T.C.

SAKARYA NVERSTES

FEN BLMLER ENSTTS

GNE ENERJS VE GNE PLLER

YKSEK LSANS TEZ

Elektronik retmeni Mustafa KARAMANAV

Enstit Anabilim Dal : ELEKTRONK BLGSAYAR ETM Tez Danman : Prof. Dr. Abdullah FERKOLU

Mays 2007

T.C. SAKARYA NVERSTES

FEN BLMLER ENSTTS

GNE ENERJS VE GNE PLLER

YKSEK LSANS TEZ

Elektronik retmeni Mustafa KARAMANAV

Enstit Anabilim Dal :

ELEKTRONK BLGSAYAR ETM

Bu tez 29 / 05 /2007 tarihinde aadaki jri tarafndan Oybirlii ile kabul edilmitir.

Prof.Dr.Abdullah FERKOLU Jri Bakan

Yrd.Do.Dr.Ali Fuat BOZ ye

Yrd.Do.Dr.Ylmaz UYAROLU ye

NSZ

Uygarln douu, maara adamnn yakt ilk atele belirlenebilir ve geliimi de enerjinin kullanmndaki art ile badatrlabilirse, insanln geliimi ile kii bana den enerji kullanm arasnda orantl bir art olduu grlebilir.Tarih balangcndan 1900l yllara kadar, insanln kulland enerjinin, nfus art ile hemen hemen orantl olduu grlmektedir.Ancak, 20.yzylda enerji kullanm hzl bir art gstermitir.Dnya, bilinen fosil yakt kaynaklarnn %0,1i kadarn bile kullanyor olsa, hesaplar sonucu elde edilen kullanm deerleri ile karlatrldnda, bilinen tm kaynaklarn 100 yldan daha az bir zaman sresi iinde tkenmesi beklenmektedir.te bu aratrmalar sonucu mkemmel bir enerji kayna olan gne enerjisinden yararlanma yollar aratrlm ve gne pillerinin retimine geilmitir.Alternatif enerji kaynaklar arasnda gne enerjisinden elektrik elde etmek; tehlikesiz ve sonsuz olmas, evre sorunlarna neden olmamas, temiz ve gvenilir olmas, tkenme olaslnn az olmas gibi nedenlerle, gne enerjisi gittike daha ok nem kazanmaktadr.Gne enerjisi dnyada kullanlmakta olan yenilenebilir enerji kaynaklar arasnda kullanm yaklak %300 orannda artmtr. Bu tez almasnda ve tezin hazrlanmasnda yardmlarn esirgemeyen sayn Prof. Dr. Abdullah FERKOLUna teekkrlerimi sunarm.Ayrca almalarmda beni sabrla destekleyen aileme sonsuz teekkrlerimi bir bor bilirim. en umut verici olanlarndan biridir.Rzgar enerjisi kullanm son 10 ylda yaklak %25 artarken, gne pili

ii

NDEKLER

NSZ.............................................................................................................. NDEKLER ................................................................................................ SMGELER VE KISALTMALAR LSTES.................................................... EKLLER LSTES ....................................................................................... TABLOLAR LSTES....................................................................................... ZET................................................................................................................. SUMMARY...................................................................................................... BLM 1. GR. 1.1. Gne Enerjisi... 1.2. Trkiyede Gne Enerjisi BLM 2. GNE PLLER.. 2.1. Gne Pillerinin Tarihsel Geliimi 2.2. Gne Pillerinin zellikleri.. 2.2.1. Maddenin yaps ve yar iletkenler. 2.2.2. N tipi yar iletken 2.2.3. P tipi yar iletken. 2.2.4. P-N kava. 2.2.5. Yar iletkenlerin katklanmas. 2.2.6. Gne pili edeer emas... 2.2.7. Fotovoltaik pil. 2.3. Gne Pillerinin alma lkesi... 2.3.1. Gne pillerinin yaps... iii

ii iii vi vii x xii xiii

1 1 4

6 6 7 8 11 12 13 15 17 20 21 22

2.4. Gne Pili eitleri.. 2.4.1. Selenyum gne pili.. 2.4.2. Silisyum gne pili BLM 3. GNE PL ETLER. 3.1. Kristal Silisyum Gne Pilleri. 3.2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri. 3.3. Semikristal(Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri.. 3.4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri. 3.5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri 3.6. nce Film Gne Pilleri 3.7. Amorf Silisyum Gne Pilleri.. 3.8. Bakr ndium Diselenoid Gne Pilleri 3.9. Dier Yaplar... BLM 4. GNE PL G VERMLLKLER VE KULLANIM ALANLARI. 4.1. Gne Pili G Verimlilikleri.. 4.2. Gne Pili Kullanm Alanlar... 4.2.1. Dnyadaki gne pili uygulamalar.. 4.2.2. Trkiyedeki gne pili uygulamalar.. 4.2.3. Gne enerjisi sistemlerinin ekonomik analizi ve konvansiyonel enerji kaynaklaryla maliyetlerin karlatrlmas.. 4.2.4. Gne pili uygulama rnekleri.. 4.2.5. Gne pillerinin teknik ve ekonomik deerleri. BLM 5. GNE PLNN ALIMASINI ETKLEYEN DI FAKTRLER. 5.1. Scakln Etkisi... 5.2.Yzey Parametresinin Etkisi. 5.3. Spektral Etki. iv

26 26 26

28 28 28 29 29 29 29 30 30 31

32 32 33 35 36

36 38 41

44 44 46 46

5.4. Foto Asal Etki... 5.4.1. Foto asal etkinin deneysel yolla incelenmesi.. 5.4.1.1. Tek gne pili ile yaplan deney... 5.4.1.2. Seri balanm iki tane gne pili ile yaplan deney 5.4.1.3. Paralel balanm iki tane gne pili ile yaplan deney 5.4.1.4. Sonu BLM 6. GNE PLLER LE LGL STATSTKSEL BLGLER 6.1. 1971-2001 Yllar Arasnda Gne Enerjisinden Faydalanarak Elektrik Enerjisi retmek Amacyla Kurulan Tesislerin Toplam Kurulu G Deerleri.................... 6.2. 1992-2003 Yllar Aras Toplam Fotovoltaik G retimindeki Deiim.. . 6.3. 2003 Ylnda Dnya Genelinde PV retiminin Yzdelik Dalm 6.4. 1998-2003 Yllar Aras Dnya PV retimi (MW).. 6.5. Dnya Genelinde 1996-2005 Yllar Arasnda Gne Pili eitlerinin Pazar Paylarndaki Deiim........... 6.6. Trkiyede Yaplan Gne Pili Uygulamalar.. 6.7. Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Tevik Edilmesi 6.8. Dnyadaki Gne Pili reticileri Ve retim Teknolojileri.. BLM 7. SONULAR VE NERLER... EKLER... KAYNAKLAR.. ZGEM...

47 48 48 51 53 56

57

57 58 59 60 60 61 62 65

68 71 73 76

SMGELER VE KISALTMALAR LSTES

W kW MW kWh Si Ge Ga Cd Te CuInSe eV lm hf pv %n nm Kcal K n1, n2 k1,k2 DM EE AB TMMOB

: Watt : Kilowatt : Megawatt : Kilowattsaat : Silisyum : Germenyum : Galyum : Kadmiyum : Tellr : Bakr indium selenoid : Elektron Volt : Lmen : Foton enerjisi : Fotovoltaik(photovoltaic) : Verim : Nanometre : Kilokalori : Kelvin : Sourma katsays : Krclk indisleri : Yok olma katsaylar : Devlet Meteoroloji leri Genel Mdrl : Elektrik leri Ett daresi Genel Mdrl : Avrupa Birlii : Trkiye Mhendis veMimarlar Odas Birlii

vi

EKLLER LSTES

ekil 1.1. ekil 2.1. ekil 2.2. ekil 2.3. ekil 2.4. ekil 2.5. ekil 2.6. ekil 2.7. ekil 2.8. ekil 2.9. ekil 2.10. ekil 2.11. ekil 2.12. ekil 2.13. ekil 2.14. ekil 2.15. ekil 2.16. ekil 2.17. ekil 2.18. ekil 2.19. ekil 3.1. ekil 4.1. ekil 4.2. ekil 4.3. ekil 4.4.

Trkiyenin gne enerjisi haritas Silisyum ve germenyum yariletkenlerinin yaps Elektronlarn ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri. N tipi yariletken... P tipi yariletken P-N kavann oluumu... P-N kava ve i akm. P-N kavanda enerji band. Gne pili.. P-N kavann oluturulmas ve kavaa den foton enerjisi ile iletkenlik temini... 34 Wattlk bir gne pilinde akm gerilim erileri. Fotovoltaik pilin yaps. Fotovoltaik pil edeer elektrik devresi Gne pilinin yaps.. Tipik bir silisyum gne pilinin nyz... Pillerden modl ve rglerin yaplmas Gne pili ile aknn arj edilmesi... Selenyum gne pilinin yaps.. Bakr indium diselenoid gne pilleri... Gne pilli enerji sistemi.. Solar I merkez alc gne sl elektrik santrali (spanya). ebekeye elektrik veren gne pili sistemi... vii

5 9 11 12 13 13 14 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 31 34 38 39

Enerji bandlar... 10

Gne pili edeer elektrik emas 18

EE Didim ebekeye bal gne pili sistemi 37

ekil 4.5. ekil 4.6. ekil 4.7. ekil 4.8. ekil 5.1. ekil 5.2. ekil 5.3. ekil 5.4. ekil 5.5.

Parabolik anak gne sl elektrik santrali (spanya)... 39 ats gne pili kapl ev... Gne pili ile sokak aydnlatmas. Gne pillerinin karayollarnda kullanlmas In geli asna bal olarak gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney dzenei.. Gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii... Gne pili akmnn aya bal deiim grafii... Gne pilinin akm-gerilim deiim grafii ki adet seri balanm gne pilinin k asnn deiimiyle gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney dzenei 51 52 52 48 49 50 50 40 40 41

ekil 5.6. ekil 5.7. ekil 5.8. ekil 5.9.

Seri balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii.. Seri balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim grafii ki adet paralel balanm gne pilinin k asnn deiimiyle gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney dzenei 54 55 55 56 58 58 59 59 Seri balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii. 53

ekil 5.10. ekil 5.11. ekil 5.12. ekil 6.1. ekil 6.2. ekil 6.3. ekil 6.4.

Paralel balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii. Paralel balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim grafii Paralel balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii 1971-2001 yllar arasnda dnyadaki fotovoltaik geliim... 1992-2003 yllar arasnda toplam fotovoltaik g retimindeki deiim.. 2003 ylnda dnya genelinde PV retim miktar 2003 ylnda dnya genelinde PV retiminin yzdelik dalm..

viii

ekil 6.5. ekil 6.6. ekil 6.7. ekil A.1. ekil B.1.

1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde silikon kristal gne pillerindeki deiim 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde ince film gne pillerindeki deiim.. Baz enerji trlerinin toplumsal maliyetleri.. ki motorlu ,srekli hareketli ,engel alglamal, almad zaman pillerini gne pili ile arj eden robot bcek devresi. 71 Gne enerjisi ile alan robot bcek bask devresi..................... 72 61 64 60

ix

TABLOLAR LSTES

Tablo 1.1. Tablo 1.2. Tablo 4.1. Tablo 4.2. Tablo 4.3. Tablo 4.4. Tablo 4.5. Tablo 4.6. Tablo 4.7. Tablo 4.8. Tablo 4.9.

Trkiyenin aylk ortalama gne enerjisi potansiyeli.. Trkiyenin yllk toplam gne enerjisi potansiyelinin blgelere gre dalm. Gne pillerinde rapor edilmi en yksek verimlilikler... Gne pili retiminde kullanlan maddelerin dnya rezervleri ve retimi... EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri. Tek kristal silisyum gne pili..

4 5 32 33 37 41

Tek kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler 41 ok kristal silisyum gne pili.. 42 ok kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler... Tek ince film gne pili 42 42

Tek ince film gne pillerinde hedeflenen deerler.. 42 43 45 45 45 47

Tablo 4.10. oklu ince film gne pilleri. 43 Tablo 4.11. oklu ince film gne pillerinde hedeflenen deerler.. Tablo 5.1. Tablo 5.2. Tablo 5.3. Tablo 5.4. Tablo 5.5. Tablo 5.6. Tablo 5.7. Tablo 5.8. GaAs gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi. Silisyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi Germenyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi. Gne piline n spektral etkisi. ekil 5.1deki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri.. 49 ekil 5.5teki seri balanm iki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri.. ekil 5.9daki paralel balanm iki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri.. 54 51 Baz yariletken enerji bant aralnn scaklkla deiimi 44

Tablo 6.1. Tablo 6.2. Tablo 6.3. Tablo 6.4. Tablo 6.5. Tablo 6.6. Tablo 6.7.

1971-2001 yllar arasnda dnyadaki fotovoltaik geliim... 1998-2003 yllar aras dnya PV retimi (MW). EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri. Trkiyedeki gne pili uygulamalarndan faydalanan kurumlar AB toplam yenilenebilir enerji tketimi iindeki kaynak

57 60 61 62

trlerine gre dalm... 62 AB toplam elektrik retimi iindeki yenilenebilir enerjilerin kaynak trlerine gre dalm.. Dnyadaki gne pili reticileri ve retim teknolojileri... 63 65

xi

ZET

Anahtar Kelimeler:Yenilenebilir Enerji, Gne Enerjisi, Fotovoltaik Dnm, Gne Pilleri Bu almada fotovoltaik olay ve gne pillerinin ilkeleri incelenerek yenilenebilir enerji kayna olan gne enerjisi hakknda istatistiksel bilgiler deerlendirilmi, ayrca gne pilleriyle ilgili deneysel alma yaplmtr.Tez yedi blmden olumaktadr. Tezin birinci ksmnda gne enerjisinin mahiyeti ve gne nlarnn dnyaya olan etkileri incelenmitir.kinci blmde gne pillerinin tarihsel geliimi, maddesel yaps, alma prensibi ve fotovoltaik dnm ilkeleri zerinde durulmutur.nc blmde gne pillerinin eitleri aklanmtr.Drdnc blmde gne pillerinin verimlilikleri anlatlarak kullanm alanlar belirtilmitir.Beinci blmde gne pillerinin almasn etkileyen d faktrler zerinde durulmutur.Bu faktrlerden biri olan foto asal etki deneysel alma yaplarak incelenmitir.Yaplan bu deneysel alma sonucunda elde edilen veriler kullanlarak k asna bal olarak gne pilinin akm ve gerilim deiim grafikleri elde edilmitir.Altnc blmde gne pilleriyle ilgili nemli istatistiksel bilgiler derlenerek sunulmutur.Son blmde ise yenilenebilir enerji kullanm, gelecek iin alnan nlemler hakknda genel bir deerlendirme yaplmtr.

xii

SOLAR ENERGY AND SOLAR CELLS

SUMMARY

Key Words: Renewable energy,solar energy, fotovoltaic transformation, solar cell In this work photovoltaic effect together with principles of solar cells are investigated, statistical data about the solar energy as a renewable energy form is treated, and experimentation with solar cells are performed. The first chapter provides a general treatment of the solar energy and the effects of sunlight to the earth. The second chapter includes historical development and operation principles of solar cells together with photovoltaic effect. The third chapter is about the variations of solar cells. The fourth chapter covers the efficiency of solar cells and their utility areas. The fifth chapter expesses the external factors influencing the operation of solar cells. One of these factors, namely photo angular effect is experimented and the data obtained are provided as graphics. In the six chapter some important statistical data are obtained and provided about the solar cells. An overall evaluation is made in the last chapter regarding the utility of renewable energy and the measures to be taken.

xiii

BLM 1. GR
1.1. Gne Enerjisi

Yaamn kayna olan Gne, doal sistem enerjisinin byk bir blmn salar. ap yaklak 1.4 milyon kilometre olup, i evresinde ok youn gazlar bulunur. Yeryznden yaklak 151.106 milyon km uzaklktadr. Nkleer yaktlar dnda, dnyada kullanlan tm yaktlarn ana kaynadr. inde, srekli olarak Hidrojenin Helyuma dnt fzyon reaksiyonlar gereklemektedir ve oluan ktle fark, s enerjisine dnerek uzaya yaylmaktadr. Gne merkezi fzyon reaksiyonu iin uygun bir ortamdr. Bir reaksiyonun basit olarak tanm; protonla bombardmana tutulan Hidrojen molekl, Hidrojenin trevi olan Dteryuma dnr. Kararsz hale geen iki Dteryum ekirdei birleerek daha ar olan Helyuma dnr. Akta kalan iki proton ise reaksiyon zincirinin bu tanmna uygun olarak devam etmesini salar. Bu reaksiyon sonucunda aa kan enerji ok fazladr. Gnein bu enerjiye sahip olabilmesi iin saniyede 10-38 fzyon reaksiyonuna ihtiya duyduu hesaplanmtr. Bu da yaklak olarak saniyede 657 milyon ton Hidrojenin 653 ton Helyuma dnmesi demektir. Bu reaksiyonlar sonucu kaybolan ktle enerjiye dnr.Yaklak 10 milyar yl sonra gneteki Hidrojen yakt bitip reaksiyonlarn son bulmas sonucu gnein, ekim kuvveti etkisiyle bzp beyaz cce ad verilen l bir yldza dnebilecei tahmin ediliyor. Gnete aa kan bu enerjinin ok kk bir ksm yeryzne ulamaktadr. Atmosferin d yzeyine ulaan enerji 173.104 kW deerindeyken, yeryzne ulaan deer 1.395 kWa dmektedir. Yeryzne ulaabilen nmn deerinin bu kadar dk olmasnn nedeni, atmosferdeki karbondioksit, su buhar ve ozon gibi gazlarn nm absorbe etmelerinin yan sra kat etmesi gereken yolun uzunluudur. D yzey scakl 6000K olarak kabul edilen ve bilinen en byk siyah cisim olan gnein yayd nmn yeryzne ulaabilen miktar %70 kadardr. Bu eksilmeler ortaya kmadan nce, atmosferin dnda nm deeri 1367 W/m2 dir ve bu deer gne sabiti olarak

alnr. Pratik olarak yeryzne ulaan gne nm deeri 1000 W/m2 olarak kabul edilmektedir [1]. Gne merkezindeki scaklk milyonlarca dereceye ularken, yaymlanan nmn spektrumunu belirleyen yzey tabakasnn (fotoser) scakl 6000 Kdir. Inm, elektromagnetik zellie sahip olup gcn spektral dalm( birim dalga boyunda birim alana , birim zamana gelen enerji) scakln bir fonksiyonudur. Dier yldzlardan yeryzne elektromagnetik spektrumun deiik aralklarnda enerji gelmektedir ancak, yerkrenin temel enerji kayna gne olup, yerkreye gelen nmn byke bir blm grnr blgededir. Enerji tayan birimler gibi dnlebilecek fotonlar, spektrumun grnr blgesinin krmz yannda daha kk enerji , mavi-mor yannda daha byk enerji tarlar. Seilen bir dalga boyundaki fotonun tad enerji ve o dalga boyunda birim yzeye birim zamanda gelen foton says, seilen dalga boyundaki gc tanmlar. Dnyamza gneten gelen spektrumun, krmznn tesinde kalan kzltesi ve morun tesinde kalan mortesi blgelerinde bulunan nmnda toplam enerjiye nemli bir katks vardr. Gnein gc, yani bir saniyede gne sistemine verdii enerji ok byk olmasna ramen yerkre atmosferinin dna ulaan tutar, yalnzca kk bir blmdr. Gne nm atmosferi geerken urad deiimin bal olduu deikenlerin says olduka ok olmasna karn en nemli deiken , n atmosferde ald yolun uzunluudur. Genellikle gne nm deerlendirilirken atmosfer dndaki seilen nokta olarak ele alnp buna hava ktle sfr (air mass 0) ad verilir. Havakre dnda birim yzeye gelen toplam g, tm spektrumun zerinden entegre edilirse, ulalan deer 13267 W/m2 olup bu deer gne deimezi olarak kullanlr, gne nlar havakreyi geerken spektrumlar nemli lde deiiklie urar. Bulutsuz ve gneli bir havada bile gne nlar havakreyi geerken su buhar, oksijen, karbondioksit, ozon, azot, metan gibi gaz molekllerinin yannda aerosol ve toz zerreciklerine salarak yeryzne ancak havakre dndaki enerjinin %70i ular. Deniz seviyesinde ak bir havada optiksel hava-ktle; gne nlarnn ald gerek yolun, gne tam tepedeyken aldklar yola oran olarak tanmlanr. rnein gne tam tepedeyken bu deer, hava-ktle (air mass) olarak ad verilir. Yeryzne den gne nlar , dorudan gneten gelen ve havakrede saldktan sonra difzyona uram nlarn toplamdr. Hava koullarna bal olarak dorudan gneten gelen

nlarn, salm na oran deiir. rnein bulutlu bir gnde gne nlarnn byk bir blm, salm nlardan oluurken, bulutsuz gneli bir gnde gne enerjisinin byk bir blm dorudan nlardan oluacaktr. Dorudan ve yaylm nm toplam, kresel nm olarak adlandrlr. Fotovoltaik sistemlerin seiminde, gne nm verileri ok byk nem tar. Gne enerjisi, daha ok binalarda stma, soutma ve scak su elde etmek iin kullanlmaktadr. Scak su elde etmek amacyla kullanm, en yaygn olan kullanm biimidir. Istma amacyla kullanm, sy depolama tekniklerinin geliimiyle daha verimli kullanlr hale gelecektir. Soutma ise yllk gnelenme zamannn uzun olduu blgelerde verimli olmaktadr. Gne enerjisinden yararlanmak iin kullanlan sl uygulamalar, dk, orta ve yksek scaklk uygulamalar olarak e ayrlr. Dk scaklk uygulamalar, daha ok dzlem toplayclarla su stlmas, konut ve sera stlmas iin kullanlmaktadr. Orta scaklk uygulamalarnda, gne nm, odakl toplayclarla toplanarak, sanayi iin gerekli scak su veya buhar elde etmek iin kullanlr. Genellikle bu tip toplayclarda, gne nmnn srekli olabilmesi iin gnei izleyen mekanizmalara gerek vardr. 300 C scaklk deerinin zerine kabilen, geni bir alana gelen gne nm bir noktaya odaklanarak, metal ergitme frnlar altrlabilir. kinci bir uygulama tr ise gne pilleri kullanarak yaplan fotovoltaik uygulamalardr. zerine den gne nmn direkt olarak elektrik enerjisine eviren gne pilleri doru akm retirler. Bu piller, seri veya paralel balanarak, rettikleri akm ve gerilim deerleri ykseltilebilir. retilen akm depolayabilmek iin bir akmlatre gerek vardr. Gne pilleri, uzay programlar iin gelitirilmeye balanm; ancak sonraki yllarda, bilinen yollarla elektrik retiminin zor olduu yada uzak olan deniz fenerleri, orman gzetleme kuleleri, iftlik evleri, da evleri gibi yerlerde de kullanlmaya balanmtr.

Gne enerjisinden en iyi ekilde yararlanabilmek iin, Gne Kua ad verilen, 45 kuzey-gney enlemleri arasnda kalan blgede yer almak gerekmektedir.

1.2.Trkiye'de Gne Enerjisi lkemiz, corafi konumu nedeniyle sahip olduu gne enerjisi potansiyeli asndan birok lkeye gre ansl durumdadr. Devlet Meteoroloji leri Genel Mdrlnde (DM) mevcut bulunan 1966-1982 yllarnda llen gnelenme sresi ve nm iddeti verilerinden yararlanarak EE tarafndan yaplan almaya gre Trkiye'nin ortalama yllk toplam gnelenme sresi 2640 saat (gnlk toplam 7,2 saat), ortalama toplam nm iddeti 1311 kWh/m-yl gnelenme sresi deerleri ise Tablo-1.1.'de verilmitir [2].
Tablo 1.1. Trkiye'nin Aylk Ortalama Gne Enerjisi Potansiyeli

(gnlk toplam 3,6

kWh/m) olduu tespit edilmitir. Aylara gre Trkiye gne enerji potansiyeli ve

AYLAR

AYLIK TOPLAM GNE ENERJS (Kcal/cm2-ay) (kWh/m2-ay) 51,75 63,27 96,65 122,23 153,86 168,75 175,38 158,40 123,28 89,90 60,82 46,87 1311 3,6 kWh/m2-gn

GNELENME SRES (Saat/ay) 103,0 115,0 165,0 197,0 273,0 325,0 365,0 343,0 280,0 214,0 157,0 103,0 2640 7,2 saat/gn

OCAK UBAT MART NSAN MAYIS HAZRAN TEMMUZ AUSTOS EYLL EKM KASIM ARALIK TOPLAM ORTALAMA

4,45 5,44 8,31 10,51 13,23 14,51 15,08 13,62 10,60 7,73 5,23 4,03 112,74 308,0 cal/cm2-gn

Trkiye'nin en fazla gne enerjisi alan blgesi Gney Dou Anadolu Blgesi olup, bunu Akdeniz Blgesi izlemektedir. Gne enerjisi potansiyeli ve gnelenme sresi deerlerinin blgelere gre dalm da Tablo-1.2.' de verilmitir.

Tablo 1.2. Trkiye'nin Yllk Toplam Gne Enerjisi Potansiyelinin Blgelere Gre Dalm

BLGE

TOPLAM GNE ENERJS (kWh/m2-yl) 1460 1390 1365 1314 1304 1168 1120

GNELENME SRES (Saat/yl) 2993 2956 2664 2628 2738 2409 1971

G.DOU ANADOLU AKDENZ DOU ANADOLU ANADOLU EGE MARMARA KARADENZ

Ancak, bu deerlerin, Trkiyenin gerek potansiyelinden daha az olduu, daha sonra yaplan almalar ile anlalmtr. 1992 ylndan bu yana EE ve DM, gne enerjisi deerlerinin daha salkl olarak llmesi amacyla enerji amal gne enerjisi lmleri almaktadrlar. Devam etmekte olan lm almalarnn sonucunda, Trkiye gne enerjisi potansiyelinin eski deerlerden %20-25 daha fazla kmas beklenmektedir.

ekil 1.1. Trkiyenin Gne Enerjisi Haritas

Trkiyenin gne nlarn alma potansiyeli ekil.1.1.de gsterilmitir [3].Bu haritaya gre gney blgelerimizin gne alma as kuzey blgelerimize gre daha fazla olduu grlmektedir.Haritada gsterilen 1. kuak gne alma as en fazla olan kuaktr. 1. kua srasyla 2.kuak, 3.kuak ve 4.kuak takip etmektedir. Burada 4.kuak gne alma as en dk olan kuaktr.

BLM 2. GNE PLLER

2.1. Gne Pillerinin Tarihsel Geliimi

Gne pilleri (fotovoltaik diyotlar) zerine gne dtnde, gne enerjisini dorudan elektrik enerjisine eviren dzeneklerdir. Bu enerji evriminde herhangi devingen (hareketli) para bulunmaz. Gne pillerinin alma ilkesi, Fotovoltaik (Photovoltaic) olayna dayanr. lk kez 1839 ylnda Becquerel, elektrolit ierisine daldrlm elektrotlar arasndaki gerilim, elektrolit zerine den a baml olduu gzlemleyerek Fotovoltaik olayn bulmutur. Katlarda benzer bir olay ilk olarak selenyum kristalleri zerinde 1876 ylnda G.W. Adams ve R.E. Day tarafndan gsterilmitir. Bunu izleyen yllarda almalar bakr oksit ve selenyuma dayal foto diyotlarn, yaygn olarak fotoraflk alannda k metrelerinde kullanlmasn beraberinde getirmitir. 1914 ylnda fotovoltaik diyotlarn verimlilii %1, deerine ulam ise de gerek anlamda gne enerjisini %6 verimlilikle elektrik enerjisine dntren fotovoltaik diyotlar ilk kez 1954 ylnda Chapin tarafndan silikon kristali zerine gerekletirilmitir. Fotovoltaik g sistemleri iin dnm noktas olarak kabul edilen bu tarihi izleyen yllarda aratrmalar ve ilk tasarmlar, uzay aralarnda kullanlacak g sistemleri iin yaplmtr. Fotovoltaik g sistemleri 1960larn bandan beri uzay almalarnn gvenilir kayna olmay srdrmektedir. 1970li yllarn balarna kadar, gne pillerinin uygulamalar ile snrl kalmtr. Gne pillerinin yeryznde de elektriksel g sistemi olarak kullanlabilmesine ynelik aratrma ve gelitirme abalar 1954lerde balam olmasna karn, gerek anlamda ilgi 1973 ylndaki 1. petrol bunalmn izleyen yllarda olmutur. Amerikada, Avrupada, Japonyada byk bteli ve geni kapsaml aratrma ve gelitirme projeleri balatlmtr. Bir yandan uzay almalarnda kendini ispatlam

silikon kristaline dayal gne pillerinin verimliliini artrma abalar ve dier yandan alternatif olmak zere ok daha az yar iletken malzemeye gerek duyulan ve bu neden ile daha ucuza retilebilecek ince film gne pilleri zerindeki almalara hz verilmitir. Gne enerjisini elektrik enerjisine evirmenin, basit, evre dostu olan fotovoltaik sistemlerin aratrlmas ve gelitirilmesi, maliyetinin drlerek yaygnlatrlmas misyonu uzun yllar niversitelerin yklendii ve yrtt bir grev olmu ve bu nedenle kamuoyunda hep laboratuarda kalan bir alma olarak kalmtr. Ancak son yirmi ylda dnya genelinde evre konusunda duyarlln artmasna bal olarak kamuoyundan gelen bask, ok uluslu byk irketleri fosile dayal olmayan yeni ve yenilenebilir enerji kaynaklar konusunda almalar yapmaya zorlamlardr. Byk irketlerin devreye girmesiyle fotovoltaik piller konusundaki teknolojik gelimeler ve g sistemlerine artan talep ve buna bal olarak byyen retim kapasitesi, maliyetlerin hzla dmesini de beraberinde getirmitir. Yakn gemie kadar alla gelmi elektrik enerjisi retim yntemleri ile karlaldnda ok pahal olarak deerlendirilen fotovoltaik g sistemleri, artk yakn gelecekte g retimine katk salayabilecek sistemler olarak deerlendirilmektedir. zellikle elektrik enerjisi retiminde hesaba katlmayan ve grnmeyen maliyet olarak deerlendirilebilecek sosyal maliyet gz nne alndnda, fotovoltaik sistemler fosile dayal sistemlerden daha ekonomik olarak deerlendirilebilir [4].

2.2. Gne Pillerinin zellikleri Gne pilleri, yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine dntren yar iletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilen gne pillerinin alanlar 100 cm2 civarnda, kalnlklar zellikle en yaygn olan silisyum gne pillerinde 0.2 0.4 mm arasndadr [5]. Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerine k dt zaman ularnda elektrik gerilimi oluur. Pillerin verdii elektrik enerjisinin kayna, yzeyine gelen gne enerjisidir. Deniz seviyesinde, parlak bulutsuz bir gndeki

nm iddeti maksimum 1000 W/M2 civarndadr. Yreye bal olarak 1m2ye den gne enerjisi miktar ylda 800-2600 KWh arasnda deiir. Bu enerji, gne pilinin yapsna bal olarak %5 - %70 arasnda bir verimle elektrik enerjisine evrilebilir. G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak bir yzey zerine monte edilir. Bu yapya gne pili modl yada fotovoltaik modl ad verilir. Gerekirse bu modller birbirlerine seri ya da paralel balanarak, fotovoltaik bir dizi oluturabilir.

2.2.1. Maddenin yaps ve yar iletkenler

Bilindii gibi madde, pozitif ykl ok ar bir ekirdekle, onun etrafnda belirli yrngelerde dolanan elektronlardan meydana gelmitir. Bu ykler, d tesir yoksa birbirini dengeler. Elektronlar, yrngelerinin bulunduu yarapa, orantl olarak potansiyel ve kinetik enerji tarlar. En d yrnge de maksimum 2, sonrakinde 8 ve ncde 18 elektron bulunabilir. Elektronlar, ard arda gelen ve her biri belli sayda elektron bulunduran enerji bandlarnda bulunurlar. Dardan enerji alan bir elektron bir st seviyedeki banda kabilir. Daha dk banda geen elektron da dar enerji yayar. Son tabaka elektronlarna valans (denge) elektronlar denir ve cisimlerin kimyasal bileikler yapmalarn temin eder. Son tabakas dolmam bir atomun, bir baka cisme ait komu atomdan elektron kapmaya yatknl vardr. tabaka elektronlar ise ekirdee ok sk baldrlar.Termik enerji verilirse, elektronun yrngesi etrafnda titreimi arttrr. Elektron, yrngesini muhafaza ettii mddete ne enerji yayar, ne de absorbe eder. Bir elektron, uyarmla, atomu terk edecek enerji kazanp ayrlabilir. Atom (+) iyon ekline geer (Bkz. ekil 2.1.).

ekil 2.1. Silisyum ve Germanyum Yar letkenlerinin Yaps

zoleli atomda (gazlarda) elektronlar, belirli bir enerji bandn igal ederler. Bir kristalin atomlar, kristal iinde muntazam diziler halinde yer alrlar. Atomlar, birbirlerine ok yakndrlar ve elektronlar, birbirine yakn enerjileri temsil eden enerji bandlar zerinde bulunurlar. rnein; bir germanyum atomunda, tek bir atom ele alnrsa atom temel haldedir. Mutlak sfr, scaklkta, elektron minimum enerji seviyesine sahiptir. Germanyum kristalinde ise, mutlak sfr scaklkta, temel seviyenin yerini valans band alr. Bundan sonra, hibir elektronun bulunmad yasak blge ve sonra da yksek enerjili iletkenlik band bulunur. Bu scaklkta Ge kristalinde iletkenlik bandnda hibir elektron bulunmaz, yani kristal ideal bir yaltkandr. Yaltkan, yariletken, iletken maddelerin enerji bandlar ekil 2.2.de grlmektedir.

10

ekil 2.2. Enerji Bandlar

Ge kristalinin iletkenlik kazanabilmesi iin,

iletkenlik

seviyesine

elektron

temin edilmelidir. Bunun iin gerekli enerji 0.7 eV civarndadr. Fotoelektrik olay iin Eg , kristalin sourabilecei minimum enerjisini gsterir.Buna kar, bir metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenlii temin edecek, iletkenlik bandnda ok sayda elektron bulunur. Elmas iin E=7 eV' luk enerji ile elektron yasak band geilebilir. Bunun iin malzemeye byk elektrik voltaj uygulanmas gerekir. Bu ise malzemeyi tahrip eder. Yar iletkenlerde, yasak band gemek iin (1 eV) yeterlidir, oda scaklnda kristal atomlarndan birka tanesinin elektronlar, iletkenlik bandna geer ve iletkenlii salar. Geride brakt bolua da baka bir elektron gelir ve o da iletkenlie katlm olur. Bir kristal, ortak elektronla birbirine bal atomlarn dzgn olarak yerleimiyle meydana gelmitir. yonik badan farkl olan bu birlemeye Kovalent ba denir. Valans elektronlar, kovalent ba iinde, bir atomdakinden daha dk enerji seviyesindedir. Kristali bozmak iin, bu enerji fark kadar enerji gerekir. Bu kristalin kararlln gsterir. ki atomu birbirine balayan valans elektronlarn serbest hale gemesi iin gerekli enerji; metaller iin sfr, yaltkanlar iin birok elektron volt, yar iletkenler iin

11

1eV civarndadr. Elektronlarn ekirdekten uzakla gre enerji seviyeleri ekil 2.3.te verilmitir [6].

ekil 2.3 Elektronlarn ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri

2.2.2. N tipi yar iletken letkenlik tipini deitirmek iin Si ve Ge iine, periyodik cetvelin III ve V. grup elementleri ilave edilir. Bunlar bo valans elektronu bulundururlar (Arsenik, Bor, Fosfor, Antimuan gibi). Ergimi halde bulunan Gea (milyonda bir) arsenik ilave edilirse, her arsenik atomu, bir Ge atomu yerini alacak ve 4 elektronuyla kovalant ba tekil edilecek, 5. valans elektronu serbest kalp iletkenlii temin edecektir. letkenlik (-) ykle temin edildii iin N tipi yar iletken ismini alr. Bu elektronlar, oda scaklnda, iletkenlik bandna ular.

12

ekil 2.4 N Tipi Yar letken

2.2.3. P tipi yar iletken Ergimi germanyuma, III. gruptan valans elektronu bulunduran elemanlar ilave edilerek yaplr (ndium, Galyum,vb). Katlama srasnda indium atomlar kristal rg iinde Ge atomunun yerini alr. Kovalent ba iin 3 elektron mevcuttur ve komu atomdan bir elektron kaparak ba oluturur. Komu atomda bir boluk olumutur. Bu ise elektron hareketine sebep olur. Bir yar iletkenin kullanlabilme maksimum scakl, aktivasyon enerjisiyle artar. Kullanabilme maksimum frekans, yk tayclarn hareketlilii ile artar.

13

ekil 2.5. P Tipi Yar letken

2.2.4 P N kava Bir monokristal yar iletkenliinin P tipinden N tipine gei blgesidir.Bu blge kristalleme srasnda oluturulur.N blgesinde, termik uyarmla aznlkta olan boluk ve ounlukta olan elektron ykleri ve (+) iyonize atomlar vardr (Bkz. ekil 2.6).

ekil 2.6. P N Kavann Oluumu

P blgesinde ise, negatif iyonize atom, termik uyarmla bulunabilen aznlk elektron ve ounluk elektron boluklar vardr. ki eleman temasa geirildiinde, blgesindeki elektronlar (ounluktadr) P tipi blgeye hareket eder. N P

blgesindeki elektron boluklar da N blgesine hareket eder. Bylece N tipi blgedeki atomlar (+), P tipi blgedeki atomlar (-) olarak iyonlam olur. Bunlar,

14

kristal iinde sabit yk merkezleri olutururlar. Kavan her iki yznde iyonize olmu atomlar, kristal iinde, yn Nden Pye doru olan bir elektrik alan meydana getirirler. Bu blge gei blgesidir ve serbest ykler yoktur. Kavaktaki bu potansiyel fark, Pden Nye geecek boluklar ve Nden Pye geecek elektronlar iin bir potansiyel duvar tekil eder. Nden ayrlacak bir elektron, arkasnda kendini geri aran bir boluk brakr ve nndeki P tipi blgedeki (-) ykler elektronu pskrtr (Bkz. ekil 2.7.) [7].

ekil 2.7. P N Kava ve Akm

zet olarak, P-N kavanda meydana gelen elektrik alan, kavak civarndaki elektronu, Pden Nye doru iter (Ndeki elektronu geri pskrtr, Pdeki elektronu Nye iletir). Kavan enerji band, ekil 2.8.deki gibidir [8] .N blgesinde, valans ve iletkenlik band enerjileri, Pdekilerden dktr.

15

ekil 2.8. P N Kavanda Enerji Band

Enerjisi yeterli bir k demeti (h.f >Eg. N Planck sabiti, f frekans), P-N kava zerine drld zaman, foton elektronlarla karlap enerji verebilir. Serbest elektronlar, valans elektronlarnn ancak 1/104 kadar olduundan, bu ihtimal zayftr. Foton, muhtemel valans elektronu ile karlar ve ona enerjisini brakarak iletkenlik bandna karr. Elektron, arkasnda bir elektron boluu brakr. Olay A-B aralnda ise; elektron, oluan elektrik alanla N blgesine, boluk da P blgesine itilir. Olay kavaa yakn N blgesinde olumusa, boluk yine P blgesine gtrlr. Kavaktan uzakta oluan elektron boluk, zamanla birbirini bulacaktr. Sonu olarak P tipi blge (+), N tipi blge (-) yklenmi ve bir potansiyel domutur.

2.2.5. Yar iletkenlerin katklanmas Yar-iletkenin malzemenin ierisine, ok az tutarda uygun seilmi yabanc atom katklanmas ile yar-iletkenin elektriksel zellikleri nemli lde deitirilebilir. Saf yar-iletkenin yapsal zelliklerini bozmayacak tutarda ve denetimli bir biimde yar-iletken kristale yerletirilen yabanc atomlara safszlk-atomlar ve bu ilemede katklama ad verilir.

16

Katklamay daha iyi aklamak iin ounlukla kullanlan rnek silisyum kristalidir. Saf silisyum kristalinde her atom 14 elektrona sahip olmakla birlikte, en d yrngedeki drt elektron, komu atomlarla olan ilikileri belirler. Deerlik elektronlar adn verdiimiz bu drt elektronun her biri, en yaknndaki drt silisyum atomu ile ba yaparak silisyum kristalindeki ana yap tan oluturur. Ana yap ta, kpn merkezindeki bir silisyum atomu ve kpn birbirine komu olmayan kelerinde birer silisyum atomu yerlemesi ile kurulur. Silisyum kristali bu yap talarnn yinelenerek uzay doldurmas ile oluur. Saf silisyum kristali ierisinde deerlik elektron says be olan fosfor atomu katklanrsa, fosfor atomu, silisyum atomunun yerine oturup drt deerlik elektronu ile silisyum daha nce kristal ierisinde yapt balar salar iken, fosforun beinci deerlik elektronu akta kalacaktr. Fosfor atomuna ok zayf olarak bal olan bu elektron ok kk bir enerji ile atomundan ayrlarak silisyum kristalinin iletkenlik bandna kacaktr. Fosfor atomunda olduu gibi, katld kristal yapya elektron veren safszlk atomlarna verici denir. Bu ekilde katklanm yar-iletkenlerde elektriksel yk, elektronlar ile, iletkenlik bandnda tanr ve bu nedenle bu yariletkenler n-tipi olarak snflandrlr. Saf silisyum kristali ierisinde deerlik elektron says olan boron atomu katkladmz dnelim . Silisyum atomunun yerini alan boron atomu, silisyum kristalindeki atomla ba yaparken drdnc atomla paylaaca elektronu olmad iin, bir eksik ba ortaya kacaktr. Deerlik bandnn ky enerjisine yakn bulunan bu enerji dzeylerine ok kk enerjilerle bile deerlik bandndan elektronla doldurularak deerlik bandnda boluklar oluacaktr. Bu ekilde katklanm yar-iletkenlerde deerlik bandndaki boluklarn says iletkenlik bandndaki serbest elektron saysndan daha ok olduundan, ounluk tayclar art ykleri gibi dnlen boluklardr. Boluklarn ounluk taycs olduu bu tr malzemelere p-tipi yar-iletken ad verilir. Yar iletken ister n-tipi isterse p-tipi olsun kendi ilerinden ntrdr. Yani darya kar herhangi net bir elektrik yk gstermezler; ancak, dardan bir elektrik alan uygulandnda elektrik alana tepki veren ounluk tayclardr. N-tipi yar-iletkendeki ounluk tayclar elektronlar ve aznlk tayclar boluklar, p-tipi yar iletkende rol deitirirler. Elektronlar elektrik alan ile ters ynde hareket ederken, boluklar elektrik alan dorultusunda hareket ederler.

17

2.2.6. Gne pili edeer emas Bilindii gibi, gne pili bir yar iletken dzenektir. ounluk yk tayclar elektronlardan oluan N tipi ile ounluk yk tayclar oyuklardan oluan P tipi yar iletken yan yana getirilir. Ik enerjisi bu birleme noktasna drlrse d devreden bir akm geebilmektedir (ekil 2.9).

ekil 2.9. Gne Pili

P-N yar iletken kavanda, elektronlar P tipi blgeye geerek birleme yzeyine yakn blgelerde boluk yk taycdaki elektron eksikliini tamamlayp (-) iyonlar olutururken N tipi blgede de (+) iyon duvar oluacaktr. D tesir olmazsa bu enerji duvar akmn gemesini nleyecektir. In demeti bu blgeye derse, yk tayc elektronlar ok az oranlarda olduundan, muhtemelen bir valans elektrona enerjisini brakacak ve onu P tipi blgeye doru itecektir. D devre akm ise Pden Nye doru olacaktr (ekil 2.10).

18

ekil 2.10. P N Kavann Oluturulmas ve Kavaa Den Foton Enerjisi ile letkenlik Temini

Bir gne pilinde N tipi blgede elektron reten bir elektromotor kuvveti dnlebilir. ekil 2.11de fiziksel edeer devre grlmektedir. Devre elemanlar bir elektromotor kuvvet, bir i diyot ve bir i diren eklinde sembolize edilebilir.

ekil 2.11. Gne Pili Edeer Elektrik emas

Gne pilleri, belli gnelenme artlarnda, birim alan bana belirli bir akm ve voltaj retirler. stenen bir enerji iin bir ok pili seri ve paralel olarak balamak gerekir. Bylece gne panelleri oluturulur. ekil 2.11de edeer emas verilen gne pilinde d devre akm iddeti ve ulardaki gerilim llebilir. Ayarlanabilir bir d direnle, gerilim ve akm ak devreden ksa devreye kadar deitirilerek ekil 2.12deki gerilim akm iddeti erileri elde edilebilir. 1 cmlik pil gnelenme alan iin nm iddeti 0.5 1.0 kw/m arasnda deiirken, optimum alma noktalar ve sabit yk erisi bu ekilde gsterilmitir.

19

lmler 27 0C scaklkta yaplm olup yzey scakl arttka gerilim der. Akm iddeti, gne nm younluu ve pil nm alan ile orantl olarak deiir. Scakln voltaja tesiri 0.022 W/ 0C orannda olmaktadr. ekil 2.12de 40 adet seri balanm 10x10 cm ebadnda pilin, 1 kw/m nm artlarnda akm iddeti gerilim karakteristii deiik scaklklar iin verilmitir.

ekil 2.12. 34 Wattlk Bir Gne Pilinde Akm-Gerilim Erileri (Yzey Scakl 27 0C in)

20

2.2.7. Fotovoltaik pil ekil 2.13de grld gibi, foton absorblanmasyla yk tayclar ounlukta olduklar blgelere srklenirler. Kavaktan Is akm geer ve N(-), Pde (+) yklenmi olur. Is akm, kavan ileri ynde kutuplamasna ve kavak potansiyel duvarnn alalmasna sebep olur. D devre ak ise (akm yoksa) Pden Nye akm geer ve kavak potansiyel duvar tekrar ykselir; P blgesi (-), N blgesi (+) yklenir. Sonra tekrar foton absorblanarak olay devam eder. Bu durumda Is = I olur.

ekil 2.13. Fotovoltaik Pilin Yaps

D devreden akm geerse Is = I IL olacak ekilde darya elektrik enerjisi alnr. ekil 2.14 de bu pilin elektrik edeer devresi grlmektedir. En yksek foton enerjisi yeil k iin h.f = 2.5 eV civarndadr. P-N kavandaki temas potansiyeli, elektronlar daha yksek potansiyele karan batarya rol oynamaktadr.

21

ekil 2.14. Fotovoltaik Pil Edeer Elektrik Devresi

2.3. Gne Pillerinin alma lkeleri Baka malzemeler kullanlyor olsa bile, gnmzde, pek ok gne pili silisyumdan yaplmaktadr. Gne pilinin zerine gne dtnde, silisyum atomunun son yrngesindeki valans elektronu negatif ykler. Ik foton denilen enerji partikllerinden olumutur. Fotonlar saf enerjiden olumu bilardo toplarna benzetmek olasdr ve bunlar bir atoma arptklarnda tm atom enerjilenir ve en kolay kopabilecek durumda olan son yrngedeki valans elektronu kopar. Serbest kalan bu elektronda, voltaj veya elektriksel basn olarak isimlendirebileceimiz potansiyel enerji ortaya kar. Bu enerji, bir aky arj etmek veya bir elektrik motorunu altrmak iin kullanlabilir. nemli olan nokta, bu serbest elektronlar pil dna alabilmektir. retim srasnda, pilin n yzeyine yakn yerde bir i elektrostatik blge oluturularak, bu elektronun serbest duruma gemesi salanr. Silisyum kristali iine dier elementler yerletirilmitir. Bu elementlerin kristal iinde bulunmas, kristalin elektriksel olarak dengede olmasn nler. Ikla karlaan malzemede, bu atomlar dengeyi bozar ve serbest elektronlar dier pile veya yke gitmeleri iin pilin yzeyine doru sprrler. Milyonlarca foton pilin iine akarken, akmdr. enerji kazanp bir st seviyeye kar, elektronlarda pil iindeki elektro-statik blgeye ve oradan da pil dna akarlar. te bu oluan ak elektrik

22

ekil 2.15. Gne Pilinin Yaps

2.3.1. Gne pillerinin yaps Tek kristalli silisyum gne pilinin rengi koyu mavi olup, arl 10 gramdan azdr. Pilin st yzeyinde, pil tarafndan retilen akm toplayacak ve malzemesi genellikle bakr olan n kontaklar vardr. Bunlar negatif kontaklardr. Kontaklarn altnda 150 mm kalnlnda, yansma zellii olmayan bir kaplama tabakas vardr. Bu tabaka olmazsa, silisyum, zerine den snmn te birine yakn ksmn yanstacaktr. Bu kaplama tabakas, pil yzeyinden olan yansmay nler. Pilin n yzeyi, normal olarak yansyan n bir ksmn daha yakalayabilmek amacyla, piramitler ve konikler eklinde dizayn edilmitir. Yanstc olmayan kaplamann altnda, pilin elektrik akmnn ortaya kt yap bulunur. Bu yap, iki farkl katman halindedir. N-katman, fosfor atomlar eklenmi silisyumdan oluan ve pilin negatif tarafn oluturan katmandr. P-katman ise, bor atomlar eklenmi silisyumdan olumu, pilin pozitif tarafdr. ki katman arasnda, P-N kava denilen, pozitif ve negatif ykl elektronlarn karlat bir blge bulunur. Pilin arka yzeyinde, elektronlarn girdii pozitif kontak grevi gren arka kontak yer alr [9].

23

ekil 2.16. Tipik Bir Silisyum Gne Pilinin n Yz

retilen piller, standart test koullarnda test edildikten sonra, tketiciye sunulmaktadr. Ortam scakl 25 0C ortalama nm iddeti 1000 W/m ve HavaKtle oran 1,5 olarak test koullar belirlenmitir. Hava-ktle oran, gne nmnn geirilme orann gsteren atmosfer kalnldr. Gnein tam tepede olduu durumda, bu oran, l olarak alnr. Atmosfer tarafndan emilen nmn oranna bal olarak, pilin retecei elektrik miktar da deieceinden, bu oran nemli bir parametredir. Tipik bir silisyum gne pili, 0.5 volt kadar elektrik retebilir. Pilleri birbirine seri balayarak retilen gerilim deerini arttrmak olasdr. Genellikle, 30-36 adet gne pili, 15-17 voltluk bir k gc vermek iin birlikte balanabilir, ki bu voltaj deeri de, 12 voltluk bir aky arj etmek iin yeterlidir. Farkl k gleri verecek ekilde imal edilmi, farkl byklklerde gne pilleri bulmak olasdr. Silisyum pillerin seri balanmas ile modller, modllerin birbirine balanmas ile rgler oluur (Bkz. ekil 2.17). Her modl, paralel veya seri balanabilmesine olanak verecek ekilde, balant kutusuyla birlikte dizayn edilir.

24

ekil 2.17. Pillerden Modl ve rglerin Yaplmas

Gne pilinin kolayca krlabilmesi ve rettii gerilimin ok dk olmas gibi, sakncalarnn giderilmesi gerekir. Pillerin birbirlerine balanmas ile oluan modller koruyucu bir ereve iine alnmlardr ve kullanlabilecek dzeyle gerilim retirler. Modlde bulunan pil says, k gcn belirler. Genellikle, 12 voltluk akleri arj etmek iin 30-36 adet silisyum gne pilinin balanmas ile bir modl olusa bile, daha yksek k gleri iin daha byk modller yaplabilir. En basit sistem, bir modl ve buna bal bir ak veya elektrik motorundan olumu bir sistemdir(Bkz. ekil 2.18. ) [9].

25

ekil 2.18. Gne pili ile aknn arj edilmesi

Modllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluan yapya panel ad verilir. Bir modlden elde edilen gc arttrmak iin bavurulan bir yaplanma biimidir. Bu ekilde, k gc, 12, 24, 48 V veya daha yksek olabilir. Birden fazla panelin kullanld bir sistemde, paneller, kontrol cihazna veya ak grubuna, birlikte balanabilecekleri gibi, her panel tek olarak da balanabilir. Bu durumda, bakm kolayl olacaktr. Sistemde kullanlan, fotovoltaik retelerin tmnn oluturduu yapya ise rg denilmektedir. rgnn ok byk olduu uygulamalarda, daha kolay yerletirme ve k kontrol iin sistem, alt-rg gruplarna ayrlabilir. rg, bir modlden oluabilecei gibi 100.000 veya daha fazla modlden de ulaabilir.

26

2.4. Gne Pili eitleri Bakr bakr oksit ve gm yar iletkenleri ile yaplan gne pilleri, selenyum pilleri ve silisyum gne pilleri en ok kullanlanlardr. 2.4.1. Selenyum gne pili Saf selenyum, alkali metallerle veya klor, iyot gibi halojenlerle kartrlp P tipi yar iletken oluturulur. Bunun zerine iyi iletken ve yar iletken / yar geirgen bir gm tabaka birka mikron kalnlnda kaplanarak P-N kava oluturulur. ekil 2.19da bir selenyum gne pilinin yaps grlmektedir. Bu pillerin 50 0Cnin zerinde kullanlmamalar tavsiye olunur.

ekil 2.19. Selenyum Gne Pilinin Yaps

2.4.2. Silisyum gne pili Uzay aratrmalarnda kullanlan pillerin ou bu trdendir. Silisyum SiO2 halindeki kumdan elde edilir. Kk bir kristal znm, eritilmi potaya daldrlr. Belli hzda dndrlerek potadan karlrken soumas temin edilir ve kristalin bytlmesi ile gne pili elde edilir. Eriyik iine P tipi yar iletkenlik malzemeleri katlr. P tipi kristaller dilimler eklinde kesilir. Scakl kontrol edilen P2O5 li difzyon frnnda N tipi yar iletkenle 10-4 - 105 m. derinlie kadar difzyon temin edilerek P-N kava oluturulur.

27

Silisyum pilleri germanyumla yaplan pillere gre, daha byk ak devre direnci salar. Buna kar silisyumlu pillerin spektral cevab daha azdr ve kzltesi nlara kadar uzanmaz. Akkor k kayna kullanlmas halinde, Ge ularndaki gerilim kk olmasna ramen daha byk akm salar. Gne nlar iin ise silisyum pil daha uygundur.

BLM 3. GNE PL ETLER

Gne pili teknolojisi, kullanlan maddeler ve yapm trleri asndan son derece zengindir. Gne pili yapm iin u anda kullanlmakta olan bir dzineden fazla maddenin yan sra, yzlerce maddenin de zerinde allmaktadr. Belli bal gne pili trleri aada anlatlmaktadr [10].

3.1. Kristal Silisyum Gne Pilleri Silisyum yar iletken zellikleri tipik olarak gsteren ve gne pili yapmnda en ok kullanlan bir maddedir ve uzun yllarda bu konumunu koruyacak gibi grnmektedir. Fotovoltaik zellikleri daha stn olan baka maddeler de olmakla birlikte, silisyum hem teknolojisinin stnl nedeniyle hem de ekonomik nedenlerle tercih edilmektedir.

3.2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri lk ticari gne pillerinde, CHROZALSK kristal ekme teknii ile bytlen tek kristal yapl silisyum kullanlmtr. Fotovoltaik endstride hala en ok kullanlan yntem olan bu teknikte ncelikle ark frnlarnda silisyum oksit eitli kimyasal ve termal reaksiyonlardan geirilerek saf silisyum elde edilir. Daha sonra silisyum eriyie ekirdek denen tek kristal yapl bir silisyum paras batrlr. Bu ekirdek eriyikten karldnda souyan silisyum eriyik, ekirdein zerine kle eklinde ylm olur. Bu silisyum kle olur olmaz bir keski ile dilimlere ayrlr. Bu, iki aamada olur. nce kle dikdrtgen bloklar eklinde kesilir. Daha sonra bu bloklar dilimlere ayrlarak pil eklinde ilenir. Verimleri %15 civarndadr. Yapm srasnda malzeme kaybnn ok fazla olmas bu pillerin dezavantajdr.

29

3.3. Semikristal (Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri Bu tip piller, sv silisyumun soutulmasyla elde edilen kmelenmi kk silisyum kristallerinden oluur. Bu pillerin verimleri %14 civarnda olup, kmelenmi silisyum taneciklerinin snrlarndaki kayplara baldr.

3.4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri Bu piller, malzeme kaybnn azaltlmas amacyla levha halinde silisyum tabakalarndan yaplrlar. eitli yntemlerle (Efg, Dendritik a) elde edilen bu piller, halen gelitirme aamasndadr. Verimleri laboratuar artlarnda %13-14 arasndadr.

3.5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri Bu piller de ribbon silisyum teknolojisiyle yaplp, yaplar polikristal zellik gsterir. Halen laboratuar aamasndaki bu pillerin verimleri %10dur.

3.6. nce Film Gne Pilleri Bu teknikte, absorban zellii daha iyi olan maddeler kullanlarak daha az kalnlkta (tek kristalin 1-500 kalnlnda) gne pilleri yaplr. rnein amorf silisyum gne pillerinin absorbsiyon katsays kristal silisyum gne pillerinin katsaysndan daha fazladr. Dalga boyu katsays 0.7 mikrondan kk bir blgedeki gne radyasyonu 1 mikron kalnlnda amorf silisyum ile absorblanabilirken, kristal silisyumda ise ayn radyasyonu absorblamak iin 500 mikron kalnlkta malzeme kullanlmas gerekmektedir. Bu yzden amorf yapl gne pillerinde daha az malzeme kullanlr ve montaj kolayl nedeniyle bir avantaj salar.

30

3.7. Amorf Silisyum Gne Pilleri Amorf silisyum gne pilleri (a-Si), ince film gne pili teknolojisinin en nde gelen rneidir. lk yaplan a-Si piller Schottky bariyer yapsnda iken, daha sonralar p-i-n yaplar gelitirilmitir. P-i-n yapsndaki pillerin fabrikasyonu kalay oksitle kapl iletken bir yzeyin zerine ktrme yntemi ile yaplr, bu yzeyin arkas daha sonra metalle kaplanr. Verimleri %5-8 arasndadr. Ancak bu piller, ksa zamanda bozunuma urayarak klar azalr.

3.8. Bakr ndiyum Diselenoid Gne Pilleri Periyodik tablonun birinci, nc ve altnc guruptan elementlerin ncnn yada daha fazlasnn bir araya gelmesi ile oluan bu bileik yar-iletkenlerin sourma katsaylar olduka yksek olup, yasak enerji aralklar gnein spekturumu ile ideal bir ekilde uyuacak biimde ayarlanabilir. Bakr indiyum ve selenyum dan yaplan l bileik yar-iletkenle balayan bu grup (CIS) gne pilleri olarak anlr. CdTe gne pillerine en yakn rakip olarak gzkmektedir. Bu gn CIS ince film gne pillerinin ounluu ierisinde Ga elementinin katlmas ile daha yksek verimlilikler elde edilir. Ancak yar-iletkeni oluturan element says artka gereken teknoloji ve malzemenin zelliklerinin denetimi de bir o kadar karmak duruma gelmektedir. Laboratuardaki kk alan pillerin verimlilii %18e kadar ularken, 900cm2 yzey alana sahip modllerin verimlilikleri ancak %15 dolayndadr. CIS pillerde uygulanan teknolojilerden iki tanesi ne kmtr. Bunlardan birincisi, elementlerin e zamanl olarak vakumda buharlatrlmasdr. kinci yntem, herhangi bir yntemle bytlen bakr-indiyum ince film alamnn uygun bir ortamda selenyumla tepkimeye sokulmasdr (Selenizasyon). Her iki durumda da sourucu olarak kullanlan CIS yar-iletken, CdS ile bir araya getirilerek heteroeklem diyot oluturulur. CdS tabakalarn retilmesinde ortaya kan yntem CdTe tabakalarnda olduu gibi burada da kimyasal banyo yntemidir. Metal elementlerin buharlatrlmasnn ardndan selenizasyonu seen ISET, Shell-Showa ve Siemens Solar gibi firmalardan Siemens Solar 5-10watt deerinde kk modl retiminde ABD balamtr. CIS tabakalarn bytlmesinde Stuttgart niversitesi (Almanya)

31

tarafndan gelitirilen ve yine bir alman firmas olan ZSW tarafndan retime hazr hale getirilen e zamanl olarak vakumda buharlatrma yntemi retim yntemlerinden birisidir. Bu ince film gne pillerinde test altndaki uzun dnem modl verimlilikleri %10 deerinin altnda kalmaktadr.

ekil3.1. Bakr ndiyum Diselenoid Gne Pilleri

3.9. Dier Yaplar Bakr indiyum diselenoid (CuInSe) maddesinden yaplan ve verimleri %13 civarnda olan piller halen gelime aamasndadr ve daha kararl ka sahip olduu iin absorban zellii yksek, verimleri de %12 civarndadr. Bu gne kadar elde edilen en yksek verime (%24) galyum arsenitten yaplan piller ulamtr. Bu madde ile eitli trde piller elde edilebilmekle birlikte, pahal olduu iin pillerin, gne spektrumunun daha byk bir blmnden yararlanabilmesi amac ile denenen bir yntem ise, birden fazla ince film yapsnn st ste konmasyla elde edilen ok eklemli film yaplardr. Bunlarn dnda, gne nmnn yksek verimli pillerin zerine optik olarak younlatran sistemler zerinde almalar yaplmaktadr. Bu tr sistemlerde gnein hareketini izleyen dzeneklerin yan sra, gne n kran (mercek) ya da yanstan (ayna) eleman kullanlr.

BLM 4. GNE PL G VERMLLKLER VE GNE PL KULLANIM ALANLARI

4.1. Gne Pili G Verimlilikleri Fotovoltaik gne pillerinin srekli geliimlerine bal olarak verimliliklerinin zetlendii izgilerin geerlilik sreleri olduka ksa olmaktadr. Ancak, karlatrlmal bir kaynak olmas amac ile Fraunhofer Enstits tarafndan yaplan en yksek verimlilikleri gsteren zet aadaki tabloda verilmitir [11].
Tablo 4.1. Gne pillerinde rapor edilmi en yksek verimlilikler

Fotovoltaik Pilin Cinsi Tek Kristalli Silisyum ok kristalli Silisyum Amorf Silisyum Cu/In, Ga)Se2 CdTe/CdS GaAS Tek kristal

Alan (cm2) 4.00 21,2 1 0,4

Verimlilik (%) retilen Birim 24 17,4 14,7 17,7 15,8 UNSW, Sydney Avustralya ISE, Freiburg, Almanya United Solar NREL, USA USA K.Univ, Nijmegen Hollanda

23,9

Gne pili yapmnda kullanlan malzemenin rezerv durumlar da olduka nemli deikenler olarak karmza kmaktadr. Silisyum, doada en ok bulunan element olmas nedeni ile rezerv konusunda gelecee ynelik bir sorun yoktur. Dier seenek malzemeleri oluturan elementlerin rezerv durumlar dnyadaki yllk retim ve 500MW g retimi iin gerekli miktar Tablo 4.2'de zetlenmitir.

33

Tablo 4.2. Gne pili yapmnda kullanlan maddelerin dnya rezervleri ve retimi

Element

Dnya Rezervleri

Dnya Yllk retimi 500MW

iin

gereken miktar Ton

CD Te In Se Ga

970 000 39 000 5 700 130 000 1 000 000

20 000 404 180 2000 35

25 28 25 60 5

4.2. Gne Pili Kullanm Alanlar Gne pilleri, elektrik enerjisinin gerekli olduu her uygulamada kullanlabilir. Gne pili modlleri uygulamaya bal olarak, akmlatrler, invertrler, ak arj denetim aygtlar ve eitli elektronik destek devreleri ile birlikte kullanlarak bir gne pili sistemi (fotovoltaik sistem) olutururlar. Bu sistemler, zellikle yerleim yerlerinden uzak, elektrik ebekesi olmayan yrelerde, jeneratre yakt tamann zor ve pahal olduu durumlarda kullanlrlar. Bunun dnda dizel jeneratrler yada baka g sistemleri ile birlikte karma olarak kullanlmalar da mmkndr. Bu sistemlerde yeterli sayda gne pili modl, enerji kayna olarak kullanlr. Gnein yetersiz olduu zamanlarda ya da zellikle gece sresince kullanlmak zere genellikle sistemde akmlatr bulundurulur. Gne pili modlleri gn boyunca elektrik enerjisi reterek bunu akmlatrde depolar, yke gerekli olan enerji akmlatrden alnr. Aknn ar arj ve dearj olarak zarar grmesini engellemek iin kullanlan denetim birimi ise aknn durumuna gre, ya gne pillerinden gelen akm yada ykn ektii akm keser. ebeke uyumlu alternatif akm elektriinin gerekli olduu uygulamalarda, sisteme bir invertr eklenerek akmlatrdeki DC gerilim, 220 V, 50 Hz.lik sins dalgasna dntrlr. Benzer ekilde, uygulamann ekline gre eitli destek elektronik devreler sisteme katlabilir. Baz sistemlerde, gne pillerinin maksimum g noktasnda almasn salayan maksimum g

34

noktas izleyici cihaz bulunur. Aada ebekeden bamsz bir gne pili enerji sisteminin emas verilmektedir [12].

ekil 4.1. Gne pili enerji sistemi

ebeke balantl gne pili sistemleri yksek gte-santral boyutunda sistemler eklinde olabilecei gibi daha ok grlen uygulamas binalarda kk gl kullanm eklindedir. Bu sistemlerde rnein bir konutun elektrik gereksinimi karlanrken, retilen fazla enerji elektrik ebekesine satlr, yeterli enerjinin retilmedii durumlarda ise ebekeden enerji alnr. Byle bir sistemde enerji depolamas yapmaya gerek yoktur, yalnzca retilen DC elektriin, AC elektrie evrilmesi ve ebeke uyumlu olmas yeterlidir. Gne pili sistemlerinin ebekeden bamsz (stand-alone) olarak kullanld tipik uygulama alanlar aada sralanmtr. - Haberleme istasyonlar, krsal radyo, telsiz ve telefon sistemleri - Petrol boru hatlarnn katodik korumas - Metal yaplarn (kprler, kuleler vb) korozyondan korumas - Elektrik ve su datm sistemlerinde yaplan telemetrik lmler, hava gzlem istasyonlar - Bina ii yada d aydnlatma - Da evleri yada yerleim yerlerinden uzaktaki evlerde TV, radyo, buzdolab gibi elektrikli aygtlarn altrlmas - Tarmsal sulama yada ev kullanm amacyla su pompaj - Orman gzetleme kuleleri

35

- Deniz fenerleri - lkyardm, alarm ve gvenlik sistemleri - Deprem ve hava gzlem istasyonlar - la ve a soutma 4.2.1. Dnyadaki gne pili uygulamalar Gelimekte olan lkelerde kurulan sistemler genellikle evlerde ve kamu binalarnda kurulmaktadr. Gelimi lkelerde ise; gvenlik, cadde ve tnel aydnlatmas gibi daha zel uygulama alanlar bulmaktadr. Dnyann eitli yerlerinde 10.000den fazla su pompaj sistemi kurulmu ve baaryla iletilmektedir. Gne pili ile alan 2000 civarnda a soutucusu kullanlmaktadr. Yukarda saydmz uygulamalar kk gl ve ebekeden bamsz

uygulamalardr. Gnmzde gelimi lkelerde giderek yaygnlaan uygulama ise ebeke balantl sistemlerdir. Bu tr sistemlerde gne pilleri ile retilen elektriin fazlas elektrik ebekesine satlr, yeterli enerjinin retilmedii durumlarda ise ebekeden enerji alnr. Byle bir sistemde enerji depolamas yapmaya gerek yoktur. Yalnzca retilen DC elektriin, AC elektrie evrilmesi ve ebeke uyumlu olmas yeterlidir. Depolama maliyetini ortadan kaldrd iin bu sistemlerden retilen enerji nispeten daha ucuzdur. Fakat konvansiyonel kaynaklarla karlatrldnda halen pahaldr. Gne pili pazar yllk %30 civarnda bir hzla byme gstermektedir. 1997 ylnda tahmini retim 100 MW iken 1999 ylnda 133 MWa ulamtr. retimin yaklak %90lk ksm srasyla ve yaklak eit paylarla ABD, Japonya ve Avrupa lkeleri tarafndan yaplmakta, geri kalan %10 Hindistan, Cezayir, Brezilya gibi nc lkelerde gereklemektedir. Gne pillerinin dnyada kurulu gc 1990-1995 yllar arasnda her yl yaklak %25 artmtr. Bugn iin dnyadaki kurulu gcn 800 MWn zerinde olduu bilinmektedir. Bu kapasite ile ylda 500 GWh elektrik enerjisi retilmektedir [13].

36

4.2.2. Trkiyedeki gne pili uygulamalar lkemizde; - Orman Bakanl orman gzetleme kuleleri, (175kW) - Trk Telekom aktarma istasyonu,(135kW) - Karayollar imdat telefonlar - EE demontrasyon uygulamalar ve eitli aratrma kurumlarnda olmak zere 350 kW civarnda gne pili kurulu gc olduu bilinmektedir. 4.2.3 Gne enerjisi sistemlerinin ekonomik analizi ve konvansiyonel enerji kaynaklaryla maliyetlerin karlatrlmas Ekonomik adan gne pillerinin ilk yatrm maliyeti yksek kabul edilmektedir. Birim enerji maliyeti 25-40 cent/kWh civarnda deimektedir. Uygulamada fotovoltaik elektriin kullanm, elektrik datm sisteminin, yani ebekenin eriemedii yerlerde ekonomik olabilmektedir. Gelimi lkelerde elektrik ebekesine bal PV sistemlere ynelim artmtr. Henz fosil kaynakl santrallarda retilen enerjiye gre pahal enerji reten sistemler olmasna ramen temiz ve bakmsz sistemler olmalar ve ak gerektirmemeleri ynnden cazip sistemlerdir. Son yllarda ak masraflarnn yksek olmasndan ve elektrifikasyonun byk lde salanmasndan dolay ebeke balantl sistemlere ynelim artmtr. Teknolojiyi izlemek asndan, 2 Haziran 1998' de lkemizde ilk kez EE daresi Genel Mdrl Didim Gne ve Rzgar Enerjisi Aratrma Merkezinde 4.8 kW'lk, Ankarada da 1.2 kWlk ebeke balantl gne pili sistemleri kurulmutur. Gnlk retilen ortalama enerji; bir kWlk sistem iin 5 kWh civarndadr. Aada EE Didimde kurulan ebekeye bal gne pili sistemi ekil 4.2de ve bu sistemin zelliklerini gsteren Tablo 4.3te yer almaktadr.

37

ekil 4.2. EE Didim ebekeye bal gne pili sistemi Tablo 4.3. EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri

Toplam G Ortalama Yllk retim Gnlk retim nvertr Nominal ac g Nominal dc Gerilim Balama Eik deeri Giri gerilim Aral k Gerilimi k Frekans Maksimum Verim

4,8 kWp (90 adet ) 5600 kWh 15-18 kWh ASP Top Class Grid III/4000 3500 W 96 V 25 W 72-145 V dc 195-256 V ac 50 Hz % 94

Gne pili retiminde, gelien teknoloji ile maliyetlerde gemie gre ok hzl bir azalma grlmektedir. Bu alanda yaplacak Ar-Ge yatrmlar, devletlerin bu almalar desteklemeleri ile gelitirilecek teknikler sonucu, fiyatlarn daha da decei ngrlmektedir. Bugn gne pillerinin fiyatlar 5-6 $/Wdr. Yllk gne pili piyasasnn 500 milyon ABD dolar ve gne pili retim kapasitesinin yllk 50

38

MW olduu tahmin edilmektedir. Bu rakamlar, dnyadaki enerji kullanm gz nne alndnda kk grnse de, gerek bu alandaki teknolojik gelimeler, gerekse kullanm alanlarnn giderek eitlenmesi ve evre dostu bir enerji retimi nitelii olmas, bu alanda hzl gelimelerin beklendiine iaretler olarak ortaya kmaktadr [13].

4.2.4. Gne pili uygulama rnekleri

ekil 4.3. Solar I Merkezi Alc Gne Isl Elektrik Santral (spanya) [14]

39

ekil 4.4. ebekeye Elektrik Veren Gne Pili (PV) Sistemi [15]

ekil 4.5. Parabolik anak Gne Isl Elektrik Santral (spanya) [14]

40

ekil 4.6. ats Gne Pili Kapl Ev [15]

ekil 4.7. Gne Pilleri ile Sokak Aydnlatmas [15]

41

ekil 4.8. Gne Pillerinin Karayollarnda Kullanm [15]

4.2.5. Gne pillerinin teknik ve ekonomik deerleri

Tablo 4.4. Tek kristal silisyum gne pili

Kullanlan Malzemeler Dnya yllk retim kapasitesi Endstri byme hz Kurulu g Tipik sistem boyutu Sistem verimi Sistem mr lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

Metal, cam 15 MW %20 100 MW 5 MW % 12 20 yl 5000 6000 $/ kW 10 $/kW 0.29 $/kWh

Tablo 4.5. Tek kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler

Sistem verimi lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

% 15 1400-1600 $/ kW 5 $/kW 0.07-0.14 $/kWh

42

Tablo 4.6. ok kristal silisyum gne pili

Kullanlan Malzemeler Dnya yllk retim kapasitesi Endstri byme hz Kurulu g Tipik sistem boyutu Sistem verimi Sistem mr lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

Metal, cam, eitli pil malzemeleri 20 MW % 30 50 MW 5 MW % 10 20 yl 5000 6000 $/ kW 10 $/kW 0.29 $/kW

Tablo 4.7. ok kristal silisyum gne pillerinde hedeflenen deerler

Sistem verimi lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

% 13 1300-1500 $/ kW 5 $/kW 0.06-0.12 $/kWh

Tablo 4.8. Tek ince film gne pili

Dnya yllk retim kapasitesi Endstri byme hz Kurulu g Tipik sistem boyutu Sistem verimi Sistem mr lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

25 MW %10 30 MW 5 MW %4 20 yl 5000 $/ kW 30 $/kW 0.25 $/kWh

Tablo 4.9. Tek ince film gne pillerinde hedeflenen deerler

Sistem verimi lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

%8 1150-1400 $/ kW 15 $/kW 0.05-0.10 $/kWh

43

Tablo 4.10. oklu ince film gne pilleri

Kullanlan Malzemeler Dnya yllk retim kapasitesi Endstri byme hz Kurulu g Sistem verimi Sistem mr lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

Metal, cam 5 MW %30 1 MW %7 20 yl 5000 $/ kW 15 $/kW 0.24 $/kW

Tablo 4.11. oklu ince film gne pillerinde hedeflenen deerler

Sistem verimi lk yatrm maliyeti Yllk bakm ve iletme maliyeti Enerji maliyeti

% 10 1150-1400 $/ kW 10 $/kW 0.05-0.10 $/kWh

BLM 5. GNE PLNN ALIMASINI ETKLEYEN DI FAKTRLER

5.1. Scakln Etkisi Gne pillerinin almasnda scakln nemli bir etkisi vardr. Gne pillerinin ksa devre akm scakln dzgn bir ekilde artmasyla ykselme eilimi gsterir. Yariletken enerji bant aralklar genellikle scaklkla azaldndan ak devre voltaj ve dolum faktr azalr. Enerji bant aral oda scaklnda lineer olarak deime gsterirken dk scaklklarda ise dorusal olmayan bir deime gsterir.
Tablo 5.1. Baz yariletken enerji bant aralnn scaklkla deiimi

Malzeme Si Ge PbS PbTe InSb GaSb

T=300K 1.12 eV 0.67 eV 0.37 eV 0.29 eV 0.16 eV 0.69 eV

T=0K 1.17 eV 0.75 eV 0.29 eV 0.19 eV 0.23 eV 0.79 eV

45

Tablo 5.2. GaAs gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi

T ( K) 273 300 323 353 373

eV 1.4345 1.4245 1.4120 1.3981 1.3887

V 1.047 0.989 0.940 0.875 0.830

% 29.51 27.73 26.19 25.14 22.75

Tablo 5.3. Silisyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi

T ( K) 273 300 323 353 373

eV 1.1312 1.1245 1.1185 1.1104 1.1048

V 0.750 0.699 0.654 0.595 0.555

% 26.83 24.67 22.80 20.33 18.67

Tablo 5.4. Germenyum gne pilinin scakla bal parametrelerinin deiimi

T ( K) 273 300 323 353 373

eV 0.67366 0.66339 0.65444 0.64253 0.63446

V 0.302 0.248 0.201 0.139 0.099

% 13.88 10.60 7.89 4.62 2.79

46

5.2. Yzey Parametresinin Etkisi In yansmasn azaltmada kullanlan yaklamlardan biri de zel yapl yzeylerdir. zel yapl yzeyler ve silisyum ince tabakalarn kullanm artmaktadr. Silisyum tabakalarn yzeylerinde kk piramitler seici dalama yntemi kullanlarak elde edilirler.bu piramitlerin yzeylerinden yansyan k, dier piramitlerden de yansyarak pilin iine girer. Gne pillerinde anti yanstc kaplama kullanlmasyla yansma kayplar azaltlm olur. In yzeye dt her noktadaki toplam yansma, silisyuma dik gelen kta olduu gibidir.Yzeydeki toplam yansma %0.33 ile %11 seviyeleri arasndadr.Yzeyleri piramitletirme teknii kullanlarak yansmay nleyici kaplama olmakszn yksek performanslar elde edilebilir.

5.3. Spektral Etki Monokromatik k, yariletken iinde elektron-oyuk iftinin olumasna neden olur. Elektron oyuk oluumunun uzaysal dalm; G=(1-R)-x ile ifade edilir.

Burada ; gelen n foton asn, R; yansma katsaysn, ise sourma katsaysn gsterir.Ksa dalga boylar iin byk bir deerdedir ve k yariletken malzeme iinde abucak sourulur.Hcrelerde fotonlarn btn enerjileri kullanlmaz.Grnr dalga boylarnda verim en yksektir, kzltesi blgelerde ise en dktr. (Bkz Tablo 5.5)

47

Tablo 5.5. Gne piline n spektral etkisi

RENK MOR MAV YEL SARI TURUNCU KIRMIZI

DALGABOYU(nm) 410 470 520 590 650 725

VOLT 3.11 3.34 3.52 3.44 3.22 3.20

5.4. Foto Asal Etki Yariletken malzemeden yaplm olan gne piline gelen fotonlar, yzeye arpnca n bir ksm yzey tarafndan yanstlrken, geriye kalan dier ksm yariletken tarafndan sourulur. Yansma katsays; (n2 n1 ) 2 + k12 R= 2 (n2 n1 ) 2 + k 2 ile hesaplanr.

Fotonlarn yariletken gne pili tarafndan yutulmas ve yanstlmasndan sonra n iddeti zayflayarak geer ve geen bu ksm ise; (1 R) 2 .e x (1 R) 2 .e 2x

T=

eklinde verilir [16].

48

5.4.1. Foto asal etkinin deneysel yolla incelenmesi Gne pillerinin almasn etkileyen d faktrlerden biriside foto-asal etkidir. Bu almada karanlk bir ortamda gne pili sabit tutularak k kayna 0-180 arasnda hareket ettirilerek eitli alardaki akm ve gerilim deerleri llmtr. Deney nce tek bir gne pili ile gerekletirilmitir.Daha sonra iki adet gne pili ile seri ve paralel olarak balanarak lmler gerekletirilmitir. 5.4.1.1. Tek gne pili ile yaplan deney Deneyde kullanlan gne pili monokristal yapldr.Maksimum k voltaj 3.6V, maksimum ekilebilecek akm ise 60 mA dir.Deneyde150Wlk (yaklak 2025Lmen) lamba kullanlmtr.Deney 21C scaklkta yaplmtr (T=21C). Deney dzenei ekil 5.1de grlmektedir.

ekil 5.1. In geli asna bal olarak gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney dzenei

Tek gne pili ile yaplan deneyde k asnn 0 ile 180 arasnda deitirilerek gne pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiimler llmtr.Bu lmler Tablo 5.6da grlmektedir.

49

Tablo 5.6. ekil 5.1deki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri

AI 0 30 45 60 90 120 135 150 180

AKIM(mA) 2,7 9,5 18,7 35,2 42,8 35,2 18,7 9,5 2,7

GERLM(V) 1,95 2,28 2,84 3,01 3,25 3,01 2,84 2,28 1,95

Tablo 5.6daki lm deerlerine bal olarak; gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii, gne pili akmnn aya bal deiim grafii ile gne pilinin akm-gerilim deiim grafii izilebilir.

3,5

2,5

Gerilim (V)

1,5

0,5

0 0 30 45 60 90 A () 120 135 150 180

ekil 5.2. Gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii

50

45 40 35 30 Ak m (mA) 25 20 15 10 5 0 0 30 45 60 90 A () 120 135 150 180

ekil 5.3. Gne pili akmnn aya bal deiim grafii

3,5

2,5

Gerilim (V)

1,5

0,5

0 2,7mA

9,5mA

18,7mA

35,2mA

42,8mA Akm (mA)

35,2mA

18,7mA

9,5mA

2,7mA

ekil 5.4. Gne pilinin akm-gerilim deiim grafii

51

5.4.1.2. Seri balanm iki tane gne piliyle yaplan deney Deneyde monokristal yapl, maksimum k voltaj 3.6V, maksimum ekilebilecek akm ise 60 mA olan iki adet gne pili seri balanarak kullanlmtr. Deneyde150Wlk (yaklak 2025 Lmen) lamba kullanlmtr.Deney 21C scaklkta yaplmtr (T=21C).Deney dzenei ekil 5.5te grlmektedir.

ekil 5.5. ki adet seri balanm gne pilinin k asnn deiimiyle gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney dzenei

ki adet gne pili seri balanarak yaplan deneyde k asnn deiimiyle gne pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiimler llmtr.llen deerler Tablo 5.7de grlmektedir.
Tablo 5.7 ekil 5.5teki seri balanm iki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri

AI 0 30 45 60 90 120 135 150 180

AKIM(mA) 2,1 8,3 17,6 23,5 41,9 23,5 17,6 8,3 2,1

GERLM(V) 4,05 4,75 5,95 6,12 6,35 6,12 5,95 4,75 4,05

Tablo 5.7deki lm deerlerine bal olarak; gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii, gne pili akmnn aya bal deiim grafii ile gne pilinin akm-gerilim deiim grafii izilebilir.

52

Gerilim (V)

0 0 30 45 60 90 A () 120 135 150 180

ekil 5.6. Seri balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii

45 40 35 30 Ak m (mA) 25 20 15 10 5 0 0 30 45 60 90 A () 120 135 150 180

ekil 5.7. Seri balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim grafii

53

Gerilim (V)

0 2,1mA

8,3mA

17,6mA

23,5mA

41,9mA Akm (mA)

23,5mA

17,6mA

8,3mA

2,1mA

ekil 5.8. Seri balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii

5.4.1.3. Paralel balanm iki tane gne piliyle yaplan deney Deneyde monokristal yapl, maksimum k voltaj 3.6V, maksimum ekilebilecek akm ise 60 mA olan iki adet gne pili paralel balanarak kullanlmtr. Deneyde150Wlk (yaklak 2025Lmen) lamba kullanlmtr.Deney 21C scaklkta yaplmtr (T=21C).Deney dzenei ekil 5.9da grlmektedir. ki adet gne pili paralel balanarak yaplan deneyde k asnn deiimiyle gne pilinin akm ve gerilim deerlerindeki deiimler llmtr.llen deerler Tablo 5.8de grlmektedir.

54

ekil 5.9. ki adet paralel balanm gne pilinin k asnn deiimiyle gne pilinin verimliliinin llmesinde kullanlan deney dzenei

Tablo 5.8. ekil 5.9daki paralel balanm iki gne piline ait k asnn deiimine bal olarak akm ve gerilim deiim deerleri

AI 0 30 45 60 90 120 135 150 180

AKIM(mA) 5,3 17,6 35,4 53,2 81,7 53,2 35,4 17,6 5,3

GERLM(V) 1,84 2,23 2,79 2,94 3,18 2,94 2,79 2,23 1,84

Tablo 5.8deki lm deerlerine bal olarak; gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii, gne pili akmnn aya bal deiim grafii ile gne pilinin akm-gerilim deiim grafii izilebilir.

55

3,5

2,5

Gerilim (V)

1,5

0,5

0 0 30 45 60 90 A () 120 135 150 180

ekil 5.10. Paralel balanm iki gne pilinin ak devre voltajnn aya bal deiim grafii

90 80 70 60 Ak m (mA) 50 40 30 20 10 0 0 30 45 60 90 A () 120 135 150 180

ekil 5.11. Paralel balanm iki gne pilinin akmnn aya bal deiim grafii

56

3,5

2,5

Gerilim (V)

1,5

0,5

0 5,3mA

17,6mA

35,4mA

53,2mA

81,7mA Akm (mA)

53,2mA

35,4mA

17,6mA

5,3mA

ekil 5.12. Paralel balanm iki gne pilinin akm-gerilim deiim grafii

5.4.1.4 Sonu Yaplan deneyde gne pillerinin almasn etkileyen d faktrlerden birisi olan foto-asal ettirilerek, etki gne incelenmitir. pilinin Sabit akm k ve kayna gerilim altnda (150W,yaklak deiim 2025Lmen),sabit scaklkta(T=21C), k kayna 0-180 arasnda hareket deerlerindeki llmtr.llen deerlere bal olarak gne pilinin akm ve gerilimindeki deiim grafikleri izilmitir.Ayrca bu deney; gne pillerini seri ve paralel olarak balayarak tekrarlanmtr.Yaplan lm ve izilen grafiklere gre, gne pilinden en iyi verimi alabilmek iin k kaynann asnn 90 olmas gerektii grlmektedir.Ik as 0 ve 180 olduunda gne pilinin verimi minimum dzeydedir.Gne pilleri seri balandnda , akmda bir deiim gzlenmezken, gerilim deeri yaklak iki katna kt gzlenmitir.Gne pilleri paralel balandnda ise gerilimde bir deiim gzlenmezken, akm deeri yaklak iki katna kmtr.

BLM 6. GNE PLLER LE LGL STATSTKSEL BLGLER

6.1. 1971-2001 Yllar Arasnda Gne Enerjisinden Faydalanarak Elektrik Enerjisi retmek Amacyla Kurulan Tesislerin Toplam Kurulu G Deerleri
Tablo 6.1. 1971-2001 yllar arasnda dnyadaki fotovoltaik geliim

Yllar 1971 1975 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1985 1986 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001

Yllk retim(MW) 0.1 1.8 2 2.2 2.5 4 7 8 9 17 22 23 26 29 34 40 46 55 58 60 69 79 89 126 153 201 288 395

Kmlatif retim(MW) 0.1 1.9 3.9 6.1 8.6 12.6 19.6 27.6 36.6 53.6 75.6 98.6 124.6 153.6 187.6 227.6 273.6 328.6 386.6 446.6 515.6 594.6 683.6 809.6 962.6 1163.6 1451.6 1846.6

58

ekil 6.1. 1971-2001 yllar arasndaki dnyadaki fotovoltaik geliim grafii [18]

6.2. 1992-2003 Yllar Aras Toplam Fotovoltaik G retimindeki Deiim (MW)

ekil 6.2. 1992-2003 yllar aras toplam fotovoltaik g retimindeki deiim(MW) [19]

59

6.3. 2003 Ylnda Dnya Genelinde PV retim Miktar (MW)

ekil 6.3. 2003 ylnda dnya genelinde pv retim miktar (MW) [20]

ekil 6.4. 2003 ylnda dnya genelinde pv retiminin yzdelik dalm[21]

60

6.4. 1998-2003 Yllar Aras Dnya PV retimi (MW)

Tablo 6.2 1998-2003 yllar aras dnya PV retimi (MW) [22]

BLGE JAPONYA AVRUPA USA DER Toplam

1998 49.00 33.50 53.70 18.70 154.90

1999 80.00 40.00 60.80 20.50 201.30

2000 128.60 60.66 74.97 23.42 287.65

2001 171.22 86.38 100.32 32.62 390.54

2002 251.07 135.05 120.60 55.05 561.77

2003 363.91 193.35 103.02 83.80 744.08

6.5. Dnya Genelinde 1996-2005 Yllar Arasnda Gne Pili eitlerinin Pazar Paylarndaki Deiim

ekil 6.5. 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde silikon kristal gne pillerindeki deiim [23]

61

ekil 6.6 1996-2005 yllar arasndaki dnya genelinde ince film gne pillerindeki deiim [23]

6.6. Trkiyede Yaplan Gne Pili Uygulamalar Teknolojiyi izlemek asndan, 2 Haziran 1998' de lkemizde ilk kez EE daresi Genel Mdrl Didim Gne ve Rzgar Enerjisi Aratrma Merkezinde 4.8 kW'lk, Ankarada da 1.2 kWlk ebeke balantl gne pili sistemleri kurulmutur. Gnlk retilen ortalama enerji; bir kWlk sistem iin 5 kWh civarndadr. Aada EE Didimde kurulan ebekeye bal gne pili sisteminin zelliklerini gsteren Tablo 6.3te yer almaktadr.
Tablo 6.3 EE Didim ebekeye bal gne pili sisteminin zellikleri

Toplam G Ortalama Yllk retim Gnlk retim nvertr Nominal ac g Nominal dc Gerilim Balama Eik deeri Giri gerilim Aral k Gerilimi k Frekans Maksimum Verim

4,8 kWp (90 adet ) 5600 kWh 15-18 kWh ASP Top Class Grid III/4000 3500 W 96 V 25 W 72-145 V dc 195-256 V ac 50 Hz % 94

62

Ayrca lkemizde birok kurum ve kuruluta gne pili uygulamalarndan faydalanlmaktadr (Bkz. Tablo 6.4).
Tablo 6.4 Trkiyedeki gne pili uygulamalarndan faydalanan kurumlar

Kurum Orman Bakanl (Gzetleme istasyonlar) Trk Telekom (Aktarma istasyonlar) Karayollar imdat telefonlar EE demontrasyon uygulamalar eitli aratrma kurumlarnda

retilen g 175 kW 135 kW 150 kW ve 350 kW

6.7. Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Tevik Edilmesi Avrupa Birlii, yenilenebilir enerji kaynaklarndan elektrik enerjisi retimine arz gvenlii ve eitlilii, evrenin korunmas ve sosyal ve ekonomik btnlemenin salanmas nedenleriyle byk nem vermektedir. Mevcut durumda AB toplam enerji tketiminin ortalama olarak %6sn yenilenebilir kaynaklardan salamaktadr. Bu oran ngilterede 1.4, svete %28 dir.
Tablo 6.5. AB toplam yenilenebilir enerji tketimi iindeki kaynak trlerine gre dalm

Kaynak Hidrolik Rzgar Gne Jeotermal Bioktle Dierleri

Oran 30.8 1.2 0.4 3.5 63.6 0.4

63

Tablo 6.6. AB toplam elektrik retimi iindeki yenilenebilir enerjilerin kaynak trlerine gre dalm

Kaynak Hidrolik Rzgar Jeotermal Bioktle

Oran 86.6 3.2 1.2 9.0

AB genel enerji tketimi iindeki ortalama yenilenebilir enerji orann 2010 ylnda %12 deerine karmay hedeflemektedir. Yenilenebilir enerjilerden elektrik retiminin pay % 14 olup bu orann %22ye ykseltilmesi AB ncelikleri arasndadr. Bu konuda en dk orana sahip lke Belika (%1.1) en yksek orana sahip lke ise %22 ile Avusturyadr. Yenilenebilir elektrik retiminde nemli art salayacak atnn oluturulmas amalanmakta ve bunu salamak iin Avrupa Parlamentosu ve Konseyinin i elektrik piyasasnn yenilenebilir kaynaklardan elektrik retimini tevik eden 27.09.2001 tarih 2001\77\EC sayl Direktifi L 283 say ve 27.10.2001 tarihinde Resmi Gazetede yaynlanmtr. Direktif rzgar, hidrolik gne, jeotermal, dalga, bioktle ve biogaz enerjileri gibi fosil olamayan yenilenebilir enerji trlerini gz nne almaktadr. Orta dnemde yenilenebilir enerjilerden retilen elektriin pazar paynn artrlmas iin tm ye lkelerden yenilenebilir kaynaklardan retilen elektrie ilikin ulusal hedeflerin saptanmas istenmektedir. Hedeflere ulalmasnda gerekli olursa, Komisyon Avrupa Parlamentosu ve Konseyine zorunlu hedefler de dahil olmak zere teklifler gtrecektir. ye lkeler yenilenebilir kaynaklardan elektrik retimini ulusal hedeflere uygun ekilde artrlmasna ilikin destek sistemleri gelitireceklerdir. Gerektiinde destek dzenlemeleri konusunda ereve oluturulacaktr.

64

ekil 6.7. Baz enerji trlerinin toplumsal maliyetleri [24]

Yenilenebilir enerji kaynaklarna ilikin yasal bir ereve oluturulacaktr. ye lkeler yenilenebilirlerin desteklenmesi iin yeil sertifika, yatrm yardm, vergi muafiyeti veya indirimi, vergi iadesi ve dorudan fiyat desteklemesi gibi ulusal dzeydeki eitli dzenlemeler yapacaklardr. Bu dzenlemeler AB erevesinin iler duruma gemesine kadar, direktifin amacna ulamasnda nemli role sahiptirler. Destek dzenlemelerinin yeterli bir gei dnemi sonrasnda gelimekte olan i elektrik piyasasna uyarlanmas gerekmektedir.

65

6.8. Dnyadaki Gne Pili reticileri Ve retim Teknolojileri

Tablo 6.7 Dnyadaki gne pili reticileri ve retim teknolojileri [25]

RETC FRMA ADI Al-Afandi Solar Wafers and Cells Factory Bharat Electronics Limited Bharat Heavy Electricals Limited (BHEL) Big Sun Energy Technology Boading Yingli BP Solar Canon Inc E Business Division Canrom Photovoltaics Inc Central Electronics Limited (CEL) Energy Conversion Devices Inc (ECD Ovonics) Energy Photovoltaics Inc (EPV) EniTecnologie Ersol E-Ton Solar Technology Evergreen Solar Inc First Solar LLC Free Energy Europe Fuji Electric Co Ltd GE Energy (Solar Division) Gintech Energy Heliodomi S.A. Heliodinmica Helios Technology srl Huamei PV Company ICP Solar Technologies Inc Iowa Thin Film Technologies Isofotn SA Kaifeng Solar Cell Factory Kaneka Corporation Kvazar JSC Kyocera Corporation (Solar Energy Division) Kyocera Solar Inc., (US Division) Maharishi Solar Technology Pvt. Ltd

RETC LKE Suudi Arabistan Hindistan Hindistan Tayvan in USA Japonya Kanada Hindistan USA USA talya Almanya Tayvan USA USA Fransa Japonya USA Tayvan Yunanistan Brezilya talya in Kanada USA spanya in Japonya Ukrayna Japonya USA Hindistan

RETM TEKNOLOJS ok kristalli silikon Tek kristalli silikon Tek kristalli silikon Kristalize silikon Kristalize silikon Kristalize silikon Tek kristalli ve ok kristalli silikon Amorf silikon ince film ok kristalli silikon ok kristalli silikon Amorf silikon ince film Amorf silikon ve indium diselenoid ince film Tek kristalli ve ok kristalli silikon ok kristalli silikon Tek kristalli ve ok kristalli silikon Ribbon kristal silikon Kadmiyum tellrid Amorf silikon ince film Amorf silikon ok kristalli silikon Kristal silikon Amorf silikon ince film Kristal silikon Tek kristalli silikon Tek kristalli silikon Amorf silikon ince film Amorf silikon ince film plastik yzey zerine Tek kristalli silikon Tek kristalli silikon Amorf silikon ince film Tek kristalli ve ok kristalli silikon oklu kristalize silikon oklu kristalize silikon oklu kristalize silikon

66

Matsushita Battery Industrial Company (MBI) Matsushita Seiko Co Ltd Microsolpower India P Ltd Mitsubishi Electric Corporation Mitsubishi Heavy Industries (Power Systems Division) Moser Baer Photovoltaic Motech Industries Inc Neo Solar Power Corp. Ningbo Solar Energy Power Co Pentafour Solec Technology Limited (licensee of Solec International) Photon Semiconductor & Energy Co., Ltd. Photovoltech NV SA Photowatt International SA (part of ATS Automation) Q-Cells AG RWE Schott Solar Sanyo Electric Co Ltd Soft Energy Co., Business HQ Sharp Corporation (Photovoltaics Division) Sharp Solar Systems Division, USA Shell Solar Shenzhen Topray Solar Co Ltd Sinonar Corporation Solar Power Industries SolarWorld AG Solar Cells (formerly Koncar Solar Cells) Solartec s.r.o. Solar Wind Europe S.L. Solec International Inc (part of Sanyo) Solems SA Solmecs (Israel) Ltd Solterra Fotovoltaico SA SunPower Corporation Suntech Power Co., Ltd Sunways AG TATA/BP Solar (JV between BP Solar/TATA)

Japonya Japonya Hindistan Japonya Japonya Hindistan Hindistan Hindistan in Hindistan Kore Belika Fransa Almanya Almanya Japonya Japonya USA USA in Tayvan USA Almanya Hrvatistan ek Cumhuriyeti spanya USA Fransa srail svire USA in Almanya Hindistan

Kristalize silikon, kadmiyum tellrid ince film Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon oklu kristalize silikon Amorf silikon ince film Kristalize silikon oklu kristalize silikon Kristalize silikon Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon Kristalize silikon oklu kristalize silikon oklu kristalize silikon oklu kristalize silikon Tek kristalize silikon , oklu kristalize silikon ve Amorf silikon ince film Amorf silikon /tek kristalize hibrid silikon Tek kristalli ve ok kristalli silikon Tek kristalli ve ok kristalli silikon Tek kristalli ve ok kristalli silikon ve bakr indiyum diselenoid ince film Amorf silikon ince film Amorf silikon ince film oklu kristalize silikon Kristalize silikon Amorf silikon ince film Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon Amorf silikon ince film Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon oklu kristalize silikon oklu kristalize silikon Tek kristalize silikon

67

TerraSolar Inc Tianjin Jinneng Solar Cell Co.,Ltd Udhaya Semiconductors Ltd United Solar Ovonic Usha India Ltd VHF-Technologies SA Viva Solar Inc West Bengal Electronics Industry Development Corporation Limited (Webel SL Solar) Wrth Solar Yunnan Semiconductor

USA in Hindistan USA Hindistan svire Kanada Hindistan

Amorf silikon ince film Amorf silikon ince film, tek kristalli ve ok kristalli silikon Kristalize silikon Amorf silikon ince film Kristalize silikon Amorf silikon ince film Tek kristalize silikon Tek kristalize silikon

Almanya in

Bakr indiyum diselenoid ince film Tek kristalize silikon

BLM 7. SONULAR VE NERLER

Dnyada retilen toplam elektrik enerjisinin, eitli lkelerde kii bana tketimini ortaya koyan sralamada, kii bana 18.117 kWh enerji tketen Kanada ilk srada gelmektedir. Sonuncu srada, kii bana 24 kWh enerji tketimi ile Etiyopya bulunmaktadr. Bu sralamada, Trkiyede kii bana tketilen elektrik enerjisinin, dnya ortalamasnn yarsna, komumuz Yunanistann tketiminin ise te birine eit olduu grlmektedir. Elektrik enerjisi talebiyle ilgili yaplan almalarda, 2010 ylnda, Trkiyenin talebinin karlanabilmesi iin 60 GW kurulu g kapasitesine gerek olaca, TMMOB Fizik Mhendisleri Odas tarafndan 1996 ylnda yaynlanan Nkleer Enerji Raporunda belirtilmektedir. lkenin enerji gereksiniminin karlanmasyla ilgili politikalar belirlenirken; da en az baml, temiz ve yenilenebilir kaynaklardan yararlanlmasna ncelik verilmesi, kurulacak tesislerin evre etkilerinin mutlaka dikkate alnmas, bunlarn insan salna ve evreye verecekleri zararlar ve bu zararlarn giderilmesi maliyetlerinin deerlendirilmesi gerekir. Avrupa Parlamentosunun Trkiyenin aday yelii ile ilgili karara onay verdii oturumda, ok yank getirmeyen bir rapor daha yaynlanmtr. Sz konusu raporda, Trkiyenin, 1. derecede deprem kua zerinde bulunduuna dikkat ekilerek, elektrik darboaz iin dnlen nkleer santrallarn devreye sokulmamas uyarsnda bulunulmutur. AB, ernobil faciasndan hemen sonra, nkleer enerjiye kar olduunu belirterek, geri teknoloji ile yaplan ve deprem kuanda bulunan santrallarn hemen kapatlmas zerine gr birliine varmtr. Elektrik enerjisi, pek ok Avrupa lkesinde nkleer enerjiyle karlanmakta olduundan (Fransada %70ten; Belika, spanya, Finlandiya ve svete %30dan; ngiltere ve Almanyada ise %17den fazlas bu yolla retilmektedir) bu enerjiden kademeli olarak vazgeilmesi planlanmaktadr. Aday veya aday adaylklar kabul edilen, birok eski dou blou lkesindeki santrallarn geri Sovyet teknolojisi ile yaplm olmasna

69

dikkat ekilerek, ncelikle bu santrallarn kapatlmas istenmektedir. rnein, Bulgaristandan, tam yelik grmelerinden nce Trkiye snrndan 150 km uzaktaki, Kozloduy Santralnn kesin kapatlma tarihini vermesi istenmitir. AB lkelerinde, nkleer enerji konusunda yeni yatrm yaplmas istenmedii gibi, gvenlik nlemlerinin en st dzeyde olmas ve deprem blgesinde santral yaplmamas iin bask uygulanmaktadr. Belika, ard kesilmeyen bu uyarlara dayanamayarak, 4. derece deprem blgesinde olmasna karlk, santrallarndan birini kapatacan aklamtr. Deprem blgesi olmamasna karlk, sve, 12 santralndan birini kapatmtr. AB, zellikle gelimi teknolojiye sahip olmayan yeni yelerine veya ye adaylarna, bu konuda esneklik gstermemektedir. Bulgaristann sz edilen santral iin kapatma tarihi olarak 2002 yln vermesinin ardndan, Slovakya ve Ukrayna ile yaplan grmelerde, Sovyet teknolojisi ile yaplan santrallarn kapatmalar istenmitir. Slovakya 2008, Ukrayna ise 2010 ylnda santrallar kapatacaklarn bildirmilerdir. AB, bu lkelere kapatlma srasnda kullanlmak amacyla maddi yardm sz vermitir. 1-11 Aralk 1997 tarihlerinde, Japonya/Kyotoda yaplan ve 150 lkeden gelen delegelerin katld Kresel Isnma balkl toplantda, imzalanan ortak bildirgeye gre, gelimi lkeler, 2008-2012 yllar arasnda, atmosfere salacaklar sera gaz dzeylerini, 1990 yl deerlerinin %5 altna indirmi olacaklardr. Trkiye, sz konusu toplantya bakan dzeyinde katlan lkelerden olup, gelimi lkeler snfna sokulduundan, belirtilen tarihlere kadar, sera gaz atmn azaltm olmas gerekmektedir. evre bilincinin, ortak bir dnya bilincine dnmekte olduu gnmzde, bu kararlara uymamanz ambargo, d lkelere yaplan ihracatlara kota getirilmesi gibi ekonomik yaptrmlara neden olabilecektir. Gerek enerji sknts, gerekse evre kaygsyla yenilenebilir enerji kaynaklarna bir an nce gereken nem verilerek ge kalnmadan, devlet ve zel sektr baznda yatrmlara girilmesi gerekmektedir. Alternatif enerji kaynaklarnn caydrc olabilecek zellikleri, ilk yatrm maliyetlerinin yksek oluudur; ancak, karlatrma yaplrken dikkat edilecek deerler, evre ve uzun vadede zlen enerji sknts olmaldr.

70

lkemizde, yenilenebilir kaynaklar asndan iyi bir potansiyel bulunmaktadr. Son birka yla kadar, bu konu, daha ok niversitelerin aratrma konusu olarak kalmken, gnmzde, giderek yaygnlk kazanmaktadr. Tm dnyada olduu gibi, lkemizde de evre bilincinin kazanlmaya balanmas ve yaanmakta olan enerji darboaz nedeniyle, alternatif enerji kaynaklar daha bilinli kullanlmaya balanmtr; ancak, pek ok konuda olduu gibi, alternatif enerji kaynaklar konusunda da, gerekli dzenlemelerin yaplmasnda gecikilmitir.

71

EKLER

EkA: Gne Enerjisi le alan Robot Bcek Devresi

ekil A.1 ki motorlu ,srekli hareketli ,engel alglamal, almad zaman pillerini gne pili ile arj eden robot bcek devresi

72

Ek-B:Gne Enerjisi le alan Robot Bcek Bask Devresi Ve almas

ekil B.1 Gne enerjisi ile alan robot bcek bask devresi

Bu devrede gne pili ile birlikte 2 adet arjl pil kullanlmtr.Devre almad zaman gne pili, arjl pilleri arj etmektedir.Devrede kullanlan duyargalar sayesinde herhangi bir engele arpldnda engel alglanarak hareket ynnn deimesi salanmaktadr.Duyargalar transistrlerin kesim veya iletim durumlarn deitirir.Transistrlerin dnmesini salamaktadr. kesim-iletim durumlar motorlarn ileri-geri ynde

KAYNAKLAR

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

http://www.youthforhab.org.tr/tr/yayinlar/enerji/gunespilleri/giris.html http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/veri.html http://www.sunpowerltd.com/pages/tr/activities/solar.asp http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/pvilke.html http://myo.mersin.edu.tr/UZAK/TP/Bilgisayar/bp-109(temel-elk)/te-08.pdf http://www.akmtele.com/teknik/TemelEln/TemEln02.asp YILDIRIM, Blent AKKOYUNLU Tamer SEZER Ahmet, Bir Binann Gne Pili Destekli Gne Kollektrleriyle Istlmas, S.D.., Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, Makine Mhendislii Blm, Bitirme devi, Isparta, 1995 ITIROLU, Ahmet, Gne Enerjisinden Yararlanarak Elektrik retimi, Makale, Mhendis ve Makine, Cilt: 41, Say: 485. http://www.ezincmetal.com/tr/urunler_gunes_pilleri.php

[8]

[9]

[10]

GNKAYA, Erkan, Gne Enerjisinden Yararlanarak Elektrik retimi, S.D.., Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, Makine Mhendislii Blm, Bitirme devi,ISPARTA 2001 www.youthforhab.org.trtryayinlarenerjigunespillerigunes%20pili%20veri mlilikleri.html

[11]

74

[12]

http://www.gunder.org.trdocumentsgunespilleri.pdf

[13]

http://www.eurosolar.org.trsunumlarEIE2002.pdf

[14]

http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/yogunlastiricilar.html

[15]

http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/gunespv.html

[16]

Erel . BAYRAK, M. Saltk, M. Kaymak Gne Pillerinin almasnda Foto Asal Etki ve Optimal Verimin Salanmas Elektrik Enerjisi ve Teknolojisi Sempozyumu, T,stanbul,1994 http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/guneskollektor.html

[17]

[18] [19]

http://www.earth-policy.org/Updates/Update12_data.htm http://www.epia.org03DataFiguresPPTStat_World_04_02.ppt

[20]

http://www.epia.org03DataFiguresPPT256,1,Slayt 1

[21]

http://www.epia.org03DataFiguresPPTStat_World_01_04.ppt

[22]

http://www.epia.org03DataFiguresPPTStat_World_01_01.ppt

[23] [24]

http://www.eia.doe.gov/cneaf/solar.renewables/page/solarreport/solar.html http://www.eurosolar.org.trsunumlar2sarigermedokumanlari.pdf

75

[25]

http://www.solarbuzz.com/solarindex/Materialssuppliers.htm

76

ZGEM

Mustafa KARAMANAV, 12.09.1981 tarihinde Afyonun Sandkl ilesinin Selik kynde dodu.1983 ylnda Eskiehirde yaamaya balad. lkokulu; Millizafer lkretim okulunda, ortaokulu; Melahatngr lkretim Okulunda, liseyi ise Yunus Emre E.M.Lde tamamlad.1999 ylnda Sakarya niversitesi, Teknik Eitim Fakltesi, Elektronik ve Bilgisayar Eitimi, Elektronik retmenliini kazand. 2003 ylnda Sakarya niversitesi, Fen Bilimleri Enstits Elektronik-Bilgisayar Eitimi Ana Bilim Dalnda yksek lisans eitimine balad.2004 ylnda Erzincann zml ilesinde zml ok Programl Lisesinde retmenlik grevine balad.Burada iki yl grev yapt.2006 ylnda Erzincan Fatih Teknik ve E.M.Lne tayin oldu.Halen bu okulda grev yapmaktadr.