TEMEL ELEKTRONK

Kaya

TEMEL ELEKTRONK

BLM 1
Kaya

ELEKTRK AKIMI
ELEKTRK AKIMI NASIL OLUUR ?
Bilindii gibi metallerin atomlarndaki elektron saylar metalin trne gre deiir. letken metallerin atomlarnn son yrngelerinde 4 'den az elektron bulunur. Atomlar bu elektronlar 8 'e tamamlayamadklar iin serbest brakrlar. Bu yzden bir letken maddede milyonlarca serbest elektron bulunur. Bu iletkenlere gerilim uygulandnda elektronlar negatif (-) 'den pozitif (+) ynne doru hareket etmeye balar. Bu harekete "Elektrik Akm" denir. Birimi ise "Amper" 'dir. letkenin herhangi bir noktasndan 1 saniyede 6.25*10^18 elektron gemesi 1 Amperlik akma eittir. Akmlar "Doru Akm" (DC) ve "Alternatif Akm" (AC) olarak ikiye ayrlr.

Doru Akm (DC) : Doru akmn ksa tanm "Zamana bal olarak yn ve iddeti deimeyen akma doru akm denir." eklindedir. Doru akm genelde elektronik devrelerde kullanlr. En ideal doru akm en sabit olandr. En sabit doru akm kaynaklar da pillerdir. Alternatif Akm (AC) : Alternatifin kelime anlam "Deiken" dir. Alternatif akmn ksa tanm ise "Zamana bal olarak yn ve iddeti deien akma alternatif akm denir." eklindedir. Alternatif akm byk elektrik devrelerinde ve yksek gl elektrik motorlarnda kullanlr. Evlerimizdeki elektrik alternatif akm snfna girer. Buzdolab, amar makinesi, bulak makinesi, klima ve vantilatrler dorudan alternatif akmla alrlar. Televizyon, mzik seti ve video gibi cihazlar ise bu alternatif akm doru akma evirerek kullanrlar.

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

DORU VE ALTERNATF AKIMIN KARILATIRILMASI

Elektrik enerjisi, alternatif akm ve doru akm olarak iki ekilde retilir. Bugn kullanlan elektrik enerjisinin %90ndan fazlas alternatif akm olarak retilmektedir. Bunun eitli nedenleri vardr. Bunlar sra ile inceleyelim. Elektrik enerjisinin uzak mesafelere ekonomik olarak iletilmesi iin yksek gerilimlere ihtiya vardr. Belirli bir g, mesafe ve kayp iin iletim hattnn kesiti, kullanlan gerilimin karesi ile ters orantl olarak deiir. Doru akmn elde edilmesinde kullanlan dinamolar (D.A. jeneratr) yksek gerilimli olarak yaplamazlar. Komtasyon zorluklarndan dolay, ancak 1500 volta kadar D.A reten genaratrler yaplabilmitir. Alternatif akm reten alternatrlerden ise 230, 6300, 10500 ve 20000 volt gibi yksek gerilimler elde edilebildii gibi, transformatr denilen statik makinelerle bu gerilimleri 60 kV, 100 kV ve daha yksek gerilimlere ykseltmek de mmkndr. Elektrik enerjisinin tanmas yksek gerilimli alternatif akmlarla yaplr. Hattn sonundaki transformatrlerle bu yksek gerilim, kullanma gerilimine dntrlr. Cva buharl redresrlerle yksek gerilimli alternatif akm, yksek gerilimli doru akma evirerek enerjiyi tamak ve hattn sonuna inverterlerle dk gerilimli alternatif akma evirmek mmkn olduu halde, uygulamada fazla kullanlmamaktadr. Byk gl ve yksek devirli DA jeneratrleri komtasyon zorluklarndan dolay yaplamazlar. Alternatrler ise, byk gl ve yksek devirli olarak yaplabilirler. Bylece elde edilen enerjinin kilovat saat bana maliyeti ve iletme masraflar dk olur. Alternatrler 200000 kVA, 400000 kVA gcnde yaplabilirler. Sanayide sabit hzl yerlerde alternatif akm motoru (endksiyon motoru), doru akm motorundan daha verimli alr. Endksiyon motoru, D.A. motorundan daha ucuz, daha salam olup, bakm da kolaydr. D.A. motorunun tek stnl, devir saysnn dzgn olarak ayar edilebilmesidir. Doru akmn tercih edildii veya kullanlmasnn gerekli olduu yerler de vardr. Elektrikli tatlar, galvano teknik (maden kaplamacl) ve madenlerin elektrikle artlmas tm elektronik sistemler ve haberleme sistemlerinde D.A kullanlr. Bu gibi yerlerde doru akm genellikle, alternatif akmn D.Aa evrilmesi ile elde edilir. 3

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ALTERNANS, PERYOT, FREKANS

Alternatif akmn retilmesi mekanik jeneratrlerden elektronik olarak ise sinyal jeneratrlerinden elde edilebilir. Doru akmda olduu gibi alternatif akmnda sembol ve dalga ekli, ekil 1.5 de grld gibidir.

ekil1.5 A.A sembol ve dalga ekli Alternans: Alternatif akm ekil1.5 de grld gibi sfrdan pozitif maksimum deere daha sonra sfra gelme durumuna pozitif alternans, sfrdan eksi maksimum deere daha sonra tekrar sfra gelmesine negatif alternans denir. ki alternansnn birlemesi ile bir saykl (cycle) oluur. Alternatif gerilimi bir devreye balanrsa akmn ak alternanslara gre deiir. Bu deiim ekil 1.6 da olduu gibidir.

(a)

Pozitif alternans: devrede oluturduu akmn yn

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

(b) Negatif alternans: devrede oluturduu akmn yn ekil1.6 Periyot: Bir saykln olumas iin geen sreye periyot denir. N S kutbu arasndaki bir iletken veya bobin 360 derece dndrldnde indklenen emk bir sins dalgalk deiime urar. Bobine iki devir yaptrldnda indklenen emk iki sins dalgas izer. Bir periyot 360 dir. Periyot T harfi ile ifade edilir. Birimi ise saniyedir. ekil1.7de sinzoidal dalgann periyodu grlmektedir.

ekil1.7 Sinzoidal dalgann periyodu Frekans: Alternatif akm veya gerilimin bir saniyede oluan periyot saysna veya saykl saysna frekans denir. Frekans f harfi ila ifade edilir. Birimi saykl/saniye, periyot/saniye veya Hertzdir. Periyot ile frekans arasndaki ifade u ekildedir.

Frekansn birimi olan hertzin as katlar mevcut deildir. st katlar ise kiloherzt, megaherzt ve gigaherzt olarak sralanabilir. Bu dnmler ise; 1Hz = 10-9 GHz 1Hz = 10-6 MHz

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

1Hz = 10-3 kHz kendi aralarnda biner biner byr ve klr. ekil1.10da dk ve yksek frekans grlmektedir. Dikkat edilirse (a) da bir saniyede iki saykl oluurken (b)de ise saykl olumaktadr. Bu duruma gre de dalgalarn frekans deimektedir. Trkiye de kullanlan alternatif gerilimin frekans 50 Hz olduu da bilinmelidir. Bu demektir ki sinzoidal dalga bir saniyede elli kez olumaktadr.

(a) ekil1.10

(b)

rnek : Alternatif gerilimin bir periyodunun olumas iin geen sre 10 ms ise bu gerilimin frekans nedir? zm : Alternatif gerilimin periyodu bilindiine gre frekansla periyot arasndaki iliki formlnden;

T=10 ms = 10.10-3 s

bulunur

PASF DEVRE ELEMANLARI

Elektronik dzenekleri anlayabilmek iin temel elektronik devre elemanlarnn yap ve ilevlerinin bilinmesi gereklidir. Bu dersimizde temel elektronik devre elemanlar ve elektronik dzenekler anlatlacaktr. Elektronik Devre Elemanlar ki Gruba Ayrlr: 1) Pasif Devre Elemanlar 2) Aktif Devre Elemanlar Bunlarda kendi aralarnda gruplara ayrlmaktadr..

TEMEL ELEKTRONK 1. PASF DEVRE ELEMANLARI:

Kaya

Direnler Kondansatrler Bobinler

2. AKTF DEVRE ELEMANLARI:

Diyotlar Transistrler Entegre devreler

Pasif devre elemanlar, genel amal elemanlardr. Hemen hemen her elektronik devrede bulunurlar. Bu nedenle, bu elemanlarn genel ynleriyle tannmalar, amaca uygun olarak kullanlmalar bakmndan yeterlidir. Aktif devre elemanlar, ise zel amal elemanlardr. Kullanlacak devrenin zelliine gre, aktif devre elemanlarnn zellikleri ve trleri de deimektedir. DRENLER Diren kelimesi, genel anlamda, "bir gce kar olan direnme" olarak tanmlana bilir" Elektrik ve elektronikte diren, iki ucu arasna gerilim uygulanan bir maddenin akma kar gsterdii direnme zelliidir. Ksaca; elektrik akmna gsterilen zorlua DREN denir. Diren "R" veya "r" harfi ile gsterilir, birimi ohm (W) dur. Diren Sembolleri: Sabit Direnler Ayarl Direnler

(Eski)

(Yeni)

(Eski)

(Yeni)

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 1.1- Direnli bir devre Direncin devredeki rol: Bir "E" gerilim kaynana "R" direncinden, ekil 1.1'de gsterilmi olduu gibi, bir " I " akm akar. Bu deer arasnda Ohm kanununa gre u balant vardr. E=I.R Birimleri: E: Volt I: Amper Diren Trleri: Direnler iki gruba ayrlr: 1) Byk gl direnler 2) Kk gl direnler

R: Ohm (W)

BYK GL DRENLER:

2W zerindeki direnler byk gl diren grubuna girer.

KK GL DRENLER:

Kk gl direnlerin snflandrlmas: 1) 2) 3) 4) Sabit Direnler Ayarl Direnler Termistr (Terminstans) Foto Diren (Fotorezistans)

Gerek byk gl olsun, gerekse de kk gl olsun, btn direnlerin belirli bir dayanma gc vardr.

TEMEL ELEKTRONK Bir Direncin Harcad G; 1) 2) 3) 4) U: Direnteki gerilim dm (Volt) R: Direncin deeri (Ohm) I: Geen akm (Amper) P: Direncin gc (Watt)

Kaya

Diren zerinde Harcanan G ekilde fade Edilir: 1) Akm ve gerilim cinsinden: P=U.I 'dr 2) Akm ve diren cinsinden; (ohm kanununa gre): U=I.R 'dir. Bu "U" deeri P=U.I 'da yerine konulursa: P=IR olur. 3) Gerilim ve diren cinsinden; (ohm kanununa gre): I=U/R 'dir. Bu "I" deeri, P=U.I 'da yerine konursa, P=U/R olur.

SABT DRENLER Yaps ve eitleri: Sabit direnler yapld malzemenin cinsine gre e ayrlr: 1) Karbon direnler 2) Telli direnler 3) Film direnler Film direnler de ikiye ayrlr. 1) nce film direnler 2) Kaln film [Cermet "Srmit" Okunur] direnler KARBON DRELER Karbon direncin yaps: Karbon diren; kmr tozu ile, reine tozunun eritilmesi ile elde edilir. Karbon direnler 1 Ohm 'dan balayarak bir ka mega Ohm 'a (MW) kadar retilmektedir.

TEMEL ELEKTRONK Balca kullanm alanlar: Btn elektronik devrelerde en ok kullanlan diren trdr.

Kaya

W --------

2 1 1/2
ekil (a)

1/4

1/4
ekil (b)

ekil 1.2- Deiik karbon direnler a) Kk gl direncin kesit grnts b) Deiik gteki direnlerin 1/1 grnts

10

TEMEL ELEKTRONK TELL DRELER

Kaya

Telli direnler gerek sabit diren, gerekse de ayarlanabilen diren olmak zere, deiik glerde ve omajlar da retilebilmektedir. Telli Direncin Yaps: Telli direnlerde, scaklkla diren deerinin deimemesi ve dayankl olmas iin, Nikel-Krom, Nikel-Gm ve konstantan kullanlr. Telli direnler genellikle seramik gvde zerine iki katl olarak sarlr. zeri neme ve darbeye kar verniklidir. Yalnzca, ekil 1.3(b)'de grld gibi ayarl dirente, bir hat boyunca tellerin zeri kaznr. 10 Ohm ile 100 KOhm arasnda 30 W 'a kadar retilmektedir. Balca kullanm alanlar: Telekominikasyon ve kontrol dorultucularda kullanlr. Tellerin ift katl sarlmasyla endksiyon etkisi kaldrlabildiinden yksek frekans devrelerinde tercih edilir. Kk gllerde snmayla direnci deimediinden l aletlerinin ayarnda etalon (rnek) diren kullanlr. Dezavantajlar: Diren telinin kopmas, ok yer kaplamas ve byk gl olanlarnn snmas gibi dezavantajlar vardr.

11

TEMEL ELEKTRONK FLM DRENLER

Kaya

Film kelimesi dilimize ngilizce 'den gemitir. Trke karl zar ve erit anlamna gelmektedir. ekil 1.4 'ten anlald gibi diren erit eklinde yaltkan bir gvde zerine sarlmtr. Bu durumu, bir fotoraf filminin sarlna benzetebiliriz.

ekil 1.4 - Film direncin i grnm

ki tr film diren vardr: 1) nce film direnler 2) Kaln film direnler 1- nce Film Direnler: nce film direnler u ekilde retilmektedir. Cam veya seramik silindirik bir ubuk zerine "Saf Karbon","Nikel - Karbon","Metal Cam tozu" karm "Metal oksit" gibi deiik diren sprey eklinde pskrtlr. Pskrtlen bu diren maddesi, ok ince bir elmas ula veya Lazer nyla ekil 1.4 'te grld gibi, belirli bir genilikte, spiral eklinde kesilerek erit sarglar haline dntrlr. erit sargdan biri karlarak dier sargnn sarmlar aras izole edilir. erit genilii istenilen ekilde ayarlanarak istenilen diren deeri elde edilir. 2- Kaln Film (Cermet) Direnler: Kaln film direnler, seramik ve metal tozlar kartrlarak yaplr. Seramik ve metal tozu karm bir yaptrc ile hamur haline getirildikten sonra, seramik bir gvdeye erit halinde yaptrlr frnda yksek scaklkta piirilir.

12

TEMEL ELEKTRONK Yukarda aklanan yntemle, hem sabit hem de ayarl diren yaplmaktadr. Balca kullanm alanlar:

Kaya

Tablo 1.1 'de grld gibi, film direnler tolerans en kk olan direnlerdir. Yani, istenilen deer tam tutturulabilmektedir. Bu nedenle hassas diren gerektiren elektronik devreler iin ok nemli bir direntir. Ayrca maksimum akmda bile deeri pek deimemektedir.
Diren tipi Bykl Tolerans Maksimum gc Ykteki deer deiimi Maksimum dayanma gerilimi Yaltkanlk direnci Gerilim sabiti Karbon diren 10W-22MW %10 250mW %10 nce film direnler Karbon 10W-2MW %5 250mW %2 Metal 10W-1MW %2 500mW %1 Metal kaln film (cermet) diren 10W-68MW %2 500mW %0,5 Telli diren 0,25W-10KW %5 2,5W %1

150V 109W 2000ppm/V

200V 10W 100ppm/V -40C +125C -1200 ppm/C

350V 10W 10ppm/V -55C +150C 250 ppm/C

250V 10W 10ppm/V -55C +150C 100 ppm/C

200V 10W 1ppm/V -55C +185C 200ppm/C

alabildii -40C scaklk aral +105C Scaklk sabiti Grlts 10MW - 6V/V Lehim etkisi %2 1200 ppm/C 1 kW - 2V/V,

1V/V %0,5

0,1V/V %0,15

0,1V/V %0,15

0,01V/V %0,05

13

TEMEL ELEKTRONK NOT:

Kaya

1) 1ppm = 10-6 Ohm bana deiim miktar. 2) Scaklk sabiti "+" ppm: Isndka artan diren 3) Scaklk sabiti "-" ppm: Isndka azalan diren rnein; saf karbon direncin: Scaklk sabiti -1200ppm/C olup scakln her 1 artnda, direnci Ohm bana, 1200ppm=1200*10-6 =0,0012 Ohm azalmaktadr. 4) Scaklk sabiti "" ppm: sndka artan, 0 C 'nin altnda soutulurken azalan diren. rnein; Bakrn direnci -234 'ta sfr olmaktadr. 5) Gerilim sabiti: Dirence uygulanan gerilimin bykl orannda, direnci yukarda verilen deer kadar dmektedir. rnein; 150 Ohm 'luk bir "karbon film dirence" 30V uygulandnda direnci 30*150*10-6=0,45 kadar decektir.

AYARLI SRENLER Yaplar: Ayarl direnler, diren deerinde duruma gre deiiklik yaplmas veya istenilen bir deere ayarlanmas gereken devrelerde kullanlrlar. Karbon, telli ve kaln film yapda olanlar vardr. Aada eitlerini anlatrken yaplar da daha geni olarak anlatacam. eitleri: Ayarl direnler iki ana gruba ayrlr: 1) Reostalar 2) Potansiyometreler

REOSTALAR Reostalar, ekil 1.6 'da verilmi olan sembollerinden de anlald gibi iki ulu ayarlanabilen direnlerdir. Bu iki utan birine bal olan kayc u, diren zerinde gezdirilerek, diren deeri deitirilir.

14

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 1.6 - Reostann deiik semboller ile gsterili Reostalarn da karbon tipi ve telli tipleri vardr. Srekli diren deiimi yapan reostalar olduu gibi, kademeli deiim yapan reostalarda vardr. Reostalarn balca kullanm alanlar: Laboratuarlarda etalon diren olarak, yani diren deerlerinin ayarlanmasnda ve kpr metodunda diren lmlerinde, deiken diren gerektiren devre deneylerinde, rnein diyot ve transistor karakteristik erileri karlrken giri, k gerilim ve akmlarnn deitirilmesinde ve benzeri deiken diren gerektiren pek ok ilemde kullanlr. POTANSYOMETRELER Potansiyometreler ekil 1.8 'de grld gibi ulu ayarl orta u, diren zerinde gezinebilir.

Tablo 1.8 - Potansiyometrenin gerilim blc olarak kullanlmas Potansiyometreler, yine ekil 1.8 'de belirtilmi olduu gibi diren deerinin deitirilmesi yoluyla gerilim blme, dier bir deyimle k gerilimini ayarlama ilemini yapar. Potansiyometrelerin balca uygulama alanlar Tablo 1.3 'de verilmitir.

15

TEMEL ELEKTRONK Potansiyometre eitleri: Potansiyometreler aadaki grup altnda toplanabilir. 1) Karbon Potansiyometreler 2) Telli Potansiyometreler 3) Vidal Potansiyometreler 1. KARBON POTANSYOMETRELER

Kaya

Karbon potansiyometreler, mil kumandal veya bir kez n ayar yaplp, braklacak ekilde retilmektedir. Ayar iin tornavida kullanlr. Bu trdeki potansiyometreye "Trimmer potansiyometre" (Trimpot) denmektedir.
ekil 1.10 - Lineer ve logaritmik potansiyometrelerin karakteristik erileri A: Lineer potansiyometre k gerilimindeki deiim B: Logaritmik potansiyometre k gerilimindeki

ekil 1.10 'da gsterilmi olduu gibi karbon potansiyometreler. Lineer (dorusal) veya logaritmik (erisel) gerilim ayar yapacak ekilde retilir. eklin kesinde karakteristik erileri karlan potansiyometre grlmektedir. Yatay koordinat ekseni, potansiyometre frasnn "a" ucuna gre dn asn, gsteriyor. Dey koordinat ekseni ise, a-s ularndan alnan Vas geriliminin , a-e ular arasndaki Vae gerilimine orann (Vas/Vae) gstermektedir. Ayn eyleri diren deerleri zerinde de sylemek mmkndr. ekilde, noktal olarak izilmi olan A dorusu, lineer potansiyometreye, B erisi ise logaritmik potansiyometreye aittir. 16

TEMEL ELEKTRONK Potansiyometre fras "a" ucunda iken Vas k gerilimi sfr 'dr. Frann 90 dndrlm olduunu kabul edelim:

Kaya

Potansiyometre lineer ise; Vas = 32/100*Vae = 0,32Vae olur. Potansiyometre logaritmik ise; Vas = 8/100*Vae = 0,08Vae olur. ve ton kontrolnde logaritmik potansiyometrelerin

Ykseltelerde volm kullanlmas uygun olur.

Direnlerin hangi trden olduunun anlalmasn salamak iin, omaj deerinden sonra "lin" veya "log" kelimeleri yazlr. 2. TELL POTANSYOMETRELER Telli potansiyometreler, bir yaltkan ember zerine sarlan teller ile balant kuran fra dzeninden olumaktadr.bu tr potansiyometrelerin zeri genellikle aktr. Tel olarak Nikel-Krom veya baka rezistans telleri kullanlr. 3. VDALI POTANSYOMETRELER Vidal potansiyometrede, sonsuz vida ile oluturulan direnci taramaktadr. zerinde hareket eden bir fra, kaln film (Cermet) yntemiyle oluturulan direnci taramaktadr. Fra potansiyometrenin orta ayana baldr. Bylece orta ayak zerinden istenilen deerde ve ok hassas ayarlanabilen bir k alnabilmektedir. Potansiyometrelerin balca kullanm alanlar: Potansiyometreler elektronikte balca ama iin kullanlrlar; 1) n ayar iin 2) Genel amal kontrol iin 3) nce ayarl kontrol iin Bu kullanlma amac iin potansiyometreden beklenen zellikler. Tablo 1.4 'te zetlenmitir. Ayrca, Tablo 1.5 'te de yukarda aklanan potansiyometre trnn kyaslanmas yaplmtr.

17

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Tablo 1.4. Potansiyometrelerin Kullanlma yerlerine gre zellikleri Uygulama rnei Darbe jenaratorun de darbe genilii ayar Ykseltete ses ve ton ayar Skoptaki genlik ayar, haberlemede frekans ayar Seim Tlerans Dorusallk (Lineerite) Kararllk (Stabilite) Yksek %2 Orta %10 Yksek %0.5 mr boyunca ayar gereksinimi

Tipi

n ayar

%20

nemli deil

50 'den az

Genel amal kontrol nce ayarl kontrol

%20

%10

10000

%20

%0.5

50000

Tablo 1.5. Potansiyometrelerin kyaslama tablosu Tipi Tr Deeri Tolerans Gc (W) Scaklk sabiti Kararllk (Stablite) mr

Karbon pot. Lineer veya 100-10M (Trimmer) logaritmik

%20

0.5-2

Telli pot. Vidal pot.

Lineer Lineer

10-100K 10-500K

%5 %3 %10

3 1

700 ppm/C 100 K %20 altnda 1000 ppm/C 100 K stnde 100 %5 ppm/C %2 50 ppm/C 200 ppm/C %5

20000 dn

20000 - 100000 ars dn 500 kademe

DEK DRENLER TERMSTR (TERMNSTANS) Termistrler snnca direnci deien elemanlardr. Termistrler scaklk sabitine gre ikiye ayrlrlar: 1) Pozitif scaklk sabitine sahip direnler (PTC) 2) Negatif scaklk sabitine sahip direnler (NTC)

18

TEMEL ELEKTRONK 1. PTC DRENLER

Kaya

Pozitif scaklk sabitine (PTC) sahip direnler snd zaman, diren deeri byr. Metaller, zellikle de baryum titamat ve fungsten bu zellie sahiptir. ok deiik kullanm alanlar vardr. rnein: Rleye paralel balanan PTC diren rlenin gecikmeli ekmesini salar. Florasan lambalarda da starter yerine PTC diren kullanlabilmektedir. 2. NTC DRENLER NTC direnler, snd zaman diren deerleri der, Germanyum, Silikon, ve metal oksitler gibi maddelerden retilir. ekil 1.13' de bir NTC termistre ait karakteristik erileri verilmitir.

ekil 1.13- NTC Termistr karakteristik erileri

19

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

a) 40C' ye kadar stlan bir ortamdaki termistr b) eiik scaklklardaki Akm-gerilim (I,V) bants NTC Termistrnn kullanm alanlar: NTC termistrlerin ok deiik kullanm alanlar vardr.

direncindeki

deiim;

Motor ve transformatr gibi ar snmas istenmeyen sistemlere yerletirilen NTC termistrn direnci fazla snmadan dolay klen bir alarm ve koruma devresini harekete geirir. Bir su deposunda seviye kontrol iin yerletirilen NTC direnci su seviyesi dnce, snarak pompa devresini altrr. Bir motora seri balanan NTC diren nce kk akm ekerek gvenli yol almasn salar. Rleye seri balanan NTC diren rlenin gecikmeli almasn salar.

FOTOREZSTANS Fotorezistansn alma prensibi NTC direncin alma prensibine yakndr. Fotorezistanslar, k etkisi altnda kalnca direnci klen elemanlardr. En ok kullanlan fotorezistans maddesi kadmiyum slfrdr. Kadmiyum slfrden yaplm olan bir fotorezistansn karanlktaki direnci 10 MOhm olduu halde, gn nda 1 KOhm' a dmektedir.

20

TEMEL ELEKTRONK

BLM 2
Kaya

KONDANSATRLER
nbilgiler: Kondansatr, DC akm geirmeyip, AC akm geiren devre elemandr. Yaps: Kondansatr ekil 1.6' da grld gibi, iki iletken plaka arasna yaltkan bir maddenin yerletirilmesi veya hi bir yaltkan kullanlmakszn hava aral braklmas ile oluturulur. Kondansatrler yaltkan maddenin cinsine gre adlandrlr. Kondansatrn sembol: Deiik yapl kondansatrlere gre, kondansatr sembollerinde baz kk deiiklikler vardr.

21

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Harf Olarak "C"

KONDANSATRN ALIMA PRENSB: Kondansatrn bir DC kaynana balanmas ve arj edilmesi: ekil 1.17(a)' da grld gibi kondansatr bir DC kaynana balanrsa, devreden ekil 1.17(b)' de grld gibi, geici olarak ve gittike azalan Ic gibi bir akm akar. Ic akmnn deiimini gsteren eriye kondansatr zaman diyagram denir. Akmn kesilmesinden sonra kondansatrn plakalar arasnda, kaynan Vk gerilimine eit bir Vc gerilimi oluur. Bu olaya, kondansatrn arj edilmesi, kondansatre de arjl kondansatr denir. "arj" kelimesinin Trke karl "ykleme" yada "doldurma" dr.

ekil 1.17- Kondansatrn DC kaynana balanmas a) Balant devresi b) Zaman diyagram c) Vc gerilim oluumu

22

TEMEL ELEKTRONK Kondansatr Devresinden Akm Nasl Akmaldr?

Kaya

ekil 1.17(a)' daki devrede, S anahtar kapatldnda ayn anda kondansatr plakasndaki elektronlar, kaynan pozitif kutbu tarafndan ekilir, kaynan negatif kutbundan kan elektronlar, kondansatre doru akmaya balar. Bu akma ilemi, kondnsatrn plakas daha fazla elektron veremez hale gelinceye kadar devam eder. Bu elektron hareketinden dolay devreden bir Ic akm geer. Ic akmnn yn elektron hareketinin tersi ynndedir. Devreden geen Ic akm, bir DC ampermetresi ile gzlenebilir. S anahtar kapannca ampermetre ibresi nce byk bir sapma gsterir. Sonra da, ibre yava yava sfra gelir. Bu durum devreden herhangi bir akm gemediini gsterir. Ic akmna arj akm denir. Devre akmnn kesilmesinden sonra yukarda da belirtildii gibi kondansatr plakalar arasnda Vc=Vk oluur. Vc gerilimine arj gerilimi denir. Vc geriliminin kontrol bir DC voltmetre ile de yaplabilir. Voltmetrenin "+" ucu, kondansatrn, kaynan pozitif kutbuna bal olan plakasna, "-" ucu da dier plakaya dokundurulursa Vc deerinin ka volt olduu okunabilir. Eer voltmetrenin ular yukarda anlatlann tersi ynde balanrsa voltmetrenin ibresi ters ynde sapar.

KONDANSATRDE YK, ENERJ VE KAPASTE

arj ilemi sonunda kondansatr, Q elektrik ykyle yklenmi olur ve bir Ec enerjisi kazanr. Kondansatrn yklenebilme zelliine kapasite (sa) denir. C ile gsterilir. Q, Ec, C ve uygulanan V gerilimi arsnda u balant vardr. Q=C.V 1) 2) 3) 4) Ec=CV2/2

Q: Coulomb (kulomb) V: Volt C: Farad (F) Ec: Joule (Jul)

23

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Yukardaki balantdan da anlald gibi, C kapasitesi ve uygulanan V gerilimi ne kadar byk ise Q elektrik yk ve buna bal olarak devreden akan Ic akm da o kadar byk olur. Kondansatrn kapasite forml:

0: (Epsilon 0): Boluun dielektrik katsays ( 0=8.854.1012) r: (Epsilon r): Plakalar arsnda kullanlan yaltkan maddenin ZAF1 dielektrik (yaltkanlk) sabiti.(Tablo 1.6) 1) A: Plaka alan 2) d: Plakalar aras uzaklk A ve d deerleri METRK sistemde (MKS) ifade edilirse, yani, "A" alan (m) ve "d" uzakl, metre (m2) cinsinden yazlrsa, C' nin deeri FARAD olarak kar. rnein: Kare eklindeki plakasnn her bir kenar 3 cm ve plakalar aras 2 mm olan, hava aralkl kondansatrn kapasitesini hesaplayalm. A ve d deerleri MKS' de yle yazlacaktr: A=0,03*0,03=0,0009m2 = 9.10-4 m2 d=2mm=2.10-3m 0 = 8,854.10-12

Hava iin r=1 olup, deerler yerlerine konulursa: C=8,854.10-12.4,5.10-1=39,843.10-13 NOT: ZAF kelimesi, yaltkan maddenin yaltkanlk zelliinin boluunkinden olan farkn gstermesi nedeniyle kullanlmaktadr. zafinin, z trkesi, "greceli" dir.
1

F=3,9PF (Piko Farad)1 olur.

24

TEMEL ELEKTRONK Tablo 1.6. Baz yaltkan maddelerin r sabitleri zafi Yaltkanl k Katsays ( r) 1 2-3 2-3 3-7 4-7

Kaya

CNS

CNS

zafi Yaltkanl k Katsays ( r) 5-7 6-7 4-6

Hava Lastik Kat Seramik Cam

Mika Porselen Bakalit

AC DEVREDE KONDANSATR: Yukarda DC devrede aklanan akm olay, AC devrede iki ynl olarak tekrarlanr. Dolaysyla da, AC devredeki kondansatr, akm akna kar bir engel tekil etmemektedir. Ancak bir diren gsterir. Kondansatrn gsterdii dirence kapasitif reaktans denir. Kapasitif reaktans, Xc ile gsterilir. Birimi Ohm(W) dur. 'Ohm olarak hesaplanr. 1) Xc = Kapasitif reaktans (W) 2) = Asal hz (Omega) 3) f = Frekans (Hz) 4) C = Kapasite (Farad) Yukardaki balantdan da anlald gibi, kondansatrn Xc kapasitif reaktans; C kapasitesi ve f frekans ile ters orantldr. Yani kondansatrn kapasitesi ve alma frekans arttka kapasitif reaktans, dier bir deyimle direnci azalr.

25

TEMEL ELEKTRONK SABT KONDANSATR: Sabit kondansatrler kapasitif deeri deimeyen kondansatrlerdir. Yaps ve eitleri: Kondansatrler, yaltkan maddesine gre adlandrlmaktadrlar. Sabit kondansatrler aadaki gibi gruplandrlr: 1) 2) 3) 4) 5) Katl Kondansatr Plastik Film Kondansatr Mikal Kondansatr Seramik Kondansatr Elektrolitik Kondansatr

Kaya

KAITLI KONDANSATR Kondansatrlerin kapasitesini arttrmak iin levha yzeylerinin byk ve levhalar arasnda bulunan yaltkan madde kalnlnn az olmas gerekir. Bu artlar gerekletirirken de kondansatrn boyutunun mmkn olduunca kk olmas istenir. Bu bakmdan en uygun kondansatrler katl kondansatrlerdir. ok yaygn bir kullanm alan vardr. ekil 1.18 'de grld gibi bir kat, bir folyo ve yine bir kat bir folyo gelecek ekilde st ste konur. Sonra da bu erit grubu silindir eklinde sarlr. Balant ular (elektrotlar) yine ekil 1.18 'de grld gibi, aliminyum folyolara lehimlenir. Oluturulan silindir, izole edilmi olan metal bir gvdeye konarak az mumla kapatlr. Yada zeri reine veya lak ile kaplanr. ekil 1.22 'de katl kondansatrlerin d grntleri verilmitir.

26

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 1.18 - Katl kondansatr

PLASTK FLM KONDANSATR Plastik film kondansatrlerde kat yerine plastik bir madde kullanlmaktadr. Bu plastik maddeler: Polistren, poliyester, polipropilen olabilmektedir. Hassas kapasiteli olarak retimi yaplabilmektedir. Yaygn olarak filtre devrelerin de kullanlr. retim ekli kat kondansatrlerin aynsdr.

27

TEMEL ELEKTRONK MKALIK KONDANSATR

Kaya

Mika, " r" yaltkanlk sabiti ok yksek olan ve ok az kaypl bir elemandr. Bu zelliklerinden dolay da, yksek frekans devrelerinde kullanlmaya uygundur. Mika tabiatta 0.025 mm 'ye kadar ince tabakalar halinde bulunur. Kondansatr retiminde de bu mikalardan yararlanlr. ki tr mikal kondansatr vardr: 1) Gm kapalnm mikal kondansatr. 2) Aliminyum folyolu kaplanm mikal kondansatr.

GM KAPLANMI MKALIK KONDANSATR Bu tr kondansatrlerde mikann iki yzne gm skrtlmektedir. Oluturulan kondansatre d balant elektrotlar lehimlenerek mum veya reine gvde ierisine yerletirilir. ALMNYUM FOLYO KAPLANMI MKALIK KONDANSATR Gm kaplama ok ince olduundan, bu ekilde retilen kondansatr byk akmlara dayanamamaktadr. Byk akml devreler iin, mika zerine alminyum folyo kaplanan kondansatrler retilmektedir. Mikal kondansatr ayarl (trimmer) olarak ta retilmektedir. SERAMK KONDANSATR Seramiin yaltkanlk sabiti ok byktr. Bu nedenle, kk hacimli byk kapasiteli seramik kodansatrler retilebilmektedir. Ancak, seramik kondansatrlerin kapasitesi, scaklk, frekans ve gerilim ile %20 'ye kadar deitiinden, sabit kapasite gerektiren almalarda kullanlamaz. Fakat, frekens hassasiyetinin nemli olmad kuplaj, dekuplaj (by-pass) kondansatr olarak ve scak ortamlarda kullanlmaya uygundur.

28

TEMEL ELEKTRONK ELEKTROLTK KONDANSATR

Kaya

Elektrolitik kondansatrler byk kapasiteli kondansatrlerdir. Yaygn bir kullanm alanan vardr. zellikle, dorultucu filtre devrelerinde, gerili

29

TEMEL ELEKTRONK

BLM 3
Kaya

BOBNLER
SABT BOBNLER VE YAPILARI
Bobin bir yaltkan makara (mandren veya karkas) zerine belirli saydaki sarlm tel grubudur. Kullanm yerine gre, makara ierisi bo kalrsa haval bobin, demir bir gbek (nve) geirilirse nveli bobin d verilir. Bobinin her bir sarmna spir denir. ekil 1.28' de bobin sembolleri verilmitir. Aadaki st srada bulunan semboller eski alt srada bulunan semboller yeni gsterilim eklidir.

ekil 1.27 - Deiik Bobin Sembolleri

BOBNDEK ELEKTRKSEL OLAYLAR Bilindii gibi bir iletkenden akm geirildiinde, iletken etrafnda bir magnetik alan oluur. Bu alan kat zerinde daireler eklindeki kuvvet izgileri ile sembolize edilir. Bir bobinden AC akm geirildiinde, ekil 1.29' da grld gibi bobin sarglarn evreleyen bir magnetik alan oluur. Akm byyp klne ve yn deitirmesine bal olarak bobinden geen kuvvet izgileri oalp azalr ve yn deitirir. Bobine bir DC gerilim uygulanrsa, magnetik alan meydana gelmeyip bobin devrede bir diren zellii gsterir.

30

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 1.29 - iinden akm geen bobindeki Magnetik alan kuvvet izgileri

ZIT ELEKTRO MOTOR KUVVET (EMK) Bobin ierisindeki kuvvet izgilerinin deiimi, bobinde zt elektromotor kuvvet (zt EMK Ez) ad verilen bir gerilim endkler. Bu gerilimin yn ekil 1.30 'da gsterilmi olduu gibi kaynak gerilimine ters yndedir. Dolaysyla da zt EMK, bobinden, kaynak geriliminin oluturduu akma ters ynde bir akm aktmaya alr. Bu nedenledir ki, kaynak geriliminin oluturduu "I" devre akm, ancak T/4 periyot zaman kadar ge akmaya balar. Zt EMK 'nn ilevi, LENZ kanunu ile yle tanmlanmtr. LENZ kanununa gre zt EMK, bymekte olan devre akmn kltc, klmekte olan devre akmn ise byltc ynde etki yapar.

ENDKTF REAKTANS (X) Bobinin, iinden geen AC akma kar gsterdii dirence endktif reaktans denir. Endktif reaktans XL ile gsterilir. Birimi "Ohm" dur. yle ifade edilir:

: Asal hz f: Uygulana AC gerilimin frekans birimi, Herzt (Hz) 'dir. L: Bobinin endktans olup birimi, Henry (H) 'dir.

31

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 1.30. Zt EMK 'nn etkisi

a) AC kaynak geriliminin pozitif alternansndaki devre akm.

b) Kaynak gerilimi (v), devre akm (i) ve zt EMK (Ez) arasndaki bant "L" nin deeri bobinin yapsna baldr. Bobinin sarm says ve kesit alan ne kadar byk olursa, "L" o kadar byk olur. Dolaysyla AC akma gsterdii dirente o oranda byr. "L" nin birimi yukarda da belirtildii gibi Henry (H) 'dir. Ancak genellikle deerler ok kk olduundan "Henry" olarak yazmda ok ksrl say kar. Bunun iin miliHenry (mH) ve mikrohenry (H) deerleri kullanlr. Henry, miliHenry ve mikroHenry arasnda u bant vardr.

32

TEMEL ELEKTRONK KARILIKLI ENDKTANS (M)

Kaya

Ayn nve zerine sarl iki bobinin birinden akm geirildiinde, bunun nvede oluturduu kuvvet izgileri dier sargy da etkileyerek, bu sargnn iki ucu arasnda bir gerilim oluturur. Bu gerilime endksiyon gerilimi denir. Bu ekilde iletiim, karlkl (ortak) endktans denen belirli bir deere gre olmaktadr. Karlkl endktans (M) ile gsterilir ve u ekilde ifade edilir: M= L1 ve L2, iki bobinin self endktansdr.

M 'in birimi de Henry(H) 'dir. yle tanmlanr: Ayn nve zerindeki iki bobinin birincisinden geen 1 amperlik AC akm 1 saniyede, ikinci bobinde 1V 'luk bir gerilim endkliyorsa iki bobin arasndaki karlkl endktans M=1 Henry 'dir. Bobinler seri balanrsa toplam endktans: L=L1+L2+L3+.......... Ayn nve zerindeki iki bobin seri balanrsa: L=L1+L22M olur. ekil 1.31 'de deiik bobin grntleri verilmitir. olur.

BOBNN KULLANIM ALANLARI Bobinin elektrik ve elektronikte yaygn bir kullanm alan vardr. Bunlar kullanm alanlarna gre yle sralanabilir. Elektrikte:

Dorultucular da ok bobini Transformatr Istc v.b. Elektromknats (zil, elektromagnetik vin)

33

TEMEL ELEKTRONK Elektronikte:

Kaya

Osilatr Radyolarda ferrit anten eleman (Uzun, orta, ksa dalga bobini) Telekomnikasyonda frekans ayar (ayarl gbekli bobin) Telekomnikasyonda rle Yksek frekans devrelerinde (haval bobin)

zellikle de radyo alc ve vericilerinde de anten ile balantda deiik frekanslarn (U.D,O.D,KD) alm ve gnderiminde ayn ferrit nveyi kullanan deiik bobinler ve bunlara paralel bal kondansatrlerden yararlanr. a) Ayarl hava nveli bobin b) Ayarl demir nveli bobin c) Ayarl ferrit nveli bobin d) Sabit hava nveli bobinler e) Demir ekirdekli bobin f) iltli ses frekans ok bobini g) G kayna ok bobini h) Toroid i) iltli, yksek endktansl ok bobini Konular:
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

Atomik Yap Yariletken, letken ve Yaltkan Kovelant Band Yariletkenlerde iletim N ve P tipi Madde PN Bitiimi ve Diyot

Elektronik devre tasarm ve elektronik cihazlarn retiminde kullanlan diyotlar, transistrler, gelimi entegre devreler (Ics) yar iletken materyallerden yaplmtr. Diyot, transistr, tmdevre (entegre) v.b adlarla tanmlanan elektronik devre elemanlarnn bir ou ekil-1.1de resimlenmitir. Elektronik sistemlerde bu gibi cihazlar zel ekillerde birbirlerine balandklarnda sahip olduklar karakteristikleri tam anlamyla yerine getirirler. Sonraki blmlerde, eitli cihazlarn olas sistem uygulamalarnda kullanln reneceksiniz. Elektronik cihazlarn nasl altn anlamak iin atomik teorinin temel bilgisine ve yar iletken materyallerinin yaps hakknda bilgiye ihtiya duyarsnz ki; iki eit yar iletken materyalin birleiminden oluan PN birleimi bu birleimle ortaya kan bir ok yar iletken cihazn almasna temel oluturur.

34

TEMEL ELEKTRONK 1.1 ATOMK YAPI

Kaya

Tm maddeler atomlardan oluur. Atomlar ise; elektronlar, protonlar ve ntronlardan meydana gelir. Yariletken maddelerin nasl altn anlamak iin atomlar hakknda bilgiye ihtiya duyarsnz. Bu blmde; atomlar, elektron yrngeleri ve kabuklar, saak elektronlar, iyonlar ve iki byk yar iletken materyal olan silisyum ve germanyum elementinin temel yaps hakknda bilgi edineceksiniz. Germanyum ve silisyum elementleri olduka nemlidir. nk elektronik devre elemanlarnn retiminde kullanlan temel yariletken materyallerdir. Yariletken materyaller elektrik akm ve geriliminin iletilmesi ve kontrol edilmesinde olduka etkin rol oynarlar. Yeryznde bilinen 109 element vardr. Bir elementin zelliklerini belirleyen en kk yapta ise atomlardr. Bilinen btn elementlerin atomik yaplar birbirinden farkldr. Atomlarn birlemesi elementleri meydana getirir. Klasik bohr modeline gre atom, ekil-1.2de gsterildii gibi 3 temel paracktan oluur. Bunlar; elektron, proton ve ntrondur. Atomik yapda; ntron ve protonlar merkezdeki ekirdei oluturur. Elektronlar ise ekirdek etrafnda sabit bir yrngede dolarlar.

ekil 1-1 : Bohr modeline gre atom. Elektronlar, negatif ykn temel nesneleridirler. Bilinen btn elementleri bir birinden ayran temel zellik, atomlarnda bulunan proton ve ntron saylardr. Her bir atomun, proton ve ntron saylar fakldr. rnein, en basit yapya sahip atom, hidrojen atomudur. Hidrojen atomu; ekil-1.2.ada gsterildii gibi bir proton ve bir elektrona sahiptir. ekil-1.2.bde gsterilen helyum atomunun yrngesinde iki elektron, ekirdeinde ise iki proton ve iki ntron bulunmaktadr.

35

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekirdek yrngesinde 1 elekton

ekirdek yrngesinde 2 elekton

+ +

1 Protonlu ekirdek 2 Protonlu ve 2 Ntronlu ekirdek

a) Hidrojen Atomu

b) Helyum Atomu

ekil- 1.2 Hidrojen ve Helyum atomlar Atom Numaras ve Arl Btn elementler atom numaralarna uygun olarak periyodik tabloda belirli bir dzen iinde dizilmilerdir. Proton saylar ile elektron saylar eit olan atomlar, elektriksel adan kararl (ntral) atomlardr. Elementler, atom arlna gre de belirli bir dzen iindedirler. Atom arl yaklak olarak ekirdekteki proton saylar ile ntron saylarnn toplam kadardr. rnein hidrojenin atom numaras 1dir ve atom arl da 1dir. Helyumun atom numaras 2dir ve atom arl ise 4 tr. Normal veya tarafsz durumda verilen her hangi bir elementin btn atomlarndaki; elektron ve proton saylar eittir. Elektron Kabuklar ve Yrngeler Bir atomun, elektron ieren yrngeleri ekirdekten belirli uzaklktadr. ekirdee yakn olan yrngedeki elektronlar, ekirdee uzak olan yrngedeki elektronlardan daha az enerjiye sahiptir. ekirdee farkl uzaklklarda bulunan yrngelerdeki elektronlar belirli enerji seviyelerine uyar. Atomda, enerji bantlar eklinde gruplam yrngeler kabuk (shell) olarak bilinirler. Verilen her bir atom, sabit kabuk saysna sahiptir. Kabuklarda barnan elektronlar ise belirli bir sistem dahilinde dizilirler. Her bir kabuk, izin verilen sayda maksimum elektron barndrr. Bu elektronlarn enerji seviyeleri deimez. Kabuk iindeki elektronlarn enerji seviyeleri bir birinden azda olsa kk farkllklar gsterir. Fakat; kabuklar arasndaki enerji seviyelerinin fark ok daha byktr. ekirdek etrafnda belirli bir yrngeyi oluturan kabuklar, k-l-m-n olarak gsterilirler. ekirdee en yakn olan kabuk k dr. k ve l kabuklar ekil-1.4 de gsterilmitir.

36

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

enerji seviyesi
W6 2. Kabuk k W5 W4 W3

Bu elektron en yksek enerjiye sahiptir.

1. Kabuk l

W2 W1

ekirdek W= Enerji r = ekirdekten uzaklk Bu elektron en dk enerjiye sahiptir.

ekil- 1.3 ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri. Valans Elektronlar Elektronlar ekirdekten uzaktadr ve ekirdekten ayrlma eilimindedir. ekirdek elektronun bu ayrlma eilimini dengeleyecek gtedir. nk elektron negatif ykl, ekirdek pozitif ykldr. ekirdekten uzakta olan elektronun negatif yk daha fazladr. Bu durum merkezden kama kuvvetini dengelemektedir. Bir atomun en dtaki kabuu, en yksek enerji seviyeli elektronlara sahiptir. Bu durum onu atomdan ayrlmaya daha eilimli hale getirir. Valans (deer) (atomun deerini ayarlayan elektronlar) elektronlar kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapsna katk salar. Bir atomun en d kabuundaki elektronlar, ekirdek etrafnda simetrik olarak hareket ederler ve kendi aralarnda bir ba olutururlar. Bu baa kovelant ba denir. Atomun en d kabuundaki elektronlara ise valans elektron ad verilir. Komu atomlarn en d kabuklarndaki elektronlar (valans elektronlar) kendi aralarnda valans iftleri olutururlar.

37

TEMEL ELEKTRONK yonizasyon

Kaya

Bir atom s kaynandan veya ktan enerjilendii zaman elektronlarnn enerji seviyeleri ykselir. Elektronlar enerji kazandnda ekirdekten daha uzak bir yrngeye yerleir. Bylece Valans elektronlar daha fazla enerji kazanr ve atomdan uzaklama eilimi artar. Atomun bu enerji eilimi sonucu elektronlar daha yksek yrngelere atlarlar. (Dardan enerji uyguland zaman) Bir valans elektronu yeterli miktarda bir enerji kazandnda ancak bir st kabua kabilir ve atomun etkisinden kurtulabilir. Pozitif arjn ar artmas ile (protonlar elektronlardan daha fazla olmas) atomu bir nceki ntr deere getirmek iin valans elektronlar harekete geer. Valans elektronunu kaybetme ilemi YONZASYON olarak bilinir ve atom pozitif arj ile yklenmi olur ve pozitif iyon olarak adlandrlr. rnein; hidrojenin kimyasal sembol Hdr. Hidrojenin Valans elektronlar kaybedildiinde ve pozitif iyon adn aldnda H+ olarak gsterilir. Atomdan kaan Valans elektronlar serbest elektron olarak adlandrlr. Serbest elektronlar, ntr hidrojen atomunun en d kabuuna doru akar. Atom negatif yk ile yklendiinde (arj edildiinde) (elektronlarn, prontonlardan fazla olmas) negatif iyon diye adlandrlrlar ve H- olarak gsterilirler.

1.2

YARILETKEN, LETKEN VE YALITKAN Byn materyaller; elektrik enerjisine gsterdikleri tepkiye bal olarak balca 3 gruba ayrlrlar. Bu guruplar; iletken, yaltkan ve yariletken olarak tanmlanr.Bu blmde; zellikle yariletken maddelerin temel yapsn inceleyerek, iletken ve yaltkan maddelerle aralarndaki farklar ortaya koymaya alacaz.

Tm materyaller atomlardan oluur. Materyallerin atomik yaps, materyalin elektrik enerjisine kar gsterecekleri tepkiyi belirlerler. Genel bir atomik yap; merkezde bir ekirdek ve ekirdei evreleyen yrngelerden olumaktadr. Materyalin iletken veya yaltkan olmasnda atomik yrngede bulunan elektron says ok nemlidir. letken Elektrik akmnn iletilmesine kolaylk gsteren materyallere iletken denir. yi bir iletken zellii gsteren materyallere rnek olarak, bakr, gm, altn ve aliminyumu sayabiliriz. Bu materyallerin ortak zellii tek bir valans elektronuna sahip olmalardr. Dolays ile bu elektronlarn kolaylkla kaybedebilirler. Bu tr elementler; 1 veya birka valans elektrona sahiptirler.

38

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Yaltkan Normal koullar altnda elektrik akmna zorluk gsterip, iletmeyen materyallere yaltkan denir. Yaltkan maddeler son yrngelerinde 6 ile 8 arasnda valans elektron barndrrlar. Serbest elektron bulundurmazlar. Yariletken Yariletken maddeler; elektrik akmna kar, ne iyi bir iletken nede iyi bir yaltkan zellii gsterirler. Elektronik endstrisinin temelini oluturan yariletken maddelere rnek olarak; silisyum (si), germanyum (ge) ve karbon (ca) elementlerini verebiliriz. Bu elementler son yrngelerinde 4 adet valans elektron bulundururlar. Enerji Band Maddelerin iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlmasnda enerji bandlar olduka etkindir. Yaltkan, yariletken ve iletken maddelerin enerji bandlar ekil-1.4de verilmitir. Enerji band bir yaltkanda ok genitir ve ok az sayda serbest elektron ierir. Dolaysyla serbest elektronlar, iletkenlik bandna atlayamazlar. Bir iletkende ise; valans band ile iletkenlik band birbirine girmitir. Dolaysyla harici bir enerji uygulanmakszn valans elektronlarn ou iletkenlik bandna atlayabilir. ekil-1.4 dikkatlice incelendiinde yariletken bir maddenin enerji aral; yaltkana gre daha dar, iletkene gre daha genitir.
Enerji letim Band letim Band
Enerji Aral Enerji Aral

Enerji

Enerji

letim Band Valans Band

0

Valans Band
0 0

Valans Band

a) Yaltkan

a) Yariletken

a) letken

ekil-1.4 farkl Materyal iin enerji diyagram Silisyum ve Germanyum Diyot, transistr, tmdevre v.b elektronik devre elemanlarnn retiminde iki tip yar iletken malzeme kullanr. Bunlar; SLSYUM ve GERMANYUM elementleridir. Bu elementlerin atomlarnn her ikisi de 4 Valans elektronuna sahiptir. Bunlarn birbirinden fark; Silisyumun ekirdeinde 14 proton, germanyumun ekirdeinde 32 proton vardr. ekil-1.5de her iki malzemenin atomik yaps grlmektedir. Silisyum bu iki malzemenin en ok kullanlandr.

39

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

En d yrngede 4 valans elektronu bulunur.

+32 +14

a) Silikon Atomu

b) Germanyum Atomu

ekil-1.4 Silisyum ve germanyum atomlar. Kovelant Ba Kat materyaller, kristal bir yap olutururlar. Slikon, kristallerden olumu bir materyaldir. Kristal yap ierisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent ba denilen balarla balanrlar. Kovelant ba, bir atomun valans elektronlarnn birbirleri ile etkileim oluturmas sonucu meydana gelir. Her silisyum atomu, kendisine komu dier 4 atomun valans elektronlarn kullanarak bir yap oluturur. Bu yapda her atom, 8 valans elektronunun oluturduu etki sayesinde kimyasal kararll salar. Her bir silisyum atomunun valans elektronu, komu silisyum atomunun valans elektronu ile paylam sonucunda kovalent ba oluur. Bu durum; bir atomun dier atom tarafndan tutulmasn salar. Bylece paylalan her elektron birbirine ok yakn elektronlarn bir arada bulunmasn ve birbirlerini eit miktarda ekmesini salar. ekil-1.5 saaf silisyum kristallerinin kovalent balarn gstermektedir. Germanyumun kovalent bada benzerdir. Onunda sadece drt valans elektronu vardr.
Si

Si

Si

Si

Valans Elektronlar

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Kovelant Balar

ekil-1.5 Saf silisyum kristalin kovalent balar.

40

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

1.3

YARILETKENLERDE LETKENLK Bu blmde enerji bantlar ierisinde elektronlarn nasl ynlendiini greceksiniz. ekirdein etrafndaki kabuklar enerji bantlar ile uyumludur. Enerji bantlar birbirlerine ok yakn kabuklarla ayrlmtr. Aralarnda ise elektron bulunmaz. Bu durum ekil-1.6da silisyum kristalinde (dardan s enerjisi uygulanmakszn) gsterilmitir.
Enerji

letim Band

Enerji Aralklar

Valans Band

Enerji Aralklar

2. Band (l kabuu)

Enerji Aralklar

1. Band (k kabuu)

ekirdek 0

ekil-1.6 Durgun silisyum kristalinin enerji band diyagram. Elektronlar ve Boluklarda iletkenlik Saf bir silisyum kristali oda scaklnda baz tepkimelere maruz kalr. rnein; baz valans elektronlar enerji aralklarndan geerek, valans bandndan iletkenlik bandna atlarlar. Bunlara serbest elektron veya iletkenlik elektronlar denir. Bu durum ekil1.7.(a)da enerji diyagramnda, ekil-1.7.(b)de ise ba diyagramnda gsterilmitir. Bir elektron; valans bandndan iletkenlik bandna atladnda, valans bandnda boluklar kalacaktr. Bu boluklara delik=boluk veya hole denir. Is veya k enerjisi yardmyla iletkenlik bandna kan her elektron, valans bandnda bir delik oluturur. Bu durum, elektron boluk ifti diye adlandrlr. letkenlik bandndaki elektronlar enerjilerini kaybedip, valans bandndaki bolua geri dtklerinde her ey yine eski haline dner. zetle; saf silisyumunun iletkenlik bandndaki elektronlarn bir ksm oda scaklnda hareketli hale geer. Bu hareket, malzemenin herhangi bir yerine doru rasgeledir. Bylece valans bandndaki boluk saysna eit miktarda elektron, iletkenlik bandna atlar.

41

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Enerji

Serbest Elektron

letim Band

Serbest Elektron

Si
Is Enerjisi

Enerji Aralklar

Delik

Si
Valans Band
Delik Is Enerjisi

a) Enerji Diyagram

b) Ba Diyagram

ekil-1.7.a ve b. Hareketli bir silisyum atomunda bir elektron boluunun oluturulmas.

Silisyuma kar Germanyum Germanyum kristallerinin durumu silisyuma benzer. nk atomik yaplar da ayndr. Saf germanyum, silisyumdan daha fazla serbest elektrona sahiptir ve daha yksek bir iletkenlie sahiptir. Bununla birlikte silisyum daha ok kullanlan bir malzeme olup germanyumdan daha geni bir alanda kullanlr. Bunun bir sebebi de silisyum germanyumdan daha yksek scaklklarda kullanlabilmesidir. Elektron ve Delik (hole) akm Saf silisyumun bir ksmna gerilim uygulandnda neler olduu ekil-1.8de gsterilmektedir. ekilde iletkenlik bandndaki serbest elektronlarn negatif utan pozitif uca doru gittikleri grlmektedir. Bu; serbest elektronlarn hareketinin olutuu akmn bir trdr. Buna elektron akm denir. Akm oluturan bir dier tip ise valans devresindeki deiimlerdir. Bu ise; serbest elektronlar neticesinde boluklarn olumas ile meydana gelir. Valans bandnda kalan dier elektronlar ise hala dier atomlara bal olup serbest deillerdir. Kristal yap ierisinde rasgele hareket etmezler. Bununla birlikte bir valans elektronu komu bolua tanabilir. (enerji seviyesindeki ok kk bir deiimle). Bylece bir boluktan dierine hareket edebilir. Sonu olarak kristal yap ierisindeki boluklarda bir yerden dier yere hareket edecektir. Bu durum ekil-1-9da gsterilmitir. Boluklarn bu hareketi de akm diye adlandrlr. 1.4 N-TP VE P-TP YARI LETKENLER Yariletken malzemeler, akm iyi iletmezler. Aslnda ne iyi bir iletken, nede iyi bir yaltkandrlar. nk valans bandndaki boluklarn ve ilettim bandndaki serbest elektronlarn says snrldr. Saf silisyum veya germanyumun mutlaka serbest elektron veya boluk says artrlarak iletkenlii ayarlanmaldr. letkenlii ayarlanabilen silisyum veya germanyum, elektronik devre elemanlarnn yapmnda kullanlr. Germanyum veya silisyumun iletkenlii ise ancak saf malzemeye katk maddesi eklenmesi ile salanr. Katk maddesi eklenerek oluturulan iki temel yariletken materyal vardr. Bunlara; N-tipi madde ve P-tipi madde denir. Elektronik devre elemanlarnn retiminde bu iki madde kullanlr.

42

TEMEL ELEKTRONK Katk lemi (Doping)

Kaya

Silisyum ve germanyumun iletkenlii kontroll olarak artrlabilir. letkenlii kontroll olarak artrmak iin saf yariletken malzemeye katk maddesi eklenir. Bu ileme doping denir. Akm tayclarnn (elektron veya boluk) saysnn artrlmas malzemenin iletkenliini, azaltlmas ise malzemenin direnci artrr. Her iki doping olaynn sonucunda N-tipi veya P-tipi madde oluur. N-Tipi Yariletken Saf silisyumun iletkenlik bandndaki deliklerinin artrlmas atomlara katk maddesi ekleyerek yaplr. Bu atomlar, 5-deerli valans elektronlar olan arsenik (As), fosfor (P), bizmut (Bi) veya antimondur. Silisyuma katk maddesi olarak 5 valans elektrona sahip fosfor belli bir oranda eklendiinde, dier silisyum atomlar ile nasl bir kovelent ba oluturulduu gsterilmitir. Fosfor atomunun drt valans elektronu, silisyumun 4 valans elektronu ile kovalent ba oluturur. Fosforun bir valans elektronu akta kalr ve ayrlr (ekil-1.10). Bu akta kalan elektron iletkenlii artrr. nk herhangi bir atoma bal deildir. letkenlik elektron saylar ile kontrol edilebilir. Bu ise silisyuma eklenen atomlarn says ile olur. Katk sonucu oluturulan bu iletkenlik elektronu, valans bandnda bir boluk oluturmaz.
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fb Si

Si Kovelant Ba

Si

Si

Fb atomunun serbest elektronu

Si

ekil-1.10 N tipi yariletken maddenin oluturulmas. Akm tayclarnn ounluu elektron olan, silisyum veya germanyum maddesine N-tipi yariletken malzeme denir. N-tipi malzemede elektronlar, ounluk akm tayclar diye adlandrlr. Bylece N-tipi malzemede akm tayclar elektronlardr. Buna ramen s ile oluturulan birka tane elektron boluk iftleri de vardr. Bu boluklar 5-deerli akm katk maddesi ile oluturulmamlardr. N-tipi malzemede boluklar aznlk tayclar olarak adlandrlr.

43

TEMEL ELEKTRONK P-Tipi Yariletken

Kaya

Saf silisyum atomu ierisine, 3 valans elektrona sahip (3-deerli) atomlarn belli bir oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yap oluur. Bu yeni kristal yapda delik (boluk) says artrlm olur. 3 valans elektrona sahip atomlara rnek olarak; alminyum (Al), Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. rnein; saf silisyum ierisine belli bir oranda bor katlrsa; bor elementinin 3 valans elektronu, silisyumun 3 valans elektronu ile ortak kovalent ba oluturur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak valans ba oluturamaz. Bu durumda 1 elektron noksanl meydana gelir. Buna boluk veya delik=hole denir. Silisyuma eklenen katk miktar ile boluklarn says kontrol edilebilir. Bu yntemle elde edilen yeni malzemeye P tipi yariletken malzeme denir. nk boluklar pozitif ykldr. nk boluklar pozitif ykldr. Dolays ile P-tipi malzemede ounluk akm taclar boluklardr. Elektronlar ise P tipi malzemede aznlk akm tayclardr. P-tipi malzemede bir ka adet serbest elektronda olumutur. Bunlar s ile oluan boluk ifti esnasnda oluturulmutur. Bu serbest elektronlar, silisyuma yaplan katk esnasnda oluturulamazlar. Elektronlar P-tipi malzemede aznlk akm tayclardr.
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si Kovelant Ba

B
-

Si

Si

Si B atomundan oluan delik (hole)

Si

ekil- 1.11 Silisyum kristaline 3 bal katk atomu. Bohr katk atomu merkezde gsterilmitir.

44

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

1.5

PN BRLEM Silisyum veya Germanyum kristaline yeterli oranda katk maddeleri eklenerek, P-tipi ve N-tipi maddeler oluturulmutu. Bu maddeler yaln halde elektriksel ilevleri yerine getiremezler. P ve N tipi malzeme bir arada kullanlrsa, bu birleime PN birleimi denir. PN birleimi; elektronik endstrisinde kullanlan diyot, transistr v.b devre elemanlarnn yapmnda kullanlr.
PN Birlemesi P TP MADDE N TP MADDE

N-Tipi Silisyum

P-Tipi Silisyum

Delik (hole)

Elektron

ekil-1.12 Basit bir PN yapsnn oluumu. ounluk ve aznlk tayclarnn ikisi de gsterilmitir. ekil-1.12.(a)da yars P-tipi, dier yars N tipi malzemeden oluan iki blml bir silisyum parasn gstermektedir. Bu temel yap biimine yar iletken diyot denir. N blgesinde daha ok serbest elektron bulunur. Bunlar akm tayccs olarak grev yaparlar ve ounluk akm taycs olarak adlandrlrlar. Bu blgede ayrca s etkisi ile oluturulan birka boluk (delik=hole) bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar ad verilir. P blgesi ise ok sayda boluklar (delik=hole) ierir. Bunlara ounluk akm tayclar denir. Bu blgede s etkisi ile oluan birka serbest elektronda bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar denir. Bu durum ekil-1.12.(b)de gsterilmitir. PN birleimi elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn, transistrlerin ve dier katk hal devrelerinin temelini oluturur. Deplasyon Katman ve levi P maddesinde elektron noksanl (boluk), N maddesinde ise elektron fazlal meydana gelmiti. Elektron ve oyuklarn hareket ynleri birbirine zttr. Aslnda bu iki madde balangta elektriksel olarak ntr haldedir. P ve N maddesi ekil-1.13.ada grld gibi birletirildiini kabul edelim. Birleim olduu anda N maddesindeki serbest elektronlar, P maddesinde fazla olan oyuklarla (boluk=delik) birleirler. P maddesindeki fazla oyuklarn bir ksm ise N maddesine gelip elektronlarla birleirler. Bu durumda P maddesi net bir (-) yk, N maddesi ise (+) yk kazanm olur. Bu olay olurken P maddesi (-) yke sahip olduundan N maddesindeki elektronlar iter. Ayn ekilde, N maddesi de (+) yke sahip olduundan P maddesindeki oyuklar iter. Bylece P ve N maddesi arasnda daha fazla elektron ve oyuk akmasn engellerler.

45

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Yk dalmn belirtildii ekilde olumas sonucunda PN birleiminin arasnda gerilim seddi denilen bir blge (katman) oluur. Bu durum ekil-1.13.bde resmedilmitir. letim dengesi salandnda deplesyon kat P-N birleiminde iletim elektronu bulunmad noktaya kadar geniler.
P TP MADDE pn bitiimi N TP MADDE Gerilim Seddi P TP MADDE N TP MADDE

Delik (hole) Elektron

+ + + + + +

Deplasyon Blgesi

ekil-1.13.a ve b PN birleiminin denge iletimi. Elektron boluk iftinin oluturduu scaklkla N blgesindeki birka boluun aznlk tayclarnn meydana getirilmesi. ekil-1.13.bde PN birleim blgesinde pozitif ve negatif iyonlarla oluturulan gerilim seddi grlmektedir. Oluan bu gerilim seddi; 250 Cde silisyum iin engel 0.7 volt, germanyum iin 0.3 volt civarndadr. Bu gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi sdan etkilenir. rnein scaklk miktarndaki her 10Clik art, diyot ngeriliminin yaklak 2.3mV azalmasna neden olur. Diyot ngerilimi ok nemlidir. nk PN birleimine dardan uygulanan gerilimin oluturaca akm miktarnn kararl olmasn salar. lerideki blmlerde PN birleimini ayrntl olarak inceleyeceiz.

46

TEMEL ELEKTRONK 1.6 PN BRLEMNN POLARMALANMASI

Kaya

PN bitiiminin nasl oluturulduunu grdk. PN bitiimi elektronik devre elemanlarnn retiminde en temel yapdr. Elektronik endstrisinin en temel ilevi ise akm ve gerilimin kontroldr. PN birleimine elektronik biliminde diyot ad verilmektedir. Diyot veya dier bir elektronik devre elamannn DC gerilimler altnda altrlmasna veya almaya hazr hale getirilmesine elektronikte Polarma veya bias ad verilmektedir. PN birleimi veya diyot; DC gerilim altnda iki trde polarmalandrlr. Bunlardan birisi ileri ynde polarma dieri ise ters ynde polarma dr. leri veya ters ynde polarma tamamen diyot ularna uygulanan gerilimin yn ile ilgilidir. Bu blm bitirdiinizde; leri ynde polarma (forward bias) Ters ynde polarma (reverse bias) Kavramlarn reneceksiniz

leri Ynde Polarma (Forward Bias) leri ynde polarma; yariletken bir devre elemannn ularna uygulanan DC gerilimin yn ile ilgilidir. PN birleiminden akm akmasn salayacak ekilde yaplan polarmadr. ekil-1.14de bir diyoda ileri ynde polarma salayacak balant grlmektedir.
p
R

Vpolarma +

ekil-1.14 leri ynde polarma balants. R, akm snrlamak ve diyotu korumak iin kullanlmtr. leri ynde polarma yle alr. Bataryann negatif ucu N blgesine (Katot olarak adlandrlr), pozitif ucu ise P blgesine (Anot olarak adlandrlr) balanmtr. Bataryann negatif terminali, N blgesindeki iletkenlik elektronlarn birleim blgesine doru iter. Ayn anda pozitif terminal, P blgesindeki oyuklar birleim blgesine iter. Uygulanan polarma gerilimi yeterli seviyeye ulanca; N blgesindeki elektronlarn ve P blgesindeki oyuklarn engel blgesini amasn salar. N blgesinden ayrlan elektronlara karlk, bataryann negatif ucundan ok sayda elektron girmesini salar. Bylece N blgesinde iletkenlik elektronlarnn hareketi (ounluk akm tayclar) eklem blgesine dorudur.

47

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Karya geen iletkenlik elektronlar, P blgesinde boluklar ile birleirler. Valans elektronlar boluklara tanr ve boluklar ise pozitif anot blgesine tanr. Valans elektronlarnn boluklarla birleme ilemi PN ularna voltaj uyguland srece devam eder ve devaml bir akm meydana gelir. Bu durum ekil-1.15de resmedilmitir. ekilde ileri ynde bayaslanan diyodtaki elektron ak grlmektedir.
P TP N TP

boluk akm

Elektron akm

VD +

Vpolarma

ekil-1.15: PN birleimli diyot ta elektron ak. leri polarmada Gerilim seddinin etkisi PN birleiminde meydana gelen gerilim seddi, Silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V civarndadr. Polarma geriliminin potansiyeli bu deere ulatnda, PN birleiminde iletim balar. PN ularna uygulanan gerilim, diyodu bir kez iletime geirdikten sonra gerilim seddi klr. Akm ak devam eder. Bu akma ileri yn akm If denir. If akm P ve N blgesinin direncine bal olarak ok az deiir. Bu blgenin direnci (ileri yndeki diren) genellikle kktr ve kk bir voltaj kaybna sebep olur. Ters Polarma (Revrese Bias) Ters kutuplamada bataryann negatif ucu P blgesine, pozitif ucu ise N blgesine balanmtr. Bu durum ekil-1.16da gsterilmitir. Ters polarmada PN birleiminden akm akmaz. Bataryann negatif ucu, PN blgesindeki boluklar kendine doru eker. Pozitif ucu ise PN blgesindeki elektronlar kendine doru eker ve bu arada (deplesyon blgesi) yaltkan katman geniler. N blgesinde daha ok pozitif iyonlar, P blgesinde ise daha ok negatif iyonlar oluturulur.
p n

Vpolarma +

ekil-1.16 Ters Polarma balants.

48

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Yaltkan (deplesyon) katmandaki potansiyel fark harici bayas voltajna eit oluncaya kadar geniler. Bu noktada boluklarn ve elektronlarn hareketi durur. Birleimden ounluk akm tayclarnn harekete balamas (transient ) akm diye adlandrlr. Bu ise ters kutuplama yapldnda ok ksa bir anda akan bir akmdr.
P TP N TP + + + + + + + + + + + +

Engel Katman

V polarma

ekil-1.17 Ters polarmada oluan engel katman Diyot ters kutuplandnda engel katmannn yaltkanl artacak ve her iki taraftaki iyonlar arj olacaktr. Bu durum kapasitif bir etki yaratr. Ters kutuplama gerilimi arttka engel katman geniler. Bu arada kapasitansda artacaktr. Bu durum, deplesyon katmannn kapasitans diye bilinir ve bu durum pratik kolaylklar salar. Aznlk Akm imdiye kadar rendiimize gre; diyoda ters gerilim uygulandnda ounluk akm abucak sfr olur. Ancak ters kutuplama da bile ok az bir aznlk akm mevcut olacaktr. Bu ters akm germanyumda, silisyuma gre daha fazladr. Bu akm silisyum iin mikro amper veya nano amperler mertebesindedir. Dolays ile s ile oluan elektron boluk ifti ise minimum seviyesindedir. Harici ters gerilim; uygulanrken baz elektronlar PN birleimini geecektir. Ters akm ayn zamanda birleimin ssna ve ters kutlama geriliminin miktarna baldr dolays ile snn artmas ters akm da artracaktr. Ters Ynde Krlma Eer dardan uygulanan ters polarma gerilimi ar derecede artrlrsa krlmas meydana gelir. imdi bu ne demektir? Aznlk akm tayclar olan iletkenlik band elektronlar dardan uygulanan ters gerilim kaynann etkisi ile P blgesine itilirler. Bu esnada valans elektronlar iletkenlik bandna doru hareket ederler. Bu anda iki tane iletkenlik band elektronu mevcuttur. Her biri bir atomda bulunan bu elektronlar; valans bandndan, iletkenlik bandna hareket eder. letkenlik band elektronlarnn hzla oalmas olay, etkisi olarak bilinir. Sonu olarak byk bir ters akm akar. ou diyotlar genelde ters krlma blgesinde almazlar. nk hasar grebilirler. Bununla birlikte baz diyotlar srf ters ynde alacak ynde yaplmlardr. Bunlara Zener Diyot ad verilir.

49

TEMEL ELEKTRONK

BLM 4
Kaya

YARI LETKENLER
Elektrik akmn bir deere kadar akmasna izin vermeyen bu deerden sonra sonsuz kk diren gsteren maddelerdir. Yar iletkenler periyodik cetvelde 3. ve 5. gruba girerler. Bu demektir ki son yrngelerinde elektron alcl veya vericilii iletkenden fazla yaltkandan daha azdr. letkenler: Pt, Ni, Au, Cu, Al, Fe........... Yaltkan: Ebonit, Cam, Tahta, Su.......... Yar iletkenler: S, Ge, Br, Al, In(indiyum)........

Ksmen Dolu bant ile iletkenlik eridi akmsa iletken olurlar.

DB ile B birbirine yaklat zaman iletken hale gelir. Eer yar iletkenlere belirli bir gerilim uygulanrsa YAE yok edilir ve balama eridi ile iletkenlik band bitiir ve iletkenleir.

50

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

LETKEN, YALITKAN VE YARI LETKENLER

Yeryzndeki btn maddeler, atom 'lar dan olumutur. Atom ise ortada bir ekirdek ve bunun etrafndaki deiik yrngelerde hareket eden elektronlardan olumaktadr. Elektronlar, negatif elektrik ykne sahiptirler. Bir etkime yolu ile atomdan ayrlan elektronlarn bir devre ierisindeki hareketi, elektrik akmn oluturur. Elektronlarn her madde ierisindeki hareketi ayn deildir. Elektron hareketine gre maddeler e ayrlr:

letkenler Yaltkanlar Yar iletkenler

LETKENLER
letkenlerin balca zellikleri: Elektrik akmn iyi iletirler. Atomlarn d yrngesindeki elektronlar atoma zayf olarak baldr. Is, k ve elektriksel etki altnda kolaylkla atomdan ayrlrlar. D yrngedeki elektronlara Valans Elektron denir. Metaller, baz sv ve gazlar iletken olarak kullanlr. Metaller, sv ve gazlara gre daha iyi iletkendir. Metaller de, iyi iletken ve kt iletken olarak kendi aralarnda gruplara ayrlr. Atomlar 1 valans elektronlu olan metaller, iyi iletkendir. Buna rnek olarak, altn, gm, bakr gsterilebilir. Bakr tam saf olarak elde edilmediinden, altn ve gme gre biraz daha kt iletken olmasna ramen, ucuz ve bol olduundan, en ok kullanlan metaldir. Atomlarnda 2 ve 3 valans elektronu olan demir (2 d elektronlu) ve alminyum (3 d elektronlu) iyi birer iletken olmamasna ramen, ucuz ve bol olduu iin gemi yllarda kablo olarak kullanlmtr.

51

TEMEL ELEKTRONK YALITKANLAR Elektrik akmn iletmeyen maddelerdir.

Kaya

Bunlara rnek olarak cam, mika, kat, kauuk, lastik ve plastik maddeler gsterilebilir. Elektronlar atomlarna sk olarak baldr. Bu maddelerin d yrngedeki elektron saylar 8 ve 8 'e yakn sayda olduundan atomdan uzaklatrlmalar zor olmaktadr.

YARI LETKENLER
Yar iletkenlerin balca u zellikleri vardr: letkenlik bakmndan iletkenler ile yaltkanlar arasnda yer alrlar, Normal halde yaltkandrlar. Ancak s, k ve magnetik etki altnda brakldnda veya gerilim uygulandnda bir miktar valans elektronu serbest hale geer, yani iletkenlik zellii kazanr. Bu ekilde iletkenlik zellii kazanmas geici olup, d etki kalknca elektronlar tekrar atomlarna dnerler. Tabiatta basit eleman halinde bulunduu gibi laboratuarda bileik eleman halinde de elde edilir. Yar iletkenler kristal yapya sahiptirler. Yani atomlar kbik kafes sistemi denilen belirli bir dzende sralanmtr. Bu tr yar iletkenler, yukarda belirtildii gibi s, k, etkisi ve gerilim uygulanmas ile belirli oranda iletken hale geirildii gibi, ilerine baz zel maddeler katlarak ta iletkenlikleri arttrlmaktadr. Katk maddeleriyle iletkenlikleri arttrlan yar iletkenlerin elektronikte ayr bir yeri vardr. Bunun nedeni Tablo 2.1 'de grld gibi, elektronik devre elemanlarnn retiminde kullanlmalardr.

Elektroniin iki temel eleman olan diyot ve transistrlerin retiminde kullanlan germanyum (Ge) ve silikon (Si) yar iletkenleri gelecek blmde daha geni olarak incelenecektir.

52

TEMEL ELEKTRONK Tablo 2.1 - Elektronikte yararlanlan yar iletkenler ve kullanlma yerleri. ADI Germanyum (Ge) (Basit eleman) Silikon (Si) (Basit eleman) Selenyum (Se) (Basit eleman) Bakr oksit (kuproksit) (CuO) (Bileik eleman) Galliyum Arsenid (Ga As) (Bileik eleman) Indiyum Fosfur (In P) (Bileik eleman) Kurun Slfr (Pb S) (Bileik eleman) Not: Germanyum ve silikon periyodik tabloda yer alan iki elementtir. ou lke periyodik tabloyu kendi dillerinde hazrlamaktadr. KULLANILMA YER

Kaya

Diyot, transistr, entegre, devre Diyot, transistr, entegre, devre Diyot Diyot Tnel diyot, laser, fotodiyot, led Diyot, transistr Gne pili (Fotosel)

lkemizde ise, baz terimler gelimi lke dillerinden alnarak Trke 'ye uyarlama yoluna gidilmitir. Germanyum ad, en ok kullanlan, ngilizce, Almanca ve Franszca dillerinde "Germanium" olarak yazlmakta ve "germanyum" olarak okunmaktadr. Trke 'ye de "germanyum" olarak alnm ve herkese de benimsenmitir. Silikon 'da durum farkldr. Silikon yabanc dillerde yle yazlmakta ve okunmaktadr: ngilizce 'de; Silicon (Silikon), Almanca 'da; Silikon (silikon) Franszca 'da; Silicium (silisyum) Trke de ise yararlanlan yabanc kaynaktan esinlenerek kimilerince silikon, kimilerince de silisyum denmitir.

53

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ENERJ SEVYELER VE BANT YAPILARI

Bilindii gibi elektronlar, atom ekirdei etrafnda belirli yrngeler boyunca srekli dnmektedir. Bu hareket, dnyann gne etrafnda dnne benzetilir. Hareket halindeki elektron, u iki kuvvetin etkisi ile yrngesinde kalmaktadr: 1) ekirdein ekme kuvveti 2) Dnme hareketi ile oluan merkezka kuvveti

ENERJ SEVYELER Hareket halinde olmas nedeniyle her yrnge zerindeki elektronlar belirli bir enerjiye sahiptir. Eer herhangi bir yolla elektronlara, sahip olduu enerjinin zerinde bir enerji uygulanrsa, ara yrngedeki elektron bir st yrngeye geer. Valans elektrona uygulanan enerji ile de elektron atomu terk eder. Yukarda belirtildii gibi valans elektronun serbest hale gemesi, o maddenin iletkenlik kazanmas demektir. Valans elektronlara enerji veren etkenler: 1) 2) 3) 4) 5) Elektriksel etki Is etkisi Ik etkisi Elektronlar kanalyla yaplan bombardman etkisi Manyetik etki

Ancak, valans elektronlar serbest hale geirecek enerji seviyeleri madde yapsna gre yle deimektedir:

letkenler iin dk seviyeli bir enerji yeterlidir. Yar iletkenlerde olduka fazla enerji gereklidir. Yaltkanlar iin ok byk enerji verilmelidir.

54

TEMEL ELEKTRONK BANT YAPILARI

Kaya

Maddelerin iletkenlik dereceleri, en iyi ekilde, aada akland gibi, bant enerjileri ile tanmlanr. Valans band enerji seviyesi: ekil 2.1 'de grld gibi her maddenin, valans elektronlarnn belirli bir enerji seviyesi vardr. Buna valans band enerjisi denmektedir. letkenlik band enerji seviyesi: Valans elektronu atomdan ayrabilmek iin verilmesi gereken bir enerji vardr. Bu enerji, iletkenlik band enerjisi olarak tanmlanr. letkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji: letkenlerin, ekil 2.1.(a) 'da grld gibi, valans band enerji seviyesi ile iletkenlik band enerji seviyesi bitiiktir. Bu nedenle verilen kk bir enerjiyle, pek ok valans elektron serbest hale geer. Yar iletkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji: Yar iletkenlerin valans band ile iletkenlik band arasnda ekil 2.1.(b) 'de grld gibi belirli bir boluk band bulunmaktadr. Yar iletkeni, iletken hale geirebilmek iin valans elektronlarna, boluk bandnnki kadar ek enerji vermek gerekir. Yaltkanlarda iletim iin verilmesi gereken enerji: Yaltkanlarda ise, ekil2.1.(c) 'de grld gibi olduka geni bir boluk band bulunmaktadr. Yani elektronlar, valans bandndan iletkenlik bandna geirebilmek iin olduka byk bir enerji verilmesi gerekmektedir.

55

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil - 2.1 letkenlik derecesine gre deien bant enerjileri (a) letken, (b) Yar iletken, (c) Yaltkan

SAF GERMANYUM VE SLKONUN KRSTAL YAPISI, KOVALAN BALARI

Germanyum ve Silikon yar iletkenleri, kristal yaplarnn kazandrd bir takm iletken zelliine sahiptir. Germanyum ve Silikon, elektroniin ana elemanlar olan, DYOTLARIN, TRANSSTRLERN ve ENTEGRE DEVRELERN retiminde kullanlmaktadr. Bu nedenle, elektronik devre elemanlar hakkndaki temel bilgilerin edinilebilmesi bakmndan bu iki yar iletkenin yaplarnn iyi bilinmesi gerekir. Her iki yar iletken de tabiattan elde edilmekte ve saflatrlarak monokristal haline getirildikten sonra devre elemanlarn retiminde kullanlmaktadr.

56

TEMEL ELEKTRONK GERMANYUMUN ELDE EDL: Germanyum balca iki kaynaktan salanr: 1) Baz cins maden kmrnn baca tozlarndan, 2) inko rafine endstrisi yan rnlerinden

Kaya

Yukarda belirtilen kaynaklardan germanyumun oluturulabilmesi iin uzun ilemler gerekmektedir. Bu iki evrede oluturulan germanyum henz saf deildir. ierisinde baz yabanc maddeler bulunur. Germanyumun kullanlabilinmesi iin nce iindeki yabanc madde orannn 1/108 'in altna drlmesi gerekmektedir. Bunu salamak iinde ikinci evre olarak saflatrma ilemi yaplr. GERMANYUMUN SAFLATIRILMASI: Germanyumun saflatrlmasnda en ok uygulanan yntem "Blgesel saflatrma" dr. ubuk ekline getirilmi, yaklak 100 gram arlndaki germanyum ekil 2.2 'de grld gibi zel bir pota ierisine konularak, saatte 5-6 cm 'lik hzla, endksiyon yolu ile stlan bir frnn ierisinden geirilir.

Istc sistem, germanyumun erime derecesi olan 936C 'ye ayarlantr. Germanyum ubuun stc ierisine giren ucu erimeye balar ve ubuun hareketi ile erime bir utan br uca doru devam eder. Ayn anda germanyum ierisinde ki yabanc maddeler de eriyerek ubuun arka tarafna toplanr. Saflatrma sonunda bu u kesilerek alnr.

57

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Kesilecek u diren kontrol ile belirlenir. Germanyum saflatka direnci artmaktadr. Gerekirse bu ilemler birka kez daha tekrarlanarak germanyumun saflk derecesi arttrlabilir. Bu halde germanyum henz polikristal 'dir.

SLKONUN ELDE EDLMES VE SAFLATIRILMASI: Silikon tabiatta silika (Kuartz yahut kum) halinde bol miktarda bulunur. Silikon, germanyum iin anlatlan yntemle saflatrlmaz. erisinde bulunan BOR "blgesel saflatrma" yolu ile tamamen alnamamaktadr.Saflatrma ilemi ok uzun srmektedir.......

GERMANYUMUN MONOKRSTAL HALNE GETRMES: Germanyum ve silikon ancak MONOKRSTAL haline getirildikten sonra DYOT, TRANSSTR ve ENTEGRE DEVRELERN retiminde kullanlabilir. "Monokristal" kelimesi uluslararas bir terimdir ve TEK TP KRSTAL anlamna gelmektedir.

ekil 2.3 - Germanyumun monokristal haline getirilmesi

58

TEMEL ELEKTRONK Germanyumda monokristal yap yle olumaktadr:

Kaya

Poli kristalli saf germanyum grafit bir pota ierisinde ergime derecesine kadar stlr. Ergimi germanyum ierisine, ekil 2.3 'te grld gibi monokristal halindeki germanyum ubuk daldrlp yava yava dndrlerek ekilir. ekme ilemi ilerledike, eriyik halindeki germanyum da yzeysel gerilim etkisiyle ubuk etrafnda toplanr ve ayn zamanda ubuun kristal yapsna uygun olarak katlar. Btn eriyik katlancaya kadar ayn ilemle ekmeye devam edilir. Sounda, monokristal yapya sahip bir germanyum kitlesi ortaya kar.

SLKONUN MONOKRSTAL HALNE GETRLMES: Her ne kadar, monokristal silikon da Germanyum gibi tek kristal ekirdekten retilse de, ergime derecesinin yksek (1420C) olmas ve baka maddelerle birlememesi nedeniyle ilem ayrntlarnda farkllklar vardr.

SAF GERMANYUM VE SLKONUN KRSTAL YAPISI Gerek Germanyum gerekse de Silikon kristal yap bakmndan ayn olduundan, anlatmda rnek olarak birinin veya dierinin alnmas fark etmemektedir. Daha nce de akland gibi, germanyum ve silikonun yararl hale gelebilmesi iin monokristal yapya dntrlmeleri gerekmektedir.

MONO KRSTAL YAPI NEDR? Monokristal yapda atomlar ekil 2.4 'te boyutlu olarak gsterildii gibi, bir kbik kafes sistemi oluturmaktadr. Sistemdeki krecikler, atomlar gsteriyor. Atomlar arasndaki yollar da kovalan balar sembolize ediyor.

59

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

KOVALAN BA Monokristal yaplarda, valans elektronlar komu iki atomun d yrngelerinde birlikte bulunmaktadr. Bu durum iki elektron arasda sanki bir ba varm gibi yorumlanmaktadr. te bu sembolik baa kovalan ba ad verilir. ekil 2.5 'te Germanyum monokristalin atomlar arasndaki kovalan balar gsterilmitir. Kovalan balarn ucundaki elektronlar her iki atoma da bal bulunduundan atomlarn d yrngeleri 8 elektronlu olmaktadr. D yrngesinde 8 elektron bulunan atomlar elektron almaya ve vermeye istekli olmazlar. NOT: Kimilerince "kovalan" yerine ngilizce yazlmna uyarak "kovelent" terimi kullanlmaktadr. "KOVALAN" kelimesi Trke ses uyumu bakmndan daha uygundur. Bir monokristal stldnda veya k ve elektriksel gerilim etkisi altnda brakldnda, kovalan ba kuvvetini yenen ok az saydaki elektron atomdan uzaklar. Bu durum bir yar iletkenlik belirtisi olmaktadr.

60

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

SAF OLMAYAN (KATKILI MADDEL) GERMANYUM VE SLKONUN KRSTAL YAPISI Diyotlar, transistrler, entegre devreler v.b. gibi aktif devre elemanlarnn yapmnda kullanlan germanyum ve silikon yar iletken kristallerinin nce N ve P tipi kristaller haline dntrlmeleri gerekmektedir. N veya P tipi kristal yapsn elde edebilmek iin. ekil 2.6 'da grld gibi bir pota ierisine konulan germanyum veya silikon monokristali eritilir, belirli oranlarda katk maddesi kartrlr. Sonrada zel olarak hazrlanm monokristal ekirdek, eriyie daldrlp dndrlerek ekilir. Konulan katk maddesinin cinsine gre ekilen kristal N veya P tipi olur.

61

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

1. N TP LETKEN KRSTAL
N TP LETKEN KRSTALN OLUUMU Eritilen Germanyum veya Silikon kristaline Tablo 2.2 'de verilen 5 valans elektronlu fosfor, arsenik, antimuvan gibi katk maddelerinden biri katlr. Yukarda anlatlan yntem uygulanarak bu katk maddesi atomlarnn kristal iine yaylp etrafndaki Germanyum veya Silikon atomlar ile kovalan ba oluturmas salanr.

62

TEMEL ELEKTRONK Tablo 2.2. N ve P tipi kristallerin yapmnda kullanlan elementler. Atom Eleman Sembol numaras ad 13 Alminyum Al 14 Silikon Si 15 Fosfor P 31 Galliyum Ga 32 Germanyum Ge 33 Arsenik As 49 ndiyum In 51 Antimuvan Sb Yrngedeki elektron says M N O 3 4 5 18 3 18 4 18 5 18 18 3 18 18 5

Kaya

K 2 2 2 2 2 2 2 2

L 8 8 8 8 8 8 8 8

Katk maddesinin kristal yap ierisinde yer al: ekil 2.7 'de katk maddesi olarak en ok kullanlan Arseniin Germanyum kristalinde yer al gsterilmitir. Arsenik 5 valans elektronlu olduundan ancak 4 elektronu komu germanyum atomlaryla kovalan ba oluturur. 5. elektron ise ekirdein pozitif ekme kuvvetinin etkisi altnda zayf olarak atoma bal kalmakta ve ufak bir enerji altnda serbest hale gemektedir. Hatta, bir ksm balangta, s ve k etkisiyle atomdan ayrlr. Bylece Arsenik, Germanyum kristali iin bir elektron kayna olmaktadr ve kristal ierisinde pek ok serbest elektron bulunmaktadr. Bu yap, N tipi yar iletken kristali olarak tanmlanr.

63

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

"N tipi kristal" deyimindeki harfi, "Negatif" kelimesinin ilk harfidir. Kristal ierisindeki SERBEST ELEKTRONLARIN yaratt "negatif elektrik ykn" sembolize etmektedir. N tipi kristaldeki AKIM TAIMA LEMN bu elektronlar gerekletirmektedir. N TP YARI LETKEN KRSTALLNDE BULUNANLAR Ge veya Si ATOMLARI: Kristal yapy oluturmaktadr. Aralarnda Kovalan ba vardr. VERC KATKI MADDES: Atomlar kolaylkla elektron veren katk elementleridir. Bu nedenle Verici Katk Maddesi denmitir. POZTF YONLAR: Verici katk maddesi atomlarnn tamamna yakn ksm, Ge veya Si atomlar ile kovalan ba oluturarak 1 elektronunu kaybetmi olduundan POZTF YON halindedirler. Ancak, kovalan bal olduundan elektriksel bir etkisi bulunmamaktadr. OUNLUK TAIYICILARI: Verici katk maddesinden ayrlm olan elektronlardr. Bu elektronlara, ok sayda olduundan ve akm tama grevini de yrttnden, ounluk tayclar ad verilmitir. AZINLIK TAIYICILARI: N tipi germanyum veya silikon kristalinde, s ve k emii nedeniyle, veya gerilim etkisiyle kovalan balarn koparan bir ksm elektronun atomdan ayrlmas sonucu, geride pozitif elektrik ykl Ge veya Si atomlar kalmaktadr.

64

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bu tr atomlar da elektrik akm tama zelliine sahiptir. Ancak aznlkta kaldndan, bunlara da aznlk tayclar denmitir. Normal alma dzeninde nemli saylabilecek rolleri bulunmamaktadr.

ekillerde Gsterilenler: Kristal yapy gstermek iin kullanlan ekillerde, sadelik bakmndan yalnzca, kristale asl zelliini kazandran atom ve elektrolar gsterilmektedir. N tipi bir kristale, ekil 2.8 'de gsterilmi olduu gibi unlar zellik kazandrmaktadr: 1) Serbest elektronlar: Akm tayclardr. 2) Verici katk maddesi atomlar: Etkisiz "pozitif iyon" halinde olduundan, daire ierisinde gsterilmitir.

ekil 2.8 - N tipi yar iletken kristali (-): Serbest elektronlar. (Akm iletimini salar.) (+):Verici katk maddesi atomlar. (Etkisiz "+" iyon halindedir.)

2. P TP YARI LETKEN KRSTAL

Germanyum veya Slikon kristaline Alminyum gibi 3 valans elektrona sahip bir katk maddesi ilave edildiin de, ekil 2.9 'da da grld gibi, u gelimeler olur.

Bu katk maddelerinin 3 valans elektron bulunduundan, atom teorisi gereince bunu 4 'e tamamlamak ister, Bu nedenle, komu Ge veya Si atomundan 1 elektron alr ve 4 kovalan ba oluturur.

1 elektron alan katk maddesi atomu, NEGATF YON haline gelir. Ancak, kovalan bal olduundan herhangi bir elektriksel etkinlii olmaz. 1 elektronu kaybeden Ge veya Si atomunda 1 ELEKTRON BOLUU oluur. Bu boluk, genellikle delik veya oyuk olarak adlandrlr. Ancak bu terimler elektriksel ynden atomun durumunu yanstmamaktadr.

65

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bir elektronu veren atom, pozitif elektrik yk hale geldiinden, delik veya oyuk yerine "POZTF ELEKTRK YK" demek daha dorudur. Nitekim oluan kristale, " pozitif elektrik ykleri" amalanarak P TP KRSTAL denmitir. P tipi kristalde akm tama ilemi "pozitif elektrik ykleri" tarafndan gerekletirilir.

P TP YARI LETKEN KRSTALNDE BULUNANLAR Ge veya Si ATOMLARI: Kristal yapy oluturmaktadr. VERC KATKI MADDES: Elektron almak zere, katlan madde. NEGATF YONLAR: Katk maddesi atomlarnn tamamna yakn ksm, Si veya Ge atomlarndan 1 elektron olarak negatif elektrik ykl hale gelmektedir. Ancak, bunlar kovalan bal olduundan elektriksel bir etkisi bulunmadan negatif iyon halinde kalmaktadr. OUNLUK TAIYICILARI: 1 elektronu kaybetmi olan ve dolaysyla da, pozitif elektrik ykl (oyuklu) hale gelen ok saydaki Si ve Ge atomlardr. Bunlar P tipi kristalde akm tama grevi yaparlar. AZINLIK TAIYICILARI: P tipi kristalde bulunabilen ok az saydaki serbest elektronlardr. Bunlara da, akm tayc olarak az sayda bulunduundan, aznlk tayclar denmitir.

66

TEMEL ELEKTRONK ekillerde Gsterilenler:

Kaya

ekil 2.10 'da grld gibi, kristal yapy gstermek iin kullanlan ekillerde, sadelik bakmndan yalnzca, kristale zellik kazandran atomlar ve elektronlar gsterilir. P tipi kristalde unlar gsterilmektedir: 1) Pozitif elektrik ykleri (oyuklar): Akm iletimini salamaktadrlar. 2) Alc katk maddesi atomlar: Etkisiz (-) iyon halindedirler.

ekil 2.10 - P tipi yar iletken kristali (+): Pozitif elektrik ykleri. (oyuklar) (Akm iletimi salamaktadr.) (-): Alc katk maddesi atomlar. (Etkisiz "-" iyon halindedirler.)

N VE P YARI LETKEN KRSTALLERNDE ELEKTRN VE POZTF ELEKTK YK (OYUK) HAREKETLER

N TP KRSTALDE ELEKTRONLARIN HAREKET N tipi yar iletken kristaline gerilim uygulandnda, kristal ierisindeki serbest elektronlar, ekil 2.11 'de grld gibi, gerilim kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti ve negatif kutbunun da itme kuvveti etkisiyle, kaynan pozitif (+) kutbuna doru akar.; Bu arada, kaynan negatif (-) kutbundan kan elektronlar da kristale doru hareket eder. Burada nemli bir hususu belirtmek gerekiyor: Eskiden beri uygulanan uluslar aras kurallara gre, d devredeki akm yn, ekil 2.11 'de grld gibi gerilim kaynann, pozitif kutbundan negatif kutbuna doru, yani elektron aknn tersi ynde gsterilmektedir.

67

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Akmn bir devredeki ilevi bakmndan, ynn nemi yoktur. Ancak baz devre hesaplarnda yn iareti koymak gerekebilir. Byle bir durumda "+" --> "-" yn pozitif yn ve "-" --> "+" yn negatif yn alnr.

P TP KRSTALLERDE POZTF ELEKTRK YKNN (OYUK) HAREKET "Pozitif elektrik yk" (oyuk) bir elektron gibi hareket etmemektedir. Ancak anlatm kolayl bakmndan, hareket ettii kabul edilmitir. Katk maddesi yokken, Ge ve Si atomlarnn kovalan balarn krarak bir elektronunu almak ok zor olduu halde, katk maddesi bu ilemi kolaylatrmaktadr. Ve bir gerilim uygulandnda akm iletimi salanmaktadr. P tipi bir kristale ekil 2.12 'deki gibi bir gerilim kayna balanrsa u gelimeler olmaktadr. 1) Durum: Kaynan pozitif kutbuna yakn bulunan ve bir elektronunu katk maddesine vererek "+" elektrik ykl hale gelmi olan Ge ve Si atomu, kaynanda ekme kuvveti yardmyla, bir sonraki atomun kovalan ban krarak, 1 elektronunu alr. Ancak, dengesi bozulmu olan atom bu elektronu sk tutamayacandan, kaynan pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisine kaplan elektron atomdan ayrlarak kaynaa doru hareket eder. 2) Durum: Bir elektronunu kaybeden ikinci atom da ondan sonraki atomun elektronunu alr.

68

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

3) -5. Durum: Bylece, elektron bir atomdan dierine geecek ve son atom da kaybettii elektronu kaynan negatif kutbundan alacaktr. 6. Durum:Tekrar birinci duruma dnlmekte ve olay devam etmektedir. Sra ile bir elektronu kaybeden her bir atom, pozitif elektrik ykl hale geldiinden pozitif elektron yk (oyuk) hareket ediyormu gibi olmaktadr. Her ne kadar pozitif elektrik yk, yani bu yk tayan atom, elektron gibi bir noktadan kalkp dierine doru hareket edemese de, ard arda oluan "+" elektrik ykl atomlar, "+" elektrik yknn (oyuun) hareket ettii grntsn vermektedir. Byle bir aklama ekli, diyotlarn ve transistrlerin alma prensibini daha ksa yoldan anlatmn salamaktadr. Elektronlarn atomdan atoma geii, hareket hzn drdnden P tipi kristaldeki akm hz N tipine gre daha yavatr.

69

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bu aklamalar yardmyla, P tipi kristaldeki akm iletimi u ekilde yorumlanr: ekil 2.13 'de grld gibi, P tipi kristale bir gerilim kayna balansn. P tipi kristaldeki akm iletimi de N tipi kristale benzer ekilde aklanr. Gerilim kayna, N tipi kristaldeki elektronlar nasl etkiliyorsa, P tipi kristalde de pozitif elektrik yklerini benzer ekilde etkiledii dnlr. yle ki: ekil 2.13 'ten takip edilirse, Gerilim kaynann "+" kutbu, kristaldeki "+" elektrik yklerini iter ve "-" kutbu da eker. Bylece, "+" elektrik ykleri, ekilde oklar ile gsterilmi olduu gibi, kaynan negatif kutbuna doru hareket eder. Bu hareket devreden bir akmn akn salar. Devredeki akmn oluumu, bu ekilde ksa yoldan aklanm olmaktadr. Ancak pozitif elektrik yklerinin hareketi yalnzca kristal ierisinde kalmaktadr. D devrede hareket eden yine elektronlardr. D devrede elektronlarn hareket yn, yine kurallara uygun olarak kristalden kaynan "+" kutbuna ve kaynan "-" kutbundan kristale dorudur. D devre akm yn de yine kurallar gereince, kaynan "+" kutbundan kp, "-" kutbuna doru olan yndr.

ekil 2.13 - P tipi gerilim kayna balanmas halinde pozitif elektrik yk (oyuk) ve elektron hareketleri

70

TEMEL ELEKTRONK

BLM 5
Kaya

DYOT ETLER
1) 2) 3) 4) 5) 6) KRSTAL DYOT ZENER DYOT TNEL DYOT IIK YAYAN DYOT (LED) FOTO DYOT AYARLANABLR KAPASTEL DYOT (VARAKTR - VARKAP)

DER DYOTLAR 1) 2) 3) 4) 5) 6) 7) MKRODALGA DYOTLARI GUNN DYOTLARI IMPATT (AVALAN) DYOT BARITT (SCHOTTKY) DYOT AN TOPARLANMALI DYOT PN DYOT BYK GL DYOTLAR

71

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

DYOTUN TEMEL YAPISI

DYOT NEDR? Diyotlar, yalnzca bir ynde akm geiren devre elemandr. Dier bir deyimle, bir yndeki direnleri ihmal edilebilecek kadar kk, br yndeki direnleri ise ok byk olan elemanlardr. Direncin kk olduu yne "doru yn" ,byk olduu yne "ters yn" denir. Diyot sembol, aada grld gibi, akm gei ynn gsteren bir ok eklindedir. Diyot Sembol:

Ayrca, diyodun ular pozitif (+) ve negatif (-) iaretleri ile de belirlenir. "+" ucu anot, "-" uca katot denir. Diyodun anaduna, gerilim kaynann pozitif (+) kutbu, katoduna kaynan negatif (-) kutbu gelecek ekilde gerilim uygulandnda diyot iletime geer. Diyodun kullanm alanlar: Diyotlardan, elektrik alannda redresr (dorultucu), elektronikte dorultucu,detektr, modlatr, limitr, anahtar olarak eitli amalar yararlanlmaktadr. Diyotlarn Gruplandrlmas: Diyotlar balca ana gruba ayrlr: 1) Lamba diyotlar 2) Metal diyotlar 3) Yar iletken diyotlar ise; iin

72

TEMEL ELEKTRONK 1. LAMBA DYOTLAR

Kaya

Lamba diyotlar en yaygn biimde redresr ve detektr olarak kullanlmtr. Scak katotlu lamba, civa buharl ve tungar lambalar bu gruptandr. ekil 3.1 'de scak katotlu lamba diyodun i grn ve alma ekli verilmitir. ekilde grld gibi snan katotdan frlayan elektronlar atom tarafndan ekilmekte ve devreden tek ynl bir akm ak salanmaktadr. Eskiden kalanlarn dnda bu tr diyotlar artk kullanlmamaktadr.

2.METAL DYOTLAR Bakr oksit (CuO) ve selenyumlu diyotlar bu gruba girmektedirler. Bakr oksitli diyotlar l aletleri ve telekominikasyon devreleri gibi kk gerilim ve kk gle alan devrelerde, selenyum diyotlar ise birka kilowatt 'a kadar kan gl devrelerde kullanlr. ekil 3.2 'de metal diyotlarn kesiti gsterilmitir.

73

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

3. YARI LETKEN DYOTLAR Yar iletken diyotlar, P ve N tipi germanyum veya Silikon yar iletken kristallerinin baz ilemler uygulanarak bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardr. Hem elektrikte hemde elektronikte kullanlmaktadr. ekil 3.3 'te tipik bir rnek olarak kuvvetli akmda kullanlan bir silikon diyot verilmitir.

74

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Tablo 3.1 'de metal ve yar iletken diyotlarna ait baz deerler verilmektedir. DYOT KARAKTERSTKLER Birimi Ters yndeki dayanma gerilimi Aktif yzeydeki akm younluu Maksimum doru yn akm Gerilim dm Maksimum dayanma scakl Ters yn akmnn doru yn akmna oran V A / cm2 A V C IR / ID Selenyum 40 - 60 0.89 - 0.9 400 0.6 - 1 80C 0.1 - 0.03 DYOT CNS Germanyum Silikon 500 - 800 1500 - 4000 100 - 300 200 0.6 65C 0.0002 100 - 300 1000 1.2 140C 0.00001

Diyotlar arasnda bir kyaslama yapabilmek iin ekil 3.4 'te bazlarnn karakteristik erileri verilmitir 3. YARI LETKEN DYOTLARIN TEMEL YAPISI Yar iletken diyotlar, PN yzey birlemeli (jonksiyon) diyotlar ve nokta temasl diyotlar olmak zere iki ana grupta toplanr. Yar iletken diyotlar, ilk olarak nokta temasl kristal diyot halinde kullanma girmitir. Zamanla bunlarn yerini yzey birlemeli diyotlar almtr. Nokta temasl diyotlar bugn baz zel alanlarda kullanldndan zel amal diyotlar blmnde incelenmitir. PN yzey birlemeli diyot dier adyla jonksiyon diyot, P ve N tipi kristallerin, zel yntemler ile, ekil 3.5 'te grld gibi, ard arda birletirilmesi yoluyla elde edilir. Birleme yzeyine jonksiyon da denir. Jonksiyon diyot deyimi buradan gelmektedir. Jonksiyon kalnl 0.01 mm 'dir. Diyodun anot ve katot ular: Diyodun P blgesinden karlan balant ucuna (elektroduna) ANOT ucu, N blgesinden karlan balant ucuna da KATOT ucu denir. Anot "+" katot "-" ile gsterilir.

75

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

POLARMASIZ PN BLEM Gerilim uygulanmam olan, diyoda POLARMASIZ diyot denir. Polarmasz diyotta u yapsal deiiklikler olmaktadr: ekil 3.6 'dan takip edilirse, N tipi kristalin birleme yzeyine yakn ksmndaki serbest elektronlar, P tipi kristaldeki pozitif (+) elektrik yklerinin, yani pozitif elektrik ykl atomlarn, ekme kuvveti etkisiyle birleme yzeyini geerek, bu yzeye yakn atomlardaki elektron boluklarn doldururlar. Ve kovalan ba kurarak P kristali ierisinde ntr (etkimesiz) bir blge olutururlar. N tipi kristalin belirli bir blmndeki elektronlarn tamam P tipi kristale getiinden, N tarafnda da ntr bir blge oluur. P kristali ntr blgesinin gerisinde kalan pozitif elektrik ykl atomlarn ekme kuvveti, N tipi kristalin ntr blgesinin br tarafnda kalm olan elektronlar ekmeye yetmeyeceinden belirli bir geiten sonra elektron ak duracaktr. Sonuta, birleme yzeyinin (jonksiyonun) iki tarafnda hareketli elektriksel yk bulunmayan bir boluk blgesi oluur.

76

TEMEL ELEKTRONK Boluk blgesinin pil ile tanmlanmas:

Kaya

Boluk blgesinin zelliini daha iyi tanmlaya bilmek iin, ekil 3.6 'da grld gibi, pozitif kutbu N tipi kristale bal, yaklak 1/2V 'luk bir pil balym gibi dnlr. Pilin "+" kutbu, serbest elektronlar eker ve "-" kutbu da, "+" atomlara elektron vererek onlar ntr hale getirir. Bylece boluk blgesi oluur.

ekil 3.6 - Yzey birlemeli diyotta boluk blgesinin pil ile gsterilii.

POLARMALI PN BLEMES Gerilim uygulanm olan diyoda, POLARMALI diyot denir. Yaplan ileme de, diyodun POLARILMASI denir. "Polarma" nn Trke karl "kutuplandrma" dr. Yani, gerilim kaynann "+" ve "-" kutuplarnn balanmasdr. Gerilim kaynann balan ekline gre, polarma u iki ekilde olur:
a) Doru polarma b) Ters polarma

77

TEMEL ELEKTRONK A. DORU POLARMA

Kaya

Gerilim kaynann, akm aktacak ynde balanmasna, DORU POLARMA denir. Doru polarma balants: Doru polarmada, ekil 3.7 'de grld gibi; gerilim kaynann pozitif (+) kutbu, diyodun anoduna (P blgesi), negatif (-) kutbu, diyodun katoduna (N blgesi) balanr. Diyodun ular arasndaki gerilim iin de "polarma" veya "polarizasyon" gerilimi deyimleri kullanlr.

ekil-3.7 leri ynde polarma balants. R, akm snrlamak ve diyotu korumak iin kullanlmtr

DORU POLARMADA DYOT ERSNDEK GELMELER ekil 3.7 'den de anlalaca gibi, doru ynde polarlm diyotta, N blgesindeki serbest elektronlar, gerilim kaynann negatif kutbu tarafndan itilir, pozitif kutbu tarafndan ekilir. Benzer ekilde, P blgesi pozitif elektrik ykleri de kaynan pozitif kutbu tarafndan itilir, negatif kutbu tarafndan ekilir. Bu srada, pozitif elektrik yklerinin tersi ynde hareket eden elektronlar da, P blgesinden karak kaynan pozitif (+) kutbuna doru akar. P blgesinden kaynaa giden her elektrona karlk, kayan negatif kutbundan kan bir elektron da N blgesine gelir. Bylece devrede bir akm doar.

78

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

D devredeki akm yn: Herkes tarafndan kabul edilen, elektron aknn tersi ynde, yani kaynan pozitif kutbundan diyoda doru ve oradan da kaynan negatif kutbuna dorudur. Ksacas; akm "+" dan, "-" ye doru akar. Diyottan geirilebilecek akmn bykl: Bir diyottan geirilebilecek olan akmn bykl diyot trne ve yapsna gre deiir. Geirilebilecek maksimum akm deeri diyot kataloglarnda verilmitir. Eer akmn byk deerlere ulamasna izin verilirse, meydana gelen scaklk diyodun yapsn etkiler ve diyot bozulur. Byle bir durumu nlemek iin, ekil 3.7 'de grld gibi, diyoda seri bir R direncinin balanmasnda yarar vardr. R direncinin seimi diyodun akm kapasitesine ve gerilim kaynann byklne gre yaplr. Diyodun Anot ve Katodu: Doru polarmal balantda, gerilim kaynann pozitif kutbu, dier adyla ANODU diyodun P blgesine balandndan, diyodun bu ucuna da ANOT ucu denmitir. Benzer ekilde dier uca da KATOT denmitir. Diyodun d grntsnde ANOT - KATOT ayrmn salayabilmek iin, genellikle katot tarafna aada gsterildii gibi bir izgi konulur.Baz diyotlarda bu durum ok iareti konularak belirtilir.

79

TEMEL ELEKTRONK B. TERS POLARMA

Kaya

ekil 3.8 'de grld gibi, gerilim kaynann negatif (-) ucu, diyodun anoduna (P tarafna), gerilim kaynann pozitif (+) ucu ise, diyodun katot (N) ucuna gelecek ekilde balant yaplrsa, diyot ok byk bir diren gsterecek ve akm akna engel olacaktr. Ancak ok kk bir kaak akm akar. Bu halde diyot ters polarmaldr veya ters balantldr denir. Byk diren ynne de diyodun ters yn ad verilmektedir.

TERS POLARMA HALNDE DYOT ERSNDEK GELMELER P blgesindeki pozitif elektrik ykleri (oyuklar) kaynan negatif kutbu tarafndan, N blgesindeki serbest elektronlar ise pozitif kutbu tarafndan ekilecek ve jonksiyondan herhangi bir akm gemeyecektir. Bu durumda, ortadaki boluk blgesi de bymektedir. (ekil 3.8)

ekil-3.8 Ters Polarma balants.

80

TEMEL ELEKTRONK Kaak akm (leakage current):

Kaya

P ve N tipi yar iletken kristalinin incelenmesi srasnda, P tipi kristalde, aznlk taycs olarak bir miktar serbest elektronun bulunduu, keza N tipi kristalde de bir miktar, aktif halde pozitif elektrik yk (oyuk) bulunduunu belirtmitik. te ters polarma srasnda, bu aznlk tayclar etkinlik gstererek, diyot ierisinden ve dolaysyla da devreden ters ynde ok kk bir akm gemesine neden olur. Bu akma "KAAK AKIM" denir. Kaak akm ekil 3.9 'da grld gibi, mikro amper mertebesinde (A) ihmal edilebilecek kadar kk olup normal alma artlarnda diyodun almasn etkilememektedir. Ancak snmayla artma gsterir.

DYOT KARAKTERST ekil 3.9 'da Ge ve Si diyotlara ait gerilim akm bants gsterilmitir. Buradaki gibi, bir eleman veya devrenin eitli deerleri arasndaki banty yanstan erilere karakteristik erisi, bazen de ksaca karakteristii denmektedir.

DORU POLARMA DURUMUNDA Doru polarmada, ekil 3.9 'da grld gibi germanyum diyodun karakteristik erisi 0,2V civarnda, silikon diyodun karakteristik erisi ise 0,6V civarnda yukarya doru kvrlmaktadr. Yani, ancak bu gerilim deerlerinden sonra diyot iletime gemektedir. letime gei gerilimine balang veya eik gerilimi denir. Diyodun hemen iletime gememesinin nedeni birleme yzeyinin iki yanndaki bo (ntr) blgesidir. Elektronlar, ancak yukarda belirtilen gerilimlerden sonra bu blgeyi geebilmektedir. ekilde grld gibi, kk deerli gerilim artnda, doru yn akm hzla bymektedir. Bu akm fabrikasnda verilen akm limitini aarsa diyot yanar.

81

TEMEL ELEKTRONK TERS POLARMA DURUMUNDA

Kaya

Ters polarmada, daha ncede belirtildii gibi, belirli bir gerilime kadar ancak mikro amper mertebesinde ve nemsenmeyecek kadar kk bir kaak akm akmakta, bu gerilimi anca ise ters akm birden bymektedir.

DYODUN DELNMES Ters akmn birden bymesi halinde, diyodun delinmesi, bu andaki gerilime de delinme gerilimi denir. Delinme olaynda, ters akmn birden bymesinin nedenleri: 1) ekil 3.8 'de grld gibi, uygulanan byk deerli ters gerilimin pozitif kutbu, N blgesindeki serbest elektronlar kuvvetle ekmekte, negatif kutbu da P blgesindeki aznlk tayc durumundaki elektronlar kuvvetle itmektedir. 2) Byk bir hareketlilik kazanan elektronlar, atomlara hzla arparak, valans elektronlarnda serbest hale gemesine neden olur. 3) Bu ekilde hem P, hem de N blgesinde hzla oalan elektronlar kaynan pozitif kutbunun ekme kuvvetine kaplarak, byk oranda kaynaa doru akar. 4) Bu arada P - N blgeleri arasndaki boluk blgesi kalkm ve P blgesinde de ok sayda elektron olumu bulunduundan P - N ayrm kalmaz. Diyot iletken bir madde haline dnr. 5) Ar elektron hareketinden dolay diyot snarak yanar. 6) Ayrca d ortamn scak olmas da olay hzlandrmaktadr. Bu nedenle, diyotlar ok scak ortamlarda kullanlmamal veya soutucu ile kullanlmaldr. Germayum diyodun maksimum alma scakl 90C, Silikon diyodu ise175C dir. Ayrca ters polarma halinde, uygulanan gerilimin byk deerlerinde diyodun yzeyi boyunca bir miktar da yzeysel kaak akm akar. Diyot yzeyinin kirlenmesi ve rutubetlenmesi durumunda yzeysel kaak akm byr. Her iki polarma halinde de vardr. Fakat ters polarma halinde, istenmeyen akm olarak, etkisini daha da ok gstermektedir. ekil 3.9 'da grld gibi, siliko diyodun delinme gerilimi, germanyum diyoda gre daha byktr. Diyer taraftan kaak akm ise daha kktr.

82

TEMEL ELEKTRONK Sonu olarak:

Kaya

Diyot, doru polarmada kk direnli bir devre eleman, ters polarmada ise byk direnli bir devre eleman nitelii gsterir ve akmn tek ynde akmasn salamaktadr. Fabrikasnca verilen, doru yn akm ve ters yn gerilimi geilirse diyot yanar.

DYODUN KONTROL Bir diyot u iki amala kontrol edilir: 1) Anot ve Katodun belirlenmesi 2) Salamlk kontrol Diyot kontrol, pratik olarak l aleti (avometre) ile yaplr. breli (analog) l aleti kullanlmas, hzl lm ve takip kolayl bakmndan daha uygundur. Ama hassas bir lm olmayp, byk veya kk diren eklinde bir lm yapmak suretiyle diyodun durumunu saptamaktr. Ayrca, bir hususa dikkat etmek gerekir: Diyot direncinin kontrolyle, normal bir direncin kontrol arasnda nemli farklar vardr. Diren lmnde, gerilim kayna olarak l aleti ierisindeki pilden yararlanlmaktadr. l aleti ierisindeki pil genelde 1.5V 'luk tur. Baz l aletlerinde 9V 'luk pil bulunur. 1.5V 'luk ohm ile yaplan en kk normal bir direncin bile, ksa zamanl lm iin tehlikeli deildir. Ancak diyot iin tehlikeli olabilir. Her diyodun, doru ynde geirebilecei akm snrldr. Bu nedenle, kk akml diyotlarn ve zelliklede yksek frekans (YF) diyotlarnn lm srasnda dikkatli olmak gerekir. Bu gibi hallerde diyotlarda 100-500 Ohm arasnda seri bir diren balamak gerekir. Ayrca; Galvano teknikte ve DC motorlar iin kullanlan byk gl dorultucu diyotlarna benzer diyotlar iletime geirmek iin byk gerilim gerektiinden 1.5V 'luk Ohm metre byle diyotlar lmez. ki ynde de byk diren gsterir. Byle diyotlar iin 9V 'luk pili bulunan avometreler kullanlr ve R*100, R*1000 kademelerinde lm yaplr.

83

TEMEL ELEKTRONK unuda bilmek gerekir:

Kaya

l kademesi bydke, l aletinin i direnci klr ve d devreye uygulad gerilim ve verdii akm byr.

DYODUN, ANOT VE KATODUNUN BELRLENMES Diyotlar devreye mutlak surette doru ekilde balanmaldr. Bunun iinde anot ve katodun bilinmesi gerekir. Diyot anot ve katodunun hangisi olduundan phe ediliyorsa, kontrol ekil 3.10 'da grld gibi iki ynl yaplr. Normal bir diyot, bir ynde kk diren, br ynde ok byk diren gsterecektir. Doru yn direnci diyottan diyoda birka 10 ohm 'dan birka 100 ohm 'a kadar, deitii gibi, ayn diyodun direnci uygulanan gerilime gre de deiir. Uygulana gerilim bydke diyodun direnci klr. Ters yn direnci, btn diyotlarda Mega ohm 'a yakn veya zerindedir. Diyot direncinin kk kt ynde, l aletinin pozitif (+) probunun bal olduu u ANOT dier u KATOT 'dur. Bu noktada dier bir hususa daha dikkat edilmesi gerekir: Baz l aletlerinde pilin negatif ucu, aletin "+" yazl kna balanmaktadr. Bu nedenle, kullanlan l aletinde pilin ka nasl balandnn bilinmesi gerekir. Prensip olarak, l aletinin "+" kndaki kablonun rengi KIRMIZI "-" kndaki kablonun rengi SYAH 'tr.

DYODUN SALAMLIK KONTROL Bir diyot u iki nedenle bozulur: 1) Doru ynde katalog deerinin zerinde akm geirilirse, 2) Ters ynde yine katalog deerinin zerinde gerilim uygulanrsa. Her iki halde de diyottan geen ar akm diyodun bozulmasna neden olacaktr.

84

TEMEL ELEKTRONK zerinden ar akm geen bir diyotta durum gzlenebilir:

Kaya

Ar akm ok fazla deilse ve ksa dnem akmsa, hem P, hem de N blgesindeki kristal atomlar arasndaki kovalan balar kopmakta ve elektronlar serbest hale gemektedir. Bu durumda diyot bir iletken haline dnmekte ve omaj lm yapldnda her iki ynde de ksa devre gstermektedir. Ar akm ok byk olursa diyot aynen bir sigorta teli gibi eriyip yanar ve omaj kontrol yapldnda her iki ynde de ak devre gsterir. Dier bir deyimle, sonsuz ( ) gsterir. Yanan bir diyottaki renk deiimi dardan bakldnda da belli olur.

85

TEMEL ELEKTRONK

BLM 6
Kaya

KRSTAL DYOT VE KARAKTERST

Nokta temasl diyot elektronik alannda ilk kullanlan diyottur. 1900-1940 tarihleri arasnda zellikle radyo alannda kullanlan galenli ve prit 'li detektrler kristal diyotlarn ilk rnekleridir. ekil 3.12 (a) 'da grld gibi galen veya prit kristali zerinde gezdirilen ince fosfor-bronz tel ile deiik istasyonlar bulunabiliyordu. Gnlk hayatta bunlara, kristal detektr veya dier adyla kristal diyot denmitir. 1940 'tan sonra, ekil 3.12 (b) 'ye benzeyen nokta temasl germanyum veya silikon diyotlar gelitirilmitir. Germanyum veya silikon nokta temasl diyodun esas; 0.5 mm apnda ve 0.2 mm kalnlndaki N tipi kristal parac ile "fosfor-bronz" veya "berilyum bakr" bir telin temasn salamaktan ibarettir.

ekil 3.12 - Nokta temasl diyot a) Genel yaps b) P blgesinin oluumu

ekil 3.13 - Nokta temasl germanyum diyodun karakteristik erisi

86

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bu tr diyotta, N tipi kristale noktasal olarak byk bir pozitif gerilim uygulanr. Pozitif gerilim temas noktasndaki bir ksm kovalan ba krarak elektronlar alr. Bylece, ok kk apta bir P tipi kristal ve dolaysyla da PN diyot oluur. Bu oluum ekil 3.12 (b) 'de gsterilmitir. Bugn nokta temasl diyotlarn yerini her ne kadar jonksiyon diyotlar alm ise de, yinede elektrotlar arasndaki kapasitenin ok kk olmas nedeniyle yksek frekansl devrelerde kullanlma alanlar bulunmaktadr. Ters yn dayanma gerilimleri dk olup dikkatli kullanlmas gerekir. ekil 3.13 'teki karakteristik erisinde de grld gibi Byle bir diyodun elektrotlar aras kapasitesi 1 pF 'n altna kadar dmektedir. Dolaysyla yksek frekanslar iin dier diyotlara gre daha uygun olmaktadr. Nokta temasl diyotlarn kullanm alanlar: Nokta temasl silikon diyotlar en ok mikro dalga kartrcsnda, televizyon, video dedeksiyonunda, germanyum diyotlar ise radyofrekans l aletlerinde (voltmetre, dalgametre, rediktr vs...) kullanlr.

ZENER DYOT VE KARAKTERST

Zener diyot jonksiyon diyodun zel bir tipidir. Zener Diyodunun zellikleri:

Doru polarmal halde normal bir diyot gibi alr (ekil 3.14). Ters polarmal halde, belirli bir gerilimden sonra iletime geer. Bu gerilime zener dizi gerilimi, veya daha ksa olarak zener gerilimi denir (ekil 3.14-VZ). Ters gerilim kalknca, zener diyotta normal haline dner. Devrelerde, ters ynde alacak ekilde kullanlr. Bir zener diyot zener gerilimi ile anlr. rn: "30V 'luk zener" denildiinde, 30V 'luk ters gerilimde almaya balayan zener diyot demektir.(ekil 3.14). Silikon yapldr.

Zener diyot, ters yn almas srasnda oluacak olan ar akmdan dolay bozulabilir. Bu durumu nlemek iin devresine daima seri bir koruyucu diren balanr (ekil 3.16-RS).

87

TEMEL ELEKTRONK Her zaman zener diyodun katalounda u bilgiler bulunur:

Kaya

Gc Ters yn gerilimi(VZ), Maksimum ters yn akm(IZM), Ters yndeki maksimum kaak akm, Maksimum direnci Scaklk sabiti.

u limit deerlerde alan zener diyotlar retilmektedir:

Maksimum zener akm (IZM): 12A Zener gerilimi (VZ): 2 - 200V aras Maksimum gc: 100Watt Maksimum ters yn kaak akm: 150A (mikro amper) Maksimum alma scakl: 175C.

alma ortam scakl arttka zener gerilim klr. Zener geriliminin ayar: Zener gerilimin ayar birleme yzeyinin iki tarafnda oluan boluk blgesinin (ntr blge) geniliinin ayarlanmas yoluyla salanmaktadr. Bunun iinde ok saf silikon kristal kullanlmakta ve katk maddesi miktar deitirilmektedir. Boluk blgesi daraldka zener diyot daha kk ters gerilimde iletime gemektedir.

88

TEMEL ELEKTRONK Zener gcnn ayar:

Kaya

Zener gc, birleme yzeyinin byklne ve diyodun retiminde kullanlan silikonun saflk derecesiyle, katk maddesinin miktarna baldr. Ayrca diyot sndka gcde deceinden, soutulmasyla ilgili nlemlerin alnmas da gerekir. ZENER DYODUN KULLANIM ALANLARI 1 - Krpma Devresinde: ekil 3.15 'de grld gibi iki zener diyot ters balandnda basit ve etkili bir krpma devresi elde edilir. rnein: Devre giriine tepe deeri 10V olan bir AC gerilim uygulansn ve krpma ilemi iin, zener gerilimi 5V olan iki Z1, Z2 zener diyodu kullanlsn.

ekil 3.15 - ki zener diyotlu tam dalga krpma devresi AC gerilimin pozitif alternans balangcnda Z1 zeneri doru polarmal ve iletimde, Z2 zeneri ise ters polarmal ve kesimde olacaktr. Giri gerilimi +5V 'a ulatnda Z2 'de iletime geer ve dolaysyla da k ular arasnda +5V oluur. Keza, R direnci zerindeki gerilim dm de 5V 'tur. AC gerilimin dier alternansnda da Z1 ters polarmal hale gelir ve bu defa da kta tepesi krplm 5V 'luk negatif alternans oluur. R direnci, devreden akacak akmn Zener diyotlar bozmayacak bir deerde kalmasn salayacak ve 5V 'luk gerilim dm oluturacak ekilde seilmitir. 2 - Zener Diyodun Gerilim Reglatr Olarak Kullanlmas: Zener diyottan, ounlukla, DC devrelerdeki gerilim reglasyonu iin yararlanlmaktadr. Buradaki reglasyondan ama, gerilimin belirli bir deerde sabit tutulmasdr.

89

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bunun iin zener diyot, ekil 3.16 'da grld gibi, gerilimi sabit tutmak istenen devre veya yk direncine paralel ve ters polarmal olarak balanr. Diyot ularna gelen gerilim, zener deerine ulatnda diyot iletime geer ve ular arasndaki gerilim sabit kalr. rnek: ekil 3.16 'da verilmi olan devrede RL yk direnci ular arasndaki VL gerilimi 6.2V 'ta sabit tutulmak istensin. Bunu salamak iin, ekilde grld gibi RL 'e paralel bal zener diyodun ve seri bal bir RS direncinin seimi gerekir. Ayrca, bir de C kondansatrnn paralel balanmasnda yarar vardr. Bu kondansatr, gerilim dalgalanmalarn ve baka devrelerden gelebilecek parazit gerilimlerini nleyici grev yapar. Deeri, devre geriliminin byklne gre, hesaplanr. ekildeki bir devre iin 30V - 1000F 'lk bir kondansatr uygundur. Burada birinci derecede nemli olan, RS direnci ile zener diyodun seimidir.

ekil 3.16 - Zener diyodun gerilim reglatr olarak kullanlmas Seri RS direncinin seimi: nce RS direncine karar vermek gerekir; Kaynak gerilimi: E=V=9V Yk direnci ve ular arasndaki gerilim: RL=33 Ohm, VL=6.2V Bu durumda, zener diyot dikkate alnmadan, VL=6.2V 'u oluturabilmek iin ka ohm 'luk bir RS direncinin gerektii hesaplanmaldr. E=IL*RS+VL ve IL=VL/RL 'dir.

90

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Birinci formldeki IL yerine, ikinci formldeki eitini yazp, deerler yerine konulursa : 9=6,2/33*RS+6,2 olur. Buradan RS zlrse: RS=(9-6,2)33/6,2 'den, RS=14.9 = 15 (ohm) olarak bulunur.

RS=15 Ohm 'luk diren balandnda, "E" gerilimi 9V 'ta sabit kald srece RL yk direnci ular arasnda srekli olarak 6.2V oluacaktr. "E" geriliminin bymesi halinde, A-B noktalar arasndaki VA-B gerilimi de 6.2V 'u aacandan, 6.2V 'luk bir ZENER diyot kullanldnda, RL ular arasndaki gerilim sabit kalacaktr. Ancak, yalnzca gerilime gre karar vermek yeterli deildir. Bu durumda nasl bir zener diyot kullanlmaldr? Zener diyodun seimi: Zener gerilimi 6.2V olan bir zener diyot RL direncine paralel balandnda VL=6.2V 'ta sabit kalr. Ancak, E giri geriliminin bymesi srasnda zener diyottan akacak olan akmn, diyodun dayanabilecei "maksimum ters yn zener akmndan" (IZM) byk olmas gerekir. Zener diyot buna gre seilmelidir. 6.2V 'luk olup ta deiik IZM akml olan zener diyotlar vardr. rnein: Aadaki tabloda, bir firma tarafndan retilen, 6.2V 'luk zenerlere ait IZM akm ve g deerleri verilmitir. Zener Maksimum akm (IZM) (mA) Zener Gc (W)

33 0.25

60 0.4

146 1

1460 10

7300 50

Bu zenerler den hangisinin seileceine karar vermeden nce yk direncinden geecek akm bilmek gerekir: ekil 3.16 'daki devrenin yk direncinden geen akm aadaki gibi olur.

91

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

IL=VL/RL = 6.2/33 = 0.188A = 188mA E geriliminin bymesi halinde oluacak devre akmnn 188mA 'in stndeki miktar zener diyottan akacaktr. rnein:, E geriliminin ulat maksimum gerilim; E = 12.2V olsun. Zener diyottan geecek olan akmn deeri u olacaktr: Kirchoff kanununa gre: 12.2 = It*RS+6.2 (It devreden akan toplam akmdr.) RS = 15 yerine konarak It zlrse; It = 1.22-6.2/15 = 6/15 'den It = 0,4A = 400mA olur. Bu 400mA 'den 188mA 'i RL yk direncinden geeceine gre; Zener diyottan geecek olan IZ akm: IZ = 400-188 = 212mA 'dir. Bu deer, yukardaki tabloya gre: 10W 'lk zenerin maksimum akm olan 1460mA 'den kk, 1W 'lk zenerin maksimum akm olan 146mA 'den byktr. Byle bir durumda 10W 'lk zener kullanlacaktr. Aslnda, 212mA 'lik zener iin 1460mA 'lik zener kullanmakta doru deildir. Daha uygun bir zener seimi iin baka retici listelerine de bakmak gerekir. 3 - l Aletlerinin Korunmasnda Zener Diyot Dner ereveli l aletlerinin korunmasnda, zener diyot ekil 3.17 'deki gibi paralel balanr. Bu halde zener gerilimi, voltmetre skalasnn son deerine eittir. llen gerilim zener gerilimini anca diyot ters ynde iletken hale geerek l aletinin zarar grmesini engeller. Ayar olana salamak iin birde potansiyometre kullanlabilir.

92

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.17 - Dner ereveli l aletinin zener diyot ile korunmas 4 - Rlenin Belirli Bir Gerilimde altrlmasnda Zener Diyot ekil 3.18 'deki gibi zener diyot, rleye seri ve ters ynde balanmtr. Rle, ancak uygulanan gerilimin, Zener gerilimi ile rle zerinde oluacak gerilim dm toplamn amasndan sonra almaktadr.

ekil 3.18 - Ancak zener gerilimi stnde alabilen rle devresi

TNEL DYOT VE KARAKTERST

Tnel diyotlar, zellikle mikro dalga alannda ykselte ve osilatr olarak yararlanlmak zere retilmektedir. Tnel diyoda, esaslarn 1958 'de ilk ortaya koyan Japon Dr. Lee Esaki 'nin adndan esinlenerek "Esaki Diyodu" dan denmektedir. Yaps: P-N birleme yzeyi ok ince olup, kk gerilim uygulamalarnda bile ok hzl ve youn bir elektron geii salanmaktadr. Bu nedenledir ki Tnel Diyot, 10.000 MHz 'e kadar ki ok yksek frekans devrelerinde en ok ykselte ve osilatr eleman olarak kullanlr.

93

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.19 - Tnel diyodun karakteristik erisi.

almas: ekil 3.19 'da da grld gibi, tnel diyoda uygulanan gerilim Vt1 deerine gelinceye kadar gerilim bydke akm da artyor. Gerilim bymeye devam edince, akm A noktasndaki It deerinden dmeye balyor. Gerilim bymeye devam ettike, akm B noktasnda bir mddet Iv deerinde sabit kalp sonra C noktasna doru artyor. C noktas gerilimi Vt2, akm yine It 'dir. Bu akma "Tepe deeri akm" denilmektedir. Gerilimi, Vt2 deerinden daha fazla arttrmamak gerekir. Aksi halde geen akm, It tepe deeri akmn aacandan diyot bozulacaktr. I=f(V) erisinin A-B noktalar arasndaki eimi negatif olup, -1/R ile ifade edilmekte ve diyodun bu blgedeki direnci de negatif diren olmaktadr. Tnel diyot A-B blgesinde altrlarak negatif diren zelliinden yararlanlr. Tnel Diyodun stnlkleri: 1) ok yksek frekansta alabilir. 2) G sarfiyat ok dktr. 1mW ' gememektedir.

94

TEMEL ELEKTRONK Tnel Diyodun Dezavantajlar: 1) Stabil deildir. Negatif direnli olmas nedeniyle kontrol zordur. 2) Arzu edilmeyen iaretlere de kaynaklk yapmaktadr. Tnel Diyodun Kullanm Alanlar: 1. Ykselte Olarak Kullanlmas:

Kaya

Tnel diyot, negatif direnci nedeniyle, uygun bir balant devresinde kaynaktan ekilen akm arttrmakta, dolaysyla bu akmn harcand devredeki gcn ykselmesini salamaktadr.

2. Osilatr Olarak Kullanlmas: Tnel diyotlardan MHz mertebesinde osilatr olarak yararlanlabilmektedir. Bir tnel diyot ile osilasyon salayabilmek iin negatif direncinin dier rezonans elemanlarnn pozitif direncinden daha byk olmas gerekir. Tnel diyoda ekil 3.20 'de grld gibi seri bir rezonans devresi balanabilecektir. Tnel diyodun negatif direnci - R=80 Ohm olsun. Rezonans devresinin direnci 80 Ohm 'dan kk ise tnel diyot bu devrenin dengesini bozacandan osilasyon doacaktr.

3. Tnel Diyodun Anahtar Olarak Kullanlmas: Tnel diyodun nemli fonksiyonlarndan biri de elektronik beyinlerde multivibratrlerde, gecikmeli osilatrlerde, flip-flop devrelerinde ve benzeri elektronik sistemlerde anahtar grevi grmesidir. Ancak bu gibi yerlerdeki kullanlma durumlar daha deiik zellik gsterdiinden ayr bir inceleme konusudur.

ekil 3.20 - Tnel diyot osilatr

95

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

IIK YAYAN DYOT (LED)

Ik yayan diyotlar, doru ynde gerilim uyguland zaman yan, dier bir deyimle elektriksel enerjiyi k enerjisi haline dntren zel katk maddeli PN diyotlardr. Bu diyotlara, aada yazlm olduu gibi, ngilizce adndaki kelimelerin ilk harfleri bir araya getirilerek LED veya SSL denir. LED: Light Emitting Diode (Ik yayan diyot) SSL: Sloid State Lamps (Katk hal lambas) Sembol:

Ik yayan diyotlar u zelliklere sahiptir:

alma gerilimi 1.5-2.5V arasndadr. (Katalounda belirtilmitir.) alma akm 10-50mA arasndadr. (Katalounda belirtilmitir.) Uzun mrldr. (ortalama 105 saat) Darbeye ve titreime kar dayankldr. Kullanlaca yere gre ubuk eklinde veya dairesel yaplabilir. alma zaman ok ksadr. (nanosaniye) Dier diyotlara gre doru yndeki direnci ok daha kktr. Ik yayan diyotlarn gvdeleri tamamen plastikten yapld gibi, k kan ksm optik mercek, dier ksmlar metal olarak ta yaplr.

1.IIK YAYMA OLAYI NASIL GEREKLEMEKTEDR Bilindii gibi, bir PN diyoda, doru polarmal bir besleme kayna baland zaman, N blgesindeki, gerek serbest haldeki elektronlar, gerekse de kovalan balarn koparan elektronlar P blgesine doru akn eder. Yine bilinmektedir ki, elektronlar atomdan ayrabilmek iin, belirli bir enerji verilmesi gerekmektedir. Bu enerjinin miktar iletkenlerde daha az, yar iletkenlerde daha byk olmaktadr. Ve bir elektron bir atomla birleirken de ald enerjiyi geri vermektedir.

96

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bu enerji de maddenin yapsna gre s ve k enerjisi eklinde etrafa yaylmaktadr. Bir LED 'in retimi srasnda kullanlan deiik katk maddesine gre verdii n rengi deimektedir. Katk maddesinin cinsine gre u klar oluur:

GaAs (Galliyum Arsenid): Krmz tesi (grlmeyen k) GaAsP (Galliyum Arsenid Fosfat): Krmzdan - yeile kadar (grlr) GaP (Galliyum Fosfat): Krmz (grlr) GaP (Nitrojenli): Yeil ve sar (grlr)

ekil 3.21(a) ve (b)' de gerilim uygulanan bir LED devresi ve k yayan diyodun tabii byklkteki resmi verilmitir. Diyot kristali, ekil 3.21(c) 'de grld gibi iki paral yapldnda uygulanacak gerilimin byklne gre krmz, yeil veya sar renklerden birini vermektedir. Ik yayan diyot sndka, k yayma zellii azalmaktadr. Bu hal ekil 3.21(d) 'de etkinlik erisi olarak gsterilmitir. Baz hallerde fazla snmay nlemek iin bir soutucu zerine monte edilir. Ayrca LED 'in ar snmasna yol amamak iin katalounda belirtilen akm amamak gerekir. Bunun iin ekil 3.21(b) 'de gsterilmi olduu gibi devresine seri olarak bir R direnci konur. Bu direncin bykl LED 'in dayanma gerilimi ile besleme kayna gerilimine gre hesaplanr. rnein: ekil 3.21(b) 'deki devrede verilmi olduu gibi, besleme kayna 9V 'luk bir pil ve LED 'de 2V ve 50mA 'lik olsun. R direnci: Kirof kanununa gre: 9=I*R+2 'dir. I=0.05A olup

R=9-2/0.05 = 7/0.05 = 140 Ohm olarak bulunur. 140 Ohm 'luk standart diren olmadndan en yakn standart st direnci olan 150 Ohm 'luk diren kullanlr.

97

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

2. LED NDEK ELEKTRK-OPTK BALANTILAR Akm-Ik iddeti balants: LED diyodunun k iddeti, iinden geen akm ile doru orantl olarak artar.Ancak bu art; ekil 3.22 'de grld gibi akmn belirli bir deerine kadar dorusaldr. Daha sonra bklr. Eer diyoda verilen akm, eik deeri ad verilen dorusalln bozulduu noktay aarsa diyot ar snarak bozulur. Bu nedenle diyotlar kullanlrken, firmalarnca verilen karakteristik erilerine uygun olarak altrlmaldr.

98

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.22 - Led k iddetinin akma gre deiimi Scaklk-k iddeti bants: Diyot sndka, akm sabit kald halde, verdii k iddeti ekil 3.21(d) 'de grld gibi klr. Bu dme diyodun cinsine gre yle deiir. GaAs diyotta dme: Her derece iin %0,7 AaAsP diyotta dme: Her derece iin %0,8 GaP diyotta dme: Her derece iin %0,3 Normal alma artlarnda bu dmeler o kadar nemli deildir. Ar alma artlarnda ise soutucu kullanlr veya baz yan nlemler alnr. G-zaman bants: Ik yayan diyotlarn gc zamanla orantl olarak der. Bu g normal gcnn yarsna dtnde diyot artk mrn tamamlamtr. Bir LED diyodun ortalama mr 105 saattir. ekil 3.23 'te, LED diyodun yaym gcnn, normal artlarda (IF=100mA, T ortam=25C iken,) zamana gre deiim erisi verilmitir. Bu tip deerlendirmede, gcn dme miktar direk g deeri olarak deil de, normal gce oran olarak alnmaktadr.

99

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.23 - Led diyodun yaym gcnn zamana kar deiimi

3. IIK YAYAN DYODUN VERM Ik yayan diyodun verimi; yaylan k enerjisinin, diyoda verilen elektrik enerjisine oranyla bulunur. Diyoda verilen elektrik enerjisinin hepsi k enerjisine dnmemektedir. Yani harekete geirilen elektronlarn hepsi bir pozitif atom ile birlememekte, saa sola arparak enerjisini s enerjisi halinde kaybetmektedir.

4. IIK YAYAN DYOTLARIN KULLANIM ALANLARI Ik yayan diyotlarn en yaygn kullanlma alan, dijital l aletleri, dijital ekranl bilgisayarlar, hesap makinalar ve yazc elektronik sistemlerdir. Bu kullanma eklinde, oklu k yayan diyotlardan yararlanlmaktadr. Baz hallerde k yayan diyotlardan iaret lambas ve k kayna olarak da yararlanlr. Optoelektronik kuplr de bir LED uygulamasdr.

5. OPTOELEKTRONK KUPLR Optoelektronik kuplr veya daha ksa deyimle Opto Kuplr ya da Optik Kuplaj ekil 3.24 'te grld gibi bir k yayan diyot (LED) ile bir fotodiyot veya fototransistrden olumaktadr. Bunlar ayn gvdeye monte edilmilerdir. Gvde plastik olup k iletimine uygundur.

100

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Ik yayan diyot genellikle Ga As katk maddeli olup kzl tesi k vermektedir. Ik yayan diyodun ular arasna bir gerilim uygulandnda kan k nlar fotodiyot veya fototransistr etkileyerek altrmaktadr. Bylece bir devreye uygulana bir gerilim ile 2. bir devreye kumanda edilmektedir. Aradaki balant, bir takm tellere gerek kalmakszn k yoluyla kurulmaktadr. Bu nedenle, optoelektronik kuplr ed verilmitir. Optokuplr bir elektronik rledir. Optokuplrn mekanik rleye gre u stnlkleri vardr:

Mekanik paralar yoktur. ki devre arasnda byk izolasyon vardr. alma hz ok byktr.

Dezavantajlar:

Gc dktr.

ekil 3.24 - Opto elektronik kuplr. Opto kuplr dere emas ekil 3.25 'te grld gibi izilir. Burada LED 'in doru polarmal, fotodiyodun ise ters polarmal olduuna dikkat edilmelidir. R1 ve R2 direnleri koruyucu direnlerdir. "K" anahtar kapatlarak giri devresi altrldnda, k devresi de enerjilenerek bir ilem yapar. rnein, devreye bir motorun kontaktar balanrsa motor alr.

101

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.25 - Opto kuplr ile bir kontaktrn altrlmas.

FOTO DYOT
Foto diyot k enerjisiyle iletime geen diyottur. Foto diyotlara polarma geriliminin uygulan normal diyotlara gre ters yndedir. Yani anoduna negatif (-), katoduna pozitif (+) gerilim uygulanr. Sembol:

Balca foto diyotlar yle sralanr:

Germanyum foto diyot Simetrik foto diyot Schockley (4D) foto diyodu

1. GERMANYUM FOTODYOT Asl alam yoluyla yaplan bir NP jonksiyon diyotudur. Cam veya metal bir koruyucu ierisine konularak iki ucu darya kartlr. (ekil 3.26). Koruyucunun bir taraf, n jonksiyon zerinde toplanmasn salayacak ekilde bir mercek ile kapatlmtr.

102

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Diyodun devreye balanmas srasnda firmasnca ularna konulan iarete dikkat etmek gerekir. Hassas yzeyi ok kk olduundan, 1.-3mA 'den daha fazla ters akma dayanamaz. Ar yklemeyi nlemek iin, bir diren ile koruyucu nlem alnr. Ik iddeti arttrldka ters yn akm da artar.

ekil 3.26 - Germayum Foto diyot

FOTODYODUN ALIMA PRENSB: Foto diyot ters polarmal balandndan zerine k gelmedii mddete almaz. Bilindii gibi ters polarma nedeniyle P-N birleme yzeyinin iki tarafnda "+" ve "-" yk bulunmayan bir ntr blge olumaktadr. ekil 3.27 'de grld gibi birleme yzeyine k gelince, bu n verdii enerji ile kovalan balarn kran P blgesi elektronlar, gerilim kaynann pozitif kutbunun ekme etkisi nedeniyle N blgesine ve oradan da N blgesi serbest elektronlar ile birlikte kaynaa doru akmaya balar. Dier taraftan, kaynan negatif kutbundan kopan elektronlar, diyodun P blgesine doru akar.,,

103

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.27 - Foto diyodun almas

a) Yapsal gsterimi b) Sembolik gsterimi

2. SMETRK FOTODYOTLAR Alternatif akm devrelerinde kullanlmak zere, ekil 3.28 'de grld gibi NPN veya PNP yapl simetrik fotodiyotlar da retilmektedir.

ekil 3.28 - Simetrik foto diyot

104

TEMEL ELEKTRONK Ia Duyarl Diyotlarn Kullanm Alanlar:

Kaya

Uzaktan kumanda, alarm sistemi, sayma devreleri, yangn ihbar sistemleri, elektronik hesap makineleri, gibi eitli konular kapsamaktadr. ekil 3.29 'da a duyarl elemanlarn, foto elektrik akmnn (Iph) k iddetine gre deiimleri verilmitir.

ekil 3.29 - eitli a hassas elemanlarn akmlarnn k iddeti ile deiimleri

AYARLANABLR KAPASTEL DYOT (VARAKTR-VARKAP) Bir P-N jonksiyon diyoda ters ynde gerilim uygulandnda, temas yzeyinin iki tarafnda bir boluk (ntr blge) olutuu ve aynen bir kondansatr gibi etki gsterdii, kondansatrler blmnde de aklanmt. Varaktr diyotta da P ve N blgeleri ekil 3.30 'da grld gibi kondansatrn plakas grevi yapmaktadr. C = A/d = *Plaka Yzeyi / Plakalar Aras Aklk kuralna gre: Kk ters gerilimlerde "d" boluk blgesi dar olduundan varaktr kapasitesi ("C") byk olur. Gerilim arttrldka d boluk blgesi genileyeceinden, "C" de klmektedir.

105

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.30 - Ters polarmal balant

Varaktr deiken kondansatr yerine kullanlabilmekte ve onlara gre hem ucuz olmakta, hem de ok daha az yer kaplamaktadr. Kaak akmnn ok kk olmas nedeniyle varaktr olarak kullanlmaya en uygun diyotlar silikon diyotlardr. Varaktrn Tipik zellikleri:

Koaksiyel cam koruyuculu, mikrojonksiyon varaktr 200GHz 'e kadar grev yapabilmektedir. Kapasitesi 3-100pF arasnda deitirilebilmektedir. 0-100V gerilim altnda alabilmektedir. Varaktre uygulana gerilim 0 ile 100V arasnda bytldnde, kapasitesi 10 misli klmektedir. Varaktrn edeer devresi ekil 3.31 'de verilmitir. Yksek frekanslarda L selfi birka nanohenri (nH), Rs birka Ohm olmaktadr.

ekil 3.31 - Bir varaktrn edeer devresi ekil 3.32 'de, VT ters yn gerilimine gre "C" kapasitesinin deiim erisi verilmitir.

106

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.32 - Varaktr kapasitesinin ters yn gerilimine gre deiimi.

Varaktrn balca kullanm alanlar: Ayarl devrelerin uzaktan kontrol, TV ve FM alc lokal osilatrlerinde otomatik frekans kontrol ve benzeri devrelerde kullanlr. Telekominikasyonda basit frekans modlatrleri, arama ayar devreleri, frekans oaltclarda, frekansn 2-3 kat bytlmesi gibi kullanm alanlar vardr.

DER DYOTLAR
MKRODALGA DYOTLARI Mikrodalga frekanslar; uzay haberlemesi, ktalar aras televizyon yayn, radar, tp, endstri gibi ok geni kullanm alanlar vardr. Giga Hertz (GHz) mertebesindeki frekanslardr. Mikro dalga diyotlarnn ortak zellii, ok yksek frekanslarda dahi, yani devre akmnn ok hzl yn deitirmesi durumunda da bir ynde kk diren gsterecek hza sahip olmasdr. Mikrodalga blgelerinde kullanlabilen balca diyotlar unlardr:

Gunn (Gan) diyotlar Impatt (Avalan) diyotlar Baritt (Schottky)(otki) diyotlar 107

TEMEL ELEKTRONK Ani toparlanmal diyotlar P-I-N diyotlar

Kaya

GUNN DYOTLARI lk defa 1963 'te J.B. Gunn tarafndan yapld iin bu ad verilmitir. Gunn diyodu bir osilatr eleman olarak kullanlmaktadr. Yaps, N tipi Galliyum arsenid (GaAs) veya ndiyum fosfat (InP) 'den yaplacak ince ubuklarn ksa ksa kesilmesiyle elde edilir. Gunn diyoda gerilim uygulandnda, gerilimin belirli bir deerinden sonra diyot belirli bir zaman iin akm geirip belirli bir zamanda kesimde kalmaktadr. Bylece bir osilasyon olumaktadr. rnek: 10m boyundaki bir gunn diyodunun osilasyon periyodu yaklak 0,1 nanosaniye tutar. Yani osilasyon frekans 10GHz 'dir.

IMPATT (AVALAN) DYOT Impatt veya avalan () diyotlar Gunn diyotlara gre daha gldrler ve alma gerilimi daha byktr. Mikrodalga sistemlerinin osilatr ve g katlarnda yararlanlr. 1958 'de Read (Rid) tarafndan gelitirilmitir.Bu nedenle Read diyodu da denir. ekil 3.33 'te grld gibi P+ - N - I - N+ veya N+ - P - I - P+ yapya sahiptir. Ters polarmal olarak alr. Yapmnda ana elemanlar olarak Slikon ve Galliyum arsenid (GaAs) kullanlr. Diyot ierisindeki P+ ve N+ tipi kristaller, ierisindeki katk maddeleri normal haldekinden ok daha fazla olan P,N kristalleridir. "I" tabakas ise iyonlamann olmad bir blgedir. Tayclar buradan srklenerek geer ve etrafna enerji verirler.

108

TEMEL ELEKTRONK BARITT (SCHOTTKY) DYOT

Kaya

Baritt Diyotlar 'da nokta temasl diyotlar gibi metal ve yar iletken kristalinin birletirilmesi ile elde edilmektedir. Ancak bunlar jonksiyon diyot tipindedir. Deme dzeyi (jonksiyon) direnci ok kk olduundan doru yn beslemesinde 0.25V 'ta dahi kolaylkla ve hzla iletim salamaktadr.Ters yne doru akan aznlk tayclar ok az olduundan ters yn akm kktr. Bu nedenle de grlt seviyeleri dk ve verimleri yksektir. Farkl iki ayr gruptaki elemandan olumas nedeniyle baritt diyotlarn direnleri (lineer) deildir. Direnlerin dzgn olmamas nedeniyle daha ok mikrodalga alclarnda kartrc olarak kullanlr. Ayrca, modlatr, demodlatr, detektr olarak ta yararlanlr.

AN TOPARLANMALI DYOT Ani toparlanmal (Step-Recovery) diyotlar varaktr diyotlarn daha da gelitirilmilerdir. Varaktr diyotlar ile frekanslarn iki ve kat bytlmeleri mmkn olabildii halde, ani toparlanmal diyotlar ile 4 ve daha fazla katlar elde edilebilmektedir.

PN DYOT P-I-N diyotlar P+-I-N+ yapya sahip diyotlardr. P+ ve N+ blgelerinin katk maddesi oranlar yksek ve I blgesi byk direnlidir. ekil 3.34 'te P-I-N diyodunun yaps verilmitir. Alak frekanslarda diyot bir P-N dorultucu gibi alr. Frekans ykseldike I blgesi de etkinliini gsterir. Yksek frekanslarda I blgesinin doru yndeki direnci kk ters yndeki direnci ise byktr. Diyodun direnci uygulama yerine gre iki limit arasnda srekli olarak veya kademeli olarak deitirilebilmektedir. P-I-N diyotlar deiken direnli eleman olarak, mikrodalga devrelerinde, zayflatc, faz kaydrc, modlatr, anahtar, limitr gibi eitli amalar iin kullanlmaktadr.

109

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

ekil 3.34 - P--N Diyot.

BYK GL DYOTLAR 2W 'n zerindeki diyotlar Byk Gl Diyotlar olarak tanmlanr. Bu tr diyotlar, byk deerli DC akma ihtiya duyulan galvano-plasti, ark kaynaklar gibi devrelere ait dorultucularda kullanlmaktadr. Tablo 3.1 'de belirtilmi olduu gibi 1500-4000V aras ters gerilime ve 1000A 'e kadar doru akmna dayanabilen SLKON DYOTLAR retilebilmektedir. ekil 3.35 'te 200A 'lik bir silikon diyot rnei verilmitir. Bu tr diyotlar ar akm nedeniyle fazla sndndan ekilde grld gibi soutuculara monte edilirler.

110

TEMEL ELEKTRONK

BLM 7
Kaya

2.1 YARIM DALGA DORULTMA

Tm elektronik cihazlar almak iin bir DC g kaynana (DC power supply) gereksinim duyarlar. Bu gerilimi elde etmenin en pratik ve ekonomik yolu ehir ebekesinde bulunan AC gerilimi, DC gerilime dntrmektir. Dntrme ilemi Dorultma (redresr) olarak adlandrlan cihazlarla gerekletirilir. Dorultma veya DC G kayna (DC power supply) denilen cihazlar, basitten karmaa doru birka farkl yntemle tasarlanabilir. Bu blmde en temel dorultma ilemi olan yarm dalga dorultma (Half wave rectifier) devresinin yapsn ve almasn inceleyeceiz. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Temel bir g kayna sistemi Transformatrler ve ilevleri Yarm dalga dorultma devresi Rpl faktr

Temel DC G Kayna (Power Supply) Bilindii gibi btn elektronik cihazlar (radyo, teyp, tv, v.b gibi) almak iin bir DC enerjiye gereksinim duyarlar. DC enerji, pratik olarak pil veya aklerden elde edilir. Bu olduka pahal bir zmdr. DC enerji elde etmenin dier bir alternatifi ise ehir ebekesinden alnan AC gerilimi kullanmaktr. ebekeden alnan AC formdaki sinsoydal gerilim, DC gerilime dntrlr. Dntrme ilemi iin DC g kaynaklar kullanlr. Temel bir DC g kaynann blok emas ekil-3.1de grlmektedir. Sistem; dorultucu (rectifier), Filtre (filter) ve reglatr (regulator) devrelerinden olumaktadr. Sistem giriine uygulanan AC gerilim; sistem knda dorultulmu ve DC gerilim olarak alnmaktadr.
Transformatr Vgiri AC Dorultma Devresi Filtre Devresi Reglatr Devresi

RL

ekil-1.1 AC Gerilimin DC Gerilime Dntrlmesi

111

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Sistem giriine uygulanan AC gerilim (genellikle ehir ebeke gerilimi), nce bir transformatr yardmyla istenilen gerilim deerine dn trlr. Transformatr, dntrme ilemiyle birlikte kullancy ehir ebekesinden yaltr. Transformatr yardmyla istenilen bir deere dntrlen AC gerilim, dorultma devreleri kullanlarak dorultulur. Dorultma ilemi iin yarm ve tam dalga dorultma (redresr) devrelerinden yararlanlr. Dorultulan gerilim, ideal bir DC gerilimden uzaktr ve az da olsa AC bileenler (rpl) ierir. Filtre devreleri tam bir DC gerilim elde etmek ve rpl faktrn minimuma indirmek iin kullanlr. deal bir DC gerilim elde etmek iin kullanlan son kat ise reglatr dzenekleri ierir. Sistemi oluturan bloklar sra ile inceleyelim. TRANSFORMATRLER Transformatrler, kayplar en az elektrik makineleridir. Transformatr; silisyumlu zel satan yaplm gvde (karkas) zerine sarlan iletken sarglardan oluur. Transformatr karkas zerine genellikle iki ayr sarg sarlr. Bu sarglara primer ve sekonder ad verilir. Primer giri, sekonder k sargs olarak kullanlr. Sarglarn sarm says spir olarak adlandrlr. Transformatrn primer sarglarndan uygulanan AC gerilim, sekonder sargsndan alnr. ehir ebeke gerilimi genellikle 220Vrms/50Hzdir. Bu gerilim deerini belirlenen veya istenilen bir AC gerilim deerine dntrlmesinde genellikle transformatrler kullanlr. Transformatrlerin sekonder ve primer sarglar arasnda fiziksel bir balant olmadndan, kullancy ehir ebekesinden yaltrlar. Bu durumda gvenlik iin nemli bir avantajdr. Sekonder sargsndan alnan AC iaretin, gc ve gerilim deeri tamamen kullanlan transformatrn sarm saylarna ve karkas apna badr. reticiler ihtiyaca uygun olarak ok farkl tip ve modelde transformatr retimi yaparlar. ekil-3.2de rnek olarak baz alak gl transformatrler grlmektedir.

ekil-3.2 Farkl model ve tipte transformatrler Transformatrlerin primer ve sekonder gerilimleri ve gleri zerlerinde etkin deer (rms) olarak belirtilir. Primer sarglar genellikle 220Vrms/50Hz, sekonderler sarglar ise farkl gerilim deerlerinde retilerek kullancya sunulurlar. ekil-3.3'de farkl sarglara sahip transformatrlerin sembolleri ve gerilim deerleri gsterilmitir.

112

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

36V Sekonder 24V Primer Primer Sargs 220Vrms 50Hz Sekonder Sargs 12Vrms 50Hz 12V 220Vrms 50Hz 12V 0V a) Transformatr b) Orta ulu Transformatr c) ok ulu Transformatr 24V 220Vrms 50Hz 12V

ekil-3.3 Farkl tip ve modelde Transformatr sembolleri ve u balantlar ulu transformatrler dorultucu tasarmnda tasarruf salarlar. Transformatr seiminde; primer ve sekonder gerilimleri ile birlikte transfomatrn gcne de dikkat edilmelidir. G kaynanda kullanlacak transformatrn toplam gc; trafo zerinde ve dier devre elemanlarnda harcanan g ile ykte harcanan gcn toplam kadardr. Transformatr her durumda istenen akm vermelidir. Fakat bir transformatrden uzun sre yksek akm ekilirse, ekirdein doyma blgesine girme tehlikesi vardr. Bu nedenle transformatr hem harcanacak gce, hem de k akmna gre tleransl seilmelidir. YARIM DALGA DORULTMA ehir ebekesinden alnan ve bir transformatr yardmyla deeri istenilen seviyeye ayarlanan AC gerilimi, DC gerilime dntrmek iin en basit yntem yarm dalga dorultma devresi kullanmaktr. Tipik bir yarm dalga dorultma devresi ekil-3.4de verilmitir. ehir ebekesinden alnan 220Vrms deere sahip AC gerilim bir transformatr yardmyla 12Vrms deerine drlmtr.

220Vrms 50Hz

12Vrms 50Hz

Diyot RL

ekil-3.4 Yarm Dalga Dorultma Devresi Devrenin almasn ayrntl olarak incelemek zere ekil-3.5den yararlanlacaktr. Yarm dalga dorultma devresine uygulanan giri iareti sinsoydaldr ve zamana bal olarak yn deitirmektedir. Devrede kullanlan diyodu ideal bir diyot olarak dnelim. Giri iaretinin pozitif alternansnda; diyot doru polarmalanmtr. Dolaysyla iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. pozitif alternans yk zerinde oluur. Bu durum ekil-3.5.a zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.

113

TEMEL ELEKTRONK
Diyot letimde + + 0 t 12Vrms 50Hz RL 0 t

Kaya

V Giri

V k

ekil-3.5.a Giri iaretinin pozitif alternansnda devrenin almas Giri iaretinin frekansna bal olarak bir sre sonra diyodun anoduna negatif alternans uygulanacaktr. Dolaysyla giri iaretinin negatif alternansnda diyot yaltmdadr. nk ters ynde polarmalanmtr ve zerinden akm akmasna izin vermez. Ak devredir. Dolays ile k iareti 0V deerinde olur. Bu durum ekil3.5.b zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
V Giri 0 t + 12Vrms 50Hz I=0A RL 0 t Diyot kesimde + V k

ekil-3.5.b Giri iaretinin negatif alternansnda devrenin almas Yarm dalga dorultma devresinin knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil3.6da ayrntl olarak verilmitir. Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan iaret artk AC bir iaret deildir. nk k iareti, negatif alternanslar iermez. Dorultma kndan sadece pozitif saykllar alnmaktadr. k iareti bu nedenle DC iarete de benzememektedir ve dalgaldr. Bu durum istenmez. Gerekte dorultma kndan tam bir DC veya DC gerilime yakn bir iaret alnmaldr.

V VTepe

ekil-3.6 Yarm dalga dorultma devresinin k dalga biimleri Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan iaretin DC deeri nemlidir. Bu deeri lmek iin k ykne (RL) paralel bir DC voltmetre baladmzda ekil3.6daki iaretin ortalama deerini leriz. Yarm dalga dorultma devresinin giriine uyguladmz iaret 12Vrms deerine sahipti. Bu iaretin tepe deeri ise;

114

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

VTepe = 2 12V 17V

civarndadr. O halde k iaretinin alaca dalga biimi ve ortalama deeri ekil-3.7 zerinde gsterelim.
V VTepe Vort =VDC 0 T t

ekil-3.7 Yarm dalga dorultma devresinde k iaretinin ortalama deeri Tam bir periyot iin k iaretinin ortalama deeri;

VOrt =

Vt 17V = = 5.4 volt 3.14

olarak bulunur. Yukarda belirtilen deerler gerekte ideal bir diyot iindir. Pratikte 1N4007 tip kodlu silisyum bir diyot kullandmz dnelim. Bu durumda k iaretinin dalga biimi ve alaca deerleri bulalm.
VD =0.7v VGiri + 0 t 12Vrms 50Hz RL + V t =17-0.7 V DC=5.19 0 t

ekil-3.8 Pratik Yarm Dalga dorultma devresi k iaretinin alaca tepe deer; VTepe=17V-0.7V=16.3Volt Dolays ile ka balanacak DC voltmetrede okunacak ortalama deer (veya DC deer);

VOrt =
olarak elde edilir.

Vt 16.3V = = 5.19 volt 3.14

115

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

2.2

TAM DALGA DORULTMA Basit ve ekonomik DC g kaynaklarnn yapmnda yarmdalga dorultma devreleri kullanlr. Profesyonel ve kaliteli DC g kaynaklarnn yapmnda ise tam dalga dorultma devreleri kullanlr. Tam dalga dorultma devreleri; orta ulu ve kpr tipi olmak zere iki ayr tipte tasarlanabilir. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz. Yarmdalga dorultma ile tam dalga dorultma arasndaki farklar. Tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin analizi Orta ulu tamdalga dorultma devresinin analizi Kpr tipi tamdalga dorultma devresinin analizi

Bir nceki blmde yarm dalga dorultma devresini incelemitik. Yarm dalga dorultma devresinde ehir ebekesinden alnan sinsoydal iaretin sadece tek bir alternansnda dorultma ilemi yaplyor, dier alternans ise kullanlmyordu. Dolaysyla yarmdalga dorultmacn kndan alnan gerilimin ortalama deeri olduka kktr. Bu ekonomik bir zm deildir. Tamdalga dorultma devresinde ise dorultma ilemi, ebekenin her iki alternansnda gerekletirilir. Dolaysyla k gerilimi daha byk deerdedir ve DCye daha yakndr. Bu durum ekil-3.9 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
Vt
0

V t Vgiri
YARIMDALGA DORULTMA DEVRES

Vk

Vt

Vt
0

V t Vgiri
TAMDALGA DORULTMA DEVRES

Vk

Vt

ekil-3.9 Yarm dalga ve tamdalga dorultma devresinde k dalga biimleri Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin alaca DC deer aadaki forml yardmyla bulunur.

VOrtalama =

2Vt

rnein tamdalga dorultma giriine 17V tepe deerine sahip sinsoydal bir iaret uygulanmsa bu durumda k iaretinin alaca deer;

116

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

VOrtalama =

2 ( 17V ) = 10.8 volt 3.14

olarak elde edilir. Bu durum bize tamdalga dorultma devresinin daha avantajl olduunu kantlar. TAMDALGA DORULTMA DEVRES Tamdalga dorultma devresi ekil-3.10da grlmektedir. Bu devre orta ulu bir transformatr ve 2 diyot kullanlarak gerekletirilmitir. Transformatrn primer sarglarna uygulanan ebeke gerilimi, transformatrn sekonder sarglarnda tekrar elde edilmitir. Sekenderde elde edilen geriliminin deeri transformatr dntrme oranna baldr. Transformatrn sekonder sargs ekilde grld gibi uludur ve orta ucu referans olarak alnmtr. Sekonder sargsnn orta ucu referans (ase) olarak alndnda sekonder sarglar zerinde oluan gerilimin dalga biimleri ve ynleri ekil-3.10 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.

Vsek/2

Vgiri
t

D1
0

Vsek/2

+
D2

Vk

RL _ 0

ekil-3.10 Orta ulu tamdalga dorultma devresi Orta ulu tamdalga dorultma devresinin incelenmesi iin en iyi yntem ebeke geriliminin her bir alternans iin devreyi analiz etmektir. Orta u referans olarak alnrsa, sekonder gerilimi iki ayr deere (Vsek/2) dntrlmtr. rnein; Vgiri iaretinin pozitif alternansnda, transformatrn sekonder sargsnn st ucunda pozitif bir gerilim oluacaktr. Bu durumda, D1 diyodu doru polarmalandrlm olur. Akm devresini; trafonun st ucu, D1 diyodu ve RL yk direnci zerinden transformatrn orta ucunda tamamlar. RL yk direnci zerinde ekil-3.11de belirtilen ynde pozitif alternans oluur. Akm yn ve akmn izledii yol ekil zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.

117

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

D1

+
Vgiri

iletim

+ +
RL
kesim

Vk
0

D2

ekil-3.11 Pozitif alternansta devrenin almas ve akm yolu ebekenin negatif alernansnda; transformatrn sekonder sarglarnda oluan gerilim dm bir nceki durumun tam tersidir. Bu durumda aseye gre; sekonder sarglarnn st ucunda negatif alternans, alt ucunda ise pozitif alternans oluur. Bu durum ekil-3.12 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. Bu durumda D2 diyodu iletken, D1 diyodu ise yaltkandr. Akm devresini trafonun orta ucundan balayarak D2 zerinden ve RL yk zerinden geerek tamamlar. Yk zerinde ekil-3.12de belirtilen dalga ekli oluur. Akm yolu ve gerilim dmleri ekil zerinde gsterilmitir.
D1
kesim

Vgiri

+ +

+
RL _ D2

Vk
0

ekil-3.12 Negatif alternansta devrenin almas ve akm yolu Orta ulu tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin dalga biimini tekrar ele alp inceleyelim. Devrede kullanlan transformatrn sekonder sarglarnn 2x12Vrms deere sahip olduunu kabul edelim. Bu durumda transformatrn sekonder sarglarnda elde edilen iaretin tepe deeri;
VTepe = 2 Vrms 1.41 12V = 16.9 volt

olur. Devrede kullanlan diyotlar ideal olamaz. Silisyum diyot kullanlacaktr. Bu nedenle diyot zerinde 0.7V gerilim dm meydana gelir. Bu durumda RL yk direnci zerinde den k geriliminin tepe deeri; 118

TEMEL ELEKTRONK
VTepe = 16.9V 0.7 = 16.2 volt

Kaya

olacaktr. kta elde edilen iaretin DC deeri ise devreye bir DC voltmetre balanarak llebilir. Bu deer k iaretinin ortalama deeridir ve aadaki formlle bulunur.
2(VTepe VD ) 2( 16.9 0.7 ) = 10.3 volt 3.14

VOrtalama =

k iaretinin dalga biimi ve zellikleri ekil-3.13 zerinde gsterilmitir.

ekil-3.13 k dalga biiminin analizi

KPR TP TAMDALGA DORULTMA Tamdalga dorultma devresi tasarmnda dier bir alternatif ise kpr tipi tamdalga dorultma devresidir. Kpr tipi tamdalga dorultma devresi 4 adet diyot kullanlarak gerekletirilir. ehir ebekesinden alnan 220Vrms/50Hz deere sahip sinsoydal gerilim bir transformatr kullanlarak istenilen deere dntrlr. Transformatrn sekonderinden alnan gerilim dorultularak ktaki yk (RL) zerine aktarlr. Dorultma ileminin nasl yapld ekil-3.14 ve ekil-3.15 yardmyla anlatlacaktr. ehir ebekesinin pozitif alternansnda; transformatrn sekonder sargsnn st ucunda pozitif alternans oluur. D1 ve D2 diyodu doru ynde polarmaland iin akm devresini D1 diyodu, RL yk direnci ve D2 diyodundan geerek transformatrn alt ucunda tamamlar. RL yk direnci zerinde pozitif alternans oluur. Bu durum ve akm yn ekil-3.14de ayrntl olarak gsterilmitir.

119

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

+ Vgiri

D3

D1 +

~
-

+
RL Vk _

D2

D4

ekil-3.14 Pozitif alternansta tamdalga dorultma devresinin davran ebekenin negatif alternansnda; bu defa transformatrn alt ucuna pozitif alternans oluacaktr. Bu durumda D3 ve D4 diyotlar doru ynde polarmalanr ve iletime geerler. Akm devresini; D4 diyodu, RL yk direnci ve D3 diyodu zerinden geerek transformatrn st ucunda tamamlar ve RL yk direnci zerinde pozitif alternans oluur. Bu durum ayrntl olarak ekil-3.15 zerinde gsterilmitir.

Vgiri

D3

D1 +

~
+ +

+
RL Vk _

D2

D4

ekil-3.15 Negatif alternansta tamdalga dorultma devresinin davran Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin ald DC deer hesaplanmaldr. rnein transformatrn sekonder gerilimi 12Vrms (etkin) deere sahip ise bu gerilimin tepe deeri;

VTepe = 2 Vrms 1.41 12V = 16.9 volt

deerine eit olur. Dorultma ileminde tek bir alternans iin iki adet diyot iletken olduunda diyotlar zerinde den ngerilimler dikkate alndnda RL yk direnci zerinde oluan k gerilimin tepe deeri;

120

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

VkkTe ) = VTepe (VD1 + VD 2 ) Vk ( Tepe ) = 16.9 ( 0.7 + 0.7 ) = 15.4 volt

deerine sahip olur. Bu durum ekil-3.16 zerinde gsterilmitir. Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin alaca ortalama veya DC deeri ise;

VOrtalama = VDC =

2Vk ( Tepe )

2( 15.4 ) = 9.8 volt 3.14

V k ( Tepe ) = [16 . 9 1 . 4 ] = 15 . 4 v

VOrtalama = VDC =

2 Vk ( Tepe )

] = 2[15.4] = 9.8 v
3.14

ekil-3.16 Kpr tipi tamdalga dorultma devresinde k iaretinin analizi

2.3

DORULTMA FLTRELER Yarmdalga ve tamdalga dorultma devrelerinin klarndan alnan dorultmu sinyal ideal bir DC sinyalden ok uzaktr. Dorultucu devrelerin kndan alnan bu sinyal, darbelidir ve bir ok ac bileen barndrr. ehir ebekesinden elde edilen dorultulmu sinyal eitli filtre devreleri kullanlarak ideal bir DC gerilim haline dntrlebilir. En ideal filtreleme elemanlar kondansatr ve bobinlerdir. Bu blmde bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz. Filtre ileminin nemi ve amalarn, Kondansatr (C) ile gerekletirilen kapasitif filtre ilemini Rpl gerilimini ve rpl faktrn LC filtre ve T tipi filtreler

DC G kayna tasarm ve yapmnda genellikle 50Hz frekansa sahip ehir ebeke geriliminden yararlanlr. Bu gerilim tamdalga dorultma devreleri yardmyla dorultulur. Dorultma kndan alnan gerilim ideal bir DC gerilim olmaktan uzaktr. eitli darbeler barndrr ve 100Hzlik bir frekansa sahiptir. Bu durum ekil3.17de ayrntl olarak gsterilmitir.

121

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

V 0 t Tamdalga Dorultma Devresi

V 0 t

V Filtre Devresi 0 t

ekil-3.17 Dorultma Devrelerinde Filtre ilemi Dorultma kndan alnan gerilim, byk bir dalgalanmaya sahiptir ve tam bir DC gerilimden uzaktr. Filtre knda ise dalgalanma oran olduka azaltlmtr. Elde edilen iaret DC gerilime ok yakndr. Filtre knda kk de olsa bir takm dalgalanmalar vardr. Bu dalgalanma Rpl olarak adlandrlr. Kaliteli bir dorultma devresinde rpl faktrnn minimum deere drlmesi gerekmektedir.

KAPASTF FLTRE Dorultma devrelerinde filtrelemenin nemi ve ilevi hakknda yeterli bilgiye ulatk. Filtreleme ilemi iin genellikle kondansatr veya bobin gibi pasif devre elemanlarndan faydalanlr. Dorultma devrelerinde, filtreleme ilemi iin en ok kullanlan yntem kapasitif filtre devresidir. Bu filtre ileminde kondansatrlerden yararlanlr. Kapasitif filtre ileminin nasl gerekletirildii bir yarm dalga dorultma devresi zerinde ekil-3.18 yardmyla ayrntl olarak incelenmitir. Kondansatr ile gerekletirilen filtre ilemi ekil-3.18de ayrntl olarak gsterilmitir. Sisteme enerji verildiinde nce pozitif alternansn geldiini varsayalm. Bu anda diyot doru polarmaland iin iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. Pozitif alternansn ilk yars yk zerinde oluur. Devredeki kondansatrde ayn anda pozitif alternansn ilk yar deerine arj olmutur. Bu durum ekil-3.18.a zerinde gsterilmitir.
_
Vt(giri)-0.7V Vgiri

+
Vt(giri)

+
0V

+ Vc 0V t0

+ RL -

ekil-3.18.a Pozitif alternansta diyot iletken, kondansatr belirtilen ynde arj oluyor

122

TEMEL ELEKTRONK
_

Kaya

0V

Vgiri

+ Vc 0V t0 t1

+ RL -

ekil-3.18.b Negatif alternansnda diyot yaltkan, kondansatr RL yk zerine dearj oluyor.

+ +
0V t0 t1 t2 Vgiri

+
Vc

+ 0V RL t0 t1 t2 -

ekil-3.18.c Yk zerinde grlen k iaretinin dalga biimi Pozitif alternansn ikinci yars olumaya baladnda diyot yaltmdadr. Diyotun katodu anaduna nazaran daha pozitiftir. nk kondansatr giri geriliminin tepe deerine arj olmutur. Kondansatr arj gerilimini ekil-3.18.bde belirtildii gibi yk zerine boaltr. ebekeden negatif alternans geldiinde ise diyot ters polarma olduu iin yaltmdadr. Kondansatrn dearj ehir ebekesinin negatif alternans boyunca devam eder. ebekenin pozitif alternans tekrar geldiinde bir nceki admda anlatlan ilemler devam eder. Sonuta k yk zerinde oluan iaret DCye olduka yakndr. k iaretindeki dalgalanmaya rpl denildiini belirtmitik. DC g kaynaklarnda rpl faktrnn minimum dzeyde olmas istenir. Bu amala filtreleme ilemi iyi yaplmaldr. Kondansatrle yaplan filtrreleme ileminde kondansatrn kapasitesi byk nem tar. ekil-3.19de filtreleme kondansatrnn k iaretine etkisi ayrntl olarak gsterilmitir.

123

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

0V Byk kapasiteli C Kk kapasiteli C

ekil-3.19 Filtre kondansatr deerlerinin k iareti zerinde etkileri Filtreleme ileminin tamdalga dorultma devresinde daha ideal sonular verecei aktr. ekil-3.20de ise tamdalga dorultma devresinde gerekletirilen kapasitif filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi verilmitir.
rpl rpl

ekil-3.20 Tamdalga dorultma devresinde kapasitif filtreleme ilemi ve rpl etkileri Filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi bir miktar dalgalanma iermektedir. Bu dalgalanmaya rpl ad verildiini daha nce belirtmitik. Filtrelemenin kalitesini ise rpl faktr=rp belirlemektedir. Rpl faktr yzde olarak ifade edilir. Rpl faktrnn hesaplanmasnda iin ekil-3.21den yararlanlacaktr.
} Vr(t-t)

ekil-3.21 Tamdalga dorultmata rpl faktrnn bulunmas

Rp Faktr = rp =

Vr(etkin) VDC

rnek: k gerilimi DC 110V olan bir dorultma knda tepeden tepeye dalgalanma mevcuttur. Dorultma devresinin Rpl Faktrn bulunuz.

rp =

Vr(etkin) VDC

100

2 0 .5 = 0.32 110

rpl faktr %0.32 olarak bulunur.

124

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

LC FLTRE Dorultma devrelerinde rpl faktrn minimuma indirmek iin bir dier alternatif bobin ve kondansatrden oluan LC filtre devresi kullanmaktr. ekil-3.22de LC filtre devresi grlmektedir. Bu filtre devresinde bobinin endktif reaktans (XL) ve kondansatrn kapasitif reaktansndan (XC) yararlanlarak filtre ilemi gerekletirilir.
L AC Giri

Tamdalga Dorultma

LC Filtre

RL

ekil-3.22 Tamdalga dorultma devresinde LC filtre

VE T TP FLTRE LC tipi filtre devreleri gelitirilerek ok daha kaliteli filtre devreleri oluturulmutur. ve T tipi filtreler bu uygulamalara iyi bir rnektir. Rpl faktrnn minimuma indirilmesi gereken ok kaliteli dorultma klarnda bu tip filtreler kullanlabilir. ekil-3.23de ve T tipi filtre devreleri verilmitir.

V giri
C1

L C2

Vk

V giri

L1 C1

L2

Vk

U - tipi filtre

T - tipi filtre

ekil-3.23 ve T tipi filtre devreleri GERLM REGLASYONU Dorultma devrelerinden elde edilen k geriliminin her koulda sabit olmas ve d etkenlerden bamsz olmas istenir.

125

TEMEL ELEKTRONK

BLM 8
Kaya

G KAYNAKLARI
G kayna, genel tanmyla, bir enerji reticisidir. Bu enerji elektrik enerjisi olduu gibi, mekanik, s ve k enerjisi eklinde de olabilir. Konumuz elektronik olduu iin biz elektronik devreler iin gerekli g kayna olan DORULTUCULAR incelenecektir. Dorultucu nedir? AC gerilimi DC gerilime eviren g kaynaklardr. Elektronikte kullanlan dorultucularn yararland .ac gerilim, ehir ebekesinden alnan 220 Volt 'luk gerilimdir. Bu gerilim ekil 1.5 'de grld gibi sinzoidal olarak deiir. yi bir dorultucudan beklenen, AC geriliminden, hi dalgalanmas olmayan ve istenilen deerde bir DC gerilim oluturmaktr. Buradaki "+" ve "-" deerlendirilmesi kaynan topraa balanan ucu ile yaplmaktadr. Kaynan (-) ucu topraa (aseye) balanrsa,besleme gerilimi (+) pozitif olarak kullanlr. Veya bunun tersi olur. Genellikle "-" negatif u topraa balanr.

DORULTUCULARIN YAPISI: Komple bir dorultucu ekil 1.5 'de gsterildii gibi u drt ana blmden olumaktadr:

Transformatr: 220V ihtiya duyulan AC gerilime dntrlmesini salar. Dorultma Devresi: AC gerilimi DC gerilime eviren devredir. Bu DC gerilim, sinzoidal deiimin tek ynl halidir. Yani dalgaldr. Filtre Devresi: Dalgalanmas mmkn olduunca az DC gerilim oluumunu salar. Reglatr Devresi: Tam dorultulmu DC gerilim oluumunu salar.

126

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Transformatr Vgiri AC

Dorultma Devresi

Filtre Devresi

Reglatr Devresi

RL

ekil 5.1 - Dorultucunun blmleri

TRANSFORMATRLER
Transformatrler gerek elektrik alannda olsun, gerekse de elektronik alannda olsun ok kullanlan elemanlardr. Burada elektronik alannda kullanlan transformatrlerin, yaplar alma prensibi ve hesaplama ynteminden zet olarak bahsedeceiz.. Transformatrlerin elektronik alanndaki balca kullanm yerleri yle sralanabilir:

Kuplaj iin Ykseltelerde hoparlr k iin Empedans uygunluunun salanmas iin G kaynaklarnda deiik gerilimler elde etmek iin

TRANSFORMATRLERN YAPISI VE ETLER Yukarda sralanan elektronik devrelerde transformatr yalnzca monofaze olarak kullanlr. Monofaze transformatrde, daha sonra aklanaca gibi, ortada, saclar ile oluturulan bir nve (ekirdek) ve bunun zerinde primer ve seconder sarglar vardr. Ayrca, elektrik devrelerinde kullanlan trifaze ve ok fazl transformatrlerde vardr.

127

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Monofaze transformatr nedir? Monofaze transformatr tek fazda alan transformatrdr. rnein, Monofaze transformatrden 220V 'u istenilen gerilime evirmek iin yararlanlr. "Mono" nun kelime anlam da "Tek" demektir. Normal olarak ehir elektrik ebekesi fazldr. Fazlar, R, , T olarak adlandrlr. Bu fazn her biri ile toprak aras 220V 'tur. Kk iyerleri ve evlerde genelde tek faz kullanlr. Elektronikte de tek faz kullanlr.

ALIMA PRENSB
FT SARGILI TRANSFORMATRN ALIMA PRENSB ekil 5.6 'da grld ve yukarda da akland gibi monofaze bir transformatrde genellikle iki giri ucu ve iki de k ucu mevcuttur. Bu ular giri ve k sarglarndan alnmaktadr. htiyaca gre k sargs yine ekilde grld gibi birden fazlada olabilir. Bu sarglar teknik dilde aadaki gibi adlandrlr:

Giri sargs: (Primer sarg) k sargs: (Sekonder sarg)

Primer sargya bir AC gerilim uygulandnda, sekonder sarg ularndan da yine AC gerilimi alnr.

GERLM LE SARIM SAYISI BAINTISI Primer ve sekonder sarglardaki gerilim deerleri, sarglarn sarm saylaryla orantldr. Gnlk hayatta, AC devrelerde lm iin kullanlan normal l aletleri efektif deerleri lt iin, hesaplamalarda da genel olarak efektif deerler kullanlr. Transformatrdeki efektif deerler gsterilirken, zellikle gerilimler iin deiik semboller kullanlmtr.

128

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

1. Baz yaynlarda; Transformatre uygulanan gerilim: U1 veya UP Transformatrn primer sargsnda endklenen gerilim: E1 Transformatr sekonderin den alnan gerilim: U2 vaye US Transformatrn sekonderin de endklenen gerilim: E2 Transformatr kaypsz kabul edilirse; U1=E1 ; U2=E2 'dir. Kayplar dikkate alnrsa; U1=E1+kayp gerilimi, U2=E2+kayp gerilimi 'dir. 2. Dier baz yaynlarda da, btn gerilimler V ile gsterilmekte ve nereye ait gerilim ise onu belirten indis kullanlmaktadr. rnein, Transformatr primer gerilimi VP, sekonder gerilimi VS, yk direncindeki gerilim dm VL ile gsterilmektedir.

Burada kullanlan semboller: Primer taraf iin; Primer Primer sarm Primer Primer gc: gerilimi: VP says: NP akm IP PP Sekonder taraf iin; Sekonder Sekonder sarm Sekonder Sekonder gc: gerilimi: VS says: NS akm: IS PS

Bir transformatrde gerilim deerleri ile sarm saylar arasnda u bant vardr: VP/VS = NP/NS NP/NS = n deerine TRANSFORMASYON (Dntrme) ORANI denir. PRMER SEKONDER G BAINTISI Teorik olarak bir transformatrn giriine hangi g verilirse, kndan da ayn g alnr. Giri gc PP ve k gc ise PS ise => PP=PS 'dir...

Ancak, transformatrn saclarndaki fuko akmndan, histerisiz olayndan ve sarglarn endktif reaktansndan (XL) dolay , giri enerjisinin bir blm s enerjisine dnerek kaybolur.

129

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Kayp nedenleri: Fuko akmlar: Saclarn ierisinde oluan ve dairesel olarak dolaan akmdr. Histeresiz olay: Saclarn mknatslanmas olaydr. Endktif reaktans (XL): Sarg tellerinin Ac direncidir. Aslnda, Ps k gc, PP giri gcne gre biraz kktr (Ps<PP). Ancak, kk gl transformatrlerde kayplar ihmal edilebileceinden PP=Ps olarak kabul edilir.

G GERLM VE AKIM BAINTISI Transformatrlere uygulanan gerilim; Vp=Vpm Sint eklinde sinzoidal olarak deien bir gerilimdir. Bu gerilim, primer sargdan aktaca akm ile, sekonder sargda oluturaca gerilim ve akmda yine sinzoidal olarak deiir. Ancak, hesaplamalar efektif deerler zerinden yapldndan, g bantlar yle yazlr: Pp = Ip . Vp ve Ps = Is . Vs

Bu bantda, birimler yledir: V: Volt, I: Amper, P: Watt Pp=Ps kabul edildiinden, Ip.Vp=Is,Vs yazlabilir. Buradan da u sonu kar: Vp/Vs = Is/Ip

SARGI EMPEDANSLARI LE GERLM VE AKIM BAINTILARI Zp: Primer sarg empedans, Zs: Sekonder sarg empedans olmak zere gerilim yle ifade edilir: Vp = Ip . Zp ve Vs = Is . Zs

Bu deerler yukarda yerine konulursa aadaki eitlikler elde edilir: Ip.Zp / Is.Zs = Is/Ip olur. Buradan, I2S / I2P = ZP / ZS veya IS / IP = ZP / ZS

130

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Bu eitlikler gerilim cinsinden yazlrsa aadaki gibi olur.. Vp/Vs = Is/Ip idi. Is/Ip = ZP / ZS bulundu. Buradan Vp/Vs = ZP / ZS olur.

zet olarak yazlrsa transformatr bantlar yle olacaktr: Pp =Ps NOT: Burada u iki hususa dikkat etmek gerekir. Yukardaki bantda Np/Ns sabit bir deerdir. Dier oranlarn da sabit olmas gerekir. Is 'nin bykl transformatrn yk direncine baldr. Yk direnci ok kk olursa Is tolerans deerinin zerinde byr. Bu durumda yukardaki oran salamak zere Ip 'de byr. Transformatr anormal olarak snp yanabilir. Kullanma srasnda bu duruma dikkat etmek gerekir. Transformatrn, sekonder ular ak iken de uzun mddet altrlmas doru deildir. Enerji sarfiyat olmadndan yine snr. En ideal alma ekli; yk direncinin Zs empedansna eit olmasdr. Vp/Vs = Np/Ns = Is/Ip = ZP / ZS

VERM: Yukarda da belirtildii gibi her transformatrde az veya ok, fuko, histerisiz ve sarg kayplar vardr. nceden belirtildii gibi, kk gl transformatrlerde bu kayplar pek dikkate alnmaz ve Pp = Ps olarak kabul edilir. Ancak, bu tr kayplarn bilinmesi ve hassas hesaplamalarda dikkate alnmas gerekir. Bu durumda transformatrn verimi sz konusu olacaktr. Verim: k gcnn - giri gcne orandr. Forml: = Ps/Pp veya % = (Ps/Pp)*100 arasnda deiir. dr.

Genelde verim: = %75 - %98

131

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

rnek: Soru: Bir transformatrde giri gerilimi Vp:220V, k gerilimi Vs:20,V olsun (Bu deerler efektif deerlerdir). Transformatrn verimi %98 ve k akm Is:2A olduuna gre, primer akm nedir? zm: Giri akm sorulduuna gre nce giri akmn verecek bantydnmek gerekir. Problemin verili tarzndan, verim ve dolaysylada da g bants yoluyla zme gidilecei anlalmaktadr. Primer gc: Pp=Vp*Ip 'dir. Buradan; Ip=Pp/Vp olur.

Bu bantda Vp bilinmektedir, Pp 'de bulunursa Ip'yi de bulmak mmkn olur. %=Ps/Pp*100 idi. Bilinenler yerine konulursa: 98=(Vs.Is/Pp)*100 98=(20*2/Pp)*100 olur. Yukardaki bantdan; Pp=20*2*100/98 = 40,8 Watt olarak bulunur. Bu deerler yukardaki Ip bantsnda yerine konulursa aadaki deerler alde edilir. Ip = Pp/Vp = 40,8/220 = 0,185Amper =185 miliAmper olarak bulunur...

OTO TRANSFORMATRN ALIMA PRENSB Oto transformatrde giri ve ka ait, g gerilim ve empedaslar sarm (tur) saysna gre belirlenir. Yalnzca akm, yksz halde giri ve k iin ayndr.Ancak, RL gibi bir yk direnci balandnda akm, sarg empedans ile R oranna gre paylalr. Girie ait, g, gerilim, empedans ve akm deerleri ile sarm says; P1 V1, Z1, I1, N1 olsun.

132

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Aralarnda u bant vardr: P1=V1*I1,

V1=I1*Z1

Bu sarma den g ve gerilim: Psa = P1/N1 Vsa = V1/N1 ka ait g, gerilim, empedans ve botaki akm: P2, V2, I2 olsun k ucunun alnd ksm sarm saysnda N2 olsun. u bant vardr: P2 = Psa*N2 = (P1/N1)N2, Z2 = Zsa*N2 = (Z1/N1)*N2 V2 = Vsa*N2 = (V1/N1)*N2, Bota: I2=I1

kta RL gibi bir yk direnci bal iken yk akm: IL = V2/RL dir. Transformatr sargsndan akan akm: I2 = V2/Z2 olur. Giriten ekilen akm: I1 = I2+IL 'dir.. Oto transformatrn avantajlar: 1) Tek sarg kullanld iin kk glerde daha az yer tutar. 2) k geriliminin istenildii gibi ayarlanmas olana vardr. 3) Daha az snr. Oto transformatrn u iki dezavantaj vardr: 1) Sargnn tek sra olmas halinde (Varyakta) ok yer kaplar. 2) Normal bir transformatrde primer ve sekonder sarglar arasna yaltkan bir bant konarak ka kaak yapma ihtimali nlendiinden, k bakmndan daha gvenli hale getirilmektedir. Oto transformatrde k ular, arasnda kalan bir sarm koptuunda giri ular arasndaki byk gerilim ka yansyacak ve giri akmnn tamam da ktan devreyi tamamlayacaktr. Byle bir durumda:

k ular arasndaki byk gerilim hayati tehlike yaratabilir. k devresi de hassas elektronik elemanlar bulunabileceinden, byk gerilim ve byk akm, devre elemanlarna zarar verecektir.

133

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

TRANSFORMATR HESABI Her elektroniki ve elektriki kendisi transformatr retmese de, bir transformatrn boyutlarna ve tel kalnlna bakt zaman gc hakknda bir tahminde bulunabilmelidir. Bu bakmdan burada, transformatr hesabyla ilgili baz pratik bilgiler verilecektir. Bu bilgiler zellikle, en ok kullanlan FT SARGILI dorultucu transformatr iin yararl olacaktr. Bir transformatr retmek veya gc hakknda tahminde bulunabilmek iin unlarn bilinmesi gerekir: 1) 2) 3) 4) Nve (ekirdek) kesiti Sarm (Spin) says Tel ve Sarg kesiti Nvenin boyutlar karakteristik deerlerin

Transformatr retirken de; yukardaki hesaplanabilmesi iin u n bilgilere ihtiya vardr:

Transformatrn gc. Giri ve k gerilimleri.

Bu n bilgiler de kullanlma yerine gre saptanr. Burada rnek olarak, bir dorultucu transformatrnn pratik yoldan hesaplanmas yntemi anlatlacaktr.

134

TEMEL ELEKTRONK

BLM 9
Kaya

NPN VE PNP TP TRANSSTRLER

Transistr nedir? Eklem Transistr yar iletken malzemeden yaplm elektronik devre elemandr. Her nekadar diyodun yapsna benzesede almas ve fonksiyonlar diyottan ok farkldr. Transistr iki eklemli blgeli bir devre eleman olup iki ana eittir.

NPN PNP

Transistr aada belirtildii gibi deiik ekillerde tanmlanr: 1) Transistrn kolay anlalmas bakmndan tanm; Transistrn bir sandvie benzetilmesidir, yar iletken sandvii. 2) kinci bir tanmda yle yaplmaktadr; Transistr, iki elektrodu arasndaki direnci, nc elektroda uygulanan gerilim ile deien bir devre elemandr. 3) Transistrn en ok kullanlan tanm ise yledir; Transistr yan yana birletirilmi iki PN diyodundan oluan bir devre elemandr. Birleme srasna gre NPN veya PNP tipi transistr oluur. Transistrn balca eitleri unlardr:

Yzey birlemeli (Jonksiyon) transistr Nokta temasl transistr

135

TEMEL ELEKTRONK Unijonksiyon transistr Alan etkili transistr Foto transistr Tetrot (drt ulu) transistr Koaksiyal transistr

Kaya

Transistrn kullanm alanlar: Transistr yapsal bakmdan, ykselte olarak alma zelliine sahip bir devre elemandr. Elektroniin her alannda kullanlmaktadr.

ekil 4.1 Transistrler

136

TEMEL ELEKTRONK
a) NPN ve PNP transistrlerin yapsal gsterilimi, b) Transistr sembolleri

Kaya

NPN VE PNP TP TRANSSTRLERN YAPISI Yukarda belirtilen deiik ilevli btn transistrlerin esas YZEY BRLEMEL TRANSSTR 'dr. Bu nedenle, yzey birlemeli transistrlerin incelenmesi, transistrlerin yaps, karakteristikleri ve alma prensipleri hakkndaki gerekli bilgileri verecektir. Trasistrler, temel yaps bakmndan aada gsterilmi oduu gibi; iki gruba ayrlr: NPN tipi transistrler PNP tipi transistrler

Yine her iki tip transistrn de N-P-N ve P-N-P blgeleri yle adlandrlr: 1) EMETR; "E" ile gsterilir. 2) BAZ; "B" ile gsterilir. 3) KOLLEKTR; "C" ile gsterilir. Blgeler u zelliklere sahiptir: Emetr blgesi (Yayc): Akm tayclarn harekete balad blge. Baz blgesi (Taban): Transistrn almasn etkileyen blge. Kollektr blgesi (Toplayc): Akm tayclarn topland blge. Bu blgelere irtibatlandrlan balant iletkenleri de, elektrot, ayak veya balant ucu olarak tanmlanr. Transistr yapsnda baz kalnlnn nemi: Akm tayclarnn BAZ blgesini kolayca geebilmesi iin, baz 'n mmkn olduunca ince yaplmas gerekir.

137

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

NPN VE PNP TP TRANSSTRLERN POLARILMASI VE ALIMASI TRANSSTRDE POLARLAMA NEDR? Transistrn asl grevi, deiik frekanslardaki AC iaretleri ykseltmektir. Transistrn bu grevi yerine getirebilmesi iin, nce Emiter, Beyz ve Collectorn DC gerilim ile beslenmesi gerekir. Uygulanan bu DC gerilime POLARMA GERLM denir. Transistrn polarlmas: Transistrn almasn salayacak ekilde, Emiter, Beyz ve Collectotnn belirli deerdeki ve iaretteki (), DC gerilim ile beslenmesine transistrn polarlmas (kutuplandrlmas) denir.

NPN TP TRANSSTRN POLARILMASI NPN transistr u iki diyodun yan yana gelmesi eklinde dnlr:

"NP" Emiter - Beyz diyodu "PN" Beyz - Collector diyodu

Bir NPN transistr altrabilmek iin, ekil 4.2 'de grld gibi, uygulanan polarma gerilimi iki ekilde tanmlanabilir: 1- Diyot blmlerine gre tanmlama;

Emiter - Beyz diyodu, doru polarlr. Baz - Collector diyodu ise, ters polarlr. Emiter, Beyz ve Collectorn kristal yapsna

2- Polarma geriliminin, uygulandna gre;

Emiter ve Beyz 'e kristal yapsna uygun polarma gerilimi uygulanr. Collectore ise, kristal yapsnn tersi polarma gerilimi uygulanr.

NPN tipi transistrde uygulanan polarma gerilim:

Emiter N tipi kristaldir : Kristal yapya uygun, negatif (-) gerilim. Beyz P tipi kristaldir : Kristal yapya uygun, pozitif (+) gerilim. Collector N tipi kristaldir : Kristal yapya ters, pozitif (+) gerilim.

138

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

NOT: 1. ekil 4.2 'de grld gibi, beyz 'in polarma gerilimi ile ilgili tipik bir durum var. Beyz 'e VEB kaynann pozitif kutbu, VCB kaynann ise, negatif kutbu balanmtr. Bu durumda beyz polarma gerilimi ne olacaktr? Yukarda belirtildi gibi, Emiter-Beyz diyodu iletimde, olduu iin, VEB kaynann pozitif kutbu etken olacaktr. Yani Beyz 'in polarma gerilimi, pozitiftir. PNP transistr iin de benzer ekilde dnlr. 2. Transistrn gerek polarma konusu, gerekse de alma prensibi aklanrken, anlatm kolayl bakmndan iki DC besleme kayna kullanlmaktadr. Uygulamada ise, tek besleme kayna kullanlmaktadr.

NPN TRANSSTRN ALIMASI Yukarda tanmlanm olduu gibi polarma gerilimi uygulanm olan bir NPN transistrde aadaki gelimeler olur.

1. N BLGESNDEK GELMELER Emiter ve collector oluturan N blgesindeki, ounluk tayclar, elektronlar u ekilde etkilenir; VCB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisinde kalan, gerek emiter, gerekse de collector blgesi elektronlar VCB kaynana doru akar. Bu ak IC collector akmn yaratr. Ayn anda VEB kaynann negatif kutbundan ayrlan elektronlar da emitere geer.Bu gei IE emiter akmn yaratr. P blgesinden geemekte olan elektronlardan bir miktarda VEB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle VEB 'ye doru akar. Bu ak IB beyz akmn yaratr. Son olarkada VCB 'nin negatif kutbundaki elektronlar, VEB 'nin pozitif kutbuna gei yaparak akm yolunu tamamlar. Bylece devrede bir akm doar.

139

TEMEL ELEKTRONK 2. P BLGESNDEK GELMELER NPN transistrde beyz P tipi kristaldir. P tipi kristaldeki "+" ykler (oyuklar) u ekilde aktif rol oynamaktadr:

Kaya

P tipi kristaldeki katk maddesi atomlarnn d yrngesinde elektron var. Bir elektronu katk maddesi atomlarna veren Ge ve Si atomlar, pozitif elektrik yk (oyuk) haline gelir ve bunlar ounluktadr. ekil 4.3 'te grld gibi VEB besleme kaynann pozitif (+) kutbunun itme kuvveti etkisi ve negatif kutbunun da ekme kuvveti etkisiyle, beyzden emitere doru bir pozitif elektrik yk (oyuk) hareketi balar. Dier bir ifadeyle, emiterden beyz 'e doru elektron hareketi balar. Yine collectorde. Aznlk tayclar durumunda olan ok az saydaki "+" ykler (oyuklar), VCB kaynann pozitif kutbunun itme kuvveti ve negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle beyz elektroduna doru hareket eder. Bylece ok kk bir,akm doar. Bu akm, beyz collector diyodunun ters yn (kaak) akm olup ihmal edilebilecek kadar kktr.

ZETLE: Yukarda aklanan hususlarn sonucu olarak, ekil 4.4 'te zellii olan elektrik ykleri gsterilmek suretiyle zet bir grnt verilmitir. 1. ekilde byk ok ile gsterilmi olduu gibi, emiter ve collector blgesindeki elektronlarn byk blm collector elektroduna doru ve kk bir blm de yalnzca emiterden beyz elektroduna doru akmaktadr. Elektron ak d devrede de devam eder. Bu ak IE, IB ve IC akmlarn yaratr. IE=IB+IC 'dir. Bu bant her eit devre kuruluunda ve her transistr iin geerlidir. Ancak IB akm IC akm yannda ok kk kaldndan (IB=0.02 IC), pratik hesaplamalarda IB ihmal edilir. IE = IC olarak alnr. 2. Katk maddelerine ait, "+" ve "-" iyonlarn bir etkinlii olmadndan daire ierisine alnmtr

140

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

3. Serbest elektronlarn ok hzl hareket etmesi nedeniyle NPN transistrdeki akm iletimide hzl olmaktadr. Bu nedenle NPN transistrler yksek frekanslarda almaya daha uygundur. 4. Ayrca, ekil 4.4 'te, bir NPN transistrn, ters ynde bal iki NP ve PN diyot eklinde dnlebilecei de gsterilmitir. Bylece, ters bal iki diyot devresinden akmn nasl aktda kendiliinden aklanm olmaktadr. ekil 4.4 - NPN transistrde akm iletimini salayan elektronlarn ak ynleri ve transistrn ters bal iki diyot halindeki grnts.

PNP TP TRANSSTRN POLARILMASI PNP transistrn, NPN transistre gre, yapmnda olduu gibi, polarma geriliminde de terslik vardr. ekil 4.5 'te bir PNP transistre polarma geriliminin uygulan gsterilmitir. ekilden de anlald gibi, PNP transistrde de, NPN 'de olduu gibi polarma geriliminin ynleri iki ekilde tanmlanr: 1 - Diyot blmlerine gre tanmlama

Emiter - Beyz diyodu, doru polarlr. Collector - Beyz diyodu, ters polarlr.

2 - Polarma geriliminin kristal yapya uygunluuna gre tanmlama:

Emiter P tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, pozitif (+) gerilim uygulanr. Beyz N tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, negatif (-) gerilim uygulanr. Collector P tipi kristaldir: Kristal yapsna ters, negatif (-) gerilim uygulanr.

Polarma durumuna gre devreden akan akmlarn yn Daima IE=IB+IC 'dir.

141

TEMEL ELEKTRONK PNP TRANSSTRN ALIMASI

Kaya

PNP transistrde, NPN transistrdeki elektron yerine, pozitif elektrik ykleri (oyuklar), ve pozitif elektrik ykleri yerine de elektronlar gemektedir. PNP transistrdeki akm iletimi pozitif elektrik ykleri ile aklanmaktadr. PNP transistrn almas u ekilde olmaktadr:

VEB besleme kaynann pozitif kutbunun itme, negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle, emiterdeki pozitif elektrik ykleri (oyuklar) atomdan atoma yer deitirerek bayze doru akar. Bu hareketlenme srasnda pozitif elektrik ykleri (oyuklar) collectore bal VCB besleme kaynann negatif kutbunun ekme kuvveti etkisi altnda kalr. VCB gerilimi VEB 'ye gre daima daha byk seildiinden; pozitif elektrik yklerinin (oyuklarn) %98 - %99 gibi byk bir blm collector elektroduna doru, %1 - %2 gibi kk bir blm de beyz elektroduna doru akm iletimi salar.

Bu arada, bir miktar pozitif elektrik yk de, beyzdeki serbest elektronlar ile birleerek ntr hale gelir.

Ayn zamanda collector blgesindeki aznlk tayclar durumunda bulunan az saydaki elektronlar da VCB 'nin etkisiyle beyz elektroduna doru hareket eder. Bu hareket, ters yn (kaak) akmn yaratr.

D devredeki gelimeler: ekilde gsterildii gibi, emiterden VEB besleme kaynann "+" kutbuna ve oradan da beyz'e ve VCB besleme kaynann zerinden collectore, elektron ak balar. Kat zerinde gsterilen akm yn de, yine ekildeki gibi, besleme kaynann "+" kutbundan "-" kutbuna doru olmaktadr. ZETLE: Bir PNP transistrdeki akm iletimi, pozitif elektrik ykleri (oyuklar) ile salanmaktadr.

142

TEMEL ELEKTRONK AKIM VE GERLM YNLER AKIM YNLER: NPN Transistrde akm ynleri:

Kaya

a) Emiterde; Transistrden d devreye doru, yani emiterdeki ok ynndedir. b) Beyz ve Collectorde; D devreden transistre dorudur.

PNP Transistrde akm ynleri:

a) Emiterde; D devreden transistre dorudur, yani okun gsterdii yndedir. b) Beyz ve Collectorde; Transistrden d devreye dorudur.

GERLM YNLER: Burada gerilim ynnden ama, polarma geriliminin "+" veya "-" oluudur. NPN Transistrde gerilim ynleri:
a) Emitere: Negatif (-) gerilim uygulanr. b) Beyze: Pozitif (+) gerilim uygulanr. c) Collectore: Pozitif (+) gerilim uygulanr.

PNP Transistrde gerilim ynleri:

a) Emitere: Pozitif (+) gerilim uygulanr. b) Beyze: Negatif (-) gerilim uygulanr. c) Collectore: Negatif (-) gerilim uygulanr.

NOT: Uluslararas kabule gre, bir iletkendeki elektron ak yn ile akm yn birbirine gre terstir. Uluslararas elektroteknik kuruluu (IEC) tarafndan yaplan kabule gre; Elektrik ve Elektronik devrelerindeki AKIM YN, besleme kaynann pozitif kutbundan (+), Negatif kutbuna (-) doru olan yndr. Diyot sembollerindeki ve transistrlerin emiterindeki akm ynn gsteren oklar da "+" dan "-" 'y dorudur. Elektron yn sadece teorik aklamalar srasnda gsterilmektedir. Kirchoff kanununa gre , yaplan devre hesaplamalarnda "+" ve "-" akm ynlerinin gsterilmesi gerekebilir. Bura da, besleme kaynann pozitif kutbundan negatif kutbuna doru olan yn, "+" akm yn, bunun tersi olan yn ise "-" akm yn olarak gsterilir.

143

TEMEL ELEKTRONK TRANSSTRLERN MULTMETRE LE SALAMLIK KONTROL

Kaya

Transistrlerin ayrntl kontrol transistrmetrelerle yaplr. Transistrmetreler daha ok labaratuvarlarda kullanlr. Bir transistrn en kolay kontrol ekli multimetre ile yaplr, Ancak, bu halde transistre herhangi bir zarar verilmemesi iin multimetrenin iinde bulunan pilin 1.5V 'dan byk olmamasna veya devreden akacak akmn 1 mA 'den fazla olmamasna dikkat edilmelidir. Transistr devrede iken lm yaplmaz. PNP ve NPN tipi transistrlerin multimetre ile kontrol srasnda ularn tutulu ekilleri gsterilmitir. Tablo 4.1 'de ise, yaplacak kontroln esaslar ve multimetrede aa yukar okunmas gereken deerler verilmitir. Tablo 4.1 'e uygun olarak yaplan kontrollerede, direncin byk okunmas gerekirken kk okunuyorsa veya kk olmas gerekirken byk deerlerle karlayorsanz transistr bozuk demektir. lmelerde, multimetrenin ierisindeki pil vastas ile byk direnlerin okunmas srasnda ters polarma, kk direnlerin okunmas srasnda doru polarma uygulamas yaplmaktadr. 1.5V 'luk multimetre ile yaplan kontrol srasnda transistrden akacak akm ksa bir mddet iin 1mA 'i gemeyeceinden, gnlk hayata girmi transistrlerde herhangi bir bozuklua yol amayacaktr. Fakat, yaylm yoluyla yaplan alam transistrleri gibi hassas transistrlerin kontrol srasnda, emniyet tedbiri olarak VCE collector geriliminin sfrdan balayarak gerekli gerilime kadar ayarlanmas tavsiye edilmektedir. Bu bakmdan byle transistrlerin transistrmetre ile kontrol uygun olmaktadr veya 100-200 ohm 'luk seri diren kullanlr.

TRANSSTRLERDE YKSELTME LEMNN GEREKLETRLMES Transistrler yaps gerei, akm ykseltme zelliine sahiptir. Uygun, bir devre dizaynyla gerilim ve g ykseltmesi de yapar. Tabi bu ilemlerde de asl olan akmdr. Bu nedenle, nce akmn nasl ykseltildiinin bilinmesi gerekir..... Transistr ykseltme ilemi nasl yaplmaktadr? rnek olarak ekil 4.9 'da grld gibi bir NPN tipi transistr alnmtr. Transis trn alabilmesi iin elektrotlarna, u gerilimler uygulnyor:

144

TEMEL ELEKTRONK Emiter: (-)gerilim, Beyz: (+)gerilim, Collectore: (+)gerilim.

Kaya

ekil 4.9 - Emiteri ortak ykselte

a) Jonksiyonel balant devresi b) Sembolik balant devresi

ekil 4.9 'da, emiter ucu giri ve k devrelerinde ortak olduu iin, bu ykselte "Emiteri ortak balantl ykselte" olarak tamlanr. En ok kullanlan ykselte eklidir. Transistrn bu ekilde knda bir yk direnci bulunmadan altrlmasna ksa devrede alma denmektedir. YKSELTME LEMNN SALANMASI: 1) Transistr ierisinde emiterden beyz ve collectre doru bir elektron ak vardr.. 2) Elektronlarn kk bir ksm da Vbe kaynann oluturduu giri devresi zerinden, byk bir ksmda Vce kaynann oluturduu k devresi zerinden devresini tamamlar... 3) Giri ve kta dolaan elektronlarn miktar, trans. byklne bal olduu gibi, Vbe ve Vce kaynak gerilimlerinin byklede baldr. 4) Emiterdeki elektronlar harekete geirmek iin "Silisyum" transistrde en az 0.6V, "Germanyum" transistrde ise 0.2V olmas gerekir. 5) Elektrolar ekebilmesi iin Vce gerilimi Vbe 'ye gre olduka byk seilir. 6) Giri devresinden dolaan elektronlar "Ib" beyz akmn, k devresinden dolaan elektronlarda "Ic" collectr akmn oluturur. 7) Buradaki Ib ve Ic akmlar DC akmlardr... Eer girie AC gerilim uygulanrsa, ve Ic 'de AC olarak deiir. 8) Ib ve Ic akmlar devrelerini tamamlarken emiter elektrodu zerinde birletiinden Ie akm, Ib ve Ic 'nin toplam olur............

145

TEMEL ELEKTRONK Herzaman geerli kural: IE=IB+IC Sonuta:

Kaya

Ib akm giri akm, Ic akm da k akm olarak deerlendirilirse, Ib gibi kk deerli bir akmdan, Ic gibi byk deerli bir akma ulalmaktadr......... Bu olay "Transistrn akm ykselteci olarak altn gstermektedir." Emiteri ortak balantda akm kazanc forml: =IC/IB 'dir...Beta:() IB ve IC akmlar deise de, (Beta) akm kazanc sabit kalmaktadr. Akm kazanc nasl oluyorda sabit kalyor? ekil 4.9 'a gre; VBE gerilimi bytldnde; iki aamal u gelimeler olmaktadr: 1) Emiter - Beyz diyodu daha byk bir gerilim ile polarlm olduundan, daha ok elektron harekete geer. Bu elektronlarn, Beyz girii zerinden devre tamamlayan miktar da artacandan IB akm byr. 2) Dier taraftan, byk hareketlilik kazanan emiter elektronlar, mevcut olan VCE ekme kuvveti etkisiyle beyz 'i daha ok sayda geerek collectore ular. Bylece daha byk IC akm oluur. IB ve IC deki art ayn oranda olmaktadr. Dolaysyla da, =IC/IB deeri sabit kalmaktadr. VBE kltldnde de IB ve IC ayn oranda kldnden, (Beta) yine sabit kalr. Grld gibi, gerek IB, gerekse de IC akmnn byyp klmesinde yalnzca VBE giri gerilimi etkin olmaktadr... VCE besleme kaynann akm kazancna etkisi nedir? VCE gerilimi bytldnde, devreden akan elektron miktarnda, dier bir deyimle IC akmnda, nemli bir art olmamaktadr. Nedeni; VCE gerilimi, esas olarak, VBE geriliminin emiterde hareketlendirdii elektronlar ekmektedir. Emiterde ne kadar ok elektron hareketlenmise, VCE 'de o kadar ok elekrtron ekmektedir. Bunlara collectordeki belirli saydaki elektronlarda eklenmektedir. Ancak, collectorde daha az katk maddesi kullanldndan aa kan elektron says da daha azdr. Bunlarda IC akmn fazla etkileyememektedir. VCE 'nin bytlmesi, ekilen elektron saysn ok az artrabilmektedir.

146

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Ancak, VCE 'nin, transistr katalounda verilen deeri de gememesi gerekir. VCE 'nin belirli bir deeri gemesi halinde, ters polarmal durumunda olan, Beyzcollector diyodu delineceinden, transistr yanar.

TRANSSTRN, IC, VCE VE RCE LE LGL TANIMI: Bu tanmlama, IC, VCE VE RCE arasndaki banty aklayan, dier bir deyimle, transistrn ykseltici srrn ortaya koyan bir tanmlamadr. Transistr, iki elektrodu arasndaki direnci, nc elektroduna uygulanan gerilim ile deitirilebilen elektrotlu bir devre elemandr. yleki; Ohm kanununa gre, k devresinde u bant yazlabilecektir: VCE=IC*RCE VCE belirli bir deer de sabit tutulduu halde, VBE ve dolaysyla da IB deiince IC 'de deitiinden, yukardaki bantya gre, RCE direnci de deiir. Burada: Transistrn iki elektrodu arasndaki diren: RCE 'dir. nc elektroda uygulanan gerilim ise: VBE 'dir. Teorik hesaplamalarda: IC maksimum deerine ulanca, RCE=0 olduu kabul edilir. RCE=0 olunca, VCE 'de "0" olur. Benzer durum giri direncinde de olmaktadr: Diyot karakteristik erisinden de bilindii gibi, VBE 'nin biraz bytlmesi halinda IB akm ok abuk bymektedir. Buradan u sonu kmaktadr: VBE giri gerilimi bytlnce; RBE giri direnci klr. zet olarak: Giri gerilimi bydke, hem giri direnci hem de k direnci klr.

147

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

AKIM KAZANCININ BULUNMASI Akm kazanc, ykselte olarak almakta olan bir transistrn, kndaki akmn giriindeki akma orandr. ekil 4.10 'da grld gibi, ykseltelerin balant ekli vardr. Bu balant ekillerindeki akm kazanlar yle ifade edilir: 1. Emiteri ortak balant. Akm kazanc 2. Beyzi ortak balant. Akm kazanc 3. Collector ortak balant. Akm kazanc BETA, =IC/IB ALFA, =IC/IE GAMA, =IE/IB

ekil 4.10 - Transistrdeki balant halinde balant ularnn durumu.

148

TEMEL ELEKTRONK AKIM KAZANLARININ DNTRLMES Her balant eklinde de akmlar arasnda u balant vardr: IE=IC+IB veya IC=IE-IB Bu balant ile yukardaki bantlardan yararlanlarak, dntrlr.

Kaya

birbirlerine

'nn cinsinden yazlmas: = /+1 olur...

1/ = IE/IC = IC+IB/IC = 1+IB/IC = 1+1/ 'dan

'nn cinsinden yazlmas: = /1olur...

Yukardaki " , " bantsndan,

'nn cinsinden yazlmas: = -1/ olur...

= IC/IE = IE-IB/IE = 1-IB/IE = 1-1/ = -1/ 'dan

'nn cinsinden yazlmas: = 1/1olur...

Yukardaki " , " bantsndan,

'nn cinsinden yazlmas: = -1 olur...

= IC/IB = IE-IB/IB = IE/IB-1 = -1 'den

'nn cinsinden yazlmas: = +1 olur...

Yukardaki ", " bantsndan

zet bir tablo yaplrsa dnmler yle sralanr: =/+1 = -1/ = /1= -1 =1/1=+1

TRANSSTRN DRT BLGE KARAKTERST Drt blge karakteristiklerinde, DC 'de ve yksz olarak altrlan transistrn giri ve k akmlar ile gerilimleri arasndaki bantlara ait karakteristik erileri hep birlikte grntlenir.

149

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Drt blge karakteristik erilerinden yararlanlarak u statik karakteristik deerleri hesaplanabilmektedir. 1) 2) 3) 4) Giri direnci kdirenci Akm kazanc Giri-k gerilim (zt reaksiyon) bants

Bunlar transistrn yapsyla ilgili karakteristik deerlerdir. Drt blge karakteristii, transistr knda yk direnci yokken karldndan bunlara ksa devre karakteristikleri de denir. Transistrn "Beyz" 'i , "Emiteri" ve "Collectoru" ortak balantl haldeki ksa devre karakteristikleri ile, ykte alma srasnda konu edilen yk dorusu ayrca "Temel ykselte devreleri" blmnde daha detayl anlatlmtr. Burada, n bilgi olarak, emiteri ortak ykseltee ait rnek verilecektir..

DRT BLGE KARAKTERSTK ERSNN BLGELER: emiteri ortak ykseltece ait drt blge karakteristik erisi, u blgelerden olumaktadr. 1. BLGE KARAKTERSTK ERS (VCE-IC): VCE k gerilimindeki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. RC=VCE/IC bants ile IKI DRENCN belirler. 2. BLGE KARAKTERSTK ERS (IB-IC): IB giri akmndaki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. =IC/IB bants ile AKIM KAZANCINI belirler. 3. BLGE KARAKTERSTK ERS (VBE-IB): VBE giri gerilimindeki deiime gre, IB giri akmndaki deiimi gsterir. Rg=VBE/IB bants ile GR DRENCN belirler.

150

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

4. BLGE KARAKTERSTK ERS (VBE-VCE): "VBE - VCE" bants VBE giri gerilimindeki deiime gre, VCE k gerilimindeki deiim miktarn gsterir. Bu deiim, gerilim transfer oran olarak tanmlanr. Aslnda bu iki gerilimin biri biri zerinde nemli bir etkisi bulunmamaktadr. Bu bilgiler daha ok teorik almalar iin gereklidir.

TRANSSTRN ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK ALITIRILMASI Sayclar (counters), bilgisayarlar (computers), ateleme devreleri (trigger circuit) gibi, bir ksm devrenin ok hzl almas (on) ve sukunete gemesi (off) gerekebilir. Bu gibi hallerde ok hassas bir anahtarlama yaplmas gerekir. Bu devrelerde, transistrden anahtar olarak yararlanlmaktadr. Transistr ile nano saniye 'lik yani 10-9 saniyelik (sn) bir alma hz salanmaktadr. Transistrden, iki ekilde anahtar olarak yararlanlabilmektedir. 1) Normal almada 2) Doyma halindeki almada Transistrn doyma halinde almas, ksa bir an iin, tayabilecei maksimum akmda grev yapmas demektir. TRANSSTRN NORMAL ALIMADA ANAHTAR GREV YAPMASI bir NPN transistrn anahtar olarak almasn gsteren iki devre verilmitir. Bu devreler, 6 Volt 'luk besleme kaynakl ve emiteri ortak balantl, lamba yakan bir transistrden olumaktadr. IB akmnn deimesi yoluyla altrlan bir devredir: R reostas ile IB akmnn ayar yaplmaktadr. R direnci yeterince kltlp IB akm yeterince byltldnde, IC akm lambay yakacak seviyeye ulaacaktr.

151

TEMEL ELEKTRONK VBE gerilimini kontrol etmek suretiyle altrlan bir devredir. VBE gerilimi, S reostas zerindeki gerilim dm ile salamaktadr.

Kaya

"S" reostas, "0" 'dan yani en st noktadan balatlarak, yava yava bytldnde, beyz-emiter arasna uygulanan gerilimde byr. Bu gerilim, rnein, silikon transistrde 0.6V 'u geince transistr iletime geer ve lamba yanar. Bu alma eklinde, transistr kesikli alan bir ykselte olarak grev yapmtr. Transistrn gerek anlamda anahtar olarak almas, doyma halindeki almadr...

TRANSSTRN YKSELTE OLARAK ALITIRILMASI Ykselte olarak altrlan bir transistrden, u ilemin gerekletirilmesinde yararlanlr: 1) Akm kazancn salamak 2) Gerilim kazancn salamak 3) G kazancn salamak Buradaki kazancn anlam: Transistr giriine verilen akm, gerilim veya gcn ktan daha byk deerlerde elde edilmesidir. Bunu salamak iin de belirli devrelerin oluturulmas gerekir. Kazancn saysal deerinin bulunmas da, ktaki akm, gerilim ve g deerlerinin, giriteki akm, gerilim ve g deerlerine oranlanmas suretiyle elde edilir. Karakteristik erileri, transistrn reticileri tarafndan hazrlanan tantm kitaplarnda (katalog) verilir. Transistr, hem DC hem de AC ykselte olarak alabilir. Bu nedenle, transistr gerei gibi inceleyebilmek iin, ayr ayr DC ve AC 'deki alma hallerinin incelenmesi gerekir. DC almada giriteki ve ktaki akm ve gerilim deerleri arasndaki bantlara STATK KARAKTERSTKLER, AC almadaki akm ve gerilim bantlarna da DNAMK KARAKTERSTKLER denir.

152

TEMEL ELEKTRONK Transistr ykselte olarak u bant eklinde altrlabilmektedir. 1) Emiteri ortak balantl ykselte 2) Beyz 'i ortak balantl ykselte 3) Kollektr ortak balantl ykselte

Kaya

Ortak balant deyimi, girite ve kta ortak olan u (elektrot) anlamnda kullanlmtr.

TRANSSTRN DC YKSELTE OLARAK ALIMASI Emiteri ortak balantl bir DC ykselte devresi verilmitir. Bu ykselte devresi ile transistrn statik karakteristikleri incelenmektedir. Statik karakteristikleri incelerken yukarda da belirtildii gibi giri ve ktaki DC akm ve gerilim deerlerinden yararlanlr. Giriteki akm ve gerilimdeki deimeler girie seri balanan mikro ampermetre (A) ve paralel balanan kk deerler lebilen voltmetre (mV) ve ktaki deimeler de, ka balanan mili Ampermetre ve normal bir Voltmetre ile llr. Uygulanan bu tr lme yntemi ile hesaplanan statik karakteristik deerlerine ve izilen erilere KISA DEVRE KARAKTERSTKLER 'de denir.

Girie ait: Beyz akm, IB Beyz - Emiter aras gerilim, VBE ka ait: Kollektr akm, IC Kollektr - Emiter aras gerilim, VCE llen bu deerler ile u karakteristik deerler hesaplanmaktadr:

Akm kazanc: K() = IC/IB Giri direnci: Rg = VBE/IB k direnci: R = VCE/IC Eim: S = IC/VBE Transfer oran: = VBE/VCE (%0,01-0,001) dir.

153

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Buradan ilk l, "K, Rg ve R" her transistr iin, her devrede bilinmesi gereken karakteristik deerlerdir. Son iki "S ve " deerleri ise transistr zerinde daha derinlemesine alma yaplmas gerektiinde, ihtiya duyulan deerlerdir. Yukardaki karakteristik deerler, ekil 4.11 'de verilmi olan drt blge karakteristik erisinden yararlanlarak da hesaplanabilmektedir. 1) 2) 3) 4) Blge karakteristik erisi: (VCE,IC) Blge karakteristik erisi: (IB,IC) Blge karakteristik erisi: (VBE,IB) Blge karakteristik erisi: (VBE,VCE)

Bu karakteristik erilerinin deiik noktalarndaki, kk deiim () deerleri ile yaplacak olan hesaplamalar, K, Rg ve R deerleri, hakknda daha doru bilgi verir. yle ki; K() = IC/IB bants, karakteristik erisi dorusal olduundan her noktada ayn deeri verir. Rg = VBE/IB bants, erisel olan karakteristik erisinin farkl noktalarnda farkl deerler verir, en iyi noktay semek gerekir. Karakteristik erisinden de anlalmaktadr ki, IB beyz akm bydke transistrn Rg giri direnci klmektedir. R = RCE = VCE/IC bants da, IC bydke daha kk R verir. Grlmektedir ki, DC ykselte devresinde llen deerler ile elde edilen sonular, transistr hakknda nemli bilgi vermektedir. TRANSSTRN GERLM VE G KAZANLARINI BULMAK N: Giri devresine paralel olarak bir RB direnci, k devresine de yine paralel bir RL yk direnci balanr. Bunlarn zerinde oluan gerilim dmlerinin ve sarf olan glerin oran gerilim ve g kazancn verir. Gerilim kazanc: KV = VRL/VRB G kazanc: KP = PRL/PRB = IC.VRL/IB.VRB = .KV Grld gibi g kazanc ile gerilim kazancnn arpmna eit olmaktadr.

154

TEMEL ELEKTRONK TRANSSTRN AC YKSELTE OLARAK ALITIRILMASI

Kaya

Transistr ekil 4.13 'de grld gibi giriine, AC iaret gerilimi uygulandnda da AC ykselte olarak alr. AC ykselteler de iki ana gruba ayrlr: 1) Ses frekans ykselteleri 2) Yksek frekans (Radyo frekans) ykselteleri Yksek frekans ykselteleri zel yapl ykseltelerdir. AC ykselte olarak inceleme konusu, gnlk hayatta daha ok karlalan ses frekans ykselteleridir. AC iaret gerilimi, genelde sinzoidal olarak deien bir gerilim olarak dnlr. Bu gerilim, giriteki ve ktaki DC polarma gerilimini byltp klterek sinzoidal olarak deimesini salar. AC almada, yalnzca AC deerler nemli olduundan, giri ve kta ampermetre ve voltmetre olarak AC l aletleri kullanlr. AC l aletleri efektif deer ltnden, gerekli hesaplamalarda efektif deerler ile yaplr. rnein: Akm kazanc: KAC(AC) = ICef/IBef Gerilim kazanc: KVAC = VCEef/VBEef = (ICef/IBef).(RL/RB) = AC.RL/RB G kazanc: KPAC = AC.VAC eklinde ifade edilirler.

Alak frekans (ses frekans) ykseltelerinde: DC = AC olarak aln. Giri ve k direnleri de DC ve AC 'de ayn zelliklere sahiptir. NOT: ekil 4.12 ve ekil 4.13 'te verilmi olan devreler deney ve bilgi edinme devreleri olduu iin, anlatm kolayl bakmndan iki besleme kayna kullanlmtr. Uygulamada ise tek besleme kayna kullanlr.

155

TEMEL ELEKTRONK TRANSSTRN ALIMA KARARLILIININ ETKLEYEN FAKTRLER

Kaya

Bir transistre kararl bir alma yaptrabilmek iin, ncelikle karakteristik deerlerine uygun bir devre dzeni kurmak gerekir. Bunu iinde, daha nceden de belirtilmi olduu gibi, katalog deerlerine ve karakteristik erilerinde verilen bilgilere uyulmaldr. Transistrn kararl almasn etkileyen faktrler: Scaklk Ar snan transistrn alma dengesi bozulur, gc der. Daha da ok snrsa yanar. Isnan transistrlerde elektron says anormal artacaktr. Bu art nedeniylede belirli giri deerleri iin alnmas gereken k deerleri deiir.Buda kararl almay nler. Daha ok snma halinde ise kristal yap bozulur. Bu durumda transistrn yanmasna neden olur. Isnma transistrn kendi almasndan kaynakland gibi, scak bir ortamda bulunmasndan dolay da olabilir. Frekans Her transistr, her frekansta almaz. Bu konuda ine katalog bilgilere bakmak gerekir. rnein: NPN transistrler, PNP transistrlere gre yksek frekanslarda almaya daha uygundur. Nedeni de NPN transistrlerde elektrik yk tayclar ELEKTRONLAR dr.PNP transistrlerde ise tayclar pozitif elektrik ykleridir. Elektronlar, pozitif elektrik yklerine gre ok daha hzl ve serbest hareket edebildiklerinden, yksek frekanslar iin NPN transistrler daha uygundur.

Limitsel Karakteristik Deerleri Her transistrn ayr alma deerleri vardr. Bu alma deerlerinden bazlarnn kesinlikle almamas gerekir. Bunara, "Limitsel Karakteristik" denir. Limitsel Karakteristik Deerleri yle Sralanr: Maksimum kollektr gerilimi Maksimum kollektr akm Maksimum dayanma gc Maksimum kollektr - beyz jonksiyon scakl Maksimum alma (kesim) frekans.

156

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

Limitsel deerler gerek birbirlerine, gerekse de giri deerlerine baldr. Yukarda sralanan maksimum deerlerin ne olmasnn gerektii transistr kataloglarndan ve karakteristik erilerinden saptanr. Polarma Yn Polarma gerilimini uygularken, ters polarma balants yapmamaya zellikle dikkat edilmelidir. Byle bir durumda, transistr almayaca gibi, normalden fazla uygulanacak olan ters polarma gerilimleri jonksiyon diyotlarnn delinmesine, yani kristal yapnn bozulmasna neden olacaktr. Ar Toz ve Kirlenme Transistrlerin toza kar ve zelliklede metalik ilemlerin yapld ortamlarda ok iyi korunmas gerekir.. Ar toz ve kirlenme elektrotlar aras yaltkanl zayflatacandan kaak akmlarn artmasna neden olacaktr. Bu da transistrn kararl almasn engelleyecektir. Eer metal ve karbon (kmr) tozlaryla kark bir tozlanma varsa, transistr elektrotlarnn ksa devre olma ihtimalide mevcuttur. Tozlu ortamda altrlmas zorunlu olan transistrlerin ve btn elektronik devrelerin toza kar iyi korunmalar ve zaman zaman devrenin enerjisi kesilmek suretiyle, yumuak bir fra ve aspiratr tozlarn temizlenmesi gerekir. Tozlarn temizlenmesi srasnda, elektrik sprgesiyle fleyerek temizlik kesinlikle yaplmamaldr. Zira bu durumda yapkan tozlar daha da ok yapp kirlilii arttraca gibi, buradan kalkan tozlar dier cihaz ve devrelere konacandan baka devrelerinde tozlanmasna neden olacaktr. Nem Transistrler ve btn elektronik devreler, neme karda ok iyi korunmaldr. Gerek su buhar, gerekse de baz ya ve boya buharlar, dorudan kendileri elektrotlar arasnda ksa devre yapabilecei gibi, tozlarnda yapp younlamasna neden olacandan, cihazlarn kararl almasn engelleyecektir. Sarsnt Sarsntl ortamda kullanlan cihazlarda, daima balantlarn kopmas ihtimali vardr. Ar sarsnt i gerilmeleri de arttracandan kristal yapnn bozulmas da mmkndr. Sarsntl ortamlarda altrlacak cihazlara reticiler tarafndan zel sarsnt testi uygulanr. Bu gibi altrmalarda, reticisinden sarsnt testleri hakknda bilgi almak gerekir.

157

TEMEL ELEKTRONK Elektriksel ve Magnetik Alan Etkisi

Kaya

Gerek elektriksel alan, gerekse de magnetik alan serbest elektronlarn artmasna ve onlarn ynlerinin sapmasna neden olur. Bu da kararl almay nler. Bu gibi ortamlarda kullanlacak cihazlar faraday kafesiyle ve anti magnetik koruyucularla korunmaldr. In Etkisi Rntgen nlar, Lazer ve benzeri ok yksek frekansl nlarda kararl almay etkiler. Bu gibi yerlerde kullanlacak cihazlarda zel koruma altna alnmaldr. Kt Lehim (Souk Lehim) Transistrn ve btn elektronik devre elemanlarnn ok ustaca lehimlenmesi gerekir. Souk lehim olduu taktirde, dardan bakldnda lehimliymi gibi grnmesine ramen, elektriksel iletimin iyi olmamasna neden olacandan btn bir sistemin kararl almasn engelleyecektir. Bu tr arzalarn bulunmas da ok zordur. Ayrca ar stlarak lehim yaplmas da devre elemanlarn bozar. Belirli bir lehim pratii olmayanlarn, transistr ve benzeri elektronik devre elemanlarnn lehimini yapmamas gerekir.

ALIMA NOKTASININ STABLZE EDLMES Stabilize etmek ne demektir? Stabilize 'nin tam Trke karl "kararl alma" dr. Transistrn alma noktasnn stabilize edilmesi: Transistrn giriine ve kna uygulanan polarma gerilimi ve akmnn alma sresince ayn kalmas iin gerekli nlemlerin alnmasdr. Daha ksa bir sylemle, "transistrn kararl almasnn salanmasdr." Her transistrn bir yk dorusu ve Q alma noktas vardr.

158

TEMEL ELEKTRONK

Kaya

rnein: Emiteri ortak bir ykseltete, giri polarma gerilimi ve akm, belirli bir VBE ve IB, k polarma gerilimi ve akm, VCE ve IC olsun. Bu deerler yk dorusu zerinde belirli bir Q noktasn gsterir. Bu nokta alma noktasdr. alma srasnda Q noktasnn deimemesi yani stabil olmas istenir. Stabil almay zorlatran iki etken vardr: 1) Isnan transistrn IC kollektr akmnn artmas 2) Bir devredeki transistr yerine baka bir transistrn kullanlmas halinde, akm kazanc farkl olursa devre ayn devre olduu halde, k akm deieceinden stabilite bozulacaktr. Isnnca, Ic akmnn anormal artmasn nlemek iin:

ekil 14 - Emiteri ortak ykselte rnek olarak; ekil 14 'te emiteri ortak bir ykselte verilmitir. Ic akm artnca, Rc direnci zerindeki gerilim dm artacandan, B noktasndaki gerilim klecektir. Dolaysyla IB akm klr. Ic=IB bantsndan, Ic akm klecek ve denge salanacaktr.

159

TEMEL ELEKTRONK TRANSSTRLERN KATALOG BLGLER

Kaya

Bir transistr hakknda bilgi edinmek gerektiinde zerindeki ve katalogdaki bilgilerden yararlanlr. Daha geni bilgi iinde, retici firmadan yaynlanan tantm kitabna baklr. TRANSSTR ZERNDEK HARF VE RAKAMALARIN OKUNMASI Transistr zerinde genellikle u bilgiler bulunur:

retici firmann ad ve sembol, Kod numaras: (2N 2100 vb...). Transistr bu numara ile tantlr. Ayak balantlar (E,B,C) veya iareti. Kk transistrlerin genellikle kollektr veya emiter tarafnda bir nokta veya trnak bulunur.

KATALOG KULLANIMI VE KARILIKLARIN BULUNMASI Transistr tantc bir yaynda veya katalogda kk deiikliklerle u bilgiler bulunur: Kod no: AD 159, 2N 2100 gibi, Tipi: NPN veya PNP Tr: Si veya Ge, Akm kazanc: (hFE) Maksimum kollektr akm: (Icm) Maksimum dayanma gc: (Pcm) Maksimum Kollektr - Emiter gerilimi: VCEm veya VCm Maksimum Kollektr - Beyz gerilimi: VCBm veyaVCm Maksimum Emiter - Beyz gerilimi: VEBm Maksimum alma (kesim) Frekans: fm Maksimum Jonksiyon scakl: Tjm Yerine gre, bu bilgilere ek olarak unlarda verilir. Beyz ak iken Kollektr - Emiter aras kaak akm: ICE Emiter ak iken Kollektr - Beyaz aras kaak akm: ICB - ICO Termistrn karlklar Cinsi: Sesa, alam, yaylm transistr gibi vs.

160