nm younluu ve pil nm alan ile orantl olarak deiir.
Scakln voltaja tesiri 0.022 W/
0
C orannda olmaktadr. ekil 2.12de 40 adet seri
balanm 10x10 cm ebadnda pilin, 1 kw/m nm artlarnda akm iddeti gerilim
karakteristii deiik scaklklar iin verilmitir.

ekil 2.12. 34 Wattlk Bir Gne Pilinde Akm-Gerilim Erileri (Yzey Scakl 27
0
C in)

20
2.2.7. Fotovoltaik pil

ekil 2.13de grld gibi, foton absorblanmasyla yk tayclar ounlukta
olduklar blgelere srklenirler. Kavaktan I
s
akm geer ve N(-), Pde (+)
yklenmi olur.

I
s
akm, kavan ileri ynde kutuplamasna ve kavak potansiyel duvarnn
alalmasna sebep olur. D devre ak ise (akm yoksa) Pden Nye akm geer ve
kavak potansiyel duvar tekrar ykselir; P blgesi (-), N blgesi (+) yklenir. Sonra
tekrar foton absorblanarak olay devam eder. Bu durumda I
s
= I olur.

ekil 2.13. Fotovoltaik Pilin Yaps

D devreden akm geerse I
s
= I I
L
olacak ekilde darya elektrik enerjisi alnr.
ekil 2.14 de bu pilin elektrik edeer devresi grlmektedir. En yksek foton
enerjisi yeil k iin h.f = 2.5 eV civarndadr. P-N kavandaki temas
potansiyeli, elektronlar daha yksek potansiyele karan batarya rol oynamaktadr.

21

ekil 2.14. Fotovoltaik Pil Edeer Elektrik Devresi

2.3. Gne Pillerinin alma lkeleri

Baka malzemeler kullanlyor olsa bile, gnmzde, pek ok gne pili silisyumdan
yaplmaktadr. Gne pilinin zerine gne dtnde, silisyum atomunun son
yrngesindeki valans elektronu negatif ykler. Ik foton denilen enerji
partikllerinden olumutur. Fotonlar saf enerjiden olumu bilardo toplarna
benzetmek olasdr ve bunlar bir atoma arptklarnda tm atom enerjilenir ve en
kolay kopabilecek durumda olan son yrngedeki valans elektronu kopar. Serbest
kalan bu elektronda, voltaj veya elektriksel basn olarak isimlendirebileceimiz
potansiyel enerji ortaya kar. Bu enerji, bir aky arj etmek veya bir elektrik
motorunu altrmak iin kullanlabilir. nemli olan nokta, bu serbest elektronlar
pil dna alabilmektir. retim srasnda, pilin n yzeyine yakn yerde bir i
elektrostatik blge oluturularak, bu elektronun serbest duruma gemesi salanr.
Silisyum kristali iine dier elementler yerletirilmitir. Bu elementlerin kristal
iinde bulunmas, kristalin elektriksel olarak dengede olmasn nler. Ikla
karlaan malzemede, bu atomlar dengeyi bozar ve serbest elektronlar dier pile
veya yke gitmeleri iin pilin yzeyine doru sprrler. Milyonlarca foton pilin
iine akarken, enerji kazanp bir st seviyeye kar, elektronlarda pil iindeki
elektro-statik blgeye ve oradan da pil dna akarlar. te bu oluan ak elektrik
akmdr.

22

ekil 2.15. Gne Pilinin Yaps

2.3.1. Gne pillerinin yaps

Tek kristalli silisyum gne pilinin rengi koyu mavi olup, arl 10 gramdan azdr.
Pilin st yzeyinde, pil tarafndan retilen akm toplayacak ve malzemesi genellikle
bakr olan n kontaklar vardr. Bunlar negatif kontaklardr. Kontaklarn altnda 150
mm kalnlnda, yansma zellii olmayan bir kaplama tabakas vardr. Bu tabaka
olmazsa, silisyum, zerine den snmn te birine yakn ksmn yanstacaktr. Bu
kaplama tabakas, pil yzeyinden olan yansmay nler. Pilin n yzeyi, normal
olarak yansyan n bir ksmn daha yakalayabilmek amacyla, piramitler ve
konikler eklinde dizayn edilmitir. Yanstc olmayan kaplamann altnda, pilin
elektrik akmnn ortaya kt yap bulunur. Bu yap, iki farkl katman halindedir.
N-katman, fosfor atomlar eklenmi silisyumdan oluan ve pilin negatif tarafn
oluturan katmandr. P-katman ise, bor atomlar eklenmi silisyumdan olumu,
pilin pozitif tarafdr. ki katman arasnda, P-N kava denilen, pozitif ve negatif
ykl elektronlarn karlat bir blge bulunur. Pilin arka yzeyinde, elektronlarn
girdii pozitif kontak grevi gren arka kontak yer alr [9].

23

ekil 2.16. Tipik Bir Silisyum Gne Pilinin n Yz

retilen piller, standart test koullarnda test edildikten sonra, tketiciye
sunulmaktadr. Ortam scakl 25
0
C ortalama nm iddeti 1000 W/m ve Hava-
Ktle oran 1,5 olarak test koullar belirlenmitir. Hava-ktle oran, gne nmnn
geirilme orann gsteren atmosfer kalnldr. Gnein tam tepede olduu
durumda, bu oran, l olarak alnr. Atmosfer tarafndan emilen nmn oranna bal
olarak, pilin retecei elektrik miktar da deieceinden, bu oran nemli bir
parametredir.

Tipik bir silisyum gne pili, 0.5 volt kadar elektrik retebilir. Pilleri birbirine seri
balayarak retilen gerilim deerini arttrmak olasdr. Genellikle, 30-36 adet gne
pili, 15-17 voltluk bir k gc vermek iin birlikte balanabilir, ki bu voltaj deeri
de, 12 voltluk bir aky arj etmek iin yeterlidir. Farkl k gleri verecek ekilde
imal edilmi, farkl byklklerde gne pilleri bulmak olasdr. Silisyum pillerin
seri balanmas ile modller, modllerin birbirine balanmas ile rgler oluur
(Bkz. ekil 2.17). Her modl, paralel veya seri balanabilmesine olanak verecek
ekilde, balant kutusuyla birlikte dizayn edilir.

24

ekil 2.17. Pillerden Modl ve rglerin Yaplmas

Gne pilinin kolayca krlabilmesi ve rettii gerilimin ok dk olmas gibi,
sakncalarnn giderilmesi gerekir. Pillerin birbirlerine balanmas ile oluan
modller koruyucu bir ereve iine alnmlardr ve kullanlabilecek dzeyle gerilim
retirler. Modlde bulunan pil says, k gcn belirler. Genellikle, 12 voltluk
akleri arj etmek iin 30-36 adet silisyum gne pilinin balanmas ile bir modl
olusa bile, daha yksek k gleri iin daha byk modller yaplabilir. En basit
sistem, bir modl ve buna bal bir ak veya elektrik motorundan olumu bir
sistemdir(Bkz. ekil 2.18. ) [9].

25

ekil 2.18. Gne pili ile aknn arj edilmesi

Modllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluan yapya panel
ad verilir. Bir modlden

elde edilen gc arttrmak iin bavurulan bir yaplanma
biimidir. Bu ekilde, k gc, 12, 24, 48 V veya daha yksek olabilir. Birden
fazla panelin kullanld bir sistemde, paneller, kontrol cihazna veya ak grubuna,
birlikte balanabilecekleri gibi, her panel tek olarak da balanabilir. Bu durumda,
bakm kolayl olacaktr.

Sistemde kullanlan, fotovoltaik retelerin tmnn oluturduu yapya ise rg
denilmektedir. rgnn ok byk olduu uygulamalarda, daha kolay yerletirme ve
k kontrol iin sistem, alt-rg gruplarna ayrlabilir. rg, bir modlden
oluabilecei gibi 100.000 veya daha fazla modlden de ulaabilir.

26

2.4. Gne Pili eitleri

Bakr bakr oksit ve gm yar iletkenleri ile yaplan gne pilleri, selenyum
pilleri ve silisyum gne pilleri en ok kullanlanlardr.

2.4.1. Selenyum gne pili

Saf selenyum, alkali metallerle veya klor, iyot gibi halojenlerle kartrlp P tipi yar
iletken oluturulur. Bunun zerine iyi iletken ve yar iletken / yar geirgen bir
gm tabaka birka mikron kalnlnda kaplanarak P-N kava oluturulur. ekil
2.19da bir selenyum gne pilinin yaps grlmektedir. Bu pillerin 50
0
Cnin
zerinde kullanlmamalar tavsiye olunur.

ekil 2.19. Selenyum Gne Pilinin Yaps

2.4.2. Silisyum gne pili

Uzay aratrmalarnda kullanlan pillerin ou bu trdendir. Silisyum SiO
2
halindeki
kumdan elde edilir. Kk bir kristal znm, eritilmi potaya daldrlr. Belli hzda
dndrlerek potadan karlrken soumas temin edilir ve kristalin bytlmesi ile
gne pili elde edilir. Eriyik iine P tipi yar iletkenlik malzemeleri katlr. P tipi
kristaller dilimler eklinde kesilir. Scakl kontrol edilen P
2
O
5
li difzyon frnnda
N tipi yar iletkenle 10
-4
- 10
5
m. derinlie kadar difzyon temin edilerek P-N
kava oluturulur.
27
Silisyum pilleri germanyumla yaplan pillere gre, daha byk ak devre direnci
salar. Buna kar silisyumlu pillerin spektral cevab daha azdr ve kzltesi nlara
kadar uzanmaz. Akkor k kayna kullanlmas halinde, Ge ularndaki gerilim
kk olmasna ramen daha byk akm salar. Gne nlar iin ise silisyum pil
daha uygundur.

BLM 3. GNE PL ETLER

Gne pili teknolojisi, kullanlan maddeler ve yapm trleri asndan son derece
zengindir. Gne pili yapm iin u anda kullanlmakta olan bir dzineden fazla
maddenin yan sra, yzlerce maddenin de zerinde allmaktadr. Belli bal gne
pili trleri aada anlatlmaktadr [10].

3.1. Kristal Silisyum Gne Pilleri

Silisyum yar iletken zellikleri tipik olarak gsteren ve gne pili yapmnda en ok
kullanlan bir maddedir ve uzun yllarda bu konumunu koruyacak gibi
grnmektedir. Fotovoltaik zellikleri daha stn olan baka maddeler de olmakla
birlikte, silisyum hem teknolojisinin stnl nedeniyle hem de ekonomik
nedenlerle tercih edilmektedir.

3.2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri

lk ticari gne pillerinde, CHROZALSK kristal ekme teknii ile bytlen tek
kristal yapl silisyum kullanlmtr. Fotovoltaik endstride hala en ok kullanlan
yntem olan bu teknikte ncelikle ark frnlarnda silisyum oksit eitli kimyasal ve
termal reaksiyonlardan geirilerek saf silisyum elde edilir. Daha sonra silisyum
eriyie ekirdek denen tek kristal yapl bir silisyum paras batrlr. Bu ekirdek
eriyikten karldnda souyan silisyum eriyik, ekirdein zerine kle eklinde
ylm olur. Bu silisyum kle olur olmaz bir keski ile dilimlere ayrlr. Bu, iki
aamada olur. nce kle dikdrtgen bloklar eklinde kesilir. Daha sonra bu bloklar
dilimlere ayrlarak pil eklinde ilenir. Verimleri %15 civarndadr. Yapm srasnda
malzeme kaybnn ok fazla olmas bu pillerin dezavantajdr.
29
3.3. Semikristal (Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri

Bu tip piller, sv silisyumun soutulmasyla elde edilen kmelenmi kk silisyum
kristallerinden oluur. Bu pillerin verimleri %14 civarnda olup, kmelenmi
silisyum taneciklerinin snrlarndaki kayplara baldr.

3.4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri

Bu piller, malzeme kaybnn azaltlmas amacyla levha halinde silisyum
tabakalarndan yaplrlar. eitli yntemlerle (Efg, Dendritik a) elde edilen bu
piller, halen gelitirme aamasndadr. Verimleri laboratuar artlarnda %13-14
arasndadr.

3.5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri

Bu piller de ribbon silisyum teknolojisiyle yaplp, yaplar polikristal zellik
gsterir. Halen laboratuar aamasndaki bu pillerin verimleri %10dur.

3.6. nce Film Gne Pilleri

Bu teknikte, absorban zellii daha iyi olan maddeler kullanlarak daha az kalnlkta
(tek kristalin 1-500 kalnlnda) gne pilleri yaplr. rnein amorf silisyum
gne pillerinin absorbsiyon katsays kristal silisyum gne pillerinin katsaysndan
daha fazladr. Dalga boyu katsays 0.7 mikrondan kk bir blgedeki gne
radyasyonu 1 mikron kalnlnda amorf silisyum ile absorblanabilirken, kristal
silisyumda ise ayn radyasyonu absorblamak iin 500 mikron kalnlkta malzeme
kullanlmas gerekmektedir. Bu yzden amorf yapl gne pillerinde daha az
malzeme kullanlr ve montaj kolayl nedeniyle bir avantaj salar.

30
3.7. Amorf Silisyum Gne Pilleri

Amorf silisyum gne pilleri (a-Si), ince film gne pili teknolojisinin en nde gelen
rneidir. lk yaplan a-Si piller Schottky bariyer yapsnda iken, daha sonralar p-i-n
yaplar gelitirilmitir. P-i-n yapsndaki pillerin fabrikasyonu kalay oksitle kapl
iletken bir yzeyin zerine ktrme yntemi ile yaplr, bu yzeyin arkas daha
sonra metalle kaplanr. Verimleri %5-8 arasndadr. Ancak bu piller, ksa zamanda
bozunuma urayarak klar azalr.

3.8. Bakr ndiyum Diselenoid Gne Pilleri

Periyodik tablonun birinci, nc ve altnc guruptan elementlerin ncnn yada
daha fazlasnn bir araya gelmesi ile oluan bu bileik yar-iletkenlerin sourma
katsaylar olduka yksek olup, yasak enerji aralklar gnein spekturumu ile ideal
bir ekilde uyuacak biimde ayarlanabilir. Bakr indiyum ve selenyum dan yaplan
l bileik yar-iletkenle balayan bu grup (CIS) gne pilleri olarak anlr. CdTe
gne pillerine en yakn rakip olarak gzkmektedir. Bu gn CIS ince film gne
pillerinin ounluu ierisinde Ga elementinin katlmas ile daha yksek
verimlilikler elde edilir. Ancak yar-iletkeni oluturan element says artka gereken
teknoloji ve malzemenin zelliklerinin denetimi de bir o kadar karmak duruma
gelmektedir. Laboratuardaki kk alan pillerin verimlilii %18e kadar ularken,
900cm
2
yzey alana sahip modllerin verimlilikleri ancak %15 dolayndadr. CIS
pillerde uygulanan teknolojilerden iki tanesi ne kmtr. Bunlardan birincisi,
elementlerin e zamanl olarak vakumda buharlatrlmasdr. kinci yntem,
herhangi bir yntemle bytlen bakr-indiyum ince film alamnn uygun bir
ortamda selenyumla tepkimeye sokulmasdr (Selenizasyon). Her iki durumda da
sourucu olarak kullanlan CIS yar-iletken, CdS ile bir araya getirilerek hetero-
eklem diyot oluturulur. CdS tabakalarn retilmesinde ortaya kan yntem CdTe
tabakalarnda olduu gibi burada da kimyasal banyo yntemidir. Metal elementlerin
buharlatrlmasnn ardndan selenizasyonu seen ISET, Shell-Showa ve Siemens
Solar gibi firmalardan Siemens Solar 5-10watt deerinde kk modl retiminde
ABD balamtr. CIS tabakalarn bytlmesinde Stuttgart niversitesi (Almanya)
31
tarafndan gelitirilen ve yine bir alman firmas olan ZSW tarafndan retime hazr
hale getirilen e zamanl olarak vakumda buharlatrma yntemi retim
yntemlerinden birisidir. Bu ince film gne pillerinde test altndaki uzun dnem
modl verimlilikleri %10 deerinin altnda kalmaktadr.

ekil3.1. Bakr ndiyum Diselenoid Gne Pilleri

3.9. Dier Yaplar

Bakr indiyum diselenoid (CuInSe) maddesinden yaplan ve verimleri %13 civarnda
olan piller halen gelime aamasndadr ve daha kararl ka sahip olduu iin
absorban zellii yksek, verimleri de %12 civarndadr. Bu gne kadar elde edilen
en yksek verime (%24) galyum arsenitten yaplan piller ulamtr. Bu madde ile
eitli trde piller elde edilebilmekle birlikte, pahal olduu iin pillerin, gne
spektrumunun daha byk bir blmnden yararlanabilmesi amac ile denenen bir
yntem ise, birden fazla ince film yapsnn st ste konmasyla elde edilen ok
eklemli film yaplardr. Bunlarn dnda, gne nmnn yksek verimli pillerin
zerine optik olarak younlatran sistemler zerinde almalar yaplmaktadr. Bu
tr sistemlerde gnein hareketini izleyen dzeneklerin yan sra, gne n kran
(mercek) ya da yanstan (ayna) eleman kullanlr.

BLM 4. GNE PL G VERMLLKLER VE GNE
PL KULLANIM ALANLARI

4.1. Gne Pili G Verimlilikleri

Fotovoltaik gne pillerinin srekli geliimlerine bal olarak verimliliklerinin
zetlendii izgilerin geerlilik sreleri olduka ksa olmaktadr. Ancak,
karlatrlmal bir kaynak olmas amac ile Fraunhofer Enstits tarafndan yaplan
en yksek verimlilikleri gsteren zet aadaki tabloda verilmitir [11].

Tablo 4.1. Gne pillerinde rapor edilmi en yksek verimlilikler
Fotovoltaik Pilin Cinsi Alan (cm
2
) Verimlilik (%) retilen Birim
Tek Kristalli Silisyum 4.00 24 UNSW, Sydney Avustralya
ok kristalli Silisyum 21,2 17,4 ISE, Freiburg, Almanya
Amorf Silisyum 1 14,7 United Solar
Cu/In, Ga)Se2 0,4 17,7 NREL, USA
CdTe/CdS 15,8 USA
GaAS Tek kristal 1 23,9 K.Univ, Nijmegen Hollanda

Gne pili yapmnda kullanlan malzemenin rezerv durumlar da olduka nemli
deikenler olarak karmza kmaktadr. Silisyum, doada en ok bulunan element
olmas nedeni ile rezerv konusunda gelecee ynelik bir sorun yoktur. Dier seenek
malzemeleri oluturan elementlerin rezerv durumlar dnyadaki yllk retim ve
500MW g retimi iin gerekli miktar Tablo 4.2'de zetlenmitir.

33
Tablo 4.2. Gne pili yapmnda kullanlan maddelerin dnya rezervleri ve retimi
Element Dnya Rezervleri Dnya Yllk retimi 500MW g iin
gereken miktar Ton

CD 970 000 20 000 25
Te 39 000 404 28
In 5 700 180 25
Se 130 000 2000 60
Ga 1 000 000 35 5

4.2. Gne Pili Kullanm Alanlar

Gne pilleri, elektrik enerjisinin gerekli olduu her uygulamada kullanlabilir.
Gne pili modlleri uygulamaya bal olarak, akmlatrler, invertrler, ak arj
denetim aygtlar ve eitli elektronik destek devreleri ile birlikte kullanlarak bir
gne pili sistemi (fotovoltaik sistem) olutururlar. Bu sistemler, zellikle yerleim
yerlerinden uzak, elektrik ebekesi olmayan yrelerde, jeneratre yakt tamann zor
ve pahal olduu durumlarda kullanlrlar. Bunun dnda dizel jeneratrler yada
baka g sistemleri ile birlikte karma olarak kullanlmalar da mmkndr.
Bu sistemlerde yeterli sayda gne pili modl, enerji kayna olarak kullanlr.
Gnein yetersiz olduu zamanlarda ya da zellikle gece sresince kullanlmak zere
genellikle sistemde akmlatr bulundurulur. Gne pili modlleri gn boyunca
elektrik enerjisi reterek bunu akmlatrde depolar, yke gerekli olan enerji
akmlatrden alnr. Aknn ar arj ve dearj olarak zarar grmesini engellemek
iin kullanlan denetim birimi ise aknn durumuna gre, ya gne pillerinden gelen
akm yada ykn ektii akm keser. ebeke uyumlu alternatif akm elektriinin
gerekli olduu uygulamalarda, sisteme bir invertr eklenerek akmlatrdeki DC
gerilim, 220 V, 50 Hz.lik sins dalgasna dntrlr. Benzer ekilde, uygulamann
ekline gre eitli destek elektronik devreler sisteme katlabilir. Baz sistemlerde,
gne pillerinin maksimum g noktasnda almasn salayan maksimum g
34
noktas izleyici cihaz bulunur. Aada ebekeden bamsz bir gne pili enerji
sisteminin emas verilmektedir [12].

ekil 4.1. Gne pili enerji sistemi

ebeke balantl gne pili sistemleri yksek gte-santral boyutunda sistemler
eklinde olabilecei gibi daha ok grlen uygulamas binalarda kk gl
kullanm eklindedir. Bu sistemlerde rnein bir konutun elektrik gereksinimi
karlanrken, retilen fazla enerji elektrik ebekesine satlr, yeterli enerjinin
retilmedii durumlarda ise ebekeden enerji alnr. Byle bir sistemde enerji
depolamas yapmaya gerek yoktur, yalnzca retilen DC elektriin, AC elektrie
evrilmesi ve ebeke uyumlu olmas yeterlidir. Gne pili sistemlerinin ebekeden
bamsz (stand-alone) olarak kullanld tipik uygulama alanlar aada
sralanmtr.

- Haberleme istasyonlar, krsal radyo, telsiz ve telefon sistemleri
- Petrol boru hatlarnn katodik korumas
- Metal yaplarn (kprler, kuleler vb) korozyondan korumas
- Elektrik ve su datm sistemlerinde yaplan telemetrik lmler, hava gzlem
istasyonlar
- Bina ii yada d aydnlatma
- Da evleri yada yerleim yerlerinden uzaktaki evlerde TV, radyo, buzdolab gibi
elektrikli aygtlarn altrlmas
- Tarmsal sulama yada ev kullanm amacyla su pompaj
- Orman gzetleme kuleleri
35
- Deniz fenerleri
- lkyardm, alarm ve gvenlik sistemleri
- Deprem ve hava gzlem istasyonlar
- la ve a soutma

4.2.1. Dnyadaki gne pili uygulamalar

Gelimekte olan lkelerde kurulan sistemler genellikle evlerde ve kamu binalarnda
kurulmaktadr. Gelimi lkelerde ise; gvenlik, cadde ve tnel aydnlatmas gibi
daha zel uygulama alanlar bulmaktadr. Dnyann eitli yerlerinde 10.000den
fazla su pompaj sistemi kurulmu ve baaryla iletilmektedir. Gne pili ile alan
2000 civarnda a soutucusu kullanlmaktadr.

Yukarda saydmz uygulamalar kk gl ve ebekeden bamsz
uygulamalardr. Gnmzde gelimi lkelerde giderek yaygnlaan uygulama ise
ebeke balantl sistemlerdir. Bu tr sistemlerde gne pilleri ile retilen elektriin
fazlas elektrik ebekesine satlr, yeterli enerjinin retilmedii durumlarda ise
ebekeden enerji alnr. Byle bir sistemde enerji depolamas yapmaya gerek yoktur.
Yalnzca retilen DC elektriin, AC elektrie evrilmesi ve ebeke uyumlu olmas
yeterlidir. Depolama maliyetini ortadan kaldrd iin bu sistemlerden retilen enerji
nispeten daha ucuzdur. Fakat konvansiyonel kaynaklarla karlatrldnda halen
pahaldr.

Gne pili pazar yllk %30 civarnda bir hzla byme gstermektedir. 1997 ylnda
tahmini retim 100 MW iken 1999 ylnda 133 MWa ulamtr. retimin yaklak
%90lk ksm srasyla ve yaklak eit paylarla ABD, Japonya ve Avrupa lkeleri
tarafndan yaplmakta, geri kalan %10 Hindistan, Cezayir, Brezilya gibi nc
lkelerde gereklemektedir. Gne pillerinin dnyada kurulu gc 1990-1995 yllar
arasnda her yl yaklak %25 artmtr. Bugn iin dnyadaki kurulu gcn 800
MWn zerinde olduu bilinmektedir. Bu kapasite ile ylda 500 GWh elektrik
enerjisi retilmektedir [13].

36
4.2.2. Trkiyedeki gne pili uygulamalar

lkemizde;
- Orman Bakanl orman gzetleme kuleleri, (175kW)
- Trk Telekom aktarma istasyonu,(135kW)
- Karayollar imdat telefonlar
- EE demontrasyon uygulamalar ve eitli aratrma kurumlarnda olmak zere 350
kW civarnda gne pili kurulu gc olduu bilinmektedir.

4.2.3 Gne enerjisi sistemlerinin ekonomik analizi ve konvansiyonel enerji
kaynaklaryla maliyetlerin karlatrlmas

Ekonomik adan gne pillerinin ilk yatrm maliyeti yksek kabul edilmektedir.
Birim enerji maliyeti 25-40 cent/kWh civarnda deimektedir. Uygulamada
fotovoltaik elektriin kullanm, elektrik datm sisteminin, yani ebekenin
eriemedii yerlerde ekonomik olabilmektedir. Gelimi lkelerde elektrik
ebekesine bal PV sistemlere ynelim artmtr. Henz fosil kaynakl santrallarda
retilen enerjiye gre pahal enerji reten sistemler olmasna ramen temiz ve
bakmsz sistemler olmalar ve ak gerektirmemeleri ynnden cazip sistemlerdir.
Son yllarda ak masraflarnn yksek olmasndan ve elektrifikasyonun byk lde
salanmasndan dolay ebeke balantl sistemlere ynelim artmtr. Teknolojiyi
izlemek asndan, 2 Haziran 1998' de lkemizde ilk kez EE daresi Genel
Mdrl Didim Gne ve Rzgar Enerjisi Aratrma Merkezinde 4.8 kW'lk,
Ankarada da 1.2 kWlk ebeke balantl gne pili sistemleri kurulmutur. Gnlk
retilen ortalama enerji; bir kWlk sistem iin 5 kWh civarndadr. Aada EE
Didimde kurulan ebekeye bal gne pili sistemi ekil 4.2de ve bu sistemin
zelliklerini gsteren Tablo 4.3te yer almaktadr.
37

ekil 4.2. EE Didim ebekeye bal gne pili sistemi

Tablo 4.3. EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri
Toplam G 4,8 kWp (90 adet )
Ortalama Yllk retim 5600 kWh
Gnlk retim 15-18 kWh
nvertr ASP Top Class Grid III/4000
Nominal ac g 3500 W
Nominal dc Gerilim 96 V
Balama Eik deeri 25 W
Giri gerilim Aral 72-145 V dc
k Gerilimi 195-256 V ac
k Frekans 50 Hz
Maksimum Verim % 94

Gne pili retiminde, gelien teknoloji ile maliyetlerde gemie gre ok hzl bir
azalma grlmektedir. Bu alanda yaplacak Ar-Ge yatrmlar, devletlerin bu
almalar desteklemeleri ile gelitirilecek teknikler sonucu, fiyatlarn daha da
decei ngrlmektedir. Bugn gne pillerinin fiyatlar 5-6 $/Wdr. Yllk gne
pili piyasasnn 500 milyon ABD dolar ve gne pili retim kapasitesinin yllk 50
38
MW olduu tahmin edilmektedir. Bu rakamlar, dnyadaki enerji kullanm gz
nne alndnda kk grnse de, gerek bu alandaki teknolojik gelimeler,
gerekse kullanm alanlarnn giderek eitlenmesi ve evre dostu bir enerji retimi
nitelii olmas, bu alanda hzl gelimelerin beklendiine iaretler olarak ortaya
kmaktadr [13].

4.2.4. Gne pili uygulama rnekleri

ekil 4.3. Solar I Merkezi Alc Gne Isl Elektrik Santral (spanya) [14]
39

ekil 4.4. ebekeye Elektrik Veren Gne Pili (PV) Sistemi [15]

ekil 4.5. Parabolik anak Gne Isl Elektrik Santral (spanya) [14]

40

ekil 4.6. ats Gne Pili Kapl Ev [15]

ekil 4.7. Gne Pilleri ile Sokak Aydnlatmas [15]
41

ekil 4.8. Gne Pillerinin Karayollarnda Kullanm [15]

4.2.5. Gne pillerinin teknik ve ekonomik deerleri

Tablo 4.4. Tek kristal silisyum gne pili
Kullanlan Malzemeler Metal, cam
Dnya yllk retim kapasitesi 15 MW
Endstri byme hz %20
Kurulu g 100 MW
Tipik sistem boyutu 5 MW
Sistem verimi % 12
Sistem mr 20 yl
lk yatrm maliyeti 5000 6000 $/ kW
Yllk bakm ve iletme maliyeti 10 $/kW
Enerji maliyeti 0.29 $/kWh

Tablo 4.5. Tek kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler
Sistem verimi % 15
lk yatrm maliyeti 1400-1600 $/ kW
Enerji maliyeti 0.07-0.14 $/kWh

42

Tablo 4.6. ok kristal silisyum gne pili
Kullanlan Malzemeler Metal, cam, eitli pil malzemeleri
Endstri byme hz % 30
Kurulu g 50 MW
Sistem verimi % 10
Sistem mr 20 yl
lk yatrm maliyeti 5000 6000 $/ kW
Enerji maliyeti 0.29 $/kW

Tablo 4.7. ok kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler
Sistem verimi % 13

Tablo 4.8. Tek ince film gne pili

Tablo 4.9. Tek ince film gne pillerinde hedeflenen deerler
Sistem verimi % 8

Endstri byme hz %10
Kurulu g 30 MW
Sistem verimi % 4
Sistem mr 20 yl
lk yatrm maliyeti 5000 $/ kW
Enerji maliyeti 0.25 $/kWh
43
Tablo 4.10. oklu ince film gne pilleri

Tablo 4.11. oklu ince film gne pillerinde hedeflenen deerler
Sistem verimi % 10

Kullanlan Malzemeler Metal, cam
Endstri byme hz %30
Kurulu g 1 MW
Sistem verimi % 7
Sistem mr 20 yl
lk yatrm maliyeti 5000 $/ kW
Enerji maliyeti 0.24 $/kW

BLM 5. GNE PLNN ALIMASINI ETKLEYEN DI
FAKTRLER

5.1. Scakln Etkisi

Gne pillerinin almasnda scakln nemli bir etkisi vardr. Gne pillerinin
ksa devre akm scakln dzgn bir ekilde artmasyla ykselme eilimi gsterir.
Yariletken enerji bant aralklar genellikle scaklkla azaldndan ak devre voltaj
ve dolum faktr azalr. Enerji bant aral oda scaklnda lineer olarak deime
gsterirken dk scaklklarda ise dorusal olmayan bir deime gsterir.

Tablo 5.1. Baz yariletken enerji bant aralnn scaklkla deiimi
Malzeme T=300K T=0K
Si 1.12 eV 1.17 eV
Ge 0.67 eV 0.75 eV
PbS 0.37 eV 0.29 eV
PbTe 0.29 eV 0.19 eV
InSb 0.16 eV 0.23 eV
GaSb 0.69 eV 0.79 eV

45
Tablo 5.2. GaAs gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi
T ( K) eV V %
273 1.4345 1.047 29.51
300 1.4245 0.989 27.73
323 1.4120 0.940 26.19
353 1.3981 0.875 25.14
373 1.3887 0.830 22.75

Tablo 5.3. Silisyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi
T ( K) eV V %
273 1.1312 0.750 26.83
300 1.1245 0.699 24.67
323 1.1185 0.654 22.80
353 1.1104 0.595 20.33
373 1.1048 0.555 18.67

Tablo 5.4. Germenyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi
T ( K) eV V %
273 0.67366 0.302 13.88
300 0.66339 0.248 10.60
323 0.65444 0.201 7.89
353 0.64253 0.139 4.62
373 0.63446 0.099 2.79

46
5.2. Yzey Parametresinin Etkisi

In yansmasn azaltmada kullanlan yaklamlardan biri de zel yapl
yzeylerdir. zel yapl yzeyler ve silisyum ince tabakalarn kullanm artmaktadr.
Silisyum tabakalarn yzeylerinde kk piramitler seici dalama yntemi
kullanlarak elde edilirler.bu piramitlerin yzeylerinden yansyan k, dier
piramitlerden de yansyarak pilin iine girer.

Gne pillerinde anti yanstc kaplama kullanlmasyla yansma kayplar azaltlm
olur. In yzeye dt her noktadaki toplam yansma, silisyuma dik gelen kta
olduu gibidir.Yzeydeki toplam yansma %0.33 ile %11 seviyeleri
arasndadr.Yzeyleri piramitletirme teknii kullanlarak yansmay nleyici
kaplama olmakszn yksek performanslar elde edilebilir.

5.3. Spektral Etki

Monokromatik k, yariletken iinde elektron-oyuk iftinin olumasna neden olur.
Elektron oyuk oluumunun uzaysal dalm;

G=(1-R)
-x
ile ifade edilir.

Burada ; gelen n foton asn, R; yansma katsaysn, ise sourma katsaysn
gsterir.Ksa dalga boylar iin byk bir deerdedir ve k yariletken malzeme
iinde abucak sourulur.Hcrelerde fotonlarn btn enerjileri kullanlmaz.Grnr
dalga boylarnda verim en yksektir, kzltesi blgelerde ise en dktr. (Bkz
Tablo 5.5)

47
Tablo 5.5. Gne piline n spektral etkisi
RENK DALGABOYU(nm) VOLT
MOR 410 3.11
MAV 470 3.34
YEL 520 3.52
SARI 590 3.44
TURUNCU 650 3.22
KIRMIZI 725 3.20

5.4. Foto Asal Etki

Yariletken malzemeden yaplm olan gne piline gelen fotonlar, yzeye arpnca
n bir ksm yzey tarafndan yanstlrken, geriye kalan dier ksm yariletken
tarafndan sourulur. Yansma katsays;
R=
2
2
2
1 2
2
1
2
1 2
) (
) (
k n n
k n n
+
+
ile hesaplanr.

Fotonlarn yariletken gne pili tarafndan yutulmas ve yanstlmasndan sonra
n iddeti zayflayarak geer ve geen bu ksm ise;

T=
x
x
e R
e R
2 2
2
. ) 1 (
. ) 1 (
eklinde verilir [16].

48

5.4.1. Foto asal etkinin deneysel yolla incelenmesi

Gne pillerinin almasn etkileyen d faktrlerden biriside foto-asal etkidir. Bu
almada karanlk bir ortamda gne pili sabit tutularak k kayna 0-180
arasnda hareket ettirilerek eitli alardaki akm ve gerilim deerleri llmtr.
Deney nce tek bir gne pili ile gerekletirilmitir.Daha sonra iki adet gne pili ile
seri ve paralel olarak balanarak lmler gerekletirilmitir.

5.4.1.1. Tek gne pili ile yaplan deney

Deneyde kullanlan gne pili monokristal yapldr.Maksimum k voltaj 3.6V,
maksimum ekilebilecek akm ise 60 mA dir.Deneyde150Wlk (yaklak
2025Lmen) lamba kullanlmtr.Deney 21C scaklkta yaplmtr (T=21C).
Deney dzenei ekil 5.1de grlmektedir.

ekil 5.1. In geli asna bal olarak gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney
dzenei

Tek gne pili ile yaplan deneyde k asnn 0 ile 180 arasnda deitirilerek
gne pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiimler llmtr.Bu lmler
Tablo 5.6da grlmektedir.

49
Tablo 5.6. ekil 5.1deki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim
deerleri
AI AKIM(mA) GERLM(V)
0 2,7 1,95
30 9,5 2,28
45 18,7 2,84
60 35,2 3,01
90 42,8 3,25
120 35,2 3,01
135 18,7 2,84
150 9,5 2,28
180 2,7 1,95

Tablo 5.6daki lm deerlerine bal olarak; gne pilinin ak devre voltajnn
aya bal deiim grafii, gne pili akmnn aya bal deiim grafii ile gne
pilinin akm-gerilim deiim grafii izilebilir.

0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
0 30 45 60 90 120 135 150 180
A ()
G
e
r
i
l
i
m

(
V
)

ekil 5.2. Gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii

50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 30 45 60 90 120 135 150 180
A ()
A
k
m

(
m
A
)

ekil 5.3. Gne pili akmnn aya bal deiim grafii

0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
2,7mA 9,5mA 18,7mA 35,2mA 42,8mA 35,2mA 18,7mA 9,5mA 2,7mA
Akm (mA)
G
e
r
i
l
i
m

(
V
)

ekil 5.4. Gne pilinin akm-gerilim deiim grafii

51
5.4.1.2. Seri balanm iki tane gne piliyle yaplan deney
Deneyde monokristal yapl, maksimum k voltaj 3.6V, maksimum ekilebilecek
akm ise 60 mA olan iki adet gne pili seri balanarak kullanlmtr.
Deneyde150Wlk (yaklak 2025 Lmen) lamba kullanlmtr.Deney 21C
scaklkta yaplmtr (T=21C).Deney dzenei ekil 5.5te grlmektedir.

ekil 5.5. ki adet seri balanm gne pilinin k asnn deiimiyle gne pilinin verimliliinin
llmesinde kullanlan deney dzenei

ki adet gne pili seri balanarak yaplan deneyde k asnn deiimiyle gne
pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiimler llmtr.llen deerler Tablo
5.7de grlmektedir.

Tablo 5.7 ekil 5.5teki seri balanm iki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm
ve gerilim deiim deerleri
0 2,1 4,05
30 8,3 4,75
45 17,6 5,95
60 23,5 6,12
90 41,9 6,35
120 23,5 6,12
135 17,6 5,95
150 8,3 4,75
180 2,1 4,05

Tablo 5.7deki lm deerlerine bal olarak; gne pilinin ak devre voltajnn
52

0
1
2
3
4
5
6
7
0 30 45 60 90 120 135 150 180
A ()
G
e
r
i
l
i
m

(
V
)

ekil 5.6. Seri balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii

0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 30 45 60 90 120 135 150 180
A ()
A
k
m

(
m
A
)

ekil 5.7. Seri balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim grafii

53
0
1
2
3
4
5
6
7
Akm (mA)
G
e
r
i
l
i
m

(
V
)

ekil 5.8. Seri balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii

5.4.1.3. Paralel balanm iki tane gne piliyle yaplan deney

Deneyde monokristal yapl, maksimum k voltaj 3.6V, maksimum ekilebilecek
akm ise 60 mA olan iki adet gne pili paralel balanarak kullanlmtr.
Deneyde150Wlk (yaklak 2025Lmen) lamba kullanlmtr.Deney 21C
scaklkta yaplmtr (T=21C).Deney dzenei ekil 5.9da grlmektedir.

ki adet gne pili paralel balanarak yaplan deneyde k asnn deiimiyle gne
pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiimler llmtr.llen deerler Tablo
5.8de grlmektedir.
54

ekil 5.9. ki adet paralel balanm gne pilinin k asnn deiimiyle gne pilinin verimliliinin
llmesinde kullanlan deney dzenei

Tablo 5.8. ekil 5.9daki paralel balanm iki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak
akm ve gerilim deiim deerleri

0 5,3 1,84
30 17,6 2,23
45 35,4 2,79
60 53,2 2,94
90 81,7 3,18
120 53,2 2,94
135 35,4 2,79
150 17,6 2,23
180 5,3 1,84

Tablo 5.8deki lm deerlerine bal olarak; gne pilinin ak devre voltajnn

55

0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
0 30 45 60 90 120 135 150 180
A ()
G
e
r
i
l
i
m

(
V
)
ekil 5.10. Paralel balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 30 45 60 90 120 135 150 180
A ()
A
k
m

(
m
A
)

ekil 5.11. Paralel balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim grafii

56

0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
Akm (mA)
G
e
r
i
l
i
m

(
V
)
ekil 5.12. Paralel balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii

5.4.1.4 Sonu

Yaplan deneyde gne pillerinin almasn etkileyen d faktrlerden birisi olan
foto-asal etki incelenmitir. Sabit k kayna altnda (150W,yaklak
2025Lmen),sabit scaklkta(T=21C), k kayna 0-180 arasnda hareket
ettirilerek, gne pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiim
llmtr.llen deerlere bal olarak gne pilinin akm ve gerilimindeki
deiim grafikleri izilmitir.Ayrca bu deney; gne pillerini seri ve paralel olarak
balayarak tekrarlanmtr.Yaplan lm ve izilen grafiklere gre, gne pilinden
en iyi verimi alabilmek iin k kaynann asnn 90 olmas gerektii
grlmektedir.Ik as 0 ve 180 olduunda gne pilinin verimi minimum
dzeydedir.Gne pilleri seri balandnda , akmda bir deiim gzlenmezken,
gerilim deeri yaklak iki katna kt gzlenmitir.Gne pilleri paralel
balandnda ise gerilimde bir deiim gzlenmezken, akm deeri yaklak iki
katna kmtr.

BLM 6. GNE PLLER LE LGL STATSTKSEL
BLGLER

6.1. 1971-2001 Yllar Arasnda Gne Enerjisinden Faydalanarak Elektrik
Enerjisi retmek Amacyla Kurulan Tesislerin Toplam Kurulu G Deerleri

Tablo 6.1. 1971-2001 yllar arasnda dnyadaki fotovoltaik geliim
Yllar Yllk retim(MW) Kmlatif retim(MW)
1971 0.1 0.1
1975 1.8 1.9
1976 2 3.9
1977 2.2 6.1
1978 2.5 8.6
1979 4 12.6
1980 7 19.6
1981 8 27.6
1982 9 36.6
1983 17 53.6
1984 22 75.6
1985 23 98.6
1986 26 124.6
1987 29 153.6
1988 34 187.6
1989 40 227.6
1990 46 273.6
1991 55 328.6
1992 58 386.6
1993 60 446.6
1994 69 515.6
1995 79 594.6
1996 89 683.6
1997 126 809.6
1998 153 962.6
1999 201 1163.6
2000 288 1451.6
2001 395 1846.6
58

ekil 6.1. 1971-2001 yllar arasndaki dnyadaki fotovoltaik geliim grafii [18]

6.2. 1992-2003 Yllar Aras Toplam Fotovoltaik G retimindeki Deiim
(MW)

ekil 6.2. 1992-2003 yllar aras toplam fotovoltaik g retimindeki deiim(MW) [19]

59
6.3. 2003 Ylnda Dnya Genelinde PV retim Miktar (MW)

ekil 6.3. 2003 ylnda dnya genelinde pv retim miktar (MW) [20]

ekil 6.4. 2003 ylnda dnya genelinde pv retiminin yzdelik dalm[21]

60
6.4. 1998-2003 Yllar Aras Dnya PV retimi (MW)

Tablo 6.2 1998-2003 yllar aras dnya PV retimi (MW) [22]

BLGE 1998 1999 2000 2001 2002 2003
JAPONYA 49.00 80.00 128.60 171.22 251.07 363.91
AVRUPA 33.50 40.00 60.66 86.38 135.05 193.35
USA 53.70 60.80 74.97 100.32 120.60 103.02
DER 18.70 20.50 23.42 32.62 55.05 83.80
Toplam 154.90 201.30 287.65 390.54 561.77 744.08

6.5. Dnya Genelinde 1996-2005 Yllar Arasnda Gne Pili eitlerinin Pazar
Paylarndaki Deiim

ekil 6.5. 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde silikon kristal gne pillerindeki deiim [23]

61

ekil 6.6 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde ince film gne pillerindeki deiim [23]

6.6. Trkiyede Yaplan Gne Pili Uygulamalar

Teknolojiyi izlemek asndan, 2 Haziran 1998' de lkemizde ilk kez EE daresi
Genel Mdrl Didim Gne ve Rzgar Enerjisi Aratrma Merkezinde 4.8
kW'lk, Ankarada da 1.2 kWlk ebeke balantl gne pili sistemleri kurulmutur.
Gnlk retilen ortalama enerji; bir kWlk sistem iin 5 kWh civarndadr. Aada
EE Didimde kurulan ebekeye bal gne pili sisteminin zelliklerini gsteren
Tablo 6.3te yer almaktadr.

Tablo 6.3 EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri
Toplam G 4,8 kWp (90 adet )
Ortalama Yllk retim 5600 kWh
Gnlk retim 15-18 kWh
nvertr ASP Top Class Grid III/4000
Nominal ac g 3500 W
Nominal dc Gerilim 96 V
Balama Eik deeri 25 W
Giri gerilim Aral 72-145 V dc
k Gerilimi 195-256 V ac
k Frekans 50 Hz
Maksimum Verim % 94

62
Ayrca lkemizde birok kurum ve kuruluta gne pili uygulamalarndan
faydalanlmaktadr (Bkz. Tablo 6.4).

Tablo 6.4 Trkiyedeki gne pili uygulamalarndan faydalanan kurumlar
Kurum

retilen g
Orman Bakanl
(Gzetleme istasyonlar)
175 kW
Trk Telekom
(Aktarma istasyonlar)
135 kW
Karayollar imdat telefonlar

150 kW
EE demontrasyon uygulamalar ve
eitli aratrma kurumlarnda
350 kW

6.7. Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Tevik Edilmesi

Avrupa Birlii, yenilenebilir enerji kaynaklarndan elektrik enerjisi retimine arz
gvenlii ve eitlilii, evrenin korunmas ve sosyal ve ekonomik btnlemenin
salanmas nedenleriyle byk nem vermektedir. Mevcut durumda AB toplam
enerji tketiminin ortalama olarak %6sn yenilenebilir kaynaklardan salamaktadr.
Bu oran ngilterede 1.4, svete %28 dir.

Tablo 6.5. AB toplam yenilenebilir enerji tketimi iindeki kaynak trlerine gre dalm
Kaynak Oran
Hidrolik 30.8
Rzgar 1.2
Gne 0.4
Jeotermal 3.5
Bioktle 63.6
Dierleri 0.4

63
Tablo 6.6. AB toplam elektrik retimi iindeki yenilenebilir enerjilerin kaynak trlerine gre dalm
Kaynak Oran
Hidrolik 86.6
Rzgar 3.2
Jeotermal 1.2
Bioktle 9.0

AB genel enerji tketimi iindeki ortalama yenilenebilir enerji orann 2010 ylnda
%12 deerine karmay hedeflemektedir. Yenilenebilir enerjilerden elektrik
retiminin pay % 14 olup bu orann %22ye ykseltilmesi AB ncelikleri
arasndadr. Bu konuda en dk orana sahip lke Belika (%1.1) en yksek orana
sahip lke ise %22 ile Avusturyadr.

Yenilenebilir elektrik retiminde nemli art salayacak atnn oluturulmas
amalanmakta ve bunu salamak iin Avrupa Parlamentosu ve Konseyinin i
elektrik piyasasnn yenilenebilir kaynaklardan elektrik retimini tevik eden
27.09.2001 tarih 2001\77\EC sayl Direktifi L 283 say ve 27.10.2001 tarihinde
Resmi Gazetede yaynlanmtr. Direktif rzgar, hidrolik gne, jeotermal, dalga,
bioktle ve biogaz enerjileri gibi fosil olamayan yenilenebilir enerji trlerini gz
nne almaktadr. Orta dnemde yenilenebilir enerjilerden retilen elektriin pazar
paynn artrlmas iin tm ye lkelerden yenilenebilir kaynaklardan retilen
elektrie ilikin ulusal hedeflerin saptanmas istenmektedir. Hedeflere ulalmasnda
gerekli olursa, Komisyon Avrupa Parlamentosu ve Konseyine zorunlu hedefler de
dahil olmak zere teklifler gtrecektir. ye lkeler yenilenebilir kaynaklardan
elektrik retimini ulusal hedeflere uygun ekilde artrlmasna ilikin destek
sistemleri gelitireceklerdir. Gerektiinde destek dzenlemeleri konusunda ereve
oluturulacaktr.

64

ekil 6.7. Baz enerji trlerinin toplumsal maliyetleri [24]

Yenilenebilir enerji kaynaklarna ilikin yasal bir ereve oluturulacaktr. ye
lkeler yenilenebilirlerin desteklenmesi iin yeil sertifika, yatrm yardm, vergi
muafiyeti veya indirimi, vergi iadesi ve dorudan fiyat desteklemesi gibi ulusal
dzeydeki eitli dzenlemeler yapacaklardr. Bu dzenlemeler AB erevesinin iler
duruma gemesine kadar, direktifin amacna ulamasnda nemli role sahiptirler.
Destek dzenlemelerinin yeterli bir gei dnemi sonrasnda gelimekte olan i
elektrik piyasasna uyarlanmas gerekmektedir.

65
6.8. Dnyadaki Gne Pili reticileri Ve retim Teknolojileri

Tablo 6.7 Dnyadaki gne pili reticileri ve retim teknolojileri [25]

RETC FRMA ADI RETC LKE RETM TEKNOLOJS
Al-Afandi Solar Wafers and
Cells Factory
Suudi Arabistan ok kristalli silikon
Bharat Electronics Limited Hindistan Tek kristalli silikon
Bharat Heavy Electricals
Limited (BHEL)
Hindistan
Tek kristalli silikon
Kristalize silikon
Big Sun Energy Technology Tayvan Kristalize silikon
Boading Yingli in Kristalize silikon
BP Solar USA
Tek kristalli ve ok kristalli
silikon
Canon Inc
E Business Division
Japonya Amorf silikon ince film
Canrom Photovoltaics Inc Kanada ok kristalli silikon
Central Electronics Limited
(CEL)
Hindistan
ok kristalli silikon
Energy Conversion Devices
Inc (ECD Ovonics)
USA Amorf silikon ince film
Energy Photovoltaics Inc
(EPV)
USA
Amorf silikon ve indium
diselenoid ince film
EniTecnologie talya
silikon
Ersol Almanya ok kristalli silikon
E-Ton Solar Technology Tayvan
silikon
Evergreen Solar Inc USA Ribbon kristal silikon
First Solar LLC USA Kadmiyum tellrid
Free Energy Europe Fransa Amorf silikon ince film
Fuji Electric Co Ltd Japonya Amorf silikon
GE Energy (Solar Division) USA ok kristalli silikon
Gintech Energy Tayvan Kristal silikon
Heliodomi S.A. Yunanistan Amorf silikon ince film
Heliodinmica Brezilya Kristal silikon
Helios Technology srl talya Tek kristalli silikon
Huamei PV Company in Tek kristalli silikon
ICP Solar Technologies Inc Kanada Amorf silikon ince film
Iowa Thin Film Technologies USA
Amorf silikon ince film plastik
yzey zerine
Isofotn SA spanya Tek kristalli silikon
Kaifeng Solar Cell Factory in Tek kristalli silikon
Kaneka Corporation Japonya Amorf silikon ince film
Kvazar JSC Ukrayna
silikon
Kyocera Corporation (Solar
Energy Division)
Japonya oklu kristalize silikon
Kyocera Solar Inc.,
(US Division)
USA
oklu kristalize silikon
Maharishi Solar Technology
Pvt. Ltd
Hindistan
oklu kristalize silikon
66
Matsushita Battery Industrial
Company (MBI)
Japonya
Kristalize silikon, kadmiyum
tellrid ince film
Matsushita Seiko Co Ltd Japonya Tek kristalize silikon
Microsolpower India P Ltd Hindistan Tek kristalize silikon
Mitsubishi Electric Corporation Japonya oklu kristalize silikon
Mitsubishi Heavy Industries
(Power Systems Division)
Japonya Amorf silikon ince film
Moser Baer Photovoltaic Hindistan Kristalize silikon
Motech Industries Inc Hindistan oklu kristalize silikon
Neo Solar Power Corp. Hindistan Kristalize silikon
Ningbo Solar Energy Power Co in Tek kristalize silikon
Pentafour Solec Technology
Limited (licensee of Solec
International)
Hindistan Tek kristalize silikon
Photon Semiconductor &
Energy Co., Ltd.
Kore Kristalize silikon
Photovoltech NV SA Belika oklu kristalize silikon
Photowatt International SA
(part of ATS Automation)
Fransa oklu kristalize silikon
Q-Cells AG Almanya oklu kristalize silikon
RWE Schott Solar Almanya
Tek kristalize silikon , oklu
kristalize silikon ve Amorf
silikon ince film
Sanyo Electric Co Ltd
Soft Energy Co., Business HQ
Japonya
Amorf silikon /tek kristalize
hibrid silikon
Sharp Corporation
(Photovoltaics Division)
Japonya
silikon
Sharp Solar Systems Division,
USA
USA
silikon
Shell Solar USA
silikon ve bakr indiyum
diselenoid ince film
Shenzhen Topray Solar Co Ltd in Amorf silikon ince film
Sinonar Corporation Tayvan Amorf silikon ince film
Solar Power Industries USA oklu kristalize silikon
SolarWorld AG Almanya Kristalize silikon
Solar Cells
(formerly Koncar Solar Cells)
Hrvatistan Amorf silikon ince film
Solartec s.r.o. ek Cumhuriyeti Tek kristalize silikon
Solar Wind Europe S.L. spanya Tek kristalize silikon
Solec International Inc
(part of Sanyo)
USA
Tek kristalize silikon
Solems SA Fransa Amorf silikon ince film
Solmecs (Israel) Ltd srail Tek kristalize silikon
Solterra Fotovoltaico SA svire Tek kristalize silikon
SunPower Corporation USA Tek kristalize silikon
Suntech Power Co., Ltd in oklu kristalize silikon
Sunways AG Almanya oklu kristalize silikon
TATA/BP Solar
(JV between BP Solar/TATA)
Hindistan
67
TerraSolar Inc USA Amorf silikon ince film
Tianjin Jinneng Solar Cell
Co.,Ltd
in
Amorf silikon ince film,
tek kristalli ve ok kristalli
silikon
Udhaya Semiconductors Ltd Hindistan
Kristalize silikon

United Solar Ovonic USA Amorf silikon ince film
Usha India Ltd Hindistan
Kristalize silikon

VHF-Technologies SA svire Amorf silikon ince film
Viva Solar Inc Kanada Tek kristalize silikon
West Bengal Electronics
Industry Development
Corporation Limited
(Webel SL Solar)
Hindistan

Wrth Solar Almanya
Bakr indiyum diselenoid ince
film
Yunnan Semiconductor in Tek kristalize silikon

BLM 7. SONULAR VE NERLER

Dnyada retilen toplam elektrik enerjisinin, eitli lkelerde kii bana tketimini
ortaya koyan sralamada, kii bana 18.117 kWh enerji tketen Kanada ilk srada
gelmektedir. Sonuncu srada, kii bana 24 kWh enerji tketimi ile Etiyopya
bulunmaktadr. Bu sralamada, Trkiyede kii bana tketilen elektrik enerjisinin,
dnya ortalamasnn yarsna, komumuz Yunanistann tketiminin ise te birine
eit olduu grlmektedir. Elektrik enerjisi talebiyle ilgili yaplan almalarda, 2010
ylnda, Trkiyenin talebinin karlanabilmesi iin 60 GW kurulu g kapasitesine
gerek olaca, TMMOB Fizik Mhendisleri Odas tarafndan 1996 ylnda
yaynlanan Nkleer Enerji Raporunda belirtilmektedir. lkenin enerji
gereksiniminin karlanmasyla ilgili politikalar belirlenirken; da en az baml,
temiz ve yenilenebilir kaynaklardan yararlanlmasna ncelik verilmesi, kurulacak
tesislerin evre etkilerinin mutlaka dikkate alnmas, bunlarn insan salna ve
evreye verecekleri zararlar ve bu zararlarn giderilmesi maliyetlerinin
deerlendirilmesi gerekir.

Avrupa Parlamentosunun Trkiyenin aday yelii ile ilgili karara onay verdii
oturumda, ok yank getirmeyen bir rapor daha yaynlanmtr. Sz konusu raporda,
Trkiyenin, 1. derecede deprem kua zerinde bulunduuna dikkat ekilerek,
elektrik darboaz iin dnlen nkleer santrallarn devreye sokulmamas
uyarsnda bulunulmutur. AB, ernobil faciasndan hemen sonra, nkleer enerjiye
kar olduunu belirterek, geri teknoloji ile yaplan ve deprem kuanda bulunan
santrallarn hemen kapatlmas zerine gr birliine varmtr. Elektrik enerjisi,
pek ok Avrupa lkesinde nkleer enerjiyle karlanmakta olduundan (Fransada
%70ten; Belika, spanya, Finlandiya ve svete %30dan; ngiltere ve Almanyada
ise %17den fazlas bu yolla retilmektedir) bu enerjiden kademeli olarak
vazgeilmesi planlanmaktadr. Aday veya aday adaylklar kabul edilen, birok eski
dou blou lkesindeki santrallarn geri Sovyet teknolojisi ile yaplm olmasna
69
dikkat ekilerek, ncelikle bu santrallarn kapatlmas istenmektedir. rnein,
Bulgaristandan, tam yelik grmelerinden nce Trkiye snrndan 150 km
uzaktaki, Kozloduy Santralnn kesin kapatlma tarihini vermesi istenmitir. AB
lkelerinde, nkleer enerji konusunda yeni yatrm yaplmas istenmedii gibi,
gvenlik nlemlerinin en st dzeyde olmas ve deprem blgesinde santral
yaplmamas iin bask uygulanmaktadr. Belika, ard kesilmeyen bu uyarlara
dayanamayarak, 4. derece deprem blgesinde olmasna karlk, santrallarndan birini
kapatacan aklamtr. Deprem blgesi olmamasna karlk, sve, 12
santralndan birini kapatmtr. AB, zellikle gelimi teknolojiye sahip olmayan yeni
yelerine veya ye adaylarna, bu konuda esneklik gstermemektedir. Bulgaristann
sz edilen santral iin kapatma tarihi olarak 2002 yln vermesinin ardndan,
Slovakya ve Ukrayna ile yaplan grmelerde, Sovyet teknolojisi ile yaplan
santrallarn kapatmalar istenmitir. Slovakya 2008, Ukrayna ise 2010 ylnda
santrallar kapatacaklarn bildirmilerdir. AB, bu lkelere kapatlma srasnda
kullanlmak amacyla maddi yardm sz vermitir.

1-11 Aralk 1997 tarihlerinde, Japonya/Kyotoda yaplan ve 150 lkeden gelen
delegelerin katld Kresel Isnma balkl toplantda, imzalanan ortak bildirgeye
gre, gelimi lkeler, 2008-2012 yllar arasnda, atmosfere salacaklar sera gaz
dzeylerini, 1990 yl deerlerinin %5 altna indirmi olacaklardr. Trkiye, sz
konusu toplantya bakan dzeyinde katlan lkelerden olup, gelimi lkeler snfna
sokulduundan, belirtilen tarihlere kadar, sera gaz atmn azaltm olmas
gerekmektedir. evre bilincinin, ortak bir dnya bilincine dnmekte olduu
gnmzde, bu kararlara uymamanz ambargo, d lkelere yaplan ihracatlara kota
getirilmesi gibi ekonomik yaptrmlara neden olabilecektir. Gerek enerji sknts,
gerekse evre kaygsyla yenilenebilir enerji kaynaklarna bir an nce gereken nem
verilerek ge kalnmadan, devlet ve zel sektr baznda yatrmlara girilmesi
gerekmektedir. Alternatif enerji kaynaklarnn caydrc olabilecek zellikleri, ilk
yatrm maliyetlerinin yksek oluudur; ancak, karlatrma yaplrken dikkat
edilecek deerler, evre ve uzun vadede zlen enerji sknts olmaldr.

70
lkemizde, yenilenebilir kaynaklar asndan iyi bir potansiyel bulunmaktadr. Son
birka yla kadar, bu konu, daha ok niversitelerin aratrma konusu olarak
kalmken, gnmzde, giderek yaygnlk kazanmaktadr. Tm dnyada olduu gibi,
lkemizde de evre bilincinin kazanlmaya balanmas ve yaanmakta olan enerji
darboaz nedeniyle, alternatif enerji kaynaklar daha bilinli kullanlmaya
balanmtr; ancak, pek ok konuda olduu gibi, alternatif enerji kaynaklar
konusunda da, gerekli dzenlemelerin yaplmasnda gecikilmitir.

71
EKLER

EkA: Gne Enerjisi le alan Robot Bcek Devresi

ekil A.1 ki motorlu ,srekli hareketli ,engel alglamal, almad zaman pillerini gne pili ile arj
eden robot bcek devresi
72

Ek-B:Gne Enerjisi le alan Robot Bcek Bask Devresi Ve almas

ekil B.1 Gne enerjisi ile alan robot bcek bask devresi

Bu devrede gne pili ile birlikte 2 adet arjl pil kullanlmtr.Devre almad
zaman gne pili, arjl pilleri arj etmektedir.Devrede kullanlan duyargalar
sayesinde herhangi bir engele arpldnda engel alglanarak hareket ynnn
deimesi salanmaktadr.Duyargalar transistrlerin kesim veya iletim durumlarn
deitirir.Transistrlerin kesim-iletim durumlar motorlarn ileri-geri ynde
dnmesini salamaktadr.

KAYNAKLAR

[1] http://www.youthforhab.org.tr/tr/yayinlar/enerji/gunespilleri/giris.html

[2] http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/veri.html

[3] http://www.sunpowerltd.com/pages/tr/activities/solar.asp

[4] http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/pvilke.html

[5] http://myo.mersin.edu.tr/UZAK/TP/Bilgisayar/bp-109(temel-elk)/te-08.pdf

[6] http://www.akmtele.com/teknik/TemelEln/TemEln02.asp

[7] YILDIRIM, Blent AKKOYUNLU Tamer SEZER Ahmet, Bir
Binann Gne Pili Destekli Gne Kollektrleriyle Istlmas, S.D..,
Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, Makine Mhendislii Blm, Bitirme
devi, Isparta, 1995

[8] ITIROLU, Ahmet, Gne Enerjisinden Yararlanarak Elektrik retimi,
Makale, Mhendis ve Makine, Cilt: 41, Say: 485.

[9] http://www.ezincmetal.com/tr/urunler_gunes_pilleri.php

[10] GNKAYA, Erkan, Gne Enerjisinden Yararlanarak Elektrik retimi,
S.D.., Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, Makine Mhendislii Blm,
Bitirme devi,ISPARTA 2001

[11] www.youthforhab.org.trtryayinlarenerjigunespillerigunes%20pili%20veri
mlilikleri.html

74
[12] http://www.gunder.org.trdocumentsgunespilleri.pdf

[13] http://www.eurosolar.org.trsunumlarEIE2002.pdf

[14] http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/yogunlastiricilar.html

[15] http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/gunespv.html

[16] Erel . BAYRAK, M. Saltk, M. Kaymak Gne Pillerinin almasnda
Foto Asal Etki ve Optimal Verimin Salanmas Elektrik Enerjisi ve
Teknolojisi Sempozyumu, T,stanbul,1994

[17] http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/guneskollektor.html

[18] http://www.earth-policy.org/Updates/Update12_data.htm

[19] http://www.epia.org03DataFiguresPPTStat_World_04_02.ppt

[20] http://www.epia.org03DataFiguresPPT256,1,Slayt 1



[23] http://www.eia.doe.gov/cneaf/solar.renewables/page/solarreport/solar.html

[24] http://www.eurosolar.org.trsunumlar2sarigermedokumanlari.pdf

75
[25] http://www.solarbuzz.com/solarindex/Materialssuppliers.htm

76

ZGEM

Mustafa KARAMANAV, 12.09.1981 tarihinde Afyonun Sandkl ilesinin Selik
kynde dodu.1983 ylnda Eskiehirde yaamaya balad. lkokulu; Millizafer
lkretim okulunda, ortaokulu; Melahatngr lkretim Okulunda, liseyi ise
Yunus Emre E.M.Lde tamamlad.1999 ylnda Sakarya niversitesi, Teknik Eitim
Fakltesi, Elektronik ve Bilgisayar Eitimi, Elektronik retmenliini kazand.
2003 ylnda Sakarya niversitesi, Fen Bilimleri Enstits Elektronik-Bilgisayar
Eitimi Ana Bilim Dalnda yksek lisans eitimine balad.2004 ylnda Erzincann
zml ilesinde zml ok Programl Lisesinde retmenlik grevine
balad.Burada iki yl grev yapt.2006 ylnda Erzincan Fatih Teknik ve E.M.Lne
tayin oldu.Halen bu okulda grev yapmaktadr.

Gunes Enerjisi

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Gunes Enerjisi

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

T.C.

eklinde verilir [16].

You might also like