Gne enerjisiyle alan bir otomobilin genel grnm Gne enerjisini elektrik enerjisine eviren paneller

Silikon bir fotovoltaik gze elemannn temel yaps

Elektronik motor kontrolleri

Piller

Elektrik motoru

Gne Pillerinin Yaps ve almas

.

Gne pilleri ya da fotovoltaik piller, yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine dntren yariletken maddeler. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilen gne pillerinin alanlar genellikle 100 cm2 civarnda, kalnlklar ise 0,2-0,4 mm arasnda oluyor. Fotovoltaik etki silisyum gibi yariletken maddelerin iinde oluur. Fotopil denen fotovoltaik hcreler, bir P-N denklemi, yani iki katmanl bir yariletken blge ierir. Bunlarn birindeki (delik diye de adlandrlan ve + elektrik ykyle sonulanan) elektron azl ve dierindeki (- yk salayan) fazlal, bu blgenin her iki tarafnda bir elektrik alannn olumasna yol aar. Yariletken tarafndan emilen k aksnn fotonlar, yariletken parann iki tarafnda ayr ayr toplanan elektrondelik iftlerini oluturur. Bunun sonucunda, eklemin aydnlanan yzyle ve buraya den n younluuyla orantl bir elektrik akm meydana gelir. Ak, gneli bir havada 1 desimetre apnda bir fotopil, yaklak olarak 1 watt retir. Verimi (k gcnn gelen k gcne oran) kullanlan malzemeye gre deiir. Fotopiller genellikle ok kristalli ya da amorf (biimsiz) silisyumdan yaplr. ok kristalli silisyum yksek gvenilirliinden ve yksek veriminden dolay (yzde 10-14) ilgi ekiyor. Buna karlk amorf silisyumun verimi daha dk ( yzde 7). Bununla birlikte, daha ince katmanlar halinde kullanlabildiinden daha az masrafl. Fotopiller, 1950lerde uydularn elektrik elde etmesi iin gelitirilmiti. Gnmzdeyse elektrik elde etmek iin bir alternatif enerji kayna olarak dnlyor. Gnmz elektronik rnlerinde kullanlan transistrler, dorultucu diyotlar gibi gne pilleri de, yariletken maddelerden yaplyor. Yariletken zellik gsteren birok madde arasnda gne pili yapmak iin en elverili olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellr gibi maddeler. Yariletken maddelerin gne pili olarak kullanlabilmeleri iin N ya da P tipi katklanmalar gerekli. Katklama, saf yariletken eriyik ierisine istenilen katk maddelerinin kontroll olarak eklenmesiyle yaplr. Elde edilen yariletkenin N ya da P tipi olmas katk maddesine bal. En yaygn gne pili maddesi olarak kullanlan silisyumdan N tipi silisyum elde etmek iin, silisyum eriyiine periyodik cetvelin 5. grubundan bir element, rnein fosfor eklenir. Silisyumun d yrngesinde 4, fosforun d yrngesinde 5 elektron olduu iin, fosforun fazla olan tek elektronu kristal yapya bir elektron verir. Bu nedenle 5. grup elementlerine "verici" ya da "N tipi" katk maddesi denir. P tipi silisyum elde etmek iinse, eriyie 3. gruptan bir element (alminyum, indiyum, bor gibi) eklenir. Bu elementlerin son yrngesinde 3 elektron olduu iin kristalde bir elektron eksiklii oluur, bu elektron yokluuna boluk ya da delik denir ve pozitif yk tad varsaylr. Bu tr maddelere de "P tipi" ya da "alc" katk maddeleri denir.

P ya da N tipi ana malzemenin ierisine gerekli katk maddelerinin katlmasyla yariletken eklemler oluturulur. N tipi yariletkende elektronlar, P tipi yariletkende delikler ounluk taycsdr. P ve N tipi yariletkenler biraraya gelmeden nce, her iki madde de elektriksel bakmdan ntrdr. Yani P tipinde negatif enerji seviyeleri ile delik saylar eit, N tipinde pozitif enerji seviyeleri ile elektron saylar eittir. PN eklem olutuunda, N tipindeki ounluk taycs olan elektronlar, P tipine doru akm olutururlar. Bu olay her iki tarafta da yk dengesi oluana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yzeyinde, yani eklem blgesinde, P blgesi tarafnda negatif, N blgesi tarafnda pozitif yk birikir. Bu eklem blgesine "gei blgesi" ya da "ykten arndrlm blge" denir. Bu blgede oluan elektrik alan "yapsal elektrik alan" olarak adlandrlr. Yariletken eklemin gne pili olarak almas iin eklem blgesinde fotovoltaik dnmn salanmas gerekir. Bu dnm iki aamada olur, ilk olarak, eklem blgesine k drlerek elektron-delik iftleri oluturulur, ikinci olaraksa, bunlar blgedeki elektrik alan yardmyla birbirlerinden ayrlr. Yariletkenler, bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan oluur. Bu bandlar valans band ve iletkenlik band adn alrlar. Bu yasak enerji aralna eit veya daha byk enerjili bir foton, yariletken tarafndan sourulduu zaman, enerjisini valans banddaki bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandna kmasn salar. Bylece, elektron-delik ifti oluur. Bu olay, PN eklem gne pilinin ara yzeyinde meydana gelmise elektron-delik iftleri buradaki elektrik alan tarafndan birbirlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili, elektronlar N blgesine, delikleri de P blgesine iten bir pompa gibi alr. Birbirlerinden ayrlan elektron-delik iftleri, gne pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. Bu sre yeniden bir fotonun pil yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yariletkenin i ksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-delik iftleri oluturulur. Fakat gerekli elektrik alan olmad iin tekrar birleerek kaybolurlar. Gne enerjisi, gnein ekirdeinde yer alan fzyon sreciyle aa kan ma enerjisi, Gneteki hidrojen gaznn helyuma dnmesi eklindeki fzyon srecinden kaynaklanr. Dnya atmosferinin dnda gne enerjisinin iddeti, aa yukar sabit ve 1370 W/m2 deerindedir, ancak yeryznde 0-1100 W/m2 deerleri arasnda deiim gsterir. Bu enerjinin dnyaya gelen kk bir blm dahi, insanln mevcut enerji tketiminden kat kat fazla. Gne enerjisinden yararlanma konusundaki almalar zellikle 1970'lerden sonra hz kazand. Gne enerjisi sistemleri teknolojik olarak ilerleme ve maliyet bakmndan dme gsterdi; evresel olarak temiz bir enerji kayna olarak kendini kabul ettirdi.

P-n Yonga
zetle, serbest yk taycs olarak; n-tipi yariletkende fosfor atomlarnn fazlalk elektronlar, ptipi yariletkendeyse bor atomlarnn elektron eksiinden kaynaklanan delikler vardr ve bu elektronlarla delikler bir araya gelebilseler, birleip birbirlerinin elektrik yklerini gidereceklerdir. Her iki tip yariletken de, olaan koullar altnda, ayr ayr ykszdr. Fakat, bu iki tip yariletken temasa getirildiinde; n-tipindeki elektronlardan snra yakn olanlar, snrn hemen te tarafndaki deliklerin ekimine kaplr ve bazlar hzla snr geip onlarla birlemeye balar. Snrn n-tarafnda elektron eksiklii, yani art yk; p-tarafnda ise elektron fazlal, yani eksi yk birikmektedir. Bu birikim, ekilde grld gibi, art ykten eksi yke, yani n-tarafndan ptarafna doru bir elektrik alannn olumasna yol aar. Bu elektrik alan, sadece snr izgisinin yakn komuluunu kapsar ve snrdan uzak d blgelere ulaamaz. Elektronlar snr getike alann iddeti artmakta, arkadan gelen elektronlarn geii giderek zorlamaktadr. nk, elektronlar iin elektrik alan ynnde hareket etmek, yerekimi kuvvetiyle bir benzetme yaplacak olursa, yoku yukar trmanmak gibidir. Sonu olarak, snrn te tarafna belli bir miktar elektron getikten ve snr civarndaki elektrik alan belli bir iddete eritikten sonra, elektron geii durur. Geri n-blgesindeki serbest elek- tronlarn hepsi deil, sadece kk bir orana karlk gelen bazlar, p-blgesindeki deliklerden bazlaryla birlemilerdir. Ama her iki blgenin de ykszl bozulmu ve artk yeni bir denge olumutur. Bu denge erevesinde; sistemin n-tarafnn snra komu blgesi art, p-tarafnnsa, keza snra komu blgesi eksi ykldr. Snr kprleyen elektrik alan bir diyot oluturur ve ortaya kabilecek yeni serbest elektronlara, pden nye gemeleri ynnde kuvvet uygularken, tersi yndeki geilere izin vermez. te yandan bu elektrik alan, iki yariletken arasnda bir gerilimin var olduu anlamna gelir. Eer bu gerilim zerinden yk aktlabilecek olursa, yani akm geirilebilirse; akm iddeti arp gerilim (VxI) kadar g retilmi olacaktr. Szkonusu akm, gne nlarnn yol at serbest elektronlardan oluacaktr.

Fotovoltaik bir gzedeki elektrik alannn etkisi

Fotovoltaik bir gzenin ileyii

BLM ve TEKNK 42 Kasm 2003