UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTIN

Drejtimi : KOMPJUTERIK
Laboratori: ELEKTRONIKS






Ushtrimi Nr.1



Karakteristikat e diods s Si dhe Ge gjat polarizimit t
drejt dhe t kundrt



Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit

Numri i indeksit 07149/09 Data e dorzimit

Grupi Asistenti i lnds
Fidel Krasniqi
Semestri III (tret) Nota



www.e-Libraria.com
Detyra:

a) T realizohet qarku sipas figurs 1.1 dhe t nxiret karakteristika
statike e diods, kur ajo sht e polarizuar n kahun e drejt.




N baz t rezultateve t matjes t paraqitn n fletn milimetrike
karakteristikat e diods s shqyrtuar.




b) T realizohet qarku sipas figurs 1.2 dhe t nxiret karakteristika
statike e diods, kur ajo sht e polarizuar n kahun e reverz.



N baz t rezultateve t matjes t paraqitn n fletn milimetrike
karakteristikat e diods s shqyrtuar.





Mjetet:

1. Maketi.
2. Dioda D (AA 134 Ge) dhe (BA 170 , Si).
3. Rezistori R=220 !.
4. Miliampermetri pr rrym t vazhdushme (mA).
5. Mikroampermetri pr rrym t vazhdushme("A).
6. Voltmetri pr tension t vazhdueshm E=15 V.
7. Potenciometri P= 1k!.





www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve:


Polarizimi direkt














Fig 1.1






Fig 1.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH

R
E
P
50%
D
1 2
XMM1 XMM2
3
4
0
www.e-Libraria.com
Polarizimi reverz















Fig 1.2















Fig 1.2 Multisim 8 Electronics WORKBENCH







R
E
P
50%
D
XMM3 XMM4
7
6 5
0
8
www.e-Libraria.com
Rezultatet tabelare:

Polarizimi direkt


Pr diodn e Germaniumit (Ge) - (AA 134)













Pr diodn e Silicit (Si): - (BB 170)
















0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

0 0 0.3 0.5 1.0 1.7 2.5

0.65 0.7 0.75 0.8

3.5 4.1 5.0 5.6

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

0 0 0 0 0 0.1 0.6

0.65 0.7 0.75 0.8

0.7 1.4 5.8 12
www.e-Libraria.com
Polarizimi reverz (rryma e kundrt)


Pr diodn e Germaniumit (Ge):










Pr diodn e Silicit (Si):




















0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

0 0 0 0 0 0 0

0.65 0.7 0.75 0.8

0 0 0 0

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

0 0 0 0 0 0 0

0.65 0.7 0.75 0.8

0 0 0 0
www.e-Libraria.com
Koment:
Dioda sht komponenti m i thjesht gjysmprues, por luan rol shum
vital n sistemet elektronike. Karakteristikat e diods mund t krahasohen me ato
t nj ndrprersi (ventili) t thjesht. Dioda ideale sht komponent me dy
terminale karakteristikat dhe simboli i s cils jan paraqitur n Fig.




Pr qarqet q do t analizohen, gjat paraqitjes s karakteristikave tension-
rrym, ordinata do t jet boshti i rryms, ndrsa abshisa boshti i tensionit. Pra,
dioda do t proj nse tensioni n skajet e saja (anod A dhe katod K) sht
pozitiv, U
AK
> 0, dhe n kt rast rryma sht e pakufizuar. N t kundrtn, pra pr
tensione negative, U
AK
< 0, dioda nuk pron dhe rryma q kalon npr te sht
zero.

Karakteristikat statike t diods gjysmpruese


www.e-Libraria.com
Diagramet : Polarizimi direkt

Pr diodn e Germaniumit (Ge)









Pr diodn e Silicit (SI)










www.e-Libraria.com
Diagrami:
Polarizimi reverz (rryma e kundrt)
Pr diodn e Germaniumit (Ge):










Pr diodn e Silicit (SI):

www.e-Libraria.com







UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTIN




Drejtimi :KOMPJUTERIK
Laboratori: ELEKTRONIKS






Ushtrimi Nr.2



Stabilizimi i tensionit me diodn - ZENER



Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit 25.11.2010
Numri i indeksit 07149/09 Data e dorzimit 07.11.2010
Grupi Asistenti i lnds
Fidel Krasniqi
Semestri III (tret) Nota



www.e-Libraria.com
Detyra:

1. T incizohet karakteristika statike e diods s Zenerit

2. T vizatohet karakteristika statike e Zener Diods dhe t
llogaritet rezistenca dinamike e ksaj diode n pjesn punuese t karakteristiks.
3. Me potenciometr P t rregullohe tensoni i daljes dhe n kto
vlera t matet tensioni i hyrjes, nse : dhe .

Mjetet:

1. Burimi i tensionit t vazhdueshm E= 25 V.
2. Dioda-Zener (Dz).
3. Rezistori R=220 !.
4. Ngarkesa Rng= 500 !.
5. Miliampermetr pr rrym t vazhdushme (mA).
6. Voltmetri pr tension t vazhdueshm (V).
7. Potenciometri P= 1k!.


Skema e lidhjeve:
















Fig 2.1

www.e-Libraria.com
E
P
50%
XMM1
XMM2
1
Dz
R
3
2
Rg
4
0



Fig 2.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH


Rezultatet tabelare:

Pr diodn e Zenerit:


Idz[mA] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Udz[V] 0 2.2 4.6 6.5 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7
U[V] 0 3.1 6.5 9.5 10.5 11.5 12.6 14 15 16 17.3 18.2 19.4 20.5 21.5 22.4

Diagramet:









www.e-Libraria.com
Koment:
Diodat e fabrikuara special pr pun n regjionin e thyerjes quhen dioda t Zener-
it. Dioda e Zener-it sht e projektuar asisoj, q t mundsohet shfrytzimi i plot i
ktij regjioni. N Fig.2.1a sht paraqitur karakteristika e diods s Zener-it dhe
simboli i saj, ndrsa n Fig.4.1b sht paraqitur karakteristika shfrytzuese e ksaj
diode.












Fig.2.1a Fig.2.1b

Lokacioni i regjionit t Zener-it mund t kontrollohet me an t niveleve t
ndryshme t dopingut. Rritja e dopingut, me rritjen e numrit t papastrtive t
shtuara, do ta zvogloj potencialin e Zener-it.
Qarku i plot ekuivalent i diods s Zener-it prbhet nga nj rezistenc e vogl
dinamike dhe nj bateri njkahore t barabart me potencialin e Zener-it, si sht
paraqitur n Fig.2.2a. Pr t gjitha zbatimet e ksaj diode n qarqe t ndryshme, ne
do ta shfrytzojm modelin e prafruar t paraqitur n Fig.2.2b, pr arsye se t
gjitha rezistencat e jashtme t qarqeve jan shum m t mdha se rezistenca
ekuivalente e ksaj diode.




Fig.2.2a Fig.2.2a
www.e-Libraria.com





UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTIN




Drejtimi : KOMPJUTERIK
Laboratori: ELEKTRONIKS








Ushtrimi Nr.3



Inizimi i karakteristikave statike hyr!se dhe transmetuese t!
tranzistorit bipolar



Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit
30.11.2010
Numri i indeksit 07149/09 Data e dorzimit
07.12.2010
Grupi Asistenti i lnds
Fidel Krasniqi
Semestri III (tret) Nota


www.e-Libraria.com
Detyra

1. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inizohet karakteristika
hyr!se e tranzistorit.

p!r

2. N! baz! t! qarkut t! dh!n! t! b!het inizimi i karakteristik!s
transmetuese t! tranzistorit




3. Sipas qarkut n! fig. t! b!het inizohet karakteristika statike
dal!se e tranzistorit.

p!r




Mjetet:

1. Maketi,
2. Potenciometri
3. Potenciometri
4. Rezistori
5. Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA)
6. Mikroampermet!r i rrym!s s! vazhduar("A)
7. Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V)
8. Tensioni i vazhduesh!m
9. Tranzistori







www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve:















Rezultatet tabelare:



a) p!r






b)












6

0 10 20 30 40

0,05 0,19 0,20 0,21 0,22

6

0 10 20 30 40

0 0,4 0,9 1,5 2,25
www.e-Libraria.com
c) p!r



















Diagramet:

a)
















0 1 2 3 4

0 0,3 0,3 0,3 0,35

0 1 2 3 4

0 0,78 0,8 0,81 0,85

0 1 2 3 4

0 1,3 1,4 1,45 1,48
www.e-Libraria.com
b)


















c)










www.e-Libraria.com
Koment:
Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor),
ka tri shtresa gjysmpruese me doping t ndryshm dhe prmban dy kontakte pn.
Nj kontakt i vetm pn i ka dy mode t puns- pr polarizim t drejt dhe revers.
Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katr mode t puns, varsisht nga
kushtet e polarizimit t secilit kontakt. Me tri regjione t ndara, transistori bipolar
sht komponent me tri terminale, dhe parimi themelor i puns s transistorit
sht q me tensionin n mes t dy terminaleve t kontrollohet rryma npr
terminalin e tret.

N Fig. 1 sht paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturs themelore dhe
simbolet e t dy tipave t transistorit bipolar: npn dhe pnp.








Koncentrimi i dopingut t jopastrtive n emiter, baz dhe kolektor mund t jet i
rendit 10
19
, 10
17
, dhe 10
15
cm
-3
.
www.e-Libraria.com






UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTIN




Drejtimi : KOMPJUTERIK
Laboratori: ELEKTRONIKS








Ushtrimi Nr.4



Inizimi i karakteristikave statike FET tranzistorit



Studenti Mensur Ssofiu Data e ushtrimit

Numri i indeksit 07149/09 Data e dorzimit

Grupi Asistenti i lnds
Fidel Krasniqi
Semestri III (tret) Nota


www.e-Libraria.com
Detyra:

1. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inizohet karakteristika
dalwse e FET.

p!r

2. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inizohet karakteristika
dalwse e FET.

p!r



Mjetet:

1. Maketi,
2. Potenciometri
3. Potenciometri
4. Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA)
5. Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V)
6. Burimi I tensionit tw vazhduesh!m
7. Tranzistori FET
















www.e-Libraria.com



Skema e lidhjeve:















Rezultatet tabelare:



a) p!r






0 2 4 6

0 0.8 1.7 2




0 2 4 6

0 13 19 20




www.e-Libraria.com




0 2 4 6

0 4.5 20 22




0 2 4 6

14 19 23 23



b) p!r




0 -0,25 -0,5 -0,75 -1

19 19.5 20 20.5 21


Diagramet:

a)





b)






www.e-Libraria.com

Koment:
Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor),
ka tri shtresa gjysmpruese me doping t ndryshm dhe prmban dy kontakte pn.
Nj kontakt i vetm pn i ka dy mode t puns- pr polarizim t drejt dhe revers.
Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katr mode t puns, varsisht nga
kushtet e polarizimit t secilit kontakt. Me tri regjione t ndara, transistori bipolar
sht komponent me tri terminale, dhe parimi themelor i puns s transistorit
sht q me tensionin n mes t dy terminaleve t kontrollohet rryma npr
terminalin e tret.

N Fig. 1 sht paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturs themelore dhe
simbolet e t dy tipave t transistorit bipolar: npn dhe pnp.








Koncentrimi i dopingut t jopastrtive n emiter, baz dhe kolektor mund t jet i
rendit 10
19
, 10
17
, dhe 10
15
cm
-3
.
www.e-Libraria.com





UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTIN




Drejtimi : KOMPJUTERIK
Laboratori: ELEKTRONIKS








Ushtrimi Nr.5



RIDREJTUESI



Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit

Numri i indeksit 07149/09 Data e dorzimit

Grupi Asistenti i lnds
Fidel Krasniqi
Semestri III (tret) Nota



www.e-Libraria.com
Mjetet:

1. Ridrejtusi
2. Ndrprersat
3. Voltmetri
4. Miliampermetri


Detyra:

a) T kyqet nderprersi N1 dhe N5 dhe t vizatohet forma valore e tensionit ne
pikat A dhe B.
b) T kyqet nderprersi N2 dhe te vizatohet forma valore ne dalje (B).
c) T kyqet nderprersi N3 dhe t vizatohet forma valore e tensionit ne daljen ne
fundin e rezistences s shpenzusit Rsh. T maten vlerat e rrymes dhe t
tensionit sipas tabels.
d) N baz t rezultatve t fituara t vizatohet karekteristika e ridrejtusit
Ud=f(Id)


Skema e lidhjeve:







www.e-Libraria.com

Rezultatet:


Tensioni n! hyrje :





Tensioni n! dalje :









www.e-Libraria.com

Rasti me nj! diod!








Rasti me dy dioda :










www.e-Libraria.com



Rasti me dy dioda dhe nj! kondenzator :









Rasti me dy dioda dhe dy kondenzator








Rasti me dy dioda dhe tre kondenzator


www.e-Libraria.com