Professional Documents
Culture Documents
BLM ve TEKNK
Aralk 2006
C. Decker grubu tarafndan karbon nanotp kullanlarak yaplan nanotransistrn Atomsal Kuvvet Mikroskobu grnts. ekilde sar renkteki platin ubuklar arasna yerletirilen krmz tp transistr olarak almaktadr.
ekil 2: Sol panel: Karbon nanotp kullanlarak yaplan bir transistrn Atomik Kuvvet Mikroskobu ile elde edilen grnts. Sa panel: Nanoteknoloji sayesnde gelitirilen bir gaz sensr (Nature).
telleri, tpler gibi yapay yaplar tasarlayp sentezler. Bu ekilde sentezlenen yaplar ok aktif olabilir ve nemli kimyasal srelere araclk ederler, olaanst elektronik veya manyetik zellikler segilerler. Nanoteknoloji bilinen btn teknolojilere kyasla ok daha fazla temel bilime ve kuramsal aratrmalara gereksinim gsterir.
Nanoteknolojinin gelimesi:
Ekonomistler nanoteknolojinin yeni bir sanayi ve bilgi devrimi olarak 21. yzyla damgasn vuracana inanyorlar. Yakn bir gelecekte, bir lkenin nanoteknolojideki seviyesi o lkenin gcnn bir gstergesi olabilecek. Nanoteknolojinin ncelikle malzeme ve biyoteknoloji alanlarnda geliecei, ancak 10-15 yl sonra elektronik ve spintronikte, zellikle molekler elektronikte arln hissettirecei beklenmektedir. Nanomalzemelerin olaanst zellikleri hemen hemen her alanda; savunma sanayinde, tekstilde, otomotiv sanayinde, inaatta, yeni tedavi yntemlerinde ve ila sanayinde devrim yaratacaktr. Srtnmesiz yzeyler sayesinde tatlarda motor ya deitirme sorunu ortadan kalkabilecek, kir tutmayan kumalar belki amar makinalarn ortadan kaldrabilecek. Binalardaki betonarme kolonlarn kesitleri klp elastik zellikler kazanacak; bu sayede depremler binalarmza daha az tahribat yapabilecek. Nanoelektronik alannda milyonlarca aygt ieren btnleik devre yapmnda ve aygtlarn iletkenlerle birbirlerine balanmalarnda sorunlar bulunmaktadr. Kendi kendine yaplanan molekllerle bu sorunun zlmesi biraz zaman alacaa benzemektedir. zeri kaplanarak DNAdan yaplan transistrlerin DNA replikasyonu yntemi ile btnleik devreye dntrlmesi bilim adamlarnn zerinde altklar konular arasnda yeralmaktadr. Nanobilim ve nanoteknoloji aratrmalar iin gelimi lkelerde kamu sektr 2005 ylnda toplam 6 milyar ABD Dolar yatrm yapmaktadr. Son yllarda ABD, Japonya, AB lkeleri, Kore, srail, Gney Afrika Birlii, Kanada gibi lkelerde her biri 100 milyon Dolarn zerinde harcama yaplarak, ok sayda Ulusal Aratrma merkezleri kurulmutur. ABDde Stanford, Harvard, Cornell gibi tannm 13 niversitede kamu tarafndan nanoteknoloji merkezleri kurulmutur. Benzer ekilde 2005 ylnda Argonne, ONRL, Lawrence-Berkeley, Sandia, Brokhaven Ulusal merkezlerde de dev Nanotekno-
loji Aratrma Laboratuvarlar Enerji Bakanl tarafndan kurulmu; devlet ve zel niversitelerin ynetimine braklmtr. Nanoteknolojye bu kadar yatrm yapan ABDde 2015lerde nanoteknoloji rnlerinin satlarnn 3 trilyon Dolara erimesi beklenmektedir. randa Sharif niversitesinde 2005 ylnda kurulan ulusal Nanobilim ve Nanoteknoloji Enstitsnde, disiplinleraras doktora programyla birlikte bilimsel aratrmalar da yrtlmektedir. eitli konularda ellinin zerinde nanoteknoloji irketinin kurulduu srailde, hkmet nanoteknolojiye yapaca destei 230 milyon Dolara karmtr. Bu teknoloji devriminde yer almak ve gelien pazardan pay kapmak iin, lkeler adeta birbirleriyle yarmaktadr.
notriboloji, yzey kaplama, katalizr tasarm gibi ok gncel konular da eklendi. Ayrca disiplinleraras almay gelitirmek amacyla merkezdeki aratrmalara paralel olarak yrtlen Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji yksek lisans ve doktora program balamtr. Bu programla Nanoteknolojinin en aktif aratrma konularnda uzman yetitirilmeye baland. Yedi katl ve 8500 metrekare kapal alanda, 62 adet laboratuvar bulunan yeni binamz, bilim ve teknolojinin snrlarnda aratrmalara olanak verecek ok modern bir anlayla tasarlanmtr. Binamzn bundan sonra lkemizde kurulacak aratrma merkezlerine iyi bir rnek olmas beklenmektedir. Merkezin inaat Nisan 2007de bitirilecektir. naat almalarna paralel olarak bir yandan laboratuvar aratrmalarnda kullanlmak zere 15 milyon YTL deerinde ekipman ve ok hassas cihazlarn alm gerekletiriliyor, dier yandan da merkezin verimli bir ekide ynetilmesini salayacak organizasyon almalar srdrlyor. imdi, UNAMn kurulu srecinde bilimsel almalar Bilkent niversitesinden 25 retim yesi ve 45 aratrma asistan tarafndan yrtlmektedir. zleyen 4 yl iinde ou fizik, kimya, molekler biyoloji, malzeme bilimi konularnn birinde doktora almas yapm 40-50 kadar uzmann ve ok sayda doktora rencisinin eitli aratrma projelerinde grev almas beklenmektedir. Merkezimiz yrtmekte olduu projeler kapsamnda Ko, Sabanc, Anadolu, Ege, Pamukkale, Mersin, Krkkale, Orta Dou Teknik niversitesi retim yeleriyle ibirlii yapmaktadr. Ayrca ABDnin eitli laboratuvarlarnda almakta olan ok deerli Trk bilim adamlar da UNAM ile ortak aratrmalar yapmaktadr. UNAM, DPT, TBTAK, Mili Savunma Bakanl, Salk Bakanl, Deniz Kuvvetleri Komutanlnn destekledikleri projeleri yrtmekte ve/veya yeni proje teklifleri hazrlamaktadr. eitli projeler kapsamnda Roketsan, DYO, Arelik, Vestel, Korteks gibi irketlerle ibirlii ve mterek ARGE almalar yrtlmektedir. UNAMda akll tekstil, yzey kaplama ve boya, hidrojen ekonomisi, spintronik, fiber, femtosaniye lazer, nanoaygt, nanobiyoteknoloji konularndaki ana projeler balama aamasna gelmitir.
Aralk 2006
BLM ve TEKNK
ekil 5: Ulusal Nanoteknoloji Merkezinin kuruluunda alan Bilkent niversitesi retim yeleri, dier niversitelerden aratrma ortaklarmz ve ABD de muhtelif niversite ve aratrma merkezlerinde grevli olup merkezimizde eitli aratrma faaliyetlerine katlan bilim adamlarmz.
ABDden ok sayda deiik lkeye yaylmtr. Bu balamda ran ve Pakistanda da ulusal merkezlerin kurulmas devlet politikas olmutur. lkemizde baka alanlarda da deiik niversitelerimizde bu tr mkemmeliyet merkezlerinin zaman kaybetmeden kurulmas gerekmektedir. Heraklion Aratrma Merkezinin AB ereve programlarndan milyonlarca Avro kaynak kullanarak Yunanistann bilim ve teknolojisine yapt katk bu Ulusal Merkez fikrinin ne kadar yerinde
ekil 4: Ulusal Nanoteknoloji Merkezinin Binasnn maket modeli. Scaklk , toz ve titreim kontroll 62 laboratuvar, konferans salonu ve ofislerden oluan 8500 m2 bina Nisan 2007 de bitirilecek ve izleyen aylarda satn alnan hassas cihazlar ve ekipman yerlerine yerletirilip aratrma faaliyetlerine balanacaktr.
olduunu gstermektedir. UNAMn ok ileri dzeyde donatlm bir mkemmeliyet merkezi olarak gelimesi yabanc lkelerde doktora derecesini alm ok yetenekli gen bilim adamlarmzn Trkiyeye dnerek lkemizin bilimsel ve teknolojik alanda gelimesine katkda bulunmasna frsat verecek, beyin gn tersine dndrecektir. Ayrca yabanc lkelerde yerlemi ok deerli bilim adamlarmz iin UNAM bilimsel bir kontak noktas olacak, nemli bilim ve teknoloji transferi salanacaktr. talya, in, srail, Hindistan gibi lkelerin bu yolla kazanmlar gz nnde bulundurulmaldr. UNAM yukarda zetlenen stratejik kararlar ve hedefler dorultusunda hzla geliip bymektedir. Ancak yukarda zetlenen bu almalar UNAMn kurulup bymesinde sadece 1. faz oluturmaktadr. zleyen yeni fazlarla merkezimizin baar kazanarak bymesi ve toplam yatrmmzn 100 milyon Dolara erimesi planlanmtr. Bunun iin gerekli olan kaynak merkezde yrtlmekte olan projelerden elde edilen gelirden salanacaktr. zleyen yazlarda UNAMda planlanan ve yrtlmekte olan ok sayda byk bteli projelerden bazlar hakknda ksa bilgi verilecektir. Prof. Dr. Salim rac
Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezi Proje Yneticisi Bilkent niv., Fizik Blm, iletiim: ciraci@fen.bilkent.edu.tr
Nanoteknoloji ismi ou kimseye fizik bilimini hatrlatmaktadr. Ancak, birok konuda olduu gibi bu konuda da sihirli denek yine kimyaclarn ellerindedir. Malzemelerin srtnme, yapma, suyu sevme ya da sevmeme, biyolojik etkileim ve benzeri Yzey zellikleri tamamen nanometre boyutlarndaki en st katmanlarn kimyasal kompozisyonu ve morfolojisi tarafndan belirlenir. Dolaysyla bu yzey zelliklerinin kontroll ve akll bir ekilde kullanm da tabii ki nanoteknolojiden gemektedir. Nanoteknoloji uygulamalar denilince de akla hemen pahal ve yksek teknoloji gerektiren ultra-yksek vakum isteyen cihazlar (UHV), yksek scaklklar veya nanometre boyutlarnda litografi yapabilen aygtlar geliyor. Halbuki doadaki rneklere bakldnda birok tepkime ve malzemenin retimi oda scaklnda, normal artlar altnda ve sulu ortamlarda gereklemektedir. Lotus Yapra veya Kpekbal Derisi rneklerinde olduu gibi doadaki canllar yzey zelliklerini mtevazi koullarda kolayca ve hzlca kontrol
edebilmektedirler.1,2 Asyadaki eitli dinlerde Lotus bitkisi safln sembol olarak kabul edilmektedir. Bunun nedeni, lotus bitkilerinde bulunan kendi kendini temizleyebilme yetisi olarak ifade edilebilir (Lotus etkisi). Yzeyinde bulunan mikron ve nano seviyesindeki ukur ve tepecikli yaplar sayesinde bitkinin yapraklar kesinlikle slanmamakta ve su damlacklar yapran topraa doru eimli ekli sayesinde topraa doru kayarken zerindeki a-
ekil 1. Sperhidrofobik bir yzeyin kayan bir su damlaca ile temizlenmesini gsteren diagram.
BLM ve TEKNK 5 Aralk 2006
muru, kk bcekleri ve dier kirlilikleri de beraberinde tamaktadr. Bu zellik ekil 1deki diagramda da basite gsterilmektedir. Bu sayede Lotus bitkisi amurlu nehirlerde ve gllerde yetimesine ramen yapraklar olduka temizdir (ekil 2). Nanobilimiyle uraan bilim adamlar da, lotus yaprann bu zelliini taklit ederek boyalarn, kumalarn ve dier pekok yzeyin hem kuru kalmasn hem de kendi kendini temizleyebilme zelliini kazanabilmesi iin yeni yntemler gelitirmekteler. Bu amala da yzeyleri ya florlu ya da silikon ieren bileiklerle ileme tabi tutmaktalar. Yakn bir gemite Massachusetts Teknoloji Enstitsndeki (MIT) bilim adamlar, camlarda oluan buulanmann nne geebilmek iin effaf bir kaplama gelitirdiler. Bu kaplama, temelde kk cam paracklar olan silis nano paralardan ve polimerden oluuyor. Buulanma, binlerce ok kk su damlasnn cam ve benzeri yzeyler zerinde younlamasyla oluuyor. Bu damlalar bir eit filtreleyerek yzeyin yar effaf bir grnt kazanmasn salyor. Buulanma genellikle souk yzeyin aniden scak havayla karlamas sonucu oluuyor. Kaplama iindeki nano paracklar, su paracklarn cam yzeyden
yuvarlanarak uzaklatmasn salayarak buulanmann olumas engellenmektedir. Bu balamda Layer-by-Layer Deposition diye adlandrlan tabaka-tabaka kaplama yntemiyle hazrlanan yzeylere kontroll ilevsellik kazandrmak iin ska kullanlan bir hazrlama yntemi olarak ortaya kmaktadr. En basit uygulamasnda, sulu zeltilerde zerlerinde ok sayda ykl gruplar ieren biyo veya makro-molekllerin (rnein pozitif ykl kuaterneri amin gruplar, -NH3+ ieren bir polimer-polikatyon), zt ykl hazrlanm yzeylere (negatif ykl silikon, cam veya mika) elektrostatik glerle tutunmasn salayarak birinci tabakann oluumu gerekletirilmektedir. Bu ilem sonucunda yzey, balangtaki yke zt olan yk iermektedir (yukardaki rnekte pozitif) ve dier ykl bir polielektrolit zeltisine (yukardaki rnee gre negatif ykl polislfon gruplar,(-SO3-) ieren bir polimer-polianyon) daldrldnda ikinci tabaka ayn ekilde gl elektrostatik etkilerle balanabilmektedir. Bu ekilde devam edildiinde ekil 4te gsterildii gibi yzeyler pozitif-negatif-pozitif-negatif... tabakalardan oluan 4-60 katman ile kaplanabilmektedir.3,4 Bu kaplamalar yzeylerin fonksiyonlarn kontroll bir ekilde deitirme imkan salayarak, yzey zellikleri asndan neredeyse sonsuz seenek sunulabilmektedir.
liide artmakta ve sperhidrofobik bir yzey olma ynnde yol alnmaktadr. Temas asn etkileyen iki nemli faktrden bir tanesi yzey przll dieri ise yzey gerilimidir. Suyu seven ve sevmeyen iki cam yzey ekil 6da gsterilmektedir. Benzeri ekilde Rubner ve arkadalar yine silika (SiO2) nanoparacklar, PAH polikatyonu ve poly(akrilik asit) PAA polianyonunu tabaka-tabaka kaplayarak elde ettikleri yzeyleri daha sonra yarflorlanm silan ile kaplayarak bu defa da sperhidrofobik bir yzey elde edilebildiini gstermilerdir (ekil 7).6
ekil 5. Sperhidrofilik yzeylere damlatlan su damlalar. Balangta yzeyler normal davranmakta ancak 2-3 dakika sonra yzeyi tamamen slatmaktadr.
BLM ve TEKNK
Aralk 2006
Benzeri bir alma 3 yl nce dnyaca nl Science dergisinde yaynlanmtr ve zeti ekil 10da verilmektedir. Altn elektrot zerine tek tabaka olarak negatif ykl bir grup ieren uzun hidrokarbon zincirli bir moleklle kaplandnda yzey suyu seven bir zellik gstermektedir. Altn tabakas pozitif olarak yklendiinde ise en dtaki negatif ykl gruplar ieriye doru bklmekte ve dolays ile yzey hidrokarbonca zenginlemekte ve hidrofobik hale dnmektedir. Ykleme ortadan kalknca yzeyler tekrar hidroflik olmakta ve bu ykleme-boalma ilemi tekrar tekrar yapldnda yzey kolayca ve kontroll bir ekilde bir konumdan dierine gemektedir.9
da akll yzeyler elde edilmesi zerinedir.8 4. snf kimya blm rencilerimizden Can Pnar ngerin 5 nm oksit tabakas ieren silikon zerine srayla PAH ve PSS polielektrolitler kapladnda, ekil 9 da grld gibi su ile yzey temas as 70 dereceden 30a dp tekrar kmaktadr ve dolays ile yzeyleri nce suyu sevmeyen ve sonra da seven eklinde kontrol edebilmekteyiz. Bir sonraki aamada da bu yzeyleri elektrik alan uygulayarak daha da akll bir konuda kontrol edebilir hale getireceiz.
zet
En basit daldrma kartma yntemi bile bize yzey zelliklerini ok akll bir ekilde ve nanometre boyutlarnda kontroln salayabilmektedir. Elektrik alan ise bu Yzeyleri Daha da Akll yapmaktadr. Yaasn Akll Kimya.
ekil 9. 5 nm oksit tabakas ieren silikon yzeyinin su ile yapt temas asnn PAH ve PSS tabakalar ile kaplandka deiimi. Her kaplamadan sonra yzey Suyu Seven-Sevmeyen Konumunu deitirmektedir.
ekil 10. Elektrik alan altnda eilip-dorulan molekller yzeyleri suyu seven-sevmeyen konumuna getirmektedir.
Aralk 2006
BLM ve TEKNK
Sekil 1. Nerdeyse srtnmesiz karbon kaplama ile yaplan deney sonucunu gsteren srtnme diyagram
eden deneysel almalarda ise, gerekten tahmin edilen artlar altnda srtnmenin tamamen yok olabilecei ispatland. Aslnda sperkayganlk kelimesi ilk defa Prof. Dr. Hirano tarafndan hangi artlar altnda srtnmesiz kayma elde edilebileceini tanmlamak iin kullanlm bir terimdir [1]. Tarihsel adan, sperkayganlk konusunda ilk teorik almalar 1980li yllarn son eyreinde balamtr. lk almalar, Prof. Dr. Jeffrey Sokoloff ve Motohisa Hirano ya aittir [1,2]. Teorik olarak, bu bilim insanlar, sperkayganln ok zayf kuvvetlerle iliki halinde olan yzeylerde ve atomsal mertebede uyumsuz temas durumlarnda elde edilebileceini tahmin etmilerdir. Daha sonra yaplan deneysel almalarda da, birbiri ile atomsal mertebede uyumsuz bir temas halinde olan grafit ve silikon yzeylerinde gerekten srtnmenin neredeyse sfra kadar debildii deneysel olarak ispatlanmtr [3,4]. Bu konuda, daha sonra almaya balayan bilim insanlar da, sperkayganln birtakm baka madde veya malzemelerde de mmkn olduunu gstermilerdir. Bu maddelerde de, sperkayganlk ancak atomsal mertebede uyumsuz temas durumlarnda mmkn olabilmitir ve bu maddelerin hemen hepsi katmanl yaplara haiz grafit, molibden slfr, veya mikadan olumaktadr. Sperkayganlk iin zel kristal yap ve kayma yn gereksinimi dolays ile, bu tr bulgulara yapsal veya yapya haz sperkayganlk ismi de verilmitir [5]. Bilimsel adan bu tr bulgular ok byk neme haiz olmasna ramen, pratik uygulama bakmndan henz hi bir varlk gsterememitir ve u ana kadar da bu bulgulara dayal pratik bir sistem henz mevcut deildir. Geen 20 yl esnasnda, elmas ve elmasa benzer karbon kaplamalar hem bilimsel hem de endstriyel adan ok byk bir ivme kazand. Bu kaplamalar, genellikle kimyasal buharlatrma yntemleriyle karbon ieren hidrokarbon gazlarndan (rnein metan veya asetilen) elde edilmektedir. Bu konudaki youn almalar sa-
yesinde, bilim insanlar ok ilgin kaplama trleri kefettiler ve u anda da bu kaplamalar yaygn bir biimde kullanlmaktadr [6]. Bilhassa, elmasa benzer karbon kaplama konusunda u anda ok deiik trler mevcuttur. Elmas ve elmasa benzer karbon kaplamalarn en youn aratrld bilim merkezlerinden birisi de ABDnde Chicago ehri yaknndaki Argonne National Laboratory olmutur. Burada sistematik olarak srdrlen bilimsel almalar sayesinde, yksek hidrojen ihtiva eden hem yapsal hem de kimyasal adan optimize edilmi bir elmasa benzer karbon kaplamann ok ar srtnme artlar altnda bile srtnme katsaysn neredeyse sfr (rnein 0.001) mertebelerine indirebilecei ispatlanmtr [7]. 1998 ylnda, bu baar hem R&D-100, hemde Discover Magazine dllerine layk grlm, bilim evrelerinde de ok byk yanklar uyandrmtr. Srtnme katsaysnn neredeyse sfra yakn olmas dolays ile de, bu kaplamaya neredeyse srtnmesiz karbon kaplama (veya near-frictionless carbon) ismi verilmitir. ekil 1 bu kaplamann srtnme katsaysn gsteren bir diyagramdr. Bu tr zelliklere sahip olan yeni maddelerin sentezi ancak denge-d ve sperkritik plazma ortamlarnda elde edilebilmektedir. Karbonbazl kat maddelerde, srtnmenin ana kaynaklarndan bazlar ok kuvvetli kovalent balardan kaynaklanmaktadr. Sperkayganlk iin, bu balarn tamamen yok edilmesi arttr. ayet bu yaplmam ise, bu balar srtnme esnasnda srtnen yzeyler arasnda ok kuvvetli balar oluturup, kaymay zorlatrmaktadr. Bu balar yok edebilmenin en kolay yollarndan birisi, bu kaplamalarn iine ve srtnen yzeylerine gerektii kadar hidrojen temin etmektir. Hidrojen, karbon ile ok kolay reaksiyona girer, ve ona ok kuvvetli balar ile balanr. Bu kovalent balarn ortadan kaldrlmas da srtnen yzeyleri kimyasal adan ok duyarsz bir kvama getirir ve bu tr yzeyler, srtnme esnasnda kimyasal ba oluturamayaca gibi, aadaki ekilde de (ekil 2) gsterildii gibi pozitif bir elektrik yk de kazanr [8]. Temas haline getirilen iki pozitif ykl yzey de doal olarak birbirini ekme veya balanma yerine birbirini itme zelliine kavuur. Bu tr yzeyleri hidrojen ile doyurulmu ve temas etmeleri iin birbirlerine iyice yaklatrlm iki elmas yzeylerin bilgisayar destekli simulasyonlarnda da bu tr yzeylerin gerekten 2 angstromdan daha fazla yaklatrlmalar halinde ok byk itici glerin ortaya kaca gsterilmi ve ayet bu tr yzeyler birbirlerine kar srtnmeye zorland durumlarda da ok dk srtnme katsaylarnn elde edilebilecei ortaya kmtr [9]. Ksacas, srtnmesiz yzeylerin tasarm ve
de, bir sistem zellii olduudur. Srtnmenin olutuu ortamn kimyasal ve fiziksel zellikleri, yzey parametreleri, malzemenin sertlii vs. srtnmeyi ciddi bir ekilde etkiler. zet olarak, srtnme gerekten ok kapsaml bir konu ve ilgin bir fiziksel olgudur. Onu kontrol edebilmek, ancak onu ok daha iyi bir ekilde anlamakla mmkn olabilecektir. nsanolu, dnyaya geldii andan itibaren devaml hareket halinde olmutur ve bir yerden bir baka yere gidebilmek iin de devaml birtakm yeni aralar icat ederek daha konforlu, daha hzl seyahat edebilmenin yollarn aratrmtr. Hi phesiz, bu eilim 21. yzylda da devam edecektir. Enerji kaynaklarnn gittike daha da azald bir zaman diliminde, bizlerin gerekten srtnmeyi yakn bir takibe alp, onu daha iyi nasl kontrol edebiliriz, hatta tamamen nasl ortadan kaldrabiliriz, sorularna cevap vermemiz gerekmektedir. Srtnme ve sperkayganlk konusunda geni apl bilgi edinebilmek iin birok makale ve kitaplar mevcuttur. Bu konuyu en iyi bir ekilde ileyen bilimsel bir kitapta u gnlerde baslmak zeredir [10].
ekil 2. Srtnme katsays neredeyse sfra yaklaan karbon kaplamalarn atomik letlerdeki yzey kimyas. Beyaz atomlar hidrojeni, gri atomlar da karbonu temsil etmektedir. Sadaki diyagramda bu yzeylerin pozitif bir arja haiz olduunu ve dolays ile birbirlerini iteceini ima etmektedir. W, uygulanan yk; F ise srtnmeden kaynaklanan kuvveti temsil etmektedir [8].
gerekletirilmesi enerji tasarrufu bakmndan ok byk bir neme sahiptir. Bu konuda, geen 20 yl esnasnda ok kaydadeer gelimeler kaydedildi. Ancak, bu tr yzeylerin geni apl ve endstriyel anlamda hayata geirilebilmesi iin bir takm zorluklarn yenilmesi gerekmektedir. Srtnme, bir yzeyde dnlebilecek olgulardan sadece bir tanesini tekil etmektedir. Srtnmenin yannda, bir yzeyin mekanik ve tribolijik alardan bekleneni verebilmesi iin, br yzey zelliklerininde (rnegin, sertlik, przllk, kimyasal yap vs.) ideal olmas gerekir. Bunlarn yannda, ayrca kullanlan ortamn kimyasal bileimi ve scakl da gz ard edilmemelidir. Ksacas, her trl problemi her
trl artlar altnda zebilecek bir madde henz bulunmamtr. Ancak, belirli malzemelerin belirli koullar altnda performans artrc, verimi ykseltici ve mr uzatc kabiliyetleri vardr. Bu yukarda szn ettiim elmasa benzer karbon kaplamada bu maddelerden birisidir. rnein, kuru azot veya vakum ortamlarnda srtnme katsays 0.01in altnda iken, rutubetli veya oksijen ihtiva eden ortamlarda bu srtnme katsays birka misline kabilmektedir. Yal ortamlarda ise, yan viskozitesine bal olarak 0.03 ile 0.1 mertebelerinde srtnme katsays salayabilmektedir. Ksacas, hi unutulmamas gereken bir husus, bu srtnmenin bir malzeme veya kaplama zellii deil-
Kaynaka: 1. J. B. Sokoloff, PRB 42 (1990) 760. 2. M. Hirano ve K. Shinjo, PRB, 41 (1990) 11837. 3. M. Hirano, K. Shinjo, R. Kaneko, ve Y. Murata, PRL, 78 (1997) 1448. 4. C. M. Mate, G. M. McClelland, R. Erlandsson, ve S. Chiang, PRL, 59 (1987) 1942. 5. M. H. Muser, Europhys. Lett., 66 (2004) 97. 6. A. Erdemir ve C. Donnet, Tribology of Diamond, Diamond-like Carbon And Related Films in Handbook of Modern Tribology, CRC Press, 2001, pp.871-899. 7. A. Erdemir, O. L. Eryilmaz, ve G Fenske, J. Vac. Sci. Technol., A18 (2000) 1987. 8. A. Erdemir, Surf. Coat. Technol., 146 (2001) 292. 9. S. Dag ve S. Ciraci, Phys. Rev. B, 70 (2004) 241401.
Aralk 2006
BLM ve TEKNK
ekil 1: : Koruyucu kaplamalar uyguland yzeyleri eitli d etkenlere kar koruma grevi stlenirler. Sert koruyucu kaplamalar gnmzde sabit disklerden, kesici-delici ulara ve denizalt periskoplarna kadar geni uygulama alanlar bulmaktadr.
tedbirler alnmas ve yeni dayankl yzeyler gelitirilmesi sayesinde kayplarn bir ksmnn nlenebilecei kantlanmtr. Koruyucu kaplama teknolojisi, yzeylerin korunmas ve bozunmann nlenmesi iin gelitirilen yntemlerden en basitidir. Bozunmaya dayankl bir malzemenin iki boyutlu ince tabaka halinde korunmas gereken yzeylerin zerine kaplanmas sureti ile yeni ve daha dayankl bir yzey elde edilmesidir. Metal yzeylerin korozyona kar boyanmas, bakr tencerelerin kalaylanmas, veya alminyum yzeylerin anodizasyonu gibi ilemler bu tekniin en basit ve yaygn rnekleri olarak gsterilebilir. Gnmzde yksek teknolojinin girdii alanlar geniledike yzey sorununun bir yz olan anmaya dayankllk ve sert kaplamalar konusu gittike nem kazanmaktadr. Sert kaplamalarn uygulama alanlar kala, diz ve dier eklem protezleri, jet motorlar, sabit diskler, talal imalatta kullanlan delici/kesici/andrc ular, silindir ve piston gvdeleri, rulman yataklar gibi ok geni bir yelpazeyi kapla-
maktadr (ekil 1). Sert kaplamalarn endstriyel roln ve nemini anlamamz iin u rnee dikkat etmemiz lazmdr:Amerika Birleik Devletleri Enerji Bakanl (DOE) yeni malzemeler aratrma btesinin %59unu bozunmaya dayankl (anma, srtnme, korozyon vb.) malzemelere ayrrken, bunun iinden sert koruyucu kaplamalarn aratrlmasna ayraca pay %26 olarak aklamtr (2). Ayn almada ultra-sert (> 40 GPa), anmaya direnli nano-kristal kaplamalarn gelitirilmesi ile yakn gelecekte senede 2.4 milyar dolarlk enerji kaybnn nlenmesi hedeflenmektedir. Son zamanlarda bu konu zerine younlaan almalar bor-karbon-azot (B-C-N) l sistemini yaygn endstriyel kullanma elverili ultra-sert ve anmaya direnli kaplamalar ynnden yksek potansiyele sahip gstermektedir. zellikle, lkemizin dk bir katma deerle yurtdna satt bor madeni daha sonra yurtdndan yksek maliyetle saflatrlm ileri teknoloji rn bor ieren bileikler veya sistemler olarak geri satn aldn dnrsek
bu almalarn nemini daha sk kavrayacamz aikar. B-C-N sisteminde en popler kaplamalara rnek olarak kbik-bor nitrr, (k-BN) kaplamalar verilebilir. ekil 2de k-BN kaplamalarn makro, mikro ve nano boyutlarda yaplar sergilenmektedir. K-BN kaplamalar endstride gnmzde yaygn olarak kullanlan koruyucu kaplamalardan titanyum nitrr (TiN) ve elmasbenzeri-karbon (DLC) gibi kaplamalardan 2-3 kat daha sert ve 10 kat daha stn anma direnci gstermektedir. Ancak bu yksek potansiyeline karn k-BNn sentezlenmesinde varolan sorunlar endstriyel uygulamalarn ciddi bir ekilde kstlamaktadr. Bu sorunlarn almas iin yazda daha nce bahsedildii zere gelimi lkelerde ok ciddi ve yksek bteli almalar finanse edilmektedir. Sz konusu almalarda kaplamalarn sentezlenmesi srasnda geen olaylar atom seviyesinde znrlk salayan taramal tnelleme mikroskobu (STM) ve geirimli elektron mikroskobu (TEM) kullanlarak atomlar seviyesinde gzlemlenmektedir. (ekil 2de k-BN kaplamalarda atomlarn dizilimlerini gsteren bir TEM resmi grlmektedir). Bu tekniklerden elde edilen veriler kullanlarak yksek kalitede ve istenilen zelliklere sahip kaplamalarn retebilecei fiziksel ve kimyasal ortamlar aratrlmaktadr. Bunun dnda bu tr tekniklerin sentez metotlar ile e-zamanl kullanm ile byme mekanizmalarna annda mdahale mmkn olmaktadr. Daha nceleri denemeyanlma yolu kullanlarak deney masasndan endstriye uygulanmas on yllar sren bilimsel ilerlemeler bu tr gelimi teknikler kullanlarak birka yl iinde gerekletirilmektedir. Maliyet-fayda oran 1:50 olarak belirlenen sert ve anmaya dayankl kaplamalar konulu aratrmalar gelimi lkelerde artan bir ivme ile devam etmektedir. Hedefi elmastan daha sert ve srtnme katsays hemen hemen sfr olan kaplamalarn gelitirilmesi ve endstriye uyarlanmas konulu aratrmalar srerken Trkiyenin bu konuya ilgisiz kalmas dnlemez. Bunun iin bor ieren ultra-sert kaplamalarn sentezlemesi ve bu esnada karlalan sorunlar derinlemesine irdelemek, zmek ve sonuta bu tr kaplamalar lkemizde endstriyel uygulamalar iin hazr hale getirilmesi yeni kurulan Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezinde (UNAM) en nemli aratrma konularnn arasnda yer almaktadr. Yukarda anlatlan kapsam dnda bu almalar srasnda lkemizde az bilinen ve uygulanan ince-kaplama karakterizasyon ve vakum kertme teknolojileri konusunda eitimli kalifiye eleman yetitirmek ve endstriye kazandrmak da UNAMn amalarndan biridir. Yrd. Do. Dr. Erman Beng
Bilkent niversitesi, Kimya Blm UNAM-Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezi
ekil 2: Kbik-BN koruyucu kaplamalarn endstriyel uygulamalar iin uyarlanmas iin yaplan aratrmalar makro ve mikro seviye ile yeterli kalmayp nano boyutlarda da yrtlmelidir. Endstriyel ugulamalarn nndeki engeller ou kez sistemlerin atomik boyutlarda gzlenmesi ile zlebilmektedir. (Makro ve mikro boyut resimler Fraunhofer Enstitsn Web sitesinden alnmtr, nano boyutlu resim D.J. Kester v.d. J. Mater. Res. 8, 1213 (1993) makalesinden alnmtr.)
BLM ve TEKNK 10 Aralk 2006
Kaynaka: [1] JOST, H. P.: Lubrication (Tribology) A Report of the Present Position and Industrys Needs. Dep. Of Education and Science, H. M. Stationary Office, London 1966. [2]FY 2003 Budget in Review, U.S. Department of Energy, (2003).
(c) Metalik zelliini yitirmi molekler nanoparack (b) Belirli bir yzey ynelimini tercih eden tepkimeler iin uygun, zel morfolojili nanoparack
ekil 3. Nanometre boyutlarndaki paracklarn katalitik etkinliklerini arttran etkenler (Kaynak [4]den uyarlanmtr).
tn, kimyasal olarak soy zellikler gstermesine ramen; sadece birka bin (veya daha az sayda) altn atomu ieren altn nanoparacklar, beklenmedik bir ekilde yksek katalitik aktivite gstermekteydi. Maddenin parack boyutlarna bal, ilgin kuvantum mekaniksel zelliklerinin baskn bir ekilde gzlemlenmesine izin veren bu nanoparacklarn srad yzey zellikleri, bu paracklarn inanlmaz katalitik aktivitelerinin altnda yatan temel nedenleri oluturmaktadr. Altn nanoparacklarnn srad yzey zellikleri ve yzey yaplar arasndaki ilikilere ynelik en arpc almalardan birine gre [2], makroskopik yapda metalik zellik gsteren (yani yksek elektrik iletkenlii olan) altn; nanoparack olarak hazrlandnda, parack boyutuna bal olarak, yar iletken ve hatta elektriksel olarak yaltkan bir yap bile sergileyebilmekteydi! Yine bu almada ortaya koyulan, elektronik yap ve katalitik aktivite ara-
sndaki yakn iliki, maddenin kimyasal davranlarna bakmz hakknda kaydadeer temel deiiklere sebep oldu (ekil 3). Nanoparacklarn, boyutlar, yzey yaplar ve geometrileri ile katalitik zellikleri arasndaki ilgin ve srad ilikiler, yeni kurulan Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezinde (UNAM) deneysel ve kuramsal olarak ele alnan nemli aratrma konularnn banda yeralmaktadr. Bu balamda, ok nemli iki kresel sorun olan, tat aralarndan kaynaklanan zararl atklarn temizlenmesine ynelik yeni teknolojiler [5-6] ve gelecekte hidrojenle alan otomobillerde kullanlacak hidrojen depolama malzemelerinin [7] temelini oluturacak; nanoparack bazl yeni sistemler zerindeki almalarmz Bilkent nversitesi Kimya Blm ve UNAMda hzla devam etmektedir. Yrd. Do. Dr. Emrah zensoy
Bilkent niversitesi Kimya Blm UNAM-Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezi
Kaynaka 1) Chen MS, Goodman DW The structure of catalytically active gold on titania SCIENCE 306 (5694): 252-255 OCT 8 2004. 2) Valden M, Lai X, Goodman DW Onset of catalytic activity of gold clusters on titania with the appearance of nonmetallic properties SCIENCE 281 (5383): 1647-1650 SEP 11 1998. 3) Chen MS, Kumar D, Yi CW, Goodman DW The promotional effect of gold in catalysis by palladium-gold SCIENCE 310 (5746): 291-293 OCT 14 2005. 4) Cho A. Connecting the Dots to Custom Catalysts SCIENCE 299: 1684, 2003. 5) Ozensoy E, Goodman DW Vibrational spectroscopic studies on CO adsorption, NO adsorption CO plus NO reaction on Pd model catalysts PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS 6 (14): 3765-3778 JUL 21 2004 6) Ozensoy E, Peden CHF, Szanyi J, Model NOx storage systems: Storage capacity and thermal aging of BaO/-Al2O3/NiAl(100) JOURNAL OF CATALYSIS 243: AUG 22 2006 7) Yldrm T, rac S Titanium-Decorated Carbon Nanotubes as a Potential High-Capacity Hydrogen Storage Medium PHYSICAL REVIEW LETTERS 94: 175501 MAY 5 2005
ekil. 2. Bronz ana ait yaklak 3400 yllk bir altn tak. Bu muhteem altn tak, 3000 yldan uzun bir sre su altnda kalmasna ramen hala ilk yapld gn ki parlakln ve safln korumaktadr (Ka-Uluburun Bat, Bodrum Sualt Arkeoloji Mzesi Koleksiyonu)
Aralk 2006
11 BLM ve TEKNK
gantlarn nanogrntleme amal kuvantum noktacklaryla birlikte kullanmlarn da kapsayan geni bir yelpazede 8 aratrma grubunun katklaryla nanobiyoteknoloji aratrma grubu UNAM ierisinde ok kritik bir rol oynamaktadr. Bilkent, Molekler Biyoloji ve Genetik Blmnde yer alan retim yelerinin bir ksm UNAM bnyesindeki nanobiyoteknoloji aratrma birimini hayata geirmek iin, ok ynl almalarn bu alandaki uygulamalar iin adapte etmeye girimilerdir. rnein, antikanser terapiler gelitirmek iin yeni tarama ve diagnostik markerlarn tayini almalar Prof. Dr. Mehmet ztrkn ynetiminde srdrlmekte. Monoklonal antikorlar gelitirip bunlar nanomakineler ve nanosensrler zerine tutturup ok duyarl ve hzl biyoterr ajanlarnn veya hasta dokulardaki bozukluklarn tayin yntemlerinin gelitirilmesi almalarn Yrd. Do. Dr. Tamer Yacolu ynlendirmekte. Ayrca Yrd. Do. Dr. Can Akal mezenkimal kk hcre almalarn ve bu alandaki biyoteraptik uygulamalar ile nanoimplantlar destekleri zerine uygulayp doku ve hcre tedavisine ynelik aratrmalar yrtmektedir. Biyoinformatik ve genom bilim konularndaki youn
aratrmalarn Yrd. Do. Dr. zlen Konu, Do Dr. Ik Yulula birlikte dier kanser tiplerinin yan sra zellikle meme kanseri zerine molekler markrlerin belirlenmesi ve tan ile tedavide kullanmna ynelik uygulamalar iin transckriptom analiz ve hcre yolaklarndaki hasar tayin edebilecek almalarn youn ekilde yrtmektedirler. Yrd. Do. Dr. Uygar Tazebay ile Y. Do. Dr. Cengiz Yakcerin alma grublar, nanofabrikasyon ve omiks teknolojilerinin gelitirilmesi ve yerletirilmesi, ayrca klinik uygulamalar iin RNA interferans ve mikro RNA tekniklerini kullanarak yeni diagnostik yntemler gelitirmek zere youn aba harcamaktadrlar. Otoimn hastalklarla X-Kromozomu inaktivasyon ilikisini belirlemek iin Prof.Dr. Tayfun zelik de UNAM bnyesinde aratrmalarna devam etmektedir. Ayrca, kanser hcrelerinin salkl hcrelere zarar vermeden ldrlmesi zerine nanobiyoteknoloji grubu olarak ok yeni ve farkl metodlar stnde ve sadece dnyada birka laboratuvarda srdrlen ok ileri dzeyde aratrmalar srdrlmektedir. rnein, Bakteri DNAs bizim DNAmzdan yapsal farkllklar gsterdiinin kefiyle DNA molekllerinin baklk siste-
ekil 1. (CpG ODN)Lipo ile toksin tedavisi, olumu tmrlerin yok olmasn salamakta. Tmr oluumundan sonra sadece tmrl blgeye birer gn ara ile 3 kez tedavi sonrasnda tmr boyutundaki gelimenin takibi yapld.
mi zerine olan uyarc etkisinden yararlanarak yeni DNA kkenli ilalar tasarlanmaktadr. rnein bu ilalar yeni jenerasyon a gelitirmekten, antikanser ve anti allerjik uygulamalara ve as olmayan hastalklardan immn koruyucu ajan olarak kullanmaya kadar geni bir yelpazedeki biyoyararllnn tesbiti iin bizim bulgularmz temel alarak klinik faz almalar yurtdndaki baz merkezlerde balamtr (ema I). Ayrca bizim buluumuzla, sadece kanserli dokulara veya civarna kontroll bir ekilde DNAy ve istendiinde de kemoterapi ajann da birlikte salabilen nanokeseciklerle antikanser terapileri gelitirilmekte ve bunlarn deney hayvanlarndaki etkinlikleri tayin edilmektedir (ema II). Farelerdeki almalarmz gstermitir ki bu terapi yntemi ile, insanda ba ve boyun da oluan ve ok hzl bir ekilde ilerleyebilen bu ktle kanseri modelini farelerde %90nn zerinde bir baaryla ortadan kaldrabilmekteyiz (ekil 1). Yine DNAnn baklk sistemimizi uyarc zelliini kullanarak hazrladmz ve kendi kendine nanoparack oluturma kabiliyeti olan sentetik DNA paracklarn kullanarak yeni jenerasyon niversal profilaktik alar gelitirmekte ve bunlar as olmayan ldrc bulac hastalklardan acil korunmaya ynelik immn koruyucu ajanlar olarak deney hayvanlarnda % 100e varan bir korunma baarsyla kullanmaktayz (ekil 2). Bizim ve bakalarnn yaynlad bulgular gstermitir ki bu DNA paracklar birok patojene kar profilaktik koruyuculuk salamaktadr. Nanobiyoteknoloji alannda DNA bazl ilalarn nanotp amal kullanmlarn da ilk kez nanobiyoteknoloji grubu yelerimiz uluslararas almalaryla ortaya karmtr. Bu balamda memeli DNAsnn, bakteri DNAsndan farkl olarak baklk sisteminin belli hcrelerini uyarmak yerine basklamakta olduunu belirleyip, DNAnn bu zelliinden yararlanarak Guanozin zengini nanoparacklar tasarlayp DNA bazl bu ilalar baz otoimmn hastalklarn tedavisinde kullanmann mmkn olduunu yine model hayvan deneyleriyle kantlamlardr. almalar gstermitir ki bu ajanlar hayvanlar sistemik, organ veya dokulara bal eitli otoimmn bozukluklardan koruyabilmekte ve hastaln seyrini durdurmakta baz durumlarda geciktirebilmektedir. Bu basklayc DNA paracklar artritten lupusa, septik oktan diyabete kar etkili olabilmekte ve deney hayvanlarn koruyabilmektedirler.
Aralk 2006
ekil 3 : Yzeyine iki tip antikorla modifiye olmu iki deiik boyuttaki kuvantum noktacklarn kullanarak vcut ii derin dokulardaki iki tip kanserli dokunun grntlenmesi
larn da (Q-dots) kullanmaktr. (ekil 3) Hedef hcre, doku veya organa ynelik grntleme yapabilmek iin antikorlarla yzey modifikasyonu yaplan Q-dots istenen blgeye hedeflenmekte ve bunun sonunda ok hassas grntler elde edilmekte. Ayrca biyolojik sistemin nanoparacklarla olan ilikilerini de molekler dzeyde anlamay ve bu yeni teknolojinin vcuda daha nceden dnlmeyen veya ngrlmeyen yan etkilerinin olup olmadn da belirlemeyi planlamaktayz. Kuvantum noktacklarn kullanarak gerekletirdiimiz son almalardan elde ettiimiz sonularla daha nce baarsz kaldmz ve ilikilendiremediimiz bir etkileimi de ok hassas bir seviyede konfokal mikroskopisi sayesinde ortaya kardk. Bu sayede DNA nanoparacn hcre yzeyinde balayan ve hcrenin ierisine alnmasn artran bir proteinin hcre ierisinde hem hangi kompartmente ynlendirildiini hem de nasl DNA-protein etkileiminin yer aldn kuvantum noktacklarna balanm antikorlar kullanarak baaryla grntledik (ekil 4). Sonu olarak, DNAy gerek sentetik paracklar, gerekse genomdan kken alan bir birim olarak elde ederek hem nanotpta (otoimmn veya profilaktik a ajan ya da antikanser ila olarak kullanarak), hem de nanobiyoteknolojik uygulamalarda kullanlacak (nanomakineler, nanodevreler ve nanoteller gibi) katma deeri ok yksek yeni ve akll rnlerin oluumunu salayan bir malzeme olarak yakn gelecekte grmeye balayacamz sylemek hayalci bir yaklam deildir. Bu ve bunun gibi almalarmz daha ileriye gtrp insan klinik almalarna ynelebilmemiz iin kamu ve zel sektrn bu konulara ilgi gsterip yatrm yapmasn bekliyoruz. Bu aratrmalardan elde edilecek sadece patent haklar yatrmc firmalara ok byk girdiler salayacaktr. Yurtdndaki firmalarn uygulamalar hep bu anlayla yrtlmekte ve bizim giriimci zel sektrmzn de artk bu stratejileri gelitirmek zorunluluu vardr, dahas yeniliki ve yaratc fikirleri rne dntrmeyi ne karan firmalar bu yksek katma deer sayesinde verimliliklerini de en st dzeylere karabilmeyi baaracaklardr. Yard. Do. Dr. hsan Grsel
Bilkent niv., Molekler Biyoloji ve Genetik Blm, UNAM-Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezi
Derlemede kullanlan referanslarn Listesi: 1. I. Gursel, M. Gursel, K. J. Ishii, DM Klinman, J. Immunol. 167(6):3324-3328, 2001. 2. M. Gursel, D. Verthelyi, I. Gursel, K.J. Ishii, D.M. Klinman J. Leuko. Biol, 71(5):813-820, 2002. 3. I. Gursel, M. Gursel, H. Yamada, F. Takeshita, K. J. Ishii, D. M. Klinman, J. Immunol. 171:1393-1400, 2003 4. K.J. Ishii, K. Kawakami, I. Gursel, B.H. Joshi, D.M. Klinman, R.K. Puri. Clin. Cancer Res. 9(17), 6516-6522, 2003 5. D. M. Klinman, R.A. Zeuner, H. Yamada, M. Gursel, D. Currie, I. Gursel, Ann. N.Y. Acad. Sci. 1002, 112-123, 2003 6. Gao X. et al, Nat. Biotech., 22: 969, 2004 7. H. Shirota, I. Gursel, M. Gursel, DM. Klinman, J. Immunol. 174:4579-4583, 2005 8. H. Xie, I. Gursel, B. Ivins, D.O`Hagan, J. Ulmer, D.M. Klinman, Infect. Immun., 73:828-33, 2005 9. M.Gursel, I. Gursel, H.S. Mostowski, D.M. Klinman, J. Immunol. 173:1575-1580, 2006 10. S. Klaschik, I. Gursel, D.M. Klinman, Mol. Immunol., 44:10951104, 2007
ekil 4 : Kuvantum noktacklar ile konfokal mikroskopi yntemi kullanlarak nanometrik boyutlarda protein-DNA etkileimi ve organlelerin etkileiminin de belirlendii hcre ii grntleme uygulamalar
NANOELEKTRONK
Transistrler kldke kld ve 100 nanometrenin altna indi. Saniyede 1 milyar ilem yapabilen makinalar antamzda tayoruz. Elektronikte klme ve hzlanma devam ediyor. Peki nanoelektronii, altmz yariletken devrelerden farkl klan nedir? Nanoteknoloji elektronikte byk bir atlamaya sebep olabilir mi? Yazmzda bu sorulara cevap arayacaz.
mez hesaplama yapldnda entropi artacandan 1 Bitlik bilginin, Boltzman sabiti ve ortam scaklnn arpm kadar bir enerji fiyat vardr. Yani oda scaklnda 1 Bitlik hesap yapldnda yaklak 10-21 Joule enerji harcamak termodinamik olarak zorunludur. Gnmz masast bilgisayarlarndaki ilemciler (Intel Pentium 4 gibi), yaklak 40 Milyon transistor iermekte ve 2 GHz civarnda almaktalar. Eer termodinamik snrlarda almak mmkn olsa bu ilemcilerin 100 mikrowatt g harcamas beklenir. Gnmz ilemcilerinin 100 Watt civar g harcad dnlrse, gelecek bilgisayarlarnn bir milyon kat daha az g harcayarak ayn ii yapmasn bekleyebiliriz. Bu da cep telefonumuzda bugnn sper bilgisayarlar ka-
dar gl ilemcileri gezdirebileceimiz anlamna geliyor. Bu nasl olacak? Bahsedilmesi gereken iki konu var. Birincisi transistr dzeyinde nanoelektroniin getirecei yenilikler. kincisi hafza ve sistem tasarm alannda beklenen gelimeler. Bunlardan ksaca bahsedelim.
Nanotransistrler
Yariletken teknolojisi ve evlerimizde kullandmz bilgisayarlar byk oranda silisyum CMOS transistrlerden ve mantk elemanlarndan oluur. Bir mantk kaps alp kapandnda milyonlarca elektron yer deitirerek sinyalin ilenmesini salar. alma voltaj (birka volt) ve geen akm (mikroamper civarnda) bir ilemi mikrowatt g harcayarak yapmamz salar. G harcamay veya hz etkileyen en nemli faktrlerden birisi aygtn kapasitans (sas)dr. Aygt kldke sa klr, ve daha az akmla daha hzl alabilir. Neden transistrler olduklarndan daha fazla kltlemez? Bunun sebeplerinden birisi, boyut kldke kuvantum etkilerinin devreye girmesi ve aygtn alma prensibinin farkllamasdr. Malzeme zellikleri kk boyutta deimektedir. rnek olarak, u anda kullanlan malzemelerdeki kaaklar kabul edilemez derecede artmaktadr. Bu sebeple nanometre boyutundaki transistrlere uygun malzemeler ve farkl modellere gre dzenlenmi tasarmlar gerekmektedir. Nanotransistrlerde, milyonlarca elektron yerine tek bir elektronun hareketi ile bilgi ileme gerekletirilebilir. Bu da enerjiden byk oranda tasarruf etmeyi mmkn klar. Buna ek
Aralk 2006
15 BLM ve TEKNK
ekil 3: Bilkent niversitesi laboratuvarlarnda nanokristal flash bellekler zerinde yaplan almalarda deiik malzemelerin, nanokristal zelliklerinin ve aygt geometrisinin, yk depolama ve tutmaya etkisi incelenmektedir. (ekilde germanyum nanokristallerin retim scaklna bal olgunlamas grlmektedir) ekil 1: Dn: lk transistor 1957de yapld. Bykl santimetre boyutlarna yaklayordu. Bugn:Yariletken tek elektron transistrler oda scaklnda altrlabiliyor ve karbon nanotp transistrler hem dk gl hem de hzl olarak deneme aamasnda Yarn: Molekler transistrler ile milyarlarca transistr bir yongaya koymak mmkn olabilir mi?
olarak kk olduu iin milyarlarca transistr bir santimetre kareye sdrlabilir ve daha hzl altrlabilir. Transistrlerde kullanlabilecek malzemeler iinde karbon nanotpler ilgi oda olmay srdrmektedirler. Karbondan yaplm milimetrenin milyonda biri kalnlnda olan bu borularn elektriksel zellikleri silisyum gibi yariletkenlere gre ok farkl ve yerine gre avatanjl olabilmektedir. Nanotplerde yklerin hareketlilii silisyuma gre ok daha fazladr. Bu sayede hem dk voltajlarla almak hem de daha yksek hzlara ulamak mmkn olacaktr. Laboratuvar deneyleri ile retilmi olan bu tip transistrlerin ticari retim aamasna yaklald bilinmektedir. Karbon nanotpleri takiben, silisyum, germanyum yariletkenlerden yaplan nanotellerde de olaanst elektronik zellikler gzlenmitir. Bu konulardaki teorik ve deneysel almalar hzlanarak devam etmektedir. Gelecekte tek moleklden oluan transistrlerin yaplmas mmkn olabilir. Bu sayede tek elektronla alabilen, hzl, az enerji harcayan, ve ok ucuza retilebilen bilgisayarlar cebimize
girebilecektir. Fakat bunun mmkn olabilmesi iin ilemci yapsnda ciddi deiikliklere ihtiya vardr.
olan ilem gc/hafza ilikisinin hesaba alnmasdr. Bir hesab yapmak iin ok sayda ileme ihtiya olsun. Mesela 10 Milyara kadar olan asal saylar hesaplamak isteyelim. Bu ilem iin basit bir forml olmadndan ok sayda arpanlara ayrma yapmamz gerekecektir. Eer elimizde ok geni bir arpm tablosu varsa o zaman arpmalar tablodan bakarak ilemi ok hzlandrabiliriz. Ama bu, byk miktarlarda hafza kullanmay gerektirir. Bir hesab yapmak iin gereken ilem gc ile hafza arasndaki iliki burada grlebilir. ok hafzanz varsa ilem gcnden taviz verebilirsiniz. Hafza konusunda da nanoteknoloji yardma komaktadr. Tek bir elektronun hafza kutusunda bulunup bulunmamasna bal olarak alan hafzalar nanokristaller yardm ile retilebilmektedir. Nanokristallerin yakn gelecekte Flash ve RAM bellek gibi alabilen evrensel hafzalarn gelitirilmesinde kullanlmas beklenmektedir. Ucuza ve daha kirli retim ortamlarnda yaplabilen nanokristal hafzalar, nanotransistrler ve hata kabul eden tasarmlar sayesinde bilgi ileme teknolojilerinde yzyln devrimi gerekleebilir. UNAM bnyesinde devam eden projelerde nanokristal belleklerin yklenme ve yk tutma zellikleri allmaktadr. Kullanlan malzemelerin, dielektrik katsaysnn, nanokristal boyunun, nanokristal younluunun ve aygt geometrisinin yk tama zelliklerine olan etkisi deneysel ve kuramsal olarak incelenmektedir. Bu sayede, RAM bellek hznda alabilen fakat bilgiyi yllarca saklayabilen hafzalarn retimine katkda bulunmay mid ediyoruz. Bunun yannda karbon nanotp ve nanoteller kullanlarak transistr yaplarnn gelitirilmesi de nmzdeki yllarda allacak olan konulardandr. Dr. Aykutlu Dna
Bilkent niversitesi Fizik Blm UNAM-Ulusal Nanoteknoloji Aratrma Merkezi (letiim: aykutlu@nano.bilkent.edu.tr)
Kaynaklar 1. J. R. Heath ve meslektalar, A Defect-Tolerant Computer Architecture: Opportunities for Nanotechnology, Science, 12 Haziran 1998 2. C. P. Collier ve meslektalar, Electronically Configurable Molecular-Based Logic Gates, Science, 16 Temmuz 1999 3. C. H.Bennett, The thermodynamics of computationa review, International Journal of Theoretical Physics, 8 Mays 1981. 4. A. Bachtold ve meslektalar, Logic Circuits with Carbon Nanotube Transistors, Science, 9 Kasm 2001.
ekil 2: HP Laboratuvarlarnda gelitirilen Teramac sistemi gelecein nanoelektronik bilgisayarlar iin bir k noktas oluturuyor. 1000 GHzlik bir bilgisayarn ilem gcne sahip olan Teramac kastl olarak hatal paralardan yaplmasna ramen doru alyor.
ekil 2. Drdnc kuak hzlandrclar iin gelitirdiimiz optik senkronizasyon sisteminin emas.
ynyle anlalm olmaktan uzaktr; gizemlerini koruyan bu mekanizmay anlama ynnde imdiye kadar atlan her nemli adm birka yl iinde nemli teknolojik sonular dourmutur.
Optik Saatler
2005 yl Nobel Fizik dlne konu olan ve femtosaniye lazerleri kullanarak gerekleen optik saatler, zaman atom saatlerinden 1.000 kat daha hassas lerek yeni bir a amaktadr. Atomik saatlere kyasla en az 10.000 kat daha yksek frekanslara (10 GHz yerine 300 THz) denk gelen kuvantum geilerini kullanarak altklar iin daha hassaslar. Yksek frekansn avantaj onlarca yldan beri bilinmekteydi, ancak daha nce kimse 300 THzlk bir sinyali nasl takip edebileceini bilmiyordu. Prof. T. Hnsch femtosaniye lazerin frekans 1:1.000.000luk mutlak tamsay olan bir oranla blebildiini, bylelikle 300 MHz gibi kolaylkla takip edilebilen frekanslar retebileceini kefederek optik saatler an balatt ve Nobel dlne hak kazand.
Genellikle lkelerin ulusal metroloji enstitlerinde, Trkiyede de TBTAK Ulusal Metroloji Enstitsnde bulunan ve kullanlan optik saatler konusunda benim grubumun bir vizyonu var: Optik saatler byk, karmak ve pahal olduklar iin UME gibi byk merkezlerin dnda kendilerine yer bulmalar ok zor. Hedefimiz 3-5 yl ierisinde kk bir alma masasnn stne sacak ve dk maliyetle retilebilecek optik saat sistemlerini UNAMda gelitirmek, bylelikle bu saatlerin fiber-optik iletiim ve askeri alanlar gibi teknolojik kullanmlarnn yolunu amak.
Aralk 2006
17 BLM ve TEKNK
ekil 3. Femtosaniye lazer ile oluturulmu GaAs nanokristal film grnts (L. N. Dinh, T. Trelenberg, B.
Torralva, B. C. Stuart, M. Balooch, UCRL-ID-150296).
ekil 6. Yksek scaklklara dayankl ve askeri adan nemli bir alam olan inconel bir yzeye 15 ile alm 100 m (0.1 mm) apl delikler bu teknolojinin gcn gsteriyor: (a) tepeden grn, (b) yan kesit.
rn istenildii ekillere sokulmas iin femtosaniye lazerlerle ileme kapasitesi byk neme sahip olabilir. Baz geometrik ekillerde retilmi patlayclarn patlama anndaki etkiyi arttrmak iin de kullanld gnmzde bu kapasite yeni ve zel mermilerin dizayn ve retim aamasnda da kullanlabilir. elik, elmas, seramik gibi ok sert malzemeler dahil ve hatta ncelikli olmak zere, ok eitli endstriyel uygulamalara ynelik olarak malzemede delik, kanal almas, iaretlenmesi ve eitli ekillerin oluturulmasna ynelik olan bu uygulama alan, gnmz itibariyle en ileride olan ve aktif olarak bugn gelimi lkelerin endstrileekil 4. Femtosaniye lazer ile bir kibrit bana kibrit alev almadan yazlm bir yaz.
yesinde yaplmaktadr. Karbon nanotplerin retilmesi endstriyel olarak kullanma girmi olup, dier nanoteknoloji almalar asndan nmzdeki yllarda byk ok nem kazanma potansiyeline sahiptir. zellikle metal yzeylerde nanoyaplarn (nanooyuklar, nanostunlar, nanodelikler) oluturulmas fotonikten malzeme bilimine kadar geni bir yelpazede frsatlar sunmaktadr. Glgesinden hzl ate eden bu lazerlerin nanoteknolojide kukusuz en ileri seviyede ve kendini ispatlam uygulama alanlarndan biri nanokaplamalardr. Baka yntemlerle elde edilmesi ok zor olan ve gnmzde byk nem kazanm olan baz zel kaplamalar iin femtosaniye la-
rinde kullanma girmi durumdadr. Bu uygulamalara tipik olarak 10 mikron seviyesinde hassasiyet yeterli olduundan femtosaniye darbelerin hassasiyeti fazlasyla yeterlidir. Burada en nemli avantaj, darbelerin dt alann dnda neredeyse hi etki olumamas sonucu ok temiz, przsz ve malzemeye zarar vermeden ilem yaplabilmesidir (ekil 6). Henz ok yeni olmakla birlikte, nanometre seviyesinde malzeme ilenmesi de bu lazerler sa-
zer darbeleri ok iyi sonular vermektedir. Bu uygulamada yksek vakumlu bir odack ierisinde bulunan bir hedefe dardan ynlendirilip odaklanan femtosaniye darbeler aynen mikroilemede olduu gibi malzemeyi buharlatrrlar. Ancak burada ama malzemeye belli bir ekil vermek deil, sadece homojen bir yapda buharlatrmaktr. Malzemenin karsnda nanokaplama uygulanmas arzulanan altta bulunur. Buharlaan malzemenin bir ksm bu yapnn zerini kaplamas suretiyle amaca ulalr (ekil 7). Genel olarak darbeli lazer depozisyonu olarak adlandrlan bu yntem iin, femtosaniye lazerin sunduu en byk avantaj ok kk, nanometrik seviyede paracklardan oluan bir buhar oluturduu iin kaplamann daha hassas ve daha salam olmasdr. Femtosaniye darbeli lazerlerle malzemenin stlmadan, dolaysyla civar blgelere etki etmeden ilenebilmesinin potansiyel getirilerinin en byk olduu alanlardan biri phesiz tbbi uygulamalardr. UNAM biliminsanlarndan Yar. Do. Uygar Tazebay ve grubuyla ortak yrteceimiz bu alma Bilim ve Teknik Dergisinin yine bu saysnda yeralan dier bir yazda anlatlmaktadr. Yrd. Do. Dr. F. mer lday,
ekil 5. (a) Nanosaniye darbelerle kesilirken lokal olarak yanm ve (b) femtosaniye darbelerle yanmadan kusursuz kesilmi bir patlayc madde grnts.
BLM ve TEKNK 18 Aralk 2006
NCE NSAN
Yeni yzylda kritik bir teknoloji devrimi olarak grlen nanoteknoloji hala kuluka dneminde; nanoteknolojinin, 2025 ylna kadar gelimesini tamamlamas ve hayatmzn her alanna girmesi beklenmektedir. Peki lkemiz nanoteknoloji devrimine ne kadar hazr? Mikroelektronik devrimini kardk, imdi en kritik ihtiyalarmzda bile da baml haldeyiz. Nanoteknoloji lkemiz iin bir ykselme rampas olabilir; yeter ki yaplmas gerekenleri zamannda yapalm. Bu yarta olmak veya olmamak bizim elimizde; gerekli altyapmz ksa sre ierisinde tamamlayp, nmzdeki 20 ylda ihtiyacmz olacak insan gcn yetitirirsek, nanoteknoloji yarnda gelimi lkelerle rekabet edebilir hale gelecegiz. Bilkent niversitesi tarafndan Devlet Planma Tekilatna sunulan eitim projesi; doktoral uzmanlarn yetitirilmesini, yurt dndaki bilimadamlarmzla etkilemenin artrlmasn, niversite-sanayi ibirliinin gelitirilmesini, katma deeri yksek rnlerle ekonomimizin glendirilmesini ve insanmzn refahn hedeflemektedir.
muz Yunanistan ve 3,6 milyon nfusa sahip rlandann gerisindedir. Uzun yllardr nanoteknolojiye yatrm yapan 6,7 milyon nfusa sahip srailin etkin deer indisi 275'e ulamtr. Aratrmadan karacamz iki nemli sonu vardr. Birincisi, hindisi 297 olan Stanford niversitesi (ABD), btn Trkiyenin yapt aratrmadan 30 kattan daha fazla etkili aratrmalar yapmaktadr. kincisi, h-indisimizin 80i, uluslararas ortak almala-
ekil 1: 1996-2005 (10 yl) arasnda Bilimsel Atf ndeksi (Science Citation Index - SCI) dergilerinde yaymlanan makalelerde lkemizin durumu. H-indeks, etkin-deer indeksi, bir aratrmann uluslararas camiada ne kadar etkili olduunu gsteren bir faktrdr.
19 BLM ve TEKNK
Aralk 2006
yksek lisans ve doktora burs programlar son derece faydal olacaktr; insana yaplan yatrmn meyvelerini lkemiz ksa sre ierisinde toplamaya balayacaktr. Nanoteknoloji alannda da lkemiz yatrm yapmaya balam, ksa sre ierisinde altyapnn tamamlanmas beklenmektedir.
ekil 2: Baz lkelerin, 1996-2005 yllar arasnda nanobilim ve nanoteknoloji alanlarnda SCI dergilerinde yaymlanan makalelerin yllara gre durumu.
sinde KOBlerimizin katmadeeri yksek rnlerle uluslararas rekabet gcnn artrlmas bu projenin kapsam dahilindedir. Bu aratrmalarn; lkemize ksa, orta ve uzun vadede birok alanda getirileri olacaktr. 21. yzyla hem bilimsel hem de ekonomik sonular dolaysyla damgasn vuraca ngrlen nanobilim, nanoteknoloji ve malzeme bilimi alanlarnda ihtiyacmz olan aratrmac insan gcnn artrlmas en nemli kazancmz olacaktr. Askeri projelerle lkemizin ihtiyac olan baz kritik teknolojilerin ve malzemelerin gelitirilmesi ve nanoaygtlarn retilmesi mmkn olabilecektir. En nemli ihracat rnlerimizden biri olan tekstil endstrisi, nanoteknoloji kullanarak retilen kirlenmeyen, antimikrobiyal, vb. tekstil rnleriyle pazarda daha gl hale gelecektir. lkemiz bor madeni kaynaklar asndan olduka zengindir. Bor madeni, gelecein enerji kaynaklarnda hammadde olarak kullanlmas varsayldndan bu konuda yaplacak aratrmalarn ekomomimize ok ciddi katklar salamas beklenmektedir. Btn dnyadaki rneklerinde olduu gibi nanoteknoloji ve malzeme bilimi, endstriye ve ekonomiye ok nemli katklar yapacaktr. lkemizde zel amal malzeme yapmnda eksiklii hissedilen uzmanlk ve deneyim geliecektir
Yksek teknoloji yeryzn global bir ky haline getirdi. nsanolu her geen gn daha fazla sayda teknoloji rnnn esiri oluyor. MP3 alar Ipod Nano daha piyasaya kmadan btn dnyada internetten milyonlarca sipari edildi. 10 sene nce hayatmza girmeye balayan ve ksa sre ierisinde halkmzn byk bir ounluu tarafndan benimsenip kullanlmaya balanan cep telefonuna bugne kadar toplam 45 milyar YTL civarnda para harcadk. nmzdeki yllarda daha fazla sayda yksek teknoloji rn hayatmzn vazgeilemez paralar haline gelecek ve yurt dna kan milli kaynaklarmzn miktar artacaktr. retim maliyeti 10 YTLyi gemeyen kalp damarlarna taklan bir stent iin 10.000 YTL deyen bir iftimiz, 7 ton kiraz ihra ederek bu paray denkletirebilecektir. Devaml kullanmak zorunda olduumuz bir kutu kanser ilacn almak iin her seferinde 5 buzdolab satmak zorunda kalacaz. Kendi kendini temizleyen boyalardan, kirlenmeyen kumalara; esnek ama daha dayankl betondan, elmas kadar sert kaplamalara; kanserli hcrelerin vcuda zarar vermeden ldrlmesinden, gnlerce etkisini kaybetmeyen kremlere; tek arbon mikrobunu bile alglayabilen sensrlerden, mikrop barndrmayan buzdolaplarna kadar hayatmza giren nanoteknoloji yeni bir teknoloji devrimi olarak alglanmaktadr. Sonular itibariyle kresel ekonomiyi etkileme potansiyeline sahip nanoteknoloji henz gelime fazndadr. Nanoteknolojiye bugn yatrm yapan lkeler, ksa sre ierisinde meyvelerini toplamaya balayacaktr. Yariletken devrimini kardk, imdi en kritik ihtiyalarmzda bile da baml haldeyiz. nmzdeki asr ekillendireceine kesin gz ile baklan nanoteknoloji, lkemiz iin bir ykselme rampas olabilir; yeter ki yaplmas gerekenler zaman geirmeden hayata geirilsin. Bu yarta olmak ya da olmamak bizim elimizde, bu frsat da karmayalm... Yrd. Do. Dr. Mehmet Bayndr
Bilkent niv. Fizik Blm, UNAM-Ulusal NanoteknolojiAratrma Merkezi (letiim: mb@nano.bilkent.edu.tr)
Kendilerine hayranlkla baktran ve aslnda pigmente sahip olmayan baz kelebek kanatlarnn ve tavus kuu tylerinin nasl olup da bu kadar gzel renklere sahip olduklarn biliyor musunuz? Hatta kimi canllarda sabit bir renk olmayp bakma ynnz deitirdike renk deitiren (yanardner olan) yaplar bile var! Bunlara yksek znrlkl mikroskoplarla baktmzda deiik optik zelliklere sahip periyodik yaplar olduuna ve tm bu muhteem renklerin fotonik kristaller sayesinde gerekletiine ahit oluruz. In kontroln salayan bu yaplarn laboratuara tanmas ise farkl birok uygulama iin nemli kaplar aralayacaktr. Gelin doadaki nanofotonik kristallere ve bunlarn insanolunun yaamna olan yansmalarna birlikte gz atalm. Doada her eyin bir rengi var, bu grnen bir gerek. Ama bu renkler ortaya kma biimlerine gre farkllk gsterebiliyor. rnein bitkilerdeki yeil rengin sebebi klorofil pigmentidir. Klorofilin yeil olmasnn sebebi ise magnezyumun gne yla uyarldktan sonra darya verdii n dalga boyunun, yeil n dalga boyuyla ayn olmasdr. Bu tip renklenme pigmentle renklenmeye bir rnektir. Bunun yannda yapsal renklenmeler vardr. Burada k, herhangi bir emilimemisyon sisteminden ziyade, krlma, salma, giriim ve benzeri optik olaylarla belli dalga boylarnda geri yansmaktadr; tpk sabun kpnn zerinde karmak renklerin olumas gibi. Yapsal renklenmeye birok canlda rastlamak mmkndr; kelebek ve bcek trlerinin birounda, kularn tylerinde ve birok deniz canlsnda. Son yllardaki grntleme teknolojilerindeki gelimeler ve fotonik kristal yaplara olan ar ilgi, canllarda bulunan nanofotonik yaplar zerine yaplan aratrmalarn artmasna sebep olmutur.
sal renklenmeyi (giriim ve salm mekanizmalar ile) salayan kk pulcuklar vardr. Bu pullarn yzeyindeki damarlarn kesiti am aacnn karakteristik ekline benzemektedir. Bu sayede yzeyde lamelli bir yap olumakta ve yanstlan dalga boyundaki n en yksek deeri artmaktadr; bu da rengin daha parlak grnmesini salamaktadr. Bu lameller ktiklden (l hcrelerden oluan yap) olup krlma indisi; n=1,56+i0,06dir (kompleks ksm sourulma olduunu gsterir). Morpho rhetenor tr kelebeklerde lameller tabana paraleldir ve pullarndaki lamel says 12ye kadar kmaktadr; bu trlerde mavi kta
%80e varan yansmaya ulalabilmektedir (ekil 2). Sahip olduklar yksek parlaklk sayesinde alaktan uan bir uaktan grlmeleri mmkndr. Kelebeklerin bu zelliklere sahip olmasnn sebebi sadece gzel bir renk cmb oluturmak deil elbette. Yaplarndaki fotonik kristaller birounda belki de henz bilmediimiz bir ekilde evreye uyumlarn kolaylatryor. Bilinenlerden gidersek, Lycaenidae kelebek ailesinin baz trleri sahip olduklar fotonik kristal yaplar sayesinde sabah erken saatlerde hzl bir ekilde snabilmektedirler. Yaplan aratrmalara gre, genellikle yksek rakml blgelerde yaayan bu zellie sahip kelebeklerin, daha az rakml blgelerde ya-
Aralk 2006
21 BLM ve TEKNK
ekil 2: Morpho rhetenor tr kelebek ve kanatlarndaki parlak mavi rengi veren fotonik yap (pullar ve pullarn kesiti).
ayan trlerle eit koullarda karlatrldnda ulatklar scaklk 1,3 - 1,5 kat daha byktr.
bu almalar 2001 ylnda Nature dergisinde yaymlanan Andrew R. Parker ve meslektalar, Avustralyada yaayan deniz faresinin dikeninin kesitini elektron mikroskobu ile incelemi ve dikenin ii deniz suyu ile dolu, altgensel dizilime sahip mikro boyutlu silindirlerden olutuunu grmlerdir (ekil 3). Yaklak yarap 20 nanometre olan bu silindirlerin eperleri tahmin edilecei gibi dikenin yzeyine doru kalnlamaktadr. Resimden de grld gibi bu silindirler yzeye paralel katmanlar oluturmaktadr. ki silindir katman arasndaki mesafe her yerde ayn ve 500 nanometredir. Silindirlerin kenarlar kitin (bceklerin zerinin kaplayan madde) olup krlma indisi 1,54, deniz suyunun krlma indisi ise 1,33tr. Normalde buna benzer fotonik sistemlerde indis fark genellikle fazladr, hatta yapsal renklenme ve benzeri olaylar fazla indis farknn varlnda meydana gelmektedir. Kitin ile deniz suyu arasndaki fark ise aslnda gerektii kadar fazla deildir. Buna ramen, dikenin sahip oldulazerlere kadar bir ok yeni uygulama sahalar almtr. Elektronlarn hareketinin yariletken kristallerde kontrol edilmesi, yeni bir teknoloji devrimine yol amtr; ve bu teknoloji sayesinde insanolunun yaam inanlmaz lde kolaylam, bilgisayar, CD alar gibi bir ok elektronik alet hayatmza girmitir. Fakat elektronlar arasndaki etkilemeler ve elektronlarn dk hzlara sahip olmalar, bilimadamlarn yeni araylara itmitir. 1987 ylnda periyodik fotonik yaplarda n yasak banda sahip olduunun gsterilmesi, n hareketinin kontrol edilmesinde bir r amtr. Fotonlar (k kuantalar) hem birbirleriyle etkilememekte hem de elektronlara gre binlerce kat daha yksek hzlara sahip olmaktadrlar. Dolaysyla, hepsi-optik devrelerin,
Fotonik Kristaller
In Hareketini Kontrol Etmek Mmkn M?
Fotonik kristaller, dielektrik veya metalik malzemelerin, bir-, iki-, veya -boyutta periyodik olarak dzenlenmesiyle elde edilir. erisinde farkl dalgaboylarn barndran bir k demeti, fotonik kristaller zerine drldnde, belirli dalgaboyu aralndaki k, kristal ierisine girememekte ve fotonik kristal yzeyinden tamamen geri yansmaktadr. Ayrca, n fotonik kristal fiberler ierisinde hapsedilerek ilerlemesinin salanmasyla, kanserli dokularn vcud ierisinde lazerle yaklarak yok edilmesinden, fiber tabanl
Fotonik kristallerden n yansmas. Fotonlarn, nanofotonik yaplarda yeni bir hareket mekanizmasyla (bir kaviteden dierine hoplayarak) ilerlemesi.
BLM ve TEKNK 22 Aralk 2006
ekil 3: Deniz faresi ve dikenleri. Dikenlerin zerindeki fotonik kristal yap belirli dalgaboylarndaki yanstmaktadr.
ekil 4: Btn ekiciliiyle seyredenleri byleyen tavus kuu ve kanadndan bir ty. Tyler zerindeki fotonik kristal yap ve tyn farkl renkli blgelerindeki fotonik kristallerin yanstma spektrumlar.
lerde 150 ve sarlarda 165 nm aralklara sahiptir. Buradan grlmektedir ki melanin katmanlar arasndaki mesafenin yanstlan dalga boyu, yani grnen renk, zerinde nemli etkisi vardr. te yandan, yaplan aratrmalarda grlmtr ki mavi ve yeil renkli tycklerde 10 melanin katman varken sar renklilerde 6 katman vardr. Periyot saysnn etkisini ise grafikte grebiliriz (ekil 4). Sarya gre daha fazla katmanl kristalden oluan mavi ve yeil renklerin grafikleri daha dar iken sar rengin grafii daha genitir ve yeilden turuncuya kadar olan renk araln iine almaktadr. Yani katman says arttka renklerin belirginlikleri artmaktadr. plak gzle baktmzda sar rengin de mavi ve yeil kadar belirgin olduunu grmekteyiz. Bunun sebebi ise sar renkli tycklerde ayrca Fabry-Perot giriiminin grlmesidir. Kahverengi tyckler kristal yaps bakmndan dierlerinden biraz farkldr. Dikdrtgensel bir dizilime sahiptir ve aralklar ty yzeyine paralel dorultuda ~150 nm, tyn iine doru ise ~185 nmdir. Dier renklerden farkl olarak kahve renkli tycklerde en stteki melanin ubuklarn aras hava ile deil keratin (san hammaddesi) ile doludur ve ilk iki melanin katman aras boluk alt katmanlardan farkl olarak ~235 nmdir. Ayrca toplam melanin katman says 4 ya da 5tir. Bu tycklerin yanstma grafiine baktmzda mavi dalga boyunda ve yeilden krmzya kadar olan aralkta grafiin ykseldiini grmekteyiz. Bu renklerin karm bize kahveren-
gini vermektedir. Sonu olarak tavus kuu sadece tylerinin gzellii ile deil, sahip olduu bu fotonik kristallerle de bizleri kendisine hayran brakmaktadr. Kabarmak hakk deil mi?
lindirik tp yaklak olarak 10 mikro tpten olumakta ve bunlarn dokuzu yarap yaklak 73 nm olan embersel bir dizilim gstermektedirler. Bu emberin merkezinde ise yine 40 nm apa sahip olan baka bir mikro tp bulunmaktadr. zerindeki nanofotonik yaplar sayesinde kontrol edebilen denizanas, biz aratrmaclara daha verimli k kaynaklar elde edilmesi konusunda fikirler vermektedir.
ekil 5: Denizanasnn sahip olduu iki-boyutlu fotonik kristal yap, biyolojik olarak rettii en verimli bir ekilde dar vermesine yardmc olur.
Aralk 2006
23 BLM ve TEKNK
Yenilendi!