Professional Documents
Culture Documents
Konular:
Amaçlar:
161
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
+VCC
Ic
I CQ
Vb RC
C2
R1
V ce
Rs VCE Q
C1 Ib
Vs R2 RL
RE
Sonuçta; transistör girişine uygulanan ve tepe değeri 20µA olan sinüsoydal işaret, çıkıştan
yine sinüsoydal olarak fakat tepe değeri 4mA olarak alınmıştır. Aynı şekilde VCE
değerinde de bir değişim söz konusudur.
162
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
µA
Dü
ze
y in
IC (mA) de
a rt
ma
v ea
Ib
mA Düzeyinde ar tma ve azalma
z al
ma
40µA
4
Ic 3 30µA
Q
2 20µA
VCE (V)
0 2 4 6 8 10
Vce
Transistör ac Eşdeğeri
Küçük sinyal yükselteçlerinin ac analizinde kullanılmak üzere, çeşitli devre
modellemeleri geliştirilmiştir. Bu bölümde; transistörün ac eşdeğer devresi için Hibrid-Π
(Hybrid) modeli tanıtılacaktır. Bu model, diğerlerine göre basit yapıdadır ve kullanımı
daha kolaydır. Dolayısıyla transistörün ac analizde bu modelden yararlanılacaktır.
Küçük sinyal yükselteçlerinde Bipolar Jonksiyon Transistör (BJT) şekil-6.3’de verilen
hiprid-Π devre modeli ile temsil edilebilir. Bu eşdeğer devre modelinde; gm ve rΠ olarak
verilen parametreler transistörün kollektör akımı IC değerine bağımlıdır. Dolayısı ile
hibrid-Π modeli transistörün belirli bir çalışma noktasında kullanılabilir.
163
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
B + C
rΠ vΠ r0
gm v Π
-
IC IC β
gm = = rΠ =
VT 26mV gm
Görüldüğü gibi her iki parametrede kollektör akımının değerine bağlıdır. Bu sebeple
yukarıda da belirtildiği gibi hibrid-Π modelini kullanmak için transistörün çalışma
noktasındaki IC değerinin bilinmesi zorunludur. Eşdeğer devre modelinde transistörün
çıkış akımı bağımlı bir kaynak ile tanımlanmıştır. Transistörün çıkış akımı IC;
i c = β ⋅ i b = g m ⋅ v Π = g m ⋅ rΠ ⋅ i b
+VCC +VCC
RC RC
RB RB
Vs
VB B
VBB
Bir yükselteç devresinde dc analiz yapılırken, ac kaynaklar kısa devre edilir. Eğer
yükselteç devresinde kondansatörler varsa açık devre edilmelidir. Çünkü kondansatörler
dc sinyale açık devre gibi davranırlar. Küçük sinyal yükselteci için devrenin dc eşdeğeri
şekil-5.6.b’de çizilmiştir. DC çalışmada gerekli analizler yapılarak transistörün çalışma
bölgesi belirlenir. Transistör aktif bölgede çalıştırılıyorsa ac analize geçilebilir. Aktif
bölgede çalışmayan bir transistör için ac analiz yapmak gereksizdir. Çünkü bir kazanç
veya yükseltme söz konusu değildir.
Transistörlü yükselteç devresinin ac yapılırken doğal olarak devrenin ac kaynağa tepkisi
incelenecektir. Dolayısıyla devrede bulunan dc kaynaklar yok edilmelidir. Bunun için dc
kaynaklar devreden çıkartılarak yerleri kısa devre edilir. Ayrıca devrede kondansatörler
varsa kısa devre edilmelidir. Çünkü kapasitörlerin orta frekans bölgesinde kısa devre
davranışı gösterdiği kabul edilir. Şekil-6.4’de verilen küçük sinyal yükselteç devresinin ac
eşdeğer gösterimi ve ac eşdeğer devre modeli görülmektedir.
+VCC
Transistör
RC RC RB Eşdeğeri
B C
+
RB RB +
rЛ vЛ v0
Vs
gmvЛ
Vs Vs -
Rc
VBB VB B E
a) Yükselteç devresi b) ac analiz için eşdeğer gösterim c) ac analiz için eşdeğer devre modeli
165
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
RC RC
2.2KΩ 2.2KΩ
RB RB
220KΩ 220KΩ
Vs
VB B 5V
VBB 5V
Çözüm a. dc analiz
Yükselteci dc çalışma şartlarının belirlenmesinde ilk adım devrenin dc eşdeğerinin
çizilmesidir. Dc eşdeğer çizimi için devredeki ac kaynak 0V, kapasitörler ise açık
devre kabul edilir. Yapılan kabuller sonucunda yükselteç devresinin dc eşdeğeri
şekil-6.5.b’de verildiği gibidir.
İkinci adım transistör sükunet halinde iken (devrede ac işaret yokken) çalışma bölgesi
akım ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun için devreden çevre
gerilimlerinden yararlanarak IB akımını bulalım.
V BB − V BE
IB =
RB
5 − 0.7 4.3
I B == = = 0.019mA = 19 µA
220 KΩ 220 KΩ
I C = β ⋅ I B = (150) ⋅ (19µA) = 2850µA = 2.85mA
elde edilen değerler bize transistörün aktif bölgede çalıştığı belirtmektedir. Dolayısı ile
transistör yükseltme (amplifikasyon) için uygun bölgede çalışmaktadır. O halde
verilen devrenin ac analizine geçebiliriz.
b. ac analiz
Şekil-6.5.a’da verilen transistörlü yükselteç devresinin küçük sinyal için ac analizi
yapalım. İlk adım ac eşdeğer devreyi çizmektir. Bunun için devredeki dc gerilim
kaynağı ve kapasitörler kısa devre edilir. Yapılan bu işlemler sonucunda devremizin
ac eşdeğeri ve hibrid-Л devre modeli şekil-6.6’da yükselteç devresi ile birlikte
verilmiştir.
Yükseltecin eşdeğer devre modelinde, transistörün sahip olduğu r0 çıkış direnci ihmal
edilerek gösterilmemiştir. Transistörün çıkış direnci, RC direncinden çok (RC<<r0)
büyüktür. Dolayısı ile ihmal edilebilir.
166
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
RB B
RC C
2.2KΩ +
220KΩ +
RB rЛ vЛ
- v0
Vs
gmv Л
- Rc
220KΩ
2K2
Vs +
E
β 150
rΠ = = = 1.36 KΩ
gm 109.6mA
olarak bulunur. Şimdi yükseltecin çıkış ac gerilim değerini bulalım. Eşdeğer devreden
RC direnci üzerinden geçen akımın gmvЛ olduğu görülmektedir. RC direnci üzerindeki
ac gerilim ohm kanunu kullanılarak bulunur. VRc;
v Rc = g m ⋅ v Π ⋅ RC
v0 = − g m ⋅ vΠ ⋅ RC
olacaktır. Bu eşitlikte sadece vЛ değeri bilinmemektedir. Bu değeri bulalım.
Şekil-5.7’de verilen eşdeğer devrenin giriş çevresini kullanarak;
vs vs
vπ = ⋅ rπ = ⋅ 1.36 KΩ = 0.006v s
R B + rπ 220 KΩ + 1.36 KΩ
167
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
Temel bir yükselteç devresinin blok diyagramı şekil-6.7’de verilmiştir. Yükselteç girişine
uygulanan işaret, belirli işlemlerden geçirilir ve yükseltilerek çıkışa aktarılır. Bu durum,
yükselteç devresinin temel işlevidir.
168
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
Blok diyagramda görüldüğü gibi yükselteç için 2 giriş ve 2 çıkış terminali gereklidir.
Transistörlü yükselteç devrelerinde kullanılan temel eleman ise transistördür. Transistör
3 uçlu bir devre elamanıdır. Dolayısıyla yükselteç tasarımında transistörün bir terminali
giriş ve çıkış için ortak uç olarak kullanılır. Bu nedenle yükselteçler, transistörün bağlantı
şekillerine göre sınıflandırılırlar. Örneğin ortak emiterli bir yükselteç devresinde; emiter
terminali giriş ve çıkış için ortak uçtur.
Transistörlü yükselteçlerde kullanılan 3 temel bağlantı tipi Şekil-6.8’de ayrıntılı olarak
verilmiştir. Bu bağlantı tipleri sırası ile;
• Ortak-emiterli yükselteç
• Ortak-kollektörlü yükselteç
• Ortak-beyzli yükselteç
olarak adlandırılır. Her bir bağlantı tipinin kendine has bir takım özellikleri vardır.
Dolayısı ile kullanım alanları farklıdır. İlerleyen bölümlerde sıra ile her bir bağlantı
tipinin özelliklerini, dc ve ac analizlerini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz.
RC
RC R1
R1 R1
C1
C2
C2 V0 V0
C1
C1
VS VS
R2 R2 C2 V0
RE C3
RE CE
VS R2 RE
a) Ortak emiterli yükselteç devresi a) Ortak kollektörlü yükselteç devresi a) Ortak beyzli yükselteç devresi
Tipik bir ortak emiterli yükselteç devresi şekil-6.9’da verilmiştir. Bu yükselteç devresi
ortak emiterli devrenin çalışma prensibini anlayabilmeniz için geliştirilmiştir. Pratikte bir
yükselteç devresinde iki adet dc besleme kaynağı kullanılmaz.
169
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
RL Vout
Vin RB
VEE VCC
Gerilim bölücülü dc polarmaya sahip ortak emiterli yükselteç devreleri pratikte sık
kullanır. Pek çok cihaz ve sistemin tasarımında kullanılan böyle bir yükselteç devresi
şekil-6.10’da verilmiştir.
VCC =+12V
RC
R1 2.2KΩ
27KΩ
Rs
C2 V0
4.7KΩ C1
RL
VS R2 1KΩ
5.6KΩ RE CE
470Ω
170
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
DC Analiz
Devrenin dc analizi için ilk adım, dc eşdeğer devreyi çizmektir. DC eşdeğer için devrede
bulunan kapasitörler açık devre kabul edilir ve Vs sinyal kaynağı dikkate alınmaz. Bu
koşullar yerine getirildiğinde oluşan dc eşdeğer devre şekil-6.11’de verilmiştir.
RC RC
R1 2.2KΩ R1 2.2KΩ
27KΩ 27KΩ
Rs
V0
4.7KΩ
RL
VS R2 1KΩ R2
5.6KΩ RE 5.6KΩ RE
470Ω 470Ω
VCC 12V
VTH = ⋅ R2 = ⋅ 5.6 KΩ = 2.06V
R1 + R2 27 KΩ + 5.6 KΩ
R1 ⋅ R2 27 KΩ ⋅ 5.6 KΩ
RTH = = = 4.63KΩ
R1 + R2 27 KΩ + 5.6 KΩ
IE 2.64mA
IB = = = 26 µA
( β + 1) 101
I C = β ⋅ I B = 100 ⋅ 26 µA = 2.6mA
AC Analiz
Devrenin ac analizi için ilk adım, ac eşdeğer devreyi çizip daha sonra hibrid-Л modelini
çıkarmaktır. DC eşdeğer için devrede bulunan dc kaynaklar ve kapasitörler kısa devre
kabul edilir. Bu koşullar altında oluşan ac eşdeğer devre şekil-6.12’de verilmiştir.
V CC=+12V
RC
R1 2.2KΩ
27KΩ V0
Rs Rs
C2 V0
4.7KΩ C1
RL RC RL
VS R2 1KΩ VS
R1 R2
5.6KΩ RE CE
470Ω
Yükselteç devresinin küçük sinyal eşdeğer devresi için ikinci aşama ise transistörün
eşdeğer modelini yerleştirmektir. Bu işlem sonucunda ortak emiterli yükselteç devresinin
küçük sinyaller için eşdeğer devre modeli şekil-6.12’de verilmiştir.
172
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
Rs B C
+
4.7KΩ +
rЛ vЛ _ v0
VS R1 R2 gm vЛ RC RL
-
27KΩ 5.6KΩ 2K2 1KΩ
E
+
R in
Şekil-6.11 Ortak emiterli yükselteç devresinin küçük sinyal eşdeğer devre modeli
I C 2.6mA
gm = = = 100mA / V
VT 26mV
β 100
rΠ = = = 1KΩ
gm 100 ⋅ 10 −3
Rin = R1 // R2 // rΠ = 0.823KΩ
Eşdeğer devre modelinden yararlanarak vs, Rs ve Rin çevresinden hareket ederek göz
denklemini yazarak vЛ değerini bulalım.
vs vs
vΠ = ⋅ Rin = ⋅ 0.823KΩ = 0.149v s
R s + Rin 4.7 KΩ + 0.823KΩ
RC ⋅ R L
v 0 = − g m ⋅ v Π ⋅ ( RC // R L ) = g m ⋅ v Π ⋅ = −(100mA / V )(0.168v s )(0.68 KΩ) = −11.4v s
RC + R L
eşitliği elde edilir. Buradan ortak emiterli küçük işaret yükseltecinin gerilim kazancı
bulunur.
173
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
RC
RB 2KΩ
560KΩ C2
C1
10µF V0
RL
10µF 20KΩ
VS
Yükselteci dc çalışma şartlarının analizi için devredeki kapasitörler açık devre yapılır.
İkinci adım transistör sükunet halinde iken (devrede ac işaret yokken) çalışma bölgesi
akım ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun için devreden çevre
gerilimlerinden yararlanarak IB akımını bulalım.
d. ac analiz
174
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
Örnek: Şekil-6.14’de verilen yükselteç devresinin küçük sinyaller için gerilim kazancı
6.3 ifadesini bulunuz? β=150, VBE=0.7V
VCC =12V
RC
RB 2KΩ
470KΩ C2
RS C1
10µF V0
1KΩ 10µF RL
20KΩ
Çözüm
Şekil-6.14 Ortak emiter bağlantılı transistörlü yükselteç devresi
a. dc analiz
b. ac analiz
Analizi istenilen devre örnek:6.2’de verilen devre ile benzerlikler içermektedir. Sadece
bu devrede giriş işaret kaynağının VS iç direnci RS verilmiştir. Eşdeğer devre
çiziminde bu direnci dikkate almalıyız.
Şimdi şekil-6.14’de verilen transistörlü yükselteç devresinin küçük sinyal için ac
analizi yapalım. İlk adım ac eşdeğer devreyi çizmektir. Bunun için devredeki dc
gerilim kaynağı ve kapasitörler kısa devre edilir. Devremizin ac eşdeğeri devre modeli
şekil-6.15’de verilmiştir.
175
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
RS B C
+
1KΩ +
rЛ vЛ _ v0
RB g mvЛ RC RL
VS -
470KΩ 2K 20KΩ
+
E
Rin
IC 3.6mA
gm = = = 138mA /V
VT 26mV
β 150
rΠ = = = 1.086KΩ
g m 138x10 − 3
v 0 = − g m ⋅ v Π ⋅ ( RC // R L )
RC ⋅ R L 2 KΩ ⋅ 20KΩ
RC // R L = = = 1.82 KΩ
RC + R L 2 KΩ + 20KΩ
R B ⋅ rΠ 470KΩ ⋅ 1.086KΩ
R in = R B // rΠ = = = 1.083KΩ
R B + rΠ 470KΩ + 1.086KΩ
vS vS
vΠ = ⋅ R in = ⋅ 1.083KΩ = 0.5 v S
R B + Rin 1KΩ + 1.083KΩ
v 0 = − g m ⋅ v Π ⋅ ( RC // R L )
v0
AV = = −(138mA /V )(1.82KΩ) = −125.58
vS
176
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
+VCC
R1
RS C1
C2
VS V0
R2
RE RL
177
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
RS B C
+
1KΩ
rЛ vЛ
gm vЛ
-
VS R1 //R2
+ +
v0
RE RL
Rin _ _
Rb
Şekil-6.17’de eşdeğer devresi verilen ortak kolektörlü yükselteç için çıkış sinyal gerilimi
ifadesini yazalım;
v 0 = g m ⋅ v Π ⋅ ( R E // R L )
Devrenin emiterinden bakıldığında görülen direnç etkisi, emiter direncinin (β+1) katıdır.
Eşdeğer devrede Rb ile tanımlanan direnç değeri ise;
R b = rΠ + ( β + 1) ⋅ ( R E // R L )
olacaktır. Analize devam edelim. Eşdeğer devrenin girişi için çevre gerilimlerinden
yararlanarak Rin üzerindeki sinyal gerilimini ve vΠ değerlerini yazalım.
vS
v in = ⋅ Rin
Rin + RS
v in
vΠ = ⋅ rΠ
rΠ + ( β + 1)( R E // R L )
Elde edilen bu değeri, çıkış sinyal gerilimi ifadesindeki ilgili yere yerleştirelim.
v 0 = − g m ⋅ v Π ⋅ ( R E // R L )
v in
v0 = gm ⋅ rΠ ( R E // R L )
rΠ + ( β + 1)( R E // R L )
178
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
v0 R in v in
AV = = gm ( R E // R L )
vS R in + RS rΠ + ( β + 1)( R E // R L )
Tipik bir ortak beyzli yükselteç devresi şekil-6.18’da verilmiştir. Bu yükselteç devresinde
giriş sinyali (işareti) transistörün emiter-beyz uçları arasından uygulanmıştır. Çıkış işareti
ise kollektör-beyz terminalleri arasından alınmıştır. Görüldüğü gibi beyz ucu, hem giriş
hem de çıkış işareti için ortak terminaldir. Bu nedenle bu devre ortak beyzli yükselteç
olarak adlandırılır.
+VCC
RC
R1
C2
C3 V0
RS C1
RL
VS
R2 RE
Ortak beyz bağlantılı yükselteç (common-base amplifier) devresinin temel özellikleri aşağıda
maddeler halinde sıralanmıştır.
• Giriş Empedansı : Alçak; yaklaşık 50Ω - 500Ω
• Çıkış Empedansı : Yüksek; yaklaşık 300KΩ - 1MΩ
179
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
Yükseltecin emiter noktasında ortaya çıkan sinyal bileşenini bulmak için gerilim bölücü
eşitliğini uygularız. Bu durumda emiter sinyali;
B C
+
_ +
rЛ vЛ v0
R1 R2 gm vЛ RL RE
-
RS ie +
ve
VS RE
Rin
vS
ve = ⋅ R in
R in + RS
olur. Yükselteç devresinde beyz terminali dirençler üzerinden toprağa bağlı olduğu için,
vΠ = −v0
olacaktır. Emitere doğru bakıldığında RE’ye paralel bir re direnci vardır. Bu direncin
değeri ise;
rΠ
re =
β+1
180
ANALOG ELEKTRONİK- I Kaplan
olarak verilir. re<<RE olduğundan Rin=re alabiliriz. Bu durumda yükseltecin çıkış gerilimi
v0 yeniden yazılırsa;
v 0 = − g m ⋅ v e ⋅ ( RC // R L )
181