T.C.

MARMARA NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

YKSEK FREKANS VE YKSEK GERLM IKILI DC/DC DNTRC

Serkan ELVER (Teknik retmen)

YKSEK LSANS TEZ ELEKTRK ETM ANABLM DALI ELEKTRK ETM PROGRAMI

DANIMAN Yrd. Do. Dr. Yaar BRBR

STANBUL 2006

T.C. MARMARA NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

YKSEK FREKANS VE YKSEK GERLM IKILI DC/DC DNTRC

Serkan ELVER (Teknik retmen) (141101220030180)

YKSEK LSANS TEZ ELEKTRK ETM ANABLM DALI ELEKTRK ETM PROGRAMI

DANIMAN Yrd. Do. Dr. Yaar BRBR

STANBUL 2006

NSZ

Tezimin hazrlanmasnda bana daima yardmc olan ve nderlik salayan deerli hocam Yrd. Do. Dr. Yaar BRBRe ok teekkr ederim. Tezin balangcndaki ilk aratrmalarmda yardmc olan Yldz Teknik niversitesi Elektrik Mhendislii retim yesi Prof. Dr. Hac Bodur ve aratrma grevlisi smail Aksoya ok teekkr ederim. Aylarca sren yorucu tez almalarmda bana teknik ve malzeme konularnda yardmlarn bir gn bile esirgemeyen TERMAL arge alanlarna, SEDA Elektronikin sahibi Yksek Mh. Yaar GNGRE, sevgili dostlarm Elektronik Mhendisi Murat GNAL, stn AIKGZ ve Ercan NAZLIya, bana daima yaptm ilerde manevi desteklerini esirgemeyen sevgili eim SEVG ve canm Annem ve Ablalarma ok teekkr ederim. Bu tezimi, beni bu gnlere getiren ok sevgili rahmetli babam BEDR ELVERe adyorum.

Haziran 2006

Serkan ELVER

NDEKLER

SAYFA

NSZ

.............................................................................................. I

NDEKLER ...................................................................................... II ZET ............................................................................................IV

ABSTRACT ............................................................................................ V YENLK BEYANI...............................................................................VI EKL LSTES .................................................................................. VII TABLO LSTES .............................................................................. VIII KISALTMALAR LSTES ..................................................................IX BLM I. GR VE AMA............................................................... 1 BLM II. GENEL BLM ................................................................ 2 II. GENEL BLGLER...................................................................... 2

II.1. MKROORGANZMALARIN PEF TEKN LE NAKTVASYONU ............................................................................................... 2 II.1.1. Hcrelerin Edeer Devresi .............................................................. 2 II.1.2. Hcre Membran ve ekirdeininde Oluan Gerilim .................... 3 II.1.3. Dalga ekilleri .................................................................................... 4 II.1.3.1. Geni Darbeler ................................................................................. 5 II.1.3.2. Dar Darbeler..................................................................................... 7 II.1.4. Kritik lem Faktr.......................................................................... 7 II.1.4.1. Elektrik Alan Younluu ................................................................. 7 II.1.4.2. Uygulama Zaman ............................................................................ 7 II.1.4.3. Darbe Dalga ekli ............................................................................ 8 II.1.4.4. Scaklk............................................................................................. 8 II.1.4.5. arpm Faktr ................................................................................ 8 II.1.4.6. Kullanlan Dalga eklinin nemi .................................................... 9

II

BLM III. DENEYSEL ALIMALAR........................................ 10

III.1. DENEY CHAZINDA KULLANILAN DEVRE ELEMANLARI...... 10 III.1.1. Mikrodenetleyiciler .......................................................................... 10 III.1.2. Transformatr .................................................................................. 13 III.1.3. Mosfet ve Src Kat ..................................................................... 14 III.2. DENEY CHAZININ ALIMA PRENSB ....................................... 17 III.2.1. alma Aralklarna Gre Deneyde llen Deerler ve Hesaplamalar.................................................................................................... 19 III.2.1.1 Aralk 1 [ t 0 < t < t1 ]....................................................................... 23 III.2.1.2 Aralk 2 [ t1 < t < t 2 ]........................................................................ 23 III.2.1.3 Aralk 3 [ t 2 < t < t 4 ] ....................................................................... 25 III.2.1.4 Aralk 4 [ t 4 < t < t5 ] ....................................................................... 26 III.2.1.5 Aralk 5 [ t5 < t < t6 = t0 ]................................................................. 26 III.3. FLAYBACK DNTRC DENEY GRAFKLER ................... 27 III.4. PEF CHAZININ IKI GERLM GRAFKLER30

BLM IV. SONULAR.................................................................... 32 BLM V. TARTIMA VE DEERLENDRME .......................... 33 KAYNAKLAR....................................................................................... 34 EK I. MOSFET SREN PIC KONTROLNN AKI DYAGRAMI VE PIC PROGRAMI .................................................. 36 EK II. KATALOG DEERLER ....................................................... 41 ZGEM ........................................................................................... 42

III

ZET

YKSEK FREKANS VE YKSEK GERLM IKILI DC/DC DNTRC

Bu tezde, gda sterilizasyonu, atk artma, evrede kirlilik kontrol, tbbi tehis ve tedavi gibi ilemlerde mikroorganizmalar ldrmede kullanlan darbeli elektrik alanlar retmek iin ksmi rezonansl geri dnl bir g kaynann tasarm ve gerekletirilebilmesi ele alnmtr. zellikle bu yntem yiyecek sterilizasyonunda scaklkta ok az art nedeni ile tketicilere yiyeceklerin besinsel kalitesi yksek, taze ve gvenli sunumunu salamaktadr. Darbeli elektrik alanlar ile yiyecek sterilizasyonu gerekletirmek iin elektrik alan darbeleri onlarca snden yzlerce sn arasnda peryodu 0,1 msden 1 ms arasnda ve elektrik alan younluu onlarca ile yzlerve kV/sn arasnda deimektedir. Bu almada istenmeyen gaz dearjn nlemek ve tketim gcn azaltmak iin geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilmitir. Geri dnl bir konvertr, bu tip darbeleri retmek iin tercih edilmitir. Bu yapda rezonans devresinde bir k transformatr kullanlabilir olmas yksek genlikli anahtarlama uygulamalar iin tercih edilmesini salamtr. k gcn kontrol etmek iin ok geni bir alma frekans gerektiinden ve yksek verimli darbe nedeniyle bu rezonans almada PWM kontrol teknii uygun bulunmutur. Bu PWM kontroll ksmi rezonansl konvertr yaps hem rezonans dnm ve hem de darbe genilik modlasyonlu kontrol tekniklerinin avantajlarn bir araya getirmitir. Yksek frekansl alma nedeniyle hzl anahtarlama eleman mosfet kullanlan g kayna hafif ve kk yapdadr. G kayna, bir mikrokontrolr kullanmyla darbeli elektrik alanlar elde etmek iin PWM kontrol teknii kullanlmas salanm ve cihaz bu incelemeleri dorulamak iin yaplmtr. Haziran 2006 Serkan ELVER

IV

ABSTRACT

HIGH FREQUENCY AND HIGH VOLTAGE OUTPUT DC/DC CONVERTER

This thesis presents analysis and desing of a quasi-resonat flyback converter for generating pulsed electric fields to process microorganisms, which includes food sterilization, waste treatment, pollution control and medical diagnostics and treatment. Particularly, in the food sterilization, it only causes a little increase in temperature, providing safe, nutritious and fresh quality of food for consumers. To achieve sterilization pulsed electric field varies from tens of as to hundreds of s, the period changes from 0,1 to 1 ms and electric field intensity is tens to hundreds of kV/cm. In this study sterilizing waveforms are long pulses stacked with narrow pulses to prevent undesired gas discharge and reduce power consumption. A flyback converter topology was proposed to generate the pulses. This topology can employ output transformer parasitic in the resonant tank which makes it attractive for the high voltage switched mode power supply applications. A very broad range of operating frequency is required to control the output power, and therefore the highly efficient pulse with modulation (PWM) control technique in this resonant topology looks very promising. This PWM controlled quasi resonant converter topology combines the advantages of both resonant power conversion and pulse with modulation control techniques. Owing to operating high frequency using fast switching device MOSFET, the power supply had been obtained light and compact. Adopting the inverter power supply with a microprocessor unit (IC) electric fields a device was built to verify the analytical results June 2006 Serkan ELVER had been enabled realizing pulse with modulation control technique for generating pulsed

YENLK BEYANI

YKSEK FREKANS VE YKSEK GERLM IKILI DC/DC DNTRC

Yiyeceklerin sterilizasyonu gerekletirmek, evredeki kirlilii kontrol etmek, tbbi ve tedavide mikroorganizmalarn ldrlmesinde kullanmak iin eitli elektrik akmlar, elektrik alanlar uygulanabilecek cihazlar yaplarak kullanlmaktadr. Gnmzde kullanlan klasik mikroorganizma ldrme tekniklerinin yksek scaklktan dolay gdalarn besin deerlerinde de neden olmaktadr. Ayrca yksek scaklkla yaplan sterilizasyon ileminde ok fazla enerjiyede ihtiya duyulmaktadr. zellikle bu iki sorunu en aza indirmek iin, son yllarda elektrik alanlar ile mikroorganizmalarn ldrlmesi tercih edilmeye balanmtr. Elektrik alanlar ile mikroorganizmalarn ldrlmesinde dar ve geni darbeli elektrik alanlarnn etkili olduu gzlenmitir. Bu nedenle hem dar hem de geni darbeler reten iki eit kaynak retilerek birlikte kullanlmaktadr. Bizim bu almamzda mikroorganizmalarn ldrlmesinde kullanlabilecek olan hem dar hem geni darbeler reten tek bir kaynak retilmesi amalanmtr.

Danman Haziran 2006 Yrd. Do. Dr. Yaar BRBR

renci Serkan ELVER

VI

EKL LSTES

SAYFA NO ekil II.1 Hcre ve Edeer Devresi ........................................................................... 3 ekil II.2 Hcre D Membrannda Oluan Gerilimin Frekansa Bal Deiimi ....... 4 ekil II.3 Hcre ekirdeinde Oluan Gerilimin Frekansa Bal Deiimi ............... 4 ekil II.4 nerilen Dalga ekli Blok Diyagram......................................................... 5 ekil II.5 Bir Hcrenin mha Sreci............................................................................ 6 ekil II.6 Mikroorganizma naktivasyonunda Kullanlan Tip Dalga ekli ........... 8 ekil III.1 PICin Blok Diyagram ............................................................................ 12 ekil III.2 18F252 Klf Grn ............................................................................ 12 ekil III.3 Transformatr .......................................................................................... 14 ekil III.4 IXFH 15N100Q Klf ve Sembol Gsterimi.14 ekil III.5 Mosfet Src Kat .................................................................................. 15 ekil III.6 Uygulama Devresi Gsterimi .................................................................. 16 ekil III.7 Ksmi Rezonansl Ve Geri Dnl DC G Kayna ............................ 17 ekil III.8 alma Aralklarnn Temel Dalga ekilleri........................................... 18 ekil III.9 Temel Seri Rezonans Devresi...20 ekil III.10 Aralk 1[ t0<t<t1 ] ................................................................................... 23 ekil III.11 Aralk 2 [ t1<t<t2 ] .................................................................................. 24 ekil III.12 Aralk 3 [ t2<t<t4 ] .................................................................................. 25 ekil III.13 Aralk 4 [ t4<t<t5 ] .................................................................................. 26 ekil III.14 Aralk 5 [ t5<t<t6=t0 ] ............................................................................. 26 ekil III.15 Srme sinyali (5V/div) ve Mosfet gerilimi (10*5v/div), Peryot(2,5sn/div).............................................................................................. 27 ekil III.16 Mosfet Gerilimi (10*5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div) ........................................................................................................ 28 ekil III.17 Srme Sinyali (5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div) ........................................................................................................ 29 ekil III.18 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(500sn/div) ........................ 30 ekil III.19 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(50sn/div) .......................... 31

VII

TABLO LSTES

SAYFA NO Tablo III.1 Temel alma Aralk ve Sreleri .......................................................... 18

VIII

KISALTMALAR LSTES

AC DC ZVT ZVS ZCT ZCS SS PIC PWM PEF Vds Vdsmax Cds Vs Is Ismax RL C0 VGS a Rs Cs Rn Cn Cm Rc1

:Alternatif Akm :Doru Akm :Sfr Gerilimde Gei : Sfr Gerilimde Anahtarlama :Sfr Akmda Gei :Sfr Akmda Anahtarlama :Yumuak Anahtarlama :Mikrokontrolr :Darbe Genilik Modlasyonu :Darbeli Elektrik Alan :Mosfet Gerilimi (V) :Maksimum Mosfet Gerilimi (V) :Rezonans Kapasitesi(F) :Kaynak Gerilimi(V) :Devre Akm(A) :Maksimum Devre Akm(A) :Yk Direnci() :Plaka Kapasitesi(F) :Mosfet Kap Gerilimi(V) :Transformatr Dntrme Oran :Hcrenin Bulunduu Eriyik Ortamn Direnci() :Hcrenin Bulunduu Eriyik Ortamn Kapasitesi(F) :Hcre ekirdeinin Direnci() :Hcre ekirdeinin Kapasitesi(F) :Hcre Membran Kapasitesi (F) :Hcre Membran Direnci()

IX

BLM I
I GR VE AMA

Son yllarda

darbeli elektrik alanlar ile gda sterilizasyonu, atk artma,

kirlilik kontrol, tbbi tehis ve tedaviye ok nem verilmektedir. PEF (Darbeli Elektrik Alan) kk bir scaklk artna neden olarak mikroorganizmalar sterilize eder. Klasik termal ilem metotlar kullanmyla karlatrldnda PEF metodu tketicilere gvenli, taze ve kaliteli besinler salayarak klasik scaklkla sterilize metotlarnn yerine geebilecektir. Mikroorganizmalar sterilize etmek iin birok aratrmac bakterinin tipi ve boyutuna bal olarak gerekli alan younluu, darbe genilii ve tekrar oran ile PEFler uygulanmaktadr. PEFler geni ve dar darbeler olmak zere basit olarak iki gruba ayrlabilir. Geni darbe uygulamalarnda hcre zarlar tahrip edilerek bakterileri sterilize etmek iin uygulamalarnda elektroparasyon metodu kullanlr. Dar darbe ilemi genellikle

apoptos metoduyla bakterilerin ldrlmesi gerekletirilir.

Maliyeti dikkate alarak, dar ve geni darbelerle sterilizasyon hcre svsnda delinmeye neden olabilir.

bolukta ark oluumu, su altnda veya meyve suyunda gerekletirilebilir. Bu da Kk boyut ve hafif olarak yksek gerilim k elde etmek iin rezonansl birok yumuak anahtarlama tipli konvertrler kullanlr. nk transformatrn kaak endktansnda depolanan enerji geri kazanlr. Bu, enerjiyi kullanabilmek ve yksek k gerilimi elde etmek amacyla seri rezonans tipli konvertr elde edilip, anahtarlama devresi vastasyla kylarak darbeli gerilim elde edilmitir.

BLM II
II GENEL BLGLER

MKROORGANZMALARIN NAKTVASYONU

PEF

TEKN

LE

PEF teknii ile mikroorganizmalarn inaktivasyonunda; elektroliz veya omik stma vastasyla mikroorganizmalar ldrmek iin canllarn yaad zeltiye dk DC veya AC gerilim uygulanmas veya mikroorganizmalarda ldrc etkiye neden olan ksa sreli ark veya elektrik alan meydana getirmek iin yksek darbeli gerilimler uygulanmaktadr.

Hcrelerin Edeer Devresi

Hcrelerin edeer devresini elde etmek iin bir elektrik alan ve hcre ilikisi ekil II.1de grld gibi sunulmaktadr. Yksek elektrik alanlarnn neden olduu etkiler hcre zarlarnn yklenmesi esasna dayanr. Hcre modelleme karmak, olduka zor olmasna ramen aada grld gibi bo bir hcre edeeriyle bilinen birok ar etkiler aklanabilir. RS ve kapasitesini gsterir. C M kapasitesi mebrannn C S eriyik ortamn diren ve kapasitesi, Rc1 direnci hcre

membran direnci, Rc 2 bir ekirdein katoplazmasnn direnci , Cn ve Rn ekirdein kapasitesi ve direncidir[1].

DMembran

Membran

ekil II.1 Hcre ve Edeer Devresi

Hcre Membran ve ekirdeininde Oluan Gerilim

Genel olarak hcre d membran ve ekirdek olarak ikiye ayrldndan farkl zelliklere sahiptirler. Bu zellikler elektriki olarak dnldnde, d membrann kapasitesi ekirdein kapasitesinden fazladr. P. Ellappan ve R. Sundararajan, 10 m boyutlu kp eklinde, 5 m ekirdek apna sahip olan bir hcreye, 1 KV/cm deerinde elektrik alann, eitli frekans deerlerinde, simlasyon arac MATLAB 5.33 kullanlarak uygulamtr. Matlab simlasyonundan elde ettikleri frekans-gerilim ilikileri ekil II.2 ve II.3te verilmitir[2]. Tezimin uygulamas olan deney cihaznda frekans ve gerilim deerleri bu sonulara gre: dar darbe frekans 100 KHz, geni darbe frekans 1KHz ve gerilim deeri 2,1 KV olarak seilmitir. Yksek kapasiteye sahip olan d membran dk frekansl elektrik darbelerine kar ekirdek membrann korur. 10 KHzin altndaki dk frekansl elektrik darbeleri d membranda 0 ile 500mV arasnda potansiyel oluturarak delinmelere neden olur. Frekansa bal olarak d membranda oluan potansiyeller ekil II.2de gsterilmitir.

ekil II.2 Hcre D Membrannda Oluan Gerilimin Frekansa Bal Deiimi

Dk kapasiteye sahip olan ekirdekte potansiyel oluumu iin darbeli elektrik alannn frekansnn ykseltilmesi gerekmektedir. 10KHzin zerindeki yksek frekansl elektrik darbeleri ekirdek zarnda (i mebran) 0 ile 1V arasnda potansiyel oluturarak delinmelere yani apoptoza neden olur. Frekansa bal olarak i membranda oluan potansiyeller ekil II.3de gsterilmitir[2].

ekil II.3 Hcre ekirdeinde Oluan Gerilimin Frekansa Bal Deiimi

Dalga ekilleri
Hcre edeer devresi ve temel elektrik devresi prensiplerine gre geni darbeli ve dk frekansl elektrik alanlar esasen byk kapasiteli olan hcre membrann etkileyecei bulunabilir. Bununla beraber frekansl gerilim ekirdek membrannda grlecektir. dar darbeli ve yksek

ekil II.4 nerilen Dalga ekli Blok Diyagram

Sterilizasyon ilemi

mekanizmasn

tanmlamak iin kaynak gerilimleri

geni darbeler ve dar darbeler olmak zere ikiye ayrlr. ekil II.4te nerilen dalga eklini elde etmek amalandnda iki farkl kaynak kullanmak gerekmektedir. Tezimin uygulamas olan deney cihaz, tek bir kaynakla geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilerek farkl bir yaklam ve zm olarak sunulmaktadr.

II.1.1.1 Geni Darbeler

Geni darbeler Tw > Tc olarak tanmlanr. Tc hcre membrannn bozulduu yani yetersiz kald kritik sre ve Tw DC geni darbenin sresini belirtir. Tc u formlle belirlenir.

1 + 2Vc Tc = 1 2Vc

1 2 + 2 .C m .a c

(II.1)

Bu formldeki Vc , krelerin hacim younluu , 1 eriyik ortamn direnci ,

2 katoplazmann direnci , C m hcre membrannn kapasitesi ve ac hcre apdr.

Elektrik alan yeterince yksek younlukta mikroorganizmalara uyguland zaman hcre mebrannda 1Vtan daha fazla gerilim oluturur, bu da deitirilemeyen delikler oluturarak hcre membran sisteminin bozulmasyla mikroorganizmalar ldrr. Bu ilem ekil II.5de canlandrlmtr. Bu ekilde gsterildii gibi bir hcre imha ilemi 5 aamaya blnr. Hcreye PEF uygulanmasndan nce hcre mebrannn d su ile evrilirken katoplazma hcre iindedir. Hcreye PEF ve su uyguland zaman hcre mebran zerinde geirgen delikler oluacak 5

moleklleri deliklerden hcre iine akacaktr. Eer PEFler membran zerinde devam ederse su moleklleri hcre iine akacaktr. Tekrar oran ve darbe genilii yeterince geni iken hcre mebran bozulabilecek katoplazma hcre dna akacaktr. Sonunda hcre imha edilecektir[3].

ekil II.5 Bir Hcrenin mha Sreci

Hcre mebrannn kritik elektrik alanyla yklemek iin gerekli gerilim deeri E c aadaki formlle bulunur. Ec = Vcr T w f a ac 1 e Tc (II.2)

fa =

Ia a Ia c 3

(II.3)

Buradaki Tw bir kare dalga darbenin sresi ve f a hcre ekli tarafndan belirlenen bir katsaydr, bu da hcrenin I a uzunluu ile ifade edilir. Hcre

membrannn bozulmas iin gerekli enerji u formlle bulunur. K sabiti sterilize edilmek istenen hcreye bal olarak biyologlar tarafndan belirlenen bir sabittir.
2

W=

Ec TW

KTw
T w 1 e Tc

(II.4)

Enerji, Tc nin 1,25 kat Tw sreli bir darbede minimumdur.

II.1.1.2 Dar Darbeler

Sterilizasyon uygulamalarnda apoptosiz oluturmak iin genellikle dar darbeler kullanlr. Salksz, genetik olarak zarar grm veya dier bir ifade ile hatal hcrelerin doal olarak yok edilmeleri iin gelitirilen doal enzim reaksiyonlarnn bir serisi apoptosizdir. Dar darbeler iin, darbe genilii Tw , kritik zaman Tc dan daha azdr. Bu sterilizasyon durumunda mikroorganizmalarn kabarcklarla kapl membrannn alt ksmlar bozulur. Dar darbeli PEFler oluturmak iin gelitirilebilir[4]. bir hcrede apoptosiz meydana getirmek ve ekirdek membrann etkileme olasln

Kritik lem Faktr

leme faktrnde 4 ana parametre mevcuttur.

II.1.1.3 Elektrik Alan Younluu

Elektrik alan younluu mikroorganizmann inaktivasyonunu gl bir ekilde etkileyebilir. Elektrik alan younluundaki bir artla mikroorganizma inaktivasyonun etkisi artar. Bu hcre membran arasnda oluan potansiyel fark, uygulanan elektrik alannn younluuyla orantl olan elektroporasyon prensibiyle uyumludur. lave olarak, darbe genilii ayn zamanda kritik elektrik alann etkiler. rnein 50 mikrosaniyeden daha geni darbe iin Ec=4,9 kV/cm 2 mikrosaniyeden daha az darbe genilii iin Ec=40 kV/cmdir.

II.1.1.4 Uygulama Zaman

Uygulama sresi, darbe saysnn darbe sresi ile arpm olarak tanmlanr. Bu deikenlerin herhangi birinde bir art, mikroorganizmann inaktivasyonu etkisini arttracaktr. Uzun sreli bir pals Ecyi azaltacaktr. Bu da yksek inaktivasyon oran ile sonulanr. Bununla beraber darbe sresindeki bir art ileme tabi tutulan gda ssnda arta neden olabilir. Optimum ileme koullar bu yzden en dk s etkisinde en yksek inaktivasyon oran elde edebilecek ekilde gerekletirilmelidir.

II.1.1.5 Darbe Dalga ekli

Mikroorganizmalarn inaktivasyonu iin 3 tipte dalga ekli benimsenmi ve aada verilmitir. Bu almada kare dalga darbelerin, snml osilasyonlu dalgalardan daha etkili olduu vurgulanmtr. Bunun yannda sv yiyeceklerin istenmeyen elektrolizini azaltmak veya kanmak iin mikroorganizmalarn inaktivasyonunda ift ynl PEFlerin tek ynllerden daha etkili olduu da iaret edilmitir. Bu yzden ift ynl kare dalgalar mikroorganizma inaktivasyonunda en etkili dalga ekli olarak benimsenebilir.

Osilasyon

stel Fonksiyon

Kare
ekil II.6 Mikroorganizma naktivasyonunda Kullanlan Tip Dalga ekli

II.1.1.6 Scaklk
Klasik pastorizasyonda mikroorganizma inaktivasyonunu gerekletirmede hcre duvarn tahrip etmek iin s kullanlr. Bu yzden uygulanan ortam veya havadaki bir scaklk art inaktivasyon orannda bir arta neden olur. Bununla beraber scaklk ayn zamanda yiyeceklerin besin deerlerinde bozulmalara ve elektroliz nedeniyle yiyecek ve ortamda iyonik hareketi arttrr.

II.1.1.7 arpm Faktr

arpm katsaysnda, ortamn pH, iyonik kuvvet ve iletkenlik gibi birok parametresi vardr. Bir ortamn elektriki iletkenlii (siemens/m) PEF uygulamalarnda nemli bir parametredir. Yksek iletkenlikli gda iin gerekli elektrik alan younluu elde etmek iin gl bir g kaynana gerek duyulur. Bu nedenle PEF uygulamas mmkn olmaz. 8 letkenlikteki art aslnda iyonik

glenmenin art ile gerekleir; bylece yiyecein iyonik glenmesindeki bir art inaktivasyon orannda bir azalmaya neden olur. Benzer olarak ntrden pH sevilerindeki deiiklikler iletkenlikte art, tersine inaktivasyon orannda azalmaya neden olur[5].

II.1.1.8 Kullanlan Dalga eklinin nemi

Bu almada mikroorganizmalar inaktive etmek iin tek ynl kare dalga kullanlmtr. leme tabi tutulan mikroorganizmalarn tipi ve boyutlarna bal olarak alan younluu 10kV/cmden 40kV/cmye kadar deien alan younluu 20kV/cmyi at zaman bolukta gaz boalmas oluabilir ve darbeli g kaynanda arzaya neden oluabileceine dikkat edilmelidir. Bylece, byk hacimli ve yksek g tketimli g kaynana ihtiya duyulur. Ayrca 10-13 cm3 seviyesinde serbest elektron younluu reten PEFlerin bo bir ortamda srekli bir hava delinmesine neden oluaca bildirilmektedir. nk hava delinmesi gaz molekllerinin bileimine baldr. Delinme zamann belirlemek zordur. Srekli hava delinmesini nlemek iin PEFlerin sresi 200 nsden elektron hayat sresinden daha aada olacak ekilde snrlanmaldr. Bu deerler 10 kV/cmde yaklak 30kV/cmden 1,6 mikrosaniyeye kadar olmaktadr. Bu almada ekil II.4de grld gibi sterilizasyon dalga ekilleri retmek iin dar dalga ile geni dalgalar birlikte dzenlenmitir; bu da kullanlan ortamda hava delinmesini nlerken elektrik alan younluunu arttrabilir. Srekli gaz dearjndan kanarak ve darbe kaynan arzadan koruyarak g tketimini azaltabilir[6].

BLM III
III DENEYSEL ALIMALARI

DENEY

CHAZINDA

KULLANILAN

DEVRE

ELEMANLARI Mikrodenetleyiciler
Bir bilgisayar ierisinde bulunmas gereken temel bileenlerden RAM, I/O nitesinin tek bir chip ierisinde retilmi biimine mikrodenetleyici (Microcontroller) denir. Bilgisayar teknolojisi gerektiren uygulamalarda kullanlmak zere tasarlanm olan mikrodenetleyiciler, mikroilemcilere gre ok daha basit ve ucuzdur. Gnmz mikroilemcileri otomobillerde, kameralarda, cep telefonlarnda, fax-modem cihazlarnda, fotokopi, radyo, baz oyuncaklar gibi saylamayacak kadar pek ok alanda kullanlmaktadr. Gnmz mikrodenetleyicileri birok chip reticisi tarafndan retilmektedir. Her firma rettii chipe farkl isimler vermektedir. rnein Mikrochip firmas rettiklerine PIC adn verirken, Intelin rettii ve 1980lerin banda piyasaya srld 8051, bazen MCS-51 olarak da adlandrlr. Mikroilemci ile kontrol edilecek bir sistemi kurmak iin en azndan u niteler bulunmaldr; CPU, RAM, I/O ve bu nitelerin arasndaki veri al-veriini kurmak iin DATABUS (DATA YOLU) gerekmektedir. Elbette bu niteleri yerletirmek iin baskl devreyi de unutmamak gerekmektedir. Mikrodenetleyici ile kontrol edilecek sistemde ise yukarda saydmz nitelerin yerine geecek tek bir chip (mikrodenetleyici) ve bir de devre kart kullanmak yetecektir. Tek chip kullanarak elektronik zmler retmenin maliyetinin daha dk olaca kesindir. 10

Ayrca kullanm ve programlama kolayl ikinci bir avantajdr. Yukarda sz edilen nedenlerden dolay son zamanlarda bilgisayar kontrol gerektiren elektronik uygulamalarda mikrodenetleyici kullanma eilimini arttrmtr. Neredeyse her mikroilemci (CPU) reticisinin rettii birka mikrodenetleyici bulunmaktadr. Bu denetleyicilerin mimarileri arasnda ok kk farklar olmasna ramen aa yukar ayn ilemleri yapabilmektedirler. Her firma rettii chipe bir isim ve zelliklerini birbirinden ayrmak iinde para numaras vermektedir. rnein Microchip rettiklerine PIC adn, para numaras olarak da 12C508, 16C84, 16F84, 16F877, 18F252 gibi kodlamalar verir. Intel ise rettii mikrodenetleyilere MCS-51 ailesi adn vermektedir. Genel olarak bu adla anlan mikrodenetleyici ailesinde bulunan rnleri birbirinden ayrt etmek iin para olarak da 8031AH, 8051AH, 8751AHP, 8052AH, 80C51FA gibi kodlamalar kullanlmaktadr. Bir uygulamaya balamadan nce hangi firmann rn kullanacana daha sonrada hangi numaral denetleyicinin kullanlacana karar vermek gerekir. bunun iin mikrodenetleyici gerektiren uygulamada hangi zelliklerin olmas gerektii nceden bilinmesi gereklidir. Aada bu zellikler sralanmtr. Programlanabilir dijital paralel giri-k Programlanabilir analog giri-k Seri giri-k (senkron, asenkron ve cihaz denetimi gibi) Motor veya servo kontrol iin pals sinyali k Harici giri vastasyla kesme Timer vastasyla kesme Harici bellek ara birimi Harici BUS ara birimi (PC ISA gibi) Dahili bellek tipi seenekleri ( ROM, EPROM, PROM ve EEPROM) Dahili RAM seenei[7]

ekil III.1de PICin blok emas verilmitir.

11

PROG EPROM

Prg. Cnt.

STACK

STATUS ALU

RTCC

WDT GENEL REGSTER DOSYASI

PORT A

PORT B

A/D EEPROM PORT C

OSC

CONFG FUSES

ekil III.1 PICin Blok Diyagram

Bu tezin uygulama deney cihaznda kullanlan 18F252 isimli 32 kbit flash hafzaya, maksimum 40 MHz alma frekansna sahip Microchip firmasnn rettii mikrokontrolrdr. Cihaz iin gerekli olan program C dilinde, zgn olarak yazlmtr. Devrede 18.432 MHzlik kristal osilatr (OSC) kullanlmtr. CPU blgesinin kalbi ALU' dur ( Aritmetic Lojik Unit -Aritmetik Mantk Birimi ) ve W ( working ) yazmac adnda tek bir yazma ierir. PIC, dier mikroilemcilerden, aritmetik ve mantk ilemleri iin bir tek ana yazmaca sahip oluu ile farkllar. W yazmac 8-bit geniliindedir ve CPU' daki herhangi bir veriyi transfer etmek zere kullanlr. Programa bal olarak ALUda yaplan ilemler 8 bitlik bus yolu ile gerekli port veya registere yazlp alnabilir. Program sayc (Prg. Cnt), PROG EPROMa yazlm olan programn bellek adresini barndran 13 bitlik bir registerdir. Program ierisinde dallanma (ynlendirme) ilemlerin sonunda, programn hangi registerden devam edecei 8 adet STACK adresine yazlarak bilinir. WDTin ngilizce alm Watch Dog Timerdr. WDT PICin ierisinde bulunan RTCC osilatrnden ald sinyale bal sayma ilemi yapar. Bu sre ierisinde sayma ilemi sfrlanmazsa PICin kilitlendii dnlerek otomatik olarak

12

sistem resetlenir. Yani WDT program dngsnn srekliliini salar. ekil III.2de kullanlan PICin ekli grlmektedir[8].

ekil III.2 18F252 Klf Grn

Transformatr
Doru gerilimin kylarak istenen genlikte yksek gerilim elde etmek amacyla devrede transformatr kullanlmtr. Kullanlan bu transformatrn istenen frekans cevab vermesi iin ferit nveli seilmitir. Ferit nve iki paradan olumaktadr. Bu iki para arasna nvenin ksa srede doyuma gitmesini nlemek, manyetik direnci arttrmak ve istenilen endktans deerini ayarlamak iin her iki tarafa 1mm hava aral braklmtr[9]. Transformatrde primer ve sekonder olmak zere iki sarg bulunur. Primer sarg 35 tur, sekonder sarg 1000 tur sarlmtr. Primer sarg 0,6 mm, sekonder sarg tel ap 50 m apndadr. Kullanlan dielektrik malzeme epoksildir. Sekonder sarg tarafnda oluabilecek yksek gerilim atlamalarn kontrol etmek iin dilimli karkas kullanlmtr. Dilimli karkasa sarm yapldktan sonra plastik bir gvde ierisine yerletirilir. Sarglar arasnda oluabilecek gerilim atlamalarn nlemek ve dayankll arttrmak iin dielektrik malzeme olarak epoksil dklmtr. Bu dkme ileminde, malzemenin verimini arttrmak ve sarglarn arasnda hava boluklarnn kalmasn nlemek iin havasz ortamda gerekletirilmitir. Bu ortam ve imkan salamak iin Seda Elektronik sahibi Yksek Mh. Yaar GNGRden yardm istenmi ve Termal irketi Arge laboratuarlarnda allmtr. Transformatrn ekli aada verilmitir. 13

ekil III.3 Transformatr

Mosfet ve Src Kat

FET ve transistr teknolojisindeki hzl geliim sonucunda oluan MOSFET eleman devre prensibine en uygun olduu tespit edilmi ve uygulamada kullanlmtr. Bu karardaki en nemli iki etken: kap akmnn kk, cevabnn hzl olmasdr. Bu amala IXYS firmassn rn olan IXFH 15N100Q isimli mosfet kullanlmtr.

ekil III.4 IXFH 15N100Q Klf ve Sembol Gsterimi

Kullanlan mosfetin kesim gate-source gerilimi (VGS) sfr volt (0V), iletim gate-source gerilimi (VGS) onbe volttur(15V). Bu deerlere sahip olan bir eleman PIC ile kontrol etmek istendiinde mutlaka bir ara src katna ihtiya duyulmaktadr. nk PICin alma gerilimi veya herhangi portundan alnabilecek maksimum k gerilimi be (5V) volttur. Bu amala mosfet src entegresi olan IXDD414 kullanlmtr. IXDD414 entegresi besleme gerilimi 15 volttur. Entegrenin iki (2) nolu bacana girilen 5 voltluk sinyale bal olarak 7-8 nolu bacaklardan ayn ekilde fakat genlii 15 volta ykseltilmi olarak alnr.ekil III.9da entegre temel kullanm devre emas verilmitir. Gerekli mosfet katolog deerleri Ek IIde verilmitir[10].

14

ekil III.5 Mosfet Src Kat

R1 Rg Rp C1 Dg ZD1 ZD2 IC1

Mosfet src kat eleman deerleri: : 10K D2 :BY 8414 : 3,3 PIC :18F252 : 2,2K : 22f Tantal : 1N5817 : 18V : 18V :IXDD414 Tezimin uygulama devresi ekil III.6da verilmitir. ebeke gerilimi olan

220 volt iki transformatrler yadm ile iki farkl deere drlmtr. Birinci transformatr 40 watt gcnde 66 voltluk gerilime sahiptir ve g devresini beslemektedir. Burada regle amacyla 1000 Flk kondansatr kullanlmtr. kinci transformatr 5 watt gcnde ve 15 voltluk gerilime sahip olup kontrol ve src katn beslemektedir. Regle amacyla 2200 Flk kondansatr kullanlmtr. PIC iin gerekli olan 5 volt, 7805 regle entegresi ile salanmtr. G ve kontrol devrelerinin uyumlu almas iin aseleri ortak olarak balanmtr. PICe yazlan programa bal olarak B portundan elde edilen 0-5 voltluk kare dalga sinyaller IXDD414 entegresine verilir. Bu entegre aynen alnarak ka genlii 15 volta ykseltilmi olarak 15N100Q isimli mosfete aktarlarak yksek gerilim transformatrnn primerini kontrol eder.

15

Dntrc eleman deerleri; LP= 300H D1: Mosfet source-drain diyotu ISM =60A. VSD= 1.5V. -di/dt=100A/s VR=100V. Paralel Plakalarn Kapasitesi: Plakalar aras mesafe 10mm iin: C0=7pF. Plakalar aras mesafe 50mm iin: C0=1.43pF Paralel plaka alan= 81.10-4m2 D2 :BY8414
RL: 470 K Cds: 9.8nF Parasitic capacitor of MOSFET, Ciss=4500pF, Coss=410pF, Crss=150pF

HVT

Plaka

ekil III.6 Uygulama Devresi Gsterimi

16

DENEY CHAZININ ALIMA PRENSB

Sunulan ksmi rezonansl ve geri dnl DC g kayna ekil III.7de verilmitir. HVT

ekil III.7 Ksmi Rezonansl ve Geri Dnl DC G Kayna

Devrede, DC kaynak gerilimi 95 volt (Vs), rezonans kondansatr 9.9nF (Cds), dorultma diyodu BY8414, plaka kapasitesi 1.43pF<C<7pF, yk direnci 470K, yksek gerilim transformatr (a) ve 15N100Q isimli mosfet (Q) grlmektedir. D1 diyotu mosfet klfnn iinde tmleik halde bulunmaktadr. Devrede bulunan mosfet 3sn iletimde kald srece transformatrn primerinden akm akar ve bu sarg zerinde enerji depolanr. Bu enerji ile mosfet kesime girdii anda primer bobini ve Cds rezonans kondansatr arasnda seri rezonans oluur. Mosfet 7sn boyunca kesimde kald srede akan bu rezonans akm, RL yk ve plakay besler. Bu sre sonunda mosfet zerinde den gerilim dm yaklak sfr volt olduunda ikinci peryot iletim sinyali ile tekrar balatlr. Bu ilem toplam olarak 10 peryot yani 100sn srer. Bu srenin sonunda 900sn boyunca mosfet kesimde kalr. Her bir 10 sn ve 100KHzlik peryot dar darbeyi, 100sn ve 1mslik peryot geni darbeyi oluturur. Bahsedilen geni ve darbeler yksek gerilim transformatrnn sekonder sargsnda yk olarak bulunan, 470Kluk dirence seri bal 100luk diren yardm ile gerilim blc devre yaplarak, kaydedicili osilaskop yardm ile alnmtr. Devrenin bir anahtarlama peryodu ierisindeki kararl durum analizini kolaylatrmak iin, gerilimin sabit ve yar iletken elemanlarn ideal olduu kabul edilmitir.

17

Ksmi rezonansl ve geri dnl dntrcnn bir anahtarlama periyodundaki kararl durum almasnda 5 aralk bulunur. ekil III.8de alma aralklarn temel dalga ekilleri verilmitir.

VGS

VdS

VS IS

t0

t1 t2

t3

t 4 t5

t6=t0

t1 t2

ekil III.8 alma Aralklarnn Temel Dalga ekilleri

Tablo III.1 Temel alma Aralk ve Sreleri ALIMA ARALIKLARI ARALIK 1 [ t 0 < t < t1 ] ARALIK 2 [ t1 < t < t 2 ] ARALIK 3 [ t 2 < t < t 4 ] ARALIK 4 [ t 4 < t < t 5 ] ARALIK 5 [ t 5 < t < t 6 = t 0 ] SRE (sn) 2,3 1 5 1,1 1,3

Tablo III.1de deney cihaz alma aralklarna ait sreler verilmitir. Elde edilen sreler, mosfetin iletim-kesim, rezonans kondansatrnn kapasitesi ve transformatrnn primer sarg endktansna bal olarak oluur.

18

alma Aralklarna Gre Deneyde llen Deerler ve Hesaplamalar

Tm aralk hesaplamalarnda kullanlan kaynak ve eleman deerleri: VS = 95V
LP = 300H
Z r = 168

Cds= 9,9nF RL= 470K C0= 1.43pF<C<7pF

LP , yksek gerilim transformatrnn primer sarg endktans L-C metre ile

llmtr. C0 plaka kapasitesi aadaki formlle hesaplanmtr. A d 0 r :Plaka Alan (m2) :Plakalar aras uzaklk (m) : Boluun dielektrik Katsays (8,854.10-12) : Plakalar Arasnda Kullanlan Dielektrik Malzemenin Yaltkanlk

Sabiti (Hava: 1)
C= A (III.1) . 0 . r d Yksek gerilim transformatrnn kna mikroorganizma inaktivasyonu

ileminde kullanlmak amacyla iki iletken plakann; A =81.10-4 m2 r = 1 0 = 8,854.10-12 d1 =1 cm d2 = 5 cm Plakalar arasndaki mesafe 1-5 cm arasnda deitiinden dolay iki ayr hesaplama yaplmaldr. d1 = 1cm Forml III.1de plaka zellikleri yerine yazarsak;

19

C=

81.10 4 8,854.10 - 12 = 7.10 - 12F = 7 pF 10 2

d2 = 5cm iin; 81.10 4 8,854.10 - 12 = 1.43.10 - 12F = 1.43 pF 5.10 2

C=

alma aralklarnda kullanlan formller,ekil III.9da gsterilmi olan temel seri rezonans devresi diferansiyel denklem eitliklerinden, balang koullar olarak kondansatr gerilimi Vc(t ) = 0 , devre akm i S (t ) = 0 edildiinde aadaki gibi kartlabilir.
L is Vi

olarak kabul

VL VC C

ekil III.9. Temel Seri Rezonans Devresi

Vi = VL + VC = L

di 1 + idt + VC (t = 0) dt C

(III.2a)

Vi 1 = s.L.I ( s ) + .I ( s ) s s.C
Vi 1 = I ( s )( sL + ) s s.C

(III.2b)

(III.2c)

I (s) =

Vi 1 s.( sL + ) sC

Vi 1 L( s + ) LC
2

Vi L( s + 2 )
2

(III.3a)

20

1 LC
L 1 = C C

(III.3b)

Z = L =

(III.3c)

i (t ) =

Vi C sin t = Vi sin t Z L

(III.3d)

1 1 C Vi C cos t Vc(t ) = i (t )dt = Vi sin t = C0 C0 L C .C L

t t

(III.4a)
0

= Vi (1 cos t ) bobindeki balang akm IL0, kondansatrdeki balang gerilimi VC = 0 ise;

Vi = L

di 1 + i.dt + Vco dt C

(III.5a)

V Vi 1 = s.L.I ( s ) L.I Lo + .I ( s ) + Co s s.C s

(III.5b)

C. = C.

1 L.C

C2 = L.C

C 1 = L Z

(III.5c)

Vi Vco 1 + L.I L 0 = I ( s )( s.L + ) s s.C

s ( ).L.I L 0 s.I L 0 Vi Vco Vi Vco + L = + I ( s) = 1 1 1 1 s ) ( s.L + ) L.( s 2 + ) s2 + s.( sL + L.C L.C sC L sC

(III.5d)

(III.5e)

I ( s) =

s.I Vi Vco + 2 L0 2 2 2 L.( s + ) s +

(III.6a)

21

 .L =

L2 L.C

(III.6b)

C.Z = C

L C 2 .L 1 = = C C

(III.6c)

I ( s) =

s.I (Vi Vco). + 2 L0 2 2 2 .L.( s + ) s +

(Vi Vco) L C (Vi Vco) sin t + I Lo . cos t Z

(III.6d)

i (t ) =

sin t + I Lo . cos t =

(III.6e)

Kondansatr ularndaki gerilim:

t

1 Vc(t ) = i (t ).dt + Vco C0

(III.7a)

Vc(t ) = =

1 Vi Vo ( sin t + I L 0 cos t ) + Vco C Z 0 (III.7b)

1 (Vi Vco). cos t sin t . I + Vco + L 0 C Z . cos t

Vc = (Vi Vco).

+ Z .I L 0 . sin t + Vi

(III.7c)

Vc = (Vi Vco). cos t + Z .I L 0 . sin t + Vi V L = Vi Vds = (Vi Vco) cos t Z .I L 0 . sin t

(III.7d) (III.8)

22

III.1.1.1

Aralk 1 [ t 0 < t < t1 ]

Mosfetin iletime girmesiyle balayan bu aralk iin,

VS (t1 t 0 ) LP

iS =

(III.9)

bants yazlabilir. Mosfetin iletimde kald sre boyunca I S akm artarak devam eder. I S akmnn art ve bu aralk, mosfetin kesime girmesiyle sona erer. iS = 95 2,3.10 6 6 300.10

i S = 0,73 A

ekil III.10 Aralk 1[ t0<t<t1 ]

III.1.1.2

Aralk 2 [ t1 < t < t 2 ]

Mosfetin gate sinyalinin kesilmesiyle Vs-Lp-Cds yolu ile bir seri rezonans oluur. Bu aralk sonunda Cds rezonans kondansatr VS kaynak gerilimine, IS devre akm pozitif alternansta maksimum deerine ulaarak son bulur. Denklem III.6dden faydalanarak, aralk 2de oluan rezonans iin,
i S = I S cos r (t 2 t1 ) + VS sin r (t 2 t1 ) Zr

i S = 0,73. cos r (10 6 ) + i S = 0,92 A

95 sin r (10 6 ) 168

Denklem III.7dden faydalanarak, aralk 2de rezonans kondansatrnn gerilimi,

VdS = VS + I S .Z r sin r (t 2 t1 ) VS cos r (t 2 t1 )

23

VdS = 95 + 0,73.168. sin r (10 6 ) 95 cos r (10 6 )

V dS = 92 V

I S max = I S 1

VS + Z r

(III.10))

I S max

95 = 0,73 + 168
2

I S max = 0,85 A Denklem III.3cden faydalanarak, aralk 2de rezonans empedans, Z r = LP C ds

9,9.10 9

6 Z r = 280.10

Z r = 168

D2 diyodu, I S akmnn maksimum deerine ve Vds geriliminin Vs deerine erimesiyle iletime girer ve bu aralk biter.

ekil III.11 Aralk 2 [ t1<t<t2 ]

24

III.1.1.3

Aralk 3 [ t 2 < t < t 4 ]

Aralk 2de balayan rezonans bu aralkta da devam eder. kta bulunan D2 diyodu zerinden sekonder sarg yk besler. i S = I S max . cos r (t 4 t 2 ) i S = 0,85. cos r 5.10 6 i S = 0,85 A Denklem III.7dden faydalanarak, aralk 3de rezonans kondansatr zerindeki gerilim, v dS = v S + Z r .I S max . sin r (t 4 t 2 )
v dS = 95 + 168.0,85. sin r 5.10 6 v dS = 95V (III.12))

(III.11))

VdS max =
VdS max =

(Z r I S max )2 + VS 2
(168.0,85)2 + 95 2

+ VS
+ 95

VdS max = 266V Bu aralkta Cds gerilimi iki farkl deer alr. Birinci deer kondansatr seviyesine dt deerdir. geriliminin maksimuma kt, dieri ise Vs

Kondansatrn Vs seviyesine dmesiyle D2 diyodu kesime girmesiyle I S akm negatif maksimum deerine ulaarak bu aralk biter.

ekil III.12 Aralk 3 [ t2<t<t4 ]

25

III.1.1.4

Aralk 4 [ t 4 < t < t5 ]

Seri rezonansn devam ettii bu aralkta kondansatr gerilimi (Vs) sfra dmesiyle D1 diyodu iletime girerek bu aralk biter. Denklem III.11den faydalanarak, aralk 4de primer sargdan geen rezonans akm, i S = I S max cos (t 5 t 4 ) i S = 0,85 cos (1,1.10 6 ) i S = 0,66 A Denklem III.7dden faydalanarak, aralk 4de rezonans kondansatrnn gerilimi,

VdS = VS I S max .Z r sin r (t 5 t 4 ) VdS = 95 0,85.168 sin r (1,1.10 6 ) VdS = 4V

ekil III.13 Aralk 4 [ t4<t<t5 ]

III.1.1.5

Aralk 5 [ t5 < t < t6 = t0 ]

Aralk 4n sonunda D1 diyodunun iletime gemesiyle I S akm lineer olarak azalr. Bu durumda mosfetin iletime geirilmesi gerekir[11].

ekil III.14 Aralk 5 [ t5<t<t6=t0 ]

26

FLYBACK DNTRC DENEY GRAFKLER

Devre uygulamas yaplm ve aadaki veriler kaydedicili osilaskop ile alnmtr. alma aralklarnn osilaskop aracl ile alnabilmesi iin PIC sadece 100 KHzlik periyotta altrlmtr. Mosfet gerilimi ve srme sinyalini ayn ekranda grmek amacyla osilaskopun CH1 kademesi ve CH2 kanal kullanlm, volt/div 5 volta, time/div 2,5 snye ayarlanmtr. ekil III.14te ofset gerilimin yaklak 290 volt, srme sinyalinin 18 volt seviyesinde olduu grlmektedir. 1 nolu ember ierisindeki blgede, mosfetin srme sinyalinin kesilmesiyle rezonans kondansatr, transformatrnn primer sargsnda depo edilen enerji ile arj olmaya balar. Ayn zamanda 1 nolu ember ierisindeki blge Lp-Cds seri rezonansnn balad an ifade eder. 2 nolu ember ierisindeki blge, Cds rezonans kondansatrnn tamamen boald ve mosfetin ikinci srme sinyalinin verildii an gstermektedir.
V

Mosfet Gerilimi Srme Sinyali

t 1 2

ekil III.15 Srme sinyali (5V/div) ve Mosfet gerilimi (10*5v/div), Peryot(2,5sn/div)

27

Primer sarg akmn lmek amacyla devreye seri bal 0,5 luk diren balanmtr. Bu diren yardm ile osilaskobun CH1 kanalnn time/div kademesi 200 mVta, CH2 kanal mosfet zerinde den gerilimi lmek iin volt/div kademesi 5 volta ayarlanmtr. Bu durumda time/div kademesi 2,5 sndir. Pozitif maksimum primer akm 0,90 amper, negatif maksimum primer akm 0,80 amper seviyelerindedir. ekil III.15te, 1 nolu elipsin ierisindeki blge, mosfetin srme sinyalinin kesilmesiyle birlikte Cds rezonans kondansatrnn arj olduu alan gstermektedir. 2 nolu elipsin ierisindeki blge, Cds rezonans kondansatrnn tamamen dearj olduu alan gstermektedir. 3 nolu ember ierisindeki blge, blm III.1.3te sembol verilmi mosfet klf ierisindeki ters diyotun iletime girmesi ile balayp, mosfetin kesim anna kadar sren alan ifade etmektedir.

V,i

Mosfet Gerilimi
1 2

Primer Akm
3 t

ekil III.16 Mosfet Gerilimi (10*5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div)

Mosfetin kap srme sinyali ve primer akm erileri ekil III.16da verilmitir. Srme sinyalini lmek amacyla CH1 kanal time/div kademesi 5 volta, CH2 kanal 200 mVta ayarlanmtr. Time/div 2,5 sndir. 1 nolu elips ierisindeki blge, mosfetin iletime geerek transformatrn primer sargsndan akmn lineer olarak artt alan gstermektedir. 2 nolu ember mosfetin kesime girdii alan gstermektedir.

28

V,i

Srme Sinyali

Primer Akm

t 1
ekil III.17 Srme Sinyali (5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div)

29

PEF CHAZININ IKI GERLM GRAFKLER

1mslik peryotu daha rahat grebilmek amacyla osilaskopun volt/div kademesi 100mVta time/div kademesi 500 snye ayarlanm ve 100 luk diren zerinden ekil III.17deki eri elde edilmitir. 1 nolu elips ierisindeki blge, geni darbelerin zerine dar darbelerin bindirilmi hali gsterilmektedir. 2 nolu elips ierisindeki blge, transformatrn sekonder sargsnda (HVT) gerilimin endklenmedii durumu gstermektedir.
V 1

t
t 2
ekil III.18 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(500sn/div)

Yksek gerilim transformatrnn sekonderine bal olan 470 Kluk yk direncine seri bal olarak 100 luk bir diren yardm ile gerilim blc yaplmtr. Osilaskopun volt/div kademesi 100mVta time/div kademesi 50 snye ayarlanm ve 100 luk diren zerinden ekil III.18deki eri elde edilmitir. Bir baka ifade ile ekil III.18, ekil III.17deki tek bir darbenin daha ak gsterimidir. Bu erilerden geni darbe genliinin yaklak olarak 900 V, dar darbe genliinde 1200 V seviyelerinde olduu grlmektedir. 1 nolu elips ierisindeki blge, geni dalgay, 2 nolu ember ierisindeki blge ise dar darbeleri gstermektedir.

30

t 1

ekil III.19 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(50sn/div)

31

BLM IV
IV SONULAR

Devre uygulamasnda, kaydedicili osilaskop ile temel giri ve k dalga ekilleri kaydedilmi, gerekli akm ve gerilim hesaplamalar yaplmtr. Tez sonunda aadaki sonular elde edilmitir: Tezimin konusunu oluturan devre uygulamasnda, anahtarlama elemanlarnn zerindeki kayplar frekans deerleri arttka artmaktadr. Anahtarlama kayplarn azaltmak amacyla sfr gerilimde anahtarlama (ZVS) teknii kullanlarak mosfetteki g kayplar azaltlmtr. Devre uygulamas gerekletirilirken kondansatrlerin kapasite ve transformatr primer bobinin endktans deerleri ZVS ann yakalamak iin ok iyi seilmelidir. Mosfetin kesim sresi ierisinde mutlaka kondansatr dearj olmaldr. ap 10m, ekirdek ap 5 m olan kp eklindeki bir hcrenin imhas iin gerekli olan geni dalga (1KHz) ve dar dalga (100KHz) frekanslar elde edilmitir. Hcre imhas iin gerekli elektrik alan olan 2,1 KV/cm elde edilmitir. Tez almasnda uygulamas yaplan deney cihaznda, blm II.1.2de planlanan frekans ve gerilim deerlerinde, geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilerek gerekli elektrik alan salanmtr.

32

BLM V
V TARTIMA VE DEERLENDRME

Sterilizasyon

ilemlerinde

elektroliz

veya

omik

stma

yntemleri

kullanldnda yksek scaklk iin g gerekmektedir. Bu yntemin zellikle yiyeceklerin besin deerlerinde byk kayplara neden olduu bilinmektedir. Bu kayplar azaltabilmek iin yaplan almalar arasnda, elektrik alanlarndan faydalanlmaya balanmtr. Bu alanlar; kare dalga, snml osilasyon, stel ve son olarak geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilmesi olarak zetlenebilir. Uygulanan dalga genlii ve frekans hcre imhas iin ok nemlidir. Dk frekanslarda d membran, yksek frekanslarda ise i membran yksek potansiyele sahiptir. Optimum sterilizasyon ilemi iin mikroorganizmalarn hcre zelliklerinin ok iyi tayin edilip ona gre frekans ve genlik deerleri belirlenmelidir. Bu almamzda yaklak 1000V genlikli 1KHz frekansl geni darbe zerine 1100Vluk 100KHzli dar darbeler bindirilerek farkl bir PEF cihaz retilerek mikrobiyolojik deneylerde kullanlmaya hazr hale getirilmitir. Tezimin konusunu olan dntrc tipi ve benzeri uygulamalar, son yllarda yeni bir yaklam olarak deerlendirilebilir. nanyorum ki bu gibi almalar hz kazandka gnlk hayatta bu teknikle artma daha da kullanlabilir hale gelecektir.

33

KAYNAKLAR

[1]

Muzino A., Hori Y. Destruction of Living cells by Pulsed High- Voltage Application. IEEE Transaction on Industry Applications, Vol,24, No.3, May/ June 1988 pp.387-394

[2]

P. Ellappan, R. Sundararajan. A Simulation Study of the Electrical Model of a Biological Cell.Elsevier, Journal of Electrostatics, 28 Novembre (2004).

[3]

N. Dutreux, S. Notermans, T.Wijtzes, M.M Gongora-Nieto, G.V. BarbosaCanovas, B.G. Swanson . Pulsed Electric Fields Inactivation of Attached and Free-living Esherichia Coli and Listeria Innocua under Several Conditions. Elsevier, International Journal of Food Microbiology (2000) 9198

[4]

Bai_Lin Qin, Gustavo V, Barbosa-Canovas, G.Swanson B., P. D. Pedrow, R. G. Olsen. Inactivation of Microorganisms Using a Pulsed Electric Field Continuous Treatment System. IEEE Transaction on Industry Applications Vol.34. no.1 January/Feruary (1998) pp.43-49.

[5]

Tsai-Fu Wu, Sheng-Yu Tseng , Jin-Chyuan Hung . Generation of Pulsed Electric Fields for Processing Microbes. .IEEE Transaction on Plasma Science, Vol,32, No.4, August (2004), pp. 1551-1562

[6]

Sato M., Ishida N. M., Sugiarto A. T., Oshima T., Taniguchi H, High Efficiency Sterilizer by High-Voltage Pulse Using Concentreated- Field Electrode System.IEEE Transaction on Industry Applications, Vol,37, No.6, November/ December 2001, pp.1646-1650

[7]

Altnbaak O., Mikrodenetleyiciler ve PIC Programlama.ALTA Yaynlar, stanbul, Trkiye, (2003) 34

[8] [9]

www.microchip.com(eriim tarihi:Ocak 2006) Rahim, N.A.; Omar, A.M.; Ferrite Core Analysis for DC-DC Flyback Converter TENCON 2000. Proceedings Volume 3, 24-27 Sept. 2000 Page(s):290 - 294 vol.3

[10] [11]

www.datasheetcatalog.com(eriim tarihi: Nisan 2006) Bodur H., Aksoy ., Akn B., DC-DC Dntrclerde 100-108. Yumuak Anahtarlama Teknikleri, Kaynak Elektrik, Haziran 2002, Say 158, Sayfa

35

EK I MOSFET SREN PIC KONTROLORNN AKI DYAGRAMI VE PROGRAMI

AKI DYAGRAMI
Bala

16F252'yi Tant

Tm Portlar k Yap

A,B ve C Portunu Sil

1 ms Bekle

C Portunu 1 Yap

100_KHz

Mod Se

100_1_ KHz

B Portunu 1 Yap 3 sn Bekle B Portunu 0 Yap 7 sn Bekle

B Portunu 1 Yap 3 sn Bekle B Portunu 0 Yap 7 sn Bekle

Toplam 9 lem

B Portunu 1 Yap 3 sn Bekle B Portunu 0 Yap 900 sn Bekle

36

PIC PROGRAMI

// PICC Compiler version 3.235 ile compile edildi.. #include "18F252.h" #FUSES HS,NOWDT,NOPROTECT,NOPUT,NOBROWNOUT,NOSTVREN,NOLVP //#define MODE_100KHZ #define MODE_100_1KHZ #USE delay(clock=18432000,RESTART_WDT) #byte port_a = 0xF80 #byte port_b = 0xF81 #byte port_c = 0xF82 void init_sys(void) { port_a=0;//porta sfr port_b=0;//porta sfr port_c=0;//porta sfr set_tris_a(0x0F); set_tris_b(0x00); set_tris_c(0x00); port_a=0;//porta sfr port_b=0;//porta sfr port_c=0;//porta sfr setup_adc_ports(NO_ANALOGS);// A portu initialize edilmeli,aksi halde port adc durumunda olur disable_interrupts(GLOBAL); }

37

//_____________________________________________________________ // // void main(void) { char cnt; setup_adc_ports(NO_ANALOGS); setup_adc(ADC_CLOCK_DIV_2); setup_spi(FALSE); setup_ccp1(CCP_OFF); setup_ccp2(CCP_OFF); init_sys(); port_c=0;//her ihtimale kar roleyi brak delay_ms(1000);// 1 saniye beklet port_c=255;//roleyi ek do{ #ifdef MODE_100KHZ port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); #endif ANA PROGRAM //_____________________________________________________________

#ifdef MODE_100_1KHZ port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7);

38

port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); 39

port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(900); #endif } while(1); }

40

EK II

KATALOG DEERLER

MOSFET KATOLOG DEERLER

Firma sim VDSS ID25 RDS(ON) IXYS IXFH 15N100Q 1000V 15A 0,7

ekil I. IXFH 15N100Q VDS-ID Karakteristik Erisi

DYOT KATALOG DEERLER

ekil II. BY8414 VF-IF Karakteristik Erisi

41

ZGEM

1977 Ylnda Eskiehirde dodum. 100. Yl

lkokulu, Mimar Sinan

Ortaokulu ve Atatrk Teknik Lisesini bitirdim. 1999 Ylnda Kocaeli niversitesi Teknik Eitim Fakltesinin Elektrik Eitimi blmnden mezun oldum.2003 Ylnda Marmara niversitesi, Fen Bilimleri Enstits, Elektrik Eitimi Anabilim Dalnda Yksek Lisansa baladm. Halen Marmara niversitesi, Fen Bilimleri Enstits, Elektrik Eitimi Anabilim Dalnda Yksek Lisansa devam etmekte ve mraniye Atatrk Endstri Meslek Lisesinde elektrik retmeni olarak grev yapmaktaym.

42