TEMA: SEMICONDUCTORES Y DIODOS

OBJETIVOS:

Conocer las propiedades de los Semiconductores. Explicar el comportamiento de la unin P - N. Caractersticas de un diodo semiconductor, tanto en el sentido de conduccin como en el sentido de bloqueo. Estudio del diodo Zener.

TEORA: Los slidos presentan una caracterstica fundamental que es su conductividad elctrica. En los semiconductores cuya conductividad es menor que en los metales, ella aumenta con la temperatura. Entre ellos tenemos el Germanio y el Silicio. Los electrones de valencia de los semiconductores son solo 4 y como tal pueden juntarse simtricamente entre ellos, mediante cuatro enlaces covalentes en su estructura. Debido a que estos electrones de valencia no pueden moverse libremente, esto es, estn ligados, no sirven para conducir la corriente elctrica, sin embargo pueden hacerlo, si se lograse liberar un electrn de valencia ligado. Utilizando para ello cualquier sistema de excitacin, debido al rompimiento de un enlace interatmico. Los electrones del semiconductor liberados se movern en sentido contrario al campo elctrico. Cuando un electrn de valencia ligado esta en las proximidades del hueco que dejo otro electrn al liberarse, el primero puede saltar a este enlace libre. En este caso, el hueco habra avanzado un paso en sentido contrario. Es de suponer, que por encima del nivel superior de los electrones de valencia y separados por una distancia definida, existe otra banda de niveles de conduccin, esta banda permite el movimiento de los electrones, pero a temperatura ambiente, permanece vaca. Entonces para que suban los electrones a este nivel es necesario excitarlos y en consecuencia posibilitan la conduccin elctrica. En los semiconductores esta distancia entre bandas es bien pequea, de tal manera que, a temperatura ambiente, existirn algunos electrones excitarlos en esta banda de conduccin. Debido a factores excitadores se producen en el semiconductor pares formados por un electrn libre y un hueco y pueden estar en circunstancias de conducir la corriente elctrica. Se dice entonces que se encuentran en estado de conduccin intrnseca. Existen, desde luego, otra forma de producir la conductividad en el semiconductor, y es introduciendo a propsito un electrn libre. Esto se logra introduciendo en el cristal un tomo extrao adecuado. Este proceso se denomina DOPADO (Conduccin extrnseca).

En el caso del Germanio (tetravalente) le agregamos trazas de arsnico, fsforo o antimonio (pentavalente). En estas condiciones, solamente 4 de los 5 electrones de valencia del arsnico se enlazan con las 4 valencias normales de los tomos del Germanio contiguos. Como sobra un quinto electrn ligado al tomo cuya energa de ionizacin es pequea, a temperatura ambiente, pasara a la banda de conduccin. Una impureza de la que se desprenden electrones libres, se denominada donador y transforman el semiconductor en conductor por exceso y se dice que el cristal est provisto de dopado N. Tambin es posible poner un semiconductor en condiciones que conduzca electricidad, por dotado P. Al agregar boro, indio o galio (Trivalente) al germanio, sus tres electrones de valencia se combinan con tres de los cuatro tomos contiguos de germanio. Queda sin formarse el cuarto enlace posible y la falta de un electrn da lugar a un hueco, a temperatura ambiente este puede moverse libremente. Una impureza de la que resulten huecos o mejor dicho que absorba electrones ligados, se denomina aceptor y transforma el semiconductor en conductor por huecos o defecto y se dice que el cristal est provisto de dopado P. En consecuencia, tanto los metales como los semiconductores y aislantes se diferencian por los distintos tipos de enlaces de los cristales, por eso los metales conducen siempre la corriente elctrica mientras que los semiconductores solo dejan pasar la corriente si se los imparte energa o se dopan suficientemente si se los imparte energa o se dopan suficientemente. Por esta razn, muchos componentes importantes de semiconductores se componen de distintas capas que se han vuelto conductores por dopado del tipo N o P, este es el caso de los diodos. Una unin P-N es la zona de transicin de un sector del cristal, silicio o germanio, con conduccin P a otra conduccin N, del mismo cristal. Con el desplazamiento de los portadores de carga va vinculado el paso de una corriente elctrica, llamada corriente de difusin. El establecimiento de la tensin de difusin en la unin P-N se debe a que en los sectores de conduccin P y N es muy diferente la concentracin de los electrones libres (o de los huecos), y estos tienden a compensar dicha diferencia de concentracin, mediante el movimiento trmico, adems, existir una nivelacin en los niveles de Fermi dependiente de la cantidad de impureza tipo N o P. Debido a que los electrones libres y los huecos desaparecen por difusin a ambos lados de la unin P-N, en las inmediaciones de esta apenas quedan portadores de carga libres, lo cual indica que dicha zona presenta una resistencia hmica relativamente alta. En consecuencia el semiconductor tiene la caracterstica poco comn de que su resistencia elctrica en una direccin es muchsima mayor que en otra.

Si se aplica una fuente de tensin exterior a una unin P-N de tal manera que el polo positivo est conectado al sector P y el polo negativo al de conduccin N, al inicio fluir una corriente muy pequea, pero una vez superado la tensin de difusin, aumenta en forma pronunciada. Este sentido de flujo se denomina sentido de conduccin de la unin P-N. Si invertimos la polaridad de la tensin exterior, se impedir el paso de la corriente, aunque se aplica tensiones elevadas a este sentido de flujo se denomina sentido de bloqueo y su respectiva tensin de bloqueo. Sin embargo, los centros de recombinacin suministran portadores de carga libres, entonces fluir una corriente de baja intensidad, llamada corriente inversa o de bloqueo. Es precioso anotar, la rigidez dielctrica de los semiconductores es limitada y pasado un valor critico, esto es la intensidad critica de campo, perder su capacidad de bloqueo, por cuanto la corriente inversa aumenta rpidamente, a modo de avalancha debido a una especie de reaccin en cadena. Este fenmeno se denomina tambin descarga Zener. EQUIPO: -

Tablero de Circuitos Elctricos Fuente de tensin DC

Voltmetros DC

Ampermetros DC

Multmetro

Resistencias fijas y variables

Diodo de Germanio, Silicio y Zener

PROCEDIMIENTO:

Para determinar la caracterstica de conduccin del diodo utilice el siguiente circuito elctrico en donde al diodo de le aplica una tensin en el sentido de conduccin. Mantenga la resistencia de carga en su mximo valor y fije los instrumentos de medicin en el tablero que contiene el circuito elctrico. Vare la tensin de entradas (Ue) en pasos de 1 voltio y determine la cada de tensin directa en el diodo (Ud), mida tambin la corriente de entrada (Ie), la corriente directa que atraviesa el diodo (Id) y la tensin de salida (Us). Trabaja primero con el diodo de Germanio, Silicio y Zener.

Para definir la caracterstica de bloqueo del diodo, conmute la polaridad del circuito y mida los mismos parmetros fsicos, mencionados anteriormente. Los lmites de tensin de entrada, tanto para la caracterstica de conduccin como del bloque, dependern del tipo de diodo que se utilice, para ello consulte las caractersticas respectivas.

TABULACION DE DATOS: Los datos que ha obtenido en esta experiencia, ordnelos de la siguiente manera:

Tipo de Diodo: Zener Tensin de entrada: Ue V 1 Corriente de entrada: Ie A 0.04 Tensin del diodo: Ud V 0.29 Corriente del diodo: Id A 0.04 Tensin de salida: Us V 0.29

2 0.1 0.42 0.08 0.41

3 4 5 0.16 0.2 0.26 0.51 0.59 0.66 0.14 0.19 0.24 0.5 0.57 0.63

Conduccin 6 7 0.32 0.38 0.75 0.82 0.3 0.36 0.71 0.78

8 9 0.44 0.5 0.88 0.91 0.4 0.46 0.83 0.85

Tipo de Diodo: Zener Bloqueo Tensin de entrada: Ue V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 Corriente de entrada: Ie A -0.02 -0.05 -0.08 -0.1 -0.12 -0.14 -0.18 -0.2 -0.22 Tensin del diodo: Ud V -0.67 -1.2 -1.85 -2.46 -3.04 -3.64 -4.29 -4.84 -5.5 Corriente del diodo: Id A -0 -0 -0 -0 -0 -0 -0 -0 -0 Tensin de salida: Us V -0.63 -1.23 -1.88 -2.5 -3.07 -3.69 -4.34 -4.9 -5.57

Tipo de Diodo: Germanio Tensin de entrada: Ue V 1 Corriente de entrada: Ie A 0.04 Tensin del diodo: Ud V 0.53 Corriente del diodo: Id A 0.02 Tensin de salida: Us V 0.53

2 0.08 0.90 0.03 0.91

3 0.10 1.19 0.07 1.17

4 0.16 1.24 0.12 1.25

5 0.22 1.25 0.18 1.23

Conduccin 6 7 8 0.28 0.34 0.40 1.17 1.42 1.47 0.24 0.29 0.37 1.25 1.39 1.46

9 0.46 1.49 0.40 1.49

Tipo de Diodo: Germanio Tensin de entrada: Ue V -1 -2 Corriente de entrada: Ie A -0.02 -0.05 Tensin del diodo: Ud V -0.67 -1.21 Corriente del diodo: Id A -0 -0 Tensin de salida: Us V -0.68 -1.23

-3 -0.08 -1.87 -0 -1.89

Bloqueo -4 -5 -6 -7 -8 -9 -0.10 -0.12 -0.14 -0.16 -0.20 -0.21 -2.47 -3.06 -3.66 -4.26 -5.02 -5.46 -0 -0 -0 -0 -0 -0 -2.50 -3.09 -3.70 -4.32 -5.09 -5.53

PREGUNTAS: A.- Construya en un mismo grfico la caracterstica de Conduccin y Bloqueo tanto para el diodo de Germanio como para el de Zener. Recuerde que los datos de bloqueo son negativos. Desarrolle los anlisis fsicos apropiados.

DIODO ZENER

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): 1. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. 2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. 3. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.

Anlisis:

El diodo zener est polarizado en forma inversa, de modo que la corriente tiene un valor casi nulo mientras que el voltaje se incrementa rpidamente. Si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin.

DIODO DE GERMANIO

Esta clase de rectificadores consta de un trocito o cristal de germanio y una punta de contacto de hilo de tungsteno, encerrados ambos en una cpsula hermtica o botella de vidrio. En la figura puede apreciarse la curva caracterstica del funcionamiento de estos diodos; cuando la tensin inversa excede de un cierto valor, la resistencia decrece repentinamente. El potencial a que se produce este fenmeno se denomina de inversin. Los diodos de germanio se dividen en dos grupos: Los de tipo de alta tensin inversa, fabricados con germanio de gran pureza. Los de baja resistencia que contienen germanio provisto de impurezas apropiadas. Sus aplicaciones son ilimitadas en radio, televisin, instrumentos de medida, etc. Anlisis: En la caracterstica de conduccin la tensin del diodo es directamente proporcional a la corriente del diodo, es decir que al aumentar la tensin aumenta la corriente. En la caracterstica de bloqueo la curva tiende al infinito porque el diodo no permite que pase voltaje en sentido contrario. En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez.

B.-Realice un grfico Tensin de salida Tensin de entrada para cada diodo, tanto en el sentido de conduccin como en el de bloqueo. Anote las observaciones necesarias.

Diodo Zener Conduccin

Diodo Zener Bloqueo

Anlisis Diodo Zener: Al graficar los datos obtenidos notamos que la curva caracterstica de conduccin del diodo de zener, es una recta que no pasa en el origen, su pendiente es una constante positiva y describe proporcionalidad directa entre la tensin de salida y la de entrada. Por otra parte, la curva de conduccin de este diodo, tiene una tendencia semejante a una rama de hiprbola de la forma , es decir, encontramos que la tensin de salida es directamente proporcional a la tensin de entrada elevada a una constante b.

Diodo de Germanio Conduccin

Diodo de Germanio Bloqueo

C.- Grafique Corriente del diodo Corriente de entrada, considerando el sentido de conduccin como del bloqueo, para cada diodo. Diodo Zener Conduccin

Diodo Zener Bloqueo

Anlisis Diodo Zener: Al graficar los datos obtenidos, notamos que la curva de conduccin del diodo de zener tiene una tendencia semejante a una rama de hiprbola de la forma , es decir, encontramos que la corriente del diodo es directamente proporcional a la corriente de entrada elevada a una constante b. Por otra parte, la curva caracterstica de bloqueo de este diodo es una recta paralela al eje Y que no pasa por el origen, su pendiente es cero y describe para cada valor de corriente de entrada una corriente del diodo constante y equivalente a cero.

Diodo de Germanio Conduccin

Diodo de Germanio Bloqueo

D. Relacione la curva de conduccin y bloqueo con la ecuacin: ( )

Donde: Id: corriente del diodo Io: corriente de saturacin equivalente a la corriente inversa e: carga del electrn Ud: tensin del diodo K: constante de Boltzman T: temperatura absoluta

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo.

E. Explique como el aumento de temperatura de la unin P-N modificara grficos anteriores. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto nmero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres.

F.- Cuales son los parmetros ms comunes que identifican a los diodos que usted ha utilizado. Explique en que consiste. Cree que se ha rebasado los lmites tcnicos? A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas: o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). o Parmetros en conduccin. o Modelo esttico. Caractersticas dinmicas: o Tiempo de recuperacin inverso (trr). o Influencia del trr en la conmutacin. o Tiempo de recuperacin directo. Potencias: o Potencia mxima disipable. o Potencia media disipada. o Potencia inversa de pico repetitivo. o Potencia inversa de pico no repetitivo. Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobreintensidades.

G.- Analice la resistencia del diodo en el sentido de conduccin y en el de bloqueo. Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. H. En que se diferencian los electrones libres de los de valencia. Como participan ellos en los semiconductores para efecto de conductividad. Los electrones de valencia son los electrones que se encuentran en los mayores niveles de energa del tomo, siendo stos los responsables de la interaccin entre tomos de distintas especies o entre los tomos de una misma. Estos electrones, conocidos como "de valencia", son los que presentan la facilidad, por as decirlo, de formar enlaces. Estos enlaces pueden darse de diferente manera, ya sea por intercambio de estos electrones, por comparticin de pares entre los tomos en cuestin o por el tipo de interaccin que se presenta en el enlace metlico, que consiste en un "traslape" de bandas. Segn sea el nmero de estos electrones, ser el nmero de enlaces que puede formar cada tomo con otro u otros Slo los electrones externos de un tomo pueden ser atrados por otro tomo cercano. Por lo general, los electrones del interior no se afectan mucho y tampoco los electrones en las subcapas d llenas y en las f, porque estn en el interior del tomo y no en la superficie. I.- En los semiconductores se utilizo el trmino hueco como si fuese una partcula autnoma y se mueven en direccin de la intensidad del campo elctrico. Realmente existen? Como se explican? Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. J.- La recombinacin es un proceso opuesto a la formacin de pares, como tal no contribuye a la conductividad, sin embargo es un proceso importante en los semiconductores. Por que?

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica. K.- Como intervienen los niveles de Fermi para explicar la conductividad de los semiconductores? La Energa de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema cuntico a temperatura cero (0 K). Se denota por EF y recibe su nombre del fsico italo-americano Enrico Fermi. La energa de Fermi es importante a la hora de entender el comportamiento de partculas ferminicas, como por ejemplo los electrones. Los fermiones son partculas de spin semientero que verifican el Principio de exclusin de Pauli que dicta que dos fermiones no pueden ocupar simultneamente el mismo estado cuntico. De esta manera, cuando un sistema posee varios electrones, estos ocuparn niveles de energa mayores a medida que los niveles inferiores se van llenando. La energa de Fermi es un concepto que tiene muchas aplicaciones en la teora del orbital, en el comportamiento de los semiconductores y en la fsica del estado slido en general. En fsica del estado slido la superficie de Fermi es la superficie en el espacio de momentos en la que la energa de excitacin total iguala a la energa de Fermi. Esta superficie puede tener una topologa no trivial. Brevemente se puede decir que la superficie de Fermi divide los estados electrnicos ocupados de los que permanecen libres. L.- Usted habr observado que el diodo Zener, tiene las caractersticas particulares que lo diferencian de los diodos comunes. Cuales son? Podrn ser estas propiedades tiles para estabilizar una fuente de tensin. Como? Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente.

En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia.

Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo Zener El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado

CONCLUSIONES: Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado solido. Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente. En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia. La energa de Fermi es importante a la hora de entender el comportamiento de partculas ferminicas, como por ejemplo los electrones. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto nmero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. El hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l.

BIBLIOGRAFIA: es.wikipedia.org/wiki/Fsica_de_semiconductores www.asifunciona.com/...semiconductor/ke_semiconductor_3.htm es.wikipedia.org/wiki/Electrn_de_valencia FSICA CUNTICA; Eyvind H. Wiechmann; Tomo 4; Editorial Revert S.A. http://www.electronicafacil.net/tutoriales/tutorial140.html http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/diodos/index.php www.monografias.com/.../caracteristicas-diodo/caracteristicas-diodo.shtml Microsoft ENCARTA