P. 1
Fiziksel Metalurji - Toparlanma ve Rekristalizasyon

Fiziksel Metalurji - Toparlanma ve Rekristalizasyon

|Views: 29|Likes:
Yayınlayan: blayde88
Fiziksel Metalurji Toparlanma ve Rekristalizasyon
Fiziksel Metalurji Toparlanma ve Rekristalizasyon

More info:

Published by: blayde88 on Oct 07, 2012
Telif Hakkı:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/16/2014

pdf

text

original

1

FİZİKSEL METALURJİ
2012-2013 GÜZ YARIYILI
TOPARLANMA ve
YENİDEN KRİSTALLEŞME

Yrd. Doç. Dr. Şeyda POLAT
2
GİRİŞ
 Yeniden kristalleşme (Rekristalizasyon),
alaşımların yapısını kontrol etmemizi sağlayan
bir katı-katı faz dönüşümüdür.
 Olayın tanımlanması (Şekil 1.1) :
 Plastik deformasyon sonucu tanelerin uzaması
 T
m
/2 derecesinde bir sıcaklıkta ısıtma ve tutma
 Soğuk şekil değiştirmiş taneler içinde yeni tanelerin
çekirdeklenmesi (t
1
)
 Yeni tanelerin hızla büyüyerek tüm matriksi
kaplaması (t
1
-t
2
)
 Yeni tanelerin daha düşük hızda büyüyerek nihai tane
boyutunun eldesi (t
2
-t
3
)
3
Şekil 1.1. Toparlanma-yeniden kristalleşme-tane
büyümesi sıralanmasıyla gerçekleşen olaylarının
şematik gösterimi
NOT : t
1
zamanına kadar ışık mikroskobunda hiçbir değişim gözlenmez,
ancak atomsal boyutta birçok olay gerçekleşir.
4
GİRİŞ (devamı)
 Toparlanma: Yeni gerinmesiz tanelerin ortaya
çıkmasından önce oluşan tüm tavlama
olaylarıdır.
(Şekil 1.1 ‘ de 0-t
1
zaman aralığı).

 Yeniden kristalleşme: Yeni gerinmesiz
tanelerin çekirdeklenmesi ve bu tanelerin
büyümesi ile soğuk şekil değiştirmiş matriksin
sürekli olarak tüketilmesidir.
(Şekil 1.1 ‘ de t
1
–t
2
zaman aralığı)

5

GİRİŞ (devamı)
 Soğuk şekil değiştirmiş bir metalin tavlanması
sonucu oluşan prosesler 3 alt bölüme ayrılır :
 Toparlanma
 Yeniden kristalleşme
 Tane büyümesi
 Toparlanma ve yeniden kristalleşme için itici
güç, soğuk şekil değiştirmiş matriksin
depoladığı enerjidir.
 Tane büyümesi için itici güç tane sınırlarının
bükümüdür.
6
GİRİŞ (devamı)
 Bir metal plastik olarak deforme edildiğinde
önemli miktarda enerji harcanır.
 Bu enerjinin çoğu ısıya gider, ancak küçük bir
miktarı metalde depolanmış enerji olarak kalır.
 Bu enerji toparlanma ve rekristalizasyon
aşamasına kaynak oluşturur.
 Artan deformasyon ile toplam depolanan enerji
artar, ancak depolanan enerji oranı giderek
azalır (Şekil 1.2).
7
Şekil 1.2. Cu‘ın deformasyonu sırasında
depolanmış enerji miktarı
8

GİRİŞ (devamı)
 Gerçekte bu iki gevşeme prosesi için itici güç
(depolanmış enerji), atom başına Gibbs
serbest enerjisi yani kimyasal potansiyeldir.

G = H-TS
G = E + PV –TS
AG = AE + PAV – TAS (P, T) sabit


AG = AE = E
s
= Depolanmış enerji


AE’e göre küçük terimler
9

DEPOLANMIŞ ENERJİ
 Enerji Depolama Mekanizmaları :
1) Elastik Gerinme (Şekil Değişimi)
 Eğer bir kafes c miktarında şekil değiştirirse, birim
hacımda c
2
E/2 kadar gerinme enerjisine sahip olur.
 Bu enerji depolanmış enerjinin sadece %5-10’u
kadardır.

2) Kafes Hataları
 Plastik deformasyon kristal kafesinde hatalar üretir.
 Herbir hata tarafından üretilen depolanmış enerji hata
yoğunluğuna bağlıdır (oda sıcaklığında üretilen
başlıca hatalar dislokasyonlar ve boşyerlerdir).
 Depolanmış enerjinin %80-90’ı dislokasyon
üretiminden kaynaklanır.


10
Şekil 1.3. Aluminyumda tane yapısı ve alt tane
yapısının şematik gösterimi (OM: Optik Mikroskop,
TEM: Transmisyon Elektron Mikroskobu)
Eğer dislokasyonlar deformasyon sıcaklığında düşük hareketliliğe sahip
ise, gelişigüzel bir dizin halinde yer alırlar. Ancak eğer dislokasyonlar
çapraz kayabilirlerse düğümlerde yoğunlaşmaya başlar ve alt taneler
oluşur ve ilave tavlama ile sınırlar belirginleşir.
Dislokasyon yoğunluğu
düşük alt tane veya hücre
11

DEPOLANMIŞ ENERJİ (devamı)
 Depolanmış enerjinin miktarına etki eden
değişkenler :

1) Saflık Saflık düşerse E
s
artar. Empürite atomları
dislokasyon hareketini engeller ve
dislokasyon yoğunluğu artar.
2) Deformasyon Kompleks deformasyon prosesleri E
s
’i
artırır. Dislokasyon kesişmeleri sıklaşır,
dislokasyon yoğunluğu artar.
3) Sıcaklık Düşük sıcaklıkta deformasyon E
s
’i
artırır. Hatalar arasındaki etkileşimi
azaltmak için daha az termal enerji vardır.
4) Tane Boyutu Küçülen tane boyutu ile E
s
artar. Tane
sınırı ve tane sınırı-dislokasyon etkileşimi
artar.
12

TAVLAMA SIRASINDA DEPOLANMIŞ
ENERJİNİN SERBEST KALMASI
 Bir metal içinde depolanmış enerjinin
miktarını ölçmek için birkaç farklı deneysel
teknik vardır.
 Soğuk şekil değiştirmiş bir metal ısıtıldığında E
s

serbest kalır (sıcaklık gevşeme prosesi için
uygun ise). Açığa çıkan enerji, bir soğuk şekil
değiştirmiş bir de tavlanmış numunenin
tavlama davranışını karşılaştırarak ölçülebilir.
 Tekniklerden biri eşit hızlarda her iki
numunenin sıcaklığını artırmak için gerekli
güç farkını (AP) ölçer ve Şekil 1.4’deki gibi
eğriler elde edilir.
13
Şekil 1.4. Üç tip enerji serbestleşme eğrisi
14
Şekil 1.4.’de ki eğrilerle ilişkili üç nokta
önemlidir:
 Her bir durumda yeniden kristallenmiş taneler
birincil olarak büyük güç piklerinin ilk çıkışında
görülür.
 Toparlanma sırasında verilen depolanmış
enerjinin bir kısmı A tipi için küçük ve C tipi için
büyüktür.
 A tipi eğriler genellikle saf metaller için, B ve C
tipi eğriler ise katışkılı metaller için elde edilir.
Empürite atomları yeniden kristallenmiş
tanelerin çekirdeklenmesini engeller, bu
nedenle toparlanma sürecinde daha fazla
E
s
açığa çıkar (B ve C eğrileri).
15
TAVLAMA SIRASINDA ÖZELLİK DEĞİŞİMLERİ
 Tavlama sırasında fiziksel özellikler değişir (Şekil 1.5).

Sertlik Toparlanma sırasında değişim az. Sertlik azalan
dislokasyon yoğunluğu ile azaldığı için
rekristalizasyon sırasında düşer.
Elektriksel
direnç
Noktasal hatalar elektron akışını azaltır ve
elektriksel direci artırır. Toparlanma sırasında
noktasal hatar azalır, direnç düşer.
Yoğunluk Boşyerlerin üretimi ile kafes genişler, yoğunluk
düşer. Toparlanma sırasında noktasal hatalar
azalır, yoğunluk artmaya başlar.
Alt tane
(hücre)
Boyutu
Alt taneler dislokasyon yoğunluğunun düşük
olduğu bölgelerdir. Rekristalizasyon ile boyutları
artar.
16
Şekil 1.5. Toparlanma ve yeniden kristalleşme
sırasında çeşitli fiziksel özeliklerin değişimi
17
Tablo 1.1. Toparlanma Mekanizmaları
Sıcaklık Devreye giren mekanizmalar
Düşük Noktasal hataların sinklere (tane sınırları,dislokasyonlar vs) göçü
Noktasal hataların kombinasyonu
ETKİN MEKANİZMA BOŞYER HAREKETİ
Orta Dislokasyonların düğümler içinde yeniden düzenlenmesi
Dislokasyonların yok olması
Alt tane büyümesi
ETKİN MEKANİZMA DİSLOKASYON HAREKETİ (TIRMANMA
HARİÇ)
Yüksek Dislokasyon tırmanması
Alt tanelerin birleşmesi
Poligonizasyon
ETKİN MEKANİZMA DİSLOKASYON HAREKETİ
(TIRMANMALI)

18
TOPARLANMA MEKANİZMALARI
 Alt tane Büyümesi :
 Deformasyon sonrası, dislokasyon düğümlerinin
oluşması ile düşük dislokasyon yoğunluğu olan
bölgeler izole olur (Şekil 1.3).
 Bu hücreler birbirine göre birkaç derecelik
oryantasyon sapması gösterir ve 0.1-1 µm arası
bir boyut dağılımına sahiptir.
 Tavlama ile sınırlar keskinleşir, dislokasyon
yoğunluğu hücre içinde azalır.
 Toparlanma sonlarına doğru bu tanelerin
boyutları artmaya başlar (Şekil 1.5).
19
TOPARLANMA MEKANİZMALARI (devamı)
 Alt tane Bütünleşmesi :
 Bazı durumlarda alt taneler arasındaki sınırlar
toparlanma sırasında yok olur (Şekil 1.6).
 Açık olmayan bir proses ile iki komşu tane
arasındaki oryantasyon uyumsuzluğu ortadan
kalkar.
 Bu durum tırmanma dahil arayüzey
dislokasyonlarının hareketi ile başarılmaktadır.
20
Şekil 1.6. Alt tanenin dönmesi ile alt tane
birleşiminin şematik gösterimi
21
TOPARLANMA MEKANİZMALARI (devamı)
 Poligonizasyon :
 X-ışın analizi kullanılarak bir tek kristal biraz
eğildiğinde ve sonra tavlandığında küçük tek
kristal blokcuklara ayrıldığı bulunmuştur (Şekil
1.7). Bu poligonize olmuş bir yapıya işaret eder.
 Tek kristalin eğilmesi ile birlikte aşırı pozitif
kenar dislokasyonu üretilmiştir.
 Tavlama sonucu bu kenar dislokasyonları küçük
açılı tilt (eğim) sınırlarında üst üste dizilir (bu
hem kayma hem tırmanma gerektirir) (Şekil
1.8).
22
Şekil 1.7. (a) Bir eğilmiş tekkristal ve Laue spot
paterni ile bağıntısı (b) Poligonize olmuş kristal ve
Laue spot paterni ile bağıntısı
23
Şekil 1.8. (a) Eğme ile üretilen aşırı kenar
dislokasyonu (b) Poligonizasyon sonrası kenar
dislokasyonlarının çizgisel olarak sıralanması
24
Poliganizasyon
 Poligonizasyon aşırı miktarda kenar
dislokasyonu gerektirir.

 Sadece daha yüksek toparlanma sıcaklıklarında
üretilirler; çünkü olayda dislokasyon
tırmanması vardır.

 Dislokasyonların düğümlenerek hücresel
yoğunlaşması ile üretilen alt taneden
kabaca on kat daha büyük alttane üretir.
25
TOPARLANMA KİNETİĞİ
 Toparlanma kinetiğinin analizinden toparlanma
mekanizması ile ilişkili bilgi edinmek
mümkündür.
 Bir fiziksel özelliği (direnç gibi) ele alalım ;
P
o
= Özelliğin deformasyon öncesi değeri
P
d
= Deformasyon sonrası üretilen hatalar
sonucu oluşan artış
P = P
o
+ P
d
= P
o
+ sabit.C
d
(1)

C
d
= Hacımsal hata konsantrasyonu
Fiziksel özelliğin zamana göre değişim hızı
(toparlanma sırasında) önemlidir.
26
TOPARLANMA KİNETİĞİ (devamı)
dt
dC
sabit
dt
Po P d
d
.
) (
=
÷
kT Q n
d
e C K
dt
dCd
/
) (
÷
÷ =
dt Ae
Po P
Po P d
kT Q
n
/
) (
) (
÷
÷ =
÷
÷
Hataların
azalma hızı
Problemi kimyasal
reaksiyon hız teorisi
olarak ele aldığımızda
bu eşitlik yazılabilir
(1), (2) ve (3) no’lu
eşitlikler birleştirilir

(2)
(3)
(4)
(5)
n=1 için çözüm
(1. dereceden bir kinetik için
azalma eksponansiyeldir)
(4) ve (5) no’lu eşitlikler toparlanma sırasında fiziksel özelliklerin
değişiminin zamana bağımlılığını tanımlar.
27
TOPARLANMA KİNETİĞİ (devamı)
 Zn tek kristalinin toparlanması ile ilgili örnek
Şekil 1.9’da verilmiştir.
 Zn tek kristali saf kayma sonucu şekil
değiştirmiştir. Bu durum akma mukavemetini
t
o
değerinden t
max
’a artırır (Şekil 1.9 a).
 Toparlanma akma mukavemetinin tekrar
t
max
’dan t
o
’a düşmesine neden olur.
 Bu düşüşün hızı Şekil 1.9 b’de görüldüğü gibi
zamanın ve sıcaklığın fonksiyonudur.
28
Şekil 1.9. a) Zn tekkristaller için kayma
gerilmesi-şekil değişimi bağıntısı b) Toparlanma
sırasında akma mukavemetinin zaman-sıcaklık
değişimi
kT
Q
sabit t + = ln
Sabit bir t değeri için geçerli eşitlik,
buradan Q hesaplanabilir
29
Toparlanma üzerine aşağıdaki sonuçlar
verilebilir:
 Toparlanma genellikle zaman ile eksponansiyel
olarak oluşur.

 Kinetik datanın doğru analizi ile bazı
durumlarda Q belirlenebilir.

 Genellikle birden fazla toparlanma
mekanizması devreye girer; böylece Q sabit
değildir.
30
REKRİSTALİZASYON İÇİN ÇEKİRDEKLENME
MEKANİZMALARI
 Rekristalizasyon için çekirdeklenme mekanizması
klasik çekirdeklenme mekanizmasına uymaz. Çünkü
burada kabul edilen kritik boyutlu cluster yapıçapı
deneylerde belirlenenden çok daha büyüktür.
 Metalin cinsine ve deformasyon derecesine bağlı
olarak rekristalizasyon için 2 çekirdekleşme
mekanizması gözlenmektedir.Deforme olmuş metal
deformasyon sonucu 2 tip arayüzey içerir :
1) Önceden var olan tane sınırları
2) Deformasyon sonucu oluşan alt tane sınırları
Çekirdekleşme bu iki sınırdan birinin ani
büyümesi ile oluşur.
31
REKRİSTALİZASYON İÇİN ÇEKİRDEKLENME
MEKANİZMALARI (devamı)
 1) Önceden var olan tane sınırlarının ani
büyümesi :
 Yüksek dislokasyon yoğunluklu orijinal tane ile düşük
dislokasyon yoğunluklu orijinal tane arasındaki sınır
Şekil 1.10 a’da gösterildiği gibi aniden dışa doğru
(yüksek dislokasyon yoğunluklu taneye doğru) büyür.
 Buradaki çekirdekleşme olayı aslında bir büyüme
olayıdır.
 Modele göre bir arayüzeyin büyümesi için E
s
> (2¸/a)
olmalıdır ve mobilitesi (B) yüksek arayüzeyler
gereklidir (yüksek açılı tane sınırları, çakışma sınırları
vb.).
32
Şekil 1.10. (a) Bir arayüzeyin yüksek dislokasyon
yoğunluklu tane içine ani büyümesi
(b) Bu çekirdekleşme olayını açıklayan model
33
REKRİSTALİZASYON İÇİN ÇEKİRDEKLENME
MEKANİZMALARI (devamı)
 2) Alt tane sınırının ani büyümesi :
 Genelde 2 mekanizma bu tip büyümeyi oluşturur ;
 1.Mekanizma – İlk olarak alt taneler büyür
(birleşme ya da alt tane sınırı göçü ile). Sonuç olarak
B’si yüksek hareketli arayüzey oluşur (yüksek açılı
tane sınırı) ve bu arayüzey E
s
> (2¸/a) olduğu
durumda büyür.
 2.Mekanizma – Daha karışıktır. Yüksek derecede
deforme olmuş metallerde gerçekleşir. Yüksek açılı alt
tane sınırları deformasyon sonucu oluşur. Alt tane
sınırında atomik konumda düzenleme oluşur, varolan
yüksek hareketli sınır modifiye olur ve büyüme
gerçekleşir.
34
Genel Sonuç


Tanelerin çekirdeklenmesi yüksek derecede hareketli sınırların ani
büyümesi ile oluşur. Bu sınırlar aşağıda verilen sınırlar olabilir:

1. Orijinal yüksek açılı sınırlar
2. a) Yüksek açılı alt tane sınırı (alttane genişlemesi
mekanizması ile oluşan)
2. b) Yüksek açılı alt tane sınırı (bilinmeyen bir atomik
düzenlenme yolu ile modifiye edilen)

1 ve 2a mekanizmaları hafif deforme edilmiş metallerde, 2b ise
yüksek deforme edilmiş metallerde geçerlidir.

Bu tarz bir çekirdeklenme olayı bir büyüme fenomeni gibi gözükür
ve bu nedenle büyümeyi etkileyen değişkenler aynı şekilde
çekirdekleşmeyi de etkiler. Klasik çekirdekleşmedeki gibi yeni
tanenin çekirdekleşmesi aniden olmuyorsa da rekristalizasyon
dönüşümünün hala çekirdekleşme ve büyüme basamaklarından
oluştuğunu kabul ederiz.
35
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ
 Rekirstalizasyon Şekil 1.1’de gösterildiği gibi
yeni gerinmesiz tanelerin çekirdekleşmesi ve
büyümesi ile soğuk şekil değiştirmiş matriksi
bitirmesidir.
 Toplam hacmin yeni kristalize olmuş tanelere
dönüşmesi, yeni tanelerin ;
N = Çekirdekleşme Hızı’na
G = Büyüme Hızı’na
bağlıdır.
 Bir soğuk şekil değiştirmiş metalin izotermal
olarak belirli bir sıcaklıkta tavlanması Şekil
1.11’de gösterilmiştir.
.
36
Şekil 1.11. Yeni tane yarıçapının zaman değişkenliği
Yeni tane sabit bir hızda diğer tanelere çarpana kadar büyür.
Yarıçapı (R) zamanla değişir.
t = Yeni tanelerin çekirdeklenmeya başladığı zaman
37
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Lineer büyümede bir çekirdeğin yarıçapı :
R= G(t-t)
 Bir çekirdek için dönüşen hacım (çekirdek küre
olarak kabul edildiğinde) :



 Dönüşen hacmı bulmak için çekirdek sayısına
karar vermemiz gerekir :
KAÇ ÇEKİRDEK VAR ?

( )
3
3
t G
3
4
t ÷ t
38
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Çekirdek sayısına karar vermek için çekirdekleşme
hızını şöyle tanımlayabiliriz :
N = Birim zamanda oluşan çekirdek sayısı
Dönüşmemiş hacım (V
u
)
 dt zaman aralığında oluşan çekirdek sayısı = NV
u
dt
V
u
►bir zaman fonksiyonu (belirlenmesi zor)
V
u
yerine toplam hacmı (V) ele alırsak ;
dt zaman aralığında toplam hacımda oluşan çekirdek
sayısı = NVdt
V = Dönüşen Hacım + Dönüşmemiş Hacım (V
u
)
.
.
.
39
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Ancak zaten dönüşmüş hacımda çekirdek yok !
►FANTOM ÇEKİRDEKLEŞME (Şekil 1.12)
Şekil 1.12. Dönüşen matrikste hakiki ve “fantom” çekirdek
40
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Çekirdeklerin tahmini (imajiner) sayısı = n
imaj
 Tüm gerçek çekirdek sayısı = n
reel
 Fantom (hayalet) çekirdek sayısı = n
fantom
n
imaj
=

n
reel
+ n
fantom


Dönüşen tahmini (imajiner) hacım =



}
÷ H
t
Vdt N t G
0
3 3
. ) (
3
4

t
hacım/çekirdek n
imaj
41
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Dönüşen hacım oranı = X (%) ile çalışmak daha
rahattır ;






 Şimdi X
imaj
ile hakiki dönüşen hacım oranı X
reel

ilişkisini kumamız gerekir.
hacim toplam
hacim dönüşen imaj.
=
}
÷ H
t
dt N t G
0
3 3
) (
3
4

t
X
imaj
=
42
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Herhangi bir dt zaman aralığında oluşan
hacım/çekirdek (reel ve fantom çekirdek için aynı)
= 4/3 tG
3
(t-t)
3


 Sonuç olarak

;




dX
dX
dV
dV
dn
dn
imaj
r
imaj
r
imaj
r
= =
43
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 dQ = dt zamanında hacım başına oluşan çekirdek
sayısı ise,
dn
reel
= V
u
dQ ► dn
imaj
= VdQ
 Çekirdeğin matrikste gelişigüzel oluştuğunu
varsayalım (dQ yöreye bağlı değil) ;
V
V - V
V
V
dn
dn
dönüşen
n
imaj
r
= = = 1 - X
reel
=
dX
dX
imaj
reel
1 - X
reel
44
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Bu basit diferansiyel denklemin çözümü ;


 Aşağıdaki kabuller yapıldığında ;
G ► sabit
N ► sabit
t ► çok küçük
X
imaj
= (t/3)G
3
Nt
4
olur.
 Bu iki denklem birleştirildiğinde dönüşen hacım oranını
veren JOHNSON-MEHL bağıntısı elde edilir :


imaj
X
reel
e 1 x
÷
÷ =
.
.
45
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 JOHNSON-MEHL bağıntısı her faz dönüşümüne
uygulanabilir, ancak aşağıdaki 4 kısıtlama vardır ;
 Gelişigüzel çekirdeklenme
 Sabit çekirdeklenme hızı
 Sabit büyüme hızı
 Küçük çekirdeklenme zamanı
 Ancak çoğu katı-katı dönüşümünde çekirdeklenme
tane sınırlarında oluşur (gelişigüzel değil). Bu gibi
durumlar için Johnson-Mehl bağıntısında düzeltme
yapmak gerekir.
46
Şekil 1.14. Değişik G ve N değerleri için
Johnson-Mehl bağıntısının (Denklem 1.29) eğrileri
Bu eğrilerin tipine SİGMOİDAL denir, çekirdekleşme ve
büyüme yolu ile oluşan dönüşümler için tipiktir.
Dönüşen miktarın (X
reel
) N’e kıyasla G’nin daha kuvvetli
bir fonksiyonu olduğunu görürüz.
.
47
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Genelde katı hal faz dönüşümlerinde ,
G ► sabit
N ►değişken
olarak gözlenmiştir (yani Johnson-Mehl bağıntısı tam
doğru değildir)
 AVRAMI ► çekirdeklenmenin zaman ile
eksponansiyel azaldığını göz önüne almıştır.
 Johnson-Mehl denkleminde, N değişken olarak
alındığında Johnson-Mehl-Avrami denklemi çıkar ;
.
.
k,n sabit
48
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 G ve N’nin Deneysel Belirlenmesi
(Metalografik Çalışma):
 1) Bir seri eşdeğer numune aynı miktarda
deforme edilip bunu takiben belirli bir sıcaklıkta
tavlanır.
 2) Numunelere bundan sonra çeşitli zaman
sonrası ayrı ayrı su verilir.
 3) Görüntü analizi ile metalografik numunelerde
en büyük tane çapı belirlenir.
 4) En büyük rekristalize olan tanenin ilk
çekirdeklenen olduğu varsayılır. Her örnekte
(her t için) R belirlenir (Şekil 1.15)

.
49
Şekil 1.15. 350ºC ısıtmada % 2.8 ve % 5.1
uzatılmış Al’da en büyük tane boyutu-zaman ilişkisi
Eğim, G’yi verir. Doğrunun X eksenini kestiği yer t’i verir.
Bu çalışmada
G sabittir.
50
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 G ve N’nin Deneysel Belirlenmesi (devamı):
 5) Su verilmiş numunelerin metalografik
incelemesinden yüzeydeki yeni rekristalize olmuş
tane sayısı bulunur (N
s
) (Şekil1.16 a). Bu eğrinin
eğimi yüzey çekirdeklenme hızını verir (N
s
) (Şekil
1.16b).

Bu çalışmanın hem Johnson-Mehl denklemine,
(çekirdekleşme hızı sabit değildir) hem de
Avrami denklemine uymadığı (çekirdekleşme
hızı zaman ile artar) görülmektedir.


.
.
51
Şekil 1.16. % 5 uzama sonrası Al’in 350ºC’de
tavlanması
52
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 G ve N’nin Deneysel Belirlenmesi (devamı):
 Metalografik incelemede iki boyutlu görüntü elde eder
ve yüzey yoğunluğunu belirleriz (N
s
).
 Buradan üç boyutlu görüntüye karar vermemiz,
hacımsal yoğunluğu belirlememiz (N
v
) gerekir.
 Bu amaçla iki kabul yapalım :
1) Bütün taneler küreseldir
2) Bütün taneler aynı boyuttadır
 Metalografik incelemeden tanelerin en büyük çaplarını
belirleriz (r
max
).
 Şekil 1.17’de verilen gösterim ile N
s
’den N
v
bulunur.

Genelde doğru
değil !
53
Şekil 1.17. Tane yoğunluğu analizi için bir hacim
gösterimi
N
hacım
| 1.1. 2r
max
| = N
yüzey
| 1.1 |
54
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Büyüme hızına etki eden faktörler :
 Soğuk deforme olmuş matriks ile rekristalize olmuş
tane arasındaki sınır için büyüme hızı :





 Farklı değişkenlerin büyüme hızına etkisi bu eşitlik
kullanılarak anlaşılabilir.
Büyüme hızı artan depolanmış enerji ile artar.
ì
µ A
= . B G
ì
s B
E
kT
D
G . =
55
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Büyüme hızına etki eden faktörler (devamı) :
1) Ön gerinme
Gerinmenin artması depolanmış enerjiyi artıracağı için
büyüme hızını da artırır (Örnek : Al , Şekil 1.15, 1.18 a).
Şekil 1.15 Şekil 1.18 (a)
56
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Büyüme hızına etki eden faktörler (devamı) :
 Şekil 1.18(a) dan % 15’lik uzamanın üzerinde G’nin
pek fazla büyümediği görülür, çünkü % 15’lik
uzamanın üzerinde E
s
de çok az artar.
 Şekil 1.18(a)’da ayrıca kuluçka zamanı şekil
değişiminin bir fonksiyonu olarak verilmiştir. Kuluçka
süresi artan uzama ile keskin olarak düşer ve yaklaşık
%15 lik şekil değişiminde ise sıfır olur. Bu durum
yüksek uzamalarda çekirdeklenmenin daha kolay
olduğunu gösterir.

57
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Büyüme hızına etki eden faktörler (devamı) :
2) Başlangıç tane boyutu
Tane boyutunun küçülmesi depolanmış enerjiyi artıracağı
için büyüme hızını da artırır (Örnek : Al , Şekil 1.18b).

Şekil 1.18 (b)
58
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Büyüme hızına etki eden faktörler (devamı) :
3) Saflık
Empüriteler tane sınırı hareketini engeller, mobilite düşer,
sonuç olarak büyüme hızı azalır. Pb‘ye yalnızca 60 ppm Sn
ilavesinin arayüzey büyüme hızınını 5000 mertebesinde bir
faktör kadar azalttığı bilinmektedir.
4) Tavlama Sıcaklığı
Büyüme hızının sıcaklık ilişkisinin bir Arrhenius bağıntısına
uyduğu bulunmuştur:


Buna göre sıcaklığın artması büyüme hızını artırır.

59
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Çekirdeklenme hızına etki eden faktörler :
1) Ön gerinme
Rekristalizasyonun çekirdeklenme oranı , deformasyon ile
artar. Bir çalışmadan sonuçlar Şekil 1.19’da gösterilmiştir.
Bu şekilde ayrıca kritik bir şekil değiştirme miktarının
rekristalizasyon için gerekli olduğunu göstermektedir. Bu
sonuçlar genel olarak metal sistemleri için doğrudur.
2) Başlangıç tane boyutu
Tane boyutunun çekirdeklenme hızına etkisi çok belirgindir.
Anderson ve Mehl’in çalışmalarından alınan veriler Şekil
1.20’de gösterilmiştir. Küçük tane boyutlarında çok daha
yüksek çekirdekleşme hızlarının varlığı ve çekirdekleşmenin
daha çabuk başladığı görülür. Küçük taneler çok daha
kompleks gerilme dağılımı dolayısıyla yöresel yüksek
deformasyon üretir, bu da çekirdeklenme hızını artırır.
60
Şekil 1.19. Ön uzamanın fonksiyonu olarak
350ºC’de Al rekristalizasyonunda G ve N’nin
değişimi
61
Şekil 1.20. Aynı miktarda (% 5) gerinen iki Al
numunesinde değişik orijinal tane boyutunun
rekristalizasyona etkisi
62
REKRİSTALİZASYON KİNETİĞİ (devamı)
 Çekirdeklenme hızına etki eden faktörler
(devamı) :
3) Saflık
Saflığın çekirdeklenme hızı üzerine etkisi tam
araştırılmamıştır. Ancak empürite artışıyla depolanmış
enerjinin artar ve böylece çekirdekleşme hızının artması
beklenir.
4) Tavlama Sıcaklığı
Çekirdekleşme hızının sıcaklık bağımlılığı yine Arrhenius
bağıntısı tipindedir ve sıcaklığın artması çekirdeklenme
hızını artırır.



63
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞI (T
Re
)
 Rekristalizasyon sıcaklığı, belirli spesifik bir zaman
içinde, sıklıkla bir saat içinde rekristalizasyonun
oluştuğu sıcaklık olarak tanımlanır.
 JOHNSON-MEHL denkleminden hacımsal dönüşümün
% 95’ni ni gerçekleştirmek için gerekli süre, t
0.95

aşağıda verilmiştir:

t
0.95
= (2,85 / N G
3
)
1/4

 Çekirdeklenme ve büyüme hızları ile rekristalizasyon
sıcaklığı arasında ters bir ilişki vardır (Şekil 1.21).


.
64
Şekil 1.21. Bir saatlik rekristalizasyon sıcaklığının
tanımlanması
N ve G artırıldığında
T
Re
düşer
.
65
REKRİSTALİZE TANE BOYUTU (d
Re
)
 Gene JOHNSON-MEHL ilişkisinden rekristalize olan
tanenin boyutu şöyle ifade edilir :

d
Re
= sabit (G /N)
1/4

 Bu denklem, küçük bir rekristalize tane boyutunun
yüksek bir çekirdeklenme hızı ve düşük bir büyüme
hızı ile sağlandığını gösterir; yani taneler yüksek bir
yoğunlukta çekirdeklenir ve yavaş bir hızla büyür.
.
66
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER


Faktör N G
Ön gerinme
Başlangıç tane boyutu
Saflık
Tavlama sıcaklığı
.
Artma Azalma
67
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER

1) Öngerinme
Yüksek gerinmelerde T
Re
düşer, çünkü yüksek gerinme
N ve G’yi artırır. Bu durum, Şekil 1.22a’da Al ve Fe için bir
saatlik rekristalizasyon sıcaklığında gösterilmiştir.

Şekil 1.22 (a)
.
68
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER
1) Öngerinme (devamı)
Yüksek gerinmeler rekristalize olmuş tane
boyutunu düşürür, çünkü Şekil 1.19 da gösterildiği
gibi N/G gerinme ile artar. Bu durum Şekil 1.22b’de ise
o-pirinci için gösterilmiştir.
.
Şekil 1.22(b)
69
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER
2) Başlangıç tane boyutu
Artan depolanmış enerjiye bağlı olarak hem N ve hem de
G arttığı için ince taneler ile T
Re
düşer.

d
Re
ince tane ile düşürülür (Şekil 1.22b). Küçük tane
yöresel daha yüksek deformasyona neden olur, bu da N’i
G’ye göre daha hızlı arttırır (Şekil 1.19).
.
.
70
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER
3) Saflık
T
Re
, empürite katkısı ile yükselir. Bu etki Tablo 1.2’de
gösterilmiştir. Bu tablo ayrıca rekristalizasyon sıcaklığının
ergime sıcaklığının yarısı derecesinde olduğunu
göstermektedir (T
Re
~ 1/2 T
m
).

Katışkı elementleri ile depolanan enerji artar. N / G oranı
depolanan enerji ile arttığı için, empüritelerin daha
küçük rekristalize olmuş tane boyutu sağlaması
beklenir.

.
71
Tablo 1.2. Bir saatlik rekristalizasyon sıcaklığı için
yaklaşık değerler
Malzeme Rekristalizasyon Sıcaklığı
Bakır % 99.999 120
OFHC (oxygen free high conductivity) 210
% 5 Zn 320
Aluminyum Zone inceltilmiş 10
% 99.999 85
% 99.0+ 240
Alaşımlar 320
Nikel % 99.99 370
% 99.4 630
Tungsten Yüksek saflıkta 1200 - 1300
Mikroboşluklar içeren 1600 -2300
Kalay -4
72
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER
4) Tavlama Sıcaklığı
Tavlama sıcaklığının rekristalizasyon sıcaklığı T
Re
’e
etkisinden bahsetmek pek anlamlı olmasa da daha
yüksek tavlama sıcaklıklarının daha hızlı rekristalizasyon
ürettiği (daha düşük T
Re
) söylenebilir, çünkü N ve G
sıcaklık ile artar.

Tavlama sıcaklığının rekristalize olan tane boyutu d
Re

üzerine etkisi net olarak ortaya konmamıştır. N ve G
Arrhenius denklemine uyar ve her ikisi de yaklaşık aynı
Q’ya sahiptir. Böylelikle N /G oranı sıcaklıkla yaklaşık
sabit kalacaktır.
.
.
.
73
REKRİSTALİZASYON SICAKLIĞINI (T
Re
) VE
TANE BOYUTUNU (d
Re
) ETKİLEYEN
FAKTÖRLER
5) Ön Gerinme (Deformasyon) Sıcaklığı
Yüksek sıcaklıkta deformasyon daha fazla toparlanma
oluşturur, böylece N ve G için daha az depolanmış enerji
kalır.

Artan deformasyon sıcaklığı ile T
Re
artar çünkü N ve G
düşer.

Artan deformasyon sıcaklığı gerinmeyi azaltır, N /G oranı
düşer ve d
Re
artar.
.
.
.
74
REKRİSTALİZASYON İLE TANE BOYUTU
KONTROLÜ
 Rekristalizasyon metallerde tek kristal üretmede
kullanılabilir. Bu durumda birkaç santimetreye
eşdeğer bir maksimum d
Re
eldesi mümkündür.
 Max. d
Re
eldesi için N/G minimize edilmeye çalışılır;
Şekil 1.19’dan çekirdekleşme için gerekli kritik
gerinme miktarında gerinme yapılır ( ~ 2-5 % ).
 Sonuç olarak rekristalizasyon ile tane boyutu
kontrolünün yapıldığını söyleyebiliriz.
.
75
İLGİLİ KONULAR : 1) SICAK ŞEKİLLENDİRME
 Metal bir çubuğun eğilip bükülmesi sonucu malzeme
değişik mekanizmalarla dislokasyonlar üretilip soğuk
sertleşir.
 Aynı işi yumuşak lehim malzemeleri ile yaparsak soğuk
sertleşmediğini görürüz. Bunun nedeni lehimin
rekristalizasyon sıcaklığının yeterli derecede düşük
olmasıdır. Yani malzemenin rekristalizasyon sıcaklığı,
eğme ve bükme sırasında rekristalizasyonun
gerçekleşebileceği kadar düşüktür. Yeni gerinmesiz taneler
düşük bir dislokasyon yoğunluğuna sahiptir, böylece
pekleşme gerçekleşmez.
 Sıcak şekillendirme sırasında aynı anda rekristalizasyon ve
deformasyon oluşumları Şekil 1.23’te gösterilmiştir.
76
Şekil 1.23. Sıcak haddelemede rekristalizasyon
77
İLGİLİ KONULAR : 2) TEKSTÜR
 Bir metal ağır soğuk şekillendirildiğinde tüm taneler
dönerek deformasyon yönünde öncelikli bir kristalografik
yönlenme üretirler. Tanelerin bu öncelikli yönlenmelerine
deformasyon teksturu denir.
 Deformasyon teksturu içeren bir metal rekristalizasyon
üretmek için tavlandığında yeni tanelerin gelişi güzel
yönlü olarak dağılması beklenir. Ancak sıklıkla böyle
olmaz, tavlama teksturu veya rekristalizasyon
teksturu olarak adlandırılan konum oluşur. Bu oluşumun
iki nedeni vardır:
 Çekirdek öncelikli oryentasyonla oluşur.
 Yalnız öncelikli oryantasyonu olan taneler büyür; diğer
tanelerin mobilitesi çok düşüktür ve büyümeleri diğer
taneler tarafından bastırılır.
Deney bulguları, tavlama teksturunun öncelikli büyüyen
tanelerin primer tekstur taneleri ile koinsidans sınırları
(yüksek mobilite) oluşturmasından geldiğini gösterir.
78
İLGİLİ KONULAR :
3) İKİNCİL REKRİSTALİZASYON
 Şu ana kadar bahsedilen ve Şekil 1.1’de gösterilen
olay birincil rekristalizasyon olarak adlandırılır.
 Bazı durumlarda Şekil 1.1 de gösterilen tane
büyüme aşamasında birkaç büyük tane, daha küçük
rekristalize tane yapısını tüketerek tercihli olarak
büyür ve çok büyük boyutlara ulaşır. Buna ikincil
rekristalizasyon denir.
 Bu oluşum birincil rekristalizasyona çok benzerdir
ve Şekil 1.24 de gösterilmiştir.
79
Şekil 1.24. İkincil rekristalizasyonun şematik
gösterimi
80
İLGİLİ KONULAR :
3) İKİNCİL REKRİSTALİZASYON (devamı)
 İkincil rekristalizasyonun relatif olarak küçük stabil
tane boyutlu metallerde oluştuğu bulunmuştur. Bu
durumun elde edilmesinde üç ana yol vardır:

 a) Metal bir deformasyon teksturu eldesi için yeterli
miktarda deforme edilir ve bundan sonraki birincil
rekristalizasyon ile bir rekristalizasyon teksturu
oluşur. Rekristalize olmuş taneler benzer bir
oryentasyona sahip olduğu için yüksek açılı tane
sınırları yoktur. Bu nedenle tane sınırı mobilitesi
düşüktür ve tane yapısı relatif olarak kararlıdır.
 b) İkincil faz içeren metallerde tane boyutu
sınırlanır (Malzeme I).
 c) İnce bir metal sac’da (Şekil 1.25) tane sınırı
yüzey arakesitinin olduğu yerlerde yüzeyde girinti
oluşur ve bu girintiler sınır hareketini yavaşlatır.
81
Şekil 1.25. Sac numunede düşey tane sınırının
sağ tarafa hareketi
82
İLGİLİ KONULAR : ÖRNEK
 W filamanı (lamba teli) bu bölümde anlatılanlar için
iyi bir örnektir.
 Arayüzeyler bölümünde anlatıldığı gibi ThO
2

katkısı ile W tane büyümesi önemli ölçüde
azaltır. Daha küçük tane boyutu tane sınırlarının
filament çapı boyunca genişlemesini önler; bu
suretle Malzeme Bilimi I ders notu, arayüzeyler
konusundaki Şekil 7.43 te gösterildiği gibi tane
sınırının dışa kaymasına bağlı olarak filament
hasarları azalır.
 Bu nedenle torya/toryumoksit (ThO
2
) disperse
edilmiş tungsten filamentin sürünme direnci saf
W’a göre çok daha iyidir (Şekil 1.26).
83
AC ile ısıtılan saf W filamanında tane
büyümesi (MALZEME I, Şekil 7.43)
84
Şekil 1.26. Çapı 225 µm olan W telin 2500ºC’de
sürünme deformasyonu
85
İLGİLİ KONULAR : ÖRNEK (devamı)
 Ancak bundan da iyi filamanlar K, Al, Si empürite
katkısı ile üretilmiştir.
 Bu katışkıların ilavesi sonucu rekristalize olan tane
yapısı Şekil 1.27’de görüldüğü gibi tel boyunca
uzamış büyük taneler içermektedir.
 Taneler, Malzeme Bilimi I ders notu, arayüzeyler
konusundaki Şekil 7.43 te gösterildiği gibi dışa
doğru kayamaz, çünkü tel ekseni boyunca birbirine
bağlanmışlardır.
 Sürünme öncelikle tane sınırı sürünmesi olarak
oluştuğu için bu tarz büyük taneli filamanların
sürünme direnci çok daha iyidir (Şekil 1.26).
86
Şekil 1.27. Dope edilmiş W telinde uzamış tane
sınırı yapısı
87
İLGİLİ KONULAR : ÖRNEK (devamı)
 Uzamış birbirine bağlı tane yapısı üreten katışkıların bu
etkisinin şöyle olması gerekir:
 Oksit halinde ilave edilen katışkılar sinterlemede %90’ın
üzerinde buharlaşır,ingot içinde buhar köpüğü sıraları
üretir.
 Bu buhar köpükleri W ingot haddelenirken uzar.
 1600
o
C üzerinde uzamış olan buhar köpükleri parçalanır ve
tel ekseni boyunca dizilir.
 Bu buhar köpükleri (katışkı kabarcıkları) ikincil faz tanesi
etkisi yapar ve tane sınırı hareketini eksene dik olarak
engeller, tel eksenine paralel tane büyümesine izin verir.
 İkincil rekristalizasyon sonucu kaba, uzamış, birbirine bağlı
taneler oluşur.

You're Reading a Free Preview

İndirme
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->