Projeto de Fontes Chaveadas

Universidade Federal de Santa Catarina
Departamento de Engenharia Elétrica

Instituto de Eletrônica de Potência
Projeto de Fontes Chaveadas
Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.

Programa
1a Semana:
• Introdução
• Capítulo I – Retificador e Filtro de Entrada
• Capítulo II – Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
• Capítulo III – Fontes Chaveadas do Tipo Forward
• Capítulo IV – Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e
Push-Pull
• Capítulo V – Transistores de Potência
Programa
2a Semana:
• Capítulo VI – Circuitos de Comando para Transistores de Potência

• Capítulo VII – Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas
• Capítulo VIII – Resposta Transitória e Estabilidade
• Capítulo IX – Interferência Eletromagnética em Fontes Chaveadas
• Capítulo X – Considerações de Projeto
Introdução a Fontes Chaveadas
- Computadores e microcomputadores;
- Periféricos (impressoras, terminais, ...);
- Telecomunicações;
Rede CA Fonte de CC
- Equipamentos médicos e militares;
Alimentação
- Aviões e satélites;
- Fontes de alimentação para circuitos de

comando de conversores.
Fonte de Alimentação: - Linear

- Chaveada
Fonte Linear: Transformador de baixa freqüência, ponte retificadora,

filtro capacitivo e regulador linear série.
• Elevada robustez e confiabilidade.
• Baixo custo.
• Simplicidade de projeto e operação.
• Elevado peso e volume.
• Baixo rendimento (reguladores lineares).
• Limitação na regulação.
• Geração de componentes harmônicas na corrente de entrada,
resultando um baixo fator de potência.
• Atualmente limitam-se à aplicações de baixa potência (simplicidade
e baixo custo).
Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potência na região de saturação
(chave com estados aberto e fechado).
• Início do desenvolvimento: década de 60 em programas

espaciais.
• Avanço da microeletrônica e a necessidade de compactação dos
equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes
chaveadas.
• Substituiu as Fontes Lineares.
• Características das Fontes Chaveadas:
- Maior rendimento; !
- Elevada densidade de potência: menor volume e peso; !
- Grande capacidade de regulação; !
- Possibilidade de operar com fator de potência unitário; !
- Menos robusta e resposta transitória lenta; "
- Ondulação na tensão de saída; "
- Interferência radioelétrica e eletromagnética; "
- Maior número de componentes; "
- Componentes mais sofisticados. "
• Esforços dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:

- Nível teórico (topologias, comutação, controle, modulação, ...);
- Otimização dos projetos;
- Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).
• Avanço dos semicondutores:
- Década de 70: Transistor Bipolar com freqüências de até 20kHz;

- Década de 80: MOSFET (baixa potência) e diodo ultra-rápido com freqüências de até
100kHz;
- Recentemente: Fontes com comutação suave podendo operar na faixa dos MHz,
rendimento próximo a 90%, e pouco ruído radioelétrico.
• Configuração usual de uma Fonte Chaveada:
- Retificador
Rede AC Interruptor Transformador de - Retificadores
Filtro de
- Filtro IGBT/ MOSFET Isolamento
Rádio Freqüência - Filtros
- Proteções
- Comando
Circuitos de
- Proteção
Controle
- Fonte Auxiliar
• Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:
- Técnicas p/ redução da interferência eletromagnética gerada;

- Métodos p/ a correção do fator de potência;
- Conversores CC-CC;
- Teoria de controle e modelagem de conversores estáticos;
- Projeto de indutores e transformadores de alta freqüência;
- Semicondutores de potência e circuitos integrados dedicados;
- Projeto térmico;
- Circuitos de comando e proteção;
- Simulação de conversores estáticos.
• Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tensão de entrada e saída;
- Freqüência da rede;
- Tensões nominais, máxima e mínima da rede;
- Ondulação de 120Hz na saída;
- Ondulação da saída na freqüência de comutação;
- Hold-Up time;
- Temperatura ambiente;
- Proteções exigidas;
- Rendimento;
- Regulação de carga;
- Regulação de linha;
- Resposta transitória;
- Tensão de isolamento;
- Nível de interferência radioelétrica e eletromagnética;
- Normas aplicáveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).
2. Definir: - Topologia do conversor;
- Freqüência de comutação;
- Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.);
- Isolamento (transformador de comando de base/gatilho,
isolador ótico ou sensor hall no laço de realimentação);
3. Cálculo de Estágio de Entrada: - Retificador;

- Capacitor de filtragem;
- Limitação de corrente de pré-carga do
capacitor de filtragem.
4. Projeto do Conversor
5. Cálculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqüência
6. Cálculo de Estágio de Saída

7. Circuito de comando de base ou gate
8. Projeto do circuito de compensação (estabilidade e resposta transitória)
9. Escolha do CI-PWM e cálculo dos componentes externos
10. Projeto dos circuitos de proteção
11. Cálculo da fonte auxiliar
12. Cálculo do filtro de rádio freqüência

1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.1 Monofásico
Vpk
vC
vC
i i2
VCmin
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor t1 t2 ωt
S 110V 0 tc π 2π
i Ip
D3 D4 C2
ωt
92.5%
83.2%
74.0%
64.7%
55.5% TDH = 148%
46.2% o
37.0% Desl. = 1,48
27.7%
FP = 0,553
18.5%
9.2%
0.0%
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51
1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.2 Trifásico
V
C
D1 D2 D3
V1 +
V1
V2
C VC R
π i1 ωt
V3
- _
D4 D5 D6
2. Retificadores Controlados (FP elevado)
2.1 Monofásicos: BOOST, BUCK, ...
retificador
Vs
CONVERSOR carga
controle
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Retificador Monofásico com Filtro Capacitivo
vC
i i2
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor
S 110V
D3 D4 C2
• Operação em 220 V e 110 V (dobrador de tensão)
•220 V
C=
C1 C 2
C1 + C 2
Win 1
2
= C Vpk − VC min
2
2 2
( ) Win =
Pin
f
de Entrada
Vpk
vC
VC min = Vpk cos( 2πf t c )
VCmin
( )
t1 t2 ωt
0 tc π 2π arccos VC min Vpk
i Ip tc =
2πf
ωt
tc = intervalo de condução dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)
• Carga transferida para C

C.∆V C(V pk − VC min )
∆Q = I p tc = C ∆V Ip = =
tc tc
de Entrada
Pin Pin
C ( Vpk − VC min ) =
2 2 C=
f f ( Vpk 2 − VC min 2 )
Seja
IC1ef - valor eficaz da componente alternada da corrente i
Imed - valor médio da corrente i
Ief -valor eficaz da corrente i
2t c
I ef = I med + I C1ef
2 2 2
I C1ef = I ef − I med
2 2
I med = I p
T
2
2  2t c 
2tc 2tc
I ef = I p I C1ef = I p
2
− Ip   I C1ef = I p 2tc f − (2tc f ) 2
T T  T 
de Entrada
• Estágio de entrada é ligado ao conversor CC-CC operando em alta
freqüência
i2 Pin = I 2 pk VC min D
I 2pk
Onde: Ton
ωt
D=
Ton
Ts
T
Pin 2Pin
I 2 pk = Para Dmax=0,5 I 2 pk =
VC min D VC min
I 2 pk
P Pout
I 2 ef = = in Pin = Logo:
I Cef = I 2 ef + I C1ef
2 2
2 VC min η
de Entrada
• Grandezas Elétricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
Pin
I Dmed =
2 VC min
tc
I Def = I p
T
VD max = V pk
de Entrada
• Exemplo Numérico
VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V
f = 60Hz ; VCmin = 100V ; η = 0,7 ; Pout = 70W
Pout 70
a) Pin = = = 100W
η 0,7
Pin 100
b) C= C= ≅ 203µF
f ( Vpk − VC min
2 2) 2 2
60 ⋅ (135 − 100 )
Vpk = 2 VAC min = 2 ⋅ 99 = 140V
V pk = 135V C1 = C2 = 406µF
∆V = Vpk − VC min = 135 − 100 = 35V

de Entrada
c) tc =
(
arc cos VC min Vpk
=
)
arc cos (100 135)
= 1,954ms
2 πf 2 ⋅ π ⋅ 60
C ∆V 203 ⋅ 10 −6 ⋅ 35
d) Ip = = − 3
= 3,64A
tc 1,954 ⋅ 10
−3
e) 2t c f = 2 ⋅ 1,954 ⋅ 10 ⋅ 60 = 0,2345
I C1ef = I p 2tc f − (2tc f ) 2 = 3,64 ⋅ 0,2345 − 0,23452 = 1,54 A

Pin 100
f) I 2ef = ≅ = 1A
VC min 100
g) I Cef = I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A

2 2
tc 1,954 ⋅ 10 − 3
h) I Def = I p = 3,64 ⋅ = 1,25A
−3
T 16,666 ⋅ 10
de Entrada
Pin 100
i) I Dmed = = = 0,5A
2 VC min 2 ⋅100
j) VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 ⋅135 ≅ 191V
k) I Dp = I p = 3,64A
UFA !!
de Entrada
• Simulação Numérica
vC
i iR
v AC ( t ) = 2 ⋅ 99 sen (377t )
D1 D2 iC
vAC
C R
R = 100Ω
C = 203µF
D3 D4
140V
Vpk ≅ 140V
vC Vpk
130V
VCmin ≅ 102V
120V tc = 2,1ms
110V Ipico ≅ 8,0A

VCmin
100V
t
Imed ≅ 1,0A
de Entrada
• Corrente Capacitor + Carga • Corrente de Carga
10A 1,4A
i iR
8A
1,3A
∆Q
6A
4A 1,2A
2A
1,1A
0A
tc
-2A 1,0A
t t
• Corrente no Capacitor • Corrente de Entrada

10A 10A
iC iv
AC
8A
5A
6A
4A 0A
2A
-5A
0A
-2A -10A
t t
de Entrada
• VCmin, Vpk, tc, ∆Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;
• I pico ≅ 2 I p
• Análise Detalhada
VC (θ) = Vpk ⋅ senθ
VC
dVC (θ)
VCmín
V i C (θ) = ωC ⋅
S1 pk dθ
i C (θ) = ωCVpk cos θ
V1
S3 S2
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2 i C (θ 2 ) = i R (θ 2 )
α iC
β γ Vpk
π i R (θ 2 ) = − senθ 2
R
θ 2 = π − tg −1 (ωRC )
Vpk
ωCVpk ⋅ cos θ 2 = − senθ 2 tgθ 2 = −ωRC
R
de Entrada
VC min = Vpk sen (θ1 − π)
VC
sen (θ1 − π) =
VC min
VCmín
V Vpk
S1 pk
V1  VC min
−1 

S3 S2
θ1 = π + sen 
 Vpk 
θ3 π θ2
π θ1 3π ωt  
2 2
α iC
3π
β γ α= − θ1 β = θ2 − π
π 2 2
S1 = S 2 + S3 θ1 −θ 2 α+β+ γ = π
VC (θ )
π
S2 = ∫ ⋅ dθ
i C (θ) ⋅ dθ i C (θ 2 ) ⋅ β
2
S1 = ∫ R
ο θ S3 =
π −
2
−α
VC (θ) = Vpk (cos β ) e ωRC 2
S1 = ωCVpk (1 − cos α ) β ⋅ Vpk ⋅ cos β
ωRC ⋅ Vpk ⋅ cos β  − 1 2 
θ −θ S3 =
S2 = 1 − e
ωRC

2R
R  
de Entrada
VC
VCmín
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2
α iC
β γ
π
80
72
64
56
48
ω RC 40
32
24
16
0
0.2 0.28 0.36 0.44 0.52 0.6 0.68 0.76 0.84 0.92 1
V
Cmin / Vp
k
de Entrada
VC
VCmín
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2
α iC
β γ
π
4
3.6
3.2
2.8
R . I Cef
2.4
V pk 2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 10 20 30 40 50 60 70
ω R C
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V)
i + i +
D1 D2 vC1 C1 + D1 D2 vC1 C1 +
vAC
_
- _ vAC + -
+ Conversor vC Conversor vC
+ +
vC2 - vC2 -
D3 D4 C2 D3 D4 C2
- -
VC 2min + VC 2pk
vAC
ωt
VC min = VC1min +
2
VC1min = VC 2min VC1pk = VC 2pk
vC
VCpk
2VC min − VC1pk Pin

VCmin
VC1min = C1 = C2 =
f (VC1 pk − VC1min )
VC1pk vC2 VC2 pk 2 2
3
VC1min VC2 min
vC1
ωt
0 π 2π
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V)
VC1min = VC1pk cos( 2πf t c ) tc =

(
arccos VC1min VC1pk )
2πf
I p1 =
C1 ∆V1 C1 ( VC1pk − VC1min )
=
I med1 = I p1 t c f
tc tc
Ief1 = valor eficaz da corrente i

tc
1 2 tc
I ef 1 = I p1 t c f
= ∫I p1 dt = I p1
2 2
I ef 1
T0 T
ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor
I C1ef = I ef 1 − I med1
2 2
I C1ef = I p1 t c f − ( t c f ) 2 I Cef = I Cief 1 + I 2ef
2 2
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V) - Projeto
VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

f = 60Hz ; VCmin = 100V ; η = 0,7 ; Pout = 70W
a) VC1pk min = 2 ⋅ 99 = 140V

2VC min − VC1pk 2 ⋅ 200 − 135
VC1pk min = 135V VC1min = = = 88,33V
3 3
Pin 100 Pin 1,667

b) Win = = = 1,667J C1 = C 2 = = ≅ 160µF
f 60 f (VC1pk − VC1min )
2 2
135 − 88,33
2 2
C ≅ 80µF
(
arccos VC1min VC1pk ) = arccos(88,33 135) = 2,275ms
c) t c =
2πf 2 ⋅ π ⋅ 60
C1 ( VC1pk − VC1min ) 160 ⋅ 10 −6 (135 − 88,33)
d) I p1 = = = 3,28A
−3
tc 2,275 ⋅ 10
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V) - Projeto
e) t c f = 2,275 ⋅ 10 −3 ⋅ 60 = 0,1365
I C1ef = I p1 t c f − ( t c f ) 2 = 3,28 ⋅ 0,1365 − (0,1365) 2 = 1,126A

Pin 100
f) I 2ef = = = 0,5A
VC min 200
g) I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A

2 2
h) VDp max = 2 2 VCA max = 2 ⋅ 2 ⋅ 135 ≅ 382 V

de Entrada
• Resultados Experimentais
Tensão e Corrente de Entrada Transitório de Partida
100V/div e 500mA/div 100V/div e 10 A/div
100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 Ω em série.

de Entrada
•Proteção de In-rush
Vpk
S
Ip <
R1 R1
vAC - +
vC τ = 25ms
i iR τ1 = R1 C = 10⋅
10⋅1000⋅
1000⋅10-6 = 10ms
iC
C Carga
τ = 3τ
3τ1 = 3R1C
A = 5.τ ≅ 15.R1 .C
400V
vC
200V
0V
2Ω
R = 2Ω
100A
iC
50A
0A
0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

de Entrada
•Circuito de disparo para um Triac
R1
vC
vAC - +
NT
C
T D
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
Vce D1
+ -
is +
+ - -
BUCK-BOOST Vin S C RL
iL L Vout
- +
+
-
V D1
+ CE - TR
iP iD +
+
T
1 +
FLYBACK Vin C R Vout
-
- iC
NP NS -
Funções do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga

- acumulação de energia quando T está fechada
- adaptar a tensão necessária no secundário
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:

V
L ( Vin )
a
1 Etapa
( Ip )
Vce D1
+ - iL
is +
+ - - To
Vin S iL C RL Vout
L ( Vout )
- + T1 T2
+ T
-
V
CE
( Vin+Vout )
a
2 Etapa ( Vin )
Vce D1
+ -
is -
+ - - is
Vin S iL C RL Vout
L
- +
+ i
D
+
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
V
• Equacionamento L ( Vin )
( Ip )
iL
a) Corrente de Pico na entrada
To
di T1
VL = L D=
( Vout )
T1 T2
T
dt T V
CE
( Vin+Vout )
Vin Vin
Ip = DT Ip = D ( Vin )
L f .L
is
Vin
Ip max = Dmax Dmax = 0,45
f .L i
D
b) Tensão de Carga
Ip .T1
P1 = Vin .I1md = Vin .
2T
2
Vin2 .T12 Vout
P1 = = P2 =
2.L.T RL
RL .Vin2 .T12 RL .f
Vout = = Vin .T1.
2.L.T 2.L
Vin .D RL .f RL .f
Vout = . = Vin .D.
f 2.L 2.L
c) Indutor
Pout 1 2
Pin = PL = = .L.Ip .f
η 2
Pout 1 Vin2 .D2max
= .L.f . 2 2
η 2 f .L
1 Vin2 .D2max .η
L= .
2 Pout .f
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:

V
P ( Vin )
a
1 Etapa
V D1
+ CE - T1
iP iT N
P
Vout .
+ - + V N
S
T N
S
S
Vin LP VS C R Vout Vin .
- L N
P
- +
To
( Vout )
V N
CE P
( Vin+Vout ) .
N
S
( Vin ) ( Vin )
a
2 Etapa T1 To
V D1
+ CE - T2
iP = i
T Ip
iD
+ - +
T
Vin VP iS VC R Vout
- L N
P
iS = i IP .
- D N
+ C S
LS
T1 To
Flyback com Múltiplas Saídas

D1 V
1
C1 R
N L1
S1
+ D2 V
Vin 2
-
N C2 R
P N L2
S2
D3 V
3
T
C3 R
N L3
S3
Características gerais: - baixo custo

- saídas múltiplas
- aceita grande variação da resistência de carga
- isolamento entre a entrada e a saída
- boa regulação cruzada
- dispensa indutor de filtragem
- permite uso de diodos lentos na saída (cond. desc.)
- resposta rápida
- fácil de ser estabilizada
• Equacionamento
VL
a) Corrente de Pico no Primário
Vin
di
VL = L t
dt -Vo
T1=DT T2
V
Ip = in D T iL
L Ip
2 Pout
Ip =
η Vin Dmax T
t
• Equacionamento
b) Tensão na Carga Vin

Ip
T1
∫
1 t Ip T1
I1md = Ip dt =
Ts T1 2 Ts t
0 T1
Ts
Vin T12
2
P1 = Vin I1md =
2 L Ts
RL η
Vout = Vin D
Vout 2 2 L fs
P1 η = Po =
RL
• Equacionamento
c) Cálculo da Indutância
dw ∆w 1 2 Pout 1 Vin2 Dmax 2 η

PL = = = L Ip fs = L=
dt ∆t 2 η 2 Pout fs
d) Razão Cíclica Crítica
Vout Vin
D crit =
1 + (Vout Vin )
→ para DCM D ≤ Dcrit

• Equacionamento
e) Esforços nos Semicondutores
 Dmax 

Vce = − VD = Vin + Vo = Vin  +
1 
 1 − Dmax 
T 2
∫
1  Ip  Vin D3
Ief T =  
t  dt =
T T fL
 1  3
0
Vin 2 D2
IDmd =
2 f L Vout
• Equacionamento
f) Capacitor de Saída
Io
+ +
VC RL Vo iS VC RL Vo
- C - C
dVc I D
ic = C C = o max
dt fs ∆Vc
2
∆Vc T I T 
R SE < IC ef = Isef 2 − Io = Is 2 o −  s o 
Is 3 Ts  2 Ts 
• Equacionamento
g) Transformador
Aw
Ae
δ
2
1,1 Pout 10 4 Kp - fator de utilização do primário (0,5)

Ae A w =
k p k w J ∆B fs kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
• Equacionamento
g) Transformador
δ - entreferro (metros)
2 µ o ∆W π 10-7
µo - 4π
δ=
∆B 2 A e Ae - área da secção transversal do núcleo (metros2)
∆W - energia (joule)
∆B δ Np - número de espiras do primário

Np = δ - entreferro (centímetros)
0,4 π Ip
∆B - variação de fluxo eletromagnético (Gauss=104T)
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom ) Ns - número de espiras do secundário
Vin Dnom VF - queda de tensão no diodo
• Característica de Saída em CCM e DCM
4
Condução Descontínua
Vout RL η D 3
=D =
Vin 2 L fs I′o 0.7
Vout
____ 2
Vin 0.6
Condução Contínua
1 0.4
Vout D
=
Vin 1 - D D=0.2
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
Ió
• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, η.
2. Calcular a razão cíclica crítica e definir a nominal.
Vout Vin
D crit =
→ para DCM Dnom ≤ Dcrit
1 + (Vout Vin )
→ tempo de condução chave =Dnom Ts
3. Calcular a indutância.
1 Vin 2 Dmax 2 η
L=
2 Pout fs
• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
4. Calcular a corrente de pico máxima.
Vin
Ip = Dnom
fs L
5. Calcular a resistência de carga.
Vout 2
Ro =
Pout
6. Calcular a capacitância.
I D
C = o max
fs ∆Vc
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, η.
2. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo.
1,1 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J ∆B fs
2 Pout
3. Calcular a corrente de pico no primário. Ip =
η Vin Dmax
P
4. Calcular a energia acumulada no transformador. ∆W = out
η fs
5. Calcular o entreferro.
2 µ o ∆W
δ=
∆B 2 A e
6. Calcular o número de espiras do primário e secundário (s).
Np =
∆B δ
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
0,4 π Ip Vin Dnom
7. Calcular a indutância magnetizante do primário e secundário.
1 Vin2 Dmax 2 η
L=
2 Pout fs
8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s).
Isn = Ip an
9. Calcular a(s) resistência(s) de carga(s).
Vout n 2
R on =
Pout n
10. Calcular a(s) capacitância(s).
Iout n Dnom
Con =
fs ∆Vout n
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
L
V
iR
iT iL iC
+ +
T
E + + VR
in Vo iD VC
C -
BUCK - - - RL
V V D1 L
P S V V
1 out
ND
+ -
V
F
NP NS C RL
+ D2
V
in
FORWARD -
T
DD
NP - enrolamento primário
NS - enrolamento secundário
ND - enrolamento de desmagnetização
• Conversor CC-CC do Tipo Buck V

D
(E in )
a
1 Etapa
L T1 T2
T
iT iL iL iL
+
T iT iD iT
E + RL
in D C
- -
V (E in )
CE
a
2 Etapa
V L
CE -
+ (E in )
V
D
iL
+
T
E + RL
in D C
- -
V
C V
C
0 T1 T
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
a) Tensão Média na Carga
T1
VL md = 0 ⇒ Vout = VDmd Vout = Vin = Vin D
T
b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância
V (1 - D ) D
Vin
∆iL max → D = 0,5 ∆iL max =
∆iL = in 4 fs L
fs L
Vin
L=
4 fs ∆iL max
c) Corrente de Pico
∆iL Vout Vin (1 - D ) D

Ip = Io + = +
2 RL 2 fs L
d) Tensão no Capacitor
∆iL ∆iL
sen(2πf .t ) cos (2 π fs t )
1
iC ≅ VCA = iC .dt =
2 C 2 π fs 2 C
∆VC ∆iL ∆iL

= C= VRSE = R SE ∆iL
2 4 π fs C 2 π fs ∆Vc
e) Esforços nos Semicondutores
VCE = Vin VD = − Vin
V V (1 − D )D
ITp = IDP = out + in
RL 2 fs L
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, ∆iL .
2. Calcular a razão cíclica nominal.
Vout
Dnom =
Vin
3. Calcular a indutância.
Vin
L=
4 fs ∆iL max
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua:
4. Definir o capacitor.
∆iL ∆V
C= RSE =
2 π fs ∆Vc ∆iL
• Conversor CC-CC do Tipo Forward

a
1 Etapa
V V D1 L
P S 1 V
ND out
V
iL D
(IM )
NP NS C RL
+ D2
V
iM
in
- iT
T1 TD
T
DD
T2
T IM + i L
iT
iT
a
2 Etapa
D1 L
iL
N
NP NS RL V V in + V in. P
C CE N
+ D2
D
V
in ND
- iT (V in )
+ iM
T V
CE DD
-
a) Tensão Média na Carga
Ns T1 N
VLmd = 0 ⇒ Vout = VDmd Vout = Vin = Vin s D
Np T Np
b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância
∆iL =
(Vin a )(1 - D ) D ∆iL max → D = 0,5
V a
∆iLmax = in
fs L 4 fs L
Vin Np
L= a=
4 fs ∆iLmax a Ns
c) Corrente de Pico no Secundário e Primário
∆iL 1 ∆i 
ISp = Io + IPp =  Io + L 
2 a 2 
d) Cálculo da Capacitância
∆iL
C= VRSE = R SE ∆iL
2 π fs ∆Vc

e) Transformador
Aw
Ae
δ
2
2 Pout 10 4 Kp - fator de utilização do primário (0,5)

Ae A w =
k p k w J ∆B fs η kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)

e) Transformador
Vin Np - número de espiras do primário

Np =
2 A e ∆ B fs Ae – área efetiva da perna central do núcleo (metros)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (Tesla)
Nsn = Np 1,1
(Voutn + VF Dnom ) Ns - número de espiras do secundário
Vin Dnom VF - queda de tensão no diodo
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, ∆iL, η.
2. Definir a razão cíclica nominal, lembrando que Dmáx=0,5.
3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s) e

a(s) resistência(s) de carga.
Po ∆Ion Voutn
Ion = Isp = Ion + R on =
Voutn n 2 Ioutn
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua:
4. Calcular a(s) capacitância(s).
∆iL ∆V
C= R SE =
2 π fs ∆Vc ∆iL
5. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo do transformador.
2 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J ∆ B fs η
6. Calcular o número de espiras do primário e secundário(s).
Np =
Vin
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
2 A e ∆B fs Vin Dnom
Np
7. Calcular as relações de transformação. an =
Nsn
8. Calcular a(s) indutância(s).
Vin
Ln =
4 fs ∆iL max an
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull
+ TR1
D3 L
Vin/2 Va Vout
- D1
VS
i
L
C RL
iT
NS
Half Bridge (Meia Ponte)
R1 VP
NP
NS
+ D2 +
Vin/2 VCE2 D3 L
- TR2 V1
- D4
iL
N N RL
P S C
N
S
Push Pull Vin
D
TR TR 4
1 2
D1 D2
Vin
TR TR
1 3
D1 D3
D5 L
C C RL
Full Bridge (Ponte Completa)

D6
TR TR
2 4
D2 D4
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
VP
• Conversor Half Bridge (Meia Ponte) Vin/2
TR
1
T1
TR
+ TR1 a 2
Vin/2
D1
1 Etapa D3 T
-
2T
+ iL
+
Va
-
+ N
- Vin . S
NP
Vin iT
iL
iL
D4
D3 L
iL
Vout
RL
C VC
a
2 Etapa
NP
i TR1
D3 L
D4
- iL
T1 VCE
-
C
RL
D= Vin
+
T Vin/2
-
+
+ + a
3 Etapa T = período da tensão de entrada do filtro de saída
Vin/2
D2
- TR2
D4 TS = 2T = período de funcionamento do conversor
• Conversor Half Bridge (Meia Ponte)
Vin NS E T P P T 1 VCEmáx = Vin

Vout = D Pin = i. TR 1 = out iTR = out . .
2 NP 2 T η η T1 Vin
Capacitor série: impede a circulação de corrente contínua no trafo
N 4
I0 . S
N C≥
2
2 2  NP 
i P
C
V
C
C
π fs   L
0
T T
T
S  NS 
S S
4 2
N I0
C≥ P ×
NS 2 fS ∆VC
• Conversor Full Bridge (Ponte Completa)
Vin
TR TR
1 3
D1 D3
D5 L
C C RL
D6
TR TR
2 4
D2 D4
VCEmáx = Vin
• Conversor Push-Pull
D3 V1 L
iL
NP NS RL
C
N
S
Vin
D4
TR TR
1 2
D1 D2 TR
1
T1
T
TR
2
T3
V
1
VCEmáx = 2 Vin
(2V in )
V
CE1 (V in )
• Transformador
Vin Np
1.5 Pout 10 3 Np = an =
Ae A w = 2 A e ∆B fs Nsn
k w k p J fs ∆B
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
• onde: kw=0.4 e kp=0.41 Vin Dnom
• para as mesmas condições, o transformador é menor que o do conversor Forward.
• Filtro de Saída
Vin ∆iL ∆V
Ln = Cn = R SEn =
4 fs ∆iL max an 2 π fs ∆Vc ∆iL
Aspectos de Comutação
MOSFET
• Tempos de comutação curtos,

• Alta impedância de entrada entre GS (potência de comando baixa),
• Fácil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo).
D
ID
Características em Condução:
+
• RDSon, G VDS
+ Di -
• ID e IDM, VGS
• VGS, -
S
• VGS(th),
• VDS(on)=RDSon x ID.
Características Estáticas
MOSFET
• A = Região de resistência constante

• B = Região de corrente constante
Características Estáticas
MOSFET
• Parâmetros importantes
a) RDson – O MOSFET “saturado” comporta-se como uma resistência;
b) ID – máxima corrente contínua que o componente pode conduzir;
c) IDM – máxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;
d) VGS – máxima tensão entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou
negativa);
e) ≈ 4,0 V);
VGS(th) – a tensão de gate suficiente para iniciar a condução (≈
f) VDC(on) = RDS(on).ID – tensão dreno-source com o MOSFET conduzindo;
g) O MOSFET bloqueado é caracterizado pela tensão de avalanche entre dreno e
source – V(BR)DS
MOSFET
Características Dinâmicas:
• Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho),

• Coss=Cgd+Cds (capacitância de saída),
• Crss=Cgd (capacitância de transferência).
D
Cgd
G C ds
Cgs
S
Aspectos de Comutação VDD
I DRL
MOSFET
D
R
Comutação com Carga Indutiva: G
S
50
td(on) = 30 ns
tr(on) = 50 ns
td(off) = 10 ns
tf = 50 ns
Perdas em um MOSFET
P = Pcond + Pcom
t on
Pcond = .rds(on) .id(on) = rds(on) .id(on) .D = rds(on) .id( ef )
2 2 2
T
f
Pcom = .( t r + t f ).id(on ) .Vds (off )
2
t f ≅ t on t r ≅ t off
Perdas na Comutação
a) Conversor Flyback
Entrada em condução
E
E D
+ -
Vout VL E VCE ( Ip )
- + iC
N
L! L! Vout ( P ) = E
NS
+
T VCE T
-
iC
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll = 0
E E
1 ´
= I.E .t f
+
ES1
I E I E
2
-
iC iC
+
VCE
+
VCE
t f = t rv + t fI
- -
(a) (0 < t < t 1 ) (b) ( t1 < t < t 2 )
iC = I VCE = E´
P1 = ES1 .f
0 ≤ VCE < E´ I < iC ≤ 0
(I)
iC
(E) P1 = 0,5.I.E´.t f .f
t1 t2
t rv tfI
tf
(c)
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll ≠ 0
VL E
L!
+
VCE
-
Snubber RCD
• Comutação com carga indutiva e com Snubber.
E 1 t fI
v off (t ) =
CS ∫0 iCS ( t )dt
I I.t
iC (t ) =
S t fI
I.t
Voff = fI
2CS
L!
 t  I2 .t 2fI .f
iC ( t ) = I1−  P1 =
Q5
IC  t fI  24C
DS RS
I CS
1 2 1 Ll
CS
Ll .I = CS .VCEmáx
2
VCEmáx = .I
2 2 CS
Snubber RCD
I t t onmin Vin
• Flyback (Cond. Desc.): Cs = P fi Rs ≤ Rs ≥
2 Voff 3 Cs ICsp
1
PR = CS .E 2 .f
2
tfi – tempo de decrescimento da corrente (fabricante),

trv – tempo de crescimento da tensão (fabricante),
Voff – arbitrado,
tonmin – tempo mínimo de condução da chave.
Snubber RCD
• Forward (Cond. Contínua):
ES2
1
= I.E
1
P2 = I.E.t r .f P = 0,5.VinI.f .(t r + t f )
2 2
IP (t fi + t rv ) t onmin Vin
Cs = Rs ≤ Rs ≥
V1n 3 Cs ICsp
1
P = .C.Vin2 .f
2
Perdas em um Diodo
• Perdas de Condução:
P = Pcond + Pcom Pcond = r.i2ef + VF .iFmd Pcond = VF .iF .t on .f

• Perdas de Comutação:
1 Pcom = 0,5 VRM .iRM .t b .f

E com = VRM .iRM .t b
2
Perdas em um Diodo
• Efeito da Recuperação Reversa do Diodo no Transistor
VCE
(E)
I RM
iT
t rI ta
∆W = 0,5.t a .IRM .E P = 0,5.t a .IRM .E.f
2.t rr t rr .IRM .E.f

ta = P=
3 3
Cálculo Térmico
Tj TC TD Ta
RjC RCD RDa
•Tj – temperatura da junção (°

(°C)
•TC – temperatura do encapsulamento (°
(°C)
•TD – temperatura do dissipador (°
(°C)
•Rjc – resistência térmica junção-cápsula (°
(°C/W)
•RCD – resistência térmica de contato entre o componente e o dissipador (°
(°C/W) =
0,2 °C/W.
•RDa – resistência térmica dissipador ambiente
•Ta – temperatura ambiente (°(°C)
Tj − Ta
Tj − Ta = P.(R jc + Rcd + R da ) RDa = − R jc − RCD
P
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Princípio Básico
S1 Rg
G
Ig
+
VC S2 C iss
-
∆V t f = t r = 2,2R g .Ciss
Ig = Ciss .
•Ciss = 700 pF ∆t
•VC = 15 V
−12
700 x10 .15 tf 40 x10 −9
∆t = 40 ns Ig = = 0,26 A Rg = =
•∆
−9 2,2.Ciss 2,2.700 x10 −12
40 x10
R g ≅ 25Ω
• Circuitos de Comando não-isolado
+VC
+VC
R1
T1 D
T2
Rg
Rg Tp
D
G
T1 T3 R2
S
T2 R3
R2
D = 1N914 R2 = 4,8 kΩ Rg = 50 Ω
T2 = MPS 2907 R3 = 10 kΩ
• Circuito de Comando Isolado
+VC
R1=100 D
D2
G
D1 S
V V
P S
TR
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
T1
RETIFICADOR RETIFICADORES VSAÍDA

Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SAÍDA
T2
T3
FONTE CIRCUITOS
DE
AUXILIAR COMANDO
•Massa de alta tensão (chaves) e massa de baixa tensão (saída, comando, fonte
auxiliar).
• Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3
(transformador da fonte auxiliar).
• A questão do isolamento
T1
RETIFICADOR RETIFICADOR VSAÍDA

Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SAÍDA
FONTE CIRCUITOS ISOLAMENTO CIRCUITO

DE DE
AUXILIAR ÓTICO
COMANDO CONTROLE
• Massa de alta tensão (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tensão
(saída, controle).
• Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador ótico.
• Fonte Auxiliar
Carga
+
-
Rede
Fonte Convencional com Isolamento

• Fonte Auxiliar
Rede R1
C1
T1
Z
D1 D2 D3
Carga
+
C2 NS C3
-
Circuito de
Comando
Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento

• Circuitos Integrados PWM Dedicados
S1
VRef
+
Verro
-
A
VC
Comparador S2
-
VReal
+
VT Q
F/F
OSC. Q
Conversores CC-CC: UC3524

VT
Verro
VC
S1
S2
T1
T
TP L
R5 DRC C RL
+
V
in C1 R3 15
- R6
16
1 -
R1
R4 A1
2 +
9 - 12
R2 S1
COMP
4 + +
5 A2 11
-
FF
S2
RSh 13
10
14
7
6 OSC 3
8 UC3524
CT RT
• Controlador de tensão
Z2
Vin Z1
1 -
9 Vout
A1
2
VRef +
.(V in−VREF )
Z2
Vout =
Z1
• Soft-Start (Partida Progressiva)
• Quando se energiza a fonte chaveada a razão cíclica deve progredir

lentamente, evitando a destruição do interruptor, saturação do
transformador e overshoot de saída.
Z2
Z1
Vout 1
- V9
A1 -
+ 9 COMP
VRef 2 +
+V
D2 R1 OSC.
D1
+
C
-
• Circuitos para Limitação de Corrente
• Curto-circuito
na carga: desativar a fonte e reativar após o
desligamento e religamento do equipamento.
+10V +5V
TR1
9 UC3524
R4
T2 10
R5
R6
TP
Th R2 IE
C1 R3 R1 N
• Utilização de Isolador Ótico
V2
V9 = V2 − R2 .I 2
+12V
I2 R2
Rg
R1
V1 − 1
I1 =
V1 16 15
V9
I1 9 13
4N26 R1
UC3524
1 2 4 5 8 6
14
7
I 2 = βI 1
470 k
β .(V1 − 1)
4V
R2
V9 = V2 − R2 β .I 1 = V2 −
R1
R2 R2
0,6 V
V9 = V2 − β .V1 + .β
R1 R1
∂V9 R2
Se R2 = R1 ⇒ G=β G= = − .β
∂V1 R1
+VCC
D1
Vout
R1
NP C1 RL
R2
R4
R5 C3
R3
R6 -
A
+ VRef
C2 Z1
• Proteção contra Sobretensão na Saída
• Sobretensão: a fonte é colocada em curto e o circuito de proteção contra sobre-

corrente é acionado e desativa a fonte.
+
Z VZ C
+
- SCR A
R Vout
+ G
R C VGK A
-
-
• Isolação da tensão de saída quando o comando do transistor não é

isolado: Isolador ótico (após o controlador de tensão) ou sensor hall
de tensão.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
L VC Vout
S2
IL
C R1 R2
Vin .D = V1
• Supõe-se que L seja suficientemente grande para que não ocorra

variação significativa em IL, quando do fechamento de S2
VC Vout
S2
IL C R1 R2
IC
R1.R 2
R=
R1 + R 2
• Antes do transitório VC0 = R1.IL
• Após o transitório VCf = R.IL

• Transitório [ (
VC = IL R1e − t / RC + R 1 − e − t / RC )]
• Corrente no Capacitor durante o transitório
VC0 −t / RC
iC = − .e
R2
R1
iC = − .IL .e −t / RC
R2
• Sem RSE
• Com RSE
S2
C
I R1 R2
RSE
Vout = VC + VRSE
R1
VRSE = RSE.iC = −RSE. .IL .e −t / RC
R2
[
Vout = IL R + (R1 − R ).e − t / RC
] R1
− RSE. .IL .e −t / RC
R2
S2
I2 C
R1 R2
RSE
H(s) +VREF
1 – A amplitude do desvio de tensão depende somente da RSE do capacitor.

2 – A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperação)
dependem somente do tipo de controlador empregado.
• Equação Característica e função de transferência
I(s) + ε (s) O(s)

G(s)
-
H(s)
O ( s ) = G ( s ).ε ( s )
O( s) G ( s)
= = F ( s)
I ( s ) 1 + G ( s ).H ( s )
• Critérios de Estabilidade
I(s) + ε (s) O(s)

G(s)
-
H(s)
1 + G ( s ).H ( s ) = 0 Instabilidade
G ( s ).H ( s ) = −1
(G(ω ).H(ω ))dB = 20.log[G(ω ).H(ω ) ] = 0
Φ = −180o
• Margem de fase entre 45o e 90o

• Margem de fase entre 45o e 90o

• Para erro estático pequeno - Ganhos elevados em baixa

freqüência
• Pólo na origem
• Freqüência de cruzamento por zero o mais alta possível
fs
fc ≅
4
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
NS
V2 md = VST .D = Vin .D
NP
T1 VC
( VS ) D= =
T VS
VC
N S VC
V2 md = Vin . .
N P VS
T1
V2 md Vin N S
T
= .
VC VS N P
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
Vout ( s) 1 Vout ( s ) 1
= 2 =
V2 md ( s) s LC + 1 V2 md ( s )  s 2 
 2 + 1
 w0 
Vout ( s) 1
= G ( w) dB = −20 log 1 + ( w / w0 ) 4
V2 md ( s)  jw  2
  + 1
 w0 
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
• Com RSE:
Vout ( s) (1 + s.C.RSE )
=
Vout ( s ) V2 md ( s ) Vout ( s )
. = V2 md ( s) (1 + s 2 / w02 )
V2 md ( s ) VC ( s ) VC ( s ) Vout ( s ) (1 + s / wZ )
=
V2 md ( s ) (1 + s 2 / w02 )
Vout ( s) Vin N S 1
= . . 2 2 Vout ( s ) Vin N S (1 + s / wZ )
VC ( s) VS N P ( s / w0 + 1) = . .
VC ( s ) VS N P (1 + s 2 / w02 )
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
dB
2 pólos
-40 dB/dec
zero
-20 dB/dec
fp fz f
• Representação fonte tipo Flyback Vout
P2 md = R2 .I 22md
V in
I1 I2md I2
I p .T1
P1md = Vin .I 1md = Vin .
C R2
2T
Vin2 .T12
P1md =
2 L.T
P2 md = P1md Vin2 .T12

2
R2 I md =
2 L.T
Vin2 T12 Vin2 T12 Vin

I 2
2 md = .T 2 = . 2 I 2 md = .D
2 L.R2 T 2 L.R2 . f T 2 L.R2 . f
• Representação fonte tipo Flyback
Vout
dVout Vout IC IR
I 2 md =C +
dt R2 I2md
R2
C
Vin dVout Vout
.D = +
C 2 L.R2 . f dt R2 .C
VC Vin dVout Vout VC

D= A= + = A.
VS 2 L. f .R2 .C dt R2 C VS
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
Vout ( s) A A.R2 C
S .Vout ( s) + = .VC ( s) .VC ( s)
R2 C VS VS
Vout
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
A.R2 C IC IR
.VC ( s)
VS I2md
R2
C
Vout ( s) A.R2 C 1
= .
VC ( s ) VS (1 + s.R2 C )
Vin 1
G (s) =
Vin .R2 C
.
1 G( s) = .
2 L.R2 . f .C (1 + s.R2 C ) 2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
• Sistema de 1a ordem
• Ganho depende da Resistência de carga
Vin (1 + s.RSE.C )
Com RSE: G(s) = .
2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
G (jw)dB
pólo
-20 dB/dec
0 dB
zero
fp fz f
• Circuitos de Compensação
• Compensador de 1 pólo
Rf dB
VC Z f +20 +90°
Cf
= -20 dB/dec
V0 Zi
Ri 0 0
V0
-
A VC
Vref +
-20 -90°
Rref
R f / C f .s
Z i = Ri Zf = -40
R f + 1 / C f .s
0,1fp fp 10fp 100fp
VC ( s ) Rf Rf 1 Ri . R f
= = . Rref =
V0 ( s ) C f .s ( R f + 1 / C f .s ) Ri Ri (1 + s.C f .R f ) Ri + R f
• Circuitos de Compensação
(dB)
• Compensador de 2 pólos 80
Ci Rfz Cf
60
R ip Riz
V0 - 40
fp2
A VC
Vref +
20
R ref
fz1 = fz2
1
Z f = R fz + 0
s.C f
-20
1 f1 10 100 1k 10k f2 100k
Riz / s.C i Riz 1
Z i = Rip + = . + Rip
1 s.C i 1
Riz + ( Riz + )
s.C i s.C i
VC (s) (1 + Riz .Ci.s)(1 + Cf .R fz .s) C f .R fz = Ci .Riz
= fz1 = fz2
V0 (s)   Rip .Riz 

Cf .s.(Rip + Riz ).1 + Cis. 
  Riz + Rip 
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
1o) Traçar o diagrama G(s) em dB.

2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2
pólos estudado neste capítulo.
3o) Definir a freqüência fc, na qual a curva da função G(s).H(s) passa por 0
f
dB. Recomenda-se f c ≤ s sendo fs a freqüência de chaveamento .
4
4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc.
5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqüência f0 do filtro.
6o) Situar o 1o pólo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz.
7o) Situar o 2o pólo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa
freqüência igual a 5 vezes a freqüência de ressonância do filtro.
8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir
9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de
compensação
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
dB
30
G(s)
20
H2
(H 2 )
-40 dB/dec
10
-20 dB/dec +20 dB/dec
-1
+1
0
A
-10
-1
-20
-30
f p1 0,1 fc f0 fc f p2 10 f 0
f p2 fc
H 2 = A + 20 log = 20 log A2 H 1 = A − 20 log = 20 log A1
fc f0
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
Vout = 12 V Pout = 240 W fs = 40 kHz → T = 25 µs Vin = 60 V

I = 2 A a 20 A R1 = 6 Ω a 0,6 Ω C = 4000 µF D = 0,2 a 0,4 L = 60 µH
RSE = 25 mΩ N S = 1,0 VS = 5,0 V
NP
a) Diagrama de G(s)
Vout Vin 60
= =G G= = 12 = 21,6dB
VC VS 5
1 1
f0 = = 325Hz fz = = 1590Hz
2.π . L.C 2.π .RSE.C
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
fs
fc = = 10kHz
10
20
4
21,5 dB
Para f = 10 kHz, o ganho de G(s)

-40 dB/dec
é de –21 dB
0
40
HdB_ ( f )
fz1 = fz2 = f0 = 325 Hz

21,5 dB
-10
60
fp1 = 0 Hz
-20 dB/dec
fp2 = 5.f0 = 1625 Hz
-20
80
H2 = 21,5 dB ⇒ H2 = 20log A2
90
H2
log A 2 = = 1,075 A2 = 11,9
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1 10 100 1 10
1590 1 10 1 10 1 10
1 f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0
20
7 ,6
f p2 H1 = 21,5 – 13,8 = 7,68 dB = 20log A1 log A1 =
H 1 = H 2 − 20 log 20
f0
A1 = 2,4
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
R fz
A2 = = 2,4
10
20
21,5 dB Rip
-40 dB/dec
1
0
40 f z1 = f z 2 = = 326 Hz
HdB_ ( f )
2.π .C i .Riz
21,5 dB
-10
60
1
= 326 Hz
-20 dB/dec
2.π .C f .R fz
-20
80
1
f p2 =
90
1 10
100
100
325 1k f p2
1 10
3 f c = 10k
1 10
4
1 10
5 f (Hz)
1 10
6 = 1600 Hz
 Rip .R fz 
1 1590
f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0
2.π .Ci . 
R +R 
 fz ip 
Riz = 47 k Ci =
1 C i = 0,01µF
2.π .Riz . f z1
0
Ganho (dB)
20
0
(H2 )
R fz
= 11,9
Rip
10
20
21,5 dB
-40 dB/dec R fz = 2,4

Rip + Riz
0
40
HdB_ ( f )
21,5 dB
-10
60
-20 dB/dec Rip = 11,87 kΩ

-20
80
90
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1
1 10 100 1 10
1590
f
1 10 1 10 1 10
1 .10
6 Ci.Riz = Cf .Rfz
f z1 = f z2 = f0
Cf =
C i .Riz C f = 3,33nF
R fz
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Interferências por radiofreqüência podem ser transmitidas por radiação direta

ou por condução através dos terminais de entrada.
• Interferências que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para
outros equipamentos, podendo provocar ruídos e mau funcionamento.
• MEDIÇÃO DA INTERFERÊNCIA CONDUZIDA.
L1
L1 = L2 = 500 µH
C1 = C2 = 0,1 µF
Rede Fonte R1 = R2 = 150 Ω
AC L2 Chaveada
C1 C2
Faixa de medição – 150 kHz a 30 MHz

R1 R2
LISN – Line Impedance Stabilization Network

Chaveadas
• Causas da Interferência
Comutação do transistor
Rede E
-
+
VC
Terra -
VC T/2
E 2  π 
 n .sen(n.f .π .ζ )
1 (E )
Vn = . 2 sen 2
2  n .f .π .ζ
2
 2 
1 ( -E/2 )
f =
T
Chaveadas
• Se: dB
150 dB -20 dB/dec
f = 50 kHz
ζ = 500 ns
E = 150 V -40 dB/dec
n = 1 a 1000
n=3
f3 = 150 kHz 0
V3 = 31,537 V 1 10 13 100 1000
V3 31,537 V
V3dB = 20 log = 20 log Amplitudes das tensões parasitas dependem:
1µV 1µV
V3dB = 150,57dB / µV • Da tensão E
• Da freqüência de comutação da fonte
• Dos tempos de comutação
Chaveadas
• Propagação das tensões parasitas:
Isolante Espessura C calculado C medido εR

(mm) (pF) (pF)
Mica 0,1 155 160 3,5
Plástico 0,2 93 96 4,2
Cerâmica 2,0 20 23 9,0
Área
C = ε 0 .ε R . ε 0 = 8,855 pF / m
Espessura
Chaveadas
• Correntes parasitas simétricas – tensões de modo comum
T
Chaveadas
• Correntes parasitas assimétricas – tensões de modo diferencial
T
Chaveadas
• Exemplo
C = 150 pF ∴
f3 = 150 kHz (freqüência de harmônica)
V3 = 31,537 V
1 1012 1012 10 3
XC = = XC = = = 7073Ω
2.π . fC 2.π .150 x10 3.150 2.π .10 .0,15.0,15 x10
3 6
2.π .0,15 2
V 31,537 R 150
i3 = 3 = = 4,46mA ∆V3 = .i3 = .4,46mA = 334,5mV
XC 7073 2 2
334,5mV
∆V3dB = 20 log ≅ 170,5dB
1µV
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
a) Redução da capacitância de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador
b) Isolamento do dissipador em relação à massa
Dissipador afastado de uma distância x em relação à massa

Cx = 80 pF para x = 1 mm
Cx = 4 pF para x = 2 cm
C = 150 pF Capacitância entre dissipador e interruptor
Assim: Assim, para x = 2 cm

C.C x 150.4
CTC = CTC = ≅ 3,9 pF
C + Cx 150 + 4
Chaveadas
b) Isolamento do dissipador em relação à massa
i3 = 2.π .f .CTC .V3 i3 = 2.π .150 x103.3,9 x10 −12.31,537 = 115,92 µA
150
V3 = .115,92 µA = 8694 µV ∆V3dB = 78,78dB
2
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador
C1 C2
Dissipador
Placa
Chaveadas
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simétricas

L2
a
F
CX L3
b
N
Cx é baixa impedância para as correntes simétricas

Chaveadas
d.1) para correntes simétricas

L2
− j 2 RX C − j 2 R / ωC X
c
Z cd = =
2 R − jX C
a
j
2R −
R ωC X
CX
L3
2R
R
Z cd =
d
b 1 + j 2 Rω X C
Chaveadas
d.1) para correntes assimétricas
F
L1
C
R R Cy Cy
1
T
Chaveadas

L2
Cy
5mH 4,7nF
CX
0,1 µ F
5mH Cy
4,7nF
N
L3
Chaveadas
• Influência da capacitância entre enrolamentos
Primário Secundário
CT
• Grades condutoras
Chaveadas
• Exemplo de cálculo do filtro de rede
VCA = 220 V (tensão da rede).

f = 60 Hz (freqüência de rede).
P = 150 W (potência de entrada da fonte).
E = 300 V (tensão mo estágio de corrente contínua, após o retificador de
entrada).
fs = 50 kHz (freqüência de chaveamento).
τ = 500 ns (tempo de subida da tensão de coletor do transistor).
C = 50 pF (capacitância entre o transistor e a carcaça).
VRdB= 54 dB/µV (nível da tensão máxima permitida nos resistores da rede
artificial, para 150 kHz).
Chaveadas
1) Primeiro passo
f3 =150 kHz V3 = 15,8 dB

2) Segundo passo – verificação do nivel de interferência de modo comum sem o
filtro de rede.
1 1 V3 15,8V
X C3 = = ≅ 21kΩ iC3 = = = 0,752mA
W3 C 2.π .150 x10 .50 x10
3 −12
X C3 21kΩ
Queda de tensão nos resistores da rede artificial.
R V3 56,4mV
VR 3 = iC3 = 75.0,752.Ω.mA = 56,4mV VR3dB = 20 log = 20 log
2 1µV 1µV
VR3dB = 20 log 4,75 = 95dB / µV ∆V3dB = 95 – 54 = 41 dB/µV

Chaveadas
3) Terceiro passo – escolha dos capacitores Cy, de modo comum
Cy = 5 nF
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum

L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
1 1
X C3 = 21kΩ X Cy = = −9
= 106Ω
W3 .2.C y 2.π .150 x10 .2.5 x10
3
Chaveadas
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
Para V0dB = 54 db/µV, obtém-se
V V0 500µV
54 = 20 log 0 V0 = 500 µV i0 = = = 0,0067mA
1µV R0 75Ω
Como i0 << , a tensão V0b é dada por
Vob = XCy .iC3 = 106.0,752 = 0,08V

Chaveadas
5) Quinto passo – Escolha de Cx L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
P 150
i= = = 0,68 A ICx= 0,001.i = 0,0068A
V 220
iC X 0,0068
CX = = = 0,084µF CX = 0,1 µF
2.π . f .V 2.π .60.220
Chaveadas
6) Sexto passo – Escolha de L2 e L3 L
2 = 4,28 mH
F
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
∆VL = 0,01% V = 220V ∆VL = 2,2 V

∆VL 2,2
ω(L2 + L3).i = ∆VL L2 + L3 = = = 8,58mH
ω 0 .i 2.π .60.0,68
L2 + L3
L2 = L3 = = 4,28mH
2
Chaveadas
7) Sétimo passo – Escolha do resistor de descarga
L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
t
RD = t=1s
2,21.C X
10 6
RD = ≅ 4,5MΩ
2,21.0,1
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
ACTV DET: PEAK

MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
36. 0 7 dB V
LOG
REF 85. 0 dB V
10
dB/
PASS LIMIT
ATN
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz

#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
Chaveadas
ACTV DET: PEAK

MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
29.98 dB V
LOG
REF 85. 0 dB V
10
dB/
PASS LIMIT
ATN
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz

#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
Chaveadas

Projeto de Fontes Chaveadas - Alexandre Ferrari e Souza

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Projeto de Fontes Chaveadas - Alexandre Ferrari e Souza

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Universidade Federal de Santa Catarina

Departamento de Engenharia Elétrica

Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.

• Capítulo VI – Circuitos de Comando para Transistores de Potência

- Periféricos (impressoras, terminais, ...);

- Fontes de alimentação para circuitos de

Fonte de Alimentação: - Linear

Fonte Linear: Transformador de baixa freqüência, ponte retificadora,

• Elevada robustez e confiabilidade.

• Simplicidade de projeto e operação.

• Elevado peso e volume.

• Baixo rendimento (reguladores lineares).

• Geração de componentes harmônicas na corrente de entrada,

resultando um baixo fator de potência.

• Atualmente limitam-se à aplicações de baixa potência (simplicidade

• Início do desenvolvimento: década de 60 em programas

• Características das Fontes Chaveadas:

• Esforços dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:

• Avanço dos semicondutores:

- Década de 70: Transistor Bipolar com freqüências de até 20kHz;

• Configuração usual de uma Fonte Chaveada:

• Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:

- Técnicas p/ redução da interferência eletromagnética gerada;

3. Cálculo de Estágio de Entrada: - Retificador;

5. Cálculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqüência

6. Cálculo de Estágio de Saída

7. Circuito de comando de base ou gate

8. Projeto do circuito de compensação (estabilidade e resposta transitória)

9. Escolha do CI-PWM e cálculo dos componentes externos

10. Projeto dos circuitos de proteção

11. Cálculo da fonte auxiliar

12. Cálculo do filtro de rádio freqüência

2.1 Monofásicos: BOOST, BUCK, ...

• Operação em 220 V e 110 V (dobrador de tensão)

tc = intervalo de condução dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)

• Carga transferida para C

VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

f = 60Hz ; VCmin = 100V ; η = 0,7 ; Pout = 70W

Vpk = 2 VAC min = 2 ⋅ 99 = 140V

∆V = Vpk − VC min = 135 − 100 = 35V

I C1ef = I p 2tc f − (2tc f ) 2 = 3,64 ⋅ 0,2345 − 0,23452 = 1,54 A

g) I Cef = I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A

j) VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 ⋅135 ≅ 191V

110V Ipico ≅ 8,0A

• Corrente no Capacitor • Corrente de Entrada

2VC min − VC1pk Pin

VC1min = VC1pk cos( 2πf t c ) tc =

Ief1 = valor eficaz da corrente i

ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor

VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

a) VC1pk min = 2 ⋅ 99 = 140V

Pin 100 Pin 1,667

I C1ef = I p1 t c f − ( t c f ) 2 = 3,28 ⋅ 0,1365 − (0,1365) 2 = 1,126A

g) I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A

h) VDp max = 2 2 VCA max = 2 ⋅ 2 ⋅ 135 ≅ 382 V

100V/div e 500mA/div 100V/div e 10 A/div

100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 Ω em série.

0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

Funções do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga

Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:

• Conversor CC-CC do Tipo Flyback

Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:

• Conversor CC-CC do Tipo Flyback