SEMICONDUCTORES

Materiales conductores : Los materiales conductores son cuerpos cuyos atomos permiten fcilmente el paso de electrones; el atomo de cobre posee en su estructura atomica, 29 electrones y 29 protones, dispone de un solo electrn en su cuarta orbita (N) esto da lugar a afirmar que es un atomo inestable tiene la tendencia a perder su electrn.

29 + cu

Estructura del atomo de Cu

Representacin simplificada

Materiales Aislantes Son aquellos que no permiten el paso e intrcambio de electrones perifericos sus atomos son normalmente estables. Estos materiales ofrecen una oposicin al paso de corriente electrica.

INTRODUCCIN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, El siliceo (Si) es el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean.

(En el caso de siliceo el numero atomico es 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrnes pueden, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1 Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro

SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de los rbitas externas dejarn de estar enlazados

y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn. El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene. Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor de silicio. Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductores el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen. Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales.

SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posiblidades: Aplicar una tensin de valor superior Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

OBSERVACIONES
Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco dospado", "muy dopado", etc. Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.

Semiconductor tipo N fuertemente dopado

Semiconductor tipo P fuertemente dopado

Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en adelante (transistores, diodos, tiristores) no son ni ms y menos que un conjunto de semiconductores de ambos

tipos ordenados de diferentes maneras.d

DIODO SEMICONDUCTOR

UNIN P-N
Casi todos los diodos que se fabrican hoy en da estn formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sera del tipo N, ya que deja un electrn libre pues le sobra del enlace, con lo que el tomo (azul) se convierte en un in positivo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un electrn libre, a este tomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejara un hueco libre, con lo que el tomo se convierte en un in negativo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un hueco libre, a este tomo lo representaremos:

Silicio tipo P y silicio tipo N separados Cuando se efecta esta unin, los electrones y los huecos inmediatos a la unin se atraen, cruzan la unin y se neutralizan.

Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIN P-N Segn este proceso inicial, la zono N prxima a la unin ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P prxima a la unin ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. Al quedar la zona N prxima a la unin cargada positivamente, rechazar a los huecos de la zona P que quieren atravesar la unin. Exactamente igual la zona P prxima a la unin impedir el paso de los electrones provenientes de la zona N Por tanto en la zona prxima a la unin aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a travs de la unin, no pudiendo existir corriente.

DIODO SEMICONDUCTOR

POLARIZACIN DIRECTA
Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.

<------------> Regin agotada

o----

----o

zona P barrera interna de potencial a)Sin polarizacin

zona N

Regin Iones negativos que han Iones positivos que han agotada "recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones <--->

+ o--

--o -

zona P

barrera interna de potencial

zona N

b) Polarizacin directa dbil, regin agotada reducida, pero no eliminada

+ o--

--o -

zona P

zona N

c) Al aumentar la polarizacin directa, la zona agotada y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas * En la prctica, un diodo se fabrica a base de una nica pieza de siliceo, introduciendo tipos diferentes de impurezas por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y otros que creen tipo N. Este proceso se realiza a grandes temperaturas. A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prcticos son: Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensin provoca un aumento de la corriente. Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarizacin directa o de funcionamiento. Sus valores tpicos son: Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo Parece lgico pensar que llegar un momento en que el proceso, aumento de tensin exterior, aumento de corriente en la unin, tendr que parar. Y esto es as, porque a partir de un determinado valor de la tension exterior aplicada, los electrones se neutralizan en mayor nmero con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensin a partir de la cual la corriente a travs del diodo se mantiene constante, (en la prctica aumenta ligeramente) se le denomina tensin de saturacin. Sus valore tpicos son: Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destruccin del diodo.

DIODO SEMICONDUCTOR

POLARIZACIN INVERSA
Si la tensin aplicada externamente al diodo es del mismo signo que la barrera de potencial interna se dice que el diodo est polarizado inversamente. El terminal positivo de la pila atrae a los electrones del material N apartndolos de la unin, mientras que el negativo a trae a las cargas positivas del material P, apartndolos tambin de la unin. Se crea, por tanto, en la unin, una ausencia de carga, formndose una corriente que recibe el nombre de "corriente inversa de saturacin" o "corriente de fuga". Su valor es prcticamente despreciable, pues es del orden de nA (nanoampaerios). El ancho de la capa agotada aumenta al polarizar la unin en sentido inverso.

Regin Iones negativos que han Iones positivos que han agotada "recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones <--->

o--

--o

zona P
barrera interna de potencial <---->

zona N

a)Sin polarizacin inversa

Regin Iones aceptores negativos Iones donadores positivos agotada que han "perdido" su hueco <-----> <-----> que han "perdido" sus inicial asociado electrones asociados <--->
<------------------------------->

o--

--o

zona P
barrera interna de potencial <------------------------------>

zona N

b) Al aplicar una polarizacin inversa, el ancho de la capa agotada aumenta

Al ir aumentando esta tensin inversa llega un momento en que el diodo pierde su capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa. Esta tensin recibe el nombre de "tensin de ruptura". Normalmenteen esta situacin el diodo se destruye.

DIODO SEMICONDUCTOR

SIMBOLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR

Estructura

Smbolo grfico El material tipo P recibe el nombre de nodo. El material tipo N recibe el nombre de ctodo

La flecha indica el sentido convencional de la corriente.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL

Si el diodo est polarizado directamente, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado, pequea resistencia.

Con polarizacin inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.

DIODO SEMICONDUCTOR

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan calor que har umentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conduccin en el diodo. .

Caracterstica I/V de un diodo semiconductor

Vu Vs Vr OA AB OC
Tensin umbral

Tensin de saturacin

Tensin de ruptura

Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente

Zona de conduccin

Corriente inversa de saturacin A partir de C, zona de avalancha

DIODO SEMICONDUCTOR

OBSERVACIONES
Cada diodo tiene su nomenclatura y caracteristicas La nomenclatura esta directamente relacionada con el uso que se va a hacer del diodo. Las caractersticas nos dirn las tensiones y corrientes que cada uno puede soportar

En lo prximos capitulos veremos una relacin de diodos que se utilicen. Por ahora nos contentaremos con saber cmo conocer los terminales y si el diodo est en buen estado o no, por medio del polimetro. Para ello pondremos el polimetro dispuesto para medir ohmios y la escala en X1 X10 segn el tipo de polimetro. Aplicando las tomas del polimetro en bornas del diodo primero en una posicin y luego en la contraria, pueden darse tres casos: a) En ambos la aguja del polimetro se va a fondo de escala. El diodo est cortocircuitado. b) En ambas posiciones la aguja no parece moverse.. El diodo est en circuito abierto. c) En una posicin la aguja no se mueve y en la contraria la aguja se acerca al fondo de escala. El diodo est bien. En este tercer caso, cuando la aguja tiende a ir a fondo de escala, la toma del polimetro que utiliza cable negro (comn) est aplicada sobre elnodo del diodo. El otro extremo del diodo ser el ctodo.
FUENTE DE ALIMENTACIN SENCILLA Y ECONOMICA

Hztela t mismo
Fuente de alimentacin (cortocircuitable) para prcticas de laboratorio o para uso personal realizada con el circuito integrado (regulador monoltico) :

CA723

Proporciona una salida de 2 voltios hasta 24 voltios, y una corriente de hasta 2 Amperios

LISTADO DE COMPONENTES

CONDENSADORES
C1.......................2200 F/40V C2................. 10 nF/50V C3.................100 pF

C4..........................4,7 F/10V C5........................100 F/50V

RESISTENCIAS
R1................ 10 K R2................3,9 K R3...............820 R4...................0,6 > 2 watios P1.................10 K . Potencimetro

TRANSISTORES
T1..................BD 137 T2..................2N3055 (con disipador)

DIODOS
D1...................1N4002 D2...................1N4002

OTROS
Puente de Diodos (Graetz) > 2 A TRANSFORMADOR 220V/24V Placa circuito impreso Interruptor de palanca Porta fusible Fusible (aproximadamente 500 mA) Disipador para el TRT 2N3055 Caja

Si tienes dificultades: Disponemos del circuito impreso y si quieres tambin de los componentes para ello ponte en contacto con el Sr. D. Vicente Garca
CAPITULO XVI.-FUENTES REGULADAS Y ESTABILIZADAS

16.1 INTRODUCCION.
La tensin continua disponible a la salida del filtro del rectificador puede que no sea lo suficientemente buena, debida al rizado, o que vare su valor ante determinado tipo de perturbaciones, como variaciones de la tensin de entrada, de la carga o de la temperatura. En estos casos se necesitan circuitos de regulacin o estabilizacin para conseguir que la tensin continua a utilizar sea lo ms constante posible. Lo ideal sera que la tensin de salida fuera constante para cualquier condicin del circuito. pero esto es imposible debido a: a) La tensin de red puede tener variaciones de hasta el 20% de su valor nominal.

b) El circuito de carga conectado al rectificador puede absorver ms o menos corriente. Al aumentar la corriente por la carga, la tensin de salida disminuir debido a la caida en la resistencia del transformador y la de los diodos. c) En la salida aparece un rizado. d) Cuando se utilizan dispositivos semiconductores, la tensin de salida vara con la temperatura

16.2 FUENTE ESTABILIZADA O REGULADA.

Una fuente de tensin estabilizada o regulada es aquella que cumple:

Vs / Vs < Ve / Ve
Una fuente de corriente estabilizada o regulada es aquella que cumple:

Is / Is < Ie / Ie

16.3 TIPOS DE FUENTES.

Adems de la clasificacin en fuentes de corriente y fuentes de tensin, cabe distinguir dos tipos: a) Fuentes estabilizadas: Consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida (tensin corriente) utilizando directamente la caracterstica no lineal de un dispositivo electrnico. b) Fuentes reguladas: consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida mediante un sistema de control o de realimentacin negativa que corrige automticamente dicha magnitud de salida.

16.4 FUENTE ESTABILIZADA DE TENSION.

El rizado y la resistencia de salida de una fuente no estabilizada (transformador, rectificador filtro ) resultan ser demasiado grandes para algunas aplicaciones. Se trata de reducirlos mediante una fuente estabilizada que utiliza un diodo zener.

F A. no estabilizada
Los datos de salida suelen ser:

estabilizador

carga

Vs deseada Is mxima e Is mnima Rr

Se desea calcular el zener y Rs

El margen de variacin de la resistencia de carga ser: RLmx = Vs / Ismn Eleccin del zener: La tensin nominal del zener ha de ser igual a la tensin deseada: Vz = Vs Eleccin de Rs: Para calcularla deberemos ver primero el circuito equivalente del zener
Diodo ideal

RLmn = Vs / Ismx

rz
Vz rz , Iz y Vz son caractersticas de cada zener en particular, y son suministradas por el fabricante

El circuito resultante es:

en el que R's = Rr + Rs Resulta:

Vs = Iz rz + Vz

Vs = Is RL

Ve = Ie R's + Vs = (Iz + Is) R's + Vs

De donde operando :

Los valores lmites de que garantizan que el zener trabaja en la zona deseada son :

El valor de R's que se escoja debe cumplir : R's mn < R's < R's mx Se deber procurar que el valor comercial de R's escogido est ms cerca de R's mx que de R's mn, a fin de evitar que el zener se caliente excesivamente. Recurdese que R's = Rr + Rs

16.5 FUENTES REGULADAS.

Una fuente regulada de tensin utiliza una realimentacin negativa que detecta de un modo instantneo las variaciones de tensin de salida, actuando como control que las corrige automticamente. La regulacin puede ser en serie o en paralelo.

16.6 REGULACION SERIE

Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

REGULACION SERIE

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR < m Vs => El control debe conducir menos para disminuir la tensin a la salida. Si VR > m Vs => El control debe conducir ms para aumentar la tensin a la salida.

16.7 REGULACION EN PARALELO

En este montaje, el control trabaja en corriente (en la regulacin serie lo hace en tensin), siendo RS la encargada de producir la caida de tensin necesaria.

El comparador compara una fraccin de la tensin de salida, m Vs, con una tensin de referencia, VR. La diferencia entre estas dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR > m Vs => El control debe conducir menos, para, al drenar menos corriente por R S, disminuir la cada de tensin en sta y aumentar la de salida. Si VR < m Vs => El control debe conducir ms para, al drenar ms corriente por Rs, aumentar la cada en sta y disminuir la salida.

REGULACION EN PARALELO

16.8 COMPARACION ENTRE LOS DOSTIPOS

La diferencia entre los dos tipos estriba en el elemento de control.

Regulacin en serie El control soporta toda la corriente de carga. Est sometido a una diferencia de potencial en extremos igual a Vs - Ve. Regulacin en paralelo El control deriva menos corriente cuanto mayor es la corriente de carga. Con cargas muy fuertes, el control estar trabajando con pequeas corrientes. La diferencia de potencial aplicada al control es Vs, ya que est en paralelo con la salida. De las anteriores consideraciones se deduce que, a fin de no cargar excesivamente el control, la regulacin en serie es apropiada para pequeas corrientes de carga y/o grandes tensiones de salida, en tanto que la regulacin en paralelo es apta para grandes corrientes de carga y/o pequeas tensiones de salida. En algunos casos, en que el margen de tensiones y corrientes en que va a trabajar la fuente es muy grande, se recurre al montaje de dos fuentes, una en serie y otra en paralelo, con un conmutador que selecciona una u otra, segn las condiciones de trabajo. Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

16.9 ELEMENTO DE REFERENCIA

al comparador

Deber ser tal que proporcione una tensin VR lo ms constante posible. Se utilizar un diodo zener. Es preciso que IZ sea lo ms constante posible. Para ello ha de procurarse que I1 >> I2 Las variaciones de la tensin de salidaafectarn a la de referencia (al aumentar IZ, aumenta VR, y al contrario) Si rZ es pequea (idealmente, cero), VR = VZ independiente de IZ

16.10 ELEMENTO DE MUESTRA

Ha de tomarse una fraccin de la tensin de salida para medir sus variaciones y compararlas con la de referencia.

Se utiliza un divisor resistivo

La corriente que absorbe el comparador debe ser despreciable frente a I1, a fin de no cargar apreciablemente al divisor.

En estas condiciones:
R ( 1 - a) + R2 m Vs = --------------------- x Vs R1 + R + R 2

16.11 ELEMENTO COMPARADOR

La seal de salida del comparador debe ser proporcional a la diferencia entre la tensin suministrada por el muestreador (m Vs) y la de referencia (VR).

Si m Vs aumenta, aumentar la corriente de base o, lo que es lo mismo, VBE, produciendo un aumento en la corriente de colector

m Vs - VR - VBE m Vs - VR IC = -------------------- -----------rz rz

Obsrvese que IC depende pues de la diferencia entre la tensin de muestra y la tensin de referenciam ( V S - VR)

Debido pues a que como tanto el zener como el transistor son elementos semiconductores, el funcionamiento de nuestro circuito variar con la temperatura.. Se conseguir una buena compensacin trmica cuando: D VBE D VR ---------- y --------- sean del mismo valor DT DT

y de signos opuestos. A este fin, son muy apropiados los diodos zener de tensiones nominales alrededor de los seis voltios, por lo que, siempre que se pueda, se utilizarn estos valores.

16.12 AMPLIFICADOR DE LA SEAL DE ERROR

Suele ser un amplificador de acoplo directo, generalmente constituido por un solo transistor. Su objetivo es elevar la seal de error procedente del comparador a un nivel suficiente para atacar el control. En muchos casos, el mismo comparador hace las veces de amplificador de error.

16.13 ELEMENTO DE CONTROL

Interpreta la seal de error y corrige las variaciones de la tensin de salida, VS. Se suele utilizar un transistor conectado como indica la figura:

Si Vs, por ejemplo, tiende a aumentar, la seal de error ha de ejercer sobre el transistor una accin tal que haga que Vs tienda a disminuir (realimentacin negativa), contrarrestando la variacin inicial. Por tanto, deber aumentar VCE en el caso de regulacin en serie, y aumentar Ic en el caso de regulacin en paralelo. Supongamos que Ve tiende a aumentar (debido a fluctuaciones en la red); => Vs tender a aumentar. Este aumento de Vs, a travs del comparador, har que vare Ic. Como la corriente la corriente que entra en el nudo, suministrada por un generador de corriente, es constante, al aumentar Ic disminuir IB, con lo que el transistor conducir menos, aumentando VCE. As pues, vemos que un aumento de de Ve es absorbido entre colector y emisor, mantenindose de ese modo Vs constante. Un aumento de la corriente de carga producir una disminucin de Vs (debida a la resistencia de salida de la fuente). El circuito reaccionar de manera que Ic disminuir, por lo tanto aumentar IB con lo que el transistor conducir ms, disminuyendo la VCE. De esta manera, variaciones de la carga son compensadas por el circuito. En muchos casos, el generador de corriente est constituido por una simple resistencia. Cuando se quiera mayor precisin, se montar un transistor como generador de corriente, es decir, fijando la tensin de base y haciendo la salida por colector. Para obtener la tensin de base constante se utiliza un zener. El conjunto recibe el nombre de prerregulador.

Prerregulador

Icte =

VZ - VBE VZ ----------- ------ = cte. R3 R3

Nota: Icte : significa " corriente constante " R2 es la resistencia de polarizacin del zener. Se debe cumplir que Icte sea mayor o igual que 2 IBmx. En el caso de utilizar una resistencia:

Ve - Vs - VBEcontrol Ve - Vs R = ----------------------------------- ------------Icte Icte

16.14 CONSIDERACIONES SOBRE LA TENSION DE SALIDA

A.- Tensin mnima de salida. Vsmn = VR

No se puede bajar de este valor, por lo que, si se quieren obtener pequeas tensiones de salida, es preciso utilizar zeners de baja tensin. B.-Tensin mxima de salida. Vsmx = Ve En este punto se pierde la regulacin, por lo que no es aconsejable acercarse a l. Conviene que la tensin de entrada sea bastante mayor que la de salida deseada. Ahora bien, si la de salida es variable (por medio del potencimetro del elemento de muestra), cuando a la salida est presenta la tensin mnima (VR), VCE alcanzar valores elevados, lo que habr que prever a fin de evitar la destruccin del transistor. Habr que contar con el caso peor, en que Vs = VR y Is = mxima. En este caso; VCE = Ve - VR y la potencia disipada por el control P = VCE . Ismx.

16.15 CIRCUITO COMPLETO

Un circuito elemental basado en los elementos explicados en los puntos anteriores sera:

Observar que hemos colocado en el elemento de control un transistor ms ( el T3) montado con el T2 en Darlington, de esa manera aumentamos la eficiencia del elemento de control al aumentar la b correspondiente.

16.16 PROTECCION CONTRA CORTOCIRCUITOS

En la fuente regulada en serie, un cortocircuito es fatal para el transistor de control, ya que tiene que soportar toda la corriente de cortocircuito. No es as en la fuente regulada en paralelo, en la que al producirse un corto y quedar la tensin de salida a cero, todos los elementos quedan sin polarizacin. En este caso, es la resistencia serie, Rs, la que soporta toda la corriente. En las fuentes reguladas en serie es conveniente aadir, pues, un elemento de proteccin contra cortocircuitos, que desconecte el control cuando se produzca alguno. Los dos tipos ms usados son:

En ambos casos, cuando la corriente de slida excede de cierto valor, los diodos conducen en un caso o el transistor conmuta en el otro, saturndose y drenando la corriente de base del transistor de control, que queda sin polarizacin y, por tanto, desconectado

16.17 OSCILACIONES EN UNA FUENTE

Puede ocurrir, y de hecho ocurre en multitud de ocasiones, que la realimentacin, que en contnua es negativa, se convierta en positiva para alguna frecuencia, generalmente muy alta, dando lugar a que la fuente oscile.

Para evitar esta eventualidad, se conecta en paralelo con la salida un condensador de gran capacidad, (condensador C2 de la figura ) que cortocircuitar las componentes de alta frecuencia debidas a la oscilacin. Otra solucin consiste en conectar un condensador (C1) entre el colector y la base del transistor comparador (T1); de este modo queda cortocircuitado para las altas frecuencias, con lo que no hay amplificacin. Algunas veces, en que la fuente tiene fuerte tendencia a la oscilacin, se utilizan las dos soluciones simultneamente.

16.18 FUENTES VARIABLES HASTA CERO VOLTIOS

Se ha dicho que la mnima tensin en una fuente regulada en serie es VR. Cuando se necesita que la fuente suministre tensin variable, desde un cierto valor mximo hasta cero voltios, es preciso recurrir a la alimentacin simtrica: una tensin positiva y otra negativa respecto de masa. De este modo si VR es positiva respecto de su barra de alimentacin, y esta, a su vez, es negativa respecto de masa, puede conseguirse que el emisor del comparador quede a cero voltios respecto de masa, con lo que, realmente, est comparando mVs con cero voltios.

Huelga decir que todo lo que se ha dicho de las fuentes aqu estudiadas, con negativo a masa, es vlido para fuentes con positivo a masa, sin ms que cambiar la polaridad de todos los elementos que la tengan ((transistores, diodos y condensadores electrolticos).

16.19 REGULADORES MONOLITICOS

Existen pastillas de circuito integrado que funcionan como reguladores de tensin, lo que representa ventajas respecto a los circuitos con elementos discretos. Los mdulos bsicos pueden usarse directamente o agregando componentes exteriores. Con este tipo de dispositivos se alcanzan tensiones de salida reguladas que varan entre cero voltios y algunos centenares.

El fabricante suministra toda la informacin necesaria para un uso de terminales hacia afuera: tensin de salida (fija o ajustable), corriente mxima de salida, regulacin, rizado, margen de la tensin de entrada, margen de temperatura de funcionamiento, tc. Tambin se indica la misin hacia afuera de los distintos terminales. Como ejemplo, se ver un circuito en que, adems del C.I., se utilizan componentes discretos exteriore, y cul es la funcin de cada terminal.
REGULADOR DE TENSION DE PRECISION CA723, CA723C

The CA723 and CA723C are silicon monolithic integrated circuits designed for service as voltage regulators at output voltages ranging from 2V to 37V at currents up to 150mA.

Alimentacin positiva o negativa Serie, shunt, conmutacin u operacin flotante Salida de tensin ajustable de 2 a 37 voltios. Corriente de salida hasta 150 mA. sin transistor externo de paso.

Valores mximos absolutos (TA = 25 C)

Tensin desde V+ a VTensin diferencial entre entrada y salida Mxima corriente de salida Rango de temperaturas

40 V. 40 V. 150 mA. de 0C a 70C.